Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 包括具有用于大批量老化半导体器件的集成加热的条形插座的老化板

包括具有用于大批量老化半导体器件的集成加热的条形插座的老化板

Номер патента: CN114556118A
Опубликовано: 27-05-2022
Автор(ы): A·莫里诺, A·阿圭莱拉, J·拉斯康
Принадлежит: Microchip Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Burn-in board including strip socket with integrated heating for high volume burn-in of semiconductor devices

Номер патента: US11913989B2. Автор: Joseph Rascon,Aaron Moreno,Alberto Aguilera. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Burn-in board including strip socket with integrated heating for high volume burn-in of semiconductor devices

Номер патента: US20210255237A1. Автор: Joseph Rascon,Aaron Moreno,Alberto Aguilera. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Burn-in board and the method for loading them in a burn-in chamber

Номер патента: KR100680955B1. Автор: 이창렬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Apparatus for opening socket of burn-in board

Номер патента: KR101537719B1. Автор: 임정택. Владелец: (주)휴민텍. Дата публикации: 2015-07-20.

A process for producing burn-in boards

Номер патента: IES67079B2. Автор: Paul Comerford,Declan Brosnan. Владелец: PARONNE Ltd. Дата публикации: 1996-02-21.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: US11994552B2. Автор: Hiroaki Takeuchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

A process for producing burn-in boards

Номер патента: GB2308007A. Автор: Paul Comerford,Declan Brosnan. Владелец: PARONNE Ltd. Дата публикации: 1997-06-11.

Equi-resistant probe distribution for high-accuracy voltage measurements at the wafer level

Номер патента: WO2015148205A1. Автор: Jack E. Weimer. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2015-10-01.

Apparatus and method for burn-in board alignment and sealing between chamber and frame for semiconductor burn-in process

Номер патента: US20240053397A1. Автор: Teck Huat TAN,Chun Hong LOW. Владелец: MSV Systems and Services Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatus and method for burn-in board alignment and sealing between chamber and frame for semiconductor burn-in process

Номер патента: EP4356418A1. Автор: Teck Huat TAN,Chun Hong LOW. Владелец: MSV Systems and Services Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Apparatus and method for burn-in board alignment and sealing between chamber and frame for semiconductor burn-in process

Номер патента: WO2022146237A1. Автор: Teck Huat TAN,Chun Hong LOW. Владелец: Msv Systems & Services Pte Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Burn-in and test method of semiconductor wafer and burn-in board used for it

Номер патента: KR960014952A. Автор: 가즈오 가네코,마사야스 가타야마,기요시 고치. Владелец: 에이징 테스타 카이하츠 교토쿠미아이. Дата публикации: 1996-05-22.

Burn-in board, burn-in device and burn-in system

Номер патента: TW201200886A. Автор: Kazuhiko Sato,Takeshi Kumagai,Akimasa Yuzurihara. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-01.

Burn-in board, burn-in device and burn-in system (2)

Номер патента: TW201142320A. Автор: Kazuhiko Sato,Takeshi Kumagai,Akimasa Yuzurihara. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

A process for producing burn-in boards

Номер патента: GB9525154D0. Автор: . Владелец: PARONNE Ltd. Дата публикации: 1996-02-07.

Burn-in board for bwrn-in test

Номер патента: KR100305683B1. Автор: 유교선. Владелец: 장대훈. Дата публикации: 2001-11-02.

electrolysis type burn in board cleaning equipment

Номер патента: KR101591766B1. Автор: 김우경. Владелец: 주식회사 포스텔. Дата публикации: 2016-02-04.

CONDITIONS FOR BURN-IN OF HIGH POWER SEMICONDUCTORS

Номер патента: US20180301386A1. Автор: Shen Likun,Smith Kurt Vernon,Rhodes David Michael,Barr Ronald Avrom,McKay James Leroy. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Systems for wafer level burn-in of electronic devices

Номер патента: US20050024076A1. Автор: James Biard,James Guenter,Michael Haji-Sheikh,Simon Rabinovich,Bobby Hawkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

ESD bypass and EMI shielding trace design in burn-in board

Номер патента: US5659245A. Автор: Jian-Hsing Lee,King-Ho Ping. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-08-19.

Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Номер патента: US12078672B2. Автор: Xiaopeng Qu,Amy R. Griffin,Wesley J. Orme. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Contactless damage inspection of perimeter region of semiconductor device

Номер патента: US09658279B2. Автор: Eric GRAETZ,Hermann Bilban,Rudolf Pairleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device, inspection apparatus of semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240312780A1. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for determining deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20230369142A1. Автор: Takaaki Tanaka,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Qichen Wang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: US11719741B2. Автор: Kenji Nishi,Hiroaki Takeuchi,Koji Hirashima,Chen-Pi Chang,Wen Yung Wu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Programmable low profile universally selectable burn-in board assembly

Номер патента: US5387861A. Автор: Michael Neiderhofer. Владелец: Incal Tech Inc. Дата публикации: 1995-02-07.

Burn-in test apparatus for the transmission of high speed signal and burn-in board therefor and method for the transmission of high speed signal

Номер патента: KR101161811B1. Автор: 유권종,이용근,이강수,박병옥. Владелец: (주)아테코. Дата публикации: 2012-07-03.

Methods of conducting wafer level burn-in of electronic devices

Номер патента: CA2457680A1. Автор: Michael J. Haji-Sheikh,James K. Guenter,James R. Biard,Robert M. Hawkins,Simon Rabinovich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Test system for high-voltage and high-current testing on a plurality of power semiconductor devices comprised in a wafer, and contacting system

Номер патента: WO2023187701A1. Автор: Marco Marcinno',Carlo CIANFEROTTI. Владелец: Crea Collaudi Elettronici Automatizzati S.R.L.. Дата публикации: 2023-10-05.

Temporary device attach structure for test and burn in of microjoint interconnects and method for fabricating the same

Номер патента: US20030136813A1. Автор: Sampath Purushothaman,George Walker,Richard Volant,John Magerlein,Kevin Petrarca,Samuel McKnight,Carlos Sambucetti,Joseph Van Horn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

Burn-in board and heat sink assembly mounting rack

Номер патента: US6175498B1. Автор: Chad M. Conroy,Mark W. Greenwood. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2001-01-16.

Burn in board test device and system

Номер патента: US11959959B2. Автор: Seong Seob SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Burn in board, system, and method

Номер патента: US9140748B2. Автор: Kin Sun Wong,Che Chin Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-22.

Burn in board, system, and method

Номер патента: US20130300444A1. Автор: Kin Sun Wong,Che Chin Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Burn-in board seating

Номер патента: US12007434B2. Автор: Aidan Michael Fawcett. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2024-06-11.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040002175A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

An oven for the burn-in of integrated circuits

Номер патента: GB2181227A. Автор: Michael William Rignall. Владелец: SHARETREE Ltd. Дата публикации: 1987-04-15.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Temporary package for at-speed functional test of semiconductor chip

Номер патента: US20100151598A1. Автор: Pooya Tadayon,Eric J. M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Temporary package for at-speed functional test of semiconductor chip

Номер патента: US7960190B2. Автор: Pooya Tadayon,Eric J. M. Moret. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Burn-in board LIF unloader system and method

Номер патента: US5267395A. Автор: William C. Layer,Arthur T. Jones, Jr.. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1993-12-07.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: KR101494246B1. Автор: 미츠루 후쿠다,요시히토 코바야시. Владелец: 가부시키가이샤 아드반테스트. Дата публикации: 2015-02-17.

Burn-in Board

Номер патента: KR100847272B1. Автор: 임병선. Владелец: 주식회사디아이. Дата публикации: 2008-07-18.

Connector protector of burn-in board

Номер патента: KR101462224B1. Автор: 김대현. Владелец: 주식회사디아이. Дата публикации: 2014-11-21.

Actively controlled embedded burn-in board thermal heaters

Номер патента: US20080302783A1. Автор: James C. Shipley,Anthony Yeh Chiing Wong,Christopher Wade Ackerman,Hon Lee Kon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Method for burn-in of high power semiconductor devices

Номер патента: US5579826A. Автор: Harold E. Hamilton,Brian R. Bloch,James R. Zimmer. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 1996-12-03.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid high aspect ratio via hole used for burn-in boards, wafer sort probe cards, and package test load boards with electronic circuitry

Номер патента: US20080100291A1. Автор: Romi O. Mayder. Владелец: Silicon Test Systems Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Ergonomic loading for a test interface board (tib) / burn-in-board (bib) in a slot-based test system

Номер патента: US20230393190A1. Автор: Kiyokawa Toshiyuki,Karthik Ranganathan,Gregory Cruzan,Gilberto Oseguera,Shigihara Takayuki. Владелец: Advantest Test Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Burn-in board and burn-in apparatus

Номер патента: US20220334173A1. Автор: Kenji Nishi,Hiroaki Takeuchi,Koji Hirashima,Chen-Pi Chang,Wen Yung Wu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Burn-in board

Номер патента: KR100934179B1. Автор: 이현주,김재호,이봉섭. Владелец: 알마인드(주). Дата публикации: 2009-12-29.

Zig for testing burn-in board

Номер патента: KR101769905B1. Автор: 박신규,장경필,김해근. Владелец: 주식회사 티에프이. Дата публикации: 2017-08-21.

Burn-in board

Номер патента: KR100934177B1. Автор: 이현주,김재호,이봉섭. Владелец: 알마인드(주). Дата публикации: 2009-12-29.

Apparatus capable of high power dissipation during burn-in of a device under test

Номер патента: US6323665B1. Автор: James E. Johnson,Ronald J. Darcy. Владелец: Reliability Inc. Дата публикации: 2001-11-27.

Analog switch for measuring sources with semiconductor devices under test

Номер патента: RU2751647C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof including a probe test step and a burn-in test step

Номер патента: US20020182796A1. Автор: Makoto Kitano,Kunio Matsumoto,Akihiko Ariga,Terutaka Mori,Hidetaka Shigi,Takayoshi Watanabe,Yuji Wada,Tetsuo Kumazawa,Susumu Kasukabe,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Shuji Shibuya,Yasuhiro Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Test system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20240183878A1. Автор: Chih-Ming Chen,Chih-Kang TOH. Владелец: Taiwan Mask Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products

Номер патента: RU2639989C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-12-25.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Apparatus including a measurement time counting device for measuring an electrical characteristic of semiconductor

Номер патента: US5786689A. Автор: Mikihiro Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-07-28.

Test system of semiconductor device having a handler remote control and method of operating the same

Номер патента: US20060158211A1. Автор: Eun-Seok Lee,Sung-Ok Kim,Jeong-Ho Bang,Kyeong-Seon Shin,Dae-Gab Chi,Ae-Yong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09570446B1. Автор: Sun Young Kim,Bora LEE,In Mo Kim,Hyo Seok Woo,Hoo Sung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US20180301353A1. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of making a plurality of packaged semiconductor devices

Номер патента: US10431476B2. Автор: Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Jetse de Witte,Jan Gulpen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20230296669A1. Автор: Kazunori Masuda,Makoto Iwai,Takuya Kusaka,Hirosuke NARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor manufacturing-and-inspection system, and semiconductor device

Номер патента: US20020067182A1. Автор: Osamu Hashimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Test and/or burn-in of lab-on-a-chip devices

Номер патента: US20150253214A1. Автор: Johnathan S. Coursey,Kenton C. Hasson,Gregory H. Owen. Владелец: Canon US Life Sciences Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Test and/or burn-in of lab-on-a-chip devices

Номер патента: WO2015134861A3. Автор: Johnathan S. Coursey,Kenton C. Hasson,Gregory H. Owen. Владелец: CANON U.S. LIFE SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2016-01-14.

Burn-in board test system and burn-in board test method for vehicle

Номер патента: CN111123004A. Автор: 龙伟,曾宪玮. Владелец: Guangzhou Roadpassion Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-08.

Integrated circuit burn-in board management system with effective burn-in board suspending and releasing mechanism

Номер патента: US11579186B2. Автор: Cheng-Sung Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

BURN-IN BOARD AND BURN-IN DEVICE

Номер патента: US20200233027A1. Автор: Ito Akihiko,KAWASHIMA Takashi,Takamoto Tomoyuki. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-23.

Method and device for loading device into connector of burn-in board

Номер патента: KR19990076124A. Автор: 염승수. Владелец: 정문술. Дата публикации: 1999-10-15.

Burn-in board and burn-in equipment

Номер патента: JP6961632B2. Автор: 敬史 川島,明彦 伊藤,智行 高本. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-11-05.

Shutters for burn-in-board connector openings and a burn-in oven having the same

Номер патента: TWI342942B. Автор: Harold E Hamilton,Chad M Conroy,Brian R Bloch. Владелец: Micro Control Company. Дата публикации: 2011-06-01.

Burn-in board loader and unloader

Номер патента: SG92792G. Автор: . Владелец: Reliability Inc. Дата публикации: 1992-12-04.

In-tray burn-in board for testing integrated circuit devices in situ on processing trays

Номер патента: US6476629B1. Автор: Russell S. Bjork. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-05.

Burn-in board cleansing system using electrolysis net

Номер патента: KR100570314B1. Автор: 김진구. Владелец: 선테스트코리아 주식회사. Дата публикации: 2006-04-11.

Shutters for burn-in-board connector openings

Номер патента: US6891132B2. Автор: Harold E. Hamilton,Chad M. Conroy,Brian R. Bloch. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2005-05-10.

Apparatus for separating package between burn-in boards

Номер патента: KR0124554Y1. Автор: 김강산. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-18.

Burn-in board with adaptable heat sink device

Номер патента: IE980828A1. Автор: James E Johnson,Ronald J. Darcy. Владелец: Reliability Inc. Дата публикации: 1999-04-07.

Burn-in board tester

Номер патента: KR0140438B1. Автор: 임영규. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-07-15.

Burn-in board seating

Номер патента: TW202217339A. Автор: 艾丹 麥克爾 福賽特. Владелец: 美商微控制公司. Дата публикации: 2022-05-01.

Method and apparatus to provide a burn-in board with increased monitoring capacity

Номер патента: US7038479B1. Автор: Shakeel M. Siddiqui,Vadim Tymofyeyev. Владелец: Pycon Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

Burn-in board seating

Номер патента: US20220120808A1. Автор: Aidan Michael Fawcett. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2022-04-21.

Temperature control system for burn-in boards

Номер патента: US20030112025A1. Автор: Harold E. Hamilton,Tom A. Tremmel. Владелец: Micro Control Co. Дата публикации: 2003-06-19.

Burn-in board with adaptable heat sink device

Номер патента: CN1274425A. Автор: 詹姆斯·E·约翰逊,罗纳尔多·J·达西. Владелец: Reliability Inc. Дата публикации: 2000-11-22.

Method and apparatus for efficient burn-in of electronic circuits

Номер патента: US20030149913A1. Автор: Scott Shaw,Hari Balachandran,Jayashree Saxena. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

An oven for the burn-in of integrated circuits

Номер патента: GB2181227B. Автор: Michael William Rignall. Владелец: SHARETREE Ltd. Дата публикации: 1988-11-09.

An apparatus and method for testing a socket on a burn-in board using a flex strip probe

Номер патента: TW514729B. Автор: Rafiqul Hussain. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-21.

An apparatus and method for testing a socket on a burn-in board using a flex strip probe

Номер патента: AU2001270114A1. Автор: Rafiqul Hussain. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-21.

Semiconductor device with integrated hot plate and recessed substrate and method of production

Номер патента: US09570390B2. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of analyzing semiconductor devices and analysis apparatus for semiconductor devices

Номер патента: US20170262557A1. Автор: Katsuhiro Shimazu,In-Sung Hwang,Kwang-ok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of accelerating test of semiconductor device

Номер патента: US20070077762A1. Автор: Kenji Yoshida,Hiroshi Nakazawa,Koji Miyamoto,Takeshi Fujimaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Testing of analogue circuits in semiconductor devices

Номер патента: WO1990006521A1. Автор: David Leonard Waller. Владелец: Lsi Logic Europe Plc. Дата публикации: 1990-06-14.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Power up of semiconductor device having a temperature circuit and method therefor

Номер патента: US09933317B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Prober for inspecting semiconductor devices formed on semiconductor wafer

Номер патента: US09684014B2. Автор: Shuji Akiyama,Kazuya Yano,Isamu Inomata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Process for the burning-in of light-sensitive layers during the preparation of printing forms

Номер патента: CA1177303A. Автор: Gunter Berghauser. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1984-11-06.

TEST AND/OR BURN-IN OF LAB-ON-A-CHIP DEVICES

Номер патента: US20150253214A1. Автор: Hasson Kenton C.,Coursey Johnathan S.,Owen Gregory H.. Владелец: CANON U.S. LIFE SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2015-09-10.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Automated burn-in board unloader and IC package sorter

Номер патента: US4584764A. Автор: Robert L. Gussman. Владелец: Reliability Inc. Дата публикации: 1986-04-29.

High current burn-in of solar cells

Номер патента: US09912290B2. Автор: David Smith,Xiuwen Tu,Junbo Wu,Michael J Defensor. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Apparatus and methods for high accuracy metrology and positioning of a body

Номер патента: US20030112445A1. Автор: Christopher Evans,Carl Zanoni. Владелец: Zygo Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Apparatus for loading and unloading burn-in boards

Номер патента: US5842272A. Автор: James P. Nuxoll. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Reducing burn-in of displayed images

Номер патента: US20170372659A1. Автор: Andrew Neil Stein,Daniel Thomas Casner,Nathaniel D. Monson. Владелец: Anki Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Reducing burn-in of displayed images

Номер патента: US20170372659A1. Автор: Andrew Neil Stein,Daniel Thomas Casner,Nathaniel D. Monson. Владелец: Anki Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and storage system

Номер патента: US20230007849A1. Автор: Yanwu WANG,Huifang Dai,Yade FANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and power management ic

Номер патента: US20230361092A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US12015020B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US11742336B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device and light emitting element package including same

Номер патента: US12057537B2. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Ki Man Kang,Yoon Min JO. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device, driving method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240298447A1. Автор: Hiromichi Godo,Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device including semiconductor dies of differing sizes and capacities

Номер патента: US20220230992A1. Автор: Hooi Bin Lim,Ahmad Zarif Bin Azahar,Nur Syazwani Binti Mohd Najman,Muhammad Syafiq Bin Mazlan,Rolando Reyes, JR.. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device, array structure of semiconductor devices, neuromorphic circuit including the semiconductor devices, and computing apparatus including the neuromorphic circuit

Номер патента: US12113129B2. Автор: Jaechul Park,Youngkwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

On-chip semiconductor device having enhanced variability

Номер патента: US09691718B2. Автор: Ping-Chuan Wang,Wai-Kin Li,Chengwen Pei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240203483A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Process for producing semiconductor device

Номер патента: MY149401A. Автор: Banba Toshio. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-08-30.

Temperature control of semiconductor processing chambers

Номер патента: WO2014040038A2. Автор: Michael Nam,David Gunther,Jae Yeol Park,Kyle PETERSEN. Владелец: Semicat, Inc.. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20210280234A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-09-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Production process standardization system of semiconductor device and method of same and storage medium storing that method

Номер патента: EP1187045A3. Автор: Nakamura Tadahiko,Kadowaki Tomohiko. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2006-05-03.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307010A1. Автор: Yoshiyuki Takasu,Fumiharu Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device assemblies including multiple stacks of different semiconductor dies

Номер патента: US20240258273A1. Автор: Blaine J. Thurgood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US09881663B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09793410B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09607969B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09460940B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09455189B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09431088B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Manufacturing method of semiconductor device, reticle correcting method, and reticle pattern data correcting method

Номер патента: US20070218673A1. Автор: Hiroko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20220291559A1. Автор: Kuniaki Okada,Atsushi HACHIYA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Package of semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP1204136A4. Автор: Hidenori Miyakawa,Takashi Akiguchi,Norihito Tsukahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device, digitally controlled oscillator, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20210391827A1. Автор: Tatsuhiko Maruyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device, digitally controlled oscillator, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20210297044A1. Автор: Tatsuhiko Maruyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Electronic device and method for predicting and compensating for burn-in of display

Номер патента: US20230306884A1. Автор: Yunpyo Hong,Taehyeong Kim,Hanyuool KIM,Seungkyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Timing of wordline activation for dc burn-in of a dram with the self-refresh

Номер патента: TW425571B. Автор: Thomas Vogelsang,Adam B Wilson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-03-11.

Machine for burning-in of exposed copies for blockmaking in a molten salt bath

Номер патента: GB1249400A. Автор: Anatoly Petrovich Goryachy,Mikhail Moiseevich Kachur,Mikmailovich Fomenko,Revmir Isaakovich Chernyak,Nikolaeivhc Popov,Efim Moiseevich Volovik. Владелец: VNII OBORU DLYA PECHATNYKH IZD. Дата публикации: 1971-10-13.

Electronic device and method for predicting and compensating for burn-in of display

Номер патента: US11948484B2. Автор: Yunpyo Hong,Taehyeong Kim,Hanyuool KIM,Seungkyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Detection method for complete machine burn-in of server

Номер патента: CN106776219B. Автор: 田周鹏. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-21.

Electronic device and method for predicting and compensating for burn-in of display

Номер патента: WO2022119112A1. Автор: 최승규,김태형,홍윤표,김한여울. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2022-06-09.

Process and apparatus for the burning-in of layers on printing plates

Номер патента: CA936035A. Автор: Seibel Markus,Schroter Herbert. Владелец: Kalle GmbH and Co KG. Дата публикации: 1973-10-30.

Method for the burning-in of light-sensitive layers in the manufacturing of printing plates

Номер патента: EP0442403B1. Автор: Gunter Berghauser. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1996-06-12.

Burn-in board for semiconductor package inspection

Номер патента: KR200177272Y1. Автор: 김성호. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Unloading apparatus for burn in board

Номер патента: KR200156150Y1. Автор: 이한웅. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-09-01.

Lithium ion battery automated production burn-in board

Номер патента: CN103840215B. Автор: 李斌,王海涛,刘金成,王世峰,王治国,李养德,盛宇. Владелец: Eve Energy Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-16.

Burn-in board for automatically producing lithium ion batteries

Номер патента: CN103840215A. Автор: 李斌,王海涛,刘金成,王世峰,王治国,李养德,盛宇. Владелец: Eve Energy Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

High power MOSFET and integrated control circuit therefor for high-side switch application

Номер патента: US4866495A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1989-09-12.

Group 13 nitride composite substrate semiconductor device, and method for manufacturing group 13 nitride composite substrate

Номер патента: US09882042B2. Автор: Makoto Iwai,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of making 3d circuits with integrated stacked 3d metal lines for high density circuits

Номер патента: WO2021113030A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Mark Gardner. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-10.

6.4 tbps silicon-based photonics engine transceiver chip module for high-speed optical communication

Номер патента: US20230253760A1. Автор: Hui Yu,Qiang Zhang. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of making 3d circuits with integrated stacked 3d metal lines for high density circuits

Номер патента: US20210166975A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

METHOD OF MAKING 3D CIRCUITS WITH INTEGRATED STACKED 3D METAL LINES FOR HIGH DENSITY CIRCUITS

Номер патента: US20210166975A1. Автор: deVilliers Anton,Gardner Mark I.,Fulford H. Jim. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2021-06-03.

High current burn-in of solar cells

Номер патента: CN105051913A. Автор: 大卫·史密斯,邬俊波,涂修文,迈克尔·J·德芬瑟. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2015-11-11.

High current burn-in of solar cells

Номер патента: KR20150032862A. Автор: 데이비드 스미스,시우웬 투,마이클 제이 디펜서,준보 우. Владелец: 선파워 코포레이션. Дата публикации: 2015-03-30.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: US09753218B2. Автор: Jochen Kraft,Joerg Siegert,Ewald STUECKLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

System and method for high speed, high volume tabulation of data

Номер патента: WO1999041652A3. Автор: Yeow Chong Chuah. Владелец: Nat Computer Board Acting Thro. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: US20160334572A1. Автор: Jochen Kraft,Joerg Siegert,Ewald STUECKLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: WO2015082203A1. Автор: Jörg Siegert,Jochen Kraft,Ewald Stückler. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2015-06-11.

Multi-chip semiconductor device providing enhanced redundancy capabilities

Номер патента: US20090257297A1. Автор: Ki Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Enhanced grading and sorting of semiconductor devices using modular "plug-in" sort algorithms

Номер патента: US20010047953A1. Автор: Lance M. Capser. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device with variable pin locations

Номер патента: US20020190347A1. Автор: Ho Nguyen,Frederick Fischer,Kenneth Fitch,Scott Segan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Sense amplifier of semiconductor device

Номер патента: US09767871B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method implemented in a computer for the numerical simulation of semiconductor devices containing tunnel junctions

Номер патента: US20130275095A1. Автор: Mathieu Baudrit,Carlos Algora Del Valle,Ignacio Rey-Stolle Prado,Ivan Garcia Vara,Pilar Esplnet Gonzalez. Владелец: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Дата публикации: 2013-10-17.

Error-correction coding for hot-swapping semiconductor devices

Номер патента: US09484113B2. Автор: David A. Roberts. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Systems and methods for high volume processing support of electronic signature tracking

Номер патента: EP4399624A1. Автор: Todd Child. Владелец: Selex ES Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

System and method for high-volume filling of pharmaceutical prescriptions

Номер патента: US12043432B2. Автор: John Preston,Michael McCord,Michael W. Jehn. Владелец: Parata Systems LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device, semiconductor system including the same, control method of semiconductor device, and check list generation program

Номер патента: US20160364351A1. Автор: Koichiro Noguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Circuit board cleaning apparatus, burn-in board cleaning apparatus, methods of cleaning a circuit board, and methods of cleaning a burn-in board

Номер патента: US20070246086A1. Автор: Ong Eng Guan,Tao Yo Chang,Ng Swee Lye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-25.

Circuit board cleaning apparatus, burn-in board cleaning apparatus, methods of cleaning a circuit board, and methods of cleaning a burn-in board

Номер патента: SG136830A1. Автор: Ong Eng Guan,Tao Yo Chang,Ng Swee Lye. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Multilayer burn-in board structure with power tower

Номер патента: TW201006322A. Автор: Jia-Hui Liu. Владелец: King Yuan Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-01.

Burn-in board

Номер патента: TW482907B. Автор: Hideaki Kawai,Ichiro Tano. Владелец: Ando Electric. Дата публикации: 2002-04-11.

Burn-in board

Номер патента: TW366426B. Автор: Keizo Kasai,Chikao Funai,Youzou Machida. Владелец: Ando Electric. Дата публикации: 1999-08-11.

Burn-in board

Номер патента: JPS6428572A. Автор: Shigehiro Azuma. Владелец: Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

Burn-in board and method for common use thereof

Номер патента: JPH10117050A. Автор: Masuo Takahashi,倍男 高橋. Владелец: Tescon Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-06.

Burn-in board

Номер патента: JP3942684B2. Автор: 等 岡嶋. Владелец: ユー・エム・シー・ジャパン株式会社. Дата публикации: 2007-07-11.

Burn-in board

Номер патента: JP3033542B2. Автор: 恵三 葛西,智加夫 船井,要造 町田. Владелец: 安藤電気株式会社. Дата публикации: 2000-04-17.

Integrated heat exchanger and power delivery system for high powered electronic modules

Номер патента: US09538692B2. Автор: Jared P. Majcher,Stephen A. Hedges,Kevin W. Sliech. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for high frequency synchronization of an electric system and an electronic board used for that purpose

Номер патента: RU2309546C2. Автор: Ульрих ХЕТЦЕР,Петер БРЕШЕ. Владелец: Адц Гмбх. Дата публикации: 2007-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09660356B1. Автор: Hideyo Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Device for separation of composite structure from substrate on basis of semiconductor film (options)

Номер патента: RU2683808C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-02.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power resistor with integrated heat spreader

Номер патента: US20150042444A1. Автор: Clark Smith,Todd Wyatt. Владелец: Vishay Dale Electronics LLC. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

3d nano sheet method using 2d material integrated with conductive oxide for high performance devices

Номер патента: US20230253261A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Application of industrial watch stone as the millimeter range wave length semiconductor device housing and the oscillator with such device

Номер патента: RU2657324C2. Автор: Елизавета Алексеевна Смирнова,Николай Федорович Карушкин,Илья Андреевич Обухов. Владелец: ООО "НПО "Синергетика". Дата публикации: 2018-06-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Stacked chip scale semiconductor device

Номер патента: US20240243101A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: US20240321685A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: EP4435846A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12113022B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240371776A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09876117B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device packages including a controller element

Номер патента: US09761562B2. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Hong Wan Ng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device package assembly, semiconductor device assembly, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09553242B2. Автор: Takaaki Kudo,Naofumi Ikenaga,Tetsu Urano. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09553090B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09504154B2. Автор: Eiji Mochizuki,Shinji Tada,Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Power resistor with integrated heat spreader

Номер патента: US09502161B2. Автор: Clark Smith,Todd Wyatt. Владелец: Vishay Dale Electronics LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Micro-reflectors on a substrate for high-density LED array

Номер патента: US09478720B2. Автор: Mark D. Owen,Alexander F. Schreiner,Duwayne R. Anderson,THOMAS R. McNEILL. Владелец: Phoseon Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12136565B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09450099B1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Structure and formation method of semiconductor device with backside contact

