• Главная
  • Photomask blank, photomask, and manufacturing method of semiconductor element

Photomask blank, photomask, and manufacturing method of semiconductor element

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Phase shift photomask blank, phase shift photomask and phase shift photomask blank

Номер патента: TWI684060B. Автор: 稲月判臣,髙坂卓郎. Владелец: 日商信越化學工業股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-01.

Phase-shift photomask and patterning method

Номер патента: WO2011090579A2. Автор: JIAN Ma,Cheng-Hsin Ma,Bennett Olson,Max Lau,Andrew T. Jamieson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Phase-shift photomask and patterning method

Номер патента: WO2011090579A3. Автор: JIAN Ma,Cheng-Hsin Ma,Bennett Olson,Max Lau,Andrew T. Jamieson. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2011-09-15.

Reflective photomask blanks and reflective photomasks

Номер патента: US09454074B2. Автор: Hwan-Seok Seo,Su-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Photomask blank, manufacturing method of photomask and photomask

Номер патента: EP3832388A1. Автор: Naoki Matsuhashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Photomask blank, manufacturing method of photomask and photomask

Номер патента: US20210173296A1. Автор: Naoki Matsuhashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Photomask blank, manufacturing method of photomask and photomask

Номер патента: US11402744B2. Автор: Naoki Matsuhashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Binary photomask blank, preparation thereof, and preparation of binary photomask

Номер патента: US09651858B2. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

A manufacturing method and apparatus of semiconductor

Номер патента: CN101095217A. Автор: 李相奎,朴永薰,徐泰旭,张镐承,李起薰. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2007-12-26.

Photomask blank, photomask, and making method

Номер патента: SG188719A1. Автор: Nishikawa Kazuhiro,Igarashi Shinichi,YOSHIKAWA Hiroki,INAZUKI Yukio. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-04-30.

Designing of photomask blank and photomask blank

Номер патента: US09798229B2. Автор: Hideo Kaneko,Yukio Inazuki,Kouhei Sasamoto,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Photomask blank and manufacturing method thereof

Номер патента: SG194284A1. Автор: Souichi Fukaya. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-11-29.

Photomask blank and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130288163A1. Автор: Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Photomask blank and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140120460A2. Автор: Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Photomask blank

Номер патента: US09618838B2. Автор: Yukio Inazuki,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Photomask producing method and photomask blank

Номер патента: US7709161B2. Автор: Yasushi Okubo,Mutsumi Hara. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-05-04.

Halftone phase shift photomask blank and making method

Номер патента: US09645485B2. Автор: Hideo Kaneko,Toyohisa Sakurada,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Blankmask, Photomask and it's Manufacturing Method

Номер патента: KR100948770B1. Автор: 남기수,양신주,양철규,차한선. Владелец: 주식회사 에스앤에스텍. Дата публикации: 2010-03-24.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20200159106A1. Автор: Toru Komizo,Norihito Fukugami. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Photomask making method, photomask blank and dry etching method

Номер патента: US9164374B2. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Shinichi Igarashi,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Photomask and display panel manufacturing method

Номер патента: WO2020073391A1. Автор: 何怀亮. Владелец: 惠科股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-16.

Photomask blank, making method, and photomask

Номер патента: US09952501B2. Автор: Takashi Yoshii,Shinichi Igarashi,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Mask, manufacturing method thereof and manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US09741828B2. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Display panel spacer unit, photomask, and display panel manufacturing method

Номер патента: WO2019000593A1. Автор: 陈猷仁. Владелец: 重庆惠科金渝光电科技有限公司. Дата публикации: 2019-01-03.

Color conversion layer and manufacturing method

Номер патента: US20220113625A1. Автор: Yongwei Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Optical semiconductor element, semiconductor laser, and method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US20120236394A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of Analyzing Organic Semiconductor Element

Номер патента: US20210119126A1. Автор: Satoshi Seo,Sachiko Kawakami,Nozomi Komatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Designing and manufacturing methods of TFT LCD array positioning mark

Номер патента: US09470973B2. Автор: Yanfeng Fu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Optical device and manufacturing method

Номер патента: US20230244126A1. Автор: Nicola Spring. Владелец: Ams Sensors Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Optical device and manufacturing method

Номер патента: WO2022005393A1. Автор: Nicola Spring. Владелец: ams Sensors Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2022-01-06.

MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150369857A1. Автор: Nakamura Yoshiyuki,TAMURA Tomoaki,KUMAKI Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Manufacturing method for antifuse of semiconductor device

Номер патента: KR100334388B1. Автор: 최병진,홍성주. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US4383886A. Автор: Akio Hori,Haruyuki Goto,Kisaku Nakamura,Eiji Jimi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20080197383A1. Автор: Luis-Felipe Giles. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-21.

Method of manufacturing semiconductor element, semiconductor element, and substrate

Номер патента: US12065760B2. Автор: Masahiro Araki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor element, and semiconductor element body

Номер патента: US12132142B2. Автор: Kentaro Murakawa,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020160589A1. Автор: Toshihiko Omi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US09945902B2. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190260178A1. Автор: Hiroyuki Deguchi,Yoshihiko Furukawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor element and method of manufacturing the same

Номер патента: US10686294B2. Автор: Hiroyuki Deguchi,Yoshihiko Furukawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09478418B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Akihito Ohno,Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

TFT array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US09847354B2. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor element manufacturing method

Номер патента: US20160351398A1. Автор: Hidenori Miyoshi,Yasuhiro Sugimoto,Masahiro Oka,Hirokazu Ueda,Yuki Kobayashi,Genji Nakamura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20150348780A1. Автор: Takahiro Yamamoto,Akihito Ohno,Atsushi ERA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of manufacturing semiconductor device and display device

Номер патента: US6165810A. Автор: Yoshihiro Morimoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-26.

