Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Terminal structure and semiconductor device

Номер патента: US09640500B2
Опубликовано: 02-05-2017
Автор(ы): Hideyuki SEIKE, Hisayuki Abe, Kenichi Yoshida, Makoto Orikasa, Yuhei HORIKAWA
Принадлежит: TDK Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Terminal structure and semiconductor device

Номер патента: US20140054768A1. Автор: Kenichi Yoshida,Hisayuki Abe,Makoto Orikasa,Hideyuki SEIKE,Yuhei HORIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Packaging structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307367A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230411327A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230307393A1. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12080664B2. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-03.

Lead frames including inner-digitized bond fingers on bus bars and semiconductor device package including same

Номер патента: US20020109212A1. Автор: David Corisis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20070045792A1. Автор: Kenji Fuchinoue. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210280543A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210384144A1. Автор: Seok-hyun Lee,Youn-ji MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09911705B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09653390B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US20160049377A1. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US09449930B2. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Edge termination structure for a charge balanced semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: WO2024092176A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Edge termination structure for a charge balanced semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20240154032A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Field termination structure for monolithically integrated power semiconductor devices

Номер патента: US20230387195A1. Автор: Frank Dieter Pfirsch,Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US09472642B2. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US20160163815A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20180076203A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20200075597A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

System for continuous fabrication of micro-structures and thin film semiconductor devices on elongate substrates

Номер патента: US5273622A. Автор: Stephen C. Jacobsen. Владелец: Sarcos Group. Дата публикации: 1993-12-28.

Multi-level staggered terminal structure and semiconductor package and assembly using the same

Номер патента: US20240096780A1. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Smiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Pad structure of a semiconductor device, method of manufacturing the pad structure and semiconductor package including the pad structure

Номер патента: US09570411B2. Автор: Young-Min Lee,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113053A1. Автор: Anton Mauder,Andreas Korzenietz,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20230094425A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230352351A1. Автор: Ling-Sung Wang,Kun-Ei Chen,Chen-Chieh Chiang,Hsueh-Han Lu,Pei-Lum MA,Kun Da Jhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Terminal structure and wiring substrate

Номер патента: US09893002B2. Автор: Tomoyuki Shimodaira. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices having upper conductive patterns and semiconductor packages having the same

Номер патента: US20240332228A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Yeonjin Lee,Jimin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220246632A1. Автор: Takeshi Shimane. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09911709B1. Автор: Chun-Jun ZHUANG,Wei-Hang Tai,Pin-Ha Chuang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234373A9. Автор: Seungduk Baek,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09508671B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Interposer device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240213129A1. Автор: Hung-Yi Chang,Sheng-Fan Yang,Hao-Yu Tung,Wei-Chiao WANG,Yi-Tzeng LIN,Wei-Hsun LIAO. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09455240B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Kazunori Hasegawa,Michiaki Sugiyama,Takafumi Nishita,Jumpei Konno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Solder ball, manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US09780056B1. Автор: Tzu-Han Hsu,Tung-Bao Lu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20070257374A1. Автор: Yoshihiro Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Hydrogen gettering structure including silver-doped palladium layer to increase hydrogen gettering of module component and semiconductor device module having such structure, and methods of fabrication

Номер патента: EP1280200A1. Автор: Dean Tran,Jerry T. Fang. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2003-01-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus including the same

Номер патента: US09653515B2. Автор: Ju Heon YOON,Myeong Ha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor package and semiconductor module

Номер патента: US09536843B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device substrate and semiconductor device

Номер патента: US8659120B2. Автор: Atsushi Kikuchi,Yoshihiko Ikemoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427268A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: WO2023076066A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: WO2023075952A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Flexible contactless wire bonding structure and methodology for semiconductor device

Номер патента: TW200941653A. Автор: David Pruitt. Владелец: Linear Techn Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Terminal structure, printed wiring board, module substrate, and electronic device

Номер патента: US20110056744A1. Автор: Atsushi Sato,Hisayuki Abe,Takashi Ota,Miyuki Yanagida,Masumi Kameda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20230411336A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Packaging structure, packaging method, and semiconductor device

Номер патента: EP4307351A1. Автор: LIANG Chen,Wei Jiang,Hongwen Li,Kai Tian,Mengfan LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230301109A1. Автор: Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Edge termination structures for silicon carbide devices

Номер патента: US09515135B2. Автор: Allan Ward,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage

Номер патента: US09502512B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure

Номер патента: US20150340494A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20240369761A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20230305226A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US11703639B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US12092862B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Monolithic array of semiconductor devices, template wafer, method of manufacturing a template wafer, and method of manufacturing an array of semiconductor devices

Номер патента: WO2024062256A1. Автор: Tongtong ZHU. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Structure and Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20220157963A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230326850A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20200176378A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20220128759A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Structure and Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20230378301A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4174935A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela PAREKH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HEAT DISSIPATION STRUCTURE AND LAMINATE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160035647A1. Автор: OCHI Takao. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160163815A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Javorka Peter,Richter Ralf. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US20160268244A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20170040259A1. Автор: Lai Chih-Ming,Liu Ru-Gun,Young Charles Chew-Yuen,Sio Kam-Tou,CHEN Chih-Liang,SUNG Shu-Hui,SHEN Meng-Hung,LIOU CHUN-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

PASSIVATION STRUCTURING AND PLATING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220059347A1. Автор: Behrendt Andreas,Steinbrenner Juergen,Joshi Ravi Keshav,SCHMID Johann,Gaisberger Richard,Schlaminger Johanna,Satz Anita,Stanovnik Mario. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20180076203A1. Автор: Yu Ming-Hua,Lee Yi-Jing,KWOK Tsz-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20200075597A1. Автор: Yu Ming-Hua,Lee Yi-Jing,KWOK Tsz-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Structure and Method for Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098627A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20160155806A1. Автор: Wang Ling-Sung,Chao Chih-kang,HSIAO Ru-Shang,HUANG Chih-Mu,CHIANG Chen-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20140264873A1. Автор: Ting Chih-Yuan,WU Chung-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20160190017A1. Автор: Lee Tze-Liang,Lee Yi-Jing,Li Chii-Horng,Li Kun-Mu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20170243868A1. Автор: Yu Ming-Hua,Lee Yi-Jing,KWOK Tsz-Mei. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20150263168A1. Автор: Wang Ling-Sung,Chao Chih-kang,HSIAO Ru-Shang,HUANG Chih-Mu,CHIANG Chen-Chieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-09-17.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US20160268244A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun-Li Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor Structure and Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20200251594A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

GATE ELECTRODE STRUCTURE AND HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170294505A1. Автор: Shin Hong Sik,Ko Kwang Young. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

STRUCTURE AND METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH GATE

Номер патента: US20160307758A1. Автор: WU CHUN-SHENG,Liu Ding-I,LI Yi-Fang,LI Jing-Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-10-20.

Interconnection Structure And Method For Semiconductor Device

Номер патента: US20150311152A1. Автор: Ting Chih-Yuan,WU Chung-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20150332962A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

CELL STRUCTURE AND ITS RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220367692A1. Автор: DU Wenfang. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: CN105097470A. Автор: 赖志明,刘如淦,刘俊宏,陈志良,杨超源,萧锦涛,沈孟弘,宋淑惠. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-25.

Gate electrode structure and high voltage semiconductor device having the same

Номер патента: KR20170114703A. Автор: 신홍식,고광영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2017-10-16.

System for continuous fabrication of micro-structures and thin film semiconductor devices on elongate substrates

Номер патента: EP0574861B1. Автор: Stephen C. Jacobsen. Владелец: Sarcos Group. Дата публикации: 1996-01-31.

Semiconductor Structure and Method for Semiconductor Device Fabrication with Improved Source Drain Epitaxy

Номер патента: US20210296498A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Pillar structure and super junction semiconductor device including the same

Номер патента: US20230223435A1. Автор: Yong Sin HAN,Myeong Bum PYUN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor Package Having Semiconductor Die with Internal Vertical Interconnect Structure and Method Therefor

Номер патента: US20120104599A1. Автор: Rui Huang,Byung Tai Do,Heap Hoe Kuan,Linda Pei Ee CHUA,Seng Guan Chow. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor package and semiconductor package mounting structure

Номер патента: US09577310B2. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120086121A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated by the same

Номер патента: US09735076B2. Автор: So Yoon KIM,Yoon Man LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, electronic device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09412715B2. Автор: Kozo Shimizu,Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Leadframe and semiconductor device

Номер патента: US09984958B2. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Device with a Termination Mesa Between a Termination Structure and a Cell Field of Field Electrode Structures

Номер патента: US20160064548A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with a termination mesa between a termination structure and a cell field of field electrode structures

Номер патента: US09972714B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Power device termination structures and methods

Номер патента: US09362394B2. Автор: Moaniss Zitouni,Pon Sung Ku,Edouard D. De Frèsart,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-07.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures, buried contact regions and trench gates, and methods of manufacturing the devices

Номер патента: US20150111354A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel Anderson. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Power Semiconductor Device Having a Control Cell for Controlling a Load Current

Номер патента: US20220231125A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-07-21.

Power Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20200395443A1. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-12-17.

Power semiconductor device having a control cell for controlling a load current

Номер патента: US12087816B2. Автор: Stefan Loesch,Olaf Storbeck,Marc Probst,Hans-Juergen Thees,Tom Richter. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-09-10.

Superjunction devices having narrow surface layout of terminal structures and methods of manufacturing the devices

Номер патента: WO2008136874A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corporation. Дата публикации: 2008-11-13.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US09997517B2. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device including a vertical edge termination structure and method of manufacturing

Номер патента: US09570542B2. Автор: Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez,Alexander Breymesser,Holger Schulze,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20110291241A1. Автор: Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20210135019A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20200006579A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Termination structure for insulated gate semiconductor device and method

Номер патента: US20200127145A1. Автор: Zia Hossain,Mohammed Tanvir Quddus,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Termination structure of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490134B2. Автор: Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20190131412A1. Автор: Daisuke Ozaki,Ryouichi KAWANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Terminal structure of power device, fabrication method therefor, and power device

Номер патента: EP4207306A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Boning Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Silicon carbide power device equipped with termination structure

Номер патента: US20150102362A1. Автор: Cheng-Tyng Yen,Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Chwan-Ying Lee. Владелец: Hestia Power Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Edge termination high voltage semiconductor device

Номер патента: WO2009039014A1. Автор: Dah Wen Tsang,Dumitru Sdrulla,Jinshu Zhang. Владелец: MICROSEMI CORPORATION. Дата публикации: 2009-03-26.

Edge termination high voltage semiconductor device

Номер патента: EP2195846A1. Автор: Dah Wen Tsang,Dumitru Sdrulla,Jinshu Zhang. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

Junction termination structure

Номер патента: US20240321949A1. Автор: Mietek Bakowski,Ulf GISSLANDER. Владелец: Rise Research Institutes of Sweden Surface Process and Formulation AB. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Lateral super-junction MOSFET device and termination structure

Номер патента: US09991380B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Terminal structure for active power device

Номер патента: US09659847B2. Автор: Igor Ivanovich Blednov. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09985125B1. Автор: Takashi Hasegawa,Osamu Kusumoto,Kouichi Saitou,Osamu Ishiyama,Tsutomu Kiyosawa,Tsuneichiro Sano,Atsushi Ohoka,Daisuke Shindo,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180122911A1. Автор: JongSeok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-05-03.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Lateral super-junction MOSFET device and termination structure

Номер патента: US09722073B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with field electrode structures in a cell area and termination structures in an edge area

Номер патента: US09620636B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Oliver Blank,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: US20080073578A1. Автор: Kasegn D. Tekletsadik,Russell J. Low. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Terminal structure of an ion implanter

Номер патента: WO2008039745A2. Автор: Russell J. Low,Kasegan D. Tekletsadik. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087831B2. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semicondcutor structure and semiconductor manufacturing process thereof

Номер патента: US09837366B1. Автор: Chin-Yu Ku,Rung-De Wang,Wei-Lun Hsieh,Chen-Hsun Liu,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai,Jheng-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09472660B2. Автор: Hong-fei LU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Hemt device and semiconductor device

Номер патента: US20240234565A1. Автор: Jie Zhang,Qian Wang,Nien-Tze Yeh,Yutao Fang. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor device package having an electrode recess with a different inclination angle than an inclination angle of an electrode in the recess

Номер патента: US11749778B2. Автор: Sung Min Hwang,June O Song,Chang Man LIM,Se Yeon Jung,Tae Sung Lee,Byung Yeon CHOI,Chang Hyeong LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US12125956B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Chun-Wei Chang,Chung-Hao Wang,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh,Yi-Yang Chiu,Min-Hao YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with trench termination structure

Номер патента: US09882043B2. Автор: Young Jae Kim,Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and lead frame member

Номер патента: NL2025196B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-10-30.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20230268342A1. Автор: Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Yoshihiro Ikura,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Insulator system for a terminal structure of an ion implantation system

Номер патента: WO2007126966A3. Автор: Joseph C Olson,D Jeffrey Lischer,Stephen E Krause,Eric D Hermanson,Russell Low,Piortr R Lubicki. Владелец: Piortr R Lubicki. Дата публикации: 2008-03-06.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device including through electrode and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220367321A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Myungjoo PARK,Hakseung LEE,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240250025A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Termination structures for mosfets

Номер патента: WO2024055049A3. Автор: Zia Hossain,Joseph Andrew Yedinak,Sauvik CHOWDHURY. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Via structures including etch-delay structures and semiconductor devices having via plugs

Номер патента: US9728572B2. Автор: Byung-Jun Park,Chang-Rok Moon,Seong-Ho Oh,Tae-Seok Oh,Seung-Hun Shin,June-Taeg Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Trench insulated gate bipolar transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage

Номер патента: US09502511B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Extrinsic field termination structures for improving reliability of high-voltage, high-power active devices

Номер патента: US20240222444A1. Автор: Wayne Mack Struble,Allen W. Hanson,Chuanxin Lian. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and semiconductor device production method

Номер патента: US20150137358A1. Автор: Azusa Yanagisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor dielectric structure and method for making the same

Номер патента: US20010023989A1. Автор: Milind Weling,Rao Annapragada. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150340475A1. Автор: Chih-Lin Wang,Long-Jie HONG,Chien-Chih Lin,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor module and semiconductor driving device

Номер патента: US09978670B2. Автор: Yoshihito Asao,Akihiko Mori,Yu KAWANO,Shunsuke FUSHIE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming a semiconductor device termination and structure therefor

Номер патента: US09490372B2. Автор: Zia Hossain,Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Metal structure and method of manufacturing the same and metal wire and semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210028024A1. Автор: Do Yoon Kim,Kenji Takai,Boun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming shallow trench isolation and semiconductor device

Номер патента: US20150364360A1. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Ching-Feng Fu,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: US20240290878A1. Автор: Dethard Peters,Guang Zeng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming shallow trench isolation and semiconductor device

Номер патента: US09460956B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Ching-Feng Fu,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Terminal structure, method for manufacturing terminal structure, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230386966A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Epoxy resin composition and semiconductor device using thereof

Номер патента: MY138721A. Автор: Hirofumi Kuroda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2009-07-31.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Ultrawide bandgap semiconductor devices including magnesium germanium oxides

Номер патента: EP4430676A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395440A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09793392B2. Автор: Masahito Otsuki,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: EP4216692A1. Автор: Jooho Lee,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: US20230231004A1. Автор: Jooho Lee,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US09905636B2. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Nanotube semiconductor devices

