Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor device and its fabrication method

Номер патента: KR100200890B1
Опубликовано: 15-06-1999
Автор(ы): 토시유끼 오아시
Принадлежит: 다니구찌 이찌로오; 기타오카 다카시, 미쓰비시 덴키 가부시키가이샤
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09991394B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device

Номер патента: US09847406B2. Автор: Masami Endo,Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device, display device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09755036B2. Автор: Tadayoshi Miyamoto,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for its fabrication

Номер патента: US5898188A. Автор: Hideomi Suzawa,Satoshi Teramoto,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor device with split gate memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20100041194A1. Автор: Wen-Ting Chu,Yue-Der Chih,Shine Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US12087862B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09859444B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US09614099B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Masaki Atsuta,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Sensor including TFT device and photodiode sensing device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490279B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793415B2. Автор: Junghyun Kim,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09437749B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150011048A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tamae Moriwaka,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device with STI and its manufacture

Номер патента: US20030173641A1. Автор: Hiroyuki Ohta,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device including a recessed insulation region and fabrication method thereof

Номер патента: US10411115B2. Автор: Lei Fang,Dae-Sub Jung,Guang Li YANG,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor Device and Method for Its Fabrication

Номер патента: KR100736400B1. Автор: 야마자키순페이,아라이야스유키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2007-07-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09537014B2. Автор: Kosei Noda,Tetsuhiro Tanaka,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09590097B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US10453968B2. Автор: Hai Yang Zhang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080061327A1. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US09583613B2. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film semiconductor device, fabrication method thereof, electronic device and its fabrication method

Номер патента: US5834827A. Автор: Satoshi Inoue,Takashi Nakazawa,Mitsutoshi Miyasaka,Yojiro Matsueda,Satoshi Takenaka,Minoru Matsuo,Kiyofumi Kitawada,Seiichiro Higashi,Tokuroh Ozawa,Hiroyuki Ohshima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-11-10.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09911757B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with three or four-terminal-FinFET

Номер патента: US09570468B2. Автор: Wayne BAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761736B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Epitaxial blocking layer for multi-gate devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240266167A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583634B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09520473B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US09666671B2. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with self-protecting fuse and method of fabricating the same

Номер патента: US20150255394A1. Автор: Kang-Min Kuo,Bor-Zen Tien,Chin-Chia Chang,Che-Chia Hsu,Ying-Chieh Liao,Gwo-Chyuan Kuoh,Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20240014218A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Kiyofumi Ogino,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Isolation body for semiconductor devices and method to form the same

Номер патента: US20070132034A1. Автор: Mark Bohr,Sunit Tyagi,Giuseppe Curello,Hemant Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: TW201232669A. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

MOS semiconductor device and methods for its fabrication

Номер патента: TW201243961A. Автор: Suresh Venkatesan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US20150333177A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device having stress and its manufacture method

Номер патента: US7262472B2. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ENCAPSULATED STRESSOR REGIONS AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20130187209A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED FLOATING BODY EFFECTS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20210210605A1. Автор: Xing Su,YAO HAI BIAO. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED FLOATING BODY EFFECTS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200194555A1. Автор: Xing Su,YAO HAI BIAO. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device with composite drift region and related fabrication method

Номер патента: US20150333177A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device having a recessed gate electrode and fabrication method thereof

Номер патента: KR100689840B1. Автор: 이상현,하대원,이공수,이성삼,심민영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-08.

A semiconductor device having single crystal ferroelectric film and fabrication method of the same

Номер патента: KR100219522B1. Автор: 강상범. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor devices having faceted silicide contacts, and related fabrication methods

Номер патента: US7994014B2. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael J. Hargrove. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor devices having faceted silicide contacts, and related fabrication methods

Номер патента: CN102177573A. Автор: 法兰克·斌·杨,罗希特·波尔,迈克尔·哈格罗夫. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor device having a flash memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US6803276B2. Автор: Dong-Jun Kim,Jin-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Min-Soo Cho,Eui-Youl Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor device for high-k gate dielectrics and fabrication method thereof

Номер патента: TWI278039B. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-04-01.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US7378713B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-27.

Semiconductor devices having encapsulated isolation regions and related fabrication methods

Номер патента: TWI469255B. Автор: Ricardo P Mikalo,Frank W Wirbeleit. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2015-01-11.

Memory device and methods for its fabrication

Номер патента: US7432156B1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Kuo-Tung Chang,Meng Ding,Chungho Lee,Ashot Melik-Martirosian,Amol Joshi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-10-07.

