진공처리 유니트 및 장치.

진공처리 유니트 및 장치

Номер патента: KR900004872B1
Опубликовано: 08-07-1990
Автор(ы): 네 쓰네 히꼬 쓰보, 사또 구리오 나까, 요시 마사 후꾸시마, 이 노리오 가나, 후미오 사바다, 히유다까 가께
Принадлежит: 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼, 미다 가쓰시게
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fine concavo-convex structure product, heat-reactive resist material for dry etching, mold manufacturing method and mold

Номер патента: US09701044B2. Автор: Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Fine concavo-convex structure product, heat-reactive resist material for dry etching, mold manufacturing method and mold

Номер патента: US09597822B2. Автор: Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Fine concavo-convex structure product, heat-reactive resist material for dry etching, mold manufacturing method and mold

Номер патента: US9623590B2. Автор: Yoshimichi Mitamura. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Dry etching method for magnetic material

Номер патента: TW200508418A. Автор: Yoshimitsu Kodaira,Taichi Hiromi. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Dry etching method for magnetic material

Номер патента: EP2184380A1. Автор: Yoshimitsu Kodaira,Taichi Hiromi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2010-05-12.

Dry etching method for magnetic material

Номер патента: CN1603468A. Автор: 小平吉三,广见太一. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Anisotropic dry etching technique for deep bulk silicon etching

Номер патента: US20040018734A1. Автор: Jeffrey Fortin,Matthew Nielsen,Richard Saia,James Schermerhorn. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Controlled dry etch of a film

Номер патента: US7288476B2. Автор: Ronnie P. Varghese. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-10-30.

Laser etching method for transparent conductive plate and transparent conductive plate prepared thereby

Номер патента: US09496074B2. Автор: Yu-Yang Chang,Shiou-Ming Liu,Yao-Zong Chen,Chien-Rong Lu. Владелец: Nanobit Tech Co ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Dry etching method

Номер патента: US5880035A. Автор: Seiichi Fukuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Dry etching by alternately etching and depositing

Номер патента: US4985114A. Автор: Shinichi Tachi,Hiroshi Kawakami,Kazunori Tsujimoto,Tokuo Kure,Sadayuki Okudaira. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-01-15.

Dry etching process for semiconductor

Номер патента: US5522966A. Автор: Kenji Kondo,Yoshikazu Sakano,Atsushi Komura,Shoji Miura,Keiichi Kon,Tetsuhiko Sanbei. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-04.

Method for dry etching vias in integrated circuit layers

Номер патента: US5017511A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Method for dry etching openings in integrated circuit layers

Номер патента: US5157000A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-10-20.

Dry etching of silicon carbide

Номер патента: CA1329167C. Автор: John W. Palmour. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1994-05-03.

Method and apparatus for dry etching

Номер патента: US5474650A. Автор: Shinichi Tachi,Kazunori Tsujimoto,Takao Kumihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-12-12.

Plasma etching methods

Номер патента: US6010967A. Автор: Kevin G. Donohoe,Richard L. Stocks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Selective etching method for III-V group semiconductor material using a mixed etching gas and a stop-etching gas

Номер патента: US5389574A. Автор: Yasuyuki Mizunuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Etching method for use in fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US5798303A. Автор: Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-25.

Method and structure of pattern mask for dry etching

Номер патента: SG143176A1. Автор: Wen-Kun Yang,Jui-Hsien Chang,Chi-Chen Lee. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2008-06-27.

Dry etching method and apparatus for use in the LCD device

Номер патента: US20010020517A1. Автор: Byung-Young Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US11972955B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-04-05.

Resin composition, dry-etching resist mask, and patterning method

Номер патента: US09777079B2. Автор: Makoto Yada,Takeshi Ibe. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Anisotropic dry etching of cu-containing layers

Номер патента: WO2004003256A1. Автор: Lee Chen,Audunn Ludviksson. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-01-08.

Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor

Номер патента: WO1998000874A1. Автор: John P. Holland,Alex T. Demos. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-01-08.

Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method

Номер патента: RU2429553C2. Автор: Майно ГРИН,Фенгминг ЛИУ. Владелец: Нексеон Лтд.. Дата публикации: 2011-09-20.

Etching method

Номер патента: US12020942B2. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Etching method

Номер патента: US20240304453A1. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon etching liquid, silicon etching method, and microelectromechanical element

Номер патента: US09875904B2. Автор: Yoshiko Fujioto. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Etching Composition, Etching Method, Method for Manufacturing Semiconductor Device, and Method for Manufacturing Gate-All-Around-Type Transistor

Номер патента: US20230374383A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon etchant and etching method

Номер патента: GB2474187A. Автор: Kazuyoshi Yaguchi,Ryuji Sotoaka. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2011-04-06.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Dry etching method

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Kazuya Abe,Toshiyasu Sakai,Hiroyuki Abo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Oxidation to mitigate dry etch and/or wet etch fluorine residue

Номер патента: US12068385B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Shin Wang,Chun-Neng LIN,Chun-Cheng CHOU,U-Ting Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US11895922B2. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for forming vertical structure, electronic device including vertical structure formed by the etching method, and method of manufacturing the electronic device

Номер патента: US20220158074A1. Автор: Choongho RHEE,Sungchan Kang,Yongseop YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Substrate processing method and method of manufacturing substrate for liquid discharge head including forming hole in substrate by dry etching

Номер патента: US09676193B2. Автор: Masataka Kato,Hiroshi Higuchi,Toshiyasu Sakai,Masaya Uyama,Seiko Minami,Yoshinao Ogata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for separating sapphire wafer into chips using dry-etching

Номер патента: US7151045B2. Автор: Ju Hyun Kim,Bang Won Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-19.

Non-plasma dry etching apparatus

Номер патента: US20140305590A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Yasushi Taniguchi,Naoshi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Etching method and etching system

Номер патента: RU2332749C1. Автор: Ясухиро МОРИКАВА,Тосио ХАЯСИ,Коукоу СУУ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2008-08-27.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US12100601B2. Автор: Yu Zhang,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Plasma etching method and apparatus, and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Etching method and bevel etching apparatus

Номер патента: US09623516B2. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Substrate etching method

Номер патента: US09478439B2. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Two etchant etch method

Номер патента: US20020052113A1. Автор: AJAY Kumar,Dragan Podlesnik,Jeffrey Chinn,Anisul Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: EP4207260A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Wet etching method for an N-type bifacial cell

Номер патента: US09537037B2. Автор: Chen Zhao,Lei Shi,Fei Zheng,Zhongli RUAN,Zhongwei Zhang,Yuxue ZHAO. Владелец: SHANGHAI SHENZHOU NEW ENERGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Etching method with metal hard mask

Номер патента: US20240112923A1. Автор: Yu Zhang,Xiaoming He,Zhaocheng LIU,Aki AKIBA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Etching method

Номер патента: US10424491B2. Автор: Yuki TAKANASHI,Noriaki OIKAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: EP3712927A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Substrate etching method

Номер патента: US20150311091A1. Автор: Zhongwei Jiang. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether

Номер патента: US20230162972A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-05-25.

Plasma etching method using pentafluoropropanol

Номер патента: US20230178341A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma etching method

Номер патента: US20240006186A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim,Sang-Hyun YOU. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma etching method

Номер патента: US7037843B2. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: US20200365379A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Laser etching apparatus and laser etching method using the same

Номер патента: US20230294209A1. Автор: HeungYeol Na,Jungwoo CHOI,Yoonchul KIM,Seong Jin YEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Liquid-carrying roller for wet etching and wet etching method

Номер патента: US20230343888A1. Автор: LIN Lu,Bin Chen,Yunlu Wang. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: WO2017169809A1. Автор: 孝明平野,宗洋百武. Владелец: 日本ゼオン株式会社. Дата публикации: 2017-10-05.

Filter, method for producing same, dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW201800139A. Автор: 百武宗洋,平野孝明. Владелец: 日本瑞翁股份有限公司. Дата публикации: 2018-01-01.

Dry etching gases and method of dry etching

Номер патента: EP1760769A4. Автор: Toshiro Yamada,Tatsuya Sugimoto,A Sekiya,Takanobu Mase. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2009-05-13.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US20140042121A1. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for removing burrs of battery electrode plates by inductively coupled plasma dry etching

Номер патента: US9276254B2. Автор: Tao Tao,Yi Li,Peng Chen,Bing Liu,Yi Shi,Rong Zhang,Ping Han,Ting Zhi,Zhili Xie,Zhiguo Yu,Xiangqian Xiu,Youdou Zheng. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-01.

Method for the selective dry etching of layers of III-V group semiconductive materials

Номер патента: US4742026A. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-05-03.

Dry etching method for patterning high melting point metal layers with improved etch rate, anisotropy, and selectivity to silicon oxide

Номер патента: KR970063521A. Автор: 히데유끼 쇼지. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-09-12.

How to Clean the Etching Chamber of Dry Etching Equipment

Номер патента: KR950021173A. Автор: 히데아끼 가와모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-07-26.

Method of dry etching for patterning refractory metal layer improved in etching rate, anisotropy and selectivity to silicon oxide

Номер патента: KR100270249B1. Автор: 히데유끼 쇼지. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for the removal of matter from a substrate by selective dry etching and application of this method to the manufacture of conductive patterns

Номер патента: DE2861271D1. Автор: Laura Beth Rothman,Paul Martin Schaible,Geraldine Cogin Schwartz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-07.

Dry etching method

Номер патента: JP3013446B2. Автор: 啓二篠原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-02-28.

Dry etching method

Номер патента: KR100218772B1. Автор: 신고 가도무라,데쓰지 나가야마. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1999-09-01.

Dry etching method for organic material layers

Номер патента: EP0123813A3. Автор: Iwao C/O Patent Division Higashikawa,Tsunetoshi C/O Patent Division Arikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-11-09.

再生pecvd设备或dry etch设备腔体中的构件的方法

Номер патента: CN114535186. Автор: 刘超,刘晓刚,朱勇,李仁杰,蔡广云,黄来国. Владелец: Hefei Weirui Optoelectronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-05-27.

FILTER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, DRY ETCHING APPARATUS, AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20190105588A1. Автор: HIRANO Takaaki,HYAKUTAKE Munehiro. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US20240282583A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: US12100600B2. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Yuuta TAKEDA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220325418A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-10-13.

Dry etching method

Номер патента: US20010055886A1. Автор: Teiichi Kimura,Yoshihiro Yanagi,Kiyohiko Takagi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-27.

Dry etching method, microfabrication process and dry etching mask

Номер патента: US20020028359A1. Автор: Kenji Uchiyama,Kazuhiro Hattori. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-07.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4354490A1. Автор: Kazuma Matsui,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Dry etching method for film layer structure and film layer structure

Номер патента: US20210010140A1. Автор: Chong HU,Xianwang WEI. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Dry Etching Method

Номер патента: US20210358762A1. Автор: Hiroyuki Oomori,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Dry etching apparatus with diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator

Номер патента: US5100495A. Автор: Tadahiro Ohmi,Masahiro Miki,Matagoro Maeno,Hirohisa Kikuyama. Владелец: Hashimoto Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-31.

Dry etching method and dry etching agent

Номер патента: US9929021B2. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Dry Etching Method and Dry Etching Agent

Номер патента: US20170084467A1. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A1. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US11814561B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Dry etching gas composition including sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond, and dry etching method using same

Номер патента: EP3872841A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound and dry etching method using the same

Номер патента: US11795397B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound and dry etching method using the same

Номер патента: US20220135882A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US20220135881A1. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Dry etching gas composition comprising sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond and dry etching method using the same

Номер патента: US11795396B2. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Dry-etching gas for semiconductor process

Номер патента: US20080203353A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jong Yeol Yang,Young Hoon Ahn,Bong Suk Kim,Hae Seok Ji,Ook Jae Cho,Jae Gug Ryu. Владелец: Ulsan Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Dry etching of metal film

Номер патента: CA1136525A. Автор: Kazuo Tokitomo,Hitoshi Hoshino,Tadakazu Takada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-11-30.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US12018387B2. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-25.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Liquid composition used in etching copper- and titanium-containing multilayer film, etching method in which said composition is used, method for manufacturing multilayer-film wiring, and substrate

Номер патента: US09365934B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US12031077B2. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: US20240249952A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: EP4181176A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386851A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4231332A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Etching composition for selectively etching silicon nitride, etching method, and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240014044A1. Автор: Hyun Goo Kang,Young Mee Kang,Eun Seok Oh,Sang Woo LIM,Tae Gun Park,Go Un KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-11.

Etching method of glass substrate and wet etching apparatus thereof

Номер патента: US09676661B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Etching method

Номер патента: US09396962B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Plasma etching method

Номер патента: US20170372915A1. Автор: Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Gold or gold alloy etching solution composition and etching method

Номер патента: EP4283014A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Etching method

Номер патента: US12119233B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09882124B2. Автор: Akitaka Shimizu,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Plasma etching method, plasma etching device, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: US09837251B2. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Etching method, method of manufacturing article, and etching solution

Номер патента: US09701902B2. Автор: Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Plasma etching method

Номер патента: US09680090B2. Автор: Kentaro Yamada,Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Daisuke Fujita. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Etching method of semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US09514958B2. Автор: Tadashi Inaba,Atsushi Mizutani,Tetsuya Kamimura,Yoshinori Nishiwaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Plasma etching method

Номер патента: US20190027368A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234097A1. Автор: Atsushi Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Composition for etching silicon nitride film and etching method using same

Номер патента: US20210363423A1. Автор: Jung Min Choi,Sang Ran Koh,Jun Young Jang,Youn Jin Cho,Yong Woon Yoon,Ki Wook Hwang,Kwen Woo HAN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: US20180298501A1. Автор: Tamami Aoki,Yoshihide Saio,Yuji MASAMOTO. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09991138B2. Автор: Akifumi YAO,Mitsuhiro Tachibana,Koji Takeya,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Etching method, method for producing dielectric film of low dielectric constant, method for producing porous member, etching system and thin film forming equipment

Номер патента: EP1881525A1. Автор: Hitoshi MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES LTD SAKAMOTO,Chikako HITEC Co. Ltd. KOBAYASHI. Владелец: Phyzchemix Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Etching composition for metal nitride layer and etching method using the same

Номер патента: US20220396733A1. Автор: Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Seok Hyeon NAM. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386853A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching gas, method for producing same, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230374381A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching gas, etching method, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230386850A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240038546A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: EP4257727A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Recess etching solution, recess etching method, and surface-treated semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: US20240047224A1. Автор: Toshiyuki Oie,Satoshi Okabe,Po-Hung Wang,Chung-Yi Chen,Tomoyuki Adaniya,Yoshihiro Hommo. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Etching gas, etching method, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4231331A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143028A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent

Номер патента: MY152247A. Автор: Shirahata Satoshi,MATSUDA Osamu,Kikuchi Nobuyuki,Hayashida Ichiro. Владелец: Wako Pure Chem Ind Ltd. Дата публикации: 2014-09-15.

