• Главная
  • DIELECTRIC LAYER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE DIELECTRIC LAYER, AND METHODS OF MANUFACTURING THE DIELECTRIC LAYER AND THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

DIELECTRIC LAYER, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE DIELECTRIC LAYER, AND METHODS OF MANUFACTURING THE DIELECTRIC LAYER AND THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Scribe structure for memory device

Номер патента: US20220336372A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Wataru HOSHINO,Yuta Nomura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200168614A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240332168A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method to fabricate the semiconductor device

Номер патента: US20200185325A1. Автор: Da-Jun Lin,Bin-Siang Tsai,San-Fu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11844212B2. Автор: Satoru Yamada,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Sunghee Han,Hui-jung Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220278121A1. Автор: Satoru Yamada,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Sunghee Han,Hui-jung Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20200388625A1. Автор: Satoru Yamada,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Sunghee Han,Hui-jung Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor devices including conductive structures

Номер патента: US20230402376A1. Автор: Heonjong Shin,Doohyun Lee,Seon-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110204519A1. Автор: Shinichi Chikaki,Takahiro Nakayama. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Scribe structure for memory device

Номер патента: US11769736B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Wataru HOSHINO,Yuta Nomura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274539A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818638B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09659811B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Interconnect structure and method of forming same

Номер патента: US12046557B2. Автор: Su-Jen Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Hybrid interconnect scheme and methods for forming the same

Номер патента: US09966336B2. Автор: Chen-Hua Yu,Tien-I Bao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming metal interconnection

Номер патента: US09972529B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Tz-Jun Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640481B2. Автор: Takanori Matsumoto,Kazuhiro OOSHIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220223521A1. Автор: Tse-Yao Huang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with landing pad of conductive polymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220051992A1. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09905465B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09431355B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20010039111A1. Автор: Yukio Morozumi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Integrated circuits and methods of forming the same with multi-level electrical connection

Номер патента: US20140232010A1. Автор: Huang Liu,San Leong Liew. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with a liner layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203787A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Interconnection structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240047357A1. Автор: Youngmin Kim,Changbo Lee,Joon Seok OH,Yoonyoung JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160043030A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220352073A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Interconnection structure and method of forming the same

Номер патента: US20200258771A1. Автор: Yu-Cheng Lin,Bin-Siang Tsai,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Interconnection structure and method of forming the same

Номер патента: US20200075395A1. Автор: Yu-Cheng Lin,Bin-Siang Tsai,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240258286A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11948926B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402494A1. Автор: Nobuhito Shiraishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US11973021B2. Автор: Hsiao-Ying Yang,Hsing-Chao Liu,Shih-Ming Tseng,Kai-Chun Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230320082A1. Автор: Zhonghua Li,Zhihao SONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170110365A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9698049B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Antifuse and methods of operating and manufacturing the same

Номер патента: US8674475B2. Автор: Sang-Moo Choi,Deok-kee Kim,Jung-hun Sung,Soo-Jung Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-18.

Memory device, memory system including the same and methods of operation

Номер патента: US20210257266A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory device and system including the same

Номер патента: EP3926660A1. Автор: SungWon Cho,Junhyoung Kim,Byunggon PARK,Jeongeun Kim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-22.

Nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: EP4284143A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US20230320081A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Thin film transistor, display, and method for fabricating the same

Номер патента: US09698173B2. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Ze YUAN,Zihong Liu,Jigang Zhao,Haojun LUO. Владелец: Royole Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor Structure and Method of Forming

Номер патента: US20170301562A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US09577028B2. Автор: Dongwon Lim,Kweonjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating package substrates

Номер патента: US09831217B2. Автор: Shih-Ping Hsu,Chu-Chin Hu,Che-Wei Hsu,Chin-Ming Liu,Chih-Kuai Yang. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Localized redistribution layer structure for embedded component package and method

Номер патента: US09691743B2. Автор: Alan J. Magnus. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210090947A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of packaging a circuit

Номер патента: US09875930B2. Автор: Bernardo Gallegos,Abram Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin film transistor, display, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056184A1. Автор: Peng Wei,Xiaojun Yu,Ze YUAN,Zihong Liu,Jigang Zhao,Haojun LUO. Владелец: Royole Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Direct write interconnections and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130154110A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189985A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240276731A1. Автор: Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including a capacitor

Номер патента: US20160358998A1. Автор: Dongwon Lim,Kweonjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Integrated circuit including super via and method of making

Номер патента: US11735517B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: EP1872389A1. Автор: Philipp Steinmann,Eric W. Beach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-02.

Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance

Номер патента: WO2006110871A8. Автор: Philipp Steinmann,Eric W Beach. Владелец: Eric W Beach. Дата публикации: 2007-04-12.

Electromigration fuse and method of fabricating same

Номер патента: US20090090994A1. Автор: Deok-kee Kim,Haining Sam Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Capacitor structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190051597A1. Автор: Gil-heyun Choi,Jae-Woo Kim,Chul-Ki Kim,Yu-Kyung Park,Chul-wan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of Forming Top Electrode for Capacitor and Interconnection in Integrated Passive Device (IPD)

Номер патента: US20130171800A1. Автор: Yaojian Lin,Robert C. Frye. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Capacitor and dram device including the same

Номер патента: US20230309292A1. Автор: Donggeon LEE,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn,JuWon Park,Dayeon Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11955422B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Via structure and methods thereof

Номер патента: US11854962B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Substrate, semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190348354A1. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Substrate, semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210366816A1. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Substrate, semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030120A1. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Substrate, semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200211948A1. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Substrate, semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11776885B2. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory module and computer system including the same

Номер патента: US20240203959A1. Автор: Hyun bae Lee,Min Ho Park,In Seok JANG,Nam Hyeon CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid-state device including a heat segregated layer including a thermal barrier, and method of forming the same

Номер патента: WO2024112559A2. Автор: Matthew WINGERT. Владелец: PsiQuantum Corp.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09508631B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347454A1. Автор: Zih-Hong Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347451A1. Автор: Zih-Hong Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09997412B1. Автор: Hoyoung Kim,Kyungtae Lee,Jaeseok Kim,Boun Yoon,Eunji PARK,Kwansung Kim,Ki Ho BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor switching device and method of making the same

Номер патента: US20120313194A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Stephan A. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor switching device and method of making the same

Номер патента: GB201319512D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device

Номер патента: US12058860B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US20240341096A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Microelectronic build-up layers and methods of forming the same

Номер патента: EP3259774A1. Автор: Yonggang Li,Trina Ghosh Dastidar,Brandon C. MARIN,Dilan Seneviratne. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220173106A1. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Sangyeon HAN,Taehyun An,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Joongchan SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Interconnect Structure and Methods Thereof

Номер патента: US20180350738A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756834B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307359A1. Автор: Tadayoshi Watanabe,Kouji Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09679850B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Chen-Hsiang LU,Wei Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Capacitors and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09773861B2. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Transistor Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240021476A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tze-Liang Lee,Chun-Kai Chen,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20200075477A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Shenqing Fang,Connie Pin-Chin Wang. Владелец: Monterey Research, Llc. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory Device Interconnects and Method of Manufacture

Номер патента: US20140151887A1. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Connie Wang,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory device interconnects and method of manufacture

Номер патента: US10833009B2. Автор: Wen Yu,Fei Wang,Shenqing Fang,Connie Pin-Chin Wang. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2020-11-10.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11837541B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220115322A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240250026A1. Автор: Nobuaki OKADA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Three dimensional (3d) memory device and fabrication method

Номер патента: US20240170393A1. Автор: Zhiliang Xia,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130155771A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150079746A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

3D non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8928144B2. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190131231A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Three-dimensional memory devices having backside insulating structures and methods for forming the same

Номер патента: US11849585B2. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Metal oxide layered structure and methods of forming the same

Номер патента: US11854826B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal oxide layered structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240096642A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11881529B2. Автор: LI Wang,PURAKH Raj Verma,Kai Cheng,Ching-Yang Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US12002767B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Methods of forming in package integrated capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US20060124985A1. Автор: Jiangqi He,Xiang Zeng,Jack Zhong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Interconnect structure with a low permittivity dielectric layer

Номер патента: EP1019959A1. Автор: Robin Cheung,Charles May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4398308A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234543A1. Автор: Sunyoung Lee,Hyunwoo Park,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistance variable memory structure and method of forming the same

Номер патента: US09847480B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device including capacitor

Номер патента: US11764283B2. Автор: Hanjin Lim,Sunmin Moon,Young-Lim Park,Kyuho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Hybrid resistive memory devices and methods of operating and manufacturing the same

Номер патента: US8902632B2. Автор: Chang-Jung Kim,Young-Bae Kim,Hyun-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Display device including a repair pattern to repair a defective pixel and method of repairing same

Номер патента: US11765948B2. Автор: Deuksoo Jung,Juhyuk KIM,Yongsun JO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Nonvolatile memory device and apparatus including the same

Номер патента: US20220320135A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Taein KIM,Youngtek OH,Hyeyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer

Номер патента: US5438952A. Автор: Nobuyuki Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Display device and method of operating and manufacturing the display device

Номер патента: US09619060B2. Автор: Chang Kyu Choi,Du Sik Park,Sung Joo Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09978695B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands and method

