Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190115260A1
Опубликовано: 18-04-2019
Автор(ы): Hsiao Shih-Yin, LIU Kuan-Liang, Yang Ching-Chung
Принадлежит: UNITED MICROELECTRONICS CORP.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Transistor structure

Номер патента: US11721587B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Transistor structure

Номер патента: US12087635B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Transistor structure

Номер патента: US20190115260A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Transistor structure

Номер патента: US20210335669A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Transistor structure

Номер патента: US10796964B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Transistor structure

Номер патента: US10373872B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Transistor structure

Номер патента: US20230326801A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistor structure

Номер патента: US11088027B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190287860A1. Автор: LIU Kuan-Liang,Hsiao Shih-Yin,Yang Ching-Chung. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2019-09-19.

Transistor structure

Номер патента: US20230170421A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor transistor structure

Номер патента: US20240258406A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A3. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A2. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11955536B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399459A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Fabrication of thin film fin transistor structure

Номер патента: US12080781B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Elliot N. Tan,Sarah ATANASOV,Jason Peck,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US12125910B2. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US20220393028A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10475932B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: Untied Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190131456A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: EP4210110A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Coaxial transistor structure

Номер патента: US20110303986A1. Автор: Chun-Chu Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Coaxial transistor structure

Номер патента: US8395223B2. Автор: Chun-Chu Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-12.

Coaxial Transistor Structure

Номер патента: US20090108307A1. Автор: Chun-Chu Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Coaxial transistor structure

Номер патента: US8030714B2. Автор: Chun-Chu Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-04.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US11843058B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US20240105854A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer

Номер патента: US20220052200A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Bonding and Isolation Techniques for Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20240282814A1. Автор: Ku-Feng Yang,Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen,Kuan-Kan HU,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Bonding and isolation techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US12132079B2. Автор: Ku-Feng Yang,Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen,Kuan-Kan HU,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi-Gate Transistor Structure

Номер патента: US20220093767A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH INDIUM PHOSPHIDE CHANNEL

Номер патента: US20200098757A1. Автор: Ghani Tahir,Murthy Anand,Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Metz Matthew,HUANG CHENG-YING,MINUTILLO Nicholas. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-03-26.

Manufacturing method for n-polar gan transistor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230402525A1. Автор: Xiaoming Ge,Zhitao Chen,Xuebing Yin,Chengguo Li,Qiaoyu ZENG. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit transistor structure with high germanium concentration SiGe stressor

Номер патента: US09660082B2. Автор: Chih-Hao Chang,Chien-Hsun Wang,Chih Chieh Yeh,Jeff J. Xu,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

3d-transistor structure with precise geometries

Номер патента: US20240128357A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Transistor structure having interconnect to side of diffusion and related method

Номер патента: US20060094182A1. Автор: Richard Williams,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Programmable read only memory (ROM) integrated in tight pitch vertical transistor structures

Номер патента: US9893207B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Have the production method and complementary fin transistor structure of stretching stress fin structure

Номер патента: CN109273440A. Автор: 李志成,谢宗翰,杨皓翔,李凯霖,陈威任,黄泓文,陈纪孝,康庭绚,何仁愉,石安石. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-25.

Integrated transistor structure having a power transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US09564425B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335609A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US09425304B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

High voltage transistor structure and method

Номер патента: US09799766B2. Автор: Po-Yu Chen,Kuo-Ming Wu,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Ggnmos transistor structure, and esd protection component and circuit

Номер патента: EP4333077A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Transistor structure with multi-layer field plate and related method

Номер патента: US20230307508A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US9716166B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11881395B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768168B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication of nanowire field effect transistor structures

Номер патента: US09576856B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200335499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722079B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190109235A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170358678A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019240A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170175A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190326283A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-10-24.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200335499A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-22.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertically Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20230187539A1. Автор: Hans Mertens,Steven Demuynck,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-15.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Field-effect transistor structure including passive component or bipolar junction transistor with back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: EP4333061A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Field-effect transistor structure including passive device and back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20230163202A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Tall single-fin fin-type field effect transistor structures and methods

Номер патента: US09929157B1. Автор: Andreas Knorr,Nigel Graeme Cave,Ruilong Xie,Murat Kerem Akarvardar,Lars Liebmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

METHOD FOR MANUFACTURING FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20220093599A1. Автор: Weng Wenyin. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Self-aligned stacked ge/si cmos transistor structure

Номер патента: EP3675157A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Kimin Jun,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak,Brennen Mueller. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-01.

Arrays of double-sided dram cells including capacitors on the frontside and backside of a stacked transistor structure

Номер патента: US12120865B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing trench transistor structure

Номер патента: US20210091067A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09917200B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09608063B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Trench transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200135713A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor structure having an air spacer and method for making the same

Номер патента: US20230290855A1. Автор: Liang Li,Chun Yu Wong,John H Zhang,Heng Yang,Sunil K Singh. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11973120B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Transistor structures having a doping layer on transition metal dichalcogenide layers outside of the channel region

Номер патента: US20240222482A1. Автор: Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Scott Clendenning,Ande KITAMURA,Rachel Steinhardt,Mahmut Sami KAVRIK. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Self-aligned schottky-barrier clamped planar DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20060131619A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Transistor structure with reduced parasitic side wall characteristics

Номер патента: US09577039B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027584B2. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Transistor structure with gate over well boundary and related methods to form same

Номер патента: US11942325B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Transistor structure having N-type and P-type elongated regions intersecting under common gate

Номер патента: US09865603B2. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Transistor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4170701A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Transistor structure with reduced parasitic "side wall" characteristics

Номер патента: US20170117370A1. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Bipolar field effect transistor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20140097472A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure, field effect transistor structure and method of forming mos device, method of producing semiconductor device

Номер патента: TWI341588B. Автор: Hu Chenming,Wen Chin Lee,Chung Hu Ge. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-01.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326969A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20220069119A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11201237B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20200105924A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11955544B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240105830A1. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structures including a non-planar body having variable and complementary semiconductor and insulator portions

Номер патента: US20200312841A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nishant Gupta,Aravind S. Killampalli,Prashant Wadhwa,Byungki Jung,Kaiwen Hsu,Supanee Sukrittanon,Caleb Barrett,Jay P. Gupta,Justin Railsback. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for forming transistor structure

Номер патента: US20230027913A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Vertical transistor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20130161715A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Low Power Semiconductor Transistor Structure and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20170012044A1. Автор: Shifren Lucian,Thompson Scott E.,Zhang Weimin,Ranade Pushkar,Sonkusale Sachin R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

FIN TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210104554A1. Автор: CHU Chung-Liang,Lin Yu-Hsiang,Tsai Zen-Jay,Huang Sheng-Yao,Chen Yu-Ruei. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2021-04-08.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190131456A1. Автор: TUNG Yu-Cheng,Wu Shao-Hui. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2019-05-02.

SELF-ALIGNED STACKED GE/SI CMOS TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200212038A1. Автор: Rachmady Willy,Jun Kimin,Yoo Hui Jae,Mueller Brennen,Dewey Gilbert,MORROW Patrick,LILAK Aaron,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170250281A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Shiu-Ko Jangjian,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Single-transistor structure, multi-transistor structure, and electronic apparatus

Номер патента: US20240213323A1. Автор: Mingzhi Dai. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Transistor structure and method with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US20150084108A1. Автор: Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Series-connected transistor structure

Номер патента: US09620500B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Tien-Wei Chiang,Chien-Chih Lee,Chin-Chi Wang,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

FINFET transistor structure and method for making the same

Номер патента: US09385193B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Sheng-Huei Dai,Rai-Min Huang,Chen-Hua Tsai,Xiao Zhong Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US11894303B2. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20200286831A1. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: EP4156294A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Gap fill dielectrics for electrical isolation of transistor structures in the manufacture of integrated circuits

Номер патента: US12087614B2. Автор: Minyoung Lee,Michael Makowski,Christopher Parker,Sudipto NASKAR,Ryan Pearce,Nita Chandrasekhar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Double-sided integrated circuit transistor structures with depopulated bottom channel regions

Номер патента: EP3926668A1. Автор: PENG Zheng,Tahir Ghani,Mauro Kobrinsky,Aaron Lilak,Harold Kennel,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Enhancement - depletion field effect transistor structure and method of manufacture

Номер патента: EP1794796A2. Автор: Hassan Maher,Pierre M. M. Baudet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-06-13.

Transistor structure

Номер патента: US10573737B1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Fabricating method of transistor structure

Номер патента: US10825925B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11990507B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: EP3968375A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Transistor structure and memory structure

Номер патента: US20220399339A1. Автор: Chiu-Tsung Huang,Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US11855218B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20240030347A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Transistor structure

Номер патента: US20230387309A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and transistor structure

Номер патента: US20240014319A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Field-effect transistor structure having low gate resistance, and preparation method

Номер патента: EP3843160A1. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Transistor structure with a monolayer edge contact

Номер патента: EP4156295A1. Автор: Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Scott Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230402457A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Solid power semiconductor field effect transistor structure

Номер патента: US20200266273A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhao,Wai Yee LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-20.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899526B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Chih-Hsiang Chu,Chung-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Transistor structure with field plate for reducing area thereof

Номер патента: US20170345902A1. Автор: Shui-Ming Cheng,Yu-Chang Jong,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Electrostatic discharge protection transistor structure

Номер патента: TW483145B. Автор: Jun Cai,Keng Foo Lo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-04-11.

TRANSISTOR STRUCTURES WITH A METAL OXIDE CONTACT BUFFER

Номер патента: US20220052200A1. Автор: Ghani Tahir,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,SUNG Seung Hoon,HARATIPOUR Nazila,SHIVARAMAN Shriram,Sharma Abhishek,LE VAN,WEBER Justin,Sen Gupta Arnab. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-02-17.

Stacked complementary transistor structure for three-dimensional integration

Номер патента: GB2628503A. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuits including LDMOS transistor structures and methods for fabricating LDMOS transistor structures

Номер патента: US09793394B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Ggnmos transistor structure, esd protection device and circuit

Номер патента: US20240282765A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Power rail between fins of a transistor structure

Номер патента: EP4123690A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US11038066B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Ldmos transistor structures and integrated circuits including ldmos transistor structures

Номер патента: US20180053842A1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

Transistor structure with overlying gate on polysilicon gate structure and related method

Номер патента: US20210091200A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for manufacturing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20240128372A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Transistor structure having improved electrode conductance and method for manufacturing the same

Номер патента: US12021150B2. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Transistor structure having improved electrode conductance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230361216A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Multi-Finger Transistor Structure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230163184A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma,Rudy Octavius Sihombing,Shyam Parthasarathy,Jinyu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20190386150A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20200220027A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of forming transistor structure and transistor structure

Номер патента: KR100638546B1. Автор: 성 텅 수. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-10-27.

Oxidation method for altering a film structure and cmos transistor structure formed therewith

Номер патента: US20050093081A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Michael Belyansky,Bruce Doris,Diane Boyd. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Preparation method of N-polarity GaN transistor structure and semiconductor structure

Номер патента: CN113471284A. Автор: 陈志涛,葛晓明,李成果,曾巧玉,尹雪兵. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2021-10-01.

Isolation walls for vertically stacked transistor structures

Номер патента: US20190393214A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Transistor structure and related inverter

Номер патента: US12074205B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Thin film transistor structure, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210057549A1. Автор: En-Tsung Cho,Qionghua Mo. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Transistor structure with multiple halo implants having epitaxial layer over semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Transistor structure, manufacturing method of transistor structure, and light emitting apparatus

Номер патента: US8633487B2. Автор: Kazuto Yamamoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Lateral bipolar transistor structure with marker layer for emitter and collector

Номер патента: US11799021B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11972983B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20230052056A1. Автор: Xiang Li,XIN ZHAO,Shan Liu,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Igzo transistor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150171225A1. Автор: Longqiang Shi,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780C. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1996-07-30.

LDMOS Transistor Structure and Method of Manufacture

Номер патента: US20180277501A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: James D. Beasom. Дата публикации: 1991-07-09.

Fin transistor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240055504A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-floating vertical transistor structure

Номер патента: US09466713B2. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240304672A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of forming transistor structures including forming channel material after formation processes to prevent damage to the channel material

Номер патента: US09570588B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Transistor structure, method for manufacturing a transistor structure, force-measuring system

Номер патента: US20130153970A1. Автор: Karl Haberger,Ignaz Eisele,Martin Heigl. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2013-06-20.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Dense vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20190214392A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US11749747B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Transistor structure

Номер патента: US09954099B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Transistor structure

Номер патента: US09741826B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Body contact soi transistor structure and method of making

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Dongping Wu,Shili Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

Thin film transistor structure

Номер патента: US20240014277A1. Автор: Lih-Hsiung Chan,Ming-Kai Chuang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US20230223463A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Efficient transistor structure

Номер патента: US20070037353A1. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Method for forming high germanium concentration SiGe stressor and integrated circuit transistor structure

Номер патента: TW201118959A. Автор: Chih-Hao Chang,Chien-Hsun Wang,Chih-Chieh Yeh,Chih-Hsiang Chang,Jeff J Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-06-01.

Efficient transistor structure

Номер патента: US20070034904A1. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Isolation layers for stacked transistor structures

Номер патента: US20230378257A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for manufacturing isolation layers in stacked transistor structures

Номер патента: US11798985B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Transistor structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US20230269933A1. Автор: Jaepil Lee,Minhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Dense vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20190287978A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Transistor structure

Номер патента: US20180114858A1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

VERTICAL TRANSPORT FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH SELF-ALIGNED TOP JUNCTION THROUGH EARLY TOP SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20200152791A1. Автор: ANDERSON Brent A.,Wang Junli,Jagannathan Hemanth,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

DENSE VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190214392A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

DENSE VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190287978A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Li Juntao,Bi Zhenxing. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

TRANSISTOR STRUCTURES INCLUDING A NON-PLANAR BODY HAVING VARIABLE AND COMPLEMENTARY SEMICONDUCTOR AND INSULATOR PORTIONS

Номер патента: US20200312841A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Gupta Nishant,HUANG CHENG-YING,Killampalli Aravind S.,BARRETT Caleb,GUPTA Jay P.,HSU Kaiwen,JUNG Byungki,RAILSBACK Justin,SUKRITTANON Supanee,WADHWA Prashant. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Transistor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240079497A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: EP4418328A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240282861A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: US20230072229A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Thin-film transistor structure and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20190267409A1. Автор: WEI YANG,YU Wen,Ke Wang,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for forming a dual transistor structure

Номер патента: US5413948A. Автор: James R. Pfiester,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-09.

Thin film transistor structure for a field emission display and the method for making the same

Номер патента: US6958492B2. Автор: Cheng-Chung Chen,Chun-Yao Huang,Chen-Ming Chen,Huai-Yuan Tseng,Yu-Wu Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-10-25.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US8872173B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US20130320329A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Transistor gate forming methods and transistor structures

Номер патента: US7867845B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Top-drain trench based resurf DMOS transistor structure

Номер патента: US5723891A. Автор: Satwinder Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Method of making truly complementary and self-aligned bipolar and CMOS transistor structures with minimized base and gate resistances and parasitic capacitance

Номер патента: US5439833A. Автор: Rashid Bashir,Francois Hebert,Datong Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Transistor structures

Номер патента: US7659560B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for forming trench transistor structure

Номер патента: US5705409A. Автор: Keith E. Witek. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-06.