Etching gas and etching method

Номер патента: EP4307349A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

High-precision etching method

Номер патента: US11827988B2. Автор: Chen Li,Huilong Zhu,Yongkui Zhang,Xiaogen YIN,Anyan Du. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-28.

Etching solution and etching method for gold or gold alloy

Номер патента: US20240076547A1. Автор: Yuki Yoshida,Koichi Inoue,Iori KAWASHIMA,Itsuki KASHIWAGI. Владелец: Kanto Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Wet Etching Method

Номер патента: US20230374669A1. Автор: Takuya Okada,Yosuke Nakamura,Kenta WATANABE,Soichi Kumon,Takahisa Taniguchi,Kazuki Yoshiura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching apparatus and etching method technical field

Номер патента: WO2014010751A1. Автор: Isao Yamada,Koji Yamashita,Kenichi Hara,Koji Kasuga,Noriaki Toyoda. Владелец: University of Hyogo. Дата публикации: 2014-01-16.

Photolithographic etching method for nickel oxide

Номер патента: US3677847A. Автор: Alfred E Feuersanger,Lawrence M Harris. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1972-07-18.

Etching gas and etching method

Номер патента: US20240153778A1. Автор: Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Atomic layer etching method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20220375760A1. Автор: Jun Hee Cho,Joong Jin Park,Youn Joung CHO,Gyu-hee Park,Eun Hyea Ko,Hee Yeon Jeong,Byeong IL Yang,Ji Yu Choi. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Etching method and semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20230290643A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method for sic substrate and holding container

Номер патента: US20170323797A1. Автор: Tadaaki Kaneko,Masato Shinohara,Koji Ashida,Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI,Yasunori Kutsuma,Youji Teramoto. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US9449844B2. Автор: Isao Yamada,Kenichi Hara,Takashi Hayakawa,Noriaki Toyoda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Etching method and processing device

Номер патента: US20240191359A1. Автор: Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma etching method using gas molecule containing sulfur atom

Номер патента: EP3813097A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Yoshihiko IKETANI,Mitsuharu SHIMODA. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230420263A1. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Etching device and etching method

Номер патента: US20230335419A1. Автор: Kai-Ming Yang,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Chin-Sheng Wang,Chia-Yu Peng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Etching method and etching composition

Номер патента: US20150287608A1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Etching method

Номер патента: US11901185B2. Автор: Takayuki Tajima,Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Wet Etching Method and Etching Solution

Номер патента: US20180138053A1. Автор: Akifumi YAO,Masaki Fujiwara,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Liquid composition and etching method for etching silicon substrate

Номер патента: US9799526B2. Автор: Shuji Koyama,Hirohisa Fujita,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Liquid composition and etching method for etching silicon substrate

Номер патента: US20160020113A1. Автор: Shuji Koyama,Hirohisa Fujita,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Etching liquid composition and etching method

Номер патента: US20200010762A1. Автор: Daisuke Omiya,Junro ISHIZAKI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Etchant composition for adjusting etching selectivity of titanium nitride film with respect to tungsten film, and etching method using same

Номер патента: US20230295500A1. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230307243A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Etching method

Номер патента: US20200263309A1. Автор: Koki Tanaka,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Etching method

Номер патента: US20170309478A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Kazuaki Nishimura,Koji Takeya,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Plasma etching method

Номер патента: US20190228983A1. Автор: Takaaki Sakurai,Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Etching method and etching device

Номер патента: US20210287915A1. Автор: Akifumi YAO,Kazuaki Nishimura,Susumu Yamauchi,Tatsuo Miyazaki,Kunihiro Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213032A1. Автор: Takuya Sawano,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching method and device for the electrotechnical steel strip with the oriented structure continuous electrolytic etching

Номер патента: RU2676816C1. Автор: Кэндзи МАЦУДА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-01-11.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US6905617B2. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-06-14.

Etching method for making fluid bearings

Номер патента: US20040060905A1. Автор: Hung-Kuang Hsu,Kuang-Hsien Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-04-01.

A laser etching method for mems probes

Номер патента: US20240001485A1. Автор: Ming Zhou,Haichao Yu. Владелец: Maxone Semiconductor Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Dry etching method

Номер патента: US09728422B2. Автор: Hiroyuki Oomori,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Etching methods using silicon-containing hydrofluorocarbons

Номер патента: EP4420154A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-28.

Etching method

Номер патента: US09911617B2. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-03-06.

Dry etching method of manufacturing semiconductor light emitting device substrate

Номер патента: US09748441B2. Автор: Kei Shinotsuka,Kotaro Dai,Yoshihisa Hatta,Yasuhito KAJITA. Владелец: Oji Holdings Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Local dry etching method

Номер патента: US6649528B2. Автор: Michihiko Yanagisawa,Tadayoshi Okuya. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: US11814726B2. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Katsuya Fukae. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Pressure purge etch method for etching complex 3-D structures

Номер патента: US09870932B1. Автор: Joydeep Guha,Pilyeon Park. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Dry etching method using potential control of grid and substrate

Номер патента: US20220375761A1. Автор: Ki Hyun Kim,Hee Ju Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,You Jin JI,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-11-24.

Ultra-large area scanning type reactive ion etching machine and etching method

Номер патента: EP3905310A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-03.

Dry etching method

Номер патента: US09905431B2. Автор: Masahito Mori,Takao Arase,Satoshi Terakura,Ryuta Machida. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Ultra-large area scanning reactive ion etching machine and etching method thereof

Номер патента: US20220068617A1. Автор: Xiong Li,Ping Gao,Xiangang Luo,Zeyu ZHAO,Yanqin WANG,Xiaoliang Ma,Yinghui Guo,Mingbo PU. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods of fabricating memory devices using wet etching and dry etching

Номер патента: US09484219B2. Автор: Dong-Chan Kim,Han-jin Lim,Young-Geun Park,Sang-Yeol Kang,Bong-Hyun Kim,Wook-Yeol Yi,Chang-Mu AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for dry-etching semiconductor substrate and method for dry-etching silicon oxide film

Номер патента: US20230207399A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Dry etching method

Номер патента: US20020119667A1. Автор: Mitsuhiro Okuni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Detecting method for dry etching machine

Номер патента: US20040110384A1. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Etching method and photomask blank processing method

Номер патента: EP2251741A3. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki,Yoshinori Kinase. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Removing or preventing dry etch-induced damage in Al/In/GaN films by photoelectrochemical etching

Номер патента: US11177126B2. Автор: Morteza MONAVARIAN,Daniel Feezell,Andrew ARAGON,Andrew Armstrong,Saadat MISHKAT-UL-MASABIH,Mary Crawford,Andrew ALLERMAN. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2021-11-16.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners

Номер патента: EP1266399A2. Автор: Oleg Siniaguine,Sergey Savastiouk,Patrick Halahan. Владелец: Allvia Inc. Дата публикации: 2002-12-18.

Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners

Номер патента: WO2001056063A9. Автор: Oleg Siniaguine,Sergey Savastiouk,Patrick Halahan. Владелец: Tru Si Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-31.

Thinning and dicing of semiconductor wafers using dry etch, and obtaining semiconductor chips with rounded bottom edges and corners

Номер патента: EP1266399A4. Автор: Oleg Siniaguine,Sergey Savastiouk,Patrick Halahan. Владелец: Allvia Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Etching method

Номер патента: US09812292B2. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching method

Номер патента: US20160260624A1. Автор: Hidekazu Iida. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US6391791B1. Автор: Satoshi Aoyama,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima,Shouichi Sakamoto. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A3. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: WO2005079472A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Dry etching process for compound semiconductors

Номер патента: EP1719160A2. Автор: Jennifer Wang,Huai-Min Sheng,Mike Barsky. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Highly Selective Dry Etch Process for Vertical FET STI Recess

Номер патента: US20200126805A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Richard A. Conti,Zhenxing Bi,Michael P. Belyansky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using patterning and dry etching

Номер патента: US09627319B2. Автор: Yasuhiro Kawabata,Satoshi Ogawa,Nobutaka Ukigaya,Koji Hara,Takeshi Aoki,Junya Tamaki,Norihiko Nakata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon (si) dry etch for die-to-wafer thinning

Номер патента: WO2024137957A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Cheng Sun,ChangBum YONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

A process for dry-etching a semiconductor wafer surface

Номер патента: WO2002025714A8. Автор: Bernhard Poschenrieder,Thomas Morgenstern,Virinder Grewal,Jens Stolze,Gabriele Fichtl,Peter Kirchhof. Владелец: Peter Kirchhof. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of cyclic dry etching using etchant film

Номер патента: US09793135B1. Автор: Masaru Zaitsu,Akiko Kobayashi,Nobuyoshi Kobayashi,Masaru Hori,Takayoshi Tsutsumi,Hiroki Kondo. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon Dry Etching Method

Номер патента: US20160005612A1. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Silicon dry etching method

Номер патента: US9524877B2. Автор: Isamu Mori,Akiou Kikuchi,Masanori WATARI. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Dry etching method

Номер патента: US20100255612A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Toru Ito,Yoshiharu Inoue,Toshiaki Nishida,Hiroaki Ishimura,Masunori Ishihara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Dry etching method

Номер патента: US5366590A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-11-22.

System and method for performing spin dry etching

Номер патента: US11854861B2. Автор: Chih-Chiang Tu,Chun-Lang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for removing residual polymer after the dry etching process and reducing oxide loss

Номер патента: US20020177309A1. Автор: Chung-Tai Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Etching method

Номер патента: US20170186619A1. Автор: Jinbiao Liu,Junfeng Li,Xiaobin He,Junjie Li,Qinghua Yang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-29.

Dry etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5990016A. Автор: Byong-dong Kim,Jung-kyu Lee,Sung-il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170287794A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Dry etching method

Номер патента: US9330888B2. Автор: Xi Chen,Liangliang LI,Yao Liu,Xiaowei Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US20170062288A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9711423B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Dry etching method

Номер патента: US20180233376A9. Автор: Yueping Zuo,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Sloped photoresist edges for defect reduction for metal dry etch processes

Номер патента: US20150221524A1. Автор: Ricky Alan JACKSON,Elizabeth Costner Stewart,Neng Jiang,Yung Shan Chang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Dry-etching method

Номер патента: US10192749B2. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Multi-step local dry etching method for SOI wafer

Номер патента: US20040063329A1. Автор: Yasuhiro Horiike,Kazuyuki Tsuruoka,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Dry etching method

Номер патента: US20190080928A1. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Dry etching method

Номер патента: US10468271B2. Автор: Lei Zhao,Qingzhao Liu,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Dry-etching method

Номер патента: US20170162397A1. Автор: Kenichi Kuwahara,Syuji ENOKIDA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Sloped photoresist edges for defect reduction for metal dry etch processes

Номер патента: US09716013B2. Автор: Ricky Alan JACKSON,Elizabeth Costner Stewart,Neng Jiang,Yung Shan Chang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods for dry etching semiconductor devices

Номер патента: US09484216B1. Автор: Roy H. Olsson,Andrew John Gross,Peggy J. Clews,Todd Bauer. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Dry etching method

Номер патента: US4406733A. Автор: Shinichi Tachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-27.

Dry etching method for a gallium nitride type compound semiconductor

Номер патента: US5693180A. Автор: Satoshi Sugahara,Katsuki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Dry etching with etch byproduct self-cleaning

Номер патента: US20240128091A1. Автор: Yang Yang,David Knapp,Qian Fu,Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,ZhongHua Yao,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Dry etching Method

Номер патента: US5635021A. Автор: Kenji Harafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-03.

Method for dry etching of silicon substrate

Номер патента: GB2316805A. Автор: Hideyuki Shoji,Takakazu Kusuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-04.

Dry etching method

Номер патента: US5338399A. Автор: Toshiharu Yanagida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1994-08-16.

REMOVING OR PREVENTING DRY ETCH-INDUCED DAMAGE IN Al/In/GaN FILMS BY PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING

Номер патента: US20200161126A1. Автор: Morteza MONAVARIAN,Daniel Feezell,Andrew ARAGON,Andrew Armstrong,Saadat MISHKAT-UL-MASABIH,Mary Crawford,Andrew ALLERMAN. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of fabricating semiconductor device using dry etching

Номер патента: US20170301569A1. Автор: Youngjae Kim,Chanmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Removing or preventing dry etch-induced damage in Al/In/GaN films by photoelectrochemical etching

Номер патента: US11715635B2. Автор: Morteza MONAVARIAN,Daniel Feezell,Andrew ARAGON,Andrew Armstrong,Saadat MISHKAT-UL-MASABIH,Mary Crawford,Andrew ALLERMAN. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2023-08-01.

Dry etching with etch byproduct self-cleaning

Номер патента: WO2024081194A1. Автор: Yang Yang,David Knapp,Qian Fu,Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,ZhongHua Yao,Rajesh Sathiyanarayanan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Dry-etching method and apparatus

Номер патента: US5409562A. Автор: Shinichi Tachi,Kazunori Tsujimoto,Takao Kumihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-04-25.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: JP6952766B2. Автор: 高橋　至直,至直高橋,深江　功也,功也深江,惟人加藤. Владелец: Kanto Denka Kyogyo Co.,Ltd.. Дата публикации: 2021-10-20.

Dry etching method or dry cleaning method

Номер патента: US20210108311A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Katsuya Fukae. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Systems and methods for dry etching a photodetector array

Номер патента: US20140367822A1. Автор: Pierre-Yves Delaunay. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Procedure for fabricating devices involving dry etching

Номер патента: CA1287556C. Автор: Ronald Joseph Schutz. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-08-13.