Номер патента: US09631481B1. Автор: Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220173112A1. Автор: Jung Hoon Han,Dong Oh KIM,Gyu Hyun Kil,Doo San Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271042A1. Автор: Yi-Sheng Cheng,Chien-Chang Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Metal Insulator Metal Capacitor and Method for Making the Same

Номер патента: US20160020269A1. Автор: Yu-Chia Lai,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Metal insulator metal capacitor and method for making the same

Номер патента: US09673270B2. Автор: Yu-Chia Lai,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20230009397A1. Автор: Shou-Chi Tsai,Chun-Lin LI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230031509A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240074206A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor device with word lines

Номер патента: US20230397389A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11849588B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of fabricating a cylinder capacitor having a reverse electrode structure

Номер патента: US20020072190A1. Автор: Tzung-Han Lee,King-Lung Wu,Alex Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9153446B2. Автор: Se-Aug Jang,Seung-Ryong Lee,Hong-Seon Yang,Ja-Chun Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230005918A1. Автор: Jie Bai,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Structure of printed circuit board and carrier and method of making semiconductor package

Номер патента: US20190189467A1. Автор: Chung-Pao Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods for forming semiconductor devices including thermal processing

Номер патента: US20040102015A1. Автор: Wan-Don Kim,Cha-young Yoo,Suk-Jin Chung,Jae-Hyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-27.

Method of forming alignment mark and fabricating semiconductor device

Номер патента: US5935764A. Автор: Eiichiro Kakehashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Image sensor and method of forming the same

Номер патента: US20210020671A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: EP1269544A2. Автор: Daniel W. E. Verbugt,Hermanus L. Peek,Monique J. Beenhakkers. Владелец: Dalsa Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: US20020022296A1. Автор: Daniel VERBUGT,Hermanus Peek,Monique Beenhakkers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-02-21.

Optoelectronic device and method of producing an optoelectronic device

Номер патента: EP3780120A1. Автор: Gerhard Eilmsteiner,Patrik PERTL. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-02-17.

Optoelectronic device and method of producing an optoelectronic device

Номер патента: WO2021028164A1. Автор: Gerhard Eilmsteiner,Patrik PERTL. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-02-18.

Digital Isolator Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230420496A1. Автор: Hongxu Yang,Hualun CHEN,Hongfeng JIN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Image Sensor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100103298A1. Автор: Chang Hun Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024055294A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming a shallow pinned photodiode

Номер патента: US09685479B2. Автор: Eric G. Stevens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Image Sensor and Method of Manufacturing The Same

Номер патента: US20080272451A1. Автор: Chung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11791367B2. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US11715812B2. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-01.

Display device and method for self-assembling semiconductor light emitting diodes

Номер патента: US20220302342A1. Автор: Junghoon Kim,Hyunwoo Cho,Mihee Heo. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-22.

Image sensing device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234469A1. Автор: Byoung Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260181A1. Автор: Chia Ching Chen,Yi Chuan Ding,Ming-Ze LIN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20200083208A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190067211A1. Автор: Chih Cheng Lee,Yuan-Chang Su. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230389428A1. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Conductive pad structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09761791B2. Автор: Jian-Bin Shiu,Tung-Sheng Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

MEMS devices and methods of forming the same

Номер патента: US09926190B2. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Wiring structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210280505A1. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11956897B2. Автор: Chia Ching Chen,Yi Chuan Ding,Ming-Ze LIN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210013120A1. Автор: Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20160358900A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20180061818A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing

Номер патента: US20190103391A1. Автор: Kuo-Chung Yee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US10515942B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US9806069B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US10157901B2. Автор: Kuo-Chung Yee,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Component carrier with low-solvent fiber-free dielectric layer

Номер патента: US12041730B2. Автор: Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-07-16.

Component Carrier With Low-Solvent Fiber-Free Dielectric Layer

Номер патента: US20220078923A1. Автор: Kim Liu,Seok Kim Tay,Mikael Tuominen. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240290790A1. Автор: SunKi Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Packaging device including bumps and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240105656A1. Автор: Jae Jun Lee,Jong Hoon Kim,Ju Heon YANG,Jong Yeon Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Bump-on-Trace (BOT) Structures and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140252596A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181315A1. Автор: Zong-Hua Li,Po-Hsuan Liao. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Wiring structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037242A1. Автор: Min Lung Huang,Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Lead frame substrate having circuitry on dual dielectric layers and assembly using the same

Номер патента: US20240363499A1. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: US09570390B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210202518A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Kuang-Wen Liu,Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US11923318B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Tsung-Hsien Chiang,Hsien-Ming Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Hybrid bonding structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220216167A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11776848B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Package substrate structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220301888A1. Автор: GANG Shi,Guangfeng Li,Meng MEI,Peichun WANG. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Substrate and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321711A1. Автор: Hang Jiang,Yingjiang Pu. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing bottom electrode of capacitor

Номер патента: US20010003674A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sun-Chieh Chien,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-14.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12052855B2. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Taehyun An,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Methods of fabricating an F-RAM

Номер патента: US09548348B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Shan Sun,Kedar Patel,Thomas Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US09530834B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: US12136618B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20180061848A1. Автор: Chun-Hsu Chen,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Mv device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240096989A1. Автор: Tao Liu,Zhigang Zhang,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Yaoyu Zhan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11751378B2. Автор: Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Sangyeon HAN,Taehyun An,Seungjae Jung,Hyungeun CHOI,Joongchan SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Gate structure with oxygen barrier and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355899A1. Автор: Shen-Yang LEE,Chun-Da Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722015B1. Автор: Alexander Kalnitsky,Felix Ying-Kit Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09818754B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230189501A1. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Taehyun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Capacitor and a DRAM device including the same

Номер патента: US11910592B2. Автор: Kyooho JUNG,Cheoljin Cho,Dongkwan Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device including write transistor and read transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20230197142A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Capacitor and a dram device including the same

Номер патента: US20240164085A1. Автор: Kyooho JUNG,Cheoljin Cho,Dongkwan Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Fin arrangement and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711409B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230395647A1. Автор: Jen-Po Lin,Hsiao-Kuan Wei,Cherng-Yu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11830927B2. Автор: Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160104785A1. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Lung Chu,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070018276A1. Автор: Masayuki Itou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12087619B2. Автор: Yu-Ting Chen,Yen-De Lee,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Shun-Li Lan,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09564519B2. Автор: Young Woo Park,Jae Duk Lee,Jin Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230354717A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor bio-sensors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20120270350A1. Автор: Chia-Huan CHANG,Shih-Chin Lien,Ming-Tung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A8. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Optoelectronic device with dielectric layer and method of manufacture

Номер патента: WO2017041116A1. Автор: Gang He,Brendan M. Kayes,Thomas J. Gmitter,Melissa J. ARCHER. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240292629A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Memory devices, methods of manufacturing the same, and methods of accessing the same

Номер патента: US09735287B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Three-dimensional nor-type memory device and method of making the same

Номер патента: US20200168630A1. Автор: Hanan Borukhov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of ono integration into logic CMOS flow

Номер патента: US12048162B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Bo Jin,Fredrick B. Jenne. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240282641A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including bonding pads and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243081A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20160104836A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor-on-oxide structure and method of forming

Номер патента: US20140191359A1. Автор: Kirk D. Peterson,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

System and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087845B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chia-Ao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240312937A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Display panel, thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09368634B2. Автор: Henry Wang,Xue-Hung TSAI,Chuang-Chuang Tsai,Wei-Tsung Chen,Hsiao-Wen Zan. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US20150090947A1. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of forming contact

Номер патента: US20030235978A1. Автор: Yao-Ting Shao,Ishibashi Shigeru. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Monolithic integrated circuit (MMIC) structure having composite etch stop layer and method for forming such structure

Номер патента: US09478652B1. Автор: Adrian D. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Conductive bridge memory system and method of manufacture thereof

Номер патента: US09406879B2. Автор: Eugene Marsh,Tim Quick. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Bipolar junction transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12068400B2. Автор: Chun-Tsung Kuo,Chuan-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240381656A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Apparatus and Methods for Low K Dielectric Layers

Номер патента: US20130072031A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Flash cell structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09780101B1. Автор: Sheng Zhang,Wenbo Ding,Jubao Zhang,Xiaofei Han,Chien-Kee Pang,Yu-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory cell structure

Номер патента: US20180204848A1. Автор: Han Wang,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Structure and method for nFET with high k metal gate

Номер патента: US09947528B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09748332B1. Автор: Chen Yu Cheng,Tzung-Ting Han,Shih Chin Lee,Chih Kai Yang,Ching Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming a memory and method of forming a memory array

Номер патента: US09362498B2. Автор: Robert Strenz,Klaus Knobloch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150270482A1. Автор: Young-Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US9252361B2. Автор: Young-Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

3d ufet devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240105777A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and apparatus for determining the thickness of a dielectric layer

Номер патента: WO2004092676A1. Автор: Prashant Majhi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-28.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09966465B1. Автор: Hong Liao,Chao Jiang,Chow-Yee Lim,Hock-Chun CHIN,Lan-Xiang Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583350B2. Автор: Wei-Chen Chen,Sheng-Chih Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US09484204B2. Автор: XINPENG WANG,Yong Chen,JIN Kang,Weihai Bu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US09455156B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device including transistor

Номер патента: US20240276709A1. Автор: Sei Yon KIM,Min Chul SUNG,Miri Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09997627B2. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of fabricating acoustic resonator with planarization layer

