PATTERN FORMING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
Номер патента: US20170243871A1
Опубликовано: 24-08-2017
Автор(ы): CHUN Jae-Houb, LIM Jeong-Sub
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-08-2017
Автор(ы): CHUN Jae-Houb, LIM Jeong-Sub
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same
Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.