Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Resolver correction device and semiconductor device

Номер патента: US10498266B2
Опубликовано: 03-12-2019
Автор(ы): Yoshifumi Ikenaga
Принадлежит: Renesas Electronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Stacked semiconductor device structure and method

Номер патента: US09711434B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Ceramic substrate, method of manufacturing the ceramic substrate, electrostatic chuck, substrate fixing device, and package for semiconductor device

Номер патента: US20230377933A1. Автор: Akira Goto. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Power supply unit, testing device and method for semiconductor device

Номер патента: TW493081B. Автор: Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-07-01.

Method for generating current carrier in enforced thermophotovoltaic semiconductor device, and the thermophotovoltaic semiconductor device

Номер патента: CN1265776B. Автор: 罗伯特·斯蒂芬·迪马特奥. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-23.

Resolver correction device and method of correcting the same

Номер патента: US11245556B2. Автор: YUJI SHIMIZU,Yoshifumi Ikenaga,Akane ABE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-02-08.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09800130B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09685862B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Hiroshi Yoshida,Nobuya Nishida,Shiori Uota,Kyoko OYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Drive circuit, drive method, and semiconductor system

Номер патента: US11165418B2. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Image blur correction device and imaging device

Номер патента: US20170244898A1. Автор: Dai Shintani. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Power converter circuit and semiconductor module

Номер патента: US20240297596A1. Автор: Seiki Igarashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for forming a power semiconductor device and a power semiconductor device

Номер патента: US09899470B2. Автор: Marko Lemke,Rolf Weis,Ralf Rudolf,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US09385203B1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and apparatus including semiconductor device

Номер патента: US20100277205A1. Автор: Andreas Roth,Stephan Lehmann,Andreas Laudenbach,Hubert Bode,Engelbert Wittich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor device and apparatus including semiconductor device

Номер патента: EP2229730A1. Автор: Andreas Roth,Stephan Lehmann,Andreas Laudenbach,Hubert Bode,Engelbert Wittich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-22.

Semiconductor device and apparatus including semiconductor device

Номер патента: US20100253422A1. Автор: Andreas Roth,Stephan Lehmann,Andreas Laudenbach,Hubert Bode,Engelbert Wittich. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20210151568A1. Автор: Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11837558B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Manufacturing process of a vertical-channel semiconductor device and vertical-channel semiconductor device

Номер патента: EP4258362A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano,Sebastiano Amara. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device and system including semiconductor device

Номер патента: US20220114077A1. Автор: Yuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20170301835A1. Автор: Frank Singer,Britta Goeoetz,David Racz,Matthias Sperl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing process of a vertical-channel semiconductor device and vertical-channel semiconductor device

Номер патента: US20230326995A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano,Sebastiano Amara. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods of forming packaged semiconductor devices and leadframes for semiconductor device packages

Номер патента: US12009286B2. Автор: Alexander Komposch,Eng Wah Woo,Soon Lee Liew. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019159680A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11501971B2. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Fabrication method for surface emitting semiconductor device and surface emitting semiconductor device

Номер патента: US20040144984A1. Автор: Markus Weyers,Hans Wenzel,Martin Zorn,Andrea Knigge. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor package, interposer and semiconductor process for manufacturing the same

Номер патента: US09947635B1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee,Yuan-Feng CHIANG,Chung-Hsi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor Component and Semiconductor Package

Номер патента: US20200273788A1. Автор: Gerhard Noebauer,Ashita Mirchandani. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20240032308A1. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device including layers with different chalcogen compounds and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11818899B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US20230335512A1. Автор: Shuuichi Kariyazaki,Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

METHOD FOR PRODUCING MEMBER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190081020A1. Автор: Kodaira Yoshihiro,SANO Shinji,ONISHI Kazunaga,SOUTOME Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD FOR PRODUCING MEMBER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170207187A1. Автор: Kodaira Yoshihiro,SANO Shinji,ONISHI Kazunaga,SOUTOME Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240355744A1. Автор: Ji Young Chung,Ron Huemoeller,Seung Chul Jang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Device and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20180190874A1. Автор: Kai Gehrke,Simeon Katz,Joachim Hertkorn,Massimo DRAGO. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Devices and methods of packaging semiconductor devices

Номер патента: US09935084B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09601410B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Yi-Hsiu Chen,Cheng-Chun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing

Номер патента: US20240274585A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Chun-Yen Lin,Yi-Kan Cheng,Jiann-Tyng Tzeng,Lee-Chung Lu,Ching-Yu Huang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Detection devices and methods

Номер патента: US09851454B2. Автор: Lei Cao. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

High voltage device and method

Номер патента: US20240334707A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High voltage device and method

Номер патента: WO2024206854A1. Автор: Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Package including a plurality of stacked semiconductor devices including a capacitance enhanced through via and method of manufacture

Номер патента: US09685427B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods of forming packaged semiconductor devices and leadframes for semiconductor device packages

Номер патента: US20240282679A1. Автор: Alexander Komposch,Eng Wah Woo,Soon Lee Liew. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device, memory device, and method of manufacturing

Номер патента: US20240334689A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,I-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Ceramic substrate, electrostatic chuck, substrate fixing device, and package for semiconductor device

Номер патента: US20230307282A1. Автор: Akira Goto. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and apparatus for separating semiconductor devices from a wafer

Номер патента: US09984927B2. Автор: Mathias Vaupel,Kian Pin Queck,Kurt Gehrig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing device and method of semiconductor device

Номер патента: TW533452B. Автор: Ichiro Honma,Masaharu Nakamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-21.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Film for back surface of flip-chip semiconductor, dicing-tape-integrated film for back surface of semiconductor, process for producing semiconductor device, and flip-chip semiconductor device

Номер патента: TW201203425A. Автор: Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: TW200612515A. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-04-16.

Semiconductor device, display device and process for semiconductor device

Номер патента: TW200931530A. Автор: Kazunori Inoue,Kazumasa Kawase,Kensuke Nagayama,Nobuaki Ishiga,Naoki Tsumura,Takumi Nakahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9627487B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with high-k/dual metal gate

Номер патента: US20090039433A1. Автор: Harry Chuang,Chien-Liang Chen,Wen-Chih Yang,Chii-Horng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor packages including passive devices and methods of forming same

Номер патента: US11848305B2. Автор: Shin-puu Jeng,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20200350420A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180019262A1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor packages including passive devices and methods of forming same

Номер патента: US20240063182A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shuo-Mao Chen,Po-Yao Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180083043A1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor wiring device and method

Номер патента: US20240071425A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US11171223B2. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180299706A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara,Tetsuya Iida,Shinichi Watanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12033946B2. Автор: Ji Young Chung,Ron Huemoeller,Seung Chul Jang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Stacked semiconductor device architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220230961A1. Автор: Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: WO2022125495A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4276889A1. Автор: Thomas GOTTARDI,Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-15.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Stacked semiconductor devices with topside and backside interconnect wiring

Номер патента: US20230352406A1. Автор: Tao Li,Ruilong Xie,Kisik Choi,Mukta Ghate Farooq,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US20180331088A1. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Methods and systems for packaging semiconductor devices to improve yield

Номер патента: US10431574B2. Автор: Runzi Chang,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Silicide transistor device and method

Номер патента: US20240064987A1. Автор: Dan Mihai Mocuta,Toshihiko Miyashita,Ronald Allen Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

High voltage device and method

Номер патента: US20240079059A1. Автор: Naveen KAUSHIK,Uma Sharma,Salil Shashikant Mujumdar,Mandar Suresh Bhoir,Sai Srinivasa Krishna Anand Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor devices for improved measurements and related methods

Номер патента: EP4260362A1. Автор: James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389306A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic device including semiconductor device package

Номер патента: US20190148337A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Power Package Including Multiple Semiconductor Devices

Номер патента: US20120313232A1. Автор: Jiangyuan Zhang,Elite Lee,Dana Liu. Владелец: Shanghai Kaihong Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Driving method and driving circuit of electrostatic induction semiconductor device and electrostatic induction semiconductor device

Номер патента: KR100496105B1. Автор: 다까끼 이와사끼,도시끼 오오노,쯔도무 야쯔오. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2006-05-17.

Method for manufacturing and displaying thin film semiconductor device and thin film semiconductor device

Номер патента: KR960701481A. Автор: 마츠토시 미야사카,요지로 마츠에다,사토시 타케나카. Владелец: 야스가와 히데유키. Дата публикации: 1996-02-24.

And a method for manufacturing a laminated semiconductor device and a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI416689B. Автор: Kenichi Takeda,Kazuyuki Hozawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for Recovering an On-State Forward Voltage and, Shrinking Stacking Faults in Bipolar Semiconductor Devices, and the Bipolar Semiconductor Devices

Номер патента: US20090195296A1. Автор: Koji Nakayama,Yoshitaka Sugawara,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Ryosuke Ishii,Toshiyuki Miyanagi. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2009-08-06.

Connecting member for semiconductor device and production thereof, semiconductor device and manufacturing apparatus of the same

Номер патента: JPH11204698A. Автор: Masahiro Ono,Yoshihiro Bessho,正浩 小野,芳宏 別所,Tsutomu Mitani,力 三谷,司 白石,Tsukasa Shiraishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-30.

Semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US5495124A. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Connection device, and manufacture thereof, inspection device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11288984A. Автор: Akio Hasebe,進 春日部,Susumu Kasukabe,昭男 長谷部. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230420440A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor storage device and embedded memory semiconductor device, and method of producing the same

Номер патента: TW200935590A. Автор: Fujio Masuoka,Shintaro Arai. Владелец: Unisantis Electronics Jp Ltd. Дата публикации: 2009-08-16.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20230013960A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US20210202454A1. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US11749665B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

FILM FOR BACK SURFACE OF FLIP-CHIP SEMICONDUCTOR, DICING-TAPE-INTEGRATED FILM FOR BACK SURFACE OF SEMICONDUCTOR, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND FLIP-CHIP SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130095639A1. Автор: TAKAMOTO Naohide,SHIGA Goji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD OF TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUCTIONING A SEMICONDUCTOR DEVICE IN THE WAFER STATE

Номер патента: US20130171748A1. Автор: Maruyama Shigeyuki,Itoh Yasuyuki,Honda Tetsurou,Tashiro Kazuhiro,Haseyama Makoto,Nagashige Kenichi,Yoneda Yoshiyuki,Matsuki Hirohisa. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130214290A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130341648A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu,Shimazu Mitsuru,Kanbara Kenji,Tanaka Sou. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US20140048807A1. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140048813A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for Producing a Semiconductor Device and Field-Effect Semiconductor Device

Номер патента: US20140097488A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,IRSIGLER Peter. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

SEMICONDUCTOR COMPONENT HAVING A LATERAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND A VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150001692A1. Автор: LEE Chia-Yen,TSAI Hsin-Chang,LEE Peng-Hsin. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Weber Hans. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Method for Producing a Radiation-Emitting Semiconductor Device and Radiation-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20220028926A1. Автор: Katz Simeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated using the same

Номер патента: US20140106569A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Seongsoo Lee,Daehyun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170032968A1. Автор: SUGAHARA Kazuyuki,OKABE Hiroaki,YOSHIDA Motoru,Nakanishi Yosuke,TOMINAGA Takaaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2017-02-02.

METHOD FOR PASSIVATING SILICON-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059718A1. Автор: Zhang Xinyu,YUAN Xueting. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064490A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180096854A1. Автор: Wada Keiji,Hiyoshi Toru,NISHIGUCHI Taro. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING A SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190103271A1. Автор: TSUCHIDA Hidekazu,TAWARA Takeshi,MIYAZAWA Tetsuya. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180108730A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Method for Producing a Plurality of Radiation-Emitting Semiconductor Devices and Radiation-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200111938A1. Автор: Schlereth Thomas,Tangring Ivar. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170121850A1. Автор: Miyazaki Masayuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-04.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20190122999A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Manufacturing a Semiconductor Device Using Electrochemical Etching, Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20150155380A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,IRSIGLER Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160163657A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20140252634A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170170281A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180174835A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,Fukuda Yusuke,NAKAMURA Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Packaging Devices and Methods for Semiconductor Devices

Номер патента: US20180174984A1. Автор: Hung Wensen. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTERMEDIATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Kohmura Kazuo,KAMADA Jun,Haruta Kaichiro,Kayaba Yasuhisa,KODAMA Yoichi. Владелец: Mitsui Chemicals, Inc.. Дата публикации: 2020-05-28.

ACTIVE DEVICE AND HIGH VOLTAGE-SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Lue Hang-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor devices, and three-dimensional semiconductor devices thereof

Номер патента: US20160204123A1. Автор: Chen Kuang-Chao,Hong Shih-Ping,Yang Ta-Hone,Lian Nan-Tsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device and Light-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200194631A1. Автор: Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITE WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140299995A1. Автор: Suzuki Hiromichi,BABA Susumu,MASUDA Masachika. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-09.

METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228870A1. Автор: Sabathil Matthias,Goeoetz Britta,Moosburger Juergen,Ploessl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170243948A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada,So Tanaka,Takahiro Matsui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device Having Semiconductor Mesas

Номер патента: US20150303298A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,IRSIGLER Peter. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20170301835A1. Автор: Singer Frank,Sperl Matthias,Goeoetz Britta,Racz David. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160336224A1. Автор: FUKUDA Kenji,SUGAHARA Yoshiyuki,MAKIFUCHI Youichi,TSUTSUMI Takashi,ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160336392A1. Автор: Tomita Nobuyuki,TOMINAGA Takaaki,KAWABATA Naoyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-11-17.

PROCESS FOR MANUFACTURING A STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE AND CORRESPONDING STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190326231A1. Автор: RENNA Crocifisso Marco Antonio,CALABRETTA Michele,SMERZI Santo Alessandro,SITTA Alessandro,"DARRIGO Giuseppe". Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Method for Forming a Power Semiconductor Device and a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170345892A1. Автор: Weis Rolf,Lemke Marko,Rudolf Ralf,Stahrenberg Knut. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device and capacitor of semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: KR101626954B1. Автор: 김진용,이종철,권오성,김범석,조규호,김완돈,탁용석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-06-03.

Method for forming a self align contact in semiconductor device and manufacturing a semiconductor device using for same

Номер патента: KR100457038B1. Автор: 황기현,신승목,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device, test method for semiconductor device, and tester for semiconductor device

Номер патента: KR100731796B1. Автор: 니시무라야스마사. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-06-25.

Non‑volatile storage element, non‑volatile storage device, and non‑volatile semiconductor device

Номер патента: WO2009147790A1. Автор: 神澤好彦,三谷覚,魏志強,高木剛. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor Devices and Packages for Semiconductor Devices

Номер патента: KR970077385A. Автор: 카츠노부 스즈키. Владелец: 닛폰 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-12-12.

Composite wiring member for semiconductor device and resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP5293469B2. Автор: 田 正 親 増,場 進 馬,木 博 通 鈴. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2013-09-18.

Manufacturing Method of Semiconductor Device and Package of Semiconductor Device

Номер патента: KR970067822A. Автор: 가즈히코 구라후치,마사키 와타나베,아키요시 사와이,요시카즈 나루타키,도모아키 하시모토,마사토시 야스나가,쥰 시바타,히로시 세키,가츠노리 아사이. Владелец: 료덴세미컨덕터시스템 엔지니어링 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106536793A. Автор: 宫崎正行. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Substrate producing method for semiconductor device and substrate for semiconductor device

Номер патента: CN1229853C. Автор: 山田敬,永野元,佐藤力,親松尚人,水岛一郎. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

A method of manufacturing a semiconductor light emitting device and light emitting semiconductor device

Номер патента: DE102011016935A1. Автор: Richard Baisl,Dr. Engl Karl,Dr. Höppel Lutz,Sebastian Taeger,Dr. Gärtner Christian,Dr. Schlenker Tilman. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for manufacturing compound semiconductor devices and a compound semiconductor device

Номер патента: CA2006597A1. Автор: Masanori Ishii,Kazuo Kogure. Владелец: Kazuo Kogure. Дата публикации: 1990-06-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3336879A1. Автор: Yusuke Fukuda,Shunichi Nakamura,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US9287194B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US9035385B2. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for producing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2015005064A1. Автор: 河田　泰之,米澤　喜幸. Владелец: 富士電機株式会社. Дата публикации: 2015-01-15.

Automatic inspection device and method of semiconductor device

Номер патента: KR960706080A. Автор: 고이치 다나카,가츠미 고지마,다케시 오오니시,다다시 가이누마,구니아키 반나이,나루히토 야마다. Владелец: 오오우라 히로시. Дата публикации: 1996-11-08.

Semiconductor manufacture device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: KR100186893B1. Автор: 까오루 우수이,쇼우 찌바. Владелец: 세끼자와 다다시. Дата публикации: 1999-04-15.

Wire-bonding device and manufacture of semiconductor device using thereof

Номер патента: JPH11186315A. Автор: Tsuguhiko Hirano,次彦 平野,Soichi Nagano,宗一 長野. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1999-07-09.

Silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7211456B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,透 日吉. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2866265A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Mitsuru Shimazu,Kenji Hiratsuka,Kenji Kanbara,Yu Saitoh,Sou Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Semiconductor device and cooler for semiconductor device

Номер патента: JP5900610B2. Автор: 広道 郷原. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device and substrate for semiconductor device

Номер патента: JP3984014B2. Автор: 島 一 郎 水,松 尚 人 親,野 元 永,田 敬 山,藤 力 佐. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-26.

Process for producing semiconductor device and apparatus for semiconductor device production

Номер патента: WO2008084524A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Masaki HANEDA,Michie SUNAYAMA. Владелец: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED. Дата публикации: 2008-07-17.

Method of producing integrated circuit semiconductor device and integrated circuit semiconductor device produced thereby

Номер патента: JPS59181564A. Автор: タルサイム・ラル・バトラ. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1984-10-16.

Method for forming trench isolated semiconductor device and trench isolated semiconductor device formed thereby

Номер патента: JP4898083B2. Автор: 在 ▲せん▼ 尹,鎭 鉉 辛. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-14.

Formation of micro-hole in semiconductor device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPS6097626A. Автор: Motonori Kawaji,Shigeo Kuroda,Toshihiko Takakura,俊彦 高倉,河路　幹規,黒田　重雄. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-05-31.

Wire bonding method, wire bonding device and manufacture of semiconductor device using wire bonding device

Номер патента: JPS63211640A. Автор: Yoshio Oshima,Yasushi Ishii,邦浩 土屋,Kunihiro Tsuchiya,秀樹 日高,Hideki Hidaka,康 石井,大島　良夫. Владелец: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1988-09-02.

For encapsulating the composition epoxy resin of semiconductor device and using the semiconductor device of its encapsulation

Номер патента: CN106280249B. Автор: 韩承,崔振佑,金民兼,劝冀爀,郑主泳,千晋敏. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-11.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device, test method for semiconductor device, and tester for semiconductor device

Номер патента: US6768133B2. Автор: Yasumasa Nishimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Method of producing a junction termination for a power semiconductor device and corresponding power semiconductor device

Номер патента: EP2717314A1. Автор: Jan Vobecky,Virgiliu Botan. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-04-09.

Semiconductor component having a lateral semiconductor device and a vertical semiconductor device

Номер патента: CN104253156A. Автор: 李嘉炎,蔡欣昌,李芃昕. Владелец: Delta Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2016125404A1. Автор: 正行 宮崎. Владелец: 富士電機株式会社. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device, electronic appliance using semiconductor device, and document using semiconductor device

Номер патента: KR101617011B1. Автор: 마사토 이시이,토모아키 아츠미. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2016-04-29.

Manufacturing Method of Semiconductor Device, Manufacturing Device and Fin of Semiconductor Device

Номер патента: KR101061091B1. Автор: 유키히코 오하시. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and field effect semiconductor device

Номер патента: DE102013111135A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-10.

A method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: DE102013200046A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing apparatus comprising semiconductor device, semiconductor device, and apparatus comprising semiconductor device

Номер патента: WO2022024369A1. Автор: 徹 田中,誉史 福島,久志 木野,祐樹 煤孫. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and cooler for semiconductor device

Номер патента: EP2840604B1. Автор: Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-19.

Semiconductor component having a lateral semiconductor device and a vertical semiconductor device

Номер патента: TWI560814B. Автор: Hsinchang Tsai,Chiayen Lee,Penghsin Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Wiring substrate, semiconductor device and package stack semiconductor device

Номер патента: US6731013B2. Автор: Yuji Yano,Yasuki Fukui,Hiroyuki Juso,Seiji Ishihara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-05-04.

Semiconductor device and chip-stack semiconductor device

Номер патента: US7276780B2. Автор: Toshio Kimura,Yoshihisa Dotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-02.

Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions

Номер патента: CN101542685B. Автор: 周葆所. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-09-28.

Process for producing BGA type semiconductor device, TAB tape for BGA type semiconductor device, and BGA type semiconductor device

Номер патента: US20020030248A1. Автор: Masahiko Saito,Takumi Sato,Norio Okabe,Yasuharu Kameyama. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and mold for semiconductor device

Номер патента: KR940022807A. Автор: 히데오 야마나까. Владелец: 소니 가부시기가이샤. Дата публикации: 1994-10-21.

Semiconductor device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JP2001036037A. Автор: Nobuhisa Hamatake,伸寿 濱武. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-09.

A method of manufacturing semiconductor devices and oxygen correlated semiconductor device containing thermal donors

Номер патента: DE102015107085A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Stadtmüller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-10.

Process for making interconnect of group ⅲ-v semiconductor device, and group ⅲ-v semiconductor device including interconnect made thereby

Номер патента: KR102242416B1. Автор: 에드워드 위 장,위에 친 린,밍 옌 차이,포 셍 장. Владелец: 네이셔널 치아오 텅 유니버시티. Дата публикации: 2021-04-20.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: CN103975422A. Автор: 六鎗広野,伊东浩二,小笠原淳. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device, CMOS device and P-type semiconductor device

Номер патента: CN1929139A. Автор: 李文钦,柯志欣,陈宏玮,季明华,葛崇祜. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-03-14.

Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state

Номер патента: US8404496B2. Автор: Hirohisa Matsuki,Yoshiyuki Yoneda,Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Makoto Haseyama,Kenichi Nagashige,Yasuyuki Itoh,Tetsurou Honda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Manufacturing method for structure of semiconductor device and structure of semiconductor device

Номер патента: CN102376551A. Автор: 钟汇才,梁擎擎. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-03-14.

A method of fabricating a laterally monolithically integrated light emitting semiconductor device and light emitting semiconductor device

Номер патента: DE19943405B4. Автор: Volker Dr. Härle. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-12-20.

Methods of forming packaged semiconductor devices and leadframes for semiconductor device packages

Номер патента: US20230117260A1. Автор: Alexander Komposch,Eng Wah Woo,Soon Lee Liew. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and method manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070190708A1. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-16.

Systems, devices, and methods for semiconductor device temperature management

Номер патента: WO2009149463A3. Автор: Bradley J. Winter. Владелец: COOLSILICON LLC. Дата публикации: 2010-03-11.

Adhesive sheet for semiconductor device and surface-mounting semiconductor device

Номер патента: JPH11199841A. Автор: Takao Yoshikawa,孝雄 吉川,等 高比良,和人 細川,Hitoshi Takahira,Kazuto Hosokawa. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method for producing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN105008598A. Автор: 河田泰之,米泽喜幸. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device and resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JPWO2014083647A1. Автор: 小笠原　淳,淳 小笠原,広野 六鎗,浩二 伊東. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor processing device and method

Номер патента: RU2694171C1. Автор: София ВЭНЬ,Чжикай ВАН. Владелец: Уси Хуаин Микроэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20210296476A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting package

Номер патента: US11735694B2. Автор: Sungjoon Kim,Sanghyun Kim,Jae-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230307393A1. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220246632A1. Автор: Takeshi Shimane. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240321974A1. Автор: Toru Sugiyama,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12080664B2. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming conductive vias by direct via reveal with organic passivation

Номер патента: US09768066B2. Автор: XING Zhao,Duk Ju Na,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09520473B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490242B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09478545B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package

Номер патента: US10847616B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US12125956B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Chun-Wei Chang,Chung-Hao Wang,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh,Yi-Yang Chiu,Min-Hao YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of processing a semiconductor substrate and semiconductor chip

Номер патента: US09831127B2. Автор: Franco Mariani,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09583630B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09570439B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09553144B2. Автор: Toru Mori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240258401A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor Device and Method for Power MOSFET on Partial SOI

Номер патента: US20230207568A1. Автор: Takeshi Ishiguro,Samuel J. Anderson,Aymeric Privat. Владелец: Icemos Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230402548A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09911709B1. Автор: Chun-Jun ZHUANG,Wei-Hang Tai,Pin-Ha Chuang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09893179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09741641B2. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09704751B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for forming semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US12125776B2. Автор: Weiping Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240324163A1. Автор: Takayuki Tsukagoshi,Daichi Sugawara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210384144A1. Автор: Seok-hyun Lee,Youn-ji MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US12089395B2. Автор: Tomomasa Ueda,Yuta Sato,Keiji Ikeda,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09865741B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semicondcutor structure and semiconductor manufacturing process thereof

Номер патента: US09837366B1. Автор: Chin-Yu Ku,Rung-De Wang,Wei-Lun Hsieh,Chen-Hsun Liu,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai,Jheng-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming insulating layer in notches around conductive TSV for stress relief

Номер патента: US09837336B2. Автор: Chang Bum Yong,Won Kyoung Choi,Jae Hun Ku. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of forming bond-on-lead interconnection for mounting semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09679824B2. Автор: Rajendra D. Pendse,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09458535B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US10636885B2. Автор: Takeshi Imamura,Ryou Kato,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Toshikazu Imai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Power supply system and semiconductor package assembly

Номер патента: US20210210134A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Training method for semiconductor process prediction model, semiconductor process prediction device, and semiconductor process prediction method

Номер патента: US20230236553A1. Автор: Ming-Wei Chen,Chia-Wei Chen,Ching-Pei Lin,Chung-Yi Chiu,Hsiao-Ying Yang,Te-Hsuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160276351A1. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12068404B2. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and semiconductor device package having an electrode recess with a different inclination angle than an inclination angle of an electrode in the recess

Номер патента: US11749778B2. Автор: Sung Min Hwang,June O Song,Chang Man LIM,Se Yeon Jung,Tae Sung Lee,Byung Yeon CHOI,Chang Hyeong LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US20050093026A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200381557A1. Автор: Shigeki Hattori,Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230032353A1. Автор: Naohito Mizuno,Takahiro Nakano,Yasushi Ookura,Seigo Oosawa,Yoshihiro INUTSUKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor package method and semiconductor package structure

Номер патента: US20240321846A1. Автор: Xufeng Tu,Yan Huo. Владелец: SIPLP Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US12087850B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Kenichi Matsushita,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Shoko HANAGATA,Daiki Yoshikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Information processing apparatus and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190267065A1. Автор: Masato Hayashi,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US20160049377A1. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09922902B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865606B2. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842926B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09613888B2. Автор: Hiroyuki Okabe,Nobuya Nishida,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09559691B1. Автор: Jae Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Three dimensional NAND string memory devices and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09449981B2. Автор: Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US09449930B2. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US9711481B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210280543A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230290882A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and semiconductor unit

Номер патента: US12068434B2. Автор: Tatehito Kobayashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09508671B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09450574B2. Автор: Sang Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09443817B2. Автор: Yoshinori Kondo,Katsuhiko Hotta,Ayaka Okumura,Hiroaki OSAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same and semiconductor substrate

Номер патента: US09373686B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Semiconductor device and semiconductor module with improved heat dissipation

Номер патента: US12033916B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: EP4254512A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: US20230307551A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US11923328B2. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20150155253A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US8963304B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20240250053A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, and semiconductor device mounting body

Номер патента: US20240282681A1. Автор: Hidetoshi Abe,Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240282805A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Method to form semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US20230317526A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John Zhang,Sunil Singh,Chun Yu Wong,Heng Yang. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230225101A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US20240361382A1. Автор: Tomonori Nakamura,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-31.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US20240337948A1. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US12044974B2. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09941112B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09911705B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device containing oxygen-related thermal donors

Номер патента: US09825131B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Stadtmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09653390B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor package and semiconductor module

Номер патента: US09536843B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Film adhesive, dicing tape with film adhesive, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09484240B2. Автор: Yuki Sugo,Yuta Kimura. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, electronic device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09412715B2. Автор: Kozo Shimizu,Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20200199351A1. Автор: Sang Kyun Kim,Sang Jin Kim,Dong Hwan Lee,Young Joon Lee,Tae Shin Eom,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Impedance Matching Device and Impedance Matching Method

Номер патента: US20210194462A1. Автор: Tatsuya Morii. Владелец: Daihen Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20210343700A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20240258413A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230352317A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070126063A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080048247A1. Автор: Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Hiroaki Kuriyama,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device configuring a back-illuminated solid state imaging device and semiconductor device manufacturing method thereof

Номер патента: US09997553B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735110B2. Автор: Ryosuke Nakagawa,Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Chip-scale package and semiconductor device assembly

Номер патента: US09728935B2. Автор: Jihua Du,Jay A. Skidmore,Vincent V. Wong,Kong Weng Lee. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09698569B2. Автор: Isao Watanabe,Satoshi Ae,Tetsuro Okuda,Shoutarou KITAMURA,Suguru Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09570626B2. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09455692B2. Автор: Seung Han Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor integrated circuit wafer

Номер патента: US09431321B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Shinya Watanabe,Taku Kamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor wafer evaluation method and manufacturing method and semiconductor wafer manufacturing process management method

Номер патента: US12027428B2. Автор: Masahiro Murakami,Takahiro Nagasawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170287954A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory device, and semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4199042A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12040381B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Spintronic devices and method for injecting spin-polarized electrical currents into semi-conductors

Номер патента: WO2001099137A3. Автор: George Kirczenow. Владелец: George Kirczenow. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230274938A1. Автор: Chi On Chui,Da-Yuan Lee,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Hao-Ming Tang,Yun-San Chien,Yi-Hsin Ting,Han-Shen WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140131791A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240250025A1. Автор: Kazuyuki Mitsukura,Masaya TOBA. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Resin composition, adhesive film for semiconductor device, and laminated film with metallic foil and semiconductor device using the same

Номер патента: EP1273630B1. Автор: Nobuo Matsumura,Toshio Yoshimura,Koichi Fujimaru. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2006-03-08.

Interposer device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240213129A1. Автор: Hung-Yi Chang,Sheng-Fan Yang,Hao-Yu Tung,Wei-Chiao WANG,Yi-Tzeng LIN,Wei-Hsun LIAO. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US20230109445A1. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140097448A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Chang-Yong Um,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-10.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US20220149114A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20070045792A1. Автор: Kenji Fuchinoue. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Chalcogen compound and semiconductor device including the same

Номер патента: US12063793B2. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Yongyoung PARK,Dongho Ahn,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Non-conductive film sheet and semiconductor package including the same

Номер патента: US12062633B2. Автор: Yeongseok Kim,Joungphil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240234031A1. Автор: Jooho Lee,Narae HAN,Cheheung KIM,Beomseok Kim,Haeryong Kim,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240322011A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US12119816B2. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Switching element, switching element manufacturing method, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09893276B2. Автор: Naoki Banno,Munehiro Tada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09799758B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09761463B2. Автор: Takamitsu Yoshida,Atsuko Kawasaki,Kazumasa Tanida,Kuniaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the same

Номер патента: US09690896B2. Автор: Jae-Woo Seo,Jaeha LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09646908B2. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Optoelectronic device and method for manufacturing same

Номер патента: US09537050B2. Автор: Alexei Tchelnokov,Philippe Gilet,Ivan Christophe Robin. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09502546B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and semiconductor substrate

Номер патента: US09437725B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09412829B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230411327A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20210336623A1. Автор: Kwang Chan LEE,Jeong Kwang Lee,Ho Jun YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Circuit board and semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010001428A1. Автор: Yuji Yagi,Takeo Yasuho. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-24.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Integration of boron arsenide into power devices and semiconductors for thermal management

Номер патента: EP4315407A1. Автор: Yongjie HU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240170536A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200303237A1. Автор: Shogo Shibata,Kosuke Yamaguchi,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama,Seiya SUGIMACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140097494A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20230307444A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor capacitor device and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: EP4006934A1. Автор: Jaeho Lee,Younggeun Park,Yong-hee Cho,Seungwoo JANG,Joohoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20230094425A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2015157080A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and semiconductor device production method

Номер патента: US20150137358A1. Автор: Azusa Yanagisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-21.

Hair removal instrument and semiconductor refrigeration slice

Номер патента: US20240285967A1. Автор: Bing Li,Fengqiu Zhao. Владелец: Shenzhen Jvk Medical Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110260161A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7994811B2. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Test device and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100013513A1. Автор: Sang-jin Lee,Gin-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150340475A1. Автор: Chih-Lin Wang,Long-Jie HONG,Chien-Chih Lin,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120086121A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240321819A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Atsushi Oga,Miki TOSHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods for forming the isolation structure of the semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US09997410B1. Автор: Ching-Yi Hsu,Pi-Kuang Chuang,Po-Sheng Hu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09850390B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842869B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated by the same

Номер патента: US09735076B2. Автор: So Yoon KIM,Yoon Man LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09697948B2. Автор: Satoshi Kageyama,Toshiyuki Ishikawa,Tetsuya Kagawa,Isamu Nishimura,Nobuyuki Kasahara,Daiki Yanagishima,Michihiko Mifuji,Kosei OSADA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor package encapsulated using the same

Номер патента: US09673120B2. Автор: Eun Jung Lee,Sang Jin Kim,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US09653595B2. Автор: Yasushi Niimura,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09608625B2. Автор: Masanori Inoue,Shuichi Kunie. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09502384B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Fingerprint recognition semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09490233B2. Автор: Takashi Ozawa,Kazuya Kojima,Yukinori Hatori,Futoshi Tsukada. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09489992B2. Автор: Kie-Bong Ku. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09455240B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Kazunori Hasegawa,Michiaki Sugiyama,Takafumi Nishita,Jumpei Konno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230301109A1. Автор: Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190244808A1. Автор: Tetsuya Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8536708B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8030207B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8338953B2. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20230036107A1. Автор: Atsushi Yoshida,Yosuke Nakanishi,Shinichiro Katsuki,Kyohei Akiyoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170117421A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Resin composition, cured product, sheet-like laminate material, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240287360A1. Автор: Kenji Kawai. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and semiconductor device identification method

Номер патента: US12100714B2. Автор: Naoki Matsumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

An electronic device and method of forming an electronic device

Номер патента: AU2022328264A1. Автор: Ji Zhang,Sean Suixiang LI,Junjie Shi,Jing-Kai HUANG. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240315037A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Keita Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09876126B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09824905B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09564540B2. Автор: Yoshiki Maruyama,Yasuhiro Takeda,Shuichi Kudo,Keiichi Maekawa,Takumi Hasegawa,Kota Funayama,Kazutoshi Shiba,Hiroshi Uozaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09562944B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Optical apparatus having resin encased stacked optical and semiconductor devices

Номер патента: US09502455B2. Автор: Hiroki Yamashita,Shigefumi Dohi,Toshitaka Akahoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7892913B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220384473A1. Автор: Kazuya Takahashi,Genji Nakamura,Muneyuki Otani,Sara Otsuki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282572A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and semiconductor device with cooling member

Номер патента: US12074088B2. Автор: Takahiko Murakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150042385A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090267162A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240304574A1. Автор: Atsushi Ito,Yasuo Yamaguchi,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Yohei Torii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09953921B2. Автор: Hyun-Bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09870971B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09837279B2. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and semiconductor device operating method

Номер патента: US09722625B2. Автор: Takahiro Kawano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09666718B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09466734B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing a semiconductor device based on epitaxial growth

Номер патента: US09293625B2. Автор: Yanting SUN,Sebastian Lourdudoss. Владелец: Tandem Sun AB. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20140374898A1. Автор: Kousuke Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Metal structure and method of manufacturing the same and metal wire and semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20210028024A1. Автор: Do Yoon Kim,Kenji Takai,Boun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Alignment mark for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20070257288A1. Автор: Hiroshi Fukuda,Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240250173A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Stacked layer type semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20130294134A1. Автор: Ho Cheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Device isolation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4451317A1. Автор: LIU Yuan,Tianyi Zhang,Ming Pan,Yanjun Chen,Can Zhong,Fengjie Tang,Peng GOU,Xiran ZUO,Guidong JIN. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US09947575B2. Автор: Kenichi Watanabe,Yasunori Uchino. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09747984B2. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Co-fabricated bulk devices and semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US09691787B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US09674940B2. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of inspecting a semiconductor device and semiconductor inspection systems

Номер патента: US09476840B2. Автор: Seunghune YANG,Sibo CAI,Kiho Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09437508B2. Автор: Masanori Minamio,Zyunya Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Differential output circuit and semiconductor device

Номер патента: US09423815B2. Автор: Masayasu Komyo,Souji Sunairi,Masafumi Mitsuishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US09397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Devices and methods involving grown diamond in a temperature field plate

Номер патента: WO2023076594A1. Автор: Srabanti Chowdhury,Mohamadali Malakoutian. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12051700B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Li-Fong Lin,Wan Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Via structures including etch-delay structures and semiconductor devices having via plugs

Номер патента: US9728572B2. Автор: Byung-Jun Park,Chang-Rok Moon,Seong-Ho Oh,Tae-Seok Oh,Seung-Hun Shin,June-Taeg Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US9997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20170256577A1. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Devices and methods involving grown diamond in a temperature field plate

Номер патента: EP4423807A1. Автор: Srabanti Chowdhury,Mohamadali Malakoutian. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2024-09-04.

Alloy nanomaterial, preparation method therefor, and semiconductor device

Номер патента: US20200181490A1. Автор: LEI QIAN,Zheng Liu,Yixing YANG. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of Preparing and Storing GaN Substrate, Prepared and Stored GaN Substrate, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20110278588A1. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US09997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Superjunction device and semiconductor structure comprising the same

Номер патента: US09653596B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Latency control device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09653130B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Color point and/or lumen output correction device, lighting system with color point and/or lumen output correction, lighting device, and methods of lighting

Номер патента: US09554445B2. Автор: Joseph P. Chobot. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Optical semiconductor device and semiconductor laser device

Номер патента: US20220344906A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kenichi Nishi,Yuki Kamata,Yutaka Ohnishi,Keizo Takemasa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20230207683A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7952148B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230299138A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8101462B2. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20110101468A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20080284013A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US20210366777A1. Автор: Yi-Jen Chen,Kun-Yu Lin,Chih-Teng Liao,I-Chen Chen,Yu-Ling Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Output circuit using calibration circuit, and semiconductor device and system including the same

Номер патента: US09859869B1. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Sapphire substrate having elongated projection and semiconductor light emitting device utilizing the same

Номер патента: US09525103B2. Автор: Takuya Okada,Yoshiki Inoue,Junya Narita,Yohei Wakai,Katsuyoshi Kadan,Naoya Sako. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09514952B2. Автор: Tomohiko Sugita,Hiroyasu Iimori,Takehiro Ogata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12142682B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU,Ming-Te Chen,Kin Shun Chong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US09349945B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of estimating a vehicle, a method for correcting a route, a vehicle evaluation device and a route correction device

Номер патента: RU2735720C1. Автор: Сусуму ФУДЗИТА,Мотонобу АОКИ. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-11-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09728473B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Wafers, panels, semiconductor devices, and glass treatment methods

Номер патента: US09648734B2. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Characteristic value correction device, characteristic value calculation device, inspection device including the same, characteristic value correction method, light-emitting device, and characteristic value correction program

Номер патента: US20240201012A1. Автор: Yoshiki Yamaji. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Duty correction device including duty correction circuit and semiconductor device including duty correction device

Номер патента: US11894102B2. Автор: Jin Hyung Lee,Chang Kwon Lee,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Diode, junction field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US10020392B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Image blur correcting device, lens device, and imaging device

Номер патента: US20210224958A1. Автор: Kazuaki Okamori,Shinichiro Fujiki,Ryosuke NAGAMI,Keito KAMIO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12100672B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Hetero-structure, injection laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier

Номер патента: RU2278455C1. Автор: Василий Иванович Швейкин. Владелец: Василий Иванович Швейкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Automobile use video image recording device and automobile use graphical image recognition device

Номер патента: US11721005B2. Автор: Yoichi Kato,Kunio Ueda,Takuya Taniguchi,Nariaki TAKEHARA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

A computer-aided defect correction method of a charged particle beam device, defect correction device of a charged particle beam device and a computer program

Номер патента: WO2024146664A1. Автор: Stanislav Petras,Jan SOPOUSEK. Владелец: Tescan Group, A.S.. Дата публикации: 2024-07-11.

Shake correction device, driving device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US20210235018A1. Автор: Satoshi Nakamaru,Akihiro Nakata,Tomoya Takei,Yoshio Goto,Kazuyuki Ejima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, electronic device, and semiconductor wafer

Номер патента: US09953695B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805985B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Image blur correction device having image blur-correcting function

Номер патента: US20230305361A1. Автор: Go Naito,Masafumi Kimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US7846792B2. Автор: Masanori Terahara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-07.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Error correcting device and data reproducing apparatus provided therewith

Номер патента: US20020004925A1. Автор: Kunihiko Kodama,Katsutoshi Moriyama,Akira Hikimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Shake correction device and imaging apparatus

Номер патента: US20240292102A1. Автор: Yuta Abe,Kouhei Awazu,Shuhei MATSUSHITA,Takuro Abe,Yota AKASHI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US09679874B2. Автор: Jae Choon Kim,Kyol PARK,Chajea JO,Jin-kwon Bae,Jichul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device, substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09520374B2. Автор: Hiroaki Matsubara,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11410962B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200212000A1. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Embedded and packaged heat dissipation structure and manufacturing method therefor, and semiconductor

Номер патента: US20240222143A1. Автор: Xiaowei Xu,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Wenjian LIN. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor module design method and semiconductor module

Номер патента: US20120079446A1. Автор: Kenji Fujimoto,Hiroyuki Ogino,Masanori Ueno,Hiromichi Kumakura. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Color correction device, color correction method, dynamic camera color correction device, and video search device using the same

Номер патента: US8698913B2. Автор: Hiromichi Sotodate,Chak Joo Lee,Sumio Yokomitsu,Hailin Yan. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor package structure and semiconductor module including the same

Номер патента: US20200321270A1. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12080678B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Color correction device, color correction method, dynamic camera color correction device, and video search device using the same

Номер патента: US20110267491A1. Автор: Hiromichi Sotodate,Chak Joo Lee,Sumio Yokomitsu,Hailin Yan. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09748401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takayuki Inoue,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Suzunosuke Hiraishi,Hiromichi Godo,Koki Inoue,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09600424B2. Автор: Dong Kyun Kim,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor package and semiconductor package mounting structure

Номер патента: US09577310B2. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09478668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US09306072B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20230411336A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Image shake correction device and imaging device

Номер патента: US11740484B2. Автор: Shinji Otsuka,Hajime Fukushima,Kouhei Awazu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11410963B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Shake correction device and imaging apparatus

Номер патента: US20240292101A1. Автор: Kouhei Awazu,Takuro Abe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor system for performing an initialization operation

Номер патента: US09412434B1. Автор: Haeng Seon CHAE,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170038428A1. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US20170069396A1. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170084318A1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Data i/o circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180039532A1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device defect monitoring

Номер патента: US20150042371A1. Автор: Kelly Malone,Brian L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Integrated optical semiconductor device and integrated optical semiconductor device assembly

Номер патента: US20150260933A1. Автор: Hideki Yagi,Yoshihiro Yoneda,Ryuji MASUYAMA,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device

Номер патента: CA2453695A1. Автор: Hisashi Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-27.

Optical pointing device and power supply semiconductor device therefor

Номер патента: US20080067998A1. Автор: Bang-Won Lee,Sung-Hyuk Hong. Владелец: Atlab Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor memory device and chip stacked semiconductor device

Номер патента: JP5310439B2. Автор: 真実 黒田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-09.

Plasma processing method, plasma processing device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10312900A. Автор: Masashi Inoue,雅司 井上. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor memory device and mount-type semiconductor device

Номер патента: KR100604429B1. Автор: 이시카와히사시. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-07-25.

Data output device and method of semiconductor device

Номер патента: TWI280587B. Автор: Ki-Chang Kwean,Seung-Wook Kwack. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09478260B2. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and semiconductor system for producing noise differences between points of time

Номер патента: US09710118B2. Автор: Yoon-Kyung Choi,Hyunkyu Ouh,Bumsoo Kim,Junchul Park,Jinchul Lee,Chadong Kim,Sang-Hyub Kang,Sanho Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor system for detecting an error occurred in a parity

Номер патента: US12148492B2. Автор: Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20180182441A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792969B1. Автор: Kwang-Soon Kim,Seung-Wook Oh,Hyun-seung KIM,Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09679621B2. Автор: Min Soo Park,Min Jun Choi,Hyun Wook HAN,Jin Se KIM,Moon Yub NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor inspection device and semiconductor inspection method

Номер патента: US12094138B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor test device and semiconductor test method

Номер патента: US09972404B2. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09570151B1. Автор: Jin Youp CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09997257B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor system related to write leveling operations

Номер патента: US11742009B2. Автор: Hyun Seung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device and semiconductor device test method for identifying a defective portion

Номер патента: US8325548B2. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device test method

Номер патента: US20100322023A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US09484083B2. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09466396B2. Автор: Na Yeon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170315952A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09471430B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory system, memory controller, and semiconductor storage device

Номер патента: US12040027B2. Автор: Junji Yamada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20170365303A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20190295611A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US11860657B2. Автор: Shuichi Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20170352405A1. Автор: Geun Ho Choi,Man Keun Kang,Myung Kyun KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09773541B1. Автор: Geun Ho Choi,Man Keun Kang,Myung Kyun KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09696750B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09672884B1. Автор: Min Sik HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160098280A1. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20090176328A1. Автор: Tsuyoshi Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of operating memory controller and semiconductor storage device including memory controller

Номер патента: US09804790B2. Автор: Ho-Jun SHIM,Jun-bum PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09747113B2. Автор: Hyun-Su Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and semiconductor systems relating to the prevention of a potential difference between signals from being reversed

Номер патента: US09773530B1. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Data training device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09646675B1. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20170213582A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20210373784A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Optical pickup device and method of adjusting the same

Номер патента: US20030103438A1. Автор: MITSUHIRO Togashi,Ichiro Morishita,Naoki Kaiho,Noriyoshi Takeya. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160196865A1. Автор: Hun-Dae Choi,Han-gi Jung,Seok-Young Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09870813B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865312B2. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09830972B2. Автор: Hun-Dae Choi,Han-gi Jung,Suk Yong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09741407B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Internal power supply circuit, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09620177B2. Автор: Koichiro Hayashi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09542983B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Self-refresh device and semiconductor device including the self-refresh device

Номер патента: US09460774B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Correction device for a timepiece

Номер патента: US20200249628A1. Автор: Samuel VUILLEMEZ,Séverin DONZE. Владелец: RICHEMONT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2020-08-06.

English pronunciation correcting device

Номер патента: WO2004108029A1. Автор: Yun-Keun Kim. Владелец: Yun-Keun Kim. Дата публикации: 2004-12-16.

Correction device for a timepiece

Номер патента: US11635732B2. Автор: Samuel VUILLEMEZ,Séverin DONZE. Владелец: RICHEMONT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2023-04-25.

Control device and control method for internal combustion engine

Номер патента: EP2054602A1. Автор: Hiroyuki Hokuto. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Correcting device error radius estimates in positioning systems

Номер патента: US09651654B2. Автор: YONG Song,Jyh-Han Lin,Stephen P. Diacetis,Julia Maureen Letchner. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Device and method for controlling limited slip differential

Номер патента: US09598069B2. Автор: Tomoaki Kato. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Height correction device, and height correction method and blood pressure measurement system using height correction device

Номер патента: US20190387978A1. Автор: Takahide Tanaka,Shingo Yamashita,Yumi Kitamura. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO LTD. Дата публикации: 2019-12-26.

Lithographic apparatus, aberration correction device and device manufacturing method

Номер патента: SG139650A1. Автор: Tammo Uitterdijk,Laurentius Catrinus Jorritsma. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2008-02-29.

Liquid ejecting apparatus including curl correcting device, liquid ejecting method including curl correcting process, and computer-readable media for liquid ejection and curl correcting

Номер патента: US8672440B2. Автор: Yoshihiro ITOGAWA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Bone deformity treatment system, device, and related methods

Номер патента: US20240252182A1. Автор: Michael Lee,Graham Hamilton,Jordan Grossman,Troy J. Boffeli,Shannon M. Rush,Mark Hardy,David Kawalik. Владелец: Trilliant Surgical LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-surgical torso deformity correction devices and methods related thereto

Номер патента: US09855184B2. Автор: Sunghoon Kim,Olajire Idowu. Владелец: Childrens Hospital Oakland Research Center . Дата публикации: 2018-01-02.

Error correction device and method thereof

Номер патента: WO2007103590A2. Автор: William C. Moyer. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-09-13.

Electric signal connecting device and probe assembly using the same

Номер патента: EP1777529A3. Автор: Gunsei Kimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-01.

Numerical control tool holder, rotary body dynamic balance detection and correction device, and method

Номер патента: US20240326193A1. Автор: Yu Xia,Da-Wei Li,Lin-Fei Qiu,Jian-Guang Gao,Xian-Qian Zeng. Владелец: Fuzhun Precision Tooling Jiashan Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Map information correction device and map information correction system

Номер патента: US20240240965A1. Автор: Takeshi Ogata. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory Controller, Memory Control Method and Semiconductor Storage Apparatus

Номер патента: US20180196766A1. Автор: Yasuhiro Ikeda,Yutaka Uematsu,Masatsugu OSHIMI. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060031655A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Computer readable storage medium and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030145177A1. Автор: Keiichi Higeta,Shigeru Shimada,Kazumasa Yanagisawa,Yasuo Taguchi,Kei Kato,Yoshihiro Shinozaki,Masanao Yamaoka,Kodo Yamauchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing and designing soi type semiconductor device, and soi type semiconductor device

Номер патента: JP2003218356A. Автор: Koichi Matsumoto,光市 松本. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Silicon carbide semiconductor device inspection method and inspection device, and silicon carbide semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4886761B2. Автор: 俊介 和泉,秀一 土田,功穂 鎌田,武志 俵. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2012-02-29.

WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITE WIRING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120175759A1. Автор: Suzuki Hiromichi,BABA Susumu,MASUDA Masachika. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-07-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND STACKED-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299183A1. Автор: Fujisawa Yoshitomo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDCUTOR DEVICES AND STRAIN NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130032894A1. Автор: Bernstein Kerry,Balch Bruce,Ellis-Monaghan John Joseph,Habib Nazmul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor manufacturing device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH1145893A. Автор: Yasushi Nawata,Hiroshi Suematsu,洋志 末松,康 縄田. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Pattern forming device and production of semiconductor device utilizing the same

Номер патента: JPS60262419A. Автор: Kazufumi Ogawa,一文 小川. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1985-12-25.

Semiconductor device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10189964A. Автор: 康成 野口,康雄 北平,Yasuo Kitahira,Yasunari Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-21.

Semiconductor device and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH1187540A. Автор: Moriyoshi Nakajima,Hiromi Makimoto,ひろみ 槙本,盛義 中島. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Analizing parameter generating device for semiconductor device and analyzer for semiconductor device

Номер патента: JPH10143553A. Автор: Takashi Yoneda,Takayuki Matsuzawa,Makoto Wakita,誠 脇田,孝行 松澤,高志 米田. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1998-05-29.

Method for manufacturing phase-change semiconductor device and phase-change semiconductor device

Номер патента: CN101728482B. Автор: 蒋莉,黎铭琦,邵颖. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Semiconductor wafer suited for inspection by wafer batch type probe card, method for inspecting a semiconductor device, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11135580A. Автор: Tomoyuki Sasaki,智之 佐々木,Takeshi Arakawa,健 荒川. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-21.

Manufacture of resin encapsulated semiconductor device and resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: JPH11224883A. Автор: Noriko Murakami,紀子 村上. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-17.

Systems, devices, and methods for semiconductor device temperature management

Номер патента: TW201013443A. Автор: Bradley J Winter. Владелец: Bradley J Winter. Дата публикации: 2010-04-01.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Method for forming semiconductor layout patterns, semiconductor layout patterns, and semiconductor structure

Номер патента: SG195405A1. Автор: Jie Zhao,Huabiao Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.