Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH FREQUENCY WIRING AND DUMMY METAL LAYER AT MULTILAYER WIRING STRUCTURE

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH FREQUENCY WIRING AND DUMMY METAL LAYER AT MULTILAYER WIRING STRUCTURE

Номер патента: US20130241032A1
Опубликовано: 19-09-2013
Автор(ы): Uchida Shinichi
Принадлежит: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20130241032A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US9029982B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Improved control of the forward and reverse characteristics of vertically oriented semiconductor devices

Номер патента: EP4456141A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Control of the Forward and Reverse Characteristics of Vertically Oriented Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363769A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Schottky Barrier Control in Vertically Oriented Semiconductor Devices As Well As a Corresponding Power Device

Номер патента: US20240363768A1. Автор: Tim Böttcher,Massimo Cataldo MAZZILLO,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240097045A1. Автор: Makoto Mizukami,Yoichi Hori,Yuto Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device having IGBT and diode

Номер патента: US20070158680A1. Автор: Norihito Tokura,Yukio Tsuzuki,Yoshihiko Ozeki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9825160B2. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09825160B2. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US9941401B2. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, fabrication method for semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170352755A1. Автор: Atsushi Yamada,Tatsuya Hirose,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device, power supply apparatus and high-frequency amplifier

Номер патента: US20170125569A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12074195B1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20210376168A1. Автор: Yoichi Hori,Kei Tanihira. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device

Номер патента: EP3916812A1. Автор: Yoichi Hori,Kei Tanihira. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Semiconductor device and termination region structure thereof

Номер патента: US20140312452A1. Автор: Wen-Bin Lin. Владелец: Economic Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240282865A1. Автор: Mei-Ling Chen,Li-Ming Chang,Hsu-Heng Lee. Владелец: Invinci Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Semiconductor device having a junction portion contacting a schottky metal

Номер патента: US09799733B2. Автор: Yasuhiro Kawakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having barrier region and edge termination region enclosing barrier region

Номер патента: US09773924B2. Автор: Kouichi Saitou,Masao Uchida,Takayuki Wakayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Power semiconductor devices having superjunction structures with implanted sidewalls and methods of fabricating such devices

Номер патента: US20160197201A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Field-Effect Semiconductor Device Having a Heterojunction Contact

Номер патента: US20180323189A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device having built-in high frequency bypass capacitor

Номер патента: US5635767A. Автор: James F. Wenzel,Mona A. Chopra,Stephen W. Foster. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-06-03.

Semiconductor device having built-in high frequency bypass capacitor and method for its fabrication

Номер патента: MY113129A. Автор: Stephen W Foster,James F Wenzel,Mona A Choppa. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2001-11-30.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US20230420487A1. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US11791372B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Compact combiner for semiconductor devices operating in the ultra-high frequency range

Номер патента: US4839712A. Автор: Alain Bert,Narquise Mamodaly. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-06-13.

Semiconductor device and method having high-kappa bonding layer

Номер патента: US20230317674A1. Автор: Cheng-Ting Chung,Han-Yu Lin,Wei-Yen Woon,Che Chi Shih,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240234564A1. Автор: Kunihiko Tasai. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US20150056796A1. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming a semiconductor device having a metal gate recess

Номер патента: US09466676B2. Автор: Ruilong Xie,Vimal Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor device and capacitor with a hydrogen-containing oxide layer

Номер патента: EP3882958A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-22.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US12087840B2. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device including a body contact region and method of forming the same

Номер патента: US20230352536A1. Автор: Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Aaron Lee VALLETT. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and communication system

Номер патента: US09384439B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130309836A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device having a Schottky junction and method of manufacturing same

Номер патента: US3935586A. Автор: Hermanus Josephus Henricus Wilting,Frits Landheer. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-01-27.

Semiconductor device and capacitor including hydrogen-incorporated oxide layer

Номер патента: US20210296465A1. Автор: Keunwook SHIN,Jinseong Heo,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282763A1. Автор: Donghyun Kim,Hyungjune Kim,In-wook Oh,Byungyun KANG,Jaebong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Power semiconductor device

Номер патента: US20050199953A1. Автор: Noboru Matsuda,Yasuo Ebuchi,Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369159A1. Автор: Sang Hun Lee. Владелец: Wavepia Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230307283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11862503B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11804396B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE, FABRICATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY APPARATUS AND HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER

Номер патента: US20160260827A1. Автор: Yamada Atsushi,HIROSE Tatsuya,Nishimori Masato. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2016-09-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE, FABRICATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY APPARATUS AND HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER

Номер патента: US20170352755A1. Автор: Yamada Atsushi,HIROSE Tatsuya,Nishimori Masato. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US11996402B2. Автор: Donghyun Kim,Hyungjune Kim,In-wook Oh,Byungyun KANG,Jaebong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY APPARATUS AND HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER

Номер патента: US20170125569A1. Автор: OZAKI Shirou,MAKIYAMA Kozo,OKAMOTO Naoya. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2017-05-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY APPARATUS AND HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER

Номер патента: US20180197979A1. Автор: OZAKI Shirou,MAKIYAMA Kozo,OKAMOTO Naoya. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Layout design system, semiconductor device fabricated by using the system and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US09576953B2. Автор: Tae-Joong Song,Gi-young Yang,Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Jin-Hyun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor device having dummy active fin patterns

Номер патента: US09929156B2. Автор: Jong Hyun Lee,Hyun Jae Lee,Sung Wook Hwang,Jae Seok Yang,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230253473A1. Автор: Jun Kobayashi,Kazuyoshi Maki,Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA,Shu NAKASHIMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162697A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960167B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device having a barrier layer made of amorphous molybdenum nitride and method for producing such a semiconductor device

Номер патента: US09997459B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of fabricating a semiconductor device including high-K metal gate having reduced threshold voltage variation

Номер патента: US09570361B1. Автор: Takashi Ando,David J. Frank. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having a locally reinforced metallization structure

Номер патента: US09397022B2. Автор: Roman Roth,Frank Umbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having decoupling capacitors and dummy transistors

Номер патента: US20130320405A1. Автор: Hee-Sung Kang,Suk-joo Lee,Dae-ho Yoon,Dal-Hee LEE,Joong-Won JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US12131973B2. Автор: Chang-Sheng Lin,Hsiu-Mei Yu,Cheng-Yi Hsieh,Guang-Yuan JIANG,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09634130B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130034953A1. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US20160268403A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and photosensitive device

Номер патента: US20240047599A1. Автор: Zhiwei Tan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

High voltage semiconductor device having high breakdown voltage isolation region

Номер патента: US20020175392A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Jong-jib Kim,Sung-lyong Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020130363A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Yurika Satou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having metal layer and method of fabricating same

Номер патента: US09443967B1. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Yu-Chin CHIEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device comprising alignment key

