DIELECTRIC LAYER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE DIELECTRIC LAYER, AND METHODS OF MANUFACTURING THE DIELECTRIC LAYER AND THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
Номер патента: US20190333858A1
Опубликовано: 31-10-2019
Автор(ы): Baek Seung Hyub, Bielawski Christopher W., CHOI Ji Won, KANG Chong Yun, KIM Jin Sang, KIM Sang Tae, KIM Seong Keun, Larsen Eric S., LEE Woo Chul, Song Hyun Cheol, YUM Jung Hwan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-10-2019
Автор(ы): Baek Seung Hyub, Bielawski Christopher W., CHOI Ji Won, KANG Chong Yun, KIM Jin Sang, KIM Sang Tae, KIM Seong Keun, Larsen Eric S., LEE Woo Chul, Song Hyun Cheol, YUM Jung Hwan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Scribe structure for memory device
Номер патента: US20220336372A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Wataru HOSHINO,Yuta Nomura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.