High-throughput dry etching of films containing silicon-oxygen components or silicon-nitrogen components by proton-mediated catalyst formation

Номер патента: US11804380B2. Автор: Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

System and method of determining process completion of post heat treatment of a dry etch process

Номер патента: WO2017136306A1. Автор: Aelan Mosden,Jacob Theisen. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-08-10.

Dry etch for nitride exhume processes in 3d nand fabrication

Номер патента: US20240055269A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Sankuei Lin,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Dry etch for nitride exhume processes in 3d nand fabrication

Номер патента: WO2024036276A1. Автор: Pradeep K. Subrahmanyan,Sankuei Lin,Changwoo SUN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20010005632A1. Автор: Hideo Ichinose,Shoji Seta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Electrode fixing assembly and dry etching device

Номер патента: US20240186120A1. Автор: Zhiyuan Li,Xianfu Zeng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Photomask making method, photomask blank and dry etching method

Номер патента: US9164374B2. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Dry etching method of copper or copper alloy interconnection layer employing plasma of an iodine compound

Номер патента: US5240559A. Автор: Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method for tapered dry etching

Номер патента: US4522681A. Автор: Richard J. Saia,Bernard Gorowitz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-06-11.

Etching method

Номер патента: US7402523B2. Автор: Takehiko Orii,Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Dry etching device and method for controlling same

Номер патента: US11348810B2. Автор: Sang Jun Choi,Ji Sung Kang. Владелец: Vault Creation Co ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Dry etching device and method for controlling same

Номер патента: US20190318942A1. Автор: Sang Jun Choi,Ji Sung Kang. Владелец: Vault Creation Co ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Silicon (Si) Dry Etch for Die-to-Wafer Thinning

Номер патента: US20240213028A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Cheng Sun,ChangBum YONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device that includes dividing semiconductor substrate by dry etching

Номер патента: US09633902B2. Автор: Mie Matsuo,Satoshi Matsui,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: WO2024091612A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-02.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: US20240162042A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Local dry etching apparatus and local dry etching fabrication method

Номер патента: US20160203989A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods and systems for dry etching

Номер патента: US20240006157A1. Автор: Chien-Liang Chen,Meng-Chang Wu,Shao-Chien Hsu,Jung-Wang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for manufacturing semiconductor device and for detecting end point of dry etching

Номер патента: US9935023B2. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Kazuhide Fukaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dry etching method, production method for semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: US20220230888A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-21.

Dry etching method, manufacturing method of semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: TWI765581B. Автор: 松井一真. Владелец: 日商昭和電工股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-21.

Dry etching method, method for producing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4159892A4. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Dry etching method, production method for semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: EP4113582A4. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Dry etching method, method for manufacturing semiconductor element, and cleaning method

Номер патента: IL294508A. Автор: . Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-09-01.

Dry etching of transparent electrodes in a low pressure plasma reactor

Номер патента: AU3509997A. Автор: John P. Holland,Alex T. Demos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-01-21.

Dry etching apparatus using reactive ions

Номер патента: US4526643A. Автор: Haruo Okano,Takashi Yamazaki,Yasuhiro Horiike,Hiromichi Horie. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-07-02.

Parallel plate dry etching apparatus and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US20140273494A1. Автор: Shingo Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Electrical test structure to quantify microloading after plasma dry etching of metal film

Номер патента: US5693178A. Автор: Lap Chan,Simon Chooi. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1997-12-02.

Dry etching apparatus

Номер патента: US6165334A. Автор: Koji Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Dry etching

Номер патента: GB2317494A. Автор: Hideyuki Shoji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-25.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: US20180138054A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Dry-etching process simulator

Номер патента: US5421934A. Автор: Noboru Nomura,Akio Misaka,Kenji Harafugi,Masafumi Kubbota. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-06.

Edge ring, dry etching apparatus having the same, and operation method of etching apparatus

Номер патента: US20240071732A1. Автор: Sungil Cho,Jinyoung Bang,Hyun-Sik HWANG,JungHwan UM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Dry etching method and gas processing device

Номер патента: JP2871632B2. Автор: 正敏徳島. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-17.

Methods and systems for dry etching

Номер патента: US20240071803A1. Автор: Chou-Feng Lee,Chih-Hsien Hsu,Fu-Yi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Electrode for dry etching a wafer

Номер патента: US20050178505A1. Автор: Young Yul Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Apparatus for detecting dry etch end point of semiconductor device manufacturing process

Номер патента: KR20040032410A. Автор: 김백원,신중욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-04-17.

Dry etching apparatus and its manufacturing method

Номер патента: US6350698B1. Автор: Yukihiro Kamide. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-26.

Dry etching apparatus and clamp therefor

Номер патента: US20140224427A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Dry-etch device and a lower electrode thereof

Номер патента: US20180047546A1. Автор: Wei Li,Kai Yu,Guangming Zhang,Hongming QU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Device for dry etching a wafer and appertaining method

Номер патента: US20010008804A1. Автор: Franz Sumnitsch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Local dry etching apparatus

Номер патента: US20200135429A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Dry-etching of indium and tin oxydes

Номер патента: WO1998059381A1. Автор: Jie Chen,Yuen-Kui Wong. Владелец: Applied Komatsu Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-12-30.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Etching method and manufacturing method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20240321570A1. Автор: Tsubasa IMAMURA,Ayata Harayama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Etching methods and methods of manufacturing semiconductor devices using the same

Номер патента: US09812332B2. Автор: DongSuk Shin,Hanjin Lim,Moonhan Park,Hyun-Kwan Yu,Woonki SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09613823B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Kenshirou ASAHI,Kimihiko DEMICHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Via-hole etching method

Номер патента: US09564354B2. Автор: Donghua Jiang,Wuyang ZHAO,Chundong LI,Byung Chun Lee,Yongyi FU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Sputter etch methods

Номер патента: US20040266190A1. Автор: Jae Han. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Etching method using plasma, and method of fabricating semiconductor device including the etching method

Номер патента: US09865474B2. Автор: Sangheon Lee,Xinglong Chen,Gon-Jun KIM,In-Ho Choi,Vladimir Volynets,Sang-jin An,Hee-jeon Yang,Sung-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Etching method

Номер патента: US09472736B2. Автор: Toshiyuki Kondo,Atsushi Suzuki,Midori Mori,Koichi Naniwae,Fumihara Teramae. Владелец: EL Seed Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20050118818A1. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120309203A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20220375763A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20240213086A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11710644B2. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20210202260A1. Автор: Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US10529582B2. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230402289A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA,Noriyoshi ARIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Etching method

Номер патента: US6844265B2. Автор: Masahiko Ouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-01-18.

Etching method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7153710B2. Автор: Tomoya Nishida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-12-26.

Plasma reactor and etching method using the same

Номер патента: US20110155694A1. Автор: Sungyong KO,Hwankook CHAE,Keehyun KIM,Weonmook LEE,Kunjoo PARK,Minshik KIM,KwangMin Lee,Hyeokjin Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Etching method

Номер патента: US20150170932A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Fumiya Kobayashi,Hikaru Watanabe,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Etching method

Номер патента: US20190074190A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Etching method of copper-molybdenum film and array substrate

Номер патента: US11756797B2. Автор: Yuan Mei. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US8252694B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120244709A1. Автор: Yoshiki Igarashi,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device

Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium storing the control program

Номер патента: US20060289385A1. Автор: Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Chemical etching method using a metal catalyst

Номер патента: US20240203746A1. Автор: Kyung Hwan Kim,Min Young Kim,Hang Lim LEE,Jung Woo OH,Sun Hae CHOI. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Wet etching method and method of fabricating semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230230843A1. Автор: Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Sanghoon JEONG,ChangSup Mun,Seungcheol Chae,Junyoul Yang,Yongsik Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US12112954B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Kenta Ono,Maju TOMURA,Yusuke Takino,Hironari SASAGAWA,Tomohiko Niizeki,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Etching method

Номер патента: US12125708B2. Автор: Yu Zhao,Hiroyuki Kobayashi,Takashi Hattori,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma etching method

Номер патента: US09978566B2. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Tatsuro Ohshita,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Plasma etching method

Номер патента: US09966273B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09922806B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Maju TOMURA,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09793136B2. Автор: Kosei Ueda,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Etching method

Номер патента: US09786512B2. Автор: Daisuke Tamura,Ryuuu ISHITA,Yu NAGATOMO,Kousuke KOIWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Etching method

Номер патента: US09779961B2. Автор: Wataru TAKAYAMA,Yuki Kaneko,Sho TOMINAGA,Yusuke Saitoh,Yu NAGATOMO,Hayato Hishinuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US09754797B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Etching method

Номер патента: US09735025B2. Автор: Yuki Kaneko,Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Etching method

Номер патента: US09735021B2. Автор: Masayuki Sawataishi,Tomonori Miwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09728418B2. Автор: Hiroshi Tsujimoto,Keigo TOYODA,Masaru ISAGO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143017A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09659789B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Etching method

Номер патента: US09613824B2. Автор: Hironobu Ichikawa,Isao Tafusa,Yusuke Saitoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Etching method, and method of producing semiconductor substrate product and semiconductor device using the same

Номер патента: US09558953B2. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro,Takahiro Watanabe,Kee Young PARK. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Etching method

Номер патента: US09543164B2. Автор: Ryoichi Yoshida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Etching method

Номер патента: US09530671B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Plasma etching method

Номер патента: US09437450B2. Автор: Tetsuro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Etching gas and etching method

Номер патента: US09368363B2. Автор: Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Etching method

Номер патента: US20210028356A1. Автор: Jun Sato,Kiyoshi Maeda,Ken Ando,Shigeru Tahara,Hiroki Maehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Spin etching method for semiconductor wafer

Номер патента: US20090209110A1. Автор: Osamu Nagai,Ayumu Okano. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20220399204A1. Автор: Nobuhiro Takahashi,Ken NAKAGOMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: EP1511067A3. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Etching method for semiconductor device

Номер патента: US20050037621A1. Автор: Fujio Masuoka,Takashi Yokoyama,Shinji Horii,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Polysilicon etching method

Номер патента: US20190385864A1. Автор: Hongkun SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US20210119128A1. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234163A1. Автор: Shoi Suzuki,Taku GOHIRA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230251567A1. Автор: Yoshihide Kihara,Jaeyoung Park,Maju TOMURA,Taiki Miura,Ryutaro Suda,Yusuke FUKUNAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230317466A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Plasma etching method

Номер патента: US20190096689A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Single-wafer etching method for wafer and etching apparatus thereof

Номер патента: MY147183A. Автор: Takeo Katoh,Tomohiro Hashii,Katsuhiko Murayama,Sakae Koyata,Kazushige Takaishi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-11-14.

Etching method

Номер патента: US20180174859A1. Автор: Jun Zhang,Xufei Xu,Jie Song,Yijun Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290627A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: US20240290628A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11764070B2. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Gen You,Haruna Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178284A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method using oxygen-containing hydrofluorocarbon

Номер патента: WO2024178258A1. Автор: Nicolas Gosset,Tomo Hasegawa,Vladislav GAMALEEV. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-08-29.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US12062548B2. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Wet etching method, substrate liquid processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20180012754A1. Автор: Hiromitsu Nanba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

Pattern sheet, semiconductor intermediate product, and hole etching method

Номер патента: US20240266182A1. Автор: Chun Wang,Qingjun Zhou,Yiming Zhang,Xiaoping Shi,Qiushi XIE,Dongsan Li. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Etching method

Номер патента: US20240297046A1. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Etching method, plasma processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US20240312771A1. Автор: Noboru Saito,Takahiro Yokoyama,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Wet etching method and wet etching system

Номер патента: US12119230B2. Автор: Takashi Ono,Kazuma Sekiya,Daigo Shitabo. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240355589A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Etching method of oxide semiconductor film, oxide semiconductor workpiece, and electronic device

Номер патента: US12074030B2. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Etching method

Номер патента: US09997374B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Etching method using hydrogen peroxide solution containing tungsten

Номер патента: US09929017B2. Автор: Yoshihiro Uozumi,Nagisa Takami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Etching method, etching apparatus, and storage medium

Номер патента: US09887092B2. Автор: Hideaki Sato,Takahiro Furukawa,Hiromi Hara,Takami Satoh,Toshiyuki Shiokawa,Takahiro Kawazu,Yusuke FUTAMATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Plasma etching method

Номер патента: US09779962B2. Автор: Shinichi Kozuka,Takao FUNAKUBO,Yuta Seya,Aritoshi Mitani. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Etching method for substrate to be processed and plasma-etching device

Номер патента: US09721803B2. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Etching method

Номер патента: US09691630B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Shuji Moriya,Masashi Matsumoto,Tetsuro Takahashi,Junichiro Matsunaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Etching method

Номер патента: US09666446B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US12142495B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Toshiki KANAKI,Megumi UMEMOTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Etching method and storage medium

Номер патента: US09607855B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Koji Takeya,Masashi Matsumoto,Junichiro Matsunaga,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US09536707B2. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09530666B2. Автор: Hideki Mizuno,Kumiko Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09524876B2. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Etching method, and recording medium

Номер патента: US09466507B2. Автор: Shigeki Tozawa,Tomoaki OGIWARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Plasma etching method

Номер патента: US09449842B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Etching method for reducing microloading effect

Номер патента: US09443741B1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Zhi-Jian Wang,Cheng-Chang Wu,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US09419211B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Masato Kushibiki,Nao Koizumi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Plasma etching method

Номер патента: US09412607B2. Автор: Eiji Suzuki,Yuji Otsuka,Yutaka Osada,Akinori Kitamura,Masayuki Kohno,Hiroto Ohtake,Yusuke Takino,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US09396968B2. Автор: Kazuhiro Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US09384999B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Multiple etch method for fabricating spacer layers

Номер патента: US20030211697A1. Автор: Hun-Jan Tao,Ming-Huan Tsai,Mei-Ru Kuo,Jw-Wang Hsu,Baw-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Uniform sidewall profile etch method for forming low contact leakage schottky diode contact

Номер патента: US6096629A. Автор: Yen-Shih Ho,Jun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Номер патента: EP1258916A1. Автор: Hidenori Takahashi,Teruo c/o Hamamatsu Photonics K.K. TAKAHASHI,Motoyuki C/O Hamamatsu Photonics K.K. Watanabe. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-11-20.

Etching method using halogen fluoride and method for producing semiconductor

Номер патента: US20220051898A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US20170294343A1. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Etching method and fabrication method of semiconductor structures

Номер патента: US10573551B2. Автор: Hai Yang Zhang,Cheng Long ZHANG,Min Da HU,Er Hu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US11114305B2. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-09-07.

Etching method and substrate processing apparatus

Номер патента: US11810792B2. Автор: Masatsugu Makabe,Takanori Eto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Etching method and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230395389A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20210217627A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-07-15.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Reactive ion etch method for forming vias through nitrogenated silicon oxide layers

Номер патента: US5904566A. Автор: Chia-Shiung Tsai,Hun-Jan Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-05-18.

Method of selectively etching compound semiconductor and method of manufacturing compound semiconductor device using the selective etching method

Номер патента: US5942447A. Автор: Shinichi Miyakuni. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Etching method

Номер патента: US20240030037A1. Автор: Yutaro Aoki,Atsushi Yamashita,Masayuki Kimura. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Etching method, method of manufacturing semiconductor chip, and method of manufacturing article

Номер патента: US20190252199A1. Автор: Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi,Keiichiro Matsuo,Kazuo Shimokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Bevel etching method

Номер патента: US20230207327A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Etching method and apparatus

Номер патента: US20200312669A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Ayano Hagiwara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Etching method

Номер патента: US20210175089A1. Автор: Masaki Inaba,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Atomic layer etching method

Номер патента: US11450531B2. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-20.

Etching method and photosensitive resin composition

Номер патента: EP3961676A1. Автор: Teruhiro Uematsu. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Etching method, etching apparatus, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of template

Номер патента: US20230307233A1. Автор: Hideaki Sakurai,Noriko Sakurai,Takeharu Motokawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Etching method for silicon nitride and production method for semiconductor element

Номер патента: US12014929B2. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Wet etching method of single wafer

Номер патента: EP1746639A1. Автор: Sakae c/o Sumco Corporation Koyata,Tomohiro c/o Sumco Corporation Hashii,Katsuhiko c/o Sumco Corporation Murayama,Kazuhige c/o Sumco Corporation Takaishi,Takeo c/o Sumco Corporation Katoh. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2007-01-24.

Plasma processing tools dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers

Номер патента: US6136720A. Автор: Guy T. Blalock,Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Dual-tank etch method for oxide thickness control

Номер патента: US7405165B2. Автор: Yang Kai Fan,Yong Rong Chang,Yi Song Chiu,Ping Yin Shin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230386793A1. Автор: Kenji Maeda,Yosuke Kurosaki,Hiroto Otake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method, substrate processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US11810791B2. Автор: Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11139169B2. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Etching method of etching apparatus

Номер патента: US20220359173A1. Автор: Shih-Chieh Lin,Shuen-Hsiang Ke. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Etching method

Номер патента: US20180301346A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Multilayer magnetic tunnel junction etching method and mram device

Номер патента: US20210376232A1. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11791175B2. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Etching method and element chip manufacturing method

Номер патента: US11817323B2. Автор: Akihiro Itou,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Plasma etching method

Номер патента: US8741166B2. Автор: Tomoyuki Watanabe,Tetsuo Ono,Mamoru Yakushiji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Plasma etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Hironobu Ichikawa,Jin KUDO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Etching method

Номер патента: US20200168469A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Etching method

Номер патента: WO2023209982A1. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura,Thi-Thuy-Nga NGUYEN. Владелец: Hitachi High-Tech Corporation. Дата публикации: 2023-11-02.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230395400A1. Автор: Takayuki Suga,Jun Lin,Yoshiki Igarashi,Satoru KIKUSHIMA,Chengya CHU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma etching method

Номер патента: US20180240690A1. Автор: Kenta Chito. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Etching method and substrate processing system

Номер патента: US11784054B2. Автор: Nobuhiro Takahashi,Yasuo Asada,Kazuhito Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Etching apparatus and etching method using the same

Номер патента: US20230386788A1. Автор: Jiwon Jung,Chin-Wook Chung. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-30.

Etching method, method for manufacturing semiconductor device, etching program, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162047A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masafumi Urakawa,Yuki Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230377850A1. Автор: Masahito Yamaguchi,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240071723A1. Автор: Koki Tanaka,Masahiko Yokoi,Ryutaro Suda,Ryu NAGAI,Ikko Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Etching method and method for producing semiconductor element

Номер патента: EP4235752A1. Автор: Kazuma Matsui,Yosuke TANIMOTO,Jumpei Iwasaki. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200402800A1. Автор: Sho Kumakura,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220102159A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Masanori Hosoya,Hiroie MATSUMOTO,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Etching method and semiconductor manufacturing method

Номер патента: EP3706158A1. Автор: Yosuke TANIMOTO. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-09-09.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230298898A1. Автор: Shingo Takahashi,Shogo Yamaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20240112922A1. Автор: Atsushi Takahashi,Noboru Saito,Ryo Matsubara,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Plasma etching method

Номер патента: EP3989682A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Kaoru Kaibuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-27.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190080923A1. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US8283254B2. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US10872779B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Kohei Kawamura,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Kazumasa Ookuma,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Electrochemical etching method

Номер патента: US5167778A. Автор: Hiroyuki Kaneko,Makoto Uchiyama,Hidetoshi Nojiri,Norihiko Kiritani. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1992-12-01.

Plasma etching method

Номер патента: US20100264116A1. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura,Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Plasma etching method and plasma etching system for carrying out the same

Номер патента: US6159388A. Автор: Shinya Iida,Yasuhiro Horiike,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Etching method

Номер патента: US20230197458A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Etching method, air-gap dielectric layer, and dynamic random-access memory

Номер патента: US11948805B2. Автор: Chun Wang,Bo Zheng,Xin Wu,Zhenguo MA. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240038494A1. Автор: Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching method

Номер патента: US20240047222A1. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Kazunori Shinoda,Hirotaka Hamamura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11842900B2. Автор: Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US11637020B2. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US20220122852A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Etching Method, and Recording Medium

Номер патента: US20160163562A1. Автор: Shigeki Tozawa,Tomoaki OGIWARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US20160042919A1. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190304801A1. Автор: Susumu Yamauchi,Jun Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210159084A1. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11380555B2. Автор: Yoshihide Kihara,Sho Kumakura,Maju TOMURA,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

Etching method of multilayer film

Номер патента: US20140206199A1. Автор: Hiroaki Ishizuka,Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210090898A1. Автор: Satoshi TODA,Naoki Shindo,Ryo Kuwajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230377851A1. Автор: Kenji Komatsu,Fumiya Yoshii. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220059360A1. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11804379B2. Автор: Taku GOHIRA,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240006187A1. Автор: Hiroyuki Abe,Reiko SASAHARA,Teppei Okumura,Seungmin Kim,Toshinori Debari,Woonghyun JEUNG,Kenshiro ASAHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210082709A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20190006186A1. Автор: Hiroki Sato,Hisashi Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240112927A1. Автор: Fumiya TAKATA,Kota Oikawa,Wataru Togashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210305057A1. Автор: Shinya Morikita,Toshikatsu Tobana,Fumiya TAKATA,Kota ISHIHARADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240162045A9. Автор: Shota Yoshimura,Shinya Morikita,Fumiya TAKATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290653A1. Автор: Masaki Inaba,Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method

Номер патента: US20240063026A1. Автор: Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Etching method for semiconductor product

Номер патента: US20150140690A1. Автор: Shigetoshi Sugawa,Tatsuro Yoshida,Takeshi Sakai,Kazuhiro Yoshikawa. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-05-21.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US11495468B2. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240038501A1. Автор: Akira Nakagawa,Kenji Komatsu,Tsukasa Hirayama,Kazuma KAMIMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240030010A1. Автор: Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Etching Method and Apparatus

Номер патента: US20130072013A1. Автор: Ying Zhang,Chien-An Chen,Shih-Hung Chen,Ying Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Atomic layer etching method using ligand exchange reaction

Номер патента: US20240079249A1. Автор: Dong Kyun Lee,Jooyong Kim,Jae Chul Lee,Eun Ae JUNG,Byeong IL Yang,Hyun Sik Noh,Kyoung-Mun Kim,Younghun Byun,Changhyun Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210233776A1. Автор: Masaaki Kikuchi,Wakako Ishida,Yasunori Hatamura,Wataru Togashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20210066089A1. Автор: Masanobu Honda,Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240153744A1. Автор: Atsushi Takahashi,Ryo Matsubara,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Metal oxide wet etching method

Номер патента: AU2022358422A1. Автор: George Kovall,Colleen Shang FENRICH. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Etching method for fabricating semiconductor device structure

Номер патента: US20230418259A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20190237332A1. Автор: KATSUNORI Tanaka,Hotaka Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20180342401A1. Автор: Kosuke Koiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US11189797B2. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Local etching apparatus and local etching method

Номер патента: US20010036741A1. Автор: Michihiko Yanagisawa,Chikai Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213031A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Atsuki Hashimoto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20230290644A1. Автор: Yuya Akanishi,Kazuki Nishihara. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12014930B2. Автор: Masanori Hosoya,Mitsuhiro Iwano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor Etching Method

Номер патента: US20220037161A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20200234963A1. Автор: Sho Kumakura,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Dry etching method

Номер патента: US20060108323A1. Автор: Shuichi Okawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Dry etching methods for reducing fluorocarbon-containing gas emissions

Номер патента: US20240212988A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Yuan-Hao Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing touch screen panels using a dry etching apparatus

Номер патента: US09552122B2. Автор: Bong-Sub Song,Soung-Chang Ku. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Non-uniform gas inlet for dry etching apparatus

Номер патента: US4780169A. Автор: Mark M. Stark,Douglas H. Warenback,David J. Drage. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1988-10-25.

Flow guide plate, lower electrode assembly for dry etching apparatus, and dry etching apparatus

Номер патента: US20190043696A1. Автор: ZHONG YANG,Kai Jiang,Xiaofeng Yang,Shihong Chen,Zelin Chen,Mingzhi Chai. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Ceramic structure, lower electrode, and dry etching machine

Номер патента: US20210335575A1. Автор: YI Meng. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Ion beam etching method and ion beam etching apparatus

Номер патента: US09966092B2. Автор: Kiyotaka Sakamoto,Yasushi Kamiya,Hiroshi Akasaka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Etching method and etching apparatus

Номер патента: US20240203694A1. Автор: Masahiro Yamamoto,Masaki Hosono,Kyohei Noguchi,Takuji Sako,Julen AROZAMENA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09960014B2. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240212982A1. Автор: Wakako Ishida,Taihei MATSUHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: US20240096596A1. Автор: Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Geun Young Yeom,Wonjun CHANG,Soo NAM GOONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Plasma etching method

Номер патента: US20170084430A1. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240203698A1. Автор: Yoshihide Kihara,Ryo Matsubara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida,Koki MUKAIYAMA,Takuto Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Dry etching of semiconductor structures with fluorine-containing gases

Номер патента: US20230064393A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy

Номер патента: US11273469B2. Автор: Brian J. Coppa,Deepak Vedhachalam,Francois C. Dassapa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Dry etching method and method for manufacturing device

Номер патента: WO2012161026A1. Автор: 高橋　秀治. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2012-11-29.

Dry etching method and device manufacturing method

Номер патента: US20140076842A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

CONTROLLING DRY ETCH PROCESS CHARACTERISTICS USING WAFERLESS DRY CLEAN OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20170282223A1. Автор: Coppa Brian J.,Vedhachalam Deepak,Dassapa Francois C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

CONTROLLING DRY ETCH PROCESS CHARACTERISTICS USING WAFERLESS DRY CLEAN OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20170287791A1. Автор: Coppa Brian J.,Vedhachalam Deepak,Dassapa Francois C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

CONTROLLING DRY ETCH PROCESS CHARACTERISTICS USING WAFERLESS DRY CLEAN OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY

Номер патента: US20200406315A1. Автор: Coppa Brian J.,Vedhachalam Deepak,Dassapa Francois C.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-12-31.

Controlling Dry Etching Process Characteristics Using Waferless Dry Cleaning Light Emission Spectroscopy

Номер патента: KR102304823B1. Автор: 브라이언 제이 콥파,디팩 베다차람,프랑수아 씨 다싸파. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for removing adhering matter and dry etching method

Номер патента: KR101955829B1. Автор: 야스토시 츠보타,켄지 카메다,신 히야마,아키오우 기쿠치,마사노리 와타리. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-03-07.

Dry etching treatment feature control using optical emission spectroscopy of waferless dry cleaning

Номер патента: TWI656573B. Автор: 布萊恩Ｊ科帕,迪帕克維大卡蘭姆,弗朗索瓦Ｃ達薩帕. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Dry etching method and device manufacturing method

Номер патента: JP5766027B2. Автор: 高橋　秀治,秀治高橋. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-08-19.

Dry etch process feature is controlled using non-wafer dry clean emission spectrum

Номер патента: CN109075066A. Автор: 布赖恩·J·科帕,迪帕克·韦德哈查拉姆,弗朗索瓦·C·达萨帕. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-21.

Oxide semiconductor film dry etching method

Номер патента: JP5028033B2. Автор: 建六張. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Dry etching method of surface texture formation on silicon wafer

Номер патента: EP2635513A4. Автор: Young Kyu Cho. Владелец: Intevac Inc. Дата публикации: 2014-04-16.

Dry etching method

Номер патента: TWI490943B. Автор: Kazuhiro Watanabe,Manabu Yoshii. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Dry etching method of film containing silicon

Номер патента: KR101153679B1. Автор: 히사오 도사카. Владелец: 가시오게산키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-06-18.

Dry etching methods

Номер патента: US7368396B2. Автор: Girish S. Patil,Karthik Vaideeswaran,James M. Mrvos. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2008-05-06.

Dry etch method for texturing silicon and device

Номер патента: US9716195B2. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Jeehwan Kim,Richard A. Haight. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Dry etching methods

Номер патента: US20070004215A1. Автор: Girish Patil,James Mrvos. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Etching adhesive tape, method of manufacturing the same and etching method

Номер патента: US09909037B2. Автор: Ming Zhang,Jing Wang,Min He,Xiaodong Xie. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Composite structure made of titanium and/or a titanium alloy and/or niti and a polymer, and electrochemical etching method for producing same

Номер патента: US20240208180A1. Автор: Rainer Adelung,Melike Baytekin-Gerngroß,Mark-Daniel Gerngroß,Juergen Carstensen. Владелец: Christian Albrechts Universitatet Zu Kiel. Дата публикации: 2024-06-27.

Mask forming method, mask forming functional layer, dry etching method, and method of manufacturing an information recording medium

Номер патента: US20050067371A1. Автор: Mitsuru Takai,Kazuhiro Hattori,Shuichi Okawa,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-03-31.

Selective uv-ozone dry etching of anti-stiction coatings for mems device fabrication

Номер патента: WO2010147796A3. Автор: Mehmet Hancer. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-04-14.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US11895778B2. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Etching method for manufacturing substrate structure having thick electrically conductive layer, and substrate structure having thick electrically conductive layer

Номер патента: US20230199969A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Plasma etching method

Номер патента: US8293127B1. Автор: Joseph F. Rypl. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Copper etching method for manufacturing circuit board

Номер патента: US20160262269A1. Автор: Ting-Hao Lin,Chiao-Cheng Chang,yi-nong Lin. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Ink jet etching method and ink jet printing system

Номер патента: US09574301B2. Автор: Kazuhiko Kitamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Etching method and method of manufacturing liquid discharge head substrate

Номер патента: US20160039206A1. Автор: Yuzuru Ishida,Takashi Usui,Toshiyasu Sakai,Hisanori Hosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Etching method

Номер патента: US9332647B2. Автор: Norikazu Nakamura. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Etching method

Номер патента: US20150305165A1. Автор: Norikazu Nakamura. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method

Номер патента: US7919005B2. Автор: Tomoyasu Murakami,Masaru Sasago,Hideo Nakagawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, production method for semiconductor device, and etching device

Номер патента: US20240194490A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: EP4307346A4. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Dry etching method, and dry etching agent and storage container therefor

Номер патента: SG11202107622UA. Автор: Shinya Ikeda,Hiroyuki Oomori,Tatsunori Kamida. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-30.

Dry etching agent and dry etching method

Номер патента: TW201217500A. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Dry etching gas composition containing sulfur-containing fluorocarbon compound, and dry etching method using said dry etching gas composition

Номер патента: EP3872842A4. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: WO2001020655A1. Автор: Martin Gutsche,Satish D. Athavale. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-03-22.

Dry etchant and dry etching method

Номер патента: TWI444456B. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-11.

Post-dry etching photoresist and metal containing residue removal formulation

Номер патента: EP4388069A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Chung-Yi Chang,Jhih-Kuei Ge. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Dry etching method, dry etching apparatus, etchied metal film performed etching by the method and device having the etchied metal film

Номер патента: KR101551095B1. Автор: 아키오우 기쿠치,유타 다케다. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-09-07.

Dry-etch for selective oxidation removal

Номер патента: US20150311089A1. Автор: Nitin K. Ingle,Sang-Jin Kim,Anchuan Wang,Young S. Lee,Ching-Mei Hsu,Dongqing Yang,Sang Hyuk Kim,Weon Young Jung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Etching amount measurement apparatus for dry etching apparatus

Номер патента: US09612205B2. Автор: Munenori Iwami,Ganachev IvanPetrov. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Dry Etching Agent, Dry Etching Method and Method for Producing Semiconductor Device

Номер патента: US20190345385A1. Автор: Yao Akifumi,Kashiwaba Takashi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Dry Etching Gas and Dry Etching Method

Номер патента: US20180066187A1. Автор: Yao Akifumi,FUJIWARA Masaki,NAKAMURA Yosuke,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION COMPRISING SULFUR-CONTAINING FLUOROCARBON COMPOUND HAVING UNSATURATED BOND AND DRY ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20220135881A1. Автор: KATO Korehito,SHIMIZU Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

GAS COMPOSITION FOR DRY ETCHING AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20180108537A1. Автор: TAKAHASHI Yoshinao,KATO Korehito,FUKASAWA Tetsuya,IKETANI Yoshihiko. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Dry Etching Agent and Dry Etching Method Using the Same

Номер патента: US20140242803A1. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20200234962A1. Автор: KATO Korehito,IKETANI Yoshihiko,SHIMIZU Hisashi,SHIBUSAWA Yukinobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Dry Etching Agent Composition and Dry Etching Method

Номер патента: US20190287812A1. Автор: Mori Isamu,Yao Akifumi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: KR101969517B1. Автор: 아키후미 야오,요스케 나카무라,마사키 후지와라,히로유키 오모리. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2019-04-16.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: TW201700443A. Автор: Akifumi YAO,Masaki Fujiwara,Yosuke Nakamura,Hiroyuki Oomori. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-01.

Gas composition for dry etching and dry etching method

Номер патента: US10431472B2. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Tetsuya FUKASAWA,Yoshihiko IKETANI. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Dry etching agent and dry etching method using the same

Номер патента: WO2011093263A1. Автор: 勇毛利,亜紀応菊池,覚岡本,智典梅崎,日比野　泰雄. Владелец: セントラル硝子株式会社. Дата публикации: 2011-08-04.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: TW200903632A. Автор: Toshio Hayashi,Yasuhiro Morikawa,Kou-Kou Suu. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Dry etching agent and dry etching method

Номер патента: US9017571B2. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Dry etching agent and dry etching method using the same

Номер патента: TW201137088A. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Gas composition for dry etching and dry etching method

Номер патента: US20190057878A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Tetsuya FUKASAWA,Yoshihiko IKETANI. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

DRY ETCHING GAS COMPOSITION COMPRISING SULFUR-CONTAINING FLUOROCARBON COMPOUND AND DRY ETCHING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20220135882A1. Автор: KATO Korehito,SHIMIZU Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Dry-etching method and plasma

Номер патента: US4948461A. Автор: Dilip K. Chatterjee. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1990-08-14.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JPWO2008140012A1. Автор: 俊雄林,泰宏森川,紅コウ鄒,森川　泰宏,鄒　紅コウ,林　俊雄. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: WO2016163184A1. Автор: 昌生藤原,章史八尾,陽介中村,啓之大森. Владелец: セントラル硝子株式会社. Дата публикации: 2016-10-13.

Dry etching composition and dry etching method

Номер патента: JP6323540B1. Автор: 勇毛利,章史八尾,啓之大森. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-16.

Dry etching agent and dry etching method

Номер патента: EP2595179A1. Автор: Isamu Mori,Yasuo Hibino,Satoru Okamoto,Tomonori Umezaki,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Dry etching gas composition including sulfur-containing fluorocarbon compound having unsaturated bond, and dry etching method using same

Номер патента: EP3872841A4. Автор: Hisashi Shimizu,Korehito Kato. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Dry etching method

Номер патента: TW527441B. Автор: Teiichi Kimura,Yoshihiro Yanagi,Kiyohiko Takagi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: TW478065B. Автор: Martin Gutsche,Satish Athavale. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-01.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: EP4033518B1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-11-06.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: EP4307346A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

Surface treatment method, dry etching method, cleaning method, semiconductor device manufacturing method, and etching device

Номер патента: US20240186147A1. Автор: Kunihiro Yamauchi,Akiou Kikuchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Highly heat-resistant plasma etching electrode and dry etching device including the same

Номер патента: TW552638B. Автор: Akira Yamaguchi,Shuji Tomita. Владелец: Nisshin Spinning. Дата публикации: 2003-09-11.

Dry etching process using plasma

Номер патента: IE48784B1. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1985-05-15.

Dry etching composition and dry etching composition-filled container

Номер патента: US20190055469A1. Автор: Munehiro HYAKUTAKE. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Dry-etching process, dry-etching gas and process for producing perfluoro-2-pentyne

Номер патента: TWI288442B. Автор: Toshiro Yamada,Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Dry etch back substrate interconnections

Номер патента: US20220108918A1. Автор: Kuiwon Kang,Joan Rey Villarba Buot,Jialing Tong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Dry-etching composition and container filled with dry-etching composition

Номер патента: EP3432347A4. Автор: Munehiro HYAKUTAKE. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

DRY ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ETCHING DEVICE

Номер патента: US20220056593A1. Автор: Yao Akifumi,TAKEDA Yuuta,YAMAUCHI Kunihiro. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2022-02-24.

Dry etching apparatus, etching method, and method of forming a wiring

Номер патента: US20060048894A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-09.

Dry etching apparatus dry etching methodand diluted anhydrous hydrogen fluoride gas generator for use therein

Номер патента: KR950013065B1. Автор: 다다히로 오오미,히로히사 기꾸야마,마사히로 미끼,마다고로오 마에노. Владелец: 하시모또 미찌노스께. Дата публикации: 1995-10-24.

Dry-etching process, dry-etching gas and process for producing perfluoro-2-pentyne

Номер патента: TW200405461A. Автор: Toshiro Yamada,Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Plasma chemical dry etching of silicon nitride layers - includes using cpds. contg. fluorine, chlorine bromine and iodine as etching gases

Номер патента: DE4232475A1. Автор: Wolfgang E Dipl Ing Frank,Christian Dr Diekmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-03-31.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: EP3971322A1. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-03-23.

Dry etch of phosphosilicate glass with selectivity to undoped oxide

Номер патента: US4807016A. Автор: Monte A. Douglas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-02-21.

Dry etching using plasma

Номер патента: AU4923579A. Автор: Cyril Joseph Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-02-07.

Dry Etching Method, Semiconductor Device Manufacturing Method, and Chamber Cleaning Method

Номер патента: US20190355590A1. Автор: Akifumi YAO,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Metal removal method, dry etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: EP3971322A4. Автор: Kazuma Matsui. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-27.

Gases for plasma reaction, method of dry etching, and film-forming method of fluorocarbon film

Номер патента: TW200839031A. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Dry etching using electrostatic chucking device

Номер патента: IE812268L. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-03-30.

Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein

Номер патента: DE3171924D1. Автор: Naomichi Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-09-26.

Dry etching process using plasma

Номер патента: GB2026396A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-02-06.

Method for dry-etching lithium niobate

Номер патента: EP4290556A4. Автор: Jian Liu,Kaidong Xu,Dongchen CHE,Taiyan PENG,Yingxiong FENG,Haicheng DAI. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of dry-etching a multi-layer film material

Номер патента: TW200425330A. Автор: Kenji Kawai. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Method of dry-etching a multi-layer film material

Номер патента: TWI245342B. Автор: Kenji Kawai. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2005-12-11.

Dry etching method and method for producing semiconductor device

Номер патента: TW202100805A. Автор: 古谷俊太,大森啓之. Владелец: 日商中央硝子股份有限公司. Дата публикации: 2021-01-01.

Process for low temperature, dry etching, and dry planarization of copper

Номер патента: WO2003038153A8. Автор: Nagraj Kulkarni. Владелец: Nagraj Kulkarni. Дата публикации: 2003-10-30.

Wiring and manufacturing method thereof, semiconductor device comprising said wiring, and dry etching method

Номер патента: US20050056934A1. Автор: Hideomi Suzawa,Koji Ono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Wiring and manufacturing method thereof, semiconductor device comprising said wiring, and dry etching method

Номер патента: TW523833B. Автор: Hideomi Suzawa,Koji Ono. Владелец: Semiconductor Energy Lab. Дата публикации: 2003-03-11.

Method for supplying composition, and dry etching method

Номер патента: CN115461843A. Автор: 大森启之,八尾章史,谷口敬寿. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-09.

Method for supplying composition, composition and dry etching method

Номер патента: US20230167361A1. Автор: Akifumi YAO,Hiroyuki Oomori,Takahisa Taniguchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20220172956A1. Автор: Yao Akifumi,SUZUKI Shoi. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Dry Etching Method and Beta-Diketone-Filled Container

Номер патента: US20190348307A1. Автор: Akifumi YAO,Takashi Masuda,Kunihiro Yamauchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Dry Etching Method

Номер патента: US20200365411A1. Автор: Yao Akifumi,SUZUKI Shoi. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Dry etching method of iridium electrode

Номер патента: KR100338808B1. Автор: 정지원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-31.

Dry etching method

Номер патента: JPS6065533A. Автор: Tatsumi Mizutani,Kazunori Tsujimoto,和典辻本,Sadayuki Okudaira,水谷　巽,奥平　定之. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-04-15.

Dry-etching method and apparatus

Номер патента: KR101021665B1. Автор: 노부유키 네기시,마사루 이자와,마사츠구 아라이. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈. Дата публикации: 2011-03-17.

Drying etching method

Номер патента: KR100188455B1. Автор: 후미히코 히구치,요시오 후카자와. Владелец: 도오교오 에레구토론 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-06-01.

Dry etching method

Номер патента: JPS60169140A. Автор: Norio Nakazato,Makoto Nawata,Ryoji Fukuyama,良次福山,Masaharu Saikai,誠縄田,西海　正治,仲里　則男. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-09-02.

Dry etching method

Номер патента: JP2023001302A. Автор: Akifumi YAO,章史八尾,聖唯鈴木,Shoi Suzuki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Dry etching method for metal film

Номер патента: US8961805B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Dry etching method

Номер патента: KR102419013B1. Автор: 아키후미 야오,쇼이 스즈키. Владелец: 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-07-08.

Dry etching method of high melting point metal film

Номер патента: KR950015619A. Автор: 히데유끼 쇼지. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-06-17.

Dry etching method

Номер патента: JP7177344B2. Автор: 章史八尾,聖唯鈴木. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Dry etching method

Номер патента: EP2808423B1. Автор: Yuta Takeda,Akiou Kikuchi. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-02.

Dry etching method and its application

Номер патента: EP0504912B1. Автор: Masaru C/O Shimadzu Corporation Koeda,Tetsuya C/O Shimadzu Corporation Nagano. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 1997-12-17.

Dry etching method

Номер патента: EP0795896A3. Автор: Kenji Kaneda,Akira c/o Rohm Co. Ltd. Kamisawa,Takashi c/o Rohm Co. Ltd. Nakamura. Владелец: Plasma System Corp. Дата публикации: 1999-06-02.

Dry-etching method and apparatus

Номер патента: US20090181545A1. Автор: Masaru Izawa,Masatsugu Arai,Nobuyuki Negishi. Владелец: Nobuyuki Negishi. Дата публикации: 2009-07-16.

Dry etching method

Номер патента: TW201923039A. Автор: 八尾章史,鈴木聖唯. Владелец: 日商中央硝子股份有限公司. Дата публикации: 2019-06-16.

Dry etching method of multilayer for semiconductor device

Номер патента: KR100259352B1. Автор: 지승헌,하재희. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Photosensitive resin composition for dry etching, and method for producing resist pattern for dry etching

Номер патента: US10061195B2. Автор: Teruhiro Uematsu,Kiminori Oshio. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Photosensitive resin composition for dry etching, and method for producing resist pattern for dry etching

Номер патента: US20160291475A1. Автор: Teruhiro Uematsu,Kiminori Oshio. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Dry etching method, fine structure forming method, mold and manufacturing method thereof

Номер патента: JPWO2007094087A1. Автор: 友康村上,勝笹子,秀夫中川,中川　秀夫,笹子　勝,村上　友康. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method

Номер патента: US20090017259A1. Автор: Tomoyasu Murakami,Masaru Sasago,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Multi-stage resin surface etching method, and plating method on resin using same

Номер патента: EP3633066A1. Автор: Hiroshi Ishizuka,Miyoko IZUMITANI,Yasuyuki Kuramochi. Владелец: JCU Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Photomask etching method for chemical vapor deposition film

Номер патента: US20110027719A1. Автор: Pei-Chang Wang. Владелец: United Radiant Tech Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: WO2024153798A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-25.

Electro-etching method for an area-selective treatment of a substrate

Номер патента: EP4403676A1. Автор: Harald Okorn-Schmidt,Herbert Ötzlinger,Marianne KOLITSCH-MATALN,Manuel REICHENPFADER,Alexander PÖCHEIM. Владелец: Semsysco GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Resin composition, anti-etching layer and etching method

Номер патента: US20230212414A1. Автор: Hui-Ju Chen,Yu-Ning Chen,Shao-Li Ho,Jia Jheng Lin. Владелец: Echem Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method

Номер патента: AU4047500A. Автор: Boris L. Druz,Danielle S. Hines,John F. Londono,Kurt E. Williams. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2000-10-16.

Wet etching solution composition, wet etching method of glass, and patterned glass by the wet etching method

Номер патента: US20240045108A1. Автор: Katsushi Igarashi,Sang-Ro Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: WO2024228760A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon nitride damage-free dry etch method for tungsten removal in middle of line bottom-up tungsten integration

Номер патента: US20240371654A1. Автор: Jiang Lu,Feng Q. Liu,Kai Wu,Xianmin Tang,Gaurav Thareja,Yixiong Yang,Rongjun Wang,Chi Hong Ching,Xinke WANG,Liqi Wu,Xi CEN,Qihao ZHU,Yuanhung Liu,Tsungjui LIU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Dry etching gas and dry etching method using the same

Номер патента: TW200948934A. Автор: Shingo Nakamura. Владелец: Daikin Ind Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Method for forming a polysilicon gate in two dry-etching steps

Номер патента: WO2004012255A1. Автор: Meihua Shen,Nicolas Gani,Shashank C. Deshmukh,Thorsten B. Lill,Farid Aboameri,Stephanie S. Cheng. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-02-05.

Wiring layer dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW541579B. Автор: Kenji Kawai,Atsunori Nishiura,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-11.

Dry-etch for selective tungsten removal

Номер патента: US09412608B2. Автор: Xikun Wang,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang,Zihui Li,Ching-Mei Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Dry etching method, dry etching agent and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6788177B2. Автор: 章史八尾,啓之大森,辰徳上田. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-25.

Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus

Номер патента: US20060258117A1. Автор: Takeshi Yamashita,Takao Yamaguchi,Hideo Niko. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Dry Etching Method and Dry Etching Agent

Номер патента: US20170084467A1. Автор: Yao Akifumi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

DRY ETCHING METHOD, DRY ETCHING APPARATUS, METAL FILM, AND DEVICE INCLUDING THE METAL FILM

Номер патента: US20140352716A1. Автор: Takeda Yuta,KIKUCHI Akiou. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2014-12-04.

Dry etching method and dry etching apparatus by using high density plasma source

Номер патента: KR100419033B1. Автор: 김준태,석창길,손상현,강순석. Владелец: (주)울텍. Дата публикации: 2004-02-21.

A dry-etching method and an equipment for dry-etching

Номер патента: EP1063691A2. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2000-12-27.

Dry etching method and dry etching device

Номер патента: KR940006216A. Автор: 신이찌 이마이,노리히코 타마키. Владелец: 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤. Дата публикации: 1994-03-23.

DRY ETCHING APPARATUS AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20210335625A1. Автор: Kofuji Naoyuki,KUWAHARA Kenichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JP5808697B2. Автор: 勝伊澤,政士森,森　政士,伊澤　勝,勝嗣八木. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Dry etching gas and dry etching method

Номер патента: JP5407101B2. Автор: 新吾中村,博一青山,充司板野,全孝廣瀬. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Dry etching device and dry etching method

Номер патента: WO2014024216A1. Автор: 満小荒井,甲二埴原,敏夫横内. Владелец: パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社. Дата публикации: 2014-02-13.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: CN100362632C. Автор: 及川弘太. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Silicon nitride film dry etching method

Номер патента: TW200901316A. Автор: Hisao Tosaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Dry etching method

Номер патента: AU2008239010A1. Автор: Koukou Suu,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Dry etching method of insulating film

Номер патента: TW200818301A. Автор: Masatoshi Oyama,Nobuyuki Negishi,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Dry etching method

Номер патента: TW364168B. Автор: Kazunori Tsujimoto,Naoyuki Kofuji. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-11.

Method for forming dense dry etched multi-level metallurgy with non-overlapped vias

Номер патента: US4172004A. Автор: Raymond W. Hamaker,Geoffrey B. Stephens,George E. Alcorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-10-23.

Selective dry etch for directed self assembly of block copolymers

Номер патента: US09941121B1. Автор: Sebastian U. Engelmann,Hiroyuki Miyazoe,Hsinyu Tsai,Ashish V. Jagtiani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Removal of 3D semiconductor structures by dry etching

Номер патента: US09741895B2. Автор: Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2017-08-22.

Dry etching method, method for producing semiconductor device, and etching device

Номер патента: EP4047636A4. Автор: Akifumi YAO,Kunihiro Yamauchi,Hikaru KITAYAMA. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Local dry etching apparatus and local dry etching fabrication method

Номер патента: US20160203989A1. Автор: Yasushi Obara. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Dry etching system for patterning target layer at high reproducibility and method of dry etching used therein

Номер патента: KR20010098731A. Автор: 산고도시아끼. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for forming metal silicide layer of semiconductor device combining just dry etching and chemical dry etching

Номер патента: KR101566922B1. Автор: 김현영,나규태,박제헌,김민,허원구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-09.

Dry etching process and a fabrication process of a semiconductor device using such a dry etching process

Номер патента: TW580733B. Автор: Kunihiko Nagase. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-21.

Gas composition for dry etching and process of dry etching

Номер патента: US6322715B1. Автор: Toshiro Yamada,Akira Sekiya,Tetsuya Takagaki,Kuniaki Goto. Владелец: Electronics Industries Association of Japan. Дата публикации: 2001-11-27.

REACTION CHAMBER, DRY ETCHING MACHINE AND ETCHING METHOD

Номер патента: US20200381220A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Method for etching polysilicon with high etch selectivity through isotropic dry etch

Номер патента: KR100945226B1. Автор: 정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-03.

Dry etching method

Номер патента: US5733820A. Автор: Kazuo Sugimoto,Satoshi Morishita,Kouichiro Adachi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Dry etching apparatus and etching method organic light emitting display device using the same

Номер патента: KR100759684B1. Автор: 김종윤. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-09-17.

Plasma processing apparatus for dry etching of semiconductor wafers

Номер патента: US5735993A. Автор: Kazuyoshi Yoshida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Reaction chamber, dry etching machine, and etching method

Номер патента: WO2020056890A1. Автор: 何怀亮. Владелец: 惠科股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-26.

Methods for selective dry etching gallium oxide

Номер патента: WO2022055712A1. Автор: Feng Q. Liu,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

Tungsten hard mask for dry etching aluminum-containing layers

Номер патента: WO2001009937A1. Автор: Martin Gutsche,Satish D. Athavale. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-02-08.

Methods for selective dry etching gallium oxide

Номер патента: US20220076960A1. Автор: Feng Q. Liu,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

REMOVING OR PREVENTING DRY ETCH-INDUCED DAMAGE IN Al/In/GaN FILMS BY PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING

Номер патента: US20220068632A1. Автор: Feezell Daniel,MONAVARIAN Morteza,MISHKAT-UL-MASABIH Saadat,Armstrong Andrew,ARAGON Andrew,ALLERMAN Andrew,CRAWFORD Mary. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

REMOVING OR PREVENTING DRY ETCH-INDUCED DAMAGE IN Al/In/GaN FILMS BY PHOTOELECTROCHEMICAL ETCHING

Номер патента: US20200161126A1. Автор: Feezell Daniel,MONAVARIAN Morteza,MISHKAT-UL-MASABIH Saadat,Armstrong Andrew,ARAGON Andrew,ALLERMAN Andrew,CRAWFORD Mary. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

DRY ETCH PROCESS LANDING ON METAL OXIDE ETCH STOP LAYER OVER METAL LAYER AND STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20200303202A1. Автор: MEIER Sebastian,Enzelberger-Heim Michael Hans,Port Reiner. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

DRY ETCH PROCESS LANDING ON METAL OXIDE ETCH STOP LAYER OVER METAL LAYER AND STRUCTURE FORMED THEREBY

Номер патента: US20190304796A1. Автор: MEIER Sebastian,Enzelberger-Heim Michael Hans,Port Reiner. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2019-10-03.

High-temperature selective dry etch having reduced post-etch solid residue

Номер патента: US8475674B2. Автор: Jing Tang,Nitin Ingle,Dongqing Yang,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-07-02.

Gate trim process using either wet etch or dry etch approach to target CD for selected transistors

Номер патента: US8409994B2. Автор: Angela T. Hui,Jihwan Choi,Bradley M. Davis. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-04-02.

Method for increasing etch rate during deep silicon dry etch

Номер патента: US20090215263A1. Автор: Kyle Kirby,Swarnal Borthakur. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Manufacturing method of array substrate using dry etching processing and wet etching processing, array substrate and display device

Номер патента: US11469253B2. Автор: Yinhu HUANG,Binbin CAO,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Removal of 3D semiconductor structures by dry etching

Номер патента: US9368672B2. Автор: Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-06-14.

Methods for selective dry etching gallium oxide

Номер патента: US11942330B2. Автор: Feng Q. Liu,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

A process for dry-etching a semiconductor wafer surface

Номер патента: TW499714B. Автор: Bernhard Poschenrieder,Thomas Morgenstern,Virinder Grewal,Gabriele Fichtl,Peter Kirchhof. Владелец: Infineon Technologies Sc300. Дата публикации: 2002-08-21.

Process and apparatus for dry-etching a semiconductor layer

Номер патента: TW445542B. Автор: Kyun-Su Shin,Kien-Koo Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-07-11.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof

Номер патента: KR100620293B1. Автор: 사사끼다까에이,하라시마노리유끼,아오야마사또시,사까모또슈이찌. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-09-07.

Dry-etching method and apparatus, photomasks and method for the preparation thereof, and semiconductor circuits and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20020155723A1. Автор: Satoshi Aoyama,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima,Shouichi Sakamoto. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Device for dry etching a wafer and appertaining method

Номер патента: GB9903653D0. Автор: . Владелец: Sez Ag. Дата публикации: 1999-04-07.

A method for dry etching a wafer

Номер патента: GB2334620B. Автор: Franz Sumnitsch. Владелец: Sez Ag. Дата публикации: 2002-12-24.

The detective method for the dry-etching machine

Номер патента: TW200410302A. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Method and composition for dry etching in semiconductor fabrication

Номер патента: TW494492B. Автор: Changhun Lee,Yun-Yen Jack Yang. Владелец: Lam Res Corppration. Дата публикации: 2002-07-11.

Dry etch of boron-containing material

Номер патента: WO2024155468A1. Автор: Qian Fu,Jeong Hwan Kim,Hang Yu,Srinivas Guggilla,Siyu ZHU,Yeonju Kwak. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Dry etch of boron-containing material

Номер патента: US20240249953A1. Автор: Qian Fu,Jeong Hwan Kim,Hang Yu,Srinivas Guggilla,Siyu ZHU,Yeonju Kwak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Polysilicon plannerizing method using dry etching and chemical mechanical polishing process

Номер патента: KR960016826B1. Автор: Soo-Min Lee,Oh-Joon Kwon,Duk-Ho Cho,Tae-hyun Han,Byung-Ryul Yeum. Владелец: Korea Electronics Telecomm. Дата публикации: 1996-12-21.

Dry etch process for titanium-tungsten films

Номер патента: SG38942A1. Автор: Liu Lianjun. Владелец: Liu Lianjun. Дата публикации: 1997-04-17.

High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications

Номер патента: SG10201706963VA. Автор: Ishtak Karim,Purushottam Kumar,Arpan Mahorowala. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2018-03-28.

A kind of method that silicon carbide substrates are obtained using dry etching method

Номер патента: CN105632901B. Автор: 王锡铭. Владелец: Century Goldray Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-25.

System and method for providing a dry-wet-dry etch procedure to create a sidewall profile of a via

Номер патента: US7115500B1. Автор: Victor M. Torres. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Photomask making method, photomask blank and dry etching method

Номер патента: US20130034806A1. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

DRY ETCHING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160148851A1. Автор: Okamoto Keiji,OZEKI Kazuyuki,ARAI Hiromasa. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-05-26.

DRY ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180145086A1. Автор: HAYASHI Hisataka,SATO Yosuke,UI AKIO,KIKUTANI Keisuke,NARUMIYA Kaori. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-05-24.

METHOD FOR REMOVING ADHERING MATTER AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20170200602A1. Автор: Tsubota Yasutoshi,Kameda Kenji,HIYAMA Shin,KIKUCHI Akiou,Watari Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP6697372B2. Автор: 明生宇井,陽介佐藤,香織成宮,久貴林,圭介菊谷. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-05-20.

Photomask making method, photomask blank and dry etching method

Номер патента: TWI457697B. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2014-10-21.

Dry etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3283477B2. Автор: 秀夫二河,伸一今井,信浩地割. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2002-05-20.

Dry etching method and method of manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US6723652B1. Автор: Seiichi Fukuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-20.

Dry etching method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9818657B2. Автор: Hiromasa Arai,Keiji Okamoto,Kazuyuki Ozeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Dry etching method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: TW201209913A. Автор: Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Dry Etching Method

Номер патента: US20140206196A1. Автор: Mori Isamu,Umezaki Tomonori. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2014-07-24.

DRY-ETCHING METHOD

Номер патента: US20170162397A1. Автор: KUWAHARA Kenichi,ENOKIDA Syuji. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Dry etching method

Номер патента: EP0516043A2. Автор: Masaru C/O Intellectual Property Division Hori,Keiji c/o Intellectual Property Division Horioka,Haruo c/o Intellectual Property Division Okano,Masao c/o Intellectual Property Division Ito,Masahito c/o Operat. Head Office Tokyo Hiratsuka,Yoshio c/o Operat. Head Office Tokyo Ishikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1992-12-02.

Silicon Dry Etching Method

Номер патента: US20160005612A1. Автор: Mori Isamu,KIKUCHI Akiou,Watari Masanori. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2016-01-07.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20180025915A1. Автор: ZUO Yueping,MA Yinghai,LI Liangjian. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-25.

Silicon dry etching method

Номер патента: US20220044938A1. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Toshiyuki SAKUISHI. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20190080928A1. Автор: Zhao Lei,Wang Jiushi,Liu Qingzhao. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20150099368A1. Автор: ONO Tetsuo,SHEN Ze,YASUNAMI Hisao. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

Dry Etching Method

Номер патента: US20180204728A1. Автор: Yao Akifumi,OOMORI Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Dry Etching Method

Номер патента: US20160218015A1. Автор: OOMORI Hiroyuki,KIKUCHI Akiou. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20150221518A1. Автор: MORI Masahito,ARASE Takao,TERAKURA Satoshi,Machida Ryuta. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Dry etching method

Номер патента: US20180233376A9. Автор: Yueping Zuo,Yinghai Ma,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20160307765A1. Автор: ONO Tetsuo,SHEN Ze,YASUNAMI Hisao. Владелец: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2016-10-20.

Dry Etching Method

Номер патента: US20150311039A1. Автор: Xi Chen,Liangliang LI,Yao Liu,Xiaowei Liu,Jinchao BAI,Xiangqian Ding. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

DRY ETCH METHOD FOR TEXTURING SILICON AND DEVICE

Номер патента: US20160351733A1. Автор: Kim Jeehwan,GERSHON TALIA S.,LEE YUN SEOG,Haight Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

DRY ETCH METHOD FOR TEXTURING SILICON AND DEVICE

Номер патента: US20160351734A1. Автор: Kim Jeehwan,GERSHON TALIA S.,LEE YUN SEOG,Haight Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20150357200A1. Автор: INUI Hirotoshi. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-10.

Dry etching method

Номер патента: JP4865373B2. Автор: 謙一桑原,聡宇根,朋祥市丸,正道坂口,尚輝安井. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Dry etching method using hbr or br

Номер патента: KR930001500B1. Автор: 모리다까 나까무라,다까시 구리모또,가쯔히꼬 이이즈까. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1993-03-02.

Dry etching method for semiconductor device

Номер патента: JP2005197475A. Автор: Masahiro Takahashi,昌弘 ▲高▼橋. Владелец: Miyagi Oki Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Dry etching method

Номер патента: JPS6053025A. Автор: Takeshi Kimura,剛木村,Kozo Mochiji,Akihiko Kishimoto,Hidehito Obayashi,広造持地,大林　秀仁,岸本　晃彦. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-03-26.

Dry etching method for metallization pattern profiling

Номер патента: KR102279612B1. Автор: 야닉 페르쁘리에. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-07-19.

Non-plasma dry etching method

Номер патента: CN108847391B. Автор: 王晓娟,王春,郑波,马振国,吴鑫. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Dry etching method

Номер патента: KR100677039B1. Автор: 김상권. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-31.

Dry etching method

Номер патента: KR950009963A. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-04-26.

Dry etching method

Номер патента: JP4865361B2. Автор: 謙一桑原,聡宇根,朋祥市丸,正道坂口. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Dry etching method of mgo thin film

Номер патента: KR101394651B1. Автор: 정지원,이일훈. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-05-12.

Dry etching method

Номер патента: KR100272644B1. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-12-01.

Plasma dry etching method

Номер патента: KR0171070B1. Автор: 이병하. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-30.

Dry etching method

Номер патента: JPS63238288A. Автор: Takashi Kurimoto,孝志栗本,守孝中村,Moritaka Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Dry etching method

Номер патента: KR100238691B1. Автор: 신고 가도무라,데쓰야 다쓰미,데쓰지 나가야마. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-01-15.

Dry etching method

Номер патента: CN103871847A. Автор: 黄海,洪齐元. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Dry etching method of layered structure oxide thin film

Номер патента: JP3114916B2. Автор: ビー．デスーセシュ,パンウェイ. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-12-04.

Dry etching method

Номер патента: JP2956602B2. Автор: 秀行庄司,隆一楠木. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-04.

Dry etch method of zinc oxide

Номер патента: KR20020014202A. Автор: 박성주,최원국,김경국,이지면. Владелец: 김효근. Дата публикации: 2002-02-25.

Dry etching method of wafer backside using remote plasma generator

Номер патента: KR101131740B1. Автор: 김승기,장덕현,서정혁. Владелец: 주식회사 테라텍. Дата публикации: 2012-04-05.

Dry etching method

Номер патента: KR100894300B1. Автор: 사토시 우네,마사미치 사카구치,겐이치 구와바라,도모요시 이치마루. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈. Дата публикации: 2009-04-24.

Dry etching method

Номер патента: JPS5928341A. Автор: Yasuhiro Horiike,靖浩堀池,Masahiro Shibagaki,柴垣　正弘. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-15.

Dry etching method

Номер патента: JPS6043829A. Автор: Hideki Takahashi,勉塚田,Tsutomu Tsukada,高橋　秀輝. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1985-03-08.

Silicon dry etching method

Номер патента: KR20220017837A. Автор: 토시유키 나카무라,켄타 도이,토시유키 사쿠이시,야스히로 모리카와. Владелец: 가부시키가이샤 아루박. Дата публикации: 2022-02-14.

Dry etching method

Номер патента: JP3298161B2. Автор: 淳一佐藤,新吾門村. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Dry etching method using plasma

Номер патента: KR100866495B1. Автор: 안효준,이규홍,심규환,문성훈,이진효,신희천,양전욱. Владелец: (주) 알에프세미. Дата публикации: 2008-11-03.

Dry etching method of platinum thin film

Номер патента: KR970072162A. Автор: 정지원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Dry etching method

Номер патента: KR0176715B1. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1999-04-15.

Dry etch method for silicon oxide

Номер патента: KR100870914B1. Автор: 이상선. Владелец: 주식회사 테스. Дата публикации: 2008-11-28.

Dry etching method

Номер патента: KR100225552B1. Автор: 다쓰미데쓰야. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1999-10-15.

Dry etching method and apparatus

Номер патента: US20030066817A1. Автор: Hiroshi Tanabe,Tomohiro Okumura,Hiroshi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Dry etching method for semiconductor

Номер патента: JP3078821B2. Автор: 雅文橋本,勝英真部,正樹森,正宏小滝. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2000-08-21.

Dry etching method

Номер патента: KR100274080B1. Автор: 가도무라신고. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-12-15.

Dry etching method

Номер патента: KR0181513B1. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 오오가 노리오. Дата публикации: 1999-04-15.

Dry etching method for interlayer insulating film

Номер патента: TWI437633B. Автор: Koukou Suu,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2014-05-11.

Dry etching method

Номер патента: KR101087514B1. Автор: 야스히로 모리카와,커우커우 쑤우. Владелец: 가부시키가이샤 알박. Дата публикации: 2011-11-28.

Crystal plane anisotropic dry etching method

Номер патента: JP3184988B2. Автор: 健二山本,潤一西澤. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2001-07-09.

Dry etching method

Номер патента: JPWO2003007357A1. Автор: 昭貴清水,隆榎本,明輝高,清水　昭貴,敬鶴田,榎本　隆,広実岡. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor wafer dry etching method

Номер патента: JP4387801B2. Автор: カン，ヒョサン. Владелец: カン，ヒョサン. Дата публикации: 2009-12-24.

Dry etching method

Номер патента: KR950021175A. Автор: 쥰이찌 사또. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1995-07-26.

Dry etching method of PbZrxTi₁-xO₃ thin films

Номер патента: KR970077313A. Автор: 정지원. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Dry etching method

Номер патента: JP3798491B2. Автор: 公輿石,竜二本多. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-07-19.

Low-temperature dry etching method

Номер патента: JPS6432627A. Автор: Kazunori Tsujimoto,Shinichi Taji,Sadayuki Okudaira. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-02-02.

Dry etching method

Номер патента: JPWO2008032627A1. Автор: 泰宏森川,紅コウ鄒,森川　泰宏,鄒　紅コウ. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Dry etching method

Номер патента: JPS5954226A. Автор: 守孝中村,Moritaka Nakamura,Naomichi Abe,阿部　直道. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-03-29.

Dry etching method

Номер патента: TWI512826B. Автор: Kenichi Kuwabara,Go Saito,Tomoyoshi Ichimaru. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2015-12-11.

Dry-etching method by low pressure capacitively coupled plasma

Номер патента: KR101207447B1. Автор: 이제원. Владелец: 인제대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-12-03.

Dry etching method

Номер патента: TWI555080B. Автор: Masahito Mori,Takao Arase,Satoshi Terakura,Ryuta Machida. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2016-10-21.

Dry etching method and apparatus for champagne contour

Номер патента: JP2816374B2. Автор: エスクラサキハワード,エフウェストランドバーバラ,イーヌルティージェイムズ,ジョンヴォウルズイー. Владелец: ゼネラルシグナルコーポレイション. Дата публикации: 1998-10-27.

Dry etching method for silicon thin film

Номер патента: JP3009975B2. Автор: 仁志氏政,優梶谷,幹雄片山,猛久桜井,厚志伴,勝博川合. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-02-14.

Dry etching method

Номер патента: TW200710274A. Автор: Takayuki Sakai. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2007-03-16.

Dry etching method

Номер патента: KR100252471B1. Автор: 야나기타토시하루. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 2000-04-15.

Dry etching method

Номер патента: AU2008252203A1. Автор: Toshio Hayashi,Koukou Suu,Yasuhiro Morikawa,Tadayuki Satou. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Dry Etching Method of Wafer Backside Using Remote Plasma Generator

Номер патента: KR101276318B1. Автор: 김승기,장덕현,서정혁. Владелец: 주식회사 테라텍. Дата публикации: 2013-06-18.

Dry etching method for si material

Номер патента: JPS61141139A. Автор: 和之富田,Kazuyuki Tomita,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-28.

Dry etching method for multilayer film

Номер патента: KR100259351B1. Автор: 지승헌,하재희. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Dry etching method

Номер патента: CN1535473A. Автор: , ,清水昭贵,高明辉,栉引理人,山下朝夫,樋口文彦,三浦利仁,深泽孝之. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-10-06.

Dry etching method

Номер патента: KR100229241B1. Автор: 신고 가도무라. Владелец: 이데이 노부유끼. Дата публикации: 1999-11-01.

Dry etching method for semiconductor device

Номер патента: US7955963B2. Автор: Akira Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Dry etching method

Номер патента: EP0516043A3. Автор: Haruo Okano,Masaru Hori,Masao Ito,Yoshio Ishikawa,Keiji Horioka,Masahito Hiratsuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1993-10-06.

Dry etching method

Номер патента: JPS61121440A. Автор: 隆三宝珍,Riyuuzou Houchin,Ichiro Nakayama,一郎中山,Masuo Tanno,丹野　益男. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-09.

Dry etching method

Номер патента: JP3109253B2. Автор: 敏治柳田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-11-13.

Dry etching method and apparatus therefor

Номер патента: JPS6175529A. Автор: Haruo Okano,晴雄岡野,誠関根,Yasuhiro Horiike,靖浩堀池,Makoto Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-04-17.

Dry etching method

Номер патента: EP0644582A2. Автор: Kadomura C/O Sony Corporation Shingo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-03-22.

Dry etching method.

Номер патента: DE3854561D1. Автор: Haruo C O Patent Divisio Okano,Makoto C O Patent Divis Sekine,Tsunetoshi C O Patent Arikado,Yasuhiro C O Patent Div Horike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-16.

Dry etching method of ZnO film

Номер патента: CN112185818A. Автор: 李金花,曹兆楼,裴世鑫,咸冯林,杨明珠,郑改革,徐林华,匡文剑,高钰麒. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Dry etching method

Номер патента: EP2755229A1. Автор: Isamu Mori,Tomonori Umezaki. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-16.

Dry etching method and apparatus

Номер патента: KR100551392B1. Автор: 오쿠무라도모히로,기무라다다시,미츠하시아키오. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-02-09.

Dry etching method

Номер патента: CN111029254A. Автор: 李树宏,李三三,汤伟杰,刘一川. Владелец: Suzhou Keyang Photoelectric Science & Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

Dry etching method

Номер патента: JPS60165724A. Автор: Haruo Okano,晴雄岡野,誠関根,Yasuhiro Horiike,靖浩堀池,Makoto Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1985-08-28.

Dry etching method and there apparatus

Номер патента: KR920005349B1. Автор: 하루오 오카노,야스히로 호리이케,마고토 세키네,츠네토시 아리가도. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-07-02.

Dry etching method

Номер патента: JPWO2014104290A1. Автор: 裕俊乾. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor Dry Etching Method

Номер патента: KR970023814A. Автор: 이강현,민경진,한민석. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Interlayer dielectric film dry etching method

Номер патента: JPWO2007135906A1. Автор: 泰宏森川,弘綱鄒,森川　泰宏. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Dry etching method

Номер патента: JP3116569B2. Автор: 敏治柳田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-12-11.

Dry etching method of silicon nitride film

Номер патента: JPS6020516A. Автор: Hisashi Nakane,Akira Uehara,Isamu Hijikata,Muneo Nakayama,Mitsuaki Minato,中根　久,植原　晃,土方　勇,中山　宗雄,湊　光朗. Владелец: Tokyo Denshi Kagaku KK. Дата публикации: 1985-02-01.

Photosensitive resin composition and method of improving dry etching resistance of photosensitive resin composition

Номер патента: EP1126319A1. Автор: Shuichi Takahashi. Владелец: CLARIANT INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2001-08-22.

Dry etching composition, kit, pattern formation method, and method of manufacturing optical filter

Номер патента: US20190154891A1. Автор: Keisuke Arimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Anodic etching method for the detection of electrically active defects in silicon

Номер патента: CA1069221A. Автор: Robert O. Schwenker,Michael R. Poponiak,John L. Deines. Владелец: John L. Deines. Дата публикации: 1980-01-01.

Etching method employing positive photoresist film

Номер патента: US4686173A. Автор: Jun Kanamori,Mamoru Yokoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

DRY ETCHING DEVICE AND DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20160260586A1. Автор: CHAI Li. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Dry etching equipment and dry etching method

Номер патента: JP3385528B2. Автор: 英樹原野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-10.

Process optimization in gas phase dry etching

Номер патента: US5711849A. Автор: Daniel L. Flamm,John P. Verboncoeur. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-01-27.

Photosensitive resin composition, method for producing pattern, mems structure, method for producing the structure, method for dry etching, method for wet etching, mems shutter device, and image display apparatus

Номер патента: KR101863644B1. Автор: 가츠히로 시모노,히로유키 요네자와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-06-04.

FLOW GUIDE PLATE, LOWER ELECTRODE ASSEMBLY FOR DRY ETCHING APPARATUS, AND DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190043696A1. Автор: Yang Zhong,Yang Xiaofeng,JIANG Kai,Chai Mingzhi,Chen Shihong,Chen Zelin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

End point judging method of dry etching and dry etching equipment

Номер патента: JPH11176815A. Автор: Masato Kijima,正人貴島. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-02.

Dry etching device provided with monitor

Номер патента: JPS56160042A. Автор: Nobuo Hayasaka,Junichi Nishizawa. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1981-12-09.

Method and apparatus for dry etching

Номер патента: JPS57200571A. Автор: Sumio Yamamoto,Seiichi Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-08.

Dry etching method

Номер патента: JPS5953684A. Автор: 守孝中村,Moritaka Nakamura,Takashi Maruyama,隆司丸山. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-03-28.

Dry etching method

Номер патента: JPS6155925A. Автор: Haruo Okano,晴雄岡野,Takashi Yamazaki,隆山崎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-03-20.

Dry etching method

Номер патента: JPS57169241A. Автор: Norio Hirashita,Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1982-10-18.

Dry-etching method

Номер патента: JPS6159832A. Автор: Masao Hirano,平野　雅夫. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-27.

Dry etching method

Номер патента: JPS5669374A. Автор: Tsunetoshi Arikado,Hiroshi Kinoshita. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1981-06-10.

Dry etching method

Номер патента: JPH0760815B2. Автор: 伸裕遠藤,昌雄田島. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-28.

Dry etching method

Номер патента: JPS613410A. Автор: Yasumi Hikosaka,康己彦坂. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-01-09.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: US20020148813A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-10-17.

Dry etching and mirror deposition processes for silicone elastomer

Номер патента: WO2002066700A1. Автор: Axel Scherer,Mark Adams. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-08-29.

Dry etching equipment and dry etching cathode and O ring and vacuum system

Номер патента: TW200525581A. Автор: Ming-Hung Tseng,Chin-Chih Chen,Tzu-Chan Wang,Wei-Shin Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-08-01.

Dry etching equipment and dry etching cathode and o-ring and vacuum system

Номер патента: TWI240299B. Автор: Tzu-Chan Weng,Ming-Hung Tseng,Chin-Chih Chen,Wei-Shin Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-21.

Etching method for processing substrate, dry etching method for polyetheramide resin layer, production method of ink-jet printing head, ink-jet head and ink-jet printing apparatus

Номер патента: EP0964440A3. Автор: Norio Ohkuma,Tamaki Sato,Junichi Kobayashi,Keiichi Murakami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-24.

DRY ETCHING METHOD

Номер патента: US20140008322A1. Автор: Sakai Toshiyasu,Abo Hiroyuki,Abe Kazuya. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Dry Etching Agent and Dry Etching Method

Номер патента: US20130105728A1. Автор: Mori Isamu,Umezaki Tomonori,Hibino Yasuo,OKAMOTO Satoru,KIKUCHI Akiou. Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2013-05-02.

Mask material for reactive ion etching, mask and dry etching method

Номер патента: JP4170165B2. Автор: 秀一大川,一博服部. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Dry etching method, fine structure forming method, mold and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4783169B2. Автор: 友康村上,勝笹子,秀夫中川. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Dry etching method, fine structure formation method, mold and mold fabrication method

Номер патента: US20070187362A1. Автор: Tomoyasu Murakami,Masaru Sasago,Hideo Nakagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

DRY ETCHING METHOD FOR FILM LAYER STRUCTURE AND FILM LAYER STRUCTURE

Номер патента: US20210010140A1. Автор: HU Chong,WEI Xianwang. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Dry etching method for metal having high fusion point

Номер патента: JPS6148924A. Автор: Sadao Adachi,Nobuhiko Susa,定雄安達,須佐　信彦. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1986-03-10.

Dry etching method

Номер патента: JP3202466B2. Автор: 秀行庄司. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-27.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR DRY ETCHING, AND METHOD FOR PRODUCING RESIST PATTERN FOR DRY ETCHING

Номер патента: US20160291475A1. Автор: UEMATSU Teruhiro,OSHIO Kiminori. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Dry etching apparatus and etching method using light and microwave

Номер патента: KR950019926A. Автор: 김동석,김경진,이병석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-24.

Chemical amplification-type positive-working or negative-working photoresist composition for low-temperature dry etching and method for photoresist pattern formation using the same

Номер патента: TW200836009A. Автор: Koji Saito,Koichi Misumi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

Dry etching method of conductive high polymerized membrane using microwave source

Номер патента: KR100865485B1. Автор: 박영환,강정원. Владелец: 단국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-10-27.

Dry Etching Method for Magnetic Tunnel Junction(MTJ) stack

Номер патента: KR101222190B1. Автор: 김은호,정지원. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-01-14.

Dry etching method

Номер патента: JPS57149733A. Автор: Tokuo Kure,Keijiro Uehara,Nobuo Hasegawa,Hiroshi Yanagisawa,Sadayuki Okudaira. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-09-16.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120003838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composition for dry etching of silicon dioxide films in photolithographic process

Номер патента: RU2524344C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-07-27.

Silicon surface preparation for dry etching texturing process.

Номер патента: IE20200018A2. Автор: Clochard Laurent,Sai Narayana Barimar Prabhava. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Silicon surface preparation for dry etching texturing process.

Номер патента: IE87467B1. Автор: Clochard Laurent,Sai Narayana Barimar Prabhava. Владелец: Ultra High Vacuum Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for determining dry etching time and dry etching method

Номер патента: JP5163894B2. Автор: 慎一五十嵐. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Photosensitive resin composition for etching resist, method of manufacturing pattern, mems structure and method of manufacturing the same, dry etching method, wet etching method, mems shutter device, and image display device

Номер патента: JP2012181488A. Автор: Katsuhiro Shimono,Hiroyuki Yonezawa,裕之米澤,勝弘下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Photosensitive resin composition for etching resist, pattern manufacturing method, MEMS structure and manufacturing method thereof, dry etching method, wet etching method, MEMS shutter device, and image display device

Номер патента: JP5291744B2. Автор: 裕之米澤,勝弘下野. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

DRY ETCHING METHOD AND DRY ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120094500A1. Автор: SUZUKI Hiroyuki,OKUNE Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

Dry Etching Agent and Dry Etching Method Using the Same

Номер патента: US20120298911A1. Автор: . Владелец: CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2012-11-29.

Sample dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP4068986B2. Автор: 大本　　豊,良次福山,守薬師寺. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-03-26.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP3339136B2. Автор: 哲也辰巳. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-28.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP2794963B2. Автор: 徳彦玉置,正文久保田,登野村. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-10.

Dry etching apparatus and dry etching method

Номер патента: JP4713851B2. Автор: 俊雄林,泰宏森川,紅コウ鄒. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-06-29.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TW200303051A. Автор: Shinji Nakagami,Hiramoto Michihiko,Furuto Nobusuke,Hiroyuki Ogiya. Владелец: Shamk Internat Inst Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-16.

Dry etching method of gallium nitride based compound semiconductor

Номер патента: TWI267136B. Автор: Shinji Nakagami,Hiromichi Ogiya,Michihiro Hiramoto,Shinsuke Furuto. Владелец: Samco Internat Inc. Дата публикации: 2006-11-21.

Dry etching apparatus and dry etching method using it

Номер патента: JPH1041277A. Автор: 英規乾,Hidenori Inui. Владелец: Miyazaki Oki Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-13.

Dry etching method and dry etching apparatus

Номер патента: JP4595431B2. Автор: 典仁福上. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Dry etching method

Номер патента: JPS54123875A. Автор: Hiroshi Takeuchi. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-09-26.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PATTERN, MEMS STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE, METHOD FOR DRY ETCHING, METHOD FOR WET ETCHING, MEMS SHUTTER DEVICE, AND IMAGE DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120107563A1. Автор: YONEZAWA Hiroyuki,SHIMONO Katsuhiro. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-05-03.

Dry etching device top cover and dry etching device

Номер патента: CN107633994B. Автор: 崔珠峰. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-07.

Etching mask and dry etching method

Номер патента: JP4654811B2. Автор: 浩杉村. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2011-03-23.

Etching cavity of dry-etching hard inorganic material substrate inductively coupled plasma (ICP) etching machine

Номер патента: CN202259153U. Автор: 陈波,李超波,汪明刚,黄成强. Владелец: JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-05-30.

Gas dispersion device for improving dry etching uniformity, reaction chamber and etching machine

Номер патента: CN216413002U. Автор: 李彬彬,李瑞评,乔新宇,霍曜. Владелец: Fujian Jingan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-29.

Surface treatment method for increasing fused silica element threshold value through wet etching-dry etching combination

Номер патента: CN103922601A. Автор: 向霞,祖小涛,晏中华. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-07-16.

GATE TRIM PROCESS USING EITHER WET ETCH OR DRY ETCH APPROACH TO TARGET CD FOR SELECTED TRANSISTORS

Номер патента: US20120032308A1. Автор: Hui Angela T.,Choi Jihwan,Davis Bradley M.. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for preparing semicylindrical superfine slot by combining twice membranous layer deposition, dry etching and wet etching

Номер патента: CN102153046A. Автор: 刘玲,罗先刚,方亮,王长涛,刘凯鹏,邢卉,冯沁. Владелец: Institute of Optics and Electronics of CAS. Дата публикации: 2011-08-17.

Method for patterning sapphire by combining wet etching and dry etching

Номер патента: CN102184842B. Автор: 顾小云,张建宝. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2012-11-07.

Monitoring method of etching in dry etching

Номер патента: JP3261660B2. Автор: 昭彦悳. Владелец: Ulvac Coating Corp. Дата публикации: 2002-03-04.

Method for patterning sapphire by combining wet etching and dry etching

Номер патента: CN102184842A. Автор: 顾小云,张建宝. Владелец: HC Semitek Corp. Дата публикации: 2011-09-14.

Method of dry etching of interlayer insulation film and etching device

Номер патента: TW200735206A. Автор: Toshio Hayashi. Владелец: Philtech Inc. Дата публикации: 2007-09-16.

Process of etching a silicon nitride layer by a multi-step dry etching procedure

Номер патента: TW343361B. Автор: Shiang-Yuan Jeng,Shiuh-Lii Jeng,Tzyy-Shy Yan. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1998-10-21.

Si3N4 dry etching for preventing by-products accumulated in the etching machine

Номер патента: TW333661B. Автор: Jenn-Perng Fann,Jeng-Guu Chen,Lih-Miin Hwang,Wenn-Jeng Chyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-11.

Method of dry etching

Номер патента: JPS54126471A. Автор: Hiroshi Takeuchi. Владелец: CHO LSI GIJUTSU KENKYU KUMIAI. Дата публикации: 1979-10-01.

Solution for removal of post dry etching residue

Номер патента: TW200512287A. Автор: Kwo-Hung Shen,Wen-Shoei Sheen,Jack Ting,Sheng-Hung Tu. Владелец: Merck Kanto Advanced Chemical. Дата публикации: 2005-04-01.

Cleaning solution and method for removal of post dry etching residue

Номер патента: TWI222994B. Автор: Kwo-Hung Shen,Wen-Shoei Sheen,Jack Ting,Sheng-Hung Tu. Владелец: Merck Kanto Advanced Chemical. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for discharging wafer after dry etching metal layer

Номер патента: TW200509245A. Автор: Ming-Shuo Yen,YJ Yang,Ym Wang,Yp Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Solution for removal of post dry etching residue

Номер патента: TWI247038B. Автор: Kwo-Hung Shen,Wen-Shoei Sheen,Jack Ting,Sheng-Hung Tu. Владелец: Merck Kanto Advanced Chemical. Дата публикации: 2006-01-11.

Exhausting means in a dry etching apparatus

Номер патента: TWI247823B. Автор: Rung-Fu Ju. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-21.

Method for discharging wafer after dry etching metal layer

Номер патента: TWI223351B. Автор: Yi-Ming Wang,Ming-Shuo Yen,Yi-Ping Pan,Yau-Rung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-11-01.

Plasma reaction chamber and process of dry etching

Номер патента: TW200428514A. Автор: Chun-Wei Chen,Yi-Hsiung Lin,Hong-Long Chang,Shih-Kun Kuo. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Method for increasing rounding corner by pull-backed silicon nitride using dry etching in shallow trench isolation processing

Номер патента: TW480655B. Автор: Chun-Hung Lee,Chia-Chi Chung,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

진공처리 유니트 및 장치

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты