Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device and trench field plate field effect transistor with a field dielectric including thermally grown and deposited portions

Semiconductor device and trench field plate field effect transistor with a field dielectric including thermally grown and deposited portions

Номер патента: US9905685B2
Опубликовано: 27-02-2018
Автор(ы): Mario Kleindienst, Oliver Blank, Ralf Siemieniec, Stefan KRAMP
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor Device and Trench Field Plate Field Effect Transistor With a Field Dielectric Including Thermally Grown and Deposited Portions

Номер патента: US20160322489A1. Автор: Stefan KRAMP,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Mario Kleindienst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297252A1. Автор: Chan-Lon Yang,Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240297237A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US10332995B2. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Reduced resistance source and drain extensions in vertical field effect transistors

Номер патента: US09935195B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US11764215B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12094877B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-Chang Hung,Jen-Chih Hsueh,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240371870A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-Chang Hung,Jen-Chih Hsueh,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: Edward Yi Chang,Mau-Chung Frank Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310803A1. Автор: Tadashi Watanabe,Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Field-effect transistors with diffusion blocking spacer sections

Номер патента: US20200287019A1. Автор: Hong Yu,George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Man Gu,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20240284688A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20220367824A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US12010856B2. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20200358015A1. Автор: Mark Van Dal,Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199105A1. Автор: Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812557B2. Автор: Dong-Suk Shin,Cheol-Woo Park,Han-jin Lim,Hyun-Kwan Yu,Ryong Ha,Woon-Ki Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US20230085365A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: WO2022008977A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US12074216B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Oxidation of silicon nitride films in semiconductor devices

Номер патента: WO2002099866A2. Автор: Oleg Gluschenkov,Jeffrey D. Gilbert,Philip L. Flaitz,Rajarao Jammy,Arne W. Ballantine,Jonathan E. Faltermeier,Carol J. Heenan. Владелец: Companie Ibm France. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12125908B2. Автор: Chia-Ling Chan,Meng-Yueh Liu,Wei-Ken LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09859369B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device including nanowire transistors with hybrid channels

Номер патента: US09595525B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210020745A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20230369397A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US20210074810A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing a field effect transistor using carbon nanotubes and a field effect transistor

Номер патента: US11769798B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Matthias Passlack,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: EP3437136A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Combined source and base contact for a field effect transistor

Номер патента: WO2017172908A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Combined Source And Base Contact For A Field Effect Transistor

Номер патента: US20170287835A1. Автор: Gregory Dix,Dan GRIMM. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070148787A1. Автор: Genichi Komuro,Kenji Kiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09589803B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device comprising a gradually increasing field dielectric layer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09893158B2. Автор: Oliver Haeberlen,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming low noise semiconductor devices

Номер патента: US09583595B2. Автор: Giovanni Calabrese,Uwe Hodel,Wolfgang Molzer,Domagoj Siprak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabricating a field effect transistor with local isolations on raised source/drain trench sidewalls

Номер патента: US09478656B2. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Precise junction placement in vertical semiconductor devices using etch stop layers

Номер патента: US09954101B2. Автор: Huiming Bu,Junli Wang,Siyuranga O. Koswatta,Liying Jiang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20210202756A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Hsiu-Hao Tsao,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12080556B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20220189776A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Po-Yuan Wang,Tzu Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20150295080A1. Автор: Jung-Ho Lee,Suk-Kyun Lee,Heon-Bok Lee,In-Ho YEO,Sae-Choon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11923428B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Yu-Chi Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10157998B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Hsin-Yi Lee,Chi-Cheng Hung,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Field effect transistor and method of manufacturing a field effect transistor

Номер патента: EP1738405A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Semiconductor device comprising capacitive element

Номер патента: US20150024593A1. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Ippei Kume. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

FABRICATION OF A VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (VERTICAL FINFET) WITH A SELF-ALIGNED GATE AND FIN EDGES

Номер патента: US20170358660A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finfet) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US20180374933A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor (vertical finFET) with a self-aligned gate and fin edges

Номер патента: US10103246B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-16.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Oblique field plate power device and preparation method for oblique field plate power device

Номер патента: CN104332498A. Автор: 李元,刘飞航,裴轶. Владелец: SUZHOU JIEXINWEI SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Oblique field plate power device and method for manufacturing oblique field plate power device

Номер патента: JP6726710B2. Автор: 元 李,軼 裴,飛航 劉. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Epitaxial structure of semiconductor device, device and method of manufacturing epitaxial structure

Номер патента: US20240021671A1. Автор: HUI Zhang,Wenlong Zhou,Shiqiang Li,Kewei Tan,Susu KONG,Xiaoqing Du. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20210343700A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060046421A1. Автор: Yoshitake Kato,Tomoe Yamamoto,Naomi Fukumaki,Tomohisa Iino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Dual silicide wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: WO2020176814A1. Автор: Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-09-03.

Dual silicide wrap-around contacts for semiconductor devices

Номер патента: US20220109066A1. Автор: Hiroaki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Reduced parasitic resistance two-dimensional material field-effect transistor

Номер патента: US20230163203A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier,Andrew Gaul. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

METHOD OF MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBES AND A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210020745A1. Автор: Passlack Matthias,VELLIANITIS Georgios,VAN DAL Marcus Johannes Henricus,VASEN Timothy. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD OF MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBES AND A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210074810A1. Автор: Doornbos Gerben,VAN DAL Marcus Johannes Henricus,VASEN Timothy. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Flash devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150171096A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09761496B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Stepped field plate wide bandgap field-effect transistor and method

Номер патента: US09929243B1. Автор: Keisuke Shinohara,Rongming Chu,Miroslav Micovic,David F. Brown,Andrea Corrion,Alexandros D. Margomenos,Shawn D. Burnham. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09437732B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Device with a Termination Mesa Between a Termination Structure and a Cell Field of Field Electrode Structures

Номер патента: US20160064548A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with a termination mesa between a termination structure and a cell field of field electrode structures

Номер патента: US09972714B2. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11688647B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358814A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and method with greater epitaxial growth on 110 crystal plane

Номер патента: WO2014047258A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Judson Robert Holt,Thomas N. Adam,Keith Howard Tabakman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Two dimensional field effect transistors

Номер патента: US20180182849A1. Автор: Alireza Alian,Salim El Kazzi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Vertical field-effect transistor late gate recess process with improved inter-layer dielectric protection

Номер патента: US20200321448A1. Автор: Ruilong Xie,Hemanth Jagannathan,Wenyu Xu,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991396B2. Автор: Takuya Hirohashi,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods for varied strain on nano-scale field effect transistor devices

Номер патента: US09978833B2. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Joon Goo Hong,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Metal-oxide field effect transistor having an oxide region within a lightly doped drain region

Номер патента: US09614078B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09548385B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Passivated III-V or Ge fin-shaped field effect transistor

Номер патента: US09425314B2. Автор: Matty Caymax,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-23.

Self-aligned contacts for vertical field effect transistors

Номер патента: US09312383B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09947800B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin field effect transistor

Номер патента: US09853030B2. Автор: MIENO FUMITAKE,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices and FinFETS

Номер патента: US09847424B2. Автор: Martin Christopher Holland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09685560B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device having field plate structures and gate electrode structures between the field plate structures

Номер патента: US9691862B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device Having Field Plate Structures and Gate Electrode Structures Between the Field Plate Structures

Номер патента: US20160204210A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Ge based semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20210104606A1. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Nanowire field effect transistor with inner and outer gates

Номер патента: US20160172441A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929167B2. Автор: Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Tsun-Kai Tsao,Shun-Shing Yang,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,S. K. Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nanowire field effect transistor with inner and outer gates

Номер патента: US09368574B1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Anirban Basu,Amlan Majumdar,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Stacked transistors with removed epi barrier

Номер патента: EP4199063A1. Автор: Nitesh Kumar,Gilbert Dewey,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning,Willy Rachmady,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Self-aligned contacts for nanosheet field effect transistor devices

Номер патента: US20210183711A1. Автор: Juergen Boemmels,Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Eugenio Dentoni Litta,Pieter Weckx. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US12087643B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240363439A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09502538B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09490365B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Epitaxially forming a set of fins in a semiconductor device

Номер патента: US09437740B2. Автор: Yanxiang Liu,Srikanth B. Samavedam,Michael J. Hargrove,Johannes M. van Meer,Christian Gruensfelder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060270130A1. Автор: Takeshi Sato,Takeshi Noda,Takahiro Kamo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A3. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: US20240162320A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of forming semiconductor devices and FinFET devices, and FinFET devices

Номер патента: US09355920B2. Автор: Martin Christopher Holland,Matthias Passlack,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Fin semiconductor device and method of manufacture with source/drain regions having opposite conductivities

Номер патента: US09685528B2. Автор: Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09929271B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Fin field effect transistor (FinFET) device having position-dependent heat generation

Номер патента: US12046638B2. Автор: Sheng-Feng Liu,Jiaw-Ren Shih,Chun-Wei Chang,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: CA2199523A1. Автор: Kazuhisa Sakamoto. Владелец: Kazuhisa Sakamoto. Дата публикации: 1997-01-30.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with source zones formed in semiconductor mesas

Номер патента: US09570577B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Multi-threshold voltage non-planar complementary metal-oxide-semiconductor devices

Номер патента: US11749680B2. Автор: Koji Watanabe,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09991171B1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984499B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device that includes forming junction field effect transistor including recessed gate

Номер патента: US09842908B2. Автор: Kouichi Arai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having schottky junction between substrate and drain electrode

Номер патента: US09905684B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Tsunehiro Nakajima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Structure of dual damascene structures having via hole and trench

Номер патента: US09887126B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200006372A1. Автор: Feng Ji,Haoyu Chen,Qiwei Wang,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09985021B2. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US20180096989A1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Shallow trench isolation recess process flow for vertical field effect transistor fabrication

Номер патента: US09824934B1. Автор: Kangguo Cheng,Xin Miao,Zhenxing Bi,Bruce Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US09472642B2. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Vertical field effect transistor inverter with single fin device

Номер патента: US11817497B2. Автор: Chen Zhang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150069506A1. Автор: Osamu Takata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20240234555A1. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical insulated gate semiconductor device with less influence from the parasitic bipolar effect

Номер патента: US5285094A. Автор: Tomoyuki Tanaka,Yasumichi Yasuda,Mutsuhiro Mori,Yasunori Nakano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-02-08.

Method of forming a semiconductor device structure and such a semiconductor device structure

Номер патента: US20160163815A1. Автор: Ralf Richter,Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Peter Javorka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Partially depleted (PD) semiconductor-on-insulator (SOI) field effect transistor (FET) structure with a gate-to-body tunnel current region for threshold voltage (Vt) lowering and method of forming the structure

Номер патента: US8809954B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,Jiale Liang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279948A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: EP2877845A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: Sanofi Inc. Дата публикации: 2015-06-03.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US20150279949A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-10-01.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09966443B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-08.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: US09960238B2. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L. TSCHIRHART. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2723982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова,Арслан Гасанович Мастафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-06-18.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including vertical field effect transistors having different gate lengths

Номер патента: US20200020685A1. Автор: Mingyu Kim,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE WITH A PLANAR BLOCK AREA TO ENABLE VARIALBLE FIN PITCH AND WIDTH

Номер патента: US20150311085A1. Автор: Mishra Shiv Kumar,Kozarsky Eric S.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-29.

Holding member, manufacturing method of holding member, inspection device, and cutting device capable of accurately inspecting the edges of an object to be held with a simple configuration

Номер патента: TW201915462A. Автор: 原田昭如. Владелец: 日商Ｔｏｗａ股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-16.

Field effect transistors and method of making a field effect transistor

Номер патента: EP0394590A2. Автор: Teruyuki C/O Mitsubishi Denki K.K. Shimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-10-31.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20170032999A1. Автор: Masatoshi Taya. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-02-02.

Gate all-around (gaa) field effect transistors (fets) formed on both sides of a substrate

Номер патента: WO2024047479A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method of manufacture therefor

Номер патента: US20160163849A1. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-09.

Field-effect transistors with vertically-serpentine gates

Номер патента: US20200357892A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Extended-drain structures for high voltage field effect transistors

Номер патента: US09911815B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Field-effect transistors with laterally-serpentine gates

Номер патента: US20200357889A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Michel J. Abou-Khalil. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device comprising planar gate and trench field electrode structure

Номер патента: US09917159B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09728466B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Cross-bar vertical transport field effect transistors without corner rounding

Номер патента: US20210288181A1. Автор: Tao Li,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978746B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Dongho Cha,Seungseok HA,Keunhee Bai,Sunhom Steve Paak,Kyoung Hwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Trench power semiconductor device

Номер патента: US20230268405A1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09799656B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device having a gate stack with tunable work function

Номер патента: US09559016B1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Field-effect transistor and method of manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: RU2631405C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Микико ТАКАДА. Владелец: Рикох Компани, Лтд. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09991205B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device wtih an interconnecting semiconductor electrode between first and second semiconductor electrodes and method of manufacture therefor

Номер патента: US09837526B2. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device including FinFETs having different gate structures and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09564435B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Jung-Dal Choi,Dong-Kyu Lee,Eun-ae Chung,Gab-jin Nam,Guangfan Jiao,Yu-Bin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090114993A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device with field electrode and field dielectric

Номер патента: US09530847B2. Автор: Franz Hirler,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09401402B2. Автор: Masahiro Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US11990359B2. Автор: Kenji Ono,Hidenari YOSHIDA,Takatomo Yamaguchi. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240258428A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20210119034A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240379680A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20010050401A1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139873A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12136657B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US20240371644A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640613B2. Автор: Junichi Takizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09406773B2. Автор: Masayasu Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US12009364B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20230275096A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240347534A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20240332303A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US09947774B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09837528B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09601334B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515153B2. Автор: Michimoto Kaminaga,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Vertical compound semiconductor field effect transistor on a group IV semiconductor substrate

Номер патента: US09343569B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with reduced gate height budget

Номер патента: US20190027575A1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Tunneling fin type field effect transistor with epitaxial source and drain regions

Номер патента: US09947586B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Strained channel field effect transistor

Номер патента: US09761666B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Georgios Vellianitis,Mark Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Nanostructure Field-Effect Transistor Device and Method of Forming

Номер патента: US20240379750A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Tunnel field effect transistors

Номер патента: US09577079B2. Автор: Harald Gossner,Ramgopal Rao,Ram Asra. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09478530B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190027487A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20240008279A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of Forming High-Voltage Transistor with Thin Gate Poly

Номер патента: US20190304990A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: WO2019018194A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343127A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Che-Chih Hsu,Chinyu Su,Po-Han Tseng,Wen Han Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343373A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Trench gate trench field plate semi-vertical semi-lateral mosfet

Номер патента: US20150349092A1. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Trench gate trench field plate semi-vertical semi-lateral mosfet

Номер патента: US20150097225A1. Автор: Sameer Pendharkar,Marie Denison,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09679775B2. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US09490346B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Vertical field effect transistor having improved uniformity

Номер патента: US20200266288A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145553A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220190117A1. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: US20210083066A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

III-V gate-all-around field effect transistor using aspect ratio trapping

Номер патента: US09583567B2. Автор: SANGHOON Lee,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180197889A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Shuhei Nagatsuka,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Mos device with resistive field plate for realizing conductance modulation field effect and preparation method thereof

Номер патента: US20240038853A1. Автор: LIANG Chen,Pengfei Wang,TIAN Xiao,WEI Cui,Sheng Qiu,Jiahao Zhang,Guangbo Li,Kaizhou Tan,Xiaoquan Li,Ying PEI,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device including transistor and electronic device surrounded by layer having assigned band gap to prevent electrostatic discharge damage

Номер патента: US09911756B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Shuhei Nagatsuka,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Tunnel field-effect transistor (TFET) with supersteep sub-threshold swing

Номер патента: US09748368B2. Автор: Abhijit MALLIK. Владелец: University of Calcutta. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240185913A1. Автор: Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Iuliana Radu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20180366560A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20230215953A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Manganese-doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11908943B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device having trench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069109A1. Автор: Shingo Sato,Wataru Saito,Shizue MATSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888067B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11848386B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888066B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949018B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949017B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Tunnel field-effect transistor (tfet) with supersteep sub-threshold swing

Номер патента: WO2015001399A1. Автор: Abhijit MALLIK. Владелец: University of Calcutta. Дата публикации: 2015-01-08.

Tunnel field-effect transistor (tfet) with supersteep sub-threshold swing

Номер патента: US20160141398A1. Автор: Abhijit MALLIK. Владелец: University of Calcutta. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7638846B2. Автор: Kenji Kasahara,Ritsuko Kawasaki,Hidehito Kitakado. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-29.

Isolated fin structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220285531A1. Автор: Yu-Rung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20170062482A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Shuhei Nagatsuka,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Field effect transistor and method for producing a field effect transistor

Номер патента: US20060289933A1. Автор: Harald Gossner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-28.

Field effect transistor and method for producing a field effect transistor

Номер патента: US7821062B2. Автор: Harald Gossner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor Device Comprising a Transistor Including a First Field Plate and a Second Field Plate

Номер патента: US20170358650A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-14.

PARTIALLY DEPLETED (PD) SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR (SOI) FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) STRUCTURE WITH A GATE-TO-BODY TUNNEL CURRENT REGION FOR THRESHOLD VOLTAGE (Vt) LOWERING AND METHOD OF FORMING THE STRUCTURE

Номер патента: US20140117450A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,ANDERSON Brent A.,Liang Jiale. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: CHANG EDWARD YI,Chang Mau-Chung Frank,CHUANG CHIEH-HSI,LIN JESSIE. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Resistance field plate conductivity modulation field effect mos device and manufacturing method therefor

Номер патента: WO2022095347A1. Автор: 陈良,王鹏飞,崔伟,裴颖,杨永晖,谭开洲,李光波,蒋和全,张培健,肖添,张嘉浩,李孝权,邱盛. Владелец: 中国电子科技集团公司第二十四研究所. Дата публикации: 2022-05-12.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Field plate configuration of a semiconductor device

Номер патента: US20160260826A1. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Vertical field-effect transistor

Номер патента: EP3347915A1. Автор: Franky So,Do Young Kim,Bhabendra K. Pradhan,Hyeonggeun Yu. Владелец: Nanoholdings LLC. Дата публикации: 2018-07-18.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Low leakage gate controlled vertical electrostatic discharge protection device integration with a planar FinFET

Номер патента: US09646962B1. Автор: Qing Liu,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240332091A1. Автор: Huang-Lin Chao,Kenichi Sano,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE,Huiching Chang,Shao An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Transistors with source-connected field plates

Номер патента: EP4199103A1. Автор: Bernhard Grote,Bruce McRae Green,Congyong ZHU. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09837534B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20100224914A1. Автор: Kiyotaka Imai,Toshiyuki Iwamoto,Gen Tsutsui. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Backside contacts for stacked field effect transistors

Номер патента: WO2024139165A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-07-04.

Backside contacts for stacked field effect transistors

Номер патента: US20240222227A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321839A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device including a P-type field-effect transistor

Номер патента: US7812398B2. Автор: Shinichi Saito,Yoshinobu Kimura,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-10-12.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094875B2. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Semiconductor device and method for manufacture

Номер патента: EP1754250A2. Автор: Erwin A. Hijzen,Jan Sonsky,Michael A. A. In't Zandt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125774B2. Автор: Hisashi Shimura,Yoshiyasu Kuwabara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09947657B2. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US09502407B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

System and method for a vertical tunneling field-effect transistor cell

Номер патента: US09865716B2. Автор: Ming Zhu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Backside cavity formation in semiconductor devices

Номер патента: US09859225B2. Автор: David Scott Whitefield,David T. PETZOLD. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Field effect transistor gate stack

Номер патента: US20180330996A1. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240079401A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20180308926A1. Автор: Shinnosuke Takahashi,Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US11764218B2. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20210313328A1. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180337181A1. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Fin field effect transistor, semiconductor device including the same and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09391134B2. Автор: Jung-Dal Choi,Jae-Hwan Lee,Sang-Su Kim,Chang-Jae Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

Field effect transistor stack with tunable work function

Номер патента: US10312157B2. Автор: Vijay Narayanan,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Cavity formation in interface layer in semiconductor devices

Номер патента: US20160336214A1. Автор: David Scott Whitefield,David T. PETZOLD. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Applications of two-dimensional silicon carbide as the channel layer in field-effect transistors

Номер патента: US20230352538A1. Автор: Sakineh CHABI. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2023-11-02.

Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

Номер патента: US20210184046A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US20240224673A1. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US09941346B2. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230290879A1. Автор: Yusuke OJIMA,Seiji Hirabayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US10553713B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US11937475B2. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US20090209067A1. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device method of manfacturing a quantum well structure and a semiconductor device comprising such a quantum well structure

Номер патента: US7951684B2. Автор: Youri Ponomarev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-05-31.

Field effect transistor and method for producing a field effect transistor

Номер патента: TW563253B. Автор: Franz Kreupl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-21.

Semiconductor device and its manufacturing method with field plate

Номер патента: KR920009751B1. Автор: 다카시 기무라,다이라 마츠나가. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-10-22.

Device and method of manufacture for a low noise junction field effect transistor

Номер патента: US20080061325A1. Автор: Dominik J. Schmidt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Device and method of manufacture for a low noise junction field effect transistor

Номер патента: WO2008034026A1. Автор: Dominik Schmidt. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-03-20.

Device and method of manufacture for a low noise junction field effect transistor

Номер патента: TW200822237A. Автор: Dominik Schmidt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-05-16.

Device and method of manufacture for a low noise junction field effect transistor

Номер патента: TWI369742B. Автор: Dominik Schmidt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-08-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A SECOND ORGANIC FILM OVER A THIRD INSULATING FILM WHEREIN THE SECOND ORGANIC FILM OVERLAPS WITH A CHANNEL FORMATION REGION AND A SECOND CONDUCTIVE FILM

Номер патента: US20150014691A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device comprising a second organic film over a third insulating film wherein the second organic film overlaps with a channel formation region and a second conductive film

Номер патента: US8994887B2. Автор: Satoshi Murakami,Shunpei Yamazaki,Yukio Tanaka,Jun Koyama,Hidehito Kitakado. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-31.

Semiconductor device comprising a second organic film over a third insulating film wherein the second organic film overlaps with a channel formation region and a second conductive film

Номер патента: US9235095B2. Автор: Satoshi Murakami,Shunpei Yamazaki,Yukio Tanaka,Jun Koyama,Hidehito Kitakado. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-12.

Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes

Номер патента: HK1210524A1. Автор: Axel Scherer,Stefan Petry,Aditya Rajagopal,Oliver Plettenburg,Chieh-Feng Chang,Charles L Tschirhart. Владелец: California Inst Of Techn. Дата публикации: 2016-04-22.

NANOPILLAR FIELD-EFFECT AND JUNCTION TRANSISTORS WITH FUNCTIONALIZED GATE AND BASE ELECTRODES

Номер патента: US20140030819A1. Автор: Scherer Axel,PLETTENBURG Oliver,Petry Stefan,RAJAGOPAL Aditya,CHANG Chieh-feng,TSCHIRHART Charles L.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

NANOPILLAR FIELD-EFFECT AND JUNCTION TRANSISTORS WITH FUNCTIONALIZED GATE AND BASE ELECTRODES

Номер патента: US20150279948A1. Автор: Scherer Axel,PLETTENBURG Oliver,Petry Stefan,RAJAGOPAL Aditya,CHANG Chieh-feng,TSCHIRHART Charles L.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

NANOPILLAR FIELD-EFFECT AND JUNCTION TRANSISTORS WITH FUNCTIONALIZED GATE AND BASE ELECTRODES

Номер патента: US20150279949A1. Автор: Scherer Axel,PLETTENBURG Oliver,Petry Stefan,RAJAGOPAL Aditya,CHANG Chieh-feng,TSCHIRHART Charles L.. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

By field effect controllable trench transistor with two control electrodes

Номер патента: DE102006026943B4. Автор: Franz Dr. Hirler,Ralf Dr. Siemieniec,Maximilian Dr. Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-01-05.

Nanosheet device integrated with a finfet transistor

Номер патента: US20210233910A1. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and process of forming the same

Номер патента: US20210083092A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: SG49599A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-06-15.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: MY110382A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-04-30.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US20170317177A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09859384B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050085036A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device and transistor

Номер патента: US09679893B2. Автор: Chee-Wee Liu,Der-Chuan Lai,Jhih-Yang Yan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-06-13.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material

Номер патента: US20240088216A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Source-Down Transistor with Vertical Field Plate

Номер патента: US20210151596A1. Автор: Che-Yung Lin,Chiao-Shun Chuang. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Termination structures for trench-gate field-effect transistors

Номер патента: US20220013647A1. Автор: Takashi Ogura,Takashi Hiroshima,Toshimitsu Taniguchi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

A semiconductor device in a thin active layer with high break-down voltage

Номер патента: SG54996A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-12-21.

Complementary metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20110187412A1. Автор: Xiao Sun,Tso-Ping Ma,Minjoo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device

Номер патента: EP4443512A1. Автор: David Laforet,Heimo Hofer,Thomas Ralf Siemieniec,Christof Altstätter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-09.

Low on resistance semiconductor device

Номер патента: US09653561B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Vertical field-effect transistor structure and method for producing a vertical field-effect transistor structure

Номер патента: US20240222495A1. Автор: Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240339507A1. Автор: David Laforet,Heimo Hofer,Thomas Ralf Siemieniec,Christof Altstätter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780226B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device comprising a field electrode

Номер патента: US09728614B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,David Laforet,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Stacked transistors with stepped contacts

Номер патента: US20240203984A1. Автор: Su Chen Fan,Indira Seshadri,Jay William Strane,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductror device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090096020A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653613B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Yuhei Sato,Motoki Nakashima,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09443934B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043988A1. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190371920A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Lateral Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140027848A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-01-30.

Gate-all-around field effect transistor with bottom dielectric isolation

Номер патента: WO2023078652A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Ruilong Xie,Andrew Greene,Nicolas Loubet,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-11.

Nanostructure field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240332354A1. Автор: Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,Chia-Ling Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device comprising a field electrode

Номер патента: US09536960B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,David Laforet,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-03.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09941360B2. Автор: Shigenobu Maeda,Seunghan Seo,Yeohyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Field effect transistors including fin structures with different doped regions and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09653551B2. Автор: Bomsoo Kim,Myung Gil Kang,Changwoo Oh,Jongshik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and method

Номер патента: EP4345907A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Ferroelectric field effect transistor

Номер патента: US12057489B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20120193722A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842942B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09818861B2. Автор: Chien-Hsien Song,Chung-Ren Lao. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Field-effect transistor with integrated Schottky contact

Номер патента: US09780086B2. Автор: Filip Bauwens,Jaume Roig Guitart,Samir Mouhoubi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704960B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09472656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Atsuo Isobe,Masaharu Nagai,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor Devices and Method for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20170005091A1. Автор: Martin Poelzl,Ravi Keshav Joshi,Johannes Baumgartl,Christoph Gruber,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230062583A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US12027622B2. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10192962B2. Автор: Yuto OSAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234522A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343715A1. Автор: Xiangdong Chen,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG,Jerry Chang-Jui Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A3. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11769837B2. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220165877A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12074168B2. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20020171113A1. Автор: Takaaki Murakami,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250131A1. Автор: Yi Zhong,PENG Wang,TIAN Xiao,Yuxin Wang,Ruzhang Li,Xiaojun Fu,Jiahao Zhang,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Zhaohuan Tang. Владелец: China Electronics Technology Group Corp No24 Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322034A1. Автор: Keita AOYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12125922B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363637A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240372010A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Stripe-shaped electrode structure including a main portion with a field electrode and an end portion terminating the electrode structure

Номер патента: US09837498B2. Автор: Robert Zink,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Under-spacer doping in fin-based semiconductor devices

Номер патента: US09496356B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Under-spacer doping in fin-based semiconductor devices

Номер патента: US09455323B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US11855139B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20200006483A1. Автор: Peter Baumgärtner,Philipp Riess,Uwe Hodel,Karl-Henrik Rydén,Andreas Lachmann,Vase JOVANOV,Gregor BRACHER,Luis GILES. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US12034004B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical field-effect transistor device having at least two bypass schottky diodes

Номер патента: WO2015042148A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Device and fabrication of mos device with island region

Номер патента: US20180337274A1. Автор: Ji Pan,Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Sung-Po Wei. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20220069120A1. Автор: Shingo Hayashi,Akimasa Kinoshita,Yoshihito ICHIKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical field-effect transistor device having at least two bypass schottky diodes

Номер патента: WO2015042148A4. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

Reducing gate resistance in stacked vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11756957B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070072371A1. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7361932B2. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3745449A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11482555B2. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2022-10-25.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor Device Having a Flexible Printed Circuit

Номер патента: US20090091014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuyuki Arai,Junya Maruyama,Toru Takayama,Noriko Shibata,Yuugo Goto,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-09.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210057477A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and imaging element

Номер патента: US11742374B2. Автор: Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and imaging element

Номер патента: US20230361145A1. Автор: Nobutoshi Fujii,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717144C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10896869B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Method of manufacturing a glass passivation type semiconductor device

Номер патента: CA1226074A. Автор: Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230411257A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764135B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of producing semiconductor device having multilayer conductive lines

Номер патента: US4816424A. Автор: Kiyoshi Watanabe,Ichiro Fujita,Tohru Takeuchi,Hideaki Ohtake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Device and method of semiconductor with field plate pad

Номер патента: KR0151052B1. Автор: 이충호,오경석. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-12-01.

Stacked semiconductor, wafer stack, method of manufacturing stacked semiconductor, assistance device, and program

Номер патента: US20220310450A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: US20120305994A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-12-06.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: EP1969617A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Semiconductor device and reverse conducting insulated gate bipolar transistor with isolated source zones

Номер патента: US09876100B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Matteo Dainese,Peter Lechner,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240282827A1. Автор: Marco A. Zuniga,Ashutosh Ravindra Joharapurkar,Thomas William Macelwee,Rohan Samsi,Lucas Andrew Milner,Vineet Unni,Jayasimha S. Prasad,Ramesh G. KARPUR. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: WO2024176174A1. Автор: Marco A. Zuniga,Thomas MacElwee,Jayasimha Prasad,Rohan Samsi,Ramesh Karpur,Vineet Unni,Lucas MILNER,Ashutosh Joharapurkar. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of Filling Large Deep Trench with High Quality Oxide for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110140228A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Yeeheng Lee. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09484418B2. Автор: Ming-Wei Tsai,Ching-Chuan Shiue,Po-Chin Chuang,Chi-Hsing Huang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20210408001A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Field effect transistor with source-connected field plate

Номер патента: US11749726B2. Автор: Matt King,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Kyle BOTHE,Jia GUO,Qianli MU. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240371878A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12132051B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Device and method for producing flow field plates

Номер патента: US11217795B2. Автор: Alexander Seitz,Rolf Cisar. Владелец: L Schuler GmbH. Дата публикации: 2022-01-04.

Device and method for producing flow field plates

Номер патента: US11695124B2. Автор: Alexander Seitz,Rolf Cisar. Владелец: L Schuler GmbH. Дата публикации: 2023-07-04.

Device and method for producing flow field plates

Номер патента: US20210135245A1. Автор: Alexander Seitz,Rolf Cisar. Владелец: L Schuler GmbH. Дата публикации: 2021-05-06.

Device and method for producing flow field plates

Номер патента: US20220093937A1. Автор: Alexander Seitz,Rolf Cisar. Владелец: L Schuler GmbH. Дата публикации: 2022-03-24.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092419A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: EP4407689A1. Автор: ZHENG Zhong,Ping Ma,Haijun Li,Lingcong LE,Huilan Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022252146A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

High voltage metal oxide semiconductor field effect transistor integrated into extremely thin semiconductor on insulator process

Номер патента: US09559119B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120385A1. Автор: Hung Shen Chu. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Schottky-barrier field-effect transistor

Номер патента: US3609477A. Автор: Waldemar Von Muench,Karsten E Drageid,Theodor O Mohr,Horst F Statz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

A method of manufacturing a semiconductor device having a flexible device, a semiconductor element, a movable gate field effect sensor, a method of using a movable gate transistor as a sensor, and a capacitive sensor

Номер патента: DE19537285B4. Автор: Raffi M. San Leandro Garabedian,Salleh M. Newark Ismail,Gary J. San Jose Pashby. Владелец: Kavlico Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Junction field effect transistor or JFET with a well which has graded doping directly beneath the gate electrode

Номер патента: US6271550B1. Автор: Andreas Gehrmann. Владелец: ELMOS SEMICONDUCTOR SE. Дата публикации: 2001-08-07.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Semiconductor device and field effect transistor with controllable threshold voltage

Номер патента: US09530879B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated semiconductor device having a level shifter

Номер патента: US09960156B2. Автор: Steffen Thiele,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09735285B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kazunori Watanabe,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU,Hikaru Harada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage

Номер патента: US09502512B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09478564B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kazunori Watanabe,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU,Hikaru Harada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Diode, junction field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US10020392B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor device and boost circuit

Номер патента: US20060238222A1. Автор: Yoshiharu Ajiki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Junction field effect transistor cell with lateral channel region

Номер патента: US09548399B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20140117353A1. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: CA3232416A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: AU2022344995A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: EP4402722A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: WO2023043687A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: US12074226B2. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

HfS3 FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH A TWO-DIMENSIONAL HOLE GAS

Номер патента: US20240162342A1. Автор: Alexander Sinitskii,Peter A. Dowben,Alexey Lipatov,Archit Dhingra. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20170098649A1. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Pn junction device structure in semiconductor device with back side power delivery network (bspdn) structure

Номер патента: EP4235787A1. Автор: Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Byounghak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-30.

Gate-all-around field effect transistor with bottom dielectric isolation

Номер патента: US12100746B2. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Nicolas Loubet,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09947664B1. Автор: Terence B. Hook,Brent Alan Anderson,Shawn P. Fetterolf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09905563B2. Автор: Manabu Yanagihara,Takahiro Ohori,Chikashi Hayashi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor with barrier structure

Номер патента: US09553179B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Alexander Philippou,Antonio Vellei. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11837656B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4610076A. Автор: Seiji Ueda. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1986-09-09.

Semiconductor devices

Номер патента: US09819341B2. Автор: Franz-Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device having a field effect transistor with a channel formed from a polycrystalline silicon film

Номер патента: US5298764A. Автор: Takashi Hashimoto,Naotaka Hashimoto,Toshiaki Yamanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090325357A1. Автор: Junji Koga,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device with trench field plate

Номер патента: WO2006085267A3. Автор: Theodore Letavic,John Petruzzello. Владелец: John Petruzzello. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20180190765A1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: WO2009129049A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20180083615A1. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20180190764A1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device including field effect transistor formed on soi substrate

Номер патента: US20240363750A1. Автор: Takashi Hase,Tatsuo Nishino,Shiro Kamohara,Michio Onda,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices

Номер патента: US09478745B2. Автор: Pascal Hayoz,Hans Jürg Kirner,Mathias DÜGGELI,Olivier Frédéric AEBISCHER,Marta Fonrodona Turon. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230117607A1. Автор: Hideaki Matsuzaki,Takuya Tsutsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240284681A1. Автор: Noriyuki Shimoji,Ken Nakahara,Shinichi Tahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240274672A1. Автор: Zichen WANG,Guanying HUANG,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Yihang LIANG. Владелец: San'an Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09673234B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Rectifier circuit with a voltage sensor

Номер патента: US09509228B2. Автор: Gerald Deboy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443893B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Devices, Components and Methods Combining Trench Field Plates with Immobile Electrostatic Charge

Номер патента: US20160343849A1. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Devices, components and methods combining trench field plates with immobile electrostatic charge

Номер патента: US20140054686A1. Автор: Jun Zeng,Mohamed N. Darwish. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and its manufacturing method, and display device and electronic appliance

Номер патента: US20070138477A1. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240194613A1. Автор: Hiroki Shiota,Yasutomo Otake,Yoshitaka Miyaji,Kunihiko Tajiri,Kazutake Kadowaki,Hirotaku ISHIKAWA,Koki Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Multilayer wiring structure for semiconductor device

Номер патента: US20010045656A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Field Effect semiconductor device

Номер патента: GB2009502A. Автор: . Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1979-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055329A1. Автор: Kentaro NASU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070052515A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-03-08.

METHOD OF MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBES AND A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20220052283A1. Автор: Doornbos Gerben,VAN DAL Marcus Johannes Henricus,VASEN Timothy. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

METHOD OF MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBES AND A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200075875A1. Автор: Doornbos Gerben,Passlack Matthias,Van Dal Mark,VASEN Timothy. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

METHOD OF MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR USING CARBON NANOTUBES AND A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200358015A1. Автор: Doornbos Gerben,Passlack Matthias,Van Dal Mark,VASEN Timothy. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

METHOD OF MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR USING NANOTUBE STRUCTURES AND A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200411767A1. Автор: VASEN Timothy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing a field effect transistor using nanotube structures and a field effect transistor

Номер патента: US10879469B1. Автор: Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A3. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor device, multi-chip semiconductor device, device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: JP5682496B2. Автор: 正司 竹中,克義 山本,竹中　正司,山本　克義. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

System and method for measuring misregistration of semiconductor device wafers utilizing induced topography

Номер патента: WO2020168142A9. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2020-10-29.

System and method for measuring misregistration of semiconductor device wafers utilizing induced topography

Номер патента: EP3931865A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Light-emitting diode device and a fabrication method thereof

Номер патента: US20090212276A1. Автор: Tzong-Liang Tsai,Ming-Huang Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2719622C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев,Зелимхан Лечиевич Хазбулатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688851C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20070066043A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20050282386A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09640444B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Kwanyoung Chun,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2723981C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-06-18.

Integration method for fabrication of metal gate based multiple threshold voltage devices and circuits

Номер патента: US09455201B2. Автор: Richard J. Carter,Rohit Pal,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Jin Ping Liu,Manoj Joshi,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2770135C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2022-04-14.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2671294C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device isolation using an aligned diffusion and polysilicon field plate

Номер патента: US09818742B2. Автор: William Larson. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for forming openings and trenches in insulating layer by first LDA and second LDA for RDL formation

Номер патента: US09607958B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09508716B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Chih-Hao Wang,Kuo-Yin Lin,Chi-Yuan Chen,Li-Ting Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Cheng-Tung Lin,Huicheng Chang,Wan-Chun Pan,Ming-Liang Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1754255A1. Автор: Gerben Doornbos,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Wiring layout of semiconductor device and design method of the same

Номер патента: US20050051803A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Hitomi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device with resistance circuit

Номер патента: US09461038B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for producing cavities with submicrometer patterns in a semiconductor device using a freezing process liquid

Номер патента: US20030042612A1. Автор: Rainer Leuschner,Egon Mergenthaler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020113256A1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

3d semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US20240274523A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

3D semiconductor device and structure with metal layers

Номер патента: US12100646B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09576872B2. Автор: Horst Theuss,Thomas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Partially shieded semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230402400A1. Автор: Heesoo Lee,HunTeak Lee,SangHo SONG,YeonJee LEE. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of providing z-interconnect conductive pillars with inner polymer core

Номер патента: US09640504B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Shuangwu Huang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2626075C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2017-07-21.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2660296C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240234468A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US20240244843A1. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20080237638A1. Автор: Yasunori Bito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: US9780738B2. Автор: Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20120098038A1. Автор: Ken Shono. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Gate control device, semiconductor device, and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US09621153B2. Автор: Kentaro Ikeda,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060202246A1. Автор: Akio Miyao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Method for manufacturing a high-frequency transistor with an additional active field electrode

Номер патента: RU2707402C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-11-26.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7294900B2. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Resistive field structures for semiconductor devices and uses therof

Номер патента: US09761675B1. Автор: Albert G. Baca,Robert Kaplar,Sandeepan DasGupta,Matthew Marinella. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US09673823B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US09508709B2. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20120161145A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

One-time programming device and a semiconductor device

Номер патента: US09761595B2. Автор: Hubert Rothleitner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Integrated semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09812442B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor memory using field-effect transistor as selective element

Номер патента: USRE45861E1. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09564224B2. Автор: Kiyoshi Okuyama,Tomoya INDEN,Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Field-effect transistors based on macroscopically oriented polymers with high saturation mobility

Номер патента: US09559306B2. Автор: Lei Ying,Alan J. Heeger,Guillermo C. Bazan,Hsin-Rong Tseng,Ben B. Y. Hsu,Christopher J. TAKACS. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09490267B2. Автор: Masashi Fujita,Yutaka Shionoiri,Hidetomo Kobayashi,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Semiconductor package including thermal interface structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230007912A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Hang Tung,Chung-Jung Wu,Tung-Liang Shao,Sheng-Tsung HSIAO,Jen Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

A semiconductor device and method of making

Номер патента: GB1069506A. Автор: Peter Joseph Hagon. Владелец: North American Aviation Corp. Дата публикации: 1967-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20230089737A1. Автор: Jia Liu,Masahiko Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11990460B2. Автор: Jia Liu,Masahiko Hori. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and a method making the same

Номер патента: US20230061462A1. Автор: Shibing QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US20230378188A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20040082084A1. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

Silicon oxide film evaluation method and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US6890776B2. Автор: Takehiko Okajima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-10.

Dyketopyrrolopyrrole polymers for use in organic semiconductor devices

Номер патента: US09434812B2. Автор: Pascal Hayoz,Mathias DÜGGELI,Natalia Chebotareva,Olivier Frédéric AEBISCHER. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and data retention method

Номер патента: US20200143876A1. Автор: Daisuke Nakamura,Yoshisato Yokoyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device and semiconductor system including electro static discharge (ESD) protective device

Номер патента: US12142604B2. Автор: Yasuhiko Kuriyama,Toshiki Seshita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

Pixel circuit, solid-state imaging device and camera system

Номер патента: RU2494565C2. Автор: Тосиюки НИСИХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-09-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US8674351B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device and inverter device

Номер патента: US20230010169A1. Автор: Takeshi Ogawa,Takuro Mori,Masaru Furukawa,Hideki Tsukamoto,Seiji Saiki,Korehide Okamoto,Takamasa ODA,Yosuke Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266277A1. Автор: Yoshiaki Aizawa,Katsuhiro TAKAO,Atsushi KUROHA. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Antenna device and antenna module thereof

Номер патента: US20240266720A1. Автор: Chao Huang,Xu Zhang,Yansong Chen,Haibo Ma,HaoQiang LEI,YangQiu CAO. Владелец: Kunshan Luxshare Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Rotation control component, method, device and electronic apparatus

Номер патента: US20240370048A1. Автор: Haihong Zhang. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Antenna devices and smart televisions

Номер патента: US20240297431A1. Автор: Zitong Wang,Jiahui Luo,Liuzhong YIN. Владелец: Shenzhen TCL Digital Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING FLOW FIELD PLATES

Номер патента: US20220093937A1. Автор: Seitz Alexander,Cisar Rolf. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Dielectric filter, transceiver device, and base station

Номер патента: CA3053674C. Автор: Tao Jiang,Jiyong GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Antenna device and base station comprising the same

Номер патента: US11778486B2. Автор: Hao Chen,Ningmin LIU,Yi GENG,Cuichun XIA,Jianxiang ZHAO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-10-03.

Transformer malfunction diagnosis device and malfunction diagnosis method using same

Номер патента: US20240053323A1. Автор: Jong Min Park,Won Gon Kim,Byeng Dong YOUN,Sun Uwe KIM,Soo Ho JO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Antenna device and base station comprising the same

Номер патента: EP3931910A1. Автор: Hao Chen,Ningmin LIU,Yi GENG,Cuichun XIA,Jianxiang ZHAO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240291402A1. Автор: Chihiro Kawahara,Kenichi Morokuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US11727978B2. Автор: Katsuaki Matsui,Kota AMA. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Methods for sending and receiving channel state information (csi) messages, devices, and electronic devices

Номер патента: RU2748854C1. Автор: Ицзянь ЧЭНЬ,Хао У,Юй Нгок ЛИ,Чжаохуа ЛУ,Чуансинь ЦЗЯН,Шуцзюань ЧЖАН. Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2021-06-01.

Paper sheets processing device and paper sheets processing device correction method

Номер патента: RU2689217C1. Автор: Ясуюки ИСИХАРА,Таканори САГАМИ. Владелец: Фудзитсу Фронтек Лимитед. Дата публикации: 2019-05-24.

Monitor/control device and monitoring target device

Номер патента: RU2490793C1. Автор: Томоцуне НИСИМУРА. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2013-08-20.

Device and method for voice interaction with preservation of confidentiality

Номер патента: RU2768506C2. Автор: Кристоф НОЙМАНН,Патрик ФОНТЭН. Владелец: Интердиджитал Се Пэйтент Холдингз. Дата публикации: 2022-03-24.

