Method of Producing a Semiconductor Package .

Method of Producing a Semiconductor Package

Номер патента: US20080061414A1
Опубликовано: 13-03-2008
Автор(ы): Anthony Sun, Danny Retuta, Hien Boon Tan, Mary Annie Cheong
Принадлежит: United Test and Assembly Center Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US20050006737A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of producing a semiconductor package

Номер патента: US09842792B2. Автор: Danny Retuta,Mary Annie Cheong,Hien Boon Tan,Anthony Yi Sheng Sun. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US20030203539A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US7622332B2. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Unisem (Mauritius) Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US6812552B2. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2004-11-02.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: WO2008057770A3. Автор: Guirit Lynn Simporios,Anang Subagio,Antonio Romarico Santos San,Mary Jean Ramos. Владелец: Unisem Sunnyvale Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: WO2008057770A9. Автор: Guirit Lynn Simporios,Anang Subagio,Antonio Romarico Santos San,Mary Jean Ramos. Владелец: Unisem Sunnyvale Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Leadframe enhancement and method of producing a multi-row semiconductor package

Номер патента: US20070246810A1. Автор: Anthony Sun,Danny Retuta,Hien Tan,Susanto TANARY,Soon Tan. Владелец: United Test and Assembly Center Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Leadframe enhancement and method of producing a multi-row semiconductor package

Номер патента: US7476569B2. Автор: Hien Boon Tan,Anthony Yi Sheng Sun,Susanto TANARY,Danny Vallejo Retuta,Soon Huat James Tan. Владелец: United Test and Assembly Center Ltd. Дата публикации: 2009-01-13.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of making multilevel metallized ceramic bodies for semiconductor packages

Номер патента: US3520054A. Автор: Gary Hillman,Harvey M Pensack. Владелец: MITRONICS Inc. Дата публикации: 1970-07-14.

Semiconductor package having wettable lead flank and method of making the same

Номер патента: US11581195B2. Автор: FENG Ye,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Lei Fukuda,Adrian Chee Heong Koh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Semiconductor package having wettable lead flank and method of making the same

Номер патента: US20220199425A1. Автор: FENG Ye,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Lei Fukuda,Adrian Chee Heong Koh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor package having routing traces therein

Номер патента: US09564387B2. Автор: Rui Huang,Saravuth Sirinorakul,Antonio Bambalan Dimaano, JR.. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Lead frame-based semiconductor package

Номер патента: US20220068773A1. Автор: Thorsten Scharf,Wolfgang Hetzel,Swee Kah Lee,Stefan Macheiner,Chan Lam Cha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor package substrate, semiconductor package including the same, and method of manufacturing the semiconductor package substrate

Номер патента: US20230317574A1. Автор: Jinwoo Lee,Suyoen SON,Hosang Yu,Jinseop JANG. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor package having wettable lead flanks and tie bars and method of making the same

Номер патента: US20230420340A1. Автор: Madhur Bobde,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Xiaoguang Zeng. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20090305466A1. Автор: Ji-Yong Lee,Kwang-wook Choi. Владелец: Col Tech Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor packages with wettable flanks and related methods

Номер патента: US20240266264A1. Автор: Swee Har KHOR,Hui Min LER,Ziming Chang,Kok Yang Lau,Heng Giap Ong. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: TW200503117A. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Tech Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: HK1087838A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Unisem Mauritius Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-10-20.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: CN1650410A. Автор: S·伊斯兰,R·S·圣安东尼奥. Владелец: Advanced Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Semiconductor package apparatus

Номер патента: US20090032916A1. Автор: Sang-Wook Park,Dong-Kil Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame

Номер патента: US9673138B2. Автор: Zhou CAO. Владелец: Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame

Номер патента: US09673138B2. Автор: Zhou CAO. Владелец: Great Team Backend Foundry Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor packages and related methods

Номер патента: US09899349B2. Автор: Phillip Celaya,Robert L. Marquis,Darrell Truhitte,James P Letterman, Jr.. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

A semiconductor package assembly and a method of manufacturing such semiconductor package assembly

Номер патента: EP4290573A1. Автор: Zhou Zhou,Matthew Anthony,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor package assembly and a method of manufacturing such semiconductor package assembly

Номер патента: US20230402351A1. Автор: Zhou Zhou,Matthew Anthony,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Thermally enhanced leadless semiconductor package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20190051585A1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Nataporn Charusabha,Roel Adeva ROBLES,Preecha JOYMAK,Antonio Bambalan DIMAANO JR.. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09922843B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor packages and modules with integrated ferrite material

Номер патента: US09852928B2. Автор: Charles Low Khai Yen,Daryl Quake Chin Wern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09917038B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor package with multiple molding routing layers and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09805955B1. Автор: Saravuth Sirinorakul,Suebphong Yenrudee. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a package-on-package type semiconductor package

Номер патента: US09741701B2. Автор: Dong Jin Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Ji Hun Lee,Joon Dong Kim,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20230187432A1. Автор: Dong Jin Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Ji Hun Lee,Joon Dong Kim,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor package with riveting structure between two rings and method for forming the same

Номер патента: US20230326881A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chien Hung Chen,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20210175222A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20170373051A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Taped lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: AU2003267803A8. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio,Lenny Christina Gultom. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2004-04-19.

Semiconductor package structures and methods of manufacture

Номер патента: US20230317576A1. Автор: Dennis Lee Conner,Jay A. Yoder,Stephen St. Germain,Frank Robert CERVANTES,Andrew Celaya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of Manufacturing a Semiconductor Package, Such Semiconductor Package as well as an Electronic System Comprising a PCB Element and at Least Such Semiconductor Package

Номер патента: US20240120247A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Wai Man Wong,Regnerus Hermannus POELMA,Jannik Entringer,Yuet Keung Cheung,Chun Ning Chan. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Chip-embedded printed circuit board and semiconductor package using the PCB, and manufacturing method of the PCB

Номер патента: US09392698B2. Автор: Suk Chang HONG,Sang Kab PARK,Kwang Seop Youm,Jung Soo Byun. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09589906B2. Автор: Daesung Lee,Chulhyun Park,Ingyu Han. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Circuit board, semiconductor package having the board, and methods of fabricating the circuit board and the semiconductor package

Номер патента: KR100891334B1. Автор: 이종주,허순용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-31.

Circuit board, semiconductor package having the board, and methods of fabricating the circuit board and the semiconductor package

Номер патента: US20080289177A1. Автор: Jong-Joo Lee,Soon-Yong Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-27.

A lead frame, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device carrying the lead frame

Номер патента: TWI408789B. Автор: Masao Sakuma,Akihiro Kubota,Tatsuya Meguro,Tomoaki Ishigaki,Norio Ojima,Yoshihito Takamatsu,Emiko Sugimoto. Владелец: Shiima Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-11.

Semiconductor package having an electrically insulating core with exposed glass fibres

Номер патента: US20240332099A1. Автор: Petteri Palm,Eung San Cho,Tomasz Naeve. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing semiconductor package substrate with limited use of film resist and semiconductor package substrate manufactured using the same

Номер патента: US09460986B2. Автор: Sung Il Kang,In Seob BAE,Min Seok JIN. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09418943B2. Автор: Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Method to connect power terminal to substrate within semiconductor package

Номер патента: EP4451315A1. Автор: Thomas Spann,Elaheh Arjmand. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method to connect power terminal to substrate within semiconductor package

Номер патента: US20240355718A1. Автор: Thomas Spann,Elaheh Arjmand. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09899308B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09607939B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359362A1. Автор: wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234165A9. Автор: Jiyoung LEE,Junhyeong PARK,Jieun Park,Jihye SHIM,Yuseon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240136201A1. Автор: Jiyoung LEE,Junhyeong PARK,Jieun Park,Jihye SHIM,Yuseon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for forming semiconductor package structure

Номер патента: US20240258193A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343674A1. Автор: Jeffrey Wang,Kun-Yung Huang,Jen-I Huang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor package including a high voltage semiconductor die and a gate driver semiconductor die, and method of producing the semiconductor package

Номер патента: US20240203836A1. Автор: Mark Pavier,Hugh Richard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package with molded heat dissipation plate

Номер патента: EP4362070A1. Автор: Man Kyo Jong,Joon Seo Son. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Power semiconductor package device having locking mechanism, and preparation method thereof

Номер патента: US09786583B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue,De Mei Gong. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging with dynamic via clipping

Номер патента: US09978655B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Craig Bishop. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Substrate structure, semiconductor package device, and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US09723717B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor packaging structure and forming method therefor

Номер патента: US09515010B2. Автор: Xin Xia,Guohua Gao,Wanchun Ding. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343613A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148914A1. Автор: Chang Sup Song,Young Mi RYU. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12094794B2. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing molded semiconductor packages having an optical inspection feature

Номер патента: US09806043B2. Автор: MUHAMMAD Muhammat Sanusi,Swee Kah Lee,Soon Lock Goh,Mei Chin Ng,Fong Mei Lum,Hock Heng Chong,Aileen Manantan Soriano. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor Packaging and Fabrication Method Using Connecting Plate for Internal Connection

Номер патента: US20110221008A1. Автор: Kai Liu,Jun Lu,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor Packaging Method Using Connecting Plate for Internal Connection

Номер патента: US20140080263A1. Автор: Kai Liu,Jun Lu,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor component, semiconductor-mounted product including the component, and method of producing the product

Номер патента: US09925612B2. Автор: Yasuo Fukuhara,Atsushi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor packages and related methods

Номер патента: US20210134606A1. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Liangbiao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor packages and related methods

Номер патента: US12062549B2. Автор: Yong Liu,Yusheng Lin,Liangbiao Chen. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170303399A1. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor Package with Connecting Plate for Internal Connection

Номер патента: US20140070386A1. Автор: Kai Liu,Jun Lu,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-13.

Fan-out semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09984979B2. Автор: Han Kim,Dae Hyun Park,Kang Heon Hur,Young Gwan Ko,Jung Ho Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111760A1. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Che Huang,An-Nong Wen,Po-Ming Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor package including cap layer and dam structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11133278B2. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Che Huang,An-Nong Wen,Po-Ming Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220020654A1. Автор: Chun Chen CHEN,Wei Chih CHO,Shao-Lun YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4379798A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240178188A1. Автор: Jin-woo Park,Myung-Sung Kang,Kyong Hwan Koh,Chung Sun Lee,Hyeon Jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20170047264A1. Автор: OLEG Feygenson,Sang Il Kim,Youngbae Kim,Jungsu Ha,Yunhyeok Im,Jichul Kim,Seungkon Mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor package with stress reduction design and method for forming the same

Номер патента: US20220361338A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180269126A1. Автор: OLEG Feygenson,Sang Il Kim,Youngbae Kim,Jungsu Ha,Yunhyeok Im,Jichul Kim,Seungkon Mok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor package with stress reduction design and method for forming the same

Номер патента: US12035475B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240170458A1. Автор: Ae-nee JANG,Min Seung Ji,Ha Seob Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220415799A1. Автор: Hsu-Nan FANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901279B2. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901277B2. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242117A1. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor package including underfill material layer and method of forming the same

Номер патента: US20220344308A1. Автор: Taehun Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor package including underfill material layer and method of forming the same

Номер патента: US11764192B2. Автор: Taehun Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor package including underfill material layer and method of forming the same

Номер патента: US20210151410A1. Автор: Taehun Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230238297A1. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Carrier substrate, package, and method of manufacture

Номер патента: US20190103313A1. Автор: Ming-Wa TAM. Владелец: UBOTIC Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US20190131223A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo-Lung Pan,Teng-Yuan Lo,Mao-Yen Chang,Tzung-Hui Lee,Hao-Chun Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Redistribution circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20190131200A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Sheng-Yu Wu,Ching-Hui Chen,Shang-Yun Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of manufacturing a package-on-package type semiconductor package

Номер патента: TWI578490B. Автор: 金東進,金錦漢,茶水旺,李吉弘,金俊東,高永範. Владелец: 艾馬克科技公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US20170084520A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180182698A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180240742A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20190378788A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

Semiconductor package having a solder wetting structure

Номер патента: US20240250056A1. Автор: Subaramaniym Senivasan,Mohd Afiz Hashim,Varun PARTHASARATHY,Zhi Yuan Goh,Azmil Abdullah,Kah Wai Lau,Ahmad Zulkarnain Samsudin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-25.

A semiconductor package and a method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: FI128296B. Автор: Kimmo KAIJA. Владелец: Murata Manufacturing Co. Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor package, method of forming semiconductor package, and power module

Номер патента: EP4456132A1. Автор: Qian Liu,Roberto Tiziani. Владелец: Shenzhen STS Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

A method of improving package creepage distance

Номер патента: EP4459675A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Heiming Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-11-06.

Manufacturing method of semiconductor package structure

Номер патента: US12080670B2. Автор: Che-Wei Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030234445A1. Автор: Wu-Chang Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for creating a die shrink insensitive semiconductor package and component therefor

Номер патента: US20010046763A1. Автор: Belgacem Haba,John Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor packages and fabrication method thereof

Номер патента: US09905535B2. Автор: In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of regenerating printed circuit board strip for semiconductor package having defective printed circuit board unit and method of manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: JP2860651B2. Автор: 榮旭許,善鎬河,丙濬韓. Владелец: ANAMU INDASUTORIARU KK. Дата публикации: 1999-02-24.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN

Номер патента: US20180174953A1. Автор: Kim Dong-hyun,PARK Chul-hong,LEE Hae-wang,NAM SEON-AH,NAKAMATSU IKUO,OH YUN-SE,CHOI HO-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20120168940A1. Автор: Florian Bieck. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201126585A. Автор: Florian Bieck. Владелец: Empire Technology Dev Llc. Дата публикации: 2011-08-01.

Semiconductor package and method of producing the semiconductor package

Номер патента: US09640477B1. Автор: Daisuke Iguchi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US12046480B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor package manufacturing method

Номер патента: US09818697B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying Ching SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929022B2. Автор: Jin-woo Park,Yun-seok Choi,Tae-Je Cho,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US09570423B2. Автор: Chul-Yong JANG,Young-Lyong KIM,Ae-nee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor package, package-on-package device, and method of fabricating the same

Номер патента: US20200111738A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyung Suk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor package and method of manufacture

Номер патента: US20240321666A1. Автор: JONGHO LEE,Jinwoo Park,Yeongkwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming a semiconductor package

Номер патента: US09960125B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Chin-Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09786625B2. Автор: Yongbo Yang,Antonio Jr. Bambalan Dimaano,Chun Hong WO. Владелец: United Test and Assembly Center Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor package including an embedded surface mount device and method of forming the same

Номер патента: US09461020B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Ming-Yen Chiu,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming a semiconductor package

Номер патента: US09431367B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Chin-Chuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor packages including gap in interconnection terminals and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160043057A1. Автор: Jungwoo Kim,Jingyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Multi-die ultrafine pitch patch architecture of interconnect bridge over glass layer and method of making

Номер патента: US12142568B2. Автор: Kevin McCarthy,Sanka Ganesan,Robert L. Sankman,Ravindranath V. Mahajan,Debendra Mallik,Leigh M. TRIBOLET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653397B2. Автор: Yong-Tae Kwon,Jun-Kyu Lee. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633939B2. Автор: Jung Soo Park,Do Hyung Kim,Dae Joon Park,See Won Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220068887A1. Автор: Hyunsoo Chung,YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09985008B2. Автор: JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor package with embedded die and its methods of fabrication

Номер патента: US09780054B2. Автор: Javier Soto Gonzalez,Nicholas R. Watts,Ravi K Nalla,John S. Guzek. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of manufacturing semiconductor package and package-on-package

Номер патента: US20210242190A1. Автор: Jongho Park,Seunghwan Kim,Sangsoo Kim,Yongkwan LEE,Junyoung Oh,Kyonghwan Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12074101B2. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Sheng Chen,Yu-Sheng Lin,Han-Hsiang Huang,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US20240363517A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Sheng Chen,Yu-Sheng Lin,Han-Hsiang Huang,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234269A9. Автор: Donghyeon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method

Номер патента: US20240071849A1. Автор: Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Hsien-Ju Tsou,Chen-Hsuan Tsai,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Kung-Chen Yeh,Jian-You Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US09735129B2. Автор: Jie Chen,Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor package, fabrication method therefor, and package-on package

Номер патента: US09502391B2. Автор: Kyung-Hoon Park,Yong-Tae Kwon. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240203888A1. Автор: Jin Ho An,Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057434B2. Автор: Jin Seong Kim,Edwin J. Adlam,Ludovico E. Bancod,Jae Ung LEE,Yung Woo Lee,Robert Lanzone,Gi Jung KIM,Mi Kyeong Choi. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12113049B2. Автор: Chulwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Ultrathin bridge and multi-die ultrafine pitch patch architecture and method of making

Номер патента: US11756889B2. Автор: Kevin McCarthy,Sanka Ganesan,Robert L. Sankman,Ravindranath V. Mahajan,Debendra Mallik,Leigh M. TRIBOLET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220037255A1. Автор: Jin Ho An,Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20200135673A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887163B2. Автор: Seung Hwan Lee,Hyun Joo Kim. Владелец: Hana Micron Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor packages including heat spreaders and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847285B1. Автор: Jong Hoon Kim,Han Jun Bae,Ki Jun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor package structure and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273724A1. Автор: Ping-Feng Yang,Huang Han CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US12040299B2. Автор: Jingu Kim,Sangkyu Lee,Yongkoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Heat dissipation in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US12074148B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Lee-Chung Lu,Keh-Jeng Chang,Yu-Hao Chen,Jyh Chwen Frank Lee,Yii-Chian Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor package including a redistribution substrate and a method of fabricating the same

Номер патента: US20240266268A1. Автор: Sang-Uk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Thermal interface material layer protection structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240274503A1. Автор: Wei-Hung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Packaging Having Warpage Control and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160307815A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chun-Cheng Lin,Yu-feng Chen,Kuei-Wei Huang,Yu-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US12131974B2. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Heat Dissipation in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20240371839A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Lee-Chung Lu,Keh-Jeng Chang,Yu-Hao Chen,Jyh Chwen Frank Lee,Yii-Chian Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20210091011A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210134692A1. Автор: Hsu-Nan FANG,Chien-Ching Chen,Chen Yuan WENG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210143117A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor package and a method of fabricating the same

Номер патента: US20210035913A1. Автор: Jongho Park,Seung Hwan Kim,Sangsoo Kim,Jun Young Oh,Kyong Hwan Koh,Dong-Ju Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12046526B2. Автор: Jin-woo Park,Jung-Ho Park,Jae Gwon Jang,Gwang Jae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12062639B2. Автор: JONGHO LEE,Jaekyung Yoo,Yeongkwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor packages including through mold ball connectors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847322B2. Автор: Jong Hoon Kim,Yeon Seung Jung,Ki Jun SUNG,Hyeong Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor package with reduced via hole width and reduced pad patch and manufacturing method thereof

Номер патента: US09721799B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341369A1. Автор: Hung-Hsin Hsu,Shang-Yu Chang Chien,Nan-Chun Lin. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor package, electronic apparatus and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220293432A1. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20130217181A1. Автор: Jung Ho Yoon,Myeong Woo HAN,Chul Gyun PARK,Do Jae Yoo,Jung Aun Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor packages with stacked dies and methods of forming the same

Номер патента: US20240282732A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100155928A1. Автор: Masahiro Sunohara,Hideaki Sakaguchi,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20240213177A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of making electrical contact to a semiconductor body

Номер патента: US3406050A. Автор: Samuel R Shortes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-10-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601466B2. Автор: Hyunsuk CHUN,Boin Noh,Jeongwon Yoon,Baikwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor package with package-on-package stacking capability and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640518B2. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Bonding substrate, semiconductor package having double-sided substrate, method of manufacturing the bonding substrate, and method of manufacturing the semiconductor package having double-sided substrate

Номер патента: US20240290700A1. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US09484292B2. Автор: Eun-Chul Ahn,Tae-Gyeong Chung,Tae-Joo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240250039A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor package substrate, semiconductor package using the substrate, and method of manufacturing semiconductor package substrate

Номер патента: US20100224988A1. Автор: Koji Hosokawa,Atsushi Tomohiro. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240250038A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332159A1. Автор: Ji Hyun Kim,Min Chul Shin,Chang Hun Kim,Jae Ung LEE,Yung Woo Lee,Eunnara Cho,Dong Hyun Bang,Wook Choi,KooWoong Jeong,Byong Jin Kim,Ho Jeong Lim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package including shield layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321770A1. Автор: Seung Hyun Lee,Ki Yong Lee,Hyoung Min IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US09685400B2. Автор: Eun-Chul Ahn,Tae-Gyeong Chung,Tae-Joo Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230081723A1. Автор: Yong Hyun Kim,Ju Hyung Lee,Min Jae Lee,Sun Chul Kim,Dong Uk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor packages

Номер патента: US20190237397A1. Автор: Jae Woong Yu,So Hyun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package including barrier members and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741633B2. Автор: Jian Xu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor package and manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12080636B2. Автор: Koichi Igarashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780024B2. Автор: In Ho Kim,Jae Yun Kim,Kyeong Sool Seong. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240234287A9. Автор: Sungeun Jo,Geunwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240249990A1. Автор: Dahee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor package including thermal interface structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230007912A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor package including glass core substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321755A1. Автор: Myungsam Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240347510A1. Автор: Unbyoung Kang,Byeongchan KIM,Jumyong Park,Jeongil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor packages with interposers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09508688B2. Автор: Jong Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor package having heat emitting post bonded thereto and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240297096A1. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Printed circuit boards having blind vias, method of testing electric current flowing through blind via thereof and method of manufacturing semiconductor packages including the same

Номер патента: US09502378B1. Автор: Jong Hyun Kim,Ki Yong Lee,Hyung Ju CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136590B2. Автор: Yun-seok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115281A1. Автор: Jin-woo Park,Dongho Kim,Ji Hwang Kim,JongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of manufacturing semiconductor package, semiconductor package, and imaging apparatus

Номер патента: US20230326948A1. Автор: Wenjun Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240332150A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus and method of attaching solder ball and method of fabricating semiconductor package including solder ball

Номер патента: US09364914B2. Автор: Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee,Jaegwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240213199A1. Автор: Yongjae Kim,Sungwoo Park,Seung-Kwan Ryu,Heonwoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240250057A1. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Semiconductor packages including interconnectors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941253B1. Автор: Jin Woo Park,Yeon Seung Jung,Joo Wan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of manufacturing via hole in a semiconductor device

Номер патента: US8455358B2. Автор: Kohei Miki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-04.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US20120025377A1. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US8269346B2. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Method of forming the wiring of a semiconductor circuit

Номер патента: EP0459772B1. Автор: Shigeyuki Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu Canon Kabushiki Kaisha Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-11-20.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100988780B1. Автор: 최호영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-10-20.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor devices in a semiconductor wafer

Номер патента: US09653540B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Package substrates, semiconductor packages having the same, and methods of fabricating the semiconductor packages

Номер патента: US20130288431A1. Автор: Jin-woo Park,Hwan-Sik Lim,Eunchul Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and method of producing semiconductor device

Номер патента: US09659841B2. Автор: Akihiko Nomura. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor package having through electrodes that reduce leakage current and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120045895A1. Автор: Sung Min Kim,Sung Cheol Kim,Seung Hee JO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935083B2. Автор: Jin Seong Kim,Jae Ung LEE,Yung Woo Lee,Mi Kyeong Choi. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Joint structure in semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339432A1. Автор: Chih-Wei Wu,Shang-Yun Hou,Ying-Ching Shih,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Cheng-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of forming semiconductor packages with an intermetallic layer comprising tin and at least one of silver, copper or nickel

Номер патента: US09564409B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US11908864B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240153953A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240186185A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor package including a dam

Номер патента: US20240304467A1. Автор: Kyung Beom Seo,Jong Kyu MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor package including stacked chips and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240063186A1. Автор: SeYong LEE,Jungseok AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20190312021A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor package and method of manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US10811342B2. Автор: Petteri Palm,Robert Fehler,Sergey Yuferev. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor package having supporting plate and method of forming the same

Номер патента: US09412720B2. Автор: Tae-Young Lee,Jin-Ho Kim,Hyoung-Suk Kim,Hyuk-Su Kim,Tae-Duk Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor package, semiconductor system, and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210384116A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, in-millimeter-wave dielectric transmission device, method of manufacturing the same, and in-millimeter-wave dielectric transmission system

Номер патента: US09705202B2. Автор: Yasuhiro Okada,Hirofumi Kawamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor package, electronic equipment, and manufacturing method of electronic equipment

Номер патента: EP4220703A1. Автор: Ryo Suzuki,Nobuyuki Sugawara,Asuka Kambayashi. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of forming alignment marks in a semiconductor body

Номер патента: DE3563148D1. Автор: Paul Edmand Cade. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-07.

Semiconductor structures and a method of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: CA1332341C. Автор: David Martin Cooper,Andrew William Nelson,Simon Cole,Ian Francis Lealman,William John Devlin. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1994-10-11.

Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface

Номер патента: US6058945A. Автор: Hideya Kumomi,Yasutomo Fujiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5661068A. Автор: Mitsuru Sekiguchi,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa,Yuka Terai,Isao Miyanaga,Shuji Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-26.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Method of selectively etching silicon

Номер патента: US5129981A. Автор: Martin A. Schmidt,Su-Chee S. Wang,Vincent M. McNeil. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-07-14.

Method of etching a trench into a semiconductor substrate

Номер патента: US5883012A. Автор: Ping-Chang Lue,Herng-Der Chiou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: CN1826210A. Автор: 克莱尔·里什塔尔奇. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: US20050020084A1. Автор: Claire Richtarch. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2005-01-27.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335773B1. Автор: 김경민,송한상,박기선,임찬,박창서,김유성. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

METHOD OF FORMING AN EVIDENCE IN A SEMICONDUCTOR BODY

Номер патента: FR2489041A1. Автор: Edward George Tefft,Bernard Robert Tuft. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1982-02-26.

Simplified method of patterning polysilicon gate in a semiconductor device including an oxime layer as a mask

Номер патента: US6337264B2. Автор: Jayendra D. Bhakta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-08.

A method of manufacturing a transistor for a semiconductor device

Номер патента: DE4446850C2. Автор: Sang Hoon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of applying a contact to a semiconductor body

Номер патента: FR1224318A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-06-23.

Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns

Номер патента: US5700732A. Автор: Mark E. Jost,David J. Hansen,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of manufacturing a substrate for a semiconductor package

Номер патента: DE19607323A1. Автор: Jaechul Ryu,Wonsik Seo. Владелец: Samsung Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 1997-02-13.

Method of forming a stacked capacitor with striated electrode

Номер патента: US5238862A. Автор: Guy Blalock,Phillip G. Wald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-08-24.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of forming nanowire and method of manufacturing semiconductor device comprising the nanowire

Номер патента: US7928017B2. Автор: Jun-Youn Kim,Eun-ju Bae,Joong S. Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor

Номер патента: US5529936A. Автор: Michael D. Rostoker. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Method of applying an electrode to a semiconductor body

Номер патента: FR1171850A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-01-30.

Method of forming quantum dots in a semiconductor device

Номер патента: GB2332564B. Автор: Jang-yeon Kwon,Ki Bum Kim,Tae Sik Yoon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-05.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3762967A. Автор: H Holzer,W Scherber. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

Coreless board for semiconductor package, method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US09420709B2. Автор: Young Kwan Lee,Myung Sam Kang,Seung Yeop KOOK,Joo Hwan JUNG,Ju Hee Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09997477B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Tsung-Hsien Tsai,Chih-Hsien Chiu,Yude Chu,Hsin-Lung Chung,Heng-Cheng Chu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140015148A1. Автор: Ju-hyun Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038727A1. Автор: Kil Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US20230048729A1. Автор: Yeongkwon Ko,TeakHoon Lee,Unbyoung Kang,Yoonsung Kim,Soyeon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor package structure including reinforcement component and method for manufacturing the same

Номер патента: US11798858B2. Автор: Meng-Wei Hsieh,Hsiu-Chi LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device having resin sealing body

Номер патента: US6759279B2. Автор: Atsushi Fujisawa,Masahiro Ichitani,Takafumi Konno,Shingo Ohsaka,Ryo Haruta. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-07-06.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US20230378058A1. Автор: Ting-Chu Ko,Han-Ping Pu,Ming-Kai Liu,Ching-Yu Huang,Yung-Ping Chiang,Yu-Sheng Hsieh,Chang-Wen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287859A1. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180157781A1. Автор: PARK Chul-hong,YANG Jae-Seok,KUCHANURI Subhash,RASTOGI Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20160056079A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices and a Semiconductor Devices Fabricated Thereof

Номер патента: KR101409373B1. Автор: 김선우,김윤해. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of assembling a package of a semiconductor component

Номер патента: FR2556132A1. Автор: Alain Wicker,Yvon Lazennec,Philippe Darbon,Fernand Grivon,Elisabeth Martinez,Jean-Jacques Banquet. Владелец: Ceraver SA. Дата публикации: 1985-06-07.

Method of fabricating conductive line of a semiconductor device

Номер патента: US9318381B2. Автор: Mu-Chin Chen,Yuan-Sheng Chiang,Chi-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210050254A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,Chou You-Hua,Lin Yu-Hung,Lin Sheng-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

METHODS OF FORMING WIRING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160276267A1. Автор: Kim Byung-hee,Matsuda Tsukasa,Lee Nae-In,LEE Jong-Jin,Kim Rak-Hwan,Kim Jin-Nam,Cha Jeong-Ok,Hwang Jung-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD OF FORMING A STAIRCASE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A LINEAR ALIGNMNENT CONTROL FEATURE

Номер патента: US20170358594A1. Автор: Alsmeier Johann,YOSHIDA Makoto,Miyata Koji,Lu Zhenyu,YU Jixin,Kinoshita Hiro,Mao Daxin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate

Номер патента: US5612254A. Автор: Xiao-Chun Mu,Srinivasan Sivaram,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Method of manufacturing a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100577528B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of forming a pattern for a semiconductor device

Номер патента: US20020068447A1. Автор: Hong-bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate

Номер патента: GB9300393D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-03-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor devices

Номер патента: KR100996160B1. Автор: 신강섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-11-24.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321823A1. Автор: Sunchul Kim,Donguk Kwon,Gongmyeong KIM,Chaein MOON,Hyeonrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of packaging a semiconductor chip using a 3D printing process and semiconductor package having angled surfaces

Номер патента: US09818665B2. Автор: Klaus Elian,Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180068956A1. Автор: Jaewook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Package lid including a multi-layer structure for heat dissipation and methods of forming the same

Номер патента: US20240290683A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wen-Yi Lin,Kuo-Chio Liu,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150130064A1. Автор: Cooney,III Edward C.,McDevitt Thomas L.,Murphy William J.,Anderson Felix P.,BARKYOUMB Steven P.,STRIPPE David C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Method of manufacturing through holes in a semiconductor device

Номер патента: US6022797A. Автор: Shigeru Takahashi,Shigeo Ogasawara,Noriaki Oka,Tadayasu Miki,Masahito Hiroshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-02-08.

Lamination device and method of wafer and circuit tape for manufacturing semiconductor package

Номер патента: KR100370847B1. Автор: 이창복,최종근,공우현. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of fabricating an inductor for a semiconductor device

Номер патента: US7875524B2. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor

Номер патента: US7058470B2. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shoji Ikuhara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-06-06.

Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor

Номер патента: US20030199108A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shoji Ikuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Molded SIP package with reinforced solder columns and method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: TW200812017A. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-03-01.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of removing sharp edges of dielectric coatings on semiconductor substrates and device produced

Номер патента: WO1996004680A1. Автор: Daniel J. Jackson. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-02-15.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3891481A. Автор: Reinhold Kaiser. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-24.

Semiconductor module arrangement and method for producing a semiconductor module arrangement

Номер патента: US09888601B2. Автор: Christoph Koch,Patrick Jones,Michael Sielaff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US09847370B2. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US09496139B2. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of producing monocrystals of a semiconductor via the vapor phase

Номер патента: US3210149A. Автор: Eland Adrianus Johannes. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1965-10-05.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

Method of forming a bump of a semiconductor element

Номер патента: TW328146B. Автор: Yoshihiro Ishida,Tetsuo Sato. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7132729B2. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20200357682A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Comprising First and Second Field Stop Zone Portions

Номер патента: US20190165090A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor wafer, method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20030102530A1. Автор: Masahiro Inohara,Takeo Nakayama,Masahiko Matsumoto,Kunihiro Kasai,Hisato Oyamatsu,Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20190067084A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Apparatuses and methods of protecting nickel and nickel containing components with thin films

Номер патента: EP4133120A1. Автор: LEI Zhou,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Jennifer Y. Sun,Dien-Yeh Wu,Pingyan Lei,Xiao Ming He,Takashi KURATOMI,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20050199980A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Method of reducing semiconductor substrate surface unevenness

Номер патента: US11901186B2. Автор: LI ZHANG,Kwang Hong LEE,Keith Cheng Yeow NG,Kenneth Eng Kian Lee,Eugene A. Fitzgerald,Soo Jin Chua,Chuan Seng Tan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of Forming a Trench Using Epitaxial Lateral Overgrowth

Номер патента: US20160308028A1. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-20.

High Density Shield Gate Transistor Structure and Method of Making

Номер патента: US20230238440A1. Автор: Lei Zhang,Xiaobin Wang,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Method of Producing Stresses in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20200144121A1. Автор: Wolfram Drescher,Lukas Lichtensteiger. Владелец: SILTECTRA GmbH. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of producing stresses in a semiconductor wafer

Номер патента: US10825732B2. Автор: Wolfram Drescher,Lukas Lichtensteiger. Владелец: SILTECTRA GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Auxiliary wafer, preparation method of auxiliary wafer, and semiconductor production process

Номер патента: US20210384090A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20180247872A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of Separating Semiconductor Dies from a Semiconductor Substrate, Semiconductor Substrate Assembly and Semiconductor Die Assembly

Номер патента: US20170345716A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method of manufacturing an opening of a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device using the same method

Номер патента: KR100763514B1. Автор: 배근희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

A method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate array, and semiconductor die array

Номер патента: DE102016109693A1. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US8962486B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US10707213B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US20140106568A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190081014A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20160329398A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of planarizing a surface of a semiconductor device and a semiconductor device manufactured according to the same

Номер патента: US20040029375A1. Автор: Chang-ki Hong,Jae-dong Lee,Yong-Pil Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method

Номер патента: KR100393118B1. Автор: 현만석. Владелец: 현만석. Дата публикации: 2003-07-31.

A method of forming isolation regions of a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: DE102004032703B4. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059351A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393040A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

A method of fabricating semiconductor structures and a semiconductor structure formed thereby

Номер патента: SG97821A1. Автор: Kumar Lahiri Syamal,Mangelinck Dominique,Dongzhi Chi. Владелец: Inst Materials Research & Eng. Дата публикации: 2003-08-20.

Method of establishing electrical contact between a semiconductor substrate and a semiconductor device

Номер патента: US6780758B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

A method of singulating semiconductor die from a semiconductor wafer

Номер патента: EP2701188A2. Автор: Michael Seddon,William Burghout,Dennis Conner,Jay Yoder. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-02-26.

Semiconductor devices and methods of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US20040135199A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a substrate for a semiconductor device

Номер патента: DE102020131850B4. Автор: Thomas Schröder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of manufacturing an integrated capacitor and device obtained by this method

Номер патента: US4481283A. Автор: George Kerr,Yves Meheust. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-11-06.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: KR102339533B1. Автор: 치-훙 시에,춘-훙 첸,존 지 리아우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-12-17.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20130230979A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20160005624A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20150017804A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170032074A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Neutral water-based cleaning agent, preparation method of neutral water-based cleaning agent and semiconductor packaging and cleaning method

Номер патента: CN106701343A. Автор: 黄霖,郭艳萍. Владелец: Heming Sci-Tech Co Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2017-05-24.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of manufacturing conductive pattern of a semiconductor device and method of manufacturing flash memory device using the same

Номер патента: KR100483843B1. Автор: 이창엽,권철순,이돈우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD OF ANALYZING A MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Wang Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Apparatus and method of detecting a defect of a semiconductor device

Номер патента: US20140208850A1. Автор: Hyun Kim,Jae-Yong Park,Sang-Jun Kim,Yun-sik Yoo,Tae-Gyeong Chung,Geun-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

METHODS OF FORMING LAYER PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140242800A1. Автор: KIM Tae-Sun,Yoon Kwang-sub,Oh Tae-Hwan,KIM Yu-Ra. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of Patterning a Feature of a Semiconductor Device

Номер патента: US20140273446A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

METHOD OF FORMING GATE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186853A1. Автор: ZHU Ming,Young Bao-Ru,Chuang Harry Hak-Lay,Chen Chao-Cheng,LIN Hui-Wen,HUANG Yuan-Sheng,CHEN Ryan Chia-Jen,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,HSIEH Ting-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

METHODS OF FORMING SUBLITHOGRAPHIC FEATURES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176255A1. Автор: Gupta Rajesh N.,Nigam Akash. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150243520A1. Автор: Park Jin,KIM Hyun-woo,Koh Cha-won. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD OF IMPROVING THE YIELD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140357070A1. Автор: XU Ying,Zhou Fei,YU Hongjun. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD OF PATTERNING A FEATURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287635A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370713A1. Автор: HA Hyoun-jee. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD OF FABRICATING CONDUCTIVE LINE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303104A1. Автор: Chen Mu-Chin,Chiang Yuan-Sheng,Hsiung Chi-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001084613A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: CA2407300A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-12-22.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980005626A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming metal wire of a semiconductor device

Номер патента: KR0172283B1. Автор: 곽노정,김정태,김춘환. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing a contact of a semiconductor device using cluster apparatus having at least one plasma pretreatment module

Номер патента: US20020064944A1. Автор: Chang-Woong Chu,Kyeong-koo Chi,Seung-pil Chung,Ji-soo Kim,Sang-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

A method of forming trench isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR100245561B1. Автор: 윤보언,정인권. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

a manufacturing method of a contact structure of a semiconductor device

Номер патента: KR100361572B1. Автор: 남창길. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of Fabricating a Contact of a Semiconductor Device

Номер патента: KR101033986B1. Автор: 안광호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: TW200403740A. Автор: Baek-Jae Hak. Владелец: 1St Silicon Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-03-01.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094462A. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of formation of nanocrystals on a semiconductor structure

Номер патента: US6784103B1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-08-31.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US20100068884A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of forming a gate of a semiconductor device

Номер патента: CN101211770B. Автор: 金守镇. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: HK1054465A1. Автор: J Gagliardi John. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-11-28.

Method of planarizing the surface of a semiconductor device

Номер патента: KR0125763B1. Автор: 데 브루인 렌데르트,마르티누스 프란시스쿠스 게라르두스 반 라아르 호펜 요세푸스. Владелец: 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄. Дата публикации: 1997-12-26.

Method of reducing leakage current of a semiconductor wafer

Номер патента: US6440818B1. Автор: Cheng-Hui Chung,Yuan-Li Tsai,Kuo-Hua Ho,Kai-Jen Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A3. Автор: David A. Kaisaki,Heather K. Kranz,Thomas P. Klun,Wesley J. Bruxvoort,Scott R. Culler,Kwok-Lun Ho,Robert P. Messner,Richard J. Webb,Julia P. Williams,David A. Kessel. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2009-02-18.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US8153523B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6797561B2. Автор: Chang Hyun Ko,Ki Hyun Hwang,Young Sub You,Jai Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-28.

Method of fabricating contact pads of a semiconductor device

Номер патента: US6458680B2. Автор: Tae-Young Chung,Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-01.

Method of etching a surface of a semiconductor

Номер патента: GB9217349D0. Автор: . Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-09-30.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094461A. Автор: 김경민,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20090170031A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

A method of fabricating gate electrodes of a semiconductor device fabricated by a hardmask and double exposure in conjunction with a size reduction spacer

Номер патента: DE102010040066B4. Автор: Klaus Gebauer,Sven Beyer,Andreas Hellmich,Steffen Laufer. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-05-24.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1281197A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-02-05.

A method of forming an electrode of a semiconductor device

Номер патента: DE3279012D1. Автор: Naoki Yamamoto,Shojiro Sugaki,Masahiko Ogirima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-10-13.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A1. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A8. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD OF INTRODUCING LOCAL STRESS IN A SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150044826A1. Автор: Rideau Denis,Morin Pierre,Nier Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Method of Tuning Work Function for A Semiconductor Device

Номер патента: US20160049301A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of Forming an Interconnect in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210082752A1. Автор: Lee Pei-Hsuan,CHI Chih-Chien,Liu Yu-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140193931A1. Автор: Paul Scott Martin,Grigoriy Basin,John Edward Epler. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF FORMING FINE INTERCONNECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

METHOD OF FORMING A TRENCH IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233105A1. Автор: Li Yuzhu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

METHOD OF EPITAXIAL STRUCTURE FORMATION IN A SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20170271153A1. Автор: Tsai Tsung-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of planarizing a surface on a semiconductor wafer

Номер патента: US6083838A. Автор: Yaw S. Obeng,Laurence D. Schultz,Randolph H. Burton. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of forming conductive lines on a semiconductor wafer

Номер патента: US5994241A. Автор: Maria Ronay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US20060094227A1. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7816259B2. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

A method of forming conductive lines on a semiconductor wafer

Номер патента: EP0822592A2. Автор: Maria Ronay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR100347544B1. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: KR100271426B1. Автор: 이희기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100539153B1. Автор: 윤준호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-26.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100444605B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of forming a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568417B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373162B1. Автор: 신동우,전승준,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671605B1. Автор: 임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100672823B1. Автор: 백은경,나규태,서동철,김문준,차용원,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671663B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624903B1. Автор: 김민수,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100642420B1. Автор: 류혁현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351253B1. Автор: 이기정,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338110B1. Автор: 이기정,주광철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358066B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100380154B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of forming a Isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100672155B1. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436291B1. Автор: 조규석,박경욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Forming method of the polycide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100250744B1. Автор: 정성희,김정태. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100418092B1. Автор: 박동수,김정복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-11.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624904B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Preventing method of gate oxide damage in a semiconductor device

Номер патента: KR100575613B1. Автор: 허은미. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361205B1. Автор: 신동우,지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361518B1. Автор: 서정민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100551884B1. Автор: 김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100328450B1. Автор: 유용식,홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-16.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100674901B1. Автор: 이철웅,오영묵,성석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-26.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100583157B1. Автор: 주광철,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335775B1. Автор: 이기정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100674715B1. Автор: 이동호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of forming a viahole in a semiconductor device

Номер патента: KR100710183B1. Автор: 정석원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

Method of forming a isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR20060123994A. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100317484B1. Автор: 박형순,윤종윤. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20020096745A. Автор: 김동현,조용태,최봉호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351251B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376266B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

A method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010114049A. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR20070046383A. Автор: 문정훈. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100356466B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

RECOVERY METROLOGY MARK AND METHOD OF MEASURING RECOVERY ERROR IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2877767A1. Автор: Nigel Peter Smith,Yi Sha Ku,Hsiu Lan Pang. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of forming isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100244300B1. Автор: 박진원,김준기. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010113324A. Автор: 홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-28.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR101158391B1. Автор: 원용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100415516B1. Автор: 김경민,김동준,송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-31.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100516991B1. Автор: 조흥재,임관용,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436288B1. Автор: 최재성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR20000056136A. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100538634B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351252B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of forming a capacitor for a semiconductor memory device

Номер патента: US6316307B1. Автор: Kee Jeung Lee,Kwang Chul Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device

Номер патента: US10158049B2. Автор: Paul Scott Martin,Grigoriy Basin,John Edward Epler. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of forming silicide layer on a semiconductor wafer

Номер патента: KR100278227B1. Автор: 한재원. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

method of forming interconnection lines in a semiconductor device

Номер патента: KR100568449B1. Автор: 이효종,박병률,이태훈,손홍성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376268B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method of forming fine pattern in a semiconductor device fabricating

Номер патента: KR20080022611A. Автор: 강창진,이동석,민경진,정승필,임석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of forming solder bumps on a semiconductor wafer

Номер патента: US6426282B1. Автор: Kenny King-Tai Ngan,Dinesh Saigal,Shankarram Athreya,Lisa L. Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-07-30.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100482745B1. Автор: 박진원,김태균,여인석,장세억,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of forming metal wirings on a semiconductor substrate by dry etching

Номер патента: GB2304457B. Автор: Kousuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Method of manufacturing copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6423637B2. Автор: Heon Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-23.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373161B1. Автор: 임찬,박창서. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: US6492246B1. Автор: Kyung Wook Park,Gyu Seog Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Method of manufacturing quantum dots in a semiconductor device

Номер патента: EP1858084A3. Автор: Shiro Tsukamoto,Yasuhiko Arakawa,Denis Guimard,Hiroji Ebe,Mitsuru Fujitsu Limited Sugawara. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2010-01-06.

Method of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US9583605B2. Автор: Yuzhu Li. Владелец: Changzhou Zhongmin Semi-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020001950A1. Автор: Heon Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100580119B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010027082A. Автор: 조호진. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-04-06.

Method of forming electrical connections for a semiconductor

Номер патента: EP0833381A3. Автор: Katsuya c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Okumura,Shigeki c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Sugimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100431085B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US6787468B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-07.

Apparatus and method of forming a layer on a semiconductor substrate

Номер патента: US20060096541A1. Автор: Jin-gi Hong,Young-Wook Park,Jung-Hun Seo,Kyung-Bum Koo,Eun-Taeck Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100580770B1. Автор: 백성학. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-15.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100349343B1. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of forming metal line in a semiconductor

Номер патента: KR20050056392A. Автор: 김태경,조직호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373160B1. Автор: 김경민,김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US6905960B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Jong-Myeong Lee,In-sun Park,Jong-Sik Chun,Ju-Cheol Shin,Hong-mi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-14.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: DE112006003206T5. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100593146B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7678704B2. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-03-16.

Recognition method of a mark provided on a semiconductor device

Номер патента: US20030224540A1. Автор: Akira Takashima,Mitsuhisa Watanabe,Yoshikazu Kumagaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100390938B1. Автор: 송한상,임찬,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010065182A. Автор: 김민수. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-11.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: US20020123189A1. Автор: Tae Kim,Jin Park,Dae Park,Tae Cha,Se Jang,In Yeo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100347543B1. Автор: 서일석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of manufacturing contact studs on a semiconductor structure

Номер патента: JPH0691033B2. Автор: ドナ・リゾーネ・コート,デーヴィッド・スタナソロヴィッチ,ロナルド・アーチャー・ワレン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-11-14.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100465055B1. Автор: 김형식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-05.

Method of manufacturing a gate in a semiconductor device

Номер патента: US20020001906A1. Автор: Dae Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010093012A. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: TWI722415B. Автор: 施信益. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-21.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100723788B1. Автор: 윤일영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100604555B1. Автор: 김동현,조용태,최봉호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-28.

Method of forming a recess in a semiconductor structure

Номер патента: WO2008116035A1. Автор: Manoj Mehrotra. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: TW202022987A. Автор: 施信益. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100387256B1. Автор: 김헌도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-12.

EMI shielding method of semiconductor packages

Номер патента: US09583447B2. Автор: Hee-Dong LEE,Bok-Woo HAN. Владелец: Genesem Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing stacked semiconductor package

Номер патента: US09673185B2. Автор: Young-ho JOUNG,Jong-Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190229091A1. Автор: Taehyeong Kim,Young Lyong Kim,Geol Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor package with stiffener structure and method forming the same

Номер патента: US12125757B2. Автор: Tsung-Yu Chen,Chien-Chia Chiu,Wensen Hung,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of fabricating a semiconductor package having mold layer with curved corner

Номер патента: US09929131B2. Автор: Hyein YOO,Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09809446B1. Автор: Young Seok Kim,Jae Ung LEE,Yung Woo Lee,Eunnara Cho,Dong Hyun Bang,Wook Choi,Byong Jin Kim,Seung Jae Yoo. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of and apparatus for manufacturing ball grid array semiconductor device packages

Номер патента: US20030059977A1. Автор: Ferdinand Arabe,Arthur Bayor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09978658B2. Автор: Rui Huang,Antonio Jr. Bambalan Dimaano,Beng Yeung HO,Nathapong Suthiwongsunthorn,Hua Hong Tan,Kriangsak Sae LE,Roel Adeva ROBLES,Wedanni Linsangan MICLA,Nelson Agbisit DE VERA. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09508623B2. Автор: Rui Huang,Antonio Jr. Bambalan Dimaano,Beng Yeung HO,Nathapong Suthiwongsunthorn,Hua Hong Tan,Kriangsak Sae LE,Roel Adeva ROBLES,Wedanni Linsangan MICLA,Nelson Agbisit DE VERA. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US09515057B2. Автор: Keum-Hee Ma,Tae-Je Cho,Ji-Hwang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US8115323B2. Автор: Heui-Seog Kim,Jong-Keun Jeon,Wha-Su Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20080265431A1. Автор: Heui-Seog Kim,Jong-Keun Jeon,Wha-Su Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160329247A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240055307A1. Автор: Sojeong HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor package with coated side walls and method of manufacture

Номер патента: US09437514B2. Автор: Werner Hunziker. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021073B2. Автор: Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor package including redistribution structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321804A1. Автор: Dowan KIM,Unbyoung Kang,Seokbong Park,Jieun WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09922846B2. Автор: Seong-Chan Han,Han-Ju Kim,Chang-kun Kang,Young-rock Lee,Chil-hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Semi-hermetic semiconductor package

Номер патента: US09721859B2. Автор: Andy Quang Tran,Alok Kumar Lohia,Reynaldo Corpuz Javier. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatus and method of manufacturing semiconductor package module

Номер патента: US09673066B2. Автор: Seung Wook Park,Tae Sung Jeong,No Il PARK,Eung Suek Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US20170338186A1. Автор: Chun-Chi Ke,Fu-Tang HUANG. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304599A1. Автор: Gunho CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20180233472A1. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US10312209B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor packages, methods of manufacturing the same, electronic systems including the same, and memory cards including the same

Номер патента: US20160211188A1. Автор: Dae Woong Lee,Tae Min Kang,Han Jun Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312858A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20200168477A1. Автор: Jin Kuk Lee,Jae Jin KWON. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: US09953942B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor packages including interposer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09716017B2. Автор: Tac Keun OH,Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor packages, methods of manufacturing the same, electronic systems including the same, and memory cards including the same

Номер патента: US09659833B2. Автор: Dae Woong Lee,Tae Min Kang,Han Jun Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240234223A1. Автор: Tsung-Yu Chen,Wensen Hung,Tsung-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20180269159A1. Автор: Youngsuk Kim. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Methods of optimizing clamping of a semiconductor element against a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: US11935864B2. Автор: Wei Qin,HUI XU,JeongHo Yang,Ziauddin Ahmad. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

METHOD OF BONDING A BUMP OF A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20170025378A1. Автор: YU Bong-Ken. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of bonding semiconductor chips to a substrate

Номер патента: US5249732A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180173836A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Metallic Interconnect, a Method of Manufacturing a Metallic Interconnect, a Semiconductor Arrangement and a Method of Manufacturing a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20190103378A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,Hosseini Khalil,Meyer-Berg Georg,Meyer Thorsten,Pufall Reinhard,RIEDL Edmund,ESCHER-POEPPEL Irmgard,Schmidt Klaus,LODERMEYER Johannes,Schneegans Manfred,Schwarz Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF IMPROVING BREAKDOWN VOLTAGE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014791A1. Автор: Lane William Allan,Coyne Edward John,Ó hAnnaidh Breandán Pol Og,Whiston Seamus P.,McAuliffe Donal P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device and semiconductor devices so formed

Номер патента: US20010002044A1. Автор: Chad Cobbley,Michael Ball. Владелец: Ball Michael B.. Дата публикации: 2001-05-31.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: KR20070028471A. Автор: 에크하드 란거,엘렌프리드 쩨크. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-12.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: US7311008B2. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

MOLD RELEASE FILM AND METHOD OF PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140335634A1. Автор: HIGUCHI Yoshiaki,KASAI Wataru,Ataku Masakazu,TAGUCHI Daisuke,OTSUGU Satoshi. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2014-11-13.

Slurry composition, method of polishing an object and method of forming a contact in a semiconductor device using the slurry composition

Номер патента: US20060189152A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Yong-Sun Ko,Ki-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064592A1. Автор: Wang Xi,CUI Jie. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2016-03-03.

A method of manufacturing a flange for a semiconductor device and a flange made by this method

Номер патента: DE102004047659A1. Автор: Stefan Paulus,Jochen Dangelmaier,Volker Dr. Guengerich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-13.

Apparatus and method of forming electromagnetic interference shield layer for semiconductor package

Номер патента: TW201803078A. Автор: 金建熙,洪承珉. Владелец: 普羅科技有限公司. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US7189618B2. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-13.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: TW495957B. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

APPARATUS AND METHOD OF GENERATING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210124863A1. Автор: CHANG FENG-MING,Chang Ruey-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200201954A1. Автор: Sengupta Rwik,Gerousis Vassilios. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method of Triggering Avalanche Breakdown in a Semiconductor Device

Номер патента: US20160225932A1. Автор: Stecher Matthias,Hell Magnus-Maria,Mayerhofer Michael,Willemen Joost,Meiser Andreas,Glaser Ulrich,Cao Yiqun,Lebon Julien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101017042B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624926B1. Автор: 홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100859254B1. Автор: 백계현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101133523B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100332107B1. Автор: 이정호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100501595B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358063B1. Автор: 이상협,박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100824136B1. Автор: 이민용,손권,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-21.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102461621B1. Автор: 토시아키 후쿠하라,켄타 요시다,하루나 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100616211B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100549336B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100342821B1. Автор: 홍권,김정태,곽흥식. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-02.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100473734B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-11.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6468874B1. Автор: Yong Sik Yu,Kweon Hong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-22.

Method of forming a capacitor in a semiconductor

Номер патента: KR100312384B1. Автор: 박병준,박창서,김유성. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-03.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100639193B1. Автор: 이승희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100685637B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of evaluating critical locations on a semiconductor apparatus pattern

Номер патента: US6657735B2. Автор: Tatsuo Akiyama,Tomonobu Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010092874A. Автор: 이승희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Method of forming an inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR20050009648A. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100685636B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100600291B1. Автор: 홍정균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010004988A. Автор: 홍정균. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100387262B1. Автор: 하승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100491420B1. Автор: 차재한. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-05-25.

Method of forming a polycide in a semiconductor device

Номер патента: KR100328703B1. Автор: 박석원. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-20.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100504943B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-03.

A curable resin composition, a resin film, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR20220123540A. Автор: 켄타 야마자키,사토루 무라야마,미사키 타카시마,카즈오미 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6759294B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-06.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338111B1. Автор: 박정현,김공환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

Method of forming ohmic contact to a semiconductor body

Номер патента: US20080230867A1. Автор: Giovanni Richieri. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-09-25.

A photosensitive resin composition, a heterocyclic-containing polymer precursor, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102380474B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100511129B1. Автор: 최재성. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9741668B2. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160005698A1. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09741668B2. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09530741B2. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor package having ink-jet type dam and method of manufacturing the same

Номер патента: US7999368B2. Автор: Choong-Bin Yim,Tae-Je Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-16.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: EP4135030A2. Автор: Seunghyun CHO,Chulhwan Choo,Joonsik SOHN LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: EP4135030A3. Автор: Seunghyun CHO,Chulhwan Choo,Joonsik SOHN LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-22.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240243104A1. Автор: JunHo Lee,Seunghoon Yeon,Seungryong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor package device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859232B1. Автор: Ming-Hsiang Cheng,Chung-Hsin Chiang,Kuang-Ting Chi. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of producing composite substrate sic and method of making a semiconductor substrate

Номер патента: RU2720397C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-04-29.

Method of producing diffused semiconductor components from silicon

Номер патента: US3713913A. Автор: D Rucker,U Lauerer,R Wolfle. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1973-01-30.

Low dielectric constant insulating film resin composition, method of forming low dielectric constant insulating film, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20010036689A1. Автор: Masakazu Muroyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A3. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: Chih Chiang Tung. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of producing a III-V fin structure

Номер патента: US09431519B2. Автор: Shinichi Yoshida,Matty Caymax,Hideki Minari,Geoffrey Pourtois,Eddy Simoen. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A2. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of producing a semiconductor body with a trench, semiconductor body with at least one trench and semiconductor device

Номер патента: US20220352016A1. Автор: Thomas Bodner,Georg Parteder. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of producing a semiconductor arrangement

Номер патента: US09698247B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christian Krenn,Johannes Baumgartl,Manfred Kotek,Thomas Neidhart,Markus Harfmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of Producing a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20160071819A1. Автор: Manfred Engelhardt,Edward Fuergut,Bernd Roemer,Hannes Eder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same

Номер патента: US20090256146A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-10-15.

A semiconductor substrate with solid phase epitaxial regrowth with reduced depth of doping profile and method of producing same

Номер патента: WO2005064662A3. Автор: Bartlomiej J Pawlak. Владелец: Bartlomiej J Pawlak. Дата публикации: 2005-10-27.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09412707B2. Автор: Hyun-Soo Chung,Tae-Je Cho,In-Young Lee,Jung-seok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor package, transport tray for the same, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20210296188A1. Автор: Shogo Ono. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of producing a semiconductor body

Номер патента: US09768344B2. Автор: Thomas Veit,Jens Dennemarck,Heribert Zull,Korbinian Perzlmaier,Franz Eberhard,Mathias Kämpf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-19.

Producing a semiconductor device by epitaxial growth

Номер патента: US09647083B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Erwin Lercher,Daniel Schloegl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor packages with die including cavities and related methods

Номер патента: US20240203744A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney,Eiji KUROSE,Chee Hiong Chew,Soon Wei Wang. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of producing a semiconductor component arrangement comprising a trench transistor

Номер патента: US09941276B2. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Photolithographic methods of producing structures in radiation-emitting semiconductor components

Номер патента: US09466487B2. Автор: Bernd Böhm,Sebastian Hoibl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-10-11.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US7998876B2. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of producing semiconductor element

Номер патента: US20100248483A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Isolation bonding film for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12087732B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Ming-Tsu Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09905550B2. Автор: Sang-uk Han,Un-Byoung Kang,Taeje Cho,Seungwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20020009888A1. Автор: Akira Mizumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip

Номер патента: US09935056B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing semiconductor package including forming a recessed region in a substrate

Номер патента: US09570368B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of producing dibenzo[f,h]furazano[3,4-b]quinoxaline and substituted derivatives thereof, having charge-transport semiconductor properties

Номер патента: RU2723014C1. Автор: Павел Геннадьевич Русинов,Алексей Владимирович Балашов,Олег Николаевич Чупахин,Геннадий Леонидович Русинов,Егор Владимирович Вербицкий,Алексей Раисович Тамеев,Юрий Анатольевич Квашнин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт органического синтеза им. И.Я. Постовского Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-06-08.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of fabricating semiconductor package having semiconductor element

Номер патента: US09812340B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Fu-Tang HUANG,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Pre-package and methods of manufacturing semiconductor package and electronic device using the same

Номер патента: US09761477B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Antenna-in-package devices and methods of making

Номер патента: US12136759B2. Автор: Kyunghwan Kim,Seunghyun Lee,Sangjun Park,HunTeak Lee,KyoungHee Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Pre-package and methods of manufacturing semiconductor package and electronic device using the same

Номер патента: US09478514B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20140342505A1. Автор: Chun-Tang Lin,Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi,Yan-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20240297201A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20160181313A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of producing semiconductor epitaxial wafer, semiconductor epitaxial wafer, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20240282801A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor-mounted product and method of producing the same

Номер патента: US09627345B2. Автор: Yasuo Fukuhara,Atsushi Yamaguchi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US20230387344A1. Автор: Minoru Yamamoto,Yoshiki Yamaguchi,Hiroaki Tamemoto,Hiroki Hayashi,Satoshi Okumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of producing microstructure of nitride semiconductor and photonic crystal prepared according to the method

Номер патента: US09437684B2. Автор: Takeshi Kawashima,Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor light-emitting device and method of producing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240250503A1. Автор: Rintaro Koda,Kentaro Hayashi,Eiji Nakayama,Tatsushi Hamaguchi,Hidekazu Kawanishi,Shoetsu NAGANE. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of producing a semiconductor layer sequence and an optoelectronic semiconductor component

Номер патента: US09761755B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor laser apparatus and method of producing the same

Номер патента: US20030063640A1. Автор: Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor light emitting element and method of producing the same

Номер патента: US09923120B2. Автор: Shunsuke Minato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of producing a plurality of optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09825198B2. Автор: Patrick Rode,Stefan Illek,Siegfried Herrmann,Norwin von Malm,Lutz Hoeppel,Albrecht Kieslich. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor package test method, semiconductor package test device and semiconductor package

Номер патента: US20210265000A1. Автор: Jisoo Choi,Hyukje Kwon,Hyungsuk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor power component and a method of producing same

Номер патента: US6949439B2. Автор: Robert Plikat,Wolfgang Feiler,Peter Flohrs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20140038341A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of producing semiconductor device, solid-state imaging device, method of producing electric apparatus, and electric apparatus

Номер патента: US20090057798A1. Автор: Yasufumi Miyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor component and method of producing a semiconductor component

Номер патента: US09634207B2. Автор: Simon Jerebic,Michael Kruppa. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor package with terminals adjacent sides and corners

Номер патента: US09542978B2. Автор: Jong-Won Lee,Jang-Mee Seo,In-won O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Quantum conveyor and methods of producing a quantum conveyor

Номер патента: US12029142B2. Автор: Wolfram Langheinrich,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Buffer chip, semiconductor package including buffer chip and memory chip, memory module, and operation method of semiconductor package

Номер патента: US20240249756A1. Автор: Kwan Dong KIM,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230411226A1. Автор: Young Chan Oh,Hee Jong KANG,Young Mok BAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor package and wire bonding apparatus for performing the same

Номер патента: US09484323B2. Автор: Seok-Won JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09721913B2. Автор: Tung Bao Lu,Tzu-Han Hsu,Heng-Sheng Wang. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09720013B2. Автор: Yi-Che Lai,Pin-Cheng Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240145417A1. Автор: Myoungchul Eum,Hyeongwoo JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of producing a wire bonding ball

Номер патента: US4739142A. Автор: Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota,Masaaki Shimotomai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-04-19.

Semiconductor substrate, semiconductor device, method of producing semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090039396A1. Автор: Shinji Uya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Radiation-emitting semiconductor body and method of producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US20190280159A1. Автор: Peter Stauss,Alexander Tonkikh. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-12.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Sintered body, method of fabricating the same, semiconductor fabricating device, and method of fabricating semiconductor fabricating device

Номер патента: US20220162083A1. Автор: Takafumi Noguchi,Chang Hwan Kim,Kenichi Nagayama,Toshihiro Iizuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US11862748B2. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20240113246A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20230178678A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Manufacturing method of test socket and test method for semiconductor package

Номер патента: US20170118846A1. Автор: Daisuke Yamada,Jae-Ho Song,Young-gi Min,Doug-uhn SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US7955880B2. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Method of producing semiconductor optical device

Номер патента: US20090317929A1. Автор: Toshio Nomaguchi,Tetsuya Hattori,Kazunori Fujimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-12-24.

Method of producing a laser chip

Номер патента: US09972967B2. Автор: Thomas Veit,Joachim Pfeiffer,Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Jens Mueller,Thomas Adlhoch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming an electrical metal contact and method of producing a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US11862933B2. Автор: Alexander WEIGL,Roman KOERNER. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

A voltage booster circuit for a semiconductor memory device and a method of boosting a voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006059817A1. Автор: Young-Sun Min,Jong-Hyun Suwon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

MANUFACTURING METHOD OF TEST SOCKET AND TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20170118846A1. Автор: Yamada Daisuke,SONG Jae-Ho,Min Young-gi,SHIN Doug-uhn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of manufacturing conductive lines of a semiconductor memory device

Номер патента: KR101056883B1. Автор: 우원식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-12.

Copper foil with carrier, method of producing same, copper foil with carrier for printed wiring board, and printed wiring board

Номер патента: US09578741B2. Автор: Michiya Kohiki,Tomota Nagaura,Terumasa Moriyama. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of designing and producing a cranial remodeling orthosis

Номер патента: WO2024153272A1. Автор: Jiri ROSICKY,Jan Rosicky,Matěj MARTÍNEK. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of 3d-printing producing a component for use in a lighting device

Номер патента: US20200376755A1. Автор: Ties Van Bommel,Rifat Ata Mustafa Hikmet,Paulus Albertus VAN HAL. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of 3d-printing producing a component for use in a lighting device

Номер патента: EP3609679A1. Автор: Ties Van Bommel,Rifat Ata Mustafa Hikmet,Paulus Albertus VAN HAL. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2020-02-19.

Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers

Номер патента: RU2694118C1. Автор: Сергей Иванович Диденко,Денис Валерьевич Кузнецов,Дмитрий Сергеевич Муратов,Марина Николаевна Орлова,Данила Сергеевич Саранин,Павел Андреевич Гостищев,Карло Альдо Ди,Всеволод Николаевич Мазов,Лев Олегович Лучников,Дмитрий Андреевич Подгорный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-07-09.

Prepreg, laminated plate, metal-clad laminated plate, printed wiring board, semiconductor package, method for manufacturing prepreg, and method for manufacturing metal-clad laminated plate

Номер патента: US20240247120A1. Автор: Kazuki Aoyama,Shinji Shimaoka,Yuji Tosaka,Takeshi Saitoh,Ryohta SASAKI,Shunsuke TONOUCHI,Takayo KITAJIMA,Seiya MAGOTA,Kota NAKANISHI. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of producing biosensor structure

Номер патента: RU2644979C2. Автор: Светлана Викторовна Стецюра,Александр Валерьевич Козловский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2018-02-15.

Method of making at least one patient-specific brace of modular structure and corresponding brace

Номер патента: RU2595498C2. Автор: Хуан Вьет-Ха Юлиус ВУ,Дирк ВИХМАНН. Владелец: Дв Лингуаль Зюстемс Гмбх. Дата публикации: 2016-08-27.

method of producing a therapeutic vaccine composition, antigenic construct, vaccine composition, uses of an antigenic construct, and, method of preparing and producing a medicament for the treatment of a condition or disease associated with amyloid

Номер патента: BRPI0619747B8. Автор: Pfeifer Andrea,Nicolau Claude. Владелец: AC IMMUNE SA. Дата публикации: 2021-05-25.

Polymer for an anti-reflective coating composition for an anti-reflective coating and method of forming a pattern in a semiconductor device using the composition

Номер патента: KR101585992B1. Автор: 김영호,박지만,최재희,윤효진,김부득,류진아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-19.

Method of processing selected surfaces in a semiconductor process chamber based on a temperature differential between surfaces

Номер патента: US6395099B1. Автор: James Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Method of processing selected surfaces in a semiconductor process chamber based on a temperature differential between surfaces

Номер патента: US20050150448A1. Автор: James Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102420765B1. Автор: 켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-14.

One-way flowable anchoring system and method of treating and producing a well

Номер патента: US20130206409A1. Автор: Gregory Lee Hern,Douglas J. Lehr,Levi B. Oberg,Jim H. Roddy,Patrick C. Stone. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for producing chinese hamster ovary cell strain, producer of sars-cov-2 virus recombinant rbd protein, chinese hamster ovary cell strain, producer of recombinant rbd protein of sars-cov-2 virus, method of producing recombinant rbd protein of sars-cov-2 virus, a test system for enzyme-linked immunosorbent assay of human blood serum or plasma and its use

Номер патента: RU2723008C9. Автор: Александр Леонидович Гинцбург,Денис Юрьевич Логунов,Амир Ильдарович Тухватулин,Ольга Вадимовна Зубкова,Алина Шахмировна Джаруллаева,Инна Вадимовна Должикова,Борис Савельевич Народицкий,Татьяна Андреевна Ожаровская,Дмитрий Викторович Щебляков,Наталья Михайловна Тухватулина,Ильяс Булатович Есмагамбетов,Ирина Алексеевна Фаворская,Артем Алексеевич Деркаев,Фатима Магометовна Ижаева,Павел Вячеславович Симакин. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр эпидемиологии и микробиологии имени почетного академика Н.Ф. Гамалеи» Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-02-09.

Method of producing methyl 2-(1,5,3-dithiazepan-3-yl)alkanoates

Номер патента: RU2605448C1. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Асхат Габдрахманович Ибрагимов,Елена Борисовна Рахимова,Ринат Арфикович Исмагилов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нефтехимии и катализа Российской академии наук. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Stainable melamine laminate products, compositions, and methods of manufacture

Номер патента: US12109794B2. Автор: Adam Curtis Fuhr. Владелец: Pressing Developments LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Heating system for cold drink apparatus and methods of use

Номер патента: US12089612B2. Автор: Jeffery W. Kadyk,Joel MORTON. Владелец: Bunn O Matic Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Stainable thermoformable sheets, compositions, and methods of manufacture

Номер патента: US12065552B2. Автор: Adam Curtis Fuhr. Владелец: Pressing Developments LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Defect examination on a semiconductor specimen

Номер патента: US11961221B2. Автор: Dror Shemesh,Miriam BROOK. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Methods of completing and producing a subterranean well and associated apparatus

Номер патента: AU8302398A. Автор: Jim Longbottom. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 1999-03-18.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

Synthetic whole blood and a method of making the same

Номер патента: US4547490A. Автор: Bernard Ecanow,Charles S. Ecanow. Владелец: Neomed Inc. Дата публикации: 1985-10-15.

METHOD OF SIMULATION AND DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Li Zhanming. Владелец: Crosslight Software Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

Compositions and methods of manufacture of compressed powder medicaments

Номер патента: US4863737A. Автор: Theodore H. Stanley,Brian Hague. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH. Дата публикации: 1989-09-05.

Compositions and methods of manufacturing of oral dissolvable medicaments

Номер патента: US5785989A. Автор: Theodore H. Stanley,Brian Hague. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 1998-07-28.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: GB9515148D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-20.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20110313748A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD OF MONITORING ENVIRONMENTAL VARIATIONS IN A SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20150192924A1. Автор: LEE Soon-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method of repairing a mask in a semiconductor device

Номер патента: KR100361514B1. Автор: 임문기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device

Номер патента: US7961160B2. Автор: Hajime Kimura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

A resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102441260B1. Автор: 유 이와이,미치히로 오가와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

High speed simulation method of an oxidation process in a semiconductor device

Номер патента: EP1071127A2. Автор: Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-24.

Method of preparing savoury-flavoured products by fermentation of proteins

Номер патента: CA2443459C. Автор: Tim Carroll,Graham Peter Davey,Ralf-Christian Schlothauer,Jessie Rose Chan. Владелец: New Zealand Dairy Board. Дата публикации: 2011-03-15.

Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device

Номер патента: US20050024303A1. Автор: Hajime Kimura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of forming resist pattern on a semiconductor substrate by light exposure

Номер патента: EP0517382B1. Автор: Makoto Tanigawa,Katsuji Iguchi,Hiroki Tabuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-08-27.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100607818B1. Автор: 박정구. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method of removing photo resist on a semiconductor wafer

Номер патента: KR900003256B1. Автор: 수우조 후지야마,야스나리 모또끼,요시가즈 가또. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1990-05-12.

Method of forming a pattern on a semiconductor wafer using an attenuated phase-shift reflective mask

Номер патента: CN1596450A. Автор: 黄荣峰,杰里米·W·伯登. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-03-16.

Method of forming a pattern on a semiconductor wafer using an attenuated phase shifting reflective mask

Номер патента: US20030039923A1. Автор: Sang-in Han,Pawitter Mangat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: GB2356722B. Автор: Arshad Madni. Владелец: Mitel Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

One-way flowable anchoring system and method of treating and producing a well

Номер патента: CA2899687C. Автор: Gregory Lee Hern,Douglas J. Lehr,Levi B. Oberg,Jim H. Roddy,Patrick C. Stone. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of Designing and Producing Carbon Fiber Push Rods

Номер патента: US20200131944A1. Автор: Bryan Gill. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of designing and producing carbon fiber connecting rods

Номер патента: US11806946B1. Автор: Bryan Gill. Владелец: Awa Forged Composites LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of machining for producing a bearing surface on a cylinder wall of a cylinder liner of an internal combustion engine, and cylinder liner

Номер патента: EP2157304B1. Автор: Matthias Dr. Amoser,Willi Braun,Johannes Nägeli. Владелец: Wartsila NSD Schweiz AG. Дата публикации: 2013-07-10.

Method of sterilizing and producing a fish-paste product by using microbubbles and a germ-free fish-paste product obtained by the production method

Номер патента: KR101159149B1. Автор: 데쓰야 시라데. Владелец: 시라데 세이조. Дата публикации: 2012-06-22.

METHOD OF 3D-PRINTING PRODUCING A COMPONENT FOR USE IN A LIGHTING DEVICE

Номер патента: US20200376755A1. Автор: Van Bommel Ties,Hikmet Rifat Ata Mustafa,VAN HAL Paulus Albertus. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Method of repairing or producing a transport duct, and lining tube for implementing the method

Номер патента: DK167412B1. Автор: Ingemar Wolff. Владелец: Forsheda Innovation AB. Дата публикации: 1993-10-25.

Shower head and method of operation to produce a suspension of water droplets in air

Номер патента: GB202005441D0. Автор: . Владелец: Kelda Showers Ltd. Дата публикации: 2020-05-27.

Method of 3d-printing producing a component for use in a lighting device

Номер патента: EP3609679B1. Автор: Ties Van Bommel,Rifat Ata Mustafa Hikmet,Paulus Albertus VAN HAL. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2021-10-27.

METHOD OF DESIGNING AND PRODUCING A TURBINE

Номер патента: US20200380180A1. Автор: Hughes Stephen David,Archer Jamie,Hasler Craig S. T.,Seeburrun Vishal. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Method of designing and producing a mold

Номер патента: US20060058910A1. Автор: John Thompson,Douglas McBain,Elliott Straus. Владелец: Omnova Solutions Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Methods of completing and producing a subterranean well associated apparatus

Номер патента: EP1536099A1. Автор: Jim Longbottom. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of separating and producing a lipid rich-lipid/protein complex and native proteins from oil seeds

Номер патента: US20020009460A1. Автор: Hiroshi Okada,Satoshi Suzuki,Makoto Wakabayashi,Koji Mitsuki,Kentaro Kawamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Method of designing and producing a mold

Номер патента: WO2004052616A1. Автор: John Thompson,Douglas McBain,Elliott Straus. Владелец: OMNOVA SOLUTIONS INC.. Дата публикации: 2004-06-24.

Methods of completing and producing a subterranean well and associated apparatus

Номер патента: CA2246186A1. Автор: Jim Longbottom,Craig Godfrey,Austin Freeman. Владелец: Austin Freeman. Дата публикации: 1999-03-03.

One-way flowable anchoring system and method of treating and producing a well

Номер патента: CA2899687A1. Автор: Gregory Lee Hern,Douglas J. Lehr,Levi B. Oberg,Jim H. Roddy,Patrick C. Stone. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of producing semiconductor single crystal

Номер патента: US09797068B2. Автор: Takashi Sakurada,Tomohiro Kawase,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of treating produced or flowback water with nucleophilic agent to deactivate breaker

Номер патента: RU2681326C1. Автор: Брэндон Марк ВИТТУР,Чарлз Дейвид АРМСТРОНГ,Маршалл Г. ОЛТ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2019-03-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING 1'(2')a-HOMO(C60-Ih)[5,6]FULLERENE

Номер патента: RU2417208C2. Автор: Усеин Меметович Джемилев,Забир Сабирович Муслимов,Айрат Рамилевич Туктаров,Вячеслав Владимирович Королев. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Нефтехимии И Катализа Ран. Дата публикации: 2011-04-27.

Super-hydrophobic coating composition and method of producing super-hydrophobic coating therefrom

Номер патента: RU2572974C1. Автор: Сергей Валентинович Колосов,Игорь Леонидович Радченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-технический центр "Электросети". Дата публикации: 2016-01-20.

Method of producing compound metal-phosphate product (versions)

Номер патента: RU2579378C2. Автор: Геннадий Хрисанфович Маркин,Виталий Николаевич Крупнов,Елена Александровна Юртаева. Владелец: Елена Александровна Юртаева. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Layout method of thin and fine ball grid array semiconductor package substrate

Номер патента: TW445619B. Автор: Jian-ping Huang,Tzung-Da He. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-11.

Method of making a mount for a semiconductor

Номер патента: CA812503A. Автор: E. Dijkmeijer Henricus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-05-13.

Standoff for and method of supporting a coil in a semiconductor fabrication system, and standoff for coupling RF current

Номер патента: TW447016B. Автор: Sergio Edelstein,Howard Grunes,Bradley O Stimson,Anantha Subramani,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Method of making a junction in a semiconductor body

Номер патента: CA852397A. Автор: R. Sivertsen David,B. Cecil Olin,R. Haberecht Rolf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-22.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TWI222702B. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TW200428571A. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

Method of producing 5-hetarylmethylenepyrimidine-2,4,6-triones

Номер патента: RU2598607C1. Автор: Алексей Георгиевич Тырков,Екатерина Алексеевна Юртаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Астраханский государственный университет" (Астраханский государственный университет). Дата публикации: 2016-09-27.

LEAD FRAME MANUFACTURED FROM LOW-PRICED MATERIAL AND NOT REQUIRING STRICT PROCESS CONTROL, SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE LEAD FRAME AND THE SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20120098112A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG TECHWIN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

METHOD OF FORMING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING A PLURALITY OF TRENCHES

Номер патента: US20120028468A1. Автор: Wu Shih-Hao,Chung Chia-Chi,Cheng Chung-Hsiu,Hsu Chih-Hsien,Tseng Wei-Yueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturuing Electro-Magnetic Shielding Layer for semiconductor package

Номер патента: KR101540583B1. Автор: 김종호,이상찬,배종건. Владелец: 에스피텍 주식회사. Дата публикации: 2015-07-31.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980011893A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

A method of and machine for placing a semiconductor chip or an electronic component onto a bonding surface of a carrier

Номер патента: TW448515B. Автор: Eugen Mannhart,Thomas Gunther,Matthias Krieger,Alois Ulrich. Владелец: Esec Trading Sa. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of Forming an Inductor on a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20130015555A1. Автор: Zhang Qing,Lin Yaojian,Cao Haijing. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130307032A1. Автор: Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR0166826B1. Автор: 김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW518715B. Автор: Sung-Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Method Of Selling And Producing A Customized Product

Номер патента: US20130054381A1. Автор: Richheimer Todd. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH AN EMBEDDED PRINTED CIRCUIT BOARD AND STACKED DIE

Номер патента: US20120001313A1. Автор: Liu Yong,YANG Hua,Liu Yumin,Rios Margie T.,Maldo Tiburcio A.. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermally Enhanced Semiconductor Package

Номер патента: US20120003794A1. Автор: Railkar Tarak A.,Cate Steven D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing terahertz detectors

Номер патента: RU2545497C1. Автор: Максим Викторович Кузнецов,Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Денис Вячеславович Кочкарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА"). Дата публикации: 2015-04-10.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ALKYLBENZENE AND CATALYST USED THEREFOR

Номер патента: US20120000819A1. Автор: MATSUSHITA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION AND METHOD OF PRODUCING PICEATANNOL-CONTAINING COMPOSITION

Номер патента: US20120004322A1. Автор: . Владелец: MORINAGA & CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

USE OF A CONDUIT PIPE FOR PRODUCING A DUCT LAID IN WATER

Номер патента: US20120000541A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING A VISIBLE HYDROGEN FLAME

Номер патента: US20120003593A1. Автор: Conrad Wayne Ernest. Владелец: G.B.D. CORP. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF PRODUCING C4 DICARBOXYLIC ACIDS

Номер патента: US20120003708A1. Автор: . Владелец: ARCHER DANIELS MIDLAND COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-COBRA TOXIN ANTIBODY FRAGMENTS AND METHOD OF PRODUCING A VHH LIBRARY

Номер патента: US20120003245A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Molded Expanded Pellet Product and Method of Making

Номер патента: US20120003365A1. Автор: Ramirez Fernando,GUZMAN Roberto,GARCIA Anamaria,PACHECO Antonio. Владелец: SABRITAS, S. DE R.L. DE C.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Producing a Semiconductor Package

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты