Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • RF pulsing within pulsing for semiconductor RF plasma processing

RF pulsing within pulsing for semiconductor RF plasma processing

Номер патента: US11728136B2
Опубликовано: 15-08-2023
Автор(ы): Alex Paterson, Maolin Long, Ying Wu, Yuhou WANG
Принадлежит: Lam Research Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Filter circuit and plasma processing apparatus

Номер патента: US12033833B2. Автор: Koji Yamagishi,Koichi Nagami,Yuji AOTA,Kota ISHIHARADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240355584A1. Автор: Masahiro Inoue,Chishio Koshimizu,Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12125676B2. Автор: Ken Kobayashi,Takahiro Takeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11756767B2. Автор: Ken Kobayashi,Takahiro Takeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230360884A1. Автор: Ken Kobayashi,Takahiro Takeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Inductively coupled plasma source for plasma processing

Номер патента: US09653264B2. Автор: Dongsoo Lee,Andreas Kadavanich,Vladimir Nagorny. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Improved methods and apparatus for controlled partial ashing in a variable-gap plasma processing chamber

Номер патента: WO1998042014A1. Автор: David M. Bullock. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-09-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method using the same

Номер патента: US20230124857A1. Автор: Jong Won Park,Yoon Seok Choi,Sang Jeong Lee,Soon Cheon Cho,Hyun Woo Jo. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20220384146A1. Автор: Hiroyuki Hayashi,Hiroki EHARA,Jun NAKAGOMI,Syouji YAMAGISHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Systems and Methods for Extracting Process Control Information from Radiofrequency Supply System of Plasma Processing System

Номер патента: US20230298857A1. Автор: Alexei Marakhtanov,John Holland,Felix Leib Kozakevich,Ranadeep BHOWMICK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240321562A1. Автор: Yoshihide Kihara,Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Systems and methods for extracting process control information from radiofrequency supply system of plasma processing system

Номер патента: US12131886B2. Автор: Alexei Marakhtanov,John Holland,Felix Leib Kozakevich,Ranadeep BHOWMICK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Plasma processing method

Номер патента: US09953811B2. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Pulsed voltage source for plasma processing applications

Номер патента: US20240234087A1. Автор: Yang Yang,Fernando Silveira,Kartik Ramaswamy,Yue Guo,A N M Wasekul AZAD. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-state rf pulsing in cycling recipes to reduce charging induced defects

Номер патента: US20240242935A1. Автор: Chen Li,He Zhang,Kevin Lai,Neil Macaraeg MACKIE. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and Method for Measuring Pedestal Voltage Uniformity in Plasma Processing Chambers.

Номер патента: US20230386780A1. Автор: Stephen Savas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-30.

An arc suppression device for plasma processing equipment

Номер патента: EP3991198A1. Автор: Anthony Oliveti. Владелец: Comet Technologies USA Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

Arc suppression device for plasma processing equipment

Номер патента: US20200411290A1. Автор: Anthony Oliveti. Владелец: Comet Technologies USA Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

An arc suppression device for plasma processing equipment

Номер патента: WO2020263726A1. Автор: Anthony Oliveti. Владелец: COMET TECHNOLOGIES USA, INC.. Дата публикации: 2020-12-30.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12033832B2. Автор: Shinji Kubota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Improved application of modulating supplies in a plasma processing system

Номер патента: EP3711082A1. Автор: Kevin Fairbairn,Gideon van Zyl,Denis Shaw. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20180294137A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Naoki Matsumoto,Toru Ito,Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220028665A1. Автор: Koji Maruyama,Kazunobu Fujiwara,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami,Takashi Dokan,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Application of modulating supplies in a plasma processing system

Номер патента: US20210074513A1. Автор: Kevin Fairbairn,Gideon van Zyl,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09734992B2. Автор: Norikazu Yamada,Koichi Nagami,Koji Itadani,Toshifumi Tachikawa,Satoru Hamaishi. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088454A1. Автор: Yuichi KUWAHARA,Ryou Son,Ryouhei SATOU,Syuntaro TAWARAYA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Plasma Processing Methods Using Multiphase Multifrequency Bias Pulses

Номер патента: US20230411116A1. Автор: Alok Ranjan,Shyam Sridhar,Ya-Ming Chen,Peter Lowwell George Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber

Номер патента: US12106938B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Multi-electrode source assembly for plasma processing

Номер патента: US20240355587A1. Автор: James Rogers,Rajinder Dhindsa,Linying CUI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-electrode source assembly for plasma processing

Номер патента: US20240355586A1. Автор: James Rogers,Rajinder Dhindsa,Linying CUI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20210074530A1. Автор: Hidehito Azumano. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Erosion resistant plasma processing chamber components

Номер патента: US20230317424A1. Автор: LIN Xu,Harmeet Singh,Justin Charles CANNIFF,Robin Koshy,Simon Gosselin,Adrian Radocea. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing

Номер патента: US20230298856A1. Автор: James Rogers,Katsumasa Kawasaki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Plasma processing apparatus and monitoring device

Номер патента: US12106948B2. Автор: Hiroki Endo,Ken Hirano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Plasma process system for multi-station

Номер патента: EP4283655A1. Автор: Jin Huh,Sae Hoon Uhm,Se Hong PARK,Dong Jegal,Yeonghoon SOHN,Gyueng Hyuen CHOE. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Plasma process system for multi-station

Номер патента: US20240162006A1. Автор: Jin Huh,Sae Hoon Uhm,Se Hong PARK,Dong Jegal,Yeonghoon SOHN,Gyueng Hyuen CHOE. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20240212997A1. Автор: Pei-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US11923179B2. Автор: Pei-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Ceramic sintered body for semiconductor production equipment and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240212990A1. Автор: Manami Sugiyama. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234113A1. Автор: Jun Tamura,Takari YAMAMOTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma processing apparatus and operational method thereof

Номер патента: US09767997B2. Автор: Masahito Togami,Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kosa Hirota. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Plasma processing apparatus and microwave radiation source

Номер патента: US20230178339A1. Автор: Kenta Kato,Taro Ikeda,Isao Gunji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma process simulation method and semiconductor device manufacturing method including the same

Номер патента: US20240274416A1. Автор: Seungmin Lee,Inkook Jang,Suntaek LIM,Dongig OH,Jaesik An,Joohyun JEON,Thanh Cuong Nguyen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12136535B2. Автор: Koichi Nagami,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

RF pulse reflection reduction for processing substrates

Номер патента: US09754767B2. Автор: Katsumasa Kawasaki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and apparatus for preventing instabilities in radio-frequency plasma processing

Номер патента: EP1671347A1. Автор: Michael Kishinevsky. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Matching unit for semiconductor plasma processing apparatus

Номер патента: US20050098116A1. Автор: Yukio Sato,Katsumi Takahashi,Etsuo Yamagishi,Taku Fukada. Владелец: Pearl Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

System, method and apparatus for RF power compensation in a plasma processing system

Номер патента: US09508529B2. Автор: Henry Povolny,John C. Valcore, JR.. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Plasma processing apparatus and plasma control method

Номер патента: US20240203692A1. Автор: Osamu Sakai,Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Taro Ikeda,Shin Oowada,Kazushi Kaneko,Masaaki Matsukuma. Владелец: University of Shiga Prefecture. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240242937A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09859101B2. Автор: Shinji Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12014903B2. Автор: Kohei Sato,Motohiro Tanaka,Takahiro Sakuragi,Tetsuo Kawanabe. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Spatial monitoring and control of plasma processing environments

Номер патента: US20210241996A1. Автор: Kevin Fairbairn,Victor Brouk,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Pulsed voltage source for plasma processing applications

Номер патента: US12125673B2. Автор: Fabrice CUBAYNES,Dmitry GRISHIN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods and apparatuses for controlling phase difference in plasma processing systems

Номер патента: IL126393A. Автор: . Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2002-03-10.

Methods and apparatuses for controlling phase difference in plasma processing systems

Номер патента: AU2532797A. Автор: Robert D. Dible,Stephen G. Bradley,Seved Jafar Jafarian-Tehrani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1997-10-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12057294B2. Автор: Masahiro Inoue,Chishio Koshimizu,Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Plasma processing apparatus, plasma processing method and high frequency generator

Номер патента: US09418822B2. Автор: Naoki Matsumoto,Hideo Kato,Koji Koyama,Kiyotaka Ishibashi,Kazushi Kaneko,Kazunori Funazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding

Номер патента: US20160071704A1. Автор: Victor M. Benveniste,Svetlana Radovanov,Costel Biloiu. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding

Номер патента: WO2013009941A1. Автор: Victor M. Benveniste,Svetlana Radovanov,Costel Biloiu. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers

Номер патента: WO2012087919A2. Автор: Robert P. Chebi,Alan Cheshire,Stanley Detmar,Alfredo Granados,Gabriel Roupillard. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088453A1. Автор: Koichi Yamamoto,Motohiro Tanaka,Naoki Yasui,Yasushi Sonoda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface of substrate

Номер патента: US09842726B2. Автор: Paul Maguire,Stephen Daniels,Shane Glynn,Felipe Soberon. Владелец: Verity Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20160155613A1. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240242936A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12087552B2. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09807862B2. Автор: Hachishiro Iizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing system

Номер патента: US20020144980A1. Автор: Shinya Hasegawa,Yoshimi Watabe,Yukito Nakagawa,Yoichiro Numasawa. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230230815A1. Автор: Minsung Kim,Sungyeol KIM,Hosun Yoo,Jinyeong Yun,Jang-Yeob LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Dielectric window, plasma processing system including the window, and method of fabricating semiconductor device using the system

Номер патента: US09812293B2. Автор: Dong-Wook Kim,Jung-hwan UM,Sung-moon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09583313B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09543121B2. Автор: Kazuo Sasaki,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Monitoring method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240006163A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Jun Sato,Takashi Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatus and method for plasma processing

Номер патента: EP1695370A1. Автор: Nityalendra Singh,Roger James Wilshire Croad. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Synchronization of rf pulsing schemes and of sensor data collection

Номер патента: US20230230805A1. Автор: John Stephen Drewery,Ying Wu,Luc Albarede,Alexander Miller PATERSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Plasma processing system and plasma processing method

Номер патента: US20240006153A1. Автор: Atsuki KUSUNOKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Systems and methods for controlling an lf rf pulse generator to increase selectivity

Номер патента: WO2024129517A1. Автор: LIN Zhao,John P. Holland,Kenneth Lucchesi,Alexei M. Marakhtanov,Fabio RIGHETTI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-20.

Tailored electron energy distribution function by new plasma source: hybrid electron beam and RF plasma

Номер патента: US12014901B2. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Zhiying Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for real-time pulse measurement and pulse timing adjustment to control plasma process performance

Номер патента: US12057293B2. Автор: Merritt Funk,Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Systems for real-time pulse measurement and pulse timing adjustment to control plasma process performance

Номер патента: US20240347319A1. Автор: Merritt Funk,Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Measurement of plural rf sensor devices in a pulsed rf plasma reactor

Номер патента: US20140232374A1. Автор: Gary Leray. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Radio frequency monitor for semiconductor process control

Номер патента: US5472561A. Автор: Norman Williams,James Spain. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 1995-12-05.

Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles

Номер патента: EP1060501A1. Автор: Richard A. Gottscho,Vahid Vahedi,Maria E. Barone. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-12-20.

Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles

Номер патента: EP1060501B1. Автор: Richard A. Gottscho,Vahid Vahedi,Maria E. Barone. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-04-20.

Biasing system for a plasma processing apparatus

Номер патента: US20140106571A1. Автор: Richard M. White,Bon-Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20200161090A1. Автор: Jun Yoshikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Plasma process apparatus

Номер патента: US09887068B2. Автор: Masahide Iwasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles

Номер патента: WO1999045567A1. Автор: Richard A. Gottscho,Vahid Vahedi,Maria E. Barone. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1999-09-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240087849A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11990316B2. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-05-21.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20110240599A1. Автор: Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Plasma processing systems and methods for chemical processing a substrate

Номер патента: WO2022046461A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5243259A. Автор: Junji Sato,Kazuo Suzuki,Takuya Fukuda,Satoru Todoroki,Shunichi Hirose. Владелец: Hitachi Engineering and Services Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-07.

Plasma processing with independent temperature control

Номер патента: US20240304422A1. Автор: WEI Liu,Lily Huang,Sandip Niyogi,Dileep Venkata Sai VADLADI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Plasma processing system

Номер патента: US12112920B2. Автор: Jaewon Jeong,Juho Lee,Junghyun Cho,Daebeom Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09831096B2. Автор: Tsutomu Iida,Yuuzou Oohirabaru,Hiromitsu TERAUCHI. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of controlling plasma processing apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240055229A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Keun Bae,Aixian Zhang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma-processing apparatus

Номер патента: US20040245935A1. Автор: Tadahiro Ogawa,Masaaki Takayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240249922A1. Автор: Ryota Sakane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Synchronization of plasma processing components

Номер патента: US20230268162A1. Автор: Kevin Fairbairn,Gideon van Zyl,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240186115A1. Автор: Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20060021700A1. Автор: Hideo Kitagawa,Nobumasa Suzuki,Shinzo Uchiyama,Yusuke Fukuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20090275209A1. Автор: Hideo Kitagawa,Nobumasa Suzuki,Shinzo Uchiyama,Yusuke Fukuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20010008122A1. Автор: Makoto Ando,Naohisa Goto,Nobuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20230178340A1. Автор: Hiroyuki Miyashita,Isao Gunji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma Processing Apparatus and Plasma Control Method

Номер патента: US20240339304A1. Автор: Satoru Kawakami,Kazushi Kaneko,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09805915B2. Автор: Ryoji Nishio,Masaharu Gushiken,Megumu Saitou. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Microwave plasma processing apparatus and microwave supplying method

Номер патента: US09633821B2. Автор: Toshihiko Iwao,Satoru Kawakami,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09574270B2. Автор: Jun Yoshikawa,Michitaka AITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09478387B2. Автор: Akira Tanabe,Yoshinobu Ooya,Yoshinori Yasuta. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Plasma processing apparatus and plasma processing coil

Номер патента: US20220108871A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yohei Yamazawa,Takehisa SAITO,Daisuke Kurashina,Kaori Fujiwara,Yuki Hosaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US20150382442A1. Автор: Michael Mueller,Sam Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Voltage waveform generator for ion energy control in plasma processing

Номер патента: NL2033565B1. Автор: Lemmen Erik,YU Qihao,Joannes Daniël Vermulst Bastiaan. Владелец: Prodrive Tech Innovation Services B V. Дата публикации: 2024-05-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12094690B2. Автор: Koki HIDAKA,Hiroya Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma Measuring Method and Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20240290589A1. Автор: Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Plasma processing method

Номер патента: US09960016B2. Автор: Kumiko Ono,Koichi Nagami,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US09852890B2. Автор: Michael Mueller,Myeong Yeol Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US09711331B2. Автор: Michael Mueller,Myeong Yeol Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US09544987B2. Автор: Michael Mueller,Myeong Yeol Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma processing method

Номер патента: US09455153B2. Автор: Genki Koguchi,Akio Morisaki,Yukinori Hanada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Learning based tuning in a radio frequency plasma processing chamber

Номер патента: WO2024123375A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber

Номер патента: WO1998044535A1. Автор: William S. Kennedy,Thomas E. Wicker,Robert A. Maraschin,Albert J. Lamm. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-10-08.

Plasma processing apparatus and processing method

Номер патента: US12125679B2. Автор: Masahiro Inoue,Shoichiro Matsuyama,Chishio Koshimizu,Gen Tamamushi,Yuto Kosaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal

Номер патента: WO2009099660A2. Автор: James E. Tappan,Scott Jeffery Stevenot. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2009-08-13.

Plasma Processing Method

Номер патента: US20080216865A1. Автор: Masamichi Sakaguchi,Yasuhiro Nishimori,Satoshi Une,Yutaka Kudou,Masunori Ishihara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Coating components for semiconductor processing with fluorine-containing materials

Номер патента: US20240347336A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Zhijun Jiang,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09660182B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Masato Kushibiki,Daisuke Urayama,Nao Koizumi,Wataru Kume. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma processing apparatus, information processing apparatus, plasma processing method, and correction method

Номер патента: US20240194451A1. Автор: Taro Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium

Номер патента: US9299540B2. Автор: Tatsuya Ogi,Kimihiro Fukasawa,Kazuhiro Kanaya,Wataru Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20090001052A1. Автор: Takashi Kaneko,Akitaka Makino,Koichi Mishima,Toyoharu Okumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium

Номер патента: US8864934B2. Автор: Tatsuya Ogi,Kimihiro Fukasawa,Kazuhiro Kanaya,Wataru Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20060027324A1. Автор: Takashi Kaneko,Akitaka Makino,Koichi Mishima,Toyoharu Okumoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09484180B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Manabu Iwata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240222096A1. Автор: Takashi Uemura,Shengnan Yu,Shunsuke Tashiro. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma processing apparatus and assembly method of resonator array structure

Номер патента: US20240186114A1. Автор: Hiroshi Kondo,Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Shin Oowada,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20090151638A1. Автор: Masaki Sugiyama,Toshiki Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber

Номер патента: AU3079597A. Автор: Neil Benjamin,William S. Kennedy,Joel M. Cook,Thomas E. Wicker,Robert A. Maraschin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-01-05.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240186113A1. Автор: Hiroshi Kondo,Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240266201A1. Автор: Shogo Okita,Minghui Zhao,Toshiyuki TAKASAKI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12009220B2. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20040040507A1. Автор: Muneo Furuse,Masanori Kadotani,Motohiko Yoshigai,Susumu Tauchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

High density plasma processing apparatus

Номер патента: WO2020039185A1. Автор: Michael Thwaites,Peter HOCKLEY. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2020-02-27.

Acoustic energy utilization in plasma processing

Номер патента: WO2013151898A1. Автор: Ian J. Kenworthy,Daniel A. Brown,Cliff E. LA CROIX,Josh A. CORMIER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-10.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20240355634A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Controlling ion energy distribution in plasma processing systems

Номер патента: US09887069B2. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Plasma processing method

Номер патента: US09818582B2. Автор: Shigeru Senzaki,Hiroshi Tsujimoto,Keigo TOYODA,Nobutaka Sasaki,Takanori BANSE,Hiraku MURAKAMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09659754B2. Автор: Yoshio SUSA,Naoki Matsumoto,Jun Yoshikawa,Peter L. G. Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20200279719A1. Автор: Norihiko Ikeda,Koichi Yamamoto,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20190088452A1. Автор: Norihiko Ikeda,Koichi Yamamoto,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Electrode orientation and parallelism adjustment mechanism for plasma processing systems

Номер патента: US20120291954A1. Автор: James E. Tappan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Electrode orientation and parallelism adjustment mechanism for plasma processing systems

Номер патента: WO2009100288A2. Автор: James E. Tappan. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2009-08-13.

Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield

Номер патента: US20020025686A1. Автор: Kazue Takahashi,Ken Yoshioka,Saburou Kanai,Yutaka Ohmoto,Hironobu Kawahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US10699884B2. Автор: Norihiko Ikeda,Koichi Yamamoto,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield

Номер патента: US20020023716A1. Автор: Kazue Takahashi,Ken Yoshioka,Saburou Kanai,Yutaka Ohmoto,Hironobu Kawahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing

Номер патента: EP4376061A3. Автор: Kevin Fairbairn,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20060081559A1. Автор: Tetsuji Sato,Koji Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Removable showerhead faceplate for semiconductor processing tools

Номер патента: US20230279547A1. Автор: Eric H. Lenz,Bin Luo,Manjesh SHANKARNARAYANA. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Plasma processing apparatus and liner assembly for tuning electrical skews

Номер патента: WO2012012200A1. Автор: Shahid Rauf,Kenneth S. Collins,James D. Carducci,Zhigang Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20040159639A1. Автор: Hideyuki Yamamoto,Tetsuo Ono,Katsumi Setoguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Plasma processing apparatus, control method thereof and program for performing same

Номер патента: US20060005927A1. Автор: Satoshi Yamazaki,Taira Takase. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Plasma processing method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110250758A1. Автор: Ki-sang Kim,Jong-Bum Kim,In-Joong Kim,Hyun-Su JUN,Seung-Heong Lee,Min-Woung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Etcher for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20030111179A1. Автор: Sung-Hui Huang,Mon-Long Fang,Jeng-Yin Lin,Ting-Wang Chou,Chi-How Hsu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US12087610B2. Автор: Seiya Inoue,Tatsuya Kuno. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12094697B2. Автор: Kazuki Takahashi,Toshimasa Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing apparatus, control method thereof and program for performing same

Номер патента: US7585385B2. Автор: Satoshi Yamazaki,Taira Takase. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-08.

Connect structure for semiconductor processing equipment

Номер патента: US12040163B2. Автор: Hung-Chih Wang,Sheng-Yuan Lin,Ming-Sze CHEN,Yuan-Hsin CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Plasma processing device, plasma processing method and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US09978593B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09966233B2. Автор: Hidetoshi Hanaoka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US09691593B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Antenna, dielectric window, plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09595425B2. Автор: Naoki Matsumoto,Jun Yoshikawa,Osamu Morita,Kiyotaka Ishibashi,Kazuki Moyama,Wataru Yoshikawa,Takehiro Tanikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09589771B2. Автор: Mitsunori Ohata,Yuki Hosaka,Naokazu FURUYA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20110273094A1. Автор: Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita,Masaru Nonomura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US8450933B2. Автор: Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita,Masaru Nonomura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Plasma processing system and edge ring replacement method

Номер патента: US20240234102A9. Автор: Kenichi Kato,Shin Matsuura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma processing apparatus, electrostatic chuck, and plasma processing method

Номер патента: US20240258078A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Spark plasma sintered component for cryo-plasma processing chamber

Номер патента: WO2023183330A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Harmeet Singh,Satish Srinivasan,Pankaj HAZARIKA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for enhancing plasma processing performance by irradiating with light

Номер патента: EP1041615A3. Автор: Hui Chen,Peter Loewenhardt,John M. Yamartino,Diana Xiaobing Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-04-04.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20200402809A1. Автор: Yasushi Sonoda. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Plasma processing device and method of monitoring plasma discharge state in plasma processing device

Номер патента: US20100176085A1. Автор: Kiyoshi Arita,Masaru Nonomura,Tatsuhiro Mizukami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Atmospheric pressure plasma generating method, plasma processing method and component mounting method using same, and device using these methods

Номер патента: WO2007142166A2. Автор: Kazuhiro Inoue,Hiroyuki Tsuji. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2007-12-13.

Closed loop process control of plasma processed materials

Номер патента: US20120328771A1. Автор: George Papasouliotis,Deven Raj,Harold Persing. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240297020A1. Автор: Hiroyuki Miyashita,Taro Ikeda,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma measurement method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240274417A1. Автор: Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20240212992A1. Автор: Kiho Lee,Junghyun Cho,Sangho Lee,Sangheun LEE,Sangki NAM,Seoyeon CHOI,Kuihyun YOON,Changheon Lee,Jaemin Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing devices having multi-port valve assemblies

Номер патента: US12100575B2. Автор: Michael C. Kellogg,Allan K. Ronne,James E. Tappan,Daniel A. Brown,Leonard J. Sharpless. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Closed loop process control of plasma processed materials

Номер патента: WO2012178175A1. Автор: George D. Papasouliotis,Deven Raj,Harold Persing. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

Plasma processing assemblies including hinge assemblies

Номер патента: WO2013078003A1. Автор: Greg Sexton. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

Symmetric plasma process chamber

Номер патента: US09741546B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,James D. Carducci,Zhigang Chen,Hamid Tavassoli. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US09741538B2. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09566821B2. Автор: Ryoji Nishio,Takamasa ICHINO,Shinji OBAMA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US09490105B2. Автор: Masashi Saito,Manabu Sato,Masaru Sugimoto,Hidetoshi Hanaoka,Naoki Matsumoto,Akira Koshiishi,Noriyuki Kobayashi,Manabu Iwata,Hiroki Yamazaki,Chishio Koshimizu,Kazuo Kibi,Daisuke Yano,Yohei Yamazawa,Toshihiro Hayami,Kunihiko Hinata,Ryuji Ohtani,Yoshinobu Ohya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US9514967B2. Автор: Tetsuo Ono,Yasuo Ohgoshi,Michikazu Morimoto,Yuuzou Oohirabaru. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Components for a plasma processing apparatus

Номер патента: SG175637A1. Автор: La Llera Anthony De,Saurabh J Ullal. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-11-28.

Plasma processing system and method of processing substrate

Номер патента: US12020898B2. Автор: Akihiro Yokota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Antenna assembly and plasma processing equipment including same

Номер патента: US20230197409A1. Автор: GALSTYAN OGSEN,Hyun Jin Kim,Jung Hwan Lee,Dong Jun Park,Sang Hyeok Ahn. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system

Номер патента: WO2002009141A2. Автор: John E. Cronin,Murray D. Sirkis,Eric J. Strang,Yu Wang Bibby. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2002-01-31.

Restoration apparatus and restoration method for plasma processing apparatus

Номер патента: US20190385818A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system

Номер патента: WO2002009141A3. Автор: John E Cronin,Yu Wang Bibby,Eric J Strang,Murray D Sirkis. Владелец: Murray D Sirkis. Дата публикации: 2002-06-20.

Multi-phase dc plasma processing system

Номер патента: WO1996024153A1. Автор: Geoffrey N. Drummond. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1996-08-08.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240321559A1. Автор: Satoshi Taga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High frequency antenna and plasma processing device

Номер патента: EP3896717A1. Автор: Akinori Ebe,Hajime Tsuda,Hideki Moriuchi. Владелец: EMD Corp. Дата публикации: 2021-10-20.

Method of operating a plasma process system and a plasma process system

Номер патента: EP4442853A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of operating a plasma process system and a plasma process system

Номер патента: WO2024208908A1. Автор: Wojciech Gajewski,Anna Oniszczuk,Piotr Różański,Cezary KAMINSKI. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2024-10-10.

DC Bias in Plasma Process

Номер патента: US20190267211A1. Автор: Syun-Ming Jang,Jyu-Horng Shieh,Sheng-Liang Pan,Bing-Hung Chen,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240014006A1. Автор: Naoki Fujiwara,Takahiro Takeuchi,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11798787B2. Автор: Naoki Fujiwara,Takahiro Takeuchi,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Component carrier for semiconductor manufacturing and component transport system using same

Номер патента: US20230411196A1. Автор: Jae Won Shin. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Adjustment method for filter unit and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200126772A1. Автор: Nozomu Nagashima,Ryuichi Yui. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Upper electrode structure and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240249907A1. Автор: Tetsuji Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143017A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

A controller for a matching unit of a plasma processing system

Номер патента: US20220404785A1. Автор: Peter Daly,Paul Scullin,David Gahan,Jj Lennon,Ian OLIVIERI. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Switchable matching network and an inductively coupled plasma processing apparatus having such network

Номер патента: US20200090908A1. Автор: Hiroshi Iizuka,Tuqiang Ni,Kui Zhao,Xiaobei Pang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, program, and memory medium

Номер патента: EP4425529A2. Автор: Tadashi Inoue,Masaharu Tanabe,Atsushi Takeda,Tatsunori SATO,Kazunari Sekiya,Hiroshi Sasamoto,Nobuaki Tsuchiya. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20080280451A1. Автор: Tsunehiko Tsubone,Ken Yoshioka,Mamoru Yakushiji,Yutaka Kouzuma,Yutaka Ohmoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Multi-level rf pulse monitoring and rf pulsing parameter optimization at a manufacturing system

Номер патента: US20230184693A1. Автор: Dermot Cantwell,Jatinder Kumar,Serghei Malkov,Quentin Ernie Walker. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-level rf pulse monitoring and rf pulsing parameter optimization at a manufacturing system

Номер патента: US20240151656A1. Автор: Dermot Cantwell,Jatinder Kumar,Serghei Malkov,Quentin Ernie Walker. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Selective etch using material modification and RF pulsing

Номер патента: US09865484B1. Автор: Chentsau Ying,Michael Stowell,Srinivas Nemani,Viachslav Babayan,Bhargav Citla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Selective etch using material modification and RF pulsing

Номер патента: US12057329B2. Автор: Chentsau Ying,Michael Stowell,Srinivas Nemani,Viachslav Babayan,Bhargav Citla. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Multi-level rf pulse monitoring and rf pulsing parameter optimization at a manufacturing system

Номер патента: WO2023107314A1. Автор: Dermot Cantwell,Jatinder Kumar,Serghei Malkov,Quentin Ernie Walker. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-15.

Multi-level RF pulse monitoring and RF pulsing parameter optimization at a manufacturing system

Номер патента: US11874234B2. Автор: Dermot Cantwell,Jatinder Kumar,Serghei Malkov,Quentin Ernie Walker. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

RPS assisted RF plasma source for semiconductor processing

Номер патента: US09741545B2. Автор: Jang-Gyoo Yang,Xinglong Chen,Saurabh Garg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

RPS assisted RF plasma source for semiconductor processing

Номер патента: US09502218B2. Автор: Jang-Gyoo Yang,Xinglong Chen,Saurabh Garg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240105424A1. Автор: Masahiko Takahashi,Ken Kobayashi,Takahiro Takeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Ion energy control by RF pulse shape

Номер патента: US09536749B2. Автор: Alexei Marakhtanov,Zhigang Chen,John Patrick Holland. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Rps assisted rf plasma source for semiconductor processing

Номер патента: US20170125220A1. Автор: Jang-Gyoo Yang,Xinglong Chen,Saurabh Garg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods for etching materials using synchronized RF pulses

Номер патента: US9269587B2. Автор: Daisuke Shimizu,Sergio Fukuda Shoji,Jong Mun Kim,Katsumasa Kawasaki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Using bias rf pulsing to effectively clean electrostatic chuck (esc)

Номер патента: US20190157052A1. Автор: Li Ling,Wonseok Lee,Kevin Choi,Kenny Linh Doan,Usama Dadu,Daishuke Shimizu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using rf plasma cycling and purging

Номер патента: US20170011893A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging

Номер патента: US09899195B2. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging

Номер патента: US09478408B2. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Defect control and stability of dc bias in rf plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas

Номер патента: US20180347046A1. Автор: Arul Dhas,Christopher Ramsayer,Kareem Boumatar. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Film formation via pulsed rf plasma

Номер патента: WO2020167611A1. Автор: Yi Yang,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Diwakar N. KEDLAYA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-08-20.

Edge ring or process kit for semiconductor process module

Номер патента: US20230296512A1. Автор: Allen L. D'Ambra,Sheshraj L. Tulshibagwale. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Film formation via pulsed rf plasma

Номер патента: US20200258720A1. Автор: Yi Yang,Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Krishna Nittala,Diwakar N. KEDLAYA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Device for adjusting position of chamber and plasma process chamber including the same for semiconductor manufacturing

Номер патента: US11955322B2. Автор: Wei-Chen Liao,Ming Che Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Device for adjusting position of chamber and plasma process chamber including the same for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20230386805A1. Автор: Wei-Chen Liao,Ming Che Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11776792B2. Автор: Takashi Uemura,Masahiro Nagatani,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato,Shengnan Yu,Shunsuke Tashiro. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Coating components for semiconductor processing with fluorine-containing materials

Номер патента: WO2024220286A1. Автор: Jennifer Y. Sun,Zhijun Jiang,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09953862B2. Автор: Shigeru Yoneda,Yen-Ting Lin,Akitoshi Harada,Chih-Hsuan CHEN,Ju-Chia Hsieh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of producing processing condition of plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus

Номер патента: US09870901B2. Автор: Takashi Dokan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Sputter source for semiconductor process chambers

Номер патента: US09620339B2. Автор: Prashanth Kothnur,Tza-Jing Gung,Anantha K. Subramani,Hanbing Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of surface plasma processing

Номер патента: RU2426608C2. Автор: МИХЕЛЬ Томас,Ойген ШЛИТТЕНХАРДТ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фёрдерунг Дер Ангевандтен Форшунг Э.Ф.. Дата публикации: 2011-08-20.

Plasma processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230402256A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Jun Sato,Takashi Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12051595B2. Автор: Masahiro Tabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12051566B2. Автор: Hitoshi Kato,Yuji Sawada,Hiroyuki Kikuchi,Shinji Asari. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190189403A1. Автор: Takashi Uemura,Junya Sasaki,Yasushi Sonoda,Tomoyoshi Ichimaru,Luke Joseph HIMBELE. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: IL167491A. Автор: Robert J Steger. Владелец: Robert J Steger. Дата публикации: 2009-08-03.

A method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: EP1540695B1. Автор: Robert J. Steger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-03-03.

Focus ring replacement method and plasma processing system

Номер патента: US20230282460A1. Автор: Shigeru Ishizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Focus ring replacement method and plasma processing system

Номер патента: US20230282461A1. Автор: Shigeru Ishizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

A method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: EP1540695A2. Автор: Robert J. Steger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-06-15.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20140141532A1. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Tadashi Kotsugi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20170350014A1. Автор: Toshihiko Iwao,Satoru Kawakami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Plasma processing apparatus, substrate bonding system including the same, and substrate bonding method using the same

Номер патента: US20230215698A1. Автор: Ho Kim,Youngho Kim,SeungDae SEOK,Yongin LEE,Se-Hoon Jang,Donggap Shin,Siwoong Woo,Inhwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Precleaning chamber and plasma processing apparatus

Номер патента: US20170330769A1. Автор: Peng Chen,Peijun Ding,Kui Xu,Mengxin Zhao,qing She,Guodong Bian. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors

Номер патента: WO2016014442A1. Автор: HAITAO Wang,Jie Zhou,Chunlei Zhang,S. M. Reza Sadjadi,Tza-Jing Gung,Fernando M. SILVEIRA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-01-28.

Plasma processing apparatus and prediction method of the condition of plasma processing apparatus

Номер патента: US12080529B2. Автор: Masahiro Sumiya,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Focus ring replacement method and plasma processing system

Номер патента: US12094696B2. Автор: Shigeru Ishizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Structure and method for solving parasitic plasma in plasma processing apparatus

Номер патента: US20240321554A1. Автор: CHEN CHEN,Dengzhi WANG,Fengming WANG,Qingyuan QU,Xueyong HE,Wangjun LI. Владелец: Suzhou Maizheng Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12131964B2. Автор: Soichiro Eto,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kousuke Fukuchi,Ryoji ASAKURA,Tsubasa Okamoto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09997332B2. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Kazuki Denpoh,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US09984906B2. Автор: Naoki Matsumoto,Yugo Tomita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09960031B2. Автор: Motohiro Tanaka,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09941097B2. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Kazuki Denpoh,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09899191B2. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Kazuki Denpoh,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Plasma processing method

Номер патента: US09824866B2. Автор: Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Yuji Nagatani. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Plasma processing method

Номер патента: US09805917B2. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09799495B2. Автор: Tomohiro Okumura,Shogo Okita,Bunji MIIZUNO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09741629B2. Автор: Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kousuke Fukuchi,Kosa Hirota. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09601318B2. Автор: Hitoshi Kato,Jun Sato,Hiroyuki Kikuchi,Shigehiro Miura,Toshiyuki Nakatsubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for processing a carrier, a method for operating a plasma processing chamber, and a method for processing a semiconductor wafer

Номер патента: US09543157B2. Автор: Michael Renner,Lothar Brencher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09496147B2. Автор: Motohiro Tanaka,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09460896B2. Автор: Akitoshi Harada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Plasma processing method and plasma processing apparatus including applying a voltage to a lower electrode in a substrate support with a gas supplied into a chamber

Номер патента: US20240222085A1. Автор: Koichiro Nakamura,Norihisa Kiyofuji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20180158650A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Ryota Sakane,Hiroshi Nagahata,Jungwoo Na. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Plasma processing method and plasma processing system

Номер патента: US20230307245A1. Автор: Atsushi Takahashi,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Diagnosis device, diagnosis method, plasma processing apparatus, and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20240213003A1. Автор: Kenji Tamaki,Shota Umeda,Masahiro Sumiya,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240203707A1. Автор: Seiwa NISHIO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma processing device

Номер патента: US20220277932A1. Автор: Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power

Номер патента: US11776789B2. Автор: Kartik Ramaswamy,James Rogers,Rajinder Dhindsa,Olivier Luere,Yue Guo,Leonid Dorf,Evgeny KAMENETSKIY,Linying CUI,Valentin N. Todorow,Daniel Sang BYUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Plasma processing method and plasma processing system

Номер патента: US20230268190A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Atsuki Hashimoto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20130045547A1. Автор: Kenji Nakata,Atsushi Itou,Kouichi Yamamoto,Masaru Izawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Method and apparatus for plasma processing

Номер патента: US8969211B2. Автор: Tetsuo Ono,Satoru Muto,Yasuo Ohgoshi,Hirofumi Eitoku. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20190393031A1. Автор: Toru Hisamatsu,Masahiro Tabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Synchronized pulsing of plasma processing source and substrate bias

Номер патента: EP4231328A1. Автор: Kevin Fairbairn,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240297027A1. Автор: Soichiro Eto,Shigeru Nakamoto,Kosuke Fukuchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20040173309A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Go Miya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Plasma processing system and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240297025A1. Автор: Kota Seno,Fumiaki ARIYOSHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12074076B2. Автор: Soichiro Eto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: EP4428898A2. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09997337B2. Автор: Masahito Mori,Naoshi Itabashi,Naoyuki Kofuji. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma processing apparatus and operating method of plasma processing apparatus

Номер патента: US09934946B2. Автор: Yohei Kawaguchi,Masahito Togami,Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Plasma processing method

Номер патента: US09922841B2. Автор: Ryosuke NIITSUMA,Haruto Kanamori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09805959B2. Автор: Naoki Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09779936B2. Автор: Toshio Nakanishi,Minoru Honda,Daisuke Katayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

RF choke for gas delivery to an RF driven electrode in a plasma processing apparatus

Номер патента: US09761365B2. Автор: John M. White,Jozef Kudela,Carl A. Sorensen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09741579B2. Автор: Naoki Yasui,Michikazu Morimoto,Nanako TAMARI. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09711375B2. Автор: Koichi Yamamoto,Tsutomu Iida,Hiromitsu TERAUCHI. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Plasma processing device

Номер патента: US09670584B2. Автор: Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma processing apparatus and method for monitoring plasma processing apparatus

Номер патента: US09666417B2. Автор: Atsushi Shoji,Masahiko Orimoto. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma processing apparatus and shower plate

Номер патента: US09663856B2. Автор: Shigeru Kasai,Taro Ikeda,Yutaka Fujino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma processing apparatus, analysis apparatus, plasma processing method, analysis method, and storage medium

Номер патента: US20240371603A1. Автор: Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Plasma-processing apparatus with upper electrode plate and method for performing plasma treatment process

Номер патента: US09431221B2. Автор: Chih-ching Cheng,Po-Ju Chen,Xiao-Meng Chen,Hsin-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Cleaning method of film layer in the plasma processing apparatus

Номер патента: US20240203708A1. Автор: Kazuhiro Ueda,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Near-substrate supplemental plasma density generation with low bias voltage within inductively coupled plasma processing chamber

Номер патента: WO2018136121A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Yiting Zhang,Saravanapriyan Sriraman,Alex Paterson,Ying Wu,Zhongkui Tan. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process

Номер патента: EP3475971A1. Автор: Yang Yang,Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Jie Zhou,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,James D. Carducci,Jingjing Liu,Gonzalo MONROY,Lucy Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-01.

Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230065586A1. Автор: Nobuhiko Hori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20210305037A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20200258733A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20180025897A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W SCHUELER,Bruce H NEWCOME. Владелец: Revera Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20190385831A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20180330935A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry

Номер патента: US20240087869A1. Автор: David A. Reed,Rodney Smedt,Chris Bevis,Bruno W. Schueler,Bruce H. Newcome. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20160358758A1. Автор: Toshihiko Iwao,Takahiro Hirano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Diagnosis apparatus, plasma processing apparatus and diagnosis method

Номер патента: US12040167B2. Автор: Kenji Tamaki,Masaki Ishiguro,Shota Umeda,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Plasma processing method and plasma processing system

Номер патента: US20230127467A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Plasma processing device, and plasma processing method

Номер патента: US20240170260A1. Автор: Eiki Kamata,Taro Ikeda,Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Plasma processing apparatus and method for using plasma processing apparatus

Номер патента: US20230167553A1. Автор: Tetsuhiro Iwai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20140238301A1. Автор: Shinya Akano. Владелец: Chugai Ro Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20170092513A1. Автор: Toshiki Nakajima,Yoshihiro Umezawa,Yuki Hosaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240240320A1. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Mi-Ra An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230298861A1. Автор: Seiya Inoue,Tomoki Nagae,Tatsuya Kuno,Yusuke Ogiso,Takuya YOTO. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Capacitive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: US9412562B2. Автор: Shinji Himori,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Capacitive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: US9038566B2. Автор: Shinji Himori,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Capacitive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: US8070911B2. Автор: Shinji Himori,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and recording medium

Номер патента: US9583318B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Shigehiro Miura,Naohide Ito,Katsuaki Sugawara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Member for plasma processing device and plasma processing device provided with same

Номер патента: US12065727B2. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Plasma processing apparatus, electrostatic attraction method, and electrostatic attraction program

Номер патента: US11764038B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Shoichiro Matsuyama,Naoki Tamaru. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Vacuum pumping valve for semiconductor equipment and vacuum control system thereof

Номер патента: US20220165576A1. Автор: JIN Xu,Yu Ren,Zaifeng TANG,Kaiqu Ang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Plasma processing method and resist pattern modifying method

Номер патента: US20100055911A1. Автор: Jin Fujihara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Plasma processing apparatus and control method

Номер патента: US12068208B2. Автор: Taro Ikeda,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12094687B2. Автор: Tetsuo Ono,Naoki Yasui,Masayuki SHIINA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12087556B2. Автор: Akio Ui,Yosuke Sato,Hisataka Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240331974A1. Автор: Norihiko Ikeda,Masaru Izawa,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12125672B2. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12071687B2. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Plasma processing method

Номер патента: US09941098B2. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber

Номер патента: US09928995B2. Автор: Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Arrangement for plasma processing system control based on RF voltage

Номер патента: US09911577B2. Автор: John C. Valcore, JR.,Henry S. Povolny. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of CVD plasma processing with a toroidal plasma processing apparatus

Номер патента: US09909215B2. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09805940B2. Автор: Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kousuke Fukuchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing method

Номер патента: US09673062B1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US09653334B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Atsushi Harikai,Mitsuru Hiroshima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09653317B2. Автор: Tsutomu Ito,Shinichi Kozuka,Masaru Nishino,Ryosuke NIITSUMA,Takao FUNAKUBO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing electronic devices

Номер патента: US09627183B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Plasma processing device, and plasma processing method

Номер патента: US09601330B2. Автор: Tomohiro Okumura,Hiroshi Kawaura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and recording medium

Номер патента: US09583318B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Shigehiro Miura,Naohide Ito,Katsuaki Sugawara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma processing apparatus and plasma generation antenna

Номер патента: US09543123B2. Автор: Shigeru Kasai,Taro Ikeda,Tomohito Komatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09502220B2. Автор: Tomohiro Okumura,Bunji Mizuno,Shogo Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Plasma processing method

Номер патента: US09502219B2. Автор: Yoshihide Kihara,Toshio Haga,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process

Номер патента: US09455133B2. Автор: LIN Xu,Lee Chen,Kazuki Denpoh,Peter L G Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Arrangement for plasma processing system control based on RF voltage

Номер патента: US09455126B2. Автор: John C. Valcore, JR.,Henry S. Povolny. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: US09431263B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Atsushi Harikai,Mitsuru Hiroshima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing plasma flow, method for plasma processing, apparatus for producing plasma, and apparatus for plasma processing

Номер патента: US09426875B2. Автор: Yoshifumi Noguchi,Keisuke Sagisaka. Владелец: Ferrotec Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Batch-type remote plasma processing apparatus

Номер патента: US09373499B2. Автор: Kazuyuki Toyoda,Yasuhiro Inokuchi,Motonari Takebayashi,Nobuo Ishimaru,Tadashi Kontani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-06-21.

Plasma processing method

Номер патента: US09349603B2. Автор: Masaki Fujii,Tetsuo Ono,Yoshiharu Inoue,Masakazu Miyaji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Plasma processing systems including side coils and methods related to the plasma processing systems

Номер патента: US09336996B2. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20150110974A1. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Mi-Ra An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Electrode plate for plasma processing apparatus and method for regenerating electrode plate for plasma processing apparatus

Номер патента: US20200043707A1. Автор: Satoshi Nomura,Syuji Fujimori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Movable grounding arrangements in a plasma processing chamber and methods therefor

Номер патента: WO2013081844A2. Автор: Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov,Anthony de la Llera,Michael C. KELLOG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

Plasma processing apparatus and temperature control method

Номер патента: US20190376185A1. Автор: Koji Maruyama,Akihiro Yokota,Kazuki Moyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Apparatus for monitoring a plasma process

Номер патента: US20230317439A1. Автор: Minsung Kim,Sungyeol KIM,Hosun Yoo,Taekjin Kim,Meehyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Method and apparatus for performing plasma process on particles

Номер патента: US20020148812A1. Автор: Naoki Tamitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190096640A1. Автор: Noriyuki Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Component for plasma processing apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US11948779B2. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Image-based digital control of plasma processing

Номер патента: WO2022164661A1. Автор: Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-04.

Shower plate, plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12051564B2. Автор: Satoru Kawakami,Masaki Hirayama,Taro Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12068139B2. Автор: Shin Matsuura,Jun Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus for plasma processing on optical surfaces and methods of manufacturing and use thereof

Номер патента: WO2018045285A1. Автор: Mark Andrew Franklin,Addison Randolph CROCKETT. Владелец: Mark Andrew Franklin. Дата публикации: 2018-03-08.

Plasma processing apparatus and substrate support body

Номер патента: US20240266154A1. Автор: Shinya Ishikawa,Daiki HARIU,Haruka ENDO,Miyuki AOYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Atmospheric plasma processing systems and methods for manufacture of microelectronic workpieces

Номер патента: US20180096827A1. Автор: Anton J. deVilliers,Mirko Vukovic,Brandon Byrns. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12046453B2. Автор: Atsushi Kubo,Nobuhiko Yamamoto,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Plasma processing method

Номер патента: US20040157447A1. Автор: Tomohiro Okumura,Mitsuo Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Plasma processing method

Номер патента: US20240203751A1. Автор: Tatsuya Hayashi,Mineaki Kodama,Masashi Kawabata,Tomoyoshi Ichimaru,Yujiro YONEDA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Bottom electrode assembly, plasma processing apparatus, and method of replacing focus ring

Номер патента: US12094693B2. Автор: Zengdi LIAN,Rason Zuo,Dee Wu,Jiangtao PEI. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing apparatus, power system, control method, and storage medium

Номер патента: US20240347320A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Plasma processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US12106945B2. Автор: Takafumi Noguchi,SIQING Lu,Cheonkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12112925B2. Автор: Tomoyuki Tamura,Shigeru Shirayone,Masaki Ishiguro,Masahiro Sumiya,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of plasma processing using a pulsed electron beam

Номер патента: WO2021141651A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-07-15.

Apparatus for ion energy analysis of plasma processes

Номер патента: US12136542B2. Автор: James Doyle,Tigran Poghosyan,Paul Scullin,David Gahan,J J Lennon. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Plasma processing apparatus and method for manufacturing electronic component

Номер патента: US09786472B2. Автор: Tetsuhiro Iwai,Shogo Okita,Syouzou Watanabe. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12112921B2. Автор: Hiroyuki Ikuta,Yutaka Fujino,Hirokazu Ueda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09704731B2. Автор: Masaru Izawa,Go Miya,Takumi Tandou. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Plasma processing apparatus and measurement method

Номер патента: US09658106B2. Автор: Kohei Yamashita,Hirokazu Ueda,Yuuki Kobayashi,Peter L. G. Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09631274B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Shinji Komoto,Masahide Iwasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

System, method, and program for predicting processing shape by plasma process

Номер патента: US09620338B2. Автор: Seiji Samukawa,Kohei Ono,Takuya Iwasaki. Владелец: Mizuho Information and Research Institute Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for cleaning plasma processing chamber and substrate

Номер патента: US09595448B2. Автор: Yu-Cheng Liu,Shih-Ping Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09574267B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Shinji Komoto,Masahide Iwasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface

Номер патента: US09449797B2. Автор: Harmeet Singh,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Support for semiconductor substrates for pecvd treatment with high substrate loading capacity

Номер патента: US20230357930A1. Автор: Bachir Semmache,Tich Duy Nguyen,Guy Lazzarelli. Владелец: Semco Smartech France SAS. Дата публикации: 2023-11-09.

Substrate supports, semiconductor processing systems having substrate supports, and methods of making substrate supports for semiconductor processing systems

Номер патента: US20230212752A1. Автор: Hong Gao,Zhengyan Zhou. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-06.

