• Главная
  • Semiconductor device package and methods of formation

Semiconductor device package and methods of formation

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device package, antenna device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830799B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device having single layer substrate and method

Номер патента: US09431334B2. Автор: Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Hyung Il Jeon,Jae Min Bae,Tae Ki Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device with heat dissipation unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220238487A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Device package substrate structure and method therefor

Номер патента: US11798871B2. Автор: Chee Seng Foong,Trent Uehling,Tingdong Zhou. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Device package substrate structure and method therefor

Номер патента: US20240014114A1. Автор: Chee Seng Foong,Trent Uehling,Tingdong Zhou. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device, electronic module, electronic apparatus, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220262737A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device having a translation feature and method therefor

Номер патента: US20220068828A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with composite connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305182A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12027495B2. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Double-sided semiconductor package and dual-mold method of making same

Номер патента: US09893017B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210280562A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200185352A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device with stress-relieving structures and method for fabricating the same

Номер патента: US20220028776A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US11823992B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device having wire bonding connection and method for manufacturing the same

Номер патента: US9941236B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device packaging extendable lead and method therefor

Номер патента: US11869837B2. Автор: Mei Yeut Lim. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with through semiconductor via and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310580A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US12002772B2. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device with recessed pad layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11329028B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20070085216A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09502381B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device packaging leadframe assembly and method therefor

Номер патента: US20220359350A1. Автор: Yeou Chian Chang,Chao Hui Huang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device package connector structure and method therefor

Номер патента: EP4105985A1. Автор: Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming

Номер патента: US09640466B1. Автор: Varughese Mathew,Sheila Chopin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication

Номер патента: US5879965A. Автор: Tongbi Jiang,Jerrold L. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-03-09.

Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication

Номер патента: US6124151A. Автор: Tongbi Jiang,Jerrold L. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Semiconductor device with composite dielectric structure and method for forming the same

Номер патента: US20210296276A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having funnel-shaped interconnect and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047352A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with read out prevention and method of producing same

Номер патента: US7233076B2. Автор: Hirohisa Matsuki,Masamitsu Ikumo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Semiconductor device with test-only contacts and method for making the same

Номер патента: US5334857A. Автор: James W. Sloan,Timothy J. Mennitt,John P. Warren. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor device including multi-capping layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230080862A1. Автор: Jongmin Lee,Jimin CHOI,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device, package structure thereof, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US7727803B2. Автор: Osamu Yamagata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor device, package structure thereof, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP1492166B1. Автор: Osamu Yamagata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-07.

Semiconductor device, package structure thereof, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US7208832B2. Автор: Osamu Yamagata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Composite wafer semiconductor devices using offset via arrangements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09780136B2. Автор: Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210050355A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with modified current distribution

Номер патента: US09559086B2. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Shizhong Mei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with modified current distribution

Номер патента: US20160351551A1. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Shizhong Mei. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device with modified current distribution

Номер патента: WO2016196034A1. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Shizhong Mei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor device with modified current distribution

Номер патента: EP3304594A1. Автор: Victor Wong,Jeffrey P. Wright,Shizhong Mei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US20140225236A1. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US09496226B2. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device having a through electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: US10269683B2. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction and method for fabricating same

Номер патента: US3848260A. Автор: H Tsunemitsu,H Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-11-12.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US9236327B2. Автор: Heung-Jae Cho,Bong-Seok Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor Device with Partial EMI Shielding and Method of Making the Same

Номер патента: US20210335724A1. Автор: SungWon Cho,Changoh Kim,KyoWang Koo,KyoungHee Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246662A1. Автор: Takuya Kurotori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030132A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with a liner layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203787A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices comprising edge doped graphene and methods of making the same

Номер патента: WO2015005947A8. Автор: Kevin BRENNER,Romeil SANDHU. Владелец: Harper Laboratories, LLC. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device including process monitoring pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110187001A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device package including promoters and method of manufacturing the same

Номер патента: US11923274B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190326206A1. Автор: Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114369B2. Автор: Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170263543A1. Автор: Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11923280B2. Автор: Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023312A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157712A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220093490A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278025A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220084967A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11728299B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device having buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242211A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US11798879B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210257292A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157713A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11776904B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication

Номер патента: US20030153132A1. Автор: Tongbi Jiang,Jerrold King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication

Номер патента: US6544820B2. Автор: Tongbi Jiang,Jerrold L. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-08.

Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication

Номер патента: US20030153133A1. Автор: Tongbi Jiang,Jerrold King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor device free of bonding wire and method for encapsulating the same

Номер патента: TW529145B. Автор: You-Ren Li,Feng-Tzuo Jian,Gau-Wei Tu,Jeng-Huei Dung. Владелец: Chino Excel Technology Corp. Дата публикации: 2003-04-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE CONNECTOR STRUCTURE AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220406728A1. Автор: Mirpuri Kabir. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor devices with a protection layer and methods of fabrication

Номер патента: US20200176389A1. Автор: Jenn Hwa Huang,Darrell Glenn Hill,James Allen Teplik. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device including a capacitor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20070210409A1. Автор: Seok Jun Won,Jung-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device with horizontally arranged capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220406706A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220051937A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device with a programmable contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210611A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device and processing method therefor, and method for measuring temperature

Номер патента: US20230377920A1. Автор: MENG Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088113A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220189847A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11948857B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US11227868B2. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20200212054A1. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Electronic Device Package Locking System and Method

Номер патента: US20110309493A1. Автор: Swee Kah Lee,Chin Wei Ronnie Tan,Soon Lock Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Plasma treatment for semiconductor devices

Номер патента: US09418955B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Fa Lu,Chung-Shi Liu,Wei-Yu Chen,Cheng-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device with delamination reduction mechanism and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240282733A1. Автор: Jungbae Lee,Bong Woo Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230268255A1. Автор: Ralf Otremba,Christian Fachmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Lead frame and semiconductor device having the same as well as method of resin-molding the same

Номер патента: US20030020148A1. Автор: Toshinori Kiyohara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: US20240014152A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: EP4303912A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008264A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008262A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device with peripheral void space and method of making the same

Номер патента: US9865680B2. Автор: Takuya Yamaguchi,Hideki Okumura,Sadayuki Jimbo,Masanobu Tsuchitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having an impurity concentration and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09793362B2. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640550B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472567B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09553159B2. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with impurity-doped region and method of fabricating the same

Номер патента: US09559101B2. Автор: Hidenobu Fukutome. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device including a deep contact and a method of manufacturing such a device

Номер патента: US20130280906A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US09379117B2. Автор: Heung-Jae Cho,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US09627500B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US09443858B2. Автор: Tae-Yoon Kim,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park,Ju-Hyun Myung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device including buried capacitive structures and a method of forming the same

Номер патента: US09929148B1. Автор: Frank Jakubowski,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12106904B2. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945598A1. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device with fish bone structure and methods of forming the same

Номер патента: US11791422B2. Автор: Chih-Chuan Yang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058559A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200312720A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093795A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11978795B2. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor device having a Schottky junction and method of manufacturing same

Номер патента: US3935586A. Автор: Hermanus Josephus Henricus Wilting,Frits Landheer. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-01-27.

Semiconductor device having three-dimensional structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170005109A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

3d semiconductor device with 2d semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20230187280A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AN INSULATING LAYER, AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140117550A1. Автор: van der Straten Oscar,Motoyama Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor device having a redundant circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US5252844A. Автор: Hiroshi Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160056258A1. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device structure with fine patterns and method for forming the same

Номер патента: US20210280425A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor Device with Gel-Type Thermal Interface Material

Номер патента: US20090057877A1. Автор: Frank Kuechenmeister,Maxat Touzelbaev,Raj Master. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device with composite barrier structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230317514A1. Автор: Wei-Chen Pan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with nanowire capacitor plugs and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091088A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with porous dielectric structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234033A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device having recessed landing pad and its method of fabrication

Номер патента: US20070152257A1. Автор: Je-min Park,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935939B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395461A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395455A1. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device with a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US7880260B2. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Bauer,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device with a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090261379A1. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Bauer,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device with one-side-contact and method for fabricating the same

Номер патента: US9728638B2. Автор: Jin-Ku Lee,Young-Ho Lee,Mi-Ri Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US11929289B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having slit between stacks and manufacturing method of the same

Номер патента: US9601509B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with super junction structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20130193508A1. Автор: Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20240170340A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device including buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11943912B2. Автор: Dong-Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282518A1. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935792B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having an air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US11791390B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with compensated threshold voltage and method for making same

Номер патента: US6667513B1. Автор: Thomas Skotnicki,Romain Gwoziecki. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2003-12-23.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11923416B2. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200335584A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10741643B2. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US8643096B2. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240213320A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having vertical pillar transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US8202781B2. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-19.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20190259839A1. Автор: Seong-Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220351903A1. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US20140110781A1. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device with graphene encapsulated metal and method therefor

Номер патента: US09640430B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with multi-level metalization and method of making the same

Номер патента: US3668484A. Автор: William John Greig,Ralph Robert Soden. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437697B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor devices with crystallized channel regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230261075A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297197A1. Автор: Takahiro Kamei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with channel switching structure and method of making same

Номер патента: US09646710B2. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Semiconductor device, electric power conversion device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240274655A1. Автор: Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same

Номер патента: US09614094B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having field plate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140179094A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Shigeki Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device with upset event detection and method of making

Номер патента: US09702925B2. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall,Steven G. H. Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09419131B2. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Kwan-Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US20230420449A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: EP4229679A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor device with a defect layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US11901414B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Ljubo Radic,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US11894329B2. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device with Improved Contact Pad and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20080251857A1. Автор: Adam Brown. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20220328442A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20240136315A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20210407944A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with improved contact pad and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1932182A2. Автор: Adam Brown. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-06-18.

Semiconductor device with improved contact pad and method for fabrication thereof

Номер патента: WO2007036898A3. Автор: Adam Brown. Владелец: Adam Brown. Дата публикации: 2007-09-07.

Semiconductor device comprising 3d channel region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190319106A1. Автор: Yong-Keon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device for a volatile memory and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11244947B1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Devendra K Sadana,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor devices having surface state control and method of manufacture

Номер патента: US3956025A. Автор: Wolfgang M. Feist,Hermann Statz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-05-11.

Semiconductor device having a bump structure and method for manufacturing the same

Номер патента: SG10201803483RA. Автор: Lee Chun-Te,Liu Ming-Sheng. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11715542B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11417408B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220036958A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: EP3945330A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220328117A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Thin body semiconductor devices having improved contact resistance and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20110062443A1. Автор: Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device with embedded storage structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11832441B2. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180130805A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20160343714A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150340453A1. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device with peripheral gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240130102A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with crack-detecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210151387A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device having three-dimensional construction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070066052A1. Автор: Takaaki Aoki,Eiji Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059673A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20100163974A1. Автор: Seung-Chul Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with resistor and fuse and method of manufacturing the same

Номер патента: US7847370B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device comprising a MOS transistor and method of making the same

Номер патента: EP1515371A3. Автор: Qiang Chen,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-03-26.

Active semiconductor device on high-resistivity substrate and method therefor

Номер патента: US20190378923A1. Автор: Hernan Rueda,Xiaowei Ren,Rodney Arlan Barksdale. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method of operating the same

Номер патента: US20120119289A1. Автор: Daeik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US8153495B2. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device including heat insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301208A1. Автор: Won Tae KOO,Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US20060006387A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and ltps-tft within and method of making the same

Номер патента: US20090061570A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device including on-die resistor and method of calibrating on-die resistor

Номер патента: US20240120904A1. Автор: Dong Seok Kim,Joo Won OH,Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device having multilayer wiring structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20110049513A1. Автор: Hideatsu Yamanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US7183635B2. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US9876053B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230095446A1. Автор: Yoon Jae Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7838888B2. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US20130292792A1. Автор: Ki-Ro Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device comprising an aperture array and method of producing such a semiconductor device

Номер патента: US20170309665A1. Автор: Franz Schrank,Martin Schrems,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device with improved contact structure and method of forming same

Номер патента: US09564433B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES WITH DOPED ELEMENTS AND METHODS OF FORMATION

Номер патента: US20150348785A1. Автор: Surthi Shyam. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device having a bond pad and method therefor

Номер патента: US20030173668A1. Автор: Peter Harper,Kevin Hess,Tu-Anh Tran,Susan Downey,Michael Leoni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device and test apparatus and method thereof

Номер патента: US11887901B2. Автор: Jae Won Kim,Wan Tae Kim,Jin A Kim,Yong Jun BAN,Soo Chul JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING WRAP AROUND CONTACT, AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180006159A1. Автор: Guillorn Michael A.,Loubet Nicolas Jean. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor Device Including Wrap Around Contact and Method of Forming the Semiconductor Device

Номер патента: US20180374958A1. Автор: Guillorn Michael A.,Loubet Nicolas Jean. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: US11984433B2. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor die stacks and associated systems and methods

Номер патента: US20240071969A1. Автор: Kyle K. Kirby,Bret K. Street,Bang-Ning Hsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with wire bond inductor and method

Номер патента: AU2002368201A8. Автор: Yenting Wen,Harold Anderson,Francis Carney,James Knapp,Cang Ngo. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE, INSPECTION PATTERN ARRANGEMENT METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170069577A1. Автор: Yamaguchi Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, electronic device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050001301A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Semiconductor device, light emitting device and method of manufacturing same

Номер патента: US09425352B2. Автор: Yong Jin Kim,Dong Kun Lee,Doo Soo Kim. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060157715A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070075383A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor assembly and method of manufacture

Номер патента: US09997507B2. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Peter Almern Losee,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472466B2. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865699B2. Автор: Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09852925B2. Автор: Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09601334B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with strain-inducing regions and method thereof

Номер патента: US20130313572A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US11784257B2. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US12015087B2. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device having a merged region and method of fabrication

Номер патента: TW589731B. Автор: Gyu-Chul Kim,Hoo-Sung Cho,Kang-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-01.

Semiconductor device including interconnection and capacitor, and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200419778A. Автор: Takeshi Matsunuma. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US7923283B2. Автор: Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-04-12.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and a method therefor

Номер патента: US20020175384A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,James Schaeffer,Tat Ngai,Vidya Kaushik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Power semiconductor device having guard ring structure, and method of formation

Номер патента: US11600693B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor device having reduced-damage active region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150140749A1. Автор: Ki-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Over-voltage protection of gallium nitride semiconductor devices

Номер патента: US20150001551A1. Автор: RUI Zhou,Peter Micah Sandvik,Avinash Srikrishnan Kashyap. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20150048476A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: TW201115689A. Автор: Yun-Seok Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-01.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080045019A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Chang-ki Hong,Sung-Jun Kim,Ho-Young Kim,Seong-Kyu Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with field electrode and method

Номер патента: US20090315108A1. Автор: Oliver Haeberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-12-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10381444B2. Автор: Youichi Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor device having a thermal contact and method of making

Номер патента: US20230386958A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE LAYOUT, MEMORY DEVICE LAYOUT, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160211251A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230343854A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190165166A1. Автор: Yasunori Tanaka,Shinsuke Harada,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor Device Including an Edge Area and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140209970A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Hirler Franz. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor Device Including an Isolation Structure and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160190241A1. Автор: Kadow Christoph,Schloesser Till. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor devices including dual gate structures and methods of forming such semiconductor devices

Номер патента: CN102272906A. Автор: 杰德布·戈斯瓦米. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRENCH GATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170092759A1. Автор: HAMAZAWA Yasushi,OKUDA Hajime. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2017-03-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Integrated circuit device and method of making the same

Номер патента: WO1998000872A1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory,James P. Yakura,John J. Seliskar,Dim Lee Kwong. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and ltps-TFT within and method of making the semiconductor device

Номер патента: TW200603407A. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-16.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US09905679B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Joost Melai,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices with heterojunction barrier regions and methods of fabricating same

Номер патента: US09595618B2. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device containing stress relaxation layer and method of making thereof

Номер патента: US12074251B2. Автор: Saket Chadda,Zhen Chen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, module for optical devices, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW200525712A. Автор: Atsushi Ono,Norito Fujihara. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-08-01.

Wafers, panels, semiconductor devices, and glass treatment methods

Номер патента: US09648734B2. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: TW200723473A. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: High Power Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2007-06-16.

Semiconductor device with thin-film transistors and method of fabricating the same

Номер патента: TWI338372B. Автор: Okumura Hiroshi,SHIOTA Kunihiro. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor device having a memory cell and method of forming the same

Номер патента: US09704871B2. Автор: NAN Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device formed on semiconductor substrate and method thereof

Номер патента: TW201133784A. Автор: John Chen,Hong Chang,wen-jun Li,Li-Min Weng. Владелец: Alpha & Omega Semiconductor. Дата публикации: 2011-10-01.

NOVEL POWER SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GUARD RING STRUCTURE, AND METHOD OF FORMATION

Номер патента: US20210167168A1. Автор: Seok Kyoung Wook. Владелец: LITTELFUSE, INC.. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device having junction termination structure and method of formation

Номер патента: US11652167B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403844A1. Автор: Dong Soo Kim,Mun Gi SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166939A1. Автор: Bong-GiI Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Power mosfet, semiconductor device including the power mosfet, and method for making the power mosfet

Номер патента: TW200818504A. Автор: Hiroki Maeda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-04-16.

Semiconductor device having field stabilization film and method

Номер патента: HK1097100A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Shanghui Larry Tu,Fumika Kuramae,Ryuji Omi. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2007-06-15.

Semiconductor device having field stabilization film and method

Номер патента: TW200644235A. Автор: Takeshi Ishiguro,Fumika Kuramae,Shang-Hui Larry Tu,Ryuji Omi. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2006-12-16.

Semiconductor devices with optimized hydrogen content and methods for their manufacture

Номер патента: AU1779497A. Автор: Subhendu Guha. Владелец: United Solar Systems Corp. Дата публикации: 1997-10-30.

P-type semiconductor devices

Номер патента: WO2010119244A1. Автор: David John Wallis. Владелец: QINETIQ LIMITED. Дата публикации: 2010-10-21.

P-type semiconductor devices

Номер патента: US20120025170A1. Автор: David John Wallis. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140091321A1. Автор: Yokoyama Takashi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PEELING OFF METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170047358A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takayama Toru,Maruyama Junya,Mizukami Mayumi. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PEELING OFF METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160079283A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takayama Toru,Maruyama Junya,Mizukami Mayumi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070138550A1. Автор: Hitoshi Ninomiya,Yoshinao Miura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING AN APERTURE ARRAY AND METHOD OF PRODUCING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170309665A1. Автор: Schrank Franz,Schrems Martin,Siegert Joerg. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device, liquid crystal display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107078165B. Автор: 加藤纯男,上田直树. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-10-02.

Semiconductor device with improved overlay margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100203705A1. Автор: JOON-SOO PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Power up of semiconductor device having a temperature circuit and method therefor

Номер патента: US09933317B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method

Номер патента: WO2006007343A2. Автор: Jie Zhang,Daniel R. Gamota,Jerzy Wielgus,Hakeem B. Adewole,Paul W. Brazis. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device with bus connection circuit and method of making bus connection

Номер патента: US20110316581A1. Автор: Takeshi Ichikawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device including resistance changing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871684B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20230106646A1. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US11942928B2. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with peripheral gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240130103A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device including on-die resistor and method of calibrating on-die resistor

Номер патента: US11955943B1. Автор: Dong Seok Kim,Joo Won OH,Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method

Номер патента: WO2006007343A3. Автор: Jie Zhang,Jerzy Wielgus,Paul W Brazis,Daniel R Gamota,Hakeem B Adewole. Владелец: Hakeem B Adewole. Дата публикации: 2006-10-12.

Printed circuit board, ball grid array package and wiring method of printed circuit board

Номер патента: US09629241B2. Автор: Yue Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices of optical neural network and methods of forming the same

Номер патента: US20230409894A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having multi-level cell and method of reading the same

Номер патента: US09548125B2. Автор: Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device having a test controller and method of operation

Номер патента: US09412467B2. Автор: Chris P. Nappi,Stephen F. Mcginty. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device with temporary memory chip and method for driving the same

Номер патента: US10394465B2. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device including pre-charge circuit and a method of operating thereof

Номер патента: US20240144993A1. Автор: Motoki Tamura. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, battery monitoring system, and address setting method of semiconductor device

Номер патента: US20160055890A1. Автор: Yoshikatsu Matsuo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device for performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20230409214A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, and data processing circuit and method

Номер патента: US20230057708A1. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Systems and methods for insertion of formatted text with speech recognition

Номер патента: US20210027768A1. Автор: Curtis A. Weeks. Владелец: Dolbey & Company Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Systems and methods for evaluation of formation shear slowness

Номер патента: US20190235107A1. Автор: Hiroshi Hori,Naoki SAKIYAMA,Evgeniya Deger. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device including anti-fuse circuit, and method of writing address to anti-fuse circuit

Номер патента: US20090109790A1. Автор: Sumio Ogawa,Shinichi Miyatake. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device including anti-fuse circuit, and method of writing address to anti-fuse circuit

Номер патента: US7952950B2. Автор: Sumio Ogawa,Shinichi Miyatake. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor device including anti-fuse circuit, and method of writing address to anti-fuse circuit

Номер патента: TW200939237A. Автор: Sumio Ogawa,Shinichi Miyatake. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and method for determination of formation bubble point in downhole tool

Номер патента: US09328609B2. Автор: Tobias Kischkat. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Manufacturing method of an electronic device

Номер патента: US20240202412A1. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Uemura,Kazuo Otoge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device for logical operation processing and method of operation processing therefor

Номер патента: US5448713A. Автор: Takeshi Hamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Semiconductor device, strain gauge, pressure sensor, and method of forming semiconductor device

Номер патента: CN102683426A. Автор: 竹中一马,新谷幸弘. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2012-09-19.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device haivng a metal gate and method of forming the same

Номер патента: TW201118951A. Автор: Chien-Chung Huang,Yi-Wei Chen,Chin-Fu Lin,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-06-01.

Semiconductor device including defined resist film and method of manufacture

Номер патента: AU4234868A. Автор: NICHOLAS EPIFANO and EUGENE LEON JORDAN ROBERT. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1970-02-26.

Semiconductor device including defined resist film and method of manufacture

Номер патента: AU430558B2. Автор: NICHOLAS EPIFANO and EUGENE LEON JORDAN ROBERT. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1970-02-26.

Flip chip package semiconductor device having double stud bumps and method of forming same

Номер патента: AU2002239897A1. Автор: Ilya L. Grigorov. Владелец: Teledyne Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-24.

Semiconductor device having high switching speed and method of making

Номер патента: CA906666A. Автор: S. Oberai Avtar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-08-01.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING ESD PROTECTION CIRCUITS AND METHOD OF FABRICATING THE STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130009278A1. Автор: LEE Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

COPPER ALLOY FOR WIRING, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR FORMING WIRING, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120061844A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-03-15.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A DIODE STRUCTURE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20120199807A1. Автор: Goswami Jaydeb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-09.