Methods for forming vias of varying lateral dimensions and semiconductor components and assemblies including same
Номер патента: US20060046471A1
Опубликовано: 02-03-2006
Автор(ы): Kyle Kirby, Warren Farnworth
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-03-2006
Автор(ы): Kyle Kirby, Warren Farnworth
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure
Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.