Monolithically-Integrated New Dual Surge Protective Device and Its Fabrication Method

Номер патента: US20120175704A1. Автор: Yanfeng JIANG. Владелец: NORTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-07-12.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240203986A1. Автор: LAN Yao,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US09553187B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09954066B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09536878B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200075603A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12107013B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490242B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Devices and methods of forming higher tunability FinFET varactor

Номер патента: US09437713B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11776852B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200105608A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966434B2. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722030B1. Автор: Yi-Wei Chen,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,Shi-You Liu,Ming-Shiou Hsieh,Rong-Sin Lin,I-Cheng Hu,Han-Ting Yen,Chun-Yao Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Thin film transistor memory and its fabricating method

Номер патента: US20130264632A1. Автор: Sun Chen,Wei Zhang,Pengfei Wang,Shijin Ding,Xingmei Cui. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437709B2. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09741824B2. Автор: Huojin Tu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and its maunfacturing method

Номер патента: US20040159885A1. Автор: Tatsuo Yoneda,Takahiro Kawano,Hirobumi Matsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and a fabrication method thereof

Номер патента: US09847403B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09722016B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09362402B2. Автор: Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326441A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11069821B2. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

A semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180145182A1. Автор: Guo Bin Yu,Xiao Ping Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09673313B2. Автор: Atsushi Tanaka,Noriyuki Iwamuro,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09472668B2. Автор: Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Support shield structures for trenched semiconductor devices

Номер патента: WO2023183215A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

FINFET semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09570589B2. Автор: Bing Wu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and fabrication method for forming the same

Номер патента: US09847419B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09640657B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443738B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor Device and Manufacturing Method thereof

Номер патента: US20130082362A1. Автор: Huaxiang Yin,Qiuxia Xu,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-04.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US20140183628A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09780039B2. Автор: Yoshihiro Sato,Hisashi Ogawa,Tsutomu OOSUKA. Владелец: Pannova Semic LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09728641B2. Автор: Tze-Liang Lee,Yi-Hung Lin,Pang-Yen Tsai,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Yen-Ru LEE,Lilly SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

High-threshold power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12107167B2. Автор: Shen Li,Chen Ge,Chi Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Siyang Liu,Shuxuan XIN,Le QIAN. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and preparation method therefor, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4407693A1. Автор: Wentao Yang,Gaochao XU,Runtao Ning,Linrong He,Kangrong HUANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US09653595B2. Автор: Yasushi Niimura,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

High-speed and high-capacity mos transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2197769C2. Автор: Хюн-Сик Ким,Хеон-Йонг Син,Соо-Чеол Ли. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-01-27.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20070187779A1. Автор: Wen-Fang Lee,Dave Hsu,Asam Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09991259B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices, power semiconductor devices, and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960268B2. Автор: Markus Zundel,Christian Kampen,Jacob Tillmann Ludwig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240234505A1. Автор: Hsu Ting,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Kuang-Hsiu Chen,Shou-Hung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Buried shield structures for power semiconductor devices including segmented support shield structures for reduced on-resistance and related fabrication methods

Номер патента: WO2024147924A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120025294A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Power semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130256789A1. Автор: Hsiu-wen Hsu,Sung-Nien Tang. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device and method for producing thereof

Номер патента: EP4135050A1. Автор: Hans Weber,Andreas Vörckel,Tobias Höchbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20160155816A1. Автор: Shigenobu Maeda,Tsukasa Matsuda,Hidenobu Fukutome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-02.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049069A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332372A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09842909B2. Автор: Shigenobu Maeda,Tsukasa Matsuda,Hidenobu Fukutome. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634095B2. Автор: Masahiro Ogino,Yutaka Tomatsu,Seigo Oosawa,Tomomi Oobayashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor Devices Including A Lateral Bipolar Structure And Fabrication Methods

Номер патента: US20140239451A1. Автор: ITO Akira,Yau Kenneth. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

Power semiconductor device using semi-insulating polycrystalline silicon and fabrication method thereof

Номер патента: US6346444B1. Автор: Jae-Hong Park,Chan-ho Park,Jin-kyeong Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-02-12.

Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method

Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US09543378B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, related circuit, chip, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240282767A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor Device and Its Driving Method

Номер патента: US20090032839A1. Автор: Hideaki Kawahara,Toshiyuki Tani,Toshimi Satoh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240072008A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240304603A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439680A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200437A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US09972607B2. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439633A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200266A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having buried region beneath electrode and method to form the same

Номер патента: US09679996B2. Автор: Masataka Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device for restraining creep-age phenomenon and fabricating method thereof

Номер патента: US20150171000A1. Автор: Fei Wang,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Zhi Qiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Multi-chip semiconductor device with high withstand voltage, and a fabrication method of the same

Номер патента: US20060220618A1. Автор: Hiroshi Fujito,Yasuhiro Takamori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Electronic device and method for its fabrication

Номер патента: EP1687839A1. Автор: Bum-Ki Moon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9082783B2. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor Device and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20150079756A1. Автор: Hiroki Yamawaki,Shigehisa Inoue,Noriyuki ASAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor devices including nanowire capacitors and fabricating methods thereof

Номер патента: US09646971B2. Автор: Han-jin Lim,Ki-Vin Im,Kong-Soo Lee,Dong-Hyun Im,Jin-Won MA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190035792A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Ger-Pin Lin,Tien-Chen Chan,Shu-Yen Chan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7948023B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JUNCTIONS AND ITS MANUFACTURING PROCESS

Номер патента: BE765014A. Автор: P Delivorias,T Kamprath. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1971-08-16.

Semiconductor device having metal-insulator-metal capacitor and fabrication method for the same

Номер патента: KR100806034B1. Автор: 곽성호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-26.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243176A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US7323744B2. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-01-29.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060237779A1. Автор: Yukio Hayakawa. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210066482A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230207618A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and preparation method therefor, and power amplification circuit and electronic device

Номер патента: EP4394890A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Haijun Li,Zhili Zhang,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, membrane stack and its manufacture method

Номер патента: CN107017227A. Автор: 张耀文,蔡正原,黄建修. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-04.

LAYOUT DESIGN SYSTEM, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE LAYOUT DESIGN SYSTEM, AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170255735A1. Автор: KIM Hyo Jin,PARK Chul Hong,Kim Su Hyeon,RAHEEL Azmat. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor device including step index gate electrode and fabrication method thereof

Номер патента: KR101848244B1. Автор: 이종민,강동민,김성일,윤형섭,민병규,임종원,문재경,안호균,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2018-05-29.

Complementary junction field effect transistor device and its gate-last fabrication method

Номер патента: US20130168741A1. Автор: MIENO FUMITAKE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Flexible single-crystalline semiconductor device and fabrication methods thereof

Номер патента: US09831273B2. Автор: Jae-Hyun Ryou. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09542977B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Photoelectric conversion device and process for its fabrication

Номер патента: EP1075028A3. Автор: Hiroshi C/O Canon Kabushiki Kaisha Yuzurihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-06-04.

Thin-film semiconductor device for display and its manufacture

Номер патента: JPH10189998A. Автор: Hisao Hayashi,久雄 林. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Photoelectric conversion device, and process for its fabrication

Номер патента: TW513783B. Автор: Hiroshi Yuzurihara. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2002-12-11.

Photoelectric conversion device and process for its fabrication

Номер патента: EP2325887B1. Автор: Hiroshi Yuzurihara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-27.

SOI device and method for its fabrication

Номер патента: CN101512764A. Автор: J·F·布勒,M·M·佩雷拉,D·D·吴. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-08-19.

SOI device and method for its fabrication

Номер патента: TW200822347A. Автор: James F Buller,Mario M Pelella,Donggang D Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

Soi device and method for its fabrication

Номер патента: GB0901334D0. Автор: . Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-11.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09548212B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11049785B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210118888A1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Guoliang Zhu,Tongqing CHEN,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09786508B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761582B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Norio Yasuhara,Tomohiro Tamaki,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device on insulator and its protection circuit

Номер патента: KR100387189B1. Автор: 제르미 씨. 스미스. Владелец: 모토로라 인코포레이티드. Дата публикации: 2003-08-21.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device, fabrication method, and electronic device

Номер патента: EP3958295A1. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor device and its fabrication method

Номер патента: US20040152244A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Tsuyoshi Inoue,Mitsuru Yoshikawa,Saiki Hotate. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09416004B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180315603A1. Автор: Guang Li YANG,Dae Sub Jung,De Yan CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: EP2681777A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2014-01-08.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09406677B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09875965B2. Автор: Xiaoping Zhang,Guangcai Fu,Tianlun Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240258417A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20240234370A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: WO2024151385A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuits with middle of line capacitance reduction in self-aligned contact process flow and fabrication methods

Номер патента: US09443944B2. Автор: Hui Zang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080048247A1. Автор: Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Hiroaki Kuriyama,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09472563B2. Автор: Masatomi Okanishi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US09397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110248346A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070026604A1. Автор: Masatomi Okanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09679815B2. Автор: Dong Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213346A1. Автор: Hiroaki Kato. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Method for applying a cap layer to protect electrical components of a semiconductor device from e-beam irradiation

Номер патента: EP4332529A1. Автор: Thuy-Doan Pham,Yong-Fa Alan Wang. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Twin insulator charge storage device operation and its fabrication method

Номер патента: US20070114597A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoya Saito,Kimihiro Satoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and fabricating method for the same

Номер патента: US20060138554A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09991340B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09704750B2. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Mechanical stress-decoupling in semiconductor device

Номер патента: US09663354B2. Автор: DIRK Meinhold,Steffen Bieselt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-30.

Reusable substrate bases, semiconductor devices using such reusable substrate bases, and methods for making the reusable substrate bases

Номер патента: US09419081B2. Автор: John Stokely,Basavaraja Sangappa Devaramani,Raju Addepalle Raghurama. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US12136665B2. Автор: Katsumi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Wide gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960228B2. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device mounted structure and its manufacturing method, semiconductor device mounting method, and pressing tool

Номер патента: US20100181667A1. Автор: Yuichiro Yamada,Kazuhiro Nobori,Yoshihiro Tomura,Teppei Iwase,Kentaro Kumazawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Wafer of semiconductor material for fabricating integrated semiconductor devices, and process for its fabrication

Номер патента: EP0707338A2. Автор: Flavio Villa,Ubaldo Mastromatteo,Bruno Murari. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a metallization with a thick connection electrode is provided on a semiconductor body

Номер патента: CA1271270A. Автор: Johannes S. Peters. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-07-03.

Semiconductor device manufacturing apparatus and its manufacturing method

Номер патента: TWI251874B. Автор: Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Ninao Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor device manufacturing apparatus and its manufacturing method

Номер патента: TW200416852A. Автор: Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Ninao Sato. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-09-01.

Semiconductor device, three-dimensional memory and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20230134659A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Substrate, wiring board, substrate for semiconductor package, semiconductor device, semiconductor package and its manufacturing method

Номер патента: TWI228785B. Автор: Toshimasa Nagoshi,Osamu Shimada,Mitsuo Kikuchi,Kazuhisa Suzuki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Semiconductor device and method of its fabrication

Номер патента: EP1381084A1. Автор: Hiroshi Kawano,Yasushi Shiraishi,Etsuo Yamada,Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MOUNTING BOARD AND ITS MANUFACTURING METHOD, CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: JP3952129B2. Автор: 伸晃 橋元. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device, manufacture thereof and its mounting method

Номер патента: KR100201168B1. Автор: 테쓰야 우에다. Владелец: 미쓰비시 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing semiconductor device or ic and its exposure method and the mask used therefor

Номер патента: KR100254133B1. Автор: 후미오 미즈노,마사유끼 모리따,노보루 모리우찌,세이이찌로 시라이. Владелец: 히다치초엘에스아이 엔지니어링가부시키가이샤. Дата публикации: 2000-06-01.

Semiconductor device mounting method and its mounting body

Номер патента: JP2914569B1. Автор: 豊 熊野,芳宏 別所,司 白石. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 1999-07-05.

Semiconductor device mounted structure and its manufacturing method

Номер патента: US8450859B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Hidenori Miyakawa,Shigeaki Sakatani,Arata Kishi,Naomichi Ohashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor device tape carrier and its manufacturing method

Номер патента: JP2002289652A. Автор: 雅裕 水野,Masahiro Mizuno,Hisanori Akino,久則 秋野,Masaru Sugano,優 菅野. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2002-10-04.

Semiconductor device testing apparatus and its calibration method

Номер патента: KR100383728B1. Автор: 나가이히로유키,마쓰무라시게루,세키즈카다카시,하마히로유키,세키네에이이치,시오쓰카히로유키,고즈카노리요시,스즈키도시카즈,이시가키유키오. Владелец: 가부시키가이샤 아드반테스트. Дата публикации: 2003-05-12.

Semiconductor device connecting terminal and its manufacture

Номер патента: JPH11260863A. Автор: Tadashi Tomikawa,唯司 富川,Shogo Hashimoto,章吾 橋本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1999-09-24.

Semiconductor device assembling apparatus and its measuring method

Номер патента: JPH0646641B2. Автор: 茂夫 木村,正徳 前田,勝久 宮本,文雄 浅草. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-15.

Semiconductor device testing apparatus and its calibration method

Номер патента: KR19990088392A. Автор: 나가이히로유키,마쓰무라시게루,세키즈카다카시,하마히로유키,세키네에이이치,시오쓰카히로유키,고즈카노리요시,스즈키도시카즈,이시가키유키오. Владелец: 오우라 히로시. Дата публикации: 1999-12-27.

Semiconductor device mounting method and its mounting body

Номер патента: JP3260249B2. Автор: 芳宏 別所,善広 戸村. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2002-02-25.

Semiconductor device with capacitors and its manufacture method

Номер патента: US7405121B2. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-29.

Semiconductor device having capacitor and its manufacturing method

Номер патента: KR101184013B1. Автор: 히로토시 다치바나. Владелец: 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-09-18.

Assembly structure of semiconductor device and heat-dissipating plate and fabricating method thereof

Номер патента: KR100759497B1. Автор: 정운범. Владелец: 주식회사 운영. Дата публикации: 2007-09-18.

Semiconductor device having anti-reflective cap and spacer, fabrication method therefor, and fabrication method for photoresist pattern using thereof

Номер патента: KR100269330B1. Автор: 조한구,이중현,김인성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING EMC WAFER SUPPORT SYSTEM AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140147970A1. Автор: LEE Choon Heung,Kim Jin Young,Park Doo Hyun,Yoon Ju Hoon,Seo Seong Min,Rinne Glenn. Владелец: AMKOR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING EMC WAFER SUPPORT SYSTEM AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20220181314A1. Автор: LEE Choon Heung,Kim Jin Young,Park Doo Hyun,Yoon Ju Hoon,Seo Seong Min,Rinne Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device for restraining creep-age phenomenon and fabricating method thereof

Номер патента: US20150171000A1. Автор: Fei Wang,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Zhi Qiang Niu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device using emc wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US20200203331A1. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device with localized carrier lifetime reduction and fabrication method thereof

Номер патента: US20170271199A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Jun Cai,Hsiao-Chin Tuan,Alex Kalnitsky,Chih-Wen Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE USING EMC WAFER SUPPORT SYSTEM AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170271315A1. Автор: LEE Choon Heung,Kim Jin Young,Park Doo Hyun,Yoon Ju Hoon,Seo Seong Min,Rinne Glenn. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device having a multilayer interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20050212137A1. Автор: Motoshu Miyajima,Tamotsu Yamamoto,Hirofumi Watani,Hideki Kitada,Hiroshi Horiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device having a multilayer interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US7416985B2. Автор: Motoshu Miyajima,Tamotsu Yamamoto,Hirofumi Watani,Hideki Kitada,Hiroshi Horiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-26.

Semiconductor device including a through-via electrode and fabrication method thereof

Номер патента: KR102422244B1. Автор: 강필규,박병률,정덕영,김지황,박지순,손성민,안진호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-07-18.

Semiconductor device having dual damascen pattern structure and fabricating method thereof

Номер патента: KR100366625B1. Автор: 류성호,이경태. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-01-09.

A semiconductor device having self-aligned contact hole and fabrication method thereof

Номер патента: KR100487951B1. Автор: 김형섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-06.

Nonvolatile semiconductor device to preparing multi bit cell and fabricating method thereof

Номер патента: KR100760926B1. Автор: 김동욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-09-21.

Semiconductor device having multiple insulation layer structure and fabricating method thereof

Номер патента: KR100327324B1. Автор: 권오현,송윤흡. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-22.

Semiconductor device having improved wire bonding reliability and fabrication method thereof

Номер патента: KR100714478B1. Автор: 김광진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-04.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US10388643B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Semiconductor device with isolation trench liner, and related fabrication methods

Номер патента: KR101810111B1. Автор: 리챠드 카터,죠지 크루쓰,마이클 하그로브. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-12-18.

Semiconductor device including a charge-dispersing region and fabricating method thereof

Номер патента: TW556306B. Автор: Heon-Jong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-01.

OPTICAL DEVICE AND METHOD FOR ITS FABRICATION

Номер патента: US20170301824A1. Автор: Shields Andrew James,SKIBA-SZYMANSKA Joanna Krystyna,STEVENSON Richard Mark,HUWER Jan,MUELLER Tina. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-10-19.

Three dimensional (3d) memory device and fabrication method

Номер патента: US20230402394A1. Автор: Jing Liu,Jing Gao,Zhaosong Li,Chuanhai SHAN,Zhouyang LU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Integrated circuit and image sensing device having metal shielding layer and related fabricating method

Номер патента: US09659985B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: EP2366198A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2011-09-21.

Semiconductor device with reduced leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US09893107B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chia-Yu WEI,Chin-Hsun Hsiao,Yen-Liang Lin,Yung-Lung Hsu,Ssu-Chiang Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20100171130A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20190273109A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: WO2010070269A1. Автор: Timothy Ashley,Geoffrey Richard Nash. Владелец: Advantage West Midlands. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09911778B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device, fabrication method for a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US09443802B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and electronic appliance

Номер патента: US09818784B2. Автор: Toshihiko Miyazaki,Koichi Baba,Hiroaki Ammo,Takashi Kubodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11742372B2. Автор: Nobutaka Ukigaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: WO2020116449A1. Автор: Toshiaki Iwafuchi,Ikue Mitsuhashi. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US09478467B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243121A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20080048288A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080111209A1. Автор: Chihiro Shin. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818737B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device isolation using an aligned diffusion and polysilicon field plate

Номер патента: US09818742B2. Автор: William Larson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240371854A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Ti Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865593B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Hsiang-Hung Peng,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437434B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-yi Lee,Tsung-Chieh Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220246632A1. Автор: Takeshi Shimane. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US11056476B2. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Microcontroller unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200212028A1. Автор: Ying Tang,Xiaolin Yuan. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices

Номер патента: US20020056841A1. Автор: Koichi Miyazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09972505B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Kazuyoshi Maekawa,Yuichi Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09496232B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Die edge sealing structures and related fabrication methods

Номер патента: US20150056751A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Wiring board, semiconductor device and semiconductor element

Номер патента: US7884463B2. Автор: Hitoshi Sato,Takashi Ozawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Light sensing device and fabricating method thereof

Номер патента: US09966394B2. Автор: Sheng-Ren Chiu,Yu-Sheng Lin,Feng-Chia Hsu,Chun-Yin Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240282675A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US09960103B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and fabrication method for same

Номер патента: US09812621B2. Автор: Masamichi Ishihara,Kenshu Oyama,Shoji Murakami,Hitonobu Onosaka. Владелец: Shikoku Instrumentation Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020195724A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020060373A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010021557A1. Автор: Masazumi Matsuura,Kinya Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Resin-encapsulated semiconductor apparatus and process for its fabrication

Номер патента: US20020195725A1. Автор: Jun Tanaka,Kiyoshi Ogata,Keiko Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US9515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US09515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

I-shaped and L-shaped contact structures and their fabrication methods

Номер патента: US20070032012A1. Автор: Ming Lee,Ruichen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Typical metal containing polysiloxane composition, process for its production, and its uses

Номер патента: US20130090447A1. Автор: Daiji Hara,Masato Shimizu. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

PCSS-based semiconductor device, switching device, and method

Номер патента: US09595623B1. Автор: Chenggang Xie. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060086990A1. Автор: Kazumi Kurimoto,Makoto Misaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20030214025A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory, and memory system

Номер патента: US20240164095A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding semiconductor device and mounting assembly

Номер патента: US20240332033A1. Автор: Michele DERAI,Guendalina Catalano. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240355744A1. Автор: Ji Young Chung,Ron Huemoeller,Seung Chul Jang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

AlxGayIn1-x-yN CRYSTALLINE SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING SAID DEVICE

Номер патента: RU2401481C2. Автор: Томоки УЕМУРА,Син ХАСИМОТО,Такудзи ОКАХИСА,Мунейюки НИСИОКА,Синсуке ФУДЗИВАРА,Кодзи УЕМАЦУ,Манабу ОКУИ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20230084844A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel,Fabian Kopp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20090072286A1. Автор: Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299066A1. Автор: Hongfei Lu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device and Method of Forming Inverted Pyramid Cavity Semiconductor Package

Номер патента: US20170133323A1. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20230094425A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and light emitting element package including same

Номер патента: US12057537B2. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Ki Man Kang,Yoon Min JO. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268130A1. Автор: Kiseok LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268129A1. Автор: Jinwoo Han,Jay-Bok Choi,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Seokhan Park,Keunnam Kim,Hongjun LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200303189A1. Автор: Zhi Dong WANG,Yi Ying ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device package having metal thermal interface material

Номер патента: US12119237B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chien-Li Kuo,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same

Номер патента: US09881582B2. Автор: Hajime Kimura,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09842830B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic semiconductor film for non-light-emitting organic semiconductor device, and method for manufacturing organic semiconductor film for non-light emitting organic semiconductor device

Номер патента: US09705096B2. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI,Katsuyuki Youfu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09704747B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09698107B2. Автор: Alfred Goerlach,Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, and display device and electronic device utilizing the same

Номер патента: US09640135B2. Автор: Hajime Kimura,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09607963B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09607885B2. Автор: Peter Zhang,Steven Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of forming inverted pyramid cavity semiconductor package

Номер патента: US09601461B2. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09524865B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2737722C1. Автор: Николай Александрович Брюхно,Василий Васильевич Афанаскин,Маргарита Юрьевна Котова,Александр Евгеньевич Яценко. Владелец: Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ". Дата публикации: 2020-12-02.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210335800A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: EP3935667A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Utica Leaseco LLC. Дата публикации: 2022-01-12.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device and its manufacturing method, memory and memory system

Номер патента: US20240164096A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Three dimensional package for semiconductor devices and external components

Номер патента: US12062597B2. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Christopher Daniel Manack. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20170133567A1. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US09882106B2. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device

Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09601410B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Yi-Hsiu Chen,Cheng-Chun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09508692B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09461244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device

Номер патента: US09455390B2. Автор: Kazuaki Kurihara,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor Device and Method of Forming RF FEM and RF Transceiver in Semiconductor Package

Номер патента: US20120319302A1. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20140374898A1. Автор: Kousuke Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160365419A1. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Molding apparatus and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US12011859B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: WO2020181177A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240194647A1. Автор: Yuki Sato,Tsukasa Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Screening method, screening device and program

Номер патента: US8878561B2. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021165309A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Höppel,Fabian Kopp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertically mountable and alignable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20010026023A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device and glass film forming apparatus

Номер патента: US09978882B2. Автор: Koji Ito,Shinichi Nagase,Atsushi Ogasawara. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966445B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US09947575B2. Автор: Kenichi Watanabe,Yasunori Uchino. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922834B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US09793686B2. Автор: Huiyun Liu,Alwyn John Seeds,Andrew David LEE. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of recycling substrate

Номер патента: US12148666B2. Автор: Mie Matsuo,Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09668338B2. Автор: Takashi Uno,Kazuhiro Yahata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of packaging and dicing semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09559005B2. Автор: Chung-Shi Liu,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yu-Peng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor package with integrated semiconductor devices and passive component

Номер патента: US09496245B2. Автор: Martin Standing. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Incremental coding device and process for its fabrication

Номер патента: AU1032999A. Автор: Jesus Carlos Castellano Aldave. Владелец: Navarra de Componentes Electronicos SA NACESA. Дата публикации: 1999-06-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09698569B2. Автор: Isao Watanabe,Satoshi Ae,Tetsuro Okuda,Shoutarou KITAMURA,Suguru Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Optical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060219996A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Mitsuru Ekawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Optical semiconductor device

Номер патента: EP3754799A1. Автор: Yutaka Ohki,Ryuichiro Minato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Electroluminescent device and method of its fabrication

Номер патента: RU2123773C1. Автор: А.Т. Яковлев,О.Е. Грушко,Л.М. Шевелева,Г.Я. Красников,П.С. Приходько,В.С. Корсаков,В.Л. Кустов,Н.С. Самсонов,С.Н. Мазуренко. Владелец: Некоммерческое партнерство "Полимерная электроника". Дата публикации: 1998-12-20.

Phase-locked loop with multiple degrees of freedom and its design and fabrication method

Номер патента: US9602114B2. Автор: Michaël Pelissier,Patrick Villard,Mykhailo ZARUDNIEV,Gerard Billiot,Anton Korniienko,Gèrard SCORLETTI,Olesia MOKRENKO,Eric BLANCO. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-03-21.

Saw device and method for its fabrication

Номер патента: WO2020200478A1. Автор: Peng Liu,Andreja ERBES. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-08.

Organic electroluminescent image display device and process for its fabrication

Номер патента: CA2085298A1. Автор: Ching Wan Tang. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1993-07-01.

Phase-locked loop with multiple degrees of freedom and its design and fabrication method

Номер патента: US20160079991A1. Автор: Michaël Pelissier,Patrick Villard,Mykhailo ZARUDNIEV,Gerard Billiot,Anton Korniienko,Gèrard SCORLETTI,Olesia MOKRENKO,Eric BLANCO. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-03-17.

BIOLOGICAL-ELECTRODE PROTECTION MODULES, MEDICAL DEVICES AND BIOLOGICAL IMPLANTS, AND THEIR FABRICATION METHODS

Номер патента: US20220354408A1. Автор: Voiron Frédéric,NORMAND Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Optical device and method of its fabrication

Номер патента: RU2531847C2. Автор: Кадзухиро ЯСИКИ,Тикара САВАМУРА,Кодзи УМЕЗАКИ,Акира КУБО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-10-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Melted metal filtration device and method of its fabrication (versions)

Номер патента: RU2406557C2. Автор: Кассим ДЖУМА. Владелец: ЗЮД-Хеми Хай-Тек Керамикс Инк.. Дата публикации: 2010-12-20.

Device and method of its fabrication

Номер патента: EP3197399A1. Автор: David Dunaway,Silvia Schievano,Alessandro BORGHI,Owase JEELANI. Владелец: UCL BUSINESS LTD. Дата публикации: 2017-08-02.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070153158A1. Автор: Gee-Sung Chae. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240298438A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049464A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20110211390A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device, control system, and synchronization method

Номер патента: US20180159540A1. Автор: Hitoshi Suzuki,Hiromichi Yamada,Teppei Hirotsu,Akihiro YAMATE,Yoichi Yuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20140241051A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Satoru Hanzawa,Nozomu Matsuzaki,Fumihiko Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Drive circuit of power semiconductor device

Номер патента: US09806593B2. Автор: Yasushi Nakayama,Ryosuke Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Sputtering target for forming electrode film for semiconductor devices and method of its fabrication

Номер патента: TW200623242A. Автор: Eugene Y Ivanov,Toshio Inase,Shunsuke Yatsunami,Ronald G Jordan. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Semiconductor devices, semiconductor system and its method

Номер патента: CN107767899A. Автор: 金载镒. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic resonance cell and method for its fabrication

Номер патента: CA1187745A. Автор: William P. Debley,Tae M. Kwon. Владелец: Litton Systems Inc. Дата публикации: 1985-05-28.

Filtering device and filtering method and semiconductor fabricating method thereof

Номер патента: TW200734030A. Автор: Hung-Hu Hao,Kuo-Pang Tseng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Filtering device and filtering mthod and semiconductor fabricating method thereof

Номер патента: TWI308083B. Автор: Kuo Pang Tseng,Hung Hu Hao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Cast article with threaded hole and device and method for its fabrication

Номер патента: EP1046446B1. Автор: Jean-Marie Lejeune. Владелец: Ferco International Usine de Ferrures de Batiment. Дата публикации: 2003-03-05.

Electric device and method of its fabrication

Номер патента: US7777929B2. Автор: Zeez Zalevsky. Владелец: BAR ILAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-08-17.

Light homogenisation device and method of its fabrication

Номер патента: RU2362193C2. Автор: Виталий ЛИСОТЧЕНКО. Владелец: Лимо Патентфервальтунг Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2009-07-20.

BIOSENSOR TEST STRIP AND ITS ETCHANT-FREE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20180231489A1. Автор: HSU KUO-CHEN,SU CHIEN-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Ophthalmologic measuring device and and its measuring method

Номер патента: JPS54115596A. Автор: Gurooruman Baanaado. Владелец: American Optical Corp. Дата публикации: 1979-09-08.

Variable power optical assembly, optical device, and variable power optical assembly fabrication method

Номер патента: US9983391B2. Автор: Akihiko Obama,Tomoyuki Sashima. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Color film substrate, display device and color film substrate fabricating method

Номер патента: US20210373397A1. Автор: Lei Guo,Xianshu YU. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

MICROELECTRONIC DEVICE AND MEMS PACKAGE STRUCTURE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130119441A1. Автор: Wang Chuan-Wei,Lee Sheng-Ta,Hsu Hsin-Hui. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2013-05-16.

PIVOT ASSEMBLY BEARING DEVICE AND PIVOT ASSEMBLY BEARING DEVICE FABRICATION METHOD

Номер патента: US20200176025A1. Автор: Kaneko Atsushi,TSUCHIYA Kunihiro,UCHIDA Tadashi. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

VARIABLE POWER OPTICAL ASSEMBLY, OPTICAL DEVICE, AND VARIABLE POWER OPTICAL ASSEMBLY FABRICATION METHOD

Номер патента: US20150234162A1. Автор: OBAMA Akihiko,SASHIMA Tomoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Variable power optical assembly, optical device, and variable power optical assembly fabrication method

Номер патента: US20180252902A1. Автор: Akihiko Obama,Tomoyuki Sashima. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Variable power optical assembly, optical device, and variable power optical assembly fabrication method

Номер патента: CN104769476A. Автор: 幸岛知之,小滨昭彦. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-07-08.

Concentric buckling based vertical probe and its fabrication method

Номер патента: WO2009014357A2. Автор: Jung-yup Kim,Jae-Hyun Kim,Seung-Woo Han,Byung-Ik Choi,Hak-Joo Lee,Seung-Min Hyun. Владелец: KOREA INSTITUTE OF MACHINERY & MATERIALS. Дата публикации: 2009-01-29.

Anti-skid protector and method for its fabrication

Номер патента: RU2427298C2. Автор: Джанни ФРАССОН,Джилберто ФРАССОН. Владелец: Фрассон С.Р.Л.. Дата публикации: 2011-08-27.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and its quality management method

Номер патента: US09472306B2. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka,Goichi Ono,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and its memory access control method

Номер патента: US20170337008A1. Автор: Seiji Mochizuki,Hiroshi Ueda,Toshiyuki Kaya,Ren Imaoka,Katsushige Matsubara,Ryoji Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Electronic device and defect repair method thereof

Номер патента: US20020164537A1. Автор: Kazumitsu Imahara,Kakehiko Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor system performing status read for semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09535607B2. Автор: Se Chun Park,Ho Jung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and its design method

Номер патента: US20030061556A1. Автор: Hitoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Circuit and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US09863999B2. Автор: Masanori Miyata,Takafumi Arakawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Examination device and examination method

Номер патента: US09500695B2. Автор: Yohei Iwahashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Heating and cooling unit with semiconductor device and heat pipe

Номер патента: US09416995B2. Автор: Ping Wu,Francis Thomas Brija. Владелец: Spring (U S A) Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device and its testing method

Номер патента: US20110071786A1. Автор: Tadayuki Inamura,Masahiro Tozuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of inspecting semiconductor device, semiconductor device, and probe card

Номер патента: US12078659B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and device for a semiconductor device

Номер патента: US09576684B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek,Don Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof

Номер патента: TWI292632B. Автор: Fen Ren Chien,Liang Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2008-01-11.

Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof

Номер патента: TW200721533A. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

MOS SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR ITS FABRICATION

Номер патента: US20120267724A1. Автор: VENKATESAN Suresh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING METHOD, AND PRESSING TOOL

Номер патента: US20120298310A1. Автор: Yamada Yuichiro,NOBORI Kazuhiro,IWASE Teppei,Tomura Yoshihiro,Kumazawa Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus and its manufacturing method

Номер патента: JP3493656B2. Автор: 喜宏 林. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor device manufacturing method and its manufacturing apparatus

Номер патента: JP3241649B2. Автор: 智之 田中,雅彦 大広,彰一 田中,次雄 村山,善一郎 田渕,浩司 増井. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2001-12-25.

P-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING TYPE-2 QUANTUM WELL AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120007045A1. Автор: Shin Sang Hoon,CHANG Joonyeon,KIM Hyung-Jun,KOO Hyun Cheol,HAN Suk Hee,SONG JIN-DONG. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ENCAPSULATED STRESSOR REGIONS AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ENCAPSULATED ISOLATION REGIONS AND RELATED FABRICATION METHODS

Номер патента: US20120292734A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-22.

PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD OF ITS FABRICATION

Номер патента: US20130000705A1. Автор: Shappir Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

STRAINED MOS DEVICE AND METHODS FOR ITS FABRICATION

Номер патента: US20120171820A1. Автор: WAITE Andrew Michael,LUNING Scott. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-07-05.

Adjusting device and method of its fabrication

Номер патента: SU1748120A1. Автор: Николай Николаевич Гончаренко. Владелец: Н.Н, Гончаренко. Дата публикации: 1992-07-15.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CARRIER COMPRISING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LUMINOUS DEVICE AND CARRIER SYSTEM

Номер патента: US20120002409A1. Автор: . Владелец: OSRAM AG. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Grating production method, diffraction grating device, and radiation imaging apparatus

Номер патента: US20120002785A1. Автор: KANEKO Yasuhisa. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spiral-type heat exchanger and its fabrication method

Номер патента: RU2358218C1. Автор: Леонид Владимирович Чумазов. Владелец: Леонид Владимирович Чумазов. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.