Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

PLASMA ETCHING REACTION CHAMBER

Номер патента: US20190244787A1
Опубликовано: 08-08-2019
Автор(ы): CHEN YI-HSIANG, Cheng Yao-Syuan, CHIU Hsin-Chih, Chou Wei-Chuan, Ho Mu-Chun, Huang Zhi Kai, Wang Chun-Fu
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Plasma etching method

Номер патента: US09960014B2. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Plasma etching method

Номер патента: US20170084430A1. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Plasma etching apparatus and semiconductor processing system

Номер патента: US20230078095A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Byeongsang KIM,Youngdo Kim,Sungho Jang,Yunhwan Kim,Jungmo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20210193908A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: EP3465727A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-04-10.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: US20190304757A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-10-03.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US4595452A. Автор: Richard F. Landau,Henry A. Majewski. Владелец: Oerlikon Buhrle USA Inc. Дата публикации: 1986-06-17.

Plasma etching apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20240128056A1. Автор: SeungBo SHIM,Changho Kim,Kyungsun Kim,Minyoung HUR,Yoonbum Nam,Hyeontae Kim,Juneeok Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US20180102235A1. Автор: Yongsun Ko,Kijong Park,Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Jun-youl Yang,Jae Jin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US20170207066A1. Автор: Yongsun Ko,Kijong Park,Taeheon Kim,Kyunghyun Kim,Jun-youl Yang,Jae Jin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Plasma etching method and apparatus, and method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: US20240096596A1. Автор: Hee Ju Kim,Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Geun Young Yeom,Wonjun CHANG,Soo NAM GOONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Focus ring heating method, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US20130299455A1. Автор: Masashi Saito,Chishio Koshimizu,Jun Yamawaku,Tatsuo Matsudo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Lower electrode mechanism and reaction chamber

Номер патента: US20200321198A1. Автор: Yahui Huang,Gang Wei,Yicheng Li,Xingfei MAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Lower electrode mechanism and reaction chamber

Номер патента: US11410833B2. Автор: Yahui Huang,Gang Wei,Yicheng Li,Xingfei MAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Reaction chamber lining

Номер патента: US20210398781A1. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Chengyi Wang,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu,Yonggang HOU,Zhaochao CHEN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Reaction chamber lining

Номер патента: US12112923B2. Автор: NA Li,Haiyang Liu,Chengyi Wang,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu,Yonggang HOU,Zhaochao CHEN. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

METHOD OF MEASURING GAS INTRODUCING HOLE PROVIDED IN ELECTRODE FOR PLASMA ETCHING DEVICE, ELECTRODE, ELECTRODE REGENERATION METHOD, REGENERATED ELECTRODE, PLASMA ETCHING DEVICE, AND GAS INTRODUCING HOLE STATE DISTRIBUTION DIAGRAM AND DISPLAY METHOD FOR SAME

Номер патента: US20170148612A1. Автор: Suzuki Takayuki. Владелец: A-SAT CORPORATION. Дата публикации: 2017-05-25.

Plasma etching method

Номер патента: US20170084430A1. Автор: Masatoshi Miyake,Nobuyuki Negishi,Ken'etsu Yokogawa,Naoyuki Kofuji,Masami Kamibayashi. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Plasma etch chamber and method of plasma etching

Номер патента: US20190304757A1. Автор: Mohamed Elghazzali,Ben CURTIS,Frantisek Balon. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2019-10-03.

Plasma etching apparatus, kit for retrofitting an existing plasma etching apparatus, and method of plasma etching a substrate

Номер патента: TWI692795B. Автор: 麥斯梅 瓦爾瓦拉. Владелец: 英商Ｓｐｔｓ科技公司. Дата публикации: 2020-05-01.

POWER SUPPLY SYSTEM, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20150000842A1. Автор: Hirano Taichi,Kumagai Fumitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200126770A1. Автор: HIMORI Shinji,NAGASEKI Kazuya,Maruyama Koji,OHSHITA Tatsuro,NAGAMI Koichi,Dokan Takashi,Fujiwara Kazunobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20090206053A1. Автор: Masanobu Honda,Akitaka Shimizu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Circuit board etching mounting bracket and plasma etching machine

Номер патента: CN113038720B. Автор: 李金鸿,何为,尹立孟,蔡苇,曹磊磊,黄云钟,贺宏远. Владелец: Chongqing Founder Hi Tech Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-17.

A plasma etching control device

Номер патента: GB2344567B. Автор: Paul Gideon Huggett,Matthew Stuart Boyd. Владелец: ORBIS TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2002-08-07.

A plasma etching control device

Номер патента: GB9928388D0. Автор: . Владелец: ORBIS TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2000-01-26.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20190326092A1. Автор: BANSE Takanori,OGASAWARA Kosuke,YOSHIBA Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20150000843A1. Автор: KOBAYASHI Noriyuki,Tahara Shigeru,Koshiishi Akira,YONEDA Shigeru,Hanawa Kenichi,Sugimoto Masaru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA ETCHING

Номер патента: US20180102235A1. Автор: Kim Kyunghyun,YANG Jun-youl,KO Yongsun,Park Kijong,KIM Taeheon,Shin Jae Jin. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20170103877A1. Автор: HIMORI Shinji,NAGASEKI Kazuya,ITO Etsuji,OHSHITA Tatsuro,Yokota Akihiro,Kusano Shu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2017-04-13.

Plasma etching method

Номер патента: US20130048599A1. Автор: Masato Ishimaru,Makoto Satake,Makoto Suyama,Yasukiyo Morioka. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200126770A1. Автор: Koji Maruyama,Kazunobu Fujiwara,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Koichi Nagami,Takashi Dokan,Tatsuro Ohshita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor reaction chamber and atomic layer plasma etching equipment

Номер патента: KR20220162772A. Автор: 강 웨이,싱페이 마오,마사야 오다기리,구오동 천. Владелец: 베이징 나우라 마이크로일렉트로닉스 이큅먼트 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2022-12-08.

Plasma etching chamber and plasma etching system therewith

Номер патента: KR200349874Y1. Автор: 임동수. Владелец: (주)소슬. Дата публикации: 2004-05-12.

Plasma etching chamber and plasma etching system using same

Номер патента: WO2004100247A1. Автор: Dong-Soo Lim. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2004-11-18.

Plasma etching chamber and plasma etching system using the same

Номер патента: JP4122004B2. Автор: 東洙 林. Владелец: 株式会社ソスル. Дата публикации: 2008-07-23.

The modeling method of yield is etched in a kind of plasma etch process

Номер патента: CN103440361B. Автор: 宋亦旭,孙晓民,高扬福. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-24.

Radio frequency electron cyclotron resonance plasma etching apparatus

Номер патента: US5401351A. Автор: Seiji Samukawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US5895551A. Автор: Chang Heon Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09779962B2. Автор: Shinichi Kozuka,Takao FUNAKUBO,Yuta Seya,Aritoshi Mitani. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Plasma Etching with Metal Sputtering

Номер патента: US20240249927A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

System, method and apparatus for ion milling in a plasma etch chamber

Номер патента: US09899227B2. Автор: Joydeep Guha,Aaron Eppler,Jun Hee Han,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120244709A1. Автор: Yoshiki Igarashi,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09460897B2. Автор: Takayuki Katsunuma. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Improved endpoint detection system and method for plasma etching

Номер патента: WO1991005367A1. Автор: Calvin Gabriel,Jim Nulty. Владелец: Vlsi Technology, Inc.. Дата публикации: 1991-04-18.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US09659756B2. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20230170188A1. Автор: Huma Ashraf,Janet Hopkins,Kevin RIDDELL,Alex Huw Wood. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of controlling plasma etch process

Номер патента: US20030153102A1. Автор: Hsien-Kuang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of plasma etching

Номер патента: US20020011464A1. Автор: Makoto Nawata,Tomoyuki Tamura,Mamoru Yakushiji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method and Apparatus for Plasma Etching Dielectric Substrates

Номер патента: US20240212998A1. Автор: Andrew RUBIN,Nicolas Launay,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and apparatus to improve plasma etch uniformity

Номер патента: WO2006041634A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis Usa Inc.. Дата публикации: 2006-04-20.

Method and apparatus to improve plasma etch uniformity

Номер патента: EP1797578A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium storing the control program

Номер патента: US20060289385A1. Автор: Akihiro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20100133234A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Tetsuo Yoshida,Ryoichi Yoshida,Michishige Saito,Akira Obi,Toshikatsu Wakaki,Hayato Aoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials

Номер патента: US5096536A. Автор: David A. Cathey, Jr.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-03-17.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US20120309203A1. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US8252694B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Integration of vapor deposition process into plasma etch reactor

Номер патента: US20230260759A1. Автор: Eric A. Hudson,Ramesh Chandrasekharan,Andrew Clark SERINO,Alan M. Schoepp,Thad NICHOLSON. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20020014308A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Method and system for facilitating the determination of the end point in plasma etching processes

Номер патента: WO2006106556A1. Автор: Roberto Colombo,Giuseppe Fazio,Diego Zappa. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2006-10-12.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8192577B2. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-06-05.

Construction of a chamber casing in a plasma etching system

Номер патента: US5720846A. Автор: Whikun Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-24.

Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20060102288A1. Автор: Hideyuki Kobayashi,Daiki Satoh,Masato Horiguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-05-18.

Baffle plate and plasma etching device having same

Номер патента: WO2003098669A1. Автор: Moon Hwan Kim,Jeung Woo Lee,Young Jae Moon. Владелец: Tokyo Electron Korea Ltd.. Дата публикации: 2003-11-27.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: EP1568061A2. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-31.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US20240258084A1. Автор: Jongwoo SUN,Jewoo HAN,Haejoong Park,Kyohyeok KIM,Taehwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-01.

Plasma etching electrode

Номер патента: US5993597A. Автор: Kazuo Saito,Akira Yamaguchi,Yasushi Mochizuki. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Plasma etching process

Номер патента: US5405491A. Автор: Iraj E. Shahvandi,Carol Gelatos,Leroy Grant, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether

Номер патента: US20230162972A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-05-25.

Plasma etching method

Номер патента: US7037843B2. Автор: Isamu Namose. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Plasma etching method using pentafluoropropanol

Номер патента: US20230178341A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-08.

Plasma etching reactor with reduced plasma potential

Номер патента: CA1219975A. Автор: Charles J. Hendricks,Brian H. Desilets,Thomas A. Gunther,John H. Keller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-31.

Plasma etching unit

Номер патента: US20100024983A1. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-04.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20210118690A1. Автор: Shuichi Kuboi,Seiya YOSHINAGA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces

Номер патента: US6083412A. Автор: Michael Rice,Jeffrey Marks,David W Groechel,Nicolas J Bright. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Plasma etching device

Номер патента: US20040134612A1. Автор: Takeomi Numata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Plasma etching method and storage medium

Номер патента: US09384999B2. Автор: Noriyuki Kobayashi,Naotsugu Hoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

System and method for plasma etching endpoint detection

Номер патента: US5405488A. Автор: Samuel V. Dunton,Calvin T. Gabriel,Dimitrios Dimitrelis. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-04-11.

Magnetron-enhanced plasma etching process

Номер патента: US4668338A. Автор: Sasson Somekh,David Cheng,Dan Maydan,Mei Cheng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1987-05-26.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20080110569A1. Автор: Junichi Tanaka,Hiroshi Akiyama,Naoshi Itabashi,Kouhei Satou,Go Miya,Seiichiro Kanno. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Apparatus and methods for actively controlling rf peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: WO2001075930A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-05-23.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US20070199657A1. Автор: Hiroshi Akiyama,Naoyuki Kofuji. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: WO2004053922A2. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2004-06-24.

Method and apparatus for plasma etching dielectric substrates

Номер патента: EP4391010A1. Автор: Andrew RUBIN,Nicolas Launay,Kevin RIDDEL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Photomask plasma etching apparatus, etching method, and photomask forming method

Номер патента: US20060292727A1. Автор: Takeharu Motokawa,Junichi Tonotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Apparatus and method for plasma etching

Номер патента: US11984304B2. Автор: Jongwoo SUN,Jewoo HAN,Haejoong Park,Kyohyeok KIM,Taehwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: WO2001075931A3. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Shu Nakajima. Дата публикации: 2002-03-21.

Inductively coupled plasma etching apparatus

Номер патента: EP1269513A2. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Process for cleaning an electrostatic chuck of a plasma etching apparatus

Номер патента: US5746928A. Автор: Po-Tao Chu,Kuang-Hui Chang,Shih Kuei Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1998-05-05.

Electrode for plasma etching

Номер патента: US6007672A. Автор: Kazuo Saito,Akira Yamaguchi,Yasushi Mochizuki. Владелец: Nisshinbo Industries Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US4559100A. Автор: Shigeru Nishimatsu,Keizo Suzuki,Yoshifumi Ogawa,Sadayuki Okudaira,Ken Ninomiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-17.

Plasma etching chamber

Номер патента: WO2009061104A1. Автор: Hee-Se Lee,Seong-Hyun Chung,Se Mun Park. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-05-14.

Systems and methods for stabilizing reaction chamber pressure

Номер патента: US12098460B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and apparatus for cleaning a reaction chamber

Номер патента: FI131079B1. Автор: Tom Blomberg,Vaino Kilpi,Veli-Matti Rissa. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2024-09-09.

Plasma chamber with ancillary reaction chamber

Номер патента: EP4304772A1. Автор: Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III,John Joseph REHAGEN. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Plasma chamber with ancillary reaction chamber

Номер патента: AU2022234467A1. Автор: Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III,John Joseph REHAGEN. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Plasma chamber with ancillary reaction chamber

Номер патента: CA3212953A1. Автор: Stefan Andrew McClelland,Jae Mo Koo,George Stephen LEONARD III,John Joseph REHAGEN. Владелец: ReCarbon Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Sputtering reaction chamber and process assembly of sputtering reaction chamber

Номер патента: US20230055006A1. Автор: Bing Li,Keke Zhao,Liren HAN,Lixin PEI,Guodong Bian. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Sputtering reaction chamber and process assembly of sputtering reaction chamber

Номер патента: US11952653B2. Автор: Bing Li,Keke Zhao,Liren HAN,Lixin PEI,Guodong Bian. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: US11715632B2. Автор: Xingcun LI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Electrode structure for use in a reaction chamber

Номер патента: WO2013024313A1. Автор: Zsolt Vadadi,Tamas Strausz. Владелец: ECOSOLIFER AG. Дата публикации: 2013-02-21.

PLASMA ETCHING SYSTEMS AND METHODS WITH SECONDARY PLASMA INJECTION

Номер патента: US20170062184A1. Автор: LUBOMIRSKY DMITRY,Park Soonam,Tran Toan Q.,Weng Zilu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-03-02.

PLASMA ETCHING SYSTEMS AND METHODS WITH SECONDARY PLASMA INJECTION

Номер патента: US20200111643A1. Автор: LUBOMIRSKY DMITRY,Park Soonam,Tran Toan Q.,Weng Zilu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-04-09.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: US12057320B2. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: Rasiro Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

System, method and apparatus for RF power compensation in plasma etch chamber

Номер патента: US09412670B2. Автор: Arthur Sato,Seetharaman Ramachandran,Shang-I Chou,Eric Tonnis,Robert G. O'Neill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for prolonging life time of a plasma etching chamber

Номер патента: US6069088A. Автор: Wen-Pin Hsieh,Wen-Peng Chiang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-05-30.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: US20240112921A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: RASIRC Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Hydrogen peroxide plasma etch of ashable hard mask

Номер патента: WO2024074929A1. Автор: Jeffrey J. Spiegelman. Владелец: RASIRC, INC.. Дата публикации: 2024-04-11.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW201209914A. Автор: Seiji Ogata,Manabu Yoshii,Yasuhiro Morikawa. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Dry plasma etch method to pattern MRAM stack

Номер патента: US09806252B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Thorsten Lill,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Plasma etching method and apparatus therefor

Номер патента: US7442274B2. Автор: Koji Maruyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Electrode plate for plasma etching equipment for forming uniformly-etched surface

Номер патента: TW444069B. Автор: Toshiharu Hiji,Terushi Mishima,Tamotsu Mori,Yoshinobu Nakada. Владелец: Mitsubishi Materials Corportio. Дата публикации: 2001-07-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Kobayashi Ken,YOSHIDA Ryoichi,Ishii Takayuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-07-23.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN104616956B. Автор: 杨盟. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-08.

Pulse-plasma etching method and pulse-plasma etching apparatus

Номер патента: TW201248713A. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW200402792A. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-02-16.

SILICON DIOXIDE-POLYSILICON MULTI-LAYERED STACK ETCHING WITH PLASMA ETCH CHAMBER EMPLOYING NON-CORROSIVE ETCHANTS

Номер патента: US20160086771A1. Автор: SHIMIZU Daisuke,Kim Jong Mun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Plasma etching device and etching method

Номер патента: JPH10214822A. Автор: Masahiko Ouchi,雅彦 大内. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Dual Frequency Plasma Etch Reactor with Independent Plasma Density?Chemistry and Ion Energy Control

Номер патента: KR100936647B1. Автор: 라진더 딘드사,루민 리,에릭 렌즈,무컨드 스린니바산. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2010-01-14.

Dual frequency plasma etch reactor with independent plasma density/chemistry and ion energy control

Номер патента: CN1539156A. Автор: ,李鲁民,R,ɼ�����,R·丁德萨,M·斯里尼瓦杉,E·兰茨. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-10-20.

Cleaning method for plasma etching chamber, and application thereof

Номер патента: EP4403270A1. Автор: FENG LIANG,Jiahe LI,Xuedong Li,Xiaobo Liu,Kaidong Xu,Yuxin Yang,Taiyan PENG. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050211380A1. Автор: Takayoshi Sawayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Reduction of metal oxide in dual frequency plasma etch chamber

Номер патента: EP1078389A1. Автор: ZHENG Xu,Vijay Parkhe,Gilbert Hausmann,Barney M. Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

Passivation chemistry for plasma etching

Номер патента: US20230335378A1. Автор: Eric A. Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Passivation chemistry for plasma etching

Номер патента: WO2022072160A3. Автор: Eric A. Hudson. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-07-21.

Plasma processing tools dual-source plasma etchers, dual-source plasma etching methods, and methods of forming planar coil dual-source plasma etchers

Номер патента: US6136720A. Автор: Guy T. Blalock,Kevin G. Donohoe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

In-Situ Adsorbate Formation for Plasma Etch Process

Номер патента: US20240112887A1. Автор: Yoshihide Kihara,Masahiko Yokoi,Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

In-situ adsorbate formation for plasma etch process

Номер патента: WO2024072569A1. Автор: Yoshihide Kihara,Masahiko Yokoi,Mingmei Wang,Yu-Hao Tsai,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Plasma etch reactor with dual sources for enhancing both etch selectivity and etch rate

Номер патента: EP1308986B1. Автор: AJAY Kumar,Ralph M. Wadensweiler,Alan H. Ouye,Dragan Podlesnik,John P. Holland,Valentin Todorov,Anisul Khan,Arthur H. Sato,John J. Hagerty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Microwave plasma etching apparatus

Номер патента: US5983829A. Автор: Nobumasa Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1999-11-16.

Plasma etching apparatus, plasma etching system and method of etching a substrate using the same

Номер патента: KR101317160B1. Автор: 김근호,이중희,전선규. Владелец: (주)소슬. Дата публикации: 2013-10-11.

Plasma etching electrode

Номер патента: US4342901A. Автор: John Zajac. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1982-08-03.

Electrodes for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus using the same

Номер патента: US5447595A. Автор: Satoshi Nakagawa. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Plasma etching equipment

Номер патента: EP1287548A1. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-03-05.

Etching method and plasma etching processing apparatus

Номер патента: TW200301522A. Автор: Kenji Yamamoto,Takanori Matsumoto,Katsumi Horiguchi,Fumihiko Higuchi,Satoshi Shimonishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-07-01.

Plasma etching method and plasma treatment apparatus

Номер патента: TW200507104A. Автор: Tsutomu Satoyoshi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Plasma etch process for controlling line edge roughness

Номер патента: WO2009067104A1. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,Brian K. Hatcher,Edward P. Hammond Iv,Valentin N. Todorow,Alexander M. Paterson,Rodolfo P. Belen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2009-05-28.

Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers

Номер патента: US09515633B1. Автор: Alex Paterson,Maolin Long. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

High aspect ratio plasma etch for 3d nand semiconductor applications

Номер патента: US20160056050A1. Автор: Liming Yang,Gene Lee,Byungkook KONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20170040146A1. Автор: Shih Hong,Daugherty John,Xu Lin,HUANG Lihua Li. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20160056021A1. Автор: TSUJIMOTO Hiroshi,Mizutani Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2016-02-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140162463A1. Автор: TAKASHIMA Ryuichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-06-12.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160086817A1. Автор: KOBAYASHI Fumiya,TOMURA Maju,KITAGAITO Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20180144909A1. Автор: Shih Hong,Daugherty John,Xu Lin,HUANG Lihua Li. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20200203126A1. Автор: Sant Sanket. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150255305A1. Автор: Nakagawa Akira. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-09-10.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150294841A1. Автор: Katsunuma Takayuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-10-15.

ELECTRODE PLATE FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150348762A1. Автор: NAGAYAMA Nobuyuki,SATOH Naoyuki,NAGAKUBO Keiichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

PROCESSING COMPONENT HAVING IMPROVED PLASMA ETCHING RESISTANCE, AND TREATMENT METHOD FOR REINFORCING PLASMA ETCHING RESISTANCE OF PROCESSING COMPONENT

Номер патента: US20170349992A1. Автор: Kim Ok Ryul,Kim Ok Min. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

PLASMA ETCHING DEVICE WITH PLASMA ETCH RESISTANT COATING

Номер патента: US20160358749A1. Автор: Sant Sanket. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR102046193B1. Автор: 아키노리 기타무라,겐타 야스다,?스케 이시다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-11-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN101604630B. Автор: 佐佐木胜. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-01-28.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN104616956A. Автор: 杨盟. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-13.

Method for detecting end point of plasma etching and plasma etching device

Номер патента: JPH11354509A. Автор: Yoshinao Ito,芳直 伊藤,敦 傳田,Atsushi Denda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-12-24.

Plasma etching apparatus and plasma etching method thereof

Номер патента: KR100951475B1. Автор: 박종호,김남진,김광태,조호용,김정태,김하종. Владелец: (주)타이닉스. Дата публикации: 2010-04-07.

Plasma etching apparatus II-conical-shaped projection

Номер патента: US4307283A. Автор: John Zajac. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 1981-12-22.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20070056929A1. Автор: Junichi Tanaka,Masahito Mori,Naoshi Itabashi,Go Miya,Naoyuki Kofuji,Seiichiro Kanno,Motohiko Yoshigai,Go Saito. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20050011612A1. Автор: Katsuya Watanabe,Mamoru Yakushiji,Yutaka Ohmoto,Ryooji Fukuyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: US20100224587A1. Автор: Takahito Mukawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JP3388228B2. Автор: 理 小池. Владелец: 株式会社半導体先端テクノロジーズ. Дата публикации: 2003-03-17.

Atmospheric Plasma Etching Device for Opening Of Pad Region On TFT Substrate, And Plasma Etching Method Using The Same

Номер патента: KR101103349B1. Автор: 임성실,김윤환,이상로,임찬주. Владелец: (주)에스이피. Дата публикации: 2012-01-05.

Plasma etching apparatus with focus ring and plasma etching method

Номер патента: US6726799B2. Автор: Osamu Koike. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-27.

A plasma etch method, a plasma etch apparatus, and a memory medium

Номер патента: TWI549178B. Автор: Shin Okamoto,Yoshinobu Ooya,Koichi Yatsuda,Hiromasa Mochiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-11.

Plasma etching processing apparatus and plasma etching processing method

Номер патента: JP5454467B2. Автор: 直樹 松本,和人 高井,信幸 岡山,麗花 洪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: TWI498965B. Автор: Daisuke Matsushima. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2015-09-01.

Plasma etching method and plasma etching unit

Номер патента: US7625494B2. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium

Номер патента: JP5221403B2. Автор: 晋 岡本,浩一 八田,欣伸 大矢,宏政 持木. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-06-26.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TW200301521A. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Koichiro Inazawa,Hisataka Hayashi,Ichiya Nagaseki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-07-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: TWI263276B. Автор: Masanobu Honda,Shoichiro Matsuyama,Kazuya Nagaseki,Kouichiro Inazawa,Hisataka Hayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2006-10-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140284308A1. Автор: Matsuyama Shoichiro,Yahashi Katsunori,Ohiwa Tokuhisa,Shimizu Akitaka,NOGAMI Susumu,ITO Kiyohito. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Focus ring heating method, plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium

Номер патента: JP5203986B2. Автор: 宏 辻本. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Plasma etch process using polymerizing etch gases and an inert diluent gas in independent gas injection zones to improve etch profile or etch rate uniformity

Номер патента: US20070254483A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: CN1898780A. Автор: 吴荣根,金南宪,金升基,宋荣洙,吴相龙,李堵汉. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2007-01-17.

Cyclic plasma etching of carbon-containing materials

Номер патента: WO2022245461A1. Автор: Yunho Kim,Mingmei Wang,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

PLASMA SYSTEM, PLASMA PROCESSING METHOD, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20170186586A1. Автор: Oh Sejin,Yang Jang Gyoo,Sung Dougyong,Woo Je-Hun,Cho Chungho,Jung Jaechul. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Device for generating a plasma in low pressure container e.g. for hardware items surface treatment by plasma etching and plasma deposition

Номер патента: DE19503205C1. Автор: Eberhard Dipl Phys Dr Raeuchle,Wolfgang Dipl Phys Petasch,Fritz Konstantin Raeuchle,Horst Muegge. Владелец: Muegge Electronic GmbH. Дата публикации: 1996-07-11.

Sensor arrangement for the characterization of plasma coating, plasma etching and plasma treatment processes and methods for determining characteristics in these processes

Номер патента: DE102011111613A1. Автор: Dr. Dipl.-Phys. Ellmer Klaus,Karsten Harbauer. Владелец: Helmholtz Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH. Дата публикации: 2013-02-28.

ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Tanaka Koki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-02-17.

ETCHING METHOD FOR SUBSTRATE TO BE PROCESSED AND PLASMA-ETCHING DEVICE

Номер патента: US20150118858A1. Автор: Takaba Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Anode anti-etching apparatus of plasma etching machine

Номер патента: KR950006636Y1. Автор: 박치균. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-08-16.

Substrate plasma etching - with open metal cylinders around substrate wafers for even etching rate

Номер патента: DE2738891A1. Автор: Barbara Hasler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-03-15.

Plasma etching method for etching rear surface of semiconductor wafer, by applying protective tape, discharge power and gradually increasing voltage before introducing gas

Номер патента: DE102004038347A1. Автор: Masatoshi Wakahara,Erumu Nitta. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Plasma etch reactor with distribution of etch gases across a wafer surface and a polymer oxidizing gas in an independently fed center gas zone

Номер патента: US8187415B2. Автор: Jong Mun Kim,Jingbao Liu,Bryan Y. Pu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-29.

Heating jacket for plasma etching reactor, and etching method using same

Номер патента: WO2004008477A2. Автор: Michel Puech. Владелец: ALCATEL. Дата публикации: 2004-01-22.

Plasma etch process with separately fed carbon-lean and carbon-rich polymerizing etch gases in independent inner and outer gas injection zones

Номер патента: US20070254486A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

High etch rate method for plasma etching silicon nitride

Номер патента: US6471833B2. Автор: AJAY Kumar,Anisul Khan,Jeffrey D Chin,Dragan V Podlesnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-29.

Simultaneous in-suit optical sensing of pressure and etch rate in plasma etch chamber

Номер патента: TW432209B. Автор: Szetsen Steven Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-01.

