Structure and method of forming a pad structure having enhanced reliability
Номер патента: US9911707B2
Опубликовано: 06-03-2018
Автор(ы): Hsien-Wei Chen, Ying-Ju Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-03-2018
Автор(ы): Hsien-Wei Chen, Ying-Ju Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Structure and formation method of semiconductor device with magnetic element
Номер патента: US20200075448A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.