Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device having error correction code (ECC) circuit

Semiconductor device having error correction code (ECC) circuit

Номер патента: US09690653B2
Опубликовано: 27-06-2017
Автор(ы): Takamasa Suzuki
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having error correction code (ecc) circuit

Номер патента: US20190354432A1. Автор: Takamasa Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device having error correction code (ecc) circuit

Номер патента: US20210263796A1. Автор: Takamasa Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device having error correction code (ecc) circuit

Номер патента: US20170269997A1. Автор: Takamasa Suzuki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for scrubbing and correcting DRAM memory data with internal error-correcting code (ECC) bits contemporaneously during self-refresh state

Номер патента: US09880900B2. Автор: David Reed,Alok Gupta. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230043306A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Error correction coding in a dynamic memory module

Номер патента: WO2020026029A2. Автор: Leonid Smolyansky,Boris Shulman,Yosef Kreinin. Владелец: Mobileye Vision Technologies Ltd.. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20170242749A1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory device having a shareable error correction code cell array

Номер патента: US09859022B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Sang-Hoon Shin,Hae-Suk LEE,Kyo-Min Sohn,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Soo-Hyeong KIM,Han-vit Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Error correction in a memory device

Номер патента: US09575835B2. Автор: Frederick A. Ware,Thomas Vogelsang,Wayne F. Ellis,Ian P. Shaeffer,Suresh N. Rajan. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having buffer circuit

Номер патента: US12040012B2. Автор: Yuki Miura,Ken Ota. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

MEMORY DEVICE HAVING A SHAREABLE ERROR CORRECTION CODE CELL ARRAY

Номер патента: US20160048425A1. Автор: Sohn Kyo-Min,Song Ho-Young,Kim Hyun-Joong,SHIN Sang-Hoon,LEE Hae-suk,Kim Soo-hyeong,Jung Ju-yun,Jung Bu-il,Jeong Han-vit. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Memory chip with per row activation count having error correction code protection

Номер патента: EP4109271A3. Автор: JongWon Lee,Kuljit S. Bains,Bill Nale,Ronald Anderson,Lawrence Blankenbeckler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Apparatuses, systems, and methods for error correction

Номер патента: US12079076B2. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Kevin G. Werhane,Vivek Kotti,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09858142B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatuses, systems, and methods for error correction

Номер патента: US20210406123A1. Автор: Toru Ishikawa,Takuya Nakanishi,Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor memory device with test of ecc circuit

Номер патента: EP3985674A1. Автор: Junjin Kong,Yesin RYU,Jihyun Choi,Sunggi AHN,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device having an improved ecc architecture

Номер патента: US20240221856A1. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for memory scrub of DRAM with internal error correcting code (ECC) bits during either memory activate and/or precharge operation

Номер патента: US09823964B2. Автор: David Reed,Alok Gupta. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Data line (dq) sparing with adaptive error correction coding (ecc) mode switching

Номер патента: US20240013851A1. Автор: Hang Chen,SHEN Zhou,Kuljit S. Bains,Mohan J. Kumar,Antonio J. HASBUN MARIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Error correction circuits of semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: KR20210092391A. Автор: 김성래,이명규,김찬기,이기준,송영걸,차상언,조성혜. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-07-26.

Error correction based on historical bit error data

Номер патента: US09710329B2. Автор: Idan Alrod,Eli Elmoalem,Ronen Golan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Controller-based memory scrub for drams with internal error-correcting code (ecc) bits contemporaneously during auto refresh or by using masked write commands

Номер патента: US20180314591A1. Автор: David Reed,Alok Gupta. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Error correction circuit using multi-clock and semiconductor device including the same

Номер патента: US12100465B2. Автор: Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and reading method

Номер патента: US09665426B2. Автор: Hiroyuki Nagashima,Kazunori Kanebako,Yuichiro Mitani,Kuniharu Takahashi,Katsuki Matsudera,Jiezhi Chen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device using fuse arrays to store weak cell addresses

Номер патента: US09886339B2. Автор: Jong Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Error-correction coding for hot-swapping semiconductor devices

Номер патента: US09484113B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Error correction code validation

Номер патента: EP4428693A1. Автор: Andreas Callanan,Thomas Meany,Shaun Stephen Bradley,Bernard Sherwin Leung Chiw,Pat Crowe. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-09-11.

Error correction code validation

Номер патента: EP4266178A1. Автор: Andreas Callanan,Thomas Meany,Shaun Stephen Bradley,Bernard Sherwin Leung Chiw,Pat Crowe. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-10-25.

Error correction code validation

Номер патента: US20230342242A1. Автор: Shaun Stephen Bradley,Bernard Sherwin Leung Chiw,Andreas G Callanan,Thomas J. Meany,Pat Crowe. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-10-26.

Error correction code validation

Номер патента: US11940872B2. Автор: Shaun Stephen Bradley,Bernard Sherwin Leung Chiw,Andreas G Callanan,Thomas J. Meany,Pat Crowe. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-03-26.

Shared error correction coding circuitry

Номер патента: US11742047B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: EP3317766A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-09.

Memory array and link error correction in a low power memory sub-system

Номер патента: WO2017003548A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-01-05.

Fast search of error correction code (ecc) protected data in a memory

Номер патента: US20190146873A1. Автор: Wei Wu,Dinesh Somasekhar,Vivek Kozhikkottu,Jon Stephan,Aravinda K. Radhakrishnan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Storage device with robust error correction scheme

Номер патента: US20160224417A1. Автор: Nir Tasher. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Memory device having sharable ECC (Error Correction Code) cell array

Номер патента: KR102204391B1. Автор: 송호영,김현중,신상훈,김수형,정주연,이해석,정부일,손교민,정한빛. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-01-18.

Overcoming error correction coding mis-corrects in non-volatile memory

Номер патента: US20210117270A1. Автор: Ali Khakifirooz,Krishna K. Parat,Ravi H. MOTWANI,Rohit S. Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Error correcting system shared by multiple memory devices

Номер патента: US20200210289A1. Автор: Zhi-Xian Chou,Wei-Chiang Shih. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Non-volatile memory device having adjustable read voltage, memory system comprising same, and method of operating same

Номер патента: US09606864B2. Автор: Seung-yeon Lee,Hee-Woong Kang,Jong-Nam Baek,San Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Overcoming error correction coding mis-corrects in non-volatile memory

Номер патента: US12001280B2. Автор: Ali Khakifirooz,Krishna K. Parat,Ravi H. MOTWANI,Rohit S. Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

SRAM with Error Correction in Retention Mode

Номер патента: US20190259450A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Stephen James Sheafor. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

SRAM with Error Correction in Retention Mode

Номер патента: US20190074056A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Stephen James Sheafor. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

SRAM with Error Correction in Retention Mode

Номер патента: US20200227115A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Stephen James Sheafor. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

SRAM with error correction in retention mode

Номер патента: US10629257B2. Автор: Christophe J. Chevallier,Stephen James Sheafor. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Apparatus and method for generating common locator bits to locate a device or column error during error correction operations

Номер патента: US09760435B2. Автор: Debaleena Das. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus and method for generating common locator bits to locate a device or column error during error correction operations

Номер патента: US20170109230A1. Автор: Debaleena Das. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Error correction in differential memory devices with reading in single-ended mode in addition to reading in differential mode

Номер патента: US20150212880A1. Автор: Marco Pasotti,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US09892784B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US20170117044A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Memory apparatus having hierarchical error correction code layer

Номер патента: US20200241957A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20230282300A1. Автор: Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Modular error correction code circuitry

Номер патента: US12094551B2. Автор: Hwa Chaw Law,Yu Ying Ong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatuses, systems, and methods for error correction of selected bit pairs

Номер патента: US20230060107A1. Автор: Toru Ishikawa,Takuya Nakanishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Apparatuses, systems, and methods for error correction of selected bit pairs

Номер патента: WO2023023451A1. Автор: Toru Ishikawa,Takuya Nakanishi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-23.

System Error Correction Code (ECC) Circuitry Routing

Номер патента: US20240170091A1. Автор: YANG LU,Hyun Yoo Lee,Yoshiro Riho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatuses, systems, and methods for module level error correction

Номер патента: US20240071549A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatuses, systems, and methods for module level error correction

Номер патента: US20240071550A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and error correction method

Номер патента: US09558063B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

System and memory with configurable error-correction code (ecc) data protection and related methods

Номер патента: US20230298682A1. Автор: Anand Srinivasan,Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Olivier Alavoine,Laurent René Moll. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device having error correction function and error correction method for memory device

Номер патента: US20180260275A1. Автор: Seung Yeob Lee,Joon Sung YANG. Владелец: Research & Business Foundation Sungkyunwan University. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor device and error correction information writing method

Номер патента: US09619319B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device performing error correction operation

Номер патента: US09627092B2. Автор: Seung-Min Lee,Won-ha Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Error correcting memory access means and method

Номер патента: US20040153944A1. Автор: Daniel Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory device having error notification function

Номер патента: US09727412B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Two-level error correcting code with sharing of check-bits

Номер патента: US12126358B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device, semiconductor device, and semiconductor system

Номер патента: US20190258543A1. Автор: Chang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Two-level error correcting code with sharing of check-bits

Номер патента: EP3937019A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Method of error correction code (ECC) decoding and memory system performing the same

Номер патента: US12080366B2. Автор: Kangseok Lee,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Optimizing error correcting code in three-dimensional stacked memory

Номер патента: US20190220351A1. Автор: Saravanan Sethuraman,John B. DeForge,Kirk D. Peterson,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Sridhar Rangarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Memory with pattern oriented error correction code

Номер патента: US20190018732A1. Автор: Hoon Ryu,TaeHyung Jung,Jong-sik Na. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Error correction hardware with fault detection

Номер патента: US09904595B1. Автор: Indu Prathapan,Saket Jalan,Abhishek Ganapati KARKISAVAL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Dynamic application of error correction code (ECC) based on error type

Номер патента: US09691505B2. Автор: Rajat Agarwal,Debaleena Das. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of error correction code (ecc) decoding and memory system performing the same

Номер патента: US20230187011A1. Автор: Kangseok Lee,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of error correction code (ecc) decoding and memory system performing the same

Номер патента: EP4198735A1. Автор: Kangseok Lee,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-21.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: WO2017087076A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-26.

Memory-mapped two-dimensional error correction code for multi-bit error tolerance in dram

Номер патента: US20210359704A1. Автор: Ying Zhang,Jian Chen. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: EP3377974A1. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Separate link and array error correction in a memory system

Номер патента: US09965352B2. Автор: Jungwon Suh,David Ian West. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device for performing error correction code operation and redundancy repair operation

Номер патента: US09875155B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Jae-Youn Youn,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device for performing error correction code operation and redundancy repair operation

Номер патента: US09626244B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son,Jae-Youn Youn,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Error correction code system with augmented detection features

Номер патента: US11750226B2. Автор: Eric Masson,Nagaraju Balasubramanya. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device that communicates error correction results to a host

Номер патента: US20170060676A1. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory device that communicates error correction results to a host

Номер патента: US9891987B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and apparatus for testing error correcting code (ecc) function of fpga on-chip block random access memory (bram)

Номер патента: US20240275406A1. Автор: NIU Li,YUE Han,Zheng Wang,Qi Zhou,Yunjie Fan,Jingxiang Wang,Tianping Wang. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Error correction hardware with fault detection

Номер патента: US11740968B2. Автор: Indu Prathapan,Saket Jalan,Abhishek Ganapati KARKISAVAL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Low latency SSD read architecture with multi-level error correction codes (ECC)

Номер патента: US12067254B2. Автор: JING Yang,Rekha Pitchumani,Zongwang Li,Marie Mai NGUYEN,Mehran Elyasi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

One-time programmable memory device with ecc circuit and double error processing

Номер патента: EP4280214A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory systems and electronic systems performing an adaptive error correction operation with pre-checked error rate, and methods of operating the memory systems

Номер патента: US20180210786A1. Автор: Soojin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Composite semiconductor memory device with error correction

Номер патента: EP2550661A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Characterization of in-chip error correction circuits and related semiconductor memory devices/memory systems

Номер патента: US20210044393A1. Автор: Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Bypassing error correction code (ecc) processing based on software hint

Номер патента: US20190391871A1. Автор: Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Kiran C. Veernapu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Automated error correction with memory refresh

Номер патента: US11907544B2. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Characterization of in-chip error correction circuits and related semiconductor memory devices/memory systems

Номер патента: US20180323915A1. Автор: Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-08.

Bypassing error correction code (ecc) processing based on software hint

Номер патента: US20210055992A1. Автор: Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Kiran C. Veernapu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Automated error correction with memory refresh

Номер патента: WO2022047266A1. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Bypassing error correction code (ecc) processing based on software hint

Номер патента: EP3809268A1. Автор: Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Kiran C. Veernapu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Automated Error Correction with Memory Refresh

Номер патента: US20240192862A1. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having error correction logic

Номер патента: WO2014158130A1. Автор: Gregg B. Lesartre. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-10-02.

Data error correction circuit and data transmission circuit

Номер патента: EP4258115A1. Автор: Kangling JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Decoding scheme for error correction code structure

Номер патента: WO2020188445A1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Ofir Kanter,Amir Nassie,Meir NADAM-OLEGNOWICZ. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09959166B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Error correction for non-volatile memory

Номер патента: US09619320B2. Автор: Robert Mateescu,Yongjune Kim,Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

System and method for providing error correction and detection in a memory system

Номер патента: US8055976B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Paul W. Coteus,Luis A. Lastras-Montano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Error Correction in a Memory Device having an Error Correction Code of a Predetermined Code Rate

Номер патента: US20230317195A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

A method, system, and apparatus for adjacent-symbol error correction and detection code

Номер патента: KR100865195B1. Автор: 토마스 홀맨. Владелец: 인텔 코오퍼레이션. Дата публикации: 2008-10-23.

Apparatuses and methods for variable input ecc circuits

Номер патента: US20240289217A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory card with capability of error correction and error correction method therefore

Номер патента: US5848076A. Автор: Yoshimasa Yoshimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

System and method for facilitating elastic error correction code in memory

Номер патента: US20210294692A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Data storing method for a non-volatile memory cell array having an error correction code

Номер патента: US7653863B2. Автор: Corrado Villa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-26.

Reduction of errors in data retrieved from a memory device to apply an error correction code of a predetermined code rate

Номер патента: US12086028B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Reduction of Errors in Data Retrieved from a Memory Device to Apply an Error Correction Code of a Predetermined Code Rate

Номер патента: US20230195570A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Computation and placement of error correcting codes (ECC) in a computing system data cache

Номер патента: US11847022B2. Автор: Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali,Brian Robert Prasky,Deanna Postles Dunn Berger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Using Error Correction Code (ECC) Bits for Retaining Victim Cache Lines in a Cache Block in a Cache Memory

Номер патента: US20230022320A1. Автор: Marko Scrbak,Jagadish KOTRA. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Technologies for fast booting with error-correcting code memory

Номер патента: US11960900B2. Автор: Rajat Agarwal,Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Computation and placement of error correcting codes (ecc) in computing system data cache

Номер патента: WO2023169293A1. Автор: Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali,Brian Robert Prasky,Deanna Postles Dunn Berger. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Computation and placement of error correcting codes (ecc) in a computing system data cache

Номер патента: US20230281077A1. Автор: Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali,Brian Robert Prasky,Deanna Postles Dunn Berger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Cache entry error-correcting code (ECC) based at least on cache entry data and memory address

Номер патента: US6971041B2. Автор: Donald R. DeSota,Thomas D. Lovett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-11-29.

Adjustable memory allocation based on error correction

Номер патента: US8826100B2. Автор: Bernardo Rub. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-09-02.

Write back buffer with error correcting capabilities

Номер патента: CA1325290C. Автор: Tryggve Fossum,Maurice B. Steinman,Ricky C. Hetherington,David A. Webb, Jr.. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1993-12-14.

Post error correction code registers for cache metadata

Номер патента: US11768734B2. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Saira Samar MALIK,Taeksang Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Post error correction code registers for cache metadata

Номер патента: US20230055293A1. Автор: Chinnakrishnan Ballapuram,Saira Samar MALIK,Taeksang Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Error correction code circuit, memory device including error correction code circuit, and operation method of error correction code

Номер патента: EP4379555A1. Автор: Daehyun Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Apparatuses and methods for selectable expansion of error correction capability

Номер патента: US20240296096A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Overlapping data integrity for semiconductor devices

Номер патента: US09329926B1. Автор: Larrie Simon Carr,David Joseph Clinton,Manthiramoorthy Ponmanikandan. Владелец: Microsemi Storage Solutions US Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Use of error correcting code to carry additional data bits

Номер патента: US09559726B2. Автор: Asaf Rubinstein,Daniel Greenspan,Julius Yuli Mandelblat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Secure error correcting code (ECC) trust execution environment (TEE) configuration metadata encoding

Номер патента: US12045128B1. Автор: David M. Durham,Karanvir Grewal,Sergej Deutsch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Machine-learning error-correcting code controller

Номер патента: US20230421176A1. Автор: Amit Berman,Ariel Doubchak,Evgeny BLAICHMAN,Lital Cohen,Dikla Shapiro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Extender Card for Testing Error-Correction-Code (ECC) Storage Area on Memory Modules

Номер патента: US20050246594A1. Автор: David Sun,Ramon Co,Tat Lai. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Machine-learning error-correcting code controller

Номер патента: US11742879B2. Автор: Amit Berman,Ariel Doubchak,Evgeny BLAICHMAN,Lital Cohen,Dikla Shapiro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Machine-learning error-correcting code controller

Номер патента: US12119840B2. Автор: Amit Berman,Ariel Doubchak,Evgeny BLAICHMAN,Lital Cohen,Dikla Shapiro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Secure error correcting code (ecc) trust execution environment (tee) configuration metadata encoding

Номер патента: US20240220357A1. Автор: David M. Durham,Karanvir Grewal,Sergej Deutsch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Providing multiple error correction code protection levels in memory

Номер патента: US12039176B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent,Marco Sforzin,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Multiple error correction code (ECC) engines and ECC schemes

Номер патента: US12086026B2. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim,Keun Soo Song. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Adaptive error correction codes (ECCs) for electronic memories

Номер патента: US09425829B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju,George P. Hoekstra. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Error correcting code circuitry compatible with multi-width interfaces

Номер патента: US12009842B2. Автор: Qiang Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Method and system for facilitating efficient data compression based on error correction code and reorganization of data placement

Номер патента: US20220342750A1. Автор: Shu Li. Владелец: Alibaba Singapore Holdings Pte Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Error correction code (ECC) selection using probability density functions of error correction capability in storage controllers with multiple error correction codes

Номер патента: US09419655B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-08-16.

Use of error correcting code to carry additional data bits

Номер патента: US20160365876A1. Автор: Asaf Rubinstein,Daniel Greenspan,Julius Yuli Mandelblat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Data recovery using additional error correction coding data

Номер патента: EP2673709A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Stephen Skala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-12-18.

Method and system for iterative data recovery and error correction in a distributed system

Номер патента: US20180365102A1. Автор: Shu Li,Jianjian Huo. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Efficient security metadata encoding in error correcting code (ECC) memory without dedicated ECC bits

Номер патента: US12066888B2. Автор: Rajat Agarwal,David M. Durham,Karanvir Grewal,Sergej Deutsch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

System, method and apparatus for reducing power consumption of error correction coding using compacted data blocks

Номер патента: US20240289213A1. Автор: John Holm,Qiuxu Zhuo,Anthony Luck,Hsing-Min Chen,Karthik Ananthanarayanan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Data recovery using additional error correction coding data

Номер патента: US20130275832A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Stephen Skala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-10-17.

Error correcting memory and method of operating same

Номер патента: EP1449082A2. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Monolithic System Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Data processing system having a memory controller with inline error correction code (ECC) support

Номер патента: US12124328B2. Автор: Diviya Jain,James Andrew Welker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memories utilizing hybrid error correcting code techniques

Номер патента: US09612901B2. Автор: James A. COLEMAN,Joshua D. Ruggiero,Gary J. Lavelle. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Self-timed error correcting code evaluation system and method

Номер патента: US20140040696A1. Автор: James B. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Self-timed error correcting code evaluation system and method

Номер патента: US20130117628A1. Автор: James B. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Integrated error correction code (ecc) and parity protection in memory control circuits for increased memory utilization

Номер патента: US20230315571A1. Автор: Sandeep Brahmadathan,Nagi Aboulenein,Massimo Sutera. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses, systems, and methods for module level error correction

Номер патента: US20240070025A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Data recovery using additional error correction coding data

Номер патента: WO2012109101A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Stephen Skala. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Dynamic blockchain data storage based on error correction code

Номер патента: US20210073075A1. Автор: Haizhen ZHUO,Zhonghao Lu. Владелец: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Dynamic blockchain data storage based on error correction code

Номер патента: EP3769235A2. Автор: Haizhen ZHUO,Zhonghao Lu. Владелец: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Controller having error correction function in accordance with operating state of monitoring target

Номер патента: US09787330B2. Автор: Shinji Akimoto. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Efficient security metadata encoding in error correcting code (ecc) memory without dedicated ecc bits

Номер патента: US20240053904A1. Автор: Rajat Agarwal,David M. Durham,Karanvir Grewal,Sergej Deutsch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

ADAPTIVE ERROR CORRECTION CODES (ECCs) FOR ELECTRONIC MEMORIES

Номер патента: US20160080002A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,George P. Hoekstra. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-17.

Error correction code decoder using constacyclic code, and memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240097709A1. Автор: Junghwan Choi,Chanki Kim,Jihwan HYUN,Jaewha Kim,Jongseon No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Data processing system having a memory controller with inline error correction code (ecc) support

Номер патента: EP4270197A1. Автор: Diviya Jain,James Andrew Welker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Data processing system having a memory controller with inline error correction code (ecc) support

Номер патента: US20230342240A1. Автор: Diviya Jain,James Andrew Welker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Error correction code decoder, storage controller and storage device

Номер патента: US20240184669A1. Автор: Hongrak Son,Bohwan Jun,Mankeun SEO,Jaehun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Error correcting memory and method of operating same

Номер патента: WO2003042826A3. Автор: Wingyu Leung,Fu-Chieh Hsu. Владелец: Freeman Jacqueline Carol. Дата публикации: 2004-04-22.

Data security of shared blockchain data storage based on error correction code

Номер патента: EP3769216A2. Автор: Haizhen ZHUO,Zhonghao Lu. Владелец: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Data security of shared blockchain data storage based on error correction code

Номер патента: CA3098932A1. Автор: Haizhen ZHUO,Zhonghao Lu. Владелец: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Error correction coding with high-degree overlap among component codes

Номер патента: US09553611B2. Автор: Tomer Ish-Shalom,Moti Teitel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Collecting failure information on error correction code (ECC) protected data

Номер патента: US8423875B2. Автор: Patrick J. Meaney,Arthur J. O'Neill. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Error correction coding and decoding in a solid-state storage device

Номер патента: US20030023923A1. Автор: Kenneth Smith,Jonathan Jedwab,James Davis,Gadiel Seroussi,David Mcintyre,Frederick Perner,Stewart Wyatt,Kenneth Paterson. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-01-30.

More secure data reading with error correction codes

Номер патента: US11960358B1. Автор: Björn FAY. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-16.

More secure data reading with error correction codes

Номер патента: EP4345623A1. Автор: Björn FAY. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-03.

More secure data reading with error correction codes

Номер патента: US20240111624A1. Автор: Björn FAY. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-04.

Self-timed error correcting code evaluation system and method

Номер патента: WO2009079175A3. Автор: James Brian Johnson. Владелец: James Brian Johnson. Дата публикации: 2009-08-20.

Flit-based parallel-forward error correction and parity

Номер патента: EP3869349A1. Автор: Debendra Das Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

System and method of error correction of control data at a memory device

Номер патента: WO2011087602A1. Автор: Jian Chen,Itai Dror,Rajeev Nagabhirava,Peter Hwang,Arjun Kapoor,Damian Pablo Yurzola,Annie Chi-San Chang. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2011-07-21.

System and method of error correction of control data at a memory device

Номер патента: EP2713274A3. Автор: Jian Chen,Itai Dror,Rajeev Nagabhirava,Peter Hwang,Arjun Kapoor,Damian Pablo Yurzola,Annie Chi-San Chang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-04-30.

Extended error correction coding data storage

Номер патента: US20160342469A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy,Adam J. McPadden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Utilizing Error Correcting Code Data Associated With A Region of Memory

Номер патента: US20140006903A1. Автор: Anthony J. Bybell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-02.

Data security of shared blockchain data storage based on error correction code

Номер патента: AU2019320956A1. Автор: Haizhen ZHUO,Zhonghao Lu. Владелец: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

System and method of error correction of control data at a memory device

Номер патента: EP2517107A1. Автор: Jian Chen,Itai Dror,Rajeev Nagabhirava,Peter Hwang,Arjun Kapoor,Damian Pablo Yurzola,Annie Chi-San Chang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Parity protected memory blocks merged with error correction code (ecc) protected blocks in a codeword for increased memory utilization

Номер патента: US20240220356A1. Автор: Sandeep Brahmadathan,Nagi Aboulenein,Massimo Sutera. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Extracting selective information from on-die dynamic random access memory (DRAM) error correction code (ECC)

Номер патента: US09811420B2. Автор: Bill Nale,Debaleena Das,Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Alias-free tagged error correcting codes for machine memory operations

Номер патента: US20240184670A1. Автор: Michael B. Sullivan,Aamer Jaleel,Mohamed Tarek Bnziad Mohamed Hassan. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Error correction coding (ecc) decode operation scheduling

Номер патента: US20130139021A1. Автор: Yoseph Hassan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-05-30.

Error correcting code protected quasi-static bit communication on a high-speed bus

Номер патента: US20120272119A1. Автор: Robert J. Reese,Kevin C. Gower,Peter Buchmann,Martin L. Schmatz,Michael R. Trombley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Controller having error correction function in accordance with operating state of monitoring target

Номер патента: US20150365110A1. Автор: Shinji Akimoto. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Error correction for computational memory modules

Номер патента: US20230259423A1. Автор: Elad Sity,Eliad HILLEL,Gal DAYAN. Владелец: Neuroblade Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Temperature dependent multiple mode error correction

Номер патента: WO2017074648A1. Автор: Wei Wu,Shigeki Tomishima,James W. Tschanz,Charles Augustine,Shih-Lien L. Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-05-04.

Intra-controllers for error correction code

Номер патента: US20240004751A1. Автор: John D. Porter,Marco Sforzin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Parity protected memory blocks merged with error correction code (ECC) protected blocks in a codeword for increased memory utilization

Номер патента: US11934263B2. Автор: Sandeep Brahmadathan,Nagi Aboulenein,Massimo Sutera. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Temperature dependent multiple mode error correction

Номер патента: EP3368984A1. Автор: Wei Wu,Shigeki Tomishima,James W. Tschanz,Charles Augustine,Shih-Lien L. Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-09-05.

Parity protected memory blocks merged with error correction code (ecc) protected blocks in a codeword for increased memory utilization

Номер патента: US20230315565A1. Автор: Sandeep Brahmadathan,Nagi Aboulenein,Massimo Sutera. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of error correction in mbc flash memory

Номер патента: EP1934854A4. Автор: Menachem Lasser,Mark Murin,Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Method of error correction in mbc flash memory

Номер патента: EP1934854B1. Автор: Menachem Lasser,Mark Murin,Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2010-11-24.

Method of error correction in MBC flash memory

Номер патента: EP2287740B1. Автор: Mark Murin,Menahem Lasser,Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2013-01-16.

Semiconductor device and decoding method thereof

Номер патента: US8522124B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Hwan Lee,Jun-Jin Kong,Yong-June Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-27.

Double consecutive error correction

Номер патента: US09529665B2. Автор: Alexander Gendler,Gilad Cohen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Area efficient implementation of a product code error correcting code decoder

Номер патента: US20190312600A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,Nicholas J. Richardson,Patrick R. KHAYAT,Shantilal Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Consenus of shared blockchain data storage based on error correction code

Номер патента: CA3098934C. Автор: Haizhen ZHUO,Zhonghao Lu. Владелец: Alipay Hangzhou Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor device and error detection methods

Номер патента: US11831337B2. Автор: Takashi Ishibashi,Hiroyuki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09990154B2. Автор: Yoshikazu Sato,Haruhiko MATSUMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

ECC circuit failure detector/quick word verifier

Номер патента: US4740968A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-04-26.

Partitioned memory having error detection capability

Номер патента: US20220050746A1. Автор: Mark A. Helm,Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Akira Goda,Giuseppina Puzzilli,Niccolo' Righetti,Todd A. Marquart,Jeremy Binfet,Carmine Miccoli,Jeffrey S. Mcneil Jr.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Partitioned memory having error detection capability

Номер патента: WO2022040059A8. Автор: Mark A. Helm,Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Akira Goda,Giuseppina Puzzilli,Niccolo' Righetti,Todd A. Marquart,Jeremy Binfet,Carmine Miccoli,Jeffrey S. Mcneil Jr.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and apparatus for code error correction using an ordered syndrome and error correction lookup table

Номер патента: US5491700A. Автор: David Wright,Neal K. Riedel. Владелец: Pacific Communication Sciences Inc. Дата публикации: 1996-02-13.

Partitioned memory having error detection capability

Номер патента: US20230044883A1. Автор: Mark A. Helm,Gil Golov,Kishore K. Muchherla,Akira Goda,Giuseppina Puzzilli,Niccolo' Righetti,Jeffrey S. McNeil, Jr.,Todd A. Marquart,Jeremy Binfet,Carmine Miccoli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Data Validation and Correction using Hybrid Parity and Error Correcting Codes

Номер патента: US20240243755A1. Автор: Magnus HJORTH. Владелец: Frontgrade Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Data validation and correction using hybrid parity and error correcting codes

Номер патента: EP4364302A1. Автор: Magnus HJORTH. Владелец: Frontgrade Gaisler AB. Дата публикации: 2024-05-08.

Data validation and correction using hybrid parity and error correcting codes

Номер патента: WO2023277746A1. Автор: Magnus HJORTH. Владелец: Cobham Gaisler Ab. Дата публикации: 2023-01-05.

Electronic device comprising error correction coding device and electronic device comprising error correction decoding device

Номер патента: US20130073925A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Memory reliability using error-correcting code

Номер патента: US09772901B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju,George P. Hoekstra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device having identification information generating function and identification information generation method for semiconductor device

Номер патента: US20130326243A1. Автор: Masanori Isoda,Hidehiro Fujiwara,Koji Nll. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09852787B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Dual-mode error-correction code/write-once memory codec

Номер патента: US09690517B2. Автор: Srinath Ramaswamy,Yuming Zhu,Sai Zhang,Clive Bittlestone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Error correction code management of write-once memory codes

Номер патента: US09772899B2. Автор: Srinath Ramaswamy,Yuming Zhu,Sai Zhang,Clive Bittlestone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Dual-Mode Error-Correction Code/Write-Once Memory Codec

Номер патента: US20170293526A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Yuming Zhu,Sai Zhang,Clive Bittlestone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Dual-mode error-correction code/write-once memory codec

Номер патента: US20160342471A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Yuming Zhu,Sai Zhang,Clive Bittlestone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Power control device and method for error correction code components in memory system

Номер патента: US20210263577A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Hongwei Duan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Error correction code management of write-once memory codes

Номер патента: US20160328289A1. Автор: Srinath Ramaswamy,Yuming Zhu,Sai Zhang,Clive Bittlestone. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Using error correcting codes for parity purposes

Номер патента: US09529664B2. Автор: Michael Klein,Silvia M. Mueller,Son T. Dao,Juergen Haess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Using error correcting codes for parity purposes

Номер патента: US09513987B2. Автор: Michael Klein,Silvia M. Mueller,Son T. Dao,Juergen Haess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Optimized error-correcting code (ecc) for data protection

Номер патента: US20180314586A1. Автор: Jungwon Suh,Alain Artieri,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Optimized error-correcting code (ecc) for data protection

Номер патента: WO2018200132A1. Автор: Jungwon Suh,Alain Artieri,Dexter Tamio Chun,Deepti Vijayalakshmi Sriramagiri. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-01.

Managing error correction coding in memory systems

Номер патента: US11983124B2. Автор: Kuan-Chieh Wang,Shih-Chou Juan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Managing error correction coding in memory systems

Номер патента: US20220318090A1. Автор: Kuan-Chieh Wang,Shih-Chou Juan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Error correction code (ECC) encoders, ECC encoding methods capable of encoding for one clock cycle, and memory controllers including the ECC encoders

Номер патента: US10741212B2. Автор: Soo Jin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Using error correcting codes for parity purposes

Номер патента: US20160132385A1. Автор: Michael Klein,Silvia M. Mueller,Son T. Dao,Juergen Haess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Using error correcting codes for parity purposes

Номер патента: US20160132390A1. Автор: Michael Klein,Silvia M. Mueller,Son T. Dao,Juergen Haess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Memory controller including ECC circuit, memory system having the same, and method of operating memory system and memory controller

Номер патента: US11036577B2. Автор: Sung-Kyu Park,Beom-kyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-15.

Storage device for performing reliability check by using error correction code (ECC) data

Номер патента: US11798645B2. Автор: Namyong Kim,Sangmu Lee,Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hwangju Song,Jaeeun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory controller including ecc circuit, memory system having the same, and method of operating memory system and memory controller

Номер патента: US20200151054A1. Автор: Sung-Kyu Park,Beom-kyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory controller including ecc circuit, memory system having the same, and method of operating memory system and memory controller

Номер патента: US20210263794A1. Автор: Sung-Kyu Park,Beom-kyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Storing deep neural network weights in non-volatile storage systems using vertical error correction codes

Номер патента: US20200117539A1. Автор: Chao Sun,Dejan Vucinic,Minghai Qin. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Using error correcting codes for parity purposes

Номер патента: US20160357636A1. Автор: Michael Klein,Silvia M. Mueller,Son T. Dao,Juergen Haess. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory device having error detection function, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20220085019A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US20170337105A1. Автор: Chang Ki Baek,Jae Woong Yun,Saeng Hwan Kim,Mun Seon JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20230236929A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Hsueh-Chih Yang,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Error correction code circuit and semiconductor apparatus including the error correction code circuit

Номер патента: US12126357B2. Автор: Seong Jin Kim,Jung Hwan Ji,Seon Woo HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device identifier generation method and semiconductor device

Номер патента: WO2007119190A3. Автор: Roelof H W Salters,Geert J Schrijen,Boris Skoric,Pim T Tuyls,Veen Rutger S Van,Manuel P C Heiligers,Abraham C Kruseman. Владелец: Abraham C Kruseman. Дата публикации: 2008-01-17.

Digital computer having an error correction code (ECC) system with comparator integrated into re-encoder

Номер патента: US5598422A. Автор: Michael L. Longwell,Paul F. Groepler. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 1997-01-28.

