Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor substrate, production method thereof and semiconductor device

Semiconductor substrate, production method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20070202661A1
Опубликовано: 30-08-2007
Автор(ы): Hideki Tojima, Hiromichi Kinpara, Kazuhiko Katami, Toru Onishi
Принадлежит: Toyota Motor Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor substrate and its production method, semiconductor device comprising the same and its production method

Номер патента: AU5760199A. Автор: Takashi Morishita,Masahiro Matsui. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-17.

Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8481393B2. Автор: Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Junpei Momo,Fumito Isaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-09.

Semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090115029A1. Автор: Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Junpei Momo,Fumito Isaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

GaN thin film bonded substrate and manufacturing method thereof, and GaN-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5003033B2. Автор: 昭広 八郷,勝史 秋田,仁 笠井,祥紀 三浦. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US8492805B2. Автор: Masaaki Takizawa,Kentaro Akiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20130288419A1. Автор: Masaaki Takizawa,Kentaro Akiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for making semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391446A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090269904A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09875989B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device formed in semiconductor layer arranged on substrate with one of insulating film and cavity interposed between the substrate and the semiconductor layer

Номер патента: US20030122191A1. Автор: Takashi Yamada,Shinichi Nitta,Ichiro Mizushima,Hajime Nagano,Yuso Udo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060115935A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor Device Structure and Method for Manufacturing the same

Номер патента: US20120043593A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-23.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084733A1. Автор: Jong-Doo Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653358B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with peripheral breakdown protection

Номер патента: US09543379B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230030778A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7622362B2. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080113490A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Partial, self-biased isolation in semiconductor devices

Номер патента: US09825169B2. Автор: Xu Cheng,XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device including STI structure

Номер патента: US09601568B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130200485A1. Автор: Hiroaki Naruse. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20210159115A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Marko David Swoboda,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-27.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US20150318219A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-05.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US20170047416A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-16.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: WO2014051728A2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220320311A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chung-Chieh Lee,Yung-Chang Hsu,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen,Yung-Tzu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125898B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chung-Chieh Lee,Yung-Chang Hsu,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen,Yung-Tzu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of manufacturing a semiconductor device by forming a separation trench

Номер патента: US09935055B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Shallow trench isolation structure with raised portion between active areas and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761658B2. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170200644A1. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof

Номер патента: US09704839B2. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: EP4372792A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190244819A1. Автор: Ryuji Ueno,Masatoshi Sunamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device with interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210193559A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof

Номер патента: US20170141090A1. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor Devices for Integration with Light Emitting Chips and Modules Thereof

Номер патента: US20170271313A1. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor devices for integration with light emitting chips and modules thereof

Номер патента: US9966368B2. Автор: Thomas Gross,Johann Gatterbauer,Bernhard Weidgans,Dietrich Bonart,Martina Heigl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11923292B2. Автор: Donghyeon Jang,Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Jinkuk BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US11798879B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210257292A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for preparing semiconductor device with composite passivation structure

Номер патента: US20230369203A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIA(S) IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ASSOCIATED PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20190198395A1. Автор: Knechtel Roy,Dempwolf Sophia,Guenther Daniela,Schwarz Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11916125B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US20230387199A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: US20230369223A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: US11721626B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chia-Hsien Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device with backside spacer and methods of forming the same

Номер патента: EP3944298A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Jason Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20220359699A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US11916105B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

The electric network composition and the manufacture method thereof that are used for semiconductor device

Номер патента: CN101930965A. Автор: 李伟健,王平川,R·G·菲利皮. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-29.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09576908B1. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09721896B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021631A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450075B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721873B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647068B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190287925A1. Автор: Kazuhiro OOSHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140232011A1. Автор: Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200235220A1. Автор: Chen-Chiang Liu,Kuo-Sheng Shih,Hung-Kwei Liao,Ming-Tsung Hsu,Yung-Yao Shih. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09679818B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7915731B2. Автор: Masafumi Uehara,Hiroshi Ishizeki. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721857B2. Автор: Tetsuya Yoshida,Yoshiki Yamamoto,Koetsu SAWAI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09941321B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09842878B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09685474B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472472B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12035542B2. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240015988A1. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371280A1. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984322B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258114A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Tien-Shun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266351A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Hiroshi Sato,Shinsuke Harada,Atsushi Yao. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114512B2. Автор: Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Ying-Yu Chen,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374910A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device having through silicon vias and manufacturing method thereof

Номер патента: US09515037B2. Автор: Masahiro Yamaguchi,Ryohei Kitada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20200027952A1. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US10892329B2. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Integrated circuit product with bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09608003B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204041A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Mariko Yamashita,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device including through via structure

Номер патента: US12046538B2. Автор: Taeseong Kim,Hoonjoo NA,Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343641A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US09923051B1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09911821B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Partially biased isolation in semiconductor devices

Номер патента: US09728600B2. Автор: Xu Cheng,XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09666530B1. Автор: Chen-Shien Chen,Han-Ping Pu,Mirng-Ji Lii,Yu-feng Chen,Kuo-Lung Pan,Yu-Jen Cheng,Yu-Chih Huang,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09576881B2. Автор: Norihisa Arai,Keisuke Murayama,Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Three-dimensional germanium-based semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US09472399B2. Автор: Abhijit Jayant Pethe,Annalisa Cappellani,Bruce E. Beattie,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234490A1. Автор: Shaofeng Ding,Yun Ki CHOI,Jeong Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175231A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit substrate and electronic device

Номер патента: US20050001327A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device, semiconductor module, and packaged semiconductor device

Номер патента: US11069783B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Mitsuaki Sakamoto,Toshikazu Imai,Yasuyuki Masumoto,Shigetoshi Sota,Tomonari OOTA,Masaaki HIRAKO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-20.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Semiconductor device with communication ring

Номер патента: US20240274591A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Catherine Decobert,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with communication ring

Номер патента: WO2024172822A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Catherine Decobert,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Semiconductor devices, through-substrate via structures and methods for forming the same

Номер патента: US09972534B1. Автор: Li-Che Chen,Hsing-Chao Liu,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779992B2. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09698090B2. Автор: Ho-Chuan Lin,Bo-Shiang Fang,Chia-Chu Lai,Min-Han Chuang,Li-Fang Lin. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09691739B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Michihiro Kawashita,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Tessera Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Partial, self-biased isolation in semiconductor devices

Номер патента: US09614074B1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614055B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Ooishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09412738B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307423A1. Автор: Sung Min Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234253A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260876A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420299A1. Автор: Tomoyuki Kamakura,Koichi Mizugaki,Yasuke Matsuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12033920B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: EP4401121A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190287964A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Akio Yamano,Aiko TAKASAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756920B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Zheng-Xun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11195749B2. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313425A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11588020B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US12074094B2. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device including graphene interconnect and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230335497A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240322028A1. Автор: Katsuji Matsumoto,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4456130A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363493A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10043702B2. Автор: Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09953858B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices with protruding conductive vias and methods of making such devices

Номер патента: US09941210B1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Colby Rampley,Mali Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with selectively etched surface passivation

Номер патента: US09799760B2. Автор: Bruce M. Green,Darrell G. Hill,Jenn Hwa Huang,Karen E. Moore. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741554B2. Автор: Satoru Kameyama,Shuhei Oki,Masaki AJIOKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559180B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520339B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device having backside interconnect structure through substrate via and method of forming the same

Номер патента: US09449898B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200294985A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947753B2. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Self-adjusted isolation bias in semiconductor devices

Номер патента: US09680011B2. Автор: Xu Cheng,XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor package, semiconductor substrate, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20170148679A1. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang,Keng-Hung Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068267B2. Автор: Yoshihiro Uozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09917010B2. Автор: Kazumi Onda,Mitsuo Umemoto,Hideaki Yoshimi,Kazumi Horinaka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Guard ring in semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080150144A1. Автор: Won-Hyo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298444A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929069B2. Автор: Hsien-Wei Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Tien-Chung Yang,Lin-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device that includes dividing semiconductor substrate by dry etching

Номер патента: US09633902B2. Автор: Mie Matsuo,Satoshi Matsui,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425538A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110115080A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Apparatus and methods for manufacturing semiconductor devices and treating substrates

Номер патента: US09595434B2. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Kyoungseob Kim,Kyoung Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods of packaging and dicing semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09559005B2. Автор: Chung-Shi Liu,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yu-Peng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US9105580B2. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140287555A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor substrate processing apparatus and the method thereof

Номер патента: US20230203654A1. Автор: Todd Dunn,Taku Omori,Cheuk Li,Aadil Vora,Paridhi GUPTA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-06-29.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS THEREFOR, GaN-BASED CRYSTAL BODY, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20240191391A1. Автор: Toshihiro Kobayashi,Yuichiro Hayashi,Takeshi Kamikawa,Yuta Aoki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090142901A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8021944B2. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277548A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device including a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US9570566B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Production method for semiconductor substrate and production method for field effect transistor and semiconductor substrate and field effect transistor

Номер патента: EP1437765A4. Автор: Kazuki Mizushima,Kenji Yamaguchi,Ichiro Shiono. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-03-17.

Self-supported nitride semiconductor substrate and its production method, and light-emitting nitride semiconductor device using it

Номер патента: US20080246054A1. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Processing condition selection method, substrate processing method, substrate product production method, processing condition selecting device, computer program, and storage medium

Номер патента: US12142502B2. Автор: Takashi Ota,Makoto Takaoka,Hiroshi Horiguchi,Toru EDO. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Compound semiconductor substrate having metal layer, method for manufacturing the same, and compound semiconductor device using the same

Номер патента: KR100956499B1. Автор: 김두수,김용진,이동건. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2010-05-07.

Semiconductor substrate cleaning apparatus and cleaning method thereof

Номер патента: JP4481394B2. Автор: 充彦 白樫,壮一 灘原,寛 冨田,賢也 伊藤,雄貴 井上. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor substrate, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106471163B. Автор: 熊谷义直,村上尚,后藤健,绞缬明伯. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Iii-v compound semiconductor substrate, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: CN101630641A. Автор: 樋口恭明,中山雅博. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Cleaning agent for semiconductor substrate, cleaning method using the cleaning agent and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TWI545188B. Автор: 上村哲也. Владелец: 富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor substrate, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI721945B. Автор: 後藤健,纐纈明伯,熊谷義直,村上尙. Владелец: 國立大學法人東京農工大學. Дата публикации: 2021-03-21.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for producing same, and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2015019733A1. Автор: 増田　健良,拓 堀井. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor substrate, epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI625767B. Автор: Ken Goto,Yoshinao Kumagai,Hisashi Murakami. Владелец: National Univ Corporation Tokyo Univ Of Agriculture And Technology. Дата публикации: 2018-06-01.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for producing same, and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2015019707A1. Автор: 増田　健良,拓 堀井,良輔 久保田. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130893A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Processing condition specifying method, substrate processing method, substrate product production method, computer program, storage medium, processing condition specifying device, and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230053059A1. Автор: Takashi Ota,Tatsuya Shimano,Dai Inagi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Processing condition selection method, substrate processing method, substrate product production method, processing condition selecting device, computer program, and storage medium

Номер патента: US20220148896A1. Автор: Takashi Ota,Makoto Takaoka,Hiroshi Horiguchi,Toru EDO. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device

Номер патента: EP0798780A3. Автор: Shinji OKI Electric Industry Co. Ltd. Ohuchi,Yasushi OKI Electric Industry Co. Ltd. Shiraishi,Hiroshi OKI Electric Industry Co. Ltd. Kawano,Etsuo OKI Electric Industry Co. Ltd. Yamada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-13.

Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090140411A1. Автор: Koji Tomita,Chikao Ikenaga,Masachika Masuda. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220262958A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with epitaxial bridge feature and methods of forming the same

Номер патента: US11855225B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Post gate dielectric processing for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20230411220A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu,Cheng Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220037535A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945598A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US11791422B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor Device With Fish Bone Structure And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20230387326A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Oxide sintered body and manufacturing method thereof, sputter target, and semiconductor device

Номер патента: JP6288292B2. Автор: 研一 綿谷,英章 粟田,美紀 宮永,宮永　美紀. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-07.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US20090149029A1. Автор: Ryuta Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor component, package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294984A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh,Chi-Hwang Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Nmos device, production method thereof, and integrated circuit

Номер патента: EP4141913A1. Автор: Fengjie Tang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09954053B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11049785B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: EP3712953A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US20200303505A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US11349000B2. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339495A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014793A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Production method for a semiconductor device

Номер патента: US09530672B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20230054495A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US12132022B2. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640446B2. Автор: Weiming He,Huayong Hu,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor substrate with oxide single crystal heterostructures, manufacturing method thereof and electronic device using the same

Номер патента: US20230010061A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Jae-Hoon Han,Hyun-Cheol SONG,Ruiguang Ning. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-12.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899267B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595532B2. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240321950A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Polishing composition, polishing composition production method, polishing method, and semiconductor substrate production method

Номер патента: US20240343943A1. Автор: Ryota Mae. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2011099772A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP2534705A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09773940B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425347B2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US09947761B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09911814B2. Автор: Kazunobu Kuwazawa,Hiroaki Nitta. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640613B2. Автор: Junichi Takizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09362402B2. Автор: Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2259327A3. Автор: Ferruccio Frisina,Angelo Magri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-29.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150287775A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Wei Ni,Toshiharu Marui,Kenta Emori. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20240339429A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Packaging systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: EP4443481A2. Автор: Arun Ramakrishnan,Sam Ziqun Zhao,Teong Swee Tan. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09876070B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Wei Ni,Toshiharu Marui,Kenta Emori. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with protective films and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437734B2. Автор: Kiyotaka Yonekawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having crack-resisting ring structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559063B2. Автор: Takeshi Watanabe,Junya Ishii,Hiroyasu Kitajima,Yoshitsugu Kawashima,Hirofumi SAITOU,Tatsuki Kojima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and static random access memory cell

Номер патента: US09607995B2. Автор: Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Pad design for circuit under pad in semiconductor devices

Номер патента: US20140035089A1. Автор: Wei Zheng,YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Laminated semiconductor substrate, laminated chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120025355A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hiroyuki Ito,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170358646A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332386A1. Автор: Yung-Chun Wu,Yi-Ju Yao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691851B1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543154B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09406677B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070218617A1. Автор: Tatsushi Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343866A1. Автор: Samuel C. Pan,I-Hsieh Wong,Cheewee Liu,Fang-Liang LU,Shih-Ya Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2021-11-04.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220351973A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Epitaxial blocking layer for multi-gate devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240266167A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: EP1908118A2. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto,Shineharu Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290881A1. Автор: Koichi Arai,Yasuhiro Okamoto,Atsushi Sakai,Hironobu Miyamoto,Kenichi Hisada,Satoshi Eguchi,Yasunori Yamashita,Nobuo Machida,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device structure

Номер патента: US10163516B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Carrier system for processing semiconductor substrates, and methods thereof

Номер патента: US09640419B2. Автор: Michael Roesner,Martin Mischitz,Manfred Schneegans,Michael Pinczolits. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-02.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09401402B2. Автор: Masahiro Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190214462A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Akio Yamano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20140315352A1. Автор: Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150187795A1. Автор: Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, communication module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068407B2. Автор: Masashi Yanagita,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device assessment apparatus

Номер патента: US09551745B2. Автор: Kinya Yamashita,Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203811A1. Автор: Nobuyuki Kato,Yutaka Tomatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190385852A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964464B2. Автор: Takashi Sakuma. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282576A1. Автор: Sangjin Kim,Jongsu Kim,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080248641A1. Автор: Mariko Makabe. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20090200575A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200135847A1. Автор: Akira KIYOI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: WO2007112171A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Frescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341470A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911733B2. Автор: Hiroshi Miyata,Souichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09679976B2. Автор: Masamune TAKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660079B2. Автор: Tomotake Morita,Kenichi Yamamoto,Hiromi Sasaki,Masashige Moritoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09608113B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09589824B2. Автор: Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472648B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor substrate heating device, semiconductor device and temperature control method

Номер патента: US20240213080A1. Автор: YU Han,Xinglong Chen,Yuanbin SUN,Yunhe JIANG. Владелец: Shenyang Kingsemi Co ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060086990A1. Автор: Kazumi Kurimoto,Makoto Misaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120423A1. Автор: Tetsuya Okada,Kikuo Okada,Remi Hagiwara. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019115A1. Автор: Chih-Yuan Chuang,Ying-Ru Shih,Wen-Ching Hsu,Chun-I Fan. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Bottle-neck recess in a semiconductor device

Номер патента: US10020397B2. Автор: Syun-Ming Jang,Tze-Liang Lee,Chao-Cheng Chen,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Shih-Hao Lo,Eric Peng,Ying Hao Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12057497B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230223443A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290845A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190123182A1. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107691B2. Автор: Hideya Yamadera,Toru Ikeda,Tomohiko Mori,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190206860A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150104942A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12107123B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor Device Including Insulating Layer of Cubic System or Tetragonal System

Номер патента: US20120168904A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sung-Hae Lee,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sang-Yeol Kang,Jun-noh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09991381B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09887101B2. Автор: So Tanaka,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09837493B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chien-Hung Chen,Yu-Ru Yang,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee,Shih-Hsien Huang,Cheng-Tzung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Composite substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812345B2. Автор: Yuji Hori,Akiyoshi Ide,Sugio Miyazawa,Tomoyoshi Tai,Ryosuke Hattori,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786772B2. Автор: yu Enomoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device in which said processing method is used

Номер патента: US09779968B2. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09728654B2. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09520286B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US09431270B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Hidenao Kuribayashi,Hideaki Teranishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

High-voltage semiconductor device

Номер патента: US10784369B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing partial SOI substrates

Номер патента: US20050023609A1. Автор: Ichiro Mizushima,Hajime Nagano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US8697509B2. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240063284A1. Автор: Chee-Wee Liu,Chien-Te TU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7534687B2. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

High- voltage semiconductor device

Номер патента: US20190334031A1. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20220344229A1. Автор: Hiroyuki Nakano,Yuri Kunishige. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device having insulating film with different stress levels in adjacent regions and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140175557A1. Автор: Tatsunori Murata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Finfet semiconductor device with isolated channel regions

Номер патента: US20160093739A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor devices to reduce stress on a metal interconnect

Номер патента: US7501706B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12051591B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Method of cleaning semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate processing apparatus for use in the same

Номер патента: US20060046500A1. Автор: MAKOTO Miyamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12068404B2. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20020034843A1. Автор: Florin Udrea,Gehan Amaratunga. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240371642A1. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Power trench MOSFET with improved unclamped inductive switching (UIS) performance and preparation method thereof

Номер патента: US09997593B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Yongping Ding. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09978723B2. Автор: Yoshitaka Tadaki,Naohiro Takazawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with suppressed decrease in breakdown voltage of an insulation film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09871098B2. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US09842904B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor substrate and semiconductor device including the same

Номер патента: US09818824B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung Hun Lee,Moon Seung Yang,Sun Jung Kim,Eun Hye Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773910B2. Автор: Chung-Yi Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US09634087B1. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12062586B2. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weil Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230253273A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weii LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150171129A1. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20150381169A1. Автор: Hidetomo Kobayashi,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor substrate, seminconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040007741A1. Автор: Kazuhito Matsukawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20080048288A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Power semiconductor device

Номер патента: EP2546879A3. Автор: Seung Bae HUR,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Sintered high performance semiconductor substrate and corresponding production method

Номер патента: CN101304017B. Автор: U·赫尔曼,C·格布尔,H·布拉姆尔. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-08-22.

Film type semiconductor package including test pad with common output channel and method thereof, test device and semiconductor device including pattern with common test channel and method thereof

Номер патента: KR100734290B1. Автор: 허남중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-02.

1.5-transistor (1.5t) one time programmable (otp) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US20220059551A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

1.5-transistor (1.5T) one time programmable (OTP) memory with thin gate to drain dielectric and methods thereof

Номер патента: US11315937B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

TERMINAL LAND FRAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND RESIN-ENCLOSED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP3916352B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Semiconductor device with S/D bottom isolation and methods of forming the same

Номер патента: US11854896B2. Автор: Ying-Keung Leung,Xusheng Wu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with s/d bottom isolation and methods of forming the same

Номер патента: US20240105517A1. Автор: Ying-Keung Leung,Xusheng Wu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US11991872B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRONIC APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130288419A1. Автор: Akiyama Kentaro,TAKIZAWA MASAAKI. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US8829635B2. Автор: Shunichi Shibuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Insulating substrate, manufacturing method thereof, semiconductor module, and semiconductor device

Номер патента: JP5954374B2. Автор: 健次 岡本,茜 渡辺,岡本　健次. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Semiconductor chip, manufacturing method thereof, semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: JP3229185B2. Автор: 浩哉 佐藤,正智 長谷川,典子 柿本. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-11-12.

Oxide sintered body and manufacturing method thereof, sputter target, and semiconductor device

Номер патента: JP6428780B2. Автор: 研一 綿谷,浩一 曽我部,英章 粟田,美紀 宮永,宮永　美紀. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-28.

Semiconductor device including semiconductor element mounted on another semiconductor element

Номер патента: US20050167834A1. Автор: Shigeru Yamada,Yasushi Shiraishi,Shinji Ohuchi. Владелец: Shinji Ohuchi. Дата публикации: 2005-08-04.

Anisotropic conductive bonding agent and forming method thereof to substrate and semiconductor-chip mounting method and semiconductor device

Номер патента: JPH11204567A. Автор: Toshihiro Sawamoto,俊宏 沢本. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-07-30.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, integrated circuit and semiconductor system

Номер патента: JP4870288B2. Автор: 誠三 柿本,暢俊 洗. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-02-08.

NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PRODUCTION METHOD FOR POLYIMIDE, PRODUCTION METHOD FOR CURED RELIEF PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220291585A1. Автор: HIRATA Tatsuya,SHIMIZU Takeki,MATSUMOTO Suzuka. Владелец: ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2022-09-15.

Frame for semiconductor device and manufacture thereof, and manufacture of semiconductor device using frame therefor

Номер патента: JPH11297921A. Автор: 章能 澤井,Akiyoshi Sawai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-29.

Negative photosensitive resin composition, production method for polyimide, production method for cured relief pattern, and semiconductor device

Номер патента: TW202223541A. Автор: 平田竜也,清水建樹,松本涼香. Владелец: 日商旭化成股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-16.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Uematsu Koji,NAKAHATA Seiji,Osada Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

Wiring glass substrate, manufacturing method thereof, conductive paste and semiconductor module used for wiring glass substrate, wiring substrate and method of forming conductor

Номер патента: JPWO2003007370A1. Автор: 浩貴 山本,崇夫 三輪,敬郎 石川,正則 瀬川,高橋　　研,大五郎 嘉本,山本　浩貴,塩野　修,修 塩野,石川　敬郎,孝 滑川,滑川　　孝,鈴木　康隆,康隆 鈴木,内藤　孝,内藤　　孝,高橋　研,佐藤　俊也,俊也 佐藤,元脇　成久,成久 元脇. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-11-04.

Thermoconductive adhesive sheet, production method for thermoconductive adhesive sheet, and semiconductor device

Номер патента: EP3786245A1. Автор: Kazunori Okano,Yosuke Arakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-03-03.

Thermoconductive adhesive sheet, production method for thermoconductive adhesive sheet, and semiconductor device

Номер патента: EP3786245B1. Автор: Kazunori Okano,Yosuke Arakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT

Номер патента: DE602008006652D1. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Kazuhiko Shimakawa,Yoshihiko Kanzawa,Koji Katayama,Satoru Mitani,Ryoko Miyanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Epoxy-silicone hybrid resin composition, process for the preparation thereof and light-emitting semiconductor device

Номер патента: KR101252301B1. Автор: 쯔또무 가시와기,긴야 고다마. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-04-08.

Solid-state image-pickup element, manufacture thereof, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11111957A. Автор: Takeshi Matsuda,Masaru Sugimoto,大 杉本,健 松田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-04-23.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device provided with photodiode, manufacturing method thereof, and optical disc device

Номер патента: US20140319643A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Hiroshi Yumoto,Tomokazu Mukai,Shuji Yoneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Solar cell, preparation method thereof and photovoltaic module

Номер патента: AU2024204737A1. Автор: WEI Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4125138A1. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Solar cell, preparation method thereof and photovoltaic module

Номер патента: EP4404278A2. Автор: WEI Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Solar cell, preparation method thereof and photovoltaic module

Номер патента: US20240355941A1. Автор: WEI Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US11751411B2. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US20230041048A1. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09721915B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Jun Fujita,Hiroaki Okabe,Motoru YOSHIDA,Kazuyo Endo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Solid state image sensor, production method thereof and electronic device

Номер патента: US12035549B2. Автор: Masahiro Joei,Kaori Takimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Imaging apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment

Номер патента: US20230005978A1. Автор: Yuki Miyanami,Nao Yoshimoto,Shigehiro Ikehara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837516B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679998B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Solid state image sensor, production method thereof and electronic device

Номер патента: US09666643B2. Автор: Masahiro Joei,Kaori Takimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046671B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US20230079799A1. Автор: Jingsheng Jin,Linan Zhang,Jiahua Qu. Владелец: Jinko Solar Haining Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4372829A2. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4372829A3. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991383B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748384B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor component and manufacturing method thereof

Номер патента: US09548360B2. Автор: Koichi Amari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139956A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258312A1. Автор: I-Chih Chen,Chih-Mu Huang,Ting-Chun Kuan,Kuan-Jung Chen,Ming-Feng Lee,Kai-Di Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US09894293B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Keiichi Itagaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US09780087B2. Автор: Mengfeng Tsai,Buxin ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140077292A1. Автор: Hideki Okumura,Takuya Nogami,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Solar Cell and Manufacture Method thereof, and Photovoltaic Module

Номер патента: AU2022209315A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Bike Zhang. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Solar cell and manufacture method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: NL2034327A. Автор: YANG Nannan,JIN Jingsheng,Zhang Bike. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Solar cell and manufacture method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: NL2034327B1. Автор: YANG Nannan,JIN Jingsheng,Zhang Bike. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Solar cell and manufacture method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4287268A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Bike Zhang. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11189723B2. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043988A1. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Photoelectric conversion device, manufacturing method thereof, and apparatus

Номер патента: US20190131468A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device including gate oxide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057483B2. Автор: Jung Han,Yu-Hsiang Hung,Yu-Hsiang Lin,Chih-Mou Lin,Ming-Hua Tsai,Ming-Chi Li,Tzu-Lang Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and electronic appliance

Номер патента: US09818784B2. Автор: Toshihiko Miyazaki,Koichi Baba,Hiroaki Ammo,Takashi Kubodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773878B2. Автор: Takahide Tanaka,Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09696489B2. Автор: Shinichi Watanuki,Atsuro Inada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductror device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090096020A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: WO2020116449A1. Автор: Toshiaki Iwafuchi,Ikue Mitsuhashi. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

Solid-state imaging element, production method thereof, and electronic device

Номер патента: US20160293873A1. Автор: Tetsuji Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240306368A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240371993A1. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Solid-state imaging element, production method thereof, and electronic device

Номер патента: US09882154B2. Автор: Tetsuji Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09606012B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Yutaka Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US12132138B2. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837460B2. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Yosuke Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Passivated contact structure and preparation method thereof, and solar cell and preparation method thereof

Номер патента: US20240347647A1. Автор: WEI Liu,HONG Chen,Dongyun LV,Zigang Wang,Daming Chen,Chengfa Liu. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Image capturing apparatus, manufacturing method thereof, and camera

Номер патента: US09659991B2. Автор: Hideomi Kumano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210083109A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Kai-Yi Huang,Chih-Hua Liu,I-Jhen Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20080157351A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device and dc-to-dc converter

Номер патента: US20110156678A1. Автор: Hiroshi Saito,Yuichi Goto,Ryo Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190157466A1. Автор: Yuki Haraguchi,Fumihito MASUOKA,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7411260B2. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080079099A1. Автор: Hiroyuki Enomoto,Shuntaro Machida,Taro Asai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20240321829A1. Автор: Nobuyuki Momo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140367767A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Ryota Fujitsuka,Takeshi SHUNDO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP4447109A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Solar cell, manufacturing method thereof, and solar cell module

Номер патента: US09997650B2. Автор: Norihiro Tamura,Hayato Kohata,Atsuro Hama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and DC-to-DC converter

Номер патента: US09780659B2. Автор: Hiroshi Saito,Yuichi Goto,Ryo Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having a filling conductor comprising a plug portion and a cap portion and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780092B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US09337185B2. Автор: Frank Pfirsch,Carsten Schaeffer,Dorothea Werber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056273A1. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230207635A1. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tatsuji Nagaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991349B2. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966383B2. Автор: LIANG Yi,Shen-De Wang,Ko-Chi Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09741843B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09673340B1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110183484A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP3846204A1. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US20030052403A1. Автор: Ting Ang,Sang Loong,Shyue-Fong Quek,Duay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090189199A1. Автор: Naoharu Sugiyama,Yoshihiko Moriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device comprising counter-doped regions

Номер патента: US20200266287A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20160141356A1. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230275148A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087760B2. Автор: Derrick Johnson,Yupeng Chen,Mark Griswold,Ralph N. Wall. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, photoelectric conversion system, movable object

Номер патента: US20240339477A1. Автор: Nobuaki Kakinuma,Akira Oseto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09984990B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US09786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09607927B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09543228B2. Автор: Nobumasa Hasegawa,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12027578B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20140159041A1. Автор: Kenichi Osada,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor substrate, semiconductor device, method of producing semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090039396A1. Автор: Shinji Uya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030020066A1. Автор: Shigenori Kido,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140131798A1. Автор: Takashi Nakano,Takuya Okuno,Syunsuke HARADA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Image sensor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20200295076A1. Автор: Bo-Ray LEE. Владелец: Silicon Optronics Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7737465B2. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

High voltage semiconductor devices

Номер патента: WO2016042330A1. Автор: Peter Ward,Florin Udrea,Tanya Trajkovic,Neophytos LOPHITIS. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: US20240290857A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Powerr Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having a transistor cell region and a termination region with needle-shaped field plate structures

Номер патента: US20210066459A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20160260678A1. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods for forming a bonded semiconductor substrate including a cooling mechanism

Номер патента: US20120161275A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US9607961B2. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20070152274A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

High voltage semiconductor devices

Номер патента: EP3195369A1. Автор: Peter Ward,Florin Udrea,Tanya Trajkovic,Neophytos LOPHITIS. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2017-07-26.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120068176A1. Автор: Shingo KOZAKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor device manufacturing method comprising first conductive layer with increased roughness in array region

Номер патента: US12108594B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347586A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Stacked semiconductor device with connection pad shield

Номер патента: US20240355765A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked semiconductor device with connection pad disposed between connection pad shields

Номер патента: US20240355858A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865638B2. Автор: Doo Won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09741634B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09640612B2. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09607961B2. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging element, and semiconductor device

Номер патента: US09484368B2. Автор: Hiroyuki Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437731B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing process thereof

Номер патента: US20080064148A1. Автор: Hideki Takahashi,Mitsuru Kaneda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and manufacturing process thereof

Номер патента: US7326996B2. Автор: Hideki Takahashi,Mitsuru Kaneda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269294A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230261096A1. Автор: Yoshihiro Ikura,Kaname MITSUZUKA,Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130341718A1. Автор: Hye-mi Kim,Min-Suk Kim,Sun-Hak Lee,Jin-Woo Moon. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100219460A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20030057503A1. Автор: Tatsuo Yoneda,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8294190B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor Device with Needle-Shaped Field Plate Structures

Номер патента: US20200127102A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140217465A1. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098662A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100240202A1. Автор: Ryo YOSHII. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Trench-type semiconductor device structure

Номер патента: US20090166702A1. Автор: Hung-Chang Liao,Ming-Cheng Chang,Shian-Jyh Lin,Neng Tai Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20100219508A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the device

Номер патента: US20020025630A1. Автор: Masao Tanimoto,Seichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20130119472A1. Автор: Koichi Shimazaki,Shoji Nakanishi,Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device and junction edge region thereof

Номер патента: US12100742B2. Автор: Wenfang Du. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12087765B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device comprising a photodetector with reduced dark current

Номер патента: US12136679B2. Автор: Yi-Chen Chen,Chen-Hao Chiang,Shih-Wei Lin,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371856A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Optical semiconductor element, optical semiconductor device, optical transmission system, and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US12119417B2. Автор: Kenichi Ono,Satoshi Inada,Akemi Murakami,Tsutomu Otsuka,Junichiro Hayakawa,Takeshi MINAMIRU. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices for image sensing

Номер патента: US12136638B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371857A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09927499B2. Автор: Mamoru Yamagami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated Schottky diode in high voltage semiconductor device

Номер патента: US09876073B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Lingpeng Guan,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-01-23.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09799648B2. Автор: Atsushi Narazaki,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09793343B2. Автор: Yuichi Onozawa,Hiroki Wakimoto,Eri OGAWA,Misaki TAKAHASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Solar battery cell and production method thereof

Номер патента: US09647147B2. Автор: Mitsunori Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated Schottky diode in high voltage semiconductor device

Номер патента: US09620584B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Lingpeng Guan,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09543291B2. Автор: Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Image pickup apparatus, semiconductor device, and electronic device including a buried portion disposed adjacent to a bonding portion, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09419040B2. Автор: Hirotaka Yoshioka,Kenta Ikeda,Kenta Nojima,Kengo Kotoo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09331042B2. Автор: Daisuke Sakurai,Kazuya Usirokawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US10636885B2. Автор: Takeshi Imamura,Ryou Kato,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Toshikazu Imai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237368A1. Автор: Ilhyoung Jung,Hyunho Kim,Giwon Lee,Kyungdong LEE. Владелец: Shangrao Xinyuan Yuedong Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20170301753A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388615A1. Автор: Hidetoshi Tanaka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US10903312B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US9735229B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US5914527A. Автор: John J. Freeman,O. Melville Clark,Arlene Bennett. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274699A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, electric power conversion device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240274655A1. Автор: Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20030178683A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor wafer, semiconductor device, method for manufacturing the semiconductor device, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20050023669A1. Автор: Takayoshi Obinata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20240290804A1. Автор: Yuta Saito,Rina TAKEDA. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor substrate, method for producing semiconductor substrate, semiconductor substrate production device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20240322078A1. Автор: Toshihiro Kobayashi,Yuichiro Hayashi,Takeshi Kamikawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light scattering structures

Номер патента: US12113138B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Allen SULFRIDGE,Andrew Eugene PERKINS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices for image sensing

Номер патента: US20240371900A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, method for manufacturing same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway carriage

Номер патента: US09960259B2. Автор: Naoki Watanabe,Naoki Tega,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09947670B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09935099B2. Автор: Su Xing,Zhibiao Zhou,Chen-Bin Lin,Chung-Yuan Lee,Chi-Chang Shuai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having mesh-patterned wirings

Номер патента: US09871027B2. Автор: Eiji Kondo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09735229B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Organic pixels including organic photodiode, manufacturing methods thereof, and apparatuses including the same

Номер патента: US09673258B2. Автор: HIROSIGE GOTO,Kwang-Hee Lee,Kyung Ho Lee,Jin Ho Seo,Kyung Bae Park,Yun Kyung KIM,Kyu Sik Kim,Kyo Jin CHOO,Sang Chul Sul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-grain-oriented flat metal product, method for production thereof and use

Номер патента: US20230287544A1. Автор: Olaf Fischer,Karl Telger,Anton Vidovic,Nina Maria Winkler,Aleksander Matos COSTA,Julia DAAMEN. Владелец: THYSSENKRUPP STEEL EUROPE AG. Дата публикации: 2023-09-14.

ELECTRIC CATALYST, PRODUCTION METHOD, ELECTRODES MADE THEREOF, AND THEIR METHOD FOR USE THEREOF

Номер патента: DE68926306D1. Автор: Gary Moniz,Earl Taylor. Владелец: Physical Sciences Corp. Дата публикации: 1996-05-23.

Photomask, production method of semiconductor laser element, and semiconductor laser element

Номер патента: US20030118918A1. Автор: Masayuki Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Optical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09819153B2. Автор: Manabu Matsuda,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Hybrid structure for ultra-widebandterahertz generation and reception with semiconductor devices

Номер патента: AU2023254411A1. Автор: Luis Enrique Garcia Muñoz,Guillermo CARPINTERO DEL BARRIO,Alejandro Rivera Lavado,Muhsin ALI. Владелец: Universidad Carlos III de Madrid. Дата публикации: 2024-10-24.

Optical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060219996A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Mitsuru Ekawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275133A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US20170102343A1. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US10281412B2. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-07.

Source/drain electrode for organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and production method for source/drain electrode and semiconductor device

Номер патента: EP4027373A4. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-10-04.

Saccharide polycondensation product, method for production thereof and use thereof

Номер патента: RU2562839C2. Автор: Норихиса ХАМАГУТИ,Хитоси ТАКАГУТИ,Йосинори ФУДЗИМОТО,Ютака КИМОТО,Хироказу ХИРАИ,Масаясу ТАКАДА. Владелец: Нихон Секухин Како Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-09-10.

PVC composite material, foam board, production method and apparatus thereof, and flooring

Номер патента: US09527975B2. Автор: Qinghua FANG. Владелец: Zhejiang Tianzhen Bamboo & Wood Development Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Hydrodesulphurisation catalyst for liquid oil product, method for production thereof and hydrofining method

Номер патента: RU2562607C2. Автор: Хироюки СЕКИ,Масанори ЙОСИДА,Сого ТАГАВА,Томоясу КАГАВА. Владелец: ДжейЭкс НИППОН ОЙЛ ЭНД ЭНЕРДЖИ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2015-09-10.

Alpha-amylase resistant polysaccharides, production method and use thereof and food products containing said polysaccharides

Номер патента: AU763977B2. Автор: Holger Bengs,Martin Quanz,Nicholas Provart,Jorg Riesmeier,Michael Bauerlein,Gisela Jacobasch,Detlef Schmiedl. Владелец: Axiva GmbH. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032242A1. Автор: Yasuyuki Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and an electronic system including the same

Номер патента: US20240324231A1. Автор: Jeehoon HAN,Jae-Bok Baek,Juseong MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and preparation method thereof, and memory apparatus

Номер патента: US11985810B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Cleaning composition, method for producing semiconductor device, and cleaning method

Номер патента: EP2386623A1. Автор: Tadashi Inaba,Atsushi Mizutani,Kazutaka Takahashi,Tomonori Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Catalyst for a sulphur recovery process with concurrent hydrogen production, method of making thereof and the sulphur recovery process with concurrent hydrogen production using the catalyst

Номер патента: US09981253B2. Автор: Emma Palo,Vincenzo Palma,Fabio Angelini,Lucia Barbato,Michele Colozzi,Vincenzo Vaiano. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 2018-05-29.

Catalyst for a sulphur recovery process with concurrent hydrogen production, method of making thereof and the sulphur recovery process with concurrent hydrogen production using the catalyst

Номер патента: US09573118B2. Автор: Emma Palo,Vincenzo Palma,Fabio Angelini,Lucia Barbato,Michele Colozzi,Vincenzo Vaiano. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 2017-02-21.

Linear butadiene-styrene copolymer, production method and composition thereof, and aromatic vinyl resin and production method thereof

Номер патента: BE1025614B1. Автор: LIN Xu,Xue Wang,Jiangwei Zhao,Jiancheng Li. Владелец: Beijing Research Institute Of Chemical Industry, China Petroleum & Chemical Corporation. Дата публикации: 2019-05-06.

Aligner, optical cleaning method thereof and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10335236A. Автор: Yuji Kudo,祐司 工藤. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Aligner, optical cleaning method thereof and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10335235A. Автор: Yuji Kudo,祐司 工藤. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Semiconductor memory device and read wait time adjustment method thereof, memory system, and semiconductor device

Номер патента: US20130135950A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READ WAIT TIME ADJUSTMENT METHOD THEREOF, MEMORY SYSTEM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140036607A1. Автор: KOSHIZUKA Atsuo. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, method for producing laminate, method for producing semiconductor device, semiconductor device, and compound

Номер патента: WO2023032820A1. Автор: 敦靖 野崎. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2023-03-09.

Droplet discharging head, discharging method and device thereof, electro optic device, production method and device thereof, color filter, production method and device thereof, and device comprising base materials, production method and device thereof

Номер патента: KR20030065347A. Автор: 나카무라신이치,야마다요시아키,기타하라츠요시. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-08-06.

Slowly evolving medicamentous polymer shaped product, methods of preparation thereof, and method of controlling parasites

Номер патента: RU2125894C1. Автор: Тинуки Такаси,Нагаматсу Татсухиро,Сатох Томоми. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани, Лимитед. Дата публикации: 1999-02-10.

Curable resin composition, cured film, layered product, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: TW202110951A. Автор: 野崎敦靖,岩井悠. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-16.

Thermostable xylanase, production method and use thereof, and method for producing lignocellulosic glycation product

Номер патента: TW201329238A. Автор: Atsushi Inoue,Kaoru Okakura,Hiroki Tamai,Hisaaki YANAI,Masami Osabe,Fumikazu Yokoyama. Владелец: Meiji Seika Pharma Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Volume type phase grating, manufacturing method thereof, optical module and semiconductor laser module using the same

Номер патента: JP4514448B2. Автор: 通孝 奥田. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Mutant xylanase, production method and use thereof, and method for producing lignocellulose saccharification product

Номер патента: JPWO2013077432A1. Автор: 敦 井上,井上　敦,薫 岡倉,久陽 矢内,岡倉　薫,宏紀 玉井,雅己 長部,史和 横山. Владелец: Meiji Seika Kaisha Ltd. Дата публикации: 2015-04-27.

Production method of copolymer, copolymer obtained by the production method, cured product thereof, and coating film

Номер патента: JPWO2003004543A1. Автор: 道弘 河合,河合　道弘,泰彦 森,森　泰彦. Владелец: TOAGOSEI CO LTD. Дата публикации: 2004-10-28.

PVC COMPOSITE MATERIAL, FOAM BOARD, PRODUCTION METHOD AND APPARATUS THEREOF, AND FLOORING

Номер патента: US20150267025A1. Автор: FANG Qinghua. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Surface treated steel product, method for production thereof and chemical conversion treatment solution

Номер патента: CA2439135C. Автор: Kunio Goto,Masaru Izawa. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Perforated plastic film, production method and apparatus thereof, and absorbent product

Номер патента: JP3763870B2. Автор: チュン−ユン・モーリス・ヤン,チャールズ・シマラ,モーデチャイ・トゥーリ. Владелец: McNeil PPC Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

CANNABIDIOL-3-SULFONIC ACID, PRODUCTION METHOD AND APPLICATION THEREOF AND CANNABIDIOL DERIVATIVE

Номер патента: DE102019133627B3. Автор: Ming Cui,Guiwu Qu. Владелец: Yantai Hemp Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

CATALYST FOR A SULPHUR RECOVERY PROCESS WITH CONCURRENT HYDROGEN PRODUCTION, METHOD OF MAKING THEREOF AND THE SULPHUR RECOVERY PROCESS WITH CONCURRENT HYDROGEN PRODUCTION USING THE CATALYST

Номер патента: US20170106355A1. Автор: PALO Emma,PALMA Vincenzo,Angelini Fabio,Barbato Lucia,Colozzi Michele,Vaiano Vincenzo. Владелец: STAMICARBON B.V. ACTING UNDER THE NAME OF MT INNOVATION CENTER. Дата публикации: 2017-04-20.

CATALYST FOR A SULPHUR RECOVERY PROCESS WITH CONCURRENT HYDROGEN PRODUCTION, METHOD OF MAKING THEREOF AND THE SULPHUR RECOVERY PROCESS WITH CONCURRENT HYDROGEN PRODUCTION USING THE CATALYST

Номер патента: US20150283537A1. Автор: PALO Emma,PALMA Vincenzo,Angelini Fabio,Barbato Lucia,Colozzi Michele,Vaiano Vincenzo. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Liquid fertilizer prepared by using waste water generated from the process of blood powder production, method of preparation thereof and crops cultivated by using the same

Номер патента: KR100726842B1. Автор: 배인수. Владелец: 주식회사 빅바이오젠. Дата публикации: 2007-06-12.

Treated mineral filler products, method for preparation thereof and uses of same

Номер патента: JP2017214573A. Автор: Rentsch Samuel,Brukhalter René,Matthias Buri,パトリック・エイ・シー・ゲイン,マティアス・ブリ,サミュエル・レンチュ,A C Gane Patrick,ルネ・ブルクハルター. Владелец: OMYA DEVELOPMENT AG. Дата публикации: 2017-12-07.

Catalyst for a sulphur recovery process with concurrent hydrogen production, method of making thereof and the sulphur recovery process with concurrent hydrogen production using the catalyst

Номер патента: CN104837555A. Автор: V·帕尔马,E·帕洛,L·巴尔巴托,M·科洛齐,F·安杰利尼,V·瓦亚诺. Владелец: Stamicarbon BV. Дата публикации: 2015-08-12.

Vibrated cellulose product, methods of preparation thereof and absorbent body

Номер патента: SE502387C2. Автор: Leif Norlander. Владелец: Stora Kopparbergs Bergslags Ab. Дата публикации: 1995-10-09.

Dietetic soy based product, method for production thereof and use thereof

Номер патента: AU681280B2. Автор: Per Munk Nielsen,Lene Venke Kofod. Владелец: Novo Nordisk AS. Дата публикации: 1997-08-21.

Composite product, method of manufacture thereof, and uses thereof

Номер патента: DK175143B1. Автор: Fernand Mora,Laurent Cousin. Владелец: Aussedat Rey. Дата публикации: 2004-06-14.

Surface treated steel product, method for production thereof and chemical conversion treatment solution

Номер патента: EP1382718A4. Автор: Kunio Goto,Masaru Izawa. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2009-05-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240310739A1. Автор: Jaehong Lee,Ho Young Kim,Sunghwan Kim,Kyoungwhan OH,Jaekyung PARK,Yohan CHOE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7914958B2. Автор: Hirofumi Inoue,Ryoichi Inanami,Shinji Mikami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Electric field information reading head, electric field information writing/reading head and fabrication methods thereof and information storage device using the same

Номер патента: EP2016584A1. Автор: Yong-su Kim,Ju-Hwan Jung,Hyoung-Soo Ko,Hong-Sik Park,Seung-bum Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-21.

Integrated semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09896329B2. Автор: Bernhard WINKLER,Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann,Steffen Bieselt,Alessia Scire,Andre Roeth. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-20.

Composition inhibiting polymerisation when processing liquid pyrolysis products, method for production thereof and method of inhibiting polymerisation when processing liquid pyrolysis products

Номер патента: RU2500660C1. Автор: Людмила Васильевна Каницкая,Алексей Федорович Гоготов,Евгений Владимирович Пученин,Олег Иванович Баранов,Тьем Тай До. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО "ИрГТУ"). Дата публикации: 2013-12-10.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor substrate having soi structure, manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: JP2005064194A. Автор: Yasuharu Kawai,康晴 川合. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor substrate single-chip double-side grinding and polishing device and semiconductor substrate grinding and polishing equipment

Номер патента: CN218658341U. Автор: 曾文昌,杨兆明,中原司,王东洁. Владелец: Zhejiang Xinhui Equipment Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Gas spraying device, semiconductor substrate processing equipment, and operation method thereof

Номер патента: TWI737250B. Автор: 周俊吉,吳嘉鴻,蔡政諺. Владелец: 力晶積成電子製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-21.

Super electrolyzed water, production method and apparatus thereof, and evaluation method thereof

Номер патента: JP3910913B2. Автор: 孝吉 花岡,至明 松尾. Владелец: 至明 松尾. Дата публикации: 2007-04-25.

Boiled egg production method, production apparatus thereof, and use method thereof

Номер патента: JP4526519B2. Автор: 真一 星田. Владелец: 株式会社エコノス・ジャパン. Дата публикации: 2010-08-18.

Substrate for lead frame for optical semiconductor device, manufacturing method thereof, lead frame for optical semiconductor device therefor, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Номер патента: TWI612691B. Автор: Satoshi Suzuki,Akira Matsuda,Yoshiaki Kobayashi,Satoru Zama,Tatsuya Nakatsugawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-21.

Surface treated steel product, method for production thereof and chemical conversion treatment solution

Номер патента: AU2002237525A1. Автор: Kunio Goto,Masaru Izawa. Владелец: Vallourec Oil and Gas France SAS. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor memory device and read wait time adjustment method thereof, memory system, and semiconductor device

Номер патента: US20120069687A1. Автор: . Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, ELECTRONIC APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120217604A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-30.

Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, method for producing laminate, method for producing semiconductor device, semiconductor device, and compound

Номер патента: JP2023034723A. Автор: 俊栄 青島,倫弘 小川,Toshie Aoshima,Tsunehiro Ogawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-03-13.

Resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, method for producing laminate, method for producing semiconductor device, semiconductor device and compound capable of obtaining a cured product with excellent reliability

Номер патента: TW202311240A. Автор: 青島俊栄,小川倫弘. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Exposure conditions detecting method and device thereof, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11288879A. Автор: Hisafumi Iwata,尚史 岩田,Tetsuji Yokouchi,哲司 横内. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-19.

Nano biological particles made of waste thallus, and production method and use thereof, and nano-level thallus crusher

Номер патента: CN1273220C. Автор: 姚飞,姚洪文,张芬菊. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023278001B2. Автор: Xinyu Zhang,Changming Liu,Kun Yu. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

High-temperature semiconductor device and process of its manufacture

Номер патента: RU2166221C1. Автор: В.А. Ильин,А.А. Петров,А.В. Афанасьев. Владелец: Центр Технологий Микроэлектроники (Цтм). Дата публикации: 2001-04-27.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2256980C1. Автор: А.Г. Мустафаев,А.М. Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет. Дата публикации: 2005-07-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.