Номер патента: US20240204068A1. Автор: Jin-Wook Yang,Yoshinao Harada,Woo Bin Song,Cheoljin YUN,Hyungjoo NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20220384627A1. Автор: Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203512A1. Автор: Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09559174B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having metal gate and fabrication method thereof

Номер патента: US09524968B1. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09406760B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: EP3050094A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: WO2015047709A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device including a gate electrode of lower electrical resistance and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080048274A1. Автор: Hyun-Young Kim,Jin-gi Hong,Jung-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device by the same

Номер патента: US20190221439A1. Автор: Sung Min Kim,Dong Won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20190027490A1. Автор: Joong Shik Shin,Seung Jun Shin,Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-24.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: EP4439651A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09799656B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and structure

Номер патента: US09786636B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: EP4451325A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20240332107A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Zero-stress zones and controlled-fracturing zones in the passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20240332108A1. Автор: Mark Andrzej Gajda,Hamza Hanif Patel,Nivasan Yogeswaran. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09559016B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09490208B2. Автор: Masaaki Nishijima. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Cell Field Portion and a Contact Area

Номер патента: US20160093529A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213346A1. Автор: Hiroaki Kato. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Gate Isolation Wall for Semiconductor Device

Номер патента: US20240014265A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US9852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US10680007B2. Автор: Joong Shik Shin,Seung Jun Shin,Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-09.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240315030A1. Автор: Joong Shik Shin,Seung Jun Shin,Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US09852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices including a rare earth element and methods of forming semiconductor devices including a rare earth element

Номер патента: US09793368B2. Автор: Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583510B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490334B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US09450084B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having semiconductor active and dummy regions with the dummy regions lower in height than the active regions

Номер патента: US5587612A. Автор: Mitsuhiro Sugiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-12-24.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate

Номер патента: US20130228905A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Gerald Lackner,Markus Ottowitz,Karin Schrettlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210074844A1. Автор: Hidenobu Kojima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240312792A1. Автор: Ding-I Liu,Yuh-Ta FAN,Hui-An Han,Kai-Shiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, and production method for semiconductor device

Номер патента: US20240332410A1. Автор: Yuya Tsutsumi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929178B1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having field-effect structures with different gate materials, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09773706B2. Автор: Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Compound semiconductor device having gallium nitride gate structures

Номер патента: US09502524B2. Автор: Chih-Wen Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US09484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09418846B1. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11694900B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods of forming semiconductor devices including gate barrier layers

Номер патента: US12051721B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device including surface-treated semiconductor layer

Номер патента: US12046656B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Yeonchoo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158514B2. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220020592A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20220262952A1. Автор: Masataka Ino. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240339517A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of Forming Semiconductor Devices Including Gate Barrier Layers

Номер патента: US20240355880A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having features to prevent reverse engineering

Номер патента: US09972585B2. Автор: William Eli Thacker, III. Владелец: Verisiti Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09691843B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09679775B2. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and electronic device with data voltages read accurately without the influence of threshold voltage variation

Номер патента: US09640226B2. Автор: Takanori Matsuzaki,Atsushi Miyaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

SGT-including semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613827B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Common-substrate semiconductor devices having nanowires or semiconductor bodies with differing material orientation or composition

Номер патента: US09559160B2. Автор: Peter G. Tolchinsky,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Glenn A. Glass,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180013004A1. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of forming a semiconductor device having a metal layer

Номер патента: WO2006033746A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Voon-Yew Thean,Brian J. Goolsby,Tab A. Stevens. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20190393333A1. Автор: Fumio Wada,Jun Fujita,Naoto KAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Embedded die packaging of power semiconductor devices

Номер патента: US20240213110A1. Автор: Stephen Coates,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230317812A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120149157A1. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor Device for Improving the Peak Induced Voltage in Switching Converter

Номер патента: US20100117142A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Wei-Chieh Lin,Hsin-Yu Hsu,Jen-Hao Yeh,Hsin-Yen Chiu,Ho-Tai Chen,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Contact stacks to reduce hydrogen in semiconductor devices

Номер патента: US20200098874A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Justin Weber,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Matthew V. Metz,Christopher Jezewski,Harold Kennel,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20050098853A1. Автор: Toshiharu Minamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SEMICONDUCTOR LAYER OF SiC AND SUCH A DEVICE

Номер патента: WO1997036318A2. Автор: Kurt Rottner. Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 1997-10-02.

Metallization structures under a semiconductor device layer

Номер патента: US11658183B2. Автор: Patrick Morrow,Rishabh Mehandru,Aaron D. Lilak,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303197A1. Автор: Yoshiyuki Harada,Hideto Sugawara,Kazuhiko Komatsu,Toshiyuki Nishikawa,Shinji Nunotani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170301787A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170148907A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10439034B2. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190165119A1. Автор: Takashi Hasegawa,Kouichi Saitou,Chiaki Kudou. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20020047204A1. Автор: Hiroshi Hayashizaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-04-25.

Method and system for etch depth control in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20240242969A1. Автор: Wayne Chen,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and laser marking method

Номер патента: US20240332205A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Kosuke Masuzawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a contact including an alkaline earth metal on a semiconductor layer, and related devices

Номер патента: US09966449B2. Автор: Jorge A. Kittl. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having dual channels, complementary semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768073B1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Yi-Chung Lin,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09548205B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09543228B2. Автор: Nobumasa Hasegawa,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466725B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated multiple gate length semiconductor device including self-aligned contacts

Номер патента: US09466680B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Rajasekhar Venigalla,Su Chen Fan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09397088B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Koichi Shimazaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2584273C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет). Дата публикации: 2016-05-20.

Insulated gate semiconductor device

Номер патента: RU2407107C2. Автор: Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2010-12-20.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162714A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US20200027995A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-23.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact

Номер патента: US12040360B2. Автор: Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Minhyun LEE,Haeryong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device including two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021683A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,JunYoung KWON,Minseok YOO,Duseop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313425A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11588020B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230275148A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060157715A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070075383A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391442A1. Автор: Stan Chen,Jin-Dah Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240222204A1. Автор: Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu,Yu-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160268398A1. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices with ferroelectric layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12119402B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having memory cell and staircase structure and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240365557A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Power semiconductor devices having gate trenches with implanted sidewalls and related methods

Номер патента: US09887287B1. Автор: Brett Hull,Edward R. Van Brunt,Alexander V. Suvorov,Daniel J. Lichtenwalner,Craig Capell. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09875902B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same

Номер патента: US09842842B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09721896B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653604B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming semiconductor devices, including forming a metal layer on source/drain regions

Номер патента: US09601586B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Manufacturing method of the semiconductor device electrode having three metal layers

Номер патента: US09583580B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming a semiconductor device having insulating parts or layers formed via anodic oxidation

Номер патента: US09570576B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Junctionless semiconductor device having buried gate, apparatus including the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09455329B2. Автор: KYUNG Kyu Min,Min Soo Yoo,Il Woong KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09406677B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09293575B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-03-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having an active region and dummy patterns

Номер патента: US8119495B2. Автор: Kenichi Kuroda,Kozo Watanabe,Hirohiko Yamamoto. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20090130848A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20070090472A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electrical coupling structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US11296215B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor wafer, semiconductor device, and method of producing semiconductor wafer

Номер патента: US20140008698A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Masao Shimada,Masahiko Hata,Tomoyuki Takada,Sadanori Yamanaka,Taro Itatani,Eiji Kume. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230282739A1. Автор: Po-hsun Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20160284858A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200194590A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180090618A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180331229A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230093689A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230317852A1. Автор: Chih-I Wu,Ang-Sheng Chou,I-Chih NI,Shun-Siang JHAN. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-05.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20230268321A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: WO2014077207A1. Автор: Hirokazu Watanabe,Shinji Ohno. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20140131701A1. Автор: Hirokazu Watanabe,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230144657A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor wafer with devices having different top layer thicknesses

Номер патента: US20220285403A1. Автор: Wang Po-Jen,Hsin-Chi Chen,Kuan-Liang Liu,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20180358448A1. Автор: Chih-Wei Lin,Wen-Tsung Chang,Bo-Yu Su,Yen-Liang Wu,Jui-Ming Yang,Chi-Ju Lee,I-Fan Chang,Chun-Ting Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150279839A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Bipolar Semiconductor Device Having a Deep Charge-Balanced Structure

Номер патента: US20160260823A1. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120309184A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8372709B2. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240322028A1. Автор: Katsuji Matsumoto,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240355887A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12074021B2. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09978636B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09837546B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Bipolar semiconductor device having a deep charge-balanced structure

Номер патента: US09831330B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09799739B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Non-planar semiconductor device having self-aligned fin with top blocking layer

Номер патента: US09780217B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768069B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Chia-Chun Liao,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US09728536B2. Автор: Qun Shao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09685347B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having an active trench and a body trench

Номер патента: US09680005B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Wolter,Franz-Josef Niedernostheide,Maria Cotorogea,Yvonne Gawlina-Schmidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09607996B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09595469B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Contact structure of semiconductor device

Номер патента: US09589838B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sung-Li Wang,Ding-Kang SHIH,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having a semiconductor layer stacked body

Номер патента: US09577084B2. Автор: Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559193B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka,Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor element, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09553063B2. Автор: Akira Yamada,Takeharu Kuroiwa,Masayoshi Tarutani,Kenji Ohtsu,Taku Kusunoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240363338A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming semiconductor devices, including performing a heat treatment after forming a metal layer and a high-k layer

Номер патента: US09431515B2. Автор: Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09431382B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Isolated and bulk semiconductor devices formed on a same bulk substrate

Номер патента: US09425212B2. Автор: Kelin J. Kuhn,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09406694B1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09391064B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Koichi Shimazaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for making semiconductor device having improved thermal stress characteristics

Номер патента: US4433468A. Автор: Ikuo Kawamata. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-02-28.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor devices having improved adhesion and methods of fabricating the same

Номер патента: EP2564420A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-03-06.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240079401A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Bipolar soi device having a tilted pn-junction, and a method for producing such a device

Номер патента: WO1997033319A1. Автор: Andrej Litwin,Torkel Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 1997-09-12.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

3D semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US12027518B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods and devices employing metal layers in gates to introduce channel strain

Номер патента: WO2008147433A2. Автор: Michael Francis Pas,Zhibo Zhang,Cloves Rinn Cleavelin,Stephanie Watts Butler,Mike Watson Goodwin,Satyavolu Srininas Papa Rao. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-12-04.

Electrical coupling structure, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20200243676A1. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Song Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20120181635A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yi-Wei Chen,Kuo-Chih Lai,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12051674B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250161A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240250124A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230290863A1. Автор: Kun-Yu Lin,Chih-Teng Liao,Yu-Ling Ko,Guo-Cheng LYU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device having compressively strained channel region and method of making same

Номер патента: US10069010B2. Автор: Toshiharu Nagumo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8324109B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Tae-Han Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Power semiconductor device having low-k dielectric gaps between adjacent metal contacts

Номер патента: US11777026B2. Автор: Robert Haase,Harsh Naik,Sylvain Leomant,Anita Brazzale. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240222368A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20190386128A1. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device including source pad region and drain pad region configured to improve current uniformity and reduce resistance

Номер патента: US12062716B2. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Ancora Semiconductors Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

3D semiconductor device and structure with bonding and DRAM memory cells

Номер патента: US12068187B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230087787A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for manufacturing semiconductor devices using etch stop dielectric layers and related devices

Номер патента: US20120329262A1. Автор: Jeong-hee Han,Hyeok-Jun Son,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,June-Hee Lee,Sang-Bom Kang,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP3787020A1. Автор: Chun-Chieh Yang,Li-Fan Lin,Ying-Chen LIU. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Номер патента: US20160300719A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150357246A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Replacement metal gate semiconductor device formation using low resistivity metals

Номер патента: US20140065811A1. Автор: Chang Seo Park,Vimal K. Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11735647B2. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

3d semiconductor devices and structures with metal layers

Номер патента: US20240304617A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240250163A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240250148A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

3d semiconductor device and structure with metal layers and a connective path

Номер патента: US20230253296A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12094965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12080775B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen,Wen-Kai Lin,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4456130A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363493A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US12125737B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20240363385A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

GE and III-V channel semiconductor devices having maximized compliance and free surface relaxation

Номер патента: US09905651B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Power semiconductor device edge structure

Номер патента: US09905634B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Elmar Falck,Andre Schwagmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09871136B2. Автор: Shih-Cheng Chen,Tsuo-Wen Lu,Tsai-Yu Wen,Shan Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859439B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Insulated gate semiconductor device having a shield electrode structure and method

Номер патента: US09842925B2. Автор: Zia Hossain,Shengling DENG. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

III-V FINFET devices having multiple threshold voltages

Номер патента: US09837406B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831309B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Low miller factor semiconductor device

Номер патента: US09793390B2. Автор: Wen-Chia LIAO. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Power semiconductor device including a cooling material

Номер патента: US09793255B2. Автор: Ralf Otremba,Hans-Joachim Schulze,Joachim Mahler,Guenther Ruhl,Hans-Joerg Timme. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Mechanisms for forming semiconductor device having isolation structure

Номер патента: US09786542B2. Автор: Chia-Lun Chang,Chun-Ta WU,Zih-I CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices and method of testing same

Номер патента: WO2007032456A1. Автор: Toru Kaga,Kenji Terao,Yoshihiko Naito,Nobuharu Noji,Ryo Tajima,Masatoshi Tsuneoka. Владелец: EBARA CORPORATION. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134666A1. Автор: Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Chi-Lin Teng,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343739A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Jr-Meng Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor Device Comprising a Fuse Structure and a Method for Manufacturing such Semiconductor Device

Номер патента: US20140127895A1. Автор: Wolfgang Walter,Uwe Seidel,Hubert Werthmann,Michael Schrenk,Gabriele Bettineschi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12107030B2. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing a semiconductor device including PG-aligned cells

Номер патента: US12112117B2. Автор: Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, display apparatus, method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20180076241A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Mixed Wire Structure and Method of Making the Same

Номер патента: US20190181043A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200235056A1. Автор: Yu-Kai Lin,Hsuan-Yu Chen,Chia-Hao Sung. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11973039B2. Автор: Yu-Kai Lin,Hsuan-Yu Chen,Chia-Hao Sung. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device, semiconductor module, vehicle, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301957A1. Автор: Sho Takano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device including first and second dummy wirings

Номер патента: US9691700B2. Автор: Koji Kuroki. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-06-27.

Thermal mismatch reduction in semiconductor device modules

Номер патента: US20230335459A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298931A1. Автор: Tianyi Zhang,Hao Zou,Yan XIE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming metal layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20200232089A1. Автор: Chong Liu,Jike WU,Xiuliang CAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Contact structure and semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190267284A1. Автор: Jian-Ming Huang,Ying Lee,Hsien-Ming Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11887889B2. Автор: Meng Wang,Zheng Lv,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device including deep vias

Номер патента: US20240088024A1. Автор: Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with bonded substrates

Номер патента: US12002777B2. Автор: Shinya Watanabe,Kotaro Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

FFS array substrate and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US09646995B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Process for lift off and transfer of semiconductor devices onto an alien substrate

Номер патента: WO2000046847A1. Автор: William N. Carr,Alexander Y. Usenko. Владелец: Silicon Wafer Technologies, Inc.. Дата публикации: 2000-08-10.

Two part flexible light emitting semiconductor device

Номер патента: US20160043294A1. Автор: Alejandro Aldrin Ii Agcaoili Narag,Ravi Palaniswamy,Justine A. Mooney,Jian Xia Gao. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20190229029A1. Автор: Hideki Niimi,Tatsuo Sasaoka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Packaged semiconductor device for microwave use

Номер патента: US3908186A. Автор: Seiichi Ueno,Shinzo Anazawa,Isamu Nagasako,Shigeru Sando. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1975-09-23.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Semiconductor device with a layer including niobium, and/or tantalum overlying a contact pad or a metal layer

Номер патента: US8836120B2. Автор: Joachim Mahler,Khalil Hosseini,Manfred Mengel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor device with fixing feature on which bonding wire is disposed

Номер патента: US20240014165A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with supporter against which bonding wire is disposed and method for prparing the same

Номер патента: US20230395557A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device that suppresses variations in high frequency characteristics of circuit elements

Номер патента: US7545036B2. Автор: Makoto Terui,Noritaka Anzai. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20220302045A1. Автор: Daisuke Kawamura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device with interlayer insulating film covering the chip scribe lines

Номер патента: US5237199A. Автор: Naoyuki Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Semiconductor device manufacturing method having high aspect ratio insulating film

Номер патента: USRE45361E1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-02-03.

Coaxial wire and optical fiber trace via hybrid structures and methods to manufacture

Номер патента: US11092763B2. Автор: Sarah K. Czaplewski,Eric J. Campbell,Christopher W. Steffen,Daniel J. Buvid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-17.

Coaxial wire and optical fiber trace via hybrid structures and methods to manufacture

Номер патента: US10613283B2. Автор: Sarah K. Czaplewski,Eric J. Campbell,Christopher W. Steffen,Daniel J. Buvid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Coaxial wire and optical fiber trace via hybrid structures and methods to manufacture

Номер патента: US20180129002A1. Автор: Sarah K. Czaplewski,Eric J. Campbell,Christopher W. Steffen,Daniel J. Buvid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Coaxial wire and optical fiber trace via hybrid structures and methods to manufacture

Номер патента: US20180341078A1. Автор: Sarah K. Czaplewski,Eric J. Campbell,Christopher W. Steffen,Daniel J. Buvid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Coaxial wire and optical fiber trace via hybrid structures and methods to manufacture

Номер патента: US20200057219A1. Автор: Sarah K. Czaplewski,Eric J. Campbell,Christopher W. Steffen,Daniel J. Buvid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Coaxial wire and optical fiber trace via hybrid structures and methods to manufacture

Номер патента: US20180372975A1. Автор: Sarah K. Czaplewski,Eric J. Campbell,Christopher W. Steffen,Daniel J. Buvid. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20140210042A1. Автор: Hisashi Hasegawa. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device with overall inorganic coating - on elements, conductors, connecting wires and contacts, for permanent stability at high humidity, pressure and temp

Номер патента: DE2341557A1. Автор: Hartmut Dipl-Chem Dr Fischer,Stephan Dipl-Ing Rau,Dietrich Dipl-Chem Socha. Владелец: HALBLEITERWERK FRANKFURT K VEB. Дата публикации: 1974-06-20.

Method of forming cavity between multilayered wirings

Номер патента: US7005248B2. Автор: Takahiko Kurosawa,Kaori Shirato. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2006-02-28.

Method of forming cavity between multilayered wirings

Номер патента: US20040092127A1. Автор: Takahiko Kurosawa,Kaori Shirato. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of forming cavity between multilayered wirings

Номер патента: US20040132243A1. Автор: Youichirou Maruyama,Takahiko Kurosawa,Kaori Shirato. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20160163660A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20120187532A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20110169130A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US8174092B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US8686540B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US8450831B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20140210046A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20150235972A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US20090096061A1. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device having high frequency wiring and dummy metal layer at multilayer wiring structure

Номер патента: US7932578B2. Автор: Shinichi Uchida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09589887B2. Автор: Tadashi Maeda,Shinichi Uchida,Shinpei Watanabe,Kazuo Henmi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having an inner power supply plate structure

Номер патента: US09431337B2. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and chip bonding structure

Номер патента: US20230411435A1. Автор: Tian ZENG,Di Zhan,Tianjian Liu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having high-density capacitor elements, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010053578A1. Автор: Atsushi Tominaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device having a backside metallization layer and a protection layer

Номер патента: US20240371793A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Antenna protection on dummy metal fills

Номер патента: US20230402407A1. Автор: Hao Chen,Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US20180151511A1. Автор: Jian-Hong Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Ching Lee,Kuo-Yen Liu,Hsin-Chun Chang,Yih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance

Номер патента: US20040033686A1. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota,Masao Sakuraba,Yosuke Shimamune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance

Номер патента: US20020027285A1. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota,Masao Sakuraba,Yosuke Shimamune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US12020952B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating semiconductor device having dummy micro bumps between stacking dies

Номер патента: US20240304466A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai,Chung-Chieh TING. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

