Semiconductor Chip Including Region Having Integrated Circuit Transistor Gate Electrodes Formed by Various Conductive Structures of Specified Shape and Position and Method for Manufacturing the Same.

Semiconductor Chip Including Region Having Integrated Circuit Transistor Gate Electrodes Formed by Various Conductive Structures of Specified Shape and Position and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20150249041A1
Опубликовано: 03-09-2015
Автор(ы): Becker Scott T., Smayling Michael C.
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit and method for making wiring layout of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6013924A. Автор: Takashi Iida,Shigenori Ichinose,Noboru Yokota,Masashi Takase,Toru Osajima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Integrated circuit structures having differentiated workfunction layers

Номер патента: US20200219775A1. Автор: Florian Gstrein,Ashish Agrawal,Ying Pang,Dan S. Lavric,Robert Niffenegger,Padmanava Sadhukhan,Robert W. Heussner,Joel M. Gregie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Buried source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09793171B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,William J. Taylor,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor chip

Номер патента: US20240015985A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with a gate region having overlapping first conduction type and second conduction type dopants

Номер патента: US20080087964A1. Автор: Hirotsugu Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150041910A1. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Integrated circuits with a partially-depleted region formed over a bulk silicon substrate and methods for fabricating the same

Номер патента: US09917087B2. Автор: Jan Hoentschel,Juergen Faul,Stefan Flachowksy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuit device with performance-enhancing layout

Номер патента: EP4435859A2. Автор: Feng Zhang,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Yanbin LUO,Chiao-Ti HUANG,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrated circuit device with performance-enhancing layout

Номер патента: US20240321859A1. Автор: Feng Zhang,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Yanbin LUO,Chiao-Ti HUANG,Paul Packan,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional integrated circuit having stabilization structure for power supply voltage, and method for manufacturing same

Номер патента: US20140151882A1. Автор: Takashi Morimoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor chip

Номер патента: US20060105535A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-18.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit, system and method of forming same

Номер патента: US12131998B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions

Номер патента: US7034365B2. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Integrated circuit devices having contact holes exposing gate electrodes in active regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060141715A1. Автор: Myoung-kwan Cho,Jeung-Hwan Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US9275994B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor chip

Номер патента: US20190371748A1. Автор: Takahiro Takeda,Yuji Kiyota. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method and apparatus for forming an integrated circuit with a metalized resistor in a standard cell configuration

Номер патента: US09478533B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Li-Chun Tien,Bo-Ting Chen,Ting Yu CHEN,Wei Yu Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuits with selective gate electrode recess

Номер патента: US09418898B2. Автор: Christopher J. WIEGAND,Michael L. Hattendorf,Mark Y. Liu,Srijit Mukherjee,Tyler J WEEKS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240347460A1. Автор: Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240332304A1. Автор: Toshio Hino,Hideyuki Komuro,Junji Iwahori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor chip with varying thickness profile

Номер патента: US20240249950A1. Автор: BO Yang,Ning Ye,Yangming Liu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of splitting semiconductor chip using mechanical machining and semiconductor chip split by the same

Номер патента: US20240312823A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Jihun JUNG,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for packaging integrated circuits with elastomer chip carriers

Номер патента: US6103554A. Автор: Byung Man Kim,Dae Woo Son,Youn Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-15.

Wafer treatment method for protecting fuse box of semiconductor chip

Номер патента: US20030080360A1. Автор: Jae-Il Lee,Jeong-Ho Bang,Hyo-geun Chae,Young-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-01.

Methods of manufacturing semiconductor chip including crack propagation guide

Номер патента: US20240170333A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods of manufacturing semiconductor chip including crack propagation guide

Номер патента: US20220352023A1. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Methods of manufacturing semiconductor chip including crack propagation guide

Номер патента: US11923247B2. Автор: Hyo Sub YEOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11942471B2. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method ofsemiconductor device

Номер патента: EP4002460A1. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor module, semiconductor chip, and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240170409A1. Автор: Hidenori Tsuji,Junta MIYAMOTO. Владелец: Premo Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240194665A1. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Method of making stackable semiconductor chips to build a stacked chip module

Номер патента: US6124149A. Автор: Jin Su Kim,Kyung Wook Paik,Hyung Su Ko. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5543651A. Автор: Kazuo Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1996-08-06.

Semiconductor chip, method and apparatus for fabricating the semiconductor chip

Номер патента: US20030160268A1. Автор: Michael Wagner,Manfred Selz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Manufacturing method and apparatus of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6035111A. Автор: Takeshi Shimazaki,Yoshitaka Uchida,Kiyoshi Saida,Rieko Suzuki,Yoshihiro Kamiya,Takako Murakami,Teruhisa Tsuyuki,Kazunori Kawazoe,Yukimi Nishiwaki,Kazushige Itazu,Eiji Fujine. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 2000-03-07.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit including gate electrode level region including at least three linear-shaped conductive structures of equal length having aligned ends and positioned at equal pitch and forming multiple gate electrodes of transistors of different type

Номер патента: US8217428B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2012-07-10.

Integrated circuit including gate electrode level region including at least seven linear-shaped conductive structures of equal length positioned at equal pitch with at least two linear-shaped conductive structures each forming one transistor and having extending portion sized greater than gate portion

Номер патента: US8129753B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Integrated circuit and associated layout with gate electrode level portion including at least two complimentary transistor forming linear conductive segments and at least one non-gate linear conductive segment

Номер патента: US7943966B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Method for making cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189655A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070254426A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030129792A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6713325B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-03-30.

Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure

Номер патента: US11764095B2. Автор: Junsik Hwang,Kyungwook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure

Номер патента: US12080585B2. Автор: Junsik Hwang,Kyungwook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: USRE42223E1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-15.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040191967A1. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-30.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: EP3278363A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-02-07.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: WO2016161223A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: US09870927B2. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing a semiconductor device via etching a semiconductor chip to a first layer

Номер патента: US20100001414A1. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-01-07.

Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure

Номер патента: US20230274970A1. Автор: Junsik Hwang,Kyungwook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor chip having tampering feature

Номер патента: US09553056B1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Devendra K. Sadana,Bahman Hekmatshoartabari,Joel P. de Souza,Daniel M. Kuchta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having a carrier, semiconductor chip packages mounted on the carrier and a cooling element

Номер патента: US11915999B2. Автор: Ralf Otremba,Thorsten Scharf,Martin Gruber,Markus Dinkel,Elvir Kahrimanovic,Tomasz Naeve. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of forming enhanced transistor gate using e-beam radiation and integrated circuit including this transistor gate

Номер патента: KR100847369B1. Автор: 피셔필립에이.,양치-유,플래트마리나브이.,캘러헌러셀알.에이.,카투리아아쇼크엠.. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-07-21.

Method of forming enhanced transistor gate using E-beam radiation and integrated circuit including this transistor gate

Номер патента: CN1270353C. Автор: C-Y·杨,P·A·费希尔,M·V·普莱特,R·R·A·卡拉汉,A·M·卡舒尼亚. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-08-16.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a cmos integrated circuit

Номер патента: US20160372376A1. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a CMOS integrated circuit

Номер патента: US09721849B2. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High performance isolated vertical bipolar junction transistor and method for forming in a CMOS integrated circuit

Номер патента: US09461035B2. Автор: Amitava Chatterjee,Derek W. Robinson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

An integrated circuit substrate having a recess for receiving a solder fillet

Номер патента: WO2021133165A1. Автор: Poh Cheng Ang,Chee Can LEE,Shin Hung HWANG,Desmond Kai Heng HON,Khairul Arifah SAHARUDIN. Владелец: QDOS Flexcircuits Sdn Bhd. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated circuit having angled conductive feature

Номер патента: US20200126966A1. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated circuit having angled conductive feature

Номер патента: US20210280572A1. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice and related methods

Номер патента: EP3724919A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-21.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189665A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Edge-Mountable Semiconductor Chip Package

Номер патента: US20200274020A1. Автор: Tongbi T. Jiang,Miaolei YAN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked in a multi-layer structure by a flip-chip bonding method

Номер патента: US20230299111A1. Автор: Hyeokjong Lee,KyongSoon Cho,MinHO Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic component

Номер патента: US09853018B2. Автор: Johannes Baur,Berthold Hahn,Karl Engl,Christian Leirer,Roland Zeisel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09705058B2. Автор: Norwin von Malm,Andreas Plöβl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-11.

Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and image processing circuitry including a superlattice

Номер патента: US20190189669A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yi-Ann Chen,Abid Husain. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Display Device

Номер патента: US20200273907A1. Автор: Peter Brick,Frank Singer,Hubert Halbritter,Mikko Perala. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor chip, a method, an apparatus and a computer program product for image capturing

Номер патента: US10205902B2. Автор: Kim Gronholm,Markku Vaara. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2019-02-12.

A semiconductor chip, a method, an apparatus and a computer program product for image capturing

Номер патента: WO2016083664A1. Автор: Kim Gronholm,Markku Vaara. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor chip, method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240213290A1. Автор: Atsushi Yamamoto,Tomiyuki Yukawa,Ryosuke Kamatani. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

A semiconductor chip, a method, an apparatus and a computer program product for image capturing

Номер патента: US20170339364A1. Автор: Kim Gronholm,Markku Vaara. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-11-23.

Optoelectronic semiconductor chip and headlamp having such a semiconductor chip

Номер патента: US09799805B2. Автор: Michael Brandl,Ulrich Frei. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Integrated circuit fan-in for semiconductor transducer devices

Номер патента: US5457311A. Автор: William G. Hawkins,Donald J. Drake,Thomas A. Tellier. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1995-10-10.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09496462B2. Автор: Britta Göötz,Martin Straβburg,Wolfgang Mönch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-15.

Optoelectronic semiconductor chip and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20200243728A1. Автор: David O'Brien,Michael Schumann,Britta Goeoetz,David Racz,Desiree Queren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for the producing of a light-emitting semiconductor chip, method for the production of a conversion die and light-emitting semiconductor chip

Номер патента: EP2702833A1. Автор: Norwin von Malm,Madis Raukas,Darshan KUNDALIYA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-03-05.

Method for manufacturing a plurality of electronic semiconductor chips, electronic semiconductor chip and display

Номер патента: WO2024115056A1. Автор: Jörg Siegert,Rainer Minixhofer,Bernhard Stering. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for Producing an Electronic Component, Wherein a Semiconductor Chip is Positioned and Placed on a Connection Carrier, Corresponding Electronic Component, and Corresponding Semiconductor Chip and Method for Producing a Semiconductor Chip

Номер патента: US20210351156A1. Автор: Simeon Katz,Mathias Wendt,Pascal Porten. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09876001B2. Автор: Norwin von Malm,Britta Goeoetz,Ion Stoll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Radiation emitting or receiving optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09735319B2. Автор: Patrick Rode,Martin Strassburg,Alexander F. Pfeuffer,Martin Mandl,Christopher KÖLPER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240170511A1. Автор: Naoki Komai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Optoelectronic semiconductor chip and method of operating optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240120445A1. Автор: Alexander F. Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-04-11.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US20150357477A1. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-12-10.

Backside source-drain contact for integrated circuit transistor devices and method of making same

Номер патента: US09543397B2. Автор: John Hongguang Zhang,Walter Kleemeier. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor chips having redistributed power/ground lines directly connected to power/ground lines of internal circuits and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120104627A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor chips having redistributed power/ground lines directly connected to power/ground lines of internal circuits and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060220215A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor chips having redistributed power/ground lines directly connected to power/ground lines of internal circuits and methods of fabricating the same

Номер патента: US20090212414A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor chip, manufacturing method for semiconductor chip, and electronic device

Номер патента: US20240153978A1. Автор: Taichi Natori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad

Номер патента: US20170011976A1. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,Myeong-Soon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor integrated circuit device with reservoir capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236825A1. Автор: Jong Su Kim,Dong Kun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Bending semiconductor chip in molds having radially varying curvature

Номер патента: EP3278362A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-02-07.

Radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US9590008B2. Автор: Patrick Rode,Lutz Höppel,Jürgen Moosburger,Norwin von Malm,Karl Engl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor integrated circuit, method of manufacturing semiconductor integrated circuit, charge pump circuit, layout designing apparatus, and layout designing program

Номер патента: EP1406188A3. Автор: Yoshihiro Nonaka. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Method for producing an opto-electronic integrated circuit

Номер патента: CA1301897C. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-05-26.

Photoelectric conversion apparatus having metal portion, imaging system, movable body, and semiconductor chip for stacking

Номер патента: US11843014B2. Автор: Fumihiro Inui,Yusuke Onuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Photoelectric conversion apparatus having metal portion, imaging system, movable body, and semiconductor chip for stacking

Номер патента: US20200135786A1. Автор: Fumihiro Inui,Yusuke Onuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5610421A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-03-11.

Integrated circuit with EPROM cells

Номер патента: US5837554A. Автор: Claudio Contiero,Stefano Manzini,Tiziana Cavioni. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-11-17.

Intermediate semiconductor chip substrate for lead frame - provides wire connections between integrated circuit chip and conductor paths and between latter and lead frame fingers

Номер патента: CH681185A5. Автор: Claudio Meisser. Владелец: Esec Sa. Дата публикации: 1993-01-29.

Semiconductor chip including region having integrated circuit transistor gate electrodes formed by various conductive structures of specified shape and position and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443947B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor chip including region having rectangular-shaped gate structures and first metal structures

Номер патента: US09905576B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor chip including integrated circuit including at least five gate level conductive structures having particular spatial and electrical relationship and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425273B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor chip including integrated circuit including four transistors of first transistor type and four transistors of second transistor type with electrical connections between various transistors and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09425272B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US12068288B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20230223381A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240355786A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20240296273A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Cmos integrated circuit and amplifying circuit

Номер патента: US20130127539A1. Автор: Tadamasa Murakami. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Contact over active gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11031487B2. Автор: Tahir Ghani,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Atul Madhavan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20200006260A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit including at least four linear-shaped conductive structures having extending portions of different length

Номер патента: US8952425B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor chip integrating high and low voltage devices

Номер патента: US20200381513A1. Автор: Hideaki Tsuchiko. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices

Номер патента: US09922879B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Device including multiple semiconductor chips and multiple carriers

Номер патента: US09735078B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba,Oliver Haeberlen,Matteo-Alessandro Kutschak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for forming an integrated circuit having transistor gates over an interconnection structure

Номер патента: US12062658B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit chip and semiconductor package

Номер патента: US20230282624A1. Автор: Kyoung-Min Lee,Eun-Hee Kim,Bong Wee Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203833A1. Автор: Taeyoon Kim,Jungil Son,Sungwook Moon,Kunwoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US09484288B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Stacked integrated circuits with redistribution lines

Номер патента: US09449914B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jeng-Shyan Lin,Cheng-Ying Ho,Ying-Ling Tsai,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240290715A1. Автор: Yasuhiko Maki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device, method for packaging semiconductor chip, method for manufacturing shallow trench isolation (sti)

Номер патента: US20220037200A1. Автор: Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for manufacturing semiconductor device, method for packaging semiconductor chip, method for manufacturing shallow trench isolation (sti)

Номер патента: US20190035676A1. Автор: Hao-Hsiung Lin,Che-Wei Yang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-01-31.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US12027481B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor chip including through electrodes, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240297121A1. Автор: Ho Young SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor chip and power module, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190157412A1. Автор: Toshiaki Morita,Kan Yasui,Takahiro Morikawa,Masakazu Sagawa,Motoyuki Miyata. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4425568A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US12057441B2. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor chips and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978756B2. Автор: Hyuk Kim,Seung-pil Chung,Jae-Ho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip

Номер патента: US09935056B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor chip fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20200098704A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Interconnection structure of a semiconductor chip and semiconductor package including the interconnection structure

Номер патента: US20220093521A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US20200151294A1. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US10796050B2. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-06.

Optoelectronic semiconductor chip, manufacturing method and semiconductor component

Номер патента: US20240170611A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger,Andreas Leber. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120295A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu,Yun-Chung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Chip package having die structures of different heights and method of forming same

Номер патента: US09806058B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Chi-Hsi Wu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Multi-chip package having a stacked plurality of different sized semiconductor chips, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761563B2. Автор: Hyung-Lae Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor chip, method for producing a semiconductor chip and method for soldering a semiconductor chip to a carrier

Номер патента: US09741639B2. Автор: Kirill Trunov,Frank Umbach,Niels Oeschler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US11005003B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Jürgen Off,Thomas Lehnhardt. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-05-11.

Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips

Номер патента: EP4336555A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Mass-transfer method and mass-transfer device for micro semiconductor chips

Номер патента: US20240079395A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Joonyong Park,Hyungwook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Fanout module integrating a photonic integrated circuit

Номер патента: US20240019649A1. Автор: Rahul Agarwal,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan,Kong Toon Ng. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Fanout module integrating a photonic integrated circuit

Номер патента: EP4330748A1. Автор: Rahul Agarwal,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan,Kong Toon Ng. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor chip and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4386834A1. Автор: Taeyoon Kim,Jungil Son,Sungwook Moon,Kunwoo KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor wafer and semiconductor chip

Номер патента: US20210066202A1. Автор: Mika Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor chip with chip outline of various shapes at wafer level

Номер патента: US20240266181A1. Автор: Taehyun Kim,Kwangyeul Choi. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor chip having a through electrode and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US20240321794A1. Автор: Jeonggi Jin,Unbyoung Kang,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Heewon Kim,Gyuho KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor chip tray

Номер патента: US09887113B2. Автор: Hisao Nakamura,Koji Akimoto,Tsutomu Fukaya. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor chips having through silicon vias and related fabrication methods and semiconductor packages

Номер патента: US09698051B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hyun-Soo Chung,Son-Kwan Hwang,Jin-Ho Chun,Byung-Iyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US09666551B1. Автор: Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Cha-Jea JO,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having a plurality of circuits arranged on a side of a semiconductor chip

Номер патента: US09564388B2. Автор: Masato Numazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Identification codes on semiconductor chips

Номер патента: US20230350309A1. Автор: Detlef Hofmann,Heiko Assmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Printed circuit board including through region and semiconductor package formed by using the same

Номер патента: US20140301055A1. Автор: Sang-uk Han,Chae-Hun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor chip package device

Номер патента: US20210391239A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Adhesive transfer stamp and method for transferring a semiconductor chip using an adhesive transfer stamp

Номер патента: US12106980B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hubert Halbritter,Mikko Peraelae. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Dicing method for wafer-level packaging and semiconductor chip with dicing structure adapted for wafer-level packaging

Номер патента: US09917012B2. Автор: Bernhard Stering. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Thermal structure for integrated circuit package

Номер патента: US09741638B2. Автор: Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Cheng-chieh Hsieh,Way Lee Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09496228B2. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Printed circuit board including through region and semiconductor package formed by using the same

Номер патента: US09431272B2. Автор: Sang-uk Han,Chae-Hun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: WO2010116698A2. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi,Kenji Nakagawa,Nobuo Kawase. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2010-10-14.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor chip having a supporting member, tape substrate, semiconductor package having the semiconductor chip and the tape substrate, and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20030017654A1. Автор: Naofumi Iwamoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor package including plurality of semiconductor chips and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240186294A1. Автор: Dongkwan Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor package including plurality of semiconductor chips and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220223566A1. Автор: Dongkwan Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor package including plurality of semiconductor chips and method for manufacturing the same

Номер патента: US11935868B2. Автор: Dongkwan Kim,Kunsil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device

Номер патента: US8035212B2. Автор: Akira Tanaka,Mitsuyoshi Tanimoto,Minoru Takizawa,Akihiko Happoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Method and System for Wafer Level Testing of Semiconductor Chips

Номер патента: US20120013359A1. Автор: Zhaojun SHAO. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-19.

Method for dicing semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system

Номер патента: US20050087843A1. Автор: Hubert Benzel,Julian Gonska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor chip package and method for fabricating the same

Номер патента: US20050253279A1. Автор: Qwan Ho Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Method for connecting a semiconductor chip metal surface of a substrate by means of two contact metallization layers and method for producing an electronic module

Номер патента: US09978711B2. Автор: Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN,Christian Stahlhut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including semiconductor chips mounted over both surfaces of substrate

Номер патента: US09799611B2. Автор: Koji Hosokawa,Sensho USAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor chip and a semiconductor package having a package on package (POP) structure including the semiconductor chip

Номер патента: US09472539B2. Автор: Yong-Hoon Kim,Hee-Seok Lee,Jang-Ho Cho,Hyo-soon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including filling material provided in space defined by three semiconductor chips

Номер патента: US09443823B2. Автор: Norio Hatakeyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US9941229B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Process for adhesively bonding a semiconductor chip to a carrier film

Номер патента: US5897337A. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Chip package structure with integrated device integrated beneath the semiconductor chip

Номер патента: US11948914B2. Автор: Shin-puu Jeng,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor chip having bump electrode, semiconductor device having the semiconductor chip, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120306074A1. Автор: Yasuko Kobayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor chip stack structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240105680A1. Автор: Dongjoon Oh,Jumyong Park,Junyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor chip including through electrodes, and semiconductor package including the same

Номер патента: US12009308B2. Автор: Ho Young SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234255A1. Автор: Ho Young SON,Sung Kyu Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20170309586A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240071942A1. Автор: Chungsun Lee,Jihwan HWANG,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: WO2014078138A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US11776894B2. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor chip, semiconductor package, and wafer dicing method

Номер патента: US20240203946A1. Автор: Sera Lee,Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Jihoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package including semiconductor chips

Номер патента: US20220130793A1. Автор: Hyungu Kang,Jaekyu SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20140131855A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20160093585A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Chip package and semiconductor arrangement having thermally conductive material in contact with a semiconductor chip and methods of forming thereof

Номер патента: US12068213B2. Автор: Ralf Otremba,Sanjay Kumar Murugan,Thai Kee Gan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor chip mounting body, method of manufacturing semiconductor chip mounting body and electronic device

Номер патента: US20100244224A1. Автор: Akira Tanaka,Mitsuyoshi Tanimoto,Minoru Takizawa,Akihiko Happoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20180145075A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133625A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133626A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20200381429A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Internal hydrogen sources for heat conductive packaging of low dielectric constant semiconductor chips, and method of providing hydrogen therefor

Номер патента: US20030038364A1. Автор: Paul Farrar,Jerome Eldridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Internal hydrogen sources for heat conductive packaging of low dielectric constant semiconductor chips, and method of providing hydrogen therefor

Номер патента: US20030209702A1. Автор: Paul Farrar,Jerome Eldridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of transferring semiconductor chips

Номер патента: US20040077125A1. Автор: Uwe Waeckerle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for fabricating semiconductor chip structures, semiconductor carrier and semiconductor chip structure

Номер патента: US20220359213A1. Автор: Tang-Chin HUNG. Владелец: Panelsemi Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929022B2. Автор: Jin-woo Park,Yun-seok Choi,Tae-Je Cho,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09859277B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09741719B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US09735125B2. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatuses for bonding semiconductor chips

Номер патента: US09704732B2. Автор: Jaehong Kim,Jungchul Lee,Taegyeong Chung,Yisung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor wafer and its manufacture method, and semiconductor chip

Номер патента: US09685416B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US7777312B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor chips with reduced stress from underfill at edge of chip

Номер патента: US7871920B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Wolfgang Sauter,Timothy Harrison Daubenspeck,Christopher David Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US11888083B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Jürgen Off,Thomas Lehnhardt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US20220352128A1. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor chip and method for producing semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096714A1. Автор: Kyungsoo Lee,Junho Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US11784168B2. Автор: Yongwon Choi,Inyoung LEE,Wonkeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor chips with reduced stress from underfill at edge of chip

Номер патента: US20100203685A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Wolfgang Sauter,Timothy Harrison Daubenspeck,Christopher David Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for Producing a Plurality of Semiconductor Chips and Semiconductor Chip

Номер патента: US20170309481A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor chip shape alteration

Номер патента: EP2095419A1. Автор: Mukta G. Farooq,Dae-Young Jung,Ian D. Melville. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Semiconductor chip shape alteration

Номер патента: WO2008079662A1. Автор: Mukta G. Farooq,Dae-Young Jung,Ian D. Melville. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-07-03.

Power distribution networks for semiconductor chip

Номер патента: US20230326854A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Junli Wang,Nicholas Anthony Lanzillo,John W. Golz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor chips and methods of forming the same

Номер патента: US20120119376A1. Автор: Byung-lyul Park,Kwangjin Moon,Dosun Lee,Deok-Young Jung,Gilheyun CHOI,Dong-Chan Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor chip for an ink jet printhead and method for making same

Номер патента: US20020118252A1. Автор: Carl Sullivan,James Mrvos. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Chip including a scribe lane

Номер патента: US20200126932A1. Автор: Jung Ho Choi,Jun Ho Yoon,Yun Hee Kim,Yoon Sung Kim,Byung Moon BAE,Hyun Su SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor chip

Номер патента: US20200312792A1. Автор: Yuan Gao,Jianhong Zeng,Shouyu Hong,Ganyu ZHOU,Shili Wu,Jinshan SHI. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor chip

Номер патента: US20220328430A1. Автор: Yuan Gao,Jianhong Zeng,Shouyu Hong,Ganyu ZHOU,Shili Wu,Jinshan SHI. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor chip

Номер патента: US11610853B2. Автор: Yuan Gao,Jianhong Zeng,Shouyu Hong,Ganyu ZHOU,Shili Wu,Jinshan SHI. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Semiconductor chip fabrication method

Номер патента: US20090209088A1. Автор: Tadato Nagasawa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US12073170B2. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing semiconductor chips for display

Номер патента: MY114876A. Автор: Hisao Hayashi,Masumitsu Ino,Masahiro Minegishi,Takenobu Urazono,Shizuo Nishihara,Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-02-28.

Method of photolithographically forming narrow transistor gate elements

Номер патента: EP1482541A3. Автор: Reima T. Laaksonen,Jarvis B. Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Semiconductor Chip Package Having Internal I/O Structures With Modulated Thickness To Compensate For Die/Substrate Warpage

Номер патента: US20230086649A1. Автор: Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas S. HAEHN,Jacob VEHONSKY,Onur Ozkan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Packaged semiconductor chips having heat dissipation layers and ground contacts therein

Номер патента: US09978661B2. Автор: OLEG Feygenson,Sang Il Kim,Youngbae Kim,Jungsu Ha,Yunhyeok Im,Jichul Kim,Seungkon Mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating a semiconductor chip panel

Номер патента: US09953846B2. Автор: Edward Fuergut,Daniel Porwol. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Optoelectronic semiconductor chip and method for the production thereof

Номер патента: US09806223B2. Автор: Uwe Strauss,Lutz Höppel,Matthias Sabathil,Magnus Ahlstedt,Martin Strassburg,Matthias Peter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support and method for producing an optoelectronic semiconductor component comprising an optoelectronic semiconductor chip being partly embedded in a shaped body serving as support

Номер патента: US09780269B2. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Jürgen Moosburger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US09728459B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor chips

Номер патента: US09673351B2. Автор: Kenji Yamazaki,Michiaki Murata,Tsutomu Otsuka,Takeshi MINAMIRU. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for producing a material-bonding connection between a semiconductor chip and a metal layer

Номер патента: US09659793B2. Автор: Frederik Otto,Christian Steininger,Nicolas Heuck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09647174B2. Автор: Andreas Weimar,Berthold Hahn,Karl Engl,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing a semiconductor device including removing a relief layer from back surface of semiconductor chip

Номер патента: US09646856B2. Автор: Thorsten Meyer,Klaus Reingruber,David O'Sullivan. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US09633888B2. Автор: Kenji Yamazaki,Eitoku Sonoda,Hirokazu Matsuzaki,Tomoki Umezawa,Takeshi MINAMIRU,Saori NISHIZAKI,Tatsumi INOMOTO. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor chip with thermal interface tape

Номер патента: US09627281B2. Автор: Bryan Black,Joseph Siegel,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed,Dales Kent,Seth Prejean,Ronnie Brandon,Michael Bienek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Workpiece with semiconductor chips, semiconductor device and method for producing a workpiece with semiconductor chips

Номер патента: US09601475B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer,Jens Pohl,Stephan Bradl,Recai Sezi,Klaus Pressel,Ralf Plieninger. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor chip with structured sidewalls

Номер патента: US09496193B1. Автор: Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Martin Zgaga,Tobias Schmidt,Martin Sporn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor component of semiconductor chip size with flip-chip-like external contacts

Номер патента: US09385008B2. Автор: Michael Weber,Horst Theuss,Helmut Kiendl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Article and panel comprising semiconductor chips, casting mold and methods of producing the same

Номер патента: US09362144B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Brunnbauer. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-06-07.

Multi-chip package having a stacked plurality of different sized semiconductor chips, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080036082A1. Автор: Hyung-Lae Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor chip carrier package with a heat sink

Номер патента: US4630172A. Автор: Thomas J. Miller,Gary L. Stenerson. Владелец: Printed Circuits International Inc. Дата публикации: 1986-12-16.

Semiconductor chips having heat conductive layer with vias

Номер патента: GB2523870A. Автор: Kenneth Joseph Goodnow,Clarence Rosser Ogilvie,Sebastian Theodore Ventrone,Charles Woodruff,Richard Stephen Graf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

Pick and placement of semiconductor chips based on nozzleless self-focusing acoustic droplet ejector

Номер патента: US20210366744A1. Автор: Eun Sok Kim,Yongkui TANG. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2021-11-25.

Devices and methods of vertical integrations of semiconductor chips, magnetic chips, and lead frames

Номер патента: US11973029B2. Автор: Jerry Zhijun Zhai. Владелец: Suzhou Qing Xin Fang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method and apparatus for fabricating integrated circuit device using self-organizing function

Номер патента: US20130045569A1. Автор: Mitsumasa Koyanagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-21.

Methods for manufacturing semiconductor chips, methods for manufacturing semiconductor devices, semiconductor chips, semiconductor devices, connection substrates and electronic devices

Номер патента: US20010021582A1. Автор: Eiichi Sato,Tadashi Komiyama,Akitoshi Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20210057278A1. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20200058551A1. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240178191A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Unbyoung Kang,Jihun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US11967529B2. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Devices and methods of vertical integrations of semiconductor chips, magnetic chips, and lead frames

Номер патента: US20200227349A1. Автор: Jerry Zhijun Zhai. Владелец: Suzhou Qing Xin Fang Electronics Tecnology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Devices and methods of vertical integrations of semiconductor chips, magnetic chips, and lead frames

Номер патента: US20220157715A1. Автор: Jerry Zhijun Zhai. Владелец: Suzhou Qing Xin Fang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor chip including align mark protection pattern and semiconductor package including semiconductor chip including the align mark protection pattern

Номер патента: US20230154860A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Wiper for transferring micro semiconductor chip and apparatus for collecting micro semiconductor chip

Номер патента: US20240234180A1. Автор: Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Youngtek OH,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Fabrication method of semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20180261563A1. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Front- and backside power delivery wiring for integrated circuit chips

Номер патента: EP4396871A1. Автор: Katsuyuki Sakuma,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Transfer tool and method for transferring semiconductor chips

Номер патента: US12020973B2. Автор: Andreas Plöβl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor chip pickup device

Номер патента: US20040091342A1. Автор: Kuniaki Tsurushima,Kouichi Yajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Method for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules

Номер патента: MY113986A. Автор: Damiot Pascale. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-07-31.

Semiconductor Chip Package Having a Repeating Footprint Pattern

Номер патента: US20180061745A1. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba,Chooi Mei Chong,Teck Sim Lee,Amirul Afiq HUD,Josef Hoeglauer,Xaver Schloegel,Lee Shuang Wang,Matthias Strassburg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor chip resin-sealing method and adhesive tape for pasting lead frames or the like

Номер патента: EP1094512A4. Автор: Yoshinori Watanabe,Yoshihisa Furuta. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2006-05-17.

Semiconductor chip package array

Номер патента: US10937745B2. Автор: Lei Shi. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Transistor gate electrodes with voids

Номер патента: US12087839B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor chip designing method, semiconductor chip designing program, semiconductor device production method, and arithmetic device

Номер патента: US20200175218A1. Автор: Youzou Fukagawa. Владелец: Suugakuya Honpo LLC. Дата публикации: 2020-06-04.

Micro semiconductor chip transfer method and micro semiconductor chip transfer device

Номер патента: US20240322068A1. Автор: Dongho Kim,Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Sanghoon Song,Joonyong Park,Youngtek OH,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package with stacked semiconductor chips

Номер патента: US09997481B2. Автор: Lu-Yi Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing memory having stacked integrated circuit chip

Номер патента: US09978736B1. Автор: Tieh-Chin Hsieh,Yu-Yin Kuo,Hsi-Yang Huang. Владелец: Atp Electronics Taiwan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor package having a semiconductor chip and a microwave component

Номер патента: US09922946B2. Автор: Walter Hartner,Josef Boeck,Ernst Seler,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing semiconductor chip that includes dividing substrate by etching groove along cutting region of substrate combined with forming modified region by laser irradiating along cutting region in substrate

Номер патента: US09754833B2. Автор: Kenichi Ono,Michiaki Murata,Tsutomu Otsuka,Hideyuki Ikoma,Takahiro Hashimoto. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having semiconductor chip affixed to substrate via insulating resin adhesive film

Номер патента: US09524949B2. Автор: Daisuke Sato,Takashi Matsumura,Yasuhiro Suga,Kazunori Hamazaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US09460967B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of separating discrete semiconductor chips from a semiconductor wafer

Номер патента: GB1421408A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-01-21.

Semiconductor chip device with underfill

Номер патента: US8691626B2. Автор: Lei Fu,Bryan Black,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-04-08.

Wire bond packages for semiconductor chips and related methods and assemblies

Номер патента: US6013946A. Автор: Kyu Jin Lee,Jae June Kim,Do Soo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-11.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240055378A1. Автор: Yongho Kim,Jeonghoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Adhesive Transfer Stamp and Method for Transferring a Semiconductor Chip Using an Adhesive Transfer Stamp

Номер патента: US20220216076A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Hubert Halbritter,Mikko Peraelae. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor Chip Including Self-Aligned, Back-Side Conductive Layer and Method for Making the Same

Номер патента: US20190096758A1. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor chip including buried dielectric pattern at edge region, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US11848285B2. Автор: YoungMin Lee,Sungdong CHO,Inyoung LEE,Kwangwuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor chips having improved solidity, semiconductor packages including the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140015115A1. Автор: Jong Hyun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Methods of manufacturing semiconductor chips

Номер патента: US20120115307A1. Автор: Tae Gyeong Chung,Sang Wook Park,Ho Geon Song,Won Chul Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor chip and semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070069242A1. Автор: Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor chip device

Номер патента: US20230187364A1. Автор: Rahul Agarwal,Brett P. Wilkerson,Chia-Hao Cheng,Kong Toon Ng. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor chip and semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110079915A1. Автор: Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor chip and semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090174085A1. Автор: Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor chip and semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7154187B2. Автор: Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-12-26.

Semiconductor chip and semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7525200B2. Автор: Hideki Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-04-28.

Semiconductor chip having a through electrode and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US12027482B2. Автор: Jeonggi Jin,Unbyoung Kang,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Heewon Kim,Gyuho KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of transferring micro semiconductor chip and transferring structure

Номер патента: US20240234219A1. Автор: Dongho Kim,Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Sanghoon Song,Joonyong Park,Youngtek OH,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods and apparatus to detect defects during semiconductor chip fabrication and/or to debug semiconductor chips after fabrication

Номер патента: US20240219894A1. Автор: Santosh Tripathi,Tuyen Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Bonding structure of semiconductor package device, semiconductor package device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170431A1. Автор: Taehyung Kim,Mi Hyae Park,Chang-kun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Silicon package for embedded semiconductor chip and power converter

Номер патента: US20160133534A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Jonathan Almeria Noquil,Simon John Molloy,Tom Grebs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor chip gettering

Номер патента: US20210050223A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat,Ivor Barber,Venkatachalam VALLIAPPAN,Yuen Ting Cheng,Guan Sin Chok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of transferring micro semiconductor chip and transferring structure

Номер патента: EP4401118A2. Автор: Dongho Kim,Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Sanghoon Song,Joonyong Park,Youngtek OH,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of transferring micro semiconductor chip and transferring structure

Номер патента: EP4401118A3. Автор: Dongho Kim,Dongkyun KIM,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Sanghoon Song,Joonyong Park,Youngtek OH,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Silicon package for embedded semiconductor chip and power converter

Номер патента: US20170301596A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Jonathan Almeria Noquil,Simon John Molloy,Tom Grebs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Silicon package for embedded semiconductor chip and power converter

Номер патента: WO2016073959A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Jonathan Almeria Noquil,Simon John Molloy,Tom Grebs. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for servering an epitaxially grown semiconductor body, and semiconductor chip

Номер патента: US20210217663A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-15.

Device and method for sorting semiconductor chip with potential failure risk

Номер патента: US20240222199A1. Автор: Myoungho Son,Gooyoung Kim,Youngseon Moon,Jueun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon package for embedded semiconductor chip and power converter

Номер патента: EP3216053A1. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Jonathan Almeria Noquil,Simon John Molloy,Tom Grebs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Semiconductor chip gettering

Номер патента: US20200203177A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat,Ivor Barber,Venkatachalam VALLIAPPAN,Yuen Ting Cheng,Guan Sin Chok. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor chip pick and place process and equipment

Номер патента: US20040200064A1. Автор: Iszharudin Hassan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Sheet for sintering bonding, sheet for sintering bonding with base material, and semiconductor chip with layer of material for sintering bonding

Номер патента: US20200294952A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US20160141212A1. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US20190363022A1. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US20170133276A1. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US10847423B2. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US10468305B2. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-05.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US11756833B2. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with high-temperature-stable gate electrode for sub-micron applications and fabrication thereof

Номер патента: US20010013600A1. Автор: James Cunningham. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-08-16.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US12094780B2. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor chip package including lead frame and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113008B1. Автор: Shiau-Shi LIN. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for peeling a semiconductor chip from a tape using a multistage ejector

Номер патента: US09929036B2. Автор: Kok Yeow Lim,Zhiqiang Mao,Kim Mone Kwong. Владелец: Manufacturing Integration Technology Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Limiting electronic package warpage with semiconductor chip lid and lid-ring

Номер патента: US09892935B2. Автор: Shidong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted over a metal plate having an inclined surface

Номер патента: US09831162B2. Автор: Shoji Hashizume. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Transistor arrangement with semiconductor chips between two substrates

Номер патента: US09806029B2. Автор: Ralf Otremba,Chooi Mei Chong,Josef Hoeglauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Techniques and configurations to reduce transistor gate short defects

Номер патента: US09761497B2. Автор: Matthew J. Prince,Sridhar Govindaraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Silicon package for embedded semiconductor chip and power converter

Номер патента: US09721860B2. Автор: Osvaldo Jorge Lopez,Jonathan Almeria Noquil,Simon John Molloy,Tom Grebs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Thermally curable resin sheet for sealing semiconductor chip, and method for manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09659883B2. Автор: Eiji Toyoda,Kosuke Morita,Jun Ishii,Goji Shiga,Tsuyoshi Ishizaka,Chie IINO. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Apparatus for mounting semiconductor chips

Номер патента: US09603294B2. Автор: Guido Suter,Ruedi Grueter. Владелец: ESEC AG. Дата публикации: 2017-03-21.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US5479051A. Автор: Masaki Waki,Tosiyuki Honda,Yukio Gomi. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-12-26.

Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating same

Номер патента: US5219794A. Автор: Takeo Yamada,Hiroshi Kikuchi,Takashi Mori,Tetsuya Hayashida,Toshihiko Satoh. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1993-06-15.

Apparatus for singulating and bonding semiconductor chips, and method for the same

Номер патента: US7259088B2. Автор: Rudolf Lehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-21.

Manufacturing method of semiconductor chip, and kit

Номер патента: US11914300B2. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US11824023B2. Автор: Wonkyun KWON,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240038699A1. Автор: Wonkyun KWON,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810821B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Toshiki Yui,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device including semiconductor chips mounted over both surfaces of substrate

Номер патента: US20160343675A1. Автор: Koji Hosokawa,Sensho USAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor chip bonding apparatus and method of forming semiconductor device using the same

Номер патента: US20150024551A1. Автор: YOSHIAKI Yukimori,MASATO Kajinami,SHINJI Ueyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor chips including passivation layer trench structure

Номер патента: US20130207263A1. Автор: Shom Ponoth,Michael W. Lane,Deepak Kulkarni,Satyanayana V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US20230420403A1. Автор: Jungmin Ko,Taehyeong Kim,Hyeonjun Song,Youngwoo LIM,Dongki Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Methods of manufacturing semiconductor chip including crack propagation guide

Номер патента: US20220319924A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Apparatus for bonding semiconductor chip and method for bonding semiconductor chip

Номер патента: US20180366433A1. Автор: Geunsik Ahn. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for Producing a Plurality of Semiconductor Chips Having a Mask Layer with Openings and Semiconductor Chip Having a Mask Layer with Openings

Номер патента: US20190139763A1. Автор: Korbinian Perzlmaier,Jürgen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for producing a semiconductor device by consecutively sinter-bonding a plurality of semiconductor chips to a substrate upon application of pressure and heat and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4047641A3. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita,Mayu Sato. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor chip stack module and method of fabricating the same

Номер патента: US11984432B2. Автор: Kuk Fong YIP. Владелец: Unity Power Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Manufacturing method of semiconductor chip, and kit

Номер патента: US20240152055A1. Автор: Tetsuya Kamimura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods of manufacturing semiconductor chip including crack propagation guide

Номер патента: US11990372B2. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Interconnection structure of a semiconductor chip and method of manufacturing the interconnection structure, and semiconductor package including the interconnection structure and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20230253336A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor chip with solder cap probe test pads

Номер патента: US20210066144A1. Автор: Lei Fu,Milind S. Bhagavat,Chia-Hao Cheng. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for transferring missing semiconductor chips using an adhesive stamp

Номер патента: US12014941B2. Автор: Andreas Weimar,Simeon Katz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor chip with reinforcing through-silicon-vias

Номер патента: EP2619794A1. Автор: Bryan Black,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Semiconductor chip with reinforcing through-silicon-vias

Номер патента: WO2012040274A1. Автор: Bryan Black,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Planarization layer, planarizing method, and semiconductor chip

Номер патента: EP4186704A1. Автор: Sean T. Weaver,David C. Graham,Richard D. Wells,Joel P. PROVENCE. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Process for the singulation of integrated devices in thin semiconductor chips

Номер патента: US20070141809A1. Автор: Riccardo Depetro,Pietro Montanini,Anna Ponza. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor Chip with Passivation Layer Comprising Metal Interconnect and Contact Pads

Номер патента: US20090218687A1. Автор: Mou-Shiung Lin,Chien-Kang Chou,Ching-San Lin,Chiu-Ming Chou. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor chip molding die device

Номер патента: US20240006198A1. Автор: Hoon Chang,Hwansoo Lee,Minsang PARK,Sunghwa JUNG,Byeonggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Process for the singulation of integrated devices in thin semiconductor chips

Номер патента: EP1745505A1. Автор: Riccardo Depetro,Pietro Montanini,Anna Ponza. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2007-01-24.

Process for the singulation of integrated devices in thin semiconductor chips

Номер патента: EP1745505B1. Автор: Riccardo Depetro,Pietro Montanini,Anna Ponza. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-08-17.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: US20240363720A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: WO2024226119A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09985026B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Cheng-Long Chen,Ming-Shan Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor chip

Номер патента: US09984945B2. Автор: Hyung-Gil Baek,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09893159B2. Автор: Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Ming-Shan Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus and package structure of optical chip

Номер патента: US09799528B2. Автор: Tien-Yu Huang,Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Mold PackageD semiconductor chip mounted on a leadframe and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728493B2. Автор: Volker Strutz,Rainer Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating a packaged integrated circuit with through-silicon via an inner substrate

Номер патента: US09728424B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Cha-Jea JO,Ji-Hwang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatus and package structure of optical chip

Номер патента: US09478475B2. Автор: Tien-Yu Huang,Kuo-Chung Yee,Chun-Hao Tseng,Wan-Yu Lee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Top exposed semiconductor chip package

Номер патента: US09412684B2. Автор: Kai Liu,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-09.

Optoelectronic semiconductor chip and method for the production thereof

Номер патента: US09397262B2. Автор: Stephan Lutgen,Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Desiree Queren. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-19.

Structure of and fabricating method for a thin film transistor

Номер патента: US5578838A. Автор: Seok W. Cho,Jong M. Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-26.

Laser wire bonding for wire embedded dielectrics to integrated circuits

Номер патента: US5731244A. Автор: Sven Evers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-03-24.

Methods of encapsulating a semiconductor chip using a settable encapsulant

Номер патента: US6218215B1. Автор: Thomas H. DiStefano,Craig S. Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2001-04-17.

Method of making integrated circuit package containing inner leads with knurled surfaces

Номер патента: US5358906A. Автор: Hee G. Lee. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-25.

Method for detaching semiconductor chips from a foil

Номер патента: MY161210A. Автор: Ernst Barmettler,Irving Rodriguez. Владелец: Besi Switzerland AG. Дата публикации: 2017-04-14.

Structure and process for mounting semiconductor chip

Номер патента: US5737191A. Автор: Michio Horiuchi,Yoichi Harayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-07.

Semiconductor chip die bonding using a double-sided adhesive tape

Номер патента: US5411921A. Автор: Atsuhito Negoro. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-05-02.

Layout method of semiconductor chip, semiconductor chip manufacturing method and computing device using same

Номер патента: US20230205963A1. Автор: Akio Misaka,Sanghwa Lee,Noyoung CHUNG,Woonhyuk Choi,Taekyum KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor chip including integrated circuit defined within dynamic array section

Номер патента: US09595515B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Power semiconductor device and power semiconductor chip

Номер патента: US12094961B2. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Analog floating-gate capacitor with improved data retention in a silicided integrated circuit

Номер патента: US20140295631A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Analog Floating-Gate Capacitor with Improved Data Retention in a Silicided Integrated Circuit

Номер патента: US20140001526A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7872520B2. Автор: Takayasu Ito,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110090001A1. Автор: Takayasu Ito,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Integrated circuit

Номер патента: US20040129950A1. Автор: Lu Fu-Chin. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor chip having chamfer region for crack prevention

Номер патента: US20240038603A1. Автор: Sunghoon Kim,SeungYeon Kim,Hyunhaeng Heo,Jaeick Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100019835A1. Автор: Takayasu Ito,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor chip having chamfer region for crack prevention

Номер патента: EP4325566A2. Автор: Sunghoon Kim,SeungYeon Kim,Hyunhaeng Heo,Jaeick Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor chip having chamfer region for crack prevention

Номер патента: EP4325566A3. Автор: Sunghoon Kim,SeungYeon Kim,Hyunhaeng Heo,Jaeick Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor chip

Номер патента: US11749757B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor chip

Номер патента: US12080805B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Terminal protection circuit of semiconductor chip

Номер патента: US20210225833A1. Автор: Hiroshi Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130264647A1. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240274540A1. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit including standard cells and method of designing the same

Номер патента: US20240243117A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Eunhee Choi,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM,Moogyu Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit including standard cells and method of designing the same

Номер патента: EP4407682A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Eunhee Choi,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM,Moogyu Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5715127A. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Method and apparatus for stacking warped chips to assemble three-dimensional integrated circuits

Номер патента: US20200357772A1. Автор: Yue Zhang,Nyles Nettleton,Michael H. S. Dayringer. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020038914A1. Автор: Keiji Maruyama,Shigeo Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor chip

Номер патента: US20190165186A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor chip

Номер патента: US20220246769A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor chip

Номер патента: US20210066508A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor chip

Номер патента: US20240021735A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor chip with surface cover

Номер патента: US20010028094A1. Автор: Michael Smola,Eric-Roger Brucklmeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device including semiconductor chips electrically connected via a metal plate

Номер патента: US09953902B2. Автор: Hiroshi Matsuyama,Shigeaki Hayase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for preventing electrostatic discharge failure in an integrated circuit package

Номер патента: US5712753A. Автор: Ta-Lee Yu,Yang-Sen Yeh,Kow-Liang Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Integrated circuit capacitor

Номер патента: EP1014428A2. Автор: Karl Rapp. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Semiconductor integrated circuit device having an NMOS with a high resistance drain terminal

Номер патента: US9947651B2. Автор: Kazuo Tanaka,Hiroyasu Ishizuka,Takeo Toba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220336357A1. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor chips including through electrodes and methods of testing the through electrodes

Номер патента: US20200286798A1. Автор: Sun Myung CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit chip including gate electrode with oblique cut surface, and manufacturing method of the same

Номер патента: US11996364B2. Автор: Deokhan Bae,Juhun PARK,Jinwook Kim,Junghoon Seo,Myungyoon Um,Inyeal Lee,Dongbeen KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Integrated circuit including backside wiring

Номер патента: EP4404263A2. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Seungyoung Lee,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Integrated circuit including backside wiring and method of designing the same

Номер патента: US20240250028A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Seungyoung Lee,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

ESD protection circuit for multi-power and mixed-voltage integrated circuit

Номер патента: US20030039085A1. Автор: Meng-Huang Liu,Tao-Cheng Lu,Chun-Hsiang Lai,Sing Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Detection of environmental conditions in a semiconductor chip

Номер патента: US09793220B2. Автор: Peter Baumgärtner,Hans-Joachim Barth,Philipp Riess,Horst Baumeister,Jesenka Veledar Krueger. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5463560A. Автор: Hiroyuki Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-10-31.

Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871056B2. Автор: Scott T. Becker,Jim Mali,Carole Lambert. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same

Номер патента: US09536899B2. Автор: Scott T. Becker,Jim Mali,Carole Lambert. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuits

Номер патента: GB1255334A. Автор: Chang Soo Kim,Gerald George Palmer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1971-12-01.

Semiconductor chips with seal rings and electronic test structures, semiconductor wafers including the semiconductor chips, and methods for fabricating the same

Номер патента: US09728474B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit having a multi-chip structure

Номер патента: US20110291265A1. Автор: Sang-Jin Byeon,Sin-Hyun Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor chip and multi-chip package

Номер патента: US7786601B2. Автор: Young-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-31.

Semiconductor packaging device comprising a semiconductor chip including a MOSFET

Номер патента: US7586180B2. Автор: Hiroshi Sato,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Temporary package for at-speed functional test of semiconductor chip

Номер патента: US20100151598A1. Автор: Pooya Tadayon,Eric J. M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Temporary package for at-speed functional test of semiconductor chip

Номер патента: US7960190B2. Автор: Pooya Tadayon,Eric J. M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

I/O cell configuration for a differential amplifier on a semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP2930745A3. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Substrate for integrated circuit package

Номер патента: US20170243799A1. Автор: Jae Young Choi,Hyung Soo Moon,Joon Soo Kim. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Defect free deep trench method for semiconductor chip

Номер патента: US20120322259A1. Автор: Kun-Yi Liu. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-12-20.

Filament with light-emitting semiconductor chips, lighting means and method of producing a filament

Номер патента: US20190113181A1. Автор: Ivar Tangring,Thomas Schlereth,Michael Bestele,Elena Rachkova. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-18.

Bonding pad on a semiconductor chip

Номер патента: US20010009297A1. Автор: Yimin Huang,Hermen Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor chip and semiconductor package

Номер патента: US20150262964A1. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US20070090540A1. Автор: Hiroshi Kawano,Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Chip-on-film package having redistribution pattern between semiconductor chip and connection terminal

Номер патента: US20240079312A1. Автор: Sang-uk Han,Jae-Min Jung,Jeong-kyu Ha,KwanJai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: US20240258275A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips in a stacked structure

Номер патента: EP4411813A1. Автор: Minseok KANG,Sungwook Moon,Duhyoung AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09600424B2. Автор: Dong Kyun Kim,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US09589945B2. Автор: Yun-Hyeok Im,Tae-Je Cho,Cha-Jea JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with a semiconductor chip bonded between a first, plate-shaped electrode with a groove and a second electrode

Номер патента: EP4156247A3. Автор: Masato Nakamura,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kisho Ashida,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor chip and semiconductor package

Номер патента: US20240047389A1. Автор: Jihoon Kim,Aenee JANG,Hyeonmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor chip package having optical interface

Номер патента: US20190170950A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Giparang Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor package including semiconductor chip having point symmetric chip pads

Номер патента: US11469196B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor chip and semiconductor package having the same

Номер патента: US9184137B2. Автор: Seung Yeop Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240258278A1. Автор: Won Il Lee,Hyuekjae Lee,Enbin Jo,Hyungchul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package including semiconductor chip having point symmetric chip pads

Номер патента: US20210257323A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Air-Core Transformer Package with Ferrite Electro-Magnetic Interference (EMI) Shielding of Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230290736A1. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080008004A1. Автор: Takahiko Hara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Packaged integrated circuit devices with enhanced dam structures that provide increased yield and reliability

Номер патента: US20240355777A1. Автор: Seunghyun Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09825198B2. Автор: Patrick Rode,Stefan Illek,Siegfried Herrmann,Norwin von Malm,Lutz Hoeppel,Albrecht Kieslich. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09735121B2. Автор: Seungmo Kang,Ahyun JO,Yooncheol BANG,Seokwoo HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated-circuit module to be implanted in card body with built-in microprocessor (alternatives)

Номер патента: RU2193231C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Детлеф Удо,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-11-20.

Thermal resistance analysis model and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180075176A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20170229412A1. Автор: Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Cha-Jea JO,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor chip for sensing temperature and semiconductor system including the same

Номер патента: US20190043839A1. Автор: Tae Young Oh,Nam Jong KIM,Chul Sung Park,Ki Hun YU,Kwang II Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor chip package having optical interface

Номер патента: US20180100977A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Giparang Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Chips, and Optoelectronic Semiconductor Chip

Номер патента: US20220384680A1. Автор: Petrus Sundgren,Ines Pietzonka,Felix FEIX. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor Chip Having a Dense Arrangement of Contact Terminals

Номер патента: US20170025357A1. Автор: Juergen Hoegerl,Gottfried Beer,Peter Ossimitz,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-26.

Connection between a semiconductor chip and an external conductor structure and method for producing it

Номер патента: US20040248341A1. Автор: David Wallis,Axel Brintzinger,Octavio Trovarelli,Ingo Uhlendorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US12100782B2. Автор: Asako Hirai,Alvaro Gomez-Iglesias. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09917230B2. Автор: Norwin von Malm,Alexander F. Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-13.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09711699B2. Автор: Wolfgang Schmid,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor packages usable with semiconductor chips having different pad arrangements and electronic devices having the same

Номер патента: US09653132B2. Автор: Hyun-Jin Kim,Jeong-Don IHM,Dae-Hoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Testing of semiconductor chips with microbumps

Номер патента: US09618572B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu,Hsien-Pin Hu,Chao-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09589939B2. Автор: Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory system including semiconductor chips

Номер патента: US20240379621A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated circuit system having stripline structure

Номер патента: US09520368B1. Автор: Samuel D. Tonomura,John G. Heston,Chad Patterson,Ethan S. HEINRICH,Michael M. Fitzgibbon,Anthony M. Petrucelli,Cynthia Y. Hang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Carrying member for semiconductor chip designed for building into integrated-circuit card

Номер патента: RU2216042C2. Автор: Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-11-10.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20110309515A1. Автор: Kenji Yokoyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor chip, semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment

Номер патента: US20040217468A1. Автор: Norio Imaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor chip with power gating through silicon vias

Номер патента: US20150162266A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Optoelectronic Semiconductor Chip and Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Chips

Номер патента: US20220393062A1. Автор: Philipp Drechsel,Alvaro Gomez-Iglesias,Heng Wang,Xiaojun Chen,Jürgen Off,Thomas Lehnhardt,Jong Ho Na. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20140339711A1. Автор: Masato Mikami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor chip

Номер патента: US20200411063A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Integrated circuit with dynamic threshold voltage

Номер патента: US20010014494A1. Автор: Brian Doyle,Rafael Rios,Brian Roberds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Design Structure for a Metal Fill Region of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20080082300A1. Автор: Salvatore N. Storino,Chun-Tao Li,Steven J. Baumgartner,Mankit Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of producing an optoelectronic semiconductor chip and an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09806225B2. Автор: Alexander Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US09620460B2. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Sensor module and semiconductor chip

Номер патента: US09533874B2. Автор: Marc Fueldner,Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor chip, stack chip including the same, and testing method thereof

Номер патента: US09459318B2. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor chip having different conductive pad widths and method of making layout for same

Номер патента: US09406631B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20210013180A1. Автор: Hyun-Chul Seo,Jun-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343861A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Power semiconductor device, power semiconductor chip including the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343860A1. Автор: Tae Young Park,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Min Gi Kang,Tae Yang KIM,Seon Hyeong Jo,Seong Hwan Yun. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240136255A1. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor apparatus and semiconductor chip

Номер патента: US20230188074A1. Автор: Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20230253360A1. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Semiconductor chip

Номер патента: US20200321289A1. Автор: Yusuke Tanaka,Fumio Harima,Masayuki AOIKE,Koshi HIMEDA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Optoelectronic Semiconductor Chip

Номер патента: US20230231093A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: Ams Osram Intemational GmbH. Дата публикации: 2023-07-20.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US9172014B2. Автор: Markus Bröll,Christoph Klemp,Martin R. Behringer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of forming heat sink and semiconductor chip assemblies

Номер патента: US20020090760A1. Автор: Joseph Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Solder pads of variable thickness in an optoelectronic semiconductor chip, on a connection substrate for mounting a semiconductor chip, method of producing an optoelectronic component, and optoelectronic component having the solder pads

Номер патента: US11177233B2. Автор: Christian Leirer,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-11-16.

Semiconductor chip having memory and logic cells

Номер патента: US11769533B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor chip including a bump structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20200013740A1. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,In-Young Lee,Jin-kuk BAE,Han-Sung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producting an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240274753A1. Автор: Johannes Baur,Wolfgang Schmid,Sebastian Pickel,Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of producing at least one optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US9076941B2. Автор: Stefan Illek,Siegfried Herrmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-07-07.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing same

Номер патента: US8884311B2. Автор: Patrick Rode,Lutz Höppel,Werner Bergbauer,Philipp Drechsel,Martin Straβburg,Christopher KÖLPER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-11-11.

Solder pads of variable thickness in an optoelectronic semiconductor chip, on a connection substrate for mounting a semiconductor chip, method of producing an optoelectronic component, and optoelectronic component having the solder pads

Номер патента: US20210057369A1. Автор: Christian Leirer,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-25.

Chip id applying method suitable for use in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110189798A1. Автор: Shigenari Aoki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

metal fill region of a semiconductor chip

Номер патента: US20080079158A1. Автор: Salvatore N. Storino,Chun-Tao Li,Steven J. Baumgartner,Mankit Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-03.

Dissipation of heat from a semiconductor chip

Номер патента: US20230089958A1. Автор: Chih-Meng Wu. Владелец: Innostar Service Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240282756A1. Автор: Jin Kyoung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal fill region of a semiconductor chip

Номер патента: US7489039B2. Автор: Salvatore N. Storino,Chun-Tao Li,Steven J. Baumgartner,Mankit Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Method and apparatus for determining quality of semiconductor chip

Номер патента: US20240337607A1. Автор: Kenichi Ikeda. Владелец: OPTO SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor chip and electronic system including the same

Номер патента: US20150170992A1. Автор: Jun-Hyeok Yang,Hyung-Jong Ko,Se-Ki Kim,Se-Ra An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Multiple path configuration for power supply power of semiconductor chip modules

Номер патента: US09892764B2. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Optoelectronic semiconductor chip comprising a multi-quantum well comprising at least one high barrier layer

Номер патента: US09722140B2. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US12142592B2. Автор: Jong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of separating surface layer of semiconductor chip (versions)

Номер патента: RU2459691C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2012-08-27.

Double cavity semiconductor chip carrier

Номер патента: CA1142260A. Автор: John F. Gogal. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-03-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9991221B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor package with curing layer between semiconductor chips

Номер патента: US11842982B2. Автор: Seon Ho Lee,Hwail Jin,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of fabrication of a semiconductor chip package

Номер патента: US20080014680A1. Автор: Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor package including semiconductor chips stacked in staggered manner

Номер патента: US20240021580A1. Автор: Hyeon Seok JU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Heating element and supporting circuitry for adapting a nominally rated semiconductor chip to an extremely cold environment

Номер патента: US20200258804A1. Автор: Daniel R. Russell,Kevin Wells,Xiangying Ma,Aslam HASWAREY,Mehran ADYANI-YAZDI,James C. MOWERY,Vinesh LAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Low leakage capacitor for analog floating-gate integrated circuits

Номер патента: US20130130450A1. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Low Leakage Capacitor for Analog Floating-Gate Integrated Circuits

Номер патента: US20120241829A1. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Low leakage capacitor for analog floating-gate integrated circuits

Номер патента: US8558296B2. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Multi-stack semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120217658A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8748888B2. Автор: Jeong Woo Lee,Sang Hoon Shin,Hyung Dong Lee,Jun Gi Choi,Xiang Hua Cui. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240170429A1. Автор: Sangho Cha,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor chip package and fabrication method thereof

Номер патента: US20070018314A1. Автор: Akira Tokumitsu,Fumihiko Ooka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device, and semiconductor chip properties

Номер патента: US20170213795A1. Автор: Dong Wang,Akihisa Yamamoto,Kazuya Hokazono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor package including semiconductor chip having through-electrode

Номер патента: US20240194575A1. Автор: Chajea JO,Seungryong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Chip Package

Номер патента: US20110012244A1. Автор: Nan-Jang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor module having multiple semiconductor chips

Номер патента: EP1435113A2. Автор: Ton Mobers,Satyen Mukherjee. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-07.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240204139A1. Автор: Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Tape carrier package (TCP) on which semiconductor chips are mounted and method of manufacuturing the same

Номер патента: US20020171140A1. Автор: Bum-Yeul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-21.

Radiation-emitting semiconductor chip and method for producing a radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240063345A1. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp,Ban Loong Chris Ng,Hong Pin Loh. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-22.

Power Semiconductor Devices Having Integrated Inductor

Номер патента: US20100197045A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240204138A1. Автор: Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020140110A1. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Takuya Takahashi,Tadaharu Hashiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US7712650B2. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220013499A1. Автор: Jin Kyoung PARK,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor chip including a reference element having reference coordinates

Номер патента: US20020088973A1. Автор: Takayuki Susami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Dense mounting of semiconductor chip packages

Номер патента: IE54790B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-02-14.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Anisotropic conductive film and bump, and packaging structure of semiconductor having the same

Номер патента: US20050173785A1. Автор: Seong-Yong Hwang,Ju-Young Yoon,Chun-Ho Song,Weon-Sik Oh,Sung-Lak Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor module including semiconductor chips in a plastic housing in separate regions

Номер патента: US20090057874A1. Автор: Volker Strutz,Juergen Hoegerl,Thomas Killer,Erich Syri,Gerold Gruendler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Electronic component having stacked semiconductor chips in parallel, and a method for producing the component

Номер патента: US20040108585A1. Автор: Jochen Thomas,Wolfgang Hetzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US20210083156A1. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device including semiconductor chip mounted on lead frame

Номер патента: US20140084437A1. Автор: Tetsuo Fujii,Masao Yamada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of mounting a semiconductor chip

Номер патента: US20070080190A1. Автор: Kimio Nakamura,Norio Kainuma,Takayoshi Matsumura,Kenji Kobae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Surface roughening method for embedded semiconductor chip structure

Номер патента: US20060263936A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Method for Temporarily Fastening a Semiconductor Chip to a Surface, Method for Producing a Semiconductor Component and Semiconductor Component

Номер патента: US20210183800A1. Автор: Matthias Hofmann,Klaus Müller,Holger KLASSEN. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for producing a radiation-emitting semiconductor chip and radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240313148A1. Автор: Laura KREINER,Jelena Ristic. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Enhanced i/o semiconductor chip package and cooling assembly having side i/os

Номер патента: EP4449495A1. Автор: Chen Zhang,Kai Wang,Jun Lu,Yi Zeng,Xinjun Zhang,Mark A. Schmisseur,Mingli Zhou,Zhichao Zhang,Jeffory L. Smalley,Eric W. Buddrius,Guoliang Ying,Lianchang Du,Yuehong Fan,Srikant Nekkanty,Maoxin YIN,Yinglei REN,Chong J. ZHAO,Timothy Glen Hanna,Vijaya K. Boddu,Lijuan Feng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic semiconductor component, and a method for producing an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09882097B2. Автор: Dominik Eisert,Torsten Baade,Michael Zitzlsperger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor package including planar stacked semiconductor chips

Номер патента: US09875990B2. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Yong Lee,Hyung Ju CHOI,Hyoung Min IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor chip that emits polarized radiation

Номер патента: US09837589B2. Автор: Hans Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fixing a matrix-free electrophoretically deposited layer on a semiconductor chip for the production of a radiation-emitting semiconductor component, and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US09831390B2. Автор: Sebastian Taeger,Hans-Christoph Gallmeier,Ion Stoll,Stefan Hartauer,Gudrun Lindberg. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09799797B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-24.

Removal apparatuses for semiconductor chips

Номер патента: US09768141B2. Автор: Jaeyong Park,Junyoung Ko,Whasu Sin,Kyhyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Process for fabricating an integrated circuit cointegrating a FET transistor and an OxRAM memory location

Номер патента: US09711567B2. Автор: Yves Morand,Laurent Grenouillet,Maud Vinet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-07-18.

Light-emitting semiconductor chip

Номер патента: US09530931B2. Автор: Tetsuya Taki,Alexander Walter,Joachim Hertkorn,Tobias Meyer,Matthias Peter,Rainer Butendeich,Juergen Off. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips and a redistribution layer

Номер патента: US09496216B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-Ho An,Kyung-Man Kim,Seok-Chan Lee,Sung-Hoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus for bonding semiconductor chips

Номер патента: US09431365B2. Автор: Sang-Yoon Kim,Hui-Jae KIM,Seung-dae SEOK,Jae-Bong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor chip package

Номер патента: CA1202732A. Автор: Attilio J. Rainal. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-04-01.

Encapsulation for semiconductor integrated circuit chip

Номер патента: CA1168764A. Автор: Arthur J. Ingram,Irving Weingrod. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

A semiconductor integrated circuit device including a revision number indicating the design version of said device and a method of prototyping a semiconductor

Номер патента: GB2467873A. Автор: David Lynch. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2010-08-18.

Module for packaging semiconductor integrated circuit chips on a base substrate

Номер патента: US4866507A. Автор: Perwaiz Nihal,Arthur R. Zingher,Burhan Ozmat,Scott L. Jacobs,Henri D. Schnurmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1989-09-12.

Electronic circuit board with semiconductor chip mounted thereon, and manufacturing method therefor

Номер патента: US5854740A. Автор: Gi-Bon Cha. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-29.

Electromagnetic radiation emitting semiconductor chip and procedure for its production

Номер патента: US20070034888A1. Автор: Dominik Eisert,Berthold Hahn,Stefan Bader,Stephan Kaiser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Semiconductor chip stack with locking through vias

Номер патента: US11837527B2. Автор: Travis Boraten. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Ferrite Electro-Magnetic Interference (EMI) Shield Between an Integrated-Circuit (IC) Chip and an Air-Core Inductor All Inside a Hybrid Lead-Frame Package

Номер патента: US20230290735A1. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Radiation-emitting semiconductor chip, rear light for a motor vehicle, motor vehicle, and optical distance measurement device

Номер патента: US11867375B2. Автор: Laura KREINER,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US11721673B2. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US11244927B2. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-08.

Chip-on-film package having redistribution pattern between semiconductor chip and connection terminal

Номер патента: US11830803B2. Автор: Sang-uk Han,Jae-Min Jung,Jeong-kyu Ha,KwanJai Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096840A1. Автор: JongBo Shim,Eunsu LEE,Sungeun PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Bond pad configurations for controlling semiconductor chip package interactions

Номер патента: US20140145330A1. Автор: Vivian W. Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Solid state drive or other storage apparatus that includes a plurality of encapsulated semiconductor chips

Номер патента: EP2347442A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-27.

Ferrite electro-magnetic interference (EMI) shield between an integrated-circuit (IC) chip and an air-core inductor all inside a hybrid lead-frame package

Номер патента: US11990422B2. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US20210028152A1. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor chip stack with locking through vias

Номер патента: US20220028757A1. Автор: Travis Boraten. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor package having stacked semiconductor chips

Номер патента: US20220130801A1. Автор: Taehun Kim,Jihoon Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor integrated circuit device including test pads

Номер патента: US20180294043A1. Автор: Kwi Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor chip including chip pads of different surface areas, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US12021515B2. Автор: Woo Jin Lee,Hyung Ho CHO,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US20160204075A1. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor package including an edge region having a plurality of solder balls therein

Номер патента: US20240234274A1. Автор: Seung Soo Ha,Shle-Ge Lee,Sang Woong Lee,Tong Suk KIM,Chang Ui HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor chip stack device

Номер патента: US8957457B2. Автор: Richard Fournel,Pierre Dautriche. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-02-17.

Semiconductor chip mounting board with multiple ports

Номер патента: US20080296050A1. Автор: Hisanori Uda,Tetsuya Katayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of manufacturing semiconductor chip and semiconductor module

Номер патента: US20100075444A1. Автор: Majumdar Gourab,Kiyoshi Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for fixing semiconductor chip on circuit board and structure thereof

Номер патента: US20130277814A1. Автор: Chi-chao Liu,Chih-Jui WANG,Long-Chi CHEN. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Heat radiation structure of semiconductor element and heat sink

Номер патента: US20050174740A1. Автор: Makoto Hayakawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US20240055376A1. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8174123B2. Автор: Hideo Sonohara, Sr.. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100155726A1. Автор: Hideo Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor chip and method of processing a semiconductor chip

Номер патента: US10134697B2. Автор: Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina DEBIE,Ludger Borucki. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor chip for suppressing electromagnetic wave

Номер патента: US20110133305A1. Автор: Young-Ho Kim,Je-Hoon Yun. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having semiconductor chip on base through solder layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060087043A1. Автор: Naoki Hirasawa,Sadahisa Onimaru,Hirohito Matsui,Naohiko Hirano,Kuniaki Mamitsu. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor chip having stepped conductive pillars

Номер патента: US20240250051A1. Автор: Suming Hu,Farshad Ghahghahi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Multirow semiconductor chip connections

Номер патента: US20220189879A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Device and method for bonding semiconductor chip

Номер патента: US20240332245A1. Автор: Woon Chun Kim,Dae Seo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US12132017B2. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi-device semiconductor chip with electrical access to devices at either side

Номер патента: US12136623B2. Автор: Ralf Otremba,Hans-Joachim Schulze,Edward Fuergut,Peter Friedrichs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor chip package comprising side wall marking

Номер патента: US09972576B2. Автор: Ralf Otremba,Teck Sim Lee,Amirul Afiq HUD,Felix GRAWERT,Uwe Kirchner,Bernd SCHMOELZER,Franz Stueckler,Fabian Schnoy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09859186B2. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor chip with multilayer solenoid coil and multi-chip module comprising the same

Номер патента: US09847305B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-19.

Optoelectronic semiconductor chip encapsulated with an ALD layer and corresponding method for production

Номер патента: US09761770B2. Автор: Rainer Hartmann,Johann Eibl,Georg Hartung,Lutz Höppel,Michael Huber,Karl Engl,Markus Maute,Sebastian Taeger,Stefanie Rammelsberger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Stacked structure of semiconductor chips having via holes and metal bumps

Номер патента: US09704829B2. Автор: Chih-Hsien Lin,Chang-Hwang Hua. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method and apparatus for estimating the temperature of a semiconductor chip

Номер патента: US09689754B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing an optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09680049B2. Автор: Andreas Plöβl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including stacked semiconductor chips

Номер патента: US09640243B2. Автор: Hiroaki Ikeda,Kayoko Shibata. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor chip stacking assemblies

Номер патента: US09633983B2. Автор: Qing Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Through-silicon via access device for integrated circuits

Номер патента: US09633928B2. Автор: Sridhar H. Rangarajan,Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Haoxing Ren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Transition between a plastic waveguide and a semiconductor chip, where the semiconductor chip is embedded and encapsulated within a mold compound

Номер патента: US09583811B2. Автор: Walter Hartner,Josef Boeck,Ernst Seler,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09543226B1. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Coriant Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked via relay substrate

Номер патента: US09508670B2. Автор: Koji Hara,Yoshihiro Ihara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including a cap facing a semiconductor chip and a bump electrode provided between the semiconductor chip and the cap

Номер патента: US09502367B2. Автор: Hiroshi Yamada,Tadahiro Sasaki,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor package on which semiconductor chip is mounted on substrate with window

Номер патента: US09490187B2. Автор: Cheol Ho JOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Through-silicon via access device for integrated circuits

Номер патента: US09412682B2. Автор: Sridhar H. Rangarajan,Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Haoxing Ren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor packages including a metal layer between first and second semiconductor chips

Номер патента: US09390992B2. Автор: Heungkyu Kwon,Sangho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

On-chip cooling systems for integrated circuits

Номер патента: US7659616B2. Автор: Kaushik A. Kumar,Andres Fernando Munoz,Michael Ray Sievers,Richard Stephen Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Integrated circuit module

Номер патента: RU2173476C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-09-10.

Method and apparatus for in-situ testing of integrated circuit chips

Номер патента: CA2110472C. Автор: Voya Rista Markovich,Jaynal Abedin Molla,Anilkumar Chinuprasad Bhatt,George Frederick Walker,Leo Raymond Buda,Robert Douglas Edwards,Paul Joseph Hart, Anthony Paul Ingraham,Richard Gerald Murphy,George John Saxenmeyer, Jr.,Bette Jaye Whalen,Richard Stuart Zarr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Wireless Communication Device for Remote Authenticity Verification of Semiconductor Chips, Multi-Chip Modules and Derivative Products

Номер патента: US20110169115A1. Автор: Chang-Ming Lin. Владелец: RFMarq Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor chip including a plurality of pads

Номер патента: US20190043841A1. Автор: Jin-Ho Choi,Sanghoon Joo,Kwanyeob CHAE,Jong-ryun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20170062367A1. Автор: Seungmo Kang,Ahyun JO,Yooncheol BANG,Seokwoo HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for joining a semiconductor chip to a chip carrier substrate and resulting chip package

Номер патента: US20010001216A1. Автор: Charles Woychik,Paul Mescher,William LaFontaine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-17.

Optoelectronic Semiconductor Chip and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Chip

Номер патента: US20190140139A1. Автор: Andreas Rudolph,Katharina Werner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor chip and semiconductor wafer

Номер патента: US8581369B2. Автор: Jun-Gi Choi,Jong-Chern Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-11-12.

Optoelectronic Semiconductor Chip, Display Comprising a Semiconductor Chip of this Type, and Use of a Semiconductor Chip of this Type or of a Display

Номер патента: US20140210348A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Oliver Guenther. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20220285396A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor chip with offset pads

Номер патента: US20120038061A1. Автор: Bryan Black,Michael Z. Su,Gamal Rafai-Ahmed. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4333032A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Sehyun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20230269947A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240069093A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Sehyun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor chip, chip system, method of forming a semiconductor chip, and method of forming a chip system

Номер патента: US20230230903A1. Автор: Hao Zhuang,Xaver Schlögel,Ralf Otremba,Chee Voon Tan,Hooi Boon Teoh,Daniel Hölzl,Oliver Blank,Markus Dinkel,Josef Höglauer,Martin Pölzl,Paul Armand Calo,Wee Aun Jason Lim,Gerhard Thomas Nöbauer,Ying Pok Sam. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor chip and semiconductor wafer

Номер патента: US20130009285A1. Автор: Jun-Gi Choi,Jong-Chern Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Packaged semiconductor chip and method of making same

Номер патента: US20010038141A1. Автор: Richard Wensel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Stacked semiconductor chip rgbz sensor

Номер патента: EP3238274A1. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-11-01.

Semiconductor chip and method of manufacturing a semiconductor chip

Номер патента: WO2010136974A2. Автор: Jan Van Kempen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-12-02.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US12015107B2. Автор: Johannes Baur,Wolfgang Schmid,Sebastian Pickel,Anna Strozecka-Assig,Johannes Saric. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor Chip Assembly And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20080150133A1. Автор: Kojiro Nakamura,Hidenobu Nishikawa,Kentaro Kumazawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor package including a semiconductor chip having a redistribution layer

Номер патента: US20210366853A1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Young Kim,Seung Hwan Kim,Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Transistor Gate Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240250032A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Stacked semiconductor chip rgbz sensor

Номер патента: WO2016105658A1. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Tape wiring substrate and semiconductor chip package

Номер патента: US20090231823A1. Автор: Takehiro Takayanagi,Daisuke Kunimatsu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor chip package and fabrication method therefor

Номер патента: US20010045632A1. Автор: Dong-You Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor chip, fabrication method, and device for fabricating a semiconductor chip

Номер патента: US20030122161A1. Автор: Michael Wagner,Manfred Selz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor chip

Номер патента: US20110298096A1. Автор: Keiji Miki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor chip package having a leadframe with a footprint of about the same size as the chip

Номер патента: US20030011059A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Magnetic shields for integrated circuits

Номер патента: EP4421867A1. Автор: Hemant Dixit,Vinayak Bharat Naik,Zishan Ali Syed Mohammed. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for producing optoelectronic semiconductor chips and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: WO2024193934A1. Автор: Michael Huber,Helena DOBLINGER,Jörn Kampmeier,Jochen BRENDT,Alexander Prebeck,Peter Deutscher. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic shields for integrated circuits

Номер патента: US20240292758A1. Автор: Hemant Dixit,Vinayak Bharat Naik,Zishan Ali Syed Mohammed. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09911688B2. Автор: Seungmo Kang,Sang-Ki Kim,Yooncheol BANG,Kyo-Seon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Stacked semiconductor chip RGBZ sensor

Номер патента: US09876050B2. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Radiation-emitting semiconductor chip and method of producing radiation-emitting semiconductor chips

Номер патента: US09721940B2. Автор: Andreas Plossl,Heribert Zull. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Stacked semiconductor chip RGBZ sensor

Номер патента: US09508681B2. Автор: Chung Chun Wan. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor chip and stack type semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09466555B2. Автор: Jae Seung Lee,Byung Kuk YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Composite integrated circuits including semiconductor chips mounted on a common substrate with connections made through a dielectric encapsulator

Номер патента: US3679941A. Автор: Donald J Lacombe,Guy L Babcock. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1972-07-25.

Integrated circuit package

Номер патента: US4251852A. Автор: Mario E. Ecker,Leonard T. Olson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-02-17.

Method of making a bumped terminal in a laminated structure for a semiconductor chip assembly

Номер патента: US6800506B1. Автор: Charles W. C. Lin,Cheng-Lien Chiang. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Cooling device of semiconductor chips

Номер патента: USRE35721E. Автор: Wataru Nakayama,Fumiyuki Kobayashi,Noriyuki Ashiwake,Keizo Kawamura,Motohiro Sato,Tadakatsu Nakajima,Takahiro Daikoku. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Connection between a semiconductor chip and an external conductor structure and method for producing it

Номер патента: US7169647B2. Автор: David Wallis,Axel Brintzinger,Octavio Trovarelli,Ingo Uhlendorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-30.

Novel beam lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam leads with corresponding dielectric substrate leads

Номер патента: US3893156A. Автор: Jacob Riseman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-07-01.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230215793A1. Автор: Jin Won Lee,Yun Tae Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Super junction MOSFET device and semiconductor chip

Номер патента: US10186574B2. Автор: Tatsuya Naito,Shigemi Miyazawa,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20170309777A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-26.

Power Semiconductor Component with a Power Semiconductor Chip and Method for Producing the Same

Номер патента: US20070228556A1. Автор: Khalil Hosseini,Alexander Koenigsberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad

Номер патента: US11705376B2. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,Myeong-Soon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad

Номер патента: US11189535B2. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,Myeong-Soon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor chip, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor chip for reducing open failures

Номер патента: US8823161B2. Автор: Seong Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Radiation-Emitting Semiconductor Chip

Номер патента: US20200091387A1. Автор: Christian Muller,Roland Heinrich Enzmann,Lorenzo Zini. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor package and three-dimensional stacked integrated circuit using liquid immersion cooling system by perforated interpozer

Номер патента: US20220238498A1. Автор: Takashi Tsutsui. Владелец: SoftBank Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Optoelectronic semiconductor chip and method of producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20200075811A1. Автор: Attila Molnar. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20070145565A1. Автор: Osamu Miyata,Tadahiro Morifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-06-28.

Protection structures in semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US11791229B2. Автор: Jialan He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US11031534B2. Автор: Christian Muller,Roland Heinrich Enzmann,Lorenzo Zini. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-08.

Arrangement for back-biasing multiple integrated circuit substrates at maximum supply voltage among all circuits

Номер патента: US20030183922A1. Автор: Leonel Enriquez,Douglas Youngblood. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad

Номер патента: US20220059417A1. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,Myeong-Soon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor chip including chip pad, redistribution wiring test pad, and redistribution wiring connection pad

Номер патента: US20200266114A1. Автор: Chan-Ho Lee,Hyun-Soo Chung,Myeong-Soon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020072132A1. Автор: Noboru Sekiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor chip including alignment pattern

Номер патента: US20200126927A1. Автор: Jung Ho Choi,Jun Ho Yoon,Yun Hee Kim,Yoon Sung Kim,Byung Moon BAE,Hyun Su SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor chip power supply system

Номер патента: US20210075324A1. Автор: Jianhong Zeng,Haoyi Ye,Xiaoni Xin,Siyu HE. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor chip including penetrating electrodes, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US20220020690A1. Автор: Ki Bum Kim,Bok Kyu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor chip, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor chip for reducing open failures

Номер патента: US20120139118A1. Автор: Seong Cheol Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240194624A1. Автор: Jongmin Lee,Jimin CHOI,Hyeonjeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Radiation-emitting semiconductor chip and method for manufacturing a radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240204137A1. Автор: Stefan BARTHEL,Ines Pietzonka,Ali Mahdavi,Alvaro Gomez-lglesias. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor chip with power gating through silicon vias

Номер патента: US20140264332A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor chip

Номер патента: US11004787B2. Автор: Takashi Sugihara,Masaya Ichikawa,Kaito SHIRAI,Satoshi KOTOMARI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

Integrated circuit device

Номер патента: US20230402518A1. Автор: Bongsoo Kim,Taejin Park,Huijung Kim,Pyung MOON,Kyujin KIM,Chulkwon Park,Gyunghyun YOON,Heejae CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor chip

Номер патента: US20200266144A1. Автор: Takashi Sugihara,Masaya Ichikawa,Kaito SHIRAI,Satoshi KOTOMARI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US12027645B2. Автор: Korbinian Perzlmaier,Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor Chip and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20120181710A1. Автор: Mathias Vaupel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor device having semiconductor chip and antenna

Номер патента: US20080296745A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor chip with local oscillator buffer reused for signal transmission and associated transmission method

Номер патента: US20220140849A1. Автор: Chih-Ming Hung,Yen-Tso Chen,Tzu-Chin Lin,Jing-Hong Conan Zhan,Wei-Hsiu Hsu,Jen-Hao Cheng,Jui-Lin Hsu,Hsiang-Yun Chu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor chip with local oscillator buffer reused for signal transmission and associated transmission method

Номер патента: EP3993278A1. Автор: Chih-Ming Hung,Yen-Tso Chen,Tzu-Chin Lin,Jing-Hong Conan Zhan,Wei-Hsiu Hsu,Jen-Hao Cheng,Jui-Lin Hsu,Hsiang-Yun Chu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-05-04.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Transistor gates and method of forming

Номер патента: US20210391436A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus with a determination of a low supply voltage of a semiconductor chip

Номер патента: US20210202738A1. Автор: Wooseok CHANG,Dong-Uk RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Leadless alignment of a semiconductor chip

Номер патента: US20090160069A1. Автор: Anthony D. Kurtz,Joseph Van DeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor chip configuration and fabrication method

Номер патента: US20030003744A1. Автор: Gerd Frankowsky. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor chip package

Номер патента: US20090121332A1. Автор: Sung-Hwan Yoon,Sang-Wook Park,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Cooling systems with main and remote cooling masses having integrated flexibility

Номер патента: US20240096741A1. Автор: Mark E. Sprenger,Sandeep Ahuja,Phil Geng,Jeffory L. Smalley,David Shia,Guixiang Tan,Ralph V. MIELE,Sanjoy K. Saha,Jimmy Chuang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Production method and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240313172A1. Автор: Daniel Richter,Gunnar Petersen. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor chip package

Номер патента: US8022517B2. Автор: Sung-Hwan Yoon,Sang-Wook Park,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-20.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: ZA202301991B. Автор: Nikolas Radosevic (Deceased),Wijk Adrian Van. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Composite substrate, semiconductor chip having a composite substrate and method for producing composite substrates and semiconductor chips

Номер патента: US09997671B2. Автор: Johannes Baur,Berthold Hahn,Volker Haerle,Tetsuya Taki,Karl Engl,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-12.

Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module

Номер патента: US09947847B2. Автор: Johannes Baur,Berthold Hahn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods and apparatus for providing an interposer for interconnecting semiconductor chips

Номер патента: US09917045B2. Автор: Scott Christopher Pollard,Satish Chandra Chaparala. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device including semiconductor chip, wiring, conductive material, and contact part

Номер патента: US09842821B2. Автор: Masatoshi Tagaki,Takeshi Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Interposer for inspecting semiconductor chip

Номер патента: US09829510B2. Автор: Jae Hwan SEO,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor chip metal alloy thermal interface material

Номер патента: US09780067B2. Автор: Daniel Cavasin,Kaushik Mysore Srinivasa Setty. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor chips having defect detecting circuits

Номер патента: US09698066B2. Автор: Bo-Ra Lee,Jae-Ho Jeong,Kwang-Yong Lee,Nam-Gyu BAEK,Hyo-Seok WOO,Hyun-Sook YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Housing for a semiconductor chip, housing composite, semiconductor component and method of producing a semiconductor component

Номер патента: US09685593B2. Автор: Stephan Haslbeck,Martin Haushalter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor chip, flip chip package and wafer level package including the same

Номер патента: US09640499B2. Автор: Heung Kyu Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor chip package with undermount passive devices

Номер патента: US09607935B2. Автор: Liane Martinez,Gabriel Wong,Neil McLellan,Silqun Leung. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having silicon interposer on which semiconductor chip is mounted

Номер патента: US09570375B2. Автор: Atsushi Hiraishi,Yasuhiro Takai,Toshio Sugano. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips

Номер патента: US09537199B2. Автор: Duixian Liu,Bing Dang,Jean-Olivier Plouchart,Alberto Valdes-Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Preform structure for soldering a semiconductor chip arrangement, a method for forming a preform structure for a semiconductor chip arrangement, and a method for soldering a semiconductor chip arrangement

Номер патента: US09536851B2. Автор: Friedrich Kroener. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods and apparatus for providing an interposer for interconnecting semiconductor chips

Номер патента: US09472479B2. Автор: Scott Christopher Pollard,Satish Chandra Chaparala. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor integrated circuit device having short signal paths to terminals and process of fabrication thereof

Номер патента: US6037656A. Автор: Kenji Sugahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Highly integrated circuit and method for the production thereof

Номер патента: CA1304170C. Автор: Gianni Berner,Karl-Peter Ackermann. Владелец: Oerlikon Contraves AG. Дата публикации: 1992-06-23.

Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip

Номер патента: US7523775B2. Автор: Takayoshi Matsumura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-04-28.

Electronic component with at least two stacked semiconductor chips and method for fabricating the electronic component

Номер патента: US6710455B2. Автор: Bernd Goller,Holger Wörner,Robert-Christian Hagen,Gerald Ofner,Christian Stümpfl,Stefan Wein,Josef Thumbs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-23.

Process for mounting a semiconductor chip to a chip carrier by exposing a solder layer to a reducing atmosphere

Номер патента: US5770468A. Автор: Katsuya Kosaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-23.

Semiconductor integrated circuit device having an improved arrangement of power source lines

Номер патента: US5008728A. Автор: Takeshi Yamamura,Seiji Endo,Hiroki Korenaga,Kazuyuki Kawauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-04-16.

Integrated circuit package and method of fabrication

Номер патента: US6028365A. Автор: Salman Akram,Warren M. Farnworth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20100032832A1. Автор: Yuichiro Yamada,Kazuhiro Nobori,Yoshihiro Tomura,Teppei Iwase,Kentaro Kumazawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US20220384319A1. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Fan-out semiconductor chip assembly

Номер патента: US5688716A. Автор: John W. Smith,Thomas H. DiStefano,Tony Faraci. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 1997-11-18.

Charge transfer device having an output gate electrode extending over a floating diffusion layer

Номер патента: US5539226A. Автор: Masahide Hirama,Tadakuni Narabu,Yasuhito Maki,Seiichi Kawamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US10079329B2. Автор: Korbinian Perzlmaier,Fabian Kopp,Christian Eichinger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20240038713A1. Автор: Masatoshi Arai,Tsuyoshi Kachi,Shotaro BABA,Katsura Miyashita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor chip

Номер патента: US11798906B2. Автор: Nae-in Lee,Ho-Jin Lee,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Jeong-Gi Jin,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for producing a radiation-emitting semiconductor chip, and radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20230361090A1. Автор: Hubert Halbritter,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor chip

Номер патента: US20190189568A1. Автор: Tsong-lin Shen,Sheng-Wei Hung,Chin-Tsai Chang,Hui-Lung Chou,Chen-Hsiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor package including a first semiconductor chip with a plurality of first chip pads directly bonded to a plurality of second chip pads of an upper semiconductor chip

Номер патента: US11817443B2. Автор: YoungLyong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor chip with fracture detection

Номер патента: US10281517B2. Автор: Thomas Zettler,Dirk Hammerschmidt,Friedrich Rasbornig,Hans-Joerg Wagner,Wolfgang Scheibenzuber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor chip with fracture detection

Номер патента: US20170227597A1. Автор: Thomas Zettler,Dirk Hammerschmidt,Friedrich Rasbornig,Hans-Joerg Wagner,Wolfgang Scheibenzuber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US11769742B2. Автор: Junghoon Han,Juik Lee,Eunyoung Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Three-dimensional laminated integrated circuit in which is used liquid immersion cooling method performed using semiconductor package and perforated

Номер патента: GB2604267A. Автор: Tsutsui Takashi. Владелец: SoftBank Corp. Дата публикации: 2022-08-31.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US11837531B2. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for repairing a light-emitting unit, method for repairing a semiconductor chip, and method for manufacturing an LED module

Номер патента: US11304349B2. Автор: Chien-Shou Liao. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2022-04-12.

Optoelectronic Semiconductor Chip, Method of Manufacturing an Optoelectronic Component and Optoelectronic Component

Номер патента: US20200343419A1. Автор: Peter Brick,Uli Hiller,Britta Göötz,Andreas Dobner,Matthias Goldbach,Matthias Hien,Sebastian Stigler. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-29.

Electronic device, package and semiconductor chip therefore

Номер патента: WO2022043033A3. Автор: Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-16.

Bonding of bridge to multiple semiconductor chips

Номер патента: US20230299067A1. Автор: Akihiro Horibe,Hiroyuki Mori,Takahito Watanabe,Takashi Hisada,Toyohiro Aoki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US11996392B2. Автор: Jong Hoon Kim,Eun Hye DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Optoelectronic semiconductor chip and method of producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20190371969A1. Автор: Attila Molnar,Fabian Kopp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-05.

Optoelectronic Semiconductor Chip Comprising a Multi-Quantum Well Comprising at Least One High Barrier Layer

Номер патента: US20160181471A1. Автор: Ivar Tangring,Felix Ernst. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US12009344B2. Автор: Jin Kyoung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210134745A1. Автор: Junghoon Han,Juik Lee,Eunyoung Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Gate electrode for a semiconductor fin device

Номер патента: SG173995A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Hao-Yu Chen,Fu Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-09-29.

Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20140252398A1. Автор: Markus Bröll,Christoph Klemp,Martin R. Behringer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-09-11.

Patterned gold bump structure for semiconductor chip

Номер патента: US20070187822A1. Автор: Yi-Cheng Chen,Chun-Ping Hu,Chien-Wen Tsai. Владелец: Elan Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Connection Carrier for Semiconductor Chips and Semiconductor Component

Номер патента: US20140027921A1. Автор: Reimund Oberschmid. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-30.

Prevention of backside cracks in semiconductor chips or wafers using backside film or backside wet etch

Номер патента: US20080191322A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Jerome B. Lasky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor chip having fine pitch bumps and bumps thereon

Номер патента: US20070228555A1. Автор: Min O Huang,Kuang Hua Liu,Kuo Yu Wang. Владелец: ChipMOS Technologies Bermuda Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for making a load resistor on a semiconductor chip

Номер патента: US6010938A. Автор: Ting-Sing Wang,Chon-Shin Jou,Kuan-Chou Sung. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Semiconductor chip

Номер патента: US6020050A. Автор: Thomas Scheiter,Christofer Hierold,Ulrich Näher,Adrian Berthold. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-02-01.

Tape circuit board and semiconductor chip package including the same

Номер патента: US20040175915A1. Автор: Dae-Woo Son,Hyoung-Chan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Radiation-emitting semiconductor chip

Номер патента: US20160049556A1. Автор: Markus Maute. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20070257374A1. Автор: Yoshihiro Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US20170005649A1. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Prevention of backside cracks in semiconductor chips or wafers using backside film or backside wet etch

Номер патента: US20080122037A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Jerome B. Lasky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Prevention of backside cracks in semiconductor chips or wafers using backside film or backside wet etch

Номер патента: US7989358B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Jerome B. Lasky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20220271192A1. Автор: Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of Producing a Plurality of Optoelectronic Semiconductor Chips

Номер патента: US20140138730A1. Автор: Tony Albrecht,Markus Maute,Martin Reufer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of minimizing placement-related defects in the placement of semiconductor chips and other microelectronic components

Номер патента: WO2001050519A3. Автор: Peter Borgesen. Владелец: Universal Instruments Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Configuration for trimming reference voltages in semiconductor chips, in particular semiconductor memories

Номер патента: US20010004126A1. Автор: Carsten Ohlhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-06-21.

Semiconductor chip with patterned underbump metallization and polymer film

Номер патента: US20170110428A1. Автор: Yip Seng Low,Suming Hu,Roden R. Topacio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with a thermal via

Номер патента: US20110275180A1. Автор: Charles W.C. Lin,Chia-Chung Wang,Ming Yu Shih. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Gate Drivers and Voltage Regulators for Gallium Nitride Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20200007119A1. Автор: Yue Fu,Yan-Fei Liu,Zhanming Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Power management integrated circuit and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240014210A1. Автор: Hoon Chang,Jungkyung KIM,Jung-Hyun Oh,Yeonghun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor chip with redundant thru-silicon-vias

Номер патента: US12094853B2. Автор: Bryan Black,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed,Joe Siegel,Seth Prejean. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor chip with patterned underbump metallization and polymer film

Номер патента: US20150279794A1. Автор: Yip Seng Low,Suming Hu,Roden R. Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2015-10-01.

Power management integrated circuit and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4303934A1. Автор: Hoon Chang,Jungkyung KIM,Jung-Hyun Oh,Yeonghun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor chip module

Номер патента: US12022619B2. Автор: Jong-hyun Seok,Jeong Hyeon Cho,Gyu Chae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for producing an optoelectronic semiconductor chip with reflective electrode

Номер патента: US09761772B2. Автор: Alexander Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor chip and method for detecting disconnection of wire bonded to semiconductor chip

Номер патента: US09726709B2. Автор: Kazushi Yamanaka,Taro Kajiyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09722592B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Printed circuit board including a leadframe with inserted packaged semiconductor chips

Номер патента: US09721863B2. Автор: Juergen Hoegerl,Andreas Grassmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure including a substrate and a semiconductor chip with matching coefficients of thermal expansion

Номер патента: US09659881B2. Автор: Jiun Yi Wu,Yu-Min LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Radiation-emitting semiconductor chip comprising a structured mirror layer which is electrically non-conductive during operation

Номер патента: US09627587B2. Автор: Markus Maute. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor chip

Номер патента: US09620493B2. Автор: SoonKwan KWON,Joonsung YANG. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor chip with patterned underbump metallization and polymer film

Номер патента: US09576923B2. Автор: Yip Seng Low,Suming Hu,Roden R. Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for producing optoelectronic semiconductor chips

Номер патента: US09490389B2. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Laux,Marika Hirmer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor chip having plural penetration electrode penetrating therethrough

Номер патента: US09466562B2. Автор: Toru Ishikawa,Shigeyuki Nakazawa. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor chip with redundant thru-silicon-vias

Номер патента: US09437561B2. Автор: Bryan Black,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed,Joe Siegel,Seth Prejean. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit device and power supply system

Номер патента: US09397568B2. Автор: Daisuke Kondo,Tomoaki Uno,Koji Tateno,Yumi Kishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Planarized plastic package modules for integrated circuits

Номер патента: MY119889A. Автор: Robert M Smith,David V Caletka,Michael J Vadnais,James L Carper,John P Cincotta,Kibby B Horsford,Gary H Irish,John J Lajza Jr,Gordon C Osborne Jr,Charles R Ramsey. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-07-29.

Photo-definable template for semiconductor chip alignment

Номер патента: US5413964A. Автор: William M. Loh,Thomas J. Massingill. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1995-05-09.

Semiconductor chip carriers

Номер патента: GB2202675A. Автор: Anthony Atkinson,Richard Gray. Владелец: GEN HYBRID Ltd. Дата публикации: 1988-09-28.

Photo-definable template for semiconductor chip alignment

Номер патента: US5561328A. Автор: William M. Loh,Thomas J. Massingill. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-10-01.

Structure for protecting air bridges on semiconductor chips from damage

Номер патента: US5757072A. Автор: James Wilson Rose,Bernard Gorowitz,Renato Guida,Charles Adrian Becker,Thomas Bert Gorczyca. Владелец: Martin Marietta Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Packaged semiconductor chip

Номер патента: CA1238119A. Автор: William C. Ward,Douglas W. Phelps, Jr.,Richard P. Pashby,Sigvart J. Samuelsen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Semiconductor chip package

Номер патента: US8629547B2. Автор: Chang-Su Kim,Kyoung-sei Choi,Kyong-soon Cho,Kwan-Jai Lee,Jae-hyok Ko,Keung-Beum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-14.

Electronic device having a stack of semiconductor chips and method for the production thereof

Номер патента: US6894381B2. Автор: Jochen Thomas,Wolfgang Hetzel,Anton Legen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor chip module

Номер патента: US4970577A. Автор: Hideo Suzuki,Ken Takahashi,Shunichi Numata,Kazuji Yamada,Takashi Yokoyama,Tasao Soga,Kunio Miyazaki,Hiroichi Shinohara,Satoru Ogihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-11-13.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US10998475B2. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Power semiconductor devices having integrated inductor

Номер патента: US7531893B2. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Stacked semiconductor chip device with phase change material

Номер патента: US9331053B2. Автор: Manish Arora,Gabriel H. Loh,Michael J. Schulte,Nuwan Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor chip

Номер патента: US6069401A. Автор: Norihito Nakamura,Yukihide Nakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

Semiconductor-chip bonding apparatus

Номер патента: SG185242A1. Автор: Su Jin Lee. Владелец: Ips System Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Integrated circuit, transistor and mehtod of fabricating the same

Номер патента: US20230395673A1. Автор: Chung-Te Lin,Pin-Cheng HSU,Tzu-Hsiang HSU,Yi-Cheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Chip and Optical Module

Номер патента: US20230283046A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Antenna impedance matching apparatus, semiconductor chip, and method

Номер патента: US09647630B2. Автор: Tao Liu,JIAN Liang,Weinan Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated Circuit and Battery system

Номер патента: US20240356344A1. Автор: Hang Yin. Владелец: Zgmicro Wuxi Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US20240162681A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Hubert Halbritter,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-05-16.

Optoelectronic semiconductor chip and component

Номер патента: US20240275125A1. Автор: Christoph Walter,Sven GERHARD,Hubert Halbritter,Tilman Rügheimer,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor chip with local oscillator buffer reused for loop-back test and associated loop-back test method

Номер патента: US12028099B2. Автор: Chih-Ming Hung,Yen-Tso Chen,Tzu-Chin Lin,Jing-Hong Conan Zhan,Wei-Hsiu Hsu,Jen-Hao Cheng,Jui-Lin Hsu,Hsiang-Yun Chu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor chip with local oscillator buffer reused for loop-back test and associated loop-back test method

Номер патента: US20230179240A1. Автор: Chih-Ming Hung,Yen-Tso Chen,Tzu-Chin Lin,Jing-Hong Conan Zhan,Wei-Hsiu Hsu,Jen-Hao Cheng,Jui-Lin Hsu,Hsiang-Yun Chu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and component

Номер патента: US20240275127A1. Автор: Jörg Erich SORG,Erik Heinemann,Thomas Kippes,Matthias Heidemann,Sebastian SCHLEGL,Andre SOMERS. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing a light emitting semiconductor chip and light emitting semiconductor chip

Номер патента: US20240186765A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor Apparatus and Identification Method of a Semiconductor Chip

Номер патента: US20170221581A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor chip, integrated circuit, and data transfer method

Номер патента: US20160269320A1. Автор: Shusaku Uchibori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor chip, integrated circuit, and data transfer method

Номер патента: US9900266B2. Автор: Shusaku Uchibori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor chip, integrated circuit, and data transfer method

Номер патента: US09900266B2. Автор: Shusaku Uchibori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for optimizing thermal management system performance using full-chip thermal analysis of semiconductor chip designs

Номер патента: EP1920645A2. Автор: Rajit Chandra. Владелец: Gradient Design Automation Inc. Дата публикации: 2008-05-14.

Semiconductor Chip With an Integrated Circuit

Номер патента: US20240259006A1. Автор: David Muthers. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated Circuit Distributed Oscillator

Номер патента: US20090072916A1. Автор: George P. Bilionis,Alexios N. Birbas,Michael K. Birbas,John C. Kikidis. Владелец: ANALOGIES SA. Дата публикации: 2009-03-19.

Image capturing apparatus, image capturing system, moving object, and semiconductor chip having signal processing circuits in two-dimensional form

Номер патента: US10652499B2. Автор: Daisuke Yoshida,Hirofumi Totsuka,Naoki Isoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-05-12.

Method and apparatus for removal of semiconductor chips from hybrid circuits

Номер патента: US3969813A. Автор: Richard Henry Minetti,Robert Walter Strickland. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1976-07-20.

Semiconductor chip and test method of the same

Номер патента: US20230176112A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Hwang Ho Choi,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Arrangement comprising a first semiconductor chip and a second semiconductor chip connected thereto

Номер патента: US20040225418A1. Автор: Herman Roozenbeek,Peter Rohm,Jens Barrenscheen,Axel Aue,Jens Graf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor chips and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140056085A1. Автор: Tae Wook Kang,Kwang Jin Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Tunable resonant circuit in an integrated circuit

Номер патента: EP2628241A1. Автор: Parag Upadhyaya,Vassili Kireev. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Semiconductor chip and method for generating digital value using process variation

Номер патента: US20120037711A1. Автор: Dong Kyue Kim,Byong-Doek Choi. Владелец: CQTRON Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor chip and method for generating digital value using process variation

Номер патента: EP2422368A1. Автор: Dong Kyue Kim,Byong-Deok Choi. Владелец: CQTRON Inc. Дата публикации: 2012-02-29.

Decoupling circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150102850A1. Автор: Takanori Saeki,Masatomo Eimitsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Receiving device, information processing method, program, and semiconductor chip

Номер патента: US20110200145A1. Автор: Satoshi Okada,Tamotsu Ikeda,Takuya Okamoto,Ryuichiro Shimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Decoupling circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110260784A1. Автор: Takanori Saeki,Masatomo Eimitsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

A semiconductor chip for a mobile telephone which includes a text to speech system, a method of aurally presenting a notification or text message from a mobile telephone and a mobile telephone

Номер патента: WO2003107630A1. Автор: Paul William Shields. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2003-12-24.

Ordered array of integrated circuit semiconductor charge transfer device feedback delay type of stabilized phase-locked recursive oscillators

Номер патента: US4040728A. Автор: Harold Seidel. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1977-08-09.

Testing integrated circuit using an A/D converter built in a semiconductor chip

Номер патента: US5436558A. Автор: Kazuyuki Uchida,Kouji Saitoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-07-25.

Integrated circuit chip and method therefor

Номер патента: US10162549B2. Автор: Takeshi Kuga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-12-25.

Method and apparatus for pattern exposure, mask used therefor, and semiconductor integrated circuit produced by using them

Номер патента: US5677755A. Автор: Minoru Yoshida,Masahiro Watanabe,Yoshitada Oshida,Yasuhiko Nakayama,Kenichirou Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-10-14.

AUTOMATED STORAGE SYSTEM INCLUDING AT LEAST ONE ELEVATOR OF WHICH AT LEAST ONE MATRIX IS FORMED BY AT LEAST ONE AMOUNT OF THE STRUCTURE OF AT LEAST ONE SHELF

Номер патента: FR2967145B1. Автор: Renato Krizmanic,Arnaud Kruger. Владелец: Savoye SA. Дата публикации: 2013-11-15.

Fabric mould of forming by multiply cloth (shell) and the composite structure of making of fabric mould (shell)

Номер патента: CN86101091A. Автор: 福森郁彦,菊田宏. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 1986-08-27.

Semiconductor integrated circuit device and debugger device for the same

Номер патента: US20040019826A1. Автор: Tsutomu Mikami,Atsushi Ubukata,Motohide Nishibata,Takio Yamashita,Kouichirou Miyawaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit including at least one master chip and at least one slave chip

Номер патента: US09773535B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor cell for photomask data verification and semiconductor chip

Номер патента: US20090193386A1. Автор: Takayasu Hirai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and device for specified shaping to bodies of containers

Номер патента: RU2378073C2. Автор: Ги ДРЮЭСН,Корнелис ВЕРБОМ. Владелец: Импресс Груп Б.В.. Дата публикации: 2010-01-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10255957B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee,Keun-Soo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

Apparatus and method for inputting cell shape and position and inter-cell calculation

Номер патента: US5504854A. Автор: Tetsuya Yamashita. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150098293A1. Автор: Sang-Jin Byeon,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Circuit for controlling temperature and enabling testing of a semiconductor chip

Номер патента: WO2011140491A2. Автор: Sudheer Prasad,Ravindra Karnad,Ram A Jonnavithula. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-11-10.

Arrangement comprising a first semiconductor chip and a second semiconductor chip connected thereto

Номер патента: US20120117283A1. Автор: Herman Roozenbeek,Peter Rohm,Jens Barrenscheen,Axel Aue,Jens Graf,Hannes Estl,Angela Rohm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Low capacitance pad for semiconductor chip testing

Номер патента: US4439727A. Автор: David H. Boyle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US9177625B2. Автор: Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A2. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: US20240061040A1. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Hair curler having integral retainer

Номер патента: US4020855A. Автор: Robert H. Phelps. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-05-03.

Structure and method to remove semiconductor chip material for optical signal access to a photonic chip

Номер патента: EP4241122A1. Автор: Takashi Orimoto,Luu Nguyen,Vimal Kamineni,Himani KAMINENI,Gabriel Mendoza,George A. Kovall. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070064482A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Integrated circuit scanning apparatus having scanning data lines for connecting selected data locations to an I/O terminal

Номер патента: US4752907A. Автор: Stephen S. C. Si,James B. Shackleford,Daryl H. Allred. Владелец: Amdahl Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Semiconductor chip design method and computing device for performing the same

Номер патента: US20220012403A1. Автор: Sunghoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240210473A1. Автор: Jaeyong Jeong,Jangmok Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Machine learning based volume diagnosis of semiconductor chips

Номер патента: US20100005041A1. Автор: Seongmoon Wang. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2010-01-07.

System and method for disconnecting a portion of an integrated circuit

Номер патента: US20030034825A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,Paul Parries,Toshiaki Kirihata,Chorng-Lii Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor chip testing apparatus for picking up and testing a semiconductor chip

Номер патента: US09664706B2. Автор: Woo-Yoel Jeong,Duk-Soon Choi,Dong-Shin Kim,In-Seol HWANG,Seong-Han PARK,In-Seob KWON. Владелец: SEMICORE Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Bearing structure of electric power line

Номер патента: RU2197586C1. Автор: Ю.Р. Гунгер,А.А. Зевин. Владелец: Гунгер Юрий Робертович. Дата публикации: 2003-01-27.

Semiconductor chip, device and system comprising the semiconductor chip, and method for manufacturing the semiconductor chip or the system

Номер патента: EP4290411A1. Автор: Heiko Zimmermann,Günter R. FUHR. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-12-13.

Optical bridges for photonic integrated circuits

Номер патента: US20240241312A1. Автор: Mehdi Asghari. Владелец: SILC Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Improved mounting apparatus and method for accurately positioning and aligning a leadless semiconductor chip on an associated header

Номер патента: WO2010048061A3. Автор: Anthony D. Kurtz,Alexander Ned,Scott Goodman. Владелец: Kulite Semiconductor Products, Inc.. Дата публикации: 2011-04-07.

Apparatus for conditioning semiconductor chips and test method using the apparatus

Номер патента: US09599662B2. Автор: Klemens Reitinger. Владелец: ERS electronic GmbH. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of shaping profile of specified shape for stretch ceilings

Номер патента: RU2735136C1. Автор: Руслан Тимихович Бекоев. Владелец: ПИНЧУК Алексей Геннадьевич. Дата публикации: 2020-10-28.

Semiconductor chip test socket

Номер патента: US11953520B2. Автор: Kyung Hoon Yoo. Владелец: Micro Contact Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Electronic device using external memory device to store hardware setting of semiconductor chip for fast boot and power saving of semiconductor chip

Номер патента: US20230280913A1. Автор: Chung-hsin Huang,Yu-Hua Huang,Wei-Yu MA,Po-Chao Fang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor chip and semiconductor system

Номер патента: US12068056B2. Автор: Young Sub Yuk,Jae Woo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit layout

Номер патента: US09529955B2. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor module includes semiconductor chip initialized by reset signal

Номер патента: US20120268173A1. Автор: Takao Hirayama,Susumu Hatano,Yoji Nishio,Masashi Kawamura,Tadaaki YOSHIMURA,Haruki Nagahashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor memory device having a semiconductor chip including a memory cell and a resistance element

Номер патента: US10283201B2. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Method and apparatus for parallel processing of semiconductor chip designs

Номер патента: US8020134B2. Автор: Ruchir Puri,Louise H. Trevillyan,Michael W. Dotson,Anthony DeGroff Drumm,Dazhuang J. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Method and apparatus for parallel processing of semiconductor chip designs

Номер патента: US20090217227A1. Автор: Ruchir Puri,Louise H. Trevillyan,Michael W. Dotson,Anthony DeGroff Drumm,Dazhuang J. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor chip having transistor degradation reversal mechanism

Номер патента: US20150276851A1. Автор: Shmuel Zobel,Maxim Levit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Configuration for testing a multiplicity of semiconductor chips

Номер патента: US20010005144A1. Автор: Dominique Savignac,Robert Feurle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor chips and semiconductor packages setting bit organization based on operation voltage

Номер патента: US20240320172A1. Автор: Joon Hong Park,Dae Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09494650B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Simplified process to design integrated circuits

Номер патента: US7055113B2. Автор: Michael K. Eneboe,George Wayne Nation,Gary Scott Delp,Paul Gary Reuland,Robert Neal Carlton Broberg, III,Jonathan William Byrn,Gary Paul McClannahan,Thomas Sandoval,Matthew Scott Wingren. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-05-30.

Semiconductor chip and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20180188761A1. Автор: Jae Won Lee,Jae Su Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for building map data for probing tester, and method for testing semiconductor chip using the same

Номер патента: WO2008078882A1. Автор: Dong Il Kim,Kyeong Yong Kang. Владелец: Secron Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-07-03.

Testing method, testing system, and testing apparatus for semiconductor chip

Номер патента: US11929132B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Testing method, testing system, and testing apparatus for semiconductor chip

Номер патента: US20220399068A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor chip capable of calibrating bias voltage supplied to write clock buffer regardless of process variation and temperature variation, and devices including the same

Номер патента: US20240119997A1. Автор: Jaewoo Lee,Kihan Kim,Yonghun Kim,Garam CHOI,Hojun CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Design of an integrated circuit using multiple and different process corners

Номер патента: US20230334214A1. Автор: Alexander W. Schaefer,Robin Andrew Joyce,Shaun M. Kittle,Scott Eugene Swanstrom,Josef Alexander Czaban. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Photonic integrated circuit, light detection and ranging system and method for operating the same

Номер патента: WO2021133445A1. Автор: Amnon Yariv,George Rakuljic,Naresh Satyan,Israel Petronius,Yaakov VILENCHIK,Daniel Grodensky,Ron Friedman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Overriding a signal in a semiconductor chip

Номер патента: US20180238963A1. Автор: Jayakrishna Guddeti,Pankaj Moharikar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-23.

On-chip sensor for measuring dynamic power supply noise of the semiconductor chip

Номер патента: WO2011100353A1. Автор: Lew Chua-Eoan,Mauricio Calle,Xiaohua Kong,Christopher Pan,Mikhail Popovich,Boris Andreev,Amirali Shayan,Ik-Joon Chang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-08-18.

Routing a cell of a semiconductor chip

Номер патента: US20210103641A1. Автор: Michael V. Koch,Matthias Ringe,Fatih Cilek,Thomas Makowski,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Extrusion head, extruder and method for forming extruded or co-extruded pieces of food product, extruded or co-extruded pieces of food product formed by means of specified method

Номер патента: RU2753243C2. Автор: Эмильен ЭСТЭВ,Реми ТОНЕ БРЮШЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor structure for testing of metallization networks on insulative substrates supporting semiconductor chips

Номер патента: US3803483A. Автор: M Mcmahon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-04-09.

Semiconductor integrated circuit device with test circuit

Номер патента: IE53832B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-15.

Semiconductor chips

Номер патента: US20200285537A1. Автор: Min su Park,Sun Myung CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Layout method for semiconductor chip, method of manufacturing semiconductor chip using the same, and computing device

Номер патента: US20230359805A1. Автор: Kihyun Kim,Donyun Kim,Nohong KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Structure and method to remove semiconductor chip material for optical signal access to a photonic chip

Номер патента: US20230418011A1. Автор: Takashi Orimoto,Luu Nguyen,Vimal Kamineni,Himani KAMINENI,Gabriel Mendoza,George A. Kovall. Владелец: Psiquantum Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor chip with embedded microfluidic channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20240208806A1. Автор: Wei-Yang WENG,Jun-Chau Chien. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-06-27.

A semiconductor chip having a text-to-speech system and a communication enabled device

Номер патента: EP1723634A1. Автор: Richard Epson Scotland Design Centre MUNRO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-11-22.

Method of manufacturing semiconductor chips for liquid discharge head

Номер патента: US09925776B2. Автор: Masataka Kato,Toru Kawaguchi,Tomohiro Takahashi,Toshiyasu Sakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Composite item with hard surface, comprising fibers of accidental shape and/or powder particles

Номер патента: RU2366631C2. Автор: До Чоон РА,Эун Се ПАРК,Джэ Воок Джуэн,До Чоон РА (KR),Эун Се ПАРК (KR),Джэ Воок Джуэн (KR). Владелец: Чейл Индастриз Инк.. Дата публикации: 2009-09-10.

Method and apparatus for full-chip thermal analysis of semiconductor chip designs

Номер патента: US7194711B2. Автор: Rajit Chandra. Владелец: Gradient Design Automation Inc. Дата публикации: 2007-03-20.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing microwave integrated circuits

Номер патента: RU2206145C1. Автор: В.С. Морозов,А.К. Балыко,А.Н. Королев,Н.И. Попова,Л.В. Ляпин,Ю.Н. Мушкаренко,А.Г. Низамеева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток". Дата публикации: 2003-06-10.

Specially shaped profiles and sliding window structures formed by their utilization for building into frame structures of motor vehicles mainly buses by means of rubber embedding or glueing

Номер патента: HU910148D0. Автор: Janos Kiraly. Владелец: Janos Kiraly. Дата публикации: 1991-08-28.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES WITH BURIED GATE ELECTRODES AND DEVICES FORMED BY THE SAME

Номер патента: US20120273791A1. Автор: LEE CHUL,Kim Bongsoo,HWANG Deoksung,Ahn Sang-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Semiconductor Chip Including Region Having Integrated Circuit Transistor Gate Electrodes Formed by Various Conductive Structures of Specified Shape and Position and Method for Manufacturing the Same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты