MEMORY ELEMENT WITH ION CONDUCTOR LAYER IN WHICH METAL IONS DIFFUSE AND MEMORY DEVICE INCORPORATING SAME.

MEMORY ELEMENT WITH ION CONDUCTOR LAYER IN WHICH METAL IONS DIFFUSE AND MEMORY DEVICE INCORPORATING SAME

Номер патента: US20150333256A1
Опубликовано: 19-11-2015
Автор(ы): Aratani Katsuhisa, HONDA MOTONARI, Maesaka Akihiro, Miyata Koji, Mizuguchi Tetsuya, Ohba Kazuhiro
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Vertical-type non-volatile memory devices having dummy channel holes

Номер патента: US09406692B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210225874A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11812611B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230094910A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device incorporating selector element with multiple thresholds

Номер патента: US09812499B1. Автор: Hongxin Yang,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Programmable resistance memory elements with electrode interface layer and memory devices including the same

Номер патента: US20160043310A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Memory element, memory apparatus

Номер патента: US09553255B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Ferroelectric memory device and operation method thereof

Номер патента: US11765907B2. Автор: Masaharu Kobayashi,Toshiro Hiramoto,Fei MO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-09-19.

Switching device, rewritable logic integrated circuit, and memory device

Номер патента: US20090034318A1. Автор: Noriyuki Iguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09806130B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Layer structure for magnetic memory element, magnetic memory element, magnetic memory device, and method for storing data in magnetic memory element

Номер патента: US20230282262A1. Автор: Teruo Ono. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Back-side memory element with local memory select transistor

Номер патента: US20210313391A1. Автор: Arvind Kumar,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory device comprising a non-phase-changing amorphous chalcogenide memory layer and a metal chalcogenide ion-source layer

Номер патента: US09564583B2. Автор: Minoru Ishida,Katsuhisa Aratani,Akira Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09941304B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Testing method, manufacturing method, and testing device of memory device

Номер патента: US09653182B1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09407269B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for electroforming in the manufacture of a memory element

Номер патента: RU2769536C1. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев,Егор Сергеевич Горлачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им. К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2022-04-01.

Three-dimensional memory device containing inverted staircase and method of making the same

Номер патента: US20240260268A1. Автор: Yoshitaka Otsu,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180069177A1. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10573810B2. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Nonvolatile Memory Device Including Dual Memory Layers

Номер патента: US20240268125A1. Автор: Yiming Huai,Zhiqiang Wei,Zihui Wang,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a magnetic memory device

Номер патента: US7211511B2. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Three-dimensional memory device containing inverted staircase and method of making the same

Номер патента: WO2024163028A1. Автор: Yoshitaka Otsu,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory device

Номер патента: US20240250182A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Volatile memory device employing a resistive memory element

Номер патента: US09953697B2. Автор: Tanmay Kumar,Alper Ilkbahar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device including a protection insulating pattern

Номер патента: US09698198B2. Автор: Jongchul Park,Young-Seok Choi,Jaehun SEO,Hyun-woo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory device having three-dimensional arrayed memory elements

Номер патента: US09666293B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09653681B2. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory device manufacturing method with memory element having a metal-oxygen compound

Номер патента: US20130260528A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083000A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

One-time programmable memory device

Номер патента: WO2023247645A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20230420063A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional flat nand memory device having curved memory elements and methods of making the same

Номер патента: US20200286915A1. Автор: Yanli Zhang,Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Capacitor integrated with memory element of memory cell

Номер патента: US20230422519A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Gregory A. Northrop,Joseph Versaggi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for Manufacturing a Magnetic Memory Device by Pre-Patterning a Bottom Electrode prior to Patterning a Magnetic Material

Номер патента: US20190207104A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Girish Jagtiani. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory devices and memory device forming methods

Номер патента: US09831287B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Non-volatile memory device containing oxygen-scavenging material portions and method of making thereof

Номер патента: US09812505B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetism-controllable dummy structures in memory device

Номер патента: US09698200B2. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Darin Chan,Wanbing YI,Shunqiang Gong,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory element with a reactive metal layer

Номер патента: US09570515B2. Автор: Darrell Rinerson,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Christophe J. Chevallier,Edmond R. Ward,Steve Kuo-Ren Hsia,Philip F. S. Swab. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory elements with relay devices

Номер патента: US09520182B2. Автор: Irfan Rahim,Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt,Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Resistive memory elements, resistive memory cells, and resistive memory devices

Номер патента: US09419220B2. Автор: John K. Zahurak,D. V. Nirmal Ramaswamy,Muralikrishnan Balakrishnan,Sanh D. Tang,Alessandro Torsi,Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: WO2020154082A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Stress-engineered resistance-change memory device

Номер патента: US8841745B2. Автор: Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-09-23.

Three-dimensional memory device containing integrated contact-and-support assemblies and methods of making the same

Номер патента: WO2024137025A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Tomohiro Kubo,Masato Miyamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnetic Memory Element with Multi-Domain Storage Layer

Номер патента: US20130292784A1. Автор: Xiaobin Wang,Yuankai Zheng,Dimitar V. Dimitrov,Pat J. Ryan,Haiwen Xi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-11-07.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: US20130285004A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210083004A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device

Номер патента: US20210296568A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Taichi IGARASHI,Shogo ITAI,Toshiyuki Enda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140021434A1. Автор: Naomi Yamada,Akira Kouchiyama,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

One transistor and N memory element based memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US12096638B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetic memory element

Номер патента: US20140264669A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Vertical gate NAND memory devices

Номер патента: US09570459B2. Автор: Bruce Lynn Bateman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory devices

Номер патента: US09466361B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device and method of layouting auxiliary pattern

Номер патента: US09455271B1. Автор: Yuji Setta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Hybrid non-volatile memory device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09431608B2. Автор: Bernard Dieny,Luca Perniola. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory Element and Semiconductor Device, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080205132A1. Автор: Yoshiharu Hirakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: EP3915140A1. Автор: Mark Thomas McCormack,Anik MEHTA,Louis Charles II KORDUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-12-01.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9595562B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20170141298A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Sonos memory device with reduced short-channel effects

Номер патента: WO2007072396A3. Автор: Francois Neuilly,Schaijk Robertus T F Van,Duuren Michiel Van. Владелец: Duuren Michiel Van. Дата публикации: 2007-10-11.

Memory device for storing electrical charge and method for fabricating the same

Номер патента: US20040262637A1. Автор: Reinhard Stengl,Herbert Schafer,Hans Reisinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for producing an integrated circuit including a fuse element, a fuse-memory element or a resistor element

Номер патента: US20080029477A1. Автор: Georg Seidemann,Reinhard Goellner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09985204B2. Автор: Jinwoo Lee,Jeonghee Park,Zhe Wu,Dongho Ahn,Heeju Shin,Ja Bin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory element, memory apparatus

Номер патента: US09917248B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Conductive metal oxide structures in non-volatile re-writable memory devices

Номер патента: US09767897B2. Автор: Wayne Kinney,Lawrence Schloss,Rene Meyer,Julie Casperson Brewer. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Write current reduction in spin transfer torque memory devices

Номер патента: US09754996B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Dmitri E. Nikonov,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device with increased separation between memory elements

Номер патента: US09548448B1. Автор: Yiming Huai,Dong Ha JUNG,Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for making a magnetic random access memory element with small dimension and high quality

Номер патента: US09437811B2. Автор: Rongfu Xiao. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory Device, Semiconductor Device, and Driving Method Thereof

Номер патента: US20080144349A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Konami Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Memory device and memory device module

Номер патента: US20230411237A1. Автор: Shuzo Akejima. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device and memory device module

Номер патента: US12009282B2. Автор: Shuzo Akejima. Владелец: Meiko Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9087770B2. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12120885B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240365560A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini,Chun-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09984754B2. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device and element

Номер патента: US09735343B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor nonvolatile memory element

Номер патента: US09613970B2. Автор: Hirofumi Harada,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Magnetoresistive memory element having a metal oxide tunnel barrier

Номер патента: US09444037B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Dimitri Houssameddine,Jason Janesky. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device and method of manufacturing the device by simultaneously conditioning transition metal oxide layers in a plurality of memory cells

Номер патента: US20060267086A1. Автор: Steven Holmes,Mark Hakey,David Horak,Charles Koburger,Toshijaru Furukawa,Chung Lam,Gerhard Meijer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Magnetic domain wall type analog memory element, magnetic domain wall type analog memory, nonvolatile logic circuit, and magnetic neuro-element

Номер патента: US20200126631A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory element for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030038312A1. Автор: Thomas Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-27.

Three-dimensional memory device including capped molybdenum word lines and method of making the same

Номер патента: US20230420370A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US20220406794A1. Автор: Naoki Takeguchi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140284542A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device

Номер патента: US20200303637A1. Автор: Hiroki Kawai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory element and memory apparatus with a plurality of magnetic layers and an oxide layer

Номер патента: US20150303375A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Non-volatile memory elements with a narrowed electrode

Номер патента: US20210320249A1. Автор: Eng Huat Toh,Lup San Leong,Juan Boon Tan,Kin Wai Tang,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Three-state memory device

Номер патента: US20240365680A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Three-dimensional memory device containing memory openings arranged in non-equilateral triangular layout and method of making thereof

Номер патента: US20240332177A1. Автор: Fei Zhou,Ryo Nakamura,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-state memory device

Номер патента: US12075710B2. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory element with thermal-assisted switching control

Номер патента: US09870822B2. Автор: Zhiyong Li,Ning Ge,Jianhua Yang. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812458B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09799822B2. Автор: Shunsuke Fukami,Nobuyuki Ishiwata,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Tadahiko Sugibayashi,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2017-10-24.

Multi-bit memory elements, memory devices including the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09484087B2. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425107B2. Автор: Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Three-dimensional memory device with layer contact via structures located in a memory array region and methods of forming the same

Номер патента: US20240381639A1. Автор: Takaaki IWAI,Yuji TOTOKI,Keisuke Izumi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Nonvolatile resistive memory element with an oxygen-gettering layer

Номер патента: US09331276B2. Автор: Milind Weling,Tony P. Chiang,Dipankar Pramanik. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Memory element, memory device, and semiconductor device

Номер патента: EP1866964A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Mikio Yukawa,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Memory element and memory device

Номер патента: US9159911B2. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Three-dimensional memory device with word line side-contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: WO2024123476A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US20210184111A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US20240155954A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Three-dimensional memory device containing epitaxial ferroelectric memory elements and methods for forming the same

Номер патента: US20210036018A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory element with a hardmask stack having different stress levels

Номер патента: US20230189655A1. Автор: Chih-Chao Yang,Michael RIZZOLO,Oscar van der Straten,Daniel Charles Edelstein,Scott A. DeVries,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US20220293533A1. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming the buffer layer in the LTPS products

Номер патента: US9117659B2. Автор: YuanHsin LEE,MinChing HSU. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240321342A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming the buffer layer in the ltps products

Номер патента: US20140322905A1. Автор: YuanHsin LEE,MinChing HSU. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device including a mid-stack source layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240363165A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Masanori Tsutsumi,Naohiro Hosoda,Takumi Moriyama,Kento SAKANE. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic memory element with composite fixed layer

Номер патента: US09831421B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Bing K. Yen,Xiaojie Hao. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Honeycomb cell structure three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US09812461B2. Автор: Ryoichi Honma,Yasushi Doda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: US09773839B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Phase change memory element

Номер патента: US09735352B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09640759B1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Three-dimensional memory device including discrete charge storage elements with laterally-protruding profiles and methods of making thereof

Номер патента: US11968834B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Magnetic memory element, method for producing same, and magnetic memory

Номер патента: US20210091304A1. Автор: Hideo Sato,Hiroaki Honjo,Shoji Ikeda,Masaaki Niwa,Toshinari Watanabe,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit metallic ion diffusion defect validation

Номер патента: US20200243403A1. Автор: Mark Thomas McCormack,II Louis Charles Kordus,Anik MEHTA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-01-31.

Three-dimensional memory device including discrete charge storage elements with laterally-protruding profiles and methods of making thereof

Номер патента: WO2022186848A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-09.

Semiconductor memory element and semiconductor memory device

Номер патента: US8390054B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Masao Shingu,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20180331281A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Three-dimensional memory device including ferroelectric-metal-insulator memory cells and methods of making the same

Номер патента: US20210358931A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Magnetic memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140269037A1. Автор: Minoru Amano,Hiroshi Imamura,Daisuke Saida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Three-dimensional memory device with corrosion-resistant composite spacer

Номер патента: US20210104540A1. Автор: LU Zhang,Bo Xu,Chuan Yang,Ping Yan,Jing Gao,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Three-dimensional memory device containing self-aligned isolation strips and methods for forming the same

Номер патента: US12127406B2. Автор: Takashi Inomata,Takaaki IWAI,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory element and memory apparatus

Номер патента: US09984735B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US09911489B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic memory element and memory device

Номер патента: US09818464B2. Автор: Naoharu Shimomura,Minoru Amano,Daisuke Saida,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetic memory element with composite perpendicular enhancement layer

Номер патента: US09780300B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan,Bing K. Yen. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Three-dimensional magnetic memory element

Номер патента: US09601544B2. Автор: Tai Min. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US09543508B2. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Embedded nonvolatile memory elements having resistive switching characteristics

Номер патента: US09444047B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang,Vidyut Gopal. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Fully isolated selector for memory device

Номер патента: US09437658B2. Автор: Yukihiro Sakotsubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile memory device using a tunnel oxide as a passive current steering element

Номер патента: US8901530B2. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Resistance change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180175289A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Nonvolatile Memory Device Using a Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130337606A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory device

Номер патента: US11961916B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Three dimensional flash memory element with middle source-drain line and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355743A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2019-11-21.

Programmable impedance memory elements with laterally extending cell structure

Номер патента: US8952351B1. Автор: Michael A. Van Buskirk. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20200091233A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20240233797A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional NOR array including vertical word lines and discrete memory elements and methods of manufacture

Номер патента: US12035535B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Three-dimensional memory device containing ferroelectric memory elements encapsulated by transition metal nitride materials and method of making thereof

Номер патента: US20210050371A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US12046285B2. Автор: Naoki Takeguchi,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Etching composition for semiconductor substrate for memory element and method for manufacturing semiconductor substrate for memory element using same

Номер патента: US20240287385A1. Автор: Toshiyuki Oie,Po-Hung Wang,Tomoyuki Adaniya,Chih-Liang Yang. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: WO2020139846A8. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321742A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321740A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata,Masanori OISUGI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device with vertical semiconductor bit lines located in recesses and method of making thereof

Номер патента: US09859337B2. Автор: Abhijit Bandyopadhyay,Christopher J. Petti,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Resistive three-dimensional memory device with heterostructure semiconductor local bit line and method of making thereof

Номер патента: US09818801B1. Автор: Peter Rabkin,Christopher J. Petti,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09536892B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Programmable logic circuit architecture using resistive memory elements

Номер патента: US09461649B2. Автор: Bingjun Xiao,Jingsheng J. CONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-10-04.

Devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US11063037B2. Автор: Scott E. Sills,Kurt D. Beigel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-13.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: WO2009142884A3. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-02-18.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345842A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG,Keng-Ming Kuo,Yuan-Jen Lee,Jun-Yao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170207272A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160268342A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetic tunnel junction element with ru hard mask for use in magnetic random-access memory

Номер патента: US20200343298A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Jacob Anthony HERNANDEZ,Cheng Wei Chiu. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory device and method for manufacturing memory device

Номер патента: US20230284537A1. Автор: Kazuya Sawada,Kazuhiro Tomioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device, method for controlling the same, and mobile electronic device

Номер патента: MY139990A. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Kei Tokui,Yoshifumi Yaoi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2009-11-30.

Three-dimensional memory device including dipole-containing blocking dielectric layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240074170A1. Автор: Takashi Yuda,Ippei Yasuda,Noriyuki NAGAHATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device

Номер патента: US20210118900A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Three-dimensional flat nand memory device having curved memory elements and methods of making the same

Номер патента: US20200286903A1. Автор: Yanli Zhang,Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory device and method for making same

Номер патента: US9041084B2. Автор: Armin Tilke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-26.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Resistive memory element

Номер патента: US10050156B1. Автор: Lung-Han Peng,Jun-Wei Peng,Yen-Kai Chang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US9947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: US20240268241A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: EP4412425A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US20170162785A1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Resistive memory elements having conductive islands embedded within the switching layer

Номер патента: US20220069013A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines and a single-sided word line architecture

Номер патента: US09721653B2. Автор: George Samachisa,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Electrode configurations to increase electro-thermal isolation of phase-change memory elements and associated techniques

Номер патента: US09608042B2. Автор: Sanjay Rangan,Max F. Hineman,Giulio Albini,Fabio Pellizzer,Stephen W. Russell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09553258B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

3D independent double gate flash memory on bounded conductor layer

Номер патента: US09520485B2. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines

Номер патента: US09466790B2. Автор: George Samachisa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Barrier film techniques and configurations for phase-change memory elements

Номер патента: US09419212B2. Автор: Dale W. Collins,Allen Mcteer,Christopher W. Petz,Yongjun J. Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Magnetoresistive memory element and method of fabricating same

Номер патента: US09419208B2. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods for forming memory devices, and associated devices and systems

Номер патента: US20220302387A1. Автор: Michael B. Jeppson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory device

Номер патента: US11316097B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Taichi IGARASHI,Shogo ITAI,Toshiyuki Enda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Interconnect structures for logic and memory devices and methods of fabrication

Номер патента: US20200303623A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Gokul Malyavanatham. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Multi-element gain memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US11955153B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Three-dimensional memory device with logic signal routing through a memory die and methods of making the same

Номер патента: US20200343235A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

One transistor and n memory element based memory bit-cell having stacked and folded planar memory elements with and without offset

Номер патента: US20230284456A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140183437A1. Автор: Kazuhiro Ohba,Takeyuki Sone,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile memory elements with multiple access transistors

Номер патента: US20200227107A1. Автор: Bipul C. Paul,Harsh N. Patel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Resistive memory device

Номер патента: US20160028009A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US9972772B2. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory cell structure, method of manufacturing a memory, and memory apparatus

Номер патента: US20180226571A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Takashi Yokoyama,Shunichi Sukegawa,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Three-dimensional memory device containing integrated contact-and-support assemblies and methods of making the same

Номер патента: US20240213145A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Tomohiro Kubo,Masato Miyamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Ferroelectric tunnel junction unit, a manufacturing method of a ferroelectric film thereof, a memory element, and a method of reading and writing the memory

Номер патента: US20180366477A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for transistor memory element

Номер патента: US20240341101A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Otp elements with high aspect ratio mtj

Номер патента: US20200303386A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Bruce B. Doris,Babar Khan,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory element and programmable logic device

Номер патента: US09985636B2. Автор: Takayuki Ikeda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Phase change memory element

Номер патента: US09847479B2. Автор: Frederick T. Chen,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Gula Consulting LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Perpendicular magnetic memory element having magnesium oxide cap layer

Номер патента: US09748471B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Magnetic tunnel junction (MTJ) memory element having tri-layer perpendicular reference layer

Номер патента: US09608038B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Magnetic random access memory element having tantalum perpendicular enhancement layer

Номер патента: US09559144B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan,Bing K. Yen. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for driving memory element

Номер патента: US09502094B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory element and memory apparatus

Номер патента: US09484528B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of forming resistive memory elements

Номер патента: US9893282B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy,Christopher W. Petz,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

MTJ stack and bottom electrode patterning process with ion beam etching using a single mask

Номер патента: US9166154B2. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Dong Ha JUNG,Benjamin Chen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Phase change memory device

Номер патента: US9779805B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Roberto Gastaldi,Fabio Pellizzer,Roberto Bez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Variable resistance non-volatile memory element and variable resistance non-volatile memory device using the element

Номер патента: US11889776B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa,Hisashi Shima,Hiroyuki Akinaga,Atsushi Himeno,Ryutaro YASUHARA,Takehide Miyazaki,Yasuhisa Naitoh,Kengo NISHIO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods and apparatus for pattern matching in a memory containing sets of memory elements

Номер патента: US10984864B2. Автор: Vishal Sarin,Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20210257413A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20140134794A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Nonvolatile Memory Device Having An Electrode Interface Coupling Region

Номер патента: US20130217179A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Memory device

Номер патента: US20120127778A1. Автор: Koji Miyata,Wataru Otsuka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Reduced current memory device

Номер патента: US20170004883A1. Автор: Deepak Chandra Sekar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-05.

Write current reduction in spin transfer torque memory devices

Номер патента: US20140299953A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Dmitri E. Nikonov,Charles C. Kuo,David L. Kencke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Three-dimensional memory device including discrete charge storage elements and methods of making thereof

Номер патента: US20230345727A1. Автор: Satoshi Shimizu,Senaka Kanakamedala,Takumi Moriyama,Nobuyuki Fujimura. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230354602A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140376301A1. Автор: Tetsuya Mizuguchi,Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Magnetoresistive random access memory device structures and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2006049780A2. Автор: Mark A. Durlam,Mitchell T. Lien,Thomas V. Meixner,Loren J. Wise. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230084694A1. Автор: Chanmi LEE,Sangwuk PARK,Sanggyo Chung,Yejeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Magnetoresistive random access memory device structures and methods for fabricating the same

Номер патента: EP1807864A2. Автор: Mark A. Durlam,Mitchell T. Lien,Thomas V. Meixner,Loren J. Wise. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-18.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US20230071580A1. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for producing semiconductor substrate for memory elements

Номер патента: US20240170278A1. Автор: Toshiyuki Oie,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device having electrically insulated reset gate

Номер патента: US9825097B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10381368B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220310505A1. Автор: Hiroyuki Hama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160276264A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Tunnel junction laminated film, magnetic memory element, and magnetic memory

Номер патента: US20240284803A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hideo Sato,Shoji Ikeda,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for reducing size and center positioning of magnetic memory element contacts

Номер патента: US09793467B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Yong Ju Lee,Kaan OGUZ,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana Golizadeh Mojard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile memory devices with vertically integrated capacitor electrodes

Номер патента: US09659954B2. Автор: Hyun-Suk Kim,Kee-jeong Rho,Joon-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device with conductive columnar body

Номер патента: US09613896B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Interconnect structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US12137567B2. Автор: Zhenyu Lu,Feng Pan,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Local bit lines and methods of selecting the same to access memory elements in cross-point arrays

Номер патента: US8897050B2. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Chang Hua Siau,Seow Fong Lim,Sri Namala. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Method of producing a multi-site silicon pin-photosensitive element with low dark current level

Номер патента: RU2716036C1. Автор: Галина Владимировна Либерова,Артем Викторович Галашин,Дарья Григорьевна Манжуло. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2020-03-05.

Memory cells, memory systems, and memory programming methods

Номер патента: US10783961B2. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,D. V. Nirmal Ramaswamy,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Distributed bragg reflectors and devices incorporating same

Номер патента: CA2049848C. Автор: Seng-Tiong Ho,Edwin Arthur Chandross,Greg E. Blonder,Kenneth W. West,Samuel L. Mccall,Richart E. Slusher. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1995-12-05.

Nor type memory device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus comprising memory device

Номер патента: EP4307376A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-17.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US11605410B2. Автор: Adam L. Friedman,Olaf M. J. van 't Erve,Steven P. Bennett. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-14.

Three-dimensional nor-nand combination memory device and method of making the same

Номер патента: WO2022031349A1. Автор: Zhixin Cui,Hardwell Chibvongodze,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240023341A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device

Номер патента: US20160072060A1. Автор: Kikuko Sugimae,Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Three-dimensional cross-point memory device containing inter-level connection structures and method of making the same

Номер патента: US20200365654A1. Автор: Yuji Takahashi,Wei Kuo Shih. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Three-dimensional memory device containing templated crystalline ferroelectric memory elements and method of making thereof

Номер патента: US20240008281A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional memory device including a dummy word line with tapered corner and method of making the same

Номер патента: US20230328984A1. Автор: Takashi Kudo,Satoshi Shimizu,Nobuyuki Fujimura,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-volatile register file including memory cells having conductive oxide memory element

Номер патента: US20160141031A1. Автор: Brian Doyle,Sasikanth Manipatruni,Dmitri E. Nikonov,Ian Young,Elijah Ilya KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Ferroelectric tunnel junction memory device using a magnesium oxide tunneling dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US11805657B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20110084277A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Koichi Kawashima,Yuichiro Higuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Control circuit, semiconductor memory device, information processing device, and control method

Номер патента: US20210134338A1. Автор: Hiroyuki Tezuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140217598A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: US20240023345A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Data write circuit of resistive memory element

Номер патента: US20200082884A1. Автор: Hideo Ohno,Daisuke Suzuki,Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-03-12.

Stairless three-dimensional memory device and method of making thereof by forming replacement word lines through memory openings

Номер патента: US20240178129A1. Автор: Takaaki IWAI,Takayuki MAEKURA,Keisuke Izumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element

Номер патента: US9553052B2. Автор: Shinji Watanabe,Hiroaki Matsubara,Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Tomoshige Chikai,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Forming and operating memory devices that utilize correlated electron material (cem)

Номер патента: US20190334086A1. Автор: Lucian Shifren,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming and operating memory devices that utilize correlated electron material (cem)

Номер патента: US20180351098A1. Автор: Lucian Shifren,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

Three-dimensional cross-point memory device containing inter-level connection structures and method of making the same

Номер патента: US20200365658A1. Автор: Yuji Takahashi,Wei Kuo Shih. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Multistate magnetic memory element using metamagnetic materials

Номер патента: US20190333559A1. Автор: Adam L. Friedman,Steven P. Bennett,Olaf M.J. van 't Erve. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory device with flat-top bottom electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210217811A1. Автор: Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

On-chip temperature sensing with non-volatile memory elements

Номер патента: US20210164845A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Three-state memory device

Номер патента: US20230068094A1. Автор: Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure and method for memory element to confine metal with spacer

Номер патента: US20240130255A1. Автор: Young Seon You,Suk Hee JANG,Robert Viktor Seidel,Anastasia Voronova. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20170069829A1. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Amaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066461A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US20160276574A1. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US20210066336A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US12107048B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09997565B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Content addressable memory cells and memory arrays

Номер патента: US09711222B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09705073B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09698340B2. Автор: Satoshi Shirotori,Naoharu Shimomura,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09659996B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09653170B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US09589973B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Poly α-amino acid and ferroelectric memory element using same

Номер патента: US09464167B2. Автор: Satoru Ohashi,Manabu Kitazawa,Sei Uemura,Toshihide Kamata. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20240379552A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Nonvolatile memory element having a variable resistance layer whose resistance value changes according to an applied electric signal

Номер патента: US8686390B2. Автор: Takeshi Takagi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: CA2001682A1. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-28.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: US5196912A. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-23.

Memory device using movement of protons

Номер патента: US6159829A. Автор: George A. Brown,William L. Warren,Robert M. Wallace,Karel J. R. Vanheusden,Daniel M. Fleetwood,Roderick A. B. Devine,Leo B. Archer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20230215953A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory device containing composition-controlled ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064991A1. Автор: Joyeeta Nag,Fei Zhou,Tiffany Santos,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device containing composition-controlled ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064992A1. Автор: Joyeeta Nag,Fei Zhou,Tiffany Santos,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11916149B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377634A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Manganese-doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11908943B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Magnetic memory element and magnetic memory device

Номер патента: US20190051818A1. Автор: Yoshiaki Saito,Hiroaki Yoda,Soichi Oikawa,Mizue ISHIKAWA,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230371278A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional memory device containing bridges for enhanced structural support and methods of forming the same

Номер патента: US20230023523A1. Автор: Yusuke Yoshida,Kei NOZAWA,Hiromi MINAMITANI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Three-dimensional memory device containing self-aligned isolation strips and methods for forming the same

Номер патента: WO2023140877A1. Автор: Takashi Inomata,Takaaki IWAI,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Magnetic memory element and storage device using the same

Номер патента: US20170125665A1. Автор: Yasushi Ogimoto,Michiya Yamada. Владелец: III Holdings 3 LLC. Дата публикации: 2017-05-04.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US11854619B2. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US20230230637A1. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional memory device including aluminum alloy word lines and method of making the same

Номер патента: WO2023018452A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Fumitaka Amano,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Three-dimensional memory device including dielectric rails for warpage reduction and method of making the same

Номер патента: WO2023136852A1. Автор: Takayuki Yokoyama,Shin Sakiyama,Genta Mizuno,Toshiyuki Sega,Kenzo IIZUKA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional memory device with separated source-side lines and method of making the same

Номер патента: US11889684B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Akio Nishida,Masanori Tsutsumi,Shinsuke YADA,Mitsuteru Mushiga,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Giant Perpendicular Magnetic Anisotropy In Fe/GaN Thin Films For Data Storage And Memory Devices

Номер патента: US20190156983A1. Автор: Jiadong Zang,Jiexiang Yu. Владелец: UNIVERSITY OF NEW HAMPSHIRE. Дата публикации: 2019-05-23.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888067B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11848386B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11837664B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888066B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230337428A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional memory device including a dummy word line with tapered corner and method of making the same

Номер патента: US20230328981A1. Автор: Takashi Kudo,Satoshi Shimizu,Zhixin Cui,Nobuyuki Fujimura,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20240088299A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949018B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949017B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional memory device containing source rails and method of making the same

Номер патента: US20230328976A1. Автор: Tomohiro Kubo,Takaaki IWAI,Kento Iseri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Porous silicon membrane material, manufacture thereof and electronic devices incorporating same

Номер патента: US20220399549A1. Автор: Ryan G. REDFORD,Daniel Carothers,Janet M. ROVEDA,Joley D. Michaelson. Владелец: Sun Co Texas DBA Sun Co LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Bitcells for a non-volatile memory device

Номер патента: US10777607B1. Автор: Anuj Gupta,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US11910732B2. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Three-dimensional memory device including aluminum alloy word lines and method of making the same

Номер патента: US20230051815A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Fumitaka Amano,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory device containing ferroelectric-spacer-ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064995A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-dimensional memory device including a drain contact etch-stop dielectric layer and methods for forming the same

Номер патента: US20240038667A1. Автор: Ryo Nakamura,Naohiro Hosoda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Three-dimensional memory device containing isolation structures and methods for forming the same

Номер патента: US20230363165A1. Автор: Zhen Chen,Takaaki IWAI,Kazushi Komeda. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Porous silicon membrane material, manufacture thereof and electronic devices incorporating same

Номер патента: WO2020210804A1. Автор: Ryan G. REDFORD,Daniel Carothers,Janet M. ROVEDA,Joley D. Michaelson. Владелец: The Sun Company Llc. Дата публикации: 2020-10-15.

Resistive memory device containing carbon barrier and method of making thereof

Номер патента: US20180351093A1. Автор: Tanmay Kumar,Ming-Che Wu,Alvaro Padilla. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-06.

Three-dimensional memory device including aluminum alloy word lines and method of making the same

Номер патента: US11990413B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Fumitaka Amano,Linghan CHEN. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Three-dimensional memory device with dielectric isolated via structures and methods of making the same

Номер патента: US20210210503A1. Автор: James Kai,Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Yoshitaka Otsu,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Three-dimensional memory device with word line side-contact via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240186237A1. Автор: Masanori Tsutsumi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Self-aligned contact scheme for pillar-based memory elements

Номер патента: US20210020508A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory device including backside trench support structures and methods of forming the same

Номер патента: EP4049314A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-31.

Resistive memory elements accessed by bipolar junction transistors

Номер патента: US20240147736A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Alexander Derrickson,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US20230377651A1. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20200286910A1. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Porous silicon membrane material, manufacture thereof and electronic devices incorporating same

Номер патента: CA3136951A1. Автор: Ryan G. REDFORD,Daniel Carothers,Janet M. ROVEDA,Joley D. Michaelson. Владелец: Sun Co Texas DBA Sun Co LLC. Дата публикации: 2020-10-15.

Three-dimensional memory devices with lateral block isolation structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240196616A1. Автор: Tomohiro Kubo,Akihiro Tobioka. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional memory device including backside trench support structures and methods of forming the same

Номер патента: US20220181348A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-09.

Three-dimensional memory device including backside trench support structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2022125143A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-06-16.

Internal thermal transfer for memory device

Номер патента: US20210398964A1. Автор: John Burke. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230422498A1. Автор: Daisuke Kawamura,Tomonori SAKAGUCHI,Ikuya SAIKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230290404A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile memory elements

Номер патента: US5973357A. Автор: Junichi Hikita,Hiromi Uenoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-10-26.

Three-dimensional memory devices having through stair contacts and methods for forming the same

Номер патента: US12035530B2. Автор: Jianhua Sun,Ji XIA,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

3D non-volatile memory array utilizing metal ion source

Номер патента: US09947685B2. Автор: Shosuke Fujii,Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Multilayered seed structure for perpendicular MTJ memory element

Номер патента: US09793319B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan,Bing K. Yen,Roger K. Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and memory element

Номер патента: US09786382B1. Автор: Shinichi Yasuda,Mari Matsumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory elements having conductive structures with semimetals and/or semiconductors

Номер патента: US09711719B2. Автор: John Ross JAMESON,Foroozan Sarah Koushan. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09455257B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory element and nonvolatile memory device

Номер патента: US9082479B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koji Katayama,Satoru Mitani,Zhiqiang Wei. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Magnetic memory element and memory apparatus having multiple magnetization directions

Номер патента: US8809978B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Ultraviolet erasable nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4847667A. Автор: Seiichi Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Methods for forming three-dimensional memory device having channel structures with native oxide layer

Номер патента: WO2020073158A1. Автор: LEI Jin,Hongtao Liu,Qiguang Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of fabricating non-volatile memory device

Номер патента: US20050142725A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US11942429B2. Автор: Naoki Takeguchi,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide Alloys and Electronic Devices Incorporating the Same

Номер патента: US20180337331A1. Автор: Thomas L. Reinecke,Joshua A. Young. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods for forming three-dimensional memory devices with supporting structure for staircase region

Номер патента: US11901313B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional memory device with high mobility channels and nickel aluminum silicide or germanide drain contacts and method of making the same

Номер патента: US20220045088A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Peter Rabkin,Ashish Baraskar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Magnetoresistive Memory Element and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20160163964A1. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Magnetoresistive Memory Element and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20160013401A1. Автор: Renu Whig,Jon Slaughter,Nicholas Rizzo,Jijun Sun,Dimitri Houssameddine,Frederick MANCOFF. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US20220406379A1. Автор: Naoki Takeguchi,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Three-dimensional memory device containing variable thickness word lines with reduced length metal nitride diffusion barriers and methods for forming the same

Номер патента: US20230369208A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Three-dimensional memory devices having through array contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20200066739A1. Автор: Hongbin Zhu,Yushi Hu,Ji XIA,Mei Lan GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Three-dimensional memory devices having through array contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20200161322A1. Автор: Hongbin Zhu,Yushi Hu,Ji XIA,Mei Lan GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US20220406720A1. Автор: Naoki Takeguchi,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US11942136B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US10068910B2. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Three-dimensional memory device including dielectric rails for warpage reduction and method of making the same

Номер патента: US11923321B2. Автор: Takayuki Yokoyama,Shin Sakiyama,Genta Mizuno,Toshiyuki Sega,Kenzo IIZUKA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory-element-including semiconductor device

Номер патента: US11776609B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods for forming structurally- reinforced semiconductor plug in three-dimensional memory device

Номер патента: US20200058674A1. Автор: Yangbo Jiang,Liang Hui Wu,Ya Jun Wang,Jingping Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory device having shared read/write access line for 2-transistor vertical memory cell

Номер патента: US20200211615A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device

Номер патента: US20230301119A1. Автор: Kensuke Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using double pitch word line formation

Номер патента: US20220406793A1. Автор: Naoki Takeguchi,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Stairless three-dimensional memory device and method of making the same by forming replacement word lines

Номер патента: US20240178130A1. Автор: Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Stairless three-dimensional memory device containing meandering dielectric isolation structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240179904A1. Автор: Tomohiro Kubo,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US20130140511A1. Автор: Chi-I Lang,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Three-dimensional memory device including ferroelectric-metal-insulator memory cells and methods of making the same

Номер патента: US20210358952A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Photo-conductor layer for constituting radiation image panels

Номер патента: EP1702970A3. Автор: Motoyuki Takanaka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200176033A1. Автор: Fumitaka Arai,Keiji Hosotani,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320093A1. Автор: Masamichi Suzuki,Harumi SEKI,Yusuke Higashi,Kensuke Ota,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Photo-conductor layer for constituting radiation imaging panels

Номер патента: US7566880B2. Автор: Motoyuki Tanaka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Superlattice memory having GeTe layer and nitrogen-doped Sb2Te3 layer and memory device having the same

Номер патента: US10283707B2. Автор: Yoshiki Kamata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Electroplating systems and methods with increased metal ion concentrations

Номер патента: US20230272546A1. Автор: Kyle M. Hanson,Kwan Wook Roh,Charles Sharbono. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160071575A1. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US12127409B2. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Magnetoresistive memory device

Номер патента: US09947862B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Hiroyuki OHTORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Protecting layer in a semiconductor structure

Номер патента: US09859152B2. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Chi-Lin Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09607686B2. Автор: Yukihiro Fujimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Tunable variable resistance memory device

Номер патента: US09583703B2. Автор: Kristy A. Campbell. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Tunable variable resistance memory device

Номер патента: US09583699B2. Автор: Kristy A. Campbell. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device having lowered bit line resistance

Номер патента: US09496275B2. Автор: Masaya Hosaka,Hiroaki Kouketsu. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Nonvolatile memory element having a tantalum oxide variable resistance layer

Номер патента: US8217489B2. Автор: Satoru Fujii,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Strained multilayer resistive-switching memory elements

Номер патента: US9735356B2. Автор: Jennifer L. M. Rupp,Sebastian Schweiger,Felix Messerschmitt. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating a trench capacitor cell for a semiconductor memory device

Номер патента: US4877750A. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-10-31.

Counter with memory utilizing mnos memory elements

Номер патента: US3845327A. Автор: J Cricchi. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-10-29.

A memory cell that includes a carbon-based memory element and methods of forming the same

Номер патента: WO2011109271A1. Автор: April D. Schricker,Michael Y. Chan. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-09-09.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor element-using memory device

Номер патента: US20220367729A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Seed layers for a non-volatile memory element

Номер патента: US20200357984A1. Автор: Yuichi Otani,Kazutaka Yamane,Ganesh Kolliyil Rajan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for manufacturing a magnetic random-access memory device using post pillar formation annealing

Номер патента: US12069957B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ,Jorge Vasquez,Jacob Anthony HERNANDEZ,Georg Wolf,Thomas D. Boone. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Aluminum-doped lithium ion conductor based on a garnet structure

Номер патента: CA3112248C. Автор: Jörg Schumacher,Andreas Roters,Wolfgang Schmidbauer,Bernd Rudinger,Meike Schneider,Sebastian Leukel. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-10-31.

Metal-containing polymeric ion conductors

Номер патента: EP4272278A1. Автор: Charles Eliezer DIESENDRUCK,Dario R. Dekel. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Metal-containing polymeric ion conductors

Номер патента: US20240079622A1. Автор: Charles Eliezer DIESENDRUCK,Dario R. Dekel. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Alkali metal ion conductor and secondary battery

Номер патента: US20230299358A1. Автор: Keiichi Minami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and apparatus for intelligent ozone estimation and mitigation in a system with ion drag cooling

Номер патента: US20240134434A1. Автор: Travis C. North,Nikhil M. Vichare,Mitchell Anthony MARKOW. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for intelligent ozone estimation and mitigation in a system with ion drag cooling

Номер патента: US20240231457A9. Автор: Travis C. North,Nikhil M. Vichare,Mitchell Anthony MARKOW. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for intelligent ozone estimation and mitigation in a system with ion drag cooling

Номер патента: US12061504B2. Автор: Travis C. North,Nikhil M. Vichare,Mitchell Anthony MARKOW. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-13.

Separator for alkali metal ion battery

Номер патента: US09748544B2. Автор: Ashok V. Joshi. Владелец: Ceramatec Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Air battery including negative electrode, positive electrode, nonaqueous metal ion conductor, and oxygen evolving catalyst

Номер патента: US20180358628A1. Автор: Yu Otsuka,Masako Moriishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Lithium ion conductor precursor glass and lithium ion conductor

Номер патента: US20230369642A1. Автор: Tomomi Ono. Владелец: Ohara Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Post-deposition encapsulation of nanostructures: compositions, devices and systems incorporating same

Номер патента: EP1776225A2. Автор: Chao Liu,Jian Chen,Erik Scher,J. Wallace Parce,Xiangfeng Duan,Mihai Buretea,William P. Freeman,Francisco Leon,David Heald,Andreas Meisel,Jeffery A. Whiteford,Kyu S. Min,Rhett Brewer,Chu Karen Cruden. Владелец: Nanosys Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Post-deposition encapsulation of nanostructures: compositions, devices and systems incorporating same

Номер патента: WO2005123373A3. Автор: Chao Liu,Jian Chen,Erik Scher,Xiangfeng Duan,J Wallace Parce,Jeffery A Whiteford,Mihai Buretea,Francisco Leon,David Heald,Andreas Meisel,William P Freeman,Rhett Brewer,Kyu S Min,Chu Karen Cruden. Владелец: Chu Karen Cruden. Дата публикации: 2009-04-16.

Post-deposition encapsulation of nanostructures: compositions, devices and systems incorporating same

Номер патента: CA2567907A1. Автор: Chao Liu,Jian Chen,Erik Scher,J. Wallace Parce,Xiangfeng Duan,Karen Chu Cruden,Mihai Buretea,William P. Freeman,Francisco Leon,David Heald,Andreas Meisel,Jeffery A. Whiteford,Kyu S. Min,Rhett Brewer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Metal ion emission device and process for producing the same, ion beam irradiation device, processing apparatus and analyzing apparatus provided with emission device

Номер патента: US20060145090A1. Автор: Mitsuru Ohtsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Catheter with memory element-controlled steering

Номер патента: US5090956A. Автор: William C. McCoy. Владелец: Catheter Research Inc. Дата публикации: 1992-02-25.

Method for the preparation of epitaxial ferromagnetic manganese aluminum magnetic memory element

Номер патента: US5169485A. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Timothy D. Sands,Mark L. Leadbeater,James P. Harbison,Silas J. Allen, Jr.. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1992-12-08.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140254253A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Analytical instrument with ion trap coupled to mass analyser

Номер патента: US20240087876A1. Автор: HAMISH Stewart,Dmitry GRINFELD. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Ion diffuser and cartridge for an ion diffuser

Номер патента: WO2022023692A1. Автор: Alexander KORNEV,Siarhei KOSTEVITCH,Sergei KOSTEVITCH. Владелец: Real Scientists Limited. Дата публикации: 2022-02-03.

Ion diffuser and cartridge for an ion diffuser

Номер патента: EP4189300A1. Автор: Alexander KORNEV,Siarhei KOSTEVITCH,Sergei KOSTEVITCH. Владелец: Real Scientists Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Ion diffuser and cartridge for an ion diffuser

Номер патента: US20230285983A1. Автор: Alexander KORNEV,Siarhei KOSTEVITCH,Sergei KOSTEVITCH. Владелец: Real Scientists Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1154532A. Автор: Peter Hansen,Marlies Urner-Wille. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-09-27.

Medical devices incorporating at least one element made from a plurality of twisted and drawn wires

Номер патента: EP1114426A1. Автор: Francisco J. Avellanet. Владелец: General Science and Technology Corp. Дата публикации: 2001-07-11.

Electrolytes containing superhalogens for metal ion batteries

Номер патента: US20190036170A1. Автор: Purusottam Jena. Владелец: Virginia Commonwealth University. Дата публикации: 2019-01-31.

Electrolytes containing superhalogens for metal ion batteries

Номер патента: US11108087B2. Автор: Purusottam Jena. Владелец: Virginia Commonwealth University. Дата публикации: 2021-08-31.

Medical devices incorporating at least one element made from a plurality of twisted and drawn wires

Номер патента: EP1114426A4. Автор: Francisco J Avellanet. Владелец: General Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-07-23.

Air battery in which metallic copper or alloy thereof serves as oxygen reducing air electrode

Номер патента: EP4398383A1. Автор: Mitsuhiro Saso. Владелец: Cross Technology Labo Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for manufacturing composite in which metal and metal oxide are supported

Номер патента: US20220006100A1. Автор: Qingxin JIA,Ichitaro Waki. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for manufacturing composite in which metal and metal oxide are supported

Номер патента: US12046760B2. Автор: Qingxin JIA,Ichitaro Waki. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Composite body, lithium ion conductor, all-solid state lithium ion secondary battery, electrode sheet for all-solid state lithium ion secondary battery, and lithium tetraborate

Номер патента: US20230018477A1. Автор: Mitsuru Itoh,Yukihiro Okuno,Yosuke Shiratori,Shintaro Yasui. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2023-01-19.

Ion conductor and battery using the same

Номер патента: US20240222797A1. Автор: Noboru Taniguchi,Yu Otsuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Ion conductor and method of its production

Номер патента: RU2690293C2. Автор: Гэнки НОГАМИ,Мицугу ТАНИГУТИ,Ацуси ЮНЕМОТО,Мотоаки МАЦУО,Синити ОРИМО. Владелец: Тохоку Текно Арк Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-06-03.

Connection for electrode material of metal-ion batteries, electrode material based on it, electrode and battery based on electrode material

Номер патента: RU2718878C1. Автор: Евгений Викторович Антипов,Олег Андреевич Дрожжин,Анастасия Михайловна Алексеева,Илья Владимирович Тертов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-04-15.

Method of producing ion conductor

Номер патента: RU2714498C1. Автор: Синити ОРИМО,Аки КАТОРИ,Томохиро ИТО,Масахиро СИМАДА,Ацуси УНЭМОТО. Владелец: Тохоку Текно Арк Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-18.

Method of making workpieces with ion-etched surface

Номер патента: RU2504860C2. Автор: Зигфрид КРАССНИТЦЕР,Оливер ГШТЕЛЬ,Маркус ЭССЕЛЬБАХ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2014-01-20.

Magnetic memory device

Номер патента: GB927905A. Автор: Cravens Lamar Wanlass. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1963-06-06.

Method of electroplating metal into recessed feature and electroplating layer in recessed feature

Номер патента: US20170204529A1. Автор: Yu-Ren Peng,Yu-Sheng Wang,Shiu-Ko Jangjian,Chi-Cheng Hung,Jyun-Ru Wu,Jun-Nan Nian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11839079B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Control circuit for a semiconductor element with a control electrode

Номер патента: US4568838A. Автор: Yasuo Matsuda,Kazuo Honda,Shuji Musha. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-02-04.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: US20240306386A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: WO2024186381A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device including memory element

Номер патента: US20240339154A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120061638A1. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Back-side memory element with local memory select transistor

Номер патента: WO2019016728A1. Автор: Arvind Kumar,Joshua Rubin. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2019-01-24.

Magnetoresistive memory device

Номер патента: RU2653131C2. Автор: Тадаси МИЯКАВА,Кацухико ХОЯ,Хироюки ТАКЕНАКА,Кеисуке НАКАЦУКА,Такеси ХАМАМОТО. Владелец: Тосиба Мемори Корпорейшн. Дата публикации: 2018-05-07.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan,Toan D Do. Владелец: Toan D Do. Дата публикации: 2008-01-03.

Volatile memory elements with elevated power supply levels for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061667A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan,Toan D. Do. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: EP2409301A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2012-01-25.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20130279242A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US20120163067A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: WO2010107515A1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-09-23.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Element of nonvolatile electrically alterable memory device

Номер патента: RU2637175C2. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт Российской академии наук (ФТИАН РАН). Дата публикации: 2017-11-30.

Three-dimensional memory device with discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US12029037B2. Автор: Yuki KASAI,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Memory Devices Having an Embedded Resistance Memory with Metal-Oxygen Compound

Номер патента: US20100301330A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Solid electrolyte memory elements with electrode interface for improved performance

Номер патента: WO2013148723A1. Автор: Wei Ti Lee,Yi Ma,Chakravarthy Gopalan,Jeffrey Allan SHIELDS. Владелец: ADESTO TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

Self-correcting modular-redundancy-memory device

Номер патента: US20220076718A1. Автор: Milos Krstic,Frank Vater,Anselm BREITENREITER,Oliver Schrape. Владелец: Ihp Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz Institut fur Innovative Mikr GmbH. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional ferroelectric memory device containing lattice-matched templates and methods of making the same

Номер патента: WO2022154827A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

One-time programmable memory devices and methods

Номер патента: US20240321371A1. Автор: Dimitri Houssameddine,Mark Lin,Juan P. Saenz,Deniz Bozdag. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Contact structure formation for memory devices

Номер патента: US12133473B2. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Magnetic memory element

Номер патента: RU2585578C2. Автор: Жиль Луи ГОДЕН,Иоан Михай МИРОН,Пьетро ГАМБАРДЕЛЛА,Ален ШУЛЬ. Владелец: Институсио Каталана Де Ресерка И Эстудис Аванкатс (Икрэа). Дата публикации: 2016-05-27.

Global redundant column select implementation for boundary faults in a memory device

Номер патента: US20220343993A1. Автор: Harish V. Gadamsetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory element and method for fabricating a memory element

Номер патента: US20030168675A1. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Rosner,Richard Luyken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: WO1999021235A1. Автор: John Martin Shannon. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-04-29.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100080038A1. Автор: Takashi Nakano,Nobuyoshi Awaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Digital to analog converters and memory devices and related methods

Номер патента: US09892782B1. Автор: Peter K. Nagey. Владелец: Terra Prime Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory cell with built-in amplifying function, memory device and method using the same

Номер патента: US11967375B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Hon-Sum Philip Wong,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Resistive memory device and manufacturing method

Номер патента: US20240237561A9. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Serge Blonkowski,Remy Gassilloud,Thomas Magis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160093382A1. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Memory elements with soft-error-upset (seu) immunity using parasitic components

Номер патента: US20180330778A1. Автор: Weimin Zhang,Yanzhong Xu,Nelson Joseph Gaspard. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Integrated circuit including memory element with spatially stable material

Номер патента: US20090050870A1. Автор: Thomas Happ,Bernhard Ruf,Petra Majewski,Dieter Andres. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-02-26.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device having error correction function and error correction method for memory device

Номер патента: US20180260275A1. Автор: Seung Yeob Lee,Joon Sung YANG. Владелец: Research & Business Foundation Sungkyunwan University. Дата публикации: 2018-09-13.

Three-dimensional memory device with hybrid support structures and methods of making the same

Номер патента: US20240237345A1. Автор: ZHIWEI CHEN,Kazuyuki Iwata,Yusuke Ikawa,Kei Samura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240237350A1. Автор: Bing Zhou,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Highly integrated dynamic memory element

Номер патента: US4244035A. Автор: Karl Knauer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1981-01-06.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20130336081A1. Автор: Timothy J. Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

State-monitoring memory element

Номер патента: WO2008131144A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-10-30.

Memory element and memory apparatus

Номер патента: US20140169087A1. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory device including an electrically conductive layer with a tapered corner and method of making the same

Номер патента: US20240292627A1. Автор: Peng Zhang,Satoshi Shimizu,Shinsuke YADA,Takuya MUROOKA,Kazuki ISOZUMI,Motoo OHAGA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including memory element

Номер патента: US20240349481A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030038322A1. Автор: Masayuki Koga. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Preconditioning operation for a memory cell with a spontaneously-polarizable memory element

Номер патента: US11996131B2. Автор: Johannes Ocker,Foroozan Koushan. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-05-28.

Three-dimensional memory device with through-stack contact via structures and method of making the same

Номер патента: US20240215243A1. Автор: Tomohiro Kubo,Masato Miyamoto,Koichi Matsuno,Masanori Tsutsumi,Takumi Moriyama,Michio Oryoji,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276721A1. Автор: Satoshi Nagashima,Kenji Aoyama,Keisuke SUDA,Minami TANAKA,Kohei Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

State-monitoring memory element

Номер патента: US20120176854A1. Автор: Timothy Williams,Michael Sheets. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Three-dimensional memory device with integrated contact and support structure and method of making the same

Номер патента: US20240276725A1. Автор: Koichi Matsuno,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US12096611B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Resistive memory element with heater

Номер патента: EP1797565A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-20.

Semiconductor device including memory elements

Номер патента: US20240179895A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Conductive filament based memory elements and methods with improved data retention and/or endurance

Номер патента: US20130001503A1. Автор: Antonio R. Gallo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same

Номер патента: WO2008147595A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-04.

Rare earth metal&metal oxide electrode interfacing of oxide memory element in resistive random access memory cell

Номер патента: EP3221892A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-27.

Filament confinement in reversible resistance-switching memory elements

Номер патента: US09805793B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian,Juan Saenz,Alvaro Padilla,Bijesh Rajamohanan,Mohsen Purahmad. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory IC and memory device capable of expansion of storage capacity

Номер патента: US5345412A. Автор: Syuuichi Shiratsuchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Nonvolatile Memory Device Using A Tunnel Nitride As A Current Limiter Element

Номер патента: US20130200325A1. Автор: Yun Wang,Mihir Tendulkar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Synapse-inspired memory element for neuromorphic computing

Номер патента: US20200311524A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory-element-including semiconductor device

Номер патента: US20240179887A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory-element-including semiconductor device

Номер патента: US20240179886A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240206150A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory device containing etch stop metal plates for backside via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240040786A1. Автор: Yusuke Yoshida,Shigeyuki Yoshida,Teruo OKINA,Takanori Hanada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: WO2012037255A3. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Vivotech Inc.. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US12100443B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US20160012470A1. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for fabricating a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element

Номер патента: US7410868B2. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-12.

Memory device with semiconductor elements

Номер патента: US20240324173A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods, systems, and computer readable media for secure near field communication of a non-secure memory element payload

Номер патента: US09613365B2. Автор: Pradeep Kumar,Philippe Martin,Mohammad Khan,Roshan Vijayshankar,Kaushik Roy,Jean-Christophe Raynon. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device design

Номер патента: US20100109085A1. Автор: Jinyoung Kim,Antoine Khoueir,Muralikrishnan Balakrishnan,Yongchul Ahn,Tangshiun Yeh. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material

Номер патента: WO1999054128A1. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,David A. Strand,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices, Inc.. Дата публикации: 1999-10-28.

Magnetoresistive element, memory element having the magnetoresistive element, and memory using the memory element

Номер патента: US6829121B2. Автор: Takashi Ikeda,Akio Koganei,Kazuhisa Okano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-12-07.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and memory element between channel region and conductive plate

Номер патента: US20240074211A1. Автор: Haitao Liu,Chandra Mouli,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20230360701A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2023-11-09.

Defect enhancement of a switching layer in a nonvolatile resistive memory element

Номер патента: WO2014031953A1. Автор: Imran Hashim,Jinhong Tong,Nan Lu,Ronald Kuse,Ruey-Ven Wang. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-02-27.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20190378570A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2019-12-12.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20210151108A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240098998A1. Автор: Ryota Fujitsuka,Tomonari SHIODA,Takanori Yamanaka,Saori MATSUSHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Resistive-switching memory element

Номер патента: US8563959B2. Автор: Tony Chiang,Chi-l Lang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A2. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for updating an application service manager in application memory elements

Номер патента: WO2009077918A3. Автор: Alexandre Corda,Jonathan Azoulai,Vincent Lemonnier. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-14.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12125520B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom

Номер патента: US5536947A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick K. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Organic-polymer memory element

Номер патента: US7035140B2. Автор: Warren B. Jackson,Sven Möller. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-25.

Memory element with energy control mechanism

Номер патента: US5933365A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Wolodymyr Czubatyj,Boil Pashmakov,Sergey Kostylev,Patrick Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Volatile memory elements with soft error upset immunity

Номер патента: US8355292B2. Автор: Yanzhong Xu,Jeffrey T. Watt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Methods for forming memory devices, and associated devices and systems

Номер патента: US11889772B2. Автор: Michael B. Jeppson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120147656A1. Автор: Takeyuki Sone. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory device

Номер патента: US20240145001A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Processing unit with fast read speed memory device

Номер патента: US11984163B2. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory element and memory device

Номер патента: US8699260B2. Автор: Kazuhiro Ohba,Takeyuki Sone,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Resistive switching memory element including doped silicon electrode

Номер патента: US8502187B2. Автор: Wen Wu,Michael Miller,Tony Chiang,Prashant Phatak. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Resistance memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073833A1. Автор: Hiroyasu Kawano,Mizuhisa Nihei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Memory device

Номер патента: US12131773B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Illumination unit and image display device incorporating same

Номер патента: US09690179B2. Автор: Yasuyuki Shibayama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Digitally trimmable integrated resistors including resistive memory elements

Номер патента: US09589615B2. Автор: Ashoke Ravi,Dinesh Somasekhar,Ganesh Balamurugan,Tawfiq Musah,Sudip Shekhar,Tzu-Chien Hsueh,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Spin transfer torque based memory elements for programmable device arrays

Номер патента: US09577641B2. Автор: Vivek De,James W. Tschanz,Arijit Raychowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom

Номер патента: CA2227612C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,David A. Strand,Patrick J. Klersy. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-30.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US7948813B2. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US11832538B2. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for enhancing tunnel magnetoresistance in memory device

Номер патента: US20210249062A1. Автор: Wen-Chin Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for enhancing tunnel magnetoresistance in memory device

Номер патента: US20210035621A1. Автор: Wen-Chin Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for enhancing tunnel magnetoresistance in memory device

Номер патента: US11532341B2. Автор: Wen-Chin Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-20.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US20230267998A1. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US11984160B2. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Three-dimensional memory device containing discrete charge storage elements and methods for forming the same

Номер патента: US20240121960A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Resistive memory elements with multiple input terminals

Номер патента: US11744166B2. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Resistive memory device and manufacturing method

Номер патента: US20240138273A1. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Serge Blonkowski,Remy Gassilloud,Thomas Magis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-25.

Thermally shielded resistive memory element for low programming current

Номер патента: WO2011031534A1. Автор: Jun Liu,John Smythe,Gurtej Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Nitrogen-containing heterocyclic compounds for forming a patterning coating and devices incorporating same

Номер патента: WO2023187690A9. Автор: Michael HELANDER,Yudai NAKAGAWA. Владелец: OTI LUMIONICS INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Film recorder with interface for user replaceable memory element

Номер патента: US5406380A. Автор: James R. Teter. Владелец: Management Graphics Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

System and method for transferring information between a radio transceiver and a portable memory element

Номер патента: CA2101953A1. Автор: Jeffrey Charles Smolinske,Gary Allen Jorgensen,Dean Michael Picha. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-03-05.

Memory device with flat-top bottom electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US11925032B2. Автор: Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: EP4312479A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Forming and operating memory devices that utilize correlated electron material (cem)

Номер патента: WO2018220356A1. Автор: Lucian Shifren,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory device with flat-top bottom electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20240172453A1. Автор: Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Structure and method for memory element to confine metal with spacer

Номер патента: EP4355051A1. Автор: Young Seon You,Suk Hee JANG,Robert Viktor Seidel,Anastasia Voronova. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for designing an initialization function for programming a memory element

Номер патента: GB2601415A. Автор: Pantazi Angeliki,Bohnstingl Thomas,Stavros Eleftheriou Evangelos,Andrzej Wozniak Stanislaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240196591A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US12048140B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers

Номер патента: EP1282464A4. Автор: Jonathan S Lindsey,Peter C Clausen. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2007-10-24.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US20240292593A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: US20050012086A1. Автор: Jon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A3. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for making tapered opening for programmable resistance memory element

Номер патента: WO2004086459A2. Автор: John Rodgers,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-10-07.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A2. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2003-08-14.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US12120864B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Magnetoresistive memory elements for spin-transfer torque (STT) and spin-orbit torque (SOT) random access memories

Номер патента: US12114578B2. Автор: Dmytro Apalkov,Roman Chepulskyy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Carbon-based memory element

Номер патента: US20120001142A1. Автор: Charalampos Pozidis,Christophe P. Rossel,Abu Sebastian,Daniele Caimi,Evangelos S. Eleftheriou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for forming resistive switching memory elements

Номер патента: US20080185567A1. Автор: Nitin Kumar,Zhi-Wen Sun,Chi-I Lang,Tony Chiang,Jihhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Universal memory element and method of programming same

Номер патента: US5912839A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Boil Pashmakov. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Sense line coupling structures circuits for magnetic memory device

Номер патента: US3740481A. Автор: S Lee. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 1973-06-19.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823727B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180286474A1. Автор: Chien-Hung Chen,Tong-Yu Chen,Yu-Tse Kuo,Meng-Ping Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240008283A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional memory device containing self-aligned ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240130137A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230363153A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-09.

Self-aligned via contact for magnetic memory element

Номер патента: WO2003079366A2. Автор: Saied N. Tehrani,Kelly Kyler,Mark A. Durlam,John J. D'Urso,Gregory W. Grynkewich,Brian Butcher. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2003-09-25.

Three-dimensional memory device containing epitaxial ferroelectric memory elements and methods for forming the same

Номер патента: WO2021025730A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11763877B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for designing an initialization function for programming a memory element

Номер патента: US20220139464A1. Автор: Angeliki Pantazi,Evangelos Stavros Eleftheriou,Stanislaw Andrzej Wozniak,Thomas Bohnstingl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US11937418B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Molecular memory devices and methods

Номер патента: EP1709645A1. Автор: Werner G. Kuhr,Antonio R. Gallo. Владелец: ZettaCore Inc. Дата публикации: 2006-10-11.

Integrated nanosheet memory elements, devices and methods

Номер патента: US20240215220A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers

Номер патента: WO2001051188A3. Автор: Jonathan S Lindsey,Peter C Clausen. Владелец: Peter C Clausen. Дата публикации: 2002-01-17.

Memory device structure with protective element

Номер патента: US11758830B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251544A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Sungjoo An,Seungmin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetic memory element and semiconductor device

Номер патента: US20240292759A1. Автор: Yo Sato,Hiroyuki Uchida,Masaki Endo,Hiroki Tanabe,Hironobu Tanigawa,Eiji Kariyada,Yuito Kageyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240321343A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240349482A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Single mask adder phase change memory element

Номер патента: US20120168709A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Chung H. Lam,Matthew J. Breitwisch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Three-dimensional memory device including trench bridges and methods of forming the same

Номер патента: WO2024035487A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Electric element, switching element, memory element, switching method and memory method

Номер патента: US20100124096A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Kenji Sano,Yumiko Oyasato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Phase change memory elements using energy conversion layers, memory arrays and systems including same, and methods of making and using same

Номер патента: US20120281466A1. Автор: Jun Liu,Mike Violette,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Stairless three-dimensional memory device and method of making the same by forming replacement word lines

Номер патента: US20240179909A1. Автор: Akihiro Tobioka,Takayuki MAEKURA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Magnetic memory element

Номер патента: US20240194235A1. Автор: Satoru Nakatsuji,Tomoya HIGO. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-06-13.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20230337555A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Novel resistive random access memory device

Номер патента: US20240260278A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Removable memory device, phase synchronizing method, phase synchronizing program, medium recording the same, and host terminal

Номер патента: EP2007060A9. Автор: Hiroshi c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. SUENAGA,Osamu c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. SHIBATA,Noriaki c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. TAKEDA,Toru c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. IWATA,Takaharu c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. YOSHIDA,Yoshiyuki c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. SAITO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230309288A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device using semiconductor elements

Номер патента: US12101925B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Thermal connection of polymer elements by means of heating element with lower curie point

Номер патента: RU2729266C1. Автор: Карл РАМЕТШТАЙНЕР,Урс ХУНЦИКЕР. Владелец: Ке Келит Кунстштоффверк Гмбх. Дата публикации: 2020-08-05.

Thermoelectric semiconducting material, thermoelectric semiconducting element with application of thermoelectric semiconducting material, thermoelectric module with application of thermoelectric semiconducting element and method of their manufacturing

Номер патента: RU2326466C2. Автор: Тосинори ОТА,Хироки ЕСИЗАВА,Коуити ФУДЗИТА,Исао ИМАЙ,Цуеси ТОСО,Удзихиро НИСИИКЕ. Владелец: Исикавадзима-Харима Хэви Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-06-10.

Method for making programmable resistance memory element

Номер патента: US20020045323A1. Автор: Tyler Lowrey,Stephen Hudgens,Patrick Klersy,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-04-18.

Forming an intermediate electrode between an ovonic threshold switch and a chalcogenide memory element

Номер патента: US7638789B2. Автор: John M. Peters. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Nonvolatile memory device, memory system incorporating same, and method of operating same

Номер патента: US20110051514A1. Автор: Sangyong Yoon,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for improving the read signal in a memory having passive memory elements

Номер патента: US20050128796A1. Автор: Kurt Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-16.

Solid polycrystalline potassium ion conductor having a .beta."-al2o3 structure, its production, and the preparation of potassium metal using this potassium ion conductor

Номер патента: CA2529202C. Автор: Guenther Huber,Kerstin Schierle-Arndt,John Stuart Blackburn,Ivor Wynn Jones,Stephen Nicholas Heavens. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-02-19.

Catalyst having platinum-group metal ion supported thereon, and carbon-carbon bond formation method

Номер патента: EP4279177A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Kwihwan Park. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Ink set for ink jet recording including polyvalent metal ions and compound inactivating the same

Номер патента: US7172275B2. Автор: Ken Hashimoto,Eisuke Hiraoka,Toshitake Yui. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-06.

Treatment processes using metal ion-containing treating solutions

Номер патента: GB1384118A. Автор: . Владелец: Schering AG. Дата публикации: 1975-02-19.

Platinum group metal ion-supported catalyst and method for forming carbon-carbon bond

Номер патента: US20240076260A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Kwihwan Park. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Lining element with its inherent compressibility

Номер патента: RU2544346C2. Автор: Лаувчи МАРИТЗ,Николя ФРАЙТАГ. Владелец: Терр Армэ Энтернасьональ. Дата публикации: 2015-03-20.

Complementary differential amplifier in which direct current amplification gain can be set arbitrally and semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR100197204B1. Автор: 야스히꼬 쯔끼까와. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-06-15.

Multilevel Resistive Memory device and its writing erasing method

Номер патента: EP1557841A3. Автор: Katsuhisa Sony Corporation ARATANI,Tomohito Sony Corporation Tsushima,Akira Sony Corporation Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Memory device

Номер патента: US20210090647A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240347091A1. Автор: Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09424905B2. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device

Номер патента: US20220115058A1. Автор: Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for capacitively reading resistive memory elements and nonvolatile, capacitively readable memory elements for implementing the method

Номер патента: US09443589B2. Автор: Stefan Tappertzhofen,Eike Linn,Lutz Nielen,Ilia Valov,Rainer Waser. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2016-09-13.

Accurate programming of analog memory devices of in-memory processing devices having a crossbar array structure

Номер патента: WO2024105480A1. Автор: Abu Sebastian,Benedikt Kersting,Manuel Le Gallo-Bourdeau,Athanasios Vasilopoulos,Julian Röttger Büchel. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Bitline driver isolation from page buffer circuitry in memory device

Номер патента: US20220180936A1. Автор: Violante Moschiano,Dheeraj Srinivasan,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory device for matrix-vector multiplications

Номер патента: US20190188242A1. Автор: Abu Sebastian,Manuel Le Gallo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Programming memory elements using two phase boost

Номер патента: US09646669B2. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device, writing method, and reading method

Номер патента: US09478307B2. Автор: Yuki Yanagisawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US20240119974A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A3. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Resistive memory devices having a not-and(nand) structure

Номер патента: GB201200865D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: US12136468B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Sense amplifier for memory device

Номер патента: US09792962B1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09691499B1. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Resistive memory element

Номер патента: RU2714379C1. Автор: Ирина Вениаминовна Антонова,Регина Альфредовна Соотс,Артем Ильич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-02-14.

Metal ion recovery device and metal ion recovery method

Номер патента: US09932653B2. Автор: Tsuyoshi Hoshino. Владелец: NATIONAL INSTITUTES FOR QUANTUM AND RADIOLOGICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and controller for managing memory device

Номер патента: US09570183B1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Shape memory device for changing shape at small temperature changes

Номер патента: WO2002069750A1. Автор: Thierry Holemans,Rudy Stalmans. Владелец: Barsamian, Philippe. Дата публикации: 2002-09-12.

Shape memory device for changing shape at small temperature changes

Номер патента: EP1367918A1. Автор: Thierry Holemans,Rudy Stalmans. Владелец: BARSAMIAN PHILIPPE. Дата публикации: 2003-12-10.

Memory elements with series volatile and nonvolatile switches

Номер патента: US20140241075A1. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory device

Номер патента: US20210295890A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device

Номер патента: US11264072B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Multi-Element Memory Device with Power for Individual Elements

Номер патента: US20240288922A1. Автор: Wayne Frederick Ellis,Deborah Lindsey DRESSLER,Julia Kelly CLINE. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-29.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Memory device layout with intersecting region between sub-wordline and sense amplifier

Номер патента: US12094520B2. Автор: Harish Gadamsetty,John A. Winegard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Multi-element memory device with power control for individual elements

Номер патента: US09965012B2. Автор: Wayne Frederick Ellis,Deborah Lindsey DRESSLER,Julia Kelly CLINE. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory devices and methods for storing single data value in multiple programmable resistance elements

Номер патента: US09721658B1. Автор: Nad Edward Gilbert,Shane Charles Hollmer. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Memory device retention mode based on error information

Номер патента: US20150106671A1. Автор: Shayan Zhang,Xiangming Kong,Ziyu Guo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-04-16.

Systems and methods for testing redundant fuse latches in a memory device

Номер патента: US12100467B2. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Kevin G. Werhane,Takuya Tamano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Read operations and circuits for memory devices having programmable elements, including programmable resistance elements

Номер патента: US09570166B1. Автор: Nad Edward Gilbert,Narbeh Derhacobian,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US09569640B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Restoring memory element

Номер патента: RU2602765C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2016-11-20.

Memory Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20130223157A1. Автор: Toshihiko Saito,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Mitigation of charge sharing in memory devices

Номер патента: US20100157642A1. Автор: Xiaowei Deng,Xiaowei Zhu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20190348115A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20180286480A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20220130459A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Electronic memory device and a method of manipulating the electronic memory device

Номер патента: US20210134366A1. Автор: Muhammad Irfan,Zahid Ullah,Ray C. C. Cheung. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2021-05-06.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US09997242B2. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Fast read speed memory device

Номер патента: US09941005B2. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device and access method

Номер патента: US09627053B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613703B2. Автор: Makoto Senoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Fast read speed memory device

Номер патента: US09490009B2. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Reducing observability of memory elements in circuits

Номер патента: US20130007683A1. Автор: Eli Arbel,Cynthia Rae Eisner,Karen Frida Yorav,Oleg Rokhlenko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Method, system and device for memory device operation

Номер патента: WO2019239109A1. Автор: James Edward Myers,Shidhartha Das,Mudit Bhargava,Saurabh Pijuskumar Sinha,Supreet Jeloka. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Nonvolatile memory device performing a multiplicaiton and accumulation operation

Номер патента: US20210072956A1. Автор: Hyuk-Jin Lee,Seonghwan Cho,Jin-O SEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-03-11.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: EP2954415A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

A system of sample medium carriers with built-in memory elements and information input/output station for the carriers

Номер патента: WO2004044824A2. Автор: Vladimir Mordekhay. Владелец: Automated Biotechnology, Inc.. Дата публикации: 2004-05-27.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20240339161A1. Автор: Seiji Takenaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US09715929B2. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090296479A1. Автор: Kunisato Yamaoka,Kazuyo Nishikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441B1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Non-uniform state spacing in multi-state memory element for low-power operation

Номер патента: EP4143898A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: WO2007111666A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2007-10-04.

Radiation-hardened memory element with multiple delay elements

Номер патента: EP2002441A1. Автор: Michael S. Liu,Keith W. Golke,Harry HL Liu,David K. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Memory devices and related methods

Номер патента: US09589633B2. Автор: Peter K. Nagey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for ensuring fault tolerance of memory elements

Номер патента: RU2766271C1. Автор: Александр Николаевич Капустин,Наталья Александровна Коржикова. Владелец: Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва». Дата публикации: 2022-02-10.

Method for determining the atomic mass of metal ions in the sporadic layer e (es)

Номер патента: RU2660119C1. Автор: Наталия Владимировна Бахметьева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2018-07-05.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US20150162080A1. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Perovskite metal oxide catalyst, in which metal ion is substituted, for reducing carbon deposition, preparation method therefor, and methane reforming reaction method using same

Номер патента: US11918981B2. Автор: Chang Hyun Ko,Ji Yoon Jeon,Jeong Woo Yun,Eun Gyong Park. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-05.

Perovskite metal oxide catalyst, in which metal ion is substituted, for reducing carbon deposition, preparation method therefor, and methane reforming reaction method using same

Номер патента: US20240139718A1. Автор: Chang Hyun Ko,Ji Yoon Jeon,Jeong Woo Yun,Eun Gyong Park. Владелец: INDUSTRY FOUNDATION OF CHONNAM NATIONAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device

Номер патента: US20210082486A1. Автор: Yorinobu FUJINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Temperature management of memory elements of an information handling system

Номер патента: US20230005564A1. Автор: Jordan Chin,Isaac Qin Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-01-05.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US12125530B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Asymmetrically selecting memory elements

Номер патента: US09934849B2. Автор: Zhiyong Li,Jianhua Yang,Kyung Min Kim. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US09767862B2. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US09508448B2. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Parallel processing computer in which memory access priorities are varied

Номер патента: CA1302584C. Автор: Michael L. Ziegler,Heather D. Achilles,Robert L. Fredieu. Владелец: Alliant Computer Systems Corp. Дата публикации: 1992-06-02.

Semiconductor memory device with row and column redundancy circuits and a time-shared redundancy circuit test architecture.

Номер патента: US5867504A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-02-02.

Non-volatile memory system including apparatus for testing memory elements by writing and verifying data patterns

Номер патента: US5825782A. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-10-20.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A2. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T. Chan. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2007-05-31.

Method, associated memory device and controller thereof for performing programming management

Номер патента: US20190027221A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Bitline driver isolation from page buffer circuitry in memory device

Номер патента: WO2022016113A1. Автор: Violante Moschiano,Dheeraj Srinivasan,Andrea D'Alessandro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-20.

Accurate programming of analog memory devices of in-memory processing devices having a crossbar array structure

Номер патента: US20240160348A1. Автор: Abu Sebastian,Benedikt Kersting,Manuel Le Gallo-Bourdeau,Athanasios Vasilopoulos,Julian Röttger Büchel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device for matrix-vector multiplications

Номер патента: US20180046598A1. Автор: Abu Sebastian,Manuel Le Gallo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Volatile memory elements with boosted output voltages for programmable logic device integrated circuits

Номер патента: WO2007061666A3. Автор: Lin-Shih Liu,Mark T Chan. Владелец: Mark T Chan. Дата публикации: 2009-04-23.

Calibration methods and structures for partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements

Номер патента: EP4354443A2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Bitline driver isolation from page buffer circuitry in memory device

Номер патента: US20220020435A1. Автор: Violante Moschiano,Dheeraj Srinivasan,Andrea D'Alessandro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20170344490A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Phase-change memory element and method of storing data therein

Номер патента: US20040145944A1. Автор: Boil Pashmakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US20110242878A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Multilayer structure, packaging material in which same is utilized, regrind composition, and method for producing regrind composition

Номер патента: US20240269969A1. Автор: Makoto Suzuki,Minoru Okamoto,Satoshi Ishiuchi,Yuriko Mizutani. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods and systems for operating memory elements

Номер патента: US20130141960A1. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods for operating memory elements

Номер патента: US8363500B2. Автор: John D. Porter,Jennifer Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US12106804B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory device of variable resistive type with reduced variations of forming current after breakdown

Номер патента: US09508431B2. Автор: Yusuke Jono,Yukio Tamai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices

Номер патента: US8154906B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Repositionable memory element in a single reel tape cartridge

Номер патента: US20040004145A1. Автор: Stephen Stamm,Chan Kim,Satya Mallick. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 2004-01-08.

Methods and electronic device for repairing memory element in memory device

Номер патента: US20240012726A1. Автор: Sudhanshu Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Akhilesh Sudhir PATANKAR,Deokgu Yoon,Damini Damini,Keerthi Kiran Jagannathachar,Paulami DAS,Sairam JUJJARAPU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Wordline read voltage offsets in solid state memory devices

Номер патента: WO2019005230A1. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ariel Navon,Idan Goldenberg,Alexander Bazarsky,Nian Niles Yang,Roi Kirshenbaum,Philip David Reusswig. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-01-03.

Metal ion recovery device, metal recovery system, and metal ion recovery method

Номер патента: AU2020250331A1. Автор: Tsuyoshi Hoshino. Владелец: NATIONAL INSTITUTES FOR QUANTUM SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device and computing method using the same

Номер патента: US20230368836A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device and computing method using the same

Номер патента: US11955168B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Mixed conducting volatile memory element for accelerated writing of nonvolatile memristive device

Номер патента: GB2617496A. Автор: Wang Wei,KIM Youngseok,OK Injo,Yu Lan,Wayne Brew Kevin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Modified industrial inorganic pigments with the surface decorated with ion-made clusters of d-type transitional metals, process for obtaining thereof, compositions containing them and uses thereof

Номер патента: WO2021242129A1. Автор: Razvan-Catalin BUCURESTEANU. Владелец: Starus, Gheorghe-Mihai. Дата публикации: 2021-12-02.

Time division multiplexed multiport memory implemented using single-port memory elements

Номер патента: US20140331074A1. Автор: David Lewis. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Asynchronous memory element for scanning

Номер патента: US09991006B2. Автор: Hiroshi Iwata,Michiko Inoue,Satoshi Ohtake. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory element status detection

Номер патента: US09672941B1. Автор: Thomas Kern,Giacomo Curatolo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Forming method for variable-resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US09524776B2. Автор: Koji Katayama,Ken Kawai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Production method of protective elements with image-reproducing layers located with accurate register between them

Номер патента: RU2501662C2. Автор: Манфред ХАЙМ,Винфрид ХОФФМЮЛЛЕР,Патрик РЕННЕР,Теодор БУРХАРД. Владелец: Гизеке Унд Девриент Гмбх. Дата публикации: 2013-12-20.

Shape memory devices and methods for reshaping heart anatomy

Номер патента: US7594887B2. Автор: Shahram Moaddeb,Samuel M. Shaolian,Richard Rhee,Emanuel Shaoulian,Steven C. Anderson. Владелец: Micardia Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Multi-element memory device with power control for individual elements

Номер патента: US11940857B2. Автор: Wayne Frederick Ellis,Deborah Lindsey DRESSLER,Julia Kelly CLINE. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190287615A1. Автор: Daisaburo Takashima,Takahiko IIZUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device

Номер патента: US20160163370A1. Автор: Mikio Miyata,Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Memory Device

Номер патента: US20240029812A1. Автор: Takeshi Aoki,Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Locking device comprising a shape memory element

Номер патента: US11891843B2. Автор: Olivier Le Borgne. Владелец: Faurecia Interieur Industrie SAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Multi-Element Memory Device with Power Control for Individual Elements

Номер патента: US20230297151A1. Автор: Wayne Frederick Ellis,Deborah Lindsey DRESSLER,Julia Kelly CLINE. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-09-21.

Circuits and methods for placing programmable impedance memory elements in high impedance states

Номер патента: US9368198B1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Deepak Kamalanathan,Juan Pablo Saenz Echeverry. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Resistance change memory device configured for state evaluation based on reference cells

Номер патента: US20170271002A1. Автор: Sushil Sakhare. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-09-21.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Memory device

Номер патента: US20220406374A1. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Voltage applications to a memory cell including a resistance change memory element in series with a two-terminal switching element

Номер патента: US11935591B2. Автор: Hiroshi Ito,Masahiro Takahashi,Ryousuke Takizawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Polymer with dispersed fine metal particles, method for producing same, metal ion-containing polymer for use in same production, and method for producing same

Номер патента: US20100076141A1. Автор: Toru Odani,Akikazu Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Reading a memory element within a crossbar array

Номер патента: US20140204651A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-07-24.

Method and apparatus for identifying erroneous data in at least one memory element

Номер патента: US20160314853A1. Автор: Adrian Traskov. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2016-10-27.

Memory element controlled damper

Номер патента: WO2001023815A1. Автор: Levent Hasanreisoglu,Can Meydanli,Umud Esat Ozturk. Владелец: Arçelik A.S.. Дата публикации: 2001-04-05.

Circuit configuration for reading memory elements

Номер патента: US20020114196A1. Автор: Martin Bloch,Carmen Thalmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09785345B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Mode-dependent access to embedded memory elements

Номер патента: US09552157B2. Автор: Yan Liu,Yunpeng Zhu,Xianshuai Shi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Controllable nanomechanical memory element

Номер патента: CA2568140A1. Автор: Alexei Gaidarzhy,Guiti Zolfagharkhani,Pritiraj Mohanty,Robert L. Badzey. Владелец: Robert L. Badzey. Дата публикации: 2006-07-20.

Memory device and driving method of the memory device

Номер патента: US8854867B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Method and apparatus for performing data retention management of memory device with aid of pre-shutdown control

Номер патента: US20240028198A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device, memory controller, and methods thereof

Номер патента: US20230402083A1. Автор: Tony SCHENK. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-12-14.

Variable resistance memory devices using read mirror currents

Номер патента: US8605517B2. Автор: Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110157968A1. Автор: Taek Seung Kim,Ho Seok EM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device

Номер патента: US11837288B2. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device

Номер патента: US20220293176A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Shape memory devices and methods for reshaping heart anatomy

Номер патента: EP1773239A4. Автор: Shahram Moaddeb,Richard Rhee,Emanuel Shaoulian,Samuel M Shaolian,Seteven C Anderson. Владелец: Micardia Corp. Дата публикации: 2007-08-15.

Thermal throttling for memory devices

Номер патента: US20180284857A1. Автор: Dmitry Vaysman,Nian Niles Yang,Eran Erez,Grishma Shah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory device

Номер патента: US20190295637A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8434689B2. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130020395A1. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Variable resistance memory devices using read mirror currents

Номер патента: US20120176830A1. Автор: Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Sampling element controlled by photoconductive switch-generated sampling pulses and sampling device incorporating same

Номер патента: US20020074982A1. Автор: Yasuhisa Kaneko,Tsutomu Takenaka,Norihide Yamada,Akira Mizuhara. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-06-20.

Device to control the power supply in an integrated circuit comprising electrically programmable non-volatile memory elements

Номер патента: US20020018367A1. Автор: Richard Fournel. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2002-02-14.

Preallocatable transmission data memory element of an MR transmission unit in array applications

Номер патента: US8324896B2. Автор: Wilfried Schnell,Nikolaus Demharter,Rudi Baumgartl,Philipp Hoecht. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2012-12-04.

Material with ion formation capability

Номер патента: US20040033342A1. Автор: Kawaji Takimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Test interface for memory elements

Номер патента: US20100122128A1. Автор: Juergen Pille,Stefan Buettner,Uwe Brandt,Werner Juchmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Woven fabric with shape memory element strands

Номер патента: US09427342B2. Автор: James M. Carlson,Fred T. Parker,Shyam S. V. Kuppurathanam,Rebecca Sue Todd. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of extracting heavy metal ions from aqueous solutions

Номер патента: RU2608029C1. Автор: Татьяна Евгеньевна Никифорова,Владимир Александрович Козлов,Владимир Ефимович Майзлиш,Геннадий Павлович Шапошников,Алексей Олегович Винокуров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5784315A. Автор: Yasuo Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Memory element

Номер патента: US4777799A. Автор: William C. McCoy,Gregory A. Cole,Frederick E. Wang,James E. Small. Владелец: Catheter Research Inc. Дата публикации: 1988-10-18.

Voltage regulator for memory device

Номер патента: US5706240A. Автор: Guido Torelli,Carlo Fiocchi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-01-06.

Magnetic random access memory using a non-linear memory element select mechanism

Номер патента: US6515897B1. Автор: Stuart Stephen Papworth Parkin,Roy Edwin Scheuerlein,Douwe Johannes Monsma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Nonvolatile magneto-optical memory element and a method of writing thereon

Номер патента: US3680065A. Автор: George S Almasi,Eugene R Genovese. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Memory device having sense amplifier including plural sense circuits for sensing a voltage of a bit line in a read operation

Номер патента: US11721371B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Inspection apparatus for magnetic wire type memory element

Номер патента: US3688283A. Автор: Toshikazu Yoneyama. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 1972-08-29.

Systems and methods for testing redundant fuse latches in a memory device

Номер патента: US20240071560A1. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Kevin G. Werhane,Takuya Tamano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US20180254082A1. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Memory element profiling and operational adjustments

Номер патента: US11836345B2. Автор: Bruce A. Liikanen,Francis Chew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Emulated multiport memory element circuitry with exclusive-or based control circuitry

Номер патента: US20170352393A1. Автор: Pohrong Rita Chu. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Memory devices, circuits and, methods that apply different electrical conditions in access operations

Номер патента: US20140063902A1. Автор: Ravi Sunkavalli,Malcolm Wing,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Non-uniform state spacing in multi-state memory element for low-power operation

Номер патента: WO2021221998A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Deepak Kamalanathan,Siddarth Krishnan,Fuxi CAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-04.

A system of sample medium carriers with built-in memory elements and information input/output station for the carriers

Номер патента: WO2004044824A3. Автор: Vladimir Mordekhay. Владелец: Automated Biotechnology Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Memory device

Номер патента: US20220108729A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Method for checking the functional ability of a memory element

Номер патента: US8762799B2. Автор: Franco Ferraro. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2014-06-24.

Memory element profiling and operational adjustments

Номер патента: US20210141533A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Francis Chew. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: EP4354438A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Memory element and signal processing circuit

Номер патента: US20170032825A1. Автор: Masami Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Magnetic memory device having bidirectional read scheme

Номер патента: US20140119107A1. Автор: Soo-ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Partitioned memory architecture with single resistor or dual resistor memory elements for in-memory pipeline processing

Номер патента: US20240120001A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Power circuit and memory device using the same

Номер патента: US20180210540A1. Автор: Cheng-Chih Wang,Hsi-Jung Tsai. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for checking the functional ability of a memory element

Номер патента: US20120324301A1. Автор: Franco Ferraro. Владелец: Endress and Hauser SE and Co KG. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for providing data protection for data stored within a memory element and integrated circuit device therefor

Номер патента: US20130080859A1. Автор: Henri Cloetens. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-03-28.

Liquid crystal display element with conducting layers treated with surface electromagnetic wave

Номер патента: US20080075890A1. Автор: Natalia Kamanina,Petr VASILYEV. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Liquid crystal display element with conducting layers treated with surface electromagnetic wave

Номер патента: US7700168B2. Автор: Natalia Vladimirovna Kamanina,Petr Yakovlevich Vasilyev. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Pharmaceutical composition comprising a free-radical scavenging sedative agent and a metal ion chelating agent

Номер патента: WO2001089514A3. Автор: David Buell Goodale. Владелец: David Buell Goodale. Дата публикации: 2002-05-16.

Rare earth metal ion exchanged ferrierite

Номер патента: MY122421A. Автор: Guang Cao,Jack Wayne Johnson,Richard Harry Ernst,Bruce Randall Cook,Richard Arthur Mcevoy. Владелец: Exxon Research Engineering Co. Дата публикации: 2006-04-29.

Distributed current source/sink using inactive memory elements

Номер патента: US09721673B1. Автор: Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Janakiraman VIRARAGHAVAN,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory cell verification circuits, memory cell sense circuits and memory cell verification methods

Номер патента: US9799398B2. Автор: Makoto Kitagawa,Kerry Tedrow. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Reading memory elements within a crossbar array

Номер патента: US8467253B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-06-18.

Peptide-metal ion pharmaceutical preparation

Номер патента: US5759516A. Автор: Paul O. Zamora,Buck A. Rhodes. Владелец: Rhomed Inc. Дата публикации: 1998-06-02.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6108246A. Автор: Shigeru Atsumi,Akira Umezawa,Hironori Banba,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US11894038B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US20230360700A1. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US20190035462A1. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory devices including a memory array and related method incorporating different biasing schemes

Номер патента: US20180012656A1. Автор: Jun Liu,David H. Wells. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-11.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372A. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2023-09-29.

Memory device comprising resistance change material and method for driving the same

Номер патента: US10181348B2. Автор: Young Hoon Oh,Chi Weon Yoon,Yong Jun Lee,Hyun Kook PARK,Chea Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-15.

Using Multiple Memory Elements in an Input-Output Memory Management Unit for Performing Virtual Address to Physical Address Translations

Номер патента: US20200301849A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Selectors for nozzles and memory elements

Номер патента: NZ780372B2. Автор: Rui Pan,Brendan Hall,Boon Bing NG,Mohan Kumar Sudhakar. Владелец: Hewlett Packard Development Company Lp. Дата публикации: 2024-01-04.

Control circuit, semiconductor memory device, information processing device, and control method

Номер патента: US11315616B2. Автор: Hiroyuki Tezuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Forming a characterization parameter of a resistive memory element

Номер патента: US20140258646A1. Автор: Ryan James Goss,Antoine Khoueir,Mark Allen Gaertner,Jon D. Trantham,David Scott Ebsen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Memory circuit and method for sensing a memory element

Номер патента: EP2013882A2. Автор: Maurits M.N. STORMS. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-01-14.

Using multiple memory elements in an input-output memory management unit for performing virtual address to physical address translations

Номер патента: EP3433742A1. Автор: Sergey Blagodurov,Andrew G. Kegel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20220051710A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Cross-point array with threshold switching selector memory element

Номер патента: US11996145B2. Автор: Michael K. Grobis,Hans Jurgen Richter. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device comprising resistance change material and method for driving the same

Номер патента: US20190108880A1. Автор: Young Hoon Oh,Chi Weon Yoon,Yong Jun Lee,Hyun Kook PARK,Chea Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory device which generates improved write voltage according to size of memory cell

Номер патента: US20240119983A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: EP4354439A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Readout circuit for non-volatile memory device

Номер патента: US20130188425A1. Автор: Yutaka Sato. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Partitioned memory architecture with dual resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240120004A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Hydrogen measurement sensor having junction structure of solid oxygen ion conductor and solid hydrogen ion conductor in molten metal

Номер патента: US20150021181A1. Автор: Chong Ook Park,Byoung Hyo Jung. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-01-22.

Processing-in-memory device based on spin orbit torque device

Номер патента: US20230333747A1. Автор: Taehwan Kim,Jongsun Park,Yunho Jang. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory circuit and method of sensing a memory element

Номер патента: US20090279370A1. Автор: Maurits Storms. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-12.

Nonvolatile memory and memory system

Номер патента: US20230062773A1. Автор: Akiyuki Kaneko. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory Devices and Related Methods

Номер патента: US20140321198A1. Автор: Peter K. Naji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Bending actuator comprising shape memory element

Номер патента: US20180186127A1. Автор: Martin Gurka,Moritz Hübler,Sebastian Nissle,Lisa Weber. Владелец: Institut fuer Verbundwerkstoffe GmbH. Дата публикации: 2018-07-05.

Variable comparison voltage generation apparatus for generating a comparison voltage corresponding to a variation of electric charge quantity in a ferroelectric substance memory element

Номер патента: US5877991A. Автор: Jae Hwan Kim,Seung Hyun Yi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Partitioned memory architecture with single resistor memory elements for in-memory serial processing

Номер патента: US20240119977A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for managing data stored in a page within a memory element

Номер патента: EP4390697A1. Автор: Thomas Eberhardt,Stéphanie Salgado. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-06-26.

Blade and image forming apparatus and cleaning device incorporating same

Номер патента: US20170038724A1. Автор: EISUKE Shimizu,Kazuhiko Watanabe,Takaaki Tawada,Yuu Sakakibara. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Ceramic shape memory element

Номер патента: US4767730A. Автор: Takao Soma,Minoru Matsui. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1988-08-30.

Real space mapping of ionic diffusion and electrochemical activity in energy storage and conversion materials

Номер патента: US20120125783A1. Автор: Amit Kumar,Nancy J. Dudney,Stephen Jesse,Sergei V. Kalinin,Nina Balke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

Magnetic memory element and magnetic memory

Номер патента: US09548093B2. Автор: Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Hirofumi Morise,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Unreeling device for tape-shaped material coils supplied with memory elements of temporary action for material unreeled in phase of coils replacement and related method

Номер патента: RU2344064C2. Автор: Анджело БЕНВЕНУТИ,Роберто МОРЕЛЛИ,Романо МАДДАЛЕНИ. Владелец: Фабио Перини С.П.А.. Дата публикации: 2009-01-20.

Method of programming variable resistance nonvolatile memory element

Номер патента: US8867259B2. Автор: Shunsaku Muraoka,Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Device for vacuum-plasma deposition of materials with ion stimulation

Номер патента: RU2682744C2. Автор: Владимир Борисович Павлов,Владимир Петрович Ращинский,Вадим Александрович Сологуб,Александр Арменакович Айрапетов,Вадим Васильевич Одиноков,Георгий Яковлевич Павлов,Александр Михайлович Никонов,Михаил Георгиевич Бирюков,Константин Викторович Вавилин,Елена Александровна Кралькина,Полина Алексеевна Неклюдова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2019-03-21.

Dialysis with ion exchange extraction of phosphates

Номер патента: US4213859A. Автор: Robert Smakman,Gerrit H. van den Berg. Владелец: Akzo NV. Дата публикации: 1980-07-22.

Flash memory device having high speed erase mode and method for performing the erase mode

Номер патента: US5526309A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-11.

Method and apparatus for detecting errors in a system that employs multi-bit wide memory elements

Номер патента: US5666371A. Автор: David M. Purdham. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Computer and memory management method

Номер патента: US20140250286A1. Автор: Nobukazu Kondo,Yusuke Fukumura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Integrated circuit including a memory element programmed using a seed pulse

Номер патента: US20090310401A1. Автор: Thomas Happ,Jan Boris Philipp,Bernhard Ruf,Christian Ruster. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-12-17.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20180090206A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20150170740A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20160254051A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Non-volatile memory element

Номер патента: US20060198213A1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-09-07.

A selective and efficient process for the extraction of noble metal ions from complex mixtures

Номер патента: WO2023214425A1. Автор: THALAPPIL Pradeep,Md Rabiul Islam,Tanmayaa NAYAK. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Photographic element with speed-enhancing compound

Номер патента: US20070128560A1. Автор: Charles Heckler,Tania Zuberi,Stephen Singer,Louis Friedrich,Bernard Clark,Philip Allway. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2007-06-07.

Real space mapping of ionic diffusion and electrochmical activity in energy storage and conversion materials

Номер патента: GB201307619D0. Автор: . Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2013-06-12.

Real space mapping of ionic diffusion and electrochmical activity in energy storage and conversion materials

Номер патента: WO2012071203A3. Автор: Amit Kumar,Nancy J. Dudney,Stephen Jesse,Sergei V. Kalinin,Nina Balke. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2012-07-19.

Estimation method, estimation device, and inspection device for variable resistance element, and nonvolatile memory device

Номер патента: US09829521B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Zhiqiang Wei,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Tool support incorporating a guidance system spaced apart from the tool and machining device incorporating the tool support

Номер патента: US09737937B2. Автор: Mickael Matignon. Владелец: AIRBUS SAS. Дата публикации: 2017-08-22.

Polymers functionalized with ion-specific recognition elements

Номер патента: US09585910B2. Автор: Christopher W. Bielawski,Jonathan L. Sessler,Daniel J. Coady,Abdullah Aydogan. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of producing modified sorbent for extracting heavy metal ions from aqueous solutions

Номер патента: RU2768585C1. Автор: Татьяна Евгеньевна Никифорова,Виктория Александровна Фуфаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2022-03-24.

Mobile payment device, method of preventing unauthorised access to payment application and data memory element

Номер патента: RU2538330C2. Автор: Хао НГО,Кристиан ААБАЙ,Дэвид УИЛСОН. Владелец: Виза Интерншнл Сервис Ассосиейшн. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of controlling lines of production and packaging of logs of sanitary-hygienic paper and a line in which said method is used

Номер патента: RU2739081C2. Автор: Лука ПАГАНЕЛЛИ,Давиде ГИЗЕЛЛИ,Лука ФРАСНЕТТИ. Владелец: Фабио Перини С.П.А.. Дата публикации: 2020-12-21.

Electrically heated honeycomb element with zones of increased electric resistance

Номер патента: RU2469198C2. Автор: Ян ХОДГЗОН,Рольф БРЮКК,Йёрг-Роман КОНЕЧНИ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2012-12-10.

Methods of accelerated life testing of programmable resistance memory elements

Номер патента: US7327602B2. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey A. Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-02-05.

Cell culture system in which cell growth and virus multiplication occur concurrently

Номер патента: NZ532203A. Автор: Jens-Peter Gregersen,Jürgen Vorlop,Christian Frech,Holger Lubben. Владелец: Chiron Behring Gmbh & Co. Дата публикации: 2005-04-29.

Strain of bacteria desulfovibrio species vk-9 for purification of acidic wastewater from heavy metal ions

Номер патента: RU2603249C1. Автор: Ольга Викторовна Карначук,Инна Владимировна Лущаева,Юлия Александровна Франк,Анна Леонидовна Герасимчук. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2016-11-27.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: CA1225467A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-08-11.

Liquid enteral nutritional composition with a low monovalent metal ion content

Номер патента: WO2010140891A2. Автор: Marcel Minor,Suzanne VAN STEENIS,Hilde Ruis. Владелец: N.V. NUTRICIA. Дата публикации: 2010-12-09.

Process for recovering heavy metal ions from dilute aqueous solution

Номер патента: US4159930A. Автор: David J. Degenkolb,Fred J. Scobey. Владелец: De Luxe General Inc. Дата публикации: 1979-07-03.

Memory cell that can store data nonvolatily using a ferroelectric capacitor, and a semiconductor memory device including such a memory cell

Номер патента: US5751627A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Ferroelectric nonvolatile memory element having capacitors of same dielectric constant and method thereof

Номер патента: US6094369A. Автор: Takaaki Fuchikami,Takanori Ozawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-07-25.

Compacting operating parameter groups in solid state memory devices

Номер патента: US10290347B2. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ariel Navon,Idan Goldenberg,Alexander Bazarsky,Nian Niles Yang,Roi Kirshenbaum,Philip David Reusswig. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Process for recovering heavy metal ions from dilute aqueous solution

Номер патента: CA1114176A. Автор: David J. Degenkolb,Fred J. Scobey. Владелец: De Luxe General Inc. Дата публикации: 1981-12-15.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823726B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Magnetic bubble memory device

Номер патента: US4769783A. Автор: Ryo Suzuki,Toshihiro Sato,Tadashi Ikeda,Masatoshi Takeshita,Takashi Toyooka,Naoki Kodama,Teruaki Takeuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-09-06.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device with reduced coupling noise

Номер патента: US20090175064A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Yasutoshi Yamada,Kazuhiko Kajigaya,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-09.

Pixel clock generator, optical scanner and image forming device incorporating same

Номер патента: US20140028776A1. Автор: Shintaro Kawamura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-30.

Development of a high-efficiency adsorbent from e-waste and aluminosilicate-based materials for the removal of toxic heavy metal ions from wastewater

Номер патента: US20160023202A1. Автор: Pejman Hadi Myavagh,Gordon McKay. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2016-01-28.

Electronic portion of an ion gauge with ion collectors bowed out of plane to form a three dimensional arrangement

Номер патента: US7609067B1. Автор: Chien-Hua Chen,James Mckinnell. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2009-10-27.

Third Alternative Design for Magnetic Recording Assisted by One or Two Spin Hall Effect (SHE) Layers in the Write Gap

Номер патента: US20210142823A1. Автор: Wenyu Chen. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Paper output tray, paper output unit incorporating same, and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US09630788B2. Автор: Yasuo Matsuyama,Mizuna Tanaka,Ikuo Fujii,Ippei Kimura,Hirofumi Horita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Polymeric solar concentrator and solar thermal device incorporating same

Номер патента: US09587857B2. Автор: David J. Bates,Andrew L. Haynes,Ashton C. PARTRIDGE. Владелец: Morningside Technology Ventures Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Fuel element with composite protective coating

Номер патента: RU2740701C2. Автор: Владимир Михайлович Борисов,Виктор Николаевич Трофимов,Алексей Александрович Якушкин. Владелец: Акционерное общество "Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований" (АО "ГНЦ РФ ТРИНИТИ"). Дата публикации: 2021-01-19.

Antibacterial compositions of aqueous ink containing composite ionomer resins containing metal ion

Номер патента: RU2712660C2. Автор: Валери М. ФАРРУДЖИА,Вэнди Чи. Владелец: Зирокс Корпорейшн. Дата публикации: 2020-01-30.

LUMINOPHOR OF COMPLEX PRINCIPLE OF ACTION ON BASIS OF YTTRIUM, LANTHANUM AND GADOLINIUM OXYSULFIDES, ACTIVATED WITH IONS OF Yb3+ AND Tm3+

Номер патента: RU2610592C2. Автор: Борис Михайлович Синельников,Ошир Яизгилович Манаширов,Екатерина Михайловна Зверева,Виктор Андреевич Воробьев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственная фирма "ЛЮМ". Дата публикации: 2017-02-14.

Method of sewage treatment from heavy metal ions

Номер патента: RU2670876C1. Автор: Лариса Борисовна Сватовская,Максим Максимович Сычев,Екатерина Владимировна Русанова,Анастасия Максимовна Сычева,Махмуд Абу-Хасан,Василий Иосифович Гера,Виталий Гендрихович Котович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Петербургский государственный университет путей сообщения Императора Александра I". Дата публикации: 2018-10-25.

Sliding element, in particular piston ring, and combination of sliding element with companion working element

Номер патента: RU2531220C2. Автор: Маркус КЕННЕДИ,Михаэль ЦИННАБОЛЬД. Владелец: Федерал-Могул Буршайд Гмбх. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of manufacturing optical memory element

Номер патента: US4778747A. Автор: Akira Takahashi,Toshihisa Deguchi,Tetsuya Inui,Junji Hirokane,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-10-18.

Imaging apparatus and method for use with ion scattering spectrometer

Номер патента: US3916191A. Автор: John A Leys,Robert F Goff. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1975-10-28.

Metal ion monitoring system

Номер патента: US5354996A. Автор: Jeffrey K. Griffith,Teresa A. Coons,Jack E. Floegel. Владелец: Permacharge Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Magneto-optical memory element

Номер патента: CA1226672A. Автор: Akira Takahashi,Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Yoshiteru Murakami,Kenji Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-08.

Multi-layer glazing, in which only one glass sheet has a through hole

Номер патента: RU2752347C2. Автор: Александр Энньон. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2021-07-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5289428A. Автор: Masahiro Yoshida,Miki Matsumoto,Katsuyuki Sato,Masahiro Ogata,Sadayuki Ohkuma. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI VLSI ENGINEERING CORP. Дата публикации: 1994-02-22.

Resistive memory element

Номер патента: US5541869A. Автор: Ian S. Osborne,Janos Hajto,Mervyn J. Rose,Alan E. Owen,Anthony J. Snell,Peter G. Le Comber, deceased. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1996-07-30.

Magnetic memory elements

Номер патента: GB996593A. Автор: . Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1965-06-30.

Pump for fluid, and suction cleaning device incorporating same.

Номер патента: GB2254894A. Автор: Peter Brooke Evans. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-10-21.

METHODS, APPARATUSES AND COMPUTER PROGRAM PRODUCTS FOR AUTOMATICALLY GENERATING SUGGESTED INFORMATION LAYERS IN AUGMENTED REALITY

Номер патента: US20120001939A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2402083C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2010-10-20.

Memory device with dielectric layer based on dielectric films and method of its producing

Номер патента: RU2343587C2. Автор: Александр Петрович Барабан,Виктор Евгеньевич Дрозд,Ирина Олеговна Никифорова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ). Дата публикации: 2009-01-10.

Flash memory element for electrically reprogrammable read-only memory

Номер патента: RU2403631C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Камиль Ахметович Насыров. Владелец: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук (ИАиЭ СО РАН). Дата публикации: 2010-11-10.

Flash memory element for electrically programmable read-only memory

Номер патента: RU2357324C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-05-27.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making electromechanical memory element with movable electrodes

Номер патента: RU2584267C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Алексей Сергеевич Тимошенков,Сергей Николаевич Орлов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2016-05-20.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-frequency superconducting memory element

Номер патента: RU2554612C2. Автор: Михаил Юрьевич Куприянов,Сергей Викторович Бакурский,Николай Викторович Кленов,Игорь Игоревич Соловьев,Александр Львович Гудков,Валерий Владимирович Рязанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-06-27.

Flash memory element of electrically alterable read-only memory

Номер патента: RU2368037C1. Автор: Юрий Николаевич Новиков. Владелец: Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-09-20.

CONTROL SYSTEM AND VEHICLE INCORPORATING SAME

Номер патента: US20120000173A1. Автор: Papke Clark S.,Pryor Justin L.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Dissociative luminescent nanosensor of metal ions and hydrogen in aqueous solutions

Номер патента: RU2456579C1. Автор: Александр Васильевич Баранов,Андрей Викторович Вениаминов,Галина Николаевна Виноградова,Юлия Александровна Громова,Марина Сергеевна Губанова,Владимир Григорьевич Маслов,Мария Викторовна Мухина,Анна Олеговна Орлова,Пётр Сергеевич Парфёнов,Анатолий Валентинович Фёдоров,Анатолий Александрович Крашенинников,Александр Платонович Попов,Алексей Николаевич Катрузов,Надежда Михайловна Германова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (НИУ ИТМО). Дата публикации: 2012-07-20.

CONTROL SYSTEM AND VEHICLE INCORPORATING SAME

Номер патента: US20120000172A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Resistive flash memory element

Номер патента: RU2516771C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-05-20.

Method of creating shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon

Номер патента: RU2523732C1. Автор: Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Иосифович Зиненко,Юрий Андреевич Агафонов,Владимир Васильевич Сарайкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "научно-исследовательский институт Физических проблем им. Ф.В. Лукина (ФГУП НИИФП им. Ф.В. Лукина). Дата публикации: 2014-07-20.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2585307C1. Автор: Виктория Васильевна Шумянцева,Елена Владимировна Супрун,Александр Иванович Арчаков,Сергей Павлович Радько,Светлана Александровна Хмелева,Яна Юрьевна Киселева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт биомедицинской химии имени В.Н. Ореховича" (ИБМХ). Дата публикации: 2016-05-27.

MEMORY ELEMENT WITH ION CONDUCTOR LAYER IN WHICH METAL IONS DIFFUSE AND MEMORY DEVICE INCORPORATING SAME

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты