Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method .

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Номер патента: US20110026340A1
Опубликовано: 03-02-2011
Автор(ы): Kazuya KUDOU
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Номер патента: US8289792B2. Автор: Kazuya KUDOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Centrally logging and aggregating miscompares on chip during memory test

Номер патента: US11869616B2. Автор: Andrew Payne,Senwen Kan,Jeffrey W Gossett,Michael Joseph Pluhta,Richard A Rodell, Jr.,Bjarni Benjaminsson. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory system including test circuit

Номер патента: US09959937B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Mikio Takasugi,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Memory device, memory test circuit and memory test method thereof having repair information maintaining mechanism

Номер патента: US11935611B2. Автор: Shih-Chieh Lin,Sheng-Lin Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory test circuit

Номер патента: US4686456A. Автор: Takashi Ohsawa,Tohru Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-08-11.

Flash memory testing apparatus

Номер патента: US5539699A. Автор: Shinya Sato,Hiromi Ohshima. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Test circuit

Номер патента: US11894087B2. Автор: Minna LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor memory test circuit and method for the same

Номер патента: US6389563B1. Автор: Young Hee Kim,Jin Keun Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Memory testing system and memory testing method

Номер патента: US20240161857A1. Автор: Chien Yu Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Testing method and semiconductor integrated circuit to which the same method is applied

Номер патента: US20140040686A1. Автор: Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Dual tap architecture for enabling secure access for ddr memory test controller

Номер патента: US20200143902A1. Автор: Arvind Jain,Anju GEORGE,Swayam PATTNAIK. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Memory test method and memory test apparatus

Номер патента: US11862276B2. Автор: Wei Huang,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory test method and memory test apparatus

Номер патента: US20230092554A1. Автор: Wei Huang,Chi-Shian WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Embedded memory testing with storage borrowing

Номер патента: WO2018140133A1. Автор: Roberto AVERBUJ,Tapan Chakraborty. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor integrated circuit and design method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20010044918A1. Автор: Masayuki Sato,Kunio Uchiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-22.

Advanced memory test diagnostics

Номер патента: US09443613B2. Автор: Arnold S. Weksler,Francisco Plinio Oliveira Silveira,Fernando José Vieira da Silva,Fernando Ferraz Silva,André Breda Carneiro,Rodrigo Fernandes Freitas,Frederico Rhae Maciel Leal,Marcelo Araujo Lima. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and systems for memory testing and test data reporting during memory testing

Номер патента: US8423841B1. Автор: Albert Wu,Winston Lee,Chorng-Lii Liou. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Embedded memory testing using back-to-back write/read operations

Номер патента: US09728273B2. Автор: Kanad Chakraborty,Naveen Purushotham. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory-testing methods for testing memory having error-correcting code

Номер патента: US20190378586A1. Автор: Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory testing method and related device

Номер патента: EP3933843A1. Автор: Li Ding,Heng-Chia Chang,Chuanqi SHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Memory test methods and related devices

Номер патента: US11854642B2. Автор: Li Ding,Heng-Chia Chang,Chuanqi SHI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Built-in memory tests for aircraft processing systems

Номер патента: US20230110926A1. Автор: Christopher Brian Noll. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Embedded Memory Testing with Storage Borrowing

Номер патента: US20180218778A1. Автор: Roberto Fabian Averbuj,Tapan Jyoti Chakraborty. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Built-in memory tests for aircraft processing systems

Номер патента: EP4167092A1. Автор: Christopher Brian Noll. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2023-04-19.

Memory test system with defect compression

Номер патента: EP1012848A1. Автор: Alexander Roger Deas. Владелец: Process Insight Ltd. Дата публикации: 2000-06-28.

Memory test system with defect compression

Номер патента: WO1998020497A1. Автор: Alexander Roger Deas. Владелец: Process Insight Limited. Дата публикации: 1998-05-14.

Synchronous memory test system

Номер патента: US5995424A. Автор: Jack C Little,Archer R Lawrence. Владелец: Tanisys Tech Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Test circuit, semiconductor device and test system including the test circuit

Номер патента: US11562802B2. Автор: Dong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-24.

Test circuit, semiconductor device and test system including the test circuit

Номер патента: US20210065832A1. Автор: Dong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Test circuit

Номер патента: US20230197179A1. Автор: Minna LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor integrated circuit and memory system

Номер патента: US11996156B2. Автор: Atsushi Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

3-D memory and built-in self-test circuit thereof

Номер патента: US09406401B2. Автор: Ding-Ming Kwai,Chih-Yen Lo,Jin-Fu Li,yun-chao Yu,Che-Wei Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory Testing Techniques

Номер патента: US20200111537A1. Автор: Andy Wangkun CHEN,Yannis Jallamion-Grive,Cyrille Nicolas Dray,Frank David Frederick. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Built-in self-test circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09837171B2. Автор: Hee-Won Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Built-in self-test circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09405648B2. Автор: Hee-Won Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

On-chip circuit and method for testing memory devices

Номер патента: EP1084497A1. Автор: Charles L. Ingalls,Kim M. Pierce. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-21.

Testing methods of a semiconductor integrated incorporating a high-frequency receiving circuit and a demodulation circuit

Номер патента: US7693223B2. Автор: Shinya Kishigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-04-06.

On-board testing circuit and method for improving testing of integrated circuits

Номер патента: US20030126526A1. Автор: Robert Totorica,Charles Snodgrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor integrated circuit and testing method therefor

Номер патента: US20070189088A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Content addressable memory apparatus, content addressable memory circuit and memory self-test method thereof

Номер патента: US20240312548A1. Автор: I-Hao Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130163356A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida,Hitoshi Yamanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: US20210295929A1. Автор: Hiroaki Iijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: US11302402B2. Автор: Hiroaki Iijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor integrated circuit, receiving device, and memory system

Номер патента: US20240096381A1. Автор: Shinichi Ikeda,Shinya Kawakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit, interface device, and memory system

Номер патента: US20240213984A1. Автор: Koji OOIWA,Keisuke KISHINAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: US20220189562A1. Автор: Hiroaki Iijima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Methods and apparatuses for memory testing with data compression

Номер патента: US09443615B2. Автор: Jason M. Johnson,Justin Wood,Gregory S. Hendrix,Mark D. Franklin,Daniel F. Eichenberger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor integrated device

Номер патента: US5805605A. Автор: Myung-Ho Bae,Cheol-Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-08.

Multi-port memory testing using concurrent operations

Номер патента: WO2024205554A1. Автор: Zou Wei,Benoit Nadeau-Dostie,Albert Au. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit including Built-In Self Test circuit to test memory and memory test method

Номер патента: US20090238018A1. Автор: Yoshitaka Aoki,Yasuyuki Hirasaki,Katsumi Shinbo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit including built-in self test circuit to test memory and memory test method

Номер патента: US7876633B2. Автор: Yoshitaka Aoki,Yasuyuki Hirasaki,Katsumi Shinbo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

Test circuit of memory and device

Номер патента: EP4012712A1. Автор: Tuanhui XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Method and system for direct access memory testing of an integrated circuit

Номер патента: US20050060621A1. Автор: Jonathan Lee,XiaoGang Zhu,Andrew Hwang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Memory test circuit, memory chip, and testing method of memory chip

Номер патента: US20240079075A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Testing circuit for random access memory device

Номер патента: US4888772A. Автор: Takaho Tanigawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-12-19.

High speed protocol memory test head for a memory tester

Номер патента: WO2001095339A3. Автор: Vasily Grigorievich Atyunin,Igor Anatolievich Abrosimov. Владелец: Igor Anatolievich Abrosimov. Дата публикации: 2002-08-08.

Method and BIST architecture for fast memory testing in platform-based integrated circuit

Номер патента: US20060156088A1. Автор: Anatoli Bolotov,Alexander Andreev,Raoko Scepanovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Memory testing in a multiple processor computer system

Номер патента: US5673388A. Автор: Raghu Murthi,Scott Tetrick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Semiconductor integrated circuit device which has first chip and second chip accessed via the first chip and test method thereof

Номер патента: US20090167337A1. Автор: Yuji Tada,Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Kazunori Yamane,Manabu Kitabatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: US20240295604A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US20080253208A1. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Memory built in self test circuit and method for generating a hardware circuit comprising the routing boxes thereof

Номер патента: US20070260924A1. Автор: Che-Chiang Chang,Jian-Dai Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel bit test circuit and method

Номер патента: US20080062788A1. Автор: Uk-Song KANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

Chip testing circuit

Номер патента: US20100171509A1. Автор: Kuo-Hua Lee,Der-Min Yuan,Ming-Cheng Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor integrated circuit having latching means capable of scanning

Номер патента: US20040042332A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: EP4425196A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor memory device and testing method thereof

Номер патента: US09583215B2. Автор: Hoiju CHUNG,Yonghwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US7082559B2. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit and operating method

Номер патента: US20020041529A1. Автор: Keisuke Fujiwara,Sachiko Edo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Integrated circuit chip and multi-chip system including the same

Номер патента: US09490032B2. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor integrated circuit and memory checking method

Номер патента: US7782689B2. Автор: Hiroyuki Sekiguchi,Ryoji Shiota,Tokushi Yamaguchi,Mitsuya Nakano. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Memory test array and test method thereof

Номер патента: US20200312421A1. Автор: Hsiung-Shih CHANG,Yu-Cheng Liao,Meng-Hsueh TSAI. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor integrated circuit having self-diagnosis test function and test method thereof

Номер патента: US20010003196A1. Автор: Hideo Miyazawa,Satoshi Hori,Atsushi Kawabe. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor integrated device with gate array and memory

Номер патента: KR910007409B1. Автор: Mitsuya Gawata. Владелец: Fujitsu Corp. Дата публикации: 1991-09-25.

Integrated circuit die structure simplifying IC testing and testing method thereof

Номер патента: TW200923386A. Автор: Chien-Pin Chen,Ping-Po Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2009-06-01.

Large scale integrated circuit with data cache and at speed test method thereof

Номер патента: KR101014413B1. Автор: 김영식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-02-15.

Apparatus and a method for memory testing by a programmable circuit in a safety critical system

Номер патента: US09575860B2. Автор: Ferenc Staengler. Владелец: Kone Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory, memory testing system, and memory testing method

Номер патента: EP4068289A1. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Memory test method

Номер патента: US20210019245A1. Автор: Chen-Lung Tsai,Gene Rosenthal. Владелец: One Test Systems. Дата публикации: 2021-01-21.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device and retention test method

Номер патента: US20240161860A1. Автор: Yongsuk Choi,Kyungjin PARK,Myeongjin OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory test system with advance features for completed memory system

Номер патента: US20110302467A1. Автор: Chia-hao Lee,Ming-Chuan Huang. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Memory-testing device and memory-testing method

Номер патента: US09653186B2. Автор: Chin-Jung Su,Rei-Fu Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device, memory test method and computer program for designing program of semiconductor memory device

Номер патента: US20100313085A1. Автор: Hiroshi Tomiyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Memory testing method

Номер патента: US20020003731A1. Автор: Akiko Matsumoto,Satoshi Sato,Takeshi Furukawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Memory test circuit and method for controlling memory test circuit

Номер патента: US9685241B2. Автор: Koji Kuroda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory test circuit and method for controlling memory test circuit

Номер патента: US20150279484A1. Автор: Koji Kuroda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Memory device and test method of the same

Номер патента: US10269443B2. Автор: Chih-Wei Chang,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Improved computer memory test

Номер патента: GB2347529B. Автор: Barry Alan KRITT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-23.

Integrated circuit having memory built-in self test (bist) programmable characteristics and method of operation

Номер патента: SG74088A1. Автор: Charles A Brown,Damir Smitlener,Jay D Mcdougal. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-01-16.

Improved computer memory test

Номер патента: GB9904855D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-04-28.

Bist memory test system

Номер патента: CA2212089C. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-24.

Memory testing system

Номер патента: US09514842B2. Автор: Dragos F. Botea,Vijay M. Bettada,Bibo Li. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Memory test method, memory test apparatus, memory test device, and storage medium

Номер патента: US20240021265A1. Автор: Xiaolei Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory, memory test system, and memory test method

Номер патента: US20220165345A1. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory, memory test system, and memory test method

Номер патента: US11817166B2. Автор: Jia Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory test device

Номер патента: US20030179636A1. Автор: Kang Lee,Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Memory test systems and memory test methods

Номер патента: US11862278B2. Автор: Yang Wang,Hao He,Dan Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method and apparatus for memory testing

Номер патента: US20240312556A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory test apparatus and testing method thereof

Номер патента: US20210249096A1. Автор: Hong-Mook Choi,Ji-su Kang,Hyun Il Kim,Hye Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory self-test circuit, semiconductor device and ic card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20090316488A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Memory self-test circuit, semiconductor device and IC card including the same, and memory self-test method

Номер патента: US20070279997A1. Автор: Kazuki Yoshioka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Method and apparatus for converting logic test vectors to memory test patterns

Номер патента: US5644581A. Автор: Robert Han Wu. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-01.

Method for verifying the accuracy of bit-map memory test programs

Номер патента: US20030191994A1. Автор: Wen-Jyh Hung,Chien-Chiang Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Memory test system

Номер патента: US5903576A. Автор: Kazumichi Yoshiba. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Memory test method, storage medium and computer device

Номер патента: US11462287B2. Автор: Hao He,Bo Hu,Dan Lu,Guangteng Long. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory testing apparatus

Номер патента: US20020046373A1. Автор: Shao-Yu Chou,Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Computer memory test structure

Номер патента: US20130173974A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Computer memory test structure

Номер патента: US20140115414A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Computer memory test structure

Номер патента: EP2449557A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Computer memory test structure

Номер патента: WO2011002621A1. Автор: Sungjoon Kim,Chinsong Sul. Владелец: SILICON IMAGE, INC.. Дата публикации: 2011-01-06.

Power supply circuit, memory, testing device, memory system, and electronic device

Номер патента: US20240170041A1. Автор: Yu Wang,BiRuo SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040059959A1. Автор: Kazumasa Ozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for testing memory and memory testing device

Номер патента: US20230084435A1. Автор: Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Detecting maximum voltage between multiple power supplies for memory testing

Номер патента: US09715905B2. Автор: Jeffrey M. Scherer,Derick G. Behrends,Todd A. Christensen,Anthony G. Aipperspach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Application specific event based semiconductor memory test system

Номер патента: US20030074153A1. Автор: Koji Takahashi,Shigeru Sugamori,Hiroaki Yamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Application specific event based semiconductor memory test system

Номер патента: WO2003034082A1. Автор: Koji Takahashi,Shigeru Sugamori,Hiroaki Yamoto. Владелец: ADVANTEST CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-24.

Test circuit and test method of semiconductor apparatus

Номер патента: US09450587B2. Автор: Byung Kuk YOON,Kie Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory test methodology

Номер патента: US5113399A. Автор: Ralf D. Woods,Michael P. Slack,Kenneth M. Gerst. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1992-05-12.

Memory test pattern generator

Номер патента: US4797886A. Автор: Hideaki Imada. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1989-01-10.

Memory testing device having cross interconnections of multiple drivers and its implementing method

Номер патента: US20120327729A1. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor memory test equipment

Номер патента: US4369511A. Автор: Kenji Kimura,Naoaki Narumi,Kohji Ishikawa. Владелец: Takeda Riken Industries Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-18.

Memory defect redress analysis treating method, and memory testing apparatus performing the method

Номер патента: US20030236648A1. Автор: Takahiro Yasui. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Graphical editor for defining memory test sequences

Номер патента: CA2222665C. Автор: Po Wen Chin,Jack A. Medd. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2005-06-28.

Electronic devices including a test circuit and methods of operating the electronic devices

Номер патента: US20220122683A1. Автор: Hyun Seung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Testing method and testing apparatus

Номер патента: US20070091698A1. Автор: Takao Watanabe,Shigenobu Ishihara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Fcm based chiplet test circuit

Номер патента: US20240288492A1. Автор: Jian Song,Yufeng Guo,Binbin Xu,Zixuan Wang,Zhikuang CAI,Henglu WANG,Jiafei YAO,Guopeng Zhou,Zushuai XIE. Владелец: Nantong Institute Of Nanjing University Of Posts And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Driving test circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09496054B1. Автор: Sung Soo Chi,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Test circuit, semiconductor memory apparatus using the same, and test method of the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20110128804A1. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Test circuit, semiconductor memory apparatus using the same, and test method of the semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120218846A1. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Current test circuit, device and method, and storage medium

Номер патента: US20220082619A1. Автор: Maosong MA,Zhangqin ZHOU,Xinwang CHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Test circuit and receiving circuit having test function

Номер патента: US20240242773A1. Автор: Gi Moon HONG,Dae Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Test circuit, test method and memory

Номер патента: US20230021184A1. Автор: Jianyong QIN,Zhonglai LIU,Jianni LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070067699A1. Автор: Mitsuhiro Koga,Hiroshi Shinya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Testing method and test apparatus in semiconductor apparatus

Номер патента: US20010009523A1. Автор: Hideshi Maeno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090066362A1. Автор: Akira Akahori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Voltage monitoring test circuit and voltage monitoring method using the same

Номер патента: US09443609B2. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Circuit and method for testing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1333446A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-08-18.

Electronic memory testing device

Номер патента: US5027354A. Автор: Yoshihiro Honma,Mitsuyuki Ara. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-06-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050117445A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US7643365B2. Автор: Yoshikazu Kurose,Tetsumasa Meguro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Voltage testing circuit with error protection scheme

Номер патента: US20240038321A1. Автор: Dong Pan,Subhasis Sasmal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Test mode control circuit, semiconductor apparatus and system, and method thereof

Номер патента: US20240159828A1. Автор: Jae Heung Kim,Young Jae An,Bok Rim KO,Min Wook Oh,Jin Suk OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and semiconductor device test method for identifying a defective portion

Номер патента: US8325548B2. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device test method

Номер патента: US20100322023A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Test circuit, nonvolatile semiconductor memory appratus using the same, and test method

Номер патента: US20110128805A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Test method, control circuit and system for reduced time combined write window and retention testing

Номер патента: WO2006063851A2. Автор: Klaus Nierle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor integrated circuit apparatus and circuit board and information readout method

Номер патента: US20040174753A1. Автор: Takahito Nakano,Hiroyuki Kiba,Satoshi Akui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Test method, control circuit and system for reduced time combined write window and retention testing

Номер патента: WO2006063851A3. Автор: Klaus Nierle. Владелец: Klaus Nierle. Дата публикации: 2006-09-08.

Reprogrammable built-in-self-test integrated circuit and test method for the same

Номер патента: US7673200B2. Автор: Hsun-Yao Jan,Ting-Han Su,Cheng-Fang Yang. Владелец: Asix Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Test circuit, test device and test method therefor

Номер патента: EP4170358A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Test circuit and test method thereof

Номер патента: US12033709B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US20080304331A1. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7613962B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor integrated circuit with full-speed data transition scheme for DDR SDRAM at internally doubled clock testing application

Номер патента: US7634698B2. Автор: Ming-Hung Wang. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-15.

Circuit for testing a memory and test method thereof

Номер патента: US11886733B2. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Circuit and method for antifuse stress test

Номер патента: US5848010A. Автор: Joseph C. Sher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-08.

Module controllers for memory devices and memory modules including the module controllers

Номер патента: US20190325982A1. Автор: Su Hae WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Test circuit and semiconductor memory system including the test circuit

Номер патента: US20220076775A1. Автор: Sung Won Choi,Jong Seok JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Signal margin test circuit of a memory

Номер патента: WO2004025664A2. Автор: Michael Jacob,Thomas Roehr,Hans-Oliver Joachim,Daisaburo Takashima,Joerg Wohlfahrt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-25.

semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits

Номер патента: US20010030901A1. Автор: Daisuke Kato,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-18.

Fuse trimming failure test circuit for CMOS circuit

Номер патента: US6774702B2. Автор: Ryohei Kimura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-10.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US7589540B2. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

RECEIVING CIRCUIT, SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE RECEIVING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR SYSTEM USING THE RECEIVING CIRCUIT

Номер патента: US20190319629A1. Автор: LEE Hyun Bae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-10-17.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, TRANSMISSION DEVICE, AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210083655A1. Автор: Iijima Hiroaki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor integrated circuit, memory controller, and memory system

Номер патента: TW202223889A. Автор: 飯島浩晃. Владелец: 日商鎧俠股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Method for controlling re-writing operation for memory cell in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equpped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the semiconductor device

Номер патента: US20020015325A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Memory test method

Номер патента: US20220138318A1. Автор: XIAOFENG Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09831003B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Device and method for repairing memory cell and memory system including the device

Номер патента: US09659669B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Ho-young Song,Cheol Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US20220416795A1. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, memory system, and frequency generation method

Номер патента: US11750202B2. Автор: Takayuki Tsukamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory module storing test pattern information, computer system comprising the same, and test method thereof

Номер патента: US20210020258A1. Автор: Jihyuk Oh,Junho Jung,Jiseok KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Embedded memory system and memory testing method

Номер патента: US20220206704A1. Автор: Yen-Pin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Bonding quality test method, bonding quality test circuit, and memory device including bonding quality test circuit

Номер патента: US20240255564A1. Автор: Sangsu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Addressable test circuit and test method for key parameters of transistors

Номер патента: US09817058B2. Автор: Weiwei Pan,Yongjun Zheng. Владелец: Semitronix Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Apparatus for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040177302A1. Автор: Teruhiko Funakura,Hisaya Mori,Hisayoshi Hanai. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240257884A1. Автор: Mikio Shiraishi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Test circuit

Номер патента: US20220283222A1. Автор: Jeong-Fa Sheu,Chen-Kuo Hwang,Mei-Chuan Lu,Wei-Chung CHO. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Correcting memory data using an error code and a memory test result

Номер патента: US11996859B1. Автор: Erez Sabbag,Itai Avron. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and control method

Номер патента: US11749358B2. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US09734893B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor integrated circuit device and system with memory cell array

Номер патента: US09368194B2. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Self testing circuit for power optimization

Номер патента: US20190195948A1. Автор: Sridhar Yadala,Ravindra Arjun Madpur,Jayanth Mysore Thimmaiah,Amandeep Kaur. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20090115442A1. Автор: Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Simultaneous bi-directional buffer including self-test circuit having function of generating input signal and self testing method of the simultaneous bi-directional buffer

Номер патента: US20040109464A1. Автор: Jung-hwan Choi,Hee-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-10.

Delay circuit, semiconductor integrated circuit device containing a delay circuit and delay method

Номер патента: US20020140484A1. Автор: Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Data latch circuit, semiconductor device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20240305279A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kiyofumi Sakurai,Eiji Kozuka,Teppei Higashitsuji,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20070288817A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor integrated circuit and a method of testing the same

Номер патента: US20060123299A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Isao Nakamura,Masahiko Kimura. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor integrated circuit and IC card

Номер патента: US20060164906A1. Автор: Toshio Yamada,Takeo Kanai,Yoshio Takazawa,Minoru Katoh,Toshihiro Araki,Shinichi Ozawa,Koudou Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12119076B2. Автор: Takayuki Miyazaki,Yuki Ishizaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20240329680A1. Автор: Takayuki Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Latch circuit, receiver circuit, semiconductor apparatus and system using the latch and receiver circuits

Номер патента: US09628056B1. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and memory system

Номер патента: US20240105252A1. Автор: Masayuki USUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190348093A1. Автор: Masashi Nakata,Yohei YASUDA,Nobuhiro Tsuji,Hiroki Ohkouchi,Shota NOTE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US11742835B2. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor integrated circuit and data read method

Номер патента: US8605505B2. Автор: Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor integrated circuit and data output method

Номер патента: US20070140021A1. Автор: Kouji Tsunetou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070183226A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20080290932A1. Автор: Masashi Horiguchi,Mitsuru Hiraki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100034040A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenjyu Shimogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240356550A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Page buffer circuit, semiconductor memory apparatus including page buffer circuit, and operating method of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US12062399B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09525422B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and semiconductor integrated system

Номер патента: US20180151247A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090102287A1. Автор: Hidenari Nakashima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

One-time programable cell circuit, semiconductor integrated circuit including the same, and data judging method thereof

Номер патента: US20110080764A1. Автор: Hiroyuki Furukawa,Isao Naritake. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

One-time programable cell circuit, semiconductor integrated circuit including the same, and data judging method thereof

Номер патента: US20130176765A1. Автор: Hiroyuki Furukawa,Isao Naritake. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor integrated circuit and an operating method thereof, a timing verifying method for a semiconductor integrated circuit and a test method of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140132334A1. Автор: Hyoun Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030053363A1. Автор: Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor integrated circuit and unstable bit detection method for the same

Номер патента: US20090168539A1. Автор: Tomonori Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060031655A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Test circuit and testing method for function testing of electronic circuits

Номер патента: US6107815A. Автор: Rudolph Walter,Wolfgang Nikutta,Thomas von der Ropp,Hartmut Schmokel,Gunther Kuchinke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-08-22.

Built-in self-test circuit and built-in self-test method for physical unclonable function quality check

Номер патента: US11782090B2. Автор: Meng-Yi Wu,Chi-Yi Shao,Kai-Hsin Chuang,Jun-Heng You. Владелец: Pufsecurity Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor integrated circuit including command decoder for receiving control signals

Номер патента: US20030160645A1. Автор: Shinichi Yamada,Satoshi Eto,Satoru Saitoh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Reference current source circuit and infrared signal processing circuit

Номер патента: US20080169861A1. Автор: Takahiro Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030145177A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Test circuit and method for semiconductor device

Номер патента: US09702931B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020158271A1. Автор: Makoto Takahashi,Kenji Numata,Toshiyuki Kouchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

On-die termination circuit, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20140028345A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Joon-Young Park,Ki-Seok OH,Yong-Cheol Bae,Yong-Gwon Jeong,Yong-Hun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110242896A1. Автор: Atsushi Nakakubo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor integrated circuit device, data processing system and memory system

Номер патента: US20070253277A1. Автор: Yuichi Okuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09761299B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09536579B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Test circuit

Номер патента: WO2002095430A3. Автор: Rodger F Schuttert,Besten Gerrit W Den,Jong Franciscus G M De,Wilde Johannes De. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-04-22.

Test circuit

Номер патента: EP1435004A2. Автор: Johannes De Wilde,Franciscus G. M. De Jong,Gerrit W. Den Besten,Rodger F. Schuttert. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-07-07.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20070214336A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5214609A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Hiroto Nakai,Nobuaki Hiraga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US9177625B2. Автор: Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6735129B2. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Test circuit and electronic device

Номер патента: US20210318376A1. Автор: Wei-Ting Chen,Po-Yuan TANG,Jian-Yuan HSIAO,Feng-Chih KUO. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Random pulse generator and memory

Номер патента: US12040801B2. Автор: Hong Ki Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Random pulse generator and memory

Номер патента: US20230402999A1. Автор: Hong Ki Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor integrated circuit with voltage limiter having different output ranges for normal operation and performing of aging tests

Номер патента: US5493572A. Автор: Hitoshi Tanaka,Ryoichi Hori,Kiyoo Itoh. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor integrated circuit, and data interface system provided with same

Номер патента: US20160091943A1. Автор: Makoto Hirano,Masahiro Takeuchi,Akihiro Suzuki,Norihiko Mizobata,Hironori Kubo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor integrated circuit, and data interface system provided with same, which provides for dynamic control of the supply voltage

Номер патента: US10089258B2. Автор: Makoto Hirano,Masahiro Takeuchi,Akihiro Suzuki,Norihiko Mizobata,Hironori Kubo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-10-02.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit device and data-write method thereof

Номер патента: US20020145927A1. Автор: Kazumi Kojima,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040032292A1. Автор: Hidehiko Yajima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor integrated circuit device having various blocks specifically arranged on a single semiconductor substrate for high speed operation

Номер патента: US5321664A. Автор: Kazuhiro Akimoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-06-14.

Integrated circuit I/O integrity and degradation monitoring

Номер патента: US11762789B2. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Shai Cohen,Inbar Weintrob,Guy REDLER. Владелец: Proteantecs Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for forming wiring pattern of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20010008312A1. Автор: Mitsuo Ito,Makoto Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor integrated circuit having enhanced acquisition of external signal

Номер патента: US20020036946A1. Автор: Yoshiyuki Ishida,Hiroyuki Sugamoto,Yasushige Ogawa,Satoshi Takashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09870831B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09865601B2. Автор: Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih,Kai-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor integrated circuit adapted to output pass/fail results of internal operations

Номер патента: US09536610B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455699B2. Автор: Yoshihiko Yasu,Hiroyuki Mizuno,Kenji Hirose,Yusuke Kanno,Takahiro Irita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Integrated circuit testing arrangement

Номер патента: US5043985A. Автор: Jing-Yuan Lin,Wen-Der Lian. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1991-08-27.

On-chip termination apparatus in semiconductor integrated circuit, and method for controlling the same

Номер патента: US20030197525A1. Автор: Seong-Jin Jang,Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20100067292A1. Автор: Takeshi Honda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor integrated circuit, storage device, and error correction method

Номер патента: US11132254B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Kazuhiko Bando. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US20160172022A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor integrated circuit device and system

Номер патента: US20170309327A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semicondutor Integrated Circuit Device and System

Номер патента: US20150228330A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor storage circuit, semiconductor storage apparatus, and data detection method

Номер патента: US20200051619A1. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor integrated circuit and memory

Номер патента: US20210398586A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semicondutor Integrated Circuit Device and System

Номер патента: US20150001633A1. Автор: Noriaki Maeda,Masao Morimoto,Yasuyuki Okuma,Masanao Yamaoka,Yasuhisa Shimazaki,Shigenobu Komatsu,Toshiaki Sano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110170362A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Device, And Optical Disc Recording Device

Номер патента: US20080094981A1. Автор: Akihiro Ota. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Microwave noise testing circuit for a disc drive

Номер патента: US20030081335A1. Автор: Housan Dakroub. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Test circuit, selector, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080005632A1. Автор: Genichiro Inoue. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Integrated circuit, semiconductor device based on intergrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US20160351583A1. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Sampling clock testing circuit and sampling clock testing method

Номер патента: US20180203060A1. Автор: Hsu-Jung Tung,Tsung-Yeh HE. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Photomask defect testing method, photomask manufacturing method and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20040086791A1. Автор: EIJI Aoki,Shinji Kobayashi,Toshiyuki Marumo,Shinji Akima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-06.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method, circuit and apparatus for testing crosstalk effect

Номер патента: US11860222B2. Автор: FAN Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit and method of testing

Номер патента: US20200321953A1. Автор: Jinn-Yeh Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Active-matrix organic light emitting diode (amoled) panel cell testing circuit and method for repairing data lines via same

Номер патента: US20200342807A1. Автор: Chao Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Logic circuit and designing method thereof, and testing method simplifies the f-max measurement of a combinational circuit

Номер патента: TWI268418B. Автор: Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-11.

Logic circuit and designing method thereof, and testing method

Номер патента: TW200500842A. Автор: Tatsuhiro Suzumura. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-01-01.

Integrated test circuit

Номер патента: US20030107392A1. Автор: Ralf Schneider,Thorsten Bucksch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-12.

INTEGRATED CIRCUIT WITH SELF-TEST CIRCUIT, METHOD FOR OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT WITH SELF-TEST CIRCUIT, MULTI-CORE PROCESSOR DEVICE AND METHOD FOR OPERATING A MULTI-CORE PROCESSOR DEVICE

Номер патента: US20210263099A1. Автор: AHRENS HEIKO,Rosenbusch Jens,Tille Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Rectifier circuit, semiconductor device using the rectifier circuit, and driving method thereof

Номер патента: US20080083969A1. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-10.

Built-in magnetic sensor with double magnetic circuits and four measuring points and testing method thereof

Номер патента: CN113125551A. Автор: 黄家辉,付传清,李欣如,叶海隆,史伟卓. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2021-07-16.

A kind of Modularized digital integrated circuit radiation effect Online Transaction Processing and test method

Номер патента: CN105911454B. Автор: 陈伟,马武英,姚志斌,何宝平,盛江坤,刘敏波,黄绍艳. Владелец: Northwest Institute of Nuclear Technology. Дата публикации: 2018-10-26.

Inter-integrated circuit bus I2C slave and I2C controller test method

Номер патента: CN112559267A. Автор: 谌浩田. Владелец: Haiguang Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-26.

HIGH FREQUENCY ATTENUATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT, CIRCUIT AND METHOD FOR ACCURATE REDUCTION OF THE AMPLITUDE OF AN INPUT SIGNAL

Номер патента: FR2647284A1. Автор: Stuart B Shacter. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1990-11-23.

A kind of encryption method of single-chip microcomputer integrated circuit, circuit and device

Номер патента: CN104272312B. Автор: 韩性峰,郑玮琨. Владелец: SHENZHEN HIGFENG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20070089014A1. Автор: Yoko Shimada,Katsuya Fujimura,Kenichiro Uda,Takashi Ishimura,Kasumi Hamaguchi,Kenichirou Higashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Monitor circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device, and method of controlling power supply voltage of semiconductor device

Номер патента: US09647654B2. Автор: Hirotaka Hara,Tadashi Kameyama,Yohei Akita,Takanobu Naruse. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Boot-Up and Memory Testing with Chipset Attached Memory

Номер патента: US20240330134A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Circuit of measuring leakage current in a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09632126B2. Автор: Kun-Yong Yoon,Jae-Jin Park,Ji-Hwan Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Section-by-section testing method for functional safety testing circuit, and electronic device and storage medium

Номер патента: EP4428545A1. Автор: CHENG Chi,Huiming Zhang,Xiaoying Chen,Jianbing Wu,Kui QIN. Владелец: VeriSilicon Microelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Memory test method, memory test apparatus, device and storage medium

Номер патента: US11860748B2. Автор: XIAOFENG Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory test method, memory test apparatus, device and storage medium

Номер патента: US20230236942A1. Автор: XIAOFENG Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: US20090273366A1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit control method, and terminal system

Номер патента: EP2053746B1. Автор: Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

Test circuit, test method and audio codec for stereo microphones

Номер патента: US11368805B2. Автор: Yi-Cheng HUANG,Tsung-Li Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Test circuit, test method and audio codec for stereo microphones

Номер патента: US20210144501A1. Автор: Yi-Cheng HUANG,Tsung-Li Yeh. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Display panel and test method thereof, display apparatus

Номер патента: US20240215422A1. Автор: Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Scan test method, integrated circuit, and scan test circuit

Номер патента: US20050097415A1. Автор: Hideki Hamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Test Circuit for Liquid Crystal Display Device, LCD Device Including Test Circuit, and Testing Method for LCD Device

Номер патента: US20090096728A1. Автор: Kazuyuki Hashimoto. Владелец: TPO Hong Kong Holding Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130207692A1. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Memory test drive

Номер патента: US20230401133A1. Автор: Jun-Gi Jang,Jong Min Park,Su Hyun Chae,Ji Yong Lee,U Kang,Sooyeon Shim,Vladimir Vladimirovich EGAY. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-14.

Circuit for efficiently testing memory and shadow logic of a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6263461B1. Автор: Ajay Khoche,Amitava Majumdar,Timothy Ayres. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2001-07-17.

Test circuit and circuit test method

Номер патента: US20050210351A1. Автор: Yoshiyuki Nakamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Test circuit for liquid crystal display device, LCD device including test circuit, and testing method for LCD device

Номер патента: US7915906B2. Автор: Kazuyuki Hashimoto. Владелец: TPO Hong Kong Holding Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Active device array and testing method

Номер патента: US20110057680A1. Автор: Chih-Ming Chang,Chun-Chieh Wu,Chih-Chang Wang. Владелец: Dongguan Masstop Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Liquid crystal panel, and testing circuit and testing method thereof

Номер патента: US09483969B2. Автор: Jinjie WANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Communication testing circuit, electronic device, receiving circuit, transmitting circuit, semiconductor integrated circuit, and wafer

Номер патента: US20110299569A1. Автор: Mitsuo Baba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080183416A1. Автор: Toshihiko Matsuoka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Self-test circuit and self-test method for comparator

Номер патента: US20190204385A1. Автор: Chih-Lung Chen,Shih-Hsiung Huang,Liang-Huan Lei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Wiring Design System of Semiconductor Integrated Circuit, Semiconductor Integrated Circuit, and Wiring Design Program

Номер патента: US20080141207A1. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and test method

Номер патента: US09927309B2. Автор: Makoto Hara,Shuuji Matsumoto,Hirosi Ootuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit having test circuit

Номер патента: US20020194564A1. Автор: Toshiyuki Tsujii,Masahiko Hyozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US11867757B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Built-in self-test circuits and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US20220187366A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Test circuit and test method

Номер патента: US20230288478A1. Автор: Po-Lin Chen,Chun-Teng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Test circuit and test method

Номер патента: US11988711B2. Автор: Po-Lin Chen,Chun-Teng Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Test circuits and semiconductor test methods

Номер патента: US20230057528A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Pll loop filter capacitor test circuit and method for on chip testing of analog leakage of a circuit

Номер патента: US20060164067A1. Автор: George Smith,James Eckhardt,Paul Muench,Alamgir Tamboli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Integrated circuit and method for automatically tuning process and temperature variations

Номер патента: US20070090870A1. Автор: Sung-Jae Jung,Sang-Yoon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Impedance calibration circuit and method thereof

Номер патента: US20050264300A1. Автор: Chia-Jun Chang,Tzung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Processing system, related integrated circuit, device and method

Номер патента: US10754723B2. Автор: Roberto Colombo,Nicolas Bernard Grossier,Roberta Vittimani. Владелец: STMicroelectronics Application GmbH. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Electronic circuit comprising a reference voltage circuit and a start check circuit

Номер патента: US20240231410A9. Автор: Nicolas Goux,Julien Goulier,Marc Joisson. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Processing system, related integrated circuit, device and method

Номер патента: US12061530B2. Автор: Roberto Colombo,Vivek Mohan Sharma. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and apparatus of testing circuit, and storage medium

Номер патента: US12078671B2. Автор: Cheng GU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Electronic apparatus test circuit

Номер патента: US20030093724A1. Автор: Takao Ogawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Self-test circuit in integrated circuit, and data processing circuit

Номер патента: US09989590B2. Автор: Shigeru Uekusa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Aging detection circuit and method thereof

Номер патента: US09606172B2. Автор: Hung-Chun Li,Yi-Ming Wang,Ting-Hao Wang,Shi-Hao Chen. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit device having test control circuit in input/output area

Номер патента: US5509019A. Автор: Takeshi Yamamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: MY115272A. Автор: Kiyoshi Imai,Seiichi Taguchi,Toshiaki Tsuji,Taku Takada. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-31.

Wiring design system of semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, and wiring design program

Номер патента: EP2437291A3. Автор: Yuuichi Nakamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2012-04-11.

In line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integerated circuit incorporating the same

Номер патента: US20070269912A1. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

In line test circuit and method for determining interconnnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100297793A1. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Circuit board structure, binding test method and display device

Номер патента: US20190116662A1. Автор: Kun Li,Tao MA,Fengzhen LV. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for designing test circuit and electronic device

Номер патента: US20240249054A1. Автор: YU HUANG,Weiwei Zhang,Naixing Wang,Pengju LI,Zezhong WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A3. Автор: Andrew Marshall,Makarand R Kulkarni. Владелец: Makarand R Kulkarni. Дата публикации: 2008-07-24.

In-line test circuit and method for determining interconnect electrical properties and integrated circuit incorporating the same

Номер патента: WO2007137070A2. Автор: Andrew Marshall,Makarand R. Kulkarni. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-11-29.

Test circuit and system

Номер патента: US20110163760A1. Автор: Eric Wade Rouse,Paul Douglas Kelley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor integrated circuit having compression circuitry for compressing test data, and the test system and method for utilizing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030110428A1. Автор: Kim Pierce,Roland Ochoa,Gregory Cowan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Test circuit, system, and method for testing one or more circuit components arranged upon a common printed circuit board

Номер патента: WO2008014129A3. Автор: Gabriel M Li. Владелец: Gabriel M Li. Дата публикации: 2008-05-08.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09880572B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit and method of testing

Номер патента: US09768762B2. Автор: Jinn-Yeh Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Design method for scan test circuit, design program for scan test circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200096570A1. Автор: Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Test substrate, test apparatus, and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240192269A1. Автор: Taisuke ICHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-test circuit for an integrated circuit, and method for operating a self-test circuit for an integrated circuit

Номер патента: US20220107364A1. Автор: Juergen Alt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Linear regulator and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200341499A1. Автор: Makoto Yasusaka,Kotaro Iwata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Test circuit, array substrate, and light-emitting display apparatus

Номер патента: US20190325796A1. Автор: Caiqin Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100241374A1. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Circuit and method for testing RF device and RF device with built-in testing circuit

Номер патента: US09964586B2. Автор: Rong-Fa Kuo,Ming-Chih PENG. Владелец: Alpha Networks Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US09772461B2. Автор: Yasuyuki Suzuki,Kenichiro Yashiki,Kazuhiko Kurata. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Built in test circuit for transient voltage suppressor devices

Номер патента: US09671453B2. Автор: James Quigley,Gary L. Hess. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor integrated circuit and its application device

Номер патента: US5677916A. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A3. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Substrate including test circuit and substrate test apparatus including the substrate

Номер патента: US20240194542A1. Автор: Junghyun Park,Heeju Seo,Yongil KWAK,Jekook LYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor integrated circuit and electronic instrument

Номер патента: EP3836200A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-16.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210265269A1. Автор: Takashi Hasegawa,Maki Shioda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor integrated circuit and method of testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210063484A1. Автор: Yuki Watanabe,Masato Nakazato,Shohei Morishima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor integrated circuit, and sensor system and vehicle including the same

Номер патента: US20180069169A1. Автор: Akihiro Ota,Yuji Kaneda,Isao Niwa,Yuzo Mizushima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor integrated circuit and design method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080141186A1. Автор: Mitsuhiro Imaizumi,Takahiro Nagatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Delay diagnosis method for semiconductor integrated circuit, computer program product for diagnosing delay of semiconductor integrated circuit and computer readable recording medium recording program thereon

Номер патента: US20030226126A1. Автор: Yoshihiro Iwai,Hirotake Tokuyama,Tatsuki Ishii,Kenji Shigeoka. Владелец: Hitachi Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Photosensitive device including an integrator circuit per group of at least two photosensitive elements

Номер патента: US12028639B2. Автор: Nicolas Moeneclaey,Samuel Foulon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Test circuit for programmable gain amplifier

Номер патента: US20090284312A1. Автор: Po-Chiang Wu,Chung-Ting Yang,Sheng-Nan Chiu,Ying-Chuan Peng,Chia-Liang Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

FCM based chiplet test circuit

Номер патента: US12099086B2. Автор: Jian Song,Yufeng Guo,Binbin Xu,Zixuan Wang,Zhikuang CAI,Henglu WANG,Jiafei YAO,Guopeng Zhou,Zushuai XIE. Владелец: Nantong Institute Of Nanjing University Of Posts And Telecommunications Co ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Test circuit for stress leakage measurements

Номер патента: US09970980B2. Автор: Emanuele Bodano. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Circuit and method for monolithic stacked integrated circuit testing

Номер патента: US09599670B2. Автор: Sandeep Kumar Goel. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor integrated circuit deciding a power-supply voltage based on a delay test

Номер патента: US8598944B2. Автор: Eiji Sawada,Tokio Tanaka,Toshiyuki Furusawa,Hiroyuki Fujioka,Satoko Kawakami,Hitoshi Nemoto,Nariyuki Fukuda,Noriyuki Moriyasu,Isao Ooigawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Circuit for testing monitoring circuit and operating method thereof

Номер патента: US11698406B2. Автор: Hyunseok Nam,Sangyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor integrated circuit, method of testing the semiconductor integrated circuit, and semiconductor substrate

Номер патента: US11774493B2. Автор: Koichi Iwao,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Test circuit and method for operating the same

Номер патента: US20240288489A1. Автор: Chia-Wei Huang,Cheng-Cheng Kuo,Yuan-Yao Chang,Wei-Jhih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device and display apparatus

Номер патента: US20090153534A1. Автор: Yasuhiro Ogata,Yasuyuki Yokota. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Scan circuit, semiconductor device, and method for testing semiconductor device

Номер патента: US20140201582A1. Автор: Kouji Miki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor storage device, and memory system

Номер патента: US20240201903A1. Автор: Kazukuni Kitagaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Isolation circuit having test mechanism and test method thereof

Номер патента: US11774497B2. Автор: Chih-Chieh Cheng,Pei-Ying Hsueh,Kuo-Kai Liu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US20130136162A1. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Full load test system of electrical power converter and the test method thereof

Номер патента: US11460516B2. Автор: Sheng-Hua Chen,Hung-Hsi Lin,Hsiao-Yu Hsu. Владелец: Ship and Ocean Industries R&D Center. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Full load test system of electrical power converter and the test method thereof

Номер патента: US20200191879A1. Автор: Sheng-Hua Chen,Hung-Hsi Lin,Hsiao-Yu Hsu. Владелец: Ship and Ocean Industries R&D Center. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160109924A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US20200381454A1. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor integrated circuit device, current control device using semiconductor integrated circuit device, and automatic transmission control device using current control device

Номер патента: US11043508B2. Автор: Yoichiro Kobayashi,Shinichirou WADA,Masato Kita. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Chip size estimating apparatus for semiconductor integrated circuit and chip size estimating method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120297350A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and program for generating layout data of a semiconductor integrated circuit and method for manufacturing a semiconductor integrated circuit with optical proximity correction

Номер патента: US20060184908A1. Автор: Fumihiro Minami,Toshiya Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor integrated circuit and electronic apparatus provided with same

Номер патента: US8774255B2. Автор: Hiroo Yamamoto,Tetsuji Gotou. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for designing semiconductor integrated circuit and program

Номер патента: US20150067630A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Jason Anderson,Hirotaka Tamura,Safeen Huda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080265934A1. Автор: Hayato Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Design method of semiconductor integrated circuit and computer readable medium

Номер патента: US20120047480A1. Автор: Hiroaki Yamaoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Test circuit and test apparatus comprising the test circuit

Номер патента: US20240337694A1. Автор: Weidong Fan,Zhongyuan Chang,Dongming Lou. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Driver chip, driver board and test method thereof, and display device

Номер патента: US09810932B2. Автор: Zhiyong Wang,Zhengxin ZHANG,Shuai Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Built-in test circuits for transient voltage protection devices

Номер патента: US09711960B2. Автор: Kenneth D. Milkie. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling power supply in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09519336B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Circuit and method for detection of IC connection failure

Номер патента: US09435842B2. Автор: Cicero Silveira Vaucher,Antonius De Graauw,Mingda Huang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-09-06.

Test circuit for semiconductor integrated logic circuit using tristate buffers allowing control circuit for tristate to be tested

Номер патента: US6028443A. Автор: Hideharu Ozaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor integrated circuit device with test circuit

Номер патента: IE53832B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-15.

Display panel test circuit and display panel

Номер патента: US20210335162A1. Автор: Qi Cao,Rui XIONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Integrated circuit with on-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266382A1. Автор: Valerio Bendotti,Gaudenzia BAGNATI,Stefano Castorina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Integrated test circuit, test assembly and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US12055587B2. Автор: Heiko Ahrens,Martin Huch,Tobias Kilian,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-06.

Security circuit and security cancellation method

Номер патента: US20060196934A1. Автор: Takeaki Moto,Kosei Fujisaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Parallel input/output self-test circuit and method

Номер патента: WO2006121882A3. Автор: Eswar Vadlamani,Gopalakrishnan Perur Krishnan,Tarjinder Singh Munday. Владелец: Tarjinder Singh Munday. Дата публикации: 2008-03-06.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Non-invasiv, low pin count test circuits and methods utilizing emulated stress conditions

Номер патента: US20090179660A1. Автор: John Laurence Melanson,Murari Kejariwal,Sherry Xiaohong Wu,Ammisetti V. Prasad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Design-for-test circuits and methods of operating the same

Номер патента: US20240295603A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Jui-che Tsai,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US09898072B2. Автор: Koji Maeda,Taizo Yamawaki,Yukinori Akamine,Hiroshi Kamizuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Test circuit and method of controlling test circuit

Номер патента: US09797949B2. Автор: Iwao Yamazaki,Osamu Moriyama,Gen OSHIYAMA,Takahiro SHIKIBU,Akihiro Chiyonobu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

System for inspecting exposure pattern data of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US4774461A. Автор: Kenichi Kobayashi,Shogo Matsui,Kunihiko Shiozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-09-27.

Semiconductor integrated circuit with a testable block

Номер патента: US5729553A. Автор: Akira Motohara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-17.

Semiconductor integrated circuit with a testable block

Номер патента: US5894482A. Автор: Akira Motohara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6597191B2. Автор: Kazuo Watanabe,Masumi Kasahara,Hirotaka Oosawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-22.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Testing integrated circuits

Номер патента: US20050088194A1. Автор: Yinon Degani,King Tai,Charley Gao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor integrated circuit and compiler

Номер патента: US9348588B2. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Reliability testing method

Номер патента: US20170074923A1. Автор: Liang-Chen Lin,Chia-Wei Tu,Shiang-Ruei SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Duty analysis system for a semiconductor integrated circuit and duty analysis method of the same

Номер патента: US20030126568A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Accelerator circuit, semiconductor device, and method for accelerating convolution calculation in convolutional neural network

Номер патента: US20240242071A1. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Xiaoyu Sun,Xiaochen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Power supply semiconductor integrated circuit and power supply device

Номер патента: US20240302854A1. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Test circuit for testing a device-under-test by using a voltage-setting unit to pull an end of the device-under-test to a predetermined voltage

Номер патента: US20170292976A1. Автор: Po-Wei Tsou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor wafer and method of concurrently testing circuits formed thereon

Номер патента: US09997423B2. Автор: Dewey Killingsworth. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Test circuit for testing a device-under-test by using a voltage-setting unit to pull an end of the device-under-test to a predetermined voltage

Номер патента: US09939463B2. Автор: Po-Wei Tsou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09742383B2. Автор: Muneaki Maeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Display panel, display device, test method and crack detection method

Номер патента: US12150369B2. Автор: Yi Zhang,Meng Zhang,Pengfei Yu,Linhong HAN,Shikai QIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor integrated circuit and DMA control method of the same

Номер патента: US09323700B2. Автор: Masatoshi Tanabata. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Processing System, Related Integrated Circuit, Device and Method

Номер патента: US20180329774A1. Автор: Roberto Colombo,Nicolas Bernard Grossier,Roberta Vittimani. Владелец: STMicroelectronics Application GmbH. Дата публикации: 2018-11-15.

Method and apparatus for measuring switching noise in integrated circuits

Номер патента: US20050283698A1. Автор: Stan Perino,Manuel Salcido,Gilbert Yoh. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Test circuit and methods for speed characterization

Номер патента: US20130093488A1. Автор: Anh Hoang,Ravi Karapatti Ramaswami,Vasu P. Ganti. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

I/o toggle test method using jtag

Номер патента: IL124556A. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-06-14.

Application-specific testing methods for programmable logic devices

Номер патента: WO2003014750A3. Автор: Jae Cho,Zhi-Min Ling,Shahin Toutounchi,Robert W Wells,Robert D Patrie,Vincent L Tong,Clay S Johnson,Shelly G Davis. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Application-specific testing methods for programmable logic devices

Номер патента: EP1415168A2. Автор: Robert D. Patrie,Robert W. Wells,Jae Cho,Zhi-Min Ling,Shahin Toutounchi,Vincent L. Tong,Clay S. Johnson,Shelly G. Davis. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Probe card for testing semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010015650A1. Автор: Masahiro Tanaka,Yoshihiro Kashiba,Shigeki Maekawa,Yoshinori Deguchi,Megumi Takemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor integrated circuit and source voltage/substrate bias control circuit

Номер патента: US7551019B2. Автор: Tetsuya Fujita,Hiroyuki Hara,Mototsugu Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor integrated circuit and contactless type information system including the same

Номер патента: EP1742172A4. Автор: Tatsumi Sumi,George Nakane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Test circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20160018445A1. Автор: Dong Uk Lee,Young Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12072375B2. Автор: Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Test circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09465058B2. Автор: Dong Uk Lee,Young Ju Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Display drive circuit, semiconductor integrated circuit, display panel, and display drive method

Номер патента: US20020135604A1. Автор: Tsuyoshi Yoneyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Test method, test circuit, test circuit building-in device, and computer program

Номер патента: US20060259655A1. Автор: Yasuhiro Nozaki,Masanori Ushikubo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Integrated circuit with off-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266381A1. Автор: Gaudenzia BAGNATI,Diego Alagna,Marzia Annovazzi,Lucia MAGGIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Core test method and core test circuit

Номер патента: US20240345941A1. Автор: Jianguo Ren,Chao-Yang Yeh,Cheng-Tien Wan,Wen-Hao Hsueh,Hung-Yu Chiou,Wei-Lien Chen,Man-Yun Su,Zemin Xu,Wei-Chuan Liu. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Liveness testing methods and apparatuses and image processing methods and apparatuses

Номер патента: US09679212B2. Автор: JaeJoon HAN,Wonjun Hwang,Sungjoo Suh,Wonjun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6119250A. Автор: Akira Matsuzawa,Hironori Akamatsu,Kazuko Nishimura,Mitsuyasu Ohta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Drive circuit and method of testing the same

Номер патента: US20020048830A1. Автор: Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Drive circuit and method of testing the same

Номер патента: US6552359B2. Автор: Jin Murayama. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-22.

Integrated circuit device having high abnormal voltage detection circuit

Номер патента: US5379175A. Автор: Satoru Masaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-01-03.

Semiconductor integrated circuit and power supply voltage control method

Номер патента: US20210311511A1. Автор: Koji Aoki,Mitsuhiro Inagaki,Eiki AOYAMA. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor integrated circuit device regarding the detection of degradation

Номер патента: US09960770B2. Автор: Jin Youp CHA,Young Sik HEO,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling power supply

Номер патента: US09645623B2. Автор: Satoshi Matsubara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Chip testing circuit and testing method thereof

Номер патента: US20210311109A1. Автор: Chen-Lung Tsai,Gene Rosenthal. Владелец: One Test Systems. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Integrated circuit testing methods using well bias modification

Номер патента: EP1595154A1. Автор: Franco Motika,Anne Gattiker,Phil Nigh,Jody Van Horn,Paul S. Zuchowski,David A. Grosch,Marc D. Knox. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Constant current circuit, timer circuit, one-shot multivibrator circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240329681A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrical power supply changeover test method, apparatus and device for nuclear power plant

Номер патента: EP4432304A1. Автор: Xu Yan,Chen Wang,Tao Jiang,YAN Zhao,Li Qiang ZHANG,Meng zi ZHU,Long GAN,Tian peng YAN. Владелец: CGN Power Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09837437B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09716106B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09557853B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09431383B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Comparator testing circuit and testing method thereof

Номер патента: US20240110977A1. Автор: Cheng-Chih Wang,Chih-Ping Lu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Chip and chip testing method

Номер патента: US11835595B2. Автор: Kai Lei,Huan LIU,Yikai Liang,Linglan Zhang,Yudan DENG,Jinfu Ye. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Testing method for a thermal contact

Номер патента: US20230324233A1. Автор: Maximilian Hofer,Helmut HAMMERSCHMIED. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Chip and chip testing method

Номер патента: US20230176141A1. Автор: Kai Lei,Huan LIU,Yikai Liang,Linglan Zhang,Yudan DENG,Jinfu Ye. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Display panel, display apparatus, testing method, and crack detection method

Номер патента: EP4016509A1. Автор: Yi Zhang,Meng Zhang,Pengfei Yu,Linhong HAN,Shikai QIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor integrated circuit wafer, semiconductor integrated circuit chip, and method of testing semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US20090251160A1. Автор: Manabu Miyazaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Semiconductor device and semiconductor device testing method

Номер патента: US20240085473A1. Автор: Tomomi Miyano. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Reliability testing method and apparatus

Номер патента: US20200088786A1. Автор: Liang-Chen Lin,Chia-Wei Tu,Shiang-Ruei SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Chip and chip test method

Номер патента: US20230176118A1. Автор: Kai Lei,Huan LIU,Yikai Liang,Linglan Zhang,Yudan DENG,Jinfu Ye. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Image display device and testing method of the same

Номер патента: US7528817B2. Автор: Takeshi Osada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-05.

Chip and chip test method

Номер патента: US12019117B2. Автор: Kai Lei,Huan LIU,Yikai Liang,Linglan Zhang,Yudan DENG,Jinfu Ye. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US9886537B2. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Circuits and methods for matching device characteristics for analog and mixed-signal designs

Номер патента: US20050132314A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Charlie Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of supporting design, computer product, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160224712A1. Автор: Kenichi Nomura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of designing semiconductor integrated circuit using test point insertion adjustable to delay time

Номер патента: US20080148209A1. Автор: Toshiyuki Maeda,Toshiharu Asaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140375379A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Panel driving circuit that generates panel test pattern and panel test method thereof

Номер патента: US20140089753A1. Автор: Won-Sik Kang,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-27.

Panel Driving Circuit That Generates Panel Test Pattern and Panel Test Method Thereof

Номер патента: US20110219278A1. Автор: Won-Sik Kang,Jae-Goo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Receiving circuit, semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US09590596B1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Arithmetic operation device, testing method

Номер патента: US20230409518A1. Автор: Yasuhiro Ikeda,Takeo Yamashita,Shinichi Nonaka,Tadanobu Toba,Atsushi Ichige,Kenichi Shimbo,Atsushi Arata. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Display device, test circuit, and test method thereof

Номер патента: US20190197930A1. Автор: SunKyung SHIN,Sojung Jung,Beom-jin Kim,Bongchoon KWAK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Phase compensation circuit, semiconductor integrated circuit having phase compensation circuit, and power supply circuit having phase compensation circuit

Номер патента: US20130134952A1. Автор: Takashi Imura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Multi-core processing circuit and test method of the same having power-stabilizing test mechanism

Номер патента: US20230376394A1. Автор: Ching-Feng Huang,Yu-Cheng Lo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Seed generating circuit, random number generating circuit, semiconductor integrated circuit, IC card, and information terminal equipment

Номер патента: US8073889B2. Автор: Shinobu Fujita,Tetsuro Iwamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-06.

Scan test method, integrated circuit, and scan test circuit

Номер патента: US7475306B2. Автор: Hideki Hamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-06.

Systems and methods for optimal trim calibrations in integrated circuits

Номер патента: WO2017106830A1. Автор: Partha Ghosh,Rubin Ajit Parekhji,Pankaj BONGALE. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2017-06-22.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: WO2021242334A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor intergrated circuit and method for controlling semiconductor intergrated circuit

Номер патента: US20080201584A1. Автор: Masahiro Tatsumi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Delay lock loop circuit, timing generator, semiconductor test device, semiconductor integrated circuit, and delay amount calibration method

Номер патента: US8058891B2. Автор: Masakatsu Suda,Takuya Hasumi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: US20210373085A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Power supply device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09614440B2. Автор: Eiji Yoshida,Yasufumi Sakai,Kazuaki Oishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Radiation detector unit with testing circuit

Номер патента: RU2538950C2. Автор: Кристоф ХЕРРМАНН,БУКЕР Роджер СТЕДМЭН,Оливер МЮЛЬХЕНС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-01-10.

Integrated-circuit module and its manufacturing process

Номер патента: RU2165660C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-04-20.

Method of and apparatus for placing and routing elements of semiconductor integrated circuit having reduced delay time

Номер патента: US5917729A. Автор: Masayuki Naganuma,Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Semiconductor integrated circuit device and test method thereof

Номер патента: US20070170425A1. Автор: Kazuhiro Tashiro,Hitoshi Izuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor integrated circuit and test method of built-in analog circuit

Номер патента: US20020026609A1. Автор: Shuji Murakami,Brian Worobey. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Test circuit and testing method

Номер патента: US11879930B2. Автор: Mitsuru Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Test circuit and testing method

Номер патента: US20230128311A1. Автор: Mitsuru Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US11698410B2. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10306099B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Optical device for measuring power of test light and optical device testing method

Номер патента: US11719598B2. Автор: Masaki Sugiyama. Владелец: Fujitsu Optical Components Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Test method of integrated circuit with random-number generation circuit and integrated circuit with random-number generation circuit

Номер патента: US20090106615A1. Автор: Hideaki Nakakita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180167531A1. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20220206062A1. Автор: Jinwoo Park,Michael Choi,Sungno Lee,Yongki LEE,Hyochul Shin,Younghyo PARK,Eunhye OH,Heejune Lee,Youngjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor integrated circuit device and testing method of the same

Номер патента: US20100148816A1. Автор: Kenji Ijitsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

I/o toggle test method using jtag

Номер патента: WO1997029382A1. Автор: L. Randall Mote, Jr.. Владелец: Ast Research, Inc.. Дата публикации: 1997-08-14.

Ring oscillator and test method

Номер патента: US20230299752A1. Автор: Anping QIU,Chan Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Test circuit with time-limited fault current for a protection device

Номер патента: AU3229299A. Автор: Ronaldus Hendrikus Maria Niehoff,Edward Stanley Limon. Владелец: Eaton Electrics BV. Дата публикации: 1999-12-09.

Test device and test method

Номер патента: US10991291B2. Автор: Yong Qiao,Xueguang HAO,Xinyin WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Failure analysis method, apparatus, and program for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8478022B2. Автор: Masafumi Nikaido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Control device and overcurrent detection and testing method for dc/dc converter and manufacturing method for control device thereof

Номер патента: US20240297574A1. Автор: Yoshiomi Shiina. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-invasive, low pin count test circuits and methods utilizing emulated stress conditions

Номер патента: WO2005001897A2. Автор: John Laurence Melanson,Murari Kejariwal,Ammisetti V. Prasad,Xiaohong Sherry Wu. Владелец: Cirrus Logic, Inc.. Дата публикации: 2005-01-06.

Non-invasive, low pin count test circuits and methods utilizing emulated stress conditions

Номер патента: EP1634322A2. Автор: John Laurence Melanson,Murari Kejariwal,Ammisetti V. Prasad,Xiaohong Sherry Wu. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Ring oscillator and test method

Номер патента: US12113535B2. Автор: Anping QIU,Chan Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Synthetic test circuit for valve performance test of HVDC

Номер патента: US09869728B2. Автор: Yong Ho Chung,Jin Hee Lee,Seung Taek Baek,Jae Hun Jung,Eui Cheol Nho. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Touch detecting circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09727164B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-08-08.

Test circuit providing different levels of concurrency among radio cores

Номер патента: US09581645B2. Автор: Rajesh Kumar Mittal,Rubin A. Parekhji,Upendra Narayan Tripathi,Adesh Sontakke. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Apparatus and method for testing circuit board interconnect integrity

Номер патента: US5416409A. Автор: Paul W. Hunter. Владелец: Ministor Peripherals International Ltd. Дата публикации: 1995-05-16.

Large scale integrated circuit equipped with a normal internal logic testing circuit and unconnected/substandard solder testing circuit

Номер патента: US5754561A. Автор: Kazuhiro Masui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-19.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US11879933B2. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Eeg impedance test circuit, method, and device

Номер патента: EP4321097A1. Автор: Zhao Li,RAN Yang,Qichao Zhao. Владелец: Kingfar International Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Thermal resistance analysis model and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180075176A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Test circuit and test method for display panels

Номер патента: US20200184866A1. Автор: Yu-Jen Chen. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor integrated circuit and test method for characteristics

Номер патента: US5004934A. Автор: Kouichi Furuta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (ic)

Номер патента: US20210270889A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Electronic circuit comprising a reference voltage circuit and a start check circuit

Номер патента: US20240134406A1. Автор: Nicolas Goux,Julien Goulier,Marc Joisson. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20170336816A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Eeg impedance test circuit, method, and device

Номер патента: US20240053385A1. Автор: Zhao Li,RAN Yang,Qichao Zhao. Владелец: Kingfar International Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Aging detection circuit and method thereof

Номер патента: US20150301107A1. Автор: Hung-Chun Li,Yi-Ming Wang,Ting-Hao Wang,Shi-Hao Chen. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (IC)

Номер патента: US11994553B2. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Light receiver circuit and light sensor array comprising a light receiver circuit

Номер патента: US20240035884A1. Автор: André Srowig,Fabian Finkeldey. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US9766640B2. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Electronic device including processor executing defect detection module, operating method of electronic device, and method for fabricating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20230214990A1. Автор: Sooryong Lee,Kyen-Hee Lee,Min-Cheol Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated test circuit, a test circuit, and a test method for performing transmission and reception processing to and from a first and a second macro block at a first frequency

Номер патента: US7310754B2. Автор: Takuya Ishida,Haruo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor integrated circuit and power supply control system provided with a plurality of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20160179111A1. Автор: Yoshinori Okajima,Kazuhisa Tanaka,Takahiro Ichinomiya,Masayuki Taniyama,Takeshi Yado,Hidemi HARAYAMA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US20180100897A1. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor integrated device and control method thereof

Номер патента: EP2302484A3. Автор: Takao Kondo,Atsushi Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20150244380A1. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20080290376A1. Автор: Junichi Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor integrated circuit with voltage drop detector

Номер патента: US20080068045A1. Автор: Yasuhiro Tokunaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Array substrate and testing method thereof

Номер патента: US12062304B2. Автор: Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Test circuit for resistor capacitor circuits

Номер патента: US8513954B2. Автор: Peng Chen,Qi-Yan Luo,Song-Lin Tong. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-20.

Method and apparatus for designing integrated circuit

Номер патента: US20120023470A1. Автор: Koichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Design method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060095875A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Ignition Resistance Test Circuit, Airbag Controller, and Airbag

Номер патента: US20230347844A1. Автор: Ruediger Karner,Xiaofei Qiu. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-02.

Test circuit for resistor capacitor circuits

Номер патента: US20120176142A1. Автор: Peng Chen,Qi-Yan Luo,Song-Lin Tong. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Channel sharing for testing circuits having non-identical cores

Номер патента: US09915702B2. Автор: YU HUANG,Janusz Rajski,Wu-Tung Cheng,Mark A. Kassab,Jay Babak Jahangiri. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Synchronous processing system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882569B2. Автор: Daisuke Kadota. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Test circuit board adapted to be used on memory slot

Номер патента: US09857425B2. Автор: Ping Song,xiao qian Li,Chang Qing Mu. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor integrated circuit having battery control function and operation method thereof

Номер патента: US09846201B2. Автор: Yoko Nakayama,Takeshi Inoue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Packaged oscillators with built-in self-test circuits that support resonator testing with reduced pin count

Номер патента: US09791503B1. Автор: James Bryan Northcutt,Bruce Edward Clark,Stephen Amar Tibbitts,Robert A. Gubser,John William Fallisgaard,Kenneth Astrof. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Peripheral test circuit of display array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09678372B2. Автор: Yanfeng Fu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Scheme for masking output of scan chains in test circuit

Номер патента: US09588179B2. Автор: Rohit Kapur,Jyotirmoy Saikia. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Test system, test method, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US12146910B2. Автор: Kazuhiko Nakahara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Test circuit for thyristor valve in HVDC system

Номер патента: US09500696B2. Автор: Yong Ho Chung,Seung Taek Baek,Teag Sun Jung,Wook Hwa LEE,Jun Bum Kwon. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and its processing allocation method

Номер патента: EP1933463A1. Автор: Tatsuya c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. TETSUKAWA,Minoru c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. OKAMOTO,Shinichi c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. MARUI. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593765B1. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida,Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Dynamic scan chain reconfiguration in an integrated circuit

Номер патента: US10317464B2. Автор: Partho Tapan Chaudhuri. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor test system, semiconductor test method, method of wiring pattern formation and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5453994A. Автор: Masahiko Yoshimoto,Kiyofumi Kawamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Hall effect device test circuit

Номер патента: CA1204161A. Автор: William J. Daley,Hendrik W. Van Husen. Владелец: GTE Automatic Electric Inc. Дата публикации: 1986-05-06.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US10001524B2. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Determining the effects of noise or crosstalk in an integrated circuit

Номер патента: GB2410802A. Автор: William Eric Corr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-10.

Method of testing an integrated circuit and testing system

Номер патента: US20240094281A1. Автор: Yun-Han Lee,Sandeep Kumar Goel,Ankita Patidar. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor integrated circuit and rotation detection device

Номер патента: US20200033400A1. Автор: Hideki Shimauchi,Akio Kamimurai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Circuit interrupter with self-test circuit and method of operating a circuit interrupter

Номер патента: US20190305541A1. Автор: Jason Kohei Arthur Okerman,Andrew William Courson. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Simulation method and device, power wire topology network, test circuit and storage medium

Номер патента: US11900038B2. Автор: FAN Xu,Tao Du. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor integrated circuit, method of testing semiconductor integrated circuit, and method of designing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100205493A1. Автор: Kuninobu Fujii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Test Circuit and Display Panel

Номер патента: US20160240120A1. Автор: Peng Du. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for testing semiconductor integrated circuit and method for verifying design rules

Номер патента: US20090265593A1. Автор: Tomoko Nobekawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Optical test circuit

Номер патента: US11815422B2. Автор: Hiroshi Fukuda,Toru Miura,Yoshiho Maeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20180275196A1. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Electronic control unit having integrated circuit element and standalone test unit for integrated circuit element

Номер патента: US20140365839A1. Автор: Susumu Tanaka,Yuki Iwagami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US20170074939A1. Автор: Kenichi Anzou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Test circuit of electronic device, electronic device including test circuit, and operating method thereof

Номер патента: US20230384369A1. Автор: Ki Hyuk SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit, a method for testing the semiconductor integrated circuit, and a semiconductor system

Номер патента: US20230096746A1. Автор: Jehyun PARK,Sungcheol PARK,Hyungil WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for testing a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020186035A1. Автор: Kazuo Aoki,Chizuru Inoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Self-test circuit in integrated circuit, and data processing circuit

Номер патента: US20170003344A1. Автор: Shigeru Uekusa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for testing a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180477A1. Автор: Kazuo Aoki,Chizuru Inoshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Processing apparatus, semiconductor integrated circuit, and status monitoring method

Номер патента: US20200302069A1. Автор: Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Optical Test Circuit

Номер патента: US20220042877A1. Автор: Hiroshi Fukuda,Toru Miura,Yoshiho Maeda. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor integrated circuit and design method thereof

Номер патента: US20170293583A1. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Motor commutation testing circuit

Номер патента: US20240044985A1. Автор: Yi-Cheng Liu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and device for predicting reliability failure rate of semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170206302A1. Автор: Yoo Hwan KIM,Sang Woo Pae,Jeong Min JO,Hye Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US9035695B2. Автор: Noriyuki Natsukawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20140077847A1. Автор: Noriyuki Natsukawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Test circuits and semiconductor test methods

Номер патента: US11988704B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Systems and methods for optimal trim calibrations in integrated circuits

Номер патента: US20170177456A1. Автор: Partha Ghosh,Rubin Ajit Parekhji,Pankaj BONGALE. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Information processing system, semiconductor integrated circuit, and information processing method

Номер патента: US20190251049A1. Автор: Satoru Okamoto,Seiji Goto,Eiichi Nimoda. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Test circuit, integrated circuit, electronic device, and method for generating the test circuit

Номер патента: EP4386396A1. Автор: Yu Zhang,Junlin Huang,Bin Deng,Haitao Fu,Changming CUI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for designing test circuit, and electronic device

Номер патента: EP4361650A1. Автор: YU HUANG,Weiwei Zhang,Naixing Wang,Pengju LI,Zezhong WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Test circuit, integrated circuit, and test method

Номер патента: US20040260992A1. Автор: Takuya Ishida,Haruo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Measurement system and testing method of testing a device under test

Номер патента: US20240142345A1. Автор: Paul Gareth Lloyd. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-02.

System and method for identifying operating temperatures and modifying of integrated circuits

Номер патента: US20160240479A1. Автор: Baozhen Li,Tad J. Wilder,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Test circuit including tap controller selectively outputting test signal based on mode and shift signals

Номер патента: US20100174958A1. Автор: Yoshiyuki Nakamura,Toshiyuki Maeda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Apparatus and method for probing multiple test circuits in wafer scribe lines

Номер патента: WO2022272032A1. Автор: Richard Wunderlich,Patrick G. Drennan,Joseph S. SPECTOR. Владелец: Ic Analytica, Llc. Дата публикации: 2022-12-29.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: SG142111A1. Автор: John G Rohrbaugh,Shad R Shepston,Jeffrey R Rearick. Владелец: Avago Technologies General Ip. Дата публикации: 2008-05-28.

Testing circuit for psva and array

Номер патента: US20130009661A1. Автор: Cheng-Hung Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Tester for in-circuit testing bed of nails fixture and testing circuit thereof

Номер патента: US20070075713A1. Автор: Jin-Peng Liu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Open Write-Head-Cable Test Method and Detector

Номер патента: US20080290863A1. Автор: Larry L. Tretter,Jacob L. Dahle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Pyro igniter circuit and testing method

Номер патента: US20210296884A1. Автор: Michael Erhart,Wolfgang Reinprecht. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit and integrated circuit testing method

Номер патента: US20240329119A1. Автор: Tsung-Yen Tsai,Yu-Chen HSIEH,Jian-Ru LIN,Yung-Tai Chen,Yen-Wei Liu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Liquid crystal display and test circuit thereof

Номер патента: US09905144B2. Автор: Yu-Hsin Ting,Chung-Lin Fu,Nan-Ying Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-27.

On-chip current test circuit

Номер патента: US09726724B2. Автор: YIN Guo,Xu Zhang,Xiuqiang Xu,Wanggen Zhang,Shayan Zhang,Yizhong Zhang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method for identifying operating temperatures and modifying of integrated circuits

Номер патента: US09625325B2. Автор: Baozhen Li,Tad J. Wilder,Jeanne P. Bickford,Nazmul Habib. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Contactless integrated-circuit card

Номер патента: RU2189633C2. Автор: Роберт РАЙНЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-09-20.

Test system for vlsi digital circuit and method of testing

Номер патента: CA1222329A. Автор: Francois J. Henley. Владелец: DATAPROBE Corp. Дата публикации: 1987-05-26.

Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers

Номер патента: CA2409435C. Автор: Brian Moore. Владелец: Scanimetrics Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Test circuits and method for integrated circuit having memory and non-memory circuits by accumulating bits of a particular logic state

Номер патента: US5590134A. Автор: Chenwei J. Yin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Test circuit and multi-chip package type semiconductor device having the test circuit

Номер патента: US20040150414A1. Автор: Kazutoshi Inoue,Mitsuya Ohie. Владелец: Mitsuya Ohie. Дата публикации: 2004-08-05.

Test circuit and method for display panel and display panel

Номер патента: US11893914B2. Автор: Guoxiao BAI. Владелец: Yungu Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20010011906A1. Автор: Yoshiro Nakata,Shinchi Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Source Driving Integrated Circuits Including an Electrostatic Discharge Circuit and Related Layout Method

Номер патента: US20140301001A1. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

High speed integrated circuit testing

Номер патента: US11789071B2. Автор: Devraj Matharampallil Rajagopal,Nitesh Mishra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for detecting perturbations in a logic circuit and logic circuit for implementing this method

Номер патента: US11879938B2. Автор: Jean-Marie Martin,Roan Hautier. Владелец: NAGRAVISION SARL. Дата публикации: 2024-01-23.

Package structure and testing method

Номер патента: US11733294B2. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Tsung-Tang TSAI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220077042A1. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Photosensitive device including an integrator circuit per group of at least two photosensitive elements

Номер патента: US20220295007A1. Автор: Nicolas Moeneclaey,Samuel Foulon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2022-09-15.

Detecting circuit and display device

Номер патента: US11043540B2. Автор: Yuan Zheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8914561B2. Автор: Masateru Nishimoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20140013133A1. Автор: Masateru Nishimoto. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Circuit for detecting crack damage of a die, method for detecting crack, and memory

Номер патента: US11804412B2. Автор: Lingling CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150077147A1. Автор: Sandeep Kumar Goel. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of testing semiconductor integrated circuits and testing board for use therein

Номер патента: US20020190743A1. Автор: Shinichi Oki,Yoshiro Nakata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Integrated circuit and display device

Номер патента: US11768255B2. Автор: Akira Morita,Shinya Ukai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Test circuit

Номер патента: US11815547B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Processing system, related integrated circuit, device and method

Номер патента: US20230314506A1. Автор: Roberto Colombo,Vivek Mohan Sharma. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatus and method for setting a precise voltage on test circuits

Номер патента: EP4360127A1. Автор: Richard Wunderlich,Patrick G. Drennan,Joseph S. SPECTOR. Владелец: Ic Analytica LLC. Дата публикации: 2024-05-01.

Ic testing methods and apparatus

Номер патента: EP1943531A1. Автор: Tom Waayers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-07-16.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: EP4336197A2. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Self-test circuit for an integrated circuit, and method for operating a self-test circuit for an integrated circuit

Номер патента: US11698413B2. Автор: Juergen Alt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-07-11.

Detection circuit and communication system

Номер патента: US20230308126A1. Автор: Toyoaki Uo. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Compressor circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20240094987A1. Автор: Byoung Gon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Package structure and testing method

Номер патента: US20230393194A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Tsung-Tang TSAI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Detecting circuit and display device

Номер патента: US20200176525A1. Автор: Yuan Zheng. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Integrated circuit package for scan testing semiconductor chip, operating method of integrated circuit package, and integrated circuit

Номер патента: US20240061040A1. Автор: Youngin PARK,Taewoong AHN,Junyeong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and device for detecting a malicious circuit on an integrated circuit

Номер патента: US20190318083A1. Автор: Jan-Peter Schat. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor Integrated Circuit, Operating Method of Semiconductor Integrated Circuit, and Debug System

Номер патента: US20140070840A1. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit, operating method of semiconductor integrated circuit, and debug system

Номер патента: US8595562B2. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-11-26.

Semiconductor integrated circuit, operating method of semiconductor integrated circuit, and debug system

Номер патента: US20110302456A1. Автор: Takashi Sato,Ken Ryu,Toshiaki Saruwatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor integrated circuit routing method and recording medium which stores routing software

Номер патента: US20060184909A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

System, method and program for designing a semiconductor integrated circuit using standard cells

Номер патента: US20060206849A1. Автор: Yuji Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of estimating wiring complexity degree in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060124968A1. Автор: Eiji Nagata,Fumihito Watanuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7143200B2. Автор: Katsuichi Tomobe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-11-28.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

Socket for connecting ball-grid-array integrated circuit device to test circuit

Номер патента: EP1751558A1. Автор: Takayuki Nagumo,Masahito Naito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Semiconductor integrated circuit provided with determination circuit

Номер патента: US6658639B2. Автор: Yoshikazu Morooka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for controlling characteristics of a semiconductor integrated by circuit X-ray bombardment

Номер патента: US4392893A. Автор: Nguyen T. Du,Akihide Asao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-07-12.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US20030158691A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Method and design system of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080066035A1. Автор: Kazuki Asao. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Systems and methods for facilitating testing of pad receivers of integrated circuits

Номер патента: US20020135391A1. Автор: Shad Shepston,John Rohrbaugh,Jeffrey Rearick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and vehicle

Номер патента: US20240201250A1. Автор: Yuji Kaneda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Testable integrated circuit and test method

Номер патента: EP2191285A1. Автор: Laurent Souef,Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-02.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100327962A1. Автор: Dong Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for compressing semiconductor integrated circuit, using design region divided into plural blocks

Номер патента: US20050015735A1. Автор: Naoyuki Tamura,Takayuki Kamei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Multi-layer semiconductor integrated circuits enabling stabilizing photolithography process parameters, the photomask being used, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20040087181A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Kuang-Wen Liu,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Design method of semiconductor integrated circuit device, a program, and the support method of measurement evaluation

Номер патента: US20070079263A1. Автор: Yasuyoshi Noguchi,Kei Mohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Design structure of an integration circuit and test method of the integrated circuit

Номер патента: US20090132973A1. Автор: Toshihiko Yokota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20170262226A1. Автор: Masanao Yamaoka,Chihiro Yoshimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240332289A1. Автор: Tatsuro Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Test circuit, array substrate, and display panel

Номер патента: US12062305B2. Автор: Guangyao LI,Dongfang Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated photonic-mirror test circuit

Номер патента: US09841347B2. Автор: Xuezhe Zheng,Jock T. Bovington. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Individually coloring separated cell blocks in layout of integrated circuits

Номер патента: US09779198B2. Автор: Jiyoung JUNG,Jintae Kim,Ha-young Kim,Jaeseok Yang,Donggyun Kim,Chunghee Kim,Daekwon Kang,Sungkeun Park,Younggook Park,Myungsoo Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Scheme for masking output of scan chains in test circuit

Номер патента: US09417287B2. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Jyotirmoy Saikia,Anshuman Chandra,Subramanian B. Chebiyam. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Distributed safety monitoring with safety circuit and method for testing of such system

Номер патента: RU2503966C2. Автор: Мике БАРТ. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2014-01-10.

Card with built-in integrated circuit and its manufacturing process

Номер патента: RU2170457C2. Автор: Манфред Фрис,Тис Янчек. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-07-10.

Semiconductor integrated circuit, radio frequency identification transponder, and non-cotact IC card

Номер патента: US20030183699A1. Автор: Shoichi Masui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Device for testing construction materials for crushing, and test method of crushing

Номер патента: RU2618489C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Владимир Сергеевич Ерасов,Андрей Викторович Лавров,Евгений Игоревич Орешко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2017-05-03.

Semiconductor integrated circuit and layout apparatus in which guard-ring is interposed between input-output circuits

Номер патента: US6078085A. Автор: Hajime Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor integrated circuit device operated with an applied voltage lower than required by its clock oscillator

Номер патента: US5126695A. Автор: Sachiyuki Abe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-06-30.

Semiconductor integrated circuit with circuits for generating stable reference potential

Номер патента: US5223744A. Автор: Kenji Anami,Shigeki Ohbayashi,Atsushi Ohba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-06-29.

Method for detecting stochastic weak points of layout pattern of semiconductor integrated circuit and computer system performing the same

Номер патента: US20220207227A1. Автор: Seungjin LEE,Yunkyoung Song,Dawoon Choi,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Through-silicon via (tsv) test circuit, tsv test method and integrated circuits (ic) chip

Номер патента: US20210074680A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150355277A1. Автор: Sandeep Kumar Goel,Ashok Mehta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Test circuit having scan warm-up

Номер патента: US20140149813A1. Автор: Grady L. Giles,James A. Wingfield,Atchyuth K. Gorti. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Testing method of a semiconductor device

Номер патента: US11327107B2. Автор: Juhyun Kim,Deokhan Bae,Juhun PARK,Myungyoon Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US8248099B2. Автор: Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor integrated circuit and circuit operation method

Номер патента: US20100301893A1. Автор: Kazuo Otsuga,Yusuke Kanno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor integrated circuit and pattern layouting method for the same

Номер патента: US20140035108A1. Автор: Kazuya Kamon. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor integrated circuit and abnormal oscillation detection method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8248169B2. Автор: Masanori Honda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7945829B2. Автор: Hideo Ito,Kazuteru Nanba. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2011-05-17.

Method of verifying semiconductor integrated circuit and design program

Номер патента: US7979821B2. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Semiconductor integrated circuit and electronic equipment

Номер патента: US7565473B2. Автор: Satoshi Takahashi,Yoshihiro Tabira. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-21.

Layout data generation equipment of semiconductor integrated circuit, data generation method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080141196A1. Автор: Kazuhiro Yamada,Kiminobu Suzuki,Shigeo Ohshima,Takamichi Arizono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-12.

Single event upset test circuit and methodology

Номер патента: EP2067049A2. Автор: Sung Soo Chung. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11099600B2. Автор: Kazuo Kumano,Yuya Kawaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Embedded Test Circuit For Testing Integrated Circuits At The Die Level

Номер патента: US20080270951A1. Автор: Robert Mcmahon,Troy Perry,Darren Anand,Nazmul Habib. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Test circuit and method for processing a test routine

Номер патента: US20140164832A1. Автор: Bernhard Moessler,Achim Osterloh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20020101249A1. Автор: Hirotaka Shimoda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of producing integrated circuit semiconductor device and integrated circuit semiconductor device produced thereby

Номер патента: JPS59181564A. Автор: タルサイム・ラル・バトラ. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON INTERGRATED CIRCUIT, AND STANDARD CELL LIBRARY

Номер патента: US20160351583A1. Автор: Park Sun-Young,BAEK Sang-hoon,OH Sang-Kyu,LEE Seung-Young,DO Jung-ho,WON Hyo-Sig. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-12-01.

Transistor output circuit, semiconductor device including transistor output circuit, and switching electric power unit having transistor output circuit

Номер патента: US6801065B2. Автор: Taichi Hoshino,Ryouma Matsuo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-10-05.

Apparatus and method for testing semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020108080A1. Автор: Shinji Yamada,Teruhiko Funakura,Hisaya Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: EP1145442A2. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Test circuit for integrated analog-to-digital converters

Номер патента: WO2001029970A3. Автор: Jean-Yves Michel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Test system and test method

Номер патента: US20230224050A1. Автор: Brian Glover. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit device, and motor-drive control system

Номер патента: US20210091691A1. Автор: Hideki Kimura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor integrated circuit and test method thereof

Номер патента: US09602384B2. Автор: Fumitoshi Hatori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Oscillator circuit, semiconductor integrated circuit device and method for frequency correction of oscillator circuit

Номер патента: US11863185B2. Автор: Yong Sung Ahn. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Module with semiconductor integrated circuits and its manufacturing process

Номер патента: RU2169962C2. Автор: Минг-Тунг ШЕН. Владелец: Минг-Тунг ШЕН. Дата публикации: 2001-06-27.

Integrated circuit with test circuit

Номер патента: US09646954B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yu-Wen Liu,Shih-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US20140070975A1. Автор: Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20120049292A1. Автор: Yuuichi Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US09853606B2. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Heater chip test circuit and methods for using the same

Номер патента: US20070040862A1. Автор: Robert E. Miller,David G. King,George K. Parish,Steven W. Bergstedt,John G. Edelen,Paul W. Graf,Kristi M. Rowe. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2007-02-22.

Heater chip test circuit and methods for using the same

Номер патента: EP1924442A2. Автор: David G. King,George K. Parish,Steven W. Bergstedt,John G. Edelen,Paul W. Graf,Kristi M. Rowe,Robert E. Miller, Jr.. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2008-05-28.

Heater chip test circuit and methods for using the same

Номер патента: WO2007024794A2. Автор: David G. King,George K. Parish,Steven W. Bergstedt,John G. Edelen,Paul W. Graf,Kristi M. Rowe,Robert E. Miller, Jr.. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor integrated circuit and television

Номер патента: US20120072712A1. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit for radio communication

Номер патента: US20070190961A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube,Akio Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Ordered array of integrated circuit semiconductor charge transfer device feedback delay type of stabilized phase-locked recursive oscillators

Номер патента: US4040728A. Автор: Harold Seidel. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1977-08-09.

Semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20100225396A1. Автор: Ryota Terauchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170201697A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20160087617A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor integrated circuit device, motor system and vehicle

Номер патента: US20240258945A1. Автор: Yoshinori Oka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040113224A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit, apparatus including semiconductor integrated circuit, and method for controlling clock signal in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09419599B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

REMEDY FOR IMPROVEMENT OF COGNITIVE FUNCTIONS AND MEMORY BASED ON HYDRATED PYRIDO (4,3-b) INDOLES (VERSIONS), PHARMACOLOGICAL REMEDY BASED THEREON AND METHOD OF APPLICATION THEREOF

Номер патента: RU2334514C1. Автор: Сергей Олегович Бачурин,Николай Серафимович Зефиров,Богдан Константинович Безноско,Владимир Викторович Григорьев,Светлана Ивановна Гаврилова. Владелец: Институт физиологически активных веществ Российской Академии наук. Дата публикации: 2008-09-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

I/O interface circuit, semiconductor chip and semiconductor system

Номер патента: US20010040471A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20200266779A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Amplifier and receiving circuit, semiconductor apparatus, and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220094314A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020005742A1. Автор: Tatsumi Yamauchi,Kazuharu Kuchimachi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor integrated circuit and receiver device

Номер патента: US20240313769A1. Автор: Huy Cu NGO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated test circuit and method for manufacturing an integrated test circuit

Номер патента: US20140209904A1. Автор: Marko Lemke,Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240146300A1. Автор: Kohei Sakurai,Yoichi Takano. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor integrated circuit with radiation resistance

Номер патента: US20210021266A1. Автор: Youichi Satou,Masazumi Shiochi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor integrated circuit and a semiconductor device

Номер патента: US7345340B2. Автор: Akihiro Tamura,Toshio Nagasawa,Mitsuharu Hitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor integrated circuit and high frequency antenna switch

Номер патента: US09685944B1. Автор: Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit and electronic device

Номер патента: US09621159B2. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09455711B2. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit and communication device for logic input-state control during and following power-up

Номер патента: US20030107416A1. Автор: Richard Boucher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor integrated circuit and high frequency module with the same

Номер патента: US20120229192A1. Автор: TAKASHI Ogawa,Shinichiro Takatani,Yasushi Shigeno,Kaoru Katoh,Shigeki Koya,Akishige Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor integrated circuit having an on-chip pll and operating method thereof

Номер патента: US20120242384A1. Автор: Takahiro Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US20010025365A1. Автор: Sumio Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Memory embedded semiconductor integrated circuit and a method for designing the same

Номер патента: US20010044923A1. Автор: Toshio Kobayashi,Naoshi Ikeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US20030214587A1. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor integrated circuit and radio communication apparatus

Номер патента: US20110227656A1. Автор: Yuji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method thereof

Номер патента: US7106362B2. Автор: Kenichi Nakajima,Hideo Imaizumi,Takuji Kato. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor integrated circuit and image capturing apparatus

Номер патента: US09986185B2. Автор: Tohru Kanno,Yuuya Miyoshi,Sho KAMEZAWA. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09691806B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US09627432B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020186067A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040145021A1. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor integrated circuit and system

Номер патента: US20020053725A1. Автор: Hiroshi Kimura,Hiroshi Shimomura,Jyoji Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6687107B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7009830B2. Автор: Isao Yamamoto,Koichi Miyanaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09871503B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor integrated circuit, latch circuit, and flip-flop circuit

Номер патента: US09755622B2. Автор: Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor integrated circuit, authentication system, and authentication method

Номер патента: US09729324B2. Автор: Masahiko Takenaka,Dai Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor integrated circuit and image sensor

Номер патента: US09531977B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi,Fumihiko Tachibana,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US9269707B2. Автор: Kunihiko Kato,Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-02-23.

Dynamic semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020180485A1. Автор: Masaya Sumita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09882571B2. Автор: Kenichi Nomura,Hiroyuki Homma,Ryusuke Obara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Ad converter device, semiconductor integrated circuit device, and designing method of ad converter device

Номер патента: US20240243752A1. Автор: Minori Yoshida. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Termination circuit, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20110128098A1. Автор: Hiroshi Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Differential amplifier circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12113494B2. Автор: Hideki Kano,Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Electrostatic protection circuit and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09991698B2. Автор: Masuhide Ikeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor Integrated Circuit and Fabricating the Same

Номер патента: US20140203434A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Reset detection circuit in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070210834A1. Автор: Akira Suzuki,Hideaki Ishihara,Yasuyuki Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor storage device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1494288A2. Автор: Takashi Intell. Prop. Div. Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050007827A1. Автор: Hiroshi Seki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090127606A1. Автор: Koichi Kinoshita,Natsuki Kushiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor integrated circuit and signal processing device

Номер патента: US20230308319A1. Автор: Mitsuyuki ASHIDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Oscillation circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240333214A1. Автор: Kenichi Motoki,Nozomu KOJA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09478543B2. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Layout design method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100123252A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Control circuit, semiconductor device, and constant voltage output method

Номер патента: US20160268953A1. Автор: Takashi Kamishinbara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09818715B2. Автор: Jun Yamada,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Post-silicon tuning in voltage control of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09564896B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Nitesh Katta,Jerry Chang-Jui Kao,Chien-Ju Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit, self-test method for the integrated circuit, and optical disc apparatus including the integrated circuit

Номер патента: US20080030386A1. Автор: Takayuki Mori,Hideyuki Yamakawa,Yukiyasu Tatsuzawa,Takahiro Nango. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Microelectrode element, microfluidic wafer, and microfluidic test method

Номер патента: EP4310172A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yun-Sheng Chan. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor integrated circuit and electronic circuit

Номер патента: US20090128210A1. Автор: Takuji Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Operational comparator, differential output circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090153199A1. Автор: Shinichiro Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Compact transceiver on a multi-level integrated circuit

Номер патента: US10593470B1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2020-03-17.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Multilayer semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09978717B2. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: Thruchip Japan Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Radio communication device and semiconductor integrated circuit device used for the same

Номер патента: US09826538B2. Автор: Yoshinori Shigeta,Yoshimitsu Shimojo,Toshiki Kizu,Yasuro Shobatake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming a fixed distribution of induced magnetic field in a magnetic structure formed in an integrated circuit, and an integrated circuit comprising a magnetic structure

Номер патента: RU2723233C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Евгений Викторович Данилкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2020-06-09.

Integrated circuit composite housing and its application method

Номер патента: RU2617559C2. Автор: Евгений Валерьевич Иванов,Андрей Александрович Краснов,Георгий Борисович Шарков,Надежда Владимировна Тихомирова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс". Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Electrostatic protection devices for protecting semiconductor integrated circuitry

Номер патента: US5744840A. Автор: Kwok Kwok Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-04-28.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US9503665B2. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor integrated circuit and image sensor circuit

Номер патента: US20150155879A1. Автор: Makoto Morimoto,Jun Deguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor integrated circuit that stops power supply to at least a storage area of a first SRAM in a power-saving mode, and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US10027906B2. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP1990835A3. Автор: Fuminori Hashimoto. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090146693A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Information processing apparatus with semiconductor integrated circuit capable of reducing amount of radiation noise and control method therefor

Номер патента: US20160233857A1. Автор: Tadashi Kawaguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Integrated circuit with laminated magnetic core inductor and magnetic flux closure layer

Номер патента: US12048097B2. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: FERRIC INC.. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6559718B2. Автор: Ryotaro Kudo,Jin Kiong Ang,Shin Chiba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor integrated circuit device, method for manufacturing the same, and logical circuit

Номер патента: US5747847A. Автор: Koichiro Mashiko,Kimio Ueda,Hiroyuki Morinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Integrated circuit with independently powered processors booted sequentially, while sharing a common memory unit for loading programs onto processors after booting

Номер патента: US8601251B2. Автор: Hisami Matsui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110043292A1. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8076957B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7843227B2. Автор: Masanori Isoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for semiconductor integrated circuit fabrication and a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20050006709A1. Автор: Takeshi Takagi,Akira Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-13.

Integrated Circuit with Laminated Magnetic Core Inductor and Magnetic Flux Closure Layer

Номер патента: US20180295726A1. Автор: Noah STURCKEN,Michael Lekas,Ryan DAVIES. Владелец: Ferric Inc USA. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100033235A1. Автор: Masahiro Nomura,Yoshifumi Ikenaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040124463A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Interconnection of semiconductor devices in extreme environment microelectronic integrated circuit chips

Номер патента: US09978686B1. Автор: Philip G. Neudeck,David J. Spry. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods for producing integrated circuits with interposers and integrated circuits produced from such methods

Номер патента: US09799571B2. Автор: Juan Boon Tan,Shunqiang Gong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09679916B2. Автор: Masahiro Sato,Dwi Antono Danardono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Voltage control of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US09509301B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Jerry Chang-Jui Kao,Chou-Kun LIN,Chien-Ju Chao,King-Ho Tam. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6838320B2. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Advanced Moisture Resistant Structure of Compound Semiconductor Integrated Circuits

Номер патента: US20170330843A1. Автор: Chang Hwang Hua,Winson Shao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20160043720A1. Автор: NA Li,Yoshihiro Hayashi,Hiroyasu Yoshizawa,Shunsuke Kubota,Tatsuya Odawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor integrated circuit and wireless transmitter

Номер патента: US20160211806A1. Автор: Shoichi Masui,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit semiconductor element having heterogeneous gate structures and method of fabricating integrated circuit semiconductor element

Номер патента: US20230093897A1. Автор: Kyungsoo Kim,Kyenhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming submicron contacts and vias in an integrated circuit

Номер патента: US6033980A. Автор: Fu-Tai Liou,Mehdi Zamanian. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-07.

Heater chip test circuit and methods for using the same

Номер патента: WO2007024794A3. Автор: David G King,George K Parish,Steven W Bergstedt,Paul W Graf,Kristi M Rowe,John G Edelen,Robert E Miller Jr. Владелец: Robert E Miller Jr. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20090095884A1. Автор: Toshio Mochizuki,Takanobu Ambo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Integrated circuit, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230299052A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220077050A1. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Electronic apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11887922B2. Автор: Katsuo TAKEUCHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor integrated circuit and imaging device

Номер патента: US11350050B2. Автор: Naohiko Kimizuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

Boundary scheme for semiconductor integrated circuit and method for forming an integrated circuit

Номер патента: US20210202528A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Sram device and 3d semiconductor integrated circuit thereof

Номер патента: US20230337443A1. Автор: Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Sang-Yeop BAECK,Dae Young Moon,Ho Young TANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor integrated circuit and control method thereof

Номер патента: US20180374840A1. Автор: Daisuke Nakagawa,Katsuhiko Fukasaku. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor integrated circuit and control method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20180302577A1. Автор: Hiroaki Niitsuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070286316A1. Автор: Shigekiyo Akutsu. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor integrated circuit and its fabrication method

Номер патента: US20020070760A1. Автор: Kazutaka Mori,Masato Hamamoto,Michiaki Nakayama,Satoru Isomura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180049323A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20170354038A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6703955B2. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100127334A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200328203A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Variable-output-characteristic semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030197634A1. Автор: Kenji Otani,Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit device having encapsulation film and method of fabricating the same

Номер патента: US20160190439A1. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Sang Chul Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6081012A. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20030006498A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor integrated circuit device for preventing warping of an insulating film therein

Номер патента: US7081681B2. Автор: Takehiro Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-25.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070176674A1. Автор: Tomoki Shioda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010017426A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Shinji Suminoe,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor integrated circuit having efficient layout of wiring lines

Номер патента: US6020612A. Автор: Hiromi Kanda,Toshiya Uchida,Takahiro Sawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Methods of fabricating different thickness silicon-germanium layers on semiconductor integrated circuit devices and semiconductor integrated circuit devices fabricated thereby

Номер патента: US8207033B2. Автор: Ho Lee,Myung-sun Kim,Hwa-Sung Rhee,Ji-Hye Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-26.

Protective envelope for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593665B2. Автор: Roberto Tiziani,Marzio Terzoli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor integrated circuit with TSV bumps

Номер патента: US8994110B2. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20140145266A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Chromium refractory metal alloys conductors for use in high temperature integrated circuits

Номер патента: WO1997030476A1. Автор: George Gabriel Goetz,Warren Michael Dawson. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

Semiconductor integrated circuit device and pulse width changing circuit

Номер патента: US20020140459A1. Автор: Satoshi Eto,Kuninori Kawabata,Haruki Toda,Kenji Tsuchida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US20050002153A1. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070298562A1. Автор: Naoto Fujishima,C.Andre Salama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US20020013033A1. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor integrated circuit device including electrostatic discharge protection circuit

Номер патента: US20240170477A1. Автор: Ho Sang LEE,Chang Hwi LEE,Dong Ju LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: US6841864B2. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor integrated circuit device, mounting board, and device and board assembly

Номер патента: EP1274127A3. Автор: Takeshi Hirayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor integrated circuit with tsv bumps

Номер патента: US20150145053A1. Автор: Kenichi Ishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor integrated circuit having an integrated resistance region

Номер патента: US6639300B2. Автор: Jun Wada. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-28.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09972625B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Keisuke Uemura,Hirofumi Harada,Hideo Yoshino,Shinjiro Kato. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09960739B2. Автор: Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit device, printed board and manufacturing method of the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09839130B1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Special mode activation circuit for selectively activating a special mode circuit of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5118968A. Автор: Kurt P. Douglas,Wen-Foo Chern,Vijaya B. Wickremarachchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-06-02.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20220085008A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Integrated circuit manufacturing method and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120110535A1. Автор: Tokuzo Kiyohara,Masayoshi Tojima,Daisuke Iwahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Integrated circuit, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200126952A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190378833A1. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor integrated circuit and method of operating semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130194010A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor integrated circuit and methodology for making same

Номер патента: US11799268B2. Автор: Geoff W. Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor integrated circuit device having an electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11929362B2. Автор: Joung Cheul CHOI,Jae Young YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Printhead Integrated Circuit With Open Actuator Test

Номер патента: US20100053255A1. Автор: John Robert Sheahan,Mark Jackson Pulver,Brian Christopher Morahan,Alireza Moini,Timothy Peter Gillespie,Michael John Webb,Marcelle Louisa Gannon,Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor integrated circuit and adjustment method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200287531A1. Автор: Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

OSCILLATOR CIRCUIT, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE OSCILLATOR CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THE OSCILLATOR CIRCUIT

Номер патента: JP3742345B2. Автор: 和樹小川,悟川本. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-01.

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Radiation shielding of integrated circuits and multi-chip modules in ceramic and metal packages

Номер патента: WO1996022669B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-10-31.

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты