Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Silicon carbide substrate, semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing semiconductor device

Silicon carbide substrate, semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2779961A1
Опубликовано: 27-06-2012
Автор(ы): Shin Harada, Tsubasa HONKE
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US12034322B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kei Takahashi,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Test method of a semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US11885716B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Silicon carbide interconnect for semiconductor components and method of fabrication

Номер патента: US20030143764A1. Автор: Salman Akram,Alan Wood. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device arrangement, a method of analysing a performance of a functional circuit on a semiconductor device and a device analysis system

Номер патента: US09671456B2. Автор: Yoav Weizman,Shai Shperber,Jacob Fridburg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device

Номер патента: US09729809B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US12061123B2. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20230296669A1. Автор: Kazunori Masuda,Makoto Iwai,Takuya Kusaka,Hirosuke NARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Inspection apparatus, inspection system, inspection method of semiconductor devices, and manufacturing method of inspected semiconductor devices

Номер патента: US20150123694A1. Автор: Takashi Ushijima,Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-05-07.

Inspection apparatus, inspection system, inspection method of semiconductor devices, and manufacturing method of inspected semiconductor devices

Номер патента: US9379029B2. Автор: Takashi Ushijima,Yosuke Osanai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device and a method of testing the same

Номер патента: US7940071B2. Автор: Shingo Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US20230160754A1. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Cleaner composition of the substrate for semiconductor devices, The cleaning method of the substrate for semiconductor devices, The manufacturing method of the substrate for semiconductor devices, and The substrate for semiconductor devices

Номер патента: KR20190126320A. Автор: 도모히로 구사노,겐 하라다,야스히로 가와세. Владелец: 미쯔비시 케미컬 주식회사. Дата публикации: 2019-11-11.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20120012851A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and operation method of semiconductor device

Номер патента: US11849584B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200395412A1. Автор: Satoru Yamada,Taehun Kim,Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Seokhan Park,Jaeho Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11800713B2. Автор: Changhan Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of manufacturing quantum-dot thin film, quantum-dot substrate, and display panel

Номер патента: US20230407512A1. Автор: Lixuan Chen,Jinyang ZHAO,Zhiqing Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, battery pack, method of controlling semiconductor device, and control programs

Номер патента: US20240044990A1. Автор: Gen NAGASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and control method of charging battery

Номер патента: US20230231407A1. Автор: Masaru Miyake,Tetsuo Miyauchi,Youhei KENGOYAMA,Masaki Hogari,Yasuo Usuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: EP1683201A1. Автор: Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Jr. Calvin H. Carter,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-07-26.

Methods of forming power semiconductor devices using boule-grown silicon carbide drift layers and power semiconductor devices formed thereby

Номер патента: CA2542704A1. Автор: Calvin H. Carter, Jr.,Michael James Paisley,Joseph John Sumakeris,Hudson McDonald Hobgood,Jason Ronald Jenny,Valeri Fedorovich Tsvetkov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-06.

Oxide crystal, crystalline oxide film, crystalline multilayer structure, semiconductor device and manufacturing method of a crystalline multilayer structure

Номер патента: US20240170542A1. Автор: Hitoshi Takane,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431435B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and operation method of the same

Номер патента: US20180286850A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Shinichiro Abe,Hideki Makiyama,Keiichi Maekawa,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US11950410B2. Автор: Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US20200161309A1. Автор: Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

H-3 silicon carbide PN-type radioisotopic battery and manufacturing method of the same

Номер патента: US11769603B2. Автор: LIN Zhang,Xiaoyan Wang,Liya Zhu. Владелец: Changan University. Дата публикации: 2023-09-26.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09929185B2. Автор: Shinya Suzuki,Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210074362A1. Автор: Minoru Oda,Yuka Itano,Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device including low-voltage device and middle-voltage device, display driving device including the same, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266368A1. Автор: Kee Joon Choi. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of designing electroluminescent device, electroluminescent device manufactured with the design method, and method of manufacturing electroluminescent device with the design method

Номер патента: US09893324B2. Автор: Koujirou Sekine,Mitsuru Yokoyama,Kou Osawa. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of reducing a registration error of a photomask, and related photomasks and methods of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US9176375B2. Автор: CHALYKH Roman,Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee,Mun-Ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-03.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Improved performance optically coated semiconductor devices and related methods of manufacture

Номер патента: WO2009075880A2. Автор: Jamie Knapp. Владелец: Newport Corporation. Дата публикации: 2009-06-18.

Improved performance optically coated semiconductor devices and related methods of manufacture

Номер патента: WO2009075880A3. Автор: Jamie Knapp. Владелец: Newport Corporation. Дата публикации: 2009-09-24.

Performance Optically Coated Semiconductor Devices and Related Methods of Manufacture

Номер патента: US20130221467A1. Автор: Jamie Knapp. Владелец: Newport Corp USA. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Semiconductor device, display apparatus, method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing display apparatus

Номер патента: US20180076241A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and design method of same

Номер патента: US09941270B2. Автор: Daisuke Matsuoka,Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7662686B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US8466507B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20080179653A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Methods of reducing a registration error of a photomask, and related photomasks and methods of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20140363633A1. Автор: CHALYKH Roman,Sang-Hyun Kim,Seong-Sue Kim,Dong-gun Lee,Mun-Ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210104463A1. Автор: Sanghoon Baek,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and operating method of same

Номер патента: US20180151235A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Electronic device for manufacturing semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US11900043B2. Автор: Jungmin Kim,Dongho Kim,Sangwook Kim,Sooyong Lee,Seunghune YANG,Jeeyong Lee,Changmook YIM,Yangwoo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and operating method of a semiconductor device

Номер патента: US20190348121A1. Автор: Chan Lim,Min Kyu Jeong,Yong Jun Kim,Hea Jong Yang,Gae Hun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US11538527B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20230132080A1. Автор: Daehee Lee,Seungil CHAI,Kyunghee SHIN,Moonhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170084678A1. Автор: Noriyoshi Kanda. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240127423A1. Автор: Yoshiyuki Ogata. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20210358550A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20220101921A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US9640255B2. Автор: Tatsuya Onuki,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20070007521A1. Автор: Takanori Yoshimatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Manufacturing method of semi-insulating single-crystal silicon carbide powder

Номер патента: US12098477B2. Автор: Bo-Cheng Lin,Dai-liang Ma,Bang-Ying Yu. Владелец: Taisic Materials Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer

Номер патента: US20070101928A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

Номер патента: US20130157009A1. Автор: Sadahiko Kondo. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Silicon carbide carrier for wafer processing and method for making same

Номер патента: US5776391A. Автор: Thomas Sibley. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US20160248977A1. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US09794484B2. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and test method of the same

Номер патента: US20160072511A1. Автор: Tomoyuki Maekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Silicon carbide device with compensation region and method of manufacturing

Номер патента: US11764063B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Romain Esteve,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods of reducing the electrical and thermal resistance of SiC substrates and devices made thereby

Номер патента: US09780206B2. Автор: James Albert Cooper, Jr.. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8154074B2. Автор: Takeshi Endo,Kensaku Yamamoto,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Vertical silicon carbide power MOSFET and IGBT and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11967616B2. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

A Vertical Silicon Carbide Power MOSFET and IGBT and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220028976A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-01-27.

A vertical silicon carbide power mosfet and igbt and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP3756225A1. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2020-12-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294769A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Silicon carbide insulated gate semiconductor element and method for producing same

Номер патента: EP2538444A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Misako Honaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220005928A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190288074A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method of silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230378341A1. Автор: Bo Shi,Dan ZENG,Daokun CHEN,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179261A1. Автор: Yuji Takahashi,Kazuya Sekiguchi,Daisuke Ono,Tatsuhiko Miura,Tsuyoshi Kachi,Katsuhiro Mitsui,Yoshio Fukayama,Tomokuni Chino. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258388A1. Автор: Youngwoo KIM,Kyungmin Kim,Beomjin Kim,Kyoungwoo Lee,Seungseok HA,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE,Minseung LEE,Myeonggyoon CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240250168A1. Автор: Jong Min Kim,Geum Ho AHN. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240266436A1. Автор: Nam Kyu Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090152644A1. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7750427B2. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09601334B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09412669B2. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2019146300A1. Автор: Takehiro Kato,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130130447A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8368083B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401122A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Younggwon Kim,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US10714487B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and corresponding methods of manufacture

Номер патента: US20240194754A1. Автор: Weichun Huang,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Thomas Martin Feil. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12057469B2. Автор: Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Chen Hua TSAI,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20170213853A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukio Yamauchi,Hidehito Kitakado,Masaya Kadono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor Device and A Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20140209916A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukio Yamauchi,Hidehito Kitakado,Masaya Kadono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Methods of Forming Contact Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280426A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20240355868A1. Автор: Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Chen Hua TSAI,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09876033B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukio Yamauchi,Hidehito Kitakado,Masaya Kadono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Deposition methods of forming a layer while rotating the substrate in angular increments and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09698021B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Gate isolation features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240379673A1. Автор: Chia-Ta Yu,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200243514A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210005751A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryota Hodo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Fully insulated semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009095835A3. Автор: Pierre Goarin. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-08.

A semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP2248163A2. Автор: Pierre Goarin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041765B2. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9997621B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640655B2. Автор: Kensaku Yamamoto,Shinya Nishimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Ldmos semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120418A1. Автор: Sang II Hwang. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220037326A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508598B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20060017053A1. Автор: Daisuke Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240136404A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20050167746A1. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220173243A1. Автор: Kilian ONG,Benjamin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130264576A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US5341028A. Автор: Yasuo Yamaguchi,Natsuo Ajika,Tsuyoshi Yamano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-08-23.

Semiconductor Device Cleaning Solution, Method of Use, and Method of Manufacture

Номер патента: US20230365903A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Ling-Fu Nieh,Pinlei Edmund CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device cleaning solution, method of use, and method of manufacture

Номер патента: US11773353B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Chi-Jen Liu,Yi-Sheng Lin,Liang-Guang Chen,Ling-Fu Nieh,Pinlei Edmund CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120094452A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240251557A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7915680B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20210358949A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200365614A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180301446A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110147841A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

LDMOS power semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09954079B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09837528B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09478530B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20120313160A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Yoshiyuki Kawashima,Satoru Machida,Munekatsu Nakagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4276912A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device, memory circuit, method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160322422A1. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, and solid-state image pickup device using the same

Номер патента: US20140239360A1. Автор: Ryosuke Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240276724A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272969A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12046645B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339512A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090134467A1. Автор: Atsushi Maeda,Hiroshi Ishida,Takashi Takeuchi,Yasuhiro Kimura,Shoji Yoshida,Tetsuya Uchida,Norio Ishitsuka,Takehiko Kijima,Minoru Abiko,Natsuo Yamaguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234503A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Younggwon Kim,Hyumin Yoo,Beomjim Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8097914B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100052045A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

TFT, method of manufacturing the TFT, flat panel display having the TFT, and method of manufacturing the flat panel display

Номер патента: US20050258487A1. Автор: Min-chul Suh,Hye-dong Kim,Nam-Choul Yang,Jae-Bon Koo,Tae-min Kang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20160093699A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7525171B2. Автор: Kenji Kimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-04-28.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060281285A1. Автор: Kenji Kimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140284683A1. Автор: Sachiyo Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Semiconductor device and related method of fabrication

Номер патента: US20120037995A1. Автор: Yongdon Kim,Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210074836A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240128361A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230187490A1. Автор: Shinichi Hoshi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20140346608A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20190131310A1. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130292749A1. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230062583A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8071448B2. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Gallium nitride based semiconductor device and manufacturing method of gallium nitride based semiconductor device

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Daisuke Mori,Katsunori Ueno,Chizuru Inoue,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Hideaki Teranishi,Hirotaka SUDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180219089A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US11894397B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Hitoshi Nakayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11881522B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Naoki Okuno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230275132A1. Автор: Sho NAKANISHI,Tomoaki Uno,Toshiaki Igarashi,Koshiro Yanai,Masanari Murayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190088776A1. Автор: Hiroaki Katou,Takahiro Kawano,Tetsuya Ohno,Kenya Kobayashi,Toshifumi NISHIGUCHI,Saya SHIMOMURA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10263296B2. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9640841B2. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170207210A1. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9219061B2. Автор: Kazutaka Suzuki,Takahiro Korenari. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170047409A1. Автор: Yoshitake Kato,Toshihiro Iizuka,Shin Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11784223B2. Автор: Hirofumi Kida. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US11355530B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Hitoshi Nakayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240088212A1. Автор: Masakazu Watanabe,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11923444B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230395710A1. Автор: Naoki Tega,Takuma KATANO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200043931A1. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220359523A1. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Capacitor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240090194A1. Автор: Yuichi Sato,Tomoaki Moriwaka,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240113207A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Naoki Okuno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor Device And Manufacturing Method Of The Semiconductor Device

Номер патента: US20230320135A1. Автор: Takahiro Iguchi,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka,Ami Sato,Masayoshi Dobashi,Chieko MISAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200144310A1. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230402511A1. Автор: Takashi Yoshimura,Shogo Yamaguchi,Motoyoshi KUBOUCHI,Yuki Sawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20210020667A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Hitoshi Nakayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20240162252A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Hitoshi Nakayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160087051A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11935945B2. Автор: Takashi Yoshimura,Michio Nemoto,Hiroshi TAKISHITA,Misaki MEGURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11996444B2. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9941366B2. Автор: Atsushi Onogi,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160315157A1. Автор: Atsushi Onogi,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8294186B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240032304A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US5750429A. Автор: Tomoyoshi Kushida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230389307A1. Автор: Takeshi Yamamoto,Nobuyuki Toda,Naozumi Terada,Hiroyoshi Kitahara,Yu NAKANE. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190103413A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11812612B2. Автор: Kun Young Lee,Dong Hyoub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230145810A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20210376147A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230411519A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230369483A1. Автор: Yohei Iwahashi,Masato NOBORIO,Mariko HANASATO. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US11791409B2. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200052104A1. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230024174A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11342463B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818881B2. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8872261B2. Автор: Hiroshi Ohta,Kiyoshi Kimura,Junji Suzuki,Wataru Saito,Yasuto Sumi,Hiroyuki IRIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10971619B2. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9634008B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11974436B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080150030A1. Автор: Shigeyuki Yokoyama,Yu Kosuge. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220037501A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

The manufacture method of active matrix substrate, display device, radiovisor, active matrix substrate and the manufacture method of display device

Номер патента: CN100555366C. Автор: 津幡俊英. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-10-28.

Method of forming microcrystalline silicon-containing silicon carbide film

Номер патента: US5021103A. Автор: Yoshihiro Hamakawa,Hiroaki Okamoto,Yutaka Hattori. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1991-06-04.

Methods of forming electronic devices comprising silicon carbide materials

Номер патента: US12027363B2. Автор: Santanu Sarkar,Farrell M. Good. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide matrix composite material, process for producing the same and process for producing part of silicon carbide matrix composite material

Номер патента: US8568650B2. Автор: Tsuneji Kameda,Yoshiyasu Itoh,Shoko Suyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-29.

Silicon carbide structure and method of producing the same

Номер патента: US20130292704A1. Автор: Norihide Imagawa. Владелец: Tis and Partners Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same, and multi-piece ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same

Номер патента: EP3780917A1. Автор: Koya Arai,Masahito Komasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-02-17.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Manufacturing apparatus and method for semiconductor device and cleaning method of manufacturing apparatus for semiconductor

Номер патента: US20110312187A1. Автор: Kunihiko Suzuki,Hideki Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20050282372A1. Автор: Alvaro Maury,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US7811944B2. Автор: Alvaro Maury,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-10-12.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US10777588B2. Автор: HU Meng,Qi Huang,Xuelei Liang,Jiye XIA,Boyuan TIAN,Guodong Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Semiconductor device, method and machine of manufacture

Номер патента: US11851749B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Ya-Lien Lee,Jen-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Device, Method and Machine of Manufacture

Номер патента: US20220290291A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Ya-Lien Lee,Jen-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor Device, Method and Machine of Manufacture

Номер патента: US20200102645A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Ya-Lien Lee,Jen-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor Device, Method and Machine of Manufacture

Номер патента: US20240093357A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Ya-Lien Lee,Jen-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Liver-type fatty acid-binding protein standard, method for evaluating standard, method for regulating variation range of measured value caused by liver-type fatty acid-binding protein in measurement using standard, liver-type fatty acid-binding protein, dna encoding protein, cell transformed by dna, method of producing protein, method of drawing calibration curve for liver-type fatty acid-binding protein, and method of quantifying protein

Номер патента: US20190359663A1. Автор: Takeshi Sugaya,Tsuyoshi Oikawa,Masateru OKAZAKI. Владелец: CMIC Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

PVDF-TrFE co-polymer having improved ferroelectric properties, methods of making a PVDF-TrFE co-polymer having improved ferroelectric properties and methods of changing the end group of a PVDF-TrFE co-polymer

Номер патента: US09735004B2. Автор: Jakob NILSSON,Christian BROX-NILSEN. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20150311328A1. Автор: Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09362373B2. Автор: Koji Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09530859B2. Автор: Tsuyoshi Nishiwaki,Shuhei Oki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220352316A1. Автор: Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282818A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4882290A. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240128349A1. Автор: Kaname MITSUZUKA,Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140145239A1. Автор: Tsuyoshi Nishiwaki,Shuhei Oki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240072110A1. Автор: Takuya Yamada,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Ryutaro Hamasaki,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230091325A1. Автор: Yukie Nishikawa,Emiko Inoue. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162285A1. Автор: Kaname MITSUZUKA,Tohru SHIRAKAWA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050040497A1. Автор: Kenichi Tanaka,Kazuhiro Mochizuki,Hiroyuki Uchiyama,Hiroji Yamada,Tomonori Tanoue,Chisaki Takubo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170018637A1. Автор: Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140035110A1. Автор: Masakazu Watanabe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of manufacture of homodispersed silicon carbide - derived carbon composites

Номер патента: WO2012035424A1. Автор: Jaan Leis,Mati Arulepp. Владелец: OÛ SKELETON TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2012-03-22.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Radiation detector, method and apparatus of manufacturing the same, scintillator panel and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Hiroshi Horiuchi,Atsuya Yoshida. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240121953A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11889672B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240234300A1. Автор: Sang Hyun Oh,Sang Min Kim,Sang Yong Lee,Jin Taek Park,Sae Jun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11770931B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Woo Han,Hwal Pyo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Base sheet for grain-oriented electrical steel sheet, grain-oriented silicon steel sheet which is used as material of base sheet for grain-oriented electrical steel sheet, method of manufacturing base sheet for grain-oriented electrical steel sheet, and method of manufacturing grain-oriented electrical steel sheet

Номер патента: US11884988B2. Автор: Shuichi Nakamura,Hiroyasu Fujii,Yoshiyuki Ushigami,Seiki Takebayashi,Shinsuke TAKATANI. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220336496A1. Автор: Sun Young Kim,Changhan Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210265384A1. Автор: Sun Young Kim,Changhan Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11778829B2. Автор: Sun Young Kim,Changhan Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09799732B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods of processing semiconductor wafers having silicon carbide power devices thereon

Номер патента: EP1935007A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Matt Donofrio. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-06-25.

Silicon carbide:metal carbide alloy semiconductor and method of making the same

Номер патента: WO1989006438A1. Автор: James D. Parsons,Oscar Stafsudd. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1989-07-13.

Silicon carbide trench schottky barrier diode using polysilicon and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098936A1. Автор: Hyoung Woo Kim,Sang Cheol Kim,In Ho Kang,Jeong Hyun Moon,O Gyun Seok,Moon Kyong Na,Wook Bang. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2020-03-26.

Silicon carbide semiconductor device and fabrication method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150115287A1. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Silicon carbide trench schottky barrier diode using polysilicon and a method of manufacturing the same

Номер патента: US11121265B2. Автор: Hyoung Woo Kim,Sang Cheol Kim,In Ho Kang,Jeong Hyun Moon,O Gyun Seok,Moon Kyong Na,Wook Bang. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2021-09-14.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3989264A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240014272A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Takashi Ushijima,Jun Kojima,Seiya Hasegawa,Chiaki Sasaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods of forming products with FinFET semiconductor devices without removing fins in certain areas of the product

Номер патента: US09543416B2. Автор: Min Gyu Sung,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20130306979A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Kokawa. Владелец: ADVANCED POWER DEVICE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09711683B2. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP3933887A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9548297B2. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method

Номер патента: US09964853B2. Автор: Hugo Augustinus Joseph Cramer,Adrianus Franciscus Petrus Engelen,Peter Clement Paul Vanoppen,Paul Christiaan Hinnen,Eric Jos Anton Brouwer,Jan Hendrik Den Besten. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210257265A1. Автор: Young Rok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230021651A1. Автор: Young Rok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device mounting structure, method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20130341767A1. Автор: Manabu Watanabe,Takashi Kanda,Masateru Koide,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09773809B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09443869B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11901419B2. Автор: Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10847628B2. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP3537477A3. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190280096A1. Автор: Atsushi Amo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240186383A1. Автор: Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Deposition method, semiconductor device and method of favricating the same

Номер патента: US20210098458A1. Автор: Cheng-I Lin,Chi-On CHUI,Ming-Ho Lin,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of forming stress memorization layer on backside of semiconductor substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: US11444153B2. Автор: Wei Zou,Qintao Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010010381A1. Автор: Jong-Wan Jung,Jeong Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7501335B2. Автор: Kazuhiro Eguchi,Akio Kaneko,Katsuyuki Sekine,Yoshitaka Tsunashima,Motoyuki Sato,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9123739B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090267082A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038590A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190348433A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4312253A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US11817347B2. Автор: In Ku Kang,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11837639B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of forming an active pattern, display substrate formed by the same, and method of manufacturing the display substrate

Номер патента: US8956933B2. Автор: Wan-Soon Im,Young-Goo Song,Hwa-Dong Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200411550A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230157025A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240038583A1. Автор: In Ku Kang,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020195618A1. Автор: Mizuhisa Nihei,Yuu Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150097275A1. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Yoshiaki Kominami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170373168A1. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210043742A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and a method of making the same

Номер патента: US3681668A. Автор: Isamu Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1972-08-01.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device, stacked type semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030111721A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091315A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11805656B2. Автор: Kun Young Lee,Changhan Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160172476A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240015964A1. Автор: Jin Ho Bin,Young Tae Yoo,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20220020772A1. Автор: Kun Young Lee,Changhan Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160197174A1. Автор: Hiroyuki Ueda,Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Makoto Kuwahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11930642B2. Автор: Kun Young Lee,Changhan Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of forming trenches in monocrystalline silicon carbide

Номер патента: US5436174A. Автор: Bantval J. Baliga,Dev Alok. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1995-07-25.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of producing different types of silicon carbide surface morphology

Номер патента: RU2724142C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Даниил Алексеевич Евстигнеев,Владимир Александрович Карачинов,Александр Сергеевич Ионов,Андрей Валерьевич Желаннов. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-06-22.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Silver sintered molybdenum (ssm) packaging for power semiconductor devices and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230352372A1. Автор: Ali Emadi,Yuhang YANG. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240274512A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210111085A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240371738A1. Автор: Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20080211029A1. Автор: Keiichi Yoshizumi,Hideki Yasuoka,Kazuhisa Higuchi,Takayuki Nakaji,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070069326A1. Автор: Keiichi Yoshizumi,Hideki Yasuoka,Kazuhisa Higuchi,Takayuki Nakaji,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing an organic light emitting diode (oled) substrate and oled substrate

Номер патента: US20210226148A1. Автор: Lijun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160351540A1. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893036B2. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US09484288B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Light-emitting devices having an anti reflective silicon carbide or sapphire substrate and methods of forming the same

Номер патента: EP3652791A1. Автор: Lionel Ventelon,Pierre Boulanger. Владелец: AGC Flat Glass North America Inc. Дата публикации: 2020-05-20.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Multi-bit flip-flop region with serpentine data flow path, semiconductor device including same, method of operating same and method of manufacturing same

Номер патента: US20240256750A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Wei-Hsiang Ma,Chih-Cheng Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240038711A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240268101A1. Автор: Jongmin Kim,Taejin Park,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE,Hongjun LEE,Sangjae Park,Seung-Bo KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing an electronic device having a plastic substrate and corresponding carrier

Номер патента: US20130029486A1. Автор: Sebastiano Ravesi,Corrado Accardi,Stella Loverso,Noemi Graziana Sparta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09947708B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09755012B2. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12125794B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09461105B2. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070221995A1. Автор: Takashi Ipposhi,Takaya Suzuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US10170440B2. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Method of removing sharp edges of dielectric coatings on semiconductor substrates and device produced

Номер патента: WO1996004680A1. Автор: Daniel J. Jackson. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-02-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US12119321B2. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device comprising a bonding structure including a silver-tin compound and a nickel-tin compound and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2993692A3. Автор: Sunghee Lee,Junsik Hwang,Changyoul MOON,Kunmo Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-06.

Magnetic substrate and method of manufacturing the same, bonding structure between magnetic substrate and insulating material, and chip component having the bonding structure

Номер патента: US20200090848A1. Автор: Sung Han Kim,Yong Il Kwon,Sa Yong Lee,Keun Yong LEE,Jin Ho HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device, display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09935165B2. Автор: Yuichi Kato,Kenta Masuda,Takashige Fujimori,Keiichi Akamatsu,Tomoatsu Kinoshita,Yuichiro Ishiyama. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of package substrate and package manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892916B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE and MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220223785A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Monolithic array of semiconductor devices, template wafer, method of manufacturing a template wafer, and method of manufacturing an array of semiconductor devices

Номер патента: WO2024062256A1. Автор: Tongtong ZHU. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Molded semiconductor device and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US20240293962A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09437562B2. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Jiro Nohara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Input/output interface cell, semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: EP4391056A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9978783B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Substrate output for a semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US5121194A. Автор: Hiroki Hozumi,Kichio Aida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8865589B2. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130241073A1. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09553048B1. Автор: Satomi Higashibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508774B2. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Chip-on-lead semiconductor device, and corresponding method of manufacturing chip-on-lead semiconductor devices

Номер патента: US11887959B2. Автор: Michele DERAI,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10840169B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11915998B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210090977A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11417589B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200266132A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Locking Clip, a Semiconductor Device, and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240153838A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090152697A1. Автор: Kazuo Kudo,Takumi Soba,Hideaki Tamimoto,Toru Ueguri. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10804286B2. Автор: Takuya INATSUKA,Kazuhide Takamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069860B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240306385A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373629A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and a method of increasing a resistance value of an electric fuse

Номер патента: US09893013B2. Автор: Shigeki Obayashi,Takeshi Iwamoto,Masashi Arakawa,Toshiaki Yonezu,Kazushi Kono. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425142B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240357812A1. Автор: Byung Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230058892A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240087954A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

3D non-volatile semiconductor device and manufacturing method of the device

Номер патента: US11889697B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11854877B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210057386A1. Автор: Kenji Takeo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301092A1. Автор: Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11664289B2. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200176345A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240257882A1. Автор: Byeong Ju JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09960177B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12150307B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09589969B1. Автор: Yu-Wei Chang,Chui-Ya Peng,Austin Hsu,Kung-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and fabricating method of the same

Номер патента: US20240379670A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Po-Tsang Chen,Wei-Che Chen,Wen-Liang Huang,Lung-En Kuo,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Po-Chang Lin,Ya-Ting Hu,Yun-Yang He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230107126A1. Автор: Ki Hong Lee,Young Geun Jang,Wan Sup SHIN,Jae Jung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11925021B2. Автор: Ki Hong Lee,Young Geun Jang,Wan Sup SHIN,Jae Jung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090014812A1. Автор: Tomoyuki Hirano,Toyotaka Kataoka,Junli Wang,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7303986B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-04.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US8435888B2. Автор: Takashi Kobayashi,Koji Sasaki,Kazuo Matsuzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110269280A1. Автор: Tomoyuki Hirano,Toyotaka Kataoka,Junli Wang,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US8367503B2. Автор: Tomoyuki Hirano,Toyotaka Kataoka,Junli Wang,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-02-05.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070066050A1. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US8102050B2. Автор: Takashi Kobayashi,Koji Sasaki,Kazuo Matsuzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20120088364A1. Автор: Takashi Kobayashi,Koji Sasaki,Kazuo Matsuzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041768B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230371253A1. Автор: Jin Ho Bin,Kyung Jin Lee,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240331738A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09559052B2. Автор: Yukio Miura,Hideaki Tsuchiya,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230422507A1. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09673143B2. Автор: Yoshihiro Kamiyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device

Номер патента: US7777312B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Hitachi Yonezawa Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030222281A1. Автор: Hiroshi Kikuchi,Yoichi Tamaki,Fujiaki Nose,Taiga Arai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of manufacturing pattern using trench structure and pattern manufactured thereby, and method of manufacturing solar battery using the manufacturing method and solar battery manufactured thereby

Номер патента: US9601648B2. Автор: Joon-Hyung Kim,Yong-Sung Goo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030015802A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20200266196A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20200227371A1. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228574A1. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Ken Uchikoshi. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20230163053A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device designed to produce no resonance of loop due to ultrasonic vibration, semiconductor design apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050212103A1. Автор: Yasuki Takata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11967555B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11444096B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304540A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Multiple-chip semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5313095A. Автор: Takashi Takahashi,Takayoshi Kawakami,Tomohide Tagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Semiconductor device and a method of manufacture

Номер патента: US5965939A. Автор: Young-Hun Park,Yun-Seung Shin,Ji-Hong Ahn,Kyeong-tae Kim,Won-mo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234289A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171160A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device in which an electrode of a semiconductor element is joined to a joined member and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9824994B2. Автор: Takuya Kadoguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9425070B2. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175239A1. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Electrical interconnection, method of forming the electrical interconnection, image sensor having the electrical interconnection and method of manufacturing the image sensor

Номер патента: US20050001318A1. Автор: Seok-jun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Semiconductor device and a method of manufacture

Номер патента: US20210343627A1. Автор: Ricardo Yandoc,Florante FENOL,Marlon FADULLO,Ramil ATIENZA. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210151405A1. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of fabricating electrically isolated photovoltaic modules arrayed on a substrate and product obtained thereby

Номер патента: US4667058A. Автор: Anthony W. Catalano,Robert V. D'Aiello,John A. Brewer,Richard J. Podlesny. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1987-05-19.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9536849B2. Автор: Akira Yajima,Katsuhiro Torii,Hideki Harano,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device including a through electrode for connection of wirings

Номер патента: US11791210B2. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220077103A1. Автор: Narumi Sato,Yuichiro HINATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9595472B1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140306339A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Method of quantitative determination of n-diphenylnitrosamine in meat samples of food production by method of chromatography-mass-spectrometry

Номер патента: RU2626601C1. Автор: Нина Владимировна Зайцева,Татьяна Сергеевна Уланова,Татьяна Валентиновна Нурисламова,Нина Анатольевна Попова,Ольга Андреевна МАЛЬЦЕВА. Владелец: Федеральное бюджетное учреждение науки "Федеральный научный центр медико-профилактических технологий управления рисками здоровью населения" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека (ФБУН "ФНЦ медико-профилактических технологий управления рисками здоровью. Дата публикации: 2017-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20100151632A1. Автор: Takashi Kanda,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: SG133536A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Noma,Shigeki Otsuka,Kazuo Okada,Yuichi Morita,Katsuhiko Kitagawa,Noboru Okubo,Hiroyuki Shinogi,Shinzo Ishibe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-07-30.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11706999B2. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20220045035A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130062737A1. Автор: Kenji Takahashi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device, pattern design method of a semiconductor device and program for a pattern design method

Номер патента: US20060094190A1. Автор: Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210305110A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Toshitaka Sekine,Kazuhiro Kawahara,Shohta OH. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and layout method of semiconductor device

Номер патента: US20120061828A1. Автор: Junichi Konishi,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of contentions mitigation for an operational application, associated computer program product and method for determining a stress application

Номер патента: US11803427B2. Автор: Marc Fumey,Pierrick LAMOUR. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of injecting liquid agents at acupuncture points to arrive internal organs and method of visualizing arrival of liquid agents

Номер патента: US8057783B2. Автор: Min Soo Kim,Kwang Sup Soh,Cheon Joo Choi,Baeck Kyoung Sung,Vyacheslav Ogay. Владелец: Mobase Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Method of injecting liquid agents at acupuncture points to arrive internal organs and method of visualizing arrival of liquid agents

Номер патента: US20090098058A1. Автор: Min Soo Kim,Kwang Sup Soh,Cheon Joo Choi,Baeck Kyoung Sung,Vyacheslav Ogay. Владелец: Mobase Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Substrate mask patterns, methods of forming a structure on a substrate, methods of forming a square lattice pattern from an oblique lattice pattern, and methods of forming a pattern on a substrate

Номер патента: US09741580B2. Автор: Kevin R. Shea,William R. Brown,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Shane J. Trapp,Vishal Sipani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090096097A1. Автор: Yutaka Kagaya,Hidehiro Takeshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10431520B2. Автор: Susumu Iwamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7078270B2. Автор: Hiroshi Kawano,Yoshihiko Ino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-18.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050054142A1. Автор: Hiroshi Kawano,Yoshihiko Ino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4312255A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Teruaki Kumazawa,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Semiconductor devices and a method of detecting a crack

Номер патента: US20170309530A1. Автор: Nikolay Ilkov. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170062457A1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method of imaging device and semiconductor device

Номер патента: US20210090964A1. Автор: Nobutaka Atago. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090200649A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040356A1. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120061817A1. Автор: Noriyuki Takahashi,Mamoru SHISHIDO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230005759A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190333889A1. Автор: Kohei Kurogi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230299004A1. Автор: Shinya Okuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Wiring layout of semiconductor device and design method of the same

Номер патента: US20050051803A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Hitomi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240064975A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP1484796A3. Автор: Osamu Ikeda,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11784147B2. Автор: Takuya Nakamura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and fabrication method of same

Номер патента: US7642604B2. Автор: Takashi Yamauchi,Junji Koga,Yoshinori Tsuchiya,Yoshifumi Nishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20090072416A1. Автор: Tsutomu Sano. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140353809A1. Автор: Akito Shimizu,Shirou OKADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240006355A1. Автор: Takuya Nakamura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010042908A1. Автор: Akira Okada,Tetsuya Hiraoka,Kazuyuki Aiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170338256A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210351184A1. Автор: Bongsoo Kim,Yoosang Hwang,Dongoh KIM,Kiseok LEE,Sunghee Han,Chansic Yoon,Hyeonok JUNG,Euna Kim,Keunnam Kim,Hyosub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110001228A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230298955A1. Автор: Christopher Wright,Hirotaka Kobayashi,Matthew LAWRENSON,Hiroyuki Shigeta,Bernadette Elliott-Bowman,Shigekazu Ishii,Timothy BEARD. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11832445B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device, stacked semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12002761B2. Автор: Chen-Hua Yu,Su-Chun YANG,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao,Wen-Lin Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Input/output interface cell, semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240203980A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160079491A1. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of controlling image diagnosis apparatus and mobile terminal for the same, and method of operating image diagnosis apparatus and image diagnosis apparatus for the same

Номер патента: US09629593B2. Автор: Seung-Il Yoon. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and driving method of the same

Номер патента: US20070153565A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroko Abe,Ryoji Nomura,Yuji Iwaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US5866920A. Автор: Toru Tatsumi,Kazuhiko Endo,Yoshishige Matsumoto,Yoshitake Ohnishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US20050168263A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7932121B2. Автор: Naoyuki Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method of an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2023222385A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Tansen Varghese,Martin Hetzl. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210398946A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190280004A1. Автор: Takuya INATSUKA,Kazuhide Takamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190164918A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and a method of manufactoring the same

Номер патента: US20120306051A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240105560A1. Автор: Soichiro Takahashi,Yasuhiro Tahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11721597B2. Автор: Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190273057A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11742305B2. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210233878A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11004813B2. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Laminated semiconductor device and manufacturing method of laminated semiconductor device

Номер патента: US20170207199A1. Автор: Norio Kainuma,Hidehiko Kira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20210391258A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Semiconductor device and control method of switch transistor thereof

Номер патента: US20100164598A1. Автор: Tetsuya Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20210082820A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210351198A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190080997A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10504839B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9859214B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9627359B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040183157A1. Автор: Shinichiro Wada,Hiromi Shimamoto. Владелец: Hitachi Display Devices Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180019186A1. Автор: Satoru Kikugawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11749635B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US6433406B1. Автор: Hiroshi Kagiwata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240074187A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162217A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162216A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150357313A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10157837B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008591A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180076126A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160307877A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170207163A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Methods of determining operating conditions of silicon carbide power MOSFET devices associated with aging, related circuits and computer program products

Номер патента: US11474145B2. Автор: FEI Yang,SHI Pu,Chi XU,Bilal Akin,Enes Ugur. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-10-18.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of manufacturing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element manufactured by the same, method of manufacturing photoelectric conversion element module, and photoelectric conversion element module manufactured by the same

Номер патента: US20110088773A1. Автор: Hiroki Usui. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of manufacturing electrode complex for forming electrode of spark plug, and method of manufacturing spark plug

Номер патента: US20130157538A1. Автор: Hiroshi Ichihara,Ryuji Emoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070263691A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7263115B2. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040233952A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

A Semiconductor Device and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: EP1465303A3. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of manufacturing negative electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, and method of manufacturing non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US10566610B2. Автор: Atsushi Sugihara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Method of manufacturing negative electrode for non-aqueous electrolyte secondary battery, and method of manufacturing non-aqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US20180277832A1. Автор: Atsushi Sugihara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Apparatus and method to monitor thermal runaway in a semiconductor device

Номер патента: US09618560B2. Автор: Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Method of creating track of movement for autonomous movement of movable object and method of autonomous movement of movable object along path of movement

Номер патента: RU2691679C1. Автор: Андрей Владимирович ВАВИЛИН,Анатолий Сергеевич Терский. Владелец: Андрей Владимирович ВАВИЛИН. Дата публикации: 2019-06-17.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US11573134B2. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20200209075A1. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device having scan test circuit that switches clock signal between shift mode and capture mode, and method of testing the semiconductor device

Номер патента: US20020136064A1. Автор: Masayuki Yoshiyama. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of making composite articles from silicon carbide

Номер патента: US20200040449A1. Автор: William F Fischer, III,Walter Wrigglesworth, III,Lauren Montgomery. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Granular silicon carbide abrasive grain coated with refractory material, method of making the same and articles made therewith

Номер патента: CA1213443A. Автор: Thomas Gabor,David E. Broberg,Gunther H. Dierssen,Donley D. Rowenhorst. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1986-11-04.

Pellicle comprising silicon carbide nanostructure and related devices and methods

Номер патента: US20230176471A1. Автор: James O'neill,Amelia Heather-Sarah Church Hart. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Pellicle comprising silicon carbide nanostructure and related devices and methods

Номер патента: WO2023101972A1. Автор: James O'neill,Amelia Heather-Sarah Church Hart. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240268102A1. Автор: Jongmin Kim,Taejin Park,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE,Hongjun LEE,Sangjae Park,Minju KANG,Seung-Bo KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251548A1. Автор: Junsoo Kim,Taeyoon Lee,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4404708A1. Автор: Junsoo Kim,Taeyoon Lee,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of obtaining array of plurality of regions on substrate, exposure method, exposure apparatus, method of manufacturing article, non-transitory computer-readable storage medium, and information processing apparatus

Номер патента: US20240288781A1. Автор: Ryota Makino,Mitsuru Inose. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor Device and Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20230292631A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG,Yen-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240268114A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240331779A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240251571A1. Автор: Jun Young Lim,Hyung Keun Kim,Sung Lae Cho,Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240312541A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and training method of the semiconductor device

Номер патента: US20240274168A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240255714A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Jui-Jen Yueh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Mask pattern of a semiconductor device and a method of manufacturing fine patterns using the same

Номер патента: US5585210A. Автор: Woo-Sung Han,Dong-Seon Lee,Chang-Jin Sohn,Gee-Hoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-12-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196608A1. Автор: Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Kyung Jin Lee,Sul Gi JUNG,Kyung Sung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069972B2. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170262393A1. Автор: Shigeaki Takaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240274167A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373765A1. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of recording an exposure pattern in a recording layer of a holographic mask, method of forming an exposure pattern in a photosensitive material film, method of manufacturing a semiconductor device and method of manufacturing an electro-optic device

Номер патента: US20070229927A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240341105A1. Автор: Hyung Dong Lee,Yoon Mo Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods, apparatus, and articles of manufacture to encode auxiliary data into relational database keys and methods, apparatus, and articles of manufacture to obtain encoded data from relational database keys

Номер патента: US09990478B2. Автор: Leonid Ayzenshtat,Nikolay Georgiev,Kalyanaraman Rajamani. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of correcting mask pattern, computer program product, mask pattern correcting apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244707A1. Автор: Toshiya Kotani,Taiga Uno,Hiromitsu Mashita,Yukiyasu Arisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of making array of optical elements (versions), article containing said array and method of making said article

Номер патента: RU2422861C2. Автор: Стивен Р. ЧЭПМЭН,Деннис И. КАЗИН,Кэцзянь ХУАН,Деннис И. КАЗИН (US),Кэцзянь ХУАН (US),Стивен Р. ЧЭПМЭН (US). Владелец: Эвери Деннисон Копэрейшн. Дата публикации: 2011-06-27.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and apparatus for determining defect detection sensitivity data, control method of defect detection apparatus, and method and apparatus for detecting defect of semiconductor devices

Номер патента: US20040151362A1. Автор: Akira Hamaguchi,Takamitsu Nagai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230225229A1. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US20240233074A9. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of visualizing data, device for visualizing data as well as use of a method of visualizing data

Номер патента: EP3690818A1. Автор: Baris GUEZELARSLAN. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-08-05.

Method of generating gain combination of pre-amplifier in transmitter of mobile communication system, method of controlling output power of transmitter of mobile communication system in transmitter manufacturing process, and system for controlling output power of transmitter of mobile communication system in transmitter manufacturing process

Номер патента: US20150111509A1. Автор: Inho Song,Ei Ho LEE. Владелец: Gct Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of processing authorization messages destined for a plurality of mobile receivers and method of transmitting such messages

Номер патента: CA2632049A1. Автор: Yishan Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and methods of iterative decoding

Номер патента: US20140250349A1. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and method of iterative decoding

Номер патента: US20120131415A1. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and method of iterative decoding

Номер патента: US8719672B2. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-05-06.

Method of setting number of iteration counts of iterative decoding, and apparatus and method of iterative decoding

Номер патента: WO2011004939A1. Автор: Ki-Seok Chung,Joo-Yul Park. Владелец: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University). Дата публикации: 2011-01-13.

A method of training an artificial deep neural network for estimation of hemodynamic parameter, a method of estimation of hemodynamic parameter, computer program products and computer systems

Номер патента: EP4428871A1. Автор: Pawel Pluszka,Maciej ZIĘBA,Tomasz KONOPCZYŃSKI,Patryk RYGIEL. Владелец: Hemolens Diagnostics Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of deciding risk of obstructive sleep apnea syndrome, method of deciding sinking of hyoid bone, programs, x-ray diagnostic system, and method of making oral appliance

Номер патента: US20150320379A1. Автор: Daiki HIRABAYASHI. Владелец: Cephmedical Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

A method of training an artificial deep neural network for estimation of hemodynamic parameter, a method of estimation of hemodynamic parameter, computer program products and computer systems

Номер патента: WO2024184690A1. Автор: Pawel Pluszka,Maciej ZIĘBA,Tomasz KONOPCZYŃSKI,Patryk RYGIEL. Владелец: Hemolens Diagnostics Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of deciding risk of obstructive sleep apnea syndrome, method of deciding sinking of hyoid bone, programs, X-ray diagnostic system, and method of making oral appliance

Номер патента: US09561012B2. Автор: Daiki HIRABAYASHI. Владелец: Cephmedical Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of learning a parameter to estimate posture of an articulated object and method of estimating posture of an articulated object

Номер патента: US09460368B2. Автор: Jae Joon Han,Seung Ju Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US8508967B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8264023B2. Автор: Keisuke Tsukamoto,Yosuke Takeuchi,Masamichi Matsuoka,Ryoji Matsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11956960B2. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and control method of semiconductor device

Номер патента: US20170006007A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11974442B2. Автор: Jun Young Lim,Hyung Keun Kim,Sung Lae Cho,Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240215247A1. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US20200411101A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240224513A1. Автор: Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Wook Bae,Sang Hyon KWAK,Sang Hyuk NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US20190198123A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US20200043560A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US10482982B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of automatically recognizing and classifying design information in imaged PID drawing and method of automatically creating intelligent PID drawing using design information stored in database

Номер патента: US11756323B2. Автор: Sung Oh KANG,Hum Kyung BAEK,Eul Bum LEE. Владелец: Doftech Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of decomposing layout design for preparing photomask set printed onto wafer by photolithography, method of forming photomask set and method of fabricating integrated circuit

Номер патента: US09971250B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of operating data storage device using size and write speed information and method of operating system including the same

Номер патента: US09778849B2. Автор: Jin Hyuk Kim,Chong Hyun Lee,Ho Suk YUM,Jin Wan Jun,Dong Hyuk IHM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of filling a resin into a housing, an LED digital display and the method of making the same

Номер патента: US09767718B2. Автор: Sung-Ming Wong,Kuo-Yun Huang,Hsun-Jen Chang. Владелец: Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Semiconductor device including a clock source for generating a clock signal and a clock control circuit for controlling the clock source in hardware, a semiconductor system including the semiconductor device, and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US10503674B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20150063000A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20160260498A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170337982A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9728270B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9343173B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10074442B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10693476B2. Автор: Yuichi Maruyama,Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor device and control method of semiconductor device

Номер патента: US11294629B2. Автор: Yoshiteru OHNUKI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-04-05.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and method of manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20220213617A1. Автор: Rimpei Kindaichi,Nobutoshi SUDOH. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-07-07.

Silicon carbide single crystal growth apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal

Номер патента: US20210262119A1. Автор: Toru Takahashi,Hitoshi Ikeda,Yuichi Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Large diameter silicon carbide single crystals and apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US11905618B2. Автор: Xueping Xu,Avinash Gupta,Ilya Zwieback,Varatharajan Rengarajan. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-02-20.

Large diameter silicon carbide single crystals and apparatus and method of manufacture thereof

Номер патента: US20240150931A1. Автор: Xueping Xu,Avinash Gupta,Varatharajan Rengarajan,Iiya ZWIEBACK. Владелец: Ii Vi Advanced Materials LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of making ceramics based on silicon carbide, reinforced with silicon carbide fibres

Номер патента: RU2718682C2. Автор: Дмитрий Дмитриевич Титов,Елена Иннокентьевна Истомина,Антон Сергеевич Лысенков,Марианна Геннадьевна Фролова,Юрий Федорович Каргин,Константин Александрович Ким,Сергей Николаевич Перевислов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2020-04-13.

Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method

Номер патента: CA2301775C. Автор: Thommy EKSTRÖM,Sergey Konstantinovitch Gordeev,Sergey Germanovitch Zhukov,Lija Vladimirovna Danchukova. Владелец: Element Six Ltd. Дата публикации: 2009-08-25.

Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method

Номер патента: EP1253123A1. Автор: Sergey Konstantinovitch Gordeev,Sergey Germanovitch Zhukov,Lija Vladimirovna Danchukova,Thommy Elkström. Владелец: Frenton Ltd. Дата публикации: 2002-10-30.

Method of producing a high density silicon carbide product

Номер патента: CA1124996A. Автор: Richard H. Smoak. Владелец: Kennecott Corp. Дата публикации: 1982-06-08.

Method of anti-corrosive protection of silicon carbide products

Номер патента: CA1177228A. Автор: Zygmunt Morys,Felicjan Biolik. Владелец: BIURO PROJEKTOW PRZEMYSLU METALI NIEZELAZNYCH "BIPROMET". Дата публикации: 1984-11-06.

Method of producing a high density silicon carbide product

Номер патента: US4237085A. Автор: Richard H. Smoak. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1980-12-02.

Method of coating carbon filaments with silicon carbide

Номер патента: US4131697A. Автор: Jean-Louis R. G. Randon,Georges S. Slama. Владелец: Association pour la Recherche et le Developpement des Methodes et Processus Industriels. Дата публикации: 1978-12-26.

Method of manufacturing patterned substrate for culturing cells, patterned substrate, and patterned cell chip

Номер патента: US09580681B2. Автор: Kyung Seop KIM,Dong Geun Jung,Chang Rok Choi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-02-28.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Preparation method of silver nano-structure for surface enhanced, raman scattering substrate and silver nano-structure thereby

Номер патента: US20140099513A1. Автор: Chan Ho KWON,So Young EOM,Hong Lae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Kangwon National University. Дата публикации: 2014-04-10.

Preparation method of silver nano-structure for surface enhanced, raman scattering substrate and silver nano-structure thereby

Номер патента: US9249481B2. Автор: Chan Ho KWON,So Young EOM,Hong Lae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Kangwon National University. Дата публикации: 2016-02-02.

Coarse carbide substrate cutting elements and method of forming the same

Номер патента: CA2436019C. Автор: Anthony Griffo,Madapusi K. Keshavan,David Truax,Dah-Ben Liang. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2009-05-05.

A neuronal cell culture substrate and in vitro methods of using thereof

Номер патента: EP3420071A1. Автор: Hayder AMIN,Luca BERDONDINI. Владелец: FONDAZIONE ISTITUTO ITALIANO DI TECNOLOGIA. Дата публикации: 2019-01-02.

Chemical conversion treatment agent for surface treatment of metal substrate, and surface treatment method of metal substrate using same

Номер патента: US09580812B2. Автор: Keita UCHIKAWA,Kiyoto Fuse. Владелец: Chemetall GmbH. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing coronavirus diagnostic kit, virus diagnostic kit manufactured thereby and method of diagnosing coronavirus using the same

Номер патента: US11976338B2. Автор: Joo Hyung Kim,Go Woon CHA. Владелец: Osang Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

A method of combusting coal solid fuels, an additive to coal solid fuels and a method of manufacturing an additive to coal solid fuels

Номер патента: WO2023177311A1. Автор: Elzbieta LATOCHA. Владелец: Latocha Elzbieta. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of production of paraffin wax for water-dispersible polymerization of tetrafluoroethylene and method of production of polytetrafluoroethylene with the use of this wax

Номер патента: RU2268895C2. Автор: Дзун ХОСИКАВА,Сигеки КОБАЯСИ,Хироки КАМИЯ,Казуо КАТО,Хироюки ХИРАИ. Владелец: Асахи Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2006-01-27.

Method of reduction of intermetallic compounds along interface of coupling of matrix bit by method of reduced temperature

Номер патента: RU2722380C2. Автор: Жиль ГАЛЛЕГО,Альфазази ДУРФЭ,Бруно КЮЙЕ ДЕ МЕНДРЕВИЛЛЬ,Оливье ТЕР,Уилльямс ГОМЕС,Ив КАЗАЛАС. Владелец: Варель Ероп С.А.С.. Дата публикации: 2020-05-29.

Method of growing and maintaining non-differentiated hemopoietic stem cells or precursors cells (options), method of preparing conditioned stromal cell medium, method of transplanting non-differentiated hemopoietic stem cells or precursors cells (options)

Номер патента: RU2249039C2. Автор: Шай МЕРЕЦКИ,Шошана МЕРЧАВ. Владелец: Текнион Рисерч Энд Дивелопмент Фаундейшн Лтд.. Дата публикации: 2005-03-27.

2,2'-di(3,4-alkylenedioxythiophene)s, their application, method of their obtaining, method of obtaining 5,5'-dihalogen-2,2'-(3,4-alkylenedioxythiophene)s and method of obtaining poly(3,4-alkylenedioxythiophene)s based on them

Номер патента: RU2345081C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of formation in well of gravel packing in zone of formation and method of well completion

Номер патента: RU2123103C1. Автор: Гарнер Джоунс Ллойд,Дж.Ятс Томми. Владелец: Мобил Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 1998-12-10.

Method of fuel firing using oxygen-contaning gas, burner for independent injection and method of glass load heating and furnace heating

Номер патента: RU2361149C2. Автор: Паскаль ДЮПЕРРЕ,Бенуа ГРАН,Бертран ЛЕРУ,Реми Пьер ТСИАВА,Мохан АМИРА,Патрик Жан-Мари РЕКУР,Лоик СИЛЬВЕСТР. Владелец: Л`Эр Ликид, Сосьете Аноним А Директуар Э Консей Де Сюрвейянс Пур Л`Этюд Э Л`Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2009-07-10.

Method of synthesis of derivatives of 2-chloro-nitroquinolineamines, method of synthesis of 2-chloro-3,4-diaminoquinolines, method of synthesis of derivatives of 4-chloro-1h-imidazo-[4,5-c]-quinolines, method of synthesis of derivative of 1h-imidazo-[4,5-c]-quinolines, 2-chloro-3-nitroaminoquinoline, 2-chloro-3,4-diaminoquinoline

Номер патента: RU2083563C1. Автор: Fr],Жан-Дени Андре,Даниэль Жан Мари Лаган. Владелец: Райкер Лабораториз, Инк.. Дата публикации: 1997-07-10.

Preparation with the viable mycoparasitic microorganism pythium oligandrum for the treatment of dermaphytoses and yeast infections on the skin and mucous membranes, method of determining the cell's viability of the microorganism pythium oligandrum and method of applying the preparation

Номер патента: EP3478302A1. Автор: Martin Suchanek,Radim Klimes. Владелец: Bio Agens Research And Development - Bard Sro. Дата публикации: 2019-05-08.

Preparation with the mycoparasitic microorganism pythium oligandrum for the treatment of dermaphytoses and yeast infections on the skin and mucouses, method of determing the cell's viability of the microorganism pythium oligandrum and method of applying the preparation

Номер патента: US20200085893A1. Автор: Martin Suchanek,Radim Klimes. Владелец: Bio Agens Research And Development - Bard Sro. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of preparing compound for killing insects or mites (variants), insecticide and antimite composition, method of killing insects or mite, strain saccharopolyspora spinosa used for preparing compound for insect and mite killing

Номер патента: RU2165704C2. Автор: КРИМЕР Лоуренс,А. КИРСТ Херберт,С. МИНДЕРС Джон,С. БРАФТОН Мери,Л. Б. ХЬЮБЕР Мери,В. МАРТИН Джеймс,Р. ТЕРНЕР Джан. Владелец: ДАУ Агросайнсис ЛЛС. Дата публикации: 2001-04-27.

Method of musical sequences formation corresponding to amino acid sequences in proteins and a method of protein sequence characterization

Номер патента: RU2113487C1. Автор: Стернэмер Жоэль. Владелец: Стернэмер Жоэль. Дата публикации: 1998-06-20.

Methods of increasing mesenchymal stromal cell biosynthesis of specialized pro-resolving mediators and methods of use

Номер патента: WO2024044666A2. Автор: Thomas Turner,Edward Botchwey,Nick WILLETT,Elaine DELORIMIER. Владелец: University of Oregon. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of producing bioconjugates of e. coli o-antigen polysaccharides, compositions thereof, and methods of use thereof

Номер патента: EP4253554A2. Автор: Stefan Jochen KEMMLER,Michael Thomas KOWARIK,Eveline Marleen WEERDENBURG,Jeroen GEURTSEN,Kellen Cristhina FAE,Pieter Jan Burghout,Jan Theunis Poolman,Martin Edward Braun,Maria Paula Carranza Sandmeier,Veronica Gambillara FONCK,Darren Robert Abbanat,Manuela Mally,Patricia Ibarra Yon. Владелец: Janssen Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Cobalt metal foam catalyst, method of making same, thermal-medium-circulating heat-exchange reactor using same, and method of producing a liquid fuel by means of a fischer-tropsch synthesis reaction using thermal-medium-circulating heat-exchange reactor

Номер патента: US20160200985A1. Автор: Heon Jung,Jung-Il Yang,Dong-Hyun Chun,Ji-Chan Park. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2016-07-14.

Protected one-vial formulation for nucleic acid molecules, methods of making the same by in-line mixing, and related products and methods

Номер патента: EP1104309A2. Автор: Mark J. Logan,Russ Mumper,Maria Bruno,Jenna Tagliaferri,Luke Lawson. Владелец: Urigen Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2001-06-06.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Porous silicon carbide nanocomposite structure comprising nanowires and method of preparing the same

Номер патента: US09776172B2. Автор: In Ho Kim,Sang Woo Kim,Dong Ju Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing substrate laminated body, substrate for liquid ejection head and method of manufacturing substrate for liquid ejection head

Номер патента: US11305539B2. Автор: Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Composition comprising a combination consisting of magnolol and honokiol, use of the composition, method of manufacturing the composition, and cosmetic products comprising the composition and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240082124A1. Автор: Irena Szołomicka-Orfinger,Katarzyna Rogiewicz,Renata Dębowska,Krzysztof Cal,Anna Kuranc,Monika Pasikowska-Piwko,Monika Gębczyńska-Rzepka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing substrate laminated body, substrate for liquid ejection head and method of manufacturing substrate for liquid ejection head

Номер патента: US20210031524A1. Автор: Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of producing long workpiece for production of helical spring, helical spring and method of production thereof

Номер патента: RU2739737C1. Автор: Андрей Николаевич Скворцов. Владелец: Андрей Николаевич Скворцов. Дата публикации: 2020-12-28.

Photopolymerised composition for single-stage obtaining of polymer nanoporous material with hydrophobic pore surface, nanoporous polymer material with selective sorbing properties, method of obtaining thereof, method of single-stage formation based thereon of water-separating filtering elements and method of purifying organic liquids from water

Номер патента: RU2525908C1. Автор: Татьяна Ивановна Куликова,Алексей Николаевич Конев,Сергей Николаевич Менсов,Сергей Артурович Чесноков,Глеб Арсентьевич Абакумов,Роман Сергеевич Ковылин,Максим Александрович Батенькин,Юрий Владимирович Чечет. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of making catalyst for production of synthesis gas, catalyst thus made and method of producing synthesis gas with its application

Номер патента: RU2491118C1. Автор: Андрей Леонидович Тарасов,Леонид Модестович Кустов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ОРГАНИЧЕСКОЙ ХИМИИ ИМ. Н.Д. ЗЕЛИНСКОГО РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИОХ РАН). Дата публикации: 2013-08-27.

Simplified method of making part, part produced by means of such manufacturing method, and method of selection between simplified and not simplified manufacturing method

Номер патента: RU2732552C2. Автор: Пьер КОЛЕН,Ив БОННМАЙР. Владелец: Пса Отомобиль Са. Дата публикации: 2020-09-21.

Method of and material processing apparatus for optimising the focus of a fibre laser; method of measuring changes in the focus of a fibre laser

Номер патента: US20130188178A1. Автор: Steve Keen. Владелец: GSI Group Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of and material processing apparatus for optimising the focus of a fibre laser; method of measuring changes in the focus of a fibre laser

Номер патента: EP2605882A1. Автор: Stephen Keen. Владелец: GSI Group Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

V-mn-sb-tio2 catalyst, method of fabricating the catalyst, heat recovery steam generator comprising the catalyst, and method of eliminating yellow plume using the catalyst

Номер патента: EP4410421A1. Автор: Dongho Kim,Heon Phil Ha,Dong-Wook Kwon,Yeonjae PARK. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2024-08-07.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

System and method of dosing a polymer mixture with a first solvent, device, system and method of extracting solvent from at least one polymeric yarn, system and method of mechanical pre-recovery of at least one liquid in at least one polymeric yarn, and continuous system and method for producing at least one polymeric yarn

Номер патента: US12031234B2. Автор: Marcos Roberto Paulino Bueno,André PENAQUIONI,Alessandro Bernardi,Sérgio Luiz Dias Almeida,Leandro Ohara Oliveira Santa Rosa,Patrícia Freitas Oliveira Fialho,Daniela Zaira Rauber. Владелец: Braskem America Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of primary annealing for processing silicon-carbide tubes

Номер патента: RU2376675C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-20.

Method of producing titanium dioxide and silicon carbide from abrasive processing waste

Номер патента: RU2281912C2. Автор: Адольф Николаевич Трубин,Галина Ивановна Гиль. Владелец: Галина Ивановна Гиль. Дата публикации: 2006-08-20.

Method of obtaining finely dispersive polycrystalline silicon carbide

Номер патента: RU2516547C1. Автор: Иван Иванович Иванов,Ольга Владимировна Зырянова,Дмитрий Викторович Шмидт,Олег Александрович Дубовиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2014-05-20.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing articles from carbon-silicon-carbide composite

Номер патента: RU2561101C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-08-20.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494043C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Владимир Юрьевич Чунаев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-09-27.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composite material with carbon-silicon carbide matrix for hermetic products and method of thereof production

Номер патента: RU2573515C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани,Сергей Геннадьевич Лунегов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494998C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Дмитрий Сергеевич Мертвищев,Сергей Евгеньевич Бутузов. Владелец: Вячеслав Максимович Бушуев. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2458890C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Андрей Георгиевич Докучаев,Сергей Евгеньевич Бутузов. Владелец: Вячеслав Максимович Бушуев. Дата публикации: 2012-08-20.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2487850C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-07-20.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2460707C1. Автор: Максим Вячеславович Бушуев,Андрей Георгиевич Докучаев,Сергей Евгеньевич Бутузов. Владелец: Бушуев Вячеслав Максимович. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2494042C1. Автор: Александр Сергеевич Воробьев,Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Игорь Лазаревич Синани. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2013-09-27.

Method of making articles from carbon-silicon carbide material

Номер патента: RU2486132C2. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Андрей Георгиевич Докучаев,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Вячеслав Максимович Бушуев. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of producing articles from carbon-silicon-carbide composite (cscc)

Номер патента: RU2561096C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of erection of structure from building blocks and/or building boards and method of manufacture of building block or board

Номер патента: RU2566350C1. Автор: Виктор Павлович Ремез. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-Производственное предприятие "Эксорб". Дата публикации: 2015-10-27.

Composition of binder for impregnation of fibrous filler, prepreg on its base, method of production of prepreg, method of production of heat-resistant articles from prepreg-based composite material and method of manufacture of heat-resistant articles from composite material on base of fibrous filler

Номер патента: RU2304591C1. Автор: Николай Васильевич Мухин,Николай Владимирович Выморков,Владимир Васильевич Викулин,Ирина Петровна Никулина,Борис Алексеевич Ковалев,Валентина Петровна Ларичева,Владимир Васильевич Викулин (RU),Николай Васильевич Мухин (RU),Николай Владимирович Выморков (RU),Валентина Петровна Ларичева (RU),Борис Алексеевич Ковалев (RU),Ирина Петровна Никулина (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова". Дата публикации: 2007-08-20.

Method of transcutaneous diagnostics of chronic insufficiency of blood circulation in celiac trunk by method of laser doppler flowmetry

Номер патента: RU2471425C1. Автор: Наталия Анатольевна Бархатова,Игорь Викторович Бархатов. Владелец: Игорь Викторович Бархатов. Дата публикации: 2013-01-10.

Methods of diagnosing condition of brake system of automobile furnished with antilocking system (versions); method of and device for diagnosing condition of automobile brake system

Номер патента: RU2297932C1. Автор: Александр Владимирович Бойко,Артур Геннадьевич Осипов,Александр Иванович Федотов,гин Евгений Михайлович Портн,Евгений Михайлович Портнягин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный технический университет" (ГОУ ИрГТУ). Дата публикации: 2007-04-27.

Method of generating control commands on rocket rotating on banking angle, rocket control system, method of measuring banking angle on rocket, gyroscopic device for measuring banking angle, method of generating sine and cosine signals on rocket rotating on banking angle, and sine-cosine rocket control system generator

Номер патента: RU2514606C2. Автор: Юрий Михайлович Назаров,Валерий Николаевич Землевский,Андрей Викторович Гусев,Анатолий Сергеевич Капустин,Валерий Игорьевич Запесочный. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2014-04-27.

Method of controlling state and recording running time of power production equipment and method to this effect

Номер патента: RU2534704C1. Автор: Владимир Григорьевич Бартенев. Владелец: Владимир Григорьевич Бартенев. Дата публикации: 2014-12-10.

Method of recording and/or playing back for record carrier, playback device, record carrier, method of determining record carrier and method of recording and playing back for device using record carrier

Номер патента: RU2274912C2. Автор: Еитиро САКО,Тацу ИНОКУТИ,Тацуя ИНОКУТИ,Коити САТО,Ацухиро КУМАГАИ,Мицухиро СИМАДА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of treating periodontitis and oral mucosal diseases associated with helicobacter infection, and method for using it

Номер патента: RU2549445C1. Автор: Татьяна Григорьевна Хонина,Елена Владимировна Шадрина,Александр Витальевич Брагин,Марина Олеговна Нагаева,Гюзель Маратовна Акмалова,Екатерина Сергеевна Орлова,Елена Евгеньевна Короткова. Владелец: Екатерина Сергеевна Орлова. Дата публикации: 2015-04-27.

Heat-exchanger manufacturing method, heat exchanger heat exchange block manufacturing method (versions), manufacturing method of intermediate and/or upper heat exchange blocks of heat exchanger, and manufacturing method of lower heat exchange block of heat exchanger

Номер патента: RU2342239C2. Автор: Сергей Николаевич Селиванов,Николай Павлович Селиванов,Игорь Сергеевич Кузнецов,Андрей Владимирович Федосеев. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of preparing metallic silicon solution, method of recovering metallic silicon from solution, and metallic silicon obtained by these methods, method of preparing ceramic materials, and ceramic material obtained by this method

Номер патента: RU2156220C1. Автор: В.А. Карелин,А.И. Карелин,Д.А. Трубин,А.Г. Чернышев. Владелец: Чернышев Александр Георгиевич. Дата публикации: 2000-09-20.

Alcohol nitrates containing amide, dinitromethylene and nitroamine groups, method of preparing thereof 3- (acylaminodinitroalkyl)tetrahydo-1,3-oxazoles and oxazines, and method of preparing thereof

Номер патента: RU2146243C1. Автор: Л.Т. Еременко,А.Г. Корепин,П.В. Галкин,Е.К. Перепелкина,Н.М. Глушакова,И.Л. Еременко. Владелец: Институт химической физики в Черноголовке РАН. Дата публикации: 2000-03-10.

Method of water treatment from hydrocarbon, sorbent for water treatment from hydrocarbon and a method of its preparing

Номер патента: RU2042636C1. Автор: Г.Д. Чукин,Г.Я. Дукельский,В.М. Кильдяшев,И.Р. Томберг,А.Е. Савельев,А.И. Апретова,О.А. Чумаков. Владелец: Апретова Алла Ивановна. Дата публикации: 1995-08-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.