Номер патента: US09680439B2. Автор: Stefan Bader,Phil Nikkel,Robert Thalhammer. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Cyclical physical vapor deposition of dielectric layers

Номер патента: US20140273425A1. Автор: Paul Jamison,Juntao Li,Vamsi Paruchuri,Takaaki Tsunoda,Tuan A. Vo,Sanjay Shinde. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060134866A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20060205157A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Device of dielectric layer

Номер патента: US20240249947A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7067375B1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-27.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of fabricating package structures

Номер патента: US09741586B2. Автор: Chung-Shi Liu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240297084A1. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09991275B2. Автор: Changseok Kang,Sung-Il Chang,Byeong-In Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US12021155B2. Автор: Chin-Yi Huang,Wade SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of forming an interconnect structure

Номер патента: US09953863B1. Автор: Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang,Chun-Te HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US09634118B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20240339546A1. Автор: Chin-Yi Huang,Wade SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455403B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming replacement gate PFET having TiALCO layer for improved NBTI performance

Номер патента: US09449887B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190148382A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Han-Yung Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing

Номер патента: US20200381452A1. Автор: Zhao Hui Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of manufacturing non-volatile memory devices

Номер патента: US8765587B2. Автор: Seung Cheol Lee,Su Hyun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

FinFETs with reduced parasitic capacitance and methods of forming the same

Номер патента: US09564353B2. Автор: Yu-Lien Huang,Kun-Yen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

FinFET Device and Method of Forming

Номер патента: US20200357913A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

FinFET Device and Method of Forming

Номер патента: US20210193832A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303556A1. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device structure with fine conductive contact and method for preparing the same

Номер патента: US20230034084A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of manufacturing circuit pattern structure and measurement method

Номер патента: US20240170345A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Kai Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Low inductance high capacitance capacitor and method of making same

Номер патента: US20010038521A1. Автор: Larry Mosley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

High voltage semiconductor device including buried oxide layer

Номер патента: US20240322036A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Flash memory device having high coupling ratio

Номер патента: US09825046B2. Автор: Yu-Chu Lin,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Shih-Lu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09614091B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220005957A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Non-volatile memory cell with field-enhancing floating gate and method for forming the same

Номер патента: US6294808B1. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7592684B2. Автор: Akihiko Ebina,Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor MRAM Device and Method

Номер патента: US20240381668A1. Автор: Hiroki Noguchi,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for preparing same

Номер патента: US20220013655A1. Автор: Yong Lu,Yafei HUANG,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US12009325B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Joon-Sung LIM,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222525A1. Автор: Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing piezoelectric device

Номер патента: US20170217182A1. Автор: Masato Shimada,Mutsuhiko Ota,Yuma Fukuzawa,Shunya Fukuda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for forming cobalt barrier layer and metal interconnection process

Номер патента: US09449872B1. Автор: TONG Lei,Jingxun FANG. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150171096A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Functional film containing structure and method of manufacturing functional film

Номер патента: US20090104784A1. Автор: Yukio Sakashita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of making an interconnect device

Номер патента: US09406556B2. Автор: Artur Kolics. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4870031A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11894434B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Photonic Package and Method of Manufacture

Номер патента: US20230417993A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US20210202837A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180211995A1. Автор: Junghoon Bak,Kwangil SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11984324B2. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12002718B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Shao-Jyun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing

Номер патента: US20200251487A1. Автор: Zhao Hui Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US20230380154A1. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978645B2. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of ONO integration into logic CMOS flow

Номер патента: US9102522B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Bo Jin,Fredrick Jenne. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230290848A1. Автор: Dong Soo Kim,Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Transistor with dielectric spacers and field plate and method of fabrication therefor

Номер патента: US20230361183A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Vertical memory devices with segmented charge storage layers

Номер патента: US11770929B2. Автор: Sunil Shim,Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Non-volatile memory device

Номер патента: US20230320088A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11728425B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Transistor with dielectric spacers and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4273936A1. Автор: Darrell Glenn Hill. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230092782A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Pei-Jhen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device structure with dielectric layer

Номер патента: US12051746B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of controlling VFET channel length

Номер патента: US09780197B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09659892B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Takuya Kadoguchi,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Touch panel and method of forming the same

Номер патента: US09465475B2. Автор: Jium Ming Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380179A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and apparatus for determining the thickness of a dielectric layer

Номер патента: EP1629252A1. Автор: Prashant Majhi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-01.

Memory device with magnetic tunnel junction

Номер патента: US20240355912A1. Автор: Wei-Jen Chen,Chih-Lin Wang,Chee-Wee Liu,Pang-Chun Liu,Ya-Jui Tsou,Shao-Yu LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US12133392B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US12062713B2. Автор: Wei-Jen Chen,Chih-Lin Wang,Chee-Wee Liu,Pang-Chun Liu,Ya-Jui Tsou,Shao-Yu LIN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20210020247A1. Автор: LIANG Yi,Chi REN,Zhaobing Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Substrate fixing device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140063680A1. Автор: Sang-Gab Kim,Hyun-Min Cho,Ji-Hun Kim,Takayuki Fukasawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Substrate fixing device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9001490B2. Автор: Sang-Gab Kim,Hyun-Min Cho,Ji-Hun Kim,Takayuki Fukasawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-07.

LDMOS device and method for manufacturing same

Номер патента: US11114561B2. Автор: Zhaozhao XU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11961889B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Package structures and method of forming the same

Номер патента: US20170004977A1. Автор: Chung-Shi Liu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Ldmos device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200105927A1. Автор: Zhaozhao XU. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240145576A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and Method for Power MOS Transistor

Номер патента: US20150295077A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Electronic device including channel layer including variable resistance and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230082400A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230371265A1. Автор: Yongseok Kim,Bongyong Lee,Myunghun Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of forming connection holes

Номер патента: US20130273742A1. Автор: Cheng Li,Yuwen Chen,Yushu Yang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-10-17.

Apparatus and method for power MOS transistor

Номер патента: US09620635B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Po-Chih Su,Hsueh-Liang Chou,Chun-Wai Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Bipolar junction transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20230361204A1. Автор: Chun-Tsung Kuo,Chuan-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices

Номер патента: US20120088360A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Ki-chul Kim,Hyun-Wook Lee,Heung-Ahn Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-12.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230024174A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047536A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Device of dielectric layer

Номер патента: US11935752B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chung-Chi Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Wafer with test structure and method of dicing wafer

Номер патента: US20240170332A1. Автор: Kai-Kuang Ho,Chen-Hsiao Wang,Wei-Ren Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190341487A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140256125A1. Автор: Se-Aug Jang,Seung-Ryong Lee,Hong-Seon Yang,Ja-Chun Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of forming contact vias and interconnect channels in a dielectric layer stack with a single mask

Номер патента: US5726100A. Автор: John H. Givens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-03-10.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20080044980A1. Автор: Hans-Peter Moll,Frank Ludwig,Rolf Weis,Kimberly Wilson,Phillip Stopford. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240023340A1. Автор: Yongseok Kim,Suhwan Lim,Minjun LEE,Juhyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of forming finfet with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US20230361214A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of making a split gate non-volatile memory (nvm) cell and a logic transistor

Номер патента: US20150348985A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-03.

Power trench MOS-gated device and method of manufacturing it

Номер патента: EP1041640A3. Автор: Christopher Kocon. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2000-10-11.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066656A1. Автор: Hyun Kim,Sun Ho Kim,Sun Hee Lee,Sung Hun KEY,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-contact apparatus and method for measuring a property of a dielectric layer on a wafer

Номер патента: US7751061B2. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Nanometrics Inc. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09401405B2. Автор: Jung Hun Jang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120069487A1. Автор: Tatsuya Nakamura,Hitoshi Noguchi,Naoki Tanaka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Multilayer ceramic capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09373445B2. Автор: Takafumi Okamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Antenna stack structure and display device including the same

Номер патента: US12126072B2. Автор: Won Hee Lee,Yun Seok Oh,Seung Hyun Shin. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Ceramic electronic device and manufacturing method of the same

Номер патента: US12002625B2. Автор: Yasuyuki Inomata,Kazumichi HIROI. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Ceramic electronic device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230081197A1. Автор: Yasuyuki Inomata,Kazumichi HIROI. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Liquid crystal component module and method of controlling dielectric constant

Номер патента: US7929067B2. Автор: Yasuyuki Irie. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20080072409A1. Автор: Osamu Shinoura,Tomohiko Kato,Yuko Saya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

High-k transformers extending into multiple dielectric layers

Номер патента: US09424970B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Solid electrolytic capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20090213530A1. Автор: Masaaki Nemoto,Takashi Umemoto,Hiroshi Nonoue. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-27.

Capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180144864A1. Автор: Heung Kil PARK,Jong Hwan Park,Se Hun Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Ceramic electronic device, dielectric material, and manufacturing method of ceramic electronic device

Номер патента: US20230298821A1. Автор: Yasuyuki Inomata. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Green sheet, plasma display panel and method of manufacturing plasma display panel

Номер патента: US20060220583A1. Автор: Jeseok Kim. Владелец: Leader Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Green sheet, plasma display panel and method of manufacturing plasma display panel

Номер патента: EP1708230A3. Автор: Jeseok Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-02-25.

Antenna structure and display device including the same

Номер патента: US11791539B2. Автор: Han Sub Ryu,Jong Min Kim,Won Bin HONG,Dong Pil PARK. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Biosensor, metasurface device and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP3851835A3. Автор: Hyuck Choo,Radwanul Hasan SIDDIQUE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-29.

Biosensor, metasurface device and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP3851835A2. Автор: Hyuck Choo,Radwanul Hasan SIDDIQUE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-21.

Inductor and method of making an inductor

Номер патента: US20190189326A1. Автор: Mark Pieter Van Der Heijden,Mustafa Acar,Jawad Hussain Qureshi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-20.

Transmission line for wired pipe, and method

Номер патента: US09601237B2. Автор: Stephan Mueller,René Schulz,Detlev Benedict,Ingo Roders,Henning Rahn,Robert Buda. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Antenna device and display device including the same

Номер патента: US11973265B2. Автор: Han Sub Ryu,Yun Seok Oh,Dong Pil PARK. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing solid state capacitors

Номер патента: IL148171A. Автор: . Владелец: AVX Ltd. Дата публикации: 2006-07-05.

Ceramic electronic device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240120153A1. Автор: Ayumi Matsuoka. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Power cable, and method for manufacturing power cable

Номер патента: US12068088B2. Автор: Tetsuya Mieda,Shingo Mitsugi,Kazuyoshi Akizuki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Multilayer electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230207215A1. Автор: Young Ah Song,Bong Gyu Choi,Kwang Dong SEONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20150187420A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Memory devices having reduced word line current and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20090147588A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US11950409B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory device, memory system including the same, and slew rate calibration method thereof

Номер патента: US20180131374A1. Автор: Hun-Dae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for forming a semiconductor memory device

Номер патента: US20240260489A1. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12096704B2. Автор: YUAN Zhou,Guoan Du,Guohai ZHANG,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133479B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods

Номер патента: WO2007065159A3. Автор: ZHONG Chen,Guru Mathur,Veena Misra,Ritu Shrivastava. Владелец: Ritu Shrivastava. Дата публикации: 2008-06-19.

Molecular memory devices including solid-state dielectric layers and related methods

Номер патента: WO2007065159A2. Автор: ZHONG Chen,Guru Mathur,Veena Misra,Ritu Shrivastava. Владелец: ZettaCore, Inc.. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of manufacturing a package substrate

Номер патента: US09992873B2. Автор: Yu-Cheng Huang. Владелец: Qi Ding Technology Qinhuangdao Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Phase-change memory and method of forming same

Номер патента: US12075713B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349506A1. Автор: Chih-Kai Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic tunnel junction and method of fabrication

Номер патента: WO2010048259A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Kangho Lee,Matthew Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11895833B2. Автор: Jung Hoon Han,Dong Oh KIM,Gyu Hyun Kil,Doo San Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11785869B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240147709A1. Автор: Jung Hoon Han,Dong Oh KIM,Gyu Hyun Kil,Doo San Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Manufacturing method of circuit board

Номер патента: US20130212877A1. Автор: Chen-Chuan Chang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

SOT MRAM having dielectric interfacial layer and method forming same

Номер патента: US12114510B2. Автор: Wilman Tsai,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11844291B2. Автор: YUAN Zhou,Guoan Du,Guohai ZHANG,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240057486A1. Автор: YUAN Zhou,Guoan Du,Guohai ZHANG,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Circuit board structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170048973A1. Автор: Dyi-chung Hu,Yu-Hua Chen,Shih-Liang Cheng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Circuit board structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09578742B1. Автор: Dyi-chung Hu,Yu-Hua Chen,Shih-Liang Cheng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating mask read only memory

Номер патента: US20020168822A1. Автор: Chun-Jung Lin,Ful-Long Ni,Chun-Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230389437A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Sram cell having improved polysilicon resistor structures and method for forming the same

Номер патента: WO1997022148A1. Автор: Kuang-Yeh Chang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Stacked-gate flash memory device

Номер патента: US20030030096A1. Автор: Scott Hsu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20100213492A1. Автор: Si-Chen Lee,Ming-Wei Tsai,Yi-Ting Wu,Yu-Wei Jiang,Pei-En Chang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2010-08-26.

Substrate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10631406B2. Автор: Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Phase-Change Memory and Method of Forming Same

Номер патента: US20230320239A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Structure and method for integrating mram and logic devices

Номер патента: US20230301194A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of a multi-layer for a probe card

Номер патента: US12019111B2. Автор: Roberto Crippa,Raffaele VALLAURI,Flavio Maggioni. Владелец: Technoprobe SpA. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of making single bit erase flash EEPROM

Номер патента: US5429971A. Автор: Ming-Tzong Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-07-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12010923B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240324215A1. Автор: Koji Shirai,Takashi Kurusu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230210013A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080309650A1. Автор: Tomotaka Nishikawa,Shinichiro Morikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-18.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20240040939A1. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292713A1. Автор: Namjin Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High voltage device and method

Номер патента: US20240334707A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage device and method

Номер патента: WO2024206854A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Reference column of semiconductor memory, and electronic device including the same

Номер патента: US20140241041A1. Автор: Ji-Wang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20160224440A1. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20170032829A1. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Hair restoration device and methods of using and manufacturing the same

Номер патента: US8048135B2. Автор: John F. Carullo, Jr.,Charles E. Maricle. Владелец: Sunetics Int'l. Дата публикации: 2011-11-01.

Hair restoration device and methods of using and manufacturing the same

Номер патента: US7597708B2. Автор: John F. Carullo, Jr.,Charles E. Maricle. Владелец: Sunetics International Lp. Дата публикации: 2009-10-06.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and system including the same

Номер патента: US09703628B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US20110116335A1. Автор: Jung-Bae Lee,Cheol Kim,Dong Hyuk Lee,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-19.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Cache memory device and fpga including the same

Номер патента: US20190188145A1. Автор: Hyukjun Lee,Hyunwoo Park,Hyun SO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory device for performing erase verify operation on cell string group basis and method of operating the same

Номер патента: US20240312539A1. Автор: Jun Young KWEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device, memory system including the same, operation method of the memory system

Номер патента: US09892778B1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device, memory system including the same and method of operating the same

Номер патента: US20240144990A1. Автор: Seongjin Cho,Hijung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device, memory system including the memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US20200381054A1. Автор: Sung Ho Kim,Jong Han AHN,Seong Cheon YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device for setting channel initialization time based on inhabition count value and method of the memory device

Номер патента: US11804273B2. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and system including the same

Номер патента: US9653140B2. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170221545A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170110176A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Elastic tie and methods of using and manufacturing the same

Номер патента: US09938062B1. Автор: Christopher Scarlett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device and system including the same

Номер патента: US09886992B2. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

A hair restoration device and methods of using and manufacturing the same

Номер патента: WO2006086470A2. Автор: Charles Maricle,John Carullo, Jr.. Владелец: Sunetics International Lp. Дата публикации: 2006-08-17.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20180059967A1. Автор: Jong Sam Kim,Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Traceable devices for gastrointestinal use and methods of use and manufacturing the same

Номер патента: US20160184466A1. Автор: Robert Hans Wagner. Владелец: LOYOLA UNIVERSITY CHICAGO. Дата публикации: 2016-06-30.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110C. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-05.

Improvements in knitted articles and method and means of manufacture thereof

Номер патента: GB553245A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1943-05-13.

Photocatalyst sheet and methods of welding and manufacturing the same

Номер патента: US20070148424A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Kazuhiro Abe,Takayuki Nakata. Владелец: Taiyo Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Fixture for securing into a soil, and a method of securing and manufacturing the same

Номер патента: US12060692B2. Автор: Jens SCHUPP. Владелец: Orsted Wind Power AS. Дата публикации: 2024-08-13.

Electrolyzer cell and methods of using and manufacturing the same

Номер патента: US20230243047A1. Автор: Thomas H. McWaid,James R. Penny,Shizhao SU. Владелец: Verdagy Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Pigment including a metal core, organic layer, and an inorganic layer

Номер патента: US20240199885A1. Автор: Alberto Argoitia. Владелец: VIAVI SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-06-20.

Transparent substrate provided with multi-layered coating and insulation glazing unit including the same

Номер патента: US20210017811A1. Автор: Jin Woo Han. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2021-01-21.

Liquid crystal display device having a patterned dielectric layer

Номер патента: US20070040967A1. Автор: Young-Nam Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Electrode and shielding systems and methods for compliant sensors

Номер патента: WO2022026651A1. Автор: Nathan Briggs,Nathan Grimes,Colton OTTLEY,Jared JONAS,Colin EICHINGER. Владелец: Bend Labs, Inc.. Дата публикации: 2022-02-03.

Electrode and shielding systems and methods for compliant sensors

Номер патента: EP4189324A1. Автор: Nathan Briggs,Nathan Grimes,Colton OTTLEY,Jared JONAS,Colin EICHINGER. Владелец: Nitto Bend Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Field effect transistor with buried fluid-based gate and method

Номер патента: US20230324332A1. Автор: Mark D. Levy,Aaron L. Vallett,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Electrowetting device with a dielectric layer

Номер патента: US09500852B1. Автор: Pavel Novoselov,Lara Tauk. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus and method for high-accuracy alignment

Номер патента: US5317141A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-05-31.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.