Структурированная формующая ткань, бумагоделательная машина и способ.

Структурированная формующая ткань, бумагоделательная машина и способ

Номер патента: RU2011103800A
Опубликовано: 10-08-2012
Автор(ы): Скотт Д. КУИГЛИ, Скотт Д. КУИГЛИ (US)
Принадлежит: ФОЙТ ПАТЕНТ ГМБХ, Фойт Патент Гмбх (De)
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Structured forming fabric for a papermaking machine, and papermaking machine

Номер патента: US09879376B2. Автор: Scott D. Quigley. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

FORMING FABRIC FOR CARE AND SIMILAR MACHINES AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1047301B. Автор: . Владелец: Nordiska Maskinfilt AB. Дата публикации: 1980-09-10.

Profiled spiral wound threads for replaceable parts of papermaking machine and for technical belts

Номер патента: RU2269612C2. Автор: Роберт А. ХАНСЕН. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2006-02-10.

Paper machine fabric

Номер патента: CA2351186C. Автор: Seppo Taipale. Владелец: Tamfelt Pmc Oy. Дата публикации: 2008-08-26.

Multi-layer forming fabric with two warp systems bound together with triplets of binder yarns

Номер патента: CA2522155C. Автор: Bernard Festor. Владелец: Albany International Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Control equipment for the headbox tip lath in a paper machine or such and method of tip lath control

Номер патента: US20010027851A1. Автор: Tommi Korolainen,Juhana Lumiala,Jarmo Kirvesmäki,Kari Pitkäjärvi,Ilkka Kemiläinen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Filter means and filter element for treating a flushing liquid for material-removing machining and method for material-removing machining

Номер патента: US20160001208A1. Автор: Christian Gurtner,Christoph Maurer,Isabell ERLENMAIER,Christian DIETMAYER. Владелец: Sefar AG. Дата публикации: 2016-01-07.

Filter means and filter element for treating a flushing liquid for material-removing machining and method for material-removing machining

Номер патента: US09993759B2. Автор: Christian Gurtner,Christoph Maurer,Isabell ERLENMAIER,Christian DIETMAYER. Владелец: Sefar AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Hollow multilayer woven preform of a bulk structure with twill-line effect imitation and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2751123C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-07-08.

Hollow multi-layered woven frame with a three-dimensional structure and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2759017C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-11-08.

Paper machine, paper machine belt for and method of manufacturing textured soft paper

Номер патента: EP1832679A1. Автор: Ingvar Klerelid,Osman Polat,Ward Ostendorf,Anders Linden,Robert Ampulski. Владелец: METSO PAPER KARLSTAD AB. Дата публикации: 2007-09-12.

PAPER MACHINE, PAPER MACHINE SCREEN FOR, AND METHOD FOR PRODUCING PRINTED SOFT PAPER

Номер патента: DE69839081T2. Автор: Ingvar B. Klerelid,Anders T. Linden,Robert S. Fairfield AMPULSKI,Ward W. West Chester OSTENDORF,Osman Montgomery POLAT. Владелец: METSO PAPER KARLSTAD AB. Дата публикации: 2009-01-22.

Paper machine, paper machine belt for and method of manufacturing textured soft paper

Номер патента: CA2314113A1. Автор: Osman Polat,Robert S. Ampulski,Ingvar B. E. Klerelid,Anders T. Linden,Ward W. Ostendorf. Владелец: Ward W. Ostendorf. Дата публикации: 1999-06-24.

Paper machine suction box and method in paper machine suction box

Номер патента: JP4064468B2. Автор: ヨルマスネルマン、,アンッティポイコライネン、,アリプゥールチネン、,サンッパ、ジェイサルミネン、. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2008-03-19.

Radiation tube in a paper machine or equivalent and method of maintaining the radiation tube

Номер патента: FI20010850A0. Автор: . Владелец: Metso Paper Inc. Дата публикации: 2001-04-24.

Control equipment for the headbox tip lath in a paper machine or such and method of tip lath control

Номер патента: EP1130157A3. Автор: Tommi Korolainen,Juhana Lumiala,Jarmo Kirvesmäki,Kari Pitkäjärvi,Ilkka Kemiläinen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2002-09-18.

Runnability component for sealing of a pocket space between drying cylinders in a paper machine or similar, and method for manufacturing a runnability component

Номер патента: CA2736402A1. Автор: Pekka Saarikivi,Rami Aaltonen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2006-12-14.

A method for production of nanofibres and/or nanofibrous structures of phospho-olivines, nanofibres of phospho-olivines and nanofibrous structure formed of nanofibres of phospho-olivines

Номер патента: WO2010063244A3. Автор: Jiri Duchoslav,Lukas Rubacek. Владелец: Elmarco S.R.O.. Дата публикации: 2010-10-07.

Formation in a two fabric paper machine

Номер патента: US5735330A. Автор: Michael Mcmahon,Richard Pitt,Werner Buchmann. Владелец: Jwi Ltd. Дата публикации: 1998-04-07.

Device and method for manufacturing and/or improving quality of treatment of fibrous linen

Номер патента: RU2364672C2. Автор: Райнер КЛОИБХОФЕР,Кристоф ХААЗЕ,Томас ГРУБЕР-НАДЛИНГЕР,Херберт БОДЕН,Эрих РОЛЛЕНИТЦ,Манфред ГЛОЗЕР. Владелец: ФОЙТ ПАТЕНТ ГМБХ. Дата публикации: 2009-08-20.

Gap type forming section for a two fabric paper making machine

Номер патента: CA2544126C. Автор: Vaughn Wildfong,Richard Pitt. Владелец: AstenJohnson Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Method and device for supplying pulp to a headbox of a paper machine

Номер патента: US5578171A. Автор: Kari Pitkäjärvi. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 1996-11-26.

Method and device for supplying pulp to a headbox of a paper machine

Номер патента: CA2115869A1. Автор: Kari Pitkäjärvi. Владелец: Valmet Paper Machinery Inc. Дата публикации: 1994-08-19.

Deckle board system and method

Номер патента: US09822484B2. Автор: James Faufau,Andrew Forester,Joshua N. Kruger. Владелец: IBS of AMERICA. Дата публикации: 2017-11-21.

Deckle board system with a boundary layer shower and method

Номер патента: US09822483B2. Автор: James Faufau,Andrew Forester. Владелец: IBS of AMERICA. Дата публикации: 2017-11-21.

Deckle board system and method

Номер патента: US09512565B2. Автор: James Faufau,Andrew Forester,Joshua N. Kruger. Владелец: IBS of AMERICA. Дата публикации: 2016-12-06.

A paper machine

Номер патента: SE2230438A1. Автор: Scott WIGHTWICK. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2024-06-22.

An extended nip roll, an extended nip press making use of the extended nip roll, a papermaking machine and a method of operating an extended nip press

Номер патента: EP2839074A1. Автор: Karl-Johan Tolfsson,Goran Ekstrom,Tord Gustavsson,Jan Paulsson. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Extended nip roll, an extended nip press making use of the extended nip roll, a papermaking machine and a method of operating an extended nip press

Номер патента: US20150060000A1. Автор: Karl-Johan Tolfsson,Goran Ekstrom,Tord Gustavsson,Jan Paulsson. Владелец: VALMET AB. Дата публикации: 2015-03-05.

Vane intended for a headbox of a paper machine and method for ensuring the straightness of a vane

Номер патента: EP1721040A1. Автор: Janne Lappi,Jarmo Kirvesmäki. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2006-11-15.

Vane intended for a headbox of a paper machine and method for ensuring the straightness of a vane

Номер патента: WO2005085520A1. Автор: Janne Lappi,Jarmo Kirvesmäki. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2005-09-15.

Vane intended for a headbox of a paper machine and method for ensuring the straightness of a vane

Номер патента: EP1721040B1. Автор: Janne Lappi,Jarmo Kirvesmäki. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2008-03-26.

Paper products having increased bending stiffness and cross-direction strength and methods for making the same

Номер патента: US20230250582A1. Автор: John Mullaney Meazle. Владелец: International Paper Co. Дата публикации: 2023-08-10.

Paper products having increased bending stiffness and cross-direction strength and methods for making the same

Номер патента: US20190211503A1. Автор: John Mullaney Meazle. Владелец: International Paper Co. Дата публикации: 2019-07-11.

Roll in a paper machine or paper finishing machine and coupling arrangement for the tending-side end of the roll

Номер патента: EP1082490B1. Автор: Miikka Kettunen,Hannu Hyvönen,Jyri Suomalainen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2003-08-06.

Roll in a paper machine or paper finishing machine and coupling arrangement for the tending-side end of the roll

Номер патента: WO1999040257A1. Автор: Miikka Kettunen,Hannu Hyvönen,Jyri Suomalainen. Владелец: Valmet Corporation. Дата публикации: 1999-08-12.

Roll in a paper machine or paper finishing machine and coupling arrangement for the tending-side end of the roll

Номер патента: EP1082490A1. Автор: Miikka Kettunen,Hannu Hyvönen,Jyri Suomalainen. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 2001-03-14.

Method of using aldehyde-functionalised polymers to increase efficiency of paper-making machine and improvement of sizing

Номер патента: RU2595681C2. Автор: Марк ГРИММ,ДЖОН Майкл Р. СТ.. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2016-08-27.

Machine and method for combined thermomechanical processing of tissues, in particular knitted fabrics

Номер патента: RU2551071C2. Автор: Массимо БЬЯНКАЛАНИ,Риккардо РАВАЛЬИ. Владелец: БЬЯНКАЛАНИ С.Р.Л.. Дата публикации: 2015-05-20.

Non-woven composite fabric and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP1274558A1. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson. Владелец: Hunter Douglas NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Non-woven composite fabric and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU7595700A. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson. Владелец: Hunter Douglas Industries BV. Дата публикации: 2001-04-24.

Circuit base plate, electronic machine, and and method of manufacture

Номер патента: CN1449029A. Автор: 曾我太佐男,秦英惠,石田寿治,冈本正英,妹尾省悟,加加见敏行,坂下明弘. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-15.

Structures and structure forming methods

Номер патента: US20020076620A1. Автор: James J. Alwan,David Wells,Eric J. Knappenberger,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Multi-layered structure forming method, method of manufacturing wiring substrate, and method of manufacturing electronic apparatus

Номер патента: US20070141828A1. Автор: Kenji Wada,Jun Yamada,Toshiaki Mikoshiba,Kazuaki Sakurada,Tsuyoshi Shintate. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Tapered laser or waveguide optoelectronic structures and method

Номер патента: WO1989009490A1. Автор: William D. Goodhue,Robert H. Rediker,Donald E. Bossi. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-10-05.

Reduced capacity carrier and method of use

Номер патента: US09881825B2. Автор: Ulysses Gilchrist,Christopher Hofmeister,William Fosnight,Michael L. Bufano,Gerarld M. Friedman. Владелец: Brooks Automation Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Geodesic structure forming systems and methods

Номер патента: US09789548B2. Автор: Sina Golshany,Junghyun Ahn,Derek Alderks,Todd William Erickson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-10-17.

Infrared metal heating device and method of its making

Номер патента: RU2600801C2. Автор: Инчжи ВАН,Тянуи ЛУО. Владелец: Х & Н (Чжуншань) Гэс Текнолоджи Сток Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-10-27.

Hollow structure forming substrate, method of producing hollow structure forming substrate, and method of producing hollow structure using hollow structure forming substrate

Номер патента: US20100035040A1. Автор: Masahiro Masuzawa,Masaru Ohgaki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Connecting wire harness for return current and method of its mounting on composite fuselage frame

Номер патента: RU2634706C2. Автор: Жан-Люк БИССЕ,Арно Камий ЭМ. Владелец: Лабиналь Пауэр Системз. Дата публикации: 2017-11-03.

Frame of underwater remotely operated unit with positive buoyancy and method of its manufacturing

Номер патента: RU2518869C1. Автор: Тор Гуннар АЛЬВЕСТАД,Арне Ингемар ЛИФ,Эдвинн МЮРЕ. Владелец: Икм Сабси Ас. Дата публикации: 2014-06-10.

Wiring board and method for manufacturing same

Номер патента: US20150319866A1. Автор: Yoshinori Takenaka. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Composite Wall Structure, Tank Trailer Formed Therefrom and Method of Manufacturing Same

Номер патента: US20080284153A1. Автор: Donald J. Keehan,John M. Manos. Владелец: Ascus Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Composite wall structure, tank trailer formed therefrom and method of manufacturing same

Номер патента: US20110315681A1. Автор: Donald J. Keehan,John M. Manos. Владелец: Ascus Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Composite wall structure, tank trailer formed therefrom and method of manufacturing same

Номер патента: EP1885628A2. Автор: Donald J. Keehan,John M. Manos. Владелец: Ascus Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-02-13.

Hollow structure forming substrate, method of producing the same, and method of producing hollow structure using the same

Номер патента: EP2086737A1. Автор: Masahiro Masuzawa,Masaru Ohgaki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-12.

Structure and method for improved adhesion between two polymer films

Номер патента: US20020195197A1. Автор: Frank Egitto,Luis Matienzo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

System and method for modular data center

Номер патента: US09572288B2. Автор: Eric Wilcox,John HOEFFNER,Stjepan SINKOVIC,Denis RANCIC,Zeljko Gjuranic. Владелец: Liebert Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Multilayer structure formed by layers of nanoparticles having one-dimensional photonic crystal properties, method of making and using said structure

Номер патента: RU2454688C2. Автор: ПЕРЕС Сильвия КОЛОДРЕРО,ХУРАДО Мануэль ОКАНЬЯ,ГАРСИЯ Эрнан Руй МИГЕС. Владелец: Консехо Супериор Де Инвестигасионес Сьентификас. Дата публикации: 2012-06-27.

Wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110240356A1. Автор: Hideyuki WAKITA,Akihide Kawaguchi. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Methods for forming electrically precise capacitors on insulative substrates, and structures formed therefrom

Номер патента: US09552924B2. Автор: JIANG LI,Erik Scher,Patrick Smith,Criswell Choi,Arvind Kamath. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-01-24.

Solder, solder joint structure and method of forming solder joint structure

Номер патента: US20140134459A1. Автор: Tao-Chih Chang,Kuo-Shu Kao,Wen-Chih Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-05-15.

Redox active polymer devices and methods of using and manufacturing the same

Номер патента: US09990578B2. Автор: Paul Johnson,Cody Friesen,Elise SWITZER,Jose Antonio BAUTISTA-MARTINEZ. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-06-05.

Hydrophobic surface coating systems and methods for metals

Номер патента: US09670060B2. Автор: Ali Dhinojwala,Sunny Sethi. Владелец: UNIVERSITY OF AKRON. Дата публикации: 2017-06-06.

Wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09538642B2. Автор: Kosuke Ikeda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Magnetic substrate and method of manufacturing the same, bonding structure between magnetic substrate and insulating material, and chip component having the bonding structure

Номер патента: US20200090848A1. Автор: Sung Han Kim,Yong Il Kwon,Sa Yong Lee,Keun Yong LEE,Jin Ho HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Layered bonded structures formed from reactive bonding of zinc metal and zinc peroxide

Номер патента: US09978893B2. Автор: Robyn L. Woo. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Fibrous structure forming flange and counter-flange

Номер патента: RU2572977C2. Автор: Лоик ОЛИВЬЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2016-01-20.

Bond pad for low k dielectric materials and method for manufacture for semiconductor devices

Номер патента: US20120034771A1. Автор: Xian J. Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Thermoplastic composite supporting structures integrated with connecting elements and method

Номер патента: RU2679262C2. Автор: Джеймс Скотт ГРИФФИНГ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-02-06.

Turbomachine rotor and method of its assembly

Номер патента: RU2559957C2. Автор: Тревор МИЛН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-08-20.

Compositions and methods for forming a semiconducting and/or silicon-containing film, and structures formed therefrom

Номер патента: US20060154036A1. Автор: Klaus Kunze,Scott Haubrich,Joerg Rockenberger,Brent Ridley,Fabio Zurcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Capacitor including dielectric structure formed of sintered body, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190019623A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hironori Araki,Hiroyuki Ito,Atsushi Iijima,Seiichiro Tomita. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Polygonal sheet and a 3d structure formed therefrom

Номер патента: EP2192849A2. Автор: Anat Stein,Hadas Kruk. Владелец: TEA AND LEMON Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

Coated porous structures and method for forming them

Номер патента: US3667984A. Автор: Whitney R Adams. Владелец: Scott Paper Co. Дата публикации: 1972-06-06.

Surface structure for enhancing catalyst reactivity and method of manufacturing thereof

Номер патента: US7361426B2. Автор: Alfred I-Tsung Pan. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-04-22.

Lithium secondary battery and method for manufacturing the same

Номер патента: US09413010B2. Автор: Atsushi Fukui,Maruo Kamino,Taizo Sunano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Multilayer composite tubular structure and method of making

Номер патента: US5858556A. Автор: John K. Eckert,Jeffrey M. Farina,Joseph P. Gadda,Jeffrey C. Kelly,John G. Thomas. Владелец: UTI Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Composites for packaging articles and method of making same

Номер патента: NZ595055A. Автор: Christopher R Tilton. Владелец: SMART PLANET TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2014-03-28.

Coating structure and method for forming the same

Номер патента: US20130143017A1. Автор: Sang Ho Cho,Cheol Ham,Myung Gon Kim,Byung Ha Park,Ki Yong Song,In Oh Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Phase Changeable Memory Device Having Dielectric Layer for Isolating Contact Structures Formed by Growth, Semiconductor Memory Device Having The Same, And Methods of Manufacturing The Same and The Semiconductor Device

Номер патента: KR101019986B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-09.

Method of preparing catalyst and method of producing diesel fuel using said catalyst

Номер патента: RU2376062C1. Автор: Геннадий Викторович Ечевский,Олег Владимирович Кихтянин,Александр Викторович Токтарев,Антон Евгеньевич Рубанов. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-12-20.

Small crystal ferrierite and method of making the same

Номер патента: RU2640072C9. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-30.

Structure and Method for FinFET Device with Asymmetric Contact

Номер патента: US20200365734A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905569B1. Автор: Dong-won Kim,Jae-Hwang Sim,Bong-Tae Park,Ho-Jun SEONG,Jung-Hoon Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

CdTe SOLAR BATTERY AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: WO2012028090A1. Автор: YONG ZHOU,Rui Deng,Wenyu Cao. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2012-03-08.

Unit of filtration (versions), underground structure formed with units of filtration, and method for manufacturing of undetachable unit of filtration

Номер патента: RU2373339C2. Автор: Марсел РУЛФСЕМА. Владелец: Вавин Б.В.. Дата публикации: 2009-11-20.

Crystalline germanosilicate materials of new topology cit-13 and methods for production thereof

Номер патента: RU2686907C1. Автор: Джоел Е. ШМИДТ,Марк Е. ДЕЙВИС,Бен В. БОУЛ,Дзонг Хунь КАН. Владелец: Кэлифорниа Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2019-05-06.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US09859524B2. Автор: Simon Schicktanz,Benjamin Krummacher,Kilian Regau,Joerg Farrnbacher. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-01-02.

Micro-sensor body and method for manufacturing the same, as well as micro-sensor

Номер патента: US09796577B2. Автор: Tian Yang,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nanocatalyst for partial oxidation of methane, method for preparing the nanocatalyst and method for partial oxidation of methane using the nanocatalyst

Номер патента: US11878295B2. Автор: Sang-Yup Lee,Hyesung Lee,Junsang Lee,Jeewon JU,Sukjun LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-01-23.

Nanocatalyst for partial oxidation of methane, method for preparing the nanocatalyst and method for partial oxidation of methane using the nanocatalyst

Номер патента: US20230139887A1. Автор: Sang-Yup Lee,Hyesung Lee,Junsang Lee,Jeewon JU,Sukjun LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-05-04.

Low-cost solar cells and methods for their production

Номер патента: EP2208238A1. Автор: SINHA Ashok. Владелец: SUNPREME Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

A device and method of manufacturing high aspect ratio structures

Номер патента: EP3323163A1. Автор: Sandeep Unnikrishnan,Lucas A. HAVERKATE. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-05-23.

Ultraviolet sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966490B1. Автор: Chia-Hao Chang,Jinn Chu,Bohr-Ran Huang,You-Syuan Chen. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2018-05-08.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09510450B2. Автор: Yasushi Inagaki,Toshiki Furutani. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09510447B2. Автор: Yasushi Inagaki,Toshiki Furutani. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Solar cell contact structures formed from metal paste

Номер патента: US09525082B2. Автор: Michael Cudzinovic,Richard Hamilton SEWELL. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Valve unit, microfluidic device having the same, and method of driving the valve unit

Номер патента: EP2496949A2. Автор: Jong Myeon PARK,Sang Bum PARK,Do Gyoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-12.

Valve unit, microfluidic device having the same, and method of driving the valve unit

Номер патента: WO2011055942A2. Автор: Jong Myeon PARK,Sang Bum PARK,Do Gyoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor photodetector element and method

Номер патента: US09553224B2. Автор: Kenichi Kawaguchi,Nami Yasuoka,Hiroyasu Yamashita,Yoshiaki Nakata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Granulated fertilizer from sulfur of sunflower sludge and method of its production

Номер патента: RU2660262C1. Автор: Игорь Иванович Брусенко,Антон Юлианович Середкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Техносервис". Дата публикации: 2018-07-05.

Flat electrochemical cells and method for manufacture

Номер патента: WO2007101000A2. Автор: Joseph J. Viavattine. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2007-09-07.

Containment boom and method of deployment

Номер патента: WO2017079072A1. Автор: Paul Lehner,Marvin JOINER. Владелец: SMARTVISTA, LLC. Дата публикации: 2017-05-11.

Containment boom and method of deployment

Номер патента: EP3371378A1. Автор: Paul Lehner,Marvin JOINER. Владелец: Leigh Fibers LLC. Дата публикации: 2018-09-12.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US09882160B2. Автор: Michael Fehrer,Marc Philippens. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2018-01-30.

Containment boom and method of deployment

Номер патента: US09683345B2. Автор: Marvin Patrick Joiner,Paul Helmer Lehner. Владелец: Smartvista LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Support structures for golf club heads and methods of manufacturing improved support structures

Номер патента: US11628339B1. Автор: William C. Watson,Patrick Dawson,Irina Ivanova,Brandon D. Demille,Eric Stubben,David R. Handy. Владелец: Topgolf Callaway Brands Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Support structures for golf club heads and methods of manufacturing improved support structures

Номер патента: US12090376B1. Автор: William C. Watson,Patrick Dawson,Irina Ivanova,Brandon D. Demille,Eric Stubben,David R. Handy. Владелец: Topgolf Callaway Brands Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Compliant heat exchangers, heat pipes and methods for making same

Номер патента: US20210245246A1. Автор: Amelia M. Elliott,Edgar Lara-Curzio,Kashif Nawaz,Brian A. Fricke,Corson L. CRAMER,Prashant K. Jain,Richard R. Lowden,Vivek M. Rao,Matthew J. Sandlin. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Electrode for super-capacitor, super-capacitor including electrode, and method for preparing electrode

Номер патента: US20100238607A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-Hwan Park,Tae-yeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Shelter apparatus and method thereof

Номер патента: US20240301714A1. Автор: Gilbert Bernard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-12.

Modifying composition for asphalt-concrete mixtures and method of producing modified asphalt-concrete mixture

Номер патента: RU2377262C1. Автор: Рудольф Абрамович ГОРЕЛИК,Владимир Николаевич БАЛЫБЕРДИН,Белла Матвеевна СЛЕПАЯ,Михаил Ильич ЛЕРНЕР. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Уником". Дата публикации: 2009-12-27.

Structure and method for FinFET device with asymmetric contact

Номер патента: US12009426B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Aerogel with hierarchical pore structure formed using pulsed laser technology, and preparation method and use thereof

Номер патента: US12110377B1. Автор: NA Wei,Jun Zhao,Aiping Wang,Minggang Zhao,Hongzhi Cui,Ruiqi Xu. Владелец: OCEAN UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2024-10-08.

Aerogel with hierarchical pore structure formed using pulsed laser technology, and preparation method and use thereof

Номер патента: US20240327596A1. Автор: NA Wei,Jun Zhao,Aiping Wang,Minggang Zhao,Hongzhi Cui,Ruiqi Xu. Владелец: OCEAN UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2024-10-03.

Ferrierite with small size of crystals and method of its production

Номер патента: RU2640072C2. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-12-26.

Free-span coating systems and methods

Номер патента: EP3895236A1. Автор: Subramanya P. HERLE,David Masayuki Ishikawa,Ezhiylmurugan Rangasamy,Thomas GOIHL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-10-20.

Fuselage Section of an Aircraft and Method for the Production of the Fuselage Section

Номер патента: US20110303791A1. Автор: Robert Alexander Goehlich,Holger Frauen. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2011-12-15.

Systems and methods for periodic nodal surface based reactors, distributors, contractors and heat exchangers

Номер патента: US20240151472A1. Автор: Du T. Nguyen,Joshuah K. STOLAROFF,Jaisree Kannan IYER,Pratanu ROY. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Washer and method of washer manufacturing

Номер патента: RU2707805C1. Автор: Матис ХУТЕР,Штефан ВИЛЬДЕНХОФ,Томас ПЕЛЛЬКОФЕР,Райнер РЕТКОВСКИ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2019-11-29.

FinFET and method for forming the same

Номер патента: US09893182B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Composite structures and methods of forming composite structures

Номер патента: US11745443B2. Автор: William B. Montague,Matthew T. Giaraffa. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Annular structures formed from composite materials and systems and methods for forming annular structures from composite materials

Номер патента: US20220371260A1. Автор: Ben BOSWORTH,Sam Nichols,Matthew Giaraffa,Meghan Bucholz,Ian Ramsay. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Annular structures formed from composite materials and systems and methods for forming annular structures from composite materials

Номер патента: EP4132774A1. Автор: Ben BOSWORTH,Matt Giaraffa,Sam Nichols,Meghan Bucholz,Ian Ramsay. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799741B2. Автор: Kai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic memory device and method of manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09698338B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Dimension measurement apparatus calibration standard and method for forming the same

Номер патента: US09691587B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Fin-shaped structure and method thereof

Номер патента: US09524987B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Composition for reducing water permeability of rocks (embodiments) and method of plugging water permeability of rocks

Номер патента: RU2743977C1. Автор: Ольга Станиславовна Кудряшова,Елена Александровна Хайрулина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2021-03-01.

