Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of dicing thin semiconductor substrates

Номер патента: US20160013105A1
Опубликовано: 14-01-2016
Автор(ы): Guido Martinus Henricus Knippels, Juergen Roland BETZ, Karel Maykel Richard Van Der Stam, Mark Christian MUELLER
Принадлежит: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method and apparatus for scribing a substantially planar semiconductor substrate with on-the-fly control of scribing alignment

Номер патента: US09592574B2. Автор: Guido Martinus Henricus Knippels,Hans Peter Chall,Ivo Libertus Adrianus Maria Pullens,Garrit Willem Ubink. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of separating the main part of a semiconductor substrate from the functional layer built on it

Номер патента: US20180158720A1. Автор: Bing Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of manufacturing semiconductor chip including dicing substrate

Номер патента: US20240021477A1. Автор: Mingyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a doped region in a semiconductor substrate

Номер патента: US6013566A. Автор: Randhir P. S. Thakur,Howard E. Rhodes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-11.

Method of producing an epitaxial layer on a semiconductor substrate

Номер патента: EP1825503B1. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Hendrik G. A. Huizing. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-08-22.

Defect removal device, defect removal method, pattern forming method, and method of manufacturing electronic device

Номер патента: US20230395366A1. Автор: Ryo Saito,Masahiro Yoshidome,Akihiko Ohtsu,Yukihisa KAWADA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of dicing wafer

Номер патента: US20220172993A1. Автор: Min Gyu Kang,Jung Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of dicing wafer forming modified layer in chucked wafer

Номер патента: US12107009B2. Автор: Min Gyu Kang,Jung Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of conditioning vacuum chamber of semiconductor substrate processing apparatus

Номер патента: US09548188B2. Автор: Dennis Michael Hausmann. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device having aluminum diffused semiconductor substrate

Номер патента: US4351677A. Автор: Yasuhiro Mochizuki,Hiroaki Hachino,Yoko Wakui. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-09-28.

Semiconductor device with silicide structures surrounding epitaxial structures and method of making the same

Номер патента: US20230268422A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: US09570592B2. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method Of Forming Split Gate Memory Cells With 5 Volt Logic Devices

Номер патента: US20160359024A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods of etching trenches into silicon of a semiconductor substrate

Номер патента: US09524875B2. Автор: Krupakar M. Subramanian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of filling a trench formed in a semiconductor substrate

Номер патента: US20240096620A1. Автор: Bilel SAIDI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor processing methods of forming field oxidation regions on a semiconductor substrate

Номер патента: US5670412A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-09-23.

Method of forming an isolation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US5834359A. Автор: Erik S. Jeng,Fu-Liang Yang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor processing method of forming field oxide regions on a semiconductor substrate

Номер патента: US5909629A. Автор: Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of manufacturing a trench structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US6107158A. Автор: Jie Zheng,Calvin Todd Gabriel,Suzanne Monsees. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Method of forming an isolation trench in a semiconductor substrate

Номер патента: US4390393A. Автор: Mario Ghezzo,Bruce F. Griffing. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1983-06-28.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing substrate for liquid ejection head

Номер патента: US20190263123A1. Автор: Koji Sasaki,Kouji Hasegawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09735168B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for obtaining a resistive mask on a semiconductor substrate for the formation of micro- and nanostructures

Номер патента: RU2761773C1. Автор: Иван Николаевич Храпач,Александра Викторовна Кулакова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2021-12-13.

Nanocrystal memory with differential energy bands and method of formation

Номер патента: US20100155824A1. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060027863A1. Автор: Ryuu Saitou,Naoki Kumagai,Yoshihiro Ikura,Hiroshi Kanemaru,Yuuichi Harada. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060226505A1. Автор: Yoo-Cheol Shin,Jung-Dal Dhoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20100170531A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Neil Joseph Greeley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-08.

Methods of Removing Particles from Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20150128992A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Joseph Neil Greeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Methods Of Removing Particles From Over Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120266913A1. Автор: Wayne Huang,Dan Millward,Neil Joseph Greeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220059680A1. Автор: Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190088493A1. Автор: Watanabe Shinya,TAIRA Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US20160252571A1. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20150249016A1. Автор: Yoshie Kimura,Harmeet Singh,Yifeng Zhou,Meihua Shen,Baosuo Zhou,John Hoang,Monica TITUS,Gowri Kamarthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Out-of-plane deformable semiconductor substrate, method of making an out-of-plane deformable semiconductor substrate, and an in-plane and out-of-plane deformable semiconductor substrate

Номер патента: US20190371596A1. Автор: Muhammad Mustafa Hussain,Adrian Cesar Cavazos Sepulveda. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2019-12-05.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Methods of inserting or removing a species from a semiconductor substrate

Номер патента: EP1856722A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman,Joshua T. Cook,Daniel Jr. Alvarez. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2007-11-21.

Method of manufacturing silicon on insulator substrate

Номер патента: US20170278741A1. Автор: Tetsuya Yamada,Shinjirou Uchida,Masamitsu Fukuda,Hiromichi Kinpara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7651933B2. Автор: Guee-Hwang SIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Semiconductor Device Made by the Method of Producing Hybrid Orientnation (100) Strained Silicon with (110) Silicon

Номер патента: US20080303027A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Methods of sputtering a protective coating on a semiconductor substrate

Номер патента: TW200620420A. Автор: Peter Loewenhardt,Bi-Ming Yen,Ji-soo Kim,Jong Shon. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2006-06-16.

Methods of sputtering a protective coating on a semiconductor substrate

Номер патента: SG121183A1. Автор: Peter Loewenhardt,Jisoo Kim,Bi Ming Yen,Jong Shon. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5106782A. Автор: Tadashi Matsuno,Hideki Shibata,Kazuhiko Hashimoto,Hisayo Momose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Manufacturing method of semiconductor structure, semiconductor structure, transistor, and memory

Номер патента: US20220231146A1. Автор: Xiaobo Mei. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US5019891A. Автор: Tatsuo Itagaki,Shinichi Fukada,Kunio Miyazaki,Jin Onuki,Yasushi Koubuchi,Katuhiko Shiota,Genji Taki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-28.

Method of forming a contact hole in a semiconductor substrate using oxide spacers on the sidewalls of the contact hole

Номер патента: US6221714B1. Автор: Soon-Kyou Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-04-24.

Method of obtaining a self-supported thin semiconductor layer for electronic circuits

Номер патента: US20040175902A1. Автор: Bruno Ghyselen,Olivier Rayssac,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2004-09-09.

Methods of forming dual-damascene interconnect structures on semiconductor substrates using multiple planarization layers having different porosity characteristics

Номер патента: US20070184649A1. Автор: Sun Kim,Kyoung-Woo Lee,Ja-hum Ku,Ki-Chul Park,Seung-Man Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Impurity introducing method, impurity introducing apparatus, and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09659774B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of producing epitaxial substrate for solid-state imaging device, and method of producing solid-state imaging device

Номер патента: US20100311199A1. Автор: Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09954053B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190181008A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220351973A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US20170110409A1. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US09659874B2. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of manufacturing semiconductor chips

Номер патента: US20120115307A1. Автор: Tae Gyeong Chung,Sang Wook Park,Ho Geon Song,Won Chul Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Transistor and method of making the same

Номер патента: US20020061624A1. Автор: John Moore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Transistor and method of making the same

Номер патента: US20020053693A1. Автор: John Moore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Transistor and method of making the same

Номер патента: US20030153166A1. Автор: John Moore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of forming silicon dioxide film on surface of silicon substrate, method of forming oxide film on surface of semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200402797A. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Japan Science & Tech Corp. Дата публикации: 2004-02-16.

A method of manufacturing a semiconductor substrate and methods of manufacturing semiconductor devices integrated into a semiconductor substrate

Номер патента: DE102013110126A1. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of doping gate electrodes discretely with either P-type or N-type impurities to form discrete semiconductor regions

Номер патента: US5328864A. Автор: Satoshi Kudo,Keiichi Yoshizumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-07-12.

Method of forming oxide film on surface of semiconductor substrate

Номер патента: KR100202003B1. Автор: 타카시 나무라,켄지 요네다,히카루 코바야시. Владелец: 히카루 코바야시. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of producing integrated semiconductor components on a semiconductor substrate

Номер патента: US7226849B2. Автор: Gareth Parry,Timothy Simon Jones,Paul Nicholas Stavrinou. Владелец: EPIIC Ltd. Дата публикации: 2007-06-05.

Method of forming oxide film on semiconductor and semiconductor substrate surface

Номер патента: KR970013100A. Автор: 켄지 요네다,히카루 코바야시. Владелец: 스기야마 히로타카. Дата публикации: 1997-03-29.

Method of producing integrated semiconductor components on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2003049160A2. Автор: Gareth Parry,Timothy Simon Jones,Paul Nicholas Stavrinou. Владелец: Epiic Limited. Дата публикации: 2003-06-12.

An apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor substrates

Номер патента: WO2007024332A3. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Accent Optical Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Diode structures of stacked devices and methods of forming the same

Номер патента: US12094869B2. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020197782A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing thereof, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11201218B2. Автор: Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-14.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

MOS transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139875A1. Автор: Hak-Dong Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US20060038200A1. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190385852A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Annealing apparatus, annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US7122448B2. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-17.

Method of forming cavity based on deep trench erosion

Номер патента: US20200243342A1. Автор: Changfeng Xia,Xinwei Zhang,Guoping ZHOU,Jiale SU. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282845A1. Автор: Kota OHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same

Номер патента: US20090256146A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-10-15.

A semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same

Номер патента: WO2005064662A3. Автор: Bartlomiej J Pawlak. Владелец: Bartlomiej J Pawlak. Дата публикации: 2005-10-27.

Transistors having reinforcement layer patterns and methods of forming the same

Номер патента: US7307274B2. Автор: UENO Tetsuji,Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Substrate grinding tool and methods of operation

Номер патента: US20240332026A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Chung-Yi Yu,Cheng-Yuan Tsai,Chi-Fan Chen,Chun-Kai Lan,Zhen Yu GUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making

Номер патента: US09738975B2. Автор: Nick Ray Linebarger, JR.,Troy Alan Gomm. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of controlling operation of a metal-insulator-semiconductor membrane capacitor structure

Номер патента: RU2706197C1. Автор: Алексей Николаевич Михайлов,Алексей Иванович Белов,Александр Николаевич Шарапов,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Станислав Викторович Тихов,Мария Евгеньевна Шенина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-11-14.

Method of Manufacturing a Trench Oxide in a Trench for a Gate Structure in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20200212203A1. Автор: Moriz Jelinek,Michael Stadtmueller,Kang Nan Khor,Armin Schieber,Wei-Lin Sun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing a trench oxide in a trench for a gate structure in a semiconductor substrate

Номер патента: EP3675179A8. Автор: Moriz Jelinek,Michael Stadtmueller,Kang Nan Khor,Armin Schieber,Wei-Lin Sun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-12.

Wafer, Fabricating Method Of The Same, And Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120056304A1. Автор: Young-soo Park,Joon-Young Choi,Sam-Jong Choi,Tae-Hyoung Koo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-08.

Substrate polishing apparatus and method of polishing substrate

Номер патента: US20240261930A1. Автор: Yejin Choi,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating semiconductor strucutre

Номер патента: US20200098583A1. Автор: Jr-Sheng Chen,Chih-Hsien Hsu,Chin-Han Meng,An-Chi Li,Lin-Ching Huang,Yu-Pei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978645B2. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Shielding device for substrate edge protection and method of using same

Номер патента: US09659677B2. Автор: William T. Weaver,Timothy J. Miller,Charles T. Carlson,Aaron P. Webb,James D. Strassner. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of cleaning and drying semiconductor substrate

Номер патента: US20180315594A1. Автор: Osamu Watanabe,Tsutomu Ogihara,Takeshi Nagata,Naoki Kobayashi,Daisuke Kori. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of Introducing Strain Into Channel and Device Manufactured by Using the Method

Номер патента: US20120181634A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of forming a silicon oxide layer using pulsed nitrogen plasma implantation

Номер патента: US20020127882A1. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960250B2. Автор: Young-Chul Kim,Bong-Yong Lee,Kyu-Hyun Lee,Young-Chul Choi,Kyeong-Seok Park. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing junction field effect transistor

Номер патента: US09627433B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09627210B2. Автор: Yu-Chun Chen,Chang-Tzu Wang,Tien-Hao Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09496264B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Method of forming a semiconductor component

Номер патента: US20030129778A1. Автор: Roland Munzner,Georg Bastian. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20130049066A1. Автор: Yuan-Hsiang Chang,Sung-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200135847A1. Автор: Akira KIYOI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Circuit arrangement and method of forming a circuit arrangement

Номер патента: US09627502B2. Автор: Detlef Wilhelm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Circuit arrangement and method of forming a circuit arrangement

Номер патента: US09431551B2. Автор: Detlef Wilhelm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964464B2. Автор: Takashi Sakuma. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

DEPFET transistor and method of manufacturing a DEPFET transistor

Номер патента: US12046674B2. Автор: Rainer Richter,Peter Lechner,Alexander Bahr,Florian Schopper,Johannes Treis,Jelena NINKOVIC. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-07-23.

Depfet transistor and method of manufacturing a depfet transistor

Номер патента: US20220278233A1. Автор: Rainer Richter,Peter Lechner,Alexander Bahr,Florian Schopper,Johannes Treis,Jelena NINKOVIC. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190214462A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Akio Yamano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Methods of forming doped and un-doped strained semiconductor and semiconductor films by gas-cluster ion irradiation

Номер патента: EP1723667A2. Автор: John O. Epion Corporation BORLAND,John J. Epion Corporation HAUTALA,Wesley J. Epion Corporation SKINNER,Martin D. Epion Corporation TABAT. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190206860A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US20230411227A1. Автор: Ming-Che Lee,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu,Sheng-Chau Chen,Che Wei Yang,Hau-Yi Hsiao,I-Nan. CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with suppressed decrease in breakdown voltage of an insulation film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09871098B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090197378A1. Автор: Satoru Shimada,Seiji Otake,Yasuhiro Takeda. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-06.

Method of forming ultra shallow junctions

Номер патента: MY130338A. Автор: Narayanan Meyyappan. Владелец: SilTerra Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2007-06-29.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Wafer and manufacturing method of wafer

Номер патента: US20230011749A1. Автор: Han-Zong Wu,Chenghan Tsao. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing laminate and kit of adhesive compositions

Номер патента: US20240352281A1. Автор: Yuki Usui,Tetsuya Shinjo,Takahisa OKUNO. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates, and methods of manufacturing the devices

Номер патента: US20150111354A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of manufacturing laminate and kit of adhesive compositions

Номер патента: US20240363387A1. Автор: Yuki Usui,Tetsuya Shinjo,Takahisa OKUNO. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Wafer and manufacturing method of wafer

Номер патента: US12046474B2. Автор: Han-Zong Wu,Chenghan Tsao. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685446B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Gate-all-around semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09601488B2. Автор: Niamh Waldron,Nadine Collaert,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570541B2. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming semiconductor devices

Номер патента: US20100144113A1. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making a FinFET device

Номер патента: US09659810B2. Автор: Chen Kuang-Hsin,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Joanna Chaw Yane Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of fabricating openings

Номер патента: US20120270403A1. Автор: Feng-Yi Chang,Po-Chao Tsao,Pei-Yu Chou,Jiunn-Hsiung Liao,Chih-Wen Feng,Ying-Chih Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-25.

Intermediate layer for copper structuring and methods of formation thereof

Номер патента: US09773736B2. Автор: Roman Roth,Ravi Keshav Joshi,Christian Fachmann,Petra Fischer,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-26.

A method of forming a trench isolation in a semiconductor substrate

Номер патента: TW405213B. Автор: Byung-Ki Kim,Ki-Hyun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-11.

Methods of forming an oxide layer in a transistor having a recessed gate

Номер патента: US6930062B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Sug-Hun Hong,Bon-young Koo,Taek-Soo Jeon,Jeong-Do Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210090947A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6090699A. Автор: Gaku Minamihaba,Hitoshi Tamura,Tadashi Iijima,Kyoichi Suguro,Hiromi Niiyama,Tomonori Aoyama,Hisataka Hayashi,Hisako Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor Device in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20150333058A1. Автор: Zundel Markus,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Method of manufacturing a MOS device wherein an insulating film is deposited in a field region

Номер патента: US4651411A. Автор: Naoyuki Shigyo,Masami Konaka,Ryo Dang. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-24.

Etching method, a method of forming a trench isolation structure, a semiconductor substrate and a semiconductor apparatus

Номер патента: US20060033178A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Hiroyuki Matsuo,Toshiki Nakajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

An etching method, a method of forming a trench isolation structure, a semiconductor substrate and a semiconductor apparatus

Номер патента: TW200618166A. Автор: Kunihiro Miyazaki,Hiroyuki Matsuo,Toshiki Nakajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of forming an isolation region in a semiconductor substrate.

Номер патента: EP0362779A1. Автор: Akio Kawamura,Katsuji Iguchi,Masahiko Urai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-04-11.

Semiconductor constructions having through-substrate interconnects, and methods of forming through-substrate interconnects

Номер патента: EP2718964A2. Автор: Alan G. Wood,Philip J. Ireland. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-16.

Semiconductor constructions having through-substrate interconnects, and methods of forming through-substrate interconnects

Номер патента: WO2012170129A2. Автор: Alan G. Wood,Philip J. Ireland. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

Contacts to semiconductor substrate and methods of forming same

Номер патента: US09865546B2. Автор: Christian Lavoie,Emre Alptekin,Kathryn T. Schonenberg,Ahmet S. Ozcan,Nicolas L. Breil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing a reverse-blocking IGBT

Номер патента: US09741570B1. Автор: Matteo Dainese,Fabio Brucchi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of producing a III-V fin structure

Номер патента: US09431519B2. Автор: Shinichi Yoshida,Matty Caymax,Hideki Minari,Geoffrey Pourtois,Eddy Simoen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods of fabricating trench generated device structures

Номер патента: US20130171796A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20130252411A1. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US8999855B2. Автор: Makoto Honda,Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779992B2. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier

Номер патента: US09704736B2. Автор: Katherine L. Saenger,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Abdelmajid Salhi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier

Номер патента: US09691653B2. Автор: Katherine L. Saenger,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Abdelmajid Salhi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier

Номер патента: US09659807B2. Автор: Katherine L. Saenger,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Abdelmajid Salhi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier

Номер патента: US09576837B2. Автор: Katherine L. Saenger,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Abdelmajid Salhi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming a flexible semiconductor layer and devices on a flexible carrier

Номер патента: US09496165B1. Автор: Katherine L. Saenger,Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Abdelmajid Salhi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US8038864B2. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of fabricating semiconductor device, and plating apparatus

Номер патента: US20080023335A1. Автор: Koji Arita,Ryohei Kitao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Cell Field Portion and a Contact Area

Номер патента: US20160093529A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US9852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US09852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741554B2. Автор: Satoru Kameyama,Shuhei Oki,Masaki AJIOKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20160351714A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20150194527A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US09825171B2. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US09437737B2. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US20170365703A1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387219A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Tomoo Nakayama,Katsuhiro Uchimura,Futoshi Komatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US09929264B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US09716165B1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Substrates with buried isolation layers and methods of formation thereof

Номер патента: US09875926B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Manfred Engelhardt,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Growth inhibitor for forming thin film, method of forming thin film using growth inhibitor, and semiconductor substrate fabricated by method

Номер патента: US20230257881A1. Автор: Jin Hee Kim,Seung Hyun Lee,Jong Moon Kim,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seok Jong Lee. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of manufacturing a flash memory cell

Номер патента: US20030119334A1. Автор: Sang Park,Noh Kwak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Devices with backside metal structures and methods of formation thereof

Номер патента: US09960076B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09685450B2. Автор: Vladimir Urazaev,Ki-yeon Park,Jae-Hyoung Choi,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming integrated circuit devices

Номер патента: US09780107B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of damascene structure

Номер патента: US09721836B2. Автор: Chia-Tien Wu,Jye-Yen Cheng,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures

Номер патента: WO2011003057A3. Автор: Nishit A. Choksi,Joseph M. Chalil,Krishna G. Kumar. Владелец: Advanced Microfab, LLC. Дата публикации: 2011-04-14.

Semiconductor substrate-on-semiconductor substrate package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799579B2. Автор: Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of forming an isolated nano-sheet transistor device and the resulting device

Номер патента: US09984936B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Robinhsinku Chao,Pietro Montanini,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Monolithic ceramic component of gas delivery system and method of making and use thereof

Номер патента: US09580360B2. Автор: John Daugherty,Iqbal Shareef,Mike Ingamells. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Microwave-oscillating device and the method of making same

Номер патента: US3553539A. Автор: Masumi Takeshima,Yukio Miyai,Shinichi Nakashima. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1971-01-05.

Quantum conveyor and methods of producing a quantum conveyor

Номер патента: US12029142B2. Автор: Wolfram Langheinrich,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Surface treatment method for semiconductor substrates and surface treatment agent composition

Номер патента: US20230282474A1. Автор: Yoshiharu Terui,Yuzo Okumura,Soichi Kumon,Saori Shiota,Yuki Fukui. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of removing heavy metal in semiconductor substrate

Номер патента: US8173523B2. Автор: Kiyoshi Nagai,Shuichi Samata,Noritomo Mitsugi,Kei Matsumoto,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates

Номер патента: US09418833B2. Автор: Timothy Peter Mollart. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for determining a centred position of a semiconductor substrate in an annealing furnace, device for the heat treatment of semiconductor substrates and method for calibrating such a device

Номер патента: SG168466A1. Автор: William Palmer,Cédric ANGELLIER. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2011-02-28.

Surface treatment method for semiconductor substrates and surface treatment agent composition

Номер патента: US20230282473A1. Автор: Yoshiharu Terui,Yuzo Okumura,Soichi Kumon,Saori Shiota,Yuki Fukui. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of linearized film oxidation growth

Номер патента: US20220254622A1. Автор: Christopher S. Olsen,Tobin Kaufman-Osborn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of linearized film oxidation growth

Номер патента: US20230223250A1. Автор: Christopher S. Olsen,Tobin Kaufman-Osborn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of linearized film oxidation growth

Номер патента: WO2022169562A1. Автор: Christopher S. Olsen,Tobin Kaufman-Osborn. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190348351A1. Автор: Lu-Ming Lai,Tsann Huei LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods of Etching Trenches into Silicon of a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Trench Isolation in Silicon of a Semiconductor Substrate, and Methods of Forming a Plurality of Diodes

Номер патента: US20140349487A1. Автор: Subramanian Krupakar M.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

OUT-OF-PLANE DEFORMABLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MAKING AN OUT-OF-PLANE DEFORMABLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND AN IN-PLANE AND OUT-OF-PLANE DEFORMABLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190371596A1. Автор: HUSSAIN Muhammad Mustafa,Cavazos Sepulveda Adrian Cesar. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Method of determining a centred position of a semiconductor substrate in an annealing furnace, device for the heat treatment of semiconductor substrates and method for calibrating such a device

Номер патента: TW201104786A. Автор: William Palmer,Cédric ANGELLIER. Владелец: Soitec Silicon On Insulator. Дата публикации: 2011-02-01.

INSPECTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND INSPECTION DEVICE FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20160252571A1. Автор: IWAHASHI Yohei,Senda Hidemi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20150249016A1. Автор: Yoshie Kimura,Harmeet Singh,Yifeng Zhou,Meihua Shen,Baosuo Zhou,John Hoang,Monica TITUS,Gowri Kamarthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of forming a germanium film on a semiconductor substrate that includes the formation of a graded silicon-germanium buffer layer prior to the formation of a germanium layer

Номер патента: US6723622B2. Автор: Boyan Boyanov,Anand Murthy,Ravindra Soman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-20.

Method of forming pattern of tungsten film on semiconductor substrate

Номер патента: KR960002707A. Автор: 사이또가즈미. Владелец: 닛뽕 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-01-26.

Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US9589853B2. Автор: Yoshie Kimura,Harmeet Singh,Yifeng Zhou,Meihua Shen,Baosuo Zhou,John Hoang,Monica TITUS,Gowri Kamarthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: SG10201500548QA. Автор: Singh Harmeet,Kimura Yoshie,KAMARTHY Gowri,Hoang John,Titus Monica,Yifeng Zhou,Meihua Shen,Baosuo Zhou. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Method of separating and handling a thin semiconductor die on a wafer

Номер патента: US20030140486A1. Автор: Joe Wang,Didier Lefebvre,Shiuh-Hui Chen,Cheryl Field. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of cutting up electronic components on a semiconductor substrate

Номер патента: FR2572218A1. Автор: Jean-Claude Mauduit,Gerard Haldemann. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1986-04-25.

Method of manufacturing a group III nitride compound semiconductor substrate

Номер патента: DE60004722T2. Автор: Masaaki Ibaraki-shi Yuri,Osamu Takatsuki-shi Imafuji,Shinji Takatsuki-shi Nakamura,Masahiro Hirakata-shi Ishida,Kenji Takatsuki-shi Orita. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of dicing a wafer and semiconductor chip

Номер патента: US09911655B2. Автор: Markus Brunnbauer,Gunther Mackh,Bernhard Drummer,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method of dicing a wafer and semiconductor chip

Номер патента: US09570352B2. Автор: Markus Brunnbauer,Gunther Mackh,Bernhard Drummer,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of Dicing a Wafer

Номер патента: US20160379884A1. Автор: Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Rudolf Rothmaler,Joerg Ortner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of dicing a wafer

Номер патента: US09704748B2. Автор: Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Rudolf Rothmaler,Joerg Ortner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

High-frequency power diode and method of its manufacturing

Номер патента: RU2684921C2. Автор: Ярослав ГОМОЛА,Иржи ПОДЗЕМСКИ,Ладислав РАДВАН,Илья МУЛЛЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2019-04-16.

Electrode structure of rear electrode of semiconductor substrate, method of its obtaining and sputtered target for use in production of electrode structure

Номер патента: RU2718134C1. Автор: Тецуя КАТО,Йохей МИЗУНО,Тихару ИСИКУРА. Владелец: Танака Кикинзоку Когио К.К.. Дата публикации: 2020-03-30.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Method for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device in which said processing method is used

Номер патента: US09779968B2. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of processing a semiconductor substrate and semiconductor chip

Номер патента: US09831127B2. Автор: Franco Mariani,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20180323153A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20180261549A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US20200321291A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and method of forming backside openings for an ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US10727188B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160329247A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

A method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: WO1996010839A1. Автор: Rick C. Jerome,Ian R. C. Post. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-04-11.

High voltage transistor and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060086992A1. Автор: Hwa-sook Shin,Mueng-Ryul Lee,Mi-Hyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US20240312836A1. Автор: Yung-Chi Lin,Yi-Hsiu Chen,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298444A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425538A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09947530B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of manufacturing a semiconductor device by forming a separation trench

Номер патента: US09935055B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09905550B2. Автор: Sang-uk Han,Un-Byoung Kang,Taeje Cho,Seungwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Trench field-effect device and method of fabricating same

Номер патента: US09601336B2. Автор: Hongwei Zhou,Dongyue Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US09460967B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021073B2. Автор: Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device with a Metal-Filled Groove in a Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20180026130A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: EP1695377A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: WO2005055290A2. Автор: Huajie Chen,Guy Cohen,Stephen Bedell. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of forming thin film and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929252B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Taek-Soo Jeon,Sun-Gyu Choi,Young-suk CHAI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor package including forming a recessed region in a substrate

Номер патента: US09570368B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20050142736A1. Автор: Hyun Shin. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09548205B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7541295B2. Автор: Akiko Nomachi,Hideaki Harakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Method of forming nitride semiconductor epitaxial layer and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8349078B2. Автор: Makoto Kiyama,Hiromu Shiomi,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yu Saitoh,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070105289A1. Автор: Akiko Nomachi,Hideaki Harakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of fabricating MOS transistor

Номер патента: US20060141720A1. Автор: Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Structures to mitigate contamination on a back side of a semiconductor substrate

Номер патента: US09698108B1. Автор: Hao Wu,Xavier F. Brun,Mohit Mamodia,Hualiang Shi,Shweta AGRAWAL,Shengquan E. Ou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor-substrate manufacturing method and semiconductor-device manufacturing method in which germanium layer is heat-treated

Номер патента: US09647074B2. Автор: Tomonori Nishimura,Akira Toriumi,Choong-Hyun Lee. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of packaging and dicing semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09559005B2. Автор: Chung-Shi Liu,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yu-Peng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing a semiconductor substrate, and method for manufacturing semiconductor devices integrated in a semiconductor substrate

Номер патента: US09406551B2. Автор: Wolfgang Werner,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of singulation of dies from a wafer

Номер патента: US20240105514A1. Автор: Kan Wae Lam,Randolph Estal Flauta,Wai Hung William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Solar array system with electrically conductive adhesive and method of manufacturing

Номер патента: US20240055547A1. Автор: Brian Anthony,Matthew Johnson,Scott Christiansen,Rodney Dobson. Владелец: Sierra Space Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Solar array system with electrically conductive adhesive and method of manufacturing

Номер патента: WO2024035723A1. Автор: Brian Anthony,Matthew Johnson,Scott Christiansen,Rodney Dobson. Владелец: Sierra Space Corporation. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5731233A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Method of manufacturing structure and method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20230298907A1. Автор: Takayuki Tajima,Mitsuo Sano,Susumu Obata,Kazuhito Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5911103A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20130306979A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Kokawa. Владелец: ADVANCED POWER DEVICE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of making cmos image sensor-hybrid silicide

Номер патента: US20100136737A1. Автор: Jianping Yang,Jieguang Huo,Chunyan Xin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20020064950A1. Автор: Toshio Nagata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of forming low height split gate memory cells

Номер патента: US09972493B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09947632B2. Автор: CHI HO Leung,Shun Tik Yeung,Pompeo V Umali,Wai (Kan Wae) Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Dicing structures for semiconductor substrates and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09859223B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Tungsten silicide nitride films and methods of formation

Номер патента: US09461137B1. Автор: Zhiyong Wang,Jianxin Lei,Rajkumar Jakkaraju,Jothilingam RAMALINGAM. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Split gate NAND flash memory structure and array, method of programming, erasing and reading thereof, and method of manufacturing

Номер патента: US09449693B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of reducing mos transistor gate beyond photolithographically patterned dimension

Номер патента: WO1998003989A1. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Fred N. Hause,Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20180277375A1. Автор: Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US09842904B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same

Номер патента: EP1405347A4. Автор: Willem G Einthoven,Anthony Ginty,Aidan Walsh. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same

Номер патента: WO2003015248A2. Автор: Willem G. Einthoven,Anthony Ginty,Aidan Walsh. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2003-02-20.

Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same

Номер патента: WO2003015248A3. Автор: Willem G Einthoven,Anthony Ginty,Aidan Walsh. Владелец: Gen Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-05-30.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of simultaneously siliciding a polysilicon gate and source/drain of a semiconductor device, and related device

Номер патента: US20100176462A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Joe G. Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911733B2. Автор: Hiroshi Miyata,Souichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660079B2. Автор: Tomotake Morita,Kenichi Yamamoto,Hiromi Sasaki,Masashige Moritoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing solar cell and method of forming doping region

Номер патента: US09640707B2. Автор: Daeyong Lee,Jinsung Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods of patterning features having differing widths

Номер патента: US09466505B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Ryan O. Jung,Linus Jang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Carbon Layer and Method of Manufacture

Номер патента: US20150364329A1. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Carbon Layer and Method of Manufacture

Номер патента: US20160365282A1. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128836A1. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Low-voltage punch-through bi-directional transient-voltage suppression devices having surface breakdown protection and methods of making the same

Номер патента: US6858510B2. Автор: Willem G. Einthoven,Anthony Ginty,Aidan Walsh. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-22.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Method of etching a semiconductor element

Номер патента: US3923569A. Автор: Masafumi Hashimoto,Takuhiro Ono. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1975-12-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12062624B2. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190123182A1. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Carrier structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240282761A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Jyh-Cherng Sheu,Wei-Ting YEH,Zheng Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240363552A1. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Carbon layer and method of manufacture

Номер патента: US09583392B2. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of producing composite substrate sic and method of making a semiconductor substrate

Номер патента: RU2720397C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-04-29.

Method of laser separation of the epitaxial film or the epitaxial film layer from the growth substrate of the epitaxial semiconductor structure (variations)

Номер патента: US09966296B2. Автор: Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Aleksey Vladimirovich Mironov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of SOI substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8895407B2. Автор: Yoji Nagano,Hidekazu Miyairi,Akihisa Shimomura,Eiji Higa,Tatsuya Mizoi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-25.

Method of manufacturing a hybrid substrate

Номер патента: WO2017082825A1. Автор: Kwang Hong LEE,Eugene A. Fitzgerald,Chuan Seng Tan,David Kohen,Eng Kian Kenneth LEE,Shuyu BAO. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of manufacturing bonded substrate, bonded substrate, method of manufacturing solid-state imaging apparatus, solid-state imaging apparatus, and camera

Номер патента: US09530687B2. Автор: Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Chemical vapor deposition methods and methods of etching a contact opening over a node location on a semiconductor substrate

Номер патента: US20020123221A1. Автор: Chris Hill,Mark Jost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060115935A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Chien-Sheng Su,Jeng-Wei Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282800A1. Автор: Masato Fujita,Takekazu Shinohara,Heetak Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11749695B2. Автор: Changkeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US12087786B2. Автор: Changkeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming through substrate interconnects

Номер патента: US09685375B2. Автор: Dave Pratt,Andy Perkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234144A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing memory device using self-aligned double patterning (sadp)

Номер патента: US20240234145A9. Автор: Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating a 3-d device

Номер патента: US20110171781A1. Автор: Dong Ho Lee,Jong Ho Lee,Eun Chul Ahn,Yong Chai Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure and formation method of package with hybrid interconnection

Номер патента: US20240114703A1. Автор: Chen-Hua Yu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of forming an isolation structure

Номер патента: US20100181638A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20050245044A1. Автор: Neal Rueger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor substrate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234298A1. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240332176A1. Автор: Ting-Chu Ko,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing MOSFET

Номер патента: US09691878B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Changliang Qin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating multi-wafer image sensor

Номер патента: US09379159B2. Автор: Jin Li,YIN Qian,Howard E. Rhodes,Dyson H. Tai,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110244649A1. Автор: Takashi Shimizu,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US20170317161A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of Wafer Thinning and Realizing Backside Metal Structures

Номер патента: US20180144974A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder,Thomas Christian Neidhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313116A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a capacitor structure and capacitor structure

Номер патента: US09941348B2. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Ming-Cheng Chang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of enhancing polymer adhesion to copper

Номер патента: US09922874B2. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Sam Lee,Charles Sharbono,Marvin Louis Bernt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor wafer having an SOI configuration

Номер патента: US09842762B1. Автор: Berthold Reimer,Boris Bayha. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating multi-wafer image sensor

Номер патента: US09748308B2. Автор: Jin Li,YIN Qian,Howard E. Rhodes,Dyson H. Tai,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device having an insulating film in trenches of a semiconductor substrate

Номер патента: US09711563B2. Автор: Takehito Okabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09653600B2. Автор: Yang Zhou,Gangning Wang,Guangli Yang,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Silicon-on-insulator substrate and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09607880B2. Автор: Herb He Huang,Clifford I. Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240332030A1. Автор: Jun Beom Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Protective wafer grooving structure for wafer thinning and methods of using the same

Номер патента: US12087756B2. Автор: Ming-Che Lee,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Sheng-Chau Chen,Hau-Yi Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Protective wafer grooving structure for wafer thinning and methods of using the same

Номер патента: US20240363613A1. Автор: Ming-Che Lee,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Kuo-Ming Wu,Sheng-Chau Chen,Hau-Yi Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09941321B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices with protruding conductive vias and methods of making such devices

Номер патента: US09941210B1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Colby Rampley,Mali Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor wafers with through substrate vias and back metal, and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666523B2. Автор: Thomas E. Wood. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of making a monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: US09508599B2. Автор: Paul W. Sanders,Michael F. Petras,Robert A. Pryor,Thuy B. Dao,Xiaowei Ren,Wayne R. Burger,Joel E. Keys. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472472B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20220085153A1. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203833A1. Автор: Taeyoon Kim,Jungil Son,Sungwook Moon,Kunwoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120122294A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Junichi Shiozawa,Ryu Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Non-volatile memory having discrete isolation structure and sonos memory cell, method of operating the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140078832A1. Автор: Takao Akaogi,Yider Wu,Yi-Hsiu Chen,Hung-Hui Lai. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US9837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a MOSFET on an SOI substrate

Номер патента: US09978839B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having electrode trenches, isolated source zones and separation structures

Номер патента: US09837506B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a MISFET on an SOI substrate

Номер патента: US09484433B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having backside interconnect structure through substrate via and method of forming the same

Номер патента: US09449898B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307423A1. Автор: Sung Min Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Structure with inductor embedded in bonded semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20240145382A1. Автор: Jagar Singh,Ravi P. Srivastava. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230030778A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061710A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298889A1. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343641A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US20020115261A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US20030064557A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor processing methods of forming a plurality of capacitors on a substrate, bit line contacts and method of forming bit line contacts

Номер патента: US6593203B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Substrates with Buried Isolation Layers and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170154808A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Manfred Engelhardt,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor method of making electrical connection between an electrically conductive line and a node location, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010968A1. Автор: Monte Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100159702A1. Автор: Masaru Yamada,Akihiko Tsudumitani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of fabrication of semiconductor structures by ion implantation

Номер патента: US20020013039A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of forming a self-aligned contact opening

Номер патента: US20010029097A1. Автор: Kei-Yu Ko,Dave Pecora. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device including graphene interconnect and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230335497A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

A novel method of annealing out silicon defectivity

Номер патента: EP4207248A1. Автор: ABBAS Ali,Pushpa Mahalingam,Christopher Scott Whitesell,Uma Aghoram,Eddie Dee Pylant. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device to prevent occurrence of short-channel characteristics and parasitic capacitance

Номер патента: US09773872B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09773697B2. Автор: Satoshi Tsukiyama,Motoshi SETO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Isolator and method of manufacturing isolator

Номер патента: US09761545B2. Автор: Hitoshi Sumida,Yoshiaki Toyoda,Masashi AKAHANE,Johnny Kin On Sin,Lulu Peng,Rongxiang Wu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520339B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Substrate and method of forming the same

Номер патента: EP3143640A1. Автор: Chin-Kwan Kim,Omar James Bchir,Kuiwon Kang,Houssam Wafic Jomaa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240234375A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Tzuan-Horng LIU,Tsung-Yuan Yu,Cheng-chieh Hsieh,Tsung-Hsien Chiang,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Hui-Chun Chiang,Kris Lipu Chuang,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Devices with through silicon vias, guard rings and methods of making the same

Номер патента: US12046566B2. Автор: Ching-Pin Lin,Yao-Chun Chuang,Min-Feng KU,Cheng-Chien Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230253456A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070018276A1. Автор: Masayuki Itou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Methods of forming protective seqments of material, and etch stops

Номер патента: US20030176070A1. Автор: Mark Jost,Erik Byers,Keith Cook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228856A1. Автор: Hung-Wen Su,Yung-Cheng Lu,Keng-Chu Lin,Yi-Chi Liao,H. Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395567A1. Автор: Hyeran Lee,Changyong Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Solid-state imaging element, electronic device, and manufacturing method of solid-state imaging element

Номер патента: US12120897B2. Автор: Hideaki Togashi,Junpei Yamamoto,Takushi Shigetoshi,Shinpei Fukuoka,Moe Takeo,Sho NISHIDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Devices with through silicon vias, guard rings and methods of making the same

Номер патента: US20240332219A1. Автор: Ching-Pin Lin,Yao-Chun Chuang,Min-Feng KU,Cheng-Chien Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Devices with through silicon vias, guard rings and methods of making the same

Номер патента: US20240332218A1. Автор: Ching-Pin Lin,Yao-Chun Chuang,Min-Feng KU,Cheng-Chien Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of producing a semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball

Номер патента: US09870988B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with through-substrate via covered by a solder ball and related method of production

Номер патента: US09553039B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Cathal Cassidy. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-01-24.

High performance self aligned contacts and method of forming same

Номер патента: US09437712B2. Автор: Tze-Liang Lee,Bor Chiuan Hsieh,Tai-Chun Huang,Yen-Chun Huang,Chia-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of fabricating a FinFET device

Номер патента: US12033898B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Joanna Chaw Yane Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices including vertical transistors, electronic systems including the same and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334583A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12050398B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Multiple layer and cyrstal plane orientation semiconductor substrate

Номер патента: US20080099844A1. Автор: Toshiharu Furukawa,David Horak,Charles Koburger,Leathen Shi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-01.

Methods of Forming Electrical Contacts

Номер патента: US20130344691A1. Автор: Marcello Mariani,Micaela Gabriella Tomasini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of removing sharp edges of dielectric coatings on semiconductor substrates and device produced

Номер патента: WO1996004680A1. Автор: Daniel J. Jackson. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-02-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of forming electrical contacts

Номер патента: US8846515B2. Автор: Marcello Mariani,Micaela Gabriella Tomasini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-30.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030232480A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12087622B1. Автор: Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985043B2. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of forming a contact structure for a vertical channel semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09741847B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Substrate and method of forming the same

Номер патента: US09679841B2. Автор: Chin-Kwan Kim,Omar James Bchir,Kuiwon Kang,Houssam Wafic Jomaa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US7902007B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-08.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20090212364A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881959B2. Автор: Yi-Ming Chang,Po-Shen Lin,Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728669B2. Автор: Budi Tjahjono,Yu-Ting Chiu,Wen Sheng Wu,Ming-Jui Yang,Chuan-Wen Ting,Jen-Ting Tan,Kuo-Wei Shen,Fang-Wei Hu. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereof

Номер патента: EP2053636A3. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi,Hidaki Tanaka. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140251421A1. Автор: Budi Tjahjono,Yu-Ting Chiu,Wen Sheng Wu,Ming-Jui Yang,Chuan-Wen Ting,Jen-Ting Tan,Kuo-Wei Shen,Fang-Wei Hu. Владелец: SUNRISE GLOBAL SOLAR ENERGY CO Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Fabrication method of epitaxial semiconductor substrate, fabrication method of image sensor using the same, epitaxial semiconductor substrate and image sensor using the same

Номер патента: KR100632463B1. Автор: 이승환,신동석,이호,테츠지 우에노,이화성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-11.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: EP3304596A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Method of forming split gate memory cells with 5 volt logic devices

Номер патента: WO2016200623A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of detecting defects of patterns on a semiconductor substrate and apparatus for performing the same

Номер патента: US20080107329A1. Автор: Yu-Sin Yang,Ji-Hye Kim,Chung-Sam Jun,Jong-An Kim,Moon-Shik Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-08.

METHOD OF FORMING HIGH ASPECT RATIO FEATURES IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200203234A1. Автор: KANG DONG-HOON. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Micro electron gun of quantum size effect type and flat display using such electron guns as well as methods of their manufacture

Номер патента: US20040055530A1. Автор: Shunri Oda,Katsuhiko Nishiguchi,Xinwei Zhao. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor substrate batch demounting apparatus

Номер патента: US20030196682A1. Автор: Zhengming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of improving line roughness in substrate processing

Номер патента: US09508557B2. Автор: Hoyoung Kang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of degassing

Номер патента: US09728432B2. Автор: Stephen R Burgess,Anthony Paul Wilby. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Methods of masking and etching a semiconductor substrate, and ion implant lithography methods of processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20030096195A1. Автор: J. Rolfson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210184004A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20240222097A1. Автор: Yu-Hsiang Cheng,Bo-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US11972935B2. Автор: Yu-Hsiang Cheng,Bo-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050035378A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107691B2. Автор: Hideya Yamadera,Toru Ikeda,Tomohiko Mori,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150104942A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Package structures having height-adjusted molding members and methods of forming the same

Номер патента: US09799615B1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Hsien-Ming Tu,Ren-Xuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US20180082832A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US12071707B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of cleaning semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate processing apparatus for use in the same

Номер патента: US20060046500A1. Автор: MAKOTO Miyamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282576A1. Автор: Sangjin Kim,Jongsu Kim,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090233423A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Ken Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Method of splitting semiconductor chip using mechanical machining and semiconductor chip split by the same

Номер патента: US20240312823A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Jihun JUNG,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing an electronic chip comprising a memory circuit

Номер патента: US20240306401A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US20240368804A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US09991111B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09620589B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming features having differing pitch spacing and critical dimensions

Номер патента: US09449835B2. Автор: Ryan Ryoung-Han Kim,Linus Jang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Dry etching method of semiconductor substrate and dry etching method of silicon oxide film

Номер патента: EP4152362A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Laminated semiconductor substrate, laminated chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120025355A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hiroyuki Ito,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Apparatus and method of treating surface of semiconductor substrate

Номер патента: US20160049289A1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Hiroshi Tomita,Shinsuke Kimura,Hisashi Okuchi,Tatsuhiko Koide. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES

Номер патента: WO2000033388A9. Автор: Eugene A Fitzgerald,Andrew Y Kim. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2001-03-29.

Methods of Processing Semiconductor Substrates In Forming Scribe Line Alignment Marks

Номер патента: US20140154886A1. Автор: William R. Brown,David Kewley,Adam Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080248641A1. Автор: Mariko Makabe. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor substrate including separating two semiconductor layers from a growth substrate

Номер патента: US09899565B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Misaichi Takeuchi,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor wafer and method of backside probe testing through opening in film frame

Номер патента: US09793186B1. Автор: Michael J. Seddon,Heng Chen Lee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070218617A1. Автор: Tatsushi Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Methods Of Manufacturing Vertical Device

Номер патента: US20220084821A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180240914A1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070231957A1. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Antiphase domain boundary-free III-V compound semiconductor material on semiconductor substrate and method for manufacturing thereof

Номер патента: US9218964B2. Автор: Gang Wang,Matty Caymax,Niamh Waldron,Wei-E Wang,Maarten Leys. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-12-22.

Method of etching copper indium gallium selenide (cigs) material

Номер патента: US20200152470A1. Автор: Chentsau Ying,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates

Номер патента: US20150115280A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2011099772A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-18.

Die Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240079391A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Chia-Hao Hsu,Kuo-Chiang Ting,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8329570B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP2534705A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method and testing method of the same

Номер патента: US20030062623A1. Автор: Akio Inohara,Hirokazu Yoshida,Atsushi Ono,Makoto Kanda,Motoji Shiota,Yasunori Chikawa,Satoru Tone,Norimitsu Nie. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100044787A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of Backgrind Tape Planarization Using Heated Press

Номер патента: US20240312787A1. Автор: Jeniffer Otero Aspuria,Jose Franco A. Alicante,Roderick S. Balares,Christopher Abenes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09773940B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates

Номер патента: US09673071B2. Автор: Keith Freeman Wood,Matthew Jonathon Rodnick. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09530870B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG,Dong Chan Suh,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

RF amplifier module and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09509251B2. Автор: Jeffrey K. Jones. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Photo-mask and method of manufacturing semiconductor structures by using the same

Номер патента: US09448471B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chun-Chi Yu,Teng-Chin Kuo,Yuan-Chi Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425347B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of growing semiconductor nanowires using a catalyst alloy

Номер патента: US20230178369A1. Автор: Magnus Tarlé BORGSTRÖM,Patrick FLATT,Lukas HRACHOWINA. Владелец: Alignedbio Ab. Дата публикации: 2023-06-08.

Cleaning composition, cleaning method of semiconductor substrate, and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20240209284A1. Автор: Tadashi Inaba,Tetsuya Kamimura,Naotsugu Muro. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of growing semiconductor nanowires using a catalyst alloy

Номер патента: WO2021234462A2. Автор: Magnus Tarlé BORGSTRÖM,Patrick FLATT,Lukas HRACHOWINA. Владелец: Alignedbio Ab. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of cmp integration for improved optical uniformity in advanced lcos back-plane

Номер патента: WO2022155099A1. Автор: LAN Yu,Benjamin D. Briggs,Joseph Salfelder,Raghav SREENIVASAN,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Method of growing thick oxide films at low temperature of thermal oxide quality

Номер патента: EP3942596A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Kurtis LESCHKIES,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080182396A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070093032A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing a semiconductor device having different kinds of insulating films with different thicknesses

Номер патента: US8435861B2. Автор: Junichi Ariyoshi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297040A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a cleaning composition for an adhesive layer

Номер патента: US20180211830A1. Автор: Hyo-Sun Lee,Jung Hun Lim,Hoyoung Kim,Soojin Kim,Tae Soo Kwon,Hoon Han,Keonyoung KIM,Jinhye Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of fabricating DMOS and CMOS transistors

Номер патента: US09859168B1. Автор: Jung Lee,Kyung Ho Lee,Hyun Kwang Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601541B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods of removing portions of fins by preforming a selectively etchable material in the substrate

Номер патента: US09524908B2. Автор: YI Qi,Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20210349388A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US20230266661A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Recess channel transistor for preventing deterioration of device characteristics due to misalignment of gate layers and method of forming the same

Номер патента: US7482230B2. Автор: Gyu Seog Cho,Yong Taik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US8853089B2. Автор: Takumi Shibata,Hiroshi Ohtsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same

Номер патента: US12055850B2. Автор: Chih-Ming Chen,Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120100658A1. Автор: Jong-Won Choi,Jun-Seok Yang,Sung-Hyun Yoon,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US12074201B2. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Isolation structures for an integrated circuit element and method of making same

Номер патента: WO2017052616A1. Автор: Uygar E. Avci,Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,David L. Kencke,Kerryann Foley. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Rf amplifier with conductor-less region underlying filter circuit inductor, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20190020314A1. Автор: David F. Abdo,Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

System for Processing Semiconductor Substrate by Using Laser and Method of the Same

Номер патента: US20080015728A1. Автор: Daejin Kim,HyunJung Kim,Jekil Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110081761A1. Автор: Yasushi Yamazaki,Teruyuki Mine,Katsumi Koge. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Etchant composition for semiconductor substrates

Номер патента: US20220348825A1. Автор: Myung Ho Lee,Hak Soo Kim,Jeong Sik OH. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of monitoring at least one of an overlay or an alignment between layers of a semiconductor substrate, scanning probe microscopy system and computer program

Номер патента: US20230184807A1. Автор: Paul Zabbal,Daniele Piras,Chung Bin CHUANG. Владелец: Nearfield Instruments BV. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20240321970A1. Автор: Mitsuru Morimoto,Takuji Maekawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of FinFET formation

Номер патента: US09660058B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09520286B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of determining plasma etching parameters

Номер патента: RU2686579C1. Автор: Владимир Иванович АНИСИМКИН,Наталья Владимировна Воронова,Геннадий Николаевич Галанов,Нелли Владимировна Воронова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-29.

Image forming device, image forming system and method of manufacturing image forming device

Номер патента: RU2638108C1. Автор: Масахиро КОБАЯСИ,Махито СИНОХАРА,Масацугу ИТАХАСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2017-12-11.

Vacuum dryer and method of drying semiconductor device using the same

Номер патента: US6112430A. Автор: Jong-jae Lee,Chan-geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-09-05.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020192893A1. Автор: Takayuki Igarashi,Yoshitaka Ootsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Source down semiconductor devices and methods of formation thereof

Номер патента: US09911686B2. Автор: Michael Roesner,Martin Mischitz,Manfred Schneegans,Andreas Meiser,Michael Pinczolits. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing solar cell

Номер патента: US09887314B2. Автор: Hyungjin Kwon,Youngsung Yang,Junghoon Choi,Chungyi Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-02-06.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing semiconductor device using organic underlayer film forming composition for solvent development lithography process

Номер патента: US09384977B2. Автор: Yasunobu Someya,Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Keisuke Hashimoto,Tetsuya Shinjo. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of processing semiconductor substrate

Номер патента: US20070172968A1. Автор: Sung-Woo Kang,In-sik Chin,Won-soo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11264240B2. Автор: Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of manufacturing semiconductor device using flexible tube

Номер патента: US6919281B2. Автор: Eiji Takaara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-19.

Method of manufacturing semiconductor device using flexible tube

Номер патента: US20050233592A1. Автор: Eiji Takaara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device using flexible tube

Номер патента: US20040072449A1. Автор: Eiji Takaara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5977593A. Автор: Hideki Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09899308B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and formation method of finFET device

Номер патента: US09761723B2. Автор: Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09685318B2. Автор: Wonseok Yoo,Hanjin Lim,Young-Lim Park,Changyup Park,Hyokyoung Kim,Kongsoo Lee,Wook-Yeol Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09607939B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of lithographically forming an optical structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20220269167A1. Автор: Stephan Gronenborn. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2022-08-25.

Fabrication method of semiconductor test piece

Номер патента: US5814528A. Автор: Nam Yang Lee,Yun Hi Lee,Byeong Kwon Ju,Myung Hwan Oh,Keun Ha Koh,Dong Ky Shin. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 1998-09-29.

Transparent refraction structure for an image sensor and methods of forming the same

Номер патента: US11749700B2. Автор: Ming-Shiang LIN,Yun-Hao CHEN,Kuo-Yu Wu,Tse-Hua LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of singulating LED wafer substrates into dice with LED device with Bragg reflector

Номер патента: US09419185B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-08-16.

Avalanche photodetector (embodiments) and method of manufacturing thereof (embodiments)

Номер патента: RU2732695C1. Автор: Сергей Витальевич Богданов,Виталий Эммануилович Шубин,Дмитрий Алексеевич Шушаков,Николай Афанасьевич Колобов,Константин Юрьевич Ситарский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Детектор Фотонный Аналоговый" (Ооо "Дефан"). Дата публикации: 2020-09-21.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection

Номер патента: US09899296B2. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Optic wafer with reliefs, wafer assembly including same and methods of dicing wafer assembly

Номер патента: US20080246066A1. Автор: Rickie C. Lake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of manufacturing solid-state image pickup element, and solid-state image pickup element

Номер патента: US20090212384A1. Автор: Masafumi Muramatsu,Hideki Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Image sensor having improved full well capacity and related method of formation

Номер патента: US20210183921A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Min-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Image sensor having improved full well capacity and related method of formation

Номер патента: US20200212083A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Min-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

A method of cleaning a semiconductor substrate for a solar cell, and a corresponding cleaning system

Номер патента: WO2023126153A1. Автор: Muzhi TANG,Chui Yu CHAN. Владелец: MEWBURN ELLIS LLP. Дата публикации: 2023-07-06.

A method of cleaning a semiconductor substrate for a solar cell, and a corresponding cleaning system

Номер патента: AU2022424273A1. Автор: Muzhi TANG,Chui Yu CHAN. Владелец: REC Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of producing solar cell

Номер патента: RU2636405C2. Автор: Такаси МУРАКАМИ,Хироюки ОЦУКА,Такенори ВАТАБЕ. Владелец: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of fabricating schottky barrier diode

Номер патента: US20090029518A1. Автор: Tadaaki Souma. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth

Номер патента: US09666754B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Jun Youn KIM,Joo Sung KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of manufacturing compound semiconductor substrate

Номер патента: US20020146912A1. Автор: Takao Miyajima,Akira Usui,Shigetaka Tomiya. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Chip-size package structure and method of the same

Номер патента: US20070205494A1. Автор: Wen Yang. Владелец: Advanced Chip Engineering Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of forming semiconductor device having carbon nanotube

Номер патента: US20220190252A1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods of forming replacement fins for a FinFET device using a targeted thickness for the patterned fin etch mask

Номер патента: US09536990B2. Автор: Bruce Doris,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20030095428A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

6F2 DRAM array, a DRAM array formed on a semiconductive substrate, a method of forming memory cells in a 6F2 DRAM array and a method of isolating a single row of memory cells in a 6F2 DRAM array

Номер патента: US20040102003A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of manufacturing a hetero-junction solar cell

Номер патента: EP4404282A2. Автор: Damien LACHENAL,Pierre Papet. Владелец: Meyer Burger Germany GmbH. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor processing methods of forming devices on a substrate, forming device arrays on a substrate, forming conductive lines on a substrate, and forming capacitor arrays on a substrate, and integrated circuitry

Номер патента: US20030049902A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor processing methods of forming devices on a substrate, forming device arrays on a substrate, forming conductive lines on a substrate, and forming capacitor arrays on a substrate, and integrated circuitry

Номер патента: US20020009849A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09947703B2. Автор: Atsushi Toda,Yusuke Otake,Toshifumi Wakano,Yuko Ohgishi,Kenji Azami. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor substrate, semiconductor device, method of producing semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090039396A1. Автор: Shinji Uya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US20110256660A1. Автор: Katsunori Hirota. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047821A1. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020081831A1. Автор: Tadashi Igarashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4610076A. Автор: Seiji Ueda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1986-09-09.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Methods of compensating for an alignment error during fabrication of structures on semiconductor substrates

Номер патента: US20070120220A1. Автор: Dong-Chun Lee,Jung-Taek Lim,Sung-Hong Park,Young-Jee Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid material thermal process and a device formed thereby

Номер патента: US20020017670A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Siddhartha Bhowmik,Sidhartha Sen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of fabricating semiconductor display apparatus

Номер патента: US09997548B1. Автор: Yu-Jui HSIEH,Po-Nan Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Photoelectric conversion device, image pickup system and method of manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US09881957B2. Автор: Yasuhiro Sekine,Takeshi Ichikawa,Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Power semiconductor substrates with metal contact layer and method of manufacture thereof

Номер патента: US09768036B2. Автор: Christian Göbl,Heiko Braml. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming memory cells and a method of isolating a single row of memory cells

Номер патента: US20050032289A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Structure and formation method of light sensing device

Номер патента: US20180374884A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yi-Hsing CHU,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of forming a transistor using selective epitaxial growth

Номер патента: US20050176205A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Ya-Lun Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020160589A1. Автор: Toshihiko Omi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

System and method for high speed inspection of semiconductor substrates

Номер патента: US11749571B2. Автор: Yan-Cheng Chen,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU,Sheng He HUANG,Shiue-Ming GUO,Hsuan-Chia KAO,Sheng-Ching KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming semiconductor device having carbon nanotube

Номер патента: US20200335701A1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US20180204875A1. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US20190355780A1. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20170141151A1. Автор: Naoyuki Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US10325950B2. Автор: Naoyuki Sato. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and wiring substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US9082672B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6022773A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

System and method for high speed inspection of semiconductor substrates

Номер патента: US12119273B2. Автор: Yan-Cheng Chen,Jun Xiu Liu,Chung-Pin CHOU,Sheng He HUANG,Shiue-Ming GUO,Hsuan-Chia KAO,Sheng-Ching KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12080636B2. Автор: Koichi Igarashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming a wire bond sensor package

Номер патента: US09893213B2. Автор: Vage Oganesian,Zhenhua Lu. Владелец: Optiz Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US09842879B2. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Flash cell structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09780101B1. Автор: Sheng Zhang,Wenbo Ding,Jubao Zhang,Xiaofei Han,Chien-Kee Pang,Yu-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653416B2. Автор: Yoshiaki Takemoto,Hisashi Ishida,Chihiro Migita. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190237495A1. Автор: Toshihiro Shoyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of manufacturing solar cell and splittable solar cell for manufacturing solar cell from splittable solar cell that can be split

Номер патента: US20200313011A1. Автор: Toshiyuki Sakuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: US20030153117A1. Автор: Ki Shin. Владелец: Iljin Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of fabricating a diode protecting a gate electrode of a field effect transistor

Номер патента: US20030224576A1. Автор: Yasuo Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Optical integrated circuit device, fabrication method of the same and module of optical communication transmission and receiving apparatus using the same

Номер патента: WO2002042811A1. Автор: Ki Chul Shin. Владелец: Iljin Corporation. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20130314575A1. Автор: Takekazu Shinohara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090316484A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Masayuki Terai,Kouji Masuzaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Back side illumination type solid state imaging device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8653620B2. Автор: Maki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Radiation detector, radiation ct apparatus, and method of manufacturing radiation detector

Номер патента: US20240304651A1. Автор: Takashi Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: EP2149157A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2010-02-03.

Dark current reduction in back-illuminated imaging sensors and method of fabricating same

Номер патента: WO2008147421A1. Автор: Peter Alan Levine,Pradyumna Swain,Mahalingam Bhasharan. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of fabricating a tunable schottky diode with depleted conduction path

Номер патента: US09899500B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09812481B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US09786717B2. Автор: Koichi Tazoe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Three dimensional memory device having well contact pillar and method of making thereof

Номер патента: US09768186B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Ryoichi Honma,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of solar cell

Номер патента: US09685581B2. Автор: Hayato Kohata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Methods of forming fins for a FinFET device by forming and replacing sacrificial fin structures with alternative materials

Номер патента: US09590040B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US09472629B2. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09461085B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming SGT MOSFETs with improved termination breakdown voltage

Номер патента: US09431495B2. Автор: Xiaobin Wang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Solid-state imaging device and manufacturing method of the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09368532B2. Автор: Yuki Miyanami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09362373B2. Автор: Koji Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Light-shielded cameras and methods of manufacture

Номер патента: US20210111220A1. Автор: Wei-Ping Chen,Ying Chung,Teng-Sheng Chen,Chen-Yu HUNG. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor detector and method of manufacturing same

Номер патента: US20230290896A1. Автор: Takashi Takahama,Kazuyuki Hozawa. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Image sensor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240250098A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Chun-Hao Chuang,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung,Chia-Chi Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110065247A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Structure and formation method of light sensing device

Номер патента: US10651217B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Hsun-Ying Huang,Yi-Hsing CHU,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Structure and method of bi-layer pixel isolation in advanced LCOS back-plane

Номер патента: US12055821B2. Автор: LAN Yu,Benjamin D. Briggs,Zihao Yang,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of testing ion implantation energy in ion implantation equipment

Номер патента: US20040185587A1. Автор: Doo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060234457A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Jfet device with virtual source and drain link regions and method of fabrication

Номер патента: WO2008137294A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Samar K. Saha. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: WO2009138951A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-19.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7344949B2. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-18.

Solid state imaging device for achieving enhanced zooming characteristics and method of making the same

Номер патента: US20010045576A1. Автор: Sang-il Jung,Jun-taek Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Device integration schemes leveraging a bulk semiconductor substrate having a <111> crystal orientation

Номер патента: US12087764B2. Автор: Mark Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087760B2. Автор: Derrick Johnson,Yupeng Chen,Mark Griswold,Ralph N. Wall. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of fabrication of low value resistors in a semiconductor material

Номер патента: EP2286442A1. Автор: Sébastien Jacqueline,David Chevrie,Francois Lecornec,Serge Bardy. Владелец: Murata Integrated Passive Solutions SA. Дата публикации: 2011-02-23.

Solid-state image sensing device including anti-reflection structure including polysilicon and method of manufacturing the same

Номер патента: US7709919B2. Автор: GETMAN Alexander,Bum-Suk Kim,Sae-Young Kim,Yun-Ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120068176A1. Автор: Shingo KOZAKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Camera module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09923020B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Photoelectric conversion apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831285B2. Автор: Toshiyuki Ogawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Devices having multiple threshold voltages and method of fabricating such devices

Номер патента: US09536880B2. Автор: Qintao Zhang,Aimin Xing. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437731B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing a solar cell by texturing a principal surface using an alkaline solution

Номер патента: US09419168B2. Автор: Naoya Sotani,Yutaka Kirihata,Masato Nakasu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor chip and method of manufacturing a semiconductor chip

Номер патента: WO2010136974A2. Автор: Jan Van Kempen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Composite bsi structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021643A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Keng-Yu Chou,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Chun-Yuan Chen,Ming-Hsien Yang,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor substrate and method of forming conformal solder wet- enhancement layer on bump-on-lead site

Номер патента: SG165238A1. Автор: ChoongHwan Kwon,HeeJo Chi,SooMoon Park. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Jfet device with improved off-state leakage current and method of fabrication

Номер патента: WO2008137304A1. Автор: Ashok K. Kapoor,Samar K. Saha. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Superjunction ldmos and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130082326A1. Автор: Shushu TANG. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090280610A1. Автор: Junji UMEZAKI. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor die, a semiconductor die stack, a semiconductor module, and methods of forming the semiconductor die and the semiconductor die stack

Номер патента: US20240332241A1. Автор: Jin Woong Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Composite bsi structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371904A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Keng-Yu Chou,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Chun-Yuan Chen,Ming-Hsien Yang,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Structure and formation method of semiconductor device with photodetector

Номер патента: US20240363774A1. Автор: Chen-Hao Chiang,Jiun-Yi Wu,Li-Weng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Optical semiconductor element, optical semiconductor device, optical transmission system, and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US12119417B2. Автор: Kenichi Ono,Satoshi Inada,Akemi Murakami,Tsutomu Otsuka,Junichiro Hayakawa,Takeshi MINAMIRU. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Solid-state imaging device, production method of the same, and imaging apparatus

Номер патента: US09899435B2. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865638B2. Автор: Doo Won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Wide band gap transistors on non-native semiconductor substrates and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09660085B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Benjamin Chu-Kung,Seung Hoon Hoon SUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Solid-state imaging device, production method of the same, and imaging apparatus

Номер патента: US09635294B2. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Image sensor having a plurality of phototransistors separated by trench-gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472706B2. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Solid-state imaging device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466630B2. Автор: Ikuo Yoshihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Solid-state imaging device, production method of the same, and imaging apparatus

Номер патента: US09455296B2. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing photoelectric device

Номер патента: US09412895B2. Автор: Sang-jin Park,Dong-seop Kim,Young-Jin Kim,Doo-Youl Lee,Young-Su Kim,Sang-Won Seo,Jae-Ho Shin,Chan-Bin Mo,Min-Chul Song,Young-Sang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of dicing wiring substrate, and packaging substrate

Номер патента: US20190304804A1. Автор: Koji Imayoshi,Yuki Nitta. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Power trench MOS-gated device and method of manufacturing it

Номер патента: EP1041640A3. Автор: Christopher Kocon. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Method of manufacturing a display device

Номер патента: US20040175869A1. Автор: Mark JOHNSON,Herbert Lifka,Freddy Roozeboom,Rene Elfrink. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Method of manufacturing a display device

Номер патента: EP1358674A1. Автор: Herbert Lifka,Freddy Roozeboom,Mark T. Johnson,Rene J. G. Elfrink. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-05.

Novel split gate (sg) memory device and novel methods of making the sg-memory device

Номер патента: US20210151451A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of fabricating flash memory

Номер патента: US20080166865A1. Автор: Hyun-Sang Hwang,Man Jang,Min-Seok Jo,Ho-Kyung Park. Владелец: Poongsan Microtec Co Ltd Status Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240164112A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryo Ogura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Solid-state image sensor, solid-state imaging device, and method of manufacturing solid-state image sensor

Номер патента: US20210273008A1. Автор: Hideaki Togashi,Junpei Yamamoto,Takushi Shigetoshi,Shinpei Fukuoka,Moe Takeo,Sho NISHIDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Mis capacitor and method of making a mis capacitor

Номер патента: EP4113607A1. Автор: FENG Cong,CHAO Chen,Zhouyi LUO. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-01-04.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: WO2005086237A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-15.

Image sensors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20040135065A1. Автор: Hoon Jang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074136B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Tzuan-Horng LIU,Jiun-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Eeprom and method of fabricating the same

Номер патента: US20040009645A1. Автор: Tae-Kwang Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-15.

Solid-state imaging device and method of driving same

Номер патента: US20080018768A1. Автор: Shunsuke Tanaka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Mesa edge shielding trench Schottky rectifier and method of manufacture thereof

Номер патента: US8551867B2. Автор: WEI Liu,Fan Wang,Xiaozhong Sun. Владелец: Suzhou Silikron Semicoductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20040201060A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Ldmos transistor and method of making the same

Номер патента: EP1719183A2. Автор: Carsten Ahrens,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-11-08.

Electronic element including ferroelectric substance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US7427515B2. Автор: Masao Kondo,Kazuaki Kurihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-09-23.

Solid-state image pickup device and a method of producing the same

Номер патента: US20010048124A1. Автор: Eiichi Okamoto. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of designing semiconductor device allowing control of current driving capability depending on shape of element forming region

Номер патента: US20040181386A1. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Electronic element including ferroelectric substance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100051891A1. Автор: Masao Kondo,Kazuaki Kurihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor die having an optical detection marker and method of producing the semiconductor die

Номер патента: US20240120298A1. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-11.

Electronic element including ferroelectric substance film and method of manufacturing the same

Номер патента: US7858959B2. Автор: Masao Kondo,Kazuaki Kurihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-12-28.

Radiation detection element, radiation detection apparatus, x-ray ct apparatus, and manufacturing method of radiation detection element

Номер патента: US20240304744A1. Автор: Takanori Yamashita,Tatsuya Ryoki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812488B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Image sensor isolation region and method of forming the same

Номер патента: US09786707B2. Автор: Kei-Wei Chen,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong,Szu-An Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Image sensor isolation region and method of forming the same

Номер патента: US09673244B2. Автор: Kei-Wei Chen,Shiu-Ko Jangjian,Min Hao Hong,Szu-An Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Micro-fabricated integrated coil and magnetic circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09607748B2. Автор: Robert L. Borwick, III,Jeffrey F. DeNatale,Philip A. Stupar,Rahul Ganguli,Vivek Mehrotra,Robert E. Mihailovich,Alex P. Papavasiliou. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09543291B2. Автор: Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US09525098B2. Автор: Youngho Choe,Sungeun Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming a bifacial solar cell structure

Номер патента: US09525081B1. Автор: Chia-Lung Lin,Yu-Hsiang Huang,Haw Yen,Jung-Wu Chien,Yu Ta Cheng,Chuan Chi Chen,Chin-Pao Taso. Владелец: Inventec Solar Energy Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing a YIG oscillator

Номер патента: US20010024143A1. Автор: Shuji Nojima,Tomohiko Ezura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20100291718A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor optical amplifier device and method of operating it

Номер патента: WO2017168259A1. Автор: Xiao Sun,Zhensen GAO. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2017-10-05.

Microelectromechanical systems component and method of making same

Номер патента: EP2259995A1. Автор: Daniel N. Koury, Jr.,Lianjun Liu,Melvy F. Miller. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-15.

Method of fabricating bit line

Номер патента: US6051469A. Автор: Gary Hong,Yau-Kae Sheu. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Method of Manufacturing a Part of a MEMS System

Номер патента: US20130001810A1. Автор: Shintaro Asuke. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method of forming vertical, hollow needles within a semiconductor substrate, and needles formed thereby

Номер патента: US6406638B1. Автор: Boris Stoeber,Dorian Liepmann. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2002-06-18.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Mask rom cell and method of fabricating the same

Номер патента: US20010035589A1. Автор: Jin Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-01.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Heterojunction semiconductor substrate with excellent dielectric properties, method of manufacturing the same and electronic device using the same

Номер патента: US20240180041A1. Автор: Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Ji-Soo Jang,Soo Young Jung,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Hyun-Cheol SONG,Sunghoon Hur. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device with DRAM cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US7265020B2. Автор: Takahito Nakajima,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Programmable via structure and method of fabricating same

Номер патента: US20090311858A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Lia Krusin-Elbaum,Chung H. Lam,Albert M. Young. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of construction of accumulation sump

Номер патента: RU2707606C1. Автор: Марат Мударисович Гилязов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of ordering the location of nanoparticles on the substrate surface

Номер патента: RU2646441C1. Автор: Максим Викторович Кузнецов,Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Денис Вячеславович Кочкарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования &#34;Сибирский государственный университет геосистем и технологий&#34;. Дата публикации: 2018-03-05.

Method of making semiconductor substrate using an etching mask and method of making liquid ejection head substrate using an etching mask

Номер патента: US09457559B2. Автор: Hiroshi Higuchi,Takayuki Kamimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Micro-fabricated device for controlling trapped ions and method of manufacturing the same by micro-fabrication

Номер патента: EP4371133A1. Автор: Clemens Roessler,Sokratis Sgouridis,Marco Valentini,Silke Auchter,Jonathan HOME,Gerald Stocker,Philip HOLZ,Chiara DECAROLI,Yves Colombe. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Eth Zuerich. Дата публикации: 2024-05-22.

Micro-fabricated device for controlling trapped ions and method of manufacturing the same by micro-fabrication

Номер патента: WO2023285443A1. Автор: Clemens Roessler,Sokratis Sgouridis,Marco Valentini,Silke Auchter,Jonathan HOME,Gerald Stocker,Philip HOLZ,Chiara DECAROLI,Yves Colombe. Владелец: Eidgenössische Technische Hochschule - Eth Zürich. Дата публикации: 2023-01-19.

Micro-Fabricated Device for Controlling Trapped Ions and Method of Manufacturing the Same by Micro-Fabrication

Номер патента: US20240347223A1. Автор: Sokratis Sgouridis,Marco Valentini,Silke Auchter,Clemens Rössler,Jonathan HOME,Gerald Stocker,Philip HOLZ,Chiara DECAROLI,Yves Colombe. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for the surface treatment of a semiconductor substrate

Номер патента: US09981471B2. Автор: Fabrizio Porro. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-29.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor chip with embedded microfluidic channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20240208806A1. Автор: Wei-Yang WENG,Jun-Chau Chien. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Pattern forming method and system, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080276216A1. Автор: Toshiya Kotani,Ayako Nakano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

A dice game kit and method of playing a dice game using the same

Номер патента: WO2014176412A2. Автор: Wilma D. MIZANOSKI. Владелец: Commercial Technology LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

A dice game kit and method of playing a dice game using the same

Номер патента: WO2014176412A9. Автор: Wilma D. MIZANOSKI. Владелец: Commercial Technology LLC. Дата публикации: 2014-12-18.

Method of advertising financial services and interest rate dice

Номер патента: US20060192337A1. Автор: John Oharenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-31.

Integrated circuit with nano-conductive sensors in field transistors, manufactured by chemical method, sensor device, method of measurement and method of manufacture

Номер патента: RU2638132C2. Автор: Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Марлен МЕСХЕР,Мануэль Эдуардо АЛАРКОН-РИВЕРО,ВИЛД Нико Марис Адриан ДЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-12-11.

Method of manufacturing semiconductor converter of ionizing radiation energy to electricity

Номер патента: RU2668229C1. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Сергей Юрьевич Трощиев,Николай Викторович Лупарев,Сергей Александрович Тарелкин,Виталий Сергеевич Бормашов,Антон Владимирович Голованов,Дмитрий Дмитриевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение &#34;Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов&#34; (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-09-27.

Game for a plurality of players, and method of play

Номер патента: US09908035B1. Автор: Kelly A Clark,Joshua L Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120034763A1. Автор: Fumitake Nakanishi,Hideki Osada,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Game for a plurality of players, and method of play

Номер патента: US9908035B1. Автор: Kelly A Clark,Joshua L Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-06.

Gaming machine and methods of providing games to players having dice with expandable images

Номер патента: US09542810B2. Автор: Jason Gilmore,Jayme Neverton,Ali Minaian,Carolyn Tomczyk. Владелец: Konami Gaming Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for determining a sampling scheme, a semiconductor substrate measurement apparatus, a lithographic apparatus

Номер патента: EP4235306A3. Автор: Roy Werkman,Erik Jensen,Paul DERWIN,Pieter Gerardus Jacobus SMORENBERG,Putra SAPUTRA,Khalid ELBATTAY,Hyun-Woo Yu,Gautam SARMA. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2023-09-20.

Sensor device with circuit and integrated component for magneto-impedance measurement, and method of producing same

Номер патента: EP4394417A1. Автор: Daniel Rosenfeld,Bruno BRAJON,Lionel Tombez,Appo Van Der Wiel,Guido DUPONT. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of rear surface treatment, analysis method of integrated circuit from rear surface side, and rear surface treatment apparatus

Номер патента: US20100193374A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Sensor device with circuit and integrated component for magneto-impedance measurement, and method of producing same

Номер патента: WO2024141402A1. Автор: Daniel Rosenfeld,Bruno BRAJON,Lionel Tombez,Appo Van Der Wiel,Guido DUPONT. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Detector of gravitational waves and method of detecting gravitational waves

Номер патента: US20140096606A1. Автор: Davide Giuseppe Patti,Alfio Russo,Alessandro MASCALI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of controlling a dice game and gaming machine

Номер патента: SG142259A1. Автор: Yoshizawa Kazumasa. Владелец: Aruze Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

Sensor device with circuit and integrated component for magneto-impedance measurement, and method of producing same

Номер патента: US20240219487A1. Автор: Daniel Rosenfeld,Bruno BRAJON,Lionel Tombez,Guido DUPONT, Appo VAN DER WIEL. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of determining an impurity concentration in highly doped semiconductor materials

Номер патента: WO1999064844A1. Автор: Jan Vanhellemont,Olivier De Gryse,Paul Clauws,Ludo Rossou,Jozeph Van Landuyt. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 1999-12-16.

Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240310739A1. Автор: Jaehong Lee,Ho Young Kim,Sunghwan Kim,Kyoungwhan OH,Jaekyung PARK,Yohan CHOE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of playing a poker dice game

Номер патента: US5456467A. Автор: Betty L. Hoover. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-10-10.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of projecting printing on semiconductor substrate and workpiece including such substrate

Номер патента: US4405229A. Автор: Herbert E. Mayer. Владелец: Censor Patent und Versuchsanstalt. Дата публикации: 1983-09-20.

Semiconductor processing tool and methods of operation

Номер патента: US12111583B2. Автор: Heng-Hsin Liu,Li-Jui Chen,Kai-Chieh Chang,Kai-Fa Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Monocrystal silicon carbide and method of its production

Номер патента: RU2160227C2. Автор: Кити Танино,Кития Танино. Владелец: Ниппон Пиллар Пэкинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2000-12-10.

Method of electroplating on magnetite production

Номер патента: RU2655481C2. Автор: Ольга Валерьевна Иванова,Николай Федорович Кизим,Константин Владиславович Станиславчик,Борис Алексеевич Хоришко,Ирина Викторовна Мекаева,Татьяна Борисовна Кабанова,Александра Николаевна Малафеева. Владелец: ОАО &#34;Нефтегазавтоматика&#34;. Дата публикации: 2018-05-28.

Memory device and method of testing the memory device for failure

Номер патента: US20240120020A1. Автор: Jung Ryul Ahn,Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of a measuring physical properties of buried channel

Номер патента: US5032786A. Автор: Mikihiro Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-07-16.

Heat flux sensor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP4407286A1. Автор: Carl VAN BUGGENHOUT,Luc BUYDENS,Dirk Terryn,Stijn REEKMANS,Benny Van Daele,Jietse VAN THIENEN. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2024-07-31.

Cleaning method of semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20070074738A1. Автор: Takayuki Furusawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Дальневосточный федеральный университет&#34;. Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Etching Trenches into Silicon of a Semiconductor Substrate, Methods of Forming Trench Isolation in Silicon of a Semiconductor Substrate, and Methods of Forming a Plurality of Diodes

Номер патента: US20120302067A1. Автор: Subramanian Krupakar M.. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of removing surface contaminants on substrate and semiconductor substrate

Номер патента: JPH11154659A. Автор: 志津夫 小黒,Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to form epitaxial films of cobalt on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2465670C1. Автор: Юрий Павлович Иванов,Людмила Алексеевна Чеботкевич,Андрей Вадимович Зотов,Александр Вячеславович Давыденко,Алексей Игоревич Ильин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Дальневосточный федеральный университет&#34;. Дата публикации: 2012-10-27.

Method of producing metal films with given shape

Номер патента: RU2597373C1. Автор: Александр Иванович Сидоров,Николай Валентинович Никоноров,Александр Олегович Голубок,Иван Сергеевич Мухин,Филипп Эдуардович Комиссаренко,Михаил Алексеевич Просников. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики&#34; (Университет ИТМО). Дата публикации: 2016-09-10.

Method of making diffraction grating

Номер патента: RU2544873C1. Автор: Владимир Иванович Нуждин,Андрей Львович Степанов,Валерий Фердинандович Валеев,Юрий Николаевич Осин,Мансур Фаляхутдинович Галяутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского Казанского научного центра Российской Академии наук (КФТИ КазНЦ РАН). Дата публикации: 2015-03-20.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Дальневосточный федеральный университет&#34;. Дата публикации: 2014-07-20.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming protective coating based non-crystalline carbon film

Номер патента: RU2530224C1. Автор: Владимир Михайлович Рощин,Илья Николаевич Мочегов,Анна Сергеевна Савватеева,Михаил Васильевич Басс. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Институт точной технологии и проектирования&#34;. Дата публикации: 2014-10-10.

Method to determine electroconductivity and thickness of semiconductor plates or nanometer semiconductor layers in structures "semiconductor layer - semiconductor substrate"

Номер патента: RU2517200C2. Автор: Сергей Аполлонович Никитов,Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования &#34;Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского&#34;. Дата публикации: 2014-05-27.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making self-aligned high-voltage integrated transistor

Номер патента: RU2492546C1. Автор: Николай Михайлович Манжа,Виктор Юрьевич Пустовит,Борис Николаевич Рыгалин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Национальный исследовательский университет &#34;МИЭТ&#34;. Дата публикации: 2013-09-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.