Номер патента: US12015060B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12027377B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20040026777A1. Автор: Kazuo Yokoyama,Shigeki Kageyama,Jun Otsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor device

Номер патента: EP1766685A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: WO2005109510A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Artto Aurola. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Heat dissipating semiconductor device packages and related methods

Номер патента: US20120112338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Hsiang-Ming Feng,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee,Bing-Yun Cheng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Method of making less electric current dependence of electric current gain of semiconductor device

Номер патента: US20140030878A1. Автор: Yutaka Hayashi,Toshitaka Ota,Yasushi Nagamune. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180182737A1. Автор: Takayuki Okinaga,Shuichiro Azuma,Kazuki Makuni,Yu NAKASE,Takeshi Kotegawa,Noriaki Sugahara. Владелец: Buffalo Memory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US20190027421A1. Автор: Takeo Nishikawa,Eiichi Omura,Takayoshi Tawaragi. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240055503A1. Автор: Mark Griswold,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-15.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20210167186A1. Автор: HAIYANG Zhang,Yan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US11996457B2. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Hyuncheol Kim,Seokhan Park,Jaeho Hong,Ilgweon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Printed circuit board including through region and semiconductor package formed by using the same

Номер патента: US20140301055A1. Автор: Sang-uk Han,Chae-Hun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243071A1. Автор: Shota Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor devices and arrangements including dummy gates for electrostatic discharge protection

Номер патента: US9595516B2. Автор: Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266402A1. Автор: SangHoon HAN,Taegon Kim,Jihye Yi,Yonghee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Power converter for reducing a difference between reference potentials of semiconductor devices that are simultaneously turned on and off

Номер патента: US10291149B2. Автор: Tomohisa Sano,Yohei Kondo,Yuu YAMAHIRA,Kengo MOCHIKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-05-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Pillars in Recessed Region of Peripheral Area around the Device for Electrical Interconnection to Other Devices

Номер патента: US20120175770A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Linda Pei Ei Chua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Locally isolated protected bulk finfet semiconductor device

Номер патента: US20140145250A1. Автор: Raghavasimhan Sreenivasan,Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US20160172318A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-16.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266445A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170084499A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20160351700A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US9899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9123696B2. Автор: Yujin OKAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-01.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20240274691A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Kuo-Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, electric power conversion device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12095382B2. Автор: Eiichi Ide,Nobutake Tsuyuno,Junpei Kusukawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240306403A1. Автор: Yeon Seung Jung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Structures and methods for source-down vertical semiconductor device

Номер патента: US12094967B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321720A1. Автор: Yuki Yano,Yoji Kawauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20240312852A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Substrate with integrated heat spreader

Номер патента: US09911678B2. Автор: Dylan Murdock. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device packages with improved thermal management and related methods

Номер патента: US09899293B2. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09899271B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Номер патента: US09786643B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Soo Loo Ang,Chee Chung So. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768178B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741554B2. Автор: Satoru Kameyama,Shuhei Oki,Masaki AJIOKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of bonding semiconductor die to substrate in reconstituted wafer form

Номер патента: US09721921B2. Автор: Lan Hoang,Steve Anderson,HeeJo Chi,Pandi C. Marimuthu,KyungMoon Kim,HunTeak Lee,YoungChul KIM,KooHong Lee,JaeHak Yee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09691739B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Michihiro Kawashita,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Tessera Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09660025B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Yi Peng,Chih-Chieh Yeh,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of forming ultra high density embedded semiconductor die package

Номер патента: US09627338B2. Автор: See Chian Lim,Teck Tiong Tan,Yung Kuan Hsiao,Ching Meng Fang,Yoke Hor Phua,Bartholomew Liao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620482B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Yu-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of controlling warpage in reconstituted wafer

Номер патента: US09607965B2. Автор: KANG Chen,Seng Guan Chow,Yaojian Lin,Jose Alvin Caparas,Hin Hwa Goh,Kian Meng Heng. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with trench structure and methods of manufacturing

Номер патента: US09595577B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices and arrangements including dummy gates for electrostatic discharge protection

Номер патента: US09595516B2. Автор: Mayank Shrivastava,Christian Russ. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09590097B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09559205B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device packages with improved thermal management and related methods

Номер патента: US09543274B2. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US09543258B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543145B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Junichi Koezuka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US09508894B2. Автор: Chien-Fu Huang,Min-Hsun Hsieh,Chun-Yu Lin,Yi-Ming Chen,Chih-Chiang Lu,Ching-Pei Lin,Tzu-Chieh Hsu,Hao-Min Ku,Chung-Hsun Chien. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of depositing encapsulant along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US09496195B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09461172B2. Автор: HAIYANG Zhang,Jia Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device including RDL along sloped side surface of semiconductor die for Z-direction interconnect

Номер патента: US09437538B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Printed circuit board including through region and semiconductor package formed by using the same

Номер патента: US09431272B2. Автор: Sang-uk Han,Chae-Hun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Coincident site lattice-matched growth of semiconductors on substrates using compliant buffer layers

Номер патента: US09425249B2. Автор: Andrew Norman. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09385061B2. Автор: Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688866C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2719622C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев,Зелимхан Лечиевич Хазбулатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-21.

Composite material, process of its production, panel of semiconductor device emitting heat, semiconductor device ( variants ), dielectric panel and electrostatic absorbing facility

Номер патента: RU2198949C2. Автор: Казутака ОКАМОТО,Йасуо КОНДО,Теруйоси АБЕ,Йасухиса АОНО,Дзунйа КАНЕДА,Риуити САИТО,Йосихико КОИКЕ. Владелец: Хитачи, Лтд.. Дата публикации: 2003-02-20.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Reactor for plasma-chemical treatment of semiconductor structures

Номер патента: RU2753823C1. Автор: Илья Александрович Иванов,Павел Евгеньевич Афонин,Владимир Миронович Долгополов,Павел Александрович Иракин,Константин Владимирович Логунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2021-08-23.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US11923204B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140021624A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181229A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20170026036A1. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20130049043A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke,Casey Kurth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100230761A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kenji Kawai,Kazumasa Yonekura,Toshiaki Tsutsumi,Satoshi Ogino,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara,Yoshihiro Miyagawa,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device comprising alignment key

Номер патента: US20240204068A1. Автор: Jin-Wook Yang,Yoshinao Harada,Woo Bin Song,Cheoljin YUN,Hyungjoo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source /drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20030098486A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20200199351A1. Автор: Sang Kyun Kim,Sang Jin Kim,Dong Hwan Lee,Young Joon Lee,Tae Shin Eom,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Measurement of lateral diffusion of implanted ions in doped well region of semiconductor devices

Номер патента: US20140011304A1. Автор: YIN Long,Kai Wang,Hunglin Chen,Qiliang Ni,Rongwei FAN. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270312A1. Автор: Masaki Kondo,Tsukasa Nakai,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device fabrication using a multiple exposure and block mask approach to reduce design rule violations

Номер патента: EP2499660A2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110183484A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and method for manufacturing partial SOI substrates

Номер патента: US20050023609A1. Автор: Ichiro Mizushima,Hajime Nagano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10177035B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160111554A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Eitaro Miyake,Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11652106B2. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411487A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

High voltage tolerant bonding pad structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US20170263580A1. Автор: Steven Kosier,Tatsuya Kamimura,Don Rankila,Peter West. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-09-14.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041765B2. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: EP3846204A1. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: US20180082911A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method of unit specific progressive alignment

Номер патента: WO2018053441A1. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Device Array Backframe With Integral Manifolding For High Performance Fluid Cooling

Номер патента: US20190029105A1. Автор: Kenneth L. Smith,James Paul SMITH,Eric A. Browne,Bernard A. MALOUIN, JR.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200243514A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20220077108A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device isolation structures

Номер патента: US20130154052A1. Автор: Sukesh Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240728A1. Автор: Akitoyo Konno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-23.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source/drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20080311721A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: WO2007050774A3. Автор: Martin Standing,Andrew N Sawle. Владелец: Andrew N Sawle. Дата публикации: 2008-01-24.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: EP1961043A2. Автор: Martin Standing,Andrew N. Sawle. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-08-27.

Universal pad arrangement for surface mounted semiconductor devices

Номер патента: WO2007050774A2. Автор: Martin Standing,Andrew N. Sawle. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-05-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20090057723A1. Автор: Atsushi Kaneko,Yasuo Okada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Methods of making semiconductor device modules with increased yield

Номер патента: US20190035755A1. Автор: John F. Kaeding,Chan H. Yoo,Ashok Pachamuthu,Szu-Ying Ho. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170125295A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12068280B2. Автор: Hideaki Kitazawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Manufacturing and reuse of semiconductor substrates

Номер патента: EP4420152A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Martin Huber,Francisco Javier Santos Rodriguez,Matteo Piccin,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer,Iris Moder,Alexander Christian BINTER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of wafer dicing and manufacturing method of semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240290658A1. Автор: Jimin Kim,Youngchul KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274665A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20220093532A1. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210175129A1. Автор: Cheng-Hsien Wu,Chih-Sheng Chang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chih-Chieh Yeh,I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230268347A1. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Metallization structures under a semiconductor device layer

Номер патента: US11658183B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20210020573A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030160249A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Control device of semiconductor device

Номер патента: US20120061722A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masahiro MASUNAGA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US20230268409A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Chi On Chui,Chih-Wei Lee,Jo-Chun Hung,Hsin-Han Tsai,Hsiang-Ju LIAO,Yi-Lun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230095479A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120080747A1. Автор: Do Hyung Kim,Ki Ro Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Formation of control and floating gates of semiconductor non-volatile memories

Номер патента: EP1042810A1. Автор: Steven Keetai Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100120241A1. Автор: Shigeru Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100038767A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Hiroshi Moriya,Hisashi Tanie,Emi Sawayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device having vertical semiconductor pillars

Номер патента: US20170084691A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266315A1. Автор: Kazuya Okada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240258100A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chunyao Wang,Te-En CHENG,Ming-Han Chung,Shu-Ling Liao,Nai-Yu Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrates of semiconductor devices for heat dissipation

Номер патента: US20240222224A1. Автор: Steven Shank,Rajendran Krishnasamy,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105722A1. Автор: Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304459A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Interconnects at back side of semiconductor device for signal routing

Номер патента: US20240313000A1. Автор: Jintae Kim,Kang-ill Seo,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355883A1. Автор: Jongsu Kim,Dongwon Kim,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo,Byeonghee Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4447094A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347494A1. Автор: Masahiro Shibata,Atsushi Kurokawa,Mari SAJI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US12113035B2. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, layout of semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991158B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Tsung-Chieh Tsai,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with separated main terminals

Номер патента: US09966344B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Packaging a printed circuit board having a plurality of semiconductors in an inverter

Номер патента: US09961758B1. Автор: William Pickering,Bruce A. Nielsen. Владелец: Nidec Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device, manufacturing method of electronic appliance, semiconductor device, display device, memory device, and electronic appliance

Номер патента: US09947802B2. Автор: Masayuki Kimura,Yukiko TOJO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09905641B2. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Jung-Chi Tai,Yen-Ru LEE,Lilly SU,Heng-Wen Ting,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

High voltage tolerant bonding pad structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US09899343B2. Автор: Steven Kosier,Tatsuya Kamimura,Don Rankila,Peter West. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837280B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09831129B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having diode characteristic

Номер патента: US09768248B2. Автор: Mitsuhiko Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of forming TSV semiconductor wafer with embedded semiconductor die

Номер патента: US09754858B2. Автор: Seung Uk Yoon,Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices with impedance matching-circuits

Номер патента: US09748185B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jeffrey K. Jones,Scott D. Marshall. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US12142608B2. Автор: Tze-Liang Lee,Ting-Gang CHEN,Pei-Yu Chou,Yi-Ting Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Combined packaged power semiconductor device

Номер патента: US09735094B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Yun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device comprising a multi-layer channel region

Номер патента: US09716177B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Behtash Behin-Aein,Mehdi Salmani-Jelodar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20240379617A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Shift control method in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US12148733B2. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hsien-Ju Tsou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Adhesive sheet used in manufacture of semiconductor device, adhesive sheet integrated with dicing tape, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620403B2. Автор: Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure with through semiconductor via

Номер патента: US20240379361A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Chih-Chuan SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having diode characteristic

Номер патента: US09590030B2. Автор: Mitsuhiko Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09570440B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12125794B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09537045B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Joo Won Choi,Jeong Hun HEO,Su Young LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09536772B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee,Chung-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of individual die bonding followed by simultaneous multiple die thermal compression bonding

Номер патента: US09524958B2. Автор: HunTeak Lee,Joonyoung Choi,YongHee Kang,YoungChul KIM,KeonTaek Kang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09466546B2. Автор: Koichi Hatakeyama,Mitsuhisa Watanabe,Keiyo Kusanagi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461062B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09450026B2. Автор: Masaki Kondo,Tsukasa Nakai,Hikari TAJIMA,Takashi Izumida,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of backgrinding and singulation of semiconductor wafer while reducing kerf shifting and protecting wafer surfaces

Номер патента: US09401289B2. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,Minjung Kim,Joungin Yang,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

High volume delivery system for gallium trichloride

Номер патента: US20100242835A1. Автор: Chantal Arena,Christiaan J. Werkhoven,Thomas Andrew Steidl,Charles Michael Birtcher,Robert Daniel Clark. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-09-30.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2621372C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-06-02.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

High volume delivery system for gallium trichloride

Номер патента: EP2038456A2. Автор: Chantal Arena,Christiaan Werkhoven,Thomas Andrew Steidl,Charles Michael Birtcher,Robert Daniel Clark. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901343B2. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Integral heat-dissipation system for electronic boards

Номер патента: WO2007069230A3. Автор: Yuval Yassour. Владелец: Sfd Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and storage device

Номер патента: US20220216212A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240204075A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240234300A1. Автор: Sang Hyun Oh,Sang Min Kim,Sang Yong Lee,Jin Taek Park,Sae Jun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240223101A1. Автор: Tadahiko Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20200185353A1. Автор: Ryo Hayashi,Yasuhiko Akaike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140217569A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Naoki Yoshimatsu,Hidetoshi Ishibashi,Hidehiro Koga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Manufacturing method of semiconductor device, exposure data preparing method, preparing method of aperture mask data, and charge beam exposure apparatus

Номер патента: US20020142238A1. Автор: Ryoichi Inanami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Edge encapsulation for high voltage devices

Номер патента: WO2022226138A1. Автор: Luis Baez,David Hoag,Timothy Boles,Margaret BARTER,James Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030096505A1. Автор: Kenji Shintani,Junji Tanimura,Takahiro Maruyama,Mutumi Tuda,Ryoichi Yoshifuku. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9978783B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US12002886B2. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Systems and methods for bonding semiconductor devices

Номер патента: US20240243006A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Scott LEFEVRE,Kevin Ryan,Ilseok Son,Panupong Jaipan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9728460B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20020139991A1. Автор: Eisuke Suekawa,Kouichi Mochizuki,Kazushige Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: EP4398701A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: EP4407689A1. Автор: ZHENG Zhong,Ping Ma,Haijun Li,Lingcong LE,Huilan Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258192A1. Автор: Yangang WANG,Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258189A1. Автор: Yangang WANG,Robin Adam Simpson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Edge termination structure for a charge balanced semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: WO2024092176A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11967555B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240014272A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Takashi Ushijima,Jun Kojima,Seiya Hasegawa,Chiaki Sasaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Thin film resistors of semiconductor devices

Номер патента: US20210320063A1. Автор: Cing Gie Lim,Kah Wee Gan,Benfu Lin,Chengang Feng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230268230A1. Автор: Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,Fumihito Tachibana. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220037326A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

High Voltage Vertical Semiconductor Device with Multiple Silicon Pillars in a Racetrack Arrangement

Номер патента: US20180061947A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Jiankang Bu,Alexei Ankoudinov,Sorin Georgescu,Kelly Marcum. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20170278891A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20140239499A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20130140699A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20200119075A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9941323B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Edge encapsulation for high voltage devices

Номер патента: US20220367303A1. Автор: Luis Baez,David Hoag,Timothy Boles,Margaret BARTER,James Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Edge encapsulation for high voltage devices

Номер патента: EP4327359A1. Автор: Luis Baez,David Hoag,Timothy Boles,Margaret BARTER,James Brogle. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Method of manufacture of semiconductor isolation structure

Номер патента: US8962445B2. Автор: Chandra Mouli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20230301064A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20220068862A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Structure and formation method of semiconductor device with capacitors

Номер патента: US12062686B2. Автор: Han-Zong PAN,Shiuan-Jeng Lin,Chen-Chien Chang,Chiu-Hua Chung,Guo-Jyun LUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Enhanced electromigration performance of copper lines in metallization systems of semiconductor devices by surface alloying

Номер патента: SG175862A1. Автор: Axel Preusse,Frank Feustel,Tobias Letz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8865589B2. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130241073A1. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167280A1. Автор: Chang Il Kim,Seon Kwang Jeon,Sung Soo RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of semiconductor device fabrication

Номер патента: US10446396B2. Автор: Tsung-Yao Wen,Angus Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170338155A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12063767B2. Автор: Seunghun LEE,Keun Hwi Cho,Sung Gi Hur,Myung Gil Kang,Sangdeok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device resistive to high voltage and capable of controlling leakage current

Номер патента: US7511316B2. Автор: Hideyuki Andoh. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-31.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Methods and systems for improving power delivery and signaling in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20190067252A1. Автор: Anthony D. Veches. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Integration of semiconductor device assemblies with thermal dissipation mechanisms

Номер патента: US20240282663A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Dongwook Kang. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1223622A3. Автор: Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA,Kenji c/o Fujitsu Limited Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150348937A1. Автор: Hiroshi Yamada,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Embedded packaging for high voltage, high temperature operation of power semiconductor devices

Номер патента: US20200328158A1. Автор: Thomas MacElwee. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US9679937B2. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20180204873A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for production of semiconductor device

Номер патента: US20160126279A1. Автор: Atsushi Okuyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device including vertical wire bonds

Номер патента: US11749647B2. Автор: Junrong Yan,Xiaofeng Di,Xin Lu,Qi Deng,Cong Zhang,Weili Wang,Chin-Tien Chiu,CheeKeong Chin,Chaur Yang Ng,Chenlin Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US20240234448A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Automatic transfer method of burn-in board by automatic guided vehicle and burn-in test system

Номер патента: JP3307189B2. Автор: 栄司 佐々木. Владелец: 安藤電気株式会社. Дата публикации: 2002-07-24.

Device for mutual burn-in of a pair of gears

Номер патента: SU448087A1. Автор: Михаил Борисович Кивенсон,Иван Васильевич Кузьменко,Евгений Павлович Осипов. Владелец: Краматорский Научно-Исследовательский И Проектно-Технологический Институт Машиностроения. Дата публикации: 1974-10-30.

METHOD AND DEVICE FOR AUTOMATICALLY CONTROLLING THE BURNING IN OF AN LONG-TERM OR EXTENDED PART IN THE FLOOR

Номер патента: DE3205855A1. Автор: Claude 4020 Liege Vanosmael. Владелец: Compagnie Internationale des Pieux Armes Frankignoui SA. Дата публикации: 1982-09-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Biodegradable packaging or clothing accessory with integrated heating system, and decomposable pressure sensor

Номер патента: EP4129857A1. Автор: Aditi Maheshwari,Eric Michael Gallo,Katherine Wei Song. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device, clock circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20220014191A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196608A1. Автор: Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Kyung Jin Lee,Sul Gi JUNG,Kyung Sung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Control of semiconductor devices

Номер патента: GB2600049A. Автор: Laurence Pennock John,Paul Lesso John. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-04-20.

Control of semiconductor devices

Номер патента: US11831311B2. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Control of semiconductor devices

Номер патента: WO2021014146A1. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Limited. Дата публикации: 2021-01-28.

Control of semiconductor devices

Номер патента: US20220085814A1. Автор: John Paul Lesso,John Laurence Pennock. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240268114A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Efficient lignocellulose hydrolysis with integrated enzyme production

Номер патента: RU2550265C2. Автор: Здравко ДРАГОВИЧ,Маркус Рарбах,Томас Брюк,Йохен ГЕРЛАХ,Андреас КОЛЬ,Йорг БАРТУХ. Владелец: Клариант Продукте (Дойчланд) Гмбх. Дата публикации: 2015-05-10.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

System and method for high efficiency filtering and removal of airborne pathogens from a volume of gas

Номер патента: EP4297882A2. Автор: Bradbury R. Face,Clark D. Boyd. Владелец: Face International Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

System and method for high efficiency filtering and removal of airborne pathogens from a volume of gas

Номер патента: AU2022226318A1. Автор: Bradbury R. Face,Clark D. Boyd. Владелец: Face International Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Exhaust headers with integrated heat shielding and thermal syphoning

Номер патента: US20210262379A1. Автор: John Russell BUCKNELL,Michael Vasile. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Exhaust headers with integrated heat shielding and thermal syphoning

Номер патента: EP4081700A1. Автор: Michael Bolton,John Russell BUCKNELL,Michael Vasile. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US09988262B2. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Tank casing for refrigerant receiver with integrated heat exchanger functionality

Номер патента: WO2024104798A1. Автор: Johan Van Beek,Ejner Kobberø ANDERSEN. Владелец: Danfoss A/S. Дата публикации: 2024-05-23.

Mandrel with integral heat pipe

Номер патента: EP2373474A1. Автор: Joseph Ouellette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-12.

Double-walled pipe with integrated heating capability for an aircraft or spacecraft

Номер патента: US09939087B2. Автор: Robertino Kolarski,Alexander Scheidt,Magnus Koehler. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2018-04-10.

Solar collector with integrated heat storage

Номер патента: AU2006297981A1. Автор: Antonius Bernardus Schaap,Iwan Jules Van Bochove. Владелец: ECONCERN BV. Дата публикации: 2007-04-12.

Solar collector with integrated heat storage

Номер патента: WO2007040389A1. Автор: Antonius Bernardus Schaap,Iwan Jules Van Bochove. Владелец: Econcern B.V.. Дата публикации: 2007-04-12.

Solar collector with integrated heat storage

Номер патента: EP1931925A1. Автор: Antonius Bernardus Schaap,Iwan Jules Van Bochove. Владелец: ECONCERN BV. Дата публикации: 2008-06-18.

Filter conditioning unit for high-volume sampling filters

Номер патента: US12042759B2. Автор: John Brady,Barry Smith,Joseph A. Dicicco,Paul M. Flanigan, IV. Владелец: Signature Science LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Burn-in board and burn-in system

Номер патента: SG181207A1. Автор: Hoshino Atsushi,Kimura Shinichi. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Method to develop load for test and burn-in of combination units

Номер патента: RU2537653C1. Автор: Иван Андреевич Безбородов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2015-01-10.

Burn-in board and burn-in system

Номер патента: TW201241453A. Автор: Atsushi Hayashi,Shinichi Kimura,Atsushi Hoshino. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-16.

Burn-in board inspection apparatus and burn-in board inspection method

Номер патента: JP2591453B2. Автор: 勝 新井. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-19.

Burn-in board

Номер патента: TW523100U. Автор: Noty Tseng. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-03-01.

Burn-in board and aging test apparatus for integrated circuit

Номер патента: TW568279U. Автор: Chun-jen Huang,Yueh-Lung Lin,Yi-Lung Lin,Ming-Hua Hsia,Yung-Lai Chuan. Владелец: ASE Test Inc. Дата публикации: 2003-12-21.

A process for producing burn-in boards

Номер патента: IE79667B1. Автор: Paul Comerford,Declan Brosnan. Владелец: PARONNE Ltd. Дата публикации: 1998-05-20.

BURN IN BOARD, SYSTEM, AND METHOD

Номер патента: US20130300444A1. Автор: Wong Kin Sun,Wu Che Chin. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-14.

Burn-in board and heat dissipating socket

Номер патента: JP2003014812A. Автор: Hiroshi Kasai,洋 笠井,Shoichi Nishizawa,章一 西沢,Yukio Minamiguchi,幸夫 南口. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-15.

Wafer level burn-in board and method for forming the same

Номер патента: TW557557B. Автор: John Liu,Yeong-Her Wang,Shr-Jie Jeng,Noty Tseng,Yau-Rung Li. Владелец: Chipmos Technologies Bermuda. Дата публикации: 2003-10-11.

Burn-in board

Номер патента: JPS6413475A. Автор: Takashi Yamamoto,Mari Nakajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-01-18.

Burn-in board

Номер патента: JPH1123650A. Автор: Jiyunichi Kitabuki,順一 北吹. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1999-01-29.

IC burn-in board device

Номер патента: JP2502939Y2. Автор: 圭市 橋本. Владелец: Nippon Avionics Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-26.

Automatically inserting and stripping mechanism for burn-in board

Номер патента: JPH10232261A. Автор: Toshihiro Otsuka,敏紘 大塚,Yasuhiro Higashiya,裕弘 東谷. Владелец: CHUO RIKEN KK. Дата публикации: 1998-09-02.

Removable attaching device, and burn-in board

Номер патента: SG185863A1. Автор: SATO Akifumi,HONOBE Toru. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-28.

Wagon for burn-in board

Номер патента: TW435438U. Автор: Jeng-Lin Li,Ming-Jung Tzeng,Yung-Hua Chiau,Wen-Shiang Jiang. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-05-16.

Detachable mounting device and burn-in board

Номер патента: TW201248170A. Автор: Akifumi Sato,Toru Honobe. Владелец: Japan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-01.

HIGH CURRENT BURN-IN OF SOLAR CELLS

Номер патента: US20130333747A1. Автор: Smith David,TU Xiuwen,Wu Junbo,Defensor Michael J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Improvements in or relating to circuit arrangements to prevent burning - in of the screen of a picture tube in a television receiver after the latter has been switched off

Номер патента: AU243384B2. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-08-04.

Method of three-wire burning-in of the ferrite cores

Номер патента: SU1674248A1. Автор: Казимерас Миколович Рагульскис,Альгимантас Юозович Федаравичюс,Альгис Антанович Казла,Клеменсас Клеменсович Римшялис. Владелец: Каунасский Политехнический Институт Им.А.Снечкуса. Дата публикации: 1991-08-30.

Package for High Power Devices

Номер патента: US20120001316A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

DEVICE FOR HARNESSING SOLAR ENERGY WITH INTEGRATED HEAT TRANSFER CORE, REGENERATOR, AND CONDENSER

Номер патента: US20120000530A1. Автор: Miles Mark W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Production of semiconductor microwave devices

Номер патента: RU2546856C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Константин Владимирович Пелевин. Владелец: Закрытое акционерное общество "НИИМП-Т". Дата публикации: 2015-04-10.

Device for recording of imperfectness coefficient of semiconductor products voltage-current characteristics

Номер патента: RU2332678C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких,Валерий Александрович Небольсин,Анатолий Антонович Щетинин,Николай Николаевич Козьяков,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-08-27.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-12-10.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: RU2279736C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов,Валерий Моисеевич Иоффе (RU),Асхат Ибрагимович Максутов (RU). Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-07-10.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: RU2278448C2. Автор: Валерий Моисеевич Иоффе,Асхат Ибрагимович Максутов. Владелец: Асхат Ибрагимович Максутов. Дата публикации: 2006-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2256980C1. Автор: А.Г. Мустафаев,А.М. Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет. Дата публикации: 2005-07-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

Armchair with integral heating means

Номер патента: IES65479B2. Автор: Ronald Arthur Maine Robins. Владелец: Ronald Arthur Maine Robins. Дата публикации: 1995-11-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

Device for encapsulating semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: RU2066898C1. Автор: Ю.П. Смирнов,А.Д. Сидоренко,В.Ф. Дибров,В.И. Самохвалов. Владелец: Сидоренко Александр Дмитриевич. Дата публикации: 1996-09-20.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Process of production of semiconductor material for selective detector of nitrogen oxides

Номер патента: RU2143677C1. Автор: Г.А. Китаев,Н.В. Маркова,В.Ф. Марков,Л.Н. Маскаева,С.Н. Уймин. Владелец: НПП "Политехник". Дата публикации: 1999-12-27.

Housing of semiconductor device

Номер патента: RU2477544C1. Автор: Владимир Андреевич Кожевников,Тамара Ивановна Бражникова,Олег Васильевич Марченко,Олег Николаевич Пахомов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" (ОАО "НИИЭТ"). Дата публикации: 2013-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: RU2139599C1. Автор: В.М. Иоффе,А.И. Максутов. Владелец: Максутов Асхат Ибрагимович. Дата публикации: 1999-10-10.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Express method for measuring body transfer heat resistance of power semiconductor devices

Номер патента: RU2240573C1. Автор: С.В. Иванов,Валерий Михайлович Гарцбейн,С.Н. Флоренцев,Н.Ф. Марамыгин,Л.В. Романовска,Л.В. Романовская. Владелец: Флоренцев Станислав Николаевич. Дата публикации: 2004-11-20.

Process of manufacture of semiconductor device

Номер патента: RU2031483C1. Автор: Г.И. Айзенштат,К.В. Содатенко,Г.И. Шамова. Владелец: Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. Дата публикации: 1995-03-20.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.