Method of Producing a Semiconductor Element in a Substrate and a Semiconductor Element

Номер патента: US20090085035A1. Автор: Luis-Felipe Giles. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-04-02.

Fabrication method of silicon carbide semiconductor element

Номер патента: US9236248B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

MANUFACTURING METHOD AND PROGRAM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Nakamura Yoshiyuki,TAMURA Tomoaki,KUMAKI Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

MANUFACTURING METHOD AND SUPPORT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210280416A1. Автор: MIGITA Tatsuo. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-09-09.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100319171B1. Автор: 신동우,전승준. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW366553B. Автор: Eui-Song Kim,In-sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-08-11.

Tft array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

FABRICATION METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20150111368A1. Автор: Tsuji Takashi,FUKUDA Kenji. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: EP0525779B1. Автор: Shotaro C/O Nec Corporation Kitamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US09640944B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US09559253B2. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US11843075B2. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20240063332A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20150118775A1. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US20200151294A1. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for generating aging model and manufacturing semiconductor chip using the same

Номер патента: US10796050B2. Автор: Moon Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-06.

Chip packaging structure and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4401078A1. Автор: Peng Liu,Baohua Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Package of semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204136A4. Автор: Hidenori Miyakawa,Takashi Akiguchi,Norihito Tsukahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of etching a semiconductor element

Номер патента: US3923569A. Автор: Masafumi Hashimoto,Takuhiro Ono. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1975-12-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160047046A1. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09920425B2. Автор: Takayuki Matsui,Hajime Nagano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A3. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Device with patterned semiconductor electrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008057814A2. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-05-15.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Epitaxy susceptor, epitaxy growth apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240191393A1. Автор: Gongbai Cao,Shuai Pan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: EP3618123A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027367B2. Автор: Masayuki Kitamura,Takayuki Beppu,Tomotaka Ariga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US9112113B2. Автор: Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

WAFER LEVEL PACKAGED GaN POWER DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130309811A1. Автор: JU Chull Won. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-11-21.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230411226A1. Автор: Young Chan Oh,Hee Jong KANG,Young Mok BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of semiconductor photonic device substrate

Номер патента: US20110003413A1. Автор: Takashi Furuya,Takehiko Tani,Hisataka Nagai,Toshihiro Morisawa. Владелец: Hitach Cable Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070207559A1. Автор: Akio Hasebe,Yasunori Narizuka,Teruo Shoji,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Method and device for compensating drift in a semiconductor element

Номер патента: US5233236A. Автор: Jean P. Colinge. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 1993-08-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20180269223A1. Автор: Takashi Ohashi,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20200401005A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09748360B2. Автор: Takuya Hagiwara,Tetsuro Hanawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09651839B2. Автор: Xiaojing QI,Like HU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US10600932B2. Автор: Hsien-Te Chen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170160A1. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Flow sensor and manufacturing method for the same

Номер патента: US09952080B2. Автор: Noboru Tokuyasu,Tsutomu Kono,Keiji Hanzawa,Shinobu Tashiro,Hiroki Nakatsuchi. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831228B2. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110248282A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor element and multiplexer including a plurality of semiconductor elements

Номер патента: US20230141173A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240233590A9. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Sensor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190285499A1. Автор: Hiroki IKESHO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240135846A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240266222A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Photomask and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JPWO2004077155A1. Автор: 孝宜 南. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Blank photomask, photomask, and method for manufacturing the photomask

Номер патента: TWI770155B. Автор: 小嶋洋介,坂本好史,長友達也. Владелец: 日商凸版印刷股份有限公司. Дата публикации: 2022-07-11.

Photomask blank, photomask, and method for manufacturing photomask

Номер патента: EP4451057A1. Автор: Kazuaki Matsui,Yosuke Kojima. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Photomask blank, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11774845B2. Автор: Hideo Kaneko,Kouhei Sasamoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Photomask blank, method for producing photomask, and photomask

Номер патента: EP3979001A1. Автор: Kouhei Sasamoto,Naoki Matsuhashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Photomask blank, method for producing photomask, and photomask

Номер патента: US11971653B2. Автор: Kouhei Sasamoto,Naoki Matsuhashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for manufacturing photomask blank

Номер патента: US9400422B2. Автор: Yoshio Kawai,Satoshi Watanabe,Akira Ikeda,Takashi Yoshii,Hideo Kaneko,Toyohisa Sakurada,Yukio Inazuki. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Photomask blank

Номер патента: US9864269B2. Автор: Kouhei Sasamoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240258170A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing flat panel display

Номер патента: WO2009072658A1. Автор: Katsunori Yokoyama,Kenji Muto,Ryuji Yamamoto,Tomokazu Morita. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-06-11.

Wavelength conversion device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044868B2. Автор: Chi-Tang Hsieh,I-Hua Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Under-screen camera assembly, camera module, optical lens, and manufacturing methods

Номер патента: EP4012470A1. Автор: Tanaka Takehiko,Zhewen Mei,Haipeng PEI. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Flexible Charging Pad and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: AU2021100802A4. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09779965B2. Автор: Horst Clauberg,Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US7998876B2. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US20100248483A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Manufacturing method and apparatus of semiconductor chip, semiconductor chip dividing jig

Номер патента: TW200842956A. Автор: Katsuyuki Ono,Muneo Harada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Semiconductor element capable of withstanding high voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1111571A. Автор: Hiroyuki Taniguchi,Naohiro Momma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-10-27.

Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US11901233B2. Автор: Kazuki Yamaguchi,Yoshitaka Sumitomo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20210366772A1. Автор: Kazuki Yamaguchi,Yoshitaka Sumitomo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20180247871A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki,Sho Kusaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240213038A1. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Takehiro Ishitani. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: EP3627569A1. Автор: Kenji Hashizume,Eiji Muramoto,Nobuyoshi NIKI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor element, and corresponding semicondutor element

Номер патента: EP2402984B1. Автор: Hiroaki Tamemoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-10.

a manufacturing method for lines of semiconductor devices

Номер патента: KR100355863B1. Автор: 박근수. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-10-12.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100866709B1. Автор: 권판기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Manufacturing Method and Structure of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100279298B1. Автор: 양원석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-01.

Transistor manufacturing method and structure of semiconductor device

Номер патента: KR970004069A. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-29.

Manufacturing Method for Interconnection of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100282230B1. Автор: 박진원,이원준. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-15.

Shallow Trench Manufacturing Method for Isolation of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100286901B1. Автор: 이계훈. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2001-05-02.

Manufacturing method for contact of semiconductor device

Номер патента: KR100400319B1. Автор: 성낙균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Manufacturing Method for Interconnection of Semiconductor Devices

Номер патента: KR100282231B1. Автор: 박진원,이원준. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-15.

MANUFACTURING METHOD AND STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES.

Номер патента: FR2591380B1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-10-11.

Manufacturing method for isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100253349B1. Автор: 최조봉. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Manufacture method and wafer of semiconductor device

Номер патента: CN102760690A. Автор: 张海洋,周俊卿,孟晓莹. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Manufacturing method for silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100295650B1. Автор: 조남훈. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-08-07.

Manufacturing method and structure of semiconductor memory device

Номер патента: JP4064005B2. Автор: 元碩 梁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-19.

a manufacturing method for lines of semiconductor devices

Номер патента: KR20010057679A. Автор: 박근수. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-07-05.

Manufacturing Method and Structure of Semiconductor Device

Номер патента: KR100934050B1. Автор: 손현준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2009-12-24.

Manufacturing method for invertor of semiconductor device

Номер патента: KR100866711B1. Автор: 김재영,강효영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Manufacturing method and structure of semiconductor package

Номер патента: TW201140705A. Автор: Yun-Hsin Yeh. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-16.

Method of encapsulating a semiconductor element in resin or sealing it therewith and a mould therefor

Номер патента: HK106297A. Автор: Akitoshi Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-08-22.

Method of encapsulating a semiconductor element in resin and mold used for resin sealing

Номер патента: KR100196601B1. Автор: 아끼또시 하라. Владелец: 세이코 앱슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: DE2653311A1. Автор: Harvey Ellis Cline,Thomas Richard Anthony,Mike Fushing Chang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-06-02.

Method of producing a semiconductor element

Номер патента: WO2000067297A2. Автор: Klaus Kapfberger,Klaus Schmalzbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-11-09.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: TW201041027A. Автор: Hiroaki Tamemoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: US6943109B2. Автор: Masashi Takahashi,Hiromi Ogasawara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-13.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR ELEMENT COMPRISING A LOAD TRAPPING LAYER

Номер патента: FR3037438A1. Автор: Marcel Broekaart,Luciana Capello,Isabelle Bertrand,Norbert Colombet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-12-16.

Mask pattern correction method, photomask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4511582B2. Автор: 好司 田村. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Photomask blanks, photomasks fabricated using the same, and methods of fabricating photomask using the same

Номер патента: US20160238926A1. Автор: Eui Sang PARK,Kung Hoon NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Photomask blank

Номер патента: US09541823B2. Автор: Hideo Kaneko,Hideo Nakagawa,Yukio Inazuki,Kouhei Sasamoto,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Photomask blank and photomask for suppressing heat absorption

Номер патента: US20150227040A1. Автор: Tae Joong Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Photomask blank and photomask for suppressing heat absorption

Номер патента: US09454073B2. Автор: Tae Joong Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Photomask blank and photomask for suppressing heat absorption

Номер патента: US20160363855A1. Автор: Tae Joong Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Photomask blank and photomask for suppressing heat absorption

Номер патента: US10036950B2. Автор: Tae Joong Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Photomask blank, reflective mask blank, photomask, reflective mask and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101450946B1. Автор: 노자와 오사무. Владелец: 호야 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor element and manufacturing method for semiconductor element

Номер патента: US20240322074A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09905530B2. Автор: Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and methods for bonding semiconductor elements

Номер патента: US09780065B2. Автор: Horst Clauberg,Robert N. Chylak,Dominick A. DeAngelis. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Fabrication method of metal oxide semiconductor element

Номер патента: TW432715B. Автор: Jiun-Ji Shr. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20220085237A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Manufacturing method of high-frequency semiconductor element storage package

Номер патента: JP3984107B2. Автор: 明義 小阪田,澄夫 中野. Владелец: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc. Дата публикации: 2007-10-03.

Manufacturing method for transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100649821B1. Автор: 박명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-24.

Manufacturing Method for Gate of Semiconductor Device

Номер патента: KR101064555B1. Автор: 백운석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-09-15.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR0140806B1. Автор: 김석수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-06-01.

Manufacturing method for capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100224676B1. Автор: 김정한,양원석. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20150118775A1. Автор: NARITA Junya,Wakai Yohei,OKAMOTO Kazuto,NISHIOKA Mizuki. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-30.

A method of closing a semiconductor element mounted on a gold-plated printed circuit board

Номер патента: TWI392035B. Автор: Eiichi Tabei,Hideyoshi Yanagisawa. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2013-04-01.

Making method of n-channel semiconductor element

Номер патента: KR950008256B1. Автор: 강대관. Владелец: 금성일렉트론주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Method of manufacturing a semiconductor element

Номер патента: EP3220411B1. Автор: Tadao Ishibashi,Makoto Shimizu,Hiroki Itoh,Isamu Kotaka. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Scanning type exposure apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US5872617A. Автор: Yasuyuki Unno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-02-16.

Mask pattern data forming method, photomask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4488926B2. Автор: 忠仁 藤澤,隆 小原,健志 伊東. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Photomask and semiconductor apparatus manufacturing method

Номер патента: US20130224637A1. Автор: Satoshi Hirayama,Atsushi Kanome. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-29.

PHOTOMASK AND SEMICONDUCTOR APPARATUS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130224637A1. Автор: Hirayama Satoshi,Kanome Atsushi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of testing a semiconductor element with improved pressing force direction

Номер патента: US11573169B2. Автор: Wataru Okamoto,Atsushi MARUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Photomask blank, manufacturing method of photomask and photomask

Номер патента: EP4180870A1. Автор: Naoki Matsuhashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Photomask blank, manufacturing method of photomask and photomask

Номер патента: US20230148427A1. Автор: Naoki Matsuhashi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20240118604A1. Автор: Ayumi Goda,Ryohei Gorai. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Preparation of photomask blank and photomask

Номер патента: US20050260505A1. Автор: Hideo Kaneko,Hiroki Yoshikawa,Noriyasu Fukushima. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Photomask blank and method of fabricating a photomask using the same

Номер патента: US20170131628A1. Автор: Dong Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Photomask blank and method of fabricating a photomask using the same

Номер патента: US10317791B2. Автор: Dong Sik Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP4293421A1. Автор: Ayumi Goda,Ryohei Gorai. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Photomask blank and method for preparing photomask

Номер патента: US09880459B2. Автор: Yukio Inazuki,Kouhei Sasamoto,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a photomask

Номер патента: US20030082462A1. Автор: Kunihiro Hosono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Reflective photomask blank, and method for manufacturing reflective photomask

Номер патента: EP4276532A1. Автор: Takeshi Ishii,Keisuke Sakurai,Shohei Mimura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Reflective Photomask Blank, and Method for Manufacturing Reflective Photomask

Номер патента: US20230367199A1. Автор: Takeshi Ishii,Keisuke Sakurai,Shohei Mimura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Ion-beam deposition process for manufacturing attenuated phase shift photomask blanks

Номер патента: US6756160B2. Автор: Peter Francis Carcia. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-06-29.

Battery, electric device, and manufacturing device and method of battery

Номер патента: US20240304928A1. Автор: Haihua Huang,Wenchao Luo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: US20190334304A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-10-31.

Novel button battery and manufacturing and mounting method of shell sealing element structure

Номер патента: CN113013527A. Автор: 田华,胡卫国. Владелец: Dongguan Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor module and manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US12021001B2. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Photomask blanks, photomasks fabricated using the same, and methods of fabricating photomask using the same

Номер патента: US9664998B2. Автор: Eui Sang PARK,Kung Hoon NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP4276531A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20240272542A1. Автор: Hideaki Nakano,Daisuke Miyawaki,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20240053670A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP4350435A1. Автор: Hideaki Nakano,Daisuke Miyawaki,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20240077796A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20230375908A1. Автор: Kazuaki Matsui,Ayumi Goda. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US12111565B2. Автор: Norihito Fukugami,Ayumi Goda. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US20210167115A1. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor element, and electronic apparatus

Номер патента: US09978797B2. Автор: Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP3650936A1. Автор: Toru Komizo,Norihito Fukugami. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP4293422A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20240126160A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Isolation layer of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090315141A1. Автор: Ki-Moon Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240047371A1. Автор: Zhiyuan Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Inorganic material film, photomask blank, and method for manufacturing photomask

Номер патента: US09851633B2. Автор: Hideo Nakagawa,Kouhei Sasamoto,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20130183807A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor apparatus and electronic equipment

Номер патента: US9012301B2. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Inorganic material film, photomask blank, and method for manufacturing photomask

Номер патента: US20170003584A1. Автор: Hideo Nakagawa,Kouhei Sasamoto,Souichi Fukaya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP4279990A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US11906896B2. Автор: Toru Komizo,Norihito Fukugami,Genta Watanabe,Eisuke NARITA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP3882698A1. Автор: Toru Komizo,Norihito Fukugami,Genta Watanabe,Eisuke NARITA. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20230143851A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP4145222A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-03-08.

Manufacturing method of electronic device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893116B2. Автор: Hideo Numata,Hiroyuki Okura,Shinya Takyu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09425088B2. Автор: Seiji Ueno,Yasunori Fujimoto,Takumi Ihara,Joji Fujimori. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: EP3650935A1. Автор: Toru Komizo,Norihito Fukugami. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-13.

Reflective photomask blank and reflective photomask

Номер патента: US20200218143A1. Автор: Toru Komizo,Norihito Fukugami. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Photomask blank

Номер патента: US09864266B2. Автор: Yukio Inazuki,Kouhei Sasamoto. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343872A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Position determining method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071826A1. Автор: Takanobu Ono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180019186A1. Автор: Satoru Kikugawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220302127A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device with trench structure and methods of manufacturing

Номер патента: US09595577B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: EP2304789A2. Автор: Johan H. Klootwijk,Eugene Timmering. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-04-06.

Imaging device, electronic device, and manufacturing method

Номер патента: US20220328549A1. Автор: Yuichi Yamamoto,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto,Yosuke Nitta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: EP4030477A1. Автор: Yuichi Yamamoto,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto,Yosuke Nitta. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-20.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130230965A1. Автор: Gaku Sudo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020061642A1. Автор: Hiroshi Haji,Shoji Sakemi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20210082820A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170271271A1. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor manufacturing method using two-stage annealing

Номер патента: US20040248351A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997470B2. Автор: Takashi Yamazaki,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010042908A1. Автор: Akira Okada,Tetsuya Hiraoka,Kazuyuki Aiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Trench power device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4246595A1. Автор: LI YANG,Liang Shi. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US8853089B2. Автор: Takumi Shibata,Hiroshi Ohtsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09741852B2. Автор: James Tsai,Shih-Hsien Huang,Tsang-Hsuan Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120032341A1. Автор: Shin-Hua Chao,Chih-Ming Chung,Chao-Yuan Liu,Hui-Ying HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Manufacturing method of semiconductor device and adjusting apparatus

Номер патента: US9153459B2. Автор: Takashi Kyuho. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080102572A1. Автор: Hirotaka Komatsubara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12120867B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Manufacturing method of semiconductor device including multi-layered source layer and channel extending therethrough

Номер патента: US09978771B2. Автор: Sun Kak Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620482B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Yu-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040053482A1. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09666473B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor element and its manufacturing process

Номер патента: RU2237949C2. Автор: Штефан ЛИНДЕР. Владелец: Абб Швайц Холдинг Аг. Дата публикации: 2004-10-10.

Photovoltaic cell device and manufacturing method of template thereof

Номер патента: US20210313180A1. Автор: Sheng-Hui Chen,Bo-Huei Liao,Shao-Ze Tseng. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2021-10-07.

Composite layer circuit element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11764077B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chuan-Ming Yeh,Kuo-Jung Fan,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190341385A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

LED display and manufacturing method thereof

Номер патента: US9472733B2. Автор: Chia-Hung Hou,Chia-En Lee. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064505A1. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for Fabricating Semiconductor Elements

Номер патента: US20090298233A1. Автор: Chin-Ti Chen. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Photomask blank, photomask and method of manufacture

Номер патента: US20010019801A1. Автор: Hideo Kaneko,Satoshi Okazaki,Yukio Inazuki,Tamotsu Maruyama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of evaluating photomask blank-associated substrate

Номер патента: US11137678B2. Автор: Takahiro KISHITA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Method of evaluating photomask blank-associated substrate

Номер патента: US20190384166A1. Автор: Takahiro KISHITA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09397138B2. Автор: Chien-Hung Liu. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09437562B2. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Jiro Nohara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask

Номер патента: US09897911B2. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Optical semiconductor element and manufacturing method of the same

Номер патента: US8822247B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-02.

Photomask blank and photomask

Номер патента: US20170153540A1. Автор: Chang-Ming Dai. Владелец: Crowningtek Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125824B2. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100038767A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Hiroshi Moriya,Hisashi Tanie,Emi Sawayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09705029B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chun-Yu Lin,Chih-Chiang Lu,Hsin-Chih CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor component and manufacturing method of semiconductor component

Номер патента: US20100013089A1. Автор: Hideo Kubo,Osamu Igawa,Seiji Ueno,Tsuyoshi So. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-21.

Method of producing semiconductor elements using a test structure

Номер патента: WO2004057672A1. Автор: Paul L. C. Simon,Aalt M. Van De Pol. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Photomask blank and photomask

Номер патента: US4720442A. Автор: Takashi Hatano,Norihiko Shinkai,Takeshi Haranoh,Junetsu Kanazawa. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 1988-01-19.

Halftone phase shift photomask blank, making method, and halftone phase shift photomask

Номер патента: US20170059983A1. Автор: Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor element for oscillating or detecting terahertz wave and manufacturing method of semiconductor element

Номер патента: US20200111929A1. Автор: Yasushi Koyama,Jun Iba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US9887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US20170301844A1. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of light emitting device

Номер патента: US09887337B2. Автор: Shinji Nakamura,Akinori Yoneda,Yoshiyuki Aihara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20170012060A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20190326328A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09287407B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Schottky barrier diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US8018020B2. Автор: Kazuhiro Oonishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Manufacturing method and manufacturing machine for reducing non-radiative recombination of micro LED

Номер патента: US11532665B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of designing an exposure mask, exposure method, pattern forming method and device manufacturing method

Номер патента: EP1642171B1. Автор: Takako Yamaguchi,Yasuhisa Inao. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Schottky barrier diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090057807A1. Автор: Kazuhiro Oonishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Manufacturing method of semiconductor package structure

Номер патента: US12080670B2. Автор: Che-Wei Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447126A1. Автор: Pinru HUANG,Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, and manufacturing method of laminate

Номер патента: US20240368753A1. Автор: Atsushi Mizutani,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor element mounting board

Номер патента: US09984984B1. Автор: Makoto Shiroshita,Hisayoshi WADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacture method of making semiconductor optical device

Номер патента: US09543474B2. Автор: Tatsuma Saito. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110183484A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100193802A1. Автор: Ssu-Yuan Weng. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210313274A1. Автор: Sang Yong Park,Juhyun Nam. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282661A1. Автор: Yu-Wei Lin,Li-Hui Cheng,Pu Wang,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4411834A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09893132B2. Автор: Yifan Wang,Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09666838B2. Автор: Shinsuke Iguchi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

TFT array substrate and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508859B2. Автор: Chia-Chi Huang,Min-Ching Hsu. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461062B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Heat radiation structure of semiconductor element and heat sink

Номер патента: US20050174740A1. Автор: Makoto Hayakawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Flexible OLED and manufacture method thereof

Номер патента: US09859521B2. Автор: Tao Sun,Wen Shi,Shimin Ge,Wenhui Li,Yanhong Meng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553198B1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

High-efficiency AlGaInP light-emitting diode grown directly on transparent substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466766B2. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Touch panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09442378B2. Автор: Lianjie QU,Deshuai Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Connecting method of semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20020064904A1. Автор: Hirokazu Nakayoshi,Yoshitaka Yoshino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Connecting method of semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20010019179A1. Автор: Hirokazu Nakayoshi,Yoshitaka Yoshino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US7902007B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor substrates and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20090212364A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Yoon-dong Park,Dae-kil Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030234445A1. Автор: Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-12-25.

Led lamp and manufacture method thereof

Номер патента: US20140048842A1. Автор: Zhaopeng Yu,Fangyi Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Superjunction ldmos and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130082326A1. Автор: Shushu TANG. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof

Номер патента: US9490404B2. Автор: Meng-Sung Chou,Ming-Kun Weng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Display device and manufacturing method

Номер патента: WO2013119009A1. Автор: Jong Won Lee,Chang Ho Cho,Sung Ki Min,Dong Hee Shim,Sang Yoong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Memory block and buried layer manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290386A1. Автор: Kaiwei CAO. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus for detecting temperature of semiconductor elements for power conversion

Номер патента: US09903765B2. Автор: Hiroshi Fujita,Osamu Daitoku. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Cooling module and manufacturing method

Номер патента: RU2559214C2. Автор: БОРК Феликс ФОН,Бьерн ЭБЕРЛЕ. Владелец: Акасол Гмбх. Дата публикации: 2015-08-10.

Movable contact unit, manufacturing method of the same, and manufacturing method of panel switch

Номер патента: US20060081453A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Movable contact unit, manufacturing method of the same, and manufacturing method of panel switch

Номер патента: US20060180456A1. Автор: Hiromichi Koyama,Hideki Mitsuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Coil-integrated-type yoke and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200066477A1. Автор: Tsutomu Karimata,Keisuke Matsushima. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Nonaqueous electrolyte secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490476B2. Автор: Koji Takahata,Akihiro Ochiai,Toshihiko Mitsuhashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620746B2. Автор: Ki Hyun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Coated metal fine particle and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490044B2. Автор: Masato Kurihara,Masatomi Sakamoto. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2016-11-08.

Waveguide assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200274215A1. Автор: Derek Brown,Ian Morris,Maurice Joseph Hamer,Ian GORECKI,Mike WEBBER. Владелец: Airbus Defence and Space Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Battery cell, battery, electric apparatus, and manufacturing method of battery

Номер патента: US12068446B2. Автор: Kun FANG. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Waveguide assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3497742A1. Автор: Derek Brown,Ian Morris,Maurice Joseph Hamer,Ian GORECKI,Mike WEBBER. Владелец: Airbus Defence and Space Ltd. Дата публикации: 2019-06-19.

Keycap and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984834B2. Автор: Shih-Kai Chen,Tsai-Jung Hu. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Fuel cell module and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120107727A1. Автор: Ho-jin Kweon,Jun-Won Suh,Jan-Dee Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Electric/electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170169961A1. Автор: Joo Yong Kim,Min Ki Choi. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-06-15.

Battery manufacturing device and manufacturing method of battery

Номер патента: US20220006114A1. Автор: Chan Woo Park,Kwan Hong Bae,Ji Sun CHUNG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Labels and manufacture thereof

Номер патента: CA1326764C. Автор: David John Instance. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-02-08.

Manufacturing method of P type semiconductor element for refrigeration or heating device

Номер патента: CN103456876A. Автор: 陈志明,顾伟. Владелец: SUZHOU WEI YUAN NEW MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: EP3563760A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-11-06.

Method of accelerating test of semiconductor device

Номер патента: US20070077762A1. Автор: Kenji Yoshida,Hiroshi Nakazawa,Koji Miyamoto,Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Liquid crystal display device and manufacturing method of the liquid crystal display device

Номер патента: US20090141229A1. Автор: Hajime Nakao. Владелец: Epson Imaging Devices Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Optical pickup module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050063279A1. Автор: Sun-Ho Kim,Geun-Ho Kim,Ki-Chang Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-24.

Manufacturing method of deposition mask and manufacturing method of organic EL display

Номер патента: US12058922B2. Автор: Katsunari Obata,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Ultrasound flow rate measurement apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US20180156651A1. Автор: Torsten Schmidt,Jörg Schneider,Christian Schulz. Владелец: SICK Engineering GmbH. Дата публикации: 2018-06-07.

Manufacturing method of liquid crystal display panel and manufacturing apparatus of liquid crystal display panel

Номер патента: US20070052913A1. Автор: Kazuya Kaida,Akinori Izumi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-03-08.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190072801A1. Автор: WU CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Acoustic Wave Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240305260A1. Автор: Hao-Min Huang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Computer-aided design and manufacturing system and method for composite part manufacturing method and system

Номер патента: US09996634B2. Автор: Gregory Maclean. Владелец: Autodesk Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09952367B2. Автор: Yanbing WU,Chunyan JI,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

In-cell self capacitive touch control display panel and manufacture method thereof

Номер патента: US09715303B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237198A1. Автор: Li-Wei Sung,Ching-I Lo,Chueh-Yuan NIEN,Yu-Ling Hung. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Printed circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090269559A1. Автор: Ro-Woon Lee,Jae-Woo Joung,Kyoung-Jin JEONG,Tae-Gu KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Reinforcement panel for lcd and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007117084A1. Автор: Sang Bong Park. Владелец: Nbt Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-10-18.

Optical fiber manufacturing method, optical fiber and optical fiber preform

Номер патента: EP2388628A3. Автор: Eisuke Sasaoka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Liquid crystal panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130329178A1. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Speaker grille for vehicle and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220248113A1. Автор: Dong Jae CHOI. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Manufacture method and system of semiconductor device

Номер патента: CN101819917B. Автор: 覃柳莎,顾一鸣. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-04-18.

Customizing fitting insole by combination of multi-material and manufacturing and correcting method of it

Номер патента: KR100736813B1. Автор: 박종배,장재황. Владелец: (주)와일드캣. Дата публикации: 2007-07-09.

Differential gear assembly of vehicles and Manufacturing apparatus and method of the same

Номер патента: KR101393339B1. Автор: 조준권. Владелец: 현대자동차 주식회사. Дата публикации: 2014-05-09.

Customizing fitting insole by combination of multi-material and manufacturing and correcting method of it

Номер патента: WO2007049838A1. Автор: Jongbae Park,Jaehwang Jang. Владелец: Wildcat Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Machining and manufacturing systems and method of operating the same

Номер патента: WO2017205026A1. Автор: Mathias Ernst Messmer,Dragan Filipovic,Simon Josef Würzinger. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2017-11-30.

Machining and manufacturing systems and method of operating the same

Номер патента: US20170334008A1. Автор: Mathias Ernst Messmer,Dragan Filipovic,Simon Josef Würzinger. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-11-23.

Gel nail polish and manufacturing and a method of using the nail polish

Номер патента: EP3135340A1. Автор: Lijuan Zhen. Владелец: Lijuan Zhen. Дата публикации: 2017-03-01.

Embossing pattern formed retroreflctive sheets and manufacturing device and method of the same

Номер патента: KR101515324B1. Автор: 양지윤. Владелец: 양지윤. Дата публикации: 2015-05-20.

Aircraft with intermittent braces and manufacturing method

Номер патента: RU2435701C1. Автор: Лоран ГОТИ,Филипп БЕРНАДЕТ. Владелец: Эрбюс Операсьон (С.А.С). Дата публикации: 2011-12-10.

Manufacturing method of bath

Номер патента: RU2651859C1. Автор: Вадим Евгеньевич Казанцев. Владелец: Вадим Евгеньевич Казанцев. Дата публикации: 2018-04-24.

Beef jerky and manufacturing method therefor

Номер патента: NL2035187B1. Автор: Chen Hao,WANG Chunjie,Huasai Simujide,Chen Aorigele. Владелец: Univ Inner Mongolia Agri. Дата публикации: 2024-10-02.

Herbaceous fiber and manufacturing method thereof and refiner manufacturing therefor

Номер патента: WO2009119956A1. Автор: Chan Oh PARK. Владелец: Chan Oh PARK. Дата публикации: 2009-10-01.

Device and manufacturing method of coiled curvilinear airline

Номер патента: RU2360763C2. Автор: Кью-Сеок ЧА,Сеок ХЕО. Владелец: Джинвунг Текнолоджи. Дата публикации: 2009-07-10.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Bearing Substrate and Manufacturing Method of Flexible Display Device

Номер патента: US20160039182A1. Автор: Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Cmut device and manufacturing method

Номер патента: EP3119533A1. Автор: Bout Marcelis,Ruediger Mauczok. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-01-25.

Laminate molded object manufacturing method and manufacturing device, control support device, and program

Номер патента: EP4450198A1. Автор: Shuo Huang,Akinori Yoshikawa. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Fluid vessel and manufacturing method for a fluid vessel

Номер патента: EP4384747A1. Автор: Swen Zaremba,Elisabeth GLEIS,Teodor IVANUSA. Владелец: Technische Universitaet Muenchen. Дата публикации: 2024-06-19.

CMUT device and manufacturing method

Номер патента: US09889472B2. Автор: Bout Marcelis,Ruediger Mauczok. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of glass forming body and forming die

Номер патента: US09650278B2. Автор: Katsuhiro Suzuki,Shiro Funatsu,Tomoharu Hayashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of support for planographic printing plate

Номер патента: US09573404B2. Автор: Hisashi Hotta,Yuichi Kasuya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Mineral wool, insulation material and manufacturing method

Номер патента: RU2390508C2. Автор: Жером Дус,Жан-Люк БЕРНАР. Владелец: СЭН-ГОБЭН ИЗОВЕР. Дата публикации: 2010-05-27.

Environmentally-friendly training hand grenade and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050028703A1. Автор: Se-Hong Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Bending Part Coupling Assembly for the Endoscope Insertion Portion and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090234191A1. Автор: Hideya Kitagawa,Kiyokazu Hosaka. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Piston for swash-plate type compressor and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010037845A1. Автор: Takayuki Kato,Masato Takamatsu,Seiji Katayama. Владелец: Toyoda Jidoshokki Seisakusho KK. Дата публикации: 2001-11-08.

Manufacturing method of liquid ejecting head and manufacturing method of flow path component

Номер патента: US12070949B2. Автор: Naohiro NAKAGAWA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Hydrophilic polyacrylic acid (salt) resin and manufacturing method thereof

Номер патента: US09518133B2. Автор: Shinichi Fujino,Kunihiko Ishizaki,Satoshi Matsumoto. Владелец: NIPPON SHOKUBAI CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Foamed fabric structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3674460A1. Автор: Yih Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

Foamed fabric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200362483A1. Автор: Yih-Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Casting product and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170016378A9. Автор: Chul Jun Youm,Jae Kwon Lee,Jong Hyuck Kim,Soon Hyon HWANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-01-19.

Paper coated with silicon, vessel using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2217760A2. Автор: Kyung-Sung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-18.

Seasoned laver including hemp oil and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200390836A1. Автор: Young-Kee LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-17.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1965721A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-10.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007075003A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Woowon Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Paper box with wireless signal transmission component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160010285A1. Автор: Chien-Kuan Kuo,Chun-Huang Huang. Владелец: Golden Arrow Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Dna-rna hybrid particles and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170240889A1. Автор: Jong-Bum LEE,Yong-Kuk Park. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2017-08-24.

DNA-RNA hybrid particles and manufacturing method thereof

Номер патента: US10253317B2. Автор: Jong-Bum LEE,Yong-Kuk Park. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2019-04-09.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of composite sheet of absorbent article

Номер патента: US20130299096A1. Автор: Jun Okuda,Shinichi Ishikawa,Taisha NAKAMURA. Владелец: Unicharm Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110051063A1. Автор: Makoto Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Manufacturing method for contacts of semiconductor device

Номер патента: TW432624B. Автор: Hung-Yuan Tau,Jia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Chiou,Ju-Yun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-05-01.

Method of connecting ceramic semiconductor element

Номер патента: JPS5784118A. Автор: Masaru Oda,Kazuhide Ebine. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1982-05-26.

OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER, AND METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20120236394A1. Автор: HAYAKAWA Akinori. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-09-20.

Manufacturing method and structure of semiconductor laser diode

Номер патента: KR940001499A. Автор: 양민. Владелец: 이헌조. Дата публикации: 1994-01-11.

Manufacturing method and apparatus of semiconductor device

Номер патента: JPS55105324A. Автор: Junichi Nishizawa,Keishiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1980-08-12.

Manufacturing method for grid of semiconductor device

Номер патента: CN100517577C. Автор: 张海洋,刘乒,马擎天. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

Method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: JP2012084592A. Автор: Hirohiko Kobayashi,Masahiro Yoneda,宏彦 小林,昌博 米田. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

TFT ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING AND REPAIRING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Zhou Baoquan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

Mask blank substrate, mask blank, photomask, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4819191B2. Автор: 勝 田辺. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Reflective mask blank, reflective photomask, and reflective photomask manufacturing method

Номер патента: JP4900656B2. Автор: 正 松尾,泰史 西山. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD FOR SPARK PLUGS

Номер патента: US20120001532A1. Автор: Kyuno Jiro,Kure Keisuke. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148982A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG148981A1. Автор: Osamu Koshimizu. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG153715A1. Автор: Yoshinori Marumo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR CATALYST-COATED MEMBRANE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003572A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE RESIN AQUEOUS DISPERSION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004361A1. Автор: Watanabe Masahiko,Takahashi Manabu,Takigawa Shinya. Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of glass substrate for magnetic disc and manufacturing method of magnetic disc

Номер патента: SG153716A1. Автор: Yosuke Suzuki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2009-07-29.