Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Titanium Nitride Film Deposition by Vapor Deposition Using Cyclopentadienyl Alkylamino Titanium Precursors

Titanium Nitride Film Deposition by Vapor Deposition Using Cyclopentadienyl Alkylamino Titanium Precursors

Номер патента: US20110206862A1
Опубликовано: 25-08-2011
Автор(ы): Changhee Ko, Julien Gatineau
Принадлежит: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming silicon nitride film

Номер патента: US20240240307A1. Автор: Yoshiki Nakano,Takafumi Nogami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Thin film deposition system capable of physical vapor deposition and chemical vapor deposition simultaneously

Номер патента: WO2016118598A1. Автор: Nobuhiko Kobayashi. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2016-07-28.

Thin film deposition system capable of physical vapor deposition and chemical vapor deposition simultaneously

Номер патента: US20180002810A1. Автор: Nobuhiko Kobayashi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-01-04.

Thin film deposition system capable of physical vapor deposition and chemical vapor deposition simultaneously

Номер патента: US20180002810A1. Автор: KOBAYASHI Nobuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Stable bis (alkyl-arene) transition metal complexes and methods of film deposition using the same

Номер патента: EP4341459A1. Автор: Bo Peng,Raphael ROCHAT,Rocio Alejandra Arteaga Muller,Teruo Beppu,Julien GAINTEAU. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-03-27.

Thin film deposition with improved control of precursor

Номер патента: US20240011160A1. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Manganese-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition

Номер патента: EP3397789A1. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Satoko GATINEAU,Stefan Wiese. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2018-11-07.

Manganese-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition

Номер патента: WO2017116665A1. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Satoko GATINEAU,Stefan Wiese. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-07-06.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Film deposition apparatus, film deposition method and storage medium

Номер патента: US09453280B2. Автор: Hitoshi Kato,Katsuyuki Hishiya,Shigehiro Ushikubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Apparatus and methods to reduce particles in a film deposition chamber

Номер патента: WO2021262644A1. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Cong Trinh,Maribel Maldonado-Garcia,Mihaela A. Balseanu,Zohreh Razavi Hesabi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-12-30.

Chemical vapor deposition of silicon nitride using a remote plasma

Номер патента: WO2024102586A1. Автор: Andrew J. McKerrow,Shane Tang,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-16.

Chemical vapor deposition furnace with a cleaning gas system to provide a cleaning gas

Номер патента: US12077854B2. Автор: Herbert Terhorst,Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Theodorus G. M. Oosterlaken,Lucian JDIRA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Gas injection system for chemical vapor deposition using sequenced valves

Номер патента: WO2012082225A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: VEECO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Gas Injection System For Chemical Vapor Deposition Using Sequenced Valves

Номер патента: US20160168710A1. Автор: William E. Quinn,Eric A. Armour. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4107352A. Автор: Mohammad Javid Hakim. Владелец: Westinghouse Canada Inc. Дата публикации: 1978-08-15.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5576071A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-11-19.

Method for depositing titanium nitride films for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20080274616A1. Автор: Toshio Hasegawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for chemical vapor deposition of titanium nitride films at low temperatures

Номер патента: US5378501A. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Thin film deposition device, thin film deposition method, and thin film deposition apparatus

Номер патента: EP4397784A1. Автор: HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Hui Shen,Xiaoyan Zhang,Shena JIA,Shan ZHANG,Tom Kim,Jacob Lee,William BAEK,Yy KIM,Zeus KIM. Владелец: Cleanchip Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Wafer level uniformity control in remote plasma film deposition

Номер патента: SG10201801701PA. Автор: Qiu Huatan,Hohn Geoffrey. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Film deposition apparatus, film deposition method, and computer-readable recording medium

Номер патента: US09932674B2. Автор: Hitoshi Kato,Hiroyuki Kikuchi,Katsuyuki Hishiya,Shigehiro Ushikubo,Shigenori Ozaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Reactor for thin film deposition and method for depositing thin film on wafer using the reactor

Номер патента: US20050158469A1. Автор: Young Park,Sang Lee,Hong Lim,Keun Yoo,Ik Lee,Hyun Kyung,Jang Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Plasma-enhanced deposition of titanium-containing films for various applications using amidinate titanium precursors

Номер патента: US20130089681A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Vincent M. Omarjee. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US11905595B2. Автор: Hitoshi Kato,Toru Ishii,Yuji Seshimo,Yuichiro Sase. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Film Deposition Apparatus With Gas Entraining Openings

Номер патента: US20210363634A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Nova Engineering Films Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Film Deposition Apparatus With Gas Entraining Openings

Номер патента: US20190292661A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Nova Engineering Films Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Plasma process, film deposition method and system using rotary chuck

Номер патента: US20130264308A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Ying Xiao,Yu-Lung YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Thin-film-deposition machine

Номер патента: US11846022B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of selective metal deposition using separated reactant activation and plasma discharging zones

Номер патента: WO2024123432A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Vapor deposition processes, reactants and deposition assemblies

Номер патента: US20230307239A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH,Peter Gordon,Sean T. Barry,René Henricus Jozef Vervuurt,Goran Bacic. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of Selective Metal Deposition Using Separated Reactant Activation and Plasma Discharging Zone

Номер патента: US20240191354A1. Автор: Jiang Lu,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Joseph Hernandez,Xianmin Tang,Dien-Yeh Wu,Weifeng Ye,Yiyang WAN,Ying-Bing JIANG,Gary HOW. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of depositing aluminum nitride templating layers using thermal pulsed chemical vapor deposition for the enhancement of aluminum nitride thick films and related films

Номер патента: US20240052493A1. Автор: Andrew Kummel,Aaron McLeod,Scott UEDA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-15.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US7217326B2. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-15.

RF powered plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and methods

Номер патента: US6112697A. Автор: Paul Smith,Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20040200413A1. Автор: Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Vapor deposition of thin films comprising gold

Номер патента: US10145009B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Maarit Mäkelä. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-04.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: US20220275509A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition coating system

Номер патента: EP4298665A1. Автор: Attila Nagy,Benjamin Lawrence,Ludmil Zambov,Daniel Pulsipher,Pravin Chaubey,John Winterroth. Владелец: HZO Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Synthesis and use of precursors for vapor deposition of tungsten containing thin films

Номер патента: US20190300468A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Miika Mattinen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-10-03.

Film deposition apparatus, substrate processing apparatus, film deposition method, and computer-readable storage medium for film deposition method

Номер патента: US09416448B2. Автор: Hitoshi Kato,Manabu Honma,Kohichi Orito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20230128366A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: US20220154332A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Film deposition method for producing a reaction product on a substrate

Номер патента: US09677174B2. Автор: Hitoshi Kato,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: WO2022109516A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Liquid precursor injection for thin film deposition

Номер патента: EP4247507A1. Автор: Niloy Mukherjee,Miguel Saldana,Alex Finkelman. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: KR20110054829A. Автор: 한창희,이기훈,조병철. Владелец: 주식회사 아토. Дата публикации: 2011-05-25.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: KR101635085B1. Автор: 한창희,이기훈,조병철. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2016-07-01.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus and method for chemical vapor deposition using an axially symmetric gas flow

Номер патента: GB2181460A. Автор: Mcdonald Robinson,Klavs F Jensen,Wayne L Johnson,Wiebe B Deboer,Gary W Read. Владелец: Epsilon LP. Дата публикации: 1987-04-23.

Method of chemical vapor deposition in a continuous treatment line

Номер патента: US5352490A. Автор: Masahiro Abe,Kazuhisa Okada,Shuzo Fukuda. Владелец: NKK Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Inverted diffusion stagnation point flow reactor for vapor deposition of thin films

Номер патента: CA2016970A1. Автор: Prasad N. Gadgil. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 1991-11-16.

Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4834020A. Автор: Lawrence D. Bartholomew,Nicholas M. Gralenski,Michael A. Richie,Michael L. Hersh. Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1989-05-30.

Chemical vapor deposition apparatus and method for forming parylene film

Номер патента: US20110151121A1. Автор: Chun-Hao Chang,Chuan-Sheng Zhuang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-06-23.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20230105104A1. Автор: Jinsan Moon,Wonbae Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-04-06.

High density plasma chemical vapor deposition chamber and method of using

Номер патента: US20210125811A1. Автор: Ding-I Liu,Wen-Long Lee,Wei-Ching Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Nonconformal oxide film deposition using carbon-containing inhibitor

Номер патента: WO2023205570A1. Автор: Ravi Kumar,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-10-26.

Thin Film Depositing Apparatus and Thin Film Depositing Method Used by the Same

Номер патента: US20130251902A1. Автор: Yong-Suk Lee,In-Kyo Kim,Sang-Joon SEO,Myung-Soo Huh,Sung-Yong Lee,Choel-Min JANG,Cheol-Rae JO,Mi-Ra An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof

Номер патента: US09478440B2. Автор: XIAO Wu,Xunhui Wang,Qijun Guo,Jianchao Fan. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2016-10-25.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Film deposition apparatus, film deposition method, and storage medium

Номер патента: US20110104395A1. Автор: Hitoshi Kato,Yasushi Takeuchi,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Suppression of tungsten film deposition on a semiconductor wafer bevel edge with a halogenide purge gas

Номер патента: US5953630A. Автор: Keiichi Tanaka,Yuji Maeda,Naomi Yoshida,Manabu Yamazaki,Katsumi Mitani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Film deposition apparatus

Номер патента: US20110139074A1. Автор: Hitoshi Kato,Yasushi Takeuchi,Hiroyuki Kikuchi,Manabu Honma,Kohichi Orito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-06-16.

Low temperature silicon nitride films using remote plasma CVD technology

Номер патента: US09583333B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Amit Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Chemical vapor deposition method of silicon dioxide film

Номер патента: US5360646A. Автор: Katsumi Morita. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1994-11-01.

Apparatus for low pressure chemical vapor deposition

Номер патента: US5441570A. Автор: Chul-Ju Hwang. Владелец: Jein Technics Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-15.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US8298338B2. Автор: Ji Hye Shim,Changsung Sean KIM,Sang Duk Yoo,Jong Pa HONG,Won Shin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-30.

Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing

Номер патента: US5935647A. Автор: Jay B. DeDontney,Nicholas M. Gralenski,Adam Q. Miller. Владелец: WJ Semiconductor Equipment Group Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Method and a device for epitaxial growth of objects by chemical vapor deposition

Номер патента: US6093253A. Автор: Yujing Liu,Christer Hallin,Peter Lofgren,Chun Yuan Gu. Владелец: ABB Research Ltd Switzerland. Дата публикации: 2000-07-25.

Selective area chemical vapor deposition

Номер патента: CA2028438C. Автор: Michael A. Pickering,Raymond L. Taylor,Joseph T. Keeley,Jitendra Singh Goela. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-11-30.

Chemical vapor deposition method and coatings produced therefrom

Номер патента: CA2393531C. Автор: William J. Dalzell, Jr.,Miodrag Oljaca,Andrew T. Hunt,Subramaniam Shanmugham,Girish Deshpande,Shara S. Shoup,Jan Tzyy-Jiuan Hwang,Nii Sowa Laye,Trifon Tomov,Aimee Poda,Michelle Hendrick. Владелец: Microcoating Technologies Inc. Дата публикации: 2011-02-15.

Apparatus for chemical vapor deposition (CVD) with showerhead

Номер патента: US8298370B2. Автор: Chul Soo Byun. Владелец: Piezonics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-30.

Chamber for reducing contamination during chemical vapor deposition

Номер патента: US6114227A. Автор: Joseph P. Ellul,Stephen M. Campbell,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato,David Leksell,Ming Xi Chan,Jeanne L. Luce,David T. Ryan,Iqbal A. Shareef. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Chemical vapor deposition of mullite coatings and powders

Номер патента: AU4963496A. Автор: Rao Mulpuri,Vinod Sarin. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1996-07-24.

Zirconium-containing film forming compositions for vapor deposition of zirconium-containing films

Номер патента: WO2016106090A1. Автор: Christian Dussarrat,Clement Lansalot-Matras,Julien LIEFFRIG,Hana ISHII. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-06-30.

Selective vapor deposition process for additive manufacturing

Номер патента: EP3587618A2. Автор: Aaron T. Nardi,Thomas J. Martin,Sergey Mironets,Alexander Staroselsky. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-01-01.

Gas distribution for chemical vapor deposition/infiltration

Номер патента: US10480065B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Xiaodan Cai,Thomas P. Filburn,Naveen G. Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Vertical chemical vapor deposition apparatus having nozzle for spraying reaction gas toward wafers

Номер патента: US20090159004A1. Автор: Takahiro Yoshioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Film deposition apparatus

Номер патента: US20160244877A1. Автор: Hitoshi Kato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of forming nitride film with plasma

Номер патента: US09478410B2. Автор: Noriaki Fukiage,Takayuki Karakawa,Toyohiro Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Chemical vapor deposition reactor to grow diamond film by microwave plasma chemical vapor deposition

Номер патента: US11214871B2. Автор: Elgin E. Eissler,David SABENS,Charles D. Tanner. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US12014910B2. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230395361A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of chemical vapor deposition of metal films

Номер патента: EP1021589A1. Автор: Chantal Arena,Joseph T. Hillman,Emmanuel Guidotti,Ronald T. Bertram. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2000-07-26.

Support pin and film deposition device

Номер патента: US10662530B2. Автор: Hisayuki Kato. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Fluid distributing device for a thin-film deposition apparatus, related apparatus and methods

Номер патента: CA3154777C. Автор: Tom Blomberg,Marko Pudas,Juhana Kostamo,Timo Vähä-Ojala. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-03-19.

Support Pin And Film Deposition Device

Номер патента: US20180171474A1. Автор: Hisayuki Kato. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process, system, and coated vessels

Номер патента: US20230340670A1. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A3. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-04-14.

Pulsed plasma enhanced chemical vapor deposition process and system

Номер патента: WO2022036147A4. Автор: Robert Abrams,Matthew Wills,Ahmad Taha. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-06-23.

Multiple Chamber System for Plasma Chemical Vapor Deposition of Diamond and Related Materials

Номер патента: US20230392255A1. Автор: William Holber. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition

Номер патента: US11885022B2. Автор: Waichi Yamamura,Chikara MORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for forming titanium nitride film and apparatus for forming titanium nitride film

Номер патента: US20230030762A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kensuke Higuchi,Asaka Fujikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09660191B2. Автор: Jung-Min Lee,Jun-sik Oh,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition

Номер патента: US6123776A. Автор: Kuen-Jian Chen,Horng-Bor Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-09-26.

Nitride film forming method

Номер патента: US20170125238A1. Автор: Akira Shimizu,Kazuhide Hasebe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Nitride film forming method using nitrading active species

Номер патента: US09865457B2. Автор: Akira Shimizu,Kazuhide Hasebe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Thermal film deposition

Номер патента: WO2023163950A1. Автор: van Schravendijk Bart J.,Pulkit Agarwal,Jason Alexander VARNELL,Douglas Walter Agnew,Awnish GUPTA,Pei-Chi Liu,Dustin Zachary Austin,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Praneeth RAMASAGARAM. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Process for preparing silicon-rich silicon nitride films

Номер патента: WO2023168082A1. Автор: Bryan C. Hendrix,Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-09-07.

Gas delivering system for in situ thermal treatment and thin film deposition and use of the same

Номер патента: US20080102207A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Yu-Min Tsai,Wen-Li Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of operating film deposition apparatus and film deposition apparatus

Номер патента: US9209011B2. Автор: Hitoshi Kato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Film deposition methods in furnace tube, and semiconductor devices

Номер патента: US20230053417A1. Автор: Qizan HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Film deposition apparatus, substrate processor, film deposition method, and computer-readable storage medium

Номер патента: US8840727B2. Автор: Hitoshi Kato,Manabu Honma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-09-23.

Film deposition apparatus, method of depositing film, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20170211181A1. Автор: Yasushi Takeuchi,Kiichi Takahashi,Katsuyoshi Aikawa,Katsuhiko Oyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Film deposition apparatus, film deposition method, and storage medium

Номер патента: US20100055314A1. Автор: Hitoshi Kato,Manabu Honma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Source Material Supplying Unit For Thin Film Depositing Apparatus

Номер патента: US20130161416A1. Автор: Sang Hyun Park,Young Kuk Lee,Doo Won Kong,Jin Hwan Kwon,Jea Jung Cha,Byoung Min Park. Владелец: SNU PRECISION CO LTD. Дата публикации: 2013-06-27.

Assembly of gas injector and ceiling for semiconductor processes and film deposition

Номер патента: US20180282868A1. Автор: Tsung-Hsien Chuang. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Selective deposition using hydrophobic precursors

Номер патента: US12080548B2. Автор: Antti Niskanen,Eva Tois,Hidemi Suemori,Suvi P. Haukka,Raija H. MATERO,Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: US4694778A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-09-22.

Chemical vapor deposition manifold

Номер патента: US6024799A. Автор: Karl Anthony Littau,Chen-An Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-02-15.

Radiation heated reactor for chemical vapor deposition on substrates

Номер патента: US4263872A. Автор: Vladimir S. Ban. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-04-28.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US5871586A. Автор: John A. Crawley,Victor J. Saywell. Владелец: Thomas Swan and Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Chemical vapor deposition chamber having an adjustable flow flange

Номер патента: US6080241A. Автор: Tingkai Li,Dane C. Scott,Brian Wyckoff. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Chemical vapor deposition wafer boat

Номер патента: CA1234972A. Автор: Arthur J. Learn,Dale R. DuBois. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1988-04-12.

Chemical vapor deposition apparatus having a gas diffusing nozzle designed to diffuse gas equally at all levels

Номер патента: US6146461A. Автор: Tae-Chul Kim,Chang-Zip Yang,Jae-Hyuck An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-14.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1251100A. Автор: Guy Brien,Richard Cloutier,Laszlo Szolgyemy,Edward C.D. Darwall. Владелец: Edward C.D. Darwall. Дата публикации: 1989-03-14.

Vapor deposition device, vapor deposition method and organic EL display device

Номер патента: US8658545B2. Автор: Satoshi Inoue,Tohru Sonoda,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Vapor deposition apparatus for using solid starting materials

Номер патента: US5334250A. Автор: Koichi Tanaka,Shigeo Nakajima,Masaru Yoshida,Takashi Ogura,Akiyoshi Mikami,Kouji Taniguchi,Hiroaki Nakaya,Takuo Yamashita,Katsushi Okibayashi,Kousuke Terada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-08-02.

Jet vapor deposition of nanocluster embedded thin films

Номер патента: US5759634A. Автор: Jian-Zhi Zang. Владелец: Jet Process Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6936548B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2005-08-30.

Film deposition method and film deposition apparatus

Номер патента: US11981997B2. Автор: Feng Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Film deposition method and film deposition apparatus

Номер патента: US20230054843A1. Автор: Feng Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Liquid tank and thin film deposition apparatus using the same

Номер патента: US20130213299A1. Автор: Heng Liu,Fu-Shun Hu,Chih-Chieh Chu. Владелец: Pinecone Material Inc Taiwan. Дата публикации: 2013-08-22.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5803974A. Автор: Tadahiro Ohmi,Nobumasa Suzuki,Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Apparatus for producing diamonds by chemical vapor deposition and articles produced therefrom

Номер патента: US5204145A. Автор: Steven M. Gasworth. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-20.

Reagents to remove oxygen from metal oxyhalide precursors in thin film deposition processes

Номер патента: EP4301896A1. Автор: Feng Li,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Yumin Liu,Rocia Alejandra ARTEAGA MULLER,Vankateswara R. PALLEM,Zhengning Gao. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-01-10.

Reagents to remove oxygen from metal oxyhalide precursors in thin film deposition processes

Номер патента: US11821080B2. Автор: Feng Li,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Yumin Liu,Venkateswara R. Pallem,Zhengning Gao,Rocio Alejandra Arteaga Muller. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-11-21.

Vapor-deposited foamed body

Номер патента: CA2861849C. Автор: Takeshi Aihara,Kentarou Ichikawa,Nobuhisa Koiso. Владелец: Toyo Seikan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same

Номер патента: WO2018122603A3. Автор: Jean-Marc Girard,Satoko GATINEAU,Wontae NOH,DaeHyeon Kim,Julie GATINEAU. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2019-01-10.

Plasma-enhanced film deposition

Номер патента: EP1579027A1. Автор: Klaus Hartig. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2005-09-28.

Methods for depositing a conformal metal or metalloid silicon nitride film and resultant films

Номер патента: US11732351B2. Автор: XINJIAN LEI,Moo-Sung Kim,Jianheng LI. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of coating deposition using dli-mocvd with repeated use of precursor compound

Номер патента: RU2699126C1. Автор: Фредерик ШУСТЕР,Франсис МОРИ,Александр МИШО,Мишель ПОН,Рафаэль БУАШО,Фернандо ЛОМЕЛЛО. Владелец: Коммиссариа А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2019-09-03.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20240060170A1. Автор: Manabu Honma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Thin film deposition apparatus having multi-stage heaters and thin film deposition method using the same

Номер патента: US20230212751A1. Автор: Seung Jun Lee,Jin Hwan Lee,Sang Bo Kim,Ram WOO,Min Ho CHEON. Владелец: Hanwha Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Thin film deposition apparatus having multi-stage heaters and thin film deposition method using the same

Номер патента: US20230212750A1. Автор: Seung Jun Lee,Sang Yeop Kim,Jin Hwan Lee,Sang Bo Kim,Ram WOO. Владелец: Hanwha Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Chemical vapor deposition method of growing oxide films with giant magnetoresistance

Номер патента: US5487356A. Автор: Jiming Zhang,Yi-Oun Li. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1996-01-30.

Method to prevent backside growth on substrates in a vapor deposition system

Номер патента: CA2023278C. Автор: Jitendra S. Goela,Raymond L. Taylor,Roy D. Jaworski. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1993-08-31.