Sputter source for semiconductor process chambers

Номер патента: US20170211175A1. Автор: Prashanth Kothnur,Tza-Jing Gung,Anantha K. Subramani,Hanbing Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Member for semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US11996313B2. Автор: Ryuji Tamura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Plasma processing apparatus and method for manufacturing mounting stage

Номер патента: US12033886B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Akira Nagayama,Ryo Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Plasma Processing Method

Номер патента: US20210142982A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Toshio Hasegawa,Shinya Iwashita,Naotaka Noro,Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230420228A1. Автор: Akihiro Yokota,Ryo Terashima,Takaharu SAINO,Tomo MURAKAMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma processing system

Номер патента: US20200219707A1. Автор: Woohyun Jeong. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Magnet holding structures for plasma processing applications

Номер патента: WO2022086709A1. Автор: Canfeng Lai,Andrew Nguyen,Kallol Bera,Sathya Swaroop GANTA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230402289A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA,Noriyoshi ARIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Determining an optimal ion energy for plasma processing of a dielectric substrate

Номер патента: EP4038656A1. Автор: Bastiaan Joannes Daniël VERMULST,Erik Lemmen,Qihao YU. Владелец: Prodrive Technologies Innovation Services BV. Дата публикации: 2022-08-10.

Determining an optimal ion energy for plasma processing of a dielectric substrate

Номер патента: WO2021064110A1. Автор: Bastiaan Joannes Daniël VERMULST,Erik Lemmen,Qihao YU. Владелец: PRODRIVE TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2021-04-08.

Plasma generating apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US20110068004A1. Автор: Yuichi Shiina. Владелец: Ferrotec Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Plasma generating apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US8562800B2. Автор: Yuichi Shiina. Владелец: Ferrotec Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

Plasma processing apparatus and substrate support of plasma processing apparatus

Номер патента: US11972933B2. Автор: Masahiro DOGOME. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Multi-zone heating apparatus, bottom electrode assembly, plasma processing apparatus, and temperature adjusting method

Номер патента: US12046458B2. Автор: Jie Du,Sha Rin. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing electrode plate for plasma processing device

Номер патента: US5961361A. Автор: Shosuke Endoh,Masaaki Mitsuno. Владелец: Tokai Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Plasma processing method

Номер патента: US12074033B2. Автор: Hitoshi Kobayashi,Masahito Mori,Ryota Takahashi,Chaomei Liu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240290625A1. Автор: Masanori Hosoya,Mitsuhiro Iwano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Guard aperture to control ion angular distribution in plasma processing

Номер патента: US20160093409A1. Автор: Ludovic Godet,Sang Ki Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-31.

Plasma processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US9237638B2. Автор: Osamu Morita,Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Plasma processing apparatus and method of cleaning the apparatus

Номер патента: US20010001185A1. Автор: Hajime Murakami,Eiji Setoyama,Kouji Ishiguro,Hirofumi Seki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-05-17.

Restoring method for inner wall member of plasma processing apparatus

Номер патента: US20240240300A1. Автор: Taku Watanabe,Tadayoshi Kawaguchi,Shoichiro Mizunashi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic holding structures for plasma processing applications

Номер патента: US20240297059A1. Автор: Canfeng Lai,Andrew Nguyen,Kallol Bera,Sathya Swaroop GANTA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of cleaning stage in plasma processing apparatus, and the plasma processing apparatus

Номер патента: US12090529B2. Автор: Junichi Sasaki,Takamitsu Takayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240347325A1. Автор: Yuki Onodera,Takamitsu Takayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Plasma processing method

Номер патента: US20240304456A1. Автор: Makoto Miura,Koichi Takasaki,Makoto Satake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Compact rf pulse compression for directed energy

Номер патента: WO2021072147A1. Автор: Hans P. BLUEM. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-04-15.

A phased-array rf pulse generator

Номер патента: EP2845318A1. Автор: Nigel Seddon,Mark Owen,Philip Lesile MASON. Владелец: MBDA UK Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Phased-array rf pulse generator

Номер патента: US20150035614A1. Автор: Nigel Seddon,Mark Owen,Philip Leslie Mason. Владелец: MBDA UK Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

A phased-array rf pulse generator

Номер патента: WO2013171479A1. Автор: Nigel Seddon,Mark Owen,Philip Lesile MASON. Владелец: MBDA UK LIMITED. Дата публикации: 2013-11-21.

Safety device for semiconductor switch

Номер патента: RU2440651C2. Автор: Давид РУССЕ. Владелец: Эрбюс Операсьон (Сас). Дата публикации: 2012-01-20.

Anti-aliasing pre-filter circuit for semiconductor charge transfer device

Номер патента: CA1107396A. Автор: Carlo H. Sequin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-08-18.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Conversion process utilized for manufacturing advanced 3D features for semiconductor device applications

Номер патента: US09553174B2. Автор: Ludovic Godet,Christopher Hatem,Martin A. Hilkene,Matthew D. Scotney-Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Plasma treatment for semiconductor devices

Номер патента: US09418955B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Fa Lu,Chung-Shi Liu,Wei-Yu Chen,Cheng-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing

Номер патента: US09775194B2. Автор: John Pease,Neil Benjamin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Cyclic deposition method for thin film and manufacturing method for semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: US09741574B2. Автор: Hai-Won Kim,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Device for contact photolithography for semiconductor plates with a base cut

Номер патента: RU2691159C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-06-11.

Contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2491683C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Джон И. ЭПЛЕР,Патрик Н. ГРИЙО,Рафаэл I АЛДАЗ. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-08-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US20200105962A1. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: EP4285128A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Chet LENOX,Kara SHERMAN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Hybrid Bonding Systems and Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20150287694A1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Carrier substrate for semiconductor structures suitable for a transfer by transfer print and manufacturing of the semiconductor structures on the carrier substrate

Номер патента: US20240371669A1. Автор: Ralf Lerner. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Hybrid bonding systems and methods for semiconductor wafers

Номер патента: US09748198B2. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Reflecting contact for semiconductor light-emitting device

Номер патента: RU2535636C2. Автор: Джон И. ЭПЛЕР. Владелец: ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-12-20.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Gas saver for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2008020715A1. Автор: Jong-Ha Park. Владелец: Jong-Ha Park. Дата публикации: 2008-02-21.

Wafer edge protective-film-forming composition for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4398035A1. Автор: Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Takahiro Kishioka,Hayato Hattori,Shunsuke MORIYA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Film for semiconductor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: SG177573A1. Автор: Hiroyuki Yasuda,Takashi Hirano. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-02-28.

Resin composition for semiconductor sealing, underfill material, mold resin, and semiconductor package

Номер патента: US20240055308A1. Автор: Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20090051013A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Mounting arrangements for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20230307586A1. Автор: David N. Randolph,Timothy Ling,Ryan MOHN,David PEOPLES,Wooh Jae Kim. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20240266191A1. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor wafer for semiconductor components and production method

Номер патента: US20110062558A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-03-17.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Tray for semiconductor devices

Номер патента: US09818632B2. Автор: Yu-Nan Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-14.

Laser assisted bonding for semiconductor die interconnections

Номер патента: US09627348B2. Автор: Ju Hoon Yoon,Min Ho Kim,Choon Heung Lee,Chan Ha Hwang,Dong Su Ryu,Yang Gyoo Jung,Choong Hoe Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

P+ or N+ type doping process for semiconductors

Номер патента: US11769668B2. Автор: Gianluigi MAGGIONI,Davide DE SALVADOR,Daniel Ricardo NAPOLI,Enrico NAPOLITANI. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-09-26.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Supporting member for semiconductor elements, and method for driving supporting member for semiconductor elements

Номер патента: US20060040431A1. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Package for semiconductor

Номер патента: US20240347434A1. Автор: Young Ho Kim,Jong Heon Kim,Bo Mi Lee,Yun Mook PARK,Hyung Jin Shin,Young Mo Lee,Kyu Shik KIM. Владелец: Nepes Laweh Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Adhesive resin compostition for bonding semiconductors and adhesive film for semiconductors

Номер патента: US09953945B2. Автор: Kwang Joo Lee,Se Ra Kim,Hee Jung Kim,Jung Hak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Smart window for semiconductor processing tool

Номер патента: US09612207B2. Автор: Xinxin He,Cameron Paul Simoes. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface

Номер патента: US09478454B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga,Toshimasa Sugimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US12142553B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing

Номер патента: EP3919578A1. Автор: Shunpei Tanaka,Hiroki Kono,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Improved low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: EP4085479A1. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Laser Systems & Solutions Of Europe Lasse Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Crystallization processing for semiconductor applications

Номер патента: SG10201407955QA. Автор: Stephan Moffat. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20220199430A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Mount tape having an inner support layer between adhesive layers for semiconductor device assembly

Номер патента: US20240063047A1. Автор: Brandon P. Wirz,Youngrae Kim,Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods and devices of correcting layout for semiconductor processes using machine learning

Номер патента: US12086526B2. Автор: Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Hyeyoung Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Film for semiconductor back surface and its use

Номер патента: US09768050B2. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Performance enhancement of coating packaged ESC for semiconductor apparatus

Номер патента: US09633884B2. Автор: Tuqiang Ni,Xiaoming He. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-04-25.

Low resistance contacts for semiconductor devices

Номер патента: US09607858B2. Автор: Karim Huet,Ray Duffy,Maryam Shayesteh. Владелец: Laser Systems & Solutions Of Europe (lasse) Screen Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Heating plate with planar heater zones for semiconductor processing

Номер патента: WO2012064543A1. Автор: Harmeet Singh. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-18.

Multiplexed heater array using ac drive for semiconductor processing

Номер патента: WO2013130210A1. Автор: John Pease,Neil Benjamin. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-06.

Multiplexed heater array using ac drive for semiconductor processing

Номер патента: US20160198524A1. Автор: John Pease,Neil Benjamin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method for semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014662A1. Автор: Kazuo Yamazaki,Masahiro Tadokoro,Shinji Kuniyoshi,Takenobu Ikeda,Kousuke Kusakari. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-02-07.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Connection board, and multi-layer wiring board, substrate for semiconductor package and semiconductor package using connection board, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008141A1. Автор: Fumio Inoue,Shigeharu Arike,Akishi Nakaso,Tetsuya Enomoto,Norio Moriike,Hidehiro Nakamura,Kousuke Hiroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of forming a dielectric collar for semiconductor wires

Номер патента: WO2021069310A1. Автор: Wei Sin Tan,Pierre Tchoulfian,Pamela Rueda Fonseca. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2021-04-15.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4241307A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Mounting devices for semiconductor packages

Номер патента: US20200286810A1. Автор: Francisco Gonzalez Espin,Torbjorn Hallberg,Jose Antonio Castillo. Владелец: MAHLE International GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US20150213915A1. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20220028792A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US20230343709A1. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-10-26.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Doping procedures for semiconductor devices

Номер патента: CA2018976A1. Автор: Jenn-Ming Kuo,Rose Fasano Kopf,Erdmann Frederick Schubert,Henry Steven Luftman. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-12-31.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US9490040B2. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Component for semiconductor package and manufacturing method of component for semiconductor package

Номер патента: US20090121341A1. Автор: Kiyoshi Oi,Teruaki Chino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-14.

High-temperature high-pressure processing method for semiconductor wafers, and an anti-oxidizing body used for the method

Номер патента: US6455446B2. Автор: Yutaka Narukawa,Makoto Kadoguchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2002-09-24.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Epoxy Resin Composition for Semiconductor Encapsulation and Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20080136048A1. Автор: Eiji Toyoda,Kazuhiro Ikemura,Katsuyuki Nakabayashi,Daisuke Tsukahara,Takuya Eto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Surface treatment method for semiconductor substrates and surface treatment agent composition

Номер патента: US20230282474A1. Автор: Yoshiharu Terui,Yuzo Okumura,Soichi Kumon,Saori Shiota,Yuki Fukui. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Packaging glass substrate for semiconductor, a packaging substrate for semiconductor, and a semiconductor apparatus

Номер патента: US20210398891A1. Автор: Sungjin Kim,Youngho RHO,Jincheol Kim. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US12074121B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

High-temperature high-pressure processing method for semiconductor wafers, and an anti-oxidizing body used for the method

Номер патента: US20010046786A1. Автор: Yutaka Narukawa,Makoto Kadoguchi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Contactor for semiconductor devices, a testing apparatus using such contactor, a testing method using such contactor, and a method of cleaning such contactor

Номер патента: US20020190741A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Makoto Haseyama,Futoshi Fukaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Housing for semiconductor devices, semiconductor device pin, and method for the manufacturing of pins

Номер патента: US20040197978A1. Автор: Christian Stocken,Georg Eggers,Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Packaging bag for semiconductor wafer and method of packaging semiconductor wafer using the packaging bag

Номер патента: EP1318078A1. Автор: Kohei Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. TOYAMA,Tsubasa Fujimori PlaChemical Co. Ltd. SHIMIZU. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-11.

Dynamic dispatching method for semiconductor manufacturing system

Номер патента: US12131928B2. Автор: Li Li,Peng Yi,Jie Chen,Yiguang Hong,Min Meng,Kuo-Yi Lin,Qingyun YU,Jinlong LEI,Xiouxian LI. Владелец: TONG JI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor packaging device and manufacturing method for semiconductor packaging device

Номер патента: US20240347484A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Packaging methods for semiconductor devices with encapsulant ring

Номер патента: US09805997B2. Автор: Yu-Chih Liu,Chin-Liang Chen,Chien-Kuo Chang,Kuan-Lin Ho,Wei-Ting Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Liquid epoxy resin composition for semiconductor sealing and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US09711378B2. Автор: Tatsuya Uehara,Naoyuki Kushihara,Kazuaki Sumita. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US09490040B2. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Reactor for plasma processing of semiconductor structures

Номер патента: RU2670249C1. Автор: Владимир Борисович Павлов,Александр Кириллович Петров,Наталья Борисовна Гусева,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Александр Михайлович Никонов,Михаил Георгиевич Бирюков,Константин Викторович Вавилин,Елена Александровна Кралькина,Полина Алексеевна Неклюдова,Елена Владимировна Карпенкова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2018-10-19.

Atmospheric pressure rf plasma source using ambient air and complex molecular gases

Номер патента: WO2002078749A3. Автор: Ivars Henins,Jaeyoung Park. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2003-04-10.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20130062790A1. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Interconnects for semiconductor packages

Номер патента: US20180286804A1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Jiun Hann Sir,Hoay Tien Teoh,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim,Jia Yan Go. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: WO2017039874A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Device for supplying liquid for semiconductor manufacturing

Номер патента: EP4401114A1. Автор: Hideaki Iino. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for semiconductor device planarization

Номер патента: US20020151137A1. Автор: Byoung-Ho Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230018430A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20200312808A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Copper alloy bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: PH12018502683B1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Motoki Eto. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-21.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20090281225A1. Автор: Toshimichi Suzuki,Mitsuaki Fusumada,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Pump backstream prevention structure for semiconductor fabrication equipment

Номер патента: US12027392B2. Автор: Tae Wha Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US12052858B2. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG10201908464VA. Автор: Haibara Teruo,Uno Tomohiro,Yamada Takashi,Oda Daizo. Владелец: Nippon Steel Chemical & Material Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Molding apparatus for semiconductor package fabrication and method of molding semiconductor package using the same

Номер патента: NL2017744B1. Автор: CHEON Seung-jin,Park Jong-Woo,CHUN HYUN-SUK,CHOI Kwang-Won,Baick In-Hak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-20.

Remote access gateway for semiconductor processing equipment

Номер патента: WO2010048379A2. Автор: Ronald Vern Schauer. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: US20190080989A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Conductive clip connection arrangements for semiconductor packages

Номер патента: WO2018127845A1. Автор: Laxminarayan Sharma,Stuart B. Molin. Владелец: Silanna Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Ag alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4234734A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Noritoshi Araki,Takumi Ookabe. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Quartz member for semiconductor manufacturing equipment and method for metal analysis in quartz member

Номер патента: EP1261761A1. Автор: Yoshinori Tokyo Electron Limited MARUMO,Kaname Tokyo Electron Limited SUZUKI,Teruyuki Tokyo Electron Limited HAYASHI,Takashi Tokyo Electron Tohoku Limited TANAHASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-12-04.

Substrate for semiconductor elements and semiconductor device

Номер патента: US20190088578A1. Автор: Junichi Nakamura,Koji Watanabe,Kentaro Kaneko,Tsukasa NAKANISHI,Harunobu Sato. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Temporary protective film for semiconductor encapsulation molding, lead frame with temporary protective film, encapsulation molded body with temporary protective film, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220319873A1. Автор: Tomohiro Nagoya. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: WO2013032688A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20110272828A1. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Single-Source Precursor for Semiconductor Nanocrystals

Номер патента: US20130082216A1. Автор: Narendra Kumar,Manzoor Koyakutty,Aditya Verma,Sampat Raj Vedera,Thundyil Raman Narayana Kutty. Владелец: Director General Defence Research & Development Organisation. Дата публикации: 2013-04-04.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Ai bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240312946A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Yuto KURIHARA,Yuya SUTO. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-row wiring member for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096793A1. Автор: Kaoru HISHIKI,Ichinori Iidani. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US8421249B2. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Gas flow substrate supports, processing chambers, and related methods and apparatus, for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240363390A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Gas flow substrate supports, processing chambers, and related methods and apparatus, for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024226125A1. Автор: Hui Chen,Shawn Thomas,Xinning Luan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240373624A1. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus for semiconductor wafer treatment and semiconductor wafer treatment

Номер патента: US09966266B2. Автор: Yu-Ying Lin,Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Neng-Hui Yang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Heat-resistant adhesive sheet for semiconductor testing

Номер патента: US09963622B2. Автор: Gosuke Nakajima,Tomoya TSUKUI. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Adhesive composition for semiconductor and adhesive film including the same

Номер патента: US09957425B2. Автор: Jun Woo Lee,Sung Min Kim,Jae Won Choi,In Hwan Kim,Su Mi Lim,Baek Soung Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Dicing structures for semiconductor substrates and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09859223B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09733272B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of making an electromagnetic interference shield for semiconductor chip packages

Номер патента: US09691711B2. Автор: John S. Guzek,Ravindranath V. Mahajan,Adel A. Elsherbini,Nitin Ashok Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Packaging process tools and systems, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09543185B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Chun-Cheng Lin,Wei-Hung Lin,Kuei-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Designed asperity contactors, including nanospikes, for semiconductor test using a package, and associated systems and methods

Номер патента: US09494618B2. Автор: Morgan T. Johnson,Douglas A. Preston. Владелец: TRANSLARITY Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Copper alloy bonding wire for semiconductor

Номер патента: US09427830B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Shinichi Terashima. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US09340700B2. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for semiconductor self-aligned patterning

Номер патента: US09318412B2. Автор: An Hsiung Liu,Ya Chih Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Phase module for semiconductor power converter

Номер патента: RU2701870C1. Автор: Штефан БОЙГК,Юрген БЕМЕР,Рюдигер КЛЕФФЕЛЬ,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2019-10-02.

Self-aligned contacts for semiconductor device

Номер патента: US6165910A. Автор: Joel M. Cook,Janet M. Flanner,Ian J. Morey,Linda N. Marquez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Method for fabricating electronic component module using a plasma processing method

Номер патента: MY137638A. Автор: Masaru Nonomura,Tatsuhiro Mizukami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-27.

Plasma processing method and method for fabricating electronic component module using the same

Номер патента: EP1709674A1. Автор: Masaru Matsushita El.Ind.Co.Ltd. NONOMURA,Tatsuhiro Matsushita El. Ind. Co. MIZUKAMI. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-11.

Housing for semiconductor microwave device

Номер патента: RU2579544C1. Автор: Леонид Викторович Ляпин,Михаил Владимирович Лебедев,Светлана Сергеевна Белышева,Ирина Куртовна Немогай,Сергей Степанович Семенюк,Татьяна Семеновна Суслова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2016-04-10.

Sensor for semiconductor device manufacturing process control

Номер патента: US5293216A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-03-08.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20170330813A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Base-attached encapsulant for semiconductor encapsulation, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20180025958A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US11824107B2. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: EP3678191A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: US11798827B2. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella,Kara L. Sherman. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Systems and methods for semiconductor defect-guided burn-in and system level tests

Номер патента: EP4323782A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Method of facilitating straining of a semiconductor element for semiconductor fabrication, semiconductor platform obtained by the method, and optoelectronic device comprising the semiconductor platform

Номер патента: US11581451B2. Автор: Chuan Seng Tan,Jurgen Michel,Yiding Lin. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-14.

Systems and methods for semiconductor defect-guided burn-in and system level tests

Номер патента: WO2022260912A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-12-15.

Systems and methods for semiconductor adaptive testing using inline defect part average testing

Номер патента: WO2022235493A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Chet LENOX,Kara SHERMAN. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, semiconductor device using the same, and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP1591465A1. Автор: Takuji Okeyui,Kazuhiro Ikemura,Kazuhito Hosokawa,Keisuke Yoshikawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Apparatus and method for semiconductor device bonding

Номер патента: US11990445B2. Автор: Amlan Sen. Владелец: Pyxis CF Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20240047566A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Wrap-around contact structures for semiconductor nanowires and nanoribbons

Номер патента: US20200219997A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Systems and methods for semiconductor defect-guided burn-in and system level tests

Номер патента: US20220390505A1. Автор: David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella,John Charles Robinson. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100151628A1. Автор: Yoshimasa Kushima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: US20050037629A1. Автор: Ichiro Nakayama,Yoshihiro Yanagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of adsorbing target object on mounting table and plasma processing apparatus

Номер патента: US09953854B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Akihito FUSHIMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Processing method for semiconductor wafers

Номер патента: US5035750A. Автор: Takeki Hata,Masuo Tada,Takaaki Fukumoto,Toshiaki Ohmori. Владелец: Taiyo Sanso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Test fixture for semiconductor packages and test method of using the same

Номер патента: US20030190826A1. Автор: Huan-Ping Su,Soon-Aik Lu. Владелец: UTAC Taiwan Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Conductive buffer layers for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US11862591B2. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Bond pads for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US20230048311A1. Автор: Bharat Bhushan,Keizo Kawakita,Bret K. Street,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Wrap-around contact structures for semiconductor fins

Номер патента: US20220093460A1. Автор: Rishabh Mehandru. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Process for production of epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device

Номер патента: MY131999A. Автор: Kazuo Noda,Kenji Takayama,Noriyuki Takasaki. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2007-09-28.

Encapsulation warpage reduction for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: US11955345B2. Автор: Brandon P. Wirz,Liang Chun Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for processing semiconductor containing transition metal, method for producing semiconductor containing transition metal, and processing liquid for semiconductors

Номер патента: US20240055272A1. Автор: Yuki Kikkawa,Takayuki Negishi,Tomoaki Sato,Kohei Saito,Hiroto YARIMIZU. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Conductive buffer layers for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US20240178170A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20080042258A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180204908A1. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Bond pads for semiconductor die assemblies and associated methods and systems

Номер патента: EP4135020A3. Автор: Bharat Bhushan,Keizo Kawakita,Bret K. Street,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155114A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection, adhesive film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor package, and semiconductor package using the same

Номер патента: US20210292618A1. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Minsu Jeong,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Image-based digital control of plasma processing

Номер патента: US12027426B2. Автор: Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Modifying work function of a metal film with a plasma process

Номер патента: US20180218911A1. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Houda Graoui,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Dummy Gate Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160005814A1. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Isolation structures for semiconductor integrated circuit substrates and methods of forming the same

Номер патента: EP1958249A1. Автор: Richard K. Williams. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of generating and using a plasma processing control program

Номер патента: EP1877878A1. Автор: Andrew Leonard Goodyear,Philip Douglas Rossbrook. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

RECRYSTALLIZATION METHOD TO SELENIZATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se2 FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: WO1996006454A1. Автор: Miguel A. Contreras,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Rommel Noufi,David S. Albin,Andrew M. Gabor,Jeffrey J. Carapella. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 1996-02-29.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: CA3197618A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: EP4281215A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Materials for semiconductor package mount applications and methods of using the same

Номер патента: US20240107682A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Hsiu-Jen Lin,Chih-Chiang Tsao,Jen-Jui Yu,Hsuan-Ting Kuo,Chao-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4361301A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Multi-layer solder seal band for semiconductor substrates and process thereof.

Номер патента: MY120319A. Автор: Sushumna Iruvanti,Frank Louis Pompeo,Mark Gerard Courtney,William Edward Sablinski,Armando Salvatore Cammarano,Jeffrey Thomas Coffin,David Linn Edwards,Stephen S Drofitz Jr,Michael Joseph Ellsworth Jr,Lewis Sigmund Goldmann,Hilton T Toy,Raed A Sherif. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-10-31.

Waste gas treatment apparatus for semiconductor and display processes

Номер патента: EP4393568A1. Автор: Dong Soo Kim,Chul hwan Kim,Yeo Jin Kim,Hyun Kyung KIM,Kang Sik Shin. Владелец: Mat Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US20160104687A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20230148306A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290745A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for etching metal films using plasma processing

Номер патента: US12057322B2. Автор: Qingyun Yang,Nathan P. Marchack,Devi Koty,Sebastian Ulrich Engelmann,Nicholas Joy. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gain medium structure for semiconductor optical amplifier with high saturation power

Номер патента: EP4016764A1. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290743A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240290744A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Tray for semiconductors

Номер патента: WO2003008303A1. Автор: James Nigg,Joy Duban-Hu. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Testkey structure for semiconductor device

Номер патента: US20230245934A1. Автор: Rong He,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Zhi Xiang Qiu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Waste gas treatment apparatus for semiconductor and display processes

Номер патента: US20240213047A1. Автор: Dong Soo Kim,Chul hwan Kim,Yeo Jin Kim,Hyun Kyung KIM,Kang Sik Shin. Владелец: Mat Plus Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20190173215A1. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-06-06.

Flexible press fit pins for semiconductor packages and related methods

Номер патента: US10224655B2. Автор: Chee Hiong Chew,Atapol Prajuckamol,Yushuang YAO. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-05.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20240297142A1. Автор: Takashi Yamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Tape for semiconductor package and cutting method thereof

Номер патента: US20080185171A1. Автор: PENG Wang,Hangbin Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Plasma processing method

Номер патента: US20020173161A1. Автор: Kiyoshi Arita,Tetsuhiro Iwai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

Polishing composition for semiconductor processing and method of polishing a substrate

Номер патента: US20240218251A1. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Yongsoo Choi,Kangsik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Voltage-sustaining layer for semiconductors

Номер патента: US20230108349A1. Автор: Haimeng HUANG,Xinghao TONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-04-06.

Testkey structure for semiconductor device

Номер патента: US12094790B2. Автор: Rong He,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Zhi Xiang Qiu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Automatic teaching apparatus for semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240312821A1. Автор: Takashi Minami,Jung-Ho Yun,Hiroki Sanemasa,Yonggu Kang,Mid Uem RYU,Daisuke HIGASHITARUMIZU. Владелец: Yaskawa Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: GB9509683D0. Автор: . Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 1995-07-05.

Method of manufacturing bonding wire for semiconductor device

Номер патента: SG64376A1. Автор: Ichiro Nagamatsu,Hiroto Iga,Keiko Itabashi,Taeko Tobiyama. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 1999-04-27.

Valve for semiconductor manufacturing device

Номер патента: US12117101B2. Автор: Hajime Horiguchi. Владелец: Kitz SCT Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966264B2. Автор: Kohei Nishiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Interconnect structure for semiconductor devices with multiple power rails and redundancy

Номер патента: US09812396B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Shreesh Narasimha,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.,Patrick Ryan Justison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Multilayer substrate for semiconductor packaging

Номер патента: US09788416B2. Автор: Padam Jain,Dilan Seneviratne,Wei-Lun Kane Jen,Chi-Mon CHEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses, systems, and methods for die attach coatings for semiconductor packages

Номер патента: US09659898B1. Автор: Walid Meliane,Kevin J. Anderson,Tarak A. Railkar,John M. Beall. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Dummy gate structure for semiconductor devices

Номер патента: US09627475B2. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US09536854B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09536751B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Systems and methods for semiconductor line scribe line centering

Номер патента: US09514999B2. Автор: Erik L. Hedberg,Aurelius L. GRANINGER,Kevin K. Dezfulian,Jeanne P. Bickford,Troy J. Perry. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for fabricating nanowires for horizontal gate all around devices for semiconductor applications

Номер патента: US09484406B1. Автор: Bingxi Wood,Naomi Yoshida,Shiyu Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Encapsulation for semiconductor integrated circuit chip

Номер патента: CA1168764A. Автор: Arthur J. Ingram,Irving Weingrod. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

Pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing

Номер патента: US20030008139A1. Автор: Kazuyoshi Ebe,Koichi Nagamoto. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Hermetically tight glass-metal housing for semiconductor components and method for producing same

Номер патента: US4940855A. Автор: Ewald Schmidt,Guenther Waitl,Rolf Birkmann. Владелец: Electrovac AG. Дата публикации: 1990-07-10.

Substrate for semiconductor device, semiconductor chip mounting substrate, semiconductor device and method of fabrication thereof, and circuit board, together with electronic equipment

Номер патента: US20040227259A1. Автор: Toshinori Nakayama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

P+ or n+ type doping process for semiconductors

Номер патента: US20230170219A1. Автор: Gianluigi MAGGIONI,Davide DE SALVADOR,Daniel Ricardo NAPOLI,Enrico NAPOLITANI. Владелец: Instituto Nazionale di Fisica Nucleare INFN. Дата публикации: 2023-06-01.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US11942455B2. Автор: Jong Sik Paek,Jungbae Lee,Yeongbeom Ko,Youngik Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: EP4293087A1. Автор: Han Teo PARK,Yong Soo Choi,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: US20180374816A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Teruo Haibara,Takumi Ohkabe. Владелец: Nippon Steel and Sumikin Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US10229858B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US20170148698A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Core-substrate, substrate and use of substrate for semiconductor packaging

Номер патента: EP4322715A1. Автор: Tae Kyoung Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Management system, method, and computer program for semiconductor fabrication apparatus

Номер патента: SG11201910106XA. Автор: Takahiro Matsuda,Tsutomu Shinohara,Ryutaro TANNO. Владелец: Fujikin Kk. Дата публикации: 2019-11-28.

Packages and Packaging Methods for Semiconductor Devices, and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20180337163A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150175800A1. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Via for semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20200411412A1. Автор: Eric Jeffery WOOLSEY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Protection structures for semiconductor devices with sensor arrangements

Номер патента: EP4241309A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Protection structures for semiconductor devices with sensor arrangements

Номер патента: WO2022098421A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-12.

Tiered-Profile Contact for Semiconductor

Номер патента: US20200090995A1. Автор: Kangguo Cheng,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Device, apparatus, and method for semiconductor transfer

Номер патента: US11862502B2. Автор: Cheng-Ming Liu,Chien-Hung Lin,Li-Wei Kung,Ying-Chi Wang,Qiyuan Wei. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: WO2023287482A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Resin composition for bonding semiconductors, adhesive film for semiconductor using the same, dicing die bonding film, and method for dicing semiconductor wafer

Номер патента: US11879075B2. Автор: Byung Ju Choi,Kwang Joo Lee,Jong Min JANG,Wanjung KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Composition having suppressed alumina damage and production method for semiconductor substrate using same

Номер патента: US20210002591A1. Автор: Kenji Yamada,Toshiyuki Oie,Akinobu HORITA,Takahiro Kikunaga. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Hollow resin particles used in resin composition for semiconductor member

Номер патента: EP4265650A1. Автор: Ryosuke Harada,Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor

Номер патента: US20020142153A1. Автор: Toshimitsu Tachibana,Hitoshi Takano,Norikane Nabata. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20190371719A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Guard ring design enabling in-line testing of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20230260884A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Arnab Sarkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Resin composition for bonding semiconductors, adhesive film for semiconductor using the same, dicing die bonding film, and method for dicing semiconductor wafer

Номер патента: US20210009867A1. Автор: Byung Ju Choi,Kwang Joo Lee,Jong Min JANG,Wanjung KIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20110021665A1. Автор: Hirofumi Kuroda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US8124695B2. Автор: Hirofumi Kuroda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Substrate with cut semiconductor pieces having measurement test structures for semiconductor metrology

Номер патента: US11978679B2. Автор: Chen Dror. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: MY158651A. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-31.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US11942336B2. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Cleaning apparatus for semiconductor wafer and method of cleaning semiconductor wafer

Номер патента: US20230033913A1. Автор: Michihiko Tomita,Kazuhiro Ohkubo,Yuki NAKAO,Kaito NODA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Wide trench termination structure for semiconductor device

Номер патента: US20130249043A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-09-26.

Hollow resin particles used in resin composition for semiconductor member

Номер патента: US20240059810A1. Автор: Ryosuke Harada,Koichiro Okamoto. Владелец: Sekisui Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230044728A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Core-substrate, substrate and use of substrate for semiconductor packaging

Номер патента: US20240055341A1. Автор: Tae Kyoung Kim. Владелец: Absolics Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Stacked semiconductor dies for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20220285315A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230407135A1. Автор: Han Teo PARK,Yong Soo Choi,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210376158A1. Автор: Jae-Hyung Park,Edward Robert Van Brunt,Edward Lloyd Hutchins. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: EP4371156A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Underfill film for semiconductor package and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20240186153A1. Автор: Taejin CHOI,Jungjin Lee,Chunggu Lee,Sooin Park. Владелец: Doosan Corlporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Crack Stops for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110244658A1. Автор: Michael Beck,Erdem Kaltalioglu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

High temperature ultra-fast annealed soft mask for semiconductor devices

Номер патента: US20190259616A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Ekmini Anuja De Silva,Indira Seshadri,Mona Ebrish. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Resin sealing method for semiconductors and release film used therefor

Номер патента: US20030087088A1. Автор: Toshimitsu Tachibana,Hitoshi Takano,Norikane Nabata. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

Adhesive for semiconductor sensor chip mounting, and semiconductor sensor

Номер патента: US20190078002A1. Автор: Saori Ueda,Yasuyuki Yamada. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Adhesive for semiconductor mounting, and semiconductor sensor

Номер патента: US20190088573A1. Автор: Saori Ueda,Yasuyuki Yamada. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20180204955A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Epoxy resin composition for semiconductor device encapsulating film, semiconductor device encapsulating film and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20210363379A1. Автор: Seung Woo Hong,Jin Min Cheon,Young Joon Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface, and process for producing semiconductor device

Номер патента: US20140037923A1. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Test handler for semiconductor device

Номер патента: WO2008054186A1. Автор: Hong-Jun You,Won-Jin Jang,Woon-Joung Yoon. Владелец: Jt Corporation. Дата публикации: 2008-05-08.

Plasma processing method

Номер патента: US6723651B2. Автор: Kiyoshi Arita,Shoji Sakemi,Tetsuhiro Iwai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-20.

High frequency power source, plasma processing apparatus, inspection method for plasma processing apparatus, and plasma processing method

Номер патента: US20020113738A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

De-chuck control method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09966291B2. Автор: Junichi Sasaki,Masaaki Miyagawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

De-chuck control method and control device for plasma processing apparatus

Номер патента: US09466519B2. Автор: Atsushi Kawabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Laser scribing method for semiconductor workpiece using separated laser rays

Номер патента: RU2677574C1. Автор: Эгидьюс ВАНАГАС,Дзьюгас КИМБАРАС,Лауринас ВЕСЕЛИС. Владелец: Эвана Текнолоджис, Уаб. Дата публикации: 2019-01-17.

Reflective optical elements for semiconductor light emitting devices

Номер патента: US7118262B2. Автор: Gerald H. Negley. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Process for forming electrodes for semiconductor devices using focused ion beams

Номер патента: US4853341A. Автор: Hiroshi Koyama,Hiroaki Morimoto,Tadashi Nishioka,Yoji Mashiko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-08-01.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for reproducing printed circuit boards for semiconductor packages including poor quality printed circuit board units and method for fabricating semiconductor packages using the reproduced printed circuit boards

Номер патента: US5897334A. Автор: Sun Ho Ha,Byung Joon Han,Young Wook Heo. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-27.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Wafer Holder for Semiconductor Manufacturing Equipment and Semiconductor Manufacturing Equipment in Which It Is Installed

Номер патента: US20040216678A1. Автор: Masuhiro Natsuhara,Manabu Hashikura,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-04.

Methodology of forming optical lens for semiconductor light emitting device

Номер патента: MY152737A. Автор: Koay Huck Khim. Владелец: Silq Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-11-28.

Surface-protection tape for semiconductor wafers for use during backgrinding process and substrate film for the surface-protection tape

Номер патента: MY153422A. Автор: Funazaki Koji,Kojima Hisatomi,Hayashi Naoya,Yokoi Masayuki. Владелец: Gunze Kk. Дата публикации: 2015-02-13.

Test probe for semiconductor devices, method of manufacturing of the same, and member for removing foreign matter

Номер патента: US20030090280A1. Автор: Takahiro Nagata,Yoshihiro Kashiba,Mutsumi Kano,Shigeki Maekawa,Kazunobu Miki,Megumi Takemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method and related system for semiconductor equipment prevention maintenance management

Номер патента: US20050203858A1. Автор: Chien-Chung Chen,Hung-En Tai,Sheng-Jen Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-15.

Alternative surfaces for conductive pad layers of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: WO2017074390A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-05-04.

Bonding wire-type heat sink structure for semiconductor devices

Номер патента: US20170271234A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo,Chih-Yu Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Plating Apparatus, Plating Method and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20070218590A1. Автор: Koujiro Kameyama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Fluid supply nozzle for semiconductor substrate treatment and semiconductor substrate treatment apparatus having the same

Номер патента: US20230369080A1. Автор: Tae Woo Kim,Sang Su Lee,Jae Hoon Hwang. Владелец: Apet Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Alternative surfaces for conductive pad layers of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20240071884A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing

Номер патента: US11898071B2. Автор: Hiroki Kono,Mariko TESHIBA. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: WO2016186788A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Point-of-Use Enrichment of Gas Mixtures for Semiconductor Structure Fabrication and Systems for Providing Point-of-Use Enrichment of Gas Mixtures

Номер патента: US20180190492A1. Автор: Xiao Bai,Taiqing Qiu,Glyn Jeremy Reynolds. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Alternative surfaces for conductive pad layers of silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US11848259B2. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: MY116439A. Автор: Kazuhiro Ikemura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-01-31.

Dicing tape-integrated film for semiconductor back surface

Номер патента: US20140175677A1. Автор: Takeshi Matsumura,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Ultraviolet light-curable pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor wafer processing, method for manufacturing semiconductor chip and method for using ultraviolet light-curable pressure-sensitive adhesive tape

Номер патента: PH12020500650A1. Автор: Yusuke Goto,Akira Akutsu,Takuya Nishikawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-07.

Metal-free frame design for silicon bridges for semiconductor packages

Номер патента: US20230238339A1. Автор: Sujit Sharan,Dae-woo Kim,Sairam Agraharam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11978637B2. Автор: Enhao CHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Process for semiconductor etching

Номер патента: EP3940750A1. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Yi-Lun Chen,Jung-Hao CHANG,Yi-Chen Lo,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin,Fo-Ju Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Conductive adhesive assembly for semiconductor die attachment

Номер патента: US20240063165A1. Автор: Hong Wan Ng,Yeow Chon Ong,Ramesh NALLAVELLI,Nagavenkata Varaprasad NUNE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Technique for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20220319861A1. Автор: Kenichi Sano,Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Yi-Lun Chen,Jung-Hao CHANG,Yi-Chen Lo,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin,Fo-Ju Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2022098627A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-12.

Adhesive composition for semiconductors, adhesive film prepared using the same, and semiconductor device including the film

Номер патента: US20130041088A1. Автор: In Hwan Kim,Ki Tae Song,Baek Soung Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor interconnect, electrode for semiconductor device, and method of preparing multielement compound thin film

Номер патента: US12014985B2. Автор: Joungeun YOO,Sangwoon Lee,Youngjae Kang,Duseop Yoon. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-06-18.

Dynamic dispatching method for semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20220223444A1. Автор: Li Li,Peng Yi,Jie Chen,Yiguang Hong,Min Meng,Kuo-Yi Lin,Qingyun YU,Jinlong LEI,Xiouxian LI. Владелец: TONG JI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-07-14.

Apparatus and method for semiconductor polycrystallization

Номер патента: WO2018010500A1. Автор: Yoonsung Um. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-18.

Rigid encapsulation package for semiconductor devices

Номер патента: US6255728B1. Автор: Steven S. Nasiri,David W. Burns,Janusz Bryzek. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2001-07-03.

Method for semiconductor device manufacture

Номер патента: RU2621370C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2017-06-02.

Sheet for semiconductor processing

Номер патента: MY183013A. Автор: SATO Akinori,Yamashita Shigeyuki. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2021-02-05.

Grinding apparatus for semiconductor wafers

Номер патента: US6168499B1. Автор: Kwon-yuong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-02.

Transport system for semiconductor wafer multiprocessing station system

Номер патента: CA1049158A. Автор: Karl H. Raacke,Valdeko H. Sirgo,Bruce I. Bertelsen,John P. Babinski,Clarence J. Townsend. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Method of forming a compact multi-level interconnection metallurgy system for semiconductor devices

Номер патента: CA1089112A. Автор: Janos Havas,Eugene E. Cass,William A. Enichen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: SG166764A1. Автор: Shinya Akizuki,Tomoaki Ichikawa,Tsuyoshi Ishizaka,Yasuko Tabuchi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2010-12-29.

Stripline mount for semiconductor lasers

Номер патента: CA1254294A. Автор: Anderson F. Johnson, Jr.,Norman R. Dietrich,Alfred Zacharias,Walter R. Holbrook. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-05-16.

Focusing optical system for semiconductor lasers

Номер патента: US5465178A. Автор: Koji Ishikawa,Tsuyoshi Sato,Sadao Nakai,Kimiaki Yamamoto,Masanobu Yamanaka,Mikihiko Terashima. Владелец: Kimnon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-07.

Self-aligned formation and method for semiconductors

Номер патента: US6165896A. Автор: Rainer F. Schnabel,Zhijian Lu,Jeffrey Gambino. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Interconnecting wire for semiconductor devices

Номер патента: US4747889A. Автор: Kazuo Sawada,Minoru Yokota,Masanobu Nishio,Hitoshi Kishida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-05-31.

Liquid diffusion dopant source for semiconductors

Номер патента: US3789023A. Автор: K Ritchie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-01-29.

Thermal conduction element for semiconductor devices

Номер патента: CA1187208A. Автор: Joseph L. Horvath. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-05-14.

Jumper chip for semiconductor devices

Номер патента: CA1277441C. Автор: Robert L. Trevison,William E. McKee,Larry B. Hunnel. Владелец: Cominco Electronic Materials Inc. Дата публикации: 1990-12-04.

Cobalt silicide metallization for semiconductor transistors

Номер патента: CA1204045A. Автор: Shyam P. Murarka,Ashok K. Sinha,Hyman J. Levinstein. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-05-06.

Composition for semiconductor processing and polishing method of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4261258A1. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Hwan Chul Kim. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Ceramics heater for semiconductor production system

Номер патента: US20050241584A1. Автор: Hirohiko Nakata,Akira Kuibira,Yoshifumi Kachi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-11-03.

Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing

Номер патента: US20240034914A1. Автор: Yuji Kato,Jun Akiyama,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing

Номер патента: US20240043724A1. Автор: Yuji Kato,Jun Akiyama,Taiki Ueno. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Composition for semiconductor processing and polishing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20230332016A1. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Hyeong Ju Lee,Hwan Chul Kim. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Composition for semiconductor processing and manufacturing method of semiconductor device using the same

Номер патента: US20230332017A1. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Yongsoo Choi,Kangsik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Conductive line contact regions having multiple multi-direction conductive lines and staircase conductive line contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US11903183B2. Автор: Mark Zaleski,Si-Woo Lee,Sheng Wei Yang,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20150357314A1. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20140295594A1. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: EP2751831A2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US11901342B2. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Susceptor for semiconductor substrate processing

Номер патента: US20230386889A1. Автор: Xing Lin,Alexandros Demos,Saket Rathi,Siyao Luan,Shiva K.T. Rajavelu Muralidhar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and Apparatus for Semiconductor Device Fabrication Using a Reconstituted Wafer

Номер патента: US20140335654A1. Автор: Hans-Joachim Barth,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-13.

Apparatuses and methods for semiconductor die heat dissipation

Номер патента: US20200350294A1. Автор: XIAO Li,Sameer S. Vadhavkar,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Apparatuses and methods for semiconductor die heat dissipation

Номер патента: US20190326260A1. Автор: XIAO Li,Sameer S. Vadhavkar,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Apparatuses and methods for semiconductor die heat dissipation

Номер патента: US20190172817A1. Автор: XIAO Li,Sameer S. Vadhavkar,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Embedded reference layers for semiconductor package substrates

Номер патента: US20200168559A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US20220149199A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Composite dielectric structures for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US11862607B2. Автор: yu chun Chen,Hung Cheng Chen,Hsuan Chao Hou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of making an electromagnetic interference shield for semiconductor chip packages

Номер патента: US20160181207A1. Автор: John S. Guzek,Ravindranath V. Mahajan,Adel A. Elsherbini,Nitin Ashok Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Apparatus for semiconductor wafer treatment and semiconductor wafer treatment

Номер патента: US20170309485A1. Автор: Yu-Ying Lin,Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Neng-Hui Yang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Embedded reference layers for semiconductor package substrates

Номер патента: US20220068836A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Jenny Shio Yin ONG,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Conductive line contact regions having multiple multi-direction conductive lines and staircase conductive line contact structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2022072043A1. Автор: Mark Zaleski,Si-Woo Lee,Sheng Wei Yang,Byung Yoon KIM. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Method of manufacturing epoxy resin composition for semiconductor encapsulting

Номер патента: MY140225A. Автор: Tateo Yamada,Hideki Ebihara,Mitsuo Ishikawara,Kouji Taya,Rikiya Kobayashi. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Conductive line contact regions having multiple multi-direction conductive lines and staircase conductive line contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240147693A1. Автор: Mark Zaleski,Si-Woo Lee,Sheng Wei Yang,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Temporary protective film for semiconductor encapsulationmolding, lead frame provided with temporary protective film, encapsulated molded body provided with temporary protectivefilm, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210020460A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Takahiro Kuroda,Naoki Tomori. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Mold release sheet for semiconductor compression molding and semiconductor package which is molded using same

Номер патента: MY198300A. Автор: Masahiko Suzuki,Ryo Tamura,Takuji Ikeya. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Adhesive tape for semiconductor processing and method for producing semiconductor device

Номер патента: US11942353B2. Автор: Jun Maeda,Kazuto Aizawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film including the same

Номер патента: US11834415B2. Автор: Kwang Joo Lee,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim,Seunghee Nam. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Five-side mold protection for semiconductor packages

Номер патента: US20230326821A1. Автор: Wen Hung HUANG,Kuan-Hsiang Mao,Wen Yuan Chuang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-12.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US11430887B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-30.

Stationary and pivotable trays for semiconductor wafer transfer

Номер патента: US20030094212A1. Автор: Yin-Cheng Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Moisture hermetic guard ring for semiconductor on insulator devices

Номер патента: US20240145410A1. Автор: Han Li,Keith E. Zawadzki,Doug B. Ingerly,Mohammad Kabir,Avyaya Jayanthinarasimham,Conor P. PULS,Hannes Greve,Babita DHAYAL,Mukund Bapna. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Bump coplanarity for semiconductor device assembly and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230402418A1. Автор: Tsung Che Tsai,Ko Han Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Bonding wire for semiconductor device

Номер патента: EP4365931A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Motoki Eto. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US20240154033A1. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Composition for semiconductor processing and manufacturing method of semiconductor device using the same using the same

Номер патента: EP4261257A1. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han,Yongsoo Choi,Kangsik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Temporary protective film for semiconductor sealing molding

Номер патента: US20200118841A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Naoki Tomori. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Five-side mold protection for semiconductor packages

Номер патента: EP4258326A1. Автор: Wen Hung HUANG,Kuan-Hsiang Mao,Wen Yuan Chuang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-11.

Dual strained cladding layers for semiconductor devices

Номер патента: EP3084834A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Alloy material for semiconductors, semiconductor chip using the alloy material and production method of the same

Номер патента: US20060226546A1. Автор: Chiharu Ishikura,Kazunori Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Copper bonding wire for semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US20230013769A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Kota Shimomura,Noritoshi Araki. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of forming a dielectric collar for semiconductor wires

Номер патента: US20230343811A1. Автор: Wei Sin Tan,Pierre Tchoulfian,Pamela Rueda Fonseca. Владелец: Aledia. Дата публикации: 2023-10-26.

Adhesive tape for semiconductor device production

Номер патента: US20240026195A1. Автор: Noriyuki Uchida,Takuma Gotou. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Flux sheet for semiconductor transfer

Номер патента: EP4282575A1. Автор: Takashi Hiraoka,Kazuhiro Miyauchi,Eiji Shinsei,Shuhei Yoshimatsu. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

High voltage isolation devices for semiconductor devices

Номер патента: US11901448B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20240186298A1. Автор: Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer,Jeremy S. FREI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Номер патента: US12006308B2. Автор: Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Composite dielectric structures for semiconductor die assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US20240145436A1. Автор: yu chun Chen,Hung Cheng Chen,Hsuan Chao Hou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Al bonding wire for semiconductor devices

Номер патента: EP4289986A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Ryo Oishi,Yuto KURIHARA,Yuya SUTO. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

Cooler for semiconductor devices

Номер патента: US20170062306A1. Автор: Christian Geissler,Andreas Wolter,Klaus Reingruber,Georg Seidemann,Sven Albers,Alexandra Atzesdorfer,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Low temperature oxidation of conductive layers for semiconductor fabrication

Номер патента: EP1186015A1. Автор: Alexander Michaelis,Oliver Genz. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: SG183618A1. Автор: Keating Foote David,Donald Getty James. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Ag ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230402422A1. Автор: Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo Oda,Noritoshi Araki,Takumi Ookabe. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Stacked film, method for the formation of stacked film, insulating film, and substrate for semiconductor

Номер патента: US20030059628A1. Автор: Kinji Yamada,Atsushi Shiota,Michinori Nishikawa,Manabu Sekiguchi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Moisture hermetic guard ring for semiconductor on insulator devices

Номер патента: US12014996B2. Автор: Han Li,Keith E. Zawadzki,Doug B. Ingerly,Mohammad Kabir,Avyaya Jayanthinarasimham,Conor P. PULS,Hannes Greve,Babita DHAYAL,Mukund Bapna. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Test patterns for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050139874A1. Автор: Sang Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Plasma processing method

Номер патента: US20240321583A1. Автор: Miyako Matsui,Kenichi Kuwahara. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Plasma processing apparatus and lamination system for secondary battery comprising same

Номер патента: EP4428972A1. Автор: Sang-kyun Lee,Yong-Tae Lee,Hun-Hyeong Lee,Man-Woong HAN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Sequential power supply and method for rf pulse generation

Номер патента: CA1058712A. Автор: Paul R. Johannessen. Владелец: Megapulse Inc. Дата публикации: 1979-07-17.

Protection circuit for semiconductor switching element and power conversion device

Номер патента: RU2641479C2. Автор: Хироми САКО. Владелец: Мейденша Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-17.

Driving device for semiconductor elements

Номер патента: US20180175849A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Circuit-switching current and mode of operation for semiconductor power switch

Номер патента: RU2576578C2. Автор: Свен ГЕДИГА,Карстен ХАНДТ,Райнер ЗОММЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2016-03-10.

Rf pulse amplifier comprising a dc/dc converter and method of amplifying an rf pulse

Номер патента: EP4430416A1. Автор: Bart Gerardus Maria VAN ARK. Владелец: Prodrive Technologies Innovation Services BV. Дата публикации: 2024-09-18.

Two-stage digital down-conversion of RF pulses

Номер патента: US09450598B2. Автор: Alexander Taratorin,Anatoli B. Stein,Igor Tarnikov,Lauri Viitas. Владелец: Guzik Technical Enterprises Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

RF pulse modulated amplifier having conduction angle control

Номер патента: US4644293A. Автор: Scott W. Kennett. Владелец: E Systems Inc. Дата публикации: 1987-02-17.

Method and apparatus for radio frequency (RF) pulse synchronization in super regenerative receiver (SRR)

Номер патента: US09450745B2. Автор: TUHIN Subhra Chakraborty,Kiran Bynam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatuses and methods for error correction coding and data bus inversion for semiconductor memories

Номер патента: WO2020055731A1. Автор: Atsushi Shimizu,Jongtae Kwak,Yoshiro Riho,Sang-Kyun Park. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-19.

Control of rf pulses in a tv answer back system

Номер патента: CA1322592C. Автор: Fernando Morales-Garza,Jorge E. Ortiz-Salinas,Oscar Morales-Garza. Владелец: TV ANSWER INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Enhanced dynamic range rf pulse measurement system

Номер патента: CA2926851C. Автор: David E. Erisman,Troy D. Calderwood,Marty R. Mosier. Владелец: X-COM SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2019-09-24.

RF Pulse Synchronization for Data Acquisition Operations

Номер патента: US20080165157A1. Автор: Jack I-Chieh Fu,Christopher Tenzin Mullens. Владелец: Apple Computer Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Rf pulse synchronization for data acquisition operations

Номер патента: WO2008085786A3. Автор: Jack I-Chieh Fu,Christopher Tenzin Mullens. Владелец: Christopher Tenzin Mullens. Дата публикации: 2009-02-12.

Dynamic control band for RF plasma current ratio control

Номер патента: US09839109B1. Автор: Gary Leray. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Mult-injection type rf thermal plasma processing apparatus and rf thermal plasma torch

Номер патента: KR20150025120A. Автор: 김병훈,한상근,김성인,이문원,손병구. Владелец: 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원. Дата публикации: 2015-03-10.

Inductively-coupled RF plasma torch

Номер патента: US5017751A. Автор: Charles Brecher,Richard C. Assmus,Jonathan S. Brecher. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Apparatus for reducing plasma constriction by intermediate injection of hydrogen in RF plasma gun

Номер патента: US5159173A. Автор: Gerhard Frind,Sudhir D. Savkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for reducing plasma constriction by intermediate injection of hydrogen in RF plasma gun

Номер патента: US5095189A. Автор: Gerhard Frind,Sudhir D. Savkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-03-10.

Method for generating control pulses with low jitter level for semiconductor switching devices

Номер патента: RU2752761C1. Автор: Михаил Викторович Моисеев,Андрей Сергеевич Руцкой,Виктор Петрович Зыков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПАРАМЕРУС". Дата публикации: 2021-08-02.

Protection device for lines in a projection printing installation for semiconductor lithography

Номер патента: US12038695B2. Автор: Tobias Hegele. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-07-16.

Buffer device for semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20040218449A1. Автор: Jian Zhang,Hong Wong,Wee How. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2004-11-04.

Atmospheric Pressure Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20120291706A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Protective carrier for semiconductor packages

Номер патента: CA1287695C. Автор: Richard D. Ries,Dewey W. Smith,Spero Payton. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1991-08-13.

Lead straightener and flattener for semiconductor devices

Номер патента: US4727912A. Автор: Victor M. Gonzalez. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-01.

Apparatus for plasma-processing flexible printed circuit boards

Номер патента: US20080308042A1. Автор: Chih-Yi Tu,Ze Long,Szu-Min Huang. Владелец: Foxconn Advanced Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Asymmetric RF Pulse for a Magnetic Resonance Imaging System

Номер патента: US20240175958A1. Автор: Jin Jin,Yasmin BLUNCK,Daniel Staeb,Didi Chi,Leigh Johnston. Владелец: University of Melbourne. Дата публикации: 2024-05-30.

Circuit for improving rf pulse reception frequency resolution without rise-time degradation

Номер патента: US3781688A. Автор: D Rannells. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1973-12-25.

Optimally-shaped rf pulse for mri applications in the presence of b0 and b1 inhomogeneities

Номер патента: EP4127755A1. Автор: Saul Stokar,Tal Bareket,Zachi Peles. Владелец: Clear Cut Medical Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Providing controlled pulses for quantum computing

Номер патента: US09847121B2. Автор: David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Tailored radiofrequency pulses for uniform saturation in magnetic resonance imaging

Номер патента: WO2010057093A3. Автор: Krishna S. Nayak,Kyunghyun Sung. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2010-08-19.

Magnetic resonance imaging apparatus and rf pulse control method

Номер патента: US20130106417A1. Автор: Kenji Nakanishi,Hiroyuki Itagaki. Владелец: Hitachi Medical Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for designing a selective RF pulse

Номер патента: US20030206014A1. Автор: Oliver Heid. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Magnetic resonance imaging apparatus and RF pulse control method

Номер патента: US09594136B2. Автор: Kenji Nakanishi,Hiroyuki Itagaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and method for calibration of time origin of an rf pulse in mri data acquisition systems

Номер патента: US20180196115A1. Автор: Michael R. Thompson,Andrew James WHEATON. Владелец: Toshiba Medical Systems Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method for subject-specific optimization of a multi-band rf pulse

Номер патента: US20240053420A1. Автор: Radhouene Neji,Ali AGHAEIFAR,Belinda DING YUAN,Iulius Dragonu,Raphael TOMI-TRICOT. Владелец: Siemens Healthineers AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Systems and methods for radio frequency (rf) based spatial encoding in magnetic resonance imaging using frequency-modulated rf pulses

Номер патента: US20240219496A1. Автор: Efrain Torres,Michael Garwood,Taylor Froelich. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method for decreasing magnetic field sensitivity of long rf pulses

Номер патента: WO1995004939A3. Автор: John M Pauly,Grahan Wright. Владелец: Univ Leland Stanford Junior. Дата публикации: 1995-03-16.

Magnetic resonance imaging apparatus and method for calculating correction value as application amount of refocusing pulse for UTE sequence

Номер патента: US09594140B2. Автор: Masahiro Takizawa,Masaharu Ono,Hikaru Hanada,Kuniharu Oka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Sar reduction in parallel transmission by k-space dependent rf pulse selection

Номер патента: RU2522179C2. Автор: Кай НЕРКЕ,Петер БУРНЕРТ,Ингмар ГРАЕССЛИН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-07-10.

Generation of rf pulses for mri applications

Номер патента: US20210382125A1. Автор: Jan Simons. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2021-12-09.

Generation of rf pulses for mri applications

Номер патента: EP3870988A1. Автор: Jan Simons. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2021-09-01.

Vector network analyzer RF pulse profiling method and apparatus

Номер патента: US5059915A. Автор: Martin I. Grace,Peter M. Kapetanic. Владелец: Anritsu Co. Дата публикации: 1991-10-22.

Multi-Banded RF-Pulse Enhanced Magnetization Imaging

Номер патента: US20180267120A1. Автор: Xiufeng Li,Kamil Ugurbil,Dingxin Wang,Gregory J. Metzger. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2018-09-20.

Apparatus for real-time phase correction for diffusion-weighted magnetic resonance imaging using adaptive RF pulses

Номер патента: US09329252B2. Автор: Rafael O'halloran,Roland Bammer,Anh Tu Van. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-05-03.

Providing controlled pulses for quantum computing

Номер патента: US20190013066A1. Автор: David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Methods for spatially encoding magnetic resonance signals with swept radio frequency (rf) pulses applied with rf spatial phase gradients

Номер патента: US20190128982A1. Автор: Lawrence L. Wald,Jason Stockmann,Bastien Guerin,Matthew Rosen,Clarissa Z. COOLEY. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

MRI system and method for tracking a tissue point using a double pencil beam RF pulse

Номер патента: EP2161568A3. Автор: Yuval Zur. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-03-09.

Methods for spatially encoding magnetic resonance signals with swept radio frequency (rf) pulses applied with rf spatial phase gradients

Номер патента: WO2017180586A1. Автор: Lawrence L. Wald,Jason Stockmann,Bastien Guerin,Matthew Rosen,Clarissa Z. COOLEY. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2017-10-19.

Parallel multi-slice mr imaging using phase-modulated rf pulses

Номер патента: WO2014141055A1. Автор: Peter Bornert,Kay Nehrke,Mariya Ivanova Doneva. Владелец: Philips Deutschland Gmbh. Дата публикации: 2014-09-18.

Two and three-dimensionally selective RF pulses for magnetic resonance imaging

Номер патента: US5349294A. Автор: Larry Kasuboski. Владелец: Picker International Inc. Дата публикации: 1994-09-20.

Optimally-shaped RF pulse for MRI applications

Номер патента: US11874347B2. Автор: Saul Stokar,Tal Bareket,Zachi Peles. Владелец: Clear Cut Medical Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Optimally-shaped rf pulse for mri applications in the presence of b0 and b1 inhomogeneities

Номер патента: WO2021191747A1. Автор: Saul Stokar,Tal Bareket,Zachi Peles. Владелец: Clear-Cut Medical Ltd.. Дата публикации: 2021-09-30.

Subject-specific optimization of an rf pulse for exciting the spins in a slab

Номер патента: US20240085506A1. Автор: Radhouene Neji,Ali AGHAEIFAR,Belinda DING YUAN,Iulius Dragonu,Raphael TOMI-TRICOT. Владелец: Siemens Healthineers AG. Дата публикации: 2024-03-14.

A method for subject-specific optimisation of an rf pulse for exciting the spins in a slab

Номер патента: EP4336205A1. Автор: Radhouene Neji,Ali AGHAEIFAR,Belinda DING YUAN,Iulius Dragonu,Raphael TOMI-TRICOT. Владелец: Siemens Healthineers AG. Дата публикации: 2024-03-13.

Optimizing characteristics of rf pulses used in nmr measurements

Номер патента: CA2346279C. Автор: Bruno Luong,Peter Speier. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 2007-07-10.

Method for subject-specific optimisation of a multi-band rf pulse, computer program, computer readable medium and magnetic resonance system and control unit for carrying out the method

Номер патента: EP4321892A1. Автор: Radhouene Neji,Ali AGHAEIFAR,Belinda DING YUAN,Iulius Dragonu,Raphael TOMI-TRICOT. Владелец: Siemens Healthineers AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Rf pulse generation for multi-band magnetic resonance imaging

Номер патента: US20240168113A1. Автор: Hoby P. Hetherington. Владелец: RESONANCE RESEARCH Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

MR imaging with an RF pulse producing reduced magnetization transfer

Номер патента: US7872475B2. Автор: James Grant Pipe. Владелец: CATHOLIC HEALTHCARE WEST. Дата публикации: 2011-01-18.

Mr imaging with an rf pulse producing reduced magnetization transfer

Номер патента: US20070236216A1. Автор: James Grant Pipe. Владелец: CATHOLIC HEALTHCARE WEST. Дата публикации: 2007-10-11.

Mr imaging with an rf pulse producing reduced magnetization transfer

Номер патента: US20100060280A1. Автор: James Grant Pipe. Владелец: CATHOLIC HEALTHCARE WEST. Дата публикации: 2010-03-11.

Mr imaging with an rf pulse producing reduced magnetization transfer

Номер патента: US20100060279A1. Автор: James Grant Pipe. Владелец: CATHOLIC HEALTHCARE WEST. Дата публикации: 2010-03-11.

Magnetic resonance imaging apparatus and method of transmitting RF pulse signal

Номер патента: US10884081B2. Автор: Haruki Nakamura,Kazuyuki Soejima. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2021-01-05.

Magnetic resonance imaging apparatus and method of transmitting rf pulse signal

Номер патента: US20180364321A1. Автор: Haruki Nakamura,Kazuyuki Soejima. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Reduced power selective excitation rf pulses

Номер патента: AU3149795A. Автор: Meir Shinnar. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 1996-02-22.

Reduced power selective excitation RF pulses

Номер патента: AU696291B2. Автор: Meir Shinnar. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 1998-09-03.

Enhanced dynamic range rf pulse measurement system

Номер патента: US20160363622A1. Автор: David E. Erisman,Troy D. Calderwood,Marty R. Mosier. Владелец: X-COM SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2016-12-15.

Magnetic resonance t2 preparatory pulses for magnetic field inhomogeneity robustness and contrast optimization

Номер патента: US20180038928A1. Автор: Florian Wiesinger,Ana Beatriz Solana Sanchez,Martin Andreas Janich,Nicolas Hehn. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-02-08.

Bir-4-si rf pulses, use therefor and method of creating the same

Номер патента: CA2313059C. Автор: Gilles Beaudoin,Jean-Charles Cote. Владелец: Centre de Recherche du Centre Hospitalier de lUniversite de Montreal. Дата публикации: 2010-04-27.

Reduced power selective excitation rf pulses

Номер патента: WO1996003665A1. Автор: Meir Shinnar. Владелец: Meir Shinnar. Дата публикации: 1996-02-08.

Nanoparticle hybrid composites by RF plasma spray deposition

Номер патента: US09963345B2. Автор: Peter T. Lillehei,Brian J. Jensen,Roberto J. Cano,Stephen J. Hales,Joel A. Alexa. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-08.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Real-time remote control system for semiconductor automation equipment

Номер патента: US09785265B2. Автор: Gi Beom Park,Myoung Soo Yu. Владелец: Baron System Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Machine learning based automatic routing method and apparatus for semiconductor equipment

Номер патента: US20220398371A1. Автор: Tae Hwa LIM. Владелец: Rc Tech Co ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Coating packaged chamber parts for semiconductor plasma apparatus

Номер патента: US09951435B2. Автор: Lei Wan,PING Yang,Xiaoming He,Zhaoyang Xu,Hanting Zhang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2018-04-24.

Coating packaged chamber parts for semiconductor plasma apparatus

Номер патента: US09617633B2. Автор: Lei Wan,PING Yang,Xiaoming He,Zhaoyang Xu,Hanting Zhang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-04-11.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Unified material-to-systems simulation and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: WO2021158296A1. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

RF plasma optical fiber annealing apparatuses, systems, and methods of using the same

Номер патента: US11753327B2. Автор: Kenneth Edward Hrdina,Christopher Scott Thomas,Daniel Robert Boughton,Stefan Wolfgang Kramel. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Unified material-to-systems simulation, design, and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: US11763052B2. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Multi-die interface for semiconductor testing and method of manufacturing same

Номер патента: US09933479B2. Автор: Hai Dau,Christine BUI,Lim Hooi Weng,Kothandan Shanmugam. Владелец: Spire Manufacturing Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing copolymer for semiconductor lithography containing reduced amount of metal impurities, and method for purifying polymerization initiator for production of copolymer

Номер патента: US09546133B2. Автор: Youji Suzuki. Владелец: Maruzen Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Projection exposure apparatus for semiconductor lithography

Номер патента: US20210080841A1. Автор: Stefan Xalter,Bernhard Gellrich,Jens Kugler,Stefan Hembacher,Mark Feygin. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-03-18.

System and methods for semiconductor burn-in test

Номер патента: EP3465238A1. Автор: Ballson Gopal,Jessie KILLION. Владелец: Kes Systems Inc. Дата публикации: 2019-04-10.

Redundancy managing method and apparatus for semiconductor memories

Номер патента: US12046319B2. Автор: Jong Sun Park,Kwan Ho BAE,Jun Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Ni-BASED CORROSION-RESISTANT ALLOY POWDER FOR ADDITIVE MANUFACTURING, AND METHOD FOR PRODUCING ADDITIVE MANUFACTURING PRODUCT OR MEMBER FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICES USING THE POWDER

Номер патента: US20200206816A1. Автор: Katsuo Sugahara,Yuzo Daigo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Projection exposure apparatus for semiconductor lithography

Номер патента: WO2021052940A1. Автор: Stefan Xalter,Bernhard Gellrich,Jens Kugler,Stefan Hembacher,Mark Feygin. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-03-25.

Device and method for measuring substrates for semiconductor lithography

Номер патента: WO2021099242A1. Автор: Ulrich Matejka,Dirk Seidel. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-05-27.

Metrology technique for semiconductor devices

Номер патента: US20240271926A1. Автор: Gilad Barak,Dror Shafir,Smadar Ferber,Jacob Ofek,Zvi Gorohovsky,Daphna Peimer,Tal Heilpern,Dana Szafranek. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Aluminum member for semiconductor manufacturing apparatuses, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240287700A1. Автор: Junji Nunomura. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems, apparatus, and methods for monitoring plate temperature for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240337537A1. Автор: TAO Sheng,Ashur J. Atanos,Zhepeng Cong,NIMROD SMITH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Systems, apparatus, and methods for monitoring plate temperature for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024215376A1. Автор: TAO Sheng,Ashur J. Atanos,Zhepeng Cong,NIMROD SMITH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-17.

Test structures and testing methods for semiconductor devices

Номер патента: US09891273B2. Автор: Wensen Hung,Yung-Hsin Kuo,Po-Shi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Mobile complex for gas plasma processing of metal

Номер патента: RU2677039C1. Автор: Андрей Александрович Колесников,Станислав Владимирович Адаменко,Евгений Александрович Дасис,Руслан Леонидович Губар. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Ухта". Дата публикации: 2019-01-15.

Readout circuit for semiconductor storage device

Номер патента: US20060158945A1. Автор: Takeshi Honda,Noboru Sakimura,Tadahiko Sugibayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for reducing the amount of perfluorocompound gas contained in exhaust emissions from plasma processing

Номер патента: EP1124622A1. Автор: Calvin Todd Gabriel. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-22.

Rf plasma optical fiber annealing apparatuses, systems, and methods of using the same

Номер патента: US20200399163A1. Автор: Kenneth Edward Hrdina,Christopher Scott Thomas,Daniel Robert Boughton,Stefan Wolfgang Kramel. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Gas recycling systems, substrate processing systems, and related apparatus and methods for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240175126A1. Автор: Shu-Kwan LAU,Mukhles SOWWAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Treatment device for semiconductor manufacturing exhaust gas

Номер патента: US20240082782A1. Автор: Hiroshi Imamura. Владелец: Kanken Techno Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: CA3212927A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: AU2022252181A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: WO2022212192A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Plate assemblies, process kits, and processing chambers for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20240254624A1. Автор: Ala Moradian,Manjunath Subbanna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Plate assemblies, process kits, and processing chambers for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024158601A1. Автор: Ala Moradian,Manjunath Subbanna. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-02.

Gas injector used for semiconductor equipment

Номер патента: US10731253B2. Автор: Tsan-Hua Huang,Chia-Ying Lin,Kian-Poh Wong. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Physical verification workflow for semiconductor circuit designs

Номер патента: EP4217819A1. Автор: Nikolay GRUDANOV,Valery BOBOVSKY,Igor LOPANENKO,Yuri LEVSKY,Alexander GRUDANOV. Владелец: Silvaco Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Gas recycling systems, substrate processing systems, and related apparatus and methods for semiconductor manufacturing

Номер патента: WO2024118117A1. Автор: Shu-Kwan LAU,Mukhles SOWWAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for measuring photomasks for semiconductor lithography

Номер патента: US20240280912A1. Автор: Carsten Schmidt,Susanne Toepfer,Steffen Steinert. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-08-22.

Plasma Processing Apparatus and Method for Venting the Same to Atmosphere

Номер патента: US20090183683A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Gas injector used for semiconductor equipment

Номер патента: US20180202044A1. Автор: Tsan-Hua Huang,Chia-Ying Lin,Kian-Poh Wong. Владелец: Hermes Epitek Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for maintaining a projection exposure apparatus, service module and arrangement for semiconductor lithography

Номер патента: EP4154063A1. Автор: Jens Kugler,Marwene Nefzi,Dirk Ehm,Benjahman Julius Modeste. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-03-29.

Optical system for semiconductor lithography

Номер патента: US09383544B2. Автор: Frank Melzer,Damian Fiolka,Stefan Xalter,Yim-Bun Patrick Kwan. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for plasma processing of metal products

Номер патента: RU2754915C1. Автор: Юрий Дмитриевич Щицын,Владислав Юрьевич Щицын,Сергей Дмитриевич Неулыбин,Роман Германович Никулин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2021-09-08.

Automated reverse action device for plasma processing of shoe preparations

Номер патента: RU2628988C1. Автор: Сергей Петрович Александров,Татьяна Владимировна Жуковская,Андрей Владимирович Шестов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет технологий и управления имени К.Г. Разумовского (Первый казачий университет" (ФГБОУ ВО "МГУТУ им. К.Г. Разумовского (ПКУ)"). Дата публикации: 2017-08-23.

Deterioration detecting system and method for semiconductor process kits

Номер патента: US20220034814A1. Автор: Feng-Min Shen,Chyuan-Ruey LIN,Hung-Chia SU. Владелец: Top Technology Platform Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of correcting layout for semiconductor process using machine learning, method of manufacturing semiconductor device using the same, and layout correction system performing the same

Номер патента: US20240143886A1. Автор: Jungmin Kim,Kyeonghwan Kang,Hungbae AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Номер патента: US20210292616A1. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Minsu Jeong,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Номер патента: US11993731B2. Автор: You Jin KYUNG,Kwang Joo Lee,Youngsam Kim,Minsu Jeong,Junghak Kim,Ju Hyeon Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Plasma processing system and method

Номер патента: WO2004048942A1. Автор: Andrej S. Mitrovic. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-06-10.

Method and apparatus for determining cable length for plasma processing equipment

Номер патента: US20230194585A1. Автор: Ji Hyun Kim,Ja Myung GU,Tae Hoon JO,Hyo Seong SEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Spatially resolved optical emission spectroscopy (OES) in plasma processing

Номер патента: US09970818B2. Автор: Zheng Yan,Yan Chen,Hanyou Chu,Junwei Bao,Holger Tuitje,Ching-Ling Meng,Mihail Mihaylov,Haixing Zou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Probe card for semiconductor IC test and method of manufacturing the same

Номер патента: US7768285B2. Автор: Minoru Sanada,Yoshirou Nakata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-03.

Unified material-to-systems simulation and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: EP4100861A1. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Methods and systems for semiconductor testing using a testing scenario language

Номер патента: EP2008228A2. Автор: Gil Balog. Владелец: OptimalTest Ltd. Дата публикации: 2008-12-31.

Rule set for semiconductor testing

Номер патента: WO2007113805A8. Автор: Gil Balog. Владелец: OptimalTest Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Connector Pin Apparatus for Semiconductor Chip Testing, and Method for Manufacturing Same

Номер патента: MY196539A. Автор: Jaesuk Oh,Kyungsook Lim. Владелец: Kyungsook Lim. Дата публикации: 2023-04-19.

Method of purifying liquid chemical for semiconductor photolithography, purification device of liquid chemical for semiconductor photolithography, and liquid chemical for semiconductor photolithography

Номер патента: US20160089622A1. Автор: Takao Nakajima,Hayato Takashima. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-31.

Unified material-to-systems simulation, design, and verification for semiconductor design and manufacturing

Номер патента: US20210240896A1. Автор: Angada Bangalore Sachid,Bhuvaneshwari Ayyagari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: WO2001050475A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-07-12.

Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process

Номер патента: CA1330601C. Автор: Toshikazu Suda. Владелец: Regal Joint Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Electronic commerce method for semiconductor products, electronic commerce thereof, production system, production method, production equipment design system, production equipment design method, and production equipment manufacturing method

Номер патента: EP1164522A3. Автор: Kunihiro Toshiba Kabushiki Kaisha Mitsutake,Katsuya Toshiba Kabushiki Kaisha Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-01-07.

Test technique for semiconductor memory array

Номер патента: CA1048645A. Автор: George Sonoda,William M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-13.

Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses

Номер патента: SG188055A1. Автор: Jingbin Feng,Marshall R Stowell,Frederick D Wilmot. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Automated analysis system for semiconductor manufacturing fabrication

Номер патента: US20070299634A1. Автор: Sanjay Patel,David Eggleston,Sutirtha Bhattacharya,Brenda Buttrick,Ayman Fayed,Raj Mohan,Girish Nirgude,Ashit Sawhney,Raghu Yeluri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Probe card and measuring method for semiconductor wafers

Номер патента: US20070241765A1. Автор: Yosuke Kawamata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Component for a projection exposure apparatus for semiconductor lithography and projection exposure apparatus

Номер патента: WO2023237452A1. Автор: Michael Groiss. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-12-14.

Ni-BASED CORROSION-RESISTANT ALLOY POWDER FOR DEPOSITION MODELING, MULTILAYER MODEL USING THIS POWDER, AND METHOD FOR PRODUCING MEMBER FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION DEVICES

Номер патента: EP3680043A1. Автор: Katsuo Sugahara,Yuzo Daigo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2020-07-15.

Redundancy managing method and apparatus for semiconductor memories

Номер патента: US20230298686A1. Автор: Jong Sun Park,Kwan Ho BAE,Jun Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Wastewater treatment system and method for semiconductor fabrication process

Номер патента: US20230071797A1. Автор: Chongmin CHUNG,Jiwon CHUN,Kyuwon HWANG,Kangwoo Cho,Jongkeun YI,Baekmin SEONG,Minuk JOO. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for producing a main body of an optical element for semiconductor lithography, and main body of an optical element for semiconductor lithography

Номер патента: US20230288662A1. Автор: Franz-Josef Stickel,Andreas Wolpert. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-09-14.

Pressurizing device for semiconductor testing and semiconductor test device including the same

Номер патента: US20230221366A1. Автор: Sanghun Lee,Sangsik Lee,Changgeun YANG,Youbi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

METHODS AND APPARATUS FOR RADIO FREQUENCY (RF) PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20120000888A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of treating quartz equipment for semiconductor production

Номер патента: RU2386188C1. Автор: Лидия Федоровна Морозова,Наталья Владимировна Снегирева,Елена Борисовна Двойникова,Эллеонора Николаевна Лисина,Алла Александровна Карасева,Юрий Иванович Гринев,Наталья Тимофеевна Гордеева. Владелец: Наталья Тимофеевна Гордеева. Дата публикации: 2010-04-10.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of single crystal growth for semiconductors of type a3b5

Номер патента: RU2327824C1. Автор: Александр Владимирович Марков,Борис Николаевич Шаронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2008-06-27.

CONSUMABLE ISOLATION RING FOR MOVABLE SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY OF A PLASMA PROCESSING CHAMBER

Номер патента: US20120000605A1. Автор: Dhindsa Rajinder,Kellogg Michael C.,Marakhtanov Alexei. Владелец: Lam Research Corporation.. Дата публикации: 2012-01-05.

MASS FLOW CONTROL SYSTEM, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND FLOW CONTROL METHOD

Номер патента: US20120000607A1. Автор: ETO Hideo,Ito Atsushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

C-SHAPED CONFINEMENT RING FOR A PLASMA PROCESSING CHAMBER

Номер патента: US20120000608A1. Автор: Dhindsa Rajinder,Kellogg Michael C.,Marakhtanov Alexei. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Microwave Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20120000610A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20120000774A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE SUPPORT TABLE OF PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20120002345A1. Автор: . Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOVABLE GROUND RING FOR A PLASMA PROCESSING CHAMBER

Номер патента: US20120003836A1. Автор: . Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Device for replacement of plasmatron for installation for plasma processing of wastes

Номер патента: RU2579037C1. Автор: Алексей Александрович Кудринский,Александр Васильевич Переславцев,Сергей Сергеевич ТРЕСВЯТСКИЙ,Сергей Александрович Вощинин,Владимир Степанович Горохов. Владелец: Сергей Александрович Вощинин. Дата публикации: 2016-03-27.

Pressurized air-chamber testing device for semiconductor elements and a method thereof

Номер патента: MY151795A. Автор: Moey Huey Chyan. Владелец: Pentamaster Instrumentation Sdn Bhd. Дата публикации: 2014-07-14.

Method and device for ball plasma processing

Номер патента: RU2401310C1. Автор: Магомед-Эмин Хасаевич Исакаев,Александр Семенович Тюфтяев,Александр Эммануилович Яблонский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Современные плазменные технологии". Дата публикации: 2010-10-10.

Unit for ion-ray and plasma processing

Номер патента: RU2496913C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Василий Андреевич Гонтюрев,Марина Константиновна Смыслова,Вячеслав Юрьевич Гордеев,Игорь Борисович Степанов,Александр Ильич Рябчиков,Юрий Михаилович Дыбленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2013-10-27.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Substrate heating device for semiconductor structure manufacturing plant

Номер патента: RU2468468C2. Автор: Владимир Геннадьевич Шенгуров,Сергей Александрович Денисов,Вадим Юрьевич Чалков,Сергей Петрович Светлов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2012-11-27.

Computer-aided feed-through device for plasma processing of upper blanks

Номер патента: RU2556166C2. Автор: Сергей Петрович Александров,Ирина Петровна Бердникова,Ильдар Шаукатович Абдулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет технологий и управления" им. К.Г. Разумовского. Дата публикации: 2015-07-10.

Apparatus for carrying plural printed circuit boards for semiconductor module

Номер патента: IE980193A1. Автор: Kwang Su Yu,Chan Han Seong,Chun Lee Dong,O Kyun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-22.

Fluid cooling system for semiconductor devices

Номер патента: RU2548239C1. Автор: Алексей Павлович Левцев,Андрей Николаевич Макеев,Сергей Николаевич Макеев,Сергей Иванович Храмов,Ярослав Александрович Нарватов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Мордовский государственынй университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2015-04-20.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: RU2433501C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-11-10.

A multi-electrode source assembly for plasma processing

Номер патента: WO2024226135A1. Автор: James Rogers,Rajinder Dhindsa,Linying CUI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Hermetically sealed housing for semiconductor device or microwave integrated circuit

Номер патента: RU2489769C1. Автор: Алексей Сергеевич Адонин,Александр Георгиевич Бабак,Евгений Михайлович Воробьевский,Юрий Владимирович Лилин. Владелец: ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод". Дата публикации: 2013-08-10.

Go/no go margin test circuit for semiconductor memory

Номер патента: CA1198774A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1985-12-31.

Microwave plasma processing device

Номер патента: RU2539872C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин,Алевтина Александровна Реппа. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-27.

Tiltable support bracket for slidably supporting quartz support tubes for semiconductor wafer processing boards, and processing apparatus embodying such brackets

Номер патента: CA1183283A. Автор: Robert S. Higuera,John F. Ryan. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1985-02-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.