Thin-film transistor structure with three-dimensional fin-shape channel and preparation method thereof

Номер патента: US10431688B2. Автор: HAI Ou,Kai Wang,Jun Chen. Владелец: SYSU CMU Shunde International Joint Research Institute. Дата публикации: 2019-10-01.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11916109B2. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Transistor structure

Номер патента: EP4125134A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Normally-off gallium oxide field-effect transistor structure and preparation method therefor

Номер патента: US11456387B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-09-27.

Vertical transistor structures with offset spacers

Номер патента: US20240079452A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US20230290829A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Bipolar junction transistor structures

Номер патента: US20240145466A1. Автор: Zi-Ang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of fabricating transistor structure

Номер патента: US20240064993A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Kuo-Chang Chiang,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: EP4243083A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Forming single and double diffusion breaks for fin field-effect transistor structures

Номер патента: US20220037194A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Integrated Transistor Structure Having a Power Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20150311195A1. Автор: Kadow Christoph,Meyer Thorsten,Krischke Norbert. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Metal oxide semiconductor transistor structure

Номер патента: TW201025604A. Автор: Tao Cheng,Ming-Tzong Yang,Ming-Cheng Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Efficient transistor structure

Номер патента: TW200515539A. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2005-05-01.

Transistor structure

Номер патента: EP1526576A3. Автор: Sehat Sutardja. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2007-11-07.

Forming single and double diffusion breaks for fin field-effect transistor structures

Номер патента: US20220037194A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

High Voltage Transistor Structure and Method

Номер патента: US20180033888A1. Автор: Wu Kuo-Ming,Chen Po-Yu,Huang Wan-Hua,Chen Jing-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING IMMUNITY

Номер патента: US20180212048A1. Автор: Bobde Madhur,TERRILL Kyle,Chen Qufei,Zhang Wenjie. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Thin Film Transistor Structure

Номер патента: US20100289068A1. Автор: Hsiao-Wei Cheng,Yi-Chang Yang,Hsiu-Ju Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-11-18.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: EP4148793A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Thin film transistor structure, GOA circuit, and display device

Номер патента: US11855160B2. Автор: Gongtan LI,HyunSik Seo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Transistor Structure and Control Unit Comprising the Same

Номер патента: US20080067691A1. Автор: Chun-Ching Wei,Chung-Yu Liang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-03-20.

Transistor structure, display device including transistor structure, and method of manufacturing transistor structure

Номер патента: US11843002B2. Автор: Hyun Sup Lee,Keun Kyu SONG,Jung Hun NOH,Byung Seok Choi,Sang Hee Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US11967646B2. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US20240088298A1. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20130237020A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Lateral bipolar transistor structure with inner and outer spacers and methods to form same

Номер патента: US11888050B2. Автор: Haiting Wang,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,John L. Lemon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Compact P-channel/N-channel transistor structure

Номер патента: US5693975A. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-02.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20110204375A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Bipolar transistor structure with emitter/collector contact to doped semiconductor well and related methods

Номер патента: US11804541B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150235967A1. Автор: Yi-Kai Wang,Yu-Jung Peng,Chi-Jen Kao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Bonding and Isolation Techniques for Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20240282815A1. Автор: Ku-Feng Yang,Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen,Kuan-Kan HU,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520467B1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Split-gate lateral extended drain MOS transistor structure and process

Номер патента: US09905428B2. Автор: Christopher Boguslaw Kocon,Alexei Sadovnikov,Andrew D Strachan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor transistor structure having an epitaxial oxide spacer layer

Номер патента: US20240178284A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Sagarika Mukesh,Jennifer Toy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Transistor structure and method of forming thereof

Номер патента: US11721734B2. Автор: Rosalia Germana-Carpineto. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-08-08.

Transistor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20210234014A1. Автор: Rosalia Germana-Carpineto. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-07-29.

Transistor structure with gate isolation structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240120377A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Three dimensional lvdmos transistor structures

Номер патента: US20180286858A1. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito,Qing Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Transistor structure with low resistance contact

Номер патента: US20240145555A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURE AND NANOWIRE INVERTER STRUCTURE

Номер патента: US20200220027A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170162575A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

TALL SINGLE-FIN FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES AND METHODS

Номер патента: US20180182757A1. Автор: KNORR Andreas,Xie Ruilong,AKARVARDAR Murat Kerem,LIEBMANN Lars,Cave Nigel Graeme. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-06-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR FABRICATING VERTICAL-GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20150295040A1. Автор: TSAI Teng-Chun,Lin Huan-Just,Wang Li-Ting,CHEN DE-FANG,LIN CHENG-TUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-10-15.

THREE DIMENSIONAL LVDMOS TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180286858A1. Автор: Ponoth Shom,ITO Akira,Liu Qing. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2018-10-04.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US09673294B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: EP3886152A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: US20210305098A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US9312369B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-12.

Group III nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US11810910B2. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US09793385B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Strained semiconductor on insulator (ssoi) based gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: EP4187611A1. Автор: Prashant Majhi,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US09793373B2. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming a transistor structure comprising a fin-shaped channel structure

Номер патента: US09633891B2. Автор: Geert Eneman,Min-Soo Kim,Nadine Collaert,Naoto Horiguchi,Rita Rooyackers,Anabela Veloso,Liesbeth Witters. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-25.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09985114B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US09620416B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit multi-gate transistors structure with gate via and manufacturing method thereof

Номер патента: US12142651B2. Автор: Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of fabricating a field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US6887762B1. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160111498A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160308036A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Have and cause the fin field effect transistor structure of source/drain formation distance piece of stress and the method in order to manufacture this fin field effect transistor structure

Номер патента: CN102460661B. Автор: S·卢宁,F·S·约翰逊,M·J·哈格罗夫. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Integrated ferroelectric capacitor/ field effect transistor structure

Номер патента: US20200176586A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

DIFFERENT GATE WIDTHS FOR UPPER AND LOWER TRANSISTORS IN A STACKED VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Wu Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Multi-Gate Transistor Structure

Номер патента: US20210305401A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Stacked Multilayer 3D GaN High Electron Mobility Transistor Structure and Process Method

Номер патента: US20240145478A1. Автор: Kuang-Po Hsueh. Владелец: Nanjing Greenchip Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

TRANSISTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR LAYOUT STRUCTURE

Номер патента: US20190198502A1. Автор: LU Tseng-Fu,LIAO Wei-Ming,HUANG CHING-CHIA. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURE AND NANOWIRE INVERTER STRUCTURE

Номер патента: US20190386150A1. Автор: YANG PO-YU. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Field Effect Transistor Structure Having Notched Mesa

Номер патента: US20180286947A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: WO2016182825A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-11-17.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: EP3295487A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-21.

Lateral bipolar transistor structure with superlattice layer and method to form same

Номер патента: US11862717B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Bipolar transistor structure with base protruding from emitter/collector and methods to form same

Номер патента: US11961901B2. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Lateral bipolar transistor structure with base over semiconductor buffer and related method

Номер патента: US11784224B2. Автор: Hong Yu,John J. Pekarik,Zhenyu Hu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US20140035035A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Transistor structures and associated processes

Номер патента: US20220037519A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-03.

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A TRANSISTOR STRUCTURE HAVING DIFFERENT SEMICONDUCTOR BASE MATERIALS AND A PROCESS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190043958A1. Автор: JR. John Michael,Parsey,Loechelt Gary H.,Moens Peter,VANMEERBEEK Piet. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-02-07.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH METAL INTERCONNECTION DIRECTLY CONNECTING GATE AND DRAIN/SOURCE REGIONS

Номер патента: US20220077315A1. Автор: LU Chao-Chun. Владелец: ETRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

Integrated ferroelectric capacitor/ field effect transistor structure

Номер патента: US20180076334A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

STACKED NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURE WITH DIFFERENT CHANNEL GEOMETRIES FOR STRESS

Номер патента: US20200098756A1. Автор: Mehandru Rishabh,Rachmady Willy,Kotlyar Roza,Dewey Gilbert,LILAK Aaron,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH,MA Sean,CEA Stephen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-03-26.

SPLIT-GATE LATERAL EXTENDED DRAIN MOS TRANSISTOR STRUCTURE AND PROCESS

Номер патента: US20170125252A1. Автор: Sadovnikov Alexei,KOCON Christopher Boguslaw,Strachan Andrew D.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-04.

Asymmetric ultrathin soi mos transistor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20160155844A1. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-06-02.

Fin field effect transistor structure and method to form defect free merged source and drain epitaxy for low external resistance

Номер патента: US20170162671A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

INTEGRATED FERROELECTRIC CAPACITOR/ FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200176586A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US20170200832A1. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160308036A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker-Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE

Номер патента: US20170317082A1. Автор: Paschal Matthew J.,Lukes Eric J.,Rosno Patrick L.,Schmerbeck Timothy J.,Yilma Dereje G.,Richetta Raymond A.,Phan Nghia V.,Den Hartog Brent R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

INTEGRATED FERROELECTRIC CAPACITOR/ FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20180323309A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor transistor structure with reduced contact resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US11791407B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Backside illuminated image sensor with three-dimensional transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200135777A1. Автор: Wenqiang Li,Jie Li,Yonggang Wang,Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor Element having an Enhancement-Type Transistor Structure

Номер патента: US20200373399A1. Автор: Joachim N. Burghartz,Mohammed Alomari,Muhammad Alshahed. Владелец: Institut fur Mikroelektronik Stuttgart. Дата публикации: 2020-11-26.

Insulated gate bipolar transistor structure having low substrate leakage

Номер патента: US20130161689A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo,Leaf YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Contact-over-active-gate transistor structures with contacts landed on enlarged gate portions

Номер патента: US20230125886A1. Автор: Anthony K. Stamper,Mark Levy,Steven M. Shank,Venkata N.R. Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

High performance pnp and npn transistor structure and process for fabricating same

Номер патента: CA1148269A. Автор: Cheng T. Horng,Richard R. Konian,Robert O. Schwenker,Armin W. Wieder. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-06-14.

Fin field-effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20190067283A1. Автор: Yin Wang,Chien-Tai CHAN,Chien-Chih Lin,Wei-Ken LIN,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11942475B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

MOS transistor structure and method of forming the structure with vertically and horizontally-elongated metal contacts

Номер патента: US09966373B2. Автор: Kamel Benaissa,Russell Carlton MCMULLAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of making an insulated gate bipolar transistor structure

Номер патента: US9257533B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-09.

Method of making an insulated gate bipolar transistor structure

Номер патента: US20150072496A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

MOS transistor structure and method of forming the structure with vertically and horizontally-elongated metal contacts

Номер патента: US09583609B2. Автор: Kamel Benaissa,Russell Carlton MCMULLAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Fabrication of multiple field-effect transistor structure having local threshold-adjust doping

Номер патента: US6020227A. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Insulated gate bipolar transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391451A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Yen-Cheng Fang,Zih-Han Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US12027622B2. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

High voltage transistor structure

Номер патента: US20160155841A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Chun Lin Tsai,Ru-Yi Su,Fu-Chih Yang,Jen-Hao Yeh,Ker Hsiao Huo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

MOS TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE STRUCTURE WITH VERTICALLY AND HORIZONTALLY-ELONGATED METAL CONTACTS

Номер патента: US20170133366A1. Автор: McMULLAN Russell Carlton,BENAISSA Kamel. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20220085213A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Transistor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4170701A4. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor transistor structure

Номер патента: US20140048877A1. Автор: Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Transistor structures having a deep recessed p+ junction and methods for making same

Номер патента: US20190043980A1. Автор: Qingchun Zhang,Brett Hull. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH UNIFIED TRANSISTOR STRUCTURE AND VOLTAGE REGULATOR DIODE

Номер патента: US20220069119A1. Автор: NASU Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURES WITH MERGED SOURCE/DRAIN REGIONS USING AUXILIARY PILLARS

Номер патента: US20160064482A1. Автор: Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20190067283A1. Автор: LIN Chien-Chih,CHAN Chien-Tai,Wang Yin,Lin Wei-Ken,LI Chun-Te. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR WITH UNIFIED TRANSISTOR STRUCTURE AND VOLTAGE REGULATOR DIODE

Номер патента: US20200105924A1. Автор: NASU Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Transistor structure with reduced parasitic "side wall" characteristics

Номер патента: US20170117370A1. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH PARTICULAR GATE APPEARANCE

Номер патента: US20200194589A1. Автор: Tseng Chi-Sheng,WANG Chih-Yi,Wang Yao-Jhan,Chiu Cheng-Pu,Hsu Tien-Shan,Wei Huang-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Gallium nitride transistor structure

Номер патента: US20190326426A1. Автор: Daniel M. Kinzer,Maher J. Hamdan,Santosh Sharma,Pil Sung Park. Владелец: Navitas Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH FIELD PLATE FOR REDUCING AREA THEREOF

Номер патента: US20170345902A1. Автор: Chen Jing-Ying,Jong Yu-Chang,CHENG Shui-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Powerful hf- and microwave transistor structure

Номер патента: RU2743673C1. Автор: Олег Митрофанович Булгаков,Юрий Кимович Николаенков,Михаил Владимирович Таравков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2021-02-24.

Transistor structure including as-grown graphene and semiconductor device including the transistor structure

Номер патента: US20240297221A1. Автор: Seunghyun Lee,Sangwon Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Dohee Kim,Junseong BAE,Hyeyoon RYU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-09-05.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220013648A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123121A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11610973B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US11342443B2. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-05-24.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US20190035910A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Process of Forming an Electronic Device Including a Transistor Structure

Номер патента: US20200227536A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-07.

High-electron-mobility transistor structure as well as fabricating method and use thereof

Номер патента: US20240186405A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Transistor structures with interleaved body contacts and gate contacts

Номер патента: US20240243175A1. Автор: Steven M. Shank,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Transistor structures with interleaved body contacts and gate contacts

Номер патента: EP4404271A1. Автор: Steven M. Shank,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Vacuum channel transistor structures with sub-10 nanometer nanogaps and layered metal electrodes

Номер патента: US20210166908A1. Автор: Joshua T. Smith,Benjamin Wunsch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Vacuum channel transistor structures with sub-10 nanometer nanogaps and layered metal electrodes

Номер патента: US20200098534A1. Автор: Joshua T. Smith,Benjamin Wunsch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09865596B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09496261B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachrin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Transistor structure and fabrication methods with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US09768074B2. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Formation of gate spacers for strained pmos gate-all-around transistor structures

Номер патента: EP4174916A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Transistor structures formed with 2deg at complex oxide interfaces

Номер патента: US20200194576A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Uygar Avci,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Transistor structure with indium phosphide channel

Номер патента: US20200098757A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang,Nicholas MINUTILLO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Transistor structure with feed-through source-to-substrate contact

Номер патента: US09443959B2. Автор: Kyle Terrill. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Transistor structure and fabrication methods with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US20160211181A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-21.

