• Главная
  • Apparatuses exhibiting enhanced stress resistance and planarity, and related microelectronic devices and memory devices

Apparatuses exhibiting enhanced stress resistance and planarity, and related microelectronic devices and memory devices

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integration structure and planar joining

Номер патента: US20210143022A1. Автор: James Kelly,Mukta Ghate Farooq. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Microelectronic devices, related electronic systems, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: WO2022261596A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-15.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Microelectronic devices including stair step structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US11830815B2. Автор: Harsh Narendrakumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods of forming microelectronic devices including stair step structures

Номер патента: US20240071930A1. Автор: Harsh Narendrakumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of forming microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US11825658B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Stacked damascene structures for microelectronic devices

Номер патента: US09431343B1. Автор: Jinseok Kim,Ki-Don Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

STRUCTURES, DEVICES AND METHODS FOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150318241A1. Автор: Wang Ping-Wei,CHANG FENG-MING,Huang Huai-Ying,HUNG Lien-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

STRUCTURES, DEVICES AND METHODS FOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160351574A1. Автор: Wang Ping-Wei,CHANG FENG-MING,Huang Huai-Ying,HUNG Lien-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Structures, devices and methods for memory devices

Номер патента: US9425085B2. Автор: Huai-Ying Huang,Feng-Ming Chang,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of forming a microelectronic device including stair step structures

Номер патента: US11903211B2. Автор: Lifang Xu,Roger W. Lindsay,John D. Hopkins,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor and memory

Номер патента: EP4276882A1. Автор: Deyuan Xiao,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices and electronic systems

Номер патента: US20210398859A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device having cell over periphery structure and memory package including the same

Номер патента: US09865541B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Chang-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Interconnect Device and Method

Номер патента: US20210202370A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu,Ying-Jhe Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Interconnect device and method

Номер патента: US20210057327A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu,Ying-Jhe Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Microelectronic devices with multiple step contacts extending to stepped tiers, and related methods

Номер патента: US20240186239A1. Автор: Lifang Xu,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Microelectronic devices with self-aligned interconnects, and related methods

Номер патента: US11764146B2. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Heater devices for microelectronic devices and related microelectronic devices, modules, systems and methods

Номер патента: US20220293140A1. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Microelectronic devices including slot structures and additional slot structures

Номер патента: US20230157015A1. Автор: Brett D. Lowe,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Package-on-package modules, electronic systems including the same, and memory cards including the same

Номер патента: US09601469B2. Автор: Jung Tae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Microelectronic devices including contact structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US20240321741A1. Автор: ZHOU Xuan,Sijia Yu,Biow Hiem Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices including contact structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: WO2024197100A1. Автор: ZHOU Xuan,Sijia Yu,Biow Hiem Ong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09812507B2. Автор: Takeshi Takagi,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device, memory cell and memory cell layout

Номер патента: US09620594B2. Автор: Hau-yan Lu,Shih-Hsien Chen,Chun-Yao Ko,Liang-Tai Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming microelectronic devices, and related electronic systems

Номер патента: US20240292623A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Socket design for a memory device

Номер патента: US20240347107A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Amitava Majumdar,Radhakrishna Kotti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Microelectronic devices and memory devices including support pillars

Номер патента: US20240188288A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: US20060105474A1. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory device interface and method

Номер патента: WO2020172551A1. Автор: Brent Keeth,Owen Fay,Chan H. Yoo,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device interface and method

Номер патента: US20240070069A1. Автор: Brent Keeth,Owen Fay,Chan H. Yoo,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device interface and method

Номер патента: US20240111673A1. Автор: Brent Keeth,Owen Fay,Chan H. Yoo,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Microelectronic devices including staircase structures, related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US20240164083A1. Автор: Yuichi Yokoyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US10840435B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-17.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200144482A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit device and high bandwidth memory device

Номер патента: US20200132432A1. Автор: Jong Pil Son,Woo Yeong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory devices including contact structures and related electronic systems

Номер патента: US20240038673A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US20240349498A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Direct interconnection between processor and memory component

Номер патента: US20090144486A1. Автор: Tan Tat-Hin. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for determining lead span and planarity of semiconductor devices

Номер патента: US6489173B1. Автор: Alvin P. Cyril. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-03.

Microelectronic devices, and related electronic systems and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US11810838B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Microelectronic devices, and related electronic systems and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: WO2023278971A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Integrated planar transistors and memory cell array architectures

Номер патента: US20230197571A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Electron beam probing techniques and related structures

Номер патента: US11996336B2. Автор: Amitava Majumdar,Radhakrishna Kotti,Mallesh Rajashekharaiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Electron beam probing techniques and related structures

Номер патента: US20210166979A1. Автор: Amitava Majumdar,Radhakrishna Kotti,Mallesh Rajashekharaiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Electron beam probing techniques and related structures

Номер патента: US20220301946A1. Автор: Amitava Majumdar,Radhakrishna Kotti,Mallesh Rajashekharaiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Electron beam probing techniques and related structures

Номер патента: US20240355685A1. Автор: Amitava Majumdar,Radhakrishna Kotti,Mallesh Rajashekharaiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing a magnetic memory device, and a magnetic memory device

Номер патента: TW200507241A. Автор: Hiroshi Horikoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-16.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240081061A1. Автор: Kwang Min Park,Yu Yeon KIM,Si Yeong YANG,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device isolation structure and method

Номер патента: US20230335582A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Shivani Srivastava,Toshihiko Miyashita,Bingwu Liu,Stephen David Snyder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Nand pillar memory device and method

Номер патента: US20230320090A1. Автор: Gianpietro Carnevale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Switching device and non-volatile memory device including the same

Номер патента: US20190074436A1. Автор: Tae Jung Ha,Soo Gil Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Microelectronic devices including control logic regions

Номер патента: US12080700B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices and electronic systems

Номер патента: US11776925B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Microelectronic devices, related electronic systems, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230389284A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Microelectronic devices, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240038730A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US20230413583A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240251572A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory devices including source structures over stack structures, and related methods

Номер патента: US20240371834A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130032874A1. Автор: Nikka KO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140061768A1. Автор: SHINOHARA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200058846A1. Автор: SONOBE Yoshiaki,ITOH Hiroyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

SWITCHING DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190074436A1. Автор: Kim Soo Gil,Ha Tae Jung. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND HIGH BANDWIDTH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200132432A1. Автор: SON Jong Pil,CHO Woo Yeong. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE AND MAGNETIC RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200144482A1. Автор: SONOBE Yoshiaki,Nakatani Yoshinobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method of driving a semiconductor memory device and a semiconductor memory device

Номер патента: US20100085813A1. Автор: Tomoaki Shino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

A manufacturing method of an integrated semiconductor memory device and corresponding semiconductor memory device

Номер патента: DE102007008989B4. Автор: Rolf Weis. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2012-06-28.

Memory device and method for using shared latch elements thereof

Номер патента: US20210383885A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Metal gate memory device and method

Номер патента: US20230328966A1. Автор: Hyucksoo Yang,Byung Yoon KIM,Jongpyo Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: WO2021133826A1. Автор: Brent Keeth,Richard C. Murphy,Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-01.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: US11989141B2. Автор: Brent Keeth,Frank F Ross,RICHARD C MURPHY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dislocation enhanced transistor device and method

Номер патента: US20230335642A1. Автор: Toshihiko Miyashita,Jung Chao Chiou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200058846A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Hiroyoshi ITOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: EP4081954A1. Автор: Brent Keeth,Richard C. Murphy,Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Neuromorphic memory device and method

Номер патента: US20240256473A1. Автор: Brent Keeth,Frank F Ross,RICHARD C MURPHY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices and electronic systems

Номер патента: WO2023278932A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices and electronic systems

Номер патента: EP4364203A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods of forming microelectronic devices including an interdeck region between deck structures

Номер патента: US20210249261A1. Автор: John D. Hopkins,Damir Fazil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Microelectronic devices, related electronic systems, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230411352A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US12150289B2. Автор: Sangmin Hwang,Si-Woo Lee,Kyuseok Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Device having enhanced stress state and related methods

Номер патента: WO2006063060A3. Автор: Ying Li,Dureseti Chidambarrao,Haining Yang,Rajeev Malik,Huilong Zhu,Shreesh Narasimha. Владелец: Shreesh Narasimha. Дата публикации: 2006-11-16.

Microelectronic devices with isolation trenches in upper portions of tiered stacks, and related methods

Номер патента: US20240251570A1. Автор: Yi Hu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory devices including strings of memory cells, and related electronic systems

Номер патента: US12113019B2. Автор: John D. Hopkins,Marko Milojevic,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy

Номер патента: NZ572662A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-02-24.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09666592B2. Автор: Ji Young Kim,Joon Hee Lee,Tae Hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09406813B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Forming a semi-recessed metal for better EM and Planarization using a silo mask

Номер патента: US5585307A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-12-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12057342B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09735168B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and method for making same

Номер патента: US12144182B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Microelectronic devices comprising capacitor structures, and related electronic systems and methods

Номер патента: US12137549B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices and electronic systems

Номер патента: US20240081049A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Managing thermal resistance and planarity of a display package

Номер патента: WO2021113019A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2021-06-10.

Apparatus including access line structures and related methods and electronic systems

Номер патента: US20210013214A1. Автор: Shinobu Terada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Methods and related devices for operating a memory array

Номер патента: US20180095687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Managing thermal resistance and planarity of a display package

Номер патента: US20210167268A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Managing thermal resistance and planarity of a display package

Номер патента: EP4070387A1. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-10-12.

Three-dimensional semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09876055B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09767874B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory apparatus and memory device

Номер патента: US09424903B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Tetsuya Asayama,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Resistive memory device

Номер патента: US20200066796A1. Автор: Jin-chan YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor Structure Having Both Gate-All-Around Devices and Planar Devices

Номер патента: US20210226070A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory element and memory device

Номер патента: US20140021434A1. Автор: Naomi Yamada,Akira Kouchiyama,Shuichiro Yasuda,Masayuki Shimuta,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Clear coating for light emitting device exterior having chemical resistance and related methods

Номер патента: US20190259925A1. Автор: Michael J. Bergmann,Aaron James Francis. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Variable capacitor and memory device employing the same

Номер патента: US20020041513A1. Автор: Chul-Woo Lee,Seung-tae Jung,Hee-wan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Memory devices and memory device forming methods

Номер патента: US09831287B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Stacked memory devices, and memory packages and memory systems having the same

Номер патента: US09747959B2. Автор: Seong-Min Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory material and memory device applying the same

Номер патента: US20220045128A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Huai-Yu Cheng,I-Ting KUO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240268133A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US9214223B2. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09502430B2. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Vertical-type non-volatile memory devices having dummy channel holes

Номер патента: US09406692B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for using a multi-use memory cell and memory array

Номер патента: US20070070690A1. Автор: Tanmay Kumar,Roy Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of manufacturing capacitor, capacitor, and memory

Номер патента: US20230354574A1. Автор: Mengmeng Yang,Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Jidian Beijing Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Capacitor manufacturing method, capacitor and memory

Номер патента: EP4290552A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190287622A1. Автор: Tatsuo Izumi,Kazuharu YAMABE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Transistor and manufacturing method thereof, and memory

Номер патента: US20230389277A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US12004338B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Touchsurface with level and planar translational travel responsiveness

Номер патента: US09430050B2. Автор: Michael D. Levin,Douglas M. Krumpelman,Cody G. Peterson. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory card and memory card socket

Номер патента: US20200022273A1. Автор: Seok-Jae Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Improvements in and relating to methods of manufacturing memory arrays

Номер патента: GB924848A. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1963-05-01.

Ion/ozone wind generation device and method

Номер патента: US09620936B2. Автор: Akio Katano. Владелец: KATANO KOGYO CO Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Voltage stress-resistant conductive articles

Номер патента: GB1456047A. Автор: . Владелец: Raychem Corp. Дата публикации: 1976-11-17.

Improved multilayer microporous separators for lithium ion secondary batteries and related methods

Номер патента: EP4246702A2. Автор: Xiaomin Zhang,Lie Shi,William John Paulus. Владелец: Celgard LLC. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for fabricating a solid electrolyte memory device and solid electrolyte memory device

Номер патента: US7658773B2. Автор: Cay-Uwe Pinnow. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for fabricating a solid electrolyte memory device and solid electrolyte memory device

Номер патента: US20080084653A1. Автор: Cay-Uwe Pinnow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Switching device and resistance variable memory device using the same

Номер патента: KR101361690B1. Автор: 정성웅,이재연,황현상,박주봉,황윤택. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2014-02-12.

Negative volatage switching device and non-volatile memory device using it

Номер патента: KR20230029407A. Автор: 박성범,김진형,안기식. Владелец: 주식회사 키파운드리. Дата публикации: 2023-03-03.

Manufacturing method of 3D NAND memory device and 3D NAND memory device

Номер патента: CN111696992B. Автор: 夏志良,张中,周文犀. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Negative voltage switching device and non-volatile memory device using the same

Номер патента: US11915767B2. Автор: Jin Hyung Kim,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Interface device and method for exchanging user data

Номер патента: US09882667B2. Автор: Christoph Schulte,Helmut PLANKL,Peter HARTLMUELLER. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2018-01-30.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09679655B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Microelectronic devices including semiconductive pillar structures, and related electronic systems

Номер патента: US11812603B2. Автор: Scott L. Light,Si-Woo Lee,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024137135A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-27.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240215221A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Digital to analog converters and memory devices and related methods

Номер патента: US09892782B1. Автор: Peter K. Nagey. Владелец: Terra Prime Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: WO2024155421A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

3d semiconductor memory devices and structures with memory cells

Номер патента: US20240260262A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Microelectronic devices with lower recessed conductive structures and related methods

Номер патента: US20240334703A1. Автор: Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09891991B2. Автор: Wei Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Fft engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US20200192968A1. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Management device, terminal device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US11252739B2. Автор: Ichiro Shishido,Masae TOKO. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Resistance compensation circuit and memory device and method thereof

Номер патента: US20080024146A1. Автор: Te-Wei Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory element and memory device

Номер патента: US20120061638A1. Автор: Mitsunori Nakamoto,Toshiyuki Kunikiyo,Shinnosuke Hattori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Data transmission method, processor system, and memory access system

Номер патента: EP4155925A1. Автор: Xiaoping Zhu,Yao Hu,Pei Wu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Management device, terminal device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20200314870A1. Автор: Ichiro Shishido,Masae TOKO. Владелец: JVCKenwood Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system and memory controller

Номер патента: US8819331B2. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09941907B2. Автор: Yu-Hua Hsiao. Владелец: Epostar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Separable wallbox device and memory

Номер патента: US09768599B2. Автор: Philipp Roosli,Ryan Gardner,Ravi Sagar,Brendan Donecker,Tom Woodruff. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Radio frequency bandpass delta-sigma analog-to-digital converters and related methods

Номер патента: US20210050863A1. Автор: Gerhard Mitteregger. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Ecc decoder and memory controller including the same

Номер патента: US20240143442A1. Автор: Jaehong Kim,Hongrak Son,Yongsung KIL,Soonyoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

A method and an apparatus to speed the video system optimization using genetic algorithms and memory storage

Номер патента: EP1500261A1. Автор: Walid Ali. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-01-26.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory control system and memory control method

Номер патента: US12074800B2. Автор: Chi-Shao Lai,Hsu-Tung SHIH. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory controllers, operating methods thereof, and memory systems including the same

Номер патента: US09990162B2. Автор: Ji-soo Kim,Moon-sang Kwon,Yoo-chan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09911499B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09906244B2. Автор: Yu-Hua Hsiao,Heng-Lin Yen. Владелец: Epostar Electronics BVI Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09704570B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09583217B2. Автор: Wei Lin,Yu-Hsiang Lin,Kuo-Hsin Lai,Shao-Wei Yen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09543983B2. Автор: Chien-Fu Tseng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory controller operating method and memory controller

Номер патента: US09524208B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Nam-Shik Kim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and memory system

Номер патента: US09425828B2. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Short-range communication-enabled mobile device, method and related server arrangement

Номер патента: WO2010116042A1. Автор: Tuomo Tuikka. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2010-10-14.

Invertible metering apparatus and related methods

Номер патента: US20210021896A1. Автор: Timothy Scott Cooper,Andrej Barbis,Saso Vranek. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Invertible metering apparatus and related methods

Номер патента: US20220141530A1. Автор: Timothy Scott Cooper,Andrej Barbis,Saso Vranek. Владелец: Neilsen Co (US) LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Electrical power supply device and method of operating same

Номер патента: EP4368458A2. Автор: Mohamad Elghrawi,Robert M VOTO. Владелец: Aptiv Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Electrical power supply device and method of operating same

Номер патента: EP4368458A3. Автор: Mohamad Elghrawi,Robert M VOTO. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory module and memory system including the same

Номер патента: US20170293427A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Dong-Gun KIM,Do-Sun HONG,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO,Jae-Sun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Improvements in and relating to indexing and filing devices and the like

Номер патента: GB333324A. Автор: . Владелец: THOMAS GEORGE NORRIS. Дата публикации: 1930-08-14.

Improvements in and relating to Electrical Signs, Advertising Devices and the like.

Номер патента: GB191106863A. Автор: George Wallace,John Elphinstone Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 1912-03-14.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130308391A1. Автор: Kim Moosung,Kwon Ohsuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-11-21.

DATA PROCESSING DEVICE AND A SECURE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140020095A1. Автор: Riou Sebastien. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Row Decoder for a Non-Volatile Memory Device, and Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170062055A1. Автор: Polizzi Salvatore,Campardo Giovanni. Владелец: STMicroelectronics S.r.l. Дата публикации: 2017-03-02.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150146485A1. Автор: Kim Moosung,Kwon Ohsuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

ROW DECODER FOR A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263319A1. Автор: Polizzi Salvatore,Campardo Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

METHODS OF OPERATING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE THEREOF

Номер патента: US20180261296A1. Автор: Song Seung-Hwan,PARK Il-Han,CHOI Na-Young. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

METHOD OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150287466A1. Автор: Kim Moosung,Kwon Ohsuk. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

STORAGE DEVICE AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170351602A1. Автор: Ogawa Junji,Oikawa Yoshihiro,Hirayama Hiroshi,OSHIMI Masatsugu. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2017-12-07.

Optoelectronic control device and weft measuring memory device

Номер патента: DE19525260A1. Автор: Henrik Lilja. Владелец: Iro AB. Дата публикации: 1997-01-16.

Memory device and system including memory device electronically connectable to host circuit

Номер патента: CN101856912B. Автор: 小杉康彦. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for training connections in a memory device and correspondingly configured memory devices

Номер патента: DE102006039797B4. Автор: Peter Gregorius. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-11-07.

Reading method of a nand-type memory device and NAND-type memory device

Номер патента: EP1746605B1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Chiara Missiroli. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-11.

Firing method of phase random memory device and phase random memory device

Номер патента: KR100825777B1. Автор: 임기원,김영란,정원률. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-29.

Method for managing non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: KR102147359B1. Автор: 이준호,신경호,이미향,고광옥. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-08-24.

The operating method of non-volatile memory device and non-volatile memory device

Номер патента: CN109390017A. Автор: 宋泰中,表锡洙,郑铉泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Memory operation of paired memory devices

Номер патента: US8996935B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Timothy J. Dell,Girisankar Paulraj,Edgar R. Cordero. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Self-refresh control device and volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN107146637B. Автор: 吉冈重实. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Method of programming non-volatile memory device and non-volatile memory device using the same

Номер патента: US9087608B2. Автор: Ohsuk Kwon,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-21.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

An information processing device, a semiconductor memory device, and a semiconductor memory device

Номер патента: TWI521343B. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2016-02-11.

Self-repair method via ECC for nonvolatile memory devices, and relative nonvolatile memory device

Номер патента: US20030231532A1. Автор: Rino Micheloni,Aldo Losavio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-12-18.

A data processing method, a device and a flash memory device

Номер патента: BR112017027915A2. Автор: ZHOU Jianhua,Zhang Po. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3247402B2. Автор: 滋 渥美,博則 番場. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Memory device and control method thereof

Номер патента: SG10201804165PA. Автор: PARK MIN-SANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: EP3985516A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US11868645B2. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US20220113896A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11775212B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220004340A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Non-volatile memory controller device and non-volatile memory device

Номер патента: US11775452B2. Автор: Myoungsoo Jung. Владелец: Memray Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US20160342533A1. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11922064B2. Автор: Soo Jin Kim,Seung Jin PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

A readout circuit for a semiconductor memory device and a semiconductor memory device

Номер патента: TWI494938B. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2015-08-01.

Data processing device and a secure memory device including the same

Номер патента: US20140020095A1. Автор: Sebastien Riou. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-16.

Storage device and power management method thereof

Номер патента: US12067272B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US12056007B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Data storage device and data processing system including the same

Номер патента: US09501130B2. Автор: Seung Jin PARK,Dong Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor apparatus exhibiting current control function

Номер патента: US20120033341A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Apparatus including memory system controllers and related methods for memory management using block tables

Номер патента: US09514838B2. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US11947798B2. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Budget information system with cross-reference feature and related methods

Номер патента: US09799086B1. Автор: Anna J. Mattson,Sherri R. Taylor. Владелец: SPIDER DATA SERVICES LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Casualty insurance service system for computers and related equipments

Номер патента: US20060190304A1. Автор: Tetsu Kubota,Johji Kobayashi. Владелец: Adoc International Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Fluid-operated apparatus exhibiting hysteresis effect

Номер патента: GB1529724A. Автор: . Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1978-10-25.

Service system, and memory management method and apparatus

Номер патента: EP4390680A1. Автор: Ren Ren,Yue Zhao,Chuan Liu,Wenlin CUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Planarization device and planarization method using the same

Номер патента: US09434045B2. Автор: Yu-Hua Yeh,Liang-Yu Hu,Tang-Tsai Chang,Ming-Tsan Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Refreshing method, apparatus and system, and memory controller

Номер патента: EP3736682A1. Автор: Jing Xia,Hengchao Xin,Yining Li,Zhenxi Tu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

New uses of oxytocin-like molecules and related methods

Номер патента: EP2571511A1. Автор: Françoise ROHNER-JEANRENAUD,Nicolas Deblon. Владелец: UNIVERSITE DE GENEVE. Дата публикации: 2013-03-27.

Treatment of obesity and related conditions

Номер патента: US20220304942A1. Автор: Elizabeth Shephard,Sunil Veeravalli,Jeremy Everett,Dorsa Varshavi. Владелец: University of Greenwich. Дата публикации: 2022-09-29.

Data protection method for memories and memory device thereof

Номер патента: US12118228B2. Автор: Yonggang Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory protection circuitry testing and memory scrubbing using memory built-in self-test

Номер патента: US09984766B1. Автор: Alan Jeremy BECKER,Peter Logan Harrod. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory apparatus, memory system and memory controlling method

Номер патента: US09921779B2. Автор: Masaru Itoh,Yoshitsugu Goto,Osamu Ishibashi,Sadao Miyazaki,Jin Abe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory controlling method and memory system

Номер патента: US09905277B2. Автор: Cheng-Wen Wu,Pei-Wen Luo,Chi-Kang CHEN,Ding-Ming Kwai,Hsiu-Chuan Shih. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-27.

Data processing method and memory controller utilizing the same

Номер патента: US20210248064A1. Автор: Chih-Yen Chen,Yen-Chung Chen,Jiunn-Jong PAN,Wei-Ren Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09837151B2. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09767910B1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory systems and memory programming methods

Номер патента: US09633728B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Production method of microlens array, liquid crystal display device and production method thereof, and projector

Номер патента: US6894840B2. Автор: Hideo Yamanaka,Kikuo Kaise. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Production method of microlens array, liquid crystal display device and production method thereof, and projector

Номер патента: US20050202586A1. Автор: Hideo Yamanaka,Kikuo Kaise. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Device and method for bonding sensor to display panel

Номер патента: US20200257876A1. Автор: Seongmin Kim,Muhyun Kim,Sohyun KIM,Yanghan Son,Sanghoon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Data processing method and system, and related device

Номер патента: EP4332767A1. Автор: Chao Li,Ke He. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3905247A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: US20210249056A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Word line drivers sharing a transistor, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210057008A1. Автор: Tae H Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Data processing method and system, and related device

Номер патента: US20240143397A1. Автор: Chao Li,Ke He. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Data processing method, system and related device

Номер патента: EP4361812A1. Автор: Chao Li,Ke He. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Selectable fuse sets, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20220139492A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240201857A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Po-Cheng Su. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: WO2018187002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory devices and memory control methods with ISP code

Номер патента: US8949504B2. Автор: Chun-Yi Lo,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Selective error correcting code and memory access granularity switching

Номер патента: EP2915045A1. Автор: SHENG Li,Doe Hyun Yoon,Norman Paul Jouppi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-09-09.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170263318A1. Автор: SANAD Bushnaq,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor storage device and production method thereof

Номер патента: US6538927B1. Автор: Hitoshi Nakamura,Kiyokazu Ishige,Kazuhiko Sanada,Kenji Saitou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293005A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory Devices and Memory Control Methods

Номер патента: US20140013063A1. Автор: Chun-Yi Lo,Wei-Lun Yan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory Programming Methods and Memory Systems

Номер патента: US20160118119A1. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20230281114A1. Автор: Sheng-Min Huang,Shih-Ying Song. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method and memory system for legacy hosts

Номер патента: EP1952404A2. Автор: Carlos Gonzalez,Kevin M. Conley,Daniel C. Guterman,Yoram Cedar,Charles Schroter,Milton Lourenco Barrocas. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Memory control apparatus and memory control method

Номер патента: US20120072681A1. Автор: Makoto Fujiwara,Wataru Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-22.

Treatment of obesity and related conditions

Номер патента: WO2021038253A1. Автор: . Владелец: University of Greenwich. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for treating drug-resistant bacterial and other infections with clioquinol, phanquinone, and related compounds

Номер патента: WO2009140215A3. Автор: Michel E. Xilinas. Владелец: Geraghty, Erin. Дата публикации: 2010-03-11.

Stacked memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20120294059A1. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Data processor apparatus and memory interface

Номер патента: US20070011412A1. Автор: Malcolm Stewart,Denny Wong. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240282393A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240290407A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Voltage prediction method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240304259A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Po-Cheng Su,Po-Hao Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240347091A1. Автор: Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory management method, memory storage device and memory controlling circuit unit

Номер патента: US09947417B2. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of accessing memory cells, methods of distributing memory requests, systems, and memory controllers

Номер патента: US09933972B2. Автор: Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device including semi-selectable memory cells

Номер патента: US09911493B2. Автор: Takahiko Sasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device performing hammer refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US09892779B2. Автор: Hui-Kap YANG,Kyu-Chang KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Embedded device and memory management method thereof

Номер патента: US09892055B2. Автор: Chien-Hsing Huang. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US09773551B2. Автор: Adam Johnson,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Xiaonan Chen,Jonathan Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Read leveling method and memory device using the same

Номер патента: US09760478B2. Автор: Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Wei-Chieh Huang,Tzu-Hsiang Su,Tai-Chun Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09760456B2. Автор: Jiann-Mou Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device for multiple processors and memory system having the same

Номер патента: US09740657B2. Автор: Chanho LEE. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory programming methods and memory systems

Номер патента: US09691441B2. Автор: Takafumi Kunihiro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672892B2. Автор: Yu-Ri LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Data access system, memory sharing device, and data reading method

Номер патента: US09594682B2. Автор: Liangwei Mo. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system and memory physical layer interface circuit

Номер патента: US09570130B2. Автор: Shih-Chang Chen,Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Gerchih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Sequentially accessing memory cells in a memory device

Номер патента: US09564234B2. Автор: Kitae Park,Donghun Kwak,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory modules with reduced rank loading and memory systems including same

Номер патента: US09542343B2. Автор: Jung-hwan Choi,In-Dal Song,Jeong-Kyoum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09536586B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US09519582B2. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Process for the production of porous filaments and planar bodies

Номер патента: GB1442884A. Автор: . Владелец: Schwarza Chemiefaser. Дата публикации: 1976-07-14.

Toy clapper device and method of manufacture

Номер патента: US5984761A. Автор: Raymond Kalinowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-11-16.

Straight-line and planar mechanism and machines

Номер патента: AU2022314510A1. Автор: Andrew Knorr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory testing system and memory testing method

Номер патента: US20240161857A1. Автор: Chien Yu Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Fft engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US20210279298A1. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

FFT engine having combined bit-reversal and memory transpose operations

Номер патента: US11734382B2. Автор: Indu Prathapan,Sai Ram Prakash JAYANTHI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20210004175A1. Автор: XIN Wang,Jing Zhang,Qi-Ao Zhu,Kai-Di Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Techniques for coupled host and memory dies

Номер патента: US20240176523A1. Автор: Eiichi Nakano,Brent Keeth,Kunal R. Parekh,James Brian Johnson,Ameen D. Akel,Amy Rae Griffin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Memory device for canceling sneak current

Номер патента: US20210383864A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,Byung Kyu Song. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory operation method and memory device

Номер патента: US20240231640A9. Автор: Hsiang-Yu Huang,Po-Sheng Chou,Yan-Wen WANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Data processor apparatus and memory interface

Номер патента: US20070011411A1. Автор: Malcolm Stewart,Denny Wong. Владелец: MtekVision Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Compositions and methods for improving learning and memory

Номер патента: EP1178835A1. Автор: Joe Z. Tsien. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2002-02-13.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and memory device with in-memory computing

Номер патента: US20240241694A1. Автор: Jaehyuk Lee,Seok Ju Yun,Daekun YOON,Dong-Jin Chang,Soon-Wan KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Data transfer method and memory storage device

Номер патента: US20210294523A1. Автор: Chun-Yang Hu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Pulsed integrator and memory techniques

Номер патента: US20190156887A1. Автор: Hernan A. Castro,Jeremy M. Hirst. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Apparatus and method for managing map data between host and memory system

Номер патента: US12050795B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US20090154304A1. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230282276A1. Автор: Noboru Shibata,Tokumasa Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Page buffer block and memory device including the same

Номер патента: US20240249794A1. Автор: Makoto Hirano,Sangsoo Park,Jaeduk Yu,Jaeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and portable electronic apparatus

Номер патента: US20050002240A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Koji Hamaguchi,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Memory system and memory control method

Номер патента: US10388402B2. Автор: Sang Min Lee,Jae Hyung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory device, operating method of memory device, and memory system

Номер патента: US20240265974A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and memory system

Номер патента: US20200279612A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210311836A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory device and memory writing method

Номер патента: US20200273505A1. Автор: Jui-Jen Wu,Fan-yi Jien,Chengyu Xu,Junhua Zheng. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device and memory writing method

Номер патента: US10770121B1. Автор: Jui-Jen Wu,Fan-yi Jien,Chengyu Xu,Junhua Zheng. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Storage device and operating method of the same

Номер патента: US20220188033A1. Автор: Myunghyun JO,Jeongjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Controller, operating method of the controller and memory system

Номер патента: US20210303176A1. Автор: Hee Chan Shin,Do Hyeong LEE,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US9218312B2. Автор: Byoung-Sul Kim,Hak-Yong Lee,Jun-Ho Jo,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Information memory device and memory medium

Номер патента: US8040712B2. Автор: Takeshi Maeda,Takao Watanabe,Toshimichi Shintani,Yoshitaka Bito,Akemi Hirotsune. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210223989A1. Автор: Hyun Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20190107958A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Electronic system including host, memory controller and memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220171532A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory control system and memory data fetching method

Номер патента: US20090006779A1. Автор: Chi-Chang Lu,Chien-Chou Chen,Bin Feng Hung. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Data protection method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20210397347A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Hsiao-Yi Lin,Yu-Siang Yang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Data reading method, memory storage device, and memory control circuit unit

Номер патента: US12093532B2. Автор: Chih-Hsiang Lee. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory control device and memory control method

Номер патента: US20160054924A1. Автор: Toshiharu Okada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Coordination of cache and memory reservation

Номер патента: US20190243762A1. Автор: Robert Birke,Martin Schmatz,Navaneeth Rameshan,Yiyu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321382A1. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and memory system with sensor

Номер патента: US20150055403A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Storage device, method of operating the same, and memory controller

Номер патента: US20240302993A1. Автор: Tae Ho Lim,Dong Sop LEE,Ie Ryung PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Coordination of cache and memory reservation

Номер патента: US20190243763A1. Автор: Robert Birke,Martin Schmatz,Navaneeth Rameshan,Yiyu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Coordination of cache and memory reservation

Номер патента: US20190018774A1. Автор: Robert Birke,Martin Schmatz,Navaneeth Rameshan,Yiyu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory module, memory device and memory system

Номер патента: US20240331758A1. Автор: Jae Geun YUN,Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240354024A1. Автор: Yen Chen Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Data reading method, memory storage device, and memory control circuit unit

Номер патента: US12124743B2. Автор: Wei Lin,Yu-Siang Yang,An-Cheng Liu,Yu-Heng Liu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12073909B2. Автор: Jinwoo Park,Yoonhee CHOI,Hyunjun Yoon,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and memory controlling method

Номер патента: US09977627B1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09952926B2. Автор: Yu-Hua Hsiao,Heng-Lin Yen. Владелец: Epostar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory management method, memory control circuit unit and memory storage apparatus

Номер патента: US09946476B2. Автор: Jiann-Mou Chen. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Redundancy in microelectronic devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20210202004A1. Автор: Toru Ishikawa,Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Data transmitting method, memory control circuit unit and memory storage device

Номер патента: US09875027B2. Автор: Kok-Yong Tan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09859015B2. Автор: Tae-hyun Kim,Yoon-hee Choi,Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Systems and methods for modeling memory access behavior and memory traffic timing behavior

Номер патента: US09846627B2. Автор: Amro Awad,Yan Solihin,Yipeng Wang. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device, memory module, and memory system

Номер патента: US09805802B2. Автор: Uk-Song KANG,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US09792206B2. Автор: Dawoon Jung,Moosung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device repairable by soft and hard repair operations and memory system including the same

Номер патента: US09786390B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US09785578B2. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory retry-read method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09773565B1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device and memory system having repair unit modification function

Номер патента: US09767922B2. Автор: Chang-Soo Lee,Kwang-Won Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory control device and memory control method

Номер патента: US09754685B2. Автор: Toshiharu Okada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Erasing method and memory device using the same

Номер патента: US09754637B2. Автор: Hsin-Yu Chang,Yuan-Hao Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Chien-Chung Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Decoding method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09715429B1. Автор: Wei Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for writing data, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09690490B2. Автор: Chih-Kang Yeh,Li-Chun Liang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory management method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09665480B2. Автор: Ming-Jen Liang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for data management and memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09652330B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09646664B2. Автор: Young-Ju Kim,Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Read voltage level estimating method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09639419B2. Автор: Wei Lin,Tien-Ching Wang,Kuo-Hsin Lai. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Control methods and memory systems using the same

Номер патента: US09627031B1. Автор: Kai-Hsin CHEN,Shih-Hsiu Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09627025B2. Автор: Jae-il Kim,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09620191B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Computer and memory control method

Номер патента: US09588896B2. Автор: Aritoki Takada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09576665B2. Автор: Hiroshi Sukegawa,Takayuki Akamine,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory modules and memory systems

Номер патента: US09558805B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Hak-soo Yu,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory storage device and memory controller and access method thereof

Номер патента: US09514040B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Shih-Hsien HSU. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and memory system

Номер патента: US09508441B1. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09449673B2. Автор: Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory control method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US12147674B1. Автор: Chih-ling Wang,Kuai Cao,Dong Dong Yao. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory device and memory module having reconfiguration rejecting function

Номер патента: US09412464B2. Автор: Young Duk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20230154505A1. Автор: Moosung Kim,Jin-Young Chun,Minjae Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory cell and memory device thereof

Номер патента: US20240221822A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Improvements in and relating to alarms

Номер патента: EP2382608A1. Автор: Stuart Hart,Peter Brigham. Владелец: SPRUE SAFETY PRODUCTS LTD. Дата публикации: 2011-11-02.

Memory control system and memory control method

Номер патента: US20240220104A1. Автор: Chi-Shao Lai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240233788A9. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Control device and memory system

Номер патента: US20210295891A1. Автор: Yu-Chieh Chen,Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system and memory access interface device thereof

Номер патента: US20240233837A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and memory control method

Номер патента: US20110032781A1. Автор: Chun Shiah,Shi-Huei Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Voltage controlleer and memory device including same

Номер патента: US20210110860A1. Автор: Jaewoo JEONG,Byongmo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Controlling attention and memory by altering neuronal carbonic anhydrase activity

Номер патента: WO2001093744A3. Автор: Wei-Qin Zhao,Miao-Kun Sun,Daniel L Alkon. Владелец: Daniel L Alkon. Дата публикации: 2003-02-06.

Memory repairing method and memory device applying the same

Номер патента: US20160260501A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Data transmission method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20180074751A1. Автор: Di-Hsien Ngu. Владелец: Epostar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Conveyance device and planar conveyance device

Номер патента: US11760575B2. Автор: Kazuo Itoh,Tatsuhiko Nakamura,Hideo Naiki,Kentarou IWASAWA. Владелец: Itoh Denki Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Bi-directional differential low power sense amp and memory system

Номер патента: US20010009526A1. Автор: Michael Ouellette,John Andersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Memory device and method having multiple internal data buses and memory bank interleaving

Номер патента: WO2006091283A3. Автор: Joseph M Jeddeloh. Владелец: Joseph M Jeddeloh. Дата публикации: 2009-04-23.

System and method for initializing a memory system and memory device and processor-based system using same

Номер патента: WO2009009339A1. Автор: A. Kent Porterfield. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Memory device and memory system inclding the same

Номер патента: US20170031594A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

Multiple level program verify in a memory device

Номер патента: EP2427885A1. Автор: Deping He,Taehoon Kim,Jeffrey Alan Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Controller and memory system having the same

Номер патента: US20220165329A1. Автор: Min Kang,Dong Keun Kim,Jun Hyun Chun,Dong Uc KO,Young Su OH,Hyun Ju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Similarity calculation apparatus and method, and memory device

Номер патента: EP4411570A1. Автор: Yi Li,Ling Yang,LONG Cheng,Haibo Tan,Guiyou Pu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Data transmission method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US09933975B1. Автор: Di-Hsien Ngu. Владелец: Epostar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09928917B2. Автор: Hyun-Jin Shin,Ho Young SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory repairing method and memory device applying the same

Номер патента: US09870835B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Refresh control circuit and memory device including same

Номер патента: US09842640B2. Автор: No-Guen JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for imparting environmental stress resistance to plants

Номер патента: US09803213B2. Автор: Kenichi Ogawa,Satoshi Kondo,Chikara Ohto,Kenji Henmi. Владелец: Okayama Prefectural Government. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US09672932B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

6T static random access memory cell, array and memory thereof

Номер патента: US09627040B1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Chien-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Storage control devices and method therefor to invoke address thereof

Номер патента: US09588918B2. Автор: Wei-Guo Zhao. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device, control method, and memory system

Номер патента: US09543033B1. Автор: Koichi Shinohara,Yoshikazu Takeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Image display device and memory management method of the same

Номер патента: US09529931B2. Автор: Chulmin Son. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory devices and memory systems having the same

Номер патента: US09519531B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Effective treatment of tumors and cancer with triciribine and related compounds

Номер патента: US09518079B2. Автор: Said M. Sebti,Jin Q. Cheng. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-12-13.

Data reading method, memory storage device and memory controlling circuit unit

Номер патента: US09507658B2. Автор: Hong-Lipp Ko,Chih-Wei Tsai,Kheng-Joo Tan. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Effective treatment of esophageal adenocarcinoma using triciribine and related compounds

Номер патента: US09457040B2. Автор: Jin Q. Cheng. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory cell verification circuits, memory cell sense circuits and memory cell verification methods

Номер патента: US9799398B2. Автор: Makoto Kitagawa,Kerry Tedrow. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory control method and memory control apparatus

Номер патента: US20170147266A1. Автор: Shi Cong ZHOU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory device and memory system capable of using redundancy memory cells

Номер патента: US11901032B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20190369887A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Sense flags in a memory device

Номер патента: US20180373451A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for pre-allocating memory, the electronic device, and the computer product

Номер патента: EP3819772A1. Автор: Ji Zhou,Haijiao Cai,Xinpeng Feng,Jun PANG. Владелец: NextVPU Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-12.

Memory system and memory managing method thereof

Номер патента: US20130117500A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20180090206A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: WO2024066033A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and memory controller for scalable multi-channel memory access

Номер патента: WO2004029816A3. Автор: Anders Wesslen,Fredrik Dahlgren,Attila Berenyi. Владелец: Attila Berenyi. Дата публикации: 2004-08-12.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: EP4231162A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Memory controller and memory system

Номер патента: US11983436B2. Автор: Jongin Lee,Jaegeun PARK,Sangmuk Hwang,Youngsuk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3964941A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Memory device, operating method thereof, and memory system

Номер патента: US20240112741A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Data processing method and system, and related device

Номер патента: US20240143496A1. Автор: Chao Li,Ke He. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20150170740A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory Systems and Memory Programming Methods

Номер патента: US20160254051A1. Автор: Richard E. Fackenthal,Simone Lombardo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20130272052A1. Автор: Jin-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory device, operating method of the same, and memory system

Номер патента: US20240202361A1. Автор: Jisoo Kim,YongSuk Lee,Myeongjong Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensing circuit and memory using thereof

Номер патента: US10255976B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: US20130107626A1. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: EP2652742A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: WO2012082334A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for operating a memory device and memory device thereof

Номер патента: US20240170086A1. Автор: Chia-Cho Wu,Chi-Yi Shao. Владелец: Pufsecurity Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Read disturb checking method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20230195361A1. Автор: Wei Lin,Chih-Wei Wang,Po-Cheng Su,Shih-Jia Zeng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device and memory system

Номер патента: US20170249210A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Table sorting method, memory storage device, and memory control circuit unit

Номер патента: US20230297232A1. Автор: Jian Hu,Jing Zhang,Chih-ling Wang,Qi-Ao Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Low-leakage row decoder and memory structure incorporating the low-leakage row decoder

Номер патента: US11769545B2. Автор: Shivraj G. Dharne,Vivek Raj,Vinayak R. Ganji. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Improvements in and relating to wire and like devices and their manufacture

Номер патента: AU2023029A. Автор: cf England William Harold Ames. Владелец: WHITECROSS COMPANY Ltd. Дата публикации: 1930-06-03.

METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE THEREBY

Номер патента: US20120187471A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

SWITCHING DEVICE AND RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130026435A1. Автор: Hwang Hyun-Sang,CHUNG Sung-Woong,YI Jae-Yun,Park Ju-Bong,HWANG Yun-Taek. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Annealing technology of NOR flash memory device and NOR flash memory device

Номер патента: CN103094216A. Автор: 王辉,黄兆兴. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Video reproducing device and base band memory device

Номер патента: JPH1023368A. Автор: Tomohisa Shiga,知久 志賀. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-01-23.

Combustion device and condition monitor memory device detachable from the device

Номер патента: JP3234401B2. Автор: 良彦 田中,順裕 土屋,達志 及川. Владелец: 株式会社ガスター. Дата публикации: 2001-12-04.

Method of manufacturing memory device, memory device and phase change memory device

Номер патента: TW200623332A. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HOLE TRANSPORT COMPOSITIONS AND RELATED DEVICES AND METHODS (I)

Номер патента: US20120001127A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in and relating to corrugated board and the manufacture thereof

Номер патента: NZ601724A. Автор: Berlo Patrick Petrus Antonius Maria Van,Jason Paul Rogers. Владелец: Corcel IP Ltd. Дата публикации: 2014-02-28.

Improvements in and relating to Controllers for Electric Motors.

Номер патента: GB189718717A. Автор: Sidney Howe Short. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-05-14.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Combined handheld computer and memory storage for a cutting machine

Номер патента: CA133368S. Автор: . Владелец: Provo Craft and Novelty Inc. Дата публикации: 2010-11-08.

Improvements in and relating to Controllers for Electric Motors and the like.

Номер патента: GB190717361A. Автор: . Владелец: Allgemeine Elektricitaets Gesellschaft. Дата публикации: 1908-06-18.

Improvements in and relating to Methods for Charging and Discharging Accumulators.

Номер патента: GB189905100A. Автор: Vivian Bolton Douglas Cooper,Eustace Ridley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-03-08.

Text to speech device and method

Номер патента: RU2425330C2. Автор: Свен ЮРГЕНС,Рори ДЖОУНС. Владелец: Томтом Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2011-07-27.

Improvements in and relating to Submarine Boats.

Номер патента: GB189920867A. Автор: Christian Horrebow Homan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-11-18.

Improvements in and relating to Dynamo Electric Machines.

Номер патента: GB190800661A. Автор: Ernst Fredrik Wer Alexanderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-10-29.

Improvements in and relating to Telegraph and like Cables.

Номер патента: GB190327265A. Автор: Oliver Joseph Lodge,Alexander Robertson Hardie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-03-11.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in and relating to Vapour Electric Apparatus.

Номер патента: GB190601116A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1906-12-13.

Improvements in and relating to Controlling Devices for Electric Circuits

Номер патента: GB190718022A. Автор: . Владелец: British Thomson Houston Co Ltd. Дата публикации: 1908-07-16.

Improvements in and relating to Transformers and Controlling Apparatus therefor

Номер патента: GB190716618A. Автор: . Владелец: Allgemeine Elektricitaets Gesellschaft. Дата публикации: 1908-01-09.