Номер патента: US09704955B2. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Shallow trench isolation structure and semiconductor device with the same

Номер патента: US20210313422A1. Автор: Chao-Wei Lin,Huixian Lai,Yu Cheng Tung,Chiayi Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20200144401A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Composition for curable resin, cured product of said composition, production method for said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20210301076A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami,Tatsuki SATO. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Terminal structure, manufacturing method and power device

Номер патента: EP4411821A1. Автор: Jun Yuan. Владелец: Hubei Jiufengshan Laboratory. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin film structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US12107140B2. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

MIM capacitors with diffusion-blocking electrode structures and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09520460B2. Автор: Tae-Kyun Kim,Jong-Myeong Lee,Hyun-Suk Lee,Jin-Su Lee,Dong-Kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried termination structures and related methods

Номер патента: WO2018106326A1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,David J. LICHTENWALNER. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Power Semiconductor Device Having Fully Depleted Channel Region

Номер патента: US20180006115A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Power Semiconductor Device Having Cells with Channel Regions of Different Conductivity Types

Номер патента: US20190081142A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Benzoxazole resin precursor, polybenzoxazole resin, resin film and semiconductor device

Номер патента: US8337982B2. Автор: Atsushi Izumi,Takashi Enoki. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20140353803A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Self-forming barrier structure and semiconductor device having the same

Номер патента: US20140151884A1. Автор: Wen-Hsi Lee,Chia-Yang Wu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Circuit structure, transistor and semiconductor device

Номер патента: US09553182B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Power Semiconductor Device Having Fully Depleted Channel Regions

Номер патента: US20190267447A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-29.

Power Semiconductor Device Having Different Channel Regions

Номер патента: US20190371794A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-05.

Power Semiconductor Device Having Fully Depleted Channel Regions

Номер патента: US20180006029A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Power Semiconductor Device Having Different Channel Regions

Номер патента: US20180366464A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US8278682B2. Автор: Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Structure and method for forming integrated high density mim capacitor

Номер патента: US20240290823A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490242B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Wire structure and semiconductor device comprising the wire structure

Номер патента: US7932543B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Wire structure and semiconductor device comprising the the wire structure

Номер патента: US20080169118A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Wide bandgap semiconductor device with vertical superjunction edge termination for the drift region

Номер патента: US09978832B1. Автор: Christopher Adrian Martino. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming memory cells, arrays of magnetic memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US09972770B2. Автор: Wei Chen,Witold Kula,Sunil Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Termination structure for gallium nitride schottky diode

Номер патента: US09728655B2. Автор: Ping Huang,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09553144B2. Автор: Toru Mori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09520473B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US09306072B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Super-junction corner and termination structure with graded sidewalls

Номер патента: US20200161431A1. Автор: Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench mosfet

Номер патента: US20150214312A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-07-30.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench mosfet

Номер патента: US20170053989A9. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-02-23.

Termination Structure with Multiple Embedded Potential Spreading Capacitive Structures for Trench MOSFET and Method

Номер патента: US20110198605A1. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive structures for trench MOSFET

Номер патента: US09960237B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor package, interposer and semiconductor process for manufacturing the same

Номер патента: US09947635B1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee,Yuan-Feng CHIANG,Chung-Hsi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09478545B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Termination structure for semiconductor devices and process for manufacture thereof

Номер патента: US5940721A. Автор: Daniel M. Kinzer,Kenneth Wagers. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1999-08-17.

Semiconductor device trench termination structure

Номер патента: US20220336656A1. Автор: Reza Behtash,Alexander Harke,Christian Liguda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device structure and method of manufacture

Номер патента: US20190165111A1. Автор: Soenke Habenicht,Stefan Berglund,Seong-Woo BAE,Martin ROEVER. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20210296476A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Process for manufacturing a charge-balance power diode and an edge-termination structure for a charge-balance semiconductor power device

Номер патента: US20080001223A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Saggio,Domenico Murabito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Storage system and semiconductor package with improved power supply efficiency

Номер патента: US20240242742A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230402548A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Methods of fabricating the same die stack structure and semiconductor structure

Номер патента: US12119328B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Min-Chien Hsiao,Tzuan-Horng LIU,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09583630B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09570439B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09443817B2. Автор: Yoshinori Kondo,Katsuhiko Hotta,Ayaka Okumura,Hiroaki OSAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

High Voltage Termination Structure of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190109230A1. Автор: Frank Hille,Frank Dieter Pfirsch,Viktoryia Uhnevionak,Philip Christoph Brandt,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-11.

Power semiconductor devices having gate trenches and buried edge terminations and related methods

Номер патента: US11837629B2. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: US20240088237A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US20190109188A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Composite substrate and semiconductor structure

Номер патента: US20240047284A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive for trench MOSFET and method

Номер патента: US9029236B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-05-12.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240258401A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US11735694B2. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12068404B2. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package

Номер патента: US10847616B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US20240361382A1. Автор: Tomonori Nakamura,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device configuring a back-illuminated solid state imaging device and semiconductor device manufacturing method thereof

Номер патента: US09997553B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09893179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09865741B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842926B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09824905B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09741641B2. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US09679874B2. Автор: Jae Choon Kim,Kyol PARK,Chajea JO,Jin-kwon Bae,Jichul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240324163A1. Автор: Takayuki Tsukagoshi,Daichi Sugawara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having wire studs as vertical interconnect in FO-WLP

Номер патента: US09443797B2. Автор: Yaojian Lin,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu,Sheila Marie L. Alvarez,Yang Kern Jonathan Tan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Trench-gate semiconductor devices and their manufacture

Номер патента: WO2003023863A2. Автор: Philip Rutter,Steven T. Peake,Georgios Petkos,Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-03-20.

Junction termination structure

Номер патента: WO2023285133A1. Автор: Mietek Bakowski,Ulf GISSLANDER. Владелец: Rise Research Institutes of Sweden AB. Дата публикации: 2023-01-19.

Power semiconductor device having fully depleted channel regions

Номер патента: US20180006027A1. Автор: Anton Mauder,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: WO2024054763A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Junction termination structure

Номер патента: EP4371159A1. Автор: Mietek Bakowski,Ulf GISSLANDER. Владелец: Rise Research Institutes of Sweden Surface Process and Formulation AB. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US11923328B2. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20240250053A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160276351A1. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240282805A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200381557A1. Автор: Shigeki Hattori,Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240321974A1. Автор: Toru Sugiyama,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device, communication module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068407B2. Автор: Masashi Yanagita,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09941112B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865606B2. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming conductive vias by direct via reveal with organic passivation

Номер патента: US09768066B2. Автор: XING Zhao,Duk Ju Na,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Bonding wire for semiconductor package and semiconductor package including same

Номер патента: US09735331B2. Автор: Il Woo Park,Chang Bun Yoon,Soo Moon Park,Mi Hwa YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Field effect transistor, termination structure and associated method for manufacturing

Номер патента: US9362351B2. Автор: Tiesheng Li,Rongyao Ma,Huaifeng Wang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Termination structure

Номер патента: US20240030339A1. Автор: Jun Hu,Ayman SHIBIB. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US10636885B2. Автор: Takeshi Imamura,Ryou Kato,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Toshikazu Imai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170287954A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20200199351A1. Автор: Sang Kyun Kim,Sang Jin Kim,Dong Hwan Lee,Young Joon Lee,Tae Shin Eom,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor process chamber, semiconductor process apparatus, and semiconductor process method

Номер патента: EP4397783A1. Автор: Yunfeng LAN,qing She,Yongfei WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20150155253A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US9711481B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US8963304B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Integration of boron arsenide into power devices and semiconductors for thermal management

Номер патента: EP4315407A1. Автор: Yongjie HU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-07.

Thermal interface material paste and semiconductor package

Номер патента: US11876031B2. Автор: Wonkeun Kim,Joungphil LEE,Mihyae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20240130125A1. Автор: Masayuki Kitamura,Hiroshi Toyoda,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Takayuki Beppu,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230352317A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Ladder annealing process for increasing polysilicon grain size in semiconductor device

Номер патента: US12052868B2. Автор: Lei Li,Tuo Li,Hao PU,Caiyu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor device, and semiconductor device mounting body

Номер патента: US20240282681A1. Автор: Hidetoshi Abe,Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Non-conductive film sheet and semiconductor package including the same

Номер патента: US12062633B2. Автор: Yeongseok Kim,Joungphil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method to form semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US20230317526A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John Zhang,Sunil Singh,Chun Yu Wong,Heng Yang. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140021490A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Interposer and semiconductor package including the same

Номер патента: US20200185357A1. Автор: Taesung Jeong,Younggwan Ko,Jungsoo BYUN,Jaeean Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor package structure and semiconductor module including the same

Номер патента: US20200321270A1. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070126063A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Low dielectric constant material having thermal resistance, insulation film between semiconductor layers using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20060091382A1. Автор: Noboru Mikami,Sei Tsunoda,Hideharu Nobutoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080048247A1. Автор: Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Hiroaki Kuriyama,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Resin composition for encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20240263004A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Ryuhei Yokota,Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US20240258434A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230225101A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US12089395B2. Автор: Tomomasa Ueda,Yuta Sato,Keiji Ikeda,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: EP4439639A1. Автор: Qi Zhang,Kun Ma,Chaoyang Luo,Yuhang Zhang,Yanjun Wang,Chenguang Sun,Qianzhi MA,Zuying YAO,Qiwang Wei,Haiyun GU,Zhicai LI. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09850390B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842869B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming insulating layer in notches around conductive TSV for stress relief

Номер патента: US09837336B2. Автор: Chang Bum Yong,Won Kyoung Choi,Jae Hun Ku. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device containing oxygen-related thermal donors

Номер патента: US09825131B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Stadtmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09761463B2. Автор: Takamitsu Yoshida,Atsuko Kawasaki,Kazumasa Tanida,Kuniaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09748401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takayuki Inoue,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Suzunosuke Hiraishi,Hiromichi Godo,Koki Inoue,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735110B2. Автор: Ryosuke Nakagawa,Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Chip-scale package and semiconductor device assembly

Номер патента: US09728935B2. Автор: Jihua Du,Jay A. Skidmore,Vincent V. Wong,Kong Weng Lee. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Co-fabricated bulk devices and semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US09691787B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US09685457B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09646908B2. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09595499B2. Автор: Wan Choon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09576908B1. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Film adhesive, dicing tape with film adhesive, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09484240B2. Автор: Yuki Sugo,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09478668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor device with buried channel/body zone and semiconductor device

Номер патента: US09368408B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Stefan Tegen. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device and semiconductor module with improved heat dissipation

Номер патента: US12033916B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240170536A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230032353A1. Автор: Naohito Mizuno,Takahiro Nakano,Yasushi Ookura,Seigo Oosawa,Yoshihiro INUTSUKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09947801B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09922902B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09548261B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing same and semiconductor substrate

Номер патента: US09373686B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and termination structure

Номер патента: US11881514B2. Автор: Yutaka Kato,Masaki Shiraishi,Tetsuo Oda,Shigeo Tokumitsu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US11854809B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-26.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US11018008B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone Rascuna,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-05-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10103219B2. Автор: YUAN Li,Yi Pei,Chuanjia WU. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-10-16.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20190172715A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone Rascuna,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-06-06.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20210249268A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-08-12.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20240162040A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of a semiconductor device with efficient edge structure

Номер патента: US20230099610A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Leonardo Fragapane,Cristina Tringali,Edoardo Zanetti,Simone RASCUNA',Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Device mounting board and semiconductor module

Номер патента: US20110100696A1. Автор: Kiyoshi Shibata,Takanori Hayashi,Masayuki Nagamatsu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12040381B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20160035713A1. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20210343700A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230274938A1. Автор: Chi On Chui,Da-Yuan Lee,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Hao-Ming Tang,Yun-San Chien,Yi-Hsin Ting,Han-Shen WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9735258B2. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Electroless-plating solution and semiconductor device

Номер патента: WO2002099164A3. Автор: Hiroaki Inoue,Kenji Nakamura,Moriji Matsumoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US12051688B2. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Power supply system and semiconductor package assembly

Номер патента: US20210210134A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230290882A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170179251A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240322011A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US12087850B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Kenichi Matsushita,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Shoko HANAGATA,Daiki Yoshikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing Method of Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20240298434A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US20240337948A1. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and semiconductor unit

Номер патента: US12068434B2. Автор: Tatehito Kobayashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system

Номер патента: US09990708B2. Автор: Takeshi Kato,Hiroyuki Shindo,Norio Hasegawa,Yutaka Hojo,Yasutaka Toyoda,Hitoshi SUGAHARA,Daisuke HIBINO. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Organosiloxane, curable silicone composition, and semiconductor device

Номер патента: US09944772B2. Автор: Haruhiko Furukawa,Yusuke Miyamoto,Tomohiro Iimura,Sawako INAGAKI,Nohno TODA. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09935093B2. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor substrate and semiconductor device including the same

Номер патента: US09818824B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung Hun Lee,Moon Seung Yang,Sun Jung Kim,Eun Hye Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having an impurity concentration and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09793362B2. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09613888B2. Автор: Hiroyuki Okabe,Nobuya Nishida,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having impedance calibration function to data output buffer and semiconductor module having the same

Номер патента: US09571102B2. Автор: Kentaro Hara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09570626B2. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09564298B2. Автор: Ik-Soo Kim,Myoung-woon Kim,Su-Ho Lee,Ju-Hee Lee,Jae-Beom Park,Won-hyuk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09562944B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US09490362B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09412829B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Resilient contact ring for providing a low impedance connection to the base region of a semiconductor device

Номер патента: US4327370A. Автор: Sebastian W. Kessler, Jr.. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-04-27.

Termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US10818681B2. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Lifang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855134B2. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Wide trench termination structure for semiconductor device

Номер патента: US20130249043A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Kuo-Liang CHAO. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2013-09-26.

Termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US20200119032A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Xiaosong Zhang,Lifang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for manufacturing semiconductor and semiconductor

Номер патента: US20240194737A1. Автор: Jianfeng Gao,Junfeng Li,Jun Luo,Junjie Li,Na Zhou,Wenwu Wang,Enxu LIU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240290774A1. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-29.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170263507A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Clip structure and semiconductor package using the same

Номер патента: US20190019746A1. Автор: Yun hwa CHOI,Armand Vincent Corazo JEREZA. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240355630A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Kai-Hung HSIAO,Yu-Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US12044974B2. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

High voltage edge termination structure for power semiconductor devices and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230108668A1. Автор: Hamza Yilmaz,Aryadeep Mrinal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7838888B2. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080258153A1. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20230207683A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: EP4254512A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: US20230307551A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20140374898A1. Автор: Kousuke Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Polysilicon fuse, manufacturing method thereof, and semiconductor device including polysilicon fuse

Номер патента: US20140339675A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US12040795B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Circuit board and semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010001428A1. Автор: Yuji Yagi,Takeo Yasuho. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-24.

Semiconductor package device and semiconductor process

Номер патента: US11721645B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190244808A1. Автор: Tetsuya Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US20100096721A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor base plate and semiconductor device

Номер патента: US20230064989A1. Автор: Qiang LONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200303237A1. Автор: Shogo Shibata,Kosuke Yamaguchi,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama,Seiya SUGIMACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Quasicrystalline material and semiconductor device applying the same

Номер патента: US20200347485A1. Автор: Joungeun YOO,Eunsung Lee,Duseop Yoon,Dohyang Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-05.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US11866344B2. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2024-01-09.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US20210269326A1. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2021-09-02.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20240258413A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7952148B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7892913B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8536708B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8030207B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8338953B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140097494A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282572A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Standard cell and semiconductor device including anchor nodes

Номер патента: US20240256751A1. Автор: Nien-Yu Tsai,Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Wen-Ju Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Doping method and semiconductor device fabricated using the method

Номер патента: EP1396880A3. Автор: Toshihiko Nat. Inst. of A. I. S. & T. Kanayama,Takehide Nat. Inst. of A. I. S. & T. Miyazaki,Hidefumi NEC Corporation Hiura. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-07-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120199946A1. Автор: Satoshi Kageyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor module design method and semiconductor module

Номер патента: US20120079446A1. Автор: Kenji Fujimoto,Hiroyuki Ogino,Masanori Ueno,Hiromichi Kumakura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Packaging Method and Semiconductor Device

Номер патента: US20180090657A1. Автор: YUE Fei,Ying Zhang,Xuhong Wang. Владелец: Shanghai Industrial Micro Technology Research Institute. Дата публикации: 2018-03-29.

Fabrication method for semiconductor device, exposure method, pattern correction method and semiconductor device

Номер патента: US7921386B2. Автор: Toshiyuki Ishimaru. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it

Номер патента: US20020033707A1. Автор: Hideo Miura,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Hiroya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140097448A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Chang-Yong Um,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Secondary battery having improved terminal structure

Номер патента: EP4421969A1. Автор: Joo Hwan Sung,Kyung Hwan JUNG,Young Jun Ko. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Terminal structure and electrc compressor including the same

Номер патента: US20200313373A1. Автор: Kyuho LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-10-01.

Diamond electron source having carbon-terminated structure and method for producing the same

Номер патента: US20090121614A1. Автор: Takatoshi Yamada,Shinichi Shikata,Christoph Nebel. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADV INDUSTRIAL SCI AND Technology. Дата публикации: 2009-05-14.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Waterproof terminal structure and electronic device module

Номер патента: US20180219342A1. Автор: Akihiro Matsunaga,Seiya Matsuo. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Coupling conductive terminal structure and display device

Номер патента: US20190121190A1. Автор: Cheng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Secondary battery having improved terminal structure

Номер патента: EP4435960A1. Автор: Ji Su Hong,Joo Hwan Sung,Cheon Hee Bok,Kyoung Min Choi,Jun Min Kim,Dan Bi JEON. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Secondary battery with improved terminal structure

Номер патента: EP4425685A1. Автор: Joo Hwan Sung,Kyung Hwan JUNG,Young Jun Ko. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Terminal structure for use in power feeding

Номер патента: US11031716B2. Автор: Kunihiko Arai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-06-08.

Three-pin electrical plug with improved terminal structure

Номер патента: US8172626B1. Автор: Min-Chen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-08.

Secondary battery with terminal structure

Номер патента: US20240363982A1. Автор: Joo Hwan Sung,Kyung Hwan JUNG,Young Jun Ko. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Terminal structure for covered electric wire

Номер патента: US09564690B2. Автор: Masahiro Kondo,Kohki Ishikawa. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Terminal structure and electrical connector having the same

Номер патента: US9337585B1. Автор: Haven Yang. Владелец: All Best Precision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US20050093026A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Terminal structure

Номер патента: US20130143452A1. Автор: Shuji Yoshikawa. Владелец: Makita Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09698569B2. Автор: Isao Watanabe,Satoshi Ae,Tetsuro Okuda,Shoutarou KITAMURA,Suguru Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Terminal structure of coaxial cable, and connection structure of terminal of this coaxial cable

Номер патента: US09543663B2. Автор: Toru Wakabayashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Terminal structure

Номер патента: US11831100B2. Автор: Hiroaki Ota,Kotaro TAGAMI,Masataka Ohashi,Yasunori MUKUMOTO. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Wire connection terminal structure

Номер патента: US20180175516A1. Автор: Cheng-Wei Chen,Wei-Chi Chen,Chih-Yuan Wu. Владелец: Switchlab Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Terminal arrangement structure and card-shaped device using the same

Номер патента: US20110187626A1. Автор: Hiroaki Fukuchi,Yasutaka Maekawa. Владелец: SII Mobile Communications Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Electrical terminal structure

Номер патента: US3705258A. Автор: Floyd M Minks. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-12-05.

Method for producing semiconductor optical device and semiconductor optical device

Номер патента: US20120094415A1. Автор: Hideki Yagi,Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Optical semiconductor device and semiconductor laser device

Номер патента: US20220344906A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kenichi Nishi,Yuki Kamata,Yutaka Ohnishi,Keizo Takemasa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Thermal control structures and methods in stators with printed circuit boards

Номер патента: RU2719307C1. Автор: Стивен Роберт ШОУ. Владелец: И-Серкит Моторс, Инк.. Дата публикации: 2020-04-17.

Multi-phase coil terminal structure and motor including same

Номер патента: US09479024B2. Автор: Yukihiro Terada,Kohei Kawamata. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Folding terminal structure

Номер патента: US12088743B2. Автор: JIAN Ma,Shoujun CAI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Terminal structure of armored cable and armor wire anchoring device

Номер патента: US20200303915A1. Автор: Tatsuya Kazama,Takehiro NOZAKI. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09559691B1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09450574B2. Автор: Sang Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US12127395B2. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09887691B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09722583B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Encoder, decoder and semiconductor device including the same

Номер патента: US20140317472A1. Автор: Joon-Woo Kim,Hong-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US20230109445A1. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Optical Fiber Terminal Structure, Optical Element Connection Structure, and Method for Manufacturing Optical Fiber Terminal Structure

Номер патента: US20200088948A1. Автор: Junichi Hasegawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Non-permanent termination structure for microprobe measurements

Номер патента: US09915682B2. Автор: Jayapreetha Natesan,John G. Torok,Matteo Cocchini,Michael A. Cracraft. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Non-permanent termination structure for microprobe measurements

Номер патента: US09702906B2. Автор: Jayapreetha Natesan,John G. Torok,Matteo Cocchini,Michael A. Cracraft. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and semiconductor system for detecting an error occurred in a parity

Номер патента: US12148492B2. Автор: Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Polymer having terminal structure including plurality of reactive silicon groups, method for manufacturing same, and use for same

Номер патента: US09969843B2. Автор: Akio Taniguchi,Katsuyu Wakabayashi,Hidetoshi Odaka,Tatsuro Harumashi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Polymer having terminal structure including plurality of reactive silicon groups, method for manufacturing same, and use for same

Номер патента: US09803052B2. Автор: Akio Taniguchi,Katsuyu Wakabayashi,Hidetoshi Odaka,Tatsuro Harumashi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792969B1. Автор: Kwang-Soon Kim,Seung-Wook Oh,Hyun-seung KIM,Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Polymer having terminal structure including plurality of reactive silicon groups, method for manufacturing same, and use for same

Номер патента: US09505879B2. Автор: Akio Taniguchi,Katsuyu Wakabayashi,Hidetoshi Odaka,Tatsuro Harumashi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Retroviral vectors comprising an enhanced 3' transcription termination structure

Номер патента: CA2408786A1. Автор: Paula Marie Cannon,Maria Barcova. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Retroviral vectors comprising an enhanced 3' transcription termination structure

Номер патента: WO2001085974A3. Автор: Paula Marie Cannon,Maria Barcova. Владелец: Maria Barcova. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices having initialization circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09524762B1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems relating to the prevention of a potential difference between signals from being reversed

Номер патента: US09773530B1. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Test mode circuit with serialized I/O and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09761328B2. Автор: Yong Suk Joo,Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Temperature-measurement terminal structure

Номер патента: EP4459251A1. Автор: Chao Wang. Владелец: Changchun Jetty Automotive Parts Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Semiconductor device examination method and semiconductor device examination device

Номер патента: US12044729B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09679621B2. Автор: Min Soo Park,Min Jun Choi,Hyun Wook HAN,Jin Se KIM,Moon Yub NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device simulation apparatus, computer readable medium storing thereon program for causing computer to execute semiconductor device simulation method, and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20100082317A1. Автор: Takashi Kurusu,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20180182441A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor inspection device and semiconductor inspection method

Номер патента: US12094138B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09880196B2. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system for producing noise differences between points of time

Номер патента: US09710118B2. Автор: Yoon-Kyung Choi,Hyunkyu Ouh,Bumsoo Kim,Junchul Park,Jinchul Lee,Chadong Kim,Sang-Hyub Kang,Sanho Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device employing closed loop and open loop DVFS control and semiconductor system including the same

Номер патента: US09671847B2. Автор: Je-kook Kim,Young-Hoon Lee,Min-Shik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Terminal structure of high-pressure fuel pipe for direct injection engine

Номер патента: US09664163B2. Автор: Eiji Kurata,Iichiro Seino. Владелец: Usui Kokusai Sangyo Kaisha Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Terminal structure of high-pressure fuel pipe for direct injection engine

Номер патента: US09599080B2. Автор: Eiji Kurata,Iichiro Seino. Владелец: Usui Kokusai Sangyo Kaisha Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20170365303A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20190295611A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09570151B1. Автор: Jin Youp CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US09484083B2. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09466396B2. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170315952A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20170213582A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090176328A1. Автор: Tsuyoshi Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

METHODS FOR STRESSING TRANSISTOR CHANNELS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20130001575A1. Автор: Forbes Leonard,Bhattacharyya Arup,Farrar Paul A.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

METHODS OF FORMING A METAL CHALCOGENIDE MATERIAL, RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140027775A1. Автор: Uhlenbrock Stefan,Quick Timothy A.,Marsh Eugene P.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

METHODS OF FORMING AN ARRAY OF OPENINGS IN A SUBSTRATE, RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND A RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140097520A1. Автор: Millward Dan B.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Packaging Structures and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20140021594A1. Автор: Yew Ming-Chih,Lin Wen-Yi,Lin Po-Yao,WU Jiun Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-01-23.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Electrical connector with low-inductance terminal structure

Номер патента: SG139506A1. Автор: Shyh-Lin Tung. Владелец: Molex Inc. Дата публикации: 2008-02-29.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.