Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Plasma Processing Methods Using Multiphase Multifrequency Bias Pulses

Plasma Processing Methods Using Multiphase Multifrequency Bias Pulses

Номер патента: US20230411116A1
Опубликовано: 21-12-2023
Автор(ы): Alok Ranjan, Peter Lowwell George Ventzek, Shyam Sridhar, Ya-Ming Chen
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Reducing aspect ratio dependent etch with direct current bias pulsing

Номер патента: WO2024102146A1. Автор: Shahid Rauf,Chung Liu,Aaron Eppler,Jason A. Kenney,Sunil Srinivasan,Yi-Chuan Chou,Kuan-Ting Liu,Shreeram Jyoti DASH,Michael Thomas NICHOLS,Olivier P. Joubert,Deyang LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Reducing aspect ratio dependent etch with direct current bias pulsing

Номер патента: US20240162007A1. Автор: Shahid Rauf,Chung Liu,Aaron Eppler,Jason A. Kenney,Sunil Srinivasan,Yi-Chuan Chou,Kuan-Ting Liu,Shreeram Jyoti DASH,Michael Thomas NICHOLS,Olivier P. Joubert,Deyang LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240355584A1. Автор: Masahiro Inoue,Chishio Koshimizu,Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Improved application of modulating supplies in a plasma processing system

Номер патента: EP3711082A1. Автор: Kevin Fairbairn,Gideon van Zyl,Denis Shaw. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Application of modulating supplies in a plasma processing system

Номер патента: US20210074513A1. Автор: Kevin Fairbairn,Gideon van Zyl,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber

Номер патента: US12106938B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Pulsed voltage plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20240145215A1. Автор: Shreeram Jyoti DASH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Pulsed voltage plasma processing apparatus and method

Номер патента: WO2024091280A1. Автор: Shreeram Jyoti DASH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing

Номер патента: US20230298856A1. Автор: James Rogers,Katsumasa Kawasaki. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240145218A1. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Plasma processing with radio frequency (rf) source and bias signal waveforms

Номер патента: WO2023064031A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Yun Han,Barton Lane,Zhiying Chen. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09734992B2. Автор: Norikazu Yamada,Koichi Nagami,Koji Itadani,Toshifumi Tachikawa,Satoru Hamaishi. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09831064B2. Автор: Takashi SHIMOMOTO,Hiroo Konno. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Broadband plasma processing systems and methods

Номер патента: US11830709B2. Автор: Peter Ventzek,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method using the same

Номер патента: US20230124857A1. Автор: Jong Won Park,Yoon Seok Choi,Sang Jeong Lee,Soon Cheon Cho,Hyun Woo Jo. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12033832B2. Автор: Shinji Kubota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Plasma processing method

Номер патента: US09953811B2. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240321562A1. Автор: Yoshihide Kihara,Nobuyuki Fukui,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-electrode source assembly for plasma processing

Номер патента: US20240355587A1. Автор: James Rogers,Rajinder Dhindsa,Linying CUI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-electrode source assembly for plasma processing

Номер патента: US20240355586A1. Автор: James Rogers,Rajinder Dhindsa,Linying CUI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Erosion resistant plasma processing chamber components

Номер патента: US20230317424A1. Автор: LIN Xu,Harmeet Singh,Justin Charles CANNIFF,Robin Koshy,Simon Gosselin,Adrian Radocea. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Inductively coupled plasma source for plasma processing

Номер патента: US09653264B2. Автор: Dongsoo Lee,Andreas Kadavanich,Vladimir Nagorny. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20210074530A1. Автор: Hidehito Azumano. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Systems and Methods for Extracting Process Control Information from Radiofrequency Supply System of Plasma Processing System

Номер патента: US20230298857A1. Автор: Alexei Marakhtanov,John Holland,Felix Leib Kozakevich,Ranadeep BHOWMICK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Systems and methods for extracting process control information from radiofrequency supply system of plasma processing system

Номер патента: US12131886B2. Автор: Alexei Marakhtanov,John Holland,Felix Leib Kozakevich,Ranadeep BHOWMICK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Plasma processing apparatus and waveform correction method

Номер патента: US09934947B2. Автор: Shinji Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210159049A1. Автор: Shinji Kubota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088454A1. Автор: Yuichi KUWAHARA,Ryou Son,Ryouhei SATOU,Syuntaro TAWARAYA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20180294137A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Naoki Matsumoto,Toru Ito,Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Plasma processing apparatus and monitoring device

Номер патента: US12106948B2. Автор: Hiroki Endo,Ken Hirano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Fast neutral generation for plasma processing

Номер патента: US11915910B2. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Plasma processing apparatus and coil holder for holding plasma excitation antenna

Номер патента: US20240105422A1. Автор: Masaki Tsunoda,Masato Ozawa,Chanseong AHN. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11887817B2. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Systems and Methods for Plasma Process

Номер патента: US20230386789A1. Автор: John Carroll,Jianping Zhao,Charles Schlechte,Peter Lowell George Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma processing apparatus and gas supply method

Номер патента: US20230207276A1. Автор: Takashi Aramaki,Lifu Li,Kota Shihommatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240014009A1. Автор: Naoaki Takeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Hardware switch on main feed line in a radio frequency plasma processing chamber

Номер патента: US11823868B2. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220028665A1. Автор: Koji Maruyama,Kazunobu Fujiwara,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami,Takashi Dokan,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12125676B2. Автор: Ken Kobayashi,Takahiro Takeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Filter circuit and plasma processing apparatus

Номер патента: US12033833B2. Автор: Koji Yamagishi,Koichi Nagami,Yuji AOTA,Kota ISHIHARADA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20220359166A1. Автор: Masahiro Nagatani,Masahiro Sumiya,Kosa Hirota,Nanako TAMARI. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Apparatus and methods for plasma processing

Номер патента: WO2024210967A1. Автор: Qi Wang,Sergey Voronin,Andrew Metz,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and Methods for Plasma Processing

Номер патента: US20240331979A1. Автор: Qi Wang,Sergey Voronin,Andrew Metz,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Multi-range voltage sensor and method for a voltage controlled interface of a plasma processing system

Номер патента: US09741543B2. Автор: Gary M. Lemson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20210013015A1. Автор: Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12020899B2. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Coil and window for plasma processing system

Номер патента: WO2020154076A1. Автор: SHEN Peng,Dan Marohl,Ming-Te Lin,Andras Kuthi,Ambarish CHHATRE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09640368B2. Автор: Shunichi Ito,Ryuji Ohtani,Naoyuki Umehara,Kazutaka Sei,Tomomasa Nishida. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Plasma sources and plasma processing apparatus thereof

Номер патента: US20230369017A1. Автор: WEI Liu,Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Plasma processing device

Номер патента: US20240096599A1. Автор: Koichi Takasaki,Taku Iwase. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20220399191A1. Автор: Yuki KAWADA,Naoto Hayasaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Power control and delivery in plasma processing equipment

Номер патента: US5556549A. Автор: Roger Patrick,Frank A. Bose. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Apparatus and Method for Measuring Pedestal Voltage Uniformity in Plasma Processing Chambers.

Номер патента: US20230386780A1. Автор: Stephen Savas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11756767B2. Автор: Ken Kobayashi,Takahiro Takeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20180174806A1. Автор: Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230360884A1. Автор: Ken Kobayashi,Takahiro Takeuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234113A1. Автор: Jun Tamura,Takari YAMAMOTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma processing apparatus and operational method thereof

Номер патента: US09767997B2. Автор: Masahito Togami,Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kosa Hirota. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20240212997A1. Автор: Pei-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240038511A1. Автор: Hiroshi Shirouzu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20220301834A1. Автор: Hwajun Jung,Mitsunori Ohata,Yuki Hosaka,Wan Sung Jin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US5891252A. Автор: Shinichi Tachi,Masahito Mori,Keizo Suzuki,Kazunori Tsujimoto,Tetsuo Ono,Naoshi Itabashi,Ken'etsu Yokogawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-04-06.

Plasma processing apparatus and operational method thereof

Номер патента: US20150021294A1. Автор: Masahito Togami,Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kosa Hirota. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Cleaning method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230402269A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Cleaning method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11804368B2. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

System and method for detecting excursion in plasma processing

Номер патента: US20230352284A1. Автор: Terry R. Turner,Jerome R. Cannon. Владелец: Forth Rite Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12002655B2. Автор: Hitoshi Tamura,Chen Pin Hsu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Virtual metrology enhanced plasma process optimization method

Номер патента: US11869756B2. Автор: Atsushi Suzuki,Alok Ranjan,Jun Shinagawa,Toshihiro KITAO,Megan WOOLEY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Faraday cleaning device and plasma processing system

Номер патента: US11735400B2. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Xiaobo Liu,Zhihao WU,Song Guo,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Plasma processing equipment

Номер патента: US20240203693A1. Автор: Ju Ho Kim,Song Yun Kang,Hee Won MIN,Seok Hwan BAE,Dong Yun YEO,Kui Hyun Yoon,Seung Bin Lim,Ji Yun JU,Seo Yeon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus for plasma processing

Номер патента: US12119207B2. Автор: Merritt Funk,Barton Lane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Improved methods and apparatus for controlled partial ashing in a variable-gap plasma processing chamber

Номер патента: WO1998042014A1. Автор: David M. Bullock. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-09-24.

Plasma process simulation method and semiconductor device manufacturing method including the same

Номер патента: US20240274416A1. Автор: Seungmin Lee,Inkook Jang,Suntaek LIM,Dongig OH,Jaesik An,Joohyun JEON,Thanh Cuong Nguyen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220230848A1. Автор: Yoshiyuki Kondo,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Atmospheric plasma processing method and atmospheric plasma processing apparatus

Номер патента: US20230253194A1. Автор: Akihisa Yoshida. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240290581A1. Автор: Kohei Sato,Takashi Uemura,Shengnan Yu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for detecting endpoint in plasma processing

Номер патента: US20230352283A1. Автор: Terry R. Turner,Jerome R. Cannon. Владелец: Forth Rite Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20220375730A1. Автор: Ryota Sakane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Autonomous operation of plasma processing tool

Номер патента: US20230352282A1. Автор: Alok Ranjan,Jun Shinagawa,Chungjong Lee,Masaki Kitsunezuka,Toshihiro KITAO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11842886B2. Автор: Eiki Kamata,Taro Ikeda,Hirokazu Ueda,Mitsutoshi ASHIDA,Isao Gunji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Plasma processing apparatus, and method of maintaining interior of processing container of the plasma processing apparatus

Номер патента: US20210066048A1. Автор: Shin Okamoto,Atsutoshi Inokuchi,Kohei MIZOTA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Plasma processing device and semiconductor device production method

Номер патента: US20200075296A1. Автор: Takashi Ohashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240194453A1. Автор: Kohei Sato,Ryoichi Isomura,Yusuke Takao. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma process system for multi-station

Номер патента: EP4283655A1. Автор: Jin Huh,Sae Hoon Uhm,Se Hong PARK,Dong Jegal,Yeonghoon SOHN,Gyueng Hyuen CHOE. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Plasma process system for multi-station

Номер патента: US20240162006A1. Автор: Jin Huh,Sae Hoon Uhm,Se Hong PARK,Dong Jegal,Yeonghoon SOHN,Gyueng Hyuen CHOE. Владелец: En2Core Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20220384146A1. Автор: Hiroyuki Hayashi,Hiroki EHARA,Jun NAKAGOMI,Syouji YAMAGISHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Plasma processing apparatus and microwave radiation source

Номер патента: US20230178339A1. Автор: Kenta Kato,Taro Ikeda,Isao Gunji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma processing system and method using radio frequency and microwave power

Номер патента: US12131887B2. Автор: Yunho Kim,Yanxiang Shi,Mingmei Wang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Plasma processing system and method using radio frequency (RF) and microwave power

Номер патента: US11887815B2. Автор: Yunho Kim,Yanxiang Shi,Mingmei Wang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Plasma processing apparatus and plasma control method

Номер патента: US20240203692A1. Автор: Osamu Sakai,Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Taro Ikeda,Shin Oowada,Kazushi Kaneko,Masaaki Matsukuma. Владелец: University of Shiga Prefecture. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240242937A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Pulsed voltage source for plasma processing applications

Номер патента: US20240234087A1. Автор: Yang Yang,Fernando Silveira,Kartik Ramaswamy,Yue Guo,A N M Wasekul AZAD. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240087853A1. Автор: Kazuhiko Nakamura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Stackable plasma source for plasma processing

Номер патента: US20230411121A1. Автор: Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and System for Plasma Processing

Номер патента: US20240347317A1. Автор: Qiang Wang,Alok Ranjan,Michael Hummel,Mitsunori Ohata,Peter Lowell George Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09859101B2. Автор: Shinji Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09805916B2. Автор: Hiroo Konno,Shunsuke Kadooka. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma Processing System And Method Using Radio Frequency And Microwave Power

Номер патента: US20220246402A1. Автор: Yunho Kim,Yanxiang Shi,Mingmei Wang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Plasma processing system and method using radio frequency and microwave power

Номер патента: WO2022169706A1. Автор: Yunho Kim,Yanxiang Shi,Mingmei Wang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-11.

Plasma processing system and method using radio frequency (rf) and microwave power

Номер патента: WO2022169707A1. Автор: Yunho Kim,Yanxiang Shi,Mingmei Wang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-11.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US8404050B2. Автор: Hiroyuki Nakayama,Tsuyoshi Moriya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20090134121A1. Автор: Hiroyuki Nakayama,Tsuyoshi Moriya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US8231800B2. Автор: Hiroyuki Nakayama,Tsuyoshi Moriya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-31.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20120285623A1. Автор: Hiroyuki Nakayama,Tsuyoshi Moriya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Apparatus and method for plasma processing

Номер патента: EP1695370A1. Автор: Nityalendra Singh,Roger James Wilshire Croad. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240030008A1. Автор: Taro Hayakawa,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240321550A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of detecting arc discharge in a plasma process

Номер патента: US09484189B2. Автор: Markus Winterhalter,Peter Wiedemuth. Владелец: Trumpf Huettinger GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-01.

Ion beam generator and ion beam plasma processing apparatus

Номер патента: US09422623B2. Автор: Yasushi Kamiya,Einstein Noel Abarra,Yuta Konno. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Particle removal apparatus and method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20050039773A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Hiroshi Nagaike. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Plasma processing apparatus and electrode for same

Номер патента: US8888951B2. Автор: Shinji Himori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240047184A1. Автор: Yuzuru Sakai,Kazuki Moyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Reactor design optimization with dc bias pulsing to pedestal

Номер патента: WO2024148031A1. Автор: Lee Chen,Shaun Tyler SMITH,Neil M.P. Benjamin. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09870898B2. Автор: Koichi Nagami,Masafumi Urakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Plasma processing method

Номер патента: US09455153B2. Автор: Genki Koguchi,Akio Morisaki,Yukinori Hanada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12136535B2. Автор: Koichi Nagami,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12057294B2. Автор: Masahiro Inoue,Chishio Koshimizu,Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

System, method and apparatus for RF power compensation in a plasma processing system

Номер патента: US09508529B2. Автор: Henry Povolny,John C. Valcore, JR.. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Synchronization of plasma processing components

Номер патента: US20230268162A1. Автор: Kevin Fairbairn,Gideon van Zyl,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Biasing system for a plasma processing apparatus

Номер патента: US20140106571A1. Автор: Richard M. White,Bon-Woong Koo. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Plasma processing apparatus and processing method

Номер патента: US12125679B2. Автор: Masahiro Inoue,Shoichiro Matsuyama,Chishio Koshimizu,Gen Tamamushi,Yuto Kosaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Voltage waveform generator for ion energy control in plasma processing

Номер патента: NL2033565B1. Автор: Lemmen Erik,YU Qihao,Joannes Daniël Vermulst Bastiaan. Владелец: Prodrive Tech Innovation Services B V. Дата публикации: 2024-05-30.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US20150382442A1. Автор: Michael Mueller,Sam Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US09852890B2. Автор: Michael Mueller,Myeong Yeol Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US09711331B2. Автор: Michael Mueller,Myeong Yeol Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Frequency tuning for pulsed radio frequency plasma processing

Номер патента: US09544987B2. Автор: Michael Mueller,Myeong Yeol Choi. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240006154A1. Автор: Shinji Himori,Chishio Koshimizu,Koichi Nagami,Takenobu Ikeda,Shin Hirotsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11764034B2. Автор: Shinji Himori,Chishio Koshimizu,Koichi Nagami,Takenobu Ikeda,Shin Hirotsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Monitoring method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240006163A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Jun Sato,Takashi Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09663858B2. Автор: Koichi Nagami,Koji Itadani,Tsuyoshi Komoda. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, pressure valve control device, pressure valve control method, and pressure regulation system

Номер патента: US20230395360A1. Автор: Koki Tanaka,Yuzuru Sakai,Chishio Koshimizu,Kota Shihommatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma processing apparatus and method for carrying out plasma processing by using such plasma processing apparatus

Номер патента: US5567268A. Автор: Shingo Kadomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Learning based tuning in a radio frequency plasma processing chamber

Номер патента: WO2024123375A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems

Номер патента: US20240071721A1. Автор: Daniel J. Hoffman,Victor Brouk,Daniel Carter. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Synchronization of plasma processing components

Номер патента: US20240079213A9. Автор: Kevin Fairbairn,Gideon van Zyl,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20070235426A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Hidetoshi Hanaoka,Naoki Matsumoto,Manabu Iwata,Chishio Koshimizu,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20110174440A9. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-07-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11791135B2. Автор: Shinji Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Plasma Measuring Method and Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20240290589A1. Автор: Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and method for uniform microwave plasma processing using TE1101 modes

Номер патента: US5302803A. Автор: Joseph L. Cecchi,James E. Stevens. Владелец: Consortium for Surface Processing Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Plasma processing apparatus and method using active matching

Номер патента: US6806201B2. Автор: Hitoshi Tamura,Seiichi Watanabe,Naoki Yasui,Masahiro Sumiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-10-19.

Plasma processing with independent temperature control

Номер патента: US20240304422A1. Автор: WEI Liu,Lily Huang,Sandip Niyogi,Dileep Venkata Sai VADLADI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20060021700A1. Автор: Hideo Kitagawa,Nobumasa Suzuki,Shinzo Uchiyama,Yusuke Fukuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20110240599A1. Автор: Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20090275209A1. Автор: Hideo Kitagawa,Nobumasa Suzuki,Shinzo Uchiyama,Yusuke Fukuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09831096B2. Автор: Tsutomu Iida,Yuuzou Oohirabaru,Hiromitsu TERAUCHI. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Plasma processing method

Номер патента: US09960016B2. Автор: Kumiko Ono,Koichi Nagami,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230230815A1. Автор: Minsung Kim,Sungyeol KIM,Hosun Yoo,Jinyeong Yun,Jang-Yeob LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09583313B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11990316B2. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-05-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09502215B2. Автор: Hitoshi Kato,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Shigehiro Miura,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5243259A. Автор: Junji Sato,Kazuo Suzuki,Takuya Fukuda,Satoru Todoroki,Shunichi Hirose. Владелец: Hitachi Engineering and Services Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-07.

Method of controlling plasma processing apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240055229A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Keun Bae,Aixian Zhang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles

Номер патента: WO1999045567A1. Автор: Richard A. Gottscho,Vahid Vahedi,Maria E. Barone. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1999-09-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240249922A1. Автор: Ryota Sakane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Spatial monitoring and control of plasma processing environments

Номер патента: US20210241996A1. Автор: Kevin Fairbairn,Victor Brouk,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09543121B2. Автор: Kazuo Sasaki,Toshihiro Tojo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Microwave plasma processing apparatus and microwave plasma processing method

Номер патента: US5985091A. Автор: Nobumasa Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240087849A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12094690B2. Автор: Koki HIDAKA,Hiroya Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma process apparatus

Номер патента: US09887068B2. Автор: Masahide Iwasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088453A1. Автор: Koichi Yamamoto,Motohiro Tanaka,Naoki Yasui,Yasushi Sonoda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09805915B2. Автор: Ryoji Nishio,Masaharu Gushiken,Megumu Saitou. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09478387B2. Автор: Akira Tanabe,Yoshinobu Ooya,Yoshinori Yasuta. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20200161090A1. Автор: Jun Yoshikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Plasma Processing Apparatus and Plasma Control Method

Номер патента: US20240339304A1. Автор: Satoru Kawakami,Kazushi Kaneko,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Antenna for plasma generation and plasma processing device having the same

Номер патента: US09947511B2. Автор: Yasunori Ando,Dongwei Li. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12014903B2. Автор: Kohei Sato,Motohiro Tanaka,Takahiro Sakuragi,Tetsuo Kawanabe. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods and apparatus for gas delivery into plasma processing chambers

Номер патента: WO2012087919A2. Автор: Robert P. Chebi,Alan Cheshire,Stanley Detmar,Alfredo Granados,Gabriel Roupillard. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing coil

Номер патента: US20220108871A1. Автор: Naoki Fujiwara,Yohei Yamazawa,Takehisa SAITO,Daisuke Kurashina,Kaori Fujiwara,Yuki Hosaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Plasma processing system

Номер патента: US12112920B2. Автор: Jaewon Jeong,Juho Lee,Junghyun Cho,Daebeom Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09574270B2. Автор: Jun Yoshikawa,Michitaka AITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240186115A1. Автор: Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods for real-time pulse measurement and pulse timing adjustment to control plasma process performance

Номер патента: US12057293B2. Автор: Merritt Funk,Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20010008122A1. Автор: Makoto Ando,Naohisa Goto,Nobuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Systems for real-time pulse measurement and pulse timing adjustment to control plasma process performance

Номер патента: US20240347319A1. Автор: Merritt Funk,Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Plasma processing method and plasma ashing apparatus

Номер патента: US20130019894A1. Автор: Shin Hiyama,Yutaka Kudou. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles

Номер патента: EP1060501A1. Автор: Richard A. Gottscho,Vahid Vahedi,Maria E. Barone. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-12-20.

Method and apparatus for predicting plasma-process surface profiles

Номер патента: EP1060501B1. Автор: Richard A. Gottscho,Vahid Vahedi,Maria E. Barone. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-04-20.

Plasma processing device capable of plasma shaping through magnetic field control

Номер патента: US9728377B2. Автор: Ki Woong Whang,Hee Woon Cheong. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-08.

Plasma Processing Device Capable of Plasma Shaping through Magnetic Field Control

Номер патента: US20160300697A1. Автор: Ki Woong Whang,Hee Woon Cheong. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-10-13.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09627181B2. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5520771A. Автор: Saburo Kanai,Yoshinao Kawasaki,Seiichi Watanabe,Makoto Nawata,Kazuaki Ichihashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-05-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11842885B2. Автор: Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa,Tooru Aramaki. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Plasma processing method

Номер патента: US20240194461A1. Автор: Tatsuya Hayashi,Takanori Nakatsuka,Yuta Takagi,Kenta TAMARU. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma processing systems and methods for chemical processing a substrate

Номер патента: WO2022046461A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Method and apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber

Номер патента: WO1998044535A1. Автор: William S. Kennedy,Thomas E. Wicker,Robert A. Maraschin,Albert J. Lamm. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1998-10-08.

Methods and apparatuses for controlling phase difference in plasma processing systems

Номер патента: IL126393A. Автор: . Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2002-03-10.

Methods and apparatuses for controlling phase difference in plasma processing systems

Номер патента: AU2532797A. Автор: Robert D. Dible,Stephen G. Bradley,Seved Jafar Jafarian-Tehrani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1997-10-22.

Plasma Processing Apparatus And Method For Controlling The Same

Номер патента: US20070210032A1. Автор: Ryoji Nishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09991097B2. Автор: Yutaka Fujino,Shigenori Ozaki,Tomohito Komatsu,Jun NAKAGOMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09818581B1. Автор: Saeng Hyun Cho. Владелец: Vni Solution Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Microwave plasma processing apparatus and microwave supplying method

Номер патента: US09633821B2. Автор: Toshihiko Iwao,Satoru Kawakami,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Plasma-processing apparatus

Номер патента: US20040245935A1. Автор: Tadahiro Ogawa,Masaaki Takayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20160155613A1. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20230178340A1. Автор: Hiroyuki Miyashita,Isao Gunji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Dielectric window, plasma processing system including the window, and method of fabricating semiconductor device using the system

Номер патента: US09812293B2. Автор: Dong-Wook Kim,Jung-hwan UM,Sung-moon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09807862B2. Автор: Hachishiro Iizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing system, plasma processing method, plasma film deposition system, and plasma film deposition method

Номер патента: EP1515362B1. Автор: Ryuichi MATSUDA,Tadashi SHIMAZU,Masahiko Inoue. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source

Номер патента: WO2016094047A1. Автор: Dmitry Lubomirsky. Владелец: APPLIED MATERIALS, INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: WO2009102151A1. Автор: Sang-Ho Woo,Il-Kwang Yang. Владелец: EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-08-20.

Method and apparatus for preventing instabilities in radio-frequency plasma processing

Номер патента: EP1671347A1. Автор: Michael Kishinevsky. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Plasma processing system and plasma processing method

Номер патента: US20240006153A1. Автор: Atsuki KUSUNOKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Device for hybrid plasma processing

Номер патента: EP1236381A1. Автор: Ladislav Bardos,Hana Barankova. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-04.

Plasma processing method

Номер патента: US20140083975A1. Автор: Ryoichi Yoshida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Helical resonator type plasma processing apparatus

Номер патента: EP1530230A3. Автор: Dae-Il 204-1401 Ohyun Jugong Apr Kim,Gook-yoon A-201 Geumgang Villa Kim,Dong-joon 6-1108 Plaza Apt Ma,Sung-Kyo Wellrich 206 242-2 Jung-ri Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-07.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09761418B2. Автор: Takashi Suzuki,Masahiko Konno,Taizo Okada,Naoki Matsumoto,Hideo Kato,Masayuki SHINTAKU,Michitaka AITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

System and method for managing a plasma process and method for manufacturing an electronic device

Номер патента: US20070062802A1. Автор: Takashi Shimizu,Shinji Mori,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Plasma processing apparatus for generating uniform strip-shaped plasma by propagating microwave through rectangular slit

Номер патента: US5315212A. Автор: Akira Ishii,Michio Taniguchi,Syoichiro Minomo,Masato Sugiyo. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12020909B2. Автор: Minsung Kim,Sungyeol KIM,Hosun Yoo,Jinyeong Yun,Jang-Yeob LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Plasma processing tools dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers

Номер патента: US6136720A. Автор: Guy T. Blalock,Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11854772B2. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-12-26.

Components of plasma processing chambers having textured plasma resistant coatings

Номер патента: SG189627A1. Автор: Shih Hong,Fang Yan,Stevenson Tom,Casaes Raphael,G O'neill Robert,Won Kim Tae. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Plasma processing system, method of controlling plasma in the plasma processing system, and method of manufacturing semiconductor device by using the method of controlling the plasma

Номер патента: US20210351011A1. Автор: Jaewon Jeong,Juho Lee,Junghyun Cho,Daebeom Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Plasma process apparatus

Номер патента: US20240212980A1. Автор: Sangwook Park,Kyoungwhan OH,Jaesuk KIM,Gukrok YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Window edge heater for high power plasma processing applications

Номер патента: WO2023219905A1. Автор: Dan Marohl,Craig Rosslee,Ambarish CHHATRE,David Setton. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-16.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12051570B2. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Maju TOMURA,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Matching unit for semiconductor plasma processing apparatus

Номер патента: US20050098116A1. Автор: Yukio Sato,Katsumi Takahashi,Etsuo Yamagishi,Taku Fukada. Владелец: Pearl Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20180174805A1. Автор: Yoshinobu Ooya,Ryohei Takeda,Maju TOMURA,Ryuichi TAKASHIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240170259A1. Автор: Hiroshi Kondo,Eiki Kamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Window for microwave plasma processing device

Номер патента: WO1992022085A1. Автор: Takashi Inoue,Masahiko Tanaka,Shunji Miyahara,Ching-Hwa Chen,David Pirkle. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 1992-12-10.

Plasma processing method and apparatus.

Номер патента: MY118033A. Автор: Tomohiro Okumura,Ichiro Nakayama,Hideo Haraguchi,Yoshihiro Yanagi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-30.

Method for plasma processing

Номер патента: US6093457A. Автор: Tomohiro Okumura,Ichiro Nakayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-25.

Microwave plasma processing device

Номер патента: US5290993A. Автор: Takashi Fujii,Tetsunori Kaji,Yoshinao Kawasaki,Motohiko Yoshigai,Masaharu Nishiumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-03-01.

A microwave plasma reactor with a plurality of emitters and absorbers and a method for plasma processing a workpiece using such a microwave plasma reactor

Номер патента: WO2024088791A1. Автор: Jürgen WEICHART,Luca Marcaccioli,Jörg PATSCHEIDER,Kevin Hug,Fabio ISA,Marco CAPODURI,Hamza EL GHANNUDI,Günter RATZ. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Rf power delivery to vacuum plasma processing

Номер патента: US20210358718A1. Автор: Stefan Rhyner,Martin BLESS. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2021-11-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20140102638A1. Автор: Akira Tanabe,Yoshinobu Ooya,Yoshinori Yasuta. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Plasma processing apparatus with a rotating electromagnetic field

Номер патента: US5554223A. Автор: Issei Imahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Inductively coupled plasma processing apparatus for very large area using dual frequency

Номер патента: US20070012250A1. Автор: Kyong-Nam Kim,Geun-Young Yeom. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2007-01-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US11456157B2. Автор: Jun Yoshikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240120176A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240170257A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240170265A1. Автор: Hiroyuki Matsuura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Atmospheric pressure plasma generating method, plasma processing method and component mounting method using same, and device using these methods

Номер патента: WO2007142166A2. Автор: Kazuhiro Inoue,Hiroyuki Tsuji. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2007-12-13.

Plasma Processing Method

Номер патента: US20080216865A1. Автор: Masamichi Sakaguchi,Yasuhiro Nishimori,Satoshi Une,Yutaka Kudou,Masunori Ishihara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US20240212992A1. Автор: Kiho Lee,Junghyun Cho,Sangho Lee,Sangheun LEE,Sangki NAM,Seoyeon CHOI,Kuihyun YOON,Changheon Lee,Jaemin Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20090001052A1. Автор: Takashi Kaneko,Akitaka Makino,Koichi Mishima,Toyoharu Okumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Plasma processing device, plasma processing method and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US09978593B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09484180B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Manabu Iwata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Plasma processing apparatus, information processing apparatus, plasma processing method, and correction method

Номер патента: US20240194451A1. Автор: Taro Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma processing method

Номер патента: US09818582B2. Автор: Shigeru Senzaki,Hiroshi Tsujimoto,Keigo TOYODA,Nobutaka Sasaki,Takanori BANSE,Hiraku MURAKAMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09660182B2. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Fumiko Yamashita,Masato Kushibiki,Daisuke Urayama,Nao Koizumi,Wataru Kume. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20060081559A1. Автор: Tetsuji Sato,Koji Miyata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Closed loop process control of plasma processed materials

Номер патента: US20120328771A1. Автор: George Papasouliotis,Deven Raj,Harold Persing. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium

Номер патента: US8864934B2. Автор: Tatsuya Ogi,Kimihiro Fukasawa,Kazuhiro Kanaya,Wataru Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-10-21.

Plasma processing method of semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110250758A1. Автор: Ki-sang Kim,Jong-Bum Kim,In-Joong Kim,Hyun-Su JUN,Seung-Heong Lee,Min-Woung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Closed loop process control of plasma processed materials

Номер патента: WO2012178175A1. Автор: George D. Papasouliotis,Deven Raj,Harold Persing. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-12-27.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US09691593B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium

Номер патента: US9299540B2. Автор: Tatsuya Ogi,Kimihiro Fukasawa,Kazuhiro Kanaya,Wataru Ozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20060027324A1. Автор: Takashi Kaneko,Akitaka Makino,Koichi Mishima,Toyoharu Okumoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20040159639A1. Автор: Hideyuki Yamamoto,Tetsuo Ono,Katsumi Setoguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US09741538B2. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240266201A1. Автор: Shogo Okita,Minghui Zhao,Toshiyuki TAKASAKI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09659754B2. Автор: Yoshio SUSA,Naoki Matsumoto,Jun Yoshikawa,Peter L. G. Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Antenna, dielectric window, plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09595425B2. Автор: Naoki Matsumoto,Jun Yoshikawa,Osamu Morita,Kiyotaka Ishibashi,Kazuki Moyama,Wataru Yoshikawa,Takehiro Tanikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09566821B2. Автор: Ryoji Nishio,Takamasa ICHINO,Shinji OBAMA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Plasma processing apparatus, plasma processing method and high frequency generator

Номер патента: US09418822B2. Автор: Naoki Matsumoto,Hideo Kato,Koji Koyama,Kiyotaka Ishibashi,Kazushi Kaneko,Kazunori Funazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Plasma processing apparatus, electrostatic chuck, and plasma processing method

Номер патента: US20240258078A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20200402809A1. Автор: Yasushi Sonoda. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20200279719A1. Автор: Norihiko Ikeda,Koichi Yamamoto,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20190088452A1. Автор: Norihiko Ikeda,Koichi Yamamoto,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US10699884B2. Автор: Norihiko Ikeda,Koichi Yamamoto,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20040040507A1. Автор: Muneo Furuse,Masanori Kadotani,Motohiko Yoshigai,Susumu Tauchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12087552B2. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-09-10.

Controlling ion energy distribution in plasma processing systems

Номер патента: US09887069B2. Автор: Eric Hudson,Andreas Fischer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface of substrate

Номер патента: US09842726B2. Автор: Paul Maguire,Stephen Daniels,Shane Glynn,Felipe Soberon. Владелец: Verity Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09779919B2. Автор: Kenetsu Yokogawa,Masahito Mori,Takao Arase,Takamasa ICHINO,Yuusuke Takegawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing

Номер патента: EP4376061A3. Автор: Kevin Fairbairn,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Plasma processing device and method of monitoring plasma discharge state in plasma processing device

Номер патента: US20100176085A1. Автор: Kiyoshi Arita,Masaru Nonomura,Tatsuhiro Mizukami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Plasma measurement method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240274417A1. Автор: Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Electrode orientation and parallelism adjustment mechanism for plasma processing systems

Номер патента: US20120291954A1. Автор: James E. Tappan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Electrode orientation and parallelism adjustment mechanism for plasma processing systems

Номер патента: WO2009100288A2. Автор: James E. Tappan. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2009-08-13.

Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield

Номер патента: US20020025686A1. Автор: Kazue Takahashi,Ken Yoshioka,Saburou Kanai,Yutaka Ohmoto,Hironobu Kawahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Spark plasma sintered component for cryo-plasma processing chamber

Номер патента: WO2023183330A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Harmeet Singh,Satish Srinivasan,Pankaj HAZARIKA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus and method for plasma processing high-speed semiconductor circuits with increased yield

Номер патента: US20020023716A1. Автор: Kazue Takahashi,Ken Yoshioka,Saburou Kanai,Yutaka Ohmoto,Hironobu Kawahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Acoustic energy utilization in plasma processing

Номер патента: WO2013151898A1. Автор: Ian J. Kenworthy,Daniel A. Brown,Cliff E. LA CROIX,Josh A. CORMIER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09966233B2. Автор: Hidetoshi Hanaoka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Guard aperture to control ion angular distribution in plasma processing

Номер патента: US09514918B2. Автор: Ludovic Godet,Sang Ki Nam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20090151638A1. Автор: Masaki Sugiyama,Toshiki Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240186113A1. Автор: Hiroshi Kondo,Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Apparatus for indirect atmospheric pressure plasma processing

Номер патента: US12080525B2. Автор: Erwin Van Hoof,Annick Vanhulsel,Jan Cools. Владелец: VITO NV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma processing apparatus and liner assembly for tuning electrical skews

Номер патента: WO2012012200A1. Автор: Shahid Rauf,Kenneth S. Collins,James D. Carducci,Zhigang Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

Plasma processing devices having multi-port valve assemblies

Номер патента: US12100575B2. Автор: Michael C. Kellogg,Allan K. Ronne,James E. Tappan,Daniel A. Brown,Leonard J. Sharpless. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High density plasma processing apparatus

Номер патента: WO2020039185A1. Автор: Michael Thwaites,Peter HOCKLEY. Владелец: Dyson Technology Limited. Дата публикации: 2020-02-27.

Plasma process chambers employing distribution grids having focusing surfaces thereon enabling angled fluxes to reach a substrate, and related methods

Номер патента: US09534289B2. Автор: Jun Xue,Qiwei Liang,Ludovic Godet. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Plasma processing apparatus and assembly method of resonator array structure

Номер патента: US20240186114A1. Автор: Hiroshi Kondo,Satoru Kawakami,Eiki Kamata,Shin Oowada,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12094697B2. Автор: Kazuki Takahashi,Toshimasa Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09589771B2. Автор: Mitsunori Ohata,Yuki Hosaka,Naokazu FURUYA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Bias voltage frequency controlled angular ion distribution in plasma processing

Номер патента: US09520267B2. Автор: Jun Xue,Ludovic Godet,Prashanth Kothnur,Umesh M. Kelkar,Matthew D. Scotney-Castle. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20110273094A1. Автор: Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita,Masaru Nonomura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US8450933B2. Автор: Hiroshi Haji,Kiyoshi Arita,Masaru Nonomura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Plasma processing system and method of processing substrate

Номер патента: US12020898B2. Автор: Akihiro Yokota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber

Номер патента: AU3079597A. Автор: Neil Benjamin,William S. Kennedy,Joel M. Cook,Thomas E. Wicker,Robert A. Maraschin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 1998-01-05.

Method and apparatus for preventing arcing at ports exposed to a plasma in plasma processing chambers

Номер патента: SG144071A1. Автор: Daniel John Hoffman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-29.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12009220B2. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

High frequency antenna and plasma processing device

Номер патента: EP3896717A1. Автор: Akinori Ebe,Hajime Tsuda,Hideki Moriuchi. Владелец: EMD Corp. Дата публикации: 2021-10-20.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20240355634A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Symmetric plasma process chamber

Номер патента: US09741546B2. Автор: Shahid Rauf,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Andrew Nguyen,Ajit Balakrishna,Douglas A. Buchberger, Jr.,James D. Carducci,Zhigang Chen,Hamid Tavassoli. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US09490105B2. Автор: Masashi Saito,Manabu Sato,Masaru Sugimoto,Hidetoshi Hanaoka,Naoki Matsumoto,Akira Koshiishi,Noriyuki Kobayashi,Manabu Iwata,Hiroki Yamazaki,Chishio Koshimizu,Kazuo Kibi,Daisuke Yano,Yohei Yamazawa,Toshihiro Hayami,Kunihiko Hinata,Ryuji Ohtani,Yoshinobu Ohya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Antenna assembly and plasma processing equipment including same

Номер патента: US20230197409A1. Автор: GALSTYAN OGSEN,Hyun Jin Kim,Jung Hwan Lee,Dong Jun Park,Sang Hyeok Ahn. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240242936A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240321559A1. Автор: Satoshi Taga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Atmospheric-pressure plasma processing apparatus for substrates

Номер патента: US09892907B2. Автор: Wenbin Hu,Wentong HUANG. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09583314B2. Автор: Hitoshi Tamura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Feedforward temperature control for plasma processing apparatus

Номер патента: US09338871B2. Автор: Kartik Ramaswamy,Douglas A. Buchberger, Jr.,Sergio Fukuda Shoji,Hamid Noorbakhsh,Chunlei Zhang,Shane C. NEVIL,Walter R. Merry,Duy D. Nguyen,Brad L. MAYS,Chetan MAHADESWARASWAMY,Fernando M. SILVEIRA,Yashaswini B. PATTAR,Tina TSONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Plasma processing method

Номер патента: US20060249481A1. Автор: Takashi Fuse. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

The plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20190006153A1. Автор: Hitoshi Tamura,Naoki Yasui,Nanako TAMARI. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Plasma processing device, plasma processing method and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20170287712A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11961718B2. Автор: Tetsuji Sato,Shojiro Yahata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Plasma processing system

Номер патента: US20020144980A1. Автор: Shinya Hasegawa,Yoshimi Watabe,Yukito Nakagawa,Yoichiro Numasawa. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for enhancing plasma processing performance by irradiating with light

Номер патента: EP1041615A3. Автор: Hui Chen,Peter Loewenhardt,John M. Yamartino,Diana Xiaobing Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-04-04.

Pulsed voltage source for plasma processing applications

Номер патента: US12125673B2. Автор: Fabrice CUBAYNES,Dmitry GRISHIN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11923177B2. Автор: Kazumasa Igarashi,Kazuo Yabe,Yamato Tonegawa,Keiji Tabuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20160225585A1. Автор: Toshiharu Wada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US9583317B2. Автор: Toshiharu Wada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US20240194450A1. Автор: Motohiro Tanaka,Yasushi Sonoda,Yusuke Nakatani. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240222096A1. Автор: Takashi Uemura,Shengnan Yu,Shunsuke Tashiro. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Components for a plasma processing apparatus

Номер патента: SG175637A1. Автор: La Llera Anthony De,Saurabh J Ullal. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-11-28.

Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system

Номер патента: WO2002009141A2. Автор: John E. Cronin,Murray D. Sirkis,Eric J. Strang,Yu Wang Bibby. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2002-01-31.

Restoration apparatus and restoration method for plasma processing apparatus

Номер патента: US20190385818A1. Автор: Hiroyuki Mizuno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Automated electrode replacement apparatus for a plasma processing system

Номер патента: WO2002009141A3. Автор: John E Cronin,Yu Wang Bibby,Eric J Strang,Murray D Sirkis. Владелец: Murray D Sirkis. Дата публикации: 2002-06-20.

Multi-phase dc plasma processing system

Номер патента: WO1996024153A1. Автор: Geoffrey N. Drummond. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1996-08-08.

Plasma processing apparatus and control method

Номер патента: US09991100B2. Автор: Ryota Sakane. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Plasma processing device

Номер патента: US09922803B2. Автор: Chien Chou,Chi-Hsien Huang,Chao-Sung Lai,Chu-Fa Chan. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2018-03-20.

Microwave plasma processing apparatus, slot antenna, and semiconductor device

Номер патента: US09875882B2. Автор: Toshihiko Iwao,Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Plasma processing system and plasma processing method

Номер патента: US20220336197A1. Автор: Hiroshi Shirouzu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Plasma processing system and plasma processing method

Номер патента: US12009190B2. Автор: Hiroshi Shirouzu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Plasma processing apparatus, control method thereof and program for performing same

Номер патента: US20060005927A1. Автор: Satoshi Yamazaki,Taira Takase. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Plasma processing apparatus, control method thereof and program for performing same

Номер патента: US7585385B2. Автор: Satoshi Yamazaki,Taira Takase. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-08.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20200168441A1. Автор: Koichi Tateshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Plasma processing method and plasma processing device

Номер патента: WO2023199450A1. Автор: Mamoru Yakushiji,Kenichi Kuwahara,Andre Amend. Владелец: Hitachi High-Tech Corporation. Дата публикации: 2023-10-19.

Monitor of plasma processes with multivariate statistical analysis of plasma emission spectra

Номер патента: WO1999021210A1. Автор: Herbert H. Sawin,Minh Le,Taber H. Smith,Duane S. Boning,Kuang Han Chen. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1999-04-29.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20170309451A1. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240212984A1. Автор: Isao Mori,Ryosuke Ochiai. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20220068604A1. Автор: Shinji Kubota. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma processing system and edge ring replacement method

Номер патента: US20240234102A9. Автор: Kenichi Kato,Shin Matsuura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240242934A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12046452B2. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Plasma processing apparatus with reduced parasitic capacity and loss in RF power

Номер патента: US20040238126A1. Автор: Akihiro Kojima,Kazuhiro Tomioka,Hisataka Hayashi,Itsuko Sakai,Tokuhisa Ohiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240297020A1. Автор: Hiroyuki Miyashita,Taro Ikeda,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma processing assemblies including hinge assemblies

Номер патента: WO2013078003A1. Автор: Greg Sexton. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240331978A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09691591B2. Автор: Masahide Iwasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US5024748A. Автор: Shuzo Fujimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-06-18.

Plasma processing apparatus comprising a compensating-process-gas supply means in synchronism with a rotating magnetic field

Номер патента: US5980687A. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11923171B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Hidetoshi Hanaoka,Junichi Sasaki,Tomohiko Akiyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Stackable plasma source for plasma processing

Номер патента: WO2023244676A1. Автор: Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods and Systems for Feedback Control in Plasma Processing Using Radical Sensing

Номер патента: US20230369033A1. Автор: Michael Harris,James Blessing,Keith K. Koai,Chenglong Yang,Jimmy Liu,Guy Rosenzweig. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods and arrangement for the reduction of byproduct deposition in a plasma processing system

Номер патента: WO2006081004B1. Автор: Andrew D Bailey Iii,Shrikant P Lohokare. Владелец: Shrikant P Lohokare. Дата публикации: 2008-10-30.

Power supply device for plasma processing

Номер патента: US09997903B2. Автор: Albert Bulliard,Benoit Fragnière,Joël Oehen. Владелец: Solvix GmbH. Дата публикации: 2018-06-12.

Processing apparatus and method for plasma processing

Номер патента: US5134965A. Автор: Toru Otsubo,Yasuhiro Yamaguchi,Mitsuo Tokuda,Junzou Azuma,Ichirou Sasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-08-04.

Nondestructive determination of plasma processing treatment

Номер патента: CA2130167C. Автор: John J. Vajo,Jesse N. Matossian. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: US20070075039A1. Автор: Tomohiro Okumura,Tadashi Kimura,Mitsuo Saitoh,Yoichiro Yashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-05.

Performance evaluation method for plasma processing apparatus for continuously maintaining a desired performance level

Номер патента: EP1720196A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Akira Nakano. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-08.

Table for use in plasma processing system and plasma processing system

Номер патента: US20080038162A1. Автор: Akira Koshiishi,Shinji Himori,Shoichiro Matsuyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US5647912A. Автор: Takeshi Akimoto,Takahiro Kaminishizono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-15.

Plasma monitoring and plasma density measurement in plasma processing systems

Номер патента: WO2024020024A1. Автор: Sang-Il Kim,Hak-Sung Kim,Dong-Woon Park,Heon-Su Kim,Jindoo CHOI,Fabio RIGHETTI. Владелец: Hanyang University. Дата публикации: 2024-01-25.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20120181252A1. Автор: Masaru Tanaka,Hiroyuki Makino. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Plasma processing device

Номер патента: US20190080935A1. Автор: Takashi Ohashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Plasma processing chambers configured for tunable substrate and edge sheath control

Номер патента: WO2023069633A1. Автор: Rajinder Dhindsa. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-27.

Spatial monitoring and control of plasma processing environments

Номер патента: US11842884B2. Автор: Kevin Fairbairn,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Plasma processing apparatus and processing method

Номер патента: US11581170B2. Автор: Shinji Kubota,Chishio Koshimizu,Yuji AOTA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Spatial and temporal control of ion bias voltage for plasma processing

Номер патента: EP4376061A2. Автор: Kevin Fairbairn,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Plasma processing apparatus with tunable electrical characteristic

Номер патента: WO2022256407A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek,Yun Han,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Plasma processing apparatus and processing method

Номер патента: US20210066040A1. Автор: Shinji Kubota,Chishio Koshimizu,Yuji AOTA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Methods and apparatus for the optimization of etch resistance in a plasma processing system

Номер патента: WO2006011996A2. Автор: George Stojakovic,Yoko Yamaguchi Adams,Alan Miller. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2006-02-02.

Plasma processing apparatus, data analysis apparatus, and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20240203712A1. Автор: Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shunta NOSAKA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240213004A1. Автор: Soichiro Eto,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Tsubasa Okamoto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Process detection system for plasma process

Номер патента: US5971591A. Автор: Kevin S. Gerrish,Daniel F. Vona,Kevin P. Nasman. Владелец: Eni Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Scanning impedance measurement in a radio frequency plasma processing chamber

Номер патента: US20240079212A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo,Nicolas J. Bright,A N M Wasekul AZAD. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20180130643A1. Автор: Motoko Hara,Tetsuhiro Iwai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20130333617A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Tetsuya Suzuki,Hisanori Matsumoto,Hideyuki Nagaishi,Mayui NOBORISAKA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-19.

Oes device, plasma processing apparatus including the same and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190252164A1. Автор: In-Joong Kim,Il Gu Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2019-08-15.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20230352274A1. Автор: Norihiko Ikeda,Hitoshi Tamura,Chen Pin Hsu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11875977B2. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11923170B2. Автор: Satoru Kawakami,Hiroyuki Yamamoto,Masaki Hirayama,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20230386801A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Haruhiko Himura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Apparatus and methods for removing contaminant particles in a plasma process

Номер патента: US11120976B2. Автор: Ganesh Balasubramanian,Sidharth Bhatia,Anup Kumar Singh,Bhaskar Kumar,Vivek Bharat SHAH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20090253246A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yusuke Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20220199363A1. Автор: Yusuke Aoki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Plasma Processing with Magnetic Ring X Point

Номер патента: US20240038506A1. Автор: Barton Lane,Peter Lowell George Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11094512B2. Автор: Norihiko Ikeda,Koichi Yamamoto,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-08-17.

Plasma process monitoring apparatus and plasma processing apparatus comprising the same

Номер патента: US20200013596A1. Автор: Il Gu Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-01-09.

Shower head assembly and plasma processing apparatus having the same

Номер патента: US20200365373A1. Автор: Heechul LEE,Joonsung Lee,Youngwon Shin,Hyungchul CHO,Hyunjae JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Plasma processing apparatus

Номер патента: EP3639288A1. Автор: GARETH Hennighan,Andrew Simon Hall Brooks,Gianfranco ARESTA,Shailendra Vikram SINGH,Siobhan Marie WOOLLARD,Richard Anthony Lione. Владелец: Semblant Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Plasma processing device, high-frequency power supply circuit, and impedance matching method

Номер патента: US20240120179A1. Автор: Kazunori Koga,Masaharu Shiratani,Tatsuo Matsudo,Takahiro Shindo,Kunihiro KAMATAKI. Владелец: Kyushu University NUC. Дата публикации: 2024-04-11.

Method and apparatus for inspecting process performance for use in a plasma processing apparatus

Номер патента: US20080174324A1. Автор: Yohei Yamazawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20190311888A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Plasma processing apparatus

Номер патента: EP1869692A1. Автор: Kiyoshi c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. ARITA,Akira c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. NAKAGAWA. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-26.

Apparatus and methods for removing contaminant particles in a plasma process

Номер патента: US20200350146A1. Автор: Ganesh Balasubramanian,Sidharth Bhatia,Anup Kumar Singh,Bhaskar Kumar,Vivek Bharat SHAH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Plasma processing apparatus and wear amount measurement method

Номер патента: US12033838B2. Автор: Takehito Watanabe,Joji TAKAYOSHI,Ryuta Akimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240112892A1. Автор: Pei Ye. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Plasma processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20210142985A1. Автор: Akira Koshiishi,Jongwoo SUN,Yongwoo Lee,Masato Horiguchi,Dowon Kim,Yunhwan Kim,Kyohyeok KIM,Youngjin Noh,Taeil Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Components for a plasma processing apparatus

Номер патента: WO2008063324A3. Автор: La Llera Anthony De,Saurabh J Ullal. Владелец: Saurabh J Ullal. Дата публикации: 2008-07-31.

Plasma processing equipment

Номер патента: US11804367B2. Автор: Dong Hoon Kim,Hak Young KIM,Byeong Sang KIM,Hee Won MIN,Seok Hwan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Components for a plasma processing apparatus

Номер патента: WO2008063324A2. Автор: Anthony de la Llera,Saurabh J. Ullal. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-05-29.

Rotatable faraday cleaning apparatus and plasma processing system

Номер патента: US20220297168A1. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Xiaobo Liu,Zhihao WU,Song Guo,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Temperature measuring method and plasma processing system

Номер патента: US20150221482A1. Автор: Takahiro Senda,Naoki Matsumoto,Yusuke Yoshida,Masayuki Kohno,Ryou Son. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20220384154A1. Автор: Kazuya Matsumoto,Atsushi Sasaki,Shingo Takahashi,Koichi Nagami,Yusuke HAYASAKA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190393058A1. Автор: Tsutomu Nakamura,Hiroho Kitada,Hideki Kihara,Masatoshi Kawakami,Hironori Kusumoto,Hidenobu Tanimura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Rotatable faraday cleaning apparatus and plasma processing system

Номер патента: US12009188B2. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Xiaobo Liu,Zhihao WU,Song Guo,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Computer-implemented data presentation techniques for a plasma processing system

Номер патента: WO2006036893B1. Автор: Andrew D Bailey Iii,Puneet Yadav. Владелец: Puneet Yadav. Дата публикации: 2006-06-01.

Electrostatic Chuck Assembly for Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20240282614A1. Автор: Maolin Long. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Plasma processing apparatus, control method, power supply system, and storage medium

Номер патента: US20240304418A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12125685B2. Автор: Yoshihisa Hirano,Jae Hoon Kim,Young Jin Noh,Jun Soo Lee,Sung Moon Park,Hyung Kyu Choi,Seung Kyu Lim,Kyeong Seok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma processing apparatus and upper electrode assembly

Номер патента: US09941101B2. Автор: Shin Matsuura,Jun Young Chung. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for impedance matching of plasma processing apparatus

Номер патента: US09736921B2. Автор: Norikazu Yamada,Koichi Nagami,Naoyuki Umehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Electrode assembly and plasma processing apparatus

Номер патента: US09520276B2. Автор: Takashi Suzuki,Takashi Yamamoto,Masato Horiguchi,Chikako Takahashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Temperature measuring method and plasma processing system

Номер патента: US09412565B2. Автор: Takahiro Senda,Naoki Matsumoto,Yusuke Yoshida,Masayuki Kohno,Ryou Son. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Lower electrode assembly of plasma processing chamber

Номер патента: US09412555B2. Автор: Brett C. Richardson,Harmeet Singh,Jason Augustino,Quan Chau,Keith William Gaff,Hanh Tuong Ha. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Plasma processing systems with mechanisms for controlling temperatures of components

Номер патента: US8900404B2. Автор: James Tappan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US9514967B2. Автор: Tetsuo Ono,Yasuo Ohgoshi,Michikazu Morimoto,Yuuzou Oohirabaru. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Confinement ring assembly of plasma processing apparatus

Номер патента: US20060283551A1. Автор: Sung-Ku Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240014005A1. Автор: Hiroyuki Matsuura,Taro Ikeda,Nobuo Matsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240014013A1. Автор: Hiroyuki Matsuura,Taro Ikeda,Nobuo Matsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma processing apparatus and control method

Номер патента: US20200211823A1. Автор: Chishio Koshimizu,Michishige Saito,Ryuji HISATOMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

View port device for plasma process and process observation device of plasma apparatus

Номер патента: US20120111269A1. Автор: Guan-Yu Lin,Chen-Chung Du,Muh-Wang Liang,Ta-Chin Wei. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-05-10.

Plasma processing apparatus for adjusting plasma processing through detecting plasma processing state within chamber

Номер патента: US20030173028A1. Автор: Junichi Tanaka,Hideyuki Yamamoto,Shoji Ikuhara. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Member and plasma processing apparatus

Номер патента: US11037763B2. Автор: Yuki Sugawara,Masafumi Urakawa,Masanori ASAHARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240112895A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240071730A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Member and plasma processing apparatus

Номер патента: US20180350567A1. Автор: Yuki Sugawara,Masafumi Urakawa,Masanori ASAHARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20150027635A1. Автор: Hidetoshi Hanaoka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Tunable uniformity in a plasma processing system

Номер патента: US8635971B2. Автор: Eric Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-01-28.

Confinement ring for use in a plasma processing system

Номер патента: US11791140B2. Автор: Akira Koshiishi,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhatanov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US11756774B2. Автор: Kazuki Takahashi,Toshimasa Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20210043434A1. Автор: Kazuki Takahashi,Toshimasa Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20230352273A1. Автор: Hitoshi Tamura,Chen Pin Hsu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma processing apparatus and lower stage

Номер патента: US11929234B2. Автор: Satoru Kawakami,Masaki Hirayama,Taro Ikeda,Sumi Tanaka. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-03-12.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20200105506A1. Автор: Hidehito Azumano. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Plasma processing apparatus and abnormal discharge control method

Номер патента: US20230060329A1. Автор: Takehiro Tanikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US11948776B2. Автор: Hitoshi Tamura,Chen Pin Hsu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240014010A1. Автор: Motohiro Tanaka,Makoto Satake,Tetsuo Kawanabe. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20230386804A1. Автор: Kazuki Takahashi,Toshimasa Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240047181A1. Автор: Yuki Kondo,Shintarou Nakatani,Takamasa ICHINO. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for controlling cleaning and plasma processing apparatus

Номер патента: US12009189B2. Автор: Takashi TSUTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for controlling cleaning and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220384162A1. Автор: Takashi TSUTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Two stage ion current measurement in a device for analysis of plasma processes

Номер патента: US20230143487A1. Автор: James Doyle,Paul Scullin,David Gahan,Jj Lennon. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Method and apparatus for reducing arcing in plasma processing chambers

Номер патента: WO1996014653A3. Автор: Bhola N De,Charles N Vannutt,Jonathan Ishii. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1996-08-29.

Method and apparatus for reducing arcing in plasma processing chambers

Номер патента: WO1996014653A2. Автор: Jonathan Ishii,Charles N. Vannutt,Bhola N. De. Владелец: Materials Research Corporation. Дата публикации: 1996-05-17.

Method of operating a plasma process system and a plasma process system

Номер патента: EP4442853A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Trumpf Huettinger Sp zoo. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of operating a plasma process system and a plasma process system

Номер патента: WO2024208908A1. Автор: Wojciech Gajewski,Anna Oniszczuk,Piotr Różański,Cezary KAMINSKI. Владелец: Trumpf Huettinger Sp. Z O. O.. Дата публикации: 2024-10-10.

Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method

Номер патента: US6870123B2. Автор: Nobumasa Suzuki,Shigenobu Yokoshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-03-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11825589B2. Автор: Yohei Uchida,Tetsuji Sato,Taira Takase,Shojiro Yahata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20210267042A1. Автор: Yohei Uchida,Tetsuji Sato,Taira Takase,Shojiro Yahata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20200107429A1. Автор: Yohei Uchida,Tetsuji Sato,Taira Takase,Shojiro Yahata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11032899B2. Автор: Yohei Uchida,Tetsuji Sato,Taira Takase,Shojiro Yahata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Plasma processing apparatus and method using apparatus for applying electromagnetic microwave radiation in plasma cavity

Номер патента: JP4782984B2. Автор: ヤコブス ニコラース ファン ストラーレン マテウス,ロバート シモンズ デニス. Владелец: ドゥラカ ファイバー テクノロジー ベー ヴェー. Дата публикации: 2011-09-28.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20080280451A1. Автор: Tsunehiko Tsubone,Ken Yoshioka,Mamoru Yakushiji,Yutaka Kouzuma,Yutaka Ohmoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Upper electrode structure and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240249907A1. Автор: Tetsuji Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210143017A1. Автор: Takahiro Yokoyama,Yoshihide Kihara,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240006165A1. Автор: Tong Wu,Hiroki Endo,Yoshihiro Yanagi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Plasma etching using multiphase multifrequency power pulses and variable duty cycling

Номер патента: US20230377895A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Lowell George Ventzek,Shyam Sridhar,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same

Номер патента: US20240282586A1. Автор: Sunggil Kang,Dongkyu Shin,Hoseop Choi,Sangjin AN,Chanyeong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Plasma processing method

Номер патента: US09922841B2. Автор: Ryosuke NIITSUMA,Haruto Kanamori. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09953862B2. Автор: Shigeru Yoneda,Yen-Ting Lin,Akitoshi Harada,Chih-Hsuan CHEN,Ju-Chia Hsieh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09460896B2. Автор: Akitoshi Harada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Plasma processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230402256A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Jun Sato,Takashi Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma processing method and plasma processing apparatus including applying a voltage to a lower electrode in a substrate support with a gas supplied into a chamber

Номер патента: US20240222085A1. Автор: Koichiro Nakamura,Norihisa Kiyofuji. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma processing method

Номер патента: US09824866B2. Автор: Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Yuji Nagatani. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09601318B2. Автор: Hitoshi Kato,Jun Sato,Hiroyuki Kikuchi,Shigehiro Miura,Toshiyuki Nakatsubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for producing plasma flow, method for plasma processing, apparatus for producing plasma, and apparatus for plasma processing

Номер патента: US09426875B2. Автор: Yoshifumi Noguchi,Keisuke Sagisaka. Владелец: Ferrotec Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for plasma processing

Номер патента: US8969211B2. Автор: Tetsuo Ono,Satoru Muto,Yasuo Ohgoshi,Hirofumi Eitoku. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20140141532A1. Автор: Takashi Sone,Eiichi Nishimura,Tadashi Kotsugi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Substrate processing method and substrate processing device

Номер патента: EP4231785A1. Автор: Kiyoshi Maeda,Yasuhiko Saito,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing electronic devices

Номер патента: US09627183B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Plasma processing method

Номер патента: US09349603B2. Автор: Masaki Fujii,Tetsuo Ono,Yoshiharu Inoue,Masakazu Miyaji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11776792B2. Автор: Takashi Uemura,Masahiro Nagatani,Yasushi Sonoda,Kiyohiko Sato,Shengnan Yu,Shunsuke Tashiro. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Plasma processing method and plasma processing system

Номер патента: US20230307245A1. Автор: Atsushi Takahashi,Yoshihide Kihara,Takatoshi ORUI,Maju TOMURA,Koki MUKAIYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12051595B2. Автор: Masahiro Tabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Plasma processing method and plasma processing system

Номер патента: US20230268190A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Atsuki Hashimoto,Sho SAITOH. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12125672B2. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12131964B2. Автор: Soichiro Eto,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kousuke Fukuchi,Ryoji ASAKURA,Tsubasa Okamoto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: EP4428898A2. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US09984906B2. Автор: Naoki Matsumoto,Yugo Tomita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Plasma processing method

Номер патента: US09673062B1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma processing apparatus, analysis apparatus, plasma processing method, analysis method, and storage medium

Номер патента: US20240371603A1. Автор: Kazushi Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20170350014A1. Автор: Toshihiko Iwao,Satoru Kawakami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240297027A1. Автор: Soichiro Eto,Shigeru Nakamoto,Kosuke Fukuchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09997337B2. Автор: Masahito Mori,Naoshi Itabashi,Naoyuki Kofuji. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma processing method

Номер патента: US09972776B2. Автор: Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Hidenori TOYOOKA,Norihiro HOSAKA. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09805940B2. Автор: Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kousuke Fukuchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma Processing Method

Номер патента: US20210142982A1. Автор: Tsuyoshi Moriya,Toshio Hasegawa,Shinya Iwashita,Naotaka Noro,Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Plasma processing method and plasma processing system

Номер патента: US20230127467A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Plasma processing apparatus, substrate bonding system including the same, and substrate bonding method using the same

Номер патента: US20230215698A1. Автор: Ho Kim,Youngho Kim,SeungDae SEOK,Yongin LEE,Se-Hoon Jang,Donggap Shin,Siwoong Woo,Inhwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09741629B2. Автор: Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Kousuke Fukuchi,Kosa Hirota. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12112921B2. Автор: Hiroyuki Ikuta,Yutaka Fujino,Hirokazu Ueda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Workpiece processing method

Номер патента: US09607811B2. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20180158650A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Ryota Sakane,Hiroshi Nagahata,Jungwoo Na. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Plasma processing method and resist pattern modifying method

Номер патента: US20100055911A1. Автор: Jin Fujihara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Plasma processing method

Номер патента: US20240203751A1. Автор: Tatsuya Hayashi,Mineaki Kodama,Masashi Kawabata,Tomoyoshi Ichimaru,Yujiro YONEDA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma processing method

Номер патента: US09941098B2. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09799495B2. Автор: Tomohiro Okumura,Shogo Okita,Bunji MIIZUNO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Plasma processing device, and plasma processing method

Номер патента: US09601330B2. Автор: Tomohiro Okumura,Hiroshi Kawaura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Plasma processing method

Номер патента: US09502219B2. Автор: Yoshihide Kihara,Toshio Haga,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Shower plate, plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12051564B2. Автор: Satoru Kawakami,Masaki Hirayama,Taro Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-07-30.

Processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20190393031A1. Автор: Toru Hisamatsu,Masahiro Tabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Plasma processing method

Номер патента: US12074033B2. Автор: Hitoshi Kobayashi,Masahito Mori,Ryota Takahashi,Chaomei Liu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20040173309A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Go Miya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12094687B2. Автор: Tetsuo Ono,Naoki Yasui,Masayuki SHIINA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing method

Номер патента: US20240304456A1. Автор: Makoto Miura,Koichi Takasaki,Makoto Satake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12074076B2. Автор: Soichiro Eto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09997332B2. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Kazuki Denpoh,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09960031B2. Автор: Motohiro Tanaka,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09704731B2. Автор: Masaru Izawa,Go Miya,Takumi Tandou. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and recording medium

Номер патента: US09583318B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Shigehiro Miura,Naohide Ito,Katsuaki Sugawara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09496147B2. Автор: Motohiro Tanaka,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Plasma processing apparatus and plasma control method using magnetic field

Номер патента: US20230317427A1. Автор: Hyung Joon Kim,Duk Hyun SON,Dong Mok Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20130045547A1. Автор: Kenji Nakata,Atsushi Itou,Kouichi Yamamoto,Masaru Izawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and recording medium

Номер патента: US9583318B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Shigehiro Miura,Naohide Ito,Katsuaki Sugawara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US09865454B2. Автор: Hitoshi Kato,Jun Sato,Masato Yonezawa,Hiroyuki Kikuchi,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09779936B2. Автор: Toshio Nakanishi,Minoru Honda,Daisuke Katayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09741579B2. Автор: Naoki Yasui,Michikazu Morimoto,Nanako TAMARI. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09711375B2. Автор: Koichi Yamamoto,Tsutomu Iida,Hiromitsu TERAUCHI. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09653317B2. Автор: Tsutomu Ito,Shinichi Kozuka,Masaru Nishino,Ryosuke NIITSUMA,Takao FUNAKUBO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09502220B2. Автор: Tomohiro Okumura,Bunji Mizuno,Shogo Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Deposition processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200273712A1. Автор: Yuji Nagai,Yoshimitsu Kon,Lifu Li,Atsushi UTO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US12087556B2. Автор: Akio Ui,Yosuke Sato,Hisataka Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12071687B2. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09805959B2. Автор: Naoki Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230377844A1. Автор: Shingo Takahashi,Jenhung HUANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Plasma processing device, and plasma processing method

Номер патента: US20240170260A1. Автор: Eiki Kamata,Taro Ikeda,Mitsutoshi ASHIDA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09941132B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09911638B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Plasma processing method

Номер патента: US09842750B2. Автор: Tetsuhiro Iwai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Substrate processing method

Номер патента: US09558962B2. Автор: Kandabara N. Tapily,Fumitaka Amano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: US09431263B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Atsushi Harikai,Mitsuru Hiroshima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Plasma processing method

Номер патента: US09384992B2. Автор: Manabu Sato,Takanori Sato,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Plasma processing method

Номер патента: US20100029024A1. Автор: Kenji Maeda,Masatoshi Miyake,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230420228A1. Автор: Akihiro Yokota,Ryo Terashima,Takaharu SAINO,Tomo MURAKAMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20220384151A1. Автор: Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Plasma processing method

Номер патента: US09805917B2. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09583355B2. Автор: Tetsuhiro Iwai,Nobuhiro Nishizaki,Atsushi Harikai,Mitsuru Hiroshima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20150110974A1. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Mi-Ra An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210366721A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240240320A1. Автор: Yong-Suk Lee,Myung-Soo Huh,Suk-Won Jung,Mi-Ra An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Plasma processing method

Номер патента: US20040157447A1. Автор: Tomohiro Okumura,Mitsuo Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Plasma processing system and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240297025A1. Автор: Kota Seno,Fumiaki ARIYOSHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma processing apparatus utilizing a microwave window having a thinner inner area

Номер патента: US6091045A. Автор: Tomomi Murakami,Hiroshi Mabuchi,Katsuo Katayama,Toshihiro Hayami,Junya Tsuyuguchi,Hideo Ida,Naohiko Takeda. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20140238301A1. Автор: Shinya Akano. Владелец: Chugai Ro Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Image-based digital control of plasma processing

Номер патента: WO2022164661A1. Автор: Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-04.

Method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: IL167491A. Автор: Robert J Steger. Владелец: Robert J Steger. Дата публикации: 2009-08-03.

A method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: EP1540695B1. Автор: Robert J. Steger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2010-03-03.

A method and apparatus for the compensation of edge ring wear in a plasma processing chamber

Номер патента: EP1540695A2. Автор: Robert J. Steger. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2005-06-15.

Synchronized pulsing of plasma processing source and substrate bias

Номер патента: EP4231328A1. Автор: Kevin Fairbairn,Daniel Carter,Denis Shaw. Владелец: Aes Global Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Plasma processing apparatus and prediction method of the condition of plasma processing apparatus

Номер патента: US12080529B2. Автор: Masahiro Sumiya,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and method for solving parasitic plasma in plasma processing apparatus

Номер патента: US20240321554A1. Автор: CHEN CHEN,Dengzhi WANG,Fengming WANG,Qingyuan QU,Xueyong HE,Wangjun LI. Владелец: Suzhou Maizheng Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of surface plasma processing

Номер патента: RU2426608C2. Автор: МИХЕЛЬ Томас,Ойген ШЛИТТЕНХАРДТ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фёрдерунг Дер Ангевандтен Форшунг Э.Ф.. Дата публикации: 2011-08-20.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200303169A1. Автор: Hisanori Sakai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Wafer processing apparatus and wafer processing method using the same

Номер патента: US11990348B2. Автор: Sunggil Kang,Dongkyu Shin,Hoseop Choi,Sangjin AN,Chanyeong JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Diagnosis device, diagnosis method, plasma processing apparatus, and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20240213003A1. Автор: Kenji Tamaki,Shota Umeda,Masahiro Sumiya,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma generating apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US20110068004A1. Автор: Yuichi Shiina. Владелец: Ferrotec Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Plasma generating apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US8562800B2. Автор: Yuichi Shiina. Владелец: Ferrotec Corp. Дата публикации: 2013-10-22.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, program, and memory medium

Номер патента: EP4425529A2. Автор: Tadashi Inoue,Masaharu Tanabe,Atsushi Takeda,Tatsunori SATO,Kazunari Sekiya,Hiroshi Sasamoto,Nobuaki Tsuchiya. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of CVD plasma processing with a toroidal plasma processing apparatus

Номер патента: US09909215B2. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of producing processing condition of plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus

Номер патента: US09870901B2. Автор: Takashi Dokan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Plasma processing apparatus and method for monitoring plasma processing apparatus

Номер патента: US09666417B2. Автор: Atsushi Shoji,Masahiko Orimoto. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma processing apparatus and shower plate

Номер патента: US09663856B2. Автор: Shigeru Kasai,Taro Ikeda,Yutaka Fujino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US09570272B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Plasma-processing apparatus with upper electrode plate and method for performing plasma treatment process

Номер патента: US09431221B2. Автор: Chih-ching Cheng,Po-Ju Chen,Xiao-Meng Chen,Hsin-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Plasma processing systems including side coils and methods related to the plasma processing systems

Номер патента: US09336996B2. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Near-substrate supplemental plasma density generation with low bias voltage within inductively coupled plasma processing chamber

Номер патента: WO2018136121A1. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Yiting Zhang,Saravanapriyan Sriraman,Alex Paterson,Ying Wu,Zhongkui Tan. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-26.

Diagnosis apparatus, plasma processing apparatus and diagnosis method

Номер патента: US12040167B2. Автор: Kenji Tamaki,Masaki Ishiguro,Shota Umeda,Masahiro Sumiya. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Atmospheric plasma processing systems and methods for manufacture of microelectronic workpieces

Номер патента: US20180096827A1. Автор: Anton J. deVilliers,Mirko Vukovic,Brandon Byrns. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Methods for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber

Номер патента: US09928995B2. Автор: Andreas Fischer,Rajinder Dhindsa. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for cleaning plasma processing chamber and substrate

Номер патента: US09595448B2. Автор: Yu-Cheng Liu,Shih-Ping Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Plasma processing apparatus and plasma generation antenna

Номер патента: US09543123B2. Автор: Shigeru Kasai,Taro Ikeda,Tomohito Komatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process

Номер патента: US09455133B2. Автор: LIN Xu,Lee Chen,Kazuki Denpoh,Peter L G Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Electrode plate for plasma processing apparatus and method for regenerating electrode plate for plasma processing apparatus

Номер патента: US20200043707A1. Автор: Satoshi Nomura,Syuji Fujimori. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Method and apparatus for performing plasma process on particles

Номер патента: US20020148812A1. Автор: Naoki Tamitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12051566B2. Автор: Hitoshi Kato,Yuji Sawada,Hiroyuki Kikuchi,Shinji Asari. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Plasma processing device

Номер патента: US20220277932A1. Автор: Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190189403A1. Автор: Takashi Uemura,Junya Sasaki,Yasushi Sonoda,Tomoyoshi Ichimaru,Luke Joseph HIMBELE. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power

Номер патента: US11776789B2. Автор: Kartik Ramaswamy,James Rogers,Rajinder Dhindsa,Olivier Luere,Yue Guo,Leonid Dorf,Evgeny KAMENETSKIY,Linying CUI,Valentin N. Todorow,Daniel Sang BYUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Focus ring replacement method and plasma processing system

Номер патента: US20230282460A1. Автор: Shigeru Ishizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Focus ring replacement method and plasma processing system

Номер патента: US20230282461A1. Автор: Shigeru Ishizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Member for plasma processing device and plasma processing device provided with same

Номер патента: US12065727B2. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Guard aperture to control ion angular distribution in plasma processing

Номер патента: US20160093409A1. Автор: Ludovic Godet,Sang Ki Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-31.

Plasma processing apparatus and control method

Номер патента: US12068208B2. Автор: Taro Ikeda,Yuki Osada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Plasma processing apparatus and method of cleaning the apparatus

Номер патента: US20010001185A1. Автор: Hajime Murakami,Eiji Setoyama,Kouji Ishiguro,Hirofumi Seki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-05-17.

Focus ring replacement method and plasma processing system

Номер патента: US12094696B2. Автор: Shigeru Ishizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09941097B2. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Kazuki Denpoh,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Plasma processing apparatus and operating method of plasma processing apparatus

Номер патента: US09934946B2. Автор: Yohei Kawaguchi,Masahito Togami,Satomi Inoue,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Arrangement for plasma processing system control based on RF voltage

Номер патента: US09911577B2. Автор: John C. Valcore, JR.,Henry S. Povolny. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09899191B2. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Yohei Yamazawa,Kazuki Denpoh,Jun Yamawaku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Plasma processing apparatus and method for manufacturing electronic component

Номер патента: US09786472B2. Автор: Tetsuhiro Iwai,Shogo Okita,Syouzou Watanabe. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Arrangement for plasma processing system control based on RF voltage

Номер патента: US09455126B2. Автор: John C. Valcore, JR.,Henry S. Povolny. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Cleaning method of film layer in the plasma processing apparatus

Номер патента: US20240203708A1. Автор: Kazuhiro Ueda,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230065586A1. Автор: Nobuhiko Hori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus for monitoring a plasma process

Номер патента: US20230317439A1. Автор: Minsung Kim,Sungyeol KIM,Hosun Yoo,Taekjin Kim,Meehyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Capacitive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: US9038566B2. Автор: Shinji Himori,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Capacitive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: US8070911B2. Автор: Shinji Himori,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240331974A1. Автор: Norihiko Ikeda,Masaru Izawa,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12112925B2. Автор: Tomoyuki Tamura,Shigeru Shirayone,Masaki Ishiguro,Masahiro Sumiya,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

RF choke for gas delivery to an RF driven electrode in a plasma processing apparatus

Номер патента: US09761365B2. Автор: John M. White,Jozef Kudela,Carl A. Sorensen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Plasma processing apparatus and measurement method

Номер патента: US09658106B2. Автор: Kohei Yamashita,Hirokazu Ueda,Yuuki Kobayashi,Peter L. G. Ventzek. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface

Номер патента: US09449797B2. Автор: Harmeet Singh,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system

Номер патента: US09418859B2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Rajinder Dhindsa,Eric A. Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Plasma processing apparatus and method for using plasma processing apparatus

Номер патента: US20230167553A1. Автор: Tetsuhiro Iwai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Component for plasma processing apparatus and plasma processing apparatus

Номер патента: US11948779B2. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Capacitive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: US9412562B2. Автор: Shinji Himori,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Plasma processing apparatus, electrostatic attraction method, and electrostatic attraction program

Номер патента: US11764038B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Shoichiro Matsuyama,Naoki Tamaru. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Precleaning chamber and plasma processing apparatus

Номер патента: US20170330769A1. Автор: Peng Chen,Peijun Ding,Kui Xu,Mengxin Zhao,qing She,Guodong Bian. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Plasma processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US9237638B2. Автор: Osamu Morita,Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Wafer processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12051574B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Atsushi Sekiguchi,Soichiro Eto,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatus for ion energy analysis of plasma processes

Номер патента: US12136542B2. Автор: James Doyle,Tigran Poghosyan,Paul Scullin,David Gahan,J J Lennon. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Plasma processing chamber with a grounded electrode assembly

Номер патента: US09905402B2. Автор: Arnold Kholodenko,Anwar Husain. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Plasma processing apparatus and method

Номер патента: US09653334B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Atsushi Harikai,Mitsuru Hiroshima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for Producing Plasma Flow, Method for Plasma Processing, Apparatus for Producing Plasma, and Apparatus for Plasma Processing

Номер патента: US20130034668A1. Автор: Yoshifumi Noguchi,Keisuke Sagisaka. Владелец: Ferrotec Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Plasma processing method

Номер патента: US20200294777A1. Автор: Satomi Inoue,Masahiro Sumiya,Shigeru Nakamoto,Kosa Hirota,Nanako TAMARI,Koichi Nakaune. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Diamond like carbon layer formed by an electron beam plasma process

Номер патента: EP3475971A1. Автор: Yang Yang,Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Jie Zhou,Kartik Ramaswamy,Kenneth S. Collins,Steven Lane,James D. Carducci,Jingjing Liu,Gonzalo MONROY,Lucy Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-01.

Movable grounding arrangements in a plasma processing chamber and methods therefor

Номер патента: WO2013081844A2. Автор: Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov,Anthony de la Llera,Michael C. KELLOG. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-06.

Plasma processing apparatus and temperature control method

Номер патента: US20190376185A1. Автор: Koji Maruyama,Akihiro Yokota,Kazuki Moyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Apparatus for plasma processing on optical surfaces and methods of manufacturing and use thereof

Номер патента: WO2018045285A1. Автор: Mark Andrew Franklin,Addison Randolph CROCKETT. Владелец: Mark Andrew Franklin. Дата публикации: 2018-03-08.

Plasma processing apparatus and substrate support body

Номер патента: US20240266154A1. Автор: Shinya Ishikawa,Daiki HARIU,Haruka ENDO,Miyuki AOYAMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240290625A1. Автор: Masanori Hosoya,Mitsuhiro Iwano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Ignition method and plasma processing apparatus

Номер патента: US12080517B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Kazumasa Igarashi,Takeshi Ando. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240347325A1. Автор: Yuki Onodera,Takamitsu Takayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Plasma processing device

Номер патента: US09670584B2. Автор: Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Electron beam generator, plasma processing apparatus having the same and plasma processing method using the same

Номер патента: US11195696B2. Автор: Akira Koshiishi,Soonam Park,Dongkyu Shin,Kyuhee Han,Sangki NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-07.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210296090A1. Автор: Satoru Nakamura,Shinya Morikita,Fumiya TANIFUJI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130029492A1. Автор: Masaki Fujii,Tetsuo Ono,Yoshiharu Inoue,Masakazu Miyaji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20220122847A1. Автор: Yuzuru Sakai,Ryo Terashima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11817321B2. Автор: Yuzuru Sakai,Ryo Terashima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230386794A1. Автор: Satoru Nakamura,Shinya Morikita,Fumiya TANIFUJI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Determining an optimal ion energy for plasma processing of a dielectric substrate

Номер патента: EP4038656A1. Автор: Bastiaan Joannes Daniël VERMULST,Erik Lemmen,Qihao YU. Владелец: Prodrive Technologies Innovation Services BV. Дата публикации: 2022-08-10.

Determining an optimal ion energy for plasma processing of a dielectric substrate

Номер патента: WO2021064110A1. Автор: Bastiaan Joannes Daniël VERMULST,Erik Lemmen,Qihao YU. Владелец: PRODRIVE TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of cleaning stage in plasma processing apparatus, and the plasma processing apparatus

Номер патента: US12090529B2. Автор: Junichi Sasaki,Takamitsu Takayama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US10297489B2. Автор: Akihiro Itou,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Plasma processing methods and apparatus

Номер патента: WO1999026796A1. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Trusi Technologies, Llc. Дата публикации: 1999-06-03.

Plasma processing method, plasma processing apparatus, and control apparatus

Номер патента: US11901158B2. Автор: Takeshi Kobayashi,Hiroyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Plasma processing device, plasma processing method and method of manufacturing electronic devices

Номер патента: US20150118867A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20160225587A1. Автор: Masaki Fujii,Tetsuo Ono,Yoshiharu Inoue,Masakazu Miyaji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method and apparatus for plasma processing

Номер патента: US20150170880A1. Автор: Tetsuo Ono,Satoru Muto,Yasuo Ohgoshi,Hirofumi Eitoku. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230386787A1. Автор: Kiyoshi Maeda,Yasuhiko Saito,Atsutoshi Inokuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230420225A1. Автор: Shuhei Ogawa,Cedric THOMAS,Tejung HUANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma processing method, plasma processing apparatus, and control apparatus

Номер патента: US20210351010A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Hiroyuki Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200402805A1. Автор: Jun Abe,Kazunobu Fujiwara,Yusuke Aoki,Koichi Nagami,Shinya Morikita,Toshikatsu Tobana,Fumiya TAKATA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213002A1. Автор: Ikko Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20190096640A1. Автор: Noriyuki Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12068139B2. Автор: Shin Matsuura,Jun Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Microwave plasma source and plasma processing apparatus

Номер патента: US20160358757A1. Автор: Taro Ikeda,Tomohito Komatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Systems and methods for electrical and magnetic uniformity and skew tuning in plasma processing reactors

Номер патента: WO2016014442A1. Автор: HAITAO Wang,Jie Zhou,Chunlei Zhang,S. M. Reza Sadjadi,Tza-Jing Gung,Fernando M. SILVEIRA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-01-28.

Plasma processing apparatus, power system, control method, and storage medium

Номер патента: US20240347320A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of plasma processing using a pulsed electron beam

Номер патента: WO2021141651A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Ventzek. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-07-15.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09631274B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Shinji Komoto,Masahide Iwasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09574267B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Shinji Komoto,Masahide Iwasaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for processing a carrier, a method for operating a plasma processing chamber, and a method for processing a semiconductor wafer

Номер патента: US09543157B2. Автор: Michael Renner,Lothar Brencher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma processing method

Номер патента: US5858258A. Автор: Hiroshi Kojima,Izumi Arai,Yoshifumi Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20210375588A1. Автор: Satoru Kawakami,Masaki Hirayama,Taro Ikeda. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-12-02.

Plasma processing method and plasma processing system

Номер патента: US20240006188A1. Автор: Takahiro Yonezawa,Kenta Ono. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20150179408A1. Автор: Naotaka Noro,Kouji Shimomura,Eiichi Nishimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Plasma processing method

Номер патента: US11830758B2. Автор: Akihiro Itou,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Substrate processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220285169A1. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Plasma processing method

Номер патента: US20170178925A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230282447A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Takahiro Yonezawa,Koki Tanaka,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230360882A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Plasma processing method

Номер патента: US20120125890A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Takeshi Ohmori,Masamichi Sakaguchi,Yasuhiro Nishimori,Hiroaki Ishimura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Plasma processing method

Номер патента: US8486291B2. Автор: Hitoshi Kobayashi,Takeshi Ohmori,Masamichi Sakaguchi,Yasuhiro Nishimori,Hiroaki Ishimura. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220262631A1. Автор: Satoshi Itoh,Norifumi Kohama,Nathan Ip,Soudai EMORI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200035501A1. Автор: Masahiro Tabata,Sho Kumakura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Plasma processing system and plasma processing method

Номер патента: US20240170258A1. Автор: Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Plasma processing device, and plasma processing method

Номер патента: US12020900B2. Автор: Satoru Kawakami,Tsuyoshi Moriya,Hiroyuki Onoda,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo,Munehito Kagaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

A controller for a matching unit of a plasma processing system

Номер патента: US20220404785A1. Автор: Peter Daly,Paul Scullin,David Gahan,Jj Lennon,Ian OLIVIERI. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Plasma processing system

Номер патента: US20200219707A1. Автор: Woohyun Jeong. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Magnet holding structures for plasma processing applications

Номер патента: WO2022086709A1. Автор: Canfeng Lai,Andrew Nguyen,Kallol Bera,Sathya Swaroop GANTA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-04-28.

Etching method and plasma processing system

Номер патента: US20230402289A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA,Noriyoshi ARIMA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240203707A1. Автор: Seiwa NISHIO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma processing apparatus and substrate support of plasma processing apparatus

Номер патента: US11972933B2. Автор: Masahiro DOGOME. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Multi-zone heating apparatus, bottom electrode assembly, plasma processing apparatus, and temperature adjusting method

Номер патента: US12046458B2. Автор: Jie Du,Sha Rin. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200286737A1. Автор: Toshifumi Nagaiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Switchable matching network and an inductively coupled plasma processing apparatus having such network

Номер патента: US20200090908A1. Автор: Hiroshi Iizuka,Tuqiang Ni,Kui Zhao,Xiaobei Pang. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for manufacturing electrode plate for plasma processing device

Номер патента: US5961361A. Автор: Shosuke Endoh,Masaaki Mitsuno. Владелец: Tokai Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Plasma processing apparatus, and temperature control method

Номер патента: US12063717B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Adjustment method for filter unit and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200126772A1. Автор: Nozomu Nagashima,Ryuichi Yui. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Magnetic holding structures for plasma processing applications

Номер патента: US20240297059A1. Автор: Canfeng Lai,Andrew Nguyen,Kallol Bera,Sathya Swaroop GANTA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Component for plasma processing apparatus and method for manufacturing component for plasma processing apparatus

Номер патента: US09988702B2. Автор: Michio Sato,Takashi Hino,Masashi Nakatani. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers

Номер патента: US09728429B2. Автор: Saurabh Ullal,Anthony Ricci,Larry Martinez. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Plasma processing apparatus and method therefor

Номер патента: US09620336B2. Автор: Shogo Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Plasma processing equipment and gas distribution apparatus thereof

Номер патента: US09540732B2. Автор: Liqiang Yao. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US9685305B2. Автор: Koji Maruyama,Akira Koshiishi,Masato Horiguchi,Tetsuri Matsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20110092073A1. Автор: Takashi Hosono,Makoto Muto,Hideyuki Nitta,Takefumi Minato,Yoshihisa Kase. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Plasma processing method and plasma ashing apparatus

Номер патента: US11456183B2. Автор: Masahito Mori,Toru Ito,Tadamitsu Kanekiyo. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Plasma processing apparatus, data processing apparatus and data processing method

Номер патента: US20160336154A1. Автор: Seiichi Watanabe,Satomi Inoue,Shigeru Nakamoto,Kousuke Fukuchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11875978B2. Автор: Atsushi Sekiguchi,Miyako Matsui,Tatehito Usui,Shigeru Nakamoto,Tsubasa Okamoto,Naohiro Kawamoto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240120187A1. Автор: Sho Kumakura,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Plasma Processing Method and Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20230420223A1. Автор: Soya Todo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11862436B2. Автор: Toru Fujii,Kohei Otsuki,Yoshitomo Konta. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210159089A1. Автор: Maju TOMURA,Ryutaro Suda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11871503B2. Автор: Shinji Kubota,Chishio Koshimizu,Takashi Dokan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Plasma processing method

Номер патента: US20190326103A1. Автор: Takahiro Murakami,Muneyuki Omi,Dai Igarashi,Rei Ibuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200032395A1. Автор: Masanobu Honda,Yoshihide Kihara,Toru Hisamatsu,Shinya Ishikawa,Sho Kumakura,Michiko Nakaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Plasma processing method

Номер патента: US20140080311A1. Автор: Naoki Matsumoto,Masaru Sasaki,Jun Yoshikawa,Tetsuya Nishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US9941133B2. Автор: Tomoyuki Tamura,Shigeru Shirayone,Masaki Ishiguro,Masahiro Sumiya,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Plasma processing method and plasma ashing apparatus

Номер патента: US20200043744A1. Автор: Masahito Mori,Toru Ito,Tadamitsu Kanekiyo. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20080217295A1. Автор: Seiichi Watanabe,Akitaka Makino,Naoki Yasui,Susumu Tauchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20210142988A1. Автор: Hiroyuki Matsuura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20200227270A1. Автор: Masahito Mori,Hayato Watanabe,Takao Arase,Taku Iwase,Satoshi Terakura. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230377899A1. Автор: Takahiro Yonezawa,Tetsuya Nishizuka,Kenta Ono,Yusuke Takino. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200227241A1. Автор: Seiji Yokoyama,Shunichi Kawasaki,Taichi Okano,Sho Oikawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Plasma Processing Method and Plasma Processing System

Номер патента: US20230178343A1. Автор: Yoshihide Kihara,Kae Takahashi,Maju TOMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11862441B2. Автор: Sho Kumakura,Hironari SASAGAWA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11996268B2. Автор: Toshihiko Iwao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11688585B2. Автор: Hiroyuki Matsuura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20070235425A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Masayuki Kitamura,Kazuaki Nishimura,Masaki Hirayama,Shinsuke Oka,Takahiro Horiguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2007-10-11.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US7432468B2. Автор: Tadahiro Ohmi,Masayuki Kitamura,Kazuaki Nishimura,Masaki Hirayama,Shinsuke Oka,Takahiro Horiguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2008-10-07.

Plasma processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240194487A1. Автор: Yu Zhao,Makoto Satake. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20180190502A1. Автор: Tomoyuki Tamura,Shigeru Shirayone,Masaki Ishiguro,Masahiro Sumiya,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20190333772A1. Автор: Tomoyuki Tamura,Shigeru Shirayone,Masaki Ishiguro,Masahiro Sumiya,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US9165780B2. Автор: Akira Shimizu,Yu WAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20160358758A1. Автор: Toshihiko Iwao,Takahiro Hirano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20170092513A1. Автор: Toshiki Nakajima,Yoshihiro Umezawa,Yuki Hosaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Batch-type remote plasma processing apparatus

Номер патента: US09373499B2. Автор: Kazuyuki Toyoda,Yasuhiro Inokuchi,Motonari Takebayashi,Nobuo Ishimaru,Tadashi Kontani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-06-21.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US5849455A. Автор: Shigenori Ueda,Junichiro Hashizume,Shinji Tsuchida. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-12-15.

Plasma treatment process for in-situ chamber cleaning efficiency enhancement in plasma processing chamber

Номер патента: US10002745B2. Автор: LIN Zhang,Xuesong Lu,Andrew V. Le,Jang Seok Oh,Xinhai Han. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: CA1299773C. Автор: Hiroshi Nishimura,Seitaro Matsuo,Mikiho Kiuchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Plasma processing method

Номер патента: US11915951B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Tomoyuki Watanabe,Masaru Izawa,Satoshi Sakai,Naoyuki Kofuji,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Yutaka Kouzuma,Tatehito Usui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Plasma processing method

Номер патента: US20170278676A1. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240014006A1. Автор: Naoki Fujiwara,Takahiro Takeuchi,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Plasma processing method and plasma processing device

Номер патента: US20220199369A1. Автор: Mikio Sato,Nobuhiko Yamamoto,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20160293455A1. Автор: Tomohiro Okumura,Satoshi Suemasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20220020574A1. Автор: Masaki Hirayama. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2022-01-20.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240153742A1. Автор: Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11972925B2. Автор: Ken Kobayashi,Mitsunori Ohata,Bong seong Kim,Yoon Ho BAE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Broadband Plasma Processing Systems and Methods

Номер патента: US20210082667A1. Автор: Peter Ventzek,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US20240047239A1. Автор: Miyako Matsui,Tatehito Usui,Kenichi Kuwahara. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240222095A1. Автор: Takashi Yamamura,Yasutaka HAMA,Chunhsiang YANG. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20110088849A1. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Yusuke Fukuoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20150194291A1. Автор: Sang Ki Nam,Rajinder Dhindsa,Ryan Bise. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Heat transfer plate for a showerhead electrode assembly of a capacitively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US20160079041A1. Автор: Sang Ki Nam,Rajinder Dhindsa,Ryan Bise. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20210302841A1. Автор: Takahiro Kimura,Shohei Nakamura,Akira Horikoshi,Shigeru Takatsuji. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US12046453B2. Автор: Atsushi Kubo,Nobuhiko Yamamoto,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Bottom electrode assembly, plasma processing apparatus, and method of replacing focus ring

Номер патента: US12094693B2. Автор: Zengdi LIAN,Rason Zuo,Dee Wu,Jiangtao PEI. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Plasma processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US12106945B2. Автор: Takafumi Noguchi,SIQING Lu,Cheonkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

System, method, and program for predicting processing shape by plasma process

Номер патента: US09620338B2. Автор: Seiji Samukawa,Kohei Ono,Takuya Iwasaki. Владелец: Mizuho Information and Research Institute Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Heat transfer plate for a showerhead electrode assembly of a capacitively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09396910B2. Автор: Sang Ki Nam,Rajinder Dhindsa,Ryan Bise. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Detection method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240030012A1. Автор: Naoki Matsumoto,Satoru Nakamura,Yusuke Shimizu,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Resin surface hydrophilization method, plasma processing device, laminate body, and laminate body manufacturing methodresin surface hydrophilization method, plasma processing device, laminate body, an laminate body manufacturing method

Номер патента: US20230365769A1. Автор: Hiroyoshi Kubo,Haruo HASHIGUCHI. Владелец: Komiyama Electron Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220415628A1. Автор: Kazuhito Yamada,Masanori Takahashi,Shota Ezaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Plasma processing method

Номер патента: US20160300739A1. Автор: Tetsuhiro Iwai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Method and apparatus for realtime wafer potential measurement in a plasma processing chamber

Номер патента: WO2023096730A1. Автор: Yang Yang,Kartik Ramaswamy,Yue Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-01.

Plasma processing method

Номер патента: US9899241B2. Автор: Yasuhiro Nishimori,Shunsuke Kanazawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Plasma processing method

Номер патента: US9824864B2. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Plasma Processing Apparatus and Plasma Processing Method

Номер патента: US20120145323A1. Автор: Hitoshi Tamura,Seiichi Watanabe,Naoki Yasui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Plasma processing with independent temperature control

Номер патента: US11854770B2. Автор: WEI Liu,Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Plasma processing with independent temperature control

Номер патента: WO2022154968A1. Автор: WEI Liu,Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-21.

Plasma processing method, plasma processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US20210202276A1. Автор: Jin-Young Park,Chan-hoon Park,Je-woo Han,Jong-Woo Sun,Seung-Yoon Song,Jung-Mo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Plasma processing system and method of supporting plasma ignition

Номер патента: US11923174B2. Автор: Yuji Kitamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Plasma processing apparatus, wafer to wafer bonding system and wafer to wafer bonding method

Номер патента: US20240038536A1. Автор: Wooyoung Kim,Jiwon Moon,SeungDae SEOK,Yongin LEE,Donggap Shin,Bumki Moon,Siwoong Woo,Sehoon JANG,Inhwa Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230326718A1. Автор: Yoshimitsu Kon,Takenobu Ikeda,Hikoichiro Sasaki,Shirong GUO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

DC Bias in Plasma Process

Номер патента: US20190267211A1. Автор: Syun-Ming Jang,Jyu-Horng Shieh,Sheng-Liang Pan,Bing-Hung Chen,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Plasma processing method

Номер патента: US20170243765A1. Автор: Yasuhiro Nishimori,Shunsuke Kanazawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Plasma processing method

Номер патента: US20170278677A1. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Plasma processing apparatus and prediction method of the condition of plasma processing apparatus

Номер патента: US20190088455A1. Автор: Masahiro Sumiya,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Plasma processing apparatus and prediction method of the condition of plasma processing apparatus

Номер патента: US20210082673A1. Автор: Masahiro Sumiya,Yoshito Kamaji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Plasma processing with independent temperature control

Номер патента: US20240170263A1. Автор: WEI Liu,Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Plasma processing with independent temperature control

Номер патента: EP4278373A1. Автор: WEI Liu,Rene George,Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240213000A1. Автор: Masanobu Honda,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Kazuki Moyama,Satoru TERUUCHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing system

Номер патента: US12014909B2. Автор: Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Satomi Inoue,Shota Umeda,Ryoji ASAKURA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Plasma processing apparatus and method for manufacturing mounting stage

Номер патента: US12033886B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Akira Nagayama,Ryo Chiba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Restoring method for inner wall member of plasma processing apparatus

Номер патента: US20240240300A1. Автор: Taku Watanabe,Tadayoshi Kawaguchi,Shoichiro Mizunashi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Gas injection system for plasma processing

Номер патента: US6013155A. Автор: Michael Barnes,Brian McMillin,Huong Nguyen,Tom Ni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US7858155B2. Автор: Hiroyuki Ito,Tomohiro Okumura,Ichiro Nakayama,Bunji Mizuno,Yuichiro Sasaki,Cheng-Guo Jin,Katsumi Okashita,Satoshi Maeshima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20090229755A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Masaki Hirayama,Tetsuya Goto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Microwave Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20070283887A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Caizhong Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11923229B2. Автор: Yusuke Aoki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Plasma processing apparatus, plasma processing method, and dielectric window

Номер патента: US20230326716A1. Автор: Hiroshi Kaneko,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Plasma processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150371832A1. Автор: Yukinori Aburatani,Shin Hiyama,Hidehiro Yanai,Toshiya Shimada. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-12-24.

Plasma processing method, and element chip manufacturing method

Номер патента: US20210202207A1. Автор: Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Sensing of plasma process parameters

Номер патента: US20130056155A1. Автор: Donal O'Sullivan,Paul Scullin,David Gahan. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20160293469A1. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20160293456A1. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230420220A1. Автор: Kenta Doi,Toshiyuki Nakamura,Yasuhiro Morikawa,Taichi Suzuki. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma processing-apparatus processing object support platform, plasma processing apparatus, and plasma processing method

Номер патента: US20190096731A1. Автор: Hideo Eto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Plasma processing apparatus and plasma state estimation method

Номер патента: US20240030015A1. Автор: Eiki Kamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Structure and method for dealing with parasitic plasma in plasma processing device

Номер патента: EP4353865A1. Автор: CHEN CHEN,Dengzhi WANG,Fengming WANG,Qingyuan QU,Xueyong HE,Wangjun LI. Владелец: Suzhou Maizheng Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Plasma processing apparatus, impedance matching method, and plasma processing method

Номер патента: US20200203129A1. Автор: Shinji Kubota,Chishio Koshimizu,Takashi Dokan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Substrate processing method, method for manufacturing semiconducor device, and plasma processing apparatus

Номер патента: US11955316B2. Автор: Takayuki Katsunuma,Daisuke Nishide. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma sensing device, plasma monitoring system and method of controlling plasma processes

Номер патента: US20200083030A1. Автор: Won-Don JOO,Hun-Yong Park,Sang-Woo BAE,Seul-Gi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-12.

Measurement system, measurement method, and plasma processing device

Номер патента: US20230062662A1. Автор: Atsushi Kubo,Hidefumi Matsui,Ayuta Suzuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Plasma processing system and plasma processing method

Номер патента: US11107663B2. Автор: Kazuya Nagaseki,Kazuki Moyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11967485B2. Автор: Mikio Sato,Nobuhiko Yamamoto,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20160079043A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Makoto Nawata,Tomoyuki Tamura,Shigeru Shirayone,Masaki Ishiguro,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Microwave plasma processing apparatus

Номер патента: US7895971B2. Автор: Toshihisa Nozawa,Caizhong Tian. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Sensing of plasma process parameters

Номер патента: EP2561543A1. Автор: Donal O'Sullivan,Paul Scullin,David Gahan. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2013-02-27.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US9607874B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Makoto Nawata,Tomoyuki Tamura,Shigeru Shirayone,Masaki Ishiguro,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Plasma processing method

Номер патента: US20210066087A1. Автор: Takeshi Shima,Hayato Watanabe,Takeshi Shimada,Yusuke Nagamitsu. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Plasma processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US9324542B2. Автор: Takahiro Senda,Kazuki Takahashi,Naoki Matsumoto,Jun Yoshikawa,Kazuyuki Kato,Kenji Sudou,Yoshiyasu Sato,Naoki Mihara,Michitaka AITA,Yugo Tomita,Hitoshi Mizusugi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240194459A1. Автор: Masanobu Honda,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Kazuki Moyama,Satoru TERUUCHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

High-density plasma-processing tool with toroidal magnetic field

Номер патента: US5505780A. Автор: Satoshi Hamaguchi,Manoj Dalvie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-04-09.

Methods and apparatus for contamination control in plasma processing

Номер патента: US5387777A. Автор: Jyothi Singh,Albert R. Ellingboe,Kurt L. Haller,Gary S. Selwyn,John S. McKillop,Reid S. Bennett,George G. Gifford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-02-07.

Plasma process system and method

Номер патента: US5494522A. Автор: Susumu Tanaka,Satoru Kawakami,Shuji Moriya,Jun Yashiro,Masahiro Ogasawara,Yoshifumi Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1996-02-27.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US6076481A. Автор: Atsushi Yamagami,Satoshi Takaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Vacuum processing method

Номер патента: US11961719B2. Автор: Kazumasa Okuma,Takao Arase,Nozomu Yoshioka. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Plasma process monitoring device and plasma processing apparatus including the same

Номер патента: US11862442B2. Автор: Il Gu Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-02.

Plasma processing method

Номер патента: US11887814B2. Автор: Mamoru Yakushiji,Kenichi Kuwahara,Masaaki Taniyama. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Control method and plasma processing apparatus

Номер патента: US11887825B2. Автор: Mikio Sato,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Control method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210125814A1. Автор: Mikio Sato,Eiki Kamata,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Substrate processing method and substrate processing apparatus using the same

Номер патента: US20230260754A1. Автор: Yonggyu Han,DaeYoun Kim,KiChul Um,DooHan Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-17.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11830751B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Takashi Nishijima,Shoichiro Matsuyama,Jinyoung Park,Daiki Satoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US20230230809A1. Автор: Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of processing substrate, device manufacturing method, and plasma processing apparatus

Номер патента: US11081351B2. Автор: Satoru Nakamura,Yusuke Aoki,Shinya Morikita,Toshikatsu Tobana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-08-03.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20170298514A1. Автор: Toshihiko Iwao,Takaaki Kato,Takahiro Hirano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Plasma processing device member and plasma processing device provided with same

Номер патента: US11521835B2. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Plasma processing device member, plasma processing device comprising said plasma processing device member, and method for manufacturing plasma processing device member

Номер патента: US20210020415A1. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Toroidal Plasma Processing Apparatus with a Shaped Workpiece Holder

Номер патента: US20160340798A1. Автор: William Holber,Robert J. BASNETT. Владелец: PLASMABILITY LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Radio frequency electrode assembly for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus

Номер патента: US11875970B2. Автор: Jie Liang,Weina Wang,Leyi Tu,Longbao Chen. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20180122665A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Tomoyuki Watanabe,Masaru Izawa,Satoshi Sakai,Naoyuki Kofuji,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Yutaka Kouzuma,Tatehito Usui. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods and apparatus for correcting for non-uniformity in a plasma processing system

Номер патента: WO2013142173A1. Автор: Sang Ki Nam. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-26.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240018660A1. Автор: Hiroyuki Matsuura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Plasma processing method

Номер патента: US20220384148A1. Автор: Mamoru Yakushiji,Kenichi Kuwahara,Masaaki Taniyama. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of processing substrate, device manufacturing method, and plasma processing apparatus

Номер патента: US20210057212A1. Автор: Satoru Nakamura,Yusuke Aoki,Shinya Morikita,Toshikatsu Tobana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Plasma processing device and operation method

Номер патента: US20150235813A1. Автор: Hitoshi Kato,Takeshi Kobayashi,Jun Sato,Masato Yonezawa,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Plasma processing device and operation method

Номер патента: US9376751B2. Автор: Hitoshi Kato,Takeshi Kobayashi,Jun Sato,Masato Yonezawa,Shigehiro Miura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Forming method of component and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240234099A1. Автор: Kazuya Nagaseki,Michishige Saito,Shota Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same

Номер патента: US20200161157A1. Автор: SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Yongwoo Lee,Jaehak LEE,Youngjin Noh,Minyoung HUR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Inspection method of plasma processing apparatus

Номер патента: US12046456B2. Автор: Masahiro Nagatani,Yusuke TAKEGAWA,Kota Kakimoto. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations

Номер патента: US20200195216A1. Автор: George Thomas,Edward Augustyniak,Sunil Kapoor,Yaswanth Rangineni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations

Номер патента: US20190149119A1. Автор: George Thomas,Edward Augustyniak,Sunil Kapoor,Yaswanth Rangineni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations

Номер патента: US20220158604A1. Автор: George Thomas,Edward Augustyniak,Sunil Kapoor,Yaswanth Rangineni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations

Номер патента: US10622962B2. Автор: George Thomas,Edward Augustyniak,Sunil Kapoor,Yaswanth Rangineni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Lower electrode and plasma processing apparatus

Номер патента: US20150206722A1. Автор: Takashi Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20240297021A1. Автор: Yoshinori Yoshida,Yutaka Kouzuma,Kazuyuki Hirozane. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Plasma processing apparatus and system

Номер патента: US12087591B2. Автор: Kazuya Nagaseki,Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma processing apparatus and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190371635A1. Автор: Tomoya Oori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Substrate support and plasma processing apparatus

Номер патента: US20200365380A1. Автор: Takehiro Ueda,Jun Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Electrostatic chuck assembly for plasma processing apparatus

Номер патента: US12119254B2. Автор: Maolin Long,Weimin Zeng. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Substrate support and plasma processing apparatus

Номер патента: US20240339305A1. Автор: Hajime Tamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Electrostatic Chuck and Method of Operation for Plasma Processing

Номер патента: US20240355593A1. Автор: Melvin VERBAAS,Einosuke Tsuda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electrostatic chuck and method of operation for plasma processing

Номер патента: WO2024220139A1. Автор: Melvin VERBAAS,Einosuke Tsuda. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-10-24.

Chuck for plasma processing chamber

Номер патента: US12131890B2. Автор: Darrell EHRLICH,Ann Erickson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Plasma processing apparatus and upper electrode assembly

Номер патента: US09773647B2. Автор: Shin Matsuura,Jun Young Chung,Keita KAMBARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US09767993B2. Автор: Osamu Morita,Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Insulated dielectric window assembly of an inductively coupled plasma processing apparatus

Номер патента: US09437400B2. Автор: Brett C. Richardson,David Setton,Gautam Bhattacharyya. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US5439524A. Автор: John L. Cain,Michael P. Relue,Michael E. Costabile,William P. Marsh. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Microwave plasma processing device

Номер патента: EP3041324A1. Автор: Jaeho Kim,Hajime Sakakita. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-07-06.

Plasma processing system and apparatus and a sample processing method

Номер патента: US20040118517A1. Автор: Kazue Takahashi,Toshio Masuda,Hideyuki Yamamoto,Mitsuru Suehiro,Hiroshi Kanekiyo,Tatehito Usui,Hiromichi Enami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US6155201A. Автор: Takashi Ohtsuka,Hitoshi Murayama,Kazuyoshi Akiyama,Kazuto Hosoi,Toshiyasu Shirasuna,Ryuji Okamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

DC bias in plasma process

Номер патента: US11854766B2. Автор: Syun-Ming Jang,Jyu-Horng Shieh,Sheng-Liang Pan,Bing-Hung Chen,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Spark plasma sintered component for plasma processing chamber

Номер патента: US20230331633A1. Автор: LIN Xu,Harmeet Singh,Satish Srinivasan,Robin Koshy,Pankaj HAZARIKA. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US11908663B2. Автор: Taro Ikeda,Toshifumi KITAHARA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Plasma processing method

Номер патента: US20170207068A1. Автор: Koichi Nagami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US8513097B2. Автор: Tetsuhiro Iwai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20200402822A1. Автор: Tetsuhiro Iwai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Substrate processing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230420294A1. Автор: Takashi Matsumoto,Makoto Wada,Ryota IFUKU,Nobutake KABUKI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US20210043495A1. Автор: Daichi KAWASAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230245870A1. Автор: Satoru Kawakami,Hiroyuki Matsuura,Taro Ikeda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Plasma processing method

Номер патента: US11699573B2. Автор: Kazuya Nagaseki,Kazuki Moyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Device for adjusting position of chamber and plasma process chamber including the same for semiconductor manufacturing

Номер патента: US11955322B2. Автор: Wei-Chen Liao,Ming Che Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20150059980A1. Автор: Shogo Okita,Mitsuhiro Okune. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Plasma processing device member and plasma processing device provided with same

Номер патента: US20210118686A1. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma processing device member, plasma processing device comprising said plasma processing device member, and method for manufacturing plasma processing device member

Номер патента: US11715629B2. Автор: Shuichi Saito,Kazuhiro Ishikawa,Takashi Hino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power

Номер патента: US20240030002A1. Автор: Kartik Ramaswamy,James Rogers,Rajinder Dhindsa,Olivier Luere,Yue Guo,Leonid Dorf,Evgeny KAMENETSKIY,Linying CUI,Valentin N. Todorow,Daniel Sang BYUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power

Номер патента: US11848176B2. Автор: Kartik Ramaswamy,James Rogers,Rajinder Dhindsa,Olivier Luere,Yue Guo,Leonid Dorf,Evgeny KAMENETSKIY,Valentin N. Todorow,Daniel Sang BYUN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Systems and methods for determining residual compounds in plasma process

Номер патента: US20220093429A1. Автор: HUNG-WEN Chen,Jer-Shien Yang,I-Ling Kuo,Chen-Tai Chen,Jing-Ran LIN,Yu-Hsun CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US11978612B2. Автор: Norihiko Ikeda,Masaru Izawa,Isao Mori,Kazuya Yamada,Naoki Yasui. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

DC Bias in Plasma Process

Номер патента: US20240071722A1. Автор: Syun-Ming Jang,Jyu-Horng Shieh,Sheng-Liang Pan,Bing-Hung Chen,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

DC Bias in Plasma Process

Номер патента: US20220359158A1. Автор: Syun-Ming Jang,Jyu-Horng Shieh,Sheng-Liang Pan,Bing-Hung Chen,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Focus ring replacement method and plasma processing system

Номер патента: US11990323B2. Автор: Shigeru Ishizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Plasma processing device and plasma processing method

Номер патента: US20230056750A1. Автор: Takeshi Ishida,Katsutoshi Ishigami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Plasma processing apparatus and processing gas supply structure thereof

Номер патента: US20120090783A1. Автор: Hachishiro Iizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20220230852A1. Автор: Hitoshi Kato,Yuji Sawada,Hiroyuki Kikuchi,Shinji Asari. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Device for adjusting position of chamber and plasma process chamber including the same for semiconductor manufacturing

Номер патента: US20230386805A1. Автор: Wei-Chen Liao,Ming Che Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Plasma processing system, plasma processing apparatus, and etching method

Номер патента: US20240112918A1. Автор: Atsushi Takahashi,Noboru Saito,Shinya Ishikawa,Maju TOMURA,Satoshi Ohuchida,Yuta NAKANE. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for performing plasma process on particles

Номер патента: US6649076B2. Автор: Naoki Tamitani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Plasma processing device, plasma processing method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240096593A1. Автор: Toshiyuki Sasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Plasma processing apparatus and member of plasma processing chamber

Номер патента: US20190326101A1. Автор: Kazuhiro Ueda,Tomoyuki Tamura,Masahiro Sumiya,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust

Номер патента: US9793128B2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Plasma processing apparatus

Номер патента: EP2120254A2. Автор: Yukio Miyairi,Michio Takahashi,Masaaki Masuda. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US4812712A. Автор: Akira Okuda,Shinichi Mizuguchi,Hiromi Shima,Youichi Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-14.

Plasma processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240062991A1. Автор: Chishio Koshimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Ignition method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20220293394A1. Автор: Takeshi Kobayashi,Kazumasa Igarashi,Takeshi Ando. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Controlling etch rate drift and particles during plasma processing

Номер патента: US20180138016A1. Автор: Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US11798787B2. Автор: Naoki Fujiwara,Takahiro Takeuchi,Mitsunori Ohata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Temperature controlled plasma processing chamber component with zone dependent thermal efficiencies

Номер патента: US20110303641A1. Автор: Kallol Bera,Larry D. Elizaga,Chetan MAHADESWARASWAMY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Plasma processing apparatus and ceiling wall

Номер патента: US20230343561A1. Автор: Satoshi Itoh,Eiki Kamata,Taro Ikeda,Shigenori Ozaki,Soudai EMORI,Masashi Imanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20230282491A1. Автор: Ryoji Hamasaki,Masahito Mori,Toshiaki Nishida,Naoyuki Kofuji. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20230260766A1. Автор: Koichi Nagami,Natsumi TORII. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Substrate processing method

Номер патента: US11742211B2. Автор: Takahiro Kimura,Kenji Nakanishi,Akira Horikoshi,Yayoi TAKEICHI,Miyoshi Ueno,Shigeru Takatsuji,Takaaki Yanagida. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20240055232A1. Автор: Yuki Tanaka,Shintarou Nakatani,Takamasa ICHINO,Ryusuke EIJIMA. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus for ion energy analysis of plasma processes

Номер патента: US11908668B2. Автор: James Doyle,Tigran Poghosyan,Paul Scullin,David Gahan,Jj Lennon. Владелец: IMPEDANS LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20200378005A1. Автор: Hiroyuki Matsuura,Kiyotaka Ishibashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Substrate Placing Table, Plasma Processing Apparatus Provided With Same, And Plasma Processing Method

Номер патента: US20210265141A1. Автор: Yasuyuki Hayashi. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Plasma processing apparatus and storage medium

Номер патента: US20230268165A1. Автор: Yusuke Aoki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method and inspection method of interior member of plasma processing apparatus

Номер патента: US11987880B2. Автор: Masaru Kurihara,Kazuhiro Ueda,Tomoyuki Tamura,Kazuyuki Ikenaga. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and apparatus for monitoring plasma conditions in an etching plasma processing facility

Номер патента: WO2006101897A2. Автор: Jeffrey F. Roeder,James Welch,Frank DiMeo, Jr.,Jeffrey W. Neuner,Ing-Shin Chen,Philip S.H. Chen. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. Дата публикации: 2006-09-28.

Holding method of edge ring, plasma processing apparatus, and substrate processing system

Номер патента: US11984303B2. Автор: Gen Tamamushi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20230298898A1. Автор: Shingo Takahashi,Shogo Yamaya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Temperature controller, temperature measurer, and plasma processing apparatus including the same

Номер патента: US20190385813A1. Автор: Hak-Young Kim,Bi-Ah SHIN,Bo-Ra YOON,Jun-Ho IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Capacitive coupling plasma processing apparatus

Номер патента: US20120037315A1. Автор: Shinji Himori,Tatsuo Matsudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-16.

Plasma processing method and method for fabricating electronic component module using the same

Номер патента: EP1709674A1. Автор: Masaru Matsushita El.Ind.Co.Ltd. NONOMURA,Tatsuhiro Matsushita El. Ind. Co. MIZUKAMI. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-11.

Method for fabricating electronic component module using a plasma processing method

Номер патента: MY137638A. Автор: Masaru Nonomura,Tatsuhiro Mizukami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-27.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: US20050037629A1. Автор: Ichiro Nakayama,Yoshihiro Yanagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Plasma processing method

Номер патента: US09506154B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Plasma processing method

Номер патента: US20020173161A1. Автор: Kiyoshi Arita,Tetsuhiro Iwai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

Processing method of wafer

Номер патента: US20240312824A1. Автор: Masaru Nakamura. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Plasma processing method

Номер патента: US6723651B2. Автор: Kiyoshi Arita,Shoji Sakemi,Tetsuhiro Iwai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-20.

High frequency power source, plasma processing apparatus, inspection method for plasma processing apparatus, and plasma processing method

Номер патента: US20020113738A1. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Plasma processing method

Номер патента: US20240321583A1. Автор: Miyako Matsui,Kenichi Kuwahara. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Reactor for plasma processing of semiconductor structures

Номер патента: RU2670249C1. Автор: Владимир Борисович Павлов,Александр Кириллович Петров,Наталья Борисовна Гусева,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Александр Михайлович Никонов,Михаил Георгиевич Бирюков,Константин Викторович Вавилин,Елена Александровна Кралькина,Полина Алексеевна Неклюдова,Елена Владимировна Карпенкова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2018-10-19.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Wafer processing method and wafer processing apparatus

Номер патента: SG132691A1. Автор: Isamu Kawashima. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Image-based digital control of plasma processing

Номер патента: US12027426B2. Автор: Vladimir Nagorny. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Modifying work function of a metal film with a plasma process

Номер патента: US20180218911A1. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Houda Graoui,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods for etching metal films using plasma processing

Номер патента: US12057322B2. Автор: Qingyun Yang,Nathan P. Marchack,Devi Koty,Sebastian Ulrich Engelmann,Nicholas Joy. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Modification processing method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911596B2. Автор: Kazuaki Nishimura,Tamotsu Morimoto,Yusuke Muraki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: CA3197618A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Single crystal cathode materials using microwave plasma processing

Номер патента: EP4281215A1. Автор: Richard K. Holman,Adrian Pullen,John COLWELL,Gregory M. WROBEL. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of generating and using a plasma processing control program

Номер патента: EP1877878A1. Автор: Andrew Leonard Goodyear,Philip Douglas Rossbrook. Владелец: Oxford Instruments Plasma Technology Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Plasma processing apparatus and lamination system for secondary battery comprising same

Номер патента: EP4428972A1. Автор: Sang-kyun Lee,Yong-Tae Lee,Hun-Hyeong Lee,Man-Woong HAN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

De-chuck control method and control device for plasma processing apparatus

Номер патента: US09466519B2. Автор: Atsushi Kawabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification

Номер патента: WO2002062111A2. Автор: Jeffrey W. Carr. Владелец: Rapt Industries Inc.. Дата публикации: 2002-08-08.

High selective ratio and high and uniform plasma processing method and system

Номер патента: US20030183599A1. Автор: Toshio Hayashi,Masashi Kikuchi,Hitoshi Ikeda,Kiyoshi Kuwahara,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

High selective ratio and high and uniform plasma processing method and system

Номер патента: US20060124245A1. Автор: Toshio Hayashi,Masashi Kikuchi,Hitoshi Ikeda,Kiyoshi Kuwahara,Takaei Sasaki,Noriyuki Harashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

De-chuck control method and plasma processing apparatus

Номер патента: US09966291B2. Автор: Junichi Sasaki,Masaaki Miyagawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Plasma processing method

Номер патента: US9018075B2. Автор: Toru Ito,Hayato Watanabe,Hiroaki Ishimura,Akito Kouchi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Method for fabricating electronic component module using a plasma processing method

Номер патента: EP1709674B1. Автор: Masaru Matsushita El.Ind.Co.Ltd. NONOMURA,Tatsuhiro Matsushita El. Ind. Co. MIZUKAMI. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-05.

Method of adsorbing target object on mounting table and plasma processing apparatus

Номер патента: US09953854B2. Автор: Yasuharu Sasaki,Akihito FUSHIMI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Processing method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20190378730A1. Автор: Toru Hisamatsu,Masahiro Tabata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Plasma processing method

Номер патента: US20020090826A1. Автор: Kiyoshi Arita,Shoji Sakemi,Tetsuhiro Iwai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Plasma processing of lithium transition metal oxides for lithium ion batteries

Номер патента: EP3897963A1. Автор: Richard K. Holman,Kamal Hadidi,Gregory Wrobel. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

High temperature chuck for plasma processing systems

Номер патента: US09728437B2. Автор: Sultan Malik,Dmitry Lubomirsky,Satoru Kobayashi,Soonam Park,Tae Seung Cho,Shankar Venkataraman,Toan Q. Tran,Shambhu N. Roy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and device for porous body plasma processing

Номер патента: RU2402374C2. Автор: Коити КОНО,Котаро КИМИСИМА,Казуки КИСО. Владелец: Тонен Кемикал Корпорейшн. Дата публикации: 2010-10-27.

Automatic plasma processing device and heat treatment device for batch treatment of workpieces

Номер патента: US4550242A. Автор: Hisashi Nakane,Akira Uehara,Isamu Hijikata,Muneo Nakayama. Владелец: Tokyo Denshi Kagaku KK. Дата публикации: 1985-10-29.

Plasma oxidizing method, plasma processing apparatus, and storage medium

Номер патента: US20100015815A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuhiko Yamamoto,Junichi Kitagawa,Yoshiro Kabe,Hikaru Adachi,Toshihiko Shiozawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Plasma processing method

Номер патента: US9653321B2. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Cyclic plasma processing

Номер патента: US11961735B2. Автор: Alok Ranjan,Yun Han,Andrew Metz,Caitlin Philippi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods for etching metal films using plasma processing

Номер патента: WO2021080690A1. Автор: Qingyun Yang,Devi Koty,Nicholas Joy. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-04-29.

Cyclic plasma processing

Номер патента: WO2022256558A1. Автор: Alok Ranjan,Yun Han,Andrew Metz,Caitlin Philippi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Radical deactivation component, plasma processing apparatus using the same and radical deactivation method

Номер патента: US20190362939A1. Автор: Koji Yamagishi,Shinji Maekawa,Shota SASAKI,Daisuke Yoshikoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A9. Автор: Jisoo Kim,Bi-Ming Yen,Peter K Loewenhardt,Binet Worsham. Владелец: Binet Worsham. Дата публикации: 2005-11-24.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A2. Автор: Jisoo Kim,Peter K. Loewenhardt,Bi-Ming Yen,Binet Worsham. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2005-10-06.

Methods and apparatus for integrating and controlling a plasma processing system

Номер патента: US20120138085A1. Автор: Chung-Ho Huang,Cheng-Chieh Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-07.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US5759334A. Автор: Kenichi Kojima,Tokihiro Ayabe,Takehiko Senoo,Yukio Soejima,Kishichi Haga. Владелец: Plasma System Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: US20110168674A1. Автор: Takashi Satoh,Satoshi Mayumi,Shunsuke Kunugi,Takashi Umeoka. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Plasma processing apparatus and plasma processing method

Номер патента: US20010052319A1. Автор: Shigenori Sakamori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Plasma processing device

Номер патента: US4978412A. Автор: Makoto Aoki,Izumi Arai,Yoshifumi Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1990-12-18.

Manufacturing method of using hydrogen plasma processing on a semiconductor wafer

Номер патента: US9559141B2. Автор: Kotaro Horikoshi,Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces

Номер патента: WO2002060828A2. Автор: Jeffrey W. Carr. Владелец: Rapt Industries Inc.. Дата публикации: 2002-08-08.

Wafer chucking apparatus for plasma process

Номер патента: WO2009104842A1. Автор: Jeongtae Kim. Владелец: Tainics Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-08-27.

Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces

Номер патента: EP1363859A1. Автор: Jeffrey W. Carr. Владелец: RAPT Industries Inc. Дата публикации: 2003-11-26.

Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces

Номер патента: EP1363859A4. Автор: Jeffrey W Carr. Владелец: RAPT Industries Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

Atmospheric Pressure Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20120291706A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Kiyoshi Yasutake,Hiroaki Kakiuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Apparatus for plasma-processing flexible printed circuit boards

Номер патента: US20080308042A1. Автор: Chih-Yi Tu,Ze Long,Szu-Min Huang. Владелец: Foxconn Advanced Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Processing system and processing method for blocked microreactor

Номер патента: US11951450B2. Автор: Ziyi Zhang,Lichen RUI,Liangliang LIN. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-09.

Processing system and processing method for blocked microreactor

Номер патента: US20230134983A1. Автор: Ziyi Zhang,Lichen RUI,Liangliang LIN. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Plasma processing apparatus for powder and plasma processing method for powder

Номер патента: CA2488137C. Автор: Eiji Hirakawa,Gang Han,Shujiroh Uesaka. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Method and device for plasma processing of material

Номер патента: GB2271124A. Автор: Pavel Pavlovich Kulik,Oleg Vyacheslavovich Sinyagin,Iskander Malikovich Tokmulin,Vyacheslav Gennadie Shamshurin,Vladimir Valentinovic Zakharov,Nikolai Vasilievich Ermokhin. Владелец: OPA. Дата публикации: 1994-04-06.

Combiner and distributor for adjusting impedances or power across multiple plasma processing stations

Номер патента: US12143087B2. Автор: George Thomas,Edward Augustyniak,Sunil Kapoor,Yaswanth Rangineni. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for reducing the amount of perfluorocompound gas contained in exhaust emissions from plasma processing

Номер патента: EP1124622A1. Автор: Calvin Todd Gabriel. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-22.

Method for plasma processing of metal products

Номер патента: RU2754915C1. Автор: Юрий Дмитриевич Щицын,Владислав Юрьевич Щицын,Сергей Дмитриевич Неулыбин,Роман Германович Никулин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2021-09-08.

Automated reverse action device for plasma processing of shoe preparations

Номер патента: RU2628988C1. Автор: Сергей Петрович Александров,Татьяна Владимировна Жуковская,Андрей Владимирович Шестов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет технологий и управления имени К.Г. Разумовского (Первый казачий университет" (ФГБОУ ВО "МГУТУ им. К.Г. Разумовского (ПКУ)"). Дата публикации: 2017-08-23.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: EP1282908A2. Автор: Michael Lee Fraim,Rick B. Spielman,Robert R. Schiewe. Владелец: Essox Research and Development Inc. Дата публикации: 2003-02-12.

Plasma processing method and apparatus

Номер патента: CA2409747A1. Автор: Michael Lee Fraim,Rick B. Spielman,Robert R. Schiewe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: CA3212927A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: AU2022252181A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: WO2022212192A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Plasma processing system and method

Номер патента: WO2004048942A1. Автор: Andrej S. Mitrovic. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2004-06-10.

Spatially resolved optical emission spectroscopy (OES) in plasma processing

Номер патента: US09970818B2. Автор: Zheng Yan,Yan Chen,Hanyou Chu,Junwei Bao,Holger Tuitje,Ching-Ling Meng,Mihail Mihaylov,Haixing Zou. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for determining cable length for plasma processing equipment

Номер патента: US20230194585A1. Автор: Ji Hyun Kim,Ja Myung GU,Tae Hoon JO,Hyo Seong SEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Mobile complex for gas plasma processing of metal

Номер патента: RU2677039C1. Автор: Андрей Александрович Колесников,Станислав Владимирович Адаменко,Евгений Александрович Дасис,Руслан Леонидович Губар. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Ухта". Дата публикации: 2019-01-15.

Plasma Processing Apparatus and Method for Venting the Same to Atmosphere

Номер патента: US20090183683A1. Автор: Kenji Maeda,Hiroyuki Kobayashi,Kenetsu Yokogawa,Masaru Izawa. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Method and apparatus for monitoring plasma processing operations

Номер патента: US6132577A. Автор: Michael Lane Smith, Jr.,Joel O'Don Stevenson,Pamela Peardon Denise Ward. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Plasma process and equipment to remove residual hydrocarbons from oil storage tank and/or to process hydrocarbon-containing waste

Номер патента: RU2308997C2. Автор: Фернандо Карвало АЛЬМЕЙДА. Владелец: ТСЛ-Энгеньярия Манутенсан э Презервасан Амбиентал ЛТДА.. Дата публикации: 2007-10-27.

Method & apparatus for monitoring plasma processing operations

Номер патента: US20030024810A1. Автор: Michael Smith,Pamela Ward,Joel Stevenson. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Processing of waste using a plasma processing unit

Номер патента: WO2009156761A3. Автор: Leonid Rusnac. Владелец: Horizon Ventures Limited. Дата публикации: 2010-04-01.

Method of plasma processing of metal products

Номер патента: RU2686505C1. Автор: Юрий Дмитриевич Щицын,Владислав Юрьевич Щицын,Сергей Дмитриевич Неулыбин,Дмитрий Николаевич Трушников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2019-04-29.

Plasma processing apparatus

Номер патента: US20160194817A1. Автор: Songying Mo,Qiming ZHENG,Wui Yin HO. Владелец: Hong Kong Research Institute of Textiles and Apparel Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Plasma process and device for extraction of precious metals

Номер патента: RU2515843C2. Автор: Дэвид ДИГАН,Тим ДЖОНСОН. Владелец: Тетроникс (Интернэшнл) Лимитед. Дата публикации: 2014-05-20.

Microwave plasma processing of spheroidized copper or other metallic powders

Номер патента: EP4313447A1. Автор: Sunil Bhalchandra Badwe. Владелец: 6K Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Spatially resolved optical emission spectroscopy (oes) in plasma processing

Номер патента: US20170314991A1. Автор: Yan Chen,Holger Tuitje,Ching-Ling Meng,Mihail Mihaylov. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

METHODS AND APPARATUS FOR RADIO FREQUENCY (RF) PLASMA PROCESSING

Номер патента: US20120000888A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120000886A1. Автор: NISHINO Masaru,HONDA Masanobu,Kubota Kazuhiro,Ooya Yoshinobu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CONSUMABLE ISOLATION RING FOR MOVABLE SUBSTRATE SUPPORT ASSEMBLY OF A PLASMA PROCESSING CHAMBER

Номер патента: US20120000605A1. Автор: Dhindsa Rajinder,Kellogg Michael C.,Marakhtanov Alexei. Владелец: Lam Research Corporation.. Дата публикации: 2012-01-05.

C-SHAPED CONFINEMENT RING FOR A PLASMA PROCESSING CHAMBER

Номер патента: US20120000608A1. Автор: Dhindsa Rajinder,Kellogg Michael C.,Marakhtanov Alexei. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Microwave Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20120000610A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Plasma Processing Apparatus

Номер патента: US20120000774A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE SUPPORT TABLE OF PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20120002345A1. Автор: . Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOVABLE GROUND RING FOR A PLASMA PROCESSING CHAMBER

Номер патента: US20120003836A1. Автор: . Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MASS FLOW CONTROL SYSTEM, PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND FLOW CONTROL METHOD

Номер патента: US20120000607A1. Автор: ETO Hideo,Ito Atsushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for replacement of plasmatron for installation for plasma processing of wastes

Номер патента: RU2579037C1. Автор: Алексей Александрович Кудринский,Александр Васильевич Переславцев,Сергей Сергеевич ТРЕСВЯТСКИЙ,Сергей Александрович Вощинин,Владимир Степанович Горохов. Владелец: Сергей Александрович Вощинин. Дата публикации: 2016-03-27.

Method and device for ball plasma processing

Номер патента: RU2401310C1. Автор: Магомед-Эмин Хасаевич Исакаев,Александр Семенович Тюфтяев,Александр Эммануилович Яблонский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Современные плазменные технологии". Дата публикации: 2010-10-10.

Unit for ion-ray and plasma processing

Номер патента: RU2496913C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Василий Андреевич Гонтюрев,Марина Константиновна Смыслова,Вячеслав Юрьевич Гордеев,Игорь Борисович Степанов,Александр Ильич Рябчиков,Юрий Михаилович Дыбленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предприятие "Уралавиаспецтехнология". Дата публикации: 2013-10-27.

Computer-aided feed-through device for plasma processing of upper blanks

Номер патента: RU2556166C2. Автор: Сергей Петрович Александров,Ирина Петровна Бердникова,Ильдар Шаукатович Абдулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет технологий и управления" им. К.Г. Разумовского. Дата публикации: 2015-07-10.

A multi-electrode source assembly for plasma processing

Номер патента: WO2024226135A1. Автор: James Rogers,Rajinder Dhindsa,Linying CUI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Microwave plasma processing device

Номер патента: RU2539872C1. Автор: Петр Павлович Мальцев,Юрий Владимирович Федоров,Виталий Васильевич Аристов,Сергей Викторович Редькин,Алевтина Александровна Реппа. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2015-01-27.

Complex ion-plasma processing unit

Номер патента: RU2453629C2. Автор: Александр Викторович Кабанов,Сергей Николаевич Григорьев,Леонид Павлович Саблев,Анатолий Афанасьевич Андреев,Александр Петрович Горовой,Алексей Анатольевич Вислагузов. Владелец: Российская Федерация, в лице Министерства промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2012-06-20.

Method of plasma processing of incombustible materials

Номер патента: RU2418662C1. Автор: Александр Юрьевич Семенов,Юрий Михайлович Агриков. Владелец: Юрий Михайлович Агриков. Дата публикации: 2011-05-20.

Method of electrolite-plasma processing of metal surface

Номер патента: RU2537346C1. Автор: Дмитрий Ефимович Капуткин,Валентин Николаевич Дураджи,Андрей Юрьевич Дураджи. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-01-10.

COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM HAVING INFORMATION PROCESSING PROGRAM STORED THEREIN, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING SYSTEM, AND INFORMATION PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120001944A1. Автор: SAKURAI Masahiro,Machino Taichi,Ikeda Teppei. Владелец: NINTENDO CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROSCOPE CONTROL DEVICE, IMAGE MANAGEMENT SERVER, IMAGE PROCESSING METHOD, PROGRAM, AND IMAGE MANAGEMENT SYSTEM

Номер патента: US20120002033A1. Автор: Yamane Kenji,Kajimoto Masato,Wakita Yoshihiro,Tagami Naoki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE-PROCESSING DEVICE AND IMAGE-PROCESSING METHOD, IMAGE-PICKUP DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002849A1. Автор: Tokuse Akira. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM HAVING INFORMATION PROCESSING PROGRAM STORED THEREIN, INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING SYSTEM, AND INFORMATION PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120004017A1. Автор: . Владелец: NINTENDO CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for electrolytic-plasma processing of surface of parts from low-carbon steels with increased chromium content

Номер патента: RU2555312C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Сергей Артемович Мубояджян,Сергей Александрович Будиновский,Светлана Владимировна Попова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of producing steel nanostructured surface by laser-induced plasma processing

Номер патента: RU2447012C1. Автор: Виталий Валентинович Плихунов,Владимир Викторович Блинков,Александр Сергеевич Гаврилов,Дмитрий Иванович Кондратюк,Илья Семенович Шлесберг. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-04-10.

INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20120001733A1. Автор: Kousaka Satoshi,Abeno Takashi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Ion-plasma processing unit

Номер патента: RU2538708C2. Автор: Михаил Николаевич Михайлов,Сергей Григорьевич Псахье,Людмила Леонидовна Мейснер,Олег Александрович Кашин,Александр Иванович Лотков,Геннадий Ефимович Ремнев,Виктор Никифорович Легостаев,Егор Александрович Смолянский,Александр Лукьянович Лаук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.