System, Method and Apparatus to Relieve Stresses in a Semiconductor Die Caused by Uneven Internal Metallization Layers

Номер патента: US20160211223A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: WO2016118227A1. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11764164B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Bang Ning Hsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Multilayer wiring structure for semiconductor device

Номер патента: US20010045656A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Wiring structures

Номер патента: US09780031B2. Автор: Fen Chen,Cathryn J. Christiansen,Roger A. Dufresne,Charles W. Griffin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers

Номер патента: US09659882B2. Автор: Manuel A. d'Abreu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device for radio communication device, and radio communication device using said semiconductor device

Номер патента: US7088983B2. Автор: Junichi Hikita,Hiroo Mochida,Katsutoshi Nagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Vehicle, display device and manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US09493119B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Hideaki Kuwabara,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and dummy pattern arrangement method

Номер патента: US20100084769A1. Автор: Naohiro Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Wireless communication unit and semiconductor device having a power amplifier therefor

Номер патента: US20110031571A1. Автор: Gerard Bouisse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: US20030214033A1. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Tetsu Toda,Shigeki Tsubaki. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device having pad electrode connected to wire

Номер патента: EP1353377A3. Автор: Takahiro Kawabata,Toshimichi Kurihara,Shigeki Tsubaki,Tetsu Tode. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Interconnect structure including middle of line (MOL) metal layer local interconnect on ETCH stop layer

Номер патента: US09786607B2. Автор: Sukwon Hong,Su Chen Fan,William J. Taylor, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Chip scale package (csp) semiconductor device having thin substrate

Номер патента: US20230307325A1. Автор: Jun Lu,Long-Ching Wang,Lin LV,Shuhua ZHOU. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and dummy pattern arrangement method

Номер патента: US20080251930A1. Автор: Naohiro Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11764141B2. Автор: Shun Takeda. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20150287684A1. Автор: Hisashi Ishiguro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4447094A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09691737B2. Автор: Kil-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating semiconductor device having voids between top metal layers of metal interconnects

Номер патента: US09659886B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Hsin Lin,Ping-Heng Wu,Chao-Wen Lay,Hung-Mo Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09437556B2. Автор: Hisashi Ishiguro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070224761A1. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7534712B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7235849B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP4044214A1. Автор: Ray Huang,Jeffrey Junhao XU,Rui Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Method of fabricating semiconductor device including dummy via anchored to dummy metal layer

Номер патента: US11302654B2. Автор: Jian-Hong Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Ching Lee,Kuo-Yen Liu,Hsin-Chun Chang,Yih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20080174026A1. Автор: Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09842837B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20230171965A1. Автор: Seungmin Lee,Kwanyong Kim,Jihwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Wire structure and semiconductor device comprising the wire structure

Номер патента: US7932543B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-26.

Wire structure and semiconductor device comprising the the wire structure

Номер патента: US20080169118A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12112981B2. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device having cut metal gate

Номер патента: US20240347347A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859297B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jong-hyun Park,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with thick bottom metal and preparation method thereof

Номер патента: US09653383B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yan Xun Xue,Aihua Lu,Ming-Chen Lu. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09466521B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180152801A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor device having shielding member

Номер патента: US20230282598A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH,Seung Pil LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor devices having conductive pad structures with multi-barrier films

Номер патента: US12051659B2. Автор: Po-Han Wang,Ing-Ju Lee,Cheng-Ming Wu,Chao-Lung Chen,Po-Hsun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices including contact plugs

Номер патента: US20210327804A1. Автор: Kihyun Kim,Sangrok Lee,Youngho KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor Device Having a Thin Semiconductor Die

Номер патента: US20210143108A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device having a thin semiconductor die

Номер патента: US11605599B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor device having a multi-layer diffusion barrier and method of making the same

Номер патента: US11742393B2. Автор: Ding-I Liu,Jyh-Nan Lin,Yuh-Ta FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20200145771A1. Автор: Yu Hua,Chao Wang,Yijun Chen,Shan ZHANG,Kuanchieh YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203970A1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device with dual damascene and dummy pads

Номер патента: US20240332229A1. Автор: Bharat Bhushan,Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Tzu Ching Hung,Kyle B. Campbell,Julia VanWinkle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with dual damascene and dummy pads

Номер патента: WO2024211160A1. Автор: Bharat Bhushan,Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Tzu Ching Hung,Kyle B. Campbell,Julia VanWinkle. Владелец: Micro Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711391B1. Автор: Chih-Hsiang Yao,Yi-Chun Huang,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having bilayer metal layer

Номер патента: US09548268B2. Автор: Hsin-Hsing Chen,Chih-Yueh Li,Tsun-Min Cheng,Chun-Chi Huang,Yung-Hung Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Wiring board, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09437454B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshinori IEDA,Fumika TAGUCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US9245856B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor Device

Номер патента: US20150221599A1. Автор: Yoshihiro Ihara,Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-06.

High frequency semiconductor device

Номер патента: US20060187977A1. Автор: Yoshihiro Notani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US11069735B2. Автор: Kaoru Koike,Kengo Kotoo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US20170069574A1. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Semiconductor device including bonding pad metal layer structure

Номер патента: US11764176B2. Автор: Joachim Hirschler,Thomas Rupp,Jens Brandenburg,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Evelyn Napetschnig,Christoffer Erbert,Julia Zischang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20160372431A1. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Metal structure and method of manufacturing the same and metal wire and semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210028024A1. Автор: Do Yoon Kim,Kenji Takai,Boun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240243238A1. Автор: Chin-I Lin,Shih-I Chen,Chun-Ming Wu,Ya-Nan Lin,Chun-Ru Yang. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321750A1. Автор: Ryuji Ueno,Keisuke Miyoshi,Yuki Maekawa,Mikihito Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having dolmen structure and manufacturing method therefor, and support piece formation laminate film and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074139B2. Автор: Shintaro Hashimoto,Kohei Taniguchi,Yoshinobu Ozaki,Tatsuya YAHATA,Kei ITAGAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09824971B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device having structure for improving voltage drop and device including the same

Номер патента: US09799604B2. Автор: Sung Su Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

EMI shield for high frequency layer transferred devices

Номер патента: US09786613B2. Автор: Michael A. Stuber. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09627336B2. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09536833B2. Автор: Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device and method of laminating metal

Номер патента: US20210020504A1. Автор: Kengo Furutani. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Method for making an interconnect layout and a semiconductor device including an interconnect layout

Номер патента: GB2364598A. Автор: Sudhanshu Misra,Vivek Saxena,Donald Thomas Cwynar,Dennis Okumu Ouma,John Michael Sharpe. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-30.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Wiring structure with conductive features having different critical dimensions, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047354A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device having a multiple layer wiring structure, wiring method, wiring device, and recording medium

Номер патента: US20030015800A1. Автор: Shinji Fukasawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Wiring structure with conductive features having different critical dimensions, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047355A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210384144A1. Автор: Seok-hyun Lee,Youn-ji MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20100164103A1. Автор: Tsutomu Igarashi,Takeshi Hishida. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20070155175A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Manufacturing method of a semiconductor device having high-voltage isolation capacitor

Номер патента: US20240162282A1. Автор: Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Jeong Ho SHEEN,Sang Geun KOO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

High frequency equalizer using a demultiplexing technique and related semiconductor device

Номер патента: US6983010B1. Автор: Soo-In Cho,Jung-Bae Lee,Hong-Joon Park,Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20090134519A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-28.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290759A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20080298415A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Kunihiko Tasai,Katsumi Kishino,Koshi Tamamura,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

A semiconductor device

Номер патента: WO2001001485A3. Автор: Henricus G R Maas,Deurzen Maria H W A Van. Владелец: Deurzen Maria H W A Van. Дата публикации: 2001-05-03.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315024A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Yefei HAN,Kazushi Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US20240297196A1. Автор: Yuriko YAMANO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12119292B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having metallization layer with low capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US12062572B2. Автор: Shau-Lin Shue,Gary Liu,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09984974B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US09899322B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of forming interconnect structure for encapsulated die having pre-applied protective layer

Номер патента: US09559029B2. Автор: Il Kwon Shim,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with external connection bumps

Номер патента: US09472526B2. Автор: Shinya Suzuki,Kiichi Makuta. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device having improved high frequency characteristics

Номер патента: US4266239A. Автор: Shozo Noguchi,Yukio Hirakawa,Katsunori Miyagaki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-05-05.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9412683B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9018764B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US20150206828A1. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Integrated circuit device having redistribution pattern

Номер патента: US20210066231A1. Автор: Jungmin Ko,Seungduk Baek,Yunrae Cho,Jinyeol Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140248729A1. Автор: Akihiro Fujiwara,Katsufumi Kondo,Kimitaka Yoshimura,Tokuhiko Matsunaga,Takashi HAKUNO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162505A1. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230253283A1. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with a supporting member and bonded metal layers

Номер патента: US11728237B2. Автор: Xiaopeng Wu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor device having inter-metal dielectric patterns and method for fabricating the same

Номер патента: US11749601B2. Автор: Bin Guo,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound sn/sb

Номер патента: US20200105704A1. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device including a solder compound containing a compound Sn/Sb

Номер патента: US11069644B2. Автор: Alexander Heinrich,Thomas Behrens,Bernhard Weidgans,Evelyn Napetschnig,Catharina Wille,Christina Yeong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20030218238A1. Автор: Takashi Kubo,Hiroshi Kikuchi,Norio Nakazato,Hiroyasu Sasaki,Takashi Suga,Masanori Fukuhara,Satoru Isomura,Hideko Ando,Naotaka Tanaka,Fujiaki Nose. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180096944A1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device having pads for bonding and probing

Номер патента: US20080012046A1. Автор: Tsukasa Ojiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device and a method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20190267283A1. Автор: Werner Robl,Klemens Pruegl,Michael Nelhiebel,Carsten Schaeffer,Michael Fugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20010045665A1. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor Device With Optimized Underfill Flow

Номер патента: US20230299034A1. Автор: Fen YU,Tim Huang,Hope Chiu,Rui YUan,Zengyu Zhou,Yihao Chen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having inter-metal dielectric patterns and method for fabricating the same

Номер патента: US12094820B2. Автор: Bin Guo,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, imaging unit, and electronic apparatus

Номер патента: US12112996B2. Автор: Takahiro Kamei,Yoichi Ootsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Voltage-dividing resistor and semiconductor device having the same

Номер патента: US7091577B2. Автор: Suk Kyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09917128B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09852995B1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device allowing metal layer routing formed directly under metal pad

Номер патента: US09847294B2. Автор: Tien-Chang Chang,Chien-Chih Lin,Chun-Liang Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09818785B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09748186B2. Автор: Takashi Saito,Yoshitaka Nishimura,Fumihiko Momose,Kazumasa Kido. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09685419B2. Автор: Shigeyuki Ueda,Tadahiro Morifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09679938B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09668338B2. Автор: Takashi Uno,Kazuhiro Yahata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, and recording medium

Номер патента: US09543220B2. Автор: Takeo Sato. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09514984B1. Автор: Katsumi Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09355937B2. Автор: Hidetoshi Koyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor device including dummy channels and through wiring structure

Номер патента: US11889700B2. Автор: Kyungjae Park,Seorim MOON,Sooyong Lee,Bongsoo Kang,Cheol RYOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: WO2023049719A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-03-30.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and a method of assembling a semiconductor device

Номер патента: US20240079283A1. Автор: Vegneswary RAMALINGAM. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230299038A1. Автор: Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240112981A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Changoh Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014146A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804449B2. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device with reinforced dielectric and method therefor

Номер патента: EP4372808A2. Автор: Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12046549B2. Автор: Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device with sealed through-substrate via and method for producing thereof

Номер патента: WO2022218610A1. Автор: Georg Parteder,Peter JERABEK. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US20190181088A1. Автор: Doo-Hwan Park,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Eui Bok LEE,Sang Hoon AHN,Hyeok Sang OH,Deok Young Jung,Sang Bom KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230092555A1. Автор: Yasuyuki Morishita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Guard ring in semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080150144A1. Автор: Won-Hyo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246539A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160155709A1. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-02.

Contact structure for semiconductor devices and corresponding manufacturing process

Номер патента: US20020050627A1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070032066A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device having a contact struture using aluminum

Номер патента: US20020014696A1. Автор: Michio Asahina,Junichi Takeuchi,Kazuki Matsumoto,Naohiro Moriya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20210118472A1. Автор: Youjin JUNG,Hongseon KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312947A1. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432333A2. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363572A1. Автор: Akinori NII. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Increasing response of the quantum semiconductor device by employing metamaterial structure

Номер патента: EP4451345A1. Автор: Vladislovas ČIŽAS,MINKEVIČIUS Linas,Karolis Redeckas,Vytautas Jakstas,Grigelionis Ignas. Владелец: Valstybinis Moksliniu Tyrimu Institutas Fiziniu Ir Technologijos Mokslu Centras. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device protection using an anti-reflective layer

Номер патента: US12046509B2. Автор: Stephan Voss,Alexander Breymesser,Carsten Schaeffer,Mathias Plappert,Eva-Maria Hof. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US12080680B2. Автор: Makoto Mizukami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices, through-substrate via structures and methods for forming the same

Номер патента: US09972534B1. Автор: Li-Che Chen,Hsing-Chao Liu,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices with protruding conductive vias and methods of making such devices

Номер патента: US09941210B1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Colby Rampley,Mali Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure

Номер патента: US09893058B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having mesh-patterned wirings

Номер патента: US09871027B2. Автор: Eiji Kondo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of forming a fan-out structure with integrated passive device and discrete component

Номер патента: US09865482B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabrication method for same

Номер патента: US09812621B2. Автор: Masamichi Ishihara,Kenshu Oyama,Shoji Murakami,Hitonobu Onosaka. Владелец: Shikoku Instrumentation Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having insulating layers containing oxygen and a barrier layer containing manganese

Номер патента: US09704740B2. Автор: Hiroshi Kudo,Atsuhiro Tsukune,Hirosato Ochimizu. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691714B2. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Terminal structure and semiconductor device

Номер патента: US09640500B2. Автор: Kenichi Yoshida,Hisayuki Abe,Makoto Orikasa,Hideyuki SEIKE,Yuhei HORIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with a contact plug and method of fabricating the same

Номер патента: US09640482B1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Li-Han Chen,Pin-Hong Chen,Kuo-Chih Lai,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Min-Chuan Tsai,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of forming protection and support structure for conductive interconnect structure

Номер патента: US09484259B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US09425352B2. Автор: Yong Jin Kim,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device having manufacturing wiring structure with buried plugs

Номер патента: US6150720A. Автор: Tetsuya Kuwajima,Takahisa Yamaha. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20080067690A1. Автор: Hokuto Kumagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device having a metallic oxide or metallic hydroxide barrier layer

Номер патента: US10964658B2. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200118965A1. Автор: Kazuo Enomoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: EP3682481A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-22.

Sputtering system and method for forming a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20190080906A1. Автор: Victor Torres,Robert Dwayne Gossman,Stacey Joy Kennerly,David Lilienfeld,Gregory Keith Dudoff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20080138995A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20190326219A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286827A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US8269349B2. Автор: Tsutomu Igarashi,Takeshi Hishida. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2012-09-18.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333888A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device having leadless package structure

Номер патента: US20030102542A1. Автор: Yutaka Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor device having a translation feature and method therefor

Номер патента: US20220068828A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20190165673A1. Автор: Masayuki Otsuka. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor devices having an electro-static discharge protection structure

Номер патента: US11848286B2. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080174014A1. Автор: Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12051619B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110045615A1. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120175781A1. Автор: Tadanori Suto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: SE2050185A1. Автор: Kazuhiko Yamada,Kohei Seki,Eiichi Satoh,Mitsuo Togawa,Daichi Takemori,Mizuko Sato. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Wiring structure, method of manufacturing the same, and imaging device

Номер патента: US20230268369A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii,Masaki HANEDA,Koichi Sejima,Kenya Nishio,Takashi FUKATANI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20100164112A1. Автор: Tsutomu Igarashi,Takeshi Hishida. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Wiring structure for a pad section in a semiconductor device

Номер патента: US7227269B2. Автор: Dong Heon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

Detection pad structure for analysis in a semiconductor device

Номер патента: US12072374B2. Автор: Jihoon Chang,Yeonjin Lee,Jimin CHOI,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US12062613B2. Автор: Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20200365529A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20200373255A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20230290745A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20240113044A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device with fuse component

Номер патента: US12057393B2. Автор: Jui-Hsiu JAO,Kai-Po Shang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having an extra low-k dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20220359412A1. Автор: Li Chun Te,Po-Cheng Shih,Chia Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device comprising an aperture array and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: US20170309665A1. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device having a high-speed memory with stable operation

Номер патента: US11710511B2. Автор: Hiroyuki Takahashi,Tetsuo FUKUSHI,Muneaki Matsushige. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device having wiring layer

Номер патента: US20040188835A1. Автор: Masahiro Owada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080003835A1. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240274523A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230065171A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12100646B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices containing bi-metallic silicide with reduced contact resistivity

Номер патента: US20240313079A1. Автор: Gang Shen,Avgerinos V. Gelatos,El Mehdi Bazizi,Gaurav Thareja,Sefa Dag. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Cured resin film, semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240352275A1. Автор: Masaya TOBA,Yu Aoki,Yuki IMAZU,Yoshimi HAMANO. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with doped region dielectric layer

Номер патента: US20240371688A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136566B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997499B2. Автор: Hiroshi Kuroda,Hideo Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: EP4439656A2. Автор: Chiu-Lang Lin. Владелец: Morningrich Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332217A1. Автор: Chiu-Lang Lin. Владелец: Morningrich Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09917131B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893029B2. Автор: Hirohisa Matsuki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09870987B2. Автор: Akira Nakajima,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Wiring substrate, semiconductor device, and method for manufacturing wiring substrate

Номер патента: US09859201B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Kiyoshi Oi,Yuichiro Shimizu. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837459B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices containing bi-metallic silicide with reduced contact resistivity

Номер патента: WO2024191596A1. Автор: Gang Shen,Avgerinos V. Gelatos,El Mehdi Bazizi,Gaurav Thareja,Sefa Dag. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09754919B2. Автор: Hiroshi Kuroda,Hideo Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-light-emitting organic semiconductor device, material for organic transistor, coating solution for non-light-emitting organic semiconductor device, organic semiconductor film for non-light-emitting organic semiconductor device, and method for manufacturing organic semiconductor film for non-light emitting organic semiconductor device

Номер патента: US09705096B2. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI,Katsuyuki Youfu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Curable silicone composition, and optical semiconductor device

Номер патента: US09688869B2. Автор: Akihiko Kobayashi,Yusuke Miyamoto,Akito Hayashi. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and metnod for forming same

Номер патента: US09666545B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09646908B2. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device packaging

Номер патента: US09620457B2. Автор: Eva Wagner,Gottfried Beer,Ulrich Wachter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device including substrate which is used in display devices

Номер патента: US09583515B2. Автор: Hiroaki Furukawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device having high-voltage transistor

Номер патента: US09576681B2. Автор: Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, substrate, semiconductor device and method of manufacturing the solid-state imaging device

Номер патента: US09478520B2. Автор: Yoshiaki Takemoto,Hiroshi Kikuchi,Yoshitaka Tadaki,Yuichi Gomi,Haruhisa Saito,Mitsuhiro Tsukimura,Naohiro Takazawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device comprising a graphene wire

Номер патента: US09437716B2. Автор: Makoto Wada,Akihiro Kajita,Yuichi Yamazaki,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437639B2. Автор: Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US09431450B2. Автор: Hajime Inoue,Ryuichi Kanamura,Taku Umebayashi,Keiji Tatani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and method for forming the same

Номер патента: US09385081B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device with bump stop structure

Номер патента: US09379075B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of manufacturing semiconductor device having thin film SOI structure

Номер патента: US6624010B2. Автор: Naokatsu Ikegami. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20030067066A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for producing a 3d semiconductor device and structure including power distribution grids

Номер патента: US20230043191A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050148177A1. Автор: Seiichi Omoto,Kazuhiro Murakami,Tomio Katata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20080157351A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: EP4216692A1. Автор: Jooho Lee,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240102171A1. Автор: Yuya Takahashi,Shunsuke Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Capacitor and semiconductor device including the capacitor

Номер патента: US20230231004A1. Автор: Jooho Lee,Byunghoon NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240250025A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043118A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20140319588A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134673B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210057272A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor devices and their manufacture

Номер патента: US20020008327A1. Автор: John Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-24.

Resin sealed semiconductor device with stress-reducing layer

Номер патента: EP1275148A1. Автор: John R. Cutter. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243152A1. Автор: Kuem Ju LEE,Jeong Mook CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and semiconductor device production method

Номер патента: US20150137358A1. Автор: Azusa Yanagisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device having fuses

Номер патента: US20050098803A1. Автор: Hajime Koyama,Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20200058543A1. Автор: Seokhwan Kim,Junyong NOH,Jung-Hoon Han,Jaewon Seo,Joodong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US12080691B2. Автор: Wonil Lee,Sungwoo Park,Heonwoo KIM,Sangcheon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024156585A1. Автор: Thomas Schwarz. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Oxidation and corrosion prevention in semiconductor devices and semiconductor device assemblies

Номер патента: US12051661B2. Автор: George Chang,Srinivasa Reddy Yeduru. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020146864A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Yoshinori Miyaki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Pad structure of semiconductor device and formation method

Номер патента: US20070138655A1. Автор: Young Wook Shin. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20080157377A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222465A1. Автор: Hohyun Kim,Kihwan Kim,Chanho Park,Kitae Kang,Jungyeon Lee,Jiyong LIM,Seongchan JEON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194616A1. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315016A1. Автор: Teruhisa SONOHARA,Seungkeun BAEK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US12096625B2. Автор: Jiyoung Kim,Junyoung Choi,Jungtae Sung,Yoonjo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor die edge protection for semiconductor device assemblies and associated systems and methods

Номер патента: US12100661B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312896A1. Автор: Natsuya Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240312878A1. Автор: Hiroaki Aoyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: US7943401B2. Автор: William A. Goddard, Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tamir-Kheli. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: EP4386828A2. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4386828A3. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor devices with recessed pads for die stack interconnections

Номер патента: US12087697B2. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Ruei Ying Sheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20200091218A1. Автор: Hiroshi Ikakura,Takumi Ogino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for producing package substrate for mounting semiconductor device

Номер патента: US12119277B2. Автор: Yoshihiro Kato,Syunsuke Hirano,Takaaki Ogashiwa. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods and systems for measuring semiconductor devices

Номер патента: US20240371706A1. Автор: Lisa R. Copenspire-Ross,Anilkumar Chandolu,Michael D. Kenney. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices having area efficient ESD protection

Номер патента: US09997513B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with electromagnetic shield

Номер патента: US09991228B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for thermo-mechanical stress reduction in semiconductor devices and corresponding device

Номер патента: US09960131B2. Автор: Antonella Milani,Paolo Colpani,Andrea Paleari,Lucrezia Guarino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and process of making the same

Номер патента: US09929132B2. Автор: Chien-Hua Chen,Pao-Nan Lee,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US09842815B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Pad structure layout for semiconductor device

Номер патента: US09768221B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Volume Chien,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Yi-Sheng Liu,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having scribe lines

Номер патента: US09728477B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Yung-Ping Chiang,Nien-Fang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

High-frequency circuit board and antenna module

Номер патента: US20230354507A1. Автор: Naoya Okamoto,Yoshihiro Nakata,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor circuit and semiconductor device

Номер патента: US09423466B2. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device for producing or amplifying high-frequency electromagnetic oscillations

Номер патента: AU4367472A. Автор: Bocoum-Gibod Dominique. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1974-01-03.

Broad band high frequency converter with independent control of harmonic fields

Номер патента: US3883823A. Автор: Martin I Grace. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1975-05-13.

Semiconductor device for producing or amplifying high-frequency electromagnetic oscillations

Номер патента: AU463430B2. Автор: Bocoum-Gibod Dominique. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1975-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240298438A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-electrode semiconductor device

Номер патента: RU2654352C1. Автор: Дмитрий Владимирович Кантюк,Сергей Иванович Толстолуцкий,Анна Владимировна Толстолуцкая. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС"). Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices having landing pad structures

Номер патента: US20240276699A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240237376A9. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12069876B2. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240365572A1. Автор: Kazunori Watanabe,Satoshi Yoshimoto,Tomoaki Atsumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12150307B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240230751A9. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240133944A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device test socket having high frequency property

Номер патента: KR101403048B1. Автор: 박성규,민성규,김무준,김원규,전진국. Владелец: 주식회사 오킨스전자. Дата публикации: 2014-06-09.

Extracorporeal shock wave medical device having function for high frequency treatment and low frequency treatment

Номер патента: KR101012818B1. Автор: 박상해. Владелец: (주)아이티시. Дата публикации: 2011-02-08.

Magnetic sensor device having near field light generation section employing a dielectric layer between a protruding metal layer and magnetic layer

Номер патента: US8208214B2. Автор: Noboru Iwata,Yoshiteru Murakami,Tomoki Ono,Shintaro Miyanishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-06-26.

Self service device particularly cash dispenser, has detection device having receiver for high-frequency electromagnetic signal, where signal has scan module for scanning frequency range

Номер патента: DE102006025207B3. Автор: Dieter Schliebe. Владелец: WINCOR NIXDORF INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09564223B2. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Inkjet head, method for producing same, method for producing semiconductor device using same, and printing device

Номер патента: US20240227395A9. Автор: Shinri Sakai,Ryoichi BIZEN. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device, semiconductor integrated circuit and high frequency processing circuit

Номер патента: JPH11154837A. Автор: Masao Nishida,Naonori Uda,尚典 宇田,昌生 西田,Shigeyuki Murai,成行 村井. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-08.

Device for multiple wiring of high frequency currents by wire and without wires

Номер патента: SU6740A1. Автор: В.С. Розен. Владелец: В.С. Розен. Дата публикации: 1928-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: RU2139599C1. Автор: В.М. Иоффе,А.И. Максутов. Владелец: Максутов Асхат Ибрагимович. Дата публикации: 1999-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated multifunctional magneto-semiconductor device

Номер патента: RU2280917C1. Автор: Александр Анатольевич Игнатьев,Александр Викторович Ляшенко,шенко Александр Викторович Л. Владелец: ОАО "Тантал". Дата публикации: 2006-07-27.

ELECTRICAL SYSTEM USING HIGH FREQUENCY AC AND HAVING INDUCTIVELY CONNECTED LOADS, AND RELATED POWER SUPPLIES AND LUMINAIRES

Номер патента: US20120001563A1. Автор: RIMMER Philip John,Sherrington Carole. Владелец: JUICE TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP COOLING DEVICE HAVING WEDGE ELEMENT

Номер патента: US20120000636A1. Автор: Weinmann Klaus,Hortmann Philip. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.