Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200273747A1
Опубликовано: 27-08-2020
Автор(ы): Gyu-hee Park, Jaesoon Lim, Seung-Min Ryu, Younjoung CHO, Younsoo Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130196494A1. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device comprising metal plug having substantially convex bottom surface

Номер патента: US09397040B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Methods of Forming Contact Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280426A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: TW200516711A. Автор: Kyeong-Keun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Method of manufacturing a stacked semiconductor device

Номер патента: KR100625124B1. Автор: 이종욱,손용훈,신유균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-15.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12094942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device including contacts

Номер патента: KR100301050B1. Автор: 신지철,이세형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425288B2. Автор: Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of Manufacturing a Vertical Semiconductor Device

Номер патента: US20150270131A1. Автор: Siemieniec Ralf,Konrath Jens Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09515172B2. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148216A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Soi substrate, method of manufacture thereof, and semiconductor device using soi substrate

Номер патента: EP1122788A1. Автор: M. Mitsubishi Materials Silicon Corp. TAKAMATSU,T. Mitsubishi Materials Silicon Corp. KATAKURA,Toshiaki Mitsubishi Denki KK IWAMATSU,Hideki Mitsubishi Denki KK NARUOKA. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2001-08-08.

Soi substrate, method of manufacture thereof, and semiconductor device using soi substrate

Номер патента: WO2001003191A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Masaru Takamatsu,Hideki Naruoka,Takashi Katakura. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corporation. Дата публикации: 2001-01-11.

Method of manufacturing a MOS semiconductor device

Номер патента: DE3030385C2. Автор: Yoshihisa Tokyo/Tokio Mizutani. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-22.

SOI substrate, method of manufacture thereof, and semiconductor device using SOI substrate

Номер патента: US6558990B1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Masaru Takamatsu,Hideki Naruoka,Takashi Katakura. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2003-05-06.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

The manufacturing method of silicon carbide epitaxy chip and the manufacturing method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110476223A. Автор: 大野彰仁. Владелец: Mitsubishi Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9633840B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170288025A1. Автор: Hironori Itoh,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: TW200915395A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100522427B1. Автор: 김용수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: KR101451104B1. Автор: 마사후미 쿠니이. Владелец: 재팬 디스프레이 웨스트 인코포레이트. Дата публикации: 2014-10-15.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Electrically conductive element, power semiconductor device having an electrically conductive element and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US09812376B2. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Semiconductor device interconnection pattern with rim

Номер патента: CA1203643A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7303986B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070066050A1. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Micro-pattern forming method, capacitor and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20190157276A1. Автор: JAE-HEE KIM,SOON-MOK HA,Jong-Hyuk Kim,Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of reducing metal gate resistance for next generation nmos device application

Номер патента: WO2024137272A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tuerxun Ailihumaer,Tengzhou Ma,Janardhan DEVRAJAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of reducing metal gate resistance for next generation nmos device application

Номер патента: US20240204061A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tuerxun Ailihumaer,Tengzhou Ma,Janardhan DEVRAJAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW200537623A. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Contact Pad for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170179051A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Electrically Conductive Element, Power Semiconductor Device Having an Electrically Conductive Element and Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160013117A1. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Functional macro and method of designing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100329951B1. Автор: 미모또겐이찌로,호조다께히꼬. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-03-27.

Method of forming GE silicide layer, semiconductor device comprising GE silicide layer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101194843B1. Автор: 이내인,양현덕,이화성,전중석,문창욱,웨이웨이 첸. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-10-25.

Electrically Conductive Element, Power Semiconductor Device Having an Electrically Conductive Element and Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160013117A1. Автор: Nelhiebel Michael,Woehlert Stefan,ROEHL Siegfried. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Semiconductor Device Packages

Номер патента: US20180012830A1. Автор: Tsai Po-Hao,Lin Jing-Cheng,Shih Ying-Ching,Lu Szu-Wei,Chen I-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200091299A1. Автор: Okumura Keiji,IWAYA Masanobu,"NAKAMATA Shinichi". Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Semiconductor Device Packages

Номер патента: US20140210074A1. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268163A1. Автор: NAKAMURA Kenro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271486A1. Автор: Komatsu Takuya,Imai Fumikazu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180294350A1. Автор: UTSUMI Makoto,Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160336224A1. Автор: FUKUDA Kenji,SUGAHARA Yoshiyuki,MAKIFUCHI Youichi,TSUTSUMI Takashi,ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190386106A1. Автор: Suzuki Yoshihisa,Hoshi Yasuyuki,HASHIZUME Yuichi,KUMADA Keishirou. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: KR100273070B1. Автор: 레오나르두스 페크 헤르마누스. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of manufacturing passivation of semiconductor device

Номер патента: KR100256823B1. Автор: 이주상. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100224785B1. Автор: 박보현. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR970053058A. Автор: 안성현,이덕형,임승무,조현룡,김송강. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056041A1. Автор: Wada Keiji,Kitabayashi Hiroyuki,Tamaso Hideto. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

METHOD OF MANUFACTURING INTERCONNECTION AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140187033A1. Автор: Yamazaki Yuichi,Sakai Tadashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-07-03.

METHOD OF MANUFACTURING 3-D SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170170057A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170338100A1. Автор: Kitabayashi Hiroyuki,Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method of Manufacturing a Superjunction Semiconductor Device

Номер патента: US20180374919A1. Автор: Rupp Thomas,Weber Hans,Willmeroth Armin,Knoefler Roman,Treu Michael,Fachmann Christian,Mezoesi Gabor,TILKE Armin,Pippan Manfred. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100533971B1. Автор: 박병준,최익수,권일영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-07.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100537204B1. Автор: 이남재,박계순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-16.

Method of manufacturing electrode in semiconductor device

Номер патента: KR100198652B1. Автор: 이병학,변정수. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing contact in semiconductor device

Номер патента: KR100197653B1. Автор: 황성보. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Methods of manufacturing three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US8741761B2. Автор: Youngwoo Park,Byungkwan You,Kwang Soo SEOL,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10056247B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-08-21.

Method of manufacturing a superjunction semiconductor device

Номер патента: EP3422418A1. Автор: Hans Weber,Roman Knoefler,Armin Willmeroth,Thomas Rupp,Armin Tilke,Manfred Pippan,Christian Fachmann,Michael Treu,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-01-02.

Method of manufacturing a vertical semiconductor device

Номер патента: US9384983B2. Автор: Ralf Siemieniec,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing tcm in semiconductor device

Номер патента: KR100190075B1. Автор: 김용범. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of manufacturing schottky contact semiconductor device

Номер патента: AU1865276A. Автор: J. & Losi M Michel. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-04-20.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of Forming Gate Insulating Film, Semiconductor Device and Computer Recording Medium

Номер патента: US20070290247A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US20100130023A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10832915B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170012111A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190115218A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: TW200411816A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming of a semiconductor film, method of manufacture of a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20110266550A1. Автор: Munehiro Tada,Krishna Saraswat. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2011-11-03.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: TW201007928A. Автор: Young-Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US8119509B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Method of forming gate structures or semiconductor devices

Номер патента: TW201025430A. Автор: Kuo-Bin Huang,Chien-Hao Chen,Chi-Chun Chen,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Donald Y Chao,Shun-Wu Lin,Matt Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

A method of gate structure fabrication in semiconductor device

Номер патента: TW200514149A. Автор: Chang-Rong Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-16.

Method of forming isolation structure and semiconductor device with the isolation structure

Номер патента: TW201218314A. Автор: Yi-Jung Chen,Jyun-Huan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Isolation structure, method of forming the isolation structure, semiconductor device having the isolation structure and method of manufacturing the semiconductor device having the isolation structure

Номер патента: KR100823703B1. Автор: 최종완,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-21.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: KR100698000B1. Автор: 미노루 모리와키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-03-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9805944B2. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271168A1. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200020796A1. Автор: Hoshi Yasuyuki,HASHIZUME Yuichi,KUMADA Keishirou. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of Manufacturing a Superjunction Semiconductor Device and Superjunction Semiconductor Device

Номер патента: US20180061979A1. Автор: Hirler Franz,Weber Hans,Treiber Maximilian,Voerckel Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Ohse Naoyuki,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180174835A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,Fukuda Yusuke,NAKAMURA Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Ohse Naoyuki,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6500912B2. Автор: 直樹 熊谷,卓巳 藤本,熊谷　直樹. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-17.

Method of manufacturing high voltage semiconductor device and the high voltage semiconductor device using the same

Номер патента: KR100836766B1. Автор: 강미현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-10.

Non-volatile semiconductor devices and methods of manufacturing non-volatile semiconductor devices

Номер патента: US20110233653A1. Автор: Hak-sun Lee,Kyoung-sub Shin. Владелец: Lee Hak-Sun. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device with an element isolation oxide film having a flat surface, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: DE19606682C2. Автор: Shigeru Shiratake,Hiroshi Matsuo,Kenji Yasumura,Yuichi Yokoyama,Takaaki Murakami,Kaoru Motonami,Satoshi Hamamoto,Kenji Morisawa,Yasuyoshi Itoh,Ritsuko Gotoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-04-19.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR970072206A. Автор: 윤성렬. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of manufacturing gate of semiconductor device

Номер патента: KR100223942B1. Автор: 하재희. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of manufacturing contact of semiconductor device

Номер патента: KR100258364B1. Автор: 김대영. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120184094A1. Автор: Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130267080A1. Автор: Darwish Mohamed N.. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220068705A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-03-03.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150270375A1. Автор: Darwish Mohamed N.. Владелец: MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271168A1. Автор: Watanabe Heiji,Shimura Takayoshi,Hosoi Takuji,SOMETANI Mitsuru. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Methods of manufacturing capacitor and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110237044A1. Автор: Kwan-Young Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Methods of manufacturing capacitor and semiconductor device including the same

Номер патента: US8263456B2. Автор: Kwan-Young Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

METHOD OF MANUFACTURING DIELECTRICALLY INSULATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: FR2316733A1. Автор: Bai-Cwo Feng,George C Feng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-01-28.

Method of manufacturing isolation for semiconductor device

Номер патента: KR0172792B1. Автор: 박상균,남철우. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing trench for semiconductor device

Номер патента: KR100274976B1. Автор: 조경수. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2000-12-15.

Method of manufacturing mos type semiconductor devices

Номер патента: DE3471824D1. Автор: Kentaro Yoshioka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-07-07.

Method of manufacturing mos type semiconductor devices

Номер патента: EP0121351B1. Автор: Kentaro Yoshioka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-06-01.

Method of manufacturing a LOCOS semiconductor device

Номер патента: EP0001300A1. Автор: Johannes Antonius Andreas Van Gils. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-04-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: TW201246283A. Автор: Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2012-11-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Lead frame, method of manufacturing the same, semiconductor device using lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101007595B1. Автор: 타케시 코바야시,히사오 스고우. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2011-01-12.

METHOD OF MANUFACTURING LEADFRAMES OF SEMICONDUCTOR DEVICES,CORRESPONDING LEADFRAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181076A1. Автор: ZIGLIOLI Federico Giovanni,CREMA Paolo,VITELLO Dario,MARCHISI Fabio,ARRIGONI Alberto,FREGO Federico. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140361416A1. Автор: Ito Koji,Ito Kazuhiko,Ogasawara Atsushi,Muyari Koya. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-11.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US9570408B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12020924B2. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing film for semiconductor device

Номер патента: US20120231557A1. Автор: Koichi Inoue,Yuichiro Shishido,Miki Morita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200052074A1. Автор: Wada Keiji,NISHIGUCHI Taro,Itoh Hironori. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210225646A1. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180245238A1. Автор: Hori Tsutomu,Itoh Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180277635A1. Автор: Wada Keiji,NISHIGUCHI Taro,Itoh Hironori. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-09-27.

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Hori Tsutomu. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-09-10.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING GROOVES EXTENDING ALONG MAIN SURFACE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365693A1. Автор: Wada Keiji,NISHIGUCHI Taro,ltoh Hironori. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-11-19.

A method of manufacturing a power semiconductor device having a reduced oxygen concentration

Номер патента: DE102017117306A1. Автор: Gerhard Schmidt,Erwin Lercher,Johannes Baumgartl,Daniel Schlögl,Matthias Künle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-01-31.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230059737A1. Автор: Takashi Sakurada,Hironori Itoh,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method

Номер патента: AU2003255956A1. Автор: Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: DE112018001989B4. Автор: Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Vertical semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312878A1. Автор: Yong-Seok Kim,Tae-Young Kim,Sung-Il Chang,Su-Jin Ahn,Jae-Sung SIM,Jun-Hee Lim,Ji-Yeong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing a resurf semiconductor device, and a semiconductor device manufactured by such a method

Номер патента: WO1997023901A1. Автор: Adrianus Willem Ludikhuize. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-07-03.

Method of forming hemispherical grain for semiconductor devices

Номер патента: TW434656B. Автор: Chan-Sik Park,Yun-Young Kwon,Jang-Hyeok Lee,Se-Hyoung Ryu,Eung-Yong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11869814B2. Автор: Hidetatsu Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230246076A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10665681B2. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210167173A1. Автор: FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210234005A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170221714A1. Автор: IWAYA Masanobu,WAKIMOTO Setsuko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170222046A1. Автор: IWAYA Masanobu,WAKIMOTO Setsuko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Murata Koichi,TSUCHIDA Hidekazu,TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271472A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,Ohse Naoyuki,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190348524A1. Автор: Kagawa Yasuhiro,Ebiike Yuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2005038900A1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Radu C. Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-04-28.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing an integrated semiconductor device

Номер патента: CN101174649A. Автор: 于尔根·福尔. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-07.

Power semiconductor device Method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102021124138A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of manufacturing substrate and semiconductor device

Номер патента: US10861703B2. Автор: Makoto Watanabe,Kenji Fujii,Hirohisa Fujita,Yusuke Hashimoto,Satoshi Ibe,Shuhei Oya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Method of manufacturing substrate and semiconductor device

Номер патента: US20190051533A1. Автор: Makoto Watanabe,Kenji Fujii,Hirohisa Fujita,Yusuke Hashimoto,Satoshi Ibe,Shuhei Oya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of Manufacture of a Semiconductor Device

Номер патента: US20200006178A1. Автор: Lee Long Hua,Wu Chih-Wei,HUANG Sung-Hui,Kuo Li-Chung,Shih Ying-Ching,Huang Kuan-Yu,Li Pai Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

METHODS OF MANUFACTURING MULTI-DIE SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES AND RELATED ASSEMBLIES

Номер патента: US20180033781A1. Автор: Zhou Wei,Luo Shijian,Varghese Sony,Street Bret K.,Yu Aibin,Ma Zhaohui,Hacker Jonathan S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170047408A1. Автор: Kuribayashi Hidenao,Miyazaki Masayuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-16.

Method of manufacturing mos-type semiconductor device

Номер патента: US20150056776A1. Автор: Takeyoshi Nishimura,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190051533A1. Автор: Fujii Kenji,Hashimoto Yusuke,Watanabe Makoto,Ibe Satoshi,Fujita Hirohisa,Oya Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-14.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140199814A1. Автор: Darwish Mohamed N.. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2014-07-17.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180138287A1. Автор: Tsuji Takashi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Schloegl Daniel,Kuenle Matthias,Weiss Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160225624A1. Автор: Tomoaki Ishida,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180269064A1. Автор: IWAYA Masanobu,WAKIMOTO Setsuko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-09-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190304787A1. Автор: Masanobu IWAYA,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

METHODS OF MANUFACTURING MULTI DIE SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES AND RELATED ASSEMBLIES

Номер патента: US20160358898A1. Автор: Zhou Wei,Luo Shijian,Varghese Sony,Street Bret K.,Yu Aibin,Ma Zhaohui,Hacker Jonathan S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220367274A1. Автор: Okumura Keiji,NAKAMURA Hidetatsu,FUJIMOTO Yoshikuni. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220367294A1. Автор: Keiji Okumura,Hidetatsu Nakamura,Yoshikuni FUJIMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US10103134B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by forming metal-free protection film

Номер патента: US9653297B2. Автор: Tomoaki Ishida,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor device

Номер патента: KR0163974B1. Автор: 노부히사 타나카,타카시 이와사키,순이치 요네야마,야스히로 이구치. Владелец: 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of manufacturing charge compensation semiconductor device using neutron alteration

Номер патента: JP2003505860A. Автор: レイモンド、ジェイ．グローバー. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 2003-02-12.

Method of manufacturing mos type semiconductor device

Номер патента: JP2015041644A. Автор: Takeyoshi Nishimura,武義 西村,Shuhei TATEMICHI,秀平 立道. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-02.

MANUFACTURING METHOD OF VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190157448A1. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Solution, method of forming resist pattern, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US11822250B2. Автор: Hiroyuki Iida,Masaharu Nakamura,Motoki Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Solution, method of forming resist pattern, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200301283A1. Автор: Hiroyuki Iida,Masaharu Nakamura,Motoki Takahashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Resin composition and method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP3469446B2. Автор: 伸次 村井,新悦 藤枝,留美子 早瀬,康之 堀田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-11-25.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20170098693A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160043235A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20190319101A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US9853105B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US10269902B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20180122909A1. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09633963B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming

Номер патента: US09640466B1. Автор: Varughese Mathew,Sheila Chopin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210343524A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028010A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Connector formation methods and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09691723B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming products with FinFET semiconductor devices without removing fins in certain areas of the product

Номер патента: US09543416B2. Автор: Min Gyu Sung,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming fins for finFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09337050B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20220359436A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20170352632A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTILAYER WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE, METHOD OF FORMING PATTERN STRUCTURE, IMPRINT MOLD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, IMPRINT MOLD SET, AND METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD

Номер патента: US20180310413A1. Автор: Furukawa Tadashi,FURUSE Ayako,SOTODA Teppei,KASAI Ryohei,FURUGEN Ryo,HOSODA Tetsushi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US09525040B2. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Redistribution Layers And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098400A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US8798110B2. Автор: Tatsuya Takeuchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Multiple well device and process of manufacture

Номер патента: US5698458A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang,Sun-Chieh Chien,Chung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and the manufacturing silicon carbide semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: CN104335328B. Автор: 木下明将,福田宪司,辻崇. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Heterojunction semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160020296A1. Автор: Andreas Bernardus Maria Jansman,Markus Mueller,Tim BOETTCHER,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Stephan Heil,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON,Stephen John SQUE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-01-21.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233563A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Akihiko Sugai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200152638A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180175043A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967573B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: TW201140651A. Автор: Chong-Kwang Chang,Young-Mook Oh,Seo-Woo Nam,Myung-Joo Lee,Woo-Cheol Jeon,Ju-Beom Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240274558A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING POWER CONVERTER

Номер патента: US20200194554A1. Автор: ADACHI Kohei,Fukui Yutaka,TANAKA Rina,SUGAWARA Katsutoshi,HATTA Hideyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

Leadframe, method of manufacturing the same, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: TW577157B. Автор: Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-02-21.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106796956A. Автор: 大西泰彦,原田信介,酒井善行,熊谷直树,堤岳志,藤本卓巳,福田宪司,岡本光央. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221498A1. Автор: Genba Jun. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254149A1. Автор: Genba Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor inspecting apparatus and method of inspecting and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150270182A1. Автор: Jaehong Kim,Seung Hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20190252517A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor substrate, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2011082547A. Автор: Shiro Sakai,士郎 酒井. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10770548B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Yohei Iwahashi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Manufacturing Method of Manufacturing Device and Semiconductor Device

Номер патента: KR20200014359A. Автор: 토루 마에다,토모노리 나카무라,테츠오 타카노. Владелец: 가부시키가이샤 신가와. Дата публикации: 2020-02-10.

Method of producing hybrid oxide for semiconductor devices

Номер патента: YU301876A. Автор: S H Cohen,J J Fabula. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-06-30.

Method of fabricating recess channel in semiconductor device

Номер патента: TWI324368B. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Method of fixing connecting wire to semiconductor device

Номер патента: JPS55154742A. Автор: Hatsuke Hansuyurugen,Pentsuru Rainhoruto,Raushiyaa Geruharuto,Shiyuraa Rotaaru,Uirupuzaa Osukaaru. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-12-02.

Method of making a capacitor to semiconductor device

Номер патента: KR960010003B1. Автор: Sung-Wook Lee,Suk-Bin Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326961A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of forming asymmetric differential spacers for optimized MOSFET performance and optimized MOSFET and SONOS co-integration

Номер патента: US11973130B2. Автор: Sotirios Athanasiou,Sébastien Daveau. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding product and semiconductor device

Номер патента: US20240178105A1. Автор: Mauro Mazzola,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2674413C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-12-07.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240079275A1. Автор: Takashi Tsuji,Naoto Fujishima,Yuichi Onozawa,Johnny Kin On Sin,Linhua Huang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN104704611B. Автор: 前山雄介,渡部善之,中村俊,中村俊一. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR BASE, METHOD OF CRYSTAL AXIS ALIGNMENT IN SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR BASE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180061960A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of forming nitride-based semiconductor layer, and method of manufacturing nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20020048836A1. Автор: Takashi Kano,Nobuhiko Hayashi,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9330916B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180033876A1. Автор: Okumura Keiji,SUGAHARA Yoshiyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180033885A1. Автор: Okumura Keiji,WAKIMOTO Setsuko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180090320A1. Автор: FUKUDA Kenji,MAKIFUCHI Youichi,TSUTSUMI Takashi,ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo,Miyazato Masaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180090321A1. Автор: FUKUDA Kenji,MAKIFUCHI Youichi,TSUTSUMI Takashi,ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200119147A1. Автор: Okumura Keiji,Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-16.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170141206A1. Автор: KOGA Takeharu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Ohse Naoyuki,HASHIZUME Yuichi,Kojima Takahito,UCHIDA Takafumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-10.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200144371A1. Автор: TAWARA Takeshi,OHSE Mina. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ASSEMBLY, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,UTSUMI Makoto. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170236914A1. Автор: KUMAGAI Naoki,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254393A1. Автор: NAKAJIMA Tsunehiro,Imai Fumikazu,FUKUDA Kenji,Ohse Naoyuki,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271156A1. Автор: GOTOH Masahide. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271157A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271455A1. Автор: TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271456A1. Автор: Komatsu Takuya,Ohse Naoyuki,Ryo Mina. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190267451A1. Автор: ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo,IWAHASHI Yohei. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200279921A1. Автор: Shiomi Hiromu. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-09-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200279947A1. Автор: YAMAMOTO Fumitoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180301536A1. Автор: UTSUMI Makoto,Imai Fumikazu,Oonishi Yasuhiko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180308972A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Ohse Naoyuki,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Okumura Keiji. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-24.

METHOD OF MANUFACTURING LEADFRAMES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, CORRESPONDING LEADFRAME AND SEMICONDCTOR DEVICE

Номер патента: US20200321274A1. Автор: Magni Pierangelo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350900A1. Автор: HARADA Yuichi,Hoshi Yasuyuki,SHIIGI Takashi,"NAKAMATA Shinichi". Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190378921A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,UTSUMI Makoto. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-12.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220367642A1. Автор: KAGOYAMA Yohei. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-17.

METHOD OF MANUFACTURING LEADFRAMES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, CORRESPONDING LEADFRAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406703A1. Автор: Magni Pierangelo. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2022-12-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406931A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-12-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406948A1. Автор: HASHIZUME Yuichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2866265A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Mitsuru Shimazu,Kenji Hiratsuka,Kenji Kanbara,Yu Saitoh,Sou Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the compound semiconductor device

Номер патента: US10134889B2. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10002952B2. Автор: Keiji Okumura,Yoshiyuki Sugahara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Silicon carbide semiconductor base substance, crystal axis alignment method for the same, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2018037560A. Автор: Yasuyuki Kawada,泰之 河田,Takeshi Tawara,河田　泰之,武志 俵,俵　武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method of manufacturing fins for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: TWI716567B. Автор: 曾健庭,劉如淦,林緯良,陳志良,賴志明,蕭錦濤,周雷峻,楊超源,曾晉沅. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2006021906A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-03-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2023001782A. Автор: Yuichi HASHIZUME,悠一 橋爪. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279921A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW200620559A. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Robert Lander,Jacob C Hooker. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-06-16.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR0172788B1. Автор: 이길호. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing epitaxial of semiconductor device

Номер патента: JPS5538096A. Автор: Jiyan Baron Jiyatsuku. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-03-17.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device by two-step thermal treatment

Номер патента: KR20060084988A. Автор: 송민우,원석준,정용국,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-26.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP2001237399A. Автор: Ki-Jung Lee,洪 善 梁,起 正 李,Kouzen Yana. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-08-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device with high activation rate of impurities

Номер патента: US6221700B1. Автор: Jun Kojima,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-04-24.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device having tantalum oxide dielectric film

Номер патента: KR100331569B1. Автор: 박흥수,박영욱,박기연. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-04-06.

Method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: GB9927301D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-12.

Attachment for substrates having different diameters, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate or semiconductor device

Номер патента: US20120216743A1. Автор: Akinori Tanaka,Takeshi Itoh. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-08-30.

METHOD OF MANUFACTURING GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130137220A1. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Devices

Номер патента: US20220028980A1. Автор: Mauder Anton,Rupp Roland,Meiser Andreas,LEENDERTZ Caspar. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

METHOD OF MANUFACTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170032957A1. Автор: Costa Julio C.,Shuttleworth David M.,Antonell Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056241A1. Автор: Miyazaki Tomihito,OKAMOTO Chikayuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2016-02-25.

APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING METAL GATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150087144A1. Автор: Wu Li-Chieh,Liu Chi-Jen,Chen Liang-Guang,Chang Chih-Chung,Suen Shich-Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.. Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH INCLUDES CONDUCTORS

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,Kao Ko-Bin,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,CHEN Shun Li,YANG Hui-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190157398A1. Автор: UTSUMI Makoto,Imai Fumikazu,Oonishi Yasuhiko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Devices

Номер патента: US20200152743A1. Автор: Mauder Anton,Rupp Roland,Meiser Andreas,LEENDERTZ Caspar. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210226031A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Takei Manabu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-13.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170250193A1. Автор: Huo Zongliang. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303119A1. Автор: Tamaso Hideto. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307756A1. Автор: Fujii Takeshi,SATO Mariko,Inamoto Takuro. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160314973A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160315169A1. Автор: YOSHIKAWA Koh,NAKAZAWA Haruo,IGUCHI Kenichi,SEKI Yasukazu. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD OF MANUFACTURING FINS AND SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH INCLUDES FINS

Номер патента: US20170317089A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,TZENG JIANN-TYNG,Young Charles Chew-Yuen,Tseng Chin-Yuan,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,LIN Wei-Liang,CHOU L. C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160336423A1. Автор: NAGAOKA Tatsuji,MIYAKE Hiroki. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-11-17.

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Hori Tsutomu. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-11-08.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Kitabayashi Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150380247A1. Автор: Horii Taku,Kijima Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100440777B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-21.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100937988B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-21.

Method of manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100318684B1. Автор: 신철호,정우인. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-28.

Method of manufacturing capacitors in semiconductor devices

Номер патента: KR19980026069A. Автор: 양희성,나인강. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-07-15.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: KR101245899B1. Автор: 다케요시 마스다. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-03-20.

Method of manufacturing transistor for semiconductor device

Номер патента: JP2951893B2. Автор: 儁 黄. Владелец: GENDAI DENSHI SANGYO KK. Дата публикации: 1999-09-20.

Method of manufacturing high voltage semiconductor device

Номер патента: KR100710194B1. Автор: 고철주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230009078A1. Автор: IWAHASHI Yohei,TSUMA Hiroki,UECHA Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20030039239A. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-17.

Method of manufacturing strained-silicon semiconductor device

Номер патента: US20110008951A1. Автор: Syun-Ming Jang,Pang-Yen Tsai,Yun-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-01-13.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100683485B1. Автор: 김남경,신승아. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of manufacturing strained-silicon semiconductor device

Номер патента: US8255843B2. Автор: Syun-Ming Jang,Pang-Yen Tsai,Yun-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20080227256A1. Автор: Satoshi Tanimoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100850080B1. Автор: 이상용. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Method of manufacturing fins and semiconductor device which includes fins

Номер патента: US10074657B2. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Chin-Yuan Tseng,Kam-Tou SIO,L. C. Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7195996B2. Автор: Manabu Arai,Hiroshi Sawazaki. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: KR20080097432A. Автор: 다케요시 마스다. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-11-05.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100513804B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-13.

Method of manufacturing carbon nanotube semiconductor device

Номер патента: US7473651B2. Автор: Akio Yamashita,Koji Moriya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device using graphene and hexagonal boron nitride

Номер патента: US10037886B2. Автор: Takeshi Fujii,Mariko Sato,Takuro INAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9263347B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR960032645A. Автор: 이주범,임영진,김선래. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-09-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: KR100942561B1. Автор: 히로키 나카무라,히로유키 이치카와,에이이치 오쿠노. Владелец: 가부시키가이샤 덴소. Дата публикации: 2010-02-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: KR20140024790A. Автор: 다케요시 마스다,?스케 야마다. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-03-03.

Capacitor, method of manufacture thereof and semiconductor device

Номер патента: US7057877B2. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Yasuaki Hamada,Motohisa Noguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US11177354B2. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-11-16.

Methods of manufacturing MOSFETs in semiconductor devices

Номер патента: US7118976B2. Автор: Cheolsoo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of manufacturing a CMOS semiconductor device

Номер патента: EP0402784B1. Автор: Yasuyuki Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2636776A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Takeyoshi Masuda. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20050181536A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8796123B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20070037369A1. Автор: Manabu Arai,Hiroshi Sawazaki. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Reinforced sheet and method of manufacturing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: TWI642120B. Автор: 盛田浩介,高本尙英,千歲裕之. Владелец: 日商日東電工股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20100221917A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Methods of manufacturing MOSFETS in semiconductor devices

Номер патента: US20040137675A1. Автор: Cheolsoo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100824993B1. Автор: 이홍구,박원성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-28.

Heat treating equipment, and methods of manufacturing substrate and semiconductor device

Номер патента: WO2004001835A1. Автор: Kenichi Ishiguro,Tomoharu Shimada,Sadao Nakashima,Akira Morohashi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2003-12-31.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US20150027616A1. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-29.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190252366A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Deposition method, semiconductor device and method of favricating the same

Номер патента: US20210098458A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi-On CHUI,Ming-Ho Lin,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

Apparatus and method for stacking semiconductor devices

Номер патента: US20200135688A1. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Manufacturing method of integrated structure of semiconductor devices having split gate

Номер патента: US20230402327A1. Автор: Chin-Chin Tsai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US9337121B2. Автор: Chi Hoon Jun,Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Seok-Hwan Moon,Woojin CHANG,Sung-Bum BAE,Je Ho NA. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230369502A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Cheng-Yen Wen,Shao-Yang Ma,Chil-Horng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device for generating an electron beam and method of manufacturing such a semiconductor device.

Номер патента: NL184589C. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1989-09-01.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6225146B1. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device comprising a stacked die configuration including an integrated peltier element

Номер патента: US09490189B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming fine holes in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPH0618185B2. Автор: 徹志 酒井,邦彦 渡辺,俊彦 高倉,重雄 黒田,幹規 河路,裕幸 西沢. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-09.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Structure and method of non-rectangular cell in semiconductor device

Номер патента: US12039242B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Ferroelectric semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5874755A. Автор: Daniel S. Marshall,William J. Ooms,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190123194A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10825926B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Gate isolation features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240379673A1. Автор: Chia-Ta Yu,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Holding circuit, driving method of the holding circuit, and semiconductor device including the holding circuit

Номер патента: US09601215B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6740922B2. Автор: Yiu-Huen Wong,Christopher D. W. Jones,Donald W. Murphy. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-05-25.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

METHOD OF MANUFACTURING AN OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150024530A1. Автор: LEE Bong-Won. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

Conductive film, method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110095419A1. Автор: Yuichi Matsuda,Michio Horiuchi,Tsuyoshi Kobayashi,Tatsuaki Denda,Yasue Tokutake. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Image Sensor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Semiconductor Device Manufacturing Methods

Номер патента: US20150171132A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan,Tsai Shu-Ting,CHEN U-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANAGEMENT METHOD OF MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160204040A1. Автор: SHIOBARA Eishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-07-14.

SEMICONDUCTOR TEST EQUIPMENT AND METHOD OF TESTING AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20130323864A1. Автор: Kim Jin-su,Mo Jae-Bum,Kim Byoung-Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20210167167A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component

Номер патента: CN1841688A. Автор: 芳村淳,大久保忠宣. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4208899A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-12.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022048919A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-10.

WIRING STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING THE WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130113113A1. Автор: BAE Ki-Soon,Choi Sei-Ryung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-09.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DESIGNING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293753A1. Автор: NAKAMURA Shunichi,INOUE Tetsuto,SUGAI Akihiko. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170301789A1. Автор: YAMADA Ryuji,Takei Manabu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230317842A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: TW200306657A. Автор: James Howard Knapp,Stephen St Germain. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2003-11-16.

Method of forming a high voltage semiconductor device having a voltage sustaining region

Номер патента: EP1468439B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU3497371A. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1973-05-03.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU454608B2. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1974-10-31.

METHOD OF MANUFACTURING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130134501A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

Ferroelectric structure, Method of forming the ferroelectric structure, Semiconductor device having the ferroelectric structure and Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100718267B1. Автор: 김명곤,임동현,배병재,임지은,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-14.

Overlay key, method of forming the overlay key, semiconductor device including the overlay key and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070063317A1. Автор: Dae-Joung Kim,Dae-Youp Lee,Ji-Yong You,Chun-Suk Suh,Do-yul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

High hole mobility transistor (hhmt) and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199818A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220045222A1. Автор: Holland Steffen,RITTER Hans-Martin,NOTERMANS Guido,Utzig Joachim,Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar. Владелец: NEXPERIA B.V.. Дата публикации: 2022-02-10.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE, A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150129928A1. Автор: ABOUDA Kamel,BESSE PATRICE,Bernon-Enjalbert Valerie,Givelin Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Uya Shinji,KAGEYAMA Mokuji,TANAKA Nagataka,NUMATA Hideo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

Substrate for semiconductor device including an island-shaped underlying film overlapping a transistor, method of manufacturing the same, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US8330194B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Ferroelectric structure, method of forming the ferroelectric structure, semiconductor device including the ferroelectric structure, and method of manufacturing the ferroelectric structure

Номер патента: KR100729231B1. Автор: 김석필,임동현,배병재,임지은,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140021488A1. Автор: LEE Jae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220069087A1. Автор: HAYASHI Shingo,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180061951A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Tsuji Takashi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220285501A1. Автор: ICHIKAWA Yoshihito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180182887A1. Автор: Yasunori Tanaka,Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170194438A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,FUKUDA Kenji,Oonishi Yasuhiko,TSUTSUMI Takashi,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke,KUMAGAI Naoki,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-06.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20210234068A1. Автор: Lell Alfred,Vierheilig Clemens,König Harald,Ebbecke Jens,Gerhard Sven. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor Device Comprising a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240661A1. Автор: Hirler Franz,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Vertical semiconductor device, and method of manufacturing the vertical semiconductor device

Номер патента: US20150303294A1. Автор: Yasushi Niimura,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20200295236A1. Автор: Cui Hailing,Pindl Markus. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Saito Akira,Hirose Takayuki,Teranishi Hideaki,TAKIGAWA Aki,TERAO Yutaka. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200343345A1. Автор: UTSUMI Makoto,ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-29.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Lell Alfred,Vierheilig Clemens,König Harald,Ebbecke Jens,Gerhard Sven. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

SUPERJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SUPERJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365719A1. Автор: SUGAI Isamu,NISHIMURA Takeyoshi,MAETA Ryo. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-19.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220376065A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hatayama Tomoaki,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

High power semiconductor device for wireless application and method of manufacturing high power semiconductor device

Номер патента: JP2012512556A. Автор: マリー ブーレイ、ジャン,ガンナム、アヤッド. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor element suitable for use in such a method

Номер патента: EP0589524A3. Автор: Rudolf Paulus Tijburg,Hermanus Antonius Van De Pas,Johannes Antonius De Poorter. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1994-04-20.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: JP2023071690A. Автор: Cui Hailing,Pindl Markus,マルクス ピンドル,ハイリング キュイ. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-05-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE112020002222T5. Автор: Kouichi Murata,Akihiro Koyama,Koji Nakayama,Takeshi Tawara,Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida,Shinichiro Matsunaga,Tomonori MIZUSHIMA,Kensuke Takenaka,Mitsuru SOMETANI,Yuji Kiuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Power semiconductor device and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2007016969A1. Автор: Jean Michel Reynes,Alain Deram,Stéphane ALVES,Blandino Lopes,Joel Margheritta. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-02-15.

Power semiconductor device and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: EP1911097B1. Автор: Jean Michel Reynes,Alain Deram,Stéphane ALVES,Blandino Lopes,Joel Margheritta. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP0487739A1. Автор: Koji KATO. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1992-06-03.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: JP6204600B2. Автор: ルッツ ヘッペル. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-27.

Semiconductor device comprising unidimensional doping conductors and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP0390274A1. Автор: Aart Adrianus Van Gorkum. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

Semiconductor device comprising an electrically erasable programmable read only memory and a flash-erasable programmable read only memory, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW529160B. Автор: Johannes Dijkstra,Guido Jozef Maria Dormans,Robertus Dominicus Jos Verhaar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-04-21.

An optical semiconductor device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: DE102005000800A1. Автор: Shin Kawasaki Sakamoto,Isao Kitakyushu Ogawa,Hideo Yokohama Tamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Power semiconductor device Method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102021117826A1. Автор: Frank Pfirsch,Thomas Kuenzig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2005038926A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2005-04-28.

A method of manufacturing a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: DE112016002608T5. Автор: Yutaka Yoneda,Junji Fujino,Yoichi Hironaka,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220123112A1. Автор: Kouichi Murata,Akihiro Koyama,Koji Nakayama,Takeshi Tawara,Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida,Shinichiro Matsunaga,Tomonori MIZUSHIMA,Kensuke Takenaka,Mitsuru SOMETANI,Yuji Kiuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR102307061B1. Автор: 김현준,김선호,김봉현,박영근,서종범,안세형,안창무. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-10-05.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device _

Номер патента: KR100277847B1. Автор: 황정모. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-04-02.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100752642B1. Автор: 홍창기,김상용,심우관,최상준,오정민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-29.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device having high dielectric constant dielectric film

Номер патента: KR19990075997A. Автор: 이병택,이기훈. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US7118972B2. Автор: Masaaki Shinohara,Takashi Aoyama,Kozo Watanabe,Fukuo Owada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101152821B1. Автор: 김진웅,이종민,김찬배,정채오,이효석,민성규. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-12.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130196494A1. Автор: Yutani Naoki,CHIKAMORI Daisuke,NISHIO Yasuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140120682A1. Автор: Shiomi Hiromu,OOI Naoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

METHODS OF MANUFACTURING CAPACITORS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160043163A1. Автор: Kim Hyun Jun,Kim Sun Ho,Park Young Geun,KIM Bong Hyun,AN CHANG MU,AHN SE HYOUNG,Seo Jong Bom. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US20140224534A1. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140231899A1. Автор: Seol Kwang Soo,Park Youngwoo,LEE Jaegoo,YOU Byungkwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

STACKED STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210202839A1. Автор: TOMINAGA Junji,Miyata Noriyuki,KAMATA Yoshiki,KUNISHIMA Iwao. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US20150287669A1. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Okumura Keiji. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor device

Номер патента: JPH0752767B2. Автор: 保司 山縣. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-06-05.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100411232B1. Автор: 정하풍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-30.

Method of manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100593141B1. Автор: 양영호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100522421B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-19.

Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2003218145A. Автор: Kiyoshi Higashihara,清 東原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR0172752B1. Автор: 김천수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100800922B1. Автор: 김도훈. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100677765B1. Автор: 김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-05.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JPH0736442B2. Автор: 秋男 三村,義和 細川. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-04-19.

Method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: DE69128097T2. Автор: Tatsuya Sasaki,Ikuo Mito,Tomoaki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-26.

Method of manufacturing package for semiconductor device

Номер патента: JP3492348B2. Автор: 昭雄 六川,隆廣 飯島. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-03.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US8293604B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2009302436A. Автор: Hidekazu Okuno,英一 奥野,真一朗 宮原,Shinichiro Miyahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Packaging substrate and method of manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: TW201620084A. Автор: Hiroshi Nakagawa. Владелец: Hitachi Maxell. Дата публикации: 2016-06-01.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101017051B1. Автор: 차태. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: DE69115596T2. Автор: Tatsuya Sasaki,Ikuo Mito,Tomoaki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-19.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: TW201448059A. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Method of manufacturing an isolation semiconductor device

Номер патента: JP4608805B2. Автор: 康宏 北村. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-01-12.

Method of manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100630667B1. Автор: 박준수,김인성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-02.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: EP0602725A2. Автор: Johannes Jordanus Maria Binsma,Johannes Martinus Maria Van Der Heijden. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1994-06-22.

Method of manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20040113208A1. Автор: Koichi Hirata,Nobuyuki Sekikawa,Masaaki Momen,Wataru Andoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of manufacturing substrate for semiconductor device

Номер патента: JP6626639B2. Автор: 佑也 五郎丸,真幸 林田. Владелец: Maxell Holdings Ltd. Дата публикации: 2019-12-25.

Method of manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100541155B1. Автор: 백운석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-01-10.

Methods of manufacturing flash memory semiconductor devices

Номер патента: US20040126971A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Wiring board, method of manufacturing the same, semiconductor device, circuit board, and electronic equipment

Номер патента: US20040075177A1. Автор: Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102020118657A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Jürgen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230402506A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yu-wei LU,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240040773A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Mingqin Shangguan,Changfu Ye,Xiqin Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device having an optical device degradation sensor

Номер патента: EP4166957A1. Автор: Hans Reisinger,Thomas Aichinger,Andre Kabakow,Maximilian Wolfgang FEIL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11791393B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210126099A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device, in particular a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996033537A3. Автор: Roijen Raymond Van,Petrus Johannes Adrianus Thijs,Gestel Patrick Henricus Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-12-27.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210218229A1. Автор: Lauer Christian,HALBRITTER Hubert,JENTZSCH Bruno,Falck Thomas,Russell Ann,Fuchs Peter. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Magnetic film structure using spin charge, method of manufacturing the same, semiconductor device comprising the same and method of operating semiconductor device

Номер патента: KR100612854B1. Автор: 김태완,박상진,김영근,황인준,박완준,권순주,감비노리차드제이.. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-21.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US20100117680A1. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Method and apparatus for thin-film deposition, and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: WO2000063956A1. Автор: Hisayoshi Yamoto,Hideo Yamanaka. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2000-10-26.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

EXPOSURE METHODS USING E-BEAMS AND METHODS OF MANUFACTURING MASKS AND SEMICONDUCTOR DEVICES THEREFROM

Номер патента: US20150362834A1. Автор: Lee Sang-Hee,Choi Jin,AHN Byoung-Sup,SHIN In-Kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Heat-resistant photosensitive polymer composition, method of manufacturing pattern and semiconductor device

Номер патента: KR19980079775A. Автор: 마사유키 오에,마사타카 누노무라,마모루 사사키,순이치로 우치무라,시게루 니시오. Владелец: 이사오 우치가사키. Дата публикации: 1998-11-25.

Semiconductor device related to performance of a program operation and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240161832A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Methods of manufacturing housings for semiconductor devices

Номер патента: CA903930A. Автор: Diel Burkhart,Gregor Kurt,Huber Walther. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-06-27.

Method of and system for getting semiconductor devices of improved properties and preliminary selection of avalanche devices

Номер патента: PL131247B1. Автор: Henryk Rzepa,Jerzy Kuchta. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1984-10-31.

Liquid resin composition, semiconductor chip with an adhesive layer, method of producing such materials, and semiconductor devices

Номер патента: SG182978A1. Автор: Masuda Takeshi,Kagimoto Tomohiro,Shuey Seng LOW,Ohkubo Hikaru. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: AU3333368A. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: AU415408B2. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by tie said method

Номер патента: AU3333268A. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by tie said method

Номер патента: AU417402B2. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

JOINING ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120211894A1. Автор: Aoyagi Kenichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130017683A1. Автор: HARADA Shin,Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH-INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20120077337A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

Method of reclaiming noble metals from semiconductor devices

Номер патента: PL246816A1. Автор: Urszula Wnuk,Zdzislaw Albinowski,Zbigniew Lukawski,Alina Sabisz,Wieslaw Boule. Владелец: Naukowo Prod Ct Polprzewodniko. Дата публикации: 1985-09-24.

Manufacturing method of lateral diffusion metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW201114032A. Автор: Bo-Jui Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-16.

Method of making a dielectrically isolated semiconductor device

Номер патента: CA1033469A. Автор: Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-06-20.

Method of forming oxide film and method of manufacturing p-type semiconductor device

Номер патента: JP3588994B2. Автор: 豊隆 片岡. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Low dielectric constant insulating film and method of forming the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3169565B2. Автор: 義弘 中田,俊一 福山,倫子 片山,城 山口. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-05-28.

DIAMOND N-TYPE SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRON EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120175641A1. Автор: IMAI Takahiro,Nishibayashi Yoshiki,NAMBA Akihiko. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of manufacturing mask of semiconductor devices

Номер патента: KR100200738B1. Автор: 이경희,최성운,유영훈,정해영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR19980084215A. Автор: 방철원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR19980084216A. Автор: 김천수,문환성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052642A1. Автор: ISHIKAWA Tsuyoshi,ENDO Takeshi,MIYAHARA Shinichiro,MORINO Tomoo,KONISHI Masaki,FUJIWARA Hirokazu,MORIMOTO Jun,KATSUNO Takashi,WATANABE Yukihiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Methods of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Devices

Номер патента: US20120070944A1. Автор: PARK Sang-Yong,Kim Hyu-Jung,Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Mun ChangSup. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120164810A1. Автор: Shiomi Hiromu,OOI Naoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120315746A1. Автор: Masuda Takeyoshi,YAMADA Shunsuke. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-12-13.

METHODS OF MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130017629A1. Автор: Lim JongHeun,Kim Kyunghyun,Pyo Myungjung,Kim Hyo-Jung,Yoon Byoungmoon,Han JaHyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130065382A1. Автор: Kono Hiroshi,Shinohe Takashi,Nishio Johji,FURUKAWA Masaru. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR19990070615A. Автор: 양해완. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Method of manufacturing capacitors in semiconductor devices

Номер патента: KR970054062A. Автор: 홍원철,강덕동. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6511034B2. Автор: 渡辺　行彦,行彦 渡辺,佐智子 青井,雅裕 杉本,祥司 水野,侑佑 山下,忠司 三角,水野　祥司,真一朗 宮原. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Method of manufacturing MIS type semiconductor device

Номер патента: JP2765031B2. Автор: 江 野口. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-11.

Method of manufacturing high aspect semiconductor device

Номер патента: JP2006066830A. Автор: Yoshihiro Maeda,Toshiaki Kikuchi,義彦 矢野,Yoshihiko Yano,俊秋 菊池,Atsushi Akagawa,淳 赤川,佳宏 前田. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

METHOD OF MANUFACTURING MULTI-ELEMENT SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: SU1082252A1. Автор: В.Е. Золотухин,Ю.Е. Марончук. Владелец: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2973506B2. Автор: 秀幸 西川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-08.

Method of manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR950021718A. Автор: 양동준. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Method of manufacturing silicon-base semiconductor devices

Номер патента: SU1273224A1. Автор: Олег Петрович Ксенофонтов,Владимир Иванович Чикин,Владимир Денисович Городенский,Юрий Алексеевич Астафьев,Владимир Семенович Панкратов. Владелец: Саранский Дважды Ордена Трудового Красного Знамени Завод "Электровыпрямитель". Дата публикации: 1986-11-30.

Method of manufacturing dielectric separated semiconductor device

Номер патента: JP2750163B2. Автор: 衛 石切山. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-13.

Method of manufacturing metal oxide semiconductor device

Номер патента: CN101197286A. Автор: 吴汉明. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Method of manufacturing MIS type semiconductor device

Номер патента: JP2920937B2. Автор: 俐昭 黄. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-19.

Method of manufacturing MIS type semiconductor device

Номер патента: JP3035996B2. Автор: 直也 星,裕 岡本,茂樹 加山,信一 伊藤. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-04-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.