Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High ruggedness heterojunction bipolar transistor structure

High ruggedness heterojunction bipolar transistor structure

Номер патента: US20200161421A1
Опубликовано: 21-05-2020
Автор(ы): Chao-Hsing Huang, kai-yu Chen, Min-Nan Tseng, Yu-Chung Chin
Принадлежит: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High ruggedness heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200203510A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors and methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11335794B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-17.

Germanium-Silicon-Tin (GeSiSn) Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20230031642A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of Manufacture of Germanium-Silicon-Tin Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20190296131A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20220278228A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170243939A1. Автор: Shigeru Yoshida,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Bipolar transistor, semiconductor device, and bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09627503B2. Автор: Kenji Sasaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Manufacturing method for n-polar gan transistor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230402525A1. Автор: Xiaoming Ge,Zhitao Chen,Xuebing Yin,Chengguo Li,Qiaoyu ZENG. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2023-12-14.

Bipolar transistors

Номер патента: US20230178638A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US11810910B2. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09806151B2. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device including heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210272877A1. Автор: Kuo-Chun Huang,Wen-Pin Lu,Chi-Chun Lin,Chao-Hung Chen,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180006116A1. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (RF) performance

Номер патента: US09502510B2. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9865715B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20130285121A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9722058B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20170358667A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20170005184A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20150255550A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20190386123A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9385200B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CA1213376A. Автор: Krishna P. Pande. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1986-10-28.

Heterojunction bipolar transistors with field plates

Номер патента: US20200259004A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20200295166A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Low collector contact resistance heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20190305094A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: WO2020167363A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20240030288A1. Автор: Manabu Mitsuhara,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink

Номер патента: EP3574527A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (rf) performance

Номер патента: US20150372098A1. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Manufacturing method for Heterojunction bipolar transistor, HBT therefrom

Номер патента: KR20040057000A. Автор: 김성일,이희태,임종원,홍선의,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-01.

LOW PARASITIC Ccb HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210167187A1. Автор: Liesbeth Witters,Yves MOLS,Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-03.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200227540A1. Автор: Kuo-Chun Huang,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2020-07-16.

P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers

Номер патента: WO2020013924A1. Автор: Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2018063319A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Hetero-junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194561A1. Автор: Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230207672A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20200119171A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20190237566A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20220130983A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20210234026A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20200335611A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20180248023A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Transistor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4170701A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Transistor structure, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220352361A1. Автор: Inho Park,Hui Xue,Wentao Xu,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Transistor Structure Including a Scandium Gallium Nitride Back-barrier Layer

Номер патента: US20190006502A1. Автор: Robert L. Coffie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor transistor structure with reduced contact resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US11791407B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2003009396A3. Автор: Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Compound Semiconductor Lateral PNP Bipolar Transistors

Номер патента: US20140110825A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Alejandro Salcedo,Shuyun Zhang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20180061948A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010054718A1. Автор: Masahiro Tanomura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Directed epitaxial heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09853136B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Epitaxial Base Layers For Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: US20130320403A1. Автор: Paul Douglas Yoder,Munmun Islam,Mahbub D. Satter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: WO2019125688A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-06-27.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20190189787A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Metallic bridge structure for hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20020060327A1. Автор: Henry Chen,Shi-Ming Chen,Juh-Yuh Su,Wen-Liang Li. Владелец: Epitech Corp Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

Method of producing hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20030096470A1. Автор: Masanobu Nogome. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09881994B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US20210210626A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11791404B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11164962B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084060A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US11342443B2. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-05-24.

Process of forming an electronic device including a transistor structure

Номер патента: US20190035910A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Process of Forming an Electronic Device Including a Transistor Structure

Номер патента: US20200227536A1. Автор: Abhishek Banerjee,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145559A1. Автор: Po-Chun Yeh,Hui-Yu Chen,Jui-Chin Chen,Po-Tsung Tu,Chang-Yan HSIEH. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-02.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for manufacturing a vertical field effect transistor structure and corresponding vertical field effect transistor structure

Номер патента: US20240128372A1. Автор: Christian Huber,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

High-electron-mobility transistor structure as well as fabricating method and use thereof

Номер патента: US20240186405A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230395706A1. Автор: Takuya Yamada,Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20240222477A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US11929427B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230402453A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US11791334B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US20150236141A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Tunneling emitter bipolar transistor

Номер патента: WO1987007431A1. Автор: Jingming Xu,Michael Shur. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 1987-12-03.

Bipolar transistor having collector with doping concentration grading

Номер патента: US20230006056A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for fabricating a heterojunction schottky gate bipolar transistor

Номер патента: US09911889B2. Автор: Amit Verma,Mahmoud M. Khader,Reza Nekovei,Aditya Chandra Sai Ratcha. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2018-03-06.

Heterojunction schottky gate bipolar transistor

Номер патента: US09793430B1. Автор: Amit Verma,Mahmoud M. Khader,Reza Nekovei,Aditya Chandra Sai Ratcha. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2017-10-17.

Npn-heterojunction bipolar transistor including an antimonide base formed on semi-insulating indium phosphide substrate

Номер патента: EP1209750A3. Автор: William E. Stanchina,Thomas Hasenberg. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

Heterostructure bipolar transistor

Номер патента: CA1318418C. Автор: Young-Kai Chen,Morton Panish,Richard Norman Nottenburg,Anthony Frederic John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20230307527A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Heterojunction bipolar transistor and power amplifier

Номер патента: US11990537B2. Автор: Chih-Yang Kao,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE-CUTOFF FREQUENCY PRODUCT

Номер патента: WO2013142860A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Japan Limiited. Дата публикации: 2013-09-26.

Heterojunction schottky gate bipolar transistor

Номер патента: US20170323994A1. Автор: Amit Verma,Mahmoud M. Khader,Reza Nekovei,Aditya Chandra Sai Ratcha. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2017-11-09.

Bipolar transistor with base horizontally displaced from collector

Номер патента: US11728380B2. Автор: Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit and methods of fabricating thereof

Номер патента: US09577063B2. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods for producing bipolar transistors with improved stability

Номер патента: US09466687B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries

Номер патента: US09679999B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Bipolar transistor and manufacturing method

Номер патента: US11798937B2. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Low-loss bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040026764A1. Автор: Koji Nakano,Fumihiko Hirose,Yutaka Souda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

HV complementary bipolar transistors with lateral collectors on SOI with resurf regions under buried oxide

Номер патента: US09640611B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US20230387208A1. Автор: Pascal Chevalier,Thomas Zimmer,Sebastien Fregonese. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Power device including lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11876093B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-16.

Power device having lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11646364B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-05-09.

Vertical high-blocking iii-v bipolar transistor

Номер патента: US20220005942A1. Автор: Daniel Fuhrmann,Gregor Keller,Clemens WAECHTER. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2022-01-06.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US11038066B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor Element having an Enhancement-Type Transistor Structure

Номер патента: US20200373399A1. Автор: Joachim N. Burghartz,Mohammed Alomari,Muhammad Alshahed. Владелец: Institut fur Mikroelektronik Stuttgart. Дата публикации: 2020-11-26.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: US20230072229A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Transistor structure with gate over well boundary and related methods to form same

Номер патента: US11942325B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Gap fill dielectrics for electrical isolation of transistor structures in the manufacture of integrated circuits

Номер патента: US12087614B2. Автор: Minyoung Lee,Michael Makowski,Christopher Parker,Sudipto NASKAR,Ryan Pearce,Nita Chandrasekhar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US12125910B2. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: EP3968375A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US11855218B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20240030347A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Deep source and drain for transistor structures with back-side contact metallization

Номер патента: US11688780B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Transistor structure with multi-layer field plate and related method

Номер патента: US20230307508A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Transistor structures with reduced source/drain leakage through backside treatment of subfin semiconductor material

Номер патента: EP4156294A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron Lilak,Patrick Keys,Cory Weber,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Semiconductor structure and transistor structure

Номер патента: US20240014319A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20190386150A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Nanowire transistor structure and nanowire inverter structure

Номер патента: US20200220027A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Field-effect transistor structure having low gate resistance, and preparation method

Номер патента: EP3843160A1. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US20220393028A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20020179933A1. Автор: Majid Hashemi,El-Badawy El-Sharawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2001037349A1. Автор: El-Badawy Amien El-Sharawy,Majid M. Hashemi. Владелец: National Scientific Corporation. Дата публикации: 2001-05-25.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20170117394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US09917181B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20180158937A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated circuits including LDMOS transistor structures and methods for fabricating LDMOS transistor structures

Номер патента: US09793394B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Vertical-channel cell array transistor structure and dram device including the same

Номер патента: EP4148793A1. Автор: Sangwon Kim,Changhyun KIM,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Ldmos transistor structures and integrated circuits including ldmos transistor structures

Номер патента: US20180053842A1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Shi Ya Phyllis Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-22.

Field Effect Transistor Structure Having Notched Mesa

Номер патента: US20180286947A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-10-04.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: WO2016182825A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2016-11-17.

Field effect transistor structure having notched mesa

Номер патента: EP3295487A1. Автор: Kiuchul Hwang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-03-21.

Normally-off gallium oxide field-effect transistor structure and preparation method therefor

Номер патента: US11456387B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-09-27.

Integrated transistor structure having a power transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US09564425B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

High Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20130009252A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-10.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09704967B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Jean-Pierre Blanc,Didier Celi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Heterojunction bipolar transistor and method of making the same

Номер патента: US20220093774A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

High-Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20120007176A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-12.

High voltage bipolar transistor with trench field plate

Номер патента: US9112021B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-18.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Npn heterojunction bipolar transistor in cmos flow

Номер патента: US20150187755A1. Автор: Manoj Mehrotra,Deborah J. Riley,Terry J. BORDELON, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230299132A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

High Performance SiGe Heterojunction Bipolar Transistors Built On Thin Film Silicon-On-Insulator Substrates For Radio Frequency Applications

Номер патента: US20190109054A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming an isolation structure and a bipolar transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US5648281A. Автор: Hamza Yilmaz,Richard K. Williams,Michael E. Cornell,Jun Wei Chen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Method of fabricating double photoresist layer self-aligned heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5736417A. Автор: Aaron K. Oki,Donald K. Umemoto,Liem T. Tran,Dwight C. Streit. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Bipolar transistors with multilayer collectors

Номер патента: US11990536B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-21.

Lateral bipolar transistor structure with marker layer for emitter and collector

Номер патента: US11799021B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11881395B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: EP4210110A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Methods for forming high gain tunable bipolar transistors

Номер патента: US20120264270A1. Автор: XIN Lin,Daniel J. Blomberg,Jiang-Kai Zou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of forming MOS and bipolar transistors

Номер патента: US09929146B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Richard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method for reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09673193B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing IC comprising a bipolar transistor and IC

Номер патента: US09431524B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-30.

III-V, SiGe, or Ge base lateral bipolar transistor and CMOS hybrid technology

Номер патента: US09496184B2. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Gen P. Lauer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

A method for concurrent fabrication of a double polysilicon bipolar transistor and a base polysilicon resistor

Номер патента: WO2003017340A3. Автор: Richard Dondero,David M Szmyd. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-06-10.

Method of converting a metal oxide semiconductor transistor into a bipolar transistor

Номер патента: US20020192917A1. Автор: Ian Wylie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

High fT and fmax Bipolar Transistor and Method of Making Same

Номер патента: US20040262713A1. Автор: Qizhi Liu,Alvin Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A3. Автор: Qizhi Liu,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-05-12.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A2. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-01-13.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: WO2006109221A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers,Raymond J E Hueting. Владелец: Raymond J E Hueting. Дата публикации: 2007-03-29.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming a biCMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09831135B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of forming a BICMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09595480B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US09397164B2. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Lateral bipolar transistor and FET

Номер патента: US5574306A. Автор: Sheng-Hsing Yang,Ying-Tzung Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-11-12.

Stacked complementary transistor structure for three-dimensional integration

Номер патента: GB2628503A. Автор: Cheng Kangguo,Mochizuki Shogo,Li Juntao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Method of manufacturing a bipolar transistor and bipolar transistor

Номер патента: US20120132999A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-31.

Method of manufacturing trench transistor structure

Номер патента: US20210091067A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods of forming bipolar transistors by silicide through contact and structures formed thereby

Номер патента: US20090057774A1. Автор: Bo Zheng,Kelin J. Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Bipolar transistors

Номер патента: US12107124B2. Автор: John J. Pekarik,Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09953971B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: US09787298B2. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09634129B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device having an insulated gate bipolar transistor arrangement and a method for forming such a semiconductor device

Номер патента: US09515066B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming a bipolar transistor

Номер патента: US5320972A. Автор: Ian W. Wylie. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1878045A2. Автор: Joost Melai,Vijayaraghavan Madakasira. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other

Номер патента: US11908954B2. Автор: Tetsuya Nitta,Takahiro Nakatani,Kakeru Otsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11843034B2. Автор: Haiting Wang,Jagar Singh,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Logic SOI structure, process and application for vertical bipolar transistor

Номер патента: US6790722B1. Автор: Russell J. Houghton,Wilbur D. Pricer,Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni,William R. Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-14.

Bipolar transistor with a reduced collector series resistance

Номер патента: US5877539A. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and related methods

Номер патента: US20170221881A1. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11810969B2. Автор: Haiting Wang,Andreas Knorr,Alexander Martin,Vibhor Jain,Zhenyu Hu,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230290828A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Daniel Schlögl,Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240021713A1. Автор: Haiting Wang,Andreas Knorr,Alexander Martin,Vibhor Jain,Zhenyu Hu,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with 3d isolation

Номер патента: US20230369475A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Operation of Double-Base Bipolar Transistors with Additional Timing Phases at Switching Transitions

Номер патента: US20180219061A1. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor Device Having an Insulated Gate Bipolar Transistor Arrangement and a Method for Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20150303190A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-22.

Trench transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200135713A1. Автор: Wei-Yu Lin,Shih-Hao Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Field-effect transistor structure including passive component or bipolar junction transistor with back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: EP4333061A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Field-effect transistor structure including passive device and back side power distribution network (bspdn)

Номер патента: US20230163202A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Vertically Stacked Transistor Structures

Номер патента: US20230187539A1. Автор: Hans Mertens,Steven Demuynck,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-15.

Ggnmos transistor structure, and esd protection component and circuit

Номер патента: EP4333077A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Self-aligned schottky-barrier clamped planar DMOS transistor structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20060131619A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Silicon-Based Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10475932B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: Untied Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Transistor structure and method with an epitaxial layer over multiple halo implants

Номер патента: US20150084108A1. Автор: Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-26.

Fabrication of thin film fin transistor structure

Номер патента: US12080781B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Elliot N. Tan,Sarah ATANASOV,Jason Peck,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Transistor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240105846A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190131456A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US11843058B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer and a method of fabricating the transistor structures

Номер патента: US20240105854A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structures with a metal oxide contact buffer

Номер патента: US20220052200A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Justin Weber,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Van Le,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

SOI lateral bipolar transistors having surrounding extrinsic base portions

Номер патента: US09502504B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Electric Assembly Including an Insulated Gate Bipolar Transistor Device and a Wide-Bandgap Transistor Device

Номер патента: US20170366180A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Bipolar transistor

Номер патента: US20040075108A1. Автор: Kazuhiro Arai,Yasuyuki Toyoda,Yorito Ota,Shinichi Sonetaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Soi lateral bipolar transistors having surrounding extrinsic base portions

Номер патента: US20150179778A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20020048892A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Bipolar transistor, semiconductor device having bipolar transistors

Номер патента: US5847440A. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Isolation walls for vertically stacked transistor structures

Номер патента: US20190393214A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Series-connected transistor structure

Номер патента: US09620500B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Tien-Wei Chiang,Chien-Chih Lee,Chin-Chi Wang,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09640631B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Gregory Avenier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-02.

FINFET transistor structure and method for making the same

Номер патента: US09385193B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Sheng-Huei Dai,Rai-Min Huang,Chen-Hua Tsai,Xiao Zhong Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of making a bipolar transistor with high-low emitter impurity concentration

Номер патента: US4178190A. Автор: Murray A. Polinsky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Method of fabricating a bipolar transistor

Номер патента: US3895977A. Автор: Thomas J Sanders. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1975-07-22.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Transistor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240079497A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Single-transistor structure, multi-transistor structure, and electronic apparatus

Номер патента: US20240213323A1. Автор: Mingzhi Dai. Владелец: Ningbo Institute of Material Technology and Engineering of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335609A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: CA2927763C. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: WO2014210072A9. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of fabricating hetero-junction bipolar transistor (hbt) and structure thereof

Номер патента: US20090173970A1. Автор: Thomas N. Adam,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Segmented npn vertical bipolar transistor

Номер патента: EP3120386A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman,Md. Iqbal MAHMUD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-25.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: EP3886152A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Stacked transistor structures with asymmetrical terminal interconnects

Номер патента: US20210305098A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Nafees KABIR,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Transistor structure and semiconductor device using the same

Номер патента: US20230269933A1. Автор: Jaepil Lee,Minhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Double-sided integrated circuit transistor structures with depopulated bottom channel regions

Номер патента: EP3926668A1. Автор: PENG Zheng,Tahir Ghani,Mauro Kobrinsky,Aaron Lilak,Harold Kennel,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Thin-film transistor structure and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20190267409A1. Автор: WEI YANG,YU Wen,Ke Wang,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Igzo transistor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150171225A1. Автор: Longqiang Shi,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US09450069B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Radio frequency silicon-on-insulator integrated heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190386121A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20100159664A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Sige heterojunction bipolar transistor (hbt) and method of fabrication

Номер патента: US20080124882A1. Автор: Xuefeng Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Peter J. Geiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Heterojunction bipolar transistor containing at least one silicon carbide layer

Номер патента: US20040195597A1. Автор: John Torvik,Jacques Pankove. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020153535A1. Автор: David Greenberg,Shwu-Jen Jeng,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5247192A. Автор: Keita Nii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1993-09-21.

Heterojunction Bipolar Transistor Manufacturing Method and Integrated Circuit Comprising a Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: EP2458624A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-30.

Method for reducing base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US6475849B2. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2002-11-05.

Reduced base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US20020117734A1. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-08-29.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: EP4365956A1. Автор: Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert J. Gauthier Jr.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: EP3586372A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: WO2018156242A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-30.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: US20240145585A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming lateral heterojunction bipolar devices and the resulting devices

Номер патента: US20200388696A1. Автор: Jagar Singh,Alexander Lee Martin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Insulated gate bipolar transistor device, semiconductor device and method for forming said devices

Номер патента: US09525029B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Heterojunction bipolar transistor, manufacturing method therefor, and communication device therewith

Номер патента: US20030038300A1. Автор: Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Emitter-base mesh structure in heterojunction bipolar transistors for rf applications

Номер патента: EP3721477A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369474A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,George Talor,Gerson R. Ortuno. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Heterojunction bipolar transistors with undercut extrinsic base regions

Номер патента: US20220190145A1. Автор: Mark Levy,Vibhor Jain,James R. Elliott,Qizhi Liu,Sarah McTaggart,Paula Fisher. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Dopant profile control in heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US12068402B2. Автор: HIROSHI Yasuda,Mattias Dahlstrom,Tatsuya Tominari,Jerald Rock,Wibo Van Noort. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050101096A1. Автор: JIA Zheng,JIAN Li,Purakh Verma,Lap Chan,Shao-Fu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Heterojunction Bipolar Transistor Fabrication Using Resist Mask Edge Effects

Номер патента: US20200006482A1. Автор: Santosh Sharma,Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Bipolar transistor comprising a raised collector pedestal for reduced capacitance

Номер патента: GB2497177A. Автор: Qizhi Liu,John Joseph Pekarik,David L Harame,James William Adkisson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: US20240170561A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method making the same

Номер патента: US20050085035A1. Автор: Norio Hayafuji,Rui-Huang Cheng,Chih-Chiang Shen,Chang-Jung Chu,Yong-Yin Chen,Chin-Kun Peng. Владелец: Procomp Informatics Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: EP4372823A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Asymmetrical lateral heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20210091212A1. Автор: Alexander Martin,George R. Mulfinger,Jagar Singh,Ryan Sporer,Judson Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Insulated gate bipolar transistor device having a fin structure

Номер патента: US09978837B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Heterojunction bipolar transistors with airgap isolation

Номер патента: US20210091213A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4896203A. Автор: Yasutomo Kajikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-01-23.

Process of producing heterojunction bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US5494836A. Автор: Kiyotaka Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20150024570A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: WO2011008359A2. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-01-20.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20110278570A1. Автор: Ramana Murty Malladi,James Albert Slinkman,Alvin Jose Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US09673294B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Fabrication method of self-aligned heterojunction bipolar transistor using temporary emitter electrode and polyimide sidewall film

Номер патента: KR960026917A. Автор: 박성호,최성우,박문평. Владелец: 조백제. Дата публикации: 1996-07-22.

Heterojunction bipolar transistor with counter-doped collector region and method of making same

Номер патента: US10998431B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Method for forming a germanium layer and a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5089428A. Автор: Kenneth E. Bean,Douglas P. Verret. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-18.

Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US5098853A. Автор: William E. Stanchina,Marion D. Clark,K. Vaidyanathan. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1992-03-24.

Process for forming a silicon-germanium base of a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: KR20010070331A. Автор: 펭-위 후앙. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-07-25.

Heterojunction Bipolar Transistor and Manufacturing Method

Номер патента: EP2418681A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers,Tony Vanhouck. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-02-15.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5477066A. Автор: Masahiko Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

Double-epitaxy heterojunction bipolar transistors for high speed performance

Номер патента: US5648666A. Автор: Aaron Kenji Oki,Dwight Christopher Streit,Liem Thanh Tran. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Cadmium sulfide layers for indium phosphide-based heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US6049099A. Автор: Andrew Davis,Kenneth Vaccaro,Joseph P. Lorenzo,Helen M. Dauplaise. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2000-04-11.

Fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5729033A. Автор: Madjid Hafizi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20140151750A1. Автор: Renata A. Camillo-Castillo,Jeffrey B. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210384297A1. Автор: Anthony K. Stamper,Jeonghyun Hwang,Johnatan A. Kantarovsky,Henry L. Aldridge, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369473A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11881523B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210091183A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150053982A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150035011A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11869958B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Heterojunction bipolar transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020066909A1. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Yosuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Lateral heterojunction bipolar transistor with emitter and/or collector regrown from substrate and method

Номер патента: US11990535B2. Автор: Haiting Wang,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,Richard F. Taylor, III. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US20100133586A1. Автор: Jong-Min Lee,Kyung-Ho Lee,Byoung-Gue Min,Seong-II Kim,Hyung-Sup Yoon,Eun-Soo Nam. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-03.

Heterojunction bipolar transistor with a thickened extrinsic base

Номер патента: US20180240897A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Base silicide on monocrystalline base structures in bipolar transistors

Номер патента: EP4290581A1. Автор: Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Heterojunction bipolar transistor with epitaxial emitter stack to improve vertical scaling

Номер патента: US20130126944A1. Автор: Alexander Reznicek,Thomas N. Adam,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: US20200328293A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Bipolar transistor with trench-isolated emitter

Номер патента: US5144403A. Автор: Shang-Yi Chiang,Clifford I. Drowley,Wen-Ling M. Huang,Paul V. Voorde. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20170084692A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-23.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US11749747B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US20230223463A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US09647065B2. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Self-aligned raised extrinsic base bipolar transistor structure and method

Номер патента: US6869852B1. Автор: Qizhi Liu,BethAnn Rainey,Alvin J. Joseph,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US9312369B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-12.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11916109B2. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Lateral bipolar transistor structure with inner and outer spacers and methods to form same

Номер патента: US11888050B2. Автор: Haiting Wang,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,John L. Lemon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Lateral bipolar transistor structure with superlattice layer and method to form same

Номер патента: US11862717B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Bipolar transistor structure with emitter/collector contact to doped semiconductor well and related methods

Номер патента: US11804541B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Bipolar transistor structure with base protruding from emitter/collector and methods to form same

Номер патента: US11961901B2. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US20230290829A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Lateral bipolar transistor structure with base over semiconductor buffer and related method

Номер патента: US11784224B2. Автор: Hong Yu,John J. Pekarik,Zhenyu Hu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within in-insulator layer cavities and method

Номер патента: EP4184588A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Bipolar transistor construction

Номер патента: US4631568A. Автор: Neal F. Gardner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1986-12-23.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Process for fabricating a bipolar transistor

Номер патента: US4338138A. Автор: Cheng T. Horng,Richard R. Konian,Robert O. Schwenker,Hans S. Rupprecht,Joseph R. Cavaliere. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-07-06.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: EP4243083A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Bipolar transistor structure with a shallow isolation extension region providing reduced parasitic capacitance

Номер патента: US6864560B2. Автор: Marwan H. Khater,Jae-Sung Rieh,Andreas Daniel Stricker,Gregory Gower Freeman,Kathryn Turner Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-08.

Bipolar transistor construction

Номер патента: US4647958A. Автор: Neal F. Gardner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1987-03-03.

Lateral bipolar transistor structure with base layer of varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11908898B2. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Bipolar transistor with elevated extrinsic base and methods to form same

Номер патента: US20220336646A1. Автор: Judson R. Holt,Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Insulated gate bipolar transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391451A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Yen-Cheng Fang,Zih-Han Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US20150108542A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US09905679B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Joost Melai,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Bipolar transistor

Номер патента: US09570546B2. Автор: Dirk Klaassen,Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Ponky Ivo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of making a high conductivity p-plus region for self-aligned, shallow diffused, bipolar transistors

Номер патента: US5416032A. Автор: William P. Imhauser. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Lateral pnp bipolar transistor formed with multiple epitaxial layers

Номер патента: US20150069464A1. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-12.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Process for fabricating improved bipolar transistor utilizing selective etching

Номер патента: US4309812A. Автор: Cheng T. Horng,Robert O. Schwenker,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-12.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: EP1468450A1. Автор: Timothy Jonathan Qinetiq Limited PHILLIPS. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: AU2002367213A1. Автор: Timothy Jonathan Phillips. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-07-15.

Bipolar transistors having controllable temperature coefficient of current gain

Номер патента: US20060202307A1. Автор: Ashok Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Bipolar Transistor

Номер патента: US20170179264A1. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Bipolar transistor

Номер патента: US09871125B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09443926B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053926A3. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-06-30.

Bipolar transistor

Номер патента: US09761701B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing injection-enhanced insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09583587B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Xuan Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160380072A1. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409B1. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409A3. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Use of oblique implantation in forming emitter of bipolar transistor

Номер патента: WO1997024766A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1997-07-10.

Methods of forming a bipolar transistor

Номер патента: US8263469B2. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar,Patrick Martin McGuiness. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-11.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Bipolar Transistor with Depleted Emitter

Номер патента: US20100283082A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Bipolar transistors with depleted emitter

Номер патента: US20070267656A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Subcollector for bipolar transistors

Номер патента: WO1987002510A1. Автор: Raymond Edward Oakley. Владелец: Plessey Overseas Limited. Дата публикации: 1987-04-23.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384334A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Methods for fabricating anode shorted field stop insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09478646B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Xiaotian Zhang,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Self-aligned process for providing an improved high performance bipolar transistor

Номер патента: US4318751A. Автор: Cheng T. Horng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-09.

Polysilicon sidewall spacer lateral bipolar transistor on SOI

Номер патента: US20060060941A1. Автор: Wai Ng,Koji Kanekiyo,I-Shan Sun. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Bipolar transistor manufacturing method, bipolar transistor and integrated circuit

Номер патента: US20140162426A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-06-12.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A1. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A4. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2008-07-23.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417714A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Jan W. Slotboom,Eyup Aksen,Hendrik G. A. Huizing,Doede Terpstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Bipolar transistor manufacturing method, bipolar transistor and integrated circuit

Номер патента: US20130087799A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-04-11.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

High-speed superjunction lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US10658496B2. Автор: Qi Yuan,Zhi Lin,Shu Han,Jianlin Zhou,Shengdong HU,Fang Tang,Xichuan ZHOU. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-19.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040046187A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor structure having test and transistor structures

Номер патента: US20120319110A1. Автор: Zhengmao Zhu,Abhishek Dube,Viorel Ontalus,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2571175C2. Автор: Масару СЕНОО,Кёсуке МИЯГИ,Цуйоси НИСИВАКИ,Дзюн САЙТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-12-20.

Side-etching method of making bipolar transistor

Номер патента: CA1241458A. Автор: Tetsushi Sakai,Yoshiji Kobayashi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Method of reducing the base resistance of bipolar transistors

Номер патента: GB2419230A. Автор: Jun Fu. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2006-04-19.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: CA1290079C. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia Lavelle Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-10-01.

Fluorine implant under isolation dielectric structures to improve bipolar transistor performance and matching

Номер патента: US8609501B2. Автор: Weidong Tian,Ming-Yeh Chuang,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Adjustable bipolar transistors formed using a CMOS process

Номер патента: US7927955B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Bernhard H. Grote. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-04-19.

Polysilicon-collector-on-insulator polysilicon-emitter bipolar transistor

Номер патента: US5256896A. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Method of fabricating lateral bipolar transistors

Номер патента: US5360750A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Method of forming a bipolar transistor having an emitter overhang

Номер патента: US5286661A. Автор: John W. Steele,Edouard D. De Frèsart. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Fabrication of bipolar transistors using selective doping to improve performance characteristics

Номер патента: US5698459A. Автор: Constantin Bulucea,Michael J. Grubisich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100032713A1. Автор: Hideaki Kawahara,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Bipolar transistor formed using selective and non-selective epitaxy for base integration in a BiCMOS process

Номер патента: US7462923B1. Автор: Greg D. U'ren. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2008-12-09.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053926A2. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027584B2. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240282861A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: EP4418328A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09917200B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09608063B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of forming transistor structures including forming channel material after formation processes to prevent damage to the channel material

Номер патента: US09570588B2. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US09425304B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Bipolar transistor for avoiding thermal runaway

Номер патента: EP1527482A1. Автор: Kazuo Uchida,Shuichi Kato,Kazuhiko Honjo,Shinji Nozaki,Hiroshi Morisaki,Takahisa 402 ICHINOHE. Владелец: Nanoteco Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

Bipolar transistor for use in linear amplifiers

Номер патента: WO1996010844A1. Автор: Pablo E. D'Anna,William H. Mccalpin,Rickey C. Wong. Владелец: Spectrian, Inc.. Дата публикации: 1996-04-11.

Manufacturing approach for collector and a buried layer of bipolar transistor

Номер патента: US8420495B2. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Bipolar-transistor

Номер патента: EP1611616A1. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Herbert Schafer,Josef Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-01-04.

Bipolar-transistor

Номер патента: WO2004090989A1. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Herbert Schafer,Josef Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180069107A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of making bipolar transistor

Номер патента: US20200312957A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12040388B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Lateral bipolar transistor with thermal conductor underneath the base

Номер патента: EP4243056A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Parasitic pnp bipolar transistor in a silicon-germanium bicmos process

Номер патента: US20120061793A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Bipolar transistor

Номер патента: US8330223B2. Автор: Wolfgang Ploss,Manfred Schiekofer,Klaus Schimpf,Carl David WILLIS,Michael WAITSCHULL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Polysilicon bipolar transistor and method of manufacturing it

Номер патента: US20050106829A1. Автор: Uwe Rudolph,Armin Tilke,Martin Seck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-19.

Transistor structure

Номер патента: US20230170421A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for making high-frequency bipolar transistor

Номер патента: US5940711A. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 1999-08-17.

Bipolar transistor having recessed and rounded surface and its manufacturing method

Номер патента: US20010022386A1. Автор: Akira Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US6072199A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12074211B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012075905A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-14.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

Bipolar transistor with improved gain

Номер патента: US20120187538A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-26.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240297242A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Bipolar transistor with a very narrow emitter feature

Номер патента: US20050082642A1. Автор: Francois Pagette,Andreas Stricker,Marwan Khater,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Angled implant to improve high current operation of bipolar transistors

Номер патента: US20020006707A1. Автор: Michael Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US20240250158A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240363741A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Bipolar transistor

Номер патента: US12125894B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Bipolar transistor device fabrication methods

Номер патента: US09893164B2. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882035B2. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882034B2. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing laterally insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09865702B2. Автор: FENG Lin,Feng Huang,Guipeng Sun,Bing Zhao,Lixiang LIU,Guangtao Han,Longjie ZHAO,Huatang LIN,Liangliang PING,Fengying CHEN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Passivated germanium-on-insulator lateral bipolar transistors

Номер патента: US09852938B1. Автор: Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09722040B2. Автор: Munaf Rahimo,Maxi ANDENNA. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09704980B2. Автор: Kenta GOUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Lateral PNP bipolar transistor with narrow trench emitter

Номер патента: US09698237B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Reverse conduction insulated gate bipolar transistor (IGBT) manufacturing method

Номер патента: US09666682B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Low-temperature epitaxial method for manufacturing backside field stop layer of insulated gate bipolar transistor (IGBT)

Номер патента: US09520479B1. Автор: Mei-Ling Chen,Kuan-Yu Chen. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Oblique implantation in forming base of bipolar transistor

Номер патента: US5899723A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: US4957875A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

Semiconductor device having an inverse-T bipolar transistor

Номер патента: US5194926A. Автор: James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Method for producing a planar spacer, an associated bipolar transistor and an associated bicmos circuit arrangement

Номер патента: US20070161176A1. Автор: Armin Tilke,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for fabricating a bipolar transistor having self aligned base and emitter

Номер патента: US4824794A. Автор: Motoshu Miyajima,Akira Tabata,Kazushi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

SOI lateral bipolar transistor with edge-strapped base contact and method of fabricating same

Номер патента: US5298786A. Автор: Yuan Taur,Denny D. Tang,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Vertical bipolar transistor with collector and base extensions

Номер патента: US4982257A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189565A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Akira Yoshioka,Tetsuro Nozu,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Insulated Gate Bipolar Transistor Having First and Second Field Stop Zone Portions and Manufacturing Method

Номер патента: US20190165151A1. Автор: Wolfgang Roesner,Christoph Weiss,Christian Philipp Sandow,Oana Julia Spulber,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Insulated gate bipolar transistor and preparation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20230015515A1. Автор: Hui Zhu,Baowei Huang,Xiuguang XIAO. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384329A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Integrated circuit including a bipolar transistor and methods of making the same

Номер патента: US20120235280A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Chun-Tsung Kuo,Wei-Tung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240290880A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123121A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11610973B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

High voltage transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220013648A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor transistor structure

Номер патента: US20240258406A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Ggnmos transistor structure, esd protection device and circuit

Номер патента: US20240282765A1. Автор: Yan Yan,LIN Wu,Cheng Zhou,Yong Huang,Lu Huang,Wanyi ZHOU,Haili SHI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Arrays of double-sided dram cells including capacitors on the frontside and backside of a stacked transistor structure

Номер патента: US12120865B2. Автор: Gilbert Dewey,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Ashish Agrawal,Cheng-Ying Huang,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for producing a vertical field-effect transistor structure and corresponding vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240371928A1. Автор: Daniel Krebs,Kevin Dannecker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a reverse blocking insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8501549B2. Автор: Masaaki Ogino. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Method for producing bipolar transistor having reduced base-collector capacitance

Номер патента: US5445976A. Автор: Timothy S. Henderson,Darrell G. Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

Process for fabricating a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US4698127A. Автор: Hiroshi Goto,Osamu Hideshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-10-06.

Method for manufacturing self-alignment type bipolar transistor having epitaxial base layer

Номер патента: US6080631A. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Bipolar transistor having an emitter region formed of silicon carbide

Номер патента: US6049098A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process

Номер патента: US4381953A. Автор: Cheng T. Horng,Allen P. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-05-03.

Bipolar transistor with a particular base and collector regions

Номер патента: US5374846A. Автор: Hisashi Takemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Method for manufacturing bipolar transistor

Номер патента: US7442617B2. Автор: Woong Je Sung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Method of forming the silicon germanium base of a bipolar transistor

Номер патента: US6753234B1. Автор: Abdalla Aly Naem. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Bipolar transistor having base contact layer in contact with lower surface of base layer

Номер патента: US6037616A. Автор: Yasushi Amamiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Method of forming a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US5268314A. Автор: George W. Conner. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Bipolar transistor with polysilicon stringer base contact

Номер патента: US4974046A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Bipolar transistor having an improved epitaxial base region

Номер патента: US5789800A. Автор: Hiroshi Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Process for making bipolar transistor with polysilicon stringer base contact

Номер патента: US5063168A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-11-05.

Bipolar transistor and process of fabrication thereof

Номер патента: US4823174A. Автор: Yasuhiro Hosono,Tadatsugu Itoh,Hideaki Kohzu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-04-18.

Method of making an insulated gate bipolar transistor with high-energy P+ im

Номер патента: US5843796A. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for forming an isolated, low resistance epitaxial subcollector for bipolar transistors

Номер патента: US5286997A. Автор: Darrell Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Bipolar transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060252214A1. Автор: Tae-Jin Kim,Dong-Kyun Nam,Sung-ryoul Bae,Kye-Won Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for improving low temperature current gain of bipolar transistors

Номер патента: US5185276A. Автор: Tze-Chiang Chen,John D. Cressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Horizontal current bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US20230395666A1. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2023-12-07.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Fabrication methods of insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20200083348A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US11949004B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240030320A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Bipolar transistor

Номер патента: US11916135B2. Автор: Viorel Ontalus,Justin C. Long,Robert K. BAIOCCO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: EP4312275A1. Автор: Ke Jiang,Ken Zhang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180108762A1. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-04-19.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11837460B2. Автор: Alexander Martin,Jagar Singh,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20200091327A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Shinya Iwasaki,Yuma Kagata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Annular bipolar transistors

Номер патента: US11804542B2. Автор: Judson R. Holt,Jagar Singh,Arkadiusz Malinowski,Alexander M. Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160079402A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Bipolar Transistoren mit isoliertem Gate (insulated-gate bipolar transistors (IGBTS)) mit Graben-Gate

Номер патента: DE202018003504U1. Автор: . Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-25.

Bipolar transistor

Номер патента: US11837647B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-12-05.

Bipolar transistor

Номер патента: US11710776B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-25.

Vertical bipolar transistors

Номер патента: US11855197B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Base for a npn bipolar transistor

Номер патента: US20100129975A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2010-05-27.

Bipolar transistor having raised extrinsic base with selectable self-alignment and methods of forming same

Номер патента: WO2005024900A3. Автор: Qizhi Liu,Francois Pagette,David L Harame,Andreas D Stricker,Marwan H Khater,James S Dunn,Onge Stephen A St,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-06-09.

Bipolar transistor

Номер патента: EP2497113A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-12.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053927A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Bipolar transistor for avoiding thermal runaway

Номер патента: WO2004017415A1. Автор: Kazuo Uchida,Shuichi Kato,Kazuhiko Honjo,Shinji Nozaki,Hiroshi Morisaki,Takahisa Ichinohe. Владелец: Nanoteco Corporation. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device with bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166939A1. Автор: Bong-GiI Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacturing a bipolar transistor having a decreased collector-base capacitance

Номер патента: US5376564A. Автор: Hiroshi Hirabayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with improved thermal conductivity

Номер патента: US20230369476A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023B1. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-02.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Bipolar transistor

Номер патента: US20220190140A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of making bipolar transistor

Номер патента: US20110034001A1. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Erwin Hijzen,Sebastien Nuttinck,Guillaume L. R. Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-10.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11967635B2. Автор: Randy L. Wolf,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180233576A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10505012B2. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-04-05.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: US20240038835A1. Автор: Ke Jiang,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Bipolar transistors

Номер патента: US12009412B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20030183846A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: EP3350914A1. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-07-25.

Bipolar transistor and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20030075737A1. Автор: Seiji Yaegashi,Takeshi Kawasaki,Hiroshi Yano,Kenji Kotani,Masaki Yanagisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device having lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20130168730A1. Автор: Shigeki Takahashi,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Bipolar transistor

Номер патента: US20200111890A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-04-09.

Novel Manufacturing Approach for Collector and N Type Buried Layer Of Bipolar Transistor

Номер патента: US20110159672A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Bipolar transistor

Номер патента: US20220059672A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-02-24.

Bipolar transistor

Номер патента: US11996465B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-28.

High-performance reverse-conduction field-stop (RCFS) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9240470B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

High-performance reverse-conduction field-stop (rcfs) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150279980A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Bipolar transistor

Номер патента: US20240063290A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-22.

Bipolar transistor

Номер патента: US20110049517A1. Автор: Wolfgang Ploss,Manfred Schiekofer,Klaus Schimpf,Carl David WILLIS,Michael WAITSCHULL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220020868A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A M Hurkx,Raymond J Duffy. Владелец: Raymond J Duffy. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-06-25.

Semiconductor structure used for fabricating bipolar transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US20030057521A1. Автор: Fumihiko Hirose. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of manufacturing hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20010026971A1. Автор: Naoki Takahashi,Koichiro Fujita. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US8445912B2. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Transistor structure and related inverter

Номер патента: US12074205B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Asymmetric field effect transistor structure and method

Номер патента: US20110101449A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,William F. Clark, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

High voltage transistor structure and method

Номер патента: US09799766B2. Автор: Po-Yu Chen,Kuo-Ming Wu,Wan-Hua Huang,Jing-Ying CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Transistor structure with reduced parasitic side wall characteristics

Номер патента: US09577039B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Transistor structure with improved unclamped inductive switching immunity

Номер патента: US9716166B2. Автор: Madhur Bobde,Wenjie Zhang,Kyle Terrill,Qufei Chen. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160126316A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Transistor structure with overlying gate on polysilicon gate structure and related method

Номер патента: US20210091200A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170213890A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326969A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko,Jeng Hwa Liao,Hsing-Ju Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Vertical transistor structures with offset spacers

Номер патента: US20240079452A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A3. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Methods for manufacturing isolation layers in stacked transistor structures

Номер патента: US11798985B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11972983B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Miniaturized transistor structure with controlled dimensions of source/drain and contact-opening and related manufacture method

Номер патента: US11973120B2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A3. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Transistor structure

Номер патента: EP4177957A2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Isolation layers for stacked transistor structures

Номер патента: US20230378257A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,DHANYAKUMAR Mahaveer Sathaiya,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Transistor structure

Номер патента: EP4187584A2. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Thin film transistor structure, manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20210057549A1. Автор: En-Tsung Cho,Qionghua Mo. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Transistor structure with multiple halo implants having epitaxial layer over semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20200135583A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Transistor structure having an air spacer and method for making the same

Номер патента: US20230290855A1. Автор: Liang Li,Chun Yu Wong,John H Zhang,Heng Yang,Sunil K Singh. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Thin film transistor structure

Номер патента: US20240014277A1. Автор: Lih-Hsiung Chan,Ming-Kai Chuang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Transistor structure

Номер патента: US09954099B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating thin film transistor structure

Номер патента: US09935182B2. Автор: Wen Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Transistor structure

Номер патента: US09741826B1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit transistor structure with high germanium concentration SiGe stressor

Номер патента: US09660082B2. Автор: Chih-Hao Chang,Chien-Hsun Wang,Chih Chieh Yeh,Jeff J. Xu,Chih-Hsiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor structure with metal interconnection directly connecting gate and drain/source regions

Номер патента: US20230052056A1. Автор: Xiang Li,XIN ZHAO,Shan Liu,Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Transistor structure

Номер патента: US10573737B1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Fabricating method of transistor structure

Номер патента: US10825925B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Transistor structure

Номер патента: US20230387309A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11955536B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220399459A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Wen Yi Tan,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Drail-well/extension high voltage MOS transistor structure and method of fabrication

Номер патента: US4978628A. Автор: Bruce D. Rosenthal. Владелец: Teledyne Industries Inc. Дата публикации: 1990-12-18.

Thin-film transistor structure with three-dimensional fin-shape channel and preparation method thereof

Номер патента: US10431688B2. Автор: HAI Ou,Kai Wang,Jun Chen. Владелец: SYSU CMU Shunde International Joint Research Institute. Дата публикации: 2019-10-01.

Multi-Finger Transistor Structure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230163184A1. Автор: Su Xing,PURAKH Raj Verma,Rudy Octavius Sihombing,Shyam Parthasarathy,Jinyu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Transistor structure incorporating a solid deuterium source for gate interface passivation

Номер патента: US6114734A. Автор: Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Transistor gate forming methods and transistor structures

Номер патента: US7867845B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Transistor structures

Номер патента: US7659560B2. Автор: Prashant Raghu,Sanh D. Tang,Ravi Iyer,Gordon A. Haller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20110204375A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Thin film transistor structure, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20130237020A1. Автор: Hideki Ono,Mari Sasaki,Iwao Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Transistor structure

Номер патента: EP4125134A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Transistor structure with reduced parasitic "side wall" characteristics

Номер патента: US20170117370A1. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of fabricating transistor structure

Номер патента: US20240064993A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Kuo-Chang Chiang,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Transistor structure with a monolayer edge contact

Номер патента: EP4156295A1. Автор: Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Scott Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Transistor structure having improved electrode conductance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230361216A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Self aligned field effect transistor structure

Номер патента: US20100155793A1. Автор: Lee-mi Do,Kyu-Ha Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Body contact soi transistor structure and method of making

Номер патента: US20130026573A1. Автор: Dongping Wu,Shili Zhang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-01-31.

Transistor structure having improved electrode conductance and method for manufacturing the same

Номер патента: US12021150B2. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Transistor structure having interconnect to side of diffusion and related method

Номер патента: US20060094182A1. Автор: Richard Williams,Hussein Hanafi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for forming trench transistor structure

Номер патента: US5705409A. Автор: Keith E. Witek. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-01-06.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230402457A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150235967A1. Автор: Yi-Kai Wang,Yu-Jung Peng,Chi-Jen Kao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Transistor structure

Номер патента: US20180114858A1. Автор: Cheng-Hsun Chung,Shih-Teng HUANG,Tien-SHang Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for forming transistor structure

Номер патента: US20230027913A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Fin transistor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240055504A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a Schottky diode

Номер патента: US8043910B2. Автор: Berinder P. S. Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-10-25.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20070051981A1. Автор: Berinder Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20080157122A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20100240187A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-09-23.

Heterojunction bipolar transistor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US5140399A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2004079784A2. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen. Владелец: Xindium Technologies, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5986324A. Автор: Michael G. Adlerstein,Mark P. Zaitlin,Kamal Tabatabaie-Alavi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-11-16.

GaAs/GaAlAs Heterojunction bipolar integrated circuit devices

Номер патента: US4573064A. Автор: Han-Tzong Yuan,William V. McLevige,Walter M. Duncan,Friedrich H. Doerbeck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

Heterojunction bipolar transistor and method for manufacturing the same, and power amplifier using the same

Номер патента: US20070164316A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Chushiro Kusano,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Insulated gate bipolar transistor amplifier circuit

Номер патента: US09608097B2. Автор: Klas-Håkan Eklund. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2017-03-28.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407683A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258300A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407681A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258299A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: US20030155631A1. Автор: Matthias Stecher,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-21.

Bipolar transistor having a collector well with a particular concentration

Номер патента: US5528066A. Автор: Peter C. Hunt. Владелец: Phoenix VLSI Consultants Ltd. Дата публикации: 1996-06-18.

Well isolation bipolar transistor

Номер патента: US6114743A. Автор: Yvon Gris. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2000-09-05.

Integrated circuit structure with diode over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240063212A1. Автор: Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Bipolar transistor having sinker diffusion under a trench

Номер патента: EP3017477A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Bipolar transistor that can be fabricated in cmos

Номер патента: WO2001050537A1. Автор: Robert Patti. Владелец: Robert Patti. Дата публикации: 2001-07-12.

Horizontal current bipolar transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US09842834B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj. Владелец: ZAGREB UNIVERSITY OF. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for making a bipolar transistor and capacitors using doped polycrystalline silicon or metal silicide

Номер патента: US4732872A. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-22.

Method of manufacturing a bipolar transistor

Номер патента: US5399509A. Автор: Ali A. Iranmanesh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20230317836A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical bipolar transistor device

Номер патента: US20220037537A1. Автор: Che-Hao Chuang,Chih-Ting Yeh,Sung-Chih Huang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Bipolar transistor, BiCMOS device, and method for fabricating thereof

Номер патента: US20070287234A1. Автор: JIN Kang,Seung Lee,Kyoung Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor system functioning as thyristor in on-state, and as bipolar transistor in transient state or with overcurrent

Номер патента: US20060006459A1. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Transistor structure

Номер патента: US11721587B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Transistor structure

Номер патента: US12087635B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20220069119A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US20200105924A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11955544B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor with unified transistor structure and voltage regulator diode

Номер патента: US11201237B2. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Transistor structure

Номер патента: US20190115260A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Heterojunction bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20200066886A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of making a saturation-limited bipolar transistor device

Номер патента: US4446611A. Автор: David L. Bergeron,Parsotam T. Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Quasi-symmetrical bipolar transistor structure

Номер патента: CA1161964A. Автор: Denny D. Tang,Arnold Reisman,Victor J. Silvestri,Siegfried K. Wiedmann,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Method for forming a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical PNP transistor

Номер патента: US4997775A. Автор: Chang-Ming Hsieh,Mario M. Pelella,Robert K. Cook,Kiyosi Isihara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Process for fabricating complementary contactless vertical bipolar transistors

Номер патента: US5014107A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Combined method for fabricating oxide-isolated vertical bipolar transistors and complementary oxide-isolated lateral bipolar transistors and the resulting structures

Номер патента: US3993513A. Автор: David O'Brien. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Process for doping two levels of a double poly bipolar transistor after formation of second poly layer

Номер патента: US5776814A. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-07-07.

Process for fabricating complementary contactless vertical bipolar transistors

Номер патента: CA1290466C. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-08.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US20190312088A1. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US11818901B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for the integration of two bipolar transistors in a semiconductor body, semiconductor arrangement in a semiconductor body, and cascode circuit

Номер патента: US20060199348A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-09-07.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US20220020816A1. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US11152430B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-10-19.

Complementary bipolar transistors

Номер патента: US6005283A. Автор: Jong-Hwan Kim,Suk-Kyun Lee,Tae-Hoon Kwon,Cheol-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US20010034103A1. Автор: Yvon Gris,Thierry Schwartzmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Power rail between fins of a transistor structure

Номер патента: EP4123690A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: CA2970174C. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Enhancement - depletion field effect transistor structure and method of manufacture

Номер патента: EP1794796A2. Автор: Hassan Maher,Pierre M. M. Baudet. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-06-13.

Backside illuminated image sensor with three-dimensional transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200135777A1. Автор: Wenqiang Li,Jie Li,Yonggang Wang,Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Transistor structure, manufacturing method of transistor structure, and light emitting apparatus

Номер патента: US8633487B2. Автор: Kazuto Yamamoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US8872173B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Thin film transistor structure and array substrate using the same

Номер патента: US20130320329A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Xue-Hung TSAI,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Rugged heterojunction bipolar transistor power device and the method thereof

Номер патента: US20050149885A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Chi Tsai,Min-Chang Tu,Jen-Hao Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Silicon carbide: germanium (sic:ge) heterojunction bipolar transistor; a new semiconductor transistor for high-speed, high-power applications

Номер патента: US20020076890A1. Автор: Michael Mazzola,Jeffrey Casady,Stephen Saddow. Владелец: Mississippi State University. Дата публикации: 2002-06-20.

Heterojunction bipolar transistor having wide bandgap material in collector

Номер патента: US20040065898A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Current-confined heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US8735256B1. Автор: Alan Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20110147799A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09911837B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Jui-Pin Chiu,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20100237388A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1187218A3. Автор: Takeshi Takagi,Kenji Toyoda,Minoru Kubo,Koichiro Yuki,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-12.

Heterojuction bipolar transistor

Номер патента: US20220130960A1. Автор: Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-28.

III-V heterojunction bipolar transistor having a GaAs emitter ballast

Номер патента: US6043520A. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Heterojunction bipolar transistor including collector/base heterojunction achieving high operation efficiency

Номер патента: US6399969B1. Автор: John Kevin Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5332912A. Автор: Junko Akagi,Norio Iizuka,Masao Obara,Tetsuro Nozu,Torakiti Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Modulation doped base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5099299A. Автор: Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-03-24.

InP heterojunction bipolar transistor with intentionally compressively mismatched base layer

Номер патента: US20020190271A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Ballistic heterojunction bipolar transistors

Номер патента: CA1213378A. Автор: David G. Ankri,Lester F. Eastman,Walter H. Ku. Владелец: CNET. Дата публикации: 1986-10-28.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4794440A. Автор: Federico Capasso,Pierre M. Petroff,Roger J. Malik,Arthur C. Gossard,John R. Hayes. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-12-27.

Depleted extrinsic emitter of collector-up heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5485025A. Автор: Hin F. Chau,Hua Q. Tserng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-16.

Heterojunction bipolar transistor with collector buffer layer

Номер патента: CA1299771C. Автор: Tadao Ishibashi,Yoshiki Yamauchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20200335612A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20210104621A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Heterojunction bipolar transistor geometry for improved power amplifier performance

Номер патента: US20150102389A1. Автор: Jing Zhang,Brian G. Moser,Robert Saxer. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US11848192B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: US20020117657A1. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas Moll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: EP1235278A3. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas J. Moll. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-01-02.

Heterojunction bipolar transistor capable of restraining the conductivity modulation of the ballast layer

Номер патента: US20020088993A1. Автор: John Twynam,Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Clocked CBICMOS integrated transistor structure

Номер патента: US5119160A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-06-02.

Heterojunction bipolar transistor having low electron and hole concentrations in the emitter-base junction region

Номер патента: US5508536A. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Toshiaki Kinosada,John K. Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Conductance modulated integrated transistor structure with low drain capacitance

Номер патента: US5164812A. Автор: John H. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-11-17.

Method of making truly complementary and self-aligned bipolar and CMOS transistor structures with minimized base and gate resistances and parasitic capacitance

Номер патента: US5439833A. Автор: Rashid Bashir,Francois Hebert,Datong Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Conductance-modulated integrated transistor structure

Номер патента: US4920399A. Автор: John H. Hall. Владелец: Linear Integrated Systems Inc. Дата публикации: 1990-04-24.

Bipolar transistor stabilization structure

Номер патента: US4236164A. Автор: Henry Y. S. Tang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-11-25.

A method of manufacturing a bipolar transistor

Номер патента: GB2174244B. Автор: Roger Leslie Baker,Peter Fred Blomley,Peter Denis Scovell. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1989-07-05.

Composite jfet-bipolar transistor structure

Номер патента: US4095252A. Автор: Sam S. Ochi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-06-13.

Method for making transistor structures

Номер патента: US4038107A. Автор: George Elwood Smith,George Marr. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1977-07-26.

Trench bipolar transistor

Номер патента: EP1417716A1. Автор: Petrus H. C. Magnee,Raymond J. E. Hueting,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

MAGNETOELECTRIC BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: RU210255U1. Автор: Сергей Николаевич Иванов,Геннадий Алексеевич Семенов,Виктор Сергеевич Леонтьев,Дмитрий Александрович Петров,Мирза Имамович Бичурин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2022-04-04.

Method of manufacturing a high speed bipolar transistor in a CMOS process

Номер патента: US5766990A. Автор: Monir El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Trench insulated gate bipolar transistor packaging structure and method for manufacturing the trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US11688698B2. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-06-27.

BicMOS device having a bipolar transistor and a MOS triggering transistor

Номер патента: US5578856A. Автор: Howard C. Kirsch,Ravi Subrahmanyan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Bipolar transistor as protective element for integrated circuits

Номер патента: US5148250A. Автор: Josef Winnerl,Xaver Guggenmos. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-15.

Latch-up free power mos-bipolar transistor

Номер патента: CA2286699C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Method for making semiconductor device capable of independently forming MOS transistors and bipolar transistor

Номер патента: US5759883A. Автор: Yasushi Kinoshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Bipolar transistor

Номер патента: US20160240634A1. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US6144077A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Insulated gate bipolar transistor, power module, and household electric appliance

Номер патента: EP4024473A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Bipolar transistor

Номер патента: US7397108B2. Автор: Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-08.

Bipolar transistor

Номер патента: US20050205967A1. Автор: Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

Dc/dc converter using bipolar transistor, method of manufacturing the same and dc power supply module using the same

Номер патента: EP1559187A1. Автор: Koji Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Nakano,Osamu c/o Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Kawabata,Jun Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Utsumi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417715A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Joost Melai,Jan W. Slotboom,Hendrik G. A. Huizing,Freerk Van Rijs,Igor Lyuboshenko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Powerful hf- and microwave transistor structure

Номер патента: RU2743673C1. Автор: Олег Митрофанович Булгаков,Юрий Кимович Николаенков,Михаил Владимирович Таравков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ВГУ"). Дата публикации: 2021-02-24.

Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor And Method Of Eliminating The Transistor Tail Current

Номер патента: US20180308962A1. Автор: Junhong Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-10-25.

Gain recovery in a bipolar transistor

Номер патента: WO2011064202A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Kai Di Feng,Zhijian Yang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Transistor structure with multiple vertical thin bodies

Номер патента: US20240304672A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Bipolar transistor construction method

Номер патента: GB1443836A. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1976-07-28.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Integrated circuit structure with active elements of bipolar transistor formed in slots

Номер патента: US4733287A. Автор: Robert W. Bower. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1988-03-22.

Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Packaging Structure and Method for Manufacturing the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor

Номер патента: US20210249362A1. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-08-12.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: WO2000016404A8. Автор: Armand Pruijmboom,Reinhard Brock,David M Szmyd. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2000-05-18.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: EP1048078A1. Автор: Armand Pruijmboom,David M. Szmyd,Reinhard Brock. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-11-02.

Electrically programmable fuse over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240074167A1. Автор: Ephrem G. Gebreselasie,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Reverse conducting lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20240222478A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Siyu Chen. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Vertical bipolar transistor formed using CMOS processes

Номер патента: US20030067012A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Soi bipolar transistors with reduced self heating

Номер патента: US20080102568A1. Автор: Kai Xiu,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for making high gain bipolar transistors in CMOS process

Номер патента: US20020084494A1. Автор: Chi-Cheong Shen,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Umgekehrt leitender bipolarer Transistor mit isoliertem Gate

Номер патента: DE102015121514B4. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3075011A1. Автор: Chiara Corvasce. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-10-05.

Insulated Gate Bipolar Transistor, Power Module, and Living Appliance

Номер патента: US20220238705A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12119395B2. Автор: Yan Gu,Jing Zhu,Long Zhang,Sen Zhang,Jie Ma,Longxing Shi,Weifeng Sun,Jinli GONG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09905680B2. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Bipolar transistor on high-resistivity substrate

Номер патента: US09761700B2. Автор: Michael Joseph McPartlin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Bipolar transistor with base charge controlled by back gate bias

Номер патента: US5448104A. Автор: Kevin J. Yallup. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1995-09-05.

Bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CA1309191C. Автор: Hiroyuki Miwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

Trench bipolar transistor

Номер патента: US4929996A. Автор: Louis N. Hutter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-05-29.

Conductivity-enhanced combined lateral mos/bipolar transistor

Номер патента: CA1230429A. Автор: Barry M. Singer,Rajsekhar Jayaraman. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-12-15.

Collector of a bipolar transistor compatible with MOS technology

Номер патента: US5298779A. Автор: Alain Nouailhat,Daniel Bois. Владелец: Centre National dEtudes des Telecommunications CNET. Дата публикации: 1994-03-29.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US4985743A. Автор: Hiroyasu Ito,Norihito Tokura,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-15.

Lateral trench-gate bipolar transistors

Номер патента: US5227653A. Автор: Johnny K. O. Sin. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Method of making high voltage PNP bipolar transistor in CMOS

Номер патента: US5328859A. Автор: Mohamad M. Mojaradi,Tuan A. Vo. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Ion implantation to increase emitter energy gap in bipolar transistors

Номер патента: CA1224280A. Автор: Kranti Anand,Robert J. Strain. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-07-14.

Method of making an oxide isolated, lateral bipolar transistor

Номер патента: US5070030A. Автор: Kyusaku Nishioka,Tatsuhiko Ikeda,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-03.

Method of reducing the current gain of an inherent bipolar transistor in an insulated-gate semiconductor device and resulting devices

Номер патента: US4620211A. Автор: Victor A. K. Temple,Bantval J. Baliga,Tat-Sing P. Chow. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-10-28.

Method of manufacturing high performance bipolar transistors in a bicmos process

Номер патента: WO1996004678A1. Автор: Johan A. Darmawan. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-02-15.

Field-effect bipolar transistor

Номер патента: WO2020037241A1. Автор: Xiaoguang Liu,Mohamadali Malakoutian,Omeed Momeni,Mohammad-Hadi SOHRABI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-02-20.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3881360A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS,Florin Udrea,Umamaheswara VEMULAPATI,Marina Antoniou,Neophytos LOPHITIS,Uwe BADSTUEBNER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-09-22.

Bipolar transistor and method of making such a transistor

Номер патента: EP1831931A1. Автор: John Nigel Ellis. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2007-09-12.

Bipolar transistor

Номер патента: US20030116824A1. Автор: Tae Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Bipolar transistor

Номер патента: US20160233323A1. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Bipolarer Transistor

Номер патента: DE112014004821T5. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Bipolar transistor

Номер патента: US9985120B2. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Bipolar transistor and method of making such a transistor

Номер патента: WO2006064290A1. Автор: John Nigel Ellis. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2006-06-22.

Bipolar transistor

Номер патента: US9978856B2. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US20060001126A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channel

Номер патента: US7446351B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Transistor structure including as-grown graphene and semiconductor device including the transistor structure

Номер патента: US20240297221A1. Автор: Seunghyun Lee,Sangwon Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Dohee Kim,Junseong BAE,Hyeyoon RYU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-09-05.

Transistor structure, method for manufacturing a transistor structure, force-measuring system

Номер патента: US20130153970A1. Автор: Karl Haberger,Ignaz Eisele,Martin Heigl. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2013-06-20.

Bipolar Transistor Circuit with Free Collector Terminals

Номер патента: KR970024161A. Автор: 이상오. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Trench gate super junction IGBT (insulated Gate Bipolar transistor) with high-resistance p-top region

Номер патента: CN112951900B. Автор: 马瑶,黄铭敏,李芸. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-04-12.

Bipolar transistor having collector electrode penetrating emitter and base regions

Номер патента: US5345102A. Автор: Naoya Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US5811871A. Автор: Takashi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Graduated multiple collector structure for inverted vertical bipolar transistors

Номер патента: US4084174A. Автор: Richard E. Crippen,Hemraj K. Hingarh,Peter W. J. Verhofstadt. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-04-11.

Polycrystalline thin film bipolar transistors

Номер патента: US20080308903A1. Автор: S. Brad Herner,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor devices including field effect and bipolar transistors

Номер патента: GB1396896A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1975-06-11.

Method of manufacture of high speed, high power bipolar transistor

Номер патента: US4416708A. Автор: Alexander Lidow,Edgar Abdoulin. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1983-11-22.

Gate modulated bipolar transistor

Номер патента: US3979769A. Автор: Bantval Jayant Baliga,Douglas E. Houston,Surinder Krishna. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1976-09-07.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: CA1053380A. Автор: Heiner H. Herbst. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-04-24.

Bipolar transistors

Номер патента: GB2129214A. Автор: Leslie William Kennedy. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1984-05-10.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: CA1237538A. Автор: Yoji Kato,Kou Togashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Insulated gate bipolar transistor with reverse conducting current

Номер патента: US5519245A. Автор: Norihito Tokura,Naoto Okabe,Naohito Kato. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Lateral insulated-gate bipolar transistor (ligbt) device in silicon-on-insulator (soi) technology

Номер патента: KR20010104342A. Автор: 레타빅데오도르,페트루젤로존,반즈볼요하네스. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2001-11-24.

Shorted anode lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US5773852A. Автор: Byeong-Hoon Lee,Min-Koo Han,Moo-Sup Lim,Yearn-Ik Choi,Jung-Eon Park,Won-Oh Lee. Владелец: Korea Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-30.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Bipolar transistor

Номер патента: US5084751A. Автор: Hitoshi Iwata,Kenichi Kinoshita,Yasuo Imaeda,Koichi Jinkai. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Insulated gate bipolar transistor for zero-voltage switching

Номер патента: WO2000035022A1. Автор: Michael Joseph Schutten,Ahmed Elasser. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2000-06-15.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2020230456A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo,Shuji Yoneda,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9536961B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2342753A1. Автор: Vladimir Tsukanov,Kyoung-Wook Seok. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-07-13.

Lateral isolated gate bipolar transistor device

Номер патента: EP1442482A1. Автор: Rene P. Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus J. M. Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-08-04.

Lateral islolated gate bipolar transistor device

Номер патента: US20040251498A1. Автор: Rene Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus Johannes Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of manufacturing an electronic device including a PNP bipolar transistor

Номер патента: US7888225B2. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of manufacturing an electronic device including a pnp bipolar transistor

Номер патента: US20090212393A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-08-27.

Insulated gate bipolar transistor fault protection system

Номер патента: US7817392B2. Автор: Bum-Seok Suh,Dae-woong Chung,Jun-bae Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20150263144A1. Автор: Tsuneo Ogura,Shinichiro Misu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9520487B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20160172453A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Collector layer structure for a double hetero-junction bipolar transistor for power amplification applications

Номер патента: US20070001195A1. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen,David Caruth. Владелец: Xindium Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Vertical bipolar transistor formed using CMOS processes

Номер патента: US20040046183A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20120061726A1. Автор: Shigeki Takahashi,Akio Nakagawa,Norihito Tokura,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Bipolar transistor

Номер патента: US20200168705A1. Автор: Chuan-Chen CHAO,Po-Hsiang Yang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Bipolarer Transistor

Номер патента: DE112014004821B4. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Bipolar transistor

Номер патента: GB8510725D0. Автор: . Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1985-06-05.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Thin Film Transistor Structure

Номер патента: US20100289068A1. Автор: Hsiao-Wei Cheng,Yi-Chang Yang,Hsiu-Ju Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-11-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage transistor structure

Номер патента: US11990507B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US20200286831A1. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Circuit wiring techniques for stacked transistor structures

Номер патента: US11894303B2. Автор: Chen Zhang,ZHENG Xu,Tenko Yamashita,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Thin film transistor structure for a field emission display and the method for making the same

Номер патента: US6958492B2. Автор: Cheng-Chung Chen,Chun-Yao Huang,Chen-Ming Chen,Huai-Yuan Tseng,Yu-Wu Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-10-25.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US9490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Anti-fuse type one-time programmable memory cell array with plurality of unit cells, each made of a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure without a selection transistor and method of operation the same

Номер патента: US09490027B2. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Transistor structure and memory structure

Номер патента: US20220399339A1. Автор: Chiu-Tsung Huang,Chun-Sheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Transistor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240105830A1. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Transistor structures and transistors with a germanium-containing channels

Номер патента: US20060266995A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Combination capacitor and transistor structure for use in monolithic circuits

Номер патента: US4245231A. Автор: Robert B. Davies. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-01-13.

Lateral transistor structure having self-aligned base and base contact and method of fabrication

Номер патента: CA1179786A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1984-12-18.

Transistor Structure and Control Unit Comprising the Same

Номер патента: US20080067691A1. Автор: Chun-Ching Wei,Chung-Yu Liang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-03-20.

Transistor structure, display device including transistor structure, and method of manufacturing transistor structure

Номер патента: US11843002B2. Автор: Hyun Sup Lee,Keun Kyu SONG,Jung Hun NOH,Byung Seok Choi,Sang Hee Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Thin film transistor structure, GOA circuit, and display device

Номер патента: US11855160B2. Автор: Gongtan LI,HyunSik Seo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US11967646B2. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Thin film transistor structure, display panel and display device

Номер патента: US20240088298A1. Автор: Liu He,FENG Jiang,Rongrong Li,Yizhen XU,Chunhui REN,Keming Yang,Qiang Leng. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Field effect transistor structure and method for making same

Номер патента: CA1061014A. Автор: Robert C. Dockerty,Shakir A. Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-08-21.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming a dual transistor structure

Номер патента: US5413948A. Автор: James R. Pfiester,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-05-09.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Top-drain trench based resurf DMOS transistor structure

Номер патента: US5723891A. Автор: Satwinder Malhi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-03.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780C. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1996-07-30.

Vacuum channel transistor structures with sub-10 nanometer nanogaps and layered metal electrodes

Номер патента: US20210166908A1. Автор: Joshua T. Smith,Benjamin Wunsch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

LDMOS Transistor Structure and Method of Manufacture

Номер патента: US20180277501A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-27.

Thin, dielectrically isolated island resident transistor structure having low collector resistance

Номер патента: CA2033780A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: James D. Beasom. Дата публикации: 1991-07-09.

Solid power semiconductor field effect transistor structure

Номер патента: US20200266273A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhao,Wai Yee LIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-20.

Compact P-channel/N-channel transistor structure

Номер патента: US5693975A. Автор: Chuen-Der Lien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-02.

InP/InGaAs Monolithic Integrated Demultiplexer, Photodetector, and Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: CA2181846A1. Автор: S. Chandrasekhar. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1997-02-15.

Transistor structures

Номер патента: US11881492B2. Автор: Robert Michael Guidash,Muhammad Maksudur RAHMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1900030A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

MOS-transistor structure as light sensor

Номер патента: US09721980B2. Автор: Ernst Bretschneider. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistor structure of pixel

Номер патента: US20100320473A1. Автор: Chih-Chung Liu. Владелец: Century Display Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Unit pixel having 2-transistor structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007001131A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-01-04.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A3. Автор: Jerry M Woodall,Eric S Harmon,David B Salzman. Владелец: David B Salzman. Дата публикации: 2003-12-04.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A2. Автор: Jerry M. Woodall,Eric S. Harmon,David B. Salzman. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-09-18.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200373417A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190115457A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Self-aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size and improved electrical characteristics

Номер патента: US5061986A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Method of manufacturing field effect transistors and lateral bipolar transistors on the same substrate

Номер патента: US4891328A. Автор: Yvon Gris. Владелец: Etude et la Fabrication de Circuits Integres Speciaux. Дата публикации: 1990-01-02.

BiCMOS process for forming double-poly MOS and bipolar transistors with substantially identical device architectures

Номер патента: US5943564A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Method of manufacturing super self-alignment technology bipolar transistor

Номер патента: US4975381A. Автор: Jiro Ohshima,Shin-ichi Taka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Integrated optical wave guide for light generated by a bipolar transistor

Номер патента: WO2005078489A1. Автор: Fred Roozeboom,Johan Klootwijk. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-08-25.

Integrated optical wave guide for light generated by a bipolar transistor

Номер патента: EP1716440A1. Автор: Fred Roozeboom,Johan Klootwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865B1. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-23.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US11164963B2. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20200251579A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865A. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-15.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US11699633B1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-11.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US20140368232A1. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US20230245946A1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-08-03.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US09726712B2. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US09588170B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Power amplifier modules including bipolar transistor with grading and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09520835B2. Автор: Hongxiao Shao,Peter J. Zampardi, JR.,Philip John Lehtola,David Steven Ripley,Tin Myint Ko,Matthew Thomas Ozalas. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Process for fabricating a moderate-depth diffused emitter bipolar transistor in a BICMOS device without using an additional mask

Номер патента: US5780329A. Автор: Todd A. Randazzo,John J. Seliskar. Владелец: Symbios Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Methods for fabricating self-aligned bipolar transistors having polysilicon base contacts with polysilicon or metal emitter contacts

Номер патента: CA1118534A. Автор: Tak H. Ning,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-16.

Method to reduce collector resistance of a bipolar transistor and integration into a standard cmos flow

Номер патента: US20100065920A1. Автор: Ranbir Singh,Xiaojun Yuan,Alan S. Chen,Mark Dyson,Nace M. Rossi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3756861A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-09-04.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3856578A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-12-24.

Self aligned method for making bipolar transistor having minimum base to emitter contact spacing

Номер патента: US4252582A. Автор: Harsaran S. Bhatia,Narasipur G. Anantha,James L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-02-24.

Current sensing of emitter sense insulated-gate bipolar transistor (igbt)

Номер патента: US20150340355A1. Автор: Bin Zhang,Hock Tiong Kwa. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20190088768A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US11978786B2. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20220029004A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Electrical-interference-isolated transistor structure

Номер патента: US20060125063A1. Автор: Chung-Hsing Tzu. Владелец: Domintech Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Array fanout pass transistor structure

Номер патента: US9330764B2. Автор: Chieh-Fang Chen,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Transistor structures

Номер патента: US20180286801A1. Автор: Haojun Zhang,Chien-Hsin Lee,Mahadeva Iyer NATARAJAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US20190252629A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: US10804479B2. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Apparatus and method for monitoring operation of an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09664729B2. Автор: Randall C. Gray,Ibrahim S. Kandah,Thierry Sicard,John M. Pigott,Philipe J. Perruchoud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Heterojunction bipolar transferred electron tetrode

Номер патента: US20020011605A1. Автор: John Twynam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Smart transfer switch devices, systems, and methods using double-base bipolar transistors

Номер патента: US09899868B2. Автор: William C. Alexander,John W. Merritt,Paul A. Bundschuh. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Switching method for current phase rectifier with insulated gate bipolar transistor (igbt) of reverse conductance

Номер патента: RU2559760C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-08-10.

Power conversion device including bidirectional switch having reverse-blocking insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09496801B2. Автор: Shuangching Chen. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Bipolar transistor switch

Номер патента: CA1101942A. Автор: Herbert A. Schneider. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-05-26.

Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates

Номер патента: US5682120A. Автор: TAKAO Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters by at least using three switches

Номер патента: US20240006999A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Differential amplifier with bipolar transistors which is compatible with standard complimentary MOS (CMOS) technology

Номер патента: US4580106A. Автор: Eric A. Vittoz. Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1986-04-01.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters

Номер патента: US20230369963A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Compensation units for reducing the effects of self-heating and increasing linear performance in bipolar transistors

Номер патента: US20050225395A1. Автор: Haitao Zhang,Huai Gao,Guann-Pyng Li,Huinan Guan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-10-13.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: US20090067109A1. Автор: Richard J. Hampo,Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S. Vadula. Владелец: Siemens VDO Automotive Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Inverse-mode bipolar transistor radio-frequency switches and methods of using same

Номер патента: US20110248771A1. Автор: John D. Cressler,Anuj Madan. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: WO2008067433A9. Автор: Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S Vadula,Richard J Hampo. Владелец: Richard J Hampo. Дата публикации: 2008-08-28.

Gunn-effekt-halbleiterbauelement wie ein hetero-bipolar-transistor (hbt) zur frequenzvariablen schwingungserzeugung

Номер патента: WO2003019692A1. Автор: Matthias Rudolph,Peter Heymann. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor memory using IGBT, insulated gate bipolar transistor, as selective element

Номер патента: US8389969B2. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Power switch control by adjusting the base current of a bipolar transistor

Номер патента: US09537396B2. Автор: Horst Knoedgen. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Controller for power bipolar transistor

Номер патента: US5818284A. Автор: Yoshinori Murakami,Kazuhiko Tani,Yasuhiko Kitajima,Kazuma Ohkura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Circuit for providing a base operating voltage for a bipolar transistor and amplifier circuit

Номер патента: US7190220B2. Автор: Johann-Peter Forstner,Stephan Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-13.

Method and circuit for reducing collector-emitter voltage overshoot in an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09819339B2. Автор: Sui Pung Cheung,Kwok Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for testing a clamp function for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09720030B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Wideband IF amplifier with complementary GaAs FET-bipolar transistor combination

Номер патента: US4464636A. Автор: Pierre Dobrovolny. Владелец: ZENITH ELECTRONICS LLC. Дата публикации: 1984-08-07.

Highly integrated, high-speed memory with bipolar transistors

Номер патента: CA1182218A. Автор: Siegfried K. Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Semiconductor circuit for driving the base of a bipolar transistor

Номер патента: US4948994A. Автор: Takahiro Nagano,Atsuo Watanabe,Takashi Akioka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-08-14.

Puf method using and circuit having an array of bipolar transistors

Номер патента: US20150028847A1. Автор: Viet Nguyen,Tony Vanhoucke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-01-29.

Insulated gate bipolar transistor heat dissipation structure of motor controller

Номер патента: CA2843751A1. Автор: Yong Zhao,Yonghua WU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Amplifier circuit with bipolar transistors

Номер патента: US4845441A. Автор: Burkhard Dick. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

Write suppression in bipolar transistor memory cells

Номер патента: US3801965A. Автор: G Keller,U Olderdissen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-04-02.

Protection apparatus and method for insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230344218A1. Автор: Jie Liu. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: US11811331B2. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

High-power-gain, bipolar transistor amplifier

Номер патента: US20070007626A1. Автор: Zhenqiang Ma,Ningyue Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: WO2022094402A8. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics, Inc.. Дата публикации: 2022-08-04.

Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) Rectifier for Charging Ultra-Capacitors

Номер патента: US20240072681A1. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Display device and transistor structure for the same

Номер патента: US09818342B2. Автор: Joon-Min Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Organic thin film transistor structure and manufacturing method, gas sensor and related apparatus

Номер патента: EP3671878A1. Автор: Xiang Feng,Qiang Zhang,Sha Liu,Zhaokun YANG,Ruizhi Yang,Yun Qiu,Qinghe Wang,Chunyan Xie. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: WO2024172968A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-22.

Head switch for a stacked transistor structure

Номер патента: US20240275378A1. Автор: Hayg-Taniel Dabag,Ibrahim Ramez CHAMAS,Waqas Ahmad,Asad Ali NAWAZ. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Ambipolar transistor structure and electronic device

Номер патента: US20230240088A1. Автор: Tanmoy SARKAR,Gitti L. FREY. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Bi-directional transistor structure

Номер патента: US6084458A. Автор: Kuan-Yu Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Topological transistor structure and topological transistor

Номер патента: EP3975275A1. Автор: Victor Fernandez Becerra,Mircea Trif,Timo Hyart. Владелец: Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk. Дата публикации: 2022-03-30.

Method of determining current localization voltage in powerful hf and uhf bipolar transistors

Номер патента: RU2616871C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Александр Александрович Куликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-18.

Procedure and device for measuring silicon temperature and over-temperature protection of a power insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2013045960A2. Автор: Ivan BAHUN. Владелец: Končar - Elecktrična Vozila D.D.. Дата публикации: 2013-04-04.

Bipolar transistor type MEMS pressure sensor and preparation method thereof

Номер патента: US11965797B1. Автор: Tongqing Liu. Владелец: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Bipolar transistor adjustable shunt regulator circuit

Номер патента: US09448575B2. Автор: Isaac Terasuth Ko,Tony Yuan Yen Mai. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Bipolar transistor memory with capacitive storage

Номер патента: US3876992A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-04-08.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP4024064A1. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US20160025802A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12019115B2. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Current sensors using bipolar transistors

Номер патента: EP3311159A1. Автор: Vladimir Aparin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Insulated-gate bipolar transistor collector-emitter saturation voltage measurement

Номер патента: US09575113B2. Автор: Michael Mankel,Carlos Castro-Serrato. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Bipolar transistor read only or read-write store with low impedance sense amplifier

Номер патента: US4439842A. Автор: Sashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Bipolar-transistor type semiconductor memory device having redundancy configuration

Номер патента: US4796233A. Автор: Isao Fukushi,Tomoharu Awaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Method and system for predicting insulated gate bipolar transistor lifetime based on compound failure mode coupling

Номер патента: US11953538B2. Автор: Xiao Wang,Yigang HE,Lie LI,Liulu HE. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: EP1506392A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen STW. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing a hybrid organic silicon field effect transistor structure

Номер патента: WO2003098204A1. Автор: Wouter Olthuis,Ernst Jan Robert Sudholter,Piet Bergveld,Louis Cornelia Patrick Maria De Smet,Han Zuilhof,Alexander Bernardus Sieval,E. J. Faber,Gerben Machiel Visser. Владелец: Stichting voor de Technische Wetenschappen. Дата публикации: 2003-11-27.

Nonvolative memory devices with charge trap transistor structures and methods of operation thereof

Номер патента: US20240087647A1. Автор: Subramanian Iyer,Sepideh NOURI. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-14.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

Method of bipolar transistor manufacturing

Номер патента: RU2351036C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-03-27.

Integrated mos transistor structure

Номер патента: RU2207662C1. Автор: В.Н. Мордкович,В.Н. Мурашев,Е.А. Ладыгин,Е.С. Горнев,В.А. Сычевский. Владелец: АООТ "НИИМЭ и завод "Микрон". Дата публикации: 2003-06-27.

Method for manufacturing complementary vertical bipolar transistors as parts of integrated circuits

Номер патента: RU2244985C1. Автор: Н.М. Манжа,М.И. Лукасевич,С.Л. Хмельницкий,А.Н. Еременко,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-01-20.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION DEVICES

Номер патента: US20120001225A1. Автор: Tu Shang-Hui,CHANG Jui-Chun,Wu Chen-Wei,JOU Yeh-Ning. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for detecting potentially unreliable bipolar transistors

Номер патента: RU2309417C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2007-10-27.

Non-epitaxial structure of bipolar transistor

Номер патента: RU2368036C1. Автор: Михаил Иванович Лукасевич,Юлия Владимировна Петрова. Владелец: Юлия Владимировна Петрова. Дата публикации: 2009-09-20.

Procedure for rejection of bipolar transistors

Номер патента: RU2204143C2. Автор: М.И. Горлов,н А.Г. Адам,А.Г. Адамян,Л.П. Ануфриев. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-05-10.

Apparatus for compensating for static and dynamic input currents of differential stages on bipolar transistors

Номер патента: RU2487467C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-07-10.

Broadband differential amplifier with correction device of electrothermal coupling in bipolar transistors

Номер патента: RU2462813C1. Автор: Александр Леонидович Стемпковский,Юрий Федорович Адамов,Наталья Михайловна Горшкова,Александр Леонидович Стемпковский (RU),Юрий Федорович Адамов (RU),Наталья Михайловна Горшкова (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН). Дата публикации: 2012-09-27.

Bipolar transistor

Номер патента: RU2166220C2. Автор: В.В. Ракитин. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-04-27.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

Powerful uhf transistor structure

Номер патента: RU2253923C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2005-06-10.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

Mosfet-gated bipolar transistors and thyristors with both turn-on and turn-off capability having single- polarity gate input signal

Номер патента: CA1206274A. Автор: Michael S. Adler. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-06-17.

Isothermal transistor structures

Номер патента: WO2024209317A1. Автор: Ken Cadien,Douglas W. Barlage,Lhing Gem SHOUTE. Владелец: Zinite Corporation. Дата публикации: 2024-10-10.

Bipolar transistor of integrated circuit

Номер патента: RU2108640C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-04-10.

Fremgangsmaate for fremstilling av en bipolar transistor

Номер патента: NO171658B. Автор: Roger Leslie Baker,Peter Fred Blomley,Peter Dennis Scovell. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1993-01-04.

Integrated circuit having complementary bipolar transistors

Номер патента: CA1075369A. Автор: Jean-Michel Decrouen,Jean-Pierre H. Biet,Wolfgang F. J. Edlinger,Michel De Brebisson. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-04-08.

Integral cell for radiation detector based on bipolar transistor with cellular base

Номер патента: RU2427942C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Сергей Иванович Диденко,Светлана Петровна Кобелева,Алексей Сергеевич Корольченко,Олег Михайлович Орлов,Михаил Павлович Коновалов,Дмитрий Леонидович Волков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2011-08-27.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216069C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216071C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Heavy-power microwave transistor structure

Номер патента: RU2216070C1. Автор: Б.К. Петров,О.М. Булгаков. Владелец: Воронежский государственный университет. Дата публикации: 2003-11-10.

Method of selecting cmos/soi transistor structures resistant to effect of full absorbed dose of ionising radiation

Номер патента: RU2466417C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Владимир Дмитриевич Скупов,Сергей Леонидович Торохов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2012-11-10.

Power mos transistor structure

Номер патента: CA1280221C. Автор: Eugene Tonnel,Gilles Thomas. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1991-02-12.

Method for making transistor structures

Номер патента: CA1050666A. Автор: George E. Smith. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1979-03-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.