Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DUAL NANORIBBON CHANNEL STRUCTURES

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DUAL NANORIBBON CHANNEL STRUCTURES

Номер патента: US20210280683A1
Опубликовано: 09-09-2021
Автор(ы): CHANG Hsu-Yu, CHANG Ting, FALLAHAZAD Babak, Hafez Walid M., KIM Jeong Dong, Nidhi Nidhi, Ramaswamy Rahul, TRIVEDI Tanuj
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING EMBEDDED GESNB SOURCE OR DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20200312960A1. Автор: Murthy Anand,BOMBERGER Cory,GHOSE Susmita,Chouksey Siddharth. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING FIN STACK ISOLATION

Номер патента: US20210305430A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.,HARPER Michael K.,Zhou Shu,Alaan Urusa,Kumar Nitesh,Snyder Stephen,THIRTHA Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20240088253A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US20220359697A1. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Gate-all-around integrated circuit structures having dual nanoribbon channel structures

Номер патента: US11862703B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEPOPULATED CHANNEL STRUCTURES USING BOTTOM-UP OXIDATION APPROACH

Номер патента: US20200219979A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,MORROW Patrick,LILAK Aaron,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING GERMANIUM NANOWIRE CHANNEL STRUCTURES

Номер патента: US20200312981A1. Автор: Murthy Anand,BOMBERGER Cory,GHOSE Susmita,GEIGER Zachary. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING REMOVED SUBSTRATE

Номер патента: US20210202696A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,MORROW Patrick,GUHA BISWAJEET,Kobrinsky Mauro. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20210305436A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3627541A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US11862635B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20200091144A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20240088142A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US20220344519A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Gate-all-around integrated circuit structures including varactors

Номер патента: US11869987B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Brian Greene,Saurabh MORARKA,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Carlos NIEVA-LOZANO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES INCLUDING VARACTORS

Номер патента: US20210305436A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,GUHA BISWAJEET,Greene Brian,MORARKA Saurabh,NIEVA-LOZANO Carlos,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: EP3736851A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US11769836B2. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: US20240312991A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having tuned upper nanowires

Номер патента: EP4432338A1. Автор: Dan S. Lavric,David J. Towner,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: US20230387324A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates with etch back process

Номер патента: US20240072145A1. Автор: Megan BECK,Ryan Wood,Joseph BRICE,Krishna T. MARLA,Derek Caselli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A3. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures in a tub architecture

Номер патента: US20230317807A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: US20230290851A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive gate structures

Номер патента: EP4243073A2. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US12068314B2. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having adjacent island structures

Номер патента: US20240363628A1. Автор: Tahir Ghani,Martin Weiss,William Hsu,Charles H. Wallace,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Michael K. Harper,William T. Blanton,Apratim Dhar,John H. IRBY, IV,James F. BONDI,Benedict A. SAMUEL,Stefan DICKERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Adjacent gate-all-around integrated circuit structures having non-merged epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP3971952A1. Автор: Walid Hafez,Hsu-Yu Chang,Sairam Subramanian,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES FABRICATED USING ALTERNATE ETCH SELECTIVE MATERIAL

Номер патента: US20210202479A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,NASKAR Sudipto,GUHA BISWAJEET,BEATTIE Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20210407997A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20240088153A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US20220262796A1. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using selective bottom-up approach

Номер патента: US11862636B2. Автор: Marko Radosavljevic,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US20240047559A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: EP3678171A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20230352561A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up oxidation approach

Номер патента: US11830933B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: US11978784B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Zachary Geiger. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US11742410B2. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded GeSnB source or drain structures

Номер патента: US11990513B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded gesnb source or drain structures

Номер патента: US20240186378A1. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator FIN on insulator substrate

Номер патента: US11862702B2. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20210305388A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having insulator fin on insulator substrate

Номер патента: US20240088254A1. Автор: Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Cory Weber,Varun Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having epitaxial source or drain region lateral isolation

Номер патента: WO2023121790A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US11894368B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Gate-all-around integrated circuit structures fabricated using alternate etch selective material

Номер патента: US20240120335A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Sudipto NASKAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20230116170A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADDITIVE METAL GATES

Номер патента: US20220093598A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,Lavric Dan S.,SAADAT Omair. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE, GATE ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20190074224A1. Автор: KNORR Andreas,Xie Ruilong,Sung Min Gyu,LIEBMANN Lars,Chanemougame Daniel,Frougier Julien,Cave Nigel G.,Nowak Edward Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEPOPULATED CHANNEL STRUCTURES USING BOTTOM-UP APPROACH

Номер патента: US20200105756A1. Автор: Ghani Tahir,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,Guler Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having disjoined epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20200091144A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: US20220416024A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK, JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having underlying dopant-diffusion blocking layers

Номер патента: EP3647262A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Patrick Keys,Biswajeet Guha,Glenn Glass,Dax CRUM,Ted COOK JR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: US20230197717A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A3. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having neighboring fin-based devices

Номер патента: EP4202997A2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20220262957A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US20240266353A1. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having necked feature

Номер патента: US20230317786A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Mohammad Hasan,Cory Weber,Varun Mishra,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer-deposition wide cut gates with non-merged spacers

Номер патента: US20230299165A1. Автор: Walid M. Hafez,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using backside removal approach

Номер патента: EP4105979A1. Автор: Tahir Ghani,Charles Wallace,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US20240006541A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having asymmetric source and drain contact structures

Номер патента: US11799037B2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using bottom-up approach

Номер патента: US12002810B2. Автор: Tahir Ghani,Biswajeet Guha,Leonard GULER,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having source or drain structures with substrate connection portions

Номер патента: US20230207651A1. Автор: Nitesh Kumar,Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Pratik Patel,Stephen M. Cea,Mohammad Hasan,Anant H. JAHAGIRDAR,Rushabh Shah,Tricia Meyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Gate-all-around integrated circuit structures having raised wall structures for epitaxial source or drain region confinement

Номер патента: WO2023113913A1. Автор: Guillaume Bouche,Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Andy Chih-Hung Wei,Aryan NAVABI-SHIRAZI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Multifaceted semicondcutor device for a gate-all-around integrated device

Номер патента: WO2023247748A1. Автор: Naoto Horiguchi,Krishna Kumar Bhuwalka,Roger Loo. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Multifaceted semicondcutor device for a gate-all-around integrated device

Номер патента: EP4297095A1. Автор: Naoto Horiguchi,Krishna Kumar Bhuwalka,Roger Loo. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Gate-all-around integrated circuit structures having self-aligned source or drain undercut for varied widths

Номер патента: US11276691B2. Автор: Tahir Ghani,Stephen M. Cea,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADJACENT DEEP VIA SUBSTRATE CONTACTS FOR SUB-FIN ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193807A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having nanowires with tight vertical spacing

Номер патента: TW202107704A. Автор: 塔何 甘尼,安拿 莫希,蘇米塔 葛斯,扎克瑞 蓋格,葛蘭 葛雷斯,比斯瓦吉 古哈. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-16.

Integrated circuits having source/drain structure and method of making

Номер патента: US20230298891A1. Автор: Shih-Hsien Huang,Chien-Chang Su,Yi-Fang Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium-diffused nanoribbon channel structures

Номер патента: EP4020589A1. Автор: Guillaume Bouche,Jack Kavalieros,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: EP3869547A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US11581404B2. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Walid M. Hafez,Jeong Dong KIM,Ting Chang,Rahul RAMASWAMY,Hsu-Yu Chang,Babak Fallahazad,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having conductive contact stressor between epitaxial source or drain regions

Номер патента: EP4020590A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ASYMMETRIC SOURCE AND DRAIN CONTACT STRUCTURES

Номер патента: US20200091348A1. Автор: Ghani Tahir,GUHA BISWAJEET,KOBRINSKY Mauro J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEPOPULATED CHANNEL STRUCTURES

Номер патента: US20210257452A1. Автор: Hafez Walid M.,Ramaswamy Rahul,CHANG Hsu-Yu,CHANG Ting,FALLAHAZAD Babak,TRIVEDI Tanuj,KIM Jeong Dong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEPOPULATED CHANNEL STRUCTURES

Номер патента: US20210257453A1. Автор: Hafez Walid M.,Ramaswamy Rahul,CHANG Hsu-Yu,CHANG Ting,FALLAHAZAD Babak,TRIVEDI Tanuj,KIM Jeong Dong. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Adjacent gate-all-around integrated circuit structures having non-merged epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20220093588A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Hsu-Yu Chang,Sairam Subramanian,Tanuj Trivedi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240006504A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent structures for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11799009B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: EP3678170A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-08.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US11764263B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having depopulated channel structures using multiple bottom-up oxidation approaches

Номер патента: US20230369399A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Richard Schenker,Willy Rachmady,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11824116B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with channel-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240038889A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US20240055497A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Gate-all-around integrated circuit structures having adjacent deep via substrate contacts for sub-fin electrical contact

Номер патента: US11837641B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US11908856B2. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate-all-around integrated circuit structures having devices with source/drain-to-substrate electrical contact

Номер патента: US20240145471A1. Автор: Tahir Ghani,Chung-Hsun Lin,William Hsu,Oleg Golonzka,Biswajeet Guha,Kinyip PHOA,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer-deposition wide cut gates with extensions

Номер патента: US20230299081A1. Автор: Charles H. Wallace,Walid Hafez,Leonard P. GULER,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEPOPULATED CHANNEL STRUCTURES USING MULTIPLE BOTTOM-UP OXIDATION APPROACHES

Номер патента: US20200219970A1. Автор: Rachmady Willy,Yoo Hui Jae,Dewey Gilbert,MORROW Patrick,LILAK Aaron,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH,SCHENKER Richard. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having germanium nanowire channel structures

Номер патента: TW202105731A. Автор: 安拿 莫希,寇利 保伯格,蘇米塔 葛斯,扎克瑞 蓋格. Владелец: 美商英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2021-02-01.

Gate-all-around integrated circuit structures having embedded GeSnB source or drain structures

Номер патента: US11532706B2. Автор: Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Susmita Ghose,Siddharth Chouksey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-20.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING UNDERLYING DOPANT-DIFFUSION BLOCKING LAYERS

Номер патента: US20200105872A1. Автор: Ghani Tahir,Murthy Anand,Cook,GUHA BISWAJEET,JR. Ted,GHOSE Susmita,GLASS Glenn,CRUM Dax,Keys Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING SELF-ALIGNED SOURCE OR DRAIN UNDERCUT FOR VARIED WIDTHS

Номер патента: US20200091145A1. Автор: Ghani Tahir,Cea Stephen M.,GUHA BISWAJEET,KANG Jun Sung,BEATTIE Bruce. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Gate-all-around integrated circuit structures having oxide sub-fins

Номер патента: US20200219978A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Gate-all-around integrated circuit structures having doped subfin

Номер патента: US20230088753A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Kihoon Park,Mohammad Hasan,Chang Wan Han,Patrick Keys,Cory Weber,Biswajeet Guha,Sabih OMAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING MOLYBDENUM NITRIDE METAL GATES AND GATE DIELECTRICS WITH A DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220093597A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,Lavric Dan S.,BAUMGARTEL Lukas,"OBRIEN DANIEL B.",LEIB Jeffrey S.,OUELLETTE Daniel G.,ACTON ORB. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING UNIFORM THRESHOLD VOLTAGES AND TIGHT GATE ENDCAP TOLERANCES

Номер патента: US20220416039A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,HARAN Mohit K.,Lavric Dan S.,JHA Jitendra Kumar,Chiu YenTing,TOWNER David J.,ACTON ORB. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING LOW ASPECT RATIO ISOLATION STRUCTURES AND SUBFINS

Номер патента: US20210202478A1. Автор: Ghani Tahir,Harper Michael,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH CHANNEL-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193836A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having high mobility

Номер патента: US20200105753A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Rishabh Mehandru,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING NANOWIRES WITH TIGHT VERTICAL SPACING

Номер патента: US20200357930A1. Автор: Ghani Tahir,Murthy Anand,GUHA BISWAJEET,GHOSE Susmita,GLASS Glenn,GEIGER Zachary. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US11990472B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having pre-spacer deposition cut gates

Номер патента: US20240178226A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Oleg Golonzka,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Reken Patel,Michael K. Harper,Niels Zussblatt,Jeffrey Miles Tan,Benjamin Kriegel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING VERTICALLY DISCRETE SOURCE OR DRAIN STRUCTURES

Номер патента: US20200105871A1. Автор: Ghani Tahir,Mehandru Rishabh,Murthy Anand,CRUM DAX M.,GUHA BISWAJEET,MA Sean,GHOSE Susmita,GLASS Glenn,CEA Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Gate-all-around integrated circuit structures having vertically discrete source or drain structures

Номер патента: US20230074199A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Susmita Ghose,Rishabh Mehandru,Sean Ma,Biswajeet Guha,Stephen Cea,Glenn Glass,Dax M. CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Integrated circuit structures with source or drain dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US20230343826A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Anupama Bowonder,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Gradient-doped sacrificial layers in integrated circuit structures

Номер патента: WO2022108655A1. Автор: Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-27.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING SOURCE OR DRAIN STRUCTURES WITH EPITAXIAL NUBS

Номер патента: US20200303502A1. Автор: Ghani Tahir,Murthy Anand,Bohr Mark T.,GUHA BISWAJEET,BOMBERGER Cory. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING COMMON METAL GATES AND HAVING GATE DIELECTRICS WITH A DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220093596A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,Lavric Dan S.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING DEVICES WITH SOURCE/DRAIN-TO-SUBSTRATE ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210193652A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,JACK NATHAN,PHOA Kinyip,KAR Ayan,KOLLURU Kalyan,ORR Benjamin,THOMSON Nicholas. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Gate-all-around integrated circuit devices

Номер патента: US20070045725A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun,Min-Sang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Fabrication of integrated circuit structures having uniformity among varying gate trench widths

Номер патента: US20240178227A1. Автор: Venkata Aditya Addepalli,Shyam Benegal KADALI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structures with sub-fin isolation

Номер патента: US20240332301A1. Автор: Patrick Morrow,Willy Rachmady,Prashant Wadhwa,Chun-Kuo HUANG,Conor P. PULS,Giorgio Mariottini,Caleb Barrett,Daniel James Harris. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: EP4443515A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram ADB EI QADER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure with backside contact widening

Номер патента: US20240332172A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit structures with cavity spacers

Номер патента: US20240186398A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Justin Weber,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Anh Phan,Stephen M. Cea,Salim BERRADA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371932A1. Автор: Yi-Chun Liu,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Kung-Ying Chiu. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-11-07.

Device contact sizing in integrated circuit structures

Номер патента: EP3886176A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Released fin for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220416040A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Neighboring gate-all-around integrated circuit structures having conductive contact stressor between epitaxial source or drain regions

Номер патента: US20220199771A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADJACENT ISLAND STRUCTURES

Номер патента: US20220093589A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,IV John H.,WEISS Martin,GUHA BISWAJEET,Wallace Charles H.,GULER Leonard P.,Irby,DHAR Apratim,BLANTON William T.,BONDI James F.,HARPER Michael K.,SAMUEL Benedict A.,DICKERT Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADJACENT STRUCTURES FOR SUB-FIN ELECTRICAL CONTACT

Номер патента: US20210184014A1. Автор: Ghani Tahir,Lin Chung-Hsun,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,PHOA Kinyip. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20240145549A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US11923421B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Integrated circuit structures having germanium-based channels

Номер патента: US20200006492A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand Murthy,Siddharth Chouksey,Seung Hoon Sung,Ashish Agrawal,Harold Kennel,Glenn Glass. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method and apparatus of forming an integrated circuit with a strained channel region

Номер патента: US09768277B2. Автор: Yen-Chun Lin,Da-Wen Lin,Ming-Lung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit structures with backside conductive source or drain contact having enhanced contact area

Номер патента: US20240332302A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Debaleena Nandi,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having gate cut plugremoved from trench contact

Номер патента: US20240105802A1. Автор: Robert Joachim,Robert Robinson,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Marie Conte,Kyle T. HORAK,Brandon PETERS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having routing across layers of channel structures

Номер патента: US20240222271A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with backside source or drain contact selectivity

Номер патента: US20240332377A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with back-side contact selectivity

Номер патента: US20240313096A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures with gate volume reduction

Номер патента: US20240105801A1. Автор: Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having gate cut plug removed from trench contact using angled directional etch

Номер патента: US20240096881A1. Автор: Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Ala ALAZIZI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit structures having ultra-high conductivity global routing

Номер патента: US20240006416A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Substrate-less nanowire-based lateral diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4109561A1. Автор: Rui Ma,Lin Hu,Chung-Hsun Lin,Biswajeet Guha,Sabih OMAR,Brian Greene,Nicholas Thomson,Ayan KAR,Kalyan KOLLURU,Nathan Jack,Benjamin Orr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Contact over active gate structures with uniform and conformal gate insulating cap layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4243082A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Krishna GANESAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Channel structures with sub-fin dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US11984449B2. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Biswajeet Guha,Anupama Bowonder,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Channel structures with sub-fin dopant diffusion blocking layers

Номер патента: US20200006332A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Biswajeet Guha,Anupama Bowonder,Stephen Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113188A1. Автор: Chun-Jun Lin,Wen-Li Chiu,Chi-hsin Chang,Yi-Juei LEE,Yu-Jie YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING PRE-SPACER DEPOSITION CUT GATES

Номер патента: US20220093592A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,Golonzka Oleg,GUHA BISWAJEET,GULER Leonard P.,HARPER Michael K.,HASAN Mohammad,HARAN Mohit K.,PATEL Reken,ZUSSSBLATT Niels,TAN Jeffrey Miles,KRIEGEL Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit metal gate structure having tapered profile

Номер патента: US09455344B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit structures having partitioned source or drain contact structures

Номер патента: EP3647263A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Biswajeet Guha,Stephanie Bojarski,Babita DHAYAL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-06.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US09660075B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy C. Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Fin trim plug structures having an oxidation catalyst layer surrounded by a recessed dielectric material

Номер патента: US20230089815A1. Автор: Tahir Ghani,Swaminathan Sivakumar,Nick Lindert,Biswajeet Guha,Leonard GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated circuits having converted self-aligned epitaxial etch stop

Номер патента: US20190333993A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Ruilong Xie,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Fin trim isolation with single gate spacing for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200335625A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit structure with backside via

Номер патента: US20240047546A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Monolithic integrated circuit (MMIC) structure having composite etch stop layer and method for forming such structure

Номер патента: US09478652B1. Автор: Adrian D. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated circuit structures with trench contact depopulation structure

Номер патента: US20240105803A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Saurabh Acharya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US11869891B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Non-planar integrated circuit structures having mitigated source or drain etch from replacement gate process

Номер патента: US20240096896A1. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha,Bruce Beattie,Jun Sung Kang,Kai Loon CHEONG,Dax M. CRUM,Erica J. Thompson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nano-wall Integrated Circuit Structure with High Integrated Density

Номер патента: US20220149198A1. Автор: Ke Feng,FAN Lin,Ping Li,Tao He,Xianghe ZENG,Yongbo Liao,Zhaoxi Hu,Yaosen LI,Chenxi PENG,Xuanlin XIONG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2022-05-12.

Integrated circuit structures having bit-cost scaling with relaxed transistor area

Номер патента: US20240224508A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20240162289A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US11916106B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20220344459A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305365A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADDITIVE METAL GATES AND GATE DIELECTRICS WITH A DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220093648A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,Lavric Dan S.,SAADAT Omair. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259773A1. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20210091105A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985031B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859392B2. Автор: Ha-Jin Lim,Weon-Hong Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A SeOI INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: WO2021204580A1. Автор: Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen,Trong HUYNH-BAO. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2021-10-14.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit structures with channel cap reduction

Номер патента: US20240105771A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US12046654B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Integrated circuit structures including a titanium silicide material

Номер патента: US20240332392A1. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,John F. Richards,Srijit Mukherjee,Dan S. Lavric,Suresh Vishwanath,Jitendra Kumar JHA,Thomas T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Rare-earth materials for integrated circuit structures

Номер патента: US20220059668A1. Автор: Scott B. Clendenning,Sudarat Lee,Charles Cameron Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Buried channel structure integrated with non-planar structures

Номер патента: US20230317720A1. Автор: Bernhard Sell,Mark Armstrong,Akm A. AHSAN,Guannan Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit having field-effect trasistors with dielectric fin sidewall structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09922975B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US09881841B2. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20220271035A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US11417654B2. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US10784261B2. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Integrated circuit structure to reduce soft-fail incidence and method of forming same

Номер патента: US20200013678A1. Автор: Haiting Wang,Sipeng Gu,Scott H. Beasor,Sunil K. Singh,Xinyuan Dou,Akshey Sehgal,Ravi P. Srivastava. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US11916075B2. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Metallization Process for an Integrated Circuit

Номер патента: US20230197514A1. Автор: Naoto Horiguchi,Zsolt Tokei,Serge Biesemans,Julien Ryckaert,Bilal Chehab,Victor Hugo VEGA GONZALEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Layer transfer clamp for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203978A1. Автор: Han Wui Then,William J. Lambert,Harish Krishnamurthy,Nachiket Venkappayya Desai,Samuel James Bader,Jingshu Yu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit structures having differentiated channel sizing

Номер патента: US20230317808A1. Автор: Tahir Ghani,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Brian Greene,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A3. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290825A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Elliot N. Tan,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: EP4345876A1. Автор: Allen GARDINER,Leonard GULER,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having metal gate plug landed on dielectric dummy fin

Номер патента: WO2023121794A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-29.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: US20240105716A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Marie T. Conte,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug

Номер патента: EP4345879A1. Автор: Tahir Ghani,Thomas O'Brien,Charles H. Wallace,Stephen M. Cea,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Prabhjot LUTHRA,Marie Conte. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: US20240113111A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Integrated circuit structures with backside self-aligned conductive source or drain contact

Номер патента: EP4270484A2. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Leonard P. GULER,Tsuan-Chung CHANG,Sean Pursel,Elliot Tan,Raghuram Gandikota,Sikandar ABBAS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit structures having fin isolation regions recessed for gate contact

Номер патента: EP4345875A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Clifford Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit structures having fin isolation regions bound by gate cuts

Номер патента: US20240105804A1. Автор: Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Dan S. Lavric,Sean Pursel,Jonathan HINKE,Wonil CHUNG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structures having aoi gates with routing across nanowires

Номер патента: US20230420533A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Metallization in integrated circuit structures

Номер патента: US11018222B1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Lukas M. Baumgartel,Timothy Michael Duffy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305244A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Multi-dimensional photonic integrated circuits and memory structure having optical components mounted on multiple planes of a multi-dimensional package

Номер патента: US11862736B2. Автор: Danny Rittman,Aliza Schnapp. Владелец: GBT Tokenize Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit structures having vertical shared gate high-drive thin film transistors

Номер патента: US20240222520A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Substrate-less vertical diode integrated circuit structures

Номер патента: EP4020597A1. Автор: Brian Greene,Avyaya Jayanthinarasimham,Suresh Vishwanath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: EP4328966A1. Автор: Tanay Karnik,Mondira Pant,Ragh Kuttappa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit structures having magnetic vias and backside power delivery

Номер патента: US20240071870A1. Автор: Tanay Karnik,Ragh Kuttappa,Mondira Deb PANT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20240274718A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

FIN shaping using templates and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11749733B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Mark Armstrong,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit using finfets and having a static random access memory (sram)

Номер патента: WO2007120292A2. Автор: Leo Mathew,James D. Burnett,Byoung W. Min. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-25.

Three-dimensional silicon structure for integrated circuits and cooling thereof

Номер патента: US09997494B2. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US20230275157A1. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Fin smoothing and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US12021149B2. Автор: Tahir Ghani,Cory BOMBERGER,Anand S. Murthy,Anupama Bowonder. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of forming a three dimensional integrated circuit structure

Номер патента: US4954458A. Автор: Lee R. Reid. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Integrated circuit structure with active device in merged slot and method of making same

Номер патента: US4803176A. Автор: Robert W. Bower. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1989-02-07.

Three-Dimensional Silicon Structure For Integrated Circuits And Cooling Thereof

Номер патента: US20150091156A1. Автор: Gerald Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-02.

Wraparound contact surrounding source/drain regions of integrated circuit structures and method of forming same

Номер патента: US20200075738A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Shesh M. Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit structures with source or drain contacts having enhanced contact area

Номер патента: US20240178273A1. Автор: Chung-Hsun Lin,Guowei Xu,Brian Greene,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US20150123213A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11888043B2. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Contact over active gate structures with conductive gate taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240120397A1. Автор: Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A3. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: EP4333072A2. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structures having conductive structures in fin isolation regions

Номер патента: US20230317731A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Marni NABORS,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures having linerless self-forming barriers

Номер патента: US12057388B2. Автор: Abhishek A. Sharma,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: EP4246587A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader,Tanir Ghani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structures with backside self-aligned penetrating conductive source or drain contact

Номер патента: US20230290844A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Leonard P. GULER,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: US20240332077A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with backside gate connection

Номер патента: EP4439673A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220384303A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240153947A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20210035972A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor void

Номер патента: US20240145568A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240276698A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit structures with backside gate cut or trench contact cut

Номер патента: US20220392896A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for forming an integrated circuit having transistor gates over an interconnection structure

Номер патента: US12062658B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355820A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Integrated circuit having a contact etch stop layer

Номер патента: US09508814B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuit structure with dual thickness cobalt silicide layers and method for its manufacture

Номер патента: US6040606A. Автор: Christopher S. Blair. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-21.

Integrated circuit structures having differentiated workfunction layers

Номер патента: US20200219775A1. Автор: Florian Gstrein,Ashish Agrawal,Ying Pang,Dan S. Lavric,Robert Niffenegger,Padmanava Sadhukhan,Robert W. Heussner,Joel M. Gregie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Fin doping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: EP4064334A1. Автор: Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea,Patrick Keys,Cory Weber,Seahee Hwangbo,Leonard C. Pipes,Jack YAUNG,Tzu-Min Ou. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Multi version library cell handling and integrated circuit structures fabricated therefrom

Номер патента: US12067338B2. Автор: Mark T. Bohr,Barbara A. Chappell,Ranjith Kumar,Andrew W. Yeoh,Quan Shi,Sourav Chakravarty,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structure with insulated memory device and related methods

Номер патента: US09825041B1. Автор: Byeong Y. Kim,William L. Nicoll. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Back side processing of integrated circuit structures to form insulation structure between adjacent transistor structures

Номер патента: US11894262B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Fin end plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961838B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Chun-Kuo HUANG,Erica THOMPSON,Jeanne Luce,Ebony L. Mays. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20210343645A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit structure

Номер патента: US9966378B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure with through-metal through-substrate interconnect and method

Номер патента: US12062574B2. Автор: Zhong-Xiang He,Mark D. Levy,Alvin J. Joseph,Richard J. Rassel,Jeonghyun Hwang,Ramsey M. Hazbun. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US09449888B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Fin cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12016170B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis W. Ward. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Contact over active gate structures with conductive trench contact taps for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4163968A1. Автор: Florian Gstrein,Gurpreet Singh,Elijah V. KARPOV,Charles H. Wallace,Manish Chandhok,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,Leonard P. GULER,Reken Patel,Urusa ALAAN,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Integrated circuits with asymmetric and stacked transistors

Номер патента: US09496268B2. Автор: Jun Liu,Qi Xiang,Irfan Rahim,Andy L. Lee,Yanzhong Xu,Srinivas Perisetty,Albert Ratnakumar,Shankar Sinha,Jeffrey T. Watt,Jeffrey Xiaoqi Tung,Shih-Lin S. Lee. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods for forming integrated circuit systems employing fluorine doping

Номер патента: US20140256097A1. Автор: Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat,Torben Balzer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230343855A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wei-Yang Lee,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Wafer structure for electronic integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09799516B2. Автор: David B. Kerwin,Joseph M. Benedetto. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating polycrystalline structures for integrated circuits

Номер патента: US3825451A. Автор: J Schoeff. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-07-23.

Integrated circuit structure with improved ldmos design

Номер патента: WO2004053939A3. Автор: Jun Cai. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of making a quasi-monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3850710A. Автор: C Wen. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1974-11-26.

Integrated circuit product with bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09608003B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Directional spacer removal for integrated circuit structures

Номер патента: US20200373205A1. Автор: Leonard P. GULER,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Device contacts in integrated circuit structures

Номер патента: US11973121B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha,Mwilwa Tambwe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits using polycrystalline silicon gate electrodes

Номер патента: US4471522A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230282742A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20160379983A1. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US20150140748A1. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20230253325A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Cheng-Chi Chuang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Integrated circuit structures having memory with backside dram and power delivery

Номер патента: US20230422485A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of fabricating metal-bearing integrated circuit structures having low defect density

Номер патента: US20110306207A1. Автор: Richard A. Faust,Srinivas Raghavan,Thomas E. Lillibridge,Kalyan Cherukuri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for isolation of circuit regions in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: US3834958A. Автор: K Bean,P Gleim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1974-09-10.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240347465A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4418312A2. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US12125746B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of manufacturing three-dimensional integrated circuit structures

Номер патента: US12136619B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Fabrication of integrated circuits with borderless vias

Номер патента: US20020158283A1. Автор: Henry Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor structure having both gate-all-around devices and planar devices

Номер патента: US12046684B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12027424B2. Автор: Kuo-Sheng Chuang,You-Hua Chou,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices with close-packed via structures having in-plane routing and method of making same

Номер патента: US09484293B2. Автор: Thorbjörn Ebefors,Daniel Perttu. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for planarizing an integrated circuit structure using low melting inorganic material and flowing while depositing

Номер патента: US5244841A. Автор: Dan Maydan,David N. Wang,Jeffrey Marks,Kam S. Law. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1993-09-14.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20200105672A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240006322A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas J. KYBERT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Contact over active gate structures with etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP3629369A1. Автор: Hiten KOTHARI,Mohit K. HARAN,Atul Madhavan,Nicholas Kybert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-01.

Process for forming photoresist mask over integrated circuit structures with critical dimension control

Номер патента: US5902704A. Автор: Philippe Schoenborn,John Haywood. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Passivation for integrated circuit structures

Номер патента: US5010024A. Автор: Peter S. Gwozdz,Bert L. Allen,Thomas R. Bowers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US20210343587A1. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US20230307292A1. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Passivation layer for integrated circuit structure and forming the same

Номер патента: US11688633B2. Автор: Ching-Hou SU,Chun-Chiang Chen,Chun-Ting Wu,Chih-Pin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of forming material film, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20210193508A1. Автор: Junwon Lee,Jinyong Kim,Kwangtae HWANG,Iksoo Kim,Jiwoon Im,Geumbi Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Integrated circuit structure with dielectric material to cover horizontally separated metal layers, and related method

Номер патента: US20210280352A1. Автор: Marcel B. Wieland,Frank G. Küchenmeister,Hartmuth Daniel Kunze,Lothar E. Lehmann,Sven Bedürftig,Patrick Rohlfs. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of forming a pattern for interconnection lines in an integrated circuit wherein the pattern includes gamma and beta block mask portions

Номер патента: US09691626B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of ensuring adhesion of chemically vapor deposited oxide to gold integrated circuit interconnect lines

Номер патента: US4716071A. Автор: Dyer A. Matlock,Bruce E. Roberts,Jimmy C. Black. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1987-12-29.

Low dielectric constant insulation layer for integrated circuit structure and method of making same

Номер патента: US5494859A. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Semiconductor Structure Having Both Gate-All-Around Devices And Planar Devices

Номер патента: US20230369514A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

INTEGRATED CIRCUIT METAL GATE STRUCTURE HAVING TAPERED PROFILE

Номер патента: US20140246712A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,Yeh Chiung-Han,WU Ming-Yuan,Thei Kong-Beng,Liang Mong-Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-04.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A3. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit structure having anti-fuse structure

Номер патента: EP4202998A2. Автор: Changyok Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuit structures having memory with backside power delivery

Номер патента: US20230420368A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structures having raised epitaxy on channel transistor

Номер патента: US20240006483A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having lookup table decoders for fpgas

Номер патента: US20240222276A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having recessed channel transistor

Номер патента: US20240006412A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having inverters with contacts between nanowires

Номер патента: US20230422462A1. Автор: Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Layer transfer transistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203979A1. Автор: Han Wui Then,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit structure with methods of electrically connecting same

Номер патента: US09659941B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230275088A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Hsiang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143150A1. Автор: Xiangdong Chen,Wei-Ling Chang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO,Sang-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Integrated circuits with self-aligned tub architecture

Номер патента: EP4202999A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Leonard P. GULER,Andy Chih-Hung Wei,Mohit K. HARAN,Dan S. Lavric,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: NL2029033A. Автор: Radosavljevic Marko,Choi Beomseok,KOIRALA Pratik,TALUKDAR Tushar,GOMES Wilfred,Wui Then Han,S Chau Robert,A Elsherbini Adel,M Swan Johanna,K Thomas Nicole,B Fischer Paul. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Gallium nitride (gan) three-dimensional integrated circuit technology

Номер патента: EP4218054A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Nicole K. Thomas,Wilfred Gomes,Pratik KOIRALA,Tushar TALUKDAR,Beomseok CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated Circuit Device Having Defined Gate Spacing And Method Of Designing And Fabricating Thereof

Номер патента: US20140332893A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Integrated circuit product comprising lateral and vertical FinFet devices

Номер патента: US09443976B1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Fin shaping and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11901457B2. Автор: Szuya S. LIAO,Pratik Patel,Rishabh Mehandru,Anupama Bowonder,Rahul Pandey. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Wafer structure for electronic integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09799653B2. Автор: David B. Kerwin,Joseph M. Benedetto. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Sputtered metallic silicide gate for GaAs integrated circuits

Номер патента: US4954852A. Автор: Zachary Lemnios. Владелец: Ford Microelectronics Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20230261053A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Layer transfer diode or thin-film resistor for gallium nitride (gan) integrated circuit technology

Номер патента: US20240203815A1. Автор: Han Wui Then,Nachiket Venkappayya Desai,Samuel James Bader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Self-aligned metal process for integrated circuit metallization

Номер патента: CA1166760A. Автор: Ingrid E. Magdo,Shashi D. Malaviya,George R. Goth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-01.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Ic structure with short channel gate structure having shorter gate height than long channel gate structure

Номер патента: US20210272851A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: US20230317788A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with pre-epitaxial deep via structure

Номер патента: US20230317595A1. Автор: Tahir Ghani,Leonard P. GULER,Chanaka D. Munasinghe,Sukru Yemenicioglu,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit structures with full-wrap contact structure

Номер патента: EP4254480A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Integrated circuit structures having differentiated interconnect lines in a same dielectric layer

Номер патента: US12080643B2. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Shem O. Ogadhoh,Yih Wang,Bernhard Sell,Juan G. ALZATE VINASCO,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Allen B. Gardiner,Blake C. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US12051692B2. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: EP4044231A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-17.

Integrated circuit structure with front side signal lines and backside power delivery

Номер патента: US20240355819A1. Автор: Marni NABORS,Quan Shi,Sukru Yemenicioglu,Xinning Wang,Sivakumar VENKATARAMAN,Nikolay RYZHENKO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Contact over active gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11031487B2. Автор: Tahir Ghani,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Atul Madhavan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12057492B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240332399A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated FinFET structure having a contact plug pitch larger than fin and first metal pitch

Номер патента: US09653346B2. Автор: Shih-Chin Lin,Chen-Hsien Hsu,Ming-Jui Chen,Kuei-Chun Hung,Jerry Che Jen HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit structures having vertical keeper or power gate for backside power delivery

Номер патента: US20240006317A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit structures having vertical power gate transistor for backside power delivery

Номер патента: EP4300561A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Integrated circuit structure with backside power delivery

Номер патента: EP4202991A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Marni NABORS,Kevin Fischer,Curtis Tsai,Conor P. PULS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Integrated circuit structures having airgaps for backside signal routing or power delivery

Номер патента: US20240006305A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Dual metal gate structure having portions of metal gate layers in contact with a gate dielectric

Номер патента: US11955532B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Integrated circuit structure with recessed trench contact and deep boundary via

Номер патента: US20240178101A1. Автор: Feng Zhang,Guowei Xu,Chiao-Ti HUANG,Tao Chu,Minwoo Jang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated circuit structure with niobium-based silicide layer and methods to form same

Номер патента: US20210249518A1. Автор: Wei Hong,Hong Yu,Yanping SHEN,Domingo A. Ferrer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: US20230420512A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure with backside power staple

Номер патента: EP4300565A1. Автор: Tahir Ghani,Mauro J. Kobrinsky,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,June CHOI,Xinning Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Multi-layer etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12119344B2. Автор: Dragos SEGHETE,David J. Towner,Christopher R. Ryder,Anthony V. Mule',Angel Aquino Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Dual-gate structure and method of fabricating integrated circuits having dual-gate structures

Номер патента: US20040038538A1. Автор: Chi-Chun Chen,Chih-Wei Yang,Ming-Fang Wang,Chih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Tuo-Hung Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20240249946A1. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11887838B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Trench plug hardmask for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105520A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anthony St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Epitaxial source or drain structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11411095B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Subhash Joshi,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220223717A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11948997B2. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11837456B2. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11799015B2. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Gate cut and fin trim isolation for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20230420545A1. Автор: Tahir Ghani,Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11961767B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Continuous gate and fin spacer for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240038578A1. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Subhash Joshi,Heidi M. MEYER,Ahmet TURA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Trench contact structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240162332A1. Автор: Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Jeffrey S. LEIB. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate line plug structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4328973A3. Автор: Byron Ho,Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-29.

Dual metal silicide structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240178071A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Jeffrey S. LEIB,Srijit Mukherjee,Vinay BHAGWAT. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Dual metal gate structures for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240186403A1. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Fin patterning for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11881520B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Curtis Ward,Heidi M. MEYER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US11955534B2. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Heterogeneous metal line compositions for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240047556A1. Автор: Vinay Chikarmane,Christopher P. Auth,Andrew W. Yeoh,Joseph STEIGERWALD,Jinhong SHIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit with mixed row heights

Номер патента: US20190164949A1. Автор: Jack Liu,Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Yi-Chuin Tsai,Sing-Kai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US12002678B2. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A3. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4199044A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: US20240154037A1. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Integrated circuit structures having dielectric anchor and confined epitaxial source or drain structure

Номер патента: EP4325580A2. Автор: Tahir Ghani,Allen B. Gardiner,Charles H. Wallace,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Aryan NAVABI-SHIRAZI,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Structure for realizing integrated circuit having schottky diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20080096361A1. Автор: Seong-Hearn Lee,Sang-wook Kwon,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit structures having memory access transistor with backside contact

Номер патента: US20240008253A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for protecting data stored in a memory, and corresponding integrated circuit

Номер патента: US12125808B2. Автор: Fabrice Marinet,Pascal Fornara. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Integrated circuit structure with diode over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240063212A1. Автор: Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit

Номер патента: US20170278720A1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit

Номер патента: US09818623B2. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS,Byoung Youp Kim,Craig Michael CHILD, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Via profile shrink for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4191651A1. Автор: Weimin Han,Charles H. Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas,Tiffany Zink. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Integrated circuit structure having through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09805977B1. Автор: John J. Garant,Jorge A. Lubguban,Vijay Sukumaran,Thuy L. Tran-Quinn. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit device

Номер патента: US12114504B2. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20180150589A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Shang-Chih Hsieh,Jerry Chang-Jui Kao,Chi-Yu Lu,Meng-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US09859227B1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105598A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240233824A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit devices

Номер патента: US11961560B2. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20220302054A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20210343342A1. Автор: Sangwan Nam,Myunghun Lee,Taemin OK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US12073170B2. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20220059400A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US20240274560A1. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device including peripheral circuit and cell array structures, and electronic system including same

Номер патента: US12107061B2. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Iso-level vias for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4199053A1. Автор: Charles H. Wallace,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Seung-June Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090008782A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of forming an integrated circuit on a low loss substrate

Номер патента: US20030008441A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Robert Scheer. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US20230282639A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Yi-Hsun CHIU,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240304544A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Metal interconnect stack for integrated circuit structure

Номер патента: US6087726A. Автор: Shouli Steve Hsia,Zhihai Wang,Fred Chen. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US09741687B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated Circuit Structure and Method for Reducing Polymer Layer Delamination

Номер патента: US20210351173A1. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Three dimensional integrated circuit structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583465B1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yi-Hsiu Chen,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit structure and method for reducing polymer layer delamination

Номер патента: US09583424B2. Автор: Hsien-Wen Liu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Min-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US09576847B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for manufacturing a low dielectric constant inter-level integrated circuit structure

Номер патента: US5880018A. Автор: Terry Grant Sparks,Bruce Allen Boeck,Jeff Thomas Wetzel. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: US20230420360A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure with recessed self-aligned deep boundary via

Номер патента: EP4300558A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Pratik Patel,Leonard P. GULER,Sukru Yemenicioglu,Conor P. PULS,Makram Abd El Qader,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Integrated circuit structure with flourescent material, and related methods

Номер патента: US20220375871A1. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Integrated circuit structure and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09711408B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Grounded die seal integrated circuit structure for RF circuits

Номер патента: US09640494B1. Автор: Vikas Sharma. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Three-dimensional integrated circuit structure and bonded structure

Номер патента: US09620488B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated circuit chips, integrated circuit packages including the integrated circuit chips, and display apparatuses including the integrated circuit chips

Номер патента: US20200235091A1. Автор: Woon-bae Kim,Young-Mok Kim,Dae-cheol Seong,Yune-seok CHUNG,Jung-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Multiple driver pin integrated circuit structure

Номер патента: US09935057B2. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-chip microelectronic assembly with built-up fine-patterned circuit structure

Номер патента: US09666560B1. Автор: HONG Shen,Liang Wang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Guilian Gao. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US20180108566A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Integrated circuit structures with contoured interconnects

Номер патента: US20230317597A1. Автор: Jiho KANG,Ebubekir Dogan,Ramanan Ehamparam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220052069A1. Автор: Jeehoon HAN,Seungyoon Kim,Jaeryong Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated circuit device with protective antenna diodes integrated therein

Номер патента: US11862624B2. Автор: Sujeong Kim,Daeseok Byeon,Taemin OK,Inmo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US20200084891A1. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-03-12.

Thermal management solutions for embedded integrated circuit devices

Номер патента: US20200098668A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for preparing integrated circuit structure with polymorphous material

Номер патента: US20090298284A1. Автор: Da Yu Chuang,Tzu Lun Cheng,Cheng Da Wu,Wei Heng Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: WO2019194917A1. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-10-10.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US12113027B2. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240371782A1. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US09786592B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09704802B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Three dimensional integrated circuit structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633917B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Wen-Ching Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Molded composite enclosure for integrated circuit assembly

Номер патента: US09607914B2. Автор: Paul J. Gwin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Damaging integrated circuit components

Номер патента: US10043765B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Electroless copper plating method for forming integrated circuit structures

Номер патента: US5801100A. Автор: Chwan-Ying Lee,Tzuen-Hsi Huang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1998-09-01.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20150115381A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11956967B2. Автор: Sunggil Kim,Kyengmun KANG,Hyeeun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20230359803A1. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Latch-up suppression and substrate noise coupling reduction through a substrate back-tie for 3D integrated circuits

Номер патента: US09817928B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Package structures having height-adjusted molding members and methods of forming the same

Номер патента: US09799615B1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Hsien-Ming Tu,Ren-Xuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of making polysilicon/tungsten silicide multilayer composite on an integrated circuit structure

Номер патента: US5940733A. Автор: Israel Beinglass,Ramanujapuram A. Srinivas. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Porous semiconductor layer transfer for an integrated circuit structure

Номер патента: WO2018044494A1. Автор: Richard Hammond,Sinan Goktepeli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-08.

Process for planarizing upper surface of damascene wiring structure for integrated circuit structures

Номер патента: US20040009668A1. Автор: Zhihai Wang,Wilbur Catabay,Wei-jen Hsia,Richard Schinella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Integrated circuit structure including fuse and method thereof

Номер патента: US20160049367A1. Автор: I-Cheng Rou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated Circuit Structure, Design Structure, and Method Having Improved Isolation and Harmonics

Номер патента: US20100032796A1. Автор: Edward J. Nowak,James R. Elliott,Brennan J. Brown,Alvin A. Joseph. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Integrated circuit, system for and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US20180151411A1. Автор: Stefan Rusu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Integrated circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11901318B2. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Yi Hsin Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Integrated circuit structure, and method for forming thereof

Номер патента: US11996375B2. Автор: Szu-Wei Lu,Hung-Chih Chen,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao,Kun-Tong Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Dielectric plugs for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105597A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit structure

Номер патента: US12021021B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit component and package structure having the same

Номер патента: US10957610B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Chao-Hsiang Yang,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-23.

Wafer structure for electronic integrated circuit manufacturing

Номер патента: US09786608B2. Автор: David B. Kerwin,Joseph M. Benedetto. Владелец: Aeroflex Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for fabrication of integrated circuit structure with full dielectric isolation utilizing selective oxidation

Номер патента: US3944447A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-03-16.

Fabrication of interlayer conductive paths in integrated circuits

Номер патента: CA1286795C. Автор: Glenn H. Chapman,Terry O. Herndon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1991-07-23.

Complementary semiconductor devices in monolithic integrated circuits

Номер патента: US3638079A. Автор: Tsiu C Chan. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1972-01-25.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20170345791A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Integrated circuit conductive line arrangement for circuit structures, and method

Номер патента: US11862562B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit device and electronic system including same

Номер патента: US20220181284A1. Автор: Jooyong PARK,Pansuk Kwak,Hongsoo Jeon,Homoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Integrated circuit structure with active and passive devices in different tiers

Номер патента: US10037969B2. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Integrated Circuit Structure with Active and Passive Devices in Different Tiers

Номер патента: US20150069570A1. Автор: Yu-Nan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240113019A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345870A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Monolithic microwave integrated circuit (mmic) and method for forming such mmic having rapid thermal annealing compensation elements

Номер патента: US20180033744A1. Автор: Fikret Altunkilic,Christopher J. MacDonald,Kamal Tabatabaie Alavi,Adrian D. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-02-01.

Monolithic microwave integrated circuit (mmic) and method for forming such mmic having rapid thermal annealing compensation elements

Номер патента: EP3491661A1. Автор: Fikret Altunkilic,Kamal Tabatabaie Alavi,Adrian D. Williams,Christolpher J. MACDONALD. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-06-05.

Monolithic microwave integrated circuit (mmic) and method for forming such mmic having rapid thermal annealing compensation elements

Номер патента: WO2018022340A1. Автор: Fikret Altunkilic,Kamal Tabatabaie Alavi,Adrian D. Williams,Christolpher J. MACDONALD. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-02-01.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20160099169A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Design layout method for metal lines of an integrated circuit

Номер патента: US20040043591A1. Автор: Philip Ireland. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Ball amount process in the manufacturing of integrated circuit

Номер патента: US09997483B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Mechanisms for forming radio frequency (RF) area of integrated circuit structure

Номер патента: US09589831B2. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-hierarchical metal layers for integrated circuits

Номер патента: US09543193B2. Автор: Dian-Hau Chen,Shyue-Shyh Lin,Li-Chun Tien,Yuan-Te Hou,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Microwave integrated circuit (MMIC) damascene electrical interconnect for microwave energy transmission

Номер патента: US09478508B1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,John P. Bettencourt,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Stacked integrated circuits with redistribution lines

Номер патента: US09449914B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jeng-Shyan Lin,Cheng-Ying Ho,Ying-Ling Tsai,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US09437484B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit line ends formed using additive processing

Номер патента: US09418935B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Lars W. Liebmann,Dongbing Shao,Lei L. Zhuang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuits with multiple low dielectric-constant inter-metal dielectrics

Номер патента: WO2000075988A1. Автор: James Lin,Henry Chung,Shi-Qing Wang. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 2000-12-14.

Semiconductor integrated circuit structures

Номер патента: US3818289A. Автор: J Mudge,J Zimmer,K Taft. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1974-06-18.

Method of fabricating polycrystalline silicon resistors in integrated circuit structures using outdiffusion

Номер патента: US4502894A. Автор: John Y. W. Seto,Ken K. Y. Su. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-03-05.

Process for making integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level

Номер патента: US6486056B2. Автор: Nicholas F. Pasch,Rajat Rakkhit. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Interconnect structure having different dimensions for connected circuit blocks in an integrated circuit

Номер патента: EP4270473A1. Автор: Kang-ill Seo,Eunsung KIM,Hyoeun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Three-dimensional integrted circuit structure and method of aluminum nitride interposer substrate

Номер патента: US20140054790A1. Автор: Yang-Kuo Kuo,Chia-Yi Hsiang,Hung-Tai Ku. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2014-02-27.

Integrated circuit structure with fluorescent material, and related methods

Номер патента: US11901304B2. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Structured integrated circuit device with multiple configurable via layers

Номер патента: WO2016160426A1. Автор: Ranko Scepanovic,Alexander Andreev. Владелец: eASIC Corporation. Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated circuit structures comprising an isolation structure with different depths

Номер патента: US11889687B2. Автор: Michael A. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Conductive line structure having corrugated surface

Номер патента: US20230197610A1. Автор: Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Ran Xing Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit component with conductive terminals of different dimensions and package structure having the same

Номер патента: US12074066B2. Автор: Ming-Yen Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for interconnecting conducting layers of an integrated circuit device

Номер патента: US4605470A. Автор: Peter S. Gwozdz,Hubert M. Bath. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1986-08-12.

Methods of forming self aligned transistor structure having polycrystalline contacts

Номер патента: US3847687A. Автор: U Davidsohn,A Ajamie. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1974-11-12.

Integrated circuit structures including backside vias

Номер патента: US20230402449A1. Автор: Rui Ma,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Adam Clay Faust,Frank Patrick O'Mahony. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit structures including backside vias

Номер патента: US11791331B2. Автор: Rui Ma,Ayan KAR,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Adam Clay Faust,Frank Patrick O'Mahony. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Offset-aligned three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11855061B2. Автор: Rahul Agarwal,Dmitri Yudanov,Milind S. Bhagavat,Brett P. Wilkerson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuit interconnect structure having metal oxide adhesive layer

Номер патента: US20190164821A1. Автор: Shruti Rajeev Jaywant. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Integrated Circuit Structure and Method of Forming

Номер патента: US20190350082A1. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Integrated circuit structure including power rail and tapping wire with method of forming same

Номер патента: US20180182675A1. Автор: Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Integrated circuit with mixed row heights

Номер патента: US20240006406A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Multiple driver pin integrated circuit structure

Номер патента: US20180040567A1. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Chih-Yeh YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Cooling structure for integrated circuits and methods for forming such structure

Номер патента: US20170178996A1. Автор: Joseph M. Wahl,Travis L. Mayberry,Gregory G. Beninati. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-22.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit structures comprising conductive vias and methods of forming conductive vias

Номер патента: US10559531B2. Автор: Zengtao T. Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Method of improving film adhesion between metallic silicide and polysilicon in thin film integrated circuit structures

Номер патента: US4597163A. Автор: Juine-Kai Tsang. Владелец: Zilog Inc. Дата публикации: 1986-07-01.

Method of making integrated circuit structure with vertical isolation from single crystal substrate comprising isolation layer formed by implantation and annealing of noble gas atoms in substrate

Номер патента: US5508211A. Автор: Sheldon Aronowitz,Abraham Yee. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Method of fabricating a diode bridge rectifier in monolithic integrated circuit structure

Номер патента: CA1162657A. Автор: Vincent J. Barry,Jeremiah P. Mccarthy. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-02-21.

High-speed, flexible integrated circuits and methods for making high-speed, flexible integrated circuits

Номер патента: US11109486B2. Автор: Zhenqiang Ma,Namki Cho,Guoxuan Qin. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-08-31.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230335502A1. Автор: Chung-Yu Lu,Ping-Kang Huang,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Molded composite enclosure for integrated circuit assembly

Номер патента: US20170170085A1. Автор: Paul J. Gwin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Integrated circuit structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110215474A1. Автор: Yan-Hsiu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: US11804426B2. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: US20210351116A1. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit structures in package substrates

Номер патента: US20190304887A1. Автор: Sanka Ganesan,Zhichao Zhang,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Michael James Hill,Zhenguo Jiang,William James Lambert,Stephen Andrew Smith. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device including dam structure having air gap and electronic system including the same

Номер патента: US20220384479A1. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG,Byoungtaek KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Interconnect structure having different dimensions for connected circuit blocks in integrated circuit

Номер патента: US20230402375A1. Автор: Kang-ill Seo,Hyoeun Park,Eun Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Molded composite enclosure for integrated circuit assembly

Номер патента: EP3143643A1. Автор: Paul J. Gwin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-22.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20200135644A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240128214A1. Автор: Chi REN,Aaron Chen,Yi Hsin Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit structure

Номер патента: US10879176B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Methods for processing integrated circuit packages formed using electroplating and apparatus made therefrom

Номер патента: US20060014370A1. Автор: Charles Cohn,Musawir Chowdhury. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Power Routing for 2.5D or 3D Integrated Circuits Including a Buried Power Rail and Interposer with Power Delivery Network

Номер патента: US20240258206A1. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Isolator integrated circuits with package structure cavity and fabrication methods

Номер патента: US20180190628A1. Автор: Benjamin Cook,Steve Kummerl,Robert Alan Neidorff,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: EP4401525A2. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit structure having dies with connectors

Номер патента: US09653423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: EP4394875A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Integrated circuit package substrate with microstrip architecture and electrically grounded surface conductive layer

Номер патента: US09972589B1. Автор: Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Jiun Hann Sir,Hoay Tien Teoh,Seok Ling Lim. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit structures with recessed conductive contacts for package on package

Номер патента: US09865568B2. Автор: Robert L. Sankman,Islam A. Salama,Ram S. Viswanath,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Kyu-Oh Lee,Babak Sabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: EP2614524A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-07-17.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: WO2012033641A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2012-03-15.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Different poly pitches for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20220068907A1. Автор: Ahmet TURA,Steven G. Jaloviar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Integrated circuit layout structure

Номер патента: US20170194349A1. Автор: Chien-Hung Chen,Chun-Hsien Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Improved integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the ic devices

Номер патента: WO1998008250A1. Автор: Jeffrey C. Kalb. Владелец: California Micro Devices Corporation. Дата публикации: 1998-02-26.

Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures

Номер патента: US09847272B2. Автор: WEI Liu,Kheng Chok Tee,Juan Boon Tan,Kam Chew Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Circuit Structure and Driving Method Thereof, Chip and Authentication Method Thereof, and Electronic Device

Номер патента: US20190088325A1. Автор: HE Qian,Bin Gao,Huaqiang Wu,Yachuan PANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-21.

Methods of forming conductive and resistive circuit structures in an integrated circuit or printed circuit board

Номер патента: EP3278359A1. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Benjamin S. Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240090240A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US12087684B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530753B2. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit structure having a plurality of separable circuits

Номер патента: US3993934A. Автор: Richard C. Stevens,Majid Ghafghaichi,Theodore H. Baker,Daniel Tuman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Integrated circuit structure with backside power delivery for multi-height standard cell circuits

Номер патента: US20240063210A1. Автор: Richard E. Schenker,Sukru Yemenicioglu,Nischal ARKALI RADHAKRISHNA,Somashekar BANGALORE PRAKASH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated circuit structures having backside capacitors

Номер патента: US20240215256A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: WO2023023238A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-02-23.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Integrated circuit with guard ring structure

Номер патента: EP4362090A1. Автор: Mohammad Enamul Kabir,Keith Zawadzki,Kimberly Pierce,June CHOI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

On-chip emf isolation of an integrated circuit coupled with photoconductive semiconductor switch under an on-chip faraday cage

Номер патента: EP4388588A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Susan C. Trulli,Matthew DeJarld. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrating chip scale packaging metallization into integrated circuit die structures

Номер патента: US20040245631A1. Автор: Martin Alter. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuit tester information processing system

Номер патента: US20090076750A1. Автор: Judy Xilin An,Sushant S. Suryagandh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Integrated circuit structure of capacitive device

Номер патента: US20240363523A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Tai-Yi CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09490423B2. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Patterned conductive epoxy heat-sink attachment in a monolithic microwave integrated circuit (mmic)

Номер патента: EP3224861A1. Автор: David H. Altman,Shahed Reza,Susan C. Trulli. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-10-04.

Integrated circuit structures having backside high

Номер патента: US20240213140A1. Автор: AHMAD Zubair,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Ibrahim Ban,Pratik KOIRALA,Thomas Hoff,Samuel James Bader,Nityan NAIR,Heli Chetanbhai VORA,Michael S. BEUMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit structures having stacked electrostatic discharge (esd) for backside power delivery

Номер патента: US20240222360A1. Автор: DerChang Kau,Andy Chih-Hung Wei,Po-Yao Ke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: US20240222356A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: EP4398299A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A9. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2006-11-09.

Circuit structure for testing through silicon vias in three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11749648B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US12068308B2. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit structure and seal ring structure

Номер патента: US09627332B1. Автор: Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Ching-Jung Yang,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips

Номер патента: US09537199B2. Автор: Duixian Liu,Bing Dang,Jean-Olivier Plouchart,Alberto Valdes-Garcia. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit process compatible surge protection resistor

Номер патента: US4133000A. Автор: Eugene Greenstein. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1979-01-02.

Integrated circuit structures having two-transistor gain cell

Номер патента: US20240221821A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having two-level memory

Номер патента: US20240224488A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods of forming integrated circuit structure for joining wafers and resulting structure

Номер патента: US20200066667A1. Автор: Mukta G. Farooq,Tanya A. Atanasova. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Integrated circuit structure and chip

Номер патента: US20240321828A1. Автор: Liang-Cai Zeng,Yun-Ju Hsieh. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Electronic package having circuit structure with plurality of metal layers, and fabrication method thereof

Номер патента: US09875949B2. Автор: Hsiao-Chun Huang,Guang-Hwa Ma,Hsien-Wen Chen,Shih-Ching Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuit with micro-bumps and test bumps

Номер патента: WO2023235148A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao,Dongming He,Amer Christophe Gaetan CASSIER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated Circuit Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20130075856A1. Автор: David Yen,Yao-Jen Tsai,Chih-Fu Chang,Chih-Kang Chuang,Yee-Ren Wuang,Yuan-Jen Liao,Shih-Che Fang,Hung-Che Hsueh,Chih Mou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Integrated circuit structure with through-semiconductor via

Номер патента: US20150115460A1. Автор: Fen Chen,Timothy D. Sullivan,Minhua Lu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Esd structure having different thickness gate oxides

Номер патента: WO2007008411A1. Автор: Philippe Deval,Randy Yach. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2007-01-18.

Integrated circuit implementing standard cells with metal layer segments extending out of cell boundary

Номер патента: US09977854B2. Автор: Ioan Cordos,Omid Rowhani,Kerry HAMEL,Donald Clay. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US09871007B2. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same

Номер патента: US09859236B2. Автор: Xuesong Rao,Chim Seng Seet,Xiaohua ZHAN,Meng Meng Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Device, system and method for alignment of an integrated circuit assembly

Номер патента: US09625256B1. Автор: Deepak Goyal,Mario Pacheco,Purushotham Kaushik Muthur Srinath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated circuit structure having reduced cross-talk and method of making same

Номер патента: US5689134A. Автор: Nicholas F. Pasch,Aldona M. Butkus. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Monolithic microwave integrated circuit

Номер патента: US20120063097A1. Автор: Shahed Reza,Roberto W. Alm,Edward Swiderski. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-03-15.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160133669A1. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Multi layer package substrate having different dielectric materials for metal layers with different circuit structures

Номер патента: US20230090188A1. Автор: Whitney M. Bryks,Kemal Aygun,Jieying KONG,Junxin Wang,Ala OMER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory having increased memory cell density and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484530B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Structure and formation method of integrated circuit structure

Номер патента: US10134807B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Method for making an integrated circuit structure

Номер патента: US5529941A. Автор: Tiao-Yuan Huang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-06-25.

Circuit, structure and method of testing a semiconductor, such as an integrated circuit

Номер патента: US6111269A. Автор: Nathan Y. Moyal. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Measuring current and resistance using combined diodes/resistor structure to monitor integrated circuit manufacturing process variations

Номер патента: US20130161615A1. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan,II Jonathan K. Winslow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Measuring current and resistance using combined diodes/resistor structure to monitor integrated circuit manufacturing process variations

Номер патента: US20140191235A1. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Lyndon R. Logan,Jonathan K. Winslow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Integrated circuit system having stripline structure

Номер патента: US09520368B1. Автор: Samuel D. Tonomura,John G. Heston,Chad Patterson,Ethan S. HEINRICH,Michael M. Fitzgibbon,Anthony M. Petrucelli,Cynthia Y. Hang. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Multi-component integrated circuit contacts

Номер патента: US7115998B2. Автор: Warren M. Farnworth,William M. Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-03.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230420934A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit structure, voltage-controlled oscillator and power amplifier

Номер патента: US20190019749A1. Автор: Sheng-Hung Lin,Kai-Yi Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230238798A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

ESD protection for integrated circuit devices

Номер патента: US11973342B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Esd protection for integrated circuit devices

Номер патента: US20230253784A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Distributed multi-modal power maximizing integrated circuit for solar photovoltaic modules

Номер патента: US20240275174A1. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Sigmagen Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit packaging system having dual sided connection and method of manufacture thereof

Номер патента: US20100244221A1. Автор: Soo-San Park,Chan Hoon Ko,YoungChul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130075915A1. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for manufacturing light emitting diodes including forming circuit structures with a connecting section

Номер патента: US8642388B2. Автор: Chao-Hsiung Chang. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Integrated circuit chip structure wiring and circuitry for driving highly capacitive on chip wiring nets

Номер патента: CA1229428A. Автор: Philip E. Pritzlaff, Jr.,Edward F. Culican. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Integrated circuit structure and method for making integrated circuit structure

Номер патента: US3891190A. Автор: Leslie L Vadasz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1975-06-24.

Method of forming complementary bipolar and MOS transistor having power and logic structures on the same integrated circuit substrate

Номер патента: US5256582A. Автор: Dan M. Mosher,Joe R. Trogolo,Cornelia H. Blanton,Larry Latham,David R. Cotton,Bob Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-10-26.

Low capacitance interconnect structure for integrated circuits using decomposed polymers

Номер патента: US5923074A. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Novel beam lead integrated circuit structure and method for making the same including automatic registration of beam leads with corresponding dielectric substrate leads

Номер патента: US3893156A. Автор: Jacob Riseman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-07-01.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and methods of forming same

Номер патента: US11940659B2. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Electrically Testable Microwave Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20180211890A1. Автор: Mark Moffat,Andrew Christie,Duncan Pilgrim. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Electrostatic discharge (ESD) latch-up protective circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20010048137A1. Автор: Dirk Uffmann,Christian Peters,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901A2. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-09.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: WO2001095377A3. Автор: Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M Graettinger,Steven D Cummings. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods for forming and integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: US20030199141A1. Автор: Steven Cummings,Cem Basceri,Thomas Graettinger,Mark Visokay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Methods for forming integrated circuit structures containing enhanced-surface-area conductive layers

Номер патента: EP1299901B1. Автор: Steven D. Cummings,Cem Basceri,Mark Visokay,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-23.

Electrically Testable Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20190096772A1. Автор: Ronald Eugene Reedy,Mark Moffat,Andrew Christie,Duncan Pilgrim. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20200258885A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof

Номер патента: US20190267380A1. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2019-08-29.

Integrated circuit inductor

Номер патента: US09935048B2. Автор: Yossi Smeloy,Eyal Frost. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Electrically testable microwave integrated circuit packaging

Номер патента: US09837325B2. Автор: Mark Moffat,Andrew Christie,Duncan Pilgrim. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09673388B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit inductor

Номер патента: US09577024B2. Автор: Yossi Smeloy,Eyal Frost. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Cooling structure for integrated circuit

Номер патента: CA2088821C. Автор: Hironobu Ikeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

3-dimensional integrated circuit structures and circuits

Номер патента: WO2023200691A1. Автор: Simon Edward Willard,Eric S. Shapiro,Jeffrey A. Dykstra,Kazuhiko Shibata,Sinan Goktepeli,Jean-Luc Erb,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated circuit having angled conductive feature

Номер патента: US20200126966A1. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Three-dimensional integrated circuit structures and method of forming the same

Номер патента: US20230369318A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US20220320073A1. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Three-dimensional integrated circuit structures and method of forming the same

Номер патента: US11791333B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using unidirectional heat transfer devices

Номер патента: US20190343017A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Integrated-circuit case

Номер патента: US20020030265A1. Автор: Bernd Rosenberger. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-03-14.

Vertical stacking of multiple integrated circuits including soi-based optical components

Номер патента: WO2006084237A8. Автор: Vipulkumar Patel,Kalpendu Shastri,John Fangman,Dave Piede. Владелец: Dave Piede. Дата публикации: 2007-09-20.

3-dimensional integrated circuit structures and circuits

Номер патента: WO2023200691A9. Автор: Simon Edward Willard,Eric S. Shapiro,Jeffrey A. Dykstra,Kazuhiko Shibata,Sinan Goktepeli,Jean-Luc Erb,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuits including magnetic random access memory structures having reduced switching energy barriers for dual bit operation and methods for fabricating the same

Номер патента: US20190259809A1. Автор: Jaiswal Akhilesh,Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20230025951A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacturing integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices

Номер патента: US20190158058A1. Автор: Jeffrey B. Shealy. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Silicon on diamond circuit structure

Номер патента: US5561303A. Автор: Gregory A. Schrantz,Stephen J. Gaul. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1996-10-01.

Integrated circuit structure with security feature

Номер патента: WO1996016445A1. Автор: Andrew Beaumont. Владелец: Motorola Ltd.. Дата публикации: 1996-05-30.

Integrated circuit structure with resistive semiconductor material for back well

Номер патента: US20230369314A1. Автор: Lin Lin,Robert J. Gauthier, Jr.,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Xiangxiang LU,Satyasuresh Vvss Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: US20180138133A1. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Packaged integrated circuit device with cantilever structure

Номер патента: WO2017052767A1. Автор: Bilal Khalaf,John G. Meyers,Brian J. Long,Sireesha GOGINENI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit with mixed row heights

Номер патента: US11769766B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Integrated circuits having copper bonding structures with silicon carbon nitride passivation layers thereon and methods for fabricating same

Номер патента: US20170040272A1. Автор: Xuesong Rao,Chim Seng Seet,Xiaohua ZHAN,Meng Meng Chong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-09.

Integrated circuit implementing standard cells with metal layer segments extending out of cell boundary

Номер патента: WO2018013472A1. Автор: Ioan Cordos,Omid Rowhani,Kerry HAMEL,Donald Clay. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2018-01-18.

Integrated circuit structures with conductive pathway through resistive semiconductor material

Номер патента: US20230395590A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of fabricating integrated circuit (IC) devices

Номер патента: US09646758B2. Автор: Tak Ming Mak,Ajit M. Dubey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Electrostatic discharge protection structures having high holding current for latch-up immunity

Номер патента: US7064393B2. Автор: John Armer,Markus Paul Josef Mergens,Phillip Czeslaw Jozwiak,Cornelius Christian Russ,Koen Gerard Maria Verhaege. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Structure having different levels of programmable integrated circuits interconnected through bus lines for interconnecting electronic components

Номер патента: US5544069A. Автор: Amr M. Mohsen. Владелец: Aptix Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Semiconductor integrated circuit device having multilayer power supply lines

Номер патента: US4989062A. Автор: Hiromasa Takahashi,Shigeru Fujii,Kazuyuki Kawauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-01-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222274A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Integrated circuit layout utilizing separated active circuit and wiring regions

Номер патента: CA1102009A. Автор: Algirdas J. Gruodis,John Balyoz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-26.

Integrated circuit structure with cells having asymmetric power rail

Номер патента: US20240021621A1. Автор: Mahbub Rashed,Navneet Jain,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Jia Zeng, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device exposed die package structure with adhesive

Номер патента: US20240014099A1. Автор: Choong Kooi Chee. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated circuit including three-dimensional memory device

Номер патента: US11856786B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Yi-Ching Liu,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated circuit device exposed die package structure with adhesive

Номер патента: WO2024010859A1. Автор: Choong Kooi Chee. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated substrate and power integrated circuit

Номер патента: US20240074052A1. Автор: Yu Qi,Wei Chen,Gao Fan. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20210091020A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit package system with heat sink spacer structures

Номер патента: US20080237817A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for manufactunring a multilayer circuit structure having embedded trace layers

Номер патента: US20220201853A1. Автор: Chih-Liang Chu,Yu Cheng Yuan,Christian Mathias Schmid. Владелец: Gebrueder Schmid GmbH and Co. Дата публикации: 2022-06-23.

Integrated circuit including three-dimensional memory device

Номер патента: US20240090231A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Yi-Ching Liu,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Integrated circuit structure with avalanche junction to doped semiconductor over semiconductor well

Номер патента: US20220037309A1. Автор: You Li,Tsung-Che Tsai,Robert J. Gauthier, Jr.,Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Meng Miao. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Display substrate having bonding area for bonding with circuit structure, display apparatus, and circuit structure having bonding area for bonding with display substrate

Номер патента: US20210358959A1. Автор: JIANJUN WU,Zewen Li,Yichen Jiang,Jiangsheng Wang,Biyu Zhao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Multi-chip module hybrid integrated circuit with multiple power zones that provide cold spare support

Номер патента: EP3977510A1. Автор: Dale A. Rickard,Keith K. Sturcken,Jason F. Ross,Alan F. Dennis,Lori D. Dennis,Jamie A. Bernard,Jane O. Gilliam. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

System and method for wireless and dynamic intra-process measurement of integrated circuit parameters

Номер патента: US20090240452A1. Автор: Mete Erturk,Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Anthony J. Perri,Theodoros E. Anemikos,Phillip L. Corson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US9170596B2. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-27.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US20140285255A1. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: EP4208892A1. Автор: Adrian Van Wijk. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

An integrated circuit package, and a method for producing an integrated circuit package having two dies with input and output terminals of integrated circuits of the dies directly addressable for testing of the package

Номер патента: EP1979757A1. Автор: Noel A. Mcnamara. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: EP1062848A4. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Tech LLC. Дата публикации: 2006-05-31.

Integrated circuit connection using an electrically conductive adhesive

Номер патента: WO1999046965A2. Автор: Steve Garcia. Владелец: Medallion Technology, LLC. Дата публикации: 1999-09-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit

Номер патента: US20230126057A1. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Integrated circuit comprising analog and digital sub-circuits with improved over-voltage protection and reduced substrate -noise coupling

Номер патента: US20020071229A1. Автор: Hans-Ulrich Schröder,Antonius P.G. Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Histogram-based method for auto segmentation of integrated circuit structures from sem images

Номер патента: US20210312630A1. Автор: Ronald Wilson,Domenic J. Forte,Navid Asadizanjani,Damon Woodard. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Switching circuit utilizing a high voltage transistor protection technique for integrated circuit devices incorporating dual supply voltage sources

Номер патента: US20020125919A1. Автор: Kim Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Electronic circuit structure

Номер патента: US5689600A. Автор: Michael E. Griffin. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1997-11-18.

Integrated circuit structures having layer select transistors for shared peripherals in memory

Номер патента: US20240224536A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Anand S. Murthy,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structures having off-axis in-hole capacitor and methods of forming

Номер патента: US20150195914A1. Автор: Janak G. Patel,Peter Slota, Jr.,David B. Stone,Mark C. Lamorey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Integrated circuit structures having backside power delivery and signal routing for front side dram

Номер патента: US20240215222A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of forming integrated circuit structures for capacitive sense NAND memory

Номер патента: US12080356B2. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Circuit structure to measure outliers of process variation effects

Номер патента: US12025658B2. Автор: Christos VEZYRTZIS,Peter Holm,Steve Beccue. Владелец: Bitmain Development Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit chip and its impedance calibration method

Номер патента: US09838011B2. Автор: Rifeng Mai. Владелец: Capital Microelectronics Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030030477A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-13.

Electronic cigarette with vaporizer having dual cavities and dual air passages

Номер патента: US20200397046A1. Автор: Guangrong LIN,Xianbin ZHENG. Владелец: Huizhou Happy Vaping Technology Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Microphone encapsulation structure having a plurality of transducers

Номер патента: US20210185419A1. Автор: Jinghua Ye. Владелец: Zilltek Technology Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Layout technique for matched resistors on an integrated circuit substrate

Номер патента: US6958654B2. Автор: David A. Sobel. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Layout technique for matched resistors on an integrated circuit substrate

Номер патента: US7157973B2. Автор: David A. Sobel. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-01-02.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Integrated circuit structure comprising capacitor element and corresponding manufacturing process

Номер патента: US6511874B2. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-01-28.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

PLL-VCO based integrated circuit aging monitor

Номер патента: US09432031B2. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Zhidi JIANG,Xuelong Zhang. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-08-30.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Analog circuit improvement in a digital integrated circuit technology

Номер патента: CA1244896A. Автор: Thomas N. Little,Lorenzo L. Longo,Sun-Shiu D. Chan. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1988-11-15.

Circuit arrangement useful in developing decoupled operating voltages for if amplifier stages of an integrated circuit

Номер патента: CA1149889A. Автор: Max E. Malchow. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-07-12.

Integrated driver circuit structure

Номер патента: EP1882308A1. Автор: Viola Schaffer,Jürgen Metzger,Rodney T. Burt. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2008-01-30.

Automated detection of a significantly bent lead of a plurality of leads on an integrated circuit package

Номер патента: US6121887A. Автор: Sa-Nguan Boochakorn. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-19.

Multilayer intergrated circuit structure with reduced magnetic coupling

Номер патента: US20030197244A1. Автор: John Estes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Configurable circuit structure having reduced susceptibility to interference when using at least two such circuits to perform like functions

Номер патента: US20060033546A1. Автор: Axel Thomsen,Ligang Zhang,Yunteng Huang. Владелец: Yunteng Huang. Дата публикации: 2006-02-16.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated circuit and control method thereof

Номер патента: US9143130B2. Автор: Koji Aoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit arrangement for a microphone, microphone system and method for adjusting one or more circuit parameters of the microphone system

Номер патента: EP3262849A1. Автор: Gino Rocca,Tomasz Hanzlik. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-03.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Inverter unit, integrated circuit chip, and vehicle drive apparatus

Номер патента: US20130113412A1. Автор: Hitoshi Sumida,Akinobu Teramoto,Toshio Naka,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

COUPLING-TYPE SINGLE-POLE DOUBLE-THROW SWITCH ADAPTED fOR RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20240259019A1. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20170272078A1. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit with reduced current consumption

Номер патента: US20070109036A1. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-17.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030222686A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Integrated circuit and power supply device

Номер патента: US12068694B2. Автор: Yuta Endo,Takato Sugawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit device and audio system

Номер патента: US8050423B2. Автор: Akira Yamauchi,Hiroyuki Tsurumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Integrated Circuit, Circuit Assembly and a Method for its Operation

Номер патента: US20180269843A1. Автор: Gino Rocca,Anton Leidl,Pirmin Hermann Otto Rombach,Armin Schober. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Integrated circuit device, method and system

Номер патента: US20240250671A1. Автор: Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Cheng-Yu Lin,Yung-Chen CHIEN,Jia-Hong Gao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Integrated circuit card type car audio system and operating method

Номер патента: WO1998043851A1. Автор: Jun-Hae Yang. Владелец: Daewoo Electronics Co., Ltd.. Дата публикации: 1998-10-08.

Photosensitive device including an integrator circuit per group of at least two photosensitive elements

Номер патента: US12028639B2. Автор: Nicolas Moeneclaey,Samuel Foulon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Suppression of noise in an integrated circuit

Номер патента: WO2004049605A1. Автор: Jose D. J. Pineda De Gyvez,Rosario Capo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-06-10.

Power management circuit and method for integrated circuit having multiple power domains

Номер патента: US20230135657A1. Автор: Ching-Hsiang Chang,Chun-Hsiang Lai,Chih-Chieh Yao. Владелец: M31 Technology Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Television tuner using integrated circuit

Номер патента: US20050110908A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240258786A1. Автор: Yoichi Takano,Chuhei Terada. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit interconnect routing using double pumped circuitry

Номер патента: US20030076150A1. Автор: Sriram Vangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-04-24.

Integrated circuit with scan chain having dual-edge triggered scannable flip flops and method of operating thereof

Номер патента: US09599672B2. Автор: KUMAR ABHISHEK,Anurag Jindal,Nishant Madan,Mayank Tutwani. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit (IC) with primary and secondary networks and device containing such an IC

Номер патента: US09606176B2. Автор: Marc Miller,Steven Teig,Brad Hutchings,Jason Redgrave,Danny Thom. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US9953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

OLED gate driving circuit structure

Номер патента: US09953580B2. Автор: Houliang Hu,Jimu Kuang,Chihhao Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240126017A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240241424A1. Автор: Chang-Hung Tien,Ming-Hsing Chung,Ting-Jhang LIAO,Bo-Hong Ma. Владелец: Cloud Light Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for generating information for a window view of an integrated circuit from layout-formatted data

Номер патента: US20020166102A1. Автор: Yu Du,Kuo-Chun Lee,Tsung-Yen Chen,Ke-Qin Gu. Владелец: Oridus Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Integrated circuit built-in self-test structure

Номер патента: US5130645A. Автор: Paul S. Levy. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1992-07-14.

Integrating manufacturing feedback into integrated circuit structure design

Номер патента: US09858368B2. Автор: Natesan Venkateswaran,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz,Chandramouli Visweswariah,Xiaoyue Wang,Jeffrey G. Hemmett,Nathan C. Buck,John P. Dubuque,Brian M. Dreibelbis,Vladmimir Zolotov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Data processing method of generating integrated circuits using prime implicants

Номер патента: US5502648A. Автор: Jonathan T. Kaplan. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1996-03-26.

Integrated circuit structure formation method

Номер патента: US20220244647A1. Автор: Sungjin Kim. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Photonic integrated circuit and light detection and ranging system

Номер патента: EP4399553A1. Автор: George Rakuljic,Eduardo Temprana Giraldo,William HAYENGA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3905247A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: US20210249056A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US20230282271A1. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit, an apparatus for testing an integrated circuit, a method for testing an integrated circuit and a computer program for implementing this method using magnetic field

Номер патента: US20230099503A1. Автор: Frank Mielke. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Veterinary toothbrush having dual heads

Номер патента: US20220295973A1. Автор: Michael LaMoria. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Integrated circuit device having a burn-in mode for which entry into and exit from can be controlled

Номер патента: US20010054909A1. Автор: David McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-12-27.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240255697A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Chih-Wei Peng,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Package structure having photonic integrated circuit

Номер патента: US20240319438A1. Автор: Chih-Chung Hsu,Chih-Chung Wu,Zuon-Min Chuang. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit having regulated voltage island power system

Номер патента: US09760106B2. Автор: Christopher P. Miller,Christopher Scoville,Donald W. Labrecque,Steffen A. Loeffler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated circuit having regulated voltage island power system

Номер патента: US09335775B2. Автор: Christopher P. Miller,Christopher Scoville,Donald W. Labrecque,Steffen A. Loeffler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Integrated circuit structure and memory structure

Номер патента: US11972792B2. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Multi-height cell library design solution for integrated circuits

Номер патента: US20240202416A1. Автор: Wei-Yi Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Photonic integrated circuit structure

Номер патента: US20240134123A1. Автор: Hsiao Che Wu,Ping Ming Liu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for testing a semiconductor structure having top-side and bottom-side connections

Номер патента: US20070096760A1. Автор: David Patten,Addi Mistry,Edmond Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Interposer structure having optical fiber connection and related fiber optic connector for the same

Номер патента: US09551849B2. Автор: James Phillip Luther,James Scott Sutherland,Douglas Llewellyn Butler,Micah Colen Isenhour,Dennis Michael Knecht. Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for testing a photonic integrated circuit including a device under test

Номер патента: US09453723B1. Автор: Jean-François Carpentier,Patrick Lemaitre. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2016-09-27.

Optical assembly and method for coupling a waveguide array to a photonic-integrated circuit

Номер патента: CA2963128C. Автор: Marc Levesque,Alex Paquet,Patrice Cote,Patrick Paradis,Jacques Regnier. Владелец: Institut National dOptique. Дата публикации: 2021-07-20.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Driver integrated circuits for active matrix type liquid crystal displays and driving method thereof

Номер патента: US5363118A. Автор: Fujio Okumura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-11-08.

Photonic integrated circuit structure with coupler for interlayer waveguide coupling

Номер патента: US20230333318A1. Автор: Yusheng Bian,Kenneth J. Giewont. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Photonic integrated circuit structure with at least one tapered sidewall liner adjacent to a waveguide core

Номер патента: US11994714B2. Автор: Yusheng Bian,Edward W. Kiewra,Abdelsalam Aboketaf,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A3. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Friedrich Hapke. Дата публикации: 2003-11-13.

Photonic integrated circuit structure with at least one tapered sidewall liner adjacent to a waveguide core

Номер патента: US20240210621A1. Автор: Yusheng Bian,Edward W. Kiewra,Abdelsalam Aboketaf,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Firearm having dual barrels

Номер патента: EP2422157A2. Автор: Sung Bae Lee,In Woo Kim,Suk Kyun Hong,Eui Jung Choe,Je Wook Chae. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2012-02-29.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20080198684A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Firearm having dual barrels

Номер патента: WO2010123327A2. Автор: Sung Bae Lee,In Woo Kim,Suk Kyun Hong,Eui Jung Choe,Je Wook Chae. Владелец: AGENCY FOR DEFENSE DEVELOPMENT. Дата публикации: 2010-10-28.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: EP4425196A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Systems And Methods For Generating Redacted Circuit Designs For Integrated Circuits

Номер патента: US20240311537A1. Автор: Nij Dorairaj,David Kehlet,Shuanghong SUN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Vertical probe comprising slots and probe card for integrated circuit devices using the same

Номер патента: US7928749B2. Автор: Choon Leong Lou. Владелец: STAr Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-19.

Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure

Номер патента: US6913705B2. Автор: Hidehiko Nakata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Electrical Screening of Static Random Access Memories at Varying Locations in a Large-Scale Integrated Circuit

Номер патента: US20130176772A1. Автор: Yang Yi,Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Photonic integrated circuit structure with supplemental waveguide-enhanced optical coupling between primary waveguides

Номер патента: US11747559B2. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Photonic integrated circuit structure with a tapered end portion of one waveguide adjacent to a v-shaped end portion of a different waveguide

Номер патента: US11747560B2. Автор: Yusheng Bian,Roderick A. Augur. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Through-silicon via detecting circuit, method and integrated circuit having the same

Номер патента: US20210215755A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164633A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Apparatus and method for measuring characteristics of dynamic electrical signals in integrated circuits

Номер патента: US20040139406A1. Автор: Steven Kasapi. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: WO2021242334A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: US20210373085A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit testing device with improved reliability

Номер патента: EP1370883A1. Автор: Stephane Briere. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-17.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

System and method for executing functional scanning in an integrated circuit environment

Номер патента: US20120053924A1. Автор: Zhiyuan WANG,Xinli Gu,Hongxia Fang,Zhanglei Wang. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit for low and high voltage operations

Номер патента: US20120087180A1. Автор: Krishnakumar Mani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Intrusion detection for integrated circuits

Номер патента: US20190377868A1. Автор: Jan-Peter Schat,Michael Johannes Döscher. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-12-12.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Arbitration circuit to arbitrate conflict between read/write command and scan command and display driver integrated circuit having the same

Номер патента: US20100177106A1. Автор: Chan-Ho Lee,Tae-Hyoung Kim,Wan-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Integrated circuit and a method for recovering from a low-power period

Номер патента: US20100019836A1. Автор: Sergey Sofer,Avi Elazary,Moshe Lavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Daisy-chain spi integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: EP4198756A1. Автор: Chi-Cheng Lin,Shan-Chieh Wen,Ming-Huai Weng,Guei-Lan Lin,Che-Hao Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Logic integrated circuit having dynamic substitution function, information processing apparatus using the same, and dynamic substitution method of logic integrated circuit

Номер патента: US20060236209A1. Автор: Hiroshi Murakami,Nobuyoshi Aida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Method and apparatus for defining signal timing for an integrated circuit device

Номер патента: US20020157072A1. Автор: Satyanarayana Nishtala,Jayarama Shenoy,Tai-Yu Chou,Michael Freda. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050125587A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Externally induced voltage alterations for integrated circuit analysis

Номер патента: US20020163352A1. Автор: Robert Falk. Владелец: Optometrix Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Gate-All-Around Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120161247A1. Автор: KIM Sung-Min,Yun Eun-Jung,Lee Sung-yung,Kim Min-sang. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

INTEGRATED CIRCUIT AND DESIGN STRUCTURE HAVING REDUCED THROUGH SILICON VIA-INDUCED STRESS

Номер патента: US20120181700A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-19.

Multi-Voltage Level, Multi-Dynamic Circuit Structure Device

Номер патента: US20120002500A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing structures for integrated circuits with insulated components

Номер патента: RU2197033C1. Автор: . Владелец: Зайцев Константин Анатольевич. Дата публикации: 2003-01-20.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Device for protecting leads of complementary mos (metal-oxide-semiconductor) integrated circuits on sos (silicon-on-sapphire) and soi (silicon-on-insulator) structures from static electric discharges

Номер патента: RU2467431C1. Автор: Сергей Николаевич Абрамов,Владимир Николаевич Гуминов,Николай Иванович Плис. Владелец: Открытое акционерное общество "АНГСТРЕМ". Дата публикации: 2012-11-20.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of dielectric layer of mis structures having effect of conductivity switching

Номер патента: RU2529442C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Александр Александрович Мироненко,Валерий Николаевич Гусев,Виктор Николаевич Геращенко,Александр Александрович Орликовский,Александр Афанасьевич Попов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-27.

An incinerator having dual burners

Номер патента: PH22019000757Y1. Автор: Roberto C Martinez. Владелец: Roberto C Martinez. Дата публикации: 2020-04-24.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.