用于铜基金属层和铜基金属层与金属氧化物层的层压膜的蚀刻剂组合物以及制备金属布线的方法.

用于铜基金属层和铜基金属层与金属氧化物层的层压膜的蚀刻剂组合物以及制备金属布线的方法

Номер патента: CN104018159A
Опубликовано: 03-09-2014
Автор(ы): 李恩远, 李铉奎, 金镇成
Принадлежит: Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Etchant composition for copper-based metal layer and multiful layer of copper-based metal layer and metal oxide layer, and method of preparing metal line

Номер патента: TW201447043A. Автор: Jin-Sung Kim,Hyun-Kyu Lee,Eun-Won Lee. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-16.

Etching composition for copper-based metal layer and metal oxide layer and method of preparing metal line

Номер патента: KR20140119886A. Автор: 조성배,김진성,권민정. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2014-10-13.

Etching composition for copper-based metal layer and method of preparing metal line

Номер патента: KR20140118491A. Автор: 이은원,양규형,권민정. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2014-10-08.

Etching composition for copper-based metal layer and method of preparing metal line

Номер патента: KR20140118492A. Автор: 조성배,이은원,권민정. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2014-10-08.

Etching solution composition for copper-based metal layer, manufacturing method of an array substrate for crystal display using the same

Номер патента: KR20170112886A. Автор: 이은원,박승욱,양승재. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2017-10-12.

Etchant composition for etching copper-based metal layer and method for manufacturing liquid crystal display array substrate using the same

Номер патента: TWI674336B. Автор: 梁圭亨,李鉉奎,金鍊卓,鄭成珉. Владелец: 南韓商東友精細化工有限公司. Дата публикации: 2019-10-11.

Etching solution composition for copper-based metal layer and method for etching copper-based metal layer using the same

Номер патента: KR102293675B1. Автор: 이현규,정성민,양규형,김련탁. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2021-08-25.

Etching solution composition for copper-based metal layer and method for etching copper-based metal layer using the same

Номер патента: KR102293674B1. Автор: 이현규,정성민,양규형,김련탁. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2021-08-25.

Etching solution composition for indium oxide layer and method for etching copper-based metal layer using the same

Номер патента: KR102323942B1. Автор: 권오병,최용석,김상태,이은원,이지연,박용운,정경섭. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2021-11-09.

Method for manufacturing array substrate for liquid crystal display device and copper-based metal film etching solution composition used for same

Номер патента: CN111755461A. Автор: 梁圭亨,郑敬燮,朴镛云,金相正. Владелец: Dongwoo Fine Chem Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-09.

Etchant composition copper based metal layer and manufacturing method of an array substrate for display device, manufacturing method of touch sensor substrate, method for etching copper based metal layer using the same

Номер патента: KR102310092B1. Автор: 최용석,전현수,김상태,임대성. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2021-10-08.

Liquid crystal display and method for repairing alignment layer using the same

Номер патента: US9335571B2. Автор: Taek Joon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Optical film having high reliability and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220127526A1. Автор: Chun-Che Tsao,Te-Chao Liao,Ren-Yu Liao. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Sunscreen coatings and methods of forming sunscreen coatings

Номер патента: RU2768915C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джеймс П. ТИЛЬ,Адам Д. ПОЛСИН,Пол А. МЕДВИК,Эндрю В. ВАГНЕР,Деннис Дж. О'ШОНЕССИ,Джеффри А. БЕНИГНИ,Дональд ЭНТОНИ. Владелец: Витро Флэт Глас ЛЛК. Дата публикации: 2022-03-25.

Plasmonic nano-color coating layer and method for fabricating the same

Номер патента: US09482798B2. Автор: Inho Kim,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Doo Seok Jeong,Kyeong Seok Lee,Wook Seong LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-11-01.

Adhesive composition for polarizing plates, adhesive sheet, polarizing plate with adhesive layer, and laminate

Номер патента: WO2016059926A1. Автор: 佐知室井,翔黒澤. Владелец: 綜研化学株式会社. Дата публикации: 2016-04-21.

Adhesive composition for polarizing plates, adhesive sheet, polarizing plate with adhesive layer, and laminate

Номер патента: KR102217610B1. Автор: 사치 무로이,쇼 쿠로사와. Владелец: 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드. Дата публикации: 2021-02-19.

Adhesive composition for polarizing plate, adhesive sheet, polarizing plate with adhesive layer and laminate

Номер патента: TWI688626B. Автор: 室井佐知,黒澤翔. Владелец: 日商綜研化學股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-21.

Liquid crystal display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6414730B1. Автор: Yoshinori Shimada,Keiichi Akamatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140367706A1. Автор: Ji-Young Park,Sang Gab Kim,Dong Il Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09966393B2. Автор: Jin-Su Kim,Sung-Jin UM,Jin-Hyung Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Conductive pattern, display device including conductive pattern, and method of manufacturing conductive pattern

Номер патента: US20210043870A1. Автор: Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Gyungmin BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Conductive pattern, display device including conductive pattern, and method of manufacturing conductive pattern

Номер патента: US11398618B2. Автор: Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Gyungmin BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Display module, display device, and method of manufacturing the display module

Номер патента: US11864455B2. Автор: Woongsik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Optical sheet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180298A1. Автор: Dong-Hoon Kim,Seung-Hwan Chung,Jin-Sung Choi,Joong-Hyun Kim,Seung-Mo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: ZA202205838B. Автор: Andrew Wagner,Patrick Fisher,Adam D Polcyn,Paul A Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: US11885174B2. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: AU2019215224B2. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Solar control coatings with quadruple metallic layers

Номер патента: AU2024201648A1. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Solar Control Coatings With Quadruple Metallic Layers

Номер патента: US20240200399A1. Автор: Adam D. Polcyn,Andrew Wagner,Patrick Fisher,Paul A. Medwick. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Optical waveguide forming material and method

Номер патента: US20050025442A1. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi,Kinya Kodama. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Etching solution composition for copper-based metal layer and etching method using the same

Номер патента: KR101956964B1. Автор: 국인설,김보형,이종문. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2019-06-24.

Increasing reliability of copper-based metallization structures in a microstructure device by using aluminium nitride

Номер патента: GB2459232A. Автор: Christof Streck,Volker Kahlert. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190271894A1. Автор: Kyungseop Kim,Sangyoun HAN,Jaewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Light-adjusting glass and method for preparing the same

Номер патента: US20190212542A1. Автор: Kang GUO,Xiao Zhang,Xin Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Layered film, metallic tone product, and metallic signage

Номер патента: EP4059708A1. Автор: Yoshihiro Akaza. Владелец: Oike and Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Laminated film, metallic product, and metallic signboard

Номер патента: US20220402242A1. Автор: Yoshihiro Akaza. Владелец: Oike and Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Improved security thread and method and apparatus for applying same to a substrate

Номер патента: GB9825364D0. Автор: . Владелец: Agra Vadeko Inc. Дата публикации: 1999-01-13.

Coating composition for electrical steel sheet, surface-coated electrical steel sheet for adhesion and laminated core

Номер патента: US12037511B2. Автор: Kazutoshi Takeda,Ichiro Tanaka,Shuichi Yamazaki,Shinsuke TAKATANI,Minako Fukuchi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Copper-based metallizations for hybrid integrated circuits

Номер патента: US5288951A. Автор: Robert P. Frankenthal,Ajibola O. Ibidunni,Dennis L. Krause. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Composition for forming silica-based insulating layer, method for preparing composition for forming silica-based insulating layer, silica-based insulating layer, and method for manufacturing silica-based insulating layer

Номер патента: US09738787B2. Автор: Sang-kyun Kim,Hyun-Ji SONG,Seung-Hee Hong,Mi-young Kim,Eun-Su PARK,Taek-Soo Kwak,Yoong-Hee NA,Han-Song LEE,Bong-Hwan Kim,Hui-Chan Yun,Kwen-Woo HAN,Sang-Hak Lim,Go-Un Kim,Jin-Hee Bae. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Composition for forming hard coating layer, hard coating layer using the composition, and laminate comprising the hard coating layer

Номер патента: US20210238447A1. Автор: Sung Il Kim,Young Min Yoon,Ki Taek Lee,Eun Soo Shin,Byong Wook LEE,Hae So Jeon. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Homogeneous brazing foils of copper based metallic glasses

Номер патента: CA1123632A. Автор: Nicholas J. DeCristofaro,Claude Henschel. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1982-05-18.

Multi-layered glass-ceramic structures having an internal distribution of copper-based conductors

Номер патента: CA1123115A. Автор: Rao R. Tummala,Raj N. Master,Lester W. Herron. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-05-04.

Device for decomplexation and enhanced removal of copper based on self-induced fenton-like reaction constructed by electrochemistry coupled with membrane separation, and use thereof

Номер патента: US11739009B2. Автор: Liang Wang,Zhiwei Wang,Hongwei Zhang,Mei Chen,Jiayi Li,Ruobin DAI,Xueye WANG. Владелец: TIANJIN POLYTECHNIC UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-29.

Tunable nano-antenna and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US09904077B2. Автор: Youngzoon Yoon,Younggeun ROH,Yeonsang Park,Changwon Lee,Jaesoong LEE,Jineun KIM,Chanwook BAIK,Unjeong KIM,Sangmo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Etching solution composition for copper-based metal layer and etching method using the same

Номер патента: KR20160109236A. Автор: 유인호,국인설,이종문. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2016-09-21.

Etching solution composition for copper-based metal layer and etching method using the same

Номер патента: KR102281189B1. Автор: 유인호,국인설,이종문. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2021-07-23.

Capacitive touch sensitive housing and method for making the same

Номер патента: US20170277218A1. Автор: Sheng-Hung YI,Pen-Yi Liao. Владелец: Taiwan Green Point Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Capacitive touch sensitive housing and method for making the same

Номер патента: US20150241910A1. Автор: Sheng-Hung YI,Pen-Yi Liao. Владелец: Taiwan Green Point Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Metal circuit structure based on FPC and method of making the same

Номер патента: US12089331B2. Автор: Sui-Ho Tsai,Cheng-Neng Chen,Yun-Nan Wang,Chiao-Hui Wang. Владелец: Aplus Semiconductor Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Capacitive touch sensitive housing and method for making the same

Номер патента: US09933811B2. Автор: Sheng-Hung YI,Pen-Yi Liao. Владелец: Taiwan Green Point Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Capacitive touch sensitive housing and method for making the same

Номер патента: US09678532B2. Автор: Sheng-Hung YI,Pen-Yi Liao. Владелец: Taiwan Green Point Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Brightening systems for copper-base alloys

Номер патента: WO1999015287A1. Автор: Deepak Mahulikar,Derek E. Tyler,Andrew J. Brock,Efraim Sagiv,Dennis Brauer. Владелец: OLIN CORPORATION. Дата публикации: 1999-04-01.

Chemical and mechanical polishing slurry useful for copper-based substrates

Номер патента: JP4494538B2. Автор: ブラシックカーフマンブラスタ,シー．キストラーロドニー,ワンシュミン. Владелец: Cabot Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-30.

Pharmaceutical Composition for Preventing or Treating Aging-related Diseases Comprising Blocker of Progerin and Lamin A Binding and Screening Method Thereof

Номер патента: KR101407044B1. Автор: 이수진,이지현,박범준,송규용,하남출,정연상. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-07-04.

Abrasive solution for copper based metal and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR0165145B1. Автор: 히데아끼 히라바야시,마사또시 히구찌. Владелец: 사또 후미오. Дата публикации: 1999-01-15.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP0659858A2. Автор: Hideaki C/O Intellectual Pty Div. Hirabayashi,Masatoshi C/O Intellectual Pty Div. Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-28.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5575885A. Автор: Hideaki Hirabayashi,Masatoshi Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-11-19.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050199589A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Masatoshi Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070105376A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Masatoshi Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-10.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP0659858B1. Автор: Hideaki C/O Intellectual Pty Div. Hirabayashi,Masatoshi C/O Intellectual Pty Div. Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-06.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device.

Номер патента: EP0659858A3. Автор: Hideaki Hirabayashi,Masatoshi Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-01-08.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: USRE37786E1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Masatoshi Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-09.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030036267A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Masatoshi Higuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US12080892B2. Автор: Kouichirou Maeda. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US12057583B2. Автор: Naoki Yoshida,Kouichirou Maeda. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US12074275B2. Автор: Taku Matsumura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US20210328259A1. Автор: Taku Matsumura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Composition for blackening copper-based or silver-based metals

Номер патента: US20170073818A1. Автор: Hiroaki Sakai,Azusa Kita,Joonhaeng Kang. Владелец: Okuno Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: EP4235775A2. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-08-30.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: EP3876265A1. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-09-08.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114555B2. Автор: Ohjeong Kwon,Hyeoji Kang,Hongyeon LEE,Seungyeon Jeong,Minju Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Optical sensor and method for forming the same

Номер патента: US20200210669A1. Автор: Han-Liang Tseng,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Coated metal pipe for vehicle pipeline and method for its production

Номер патента: RU2711893C2. Автор: Таканори КОН,Наоки КАВАИ,Норинобу КУСУНОКИ,Акира СУГИТАНИ. Владелец: Сано Индастриал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-01-23.

Optical air slit and method for manufacturing optical air slits

Номер патента: US20130101788A1. Автор: Arturo L. Caigoy. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2013-04-25.

Optical air slit and method for manufacturing optical air slits

Номер патента: US20140335458A1. Автор: Arturo L. Caigoy. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2014-11-13.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: EP4235775A3. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-11-08.

Lens Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120320466A1. Автор: Fan-Gang Tseng,Kuo-Yung Hung. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-12-20.

Package structure for optical fiber and method for forming the same

Номер патента: US20200132949A1. Автор: Shang-Yun Hou,Sung-Hui Huang,Jui-Hsieh LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Damascene interconnect structure, actuator device, and method of manufacturing damascene interconnect structure

Номер патента: US11987493B2. Автор: Nao Inoue,Katsumi Shibayama,Daiki Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-05-21.

Photonic waveguide and method of forming the same

Номер патента: US11994717B2. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Cheng-Tse Tang,Ming Yang Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Photonic waveguide and method of forming the same

Номер патента: US20240272358A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Cheng-Tse Tang,Ming Yang Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Laminated film

Номер патента: US20180326693A1. Автор: Satoshi Kuniyasu,Tamotsu Saikawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Optical waveguide device and method of manufacture thereof

Номер патента: US20050191022A1. Автор: Taro Kaneko,Takuya Anzawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Display device having through hole at light blocking region and method of providing the same

Номер патента: US11910685B2. Автор: Seon Uk LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Display device and method of providing the same

Номер патента: US20210359011A1. Автор: Seon Uk LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Device coupon and method of fabrication thereof

Номер патента: US11808979B2. Автор: Guomin Yu,Aaron John ZILKIE. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Photonic waveguide and method of forming the same

Номер патента: US20230324609A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Cheng-Tse Tang,Ming Yang Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230408768A1. Автор: Hsing-Kuo Hsia,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo,Chih-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Optical Waveguide Structure and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20240142701A1. Автор: Lei Zhang,Kai Guo,Haoyu Chen,Keqiang He. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Device coupon and method of fabrication thereof

Номер патента: US20210311256A1. Автор: Guomin Yu,Aaron John ZILKIE. Владелец: Rockley Photonics Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Endoscope shaft having a layered structure, and method for producing same

Номер патента: US20200070482A1. Автор: Juerg Attinger. Владелец: Karl Storz SE and Co KG. Дата публикации: 2020-03-05.

Display device and method of providing the same

Номер патента: EP3913683A3. Автор: Seon Uk LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Multilayer optical film structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230305198A1. Автор: Ying-Tung Chen. Владелец: YTDIAMOND Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Light diffraction layer laminated sheet and method for producing card

Номер патента: US11934148B2. Автор: Takumi Motoi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Display substrate, display device and method of manufacturing same

Номер патента: US20220300101A1. Автор: Xuwei LI,Dandan JIANG,Ming Dai,Haoyuan FAN,Jenyu LEE. Владелец: Mianyang BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230068019A1. Автор: Sanghyung Lim,Mihyang Sheen. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Polishing agent for copper-based metal and polishing method

Номер патента: WO2007088818A1. Автор: Wolk Jonathan,A Wolk Walter Jr.. Владелец: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2007-08-09.

Etchant composition for metal layer, method for etching copper-based metal layer using the same, method for preparing array substrate for liquid crystal display device, array substrate for liquid crystal display device prepared therefrom

Номер патента: TW201712155A. Автор: 權玟廷,鞠仁說,尹暎晉. Владелец: 東友精細化工有限公司. Дата публикации: 2017-04-01.

Etchant composition for titanium-containing metal layer and etching method using the same

Номер патента: US20230287574A1. Автор: Se Hoon Kim,Sang Seung PARK,Yang Ryoung KIM,Bo Yeon LEE,Min Gyeong JEONG. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200298532A1. Автор: Jong Gil Ryu,Eun Jung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180147818A1. Автор: Jong Gil Ryu,Eun Jung Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Process for recovering pickling liquor for copper based on ferric chloride

Номер патента: SU949019A1. Автор: Александр Петрович Сельский. Владелец: Предприятие П/Я М-5322. Дата публикации: 1982-08-07.

Electro-mechanoluminescent film and method of manufacturing the same

Номер патента: US9772069B2. Автор: Soon Moon JEONG,Seong Kyu Song. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-09-26.

Electro-mechanoluminescent film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170082247A1. Автор: Soon Moon JEONG,Seong Kyu Song. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-03-23.

Copper-based metal polishing compositions and polishing processes

Номер патента: US20070218692A1. Автор: Jonathan J. Wolk,Walter A. Wolk. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Preparation and application of copper-based metal halide luminescent single crystal

Номер патента: CN113913933A. Автор: 张志忠,匡代彬,魏俊华,罗健彬. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-01-11.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240063346A1. Автор: Byung Ju Lee,Sang Jo KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Rubber composition for puncture-preventive sealant, pneumatic tire having tacky sealant layer, and process for producing the same

Номер патента: EP1433830A4. Автор: Yuichi Kobayashi,Tetsuo Ikegami,Takashi Fukutomi,Takumi Sekiguchi,Issei Nakakita,Mitsuru Naito,Satoshi Makino,Takayuki Toyoshima,Tetsuya Mizone,Naoya Miyawaki. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-11.

Composition for chemical and mechanical machining of copper-base alloy components

Номер патента: SU1157135A1. Автор: Виктор Иванович Елисеев,Александр Иванович Грачев. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский Конструкторско-Технологический Институт Подшипниковой Промышленности. Дата публикации: 1985-05-23.

A kind of copper-based circularly polarized luminescence and its preparation and application

Номер патента: CN110105378A. Автор: 高亮,姚利,唐江,牛广达,李京徽. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-08-09.

Lubrication in dc casting of copper base alloys

Номер патента: CA1100252A. Автор: Michael J. Pryor,Derek E. Tyler. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1981-05-05.

Electrode wire for electro-discharge machining and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200023450A1. Автор: Shaoqian Hong,Qi Pei. Владелец: Bfuture Metal Group Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Laminate and laminate production method

Номер патента: EP4427936A1. Автор: Shinji Sakamoto,Yuichi Uto,Yoshimasa Saitou,Zhengzhe Jin,MASUMURA Chiaki KAWAMURA,Hirotoshi IWAMOCHI. Владелец: Japan Polyethylene Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Laminate and laminate production method

Номер патента: EP4427935A1. Автор: Shinji Sakamoto,Yuichi Uto,Yoshimasa Saitou,Zhengzhe Jin,MASUMURA Chiaki KAWAMURA,Hirotoshi IWAMOCHI. Владелец: Japan Polyethylene Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Polishing solution for copper-based metals and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE69623183D1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoaki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-02.

Plural metallic layers in oled donor

Номер патента: WO2005119809A1. Автор: Lee William Tutt,Michael Louis Boroson,Kelvin Nguyen,Donald Robert Preuss,Giana Marie Phelan. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2005-12-15.

Adhesive composition for bonding water and supporting body for said wafer, adhesive film, and laminate

Номер патента: EP2757136A4. Автор: Atsushi Kubo,Takahiro Yoshioka,Hirofumi Imai,Toshiyuki Ogata. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Composition for application of metal coating, which contains suppressing agent for voidless filling of submicron surface elements

Номер патента: RU2542178C2. Автор: Корнелиа РЕГЕР-ГЕПФЕРТ,Роман Бенедикт РЭТЕР,Шарлотте ЭМНЕТ,Александра ХААГ,Дитер МАЙЕР. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2015-02-20.

Electromagnetically transparent metallic-luster member and method for producing the same

Номер патента: US20230137503A1. Автор: Taichi Watanabe,Xiaolei CHEN,Kazuto Yamagata,Hironobu Machinaga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Electromagnetic shielding film and method for manufacturing same

Номер патента: US20190320563A1. Автор: Ming-Jaan Ho,Fu-Yun Shen,Hsiao-Ting Hsu. Владелец: Qing Ding Precision Electronics Huaian Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Fe-based metal plate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09679687B2. Автор: Hiroaki Sakamoto,Tooru Inaguma,Miho Tomita,Youji Mizuhara. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal layer forming process and laminated metal foil-based product

Номер патента: CN1432661A. Автор: 池田健一,川岛敏行,田原伸治. Владелец: Nippon Denko Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

Integrated Circuit Substrate Containing Photoimageable Dielectric Material and Method of Producing Thereof

Номер патента: US20180209046A1. Автор: Poh Cheng Ang,Loke Chew Low,Linhui Yuan. Владелец: Twisden Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Surface-treated mold and method of producing surface-treated mold

Номер патента: US9433998B2. Автор: Yasushi Iwata,Jun Yaokawa,Yuichi Furukawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

COMPOSITION FOR FORMING HARD COATING LAYER, HARD COATING LAYER USING THE COMPOSITION, AND LAMINATE COMPRISING THE HARD COATING LAYER

Номер патента: US20210238447A1. Автор: Kim Sung Il,LEE Ki Taek,YOON Young Min,SHIN Eun Soo,Jeon Hae So,Lee Byong Wook. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Copper-based metal polishing composition, method for manufacturing a semiconductor device, polishing composition, aluminum-based metal polishing composition, and tungsten-based metal polishing composition

Номер патента: US6426294B1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoaki Sakurai,Toshitsura Cho,Shumpei Shimizu,Katsuhiro Kato,Akiko Saito. Владелец: Tama Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-30.

Copper-based metal polishing composition, method for manufacturing a semiconductor device, polishing composition, aluminum-based metal polishing composition, and tungsten-based metal polishing composition

Номер патента: US6861010B2. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoaki Sakurai,Toshitsura Cho,Shumpei Shimizu,Katsuhiro Kato,Akiko Saito. Владелец: Tama Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Copper-based metal polishing composition, method for manufacturing a semiconductor device, polishing composition, aluminum-based metal polishing composition, and tungsten-based metal polishing composition

Номер патента: US20020160608A1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoaki Sakurai,Toshitsura Cho,Shumpei Shimizu,Katsuhiro Kato,Akiko Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Composition for use as coating material and adhesive, method for adhesive bonding, and laminated products

Номер патента: WO2011152404A1. Автор: 田坂　道久,弘康管野. Владелец: ビーエーエスエフソシエタス・ヨーロピア. Дата публикации: 2011-12-08.

Coating composition for electromagnetic steel sheets, surface-coated electromagnetic steel sheet for adhesion, and laminated iron core

Номер патента: WO2021256535A1. Автор: 真介高谷,一郎田中,和年竹田,修一山崎,美菜子福地. Владелец: 日本製鉄株式会社. Дата публикации: 2021-12-23.

Coating composition for electrical steel sheet, surface coating electrical steel sheet for adhesion, and laminated iron core

Номер патента: KR20230010702A. Автор: 신스케 다카타니,이치로 다나카,가즈토시 다케다,미나코 후쿠치. Владелец: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-19.

Coating composition for electromagnetic steel sheet, surface-covered electromagnetic steel sheet for bonding, and laminated core

Номер патента: EP4169715A4. Автор: Kazutoshi Takeda,Ichiro Tanaka,Shinsuke TAKATANI,Minako Fukuchi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2023-11-29.

Coating composition for electromagnetic steel sheets, surface-coated electromagnetic steel sheet for adhesion, and laminated iron core

Номер патента: EP4169713A4. Автор: Kazutoshi Takeda,Ichiro Tanaka,Shuichi Yamazaki,Shinsuke TAKATANI,Minako Fukuchi. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

And a composition for blackening a copper-based metal or a silver-based metal

Номер патента: TWI580818B. Автор: Hiroaki Sakai,Azusa Kita,Joonhaeng Kang. Владелец: Okuno Chemical Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-01.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP0747939A2. Автор: Hideaki c/o Intellect.Property Div. Hirabayashi,Naoaki c/o Intellectual Property Div. Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-11.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6046110A. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoaki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Copper-based metal polishing composition, and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW440944B. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoaki Sakurai,Akiko Saito,Shiyunren Chiyou,Shunpei Shimizu. Владелец: Tama Kagaku Kogyo Kk. Дата публикации: 2001-06-16.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP0747939B1. Автор: Hideaki c/o Intellect.Property Div. Hirabayashi,Naoaki c/o Intellectual Property Div. Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-28.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6521574B1. Автор: Hideaki Hirabayashi,Naoaki Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-02-18.

Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP0747939A3. Автор: Hideaki c/o Intellect.Property Div. Hirabayashi,Naoaki c/o Intellectual Property Div. Sakurai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-14.

Copper-based metal flakes, in particular comprising zinc and method for production thereof

Номер патента: EP1529084A1. Автор: Thomas Schuster,Wolfgang Herzing,Rolf Treude,Stanley Cichanowski. Владелец: Steiner & Co KG GmbH. Дата публикации: 2005-05-11.

Copper-based metal flakes, in particular comprising aluminum, and method for production thereof

Номер патента: US20060118663A1. Автор: Wolfgang Herzing. Владелец: Steiner KG. Дата публикации: 2006-06-08.

Copper-based metal flakes with zinc in particular and method for producing the same

Номер патента: JP2005538234A. Автор: トーマスシュスター,ヴォルフガングヘルツィング,ロルフトロイデ,スタンリーシシャノスキー. Владелец: ECKART GMBH. Дата публикации: 2005-12-15.

Copper-based metal flakes, in particular comprising zinc and method for production thereof

Номер патента: CN1678697A. Автор: T·舒斯特,W·赫青,R·特罗伊德,S·齐哈诺斯基. Владелец: ECKART GMBH. Дата публикации: 2005-10-05.

Copper-based metal flakes, in particular comprising aluminium and method for production thereof

Номер патента: AU2003255388B2. Автор: Wolfgang Herzing. Владелец: Steiner & Co KG GmbH. Дата публикации: 2008-12-04.

Coating barrier layer and manufacturing process

Номер патента: US20150037551A1. Автор: Victor Bellido-Gonzalez,Gonzalo Garcia Fuentes,Rafael Rodriguez Trias,Jose Antonio Garcia Lorente. Владелец: Gencoa Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Method for producing a laterally structured phosphor layer and optoelectronic component comprising such a phosphor layer

Номер патента: US09698316B2. Автор: Britta Göötz,Dominik Scholz,Alexander F. Pfeuffer,Isabel OTTO,Ion Stoll. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Composition for forming silica-based insulating layer, method for preparing composition for forming silica-based insulating layer, silica-based insulating layer, and method for manufacturing silica-based insulating layer

Номер патента: US20150274980A1. Автор: Sang-kyun Kim,Hyun-Ji SONG,Seung-Hee Hong,Mi-young Kim,Eun-Su PARK,Taek-Soo Kwak,Yoong-Hee NA,Han-Song LEE,Bong-Hwan Kim,Hui-Chan Yun,Kwen-Woo HAN,Sang-Hak Lim,Go-Un Kim,Jin-Hee Bae. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Slurry for polishing copper-based metal

Номер патента: KR100566537B1. Автор: 사쿠라이신,쓰치야야스아키,아오야기겐이치,이노우에도모코,이타쿠라데쓰유키. Владелец: 가부시키가이샤 티엠피. Дата публикации: 2006-03-31.

Slurry for polishing copper-based metal

Номер патента: US20040020135A1. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Tetsuyuki Itakura,Shin Sakurai,Kenichi Aoyagi,Tomoko Inoue. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-02-05.

Paste used for polishing copper base metal

Номер патента: CN1497029A. Автор: , ,��һ,土屋泰章,井上智子,樱井伸,青柳健一,板仓哲之. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Composition for forming silica based insulating layer, method for manufacturing composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Номер патента: KR101556672B1. Автор: 김상균,김고은,홍승희,윤희찬,임상학,송현지,박은수,김봉환,김미영,배진희,곽택수,이한송,한권우,나융희. Владелец: 제일모직 주식회사. Дата публикации: 2015-10-01.

Composition for forming silica-based insulating layer, method for preparing composition for forming silica-based insulating layer, silica-based insulating layer, and method for manufacturing silica-based insulating layer

Номер патента: CN104620326A. Автор: 金相均,宋炫知,洪承希,金美英,林相学,韩权愚,金古恩,尹熙灿,郭泽秀,金奉焕,罗隆熙,朴银秀,裵镇希,李汉松. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2015-05-13.

Increasing reliability of copper-based metallization structures in a microstructure device by using aluminum nitride

Номер патента: CN101681873B. Автор: C·施特雷克,V·克勒特. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-26.

Increasing reliability of copper-based metallization structures in a microstructure device by using aluminum nitride

Номер патента: KR101385709B1. Автор: 크리스토프 스트렉,볼커 카러트. Владелец: 글로벌파운드리즈 인크.. Дата публикации: 2014-04-17.

Copper-based metal surface deoxidation process and solution for its implementation

Номер патента: FR1130066A. Автор: . Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 1957-01-30.

Slurry for polishing copper-based metal

Номер патента: TW200406483A. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Tetsuyuki Itakura,Shin Sakurai,Kenichi Aoyagi,Tomoko Inoue. Владелец: Tokyo Magnetic Printing. Дата публикации: 2004-05-01.

COPPER BASED METAL SCAMS CONTAINING ESPECIALLY CINC, AND PROCEDURE FOR PREPARATION.

Номер патента: ES2268447T3. Автор: Thomas Schuster,Wolfgang Herzing,Rolf Treude,Stanley Cichanowski. Владелец: Steiner & Co KG GmbH. Дата публикации: 2007-03-16.

Compound corrosion inhibitor for inhibiting copper-based metal

Номер патента: CN106702397A. Автор: 黄海涛,王宏,李桂萍. Владелец: NANTONG BOTAO CHEMICAL Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Copper-based metal parts, usable in particular for heat dissipation and electricity transmission, and their manufacture

Номер патента: FR1292414A. Автор: Matei Pruna. Владелец: Fonderies de Nogent Lafeuille and Cie. Дата публикации: 1962-05-04.

Increasing reliability of copper-based metallization structures in a microstructure device by using aluminum nitride

Номер патента: US8222135B2. Автор: Christof Streck,Volker Kahlert. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-07-17.

Method for producing palladium plating film on copper-based metal and palladium plating film obtained by the production method

Номер патента: JP5567478B2. Автор: 茂樹清水,隆治高崎,健児吉羽,歓三清原,良典小暮. Владелец: Japan Pure Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Modified hydrogenated polysiloxazane, composition for forming silica based insulating layer including same, method for manufacturing composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Номер патента: KR20140087998A. Автор: 김고은,홍승희,윤희찬,임상학,송현지,박은수,김봉환,김미영,서진우,배진희,곽택수,이한송,황병규,김보선,한권우,나융희,전종대. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2014-07-09.

Composition for forming silica based insulating layer, method for manufacturing composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Номер патента: TW201425418A. Автор: Sang-kyun Kim,Hyun-Ji SONG,Seung-Hee Hong,Mi-young Kim,Eun-Su PARK,Taek-Soo Kwak,Yoong-Hee NA,Han-Song LEE,Bong-Hwan Kim,Hui-Chan Yun,Kwen-Woo HAN,Sang-Hak Lim,Go-Un Kim,Jin-Hee Bae. Владелец: Cheil Ind Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер патента: US20150044358A1. Автор: PARK Eun-Su,Kwak Taek-Soo,HONG Seung-Hee,SONG Hyun-Ji,NA Yoong-Hee,LEE Han-Song. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер патента: US20150044883A1. Автор: PARK Eun-Su,Kwak Taek-Soo,HONG Seung-Hee,SONG Hyun-Ji,NA Yoong-Hee,LEE Han-Song. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Turbomachine component with an erosion and corrosion resistant coating system and method for manufacturing such a component

Номер патента: US10041360B2. Автор: Hans-Joachim Klam,Kai Ortner,Björn Ulrichsohn. Владелец: ANSALDO ENERGIA SWITZERLAND AG. Дата публикации: 2018-08-07.

Composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Номер патента: US9574108B2. Автор: Hyun-Ji SONG,Seung-Hee Hong,Eun-Su PARK,Taek-Soo Kwak,Yoong-Hee NA,Han-Song LEE. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Номер патента: TWI515235B. Автор: 宋炫知,洪承希,郭澤秀,朴銀秀,李漢松,羅隆熙. Владелец: 第一毛織股份有限公司. Дата публикации: 2016-01-01.

Internal-Combustion Engine Piston and Method for Controlling Cooling of Internal-Combustion Engine Piston

Номер патента: US20210102511A1. Автор: Yoshihiro Sukegawa,Norikazu Takahashi. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Storage device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190088872A1. Автор: Yusuke Tanaka,Atsushi Hieno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

COMPOSITION FOR FORMING COATING LAYER HAVING SELF-HEALING PROPERTY, COATING LAYER, AND FILM

Номер патента: US20170306163A1. Автор: KIM Young Suk,KIM Heon,Kim Hye Min,CHANG Yeong Rae,Yoo Eun Sang. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2017-10-26.

Composition for forming coating layer having self-healing characteristics, coating layer, and coating film

Номер патента: WO2016126103A1. Автор: 장영래,김영석,이한나. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for Producing a Laterally Structured Phosphor Layer and Optoelectronic Component Comprising Such a Phosphor Layer

Номер патента: US20170040500A1. Автор: Dominik Scholz,Alexander F. Pfeuffer,Ion Stoll,Brittaö Göötz,lsabel Otto. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-09.

A kind of Copper base material treatment fluid and pretreating process

Номер патента: CN109267127A. Автор: 薛明峰. Владелец: Yangzhou Hy Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-25.

The preparation method of copper-based bed load nanostructure copper cobalt manganese composite oxide material

Номер патента: CN106086768B. Автор: 施利毅,张剑平,黄垒,张登松,李红蕊,郑敏芳. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-10-23.

Method and apparatus for butt-splicing for copper based tapes

Номер патента: WO1996030153A1. Автор: Sigmund Ege,Ragny Fredrikke Ege. Владелец: Sigmund Ege. Дата публикации: 1996-10-03.

Slurry composition for all-solid-state secondary batteries, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: EP4379868A1. Автор: Yusaku Matsuo,Kenya Sonobe. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory ultilizing aluminum metallization layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09490423B2. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716222B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180130512A1. Автор: Bo-Mi Lee,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jong-koo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Mems acoustic pressure sensor device and method for making same

Номер патента: US20170225944A1. Автор: Chuan-Wei Wang. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-08-10.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865319B2. Автор: Bo-Mi Lee,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jong-koo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Radio wave-absorbing laminate film, production method therefor, and element including same

Номер патента: US20210227730A1. Автор: Takahiro Asai,Shin-ichi Ohkoshi,Marie YOSHIKIYO,Asuka Namai,Masaru Kuwahara. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-07-22.

Radio wave-absorbing laminate film, production method therefor, and element including same

Номер патента: US11980013B2. Автор: Takahiro Asai,Shin-ichi Ohkoshi,Marie YOSHIKIYO,Asuka Namai,Masaru Kuwahara. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2024-05-07.

Composite metal foil and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240167185A1. Автор: Li-Ju Chen,Chia-Chen Fang,Sheng-Hui Wu,Chiu-Yen Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-23.

Gate structure and method

Номер патента: US12100748B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Multilayer capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312708A1. Автор: Yun Hee Kim,Min Jung Cho,Yun Sung Kang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Metal laminate with polyimide resin and method for manufacturing the same

Номер патента: US09833973B2. Автор: Tang-Chieh Huang,Sih-Ci Jheng,Chin-Te Yen. Владелец: Microcosm Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Composite shell particle, biological material, and method of manufacturing composite shell particle

Номер патента: US20210087524A1. Автор: Pao-Hung Lin. Владелец: Acon Holding Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Composite shell particle, biological material, and method of manufacturing composite shell particle

Номер патента: US20200318062A1. Автор: Pao-Hung Lin. Владелец: Acon Holding Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Composite shell particle, biological material, and method of manufacturing composite shell particle

Номер патента: US11718822B2. Автор: Pao-Hung Lin. Владелец: Acon Holding Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Laminated film

Номер патента: US11261307B2. Автор: Atsushi Yamazaki,Kyoko Inagaki. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Angular accelerometer device and method based on capacitive sensing

Номер патента: US20210223284A1. Автор: Muhammad Mustafa Hussain,Wedyan BABATAIN,Rishabh MISHRA. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2021-07-22.

Composite membrane and method for producing a composite membrane

Номер патента: US20180046223A1. Автор: Hanspeter Meier,Mohammad Mokbul Hossain,Matteo Camani. Владелец: Sefar AG. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

High-density thermodynamically stable nanostructured copper-based bulk metallic systems, and methods of making the same

Номер патента: US20160319397A1. Автор: Kristopher A. Darling,Laszlo J. Kecskes,Anthony J. Roberts,Micah J. Gallagher. Владелец: US Army Research Laboratory. Дата публикации: 2016-11-03.

High-density thermodynamically stable nanostructured copper-based bulk metallic systems, and methods of making the same

Номер патента: US09822430B2. Автор: Kristopher A. Darling,Laszlo J. Kecskes,Anthony J. Roberts,Micah J. Gallagher. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-11-21.

Determining a thickness of individual layers of a plurality of metal layers

Номер патента: US09791257B1. Автор: David Eric Peters,Mohammed Aftab Alam,Ramez Nachman,John Espinoza Sanchez, Jr.. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same, and multi-piece ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same

Номер патента: EP3780917A1. Автор: Koya Arai,Masahito Komasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-02-17.

Ceramic-metal joined body and method of manufacturing the same, and multi-piece ceramic-metal joined body and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210107837A1. Автор: Koya Arai,Masahito Komasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Intermediate film for laminated glass and laminated glass

Номер патента: RU2713000C2. Автор: Тацуя ИВАМОТО,Нами МИНАКУТИ. Владелец: Секисуй Кемикал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-03.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Positive electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing same, and method for inspecting same, and non-aqueous electrolyte secondary battery and method for manufacturing same

Номер патента: EP4235845A1. Автор: Yuta TAKAICHI. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Bipolar electrode assembly and method

Номер патента: US20240301572A1. Автор: Ulrich Müller. Владелец: Melicon Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Chip with i/o pads on peripheries and method making the same

Номер патента: US20170186716A1. Автор: Chi Chou LIN,Zheng Ping HE. Владелец: Sunasic Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Thermally conductive and electrically insulating substrate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220227106A1. Автор: Ching-Ming Yang,Tze-Yang Yeh. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Solder joint material and method of manufacturing the same, soldering member and solar cell module

Номер патента: US09960289B2. Автор: Takayuki Tsuji,Hideyuki Sagawa,Hiromitsu Kuroda,Keisuke Fujito. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit and method of generating integrated circuit layout

Номер патента: US20230121153A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Lee-Chung Lu,Aftab Alam KHAN,Sheng-Fong CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Integrated circuit and method of generating integrated circuit layout

Номер патента: US11908853B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Hiranmay BISWAS,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Lee-Chung Lu,Aftab Alam KHAN,Sheng-Fong CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Gate structure and method

Номер патента: US20230352553A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetic head and method for producing the same

Номер патента: US20090239098A1. Автор: Tsutomu Komuro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Oxidation and corrosion resistant nanostructured copper-based metallic systems

Номер патента: US20240327953A1. Автор: Kristopher A. Darling,Billy C. Hornbuckle,Anit K. Giri,Anthony J. Roberts,Thomas L. Luckenbaugh,Albert M. Ostlind,Vincent H. Hammond,Sean J. Fudger. Владелец: US Army Devcom Army Research Laboratory. Дата публикации: 2024-10-03.

Oxidation and corrosion resistant nanostructured copper-based metallic systems

Номер патента: WO2024205620A1. Автор: Kristopher A. Darling,Billy C. Hornbuckle,Anit K. Giri,Anthony J. Roberts,Thomas L. Luckenbaugh,Albert M. Ostlind,Vincent H. Hammond,Sean J. Fudger. Владелец: UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE ARMY. Дата публикации: 2024-10-03.

Flux Composition for Copper Based Alloys

Номер патента: TR2021014303A2. Автор: Koçak Hakan,Kulakli Aleatti̇n,Çi̇trak Tali̇p. Владелец: Saglam Metal Sanayive Ticaret As. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for producing a metal-ceramic substrate, solder system, and metal-ceramic substrate produced using such a method

Номер патента: US11945054B2. Автор: Andreas Meyer,Karsten Schmidt,Stefan Britting. Владелец: Rogers Germany GmbH. Дата публикации: 2024-04-02.

3d semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US20230378339A1. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Photodetectors useful as ambient light sensors and methods for use in manufacturing the same

Номер патента: US20140138784A1. Автор: Eric Lee,Kenneth Dyer,Xijian Lin. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2014-05-22.

Articles of manufacture and methods for additive manufacturing of articles having desired magnetic anisotropy

Номер патента: WO2020072916A1. Автор: Ion C. Radu,Darren D. TREMELLING,Elio Alberto Perigo,Ghanshyam Shrestha. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method for producing a semi-finished metal product, method for producing a metal-ceramic substrate, and metal-ceramic substrate

Номер патента: US11845700B2. Автор: Stefan Britting,Xinhe Tang,Maximilian Engel. Владелец: Rogers Germany GmbH. Дата публикации: 2023-12-19.

3D semiconductor device and structure with metal layers and memory cells

Номер патента: US11869965B2. Автор: Zvi Or-Bach. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Articles of manufacture and methods for additive manufacturing of articles having desired magnetic anisotropy

Номер патента: US20200108463A1. Автор: Ion C. Radu,Darren D. TREMELLING,Elio Alberto Perigo,Ghanshyam Shrestha. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Electrical and thermal contacts for bulk tetrahedrite material, and methods of making the same

Номер патента: WO2016109202A1. Автор: Matthew L. Scullin,Douglas Crane,Adam Lorimer,Jordan CHASE,Mario Aguirre,Lindsay MILLER,John P. REIFENBERG. Владелец: Alphabet Energy, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Articles of manufacture and methods for additive manufacturing of articles having desired magnetic anisotropy

Номер патента: EP3860790A1. Автор: Ion C. Radu,Darren D. TREMELLING,Elio Alberto Perigo,Ghanshyam Shrestha. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-08-11.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Low resistance monosilicide electrode for phase change memory and methods of making the same

Номер патента: US20210391006A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Epitaxial structure of N-face group III nitride, active device, and method for fabricating the same with integration and polarity inversion

Номер патента: US10833163B2. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-10.

Biosensors, method for forming the same, and method of operating the same

Номер патента: US11668671B2. Автор: Jui-Cheng Huang,Yu-Jie Huang,Yi-Hsing HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Method for producing a metal-ceramic substrate, and metal-ceramic substrate produced using such a method

Номер патента: US12058816B2. Автор: Andreas Meyer. Владелец: Rogers Germany GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Bedding product including composite layer and method of manufacture

Номер патента: CA2914138C. Автор: Michael S. Defranks,Sheri L. Mcguire. Владелец: Dreamwell Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Multitask learning apparatus and method for heterogeneous sparse datasets

Номер патента: US20240160930A1. Автор: Jiwon Yang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-05-16.

Display substrate, display device, and method for manufacturing display substrate

Номер патента: US12120906B2. Автор: Zheng Liu,Yanan NIU,Hongwei TIAN,Pinfan WANG,Fangxu Cao,Hejin WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Homogenization treatment device for copper-based multi-element alloy

Номер патента: CN111778463A. Автор: 孙俊杰. Владелец: Nanjing Jiayean Environmental Protection Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-16.

Preparing technology for copper base alloy material for bearing

Номер патента: CN105420643A. Автор: 刘幸. Владелец: Chengdu Zhongheng Zhihe Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-23.

Improvement in fixing and sealing devices for copper-based tubes intended for lining converter bottoms

Номер патента: FR1195858A. Автор: Julien Rasquinet. Владелец: . Дата публикации: 1959-11-19.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20200295048A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230087942A1. Автор: Yoon-Jong Cho,Seokje Seong,Seongjun Lee,Semyung Kwon,Suyeon YUN,Joonhoo Choi,Kyunghyun Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220078903A1. Автор: Yoshihiko Hayashi. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

System and method for camouflaging and recharging autonomous vehicles

Номер патента: WO2018098031A2. Автор: Donald R. High,John J. O'Brien. Владелец: Wal-Mart Stores, Inc.. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508619B2. Автор: Tomoyuki Aoki,Hisashi Ohtani,Hiroki Adachi,Takuya Tsurume,Nozomi Horikoshi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Phase-change memory device and method

Номер патента: US11997933B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Magnetic recording medium, information storage device, and method of manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: US20120044597A1. Автор: Yuuki Yoshida. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268124A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method for generating depth map using monocular image

Номер патента: US12131493B2. Автор: Won Joo HWANG. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-10-29.

Printed circuit board and method of fabricating the same

Номер патента: US09913383B2. Автор: Sang Young Lee,Sang Hwa Kim,Jin Hak Lee,Han Su Lee,Yun Mi Bae,Soon Gyu KWON,Dong Hun JEONG,In Ho Jeong,Dae Young CHOI,Jung Ho Hwang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09685321B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Interface apparatus and methods

Номер патента: US09677952B2. Автор: Zhenan Bao,Chee-Keong Tee,Stefan Christian Bernhardt Mannsfeld,Justin P. Opatkiewicz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-06-13.

Homogeneous brazing foils of copper based metallic glasses

Номер патента: US4209570A. Автор: Nicholas J. DeCristofaro,Claude Henschel. Владелец: Allied Chemical Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Systems, devices, and methods for analog processing

Номер патента: WO2009120638A2. Автор: Richard David Neufeld,Paul Bunyk,Felix Maibaum. Владелец: D-WAVE SYSTEMS INC.. Дата публикации: 2009-10-01.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240145289A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Dielectric paste composition, method of forming transparent dielectric layer, transparent dielectric layer, and device including the transparent dielectric layer

Номер патента: US20120167799A1. Автор: Min-Jong Bae,Tae-Won Jeong,Shang-hyeun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Sintered iron based articles infiltrated with copper based metals

Номер патента: US3829295A. Автор: E Farmer,T Cadle. Владелец: Brico Engineering Ltd. Дата публикации: 1974-08-13.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: US20240282933A1. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: US20240290958A1. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Slurry composition for all-solid-state secondary batteries, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: EP4159776A4. Автор: Yusaku Matsuo. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Magnetic tunnel junction memory devices including crystallized boron-including first magnetic layer on a tunnel barrier layer and lower boron-content second magnetic layer on the first magnetic layer

Номер патента: US09842987B2. Автор: Sechung Oh,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

A kind of copper based composite metal oxidate mesomorphic material and its production and use

Номер патента: CN106861693A. Автор: 苏发兵,纪永军. Владелец: Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2017-06-20.

A kind of copper based composite metal oxidate mesomorphic material and its preparation method and application

Номер патента: CN106861693B. Автор: 苏发兵,纪永军. Владелец: Institute of Process Engineering of CAS. Дата публикации: 2019-07-05.

Grain refining of copper-based metals

Номер патента: GB8918942D0. Автор: . Владелец: London and Scandinavian Metallurgical Co Ltd. Дата публикации: 1989-09-27.

Non-volatile memory including negative capacitance blocking oxide layer, operating method of the same and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230413574A1. Автор: Taeho Kim,Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-21.

Stabilization of polyamide with copper-based metal organic frameworks

Номер патента: US20160060434A1. Автор: Ulrich Mueller,Roger Reinicker,Stefan Maurer. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-03-03.

MODIFIED HYDROGENATED POLYSILOXAZANE, COMPOSITION COMPRISING SAME FOR FORMING SILICA-BASED INSULATION LAYER, METHOD FOR PREPARING COMPOSITION FOR FORMING SILICA-BASED INSULATION LAYER, SILICA-BASED INSULATION LAYER, AND METHOD FOR PREPARING SILICA-BASED INSULATION LAYER

Номер патента: US20150225508A1. Автор: YUN Hui-Chan,KIM Mi-Young,PARK Eun-Su,Kim Bong-Hwan,Lim Sang-Hak,Kwak Taek-Soo,Bae Jin-Hee,HONG Seung-Hee,SONG Hyun-Ji,NA Yoong-Hee,LEE Han-Song,KIM Go-Un,Han Kwen-Woo,Kim Bo-Sun,Hwang Byeong-Gyu,SEO Jin-Woo,Jeon Jong-Dae. Владелец: CHEIL INDUSTRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

Preparation method and application of copper-based metal organic polyhedral composite material

Номер патента: CN110201717B. Автор: 乔旭,刘清,周洁,崔咪芬,汤吉海,陈献,费兆阳,张竹修,吕保帅. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-23.

Copper base metal organic backbone base crystalline-state catalyst, the preparation method and applications of carbonic ester are prepared for catalyzed conversion carbon dioxide

Номер патента: CN109289926A. Автор: 邓维,张建勇,崔鹏辉,史军霞,谷荣彩. Владелец: Shanghai Institute of Technology. Дата публикации: 2019-02-01.

Composition for forming silica based insulating layer, method for manufacturing composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Номер патента: KR101387740B1. Автор: 한동일,김상균,윤희찬,임상학,김봉환,이진욱,배진희,곽택수,오정강. Владелец: 제일모직주식회사. Дата публикации: 2014-04-21.

A kind of preparation method of copper base metal organic framework materials and its application in hydrogen is produced in electro-catalysis

Номер патента: CN108102108A. Автор: 李东升,赵君,于丽,董文文,张其春,卜贤辉,吴亚盘. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2018-06-01.

COPPER-BASED METAL BINDER FOR THE FABRICATION OF THE ACTIVE LAYER OF AN ABRASIVE TOOL

Номер патента: FR2616447A1. Автор: Ernst Dmitrievich Kizikov,Efim Bentsionovich Vernik,Boris Andreevich Oleinikov,Vitaly Ivanovich Melnik,Viktor Adamovich Alexandrov,Alexandr Natanovich Rakita,Valery Alexandrovich Murovsky,Anatoly Alexandrovich Skolota,Jury Vladimirovich Zaichenko,Mikha Il Davidovich Levin. Владелец: Institut Sverkhtverdykh Materialov. Дата публикации: 1988-12-16.

Copper based metal alloy including magnesium, phosphorus and calcium for the construction of electrical components and process for their preparation.

Номер патента: NL193947B. Автор: . Владелец: Europa Metalli Lmi. Дата публикации: 2000-11-01.

Composition for forming silica based insulating layer, method for manufacturing composition for forming silica based insulating layer, silica based insulating layer and method for manufacturing silica based insulating layer

Номер патента: CN102585516A. Автор: 金相均,韩东一,林相学,尹熙灿,郭泽秀,金奉焕,裵镇希,吴正堈,李真旭. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2012-07-18.

Nano-rod-shaped two-dimensional copper-based metal organic framework material, preparation method and application

Номер патента: CN111218006B. Автор: 王龙,王雅雯,田安琪. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2022-03-18.

IMPROVED COPPER-BASED METAL ALLOY, IN PARTICULAR FOR THE CONSTRUCTION OF ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: ATA226487A. Автор: . Владелец: Europa Metalli Lmi. Дата публикации: 1991-05-15.

COPPER-BASED METAL ALLOY AND MANUFACTURING

Номер патента: NO169396B. Автор: Stefano Innocenti. Владелец: Europa Metalli Lmi. Дата публикации: 1992-03-09.

Preparation method of copper-based metal glass composite material with multi-scale structure

Номер патента: CN115058615A. Автор: 陈洁,谢国强,包伟宗. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-09-16.

A kind of preparation method and application of copper base metal organic polyhedra composite material

Номер патента: CN110201717A. Автор: 乔旭,刘清,周洁,崔咪芬,汤吉海,陈献,费兆阳,张竹修,吕保帅. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-06.

Optical resonance device, force measuring device and method, modulus measuring method and display panel

Номер патента: US20180372565A1. Автор: Dini XIE,Xiaojin Zhang,Chengsheng YU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

System and method for real-time processing of ultra-high resolution digital video

Номер патента: EP3061241A1. Автор: Victor Shenkar,Elad Moshe HOLLANDER. Владелец: Smarter Tv Ltd. Дата публикации: 2016-08-31.

Electronic device including display module including sensor and method of manufacturing said display module

Номер патента: US20200359510A1. Автор: Min Park,Bongjae RHEE,Yongwon Lee,Youjin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Magnetic heterojunction structure and method for controlling and achieving logic and multiple-state storage functions

Номер патента: US11922986B2. Автор: Xiang HAN,Yufeng Tian,Lihui Bai,Shishen YAN,Yibo Fan. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2024-03-05.

Electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3944352A1. Автор: Jingoo Jung,Yong-Je Jeon,Moosoon Ko,Sewan Son,Kyung Hyun Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150249095A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Byung-Ho Lee,Jin-Hae Choi,Joo-Hee Han,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Presence detection system and method

Номер патента: CA3102220A1. Автор: Philippe Girard,Claude Girard,Josee Lariviere. Владелец: Girard Lariviere Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Photomasks, methods of manufacturing photomasks, and methods of manufacturing semiconductor device using photomasks

Номер патента: US20190179225A1. Автор: Myoung Soo Lee,Hwan Seok Seo,Byung Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor memory structure and method for forming the same

Номер патента: US20220216223A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Nuo XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US11515376B2. Автор: Yoon-Jong Cho,Seokje Seong,Seongjun Lee,Semyung Kwon,Suyeon YUN,Joonhoo Choi,Kyunghyun Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Magnetic tunneling junction devices, memories, electronic systems, and memory systems, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150102440A1. Автор: Woo Jin Kim,Sang Hwan Park,Jang Eun Lee,Woo Chang Lim,Se Chung Oh,Jeong Heon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-16.

System and method for patterning flow cell substrates

Номер патента: US20220134333A1. Автор: Dajun Yuan,Randall Smith,Steven MODIANO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US20230378467A1. Автор: Yusaku Matsuo. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11765957B2. Автор: Jonghyun Choi,Youn Joon Kim,Eun-Sook Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Proton exchange membrane-based electrolyser device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US20230323546A1. Автор: Alireza Pezhman Shirvanian,Ivan Garcia Torregrosa. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-10-12.

Positive electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing the same, method for inspecting the same, non-aqueous electrolyte secondary battery, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230395780A1. Автор: Yuta TAKAICHI. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Display device and method of manufacturing display device

Номер патента: US20230320170A1. Автор: Sangwoo Kim,Taekyung AHN,Dae-Young Lee,Kwang Soo BAE,Hyeonsik Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Biological sensing structures and methods of forming the same

Номер патента: US20130208371A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Yuan-Chih Hsieh,Hung-Hua Lin,Li-Cheng Chu,Ming-Tung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20240138204A1. Автор: Shinya Sasagawa,Ryota Hodo,Yoshikazu Hiura,Takahiro FUJIE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

uLED CHIP, uLED SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, EL INSPECTION METHOD FOR uLED SUBSTRATE, AND EL INSPECTION APPARATUS

Номер патента: US20220384677A1. Автор: YuJu CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US11930589B2. Автор: Yoshihiko Hayashi. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Phantom model of teeth set, method of evaluating scanning precision of scanner using the same, and method of evaluating 3D printing precision using the same

Номер патента: US20230298484A1. Автор: June Beom PARK,Mi Young SHIM. Владелец: ODS Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Mask blank, phase shift mask, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230393457A1. Автор: Hitoshi Maeda,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Binder composition for all-solid-state secondary batteries, slurry composition for all-solid-state secondary batteries, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: EP4234622A1. Автор: Yusaku Matsuo. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Epitaxial structure of n-face group iii nitride, active device, and method for fabricating the same with integration and polarity inversion

Номер патента: US20210013317A1. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-14.

Dentition phantom model, method for evaluating scanning precision of scanner by using same, and method for evaluating 3d printing precision by using same

Номер патента: EP4220608A1. Автор: June Beom PARK,Mi Young SHIM. Владелец: ODS Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Presence detection system and method

Номер патента: US20200354190A1. Автор: Philippe Girard,Claude Girard,Josee Lariviere. Владелец: Girard Lariviere Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Presence detection system and method

Номер патента: EP3803476A1. Автор: Philippe Girard,Claude Girard,Josee Lariviere. Владелец: Girard Lariviere Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: EP3832723A1. Автор: Yoon-Jong Cho,Seokje Seong,Seongjun Lee,Semyung Kwon,Suyeon YUN,Joonhoo Choi,Kyunghyun Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20210036082A1. Автор: Yoon-Jong Cho,Seokje Seong,Seongjun Lee,Semyung Kwon,Suyeon YUN,Joonhoo Choi,Kyunghyun Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Thin film transistor array substrate, display apparatus, and method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190051669A1. Автор: Jinwoo Lee,Jaehyuk JANG,Kiwan Ahn,Yongjae Jang,Yugwang Jeong,Waljun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20240237425A9. Автор: Shinya Sasagawa,Ryota Hodo,Yoshikazu Hiura,Takahiro FUJIE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: US20220037664A1. Автор: Kouichirou Maeda. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Sot differential reader and method of making same

Номер патента: EP4042493A1. Автор: Quang Le,Zhanjie Li,Kuok San Ho,Hisashi Takano,Xiaoyong Liu,Zhigang Bai. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Device of microstructure imprint for pattern transfer and method of the same

Номер патента: US20060027949A1. Автор: Wei-Han Wang,Yu-Lun Ho,Jen-Hua Wu,Chia-hung Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-02-09.

Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230320143A1. Автор: Dongha Lee,Seulgi HAN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3770965A3. Автор: Deukjong KIM,Hagyeong SONG,Jin-Yup Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363237A1. Автор: Deukjong KIM,Hagyeong SONG,Jin-Yup Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Wiring circuit substrate, flexible substrate for suspension, and method of producing flexible substrate for suspension

Номер патента: US20130342936A1. Автор: Yuji Narita,Jin Nishiyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Touch Panel and Method of Manufacturing Touch Panel

Номер патента: US20150241907A1. Автор: Katsumi Tokuno,Kazuhiko Takahata. Владелец: Nissha Printing Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Switching element, semiconductor memory device including switching element, and method for fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US11985829B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Magnetic sensor and method of manufacturing magnetic sensor

Номер патента: US20240142550A1. Автор: Kazuhiro Onaka,Tomoya Nakatani,Naoki Kohara,Prabhanjan Dilip KULKARNI. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3770965A2. Автор: Deukjong KIM,Hagyeong SONG,Jin-Yup Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210202502A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Interface apparatus and methods

Номер патента: US20160041652A1. Автор: Zhenan Bao,Chee-Keong Tee,Stefan Christian Bernhardt Mannsfeld,Justin P. Opatkiewicz. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-11.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140016398A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for controlling humidity on a pipeline with a thermal insulation layer and a device for its implementation

Номер патента: RU2770529C1. Автор: Владимир Николаевич Нечаев,Руслан Рустамович Ахметов,Ленар Равилевич Траев,Рифат Рашидович Кунафин,Лилия Василевна Минзарипова,Гулия Рифовна Сафиуллина. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2022-04-18.

Structure for producing safety/value document, comprises electronic device, partially intercalated fibrous layer with window, adhesive layer in contact with intercalated layer, and removable anti-adherent protective film of adhesive layer

Номер патента: FR2892843A1. Автор: Sandrine Rancien,Frederic Vicentini. Владелец: ArjoWiggins Security SAS. Дата публикации: 2007-05-04.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: US11616225B2. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Resin composition for organic thin film transistor insulating layer, overcoat insulating layer, and organic thin film transistor

Номер патента: JP5695467B2. Автор: 公矢作. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: US20230411602A1. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: US11967707B2. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: EP4364849A2. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: EP4360756A2. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

Nanostructured battery active materials and methods of producing same

Номер патента: EP4360756A3. Автор: Wanqing Cao,Virginia Robbins,Yimin Zhu. Владелец: OneD Material Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

DEVICE FOR DECOMPLEXATION AND ENHANCED REMOVAL OF COPPER BASED ON SELF-INDUCED FENTON-LIKE REACTION CONSTRUCTED BY ELECTROCHEMISTRY COUPLED WITH MEMBRANE SEPARATION, AND USE THEREOF

Номер патента: US20210198122A1. Автор: Wang Liang,Wang Zhiwei,Chen Mei,Zhang Hongwei,LI Jiayi,WANG Xueye,DAI Ruobin. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Preparation method of copper-based sulfide mercury removal agent carrier

Номер патента: CN113522005B. Автор: 许龙龙,张振国,赵少丹,黄迪,王文幼,薛春珍,吕克,罗圆. Владелец: Xian Sunward Aerospace Material Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

Preparation method of copper-based sulfide mercury removal agent carrier

Номер патента: CN113522005A. Автор: 许龙龙,张振国,赵少丹,黄迪,王文幼,薛春珍,吕克,罗圆. Владелец: Xian Sunward Aerospace Material Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-22.

Application of copper-based sensor chip

Номер патента: CN109298048B. Автор: 孟强,吴康,廖建军,韩小虎,常枫. Владелец: Hainan University. Дата публикации: 2021-06-22.

Copper-based electric contact material containing graphene/molybdenum disulfide heterojunctions and preparation method of copper-based electric contact material

Номер патента: CN106011521A. Автор: 张帅,李长生,徐晶,董金泽,陈鋆骅. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2016-10-12.

One-step green preparation of copper-based super-hydrophobic coating

Номер патента: CN113564648A. Автор: 吴红艳,江凡,张书博,刘战辉,匡一龙,朱天麒,杨欣烨. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2021-10-29.

Heat treatment technology for increasing hysteretic energy of copper-based memory alloy with Ms of being 66 DEG C

Номер патента: CN104372272A. Автор: 张志敏,刘光磊,陆松华,白高鹏,张扣山. Владелец: Zhenjiang Yinuowei Shape Memory Alloys Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

A kind of TiC enhances the preparation method of copper-based electric contact composite material

Номер патента: CN108149059A. Автор: 王勇,李晓峰,王庆,李文彬,冯砚厅,徐雪霞,陈二松,李国维,董国振. Владелец: State Grid Hebei Energy Technology Service Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

A kind of surface is covered with the preparation process of the tempered glass of copper-based composite coating

Номер патента: CN105837027B. Автор: 刘小磐,伍治东. Владелец: Hunan Xinglong Environment Art Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-06.

Preparation method and application of copper-based catalyst

Номер патента: CN111330582A. Автор: 胡勋,贾鹏,孙恺,高国明,李庆银,邵月文,高志然. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2020-06-26.

Preparation method of copper-based composite material for resistance welding electrode

Номер патента: CN113199028B. Автор: 王岩,吴玉程,崔接武,秦永强,罗来马,庄翌. Владелец: Hefei University of Technology. Дата публикации: 2022-03-15.

A kind of copper-base powder metallurgy brake pad material and its preparation method and application

Номер патента: CN108118181A. Автор: 戴挺,韩丽娜,童蔚苹,虞涛. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Process for production of copper base alloys and terminals using the same

Номер патента: US5322575A. Автор: Akira Sugawara,Kenji Takenouchi,Mikio Nishihata,Takayoshi Endo,Toshio Asano. Владелец: Nihon Bell Parts Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-21.

Process for the purification of copper-based alloys

Номер патента: FR1525625A. Автор: . Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1968-05-17.

Improvements relating to the refining of copper base alloys

Номер патента: GB558287A. Автор: . Владелец: J Stone and Co Ltd. Дата публикации: 1943-12-30.

Manufacturing method of copper-based slag notch sleeve inner core suitable for smelting reduction furnace

Номер патента: CN113798477A. Автор: 徐涛,张勇,刘亮,任俊,卜二军,周海川,张雄伟,昝智,朱陈瑾杭. Владелец: Inner Mongolia Saisipu Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Heat treatment technology for hysteretic energy of copper-based memory alloy with Ms as 130 DEG C

Номер патента: CN104342609A. Автор: 张志敏,陆松华,白高鹏,张扣山,赵罗根. Владелец: Zhenjiang Yinuowei Shape Memory Alloys Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US09769933B2. Автор: Takayuki Tsuji,Kotaro Tanaka,Hideyuki Sagawa,Hiromitsu Kuroda,Keisuke Fujito. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having dolmen structure and manufacturing method therefor, and support piece formation laminate film and manufacturing method therefor

Номер патента: US12074139B2. Автор: Shintaro Hashimoto,Kohei Taniguchi,Yoshinobu Ozaki,Tatsuya YAHATA,Kei ITAGAKI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09966309B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Silicon carbide Schottky diode and method of making the same

Номер патента: US20070293001A1. Автор: Shye-Lin Wu. Владелец: Chip Integration Tech Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Aircraft panel made of multilayer composites, and method of its production

Номер патента: RU2693154C2. Автор: Абдулфазиль РАДЖАБАЛИ. Владелец: Фоккер Эйростракчерс Б.В.. Дата публикации: 2019-07-01.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

FinFET Device and Method of Forming

Номер патента: US20200135476A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor substrate, semiconductor package structure and method of making the same

Номер патента: US09583427B2. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE,You-Lung Yen,Yuan Chang Su,Chung-Ming WU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

MIM capacitor and method of forming the same

Номер патента: US9577026B2. Автор: Chun-Chieh Huang,Pin-Cheng HSU,Chih-Wei Kao,Chia-Der Chang,Hsiao-Hui YU,Hao-Wen HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Mim capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20150349047A1. Автор: Chun-Chieh Huang,Pin-Cheng HSU,Chih-Wei Kao,Chia-Der Chang,Hsiao-Hui YU,Hao-Wen HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Bonding Structure With Buffer Layer And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20070056163A1. Автор: Yuan-Chang Huang,Shu-Ming Chang,Su-Tsai Lu,Shyh-Ming Chang,Yao-Sheng Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929178B1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Low temperature polysilicon thin film transistor and method for fabricating same

Номер патента: US09685538B2. Автор: Xiaoxing Zhang,Songshan LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Wiring substrate and method for manufacturing wiring substrate

Номер патента: US09516753B2. Автор: Koichi Hara,Toshihisa Yoda. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Surface finish structure of multi-layer substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220068849A1. Автор: Pei-Liang Chiu. Владелец: Princo Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Schottky Diode and Method for Making It

Номер патента: US20120256288A1. Автор: Stefan STAROVECKY,Olga Krempaska,Martin Predmersky. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-10-11.

Electronic device including two-dimensional material and method of fabricating the same

Номер патента: US20220406911A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,JunYoung KWON,Van Luan NGUYEN,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Battery cover and method of construction thereof

Номер патента: WO2019090278A1. Автор: Cassie Malloy,Christopher J. Pinkow,John Burdy,Daniel A. Rowcotsky,Amanda SCHAFER. Владелец: Federal-Mogul Powertrain Llc. Дата публикации: 2019-05-09.

Thin film transistor, display panel, and method of manufacturing the display panel

Номер патента: US20240222389A1. Автор: Wen Shi. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Patterning method using metal mask and method of fabricating semiconductor device including the same patterning method

Номер патента: US9607853B2. Автор: Jae-Hong Park,Dong-Chan Kim,Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Gyung-Jin Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for connecting a semiconductor chip metal surface of a substrate by means of two contact metallization layers and method for producing an electronic module

Номер патента: US09978711B2. Автор: Gopalakrishnan TRICHY RENGARAJAN,Christian Stahlhut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929231B2. Автор: Ji Hyun Park,Hai Joon LEE,Makoto Kosaki,Jong Bong LIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor modules and methods of forming the same

Номер патента: US09818686B2. Автор: Yifeng Wu,Sung Hae Yea. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device including vertical routing structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178545A1. Автор: Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Han-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Multilayer body and method for producing same

Номер патента: EP3950320A1. Автор: Atsushi Sakai,Yuuki Sato,Nobuhiko Matsumoto,Jin Nakamura. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Leaky cable and method of manufacturing leaky cable

Номер патента: US20240097343A1. Автор: Shuichi Numata,Hideyuki Sagawa,Takahiro Sugiyama,Izumi Fukasaku,Yasunori Takaki,Nobuaki Kitano. Владелец: Proterial Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor package substrate and method for producing same

Номер патента: EP3886161A1. Автор: Fusao Takagi. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Stacking via configuration for advanced silicon node products and methods for forming the same

Номер патента: US20230361022A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Chin Chang,Yen-Kun Lai,Wei-Hsiang TU,Chien Hao HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Display panel and method for fabricating same

Номер патента: US20240237448A1. Автор: Xingyu Zhou,Qiankun XU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device including vertical routing structure and method for manufacuring the same

Номер патента: US20190148366A1. Автор: Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Han-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device including vertical routing structure and method for manufacuring the same

Номер патента: US20200144251A1. Автор: Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Han-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device including vertical routing structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210111175A1. Автор: Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Han-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Shielded circuit board and method for shielding a circuit board

Номер патента: US20080035369A1. Автор: Mojtaba Joodaki. Владелец: QUIMONDA AG. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240365555A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure of gan-based transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20180342598A1. Автор: Heng-Yuan Lee,Kan-Hsueh Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09679829B2. Автор: Taeseong Kim,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Sukchul Bang,Yeun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Patterning method using metal mask and method of fabricating semiconductor device including the same patterning method

Номер патента: US09607853B2. Автор: Jae-Hong Park,Dong-Chan Kim,Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Gyung-Jin Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294933A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160155709A1. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-02.

Optical sensor device and method for manufacturing an optical sensor device

Номер патента: US20210375958A1. Автор: Franz Lechner. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Circular polarization antenna structure with a dual-layer ceramic and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100164809A1. Автор: Hui-Chieh Wang,Ta-Fu Cheng,Yuan-Piao Tseng. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Optical sensor device and method for manufacturing an optical sensor device

Номер патента: US12087780B2. Автор: Franz Lechner. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Multi-layer thick metallization structure for a microelectronic device, integrated circuit containing same, and method of manufacturing an integrated circuit containing same

Номер патента: WO2009155160A2. Автор: Kevin J. Lee. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-12-23.

Wrap-around trench contact structure and methods of fabrication

Номер патента: US09876016B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Joseph STEIGERWALD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691714B2. Автор: Yoshihiro Hamada,Yushi Sekiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices, semiconductor device packages and method for manufacturing the same

Номер патента: US11264340B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11901441B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor devices, semiconductor device packages and method for manufacturing the same

Номер патента: US11887943B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Thermal resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230068846A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-Lin LIU,Wei-Lin LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Self-folding paddle lead and method of fabricating a paddle lead

Номер патента: US20110257714A1. Автор: John W. Swanson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-20.

Three-dimensional stacking semiconductor assemblies and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2020251751A1. Автор: Mark E. Tuttle,Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Logic cell structure and method

Номер патента: US09972571B1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical cavity surface emitting laser array and method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser array

Номер патента: US09787062B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Multilayer substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558859B2. Автор: Ching Au,Robert Conte,Manhong Zhao. Владелец: RSM Electron Power Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Lithium-ion rechargeable battery, and method for producing lithium-ion rechargeable battery

Номер патента: US20190273225A1. Автор: Akira Sakawaki,Takaki Yasuda,Koji Minamitani. Владелец: Showa Denko Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Etch stop layer for a metallization layer with enhanced etch selectivity and hermeticity

Номер патента: US20070096108A1. Автор: Matthias Lehr,Volker Kahlert,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Metal oxide transistor, display panel and display apparatus

Номер патента: US12113133B2. Автор: Qinyuan Zhang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324344A1. Автор: Hyuneok Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Diaphragm with metal layer

Номер патента: RU2465144C1. Автор: Яхуа ХОДЖАТ. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2012-10-27.

Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board

Номер патента: US20210176870A1. Автор: Yukinobu Mikado,Tomoaki SHINOZUKA. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Electronic devices with semiconductor die attached with sintered metallic layers, and methods of formation of such devices

Номер патента: US09875987B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

An etch stop layer for a metallization layer with enhanced adhesion, etch selectivity and hermeticity

Номер патента: US20070099010A1. Автор: Matthias Lehr,Volker Kahlert,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US20240258318A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Composite ic chips including a chiplet embedded within metallization layers of a host ic chip

Номер патента: US20210375830A1. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20240250147A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Structure with two adjacent metal layers in gate structure

Номер патента: US20220005952A1. Автор: Wang Zheng,Jagar Singh,Sudarshan Narayanan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Low-loss coplanar waveguides and method of fabrication

Номер патента: US20030127710A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Self-organizing barrier layer disposed between a metallization layer and a semiconductor region

Номер патента: US20170154813A1. Автор: Werner Robl,Klemens Pruegl,Michael Nelhiebel,Carsten Schaeffer,Michael Fugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12125741B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit packaging system with plated copper posts and method of manufacture thereof

Номер патента: US09693455B1. Автор: Heesoo Lee,Minjung Kim,Changhwan KIM,Seong Won Park,Hun Teak Lee,GwangTae Kim,WoonJae Beak,ByungHyun Kwak. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor apparatus having electrical connections with through-via and a metal layer and stacking method thereof

Номер патента: US09530756B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Display device and method for manufacturing of the same

Номер патента: GB2627562A. Автор: KIM Dongik,BAN Myungho. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Negative electrode for secondary lithium metal battery and method of making

Номер патента: US20200203710A1. Автор: Xingcheng Xiao,Binsong Li. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Heating body and method for producing the same

Номер патента: US12097144B2. Автор: Hirokazu Miyashita,Mitsuhiro Sakamoto,Hitoshi Usui,Eiji Miyashita. Владелец: ST Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

System and method for making reinforcing element integral with sandwich metal fibre sheet

Номер патента: RU2501710C2. Автор: Дейвид П. ХЕК,Лорен Дж. СТРАМ. Владелец: Дзе Боинг Компани. Дата публикации: 2013-12-20.

Semiconductor device comprising a bonding structure including a silver-tin compound and a nickel-tin compound and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2993692A3. Автор: Sunghee Lee,Junsik Hwang,Changyoul MOON,Kunmo Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-06.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US20220337027A1. Автор: Harald KÖNIG,Sven GERHARD,Muhammad Ali,Andre SOMERS. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-10-20.

Optical sensor device and method for manufacturing an optical sensor device

Номер патента: WO2020083606A1. Автор: Franz Lechner. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2020-04-30.

Optical sensor device and method for manufacturing an optical sensor device

Номер патента: EP3644365A1. Автор: Franz Lechner. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2020-04-29.

High temperature rectifying contact and method for making same

Номер патента: WO1993002475A1. Автор: Robert John Nemanich,Kalyankumar Das,Trevor Phillip Humphreys. Владелец: Kobe Steel, U.S.A., Inc.. Дата публикации: 1993-02-04.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Diode laser bars and method for the production thereof

Номер патента: US8101446B2. Автор: Juergen Sebastian,Ralf Huelsewede. Владелец: Jenoptik Diode Lab GmbH. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09824972B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming thereof

Номер патента: US09553016B2. Автор: Martin Sporn,Mark James Harrison. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Flexible film for advancing adhesion strength between flexible film and metal layer and flexible metal-laminated film using the same

Номер патента: KR20060122591A. Автор: 안중규,문홍기,김경각,송병길. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor substrate, semiconductor package structure and method of making the same

Номер патента: US20160240469A1. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE,You-Lung Yen,Yuan Chang Su,Chung-Ming WU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US11854811B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180190669A1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240030318A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Chi-Yu Chou,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

High electron mobility transistor (hemt) device and method of forming the same

Номер патента: US20240014307A1. Автор: Wei Jen Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US11804433B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Layer structure including diffusion barrier layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764156B2. Автор: Jaeho Lee,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Hyunjae SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Resistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20150255532A1. Автор: Po Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

FinFET Device and Method of Forming

Номер патента: US20210233771A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

3d ufet devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240105777A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Laminate for laminated tube, and laminated tube

Номер патента: EP4364943A1. Автор: Kaori Yamashita,Shukiko IMAIZUMI. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Laminate for laminated tube and laminated tube

Номер патента: US20240140064A1. Автор: Kaori Yamashita,Shukiko IMAIZUMI. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structure with hybrid film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240071850A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Zhen-Cheng Wu,Ming-Jie Huang,Fu-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Surface finish structure of multi-layer substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047392A1. Автор: Pei-Liang Chiu. Владелец: Princo Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Image sensor device and methods of forming the same

Номер патента: US20210327951A1. Автор: Yu-Chu Lin,Chih Wei Sung,Keng-Ying Liao,Yen-Jou Wu,Po-Zen Chen,Tsun-Kai Tsao,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Yu-Chien Ku,Y.L. Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Display device including hydrogen diffusion barrier film, and method for manufacturing same

Номер патента: US12009372B2. Автор: Jin-Seong Park,Hyun-Jun JEONG,Seong-Hyeon LEE,Ju-Hwan HAN. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Fuel cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040214068A1. Автор: Chih-Yi Lin,Ching-Feng Huang,Jenn-Kun Kuo,Shou-Shing Hsieh,Huang-Hsiu Tsai,Chi-Hsun Tien,Sheng-Hoang Yang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2004-10-28.

Multi-layered absorbent cores and methods for manufacture

Номер патента: RU2759995C1. Автор: Янь Ван,Тунтун ЧЖАН,Чжинхи ЛИ,Цинчунь ЛУ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2021-11-22.

Inflatable bag body and method for producing same

Номер патента: CA2182327A1. Автор: Tatsuo Noguchi. Владелец: Nihon Matai Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-28.

Chip structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108453A1. Автор: Mou-Shiung Lin,Chien-Kang Chou,Hsin-Jung Lo,Chiu-Ming Chou. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

High energy density capacitor system and method

Номер патента: US11508533B2. Автор: Edward L. Davis. Владелец: Flash Power Capacitors LLC. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor device and method of forming integrated passive device module

Номер патента: US7790503B2. Автор: Qing Zhang,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Structure and method for measuring interface resistance in multiple interface contacts and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US6013952A. Автор: Kam-Kee Victer Chan. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Semiconductor Device and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20080023777A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor light emitting element, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20230395748A1. Автор: Taehoon Kim,Hwanjoon Choi,Kyuhyun Bang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Structures and methods for reducing thermal expansion mismatch during integrated circuit packaging

Номер патента: US11621235B2. Автор: Chien-Li Kuo,Kuen-Shian CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor device, memory device, and method for forming transistor on substrate

Номер патента: US11910610B2. Автор: Tatsuya Hosoda,Yasuhisa Naruta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for Patterning a Power Metallization Layer, Electronic Device and Method for Processing an Electronic Device

Номер патента: US20180358299A1. Автор: Petra Fischer,Peter Zorn,Johanna Schlaminger,Monika Cornelia Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-13.

Three dimensional inductor-capacitor apparatus and method of fabricating

Номер патента: US20190200454A1. Автор: Yu-Chun Liu,Arjun Ravindran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Three dimensional inductor-capacitor apparatus and method of fabricating

Номер патента: WO2019125626A1. Автор: Yu-Chun Liu,Arjun Ravindran. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-06-27.

Connector and method for forming the same

Номер патента: US20240021549A1. Автор: Chih Chen,Hsiang-Hou TSENG. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-01-18.

Gate structure, fin field-effect transistor, and method of manufacturing fin-field effect transistor

Номер патента: US11855083B2. Автор: Kuan-Ting Liu,Ching-Hwanq Su,Ji-Cheng Chen,Shih-Hang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369464A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Tft substrate, scanning antenna provided with tft substrate, and method for producing tft substrate

Номер патента: US20200119445A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Circuit board and method of manufacturing circuit board

Номер патента: US20220174822A1. Автор: Jun Dai. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Circuit board and method of manufacturing circuit board

Номер патента: US11871526B2. Автор: Jun Dai. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Wrap-around trench contact structure and methods of fabrication

Номер патента: US11776959B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Joseph STEIGERWALD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20180033792A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024011623A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Fangling KONG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method forming the same

Номер патента: US11973021B2. Автор: Hsiao-Ying Yang,Hsing-Chao Liu,Shih-Ming Tseng,Kai-Chun Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210313454A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11757023B2. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Flat panel display having a control frame pedestal and method of making same

Номер патента: US7918703B1. Автор: Frank J. DiSanto,Denis A. Krusos. Владелец: Coputele Inc. Дата публикации: 2011-04-05.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20190304864A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Hua Chen,Chia-Hung Liu,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO,Ying-Cheng Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Structures and methods for reducing thermal expansion mismatch during integrated circuit packaging

Номер патента: US20200098707A1. Автор: Chien-Li Kuo,Kuen-Shian CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Structures and methods for reducing thermal expansion mismatch during integrated circuit packaging

Номер патента: US20230215820A1. Автор: Chien-Li Kuo,Kuen-Shian CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor modules and methods of forming the same

Номер патента: US20160079154A1. Автор: Yifeng Wu,Sung Hae Yea. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Redistribution metal and under bump metal interconnect structures and method

Номер патента: US20200105698A1. Автор: Sam Ziqun Zhao,Liming Tsau,Edward Law,Andy Brotman. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Printed circuit baord and method for manufacturing same

Номер патента: US20140060902A1. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Zhen Ding Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Chip bonding alignment structure, chip bonding structure and methods for fabricating the same

Номер патента: US20220208727A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chin-Chia Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Wrap-around trench contact structure and methods of fabrication

Номер патента: US20230387121A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Joseph STEIGERWALD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor modules and methods of forming the same

Номер патента: EP2789011A2. Автор: Yifeng Wu,Sung Hae Yea. Владелец: Transphorm Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Flat panel display having a control frame pedestal and method of making same

Номер патента: US20080224152A1. Автор: Frank J. DiSanto,Denis A. Krusos. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Pillar-shaped semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20230260995A1. Автор: Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Stacked structure, package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210066218A1. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and apparatus for butt-splicing for copper based tape s

Номер патента: AU5290696A. Автор: Sigmund Ege,Ragny Fredrikke Ege. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-10-16.

Core substrate and method for manufacturing the same, and substrate with built-in electronic components and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140177192A1. Автор: Yul Kyo Chung,Seung Eun Lee,Yee Na Shin,Doo Hwan Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Laminated battery, battery stack, and method for manufacturing a laminated battery

Номер патента: EP4428973A1. Автор: Kenichi Kakishita,Masashi CHIHARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Diffuser membrane and method of manufacture

Номер патента: US09795933B2. Автор: Charles E. Tharp,Warrick S. Wadman,David A. Capron. Владелец: Environmental Dynamics International Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin film transistor array substrate having metal layer bridging structure and display panel including the same

Номер патента: US11908870B2. Автор: Xing Ming,Zhongtao Cao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Container with globe-like particles and an inner metal layer and method for its fabrication

Номер патента: US11872742B2. Автор: Heinrich ANGST. Владелец: Titanx Coating Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11837660B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Packaged electronic circuits having moisture protection encapsulation and methods of forming same

Номер патента: WO2019209543A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Dan Namishia. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal interconnect system and method for direct die attachment

Номер патента: WO2005062998A2. Автор: ZHENG Shen,David N. Okada,Samuel S. Anderson. Владелец: GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-14.

Electronic device including two-dimensional material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230061267A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Densely stacked metal-insulator-metal capacitor and method of forming the same

Номер патента: US10103218B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20100213492A1. Автор: Si-Chen Lee,Ming-Wei Tsai,Yi-Ting Wu,Yu-Wei Jiang,Pei-En Chang. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2010-08-26.

Resistance welding method and structure of resistance welding part, and method for manufacturing electronic component and electronic component

Номер патента: US20040094518A1. Автор: Toshio Kitagawa,Masaki Kitagawa,Eiichi Nagatsuka,Akito Asakura,Akihiko Ueyama. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-20.

Packaged electronic circuits having moisture protection encapsulation and methods of forming same

Номер патента: EP3785295A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Thermal resistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11942392B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-Lin LIU,Wei-Lin LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Metal oxide transistor, display panel and display apparatus

Номер патента: US20220199830A1. Автор: Qinyuan Zhang. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230387299A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099078A1. Автор: Jongjun Baek,Jongoh Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240079401A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Swaddle device and method

Номер патента: US12022890B2. Автор: Jennifer Barnard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Composition for preventing or treating vascular diseases, containing hapln1

Номер патента: US20240252588A1. Автор: Dae Kyong Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for processing thin metal layers

Номер патента: WO2002031869A9. Автор: James S Im. Владелец: James S Im. Дата публикации: 2004-04-22.

Composition for preventing or treating vascular diseases, containing hapln1

Номер патента: EP4349364A1. Автор: Dae Kyong Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-04-10.

Conductor-insulator-conductor capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20180308635A1. Автор: Lu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Multi-layered structure forming method, method of manufacturing wiring substrate, and method of manufacturing electronic apparatus

Номер патента: US20070141828A1. Автор: Kenji Wada,Jun Yamada,Toshiaki Mikoshiba,Kazuaki Sakurada,Tsuyoshi Shintate. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Lower temperature polycrystalline silicon thin film transistor and method of manufacture thereof and oled display device

Номер патента: US20190386146A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor photodetecting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060011930A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Seiichiro Tamai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Quantum dot light-emitting devices and methods of preparing the same, display substrates, and display apparatuses

Номер патента: US20240244861A1. Автор: Dong Li. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Molded direct contact interconnect substrate and methods of making same

Номер патента: US12062550B2. Автор: Paul R. Hoffman,Timothy L. Olson,Robin Davis. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Loose-fill insulation exhaust gas treatment device and methods of manufacturing

Номер патента: US09790836B2. Автор: Stephen Joe Myers,Michael A. Golin,Ruth Ann Latham,William V. Alcini,Michael Joseph Torzewski,Steven A. Freis,Mark Ernest Kluesner,Gabriel S. Salanta. Владелец: Tenneco Automotive Operating Co Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Laminate, production method for same, and method of creating device structure using laminate

Номер патента: US09604391B2. Автор: TOSHIYUKI Tsuchiya,Tetsuo Okuyama,Satoshi Maeda,Kazuyuki Ouya,Masahiro Tamada. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of forming a copper-based metallization layer including a conductive cap layer by an advanced integration regime

Номер патента: US20080182406A1. Автор: Axel Preusse,Robert Seidel,Michael Friedemann,Berit Freudenberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Technique for forming a copper-based metallization layer including a conductive capping layer

Номер патента: GB2444210B. Автор: Markus Nopper,Frank Koschinsky,Matthias Lehr. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Method of forming a copper-based metallization layer including a conductive cap layer by an advanced integration regime

Номер патента: US20080206986A1. Автор: Axel Preusse,Michael Friedemann,Berit Freudenberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Phase change memory cell with a metal layer

Номер патента: US11038106B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Electronic modules with interconnected surface metallization layers and fabrication methods therefore

Номер патента: US5466634A. Автор: Claude L. Bertin,John E. Cronin,Wayne J. Howell,Robert B. Phillips,Kenneth E. Beilstein, Jr.,James M. Leas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-11-14.

Composition for copper based thick film

Номер патента: JPS6381706A. Автор: 津永　正行,三戸　兼太郎. Владелец: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd. Дата публикации: 1988-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing gate stack

Номер патента: GB2484639A. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-18.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11923302B2. Автор: Ming-Fa Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Noor Mohamed ETTUVEETTIL,Yi-Kan Cheng,Sen-Bor Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US20230420540A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240105619A1. Автор: Ming-Fa Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Noor Mohamed ETTUVEETTIL,Yi-Kan Cheng,Sen-Bor Jan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Composite IC chips including a chiplet embedded within metallization layers of a host IC chip

Номер патента: US11749649B2. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20190295884A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20230377951A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9412683B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US11862512B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20210183694A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Low Resistance Fill Metal Layer Material as Stressor in Metal Gates

Номер патента: US20210183858A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830932B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Switching metal line configurations in metal layer structures

Номер патента: US20040087132A1. Автор: Siegfried Hesse. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180308899A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US11923367B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Back end of line structures with metal lines with alternating patterning and metallization schemes

Номер патента: US20210082714A1. Автор: Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Back end of line structures with metal lines with alternating patterning and metallization schemes

Номер патента: US20210151327A1. Автор: Chih-Chao Yang,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Junction barrier schottky rectifiers and methods of making thereof

Номер патента: NZ571857A. Автор: LIN Cheng,Michael S Mazzola. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-10-28.

Metal layer protection during wet etching

Номер патента: US11984491B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Buried via through front-side and back-side metallization layers with optional cylindrical mim capacitor

Номер патента: US20240105584A1. Автор: Tahir Ghani,Anand Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240071814A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143266A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US9018764B2. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device having barrier metal layer

Номер патента: US20150206828A1. Автор: Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Low Resistance Fill Metal Layer Material as Stressor in Metal Gates

Номер патента: US20220384439A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Buried via through front-side and back-side metallization layers with optional cylindrical mim capacitor

Номер патента: EP4345894A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Solar cell and method for manufacturing same

Номер патента: US20190181291A1. Автор: Wataru Shinohara,Naoki Yoshimura,Yoshinari Ichihashi,Tsuyoshi Takahama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Temperature self-adjustment leather comprising phase-change microcapsules and method for preparing the same

Номер патента: AU2021104307A4. Автор: Yong Wan. Владелец: Wuxi JHT Homewares Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Gate-All-Around Device with Protective Dielectric Layer and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240250142A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Bond pads and methods for fabricating the same

Номер патента: US20070080460A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shwang-Ming Jeng,Yung-Cheng Lu,Ting-Yu Shen,Huilin Chang,Yichi Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130221378A1. Автор: Katsufumi Kondo,Tokuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Display substrate and method of manufacturing display substrate

Номер патента: US20240268186A1. Автор: Lei Fang,AO LI,XIONG Yang,Chao Yang,Xiaochuan Chen,Shipeng Li,Jixing Wang,Kuanta HUANG,Yunhao Zhang,Hongtao Yu,Xueliang Zhu,Dongdong SU,Zongshun YANG,Fushuang Zhang,Jianming ZOU,Zhongxiang Yu,Qingshan Shan,Ruquan Li. Владелец: Yunnan Invensight Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Dual-sided display panel and method of manufacturing same

Номер патента: US20240032369A1. Автор: Jie Pan. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Diode structures of stacked devices and methods of forming the same

Номер патента: US12094869B2. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for designing phase modulation layer and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20240364079A1. Автор: Hiroki Kamei,Koyo Watanabe,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-31.

Fan-out package structure and method

Номер патента: US09953911B2. Автор: Sao-Ling Chiu,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Busbar thermal management assembly and method

Номер патента: US09853435B1. Автор: Wesley Edward Burkman. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US09768133B1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Chi-Hsi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US09620618B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US09583706B2. Автор: Hyung Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240379917A1. Автор: Dae Hyun Kim,Je Won YOO,Bek Hyun LIM,Hyun Min Cho,Keun Kyu SONG,Sung Chan Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Pad conditioning for copper-based semiconductor wafers

Номер патента: US6387188B1. Автор: Krishna P. Murella,Thomas Laursen,Sanjay Basak,Malcolm K. Grief. Владелец: Speedfam IPEC Corp. Дата публикации: 2002-05-14.

Semiconductor device with pillar-shaped capacitor storage node and method of fabricating the same

Номер патента: US6218296B1. Автор: Tae-Young Chung,Yoo-Sang Hwang,Dong-Hwa Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-04-17.

Diamond wafer based electronic component and method of manufacture

Номер патента: WO2023107271A1. Автор: Jean-Claude Harel. Владелец: Diamond Foundry Incorporated. Дата публикации: 2023-06-15.

Piezoelectric device and method for producing piezoelectric device

Номер патента: US9577178B2. Автор: Takashi Iwamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Power semiconductor module arrangement and method for producing the same

Номер патента: EP4307359A1. Автор: Olaf Hohlfeld,Sebastian Michalski,Thomas HAMADI. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-17.

Package comprising integrated devices coupled through a metallization layer

Номер патента: US11784157B2. Автор: Jianwen Xu,William Stone,Ryan Lane,Charles David Paynter,Li-Sheng WENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Power semiconductor module and method of producing a power semiconductor module

Номер патента: EP4376075A1. Автор: Kwok Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-29.

Power semiconductor module and method of producing a power semiconductor module

Номер патента: US20240170418A1. Автор: Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-23.

Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board

Номер патента: US11277923B2. Автор: Yukinobu Mikado,Tomoaki SHINOZUKA. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: WO2023049719A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-03-30.

Liquid crystal antenna, splicing liquid crystal antenna and method of forming liquid cystal antenna

Номер патента: US20240222855A1. Автор: Zhen Liu,Yiran Zhu,Baiquan LIN,Xiaonan Han,Zuocai Yang,Linzhi Wang,Yifan Xing,Yingru Hu. Владелец: Chengdu Tianma Micro Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240234651A1. Автор: Che Ho Lee,Won Je JO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Light-emitting device, display device comprising same, and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: EP4398319A1. Автор: Jong Jin Lee,Hyung Seok Kim,Dong Eon LEE,Si Sung Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor package and method

Номер патента: US20240194611A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237489A9. Автор: Dongjo Kim,Seonggeun Won,Youngji KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240234287A9. Автор: Sungeun Jo,Geunwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244883A1. Автор: Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Joonyong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160056329A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Compression garment assembly for applying ttfields and methods of production and use thereof

Номер патента: EP4398975A1. Автор: Kathryn Smith-Petersen. Владелец: Novocure GmbH. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Transistor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145559A1. Автор: Po-Chun Yeh,Hui-Yu Chen,Jui-Chin Chen,Po-Tsung Tu,Chang-Yan HSIEH. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-02.

Circuit board stacked structure and method for forming the same

Номер патента: US20180332700A1. Автор: Ra-Min Tain,Kai-Ming Yang,Chien-Tsai Li. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Wiring board and method of manufacturing wiring board

Номер патента: US20200275550A1. Автор: Masahiro Kaizu. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

All-solid secondary battery and method of preparing the same

Номер патента: EP4118702A1. Автор: Satoshi Fujiki,Naoki Suzuki,Jusik Kim,Hyeokjo Gwon,Sewon Kim,Sungkyun JUNG,Tomoyuki Tsujimura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

All-Solid Battery and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20150357674A1. Автор: Hajime Hasegawa,Norihiro Ose,Kengo HAGA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Organic light-emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744116B2. Автор: Dongha Lee,Soohyun PARK,Jongjang PARK,Seulgi HAN,Seunguk NOH,Seoksoon Back. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

All-solid-state battery comprising lithium storage layer having multilayer structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074325B2. Автор: Sang Wan KIM,Jae Min Lim,Young Jin Nam,Hong Suk Choi. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150028391A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device, template, and method of manufacturing template

Номер патента: US12068244B2. Автор: Yasuhito Yoshimizu,Kaori Umezawa,Kosuke TAKAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor light emitting device with thick metal layers

Номер патента: US20160020372A1. Автор: Marc Andre DeSamber. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-01-21.

Display substrate and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240276768A1. Автор: Ning Liu,Bin Zhou,Liangchen YAN,Chunjie Xu,Xuehai GUI. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: US20210359063A1. Автор: WEI YANG,Ke Wang,ce Ning,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Piezoelectric/electrostrictive film type actuator and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030222942A1. Автор: Nobuo Takahashi,Yukihisa Takeuchi,Mutsumi Kitagawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US20010017421A1. Автор: Michael Rother. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Photovoltaic module, and associated kit, system, and method

Номер патента: US20240266998A1. Автор: Richard Perkins,Lewis Abra,Caleb Cheung,Hasib AMIN,Henry Pham. Владелец: GAF Energy LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor element with metal layer

Номер патента: US6417564B2. Автор: Michael Rother. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-07-09.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240215293A1. Автор: Nobuto Managaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Photovoltaic module, and associated kit, system, and method

Номер патента: WO2024163922A1. Автор: Richard Perkins,Lewis Abra,Caleb Cheung,Hasib AMIN,Henry Pham. Владелец: GAF Energy LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor light emitting device with thick metal layers

Номер патента: EP2748865A1. Автор: Marc Andre De Samber. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-07-02.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306470A1. Автор: Yung Bin Chung,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Dokeun SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Negative pressure wound treatment apparatuses and methods with integrated electronics

Номер патента: US20240342009A1. Автор: William KELBIE,Joseph William Robinson,Daniel Lee Steward,Reece Knight,Michael EARL,Frederick Jethro HARRISON,David Peter LLOYD,Grant West. Владелец: Smith and Nephew PLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Battery pack and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332644A1. Автор: Younghwan KWON,Hyeok Lee,Jaepil Ahn,Chuljung YUN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrolytic capacitor and method for manufacturing electrolytic capacitor

Номер патента: US12112898B2. Автор: Yasuhiro TAMATANI. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371978A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Display device and method of repairing the same

Номер патента: US20240334757A1. Автор: Jongbum CHOI,Jaehyun Lee,Seul-ki Kim,WooGeun LEE,Seungrae Kim,Yeeun KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Oxide superconducting thin film wire and method for producing same

Номер патента: US09978481B2. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Takashi Yamaguchi,Masaya Konishi,Genki Honda,Kotaro Ohki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09917096B2. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

All solid secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837684B2. Автор: Takanobu Yamada,Yuichi Aihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09825221B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786772B2. Автор: yu Enomoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Package substrate and method for manufacturing package substrate

Номер патента: US09763319B2. Автор: Yasushi Inagaki,Yasuhiro Takahashi,Satoshi Kurokawa. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-aqueous electrolyte secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741988B2. Автор: Harunari Shimamura,Yusuke Fukumoto,Hiroya Umeyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711440B2. Автор: Takenobu Nakamura,Koji Miura. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09565756B2. Автор: Makoto Terui,Daiki Komatsu,Masatoshi Kunieda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and method for a high aperture efficiency broadband antenna element with stable gain

Номер патента: US09548541B2. Автор: KE Wu,Ajay Babu Guntupalli,Tarek DJERAFI,Kuangda WANG. Владелец: Huawei Technologies Canada Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Pharmaceutical composition for preparing drug delivery nano/micro bubbles

Номер патента: US09452130B2. Автор: Hsing-Wen Sung,Po-Yen Lin,Er-Yuan Chuang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-09-27.

Multi-metal layer MEMS structure and process for making the same

Номер патента: US6943448B2. Автор: Xu Zhu,Kaigham J. Gabriel. Владелец: Akustica Inc. Дата публикации: 2005-09-13.

Metallic layer for dimming light-emitting diode chips

Номер патента: US20240063344A1. Автор: Peter Andrews,Steven Wuester,Colin Stuart,Seth Joseph Balkey. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Metallic layer for dimming light-emitting diode chips

Номер патента: WO2024039960A1. Автор: Peter Scott Andrews,Steven Wuester,Colin Stuart,Seth Joseph Balkey. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2024-02-22.

Regeneration anneal of metal oxide thin-film transistors

Номер патента: US20230378368A1. Автор: FAN Dejiu,Dong Kil Yim,Yun-Chu TSAI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Regeneration anneal of metal oxide thin-film transistors

Номер патента: WO2023224792A1. Автор: FAN Dejiu,Dong Kil Yim,Yun-Chu TSAI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Mps diode having non-uniformly spaced wells and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4340035A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-20.

Mps diode having a non-uniformly doped region and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4340034A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-20.

Mps diode having a doped region and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4340033A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128083A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190131287A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Chuei-Tang Wang,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO,Ban-Li Wu,Ying-Cheng Tseng,Chi-Hui Lai,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Contact fuse which does not touch a metal layer

Номер патента: WO2007016685A2. Автор: Robert L. Pitts,Bryan Sheffield,Joe Mcpherson,Roger Griesmer. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device structure with patterns having coplanar bottom surfaces and method for preparing the same

Номер патента: US20240128084A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US11990462B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Diode laser bars and method for the production thereof

Номер патента: US20100067556A1. Автор: Juergen Sebastian,Ralf Huelsewede. Владелец: Jenoptik Diode Lab GmbH. Дата публикации: 2010-03-18.

Method and apparatus for processing thin metal layers

Номер патента: WO2002031869A3. Автор: James S Im. Владелец: James S Im. Дата публикации: 2002-09-19.

Optoelectronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150318439A1. Автор: Wei Chih Peng,Shih Te Pai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Multi-layered fire door and method for the making of same

Номер патента: EP1561000A1. Автор: Randy Jon Clark,Brent David Olson,Gary Lee Koepke,Keith Lynn Lewallen,William Robert Transue. Владелец: Jeld Wen Inc. Дата публикации: 2005-08-10.

Multi-layered fire door and method for the making of same

Номер патента: AU2003285096A1. Автор: Randy Jon Clark,Brent David Olson,Gary Lee Koepke,Keith Lynn Lewallen,William Robert Transue. Владелец: Jeld Wen Inc. Дата публикации: 2004-06-07.

Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure

Номер патента: WO2010085081A2. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

Resin multilayer substrate and method for manufacturing resin multilayer substrate

Номер патента: US12036776B2. Автор: Ryosuke Takada,Tsuyoshi Katsube,Yusuke KAMITSUBO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Gas barrier substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040265554A1. Автор: Toshiyuki Miyadera,Akira Sugimoto,Ayako Yoshida. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Mems microphone and method of manuafcturing the same

Номер патента: US20200015020A1. Автор: Jong Won Sun. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Dynamic random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240276702A1. Автор: Noriaki Ikeda. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130168739A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Masaki Ueno,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230132915A1. Автор: Yu-gwang Jeong,Woongsik Kim,Jin-Su Byun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389396A1. Автор: Jongwoo PARK,Hyunmin Hwang,Youngtae Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Micro light emitting diode chip and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240258292A1. Автор: Kyungwoon Jang,Changjoon LEE,Sungyong Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Gas barrier substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US7291397B2. Автор: Toshiyuki Miyadera,Akira Sugimoto,Ayako Yoshida. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2007-11-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190362904A1. Автор: Takeshi Furukawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor IC device including passivation layer for inactivating a dopant in a p-type semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US12119397B2. Автор: Younghwan Park,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Photovoltaic device and method of manufacturing same

Номер патента: US20190044017A1. Автор: Takeshi Mori,Yuta Matsumoto,Yoshitaka Zenitani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321744A1. Автор: Jiyoung Park,Yeongkwon Ko,Sera Lee,Hosin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor substrate structures, semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09978867B1. Автор: Manoj Kumar,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Lightweight, ballistic and blast-resistant multi-phase composite armor material based on high-toughness heterogeneous interfacial layer and method for preparing the same

Номер патента: US20240369326A1. Автор: Xu Li,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Qihui Chen. Владелец: Shanxi Zhongbei New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Multilayer ceramic electronic component and method for manufacturing multilayer ceramic electronic component

Номер патента: US09905364B2. Автор: Takahiro Hirao. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Panel filter and method for manufacturing the same

Номер патента: US09777934B2. Автор: Terry Garris,Dan Dobbins,Frank Gasaway. Владелец: Fiber Bond Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming IPD on molded substrate

Номер патента: US09685495B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Conductive traces in semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09653406B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Photovoltaic module with an alternative electrically insulative back sheet and method of making the same

Номер патента: WO2024123384A2. Автор: Aaron Bates,Mark Hartel. Владелец: Toledo Solar Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Materials, systems, and methods for foil encapsulation of aerogels and aerogel composites

Номер патента: EP4334124A1. Автор: Younggyu Nam. Владелец: Aspen Aerogels Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Method for soldering a first metal layer, which has a thickness of less than 5 $g(m)m, to a second metal layer, and a corresponding soldering device and semiconductor chip assembly device

Номер патента: WO2001086715A2. Автор: Vaidyanathan Kripesh,Detlef Houdeau,Holger Hübner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-15.

Pin standing resin-made substrate, method of making pin standing resin-made substrate, pin and method of making pin

Номер патента: US20020088844A1. Автор: Noritaka Miyamoto,Hajime Saiki. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Binder composition for all-solid-state secondary batteries, slurry composition for all-solid-state secondary batteries, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary batteries

Номер патента: EP4053940A4. Автор: Yusaku Matsuo. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090096035A1. Автор: Hideyuki Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of forming semiconductor layer and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140159081A1. Автор: Seong Suk Lee,Jeong Wook Lee,Dong Ju Lee,Dong Yul Lee,Heon Ho Lee,Ok Hyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Extended Side Contacts for Transistors and Methods Forming Same

Номер патента: US20230378182A1. Автор: Chih-Teng Liao,Chih-Hsuan Lin,Hsi Chung CHEN,Ying-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method for manufacture of circuit boards

Номер патента: US20190327837A1. Автор: Jie Zhou,David Garmire,Tamra Oyama. Владелец: UNIVERSITY OF HAWAII. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230197769A1. Автор: Ramakanth Alapati. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Extended side contacts for transistors and methods forming same

Номер патента: US11837603B2. Автор: Chih-Teng Liao,Chih-Hsuan Lin,Hsi Chung CHEN,Ying-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Integrated circuits with components on both sides of a selected substrate and methods of fabrication

Номер патента: WO2012177934A2. Автор: James S. Cable,Ronald E. Reedy,Anthony Mark Miscione. Владелец: PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

Negative electrode for non-aqueous electrolyte secondary batteries, method for manufacturing same, and method for inspecting same, and non-aqueous electrolyte secondary battery and method for manufacturing same

Номер патента: EP4273951A1. Автор: Yuta TAKAICHI. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220367253A1. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Da-Wei Lin,yi tang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Substrate with lithium imide layer, LED with lithium imide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09972746B2. Автор: Po-Yuan CHIU,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,Jun-Wei Peng. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Removing composition for an insulation material, method of removing an insulation layer and method of recycling a substrate using the same

Номер патента: KR100685738B1. Автор: 김현준,이춘득,명중재,박면규,강동민,손병우,마사유키 다카시마,김영남. Владелец: 동우 화인켐 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

Up-armoring structure and method

Номер патента: CA2625045C. Автор: Thomas S. Ohnstad,Russell A. Monk. Владелец: High Impact Technology LLC. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1299718C. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Internal chamfering device and method

Номер патента: US9517511B1. Автор: Farahnaz Sisco,Everette D. Gray,Mekonnen Tsegga. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Electronic component, arrangement and method

Номер патента: US9978719B2. Автор: Martin Standing. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Bistable storage cathode ray tube, storage target therefor and method of making same

Номер патента: CA1082763A. Автор: Duane A. Haven. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1980-07-29.

System and method for encapsulation and protection of components

Номер патента: US20060003137A1. Автор: Aaron Amstutz,Thomas Grabenstetter,Randall Sommer,Christopher Stickling. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2006-01-05.

Power transmission belt and method of manufacturing the power transmission belt

Номер патента: CA2338432C. Автор: Takehiko Ito. Владелец: Mitsuboshi Belting Ltd. Дата публикации: 2005-11-22.

Display panel, display apparatus, and method of fabricating the display panel

Номер патента: US20210134910A1. Автор: MING Yang,MINGHUA XUAN,Feng Zhang,Xiaochuan Chen,Chuanxiang XU,Zhongyuan Sun,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Moulds With Integrated Heating And Methods Of Making The Same

Номер патента: EP2204247A3. Автор: Thomas Koerwien. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-03-02.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof same

Номер патента: WO2023283955A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-19.

Thin film devices for flat panel displays and methods for forming the same

Номер патента: US20060030090A1. Автор: Chun-Huai Li,Yun-sheng Chen,Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-09.

Filler pipe and method for manufacturing filler pipe

Номер патента: US11906077B2. Автор: Tadashi Koyama,Hiroshi Hanahara,Takeshi Hirohara. Владелец: Yachiyo Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor package and method

Номер патента: US11942435B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor power device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411515A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369424A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4336988A1. Автор: Wooyong Sung,Jeongseok LEE,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090273A1. Автор: Wooyong Sung,Jeongseok LEE,Taewook Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413632A1. Автор: Hyun Kim,Kwang Soo LEE,Seung Ha CHOI,Dong Hyun WON,Ye Eun KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369423A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180277486A1. Автор: Eiji Hasegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170110365A1. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230411163A1. Автор: Oreste Madia,Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Array substrate, display apparatus, and method of fabricating array substrate

Номер патента: WO2019169848A1. Автор: WEI YANG,Ke Wang,ce Ning,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-09-12.

Ferroelectric memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230120089A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Light emitting element including contact electrode with laminate structure, and method of manufacturing the same

Номер патента: US10644204B2. Автор: Shinichi Matsui,Yasuhiro Takenaka,Yoshiki Saito,Daisuke Shinoda,Hironao Shinohara,Takashi Hodota. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180083166A1. Автор: Shinichi Matsui,Yasuhiro Takenaka,Yoshiki Saito,Daisuke Shinoda,Hironao Shinohara,Takashi Hodota. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US20230413554A1. Автор: Akira Takashima,Atsushi Murakoshi,Yusuke Nakajima,Masaki Noguchi,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Filler pipe and method for manufacturing filler pipe

Номер патента: US20230392721A1. Автор: Tadashi Koyama,Hiroshi Hanahara,Takeshi Hirohara. Владелец: Yachiyo Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11864469B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device structure including forksheet transistors and methods of forming the same

Номер патента: US11855078B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11616036B2. Автор: Jaehyung Park,Hoonjoo NA,Seokho KIM,Joohee Jang,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11296045B2. Автор: Jaehyung Park,Hoonjoo NA,Seokho KIM,Joohee Jang,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20160155817A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230389439A1. Автор: Chien-Min Lee,Nuo XU,Shy-Jay Lin,Yen-Lin Huang,Ming-Yuan Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Device with ground plane for high frequency signal transmission and method therefor

Номер патента: US20110210430A1. Автор: Vishal P. Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Mems device and method for forming the same

Номер патента: US20200071157A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chen Hsiung Yang,Chun-Wen Cheng,En-Chan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9466733B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230352482A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Li-Feng Teng,Li-Jung LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Contact structures, finfet devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180350970A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Systems and methods for printing of removable and permanent images on an object

Номер патента: US11772400B2. Автор: Brendan C. Casey,Minette A. Beabes. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: WO2023048778A1. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-30.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9698049B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device structure including forksheet transistors and methods of forming the same

Номер патента: US11862700B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Coil component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210272740A1. Автор: Hirotaka WAKABAYASHI. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190229131A1. Автор: Daewoo Lee,Yunmo Chung,ILhun SEO,Hojin YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043922A1. Автор: Bhushan Bharat,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20160013408A1. Автор: Hyung Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US11889741B2. Автор: Eunjin Kwak,Chulmin BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Swaddle device and method

Номер патента: US20230389620A1. Автор: Jennifer Barnard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-07.

Molded direct contact interconnect substrate and methods of making same

Номер патента: US20230386860A1. Автор: Paul R. Hoffman,Timothy L. Olson,Robin Davis. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Structure For Improving Process Control And Method Of Fabricating Thereof

Номер патента: US20230138005A1. Автор: Chung-Te Lin,Chien-Hua Huang,Chen-Chiu Huang,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097040A1. Автор: Tomoyuki FUNABASAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337400B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Hiroshi Katsuno,Rei Hashimoto,Shigeya Kimura,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Stacked image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10388701B2. Автор: Sookyoung ROH,Seokho YUN,Sunghyun NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-20.

Flexible bag, in particular an airbag for an oil expansion tank of a transformer, oil expansion tank and transformer comprising the same and method for producing the flexible bag

Номер патента: US20230321957A1. Автор: Yang Wang,Cheng Liu,HUI Zhang,Maoshan NIU,Christophe BENZ. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416154A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Negative electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, method for manufacturing the same, method for inspecting the same, non-aqueous electrolyte secondary battery, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240063367A1. Автор: Yuta TAKAICHI. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US11784129B2. Автор: Taesung Jeong,Myungsam Kang,Youngchan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

High-speed transistor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110248360A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9087735B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138687A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Shield gate trench mosfet device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230124023A1. Автор: Shufan YAN. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140124808A1. Автор: Chia-Hui Shen,Tzu-Chien Hung,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Gate-all-around device with protective dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US11948989B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Magnetoresistance memory device and method for manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US20240099019A1. Автор: Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968911B2. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230326998A1. Автор: QIAOMING Cai,LISHA MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11949007B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10217760B2. Автор: Wan Sup SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170213844A1. Автор: Wan Sup SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board

Номер патента: US11963298B2. Автор: Atsushi Deguchi,Yoshiki Matsui. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Diode structures of stacked devices and methods of forming the same

Номер патента: US11764207B2. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Loose-fill insulation exhaust gas treatment device and methods of manufacturing

Номер патента: WO2014081854A1. Автор: Stephen Joe Myers,Michael A. Golin,Ruth Ann Latham,William V. Alcini,Michael Joseph Torzewski,Steven A. Freis,Mark Ernest Kluesner,Gabriel S. Salanta. Владелец: TENNECO AUTOMOTIVE OPERATING COMPANY INC.. Дата публикации: 2014-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090341A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090342A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride-based semiconductordevice and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024026597A1. Автор: Jheng-Sheng You,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Multilayer junction photoelectric conversion element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230317377A1. Автор: Takeshi Gotanda,Yutaka Saita,Tomohiro Tobari. Владелец: Toshiba Energy Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240136273A1. Автор: Sungeun Jo,Geunwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Negative pressure wound treatment apparatuses and methods with integrated electronics

Номер патента: US11992392B2. Автор: William KELBIE,Joseph William Robinson,Daniel Lee Steward,Reece Knight,Michael EARL,Frederick Jethro HARRISON,David Peter LLOYD,Grant West. Владелец: Smith and Nephew PLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Display device and method for manufacturing display device

Номер патента: US20240107856A1. Автор: Hyuneok Shin,Joonyong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Single-chip multi-band light-emitting diode and method for manufacturing same

Номер патента: EP4303939A1. Автор: Yong Hyun Baek,Ji Hun Kang,Dae Hong Min. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240170458A1. Автор: Ae-nee JANG,Min Seung Ji,Ha Seob Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230225130A1. Автор: Zhiqiang Wu,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: WO2023224946A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Display device and method for fabrication thereof

Номер патента: US20240099108A1. Автор: So Young Lee,Yong Seung Park,Young Ji Kim,Hyo Young Mun,Yi Seul Um. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device structure including forksheet transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20240120402A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Laser element and method for producing same

Номер патента: EP3890129A1. Автор: Ki Hong YOON,Seon Jae CHOI. Владелец: Opto Electronics Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device having ferroelectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200066756A1. Автор: Hyangkeun YOO,Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US11930633B2. Автор: Yule SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Stt-mram flip-chip magnetic shielding and method for producing the same

Номер патента: US20190214550A1. Автор: Bharat Bhushan,Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150043604A1. Автор: Takeshi Yokoyama,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh,Shouichi Takasuka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Chip scale package structure and method of forming the same

Номер патента: EP3624173A1. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Nai-wei LIU,Yen-Yao Chi,Tzu Hung Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-03-18.

Solid-state image pickup apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170294470A1. Автор: Takeshi Aoki,Yusuke Onuki,Koki Takami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Package substrate and method for manufacturing package substrate

Номер патента: US20150327363A1. Автор: Yasushi Inagaki,Yasuhiro Takahashi,Satoshi Kurokawa. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220208706A1. Автор: Jaehyung Park,Hoonjoo NA,Seokho KIM,Joohee Jang,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230238343A1. Автор: Jaehyung Park,Hoonjoo NA,Seokho KIM,Joohee Jang,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

All-solid secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200144575A1. Автор: Junhwan KU,Hyorang KANG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150348990A1. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Systems and methods for printing of removable and permanent images on an object

Номер патента: US20200198387A1. Автор: Brendan C. Casey,Minette A. Beabes. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device with high-mobility oxide semiconductor channel and methods for forming the same

Номер патента: US20230380165A1. Автор: Milan PESIC. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165996A1. Автор: Eunjin Kwak,Chulmin BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Large-diameter spiral welded steel pipe with composite structure wall and method for manufacturing same

Номер патента: US20240183466A1. Автор: Fujun ZHAN. Владелец: Nanjing Dade Steel Pipe Co ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20210265489A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device having ferroelectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US10490571B2. Автор: Hyangkeun YOO,Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240215323A1. Автор: Joon Yong Park,Ju Hyun Lee,Hyun Eok Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190148405A1. Автор: Wan Sup SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Mems device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150266719A1. Автор: Takahiko Yoshizawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Diode structures of stacked devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230378164A1. Автор: Kang-ill Seo,Byounghak Hong,Seungchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Three dimensional memory device containing dummy word lines and p-n junction at joint region and method of making the same

Номер патента: US12035520B2. Автор: Yanli Zhang,Peng Zhang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: CN114556636A. Автор: 松尾祐作. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2022-05-27.

Binder composition for all-solid-state secondary battery, slurry composition for all-solid-state secondary battery, solid electrolyte-containing layer and all-solid-state secondary battery

Номер патента: KR20220091470A. Автор: 유사쿠 마츠오. Владелец: 니폰 제온 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-06-30.

Oxide layers and methods of making the same

Номер патента: US10879012B2. Автор: Philip Schulz,Joseph Jonathan BERRY,Arrelaine Allen Dameron,Paul Francois Ndione. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-12-29.

Light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US9716210B2. Автор: Ki Bum Nam,Kyung Hee Ye,Kwang Joong Kim,Chang Suk Han,Seung Kyu Choi,Nam Yoon Kim,Kyung Hae Kim,Ju Hyung Yoon. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4604641A. Автор: Satoshi Konishi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-08-05.

Device package substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110062533A1. Автор: Seung Wook Park,Young Do Kweon,Hyung Jin Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Electronic device and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US11930647B2. Автор: Tae Hoon Kim,Hyung Dong Lee,Si Jung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US11901349B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Nanorod light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002496A1. Автор: Tae Hwan Kim,In Hwan Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2022-05-25.

Composite circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US10159149B2. Автор: Mei Yang,Xian-qin HU,Cheng-Jia Li. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

All-solid secondary battery and method of preparing the same

Номер патента: US11799171B2. Автор: TOMOYUKI Shiratsuchi,Satoshi Fujiki,Takanobu Yamada,Yuichi Aihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Schottky barrier diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187962A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-07-02.

Schottky barrier diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US9287415B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-03-15.

Conductive Traces in Semiconductor Devices and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160307852A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Chao-Wen Shih,Han-Ping Pu,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030331A1. Автор: Yang Liu,Pan Wang,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Magneto-resistive element and method of manufacturing the magneto-resistive element

Номер патента: US20230389444A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Chip structure and method for forming the same

Номер патента: US11848270B2. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hong-Seng Shue,Kuo-Chin Chang,Sheng-Han TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Light-emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190172898A1. Автор: Howon Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Multilayer ceramic electronic component and method for manufacturing multilayer ceramic electronic component

Номер патента: US20160020029A1. Автор: Takahiro Hirao. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US20230378148A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

All-solid secondary battery and method of preparing the same

Номер патента: US20180351159A1. Автор: TOMOYUKI Shiratsuchi,Satoshi Fujiki,Takanobu Yamada,Yuichi Aihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

Light-emitting element and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20180006190A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190139885A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Light emitting element, light emitting device, and method for manufacturing light emitting element

Номер патента: US20110215356A1. Автор: Masaaki Ogawa,Yasuhisa Ohmuro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Display panel device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110309385A1. Автор: Kenichi NENDAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240098989A1. Автор: Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhaohui Tang,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210091185A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Vertical gallium nitride transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140225122A1. Автор: Motonobu Takeya,Young Do JONG,Kang Nyung Lee,June Sik Kwak,Kwan Hyun Lee. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240112992A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130050901A1. Автор: Kwang Jik LEE,Suk Jin Ham,Ji Hyuk Lim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US20220367435A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140308789A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240138236A1. Автор: Dongjo Kim,Seonggeun Won,Youngji KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

High temperature resistant probiotics for food or beverage and method of making the same

Номер патента: US20240148661A1. Автор: Mu Wang,Chun Hay KO,Ka Man TSE,Joo Ann EWE,Tsz Wai NG. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory packages and methods of forming same

Номер патента: US11855046B2. Автор: Chen-Hua Yu,Yih Wang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11974455B2. Автор: Yong Tack Kim,Myung Chul YEO,Yoon Hyeung CHO,Eung Seok Park,Hee Wook YOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190088626A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,I-Cheng Wang,Wun-Jheng SYU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Surface emitting laser, electronic device, and method for manufacturing surface emitting laser

Номер патента: US20240055833A1. Автор: Takahiro Arakida,Rintaro Koda,Osamu Maeda,Kota Tokuda,Yasutaka Higa,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230157071A1. Автор: Swae-Hyun Kim,Youhan Moon,Youngkuk Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Circuit board structure and method for forming the same

Номер патента: US20240114632A1. Автор: Chia-Ching Wang,Ming-Hao Wu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Electronic device and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20210066393A1. Автор: Tae Hoon Kim,Hyung Dong Lee,Si Jung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Electronic device and method for manufacturing electronic device

Номер патента: US20220367567A1. Автор: Tae Hoon Kim,Hyung Dong Lee,Si Jung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Display device and method of manufacturing the display device

Номер патента: US20240081118A1. Автор: Hyuneok Shin,Sukyoung YANG,Dongmin LEE,Joonyong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Nanorod light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US20220165788A1. Автор: Taehwan Kim,In-Hwan Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2022-05-26.

Deep trench isolation structure and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230402487A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Min-Ying Tsai,Bi-Shen LEE,Chia-Wei Hu,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Composite circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180192516A1. Автор: Mei Yang,Xian-qin HU,Cheng-Jia Li. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Printed circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240040691A1. Автор: Kwon Su Yun. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Rram device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190140170A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory packages and methods of forming same

Номер патента: US20210225809A1. Автор: Chen-Hua Yu,Yih Wang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20240079486A1. Автор: Wei-Ting Chang,Jiang-He Xie,Ching Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796757B2. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2021055070A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Quantum well field-effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4032127A1. Автор: Michael James Manfra,Candice Fanny THOMAS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087898A1. Автор: Seiya Sakakura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure

Номер патента: EP2389689A2. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

All-Solid-State Battery Operable at Room Temperature and Low Pressure and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240194884A1. Автор: HONG Seok Min,Sang Heon Lee,Yun Sung Kim,Jang Wook Choi,Ji Hoon Oh,Ga Hyeon Im,Noh Joon Lee,Ye Eun Sohn. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9293563B2. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Memory packages and methods of forming same

Номер патента: US20240105682A1. Автор: Chen-Hua Yu,Yih Wang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215238A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Beibei Li,Simin Liu,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240204092A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Co-extruded multi-layer polypropylene plastic pipes for use in wastewater drainage stack and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2024003891A1. Автор: Ronen Peleg. Владелец: Huliot Agricultural Cooperative Society Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213355A1. Автор: Yukinori Nose,Atsuya SASAKI. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Multilayer film including foam layer and gas barrier layer

Номер патента: US10980661B2. Автор: Moh-Ching Oliver Chang. Владелец: Hollister Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Composition for transparent conductive layer, manufacturing method of transparent conductive layer and surface conductive articles

Номер патента: KR100243254B1. Автор: 이지원,장동식,심면기. Владелец: 삼성전관주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Cathode electrode for an electrical device and method

Номер патента: CA1041620A. Автор: Charles W. Walters. Владелец: MALLORY COMPONENTS Ltd. Дата публикации: 1978-10-31.

Paper film composite comprises first and second paper layer and a composite film that is concealed or laminated between the first and second paper layer and comprises two film layers, whose molecular orientation is inclined to each other

Номер патента: DE102009036977A1. Автор: Bernd Friese. Владелец: CURTIS 1000 EUROP AG. Дата публикации: 2011-02-17.

Layer composite for connecting electronic components comprising a compensation layer, linking layers and connection layers

Номер патента: EP2761650A2. Автор: Daniel Wolde-Giorgis. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-08-06.

Composition for secondary battery functional layer, manufacturing method thereof, functional layer and secondary battery

Номер патента: CN107431170B. Автор: 丰田裕次郎,高松裕美. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Slurry composition for all-solid-state secondary batteries, solid electrolyte-containing layer, and all-solid-state secondary battery

Номер патента: WO2023008151A1. Автор: 健矢園部,祐作松尾. Владелец: 日本ゼオン株式会社. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US7169670B2. Автор: Min Kyu Lee,Jum Soo Kim,Hee Hyun Chang,Jung Ryul Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-30.

Polishing layer and polishing method

Номер патента: US11858089B2. Автор: Yu-Piao Wang,Yu-Hao Pan,Ching-Huang Shen. Владелец: Iv Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Substrates having adhesion promotor layers and related methods

Номер патента: US20240006285A1. Автор: WEI Wei,Yi Yang,Xiaoying Guo,Jieying KONG,Ao WANG,Suddhasattwa NAD,Ala OMER,Christy Sennavongsa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Organic electroluminescent device having conductive layers in a cathode layer and an electron transporting layer having a letal complex

Номер патента: US20150179969A1. Автор: Meng-Ting Lee,Kuan-Heng Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-06-25.

Organic electroluminescent device having conductive layers in a cathode layer and an electron transporting layer having a metal complex

Номер патента: US9190625B2. Автор: Meng-Ting Lee,Kuan-Heng Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-11-17.

Display panel having improved conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200286979A1. Автор: Ki Hyun Kim,Sung Chan Jo,Young Gil Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Conductive film using high concentration dispersion of copper-based nanoparticles, and method for producing same

Номер патента: CN102576584B. Автор: 川崎三津夫,和田仁,杉本将之,梶田治. Владелец: Fukuda Metal Foil and Powder Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-09.

Substrate with lithium imide layer, led with lithium imide layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180062024A1. Автор: Po-Yuan CHIU,Lung-Han Peng,Jiun-Yun Li,Jun-Wei Peng. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Preparation method of copper based hydrogenation catalyst

Номер патента: CN104549299A. Автор: 陈海波,曹建平,于杨,殷玉圣,魏士新,郝爱香,贺健,毛春鹏,谢天明. Владелец: Research Institute of Nanjing Chemical Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Copper-based catalyst for preparing low carbon alcohol, as well as preparation method and application of copper-based catalyst

Номер патента: CN102872882B. Автор: 孙予罕,李艺,章序文,房克功,林明桂,魏伟,吴秀章,卢卫民,李克健. Владелец: China Shenhua Coal to Liquid Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-26.

Method for increasing the activity of copper-based catalyst in water-gas shift reaction

Номер патента: CN101607206B. Автор: 乔明华,范康年,刘晓钰,郭平均. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-05-30.

Method of copper based alloys manufacturing from bred-in raw material

Номер патента: RU1836473C. Автор: Феликс Николаевич Стрельцов,Александр Никитович Задиранов. Владелец: Государственный научно-исследовательский, проектный и конструкторский институт сплавов и обработки цветных металлов. Дата публикации: 1993-08-23.

A kind of copper-based molecular sieve denitrating catalyst of automobile-used extruded type and preparation method thereof

Номер патента: CN108212203A. Автор: 李�杰,孙敏,赵磊,郭耘,詹望成,朱增赞,许顺磊,郭晓会,朱延江,汪银环. Владелец: Kailong Lanfeng New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2018-06-29.

Preparation method of copper based catalyst for methanol synthesis

Номер патента: CN103480377B. Автор: 陈海波,王琼,曹建平,于杨,贺健,毛春鹏,仇冬,殷惠琴. Владелец: Research Institute of Nanjing Chemical Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Microporous membrane for filter having of copper based compound

Номер патента: KR101647672B1. Автор: 백승우. Владелец: (주)비에스써포트. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for producing axially symmetrical parts of copper-based heat-resistant alloys

Номер патента: RU2610646C1. Автор: Сергей Алексеевич Костин. Владелец: Сергей Алексеевич Костин. Дата публикации: 2017-02-14.

Preparation method of copper-based catalyst with copper-coated zinc oxide interface and application of copper-based catalyst in low-temperature catalysis of water-gas shift reaction

Номер патента: CN114824320A. Автор: 王楠,李娜,李志远,余俊,卫敏,宋博宇,杨宇森. Владелец: State Grid Comprehensive Energy Service Group Co ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

Processing of copper-based nanowires for transparent conductors

Номер патента: WO2014063769A1. Автор: Pawel Miskiewicz,Ranjan Deepak Deshmukh. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2014-05-01.

Microporous membrane for filter having of copper based compound

Номер патента: KR20160050510A. Автор: 백승우. Владелец: (주)비에스써포트. Дата публикации: 2016-05-11.

A kind of method that improves activity of copper-based catalyst in water-gas shift reaction

Номер патента: CN101607206A. Автор: 乔明华,范康年,刘晓钰,郭平均. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-12-23.

A kind of copper base solder cloth and preparation method for being used to be modified red copper surface

Номер патента: CN107378307A. Автор: 何力,黄晓龙,许祥平,邹家生,康昊杰. Владелец: JIANGSU YANGMING SHIP-EQUIPMENT MANUFACTURING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-24.

A kind of copper-base graphite alkene polymer lithium battery cathode structure

Номер патента: CN204333111U. Автор: 王干,周兴国,叶春逢. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-13.

A kind of copper base process of surface treatment

Номер патента: CN107889369A. Автор: 张涛. Владелец: Digital Printed Circuit Board Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-06.

A kind of copper base-steel bi-metal bridging welding method

Номер патента: CN103753042B. Автор: 崔建忠,陈进耿,王群骄. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2016-05-11.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLAYER FILM FOR LAMINATED GLASS AND LAMINATED GLASS

Номер патента: US20120003428A1. Автор: MIYAI Jiro. Владелец: Sekisui Chemical Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method And Apparatus For Measuring The Thickness Of A Metal Layer Provided On A Metal Object

Номер патента: US20120001624A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Copper based composition material and method of its production

Номер патента: RU2074898C1. Автор: Михаил Иванович Доперчук,Дмитрий Геннадьевич Сергеев. Владелец: Дмитрий Геннадьевич Сергеев. Дата публикации: 1997-03-10.

Copper-based metal corrosion inhibitor and rust-proof paper for copper-based metal using the same

Номер патента: JP3060435B2. Автор: 久也片岡. Владелец: Keiwa Inc. Дата публикации: 2000-07-10.

METAL CAP LAYER WITH ENHANCED ETCH RESISTIVITY FOR COPPER-BASED METAL REGIONS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120061839A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

Polishing liquid for copper-based metal and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP3192968B2. Автор: 英明平林,直明桜井. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-07-30.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

STILTS WITH NON-CIRCULAR SUPPORT POLE AND METHOD OF IMPROVING SAFETY

Номер патента: US20120004078A1. Автор: . Владелец: CINTA TOOLS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Polishing method for copper-based metal

Номер патента: JP3556978B2. Автор: 英明平林,勝敏樋口. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-08-25.

Polishing liquid for copper-based metal

Номер патента: JP3577002B2. Автор: 英明平林,勝敏樋口. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-13.

Rolling oil composition for copper-based materials

Номер патента: JP4126205B2. Автор: 誠一志渡,秀夫杉井. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-30.

Manufacturing method for copper-based super-hydrophobic surface structure

Номер патента: CN103406248A. Автор: 黄行九,章桥新,陈玉雪. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2013-11-27.

Electrolyte for copper-based alloy phase analysis

Номер патента: SU918836A1. Автор: Маргарита Георгиевна Киткина,Ростислав Викторович Седлецкий. Владелец: Предприятие П/Я А-3700. Дата публикации: 1982-04-07.

Covering flux for copper-based alloys

Номер патента: SU897873A1. Автор: Борис Леонидович Кузнецов,Тимерхан Фархутдинович Шайхутдинов,Юрий Александрович Нагибин,Александр Владимирович Донской,Тимерхан Габдулович Ахметов,Римма Георгиевна Оскордова. Владелец: Научно-исследовательский институт автотракторных материалов. Дата публикации: 1982-01-15.

Material for copper-based breakaway electric contacts

Номер патента: RU2122039C1. Автор: В.В. Иванов,В.И. Кирко,Ван-Чжу Шао. Владелец: Научно-исследовательский физико-технический институт при Красноярском государственном университете. Дата публикации: 1998-11-20.

Master alloy for copper-base alloys

Номер патента: SU596649A1. Автор: Владимир Иванович Ермаков,Герман Сергеевич Белкин,Андрей Владимирович Ермаков,Григорий Николаевич Поповский,Сергей Владимирович Терпогосов. Владелец: Предприятие П/Я Р-6517. Дата публикации: 1978-03-05.

Номер патента: RU2525882C2. Автор: Галина Михайловна Зеер,Елена Геннадьевна Зеленкова,Ольга Николаевна Ледяева,Алексей Николаевич Кожурин,Михаил Юрьевич Кучинский,Максим Андреевич Шабуров. Владелец: Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" (Сфу). Дата публикации: 2014-08-20.

Copper-graphene composite material and method for preparation of graphene film on copper-based metal surface

Номер патента: CN102730671B. Автор: 李朝阳,朱胜利,崔振铎,杨贤金,余亮亮. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-05.

COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITION FOR FORMING SILICA BASED INSULATING LAYER, SILICA BASED INSULATING LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICA BASED INSULATING LAYER

Номер патента: US20120177829A1. Автор: Kim Sang-Kyun,YUN Hui-Chan,Lee Jin-Wook,Kim Bong-Hwan,Lim Sang-Hak,Kwak Taek-Soo,Bae Jin-Hee,Oh Jung-Kang,Han Dong-II. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

Radiation curable resin composition for flattening layer, flattening layer, method for producing flattening layer, and solid-state imaging device

Номер патента: JP4609088B2. Автор: 英明高瀬,隆郎八代,哲也山村. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2011-01-12.

Production of copper-based composite for electric contacts

Номер патента: RU2567418C1. Автор: Эдуард Андреевич Пастухов,Эдуард Юрьевич Гойда,Эльвира Алексеевна Попова,Людмила Ефимовна Бодрова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2015-11-10.

Номер патента: SU1178550A1. Автор: Игорь Владимирович Качанов,Исаак Яковлевич Мовшович,Михаил Адамович Барановский,Михаил Васильевич Степашко. Владелец: Белорусский Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт. Дата публикации: 1985-09-15.

Preparation method of copper based sliding plate material

Номер патента: CN104911382A. Автор: 卢晓英,蒋雪,江奇,朱德贵. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2015-09-16.

Apparatus for continuous casting of copper-base alloys

Номер патента: SU1171195A1. Автор: Igor S Trishevskij,Oleg A Shatagin,Vladimir P Borzunov,Arkadij I Bogdanov,Viktor I Shevchenko,Vadim N Terekhov,Ivan P Kharchenko,Vladimir K Ryzhko. Владелец: Uk Nii Metallov. Дата публикации: 1985-08-07.

Номер патента: SU486079A1. Автор: Анатолий Михайлович Сычев,Анатолий Иванович Епанешников,Галина Леонидовна Маркелова,Татьяна Алексеевна Ситникова,Людмила Петровна Булахова. Владелец: Предприятие П/Я Г-4347. Дата публикации: 1975-09-30.

Preparation method of copper based diamond matrix composite material

Номер патента: CN103898344A. Автор: 张少明,汪礼敏,张敬国,张景怀. Владелец: GRIPM ADVANCED MATERIALS (BEIJING) CO Ltd. Дата публикации: 2014-07-02.

Modifying flux for centrifugal casting of copper based alloys

Номер патента: SU464376A1. Автор: Сергей Александрович Орлов,Авксентий Иванович Шевченко,Борис Борисович Конопелько,Владимир Данилович Курилюк,Александр Иванович Семененко,Владимир Яковлевич Погорелов,Вадим Михайлович Сопряжинский,Юрий Игоревич Лопатин,Феня Лейбовна Грибова. Владелец: Институт Проблем Литья Ан Украинской Сср. Дата публикации: 1975-03-25.

Method for inhibiting corrosion of copper-based member and corrosion inhibitor

Номер патента: JP6369095B2. Автор: 靖村野,直宏永井. Владелец: Kurita Water Industries ltd. Дата публикации: 2018-08-08.

Copper-based catalyst prepared by ammonia distillation method and application of copper-based catalyst in oxidation carbonylation synthesis of alkyl carbonate

Номер патента: CN103084201A. Автор: 闫冰,马新宾,王胜平,黄守莹,赵玉军. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-08.

Номер патента: SU834100A1. Автор: Виктор Иванович Елисеев,Александр Иванович Грачев,Александр Иванович Калугин. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательскийконструкторско-Технологический Институтподшипниковой Промышленности. Дата публикации: 1981-05-30.

用于铜基金属层和铜基金属层与金属氧化物层的层压膜的蚀刻剂组合物以及制备金属布线的方法

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты