Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 강유전체막, 강유전체 메모리 장치, 압전 소자, 반도체소자, 압전 액츄에이터, 액체 분사 헤드, 및 프린터

강유전체막, 강유전체 메모리 장치, 압전 소자, 반도체소자, 압전 액츄에이터, 액체 분사 헤드, 및 프린터

Номер патента: KR100738303B1
Опубликовано: 12-07-2007
Автор(ы): 고지 오하시, 다께시 기지마, 야스아끼 하마다, 에이지 나또리
Принадлежит: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

PBNZT ferroelectric film, sol-gel solution, film forming method and method for producing ferroelectric film

Номер патента: US09966527B2. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

III-V compound semiconductor device with a polycrystalline structure with minimum grain size of 0.6 μm and printer and display device utilizing the same

Номер патента: US5659184A. Автор: Hiroyuki Tokunaga,Hideshi Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-08-19.

Method for producing ferroelectric film element, and ferroelectric film element and ferroelectric memory element produced by the method

Номер патента: US5851841A. Автор: Masayoshi Koba,Hironori Matsunaga,Yasuyuki Ito,Maho Ushikubo,Seiichi Yokoyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20050271823A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Precursor composition, method for manufacturing precursor composition, method for manufacturing ferroelectric film, piezoelectric element, semiconductor device, piezoelectric actuator, ink jet recording head, and ink jet printer

Номер патента: US20090184290A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Mayumi Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Use of calcium and strontium dopants to improve retention performance in a PZT ferroelectric film

Номер патента: US5800683A. Автор: Lee Kammerdiner,Tom Davenport,Domokos Hadnagy. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Ferroelectric film, ferroelectric memory, and piezoelectric element

Номер патента: US20050167712A1. Автор: Takeshi Kijima,Yasuaki Hamada,Hiromu Miyazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of forming ferroelectric film

Номер патента: US20040259275A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Silicon substrate having ferroelectric film attached thereto

Номер патента: US09799821B2. Автор: Toshihiro Doi,Nobuyuki Soyama,Hideaki Sakurai. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050153462A1. Автор: Hisashi Yano,Shinichiro Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device and method and system for fabricating the same

Номер патента: US20040155279A1. Автор: Shinichiro Hayashi,Yoshihisa Nagano,Yuji Judai,Toshie Kutsunai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for producing semiconductor device, semiconductor device, electronic device, method for producing semiconductor epitaxial substrate, and semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20230335400A1. Автор: Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Piezoelectric device and method for manufacturing the same, piezoelectric actuator, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US8870352B2. Автор: Masao Nakayama,Hideki Hahiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for producing ferroelectric film element, and ferroelectric film element and ferroelectric memory element produced by the method

Номер патента: EP0766292A2. Автор: Masayoshi Koba,Hironori Matsunaga,Yasuyuki Ito,Maho Ushikubo,Seiichi Yokoyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-02.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20240130125A1. Автор: Masayuki Kitamura,Hiroshi Toyoda,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Takayuki Beppu,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12107030B2. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Direct liquid injection system and method for forming multi-component dielectric films

Номер патента: WO2006023501A3. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Tech Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Use of ambient-robust solution processing for preparing nanoscale organic ferroelectric films

Номер патента: EP3192108A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-07-19.

Ferroelectric memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2865007A1. Автор: Johannes Frantti,Yukari Fujioka. Владелец: Fujioka Yukari. Дата публикации: 2015-04-29.

Method of forming a piezoelectric actuator

Номер патента: US09825215B2. Автор: Franz Rinner,Dieter Somitsch,Martin Galler,Reinhard Gabl,Christoph Auer,Georg Kuegerl,Jan-Thorsten Reszat. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Ferroelectric film with ferroelectric domain array and method for forming same

Номер патента: US20070072010A1. Автор: Jian Wu,Zhong-Qing Wu,Wen-Hui Duan,Bing-Lin Gu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679904B2. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Ferroelectric tunnel junction unit, a manufacturing method of a ferroelectric film thereof, a memory element, and a method of reading and writing the memory

Номер патента: US20180366477A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020177243A1. Автор: Yoshimasa Horii,Brian Eastep,Katsuyoshi Matsuura,Fan Chu,Mari Tani,Glen Fox. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Ferroelectric film with ferroelectric domain array

Номер патента: US7604877B2. Автор: Jian Wu,Zhong-Qing Wu,Wen-Hui Duan,Bing-Lin Gu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150221659A1. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

Ferroelectric film, manufacturing method therefor, and electronic component

Номер патента: US20240250145A1. Автор: Eisuke Tokumitsu,Shingo Yoneda,Tadasu Hosokura,Takaaki Miyasako. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Analog non-volatile memory device using poly ferroelectric film with random polarization directions

Номер патента: US11856784B2. Автор: Chih-Sheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030162394A1. Автор: Koichi Takemura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Analog non-volatile memory device using poly ferrorelectric film with random polarization directions

Номер патента: US20240114691A1. Автор: Chih-Sheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

manufacturing method of ferroelectric film, capacator adopting the film and menufacturing method of the capacator

Номер патента: KR100360468B1. Автор: 이완인. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-24.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Interface film to mitigate size effect of memory device

Номер патента: US12035537B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same

Номер патента: US20200203381A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Alan Kalitsov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286988A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Methods of fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20190019683A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for forming a ferroelectric memory device

Номер патента: US20020001859A1. Автор: Nam-Soo Kang,Bee-Lyong Yang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US12051751B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US11985828B2. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20210151463A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20220262822A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20200279860A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: CA3213630A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2022-09-22.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20070111335A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Ferroelectric memory device using back-end-of-line (BEOL) thin film access transistors and methods for forming the same

Номер патента: US11943933B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230328997A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Ferroelectric memory device using back-end-of-line (beol) thin film access transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240196625A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of manufacturing semiconductor devices from multi-device semiconductor wafers

Номер патента: US12033855B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Soo Kyung Kim,Woo Jin Jung,Jang Hoon Kim,Young Kuk Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Substrate for semiconductor device, semiconductor component and method of manufacturing same

Номер патента: US20240162377A1. Автор: Qihua ZHANG,Songrui ZHAO. Владелец: Royal Institution for the Advancement of Learning. Дата публикации: 2024-05-16.

Ferroelectric memory devices including patterned conductive layers

Номер патента: US6359295B2. Автор: Mi-Hyang Lee,Dong-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-19.

Ferroelectric memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3128534A3. Автор: Jan Van Houdt,Voon Yew Thean. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-12.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20210013345A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230054290A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for the fabrication of ferroelectric films

Номер патента: US20020185374A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

PIEZOELECTRIC ACTUATOR, PIEZOELECTRIC DRIVE DEVICE, ROBOT, ELECTRONIC COMPONENT TRANSPORT APPARATUS, AND PRINTER

Номер патента: US20190103550A1. Автор: KONISHI Akio,KOBAYASHI Tomokazu,KISHIDA Mitsumi. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US11742014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20240365568A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20160336057A1. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230402084A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090051020A1. Автор: Masaru Koyanagi,Takashi Taira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

A method of manufacturing a static semiconductor memory device and a bipolar transistor, and a semiconductor device having the same

Номер патента: KR970072408A. Автор: 히로키 혼다,토모히사 와다,히로토시 사토. Владелец: 미쓰비시 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20230299152A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US12062691B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Microelectronic devices designed with package integrated variable capacitors having piezoelectric actuation

Номер патента: WO2019005020A1. Автор: Feras Eid,Thomas L. SOUNART,Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of making liquid discharge head, liquid discharge head, liquid discharge apparatus having liquid discharge head, and manufacturing apparatus of liquid discharge head

Номер патента: US9202717B2. Автор: Xianfeng Chen,Atsushi Takeuchi,Osamu Machida,Akira Shimofuku,Ryo Tashiro. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Method of making liquid discharge head, liquid discharge head, liquid discharge apparatus having liquid discharge head, and manufacturing apparatus of liquid discharge head

Номер патента: US20130169713A1. Автор: Xianfeng Chen,Atsushi Takeuchi,Osamu Machida,Akira Shimofuku,Ryo Tashiro. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20060281248A1. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Capacitor and semiconductor device having a ferroelectric material

Номер патента: US20090101954A1. Автор: Kenji Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

Capacitor and semiconductor device having a ferroelectric material

Номер патента: US7898012B2. Автор: Kenji Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor device having ferroelectric capacitor structures

Номер патента: US5990507A. Автор: Hiroshi Mochizuki,Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya,Susumu Shuto,Kumi Okuwada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Capacitor, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20040108531A1. Автор: Kenji Murayama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Capacitor, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20050190589A1. Автор: Kenji Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139881A1. Автор: Koji Takaya. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7338815B2. Автор: Yukinobu Hikosaka,Hirotoshi Tachibana. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020190290A1. Автор: Yoshihiro Uozumi,Tomohiro Saito,Katsuaki Natori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060038215A1. Автор: Tomohiro Saito,Katsuaki Natori,Yoshihiro Vozumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243640A1. Автор: Hiroaki Tamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10453514B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11758737B2. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20200203339A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20230275086A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068245B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor mounting device, and memory device manufactured by method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180096980A1. Автор: Yoshinori Miyamoto,Yoshiyuki Arai,Noboru Asahi,Masatsugu Nimura,Shimpei Aoki. Владелец: Toray Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus

Номер патента: US20220278210A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Masashi Yanagita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20220037206A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11621193B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20230207391A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US20140225236A1. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230065769A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, semiconductor module, and packaged semiconductor device

Номер патента: US11069783B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Mitsuaki Sakamoto,Toshikazu Imai,Yasuyuki Masumoto,Shigetoshi Sota,Tomonari OOTA,Masaaki HIRAKO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-20.

Memory device, semiconductor die, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282770A1. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, semiconductor circuit, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240213309A1. Автор: Atsushi Ito,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240322028A1. Автор: Katsuji Matsumoto,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520409B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09502381B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US09496226B2. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20140103529A1. Автор: Kenji Matsumoto,Atsushi Gomi,Tatsuo Hatano,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Liquid injection device

Номер патента: EP4400216A1. Автор: Chuan-Chang Feng. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Liquid injection device

Номер патента: US20240238823A1. Автор: Chuan-Chang Feng. Владелец: Scientech Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Laser annealing method for semiconductor device, semiconductor device, laser annealing method, control device of laser annealing apparatus, and laser annealing apparatus

Номер патента: US12062544B2. Автор: Takashi Yoshimura,Takeshi Aiba,Hiroshi TAKISHITA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240313120A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Hiroki Okuyama,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, semiconductor device design method, semiconductor device design apparatus, and program

Номер патента: US09589893B2. Автор: Masayuki Tsukuda,Masafumi TOMODA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, and packaging techniques for impedance matching and/or low frequency terminations

Номер патента: US09484222B2. Автор: Lu Li,Lakshminarayan Viswanathan,Michael E. Watts,Mahesh K. Shah,Hussain H. Ladhani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074685A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240015974A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411533A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device, semiconductor device layout, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09613953B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277191A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230371274A1. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US8691686B2. Автор: Ikue Mitsuhashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20080179759A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing device, and system

Номер патента: US20230223251A1. Автор: Koji Akiyama,Yoji Iizuka,Mitsuaki Iwashita,Kenji Sekiguchi,Takashi Hayakawa,Hirokazu Ueda,Naoki UMESHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device tape carrier, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor module device

Номер патента: US20080061432A1. Автор: Kenji Toyosawa,Toshiharu Seko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US10971415B2. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20200321258A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Kyoko Kojima,Hiroyuki Matsushima. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for manufacturing semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20110121311A1. Автор: Fumitaka Sato,Naoki Matsumoto,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yoko MAEDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20190131258A1. Автор: Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device, semiconductor module, and packaged semiconductor device

Номер патента: US20190157403A1. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Mitsuaki Sakamoto,Toshikazu Imai,Yasuyuki Masumoto,Shigetoshi Sota,Tomonari OOTA,Masaaki HIRAKO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods for manufacturing semiconductor chips, methods for manufacturing semiconductor devices, semiconductor chips, semiconductor devices, connection substrates and electronic devices

Номер патента: US20010021582A1. Автор: Eiichi Sato,Tadashi Komiyama,Akitoshi Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, power supply circuit, and computer

Номер патента: US20190280111A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Akira Mukai,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11990373B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20030087500A1. Автор: Mitsuhiro Mori,Keiichi Yoshizumi,Hiromichi Waki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-08.

Ferroelectric capacitor and its manufacturing method, and ferroelectric memory device

Номер патента: US20060073616A1. Автор: Takeshi Kijima,Koji Ohashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Method for fabricating nonvolatile ferroelectric memory

Номер патента: US6333201B1. Автор: Ki Hyun Yoon,Ki Young Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230345734A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Ferroelectric capacitor and its manufacturing method and ferroelectric memory device

Номер патента: US20070029594A1. Автор: Tatsuo Sawasaki,Hiroyuki Mitsui,Hiroaki Tamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060076594A1. Автор: Toshio Ito. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor memory device including capacitor with conductive hydrogen diffusion prevention wiring film

Номер патента: US7291879B2. Автор: Toshio Ito. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Ferroelectric memory device guaranteeing electrical interconnection between lower capacitor electrode and contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: US6020233A. Автор: Jae Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

Номер патента: US6828611B2. Автор: Hyun-Ho Kim,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060284224A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187550A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454020A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1223622A3. Автор: Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA,Kenji c/o Fujitsu Limited Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107138B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12009425B2. Автор: Takahiro Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device including ferroelectric capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: US20030224538A1. Автор: Yoichi Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11646376B2. Автор: Eiji Tsukuda,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor device including an electrode lower layer and an electrode upper layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831255B2. Автор: Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Ferroelectric film and method for manufacturing the same

Номер патента: US09486834B2. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of preparing programmable diode, programmable diode and ferroelectric memory

Номер патента: US20230397429A1. Автор: Ming Liu,Qing LUO,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-07.

Ferroelectric tunnel junction memory devices with enhanced read window

Номер патента: US20230403864A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Yi-Hsuan Chen,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong,Wei Ting Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230083989A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20060239060A1. Автор: Yasuhiro Shimada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133597A1. Автор: Takayuki Okada,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100072525A1. Автор: Yoshinori Kumura,Tohru Ozaki,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349509A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device using ferroelectric capacitor

Номер патента: US5909389A. Автор: Kazuhide Abe,Takashi Kawakubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-06-01.