Chemical vapor deposition system and method

Номер патента: WO2006116776A3. Автор: Eunsung Park,Kevin Casey,Catherine E Talor. Владелец: Catherine E Talor. Дата публикации: 2007-05-03.

Chemical vapor deposition process and coated article

Номер патента: US20160060763A1. Автор: David A. Smith,Min YUAN,James B. Mattzela,Paul H. Silvis. Владелец: Silcotek Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Process for forming low resistivity titanium nitride films

Номер патента: US5279857A. Автор: Eric C. Eichman,Bruce A. Sommer,Michael J. Churley. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Process for forming low resistivity titanium nitride films

Номер патента: CA2114716A1. Автор: Eric C. Eichman,Bruce A. Sommer,Michael J. Churley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-03-04.

Thin film deposition preparation device and method

Номер патента: US20190186015A1. Автор: Fei Zhang,Jie Xiong,Xiaohui Zhao,Yanrong LI,Bowan TAO,Chaoren LI. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-06-20.

Thin film deposition preparation device and method

Номер патента: US20170191163A1. Автор: Fei Zhang,Jie Xiong,Xiaohui Zhao,Yanrong LI,Bowan TAO,Chaoren LI. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for chemical infiltration or vapor deposition

Номер патента: RU2738718C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Адриен ДЕЛЬКАМ,Седрик ДЕСКАМ. Владелец: Сафран Серамикс. Дата публикации: 2020-12-15.

Continuous chemical vapor deposition reactor

Номер патента: CA1068582A. Автор: Roger N. Anderson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: CA1216419A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Process and apparatus for supplying zinc vapor continuously to a chemical vapor deposition process from a continuous supply of solid zinc

Номер патента: US5383969A. Автор: Michael A. Pickering,Jeffery L. Kirsch,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Organometallic chemical vapor deposition of films utilizing organic heterocyclic compounds

Номер патента: US4509997A. Автор: Peter J. Wright,Brian Cockayne,Richard J. M. Griffiths. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1985-04-09.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4539933A. Автор: Dale R. DuBois,Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller,Ralph F. Manriquez. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-09-10.

Single ended ultra-high vacuum chemical vapor deposition (uhv/cvd) reactor

Номер патента: US5181964A. Автор: Bernard S. Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

A method for operating a chemical vapor deposition process

Номер патента: SE2250842A1. Автор: Henrik Pedersen,Jens Birch,Choolakkal Arun Haridas. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2024-01-05.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US12049694B2. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for depositing boron nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20220235457A1. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Apparatuses for thin film deposition

Номер патента: US12024772B2. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for producing metal catalyst having inorganic film deposited thereon by means of ald process, and metal catalyst having improved activity according thereto

Номер патента: EP4134163A1. Автор: Sung Gap Im,Eun Ji Woo,Young Jin Cho,Won Tae JANG,Do Heung KIM,Keon Woo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-15.

Methods and apparatuses for thin film deposition

Номер патента: WO2017019250A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Jaakko Anttila,Raija Matero. Владелец: Asm Ip Holding B. V.. Дата публикации: 2017-02-02.

Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus, and manufacturing method of nano-structured particles

Номер патента: KR100779082B1. Автор: 정우석,백문철,유용구. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-11-27.

Chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US8778079B2. Автор: Michael J. Begarney,Frank J. Campanale. Владелец: Valence Process Equipment Inc. Дата публикации: 2014-07-15.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: CA1268688A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-08.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US3659552A. Автор: Thomas F Briody. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1972-05-02.

Chemical vapor deposition method for the thin film of semiconductor

Номер патента: US4705700A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-11-10.

Chemical vapor deposition method and apparatus

Номер патента: US4638762A. Автор: Montri Viriyayuthakorn,Myung K. Kim. Владелец: AT&T Technologies Inc. Дата публикации: 1987-01-27.

Chemical vapor deposition apparatus for flat display

Номер патента: CN101016622A. Автор: 金南珍,金俊洙. Владелец: SFA Engineering Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Wafter carrier for chemical vapor deposition systems

Номер патента: US10316412B2. Автор: Yuliy Rashkovsky,Sandeep Krishnan,Alexander I. Gurary,Lukas Urban,Jeffrey Scott Montgomery. Владелец: Veeco Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

System for chemical vapor deposition at ambient temperature using electron cyclotron resonance and method for depositing metal composite film using the same

Номер патента: US20030000827A1. Автор: Byung-Won Cho,Joong-Kee Lee,Dal-Keun Park,Joo-Man Woo,Bup-Ju Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: KR100975507B1. Автор: 끄리스띠앙 뒤사랑,쟝-마르 지라르. Владелец: 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드. Дата публикации: 2010-08-11.

Method for depositing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003046253A1. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2003-06-05.

Solid precursor delivery method using liquid solvent for thin film deposition

Номер патента: US09869018B2. Автор: Chi-Ming Yang,Chung-Chieh Lee,Lin-Jung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Film Deposition Apparatus

Номер патента: US20160348237A1. Автор: Hirokazu Imahara,Yasuhiro Wakamori. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, vapor deposition pattern forming method, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic el display

Номер патента: US20190211437A1. Автор: Katsunari Obata,Kumiko Hokari,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, vapor deposition pattern forming method, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic el display

Номер патента: US20210222283A1. Автор: Katsunari Obata,Kumiko Hokari,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Coating particles in a fluidized bed by vapor deposition

Номер патента: EP1298182A3. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith-A Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2006-02-08.

Method of coating particles by vapor deposition

Номер патента: US20030059530A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

A palette system for thin film deposition facilities for collecting and recovering deposited materials

Номер патента: EP2547806A1. Автор: Antonio Andrea Gentile,Salvatore Modeo. Владелец: Mrs SNC Di Gentile Antonio Andrea&Modeo Salvatore. Дата публикации: 2013-01-23.

A palette system for thin film deposition facilities for collecting and recovering deposited materials

Номер патента: WO2011114223A1. Автор: Antonio Andrea Gentile,Salvatore Modeo. Владелец: MRS S.N.C. DI GENTILE ANTONIO ANDREA & MODEO SALVATORE. Дата публикации: 2011-09-22.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20100279008A1. Автор: Toshio Takagi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Vapor deposition apparatus

Номер патента: US5264039A. Автор: Raymond W. Gobush,Bryan J. Lovejoy. Владелец: Union Carbide Chemicals and Plastics Technology LLC. Дата публикации: 1993-11-23.

Palette modular device for collection and recovery of metals in thin film deposition equipment

Номер патента: US20130008375A1. Автор: Antonio Andrea Gentile,Salvatore Modeo. Владелец: MRS SNC DI GENTILE ANTONIO ANDREA AND MODEO SALVATORE. Дата публикации: 2013-01-10.

Precursor selection method for chemical vapor deposition techniques

Номер патента: US20080243460A1. Автор: Timothy P. Holme,Masayuki Sugawara,Friedrick B. Prinz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Evaporation method and film deposition method

Номер патента: US20130273249A1. Автор: Masaki Kusuhara,Masaru Umeda,Masayuki Toda,Mitsuru Fukagawa. Владелец: Watanabe Shoko KK. Дата публикации: 2013-10-17.

Evaporation method and film deposition method

Номер патента: US09644264B2. Автор: Masaki Kusuhara,Masaru Umeda,Masayuki Toda,Mitsuru Fukagawa. Владелец: Watanabe Shoko KK. Дата публикации: 2017-05-09.

Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers

Номер патента: WO2014094103A1. Автор: Rajesh Odedra. Владелец: SEASTAR CHEMICALS INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Thin-film-deposition equipment

Номер патента: US20220415623A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Novel group IV metal precursors and a method of chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20020058843A1. Автор: Dae Kim,Young Cho,Wan Lee,Ik Lee,Yo Min,Sun Lim,Bo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: EP1230420A1. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2002-08-14.

Method of manufacturing antifouling coating polymer using initiated chemical vapor deposition

Номер патента: US20230140401A1. Автор: Chang Hoon Kim,Jeong Heon Lee,Jae Bok KWAK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chosun National University. Дата публикации: 2023-05-04.

Chemical vapor deposition using N,O polydentate ligand complexes of metals

Номер патента: US09528182B2. Автор: Gary S. Silverman,Roman Y. Korotkov,Martin E. Bluhm. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Abatement of effluent from chemical vapor deposition processes using ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions

Номер патента: WO2001029281A9. Автор: Jose Arno,Mark Holst,Ray Dubois,Rebecca Faller. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2001-09-27.

Method and apparatus for the combustion chemical vapor deposition of films and coatings

Номер патента: CA2158568C. Автор: Andrew T. Hunt,Joe K. Cochran,William Brent Carter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Triangular deposition chamber for a vapor deposition system

Номер патента: CA2120092C. Автор: Jitendra S. Goela,Lee E. Burns,James C. Macdonald,Alexander Teverovsky. Владелец: CVD Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Exhaust system for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4608063A. Автор: Takashi Kurokawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film

Номер патента: US5209182A. Автор: Tomohiro Ohta,Eiichi Kondoh,Kenichi Otsuka,Tohru Mitomo,Hiroshi Sekihashi. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-11.

Prevention of low pressure chemical vapor deposition silicon dioxide undercutting and flaking

Номер патента: CA1166129A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Particles having a vapor deposited colorant

Номер патента: CA3111745C. Автор: Alberto Argoitia,Vladimir Raksha,Carole Thoraval,Larry Meredith. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2023-04-04.

Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane- nitrous oxide reaction

Номер патента: CA1166128A. Автор: Bernard M. Kemlage. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-04-24.

Chemical vapor deposition system cleaner

Номер патента: US5109562A. Автор: John W. Albrecht. Владелец: C V D System Cleaners Corp. Дата публикации: 1992-05-05.

Precursor for chemical vapor deposition and thin film formation process using the same

Номер патента: US20040086643A1. Автор: Hiroki Sato,Kazuhisa Onozawa. Владелец: Asahi Denka Kogyo KK. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of automatically cleaning a vacuum vapor deposition tank

Номер патента: US5492569A. Автор: Junji Nakada. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-20.

Particles having a vapor deposited colorant

Номер патента: CA2988898C. Автор: Alberto Argoitia,Vladimir Raksha,Carole Thoraval,Larry Meredith. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2021-05-11.

Apparatus and method for photochemical vapor deposition

Номер патента: CA1297831C. Автор: Scott C. Jackson,Richard E. Rocheleau. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 1992-03-24.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US4547404A. Автор: Bryant A. Campbell,Nicholas E. Miller. Владелец: Anicon Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

Metal-organic (MO) chemical vapor deposition method and MO chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US6180541B1. Автор: Jae-Hyun Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-30.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US6110283A. Автор: Takaaki Kawahara,Mikio Yamamuka,Tsuyoshi Horikawa,Masayoshi Tarutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Photochemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4516527A. Автор: Shinji Sugioka. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 1985-05-14.

Method of cooling induction-heated vapor deposition apparatus and cooling apparatus therefor

Номер патента: US4293755A. Автор: Dennis Garbis,Lawrence Hill,Robert Heller. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1981-10-06.

Photochemical vapor deposition apparatus and method

Номер патента: CA1181719A. Автор: John W. Peters,Frank L. Gebhart. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-01-29.

A vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1531189A1. Автор: Dennis R. Christensen. Владелец: Specialty Coating Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-18.

Pigments having a vapor deposited colorant

Номер патента: US20240117194A1. Автор: Alberto Argoitia,Vladimir Raksha,Carole Thoraval,Larry Meredith. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-04-11.

Pigments having a vapor deposited colorant

Номер патента: US11891524B2. Автор: Alberto Argoitia,Vladimir Raksha,Carole Thoraval,Larry Meredith. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-02-06.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20020051847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Process for depositing titanium nitride film by CVD

Номер патента: US5300321A. Автор: Tadashi Nakano,Tomohiro Ohta. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1994-04-05.

Chemical vapor deposition process for depositing titanium nitride films from an organo-metallic compound

Номер патента: US20030165619A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-04.

Method for forming a titanium nitride layer

Номер патента: US20050053722A1. Автор: Ching-Hua Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Process for titanium nitride deposition using five-and six-coordinate titanium complexes

Номер патента: US5607722A. Автор: Brian A. Vaartstra,Wing-Cheong G. Lai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-03-04.

Vapor Deposition Of Carbon-Based Films

Номер патента: US20210280420A1. Автор: Bhaskar Jyoti Bhuyan,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Process for chemical vapor deposition of transition metal nitrides

Номер патента: WO1991008322A1. Автор: Roy G. Gordon,Renaud Fix,David Hoffman. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 1991-06-13.

Method of forming silicon nitride films

Номер патента: US20090087586A1. Автор: Toshiya Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Film deposition using tantalum precursors

Номер патента: US09721787B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230105279A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Film deposition method

Номер патента: US20140370205A1. Автор: Hitoshi Kato,Hiroyuki Kikuchi,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120178268A1. Автор: Toshio Nakanishi,Masayuki Kohno,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130109154A1. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for Forming Tantalum Nitride Film

Номер патента: US20090162565A1. Автор: Kyuzo Nakamura,Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Film deposition method

Номер патента: US09920428B2. Автор: Shoichi Miyahara,Hiroshi Chiba,Norikazu Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Deposition of silicon nitride by plasma-enchanced chemical vapor deposition

Номер патента: US5508067A. Автор: Atsushi Tabata,Tatsuya Sato,Naoaki Kobayashi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-04-16.

Method and tool for film deposition

Номер патента: US20240128078A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20160194757A1. Автор: Shoichi Miyahara,Hiroshi Chiba,Norikazu Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US9567674B2. Автор: Shoichi Miyahara,Hiroshi Chiba,Norikazu Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Measuring device and method for measuring parameters of a piezoelectric crystal onto which a thin film of material is deposited as well as thin-film deposition systems with such a device and a method for controlling such systems

Номер патента: EP4256320A1. Автор: Peter Horn,Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2023-10-11.

Measuring device and method for measuring parameters of a piezoelectric crystal onto which a thin film of material is deposited as well as thin-film deposition systems with such a device and a method for controlling such systems

Номер патента: WO2022117294A1. Автор: Peter Horn,Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Measuring device and method for measuring parameters of a piezoelectric crystal onto which a thin film of material is deposited as well as thin-film deposition systems with such a device and a method for controlling such systems

Номер патента: US20240053301A1. Автор: Peter Horn,Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma enhanced wafer soak for thin film deposition

Номер патента: US12014921B2. Автор: Ming Li,Tu Hong,Arul N. Dhas. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Plasma enhanced wafer soak for thin film deposition

Номер патента: WO2020081235A1. Автор: Ming Li,Tu Hong,Arul N. Dhas. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-23.

Method and apparatus of forming silicon nitride film

Номер патента: US09920422B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for depositing metals free ald silicon nitride films using halide-based precursors

Номер патента: US09824884B1. Автор: Jon Henri,James S. Sims,Ramesh Chandrasekharan,Seshasayee Varadarajan,Andrew John McKerrow,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Film deposition method

Номер патента: US10593541B2. Автор: Hitoshi Kato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-17.

Plasma processing system, plasma processing method, plasma film deposition system, and plasma film deposition method

Номер патента: EP1515362B1. Автор: Ryuichi MATSUDA,Tadashi SHIMAZU,Masahiko Inoue. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Semiconductor device and a method for film deposition

Номер патента: US20240128077A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US8889568B2. Автор: Seiji Nishikawa,Tadashi Shimazu,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Apparatus, method and program for manufacturing nitride film

Номер патента: US9117660B2. Автор: Shoichi Murakami,Masayasu Hatashita. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Method for growing a group (iii) metal nitride film

Номер патента: EP2573206A1. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher,Marie-Pierre Francoise Wintrebert ép Fouquet,Patrick Po-Tsang Chen,John Leo Paul Ten Have,David Ian Johnson. Владелец: Gallium Enterprises Pty Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Method and apparatus for growing a group (iii) metal nitride film and a group (iii) metal nitride film

Номер патента: CA2581626C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher,Marie-Pierre Francoise Wintrebert ép Fouquet,Patrick Po-Tsang Chen,John Leo Paul Ten Have,David Ian Johnson. Владелец: Gallium Enterprises Pty Ltd. Дата публикации: 2013-08-13.

Apparatus, method and program for manufacturing nitride film

Номер патента: US20140220711A1. Автор: Shoichi Murakami,Masayasu Hatashita. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of forming silicon nitride film and film forming apparatus

Номер патента: US20240087885A1. Автор: Yusuke Suzuki,Yuji Otsuki,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Film deposition apparatus

Номер патента: US20240038498A1. Автор: Jinhyung Park,Jaihyung Won,Taehoon Park,Naeil LEE,Choonkum BAIK,Hyonam LIM. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of chemical vapor deposition of boron nitride using polymeric cyanoborane

Номер патента: US5320878A. Автор: Leon Maya. Владелец: Martin Marietta Energy Systems Inc. Дата публикации: 1994-06-14.

Method and device for forming hexagonal boron nitride film

Номер патента: US20220165568A1. Автор: Takashi Matsumoto,Masahito Sugiura,Kenjiro Koizumi,Ryota IFUKU,Nobutake KABUKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Low wet etch rate silicon nitride film

Номер патента: WO2009085974A2. Автор: Jing Wu,Hemant P. Mungekar,Young S. Lee. Владелец: Wang, Anchuan. Дата публикации: 2009-07-09.

Compounds useful as chemical precursors in chemical vapor deposition of silicon-based ceramic materials

Номер патента: US5616754A. Автор: Robert Mininni,Richard Cruse,Veronika Szalai,Terence Clark,Stephen Rohman. Владелец: Enichem SpA. Дата публикации: 1997-04-01.

Vapor deposition reactor and method for forming thin film

Номер патента: US20100310771A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for the production of highly pure copper thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US5441766A. Автор: Hyung S. Choi,Young S. Cho,Chong J. Lim,Soon T. Hwang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 1995-08-15.

Chemical vapor deposition

Номер патента: CA1087040A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: Vale Canada Ltd. Дата публикации: 1980-10-07.

Chemical vapor deposition

Номер патента: US4250210A. Автор: Jeffrey N. Crosby,Robert S. Hanley. Владелец: International Nickel Co Inc. Дата публикации: 1981-02-10.

Vapor deposition apparatus, method of forming thin film using the same and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus

Номер патента: US9390841B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Sung-Chul Kim,Seung-Yong Song,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Jin-Kwang Kim,Choel-Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Reductive elimination chemical vapor deposition processes utilizing organometallic precursor compounds in semiconductor wafer processing

Номер патента: US5384289A. Автор: Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum

Номер патента: US5783716A. Автор: Thomas H. Baum,Peter S. Kirlin,Sofia Pombrik. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Chemical vapor deposition during additive manufacturing

Номер патента: US11851763B2. Автор: Scott Alan Gold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US09644272B2. Автор: Muhyun Kim,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film deposition source, deposition apparatus and deposition method using the same

Номер патента: US20140154403A1. Автор: Jong Woo Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Film deposition system, factory system, and method of depositing film on wafer

Номер патента: US11840757B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Film deposition system, factory system, and method of depositing film on wafer

Номер патента: US20230392253A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Film deposition system, factory system, and method of depositing film on wafer

Номер патента: US20230416905A9. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tsuyoshi Suzuki,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for growing high quality group-III nitride thin film by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20020192373A1. Автор: Ok-Hyun Nam,Cheol-soo Sone,Hyeong-soo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Chemical vapor deposition method

Номер патента: US3565676A. Автор: Robert A Holzl. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1971-02-23.

Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals

Номер патента: US5503874A. Автор: John F. Ackerman,William R. Stowell,John H. Wood,Adrian M. Beltran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-02.

High speed chemical vapor deposition process utilizing a reactor having a fiber coating liquid seal and a gas sea;

Номер патента: US4863760A. Автор: Christopher A. Schantz,Ronald Hiskes. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1989-09-05.

Metal organic vapor deposition procedure for preparing group III--V compounds on a heated substrate

Номер патента: US4436769A. Автор: Rodney H. Moss,Marc M. Faktor. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1984-03-13.

Chemical vapor deposition apparatus of in-line type

Номер патента: US5288329A. Автор: Kazuyuki Ito,Masanori Hashimoto,Michio Ishikawa,Yoshifumi Ota,Kyuzo Nakamura,Noriaki Tani. Владелец: Nihon Shinku Gijutsu KK. Дата публикации: 1994-02-22.

Method of producing tungsten rhenium alloys by chemical vapor deposition

Номер патента: US3637374A. Автор: Frederick A Glaski,Robert A Holzi,James R Humphrey. Владелец: Fansteel Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Vapor deposition of arsenic

Номер патента: US4814203A. Автор: Robert N. DePriest. Владелец: Ethyl Corp. Дата публикации: 1989-03-21.

Organometallic antimony compounds useful in chemical vapor deposition processes

Номер патента: US4960916A. Автор: John C. Pazik. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1990-10-02.

Chemical vapor deposition coatings on titanium

Номер патента: US3787223A. Автор: C Reedy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-01-22.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US09453282B2. Автор: Chang-Mog Jo,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Young-Mook Choi,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US20240200181A1. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US09873937B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: US11920233B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic el display

Номер патента: US11840754B2. Автор: Hiroshi Kawasaki,Kumiko Hokari,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Mask frame assembly for thin film deposition

Номер патента: US20160005970A1. Автор: Junghoon Kim,Hanyoung Kim,Wooyoung JUNG,Jaemin Hong,Hanul Kwen,Pilseon JI,Younghoon ROH,Cheolgyu Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Mask frame assembly for thin film deposition

Номер патента: US09780305B2. Автор: Junghoon Kim,Hanyoung Kim,Wooyoung JUNG,Jaemin Hong,Hanul Kwen,Pilseon JI,Younghoon ROH,Cheolgyu Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Diamond film deposition

Номер патента: WO2009009604A2. Автор: John A. Carlisle,Jerry Zimmer,Charles West. Владелец: Advanced Diamond Technologies, Inc.. Дата публикации: 2009-01-15.

Diamond film deposition

Номер патента: EP2176443A2. Автор: John A. Carlisle,Jerry Zimmer,Charles West. Владелец: Advanced Diamond Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

METHOD FOR PREPARING THICKNESS-CONTROLLED GRAPHENE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND Cu-Ni THIN FILM LAMINATE CATALYST

Номер патента: KR101999564B1. Автор: 조길원,이효찬,유민석. Владелец: 재단법인 나노기반소프트일렉트로닉스연구단. Дата публикации: 2019-07-12.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Fixed abrasive planarization pad conditioner incorporating chemical vapor deposited polycrystalline diamond and method for making same

Номер патента: US6632127B1. Автор: Jerry W. Zimmer,Todd W. Buley,Albert B. Stubbmann. Владелец: Albert B. Stubbmann. Дата публикации: 2003-10-14.

Chemical vapor deposition of polycrystalline diamond with orientation and growth facets

Номер патента: US5437891A. Автор: Thomas R. Anthony,James F. Fleischer,David E. Slutz. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-08-01.

Cooled mirror construction by chemical vapor deposition

Номер патента: US4378626A. Автор: Frederick G. Eitel. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

Chemical vapor deposition of aluminum films using dimethylethylamine alane

Номер патента: US5191099A. Автор: Everett C. Phillips,Wayne L. Gladfelter. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 1993-03-02.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: US5071677A. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,John L. Margrave,C. Judith Chu. Владелец: Houston Advanced Research Center HARC. Дата публикации: 1991-12-10.

Diamond manufacturing system and method via chemical vapor deposition assisted with laser initiated plasma fed with microwave energy

Номер патента: EP3291279A1. Автор: Elena PALACIOS ZAMBRANO,Pedro Julián MARTÍN VELASCO,Vasily LENNIKOV,Susana Maria LUACES OROBITG. Владелец: Nano Coatings SL. Дата публикации: 2018-03-07.

Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein

Номер патента: US5869133A. Автор: Thomas Richard Anthony,Robert Helmut Ettinger,James Fulton Fleischer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-09.

Halogen-assisted chemical vapor deposition of diamond

Номер патента: WO1992019791A1. Автор: Donald E. Patterson,Robert H. Hauge,Judith C. Chu,John L. Margrave. Владелец: Houston Advanced Research Center. Дата публикации: 1992-11-12.

Titanium nitride thin film formation on metal substrate by chemical vapor deposition in a magnetized sheet plasma source

Номер патента: TW200303575A. Автор: Henry J Ramos. Владелец: Univ The Philippines Diliman. Дата публикации: 2003-09-01.

Method for producing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: EP1713953A2. Автор: Jean-Marc Girard,Eri Amour Liberte 18 306 TSUKUDA,Christian Tsukuba-Matsushiro DUSSARRAT. Владелец: LAir Liquide SA a Directoire et Conseil de Surveillance pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for producing silicon nitride films and silicon oxynitride films by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2005080628A3. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard,Eri Tsukuda. Владелец: Seil De Surveillance Pour L Et. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of forming titanium nitride films with (200) crystallographic texture

Номер патента: US20200035481A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Chemistry for chemical vapor deposition of titanium containing films

Номер патента: US6777330B2. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Howard E. Rhodes,Philip J. Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-17.

Titanium nitride film forming method and titanium nitride film forming apparatus

Номер патента: US20220356565A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kensuke Higuchi,Seokhyoung Hong. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Non-stoichiometric titanium nitride films

Номер патента: EP2222887A1. Автор: Anantha Padmanabhan Kuppuswamy,Ghanashyam Krishna Mamidipudi,Sri Rama Narasimha Kiran Mangalampalli. Владелец: Anna University. Дата публикации: 2010-09-01.

Methods for applying metal coatings made of titanium nitride to glass products

Номер патента: RU2761391C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Старцев. Владелец: Дмитрий Юрьевич Старцев. Дата публикации: 2021-12-07.

Thermally treatable coated item with ir emission-reflecting titanium nitride-based layer(s)

Номер патента: RU2750788C2. Автор: Ивэй ЛУ,Филип Дж. Лингл,Патрисия ТАКЕР. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-07-02.

Surface preparation and deposition method for titanium nitride onto carbonaceous

Номер патента: CA2121266C. Автор: Simon K. Nieh,Jesse N. Matossian,Frans G. Krajenbrink,Robert W. Schumacher. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1998-06-09.

Heat-treated coating product with ir-reflecting layers based on titanium nitride and nickel-chromium

Номер патента: RU2748280C2. Автор: Ивэй ЛУ,Филип Дж. Лингл,Патрисия ТАКЕР. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-05-21.

PEALD nitride films

Номер патента: US12119221B2. Автор: Hanhong Chen,Philip A. Kraus,Joseph AuBuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of making a low-resistance contact to silicon having a titanium silicide interface, an amorphous titanium nitride barrier layer and a conductive plug

Номер патента: US5723382A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Tyler A. Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-03.

Method for producing a titanium nitride coating on the surface of a titanium or titanium alloy substrate

Номер патента: US20240044035A1. Автор: Andrea Bonfanti,Alessandro Mancini,Federico Bertasi,Marco BANDIERA. Владелец: Brembo SpA. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for producing a titanium nitride coating on the surface of a titanium or titanium alloy substrate

Номер патента: EP4263921A1. Автор: Andrea Bonfanti,Alessandro Mancini,Federico Bertasi,Marco BANDIERA. Владелец: Brembo SpA. Дата публикации: 2023-10-25.

Aluminum titanium nitride coating and method of making same

Номер патента: EP2483437A2. Автор: Yixiong Liu,Ronald M. Penich,Wangyang Ni,Michael F. Beblo. Владелец: Kennametal Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Reducing the susceptibility of titanium nitride optical layers to crack

Номер патента: US6707610B1. Автор: Yisheng Dai,Floyd E. Woodard. Владелец: Huper Optik International Pte Ltd. Дата публикации: 2004-03-16.

Titanium-nitride coated grinding wheel and method therefor

Номер патента: US5139537A. Автор: D. Lynn Julien. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-08-18.

Method for depositing a silicon nitride film and film deposition apparatus

Номер патента: US20190051513A1. Автор: Hitoshi Kato,Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

PEALD Nitride Films

Номер патента: US20230230830A1. Автор: Hanhong Chen,Philip A. Kraus,Joseph AuBuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Conformal titanium nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20210104433A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Jae Seok Heo,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack,Srishti Chugh. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Conformal titanium nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: WO2021071628A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Jae Seok Heo,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack,Srishti Chugh. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: EP4259845A1. Автор: Sung-hoon Jung,Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Film deposition method

Номер патента: US20200243330A1. Автор: Yutaka Takahashi,Kazumi Kubo,Takayuki Karakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming pecvd silicon nitride film

Номер патента: US20080029021A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Thin film deposition systems and deposition methods for forming photovoltaic cells

Номер патента: WO2021072360A1. Автор: Dmitry Poplavskyy,Neil Mackie,Robel Fessehatzion,Ben HICKEY,Jochen Titus. Владелец: Miasole Hi-Tech Corp.. Дата публикации: 2021-04-15.

Smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230395369A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Hee Seok Kim,Kyu Jin Choi,Yoshikazu Okuyama,Moonsig Joo,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Highly conformal titanium nitride deposition process for high aspect ratio structures

Номер патента: WO2002003455A3. Автор: Kwong Hon Wong,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Cheryl G Faltermeier. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Aluminum titanium nitride coating with adapted morphology for enhanced wear resistance in machining operations and method thereof

Номер патента: US09447488B2. Автор: Siegfried Krassnitzer,Denis Kurapov. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2016-09-20.

Heat treatable coated article having titanium nitride based ir reflecting layer(s)

Номер патента: AU2018205723A1. Автор: Yiwei Lu,Patricia TUCKER,Philip J. Lingle. Владелец: Guardian Glass LLC. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of making mixed nitride films with at least two metals

Номер патента: US4842710A. Автор: Peter Schack,Helmut Freller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-06-27.

Aluminium-titanium nitride cating with adapted morphology for increased wear resistance during machining operations and corresponding method

Номер патента: RU2624876C2. Автор: Зигфрид КРАССНИТЦЕР,Мирьям АРНДТ,Денис КУРАПОВ. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2017-07-07.

Method of producing articles by vapor deposition of multiconstituent material

Номер патента: CA1209949A. Автор: Robert P.H. Chang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-08-19.

Chemical vapor phase growing method of a metal nitride film and a method of manufacturing an electronic device using the same

Номер патента: US6284649B1. Автор: Takaaki Miyamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

Method for nucleation of conductive nitride films

Номер патента: US11965239B2. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Gavin Richards. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Thin film deposition method and thin film deposition apparatus

Номер патента: US7291357B2. Автор: Koichi Shintomi,Hiroyuki Abe,Koji Masuda,Tetsuro Wada,Atsushi Hiraizumi,Kazuyou Mizuno. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Radical-activated carbon film deposition

Номер патента: US20240282570A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Matthew Scott Weimer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Process for forming a diffusion barrier material nitride film

Номер патента: US20030045046A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Process for forming a nitride film

Номер патента: US20030038370A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Process for forming a diffusion barrier material nitride film

Номер патента: US6689685B2. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-10.

Method for stretching vapor deposition mask, method for producing frame-equipped vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and stretching apparatus

Номер патента: US09705083B2. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Film quality control in a linear scan physical vapor deposition process

Номер патента: US20190311905A1. Автор: Joung Joo Lee,Xianmin Tang,Bencherki Mebarki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Thin film deposition source, deposition apparatus and deposition method using the same

Номер патента: US9309588B2. Автор: Jong Woo Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Device for vacuum processing by vapor

Номер патента: RU2449049C2. Автор: Хироси НАГАТА,Йосинори СИНГАКИ,Кюзо НАКАМУРА,Такео КАТОУ,Ацуси НАКАЦУКА,Итироу МУКАЕ,Масами ИТОУ,Реу ЙОСИИЗУМИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-04-27.

Method for depositing film and film deposition apparatus

Номер патента: US20100078113A1. Автор: Nobutaka Ukigaya,Tomokazu Sushihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Systems and methods of monitoring thin film deposition

Номер патента: US20030041654A1. Автор: John Larson,Mark Hueschen,Richard Karlquist,Herbert Ko,Kent Carey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Film deposition device

Номер патента: US09752229B2. Автор: Satoshi Hirota. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Low temperature tungsten film deposition for small critical dimension contacts and interconnects

Номер патента: US09673146B2. Автор: FENG CHEN,Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Thin film deposition apparatus including deposition blade

Номер патента: US09593408B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Thin film deposition device and method of depositing thin film using thereof

Номер патента: US09580803B2. Автор: Jin Koo Kang,Soo Youn Kim,Cheol Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display device

Номер патента: US20190106781A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US11139186B2. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-10-05.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: EP2579300A4. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Silicon nitride film of semiconductor element, and method and apparatus for producing silicon nitride film

Номер патента: US20130075875A1. Автор: Seiji Nishikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for Forming Tantalum Nitride Film

Номер патента: US20090159431A1. Автор: Kyuzo Nakamura,Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Dyeing method and apparatus for dyeing resin body by vaporization and deposition

Номер патента: US09988708B2. Автор: Yasuo Ota,Minoru Inuzuka,Atsushi Yano,Motoshi Tanaka. Владелец: Nidek Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US09466483B2. Автор: Hitoshi Kato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Device for siliconizing by vapor-liquid-phase method

Номер патента: RU2723247C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Сергей Геннадьевич Лунегов,Михаил Владимирович Никитин. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2020-06-09.

Method for producing polycrystalline semiconductor material by plasma-induced vapor phase deposition using activated hydrogen

Номер патента: US5221643A. Автор: Susanne Griep. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-06-22.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20110186820A1. Автор: Un-Cheol Sung,Jung-Yeon Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Aluminum nitride film and a substance coated with same

Номер патента: US20110256412A1. Автор: Shoji Kano,Koji Katoh. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Aluminum nitride film, piezoelectric device, resonator, filter, and multiplexer

Номер патента: US20190363243A1. Автор: Kuniaki Tanaka,Tokihiro Nishihara,Tomonori YAMATOH. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Optical coating with low refractive index film deposition

Номер патента: WO2022256520A1. Автор: Christopher Yuan Ting Liao,Weihua Gao,Paul Murray LEFEBVRE. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Dlc film deposition apparatus, semiconductor manufacturing system including the dlc film deposition apparatus, and semiconducor manufacturing method using the dlc film deposition apparatus

Номер патента: US20240287668A1. Автор: Se Jun Park,Do Hyung Kim,Ju Hwan Park,Moon Seok Jang,Young Soo Jung,Se-Ung MIN,Myung Seok SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Optical coating with low refractive index film deposition

Номер патента: US20220389562A1. Автор: Christopher Yuan Ting Liao,Weihua Gao,Paul Murray LEFEBVRE. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Electrostatic chuck and thin film deposition apparatus including the same

Номер патента: US20240322713A1. Автор: Mingoo KANG,Minchul SONG,Junhyeuk KO,Sukha RYU,Sangheon Jeon,Eui Gyu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Thin film deposition apparatus, deposition method using the same, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the apparatus

Номер патента: US09624575B2. Автор: Jin-woo Park,Ung-Soo Lee,Su-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Vapor deposition routes to nanoporous silica

Номер патента: US6022812A. Автор: Douglas M. Smith,Teresa Ramos,Kevin H. Roderick. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Device and method of strengthening the training board when thin film depositing

Номер патента: RU2656328C1. Автор: Евгений Михайлович Федоров,Надежда Геннадьевна Цыбырнэ. Владелец: Акционерное общество "Ижевский радиозавод". Дата публикации: 2018-06-04.

Feedback control of sub-atmospheric chemical vapor deposition processes

Номер патента: US20030049376A1. Автор: Arulkumar Shanmugasundram,Manuel Hernandez,Rong Pan,Alexander Schwarm,Amna Mohammad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Zn-Mg alloy vapor deposition plated metals of high corrosion resistance, as well as method of producing them

Номер патента: US5002837A. Автор: Hiroshi Satoh,Masao Toyama,Shingo Nomura,Hirohiko Sakai,Shoji Miyake,Koki Ikeda,Kazutoshi Shimogori,Hidetoshi Shimoto,Junji Kawahuku. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1991-03-26.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Thin film deposition method and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20030180454A1. Автор: Koichi Shintomi,Hiroyuki Abe,Koji Masuda,Tetsuro Wada,Atsushi Hiraizumi,Kazuyou Mizuno. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Systems and methods for purging reactor lower chambers with etchants during film deposition

Номер патента: US20230116427A1. Автор: Xing Lin,Wentao Wang,Junwei Su,Shujin Huang,Jiwen Xiang,Loc Vinh Tran. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for producing silicon nitride films and process for fabricating semiconductor devices using said method

Номер патента: EP1548814A3. Автор: Kazutaka Yanagita,Christian Dussarrat,Takeshi Hoshi,Tsuyoshi Saito,Takako Kimura. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20240240319A1. Автор: Hiroshi Kawaura. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming metallic nitride film

Номер патента: US8524049B2. Автор: Fu-Hsing Lu,Mu-Hsuan Chan,Jiun-Huei Yang,Po-Lun Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-03.

Method for growing nitride film

Номер патента: EP4184553A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for growing nitride film

Номер патента: US20230175121A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Film Deposition Apparatus

Номер патента: US20240335845A1. Автор: Masaki Hirano. Владелец: Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Cobalt-containing film forming compositions, their synthesis, and use in film deposition

Номер патента: US09719167B2. Автор: Christian Dussarrat,Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Satoko GATINEAU,Mikiko Kimura. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin-film deposition mask, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09450185B2. Автор: Tae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin film deposition method and apparatus

Номер патента: US5304405A. Автор: Masahiko Kobayashi,Kenji Numajiri. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Biaxially-textured film deposition for superconductor coated tapes

Номер патента: WO2006075997A3. Автор: Venkat Selvamanickam,Xuming Xiong. Владелец: Superpower Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A2. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-06-29.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Ga2o3 crystal film deposition method according to hvpe, deposition apparatus, and ga2o3 crystal film-deposited substrate using the same

Номер патента: EP4202087A3. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Mask for thin film deposition, and fabrication method thereof

Номер патента: US11075340B2. Автор: Shinil Choi,Hongsick PARK,Sanggab Kim,Hyuneok Shin,Sangwoo SOHN,Sangwon Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-27.

Deposition prevention plate and method for manufacturing the same, method for recycling material, and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20200340103A9. Автор: Peng Xu,Jie Liu,Shengkai Pan,Yongkang QIAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Ga2o3 crystal film deposition method according to hvpe, deposition apparatus and ga2o3 crystal film-deposited substrate using the same

Номер патента: US20230193509A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Film deposition apparatus

Номер патента: US20230133258A1. Автор: Takayasu Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Vapor deposition systems and methods, and nanomaterials formed by vapor deposition

Номер патента: WO2023122250A3. Автор: Liangbing Hu,Xizheng Wang. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-08-17.

Deposition prevention plate and method for manufacturing the same, method for recycling material, and thin film deposition apparatus

Номер патента: US20190352772A1. Автор: Peng Xu,Jie Liu,Shengkai Pan,Yongkang QIAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

System and method for detecting abnormality of thin-film deposition process

Номер патента: US11965237B2. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Device for supplying a mixed gas, device for producing metal nitride film, and method for producing metal nitride film

Номер патента: US20230193458A1. Автор: Katsumasa Suzuki,Hayato MURATA,Tadaki MIZUNO,Keisuke ANDACHI. Владелец: Taiyo Nippon Sanso Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Thin film deposition method and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20230227972A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Tae Hwan LIM,Do Han LEE,Abu Saad Aqueel Ahmed ANSARI,Ngoc le TRINH. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-07-20.

Process for the preparation of aluminum scandium nitride films

Номер патента: US20240229221A1. Автор: Igor Lubomirsky,Asaf Cohen,David Ehre. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Process for the preparation of aluminum scandium nitride films

Номер патента: WO2022239009A9. Автор: Igor Lubomirsky,Asaf Cohen,David Ehre. Владелец: Yeda Research and Development Co. Ltd.. Дата публикации: 2023-02-23.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US20220411917A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for forming metallic nitride film

Номер патента: US20090008241A1. Автор: Fu-Hsing Lu,Mu-Hsuan Chan,Jiun-Huei Yang,Po-Lun Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Film deposition method and film deposition apparatus

Номер патента: US20140017909A1. Автор: Hitoshi Kato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Silicon Nitride Films With High Nitrogen Content

Номер патента: US20190013197A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

Cleaning method and film deposition method

Номер патента: US20200141001A1. Автор: Hitoshi Kato,Jun Sato,Makoto ISHIGO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Nitride film forming method and storage medium

Номер патента: US09972486B2. Автор: Daisuke Suzuki,Takahiro Miyahara,Hiroki Murakami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US09951415B2. Автор: Satoshi Nakamura,Toru Sato,Kazuhiro Hoshino,Yasuo Murakami,Tomohiro Kumaki,Takashi Takemi. Владелец: Canon Tokki Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film deposition apparatus with mask roll including multiple mask patterns and method of making organic light emitting device using the apparatus

Номер патента: US09708705B2. Автор: Ki-Hyun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Mask assembly and thin film deposition method using the same

Номер патента: US09644256B2. Автор: Jung Woo Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Film deposition system having a substrate carrier and a cooling device

Номер патента: US09611542B2. Автор: Wan-Yu HUANG,Tsung-Wei Chang,Chung-Yu YEH,Huei-Chia Su,Cheng-Peng Yeh,Yi-Yuan Huang,Mu-Sen Lu. Владелец: Linco Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing hexagonal boron nitride film using borazine oligomer as a precursor

Номер патента: US09562287B2. Автор: Sang Ook Kang,Jin-Hyung Park,Myung Jong Kim,Jung Ho Kang,Sungchan Park,Sukang Bae,Hyunjin Cho,Changhyup LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-02-07.

Tungsten silicide nitride films and methods of formation

Номер патента: US09461137B1. Автор: Zhiyong Wang,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Thin film deposition system

Номер патента: US5427668A. Автор: Tatsuya Sato,Mikio Kinoshita,Wasaburo Ohta. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8920563B2. Автор: Mu-gyeom Kim,Chang-Mo Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Apparatus for film deposition on a continuous flexible web

Номер патента: US20090014317A1. Автор: Chia-Yuan Chang,Chia-Hung Hsu. Владелец: INGA NANO Tech Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

System and method for controlling film thickness, and film deposition system and method using same

Номер патента: EP4222291A1. Автор: Andrew Campbell,Paul Clarke,Mike Miller,Erik Smith,Timothy Brenner,Jonathan Boulanger,David PITTS,Craig Reynolds. Владелец: Angstrom Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Thin film deposition apparatus and thin film deposition method

Номер патента: US20210102287A1. Автор: Kyu Jin Choi,Kwang Woon Lee,Sung Ha CHOI,Kang Il Lee,Min Hyuk IM. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

System and method for controlling film thickness, and film deposition system and method using same

Номер патента: CA3188407A1. Автор: Andrew Campbell,Paul Clarke,Mike Miller,Erik Smith,Timothy Brenner,Jonathan Boulanger,David PITTS,Craig Reynolds. Владелец: Angstrom Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

High throughput thin film deposition and substrate handling method and apparatus for optical disk processing

Номер патента: US20030106791A1. Автор: Young Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Plasma film deposition device

Номер патента: US20130160710A1. Автор: shao-kai Pei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Mask assembly for thin film deposition and organic light-emitting display apparatus fabricated using the same

Номер патента: US20160369389A1. Автор: Sangshin Lee,Mingoo KANG,Junhyeuk KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US20210183674A1. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US20160236222A1. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: WO2019103819A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-31.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US9931661B2. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods and apparatuses for temperature-indexed thin film deposition

Номер патента: WO2017019249A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Bert Jongbloed,Lucian JDIRA,Delphine Longrie,Jun Kawahara,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2017-02-02.

Methods for thin film deposition

Номер патента: US20170032956A1. Автор: Antti Niskanen,Yukihiro Mori,Suvi Haukka,Eva Tois,Hidemi Suemori,Jun Kawahara,Raija Matero,Jaako Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-02-02.

Dry etch rate reduction of silicon nitride films

Номер патента: US20190157077A1. Автор: Deenesh Padhi,Hang Yu,Tza-Jing Gung,Michael Wenyoung Tsiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Carbon film deposition method and deposition apparatus

Номер патента: US20220246429A1. Автор: Yosuke Watanabe,Shota CHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Mask for depositing a thin film and a thin film deposition method using the same

Номер патента: US20140370196A1. Автор: Woong-Sik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

LC/MS adduct mitigation by vapor deposition coated surfaces

Номер патента: US11740211B2. Автор: Paul Rainville,Kerri M. Smith. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

LC/MS adduct mitigation by vapor deposition coated surfaces

Номер патента: US12117427B2. Автор: Paul Rainville,Kerri M. Smith. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Translational target assembly for thin film deposition system

Номер патента: US6090207A. Автор: Steven M. Green,Lee A. Knauss. Владелец: Neocera Inc. Дата публикации: 2000-07-18.

Method and apparatus for pulsed energy induced vapor deposition of thin films

Номер патента: US5015492A. Автор: THIRUMALAI VENKATESAN,Xin D. Wu. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1991-05-14.

Reduction of loss of zinc by vaporization when heating zinc-aluminum coatings on ferrous metal base

Номер патента: CA1156523A. Автор: Yong-Wu Kim,Harvie H. Lee. Владелец: Inland Steel Co. Дата публикации: 1983-11-08.

Control of stress in metal films by controlling the temperature during film deposition

Номер патента: US6933004B2. Автор: Martin Haueis,Ho Bun Chan. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-23.

Reactor, chemical vapor deposition reactor, and metalorganic chemical vapor deposition reactor

Номер патента: US20110155061A1. Автор: Ching-Yu Chen,Wei-Kuo Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

Sacrificial passivation film deposition method, trench etching method and semiconductor processing apparatus using low-temperature ald process

Номер патента: US20240063025A1. Автор: Sung Min Choi,Min Sung Jeon,Dong Young JANG,Yun Sang Kim,Jin Hee Hong,Young Eun JEON,Young Jo JIN. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Continuous plasma for film deposition and surface treatment

Номер патента: WO2020076564A1. Автор: Ming Li,Tu Hong,Arul N DHAS,Changhe GUO. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-16.

Measuring device for measuring a thickness of a film of material deposited on a substrate and film deposition apparatus with at least one such measuring device

Номер патента: EP4300029A1. Автор: Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-01-03.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US20220415622A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Source supplying unit, thin film depositing apparatus, and method for depositing thin film

Номер патента: WO2010126254A3. Автор: Chang Ho Kang,Sung Tae Namgoong,Kyung Bin Bae,Hyung Seok Yoon,Whang Sin Cho,Jun Seo Rho. Владелец: SNU PRECISION CO., LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Organic thin film deposition device, organic el element manufacturing device, and organic thin film deposition method

Номер патента: US20110200741A1. Автор: Hiroshi Kikuchi,Masato Fukao,Yoshio Sunaga. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Organic thin film deposition device, organic EL element manufacturing device, and organic thin film deposition method

Номер патента: US8470403B2. Автор: Hiroshi Kikuchi,Masato Fukao,Yoshio Sunaga. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-06-25.

Substrate, selective film deposition method, deposition film of organic matter, and organic matter

Номер патента: EP4287240A1. Автор: Takuya Okada,Tatsuo Miyazaki,Katsuya Kondo,Soichi Kumon,Takahisa Taniguchi,Junki Yamamoto,Kazuki Yoshiura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Substrate, selective film deposition method, deposition film of organic matter, and organic matter

Номер патента: US20240116075A1. Автор: Takuya Okada,Tatsuo Miyazaki,Katsuya Kondo,Soichi Kumon,Takahisa Taniguchi,Junki Yamamoto,Kazuki Yoshiura. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US11961724B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method and apparatus for tuning film properties during thin film deposition

Номер патента: US12029129B2. Автор: Lizhong Sun,Xiao Dong Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and system relating to flux distribution and film deposition

Номер патента: WO2001040539A3. Автор: Christopher Walton,Claude Montcalm,James A Folta. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2002-02-14.

Thin-Film Deposition System

Номер патента: US20090090619A1. Автор: Toru Takashima,Yoshikazu Homma. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Film deposition method

Номер патента: US8835332B2. Автор: Hitoshi Kato,Tatsuya Tamura,Takeshi Kumagai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Method for forming a three-component nitride film containing metal and silicon

Номер патента: EP1044288A2. Автор: Kyoung-Soo Yi,Sang-Won Kang,Won-Yong Koh. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-18.

Cleaning method and film deposition apparatus

Номер патента: US12077855B2. Автор: Akihiro Kuribayashi,Hideomi Hane,Noriaki Fukiage. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Indium electroplating on physical vapor deposition tantalum

Номер патента: US20240018684A1. Автор: Eric R. Miller,Michael J. Rondon,Jon Sigurdson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-01-18.

Plasma generation source including belt-type magnet and thin film deposition system using this

Номер патента: US09589772B2. Автор: Suk Jae Yoo,Seong Bong Kim. Владелец: Korea Basic Science Institute KBSI. Дата публикации: 2017-03-07.

Physical vapor deposition of an aluminum nitride film

Номер патента: US09484198B1. Автор: Yung-Chin Yang,Chen-Te Chang,Jyh-Wei Lee. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2016-11-01.

Thin film deposition

Номер патента: US4424103A. Автор: Barrett E. Cole. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1984-01-03.

Thin-film deposition apparatus using cathodic arc discharge

Номер патента: US6026763A. Автор: Seung-ho Nam,Jong-Kuk Kim,Byong-lyong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-02-22.

Bias magnetic field control method, magnetic thin film deposition method,chamber, and apparatus

Номер патента: US20220228253A1. Автор: Yujie Geng,Jinguo ZHENG,Yujie Yang,Kuanmao WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Film deposition method

Номер патента: EP4257725A1. Автор: Toru Watanabe,Yoshiaki Daigo,Yoshikazu Moriyama,Shigeaki Ishii. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for forming film and method for forming aluminum nitride film

Номер патента: US10640862B2. Автор: Jun Wang,Boyu Dong,Bingliang Guo,Yujie Geng,Huaichao Ma. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Film deposition apparatus, and method of depositing a film

Номер патента: US8871654B2. Автор: Hitoshi Kato,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Thin film deposition apparatus and thin film deposition method using the same

Номер патента: US20190242003A1. Автор: Jae-Cheol Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Film deposition apparatus and film deposition method

Номер патента: US20030228425A1. Автор: Makoto Kameyama,Yasuyuki Saito,Junri Ishikura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Film deposition method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20180247858A1. Автор: Masanobu Honda,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Film deposition method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11699614B2. Автор: Masanobu Honda,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Thin film deposition apparatus and method of forming thin film using the same

Номер патента: US9435020B2. Автор: Sang-youn Kim,Myung-Ki Lee,Sang-Yong Jeong,You-Sung Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Susceptors with film deposition control features

Номер патента: EP4163957A3. Автор: ROBINSON JAMES,Xing Lin,Matthew Goodman,Wentao Wang,Alexandros Demos,Junwei Su,Robin Scott,Rutvij Naik,Shujin Huang,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Youness Alvandi-Tabrizi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Film deposition method

Номер патента: US20230304187A1. Автор: Toru Watanabe,Yoshiaki Daigo,Yoshikazu Moriyama,Shigeaki Ishii. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Aluminum Floride Thin Film Deposition Method

Номер патента: US20100078311A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Ming-Chung LIU,Bo-Huei Liao. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2010-04-01.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US11898238B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Yu-Te Shen. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Susceptors with film deposition control features

Номер патента: EP4163957A2. Автор: ROBINSON JAMES,Xing Lin,Matthew Goodman,Wentao Wang,Alexandros Demos,Junwei Su,Robin Scott,Rutvij Naik,Shujin Huang,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Youness Alvandi-Tabrizi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-12.

Manufacturing medical devices by vapor deposition

Номер патента: US20030018381A1. Автор: Makoto Takeuchi,Forrest Whitcher. Владелец: Scimed Life Systems Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Method for forming refractory metal nitride film

Номер патента: US5665209A. Автор: Jeong Soo Byun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-09.

Method and apparatus for depositing a layer on a semiconductor wafer by vapor deposition in a process chamber

Номер патента: MY166009A. Автор: Brenninger Georg. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-05-21.

Process for the vapor deposition of polysilanes

Номер патента: CA1334911C. Автор: David M. Dobuzinsky,Mark C. Hakey,Steven J. Holmes,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Method and apparatus for forming oxynitride film and nitride film, oxynitride film, nitride film and base material

Номер патента: EP1739732A1. Автор: Norifumi Fujimura,Ryoma Hayakawa,Hiroya; KITAHATA,Tsuyoshi; c/o Sekisui Chemical Co. Ltd. UEHARA,Takuya; c/o Sekisui Chemical Co. Ltd. YARA. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Solid electrolytic capacitor containing a vapor-deposited barrier film

Номер патента: US11948756B2. Автор: Jan Petrzilek,Miloslav Uher,Mitchell D. Weaver. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Lc/ms adduct mitigation by vapor deposition coated surfaces

Номер патента: WO2021152415A1. Автор: Paul Rainville,Kerri SMITH. Владелец: WATERS TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2021-08-05.

Lc/ms adduct mitigation by vapor deposition coated surfaces

Номер патента: US20230408461A1. Автор: Paul Rainville,Kerri M. Smith. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Lc/ms adduct mitigation by vapor deposition coated surfaces

Номер патента: EP4097463A1. Автор: Paul Rainville,Kerri SMITH. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Method for forming an aluminum metallic thin film by vapor phase growth on a semiconductor substrate

Номер патента: US4430364A. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Manufacturing method of gallium nitride film

Номер патента: US20230374649A1. Автор: Masanobu Ikeda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Indium electroplating on physical vapor deposition tantalum

Номер патента: US11753736B2. Автор: Eric R. Miller,Michael J. Rondon,Jon Sigurdson. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods for depositing silicon nitride films

Номер патента: US09905415B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Haripin Chandra,Kirk Scott Cuthill,Anupama Mallikarjunan,Moo-Sung Kim. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

A Silicon Nitride Film, A Semiconductor Device, A Display Device and a Method for Manufacturing a Silicon Nitride Film

Номер патента: US20070253881A1. Автор: Shinji Maekawa,Tetsuya Kakehata,Yuuichi Takehara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Transparent carbon nitride films and compositions of matter comprising transparent carbon nitride films

Номер патента: US5573864A. Автор: Kenneth G. Kreider. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 1996-11-12.

Gas injector and film deposition apparatus having the same

Номер патента: US8628621B2. Автор: Kyoo Hwan Lee,Hyung Sup Lee,Chang Jae Lee,Young Ho Kwon,Sung Tae NAM GOONG. Владелец: ADS SA. Дата публикации: 2014-01-14.

Method of forming a silicon nitride film transparent to ultraviolet radiation and resulting article

Номер патента: US4618541A. Автор: Abdul R. Forouhi,Bert L. Allen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-10-21.

Vanadium nitride film, and member coated with vanadium nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US11613463B2. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Method of depositing silicon nitride film, apparatus for depositing film, and silicon nitride film

Номер патента: US20240055239A1. Автор: Naoki Morimoto,Akira Igari,Yuta Ando. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Systems and methods for film deposition

Номер патента: US20230002884A1. Автор: Chang-Gyu Kim,Jeonghong Oh,Jung-Hun Yun. Владелец: Corning Precision Materials. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for film deposition

Номер патента: WO2021108194A1. Автор: Chang-Gyu Kim,Jeonghong Oh,Jung-Hun Yun. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2021-06-03.

Assembly of chamber lid and ceiling for semiconductor processes and film deposition

Номер патента: US20190032204A1. Автор: Chih-Kuo YANG. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: EP1540032B1. Автор: Robert Knight,Michael Watson,Brian Halsall,Christopher George,Timothy Jolly. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2006-11-22.

Boron nitride film forming method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170117145A1. Автор: Takahiro Miyahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Film deposition method

Номер патента: US20170218516A1. Автор: Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Aluminum nitride film, method of manufacturing aluminum nitride film, and high withstand voltage component

Номер патента: US20190002281A1. Автор: Tetsuo Inoue,Mari Shimizu,Shuichi Saito,Takashi Hino,Atsushi Yumoto. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Evaporator and thin film deposition system including the same

Номер патента: US20140338599A1. Автор: Hyun-seok Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Mask extension welding device for thin film deposition

Номер патента: US20170106472A1. Автор: Jeongwon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Mao Minoura. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

Vanadium nitride film, and member coated with vanadium nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200198967A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: WO2019010279A3. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-04-11.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP3649270A2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A2. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: US10811250B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Atashi Basu,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: WO2004016820A3. Автор: Robert Knight,Michael Watson,Brian Halsall,Christopher George,Timothy Jolly. Владелец: Oxford Instr Plasma Technology. Дата публикации: 2004-04-01.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: AU2003251052A1. Автор: Robert Knight,Michael Watson,Brian Halsall,Christopher George,Timothy Jolly. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: WO2004016820A2. Автор: Robert Knight,Michael Watson,Brian Halsall,Christopher George,Timothy Jolly. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Limited. Дата публикации: 2004-02-26.

Thin film deposition apparatus

Номер патента: EP1540032A2. Автор: Robert Knight,Michael Watson,Brian Halsall,Christopher George,Timothy Jolly. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2005-06-15.

Process for the preparation of aluminum scandium nitride films

Номер патента: EP4337804A1. Автор: Igor Lubomirsky,Asaf Cohen,David Ehre. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Composite tungsten oxide film and method for producing same, and film-deposited base material and article each provided with said film

Номер патента: US12006566B2. Автор: Keiichi Sato,Isao Ando. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Shielding mechanism and thin-film-deposition equipment using the same

Номер патента: US20220415633A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same

Номер патента: US11972936B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Shielding mechanism and thin-film-deposition equipment using the same

Номер патента: US11929242B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Composite tungsten oxide film and method for producing same, and film-deposited base material and article each provided with said film

Номер патента: US12018359B2. Автор: Keiichi Sato,Isao Ando. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Silicon nitride films with high nitrogen content

Номер патента: EP4345189A3. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Low-dielectric silicon nitride film and method of forming the same, semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US6890869B2. Автор: Gishi Chung. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Photo-chemical vapor deposition of silicon nitride film

Номер патента: US4588610A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Method of forming silicon nitride films using microwave plasma

Номер патента: US11955331B2. Автор: Kelvin Chan,Philip Allan Kraus,Hanhong Chen,Thai Cheng Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures

Номер патента: US11848200B2. Автор: Jacob Woodruff,Bed Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-19.

Process for the production of transparent aluminum nitride films

Номер патента: US4882136A. Автор: Dieter Peters. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1989-11-21.

Growth of nitride films

Номер патента: US20160340783A1. Автор: Yongfeng Lu,Hossein Rabiee Golgir,Yunshen Zhou. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2016-11-24.

Fluorine-Doped Nitride Films for Improved High-K Reliability

Номер патента: US20200411373A1. Автор: Srinivas Gandikota,Susmit Singha Roy,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Wei V. Tang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Steven C.H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

High pressure treatment of silicon nitride film

Номер патента: EP3635769A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Sean S. Kang,Ellie Y. Yieh,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Physical vapor deposition of low-stress nitrogen-doped tungsten films

Номер патента: US09938616B2. Автор: Michael Ng,Michael Rumer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Deposition of silicon nitride films from azidosilane sources

Номер патента: US4992299A. Автор: David A. Roberts,Arthur K. Hochberg,David L. O'Meara. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 1991-02-12.

Method of manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US5234869A. Автор: Takahiko Moriya,Yuuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Deposition of boron nitride films using hydrazido-based precursors

Номер патента: US20230098689A1. Автор: Timothee Blanquart,Charles DEZELAH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-30.

Vapor deposition method and vapor deposition container

Номер патента: US20240110274A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Mitsuru Iwata,Yasunori Yonekuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods and apparatus for sputtering deposition using direct current

Номер патента: WO2009065039A2. Автор: Hendrik V. Walde,David J. Christie,Ken Nauman,Bruce Fries. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2009-05-22.

Deposition by impulse magnetron dispersion with pre-ionisation

Номер патента: RU2364661C2. Автор: Михай ГАНЧИУ-ПЕТКУ,Мишель ЭКК,Жан-Пьер ДОШО,Стефано КОНСТАНТИНИДИС,Жан БРЕТАНЬ,ПУККЕ Людовик ДЕ,Мишель ТУЗО. Владелец: Юниверсите Пари-Сюд. Дата публикации: 2009-08-20.

Organic substrate having optical layers deposited by magnetron sputtering and method for preparing it

Номер патента: WO1999049097A1. Автор: Volker Kirchhoff,Gerhard Keller,Klaus Goedicke,Richard Bosmans,Pascal Comble,Jöm-Steffen Liebig. Владелец: Essilor International. Дата публикации: 1999-09-30.

PECVD nitride film

Номер патента: US20060234434A1. Автор: Stan Filipiak. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-10-19.

Systems, compositions and methods for metal oxynitride deposition using high-base pressure reactive sputtering

Номер патента: WO2023163779A2. Автор: Jeffrey C. Grossman,Jatin Jayesh Patil. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems, compositions and methods for metal oxynitride deposition using high-base pressure reactive sputtering

Номер патента: WO2023163779A3. Автор: Jeffrey C. Grossman,Jatin Jayesh Patil. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-12-21.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials

Номер патента: CA2595761A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Toposelective vapor deposition using an inhibitor

Номер патента: US20220181163A1. Автор: Michael Givens,Varun Sharma,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-09.

Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles

Номер патента: US09492805B2. Автор: Karen K. Gleason,Kenneth K. S. Lau. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for ultra-uniform sputter deposition using simultaneous rf and dc power on target

Номер патента: WO2010017259A3. Автор: Zhendong Liu,Xianmin Tang,Tza-Jing Gung,Rongjun Wang,Maurice E. Ewert. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-04-22.

Chemical vapor deposition of chalcogenide materials via alternating layers

Номер патента: US20090022883A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Smuruthi Kamepalli. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Thermal physical vapor deposition source with minimized internal condensation effects

Номер патента: US6893939B1. Автор: Dennis R. Freeman,Justin H. Klug,Jeremy M. Grace,Neil P. Redden. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2005-05-17.

Deposition systems and processes for transport polymerization and chemical vapor deposition

Номер патента: US6086679A. Автор: HUI Wang,Chung J. Lee,Giovanni Antonio Foggiato. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-11.

Jet vapor deposition of organic molecule guest-inorganic host thin films

Номер патента: US5650197A. Автор: Bret Halpern. Владелец: Jet Process Corp. Дата публикации: 1997-07-22.

Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber

Номер патента: US20090205563A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for etching and controlled chemical vapor deposition

Номер патента: US4468283A. Автор: Irfan Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-08-28.

Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production

Номер патента: US9659758B2. Автор: Eal Lee,Nicole Truong,Robert Prater,Norm Sand. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma Aided physical Vapor Deposition Source

Номер патента: KR101432514B1. Автор: 노태협,최용섭,정용호,석동찬,박현재. Владелец: 한국기초과학지원연구원. Дата публикации: 2014-08-21.

Equipment and method for physical vapor deposition

Номер патента: WO2010021811A3. Автор: Aharon Inspektor,John J. Prizzi. Владелец: KENNAMETAL INC.. Дата публикации: 2010-04-15.

Vapor-deposited film

Номер патента: CA2453596A1. Автор: Noboru Sasaki,Hiroshi Suzuki,Takayuki Nakajima,Takeshi Kanetaka,Miki Oohashi,Ryoji Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Electric arc vapor deposition device

Номер патента: US5037522A. Автор: Gary E. Vergason. Владелец: Vergason Technology Inc. Дата публикации: 1991-08-06.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Electric arc vapor deposition electrode apparatus

Номер патента: US4622452A. Автор: Clark Bergman,Gary E. Vergason. Владелец: Multi-Arc Vacuum Systems Inc. Дата публикации: 1986-11-11.

Vapor deposition method for depositing a film of fluorine-containing glass on a substrate

Номер патента: US5454847A. Автор: Olivier Perrot,Charles Jacoboni,Brigitte Boulard. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1995-10-03.

Transparent vapor-deposited film

Номер патента: PH12015500676B1. Автор: Shigeki Matsui,Hiroshi Miyama,Hiroshi Matsuzaki,Kaoru Miyazaki,Takakazu Goto,Teruhisa Komuro,Tatsuo Asuma. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-18.

Inverted positive vertical flow chemical vapor deposition chamber

Номер патента: CA1209330A. Автор: James D. Parsons. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1986-08-12.

Vapor deposition method including specified solid angle of radiant heater

Номер патента: US3560252A. Автор: Kurt D Kennedy. Владелец: Air Reduction Co Inc. Дата публикации: 1971-02-02.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Method and apparatus for ionized physical vapor deposition

Номер патента: GB2359189A. Автор: Jason Smolanoff,Jim Zibrida,Bruce Gittleman,Thomas J Licata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2001-08-15.

Plasma-activated chemical vapor deposition of fluoridated cyclic siloxanes

Номер патента: US5230929A. Автор: Gerardo Caporiccio,Riccardo D'agostino,Pietro Favia. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-07-27.

Chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US4503807A. Автор: Satoshi Nakayama,Shigeru Takeda,Masuo Suzuki,Hideaki Takeuchi,Harushige Kurokawa,Junichi Murota,Tatuhiko Hurukado,Humihide Ikeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Electrode for vapor deposition and vapor-deposition method using same

Номер патента: US4978556A. Автор: Eduard Pinkahsov. Владелец: Vapor Technologies Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds

Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.

Transparent vapor-deposited film

Номер патента: AU2013321072A1. Автор: Shigeki Matsui,Hiroshi Miyama,Hiroshi Matsuzaki,Kaoru Miyazaki,Takakazu Goto,Teruhisa Komuro,Tatsuo Asuma. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2015-05-07.

System for vapor deposition of thin films

Номер патента: US3845739A. Автор: H Schroeder,F Erhart. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1974-11-05.

Method for depositing a thin layer on a substrate by laser pulse vapor deposition

Номер патента: US5578350A. Автор: Klaus Schubert,Hermann Mai,Reiner Dietsch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 1996-11-26.

Method for vapor-depositing strip-shaped substrates with a transparent barrier layer made of aluminum oxide

Номер патента: CA2505027C. Автор: Nicolas Schiller,Steffen Straach,Matthias Fahland,Christoph Charton,Mathias Raebisch. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-02-22.

Method and apparatus for physical-vapor deposition of material layers

Номер патента: US5354443A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-10-11.

Method of physical vapor deposition

Номер патента: US3912826A. Автор: Kurt D Kennedy. Владелец: Airco Inc. Дата публикации: 1975-10-14.

Al-cr alloy vapor-deposited material

Номер патента: CA1326615C. Автор: Hiroshi Satoh,Masao Toyama,Hidetoshi Nishimoto,Koki Ikeda,Kazutoshi Shimogori,Junji Kawafuku. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 1994-02-01.

Deflection magnetic field type vacuum arc vapor deposition device

Номер патента: US20070023282A1. Автор: Yasuo Murakami. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Plasma vapor deposition apparatus

Номер патента: CA2096593C. Автор: Toshio Narita,Yoichi Murayama. Владелец: C ITOH FINE CHEMICAL Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-02.

Method for tungsten chemical vapor deposition on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1219725A1. Автор: Joris Baele,Hans Vercammen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-07-03.

Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films

Номер патента: US6054206A. Автор: Thomas Weller Mountsier. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Physical vapor deposition method with a source of isotropic ion velocity distribution at the wafer surface

Номер патента: US9856558B2. Автор: Daniel J. Hoffman,Karl M. Brown,Ying Rui,John Pipitone. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Continuous vacuum vapor deposition system having reduced pressure sub-chambers separated by seal devices

Номер патента: US5000114A. Автор: Hajime Okita,Kenichi Yanagi,Toshio Taguchi,Heizaburo Furukawa,Susumu Kamikawa. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1991-03-19.

Aluminum-nitride buffer and active layers by physical vapor deposition

Номер патента: CN104428441B. Автор: 奈格·B·帕蒂班德拉,汪荣军,维韦卡·阿格拉沃尔,阿纳塔·苏比玛尼,丹尼尔·L·迪尔,唐先明,朱鸣伟. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Isolator ring clamp and physical vapor deposition chamber incorporating same

Номер патента: US11670493B2. Автор: Keith A. Miller,Ilya Lavitsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Method and system for conditioning a vapor deposition target

Номер патента: EP2013373B1. Автор: Robert Huff,Milan Ilic,George McDonough. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-31.

Optical coatings of variable refractive index and high laser-resistance from physical-vapor-deposited perfluorinated amorphous polymer

Номер патента: US5882773A. Автор: Ian M. Thomas,Robert Chow,Gary E. Loomis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-03-16.

Vapor deposition material

Номер патента: US5789330A. Автор: Satoshi Kondo,Yoshitaka Kubota. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus

Номер патента: US5843233A. Автор: Barry L. Chin,Eliot K. Broadbent,Jeffrey C. Benzing,Christopher W. Burkhart,Edward J. McInerney,Everhardus P. van de Ven,Lawrence C. Lane. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films

Номер патента: US4957777A. Автор: Vida Ilderem,L. Rafael Reif,Prabha K. Tedrow. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1990-09-18.

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic el display apparatus

Номер патента: US20220220600A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Kozo Yano,Susumu Sakio,Koshi Nishida. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of vapor deposition

Номер патента: US3934059A. Автор: Murray Arthur Polinsky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1976-01-20.

Take up type vacuum vapor deposition device

Номер патента: EP2037001B1. Автор: Nobuhiro Hayashi,Kenji Komatsu,Isao Tada,Atsushi Nakatsuka,Takayoshi Hirono. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-09-14.

Tablet for vapor deposition and method for producing the same

Номер патента: US8765026B2. Автор: Azusa Oshiro. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2014-07-01.

Equipment for chemical vapor deposition

Номер патента: KR20070002277A. Автор: 나민재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-05.

Method and system for inline chemical vapor deposition

Номер патента: WO2012170166A3. Автор: Piero Sferlazzo,Thomas Michael Lampros. Владелец: AVENTA TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

Migration and plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: CA2756994C. Автор: Kenneth Scott Alexander Butcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Mask for vapor deposition

Номер патента: WO2006020469A3. Автор: Tsutomu Miura,Nobuyuki Mori. Владелец: Nobuyuki Mori. Дата публикации: 2006-05-04.

Planetary lift-off vapor deposition system

Номер патента: US20030180462A1. Автор: Ping Chang,Russell Hill,Gregg Wallace,Cris Kroneberger,P.A. Smith. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Low thermal budget chemical vapor deposition processing

Номер патента: US20080119059A1. Автор: Yuji Maeda,R. Suryanarayanan Iyer,Jacob W. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-22.

Atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapor deposition process

Номер патента: US20100323127A1. Автор: John Matthew Warakomski,Christina Ann Rhoton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Method for manufacturing cigs light absorption layer for solar cell through chemical vapor deposition

Номер патента: EP4340047A1. Автор: Seung Hyun Lee,Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,Hea Yong KWON,Tae Yeop Jeon,Tae Woo Eom. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

High pressure spatial chemical vapor deposition system and related process

Номер патента: US11885018B2. Автор: Siddha Pimputkar. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US11866818B2. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods for controlling physical vapor deposition metal film adhesion to substrates and surfaces

Номер патента: AU2019217883B2. Автор: Akhil Srinivasan,Yifei Wang. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Vapor deposition source and method for making organic light-emitting diode display panel

Номер патента: US11800779B2. Автор: Ying-Chieh Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Vapor deposition device

Номер патента: US11898246B2. Автор: Naoyuki Wada,Yu Minamide. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: EP4320285A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Vapor deposition method for coating a spectacle lens, physical vapor deposition system and crucible for physical vapor deposition

Номер патента: US20230265553A1. Автор: Artur Laukart. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: US11842883B2. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Electron beam physical vapor deposition apparatus

Номер патента: EP1121476A1. Автор: Helmut Eberhardt,Robert William Bruce,Alfred Rick,Antonio Frank Maricocchi,Martin Baehr,John Douglas Evans, Sr.,Wolfgang Erhardt Reith. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2001-08-08.

Vapor deposition method

Номер патента: US11910694B2. Автор: Shigeki Terada. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Pulsed dc source for high power impulse magnetron sputtering physical vapor deposition of dielectric films and methods of application

Номер патента: WO2019089190A1. Автор: Vaibhav Soni,Adolph Miller Allen,Zhong Qiang Hua,Viachslav Babayan,Vanessa FAUNE,Bhargav Citla,Ronald D. Dedore,Menglu Wu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-09.

PVD(physical vapor deposition) 챔버용 셔터 디스크

Номер патента: KR20240046791A. Автор: 지용 왕,롱준 왕,레이 저우,키란쿠마르 닐라산드라 사반다이아,할버트 총,이레나 에이치. 위소크,지앤신 레이,순다라판디안 라마린가 비자얄락슈미 레디. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2024-04-09.

Systems and methods for physical vapor deposition of silicon nitride coatings having antimicrobial and osteogenic enhancements

Номер патента: CA3214652A1. Автор: Bryan J. McEntire,Ryan M. Bock,Bhajanjit Singh Bal. Владелец: Sintx Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Physical Vapor Deposition System And Processes

Номер патента: US20200277697A1. Автор: Wen Xiao,Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same

Номер патента: EP4243052A3. Автор: Jong-Hoon Park,Sukwon Jung,Hyunwoo Joo,Jaihyuk Choi,Kyungjoo Min,Wonwoong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Physical vapor deposition system and processes

Номер патента: WO2020180585A1. Автор: Wen Xiao,Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Physical vapor deposition with a dual-shutter

Номер патента: US20200176235A1. Автор: Wei Wang,Hsueh-Chung Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Thermal conduction device and vapor deposition crucible

Номер патента: US20180148827A1. Автор: Yang Liu,Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Loading apparatus and physical vapor deposition apparatus

Номер патента: US20200144035A1. Автор: Jun Zhang,Jun Wang,Tong Wang,Boyu Dong,Bingliang Guo,Yujie Geng,Huaichao Ma,Xuewei Wu,Qingxuan Wang,Henan ZHANG,Baogang XU,Shaohui Liu,Kangning ZHAO,Yaxin CUI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Vapor deposition device and method for manufacturing epitaxial silicon wafer

Номер патента: US11846039B2. Автор: Masayuki Tsuji,Kazuhiro Narahara,Haku Komori. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods, Systems, and Apparatus for Fabricating a Physical Vapor Deposition Manrel-Target Assembly

Номер патента: US20180320263A1. Автор: Gerald L. Martinez. Владелец: Advanced Design Innovations Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Physical vapor deposition system and processes

Номер патента: WO2020180582A1. Автор: Wen Xiao,Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Physical vapor deposition system and processes

Номер патента: WO2020180584A1. Автор: Wen Xiao,Sanjay Bhat,Vibhu Jindal. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and chamber for backside physical vapor deposition

Номер патента: US20230335393A1. Автор: Yong Cao,Kevin Vincent Moraes,Shane Lavan,Jothilingam RAMALINGAM,Chunming Zhou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Haloalkynyl dicobalt hexacarbonyl precursors for chemical vapor deposition of cobalt

Номер патента: US11804375B2. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Seobong CHANG,Sangbum Han,JaeEon Park. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Method for performing metallo-organic chemical vapor deposition of titanium nitride at reduced temperature

Номер патента: US20020001928A1. Автор: Mei Chang,Ming Xi,Keith K. Koai,Shulin Wang,Huan LUO,Russell C. Ellwanger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of tisin deposition using a chemical vapor deposition process

Номер патента: WO2003056060A1. Автор: Mei Chang,Roderick Mosely,Chien-Teh Kao,Fufa Chen,Chiukin Steven Lai,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-07-10.

Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal

Номер патента: US09472420B2. Автор: Madhukar Bhaskara Rao,Tianniu Chen,Brenda Faye Ross,Wen Dar Liu,Seiji Inaoka,Yi-Chia Lee,William Jack Casteel, Jr.. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Liquid composition for removing titanium nitride, semiconductor-element cleaning method using same, and semiconductor-element manufacturing method

Номер патента: US09777251B2. Автор: Kenji Shimada,Satoshi Tamai. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Compositions and methods for selectively etching titanium nitride

Номер патента: US09546321B2. Автор: Emanuel I. Cooper,Jeffrey A. Barnes,Steven Lippy,Sheng-Hung Tu,Li-min Chen,Rekha Rajaram. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

PEALD titanium nitride with direct microwave plasma

Номер патента: US11823870B2. Автор: Hanhong Chen,Philip A. Kraus,Arkaprava Dan,Joseph AuBuchon,Kyoung Ha Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Solution for pickling coatings of titanium nitride

Номер патента: RU2019579C1. Автор: А.М. Полянский,С.В. Ружьева. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительной техники. Дата публикации: 1994-09-15.

Etching Solution For Titanium Nitride And Molybdenum Conductive Metal Lines

Номер патента: US20240010915A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Chao-Hsiang Chen,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Mask for thin film deposition and method of manufacturing OLED using the same

Номер патента: US09441288B2. Автор: Dong-Young Sung,Hong-Ryul Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for forming tantalum nitride film

Номер патента: US20090246375A1. Автор: Tomoyasu Kondo,Harunori Ushikawa,Satoru Toyoda,Narishi Gonohe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of manufacturing semiconductor device having nitride film with improved insulating properties

Номер патента: US6946409B2. Автор: Toshihide Takimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-09-20.

Thin film deposition method and manufacturing method of electronic device applying the same

Номер патента: US20230268184A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Sung Hwan Jo,Do Han LEE,Ngoc le TRINH,Abu Saad Aqueel Ahmad Ansari. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-24.

Apparatus, method, and recording medium storing command for controlling thin-film deposition process

Номер патента: US20230279538A1. Автор: Young Kyun Noh. Владелец: Ivworks Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Metal nitride film for thermistor, process for producing same, and thermistor sensor of film type

Номер патента: US9978484B2. Автор: Hiroshi Tanaka,Hitoshi Inaba,Toshiaki Fujita,Kazutaka Fujiwara,Noriaki Nagatomo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Metal nitride film for thermistor, process for producing same, and thermistor sensor of film type

Номер патента: US09978484B2. Автор: Hiroshi Tanaka,Hitoshi Inaba,Toshiaki Fujita,Kazutaka Fujiwara,Noriaki Nagatomo. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Deposition of smooth metal nitride films

Номер патента: US20170098546A1. Автор: Tom E. Blomberg,Jaakko Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-06.

Deposition of smooth metal nitride films

Номер патента: US09704716B2. Автор: Tom E. Blomberg,Jaakko Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-11.

Precursors for CVD silicon carbo-nitride films

Номер патента: US09640386B2. Автор: Manchao Xiao,Arthur Kenneth Hochberg. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Thin film deposition apparatus and method of forming thin film using the same

Номер патента: US20140308763A1. Автор: Sang-youn Kim,Myung-Ki Lee,Sang-Yong Jeong,You-Sung Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11939505B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Deposition of smooth metal nitride films

Номер патента: US20180061648A1. Автор: Tom E. Blomberg,Jaakko Anttila. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-01.

Techniques for marking a substrate using a physical vapor deposition material

Номер патента: US09849650B2. Автор: Stephen Paul Zadesky,Douglas Weber,Christopher Prest,David Pakula. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Techniques for Marking a Substrate using a Physical Vapor Deposition Material

Номер патента: US20180072021A1. Автор: Stephen Paul Zadesky,Douglas Weber,Christopher Prest,David Pakula. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Photoelectric conversion device vapor deposition material, photoelectric conversion device, sensor, and imaging device

Номер патента: US09691999B2. Автор: Mitsumasa Hamano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Photoelectric conversion device vapor deposition material, photoelectric conversion device, sensor, and image pickup device

Номер патента: WO2013015441A1. Автор: Mitsumasa Hamano. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-01-31.

Chemical vapor deposition processes using ruthenium precursor and reducing gas

Номер патента: WO2020096976A1. Автор: Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Philip S.H. Chen. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of making primary current detector using plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US4851367A. Автор: David J. Wolf. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1989-07-25.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US6903462B2. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Chemical vapor deposition of titanium

Номер патента: US20090039517A1. Автор: Gurtej Singh Sandhu,Donald L. Westmoreland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method of forming vanadium oxide films and vanadium oxide thin-films prepared thereby

Номер патента: US6156395A. Автор: Ping Liu,David K. Benson,C. Edwin Tracy,Ji-Guang Zhang,John A. Turner. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-12-05.

Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films

Номер патента: US6045877A. Автор: Karen K. Gleason,Michael C. Kwan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2000-04-04.

Method and system for producing graphene on a copper substrate by modified chemical vapor deposition (AP-CVD)

Номер патента: US11624114B2. Автор: Patricio HÄBERLE TAPIA,Christian ORELLANA GÓMEZ. Владелец: Universidad Tecnica Federico Santa Maria USM. Дата публикации: 2023-04-11.

Chemical-vapor-deposition silicon carbide bulk having improved etching characteristic

Номер патента: US11859309B2. Автор: Kang Suk Kim,Young Ju Kim,Hak Jun AHN,Youn Woong JUNG,Jun Baek SONG,Won Geun SON. Владелец: DS TECHNO Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Aerosol assisted chemical vapor deposition methods useful for making dye-sensitized solar cells with platinum dialkyldithiocarbamate complexes

Номер патента: US11742151B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN,Abbas Saeed Hakeem. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-08-29.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US20160307905A1. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-10-20.

Heat-treatable coated product with ir-reflecting layers based on titanium nitride and ito

Номер патента: RU2754900C2. Автор: Говэнь ДИН,Ивэй ЛУ,Сейзар КЛАВЕРО,Даниель ШВАЙГЕРТ,Брент БОЙС,Минх Хуу ЛЭ. Владелец: ГАРДИАН ГЛАСС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2021-09-08.

Etchant composition for adjusting etching selectivity of titanium nitride film with respect to tungsten film, and etching method using same

Номер патента: US20230295500A1. Автор: Seung Hyun Lee,Seong Hwan Kim,Seung Hun Lee,Seung Oh JIN. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of making ceramics based on silicon nitride - titanium nitride composite

Номер патента: RU2697987C1. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Светлана Николаевна Ивичева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-08-21.

Separated functional layer stack and titanium nitride layer for achieving solar control

Номер патента: EP2074443A2. Автор: Yisheng Dai,Sicco W.T. Westra,Boon Khee Yeo. Владелец: Novomatrix Pte Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Titanium nitride-reinforced zirconia toughened alumina ceramic powder and preparation method thereof

Номер патента: US11345638B2. Автор: FENG Lin,CHAO Chen,Zhigang Xie,Peicheng MO,Jiarong Chen. Владелец: China Nonferrous Metal Guilin Geology and Mining Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Heatable low-e glazing comprising two layers based on titanium nitride

Номер патента: US20230339212A1. Автор: Norbert Huhn,Vincent Reymond,Corentin Monmeyran,Julie RUFF. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-10-26.

Titanium nitride-reinforced zirconia toughened alumina ceramic powder and preparation method thereof

Номер патента: US20200308057A1. Автор: FENG Lin,CHAO Chen,Zhigang Xie,Peicheng MO,Jiarong Chen. Владелец: China Nonferrous Metal Guilin Geology and Mining Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Glazing comprising a stack of thin layers having one functional layer based on silver and multiple functional layers based on titanium nitride

Номер патента: WO2024042546A1. Автор: Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Glazing comprising a stack of thin layers having two functional layer based on silver and multiple functional layers based on titanium nitride

Номер патента: WO2024042552A1. Автор: Veronique Rondeau,Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Glazing comprising a stack of thin layers having two functional layers based on silver and titanium nitride

Номер патента: WO2024042545A1. Автор: Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Separated functional layer stack and titanium nitride layer for achieving solar control

Номер патента: WO2008036363B1. Автор: Yisheng Dai,Sicco W T Westra,Boon Khee Yeo. Владелец: Boon Khee Yeo. Дата публикации: 2008-12-24.

Polyester polymer and copolymer compositions containing titanium nitride particles

Номер патента: WO2007064312A2. Автор: Frederick Leslie Colhoun,Steven Lee Stafford,Zhiyong Xia,Susan Sims. Владелец: EASTMAN CHEMICAL COMPANY. Дата публикации: 2007-06-07.

Glazing comprising a stack of thin layers having three functional layers based on silver and on titanium nitride

Номер патента: WO2024042551A1. Автор: Veronique Rondeau,Priyesh DHANDHARIA,Uditendu MUKHOPADHYAY. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-02-29.

Separated functional layer stack and titanium nitride layer for achieving solar control

Номер патента: WO2008036363A2. Автор: Yisheng Dai,Sicco W.T. Westra,Boon Khee Yeo. Владелец: Novomatrix Pte Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Solar-control glazing unit comprising a layer of titanium nitride

Номер патента: US20230144355A1. Автор: Corentin Monmeyran,Laura Jane Singh,Lorenzo MANCINI,Alexandre Dehaupas. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-05-11.

Solar-control glazing unit comprising a layer of titanium nitride

Номер патента: US11884580B2. Автор: Corentin Monmeyran,Laura Jane Singh,Lorenzo MANCINI,Alexandre Dehaupas. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2024-01-30.

Polyester polymer and copolymer compositions containing particles of titanium nitride and carbon-coated iron

Номер патента: CA2621779A1. Автор: Zhiyong Xia,Stephen Weinhold,Perry Michael Murdaugh. Владелец: Perry Michael Murdaugh. Дата публикации: 2007-03-29.

Cobalt-nickel-chromium-molybdenum alloys with reduced level of titanium nitride inclusions

Номер патента: EP1664360B1. Автор: Robin M. Forbes Jones,Henry E. Lippard,David J. Bradley,Robert J. Myers,Timothy A. Stephenson. Владелец: Fort Wayne Metals Research Products LLC. Дата публикации: 2012-04-18.

Cobalt-nickel-chromium-molybdenum alloys with reduced level of titanium nitride inclusions

Номер патента: EP1664360A1. Автор: Robin M. Forbes Jones,Henry E. Lippard,David J. Bradley,Robert J. Myers,Timothy A. Stephenson. Владелец: Fort Wayne Metals Research Products LLC. Дата публикации: 2006-06-07.

Organic zinc precursor and ZnO thin-film deposition by MOCVD

Номер патента: US7514586B2. Автор: Chrong-Ching Lee,Ren-Bor Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-07.

Gallium nitride substrate and gallium nitride film deposition method

Номер патента: EP2019155A3. Автор: Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-22.

Metal organic complexes for improved smoothness and uniformity of thin films deposited from nanocolloids via electrophoresis

Номер патента: WO2013063090A3. Автор: Bing Liu,Kevin V. Hagedorn. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2014-03-13.

Multiple-surface imposition vapor deposition mask

Номер патента: US09548453B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for producing multiple-surface imposition vapor deposition mask, multiple-surface imposition vapor deposition mask obtained therefrom, and method for producing organic semiconductor element

Номер патента: US09343679B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Novel organic zinc precursor and ZnO thin-film deposition by MOCVD

Номер патента: US20060198957A1. Автор: Chrong-Ching Lee,Ren-Bor Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-09-07.

Hydrophobic materials made by vapor deposition coating and applications thereof

Номер патента: EP2440402A1. Автор: HE Dong,Jikang Yuan. Владелец: Innovanano Inc. Дата публикации: 2012-04-18.

Hydrophobic Materials Made By Vapor Deposition Coating and Applications Thereof

Номер патента: US20140147655A1. Автор: HE Dong,Jikang Yuan. Владелец: Innovanano Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Film deposition device of metal film and film deposition method

Номер патента: US09840786B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of producing nanophase WC-based powder by vapor phase reaction at atmospheric pressure

Номер патента: US7115240B2. Автор: Gook Hyun Ha,Byung Kee Kim. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2006-10-03.

Lamp with particles coated by vapor deposition

Номер патента: US20030057824A1. Автор: Christoforos Kazazis,Daniel Carril,Keith Klinedinst. Владелец: Osram Sylvania Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Vapor deposition mask with metal plate

Номер патента: US11511301B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Yutaka Matsumoto,Toshihiko Takeda,Katsunari Obata,Takashi Takekoshi,Yoshinori Hirobe,Masato Ushikusa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2022-11-29.

System and method for dynamically adjusting thin-film deposition parameters

Номер патента: US20220228265A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Enhancing performance stability of electroactive polymers by vapor-deposited organic networks

Номер патента: US20190055371A1. Автор: T. Alan Hatton,Karen K. Gleason,Andong Liu,Xianwen Mao. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-02-21.

Amorphous boron nitride film and anti-reflection coating structure including the same

Номер патента: US12061312B2. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Changseok Lee,Taejin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of producing triazine-based graphitic carbon nitride films

Номер патента: US09735427B2. Автор: Yang Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-15.

Nanocrystalline boron nitride film, image sensor including the same, field effect transistor including the same, and method of fabricating the nanocrystalline boron nitride film

Номер патента: EP4270447A1. Автор: Minsu Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Nanocrystalline boron nitride film, image sensor including the same, field effect transistor including the same, and method of fabricating the nanocrystalline boron nitride film

Номер патента: US20230349072A1. Автор: Minsu Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Preservation by vaporization

Номер патента: CA2569276A1. Автор: Victor Bronshtein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Preservation by vaporization

Номер патента: US09469835B2. Автор: Victor Bronshtein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-18.

Process for electrophoretic film deposition achieving increased film thickness

Номер патента: CA1212352A. Автор: Rene J. Al,John W. Krise, Jr.. Владелец: Dresser Industries Inc. Дата публикации: 1986-10-07.

Thin-film deposition apparatus

Номер патента: US20240218561A1. Автор: Motoshi Sakai,Yeontae Kim,Suhwan PARK,Sangwoo Bae,Junbum Park,Wondon Joo,Janghwi LEE,Hunyong PARK,Jaeho Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Preservation by vaporization

Номер патента: WO2005117962A9. Автор: Victor Bronshtein. Владелец: Victor Bronshtein. Дата публикации: 2016-12-15.

Planar nonpolar group-III nitride films grown on miscut substrates

Номер патента: US09828695B2. Автор: Makoto Saito,Shuji Nakamura,Hisashi Yamada,Kenji Iso,Asako Hirai,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Zhongyuan Jia. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-28.

Mask frame assembly for thin film deposition and manufacturing method thereof

Номер патента: US09682400B2. Автор: Jun Young Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin film deposition method for wafer

Номер патента: CA2051529C. Автор: Toru Tatsumi,Junro Sakai,Ken-Ichi Aketagawa. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Film deposition apparatus for fine pattern forming

Номер патента: US11404271B2. Автор: Shigeru Nakajima,Kazuhide Hasebe,Hiroki Murakami,Jun Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Transparent article having protective silicon nitride film

Номер патента: CA2189430C. Автор: Robert Bond,Roger P. Stanek,Wayne Hoffman. Владелец: Cardinal CG Co. Дата публикации: 2007-07-10.

Film deposition apparatus for fine pattern forming

Номер патента: US11881379B2. Автор: Shigeru Nakajima,Kazuhide Hasebe,Hiroki Murakami,Jun Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Film deposition apparatus for fine pattern forming

Номер патента: US20240096595A1. Автор: Shigeru Nakajima,Kazuhide Hasebe,Hiroki Murakami,Jun Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Composition for film deposition and film deposition apparatus

Номер патента: US20200277512A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi,Ryuichi Asako. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Film deposition device of metal film and metal film deposition method

Номер патента: WO2015019154A2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Yuki Sato,Motoki Hiraoka. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-02-12.

Sintering vapor deposited silica on a mandrel designed to reduce shrinkage

Номер патента: US3576932A. Автор: Rulon Bruce Biddulph. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-04-27.

Silicon nitride film etching composition and etching method using the same

Номер патента: US11987740B2. Автор: Sung Jun Hong,Dong Hyun Kim,Hyeon Woo PARK,Myung Ho Lee,Myung Geun Song,Hoon Sik Kim,Jae Jung KO,Myong Euy LEE,Jun Hyeok HWANG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Process for producing thin nitride film on sapphire substrate and thin nitride film producing apparatus

Номер патента: US20090065786A1. Автор: Masatomo Sumiya,Shunro Fuke. Владелец: Shizuoka University NUC. Дата публикации: 2009-03-12.

Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)

Номер патента: US20080026502A1. Автор: James Speck,Steven DenBaars,Bilge Imer. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-01-31.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Method for producing by vapour-phase epitaxy a gallium nitride film with low defect density

Номер патента: US7455729B2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont,Pierre Gibart. Владелец: Lumilog SA. Дата публикации: 2008-11-25.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US11827978B2. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Vanadium silicon nitride film, member coated with vanadium silicon nitride film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190390331A1. Автор: Hiroyuki Matsuoka,Wataru Sakakibara,Satoru HABUKA. Владелец: Dowa Thermotech Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film

Номер патента: US20240068092A1. Автор: Qi Xie,Bhushan Zope,Shankar Swaminathan,Eric Christopher Stevens,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for electrochemically depositing carbon nitride films on a substrate

Номер патента: US8545688B2. Автор: Yasuhiko Ito,Kouji Kuroda,Naohiro Yasuda,Kazuhito Fukasawa,Tokujiro Nishikiori,Hiroaki AMAHASHI. Владелец: IMSEP Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Planar nonpolar group-iii nitride films grown on miscut substrates

Номер патента: US20160230312A1. Автор: Makoto Saito,Shuji Nakamura,Hisashi Yamada,Kenji Iso,Asako Hirai,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Zhongyuan Jia. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-08-11.

Planar nonpolar group-iii nitride films grown on miscut substrates

Номер патента: US20140138679A1. Автор: Makoto Saito,Shuji Nakamura,Hisashi Yamada,Kenji Iso,Asako Hirai,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Zhongyuan Jia. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-05-22.

Lower layer or top layer of multi-layer weld of turbine rotor out of high-chrome steel, material for deposition by welding of multi-layer weld and method of manufacturing of multi-layer weld

Номер патента: RU2573842C2. Автор: Кен ЯМАСИТА,Юта ХОНМА,Риндзо КАЯНО,Микихиро САКАТА. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се(Кобе Стил, Лтд.). Дата публикации: 2016-01-27.

Method of extracting germanium from germanium deposit using thermal reduction process

Номер патента: US20170121790A1. Автор: Zhiguo Zhu,Wangchang Wu,Guangwen Li,Shikun PU,Wendong BAO,Decai HU,Tianmin XIE,Caiwei YAO,Kaihong BAO,Zailei YANG,Gao XIE. Владелец: Yunnan Dongchang Metal Tech Co ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: AU2003232015A1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2003-11-17.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1502292B1. Автор: Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Conductive flakes by sputtering and vapor deposition

Номер патента: WO2004070733A2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Laboratories Of Arizona, Inc.. Дата публикации: 2004-08-19.

Catalyst compositions and polyolefins for use in coatings, deposited using expedition method

Номер патента: RU2374272C2. Автор: Майкл Д. ДЖЕНСЕН,Джоэл Л. МАРТИН,Макс П. МАКДЭНИЕЛ,Цин ЯНГ,Элизабет А. БЕНХЭМ,Ашиш М. СУКХАДИА,Рэнди МЬЮНИНДЖЕР,Гэри ДЖЕРДИ,Мэттью ТОРН. Владелец: Шеврон Филлипс Кемикал Компани Лп. Дата публикации: 2009-11-27.

Method of extracting germanium from germanium deposit using thermal reduction process

Номер патента: US10156003B2. Автор: Zhiguo Zhu,Wangchang Wu,Guangwen Li,Shikun PU,Wendong BAO,Decai HU,Tianmin XIE,Caiwei YAO,Kaihong BAO,Zailei YANG,Gao XIE. Владелец: Yunnan Dongchang Metal Tech Co ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Method and device for laser electrochemical composite deposition using rifling hollow rotating electrode

Номер патента: GB2616490A. Автор: XU KUN,Guo Sheng,Wu Yucheng,YANG Shuai,ZHANG Zhaoyang,DAI Xueren,ZHAO Douyan. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for development of super-viscous oil deposit by steam-gravity drainage together with solvent

Номер патента: RU2688713C1. Автор: Азат Тимерьянович Зарипов,Марат Инкилапович Амерханов,Шаура Газимьяновна Рахимова,Антон Николаевич Береговой,Наталья Алексеевна Князева. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2019-05-22.

Process for the extraction of crude oil from an underground deposit using surfactants

Номер патента: CA1314703C. Автор: Harald Luders,Dieter Balzer. Владелец: Huels AG. Дата публикации: 1993-03-23.

Vapor phase epitaxial growth method by organometallic chemical vapor deposition

Номер патента: CA1242623A. Автор: Yoshinobu Matsuda,Akio Sasaki,Shigeo Fujita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1988-10-04.

Conductive flakes manufactured by combined sputtering and vapor deposition

Номер патента: US7754106B2. Автор: Angelo Yializis,Michael G. Mikhael. Владелец: Sigma Labs Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Filler material and part of machine equipment deposited by filler metal

Номер патента: RU2570864C1. Автор: Цутому ТАКЕДА,Рюити КОБАЯСИ. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се (Кобе Стил, Лтд.). Дата публикации: 2015-12-10.

Process of depositing by electropolymerization a film of a composite material onto an electrically conductive surface

Номер патента: US5578188A. Автор: ROBERT JEROME,Marc Mertens,Jean Schrijnemackers,Cedric Calberg,Lucien Martinot. Владелец: Cockerill Sambre SA. Дата публикации: 1996-11-26.

Process for separating bitumen from tar sand recovered from deposits by mining

Номер патента: US3846276A. Автор: C Walker. Владелец: Texaco Inc. Дата публикации: 1974-11-05.

Manufacturing of diffractive pigments by fluidized bed chemical vapor deposition

Номер патента: US09732228B2. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of selective growth of van der waals heterostructures on a graphene substrate by chemical vapor deposition using electron-beam irradiation and a heterostructure manufactured by this method

Номер патента: WO2024058678A1. Автор: Jakub SITEK,Karolina CZERNIAK-ŁOSIEWICZ. Владелец: Politechnika Warszawska. Дата публикации: 2024-03-21.

Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same

Номер патента: US9481944B2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven,Ed Lindow,Ronald Thomas Bertram, JR.. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-01.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition.

Номер патента: NL2005365C2. Автор: Rutger Alexander David Raalten,Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2012-03-20.

Apparatus for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition

Номер патента: US6547876B2. Автор: Michael Spencer,Ian Ferguson,Alexander Gurary. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Chemical vapor deposition apparatus for obtaining high quality epitaxial layer with uniform film thickness

Номер патента: US4992301A. Автор: Masao Mikami,Fumitoshi Toyokawa,Seiichi Shishiguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1274429A. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-25.

Method for enhancing growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US8405128B2. Автор: Hitoshi Sato,Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Benjamin A. Haskell,John F. Kaeding,Michael Iza,Troy J. Baker. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2013-03-26.

Chemical vapor deposition graphene foam electrodes for pseudo-capacitors

Номер патента: US9263196B2. Автор: Thomas A. Yager. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-02-16.

Internal coating of a glass tube by plasma pulse-induced chemical vapor deposition

Номер патента: US5059231A. Автор: Volker Paquet,Ulrich Ackermann,Hartmut Bauch. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 1991-10-22.

Method and apparatus for manufacturing optical fiber preforms using the outside vapor deposition process

Номер патента: US20050076680A1. Автор: Hyung-Soo Shin,Chan-Yong Park,Man-Soo Choi,Bong-hun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of producing particles by physical vapor deposition in an ionic liquid

Номер патента: CA2636662C. Автор: James J. Finley. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Combination gas curtains for continuous chemical vapor deposition production of silicon bodies

Номер патента: CA1178179A. Автор: Henry W. Gutsche. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1984-11-20.

Chemical vapor deposition method for the gaas thin film

Номер патента: CA1305910C. Автор: Seiji Kojima,Hiroshi Kikuchi,Masakiyo Ikeda,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-04.

Compounds for use as chemical vapor deposition precursors, thermochromic materials light-emitting diodes, and molecular charge-transfer salts and methods of making these compounds

Номер патента: US6103459A. Автор: Bruce Diel. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 2000-08-15.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166A1. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Delft Enterprises BV. Дата публикации: 2012-03-22.

Vapor deposition film and packaging material

Номер патента: CA2341296A1. Автор: Noboru Sasaki,Mamoru Sekiguchi,Fumitake Koizumi,Tsunenori Komori,Ken Shimatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-02.

Method for preparing perovskite solar cell absorbing layer by means of chemical vapor deposition

Номер патента: US20220230813A1. Автор: Hyuk Kyoo Jang,Gyu Hyun LEE,So Yeon Lee. Владелец: Mecaroenergy Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Carbon nanostructures and networks produced by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2812166C. Автор: Gerardus Joseph Maria Koper,Krishna Narayan Kumar Kowlgi,Rutger Alexander David Van Raalten. Владелец: Carbonx BV. Дата публикации: 2021-04-06.

Plasma enhanced chemical vapor deposition system for forming carbon nanotubes

Номер патента: US20060008594A1. Автор: Sung Kang,Woo Bae. Владелец: JAPAN ASIA INVESTMENT Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Chemical vapor deposition reactor having ceramic lining for production of polysilicon

Номер патента: US20140235041A1. Автор: Anatoly Alexandrovich Goncharov,Yury Dmitrievich Kalashnikov. Владелец: Ecolive Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Organic film vapor deposition method and a scintillator panel

Номер патента: US20020190223A1. Автор: Toshio Takabayashi,Hiroto Sato,Takuya Homme. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2002-12-19.

Vanadium-containing film forming compositions and vapor deposition of vanadium-containing films

Номер патента: US20160304542A1. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-10-20.

Vapor deposition equipment including a selenization process for fabricating cigs film

Номер патента: US20160293789A1. Автор: Wen-Chueh Pan,Jen-Chieh Li,Chui-Yu Chiu,Tsang-Ming Hsu,Shih-Shan Wei,Tsan-Tung Chen. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for making an eyeglass lens coated by means of physical vapor deposition pvd and intermediate assembly for the production of a coated eyeglass lens for said method

Номер патента: EP3695959A1. Автор: Marco QUEBOLI,Carlo RONI,Claudia Fagini,Danilo Mandelli. Владелец: The'lios SpA. Дата публикации: 2020-08-19.

Niobium-containing film forming compositions and vapor deposition of niobium-containing films

Номер патента: US20160307902A1. Автор: Wontae NOH,Clement Lansalot-Matras. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2016-10-20.

Lowering tungsten resistivity by replacing titanium nitride with titanium silicon nitride

Номер патента: US09583349B2. Автор: Zhendong Liu,Srinivas Gandikota,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Selective titanium nitride removal

Номер патента: US09607856B2. Автор: Xikun Wang,Dmitry Lubomirsky,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Solution based etching of titanium carbide and titanium nitride structures

Номер патента: US09831100B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,John Foster,Sean Lin,Ruilong Xie. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Technology for selectively etching titanium and titanium nitride in the presence of other materials

Номер патента: US09472456B2. Автор: Nabil G. Mistkawi,Erica J. Thompson,Rohit Grover. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Reducing corrosion and water decomposition on a surface of a titanium nitride electrode

Номер патента: US20110308969A1. Автор: Hariklia Deligianni,Stefan Harrer,Binquan Luan,Hongbo Peng,Gustavo A. Stolovitzky,Stanislav Polonsky,Stephen Rossnagel,Shafaat Ahmed,Xiaoyan Shao,Glenn J. Martyna,Ali Afzali-Azdakani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a MOSFET device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US09691871B1. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-06-27.

Titanium nitride electrode

Номер патента: US09384990B2. Автор: Silke Musa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of treating CVD titanium nitride with silicon ions

Номер патента: US6080667A. Автор: Koji Urabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method for forming metal nitride film

Номер патента: US6335277B2. Автор: Koichi Ohto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Selective titanium nitride etching

Номер патента: US09449845B2. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhijun CHEN,Ching-Mei Hsu,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing self-heated hollow cathode from titanium nitride for plasma generation systems

Номер патента: RU2619591C1. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Александр Сергеевич Каменецких,Алексей Викторович Спирин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2017-05-17.

Selective titanium nitride etching

Номер патента: US20140179111A1. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhijun CHEN,Ching-Mei Hsu,Jingchun Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Formation of titanium nitride on semiconductor wafer by reaction of titanium with nitrogen-bearing gas in an integrated processing system

Номер патента: US5236868A. Автор: Jaim Nulman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-08-17.

Dual titanium nitride layers for solar control

Номер патента: US6188512B1. Автор: Floyd Eugene Woodard,Yisheng Dai. Владелец: GMX Assoc Pte Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Use of titanium nitride as a counter electrode

Номер патента: EP3405787A1. Автор: John Foster,Janusz B. Wojtowicz,Markus Wallgren,Robert A. Yuan,Jason Komadina. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2018-11-28.

Use of titanium nitride as a counter electrode

Номер патента: WO2017125566A1. Автор: John Foster,Janusz B. Wojtowicz,Markus Wallgren,Robert A. Yuan,Jason Komadina. Владелец: Roche Diagnostics GmbH. Дата публикации: 2017-07-27.

Titanium nitride for MEMS bolometers

Номер патента: US09903763B2. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Ashwin K. SAMARAO,Gary O'brien,Fabian Purkl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-02-27.

Selective Formation Of Titanium Silicide And Titanium Nitride By Hydrogen Gas Control

Номер патента: US20240249948A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US20220230884A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Plasma arc keyhole welding stability and quality through titanium nitride additions

Номер патента: US20020170888A1. Автор: John Sanders,John Lehmann,William McInteer. Владелец: McDermott Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

TFT device with silicon nitride film and manufacturing method thereof

Номер патента: US09864247B1. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

A titanium nitride diffusion barrier for use in non-silicon technologies and metallization method

Номер патента: CA2292769C. Автор: Wilhelm Heuberger,Peter Roentgen,William Patrick,Abram Jakubowicz,Andreas Daetwyler,Urs Deutsch,Christoph Harder,Eberhard Latta,Albertus Oosenburg,Erica Williams. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2003-11-04.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a mosfet device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US20170256625A1. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-09-07.

Process for forming a layer of equiaxed titanium nitride and a MOSFET device having a metal gate electrode including a layer of equiaxed titanium nitride

Номер патента: US10211059B2. Автор: Pierre Caubet,Florian Domengie,Onintza Ros Bengoechea,Aurelie Bajolet,Carlos Augusto Suarez Segovia. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-02-19.

Method for forming local interconnect metal structures via the addition of a titanium nitride anti-reflective coating

Номер патента: US6020267A. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ching-Yau Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Post-titanium nitride mask ROM programming method

Номер патента: US5488009A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Yi-Chung Shen,Shing-Ren Sheu,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-01-30.

Ti/titanium nitride and ti/tungsten nitride thin film resistors for thermal ink jet technology

Номер патента: US5870121A. Автор: Lap Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Application of titanium nitride and tungsten nitride thin film resistor for thermal ink jet technology

Номер патента: US5710070A. Автор: Lap Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 1998-01-20.

Controlling via critical dimension with a titanium nitride hard mask

Номер патента: US10886197B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Controlling via critical dimension with a titanium nitride hard mask

Номер патента: US20200194343A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Photolithography over reflective substrates comprising a titanium nitride layer

Номер патента: US4810619A. Автор: Thomas R. Pampalone,Edward C. Douglas,Brian C. Lee. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-03-07.

Use of titanium nitride as a counter electrode

Номер патента: US20170212079A1. Автор: John Foster,Janusz B. Wojtowicz,Markus Wallgren,Robert A. Yuan,Jason Komadina. Владелец: Roche Molecular Systems Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US20190355585A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US11972951B2. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US20200294807A1. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Selective formation of titanium silicide and titanium nitride by hydrogen gas control

Номер патента: US11295956B2. Автор: Huang-Yi Huang,Yu-Ting Lin,Cheng-Wei Chang,Kao-Feng Lin,Yi-Hsiang Chao,Min-Hsiu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

Method for welding a titanium component with a titanium nitride coating

Номер патента: US11833605B2. Автор: Hailiang Zhao. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-12-05.

Quarternized titanium-nitride anti-bacterial coating for dental implants

Номер патента: US11864964B2. Автор: Christopher D. Batich,Arthur E. Clark, Jr.,Patrick Carey,Fan Ren,Josephine F. Esquivel-Upshaw. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for welding a titanium component with a titanium nitride coating

Номер патента: WO2022010641A1. Автор: Hailiang Zhao. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

Quarternized titanium-nitride anti-bacterial coating for dental implants

Номер патента: EP3829522A1. Автор: Christopher D. Batich,Arthur E. Clark, Jr.,Patrick Carey,Fan Ren,Josephine F. Esquivel-Upshaw. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2021-06-09.

Quarternized titanium-nitride anti-bacterial coating for dental implants

Номер патента: US20240041575A1. Автор: Christopher D. Batich,Arthur E. Clark, Jr.,Patrick Carey,Fan Ren,Josephine F. Esquivel-Upshaw. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Consistent alignment mark profiles on semiconductor wafers using metal organic chemical vapor deposition titanium nitride protective layer

Номер патента: US6157087A. Автор: Joe W. Zhao,Keith K. Chao,Shumay X. Dou. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: EP3756222A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Doped titanium nitride materials for dram capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods

Номер патента: WO2019164655A1. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,Christopher W. Petz,Sanket S. Kelkar,Paul A. Paduano,Zhe Song,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-29.

Film deposition method and element including film deposited by the film deposition method

Номер патента: US20230022023A1. Автор: Sangwon Kim,Keunwook SHIN,Changseok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Development method of oil and gas deposits using high-power laser radiation for their maximum extraction

Номер патента: RU2509882C1. Автор: Александр Петрович Линецкий,Владимир Михайлович Журба. Владелец: Александр Петрович Линецкий. Дата публикации: 2014-03-20.

Methods for direct geochemical prediction of hydrocarbon deposits using biomarker compounds

Номер патента: RU2731955C1. Автор: Никита Владимирович Морозов,Дарья Юрьевна Калачева,Андрей Васильевич Гончаров,Елена Ивановна Горбенко,Фидан Гилемьянович Гайнетдинов,Оксана Александровна Захарова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпромнефть Научно-Технический Центр" (ООО "Газпромнефть НТЦ"). Дата публикации: 2020-09-09.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US10775692B2. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method for manufacturing multilayer film-deposited substrate and multilayer film-deposited substrate

Номер патента: US20180059530A1. Автор: Makoto Kurumisawa,Masaki Mikami,Yunosuke Ishikawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for improving conformity and contact bottom coverage of sputtered titanium nitride barrier layers

Номер патента: US5833817A. Автор: Chen-Hua Douglas Yu,Chia Shiung Tsai,Ying Yin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Process of forming a high electron mobility transistor including a gate electrode layer spaced apart from a silicon nitride film

Номер патента: US11710773B2. Автор: Yukinori Nose,Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Wet etching method for silicon nitride film

Номер патента: US8741168B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Multiple step thin film deposition method for high conformality

Номер патента: US09859403B1. Автор: Praneet Adusumilli,Domingo A. Ferrer,Nicolas L. Breil,Neal A. Makela. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system

Номер патента: US09831099B2. Автор: David L. O'Meara,Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Surface tension modification using silane with hydrophobic functional group for thin film deposition

Номер патента: US09698263B2. Автор: Hsiang-Hsiang Ko,Wen-Chu Hsiao,Ying-Min Chou,Lai-Wan CHONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Bulk wave resonator having an aluminum nitride film containing scandium and ScAlN protective layer

Номер патента: US09461616B2. Автор: Keiichi Umeda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Bpsg film deposition with undoped capping

Номер патента: WO2009126478A1. Автор: Yuri Sokolov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-10-15.

Process for densifying nitride film

Номер патента: US09711351B2. Автор: Bert Jongbloed,Dieter Pierreux. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Pharmaceuticals microencapsulated by vapor deposited polymers and method

Номер патента: US5393533A. Автор: Ronald J. Versic. Владелец: Dodge Ronald T Co. Дата публикации: 1995-02-28.

Uniform dielectric film deposition on textured surfaces

Номер патента: US5801104A. Автор: Pierre C. Fazan,Klaus F. Schuegraf. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of deposting uniform dielectric film deposition on textured surfaces

Номер патента: US6008086A. Автор: Pierre C. Fazan,Klaus F. Schuegraf. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for selective thin film deposition

Номер патента: US20170352691A1. Автор: Carolyn Rae Ellinger. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-12-07.

In-situ p-type activation of iii-nitride films grown via metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20210151329A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Oil film-deposit bearing

Номер патента: CA2144897A1. Автор: Chin-Sung Ou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-09-18.

Multiple step thin film deposition method for high conformality

Номер патента: US20180026118A1. Автор: Praneet Adusumilli,Domingo A. Ferrer,Nicolas L. Breil,Neal A. Makela. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of forming nitride films with high compressive stress for improved pfet device performance

Номер патента: US20080045039A1. Автор: Kwong Wong,Richard Conti,Daewon Yang,Anita Madan,Michael Smits,Ronald Bourque,Nancy Klymko,Roy Tilghman. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Method of forming nitride films with high compressive stress for improved pfet device performance

Номер патента: US20080036007A1. Автор: Kwong Wong,Richard Conti,Daewon Yang,Anita Madan,Michael Smits,Ronald Bourque,Nancy Klymko,Roy Tilghman. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of forming nitride films with high compressive stress for improved PFET device performance

Номер патента: US7804136B2. Автор: Richard A. Conti,Kwong Hon Wong,Daewon Yang,Anita Madan,Nancy R. Klymko,Ronald P. Bourque,Michael C. Smits,Roy H. Tilghman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks

Номер патента: US09996004B2. Автор: David Smith,Dennis M. Hausmann. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Thin film high TC oxide superconductors and vapor deposition methods for making the same

Номер патента: US5447906A. Автор: Richard J. Gambino,Praveen Chaudhari,Robert B. Laibowitz,James A. Lacey,Roger H. Koch,Joseph M. Viggiano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device having gate insulating film of silicon oxide and silicon nitride films

Номер патента: US20010019158A1. Автор: Masahiro Ushiyama,Toshiyuki Mine,Shimpei Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Low degradation MRAM encapsulation process using silicon-rich silicon nitride film

Номер патента: US09515252B1. Автор: Jeong-Heon Park,Eugene J. O'Sullivan,Deborah A. Neumayer,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,JungHyuk Lee,Nathan P. Marchack,Chandrasekaran Kothandaraman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Film deposition device

Номер патента: US09449799B2. Автор: Qiang FEI,Weiqi XU. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of nitride crystalline film, nitride film and substrate structure

Номер патента: US20100119845A1. Автор: Cheng-Huang Kuo,Chi-Wen Kuo,Chun-Ju Tun. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2010-05-13.

Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities

Номер патента: US6064078A. Автор: John E. Northrup,Linda T. Romano,Ross D. Bringans. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Forming multilayer interconnections for a semiconductor device by vapor phase growth process

Номер патента: US4670967A. Автор: Yoshikazu Hazuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Method to improve performances of tunnel junctions grown by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: US20240145625A1. Автор: Shuji Nakamura,David Hwang,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-02.

Method to improve performances of tunnel junctions grown by metal organic chemical vapor deposition

Номер патента: EP4292123A1. Автор: Shuji Nakamura,David Hwang,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-20.

Aluminum nitride film, acoustic wave device, filter, and multiplexer

Номер патента: US20180375489A1. Автор: Kuniaki Tanaka,Tokihiro Nishihara. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of Separating Nitride Films from the Growth Substrates by Selective Photo-Enhanced Wet Oxidation

Номер патента: US20120264247A1. Автор: Po-Chun Yeh,Lung-Han Peng,Jeng-Wei Yu. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Reducing nitride residue by changing the nitride film surface property

Номер патента: US5858861A. Автор: Fu-Tien Weng,Chih-Hsiung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Method of static trimming of film deposited resistors

Номер патента: US3916142A. Автор: Thomas E Ennis. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-10-28.

Germanium-containing silicon nitride film

Номер патента: US4126880A. Автор: Akira Shintani,Seiichi Isomae,Michiyoshi Maki,Masahiko Ogirima,Yoichi Tamaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-11-21.

Zns nano particle thin film deposited metamaterial antenna for notch frequency application

Номер патента: WO2021064742A1. Автор: Kumaresh Sarmah,Sivaranjan Goswami,Angana Sarma,Kumar Kandarpa SARMA,Sunandan Baruah. Владелец: Sarma Kumar Kandarpa. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for producing silicon nitride film

Номер патента: US20200335322A1. Автор: Akira Nishimura,Takashi Abe,Akinobu Teramoto,Yoshinobu Shiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-10-22.

MATRlX FILM DEPOSITION SYSTEM

Номер патента: US20200243318A1. Автор: Kenta TERASHIMA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for creation of sustainable forest ecosystems on dumps formed during development of coal deposits by open method

Номер патента: RU2731345C1. Автор: Владимир Иванович Уфимцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр угля и углехимии Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ УУХ СО РАН). Дата публикации: 2020-09-01.

Method for electrical monitoring of reservoir-collector characteristics during development of oil deposits using steam pumping

Номер патента: RU2736446C2. Автор: Марат Инкилапович Амерханов,Данис Карлович Нургалиев,Марат Расимович Лябипов,Дамир Ирекович Хасанов,Айрат Наильевич Даутов,Борис Григорьевич Червиков,Константин Игоревич Бредников. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Method for air conditioning and cooling process media of equipment at production of mineral deposits by underground method

Номер патента: RU2605240C1. Автор: Андрей Владиславович Ковалев,Лев Юрьевич Левин,Артем Вячеславович Зайцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Горный институт Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2016-12-20.

Method for developing hydrocarbon deposits by cyclic gas injection

Номер патента: RU2750458C1. Автор: Евгений Иванович Сергеев,Руслан Рамилевич Нигматуллин,Искандер Зинурович Мухаметзянов,Николай Григорьевич Главнов,Азат Альбертович Гимазов,Руслан Фаимович Исхаков,Николай Николаевич Плешанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Газпромнефть Научно-Технический Центр» (ООО «Газпромнефть НТЦ»). Дата публикации: 2021-06-28.

Method of storage deposition by addrying

Номер патента: RU2682747C2. Автор: Евгений Дмитриевич Малафеев. Владелец: Евгений Дмитриевич Малафеев. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for ground-based exploration of oil deposits by means of radio-wave detection of air ion anomalies over oil deposits

Номер патента: RU2705756C1. Автор: Евгений Филиппович Приходько. Владелец: Евгений Филиппович Приходько. Дата публикации: 2019-11-11.

Method for development of oil and gas deposit by maintaining formation pressure at steady-state constant injection mode and equipment for its implementation

Номер патента: RU2735011C1. Автор: Марат Мирсатович Нагуманов,Фаат Тахирович Шамилов,Наиль Вакилевич Гатиятуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Пакер". Дата публикации: 2020-10-27.

Methods of treating nitride films

Номер патента: US9966275B2. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Takashi KURATOMI,Brent Biggs,Mark H. Lee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods and structures for preparing single crystal silicon wafers for use as substrates for epitaxial growth of crack-free gallium nitride FILMS and devices

Номер патента: US9337024B2. Автор: Ananda H. Kumar. Владелец: Siramics Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of forming compressive nitride film and method of manufacturing metal oxide semiconductor

Номер патента: US20070243686A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of development of high-viscosity oil deposit using thermal methods and device for implementation thereof

Номер патента: RU2730504C1. Автор: Айрат Идрисович Каримов,Андрей Владимирович Балякин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-08-25.

Recovery method of high-viscosity oil deposit by steam cyclic effect

Номер патента: RU2624858C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Ильдар Ильясович Гирфанов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2017-07-07.

Method for development of permeable upper jurassic deposits using horizontal wells with multi-stage hydraulic fracturing and maintaining reservoir pressure due to high-pressure air injection

Номер патента: RU2764128C1. Автор: Валерий Борисович Карпов,Виктор Иванович Дарищев,Николай Васильевич Паршин,Варвара Дмитриевна Немова,Константин Анатольевич Бугаев,Дмитрий Александрович Метт,Ольга Владимировна Славкина,Ренат Галеевич Нургалиев,Максим Григорьевич Борисов,Константин Александрович Щеколдин,Евгений Орестович Микитин,Александра Евгеньевна Привознова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Российская инновационная топливно-энергетическая компания" (ООО "РИТЭК"). Дата публикации: 2022-01-13.

Process for producing devices containing silicon nitride films

Номер патента: CA1327338C. Автор: John Aaron Mucha,Chorng-Ping Chang,Daniel Lawrence Flamm,Dale Edward Ibbotson. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1994-03-01.

Method for growing group iii-v nitride film and structure thereof

Номер патента: US20110316001A1. Автор: Wei I LEE,Hsin Hsiung Huang,Kuei Ming Chen,Yen Hsien Yeh. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for developing high-viscosity oil deposits by cyclic steam method

Номер патента: RU2749658C1. Автор: Роберт Рафаэлевич Ахмадуллин,Эльдар Галиакбарович Баймурзин,Ильнар Загфярович Нуруллин. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-06-16.

Nitride films with improved etch selectivity for 3D NAND integration

Номер патента: US12040180B2. Автор: Pramod Subramonium,Nagraj Shankar,Malay Milan SAMANTARAY,Katsunori Yoshizawa,Bart J. VanSchravendijk. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Connected Logistics Receptacle Apparatus, Systems, and Methods having Enhanced Status Indication Functionality Related to a Logistics Operation for a Delivery Item Being Deposited by a Parcel Customer

Номер патента: US20240211862A1. Автор: Ole-Petter Skaaksrud. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Connected logistics receptacle apparatus, systems, and methods having enhanced status indication functionality related to a logistics operation for a delivery item being deposited by a parcel customer

Номер патента: US12093884B2. Автор: Ole-Petter Skaaksrud. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Recovery method of high-viscosity oil deposit by steam cyclic effect

Номер патента: RU2633930C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Азат Тимерьянович Зарипов,Ильдар Ильясович Гирфанов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2017-10-19.

Development method of oil deposits by radial well netting

Номер патента: RU2731973C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Владлен Борисович Подавалов,Айдар Рашитович Якупов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-09-09.

Method of developing oil deposit by horizontal wells

Номер патента: RU2605860C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Илгам Гарифзянович Газизов,Резида Вагизовна Ахметгареева,Халил Хафизович Гафиятуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of monitoring and control over development of oil deposits by in-situ combustion method

Номер патента: RU2693073C1. Автор: Данис Карлович Нургалиев,Диляра Мтыгулловна Кузина,Михаил Алексеевич Варфоломеев,Дамир Ирекович Хасанов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2019-07-01.

Method of removal of cathode deposits by means of bipolar pulses

Номер патента: RU2286233C2. Автор: Мартен БРЮССЕ,Александр ЗАЙЦЕВ,Назих З. ГИМАЕВ,Виктор КУЦЕНКО,Наил А. АМИРХАНОВА,Наиля А. АМИРХАНОВА,Александр Л. БЕЛОГОРСКИЙ,Наталь МАРКЕЛОВА,Наталья Маркелова,Рафаил Р. МУХУТДИНОВ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2006-10-27.

Method for development of oil deposits by system of vertical and horizontal wells

Номер патента: RU2752179C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Владлен Борисович Подавалов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-07-23.

Pharmaceutical composition for improving liver fat deposition by regulating sex hormone secretion and application thereof

Номер патента: LU505610B1. Автор: Xiaoli Mei,Zhe Qiang,Sixing Huang. Владелец: Chongqing Acad Chinese Materia Medica. Дата публикации: 2024-05-24.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2002062593A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2002-08-15.

Connected Logistics Receptacle Apparatus, Systems, and Methods with Enhanced Customer Identification Related to a Delivery Item Being Deposited by a Parcel Customer

Номер патента: US20240211861A1. Автор: Ole-Petter Skaaksrud. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1397260A1. Автор: Ram Sabnis,Douglas J. Guerrero. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Alkali metal oxyanion electrode material having a carbon deposited by pyrolysis and process for making same

Номер патента: US20140272588A1. Автор: Jasmin Dufour,Guoxian Liang,Steeve Rousselot. Владелец: Clariant Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Alkali metal oxyanion electrode material having a carbon deposited by pyrolysis and process for making same

Номер патента: US20160036036A1. Автор: Jasmin Dufour,Guoxian Liang,Steeve Rousselot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-04.

Alkali metal oxyanion electrode material having a carbon deposited by pyrolysis and process for making same

Номер патента: US09755222B2. Автор: Jasmin Dufour,Guoxian Liang,Steeve Rousselot. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of water disposal in development of formation deposits by way of an uprise with internal dumping

Номер патента: RU2722327C1. Автор: Борис Леонидович Тальгамер. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2020-05-29.

Recovery method of high-viscosity oil or bitumen deposit, using hydraulic fractures

Номер патента: RU2626482C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2017-07-28.

Method of a complex system for the search and exploration of hydrocarbon deposits by seismic and electromagnetic methods in the shelf area

Номер патента: RU2657128C2. Автор: Евгений Дмитриевич Лисицын,Василий Климентьевич Паламарчук,Надежда Викторовна Глинская,Оксана Николаевна Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт геологии и минеральных ресурсов Мирового океана имени академика И.С. Грамберга". Дата публикации: 2018-06-08.

Method for searching for gold-ore and gold-bearing deposits by ore and geochemical associations

Номер патента: RU2767159C1. Автор: Николай Андреевич Бакшеев,Алексей Александрович Стамберский. Владелец: Акционерное общество "Сибирский научно-исследовательский институт геологии, геофизики и минерального сырья". Дата публикации: 2022-03-16.

Mine drainage during development of anticlinal coal deposits by combined method

Номер патента: RU2622971C1. Автор: Витаутас Валентинович Сенкус,Василий Витаутасович Сенкус,Валентин Витаутасович Сенкус,Анатолий Юрьевич Ермаков,Елена Михайловна Кудрявцева,Егор Анатольевич Ермаков,Ольга Васильевна Габрашитова,Андрей Владимирович Шумский,Валентина Витальевна Коваленко,Наталья Ивановна Свинко. Владелец: Общество ограниченной ответственности "Сибирский научно-исследовательский институт углеобогащения" ООО "Сибнииуглеобогащение". Дата публикации: 2017-06-21.

Water disposal method in development of bedded deposits by uprising with internal dumping

Номер патента: RU2754754C1. Автор: Борис Леонидович Тальгамер. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Иркутский национальный исследовательский технический университет" (ФГБОУ ВО "ИРНИТУ"). Дата публикации: 2021-09-07.

Method of developing low-permeable oil deposit using separate injection of water and gas

Номер патента: RU2731243C2. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Илгам Гарифзянович Газизов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-08-31.

System for inductive heating oil sands and heavy oil deposits using current conductors

Номер патента: RU2455796C2. Автор: Дирк ДИЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for the detection and exploration of subterranean hydrocarbon deposits by receivers of acoustic waves in a frequency range from 0.2 to 30 hz

Номер патента: CA2508746A1. Автор: Ernst D. Rode,Timur Abu-Gazaleh,Juergen Moritz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-09.

Method and system for real-time monitoring and controlling height of deposit by using image photographing and image processing technology in laser cladding and laser-aided direct metal manufacturing process

Номер патента: CA2467221C. Автор: Jeong-Hun Suh. Владелец: INSSTEK Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Method of searching hydrocarbons deposits by seismic, electrophoric and electrochemical methods

Номер патента: RU2657129C2. Автор: Василий Климентьевич Паламарчук,Михаил Аркадьевич Холмянский,Надежда Викторовна Глинская,Оксана Николаевна Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт геологии и минеральных ресурсов Мирового океана имени академика И.С. Грамберга". Дата публикации: 2018-06-08.

Method for development of multi-face low-permeable oil deposit by electric fracture

Номер патента: RU2733240C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Саттор Сатторович Хакимов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-09-30.

Method for development of dense oil deposit by electric fracture

Номер патента: RU2733239C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Резида Вагизовна Ахметгареева. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-09-30.

System and method of controlling development of deposit using electric submersible pumps as virtual sensors

Номер патента: RU2708303C2. Автор: Самир ВИТТАЛ,Рене ХЕ,Марк Эндрю СПОРЕР,Майкл Франклин Хьюз. Владелец: ДжиИ ОЙЛ ЭНД ГЭС ЭСП, ИНК.. Дата публикации: 2019-12-05.

Buffer Layer for Dielectric Protection in Physical Vapor Deposition Metal Liner Applications

Номер патента: US20240145300A1. Автор: Yu Lei,Wei Lei,Sahil Patel,Xingyao Gao,Shirish A. PETHE. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A3. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2004-02-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A4. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: EP1493061A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Polymeric antireflective coatings deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: WO2003087233A2. Автор: Wu-Sheng Shih,Ram W. Sabnis. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2003-10-23.

Buffer layer for dielectric protection in physical vapor deposition metal liner applications

Номер патента: WO2024097016A1. Автор: Yu Lei,Wei Lei,Sahil Patel,Xingyao Gao,Shirish A. PETHE. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Organic polymeric antireflective coatings deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: CA2400157A1. Автор: Ram W. Sabnis,Terry Brewer,Douglas Guerrero,Mary J. Spencer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Power-delivery mechanism and apparatus of plasma-enhanced chemical vapor deposition using the same

Номер патента: US20080295771A1. Автор: Kuan-Chou Chen,Fu-Ching Tung,Yuan-Yuan Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US7803703B2. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Method of producing photoluminescence of individual color centers in vapor-deposited diamond

Номер патента: RU2655026C1. Автор: Владимир Алексеевич Кукушкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2018-05-23.

Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers

Номер патента: US5278100A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1994-01-11.

Conformal coating of lithium anode via vapor deposition for rechargeable lithium ion batteries

Номер патента: US10608249B2. Автор: Fang Liu,Yunfeng Lu,Mei Cai,Qiangfeng Xiao,Duo Xu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-31.

Process for the production of carbon fibres which are vapor-deposited from methane

Номер патента: US4770867A. Автор: Michel Coulon,Jacques Maire,Najib Kandani,Lucien Bonnetain. Владелец: Carbone Lorraine SA. Дата публикации: 1988-09-13.

Plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) silicon nitride barrier layer for high density plasma chemical vapor deposited (HDP-CVD) dielectric layer

Номер патента: US6127238A. Автор: Wei Lu,Yih-Shung Lin,Jia Zhen Zheng,Marvin De-Dui Liao,Kho Liep Chok. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

Method of depositing copper using physical vapor deposition

Номер патента: US9728414B2. Автор: Wen Yu,Stephen B. Robie,Jeremias D. Romero. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of carrying out plasma-enhanced chemical vapor deposition

Номер патента: US6432493B1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Carbon bearings via vapor deposition

Номер патента: US4005163A. Автор: Jack C. Bokros. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 1977-01-25.

Visualization and enhancement of latent fingerprints using low pressure dye vapor deposition

Номер патента: US8507028B2. Автор: Calvin Thomas Knaggs. Владелец: Linde North America Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Nanoscale gold catalysts, activating agents, support media, and related methodologies useful for making such catalyst systems especially when the gold is deposited onto the support media using physical vapor deposition

Номер патента: CA2540036C. Автор: Thomas E. Wood,Allen R. Siedle,Marvin E. Jones,Craig S. Chamberlain,Larry A. Brey,Gina M. Buccellato. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2013-10-22.

Methods for sidewall protection of metal interconnect for unlanded vias using physical vapor deposition

Номер патента: US6960529B1. Автор: Jagdish Prasad,Mark M. Nelson,Brett N. Williams. Владелец: AMI Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-01.

Selective chemical vapor deposition of tungsten for microdynamic structures

Номер патента: US5149673A. Автор: Liang-Yuh Chen,Noel C. MacDonald,Zuoying L. Zhang. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-09-22.

Chemical vapor deposition process

Номер патента: US20020058413A1. Автор: Anand Srinivasan,Raj Narasimhan,Sujit Sharon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Photoresist pattern formation through etching where the imaging exposure changes in a given direction in the desired pattern and inclined vapor deposition is utilized to deposit a film

Номер патента: US5366849A. Автор: Yoshikazu Nakagawa,Masayuki Sonobe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-11-22.

Vapor deposition of photoconductive selenium onto a metallic substrate having a molten metal coating as bonding layer

Номер патента: US4094675A. Автор: Hans-Hermann Beschoner,Gottfried Guder,Hartmut Dulken,Karl-Heinz Kassel. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1978-06-13.

Chemically vapor deposited saw guides

Номер патента: US5415069A. Автор: Jerry Collins,John Hoover,Al Latham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Plasma-enhanced chemical vapor deposition of advanced lubricant for thin film storage medium

Номер патента: US20090263592A1. Автор: Lei Li,Michael Joseph Stirniman,Jing Gui,Jianwei Liu,Yiao-Tee Hsia. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2009-10-22.

Thermal ink jet with chemical vapor deposited nozzle plate

Номер патента: CA2506728C. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Catheter with vapor deposited features on tip

Номер патента: US11918751B2. Автор: Shubhayu Basu,Dustin R. Tobey,Cesar FUENTES-ORTEGA,Pieter E. VAN NIEKERK. Владелец: Biosense Webster Israel Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of producing titanium nitride powder

Номер патента: RU2488549C1. Автор: Александр Александрович Громов,Александр Андреевич Дитц,Юлия Игоревна Паутова,Екатерина Владимировна Чаплина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2013-07-27.

Method and apparatus for applying titanium nitride-based coatings

Номер патента: RU2566246C2. Автор: Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Александр Анатольевич Чеботаев,Павел Константинович Кондратенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of forming self-incandescent hollow cathode from titanium nitride for nitrogen plasma generating system

Номер патента: RU2513119C2. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Андрей Игоревич Меньшаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2014-04-20.

Composition for removal coating out of titanium nitride off surface of items out of titanium alloys

Номер патента: RU2396372C1. Автор: Андрей Александрович Быбин,Евгений Владимирович Парфенов,Павел Валерьевич Тарасов,Римма Рахимзяновна Невьянцева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2010-08-10.

Titanium and titanium nitride proofing etching solution

Номер патента: RU2350688C2. Автор: Александр Захарович Шарыпов,Елена Юрьевна Субочева,вленский Анатолий Викторович Бого,Анатолий Викторович Богоявленский. Владелец: Открытое акционерное общество "Пермский моторный завод". Дата публикации: 2009-03-27.

Method of producing titanium nitride nanopowders

Номер патента: RU2434716C2. Автор: Эдуард Константинович Добринский,Станислав Иванович Малашин,Алексей Николаевич Ермаков,Юрий Галиулович Зайнулин,Игорь Георгиевич Григоров,Ольга Николаевна Ермакова,Ирина Викторовна Мишарина. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт химии твердого тела Уральского Отделения РАН. Дата публикации: 2011-11-27.

Method of plasma-electrolytic removal of coatings from titanium nitrides or those of compounds of titanium with metals

Номер патента: RU2467098C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Дамир Рамилевич Таминдаров,Константин Сергеевич Селиванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие Вакууммаш". Дата публикации: 2012-11-20.

Removal method of coatings from titanium nitride from surface of parts from titanium alloys

Номер патента: RU2471017C1. Автор: Андрей Александрович Быбин,Евгений Владимирович Парфенов,Павел Валерьевич Тарасов,Римма Рахимзяновна Невьянцева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2012-12-27.

Method for removal of titanium nitride film from surface of stainless steel products

Номер патента: RU2039851C1. Автор: В.Г. Шкуро,В.Н. Михайлов,В.С. Данилов,О.В. Антропова. Владелец: Чебоксарское производственное объединение "Химпром". Дата публикации: 1995-07-20.

Method of applying titanium and titanium nitride protective-decorative coating in vacuum on surface of materials and items

Номер патента: RU2334826C2. Автор: Виктор Николаевич Лавро,Владислав Иванович Зынь,Наталь Генриховна Чумаченко,Наталья Генриховна Чумаченко,Екатерина Викторовна Бондарева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный архитектурно-строительный университет" (СГАСУ). Дата публикации: 2008-09-27.

Method of forming microstructured layer of titanium nitride

Номер патента: RU2522919C1. Автор: Дмитрий Андреевич Кочуев,Дмитрий Владимирович Абрамов,Кирилл Сергеевич Хорьков,Валерий Григорьевич Прокошев,Степан Андреевич Маков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Владимирский государственный университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Titanium nitride coating manufacturing method

Номер патента: RU2506344C1. Автор: Андрей Николаевич Журавлев,Владимир Васильевич Калашников,Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Ирина Геннадьевна Куликова,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Георгий Владимирович Бичуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-02-10.

Method of preparing titanium nitride

Номер патента: RU2089489C1. Автор: С.В. Александровский. Владелец: Санкт-Петербургский государственный горный институт им.Г.В.Плеханова (технический университет). Дата публикации: 1997-09-10.

Method of applying decorative titanium nitride coating for ceramic, metallic, glass, and polymeric articles

Номер патента: RU2266351C1. Автор: А.В. Шлемин,Е.П. Шамаев,А.П. Гридасов,А.В. Шлемин (RU),Е.П. Шамаев (RU),А.П. Гридасов (RU). Владелец: Калининградский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-12-20.

Solution for removing coating of titanium nitride

Номер патента: RU2087591C1. Автор: О.В. Остапов,И.И. Хазанская. Владелец: Государственный тульский машиностроительный завод "Штамп". Дата публикации: 1997-08-20.

Zinc oxide films deposition method

Номер патента: RU2316613C1. Автор: Александр Николаевич Захаров,Сергей Викторович Работкин,Виктор Георгиевич Подковыров,Николай Семенович Сочугов. Владелец: Институт сильноточной электроники СО РАН. Дата публикации: 2008-02-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Thin film deposition method

Номер патента: CA2264371C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Masatsugu Izu,Wataru Hasegawa,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2003-06-03.

Method and device of iii group metal nitride film cultivation and iii group metal nitride film

Номер патента: RU2391444C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Патрик По-Тсан ЧЭНЬ,ХАВЕ Джон Лео Пол ТЕН,Дэвид Ян ДЖОНСОН,Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР (AU),Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР (AU),Патрик По-Тсан ЧЭНЬ (AU),ХАВЕ Джон Лео Пол ТЕН (AU),Дэвид Ян ДЖОНСОН (AU). Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-06-10.

METHOD OF MAKING NITRIDE FILM ON SURFACE OF GaSb BASED HETEROSTRUCTURE

Номер патента: RU2370854C1. Автор: Владимир Петрович Улин,Юрий Павлович Яковлев,Игорь Анатольевич Андреев,Екатерина Вадимовна Куницына,Владимир Леонидович Берковиц,Татьяна Викторовна Львова. Владелец: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of growing gallium nitride film

Номер патента: RU2578870C2. Автор: Наталия Владимировна Садовская,Юрий Яковлевич Томашпольский,Владимир Михайлович Матюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Ордена Трудового Красного Знамени Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (ОАО "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"). Дата публикации: 2016-03-27.

Method for vapour-phase determination of weight concentration of carbon tetrachloride, methylene chloride, chloroform, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane in bottom deposits by gas chromatography

Номер патента: RU2581745C1. Автор: Людмила Анатольевна Соболевская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-20.

Method and device for development of heavy oil or bitumen deposit by using two-head horizontal wells

Номер патента: RU2410534C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,Владимир Михайлович Валовский,Марат Инкилапович Амерханов,Марат Фагимович Асадуллин,Эдуард Петрович Васильев. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-01-27.

Method to develop gas hydrate deposits using focused acoustic impact on the layer

Номер патента: RU2586343C2. Автор: Иван Александрович Федоров. Владелец: Иван Александрович Федоров. Дата публикации: 2016-06-10.

Development method of oil deposit by water-flooding

Номер патента: RU2494237C1. Автор: Рустам Хамисович Халимов,Раис Салихович Хисамов,Изида Зангировна Чупикова,Любовь Ивановна Торикова,Гайса Лёмиевич Мусаев,Мария Григорьевна Лобанова. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-09-27.

Method for physical reconnaissance of mineral deposits using flying vehicles

Номер патента: RU2145104C1. Автор: Р.П. Ковалев. Владелец: Ковалев Роберт Петрович. Дата публикации: 2000-01-27.

Method of electric slag depositing by welding

Номер патента: RU2076031C1. Автор: К.З. Дзарахохов,Е.П. Сергеев,А.И. Трайно,В.К. Рябинкова,В.Я. Тишков,Ю.В. Луканин,В.И. Губанов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Северсталь". Дата публикации: 1997-03-27.

Method of mining of tubular kimberlite deposits by powered mining complex

Номер патента: RU2153073C2. Автор: В.Ю. Изаксон,В.Н. Власов,И.Н. Власов,Н.П. Крамсков,В.И. Клишин,М.В. Курленя,М.Д. Новопашин. Владелец: Институт горного дела Севера СО РАН. Дата публикации: 2000-07-20.

Development of low-permeability oil deposits by horizontal wells under natural conditions

Номер патента: RU2528757C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Рустэм Гусманович Ханнанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-09-20.

Development method of oil deposits by means of well interconnected through productive formation

Номер патента: RU2485297C1. Автор: Владимир Борисович Оснос,Равиль Рустамович Ибатуллин,Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Раис Салихович Хисамов,Нигаматьян Хамитович Хамитьянов,Надежда Васильевна Музалевская,Шафагат Фахразович Тахаутдинов,Ильшат Мухаметович Бакиров,Ильяс Ахматгалиевич Нуриев,Габдрашит Султанович Абдрахманов,Айдар Ильшатович Бакиров,Валерий Асхатович Иктисанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-06-20.

Development method of high-viscosity oil deposit using in-situ combustion

Номер патента: RU2494242C1. Автор: Ильшат Мухаметович Бакиров,Георгий Владимирович Александров,Лилия Рафагатовна Оснос,Айрат Ильшатович Бакиров,Рамиль Хабутдинович Низаев,Сергей Николаевич Судыкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-09-27.

Photoactivated composition for etching silicon nitride films

Номер патента: RU2507219C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович,Екатерина Юрьевна Ванифатьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-02-20.

Method of and device for preparation of article for deposition by spraying

Номер патента: RU2237525C1. Автор: В.Н. Коренев,С.А. Зайцев,В.Н. Хромов,К.В. Кулаков,В.В. Барабаш. Владелец: Орловский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2004-10-10.

Base for glass mass depositing by welding

Номер патента: RU2069646C1. Автор: В.И. Гусев,В.К. Иванец,А.С. Сергеев,С.М. Щербаков,Н.И. Вайлер,Б.Н. Курепин. Владелец: Акционерное научно-проектное внедренческое общество "НГС-оргпроектэкономика". Дата публикации: 1996-11-27.

Method of development of oil deposit by deposit hydraulic fracturing

Номер патента: RU2548264C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Илгам Гарифзянович Газизов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д.Шашина. Дата публикации: 2015-04-20.

Development of oil deposit by heat and water-gas impacts in vertical, horizontal and multihole wells system

Номер патента: RU2524580C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Марс Талгатович Ханнанов,Альфат Салимович Султанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-07-27.

Method and device for development of heavy oil or bitumen deposit using two-head horizontal wells

Номер патента: RU2474680C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Марат Инкилапович Амерханов,Антон Николаевич Береговой,Эдуард Петрович Васильев,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-02-10.

Development method of ultra-thick deposits using block and chamber system

Номер патента: RU2560734C1. Автор: Вячеслав Васильевич Сергеев,Георгий Валикоевич Пухаев,Дмитрий Валерьевич Павлиди,Михаил Валерьянович Джусоев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ ГТУ). Дата публикации: 2015-08-20.

Development of oil deposits by wells communicated via productive formation

Номер патента: RU2565615C1. Автор: Владимир Борисович Оснос,Фарит Фоатович Ахмадишин,Раис Салихович Хисамов,Нигаматьян Хамитович Хамитьянов,Надежда Васильевна Музалевская,Ильшат Мухаметович Бакиров,Айдар Ильшатович Бакиров,Наиль Назымович Вильданов,Денис Владимирович Максимов,Габдрашит Султанович Абрахманов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-10-20.

Development of oil deposit by multihole horizontal wells

Номер патента: RU2536895C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Игорь Владимирович Волков,Ильгам Гарифзянович Газизов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-12-27.

Method for development of low-permeable oil deposits using horizontal wells with transversal cracks in hydraulic fracturing

Номер патента: RU2515628C1. Автор: Виталий Анварович Байков,Константин Витальевич Торопов,Александр Валерьевич Колонских,Олег Владимирович Евсеев,Раиль Рамилевич Галеев,Михаил Анатольевич Степанов,Сергей Валерьевич Валеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2014-05-20.

Development of oil deposits by horizontal wells

Номер патента: RU2507385C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Равиль Рустамович Ибатуллин,Вячеслав Гайнанович Салимов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for development of oil deposit using injection of carbon dioxide

Номер патента: RU2704660C1. Автор: Рифхат Зиннурович Сахабутдинов,Ильдар Ильясович Гирфанов,Олег Сергеевич Сотников. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2019-10-30.

Method for extracting ore deposits by sub-level collapsing

Номер патента: RU2301335C1. Автор: Анатолий Маркович Фрейдин,Сергей Алексеевич Неверов,Александр Алексеевич Неверов. Владелец: Институт горного дела Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for extracting oil deposit using horizontal wells

Номер патента: RU2287674C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Рашад Хасанович Фаткуллин,Изиль Галимзянович Юсупов,Изиль Галимз нович Юсупов,Рафаэль Гасимович Загидуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2006-11-20.

Development method of oil-gas deposit using hydraulic fracturing of formation

Номер патента: RU2496001C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Равиль Рустамович Ибатуллин,Вячеслав Гайнанович Салимов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-10-20.

Method of developing thick ore deposits by underground mining with interchamber pillars support

Номер патента: RU2405109C1. Автор: Эмиль Иосифович Богуславский,Павел Вячеславович Коржавых,Игорь Эмилевич Богуславский,Александр Борисович Андреев,Иван Александрович Волик. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный институт имени Г.В. Плеханова (технический университет)". Дата публикации: 2010-11-27.

Development of inhomogeneous deposit by inclined and horizontal wells

Номер патента: RU2524800C1. Автор: Равиль Рустамович Ибатуллин,Шафагат Фахразович Тахаутдинов,Ильшат Мухаметович Бакиров,Зарина Салаватовна Идиятуллина. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-08-10.

Method for open mining of mineral deposits by application of mill holes and cyclical and continuous method (ccm)

Номер патента: RU2495244C2. Автор: Георгий Михайлович Ерёмин. Владелец: Георгий Михайлович Ерёмин. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for extraction of gas-hydrate deposits by drilling

Номер патента: RU2247827C2. Автор: А.А. Захаров,В.Ф. Буслаев,А.В. Нор,В.М. Юдин,Е.В. Нор. Владелец: Ухтинский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-03-10.

Development method of high-viscosity oil deposit using method of thermal steam action on formation

Номер патента: RU2459940C1. Автор: Марат Инкилапович Амерханов,Ильшат Мухаметович Бакиров,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-08-27.

Dispersed gel-forming composition for development of oil deposits by waterflooding

Номер патента: RU2211316C1. Автор: О.И. Ломовский,Е.И. Фадеев. Владелец: Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН. Дата публикации: 2003-08-27.

Method of searching for mineral deposits using submarine geophysical vessel

Номер патента: RU2480793C2. Автор: Сергей Алексеевич Бахарев. Владелец: Сергей Алексеевич Бахарев. Дата публикации: 2013-04-27.

Development method of high-viscosity oil deposit using wells with inclined sections

Номер патента: RU2468194C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Фарид Баширович Сулейманов,Илфат Нагимович Файзуллин,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Роберт Рафаэлович Ахмадуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-11-27.

Development method of high-viscosity oil deposit using method of steam gravitational action on formation

Номер патента: RU2444617C1. Автор: Равиль Рустамович Ибатуллин,Марат Инкилапович Амерханов,Ильшат Мухаметович Бакиров,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-03-10.

Development method of mineral deposits by drilling of large-diameter core

Номер патента: RU2461712C2. Автор: Сергей Александрович Ермаков,Лазарь Николаевич Федоров,Александр Михайлович Бураков,Сергей Викторович Панишев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт горного дела Севера им. Н.В. Черского Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-09-20.

Development method of massive oil deposit using hydraulic fracturing of formation

Номер патента: RU2560022C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов,Равиль Рустамович Ибатуллин,Вячеслав Гайнанович Салимов,Арслан Валерьевич Насыбуллин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-08-20.

Development method of stratified deposits using chamber system

Номер патента: RU2479720C1. Автор: Олег Андреевич Носов,Александр Аркадьевич Романовский,Никита Сергеевич Кошурников,Михаил Владимирович Скопинов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский Научно-Исследовательский И Проектный Институт Галургии" (Оао "Галургия"). Дата публикации: 2013-04-20.

Procedure for development of high viscous and heavy oil deposit by thermal treatment

Номер патента: RU2435948C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,Илфат Нагимович Файзуллин,Марат Инкилапович Амерханов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-12-10.

Development of oil deposit by multihole horizontal wells

Номер патента: RU2536891C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Вадим Валерьевич Ахметгареев,Игорь Владимирович Волков,Ильгам Гарифзянович Газизов,Виталий Владимирович Емельянов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-12-27.

Method for open excavation of mineral deposits using crushing link and high-angle conveyors (hac)

Номер патента: RU2501951C2. Автор: Георгий Михайлович Ерёмин. Владелец: Георгий Михайлович Ерёмин. Дата публикации: 2013-12-20.

Development method of oil deposits using formation hydraulic fracturing

Номер патента: RU2496976C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Равиль Рустамович Ибатуллин,Вячеслав Гайнанович Салимов,Арслан Валерьевич Насыбуллин,Олег Геннадьевич Антонов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-10-27.

Method of hot well development of high-viscosity oil deposit by single-bed system

Номер патента: RU2529039C1. Автор: Геннадий Федорович Чикишев,Игорь Витальевич Герасимов,Юрий Петрович Коноплев,Валентина Васильевна Кучумова,Евгений Валерьевич Кольцов,Владимир Энгельсович Гуляев,Александр Геннадьевич Чикишев,Иван Николаевич Ямсков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-Коми" ООО "ЛУКОЙЛ-Коми". Дата публикации: 2014-09-27.

Development of oil deposits by wells communicated via productive stratum

Номер патента: RU2524736C1. Автор: Владимир Борисович Оснос,Равиль Рустамович Ибатуллин,Фарит Фоатович Ахмадишин,Нигаматьян Хамитович Хамитьянов,Надежда Васильевна Музалевская,Ильшат Мухаметович Бакиров,Габдрашит Султанович Абдрахманов,Айдар Ильшатович Бакиров,Виталий Петрович Филиппов,Наиль Назымович Вильданов,Денис Владимирович Максимов,Валерий Асхатович Иктисанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-08-10.

Method for open development of mineral deposits using excavator-crane line

Номер патента: RU2598609C1. Автор: Виктор Евгеньевич Кисляков,Равиль Зиннурович Нафиков,Хорагай Уран-ооловна Севик. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2016-09-27.

Protected vapor-deposited metal layers

Номер патента: CA1197417A. Автор: Edward J. Downing,Richard S. Fisch. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1985-12-03.

Chemical vapor deposition of metal compound coatings utilizing metal sub-halide

Номер патента: CA1224091A. Автор: M. Javid Hakim. Владелец: Liburdi Engineering Ltd. Дата публикации: 1987-07-14.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.