A stepper motor driver with brake drive, driver device and automation device

Номер патента: WO2020057505A1. Автор: Weiping Li,Jun Qin,Jianhua Lin,Zhouyong Zhu,Tiansheng Tian. Владелец: Chinaleadshine Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-26.

A wireless communication device and method for making a secure transfer of a communication connection

Номер патента: WO2006073675A1. Автор: Murali Narasimha. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2006-07-13.

Image processing device and image processing method

Номер патента: US12081743B2. Автор: Masaru Ikeda. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Devices and methods of communication

Номер патента: WO2024168535A1. Автор: You Li,Gang Wang,Zonghui XIE,Rao SHI. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2024-08-22.

Data processing method, apparatus, electronic device and storage medium

Номер патента: US20240296830A1. Автор: FAN YANG,Yongsen JIANG,Ziqi SUN,Bingchuan LI,Rongkun GAO. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method, electronic device, and computer program product for session switching

Номер патента: US20240323237A1. Автор: Jinpeng LIU,Jiacheng Ni,Zijia Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-09-26.

Handover method, device, and apparatus for feeder link and user equipment belonging to satellite

Номер патента: US12126369B2. Автор: Ye Zhou,Shaohui Sun,Jiancheng SUN,Jiangsheng FAN. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Electronic device and control method therefor

Номер патента: US20240323609A1. Автор: Youngsuk Song,Hanki Kim,Haekwang Park,Donghyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Short range wireless location/motion sensing devices and reporting methods

Номер патента: US09813535B2. Автор: David B. Benoit,Phillip A. Giancarlo. Владелец: WearSafe Labs LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

System and method for establishing a secured connection between an implantable medical device and an external device

Номер патента: US09445264B2. Автор: MIN Yang,Jun Yang,Mostafa Sadeghi,Thanh Tieu,Yongjian Wu,Chao-wen Young,Erik Shreve,Andrew Rissing. Владелец: Pacesetter Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Abnormality identification device and identification method

Номер патента: US20200300673A1. Автор: Takeshi Yanaka. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Devices and methods for backscatter communication using one or more wireless communication protocols including bluetooth low energy examples

Номер патента: US20190068236A1. Автор: Matthew S. Reynolds,Joshua F. Ensworth. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2019-02-28.

System for registering and managing a distributed network of storage devices and method of use thereof

Номер патента: WO2015031076A3. Автор: Bryan Moore,George R. Patrick,Michael Lippman. Владелец: MXN Corporation. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for associating an image-forming device, a mobile device, and a user

Номер патента: US20150188896A1. Автор: Manuel Ferreira,Royce E. Slick,Craig Mazzagatte. Владелец: Canon Information and Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Control method for refrigerating and freezing device, and refrigerating and freezing device

Номер патента: US20230243584A1. Автор: Kai Wang,Zhiqiang Han,Zhanpeng Cui,Lisheng Ji,Chunyang Li,Feifei QI. Владелец: Chongqing Haier Refrigeration Electric Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Data processing method and apparatus, electronic device and storage medium

Номер патента: EP4379508A1. Автор: FAN YANG,Yongsen JIANG,Ziqi SUN,Bingchuan LI,Rongkun GAO. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

User equipment switching method, device and apparatus for feeder link and home satellite

Номер патента: EP4002920A1. Автор: Ye Zhou,Shaohui Sun,Jiancheng SUN,Jiangsheng FAN. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Transmission rate switching method, bluetooth device, and computer-readable medium

Номер патента: EP3748999A1. Автор: Huazhang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Image processing device and method, and program

Номер патента: US20120062769A1. Автор: Yutaka Yoneda,Masaya Kinoshita,Takashi KAMEYA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Handover method, device, and apparatus for feeder link and user equipment belonging to satellite

Номер патента: US20220264406A1. Автор: Ye Zhou,Shaohui Sun,Jiancheng SUN,Jiangsheng FAN. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

A backlight unit for a motor vehicle display apparatus integrated with a heat transfer device and method thereof

Номер патента: EP4283384A1. Автор: Zhixiong JIANG,Ling Chih TENG,Wei Lin Merilyn Ng,Huey Lin Joyce Dr. Ling,Sheng Hoe Ching. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-11-29.

Stepper Motor Driver With Brake Drive, Driver Device And Automation Device

Номер патента: US20210320600A1. Автор: Weiping Li,Jun Qin,Jianhua Lin,Zhouyong Zhu,Tiansheng Tian. Владелец: China Leadshine Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Wireless location/motion sensing device and reporting methods

Номер патента: EP3271213A1. Автор: David B. Benoit,Phillip A. Giancarlo. Владелец: WearSafe Labs LLC. Дата публикации: 2018-01-24.

Wireless location/motion sensing device and reporting methods

Номер патента: WO2016118856A1. Автор: David B. Benoit,Phillip A. Giancarlo. Владелец: WearSafe Labs LLC. Дата публикации: 2016-07-28.

Information processing device, information processing method, reproduction processing device, and reproduction processing method

Номер патента: US11974028B2. Автор: Ryohei Takahashi,Mitsuhiro Hirabayashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Method and system for tracking application activity data from remote devices and generating a corrective action data structure for the remote devices

Номер патента: US20190182343A1. Автор: Suryaveer Singh Lodha,William BLABY. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Short range wireless location/motion sensing devices and reporting methods

Номер патента: US20220131965A1. Автор: David B. Benoit,Phillip A. Giancarlo. Владелец: WearSafe Labs LLC. Дата публикации: 2022-04-28.

Short range wireless location/motion sensing devices and reporting methods

Номер патента: US11223715B2. Автор: David B. Benoit,Phillip A. Giancarlo. Владелец: WearSafe Labs LLC. Дата публикации: 2022-01-11.

Short range wireles location/motion sensing devices and reporting methods

Номер патента: US20180332156A1. Автор: David B. Benoit,Phillip A. Giancarlo. Владелец: WearSafe Labs LLC. Дата публикации: 2018-11-15.

Method, device and computer storage medium of communication

Номер патента: WO2023184273A1. Автор: Gang Wang,Xiaohong Zhang. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2023-10-05.

Native computing power service implementation method and apparatus, network device, and terminal

Номер патента: EP4300921A1. Автор: Fei Qin,Yanchao KANG. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Data packet distribution method, sender device, receiver device, and storage medium

Номер патента: EP3637847A1. Автор: Jianhua Liu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2020-04-15.

Method, electronic device and computer program product for processing data

Номер патента: US20210132861A1. Автор: Tao Chen,Bing Liu. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Method, device and system for application key generation and management in a communication network in encrypted communication with a service application

Номер патента: CN114946153A. Автор: 游世林,彭锦,余万涛,蔡继燕,刘宇泽,林兆骥,毛玉欣,许秀莉. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-08-26.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Devices and Methods for Creating Calendar Events Based on Hand-Drawn Inputs at an Electronic Device with a Touch-Sensitive Display

Номер патента: US20240329757A1. Автор: Jeffrey Traer Bernstein,Julian K. Missig,Linda L. Dong,Mark K. HAUENSTEIN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Image processing apparatus, image processing method, solid-state imaging device, and electronic apparatus configured to calculate a pixel value of a target position in accordance with a weighted value of each pixel on a candidate line of a plurality of candidate lines

Номер патента: US09659346B2. Автор: Tomoo Mitsunaga,Shigeki Nakamura,Yasunobu Hitomi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Devices and methods for creating calendar events based on hand-drawn inputs at an electronic device with a touch-sensitive display

Номер патента: US11907446B2. Автор: Jeffrey Traer Bernstein,Julian Missig,Linda L. Dong,Mark K. HAUENSTEIN. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09762232B2. Автор: Yoshiyasu Nakashima,Yu Yonezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor device and high-frequency module

Номер патента: US09444512B2. Автор: Yasushi Shigeno,Shigeki Koya,Eigo Tange,Akishige Nakajima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and display device

Номер патента: RU2458460C2. Автор: Ясуси САСАКИ,Юхитирох МУРАКАМИ,Сиге ФУРУТА. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-08-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240259015A1. Автор: Naoki Matsumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Data latch circuit, semiconductor device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20240305279A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kiyofumi Sakurai,Eiji Kozuka,Teppei Higashitsuji,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Circuit arrangement with a rectifier circuit

Номер патента: US09484834B2. Автор: Rolf Weis,Gerald Deboy. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-01.

Differential input voltage converter with paraphase current outputs based on complementary field transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2724975C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Gate driving circuit, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20160072405A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Gate driving circuit, semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US9793824B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Biosensor device and system

Номер патента: GB201205497D0. Автор: . Владелец: DNAE GROUP HOLDINGS LTD. Дата публикации: 2012-05-09.

Apparatus and method for the detection of localised fluctuations of ionic charge by ion sensitive field effect transistors during a chemical reaction

Номер патента: EP1379863A2. Автор: Christofer Toumazou,Sunil Purushothaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-14.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

Semiconductor device and burn-in test method thereof

Номер патента: US20210123972A1. Автор: Koji Suzuki,Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20060198183A1. Автор: Takayuki Kawahara,Kenichi Osada,Riichiro Takemura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-09-07.

Device and method for detecting biomolecules using adsorptive medium and field effect transistor

Номер патента: US8198658B2. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Plug-in sensing device and lamp

Номер патента: US12038155B1. Автор: Tiejun Wu,Shuxing Fan,Meiming Zhou. Владелец: Signcomplex Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Device and method for detecting biomolecules using adsorptive medium and field effect transistor

Номер патента: US20080308846A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-18.

Device and method for combining well measurements

Номер патента: RU2634958C1. Автор: Сюй-сян У,Буркай ДОНДЕРИКИ. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2017-11-08.

Methods for cleaning window of lidar for vehicles, ranging devices and vehicles

Номер патента: WO2024140744A1. Автор: Xuezhou Zhu,Shaoqing Xiang. Владелец: Hesai Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Sleep quality assessment method, device, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20240115193A1. Автор: Haoyi Chih,Chun-Yen Chiang. Владелец: Bomdic Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Systems, devices, and methods for packaging nutritional supplements

Номер патента: US11981491B2. Автор: Viraj MOHAN. Владелец: Nustrips Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Portable device and method of operation thereof for analyzing salt content in food

Номер патента: WO2020109993A1. Автор: Joaquim Gabriel MAGALHÃES MENDES,Carla Cristina DA SILVA GONÇALVES,Maria João RODRIGUES CARVALHO PENA,José Luís MARCOS MOREIRA,Maria Arminda COSTA ALVES,Olívia Maria DE CASTRO PINHO,Rodolfo Manuel MAIA DA CRUZ MARTINS. Владелец: Evoleo Technologies, Lda. Дата публикации: 2020-06-04.

Valve with economy device and gas flow interruption in case of fire on the hose

Номер патента: WO2014022899A1. Автор: Devadir Goncalves Dos Reis. Владелец: Goncalves Dos Reis Devadir. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Portable device and method of operation thereof for analyzing salt content in food

Номер патента: EP3887820A1. Автор: Joaquim Gabriel MAGALHÃES MENDES,Carla Cristina DA SILVA GONÇALVES,Maria João RODRIGUES CARVALHO PENA,José Luís MARCOS MOREIRA,Maria Arminda COSTA ALVES,Olívia Maria DE CASTRO PINHO,Rodolfo Manuel MAIA DA CRUZ MARTINS. Владелец: Evoleo Technologies Lda. Дата публикации: 2021-10-06.

Overlay measurement device and method and method of forming overlay pattern

Номер патента: US20160025484A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Jae-Kyung Seo,Bum-Joon Youn,Ki-Man Lee,Bi-Zheng WANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Golf Swing Training Device and Method of Use

Номер патента: US20210129003A1. Автор: James Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

Roll molded component manufacturing device and manufacturing method

Номер патента: EP4292723A1. Автор: Hiroki ORIBE. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Devices and methods for tissue transplant and regeneration

Номер патента: EP2020931A2. Автор: Roger J. Laham,Joanna J. Wykrzykowska. Владелец: Beth Israel Hospital Association. Дата публикации: 2009-02-11.

Suturing device and method

Номер патента: US09861356B2. Автор: Danny Sherwinter. Владелец: Brainchild Surgical Devices LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Material processing device and method

Номер патента: US09744659B2. Автор: Shmuel Reznik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Device and method for advertisements upon a ring

Номер патента: US09523186B1. Автор: Ann B. Brannan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Concentrates of beverages under pressure, as well as devices and methods for production of beverages from said concentrates

Номер патента: RU2727048C2. Автор: Даниэль ПЕИРСМАН,Стейн ВАНДЕКЕРКХОВ,Жером ПЕЛЛОД,Натаниэль ДЭВИС. Владелец: Анхойзер-Буш Инбев С.А.. Дата публикации: 2020-07-17.

Method, device and computer program product for filtering an emg signal out of a raw signal

Номер патента: US20070129915A1. Автор: Fredrik Jalde,Urban Blomberg. Владелец: Maquet Critical Care AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Device and method for measuring metabolic rate using sequential gas delivery

Номер патента: WO2024189570A1. Автор: Joseph Arnold Fisher,Bryan Drew Miller,James Duffin,Olivia SOBCZYK,Rafay Khan. Владелец: THORNHILL SCIENTIFIC INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

End effector device and system for suction-based grasping of bagged objects

Номер патента: US12083669B2. Автор: Stephen MCKINLEY,David GEALY,Jeffrey MAHLER. Владелец: Ambi Robotics Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

End effector device and system for suction-based grasping of bagged objects

Номер патента: US12083670B2. Автор: Stephen MCKINLEY,David GEALY,Jeffrey MAHLER. Владелец: Ambi Robotics Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems for performance of depth sensor and auxiliary sensor-based operations associated with a computer-assisted surgical system

Номер патента: EP4437996A2. Автор: Robert G. STRICKO III,Jacob L. Divone,Glenn C. STANTE. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150227378A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: TWI656478B. Автор: 黒川義元. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

Medical devices and methods for body conduit lengthening and anastomosis formation

Номер патента: US20230355229A1. Автор: D. Dean Potter, JR.. Владелец: Mayo Foundation for Medical Education and Research. Дата публикации: 2023-11-09.

Electrochromic device and method for its manufacture

Номер патента: RU2676807C9. Автор: Алексей Сергеевич Чувашлев,Дмитрий Вильямович Крыльский,Алексей Геннадьевич Дмитриев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2019-03-19.

Electrochromic device and method for its manufacture

Номер патента: RU2676807C2. Автор: Дмитрий Вильямович Крыльский,Алексей Геннадьевич Дмитриев,Алексей Сергеевич Чувашнев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СмартЭлектроГласс". Дата публикации: 2019-01-11.

Method for calibration of mobile 3d-coordinate measuring device and installation for its implementation

Номер патента: RU2710900C1. Автор: Николай Христофорович Голыгин,Игорь Григорьевич Чугреев,Владислав Дмитриевич Беломытцев,Валерий Григорьевич Лысенко,Кирилл Игоревич Пономаренко,Мария Игоревна Сванидзе. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет геодезии и картографии" (МИИГАиК). Дата публикации: 2020-01-14.

Portable data acquisition and management system and associated device and method

Номер патента: CA2443132C. Автор: Earle Timothy,John Wagner,David Potteiger,Pamela Klouda,Peter Everett,David Salzman. Владелец: United Parcel Service of America Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Method and apparatus for associating capabilities with a virtual input device and a display object

Номер патента: US6570589B1. Автор: Randall Smith. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-05-27.

Device and method for automatically turning over a disc

Номер патента: EP2202744A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Ming-Hsun Liu,Ching-Hao Chen,Chih-Sheng Liu. Владелец: Datatronics Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-30.

Material processing device and method

Номер патента: IL220671A. Автор: . Владелец: Shmuel Reznik. Дата публикации: 2013-06-27.

Payment system based on shared funds-management server, and method, device and server therefor

Номер патента: CA3089130C. Автор: Yi Zhang. Владелец: 10353744 Canada Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Intelligent processing device and strength detection mechanism for plate

Номер патента: AU2019101634A4. Автор: LI Wang,Jia He. Владелец: Nanjing Yusheng Robot Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Visual perception method and apparatus, perception network training method and apparatus, device and storage medium

Номер патента: US11875546B2. Автор: Bin Zhou,Hongyu Wu,Qinping Zhao,Zongdai LIU. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-16.

Water outlet device and related head shower

Номер патента: EP4011501A1. Автор: Xiaofa Lin,Xiaoshan Lin,Qiqiao Liu,Xiaoqing Deng,Haibo DU,Zhennan CHEN. Владелец: Fujian Xihe Sanitary Ware Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-15.

Device and method for making shear-aligned, solvent-cast films

Номер патента: US20180326451A1. Автор: Thomas H. Epps, III,Cameron SHELTON. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 2018-11-15.

Device and Method for Performing Maintenance on an Apparatus in a Flow Duct

Номер патента: US20090120807A1. Автор: Uwe Brückner,Ingo Riesen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Connecting rod structure, footboard device, and vehicle

Номер патента: US20230150436A1. Автор: Jie Yang,Yongbo Chen,Peiquan Lai,Yongxin Liang. Владелец: Guangdong Dongjian Automobile Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Hot melting mechanism, fusing mechanism, heating base mechanism, closing and packing mechanism, sterilization device, and intelligent trash can

Номер патента: EP4116226A1. Автор: Wei Ge,SHANG Gao,Qiuhua YU. Владелец: Dreame Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-11.

Washing device and washing device controlling method

Номер патента: AU2017390514B2. Автор: Simon Ireland,Yeon-Young Nam,Ji Hyeoung Lee,Gi Hoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Music sharing method and apparatus, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240118795A1. Автор: Chaopeng LIU,Ruixin FENG. Владелец: Beijing ByteDance Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Hot melting mechanism, fusing mechanism, heating base mechanism, closing and packing mechanism, sterilization device, and intelligent trash can

Номер патента: AU2021288303A1. Автор: Wei Ge,SHANG Gao,Qiuhua YU. Владелец: Dreame Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Laminating device and a method for laminating a decor layer onto a carrier part

Номер патента: US20180201004A1. Автор: Sabine Lindemann,(Gerhard) Wilfried Schilles. Владелец: FAURECIA INNENRAUM SYSTEME GMBH. Дата публикации: 2018-07-19.

Connecting rod structure, footboard device, and vehicle

Номер патента: US11987210B2. Автор: Jie Yang,Yongbo Chen,Peiquan Lai,Yongxin Liang. Владелец: Guangdong Dongjian Automobile Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method, device, and computer program product for error evaluation

Номер патента: US20210117779A1. Автор: Li Yuan,HUI Li,Xiaohui Wang,Fangyuan LIN. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Stationary drum filtration device and method

Номер патента: US4073631A. Автор: Jack D. Brady,Kenny M. Graves. Владелец: Andersen 2000 Inc. Дата публикации: 1978-02-14.

Safety tube clip for infusion devices and treatment systems comprises a clamping piece as a stop formed by a plastic plate with a surface divided into three bars (middle piece and frame) connected at their ends by two parallel slits

Номер патента: DE10307235A1. Автор: Mathias Nietzke. Владелец: Mathias Nietzke. Дата публикации: 2004-11-11.

Information processing device, terminal device and program, content of interest determination method and program, recording medium on which program is recorded, and information provision system

Номер патента: CA2781945C. Автор: Shinya Takami. Владелец: RAKUTEN INC. Дата публикации: 2015-09-15.

Device and method for making a variable surface breast implant

Номер патента: CA2895083A1. Автор: Dennis Van Epps,David Schuessler,Robert L. Nieto,Claudia Renteria,Phat Ngo. Владелец: Allergan Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Music sharing method and apparatus, electronic device, and storage medium

Номер патента: US11914845B2. Автор: Chaopeng LIU,Ruixin FENG. Владелец: Beijing ByteDance Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Laser cutting device and laser cutting method

Номер патента: US11931827B2. Автор: HONG Chen,Hongjiang Zhang,Jiangang Lu,Jiangang YIN,Yunfeng Gao,Huanyin XIN,Zhongqian LI. Владелец: Han s Laser Technology Industry Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Ball Recovery Device and Ball Recovery System

Номер патента: LU504927B1. Автор: Jun Zhang,LIANG CHU,Peng ZHU,Bin Tong,Jiwu Jia,Qimeng Zhang. Владелец: Huaneng Jiaxiang Power Generation Co ltd. Дата публикации: 2024-02-16.

Duct Replacement Device and Method of Use

Номер патента: US20230258362A1. Автор: Raymond Armstrong Valdez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems, devices, and methods for generating an adjusted ideal drilling path

Номер патента: US20190078427A1. Автор: Colin Gillan. Владелец: Nabors Drilling Technologies USA Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Duct replacement device and method of use

Номер патента: US11761669B2. Автор: Raymond Armstrong Valdez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-19.

Systems, devices, and methods for measuring body temperature of a subject using characterization of feces and/or urine

Номер патента: AU2022275847A1. Автор: David A. Borkholder,Hamed SHAMKHALICHENAR. Владелец: Casana Care Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Calcium phosphate coated implantable medical devices, and electrochemical deposition processes for making same

Номер патента: EP2037980A1. Автор: Tomasz Troczynski,Pui Hung Manus Tsui. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2009-03-25.

Anti-siphonage water storage device, sanitary water supply device, and sanitary cleaning device

Номер патента: EP4036336A1. Автор: Shan Lin,Xiaofa Lin,Xiaoshan Lin,Zuhua Liu,Genyuan Lin. Владелец: Komoo Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Device and method for converting reciprocating motion into continuous rotation, and application

Номер патента: US20240133389A1. Автор: Zhicheng Wang. Владелец: Foshan Shenfeng Aviation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Systems, devices, and methods for measuring body temperature of a subject using characterization of feces and/or urine

Номер патента: EP4340712A1. Автор: David A. Borkholder,Hamed SHAMKHALICHENAR. Владелец: Casana Care Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Systems, devices, and methods for measuring body temperature of a subject using characterization of feces and/or urine

Номер патента: US11969229B2. Автор: David A. Borkholder,Hamed SHAMKHALICHENAR. Владелец: Casana Care Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Systems, devices, and methods for measuring body temperature of a subject using characterization of feces and/or urine

Номер патента: US20220361754A1. Автор: David A. Borkholder,Hamed SHAMKHALICHENAR. Владелец: Casana Care Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Device and method for converting reciprocating motion into continuous rotation, and application

Номер патента: US20240229808A9. Автор: Zhicheng Wang. Владелец: Foshan Shenfeng Aviation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Device and method for controlling braking during the stopping and starting phases of a motor vehicle with a disconnected braking system

Номер патента: WO2004067342A1. Автор: Richard Pothin,Gerald Leminoux,Arnaud Richard,Geraldine Vourch,Michel Ferreira. Владелец: RENAULT S.A.S.. Дата публикации: 2004-08-12.

systems for communicating information from a sensing device and for detecting whether a connecting member of a sensing device is in communication relationship with a device interface

Номер патента: BRPI0712903A2. Автор: Laurence Virgil Feight,Edmund O Schweitzer Iii,Witold R Teller,Donald C Hicks. Владелец: Schweitzer Engineering Lab Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Device and method for controlling a cooling air flow of a gas turbine and gas turbine with a cooling air flow

Номер патента: EP1200744B1. Автор: Arnd Reichert,Dirk Lieser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2005-04-06.

DEVICE AND METHOD FOR FORMING A SIGNAL WITH AN ADVANCED PASS BAND FROM AN AUDIO SIGNAL WITH A LIMITED PASS BAND

Номер патента: RU2015113983A. Автор: Фредерик НАГЕЛЬ,Штефан ВИЛЬДЕ. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2016-11-10.

Robotic cleaning devices and systems for surgical instruments, and methods thereof

Номер патента: WO2023178209A2. Автор: William E. Cohn,Rebecca Smith,Scott Sloss,Ashok Gowda,Megan Greenwood,Jorge SALAZAR,Abdul Umaru,Kimberly NAJJAR. Владелец: Bayou Surgical, Inc.. Дата публикации: 2023-09-21.

Devices and Methods for Creating Calendar Events Based on Hand-Drawn Inputs at an Electronic Device with a Touch-Sensitive Display

Номер патента: US20200293125A1. Автор: Bernstein Jeffrey Traer,Dong Linda L.,Missig Julian,Hauenstein Mark K.. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING THE RESONANCE FREQUENCY OF AN VIBRATION ORGAN WHICH IS IN CONTACT WITH A FLUID

Номер патента: DE3741568A1. Автор: Wataru Nakagawa,Michihiko Tsuruoka,Masashi Machida,Naohiro Kounosu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-07-07.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Device and method for measuring small voltages and potentials on a biological, chemical or other sample

Номер патента: US20160274055A1. Автор: Jing Li,Svetlana Vitusevich,Sergli PUD. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2016-09-22.

Ion-sensitive field-effect transistor with sawtooth well to enhance sensitivity

Номер патента: US20200292491A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control

Номер патента: RU2685769C1. Автор: Николай Николаевич Беспалов,Владислав Геннадьевич Мясин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2019-04-23.

Radiation evaluation for semiconductor device

Номер патента: US20240337689A1. Автор: Nam Ho Kim,Young Boo Kim,Hyeok Jae Lee,Sung Soo Chung,Ki Seog Kim,Seung Han Shin,Joong Sik KIH,Muhammad Saqib KHAN,Jie Seok KIM. Владелец: QRT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2591236C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"). Дата публикации: 2016-07-20.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PARTIALLY DEPELETED (DP) SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR (SOI) FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) STRUCTURE WITH A GATE-TO-BODY TUNNEL CURRENT REGION FOR THRESHOLD VOLTAGE (Vt) LOWERING AND METHOD OF FORMING THE STRUCTURE

Номер патента: US20120146146A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

Ph-ion selective field effect transistor (ph-isfet) with a miniaturized silver chloride reference electrode

Номер патента: TWI342392B. Автор: I Yu Huang. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2011-05-21.

Device and method for centrifugally casting articles

Номер патента: CA1236662A. Автор: David L. Rawlings,Robert E. Glick. Владелец: International Hydron Corporation. Дата публикации: 1988-05-17.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field Effect Resistor for ESD Protection

Номер патента: US20120003818A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2734094C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-10-12.

P-I-N DIODE CRYSTALLIZED ADJACENT TO A SILICIDE IN SERIES WITH A DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20120001296A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING DEVICE AND DRIVING METHOD OF PLASMA DISPLAY PANEL, AND PLASMA DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001882A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120001222A1. Автор: CHOI Kwang Ki,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O.,KIM Chung Song. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CARRIER COMPRISING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR LUMINOUS DEVICE AND CARRIER SYSTEM

Номер патента: US20120002409A1. Автор: . Владелец: OSRAM AG. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Grating production method, diffraction grating device, and radiation imaging apparatus

Номер патента: US20120002785A1. Автор: KANEKO Yasuhisa. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.