Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 반도체 소자의 금속-절연체-금속 커패시터 형성 방법

반도체 소자의 금속-절연체-금속 커패시터 형성 방법

Номер патента: KR100613280B1
Опубликовано: 21-08-2006
Автор(ы): 신은종
Принадлежит: 동부일렉트로닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating a MIM capacitor

Номер патента: US09966425B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Ai-Sen Liu,Chun-Ling Lin,Chin-Fu Lin,Ko-Wei Lin,Bin-Siang Tsai,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Jen-Po Huang,Xu Yang Shen,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for making a new metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure in copper-CMOS circuits using a pad protect layer

Номер патента: US6812088B1. Автор: Kong-Beng Thei,Ssu-Pin Ma,Chun-Hon Chen,Ta-Hsun Yeh,Kuo-Reay Peng,Heng-Ming Hsu,Chi-Wu Chou,Yen-Shih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-11-02.

MIM capacitor integrated into the damascene structure and method of making thereof

Номер патента: US20070057305A1. Автор: Carlos Diaz,Anthony Oates. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Metal-insulator-metal capacitor and a method of fabricating the same

Номер патента: US20120211866A1. Автор: Chung-Wen Chao. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

MIM capacitor of embedded structure and method for making the same

Номер патента: US11239153B2. Автор: YU Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Method for forming a MIM (metal-insulator-metal) capacitor

Номер патента: US20030203584A1. Автор: SHAO Kai,Sanford Chu,Bao WEN,Ng Hwei,Tjoa Tjin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

On chip MIM capacitor

Номер патента: US09893145B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230343730A1. Автор: Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Anchoring conductive material in semiconductor devices

Номер патента: WO2017004316A3. Автор: Yue Li,Shiqun Gu,Ratibor Radojcic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-16.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20160233158A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US09960111B2. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Three-dimensional metal-insulator-metal (mim) capacitors and trenches

Номер патента: US20240170390A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device, lower layer wiring designing device, method of designing lower layer wiring and computer program

Номер патента: US20100301451A1. Автор: Takayuki Iwaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for fabricating semiconductor device having ruthenium layer and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20030022521A1. Автор: Seok-jun Won,Cha-young Yoo,Soon-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Doped metal-insulator-metal (mim) capacitor of a memory array

Номер патента: US20230290812A1. Автор: Travis LAJOIE,André BARAN,Yixiong Zheng,Yu-Che Chiu,Alexandra De Denko,Christine RADLINGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Metal-insulator-metal (mim) capacitors with curved electrode

Номер патента: US20240170529A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Metal-insulator-metal (mim) capacitors with curved electrode

Номер патента: WO2024107241A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing metal-insulator-metal (mim) capacitors with noble metal electrode liners

Номер патента: US20230006031A1. Автор: Michael Givens,Alessandra Leonhardt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-01-05.

MIM capacitor and method of forming the same

Номер патента: US9577026B2. Автор: Chun-Chieh Huang,Pin-Cheng HSU,Chih-Wei Kao,Chia-Der Chang,Hsiao-Hui YU,Hao-Wen HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Mim capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20150349047A1. Автор: Chun-Chieh Huang,Pin-Cheng HSU,Chih-Wei Kao,Chia-Der Chang,Hsiao-Hui YU,Hao-Wen HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12082396B2. Автор: Kun Young Lee,Seo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114508B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20180240750A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Amorphous bottom electrode structure for mim capacitors

Номер патента: US20240304659A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hsing-Lien Lin,Jui-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US11728375B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Chih-Yang Pai,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Back-end-of-line (beol) sidewall metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: WO2021154495A1. Автор: Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,Farid AZZAZY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-05.

E-fuse co-processed with mim capacitor

Номер патента: US20210249348A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Jim Shih-Chun Liang,Ernest Y. Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Structure with inductor and mim capacitor

Номер патента: US20160163693A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device with lower layer wiring

Номер патента: US8288840B2. Автор: Takayuki Iwaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor package with dummy mim capacitor die

Номер патента: US20230044797A1. Автор: Chih-Ching Chen,I-Hsuan Peng,Yao-Chun Su,Yi-Jou Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Amorphous bottom electrode structure for MIM capacitors

Номер патента: US12021113B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hsing-Lien Lin,Jui-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Metal Insulator Metal Capacitor and Method for Making the Same

Номер патента: US20160020269A1. Автор: Yu-Chia Lai,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09853032B2. Автор: JungWoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Metal insulator metal capacitor and method for making the same

Номер патента: US09673270B2. Автор: Yu-Chia Lai,Ching-Jung Yang,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing thin-film capacitor for performing temperature compensation of junction capacitance of semiconductor device

Номер патента: US20030008470A1. Автор: Makoto Sasaki,Hitoshi Kitagawa. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US12106965B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Structure and method for measuring interface resistance in multiple interface contacts and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US6013952A. Автор: Kam-Kee Victer Chan. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for forming stacked metal contact in electrical communication with aluminum wiring in semiconductor wafer of integrated circuit

Номер патента: US9331033B1. Автор: Chi-Chou Lin,Zheng-Ping HE. Владелец: Sunasic Technologies Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing silicon-coated copper, silicon-coated anti-oxidation copper using same, and semiconductor device using same

Номер патента: EP4350026A1. Автор: Se Young Jeong,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device manufacturing method for suppresing wiring material from being diffused into insulating film, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US9240379B2. Автор: Kenji Matsumoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing single-crystal semiconductor layer, structure comprising single-crystal semiconductor layer, and semiconductor device comprising structure

Номер патента: US11948795B2. Автор: Jin Won Jung,Myung Mo SUNG,Jong Chan Kim,Lynn Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-02.

Voltage and temperature independent MIM capacitors

Номер патента: US09520355B2. Автор: Wen-Bin Tsai,Hsin-I Li,Kin Fung Lam. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US11784214B2. Автор: Chun-Wei Kang,Chih-Sheng Chang,Bo-Wei Huang,Ho-Yu LAI. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for fabricating a metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20090324851A1. Автор: Jiann-Fu Chen,Ming-Te Chen,Yi-Ching Wu,Lian-Hua Shih,Chin-Jen Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for fabricating a high density composite MIM capacitor with reduced voltage dependence in semiconductor dies

Номер патента: US7041569B1. Автор: David Howard,Arjun Kar-Roy,Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2006-05-09.

Leakage reduction in dram mim capacitors

Номер патента: US20130143379A1. Автор: Hiroyuki Ode,Kenichi Koyanagi,Takashi Arao,Xiangxin Rui,Naonori Fujiwara,Sandra Malholtra. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for fabricating MIM capacitor and contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100572826B1. Автор: 박인성. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-04-25.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

On-chip capacitors in three-dimensional semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220102267A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150001604A1. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US11923355B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9105504B2. Автор: Jung Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

ENHANCED HYDROGEN BARRIER ENCAPSULATION METHOD FOR THE CONTROL OF HYDROGEN INDUCED DEGRADATION OF FERROELECTRIC CAPACITORS IN AN F-RAM PROCESS

Номер патента: US20150115408A1. Автор: Sun Shan,Davenport Tom E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

On-Chip Capacitors in Three-Dimensional Semiconductor Devices and Methods of Forming The Same

Номер патента: KR20230014087A. Автор: 리앙 첸,웨이 리우,레이 슈. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2023-01-27.

Method for fabricating a mim capacitor having increased capacitance density and related structure

Номер патента: WO2006057775B1. Автор: Guangming Li,Dieter Dornisch,Kenneth M Ring,Tinghao F Wang,David J Hoaward. Владелец: David J Hoaward. Дата публикации: 2006-12-14.

MIM capacitor with adjustable capacitance via electronic fuses

Номер патента: US11631614B2. Автор: Beomsup Kim,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Jin-Su Ko. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-18.

Mim capacitor with adjustable capacitance via electronic fuses

Номер патента: US20220084883A1. Автор: Beomsup Kim,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Jin-Su Ko. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Mim capacitor with adjustable capacitance via electronic fuses

Номер патента: US20210296170A1. Автор: Beomsup Kim,Jonghae Kim,Periannan Chidambaram,Jin-Su Ko. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US09991333B1. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for preventing copper contamination in metal-insulator-metal (MIM) capacitors

Номер патента: US09793339B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Single damascene method for rf ic passive component integration in copper interconnect process

Номер патента: SG98045A1. Автор: Yu Bo,Qian Yin,JOHNSON Eric,Leung Chester,Hatzilambrou Mark,Y Thedoan M. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2003-08-20.

Semiconductor devices and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230395647A1. Автор: Jen-Po Lin,Hsiao-Kuan Wei,Cherng-Yu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Metal-insulator-metal capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080203528A1. Автор: Jiann-Fu Chen,Ming-Te Chen,Yi-Ching Wu,Lian-Hua Shih,Chin-Jen Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-28.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical MIM capacitor

Номер патента: US09985089B2. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Vertical MIM capacitor

Номер патента: US09698213B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Three-dimensional metal-insulator-metal (mim) capacitors and trenches

Номер патента: WO2024107238A1. Автор: Yaojian Leng. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

Metal-insulator-metal (mim) capacitors arranged in a pattern to reduce inductance, and related methods

Номер патента: WO2016106197A2. Автор: Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,David Francis Berdy,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Niranjan Sunil Mudakatte,Je-Hsiung Jeffrey Lan,Robert Paul Mikulka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-30.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor with insulator stack having a plurality of metal oxide layers

Номер патента: US09691839B2. Автор: André BARAN,Timothy E. Glassman,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060141734A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7338855B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Fabrication of a mim capacitor structure with via etch control with integrated maskless etch tuning layers

Номер патента: US20190333983A1. Автор: Son Nguyen,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Integrated circuit devices including metal-insulator-metal capacitors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070111506A1. Автор: Min-Woo Song,Jung-min Park,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200219883A1. Автор: Chang-Hyeon Nam,Injoon Yeo. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Mim capacitor and method for making the same

Номер патента: US20210083043A1. Автор: Yongji MAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US20030025144A1. Автор: Ping Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit device formed with high Q MIM capacitor

Номер патента: US6620678B2. Автор: Ping Liou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10672772B2. Автор: Hun Lee,Deok-Sin Kil,Beom-Yong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

MIM capacitor structure and process for making the same

Номер патента: US20030011043A1. Автор: Douglas Roberts. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

DVC utilizing MEMS resistive switches and MIM capacitors

Номер патента: US10566140B2. Автор: Richard L. Knipe,Robertus Petrus Van Kampen,Charles G. Smith,Roberto Gaddi. Владелец: Cavendish Kinetics Inc. Дата публикации: 2020-02-18.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Mim capacitor with a symmetrical capacitor insulator structure

Номер патента: US20220084935A1. Автор: Chung-Yi Yu,Yeur-Luen Tu,Chii-Ming Wu,Hsing-Lien Lin,Cheng-Te Lee,Rei-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

High density mim capacitor structure

Номер патента: US20200135844A1. Автор: JHY-JYI SZE,Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky,Seiji Takahashi,Jung-I Lin,Shen-Hui Hong,King Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US11335816B2. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Process of forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US10361320B2. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010019864A1. Автор: Osamu Tsuboi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Methods of forming MIM type capacitors by forming upper and lower electrode layers in a recess that exposes a source/drain region of a transistor and MIM capacitors so formed

Номер патента: US20030129805A1. Автор: Hong-Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-10.

Mim capacitor with a symmetrical capacitor insulator structure

Номер патента: US20220352065A1. Автор: Chung-Yi Yu,Yeur-Luen Tu,Chii-Ming Wu,Hsing-Lien Lin,Cheng-Te Lee,Rei-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Fabrication of a mim capacitor structure with via etch control with integrated maskless etch tuning layers

Номер патента: US20200066834A1. Автор: Son Nguyen,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11728329B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12051689B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Magnetoelectronics device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2004051742A1. Автор: Kelly W. Kyler,Nicholas D. Rizzo,Mark A. Durlam,Jaynal A. Molla,John J. D'Urso,Jeffrey H. Baker,Mark F. Deherrera,Gregory W. Grynkewich,Earl D. Fuchs,Brian R. Butcher,J. Jack Ren. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Capacitor integrated in finfet device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220246604A1. Автор: Rui Pan,Jionghan Ye. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304657A1. Автор: Cheng-Tzung Tsai,Yi-Chang Huang,Ping-Chia Shih,Ming-Che Tsai,Yu-Fan Hu,Ssu-Yin LIU,Wen-Lin Wang,Yi-Chun Teng,Yu-Nong Chen,Pei-Tsen Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Capacitor integrated in FinFET device and method for fabricating the same

Номер патента: US11887983B2. Автор: Rui Pan,Jionghan Ye. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12022646B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US12033937B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Chung-Peng Hsieh,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Chia-Hsin Hu,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating CMOS compatible contact layers in semiconductor devices

Номер патента: US09698309B2. Автор: Celso Cavaco,Brice De Jaeger,Marleen Van Hove,Vasyl Motsnyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2648300C1. Автор: Такуя КАДОГУТИ,Наоя ТАКЭ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2018-03-23.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for forming a titanium nitride layer and method for forming a lower electrode of a mim capacitor using the titanium nitride layer

Номер патента: TWI295823B. Автор: Dong-Jun Kim,Kyong-Min Kim,Byoung-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-11.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

METHOD FOR FABRICATING A METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR HAVING CAPACITOR DIELECTRIC LAYER FORMED BY ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: US20140327064A1. Автор: Yamamichi Shintaro,IIZUKA Toshihiro,YAMAMOTO Tomoe,TODA Mami. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Low voltage high performance semiconductor devices and methods

Номер патента: US20010039096A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Method for forming bit line contacts and bit lines during the formation of a semiconductor device, and devices and systems including the bit lines and bit line contacts

Номер патента: TWI351103B. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-21.

System and method for status settings of semiconductor equipment with multi chambers

Номер патента: US20020095754A1. Автор: Ming-Che Ho,Jack Yao,Kuen-Chu Chen,Ping-Chung Chung,Chien-Feng Chen,Feng-Chi Chung,Wei-Hao Lee,Wei-Hsu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

System and method for status settings of semiconductor equipment with multi chambers

Номер патента: US20020098600A1. Автор: Ming-Che Ho,Jack Yao,Kuen-Chu Chen,Ping-Chung Chung,Chien-Feng Chen,Feng-Chi Chung,Wei-Hao Lee,Wei-Hsu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for manufacturing silicon-coated copper, silicon-coated anti-oxidation copper using same, and semiconductor device using same

Номер патента: US20240250049A1. Автор: Se Young Jeong,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for forming a titanium nitride layer and method for forming a lower electrode of a MIM capacitor using the titanium nitride layer

Номер патента: KR100695887B1. Автор: 김경민,김동준,김병동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for fabricating an enlarged oxide-nitride-oxide structure for nand flash memory semiconductor devices

Номер патента: US20110115012A1. Автор: LI Jiang,Jong Woo Kim,Hong Xiu Peng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Method for fabricating a metal interconnection using a dual damascene process and resulting semiconductor device

Номер патента: US8013423B2. Автор: Dong-Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-06.

Method for fabricating a thin film transistor including crystalline active layer and a semiconductor device

Номер патента: KR100469624B1. Автор: 주승기,이석운. Владелец: 네오폴리((주)). Дата публикации: 2005-02-02.

Method for designing antenna cell that prevents plasma induced gate dielectric damage in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20150031194A1. Автор: Chun-Fu Chen,Hui-Zhong ZHUANG,Pin-Dai Sue,Jen-Hang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Method for forming trench isolation using selective epitaxial growth and part oxidation in semiconductor device

Номер патента: KR100532406B1. Автор: 안동호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2671294C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-10-30.

Method for improved aluminium-copper deposition and robust via contact resistance

Номер патента: US5736458A. Автор: Ming-Chang Teng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-04-07.

ORGANIC TRANSISTOR, COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, MATERIAL FOR ORGANIC TRANSISTOR, COATING SOLUTION FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM FOR NON-LIGHT-EMITTING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR SYNTHESIZING ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170018724A1. Автор: FUKUZAKI Eiji,NOMURA Kimiatsu,KITAMURA Tetsu,Watanabe Tetsuya,Takeya Junichi,USAMI Yoshihisa,OKAMOTO Toshihiro,KOYANAGI Masashi,TSUYAMA Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-19.

Method For Hermetically Joining Plate And Shaft Devices Including Ceramic Materials Used In Semiconductor Processing

Номер патента: US20130181038A1. Автор: Frank Balma,Alfred Grant Elliot,Brent Donald Alfred Elliot,Richard Erich Schuster,Dennis George Rex,Alexander Veytser. Владелец: Component Re Engineering Co Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

METHOD FOR DESIGNING ANTENNA CELL THAT PREVENTS PLASMA INDUCED GATE DIELECTRIC DAMAGE IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150031194A1. Автор: Chen Chun-Fu,Zhuang Hui-Zhong,Yang Jen-Hang,SUE Pin-Dai. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Laser lift-off method for separating substrate and semiconductor-epitaxial structure

Номер патента: US11784094B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Tsung-Hua Hsieh. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Method for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, Device for Manufacturing Silicon Carbide Epitaxial Wafer, and Silicon Carbide Semiconductor Element

Номер патента: US20160168751A1. Автор: Kentaro Tamura,Kazutoshi Kojima,Keiko MASUMOTO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for surface modification of semiconductor layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090011574A1. Автор: Chia-Wei Wu,Wei-Yao Tang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for producing frame-equipped vapor deposition mask, stretching apparatus, apparatus for producing organic semiconductor device and method for producing organic semiconductor device

Номер патента: US20160301006A1. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

METHOD FOR PRODUCING FRAME-EQUIPPED VAPOR DEPOSITION MASK, STRETCHING APPARATUS, APPARATUS FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180309059A1. Автор: Okamoto Hideyuki,OBATA Katsunari,TAKEDA Toshihiko,HONMA Yoshiyuki. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

METHOD FOR PRODUCING FRAME-EQUIPPED VAPOR DEPOSITION MASK, STRETCHING APPARATUS, APPARATUS FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200335699A1. Автор: Okamoto Hideyuki,OBATA Katsunari,TAKEDA Toshihiko,HONMA Yoshiyuki. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for producing frame-equipped vapor deposition mask, stretching apparatus, apparatus for producing organic semiconductor device and method for producing organic semiconductor device

Номер патента: US10043974B2. Автор: Toshihiko Takeda,Hideyuki Okamoto,Yoshiyuki Honma,Katsunari Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-08-07.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20170141034A1. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor devices including buried gate electrodes

Номер патента: US20120007160A1. Автор: Yong-Il Kim,Dae-Ik Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US11437302B2. Автор: Naoyuki Kanai,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Method for manufacturing a contact structure used to electrically connect a semiconductor device

Номер патента: US20160104637A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor devices including fine pitch arrays with staggered contacts and methods for designing and fabricating the same

Номер патента: EP2057676A2. Автор: John K. Lee,Richard L. Stocks,Hyuntae Kim,Luan Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Method for manufacturing capacitor, method for manufacturing substrate with built-in capacitor, substrate with built-in capacitor, and semiconductor device mounting component

Номер патента: WO2018038094A1. Автор: 重信 三浦. Владелец: 重信 三浦. Дата публикации: 2018-03-01.

ORGANIC METAL COMPOUND, COMPOSITION FOR DEPOSITING THIN FILM COMPRISING THE ORGANIC METAL COMPOUND, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM USING THE COMPOSITION, THIN FILM MANUFACTURED FROM THE COMPOSITION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE THIN FILM

Номер патента: US20210193459A1. Автор: KIM Yong Tae,LIM Seol Hee,IM Sangkyun,BAK Gyeong Ryeong,SEONG Taegeun,OH Bukeun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Method for forming trench isolation region to embody isolation region proper for high integrated semiconductor device

Номер патента: KR100442852B1. Автор: 신지철,김재우,안태혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-18.

Method for forming high dielectric film by atomic layer deposition and method of fabricating semiconductor device having high dielectric film

Номер патента: KR100640638B1. Автор: 강상범,신유균,박홍배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for Recovering an On-State Forward Voltage and, Shrinking Stacking Faults in Bipolar Semiconductor Devices, and the Bipolar Semiconductor Devices

Номер патента: US20090195296A1. Автор: Koji Nakayama,Yoshitaka Sugawara,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Ryosuke Ishii,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-08-06.

Method for obtaining critical film thickness of compound semiconductor layer and manufacturing method of semiconductor device using same

Номер патента: KR960019640A. Автор: 마사하루 나가이,마사오 이케다,히로노리 쓰카모토,고시 다마무라. Владелец: 이데이 노부유키. Дата публикации: 1996-06-17.

It forms the method for memory cell material and forms correlation technique, memory cell material and the semiconductor device structure of semiconductor device structure

Номер патента: CN106463616B. Автор: 古尔特杰·S·桑胡,约翰·A·斯迈思. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Organic metal compound, composition for depositing thin film comprising the organic metal compound, manufacturing method for thin film using the composition, thin film manufactured from the composition, and semiconductor device including the thin film

Номер патента: KR102490079B1. Автор: 임상균,박경령,오부근,김용태,임설희,성태근. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2023-01-17.

METHODS FOR FORMING A METALLIC FILM ON A SUBSTRATE BY CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20210013042A1. Автор: LESKELA Markku,Ritala Mikko,Väyrynen Katja. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

METHODS FOR FORMING A METALLIC FILM ON A SUBSTRATE BY CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20200083054A1. Автор: LESKELA Markku,Ritala Mikko,Väyrynen Katja. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

METHOD FOR LATERAL PATTERNING OF A PATTERN LAYER WITH THREE-DIMENSIONAL PATTERN ELEMENTS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170092719A1. Автор: MANDL Martin,Schimpke Tilman. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, STRUCTURE COMPRISING SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING STRUCTURE

Номер патента: US20210242012A1. Автор: JUNG Jin Won,Kim Jong Chan,Sung Myung Mo,LEE Lynn. Владелец: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University). Дата публикации: 2021-08-05.

METHODS FOR FORMING A METALLIC FILM ON A SUBSTRATE BY CYCLICAL DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180233372A1. Автор: LESKELA Markku,Väyrynen Katja,Mikko Ritala. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10468261B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-05.

Method for manufacturing aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal substrate and semiconductor device

Номер патента: KR101404270B1. Автор: 나호 미즈하라,미치마사 미야나가,도모히로 가와세,신스케 후지와라. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-06-05.

Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11410851B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-09.

One-time programmable nonvolatile memory array and method for operating and fabricating the same

Номер патента: KR101067412B1. Автор: 이정훈,박병국,조성재. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for improving the resistance of titanium disilicide in the pinch active region of semiconductor devices.

Номер патента: JP4248882B2. Автор: デ ヴェン ゲラルダス イー エイ エム ヴァン,ミカエル ジェイ ビー ボルト. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-02.

3D non-volatile memory device and method for operating and fabricating the same

Номер патента: US9508444B2. Автор: Eun-Seok Choi,Se-Jun Kim,Hyun-Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for bonding semiconductor structures e.g. dies and wafer used in manufacturing of semiconductor device, involves subjecting bonded metal structure to thermal budget and annealing the bonded metal structure

Номер патента: FR2973934A1. Автор: Ionut Radu,Mariam Sadaka,Didier Landru,Ciocci Lea Di. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-10-12.

Method for producing photosensitive resin composition, polymer precursor, cured film, laminate, cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR102365294B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-21.

Method for mfg. ZnTe compound semiconductor single crystal ZnTe compound semiconductor single crystal, and semiconductor device

Номер патента: CN1500160A. Автор: ,山本哲也,佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明,��ɽ��Ҳ. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-26.

Method for growing a compound semiconductor, quantum well structure using the same, and compound semiconductor device including the same

Номер патента: US6579780B2. Автор: Koji Takahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for providing a deep connection to a substrate or buried layer in a semiconductor device

Номер патента: US7262111B1. Автор: Richard W. Foote. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Method for mfg. ZnTe compound semiconductor single crystal ZnTe compound semiconductor single crystal, and semiconductor device

Номер патента: CN100360721C. Автор: 山本哲也,佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Method for manufacturing aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal, aluminum nitride crystal substrate and semiconductor device

Номер патента: EP1972702A4. Автор: Shinsuke Fujiwara,Tomohiro Kawase,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Method for increasing tensile stress in a thin film using collimated electromagnetic radiation and semiconductor device with the thin film of increased tensile stress

Номер патента: TWI332256B. Автор: Masanobu Igeta,Cory Wajda,Gerrit J Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for testing metal-insulator-metal capacitor structures under high temperature at wafer level

Номер патента: US20070051951A1. Автор: Barry O'Connell,Prasad Chaparala,Jonggook Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Lens structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180166594A1. Автор: Chien-Chih Chen,Su-Yu Yeh,Tzu-Shin Chen,Mu-Han Cheng,Chun-Hai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09711612B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-07-18.

SOC with integrated voltage regulator using preformed MIM capacitor wafer

Номер патента: US09691701B2. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

MIM Capacitors

Номер патента: US20080290459A1. Автор: Erdem Kaltalioglu,Hans-Joachim Barth,Gerald R. Friese,Petra Felsner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Three dimensional MIM capacitor having a comb structure and methods of making the same

Номер патента: US12046550B2. Автор: Paul Yang,Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor dielectric structure and method for making the same

Номер патента: US20010023989A1. Автор: Milind Weling,Rao Annapragada. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US09929203B1. Автор: Keng-Ying Liao,Yi-Hung Chen,Chih-Yu Wu,Chih-Wei SUNG,Yi-Fang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing

Номер патента: WO2007136515A1. Автор: Jonathan Kim,Camelia Rusu,Yoojin Kim. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-29.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Sonos Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140329387A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230215769A1. Автор: Nam Yoon Kim,Myung Jun Lee,Wook Rae KIM,Doory KIM,Dokyung JEONG,Uidon JEONG,Jae Hwang JUNG,SeokRan GO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-07-06.

Sonos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070299A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Three dimensional mim capacitor having a comb structure and methods of making the same

Номер патента: US20240332163A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao,Che Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Multiple metal layer semiconductor device and low temperature stacking method of fabricating the same

Номер патента: US09887155B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

MIM capacitor and method of fabricating same

Номер патента: US20060234443A1. Автор: Louis Hsu,Timothy Dalton,Chih-Chao Yang,Lawrence Clevenger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device, method for fabricating the same and apparatus for fabricating the same

Номер патента: WO2011040047A1. Автор: Masaru Sasaki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230069612A1. Автор: LAN Yao,Yanwei Shi,Huidan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887159B1. Автор: Mengkai Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09823414B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Mirja Richter,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Floating gate prevention and capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243060A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with anti-back-sputter layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203753A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043634A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150287823A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US12080642B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Cerium oxide nanoparticles, methods for fabricating the same and methods for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230167566A1. Автор: Sang Kyun Kim,Min Young Kim,Kyu Hyoung Lee,Hyo San LEE,Chul Oh Park,In Kwon Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160049506A1. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304553A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for fabricating semiconductor device with reduced wafer edge defects

Номер патента: US10522652B1. Автор: Chih-Wei Lin,Po-Wen Su,Wei-Chih Lai,Tai-Yen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947792B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09773887B2. Автор: Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09761690B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Chia-Fu Hsu,Shih-Chieh Hsu,Lung-En Kuo,Jian-Cun KE,You-Di Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09721804B1. Автор: Huang-Ren Wei,Hsuan-Sheng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric FinFET semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583597B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072097A1. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315032A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339501A1. Автор: Che-Hsien Lin,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240363430A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Wei-Che Chen,Wei-Hao Chang,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Hung-Chun Lee,Yun-Yang He,Chang-Yih Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09991337B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09870994B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09852952B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847392B1. Автор: Yu-Jen Liu,Yi-Ping Huang,Hsin-Kai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09780165B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09711411B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Shih-Fang Tzou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09704737B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09679819B1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653603B1. Автор: Kun-Hsin Chen,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Tong-Jyun Huang,Yi-Fan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583388B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4369412A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180269212A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12027490B2. Автор: Alexander Heinrich,Thorsten Scharf,Stefan Schwab,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035526B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4231343A3. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

A method for contacting a buried interconnect rail from the back side of an ic

Номер патента: EP3651188A1. Автор: Mr. Eric Beyne,Mrs. Anne Jourdain,Mr. Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160372381A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083226A1. Автор: Jae-Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device including metal interconnections having sidewall spacers thereon, and method for fabricating the same

Номер патента: US12057346B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150380407A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210287942A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Kuan-Ti Wang,Tien-Yu Hsieh,Han-Chen CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240313046A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Wei-Hao Chang,Guang-Yu Lo,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315031A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347382A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339331A1. Автор: Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347588A1. Автор: Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Jia-He Lin,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371695A1. Автор: Chu-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh,Chuan-Lan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12062577B2. Автор: Dae Ik Kim,Jae Man Yoon,Hong Kyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for III-V semiconductor devices

Номер патента: US09991230B2. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having reverse U-shaped epitaxial layer and method for fabricating the same

Номер патента: US09966468B2. Автор: Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan,Li-Wei Feng,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,Yi-Fan Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953880B1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09859148B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09853021B1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847423B1. Автор: Huang-Ren Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09847332B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09812352B2. Автор: Bin-Siang Tsai,Ya-Jyuan Hung,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09748233B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240379451A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09673040B2. Автор: Yu-Ru Yang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Soc with integrated voltage regulator using preformed mim capacitor wafer

Номер патента: US20170256489A1. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Soc with integrated voltage regulator using preformed mim capacitor wafer

Номер патента: US20170018497A1. Автор: Jun Zhai,Kunzhong Hu. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US20210118782A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tien-I Bao,Hui-Chi CHEN,Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237549A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200403082A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190326414A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Zih-Hsuan Huang,Yu-Chien Sung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243124A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Min Lu,Chih-Wei Yang,Yao-Jhan Wang,Chi-Sheng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040234B2. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device with interface structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11751334B2. Автор: Chun-Huang Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10211313B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063792B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11757016B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013363A1. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784051B2. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor device with bulb-type recessed channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20110068380A1. Автор: Kwon Hong,Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Seung-Ho Pyi,Tae-Yoon Kim,Seung-Ryong Lee,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282843A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266437A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094783B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094956B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114501B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12131950B2. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332086A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332087A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125890B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Gate-all-around nanowire device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09991261B2. Автор: Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09972570B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953982B1. Автор: Yi-Wei Chen,Tsun-Min Cheng,Chia-Chen Wu,Tzu-Chieh Chen,Pin-Hong Chen,Chih-Chieh Tsai,Kai-Jiun Chang,Yi-An Huang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899522B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09786662B1. Автор: Chao-Hung Lin,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices including active patterns having different pitches and methods of fabricating the same

Номер патента: US09755049B2. Автор: Sung Min Kim,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728455B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for designing soi water and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: SG183422A1. Автор: Susumu Kuwabara. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2012-09-27.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Bond pads and methods for fabricating the same

Номер патента: US20070080460A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shwang-Ming Jeng,Yung-Cheng Lu,Ting-Yu Shen,Huilin Chang,Yichi Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating COA array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09893129B2. Автор: Shi Shu,Yonglian QI,Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865495B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Myung-Yoon Um,Gi-gwan PARK,Hyung-Dong Kim,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09847320B2. Автор: Jiun Yi Wu,William Wu Shen,Chien Hsun Lee,Chien Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09806191B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660073B1. Автор: Chih-Wei Lin,Pi-Kuang Chuang,Chao-Wei Wu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7602055B2. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160099152A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150255291A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090294851A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070134843A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Electronic device and method for fabricating the same, spiral inductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2416358A3. Автор: Ja-Hao Chen. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method for detecting EPI induced buried layer shifts in semiconductor devices

Номер патента: US20060038553A1. Автор: Xiaoju Wu,Qingfeng Wang,Xinfen Chen,John Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Self aligned structure and method for high-K metal gate work function tuning

Номер патента: US09899384B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate, method for fabricating the same and display device

Номер патента: US09812541B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

OLED panel, method for fabricating the same, screen printing plate, display device

Номер патента: US09722214B2. Автор: Liang Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

FinFET having a fin and a V-shaped epitaxial layer formed on the top surface of the fin and method for fabricating the same

Номер патента: US09640661B1. Автор: Yu-Hao Huang,Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Buried mim capacitor structure with landing pads

Номер патента: US20200119136A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Joshua Rubin,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device with fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166803A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070224761A1. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7534712B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7235849B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10438893B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chih-Sheng Chang,Shih-Hsien Chen,Meng-Jun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Ono dielectric for memory cells and method for fabricating the same

Номер патента: US20040207000A1. Автор: Jung-Yu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US09806129B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Cristina Casellato,Roberto Somaschini,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo,Riccardo Mottadelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Ceramic insulator for electronic packaging and method for fabricating the same

Номер патента: US09713252B2. Автор: Lei Zhang,Fei Ding,Linjie Liu. Владелец: He Bei Sinopack Electronic Tech Co ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Light emitting diode package with odds of lead fram removed from its surface and method for fabricating the same

Номер патента: WO2008072862A1. Автор: Jong Kook Lee. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for Fabricating Semiconductor Device Capable of Adjusting the Thickness of Gate Oxide Layer

Номер патента: US20090042379A1. Автор: XIN Wang,Tai Chiang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Flip-chip packaging substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190348375A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Pao-Hung Chou,Tung-Yao Kuo,Chun-Hsien Yu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Mos structures with contact projections for lower contact resistance and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080308879A1. Автор: Jianhong Zhu,Fred Hause,David Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Solid state image sensor array for correcting curvilinear distortion of a camera lens system and method for fabricating the image sensor array

Номер патента: EP1333498A3. Автор: Gary B. Gordon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating defect free silicon mold insert

Номер патента: US20140353277A1. Автор: Chong-Ming Lee,Chung-Hua Lee. Владелец: Greencore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Thin film transistor, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US20180226256A1. Автор: Dong Li,Xiaolong Li,Huijuan Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device with composite word line structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365537A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799704B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating multi-chip stack structure

Номер патента: US09754927B2. Автор: Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang,Yi-Feng Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Aqueous cleaning techniques and compositions for use in semiconductor device manufacture

Номер патента: US09728533B2. Автор: Shao-Yen Ku,Jui-Ping Chuang,Chun-Li Chou,Pei-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

P-Si TFT and method for fabricating the same, array substrate and method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US09673333B2. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Xiaoyong Lu,Yu-Cheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device

Номер патента: US20130089933A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Mark configuration, wafer with at least one mark configuration and method for the fabrication of at least one mark configuration

Номер патента: US20030052421A1. Автор: Hans-Georg Frohlich,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-20.

Display panel, method for fabricating display panel, and display device

Номер патента: US20240222556A1. Автор: MING Yang,Feng Yu,Ping An,Quanpeng YU,Jiaxian Liu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Etching mask, method for fabricating the same, and method for fabricating a semiconductor structure using the same

Номер патента: US20220223414A1. Автор: Yu-Chen Huang,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Epitaxial structure of N-face group III nitride, active device, and method for fabricating the same with integration and polarity inversion

Номер патента: US10833163B2. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-10.

Electronic package module and method for fabrication of the same

Номер патента: US20240266236A1. Автор: Li-Cheng Shen,Chao-Hsuan Wang. Владелец: Usi Science And Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Device mounting board, semiconductor module, and method for fabricating the device mounting board

Номер патента: US9271389B2. Автор: Yasuhiro Kohara,Masayuki Nagamatsu,Koutaro DEGUCHI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-23.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for Fabricating Word Lines of NAND Memory and NAND Memory Comprising Word Lines Fabricated by Adopting the Same

Номер патента: US20200402842A1. Автор: Guanqun Huang,Shaokang Yao,Xiaohua Ju. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Phase shift mask with enhanced resolution and method for fabricating the same

Номер патента: US8257886B2. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-04.

Phase Shift Mask with Enhanced Resolution and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100233588A1. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Resin-encapsulation semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030015775A1. Автор: Toru Nomura,Masanori Minamio. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US9136500B2. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin film transistor, method for fabricating the same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200243576A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan,Jilong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US7160810B2. Автор: Sang Wook Ryu,Kang Sup Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371855A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929367B2. Автор: Shinsuke Iguchi,Chinlung Liao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuits including magnetic tunnel junctions for magnetoresistive random-access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09691971B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Ming He,Craig CHILD,Seowoo Nam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691714B2. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

3D IC decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11908788B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure including mim capacitor

Номер патента: US20210028275A1. Автор: Shun-Yi Lee,Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor structure including MIM capacitor

Номер патента: US11764256B2. Автор: Shun-Yi Lee,Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Metal-Insulator-Metal (MIM) Capacitors Formed Beneath First Level Metallization and Methods of Forming Same

Номер патента: US20070034988A1. Автор: Seok-jun Won,Ju Kim,Min Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

3d ic decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200006218A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

3d ic decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200266143A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

3d ic decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313261A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US20220302176A1. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020090789A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Hisao Shigematsu,Kenji Imanishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: WO2022071981A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: EP4200899A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot

Номер патента: WO2013019027A3. Автор: Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378174A1. Автор: Ju Youn Kim,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with energy-removable layer

Номер патента: US20240178288A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020137254A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Toru Nomura,Masanori Minamio,Ryuichi Sahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the device

Номер патента: US20130043490A1. Автор: Haruyuki Sorada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US20140252329A1. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Array substrate, method for fabricating the same and liquid crystal display device

Номер патента: US20120292624A1. Автор: Yang Sun,YUTING ZHANG,Jing LV. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Spherical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020011665A1. Автор: Kenji Shimokawa,Kohei Tatsumi,Nobuo Takeda,Eiji Hashino,Atsuyuki Fukano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11101269B2. Автор: Ju Youn Kim,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE,Eui Chui Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-24.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266288A1. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130323908A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Hsien Chang,Wei-Hua Fang,Chine-Li WANG,Yung-Chin Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US12068327B2. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Image sensor, micro-lens array, and method for fabricating micro-lens array with different heights in image sensor

Номер патента: US20190206912A1. Автор: Yu-Jui HSIEH,Po-Nan Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A2. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160155709A1. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-02.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11690225B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A3. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058390A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12101934B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with capping layer

Номер патента: US20240304696A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180005897A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device with filling layer

Номер патента: US20240304552A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12106904B2. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09966446B2. Автор: Keun Ho Lee,Yong Hee Park,Young Seok SONG,Ui Hui Kwon,Jae Hee Choi,Young Chul Hwang,Jee Soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Display substrate and method for fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US09952479B2. Автор: Peng Chen,Peng Jiang,Haipeng Yang,Yinhu HUANG,Binbin CAO,Chengshao Yang,JongWon Moon. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for fabricating display device and display device

Номер патента: US09905620B2. Автор: Taean SEO,Mu Gyeom Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09893062B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Jeng-Ya David Yeh,Chih Wei Lu,Janet CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US09882095B2. Автор: Sung Min Kong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09847399B1. Автор: Zhen Yang,Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09793342B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09786598B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09779997B2. Автор: Chih-Yang Yeh,Yuan-Sheng Huang,Po-Hsueh Li,Chun-Chan HSIAO,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Light-emitting element, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: EP4462490A1. Автор: Jung Woon Jung,Chang Hee Lee,Do Hyung Kim,Sang Ho Jeon,Je Won YOO,Jin Young Choi,Dong Uk Kim,Jong Il Kim,Yong Seok Choi,Joo Hee Lee,Ran Kim,Jae Kwang Lee,Na Ri AHN,Sang Ho Oh,In Pyo Kim,Na Mi HONG,Yun Hyuk KO,Chan Woo JOO,Mi Hyang SHEEN,Ki Young YEON,Jin Ho BYUN,Jong Hoon HA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated electronic device including an interposer structure and a method for fabricating the same

Номер патента: US09673172B2. Автор: Yaniv Maydar,Yohai JOSEPH. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having dual work function gate structure, method for fabricating the same, transistor circuit having the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09634109B2. Автор: Dong-Soo Kim,Eun-Jeong Kim,Tae-Kyung Oh,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuits including modified liners and methods for fabricating the same

Номер патента: US09613906B2. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

3D IC Decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US10665536B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Mos transistors for thin soi integration and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2186123A1. Автор: John A. Iacoponi,Kingsuk Maitra. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and the method for fabricating the same

Номер патента: US20020057393A1. Автор: Woon-Yong Park,Dong-Hyeon Ki,Hyeon-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240243171A1. Автор: Kern Rim,Dae Won Ha,Mun Hyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Vertical thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US10361314B2. Автор: Chin-Rung Yan. Владелец: INT Tech Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Color image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20020096696A1. Автор: Ki-Nam Park,Do-Young Lee,Kang-Jin Lee,Chan-Ki Kim,Jae-Won Eom. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and the method for fabricating the same

Номер патента: US20050208711A1. Автор: Woon-Yong Park,Dong-Hyeon Ki,Hyeon-Hwan Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor memory apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20110074035A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210020636A1. Автор: Keun Hwi Cho,Myoung-Sun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9318586B2. Автор: Nam Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030003666A1. Автор: Tetsuo Izawa,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343739A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Jr-Meng Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240306384A1. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Shape memory polymer for use in semiconductor device fabrication

Номер патента: US20210313241A1. Автор: Benjamin Stassen Cook,Steven Alfred Kummerl. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12120866B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device with multi-stacking carrier structure

Номер патента: US12119297B2. Автор: Wei-Zhong Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125750B2. Автор: Sang Hyun Lee,Jeong Yun Lee,Young Mook Oh,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12132105B2. Автор: Ji Seong Kim,Hojun CHOI,Ki-Il KIM,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Electrophoretic deposition fluid, metal core substrate, and method for fabricating the metal core substrate

Номер патента: US20170292029A1. Автор: Yusuke Aoki,Mikihito KANO,Kazuhiko Kasano. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2017-10-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US09954088B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Manippady Krishna Kumar,Lakshmi Kanta Bera,Rasanayagam Sivasayan KAJEN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09947657B2. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Electronic package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09907186B1. Автор: Wen-Jung Tsai,Chih-Hsien Chiu,Fu-Tang HUANG,Hsin-Lung Chung,Chen-wen Huang,Jia-Huei Hung. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for fabricating electrochemical sensing test piece

Номер патента: US09823584B2. Автор: Kuo-Chen Hsu. Владелец: Cheeshin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09673388B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with barrier layer

Номер патента: US12148722B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614055B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Ooishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127650A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for fabricating conductive layer stack and method for fabricating semiconductor device with gate contact

Номер патента: US12014955B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060094177A1. Автор: Hiroyuki Ohta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7223664B2. Автор: Hiroyuki Ohta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4394858A1. Автор: Dong Won Kim,Hong Seon Yang,Myung Gil Kang,Soo Jin JEONG,Beom Jin Park,Young Gwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Dynamic random access memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US7465640B2. Автор: Chia-Wen Liang,Yung-Chang Lin,Chuan-Fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050181528A1. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090078994A1. Автор: Yoshinori Takami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Dynamic random access memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20050106832A1. Автор: Chia-Wen Liang,Yung-Chang Lin,Chuan-Fu Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Optical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050129079A1. Автор: Takaki Iwai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor device with active pattern including a transition pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US12040324B2. Автор: Jae Hyun Lee,Jong Ha Park,Seong-Ho Song,Jong Han Lee,Jong Hoon BAEK,Da Bok JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050121726A1. Автор: Hiroaki Inoue,Hitoshi Asada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210005466A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422480A1. Автор: Dong Yan,Wei Li,Jun Wei,Zijie Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device including bonding pads and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243081A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Crystal oscillator and method for fabricating the same

Номер патента: US11398797B1. Автор: Cheng-Wei Lin,Chih Hsun Chu,Wun-Kai Wang,Chih Hung Chiu. Владелец: Txc Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor devices including contact plugs having silicide layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240145386A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Micro-led device and method for fabricating same

Номер патента: US20240250205A1. Автор: Wanchun WU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150311310A1. Автор: Minwoo Song,Moonkyun Song,Seokjun Won,Namgyu Cho,Youngmook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11764178B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with recess gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20100258861A1. Автор: Tae-Kyun Kim,Yun-Hyuck Ji,Seung-Mi Lee,Jin-Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Tape substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US20050109631A1. Автор: Sang Lee,Soon Kwon,Yoon Cho,Ki Hong,Yang Moon. Владелец: LG Micron Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070069304A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110147947A1. Автор: Shutetsu KANAYAMA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Ldmos device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2012065485A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US8974617B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-03-10.

Radiation resistant cmos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150014765A1. Автор: Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Weikang Wu,Liangxi Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Solid state imaging device and method of fabricating the same

Номер патента: US7265432B2. Автор: Hiroaki Takao. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282833A1. Автор: Wonsok Lee,Min Hee Cho,Sanghoon Uhm,Wooje Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160197019A1. Автор: Jui-Chun Chang,Chih-Jen Huang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Organic electro-luminescence display device and method for fabricating the same

Номер патента: US8957574B2. Автор: Jae-Young Lee,Tae-Yeon YOO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-17.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080315271A1. Автор: In Cheol Baek,Kyung Min Park,Han Choon Lee,Sun Chan LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Array substrate, method for fabricating same, and display device

Номер патента: US20230163146A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290891A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Photomask for extreme ultraviolet lithography and method for fabricating the same

Номер патента: US8158305B2. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Electronic package and method for fabricating the same

Номер патента: US20180315715A1. Автор: Chih-Hsien Chiu,Chia-Yang Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083332A1. Автор: Shin-Yi Huang,Tao-Chih Chang,Heng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-03-12.

Thin film transistor, method for fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US20180366565A1. Автор: Jiangbo Chen,Quanhu LI,Jingang Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090142901A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8021944B2. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Organic electroluminescent device, method for fabricating the same, and light emitting apparatus

Номер патента: US20210305528A1. Автор: Wenfeng Song,Changyen Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203425A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10692928B1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-19.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7482246B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Embedded capacitor structure in circuit board and method for fabricating the same

Номер патента: US20050081349A1. Автор: Ruei-Chih Chang. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating BOC semiconductor package

Номер патента: US20020102831A1. Автор: Lee Kuan,Lee Chai,Chong Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor chip package and method for fabricating the same

Номер патента: US20050253279A1. Автор: Qwan Ho Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Active Device Array Substrate and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090256164A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-10-15.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Array substrate for liquid crystal display and method for fabricating the same

Номер патента: US20100187536A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chen-Yueh Li. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-29.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Apparatus for fabricating display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US20240276858A1. Автор: Jong Chan Lim,Tae Young Kim,Kyong Tae Park,Sang Hoon Lim,Dong So KIM,Jung Suk BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: US20240258169A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabricating trihalodisilane and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230264963A1. Автор: Min Soo Kang,Byung Keun Hwang,Woo Ri Bae,Byeong Ok Cho,Sun Hye Hwang,Sheby Mary George,Ji Eun Yun,Seong Tae OH. Владелец: WONIK MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for fabricating electronic package

Номер патента: US20240321591A1. Автор: Wei-Ping Wang,Shu-Chi Chang,Hsien-Lung Hsiao,Kaun-I Cheng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12087833B2. Автор: Dae Yong Kim,Jeong Hyuk YIM,Wan Don KIM,Sang Jin HYUN,Heon Bok LEE,Won Keun CHUNG,Hyo Seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200243360A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7361932B2. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Active device array substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US7781776B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Hsiang-Lin Lin,Han-Tu Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-08-24.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US8093592B2. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: WO2024163032A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12107151B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with assisting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347453A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339498A1. Автор: Jong Ryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Power semiconductor device with a stress-free joint between metal parts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332136A1. Автор: Thorsten Scharf,Egbert Lamminger,Michal Chajneta,Marco Bäßler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US12112978B2. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332381A1. Автор: Ji Won Kang,Rak Hwan Kim,Chung Hwan Shin,Seong Heum CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332421A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with assisting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347450A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Die package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12089346B2. Автор: hong-hai Dai,Hai-Tao Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US12127409B2. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4216262A1. Автор: Sung Woo Kang,Dong Kwon Kim,Hong Sik Shin,Jeong Yeon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304705A1. Автор: Chun-Jen Chen,Chia-Jong Liu,Yu-Shu Lin,Chi-Hsuan Tang,Chung-Ting Huang,Wei-Chih Chuang,Yu-Lin Cheng,Kuang-Hsiu Chen,Kai-Hsiang Wang,Chao-Nan Chen,Jhong-Yi Huang,Bing-Yang Jiang,Guan-Ying Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus for inspecting substrate and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12105027B2. Автор: Myung Jun Lee,Sung Ho Jang,Jang Ryul Park,Kwang Rak KIM,Soon Yang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125900B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240371876A1. Автор: Myung Yoon UM,Deok Han Bae,Yoon Young Jung,Ju Hun Park,Ye Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US12068323B2. Автор: Myung Yoon UM,Deok Han Bae,Yoon Young Jung,Ju Hun Park,Ye Ji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with active pattern including a transition pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US20240321876A1. Автор: Jae Hyun Lee,Jong Ha Park,Seong-Ho Song,Jong Han Lee,Jong Hoon BAEK,Da Bok JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09972524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

LED module and method for fabricating the same

Номер патента: US09941259B2. Автор: Jinmo Kim,Daewon Kim,Jinwon Choi,Jimin Her,Younghwan Shin,Kyujin Lee,Sol Han,Taekyung Yoo. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuits having device contacts and methods for fabricating the same

Номер патента: US09941160B2. Автор: Fan Zhang,Wei Shao,Vish SRINIVASAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09875928B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Array substrate, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US09847427B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Yonglian QI,Chuanxiang XU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09847276B2. Автор: Taeseong Kim,Pil-Kyu Kang,Ho-Jin Lee,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jin Ho An,Jae-hwa Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,Taeyeong Kim,Seongmin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09842905B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Satoshi Tamura,Yusuke Kinoshita,Yoshiharu Anda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09837417B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Array substrates, methods for fabricating the same, and display device containing the same

Номер патента: US09806103B2. Автор: Xiaolin Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09768163B2. Автор: Sang-Hyun Lee,Myung-Hoon Jung,Do-hyoung Kim,Doo-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices including insulating gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09755079B2. Автор: Bo-Un Yoon,Sang-Jine Park,Ha-Young Jeon,Do-hyoung Kim,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Seung-Seok HA,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Substrate structure, electronic package and method for fabricating the electronic package

Номер патента: US09754868B2. Автор: Chih-Yuan Shih,Ching-Wen Chiang,Shih-Ching Chen,Hsin-Chih WANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09748339B1. Автор: Manoj Kumar,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12148749B2. Автор: Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Thin film transistor, method for fabricating the same and display apparatus

Номер патента: US09711653B2. Автор: Chunsheng Jiang,Dongfang Wang,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including a semiconductor sheet interconnecting a source region and a drain region

Номер патента: US09711596B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Hao-Ling Tang,Shao-Hwang Sia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having a gate all around structure and a method for fabricating the same

Номер патента: US09679965B1. Автор: Kang-ill Seo,Sung Dae Suk,Bom-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Through-substrate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09666507B2. Автор: Chun-Hung Chen,Chien-Li Kuo,Ming-Tse Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09659782B2. Автор: Sung-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653462B2. Автор: Sung-dae Suk,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634120B2. Автор: Sang Chul Lim,Sang Seok Lee,Jae Bon Koo,Chan Woo Park,Kyoung Ik Cho,Soon-Won Jung,Bock Soon Na,Hye Yong Chu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and transceiver apparatus

Номер патента: US20030183863A1. Автор: Akihiro Sasabata,Motoyasu Nakao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Mim capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190305078A1. Автор: Shun-Yi Lee,Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor module

Номер патента: US11769793B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Chip package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234454A9. Автор: Chien-Chen Lee,Li-Chun Hung,Dong-Ru Wu. Владелец: Tong Hsing Electronic Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230122163A1. Автор: Chien-Tzu Chu,Chao-Chin Sung,Chueh-Yuan NIEN,Chao-Sen Yang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240055385A1. Автор: Kuo-Hua Hsieh,Chao-Chieh Chan,Ming-Jhe Wu,Chih-Yang Weng. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2024-02-15.

Solid state imaging apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014759A1. Автор: Takumi Yamaguchi,Kazuo Fujiwara,Mitsuyoshi Mori,Mikiya Uchida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Solid state imaging apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US7800144B2. Автор: Takumi Yamaguchi,Kazuo Fujiwara,Mitsuyoshi Mori,Mikiya Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Light-emitting structure and a method for fabricating the same

Номер патента: EP2583306A1. Автор: Peiching Ling,Dezhong Liu. Владелец: ACHROLUX INC. Дата публикации: 2013-04-24.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Display panel and method for fabricating same

Номер патента: US20220005879A1. Автор: Yuanhang Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Pixel array, method for fabricating the same and oled array substrate

Номер патента: US20190058017A1. Автор: Xiaobo Du. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7220638B2. Автор: Osamu Yamaguchi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230061126A1. Автор: Jong Seok Lee,Tae Ho Jeong,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230290847A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230171946A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US8420521B2. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070032007A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Finfet isolation structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180182866A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240260481A1. Автор: Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Tu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153915A1. Автор: Hee Sun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230317119A1. Автор: Seung Hwan Kim,Jung Min KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230048424A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Solid-state image pickup device using charged-coupled devices and method for fabricating the same

Номер патента: WO2006080594A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10629695B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4344389A3. Автор: Changho Lee,Seungchul Lee,Hanseok Kim,Mira Yun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090278210A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Memory of multilevel quantum dot structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20020090762A1. Автор: Tae Yoon,Ki Kim,Jang Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120235248A1. Автор: Ho-Ung KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290826A1. Автор: Seung Bum Kim,Il Do KIM,Ji Hee YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and method for secondary electron emission microscope

Номер патента: US20030205669A1. Автор: David Walker,David Adler,Fred Babian,Travis Wolfe. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for ion source component cleaning

Номер патента: EP2483906A1. Автор: Lloyd Anthony Brown,Ashwini Sinha,Serge Marius Campeau. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Lamination structure for second generation high-temperature superconducting (2g-hts) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274326A1. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Field emission array with carbon nanotubes and method for fabricating the field emission array

Номер патента: US20020011769A1. Автор: Yong-wan Jin,Won-bong Choi,Min-jae Yun. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for fabricating three-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20090092368A1. Автор: Akinari Takagi,Kazuya Nobayashi,Kiyokatsu Ikemoto,Hikaru Hoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Device for manufacturing specimen for adhesion test of electrode active material layer and method for manufacturing specimen for adhesion test of electrode active material layer by using same

Номер патента: EP4446726A1. Автор: Daehee CHO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Long life-time field emitter for field emission device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050269928A1. Автор: Jeong-hee Lee,Tae-Won Jeong,Won-Seok Kim,Jae-Sang Ha,Byung-Yun Kong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Cavity resonator for reducing phase noise of voltage controlled oscillator and method for fabricating the same

Номер патента: EP1041667A3. Автор: Changyul Cheon,Cimoo Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Chungwoo Samsung Advanced Institute of Tec. Kim,Seokjin Samsung Advanced Institute of Tec. Kang,Insang Samsung Advanced Institute of Tec. Song,Yongwoo 123-902 Park Town Samik Apt. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-16.

Lamination structure of second generation high-temperature superconducting (2G-HTS) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US12094624B2. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Corrugated buried heterostructure laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378721A1. Автор: Omid SALEHZADEH EINABAD. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-11-23.

Porous Separator for a Secondary Battery Including Cellulose Nanofibers and Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20140335424A1. Автор: Sang Young Lee,Sun Young Lee,Sang Jin Chun,Geum Hyun Doh. Владелец: REPUBLIC OF KOREA (FORESTRY ADMINISTRATION FORESTRY RESEARCH INSTITUTE). Дата публикации: 2014-11-13.

On-chip balun and transceiver using the same and method for fabricating on-chip balun

Номер патента: US20060202776A1. Автор: Seong-soo Lee,Jae-Sup Lee,Dong-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Micromold Methods For Fabricating Perforated Substrates and for Preparing Solid Polymer Electrolyte Composite Membranes

Номер патента: US20140342271A1. Автор: Cortney Mittelsteadt,Castro Laicer,Jason Willey,Avni Argun. Владелец: Giner Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for fabricating an amplification gap of an avalanche particle detector

Номер патента: EP2494583A1. Автор: Ioannis Giomataris,Rui de OLIVEIRA. Владелец: European Organization for Nuclear Research CERN. Дата публикации: 2012-09-05.

Micromold methods for fabricating perforated substrates and for preparing solid polymer electrolyte composite membranes

Номер патента: US09728802B2. Автор: Cortney Mittelsteadt,Castro Laicer,Jason Willey,Avni Argun. Владелец: Giner Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Antioxidant for electrolyte membrane of fuel cell and method for preparing the same

Номер патента: US20220021015A1. Автор: Jin Young Kim,So Young Lee,Hee-Young Park,Hyun Seo Park,Hyoung-Juhn Kim,Seung Ju Lee,Jong Hyun Jang,Sung Jong Yoo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-01-20.

Planar gate-controlled element and method for fabricating the same

Номер патента: WO2010068055A3. Автор: Young Kyoo Kim,Hwa Jeong Kim,Sung Ho Nam. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2010-09-30.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Compound and method for producing the same, resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US11767287B2. Автор: Seiji Shika,Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: TW200746146A. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chun-Lein Su,Yin-Jen Chen,Tzung-Ting Han,Ming-Shang Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-16.

Nand type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: TWI313006B. Автор: Chih Chieh Yeh,Yin Jen Chen,Tzung Ting Han,Ming Shang Chen,Chun Lein Su. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-01.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11744160B2. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130075842A1. Автор: Ga Young Ha,Ki Scon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315139A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334836A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127414B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215216A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341076A1. Автор: Seung Hwan Kim,Seok Pyo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240357943A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Ion Thruster and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20220341404A1. Автор: Lei Zhang,Yongwei Zhang,Wendong Zhang,Qiulin Tan. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315151A1. Автор: Yong Hun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for fabricating multilayer circuit board, circuit plate, and method for fabricating the circuit plate

Номер патента: US20090126975A1. Автор: Masayoshi Kondo. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US20060194394A1. Автор: Heung Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US7645672B2. Автор: Heung Jin Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Stereoscopic image display device using pattern retarder method and method for fabricating the same

Номер патента: US09709812B2. Автор: Jaehyun Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Curved display panel, curved display panel device and method for fabricating the same

Номер патента: US09864222B2. Автор: Xiang Li,Dan Wang,Xibin Shao,Seungmin Lee,Hebin ZHAO,Honglin ZHANG,Yingying Qu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Hybrid electro-optical circuit board and method for fabricating the same

Номер патента: US20080138006A1. Автор: Chun-Hsing Lee,Chien-Chun Lu,Ying-Chih Chen,Shin-Ge Lee,Shun-Tien Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-06-12.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Conductive network for fabrics

Номер патента: US09988154B1. Автор: Joseph John D'Angelo, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224511A1. Автор: Seung Bum Kim,Lynn Lee,Il Do KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172452A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Electroluminescent device with drying film and method for fabricating the same

Номер патента: US20030160563A1. Автор: Yen-Shih Huang,Jwo-huei Jou,Yung-Sheng Chiu,Feng-Ju Chuang,San-Bao Lin,Min-Der Lin. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Organic electro-luminescence display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100301740A1. Автор: Jae-Young Lee,Tae-Yeon YOO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for fabricating a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20020110935A1. Автор: Christine Dehm,Thomas Roehr,Heinz Hoenigschmid,Georg Braun,Günther SCHINDLER,Renate Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating semiconductor device by using radical oxidation

Номер патента: US20060008996A1. Автор: Jae-Geun Oh,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Hong-Seon Yang,Hyun-Chul Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341080A1. Автор: Seung Hwan Kim,Gil Seop KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12108680B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240349513A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Smart textile product and method for fabricating the same

Номер патента: US09839123B2. Автор: Bjorn VAN KEYMEULEN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237553A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215227A1. Автор: Dong Yean Oh,Jin Sun CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Light-emitting image sensing module and method for fabricating the same

Номер патента: US20240130045A1. Автор: Yi-Han Huang,Shangyi Wu,Jia-De ZHOU. Владелец: Medimaging Integrated Solution Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240251569A1. Автор: Hun Kim,Kyung Seop KIM,Jae Wan Choi,Chi Ho Kim,Chang Jun Yoo,Young Cheol Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Organic Electro-Luminescence Display Panel and Method for Fabricating Same

Номер патента: US20130048954A1. Автор: Seung-Hwan Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Mask plate, method for fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US20160333457A1. Автор: Lujiang Huangfu,Yinan LIANG,Lifei Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Device and method for detecting small quantities of light, comprising an electronic imageconverter embodied in semiconductor technology

Номер патента: EP2212661A2. Автор: Pieter Tjerk Koopman. Владелец: Datascan Group BV. Дата публикации: 2010-08-04.

Anti-Slide Sheath of Grip and Methods for Using and Fabricating the Same

Номер патента: US20220096904A1. Автор: Yicong Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device for measuring hydrogen and method for measuring a hydrogen concentration in a medium by means of such a semiconductor device

Номер патента: US20240151674A1. Автор: Horst Theuss,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-09.

Dynamic nanophotonic filter and method for tuning and fabricating the same

Номер патента: US20230341713A1. Автор: Liping Wang,Jeremy Chao,Sydney Taylor. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for testing semiconductor memory, especially integrated semiconductor memory, has functional units in semiconductor memory supplied at two different voltages

Номер патента: DE10104716A1. Автор: Norbert Wirth,Tobias Hartner,Rupert Lukas. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

System and method for measuring slip dislocation and thin film stress of semiconductor wafer in semiconductor processing equipment

Номер патента: JP3841452B2. Автор: エム．モスレヒ メールダッド. Владелец: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2006-11-01.

Integral pressure vessel penetrations and systems and methods for using and fabricating the same

Номер патента: CA3141247A1. Автор: Christer N. Dahlgren,Joel P. Melito,Gary M. Anthony. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-17.

Integral pressure vessel penetrations and systems and methods for using and fabricating the same

Номер патента: EP3984045A1. Автор: Christer N. Dahlgren,Joel P. Melito,Gary M. Anthony. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2022-04-20.

Integral pressure vessel penetrations and systems and methods for using and fabricating the same

Номер патента: US20200395135A1. Автор: Christer N. Dahlgren,Joel P. Melito,Gary M. Anthony. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for producing an organic solvent

Номер патента: US20220096978A1. Автор: Suguru Sassa,Tomoya Ohashi,Toyoshiro YOSHIDA. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for making porphyrin covalent organic framework-based interface

Номер патента: US11428440B2. Автор: Zhaowei Chen,Seth B. Darling,Hao-Cheng Yang,Zijing Xia. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-08-30.

Method for an improved checking of repeatability and reproducibility of a measuring chain for semiconductor device testing

Номер патента: US20110254580A1. Автор: Alberto Pagani,Sergio Tenucci,Marco Spinetta,Bernard Ranchoux. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2011-10-20.

THERMOSETTING LIGHT-REFLECTIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PREPARING THE SAME, OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT-MOUNTED REFLECTOR PRODUCED THEREFROM, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20140066543A1. Автор: Cho Sung-Woo,Cho Chul-Hui,Hwang Pung-Koc. Владелец: NEPESAMC. Дата публикации: 2014-03-06.

Anti-Slide Sheath of Grip and Methods for Using and Fabricating the Same

Номер патента: US20220096904A1. Автор: Chen Yicong. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140254281A1. Автор: CHOI Eun-seok,YOO Hyun-Seung,KIM Se-jun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

SYSTEM AND METHOD FOR KEY PARAMETER IDENTIFICATION, PROCESS MODEL CALIBRATION AND VARIABILITY ANALYSIS IN A VIRTUAL SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION ENVIRONMENT

Номер патента: US20180365370A1. Автор: Fried David M.,Greiner Kenneth B.,Egan William J.,Kunwar Anshuman. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

INTEGRAL PRESSURE VESSEL PENETRATIONS AND SYSTEMS AND METHODS FOR USING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200395135A1. Автор: Melito Joel P.,ANTHONY Gary M.,Dahlgren Christer N.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Integral pressure vessel penetrations and systems and methods for using and fabricating the same

Номер патента: EP3984045A4. Автор: Christer N. Dahlgren,Joel P. Melito,Gary M. Anthony. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2023-06-07.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12124237B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12105500B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Systems and methods for utilizing information of a 3d modeling application to facilitate operation of fabrication machines

Номер патента: US20240273247A1. Автор: Brian D. Nickel. Владелец: Allied Bim Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220113621A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu,Jia-Guei Jou,Huang-Ming Wu,Jiun-Hao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Systems and methods for fabricating a microchannel vascular network device and seeding a microchannel

Номер патента: WO2020257539A1. Автор: Craig Neville,Joseph P. Vacanti,Batzaya BYAMBAA,Matthew James Hancock,Carly COMER,Tyler LIEBERTHAL,Tatevik SAHAKYANTS,Andrew Paul SPANN. Владелец: 3D Biolabs, Llc. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

A method for fabricating a glass assembly, a glass assembly and a window assembly

Номер патента: WO2024208164A1. Автор: LU Wang,Daming Li,Yiheng Zhang. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating photoresist pattern, color filter and display device

Номер патента: US09971187B2. Автор: Yuan Liang,Zhiyong Zhang,Yulong KANG,Qingde LONG,Liwei FAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for fabricating a patterned core for a light guide plate

Номер патента: US20040248049A1. Автор: Kun-Jung Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Fabricating method for sleeve-type ornament of display device

Номер патента: US20100283170A1. Автор: Wen-Hung Huang. Владелец: Hannspree Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Apparatus and Methods for Fabricating Tote Bags

Номер патента: US20200164612A1. Автор: Paul Fleming. Владелец: Pj3llc. Дата публикации: 2020-05-28.

Systems and Methods for Fabricating Tote Bags

Номер патента: US20240009958A1. Автор: Paul Fleming. Владелец: Freedom Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Systems and methods for fabricating tote bags

Номер патента: US11801658B2. Автор: Paul Fleming. Владелец: Freedom Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Optical fiber mirror and method for fabricating the same

Номер патента: US20020034370A1. Автор: Duck Kim,Young Yook. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2002-03-21.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

One-piece personal wear and method for fabricating the same

Номер патента: US20220000194A1. Автор: Yi-Chen Lin. Владелец: Mackent Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Hub-mounted optical disk, method for fabrication optical disk, and injection molding die for manufacturing optical disk substrate

Номер патента: WO2005038807A1. Автор: Du-Seop Yoon,Han-Kook Choi,Myong-do Ro,Dong-Seob Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for fabricating lcd

Номер патента: US20130095430A1. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Original plate material for heat-exchanging plate, and method for fabricating original plate material for heat-exchanging plate

Номер патента: US09656313B2. Автор: Akio Okamoto,Yasuyuki Fujii,Akihisa Fujita,Yoshio Itsumi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

3d network-structured silicon-containing preploymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150252194A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

3d network-structured silicon-containing prepolymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150309212A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Electrode structure for touch panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20170147099A1. Автор: Woo Hyun BAE,Myunsoo KIM,Changjun MAENG,In Ho RHA. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Tubular potted flower and method for fabricating the same

Номер патента: WO2002071831A1. Автор: Jeong-Bok Kim. Владелец: Kim, Kil-Sung. Дата публикации: 2002-09-19.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US20160188781A1. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for generating instructions for fabricating a garment

Номер патента: US20230298273A1. Автор: William Wilcox. Владелец: Clothing Tech LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic nanocomposite for inhibiting/treating cancer and method for fabricating the same

Номер патента: US20110104294A1. Автор: Kuo-Chen Wei,Rung-Ywan Tsai,Mu-Yi Hua,Hung-Wei Yang,Pin-Yuan Chen,Chiung-Yin Huang. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2011-05-05.

Formulation and method for preparing specific t cell, and method for preparing the formulation

Номер патента: US20160074490A1. Автор: Jan Mou Lee. Владелец: FULLHOPE BIOMEDICAL Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Recyclable composite having dissolvable polymer layer, method for fabricating, and use with food containers

Номер патента: EP4399091A1. Автор: Corey BISHOP,Josh LORGE. Владелец: Ahlstrom Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for fabricating a mirror by 3d printing

Номер патента: US20240286194A1. Автор: Jacques RODOLFO. Владелец: Safran Reosc SAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Touch panel and method for fabricating the same

Номер патента: US09965065B2. Автор: Zhen Liu,Tao Gao,Zhijun LV,Fangzhen Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for fabricating color image display devices comprising structural color pixels from a generic stamp

Номер патента: US09696468B2. Автор: Hao Jiang,Bozena Kaminska,Mohamad Rezaei. Владелец: NanoMedia Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Color-changing pre-treatment stain removers and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2011071661A2. Автор: Joan M. Bergstrom,Danielle S. Shapiro. Владелец: The Dial Corporation. Дата публикации: 2011-06-16.

Systems and methods for adjusting a three-dimensional (3D) model during additive manufacturing

Номер патента: US12042998B2. Автор: Michael Gibson,Nihan Tuncer,George Hudelson,Nicholas MYKULOWYCZ,Brian Kernan,Alexander BARBATI. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods for flexibly optimizing processing circuit efficiency

Номер патента: WO2016060931A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Daniel Firu,Nigel Drego. Владелец: 21, Inc.. Дата публикации: 2016-04-21.

Biocompatible composite membrane, method for fabricating the membrane, bioreactor and method for investigating cells attached to the biocompatible composite membrane

Номер патента: EP4251727A2. Автор: Juergen Groll,Ali DORYAB,Otmar SCHMID,Andreas Schroeppel,Mehmet Berat TASKIN. Владелец: Julius Maximilians Universitaet Wuerzburg. Дата публикации: 2023-10-04.

Actuatable optical device, method of fabricating the device, and use of a magnetic substance

Номер патента: US20210221059A1. Автор: Harald Giessen,Simon Thiele,Chris Jung,Alois M. Herkommer. Владелец: Baden Wuerttemberg Stiftung gGmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Optical waveguide sensor for detecting heavy metal ions and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024117893A1. Автор: Khong Nee KOO,Mei Qun SEAH,Farah Hidayah BINTI JAMALUDIN. Владелец: Vulcan Photonics Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Three-dimensional pore structure model and method for fabricating the same, experiment system and transparent experiment method for replicating fluid displacement process within rock pore structure

Номер патента: AU2018444642A1. Автор: Yang Ju,Changbing WAN,Jiangtao ZHENG,Wenbo GONG,Chaodong XI. Владелец: China University of Mining and Technology Beijing CUMTB. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods for fabricating objects using investment molding techniques

Номер патента: US09750914B2. Автор: Leslie Oliver Karpas,Aaron M. Ryan. Владелец: Metamason Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Touch panel and method for fabricating the same

Номер патента: US09710078B2. Автор: Winston Chan. Владелец: Winsky Technology Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for flexibly optimizing processing circuit efficiency

Номер патента: US09659123B2. Автор: Veerbhan Kheterpal,Daniel Firu,Nigel Drego. Владелец: 21 Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for fabricating a dental tray

Номер патента: EP4360587A3. Автор: Rune Fisker. Владелец: 3Shape AS. Дата публикации: 2024-07-03.

Formula for fabricating skin treatment product and forming method thereof

Номер патента: US20070243152A1. Автор: Chien-Chang Wang,Chao-An Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Gas separation membrane with ladder-structured polysilsesquioxane and method for fabricating the same

Номер патента: US09855532B2. Автор: Sang Hee Park,Jong Suk Lee,Sanghyup Lee,Seung Sang Hwang,SungHwan Park,Albert Sung Soo LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-01-02.

Flexible nanoimprint mold, method for fabricating the same, and mold usage on planar and curved substrate

Номер патента: US09676123B2. Автор: Minghui Lu,Zhiwei Li,Yanfeng Chen,Haixiong Ge,Changsheng Yuan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-13.

Protection member for display, display device including the same and method for fabricating the protection member for display

Номер патента: US20210271002A1. Автор: Sang Hoon Kim,Kyung Man Kim,Seong Jin Hwang,Min Hoon CHOI,Min Sang KOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Bone filler and method for fabricating the same

Номер патента: EP2063815A1. Автор: Kwang Bum Park,Jae Won Kim,Kyoung Ho Ryoo,Seok Kyu Choi,Dong Jun Yang,Hyun Wook An. Владелец: Megagen Implant Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-03.

Method for making a frame member including a locking strip groove for tensioning a screen

Номер патента: US9403356B2. Автор: John O. H. Niswonger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

Flexible pressure sensor array and method for fabricating the same

Номер патента: US11740143B2. Автор: Li Fu,Tao Xu,Yam Chong. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Anti-skid glass pane for construction, lighting engineering and decoration, space illumination module using the pane and method for fabricating the pane

Номер патента: EP1217144B1. Автор: Paolo Landi. Владелец: TECNO SECURVETRO Srl. Дата публикации: 2004-03-10.

Wavelength Conversion Element and Method for Manufacturing Wavelength Conversion Element

Номер патента: US20210223471A1. Автор: Ryoichi Kasahara,Osamu Tadanaga,Takahiro Kashiwazaki,Takeshi Umeki,Koji Embutsu,Takushi Kazama. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Reinforced polishing pad for linear chemical mechanical polishing and method for forming

Номер патента: US20030013398A1. Автор: Tsu Shih,Wen-Chih Chiou,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Selective metamaterial absorber and method for fabricating the same

Номер патента: US20230330631A1. Автор: Liping Wang,Sydney Taylor,Jui-Yung Chang. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-19.

Lighting module, illuminating device and method for fabricating the lighting module

Номер патента: EP2614290A1. Автор: Yubao He,Xiaomian Chen,Tengzhi Qin,Hoitat Cheng. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2013-07-17.

Aluminium alloy substrate for magnetic disk, method for fabricating the same, and magnetic disk composed of aluminium alloy substrate for magnetic disk

Номер патента: US20210201946A1. Автор: Takashi Nakayama,Hideyuki Hatakeyama,Makoto Yonemitsu,Kotaro Kitawaki,Kimie IMAKAWA. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Hybrid fiber and method for fabricating the same

Номер патента: US20130167503A1. Автор: In Sik Han,Tae Hak Park. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2013-07-04.

Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same

Номер патента: US7561232B2. Автор: Yong-Ho Yang,Joo Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same

Номер патента: US7463318B2. Автор: Yong-Ho Yang,Joo Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-09.

Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2004008227A2. Автор: Yong-Ho Yang,Joo-Sun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2004-01-22.

Silica crucible and method for fabricating the same

Номер патента: EP2616575A1. Автор: LU Wang,Laurent Molins,Paul Sargood,Leilei SUN. Владелец: Saint Gobain Research Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Leading-edge structures for airfoils and systems and methods for fabricating the same

Номер патента: US12123096B1. Автор: Kenneth W. Young. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Display panel comprising first and second compensation films wherein each of the films has phase delays in periphery areas that are different than phase delays of center areas, method for fabricating the same, and display device comprising the same

Номер патента: US09927655B2. Автор: Jiaoming Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Microfluidic devices and methods for fabricating microfluidic devices

Номер патента: US09903836B2. Автор: Robert Scott Martin,Asmira Selmovic Alagic,Alicia Johnson Hoover. Владелец: St Louis University. Дата публикации: 2018-02-27.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: US09846324B2. Автор: Hae-Jung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Liquid crystal display panel, composite substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US09841632B2. Автор: Sifan Wei. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for fabricating the liquid crystal display panels including pouring liquid crystal into dummy and panel group regions to resist pressure differences

Номер патента: US09753333B2. Автор: Min-Cheng Wang,Yu-Chun Tsai,Wei-Yen Chen,Yuan-Chieh Hsu,Te-Liang LIU. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabrication of nickel fibre electrode base with developed fibre surface for chemical current sources and nickel fibre electrode base fabricated using such method

Номер патента: RU2475896C2. Автор: Альберт Харисович Гильмутдинов,Михаил Валерьевич Морозов. Владелец: Михаил Валерьевич Морозов. Дата публикации: 2013-02-20.

An atomic vapor cell, an integrated atomic/photonic device and apparatus comprising the atomic vapor cell, and a method for fabricating an atomic vapor cell

Номер патента: EP4231032A1. Автор: Roberto Osellame,Andrea ZANONI,Morgan Mitchell,Vito Giovanni Lucivero,Giacomo CORRIELLI. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2023-08-23.

Systems and methods for designing and fabricating mass-customized products

Номер патента: US20240057696A1. Автор: Huafeng Wen,Ashley Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Temporary decoration for fabric

Номер патента: WO2013016406A3. Автор: Heidi Hsieh,Nicolas Remy Denis Joseph Pochart,Brandon Douglas GADDIS,Alvin Tsung SO,JR. Lloyd Keith STEPHENSON. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2013-07-11.

Processing program creation device, method for determining scattering direction of molten metal, laser processing machine, and laser processing method

Номер патента: US20220226933A1. Автор: Takuya Murakami. Владелец: Amada Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Medical implant component and method for fabricating same

Номер патента: WO2009082482A1. Автор: BALAJI Prabhu,Haitong Zeng,Zongtao Zhang,Daniel E. Lawrynowicz. Владелец: HOWMEDICA OSTEONICS CORP.. Дата публикации: 2009-07-02.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Method for protecting compound semiconductor from being destructed by electrostatic discharge and flip-chip semiconductor device having protection capability against electrostatic discharge

Номер патента: TWI278124B. Автор: Schang-Jing Hon,Yu-Lin Li,Liann-Be Chang,Shian-Chin Chiou,Ruey Yu Wang. Владелец: Nan Ya Photonics Inc. Дата публикации: 2007-04-01.

Method for protecting compound semiconductor from being destructed by electrostatic discharge and flip-chip semiconductor device having protection capability against electrostatic discharge

Номер патента: TW200539468A. Автор: Schang-Jing Hon,Yu-Lin Li,Liann-Be Chang,xian-qin Qiu,Rueyi-Yu Wang,chong-zhi Su. Владелец: Nan Ya Photonics Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

MIM capacitor and manufacturing method thereof, semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN100590793C. Автор: 胡友存. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-02-17.

Method for manufacturing metal oxide semiconductor (MOS) device in use for reducing damage to semiconductor device during hot carrier injection

Номер патента: CN102299113A. Автор: 黄晓橹,俞柳江,李全波. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

Enhanced Hydrogen Barrier Encapsulation Method for the Control of Hydrogen Induced Degradation of Ferroelectric Capacitors in an F-RAM Process

Номер патента: US20130300003A1. Автор: Sun Shan,Davenport Thomas E.. Владелец: Ramtron International Corporation. Дата публикации: 2013-11-14.

Method for measuring heat conduction parameter in thin layer material of active area of semiconductor device

Номер патента: CN102129023B. Автор: 刘静,郭春生,冯士维,乔彦彬,张光沉. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-10-31.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001287A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Sol-Gel Composition for Fabricating Conductive Fibers

Номер патента: US20120001369A1. Автор: Chao Yu-Chou,Lin Shang-Ming,Lin Jo-Chun,Chu Yun-Yun,Lin Yi-De. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for fabrication of ammonia perchlorate containing hydrophobisated fraction

Номер патента: RU2363690C2. Автор: Герман Георгиевич Колосов,Михаил Андреевич Чернов,Клара Васильевна Чудинова,Наталья Борисовна Гончарова,Ольга Валерьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-08-10.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

Method for carrier concentration determination in semiconductors and device for its implementation

Номер патента: RU2534382C1. Автор: Владимир Георгиевич Литвинов,Александр Антонович Корнилович,Александр Валерьевич Ермачихин,Дмитрий Сергеевич Кусакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-11-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.