• Главная
  • PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME

PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180130805A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160343714A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09419131B2. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Kwan-Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023312A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210050355A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US20230320081A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with peripheral gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240130102A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with nanowire capacitor plugs and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091088A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008262A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230095446A1. Автор: Yoon Jae Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US9236327B2. Автор: Heung-Jae Cho,Bong-Seok Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US20140110781A1. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9472495B2. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472495B2. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US20230055073A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device having a memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09704871B2. Автор: NAN Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and photoelectric conversion device and scanner using the same

Номер патента: US20060261413A1. Автор: Toshimitsu Tamagawa,Nobuyuki Yamada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-11-23.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160172419A1. Автор: Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US11929289B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having a through electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: US10269683B2. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20240170340A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180308884A1. Автор: Fumitoshi Takahashi,Yotaro Goto,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09842878B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09685474B2. Автор: Takashi Terada,Shinya Hori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230008401A1. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device, equipment, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4117031A3. Автор: Takuya Hara,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6806539B2. Автор: Hitoshi Aoki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-10-19.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US9793173B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Composite wafer semiconductor devices using offset via arrangements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09780136B2. Автор: Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US09871000B2. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor crystal plate and its manufacturing method and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1260804C. Автор: 江头克. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor device with thin-film transistors and method of fabricating the same

Номер патента: TWI338372B. Автор: Okumura Hiroshi,SHIOTA Kunihiro. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130264574A1. Автор: Kimura Hajime,Shionoiri Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and photoelectric conversion device and scanner using the same

Номер патента: TW200705973A. Автор: Toshimitsu Tamagawa,Nobuyuki Yamada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device having photodetector and optical pickup system using the same

Номер патента: TW461119B. Автор: Chihiro Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-21.

Thin film semiconductor device manufacturing method and thin film semiconductor device

Номер патента: JPWO2013118233A1. Автор: 西田 健一郎,健一郎 西田,有宣 鐘ヶ江. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having a buried region with higher impurity concentration

Номер патента: US6146957A. Автор: Youichi Yamasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-11-14.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with impurity-doped region and method of fabricating the same

Номер патента: US09559101B2. Автор: Hidenobu Fukutome. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US09379117B2. Автор: Heung-Jae Cho,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device with u-shaped channel and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11817480B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device including a capacitor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070210409A1. Автор: Seok Jun Won,Jung-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, integrated circuit, and multi-valued logic device including the same

Номер патента: US20230335557A1. Автор: Sungil Park,Jaehyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with porous dielectric structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234033A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11923416B2. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200335584A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190259839A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10741643B2. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

3d semiconductor device with 2d semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20230187280A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240213320A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20190051647A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Maximilian Treiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371630A1. Автор: Wei-Ting YEH,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09954120B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130161753A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11810970B2. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20140319618A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hirofumi Shinohara,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220254908A1. Автор: Tatsuo Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20160268445A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20170323983A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160013051A1. Автор: Yizhi Zeng,Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9755086B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20230402445A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437697B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150340453A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US11798879B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210257292A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093795A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978795B2. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966300B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553041B1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Jon Hiner,Michael G. Kelly,Won Chul Do. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09396971B2. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device including process monitoring pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110187001A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same

Номер патента: US09614094B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor Device with Partial EMI Shielding and Method of Making the Same

Номер патента: US20210335724A1. Автор: SungWon Cho,Changoh Kim,KyoWang Koo,KyoungHee Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device having field plate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140179094A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Shigeki Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device with peripheral void space and method of making the same

Номер патента: US9865680B2. Автор: Takuya Yamaguchi,Hideki Okumura,Sadayuki Jimbo,Masanobu Tsuchitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Method and Layout of Semiconductor Device with Reduced Parasitics

Номер патента: US20110294273A1. Автор: Qiang Chen,Albert Birner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12106904B2. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640550B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09553159B2. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472567B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US09443858B2. Автор: Tae-Yoon Kim,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park,Ju-Hyun Myung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having three-dimensional construction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070066052A1. Автор: Takaaki Aoki,Eiji Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor doping method and an intermediate semiconductor device

Номер патента: WO2022090629A1. Автор: Katja Väyrynen,Emma SALMI,Erik ÖSTRENG. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor doping method and an intermediate semiconductor device

Номер патента: EP4237594A1. Автор: Katja Väyrynen,Emma SALMI,Erik ÖSTRENG. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor device having multilayer wiring structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20110049513A1. Автор: Hideatsu Yamanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device having a bump structure and method for manufacturing the same

Номер патента: SG10201803483RA. Автор: Lee Chun-Te,Liu Ming-Sheng. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device a burried wiring structure and process for fabricating the same

Номер патента: US6395627B1. Автор: Takeshi Nogami,Kazuhiro Hoshino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-28.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058559A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200312720A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935939B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395455A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20130168746A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device having an air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US11791390B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device comprising 3d channel region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190319106A1. Автор: Yong-Keon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20150187606A1. Автор: Yukihiro Sato,Nobuya Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395461A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088113A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with test-only contacts and method for making the same

Номер патента: US5334857A. Автор: James W. Sloan,Timothy J. Mennitt,John P. Warren. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method of operating the same

Номер патента: US20120119289A1. Автор: Daeik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device including heat insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301208A1. Автор: Won Tae KOO,Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure with fine patterns and method for forming the same

Номер патента: US20210280425A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device with resistor and fuse and method of manufacturing the same

Номер патента: US7847370B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device having funnel-shaped interconnect and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047352A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with embedded storage structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11832441B2. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030132A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157712A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220093490A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278025A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20070075414A1. Автор: Takashi Miwa,Yasumi Tsutsumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20060220221A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220084967A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device with composite connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305182A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with recessed pad layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11329028B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157713A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with composite barrier structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230317514A1. Автор: Wei-Chen Pan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US11823992B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945598A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US11791422B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with horizontally arranged capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220406706A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008264A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with heat dissipation unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220238487A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20110269268A1. Автор: Hiroshi Ono,Tamaki Wada,Naoki Kawanabe,Nobuyasu MUTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11728299B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11776904B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220051937A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with through semiconductor via and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310580A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US12002772B2. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device with a programmable contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210611A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device with crack-detecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210151387A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device with composite dielectric structure and method for forming the same

Номер патента: US20210296276A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059673A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20100163974A1. Автор: Seung-Chul Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device having buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242211A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device with a liner layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203787A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with stress-relieving structures and method for fabricating the same

Номер патента: US20220028776A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device with one-side-contact and method for fabricating the same

Номер патента: US9728638B2. Автор: Jin-Ku Lee,Young-Ho Lee,Mi-Ri Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having vertical pillar transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US8202781B2. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-19.

Semiconductor device comprising a MOS transistor and method of making the same

Номер патента: EP1515371A3. Автор: Qiang Chen,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-03-26.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282518A1. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935792B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having wire bonding connection and method for manufacturing the same

Номер патента: US9941236B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170005109A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090321896A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device including multi-capping layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230080862A1. Автор: Jongmin Lee,Jimin CHOI,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160056258A1. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220189847A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7838888B2. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Semiconductor device including buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11943912B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US11227868B2. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US20130292792A1. Автор: Ki-Ro Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US8153495B2. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device with super junction structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20130193508A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20200212054A1. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US8643096B2. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11948857B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and array layout thereof and package structure comprising the same

Номер патента: US11825653B2. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7919843B2. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US20060006387A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and ltps-tft within and method of making the same

Номер патента: US20090061570A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220351903A1. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543439B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09496232B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US20150279987A1. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

A semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: EP3392912A3. Автор: Takashi Hashimoto,Shinichiro Abe,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-31.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170033074A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213319A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thyristor semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US12034046B2. Автор: Nicolas Guitard. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20170179142A1. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09978760B2. Автор: YIYING Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09929120B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09825133B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Fabrication method and structure of semiconductor device

Номер патента: US20230369051A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method and forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: EP1766670A2. Автор: Anthony K. Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Method and Apparatus for Semiconductor Device Fabrication Using a Reconstituted Wafer

Номер патента: US20140335654A1. Автор: Hans-Joachim Barth,Matthias Hierlemann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Field effect semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US5034791A. Автор: Shuichi Kameyama,Atsushi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20060194398A1. Автор: Amane Oishi,Taiki Komoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20120061758A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20050012172A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: Kohji Kanamori. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US5926694A. Автор: Kenji Matsuda,Ippei Fujiyama,Yasuhide Chigawa. Владелец: PFU Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US9831318B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210384107A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20170345925A1. Автор: Toshiyuki Syo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20200020610A1. Автор: Hyo Ju Kim,Kyeong bin LIM,Sung Hyup Kim,Ho Chang LEE,Jeong Min NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US11915989B2. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20220238405A1. Автор: Giovanni Graziosi,Riccardo VILLA,Aurora SANNA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213368A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11948884B2. Автор: Chen Ying Chieh,Lin TZU HSIANG,Chen CHIH HAO,Wu WEI CHE. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method and structure for FinFET isolation

Номер патента: US09490176B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device comprising a switch

Номер патента: US20180211882A1. Автор: Thomas Francois,Olivier Tesson. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-07-26.

LC element manufacturing method

Номер патента: US5846845A. Автор: Takeshi Ikeda,Akira Okamoto,Tsutomu Nakanishi. Владелец: TIF Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device including interconnection and capacitor, and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200419778A. Автор: Takeshi Matsunuma. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

Semiconductor device for current control and control device using the same

Номер патента: JP5367651B2. Автор: 信康 金川,鉄平 広津,至 田辺. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2013-12-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472466B2. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150140749A1. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887935B2. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4102557A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Manufacturing method of display device

Номер патента: US20230268356A1. Автор: Jong-Hyun Choung,Woo Jin Cho,Yong-Hwan Ryu,Jae Uoon KIM,Sun-jin SONG,Hyun Duck CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12075610B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing method and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09418840B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US20140175438A1. Автор: Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Suzunosuke Hiraishi,Hiroshi Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Etching equipment for semiconductor device manufacturing and etching method using the same

Номер патента: KR100508749B1. Автор: 곽규환,조성동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US20110221052A1. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing of the same

Номер патента: US8110904B2. Автор: Takahiro Fukunaga,Yasuko Imanishi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device including through vias with different widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230298937A1. Автор: Jin Woong Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060157715A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070075383A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20030203561A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Dual-gate CMOS semiconductor device and dual-gate CMOS semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020027252A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230155036A1. Автор: Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Shun-Neng WANG,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4383340A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240304720A1. Автор: MEI Yuan,Liang Song,Qiang Zhang,Lin Luo,Yanan Wang,Yongshun LI,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device manufacturing method including doping from a diffused layer

Номер патента: US10573752B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530858B2. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09773874B2. Автор: Yutaka Fukui,Nobuo Fujiwara,Yasuhiro Kagawa,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220115509A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device with gate recess and methods of forming the same

Номер патента: US20240306360A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355936A1. Автор: Boon Keat Toh,Chi REN,Chih-Hsin Chang,Szu Han Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device comprising a switch

Номер патента: US09721844B2. Автор: Olivier Tesson,Hamza Nijjari. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device with delamination reduction mechanism and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240282733A1. Автор: Jungbae Lee,Bong Woo Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device with modified current distribution

Номер патента: US09559086B2. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Shizhong Mei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09455225B2. Автор: Kiyotada Funane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140203441A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device and manufacturing mehod thereof

Номер патента: US20190088502A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Ko-Po Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Trench filling method and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP5977002B2. Автор: 将久 渡邊. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Semiconductor chip, semiconductor wafer and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN1518105A. Автор: ����һ,原一巳. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-08-04.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230215815A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230230936A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12027495B2. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW586156B. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-01.

A semiconductor device and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW201613089A. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-04-01.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: TW200723473A. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: High Power Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2007-06-16.

Semiconductor doping method and an intermediate semiconductor device

Номер патента: US20230411153A1. Автор: Katja Väyrynen,Emma SALMI,Erik ÖSTRENG. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device a burried wiring structure and process for fabricating the same

Номер патента: TW469587B. Автор: Takeshi Nogami,Kazuhiro Hoshino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-21.

Semiconductor device free of bonding wire and method for encapsulating the same

Номер патента: TW529145B. Автор: You-Ren Li,Feng-Tzuo Jian,Gau-Wei Tu,Jeng-Huei Dung. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2003-04-21.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: TW201115689A. Автор: Yun-Seok Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-01.

Semiconductor device package structure with multi-chips and method of the same

Номер патента: TW200939448A. Автор: Wen-Kun Yang,Diann-Fang Lin. Владелец: Advanced Chip Eng Tech Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379857A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of making a semiconductor device with changeable interconnection

Номер патента: US6069076A. Автор: Yasuji Takahashi. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20230343754A1. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Tape carrier package semiconductor device and liquid crystal panel display device using the same

Номер патента: JP3442978B2. Автор: 健司 豊沢. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-02.

Tape carrier package semiconductor device and liquid crystal panel display device using the same

Номер патента: JPH11121682A. Автор: Kenji Toyosawa,健司 豊沢. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-04-30.

Multilayer wiring board manufacturing method and resin-encapsulated semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4043872B2. Автор: 悟 倉持. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-02-06.

Contact structure forming method, contact structure and semiconductor device

Номер патента: CN115700902A. Автор: 黄鑫,王士欣. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

Lead frame and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP7145414B2. Автор: 一範 大内,昌博 永田. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2022-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11804535B2. Автор: Jong Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device with bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166939A1. Автор: Bong-GiI Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof, and semiconductor wafer

Номер патента: TW200423315A. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190088602A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Mitsunori Fukura,Takahisa Ogawa. Владелец: TowerJazz Panasonic Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Method and forming a semiconductor device having air gaps and the structure so formed

Номер патента: EP1766670A4. Автор: Anthony K Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-02.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US09945902B2. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20160005624A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20150017804A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Oxide semiconductor device including insulating layer and display apparatus using the same

Номер патента: EP2195849A1. Автор: Hisato Yabuta,Tomohiro Watanabe,Ryo Hayashi,Ayumu Sato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090227079A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Cell region layout of semiconductor device and method of manufacturing contact pad using the same

Номер патента: KR100752644B1. Автор: 백철호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-29.

Chip stage integrated radio frequency passive device, manufacturing method thereof and system comprising the same

Номер патента: CN101336477A. Автор: B·徐,X·曾,何江奇. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-31.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074685A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11588025B2. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220045179A1. Автор: Jia Ren,Fulong Qiao,Pengkai Xu. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230133883A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09991082B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US09715987B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Battery management device and method using non-destructive resistance analysis

Номер патента: EP3872509A1. Автор: Young-Deok Kim,Dae-Soo Kim,Su-Won JEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Battery management apparatus and method using non-destructive resistance analysis

Номер патента: US11955828B2. Автор: Young-Deok Kim,Dae-Soo Kim,Su-Won JEE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Battery equalization method and system

Номер патента: EP3706051A1. Автор: Xiang Ma,Yingying Wu,Jianwen Lai,Ronghua LU. Владелец: NIO Nextev Ltd. Дата публикации: 2020-09-09.

Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same

Номер патента: EP0418819A3. Автор: Tatsuya Yamazaki,Hitoshi Inoue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-11-13.

Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same

Номер патента: EP0418819A2. Автор: Tatsuya Yamazaki,Hitoshi Inoue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-03-27.

Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same

Номер патента: EP0418819B1. Автор: Tatsuya Yamazaki,Hitoshi Inoue. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-09-03.

Pattern forming apparatus and method, and method of manufacturing substrate formed with pattern

Номер патента: WO2013031994A1. Автор: Jun Kodama. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-03-07.

Method and system for information processing for receiving place information and recording medium for the same

Номер патента: US09515898B2. Автор: Jun Ho Jang,Tae hyung Park. Владелец: InfoBank Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with improved overlay margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100203705A1. Автор: JOON-SOO PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Method and electronic apparatus for generating time-lapse video and recording medium using the method

Номер патента: US09734872B2. Автор: Kuan-Wei Li. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Communication monitoring method and apparatus of semiconductor devices

Номер патента: US20050265242A1. Автор: Hsuan-Hsuan Wu,Tsang-Nan Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US11950409B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including resistance changing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871684B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device with peripheral gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240130103A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and system for distribution of wireless signals for increased wireless coverage using the power lines

Номер патента: CA2345003C. Автор: Scott R. Bullock,John M. Knab. Владелец: Phonex Corp. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Level shifter and level shifting method and semiconductor device including the same

Номер патента: US11646736B2. Автор: Nam Hee Lee,Jung-ho Song,Ho Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-09.

Level shifter and level shifting method and semiconductor device including the same

Номер патента: US20220182056A1. Автор: Nam Hee Lee,Jung-ho Song,Ho Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Method and system for sharing location information and recording medium using the same

Номер патента: US20150106749A1. Автор: John C. Wang,Yu-Cheng Lee. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Method and system for sharing location information and recording medium using the same

Номер патента: US09705688B2. Автор: John C. Wang,Yu-Cheng Lee. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Communication apparatus, method of controlling the same, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US09742897B2. Автор: Tomoya Sakai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

PATTERN FORMING APPARATUS AND METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FORMED WITH PATTERN

Номер патента: US20140178566A1. Автор: KODAMA Jun. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2014-06-26.

Method and terminal for handling channel state information

Номер патента: US09763129B2. Автор: Yongxing Zhou,Liang Xia,Xiaotao Ren. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and system for providing automated self-healing virtual assets

Номер патента: EP3175581A1. Автор: Luis Felipe Cabrera,M. Shannon Lietz. Владелец: Intuit Inc. Дата публикации: 2017-06-07.

Method and apparatus for managing content across applications

Номер патента: EP3566135A1. Автор: Sumit Kumar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-13.

Method and system for providing automated self-healing virtual assets

Номер патента: WO2016018849A1. Автор: Luis Felipe Cabrera,M. Shannon Lietz. Владелец: INTUIT INC.. Дата публикации: 2016-02-04.

Method and system for providing automated self-healing virtual assets

Номер патента: CA2955067C. Автор: Luis Felipe Cabrera,M. Shannon Lietz. Владелец: Intuit Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Methods and systems for radio frequency signature generation and position estimation

Номер патента: US12108361B2. Автор: Vinayak Kumar Thotton Veettil. Владелец: Charter Communications Operating LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods and apparatus for subscription management in dual sim single standby devices

Номер патента: WO2013134386A1. Автор: Jose Alfredo RUVALCABA,Younghwan KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-12.

Methods and apparatus for subscription management in dual sim single standby devices

Номер патента: EP2823680A1. Автор: Jose Alfredo RUVALCABA,Younghwan KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Method and system for providing connectivity between clients connected to the internet

Номер патента: EP2248324A1. Автор: Carsten Rhod Gregersen. Владелец: Nabto Aps. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor device, and inverter, converter and power conversion device employing the same

Номер патента: US09755498B2. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Shuji WAKAIKI. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fail recovery method and internet of things system and charging system using the same

Номер патента: US20170063605A1. Автор: Wei-Cheng Liu,Fu-Chiung Cheng,Tai-Jee Pan. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory cell and semiconductor component as well as manufacturing methods therefore

Номер патента: US20030099131A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Methods and systems for dynamic partition management of shared-interconnect partitions and articles of the same

Номер патента: TWI267001B. Автор: Doddaballapur Jayasimha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-11-21.

System construction of semiconductor devices and liquid crystal display device module using the same

Номер патента: TW501092B. Автор: Shigeki Tamai,Nobuhisa Sakaguchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2002-09-01.

Differential amplifier, semiconductor device, power supply circuit, and electronic equipment using the same

Номер патента: JP3475903B2. Автор: 雅彦 土屋. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-12-10.

Differential amplifier, semiconductor device, power supply circuit and electronic equipment using the same

Номер патента: EP1150423A3. Автор: Masahiko Tsuchiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-06-26.

Measuring apparatus, measuring method, and ion-sensitive semiconductor device

Номер патента: US20230097075A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Apparatus, methods and systems for low energy processing of consumer personal hygiene products; formulations of the same

Номер патента: US20200375877A1. Автор: Colm MACKIN. Владелец: Act and Acre Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Apparatus, methods and systems for low energy processing of consumer personal hygiene products; formulations of the same

Номер патента: EP3755301A1. Автор: Colm MACKIN. Владелец: Act and Acre Inc. Дата публикации: 2020-12-30.

Apparatus, methods and systems for low energy processing of consumer personal hygiene products; formulations of the same

Номер патента: US20220370336A1. Автор: Colm MACKIN. Владелец: Act and Acre Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US8374044B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor device having multi-level cell and method of reading the same

Номер патента: US09548125B2. Автор: Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices of optical neural network and methods of forming the same

Номер патента: US20230409894A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and apparatus for thermal performance monitoring of a nuclear power plant using the ncv method

Номер патента: WO2023049141A9. Автор: Fred Donald Lang. Владелец: Lang Fred Donald. Дата публикации: 2023-04-27.

Method and apparatus for thermal performance monitoring of a nuclear power plant using the ncv method

Номер патента: WO2023049141A2. Автор: Fred Donald Lang. Владелец: Lang Fred Donald. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and apparatus for providing a context resource description language and framework for supporting the same

Номер патента: US20110126267A1. Автор: Sailesh Kumar Sathish. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device with temporary memory chip and method for driving the same

Номер патента: US10394465B2. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US09576627B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods and compositions for producing donor cells, as well as tissues and organs comprising the same

Номер патента: US20030115623A1. Автор: Hal Sternberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor device for performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20230409214A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Brassiere cup structure, manufacturing method thereof and underwear containing the same

Номер патента: US12070085B2. Автор: Zhenqiang Liu. Владелец: Regina Miracle International Group Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US20130058180A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Method and apparatus for providing a context resource description language and framework for supporting the same

Номер патента: EP2504778A1. Автор: Sailesh Kumar Sathish. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2012-10-03.

Improved brassiere cup structure, manufacturing method thereof and underwear containing the same

Номер патента: US20240108082A1. Автор: Zhenqiang Liu. Владелец: Regina Miracle International Group Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and apparatus for thermal performance monitoring of a nuclear power plant using the ncv method

Номер патента: WO2023049141A3. Автор: Fred Donald Lang. Владелец: Lang Fred Donald. Дата публикации: 2023-10-19.

Temperature control method and apparatus and test method and apparatus of semiconductor devices

Номер патента: US20070296434A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Morimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Physical multi-impact liquid-state energy water, manufacturing method thereof and device applying the same

Номер патента: US20180235999A1. Автор: Li-Tu WANG,Yu-Tang Shu. Владелец: Klean Energy Corp Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Jig for bite alignment in dentistry and bite registration method using the same

Номер патента: US09480542B2. Автор: Yuji Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Pattern forming method and pattern forming apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method

Номер патента: JP5182558B2. Автор: 祐一 柴崎. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-04-17.

Method and apparatus for precisely detecting surface position of a patterned wafer

Номер патента: US5118957A. Автор: Akiyoshi Suzuki,Haruna Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1992-06-02.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Method and device for monitoring ophthalmic lens manufacturing conditions

Номер патента: US09897824B2. Автор: Randall B. Pugh. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Voltage supplying device, and semiconductor device, electro-optical device and electronic instrument using the same

Номер патента: US6888526B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Solution mining method and system

Номер патента: RU2472927C2. Автор: Уилльям М. БИШОП. Владелец: Пиннэкл Поташ Интернешнл, Лтд.. Дата публикации: 2013-01-20.

Systems, methods, and devices for registering and tracking organs during interventional procedures

Номер патента: US11766298B2. Автор: Neil Glossop. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods and apparatus for processing molten materials

Номер патента: US09789545B2. Автор: Richard L. Kennedy. Владелец: ATI Properties LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and systems for flexible and scalable databases

Номер патента: US09477974B2. Автор: Ian Klein,David Witten. Владелец: Amdocs Software Systems Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods and apparatuses for bottleneck stages in neural-network processing

Номер патента: WO2022078601A1. Автор: Sven Karlsson,Anders Berkeman. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2022-04-21.

Method and system for adjusting quality index and providing advertisement using adjusted quality index

Номер патента: US20090063278A1. Автор: Jong Ho Park,Ki Ho Song. Владелец: NHN Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Methods and systems for treating cell proliferation related disorders

Номер патента: US09682146B2. Автор: Frederic A. Bourke, Jr.. Владелец: Immunolight LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Control method and device of ice making device as well as refrigerator

Номер патента: US20240247861A1. Автор: Bin Fei,Bintang ZHAO. Владелец: Qingdao Haier Refrigerator Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for laminating fiber tow and manufacturing method of product using the same

Номер патента: US10173376B2. Автор: Min Soo Kim,Jun Hyoung KIM,Sang Sun Park. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2019-01-08.

Method and device for production of a construction of foundation and the use of the same

Номер патента: WO1995004195A1. Автор: Lennart Lindstrom. Владелец: Lindstroem Lennart. Дата публикации: 1995-02-09.

Method and apparatus for enabling access to two contiguous addresses in units of a memory segment simultaneously

Номер патента: US5761693A. Автор: Myung-Sik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-02.

Method and apparatus for measurement of particle characteristics using light scattering and optical imaging

Номер патента: US09897524B1. Автор: Michael Trainer,Jason LaForest. Владелец: Microtrac Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Detection apparatus and method, pattern forming apparatus, acquisition method, and manufacturing method

Номер патента: CN108681209B. Автор: 藤嶋浩史. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-01-01.

Probe card for testing semiconductor devices, Tester and Chip inspection method using the same

Номер патента: KR100977060B1. Автор: 김동권. Владелец: 주식회사 루셈. Дата публикации: 2010-08-19.

Gas exhaust system and semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing thin film using the same

Номер патента: TW200710928A. Автор: Keun-Oh Park. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-16.

Non-incisional dental implant surgical method using guide pin

Номер патента: US11759289B2. Автор: Young Keun Hyun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180265352A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10351421B2. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Die Casting Mold and Die Casting Method using the the Same

Номер патента: KR101921508B1. Автор: 박영훈. Владелец: 박영훈. Дата публикации: 2018-11-23.

Optical measurement method and system and optical device manufacturing system

Номер патента: US11841288B2. Автор: Shunyi TAN. Владелец: Shanghai Intelight Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

INK COMPOSITION, WINDOW USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD OF WINDOW USING THE SAME

Номер патента: US20200347250A1. Автор: CHOI Ji Won,KIM Dongho,LEE Dongwoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Beam for gantry used in device manufacturing flat display panel and, dispenser with the same

Номер патента: KR101029783B1. Автор: 김동영. Владелец: 주식회사 탑 엔지니어링. Дата публикации: 2011-04-19.

Ink composition, window using the same, and manufacturing method of window using the same

Номер патента: US20230235188A1. Автор: Dongho Kim,Ji Won Choi,Dongwoon LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE CARRIER AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE SAME

Номер патента: US20120058604A1. Автор: . Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Pattern forming method, exposure apparatus, and semiconductor device

Номер патента: JP3493094B2. Автор: 杉 哲 郎 中. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Resist pattern forming condition determining method and resist pattern forming method

Номер патента: JP3058541B2. Автор: 英雄 小林,康範 横矢. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Pattern forming method and production of semiconductor device

Номер патента: JPH11109627A. Автор: Hiroko Tsuchiya,Koji Hattori,孝司 服部,Hiroshi Shiraishi,洋 白石,裕子 土屋. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-04-23.

Pattern forming method and production of semiconductor device

Номер патента: JPH1184683A. Автор: Takahiro Matsuo,隆弘 松尾. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-03-26.

Resist pattern forming method and production of semiconductor device

Номер патента: JPH1055070A. Автор: Toshio Ito,敏雄 伊東,Yoshikazu Sakata,美和 坂田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-24.

Cleaning solution for semiconductor devices and contact hole cleaning method using the same

Номер патента: KR19980065998A. Автор: 박정훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-10-15.

Semiconductor device haivng a metal gate and method of forming the same

Номер патента: TW201118951A. Автор: Chien-Chung Huang,Yi-Wei Chen,Chin-Fu Lin,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-01.

Method to form semiconductor device contact and method to form Ohmic contact on the same

Номер патента: TW517338B. Автор: Brian S Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-01-11.

Semiconductor substrate cleaning method and manufacture of semiconductor device using the same

Номер патента: JPH1187290A. Автор: Katsuhiro Ota,勝啓 太田,Koji Hara,浩二 原. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-30.

Substrate processing apparatus and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP4949686B2. Автор: 智佳子 松長. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-06-13.

MIM capacitor and its manufacturing method, and semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: JP3324946B2. Автор: 信之 松本. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

Method and apparatus for modulating semiconductor laser or the like, and system using the same

Номер патента: CA2025549A1. Автор: Hitoshi Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-03-20.

METHODS OF FABRICATING A STORAGE NODE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF FABRICATING A CAPACITOR USING THE SAME

Номер патента: US20120208340A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-08-16.