Multi-layer integrated zone partition system error correction

Номер патента: US10275309B2. Автор: Satoshi Yamamoto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Error correction decoder, error correction circuit having error correction decoder, and method of operating error correction decoder

Номер патента: US20210359710A1. Автор: Soon Young KANG,Bo Seok JEONG,Myung Jin Jo,Wan Je Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

System-Level Error Correction Coding Allocation Based On Device Population Data Integrity Sharing

Номер патента: US20200007169A1. Автор: Remmelt Pit,Bernd Lamberts,Zarko Popov,Timothy Lieber,Robert M. Lester. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device with built-in error-correction capabilities

Номер патента: US20040240282A1. Автор: Duo Sheng,Miin Yen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

On-the-fly evaluation of the number of errors corrected in iterative ECC decoding

Номер патента: US09853661B2. Автор: Micha Anholt,Yonathan Tate,Asaf Landau. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Error correcting code testing

Номер патента: WO2018208353A1. Автор: Palkesh Jain,Mohammad Reza Kakoee,Rahul Gulati,Pranjal BHUYAN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-11-15.

Error correcting code testing

Номер патента: US20180331692A1. Автор: Palkesh Jain,Mohammad Reza Kakoee,Rahul Gulati,Pranjal BHUYAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Control device performing lifetime prediction by error correction function

Номер патента: US09906242B2. Автор: Shinji Akimoto. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US20170235632A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09747148B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Techniques for testing semiconductor devices

Номер патента: US12079097B2. Автор: Ashish Kumar,Rahul Garg,Shantanu SARANGI,Animesh Khare. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09606851B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and apparatus for testing error correction code (ECC) logic and physical memory onboard a manufactured integrated circuit (IC)

Номер патента: US09865362B1. Автор: Steven Lee Gregor,Puneet Arora,Navneet Kaushik,Norman Robert Card. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having impedance calibration function to data output buffer and semiconductor module having the same

Номер патента: US09571102B2. Автор: Kentaro Hara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Error correction code circuits having one-to-one relationships with input/output pads and related apparatuses and methods

Номер патента: US20210407611A1. Автор: Takuya Nakanishi,Zer Liang,Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device including error correction device

Номер патента: US12100466B2. Автор: Jin Ho Jeong,Dae Suk Kim,Mun Seon JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Error correcting codes for multi-master memory controller

Номер патента: US11768733B2. Автор: David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Son Hung TRAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for using error correction codes with n factorial or cci extension

Номер патента: US20150263823A1. Автор: Shoichiro Sengoku. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for using error correction codes with n factorial or cci extension

Номер патента: EP3117527A1. Автор: Shoichiro Sengoku. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-18.

Method for using error correction codes with n factorial or cci extension

Номер патента: WO2015138956A1. Автор: Shoichiro Sengoku. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-09-17.

Providing multiple error correction code protection levels in memory

Номер патента: US20240103741A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent,Marco Sforzin,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Error correcting codes for multi-master memory controller

Номер патента: US20200371874A1. Автор: David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Son Hung TRAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Error correcting codes for multi-master memory controller

Номер патента: US20230393933A1. Автор: David Matthew Thompson,Abhijeet Ashok Chachad,Son Hung TRAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Secure physically unclonable function (PUF) error correction

Номер патента: US09703989B1. Автор: Bruce Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09917116B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09659977B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and semiconductor system for detecting an error occurred in a parity

Номер патента: US12148492B2. Автор: Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Error correction code circuit, memory device including error correction code circuit, and operation method of error correction code

Номер патента: US20240185942A1. Автор: Daehyun Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Enabling or disabling on-die error-correcting code for a memory built-in self-test

Номер патента: US20240274216A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Enabling or disabling on-die error-correcting code for a memory built-in self-test

Номер патента: US20230395177A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Enabling or disabling on-die error-correcting code for a memory built-in self-test

Номер патента: US11984180B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Error correction in a memory device having an error correction code of a predetermined code rate

Номер патента: US12142333B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Mustafa N. Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor devices having mirrored terminal arrangements, devices including same, and methods of testing such semiconductor devices

Номер патента: US20020044476A1. Автор: Steven Hamren,James Nuxoll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US20220301631A1. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Multiple time programmable memory using one time programmable memory and error correction codes

Номер патента: US11854588B2. Автор: Teemu Salo,Vesa TÖRNQVIST. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Sample-and-hold circuit having error compensation circuit portion

Номер патента: US09780129B2. Автор: Noam Eshel. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method and device for error correction coding based on high-rate generalized concatenated codes

Номер патента: US20170331498A1. Автор: Christoph Baumhof,Jens Spinner,Juergen Freudenberger. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2017-11-16.

Method and Device for Error Correction Coding Based on High-Rate Generalized Concatenated Codes

Номер патента: US20190268023A1. Автор: Christoph Baumhof,Jens Spinner,Juergen Freudenberger. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09461067B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Test method for semiconductor device having stacked plural semiconductor chips

Номер патента: US09465068B2. Автор: Hiroaki Ikeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having channel isolation structure

Номер патента: US20240260264A1. Автор: Moon Soo Sung,Sung Lae OH,Dong Hun Kwak,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Product autoencoder for error-correcting via sub-stage processing

Номер патента: US20230104143A1. Автор: Hamid Saber,Jung Hyun Bae,Homayoon Hatami,Mohammad Vahid Jamali. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Quantum error correction code decoder and associated methods

Номер патента: US20240160988A1. Автор: Kauser Yakub JOHAR,Luka Skoric,Ben Andrew Barber,Kenton Michael Barnes. Владелец: River Lane Research Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Quantum error correction code decoder and associated methods

Номер патента: GB2626392A. Автор: JOHAR Kauser,Barber Ben,Barnes Kenton,Skoric Luka. Владелец: Riverlane Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Error correction code block format

Номер патента: WO2002099803A1. Автор: Stanton M. Keeler. Владелец: Dataplay, Inc.. Дата публикации: 2002-12-12.

Error correction code block format

Номер патента: EP1397805A1. Автор: Stanton M. Keeler. Владелец: DataPlay Inc. Дата публикации: 2004-03-17.

Method and apparatus for encoding with unequal protection in magnetic recording channels having concatenated error correction codes

Номер патента: WO2002001561A3. Автор: Bernardo Rub. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2002-05-23.

Performing multiple Reed-Solomon (RS) software error correction coding (ECC) Galois field computations simultaneously

Номер патента: US20100017688A1. Автор: Kevin W. McGinnis,John P. Mead. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

System and method for multi-channel decoding error correction

Номер патента: US20020129316A1. Автор: Keith Boyer,Kevin Horn. Владелец: Storage Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Unequal error correction code in multi-track recording

Номер патента: US09837115B1. Автор: Deepak Sridhara,William M Radich. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Scalable error correction for sequential multiple data sectors in data storage device

Номер патента: GB2508475A. Автор: Roger William Wood,Jonathan Darrel Coker,Kei Akiyama,Sridhar Chatradhi,Martin Aureliano Hassner,Kirk Hwang. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2014-06-04.

Information record medium having a header having error correction code added for each block and a method for recording information on such a medium

Номер патента: CA1299743C. Автор: Wataru Sakagami,Yutaka Ogasawara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1992-04-28.

Stored data error correction system

Номер патента: WO1989006426A1. Автор: Friedrich R. Hertrich. Владелец: Digital Equipment Corporation. Дата публикации: 1989-07-13.

Error correction methods and apparatuses using first and second decoders

Номер патента: US09577673B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,Patrick Robert Khayat,Mustafa Nazmi Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

On-the-fly error correction using thermal asperity erasure pointers from a sampled amplitude read channel in a magnetic disk drive

Номер патента: US5701314A. Автор: Alan J. Armstrong,Christopher P. Zook. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Threefold error correction coding method and apparatus for high definition digital video cassette recorder

Номер патента: US20010016930A1. Автор: Byeong-soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Block code error correcting system and method

Номер патента: US20070070839A1. Автор: Fong-Hwa Song,Feng-wen Chun. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Error correcting device and data reproducing apparatus provided therewith

Номер патента: US20020004925A1. Автор: Kunihiko Kodama,Katsutoshi Moriyama,Akira Hikimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Error correction method for the transfer of blocks of data bits

Номер патента: AU552692B2. Автор: Kornelis Antonie Schouhamer Immink,Lodewijk Barend Vries. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-06-12.

Error correction method for the transfer of blocks of data bits

Номер патента: AU1063683A. Автор: Kornelis Antonie Schouhamer Immink,Lodewijk Barend Vries. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1983-07-28.

Optical disc format exhibiting robust error correction coding

Номер патента: US20020053050A1. Автор: Susumu Senshu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Time-of-flight sensors, methods, and non-transitory computer-readable media with error correcting code

Номер патента: WO2023094955A1. Автор: Kevin Chan,Takuro Kamiya,Ping-Wah Wong. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-01.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7220521B2. Автор: Eiichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Secure physically unclonable function (puf) error correction

Номер патента: US20170295015A1. Автор: Bruce Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Error correction in acceleration-sensing devices

Номер патента: WO2011136793A1. Автор: Robert Bicknell,Brian D Homeijer. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2011-11-03.

Error correction in acceleration-sensing devices

Номер патента: US20130036789A1. Автор: Brian D. Homeijer,Robert N. Bicknell. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device with oscillation frequency error correction

Номер патента: US09838022B2. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09461181B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09646901B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010021341A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Adjustable coarse alignment tooling for packaged semiconductor devices

Номер патента: US20010022031A1. Автор: Jim Nuxoll,Julian Aberasturi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388708A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Sensor device having inductors, analog and logic circuits for detecting power flowing through a powerline

Номер патента: US09875962B2. Автор: Hiroshi Oe,Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Kazunori Go,Takasuke Hashimoto,Noriko Yoshikawa,Takatsugu NEMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09478668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20210367082A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227569A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194795A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor wafer, semiconductor device, and gas concentration measuring device

Номер патента: US12034101B2. Автор: Kengo SASAYAMA. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20090212811A1. Автор: Masao Iruka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09835499B2. Автор: Masataka Minami,Takahiro Miki,Naoya Arisaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Wiring material and a semiconductor device having a wiring using the material, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20070222075A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for screening semiconductor devices for contact coplanarity

Номер патента: US20030059965A1. Автор: Lik Wong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Dynamically changing forward error correction and automatic request for repetition

Номер патента: US6128763A. Автор: Robert Logalbo,Charles J. Malek. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-10-03.

Error correction code (ecc) circuit including low-density parity-check decoder in adaptive operation mode, operating method of the ecc circuit, and memory controller including the ecc circuit

Номер патента: US20240356565A1. Автор: Dongmin Shin,Kangseok Lee,Youngjun Hwang,Bohwan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Error correction code (ecc) circuit including low-density parity-check decoder in adaptive operation mode, operating method of the ecc circuit, and memory controller including the ecc circuit

Номер патента: EP4456436A1. Автор: Dongmin Shin,Kangseok Lee,Youngjun Hwang,Bohwan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Error correcting code encoding circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240340025A1. Автор: Hong Rak Son,Kijun JEON,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Bohwan Jun,Dae-Yeol Yang,Kyoungbin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Error correction device and error correction method

Номер патента: US20240178863A1. Автор: Changkyu Seol,Daewook Kim,Youngdon CHOI,Jinsoo Lim,Dongjin PARK,Myoungbo KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Systems and methods for combining constrained codes and error correcting codes

Номер патента: US09419653B1. Автор: Panu Chaichanavong. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Error correcting code decoder

Номер патента: US09509342B2. Автор: Mark Vernon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Error correction code circuits

Номер патента: WO2003023770A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Jeng-Jye Shau. Дата публикации: 2003-03-20.

Error correction code (ecc) and data bus inversion (dbi) encoding

Номер патента: US20190280813A1. Автор: Dinesh Somasekhar,Shankar Ganesh Ramasubramanian,Melin Dadual,Vivek Joy Kozhikkottu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Using multiple error correction code decoders to store extra data in a memory system

Номер патента: US12095474B1. Автор: Jun Zhu,Biswanath Tayenjam. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Error correction code (ecc) operations in memory for providing redundant error correction

Номер патента: US20180269904A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Sliding window list decoder for error correcting codes

Номер патента: US09722632B2. Автор: Michael H. Anderson. Владелец: Streamscale Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Error correction code (ecc) operations in memory for providing redundant error correction

Номер патента: WO2018169831A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-09-20.

Error correction code (ecc) operations in memory for providing redundant error correction

Номер патента: US20210143842A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Error correction code (ecc) operations in memory for providing redundant error correction

Номер патента: US20190288711A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09559160B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for decoding linear error correcting codes with erasure correction

Номер патента: RU2746797C1. Автор: Владислав Валентинович Квашенников. Владелец: Акционерное общество "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2021-04-21.

Error correction code (ecc) operations in memory

Номер патента: US20170373703A1. Автор: Yingquan Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and error correcting method

Номер патента: US09774340B2. Автор: Koji Takeshita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Method and system for error correction in memory devices using irregular error correction code components

Номер патента: US20230336190A1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Ofir Kanter,Amir Nassie. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Bipolar Semiconductor Device Having a Deep Charge-Balanced Structure

Номер патента: US20160260823A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Bipolar semiconductor device having a deep charge-balanced structure

Номер патента: US09831330B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Curable silicone composition, and optical semiconductor device

Номер патента: US09688869B2. Автор: Akihiko Kobayashi,Yusuke Miyamoto,Akito Hayashi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Error correction code decoder with stochastic floor mitigation

Номер патента: US09564922B1. Автор: Peter Graumann,Sean Gibb. Владелец: Microsemi Storage Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559193B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka,Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09431382B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device having fuses

Номер патента: US20050098803A1. Автор: Hajime Koyama,Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor wafer with devices having different top layer thicknesses

Номер патента: US20220285403A1. Автор: Wang Po-Jen,Hsin-Chi Chen,Kuan-Liang Liu,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device, analog-to-digital converter and analog-to-digital converting method

Номер патента: US12136931B2. Автор: Takehiro Shimizu,Tatsuo Nishino,Pratama FAJARMEGA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

GE and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09905651B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

FinFET devices having silicon germanium channel fin structures with uniform thickness

Номер патента: US09583572B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Keith E. Fogel,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Ge and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09570614B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09559174B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Coding and decoding of error correcting codes

Номер патента: US09548761B2. Автор: Kai Li,Atsushi Esumi. Владелец: SIGLEAD Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437731B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09425212B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09406760B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Forward error correction code and code rate selection based on packet size

Номер патента: RU2427086C2. Автор: Аамод КХАНДЕКАР,Алексей ГОРОХОВ,Рави ПАЛАНКИ,Авниш АГРАВАЛ,Джереми Х. ЛИН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Error correction method and apparatus

Номер патента: US20090055704A1. Автор: Yoichi Maeda,Koichi Saito,Youichi Fukada,Kiyomi Kumozaki. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20160197201A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure

Номер патента: US09786542B2. Автор: Chia-Lun Chang,Chun-Ta WU,Zih-I CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a guard ring

Номер патента: US09659879B1. Автор: Vincent Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Compound semiconductor device having at least one buried semiconductor material region

Номер патента: US09653591B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices having through electrodes capped with self-aligned protection layers

Номер патента: US09570377B2. Автор: Jisoon Park,Byung Lyul Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,DeokYoung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US09461045B1. Автор: Shintaro Asano,Yusuke Sakito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09437741B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having test unit, electronic apparatus having the same, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09318393B2. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices having hollow filler materials

Номер патента: US20230089928A1. Автор: Dingying Xu,Srinivas PIETAMBARAM,Jieying KONG,Hongxia Feng,Yiqun Bai,Ziyin LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-23.

Micro-bump, interposer for electrical connection having same, semiconductor package having same, multi-stacked semiconductor device having same, and display having same

Номер патента: WO2023018043A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: POINT ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20100035386A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for forming semiconductor device having metallization comprising select lines, bit lines and word lines

Номер патента: US20120009767A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Soon-Moon Jung,Won-Seok Cho,Young-Chul Jang,Yang-Soo Son,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Selectively regrown top contact for vertical semiconductor devices

Номер патента: EP3123520A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Semiconductor device having capacitance element, arranged close to mos transistor and having dielectric made of electrostrictive material

Номер патента: US20080061339A1. Автор: Kensuke Okonogi,Kiyonori Ohyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Fin field effect transistor (FinFET) device having position-dependent heat generation

Номер патента: US12046638B2. Автор: Sheng-Feng Liu,Jiaw-Ren Shih,Chun-Wei Chang,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US20230238423A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130221434A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Process for manufacturing MOS semiconductor device having inactive zone with alternating thickness silicon oxide layer

Номер патента: US20040211984A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Packaging structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: EP3883131A1. Автор: Chen Sun,Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: WO1999053553A3. Автор: Godefridus A M Hurkx,Hendrik G A Huizing,Adam R Brown,Michael S Peter,Boer Wiebe B De. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device having a rectifying junction and method of manufacturing same

Номер патента: EP1008187A2. Автор: Hendrik G. A. Huizing,Godefridus A. M. Hurkx,Wiebe B. De Boer,Adam R. Brown,Michael S. Peter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-06-14.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power conversion device

Номер патента: US20240312880A1. Автор: Kazutaka Ikeda,Yoshihisa Uchida,Tatsunori YANAGIMOTO,Yusuke KUSAKABE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Improved control of the forward and reverse characteristics of vertically oriented semiconductor devices

Номер патента: EP4456141A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device having fin structures

Номер патента: US12057505B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having a protective material with a first pH formed around cooper wire bonds and aluminum pads for neutralizes a second pH of an outer encapsulant material

Номер патента: US10037965B2. Автор: Leo M. Higgins, III. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Method of forming semiconductor device having multi-channel

Номер патента: US09954061B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having a polycrystalline silicon IGFET

Номер патента: US09917160B2. Автор: Martin Vielemeyer,Oliver Blank,Martin Poelzl,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US09831134B1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having switchable regions with different transconductances

Номер патента: US09679895B2. Автор: Armin Willmeroth,Christian Fachmann,Enrique Vecino Vazquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same

Номер патента: US09673279B2. Автор: Jinwook Lee,Yongseok Lee,Kwang-Yong Yang,Jeongyun Lee,Keomyoung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a die and through-substrate via

Номер патента: US09659900B2. Автор: Arkadii V. Samoilov,Xuejun Ying,Peter Mcnally,Tyler Parent. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having improved heat dissipation

Номер патента: US09640632B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having reduced drain-to-source capacitance

Номер патента: US09608079B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09595499B2. Автор: Wan Choon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Addition-curable silicone composition and a semiconductor device

Номер патента: US09587075B2. Автор: Tsutomu Kashiwagi,Takayuki Kusunoki,Yuusuke TAKAMIZAWA. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having inductor

Номер патента: US09583555B2. Автор: Sheng-Yuan Lee. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09530883B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US09525026B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Vertical semiconductor device having a non-conductive substrate and a gallium nitride layer

Номер патента: US09466552B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having polysilicon plugs with silicide crystallites

Номер патента: US09450062B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Device and method for decoding error correction code in communication system

Номер патента: RU2280323C2. Автор: Сеонг-Илл ПАРК,Дзае-Йоел КИМ,Сунг-Еун ПАРК,Хиеон-Воо ЛИ,Йоунг-Киун КИМ. Владелец: Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: EP2057665A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device having improved heat dissipation capabilities

Номер патента: WO2008021220A2. Автор: Xian Li,Hai Fu,Ta-Te Chou,Yong-Qi Tian,Xiong-Jie Zhang. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, lead frame obtained using the same for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: US20120080705A1. Автор: Shinya Ota,Kohei Nakamura,Kazuhiro Fuke,Hidenori Ohnishi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Push-pull configurations for semiconductor device having a pn-junction with a photosensitive region

Номер патента: US20020130381A1. Автор: Larry Tichauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having a trench gate and method for manufacturing

Номер патента: US20110309423A1. Автор: Frank Pfirsch,Thomas Raker,Christian Foerster,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9728487B2. Автор: Yumi Imamura,Takashi Karashima,Yosuke Imazeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Layout of butting contacts of a semiconductor device

Номер патента: US5753944A. Автор: Hisashi Sakaue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20110108853A1. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device having reliable electrical connection

Номер патента: US20010026015A1. Автор: Gorou Ikegami,Hirofumi Horita,Eita Iizuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Compound semiconductor device

Номер патента: US8581296B2. Автор: Koji Katayama,Masahiro Adachi,Shinji Tokuyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20190140111A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device having an insulating sheet and a conductive film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US12080612B2. Автор: Katsumi Taniguchi,Ryoichi Kato,Yoshinari Ikeda,Yuma Murata,Akito NAKAGOME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20030178683A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device having super junction structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US7342422B2. Автор: Tomoatsu Makino,Yoshiyuki Hattori,Shoichi Yamauchi,Makoto Kuwahara. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor Device

Номер патента: US20220302290A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230299194A1. Автор: Yuto OMIZU,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having active area with angled portion

Номер патента: US20010052631A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor Device having dual damascene structure

Номер патента: US20110169172A1. Автор: Toshiyuki Takewaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device having an antenna arranged over an active main surface of a semiconductor die

Номер патента: US12094842B2. Автор: Thorsten Meyer,Walter Hartner,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321834A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having improved core and input/output device reliability

Номер патента: US09985015B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing a semiconductor device having silicide layers

Номер патента: US09941375B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen,Martin Bartels. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having a trench with different electrode materials

Номер патента: US09899488B2. Автор: Martin Henning Vielemeyer,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having a fuse element

Номер патента: US09818691B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Bipolar semiconductor device having a charge-balanced inter-trench structure

Номер патента: US09768284B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Packaged semiconductor device having stacked attached chips overhanging the assembly pad

Номер патента: US09768098B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having a transparent window for passing radiation

Номер патента: US09620656B2. Автор: Jian Chen,Carl VAN BUGGENHOUT. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls

Номер патента: US09515199B2. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515170B2. Автор: Takashi Terada,Toshiaki Iwamatsu,Kiyoshi Hayashi,Kozo Ishikawa,Hirofumi Shinohara,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device having a lower diode region arranged below a trench

Номер патента: US09478655B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09455273B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device having circular light-blocking layer

Номер патента: US09449991B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having through-electrode

Номер патента: US09425138B2. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure

Номер патента: US09397022B2. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device

Номер патента: US9397160B2. Автор: Hirokazu Kato,Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi,Keisuke Furuya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor device with capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20030067053A1. Автор: Katsunobu Hori,Kenichiro Shiozawa,Moriaki Akazawa,Takeshi Matsunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US8704284B2. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Method and apparatus for forward error correction coding for an am in-band on-channel digital audio broadcasting system

Номер патента: WO2001035555A3. Автор: Brian William Kroeger,Raymond L Pickholtz,Ashruf El-Dinary,Branimir Vojcic. Владелец: Ibiquity Digital Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Method, apparatus, and device for decoding error correction code, and storage medium

Номер патента: EP4401320A2. Автор: Sen CHAI. Владелец: Tongxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing said device

Номер патента: US3676755A. Автор: Rene Glaise. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device having an electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US10418358B2. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-09-17.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Resin sealed semiconductor device having improved arrangement for reducing thermal stress within the device

Номер патента: US6265784B1. Автор: Hideo Miura,Hiroaki Doi,Akio Yasukawa,Kenya Kawano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-07-24.

Semiconductor device having bit line expanding islands

Номер патента: US20100295130A1. Автор: Kye-hee Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20060214705A1. Автор: Akira Ikeuchi,Kazuhiro Ooshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor device having different size active regions and method of making

Номер патента: US20230275090A1. Автор: Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Shang-Wei Fang,Lee-Chung Lu,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method, apparatus, and device for decoding error correction code, and storage medium

Номер патента: EP4401320A3. Автор: Sen CHAI. Владелец: Tongxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20030141531A1. Автор: Kazuhiro Aihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US20030186173A1. Автор: Akira Takahashi,Motoki Kobayashi,Jun Kanamori,Kousuke Hara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240274667A1. Автор: Kei-Wei Chen,Pei-Ren Jeng,Chii-Horng Li,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Chun-An Lin,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having heat dissipation structure of curved profile and a manufacturing method thereof

Номер патента: US12094836B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Hsuan-Ning Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device having a reduced concentration of carbon vacancies and its manufacturing method

Номер патента: US20240339322A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having at least one resin part that closes one or more corresponding ones of a plurality of threaded holes

Номер патента: US12119279B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kosuke Yamaguchi,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara,Teruaki Nagahara,Mamoru TOGAMI,Shota O. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

DBC substrate for power semiconductor devices, method for fabricating a DBC substrate and power semiconductor device having a DBC substrate

Номер патента: US12119284B2. Автор: Alexander Roth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

FinFET semiconductor device having integrated SiGe fin

Номер патента: US09985030B2. Автор: Hong He,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having gate in trenches

Номер патента: US09978861B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chung-Ren Lao,Hsing-Chao Liu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having multiple power modules and cooling mechanism for the power modules

Номер патента: US09888617B2. Автор: Yuji Imoto,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor devices

Номер патента: US09865613B2. Автор: Jong-Min Lee,Ho-Jun SEONG,Jae-ho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming trench semiconductor device having multiple trench depths

Номер патента: US09859449B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having multiple contact clips

Номер патента: US09837380B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09799775B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having a field-effect structure and a nitrogen concentration profile

Номер патента: US09748374B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having channel regions with non-uniform edge

Номер патента: US09716144B2. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having semiconductor elements connected to an intermediate plate by a brazing filler metal, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09640491B2. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having improved heat-dissipation characteristics

Номер патента: US09613881B2. Автор: Yong Woon Lee,Sang Wook Ahn,Heui Gyun Ahn,Huy Chan JUNG,Sung Chun Jun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of making a semiconductor device having a semiconductor material on a relaxed semiconductor including replacing a strained, selective etchable material, with a low density dielectric in a cavity

Номер патента: US09530669B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having capacitor integrated therein

Номер патента: US09520462B1. Автор: Joseph P. Ellul,Khanh Tran,Kiyoko Ikeuchi,Anuranjan Srivastava,Scott W. Barry. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory device having lowered bit line resistance

Номер патента: US09496275B2. Автор: Masaya Hosaka,Hiroaki Kouketsu. Владелец: Monterey Research LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09437644B2. Автор: Atsushi Sakai,Hiroyuki ARIE,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and channel structure thereof

Номер патента: US09425324B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process

Номер патента: US09406552B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor

Номер патента: US09397236B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device having a carrier trapping region including crystal defects

Номер патента: US12027579B2. Автор: Seigo Mori,Masatoshi Aketa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260876A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device having a bipolar transistor

Номер патента: US5726486A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Semiconductor device having a diamond substrate heat spreader

Номер патента: WO2010088124A2. Автор: Dave Rice,Jeffrey Dale Crowder. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: WO2017042368A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAT BERLIN. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090465A1. Автор: Ken Suzuki,Masafumi Tsutsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20020139991A1. Автор: Eisuke Suekawa,Kouichi Mochizuki,Kazushige Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device having function circuits selectively connected to bonding wire

Номер патента: US20090302451A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20220278194A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US20230317804A1. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Power semiconductor device having a trench with control and field electrode structures

Номер патента: US10529811B2. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-07.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device having conductive patterns with mesh pattern and differential signal wirings

Номер патента: US20230187330A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Wataru SHIROI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method, Apparatus, And Device For Decoding Error Correction Code, And Storage Medium

Номер патента: US20240223220A1. Автор: Sen CHAI. Владелец: Tongxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device having switching elements to prevent overcurrent damage

Номер патента: US10366964B2. Автор: Masayuki Ando,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Semiconductor device having a wiring layer of damascene structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US6906419B2. Автор: Hiroyuki Nitta,Yusuke Kohyama,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-14.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: EP3347922A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-07-18.

Semiconductor device having an internal-field-guarded active region

Номер патента: US20180261718A1. Автор: Axel Hoffmann,Gerald PAHN,Gordon CALLSEN. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2018-09-13.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7956390B2. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US20220320071A1. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device having a lateral transistor device and an inverter that includes the semiconductor device

Номер патента: US12068379B2. Автор: Oliver Häberlen,Reenu Garg,Eric G. Persson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Power Semiconductor Device Having a Trench with Control and Field Electrode Structures

Номер патента: US20190172916A1. Автор: Thomas Feil,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device having improved electrostatic discharge protection

Номер патента: US11715734B2. Автор: Sheng-Fu Hsu,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Chung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US12074094B2. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090050979A1. Автор: Manabu Kojima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Optoelectronic semiconductor apparatus including an optoelectronic semiconductor device having a carrier with a roughened first main surface and method for manufacturing thereof

Номер патента: US12087893B2. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US20200243395A1. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device having a multilayer source/drain region and methods of manufacture

Номер патента: US12132118B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Vertical power semiconductor device having an interlayer dielectric structure

Номер патента: US20240371772A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having a backside metallization layer and a protection layer

Номер патента: US20240371793A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices having fin-shaped active regions

Номер патента: US10658244B2. Автор: Sung-min Kim,Geum-Jong Bae,Dong-won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09953858B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having repairable penetration electrode

Номер патента: US09941192B2. Автор: SangHyeon Baeg,Sungsoo CHUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having fuse element

Номер патента: US09917055B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Yukihiro Imura,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Super junction semiconductor device for RF applications, linear region operation and related manufacturing process

Номер патента: US09899508B1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Maria Ponzio,Alessandro Angelo Alfio Palazzo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09847276B2. Автор: Taeseong Kim,Pil-Kyu Kang,Ho-Jin Lee,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jin Ho An,Jae-hwa Park,Sukchul Bang,Jeonggi Jin,Taeyeong Kim,Seongmin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US09786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having conductive bump with improved reliability

Номер патента: US09768135B2. Автор: Ze-Qiang Yao,Fayou Yin,Xiaodan Shang. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Trench semiconductor device having multiple trench depths and method

Номер патента: US09716187B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09711656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711642B2. Автор: Yohei Ujiie. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device having via hole coated in side surfaces with heat treated nitride metal and method to form the same

Номер патента: US09673094B2. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a positive temperature coefficient structure

Номер патента: US09660029B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Joachim Mahler,Johannes Georg Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuit and image sensing device having metal shielding layer and related fabricating method

Номер патента: US09659985B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having through-substrate vias

Номер патента: US09646930B2. Автор: Eric Beyne,Bart Swinnen,Deniz Sabuncuoglu Tezcan,Yann Civale. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor MOS device having a dense oxide film on a spacer

Номер патента: US09627534B1. Автор: Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having stressor and method of forming the same

Номер патента: US09577097B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having epitaxy structure

Номер патента: US09559207B2. Автор: Wei-Yang LO,Shih-Hao Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods and apparatus for generating authenticated error correcting codes

Номер патента: US09496897B1. Автор: Ari Juels,Nikolaos Triandopoulos,Roberto Tamassia,James Alan Kelley. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US09493119B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having metal gate and method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09490341B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09490200B2. Автор: Masaru Ishii,Katsuhiko Yoshihara,Kouichi Kitaguro. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US09478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09466734B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Radio frequency devices having reduced intermodulation distortion

Номер патента: US09450579B2. Автор: Fikret Altunkilic,Guillaume Alexandre Blin,Anuj Madan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Process for forming a semiconductor device having a conductive member that protects field isolation during etching

Номер патента: US5966619A. Автор: David Burnett,Craig Swift,Wei-Hua Liu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303323A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Kenji Harada,Tetsuo Takahashi,Kazuhiko SAKUTANI,Masao TAKATA,Kouichi IN. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Flexible semiconductor devices based on flexible freestanding epitaxial elements

Номер патента: US20140319533A1. Автор: Scott M. Zimmerman,Karl W. Beeson,William R. Livesay,Richard L. Ross. Владелец: Goldeneye Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and lead frame member

Номер патента: NL2025196B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-10-30.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: WO2023143626A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US7772645B2. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device having semiconductor layer on insulating structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283106A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Encapsulated power semiconductor device having a metal moulded body as a first connecting conductor

Номер патента: US20170263530A1. Автор: Michael Schleicher. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-09-14.

Bonded semiconductor devices having processor and static random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240251538A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and memory device

Номер патента: US12051726B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US10763125B2. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor device having one or more titanium interlayers and method of making the same

Номер патента: US20190385863A1. Автор: Wei He,Chris Wiebe,Hongyong Xue. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor Device and Memory Device

Номер патента: US20200212185A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Top finger having a groove and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098945A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20050136587A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of fabricating semiconductor device having capacitor

Номер патента: US20100270647A1. Автор: Chang-jin Kang,Sung-il Cho,Ji-Chul Shin,Seung-Young Son,Keong-Koo Chi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Layer transfer process to form backside contacts in semiconductor devices

Номер патента: EP4177958A2. Автор: Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ehren Mannebach,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-10.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20140103529A1. Автор: Kenji Matsumoto,Atsushi Gomi,Tatsuo Hatano,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Hybrid metallic structures in stacked semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US12068282B2. Автор: Tzu Ching Hung,Chien Wen Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20180158964A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a non-ohmic contact formed between a semiconductor material and an electrically conductive contact layer

Номер патента: US10199514B2. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-05.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20080298415A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Kunihiko Tasai,Katsumi Kishino,Koshi Tamamura,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor Device

Номер патента: US20030038330A1. Автор: Ayumi Obara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-02-27.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20070117305A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor device having an indium doped dielectric layer located therein and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20030100195A1. Автор: John Osenbach,Julia Duncan,William Minford. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Lateral high voltage semiconductor device having a sense terminal and method for sensing a drain voltage of the same

Номер патента: US20030107086A1. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266444A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US20240297196A1. Автор: Yuriko YAMANO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Isolated backside contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20240321737A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having cell section with gate structures partly covered with protective film

Номер патента: US12100763B2. Автор: Jun Saito,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates, and methods of manufacturing the devices

Номер патента: US20150111354A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor devices having shielding elements

Номер патента: EP4437591A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device having a junction portion contacting a Schottky metal

Номер патента: US12057479B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09991381B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having a cavity

Номер патента: US09991347B2. Автор: Robert Haase,Timothy Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device having parallel contact holes between adjacent trenches

Номер патента: US09966372B2. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Tadashi Misumi,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method and apparatus for selective error correction coding

Номер патента: US09954555B2. Автор: Martti Voutilainen. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having schottky junction between substrate and drain electrode

Номер патента: US09905684B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Tsunehiro Nakajima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP COOLING DEVICE HAVING WEDGE ELEMENT

Номер патента: US20120000636A1. Автор: Weinmann Klaus,Hortmann Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Space-time coding spatial modulation method based on (n, k) error correcting codes

Номер патента: CN103684702A. Автор: 王磊,陈志刚,李晓峰. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-03-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.