Semiconductor device and fabrication method for the same, and light modulation device and fabrication method for the same

Номер патента: US20090294906A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275139A1. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device having MFMIS transistor and increased data storage time

Номер патента: US6509594B2. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Ferroelectric structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230207659A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20200251551A1. Автор: Wensheng Wang,Kazuaki Takai,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Manufacture method for semiconductor device capable of preventing reduction of ferroelectric film

Номер патента: US20100068829A1. Автор: Katsuyoshi Matsuura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240164107A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Ferroelectric structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20200203498A1. Автор: Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of driving nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US20140016395A1. Автор: Yukihiro Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060043445A1. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Multi-layer approach for optimizing ferroelectric film performance

Номер патента: US6080499A. Автор: Brian Lee Eastep. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230403858A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Ferroelectric Film with Buffer Layers for Improved Reliability of Metal-Insulator-Metal Capacitor

Номер патента: US20230420491A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando,Miaomiao Wang,Kisik Choi,Ernest Y. Wu,Paul Charles Jamison,Huimei Zhou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120181659A1. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Ferroelectric film with buffer layers for improved reliability of metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: WO2024002681A1. Автор: Lawrence Clevenger,Takashi Ando,Miaomiao Wang,Kisik Choi,Paul Charles Jamison,Huimei Zhou,Ernest Wu. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240164112A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryo Ogura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Piezoelectric device, piezoelectric actuator, hard disk drive, and inkjet printer apparatus

Номер патента: US09614463B2. Автор: Yasuhiro Aida,Yuiko HIROSE. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Ferroelectric film and method for manufacturing the same

Номер патента: US9793464B2. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Ferroelectric film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170025597A1. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, and manufacturing method of piezoelectric actuator

Номер патента: US11258003B2. Автор: Keita Hirai,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Method of manufacturing semiconductor device using a ferroelectric film over a source region

Номер патента: US5229309A. Автор: Koji KATO. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11973119B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145552A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having capacitor with upper electrode of conductive oxide and its manufacture method

Номер патента: US20060273368A1. Автор: Yasutaka Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor device and dielectric film

Номер патента: US10403815B2. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09461244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Piezoelectric device, piezoelectric actuator, hard disk drive, and inkjet printer apparatus

Номер патента: US20150229238A1. Автор: Yasuhiro Aida,Yuiko HIROSE. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20060038270A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20030080417A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09941304B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09407269B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional memory device containing epitaxial ferroelectric memory elements and methods for forming the same

Номер патента: US20210036018A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Stacked ferroelectric memory devices, methods of manufacturing the same, ferroelectric memory circuits and methods of driving the same

Номер патента: US20070189056A1. Автор: Byoung-Jae Bae,Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Heung-jin Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20130140676A1. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20130143333A1. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Ferroelectric memory device and operation method thereof

Номер патента: US11765907B2. Автор: Masaharu Kobayashi,Toshiro Hiramoto,Fei MO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20030087480A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09847123B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09825221B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US09705066B2. Автор: Yoichi Naganuma,Toshiaki Hamaguchi,Eiju Hirai,Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09564576B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Piezoelectric actuator, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US11648774B2. Автор: Eiju Hirai,Takanori Aimono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Piezoelectric Actuator, Liquid Ejecting Head, And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20210060946A1. Автор: Eiju Hirai,Takanori Aimono. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411072A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional memory device containing ferroelectric memory elements encapsulated by transition metal nitride materials and method of making thereof

Номер патента: US20210050371A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Piezoelectric Actuator, Liquid Discharge Head, and Manufacturing Method of Piezoelectric Actuator

Номер патента: US20190097122A1. Автор: Keita Hirai,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3881355A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-22.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US20160336334A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-11-17.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: EP2724342A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2014-04-30.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US09412705B2. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-08-09.

Piezoelectric element, droplet discharge head, ferroelectric memory, and piezoelectric actuator

Номер патента: EP4350790A1. Автор: Shintaro Hara,Yuji Matsushita,Hideki Mashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-04-10.

Piezoelectric driving device, electronic-component-transporting device, robot, projector, and printer

Номер патента: US20180294747A1. Автор: Yutaka Arakawa,Tomohisa IWAZAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041783B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: US20240284680A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240324235A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-level ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954000B2. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Embedded ferroelectric FinFET memory device

Номер патента: US12150311B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US11296117B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-05.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Piezoelectric device, piezoelectric vibrating piece, and method for manufacturing piezoelectric vibrating piece

Номер патента: US20190097123A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshiharu Sato,Hirokazu Iwata. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US20210175254A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-10.

Piezoelectric Device, Liquid Ejection Head, And Printer

Номер патента: US20200075837A1. Автор: Takayuki YONEMURA,Yasuto KAKEMURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Piezoelectric actuator, variable capacitor, and optical deflection device

Номер патента: US20120250130A1. Автор: Takayuki Naono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Ferroelectric memory device with stacked capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298452A1. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Piezoelectric actuators optimized for synthetic jet actuators

Номер патента: US09803666B2. Автор: Steven F. Griffin,Edward A. Whalen,Marthinus Cornelius van Schoor,Conor Clery. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and device for repolarizing a piezoelectric actuator of an injector of an internal combustion engine of a used vehicle

Номер патента: US09745930B2. Автор: Michael Leblon,Yves Agnus,Alain Atanasyan. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Ferroelectric memories,and method of activating the same

Номер патента: US3820088A. Автор: R Thomas,A Hadni. Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1974-06-25.

Memory device containing composition-controlled ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064991A1. Автор: Joyeeta Nag,Fei Zhou,Tiffany Santos,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device containing composition-controlled ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064992A1. Автор: Joyeeta Nag,Fei Zhou,Tiffany Santos,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268339A1. Автор: Shosuke Fujii,Toshiyuki Sasaki,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US10804295B2. Автор: Yong Soo Choi,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Three-dimensional memory device containing templated crystalline ferroelectric memory elements and method of making thereof

Номер патента: US20240008281A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device, semiconductor device, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11716859B2. Автор: Carlos H. Diaz,Shy-Jay Lin,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US8467223B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: US20220236785A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US20120033478A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Memory device, semiconductor device, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230329005A1. Автор: Carlos H. Diaz,Shy-Jay Lin,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20220285396A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Memory device containing ferroelectric-spacer-ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064995A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

A memory device and methods for operating the same

Номер патента: WO2006091108A1. Автор: Göran Gustafsson,Per-Erik Nordal,Hans Gude Gudesen,Peter Dyreklev,Isak Engquist. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-08-31.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20230269947A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus

Номер патента: WO2013161595A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240206191A1. Автор: Zhenyu Lu,Jianhua Sun,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20240213360A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Yasuhiro Nakasha,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, semiconductor device fabrication method, and electronic device

Номер патента: US20230275001A1. Автор: Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Junya Yaita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20230317839A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US11936305B2. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device, semiconductor module, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230006571A1. Автор: Koichi Masuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Piezoelectric device, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20210162761A1. Автор: Koji Sumi,Toshihiro Shimizu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device, semiconductor module and vehicle

Номер патента: EP3761361A1. Автор: Akihiro Osawa,Tomoya Nakayama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-06.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20020135068A1. Автор: Toshiyuki Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices

Номер патента: US20020056841A1. Автор: Koichi Miyazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor module

Номер патента: US20240355693A1. Автор: Katsuya Sato,Shogo Minami,Keiichiro Matsuo,Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Piezoelectric actuator

Номер патента: US09806250B2. Автор: Hubert Lachner,Michael Förg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Micropositioning device with multidegrees of freedom for piezoelectric actuators and associated method

Номер патента: US09791491B2. Автор: Joel Agnus,Ioan Alexandru Ivan,Manitrarivo Rakotondrabe. Владелец: Ecole Nationale Superieure De Mecanique Et Des Microtechniques. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Piezoelectric actuator and head suspension

Номер патента: US09559285B2. Автор: Shogo Imuta. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09543228B2. Автор: Nobumasa Hasegawa,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for current-controlling at least one piezoelectric actuator of a fuel injector of an internal combustion engine

Номер патента: US09502633B2. Автор: Michael Leblon,Jérémie MEMAIN,Alain Atanasyan. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Wire clamp with piezoelectric actuator and method and apparatus for applying a preload force to the piezoelectric actuator

Номер патента: US09446524B2. Автор: Yue Zhang,Zheng Yu LIN,Chong Hao Chen. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Writing to ferroelectric memory devices

Номер патента: US20050231996A1. Автор: Craig Salling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Multibit ferroelectric memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11450687B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Roshan TIRUKKONDA,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-20.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices with improved ferroelectric properties

Номер патента: US7488628B2. Автор: Ki-nam Kim,Yoon-Jong Song,Nak-Won Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Ferroelectric memory devices with reduced edge defects and methods for forming the same

Номер патента: US11839087B2. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240055517A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Kuo-Chang Chiang,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Ferroelectric random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040013014A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US11854619B2. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US20230230637A1. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Ferroelectric memory devices with reduced edge leakage and methods for forming the same

Номер патента: US20220005829A1. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411553A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

3d ferroelectric memory

Номер патента: US20210126013A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

3d ferroelectric memory

Номер патента: US20230363171A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing an inkjet print head and an inkjet print head with induced crystal phase change actuation

Номер патента: US11056638B2. Автор: Franciscus R. Blom. Владелец: Canon Production Printing Holding BV. Дата публикации: 2021-07-06.

Ferroelectric memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3966864A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Methods for forming ferroelectric memory devices

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240172447A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric memory device erasure

Номер патента: WO2024051446A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

3D ferroelectric memory

Номер патента: US11770935B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US20230377651A1. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304315A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Ferroelectric memory device erasure

Номер патента: US20240088065A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing an inkjet print head and an inkjet print head with induced crystal phase change actuation

Номер патента: US20200111947A1. Автор: Franciscus R. Blom. Владелец: Oce Holding BV. Дата публикации: 2020-04-09.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Liquid discharge apparatus, piezoelectric actuator, and method for producing liquid discharge apparatus

Номер патента: US20140292935A1. Автор: Atsushi Ito. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4365901A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Piezoelectric device and liquid ejecting head

Номер патента: US20220314621A1. Автор: Tatsuo Sawasaki,Masao Nakayama,Yasushi Yamazaki,Toshihiro Shimizu,Osamu Tonomura,Harunobu Koike,Chihiro NISHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device, semiconductor module, and vehicle

Номер патента: US20210013141A1. Автор: Akihiro Osawa,Tomoya Nakayama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and electronic device

Номер патента: US20170271516A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Ferroelectric memory having a BaTiO3 recording layer oriented in a <111> direction

Номер патента: US6510074B2. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with i/o switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US20240311006A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-destructive readout ferroelectric memory as well as method of preparing the same and method of operating the same

Номер патента: US09685216B2. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Zilong BAI,Wenping GENG. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-20.

Stackable piezoelectric actuator component

Номер патента: US09455397B2. Автор: Reinhard Gabl. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2016-09-27.

Three-dimensional ferroelectric memory device and method of making thereof

Номер патента: US9941299B1. Автор: Christopher Petti,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Piezoelectric Actuators Optimized for Synthetic Jet Actuators

Номер патента: US20160333904A1. Автор: Steven F. Griffin,Edward A. Whalen,Marthinus Cornelius van Schoor,Conor Clery. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-11-17.

Virtual resistive load in feedback loop driving a piezoelectric actuator

Номер патента: US20200350837A1. Автор: Lawrence Spadaccia. Владелец: Advanced Energy Industries Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240008289A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Inkjet head and piezoelectric actuator

Номер патента: US11285722B2. Автор: Takashi Aiba,Keiji Kura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: WO2020263338A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240074205A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: EP4376567A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Techniques to manufacture ferroelectric memory devices

Номер патента: US20230395113A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Inkjet head and piezoelectric actuator

Номер патента: US20210300041A1. Автор: Takashi Aiba,Keiji Kura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and apparatus comprising same

Номер патента: US20070069362A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Satoshi Isa,Hiroki Fujisawa,Fumiyuki Osanai,Satoshi Itaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of manufacturing piezoelectric actuator, piezoelectric actuator, and robot

Номер патента: US20220093846A1. Автор: Noboru Furuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Piezoelectric actuator and fluid control valve

Номер патента: US20200185588A1. Автор: Tadahiro Yasuda,Shigeyuki Hayashi. Владелец: Horiba Stec Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor devices, semiconductor packages, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11728297B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ho-Jin Lee,Kwang-jin Moon,Ju-Il Choi,Dong-Chan Lim,Ju-Bin Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device including vertical wire bonds

Номер патента: US11749647B2. Автор: Junrong Yan,Xiaofeng Di,Xin Lu,Qi Deng,Cong Zhang,Weili Wang,Chin-Tien Chiu,CheeKeong Chin,Chaur Yang Ng,Chenlin Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Housing for semiconductor devices, semiconductor device pin, and method for the manufacturing of pins

Номер патента: US20040197978A1. Автор: Christian Stocken,Georg Eggers,Manfred Dobler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Semiconductor device, semiconductor module, and lead frame

Номер патента: US20240363507A1. Автор: Hayato Nakano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Piezoelectric actuator, piezoelectric vibration device, and portable terminal

Номер патента: US09985195B2. Автор: Hiroshi Mori. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Piezoelectric actuator, piezoelectric vibration apparatus, and portable terminal

Номер патента: US09899591B2. Автор: Michiya Murakami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Piezoelectric actuating device and valve equipped therewith

Номер патента: US09698335B2. Автор: Hannes Wirtl,Jens Anderle,Gerd Hoitz,Gino PALERMO. Владелец: Festo SE and Co KG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device, semiconductor device package, and lightning apparatus

Номер патента: US09583687B2. Автор: Seok Min Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Piezoelectric actuator and method of manufacturing piezoelectric actuator

Номер патента: US09466779B2. Автор: Takamasa Usui,Yasuhiro Sekiguchi,Tomohiro Nodsu. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Arrangement for driving and drive method for a piezoelectric actuator

Номер патента: US09450521B2. Автор: Uwe Jung. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device, and methods of fabricating and utilizing same

Номер патента: US4707897A. Автор: George A. Rohrer,Larry McMillan. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Memory Device, Semiconductor Device, and Driving Method Thereof

Номер патента: US20080144349A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Konami Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of forming an amorphous ferroelectric memory device

Номер патента: US7713754B2. Автор: Robert Bicknell,Timothy Mellander. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-05-11.

Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices

Номер патента: US5191510A. Автор: Maria Huffman. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1993-03-02.

Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20240021700A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Hsin-Yu Lai,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11910617B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Ferroelectric memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230120089A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20180277550A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20200176458A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US10593699B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Embedded ferroelectric FinFET memory device

Номер патента: US11832450B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Ferroelectric memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4184511A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Piezoelectric Actuator

Номер патента: US20220102617A1. Автор: Takashi Aiba,Keiji Kura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US11916127B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Hsin-Yu Lai,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile ferroelectric memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070194360A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-23.

Embedded ferroelectric finfet memory device

Номер патента: US20230403860A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: US20240164108A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US7517703B2. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Oscillating structure with piezoelectric actuation, system and manufacturing method

Номер патента: US20180031823A1. Автор: Sebastiano Conti,Roberto Carminati,Massimiliano Merli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-01.

Piezoelectric actuating apparatus

Номер патента: US20240023447A1. Автор: Kai-Chih Liang,Hao-Chien Cheng,Ming-Ching Wu,Wei-Leun Fang. Владелец: Coretronic Mems Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Fin structure for increasing performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20230345733A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230225130A1. Автор: Zhiqiang Wu,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243641A1. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-18.

Method of forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20230363173A1. Автор: Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Fast response active clearance systems with piezoelectric actuator in axial, axial/radial combined, and circumferential directions

Номер патента: US20230358147A1. Автор: Tyler F. Hooper,Taehong KIM. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-09.

Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same

Номер патента: US20210264959A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Ferroelectric memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20040173829A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230165012A1. Автор: MUSARRAT Hasan,Bongjin Kuh,Yongho Ha,Gabjin Nam,Geonju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304316A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240015983A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20240049472A1. Автор: Yongseok Kim,Daewon HA,Hyuncheol Kim,Kiheun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Angular piezoelectric actuator for a mems shutter and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210405346A1. Автор: Domenico Giusti,Massimiliano Merli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-12-30.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240172448A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric memory and electronic apparatus

Номер патента: US20020155666A1. Автор: Eiji Natori,Kazumasa Hasegawa,Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Improved replacement electrode process for 3d ferroelectric memory

Номер патента: US20240114696A1. Автор: Christopher Neumann,Brian Doyle,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Cory Weinstein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20060049442A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

1s-1t ferroelectric memory

Номер патента: US20220130443A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Gated ferroelectric memory cells for memory cell array and methods of forming the same

Номер патента: US12069868B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus

Номер патента: US20240304694A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Atsushi KURANOUCHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Gated Ferroelectric Memory Cells for Memory Cell Array and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240357834A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for driving photosensor, method for driving semiconductor device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09848149B2. Автор: Takeshi Aoki,Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Multilevel ferroelectric memory cell for an integrated circuit

Номер патента: US09830969B2. Автор: Stefan Slesazeck,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: NaMLab GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Ferroelectric memory and methods of forming the same

Номер патента: US09768181B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Gate control device, semiconductor device, and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US09621153B2. Автор: Kentaro Ikeda,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2664894C1. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-23.

Piezoelectric device including displacement amplification of scissor-hinge structure

Номер патента: US11533003B2. Автор: Yun-jeong Kim,Hye Jin Kim,Hanbit Jin,YuLim MIN,Wooseup Youm,JoonMin LEE,Chan-Hwa HONG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device, semiconductor laser, and high electron mobility transistor

Номер патента: US5734670A. Автор: Kenichi Ono,Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Capacitor electrode for a ferroelectric memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: EP1632990A2. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-08.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004079822A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-09-16.

Three-dimensional vertical single transistor ferroelectric memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11839085B2. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Zhaozhao HOU,Chaolei Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20190301946A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20210010871A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20220307913A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Piezoelectric Actuator and Inspection Method for Piezoelectric Actuator

Номер патента: US20220102615A1. Автор: Takashi Aiba,Keiji Kura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device, semiconductor device design method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230386983A1. Автор: Kenji Fujii,Hiroaki Matsubara,Taro Nishioka,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Ferroelectric memory chiplet as unified memory in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US11844223B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device, semiconductor testing device, and semiconductor device testing method

Номер патента: US11927622B2. Автор: Masashi Tokunaga. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4266312A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Yichen FANG,Zhaozhao HOU,Sitong BU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Semiconductor device, semiconductor storage device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220399349A1. Автор: Nobuaki OKADA,Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US11984440B2. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell

Номер патента: US20210151445A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Simon Fichtner. Владелец: Christian Albrechts Universitaet Kiel. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device, semiconductor component and display panel including the same

Номер патента: US20240186449A1. Автор: Min-Hsun Hsieh,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Ferroelectric semiconductor device and method for producing a memory cell

Номер патента: US11672127B2. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Simon Fichtner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-06.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4339950A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Piezoelectric device and method for manufacturing the same, piezoelectric actuator, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20110134194A1. Автор: Masao Nakayama,Hideki Hahiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Ferroelectric film phase shifter and wafer-level phased array chip system

Номер патента: US12046789B1. Автор: Ziyu Wang,Min Liao,Yunpeng Li,Yichun ZHOU,Maliang LIU,Jiajia LIAO. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-23.

Piezoelectrically actuated liquid metal switch

Номер патента: GB2385989A. Автор: Marvin Glenn Wong. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-09-03.

Liquid injection device and liquid injection method

Номер патента: EP4354648A1. Автор: Zhiming Wang,Caixia HUANG,Qiming Shi. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

End cover assembly, secondary battery, battery module, appratus, liquid-injection method and device

Номер патента: US12100867B2. Автор: PENG Wang,Quankun Li,Chengyou Xing,Qichang CAI,Wenwei Chen,Libin Zhong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Centrifugal battery liquid injection mechanism and liquid injection method thereof

Номер патента: US11894581B2. Автор: JIN Zhang,Jing Zhang,Chenghua Luo,Junhui Zheng,Shuli LU,Qingyi WANG,Yangqing LUO. Владелец: SHENZHEN GREENSUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Centrifugal battery liquid injection mechanism and liquid injection method thereof

Номер патента: US20230299445A1. Автор: JIN Zhang,Jing Zhang,Chenghua Luo,Junhui Zheng,Shuli LU,Qingyi WANG,Yangqing LUO. Владелец: SHENZHEN GREENSUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Liquid injection device and liquid injection method

Номер патента: US20220285806A1. Автор: Tomomichi Naka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Liquid injection nozzle, and liquid injection device having same

Номер патента: EP4372902A1. Автор: Zhiming Wang,Minghao Tang,Shengwu Zhang,Dongfeng Wang,Caixia HUANG,Siyu MIAO,Guanzhou LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Centrifugal battery liquid injection mechanism and liquid injection method thereof

Номер патента: US20240128622A1. Автор: JIN Zhang,Jing Zhang,Chenghua Luo,Junhui Zheng,Shuli LU,Qingyi WANG,Yangqing LUO. Владелец: SHENZHEN GREENSUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Centrifugal battery liquid injection mechanism and liquid injection method thereof

Номер патента: EP4249129A1. Автор: JIN Zhang,Jing Zhang,Chenghua Luo,Junhui Zheng,Shuli LU,Qingyi WANG,Yangqing LUO. Владелец: SHENZHEN GREENSUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Centrifugal battery liquid injection mechanism and liquid injection method thereof

Номер патента: US11996587B2. Автор: JIN Zhang,Jing Zhang,Chenghua Luo,Junhui Zheng,Shuli LU,Qingyi WANG,Yangqing LUO. Владелец: SHENZHEN GREENSUN TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and stencil mask

Номер патента: US20060071183A1. Автор: Takeshi Shibata,Hisanori Misawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Position control of piezoelectric actuators for use in antenna arrays

Номер патента: WO2001031712A1. Автор: James R. Phillips. Владелец: CTS Corporation. Дата публикации: 2001-05-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09698569B2. Автор: Isao Watanabe,Satoshi Ae,Tetsuro Okuda,Shoutarou KITAMURA,Suguru Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Optical semiconductor device, semiconductor laser module, and optical fiber amplifier

Номер патента: US09601905B2. Автор: Hirokazu Itoh,Junji Yoshida,Yuichiro Irie,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Electricity storage device comprising a covering member for a liquid injection hole

Номер патента: US11955592B2. Автор: Hiroyuki Yamada,Hiroshi Takabayashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Electricity storage device comprising a covering member for a liquid injection hole

Номер патента: US20240213513A1. Автор: Hiroyuki Yamada,Hiroshi Takabayashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Narrow-pitch connector, pitch converter, micromachine, piezoelectric actuator, electrostatic actuator, ink-jet head, ink-jet printer, liquid crystal device, and electronic apparatus

Номер патента: EP1094029A4. Автор: Eiichi Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-06-05.

End cover assembly, secondary battery, battery module, appratus, liquid-injection method and device

Номер патента: US20230395958A1. Автор: PENG Wang,Quankun Li,Chengyou Xing,Qichang CAI,Wenwei Chen,Libin Zhong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Welding assembly for liquid-injection hole of secondary battery

Номер патента: US20180138492A1. Автор: Lei Zhang,Chao Yang,Yuqian WEN,Wenfa LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

End cover assembly, secondary battery, battery module, apparatus, liquid-injection method and device

Номер патента: US11777184B2. Автор: PENG Wang,Quankun Li,Chengyou Xing,Qichang CAI,Wenwei Chen,Libin Zhong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Piezoelectric actuator

Номер патента: US20070228874A1. Автор: Kazumasa Takatori,Masaya Nakamura,Toshiatsu Nagaya,Hisaaki Takao,Yasuyoshi Saito,Tatsuhiko Nonoyama,Takahiko Homma. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Piezoelectric actuator

Номер патента: EP1791193B1. Автор: Kazumasa Takatori,Masaya Nakamura,Toshiatsu Nagaya,Hisaaki Takao,Yasuyoshi Saito,Tatsuhiko Nonoyama,Takahiko Homma. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-06-13.

Piezoelectric device, piezoelectric device manufacturing method, and liquid discharge apparatus

Номер патента: EP2319103A1. Автор: Takamichi Fujii,Takehiro Kasahara,Takayuki Naono,Yasukazu Nihei,Yoshikazu Hishinuma,Yuuichi Okamoto,Takami Arakawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-05-11.

Ceramic composition for piezoelectric actuator and method of manufacturing the same, and piezoelectric actuator manufactured by using the same

Номер патента: US20120169183A1. Автор: Eun Tae Park,Boum Seock Kim,Seung Gyo Jeong. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: TW202243204A. Автор: 林毓超,邱榮標. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-01.

Semiconductor device managing address mapping of a semiconductor memory device and data storage device including the semiconductor device

Номер патента: US10747684B2. Автор: Yeong Jae Woo,Sang Lyul MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Method of manufacture of ferroelectric memory

Номер патента: US20030203511A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Piezoelectric device, piezoelectric actuator, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US8708463B2. Автор: Koji Ohashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-04-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100163944A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Ferroelectric memory and memory element thereof

Номер патента: US11837270B2. Автор: Toshiyuki Kobayashi,Jun Okuno. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor memory device, and semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240315041A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Takamasa HAMAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Piezoelectric Drive Device, Piezoelectric Motor, Robot, Electronic Component Transport Apparatus, And Printer

Номер патента: US20180287514A1. Автор: Yutaka Arakawa,Tomohisa IWAZAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Ferroelectric element and actuator using the same, and ink jet head and ink jet recording device

Номер патента: US20030156163A1. Автор: Osamu Watanabe,Shintaro Hara,Takanori Nakano,Kazuo Nishimura,Shogo Matsubara,Kazunari Chikanawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor memory device having ferroelectric film

Номер патента: US5345414A. Автор: Takashi Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-09-06.

Piezoelectric Actuator, Liquid Discharge Head, and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20110128328A1. Автор: Yasunori Kobayashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20240316932A1. Автор: Toshiaki Masuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20240316931A1. Автор: Kaname Morita,Takuma HIRABAYASHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Piezoelectric device, piezoelectric actuator having the same, liquid discharge apparatus, and power generating apparatus

Номер патента: US20100308692A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Yukio Sakashita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Piezoelectric element, piezoelectric actuator, liquid droplet discharging head, liquid droplet discharging device, and ferroelectric memory

Номер патента: EP4362649A1. Автор: Shintaro Hara,Yuji Matsushita,Hideki Mashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Piezoelectric device, piezoelectric actuator, piezoelectric pump, inkjet recording head, inkjet printer, surface acoustic wave device, thin-film piezoelectric resonator, frequency filter, oscillator, electronic circuit, and electronic instrument

Номер патента: US20060138906A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Koji Ohashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Three-dimensional ferroelectric memory device containing lattice-matched templates and methods of making the same

Номер патента: WO2022154827A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US9190136B2. Автор: Naoharu Shinozaki,Keizo Morita,Tomohisa Hirayama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Liquid jet apparatus, tank unit, and printer

Номер патента: US20180170064A1. Автор: Koji Kawai,Takanori Matsuda,Naomi Kimura,Shoma KUDO,Hidenao Suzuki,Takaaki Ishikawa,Tomoyuki Higuchi,Ekie Pumomo,Muhamad Gigih Agung PRATOMO,Muhamad AUF. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Piezoelectric actuator, liquid ejection head, and liquid ejection apparatus

Номер патента: US20120212546A1. Автор: Eiju Hirai,Chikara Kojima,Naoto Yokoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

Piezoelectric actuator, liquid ejection head, and liquid ejection apparatus

Номер патента: US8702197B2. Автор: Eiju Hirai,Chikara Kojima,Naoto Yokoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-04-22.

Piezoelectric actuator, liquid-jetting apparatus, and method for producing piezoelectric actuator

Номер патента: US20130083132A1. Автор: Taiki Tanaka,Keiji Kura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240224534A1. Автор: Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, semiconductor memory device and communication system

Номер патента: US09923627B2. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Piezoelectric Actuator

Номер патента: US20080048528A1. Автор: Ulrich Schoor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Piezoelectric actuator and method of manufacture therefor, and ink jet head and ink jet type recording device

Номер патента: US7196456B2. Автор: Takanori Nakano,Kazuo Nishimura,Masakazu Tanahashi,Shogo Matsubara,Masaichiro Tatekawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20060071256A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Piezoelectric Device, Liquid Ejecting Head, And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20230294404A1. Автор: Daisuke Nagano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Print system, program, and printer

Номер патента: US8970868B2. Автор: Daisuke Asai. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Piezoelectric device, liquid ejection head, and printer

Номер патента: EP3629387A1. Автор: Takayuki YONEMURA,Yasuto KAKEMURA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-04-01.

Image analyzer and printer with shared image scanning apparatus

Номер патента: US5953041A. Автор: Alain Frederic. Владелец: Sagem SA. Дата публикации: 1999-09-14.

Liquid discharge head, method of manufacturing liquid discharge head, and image forming device

Номер патента: US20120182356A1. Автор: Keisuke Hayashi,Takeshi Sano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Storage device, memory cell array, method for manufacturing memory cell array, magnetic head, and electronic device

Номер патента: US20240274178A1. Автор: Hiroyuki Uchida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Enhanced printer and printer operator interactions

Номер патента: EP3799408A1. Автор: Larry M. Ernst,Mike MUNSON. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-31.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: WO2020034809A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: EP3827432A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Enhanced printer and printer operator interactions

Номер патента: US20210096781A1. Автор: Mike MUNSON,Larry M Ernst. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Multi-bit nonvolatile ferroelectric memory device having fail cell repair circuit and repair method thereof

Номер патента: US20060242538A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Actuator array, particularly for substrate table and lithographic apparatus, and piezoelectric actuator control circuit arrangement

Номер патента: WO2024115254A1. Автор: Hans Butler,Bas JANSEN,Jeroen Van Duivenbode,Andrea DEGASPERI,Michael Marinus Anna STEUR. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of Poling Piezoelectric Actuator

Номер патента: EP2023417A3. Автор: Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-13.

Method of manufacturing piezoelectric actuator

Номер патента: US20010029649A1. Автор: Makoto Suzuki,Masao Kasuga,Akihiro Iino,Keitarou Koroishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Piezoelectric actuator module, and method for assembling a piezoelectric actuator module

Номер патента: US20050162046A1. Автор: Dieter Kienzler,Dietmar Uhlmann,Jean-Luc Loutrage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Piezoelectric actuating apparatus

Номер патента: US20240365670A1. Автор: Kai-Chih Liang,Hao-Chien Cheng,Ming-Ching Wu. Владелец: Coretronic Mems Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Reinforcing piezoelectric actuator

Номер патента: RU2603353C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Виталий Анатольевич Бардин,Анатолий Григорьевич Амельченко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр &#34;Производственное объединение &#34;СТАРТ&#34; имени М.В. Проценко (ФГУП ФНПЦ &#34;ПО &#34;СТАРТ&#34; им. М.В. Проценко&#34;). Дата публикации: 2016-11-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US5969979A. Автор: Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Three-dimensional memory device containing self-aligned ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240130137A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Ferroelectric memory architecture with gap region

Номер патента: US20230397436A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Ferroelectric memory device and memory array

Номер патента: US20240138153A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Angular piezoelectric actuator for a mems shutter and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3933460A1. Автор: Domenico Giusti,Massimiliano Merli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-05.

Piezoelectric actuator

Номер патента: EP1811582B1. Автор: Michael Cooke. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-10.

Piezoelectric actuator drive system

Номер патента: US20060061232A1. Автор: Hyun Kim,Byoung Min,Hyoung Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Piezoelectric actuator unit

Номер патента: US20050151445A1. Автор: Horst Wagner,Jens Titschert,Franz-Heinrich Suilmann,Sebastian Mundry. Владелец: DBT Automation GmbH. Дата публикации: 2005-07-14.

Piezoelectric actuator and electronic device having the same

Номер патента: EP1895650A4. Автор: Akihiro Sawada,Joji Kitahara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-10-29.

Method of controlling at least two interacting piezoelectric actuators

Номер патента: WO2021190953A1. Автор: Koc Burhanettin. Владелец: PHYSIK INSTRUMENTE (PI) GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of controlling at least two interacting piezoelectric actuators

Номер патента: US12074540B2. Автор: Koc Burhanettin. Владелец: Physik Instrumente PI GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Fast response active clearance systems with piezoelectric actuator in axial, axial/radial combined, and circumferential directions

Номер патента: US20240337198A1. Автор: Tyler F. Hooper,Taehong KIM. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-10-10.

Actuating an optical fiber with a piezoelectric actuator and detecting voltages generated by the piezoelectric actuator

Номер патента: EP2179454A1. Автор: Charles David Melville. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2010-04-28.

Angular piezoelectric actuator for a MEMS shutter and manufacturing method thereof

Номер патента: US12117605B2. Автор: Domenico Giusti,Massimiliano Merli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Electric circuit with power amplifier for piezoelectric actuators

Номер патента: US09484843B2. Автор: Stefan Storm,Boris Grohmann. Владелец: AIRBUS HELICOPTERS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and device for operating a piezoelectric actuator

Номер патента: US09438137B2. Автор: Guido Porten,Jan-Mathias Meng. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods of forming and reading ferroelectric memory cells

Номер патента: US20020064065A1. Автор: Craig Salling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413576A1. Автор: Wei Zhang,Zhenyu Lu,Jianhua Sun,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Ferroelectric nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US11825663B2. Автор: Johannes Müller,Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Three-dimensional memory device containing epitaxial ferroelectric memory elements and methods for forming the same

Номер патента: WO2021025730A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Ferroelectric memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240081081A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Ming-Yi Yang,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20050035384A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240215257A1. Автор: Zhenyu Lu,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Piezoelectric actuator driver circuit

Номер патента: US20120293041A1. Автор: Gaku Kamitani,Toshinari Tabata. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Inertial piezoelectric actuator driven by symmetrical sawtooth wave and method for achieving bi-directional motion thereof

Номер патента: US20210143757A1. Автор: Bo Feng,Yan Shao,Minglong Xu. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-05-13.

Piezoelectric actuator stack with tapered sidewall

Номер патента: EP4342005A1. Автор: Risto Heikki MUTIKAINEN. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Piezoelectric actuator

Номер патента: US20020043894A1. Автор: Kenichi Makino,Shinji Hiraoka,Shinji Koganezawa,Shuichi Heya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of manufacturing piezoelectric actuator

Номер патента: US6779238B2. Автор: Makoto Suzuki,Masao Kasuga,Akihiro Iino,Keitarou Koroishi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Piezoelectric actuator and method of compensating direction thereof

Номер патента: US6690100B1. Автор: Tomoyuki Yoshino,Keitaro Koroishi,Hironobu Itoh. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-02-10.

Method and apparatus for driving a piezoelectric actuator

Номер патента: WO2006022820A3. Автор: Jeffrey Basil Lendaro. Владелец: Jeffrey Basil Lendaro. Дата публикации: 2007-08-02.

Lens driving device with piezoelectric actuator

Номер патента: US20120099212A1. Автор: Sung-Ching Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Ferroelectric memory cell with shunted ferroelectric capacitor and method of making same

Номер патента: EP1016088A1. Автор: David A. Kamp. Владелец: CELIS SEMICONDUCTER Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Piezoelectric actuator driver circuit

Номер патента: US20110068658A1. Автор: Gaku Kamitani,Toshinari Tabata. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method and apparatus for driving a piezoelectric actuator

Номер патента: EP1782485A2. Автор: Jeffrey Basil Lendaro. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2007-05-09.

System on chip (SOC) with processor and integrated ferroelectric memory

Номер патента: US12125513B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US20240363155A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US12057154B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Internet based digital content services that provide content upload, content storage, content sharing, content playlist selection, content editing, or content download; and smart phones, information pads, smart televisions and printers with access to the internet based digital content services

Номер патента: US09971555B2. Автор: William Ho Chang,Christina Ying Liu. Владелец: Flexiworld Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Systems and methods for haptic feedback using laterally driven piezoelectric actuators

Номер патента: US09870053B2. Автор: LI Jiang,Danny Grant,Ali Modarres,Pedro Gregorio,Neil Olien,Remy Pieron,Frank Ye,Manuel Cruz. Владелец: Immersion Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Integral preload mechanism for piezoelectric actuator

Номер патента: US09425711B2. Автор: Hongqi Li. Владелец: Newport Corp USA. Дата публикации: 2016-08-23.

Self-sensitive linear piezoelectric actuator control device

Номер патента: RU2608842C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Николай Валентинович Громков,Виталий Анатольевич Бардин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр &#34;Производственное объединение &#34;Старт&#34; имени М.В. Проценко&#34; (ФГУП ФНПЦ &#34;ПО &#34;Старт&#34; им. М.В. Проценко&#34;). Дата публикации: 2017-01-25.

Driver for piezoelectric actuator and shutter control device utilizing piezoelectric device

Номер патента: US5678106A. Автор: Akira Katayama,Tetsuro Goto,Yoshiaki Tanabe,Masanori Hasuda. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

An apparatus for actuating at least one piezoelectric actuating drive of an injection nozzle for an internal combustion engine

Номер патента: CA2652583A1. Автор: Herbert Steinbauer,Hubert Eder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Piezoelectric actuation device

Номер патента: WO2013072811A1. Автор: Philip Wayne Loveday,Edward Francis WILLIAMS. Владелец: CSIR. Дата публикации: 2013-05-23.

Piezoelectric actuator

Номер патента: US6448692B1. Автор: Dieter Kienzler,Friedrich Boecking,Rudolf Heinz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2002-09-10.

Scanner driven by piezoelectric actuators and method of making the same

Номер патента: US11831255B2. Автор: Yee-Chung Fu,Han-Tang Su,Yu-Chun Yu. Владелец: ULTIMEMS Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Virtual resistive load in feedback loop driving a piezoelectric actuator

Номер патента: WO2020223677A1. Автор: Lawrence Spadaccia. Владелец: ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2020-11-05.

Piezoelectric actuator and manufacturing method thereof, liquid droplet discharge head, and ultrasonic device

Номер патента: EP4269113A1. Автор: Eiju Hirai,Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Liquid ejecting head and recording apparatus

Номер патента: US11813867B2. Автор: Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Micro piezoelectric actuator and method for fabricating same

Номер патента: WO2002084753A1. Автор: Kyu-Ho Hwang. Владелец: M2N INC.. Дата публикации: 2002-10-24.

Piezoelectric actuator and method of manufacture therefor, and ink jet head and ink jet type recording device

Номер патента: US6921157B2. Автор: Takanori Nakano,Kazuo Nishimura,Masakazu Tanahashi,Shogo Matsubara,Masaichiro Tatekawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-26.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20080025065A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20110073831A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee D. Rockford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Scanner driven by piezoelectric actuators and method of making the same

Номер патента: US20210333540A1. Автор: Yee-Chung Fu,Han-Tang Su,Yu-Chun Yu. Владелец: ULTIMEMS Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Piezoelectric Actuator And Manufacturing Method Thereof, Liquid Droplet Discharge Head, And Ultrasonic Device

Номер патента: US20230347647A1. Автор: Eiju Hirai,Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Piezoelectric devices and methods and circuits for driving same

Номер патента: WO2005097509A2. Автор: James Vogeley. Владелец: Par Technologies, Llc. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Piezoelectric devices and methods and circuits for driving same

Номер патента: WO2005098983A3. Автор: James Vogeley. Владелец: Par Technologies Llc. Дата публикации: 2006-10-12.

Piezoelectric actuator

Номер патента: US8390170B2. Автор: Masaichi Miyano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Piezoelectric actuator, abnormality detection circuit, and piezoelectric valve system

Номер патента: AU2017395092B2. Автор: Tadashi Matsushita,Takafumi Ito,Takeshi Yano,Sze Keat Chee,Hironori ARII. Владелец: Mechano Transformer Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Piezoelectric actuator

Номер патента: US20130162103A1. Автор: Sung-Ching Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Piezoelectric Actuator

Номер патента: US20090301440A1. Автор: Karl W. Graham,Manfred Kolkman,Sami V. Horkko,Philip J. Butler. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Piezoelectric actuator

Номер патента: WO2007085795A1. Автор: Manfred Kolkman,Philip Butler,Karl Graham,Sami Hörkkö. Владелец: DELPHI TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2007-08-02.

Apparatuses, systems, and methods for ferroelectric memory cell operations

Номер патента: US11763870B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Piezoelectric devices and methods and circuits for driving same

Номер патента: WO2005098983A2. Автор: James Vogeley. Владелец: Par Technologies, Llc. Дата публикации: 2005-10-20.

Piezoelectric actuator, ink-jet type recording head, manufacturing method therefor, and ink-jet printer

Номер патента: EP1033250B1. Автор: Koji Sumi,Haruo Nakamura,Tsutomu Nishiwaki,Hong Qui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-11-29.

Piezoelectric devices and methods and circuits for driving same

Номер патента: EP1741147A2. Автор: James Vogeley. Владелец: Par Technologies Llc. Дата публикации: 2007-01-10.

Method for fabricating a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20020110935A1. Автор: Christine Dehm,Thomas Roehr,Heinz Hoenigschmid,Georg Braun,Günther SCHINDLER,Renate Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Piezoelectric actuator

Номер патента: EP1868253B1. Автор: Martin Hardy,Stavros Sfakianakis,Keith Redding. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

Piezoelectric actuator, ink-jet head, method of producing piezoelectric actuator, and method of producing ink-jet head

Номер патента: EP1705016A3. Автор: Motohiro c/o Brother Kogyo Kab. K. Yasui. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Piezoelectric actuator and low frequency underwater projector

Номер патента: CA3035120C. Автор: Zhipeng Wang,Penghui WANG,Guoxi LIU,Huaduo SHI. Владелец: Beijing Supersonic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Piezoelectric actuator and a method for producing it

Номер патента: US20060113871A1. Автор: Ulrich Schoor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Piezoelectric actuator, method of manufacturing piezoelectric actuator, and liquid ejection head

Номер патента: US20080216297A1. Автор: Yasukazu Nihei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Piezoelectric actuator

Номер патента: WO2010126285A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240313776A1. Автор: Fumiya Watanabe,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou,Atsuko SAEKI,Ryota Tsuchiya,Harumi ABE,Kanta NAGUMO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Piezoelectric actuator and method of manufacturing piezoelectric actuator

Номер патента: US12052923B2. Автор: Takashi Aiba,Keiji Kura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, semiconductor system and method of operating semiconductor device

Номер патента: US09906383B2. Автор: Chiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

System comprising a secondary device with a piezoelectric actuator wirelessly supplied and controlled by a primary device

Номер патента: US09692324B2. Автор: Christian Fleury,Thierry Bieler,Laurent Cardoletti,Christian Koechli,Simon TINGUELY. Владелец: MICRO-BEAM SA. Дата публикации: 2017-06-27.

Device to control a piezoelectric actuator

Номер патента: US20040195936A1. Автор: Eric Chemisky,Walter Schrod. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Cell driving type piezoelectric actuator, and method of manufacturing cell driving type piezoelectric actuator

Номер патента: US7274133B2. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Yukihisa Takeuchi,Koji Kimura,Koichi Iwata. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-09-25.

Electric circuit with power amplifier for piezoelectric actuators

Номер патента: CA2831245C. Автор: Stefan Storm,Boris Grohmann. Владелец: AIRBUS HELICOPTERS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-03-29.

Dual stage actuator systems for high density hard disk drives using annular rotary piezoelectric actuators

Номер патента: WO2001095329A1. Автор: Zhihong Wang,Kai Wu,Masashi Shiraishi,Tamon Kasajima,Ping Shang. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2001-12-13.

Method of manufacturing piezoelectric actuator

Номер патента: US20010039703A1. Автор: Satoshi Watanabe,Tatsuro Sato,Kazuo Tani,Yoko Shinohara. Владелец: Yoko Shinohara. Дата публикации: 2001-11-15.

Piezoelectrically-actuated resonant scanning mirror

Номер патента: US20230384581A1. Автор: Wyatt Owen Davis,Xiao Chuan Ong. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory devices, semiconductor devices, and methods of operating a memory device

Номер патента: US11903188B2. Автор: Yu-Wei Lin,Yih Wang,Yoshitaka Yamauchi,Shao-Yu Chou,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Keh-Jeng Chang,Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin,Philex Ming-Yan Fan,Chansyun David Yang,Tzu-Hsien YANG,Shao-Ting WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Piezoelectrically actuated mirrors for optical communications

Номер патента: US20200064555A1. Автор: Feras Eid,Thomas L. SOUNART,Valluri R. Rao,Aleksandar Aleksov,Sasha N. OSTER,Johanna M. Swan,Shawna M. LIFF,Baris Bicen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Fast response active clearance systems with piezoelectric actuator in axial, axial/radial combined, and circumferential directions

Номер патента: US11867068B2. Автор: Tyler F. Hooper,Taehong KIM. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Piezoelectrically-actuated resonant scanning mirror

Номер патента: WO2023229742A1. Автор: Wyatt Owen Davis,Xiao Chuan Ong. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Piezoelectrically actuated MEMS optical device having a protected chamber and manufacturing process thereof

Номер патента: US11818957B2. Автор: Domenico Giusti,Irene Martini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-14.

Method and device for controlling a piezoelectric actuator

Номер патента: AU1157700A. Автор: Itzhak M. Itzhaky. Владелец: DREI S PRAEZIS. Дата публикации: 2000-06-05.

Piezoelectric actuator, piezoelectric valve, and method of manufacturing piezoelectric actuator

Номер патента: US11982368B2. Автор: Toshiro Higuchi,Tadashi Matsushita,Takafumi Ito,Sze Keat Chee,Kunio EBIHARA,Toshitada Hirata. Владелец: Mechano Transformer Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Piezoelectric actuators

Номер патента: US20110107962A1. Автор: Ya-Mei Chen,Rajesh Vinodrai Mehta,Albert P. Pisano,Michael Alan Marcus,Gilbert Allan Hawkins,Michael Stephen Sheppy,Matthew A. Hopcroft. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-12.

Piezoelectric device

Номер патента: EP4068401A1. Автор: Tatsuo Sawasaki,Masao Nakayama,Yasushi Yamazaki,Toshihiro Shimizu,Osamu Tonomura,Harunobu Koike,Chihiro NISHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Memory devices, semiconductor devices, and methods of operations a memory device

Номер патента: US20240147711A1. Автор: Yu-Wei Lin,Yih Wang,Yoshitaka Yamauchi,Shao-Yu Chou,Perng-Fei Yuh,Jui-che Tsai,Keh-Jeng Chang,Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin,Philex Ming-Yan Fan,Chansyun David Yang,Tzu-Hsien YANG,Shao-Ting WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Temperature sensing in a printhead using piezoelectric actuators

Номер патента: US20190275792A1. Автор: Hiroshi Nishimura,Shogo Nobumori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Circuit having at least one piezoelectric actuator

Номер патента: US20050235966A1. Автор: Richard Pirkl,Heinz Lixl. Владелец: Volkswagen Mechatronic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-10-27.

Piezoelectric actuator, drive method, and information storage device

Номер патента: EP1331726A1. Автор: Masaharu c/o FUJITSU LIMITED HIDA,Tsuyoshi c/o FUJITSU LIMITED MITA,Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Non-resonant microelectromechanical systems scanner with piezoelectric actuators

Номер патента: EP3959559A1. Автор: Utku Baran. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-03-02.

Non-resonant microelectromechanical systems scanner with piezoelectric actuators

Номер патента: US20200341265A1. Автор: Utku Baran. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device, semiconductor device system, and mobile device

Номер патента: US20240152167A1. Автор: Yoichiro Noguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Delay locked loop circuit and semiconductor device having the delay locked loop circuit

Номер патента: US20110109357A1. Автор: Jun Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Digital stereo photographic camera / digital stereo videocamera, three-dimensional display, three-dimensional projector, and printer and stereo visual analyser

Номер патента: RU2345394C2. Автор: Минору ИНАБА. Владелец: Минору ИНАБА. Дата публикации: 2009-01-27.

Self-sensing multilayer piezoelectric actuator

Номер патента: RU2616225C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Виталий Анатольевич Бардин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр &#34;Производственное объединение &#34;Старт&#34; имени М.В. Проценко&#34; (ФГУП ФНПЦ &#34;ПО &#34;Старт&#34; им. М.В. Проценко&#34;). Дата публикации: 2017-04-13.

Piezoelectric actuator for positioning with heat dissipating inactive end section

Номер патента: US6495946B1. Автор: Friedrich Boecking,Rudolf Heinz,Bertram Sugg. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2002-12-17.

Piezoelectric actuator, and valve apparatus having actuator

Номер патента: US4471256A. Автор: Toshihiko Igashira,Yasuyuki Sakakibara,Eturo Yasuda. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1984-09-11.

Serpentine cross section piezoelectric actuator

Номер патента: WO1998007183A3. Автор: Craig D Near,Brian G Pazol,Leslie J Bowen. Владелец: Materials Systems Inc. Дата публикации: 1998-07-02.

Semiconductor device transducer and method

Номер патента: EP2036200A1. Автор: Ashwin Seshia,James Ransley,Colm Durkan. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2009-03-18.

Shear deformation-type bimorphic piezoelectric actuator

Номер патента: US20240079972A1. Автор: Yung Ting,Sheuan-Perng Lin,Chih-Hsuan YU,Suhail ABBAS. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-07.

Cost-effective high-bending-stiffness connector and piezoelectric actuator made of such

Номер патента: EP3639527A1. Автор: YU HUANG,Leong Chew Lim,Yuexue Xia,Dian-Hua LIN. Владелец: MICROFINE MATERIALS Tech Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Cost-effective high-bending-stiffness connector and piezoelectric actuator made of such

Номер патента: US11716908B2. Автор: YU HUANG,Leong Chew Lim,Yuexue Xia,Dian-Hua LIN. Владелец: MICROFINE MATERIALS TECHNOLOGIES PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Piezoelectric actuator stack with tapered sidewall

Номер патента: WO2022245505A1. Автор: Risto Heikki MUTIKAINEN. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Linearized control of piezoelectric actuator to reduce hysteresis

Номер патента: US20140055060A1. Автор: Bausan Yuan,Yi-Ping Hsin,Susumu Isago. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Piezoelectric device and liquid ejecting head

Номер патента: US11938731B2. Автор: Tatsuo Sawasaki,Masao Nakayama,Yasushi Yamazaki,Toshihiro Shimizu,Osamu Tonomura,Harunobu Koike,Chihiro NISHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20110221827A1. Автор: Tomohiro Sakai,Satoshi Kimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US8783834B2. Автор: Tomohiro Sakai,Satoshi Kimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor device managing address mapping of a semiconductor memory device and data storage device including the semiconductor device

Номер патента: US20190188150A1. Автор: Yeong Jae Woo,Sang Lyul MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US11915782B2. Автор: Min Su Kim,Yong Jun Yu,Do Han Kim,Il Gyu Jung,Nam Hyung KIM,Won Jae SHIN,Chang Min Lee,Dae Jeong Kim,Deok Ho Seo,In Su CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

METHOD FOR OBTAINING FERROELECTRIC FILMS Ba1-XSrXTiO3

Номер патента: RU2671614C1. Автор: Андрей Вилевич Тумаркин,Андрей Анатольевич Одинец. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет &#34;ЛЭТИ&#34; им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2018-11-02.

Ferroelectric film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150232979A1. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Solid solutions ferroelectric films production method

Номер патента: RU2682118C1. Автор: Андрей Вилевич Тумаркин,Андрей Анатольевич Одинец. Владелец: Андрей Анатольевич Одинец. Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD OF PRODUCING FERROELECTRIC FILMS Βa1-XSrXTiO3

Номер патента: RU2700901C1. Автор: Андрей Вилевич Тумаркин,Андрей Анатольевич Одинец,Евгений Николаевич Сапего. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования &#34;Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет &#34;ЛЭТИ&#34; им. В.И. Ульянова (Ленина). Дата публикации: 2019-09-23.

Geometric shape control of thin film ferroelectrics and resulting structures

Номер патента: US6080235A. Автор: Frederick J. Walker,Rodney A. Mckee. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2000-06-27.

Ink composition for hair dyeing, film for hair dyeing, film cartridge for hair dyeing, and printer for hair dyeing

Номер патента: US20230301880A1. Автор: Jong In Lee,Tae Sik Yun,Kyu Suk Lee,Dong Hoon SONG,Mi Kyoung Han,Yong Min JEONG. Владелец: Prinker Korea Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Liquid discharge head and recording apparatus

Номер патента: US09522535B2. Автор: Kenko Gejima. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Liquid injection method, liquid injection device, and liquid cartridge

Номер патента: EP4292825A1. Автор: Nobuyuki Kuwabara,Tatsuaki Orihara,Shinichi Sakurada,Sachiko Yamauchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Liquid injection method, liquid injection device, and liquid cartridge

Номер патента: US20230415485A1. Автор: Nobuyuki Kuwabara,Tatsuaki Orihara,Shinichi Sakurada,Sachiko Yamauchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming a feature by dispensing a metallic nanoparticle composition from an ink-jet print head and a metallic nanoparticle composition for ink-jet printing

Номер патента: US11987049B2. Автор: Filip Granek,Mateusz ŁYSIEŃ,Ludovic Schneider,Grzegorz TARAPATA. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2024-05-21.

High temperature liquid injection apparatus

Номер патента: US5346133A. Автор: Peter Cherish,Alan E. Bogner,Scott T. Schamp. Владелец: MW Kellogg Co. Дата публикации: 1994-09-13.

Liquid injection molding inhibitors for curable compositions

Номер патента: US5506289A. Автор: Michael J. O&#39;Brien,Philip J. McDermott,Edward M. Jeram. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-09.

Liquid injection molding inhibitors for curable compositions

Номер патента: GB2280433A. Автор: Michael Joseph O&#39;Brien,Edward Matthew Jeram,Philip Jeffrey Mcdermott. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-02-01.

Accelerated test method for ferroelectric memory device

Номер патента: US20040041574A1. Автор: Atsushi Noma,Katsuki Nagahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Liquid injection device and inkjet recording device including the same

Номер патента: US09738067B2. Автор: Kenji Kawagoe,Keisuke MISAWA,Takashi MAKINOSE. Владелец: Roland DG Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Inkjet head and printer for reducing influence of flexible circuit on piezoelectric actuator substrate operation

Номер патента: US09975336B2. Автор: Takuji Hashiguchi,Chitoshi Ueki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Voltage control device, voltage control method, and liquid injection device

Номер патента: US20070229560A1. Автор: Masakazu Date,Hiroaki Arakawa. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2007-10-04.

Data retention of ferroelectric films by controlling film composition and strain gradient for probe-based devices

Номер патента: US20100260033A1. Автор: Qing Ma,Valluri Rao,Li Peng Wang. Владелец: Li Peng Wang. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140254275A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, and recording device

Номер патента: US20230038095A1. Автор: Takeshi Hirayama,Yukihiro Hasegawa,Makoto Higashibeppu,Shuhei TABATA,Gen SHIMURA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, and recording device

Номер патента: EP4063124A1. Автор: Takashi Miyahara,Takeshi Hirayama,Atsushi Ishihara,Yukihiro Hasegawa,Makoto Higashibeppu,Shuhei TABATA,Gen SHIMURA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, and recording device

Номер патента: US12097703B2. Автор: Takashi Miyahara,Takeshi Hirayama,Atsushi Ishihara,Yukihiro Hasegawa,Makoto Higashibeppu,Shuhei TABATA,Gen SHIMURA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Printer assembly and printer

Номер патента: EP1086817A3. Автор: Hitoshi Fujiwara. Владелец: F&F Ltd. Дата публикации: 2001-05-16.

Ink containing body and printer

Номер патента: RU2719198C1. Автор: Наоми КИМУРА,Сома КУДО. Владелец: СЕЙКО ЭПСОН КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2020-04-17.

Cartridge of electronic cigarette, electronic cigarette, and corresponding liquid injection method, liquid injection mechanism, dispensing mechanism, and liquid injection device

Номер патента: EP3881700A1. Автор: Weihua Qiu. Владелец: Changzhou Paiteng Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Automated fluid injection head for beverage preparation device

Номер патента: EP3267855A1. Автор: Ludovic Dovat,Christof NIEDERMANN. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2018-01-17.

Circuit and method for asynchronously accessing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1225594A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-12-03.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, liquid discharge device, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US12076990B2. Автор: Akira Shimofuku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

RFID device having nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20070018821A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-25.

Cartridge, liquid injection method, liquid injection mechanism and separating mechanism

Номер патента: US12102123B2. Автор: Weihua Qiu. Владелец: Changzhou Paiteng Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Ink jet printer head and piezoelectric actuator for the head

Номер патента: US20020149653A1. Автор: Hirofumi Nakamura,Atsushi Ochi,Yasuhiro Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory device comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US5901077A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Droplet deposition head and actuator component therefor

Номер патента: EP3681722A1. Автор: Subramanian Sivaramakrishnan,Peter Mardilovich,Robert Errol Mcmullen. Владелец: Xaar Technology Ltd. Дата публикации: 2020-07-22.

Circuit and method for testing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1333446A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-08-18.

Radial staging method and configuration of a liquid injection system for power plants

Номер патента: US20120324904A1. Автор: Walter Kasimierz Omielan,Gabriel Taraboulsi,Chris Pin Harry. Владелец: Rolls Royce Power Engineering PLC. Дата публикации: 2012-12-27.

Printer and printer control method

Номер патента: US20190193416A1. Автор: Akio Katsumata. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Printer and printer control method

Номер патента: US20180264843A1. Автор: Akio Katsumata. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20190147951A1. Автор: Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Molten solder injection head with vacuum filter and differential gauge system

Номер патента: US11766729B2. Автор: John U. Knickerbocker,Jae-Woong Nah,Eric P. Lewandowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US20060007725A1. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US7209377B2. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Inkjet head and printer

Номер патента: US20170157930A1. Автор: Takuji Hashiguchi,Chitoshi Ueki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Liquid ejection head and method of driving the same

Номер патента: US20120268511A1. Автор: Koichi Kitakami,Naoto Sasagawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US20200357456A1. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Liquid supply unit and liquid injection device

Номер патента: US20190291454A1. Автор: Daisuke Eto,Yuki Tamura,Masaaki Maruta,Tomoya Hotani,Ryo Matsuyama. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050128849A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Small form factor print head and printer

Номер патента: US20240278580A1. Автор: Sean T. Weaver,Andrew L. McNees. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09792973B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US09676185B2. Автор: Yoshinao Miyata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US09558803B2. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Combination laptop computer and printer

Номер патента: WO2011028491A1. Автор: Frank Leppanen. Владелец: Frank Leppanen. Дата публикации: 2011-03-10.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US11331916B2. Автор: Masao Nakayama,Toshihiro Shimizu,Harunobu Koike. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20040190324A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and method for operating semiconductor device

Номер патента: US09761291B2. Автор: Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Acoustic transducer with liquid-immersed, pre-stressed piezoelectric actuator in acoustic impedance matched transducer housing

Номер патента: US6075310A. Автор: Richard P Bishop. Владелец: Face International Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20110187797A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Isamu Togashi,Yuki Ihara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Microfluidic chip, and liquid injection method therefor and use thereof

Номер патента: CA3238006A1. Автор: Yan Zhang,YANG Su,Pei Du. Владелец: Jiangsu Logilet Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Microfluidic chip, and liquid injection method therefor and use thereof

Номер патента: AU2022393654A1. Автор: Yan Zhang,YANG Su,Pei Du. Владелец: Jiangsu Logilet Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device, semiconductor device, and semiconductor system

Номер патента: US20190258543A1. Автор: Chang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Microfluidic chip, and liquid injection method therefor and use thereof

Номер патента: EP4417312A1. Автор: Yan Zhang,YANG Su,Pei Du. Владелец: Jiangsu Logilet Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20240278564A1. Автор: Motoki Takabe,Harunobu Koike,Yasuhiro ITAYAMA,Masanori MIKOSHIBA,Kei KIYOSE. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Wide printer and printer head

Номер патента: EP1688256A1. Автор: Yuichiro Sony Corp. Ikemoto,Kazuyasu Sony Corp. Takenaka,Makoto Sony Corp. Ando,Shinichi Sony Corp. Horii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-09.

Portable Printer, Attaching Adapter, and Printer

Номер патента: US20170080723A1. Автор: Takamine Hokazono,Shuhei Nohara. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US7570506B2. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Printing unit and printer

Номер патента: US20210129556A1. Автор: Tomohiro Murata. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20110304662A1. Автор: Eiju Hirai,Naoto Yokoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20050002216A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura,Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US6947309B2. Автор: Mitsuhiro Yamamura,Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Thermal activation apparatus and printer including the same

Номер патента: US20060130976A1. Автор: Minoru Hoshino,Yoshinori Sato,Masanori Takahashi,Hiroyuki Kohira,Tatsuya Obuchi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Ferroelectric memory device and control method thereof

Номер патента: US20040076053A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Byung-Jun Min,Mun-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Thermal activation method and processing method for a heat-sensitive adhesive sheet, thermal activation device for a heat-sensitive adhesive sheet, and printer for a heat-sensitive adhesive sheet

Номер патента: US20050271438A1. Автор: Minoru Hoshino,Yoshinori Sato,Masanori Takahashi,Hiroyuki Kohira,Tatsuya Obuchi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100020587A1. Автор: Daisaburo Takashima,Sumiko Doumae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Quick liquid injection structure and aerosol generating device

Номер патента: US20240341362A1. Автор: Youming Liu,Junwen Wang,Yanming NIU. Владелец: Shenzhen Woody Vapes Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Lyosphere pre-embedding structure, digital microfluidic chip, and pre-embedding and liquid injection method

Номер патента: EP4458466A1. Автор: Yan Zhang,YANG Su,Pei Du. Владелец: Jiangsu Logilet Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for adjustable liquid injection in production formation

Номер патента: RU2630320C1. Автор: Владимир Борисович Оснос,Владимир Николаевич Петров,Александр Иванович Арзамасцев. Владелец: Публичное акционерное общество &#34;Татнефть&#34; имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2017-09-07.

Ink jet printer and printer head having means for quantifying liquids and mixing liquids outside the printer head

Номер патента: US5963226A. Автор: Toshiki Kagami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Self-referencing memory device

Номер патента: US20190066753A1. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Self-referencing memory device

Номер патента: US11830536B2. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Printer control method and printer

Номер патента: US9073354B2. Автор: Hiroyuki ISHIMORI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Piezoelectric actuator, liquid discharge head, and recording device

Номер патента: EP4063125A1. Автор: Takeshi Hirayama,Yukihiro Hasegawa,Makoto Higashibeppu,Shuhei TABATA,Gen SHIMURA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Security management of ferroelectric memory device

Номер патента: WO2022146959A1. Автор: Danilo Caraccio,Paolo Amato,Federica Cresci,Angelo Alberto Rovelli,Alessandro Orlando,Craig A. Jones,Niccolò Izzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-07-07.

Self-referencing memory device

Номер патента: WO2019040503A1. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Self-referencing memory device

Номер патента: EP3673488A1. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Printer control method and printer

Номер патента: US20130286128A1. Автор: Hiroyuki ISHIMORI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Printing positioning mechanism and printer

Номер патента: US20060233579A1. Автор: Katsuhisa Ono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Liquid-injected compressor or expander element and method for controlling the liquid injection of a compressor or expander device

Номер патента: EP3491244A1. Автор: Christian Schmitz,Johan Julia J. Dom,Peter Karel Anna-Maria ZWYSEN. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2019-06-05.

Method for regulating the liquid injection of a compressor or expander device, a liquid-injected compressor or expander device, and a liquid-injected compressor or expander element

Номер патента: US20180347567A1. Автор: Christian Schmitz,Benjamin Moens,Aleksandr Pulnikov,Johan Julia J. Dom,Sofie DEPREZ. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2018-12-06.

Thermal head and printer

Номер патента: US20080143810A1. Автор: Noboru Koyama,Izumi Kariya,Mitsuo Yanase,Tooru Morikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Liquid discharging head and image forming apparatus including the liquid discharging head

Номер патента: US20090002460A1. Автор: Keisuke Hayashi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Liquid injection device and inkjet printer including the same

Номер патента: US09956769B2. Автор: Kenji Kawagoe,Keisuke MISAWA,Takashi MAKINOSE. Владелец: Roland DG Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Electronic cigarette for convenient injection of cigarette liquid, manufacturing method thereof, and cigarette liquid injection method thereof

Номер патента: US09955734B2. Автор: Guangrong LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-01.

Ink cartridge (variants) and printer (variants)

Номер патента: RU2302344C2. Автор: Юдзи АОКИ,Коити ТОБА. Владелец: СЕЙКО ЭПСОН КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2007-07-10.

Non-volatile ferroelectric memory device with leakage preventing function

Номер патента: US5615144A. Автор: Hiroki Koike,Tohru Kimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Non-volatile ferroelectric memory with section plate line drivers and method for accessing the same

Номер патента: US5991188A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Ink jet printing method and printer

Номер патента: WO2013029994A1. Автор: Carolus E.P. Gerrits. Владелец: OCE-TECHNOLOGIES B.V.. Дата публикации: 2013-03-07.

Ferroelectric memory devices and method of using ferroelectric capacitors

Номер патента: US5764561A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-06-09.

Piezoelectric actuator, liquid discharging apparatus and method for producing piezoelectric actuator

Номер патента: US9656467B2. Автор: ATSUSHI Hirota,Hideki Hayashi,Keita Hirai,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Ferroelectric memory device and method for operating ferroelectric memory device

Номер патента: US20010040815A1. Автор: Yasuhiro Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Piezoelectric actuator, liquid discharging apparatus and method for producing piezoelectric actuator

Номер патента: US20160185116A1. Автор: ATSUSHI Hirota,Hideki Hayashi,Keita Hirai,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method For Controlling A Piezoelectric Actuator And Control Unit For Controlling A Piezoelectric Actuator

Номер патента: US20090223490A1. Автор: Harald Schmidt,Richard Pirkl,Hans-Jörg Wiehoff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-09-10.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20220242121A1. Автор: Masao Nakayama,Osamu Tonomura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Detection chip assembly tool, liquid injection apparatus and method, electronic device, and medium

Номер патента: EP4434624A1. Автор: Yong Wang,YuXiang LI,Wenwei Zhang,Yuning ZHANG,Mengmeng ZHANG,Yuliang DONG,Quanxin Yun,Junlei YAO. Владелец: BGI Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Liquid injection device and inkjet recording device including the same

Номер патента: US09902149B2. Автор: Keisuke MISAWA. Владелец: Roland DG Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

MEMS device, liquid ejecting head, and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US09724917B2. Автор: Takahiro Kamijo,Masanori MIKOSHIBA,Takeshi Yasoshima,Koji ARUGA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Liquid injection device and medical device

Номер патента: US09610090B2. Автор: Hideki Kojima,Hirokazu Sekino. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Liquid injection device

Номер патента: US09528511B2. Автор: Hideki Kojima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

A ferroelectric memory device and a nondestructive accessing method thereof

Номер патента: GB2318230A. Автор: Byung-Gil Jeon,Chul-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-15.

System and printer justification system

Номер патента: CA1157568A. Автор: Johnny G. Barnes,Gary W. Miller,Patrick J. Hurley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-11-22.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US7149137B2. Автор: John Anthony Rodriguez,Richard Allen Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Cartridge, liquid injection method, liquid injection mechanism and separating mechanism

Номер патента: US20210259310A1. Автор: Weihua Qiu. Владелец: Changzhou Patent Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Ferroelectric memory cell with access line disturbance mitigation

Номер патента: US20210020222A1. Автор: Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Printer control method and printer driver

Номер патента: US20120229584A1. Автор: Toshiyuki Sugimoto,Shingo Yudasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Printer charging blades and printers

Номер патента: US20130287443A1. Автор: Thomas C. Anthony,Omer Gila,Michael H. Lee,Seongsik Chang,Quang P. Lam,Paul F. Matheson. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of reading data in ferroelectric memory device and ferroelectric memory device

Номер патента: US20040240250A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7599207B2. Автор: Shinzo Sakuma. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20200388317A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Electronic vaporization system and liquid injection device

Номер патента: EP4344558A3. Автор: Jie Ma,Chunfeng Zhang,Zhenjie Mo,Weiguang HU,Shengkui LIU. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Temperature uniformity across an inkjet head using piezoelectric actuation

Номер патента: US20180001627A1. Автор: Hiroshi Nishimura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Liquid droplet jetting head and method of manufacturing liquid droplet jetting head

Номер патента: US20070206058A1. Автор: Yoshikazu Takahashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2007-09-06.

Ferroelectric memories based on arrays of autonomous memory bits

Номер патента: WO2011156525A2. Автор: Joseph Tate Evans. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 2011-12-15.

Temperature uniformity across an inkjet head using piezoelectric actuation

Номер патента: US10065417B2. Автор: Hiroshi Nishimura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20190333564A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20170358338A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Processing system with a ferroelectric memory

Номер патента: US5424976A. Автор: Roger Cuppens. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Fuel injector with piezoelectric actuator

Номер патента: US6834812B2. Автор: Massimo Neretti,Michele Petrone,Andrea Ricci,Cecilia Lamberti. Владелец: Magneti Marelli Powertrain SpA. Дата публикации: 2004-12-28.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for driving ink jet recording head and ink jet recorder

Номер патента: US20030179254A1. Автор: Masakazu Okuda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Piezoelectric actuator and liquid-droplet ejection head

Номер патента: US20110205309A1. Автор: Kazunari Matsuura. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US12078659B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US09892776B2. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for controlling a piezoelectric fuel injector of an internal combustion engine of a vehicle comprising a step for polarizing the piezoelectric actuator

Номер патента: US09828956B2. Автор: Michael Leblon,Jérémie MEMAIN. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Temperature uniformity across an inkjet head using piezoelectric actuation

Номер патента: US09796177B2. Автор: Hiroshi Nishimura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile ferroelectric memory with folded bit line architecture

Номер патента: US5852571A. Автор: Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Ferroelectric memory device having two columns of memory cells precharged to separate voltages

Номер патента: US6097623A. Автор: Takeshi Sakata,Katsutaka Kimura,Tomonori Sekiguchi,Masanori Isoda,Kazuhiko Kajigaya,Hiroki Fujisawa. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Liquid injection molding apparatus

Номер патента: US3897939A. Автор: Fritz Hostettler,Peter U Graefe. Владелец: Inter Polymer Research Corp. Дата публикации: 1975-08-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050195628A1. Автор: Kazuhiko Takahashi,Shinzo Sakuma,Shoichi Kokubo. Владелец: Shoichi Kokubo. Дата публикации: 2005-09-08.

Thermal head manufacturing method, thermal head, and printer

Номер патента: EP2179850B1. Автор: Yoshinori Sato,Toshimitsu Morooka,Norimitsu Sanbongi,Keitaro Koroishi,Noriyoshi Shoji. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-29.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US5926413A. Автор: Hiroki Koike,Junichi Yamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Liquid injection system, liquid injected engine system and method of controlling a liquid injection system

Номер патента: WO2024025540A1. Автор: Hasan Mohammed,Robert Charles Borregard,Shubhranshu Verma,Justin J. MOE. Владелец: Cummins Power Generation Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device

Номер патента: US20240087633A1. Автор: Masamichi Suzuki,Kensuke Ota,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20150130877A1. Автор: Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20160297200A1. Автор: Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US9403361B2. Автор: Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US9994019B2. Автор: Motoki Takabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module, and method of accessing nonvolatile memory

Номер патента: US10777269B2. Автор: Taesung Lee,Anil KAVALA,Jeongdon Ihm,Jiwan JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-15.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11797382B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20020080642A1. Автор: Eiichi Sadayuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Ferroelectric memory device and display driver IC

Номер патента: US20040208041A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Printer and printer control method

Номер патента: US10000070B1. Автор: Akio Katsumata. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Piezoelectric actuator inkjet head and method of forming the same

Номер патента: US20100146756A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Jae-Chang Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Piezoelectric actuator inkjet head and method of forming the same

Номер патента: US20070195134A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Jae-Chang Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Piezoelectric actuator inkjet head and method of forming the same

Номер патента: US7682001B2. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Jae-Chang Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Ferroelectric memory device having a ferroelectric capacitor disposed on an extended active area

Номер патента: US6477076B2. Автор: Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Liquid discharge head and recording device

Номер патента: US11981134B2. Автор: Kazuki DOGOME. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20060139986A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US7164594B2. Автор: Hee Bok Kang,Jin Hong Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Ferroelectric memory

Номер патента: US6078516A. Автор: Hideki Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module, and method of accessing nonvolatile memory

Номер патента: US20200066336A1. Автор: Taesung Lee,Anil KAVALA,Jeongdon Ihm,Jiwan JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: EP3430626A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: WO2017161103A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-21.

Liquid injection molding apparatus

Номер патента: US20180290359A1. Автор: Martin Kestle,Alexander Berlin. Владелец: Mold Masters 2007 Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Liquid injection molding apparatus

Номер патента: US20210016476A1. Автор: Martin Kestle,Alexander Berlin. Владелец: Mold Masters 2007 Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Liquid injection apparatus

Номер патента: US20080018700A1. Автор: Atsushi Yoshida,Shozo Kuwada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device, semiconductor system including the semiconductor device, and method of operating the semiconductor device and system

Номер патента: US20190267058A1. Автор: Dong Kyun Kim,Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Piezoelectric actuator and liquid-droplet jetting head

Номер патента: US20070278908A1. Автор: Atsushi Ito,Jun Isono. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Medicinal liquid injection port and medicinal liquid injection device

Номер патента: US20200297926A1. Автор: Shinichi Sakai,Yuuki INAMI. Владелец: Piolax Medical Devices Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Ferroelectric memory plate power reduction

Номер патента: US20200211613A1. Автор: David L. Pinney,Adam S. El-Mansouri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Liquid injection apparatus

Номер патента: US7832832B2. Автор: Atsushi Yoshida,Shozo Kuwada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

Inkjet head having piezoelectric actuator for restrictor, and image forming method and apparatus having the same

Номер патента: US20080018715A1. Автор: Se-young Oh,Jae-Woo Chung,Sang-Kwon Wee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Inkjet printhead having piezoelectric actuator and method of driving the piezoelectric actuator

Номер патента: US20070171262A1. Автор: Jae-Woo Chung,Chang-youl Moon,Hwa-Sun Lee,Kyu-yeol Lee,Tao-Kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US6538913B2. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-25.

Electrokinetic-aeration-liquid injection combined remediation method for compound contaminated soil containing heavy metals and organic substances

Номер патента: US11759836B2. Автор: Kang Zhang,Chunyang Liu,Xinyu XIE,Xunli Zhang,Shangqi GE,Lingwei ZHENG,Huai NIE,Minyang SUN,Puxiu DAI. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20010036099A1. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Magnetoresistance effect type head and information reproducing device

Номер патента: US20020012208A1. Автор: Naoki Mukouyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Sample liquid injection jig set

Номер патента: EP2744595A2. Автор: Yuji Segawa,Toshio Watanabe,Yoshiaki Kato,Hidetoshi Watanabe,Kensuke Kojima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

Sample liquid injection jig set

Номер патента: WO2013051274A2. Автор: Yuji Segawa,Toshio Watanabe,Yoshiaki Kato,Hidetoshi Watanabe,Kensuke Kojima. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

Electrophotographic media for use in high speed color copiers and printers

Номер патента: US20020142137A1. Автор: Linlin Xing,Yongzhong Wang,Jay Song,Betty Lyon. Владелец: Arkwright Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Ferroelectric memory and a test method thereof

Номер патента: US20030063488A1. Автор: Masanori Kasai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with I/O switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US12086410B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US12079475B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic recording head with a piezoelectric actuator for controlling head-media spacing

Номер патента: US12094504B1. Автор: Neil Zuckerman,Hassene Ben ATITALLAH,Yixuan Li,Raul H Andruet. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

End cap for medical liquid injection apparatus and medical liquid injection apparatus set

Номер патента: US12064586B2. Автор: Yong Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-20.

Charge-mirror based sensing for ferroelectric memory

Номер патента: US12027192B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Fiber-optic with piezoelectric actuated projection display

Номер патента: US11951905B1. Автор: Thomas A. Seder,Joseph F. Szczerba,Manoj Sharma,John P. Weiss. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Charge mirror-based sensing for ferroelectric memory

Номер патента: US09881661B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Image printing method and printer for segmenting an image to create first data files and first memory blocks and printing each data file using print position information

Номер патента: US09846827B2. Автор: Hongyu Liu,Weiping Huang. Владелец: Beijing Founder Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09842661B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09697913B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Analog ferroelectric memory with improved temperature range

Номер патента: US09697882B1. Автор: Calvin B. Ward,Joseph T. Evans, Jr.. Владелец: Radiant Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Method and device for liquid injection in reservoir

Номер патента: RU2320867C2. Автор: Монсуру Олатунджи АКИНЛАДЕ,Дирк Якоб ЛИГТХЕЛЬМ,Дьюрре Ханс ЗИЙСЛИНГ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2008-03-27.

Needle unit and sprayer for subcutaneous liquid injection using same

Номер патента: RU2520818C2. Автор: Джонг-дае ЛИ. Владелец: Бомтек Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-06-27.

Method and device for liquid injection into bulk solids

Номер патента: RU2441374C2. Автор: Йоахим ЭТЦЕНБАХ. Владелец: Диосна Диркс Унд Зене Гмбх. Дата публикации: 2012-02-10.

Liquid injection apparatus for use in a method of lining the internal surface of a pipe

Номер патента: CA2163308C. Автор: Shigeru Toyoda,Shuichi Yagi,Masaaki Itagaki. Владелец: Tokyo Gas Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Piezoelectrically actuated fuel injector and operating method thereof

Номер патента: EP2083158A1. Автор: Michael Cooke. Владелец: Delphi Technologies Holding SARL. Дата публикации: 2009-07-29.

Attachment for liquid injection and liquid injection method

Номер патента: EP2982440A1. Автор: Hiroshi Umebayashi,Toru Uda,Goki Okada,Yuki Murota. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2016-02-10.

Method for regulating the liquid injection of a compressor, a liquid-injected compressor and a liquid-injected compressor element

Номер патента: CA3006510A1. Автор: Diego Truyen,Johan Julia J. Dom,Jochen Emiel Corneel Theelen,Shramik Kantilal DAHALE,Luc Henri Arthur Albert VAN HOEY,Kristof Pieter Frans MARCELIS. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2017-06-15.

Terminal unit consisting of side by side arranged base unit and printer

Номер патента: US8573872B2. Автор: Gianrico Scarton,Luciano Piazzai. Владелец: Telecom Italia SpA. Дата публикации: 2013-11-05.

Liquid injection apparatus

Номер патента: EP1300585A2. Автор: Takao I.P.D. NGK Insulators Ltd. Ohnishi,Toshikazu I.P.D. NGK Insulators Ltd. Hirota. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-04-09.

Ferroelectric semiconductor memory device

Номер патента: US7551472B2. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Method for controlling the liquid injection of a compressor device or expander device, a liquid-injected compressor device or expander device and a liquid-injected compressor element or expander element

Номер патента: CA3006624C. Автор: Christian Schmitz,Benjamin Moens,Aleksandr Pulnikov,Johan Julia J. Dom,Sofie DEPREZ. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2020-07-21.

Ferroelectric random access memory devices having short-lived cell detector available for life test for ferroelectric capacitor and method for testing ferroelectric memory cells

Номер патента: US5991189A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Liquid injection device and method

Номер патента: US20240049799A1. Автор: Jun Yang,Miaowen Yang,Shimei Pan,Yonghui LIN,Shengyun He,Huifu Shuai. Владелец: Shenzhen Zun Yi Pin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20210060948A1. Автор: Masao Nakayama,Toshihiro Shimizu,Harunobu Koike. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Liquid injection device and inkjet printer including the same

Номер патента: US20170320321A1. Автор: Kenji Kawagoe,Keisuke MISAWA,Takashi MAKINOSE. Владелец: Roland DG Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20180033486A1. Автор: Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Liquid transport apparatus, liquid transport head, and piezoelectric actuator

Номер патента: US20090085435A1. Автор: Yasuhiro Sekiguchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Liquid discharge head and image forming apparatus

Номер патента: US20140071215A1. Автор: Ryohta Yoneta. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of operating a piezoelectric actuator

Номер патента: US20080184967A1. Автор: Jean-Pierre Winandy,Jean-Francois M.R. Berlemont. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Liquid transport apparatus, liquid transport head, and piezoelectric actuator

Номер патента: US8016392B2. Автор: Yasuhiro Sekiguchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor device, semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20120275251A1. Автор: Sang-Jin Byeon,Sin-Hyun Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US11599631B2. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US20150310939A1. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Piezoelectric actuator and a manufacture method of the piezoelectric actuator

Номер патента: US11001060B2. Автор: Taiki Tanaka. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Method for writing and reading a ferroelectric memory

Номер патента: US20010005326A1. Автор: Georg Braun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US20200143048A1. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Active piezoelectric tool, active piezoelectric device and operating method of the active piezoelectric tool

Номер патента: AU2021403442B2. Автор: Antonio Scippa,Marco Grilli,Morando BESSI,Niccolò GROSSI,Gianni CAMPATELLI,Benjamin BARBIERI. Владелец: Nuovo Pignone Technologie Srl. Дата публикации: 2024-07-25.

A system for controlling a piezoelectric actuator, in particular for the fuel injectors of a diesel engine

Номер патента: EP1382824A3. Автор: Eugenio Faggioli,Mario Montuschi,Paolo Reggio. Владелец: Centro Ricerche Fiat SCpA. Дата публикации: 2004-10-27.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US20160364351A1. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US09965418B2. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Virtual ground sensing circuitry and related devices, systems, and methods for crosspoint ferroelectric memory

Номер патента: US09786346B2. Автор: Giulio Giuseppe Marotta,Marco Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09552864B1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Submersible pump with bypass for liquid injection

Номер патента: RU2761798C1. Автор: Ринат Фаритович Ризатдинов,Айдар Альбертович Каримов. Владелец: Публичное акционерное общество &#34;Татнефть&#34; имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-12-13.

Control system for parameters of liquids injected into the well

Номер патента: RU2758287C1. Автор: Андрей Николаевич Коротченко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью &#34;Интех&#34;. Дата публикации: 2021-10-28.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US20060023485A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Liquid injected screw compressor, controller for the transition from an unloaded state to a loaded state of such a screw compressor and method applied therewith.

Номер патента: CA2922726C. Автор: Pieter De Schamphelaere. Владелец: Atlas Copco Airpower NV. Дата публикации: 2019-02-12.

Three-way piezoelectrically-actuated microvalve device and method of fabrication

Номер патента: US11788646B1. Автор: Michael Huff. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2023-10-17.

Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20030026154A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Medicament delivery device with piezoelectric actuating system

Номер патента: US20230398308A1. Автор: Nurettin Ali. Владелец: SHL Medical AG. Дата публикации: 2023-12-14.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: EP3635721A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20210050046A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20190122718A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20180358072A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Microfluidic MEMS device for fluid ejection with piezoelectric actuation

Номер патента: US11242242B2. Автор: Simon Dodd,Domenico Giusti. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2022-02-08.

Simultaneous vapor and liquid injection

Номер патента: US20230271481A1. Автор: Lars I. Sjoholm,Gurudath NAYAK HEBRI,Alexander SCHMIG. Владелец: Thermo King Llc. Дата публикации: 2023-08-31.

Droplet deposition head and actuator component therefor

Номер патента: US20190023013A1. Автор: Nicholas Marc Jackson,Angus Condie,Simon James HUBBARD. Владелец: Xaar Technology Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Injection head system and extrusion device

Номер патента: AU2830201A. Автор: Reiner Schneider. Владелец: SCC Special Communication Cables GmbH and Co KG. Дата публикации: 2001-06-25.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20050286289A1. Автор: Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: WO2018226478A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Simultaneous vapor and liquid injection

Номер патента: EP4234292A1. Автор: Lars I Sjoholm,Gurudath NAYAK HEBRI,Alexander SCHMIG. Владелец: Thermo King Llc. Дата публикации: 2023-08-30.

Medicament delivery device with piezoelectric actuating system

Номер патента: EP4243897A1. Автор: Nurettin Ali. Владелец: SHL Medical AG. Дата публикации: 2023-09-20.

Centrifugal compressor with liquid injection

Номер патента: EP3403033A1. Автор: Nobuhiro Umeda,Takatoshi Takigawa,Md Anwar HOSSAIN. Владелец: Daikin Applied Americas Inc. Дата публикации: 2018-11-21.

Temperature uniformity across an inkjet head using piezoelectric actuation

Номер патента: US20170253032A1. Автор: Hiroshi Nishimura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Microfluidic mems device for fluid ejection with piezoelectric actuation

Номер патента: US20190367357A1. Автор: Simon Dodd,Domenico Giusti. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2019-12-05.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US20080055961A1. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Electronic cigarette cartridge dual-seal reverse pressure differential liquid injection method and electronic cigarette cartridge using the method for injecting liquid

Номер патента: US11793236B2. Автор: Huimin TAN. Владелец: Shenzhen Innokin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Liquid injection needle and liquid injection device

Номер патента: EP1353716B1. Автор: Tetsuya Terumo Kabushiki Kaisha Ooyauchi,Mieko Terumo Kabushiki Kaisha UEDA. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2005-06-15.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: US20210142838A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: WO2021093263A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

Liquid Discharge Head and Recording Device Using Same

Номер патента: US20120113194A1. Автор: Wataru Ikeuchi,Ayumu Matsumoto. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Electronic cigarette cartridge dual-seal reverse pressure differential liquid injection method and electronic cigarette cartridge using the method for injecting liquid

Номер патента: US20200170305A1. Автор: Huimin TAN. Владелец: Shenzhen Innokin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Electronic vaporization system and liquid injection device

Номер патента: US20240081418A1. Автор: Jie Ma,Chunfeng Zhang,Zhenjie Mo,Weiguang HU,Shengkui LIU. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Medicinal liquid injection apparatus

Номер патента: EP4385543A2. Автор: Yong Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-19.

Liquid separator for a liquid injected compressor

Номер патента: EP1123150A1. Автор: Roland Pamlin,Frits SÖDERLUND. Владелец: Svenska Rotor Maskiner Ab. Дата публикации: 2001-08-16.

Column select circuit of ferroelectric memory

Номер патента: US20040208045A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Apparatus configured for applying write signals for driving a write head and method for configuring

Номер патента: US20040196585A1. Автор: Chuanyang Wang,Davy Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Column repair circuit in ferroelectric memory

Номер патента: US20030053328A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Injection head for the combustion chamber of A rocket propulsion unit

Номер патента: US20080210786A1. Автор: Gerald Hagemann,Frank Grauer. Владелец: Astrium GmbH. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device, semiconductor storage device, and memory system

Номер патента: US20240311051A1. Автор: Tomoaki Suzuki,Goichi Ootomo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, semiconductor system including the same and test method thereof

Номер патента: US09911507B2. Автор: Kwang-Hyun Kim,Kang-Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, semiconductor system and system on chip

Номер патента: US09904626B2. Автор: Mi-Kyung Kim,Kwan-Ho Kim,Deum-Ji Woo,Beom-Woo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Injection head having silencing function for gas type fire extinguisher

Номер патента: US09597537B2. Автор: Yasushi Inoue,Masahiro Yabushita. Владелец: Koatsu Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US09576627B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device, semiconductor system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09384841B2. Автор: Hyun Seung Yoo,Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Modular injection head for the combustion chamber of a gas turbine

Номер патента: RU2769773C2. Автор: Михаэль Томас МАУРЕР,Урс БЕНЦ,Кристоф ГАУПП,Александр Сергеевич МЯТЛЕВ. Владелец: Ансальдо Энергия Свитзерленд Аг. Дата публикации: 2022-04-05.

Injection head for the combustion chamber of a gas turbine

Номер патента: RU2769616C2. Автор: Михаэль Томас МАУРЕР,Урс БЕНЦ,Кристоф ГАУПП,Александр Сергеевич МЯТЛЕВ,Фридолин ХЕЙНЕН. Владелец: Ансальдо Энергия Свитзерленд Аг. Дата публикации: 2022-04-04.

Method for controlling parameters of liquids injected into well

Номер патента: RU2753440C1. Автор: Андрей Николаевич Коротченко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью &#34;Интех&#34;. Дата публикации: 2021-08-16.

Method of administration of medicinal agent in egg and corresponding injection head

Номер патента: RU2482671C2. Автор: Мишаэль НАДРО,Жан-Клод ИВЭН,Флоран МАНГИ. Владелец: Эгг-Чик Отомейтед Текнолоджиз. Дата публикации: 2013-05-27.

Injector cooling systems and methods for liquid injection systems in exhaust diesel engine systems

Номер патента: RU2634983C2. Автор: Джордж МУНТИАН,Джон АНТИС,Сривардхан Чандрапати,Алок ТРИВЕДИ,Эндрю МЪЕР,Стефании Л. АПЕВОКИН,Самюэль ДЖОНСОН,Джошуа Д. ГЕНРИ,Омкар ТЭНДОЛКАР. Владелец: Камминз Эмишн Солюшн Инк.. Дата публикации: 2017-11-08.

Cooling method of power semiconductor devices

Номер патента: RU2710025C2. Автор: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Владелец: Дмитрий Валерьевич Хачатуров. Дата публикации: 2019-12-24.

Injection head for a corrugator for the production of plastics pipes

Номер патента: CA2660471C. Автор: Gerhard Neubauer. Владелец: Unicor GmbH. Дата публикации: 2014-06-17.

Nonvolatile ferroelectric memory using selective reference cell

Номер патента: US6147896A. Автор: Shi-Ho Kim,Bo-Woo Kim,Won-Jae Lee,Byoung-Gon Yu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2000-11-14.

Piezoelectrically actuated piston pump

Номер патента: US6071088A. Автор: Samuel A. Face,Bradbury R Face,Richard P Bishop,Stephen E Clark,Norvell S Rose. Владелец: Face International Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Machining-liquid injection nozzle unit for traveling-wire EDM apparatus

Номер патента: US5021623A. Автор: Toshio Suzuki,Yoshio Shibata,Masato Banzai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-04.

Operator interchangeable gear driven platen and platen drive mechanism for typewriters and printers

Номер патента: CA1158587A. Автор: Clifford G. Brown. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-12-13.

Direct liquid injection of liquid petroleum gas

Номер патента: CA1198494A. Автор: Donald J. Lewis,Jack R. Phipps. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1985-12-24.

Flat-sheet injection head

Номер патента: US4060368A. Автор: Helmuth Theysohn, deceased,administratrix by Ernestine Theysohn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-11-29.

Image printing method and printer

Номер патента: US20160210542A1. Автор: Hongyu Liu,Weiping Huang. Владелец: Beijing Founder Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20170270992A1. Автор: Eric Carman. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-09-21.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190027203A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20020018356A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-02-14.

Multi-level storage in ferroelectric memory

Номер патента: US11848042B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Liquid injection device, liquid injection device control method, and control program

Номер патента: EP1491343B1. Автор: Mitsuo Tanaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-07-21.

Piezoelectric Device, Liquid Ejecting Head, And Liquid Ejecting Apparatus

Номер патента: US20230286274A1. Автор: Daisuke Nagano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Platen and printer using the same

Номер патента: US20020118266A1. Автор: Yukio Honda,Yoshinori Yamaguchi,Akio Hosaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Ferroelectric memory and method of testing the same

Номер патента: US20040179385A1. Автор: Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Nozzle for liquid injection device and method of producing the same

Номер патента: US20010022024A1. Автор: Nobuo Takahashi,Yukihisa Takeuchi,Hiroyuki Tsuji. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2001-09-20.

Thermal activation device, printing device, and printer

Номер патента: US7477276B2. Автор: Masanori Takahashi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-01-13.

Liquid jet head, liquid jet recording device, method for driving liquid jet head, and program for driving liquid jet head

Номер патента: US10589524B2. Автор: Takayuki Shimizu. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Liquid droplet discharge head and liquid droplet discharge apparatus

Номер патента: US20090219346A1. Автор: Shigeru Suzuki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: WO2017176467A2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-12.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US20210020220A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: SG11201808666PA. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor inspection apparatus, and program

Номер патента: US20100333052A1. Автор: Hideaki Tsuchiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Ferroelectric film, ferroelectric film manufacturing method, ferroelectric memory, and semiconductor device

Номер патента: JP4697381B2. Автор: 健 木島,潤一 柄沢. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-08.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF WRITING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120106246A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-05-03.

Thin-film ferroelectric capacitor

Номер патента: RU2550090C2. Автор: Александр Давидович Аврутин,Виктор Давидович Дразнин,Галина Прохоровна Лаврик,Валерий Михайлович Марахонов,Валентина Федоровна Филиппова. Владелец: Открытое Акционерное общество &#34;Научно-исследовательский институт &#34;Гириконд&#34;. Дата публикации: 2015-05-10.

Method of making anhydrous filming solutions for producing ferroelectric films of lead zirconate-titanate

Номер патента: RU2465969C1. Автор: Алексей Сергеевич Вишневский,Константин Анатольевич Воротилов,Нина Михайловна Котова,Александр Сергеевич Сигов,Константин Анатольевич Воротилов (RU),Александр Сергеевич Сигов (RU),Алексей Сергеевич Вишневский (RU),Нина Михайловна Котова (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики&#34;. Дата публикации: 2012-11-10.

Preparation method of film-forming solutions for formation of ferroelectric films of barium-strontium titanate

Номер патента: RU2490370C2. Автор: Алексей Сергеевич Вишневский,Константин Анатольевич Воротилов,Нина Михайловна Котова,Александр Сергеевич Сигов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования &#34;Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики&#34;. Дата публикации: 2013-08-20.

DRIVING DEVICE, PRINT HEAD AND IMAGE FORMING DEVICE

Номер патента: US20120001996A1. Автор: . Владелец: Oki Data Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for selecting printable characters of endless printing bands in printer and printer with endless printing bands

Номер патента: RU2279984C2. Автор: Тадао КАСИВАБА,Тадаси САСАКИ,Тадао КАСИВАБА (JP),Тадаси САСАКИ (JP). Владелец: Кабусики Кайся Сато. Дата публикации: 2006-07-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Method of simultaneous-separate liquid injection as per reservoirs with possibility to measure parameters of injected liquid and installation for its implementation

Номер патента: RU2552405C1. Автор: Александр Владимирович Лукин,Марат Хуснуллович Аминев,Фаат Тахирович Шамилов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Удмуртнефть&#34;. Дата публикации: 2015-06-10.

Device for liquid injection from water-bearing well reservoirs in oil-bearing reservoirs

Номер патента: RU2310065C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,тдинов Радик З уз тович Зи,Рафиль Гиниятуллович Абдулмазитов,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Рафиль Гини туллович Абдулмазитов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Татнефть&#34; им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2007-11-10.

Method of and device for heating and actuating liquid systems

Номер патента: RU2170850C2. Автор: С.А. Побегалов. Владелец: Побегалов Сергей Александрович. Дата публикации: 2001-07-20.

Device for dual production of wellbore fluid and liquid injection

Номер патента: RU2522837C1. Автор: Олег Сергеевич Николаев. Владелец: Олег Сергеевич Николаев. Дата публикации: 2014-07-20.

Device for liquid injection in one well reservoir and oil production from another one

Номер патента: RU2323329C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,тдинов Радик З уз тович Зи,Рафиль Гиниятуллович Абдулмазитов,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Рафиль Гини туллович Абдулмазитов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Татнефть&#34; им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2008-04-27.

Plant for liquid injection in oil reservoir

Номер патента: RU2286441C1. Автор: Игорь Иванович Андреев,Рифхат Зиннурович Сахабутдинов,Валерий Федорович Степанов,Рустем Бариевич Фаттахов,Геннадий Аркадьевич Федотов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Татнефть&#34; им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2006-10-27.

Method and device to measure rheological properties of process liquids injected to oil and gas reservoirs

Номер патента: RU2572074C1. Автор: Давид Аронович Каушанский,Владимир Борисович Демьяновский. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем нефти и газа РАН. Дата публикации: 2015-12-27.

Method for sterilizing ampullated liquid injection preparations and apparatus for carrying out same

Номер патента: RU2036663C1. Автор: Сергей Владимирович Сергеев,Владислав Иванович Трофимов,Вениамин Яковлевич Мунблит,Игорь Яковлевич Маргулев,Исаак Израилевич Лейфман. Владелец: Исаак Израилевич Лейфман. Дата публикации: 1995-06-09.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for liquid injection from upper water-bearing well reservoir into lower oil-bering reservoir

Номер патента: RU2321729C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,тдинов Радик З уз тович Зи,Рафиль Гиниятуллович Абдулмазитов,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Рафиль Гини туллович Абдулмазитов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Татнефть&#34; им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2008-04-10.

Device for liquid injection in bulk or granulated dry materials

Номер патента: RU2349090C2. Автор: Бернхард НОЛЛЬ. Владелец: Бернхард НОЛЛЬ. Дата публикации: 2009-03-20.

Device for liquid injection from upper water-bearing well reservoir into lower oil-bering reservoir

Номер патента: RU2321730C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,тдинов Радик З уз тович Зи,Камиль Мугаммарович Мусин,Линар Тагирович Салахов. Владелец: Открытое акционерное общество &#34;Татнефть&#34; им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2008-04-10.

Liquid injecting method and apparatus

Номер патента: CA1161644A. Автор: George J. Greene, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-02-07.

Microfilm reader and printer

Номер патента: CA1272407A. Автор: Robert W. Thompson. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1990-08-07.

Serpentine cross section piezoelectric actuator

Номер патента: WO1998007183A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1998-08-06.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.