Apparatus and method for sealing vascular opening

Номер патента: RU2698220C2. Автор: Мартин ШНИТЦЕР,Рональд Р. ХАНДЕРТМАРК,Кевин ТОУ,Курт Гайер,Рик РЕПП,Сравантхи АВУТХУ. Владелец: Эксесс Клоужер, Инк.. Дата публикации: 2019-08-23.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Through-silicon-via structure and method for preparing same, through-silicon-via interconnection structure and method for preparing same, and electronic device

Номер патента: US20230197572A1. Автор: Xiaowei Li,Weiwen Zheng,Dengfeng Li,Wenlong Zhang,Kanglin Xiong,Kunliang BU,Jiagui FENG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Resistor and metal-insulator-metal capacitor structure and method

Номер патента: US09978744B2. Автор: Jen-Pan Wang,Chih-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09847392B1. Автор: Yu-Jen Liu,Yi-Ping Huang,Hsin-Kai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated circuits with resistor structures formed from gate metal and methods for fabricating same

Номер патента: US09530770B2. Автор: Christian Schippel,Alexandru Romanescu,Gerd Zschatzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Nanodevice and method

Номер патента: RU2442746C2. Автор: Энтони Ф. ВЕНЕРУСО,Дэвид ГЕРЕЗ,Джон ЮЛЛО,Бинцин ВЭЙ,Абхилаш КРИШНА. Владелец: Дзе Борд Оф Сьюпервайзорз Оф Луизиана Стэйт Юниверсити Энд Эгрикалчурал Энд Мекэникал Колледж. Дата публикации: 2012-02-20.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US20200411440A1. Автор: Tsung-Yu Chen,Hsien-Pin Hu,Tsung-Shu Lin,Wen-Hsin Wei,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Hall effect sensor with enhanced sensitivity and method for producing the same

Номер патента: US20190097126A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-03-28.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290804A1. Автор: Junghyun Kim,Jonghoon Park,YunKi Lee,Junsik Lee,Gyeongjin Lee,Yoongi Joung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240282589A1. Автор: Chih-Wei Chang,Ting-Yu Yeh,Han-Hsiang Huang,Chun-Hsien Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266226A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit structure and method for forming the same

Номер патента: US12094930B2. Автор: Tze-Liang Lee,Su-Jen Sung,Guan-Yao TU,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240313046A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Wei-Hao Chang,Guang-Yu Lo,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nanostructure field-effect transistor device with dielectric layer for reducing substrate leakage or well isolation leakage and methods of forming

Номер патента: US12125877B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Nanostructure Field-Effect Transistor Device and Method of Forming

Номер патента: US20240379750A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US09633924B1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Tsei-Chung Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09576946B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: RU2647442C2. Автор: Брайан ХОЛМС. Владелец: Де Ла Рю Интернешнл Лимитед. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240234540A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Yu-Shan Cheng,Hsiaowen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234165A9. Автор: Jiyoung LEE,Junhyeong PARK,Jieun Park,Jihye SHIM,Yuseon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035526B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230189506A1. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240136201A1. Автор: Jiyoung LEE,Junhyeong PARK,Jieun Park,Jihye SHIM,Yuseon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Microelectromechanical device, method for manufacturing a microelectromechanical device, and method for manufacturing a system on chip using a cmos process

Номер патента: US20200290867A1. Автор: Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann,Steffen Bieselt,Andre Roeth. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Gate devices and methods of formation using angled ions

Номер патента: US10903211B1. Автор: Sony Varghese,Anthony Renau,Min Gyu Sung,Morgan Evans,Naushad K. Variam,Tassie Andersen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems and methods for compensating for spring back of structures formed through incremental sheet forming

Номер патента: US20210370377A1. Автор: Andrew Jon Eugene Stephan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230157001A1. Автор: Chih-Wei Huang,Hsu-Cheng Fan,En-Jui Li,Chih-Yu YEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258466A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Gate devices and methods of formation using angled ions

Номер патента: US20210050349A1. Автор: Sony Varghese,Anthony Renau,Min Gyu Sung,Morgan Evans,Naushad K. Variam,Tassie Andersen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094783B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315031A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: US12109641B2. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Leading-edge structures for airfoils and systems and methods for fabricating the same

Номер патента: US12123096B1. Автор: Kenneth W. Young. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Hinged MEMS diaphragm, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09906869B2. Автор: Ronald N. Miles,Weili Cui. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2018-02-27.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240379451A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09653605B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

TFT substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09645459B2. Автор: YUAN Xiong,Shui-Chih Lien. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US09620645B1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583627B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Uncharged lipid, composition based on it with polycationic amphiphilic molecule, and neutral phospholipid, and method for its preparation for delivery of nucleic acids in vitro

Номер патента: RU2747559C1. Автор: Марина Аркадьевна Зенкова,Михаил Александрович Маслов,Елена Васильевна Шмендель. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет". Дата публикации: 2021-05-06.

Polyaninine membranes, uses thereof and methods of increasing hydrophilicity of membranes

Номер патента: RU2673883C2. Автор: Томас П. ФАРРЕЛЛ,Ричард Б. КАНЕР,Эрик М.В. ХОЕК,Грегори Р. ГИЛЛЕН. Владелец: Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Калифорния. Дата публикации: 2018-12-03.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12027495B2. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Mos p-n junction schottky diode device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140295628A1. Автор: Hung-Hsin Kuo. Владелец: PFC DEVICE CORP. Дата публикации: 2014-10-02.

Structure and method for forming a dielectric chamber and electronic device including the dielectric chamber

Номер патента: US20050199977A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,George Feng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234522A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Composite power element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358907A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor package structure and method for forming semiconductor package structure

Номер патента: US12051632B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Mirng-Ji Lii,Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated Circuit Package and Method of Forming Same

Номер патента: US20230253351A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150187940A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20210202756A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional mesh structures and method of assembly

Номер патента: US20240308165A1. Автор: Curtis Hudson,Lisa SWIKOSKI,Ibrahim Valenzuela,Eric REPKE,Michelle A. BRUDZYNSKY. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor contact structures and methods

Номер патента: US20240339524A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Sheng-Tsung Wang,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240332085A1. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional mesh structures and method of assembly

Номер патента: EP4458559A1. Автор: Curtis Hudson,Lisa SWIKOSKI,Ibrahim Valenzuela,Eric REPKE,Michelle A. BRUDZYNSKY. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953880B1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Devices and methods for a power transistor having a schottky or schottky-like contact

Номер патента: US09947787B2. Автор: William R. Richards, Jr.,Gary M. Dolny,Randall MILANOWSKI. Владелец: Silicet LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Hybrid integrated semiconductor tri-gate and split dual-gate FinFET devices and method for manufacturing

Номер патента: US09922878B2. Автор: Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Electromechanical device including a suspended structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09650237B2. Автор: Navab Singh,Ilker E. OCAK,Julius Ming Lin TSAI. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-05-16.

Patterned conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US09595754B2. Автор: Babak Radi,Shih-Hong Chen,Chien-Min HSU,Ming-Chi Chiu,Yong-Jyun LU. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2017-03-14.

Asymmetric FinFET semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583597B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US09543232B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Electrode structure for a non-volatile memory device and method

Номер патента: US20140084233A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12040233B2. Автор: Meng-Chun Chang,Huan-Just Lin,Chia-Ying Lee,Hao Chiang,Hong-Jie Yang,Meng Jhe Tsai,Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor testing structure and method for forming same

Номер патента: US11984370B2. Автор: Xiangyu WANG,Haibo Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

System apparatus and method for manufacturing a body support article and/or a body support article cover containing segments from stitching or quilting and having gel-type structures and/or gel-type structures integrated with foam

Номер патента: WO2024059349A3. Автор: Josh Micklos. Владелец: Elements Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

System apparatus and method for manufacturing a body support article and/or a body support article cover containing segments from stitching or quilting and having gel-type structures and/or gel-type structures integrated with foam

Номер патента: WO2024059349A2. Автор: Josh Micklos. Владелец: Elements Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051755B2. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

A construction system, structure formed therefrom and method of forming and using the structure

Номер патента: AU2021221555A1. Автор: Scott Boyle,David Mendelawitz. Владелец: Elmore Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Photonic Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20210018678A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsing-Kuo Hsia,Sung-Hui Huang,Chi-Hsi Wu,Kuo-Chiang Ting,Pin-Tso Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Gate all around device and method of formation using angled ions

Номер патента: US20200185228A1. Автор: Sony Varghese,Anthony Renau,Min Gyu Sung,Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Gate all around device and method of formation using angled ions

Номер патента: US10930735B2. Автор: Sony Varghese,Anthony Renau,Min Gyu Sung,Joseph C. Olson,Morgan Evans. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-23.

CMOS device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010038130A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-08.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US12080769B2. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11757020B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240250062A1. Автор: Heesoo Lee,Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347645A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Multilayer structures with distinct layers and methods of forming same

Номер патента: US12023642B2. Автор: Srinivasa R. Raghavan,Brady C. ZARKET,Hanchu Wang. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2024-07-02.

MIM capacitor of embedded structure and method for making the same

Номер патента: US11239153B2. Автор: YU Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Fin field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240363353A1. Автор: Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Wei-Jen Lo,Chi-Yuan Chen,Chih-Wei Chang,Wei-Jung Lin,Pin-Wen Chen,Ya-Yi CHENG,Yu-Chen Ko,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Chip interconnection package structure and method

Номер патента: US12112956B2. Автор: Yao Wang,Chuan Hu,Zhitao Chen,Yunzhi LING,Xun Xiang,Yinhua CUI,Zibai LI. Владелец: Institute of Semiconductors of Guangdong Academy of Sciences. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory devices and method of fabricating same

Номер патента: US09978603B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Touch panel and method for fabricating the same

Номер патента: US09965065B2. Автор: Zhen Liu,Tao Gao,Zhijun LV,Fangzhen Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09852952B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Strained source and drain (SSD) structure and method for forming the same

Номер патента: US09660052B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653474B2. Автор: Hyoung-Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620513B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Sung Ik Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with uneven gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09583485B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09472508B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Storage elements, structures and methods having edgeless features for programmable layer(s)

Номер патента: US09412945B1. Автор: Pascal Verrier,Jeffrey Allan SHIELDS,Kuei Chang Tsai. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Structure and device including metal carbon nitride layer and method of forming same

Номер патента: US20230238243A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Yasiel Cabrera,Mojtaba Samiee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170103987A1. Автор: Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230064914A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223480A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Structure of a Trench MOS Rectifier and Method of Forming the Same

Номер патента: US20140374790A1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Structure of a trench MOS rectifier and method of forming the same

Номер патента: US9276096B2. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266395A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-chip package and method for manufacturing the same

Номер патента: US9305885B2. Автор: Hsin-Hung Lee,Cheng-Yu Chiang,Wen-Jung Chiang,Tai-Tsung Hsu,Miao-Wen Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device conductive pattern structures including dummy conductive patterns, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20120193792A1. Автор: Gil-heyun Choi,Jong-Won Hong,Jong-Myeong Lee,In-sun Park,Ji-Soon Park,Hei-Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220271148A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230127045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Chinese character structuring member, system of mortise and tenon joint structures of chinese characters formed by chinese character structuring member and method for inputting chinese characters

Номер патента: CA3055340C. Автор: Xiaoming Gao. Владелец: Chongqing Hanzihui Educational Technology Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10084056B1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341076A1. Автор: Seung Hwan Kim,Seok Pyo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113135B2. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Fin-based semiconductor device structure including self-aligned contacts and method for forming the same

Номер патента: US12119391B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240363732A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09941286B2. Автор: Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Contact structure with silicide and method for forming the same

Номер патента: US20240371955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Chieh Wu,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Shih-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871056B2. Автор: Scott T. Becker,Jim Mali,Carole Lambert. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with isolation layer and method for forming the same

Номер патента: US12107166B2. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Chung-Huai CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583388B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09553171B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor chip including integrated circuit having cross-coupled transistor configuration and method for manufacturing the same

Номер патента: US09536899B2. Автор: Scott T. Becker,Jim Mali,Carole Lambert. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Structure of a trench MOS rectifier and method of forming the same

Номер патента: US09406788B2. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

Uzm-35 zeolite composition, method of production and methods of use

Номер патента: RU2525417C2. Автор: Джейми Дж. МОСКОСО,Дэн-Ян ДЖЭН. Владелец: Юоп Ллк. Дата публикации: 2014-08-10.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using etch stop structures located between tiers

Номер патента: US20240237343A9. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and circuits with dual polarization transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US11990541B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatus and method for generating diffractive element using liquid crystal display

Номер патента: EP1515166A3. Автор: Michael D. Long. Владелец: Pacific Holographics Inc. Дата публикации: 2009-09-09.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: WO2022071981A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: EP4200899A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Apparatus and method for identifying secondary structure of protein using alpha carbon coordinates

Номер патента: US20130018594A1. Автор: Kyoung-Tai No,Kwang-Hwi Cho,Min-Jae You. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2013-01-17.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Structures and methods of manufacturing including structures formed based on directed force loading or shock induced deformation and orientation of microstructures

Номер патента: US20150298194A1. Автор: Eric Scheid. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Image sensor and method for forming the same

Номер патента: US09935139B2. Автор: Ming-Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure with resistor layer and method for forming the same

Номер патента: US09773779B2. Автор: Yu-Hung Lin,Hon-Lin Huang,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Interconnect structure with twin boundaries and method for forming the same

Номер патента: US09761523B2. Автор: Chun-Lung HUANG,Jian-Hong Lin,Yu-Lun Chueh,Chien-Neng Liao,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Tsung-Cheng CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Vertical light emitting diode with photonic nanostructures and method of fabrication thereof

Номер патента: US09647183B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Siew Lang Teo,Surani Bin Dolmanan,Krishna Kumar MANIPPADY,Kaixin Vivian LIN,Sivashankar KRISHNAMOORTHY. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure with interfacial layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595593B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Yuh-Ta FAN,Wei-Fan Lee,Chin-Kun Wang,Tzu-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using etch stop structures located between tiers

Номер патента: US20240237355A9. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220262946A1. Автор: Franz Hirler,Stefan Tegen,Alessandro Ferrara,Oliver Blank,Adrian Finney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220246789A1. Автор: Koichi Mizutani,Kazuyoshi Iida,Tetsuya Takeuchi,Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Koji Okuno,Motoaki Iwaya,Naoki Sone,Masaki OYA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180012905A1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Structure and Method for High-Voltage Device

Номер патента: US20240274669A1. Автор: Cheng-Chien Li,Huei-Shan Wu,YuYing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Dielectric ceramic composition and method for designing dielectric ceramic composition

Номер патента: US20030148872A1. Автор: Takeshi Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282843A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266437A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Device and method of forming 3d u-shaped nanosheet cfet

Номер патента: US20240249978A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313047A1. Автор: Chun-Yi Chang,Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312858A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Stack packages having with confined underfill fillet and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09966278B1. Автор: Taehoon Kim,Hyun Kyu RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09899522B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853047B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799673B2. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Vertical cavity surface emitting laser array and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser array

Номер патента: US09787062B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728455B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Liquid crystal display panel and method for making same

Номер патента: US09720292B2. Автор: LIN Li,Ming-Tsung Wang,Zhi-Wei Ye,Kuo-Chieh CHI. Владелец: Century Technology Shenzhen Corp Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691783B2. Автор: Myung Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09603248B2. Автор: Takashi Nakane,Teruyoshi HISADA. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of forming microelectromechanical systems (MEMS) package

Номер патента: US09527723B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Won Kyoung Choi,Ivan Micallef. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

FinFET and method of manufacturing same

Номер патента: US09515169B2. Автор: Haizhou Yin,Yunfei Liu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09466603B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Gel for personal hygiene and method

Номер патента: RU2720507C1. Автор: Шерил КОЗУБАЛ,Фарра САЙЕД,Мариан ХОЛЕРКА. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2020-04-30.

Silicon Photonics Device for LIDAR Sensor and Method for Fabrication

Номер патента: US20240061178A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon Photonics Device for LIDAR Sensor and Method for Fabrication

Номер патента: US20230161105A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Silicon Photonics Device for LIDAR Sensor and Method for Fabrication

Номер патента: US20240151820A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US20170365703A1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Stress Reduction Apparatus and Method

Номер патента: US20200006311A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chen-Cheng Kuo,Yao-Chun Chuang,Chita Chuang,Yu-Chen Hsu,Haochun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

White led chip and method for manufacturing same

Номер патента: WO2014094619A1. Автор: Minggang Li. Владелец: Shenzhen Byd Auto R&D Company Limited. Дата публикации: 2014-06-26.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220078903A1. Автор: Yoshihiko Hayashi. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and method offorming flipchip interconnect structure

Номер патента: SG181205A1. Автор: Rajendra D Pendse. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Capacitive micro-machined ultrasonic transducer and method of singulating the same

Номер патента: US20150054095A1. Автор: Seog-Woo Hong,Byung-Gil Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Iridium silicide structures and methods

Номер патента: US20170069724A1. Автор: Nuri Oncel,Rasika Nishantha Mohottige. Владелец: University of North Dakota UND. Дата публикации: 2017-03-09.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235113A1. Автор: Su-Hyun Lee,Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Jin-Ho Oh,Tae-Hong GWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12101934B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Isolation structure for isolating epitaxially grown source/drain regions and method of fabrication thereof

Номер патента: US20240313072A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan,Chun-Jun Lin,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

System And Method For Transforming Unstructured Text Into Structured Form

Номер патента: US20200380072A1. Автор: Shubhashis Sengupta,Jayati Deshmukh,Annervaz K.M.. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

System and method for determining overlay measurement of a scanning target

Номер патента: US20240337952A1. Автор: Vladimir Levinski,Daria Negri,Andrew V. Hill,Yuval LUBASHEVSKY,Oren Lahav,Yonatan Vaknin,Nireekshan K. Reddy,Itay Gdor,Jordan Pio,Alon Alexander Volfman,Nickolai ISAKOVITCH,Iftach Galon. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Strain enhanced SiC power semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US12113131B2. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for determining overlay measurement of a scanning target

Номер патента: WO2024211061A2. Автор: Vladimir Levinski,Daria Negri,Andrew V. Hill,Yuval LUBASHEVSKY,Oren Lahav,Yonatan Vaknin,Nireekshan K. Reddy,Itay Gdor,Jordan Pio,Nickolai ISAKOVITCH,Iftach Galon,Alon VOLFMAN. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon photonics device for lidar sensor and method for fabrication

Номер патента: EP4437361A1. Автор: Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

High Q quartz-based MEMS resonators and methods of fabricating same

Номер патента: US09985198B1. Автор: Hung Nguyen,Randall L. Kubena,David T. Chang,Frederic P. Stratton. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Sandwich structure and integrally formed article using the same, and methods for production thereof

Номер патента: US09962904B2. Автор: Atsuki Tsuchiya,Kazuhiro Hatanaka,Satomi MATSUO. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876023B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806185B2. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US09716165B1. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Structure and method for overlay marks

Номер патента: US09543406B2. Автор: Chun-Kuang Chen,Yao-Ching Ku,Hsien-Cheng WANG,Ming-Chang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming openings in thermally-conductive frame of FO-WLCSP to dissipate heat and reduce package height

Номер патента: US09508626B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502560B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09443757B1. Автор: Yi-Wei Chen,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Jia-Feng Fang,Wei-Jen Wu,Ming-Yueh Tsai,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having localized charge balance structure and method

Номер патента: US09412811B2. Автор: Peter Moens,Piet Vanmeerbeek,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

System and method for fabricating multiplexable active optical fiber sensors

Номер патента: US20240230983A1. Автор: Kehao Zhao,Sheng Huang,Peng Kevin Chen,Mohan WANG. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2024-07-11.

Vacuum channel transistor and diode emitting thermal cathode electrons, and method of manufacturing the vacuum channel transistor

Номер патента: US20100102325A1. Автор: Hyun Tak Kim,Dae Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100207188A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10475932B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Shao-Hui Wu. Владелец: Untied Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220140139A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Hybrid Substrate with Uniform Thickness

Номер патента: US20240071885A1. Автор: Linda Pei Ee CHUA,Yaojian Lin,Jian Zuo,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for unstructured data processing

Номер патента: US12050635B2. Автор: Qian You,Ender Tekin,Thomas Kneubuehl,Glenn M. Fung Moo,Devin M. Conathan. Владелец: American Family Mutual Insurance Company SI. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatus and method for low contact resistance carbon nanotube interconnect

Номер патента: US20130334689A1. Автор: Hsien-Chang Wu,Shau-Lin Shue,Hsiang-Huan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080073697A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: ZA202302558B. Автор: GODFREY John,LOCKE Rebecca. Владелец: De La Rue Int Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Composite with Lithium Silicate and Method with a Quenching Step

Номер патента: US20210292174A1. Автор: Hagen Schray. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication

Номер патента: WO2008042304A3. Автор: John S Foster,Kimon Rybnicek,Paul J Rubel,Steven H Hovey. Владелец: Steven H Hovey. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Three-Dimensional Vertically Oriented Integrated Capacitors

Номер патента: US20110233726A1. Автор: Rui Huang,Heap Hoe Kuan,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Underlayer and methods for euv lithography

Номер патента: US20240280905A1. Автор: SI Li,Xue Wang,Ming Luo,Xinlin Lu,Yichen LIANG,Kelsey Brakensiek,Ruimeng Zhang,Pengtao Lu. Владелец: Brewer Science Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12087768B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Underlayer and methods for euv lithography

Номер патента: WO2024173437A1. Автор: SI Li,Xue Wang,Ming Luo,Xinlin Lu,Yichen LIANG,Kelsey Brakensiek,Ruimeng Zhang,Pengtao Lu. Владелец: Brewer Science, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12079152B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Field-effect transistor and method of making the same

Номер патента: US09929264B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Shui-Yen Lu,Neng-Hui Yang,I-Cheng Hu,Yu Shu Lin,Kuan Hsuan Ku,Chun Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371866A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

GOA unit and method for producing the same, gate driver circuit

Номер патента: US09899430B2. Автор: Xi Chen,Zheng Liu,Xiaoxiang Zhang,Zhichao Zhang,Tsung Chieh KUO,Mingxuan Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method for simulation and design of discrete droplet microfluidic systems

Номер патента: US09779189B2. Автор: Jeevan MADDALA,Raghunathan Rengaswamy. Владелец: Texas Tech University System. Дата публикации: 2017-10-03.

Optical fibers and preforms with one step fluorine trench and overclad and methods for making the same

Номер патента: US09776907B2. Автор: Dana Craig Bookbinder,Pushkar Tandon,Jeffery Scott Stone,Ming-Jun Li. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same

Номер патента: US09768020B2. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Multi-chip package structure and method of forming same

Номер патента: US09748189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same

Номер патента: US09685328B2. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Barrier trench structure and methods of manufacture

Номер патента: US09437595B2. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Low defect relaxed SiGe/strained Si structures on implant anneal buffer/strain relaxed buffer layers with epitaxial rare earth oxide interlayers and methods to fabricate same

Номер патента: US09419079B1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Light ceramic propping agent and method of its manufacture

Номер патента: RU2636089C9. Автор: Павел Геннадьевич Русинов,Алексей Владимирович Балашов,Дмитрий Иванович Баламыгин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Ника-Петротэк". Дата публикации: 2019-01-24.

Wiper connector and method of its fabrication, wiper connector assembly

Номер патента: RU2489281C1. Автор: Вэнь-Чэнь ХО. Владелец: Дун Цзюйу Энтерпрайз Ко. Лтд.. Дата публикации: 2013-08-10.

Semiconductor device having low dielectric capacitance and good electrical breakdown performance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234203A1. Автор: Shau-Lin Shue,Gary Liu,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang,zi-yi Yang,Jing-Ting SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180122854A1. Автор: Hyung-Suk Lee,Do-Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Ldmos with enhanced safe operating area and method of manufacture

Номер патента: US20220140140A1. Автор: FENG HAN,Lianjie LI,Yanbin Lu,Jian-Hua LU,Shui Liang CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Ldmos with enhanced safe operating area and method of manufacture

Номер патента: US20220384639A1. Автор: FENG HAN,Lianjie LI,Yanbin Lu,Jian-Hua LU,Shui Liang CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Radiation detector, sensor module having a radiation detector, and method for manufacturing a radiation detector

Номер патента: US20050156109A1. Автор: Ronny Ludwig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

LDMOS with enhanced safe operating area and method of manufacture

Номер патента: US11764297B2. Автор: FENG HAN,Lianjie LI,Yanbin Lu,Jian-Hua LU,Shui Liang CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

LDMOS with enhanced safe operating area and method of manufacture

Номер патента: US11444194B2. Автор: FENG HAN,Lianjie LI,Yanbin Lu,Jian-Hua LU,Shui Liang CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Cosmetic agent comprising insoluble substance and method for manufacturing same

Номер патента: EP3777817A1. Автор: Sung Ho Lee,Se Yeon Hwang,Yeong Gi KIM. Владелец: Sunjin Beauty Science Co ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Through silicon vias and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20220277998A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Redistribution layer metallic structure and method

Номер патента: US12040293B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Chun-Chih Lin,Sheng-Wei YEH,Shih Wei Bih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Номер патента: EP4291352A1. Автор: Rajeev Bajaj,Daniel REDFIELD,Veera Raghava Reddy KAKIREDDY,Puneet Narendra JAWALI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US12046673B2. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Composite with infusion film systems and methods

Номер патента: US20210129455A1. Автор: John F. Spalding,Derek Huang,Kelsi M. Hays. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-05-06.

Metal drop ejecting three-dimensional (3d) object printer and method of operation for building support structures

Номер патента: US20230271252A1. Автор: Paul J. McConville,Collin A. Ladd. Владелец: Elem Additive LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Visor and method for use in the production of such a visor

Номер патента: EP2437628A1. Автор: Mats Lindgren. Владелец: Kompositprodukter Ab. Дата публикации: 2012-04-11.

Joining structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230294205A1. Автор: LIANG Chen,Kenichi Watanabe,Takayuki Kimura,Reiichi Suzuki,Kazuya Yasui,Dongyong SHI,Masao HADANO. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Through silicon vias and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240266219A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having a capacitor and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20010005609A1. Автор: Sang-Hyeob Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nanostructure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09975291B2. Автор: Sohmei Endoh. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Electronics package with embedded through-connect and resistor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09953917B1. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Raymond Albert Fillion. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US09899261B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and method for 3D image sensor

Номер патента: US09812487B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shuang-Ji Tsai,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung,Chun-Chieh Chuang,Min-Feng KAO,Shu-Ting Tsai,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Array substrate and method for preparing the same, liquid crystal panel

Номер патента: US09804464B2. Автор: Dongzi Gao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09793267B1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Micro lead frame structure having reinforcing portions and method

Номер патента: US09673122B2. Автор: Hong Bae Kim,Byong Jin Kim,Hyeong Il Jeon,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Transistor with shield structure, packaged device, and method of manufacture

Номер патента: US09653410B1. Автор: Hernan Rueda,Ibrahim Khalil,David Burdeaux,Damon Holmes,Partha Chakraborty. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Sports field structure and modules and method for forming the same

Номер патента: US09631328B2. Автор: Paul David Culleton,Andrew Bryan Shuttleworth,Carolus Hermanus Van Raam. Владелец: Permavoid Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583600B1. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

Номер патента: US09583354B2. Автор: David P. Taylor,Margaret H. Abraham. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09530779B2. Автор: Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Anti-reflective body, camera unit, mobile device, and method for manufacturing anti-reflective body

Номер патента: US20190317250A1. Автор: Hideaki Sato,Yasuyuki Okada,Yukio Takahashi,Naoki Oyama,Yuta Uchiyama,Shunsuke MORIMOTO,Yosuke Kamikado. Владелец: Otsuka Techno Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140145343A1. Автор: Jong Hoon Kim,Pil Soon BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor pointed structure and method for fabricating same, spot size converter, and non-reflective terminator

Номер патента: US20140199018A1. Автор: Masahiko Mori,Toshihiro Kamei,Youichi Sakakibara,Ryohei Takei. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Low-k Feature Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20220230871A1. Автор: Li Chun Te,Hsiang-Wei Lin,Shu Ling LIAO,Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao,Wei-Ken LIN,Guan-Yao TU,Te-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Optical body, display device, and method for manufacturing optical body

Номер патента: US12032123B2. Автор: Yutaka Muramoto,Shunichi Kajiya,Hideki Terashima,Masanao KIKUCHI,Takaaki Otowa. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Quantum chip structure and method for generating layout of quantum chip structure

Номер патента: AU2023274080A1. Автор: JIN Lijing,Chen Yuao. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

FinFET with buried insulator layer and method for forming

Номер патента: US09978870B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Nano-structured light-emitting device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09583672B2. Автор: Dong-Hoon Lee,Nam-Goo Cha,Dong-Ho Kim,Geon-Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Hybrid foundation structure, and method for building same

Номер патента: US09546465B2. Автор: Ki Yong Song. Владелец: Ext Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Apparatus and method for alignment using multiple wavelengths of light

Номер патента: WO2008013886A2. Автор: Wei Wu,JUN Gao,William Tong,Carl Picciotto. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L. P.. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20070241420A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Flip-chip stacking structures and methods for forming the same

Номер патента: US20220254755A1. Автор: Peng Chen,Meng Wang,Baohua Zhang,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Image sensor including dual isolation and method of making the same

Номер патента: US20190172857A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Chun-Chieh Chuang,Volume Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Stepless adjustable telescopic device and method using the same

Номер патента: US20210030147A1. Автор: Ying Zhang,Wentao Wang,Huaide REN,Yuan HUO. Владелец: Zhuhai Runxingtai Electrical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Plant Supports and Methods of Using The Same

Номер патента: US20200275614A1. Автор: Cody A. McKibben. Владелец: AMERICA'S GARDENING RESOURCE Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Image sensor grid and method of fabrication of same

Номер патента: US20220359598A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Hsien-Li CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230284430A1. Автор: Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Microfeature workpieces having conductive interconnect structures formed by chemically reactive processes, and associated systems and methods

Номер патента: US20110256711A1. Автор: Swarnal Borthakur. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor Structure Formed Using a Sacrificial Structure

Номер патента: US20080054481A1. Автор: Sean Lian,Bailey Jones,Simon Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Metal-plastic composite and method for producing the same

Номер патента: US09999997B2. Автор: Wenhai Luo,Lihong Zhao,Shijin SU. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09905659B2. Автор: Satoru Yamada,Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847224B2. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Hyuk Kim,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Liquid ejecting device and method of manufacturing liquid ejecting device

Номер патента: US09636914B2. Автор: Shohei Koide,Atsushi Ito,Hiroaki Hiraide,Hikaru Nakamoto. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuit having strained fins on bulk substrate and method to fabricate same

Номер патента: US09627267B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Package structure and method for forming same

Номер патента: US09520385B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Kuo-Chuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Liquid ejecting device and method of manufacturing liquid ejecting device

Номер патента: US09505216B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Shohei Koide,Atsushi Ito,Hiroaki Hiraide. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Chip packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09443806B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Tsung-Shu Lin,Cheng-chieh Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Atherosclerosis imaging agents and methods of using the same

Номер патента: US20220241437A1. Автор: Guillermo J. Tearney,Farouc A. Jaffer,Eric Osborn,Adam Mauskapf. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Structures and methods for embedded magnetic random access memory (mram) fabrication

Номер патента: US20190165042A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Structure for ballistic protection of vehicles in general and method for the production thereof

Номер патента: ZA201903982B. Автор: Paolo Canonico,Franco MERLETTI,Vedova Thomas Della. Владелец: SAATI SpA. Дата публикации: 2024-06-26.

Metal substrates with structures formed therein and methods of making same

Номер патента: WO2024076802A3. Автор: . Владелец: LUX SEMICONDUCTORS, INC.. Дата публикации: 2024-05-10.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Atherosclerosis imaging agents and methods of using the same

Номер патента: EP3265094A1. Автор: Guillermo J. Tearney,Farouc A. Jaffer,Eric Osborn,Giovanni J. Ughi,Adam Mauskapf. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2018-01-10.

Atherosclerosis imaging agents and methods of using the same

Номер патента: WO2016144878A1. Автор: Guillermo J. Tearney,Farouc A. Jaffer,Eric Osborn,Giovanni J. Ughi,Adam Mauskapf. Владелец: The General Hospital Corporation. Дата публикации: 2016-09-15.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US20140175644A1. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Reflective mask and method for producing reflective mask

Номер патента: EP4231094A1. Автор: Hideaki Nakano,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

System and method for automated information extraction from scanned documents

Номер патента: US12056171B2. Автор: Mahesh Kshirsagar,Nihar Ranjan SAHOO,Kamlesh Mhashilkar,Pushkar Kurhekar,Shivani Nigam,Shriram Pillai. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Reflective photomask and method for manufacturing reflective photomask

Номер патента: US20240288763A1. Автор: Hideaki Nakano,Daisuke Miyawaki,Ayumi Goda,Kenjiro ICHIKAWA,Yuto YAMAGATA. Владелец: Toppan Photomasks Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Systems and methods of electron beam induced processing

Номер патента: US12059698B2. Автор: Andrei G. Fedorov. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Shell element, shell structure and structure forming set

Номер патента: US20190093375A1. Автор: Keisuke Kitagawa. Владелец: Jinzaikaihatsu-Sienkikou Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282695A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical memory devices having support structures to replace dummy channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12058859B2. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Wiring structure and method thereof for a LCD module

Номер патента: US20010033259A1. Автор: Yoshitami Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

3d axial growth object, and apparatus for and method of making thereof

Номер патента: US20220194013A1. Автор: Rory Korathu-Larson. Владелец: Rory Korathu Larson LLC. Дата публикации: 2022-06-23.

Metal substrates with structures formed therein and methods of making same

Номер патента: US12087670B1. Автор: Chad B. Moore,Shane T. MCMAHON,Graeme F. Housser. Владелец: Lux Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114501B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Catheter systems and methods of use

Номер патента: US20240299701A1. Автор: Jared Hutar. Владелец: Piraeus Medical Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Antenna apparatus and method

Номер патента: US09985336B2. Автор: Chen-Hua Yu,En-Hsiang Yeh,Chuei-Tang Wang,Monsen Liu,Lai Wei Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Optical element and method for manufacturing optical element

Номер патента: US09759840B2. Автор: Hidetoshi Takahashi,Hiroshi Tazawa,Yu Nomura,Hiroyuki Kiso,Fumihiko Iida,Ryo Nishimura. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus and method for processing substrate with film having porous structure (porous film) formed on surface layer thereof

Номер патента: US09673068B2. Автор: Kenji Kobayashi. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structures and methods for multi-level band gap energy of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09634132B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US09461014B2. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices and methods for manufacturing

Номер патента: US20240379754A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Tzu-Ging LIN,Chen Yen Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Molecular sieve material for sound absorption and method for preparing the same

Номер патента: US20240214721A1. Автор: Jie Zhang,Hezhi Wang,Zhongyang Wang. Владелец: AAC Technologies Holdings Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems and methods for processing claims

Номер патента: AU2024202124A1. Автор: Chun Wang,Zhiyong Wei,Yuhao Sun,Wanli Cheng,Kuikui Gao,Mubbashir Nazir,Rick Thielke,Wensu Wang. Владелец: DataInfoCom USA Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215216A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090189221A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7732879B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Composite solution for enhancing induced disease resistance of lentinan (lnt) to plant, preparation method of composite solution, and method for enhancing induced disease resistance of lnt to plant

Номер патента: US20240130362A1. Автор: Wei Li,Jie Shen,Zhijiang Wang,Youguo Zhan,Yonghui Xie,Shuo Yan,Qinhong Jiang,Dekai NING,Zhengling LIU,Yuanshen WANG,Cun Guo,Sihao WU,Haohao LI. Владелец: Kunming Company of Yunnan Tobacco Co. Дата публикации: 2024-04-25.

Structure forming method, structure forming apparatus, structure forming program and structure forming processing medium

Номер патента: US20200262217A1. Автор: Fusao Nishiura. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Firearm suppressor baffle and method

Номер патента: US20230228513A1. Автор: Todd A. Magee. Владелец: Sound Moderation Technologies LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

Measurement cycle determination device, measurement cycle determination program and method thereof

Номер патента: US20190310205A1. Автор: Tasuku Nakayama,Kazuma Nuno. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-10-10.

Systems and methods for processing claims

Номер патента: AU2021200862A1. Автор: Chun Wang,Zhiyong Wei,Yuhao Sun,Wanli Cheng,Kuikui Gao,Mubbashir Nazir,Rick Thielke,Wensu Wang. Владелец: DataInfoCom USA Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Ion injection simulation method, ion injection simulation device, method of producing semiconductor device, and method of designing semiconductor device

Номер патента: US8921215B2. Автор: Jun Komachi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Apparatus and method for impedance balancing of long radio frequency (rf) via

Номер патента: US20220053640A1. Автор: Jesse Michael Zamarron. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Molded product and method for manufacturing same

Номер патента: US20090268294A1. Автор: Toshiaki Hattori,Shunsuke Chatani. Владелец: Mitsubishi Rayon Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-29.

Orthodontic appliance with bite structures and methods of making same

Номер патента: US12064313B2. Автор: Evan Yifeng Tsai,Karol Miranda. Владелец: Ormco Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Capacitor structure and method of forming the same

Номер патента: US12136449B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Xin Wu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Interior material for thin film deposition device and method for manufacturing same

Номер патента: US09963772B2. Автор: Sung Jin Choi,Sung Soo JANG,Hyun Chul Ko,Kyung Ic JANG. Владелец: Komico Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Porous silica having high pore volume and methods of making and using same

Номер патента: US09943826B2. Автор: Ashish Datt,Christy Lynn Haynes,Samuel Michael Egger. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin-like field effect transistor (FinFET) device and method of manufacturing same

Номер патента: US09911735B2. Автор: Chih-Hao Chang,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Optical acoustic substrate assessment system and method

Номер патента: US09576862B2. Автор: Todd Murray,Priya Mukundhan,Manjusha Mehendale,Michael Kotelyanskii,Robin Mair. Владелец: Rudolph Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524975B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming sensor integrated packages and structures formed thereby

Номер патента: US09505607B2. Автор: Zheng Zhou,Feras Eid,Javier Soto Gonzalez,Sasha N. OSTER,Islam A. Salama,Kyu Oh Lee,Lay Wai Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Film and method for producing same

Номер патента: US09459385B2. Автор: Ludwig Brehm,Dieter Geim,Hans Peter Bezold. Владелец: Leonhard Kurz Stiftung and Co KG. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of hierarchical data structure forming, method of data search using hierarchical data structure, server and permanent machine-readable media

Номер патента: RU2632414C2. Автор: Леонид Леонидович Налчаджи. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2017-10-04.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: ZA202302559B. Автор: GODFREY John,LOCKE Rebecca. Владелец: De La Rue Int Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Systems and Methods for a Narrow Band High Transmittance Interference Filter

Номер патента: US20140273459A1. Автор: Yeh-Chieh Wang,Chung-Nan Chen,Hong-Hsing Chou,Wolf Hung,Jaw-Lih Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Insulated wire, method of producing insulated wire, coil, rotating electrical machine, and electrical or electronic equipment

Номер патента: US20180247732A1. Автор: Makoto Oya,Kenji Fujimori. Владелец: Furukawa Magnet Wire Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Systems and methods for a narrow band high transmittance interference filter

Номер патента: US11768439B2. Автор: Yeh-Chieh Wang,Chung-Nan Chen,Hong-Hsing Chou,Wolf Hung,Chao-Li Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

Systems and methods for multilane vasculature

Номер патента: WO2019191111A1. Автор: Andrei Georgescu,Dan Dongeun HUH. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods for synthesizing metal nanostrands, and structures formed of the metal nanostrand synthesized thereof

Номер патента: US11655388B2. Автор: Ehsan Marzbanrad,Hadi Hosseinzadeh Khaligh. Владелец: Nano Cnet Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby

Номер патента: WO2001011666A8. Автор: Nan Zhang. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

System and method for selectively harvesting storage water

Номер патента: EP3576861A1. Автор: Christopher S. Keever,Kelly B. MCCURRY. Владелец: IXOM Operations Pty Ltd. Дата публикации: 2019-12-11.

Systems and methods for a narrow band high transmittance interference filter

Номер патента: US09835952B2. Автор: Yeh-Chieh Wang,Chung-Nan Chen,Hong-Hsing Chou,Wolf Hung,Jaw-Lih Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Extracellular matrix encasement structures and methods

Номер патента: US09669133B2. Автор: Robert G Matheny. Владелец: Cormatrix Cardiovascular Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Underground bag-like filling structure for coal mine and method of its use

Номер патента: RU2704408C1. Автор: Цзяньбяо БАЙ,Шуай ЯНЬ,Жуй ВАН,Ся БАЙ,Сянюй ВАН,Ин СЮЙ,Чжиго ЧАН,Цзюньу СЯ,Юаньба СУН,Цзюньлэ ЧЖАН,Тяньсяо ЛЮ,Тяньхао ЧЖАО,Шэньфу Дань. Владелец: ЧАЙНА МАЙНИНГ энд СИВИЛ НЬЮ МАТИРИАЛ САЙЭНС ЭНД ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД.. Дата публикации: 2019-10-28.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200235214A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343348A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device structure including forksheet transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20230395599A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Composite structures and methods of forming composite structures

Номер патента: EP3595853A1. Автор: William Montague,Matthew Giaraffa. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2020-01-22.

Fastener tape, slide fastener, skin product, and method of forming fastener tape

Номер патента: US12022918B2. Автор: Changhua Chen. Владелец: Kee Hubei Zippers Manufacturing Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for inductive charging of portable devices

Номер патента: US12027873B2. Автор: Afshin Partovi,Michael Sears. Владелец: Mojo Mobility Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Light emitting chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US8253147B2. Автор: Jian-Shihn Tsang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Method for producing an electrically conductive carbon conductor with carbon structural forms

Номер патента: US20240120127A1. Автор: Martin Koehne. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Acoustic output apparatus and methods thereof

Номер патента: US20230232145A1. Автор: Lei Zhang,Xin Qi,Junjiang FU,Bingyan YAN,Fengyun LIAO. Владелец: Shenzhen Shokz Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131297A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131298A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Field emission device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040124756A1. Автор: Hang-woo Lee,Jeong-hee Lee,You-Jong Kim,Shang-hyeun Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Selective Capping Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20220328309A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Hsin-Yun Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9614084B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Coupling interfaces for waveguide structures and methods of fabrication

Номер патента: US20230246320A1. Автор: Adam Joseph Fruehling,Juan Alejandro Herbsommer,Argyrios Dellis,Bichoy Waguih Bahr. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor processing tool and method for passivation layer formation and removal

Номер патента: US20230042277A1. Автор: Chih-Chien Chi,Chia-Pang Kuo,Yao-Min Liu,Shu-Cheng Chin,Cheng-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Organic el element and method for manufacturing same

Номер патента: US20130277665A1. Автор: Chihaya Adachi,Manabu Nakata,Yasukazu Nakata. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Adhesive stick and method for its production

Номер патента: US20150210897A1. Автор: Klaus MÜNSTER. Владелец: Kores CE GmbH. Дата публикации: 2015-07-30.

Surface-emitting laser and method for manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20240305064A1. Автор: Hiroshi Nakajima,Masayuki Tanaka,Mikihiro Yokozeki,Tomomasa Watanabe. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Transparent antenna module and method for manufacturing same

Номер патента: EP4432464A1. Автор: Jeayoul Joung,JunSeok Lee,Dongjoo YOU,Seongmoon Cho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor structure cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US12132050B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Systems and methods for corneal transplants

Номер патента: US12029642B2. Автор: Jerry W. Barker,Douglas C. Drabble,Matthew GIEGENGACK. Владелец: CorneaGen Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240371869A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Corrugated metal vent pipe and associated system and method

Номер патента: US09890877B2. Автор: Wayne Peterson,William L. Zepp,Greg L. Robbins. Владелец: CONTECH ENGINEERED SOLUTIONS LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Structural system and method using monolithic beams having improved strength

Номер патента: US09809978B2. Автор: Constantine Shuhaibar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634246B2. Автор: Woo-Tae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming wafer level underfill materials and structures formed thereby

Номер патента: US09631065B2. Автор: Arjun Krishnan,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Anna M. Prakash,James C. Matayabas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614084B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Acoustic output apparatus and methods thereof

Номер патента: US12133039B2. Автор: Lei Zhang,Xin Qi,Junjiang FU,Bingyan YAN,Fengyun LIAO. Владелец: Shenzhen Shokz Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Antenna apparatus and method

Номер патента: US09431369B2. Автор: Chen-Hua Yu,En-Hsiang Yeh,Chuei-Tang Wang,Monsen Liu,Lai Wei Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Lubricating oil monitoring and maintenance cap and methods of installation

Номер патента: US09399369B1. Автор: Ronald J. Kile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-26.

Composite system including framed structure formed of light-weight prefabricated components

Номер патента: RU2288331C2. Автор: ЛАГО Альберто ДАЛЬ. Владелец: Д.Л.К. С.р.Л.. Дата публикации: 2006-11-27.

Moulded product of thermoplastic and method for its manufacture

Номер патента: RU2143978C1. Автор: А.Г. Вонкен Хюб,Мюнтендам Хендрик-Ян,Ван Дер Хувен Йос,Пикве Удо. Владелец: Депрон Б.В.. Дата публикации: 2000-01-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098589A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335469A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device structure with a fine pattern and method for forming the same

Номер патента: US20200411319A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Composite structures and methods of forming composite structures

Номер патента: US20240034008A1. Автор: William B. Montague,Matthew T. Giaraffa. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Self-aligned contact and method for forming the same

Номер патента: US20190305110A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Chien-Ting Chen,Sih-Han Chen,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Packaged semiconductor chip and method of making same

Номер патента: US20010038141A1. Автор: Richard Wensel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Transistor structures formed with 2deg at complex oxide interfaces

Номер патента: US20200194576A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Uygar Avci,Dmitri Nikonov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Systems and methods of providing an edge cloud storage and caching system operating over a local area network

Номер патента: EP3507712A1. Автор: Katherine Guo,Krishan Sabnani,Arun Netravali. Владелец: Nokia of America Corp. Дата публикации: 2019-07-10.

Blank configured to be folded into a protection structure, and a protection structure formed by such a blank

Номер патента: EP4393840A1. Автор: Mariusz Grendas. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2024-07-03.

A space curved reticulated shell structure formed by stacking and combining rhombic dodecahedrons and a construction method thereof

Номер патента: US20240229445A1. Автор: YANG Zhao,ZHEN Wang,Zhi Ding,Haochuan Qu,Chongan PANG,Ruhao WANG. Владелец: Zhejiang University City College ZUCC. Дата публикации: 2024-07-11.

Charging roller and method of producing the same

Номер патента: US20190317422A1. Автор: Kazuki Nojiri. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Charging roller and method of producing the same

Номер патента: US10627735B2. Автор: Kazuki Nojiri. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Blank configured to be folded into a protection structure, and a protection structure formed by such a blank

Номер патента: WO2024141875A1. Автор: Mariusz Grendas. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2024-07-04.

Surface enhanced raman scattering device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200371035A1. Автор: Hsuen-Li Chen,Yu-Hsuan Chen,De-Hui WAN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-11-26.

High reliability multilayer circuit substrates and methods for their formation

Номер патента: EP1665915A1. Автор: Rajiv Shah,Shaun Pendo. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

High reliability multilayer circuit substrates and methods for their formation

Номер патента: EP1665915B1. Автор: Rajiv Shah,Shaun Pendo. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

High reliability multilayer circuit substrates and methods for their formation

Номер патента: WO2005034598A1. Автор: Rajiv Shah,Shaun Pendo. Владелец: Medtronic Minimed, Inc.. Дата публикации: 2005-04-14.

Photodetector structures formed on high-index substrates

Номер патента: US20200328315A1. Автор: Scott Alan Nelson,Amy Wing Kwan LIU,Dmitri LUBYSHEV,Joel Mark FASTENAU,Michael Vincent KATTNER,Philip Lee FREY,Mark Justin Furlong. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2020-10-15.

Long-wave infrared photodetector structures formed on high-index substrates

Номер патента: EP3953974A1. Автор: Scott Alan Nelson,Amy Wing Kwan LIU,Dmitri LUBYSHEV,Joel Mark FASTENAU,Michael Vincent KATTNER,Philip Lee FREY,Mark Justin Furlong. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2022-02-16.

Long-wave infrared photodetector structures formed on high-index substrates

Номер патента: WO2020208416A1. Автор: Scott Alan Nelson,Amy Wing Kwan LIU,Dmitri LUBYSHEV,Joel Mark FASTENAU,Michael Vincent KATTNER,Philip Lee FREY,Mark Justin Furlong. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: WO2023130203A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Surface enhanced Raman scattering device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10962482B2. Автор: Hsuen-Li Chen,Yu-Hsuan Chen,De-Hui WAN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-03-30.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: WO2004017474A3. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Haiyan An. Дата публикации: 2004-06-03.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: EP1540722A2. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corp. Дата публикации: 2005-06-15.

Photonic devices and pics including sacrificial testing structures and method of making the same

Номер патента: WO2004017474A2. Автор: Liyou Yang,Haiyan An. Владелец: Sarnoff Corporation. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Manufacturing method of honeycomb structure forming die, and honeycomb structure forming die

Номер патента: US20170259460A1. Автор: Toshio Yamada,Yukio Miyairi,Toshihiro Hirakawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12068250B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240213403A1. Автор: Yung-Hsiang Lin,Tien-Yu Wang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Flexible circuit board substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US10440818B1. Автор: Shih-Ing Chan. Владелец: Shirre Lab Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200035679A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods for depositing layers of materials on substrates and structures formed accordingly

Номер патента: US20240302748A1. Автор: Paul Chatelain,Kishan Ashokbhai Patel,Fatemeh Davodi,João Antunes Afonso,Steaphan Mark Wallace. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory devices with dual encapsulation layers and methods of fabrication

Номер патента: US12108608B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debraj Guhabiswas. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Devices with continuous electrode plate and methods of fabrication

Номер патента: US12108607B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Debraj Guhabiswas. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12114477B2. Автор: Liang Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: EP4437810A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Systems and methods for thermal conduction using S-contacts

Номер патента: US09960098B2. Автор: Chris Olson. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Coating application system and method of use

Номер патента: US09919337B1. Автор: Owen H. Decker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-20.

Tweeter and method for realizing omnidirectional high pitch sound field

Номер патента: US09906861B2. Автор: Song Liu,Yitao Liu. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Display apparatus and method of driving the same

Номер патента: US09875705B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Molded chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780061B2. Автор: Horst Theuss,Franz Gabler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US09768149B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722172B2. Автор: Bo-Mi Lee,Ki-Seon Park,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Sensor device and method for making thereof

Номер патента: US09670057B1. Автор: Marten Oldsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-06.

Sensor device and method for making thereof

Номер патента: US09643837B1. Автор: Matthias Friedrich Herrmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Ultralow power carbon nanotube logic circuits and method of making same

Номер патента: US09613879B2. Автор: Hyungil Kim,Weichao Xu,Mark C. Hersam,Michael L. Geier,Pradyumna L. PRABHUMIRASHI. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-04-04.

High-power electronic device packages and methods

Номер патента: US09601327B2. Автор: Patrick J. McCann. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2017-03-21.

Rotational transition based clock, rotational spectroscopy cell, and method of making same

Номер патента: US09529334B2. Автор: Juan Alejandro Herbsommer,Simon Joshua Jacobs,Benjamin S. Cook,Django Earl Trombley,Phillip Nadeau. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Printed circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09526169B2. Автор: Yong Hwan Kim,Young Hwan Shin,Dong Kyu Lee,Jong Jin Lee,Jae Won Jung,Ja Ho KOO,Hyung Gi HA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Devices and methods related to a barrier for metallization of a gallium based semiconductor

Номер патента: US09461153B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Cristian Cismaru. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of backgrinding and singulation of semiconductor wafer while reducing kerf shifting and protecting wafer surfaces

Номер патента: US09401289B2. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Minjung Kim,Joungin Yang,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11545396B2. Автор: MAO Li,Deyan CHEN,Dae-Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US10522412B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20190181223A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230116949A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240055525A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tze-Liang Lee,Chi-Hao Chang,Pei-Yu Chou,Hao-Yu Chang,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

FINFET stack gate memory and method of forming thereof

Номер патента: US11616145B2. Автор: Hsingya Arthur Wang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor structure and method formation method thereof

Номер патента: US20200411652A1. Автор: Hong Zhongshan,Wang Yan,Fu Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20200075488A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Shou-Yi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230411217A1. Автор: Zhen-Cheng Wu,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160240775A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190035850A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20140077276A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Fin-shaped structure and method thereof

Номер патента: US20160111448A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230317523A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Chi On Chui,Pei Ying Lai,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Isolation structure and method for forming the same, and image sensor including the isolation structure and method for fabricating the image sensor

Номер патента: US20140353468A1. Автор: Do-Hwan Kim,Jong-Chae Kim,Chung-Seok CHOI,Jang-Won Moon,Kyoung-Oug RO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US20160087037A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: GB2617471A. Автор: GODFREY John,LOCKE Rebecca. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10991794B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Antenna Chip Packaging Structure And Method For Preparing Same

Номер патента: US20220181278A1. Автор: Yayuan XUE. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240088279A1. Автор: Po-Wen Su,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134976A1. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240055481A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220278098A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240162310A1. Автор: Chih-Hao Chang,Ta-Chun Lin,Wen-Chiang Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20100148181A1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US20230064376A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194536A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170032971A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Metal interconnection structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194598A1. Автор: Tao Yang,Jianfeng Gao,Junfeng Li,Jun Luo,Junjie Li,Na Zhou,Weibing LIU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-13.

Ceramic honeycomb bodies having multimodal pore size distribution from walls with porous surface structure formed in situ during extrusion

Номер патента: WO2024118416A1. Автор: Monika Backhaus-Ricoult,Linda Kay Bohart. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

System and method for inductive charging of portable devices

Номер патента: US12040625B2. Автор: Afshin Partovi,Michael Sears. Владелец: Mojo Mobility Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Mesa edge shielding trench Schottky rectifier and method of manufacture thereof

Номер патента: US8551867B2. Автор: WEI Liu,Fan Wang,Xiaozhong Sun. Владелец: Suzhou Silikron Semicoductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Halo-aliphatic alkylene polyamino acids and method of producing same

Номер патента: GB719483A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1954-12-01.

Composite material structure forming method

Номер патента: US09833945B2. Автор: Tadashi Yazaki,Naoaki Fujiwara. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Wiring board with cavity for built-in electronic component and method for manufacturing the same

Номер патента: US09832878B2. Автор: Keisuke Shimizu,Yuichi Nakamura,Makoto Terui,Ryojiro Tominaga. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09724955B2. Автор: Brian Holmes. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for fabrication of superconducting circuits

Номер патента: US09634224B2. Автор: Richard David Neufeld,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh,Jason Yao,Nicolas Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device including superjunction structure formed using angled implant process

Номер патента: US09595609B2. Автор: Lei Zhang,Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Protein-carbohydrate confectionery base and method of its production

Номер патента: RU2626580C2. Автор: Наталия Владимировна Неповинных,Наталия Михайловна Птичкина,Оксана Николаевна Клюкина,Юрий Анатольевич Кодацкий,Еганехзад Самира,Кадкходаи Рассул. Владелец: Кадкходаи Рассул. Дата публикации: 2017-07-28.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923243B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935954B2. Автор: Chien-Tai CHAN,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230335617A1. Автор: Jin Cai,Cheng-Ting Chung,Chien-Hong Chen,Chung-Wei Wu,Mahaveer Sathaiya Dhanyakumar. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240064969A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Interconnection structure and method for forming the same

Номер патента: US20180342459A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Finfet with bowl-shaped gate isolation and method

Номер патента: US20230011218A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wan-Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with stop layer and method for forming the same

Номер патента: US20210050447A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230411482A1. Автор: Oreste Madia,Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Structures and methods for forming dynamic random-access devices

Номер патента: US20220005812A1. Автор: Sony Varghese. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Structures and methods for forming dynamic random-access devices

Номер патента: WO2021225711A1. Автор: Sony Varghese. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-11-11.

Patterned retardation film for three-dimensional display and method for producing mold for patterned alignment film for three-dimensional display

Номер патента: US20140085597A1. Автор: Rikiya Yamashita,Yosuke Kosaka,Kei Katou,Mitsumasa Koiwa. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030301A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Meng-Huan Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378260A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20210143278A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20230109135A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11735471B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Feng-Cheng Yang,Chia-Ta Yu,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230352592A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20160336426A1. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20180269114A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US20190139839A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030138A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240021711A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Yun-Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Gate structure of vertical FET and method of manufacturing the same

Номер патента: US11233146B2. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180047819A1. Автор: Kai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200227531A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Middle-of-line borderless contact structure and method of forming

Номер патента: US20150035026A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

3d devices with 3d diffusion breaks and method of forming the same

Номер патента: WO2022173630A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20200052126A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11830806B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including thin film transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240096706A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11978638B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240162119A1. Автор: Ting-Chu Ko,Der-Chyang Yeh,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230268298A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162084A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240079447A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US11990550B2. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230413507A1. Автор: Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210126129A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20230049648A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and method for forming ihe same

Номер патента: US11380582B2. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Systems and methods for compensating for spring back of structures formed through incremental sheet forming

Номер патента: AU2021202535A1. Автор: Andrew Jon Eugene Stephan. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11916110B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200035680A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Jen-Yu Wang,Yan-Jou Chen,Yen-Wei Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220352319A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang,Ming-Chang Wen,Jo-Tzu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Wafer Level Package (WLP) and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200098705A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230282723A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Sung-En Lin,Yi-Hsiu Liu,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123143A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200357920A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Isolated interconnect studs and method for forming the same

Номер патента: WO2000013231A1. Автор: Bradley J. Howard,David L. Dickerson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-09.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047345A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210159119A1. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US20170222007A1. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213187A1. Автор: Jungwon Lee,InSoo KANG,Ju-Eok PARK,Se-Bin HWANG. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

A system and method for businesses to create secure social networks using the concept of synchronized spaces

Номер патента: WO2014106863A4. Автор: Chandramouli BALARAMAN. Владелец: Balaraman Chandramouli. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure having a test structure formed in a group III nitride layer

Номер патента: US09947600B2. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for bonding semiconductor devices on sustrate and bonding structure formed using the same

Номер патента: US09613925B2. Автор: YANG Hu,YU Chen,Qian Wang,Jian Cai,Ziyu Liu,Shuidi WANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-04.

Making of platforms in straight-flow axial gas turbine with improved cooling of wall sections and method of decreasing losses through clearances

Номер патента: RU2271454C2. Автор: Игорь БЕКРЕНЕВ. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2006-03-10.

Confectionery product, dough composition and method of the confectionery product manufacturing

Номер патента: RU2655822C1. Автор: Ксения Петровна Исаева. Владелец: Ксения Петровна Исаева. Дата публикации: 2018-05-29.

Secondary containment structure and method of manufacture

Номер патента: US5209603A. Автор: J. P. Pat Morgan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-05-11.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure and method for forming the same

Номер патента: US11107810B2. Автор: Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11239344B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-01.

Uncooled infrared detector and methods for manufacturing the same

Номер патента: CA2800847C. Автор: Tayfun Akin,Selim Eminoglu. Владелец: MIKROSENS ELEKTRONIK SAN VE TIC AS. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11935943B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

An optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4248262A1. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190221469A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378255A1. Автор: Ming-Han Lee,An-Dih Yu,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Shin-Yi Yang,Tzu-Hui Wei,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230369481A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144099A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Three-dimensional memory device and methods of making the same using replacement drain select gate electrodes

Номер патента: US20190326306A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Kenji Sugiura,Zhixin Cui,Mitsuteru Mushiga,Hisakazu Otoi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device with gate electrode with flat upper surface and no protruding portion and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11901358B2. Автор: Juyoun Kim,Seki HONG,Sangjung Kang,Seulgi Yun,Myungsoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11832435B2. Автор: Chih-Wei Huang,Hsu-Cheng Fan,En-Jui Li,Chih-Yu YEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Lateral diode compatible with finfet and method to fabricate same

Номер патента: US20140367781A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200286857A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210280562A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830910B2. Автор: Ming-Han Lee,An-Dih Yu,Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Shin-Yi Yang,Tzu-Hui Wei,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Build-Up Interconnect Structures Over a Temporary Substrate

Номер патента: US20180006008A1. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20170229396A1. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20210083046A1. Автор: Chih-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230326788A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao,Fan-Cheng LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US20220367701A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure with through via structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021497A1. Автор: Li-Zhen YU,Yi-Bo Liao,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US20180033773A1. Автор: Chaochieh Tsai,Peter Yu-Fei HUANG,II Richard Burton CASSIDY. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104539A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098307A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230098026A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11854867B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical structure and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20160027917A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240030316A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200185352A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with protection layer and method for forming the same

Номер патента: US20230369110A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chien-yuan Chen,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150115436A1. Автор: Dong-jun Lee,Jung-Sik Choi,Hoon Han,Jun-Won HAN,Hye-Reun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor package structure comprising via structure and redistribution layer structure and method for forming the same

Номер патента: US11817413B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Hsu-Lun Liu,Neng-Chieh CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Strained source and drain (ssd) structure and method for forming the same

Номер патента: US20150380521A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Structure, structure and method for providing an on-chip variable delay transmission line with fixed characteristic impedance

Номер патента: US20120194302A1. Автор: Hanyi Ding,Wayne H. Woods, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230317723A1. Автор: Wei-Ling Chang,Jung-Chan YANG,Hsiang-Jen TSENG,Ni-Wan Fan,Tommy Hu,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Vertical structure and method of forming semiconductor device

Номер патента: US9577093B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming capacitor and method of manufacturing dram element by using the same

Номер патента: US20230363135A1. Автор: Jaesoon Lim,Dongmin Shin,Younglim Park,Jimin Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230225216A1. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Thermoelectric gas drying apparatus and method

Номер патента: WO2012094062A1. Автор: James W. Barnwell. Владелец: SPX Corporation. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230317714A1. Автор: FENG Yuan,Chi-Yuan Shih,Shih-Fen Huang,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240136332A1. Автор: Junhyeong PARK,Jihye SHIM,Yuseon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional memory device having adjoined source contact structures and methods for forming the same

Номер патента: US11985826B2. Автор: ZHIPENG Wu,LU Zhang,Bo Xu,Chuan Yang,Kai HAN,Zi YIN,LiuQun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230065897A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su,C.W. Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure and method for forming the same

Номер патента: US11777004B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Jian-Hao Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230326805A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296182A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352535A1. Автор: Tung Ying Lee,Meng-Hsuan Hsiao,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Package including backside connector and methods of forming the same

Номер патента: US20240178102A1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-Ting Huang,Chih-Hao Chang,Hung-Yi Kuo,Tzuan-Horng LIU,Ming Hung TSENG,Shih-Wei Chen,Ken-Yu Chang,Tsung-Yuan Yu,Yen-Liang Lin,Tsung-Hsien Chiang,Bo-Jiun Lin,Yu-ching Wang,Tai-You Liu,Tzu-Sung Huang,Chiahung Liu,Chun-Chih Chuang,Steven Song,Hsin-Wei Huang,Chun-Ti LU,Steve SHIH,Pei-Rong Ni,Zheng GangTsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US20180005955A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Li-Han Hsu,Chi-Hsi Wu,Cheng-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US20190189577A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Systems and methods for making and/or using composite tube structures formed of hybrid laminates

Номер патента: US20210069937A1. Автор: Ian D. Peterson. Владелец: Eagle Technology LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210104526A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Vertical Structure and Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20170154807A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Ming-Hsing Tsai,Huang-Yi Huang,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hui-Cheng Chang,Cheng-Tung Lin,Huan-Just Lin,Bing-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Package structures and method of forming the same

Номер патента: US20170004977A1. Автор: Chung-Shi Liu,Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Fin field effect transistor (finfet) device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200135883A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi-On CHUI,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: SANGHOON Lee,Joonsuk Lee,Seulye KIM,Sunggil Kim,Hyeeun HONG,Hwaeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20220352183A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203231A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Systems and methods for making and/or using composite tube structures formed of hybrid laminates

Номер патента: US11992974B2. Автор: Ian D. Peterson. Владелец: Eagle Technology LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Mim capacitor and method for making the same

Номер патента: US20210083043A1. Автор: Yongji MAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240170449A1. Автор: Hyoungjoo Lee,Sang-sick Park,Chungsun Lee,Seungyoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Fin field effect transistor (finfet) device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200321453A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Interposer and method of manufacturing the interposer

Номер патента: US12014935B2. Автор: Shaofeng Ding,Yun Ki CHOI,Jeong Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Pneumatic tire and method for manufacturing pneumatic tire

Номер патента: US20170274707A1. Автор: Yutaka ICHIRYU. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Intraluminal implants and methods

Номер патента: EP3021790A2. Автор: Alexander Joseph ASCONEGUY,Gerald Martin STOBBS,Michael William CRAVEN,Karmi Nicole ROBISON,Jeffery James EDWARDS,Steven Wayne BENCE. Владелец: Aperiam Medical Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Systems and methods for a light emitting diode chip

Номер патента: WO2014105329A1. Автор: Boris Kolodin. Владелец: GE LIGHTING SOLUTIONS LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

Devices, systems, and methods for affecting adherence to medication protocols

Номер патента: EP4238100A1. Автор: Max Shtein,Y. Eugene Shteyn,Mohsen MOAYER. Владелец: Sublime LLC. Дата публикации: 2023-09-06.

Apparatus and method for separating fluid

Номер патента: AU2022201994B2. Автор: Wan Ki Min,Sung Hyun Pyun. Владелец: Speclipse Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Apparatus and method for separating fluid

Номер патента: AU2022201994A1. Автор: Wan Ki Min,Sung Hyun Pyun. Владелец: Speclipse Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus and method for separating fluid

Номер патента: WO2023146021A1. Автор: Wanki MIN,Sunghyun PYUN. Владелец: SPECLIPSE, INC.. Дата публикации: 2023-08-03.

Lens structure formed by materials in different refractive indexes

Номер патента: US20190302320A1. Автор: Chin-Hsing Lee,Feng-Cheng Chung,Jie-Ru Chen. Владелец: Concraft Holding Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Extruding process to create a structural form for building and construction applications

Номер патента: US20190111606A1. Автор: Miguel A. Linares. Владелец: Neauvotec LLC. Дата публикации: 2019-04-18.

Microscopic instrument and method for repeated location and measurement using a series of digital images

Номер патента: GB2595320A. Автор: Yang Xingyao,Tan Nanzheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-24.

System and method for neutron and gamma radiation detection using non-homogeneous material scintillator

Номер патента: US12072453B2. Автор: Jason Philip Brodsky,Nathaniel Sean Bowden. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Substance-marking patch, and method and apparatus for tissue diagnosis using same

Номер патента: EP4239332A3. Автор: Dong Young Lee,Chan Yang Lim,Kyung Hwan Kim. Владелец: Noul Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor Fin Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240282638A1. Автор: Chia-Hui Lin,Shih-Wen Huang,Jei Ming CHEN,Jaming CHANG,Kai Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Optical metrology of structures formed on semiconductor wafers using machine learning systems

Номер патента: WO2005003911A2. Автор: Nickhil Jakatdar,Junwei Bao,Srinivas Doddi,Emmanuel Drege. Владелец: Timbre Technologies, Inc.. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09698264B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240332901A1. Автор: Lutz Hoeppel,Sven GERHARD,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Aneurysm treatment device and method of use

Номер патента: US09622753B2. Автор: Brian J. Cox. Владелец: MicroVention Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Composite bicycle frame with integral electrical interconnections and method of manufacturing same

Номер патента: US09589707B2. Автор: Guillaume SENECHAL. Владелец: INDUSTRIES RAD Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flexible micromachined transducer device and method for fabricating same

Номер патента: US09525119B2. Автор: Arman HAJATI,Dimitre Latev,Darren Todd Imai,Ut Tran. Владелец: Fujifilm Dimatix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

High-integration semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09515182B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Article with thermally bonded ribbon structure and method of making

Номер патента: WO2020009813A9. Автор: Tom Luedecke,Carmen Zhu. Владелец: UNDER ARMOUR, INC.. Дата публикации: 2020-02-20.

Article with thermally bonded ribbon structure and method of making

Номер патента: WO2020009813A1. Автор: Tom Luedecke,Carmen Zhu. Владелец: UNDER ARMOUR, INC.. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09461173B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Hyung-Soon JANG,Tae-Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Gateway node device, sensor node device, and method for controlling active time period

Номер патента: US09357583B2. Автор: Jun Ibuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Arch structure formed of sheet material with composite reinforcement members of concrete enclosed by metal shell

Номер патента: RU2244778C2. Автор: Томас С. МакКАВУР. Владелец: Эйл Интернэшнл Инк.. Дата публикации: 2005-01-20.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with different gate profile and method for forming the same

Номер патента: US9899382B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Yi-Ching Huang,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US20210305387A1. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor testing structure and method for forming same

Номер патента: US20230008265A1. Автор: Xiangyu WANG,Haibo Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11810966B2. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device having vertical mosfet with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150333153A1. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US11916125B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Structure for EMI Shielding and Heat Dissipation

Номер патента: US20240030154A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-aligned metal gate for multigate device and method of forming thereof

Номер патента: US11961763B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220254929A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200135647A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and method for manufacturing continuous stirrup

Номер патента: US11819897B2. Автор: Samuel Yin,Shao Kuo Lu,Tai Shang YANG. Владелец: Ruentex Engineering and Construction Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411489A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411213A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Dien-Yang Lu,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160118350A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Self-aligned metal gate for multigate device and method of forming thereof

Номер патента: US20240030066A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Chia-Hao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Multi-gate device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20230395681A1. Автор: Chang-Miao Liu,Huiling Shang,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

3-d printed devices formed with magnetic inks and methods of making graded index structures

Номер патента: US11845219B2. Автор: Jennifer A. Lewis,Theodore H. Fedynyshyn,Bradley P. DUNCAN. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20220359699A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor substructure having elevated strain material-sidewall interface and method of making the same

Номер патента: US20150228791A1. Автор: Chun-Hsiung Tsai,Wei-Yang Lee,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230320067A1. Автор: Ji Yeon Kim,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US11961919B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Tft substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160274427A1. Автор: YUAN Xiong,Shui-Chih Lien. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Hinged mems diaphragm and method of manufacture thereof

Номер патента: US20170127189A1. Автор: Ronald N. Miles,Weili Cui. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2017-05-04.

Interconnect Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190214296A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Barcoded Solid Supports and Methods of Making and Using Same

Номер патента: US20230279489A1. Автор: Richard E. Green,Balaji Sundararaman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178069A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Package structure and method for forming the same

Номер патента: US20200075569A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chia-Hsiang Lin,Feng-Cheng Hsu,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240186417A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer

Номер патента: US20200388486A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Kurtis LESCHKIES,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160005743A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200357655A1. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20190244830A1. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Barcoded Solid Supports and Methods of Making and Using Same

Номер патента: US20200385800A1. Автор: Richard Green,Balaji Sundararaman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096691A1. Автор: Mingming Ma,Zhikai WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Composite power element and method for manufacturing the same

Номер патента: US11201147B2. Автор: Shih-Chieh Hung,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-14.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20160211194A1. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Three-dimensional memory device with self-aligned memory block isolation and methods for forming the same

Номер патента: US20240213147A1. Автор: Naohiro Hosoda,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device with self-aligned memory block isolation and methods for forming the same

Номер патента: WO2024144916A1. Автор: Naohiro Hosoda,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory structure and method for forming same

Номер патента: US20140291752A1. Автор: Jing Wang,Libin LIU,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

High entropy alloys, refractory high entropy alloys, methods of selecting and making, and structures formed thereof

Номер патента: US11434551B1. Автор: David Ames,Salvador B. Rodriguez,Andrew Kustas. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2022-09-06.

Apparatus and method for separating fluid

Номер патента: US20230234054A1. Автор: Wan Ki Min,Sung Hyun Pyun. Владелец: Speclipse Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Low temperature solder column attach by injection molded solder and structure formed

Номер патента: US20020023945A1. Автор: Peter Gruber,James Covell,David Danovitch,Lannie Bolde,Chon Lei,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Retentive orthodontic dental appliances and methods of making same

Номер патента: US20200146781A1. Автор: Fred MURRELL. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-14.

Cell sheet for transplantation into living body and method for producing same

Номер патента: US12090251B2. Автор: Yuki Saito,Masako Nakano,Takako Chikenji,Mineko Fujimiya,Naoto Konari,Miho Otani. Владелец: SAPPORO MEDICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US12094848B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Electrical insulator apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09649797B1. Автор: Michael L. Williams,Charles J. Clement,Gary C. Grenier. Владелец: Marmon Utility LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Wearable architecture and methods for performance monitoring, analysis, and feedback

Номер патента: US09498128B2. Автор: Dhananja Jayalath,Christopher Wiebe. Владелец: MAD Apparel Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Surface structure of article, article surface structure forming and device to this end

Номер патента: RU2570369C2. Автор: Йосиюки ЮАСА,Тосироу ВАСИДЗАКИ. Владелец: Тойо Сейкан Груп Холдингз, Лтд.. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of manufacturing food dispersion containing butter and structure-forming agent

Номер патента: RU2377781C2. Автор: Экхард ФЛЕТЕР,ДЕН БЕРГ Корнелия София Мартье ВАН,Геррит Ян Виллем ГАУДАППЕЛЬ,Йоханнес Йозеф Мария ЯНССЕН,Ксавье Ив ЛАУТЕСЛАГЕР,Готэм Сатиамюрти НИВАРТИ,Франк Эмили ВУББОЛТС. Владелец: Юнилевер Н.В.. Дата публикации: 2010-01-10.

Structure forming method, apparatus and product

Номер патента: CA2348498C. Автор: Leroy Payne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-20.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11563029B2. Автор: Jin Yong Oh,Youn Cheul Kim. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Composite pressure vessel including fluid port with replaceable seal in composite sidewall structure and method of constructing such fluid port

Номер патента: US4700868A. Автор: William Dirkin. Владелец: Pneumo Abex Corp. Дата публикации: 1987-10-20.

Semiconductor device including bit line structure of dynamic random access memory (DRAM) and method for fabricating the same

Номер патента: US10770464B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Wei-Lun Hsu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Multi-chip stack structure having through silicon via and method for fabrication the same

Номер патента: US20090032928A1. Автор: Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Jung-Pin Huang,Chi-Hsin Chiu,Chiang-Cheng Chiang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Crown capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US11910588B2. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Backside metallized compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240087877A1. Автор: Houng-Chi Wei,Kechuang Lin,Tsung-Te CHIU,Chia-Chu Kuo,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180269299A1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Structure of a Trench MOS Rectifier and Method of Forming the Same

Номер патента: US20160111530A1. Автор: Qinhai Jin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Isolation Regions with Non-Uniform Depths and Methods Forming the Same

Номер патента: US20230411493A1. Автор: Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076218A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170141145A1. Автор: Yuichiro Yamashita,Chun-Hao Chuang,Hirofumi Sumi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240006479A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230387200A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230402546A1. Автор: Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240021475A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Po-Hsiang Liao,Sheng-Wei FU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Backside metallized compound semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11823891B2. Автор: Houng-Chi Wei,Kechuang Lin,Tsung-Te CHIU,Chia-Chu Kuo,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor Chip Including Self-Aligned, Back-Side Conductive Layer and Method for Making the Same

Номер патента: US20190096758A1. Автор: Bernhard Goller,Ingo Muri. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Crown capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220069070A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035983A1. Автор: Jinhyung Park,Hyeran Lee,Bongsoo Kim,Sungwoo KIM,Youngjun Kim,Seokhyun Kim,Hoju Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor arrangements and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11810823B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-07.

Multilayer gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20230420505A1. Автор: Chun-Yi Chang,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of producing structure and method of producing liquid discharge head

Номер патента: US20170326880A1. Автор: Yasuaki Tominaga,Tetsushi Ishikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200058654A1. Автор: Noriaki Ikeda,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153812A1. Автор: Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Wen-Kai Lin,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using etch stop structures located between tiers

Номер патента: WO2024086045A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Structure and method to form localized strain relaxed SiGe buffer layer

Номер патента: US9337335B1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and method having deep trench isolation

Номер патента: US20240112948A1. Автор: Sang Min Han,Seong Hyun Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Porous barrier layer for improving reliability of through-substrate via structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2020219125A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Nanostructure with various widths and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20200328123A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi-Ning Ju,Hsiao-Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor structure, memory and method for operating memory

Номер патента: US20230035348A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device including wrap around contact, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20180006159A1. Автор: Michael A. Guillorn,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Porous barrier layer for improving reliability of through-substrate via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20200343161A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Fin isolation structure for finfet and method of forming the same

Номер патента: US20210265222A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chen-Hao WU,Huang-Lin Chao,Chu-An Lee,Chun-Wen Hsiao,Peng-Chung Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Fin isolation structure for FinFET and method of forming the same

Номер патента: US11688644B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chen-Hao WU,Huang-Lin Chao,Chu-An Lee,Chun-Wen Hsiao,Peng-Chung Jangjian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240162336A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Stacked semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20200168606A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Steven Demuynck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-28.

Insulating cap on contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20210043499A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Ke-Jing Yu,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200365611A1. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105805A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure with resistor layer and method for forming the same

Номер патента: US20170040313A1. Автор: Yu-Hung Lin,Hon-Lin Huang,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230282487A1. Автор: Wen-Chieh Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using etch stop structures located between tiers

Номер патента: US20240138149A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Three-dimensional memory device and method of making thereof using etch stop structures located between tiers

Номер патента: US20240138151A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Metasurface optical systems and methods

Номер патента: US20200064523A1. Автор: Prashant Majhi,Paul West,Kunjal Parikh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352479A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee,Yu-Shan Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Ordered structures in homogeneous magnetic fluid thin films and method of preparation

Номер патента: EP1016097A1. Автор: Herng-Er Horng,Chin-Yih Rex Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352339A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11721576B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230016457A1. Автор: Ning Xi,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Structure of stacked gate-all-around nano-sheet cmos device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115513A1. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Qingzhu ZHANG,Jiaxin YAO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222433A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Pang-Chi Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

PAPER MACHINE BELT CONDITIONING SYSTEM, APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120000622A1. Автор: WEINSTEIN David I.,Perry Peter E.,Rivard James P.,Cirocki Pawel. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2486225C1. Автор: Фарит Акрамович Агзамов,Ильшат Назифович Каримов,Рафаэль Сяитович Мяжитов,Петр Федорович Цыцымушкин,Дмитрий Геннадиевич Бельский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Цементные технологии". Дата публикации: 2013-06-27.

Zeolite-containing catalyst, method for production thereof and method of converting c2-c12 aliphatic hydrocarbons and methanol to high-octane gasoline and aromatic hydrocarbons

Номер патента: RU2478007C2. Автор: Александр Владимирович Восмериков,Алексей Иванович Вагин,Людмила Михайловна Величкина,Людмила Леонидовна Коробицына,Олег Леонидович Килин,Николай Алексеевич Юркин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Химико-технологический центр". Дата публикации: 2013-03-27.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacture of natural structure forming agent

Номер патента: RU2494642C2. Автор: Мария Евгеньевна Цибизова,Дарья Сергеевна Язенкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный технический университет" (ФГБОУ ВПО). Дата публикации: 2013-10-10.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR MIGRATING SEISMIC DATA

Номер патента: US20120004850A1. Автор: Wang Yue,Hill Norman Ross. Владелец: Chevron U.S.A. INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Composition for preparation of corrective additive for production of pasta products and pelmeni dough, its preparation method and method for production of pasta products and pelmeni dough

Номер патента: RU2544373C1. Автор: Татьяна Ильинична Шнейдер,Надежда Константиновна Казеннова,Дарья Владимировна Шнейдер. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Макарон-Сервис". Дата публикации: 2015-03-20.

Light-weight laminated wall structure formed of different materials

Номер патента: RU2260096C1. Автор: А.Я. Стеценко. Владелец: Стеценко Анатолий Яковлевич. Дата публикации: 2005-09-10.

Структурированная формующая ткань, бумагоделательная машина и способ

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты