Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • THIN FILM FORMATION APPARATUS, SPUTTERING CATHODE, AND METHOD OF FORMING THIN FILM

THIN FILM FORMATION APPARATUS, SPUTTERING CATHODE, AND METHOD OF FORMING THIN FILM

Номер патента: US20150284842A1
Опубликовано: 08-10-2015
Автор(ы): HAYASHI Tatsuya, Jiang Yousong, Miyauchi Mitsuhiro, Murata Takanori, Nagae Ekishu, Shiono Ichiro, SUGAWARA Takuya
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Thin film deposition by sputtering

Номер патента: CA1209953A. Автор: Henry T. Hidler,Lawrence L. Hope,Ernest A. Davey. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1986-08-19.

Film formation apparatus and film-formed workpiece manufacturing method

Номер патента: US10422032B2. Автор: Yotaro FUKUOKA,Sosuke YAGI. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of forming high-purity thin film

Номер патента: JP3128573B2. Автор: 昭義 茶谷原,兼栄 藤井,裕治 堀野,淳 木野村,信輝 坪内. Владелец: 工業技術院長. Дата публикации: 2001-01-29.

Apparatus for mass-producing sulicon-based thin film and method for mass-producing silicon-based thin film

Номер патента: EP2107592A3. Автор: Takao Saito,Minoru Imaeda,Yuichiro Imanishi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230105279A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

APPARATUS AND METHOD OF USE FOR PLASMA-ASSISTED THIN FILM FORMATION

Номер патента: FR2589168A1. Автор: Jacques Schmitt. Владелец: Solems SA. Дата публикации: 1987-04-30.

APPARATUS AND METHOD FOR USE THEREOF FOR PLASMA-ASSISTED THIN FILM FORMATION

Номер патента: FR2589168B1. Автор: Jacques Schmitt. Владелец: Solems SA. Дата публикации: 1992-07-17.

Method of depositing layers of a thin-film transistor on a substrate and sputter deposition apparatus

Номер патента: US20240102152A1. Автор: Jung Bae Kim,Marcus Bender,Jürgen Grillmayer,Dong Kil Yim,Yun-Chu TSAI,Rodney Shunleong LIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Aluminum alloy film, method of producing the same, and thin film transistor

Номер патента: US11935936B2. Автор: Ryouta Nakamura,Yasuhiko Akamatsu,Tomohiro Nagata,Junichi Nitta,Motoshi Kobayashi,Yasuo Nakadai,Yuusuke UJIHARA. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method and apparatus for tuning film properties during thin film deposition

Номер патента: US12029129B2. Автор: Lizhong Sun,Xiao Dong Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming carbon-containing thin film and method of manufacturing semiconductor device by using the method

Номер патента: US20150130027A1. Автор: Se Jun Park,Dohyung Kim,Jaihyung Won,Ho Jun Kim,Gyuwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-14.

Method of forming an oxide thin film

Номер патента: WO2008098963A3. Автор: Nicola Alessandro Pinna,Erwan Rauwel. Владелец: Erwan Rauwel. Дата публикации: 2009-01-15.

Method of forming an oxide thin film

Номер патента: WO2008098963A2. Автор: Nicola Alessandro Pinna,Erwan Rauwel. Владелец: University Of Aveiro. Дата публикации: 2008-08-21.

Method of forming a dielectric thin film having low loss composition of Bax Sry Ca1-x-y TiO3 : Ba0.12-0.25 Sr0.35-0.47 Ca0.32-0.53 TiO3

Номер патента: US6146907A. Автор: Xiao-Dong Xiang,Ichiro Takeuchi,Hauyee Chang. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 2000-11-14.

Method of manufacturing a compound semiconductor thin film for a photoelectric or solar cell device

Номер патента: US5714391A. Автор: Kuniyoshi Omura,Mikio Murozono,Tsuyoshi Nishio,Hideaki Oyama,Satoshi Shibutani,Shigeo Kondoh,Akira Hanafusa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Apparatus and methods for reducing light induced damage in thin film solar cells

Номер патента: WO2011133410A3. Автор: Amir Al-Bayati,Bhaskar Kumar,Shuran Sheng,Yong K. Chae,Eran Valfer. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-19.

Chalcogenide-containing precursors, methods of making, and methods of using the same for thin film deposition

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII,Mao Minoura. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

Process and method for in-situ dry cleaning of thin film deposition reactors and thin film layers

Номер патента: WO2014094103A1. Автор: Rajesh Odedra. Владелец: SEASTAR CHEMICALS INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Organic / inorganic oxide mixed thin film, electronic substrate with built-in passive element using the same, and method for producing organic / inorganic oxide mixed thin film

Номер патента: JP4047243B2. Автор: 真治 山田,幹男 今野,智和 棚瀬,永井　　晃,俊之 大野,房郎 北條,大輔 長尾. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-02-13.

Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US11895920B2. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US12014910B2. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US11004659B2. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-05-11.

Thin film deposition method and semiconductor device

Номер патента: EP4135011A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Thin-film deposition method and semiconductor device

Номер патента: US20230005741A1. Автор: Xiaoling Wang,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US20230395361A1. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Measuring device and method for measuring parameters of a piezoelectric crystal onto which a thin film of material is deposited as well as thin-film deposition systems with such a device and a method for controlling such systems

Номер патента: US20240053301A1. Автор: Peter Horn,Edmund SCHÜNGEL,Adrian Herde. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Thin film forming method, thin film forming apparatus and solar cell

Номер патента: US20010031542A1. Автор: Michio Kondo,Norikazu Ito,Akihisa Matsuda,Yoshimi Watabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Amorphous carbon thin film, manufacturing method thereof and optical system including the same

Номер патента: US20190122862A1. Автор: Jih-Perng Leu,Jui-Min Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-04-25.

Process and apparatus for pulsed dc magnetron reactive sputtering of thin film coatings on large substrates using smaller sputter cathodes

Номер патента: AU2003265503A1. Автор: Steven Rex Bryan,D. Wolfe Jesse. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-03-03.

Process and apparatus for pulsed dc magnetron reactive sputtering of thin film coatings on large substrates using smaller sputter cathodes

Номер патента: AU2003265503A8. Автор: D Wolfe Jesse,Steven Rex Bryan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2004-03-03.

Method of etching or depositing a thin film

Номер патента: EP4367707A1. Автор: Andrew Newton,Matthew LOVEDAY,Sean Cho,Andrew GOODYEAR. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Perovskite thin films having large crystalline grains

Номер патента: US09997707B2. Автор: Ning Wang,Xiaowei Sun. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming nano crystals and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus including thin film having the same

Номер патента: US09450199B2. Автор: Cheol-Lae Roh,Myung-Soo Huh,Seung-Ho Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180062068A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Thin film structure including metal seed layer and method of forming oxide thin film on transparent conductive substrate by using the metal seed layer

Номер патента: US09595361B2. Автор: Jae-ho Lee,Hyeon-jin SHIN,Seong-Jun Park,Seong-Jun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Vapor deposition apparatus and method for producing organic electroluminescent element

Номер патента: US09493872B2. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Ochi,Masahiro Ichihara,Eiichi Matsumoto,Katsuhiro Kikuchi,Yuhki Kobayashi,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin film forming apparatus and thin film forming method using the same

Номер патента: US09627619B2. Автор: Duckjung Lee,Kyuhwan Hwang,Jiyoung Choung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Organic display panel, organic display device, organic light emitting device, method of manufacture of these, and thin film formation method

Номер патента: US20140312336A1. Автор: Yuuki Abe,Kenichi NENDAI,Naoko Mizusaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Buffer layer of CIGS (copper indium gallium selenide) thin-film solar cell chip, preparation method of buffer layer and CIGS thin-film solar cell chip

Номер патента: CN110752266A. Автор: 刘闯,曲铭浩,黄昭雄,蔡爱玲,汝小宁,蒋宗佑,袁渝. Владелец: Lingfan New Energy Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR960019528A. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

A method of forming a platinum thin film on a silicon wafer, a silicon substrate manufactured by the method and a semiconductor device using the substrate

Номер патента: KR0174594B1. Автор: 이동수,윤의준,김민홍,전동일,하조웅,박동연,우현정. Владелец: 동양시멘트주식회사. Дата публикации: 1999-04-01.

ALUMINUM ALLOY FILM, METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20210226028A1. Автор: NAKAMURA Ryouta,Nagata Tomohiro,Nitta Junichi,NAKADAI Yasuo,AKAMATSU Yasuhiko,KOBAYASHI Motoshi,UJIHARA Yuusuke. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF PREPARING THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING A BARRIER LAYER DEPOSITED BY THE ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET

Номер патента: US20140239295A1. Автор: YOON Sang-Won,Park Jae-Woo,Kim Do-Hyun,KIM Dong-Jo,Lee Yong-Jin,JEON WOO-SEOK,LEE Yoon-Gyu,Park Ju-Ok,Sohn In-Sung,Lee Gun-Hyo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of forming chalcogenide thin film

Номер патента: US20110027976A1. Автор: Jung-Wook Lee,Dong-Ho You,Ki-hoon Lee. Владелец: IPS Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Thin film formation method for ferroelectric materials

Номер патента: US5976946A. Автор: Yoshihiro Hayashi,Takeo Matsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

MOCVD of tungsten nitride thin films using W(CO)6 and NH3 for Copper barrier applications

Номер патента: US20040203234A1. Автор: Wei Pan,David Evans,Sheng Hsu,Robert Barrowcliff. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Thin film structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09337021B2. Автор: Sung Bo Lee,Heung Nam HAN. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2016-05-10.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: EP4259845A1. Автор: Sung-hoon Jung,Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US12091748B2. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Ferrite thin film-forming composition material, method of forming ferrite thin film, and ferrite thin film formed using the same

Номер патента: US20130256582A1. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai,Kenzo Nakamura,Kazunori Igarashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A2. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for Making Ferroelectric Material Thin Films

Номер патента: US20170236955A1. Автор: Peter K. Davies,Jonathan E. Spanier,Andrew M. Rappe,Ilya Grinberg,Liyan Wu,Andrei R. Akbasheu. Владелец: University of Pennsylvania Penn. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of forming thin film and apparatus therefor

Номер патента: US4926793A. Автор: Noburu Arima,Nobuyosi Ogino,Hirosi Kimura. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 1990-05-22.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: US20030109069A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for forming ruthenium thin film

Номер патента: US20230212741A1. Автор: Soo-Hyun Kim,Yohei KOTSUGI. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-07-06.

Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom

Номер патента: US20060154036A1. Автор: Klaus Kunze,Scott Haubrich,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Dielectric thin film, integrated device including the same, and method of manufacturing the dielectric thin film

Номер патента: US11824081B2. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Changsoo LEE,Sangwoon Lee,Euncheol Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Dielectric thin film, integrated device including the same, and method of manufacturing the dielectric thin film

Номер патента: US20220085144A1. Автор: Hyungjun Kim,Chan Kwak,Changsoo LEE,Sangwoon Lee,Euncheol Do. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2022-03-17.

Organometallic compounds and thin film using same

Номер патента: US20200407380A1. Автор: Young Hun Byun,Ho Hoon Kim,Seung Won Ha,Jeum Jong KIM,Seong Hak CHEON. Владелец: Mecaro Co ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Alloy thin films exhibiting perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20180166628A1. Автор: Young Keun Kim,Yong Jin Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-06-14.

Manufacturing method of electrode for electrochemical reaction, electrode for electrochemical reaction manufactured therefrom and reverse electrodialysis electric generating device

Номер патента: US20230290963A1. Автор: Seunghwan Lee,Insoo Choi,Hakju LEE,Seongbeom Kim,Jungmin Choi,Hyemin JUNG. Владелец: Kangwon University Industry Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-09-14.

Formation of SiN thin films

Номер патента: US11784043B2. Автор: SHANG Chen,Toshiya Suzuki,Dai Ishikawa,Viljami J. Pore,Ryoko Yamada,Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of forming metal laminate thin film or oxide thin film using supercritical fluid or subcritical fluid, and film forming apparatus therefor

Номер патента: KR101205661B1. Автор: 에이이찌 곤도오. Владелец: 고꾸리쯔다이가꾸호오징 야마나시다이가꾸. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of forming metal laminate thin film or oxide thin film using supercritical fluid or subcritical fluid, and film forming apparatus therefor

Номер патента: WO2005118910A1. Автор: Eiichi Kondo. Владелец: Yamanashi University. Дата публикации: 2005-12-15.

Lanthanoid compound, lanthanoid-containing thin film, and method of forming lanthanoid-containing thin film using that lanthanoid compound

Номер патента: JP2019134154A. Автор: Dussarrat Christian,Michihiro Seki,剛嗣 大野,Taketsugu Ono,デュサラ クリスチャン,倫宏 関. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for depositing amorphous silicon thin film by chemical vapor deposition

Номер патента: WO2010032978A3. Автор: Chang Auck Choi,Byoung Gon Yu,Woo Seok Yang,Sang Hoon Cheon,Seong Mok Cho,Ho Jun Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2013-01-03.

Thin film packaging method, thin film packaging device, and solar cell

Номер патента: US20190378944A1. Автор: Yu Zhang,Pengju ZHANG,Xiaotian TAN,Zhijian Yu,Shengchun LI. Владелец: Hanergy New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of forming chalcogenide-based thin film using atomic layer deposition process, method of forming phase change material layer and switching device, and method of fabricating memory device using the same

Номер патента: US20210359205A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming chalcogenide-based thin film using atomic layer deposition process, method of forming switching device using the same and method of manufacturing memory device

Номер патента: KR102444272B1. Автор: 황철성,하만익. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-09-16.

Methods of manufacturing polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US20050241931A1. Автор: Byung Ahn,Ji Eom. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-11-03.

Thin film deposition method and apparatus

Номер патента: US5304405A. Автор: Masahiko Kobayashi,Kenji Numajiri. Владелец: Anelva Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Method of forming seed layer and method of forming silicon-containing thin film

Номер патента: US8946065B2. Автор: Mitsuhiro Okada,Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method of forming seed layer and method of forming silicon-containing thin film

Номер патента: TW201330059A. Автор: Mitsuhiro Okada,Kazuhide Hasebe,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Method for removing impurities in thin film and substrate processing apparatus

Номер патента: US11972946B2. Автор: Kyu Jin Choi,Gyu Ho Choi,Sang Hyuk HWANG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

HIGH PURITY PIEZOELECTRIC THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING ELEMENT USING SAME THIN FILM

Номер патента: US20220149802A1. Автор: An Sang Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Fe-co alloy sputtering target material and method for producing same, and soft magnetic thin film layer and perpendicular magnetic recording medium using same

Номер патента: MY167435A. Автор: Hiroyuki Hasegawa,Toshiyuki Sawada,Noriaki Matsubara. Владелец: Sanyo Special Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: US20120009697A1. Автор: Sung Tae Kim,Hyun Wook Shim,Young Sun Kim,Jong Sun Maeng. Владелец: Jong Sun Maeng. Дата публикации: 2012-01-12.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: CN102330072A. Автор: 沈炫旭,金晟泰,金荣善,孟钟先. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-25.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: TW201207904A. Автор: Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Jong-Sun Maeng,Hyun-Wook Shim. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Chemical vapor deposition apparatus and method of forming semiconductor epitaxial thin film using the same

Номер патента: TWI455183B. Автор: Sung Tae Kim,Hyun Wook Shim,Young Sun Kim,Jong Sun Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-01.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: AU2416784A. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals Inc. Дата публикации: 1984-08-02.

Method of manufacturing hydrogenated amorphous silicon thin film and solar cell

Номер патента: WO1984002804A1. Автор: Kenji Miyaji,Nobuhiro Fukuda,Yutaka Ohashi. Владелец: Mitsui Toatsu Chemicals. Дата публикации: 1984-07-19.

Precursor liquid of indium gallium zinc oxide thin film and preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor

Номер патента: CN112018191A. Автор: 周航,孙荷静,邱恒达. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Manufacturing method of indium gallium zinc oxide thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: CN110438472B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing s12cl6 and nh3

Номер патента: US20020164890A1. Автор: KIM Chan,PARK Wook,LEE WON,KIM Kwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

A Method Of Forming Silicon Containing Thin Film by Atomic Layer Deposition Utilizing Hexachlorodisilane and ammonia

Номер патента: KR100443085B1. Автор: 김영관,박영욱,이주원,김동찬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-04.

A method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane

Номер патента: KR20020096798A. Автор: 이승환,김영관,박영욱. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of forming a SiN thin film

Номер патента: KR102243442B1. Автор: 빌야미 포레,료코 야마다,안티 유하니 니스카넨,샹 첸. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2021-04-23.

Method of forming Si-containing thin film using organic Si-containing compound having Si-Si bond

Номер патента: TW200419005A. Автор: Atsushi Itsuki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

A method of forming silicon containing thin films by atomic layer deposition utilizing trisdimethylaminosilane

Номер патента: KR100434186B1. Автор: 이승환,김영관,박영욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-06-04.

CVD material compound and method for manufacturing the same and CVD method of ruthenium or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20030054638A1. Автор: Masayuki Saito,Junichi Taniuchi,Hiroaki Suzuki,Koji Okamoto. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2003-03-20.

Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US6025619A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-02-15.

ZINC OXIDE PRECURSOR AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20140099443A1. Автор: Lee Joo Young,Yoo Young Zo,Kim Seo Hyun,Yoon Gun Sang,Lee Sang Ick,Park Sooho,Kim Myong Woon,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun,PARK Jongse. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-10.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: AU2003269049A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kwan-Wook Jung,Wan-Shick Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-02.

Thin film of ABO3 with excess a-site aud b-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: CN1083161C. Автор: 吾妻正道,C·帕斯迪阿劳霍,M·C·斯各特. Владелец: 西梅特里克司有限公司. Дата публикации: 2002-04-17.

Vapor deposition method of low dielectric insulating film, thin film transistor using the same and preparation method thereof

Номер патента: CN100480420C. Автор: 郑宽旭,梁成勋,洪完植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-22.

Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film

Номер патента: US5932281A. Автор: Hidekimi Kadokura,Koji Arita,Yukoh Hochido, deceased,Masamichi Matsumoto,Masamichi Azuma,Tatsuo Otsuki. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 1999-08-03.

Method of fabricating liquid for oxide thin film

Номер патента: KR100876947B1. Автор: 김경호,김현재,신현수,김건희,정태훈,최윤정,박원준,이가영. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2009-01-07.

High speed deposition method of amorphous and crystalline sige thin film by reactive atmospheric pressure chemical vapor deposition

Номер патента: KR101177057B1. Автор: 이석호,박주영,임철현,하나쥰이치,야스타케키요시,히로아키 카키우치. Владелец: 재단법인 서남권청정에너지기술연구원. Дата публикации: 2012-08-24.

Method of fabricating liquid for oxide thin film

Номер патента: US9353433B2. Автор: Kyung Ho Kim,Hyun Jae Kim,Gun Hee Kim,Tae Hoon Jeong,Hyun Soo Shin,Won Jun Park,Yun Jung Choi,Ka Young Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing multi-level metal thin film and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: KR101334221B1. Автор: 박영훈,이정욱. Владелец: 주식회사 원익아이피에스. Дата публикации: 2013-11-29.

System and method for metal induced crystallization of polycrystalline thin film transistors

Номер патента: US20030203123A1. Автор: Soo Choi,Robert Greene,Janine Kardokus,Fan Sze,Qunhua Wang,Tae Won,Beom Park,Quanyaun Shang,William Harshbarger. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Manufacturing method of BI layer structure ferroelectric thin film

Номер патента: KR100295870B1. Автор: 마사미치 마츠모토,유코 호치도,히데키미 가도쿠라,고지 아리타,마사미치 아즈마,다츠오 오츠키. Владелец: 호치도 요코. Дата публикации: 2001-10-24.

Method of preparing metal chalcogenide nanoparticles and method of producing light absorption layer thin film based thereon

Номер патента: US20190259889A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: US09514857B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Jun Yim,Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Sang Do Lee,Seung Ho Yoo,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon,Sooho Park,Jongse Park,Hyung Soo SHIN. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US20200006660A1. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of forming conductive polymer thin film pattern

Номер патента: US10726966B2. Автор: Changhun Yun,Hyeck GO. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-07-28.

Method of forming noble metal thin film pattern

Номер патента: US20030024898A1. Автор: Hiroshi Naito,Kiyoshi Natsume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Jie Xu,Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

Dialkylzinc partial hydrolysate-containing solution and method of production of zinc oxide thin film using the solution

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Kouji Toyota,Toshio Naka,Koichiro Inaba. Владелец: Tosoh Finechem Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of manufacturing pzt-based ferroelectric thin film

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: US20140099443A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang Jun Yim,Joo Young Lee,Seo Hyun Kim,Sang Do Lee,Seung Ho Yoo,Young Zo Yoo,Gun Sang Yoon,Sooho Park,Jongse Park,Hyung Soo SHIN. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US20230172067A1. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Continuous thin film of a metal chalcogenide

Номер патента: US11804253B2. Автор: Kian Ping Loh,Sock Mui POH. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US11827650B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing ruthenium-containing thin film and ruthenium-containing thin film manufactured therefrom

Номер патента: US20200339617A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Haeng Don Lim,Sung Woo Cho,Mi Jeong HAN. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of forming PNbZT ferroelectric thin film and composite electronic element

Номер патента: CN104072135A. Автор: 樱井英章,曽山信幸,土井利浩. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-01.

Method of forming PNbZT ferroelectric thin film

Номер патента: EP2784802B1. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-10-18.

METHOD OF FORMING PNbZT FERROELECTRIC THIN FILM

Номер патента: KR102007543B1. Автор: 도시히로 도이,히데아키 사쿠라이,노부유키 소야마. Владелец: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-08-05.

Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same

Номер патента: US5723361A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1998-03-03.

Etchant composition and methods of fabricating metal wiring and thin film transistor substrate using the same

Номер патента: US20150087148A1. Автор: Won-Guk SEO,Sam-Young Cho,Seung-Yeon HAN,Gyu-Po Kim,Hyun-Cheol Shin,Ki-Beom Lee,Jong-Hyun Choung,Hongsick PARK,Youngmin Moon,In-Bae Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Etchant composition, and method of fabricating metal pattern and thin film transistor array panel using the same

Номер патента: US7968000B2. Автор: Hong-Sick Park,Jong-Hyun Choung,Sun-Young Hong,Bong-Kyun Kim,Byeong-Jin Lee,Ky-Sub Kim,Seung-Yong Lee,Young-Joo Choi,Nam-Seok Suh,Joon-Woo Lee,Young-Chul Park,Young-Jun JIN,Seung-Jae YANG,Hyun-Kyu Lee,Sang-Hoon JANG,Min-Ki LIM. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-28.

Apparatus for plasma activated vapour deposition and method of making multi-junction silicon thin-film modules and solar cell panels

Номер патента: RU2454751C1. Автор: Дау ВУ,Чарльз ДЕЛЮКА,Мохд АСЛАМИ. Владелец: СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-06-27.

SUBSTITUTED CYCLOPENTADIENYL COBALT COMPLEX AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF, AND COBALT-CONTAINING THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20180362568A1. Автор: Yamamoto Yuki,Tada Ken-ichi,KOISO Naoyuki,FURUKAWA Taishi,OIKE Hiroyuki,HAYAKAWA Teppei. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Substituted cyclopentadienyl cobalt complex and method for production thereof, and cobalt-containing thin film and method for production thereof

Номер патента: IL260056B. Автор: Taishi Furukawa,Yuki Yamamoto,Naoyuki KOISO,Ken-Ichi Tada,Hiroyuki Oike,Teppei Hayakawa. Владелец: Tada Ken Ichi. Дата публикации: 2022-03-01.

Method of depositing transition metal nitride thin films

Номер патента: EP1242647B1. Автор: Kai-Erik Elers,Suvi Päivikki HAUKKA,Ville Antero Saanila,Sari Johanna Kaipio,Pekka Juha Soininen. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2003-08-13.

Conductive wet coating composition and thin-film prepared therefrom

Номер патента: US20070181856A1. Автор: Jong-Jin Park,Jae-Hwan Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Coil unit for thin film inductor, method of manufacturing coil unit for thin film inductor, thin film inductor, and method of manufacturing thin film inductor

Номер патента: US09892844B2. Автор: Jeong Woo Park,Dong Min Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, piezoelectric thin film manufacturing apparatus and liquid ejection head

Номер патента: US09437806B2. Автор: Motokazu Kobayashi,Yoshinori Kotani,Naoyuki Koketsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming channel in thin film transistor using non-ionic excited species

Номер патента: MY134102A. Автор: Sakai Masahiro,TERAUCHI Masaharu. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-30.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Apparatus for and method of crystallizing active layer of thin film transistor

Номер патента: US09620361B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Joo-Woan Cho,Byoung-Ho Cheong,Sang-hoon Ahn,Byoung-Kwon Choo,Soo-Yeon Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film capacitor, and display device and memory cell employing the same, and manufacturing methods of them

Номер патента: US20100149853A1. Автор: Hiroyuki Moriwaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Thin film capacitor, and display device and memory cell employing the same, and manufacturing methods of them

Номер патента: US8426867B2. Автор: Hiroyuki Moriwaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of forming multilayer semiconductor thin film

Номер патента: US20130200343A1. Автор: Mari Sasaki,Norihito Kobayashi,Takahiro Ohe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: EP4122001A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-01-25.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: WO2021187982A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: EP1032054B1. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2006-07-05.

Method of manufacturing of amorphous silicon thin film transistor liquid crystal display device

Номер патента: US09454049B2. Автор: Dong-Gyu Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming and transferring thin film using soi wafer and heat treatment process

Номер патента: US20210005457A1. Автор: Chang Hwan Choi,Yu Rim JEON,Hoon Hee HAN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-07.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor panel and electronic device

Номер патента: EP3588596A1. Автор: Jiyoung JUNG,Jeong Il Park,Joo Young Kim,Byong Gwon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-01.

Method of production of cis-based thin film solar cell

Номер патента: US20120258562A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yoshiyuki Chiba,Hideki Hakuma,Tetsuya Aramoto. Владелец: Showa Shell Sekiyu KK. Дата публикации: 2012-10-11.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200321213A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of controlling structural quality of thin films for light-absorbing solar cell layers and device for its implementation

Номер патента: RU2631237C2. Автор: Вячеслав Николаевич Павловский,Илья Евгеньевич Свитенков,Евгений Викторович Луценко,Геннадий Петрович Яблонский,Александр Викторович Мудрый,Вадим Дмитриевич Живулько,Ольга Николаевна Бородавченко,Михаил Васильевич Якушев. Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению". Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11374113B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200295154A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200350165A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of manufacturing magnesium diboride superconducting thin film wire and magnesium diboride superconducting thin film wire

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Hiroyuki Yamamoto,Toshiaki Kusunoki,Ryoko Sugano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

A thin film transistor substrate of using insulating layers having low dielectric constant and a method of manufacturing the same

Номер патента: WO2003036376A1. Автор: Sang-Gab Kim,Joon-hoo Choi,Kwan-Wook Jung,Wan-Shick Hong,Kyu-Ha Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of making large-area semiconductor thin films formed at low temperature using nanocrystal presursors

Номер патента: US5491114A. Автор: Avery N. Goldstein. Владелец: Starfire Electronic Development and Marketing Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Method of manufacturing amorphous silicon based thin film photoelectric conversion device

Номер патента: AU4473399A. Автор: Kenji Yamamoto,Masashi Yoshimi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2000-08-31.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: US11980083B2. Автор: Seung-Ha Choi,Kap Soo Yoon,Keum Hee LEE,Woo Geun Lee,Jiyun HONG,Joongeol KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Thin film comprising zinc and nitrogen method of fabricating the same, and thin film transistor comprising the same

Номер патента: KR102071768B1. Автор: 박진성,이현모,정현준,옥경철. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-01-31.

Method of fabricating polycrystalline silicon-germanium thin film transistor

Номер патента: US5753541A. Автор: Kousaku Shimizu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-05-19.

Methods of making pn CdTe/CdS thin film solar cells

Номер патента: US5304499A. Автор: Karlheinz Jager,Beate Henrichs,Hilmar Richter,Dieter Bonnet. Владелец: Battelle Institut Ev. Дата публикации: 1994-04-19.

Heat dissipation optimization method of silicon-based SU-8 thin film package

Номер патента: US20230420327A1. Автор: Zhonglin Xu,Junfa MAO,Linsheng Wu,Xianglin Zhong,Liangfeng Qiu. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-28.

Photomask and method for fabricating source/drain electrode of thin film transistor

Номер патента: US8530144B2. Автор: Chia-Ming Chang,Ta-Wen Liao,Chun-Yi Chiang,Hsiang-Chih Hsiao,Che-Yung Lai,Zong-Long Jhang,Chou-Huan Yu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-09-10.

A method of manufacturing solar cells, particularly thin film solar cells, and solar cells obtained by using such a method

Номер патента: WO1999010932A1. Автор: Petrus Joseph Cornelis Van Der Vleuten. Владелец: Free Energy Europe B.V.. Дата публикации: 1999-03-04.

Apparatus and method for testing of microscale to nanoscale thin films

Номер патента: US20030057993A1. Автор: Amanul Haque,Muhammed Abu Saif. Владелец: University of Illinois at Urbana Champaign. Дата публикации: 2003-03-27.

Multi-layer wiring, method of manufacturing the same and thin film transistor having the same

Номер патента: US20060113670A1. Автор: Je-Hun Lee,Chang-Oh Jeong,Yang-Ho Bae,Beom-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11342178B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film SOI structure

Номер патента: US6624010B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Conductive copper paste composition and method of forming metal thin film using the same

Номер патента: US20140023779A1. Автор: Dong Hoon Kim,Kwi Jong Lee,Sung Il Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Ferroelectric thin film, method of manufacturing same and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US09705070B2. Автор: Kenji Mawatari. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Ferrite material having composition gradient for measuring magneto-optical-effect properties and method for evaluating properties of ferrite

Номер патента: US20110305890A1. Автор: Masashi Kawasaki,Yosuke Iwasaki,Tomoteru Fukumura. Владелец: JFE Mineral Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing thin-film polymer multi-layer capacitor and thin-film polymer multi-layer capacitor

Номер патента: US9947477B2. Автор: Tomonao Kako,Shigeya Tomimoto. Владелец: Rubycon Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Gallium arsenide based materials used in thin film transistor applications

Номер патента: US9780223B2. Автор: Robert Jan Visser,Kaushal K. Singh,Bhaskar Kumar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US20160027927A1. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Method for preparing thin film piezoresistive material, thin film piezoresistive material, robot and device

Номер патента: US20220275220A1. Автор: HE Qian,Zhengyou Zhang,Bin Gao,Jian Yuan,Huaqiang Wu,Jianshi Tang,Yuan DAI,Zhenxuan ZHAO. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US09653284B2. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Preparing method of large-area perovskite thin film

Номер патента: US10840028B2. Автор: Nam Gyu Park,Dong Nyuk JUNG. Владелец: Global Frontier Center For Multiscale Energy Systems. Дата публикации: 2020-11-17.

Gas barrier thin film, electronic device comprising the same, and method of preparing the gas barrier thin film

Номер патента: EP2200106B1. Автор: Xavier Bulliard,Jong-Jin Park,Kwang-Hee Lee,Yun-hyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-06.

Oxynitride thin film and capacitance element

Номер патента: US20180282228A1. Автор: Kumiko Yamazaki,Yuki Nagamine,Takeshi Shibahara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Optical thin films and fabrication thereof

Номер патента: US20220333233A1. Автор: Kai Sun,Cornelis Hendrik de Groot,Otto Lambert MUSKENS. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2022-10-20.

Thin film laminate structure, integrated device including the same, and method of manufacturing the thin film laminate structure

Номер патента: US20220238633A1. Автор: Byunghoon NA,Kiyoung Lee,Kookrin Char,Hahoon LEE,Dowon SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Optical thin films and fabrication thereof

Номер патента: EP4022686A1. Автор: Kai Sun,Cornelis Hendrik de Groot,Otto Lambert MUSKENS. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2022-07-06.

Method for producing nitride semiconductor laminate, silicon semiconductor product, method for inspecting film quality and method for inspecting semiconductor growth device

Номер патента: US11946874B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Tin-Containing Precursors and Methods of Depositing Tin-Containing Films

Номер патента: US20200002814A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing epitaxy oxide thin film, and epitaxy oxide thin film of enhanced crystalline quality manufactured thereby

Номер патента: US20230145077A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Jung Ho Yoon,Seong Keun Kim,Ji-Soo Jang,Hyung-Jin Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Sung Hoon HUR,Seung Hyub BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of producing electroconductive films from a graphene oxide dispersion

Номер патента: RU2701005C1. Автор: Сергей Павлович Губин,Денис Юрьевич Корнилов. Владелец: Чеглаков Андрей Валерьевич. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of producing a thin-film solar cell

Номер патента: US5273911A. Автор: Hiroaki Morikawa,Hajime Sasaki,Mikio Deguchi,Kazuhiko Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-12-28.

Method of synthesizing conductive polymer and method of fabricating conductive polymer thin film

Номер патента: EP4015560A1. Автор: Yong Hyun Kim,Joo Won Han. Владелец: lndustry University Cooperation Foundation of Pukyong National University. Дата публикации: 2022-06-22.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon containing thin film using the same

Номер патента: US20220139704A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20200111664A1. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Flexible transparent thin film

Номер патента: US20180291498A1. Автор: Bin Zhang,Kwok Keung Paul Ho,Chien Chung,Chung Pui Chan,Wing Hong Choi,Lai Fan LAI,Chun Pong Lee. Владелец: New Asia Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US9105794B2. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2015-08-11.

Oxide superconductor thin film, superconducting fault current limiter, and method for manufacturing oxide superconductor thin film

Номер патента: US20140080714A1. Автор: Masakazu Matsui,Toshiya Kumagai,Takaaki Manabe,Kengo Nakao,Norio Matsui,Hajime Kasahara,Mitsugu Sohma,Naoto Edo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of depositing thin metal-organic films

Номер патента: WO2015038303A1. Автор: Ellie Yieh,Dmitry Lubomirsky,Srinivas Nemani. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-03-19.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal oxide thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240199670A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing quantum-dot thin film, quantum-dot substrate, and display panel

Номер патента: US20230407512A1. Автор: Lixuan Chen,Jinyang ZHAO,Zhiqing Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Fabrication of nanostructured palladium thin film for electrochemical detection of hydrazine

Номер патента: US20200274135A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2020-08-27.

Thin film semi-conductor-on-glass solar cell devices

Номер патента: US8071872B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2011-12-06.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US11705550B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US11677063B2. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for forming palladium thin film on glass substrate

Номер патента: US20220376221A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-24.

Aerosol assisted deposition process for forming palladium thin film electrode

Номер патента: US20220367844A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abbas Saeed Hakeem,Manzar Sohail. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-11-17.

Thin-film solar cell

Номер патента: US5344500A. Автор: Hiroaki Morikawa,Hajime Sasaki,Mikio Deguchi,Kazuhiko Satoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180233699A1. Автор: Yoon-Heung Tak,Hyo-Seok Kim,Chang-Wook Han,Jeong-Dae Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Organic light emitting display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US9972805B2. Автор: Yoon-Heung Tak,Hyo-Seok Kim,Chang-Wook Han,Jeong-Dae Seo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing high density CIS thin film for solar cell and method of manufacturing thin film solar cell using the same

Номер патента: US8569102B2. Автор: Ki-Bong Song,Ara Cho,Se-Jin Ahn,Jae-Ho Yun,Ji-hye Gwak,Kyung-Hoon YOON,Kee-Shik Shin,Seoung-Kyu Ahn. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2013-10-29.

Substrate with thin film, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240162086A1. Автор: Shuhei Shigaki,Rikimaru Sakamoto,Satoshi Takeda,Makoto Nakajima,Wataru Shibayama,Kodai KATO,Ken ISHIBASHI. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

A superconducting oxide thin film material, a superconducting oxide thin film wire, and a method of producing an oxide superconductor thin film

Номер патента: DE112017007199T5. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Genki Honda,Takanori Motoki,Jun-Ichi Shimoyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US11817551B2. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Lei Cheng,Aram Yang,Tim Holme,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20230207868A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Lithium-stuffed garnet thin films and pellets having an oxyfluorinated and/or fluorinated surface and methods of making and using the thin films and pellets

Номер патента: US20240204245A1. Автор: Lei Cheng,Timothy Holme,Aram Yang,Cheng-Chieh Chao,Tiffany HO,Tommy Huang,Christopher DEKMEZIAN,Amal Mehrotra. Владелец: Quantumscape Battery Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of solid phase recrystallization of thin film using pulse train annealing method

Номер патента: TW201112314A. Автор: Stephen Moffatt,Aaron Muir Hunter,Bruce E Adams. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2011-04-01.

LITHIUM-STUFFED GARNET THIN FILMS AND PELLETS HAVING AN OXYFLUORINATED AND/OR FLUORINATED SURFACE AND METHODS OF MAKING AND USING THE THIN FILMS AND PELLETS

Номер патента: US20210202983A1. Автор: Holme Tim,Huang Tommy,Cheng Lei,Yang Aram,MEHROTRA Amal,CHAO Cheng-Chieh,DEKMEZIAN Christopher,HO Tiffany. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Chung Jong Won,Bao Zhenan,Xu Jie,LEE Sangyoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Method of forming silicon-based thin film, method of forming silicon-based semiconductor layer, and photovoltaic element

Номер патента: US20030153165A1. Автор: Yasuyoshi Takai,Masafumi Sano,Toshihiro Yamashita,Akira Sakai,Takaharu Kondo,Ryo Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Preparation method of a(c)igs-based thin film using core(se)-shell(ag2se) nanoparticles, a(c)igs-based thin film prepared by the same, and tandem solar cell containing the same

Номер патента: KR101352861B1. Автор: 조아라,안승규,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식,어영주. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-02-18.

METHOD OF FORMING CONDUCTIVE POLYMER THIN FILM PATTERN

Номер патента: US20200006660A1. Автор: YUN ChangHun,GO Hyeck. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of forming noble metal thin film pattern

Номер патента: KR100490575B1. Автор: 나츠메기요시,나이토히로시. Владелец: 야마하 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-05-17.

Method of forming a semiconductor thin film and apparatus therefor

Номер патента: WO1990001794A1. Автор: Takeshi Yamada,Hideo Sugiura,Ryuzo Iga. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corporation. Дата публикации: 1990-02-22.

Compositions and methods for making lithium-transition metal oxide compounds including niobium

Номер патента: US20240228324A1. Автор: M. Whittingham,Fengxia XIN. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-07-11.

Multilayer transparent electroconductive film and method for manufacturing same, as well as thin-film solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20130153024A1. Автор: Yoshiyuki Abe,Kentaro Sogabe,Yasunori Yamanobe. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-06-20.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20190259889A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

METHOD OF PREPARING METAL CHALCOGENIDE NANOPARTICLES AND METHOD OF PRODUCING LIGHT ABSORPTION LAYER THIN FILM BASED THEREON

Номер патента: US20170288075A1. Автор: PARK Eun Ju,Yoon Seokhee,YOON Seokhyun,LEE Hosub. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

DIALKYLZINC PARTIAL HYDROLYSATE-CONTAINING SOLUTION AND METHOD OF PRODUCTION OF ZINC OXIDE THIN FILM USING THE SOLUTION

Номер патента: US20180145179A1. Автор: Naka Toshio,Toyota Kouji,Inaba Koichiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

Etchant and method of fabricating metal wiring and thin film transistor using the same

Номер патента: KR100415617B1. Автор: 조규철,채기성,황용섭. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2004-01-24.

NTC thermistor, chip type NTC thermistor, and method of manufacturing temperature-sensitive resistive thin-film element

Номер патента: JP3489000B2. Автор: 賢二良 三原,祐一 高岡. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-19.

Method of manufacturing highly conductive polymer thin film including plurality of conductive treatments

Номер патента: US20210054217A1. Автор: Dae Hun Kim,Tae Whan Kim,Na Hyun PARK. Владелец: Industry University Cooperation Founddation Hanyang University. Дата публикации: 2021-02-25.

ETCHANT, METHOD OF MANUFACTURING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE ETCHANT

Номер патента: US20150004758A1. Автор: PARK Hong-Sick,KIM In-Bae,JEONG Jae-Woo,CHOUNG Jong-Hyun,PARK Young-Chul,LEE Suck-Jun,YU In-Ho,YOON Young-Jin,Kuk In-Seol,Nam Gi-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

A Crystall ization method of lithium transition metal oxide thin films by plasma treatm ent

Номер патента: KR100341407B1. Автор: 박성철,이호,이재영,강윤선,강용묵. Владелец: 윤덕용. Дата публикации: 2002-06-22.

Crystallization method of lithium transition metal oxide thin film by plasma treatment

Номер патента: JP3486166B2. Автор: ジャイ・ヨン・リー,ヨゥン・ソン・カン,ホ・リー,スン・チュル・パク,ヨン・モーク・カン. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming single-crystalline thin film

Номер патента: US5372089A. Автор: Satoshi Takano,Hideo Ishii,Noriyuki Yoshida,Shigeru Okuda,Tsukushi Hara,Kousou Fujino. Владелец: Tokyo Electric Power Co Inc. Дата публикации: 1994-12-13.

Preparation method of a stretchable inorganic thermoelectric thin film and the stretchable inorganic thermoelectric thin film prepared by the same

Номер патента: US11864463B2. Автор: Jae Sung Son,Seung Hwae HEO,Moon Kee CHOI,Jisu YOO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of producing a single-crystal thin film of an organic semiconductor compound

Номер патента: US20100213448A1. Автор: Takashi Kato,Tatsuya Igarashi,Toshihiro Shimada,Yui Ishii. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Sample supporting member for observing scanning electron microscopic image and method for observing scanning electron microscopic image

Номер патента: US09589765B2. Автор: Toshihiko Ogura. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and method for nanoscale x-ray imaging

Номер патента: US20210151288A1. Автор: Akintunde I. Akinwande,Rajiv Gupta,Richard C. Lanza,George Barbastathis,Berthold Klaus Paul Horn. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of laser ablation for uniform thin film deposition

Номер патента: US5411772A. Автор: Jeffrey T. Cheung. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1995-05-02.

Method of Fabricating Metal Nitrogen Oxide Thin Film Structure

Номер патента: US20100283179A1. Автор: Chih-Hung Wu,Zih-Sian Lu,Keng-Shen Liu,Wen-Biing Ou Yang. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2010-11-11.

Preparation of LCPMO thin films which have reversible resistance change properties

Номер патента: EP1369501A3. Автор: Wei Pan,Sheng Teng Hsu,Weiwei Zhuang,Masayuki Tajiri. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-10-12.

Semiconductor thin film, method for manufacturing the same and stretchable electrode, organic thin film transister, electronic device comprising the same

Номер патента: US20240276742A1. Автор: Minwoo Jeong,Jin Young Oh,Min Hyouk Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: EP3004416A1. Автор: Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO,Seo Joon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-13.

Method of forming a metal thin film in a micro hole by ink-jet printing

Номер патента: US20060121199A1. Автор: Chao-Kai Cheng,Ming-Huan Yang,Jane Chang,Chih-Jian Lin,Chih-Hsuan Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-06-08.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: WO2004049397A3. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: WO2004049397A2. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corporation. Дата публикации: 2004-06-10.

Growth inhibitor for forming pellicle-protective thin film, method of forming pellicle-protective thin film using growth inhibitor, and mask fabricated by method

Номер патента: US20230251565A1. Автор: Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Seung Chul DO,Ho Lim WANG. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Organometallic Compound For Thin Film Deposition And Method For Forming Group 4 Metal-Containing Thin Film Using Same

Номер патента: US20230339985A1. Автор: Tae Young Lee,Ju Hwan Jeong,Kyuho Cho,Woong Jin CHOI,Sung Jun JI,Shin Beom Kim,Sun Young BAIK. Владелец: Egtm Co ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180082839A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US20140355184A1. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of manufacturing electron-emitting device, electron source and image-forming apparatus

Номер патента: AU687926B2. Автор: Toshikazu Ohnishi,Takashi Noma,Fumio Kishi,Michiyo Nishimura,Masato Yamanobe,Seijiro Kato,Takahiro Horiguchi,Hisaaki Kawade,Kumiko Uno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-03-05.

Liquid thin-film laser target

Номер патента: US20170196074A1. Автор: Patrick Poole,Claude David Andereck,Douglass Schumacher. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2017-07-06.

Anti-reflective coating for a crt having first and second optical thin films in combination with an adhesion layer

Номер патента: CA2278825C. Автор: Kazuo Watanabe,Hiroichi Ishikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Method of forming a planar thin film transistor

Номер патента: US5411909A. Автор: Monte Manning,Charles Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Apparatus and method for regenerating a lead-zirconate-titanate thin film

Номер патента: US20240180038A1. Автор: Daniel MONTEIRO DINIZ REIS,Mathias MEWS,Kuan-Ting HO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of forming multilayer semiconductor thin film

Номер патента: US8399288B2. Автор: Mari Sasaki,Norihito Kobayashi,Takahiro Ohe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Method for manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, method for manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film and superconducting thin film manufactured thereby

Номер патента: CA2077047C. Автор: Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Porous, thin film electrodes for lithium-ion batteries

Номер патента: US09748569B2. Автор: Byunghoon Yoon,Wenming Li,Ann Koo. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming oxide thin film and method of fabricating oxide thin film transistor using hydrogen peroxide

Номер патента: US09558941B2. Автор: Hyun Jae Kim,Jeong Moo Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-01-31.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US20160329153A1. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US09941054B2. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Integration of embedded thin film capacitors in package substrates

Номер патента: US09420693B2. Автор: Daniel N. Sobieski,Robert L. Sankman,Sri Ranga Sai Boyapati. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US09680097B2. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Manufacturing method of display device and exposure system for that

Номер патента: US20080036987A1. Автор: Takahiro Miyazaki,Yoshiaki Nakayoshi,Ken Ohara,Jun Ooida. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of manufacturing stacked thin film piezoelectric filter

Номер патента: US09386388B2. Автор: Takashi Miyake. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: EP2171746A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-07.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: WO2009014337A2. Автор: Byoung Su Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2009-01-29.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: EP1872389A1. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: WO2006110871A8. Автор: Philipp Steinmann,Eric W Beach. Владелец: Eric W Beach. Дата публикации: 2007-04-12.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Lead salt thin films, devices, and methods of manufacture

Номер патента: US20230087030A1. Автор: Binbin Weng. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2023-03-23.

Thin film transistor substrate, display apparatus comprising the same, method of manufacturing thin film transistor substrate, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US09437624B2. Автор: Myounghwa KIM,Dongjo Kim,Yoonho Khang,Myounggeun Cha,KyoungWon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09391097B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Piezoelectric element and method for manuacturing piezoelectric element

Номер патента: US20080222865A1. Автор: Takashi Tamura,Koji Suzuki,Kazuo Takahashi,Teruo Inaguma,Junichi Honda,Tadashi Sakurai,Eiji Nakashio,Manabu Aizawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Polycrystal thin film forming method and forming system

Номер патента: US20010041391A1. Автор: Kuninori Kitahara,Akito Hara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Thin film transistor and method of preparing the same

Номер патента: US20180097115A1. Автор: Zhiwu Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Thin-film resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050258513A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of forming single crystal silicon thin film using sequential lateral solidification (SLS)

Номер патента: US20050176189A1. Автор: Se-Young Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-11.

Thin film transistor and method for fabricating thin film transistor

Номер патента: US20110198592A1. Автор: Sun Jae Kim,Min Koo Han. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for forming thin film pattern

Номер патента: US09634045B2. Автор: Haisheng ZHAO,Zhilian XIAO,Xiaoguang PEI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method to improve copper thin film adhesion to metal nitride substrates by the addition of water

Номер патента: US20020176938A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-11-28.

Array of monolithically integrated thin film photovoltaic cells and associated methods

Номер патента: US09929306B2. Автор: Prem Nath,Mohan S. Misra,Venugopala R. Basava. Владелец: Ascent Solar Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film common mode filter and method of manufacturing the same

Номер патента: US09633773B2. Автор: Jeong Min Cho,Ju Hwan Yang,Young Seuck Yoo,Won Chul SIM,Ho Jin YUN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: EP1653494A3. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-22.

Micro thin-film structure, MEMS switch employing such a micro thin-film, and method of fabricating them

Номер патента: US20060087716A1. Автор: Sang-Hun Lee,Che-heung Kim,Hyung-jae Shin,Soon-cheol Kweon,Byung-Hee Jeon,Seok-Kwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

Номер патента: US20190386030A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09614180B2. Автор: Tae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20130273724A1. Автор: Tao Li,Yong Woo Lee,Se Wan Son,Hyun Mo KANG,Woo Chang Lim,Sang Joo Lee,Seung Ki Joo,Seol Ah Park,Chang Woo BYUN,Seung Jae YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-17.

Piezoelectric element and method for manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US20060197415A1. Автор: Takashi Tamura,Koji Suzuki,Kazuo Takahashi,Teruo Inaguma,Junichi Honda,Tadashi Sakurai,Eiji Nakashio,Manabu Aizawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Piezoelectric element and method for manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US7583012B2. Автор: Takashi Tamura,Koji Suzuki,Kazuo Takahashi,Teruo Inaguma,Junichi Honda,Tadashi Sakurai,Eiji Nakashio,Manabu Aizawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-09-01.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Selective dissolution of thin film layers in series interconnection of thin film photovoltaic modules

Номер патента: WO2024151518A1. Автор: John Devin Mackenzie,William Heins,Tanka RANA. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2024-07-18.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20160141311A1. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of analyzing strain of thin film by using stc method

Номер патента: US20210372869A1. Автор: Wonjae Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

X-ray detection panel of X-ray detector and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935150B2. Автор: Seung Ik Jun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Piezoelectric element and method of producing the same

Номер патента: US09444032B2. Автор: Makoto Ishida,Noriyuki Matsushita,Hiroyuki Wado,Daisuke Akai. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2016-09-13.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09355669B2. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of forming patterned thin film and method of fabricating micro device

Номер патента: US20020187430A1. Автор: Hisayoshi Watanabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor Device and Method of Providing Electrostatic Discharge Protection for Integrated Passive Devices

Номер патента: US20100270549A1. Автор: Rui Huang,Yaojian Lin,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-28.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US09917205B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-03-13.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2001052313A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-07-19.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: EP1166348A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Thin film transistor having germanium thin film and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09704891B2. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: EP3485513A1. Автор: Yonglian QI,Lianjie QU,Xue Gao,Hebin ZHAO,Shuai LIU,Bingqiang GUI,Guangdong SHI,Xiaogai Chun. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-22.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140353606A1. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09978982B2. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Polycrystalline silicon thin film transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09891501B2. Автор: Ting-Yu Hsu,Hsiang-Yun Hsiao,Pei-Yun Wang,Cheng-Wei JIANG,Ya-Qin HUANG,Chia-Kai CHEN,Shih-Liang Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: US09755099B2. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hartmut Kuehl,Ruediger Kellman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof

Номер патента: US5757061A. Автор: Takeshi Kijima,Masayoshi Koba,Sakiko Satoh,Hironori Matsunaga. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Method of manufacturing a transistor

Номер патента: US20020132401A1. Автор: Martin Powell. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of manufacturing a transistor

Номер патента: EP1163695A1. Автор: Martin J. Powell. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-12-19.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Method Of Forming Polysilicon, Thin Film Transistor Using The Polysilicon, And Method Of Fabricating The Thin Film Transistor

Номер патента: US20130126880A1. Автор: Jun-hee Choi,Andrei Zoulkarneev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Integrated circuits and methods for forming thin film crystal layers

Номер патента: US20200194376A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20180083087A1. Автор: Hee Dong Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing methods of thin film transistor having an ohmic contact region and array substrate including the same

Номер патента: US09935177B2. Автор: Yueping Zuo,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09881987B2. Автор: Hee Dong Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of producing bonded wafer with uniform thickness distribution

Номер патента: US09859149B2. Автор: Hiroji Aga,Norihiro Kobayashi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Digital x-ray detector and method for repairing a bad pixel thereof

Номер патента: US09847367B2. Автор: Jang Jong Ho. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09412801B2. Автор: Hee Dong Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing piezoelectric element and method for manufacturing ink jet head

Номер патента: US20190210368A1. Автор: Hideyuki Eguchi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2019-07-11.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US20160043315A1. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: EP3171397A4. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2018-05-30.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: EP3171397B1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-09-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09530806B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of Forming Group III Piezoelectric Thin Films Via Removal of Portions of First Sputtered Material

Номер патента: US20200152858A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090127558A1. Автор: Hoon Kim,Un-Cheol Sung,Sang-Pil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-21.

Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US7799622B2. Автор: Youngsoo Park,Taesang Kim,Jangyeon Kwon,Sangyoon Lee,Kyungseok Son,Jisim Jung,Changjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-21.

Method of forming copper indium gallium containing precursors and semiconductor compound layers

Номер патента: WO2007092293A3. Автор: Bulent M Basol. Владелец: Bulent M Basol. Дата публикации: 2008-01-03.

Metal trim mirror for optimized thin film resistor laser trimming

Номер патента: US20050030632A1. Автор: Karl Robinson,Ralph Wall. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for forming thin film pattern

Номер патента: US20170018581A1. Автор: Haisheng ZHAO,Zhilian XIAO,Xiaoguang PEI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Staggered thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: WO2012028432A1. Автор: Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-03-08.

Method of manufacturing back-surface electrode type solar cell

Номер патента: US20110065229A1. Автор: Donghoon Kim,Jaewoo Joung,Kyoung-Jin JEONG,Sungil Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178233A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

CIGS/silicon thin-film tandem solar cell

Номер патента: US09859450B2. Автор: Ashok CHAUDHARI. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US09634036B1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20160005774A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method of manufacturing crystalline semiconductor thin film

Номер патента: US20100330785A1. Автор: Byoung-Su Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Thin film photovoltaic cell and method of fabricating same, and cell pack

Номер патента: EP4376100A1. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of fabricating a metal oxynitride thin film that includes a first annealing of a metal oxide film in a nitrogen-containing atmosphere to form a metal oxynitride film and a second annealing of the metal oxynitride film in an oxidizing atmosphere

Номер патента: US20090096067A1. Автор: Toshihide Nabatame,Tomoaki Nishimura,Koji Tominaga,Kunihiko Iwamoto. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US20210167490A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US20210066793A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US11165147B2. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: CA3089229A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-02-28.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: EP3787106A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation

Номер патента: US20140083363A1. Автор: Mahalingam Venkatesan,Steven Verhaverbeke,Omkaram Nalamasu,Majeed A. Foad,Nety M. Krishna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing GaN semiconductor substrate

Номер патента: US6500747B1. Автор: Won-seok Lee,Ok-Hyun Nam,Cheol-soo Sone. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-31.

Display substrate, display panel and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20200273888A1. Автор: Wei He,Liang Lin,Chuan Chen,Zhixiang ZOU,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Fractal-Edge Thin Film And Method Of Manufacture

Номер патента: US20170005133A1. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Thin film integrated circuit including at least two P-type transistors

Номер патента: US5912474A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US9960260B2. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US20160133729A1. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Thin-film capacitor device

Номер патента: US20140300327A1. Автор: Kanji Shimizu. Владелец: K S INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

ENERGY HARVESTING DEVICE with PREFABRICATED THIN FILM ENERGY ABSORPTION SHEETS AND ROLL-TO-SHEET AND ROLL-TO-ROLL FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160359066A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hartmut Kuehl,Ruediger Kellman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Thin film actuator having transversely oriented structural stiffeners to increase actuator stroke

Номер патента: US20210376772A1. Автор: Marco Mattila,Tommi Riekkinen,Risto Heikki MUTIKAINEN,Nikolay CHEKUROV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Thin film electrode assembly

Номер патента: US20240252816A1. Автор: Norbert Kaula,Dan Oster,Jeremy Lug,Johnny Khith. Владелец: Cirtec Medical Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595600B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kunihiko Suzuki,Takahiro Tsuji. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Plugged pinhole thin film and method of making same

Номер патента: CA1165016A. Автор: Bulent M. Basol. Владелец: Monosolar Inc. Дата публикации: 1984-04-03.

Method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor, including forming an organic light-emitting device

Номер патента: US10818704B2. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Cdte based thin film solar cell device with diffusion barrier layer and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024077583A1. Автор: SHOU PENG,Marko Swoboda,Xinjian Yin,Ganhua FU,Liyun MA,Robert Arndt. Владелец: CTF SOLAR GMBH. Дата публикации: 2024-04-18.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8710498B2. Автор: Hiroyuki Watanabe,Atsushi Sasaki,Tetsuya Shibata,Yuki Matsuura,Muneharu Akiyoshi,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Method of manufacturing the magnetic film having a multiple-axis

Номер патента: US20040115461A1. Автор: Kwang Jeong,Chung Whang,Gap Chang,Keun Chae. Владелец: PNT Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Thin film circuit connections

Номер патента: WO2006136984A3. Автор: Martin J Edwards. Владелец: Martin J Edwards. Дата публикации: 2007-05-03.

Panel Substrate and Method for Manufacturing Micro-LED Display Device Including the Same

Номер патента: US20240128416A1. Автор: Sangsoon Yoon,Sumin Lee,A-Ram SOHN,Byonghoo Kim,Eun-Soo Chang,Juhyuk KIM,Hokyeong Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Inkjet patterning for thin-film capacitor fabrication, thin-film capacitors fabricated thereby, and systems containing same

Номер патента: WO2007115238A2. Автор: Yongki Min,Huankiat Seh. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-10-11.

Thin film transistor, method for producing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20170263726A1. Автор: Yongchao HUANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Manufacturing method of low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US09647088B2. Автор: Xin Zhang,Jingfeng Xue,Gui Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing a thin film transistor

Номер патента: US09443965B2. Автор: Ting-Chang Chang,Ming-Yen Tsai,Hua-Mao Chen,Tian-Yu Hsieh. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming silicon-based thin film and method of manufacturing thin film transistor using silicon-based thin film

Номер патента: EP0454100A2. Автор: Hisatoshi C/O Pat.Dept. Dev.Div. Hamura R&D Mori,Syunichi C/O Pat.Dept. Dev.Div. Hamura R&D Sato,Naohiro C/O Pat.Dept. Dev.Div. Hamura R&D Konya. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1991-10-30.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US20230387313A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Array substrate and method of manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: US11901367B2. Автор: Wei Li,FENG Yang,Ning Wang,Jing Li,Yan Wang,Zhao Zhang,Yanqing Chen,Weida QIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Transistor including hydrogen diffusion barrier film and methods of forming same

Номер патента: US11923459B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Thin film analyzing device and thin film analyzing method

Номер патента: US20210262951A1. Автор: Yuji Yamada,Sho Kato,Yuki WAKISAKA,Takumi NISHIOKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09548036B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09501991B1. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Номер патента: US09299791B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Method of manufacturing large-sized thin film transistor liquid crystal display panel

Номер патента: US5472889A. Автор: Dong G. Kim,Chul S. Park,Sin C. Park,Hyung M. Park,Gyeong L. Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1995-12-05.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20180040802A1. Автор: Yoshikazu Akiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-08.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20150145377A1. Автор: Yoshikazu Akiyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Mirror display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069808A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Jun-Ho Choi,Young-woo Song,Jin-Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Thin film capacitors

Номер патента: US20240096561A1. Автор: Jieying KONG,Dilan Seneviratne,Thomas Heaton,Whitney Bryks,Srinivas Venkata Ramanuja Pietambaram,Benjamin DUONG,Joshua Stacey,Shayan Kaviani,Miranda Ngan,Mahdi Mohammadighaleni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Liquid crystal display device integrated with driving circuit and method for fabricating the same

Номер патента: US5969377A. Автор: Seong Moh Seo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1999-10-19.

Method of forming polycrystalline silicon thin film and method of manufacturing thin film transistor using the method

Номер патента: TW200713598A. Автор: Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-01.

Method of manufacturing thin film element, thin film transistor circuit substrate, active matrix display device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20050130344A1. Автор: Mutsumi Kimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US20170077307A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-03-16.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TW200403861A. Автор: Yoshio Kurosawa,Kazushige Hotta. Владелец: Fujitsu Display Tech. Дата публикации: 2004-03-01.

Coil unit for thin film inductor, method of manufacturing coil unit for thin film inductor, thin film inductor, and method of manufacturing thin film inductor

Номер патента: US20160086721A1. Автор: Jeong Woo Park,Dong Min Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

A method for detecting defects in thin film layers

Номер патента: EP3847686A1. Автор: Anthony O'hara,Daniel Drysdale. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2021-07-14.

Method of producing negative electrode for lithium secondary cell

Номер патента: CA2350455C. Автор: Shosaku Yamanaka,Hirokazu Kugai,Nobuhiro Ota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

An integrated micro-inverter and thin film solar module and manufacturing process

Номер патента: WO2015022109A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Ruediger Kellmann,Hartmut Kuehl. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for detecting defects in thin film layers

Номер патента: US11740185B2. Автор: Anthony O'hara,Daniel Drysdale. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Mask blank, method of manufacturing the same, and transfer mask

Номер патента: US20130177841A1. Автор: Masahiro Hashimoto,Kazuya Sakai,Takeyuki Yamada. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US20170221997A1. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Perpendicularly magnetized thin film structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130130063A1. Автор: Byoung Chul Min,Kyung Ho Shin,Gyung Min CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2013-05-23.

Polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display panel

Номер патента: US20160300858A1. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Chunping Long,Liang Sun,Xiaoyong Lu,Shuai ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Thin-film transistor and fabricating method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09608011B2. Автор: Ying Zhang,Xin Li,Hong Zhu,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203387A1. Автор: I-hun Song,Chang-Jung Kim,Dong-hun Kang,Young-soo Park,Stefanovich Genrikh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070141767A1. Автор: Byoung-Keon Park,Keun-soo Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Polycrystalline or microcrystalline thin film transistor

Номер патента: CA1318417C. Автор: Kazuhiro Kobayashi,Johan Francis Albert Nijs,Kris August Emilia Ferdinand Baert Baert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1993-05-25.

Method of manufacturing non-photosensitive polyimide passivation layer

Номер патента: US20130130504A1. Автор: Xiaobo Guo. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Ceramic carrier and sensor element, heating element and sensor module, each with a ceramic carrier and method for manufacturing a ceramic carrier

Номер патента: US20170110225A1. Автор: Thomas Loose,Stefan Dietmann,Dieter Teusch,Alfred Fleckenstein. Владелец: HERAEUS SENSOR TECHNOLOGY GMBH. Дата публикации: 2017-04-20.

Low leakage thin film capacitors using titanium oxide dielectric with conducting noble metal oxide electrodes

Номер патента: US20220102483A1. Автор: Henning Braunisch,Kaan OGUZ,Aleksandar Aleksov,Neelam Prabhu Gaunkar,Thomas Sounart,I-Cheng Tung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of preparing graphene-based thin-film laminate and graphene-based thin-film laminate prepared using the same

Номер патента: US10043869B2. Автор: Chonghan PARK,Seungmin CHO,TaeKwang KIM,Seonyeong Kim,Sunae SEO,SoMyeong SHIN. Владелец: Hanwha Techwin Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Integrated rc architecture, and methods of fabrication thereof

Номер патента: WO2020144568A1. Автор: Stephane Bouvier,Larry BUFFLE,Sophie GABORIEAU. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Thin film transistor and method for producing same

Номер патента: US20150221779A1. Автор: Hitoshi Matsumoto,Kazuhiko Matsumoto,Toshio Kawahara,Risa Utsunomiya,Teruaki Matsuba,Kazumasa Okamoto. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2015-08-06.

Thin Film Inductor and Power Conversion Circuit

Номер патента: US20180301270A1. Автор: Yongfa Zhu,Heqian YANG,Xiaolong Luo. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Device and method for forming skyrmion

Номер патента: US11810701B2. Автор: Chang Soo Kim,Seung Mo Yang,Chan Yong Hwang,Kyoung Woong Moon. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2023-11-07.

Device and method for forming skyrmion

Номер патента: US20220246340A1. Автор: Chang Soo Kim,Seung Mo Yang,Chan Yong Hwang,Kyoung Woong Moon. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2022-08-04.

Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template

Номер патента: US20100203711A1. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Chip packaging system and method using deposited diamond film

Номер патента: US6337513B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Louis L. Hsu,Li-Kong Wang,Tsorng-Dih Yuan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-01-08.

Method of producing films and jig for producing the same

Номер патента: CA1300857C. Автор: Makoto Fujimoto,Toshio Kaya,Hiroaki Nakagawa. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1992-05-19.

Solid-state thin film capacitor

Номер патента: WO2011011736A2. Автор: Hooman Hafezi. Владелец: PROTEUS BIOMEDICAL, INC.. Дата публикации: 2011-01-27.

Thin film transistor, method of manufacturing polycrystalline oxide semiconductor thin film, and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: KR101540127B1. Автор: 후미히코 모치즈키,유키 나라,겐이치 우메다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-07-28.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US20160282284A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Array substrate, display panel having the same, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20200251540A1. Автор: Chunjing HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200168681A1. Автор: Yangho Jung,Jungi KIM,Bogeon JEON,Seonhwa Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR THIN FILM TRANSISTORS, CURED FILM, THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE OR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20180017867A1. Автор: Miyoshi Kazuto,KOMORI Yusuke,KAMEMOTO Satoshi. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2018-01-18.

Composition for oxide thin film, method of preparing the composition, method of forming the oxide thin film, and electronic device using the composition

Номер патента: US8765028B2. Автор: Hyun Jae Kim,You Seung RIM,Dong Lim KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2014-07-01.

A method of forming nano patterns, thin film transistor using the patterns, and liquid crystal display device having the thin film transistor

Номер патента: GB2432257B. Автор: Gee Sung Chae,Bo Hyun Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Photosensitive resin composition for thin film transistor, cured film, thin film transistor, liquid crystal display device or organic electroluminescence display device, method for producing cured film, method for producing thin film transistor, and method for producing liquid crystal display device or organic electroluminescence display device

Номер патента: JPWO2016158406A1. Автор: 一登 三好,悠佑 小森,聡 亀本,三好　一登. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-01-18.

Inkjet printer for forming crisscrossed conductive lines of thin-film solar module and automated metallization system

Номер патента: WO2023141884A1. Автор: Xiaojun Lei,Yilei SHEN,Bala-Krishna GADDIGOPULA,Chenbo Xie. Владелец: CNBM Research Institute for Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Thin-film type solar cell and method of manufacturing the same, and thin-film type solar cell module and power generation system using the thin-film type solar cell

Номер патента: DE102009058794A1. Автор: Chang Kyun Seongnam-si Park,Hyung Dong Yongin-si Kang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US20070090361A1. Автор: Atsuyuki Hoshino. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038952A1. Автор: Kook Hyun CHOI,In Woo Kim,Dae Cheol Kim,Yong Tae Cho,Jong Hwan Park,Chang Woo KWON,Ji Hyeon SON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Digital x-ray detector and method for repairing a bad pixel thereof

Номер патента: US9634056B2. Автор: Jang Jong Ho. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Carbon nanotube thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10205109B2. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Display substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150137127A1. Автор: Sung-Man Kim,Young-Jin Park,Hwa-Yeul Oh,Young-Je Cho,Soo-Jung Chae,Hyun-Ki Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Electrical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050206001A1. Автор: Hideyuki Kawai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Thin film electrode separation method using thermal expansion coefficient

Номер патента: EP3683824A1. Автор: Ha Na Park,Seung-A LEE,Ha-Chul Jung,Jin-woo Ahn,Young-Jin Kim. Владелец: OSONG MEDICAL INNOVATION FOUNDATION. Дата публикации: 2020-07-22.

Displays with silicon and semiconducting-oxide top-gate thin-film transistors

Номер патента: WO2018175177A1. Автор: Shinya Ono,Shang-Chih Lin,Jiun-Jye Chang,Chin-Wei Lin,Ching-Sang Chuang,Takahide Ishii,Keisuke Omoto,Ting-ku CHANG. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2018-09-27.

Digital x-ray detector and method for repairing a bad pixel thereof

Номер патента: US20160225814A1. Автор: Jang Jong Ho. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for forming crisscrossed conductive lines of thin-film solar module

Номер патента: EP4295417A1. Автор: Yilei SHEN,Bala-Krishna GADDIGOPULA. Владелец: Triumph Science & Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Ti(N) thin-film resistor deposited on ALN substrate and attenuator using same

Номер патента: US20090002123A1. Автор: Dong-Jin Kim,Soon-Gil Yoon,Duy Cuong Nguyen,Je-Cheon Ryu. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2009-01-01.

METHOD FOR EVALUATING QUALITY OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND LAMINATED BODY HAVING PROTECTIVE FILM ON SURFACE OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD FOR MANAGING QUALITY OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Kugimiya Toshihiro,KAWAKAMI Nobuyuki,OCHI Mototaka,HAYASI Kazushi. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2017-07-06.

Method of forming metal oxide thin film and metal oxide thin film printing apparatus

Номер патента: KR102233750B1. Автор: 최정민,박종혁,양종헌,추혜용,황치선,유승협. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2021-04-01.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US7368753B2. Автор: Gee Sung Chae,Jin Wuk Kim,Yong Bum Kim,Woo Hyun Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-06.

A method of forming nano patterns, thin film transistor using the patterns, and liquid crystal display device having the thin film transistor

Номер патента: GB2432257B8. Автор: Gee Sung Chae,Bo Hyun Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8889496B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: TW201614737A. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-04-16.

Organic light-emitting display device and method of fabricating the same

Номер патента: US9349982B2. Автор: Chaun Gi Choi,Hui Won Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for fabricating a semiconductive device comprising a refractory metal silicide thin film

Номер патента: US5108953A. Автор: Kenji Tateiwa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-04-28.

Manufacturing method of metal mesh, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047863A1. Автор: Feng Wang,Jian Zhou,Feng Qu,YuJu CHEN. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Thin Film Electrode Assembly

Номер патента: US20210220641A1. Автор: Norbert Kaula,Dan Oster,Jeremy Lug,Johnny Khith. Владелец: Cirtec Medical Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Ti(N) thin-film resistor deposited on ALN substrate and attenuator using same

Номер патента: US7936248B2. Автор: Dong-Jin Kim,Soon-Gil Yoon,Duy Cuong Nguyen,Je-Cheon Ryu. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2011-05-03.

Transistor Including Hydrogen Diffusion Barrier Film and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240136440A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Technologies for thin film resistors in vias

Номер патента: US20230402368A1. Автор: Yi Yang,Xing SUN,Kristof Darmawikarta,Darko Grujicic,Suddhasattwa NAD,Marcel A. Wall,Benjamin T. Duong,Brian P. Balch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Thin film electrode assembly

Номер патента: US11975188B2. Автор: Norbert Kaula,Dan Oster,Jeremy Lug,Johnny Khith. Владелец: Cirtec Medical Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Multilayer structure, piezoelectric device using the same, manufacturing method of multilayer structure, and manufacturing method of piezoelectric device

Номер патента: US20230103499A1. Автор: Daisuke Nakamura,Hironobu Machinaga,Taketo ISHIKAWA,Gaku Tsuburaoka. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

METHOD OF FORMING CARBON-CONTAINING THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE METHOD

Номер патента: US20150130027A1. Автор: PARK Se Jun,KIM Dohyung,KIM Ho Jun,CHOI Gyuwan,WON Jaihyung. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Crystalline semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100384499B1. Автор: 스즈키고지,히라마츠마사토. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-05-22.

TFT, method of manufacturing the TFT, flat panel display having the TFT, and method of manufacturing the flat panel display

Номер патента: US20050258487A1. Автор: Min-chul Suh,Hye-dong Kim,Nam-Choul Yang,Jae-Bon Koo,Tae-min Kang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Display panel with color organic light-transmissive thin films and manufacturing method thereof

Номер патента: US11937482B2. Автор: WENXU Xianyu,Wenliang GONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Thin film transistor array

Номер патента: EP3846199A1. Автор: Mamoru Ishizaki,Katsuhiko Morosawa. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of manufacturing fine features for thin film transistors

Номер патента: EP1837898A3. Автор: Eugene M. Chow,William S. Wong,Michael L. Chabinyc,Ana C. Arias. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF FORMING MULTILAYER SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20130200343A1. Автор: Ohe Takahiro,Kobayashi Norihito,Sasaki Mari. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

METHOD OF FORMING POLYSILICON FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING POLYSILICON FILM

Номер патента: US20140084268A1. Автор: SEO Jin-Wook,Lee Tak-Young,LEE Ki-Yong,JEONG Min-Jae,SON Yong-Duck. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Wavy metal nanowire network thin film, stretchable transparent electrode including the metal nanowire network thin film and method for forming the metal nanowire network thin film

Номер патента: US20190006061A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Hyo Won Kwon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-03.

THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20190319134A1. Автор: Chen Xiaoming. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Magnetoresistive thin film magnetic element, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head including the magnetoresistive thin film magnetic element

Номер патента: JP3607850B2. Автор: 直也 長谷川. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-05.

thin film deposition composition containing germanium derivative, the germanium-containing thin film prepared by using the same and the method of producing a germanium-containing thin film using the same

Номер патента: KR101745344B1. Автор: 이상익,김명운,이강용,전상용,장홍석,김민성,신형수,김도연,석장현. Владелец: (주)디엔에프. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin film transistor array incorporating a shorted circuit bypass technique

Номер патента: US4894690A. Автор: Hiroyuki Hebiguchi,Hideyuki Matsuda,Kazuya Okabe,Yasuhiko Kasama. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-01-16.

Electrical switch for thick/thin film circuits

Номер патента: CA1233496A. Автор: Wayne E. Neese. Владелец: GTE Automatic Electric Inc. Дата публикации: 1988-03-01.

Method of forming highly-integrated thin film capacitor with high dielectric constant layer

Номер патента: US5943547A. Автор: Shintaro Yamamichi,Pierre Yves Lesaicherre. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Array substrate for fringe field switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110080549A1. Автор: Sung-Il Park,In-Duk Song,Dae-Lim Park,Bo-Young JUNG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Multi-layer back electrode for a photovoltaic thin-film solar cell, use of the same for producing thin-film solar cells and modules, photovoltaic thin-film solar cells and modules containing the multi-layer back electrode and method for the production thereof

Номер патента: EP2834852B8. Автор: Volker Probst. Владелец: Nice Solar Energy GmbH. Дата публикации: 2020-03-04.

Display device and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395767A1. Автор: Kum Mi Oh,Sun Wook KO,Deuk Ho YEON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Display device and method for manufacturing display device

Номер патента: GB2616967A. Автор: Mi Oh Kum,Ho Yeon Deuk,Wook Ko Sun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Integration of bypass diodes within thin film photovoltaic module interconnects

Номер патента: WO2020185428A1. Автор: Kevin Alexander Bush. Владелец: Swift Solar Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Integration of bypass diodes within thin film photovoltaic module interconnects

Номер патента: EP3939091A1. Автор: Kevin Alexander Bush. Владелец: Swift Solar Inc. Дата публикации: 2022-01-19.

Thin film capacitor, manufacturing method therefor, and substrate with built-in electronic component

Номер патента: US20200135406A1. Автор: Tatsuo Namikawa,Hitoshi Saita,Yuuki Aburakawa,Suguru ANDOH. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kunihiko Suzuki,Takahiro Tsuji. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Microtextures for thin-film evaporation

Номер патента: US20240098936A1. Автор: Chander Shekhar SHARMA,Anand S. Владелец: Indian Institute Of Technology Ropar. Дата публикации: 2024-03-21.

Thin film analyzing device and thin film analyzing method

Номер патента: US11508630B2. Автор: Yuji Yamada,Sho Kato,Yuki WAKISAKA,Takumi NISHIOKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Display panel and rework method of gate insulating layer of thin film transistor

Номер патента: TW201113955A. Автор: Pei-Yu Chen,Chia-Hsu Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-04-16.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20210013435A1. Автор: Kim Joo Young,PARK Jeong II,JUNG Jiyoung,SONG Byong Gwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-14.

RESIST FILM FORMING DEVICE AND METHOD, CONDUCTIVE FILM FORMING AND CIRCUIT FORMING DEVICE AND METHOD, ELECTROMAGNETIC WAVE SHIELD FORMING DEVICE AND METHOD, SHORTWAVE HIGH-TRANSMISSIBILITY INSULATION FILM FORMING DEVICE AND METHOD, FLUORESCENT LIGHT BODY FILM FORMING DEVICE AND METHOD, TRACE MATERIAL COMBINING DEVICE AND METHOD, RESIN MOLDING DEVICE, RESIN MOLDING METHOD, THIN FILM FORMING DEVICE, ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, BUMP FORMING DEVICE AND METHOD, WIRING FORMING DEVICE AND METHOD, AND WIRING STRUCTURE BODY

Номер патента: US20150303151A1. Автор: Kobayashi Kazuhiko,SUDA Keisuke. Владелец: APIC YAMADA CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-22.

Magnetic thin film and method for forming the film, and magnetic thin film-applied device

Номер патента: US20100055503A1. Автор: Hideo Sato,Satoshi Okamoto,Osamu Kitakami,Takehito Shimatsu,Hajime Aoi,Hiroyasu KATAOKA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-03-04.

Thin film transistor array substrate, organic light-emitting display apparatus using thereof, and method of manufacturing the thin film transistor array substrate

Номер патента: TW201532252A. Автор: Jae-Wook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-16.

Thin film type Solar Cell and method of manufacturing the smae, and Thin film type solar cell module and Power generation system using the same

Номер патента: KR101031246B1. Автор: 박창균,강형동. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2011-04-29.

Organic thin film transistor and method of manufacturing the same and thin film transistor array panel and electronic device

Номер патента: KR20230057017A. Автор: 함석규,윤영준,정종원,야스타카 쿠즈모토. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-04-28.

Radiation-Emitting Thin-Film Semiconductor Chip and Method of Producing a Radiation-Emitting Thin Film Semiconductor Chip

Номер патента: US20110121322A1. Автор: Ralph Wirth. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2011-05-26.

Display apparatus including a blocking layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220157906A1. Автор: Jin Jeon,Chulho Kim,Injun Bae,Beohmrock Choi,Yunhwan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Display apparatus including a blocking layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200227494A1. Автор: Jin Jeon,Chulho Kim,Injun Bae,Beohmrock Choi,Yunhwan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20150037920A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Sung Tae,MAENG Jong Sun,SHIM Hyun Wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

METHOD FOR EVALUATING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, AND METHOD FOR QUALITY CONTROL OF OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20150355095A1. Автор: Kugimiya Toshihiro,Miki Aya,HAYASHI Kazushi,Kishi Tomoya. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Magnetic thin film and method for forming the film, and magnetic thin film-applied device

Номер патента: US8076012B2. Автор: Hideo Sato,Satoshi Okamoto,Osamu Kitakami,Takehito Shimatsu,Hajime Aoi,Hiroyasu KATAOKA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2011-12-13.

Thin film transistor substrate having low resistive and chemical resistant electrode interconnections and method of forming the same

Номер патента: KR100256288B1. Автор: 도오루 우끼따. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-05-15.

Method of fabricating see-through thin film solar cell

Номер патента: US20210135041A1. Автор: Won Mok Kim,Jong Keuk PARK,Jeung Hyun JEONG,Hyeong Geun Yu. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-06.

Thin film transistor, method for manufacturing thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20220020864A1. Автор: Qi Yao,Wei He,Yi Zhou,ZHI Wang,Sheng Xu,Fang He,Renquan Gu,Wusheng Li,Xuefei Zhao,Lizhen Zhang,Shipei Li,Huili Wu,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Thin film transistor, fabricating method and driving method thereof, and display device

Номер патента: US10586937B2. Автор: Defeng MAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-10.

Method for annealing a thin film photovoltaic cell device

Номер патента: US20150340544A1. Автор: Simon Hänni,Laura Ding. Владелец: TEL SOLAR AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Thin film transistor array substate and display device including the same

Номер патента: US20240120343A1. Автор: Do Hyung Lee,Chan Yong Jeong,Sung Ju Choi,Young Hyun KO,Hong Rak CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film stacks for group v doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: US20200035844A1. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD OF MANUFACTURING MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE AND MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING THIN FILM WIRE

Номер патента: US20180069165A1. Автор: Yamamoto Hiroyuki,KUSUNOKI Toshiaki,SUGANO Ryoko. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2018-03-08.

THIN FILM TRANSISTOR WITH PROTECTIVE FILM HAVING OXYGEN TRANSMISSION AND DISTURBANCE FILMS AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150108477A1. Автор: Tokunaga Kazuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

Thin film stacks for group v doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: US20220285569A1. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20150155475A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

PIEZOELECTRIC THIN FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, PIEZOELECTRIC THIN FILM MANUFACTURING APPARATUS AND LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20160339702A1. Автор: Kobayashi Motokazu,Kotani Yoshinori,Koketsu Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY APPARATUS AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200358040A1. Автор: CHOI Seung-Ha,LEE Woo Geun,YOON Kap Soo,Kim Joongeol,Hong Jiyun,LEE Keum Hee. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

INK DROPLET VOLUME MEASURING APPARATUS AND INK DROPLET VOLUME MEASURING METHOD USING THE SAME, AND THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS USING THE MEASURING APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF DISPLAY APPARATUS USING THE THIN FILM LAYER FORMING APPARATUS

Номер патента: US20200395543A1. Автор: Han Jeongwon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturimg of CZTS-based thin film solar cell and CZTS-based thin film solar cell thereby

Номер патента: KR101559102B1. Автор: 강진규,양기정,심준형,손대호. Владелец: 재단법인대구경북과학기술원. Дата публикации: 2015-10-13.

MANUFACTURING METHOD OF LOW-k PLASMA POLYMERIZED THIN FILMS AND LOW-k THIN FILMS MANUFACTURED THEREFROM

Номер патента: KR100697669B1. Автор: 이성우,정동근,양재영. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-03-20.

Preparation method of ci(g)s-based thin film with decreased carbon layers, ci(g)s-based thin film prepared by the same, and solar cell including the same

Номер патента: KR101388451B1. Автор: 조아라,박주형,박상현,윤경훈,곽지혜,안세진,윤재호,신기식. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of transferring layer-by-layer thin films using adhesion difference, and photoreflective transferred thin film manufactured by the same

Номер патента: KR102181145B1. Автор: 정아름,염봉준,하나리. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-11-20.

Piezoelectric thin film, method of manufacturing the same, piezoelectric thin film manufacturing apparatus and liquid ejection head

Номер патента: US10099476B2. Автор: Motokazu Kobayashi,Yoshinori Kotani,Naoyuki Koketsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Thin film stacks for group V doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: AU2018224308B2. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of forming metal oxide thin film pattern using nanoimprint and manufacturing method of led element using same

Номер патента: EP2525392B1. Автор: Ki Don Kim,Ji Hye Lee,Jun Hyuk Choi,Hyeong Ho Park,Jun Ho Jeong,Dae Geun Choi,Soon Won Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2019-03-20.

Thin film stacks for group V doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: US11342471B2. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Roger Malik. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Thin film stacks for group v doping, photovoltaic devices including the same, and methods for forming photovoltaic devices with thin film stacks

Номер патента: WO2018157106A1. Автор: Gang Xiong,Xiaoping Li,Dingyuan LU,Chungho Lee,Sachit GROVER,Rober MALIK. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing display apparatus and thin film transistor substrate

Номер патента: KR20200130778A. Автор: 최승하,이우근,윤갑수,홍지윤,김준걸,이금희. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-11-20.

Method of manufacturing a polycrystalline semiconductor thin film

Номер патента: US8017507B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Polysilicon thin film, method of fabricating the same and thin film transistor non-dependancy on active channel direction

Номер патента: KR100534579B1. Автор: 박지용,박혜향. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2005-12-07.

Method of forming electrode of thin film circuit

Номер патента: JPS54105772A. Автор: Midori Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-08-20.

Thin film active element, organic light emitting device, display device, electronic device and method for manufacturing thin film active element

Номер патента: EP2202787A4. Автор: Kenji Kasahara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-26.

Boron-doped polycrystalline silicon thin film with high piezoresistance characteristics and preparation method of boron-doped polycrystalline silicon thin film

Номер патента: CN105140105A. Автор: 王宙,董桂馥,付传起,雍帆,骆旭梁. Владелец: Dalian University. Дата публикации: 2015-12-09.

Method of fabricating ZnS(O,OH) thin film and thin film solar cell using the same

Номер патента: KR101575658B1. Автор: 이홍기,전호영,유성구,류시옥. Владелец: 영남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-08.

Thin film transistors with trench-defined nanoscale channel lengths

Номер патента: US9704999B2. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-07-11.

Liquid and method for removing csd coated film, ferroelectric thin film and method for producing the same

Номер патента: US20150129547A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Thin film transistors with trench-defined nanoscale channel lengths

Номер патента: US20170098715A1. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-06.

Thin film transistor device, method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate and display having the same

Номер патента: TWI315103B. Автор: Hotta Kazushige,Kurosawa Yoshio. Владелец: Sharp Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

Thin film and method for manufacturing semiconductor device using the thin film

Номер патента: TW200905747A. Автор: Yoshihiro Kato,Noriaki Fukiage. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films by changing the shape, size, or laser beam

Номер патента: TW200939481A. Автор: James S Im. Владелец: Univ Columbia. Дата публикации: 2009-09-16.

METHOD OF FORMING A GERMANIUM THIN FILM

Номер патента: US20130230975A1. Автор: KAKIMOTO Akinobu,NAKAJIMA Shigeru,HASEBE Kazuhide. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of forming and transferring thin film using soi wafer and heat treatment process

Номер патента: US20210005457A1. Автор: Chang Hwan Choi,Yu Rim JEON,Hoon Hee HAN. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-01-07.

METHODS OF FORMING A POLYMERIC THIN FILM LAYER ON AN ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE SUBSTRATE

Номер патента: US20180026234A1. Автор: TREGUB Inna,Jain Rajsapan,Yuwono Citra. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

METHOD OF FORMING PNbZT FERROELECTRIC THIN FILM

Номер патента: US20140295172A1. Автор: Sakurai Hideaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

METHOD OF FORMING A GERMANIUM THIN FILM

Номер патента: US20140331928A1. Автор: KAKIMOTO Akinobu,NAKAJIMA Shigeru,HASEBE Kazuhide. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-13.

Method of forming a semiconductor thin film

Номер патента: KR100364944B1. Автор: 오꾸무라히로시. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-12-16.

Method of forming polycrystalline semiconductor thin film

Номер патента: EP0708479B1. Автор: Masahiro c/o Sony Corporation Minegishi,Masumitsu c/o Sony Corporation Ino,Masafumi c/o SONY CORPORATION Kunii,Takenobu c/o Sony Corporation Urazono,Hisao C/O Sony Corporation Hayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-04-04.

Method for manufacturing a printed circuit board with a thin film capacitor embedded therein having a dielectric film by using laser lift-off, and printed circuit board with a thin film capacitor embe

Номер патента: CN101111128A. Автор: 郑栗教,李汀苑,李寅衡. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of forming self-aligned thin film transistor

Номер патента: CA2228037A1. Автор: James F. Farrell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-02-13.

Method of forming a semiconductor thin film

Номер патента: CN101005017B. Автор: 孙龙勋,姜声官,李钟昱. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of forming poly-silicon thin film transistors

Номер патента: US20050074930A1. Автор: Chi-Lin Chen,Shun-Fa Huang,Liang-Tang Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-04-07.

Method of forming a semiconductor thin film on a plastic substrate

Номер патента: US6376290B1. Автор: Setsuo Usui,Kazumasa Nomoto,Jonathan Westwater,Dharam Pal Gosain,Miyako Nakagoe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Method of forming a germanium thin film

Номер патента: KR101587319B1. Автор: 가즈히데 하세베,아키노부 가키모토,시게루 나카지마. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of forming a ZnO thin film

Номер патента: KR100845944B1. Автор: 이원재,김일수,신병철,이근형,푸카이샨,류국협. Владелец: 동의대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-07-11.

Method for manufacturing a printed circuit board with a thin film capacitor embedded therein having a dielectric film by using laser lift-off, and printed circuit board with a thin film capacitor embedded therein manufactured thereby

Номер патента: US20090223045A1. Автор: Jung Won Lee,Yul Kyo Chung,In Hyung Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming a flexible thin film transistor display device with a metal foil substrate

Номер патента: US20040053431A1. Автор: Chi-shen Lee,Chiung-Wei Lin,Wen-Tung Wang,Yuan-Tung Dai,Tsung-Neng Liao,Chi-Lin Chen,Chich Shang Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor film, oxide fine particle dispersion, method of manufacturing semiconductor film, and thin film transistor

Номер патента: JP6275441B2. Автор: 真之 鈴木,淳 田中,田中　淳,雅司 小野,鈴木　真之. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-07.

CHALCOGENIDE-CONTAINING PRECURSORS, METHODS OF MAKING, AND METHODS OF USING THE SAME FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20130267082A1. Автор: Gatineau Julien,ISHII Hana,Minoura Mao. Владелец: L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2013-10-10.

LIQUID AND METHOD FOR REMOVING CSD COATED FILM, FERROELECTRIC THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20150129547A1. Автор: Sakurai Hideaki,Watanabe Toshiaki,Soyama Nobuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

METHOD OF FABRICATING POLYSILICON LAYER, THIN FILM TRANSISTOR, ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150255282A1. Автор: LEE Dong-Hyun,CHUNG Yun-Mo,PARK Jong-Ryuk,SEO Jin-Wook,Lee Kil-Won,PARK Byoung-Keon,YANG Tae-Hoon,LEE Ki-Yong,CHOI Bo-Kyung,SO Byung-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Fabrication Methods of Patterned Metal Film Layer, Thin Film Transistor and Display Substrate

Номер патента: US20200126809A1. Автор: Liu Jun,Li Wei,Zhang Yang,WANG Dongfang,DING Luke,FANG Jingang,CHENG Leilei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

APPARATUS FOR AND METHOD OF CRYSTALLIZING ACTIVE LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150348782A1. Автор: Ahn Sang-hoon,CHEONG Byoung-Ho,CHO Joo-Woan,CHOO Byoung-Kwon,Cho Hyun-Jin,HAN Soo-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Forming method of channel polysilicon film in thin film transistor

Номер патента: KR100208447B1. Автор: 우상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Preparation method of patterned metal film layer, thin film transistor and display substrate

Номер патента: CN109378271B. Автор: 刘军,李伟,王东方,张扬,方金钢,丁录科,程磊磊. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Thin film transistor array substrate, liquid crystal display device including the same and method of manufacturing the same

Номер патента: CN102141710B. Автор: 赵兴烈,崔竣皓. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-06.

Preparation method of graphene conductive film and thin film transistor

Номер патента: CN110323270B. Автор: 卓恩宗,夏玉明. Владелец: Chuzhou HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Insulating material, substrate covered with an insulating film, method of producing the same, and thin-film device

Номер патента: KR100378276B1. Автор: 기지마다께시,마쯔나가히로노리. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-03-29.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: US20090029502A1. Автор: Soo Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Thin film MOS transistor with the channel region connected to the source and method of fabrication

Номер патента: EP0414618A1. Автор: Michel Haond. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1991-02-27.

Improved method of producing two or more thin-film-based interconnected photovoltaic cells

Номер патента: KR20140105522A. Автор: 레베카 케이 파이스트,마이클 이 밀스. Владелец: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2014-09-01.

Rapid Deposition and Substrate Cleaning Apparatus and Method of High-Quality Amorphous Silicon Thin Films for TFT-LCD Using Pulsed ECR Plasma

Номер патента: KR970060411A. Автор: 박상국,이주현,정동근,심천만,박성,이강렬. Владелец: 박성. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same comprising thin film containing low concentration of hydrogen

Номер патента: US7045818B2. Автор: Tsutomu Yamada,Shiro Nakanishi,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda,Kyoko Hirai,Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

The preparation method of low-temperature polysilicon film, thin-film transistor and display unit

Номер патента: CN103489788B. Автор: 王磊,田雪雁,任章淳. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR101858257B1. Автор: 양진석,이경호,송인각. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2018-05-16.

Apparatuses and methods of substrate temperature control during thin film solar manufacturing

Номер патента: TW200908363A. Автор: Soo-Young Choi,Ankur Kadam,Yong-Kee Chae. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-02-16.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY

Номер патента: US20140322836A1. Автор: PARK Jong-Hyun,Lee Yul-Kyu,Kim Dae-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR20130047331A. Автор: 양진석,이경호,송인각. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2013-05-08.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CA1177582A. Автор: Michael J. Lee. Владелец: National Research Development Corp of India. Дата публикации: 1984-11-06.

Oxide Thin Film Transistor, Method for Fabricating TFT, Array Substrate for Display Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20130313546A1. Автор: Yu SangHee. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-28.

Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100796795B1. Автор: 전상진,김장수,공향식,박민욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-22.

Method of making an array of thin film photodiodes

Номер патента: DE19838373C2. Автор: Reinhold Buchner,Melanie Sax. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2002-01-31.

Thin Film Transistor, Method for Repairing the Same, Liquid Crystal Display Device and Method for Repairing the Same

Номер патента: KR101030525B1. Автор: 김성훈. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2011-04-21.

A kind of preparation method of CZTSSe absorption layer of thin film solar cell

Номер патента: CN105470113B. Автор: 张超,王赫,杨立,徐睿,乔在祥,赵彦民,杨亦桐,邓朝文. Владелец: CETC 18 Research Institute. Дата публикации: 2018-07-10.

Preparation method of light absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: CN110571155B. Автор: 陈明,钟国华,杨兵,李文杰,杨春雷,李伟民,冯叶,王顺,罗海林,高传增. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-12.

METHOD OF ISOLATING PATTERNS FORMED IN THIN FILM OF OXYDABLE SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: FR2879020B1. Автор: Maud Vinet,Jean Charles Barbe,Thierry Poiroux,Bernard Previtali. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-05-04.

Contact portion of semiconductor device and method for manufacturing the same, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100796756B1. Автор: 김상갑,김보성,홍문표,정관욱,홍완식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-22.

Method of fabricating Micropatterns of Platinum Thin Films by Fluoride-Based Inductively Coupled Plasma Eching

Номер патента: KR101574250B1. Автор: 김남영,왕종,요소,이양. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-12-04.

Preparation method of light absorption layer of thin-film solar cell

Номер патента: CN110957393B. Автор: 李文杰,杨春雷,李伟民,冯叶,王顺,高传增. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2022-07-19.

A kind of preparation method of IGZO active layers, oxide thin film transistor

Номер патента: CN108461391A. Автор: 吴伟,武岳. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-28.

A kind of preparation method of p-type metal oxide thin-film transistor

Номер патента: CN106952828A. Автор: 单福凯,刘国侠,刘奥,朱慧慧,孟优. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-14.

Contact portion of semiconductor device, and method for manufacturing the same, thin film transistor array panel for display device including the contact portion, and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2003075356A1. Автор: Chun-Gi You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2003-09-12.

Method of heterogeneous growth of SiC thin film on silicon substrate

Номер патента: TW201015621A. Автор: Jian-Cheng Chen,Wei-You Chen,zhi-fang Huang,Zhen-Chang Huang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2010-04-16.

Apparatus and methods for sensing or imaging using stacked thin films

Номер патента: US20120194819A1. Автор: Manoj Varma. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2012-08-02.

Photomask and Method for Fabricating Source/Drain Electrode of Thin Film Transistor

Номер патента: US20120270397A1. Автор: Chia-Ming Chang,Ta-Wen Liao,Chun-Yi Chiang,Hsiang-Chih Hsiao,Che-Yung Lai,Zong-Long Jhang,Chou-Huan Yu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD OF MANUFACTURING PZT-BASED FERROELECTRIC THIN FILM

Номер патента: US20130260142A1. Автор: Sakurai Hideaki,Watanabe Toshiaki,Soyama Nobuyuki,Doi Toshihiro. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of Making Metal/Semiconductor Compound Thin Film

Номер патента: US20140011355A1. Автор: ZHANG Wei,Wu Dongping,Zhu Zhiwei,Zhang Shili. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-09.

METHOD OF MANUFACTURING COIL UNIT IN THIN FILM TYPE FOR COMPACT ACTUATOR

Номер патента: US20180019058A1. Автор: Kwon Joung Sek. Владелец: EneBrain Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD OF MANUFACTURING TRANSITION METAL CHALCOGENIDE THIN FILM

Номер патента: US20160035568A1. Автор: Han Won Seok,CHUNG Yong-Duck,Lee Woo Jung,CHO Daehyung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD OF FABRICATING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20160035765A1. Автор: Jeong Yu-Gwang,BAE Su-Bin,YOON SEUNG-HO. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

THIN FILM TRANSISTORS COMPRISING CARBON NANOTUBE NETWORKS ENCAPSULATED BY A POLYMERIC LAYER AND METHODS FOR THE MANUFACTURE THEREOF

Номер патента: US20220069243A1. Автор: Li Zhao,Ding Jianfu,LEFEBVRE Jacques,MALENFANT Patrick Roland Lucien,Lapointe Francois. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20210074831A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

MANUFACTURING METHOD OF POLYSILICON LAYER, AND POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Wang Zuqiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20140256085A1. Автор: LEE Sang-Yoon,Bao Zhenan,GIRI Gaurav,MANNSFELD Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

ELECTRIC OUTPUT PROMOTING AND FABRICATING METHOD OF PIEZOELECTRIC/CONDUCTIVE HYBRID POLYMER THIN FILM

Номер патента: US20150188032A1. Автор: Hong Chien-Chong,LIOU Tong-Miin,Lin Kai-Lun. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacturing coil unit in thin film type for compact actuator

Номер патента: US20180182543A9. Автор: Joung Sek Kwon. Владелец: ENEBRAIN Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Preparation methods of low temperature poly-silicon thin film and transistor and laser crystallization apparatus

Номер патента: US20170207086A1. Автор: Xiaolong Li,Xiaowei Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

METHOD OF MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20150221496A1. Автор: TAI Chien-Pang,HUANG Jun-Yao,PENG Yu-Chin,HUANG Ke-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD OF PRODUCING TWO OR MORE THIN-FILM-BASED INTERCONNECTED PHOTOVOLTAIC CELLS

Номер патента: US20140345669A1. Автор: Mills Michael E.,Feist Rebekah K.. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF PRODUCING TWO OR MORE THIN-FILM-BASED INTERCONNECTED PHOTOVOLTAIC CELLS

Номер патента: US20140360554A1. Автор: Mills Michael E.,Feist Rebekah K.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200295154A1. Автор: HE HUAILIANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHOD OF MAKING A CZTS/SILICON THIN-FILM TANDEM SOLAR CELL

Номер патента: US20160322532A1. Автор: Chaudhari Ashok. Владелец: Solar-Tectic LLC. Дата публикации: 2016-11-03.

METHODS OF MODULATING RESIDUAL STRESS IN THIN FILMS

Номер патента: US20160329206A1. Автор: Qian Jun,Kang Hu,LaVoie Adrien,KUMAR Purushottam. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200321213A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200350165A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR PREPARING A LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20190386027A1. Автор: Zhang Jiawei. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

METHODS OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND TRANSISTOR

Номер патента: US20200395469A1. Автор: SHAN Jianfeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Thin film transistor substrte addressed liquid crystal display including the contact structure and method manufacturing the same

Номер патента: KR100783696B1. Автор: 김현수,임승택,최권영,탁영재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-07.

Method of manufacturing mask assembly for thin film deposition

Номер патента: KR102072679B1. Автор: 이상신,고정우,강택교. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-02-04.

The preparation method of indium gallium zinc oxide thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN107293493A. Автор: 李松杉. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating an impurity-doped thin film

Номер патента: KR100266006B1. Автор: 양정식. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of manufacturing multi-crystallized silicon thin film

Номер патента: KR100270618B1. Автор: 이재원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-01.

Apparatus and method for accurate etching and removal of thin film

Номер патента: KR940012524A. Автор: 젱 슈젠,시. 나쯔레 웨슬리,우 치엔판. Владелец: 윌리엄 티. 엘리스. Дата публикации: 1994-06-23.

Method of manufacturing an amorphous silicon thin film transistor

Номер патента: KR910009039B1. Автор: 요시아끼 와다나베,사까에 다나까. Владелец: 요꼬야마 유우이찌. Дата публикации: 1991-10-28.

Poly Crystalline Silicon Thin Film Transistor Having Bottom Gate Structure Using Metal Induced Lateral Crystallization and Method for Fabricating the Same

Номер патента: KR100958826B1. Автор: 주승기. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2010-05-24.

Method of maufacturing amorphous ZnO based Thin Film Transistor

Номер патента: KR101345377B1. Автор: 김창정,박영수,강동훈,송이헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-12-24.

Method of manufacturing a dual-gate thin film transistor

Номер патента: US9825176B2. Автор: Sun Park,Yul-Kyu Lee,Kyu-Sik Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabrication methods of low-temperature CMOS polycrystalline thin film transistor

Номер патента: KR101500866B1. Автор: 장성근. Владелец: 청운대학교 인천캠퍼스 산학협력단. Дата публикации: 2015-03-10.

a manufacturing method of a photo-mask for thin film transistor panels

Номер патента: KR100601174B1. Автор: 김동규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-13.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: EP4330318A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Composition for organic thin film transistor, organic thin film transistor formed by using the same, and method of forming the organic thin film transistor

Номер патента: KR100975913B1. Автор: 유인규,구재본,김동유,노용영,백강준. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2010-08-13.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: WO2022232674A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of forming perovskite thin film and light-emitting device including layer manufactured thereby

Номер патента: US11895903B2. Автор: Dongchan Kim,Jiyoung Moon,Yoonseok KA,Heechang YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

El phosphor multilayer thin film and el panel

Номер патента: CA2352530C. Автор: Katsuto Nagano,Yoshihiko Yano,Yukihiko Shirakawa,Tomoyuki Oike. Владелец: Westaim Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for preparing superconducting thin film formed of high temperature superconductor oxide

Номер патента: CA2103085C. Автор: Takao Nakamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-08-06.

Dibenzopyrromethene boron chelate compound, near-infrared light-absorbing material, thin-film, and organic electronic device

Номер патента: EP3666777A1. Автор: Yuichi Sadamitsu,Kentaro Maeda,Yuta Hashimoto,Tatsuya Aotake,Shoji Shinamura. Владелец: Nippon Kayaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Luminescent compounds and methods of making and using same

Номер патента: CA2278198C. Автор: Wang Liu,Suning Wang,Abdi Hassan. Владелец: Queens University at Kingston. Дата публикации: 2005-07-26.

Methods of forming a polymeric thin film layer on an organic light-emitting diode substrate

Номер патента: WO2018017541A1. Автор: Inna Tregub,Rajsapan Jain,Citra Yuwono. Владелец: KATEEVA, INC.. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of Forming Single-Crystalline Thin Film

Номер патента: CA2101285A1. Автор: Satoshi Takano,Hideo Ishii,Noriyuki Yoshida,Shigeru Okuda,Tsukushi Hara,Kousou Fujino. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-01-31.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Au-Sn-Bi ALLOY POWDER PASTE, Au-Sn-Bi ALLOY THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING Au-Sn-Bi ALLOY THIN FILM

Номер патента: US20160016265A1. Автор: Masayuki Ishikawa,Yoshifumi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Fabrication method of blue light emitting ZnO thin film phosphor

Номер патента: US6699371B2. Автор: Won Kook Choi,Hyung Jin Jung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of removing surface protrusions from thin films

Номер патента: US20020058455A1. Автор: James Alwan,Craig Carpenter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US09845535B2. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: EP2961861A1. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-06.

Method for improving adhesion of yttrium-based thin film

Номер патента: US20240229241A9. Автор: Yoshitaka Ozaki,Tomohiro Matsumura,Yuriko YANAI. Владелец: Shinryo Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Sputtering target and method of producing sputtering target

Номер патента: US12012650B2. Автор: Masaru Wada,Kouichi Matsumoto,Motohide Nishimura,Kentarou Takesue,Yuu Kawagoe. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Hydrophilic Metal Thin Film and Sputtering Method for Depositing the Same

Номер патента: US20230304138A1. Автор: Jinn Chu,Pak-Man YIU,Jhen-De You. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2023-09-28.

Hydrophilic metal thin film and sputtering method for depositing the same

Номер патента: US11932931B2. Автор: Jinn Chu,Pak-Man YIU,Jhen-De You,Sung-Tsun Wang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-03-19.

Thin film for optical element, method of manufacturing thin film for optical element, inorganic polarizing plate, method of manufacturing inorganic polarizing plate, optical element, and optical device

Номер патента: US20200326463A1. Автор: Akio Takada,Toshiaki Sugawara. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: AU2003291039A8. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2004-06-18.

A method of forming an oxide thin films using negative sputter ion beam source

Номер патента: AU2003291039A1. Автор: Steven Kim,Namwoong Paik,Minho Sohn. Владелец: Plasmion Corp. Дата публикации: 2004-06-18.

Method of making ferrolectric thin film composites

Номер патента: US5766697A. Автор: Louise Sengupta,Somnath Sengupta. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 1998-06-16.

Three-dimensional thin-film nitinol devices

Номер патента: EP3060176A1. Автор: Alfred David Johnson,Colin Kealey. Владелец: NSvascular Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Cover method of thin film recording head and method of providing bonding pad on thin film recording head

Номер патента: JPH11328618A. Автор: Wei Pan,ウェイ・パン,Ann Kang,アン・カン,Jerome Marcelino,ジェローム・マルセリノ. Владелец: MKE QUANTUM COMPONENTS LLC. Дата публикации: 1999-11-30.

Coated configuration and method for prevention of vaporization splattering of thin film surfaces

Номер патента: US3529130A. Автор: Rudolph A Cola,Johannes F Gerber. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1970-09-15.

Method of manufacturing aluminum - carbon composite thin film and aluminum - carbon composite thin film

Номер патента: KR20230014414A. Автор: 최현주,심기동,오인종,김호장. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2023-01-30.

Method of depositing low stress hafnium thin films

Номер патента: US4056457A. Автор: John Louis Vossen, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1977-11-01.

A kind of GaFeO3The preparation method of ceramic target and nano thin-film

Номер патента: CN107056271A. Автор: 赵世峰,白玉龙,邬新,陈介煜,肖忠睿. Владелец: Inner Mongolia University. Дата публикации: 2017-08-18.

A kind of preparation method of Zr Cu metal glass thin film

Номер патента: CN104532190B. Автор: 张倩,张博. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2017-03-15.

ZINC OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR HAVING BARRIER LAYER DEPOSITED USING THE SAME

Номер патента: US20130341181A1. Автор: Kim Do-Hyun,PARK JaeWoo,LEE Yongjin,Sohn InSung,KIM Dongjo,JEON WOO-SEOK,PARK JUOK,YOON SANGWON,LEE GUNHYO,LEE YOONGYU. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

Super-hydrophobic thin film and method for preparing the same

Номер патента: US09702040B2. Автор: Yoonseok Choi,Jeongeon HAN,Su Bong JIN,Jun Suck LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-07-11.

MANUFACTURING APPARATUS AND METHOD OF HIGH QUALITY ß-Ga2O3 THIN FILM GROWN BY HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH

Номер патента: US20230175168A1. Автор: Dae-Woo JEON,Ji-Hyeon PARK. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-08.

MoS2 thin film and method for manufacturing same

Номер патента: US09863039B2. Автор: Yo-Sep Min. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing palladium thin film by using electroless-plating method

Номер патента: US09631280B2. Автор: Young Kwan CHO,Kuan Soo SHIN. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-04-25.

Iodine-containing metal compound and composition for depositing thin film including the same

Номер патента: US20230250114A1. Автор: Sang Ick Lee,Sang Yong Jeon,Yong Hee Kwone,Young Jae Im,Tae Seok Byun,Sang Chan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of forming metal hydride films

Номер патента: US4055686A. Автор: Robert Steinberg,Donald L. Alger,Dale W. Cooper. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1977-10-25.

Gradient thin films

Номер патента: RU2666198C1. Автор: Альпана РАНАДЕ,Марви А. МАТОС. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-09-06.

Novel molybdenum compound, method of producing the same, and method of producing molybdenum-containing thin film including the same

Номер патента: WO2024019487A1. Автор: Young Jin Kim,Mi Jung Han,Kang Yong Lee,Jin Mook Lim,Han Sang Song. Владелец: M Chemicals Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

METHOD OF FORMING A CRYSTALLINE THIN FILM HAVING THE FORMULA MY2 USING AN ALD-FORMED AMORPHOUS THIN FILM HAVING THE FORMULA MYX AS A PRECURSOR

Номер патента: US20190177838A1. Автор: Martin François,THIEULEUX Chloe,CADOT Stéphane,QUADRELLI Elsje. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Method of forming a crystalline thin film having the formula MY2 using an ALD-formed amorphous thin film having the formula MYx as a precursor

Номер патента: US11286557B2. Автор: Francois Martin,Chloe Thieuleux,Elsje Quadrelli,Stephane Cadot. Владелец: CPE Lyon Formation Continue et Recherche SAS. Дата публикации: 2022-03-29.

Indium compound, method of producing the same, composition for depositing indium-containing thin film, and indium-containing thin film

Номер патента: US20230212196A1. Автор: Sangick Lee,Sangyong JEON,Yonghee Kwone,Youngjae Im,Taeseok Byun,Sangchan Lee. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US20210172065A1. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-06-10.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US11753721B2. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for improving adhesion of yttrium-based thin film

Номер патента: US20240133037A1. Автор: Yoshitaka Ozaki,Tomohiro Matsumura,Yuriko YANAI. Владелец: Shinryo Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for observing porous amorphous film, and method and apparatus for forming the same

Номер патента: US6528108B1. Автор: Shigeru Kawamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-03-04.

Precursor for depositing zinc oxide-based thin film, method of fabicating thereof and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: KR101366630B1. Автор: 이상익,김명운,임상준,이상도,김보경,신형수,박정우,박수호,김서현,박준형,박태정,백일희,유영조,윤근상,이현희,최은호,유승호. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-03-17.

COATING LIQUID FOR DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM, AND METHOD OF DEPOSITING Bi-BASED FERROELECTRIC THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: JP2004339057A. Автор: Atsushi Kawakami,Yoshiyuki Takeuchi,善美 佐藤,Yoshimi Sato,敦史 川上,義行 竹内. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

PROCESS AND METHOD FOR IN-SITU DRY CLEANING OF THIN FILM DEPOSITION REACTORS AND THIN FILM LAYERS

Номер патента: US20150218695A1. Автор: Odedra Rajesh. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Method of depositing a ruthenium metal thin film or ruthenium oxide thin film

Номер патента: US9347133B2. Автор: Jun Young Kim,Jung Woo Park,Kwang Deok Lee,Whee Won Jin. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of forming an optically thin film waveguide of TiO2

Номер патента: JP2613533B2. Автор: オットー ユルゲン,ヘミング マルティン,ホッフハオス ローランド,パケット フォルカー. Владелец: カール−ツァイス−スティフツング. Дата публикации: 1997-05-28.

Method of forming amorphous silicon thin films

Номер патента: RU2650381C1. Автор: Лариса Васильевна Баранова,Владимир Иванович Струнин,Гамзат Жапарович Худайбергенов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2018-04-11.

Method of forming a ferroelectric thin film and device therefor

Номер патента: DE19641058A1. Автор: Yong Ku Baek. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-24.

Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery

Номер патента: US20060207503A1. Автор: Daniel Smith,Ali Shajii,Paul Meneghini,William Clark. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery

Номер патента: CN101171368A. Автор: A·沙吉,D·史密斯,W·克拉克,P·梅内吉尼. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2008-04-30.

Alkyl zinc halide zinc oxide precursor and method of depositing zinc oxide-based thin film using the same

Номер патента: KR101357595B1. Автор: 이상익,김명운,임상준,이상도,김보경,신형수,박정우,박수호,김서현,박태정,유영조,윤근상,최은호,유승호. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2014-02-05.

A kind of preparation method of silicon carbide-containing nanoparticulate thin films material

Номер патента: CN106498364A. Автор: 向鹏,肖婷,姜礼华,谭新玉. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2017-03-15.

A kind of preparation method of two-dimentional tungsten sulfide thin-film material

Номер патента: CN107043922A. Автор: 冯奕钰,封伟,郑楠楠. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-15.

METHOD OF FABRICATING LIQUID FOR OXIDE THIN FILM

Номер патента: US20140000480A1. Автор: Kim Hyun Jae,KIM Kyung Ho,Kim Gun Hee,SHIN Hyun Soo,Choi Yun Jung,LEE Ka Young,Jeong Tae Hoon,Park Won Jun. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2014-01-02.

Preparation method of composite inorganic-organic hybrid thin film based on ALD (atomic layer deposition) technology

Номер патента: CN103510074A. Автор: 吴迪,李爱东,曹燕强,曹正义. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-01-15.

METHOD OF FORMING CRYSTALLINE ITO THIN FILM AND METHOD OF FORMING ON-CELL TYPE TOUCH PANEL

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Lv Shaoqing. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-21.

Method of forming magnetic pole section of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head and manufacturing method of perpendicular magnetic recording type thin-film magnetic head

Номер патента: US20110240593A1. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hideyuki Yatsu,Koichi Otani,Masachika Hashino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

System and method for depth profiling and characterization of thin films

Номер патента: WO2003038417A3. Автор: David G Watson,Paul E Larson,John E Moulder,David S Perloff. Владелец: Physical Electronics Ind Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Disposable flow velocity measuring device having predetermined sensitivity to pressure change by using various types of ultra-thin films, and microfluidic device capable of removing micro bubbles inside channel by using support patterns protruding from porous ultra-thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240280604A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-ho Han,Hyung-Seok CHO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Inje University. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods of manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: EP4225555A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Method of manufacturing a multiple track thin film recording head

Номер патента: US5546650A. Автор: Richard H. Dee. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 1996-08-20.

Device and method to measure the complex permeability of thin films at ultra-high frequencies

Номер патента: US5744972A. Автор: Zhengxiang Ma,Robert Bruce van Dover,Paul Anthony Polakos,Paul Matthew Mankiewich,Vladislav Korenivski. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-04-28.

Thin film magnetic head slider, magnetic head support mechanism, magnetic disk drive, and method of manufacturing magnetic head

Номер патента: US7362544B2. Автор: Mikio Tokuyama,Masayuki Kurita,Hidekazu Kohira,Toshiya Shiramatsu,Masahiko Soga. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-04-22.

Device and method for detecting a substance using a thin film resonator (FBAR) having an insulating layer

Номер патента: US9046464B2. Автор: Thomas Huber,Matthias Schreiter,Martin Nirschl,Dana Pitzer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-06-02.

Method for forming high tc superconductive thin films

Номер патента: US5922651A. Автор: Masahiro Kawamura,Hiroki Hoshizaki. Владелец: Advanced Mobile Telecommunication Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-13.

Device and method for heating material, which is possible to smoke

Номер патента: RU2704113C1. Автор: Митчел ТОРСЕН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2019-10-24.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Thin-film bulk acoustic wave delay line

Номер патента: US09473106B2. Автор: William Hunt,James Geoffrey Maloney,Adam Wathen,Farasat Munir,Kyle Spencer Davis,Ryan Sloan Westafer. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin film-based microfluidic electronic device, method of forming thereof, and skin and tissue adhesive applications

Номер патента: US20230031505A1. Автор: Tsz Him CHING,Michinao Hashimoto,Kento YAMAGISHI,Hiroto KOSHIKA. Владелец: SINGAPORE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND DESIGN. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Piezoelectric single-crystal element, mems device using same, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230120240A1. Автор: Sang Goo Lee. Владелец: Ibule Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: WO2014162287A3. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2014-12-24.

Method for forming fine pattern of polymer thin film

Номер патента: US20100159139A1. Автор: Sang Chul Lim,Doo Hyeb Youn,Seong Hyun Kim,Yong Suk Yang,Zin Sig Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Methods of forming group iii piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material

Номер патента: US20240164216A1. Автор: Craig Moe,Dae Ho Kim,Jeffrey B. Shealy,Mary Winters,Abhay Saranswarup Kochhar. Владелец: Akoustis, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of forming group iii-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers

Номер патента: US20240088860A1. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers

Номер патента: US11832521B2. Автор: Craig Moe,Jeffrey M. Leathersich. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Dynamic infrared scene generation and projection system and methods

Номер патента: US20240212542A1. Автор: Christopher Fink,William Hilton,Steve BUTRIMAS,Dan BYBEE,Isaac EHLERS,J. Russ MOULTON, Jr.. Владелец: JRM Enterprises Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film actuator having transversely oriented structural stiffeners to increase actuator stroke

Номер патента: WO2021242443A1. Автор: Marco Mattila,Tommi Riekkinen,Risto Heikki MUTIKAINEN,Nikolay CHEKUROV. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Thin film actuator having transversely oriented structural stiffeners to increase actuator stroke

Номер патента: EP4158699A1. Автор: Marco Mattila,Tommi Riekkinen,Risto Heikki MUTIKAINEN,Nikolay CHEKUROV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-04-05.

Organic thin film transistor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080023695A1. Автор: Bo Sung Kim,Keun Kyu SONG,Seung Hwan Cho,Tae Young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Method and system for patterning material in a thin film device

Номер патента: US20050148196A1. Автор: Thomas Anthony,Manish Sharma,Hoon Lee. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-07-07.

Ink droplet volume measuring apparatus and ink droplet volume measuring method using the same, and thin film layer forming apparatus using the measuring apparatus, and manufacturing method of display apparatus using the thin film layer forming apparatus

Номер патента: US20240251648A1. Автор: Jeongwon HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing wiring circuit board

Номер патента: US20090263748A1. Автор: Keiji Takemura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Molecular electronic device including organic dielectric thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20080054256A1. Автор: Junghyun Lee,Hyoyoung Lee,Jonghyurk Park,Nak Jin CHOI,Gyeong Sook BANG,Ja Ryong KOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-03-06.

Magnetic sensor and method of manufacturing magnetic sensor

Номер патента: US20210141035A1. Автор: Daizo Endo. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-05-13.

Thin-film capacitor structures embedded in semiconductor packages and methods of making

Номер патента: WO2010126966A1. Автор: Venkatesh Sundaram,David Ross McGregor,Deepukumar M. NAIR,Fuhan Liu,Cheong-Wo Hunter Chan,Lynne E. Dellis. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Heteropyrene-based semiconductor materials for electronic devices and methods of making the same

Номер патента: US20090001353A1. Автор: Deepak Shukla,Douglas R. Robello,Ann L. Carroll-Lee,Wendy G. Ahearn,Thomas R. Welter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Stretchable optical device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240081129A1. Автор: Seung Min Shin,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Organic electronic device, method of producing the same, and method of operating the same

Номер патента: EP1179863A3. Автор: Kazufumi Ogawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof

Номер патента: US6030083A. Автор: Yong-Ki Min,Myoung-Jin Kim. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Full color organic electroluminescent display device and method of fabrication

Номер патента: US6075316A. Автор: Franky So,Thomas B. Harvey, Iii,Song Q. Shi,Hsing-Chung Lee. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Thin film piezoelectric vibrator, thin film piezoelectric bulk acoustic wave resonator, and radio-frequency filter using such resonator

Номер патента: US20110181154A1. Автор: Atsushi Isobe,Hisanori Matsumoto,Kengo Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Automatic Thin Film Peeling Machine and Thin Film Peeling Method Thereof

Номер патента: US20180295727A1. Автор: Ching-Chih Chang. Владелец: Tomort Automation Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Thin film electroluminescent (EL) panel

Номер патента: US5124204A. Автор: KEIICHI Uno,Shigeo Nakajima,Masaru Yoshida,Yoshiki Murakami,Takuo Yamashita. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-06-23.

Surface acoustic wave device with KNb03 piezoelectric thin film, frequency filter, oscillator, electronic circuit, and electronic apparatus

Номер патента: US20020145488A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Hydrogen sensor utilizing rare earth metal thin film detection element

Номер патента: US6006582A. Автор: Thomas H. Baum,Gautam Bhandari. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

OLED display device including touch sensors and method for manufacturing same

Номер патента: US11877492B2. Автор: WENXU Xianyu,Wenliang GONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Display backboard, display panel and method of manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: US11818915B2. Автор: Yang Yue,Shi Shu,Xiang Li,Yong Yu,Haitao Huang,Chuanxiang XU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Piezoelectric thin film element, and piezoelectric thin film device

Номер патента: US20120306314A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Akira Nomoto,Kazufumi Suenaga. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2052970C. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-07-02.

Method of manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, and method of manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film

Номер патента: EP0534811A3. Автор: Michitomo Cabinet Ballot-Schmit Iiyama,So Cabinet Ballot-Schmit Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-06-02.

Array substrate comprising light shielding portion and method for manufacturing the same

Номер патента: US11825694B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of forming multilayer semiconductor thin film

Номер патента: US20120025173A1. Автор: Mari Sasaki,Norihito Kobayashi,Takahiro Ohe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof

Номер патента: US5984481A. Автор: Yong-Ki Min,Myoung-Jin Kim. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of recording electrical signals

Номер патента: GB940096A. Автор: . Владелец: Gretag AG. Дата публикации: 1963-10-23.

Display apparatus including a blocking layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230363213A1. Автор: Jin Jeon,Chulho Kim,Injun Bae,Beohmrock Choi,Yunhwan Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Improved method of forming bottom-gate thin film transistors using mixed solutions to form semiconductor and insulating layers

Номер патента: JP5102946B2. Автор: シー アリアス アナ. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2012-12-19.

Method for manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, method for manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film and superconducting thin film manufactured thereby

Номер патента: CA2077047A1. Автор: Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: So Tanaka. Дата публикации: 1993-03-01.

Thin-film saw device utilizing rayleigh mode

Номер патента: US20220393660A1. Автор: Markus Hauser,Ingo Bleyl,Matthias Knapp. Владелец: RF360 Europe GmbH. Дата публикации: 2022-12-08.

Efficient and stable perovskite thin film prepared at room temperature, solar cell and preparation method of efficient and stable perovskite thin film

Номер патента: CN111987218A. Автор: 李刚,陈志亮. Владелец: Shenzhen Research Institute HKPU. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of treatment for water repellency, thin film forming method and method of manufacturing organic EL device using this method, organic EL device, and electric device

Номер патента: TW589918B. Автор: Hidekazu Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-01.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120056184A1. Автор: Yong-Woo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-08.

Light emitting device and method of manufacturing method thereof and thin film forming apparatus

Номер патента: US7744949B2. Автор: Hiroko Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

Barrier thin film sealing structure of electronic element part, display device, electronic device, and manufacturing method of electronic element part

Номер патента: JPWO2003061346A1. Автор: 陽一 今村,今村　陽一. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

A kind of preparation method of big crystal grain perovskite thin film

Номер патента: CN108054284A. Автор: 蔡颖,王世荣,李祥高,肖殷. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-18.

Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus

Номер патента: US7462372B2. Автор: Hiroko Yamazaki,Toshimitsu Konuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-09.

Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays

Номер патента: CA2469500A1. Автор: Dave Lovell,Terry Hunt. Владелец: Terry Hunt. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing thermochromic substrate

Номер патента: US9657385B2. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing thermochromic substrate

Номер патента: US09657385B2. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of peeling and transferring hetero-epitaxially grown graphene films and products containing said films

Номер патента: RU2568718C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-20.

Method of forming organic thin film and exposure method

Номер патента: US20110189617A1. Автор: Yoshihiro Naka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Method of manufacturing cell-nanoscale thin film composite

Номер патента: US20190127693A1. Автор: Toshiaki Abe,Nobuhiro Nagai,Jin Suzuki,Hirokazu Kaji. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-05-02.

Method Of Manufacturing Thermochromic Substrate

Номер патента: US20130149441A1. Автор: Yong Won Choi,Yung-Jin Jung,Hyun Bin Kim,Seulgi Bae. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Ferroelectric thin film and forming method thereof

Номер патента: US20230323562A1. Автор: Jungwon Park,Kunwoo Park. Владелец: INSTITUTE FOR BASIC SCIENCE. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-barbotage method for oxidation of hydrocarbons by forming and utilizing liquid phase thin film

Номер патента: WO2011053818A3. Автор: Vladimir Zakoshansky. Владелец: Illa International, Llc. Дата публикации: 2011-09-22.

Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process

Номер патента: US20040146448A1. Автор: David Evans,Sheng Hsu,Wei-Wei Zhuang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2004-07-29.

Au-sn-bi alloy powder paste, au-sn-bi alloy thin film, and method for forming au-sn-bi alloy thin film

Номер патента: EP2929975A4. Автор: Masayuki Ishikawa,Yoshifumi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-07-06.

Method of preparation of single-crystal films

Номер патента: GB1384745A. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1975-02-19.

Method for incorporating an additive into a thin film formed on a substrate

Номер патента: US6723377B2. Автор: Jean-Paul Cano,Yves Leclaire. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Thin-film material and method for producing same

Номер патента: US20050129935A1. Автор: Toyoki Kunitake,Mineo Hashizume. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2005-06-16.

Food contact resealing label material, food contact resealing label, preparation method of materials and application materials

Номер патента: WO2019076261A1. Автор: Shufeng Li,Shumang LI,Qiumei ZHOU. Владелец: Guangzhou Jinwanzheng Printing Material Co., Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of Manufacturing Optical Component

Номер патента: US20120291491A1. Автор: Hirotaka Suzuki,Yuko Morita. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Novel compounds capable of forming photoconvertible organic thin films and articles having organic thin films

Номер патента: KR100699216B1. Автор: 요시타카 후지타,도시아키 다카하시,하루오 사소. Владелец: 닛뽕소다 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-03-28.

Novel compounds capable of forming photoconvertible organic thin films and articles having organic thin films

Номер патента: WO2004067540A1. Автор: Toshiaki Takahashi,Yoshitaka Fujita,Haruo Saso. Владелец: NIPPON SODA CO., LTD.. Дата публикации: 2004-08-12.

Anti-fouling polyurethane thin film with high elasticity and high transparency, preparation method and use thereof

Номер патента: US20220127428A1. Автор: Xu Wu,Zhengping Wang,Danfeng Yu,Xiubin Xu,Minhuan Liu,Taoyan Mao. Владелец: Guangzhou University. Дата публикации: 2022-04-28.

Wear resistant thin film coating and combination

Номер патента: US5798182A. Автор: Paul M. LeFebvre,Timothy C. Engel,Leonard P. Mott. Владелец: Optical Coating Laboratory Inc. Дата публикации: 1998-08-25.

Au-Sn-Bi ALLOY POWDER PASTE, Au-Sn-Bi ALLOY THIN FILM, AND METHOD FOR FORMING Au-Sn-Bi ALLOY THIN FILM

Номер патента: US20160016265A1. Автор: Ishikawa Masayuki,Yamamoto Yoshifumi. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-21.

Manufacturing method of super hydrophilic titanium oxide thin film and titanium oxide thin film manufactured by the method

Номер патента: KR20120069093A. Автор: 김진호,황종희,임태영,이미재,김세기. Владелец: 한국세라믹기술원. Дата публикации: 2012-06-28.

Manufacturing Method of Graphene Coated Carbon Ultra-Thin Film and Graphene Coated Carbon Ultra-Thin film by same the method

Номер патента: KR102219873B1. Автор: 박지웅,남준식,샴슈딘 모하메드. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of forming water-repellent thin film

Номер патента: JPH1179789A. Автор: Takashige Yoneda,貴重 米田,Yoshitada Suzuki,良忠 鈴木. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-23.

Method of forming noble metal thin film pattern

Номер патента: JP3591529B2. Автор: 寛 内藤,潔 夏目. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2004-11-24.

A method of preparing metal phthalocyanine monocrystal thin films in the grapheme modified substrate of copper film

Номер патента: CN107747130B. Автор: 窦卫东. Владелец: University of Shaoxing. Дата публикации: 2018-09-11.

ZINC OXIDE PRECURSOR CONTAINING ALKYL ZINC HALIDE AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20130129923A1. Автор: Yoo Young Zo,Choi Eun-Ho,Park Taejung,Lee Sang Ick,Park Sooho,Kim Seohyun,Park Jeongwoo,Yoon GunSang,Kim Myong Woon,Kim Bogyeong,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

ZINC OXIDE PRECURSOR AND METHOD OF DEPOSITING ZINC OXIDE-BASED THIN FILM USING THE SAME

Номер патента: US20130171341A1. Автор: Choi Eun-Ho,Park Taejung,Lee Sang Ick,Yoo YoungZo,Park Sooho,Kim Seohyun,Park Jeongwoo,Yoon GunSang,Kim Myong Woon,Kim Bogyeong,Shin Hyung Soo,Yoo Seung Ho,Lee Sang Do,Yim Sang Jun. Владелец: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating and method of manufacturing semiconductor device or thin film transistor-liquid crystal device using the same

Номер патента: KR101858256B1. Автор: 양진석,이경호,김성훈. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2018-05-16.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

A kind of preparation method of nano combined polyvinyl fluoride thin film

Номер патента: CN106280143A. Автор: 吴迪,邹宇帆,许博伟. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

A kind of preparation method of chitosan-polyurethane anti-fog thin film

Номер патента: CN107987304A. Автор: 姚伯龙,谈敏,徐颖聪. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-04.

A kind of method of purifying carbon nano-tube thin film

Номер патента: CN106477550A. Автор: 方英,李红变,史济东. Владелец: National Center for Nanosccience and Technology China. Дата публикации: 2017-03-08.

Preparation method of molybdenum dioxide nanowire/nanosheet thin film array with good electrocatalytic hydrogen evolution performance

Номер патента: CN110359061B. Автор: 王岩,张勇,吴玉程,崔接武,舒霞,秦永强,刘志民,魏浩山. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2021-04-13.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040068861A1. Автор: Makoto Yoshida,Taro Oike,Atsushi Iijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010040762A1. Автор: Makoto Yoshida,Taro Oike,Atsushi Iijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Thin film endovascular electrode array and method of fabrication

Номер патента: US20240215889A1. Автор: Ellis Meng,Brianna Leilani THIELEN. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-07-04.

Electrophoretic display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20080037106A1. Автор: Keun Kyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Metallic decorative sheet, production method of metallic decorative sheet, and production method of insert molded body using metallic decorative sheet

Номер патента: US20110318545A1. Автор: Kaoru Goto,Yoshihide Goto,Kenji Sakuma. Владелец: Sanwa Screen Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Metallic decorative sheet, production method of metallic decorative sheet, and production method of insert molded body using metallic decorative sheet

Номер патента: US8728577B2. Автор: Kaoru Goto,Yoshihide Goto,Kenji Sakuma. Владелец: Sanwa Screen Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Optical method measuring thin film growth

Номер патента: EP1425551A2. Автор: Colin James Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-06-09.

Display substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170293190A1. Автор: Duk Sung Kim,Ik Han Oh,Young Min Jung,Hyuk Jin Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Optical method measuring thin film growth

Номер патента: US20040239953A1. Автор: Colin Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Liquid crystal display device having a thin film transistor substrate with a multi-cell gap structure and method of manufacturing same

Номер патента: WO2004053570A2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jae-Young Lee,Yong-kyu Jang,Sang-Woo Kim,Young-Nam Yun,Sung-Eun Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of forming patterned thin film and method of forming magnetic pole of thin-film magnetic head

Номер патента: US20020031727A1. Автор: Yuji Asanuma. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for manufacturing functional mixture-coated skin attachment thin film and skin-attachment thin film manufactured by using same

Номер патента: EP4374908A1. Автор: Ki Don Kim,Jun-Ho Jeong,Soon-Hyoung Hwang,Sohee JEON,Hyeok Jung Kang. Владелец: Crscube America Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Flux Transformer Formed of an Oxide Superconducting Thin Film and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: CA2145827A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hirokazu Kugai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-30.

Driver for driving display panel and method for reading / writing in memory thereof and thin film transistor liquid crystal display using the same

Номер патента: US20080170050A1. Автор: Heng-Sheng Chou,Chun-Hung Huang,Ying-Chi Wang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-07-17.

Methods and apparatus for preparing thin-film specimens

Номер патента: US20240255388A1. Автор: Jeffrey Bowser. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods and apparatus for preparing thin-film specimens

Номер патента: WO2024163556A1. Автор: Jeffrey Bowser. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin film-planar structure and method for producing the same

Номер патента: US6406637B1. Автор: Akira Shimokohbe,Seiichi Hata. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2002-06-18.

Preparation method and application of nano-modified graphene-based thin-film sensor

Номер патента: LU503607B1. Автор: Haidan Lin. Владелец: Electric Power Res Institute Of Jilin Electric Power Co Ltd Jilin China. Дата публикации: 2023-09-12.

Thin film polarizer having superior optical properties, manufacturing method thereof, and polarizing plate and display device including the same

Номер патента: US09684104B2. Автор: Sung-Hyun Nam,Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Roll and method for manufacturing powder

Номер патента: EP4400213A1. Автор: Kenichi Harai. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Liquid crystal display and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090256979A1. Автор: Chong-Chul Chai,Kyoung-Ju Shin,Se-Young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Method and apparatus for measuring thin film thickness using x-ray

Номер патента: US09644956B2. Автор: Shi Surk KIM,Sang Bong Lee,Seong Uk LEE,Joo Hye Kim. Владелец: Nano CMS Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Pressure sensor of strain gauge type with a thin film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2657362C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Наталья Анатольевна Козлова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-06-13.

Method of producing powder

Номер патента: US20010008049A1. Автор: Hiroshi Noro,Shigeaki Fujinami,Eiichiro Misaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Angle-resolved spectroscopic ellipsometer using spatial light modulator and thickness measuring method for thin film

Номер патента: US20240369473A1. Автор: Min Gyu Kim,Heui Jae Pahk. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing the thin-film magnetic head, the thin-film magnetic head, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US20130100555A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Shigeki Tanemura,Hiroyuki Ito,Kazuki Sato,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Potential sensor, electrophotographic image forming apparatus including the potential sensor, and manufacturing method of potential sensor

Номер патента: US20100054773A1. Автор: Motohiro Ogura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Potential sensor, electrophotographic image forming apparatus including the potential sensor, and manufacturing method of potential sensor

Номер патента: US8306447B2. Автор: Motohiro Ogura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-11-06.

Polishing method of soft magnetic layer in thin-film magnetic head, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070230064A1. Автор: Hiroshi Kamiyama,Hiroshi Yamazaki,Makoto Hasegawa,Atsuhiro Nonaka,Teruhisa Shindo,Kazukiko Maejima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Thin film envelope

Номер патента: US09604215B2. Автор: Donato Pompa. Владелец: Premier Lab Supply Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing replica diffraction grating

Номер патента: US20060061866A1. Автор: Ryo Tateno. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Method and apparatus for measuring the composition and other properties of thin films

Номер патента: EP1257806A4. Автор: Peter A Rosenthal,Sylvie Charpenay,Victor A Yakovlev. Владелец: MKS Instruments Inc. Дата публикации: 2009-07-15.

Additive manufacturing of large-area covalent organic framework thin films

Номер патента: US20230241642A1. Автор: Mark C. Hersam,William R. Dichtel,Austin M. Evans,Nathan P. Bradshaw. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-08-03.

Microcellular thermoplastic thin films formed by a solid-state foaming process

Номер патента: US09381723B2. Автор: Henry G. Schirmer,Vipin Kumar,Dustin Miller,John Chunpo Lu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin-film actuated mirror matrix and process of its manufacture

Номер патента: RU2140722C1. Автор: Джи Джеонг-Беом,Ким Донг-Кук,Ли Сеок-Вон. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 1999-10-27.

Thin film transistor array substrate with multiple chamfers and liquid crystal display device

Номер патента: US7598525B2. Автор: Hideo Kawano,Hideki Sunayama. Владелец: Info Vision Optoelectronics Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Thin film transistor array having storage capacitor

Номер патента: US20100096636A1. Автор: Han-Chung Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-04-22.

Driving thin film switchable optical devices

Номер патента: CA3205173A1. Автор: Gordon Jack,Anshu Pradhan,Disha Mehtani. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Non-volatile digital memory including thin film resistors

Номер патента: US09460789B2. Автор: Vincent Rabary,Nicolas Aupetit. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film configured to preserve alumina height in a magnetic recording head and methods of making the same

Номер патента: US09406324B1. Автор: Mary Agnes G. Perez,Jan Vincent Cullano,Estela Paguio. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-08-02.

Mucoadhesive drug delivery systems and methods of use

Номер патента: WO2024059952A1. Автор: Andrew B. MERKUR,Khoi Anh TRAN. Владелец: Madd Ophthalmics Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Polymeric thin film, method of forming thereof, and medical injection apparatus

Номер патента: WO2020185158A1. Автор: Michinao Hashimoto,Kento YAMAGISHI. Владелец: SINGAPORE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND DESIGN. Дата публикации: 2020-09-17.

Thin-film magnetic head and method of manufacturing same and thin-film magnetic head sub-structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20010042302A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Polymer thin films having high optical anisotropy

Номер патента: EP4110594A1. Автор: Sheng Ye,Tanya Malhotra,Andrew John Ouderkirk,Liliana Ruiz Diaz,Arman Boromand. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-04.

Method of measuring electroconductivity of thin metal films

Номер патента: RU2697473C1. Автор: Алексей Владимирович Ишков,Сергей Федорович Дмитриев,Владимир Николаевич Маликов,Александр Олегович Катасонов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-08-14.

Touch panel, method of producing the same, optical thin film substrate and method of producing the same

Номер патента: US09891731B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Toshihiro Suzuki,Makoto Arai,Manabu Harada,Masashi Kubo,Atsuhito Ihori,Hidenori Yanagitsubo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Mask for x-ray lithography and method of manufacturing the same

Номер патента: US5132186A. Автор: Susumu Takeuchi,Nobuyuki Yoshioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Method of making thin-film humidity sensor

Номер патента: RU2682259C1. Автор: Иван Михайлович Филиппов,Павел Васильевич Винокуров,Айыысхан Иванович Алексеев,Альберт Николаевич Капитонов,Светлана Афанасьевна Смагулова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Восточный федеральный университет имени М.К.Аммосова". Дата публикации: 2019-03-18.

Semiconductor sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110067484A1. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor sensor and method for manufactruing the same

Номер патента: US20090184381A1. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US7986017B2. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US7863696B2. Автор: Takayuki Kondo,Teruo Takizawa,Masayoshi Todorokihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

Thin film actuated mirror array and method for the manufacture thereof

Номер патента: US5900998A. Автор: Dong-Kuk Kim,Seok-Won Lee,Jeong-Beom Ji. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Protective film module and method for manufacturing display device using the same

Номер патента: US20240103202A1. Автор: Kitaek Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming multi layer thin film using laser

Номер патента: TW200914922A. Автор: Il-ho Kim. Владелец: Cowindst Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Thin film peeling apparatus

Номер патента: CA1311642C. Автор: Shigeo Sumi,Mitsuhiro Seki. Владелец: Somar Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Thin-film magnetic head, method of manufacturing the same, head gimbal assembly, and hard disk drive

Номер патента: US20090296275A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hiroyuki Ito,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20040240111A1. Автор: Jota Ito,Yasumi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20030215671A1. Автор: Jota Ito,Yasumi Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Thin film medical device and delivery system

Номер патента: US20060069428A1. Автор: Frederick Feller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Humidity sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030056571A1. Автор: Akira Shibue,Kenryo Namba. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US7217468B2. Автор: Jota Ito,Yasumi Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Thin film application device and thin film forming method

Номер патента: US20190200732A1. Автор: Masayo SHINODA,Takashi Shiga,Kazuma Tsujita,Hiroshi Kanemaru. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US7241471B2. Автор: Jota Ito,Yasumi Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-10.

Security element and method for the production thereof

Номер патента: US8733797B2. Автор: Manfred Heim. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2014-05-27.

Method of producing powder

Номер патента: EP1116564A3. Автор: Hiroshi Noro,Shigeaki Fujinami,Eiichiro Misaki. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2002-07-10.

Potential sensor, electrophotographic image forming apparatus including the potential sensor, and manufacturing method of potential sensor

Номер патента: US20120241083A1. Автор: Motohiro Ogura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Dispensing unit for a thin film dispenser and thin film dispenser having the same

Номер патента: MY161147A. Автор: WU Chien-Lung. Владелец: SDI Corp. Дата публикации: 2017-04-14.

Methods and system for electrostatic discharge protection of thin-film transistor backplane arrays

Номер патента: US8884641B2. Автор: Edward J. Bawolek,Curtis D. Moyer,Sameer M. Venugopal. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2014-11-11.

Thin film evaluation method, mask blank, and transfer mask

Номер патента: US8609307B2. Автор: Masaru Tanabe,Kazuya Sakai. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2013-12-17.

Thin film thickness measurement using multichannel infrared sensor

Номер патента: CA2563777C. Автор: Steve Axelrod,Igor N. Germanenko. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-03-20.

Transmissive wavelength tunable hyperspectral filter using layered twisted liquid crystal thin film

Номер патента: US20240125991A1. Автор: Bogyu LIM,Young-ki Kim,Kwang Hun Park,Yejin Kim,Jun-Hyung Im,Yeongseon Choi,Seungju Jeon. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2024-04-18.

SAW determination of surface area of thin films

Номер патента: US4947677A. Автор: Stephen J. Martin,Gregory C. Frye,Antonio J. Ricco. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-08-14.

Method for estimating oxide semiconductor thin film and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: CN102313849B. Автор: 钉宫敏洋,森田晋也,三木绫,安野聪,前田刚彰. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Liquid crystal display device with data switching thin film transistor for inspection and inspection method thereof

Номер патента: US8264661B2. Автор: Sang Ho Kim,Hun Jeoung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Structure for thin film magnetic head, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head

Номер патента: JP5005274B2. Автор: 芳高 佐々木,浩幸 伊藤,和夫 石崎,雄大 堀中. Владелец: ヘッドウェイテクノロジーズ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2012-08-22.

Specimens for measuring the bonding strength of thin film and methods for measuring the bonding strength of thin film using the same

Номер патента: KR20150069913A. Автор: 이재상,지금영. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2015-06-24.

Cadmium-free CuInGaSe thin film solar cell assembly and preparing method of zinc sulfide buffer layer thin film thereof

Номер патента: CN102254998A. Автор: 卢兰兰,刘壮,肖旭东,贺凡. Владелец: Shenzhen Institute of Advanced Technology of CAS. Дата публикации: 2011-11-23.

Optical multi-layer thin film, optical element, and method for producing the optical multi-layer thin film

Номер патента: US20090161219A1. Автор: Hitoshi Ishizawa,Shunsuke Niisaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

PDMS thin film having a lattice patterning structure for improving radiative cooling effect and method for producing the PDMS thin film

Номер патента: KR102153946B1. Автор: 이승윤,이봉재,송재만. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2020-09-09.

Method of forming superion conductive thin film

Номер патента: JPS5937604A. Автор: 徹一 工藤,宮内　克己,菅沼　庸雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-03-01.

A method of forming a stretch-thinned film laminate and a nonwoven, resulting laminate and products incorporating said laminate.

Номер патента: FR2720684B1. Автор: Ann Louise Mccormack,Karen Lynn English,Lance James Garrett Jr. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 1997-01-03.

Soft magnetic film, method of manufacturing the same, and thin-film magnetic head using the soft magnetic film

Номер патента: JP3396455B2. Автор: 光雄 川崎,久幸 矢澤,吉弘 金田,光博 後藤. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-14.

TOUCH PANEL, METHOD OF PRODUCING THE SAME, OPTICAL THIN FILM SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160109971A1. Автор: Suzuki Toshihiro,Kubo Masashi,Matsumoto Masahiro,HARADA Manabu,ARAI Makoto,IHORI Atsuhito,YANAGITSUBO Hidenori. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

DISPOSABLE FLOW VELOCITY MEASURING DEVICE HAVING PREDETERMINED SENSITIVITY TO PRESSURE CHANGE BY USING VARIOUS TYPES OF ULTRA-THIN FILMS, AND MICROFLUIDIC DEVICE CAPABLE OF REMOVING MICRO BUBBLES INSIDE CHANNEL BY USING SUPPORT PATTERNS PROTRUDING FROM POROUS ULTRA-THIN FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20210123941A1. Автор: Kim Jin-ho,HAN Ki-Ho,CHO Hyung-Seok. Владелец: INJE UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2021-04-29.

Controlling method of the thickness of a thin film when forming that film

Номер патента: EP0451329B1. Автор: Susumu Komoriya,Masataka Shiba,Yashuhiko Hachimanyama Apt. 233 Nakayama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-01-28.

Patterning method of transparent conductivity film and thin film transistor substrate for display device using the same and fabricating method thereof

Номер патента: KR100538326B1. Автор: 안병철. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

A contact structure of a wires and a method of manufacturing the same, and thin film transistor substrate including the contact structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR20010105973A. Автор: 김상갑. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

A kind of integrated device and preparation method of pliable pressure sensor and thin film transistor (TFT)

Номер патента: CN105841849B. Автор: 周涛,全勇,陈志�,刘腾飞,魏雄邦,肖伦. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2019-02-15.

Method of determining properties of patterned thin film metal structures using transient thermal response

Номер патента: EP1573267A1. Автор: Michael Gostein,Alexei Maznev. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

Method of accurately measuring compositions of thin film shape memory alloys

Номер патента: US6620634B2. Автор: A. David Johnson,Valery Martynov. Владелец: TiNi Alloy Co. Дата публикации: 2003-09-16.

For the preparation method of the silver/titanium dioxide thin-film material of blue light Hologram Storage

Номер патента: CN104810031B. Автор: 韩强,刘益春,张昕彤,付申成. Владелец: NorthEast Normal University. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of producing a poly-Si thin film transistor by using a layer of CeO2 and an A/R coating layer

Номер патента: KR100367638B1. Автор: 유진수,준 신 이,김도영,이인,안병재. Владелец: 준 신 이. Дата публикации: 2003-01-10.

SYSTEMS AND METHODS FOR TREATING A METAL SUBSTRATE THROUGH THIN FILM PRETREATMENT AND A SEALING COMPOSITION

Номер патента: US20180043393A1. Автор: Martin Justin J.,Sylvester Kevin T.,Votruba-Drzal Peter L.,Brown-Tseng Elizabeth S.,Wang Shuqi. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

DEVICE AND METHOD FOR PRINTING FUNCTIONAL MATERIAL ON BIOCOMPATIBLE THIN-FILM

Номер патента: US20150059968A1. Автор: MASUDA Tomoki,Kusukame Haruka,SHINODA MASAYO,HARADA MITSURU. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD OF MANUFACTURING MASK ASSEMBLY FOR THIN FILM DEPOSITION

Номер патента: US20140239049A1. Автор: KANG Taek-Kyo,Lee Sang-Shin,Ko Jung-Woo. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-28.

Apparatus and method for interferometrically measuring the thickness of thin films using full aperture irradiation

Номер патента: KR960013677B1. Автор: 엠. 레드거 안토니. Владелец: 휴우즈 에어크라프트 캄파니. Дата публикации: 1996-10-10.

Manufacturing method of citrus concentrate using centrifugal thin film evaporator and pulsed electric field, and citrus concentrate manufactured thereby

Номер патента: KR101978432B1. Автор: 남영주,최혁준,한복경. Владелец: 주식회사 비케이바이오. Дата публикации: 2019-05-14.

Device and method for detecting a substance using a thin film resonator (fbar) having an insulating layer

Номер патента: CN104764802A. Автор: M.尼尔施尔,T.胡贝尔,D.皮策尔,M.施雷特. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-07-08.

Thin-film magnetic head suitable for narrower tracks and preventing write fringing and method for making the same

Номер патента: US6597534B1. Автор: Kiyoshi Sato. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-22.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of manufacture of high-temperature thin-film resistor

Номер патента: RU2326460C1. Автор: Игорь Валерь нович Волохов,Игорь Валерьянович Волохов,Евгений Владимирович Песков,Дмитрий Валентинович Попченков. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-06-10.

The method of production of devices with thin film superconducting junctions

Номер патента: RU2442246C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Леонид Сергеевич Кузьмин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН. Дата публикации: 2012-02-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Generating Alternating Current

Номер патента: US20120001491A1. Автор: Greizer Frank,Laschinski Joachim,Engel Bernd,Cramer Guenther. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of sputtering targets from cast disilicide of refractory metal and facility for its implementation

Номер патента: RU2356964C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Евгений Дмитриевич Штинов. Владелец: Вадим Георгиевич Глебовский. Дата публикации: 2009-05-27.

WATER TREATMENT SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120000851A1. Автор: . Владелец: DXV Water Technologies, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing monophase intermetallic thin film

Номер патента: RU2553148C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-10.

THIN FILM PHOTOELECTRIC COVERSION MODULE

Номер патента: US20120000505A1. Автор: Chan Chung-Pui,Yeh Hsieh-Hsin. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM SEMICONDUCTOR ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF FORMING CRYSTALLINE SILICON THIN FILM, AND APPARATUS FOR FORMING CRYSTALLINE SILICON THIN FILM

Номер патента: US20120309140A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-12-06.

Thin film electroluminescent element

Номер патента: CA1242021A. Автор: Atsushi Abe,Yosuke Fujita,Tomizo Matsuoka,Tsuneharu Nitta,Takao Tohda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-09-13.

Thin film actuated mirror array having dielectric layers

Номер патента: MY114982A. Автор: Yong-Geun Lim. Владелец: Daewoo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-31.

Hard magnetic alloy thin film with a perpendicular magnetic anisotropy prepared by a nonepitaxial growth and method of the same

Номер патента: TW201250676A. Автор: Sheng-Chi Chen,Po-Cheng Kuo,Ching-Ray Chang,Chih-Lung Shen,Ta-Huang Sun,cong-da Chen. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2012-12-16.

COMPOSITION FOR OXIDE THIN FILM, METHOD OF PREPARING THE COMPOSITION, METHOD OF FORMING THE OXIDE THIN FILM, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120049181A1. Автор: Kim Hyun Jae,RIM You Seung,KIM Dong Lim. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of forming polycrystalline silicon thin film, and ploycrystalline silicon and thin film transistor famed by the method

Номер патента: HK1105483A1. Автор: WONG Man,Kwok Hoi-Sing,Meng Zhiguo. Владелец: Univ Hong Kong Science & Techn. Дата публикации: 2008-02-15.

METHOD OF FORMING SEED LAYER AND METHOD OF FORMING SILICON-CONTAINING THIN FILM

Номер патента: US20130109155A1. Автор: Okada Mitsuhiro,KAKIMOTO Akinobu,HASEBE Kazuhide. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-05-02.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH DENSITY CIS THIN FILM FOR SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20130045565A1. Автор: Yoon Kyung-Hoon,Shin Kee-Shik,Cho Ara,Yun Jae-Ho,Ahn Se-Jin,Ahn Seoung-Kyu,SONG Ki-Bong,Gwak Ji-Hye. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Apparatus for ion-plasma etching and depositing thin films

Номер патента: RU2540318C2. Автор: Алексей Алексеевич Исаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-02-10.

Ferroelectric thin film material, manufacturing method of ferroelectric thin film material, manufacturing method of dielectric bolometer using ferroelectric thin film material, dielectric bolometer, and infrared detection element using the same

Номер патента: JP3683095B2. Автор: 実 野田,和彦 橋本,雅則 奥山,久保　　竜一,華平 許. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2005-08-17.

Method of manufacturing optical thin film and method of manufacturing substrate having optical thin film

Номер патента: JP3404346B2. Автор: 健 川俣. Владелец: Olympus Optic Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Method of regulating resistance value of thin film resistance element

Номер патента: JPS5630705A. Автор: Yasuo Kitahata,Yuuzou Ozaki. Владелец: Yokogawa Electric Works Ltd. Дата публикации: 1981-03-27.

Method of improving planarization of ITO thin film

Номер патента: TW200407459A. Автор: Tiau-Hung Shiau. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-05-16.

Hybrid thin film, antireflection film and optical member comprising the same, and method for restoring defogging performance of hybrid thin film

Номер патента: JP2003255107A. Автор: Hiroshi Shirakawa,剛史 三石,謙一 新出,寛 白川,Takashi Mitsuishi,Kenichi Niide. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

A method of growing a silicon carbide thin film on a (111) silicon substrate

Номер патента: TW201042709A. Автор: Jenn-Chang Hwang,Jui-Min Liu,Wei-Yu Chen,Wei-Cheng Lai,Chih-Fang Hwang,Shao-How Lu. Владелец: Prec Silicon Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Method of making low dielectric constant thin film

Номер патента: TWI231000B. Автор: Ming-Sheng Yang,Neng-Huei Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-04-11.

Method of making ni-w-p thin-film resistors

Номер патента: PL288130A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

Method of making ni-co-p thin-film resistors

Номер патента: PL288129A1. Автор: Zbigniew Pruszowski. Владелец: Politechnika Slaska Im Wincent. Дата публикации: 1992-06-15.

Method of manufacturing an amorphous-silicon thin-film transistor.

Номер патента: SG19094G. Автор: SAKAE Tanaka,Yoshiaki Watanabe. Владелец: Seikosha Co Limited. Дата публикации: 1994-06-10.

Method of fabricating low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: TWI283070B. Автор: Shih-Lung Chen,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-06-21.

OXIDE SEMICONDUCTOR COMPOSITION AND PREPARATION METHOD THEREOF, METHOD OF FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, METHOD OF FABRICATING ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20120313096A1. Автор: . Владелец: Industry-Academics Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2012-12-13.

METHOD OF PRODUCING POROUS VALVE METAL THIN FILM AND THIN FILM PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20130017115A1. Автор: Komukai Tetsufumi,Osako Toshiyuki. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Nano honeycomb titanium dioxide structure thin film with rough surface and preparation method of nanohoneycomb titanium dioxide structure thin film

Номер патента: CN102418133A. Автор: 何春年,赵乃勤,师春生,刘恩佐,李家俊,杜希文,初飞. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-18.

Method of forming highly functional thin film

Номер патента: JP2657140B2. Автор: 精一 木山,均 平野,洋一 堂本. Владелец: Sanyo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-24.

Method of forming barium titanate thin film

Номер патента: JP3161472B2. Автор: 政 米沢,清二 山中. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2001-04-25.

Method of forming soft magnetic thin film

Номер патента: JP3038084B2. Автор: 俊之 藤根. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-05-08.

Method of forming aluminum nitride thin film on alumina sintered body surface

Номер патента: JPS62128989A. Автор: 元井　操一郎. Владелец: Onoda Cement Co Ltd. Дата публикации: 1987-06-11.

Method of forming orientation organic thin film

Номер патента: JPS6278200A. Автор: Shuzo Hattori,Shinzo Morita,Masahiro Tawada,服部　秀三,慎三 森田,昌弘 多和田. Владелец: Research Development Corp of Japan. Дата публикации: 1987-04-10.

Method of forming crystalline semiconductor thin film

Номер патента: JP2001308008A. Автор: Shinji Maekawa,Yoshinobu Nakamura,真司 前川,好伸 中村,Yasuyuki Umenaka,靖之 梅中. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-11-02.

Method of forming coil for thin film magnetic head

Номер патента: JP2733728B2. Автор: 悦文 小林,隆充 織本. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming compound semiconductor thin film

Номер патента: JP2687862B2. Автор: 隆宏 中村. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-08.

Method of forming silicon type thin film

Номер патента: JP2007262551A. Автор: Mitsuo Yamazaki,Taku Iwade,Koji Taguchi,Masamitsu Yamashita,卓 岩出,雅充 山下,貢士 田口,光生 山崎. Владелец: Toray Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of forming metal oxide thin film

Номер патента: JP2007088013A. Автор: Takayuki Okada,Makoto Ishida,誠 石田,和明 澤田,貴行 岡田,Kazuaki Sawada. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming semiconductor oxide thin film

Номер патента: JP2663523B2. Автор: 靖 森田,和夫 西山. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-10-15.

Method of forming pyroelectric porcelain thin film

Номер патента: JPS5723407A. Автор: Masaaki Mitarai,Keini Takamatsu,Kouichirou Takahashi. Владелец: National Institute for Research in Inorganic Material. Дата публикации: 1982-02-06.

TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM LAMINATED BODY AND PRODUCTION METHOD OF SAME, AND SILICON-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120024381A1. Автор: Abe Yoshiyuki,Nakayama Tokuyuki. Владелец: Sumitomo Metal Mining., Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

LIQUID AND METHOD FOR REMOVING CSD COATED FILM, FERROELECTRIC THIN FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120100330A1. Автор: Sakurai Hideaki,Watanabe Toshiaki,Soyama Nobuyuki. Владелец: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-26.

Ladder-like lower alkylpolysilsesquioxane capable of forming heat-resistant thin film

Номер патента: JPS5813632A. Автор: 孝志 宇加地,Taro Suminoe,Yoshio Matsumura,Nagahiko Tomomitsu,Ikuo Nozue,Takashi Ukaji,松村　喜雄,野末　幾男,友光　長彦,住江　太郎. Владелец: Japan Synthetic Rubber Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-26.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING METAL WIRING AND THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE USING THE SAME

Номер патента: US20120322187A1. Автор: Park Ji-Young,CHOI Shin Il,Kim Sanggab,CHOUNG Jong-Hyun,KIM Seon-il,SONG Jeanho,LEE Suckjun,PARK Youngchul,YU Inho,JIN Youngjun,KWON O byoung,JANG Sanghoon,LIM Minki. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY

Номер патента: US20130032802A1. Автор: PARK Jong-Hyun,Lee Yul-Kyu,Kim Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-02-07.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY INCLUDING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130037812A1. Автор: PARK Jong-Hyun,You Chun-Gi,Lee Yul-Kyu,Park Sun,MOON Sang-Ho. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-02-14.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE, ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130112976A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo,KIM Byoung-Ki. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-05-09.

Holographic method of determination of characteristics of thin films of thermoplastic media

Номер патента: SU1555696A1. Автор: Борис Николаевич Тюшкевич,Михаил Николаевич Нижник. Владелец: Институт электроники АН БССР. Дата публикации: 1990-04-07.

METHOD OF PRODUCTION OF CIS-BASED THIN FILM SOLAR CELL

Номер патента: US20120258562A1. Автор: . Владелец: SHOWA SHELL SEKIYU K. K.. Дата публикации: 2012-10-11.

Method of x-ray diffractometry of thin films

Номер патента: SU1536284A1. Автор: Виталий Васильевич Аристов,Леонид Григорьевич Шабельников. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов АН СССР. Дата публикации: 1990-01-15.

A kind of preparation method of chemical modification wood fibre thin-film material

Номер патента: CN105061789B. Автор: 施庆珊,陈铭杰. Владелец: Guangdong Institute of Microbiology. Дата публикации: 2019-03-01.

Method of electric-spark application of thin-film coatings

Номер патента: SU730522A1. Автор: Михаил Константинович Мицкевич,Алла Ивановна Бушик,Иван Алексеевич Бакуто,Владимир Анатольевич Шилов,Жорж Адамович Мрочек. Владелец: Физико-технический институт АН Белорусской ССР. Дата публикации: 1980-04-30.

Method of making magnetic cores of thin-film magnetic heads

Номер патента: SU1683066A1. Автор: Сергей Викторович Павлов,Леонид Николаевич Герасимук,Василий Андреевич Сагайдак,Елена Андреевна Шейгас,Игорь Михайлович Брызгин. Владелец: Предприятие П/Я В-8071. Дата публикации: 1991-10-07.

Holographic method of determination of thermoplastic media thin film rheological characteristics

Номер патента: SU945846A1. Автор: Андрей Андреевич Козак,Николай Григорьевич Находкин,Святослав Иванович Сорока,Иван Иванович Ляшко,Юрий Маркович Барабаш,Николай Георгиевич КУВШИНСКИЙ. Владелец: Киевский Ордена Ленина Государственный Университет Им.Т.Г.Шевченко. Дата публикации: 1982-07-23.

Method of measuring the thickness of thin films on substrates

Номер патента: SU684299A1. Автор: Владимир Афанасьевич Конев,Николай Николаевич Пунько,Николай Васильевич Любецкий. Владелец: Центральное Конструкторское Бюро С Опытным Производством. Дата публикации: 1979-09-05.

Sputtering target material, manufacturing method of sputtering target material, and manufacturing method of laminated substrate with piezoelectric thin film

Номер патента: JP7022853B2. Автор: 和俊 渡辺,憲治 柴田,文正 堀切. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Substituted cyclopentadienyl cobalt complex and method for producing the same, cobalt-containing thin film and method for producing the same

Номер патента: JP6537365B2. Автор: 賢一 多田,有紀 山本,泰志 古川,尚之 小礒. Владелец: Sagami Chemical Research Institute (Sagami CRI). Дата публикации: 2019-07-03.

A kind of preparation method of high tuning rate BMNT thin-film material

Номер патента: CN104087904B. Автор: 许丹,李玲霞,董和磊,金雨馨,于士辉. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-29.

A kind of preparation method of Konjac Glucomannan and the thin-film evaporator adopted thereof

Номер патента: CN103193896B. Автор: 刘敏,李进伟,李云霄,张林峰,肖湘,罗立新,朱维维,罗天瑞. Владелец: WUHAN KONIFIBER BIOTECHNOLOGY CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Method of measuring elastic modulus of thin film type optical path control device

Номер патента: KR19980069193A. Автор: 김성욱. Владелец: 배순훈. Дата публикации: 1998-10-26.

METHOD OF PREPARATION OF HIGH-CONDUCTIVE THIN FILMS BASED ON Cu6PS5I IODIDE-PENTATHYPHOSPHATE AS A MATERIAL FOR SOLID-ELECTROLYTIC GELGER

Номер патента: UA112612U. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2016-12-26.

METHOD OF FABRICATING CIS OR CIGS THIN FILM

Номер патента: US20120051998A1. Автор: . Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE INCLUDING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120052609A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of manufacturing laterally coupled BAW thin films

Номер патента: US20120086523A1. Автор: . Владелец: TEKNOLOGIAN TUTKIMUSKESKUS VTT. Дата публикации: 2012-04-12.

Methods of Soldering to High Efficiency Thin Film Solar Panels

Номер патента: US20120088327A1. Автор: WANG FEI,Kress Markus,Brand Adam,Chang Inchu,Liu Kuo-Wei,Straub Axel. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-04-12.

Thin Film Transistor, Organic Light Emitting Diode (OLED) Display Including the Same, and Manufacturing Methods of Them

Номер патента: US20120097966A1. Автор: Lee Jae-Yong,Jung In-young,Kim Kwang-Nam,Kim Beong-Ju,Ahn Ji-Su. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD OF PRODUCING COMPOUND NANORODS AND THIN FILMS

Номер патента: US20120148756A1. Автор: . Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING CHARACTERISTICS OF MULTI-LAYERED THIN FILMS

Номер патента: US20120176623A1. Автор: Ham Suk Jin,Lee Chang Yun,Park June Sik. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-12.

METHODS OF AND HYBRID FACTORIES FOR THIN-FILM BATTERY MANUFACTURING

Номер патента: US20120312474A1. Автор: Haas Dieter,NALAMASU Omkaram,Kwak Byung-Sung,Bangert Stefan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

THIN FILM TRANSISTOR AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY USING THE SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130001580A1. Автор: SEO Jin-Wook,Lee Tak-Young,LEE Ki-Yong,JEONG Min-Jae,SON Yong-Duck. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD OF MANUFACTURING AN ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM

Номер патента: US20140093997A1. Автор: LEE Sang-Yoon,JIN Yong-wan,Chung Jong Won,Bao Zhenan,KOO Bon Won,GIRI Gaurav. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

Forming method of nitrogen-doped silicon carbide thin film

Номер патента: CN102097304B. Автор: 周鸣. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Apparatus and method for evaluating thickness of semiconductor multilayer thin film

Номер патента: JP2728773B2. Автор: 誠治 西澤,亮一 深沢,徳治 高橋,亮 服部. Владелец: NIPPON BUNKO KK. Дата публикации: 1998-03-18.

Magnetic detection element, method of manufacturing the same, and thin film magnetic head using the magnetic detection element

Номер патента: JP3774375B2. Автор: 直也 長谷川. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-10.

Semi-coaxial resonator type measuring jig and method for measuring electrical properties of dielectric thin film

Номер патента: JP4247992B2. Автор: 明 中山,吉宏 中尾. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of manufacturing and structure for thin film infrared sensor

Номер патента: KR970005149B1. Автор: 이돈희. Владелец: 구자홍. Дата публикации: 1997-04-12.

Preparation method of Bi-based chalcogenide thermoelectric thin film

Номер патента: CN102337524B. Автор: 陈立东,陈喜红,刘付胜聪,孙正亮. Владелец: Shanghai Institute of Ceramics of CAS. Дата публикации: 2013-07-17.

Method of manufacturing pole pieces for thin-film magnetic heads

Номер патента: SU1203580A1. Автор: Георгий Николаевич Розоринов,Сергей Николаевич Миронов,Андрей Александрович Снарский. Владелец: Киевский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции. Дата публикации: 1986-01-07.

Method of producing stannic oxide transparent thin film fluorescent su bstance

Номер патента: JPS5271394A. Автор: Kiyotaka Wasa,Shigeru Hayakawa,Takao Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-14.

Preparation method of nitrogen-doped titanium oxide thin film

Номер патента: CN103160802A. Автор: 万军,陈波,李超波,夏洋,黄成强,饶志鹏,石莎莉,赵柯杰,吕树玲. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-06-19.

Method of manufacturing array substrate and thin film transistor array panel

Номер патента: CN100399134C. Автор: 廖达文. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-07-02.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.