• Главная
  • Substrate having microstrip line structure, semiconductor device having microstrip line structure, and manufacturing method of substrate having microstrip line structure

Substrate having microstrip line structure, semiconductor device having microstrip line structure, and manufacturing method of substrate having microstrip line structure

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

MOUNTING STRUCTURE AND MOUNTING STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150021777A1. Автор: MATSUMOTO Keiji,KAWASE Kei,Orii Yasumitsu,Toriyama Kazushige,Hada Sayuri. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Flip chip package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11955443B2. Автор: Yang-Ming Shih,Shiann-Tsong Tsai,Hung-Yun Hsu. Владелец: Amazing Cool Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Flip chip package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230260936A1. Автор: Yang-Ming Shih,Shiann-Tsong Tsai,Hung-Yun Hsu. Владелец: Amazing Cool Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110031617A1. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7847400B2. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Module mounted with semiconductor device

Номер патента: US5949135A. Автор: Katsunori Ochi,Tetsuro Washida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Semiconductor device assembly with a thermally-conductive channel

Номер патента: US20240145337A1. Автор: Walter L. Moden,Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

multy chip module package structure and the same manufacturing method

Номер патента: KR100529927B1. Автор: 김재찬. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2005-11-22.

Method of fabricating packaging substrate having embedded through-via interposer

Номер патента: US09781843B2. Автор: Dyi-chung Hu,Tzyy-Jang Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240178265A1. Автор: Hiroshi Sekine,Kazuhiro Morimoto,Kosei Uehira. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of manufacturing substrate and the same substrate

Номер патента: US20200335394A1. Автор: Makoto Kubota,Keiichi Kurashina,Mitsuhiro Shamoto,Taiki ISHITSUKA,Shinji OMATA. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Electronic device, package structure and electronic manufacturing method

Номер патента: US20230378113A1. Автор: Pei-Jen LO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Electronic device, package structure and electronic manufacturing method

Номер патента: US20230018031A1. Автор: Pei-Jen LO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

MEMS sensor with side port and method of fabricating same

Номер патента: US09790089B2. Автор: Stephen R. Hooper,Fengyuan LI,Chad S. Dawson,Arvind S. Salian. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Low cross-talk differential microstrip lines having slots therein of subwavelength configuration

Номер патента: US09615446B2. Автор: Chia-Ho Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US11817305B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20240087987A1. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Power module packaging structure and power module manufacturing method

Номер патента: CN112786555A. Автор: 王琇如,唐和明. Владелец: Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12133375B2. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901337B2. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Dynamic random-access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210013209A1. Автор: Kai Jen,Hao-Chuan Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238490A1. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230371253A1. Автор: Jin Ho Bin,Kyung Jin Lee,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Method of processing a substrate

Номер патента: US12094751B2. Автор: Karl Heinz Priewasser. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735110B2. Автор: Ryosuke Nakagawa,Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020100953A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device having shallow trench isolation structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030030076A1. Автор: Joo-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

3d semiconductor device and 3d logic array structure thereof

Номер патента: US20150091064A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778811B2. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chui Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of processing a substrate

Номер патента: US09941166B2. Автор: Hiroshi Morikazu. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of processing a substrate

Номер патента: US09831128B2. Автор: Karl Heinz Priewasser,Hiroshi Morikazu,Nao Hattori. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09780165B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200203354A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150255302A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Byoung-moon Yoon,Young-ok Kim,Ju-seon Goo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10896869B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Processing method of semiconductor substrate and processed semiconductor substrate product

Номер патента: US20140038389A1. Автор: Hirotaka Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100151628A1. Автор: Yoshimasa Kushima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Polishing composition and method of polishing a substrate having enhanced defect reduction

Номер патента: US12024652B2. Автор: Yi Guo. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Silicon-on-insulator (SOI) substrate having dual surface crystallographic orientations and method of forming same

Номер патента: US6949420B1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Electronic device having optical communicating part

Номер патента: US20120314992A1. Автор: Jong-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230411257A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device package and method for use thereof

Номер патента: WO2019231919A8. Автор: Virgil Cotoco Ararao,Brent Hans Larson. Владелец: TT Electronics PLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device package and method for use thereof

Номер патента: WO2019231919A1. Автор: Virgil Cotoco Ararao,Brent Hans Larson. Владелец: TT Electronics PLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764135B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device package and method for use thereof

Номер патента: EP3804478A1. Автор: Virgil Cotoco Ararao,Brent Hans Larson. Владелец: TT Electronics PLC. Дата публикации: 2021-04-14.

Semiconductor substrate, production method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20070202661A1. Автор: Kazuhiko Katami,Toru Onishi,Hideki Tojima,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Manufacturing method of compound semiconductor substrate having pn junction

Номер патента: TW200605193A. Автор: Kazumasa Ueda,Masahiko Hata,Kenji Kohiro. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2006-02-01.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Image sensor package structure and method

Номер патента: US9299735B2. Автор: Wei Wang,Zhiqi Wang,Qiong Yu. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of producing substrate with fine uneven pattern, resin composition, and laminate

Номер патента: US20200166835A1. Автор: Takashi Oda,Yasuhisa Kayaba,Hisanori OHKITA. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Image-capturing element manufacturing method, image-capturing element and image-capturing device

Номер патента: US20200219923A1. Автор: Toru Takagi,Tadashi Narui. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method of processing a substrate

Номер патента: US11842926B2. Автор: Yasuyoshi Yubira,Kensuke Nagaoka. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of producing semiconductor substrate having an SOI structure

Номер патента: US7795117B2. Автор: Satoshi Murakami,Akihiko Endo,Nobuyuki Morimoto,Hideki Nishihata. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4287241A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Youming Liu,Xingsong SU,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of producing semiconductor substrate having dielectric separation region

Номер патента: US5223450A. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Masaki Matsui,Seiji Fujino,Mitsutaka Katada. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1993-06-29.

Method of manufacturing wiring substrate having terminated buses

Номер патента: US7631422B2. Автор: Kanji Otsuka,Tamotsu Usami. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230422507A1. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, solid-state image pickup unit, and electronic apparatus

Номер патента: US09490441B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373146A1. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device including vertical active pillar

Номер патента: US20240276712A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim,Hongjun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230043941A1. Автор: Peng Yang,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20230024253A1. Автор: Mengzhu QIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of fabricating packaging substrate having a through-holed interposer

Номер патента: US20150179475A1. Автор: Dyi-chung Hu,Tzyy-Jang Tseng,Ying-Chih Chan. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220037503A1. Автор: Shih Hsi Chen,Wen Chung Yang,Wei-Chang Lin. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203570A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363804A1. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Conductive structure and method of manufacturing the same, array substrate

Номер патента: US09716113B2. Автор: Zhiyuan Lin,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484355B2. Автор: Seungwoo Paek,Changseok Kang,Won-Seok Jung,Inseok Yang,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming memory device

Номер патента: US11637017B2. Автор: Shih Hsi Chen,Wen Chung Yang,Wei-Chang Lin. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Method of forming memory device

Номер патента: US20220336621A1. Автор: Shih Hsi Chen,Wen Chung Yang,Wei-Chang Lin. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230371235A1. Автор: Kiseok LEE,Junhyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20170186652A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190333985A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

TFT array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US09847354B2. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Dynamic random access memory and method of forming the same

Номер патента: US11296091B2. Автор: San-Jung Chang,Li-Peng Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: EP4398701A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Lateral capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US20240234448A1. Автор: Hong Yu,David Pritchard,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

METHOD OF CUTTING SILICON SUBSTRATE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENT PACKAGE

Номер патента: US20140017837A1. Автор: KIM Choo-ho,KIM Eui-seok,CHO Soo-hyun,JI Won-soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-16.

METHODS OF FABRICATING PACKAGE SUBSTRATES HAVING EMBEDDED CIRCUIT PATTERNS

Номер патента: US20190027378A1. Автор: Kim Jae Young,KIM Myeong Seob,MOON Ki Ill. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD OF MAKING INTERCONNECT SUBSTRATE HAVING ROUTING CIRCUITRY CONNECTED TO POSTS AND TERMINALS

Номер патента: US20180040531A1. Автор: LIN Charles W. C.,Wang Chia-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

METHODS OF FABRICATING PACKAGE SUBSTRATES HAVING EMBEDDED CIRCUIT PATTERNS

Номер патента: US20170053813A1. Автор: Kim Jae Young,KIM Myeong Seob,MOON Ki Ill. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

METHOD OF PRODUCING CRYSTALLINE SUBSTRATE HAVING CONCAVE-CONVEX STRUCTURE

Номер патента: US20150097204A1. Автор: Suzuki Motoyuki,Kuraseko Emi,Takada Susumu. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2015-04-09.

Method of fabricating packaging substrate having embedded through-via interposer

Номер патента: US20150135527A1. Автор: Dyi-chung Hu,Tzyy-Jang Tseng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD OF FABRICATING PACKAGING SUBSTRATE HAVING A THROUGH-HOLED INTERPOSER

Номер патента: US20150179475A1. Автор: TSENG TZYY-JANG,Hu Dyi-Chung,Chan Ying-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

ACID POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING A SUBSTRATE HAVING ENHANCED DEFECT INHIBITION

Номер патента: US20200239734A1. Автор: Guo Yi,Mosley David. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Method of fabricating packaging substrate having a passive element embedded therein

Номер патента: US20140345125A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Zhao-Chong Zeng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of manufacturing gaas substrate having high density

Номер патента: KR0133469B1. Автор: Sung-Bok Kim,Sung-Joo Park,Jung-Rae Noh,Ill-Hang Lee. Владелец: Korea Electronics Telecomm. Дата публикации: 1998-04-23.

And a method of ablating a substrate having a passivation film laminated

Номер патента: TWI546860B. Автор: Nobuyasu Kitahara. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-08-21.

Method of producing glass substrate having hole and glass laminate for annealing

Номер патента: US11541482B2. Автор: Shigetoshi Mori,Mamoru Isobe,Kohei HORIUCHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Method of manufacturing crystalline substrate having concave-convex structure

Номер патента: TW201344776A. Автор: Susumu Takada,Motoyuki Suzuki,Emi Kuraseko. Владелец: Toray Industries. Дата публикации: 2013-11-01.

Method of manufacturing semiconductor substrate having buried layer

Номер патента: JPH0715882B2. Автор: 義信 大坪. Владелец: Toyo Electric Manufacturing Ltd. Дата публикации: 1995-02-22.

Method of fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure

Номер патента: US20040266041A1. Автор: Dong-Guk Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230326981A1. Автор: Chih-hao Chen,Yi-Ru Shen. Владелец: Ganrich Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072166A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072165A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12074158B2. Автор: Naoki Takahashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for fabricating semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230180461A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230395387A1. Автор: Li-Han Lin,Jr-Chiuan Wang,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230395388A1. Автор: Li-Han Lin,Jr-Chiuan Wang,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230015533A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230081676A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device with gate electrode of titanium nitride film laminated structure and manufacturing method thereof

Номер патента: KR980005435A. Автор: 이덕형,염계희. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20140357076A1. Автор: Hyung-Kyun Kim,Jae-Soo Kim,Yong-Soo JOUNG,Dong-Gun HWANG,Kyoung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Multi-layered copper line structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20060258151A1. Автор: Lee Young. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of determining whether a silicon-carbide semiconductor device is a conforming product

Номер патента: US20200292612A1. Автор: Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240206153A1. Автор: Shuxian Wu,Huihuang TANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE TYPE HAVING A FRAME FOR DISCHARGING THE HEAT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2742925A1. Автор: Hizao Tomizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE OF THE TYPE HAVING A FRAME FOR DISCHARGING THE HEAT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2742925B1. Автор: Hizao Tomizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device with fine metal lines for beol structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240213155A1. Автор: Hoonseok Seo,Taeyong BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047294A1. Автор: Katsuhiko Kondo,Takuya SHIRATSURU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US20160027682A1. Автор: Satoshi Kato,Hiroyuki Fukumizu,Kenichi Yoshino,Shintaro Okujo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Signal line structure, array substrate, and display device

Номер патента: US20180211976A1. Автор: Chunping Long. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of forming a single-crystal nanowire finFET

Номер патента: US9871102B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Tft array substrate and manufacturing and repairing methods of the same

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Baoquan ZHOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-08.

Formed product of line-structured substance composed of carbon element, and method of forming the same

Номер патента: US8148820B2. Автор: Shintaro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US7153770B2. Автор: Chel-jong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-26.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20180076203A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200126853A1. Автор: Kentaro Yamada,Toshikazu HANAWA,Mitsuhiro SUKEGAWA,Yoshinori Matsumuro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180331256A1. Автор: Yi-Wen Huang,Shou-Lung Chen,Tzu-Chieh Hsu,Hsin-Kang CHEN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020105086A1. Автор: Toru Yoshie. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

A kind of Fanout line structure, display panel and its manufacture method

Номер патента: CN107065332A. Автор: 李志勇,胡伟,杨妮. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-18.

Semiconductor device having self-aligned contact and landing pad structure and method of forming same

Номер патента: US20020000601A1. Автор: Seungmoo Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device having self-aligned contact and landing pad structure and method of forming same

Номер патента: TW471138B. Автор: Seungmoo Choi. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-01.

Semiconductor device including gate pattern having pad region

Номер патента: US20200091071A1. Автор: Dong Ik Lee,Ji Woon Im,Dai Hong Kim,Se Mee Jang,Bo Ra Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US20230317522A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device with test pattern structures

Номер патента: US20230238292A1. Автор: Nozomi Kojima. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230047893A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11758719B2. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20180019300A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20210159310A1. Автор: Ji-Won YU,Hyun-Suk Lee,Ji-Woon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230231005A1. Автор: BO Yang,Xiaoyu Yang,Kai Cao,Juncai Li,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230307294A1. Автор: Ke Ma. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220320419A1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Contact structure, method of manufacturing contact structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230262963A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20230413545A1. Автор: Sung Min Hwang,Joon Sung Lim,Bum Kyu Kang,Jae Ho AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230187212A1. Автор: Se Ra HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230124494A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

A semiconductor device with a via-hole or a contact-hole using FSG, and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR100571385B1. Автор: 김형윤. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH THE SEMICONDUCTOR IS FORMED ON AN INSULATING SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2525031B1. Автор: Junichi Ohno,Takao Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-30.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107772A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

LED COMPONENT BY INTEGRATING EPITAXIAL STRUCTURE AND PACKAGE SUBSTRATE TOGETHER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150069447A1. Автор: Chen Jen-Shyan. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING WIRE GRID POLARIZER AND TWO DISPLAY STRUCTURES AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200133063A1. Автор: Lee Seok-Lyul,Luo Fang-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US20220085027A1. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220173111A1. Автор: YING Zhan,ZHU Yuhan,Liao Chuxian. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Re-distribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859239B1. Автор: En-Sung Hu. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor substrate structure, semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148726B2. Автор: Dyi-chung Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-19.

Waveguide-microstrip line converter

Номер патента: US20230361446A1. Автор: Takashi Maruyama,Shigeo Udagawa,Mitsuru Kirita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20230187296A1. Автор: Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Tatsuo Morita,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Ball grid array IC package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020185746A1. Автор: Sang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Antenna and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4123836A1. Автор: Hai Yu,Yafei Zhang,Dongdong Zhang,Feng Qu,Qianhong WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Antenna and manufacturing method thereof

Номер патента: US12126079B2. Автор: Hai Yu,Yafei Zhang,Dongdong Zhang,Feng Qu,Qianhong WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Battery, electric device, and manufacturing device and method of battery

Номер патента: US20240304928A1. Автор: Haihua Huang,Wenchao Luo. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: US20190334304A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-10-31.

Novel button battery and manufacturing and mounting method of shell sealing element structure

Номер патента: CN113013527A. Автор: 田华,胡卫国. Владелец: Dongguan Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Light-emitting keyswitch, cap structure and cap structure manufacturing method thereof

Номер патента: US10892121B2. Автор: Tsai-Jung Hu,Wei-Yan You. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Connector structure, and connector structure manufacturing method

Номер патента: US11837834B2. Автор: Kazuaki Hamada,Junichi Ono,Atsushi Murata. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Connector structure and connector structure manufacturing method

Номер патента: US11855402B2. Автор: Kazuaki Hamada,Junichi Ono,Atsushi Murata. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264006A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264005A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264001A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264004A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Antenna structure and antenna structure manufacturing method

Номер патента: EP4362219A1. Автор: Alexander Schneider,Arndt Ott,Ramona Cosmina HOTOPAN. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Electrode structure and battery device manufacturing method

Номер патента: US20120264004A1. Автор: Hiroki Nagai,Takenori Tsuchiya,Masahide Hikosaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

CONNECTOR STRUCTURE, AND CONNECTOR STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20220069533A1. Автор: Murata Atsushi,Ono Junichi,HAMADA Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Light-emitting keyswitch, cap structure and cap structure manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294739A1. Автор: Tsai-Jung Hu,Wei-Yan You. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Proximity sensor, proximity sensor mounting structure, and proximity sensor manufacturing method

Номер патента: JP5500530B2. Автор: 栄一 小菅,秀二 与那城. Владелец: Nippon Aleph Corp. Дата публикации: 2014-05-21.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Flexible substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190088908A1. Автор: Chin-Chih Lin,Yu-Hung Chen,Meng-Hung Hsin. Владелец: Immortal Industrial Co ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786763B2. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09673147B2. Автор: Kenro Nakamura,Hirokazu Ezawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package with conformal EM shielding structure and manufacturing method of same

Номер патента: US09536841B2. Автор: Ming-Che Wu. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200020813A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Wen-Shun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium

Номер патента: US09974191B2. Автор: Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379374A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

High-efficiency AlGaInP light-emitting diode grown directly on transparent substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466766B2. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, and manufacturing method of laminate

Номер патента: US20240368753A1. Автор: Atsushi Mizutani,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and a fabrication method thereof

Номер патента: US11222897B2. Автор: Jinwoo Bae,Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Boun Yoon,Hyesung Park,YoungHo Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-11.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09786776B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with protective films and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437734B2. Автор: Kiyotaka Yonekawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425142B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240204444A1. Автор: Shingo Nakamura,Masaya Tazawa. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Semiconductor devices having gate structures

Номер патента: US20240284657A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Chulkwon Park,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Package carrier and manufacturing method thereof

Номер патента: US09668351B2. Автор: Chao-Min Wang. Владелец: Subtron Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Wiring substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09480142B2. Автор: Minoru Kubota,Mototatsu Matsunaga,Yasuhiro Sugiura,Akira HARAO. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7615849B2. Автор: Takashi Tsuji,Hiroyuki Fujisawa,Yoshiyuki Yonezawa,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

TFT flat sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09735183B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080173873A1. Автор: Kunihiko Watanabe,Junichi Uehara,Miyo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324181A1. Автор: Jongmin Kim,Ho-ju Song,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing array substrate and manufacturing device

Номер патента: US09893165B2. Автор: Yucheng CHAN,Chienhung Liu,Jianbang Huang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140374805A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Ching Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09537040B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021519A1. Автор: Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230069568A1. Автор: Tsutomu Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20210242305A1. Автор: Guipeng Sun,Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US8691686B2. Автор: Ikue Mitsuhashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768154B2. Автор: Hisayuki Abe,Toshio Tomonari,Hirohumi Asou. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Display device and manufacturing method of display device

Номер патента: US09733507B2. Автор: Masanobu Ikeda,Yoshihiro Watanabe,Koji Ishizaki,Hayato Kurasawa,Takeo Koito. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257332A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11502057B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200168614A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20190386056A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160035777A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20210366958A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20170263666A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Yoshihisa Kagawa,Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133537A1. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120080727A1. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130307030A1. Автор: Mayumi Yamaguchi,Konmai Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8030651B2. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20230307419A1. Автор: Soichi Homma,Chikara Miyazaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Multilayer substrate manufacturing method

Номер патента: US20090197369A1. Автор: Hee-Soo Yoon,Dong-Hwan Lee,Don C. Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019220A1. Автор: Seung-Soo Ryu,Jeong Do Yang,Jung Yun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100038767A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Hiroshi Moriya,Hisashi Tanie,Emi Sawayama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014213A1. Автор: Zheng Lv,Xunyi SONG,Chihsen Huang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520339B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490132B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Shielded encapsulating structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09428380B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Alex Gritti,Giovanni Graziosi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of fabricating an antenna system

Номер патента: US20240235042A1. Автор: Rifaqat Hussain. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating an antenna system

Номер патента: US12057635B2. Автор: Rifaqat Hussain. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-08-06.

Connection structure and connection structure manufacturing method

Номер патента: US20230262895A1. Автор: Sho Fujita,Yuma Otsuka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and semiconductor structure manufacturing method

Номер патента: US12127395B2. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistor and manufacturing method for same

Номер патента: US09620267B2. Автор: Seiji Tsuda,Shoji Hoshitoku,Takeshi Iseki,Kazutosi Matumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Printed circuit board package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09743523B2. Автор: Han-Ching Shih,Cheng-Feng Lin,Bo-Shiung Huang,Wei-Hsiung Yang. Владелец: Tripod Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dynamic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240334685A1. Автор: Keng-Ping Lin,Te-Hsuan Peng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240155833A1. Автор: Euna Kim,Junhyeok Ahn,Myeongdong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Display device manufacturing method

Номер патента: US20030176137A1. Автор: Toru Sasatani,Tetsuji Omura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240349483A1. Автор: Sohyun Park,Sangho Lee,Jihun Lee,Inwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Window and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220098097A1. Автор: Minki Kim,Yuri KIM,Hoikwan LEE,Seungho KIM,Jonghoon YEUM,Byeon-Beon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US11930633B2. Автор: Yule SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing capacitor connecting line of memory

Номер патента: US12004343B2. Автор: Yang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240365567A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Jin Myung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing coreless substrate having filled via pad

Номер патента: US20130243941A1. Автор: Seok Kyu Lee,Soon Oh Jung,Soon Jin Cho,Jong Kuk Hong. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

METHOD OF MANUFACTURING WIRING SUBSTRATE HAVING BUILT-IN COMPONENT

Номер патента: US20150181722A1. Автор: SUZUKI Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD OF FABRICATING PACKAGING SUBSTRATE HAVING A PASSIVE ELEMENT EMBEDDED THEREIN

Номер патента: US20140345126A1. Автор: Zeng Zhao-Chong,HSU SHIH-PING. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

A method of producing a substrate having areas of different hydrophilicity and/or oleophilicity on the same surface

Номер патента: GB0519186D0. Автор: . Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-10-26.

method of fabricating PCB substrate having solder resist layer partially exposing connection plug

Номер патента: KR101530130B1. Автор: 정상진,오선우. Владелец: 주식회사 심텍. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of manufacturing PCB substrate having metal post

Номер патента: KR101617023B1. Автор: 정상진,유문상. Владелец: (주)심텍. Дата публикации: 2016-05-02.

Polymer holder, electrode system and manufacturing and handling methods of polymer holder

Номер патента: EP3563760A1. Автор: Juha MYLLYKANGAS,Arto Nikula,Arto Remes. Владелец: Bittum Biosignals Oy. Дата публикации: 2019-11-06.

Soldering flux, substrate and manufacturing method and device of substrate

Номер патента: CN115884846A. Автор: 孙亮,初宇天. Владелец: BOE Jingxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Authentication to a remote server from a computing device having stored credentials

Номер патента: US09584503B2. Автор: Jinshan Zhang,Qiao Huang,Yueting ZHANG,YiQun YUN,Jian MU. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Motor armature structure and motor armature manufacturing method

Номер патента: US20220271578A1. Автор: Manabu Horiuchi,Yasushi Misawa,Shintarou Koichi. Владелец: Sanyo Denki Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

ROTOR STRUCTURE AND ROTOR STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200251945A1. Автор: HOSODA Akihiro. Владелец: FANUC Corporation. Дата публикации: 2020-08-06.

Cradle device having excellent usability and reliability and simple structure and desk telephone having the same device

Номер патента: US9197725B2. Автор: Tadamine Toh. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Method of filling a substrate having a selected plurality of channels with a granular material

Номер патента: US09834475B2. Автор: Maurice Lacasse,Luc Desrosiers. Владелец: Pyrotek Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of making coated substrates having block resistance

Номер патента: EP4222179A1. Автор: Drew E. Williams,Michael D. Bowe,Janah C. Szewczyk,Katherine A. FABER. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2023-08-09.

Methods of making coated substrates having block resistance

Номер патента: CA3193703A1. Автор: Drew E. Williams,Michael D. Bowe,Janah C. Szewczyk,Katherine A. FABER. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods of making coated substrates having block resistance

Номер патента: US20230312940A1. Автор: Drew E. Williams,Michael D. Bowe,Janah C. Szewczyk,Katherine A. FABER. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Absorbent layer, structure and article along with a method of forming the same

Номер патента: US20090076472A1. Автор: Stanley R. Kellenberger,Moshe D. Goldwasser. Владелец: Tisteron Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Structure and resin structure manufacturing method, structure, and x-ray imaging apparatus including structure

Номер патента: US20140185779A1. Автор: Takayuki Teshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Liner structure and blow-molding manufacturing method forliner structure

Номер патента: US20230158729A1. Автор: Tong Liu,Lei Fan,Xiaogong CHEN,Mingche ZHOU. Владелец: Canature Health Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284661A1. Автор: Sheng Chieh Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Touch-sensor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09456493B2. Автор: JING Yu,Pingping Huang,Qiong Yuan,Hongyan Lian. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices having landing pad structures

Номер патента: US20240276699A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Stretchable display panel and device and manufacturing method of the same

Номер патента: US12033544B2. Автор: Hyunju Jung,Eunah Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

MEMS structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09630837B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240381625A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Donor substrate and manufacturing method of display device using the same

Номер патента: US20090130385A1. Автор: Jin-Koo Chung,Chang-Woong Chu,Joo-Hyeon LEE,Jae-Kook Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12127389B2. Автор: Jinfeng GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor devices and manufacturing methods for the same

Номер патента: US20240260256A1. Автор: Taeyoung EOM,Sunghoon Bae,Halim Noh,Heecheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Substrate Having a Burnable Coating Mask

Номер патента: US20230201869A1. Автор: Farzad FAREED. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods of producing single-layer transition metal selenide

Номер патента: US20240218507A1. Автор: Ka Ho LEUNG,Thuc Hue LY,Ping MAN. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices with embedded silicon lens

Номер патента: US20230408769A1. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Substrate having decorated surface and method of production

Номер патента: WO2018154427A1. Автор: Andrew Leo Haynes,John Wason MCKEE. Владелец: ZINNIATEK LIMITED. Дата публикации: 2018-08-30.

Substrate having decorated surface and method of production

Номер патента: AU2018223324B2. Автор: Andrew Leo Haynes,John Wason MCKEE. Владелец: Zinniatek Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Substrate having decorated surface and method of production

Номер патента: US11970858B2. Автор: Andrew Leo Haynes,John Wason MCKEE. Владелец: Zinniatek Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Aircraft fuselage structure and manufacturing method

Номер патента: RU2435703C2. Автор: Корд ХААК. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Гмбх. Дата публикации: 2011-12-10.

Method of powder coating for offset prevention in electrophotographic printers

Номер патента: US7670642B2. Автор: XIN Jin,Dinesh Tyagi,Jerry A. Pickering,Kurt E. Jones. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-03-02.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Manufacturing method of surface processed substrate having fine uneven surface

Номер патента: JP5088778B2. Автор: 貴俊 武田,智 松浦. Владелец: PRIMATEC INC.. Дата публикации: 2012-12-05.

METHOD OF PRODUCING GLASS SUBSTRATE HAVING HOLE AND GLASS LAMINATE FOR ANNEALING

Номер патента: US20200130105A1. Автор: ISOBE Mamoru,MORI Shigetoshi,HORIUCHI Kohei. Владелец: AGC Inc.. Дата публикации: 2020-04-30.

POLISHING COMPOSITION AND METHOD OF POLISHING A SUBSTRATE HAVING ENHANCED DEFECT INHIBITION

Номер патента: US20190284435A1. Автор: Guo Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Method of fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure

Номер патента: US7130001B2. Автор: Seung-Ryull Park,Youn-Gyoung Chang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure

Номер патента: US20040119903A1. Автор: Seung-Ryull Park,Youn-Gyoung Chang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-24.

Joint structure and joint structure manufacturing method

Номер патента: US09643356B2. Автор: Hiroyuki Kurokawa,Yasuhide Matsuo. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Optical device sealing structure and optical device manufacturing method

Номер патента: US09459410B2. Автор: Katsutoshi Kondou,Masaru Shiroishi,Kazuhiro Ooto. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312822A1. Автор: Kimblad Hans. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

ADDITIVE MANUFACTURING METHOD, METHOD OF PROCESSING OBJECT DATA, DATA CARRIER, OBJECT DATA PROCESSOR AND MANUFACTURED OBJECT

Номер патента: US20170312824A1. Автор: HARRYSSON Urban. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Additive manufacturing method, method of processing object data, data carrier, object data processor and manufactured object

Номер патента: GB201500607D0. Автор: . Владелец: Digital Metal AB. Дата публикации: 2015-02-25.

Labels and manufacture thereof

Номер патента: CA1326764C. Автор: David John Instance. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-02-08.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140226422A1. Автор: Suk Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Wing structure and wing structure manufacturing method

Номер патента: US20240352918A1. Автор: Hiroaki Takeuchi,Masaaki Shibata,Yasushi Okano. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Wing structure and wing structure manufacturing method

Номер патента: EP4321752A4. Автор: Hiroaki Takeuchi,Masaaki Shibata,Yasushi Okano. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Side door structure and side door manufacturing method of vehicle

Номер патента: US20210387517A1. Автор: Yukihiro Moriyama. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Customizing fitting insole by combination of multi-material and manufacturing and correcting method of it

Номер патента: KR100736813B1. Автор: 박종배,장재황. Владелец: (주)와일드캣. Дата публикации: 2007-07-09.

Differential gear assembly of vehicles and Manufacturing apparatus and method of the same

Номер патента: KR101393339B1. Автор: 조준권. Владелец: 현대자동차 주식회사. Дата публикации: 2014-05-09.

Customizing fitting insole by combination of multi-material and manufacturing and correcting method of it

Номер патента: WO2007049838A1. Автор: Jongbae Park,Jaehwang Jang. Владелец: Wildcat Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Machining and manufacturing systems and method of operating the same

Номер патента: WO2017205026A1. Автор: Mathias Ernst Messmer,Dragan Filipovic,Simon Josef Würzinger. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2017-11-30.

OPTICAL DEVICE HAVING A STEPWISE OR TAPERED LIGHT INPUT/OUTPUT PART AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20150086153A1. Автор: Ono Hideki,HORIKAWA TSUYOSHI,HIRAYAMA Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

OPTICAL DEVICE HAVING A STEPWISE OR TAPERED LIGHT INPUT/OUTPUT PART AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20160223748A1. Автор: Ono Hideki,HORIKAWA TSUYOSHI,HIRAYAMA Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Machining and manufacturing systems and method of operating the same

Номер патента: US20170334008A1. Автор: Mathias Ernst Messmer,Dragan Filipovic,Simon Josef Würzinger. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of structure carcassing

Номер патента: RU2699087C1. Автор: Алексей Леонидович Торопов. Владелец: Алексей Леонидович Торопов. Дата публикации: 2019-09-03.

Gel nail polish and manufacturing and a method of using the nail polish

Номер патента: EP3135340A1. Автор: Lijuan Zhen. Владелец: Lijuan Zhen. Дата публикации: 2017-03-01.

Embossing pattern formed retroreflctive sheets and manufacturing device and method of the same

Номер патента: KR101515324B1. Автор: 양지윤. Владелец: 양지윤. Дата публикации: 2015-05-20.

Method of powder coating medical devices

Номер патента: WO2007103257A2. Автор: Gerald Fredrickson,Mary Jo Timm. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC SCIMED, INC.. Дата публикации: 2007-09-13.

SIDE DOOR STRUCTURE AND SIDE DOOR MANUFACTURING METHOD OF VEHICLE

Номер патента: US20210387517A1. Автор: MORIYAMA Yukihiro. Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-12-16.

The bobbin structure and the bobbin manufacture method of z-continuous winding

Номер патента: KR100639566B1. Автор: 이준,김상현,백승명,천현권. Владелец: 경상대학교산학협력단. Дата публикации: 2006-10-30.

An apparatus and method of culturing tubular autologous tissue graft

Номер патента: WO2011004388A3. Автор: Sridhar K Narasimhachar. Владелец: Sridhar K Narasimhachar. Дата публикации: 2011-07-21.

Multi-Beam Probes with Decoupled Structural and Current Carrying Beams and Methods of Making

Номер патента: US20240094259A1. Автор: Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Structure and resin structure manufacturing method, structure, and x-ray imaging apparatus including structure

Номер патента: US20140185779A1. Автор: Takayuki Teshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Wiring structure and electrooptical device manufacturing method, electrooptical device and electronic apparatus

Номер патента: CN1488976A. Автор: 石田幸政. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

SILICON STEEL BAND WITH ORIENTED STRUCTURE AND INCREASED MAGNETIC PERMEABILITY AND METHOD OF OBTAINING

Номер патента: RO69745A. Автор: John M Jackson. Владелец: Armco Steel Corp,Us. Дата публикации: 1981-11-04.

Wing structure and wing structure manufacturing method

Номер патента: EP4321752A1. Автор: Hiroaki Takeuchi,Masaaki Shibata,Yasushi Okano. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Signal analyzing method for electronic device having on-chip network and off-chip network

Номер патента: US20110213604A1. Автор: Tung-Yang Chen,Hsing-Chou Hsu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

SOUNDPROOF STRUCTURE AND SOUNDPROOF STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180002919A1. Автор: HAKUTA Shinya,Kasamatsu Tadashi,NAYA Masayuki,YAMAZOE Shogo. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-01-04.

Optical device sealing structure and optical deveice manufacturing method

Номер патента: US20170023742A1. Автор: Katsutoshi Kondou,Masaru Shiroishi,Kazuhiro Ooto. Владелец: SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

SOUNDPROOF STRUCTURE AND SOUNDPROOF STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180051462A1. Автор: HAKUTA Shinya,Kasamatsu Tadashi,NAYA Masayuki,YAMAZOE Shogo. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-02-22.

JOINT STRUCTURE AND JOINT STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160136880A1. Автор: Kurokawa Hiroyuki,Matsuo Yasuhide. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-05-19.

Honeycomb bodies with multi-zoned honeycomb structures and co-extrusion manufacturing methods

Номер патента: US20210197185A1. Автор: Douglas Munroe Beall,David John Thompson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Table top structure and top plate manufacturing method

Номер патента: KR101995897B1. Автор: 이현용. Владелец: 이현용. Дата публикации: 2019-07-04.

Improved dust cap mounting structure and fixed cap manufacturing method for Car suspension

Номер патента: KR101401878B1. Автор: 이정원,최병진. Владелец: 주식회사 대원티시. Дата публикации: 2014-05-29.

Cover plate formwork structure and cover plate manufacturing method

Номер патента: CN113323021A. Автор: 李晓克. Владелец: Clp Shandong Power Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Glass run, glass run mounting structure, and glass run manufacturing method

Номер патента: CN114802039A. Автор: 春田辉,宫田知范. Владелец: Nishikawa Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

Micromechanical cap structure and the respective manufacturing method

Номер патента: US6462392B1. Автор: Stefan Pinter,Helmut Baumann,Harald Emmerich,Hans-Peter Trah. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2002-10-08.

A handle structure and it's manufacture method

Номер патента: KR100720166B1. Автор: 서석호. Владелец: 주식회사 골든벨금속. Дата публикации: 2007-05-18.

Vehicle body structure and vehicle body manufacturing method

Номер патента: JP5976615B2. Автор: 勇 長澤. Владелец: Fuji Jukogyo KK. Дата публикации: 2016-08-23.

Door panel structure and door panel manufacturing method

Номер патента: JP4305484B2. Автор: 秀至 亀岡. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Porous structure and porous structure manufacturing method

Номер патента: WO2020235154A1. Автор: 佳之 ▲高▼橋,大一 板橋. Владелец: 株式会社ブリヂストン. Дата публикации: 2020-11-26.

Glow plug, glow plug mounting structure, and glow plug manufacturing method

Номер патента: US7041938B2. Автор: Chiaki Kumada,Shunsuke Gotou. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-09.

An absorbent layer, structure and article along with a method of forming the same

Номер патента: WO2009038556A1. Автор: Stanley Kellenberger,Moshe Goldwasser. Владелец: Tisteron, Ltd.. Дата публикации: 2009-03-26.

Flare joint structure and flare pipe manufacturing method

Номер патента: JP2021080946A. Автор: 威一郎 清野,Iichiro Kiyono. Владелец: Usui Kokusai Sangyo Kaisha Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Flare fitting structure and flared tube manufacturing method

Номер патента: US20220381379A1. Автор: Iichiro Seino. Владелец: Usui Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

A battery assembly plate structure and the corresponding manufacturing method

Номер патента: CN101217190A. Автор: 方有福,林椿住,柳仁志. Владелец: WELLDONE CO Ltd. Дата публикации: 2008-07-09.

Bellows structure and bellows structure manufacturing method

Номер патента: KR20120113895A. Автор: 송영민. Владелец: 송영민. Дата публикации: 2012-10-16.

Flare fitting structure and flared tubing manufacturing method

Номер патента: EP4060213A4. Автор: Iichiro Seino. Владелец: Usui Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Integrated biosensor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230266266A1. Автор: Kun Lung Chen. Владелец: Bioup Labs Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09868630B2. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Liquid crystal panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US09927563B2. Автор: Chikaaki MIZOKUCHI,Tomomi Miyake. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100091230A1. Автор: Hsiang-Lin Lin,Chih-Jen Hu,Ching-Huan Lin,Sung-Kao Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-04-15.

Electronic device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230125400A1. Автор: Chin-Lung Ting,Cheng-Yang Tsai,Yu-Chun FU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Patterned Retarder Type Display Device Having Black Strips and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20130293802A1. Автор: Heeyoung CHAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Ink-jet printhead and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1946928A3. Автор: Sung-Joon Park,Moon-Chul Lee,Myoung-Jong Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-14.

Mems device and manufacturing method of mems device

Номер патента: US20240317580A1. Автор: Fumiya KUROKAWA,Yasuhiro Aida. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Light guide plate and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240053540A1. Автор: Makoto Matsui,Kunihisa Takahashi. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Phase-shift photomask manufacturing method and phase-shift photomask

Номер патента: US20010044056A1. Автор: Haruo Kokubo. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SHIELDED CABLE CONNECTING STRUCTURE AND SHIELDED CABLE CONNECTING METHOD

Номер патента: US20120000692A1. Автор: Tsuchiya Kazuhiko. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of aluminum nitride substrate having copper circuit

Номер патента: JPH0714015B2. Автор: 好彦 辻村,和幸 蛭田,正司 石井. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 1995-02-15.

METHOD OF MANUFACTURING WIRING SUBSTRATE HAVING BUILT-IN COMPONENT

Номер патента: US20130074332A1. Автор: SUZUKI Kenji. Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-28.

Method of Fabricating a Substrate Having Conductive Through Holes

Номер патента: US20130089982A1. Автор: Wei Shih-Long,Hsiao Shen-Li,Ho Chien-Hung. Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-11.

METHOD OF MANUFACTURING A SUBSTRATE HAVING A TEXTURED SURFACE

Номер патента: US20130177716A1. Автор: Wheatley D. Edward. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

Method of fabricating a substrate having circuits

Номер патента: TW200743421A. Автор: Chi-Hsing Hsu. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-16.

Method of producing printed substrate having insulating film

Номер патента: JPS5358669A. Автор: Hideo Yamashiro. Владелец: Hitachi Denshi KK. Дата публикации: 1978-05-26.

Method of manufacturing ceramic substrate having through hole

Номер патента: JP3016932B2. Автор: 正英 松田. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-06.

Method of flattening semiconductor substrate having step difference

Номер патента: JPS63293862A. Автор: Takashi Uehara,隆 上原. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-30.

Forming method of films on substrates having stepped portions

Номер патента: JPS52130582A. Автор: Toshio Wada,Yoji Yamanaka. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-11-01.

Manufacturing method and product of substrate having heat conductive graphite

Номер патента: TW201240805A. Автор: ji-zong Zhuang. Владелец: ji-zong Zhuang. Дата публикации: 2012-10-16.

Motor rotor mold structure and motor rotor manufacturing method

Номер патента: TWI430857B. Автор: Nai Kuang Tang,Chi Ming Hung. Владелец: Metal Ind Res & Dev Ct. Дата публикации: 2014-03-21.

Window structures and sash slide rails and method of making such assemblies

Номер патента: CA585597A. Автор: R. Gerulis Benedict. Владелец: GRAND RAPIDS HARDWARE CO. Дата публикации: 1959-10-20.

TFT ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING AND REPAIRING METHODS OF THE SAME

Номер патента: US20120280257A1. Автор: Zhou Baoquan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

OPTICAL DEVICE SEALING STRUCTURE AND OPTICAL DEVEICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120251770A1. Автор: Kondou Katsutoshi,Shiroishi Masaru,Ooto Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264001A1. Автор: Nagai Hiroki,TSUCHIYA Takenori,HIKOSAKA Masahide. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264003A1. Автор: Nagai Hiroki,TSUCHIYA Takenori,HIKOSAKA Masahide. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264005A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

ELECTRODE STRUCTURE AND BATTERY DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120264006A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Body frame structure and side frame manufacturing method

Номер патента: JP6907891B2. Автор: 泉太郎 田坂,豪太 山根. Владелец: Toyota Auto Body Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-21.

Glass run, glass run mounting structure and glass run manufacturing method

Номер патента: JP2022111983A. Автор: 知範 宮田,輝 春田,Teru Haruta,Tomonori Miyata. Владелец: Nishikawa Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-01.

Rail vehicle roof structure and rail car manufacturing method

Номер патента: JP6487865B2. Автор: 渡邊 俊之,俊之 渡邊,謙二 磯見. Владелец: 近畿車輌株式会社. Дата публикации: 2019-03-20.

Motor insulation structure and motor stator manufacturing method

Номер патента: JP3632511B2. Автор: 茂利 山口,康憲 柵木. Владелец: Toyoda Koki KK. Дата публикации: 2005-03-23.

Door trim mold structure and door trim manufacturing method

Номер патента: JP3506378B2. Автор: 剛 関口,実 井本. Владелец: Ikuyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-15.

Electronic component testing device, test board structure, and test board manufacturing method

Номер патента: TWI805218B. Автор: 盧昱呈. Владелец: 萬潤科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-06-11.

Semiconductor structure and its corresponding manufacturing method

Номер патента: TWI573197B. Автор: zhong-ping Liao. Владелец: Silergy Semiconductor Tech (Hangzhou) Ltd. Дата публикации: 2017-03-01.

MEMORY DEVICE HAVING VERTICAL SELECTION TRANSISTORS WITH SHARED CHANNEL STRUCTURE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20130126819A1. Автор: Zhang Jing,Huai Yiming,Satoh Kimihiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120000068A1. Автор: Sugiyama Tadashi,KARIYA Takashi,SAKAMOTO Hajime,Wang Dongdong. Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing and Detecting Device and Method of Birefringent Lens Grating

Номер патента: US20120003380A1. Автор: Yu Bin. Владелец: Shenzhen Super Perfect Optics LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE MANUFACTURING METHOD, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120001290A1. Автор: Sawada Ken. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Waterproof Structure and Electronic Equipment

Номер патента: US20120000687A1. Автор: . Владелец: Casio Hitachi Mobile Communications Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING TARGET SUBSTANCE

Номер патента: US20120003666A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Light-Emitting Diode Packaging Structure and Substrate Therefor

Номер патента: US20120001212A1. Автор: Wei Shih-Long,Hsiao Shen-Li,Ho Chien-Hung,Shao Chien-Min. Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.