Source/drain extension regions and air spacers for nanosheet field-effect transistor structures

Номер патента: US20200286992A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Transistor structure

Номер патента: US20230387293A1. Автор: Rosalia Germana-Carpineto. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

GaAs Complementary enhancement mode junction field effect transistor structures and method of fabrication

Номер патента: US4568957A. Автор: Rainer Zuleeg,Johannes K. Notthoff,Gary L. Troeger. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1986-02-04.

Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Vipindas Pala,Sundarsan UPPILI. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Transition metal dichalcogenide (tmd) transistor structure

Номер патента: US20230343833A1. Автор: TIAN Shen,Ruilong Xie,Heng Wu,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Co-integration of high voltage (hv) and low voltage (lv) transistor structures, using channel height and spacing modulation

Номер патента: EP4202996A3. Автор: Anand Murthy,Susmita Ghose,Prashant Majhi,Glenn Glass,Rushabh Shah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Trigate transistor structure with unrecessed field insulator and thinner electrodes over the field insulator

Номер патента: US09768249B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Michael K. Harper,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Trigate transistor structure with unrecessed field insulator and thinner electrodes over the field insulator

Номер патента: US09905693B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Michael K. Harper,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Transistor structure with variable clad/core dimension for stress and bandgap

Номер патента: US09818870B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180301453A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Fin-type field effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170256539A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Manufacturing method of fin-type field effect transistor structure

Номер патента: US20220216202A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Stacked transistor structures with different gate dielectric materials

Номер патента: EP4199061A1. Автор: Matthew Metz,Charles Kuo,Christopher Jezewski,Nicole K. Thomas,I-Cheng Tung,Sarah ATANASOV,Sudarat Lee,Thoe MICHAELOS,Scott Clendenning,Eric Mattson,Charles Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Multi-Gate Transistor Structure

Номер патента: US20240006513A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20180047763A1. Автор: LI Wenhui,Shi Wen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

SERIES-CONNECTED TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160079239A1. Автор: Chiang Tien-Wei,Hsieh Wen-Hsing,Tsai Ching-Wei,LEE Chien-Chih,WANG CHIH-CHING,Ho Jon-Hsu,WANG Chin-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH BURIED CHANNEL AND RESURF REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Pala Vipindas,UPPILI Sundarsan. Владелец: Monolithic Power Systems, Inc.. Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD OF MANUFACTURING TRENCH TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210091067A1. Автор: Lin Wei-Yu,Cheng Shih-Hao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2021-03-25.

NON-FLOATING VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20160093732A1. Автор: LEE TZUNG-HAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

GERMANIUM TRANSISTOR STRUCTURE WITH UNDERLAP TIP TO REDUCE GATE INDUCED BARRIER LOWERING/SHORT CHANNEL EFFECT WHILE MINIMIZING IMPACT ON DRIVE CURRENT

Номер патента: US20190103486A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Metz Matthew V.,Le Van H.,Agrawal Ashish. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

TRENCH TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200135713A1. Автор: Lin Wei-Yu,Cheng Shih-Hao. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-04-30.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH REDUCED PARASITIC SIDE WALL CHARACTERISTICS

Номер патента: US20160190248A1. Автор: Rothleitner Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH ABRUPT SOURCE/DRAIN JUNCTIONS

Номер патента: US20170186855A1. Автор: Jan Chia-Hong,Chau Robert S.,Murthy Anand S.,MORROW Patrick,PACKAN Paul. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

TRIGATE TRANSISTOR STRUCTURE WITH UNRECESSED FIELD INSULATOR AND THINNER ELECTRODES OVER THE FIELD INSULATOR

Номер патента: US20160204193A1. Автор: HATTENDORF Michael L.,HARPER Michael K.,Pathi Pragyansri. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Transistor structure with variable clad/core dimension for stress and bandgap

Номер патента: US20160240671A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Roza Kotlyar,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150255610A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20210280674A1. Автор: Doris Bruce B.,Lauer Isaac,Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Series-connected transistor structure

Номер патента: US20160260713A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Tien-Wei Chiang,Chien-Chih Lee,Chin-Chi Wang,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190245041A1. Автор: Chen Yen-Ming,Tsai Min-Hsuan,Wang Chih-Chung,Lee Chiu-Te,Lee Chiu-Ling. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2019-08-08.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH BURIED CHANNEL AND RESURF REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200259012A1. Автор: Pala Vipindas,UPPILI Sundarsan. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180277677A1. Автор: Chou Hsueh-Liang,LIN Tung-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

TRANSISTOR STRUCTURES HAVING MULTIPLE THRESHOLD VOLTAGE CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20200279845A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Kennel Harold W.,Murthy Anand S.,HUANG CHENG-YING,Ma Sean T.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200279846A1. Автор: Wang Tsan-Chun,Fang Ziwei,Chen Kei-Wei,Tsai Chun-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-03.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20200286831A1. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Source/drain extension regions and air spacers for nanosheet field-effect transistor structures

Номер патента: US20200286992A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180301453A1. Автор: Wang Tsan-Chun,Fang Ziwei,TSAI Chun Hsiung,Chen Kei-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

TRIGATE TRANSISTOR STRUCTURE WITH UNRECESSED FIELD INSULATOR AND THINNER ELECTRODES OVER THE FIELD INSULATOR

Номер патента: US20170323965A1. Автор: HATTENDORF Michael L.,HARPER Michael K.,Pathi Pragyansri. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES USING GERMANIUM NANOWIRES

Номер патента: US20170345896A1. Автор: Young Ian,AVCI Uygar,KIM Raseong. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145559A1. Автор: Po-Chun Yeh,Hui-Yu Chen,Jui-Chin Chen,Po-Tsung Tu,Chang-Yan HSIEH. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-02.

Quasi-symmetrical bipolar transistor structure

Номер патента: CA1161964A. Автор: Denny D. Tang,Arnold Reisman,Victor J. Silvestri,Siegfried K. Wiedmann,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876106B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

3d-stacked transistor structure with barrier layer between upper gate structure and lower gate structure

Номер патента: US20240243172A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Different gate widths for upper and lower transistors in a stacked vertical transport field-effect transistor structure

Номер патента: US20200328120A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

Transistor structures having reduced electrical field at the gate oxide and methods for making same

Номер патента: US09530844B2. Автор: Qingchun Zhang,Brett Hull. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Large area electrostatic dischage for vertical transistor structures

Номер патента: US09947649B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170033213A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Thin-film transistor structure, method for manufacturing the thin-film transistor structure, and display device using the thin-film transistor structure

Номер патента: KR100650417B1. Автор: 스즈키히로시,스에오카구니아키. Владелец: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션. Дата публикации: 2006-11-28.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor structure with low leakage current and reserved gate length

Номер патента: US20230402504A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Stacked field effect transistor structure with independent gate control between top and bottom gates

Номер патента: US20240145473A1. Автор: Son Nguyen,Jingyun Zhang,Tsung-Sheng KANG,Su Chen Fan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Stacked field effect transistor structure with independent gate control between top and bottom gates

Номер патента: WO2024088205A1. Автор: Son Nguyen,Jingyun Zhang,Tsung-Sheng KANG,Su Chen Fan,Ruqiang Bao. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-05-02.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US7446351B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Germanium structure, germanium fin field effect transistor structure and germanium complementary metal-oxide-semiconductor transistor structure

Номер патента: US20140374834A1. Автор: Chih-Hung Lo,Chun-Lin Chu,Chee-Wee Liu,Guang-Li Luo,Shu-Han Hsu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-12-25.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US20060001126A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Ldmos transistor structures and integrated circuits including ldmos transistor structures

Номер патента: US20180053842A1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

MOS-transistor structure with a trench-gate-electrode and a limited specific turn-on resistance and method for producing an MOS-transistor structure

Номер патента: US6465843B1. Автор: Wolfgang Werner,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-15.

Forksheet transistor structures with gate cut spine

Номер патента: US20240113104A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Stacked complementary transistor structure for three-dimensional integration

Номер патента: GB202409169D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Ggnmos transistor structure, and esd protection component and circuit

Номер патента: EP4333077A4. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Insulated-gate field-effect transistor structure and method

Номер патента: US5716861A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180233566A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Field-effect transistor structure with an insulated gate

Номер патента: US20010041399A1. Автор: Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-15.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210057568A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device including a buried channel array transistor structure

Номер патента: US12021127B2. Автор: Ching-Chia Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Transistor structure with dual trench for optimized stress effect and method therefor

Номер патента: US20060091461A1. Автор: Michael Turner,Jian Chen,James Vasek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-04.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: WO2018182611A1. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-10-04.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180204920A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Convergent fin and nanostructure transistor structure and method

Номер патента: US20220328625A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Vertical transport field-effect transistor structure having increased effective width and self-aligned anchor for source/drain region formation

Номер патента: US20210391444A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Transistor structure with overlying gate on polysilicon gate structure and related method

Номер патента: US20210091200A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channels

Номер патента: US20060266995A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Finfet transistor structure and method for making the same

Номер патента: US20120299099A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Sheng-Huei Dai,Rai-Min Huang,Chen-Hua Tsai,Xiao Zhong Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

TRENCH POWER TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170033213A1. Автор: HSU HSIU-WEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

MOS TRANSISTOR STRUCTURE WITH HUMP-FREE EFFECT

Номер патента: US20170033214A1. Автор: JI Yan-Liang,LIN Cheng Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

TRANSISTOR STRUCTURES HAVING REDUCED ELECTRICAL FIELD AT THE GATE OXIDE AND METHODS FOR MAKING SAME

Номер патента: US20170053987A1. Автор: Zhang Qingchun,Hull Brett. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

INSULATED GATED FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING SHIELDED SOURCE AND METHOD

Номер патента: US20220085213A1. Автор: WU Xiaoli,YEDINAK Joseph Andrew. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160104782A1. Автор: LEE TZUNG-HAN,Hu Yaw-Wen,Shih Neng-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20160155841A1. Автор: HUO Ker Hsiao,SU Ru-Yi,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,CHENG Chih-Chang,YEH Jen-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

TRENCH FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20220302308A1. Автор: Chen Qian. Владелец: CHINA RESOURCES MICROELECTRONICS (CHONGQING) CO., LTD). Дата публикации: 2022-09-22.

FINFET TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140252482A1. Автор: Liao Duan Quan,Tsai Chen-Hua,Huang Rai-Min,Dai Sheng-Huei,Chen Yikun,Zhu Xiao Zhong. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-09-11.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH RECESSED INTERLAYER DIELECTRIC AND METHOD

Номер патента: US20180204920A1. Автор: Wu Xusheng,Gu Sipeng,LIN WENHE,CHEE JEFFREY. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-07-19.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH RECESSED INTERLAYER DIELECTRIC AND METHOD

Номер патента: US20180233566A1. Автор: Wu Xusheng,Gu Sipeng,LIN WENHE,CHEE JEFFREY. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-08-16.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE COMPRISING A STACK OF VERTICALLY SEPARATED CHANNEL NANOWIRES

Номер патента: US20140353574A1. Автор: Song Yi,Li Xiuling. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2014-12-04.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE WITH REDUCED PARASITIC GATE CAPACITANCE

Номер патента: US20170278943A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Hashemi Pouya,Balakrishnan Karthik. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

SOLID POWER SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200266273A1. Автор: Sin Johnny Kin On,ZHAO Xianda,LIU Wai Yee. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

INSULATED GATED FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING SHIELDED SOURCE AND METHOD

Номер патента: US20200295189A1. Автор: WU Xiaoli,YEDINAK Joseph Andrew. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170323954A1. Автор: TSAI Chun Hsiung,Chen Kei-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330957A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

DOUBLE-SIDED VERTICAL POWER TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200321455A1. Автор: Wood John. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

TRANSISTOR STRUCTURE INCLUDING EPITAXIAL CHANNEL LAYERS AND RAISED SOURCE/DRAIN REGIONS

Номер патента: US20150349065A1. Автор: Lee Tze-Liang,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Transistor structure incorporating a solid deuterium source for gate interface passivation

Номер патента: US6114734A. Автор: Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

Bipolar junction transistor structure

Номер патента: US09685502B2. Автор: John Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Transistor structure with varied gate cross-sectional area

Номер патента: US09966457B2. Автор: Qiqing C. Ouyang,Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis,Pranita Kerber. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: EP3979306A1. Автор: KANG Ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-06.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: US20220109046A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG,Kang III SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: US11935922B2. Автор: KANG Ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having stepped multi-stack transistor structure

Номер патента: US20230037833A1. Автор: Seunghyun Song,Byounghak Hong,Hwichan Jun,Kang III SEO,lnchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09711618B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Common self aligned gate contact for stacked transistor structures

Номер патента: US20230420503A1. Автор: Xuan Liu,Junli Wang,Su Chen Fan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

2D-Channel Transistor Structure with Source-Drain Engineering

Номер патента: US20230361180A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Tzer-Min Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Single transistor ferroelectric transistor structure with high-k insulator and method of fabricating same

Номер патента: TW546820B. Автор: Fengyan Zhang,Sheng-Teng Hsu. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-08-11.

Transistor structure with n/p boundary buffer

Номер патента: US20210118743A1. Автор: Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Romain LALLEMENT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistor structure with n/p boundary buffer

Номер патента: US20200350212A1. Автор: Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Romain LALLEMENT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Self aligned field effect transistor structure

Номер патента: US20100155793A1. Автор: Lee-mi Do,Kyu-Ha Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Thin film transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070210310A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Cheng Chen,Chi-Lin Chen,Hsing-Hua Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-09-13.

Thin film transistor structure

Номер патента: US7795683B2. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Cheng Chen,Chi-Lin Chen,Hsing-Hua Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: TW201614842A. Автор: Tzung-Han Lee,Neng-Tai Shih,Yaw-Wen Hu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-04-16.

Thin film transistor structure and display device using the same

Номер патента: TW201240097A. Автор: Chao-Jung Chen,I-Hsuan Chiang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-10-01.

Method for fabricating transistor structures having very short effective channels

Номер патента: CA1115855A. Автор: Ernest Bassous,Tak H. Ning,Carlton M. Osburn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-05.

Optimize the method and fin field-effect transistor of fin field effect transistor structure

Номер патента: CN106356305B. Автор: 鲍宇. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-31.

Integrated high-voltage bipolar power transistor and low voltage MOS power transistor structure in the emitter switching configuration and relative manufacturing process

Номер патента: EP0322041A2. Автор: Ferruccio Frisina,Giuseppe Ferla. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1989-06-28.

MOS transistor and method for producing a MOS transistor structure

Номер патента: US20070184599A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Thin-film transistor structure and manufacturing method thereof, and display panel having the same

Номер патента: US11063153B2. Автор: Weibin Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US20090142886A1. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Cheng Chen,Chi-Lin Chen,Hsing-Hua Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for optimizing fine field-effect transistor structure and fine field-effect transistor

Номер патента: CN106356305A. Автор: 鲍宇. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-25.

Method for fabricating transistor structures having very short effective channels

Номер патента: US4173818A. Автор: Ernest Bassous,Tak H. Ning,Carlton M. Osburn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-11-13.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20180366560A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of fabricating thin film transistor structure having strip-shaped silicon island

Номер патента: US7927929B2. Автор: Po-Tsun Liu,Yu-Cheng Chen,Chi-Lin Chen,Hsing-Hua Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-04-19.

Transistor structure with thick recessed source/drain structures and fabrication process of same

Номер патента: US6870225B2. Автор: Andres Bryant,Mark D. Jaffe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Hybrid channel region for gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: WO2023114583A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi,Glenn Glass. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20160005732A1. Автор: Wood John. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

TRANSISTOR STRUCTURES WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND IMPROVED JUNCTION SHARPNESS

Номер патента: US20200027959A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210057549A1. Автор: CHO EN-TSUNG,Mo Qionghua. Владелец: HKC Corporation Limited. Дата публикации: 2021-02-25.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Transistor structure in low noise amplifier

Номер патента: US20200144184A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Igzo transistor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150171225A1. Автор: Longqiang Shi,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20190172929A1. Автор: Cheng Kangguo,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150187895A1. Автор: Shen Po-Yuan,Hsu Cheng-Yang,Chen Chia-Fang. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210210615A1. Автор: Zhang Jing,JIN Qizhun. Владелец: NEXCHIP SEMICONDUCTOR CO., LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH VARIED GATE CROSS-SECTIONAL AREA

Номер патента: US20180190797A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Schepis Dominic J.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THEREOF

Номер патента: US20210234014A1. Автор: Germana-Carpineto Rosalia. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

High Voltage Transistor Structure and Method

Номер патента: US20190229214A1. Автор: Wu Kuo-Ming,Chen Po-Yu,Huang Wan-Hua,Chen Jing-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

THIN-FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20200251595A1. Автор: Zhang Weibin. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-06.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH VARIED GATE CROSS-SECTIONAL AREA

Номер патента: US20170271483A1. Автор: Reznicek Alexander,Kerber Pranita,Schepis Dominic J.,Ouyang Qiqing C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

TRANSISTOR STRUCTURE AND RELATED INVERTER

Номер патента: US20210351272A1. Автор: LU Chao-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

TRANSISTOR STRUCTURE, GOA CIRCUIT, AND DISPLAY PANEL

Номер патента: US20210359090A1. Автор: XI Suping. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-11-18.

LDMOS Transistor Structure and Method of Manufacture

Номер патента: US20180277501A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20170288039A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE, AND MASK

Номер патента: US20160351670A1. Автор: Shang Fei,LI Zhe,QIU Haijun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT AND ADJUSTABLE ON/OFF CURRENT

Номер патента: US20200335593A1. Автор: Huang Li-Ping,LU Chao-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Transistor structure with n/p boundary buffer

Номер патента: US20200350212A1. Автор: Ruqiang Bao,Indira Seshadri,Romain LALLEMENT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Self-aligned raised extrinsic base bipolar transistor structure and method

Номер патента: US6869852B1. Автор: Qizhi Liu,BethAnn Rainey,Alvin J. Joseph,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Drail-well/extension high voltage MOS transistor structure and method of fabrication

Номер патента: US4978628A. Автор: Bruce D. Rosenthal. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Transistor structure

Номер патента: US20240186408A1. Автор: Ming-Ta Lei,Chih-Wen Yao,Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chun-Hsun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Fin-type transistor structures with extended embedded stress elements and fabrication methods

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Hong Yu,LUN Zhao,Puneet Khanna,Hyucksoo Yang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09917162B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: US11894262B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming a planar field effect transistor with embedded and faceted source/drain stressors on a silicon-on-insulator (S0I) wafer, a planar field effect transistor structure and a design structure for the planar field effect transistor

Номер патента: US7951657B2. Автор: Kangguo Cheng,Toshiharu Furukawa,Johnathan E. Faltermeier,Xuefeng Hua. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same

Номер патента: US20090026522A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Thin film transistor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US10217848B2. Автор: Wanghua TU,Wanting YIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Planar field effect transistor structure having an angled crystallographic etch-defined source/drain recess and a method of forming the transistor structure

Номер патента: US8377785B2. Автор: Thomas W. Dyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

TRANSISTOR STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING A TRANSISTOR STRUCTURE, FORCE-MEASURING SYSTEM

Номер патента: US20130153970A1. Автор: Eisele Ignaz,Heigl Martin,Haberger Karl. Владелец: Fraunhofer-Gesellschaft zur Foerderung der angewandten Forschung e.V.. Дата публикации: 2013-06-20.

Strained channel transistor structure and method

Номер патента: SG154381A1. Автор: HSIA Liang Choo,Liu Jin Ping,Zhou Mei Sheng,Alex See Kh. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-08-28.

Method for making transistor structures

Номер патента: US4038107A. Автор: George Elwood Smith,George Marr. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1977-07-26.

Oxide Semiconductor Transistor Structure in 3-D Device and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230327024A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Nanowire transistor structure and method of shaping

Номер патента: US11869973B2. Автор: William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Aditya Kasukurti,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Nanowire transistor structure and method of shaping

Номер патента: US20240088296A1. Автор: William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Aditya Kasukurti,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Transistor structure and electronics device

Номер патента: TW200727488A. Автор: Toru Takahashi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2007-07-16.

Aluminum-doped zirconium dielectric film transistor structure and deposition method for same

Номер патента: TW463385B. Автор: Yanjun Ma,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2001-11-11.

One transistor floating body DRAM cell with recess channel transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: KR100663359B1. Автор: 윤홍식,백승재,여인석,김시은,훠종량. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-02.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20200152791A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Single transistor floating body dram cell having recess channel transistor structure

Номер патента: US20080128802A1. Автор: Seung-Jae Baik,In-Seok Yeo,Zong-Liang Huo,Hong-Sik Yoon,Shi-Eun Kim. Владелец: Shi-Eun Kim. Дата публикации: 2008-06-05.

Vertical transport field effect transistor structure with self-aligned top junction through early top source/drain epitaxy

Номер патента: US20190393341A1. Автор: Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Bipolar transistor structure and method of forming the structure

Номер патента: GB201300063D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-20.

Semiconductor Device Comprising Transistor Structures and Methods for Forming Same

Номер патента: US20120112272A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH SILICIDED SOURCE AND DRAIN EXTENSIONS AND PROCESS FOR FABRICATION

Номер патента: US20150008532A1. Автор: Mehrotra Manoj. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

HYBRID THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200013807A1. Автор: LEE Kuan-Feng,LIUS Chandra,HSU Nai-Fang. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20180040721A1. Автор: Shi Wen. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-08.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING IMMUNITY

Номер патента: US20160056276A1. Автор: Bobde Madhur,TERRILL Kyle,Chen Qufei,Zhang Wenjie. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING INCREASED EFFECTIVE WIDTH AND SELF-ALIGNED ANCHOR FOR SOURCE/DRAIN REGION FORMATION

Номер патента: US20210057568A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

SELECTIVE SAC CAPPING ON FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20180069009A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Transistor Structure and Method With Strain Effect

Номер патента: US20210083112A1. Автор: Wu Xusheng,LIN Youbo. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

TRANSISTOR STRUCTURE HAVING A TRENCH DRAIN

Номер патента: US20140183623A1. Автор: Davies Robert Bruce. Владелец: Estivation Properties LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20180114858A1. Автор: Huang Shih-Teng,Chung Cheng-Hsun,Kuo Tien-Shang. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-04-26.

TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20200111905A1. Автор: ITO Akira,Liu Qing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHOD

Номер патента: US20210143282A1. Автор: Moselund Kirsten Emilie,Czornomaz Lukas,Zota Cezar Bogdan,Convertino Clarissa,Cutaia Davide. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

TRANSISTOR STRUCTURES AND FABRICATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Chi Min-Hwa,Wu Xusheng,Liu Jin Ping. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-05-05.

FIN-TYPE TRANSISTOR STRUCTURES WITH EXTENDED EMBEDDED STRESS ELEMENTS AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20150129983A1. Автор: Yu Hong,Yang Hyucksoo,Khanna Puneet,Liu Bingwu,ZHAO Lun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-05-14.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20180138277A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190189777A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Hybrid Fin Field-Effect Transistor Structures and Related Methods

Номер патента: US20150206971A1. Автор: Currie Matthew T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

FABRICATING METHOD OF TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200212216A1. Автор: Huang Shih-Hsien,TAN WEN YI,Liu Sheng-Hsu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180226500A1. Автор: Zhou Xianda,SIN Kin on johnny,WONG Ka Kit. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH FEED-THROUGH SOURCE-TO-SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20150243779A1. Автор: TERRILL Kyle. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229204A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

EFFECTIVE JUNCTION FORMATION IN VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES BY ENGINEERED BOTTOM SOURCE/DRAIN EPITAXY

Номер патента: US20190229205A1. Автор: Reznicek Alexander,Mochizuki Shogo. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated Circuit Transistor Structure with High Germanium Concentration SiGe Stressor

Номер патента: US20170263749A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.,YEH Chih Chieh,Wang Chien-Hsun,CHANG Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

VERTICAL TRANSPORT FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING INCREASED EFFECTIVE WIDTH AND SELF-ALIGNED ANCHOR FOR SOURCE/DRAIN REGION FORMATION

Номер патента: US20210391444A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20170288030A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

HYBRID THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, DISPLAY DEVICE, AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20170294456A1. Автор: LEE Kuan-Feng,LIUS Chandra,HSU Nai-Fang. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Bidirectional Bipolar Transistor Structure with Field-Limiting Rings Formed by the Emitter Diffusion

Номер патента: US20160322484A1. Автор: Blanchard Richard A.. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2016-11-03.

DEEP SOURCE & DRAIN FOR TRANSISTOR STRUCTURES WITH BACK-SIDE CONTACT METALLIZATION

Номер патента: US20200303509A1. Автор: Ghani Tahir,Mehandru Rishabh,CEA Stephen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20170317189A1. Автор: YIN Wanting,TU Wanghua. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-11-02.

TRANSISTOR STRUCTURE HAVING BURIED ISLAND REGIONS

Номер патента: US20150349124A1. Автор: Lu Bin,Palacios Tomas,Azize Mohamed,Xia Ling. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

FABRICATION OF VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CONTROLLED GATE LENGTH

Номер патента: US20180342592A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Clocked CBICMOS integrated transistor structure

Номер патента: US5119160A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-06-02.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: CA2970174C. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Combination capacitor and transistor structure for use in monolithic circuits

Номер патента: US4245231A. Автор: Robert B. Davies. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-01-13.

Conductance modulated integrated transistor structure with low drain capacitance

Номер патента: US5164812A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-17.

Conductance-modulated integrated transistor structure

Номер патента: US4920399A. Автор: John H. Hall. Владелец: Linear Integrated Systems Inc. Дата публикации: 1990-04-24.

Thin film transistor structure of pixel

Номер патента: US20100320473A1. Автор: Chih-Chung Liu. Владелец: Century Display Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Analog/digital circuit including back gate transistor structure

Номер патента: US09653486B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical PNP transistor

Номер патента: US4997775A. Автор: Chang-Ming Hsieh,Mario M. Pelella,Robert K. Cook,Kiyosi Isihara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Stacked transistor structure with reflection layer

Номер патента: US20230299053A1. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Junli Wang,Teresa J. Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210050442A9. Автор: CAO Zhanfeng,WANG Dongfang,YAN Liangchen,ZHAO Ce,DING Luke,FANG Jingang. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200066901A1. Автор: CAO Zhanfeng,WANG Dongfang,YAN Liangchen,ZHAO Ce,DING Luke,FANG Jingang. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

THIN-FILM TRANSISTOR STRUCTURE, AS WELL AS THIN-FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE EACH HAVING SAID STRUCTURE

Номер патента: US20140319512A1. Автор: Kugimiya Toshihiro,Maeda Takeaki,Lee Je Hun,Ahn Byung Du,Kim Gun Hee,Song Jun Ho. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2014-10-30.

Field effect transistor and bipolar transistor structure manufacturing method, integrated circuit manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: JPH073813B2. Автор: ポール・シー・エフ・トング. Владелец: サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド. Дата публикации: 1995-01-18.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Thin film transistor structure with self-aligned intra-gate

Номер патента: TW200511586A. Автор: Shih-Chang Chang,Yaw-Ming Tsai,Yi-Wei Wu,Hsiu-Chun Hsieh,Chen-Ting Huang. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

Transistor structure of semiconductor device

Номер патента: GB9608881D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-03.

Transistor structure of semiconductor device

Номер патента: GB2300519B. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-03.

One-transistor floating-body DRAM devices having vertical channel transistor structure and methods of fabricating the same

Номер патента: KR100702014B1. Автор: 윤홍식,백승재,여인석,김시은,훠종량. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-30.

Hybrid thin film transistor structure, display device, and method of making the same

Номер патента: US20200013807A1. Автор: Chandra LIUS,Kuan-Feng Lee,Nai-Fang HSU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

BACK SIDE PROCESSING OF INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES TO FORM INSULATION STRUCTURE BETWEEN ADJACENT TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20190341297A1. Автор: Mehandru Rishabh,MORROW Patrick,LILAK AARON D.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-11-07.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, CIRCUIT STRUCTURE, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20210257393A1. Автор: Li Meng,Li Yongqian,Yuan Zhidong,Yuan Can,XU Pan,FENG Xuehuan,Cai Zhenfei. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20130089957A1. Автор: TSAI Teng-Chun,WU Chun-Yuan,LIN Chin-Fu,LIU Chih-Chien,CHIEN Chin-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

DEVICES AND METHODS RELATED TO FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES FOR RADIO-FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: US20130115895A1. Автор: Crandall Jonathan Christian. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2013-05-09.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND ARRAY SUBSTRATE USING THE SAME

Номер патента: US20130320329A1. Автор: YEH Chia-Chun,SHINN Ted-Hong,Hsu Cheng-Hang,TSAI Xue-Hung,Chen Wei-Tsung. Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2013-12-05.

BIPOLAR FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140097472A1. Автор: JR. Peter J.,Zampardi,Sun Hsiang-Chih. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Auxiliary self-protecting transistor structure

Номер патента: US20160064920A1. Автор: Kenneth P. Snowdon,Alister Young,Taeghuyn Kang. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20190088684A1. Автор: IM Jangsoon,YU Mingjue. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

NORMALLY-OFF GALLIUM OXIDE FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210098628A1. Автор: Wang Yuangang,Zhou Xingye,Feng Zhihong,LV Yuanjie,Tan Xin,Song Xubo,Liang Shixiong. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE HAVING BIG CHANNEL-WIDTH AND TFT SUBSTRATE CIRCUIT

Номер патента: US20150144950A1. Автор: Ko Chih-sheng,Kang Ki Sun,He Wen Chao. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

High Voltage Transistor Structure and Method

Номер патента: US20140231908A1. Автор: Wu Kuo-Ming,Chen Po-Yu,Chen Jing-Ying,Huang Whan-Hua. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-21.

MOS Transistor Structure and Method

Номер патента: US20140239387A1. Автор: Chen Po-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

Thin-Film Transistor Structure With Three-Dimensional Fin-Shape Channel And Preparation Method Thereof

Номер патента: US20180233599A1. Автор: HAI Ou,Kai Wang,Jun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-08-16.

Thin-film transistor structure and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20190267409A1. Автор: WEI YANG,YU Wen,Ke Wang,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Transistor structure

Номер патента: US20190288079A1. Автор: Philippe Galy,Sotirios Athanasiou. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2019-09-19.

MOS TRANSISTOR STRUCTURE, IN PARTICULAR FOR HIGH VOLTAGES USING A TECHNOLOGY OF THE SILICON-ON-INSULATOR TYPE

Номер патента: US20170317106A1. Автор: Bidal Gregory,Boivin Philippe,Richard Emmanuel,Golanski Dominique,ARNAUD Franck. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Array fanout pass transistor structure

Номер патента: US9330764B2. Автор: Chieh-Fang Chen,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Bipolar transistor structure

Номер патента: AU2034201A. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2001-06-12.

Bipolar transistor structure

Номер патента: US20010016421A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Bipolar transistor structure

Номер патента: EP1238424A1. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2002-09-11.

Transistor structures and electrical signal connections for use in display devices

Номер патента: WO2024181966A1. Автор: Soo Young Choi,Jung Bae Kim,Dong Kil Yim,Yangho BAE,Wei-chun MA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Integrated gallium nitride capacitor-transistor structures

Номер патента: WO2018174872A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-09-27.

Bipolar junction transistor structure for reduced current crowding

Номер патента: US09755018B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1900030A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Thin film transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050101071A1. Автор: Cheng-Chi Wang. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Thin film transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040063255A1. Автор: Cheng-Chi Wang. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

TRANSISTOR STRUCTURE, DISPLAY DEVICE INCLUDING TRANSISTOR STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210233937A1. Автор: CHOI Byung Seok,LEE Hyun Sup,NOH Jung Hun,SONG Keun Kyu,JANG Sang Hee. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

TRANSISTOR STRUCTURE, DISPLAY DEVICE INCLUDING TRANSISTOR STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170317110A1. Автор: CHOI Byung Seok,LEE Hyun Sup,NOH Jung Hun,SONG Keun Kyu,JANG Sang Hee. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057490B2. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon on insulator transistor structure for imbedded DRAM

Номер патента: US20020019096A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Seungmoo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347621A1. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Transistor structures

Номер патента: US11881492B2. Автор: Robert Michael Guidash,Muhammad Maksudur RAHMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

MOS-transistor structure as light sensor

Номер патента: US09721980B2. Автор: Ernst Bretschneider. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

High-speed transistor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110248360A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-13.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007001131A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Vertical thin film transistor structure of display panel and manufacturing method of vertical thin film transistor structure

Номер патента: CN103730508A. Автор: 张荣芳,张民杰,赖瑞麒. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-04-16.

Thin film transistor structure, and thin film transistor and display device provided with said structure

Номер патента: KR101510581B1. Автор: 도시히로 구기미야,제훈 이,병두 안,건희 김,다케아키 마에다,준호 송. Владелец: 가부시키가이샤 고베 세이코쇼. Дата публикации: 2015-04-08.

Thin film transistor structure, and thin film transistor and display device provided with said structure

Номер патента: CN103493210A. Автор: 钉宫敏洋,前田刚彰. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2014-01-01.

Thin film transistor structure, and thin film transistor and display device provided with said structure

Номер патента: CN103493209B. Автор: 宋俊昊,安秉斗,金建熙,李制勋,钉宫敏洋,前田刚彰. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Dram arrays, vertical transistor structures, and methods of forming transistor structures and dram arrays

Номер патента: US8304818B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-06.

Bipolar junction transistor structure for reduced current crowding and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013090250A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Kumar Agarwal. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-06-20.

THIN-FILM TRANSISTOR STRUCTURE, AS WELL AS THIN-FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE EACH HAVING SAID STRUCTURE

Номер патента: US20140054588A1. Автор: Kugimiya Toshihiro,Maeda Takeaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO(KOBE STEEL, LTD.). Дата публикации: 2014-02-27.

Transistor structure, display device and method for manufacturing transistor structure

Номер патента: CN107342225B. Автор: 张常希,宋根圭,李弦燮,卢正训,崔炳锡. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Thin film transistor structure, and thin film transistor and display device provided with said structure

Номер патента: WO2012144557A1. Автор: 釘宮　敏洋,剛彰 前田. Владелец: 株式会社神戸製鋼所. Дата публикации: 2012-10-26.

Transistor structure, dynamic random access memory containing the transistor structure, and method of making the same

Номер патента: TW201010060A. Автор: Wen-Kuei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-01.

Bipolar transistor structure with a shallow isolation extension region providing reduced parasitic capacitance

Номер патента: US6864560B2. Автор: Marwan H. Khater,Jae-Sung Rieh,Andreas Daniel Stricker,Gregory Gower Freeman,Kathryn Turner Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-08.

Lateral bipolar transistor structure with base layer of varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11908898B2. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: EP4148793B1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Bipolar transistor structure

Номер патента: SE9904383D0. Автор: Ted Johansson,Torkel Arnborg. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1999-12-02.

Semiconductor material having bipolar transistor structure and semiconductor device using same

Номер патента: AU2003289355A1. Автор: Akira Inoue,Masahiko Hata,Yasuyuki Kurita. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-09.

Low capacitance amorphous silicon field effect transistor structure

Номер патента: HK29193A. Автор: George Edward Possin. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1993-04-02.

Field-effect semiconductor component, has bipolar transistor structure in transistor body with weakly and strongly doped zones

Номер патента: DE102005038441A1. Автор: Jenö Dr. Ing. Tihanyi,Wolfgang Dr. Ing. Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-22.

INSULATED MOS TRANSISTOR STRUCTURE WITH SOURCE-CONNECTED BOX SOCKET AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2648623A1. Автор: . Владелец: ETAT FRANCAIS. Дата публикации: 1990-12-21.

Protection of three dimensional transistor structures during gate stack etch

Номер патента: US7521775B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Brian S. Doyle,Uday Shah,Been-Yih Jin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Transistor structure having reduced transistor leakage attributes

Номер патента: US7157324B2. Автор: Vishnu K. Agarwal,Howard E. Rhodes,Jeffrey A. McKee,Rongsheng Yang,Fred Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-01-02.

MOS Transistor Structure and Method of Forming the Structure with Vertically and Horizontally-Elongated Metal Contacts

Номер патента: US20140284725A1. Автор: McMULLAN Russell Carlton,BENAISSA Kamel. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Complementary insulated gate field effect transistor structure and process for fabricating the structure

Номер патента: CA1017073A. Автор: Daniel C. Hu,Bruce E. Deal. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1977-09-06.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130087810A1. Автор: TSAI Teng-Chun,WU Chun-Yuan,LIN Chin-Fu,LIU Chih-Chien,CHIEN Chin-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor Device Comprising Transistor Structures and Methods for Forming Same

Номер патента: US20130113040A1. Автор: Anathan Venkatesan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor Field-Effect Transistor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130134515A1. Автор: Xu Qiuxia,Zhou Huajie. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2013-05-30.

HVMOS TRANSISTOR STRUCTURE HAVING OFFSET DISTANCE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130200445A1. Автор: LEE Ming-Cheng. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

TRANSISTOR STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20140061650A1. Автор: Margalit Moti,TESSLER Nir,GLOBERMAN Oded,SHENHAR Roy. Владелец: TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

INTEGRATED CIRCUIT TRANSISTOR STRUCTURE WITH HIGH GERMANIUM CONCENTRATION SiGe STRESSOR

Номер патента: US20140091362A1. Автор: Chang Chih-Hao,Xu Jeff J.,YEH Chih Chieh,Wang Chien-Hsun,CHANG Chih-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-04-03.

TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20180012965A1. Автор: Galy Philippe,Athanasiou Sotirios. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-11.

NANOTUBE BASED TRANSISTOR STRUCTURE, METHOD OF FABRICATION AND USES THEREOF

Номер патента: US20190018041A1. Автор: PECKER Sharon,HAMO Assaf,HONIG Maayan,ILANI Shahal,Benyamini Avishai,Waissman Jonah,Sulpizio Joseph,Ella Lior. Владелец: Yeda Research and Development Co. Ltd.. Дата публикации: 2019-01-17.

VERTICAL THIN-FILM TRANSISTOR STRUCTURE OF DISPLAY PANEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140103307A1. Автор: Chang Jung-Fang,Chang Ming-Chieh,Lai Jui-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140110700A1. Автор: SHINN Ted-Hong,Hsu Cheng-Hang,Yu Tzung-Wei. Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

2d-Channel Transistor Structure with Source-Drain Engineering

Номер патента: US20220045176A1. Автор: Shen Tzer-Min,Sathaiya Dhanyakumar Mahaveer,Abhijith Khaderbad Mrunal. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

THIN-FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170033236A1. Автор: Jiang I-Ta,Wu Che-Yao,LAI KU-HUANG,CHOU KAI-JU. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

TRANSISTOR STRUCTURE HAVING N-TYPE AND P-TYPE ELONGATED REGIONS INTERSECTING UNDER COMMON GATE

Номер патента: US20180047734A1. Автор: Chi Min-Hwa,Zang Hui. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-02-15.

Field Effect Transistor Structure Having One or More Fins

Номер патента: US20150076610A1. Автор: ITO Akira. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-19.

Thin film transistor structure and driving circuit of amoled

Номер патента: US20190074383A1. Автор: Mingjue YU,Yuan-Jun Hsu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD WITH AN EPITAXIAL LAYER OVER MULTIPLE HALO IMPLANTS

Номер патента: US20150084108A1. Автор: SAHA Samar. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

OXIDE THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140183520A1. Автор: Chang Ming-Chieh. Владелец: HANNSTAR DISPLAY CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140183521A1. Автор: SHINN Ted-Hong,Hsu Cheng-Hang,Chen Wei-Tsung,Yu Tzung-Wei. Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2014-07-03.

TRANSISTOR STRUCTURES HAVING REDUCED ELECTRICAL FIELD AT THE GATE OXIDE AND METHODS FOR MAKING SAME

Номер патента: US20140183553A1. Автор: Zhang Qingchun,Hull Brett. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170110579A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190109235A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-04-11.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200119197A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-16.

FINFET TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140225197A1. Автор: Liao Duan Quan,Tsai Chen-Hua,Huang Rai-Min,Dai Sheng-Huei,Chen Yikun,Zhu Xiao Zhong. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-08-14.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH MULTIPLE HALO IMPLANTS HAVING EPITAXIAL LAYER OVER SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Saha Samar K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL SURROUNDING GATE TRANSISTOR STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DATA PROCESSING SYSTEM

Номер патента: US20140239384A1. Автор: Takaishi Yoshihiro. Владелец: PS4 Luxco S.a.r.l.. Дата публикации: 2014-08-28.

GALLIUM NITRIDE (GaN) TRANSISTOR STRUCTURES ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20180175184A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-21.

Display device with redundant transistor structure

Номер патента: US20150187804A1. Автор: Ilgi Jeong,Chonghun Park,Kyungsu Lee,Soonil Yun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

TRANSISTOR STRUCTURE AND FABRICATION METHODS WITH AN EPITAXIAL LAYER OVER MULTIPLE HALO IMPLANTS

Номер патента: US20160211181A1. Автор: Saha Samar K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170207338A1. Автор: Chiu Yi-Wei,Hsu Li-Te,Huang Chung-Fan,Chu Chih-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150235967A1. Автор: Wang Yi-Kai,Peng Yu-Jung,Kao Chi-Jen. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20140353755A1. Автор: Nowak Edward J.,WILLIAMS Richard Q.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

HUMIDITY SENSORS WITH TRANSISTOR STRUCTURES AND PIEZOELECTRIC LAYER

Номер патента: US20170261453A1. Автор: Avramescu Viorel,DUMITRU Viorel Georgel,Brezeanu Mihai,Serban Bogdan,BUIU Octavian. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor Devices and Methods for Testing a Gate Insulation of a Transistor Structure

Номер патента: US20170316991A1. Автор: Martin Andreas,Beckmeier Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

HETEROGENEOUS GE/III-V CMOS TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20200312846A1. Автор: Mehandru Rishabh,Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,MORROW Patrick,SHARMA Abhishek A.,LILAK AARON D.,HUANG CHENG-YING. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170358678A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-12-14.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Electrical-interference-isolated transistor structure

Номер патента: US20060125063A1. Автор: Chung-Hsing Tzu. Владелец: Domintech Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Transistor structure, gate driving circuit, driving method thereof, and display panel

Номер патента: US20240005839A1. Автор: Haoxuan ZHENG,Dujuan Yin. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Transistor structure, gate driving circuit, driving method thereof, and display panel

Номер патента: US11955050B2. Автор: Haoxuan ZHENG,Dujuan Yin. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US20190252629A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US10804479B2. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Transistor structures

Номер патента: US20180286801A1. Автор: Haojun Zhang,Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND A METHOD OF MANUFACTURING A BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20160190277A1. Автор: TILKE Armin,Dahl Claus,TSCHUMAKOW Dmitri Alex. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

A transistor structure with minimized parasitics and mehtod of fabricating the same

Номер патента: TW200535939A. Автор: David R Greenberg,Shwu-Jen Jeng. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-01.

Monolithically integrated semiconductor device - integrates bipolar pref. NPN transistor structure with others using gaps in at least one common transistor zone

Номер патента: FR2319977A1. Автор: Horst Berger,Siegfried Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-02-25.

Transistor structure for testing emitter-base junction

Номер патента: US5138418A. Автор: Shinichi Ito,Ziro Terashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

TRANSISTOR STRUCTURE HAVING AN ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE WITH MULTIPLE METAL INTERCONNECT LEVELS STAGGERING ONE ANOTHER

Номер патента: US20150333051A1. Автор: Valdes-Garcia Alberto,Plouchart Jean-Olivier,Greenberg David R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

COMPLEMENTARY TRANSISTOR STRUCTURES FORMED WITH THE ASSISTANCE OF DOPED-GLASS LAYERS

Номер патента: US20210098612A1. Автор: Liu Qizhi,Stamper Anthony K.,PEKARIK JOHN J.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,Ho Herbert,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

REVERSE-CONDUCTING INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND CORRESPONDING FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190157436A1. Автор: Zhou Xianda,LAU Pui Sze,SIN Kin on johnny. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

TRANSISTOR STRUCTURES FORMED WITH 2DEG AT COMPLEX OXIDE INTERFACES

Номер патента: US20200194576A1. Автор: Manipatruni Sasikanth,Nikonov Dmitri,Young Ian,Gosavi Tanay,AVCI Uygar,LIN Chia-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

STACKED TRANSISTOR STRUCTURES WITH ASYMMETRICAL TERMINAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20210305098A1. Автор: Rachmady Willy,Dewey Gilbert,MORROW Patrick,LILAK Aaron,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH,Kabir Nafees. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-09-30.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US09450069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Elevated bipolar transistor structure

Номер патента: US20080099863A1. Автор: Chuan-Ying Lee,Denny Duan-Iee Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US09647065B2. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20100159664A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20140235021A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Easily manufacturable thin film transistor structures

Номер патента: US4888632A. Автор: Ivan Haller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts

Номер патента: US3847687A. Автор: U Davidsohn,A Ajamie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369447A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Tzu-Yao Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bipolar transistor structure with reduced collector-to-substrate capacitance

Номер патента: US5252143A. Автор: Theodore I. Kamins,Shang-Yi Chiang. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1993-10-12.

BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND A METHOD OF MANUFACTURING A BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150357446A1. Автор: TILKE Armin,Dahl Claus,TSCHUMAKOW Dmitri Alex. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH. Дата публикации: 2015-12-10.

High beta, high frequency transistor structure

Номер патента: US4151540A. Автор: Wendell B. Sander,William H. Shepherd. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-04-24.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US20150108542A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Vacuum transistor structure using graphene edge field emitter and screen electrode

Номер патента: US20170012103A1. Автор: Bradford B. Pate,Kevin Jensen,Joan E. Yater,John Bradley Boos,Doewon Park,Jonathan L. Shaw,James G. Champlain,Byoung-don Kong. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD FOR FABRICATING TRANSISTOR GATE, AS WELL AS TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210074547A1. Автор: ZHOU Bukang. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

A method of forming a rimless contact for transistors in a replacement metal gate process and such semiconductor transistor structure

Номер патента: DE112012000850B4. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Charles W. Koburger Iii,David V. Horak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for Forming a Transistor Structure Comprising a Fin-Shaped Channel Structure

Номер патента: US20160126131A1. Автор: Kim Min-Soo,Witters Liesbeth,Rooyackers Rita,Collaert Nadine,Eneman Geert,Veloso Anabela,Horiguchi Naoto. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2016-05-05.

Plane transistor structure

Номер патента: WO1983001709A1. Автор: Bosch Gmbh Robert. Владелец: Michel, Hartmut. Дата публикации: 1983-05-11.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH FEED-THROUGH SOURCE-TO-SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20140099765A1. Автор: TERRILL Kyle. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2014-04-10.

High electron mobility transistor structure and method of making the same

Номер патента: US20160005823A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

VACUUM TRANSISTOR STRUCTURE USING GRAPHENE EDGE FIELD EMITTER AND SCREEN ELECTRODE

Номер патента: US20170012103A1. Автор: Boos John Bradley,Pate Bradford B.,Park Doewon,Shaw Jonathan L.,Champlain James G.,Jensen Kevin,Kong Byoung-don,Yater Joan E.. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2017-01-12.

BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE HAVING SPLIT COLLECTOR REGION AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20150108542A1. Автор: YANG FU-HSIUNG,Huang Kun-Ming,CHU Po-Tao,Lin Long-Shih,SHEN Chih-Heng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-04-23.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE WITH A BANDGAP GRADED HOLE BARRIER LAYER

Номер патента: US20190115458A1. Автор: Chin Yu-Chung,Huang Chao-Hsing,Chen Kai-Yu,Tseng Min-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170170295A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHODS OF FORMING TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20160190289A1. Автор: AKARVARDAR Murat Kerem,Bentley Steven. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE WITH A BANDGAP GRADED HOLE BARRIER LAYER

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Chin Yu-Chung,Huang Chao-Hsing,Chen Kai-Yu,Tseng Min-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED UNCLAMPED INDUCTIVE SWITCHING IMMUNITY

Номер патента: US20160218196A1. Автор: Bobde Madhur,TERRILL Kyle,Chen Qufei,Zhang Wenjie. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

III-Nitride High Electron Mobility Transistor Structures and Methods for Fabrication of Same

Номер патента: US20150255547A1. Автор: YUAN Li,Sun Haifeng,Lo Patrick Guo Qiang,Lee Kean Boon,Wang Weizhu,Selvaraj Susai Lawrence. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2015-09-10.

Field Effect Transistor Structure Having Notched Mesa

Номер патента: US20180286947A1. Автор: Hwang Kiuchul. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-10-04.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE HAVING ONE OR MORE FINS

Номер патента: US20150333066A1. Автор: ITO Akira. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20160351682A1. Автор: KRISHNASAMY Rajendran,Gluschenkov Oleg,SCHONENBERG Kathryn T.. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2016-12-01.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURES WITH REGROWN SOURCE & DRAIN

Номер патента: US20210036023A1. Автор: Murthy Anand,Rachmady Willy,Dewey Gilbert,Kavalieros Jack,Metz Matthew,Agrawal Ashish,HUANG CHENG-YING,BOMBERGER Cory. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-02-04.

FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170256539A1. Автор: Wang Tsan-Chun,Fang Ziwei,TSAI Chun Hsiung,Chen Kei-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Low power smith-purcell radiation sources based on high electron mobility transistor structures

Номер патента: US20230327011A1. Автор: John S Cetnar,David H Tomich,Shivashankar R Vangala. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistor structure with a sidewall-defined intrinsic base to extrinsic base link-up region and method of forming the structure

Номер патента: TW201214571A. Автор: Renata Camillo-Castillo,David L Harame,Andreas D Stricker,Mattias E Dahlstrom,Peter B Gray,Alvin J Joseph,Russell T Herrin. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2012-04-01.

Transistor structure with a sidewall-defined intrinsic base to extrinsic base link-up region and method of forming the structure

Номер патента: TW201612981A. Автор: Renata Camillo-Castillo,David L Harame,Andreas D Stricker,Mattias E Dahlstrom,Peter B Gray,Alvin J Joseph,Russell T Herrin. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2016-04-01.

Silicon carbide static induction transistor structures

Номер патента: EP1018164A1. Автор: Rowland C. Clarke,Anant K. Agarwal,Charles D. Brandt,Richard R. Siergiej. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2000-07-12.

Silicon carbide static induction transistor structure

Номер патента: EP1018164B1. Автор: Rowland C. Clarke,Anant K. Agarwal,Charles D. Brandt,Richard R. Siergiej. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

Non-volatile memory device having select transistor structure and SONOS cell structure and method for fabricating the device

Номер патента: US6794711B2. Автор: Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Soeng-gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-21.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A4. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-08-21.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH A SIDEWALL-DEFINED INTRINSIC BASE TO EXTRINSIC BASE LINK-UP REGION AND METHOD OF FORMING THE TRANSISTOR

Номер патента: US20130149832A1. Автор: Liu Qizhi,Harame David L.,HERRIN Russell T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-13.

Lateral transistor structure and method of making the same

Номер патента: US3651565A. Автор: David V Talbert. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1972-03-28.

Non-volatile memory device having select transistor structure and SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) cell structure and method for fabricating the same

Номер патента: KR100446308B1. Автор: 김성균,한정욱,강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-01.

Gallium nitride high electron mobility transistor structure

Номер патента: US20060261370A1. Автор: William Hoke,John Mosca. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-11-23.

Non-volatile memory device having select transistor structure and sonos cell structure and method for fabricating the device

Номер патента: US20040046210A1. Автор: Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Soeng-gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Transistor structure with a sidewall-defined intrinsic base to extrinsic base link-up region and method of forming the structure

Номер патента: TWI582853B. Автор: 亞文Ｊ 喬瑟夫,瑞那塔 卡密羅卡斯提,馬諦斯Ｅ 達爾斯壯,彼得Ｂ 葛瑞,大衛Ｌ 哈拉姆,盧希爾Ｔ 赫林,安德利斯Ｄ 史迪克生. Владелец: 萬國商業機器公司. Дата публикации: 2017-05-11.

POWER SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CHARGE TRAPPING MATERIAL IN THE GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20130256747A1. Автор: Sin Johnny Kin On,Zhou Xianda. Владелец: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-10-03.

PROCESS OF FORMING AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190035910A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

VACUUM CHANNEL TRANSISTOR STRUCTURES WITH SUB-10 NANOMETER NANOGAPS AND LAYERED METAL ELECTRODES

Номер патента: US20200098534A1. Автор: Smith Joshua T.,Wunsch Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Insulated Gate Bipolar Transistor Structure Having Low Substrate Leakage

Номер патента: US20160111498A1. Автор: YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,CHENG Chih-Chang,YEH Jen-Hao,HUO KER-HSIAO. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Field-effect transistor structure and fabrication method

Номер патента: US20210143263A1. Автор: Lukas Czornomaz,Kirsten Emilie Moselund,Clarissa Convertino,Cezar Bogdan Zota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150137092A1. Автор: SHINN Ted-Hong,WANG Henry,Hsu Cheng-Hang,WANG CHIH-HSUAN. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170133607A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Henry Wang,Cheng-Hang Hsu,Chih-Hsuan Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

VACUUM CHANNEL TRANSISTOR STRUCTURES WITH SUB-10 NANOMETER NANOGAPS AND LAYERED METAL ELECTRODES

Номер патента: US20210166908A1. Автор: Smith Joshua T.,Wunsch Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Process of Forming an Electronic Device Including a Transistor Structure

Номер патента: US20200227536A1. Автор: Banerjee Abhishek,Moens Peter. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

High Electron Mobility Transistor Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20190245046A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

High Electron Mobility Transistor Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20170338316A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Embedded bit line structure, field effect transistor structure with the same and method of fabricating the same

Номер патента: TW201120993A. Автор: Shing-Hwa Renn,Cheng-Chih Huang,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of making high electron mobility transistor structure

Номер патента: US09583588B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for making a schottky diode that is compatible with high performance transistor structures

Номер патента: US5583348A. Автор: Lalgudi M. G. Sundaram. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-12-10.

High electron mobility transistor structure

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US11894444B2. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20230109345A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: GB2616547A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Jason Oteri Clint. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Secure chip identification using random threshold voltage variation in a field effect transistor structure as a physically unclonable function

Номер патента: US20220149183A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Transistor structure and driving circuit structure

Номер патента: US20130306968A1. Автор: Po-Yuan Shen,Chih-Wei Tai,Jyu-Yu Chang,Chun-Wei Lai,Wen-Jung Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Transistor structure and driving circuit structure

Номер патента: CN102760772B. Автор: 李文荣,戴志伟,沈柏元,赖君伟,张居裕. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-04-29.

High electron mobility transistor structure and method

Номер патента: US20130334538A1. Автор: Paul Saunier. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD FOR PROCESSING A CARRIER, A CARRIER, AND A SPLIT GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170018557A1. Автор: Storbeck Olaf,Kaemmer Kerstin,FEICK Henning,Schmeide Matthias,Bertrams Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

METHOD FOR FORMING TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20220068725A1. Автор: Chan Boon Teik,Briggs Basoene,BOEMMELS Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor structure

Номер патента: US20200161421A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

III-V, GE, OR SIGE FIN BASE LATERAL BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20150287650A1. Автор: Lauer Isaac,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.,Lauer Gen P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-08.

Field Effect Transistor Structure Having Notched Mesa

Номер патента: US20160329420A1. Автор: Hwang Kiuchul. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-11-10.

METHOD FOR PROCESSING A CARRIER, A CARRIER, AND A SPLIT GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150371995A1. Автор: Storbeck Olaf,Kaemmer Kerstin,FEICK Henning,Schmeide Matthias,Bertrams Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Fabrication of test field effect transistor structure

Номер патента: US6436773B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-08-20.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290872A1. Автор: Po-Jung Lin,Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for processing a carrier, a carrier, and a split gate field effect transistor structure

Номер патента: US20150371995A1. Автор: Olaf Storbeck,Henning Feick,Thomas Bertrams,Kerstin Kaemmer,Matthias Schmeide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for processing a carrier, a carrier, and a split gate field effect transistor structure

Номер патента: US09478555B2. Автор: Olaf Storbeck,Henning Feick,Thomas Bertrams,Kerstin Kaemmer,Matthias Schmeide. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Cap layers and/or passivation layers for nitride-based transistors, transistor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US20060108606A1. Автор: Richard Smith,Scott Sheppard,Adam Saxler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Coffie Robert L.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

METHOD OF MAKING HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150056766A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD OF MAKING AN INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150072496A1. Автор: HUO Ker Hsiao,SU Ru-Yi,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,CHENG Chih-Chang,YEH Jen-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

ENHANCEMENT-MODE HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20140151712A1. Автор: Cao Yu,Johnson Wayne,Laboutin Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

High Electron Mobility Transistor Structure

Номер патента: US20140209920A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chen Chi-Ming,Yu Chung-Yi,Liu Po-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-07-31.

TRANSISTOR STRUCTURE INCLUDING A SCANDIUM GALLIUM NITRIDE BACK-BARRIER LAYER

Номер патента: US20180138303A1. Автор: Coffie Robert L.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

MOS Transistor Structure and Method

Номер патента: US20160148844A1. Автор: Chen Po-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

NANOWIRE TRANSISTOR STRUCTURES WITH MERGED SOURCE/DRAIN REGIONS USING AUXILIARY PILLARS

Номер патента: US20150236120A1. Автор: Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Hashemi Pouya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-20.

III-N TRANSISTOR STRUCTURES WITH STEPPED CAP LAYERS

Номер патента: US20200273974A1. Автор: Keller Stacia,Mishra Umesh K.,Zheng Xun,Guidry Matthew,Romanczyk Brian. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-08-27.

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (MOS) TRANSISTOR STRUCTURE INTEGRATED WITH A RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM) AND THE MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150311306A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Pengfei,Lin Xi,Sun Qingqing. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

SELF-ALIGNED TRANSISTOR STRUCTURES ENABLING ULTRA-SHORT CHANNEL LENGTHS

Номер патента: US20180331182A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,SUNG Seung Hoon,GARDNER Sanaz K.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-15.

Auxiliary self-protecting transistor structure

Номер патента: US09899370B2. Автор: Taeghyun Kang,Kenneth P. Snowdon,Alister Young. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

MOS-transistor structure with pedestal for protection against electrostatic discharges, has ESD-protection device provided on MOS-transistor base and transistor configuration is generated with an ESD-protection transistor

Номер патента: DE10053724A1. Автор: Alvin Sugerman. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-05-23.

Composite jfet-bipolar transistor structure

Номер патента: US4095252A. Автор: Sam S. Ochi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-06-13.

Transistor structure and method for preparing the same

Номер патента: TW201240089A. Автор: Tieh-Chiang Wu,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-01.

Esd protection device with vertical transistor structure

Номер патента: US20120018778A1. Автор: Kun-Hsien LIN,Ryan Hsin-Chin Jiang,Zi-Ping Chen. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR PROCESSING A CARRIER, A CARRIER, AND A SPLIT GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20160049411A1. Автор: Storbeck Olaf,Kaemmer Kerstin,FEICK Henning,Schmeide Matthias,Bertrams Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

HIGH VOLTAGE JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140197467A1. Автор: Lien Shih-Chin,Wu Shyi-Yuan,Hsu Wei-Hsun,TU SHUO-LUN. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

Transistor Structure for Electrostatic Discharge Protection

Номер патента: US20140203367A1. Автор: Chen Lu-An,Tang Tien-Hao. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-07-24.

TRANSISTOR STRUCTURE FOR ELECTROSTATIC PROTECTION AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20210210480A1. Автор: Lu Yang,WANG WEIHUAI. Владелец: Joulwatt Technology (Hangzhou) Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-08.

Vertical compound semiconductor field effect transistor structure

Номер патента: US6818939B1. Автор: Peyman Hadizad. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-11-16.

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH P-TYPE SILICON GERMANIUM OR SILICON GERMANIUM CARBIDE GATE(S) AND METHOD OF FORMING THE STRUCTURE

Номер патента: US20140235021A1. Автор: Phelps Richard A.,Liu Xuefeng,Rassel Robert M.,Tian Xiaowei. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-21.

SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130210210A1. Автор: KRISHNASAMY Rajendran,Gluschenkov Oleg,SCHONENBERG Kathryn T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20130237020A1. Автор: Ono Hideki,Yagi Iwao,Sasaki Mari. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD FOR PRODUCING A TRANSISTOR STRUCTURE WITH SUPERIMPOSED NANOWIRES AND WITH A SURROUNDING GATE

Номер патента: US20130302955A1. Автор: Grenouillet Laurent,Vinet Maud,BARRAUD SYLVAIN. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENE ALT. Дата публикации: 2013-11-14.

STRAINED TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140141588A1. Автор: Dove Barry. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2014-05-22.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20140170819A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

SECURE CHIP IDENTIFICATION USING RANDOM THRESHOLD VOLTAGE VARIATION IN A FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AS A PHYSICALLY UNCLONABLE FUNCTION

Номер патента: US20220149183A1. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Zhang Jingyun,Oteri Clint Jason. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

TRANSISTOR STRUCTURES HAVING A DEEP RECESSED P+ JUNCTION AND METHODS FOR MAKING SAME

Номер патента: US20140183552A1. Автор: Zhang Qingchun,Hull Brett. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

Hybrid Fin Field-Effect Transistor Structures and Related Methods

Номер патента: US20140193955A1. Автор: Currie Matthew T.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-07-10.

RECESSED FIELD PLATE TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20140361342A1. Автор: Sriram Saptharishi,Radulescu Fabian,Sheppard Scott,Alcorn Terry. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Distributed inductance integrated field effect transistor structure

Номер патента: US20210320053A1. Автор: Nianhua (Frank) JIANG. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2021-10-14.

Transistor structure

Номер патента: KR960016485B1. Автор: Hyun-Sang Hwang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-12.

NPN TRANSISTOR STRUCTURE EQUIVALENT WITH HIGHER CLAMPING VOLTAGE THAN INTRINSIC CLAMP VOLTAGE OF NPN TRANSISTORS

Номер патента: FR2596202A1. Автор: Paolo Ferrari,Maurizio Zuffada,Franco Bertotti. Владелец: SGS Microelettronica SpA. Дата публикации: 1987-09-25.

Semiconductor memory devices including vertical transistor structures

Номер патента: US20130056812A1. Автор: Sua Kim,Jin HO KIM,Chulwoo PARK,Sangbo Lee,Hongsun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

DOUBLE-SIDED VERTICAL POWER TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20210351178A1. Автор: Wood John. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Transistor structures gated using a conductor-filled via or trench

Номер патента: US09953900B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Sami Rosenblatt,John M. Safran,Michael S. Cranmer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Programmable hex-ROM with isolation transistor structure

Номер патента: US5773867A. Автор: Sailesh Chittipeddi,William Thomas Cochran,Kang Woo Lee. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-06-30.

Thin film transistor device and thin film transistor structure forming method

Номер патента: JP4145366B2. Автор: ティー．フルクス ロナルド. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2008-09-03.

TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130119479A1. Автор: Lee Kun-Hsien,Huang Cheng-Tung,Hung Wen-Han,Chen Tsai-Fu,Ting Shyh-Fann,Lo Ta-Kang,Cheng Tzyy-Ming. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-05-16.

LOW POWER SEMICONDUCTOR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20130328129A1. Автор: Shifren Lucian,Thompson Scott E.,Zhang Weimin,Ranade Pushkar,Sonkusale Sachin R.. Владелец: SUVOLTA, INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220139762A1. Автор: LI Yunfei,Feng Ji,ZHANG Guohai,TEY CHING HWA. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Transistor structures gated using a conductor-filled via or trench

Номер патента: US20170287812A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Sami Rosenblatt,John M. Safran,Michael S. Cranmer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

ARRAY FANOUT PASS TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150364196A1. Автор: Hu Chih-Wei,CHEN CHIEH-FANG,Yeh Teng-Hao,LIN LEE-YIN. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-12-17.

Integrated circuit image sensor cell with skimming gate implemented using a vertical gate transistor structure

Номер патента: US20190181180A1. Автор: Francois Roy. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-06-13.

Transistor Structures And Integrated Circuitry Comprising An Array of Transistor Structures

Номер патента: US20140021550A1. Автор: Gonzalez Fernando. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20200078785A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

DUMMY VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE TO REDUCE CROSS TALK IN PIXEL SENSOR

Номер патента: US20210091127A1. Автор: Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,Chou Shih-Pei. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

MAIN-AUXILIARY FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES FOR RADIO FREQUENCY APPLICATIONS

Номер патента: US20180091136A1. Автор: Fuh Hanching,Whitefield David Scott,DICARLO Paul T.,Bartle Dylan Charles,Wang Hailing,Mason Jerod F.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH THREE-DIMENSIONAL TRANSISTOR STRUCTURE AND FORMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200135777A1. Автор: Li Jie,Wang Yonggang,LI Wenqiang,Zhao Lixin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

INTEGRATED CIRCUIT IMAGE SENSOR CELL WITH SKIMMING GATE IMPLEMENTED USING A VERTICAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20190181180A1. Автор: Roy Francois. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2019-06-13.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20180193835A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

MOS-transistor structure as light sensor

Номер патента: US20140312205A1. Автор: Bretschneider Ernst. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2014-10-23.

OPTO-ELECTRONIC DEVICE HAVING JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210249453A1. Автор: Kim Hojung,BAIK Chanwook,CHO Kyungsang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-12.

OPTO-ELECTRONIC DEVICE HAVING JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE OPTO-ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210249465A1. Автор: Kim Hojung,BAIK Chanwook,CHO Kyungsang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-12.

Stacked transistor structure with reflection layer

Номер патента: US12142599B2. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Junli Wang,Teresa J. Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Bonding techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20240321855A1. Автор: Chi On Chui,Chen-Fong Tsai,Han-De Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR MICROBAND MOUNTING AND MICROBAND TYPE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: FR2636473A1. Автор: Nagahama Kohki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-03-16.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

High-voltage transistor structure having uniform thermal characteristics

Номер патента: US3617821A. Автор: Willem Gerard Einthoven. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Transistor structure capable of isolating electric interference

Номер патента: TWM274640U. Автор: Chung-Shing Tz,Shr-Yi Jang. Владелец: Domintech Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Optical transistor structure

Номер патента: CA1144266A. Автор: Derrick J. Page. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1983-04-05.

FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR MICRO-BAND MOUNTING AND MICRO-BAND TYPE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: FR2636473B1. Автор: Nagahama Kohki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-06-03.

Organic Semiconductor Film, Method for Manufacturing Same, and Transistor Structure

Номер патента: US20160118589A1. Автор: Takashi Matsumoto,Munehito Kagaya,Taiki KATO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Transistor Structure

Номер патента: US20130099220A1. Автор: HUANG Sung-Hui,YEH Chia-Chun,WANG Henry,TSAI Yao-Chou. Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2013-04-25.

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR (MOS) TRANSISTOR STRUCTURE INTEGRATED WITH A RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM) AND THE MANUFACTURING METHODS THEREOF

Номер патента: US20130341696A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Pengfei,Lin Xi,Sun Qingqing. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-26.

TUNNEL TRANSISTOR STRUCTURE INTEGRATED WITH A RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM) AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130341697A1. Автор: ZHANG Wei,Wang Pengfei,Lin Xi,Sun Qingqing. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for fabricating a damascene self-aligned ferrorelectric random access memory (f-ram) having a ferroelectric capacitor aligned with a three dimensional transistor structure

Номер патента: US20140093983A1. Автор: John Cronin,Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20200027826A1. Автор: Zhang Haojun,LEE CHIEN-HSIN,NATARAJAN Mahadeva Iyer. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Organic Semiconductor Film, Method for Manufacturing Same, and Transistor Structure

Номер патента: US20160118589A1. Автор: MATSUMOTO Takashi,KAGAYA Munehito,KATO Taiki. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20150236260A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Creating An Embedded ReRam Memory From A High-K Metal Gate Transistor Structure

Номер патента: US20140319449A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazovsky David E. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD, GAS SENSOR AND RELATED APPARATUS

Номер патента: US20190252629A1. Автор: YANG Ruizhi,ZHANG QIANG,LIU Sha,XIE Chunyan,Qiu Yun,Wang Qinghe,Feng Xiang,YANG Zhaokun. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

NANOTUBE BASED TRANSISTOR STRUCTURE, METHOD OF FABRICATION AND USES THEREOF

Номер патента: US20160285018A1. Автор: SHAHAL Illani,PECKER Sharon,BENYAMINI Avishal,WAISMANN Jonah,HAMO Assaf,HONIG Maayan. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180286801A1. Автор: Zhang Haojun,LEE CHIEN-HSIN,NATARAJAN Mahadeva Iyer. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170317302A1. Автор: Chang Chun-Yen. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-02.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE FOR PREVENTING FROM SHORTING

Номер патента: US20160358844A1. Автор: TZU Chung Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Display device and transistor structure for the same

Номер патента: US09818342B2. Автор: Joon-Min Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Bi-directional transistor structure

Номер патента: US6084458A. Автор: Kuan-Yu Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: EP3671878A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Topological transistor structure and topological transistor

Номер патента: EP3975275A1. Автор: Victor Fernandez Becerra,Mircea Trif,Timo Hyart. Владелец: Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Дата публикации: 2022-03-30.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: WO2024172968A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: US20240275378A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Ambipolar transistor structure and electronic device

Номер патента: US20230240088A1. Автор: Tanmoy SARKAR,Gitti L. FREY. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Nonvolative memory devices with charge trap transistor structures and methods of operation thereof

Номер патента: US20240087647A1. Автор: Subramanian Iyer,Sepideh NOURI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-14.

Locally 2 sided chc dram access transistor structure

Номер патента: US20120235214A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Improved synapse sell employing dual gate transistor structure

Номер патента: GB9011972D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1990-07-18.

Methods and systems for down-converting a signal using a complementary transistor structure

Номер патента: US09444673B2. Автор: David F. Sorrells,Michael J. Bultman,Robert W. Cook,Richard C. Looke,Charley D. Moses, Jr.. Владелец: ParkerVision Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Driver with symmetric bipolar transistor or symmetric bipolar transistor structure

Номер патента: JP3342489B2. Автор: チールフート、ヘルマン. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-11-11.

Method for forming a thin film transistor device and method for forming a transistor structure

Номер патента: JP4204870B2. Автор: ルイス・エル・スー,トリシア・エル・ブリーン,ローレンス・エイ・クレヴァンガー,リ−コング・ワング,クゥオング・ホン・ウォング. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-07.

Methods and Systems for Down-Converting a Signal Using a Complementary Transistor Structure

Номер патента: US20160013755A1. Автор: SORRELLS David F.,BULTMAN Michael J.,COOK Robert W.,LOOKE Richard C.,MOSES,JR. Charley D.. Владелец: PARKERVISION, INC.. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods and Systems for Down-Converting a Signal Using a Complementary Transistor Structure

Номер патента: US20160020937A1. Автор: SORRELLS David F.,BULTMAN Michael J.,COOK Robert W.,LOOKE Richard C.,Moses Charley D.. Владелец: PARKERVISION, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Methods and Systems for Down-Converting a Signal Using a Complementary Transistor Structure

Номер патента: US20160020938A1. Автор: SORRELLS David F.,BULTMAN Michael J.,COOK Robert W.,LOOKE Richard C.,Moses Charley D.. Владелец: PARKERVISION, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Methods and Systems for Down-Converting a Signal Using a Complementary Transistor Structure

Номер патента: US20140308912A1. Автор: SORRELLS David F.,BULTMAN Michael J.,COOK Robert W.,LOOKE Richard C.,Moses Jr. Charley D.. Владелец: PARKERVISION, INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

Methods and Systems for Down-Converting a Signal Using a Complementary Transistor Structure

Номер патента: US20150295536A1. Автор: SORRELLS David F.,BULTMAN Michael J.,COOK Robert W.,LOOKE Richard C.,MOSES,JR. Charley D.. Владелец: PARKERVISION, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Printhead with looped gate transistor structures

Номер патента: MY127121A. Автор: M Torgerson Joseph,R Bryant Frank,White Bakkom Angela. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: AU2003268894A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: WAGENINGEN UNIVERSITEIT. Дата публикации: 2003-12-02.

Thin film transistor structure for protecting array panel and Method for fabricating thin film transistor

Номер патента: KR100705620B1. Автор: 박상진,고영익. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2007-04-11.

Thin film transistor structure for protecting array panel and Method for fabricating thin film transistor

Номер патента: KR20050015104A. Автор: 박상진,고영익. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2005-02-21.

Organic Light Emitting Display Device and Transistor Structure for the Same

Номер патента: US20160098960A1. Автор: Park Joon-Min. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

LATERAL/VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURES AND PROCESS OF MAKING AND USING SAME

Номер патента: US20160184821A1. Автор: Hobbs Eric D.,Valley Justin K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Powerful uhf transistor structure

Номер патента: RU2253923C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2005-06-10.

Isothermal transistor structures

Номер патента: WO2024209317A1. Автор: Ken Cadien,Douglas W. Barlage,Lhing Gem SHOUTE. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-10-10.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216071C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Integrated mos transistor structure

Номер патента: RU2207662C1. Автор: В.Н. Мордкович,В.Н. Мурашев,Е.А. Ладыгин,Е.С. Горнев,В.А. Сычевский. Владелец: АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон". Дата публикации: 2003-06-27.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216070C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Method of selecting cmos/soi transistor structures resistant to effect of full absorbed dose of ionising radiation

Номер патента: RU2466417C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Владимир Дмитриевич Скупов,Сергей Леонидович Торохов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-11-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216069C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Power mos transistor structure

Номер патента: CA1280221C. Автор: Eugene Tonnel,Gilles Thomas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-02-12.

Method for making transistor structures

Номер патента: CA1050666A. Автор: George E. Smith. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1979-03-13.

Transistor structure using bipolar junction transistor to avoid antenna effect and manufacturing method

Номер патента: TW413889B. Автор: Suei-Hung Chen,Jiau-Ren Shr,Jian-Shing Li,Chung-Rung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-12-01.

TRANSISTOR STRUCTURE, MANUFACTURING METHOD OF TRANSISTOR STRUCTURE, AND LIGHT EMITTING APPARATUS

Номер патента: US20120061675A1. Автор: . Владелец: CASIO COMPUTER CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-15.

Fin field effect transistor structure and method for forming fin field effect transistor structure

Номер патента: CN102820334B. Автор: 蔡振华,黄瑞民,陈益坤,廖端泉,戴圣辉,朱晓忠. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-12.

SRAM based on 6 transistor structure including a first inverter, a second inverter, a first pass-gate transistor, and a second pass-gate transistor

Номер патента: US20130223136A1. Автор: LIN Yi-Wei,YANG Hao-I,Chuang Ching-Te,Hwang Wei,Jou Shyh-Jye,Tsai Ming-Chien,Shih Wei-Chiang,Lien Nan-Chun,Lee Kuen-Di,Tu Ming-Hsien. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-29.

Scalable planar DMOS transistor structure and its fabricating methods

Номер патента: TW200605324A. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2006-02-01.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: TW201234589A. Автор: Chun-Hsien Lin,Sheng-Huei Dai,Rai-Min Huang,Chen-Hua Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Transistor structure with electrostatic discharge protection ion implantation and the fabricating method of the same

Номер патента: TW442941B. Автор: Ming-Dou Ker,Hun-Hsien Chang,Tung-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-06-23.

Amorphous silicon thin film transistor structure and fabrication process thereof

Номер патента: TW274147B. Автор: Maw-Song Chen,Syh-Tsern Li,Jeng-Shiuh Jou. Владелец: Nat Science Committee. Дата публикации: 1996-04-11.

Self-aligned trench-type DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: TW200606997A. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Improvements in or relating to complementary transistor structure

Номер патента: AU276275B2. Автор: Chang Un Hung. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1965-11-11.

Integrated complementary transistor structure with equivalent performance characteristics

Номер патента: CA823839A. Автор: Y. Chang Gil. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-09-23.

Temperature compensated transistor structure

Номер патента: AU2321156A. Автор: Dunn Evans and Roger Robinson Webster Arthur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1957-05-16.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI334227B. Автор: Yu Cheng Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-12-01.

Double diffused, lateral transistor structure

Номер патента: AU481458B2. Автор: Dante Sommella Michael Paul Anthony Richard. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1975-10-23.

Method of manufacturing power hf transistor structures

Номер патента: RU762649C. Автор: V N Glushchenko,B K Petrov. Владелец: B K Petrov. Дата публикации: 1993-10-30.

Temperature compensated transistor structure

Номер патента: AU219544B2. Автор: Dunn Evans and Roger Robinson Webster Arthur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1957-05-16.

Self-aligned trench-type DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: TWI249770B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

A bipolar junction transistor structure and forming method thereof

Номер патента: TW387150B. Автор: Guan-Luen Jang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2000-04-11.

Low temperature polycrystalline silicon thin film transistor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200742082A. Автор: Chi-Lin Chen,Chih-Jeng Huang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-01.

Improvements in or relating to semiconductor devices having afield effect transistor structure

Номер патента: AU2175367A. Автор: Marthus Reinier Van Iersel Alfons. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1968-11-21.

Improvements in or relating to semiconductor devices having afield effect transistor structure

Номер патента: AU417185B2. Автор: Marthus Reinier Van Iersel Alfons. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1968-11-21.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200847438A. Автор: Yu-Cheng Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-12-01.

Non-symmetrical transistor structure and its manufacturing method

Номер патента: TW414949B. Автор: Tian-You Huang,Jen-Tsung Shiu,Jia-Yung Guo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-12-11.

Double-poly thin-film transistor structure and fabrication process thereof

Номер патента: TW295704B. Автор: Menq-Jiin Tsay,Huanq-Jong Jeng. Владелец: Ju Meei Lian. Дата публикации: 1997-01-11.

Improvements in or relating to complementary transistor structure

Номер патента: AU4426064A. Автор: Chang Un Hung. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1965-11-11.

Low temperature polycrystalline silicon thin film transistor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI299908B. Автор: Chi Lin Chen,Chih Jeng Huang. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2008-08-11.

Transistor structure and method of making the same

Номер патента: TW200905801A. Автор: Shian-Jyh Lin,Chung-Yuan Lee,Chao-Sung Lai,Shing-Kan Peng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Transistor structure of embedded circuit

Номер патента: TWM298770U. Автор: Chung-Shing Tz. Владелец: Chung-Shing Tz. Дата публикации: 2006-10-01.

Self-aligned trench DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: TWI248172B. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2006-01-21.

A self-aligned field-effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI311344B. Автор: Tri-Rung Yew,Wei-Chang Yang. Владелец: Nat Tsing Hua Universit. Дата публикации: 2009-06-21.

Self-aligned trench DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: TW200605275A. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon Based Tech Corp. Дата публикации: 2006-02-01.

Narrow emitter transistor structure

Номер патента: CA807345A. Автор: L. Langdon Jack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1969-02-25.

A self-aligned field-effect transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200822233A. Автор: Tri-Rung Yew,Wei-Chang Yang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2008-05-16.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: TW200908317A. Автор: Oleg Gluschenkov,Rajendran Krishnasamy,Kathryn T Schonenberg. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-02-16.

Transistor Structure for Improved Static Control During Formation of the Transistor

Номер патента: US20120074471A1. Автор: Cowen Timothy A.. Владелец: ADVANTECH GLOBAL, LTD. Дата публикации: 2012-03-29.

TRANSISTOR STRUCTURE AND RELATED TRANSISTOR PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130062785A1. Автор: Lin Kuo-Fan,Lin Chi-Shang. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

SINGLE TRANSISTOR FLOATING-BODY DRAM DEVICES HAVING VERTICAL CHANNEL TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120061752A1. Автор: YOON Hong-Sik,YEO In-Seok,Huo Zong-Liang,Baik Seung-Jae,Kim Shi-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

TRENCH-GENERATED TRANSISTOR STRUCTURES, DEVICE STRUCTURES, AND DESIGN STRUCTURES

Номер патента: US20120119296A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

Thin film transistor structure

Номер патента: CN1987626A. Автор: 甘丰源,林友民. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-06-27.

MULTI-GATE NON-PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE STRUCTURE USING A DOPANT IMPLANT PROCESS TO TUNE DEVICE DRIVE CURRENT

Номер патента: US20120156838A1. Автор: Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-21.

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH P-TYPE SILICON GERMANIUM OR SILICON GERMANIUM CARBIDE GATE(S) AND METHOD OF FORMING THE STRUCTURE

Номер патента: US20120168820A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD WHICH HAS CHANNEL EPITAXIAL EQUIPPED WITH LATERAL EPITAXIAL STRUCTURE

Номер патента: US20120241866A1. Автор: Yamasaki Hiroyuki. Владелец: TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS, INC.. Дата публикации: 2012-09-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING TEST AND TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120319110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING TRANSISTOR STRUCTURE ON DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR, RELATED METHOD AND DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20140021547A1. Автор: Clark,JR. WILLIAM F.,Liu Qizhi,Shi Yun,Rassel Robert M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-23.

Double pole transistor structure design of low start voltage gallium arsenide base new structure hetero junction

Номер патента: CN1314088C. Автор: 龚敏,石瑞英. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2007-05-02.

Transistor structure, semiconductor structure and preparation method thereof

Номер патента: CN116033750B. Автор: 刘翔. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-16.

Gallium nitride transistor structure and gallium nitride-based epitaxial structure

Номер патента: CN212542443U. Автор: 林科闯,张恺玄,房育涛,刘波亭. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

Double pole transistor structure design of low start voltage gallium arsenide base new structure hetero junction

Номер патента: CN1617313A. Автор: 龚敏,石瑞英. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2005-05-18.

TRANSISTOR STRUCTURE AND LIGHT EMITTING APPARATUS

Номер патента: US20120007093A1. Автор: YAMAMOTO Kazuto. Владелец: CASIO COMPUTER CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

MOS TRANSISTOR STRUCTURE WITH IN-SITU DOPED SOURCE AND DRAIN AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120032231A1. Автор: . Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Transistor Structure

Номер патента: US20120061650A1. Автор: HUANG Sung-Hui,YEH Chia-Chun,WANG Henry,TSAI Yao-Chou. Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2012-03-15.

HETEROJUNCTION BIOPLAR TRANSISTOR STRUCTURE WITH GaPSbAs BASE

Номер патента: US20120068228A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120068268A1. Автор: Wang Yu-Ren,Lu Tsuo-Wen,Hsiao Tsai-Fu. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

MICROPSTRIP TRANSMISSION LINE/COPLANAR WAVEGUIDE (CPW) TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120068793A1. Автор: . Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-03-22.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH SILICIDED SOURCE AND DRAIN EXTENSIONS AND PROCESS FOR FABRICATION

Номер патента: US20120104503A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-03.

OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120132914A1. Автор: Chen Chia-Hsiang,Tseng Shih-Hsien,Hung Ming-Chin,Tu Chun-Hao,Lin Wei-Ting,Chang Jiun-Jye. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120161228A1. Автор: Li Huai-An,WENG SHOU-CHENG. Владелец: Chunghwa Picture Tubes, LTD.. Дата публикации: 2012-06-28.

ASYMMETRIC FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20120168832A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-05.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120175607A1. Автор: . Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2012-07-12.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120199888A1. Автор: . Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-09.

TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120199890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

MULTI-LEVEL LATERAL FLOATING COUPLED CAPACITOR TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120211834A1. Автор: . Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-08-23.

HYBRID FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES AND RELATED METHODS

Номер патента: US20120220083A1. Автор: Currie Matthew T.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-30.

METHODS AND SYSTEMS FOR DOWN-CONVERTING A SIGNAL USING A COMPLEMENTARY TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120220254A1. Автор: SORRELLS David F.,BULTMAN Michael J.,COOK Robert W.,LOOKE Richard C.,MOSES,JR. Charley D.. Владелец: PARKERVISION, INC.. Дата публикации: 2012-08-30.

Thin Film Transistor Structure

Номер патента: US20120228618A1. Автор: Lin Yu-Min,Gan Feng-Yuan. Владелец: AU OPTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-09-13.

LOCALLY 2 SIDED CHC DRAM ACCESS TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20120235214A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120235228A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2012-09-20.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20120235233A1. Автор: Nowak Edward J.,WILLIAMS Richard Q.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURE AND DISPLAY DEVICE HAVING SAME

Номер патента: US20120235235A1. Автор: . Владелец: E Ink Holdings Inc.. Дата публикации: 2012-09-20.

FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF

Номер патента: US20120241863A1. Автор: TSAI Teng-Chun,WU Chun-Yuan,LIN Chin-Fu,LIU Chih-Chien,CHIEN Chin-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-09-27.

High-Voltage Transistor Structure with Reduced Gate Capacitance

Номер патента: US20120273885A1. Автор: Banerjee Sujit,Parthasarathy Vijay. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

Gate Pullback at Ends of High-Voltage Vertical Transistor Structure

Номер патента: US20120280314A1. Автор: Parthasarathy Vijay,Manley Martin H.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Shi Yun,Phelps Richard A.,CANDRA Panglijen,Rassel Robert M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

METHODS AND APPARATUS TO REDUCE LAYOUT BASED STRAIN VARIATIONS IN NON-PLANAR TRANSISTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120305990A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

FIELD TRANSISTOR STRUCTURE MANUFACTURED USING GATE LAST PROCESS

Номер патента: US20130001574A1. Автор: ITO Akira,Shiau Guang-Jye,Lu Chao-Yang. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

PLANAR FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130001660A1. Автор: Dyer Thomas W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

Vertical Stacking of Field Effect Transistor Structures for Logic Gates

Номер патента: US20130001701A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

BODY CONTACT SOI TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Wu Dongping,Zhang Shili. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

TRANSISTOR STRUCTURE HAVING A TRENCH DRAIN

Номер патента: US20130034952A1. Автор: Davies Robert Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR FABRICATING A DAMASCENE SELF-ALIGNED FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY (F-RAM) HAVING A FERROELECTRIC CAPACITOR ALIGNED WITH A THREE DIMENSIONAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130037872A1. Автор: Cronin John,Sun Shan,Davenport Thomas E.. Владелец: Ramtron International Corporation. Дата публикации: 2013-02-14.

TRANSISTOR STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20130056835A1. Автор: Margalit Moti,TESSLER Nir,GLOBERMAN Oded,SHENHAR Roy. Владелец: TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD.. Дата публикации: 2013-03-07.

TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Liang Renrong,Xu Jun,Wang Jing,Cui Ning. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130105817A1. Автор: Saunier Paul. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2013-05-02.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20130134435A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR STRUCTURE FOR REDUCED CURRENT CROWDING

Номер патента: US20130146894A1. Автор: Ryu Sei-Hyung,Cheng Lin,Agarwal Anant K.. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-06-13.

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR STRUCTURE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE PERFORMANCE

Номер патента: US20130161638A1. Автор: Wong King-Yuen,Hsu Chun-Wei,YANG Fu-Chih,YU Jiun-Lei Jerry,YAO Fu-Wei,YU Chen-Ju,Hsiung Chih-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-27.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE HAVING LOW SUBSTRATE LEAKAGE

Номер патента: US20130161689A1. Автор: HUO Ker Hsiao,SU Ru-Yi,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,CHENG Chih-Chang,YEH Jen-Hao,YEH Leaf. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-06-27.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20130161734A1. Автор: WU Tieh Chiang. Владелец: Nan Ya Technology Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20130161735A1. Автор: Panda Durga. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-27.

STRAINED TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130168743A1. Автор: Dove Barry. Владелец: STMicroelectronics, Inc.. Дата публикации: 2013-07-04.

HIGH ELECTRON MOBILITY GaN-BASED TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130175537A1. Автор: CHANG EDWARD YI,Chang Chia-Hua,Lin Yueh-Chin,LIU Shih-Chien,CHEN YU KONG. Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-07-11.

LOW SERIES RESISTANCE TRANSISTOR STRUCTURE ON SILICON ON INSULATOR LAYER

Номер патента: US20130175625A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Mehta Sanjay,HARAN BALASUBRAMANIAN S.,Majumdar Amlan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

Integrated Circuit Including Field Effect Transistor Structures with Gate and Field Electrodes and Methods for Manufacturing and Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20130187196A1. Автор: Kadow Christoph. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-25.

VERTICAL TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130193511A1. Автор: TANAKA Yoshinori,HUANG Yu-Ling,LIU Wei-Chih,Nagai Yukihiro,Hsiung Chih-Wei,FANG Hsuan-Yu,Chen Meng-Hsien,Tseng Chun-Chiao,Ai Chung-Yung,Hsu Yu-Shan,Chang Wei-Che,Huang Chun-Hua,Takesako Kazuaki,Kadoya Tomohiro,Hsu Wen Kuei,Fujita Hirotake. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE HAVING LOW SUBSTRATE LEAKAGE

Номер патента: US20130207187A1. Автор: HUO Ker Hsiao,SU Ru-Yi,YANG Fu-Chih,TSAI Chun Lin,CHENG Chih-Chang,YEH Jen-Hao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-15.

CREATING AN EMBEDDED RERAM MEMORY FROM A HIGH-K METAL GATE TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20130221317A1. Автор: Chiang Tony P.,Pramanik Dipankar,Lazosky David. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

NARROW BODY FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES WITH FREE-STANDING EXTENSION REGIONS

Номер патента: US20130285126A1. Автор: Chang Josephine B.,Majumdar Amlan,Guillorn Michael A.,Sekaric Lidija. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

NARROW BODY FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURES WITH FREE-STANDING EXTENSION REGIONS

Номер патента: US20130285142A1. Автор: Chang Josephine B.,Majumdar Amlan,Guillorn Michael A.,Sekaric Lidija. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE WITH LOW PARASITIC BJT GAIN AND STABLE THRESHOLD VOLTAGE

Номер патента: US20140008723A1. Автор: Huang Kun-Ming,Lin Ming-Yi,Lin Long-Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-09.

LDMOS SENSE TRANSISTOR STRUCTURE FOR CURRENT SENSING AT HIGH VOLTAGE

Номер патента: US20140021540A1. Автор: Denison Marie,Khayat Joseph Maurice. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-01-23.

MOS TRANSISTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140084363A1. Автор: Sellers James,Venkatraman Prasad,Pearse Jeffrey,BHATT Hemanshu D.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.