Plasma etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW200304676A. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

Baffle plate and plasma etching device having same

Номер патента: AU2003232645A1. Автор: Moon Hwan Kim,Jeung Woo Lee,Young Jae Moon. Владелец: Tokyo Electron Korea Ltd. Дата публикации: 2003-12-02.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: AU2003285581A1. Автор: Bomy Chen,Hongwen Yan,Siddhartha Panda,Richard Wise,Brian Ji. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-06-30.

Apparatus and method for shielding a wafer from charged particles during plasma etching

Номер патента: TW200410603A. Автор: Hongwen Yan,Brian L Ji,Siddhartha Panda,Richard Wise,Bomy A Chen. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-06-16.

An inductively-coupled plasma etch apparatus and a feedback control method thereof

Номер патента: TW200636853A. Автор: Cheng-Hung Chang,Chaung Lin,Keh-Chyang Leou,Kai-Mu Shiao. Владелец: Univ Nat Tsing Hua. Дата публикации: 2006-10-16.

Plasma etching system

Номер патента: TWI544839B. Автор: Jie Liang,PING Yang. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-01.

Plasma etching method and apparatus

Номер патента: GB202310034D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Plasma etching apparatus

Номер патента: TW422893B. Автор: Jong-Heui Song,Se-Hyeong Lee,Min-Woong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-02-21.

Process and apparatus for plasma etching

Номер патента: TW412801B. Автор: Ji-soo Kim,Wan-Jae Park,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-21.

Silicon electrode plate for plasma etching having high durability

Номер патента: TW200539347A. Автор: Hiroaki Taguchi,Hideki Fujiwara,Toshinori Ishii,Kazuhiro Ikezawa,Naofumi Iwamoto,Takashi Komekyu. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon. Дата публикации: 2005-12-01.

Silicon electrode plate for plasma etching having high durability

Номер патента: TWI258818B. Автор: Hiroaki Taguchi,Hideki Fujiwara,Toshinori Ishii,Kazuhiro Ikezawa,Naofumi Iwamoto. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon. Дата публикации: 2006-07-21.

Method to improve plasma etch uniformity

Номер патента: EP2955741B1. Автор: David Johnson,Russell Westerman. Владелец: Plasma Therm LLC. Дата публикации: 2019-03-13.

Apparatus and methods for actively controlling RF peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system

Номер патента: TW534928B. Автор: Shu Nakajima. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2003-06-01.

Plasma etching chamber

Номер патента: TW200935511A. Автор: Hee-Se Lee,Seung-Hyun Chung,Se-Mun Park. Владелец: Sosul Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-16.

Apparatus for performing a plasma etching process

Номер патента: TW200836258A. Автор: You-Shik Shin. Владелец: Sosul Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-01.

RF plasma etch reactor with internal inductive coil antenna and electrically conductive chamber walls

Номер патента: TW419743B. Автор: YAN Ye,Donald Olgado,Avi Tepman,Gerald Yin,Diana Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-01-21.

Plasma etch process for controlling line edge roughness

Номер патента: TW200924048A. Автор: Dan Katz,Theodoros Panagopoulos,Valentin N Todorow,Alexander M Paterson,Brian K Hatcher,Edward P Hammond Iv,Rodolfo P Belen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-06-01.

ANNULAR MEMBER, PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20200066496A1. Автор: OGASAWARA Masahiro,Kitamura Shingo,KAZAMA Koichi,NOGAMI Susumu,SATO Tetsuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20210313148A1. Автор: BANSE Takanori,OGASAWARA Kosuke,YOSHIBA Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-07.

Substrate cooling apparatus for plasma etching device using inductively coupled plasma chamber

Номер патента: KR100468793B1. Автор: 송형승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-16.

Plasma etching method for obtaining high selectivity in using low plasma source power

Номер патента: KR100557674B1. Автор: 김승기,오상룡,송영수,김남헌. Владелец: 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Down-stream plasma etching with deflectable plasma beam

Номер патента: WO2007038967A1. Автор: Jeff Alistair Hill. Владелец: PVA TePla AG. Дата публикации: 2007-04-12.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN101546685A. Автор: 岩田学,佐藤学,中山博之,本田昌伸,增泽健二,成重和树. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: US8303834B2. Автор: Hiroyuki Nakayama,Manabu Sato,Masanobu Honda,Manabu Iwata,Kenji Masuzawa,Kazuki Narishige. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-06.

Method of making shield and plasma etching apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination

Номер патента: KR100291898B1. Автор: 차훈,김진만,신은희,최백순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-06-01.

Plasma reactor apparatus and process for the plasma etching of a workpiece in such a reactor apparatus

Номер патента: EP0019370A1. Автор: Josef T. Hoog,Georges J. Dr. Gorin. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1980-11-26.

Plasma etching system using plasma confinement

Номер патента: JP2963392B2. Автор: ハワード レンツ エリック,デュアン デブル ロバート. Владелец: RAMU RISAACHI CORP. Дата публикации: 1999-10-18.

Plasma etching apparatus and plasma cleaning method

Номер патента: US20100140221A1. Автор: Takamichi Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Protective element and plasma etching chamber with a protective element

Номер патента: DE202022002731U1. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-02-20.

Magnetic field generator for magnetron plasma, and plasma etching apparatus and method comprising the magnetic field generator

Номер патента: AU2001280200A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Koji Miyata,Jun Hirose,Shigeki Tozawa,Yuki Chiba,Akira Kodashima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-03-22.

Plasma Etching Equipment Using Plasma Confinement

Номер патента: KR970008369A. Автор: 하워드 렌츠 에릭,듀앤 디블 로버트. Владелец: 리차드 에이치 로브그렌. Дата публикации: 1997-02-24.

PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140069585A1. Автор: Hayashi Daisuke,AOTO Tadashi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-13.

PROCESS WINDOW WIDENING USING COATED PARTS IN PLASMA ETCH PROCESSES

Номер патента: US20190043726A1. Автор: Ingle Nitin K.,LUBOMIRSKY DMITRY,Xia Ming,Yang Dongqing,Tan Tien Fak,Hillman Peter,Zhu Lala,Snedigar Christopher. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-02-07.

Plasma reaction chamber liner comprising ruthenium

Номер патента: US7131391B2. Автор: Li Li,Max F. Hineman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-07.

Plasma etching apparatus and method of plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: EP3958288A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Carrier device and semiconductor reaction chamber

Номер патента: US20230274917A1. Автор: Xingfei MAO,Jinji XU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Plasma etching using polycarbonate etch mask

Номер патента: WO1998038837A1. Автор: Chungdee Pong,Kristin Brigham. Владелец: Candescent Technologies Corporation. Дата публикации: 1998-09-03.

Inductively coupled plasma etching apparatus, and inductively coupled plasma etching method using same

Номер патента: US20240055226A1. Автор: Byung Jun Lee,Kwang Ho KWON,No Min LIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for texturing the surface of a crystalline silicon layer and associated reaction chamber

Номер патента: EP3748695A1. Автор: Erik Johnson,Pere Roca I Cabarrocas,Wanghua Chen. Владелец: Institut Photovoltaique dIle de France IPVF. Дата публикации: 2020-12-09.

Method for texturing the surface of a crystalline silicon layer and associated reaction chamber

Номер патента: WO2020245419A1. Автор: Erik Johnson,Pere Roca I Cabarrocas,Wanghua Chen. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 2020-12-10.

Silicon part for plasma etching apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09472380B2. Автор: Yoshinobu Nakada,Fumitake Kikuchi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150206715A1. Автор: Takayuki Ishii,Ryoichi Yoshida,Ken Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US12062522B2. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Plasma etching method, plasma etching device, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: US09837251B2. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US09583315B2. Автор: Tomoyuki Mizutani,Hiroshi Tsujimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Plasma etching systems and methods using empirical mode decomposition

Номер патента: US09548189B2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Yassine Kabouzi,Jorge Luque,Luc Albarede. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Plasma etching method

Номер патента: US09978566B2. Автор: Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Tatsuro Ohshita,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Plasma etching method

Номер патента: US09437450B2. Автор: Tetsuro Kikuchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Plasma etching method

Номер патента: US09412607B2. Автор: Eiji Suzuki,Yuji Otsuka,Yutaka Osada,Akinori Kitamura,Masayuki Kohno,Hiroto Ohtake,Yusuke Takino,Tomiko Kamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Single-wafer real-time etch rate and uniformity predictor for plasma etch processes

Номер патента: US09953886B2. Автор: Justin Hiroki Sato,Brian Dee Hennes,Yannick Carll Kimmel. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140076848A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Integrated laser and plasma etch dicing

Номер патента: WO2024163214A1. Автор: Cheng Sun,Clinton Goh,Jonathan Bryant MELLEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20140073113A1. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Integrated laser and plasma etch dicing

Номер патента: US20240266220A1. Автор: Cheng Sun,Clinton Goh,Jonathan Bryant MELLEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: US09984896B2. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150187588A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09530666B2. Автор: Hideki Mizuno,Kumiko Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Plasma etching method

Номер патента: US09793136B2. Автор: Kosei Ueda,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method and apparatus for real-time monitoring of plasma etch uniformity

Номер патента: US09847262B2. Автор: Jean-Francois De Marneffe,Vladimir Samara. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of plasma etching

Номер патента: EP4391023A1. Автор: Samira Binte KAZEMI. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Dual mode plasma etching system and method of plasma endpoint detection

Номер патента: US5242532A. Автор: John L. Cain. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1993-09-07.

Method of Plasma Etching

Номер патента: US20240213030A1. Автор: Binte Kazemi Samira. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US20210119128A1. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US10529582B2. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09887109B2. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Masaya Kawamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Plasma etching apparatus component for manufacturing semiconductor comprising composite sintered body and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240055266A1. Автор: Young Jo Park,Jae Woong Ko,Ha Neul Kim,Mi Ju KIM,Hyeon Myeong OH. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma etching tools and systems

Номер патента: WO2023239630A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Plasma etching tools and systems

Номер патента: US20230395385A1. Автор: Andrew Metz,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Plasma edge ring, plasma etching apparatus including the same, and plasma etching method using the same

Номер патента: US20230142436A1. Автор: Sang Ki Nam,Hyunjoo Lee,Young Hyun Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240038546A1. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US09653357B2. Автор: Junichi Arami,Kenji Okazaki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Plasma etching method and plasma processing apparatus

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Takayuki Katsunuma,Masanobu Honda,Hironobu Ichikawa,Jin KUDO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-10.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200312622A1. Автор: SATOSHI Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Multiple-processing and contamination-free plasma etching system

Номер патента: CA1331163C. Автор: Arthur W. Zafiropoulo,Joseph A. Maher,E. John Vowles,Joseph D. Napoli,Mark W. Miller. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1994-08-02.

Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20230402286A1. Автор: Li Ling,Daisuke Shimizu,Kenji Takeshita,Hikaru Watanabe. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: WO2023239400A1. Автор: Li Ling,Daisuke Shimizu,Kenji Takeshita,Hikaru Watanabe. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Metal-based liner protection for high aspect ratio plasma etch

Номер патента: US20230298896A1. Автор: Qing Xu,Eric A. Hudson,Amit Mukhopadhyay,Merrett Wong,Gregory Clinton Veber,Walter Thomas RALSTON,Taner OZEL,Shuang Pi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Multiple-processing and contamination-free plasma etching system

Номер патента: US5344542A. Автор: Arthur W. Zafiropoulo,Joseph A. Maher,E. John Vowles,Joseph D. Napoli,Mark W. Miller. Владелец: General Signal Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Plasma etching of ni-containing materials

Номер патента: WO2003065419A3. Автор: Lee Chen. Владелец: Lee Chen. Дата публикации: 2003-11-13.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: EP3712927A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Plasma etching method

Номер патента: US8741166B2. Автор: Tomoyuki Watanabe,Tetsuo Ono,Mamoru Yakushiji,Michikazu Morimoto. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Plasma etching method of modulating high frequency bias power to processing target object

Номер патента: US09548214B2. Автор: Fumio Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: EP3843126A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-30.

Method and Apparatus for Plasma Etching

Номер патента: US20210193471A1. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method and apparatus for plasma etching

Номер патента: US11664232B2. Автор: Huma Ashraf,Kevin RIDDELL,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Plasma etching method

Номер патента: US20180240690A1. Автор: Kenta Chito. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Plasma etching method

Номер патента: EP3989682A1. Автор: Daisuke Sato,Yuki Oka,Kaoru Kaibuki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-04-27.

Focus ring and plasma etching device including same

Номер патента: US20240030007A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Plasma etch process using polymerizing etch gases with different etch and polymer-deposition rates in different radial gas injection zones with time modulation

Номер патента: US20070251918A1. Автор: Bryan Pu,Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Paul Brillhart,Kallol Bera,Bruno Geoffrion,Kenny Doan,Ezra Gold. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20190006186A1. Автор: Hiroki Sato,Hisashi Hirose. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Plasma etching method

Номер патента: US20240006186A1. Автор: Jun-Hyun Kim,Chang-Koo Kim,Sang-Hyun YOU. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of high density plasma etching for semiconductor manufacture

Номер патента: US5783100A. Автор: Guy Blalock,Kevin Donohoe. Владелец: Micron Display Technology Inc. Дата публикации: 1998-07-21.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20230245897A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Focus ring for improvement of semiconductor plasma etching process

Номер патента: US20220415621A1. Автор: Seung Ho Yang,Byeong Su An,Sung Dong Cho,Seong Wan BAE. Владелец: One Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Plasma etching apparatus and method for operating the same

Номер патента: US12046451B2. Автор: Ju Ho Lee,Seung Bo SHIM,Doug Yong SUNG,Nam Kyun Kim,Seung Han BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of plasma etching

Номер патента: US9040427B2. Автор: Huma Ashraf,Anthony Barker. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device manufacturing method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8772172B2. Автор: Eiichi Nishimura,Masato Kushibiki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Plasma etching of additive-containing aln

Номер патента: EP4199687A1. Автор: Huma Ashraf,Alex WOOD,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance

Номер патента: US20150214109A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching

Номер патента: US5955383A. Автор: Yuan-ko Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Apparatus for controlling etch rate when using consumable electrodes during plasma etching

Номер патента: US6030489A. Автор: Yuan-ko Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Cyclical plasma etching

Номер патента: US20170069469A1. Автор: Michael J. Cooke,Andrew L. Goodyear. Владелец: OXFORD INSTRUMENTS NANOTECHNOLOGY TOOLS LTD. Дата публикации: 2017-03-09.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US10872779B2. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Masaru Izawa,Kohei Kawamura,Nobuya MIYOSHI,Kazunori Shinoda,Kazumasa Ookuma,Yutaka Kouzuma. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Plasma etching method using gas molecule containing sulfur atom

Номер патента: EP3813097A1. Автор: Yoshinao Takahashi,Korehito Kato,Yoshihiko IKETANI,Mitsuharu SHIMODA. Владелец: Kanto Denka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Non-plasma etch of titanium-containing material layers with tunable selectivity to alternate metals and dielectrics

Номер патента: US20210057213A1. Автор: Subhadeep Kal,Daisuke Ito,Shinji Irie,Aelan Mosden. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Plasma etching method

Номер патента: US20190027368A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Plasma etching of porous substrates

Номер патента: US9595422B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang,Jean-Francois De Marneffe. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-14.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: EP4322200A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Focus ring and plasma etching apparatus comprising the same

Номер патента: US20240055238A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Plasma Etching

Номер патента: US20230197457A1. Автор: Huma Ashraf,Alex WOOD,Kevin RIDDELL. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Display panel, plasma etching method and system

Номер патента: US11189797B2. Автор: Pengbin ZHANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Plasma etching method and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190080923A1. Автор: Mitsunari Horiuchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20050061447A1. Автор: Yong-Dae Kim,Do-hyeong Kim,Doo-Won Lee,Soon-Ho Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-24.

Plasma etching method using faraday cage

Номер патента: US20200365379A1. Автор: So Young Choo,Eun Kyu Her,Jeong Ho Park,Bu Gon Shin,Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Jung Hwan Yoon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Plasma etching apparatus, plasma etching method using the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20230187186A1. Автор: Jongchul Park,Sanghyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20210115555A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2021-04-22.

Polarization-dependent laser-assisted plasma etching

Номер патента: US20190096684A1. Автор: David N. Ruzic,Jason A. Peck. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-03-28.

Polarization-dependent laser-assisted plasma etching

Номер патента: US10510550B2. Автор: David N. Ruzic,Jason A. Peck. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-12-17.

End point detection method for plasma etching of semiconductor wafers with low exposed area

Номер патента: WO2006078851A3. Автор: Georges J Gorin,Sumer Johal,Barton Lane,Sylvia G J P Spruytte,Herve C Kieffel. Владелец: Herve C Kieffel. Дата публикации: 2009-04-30.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20200080197A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-03-12.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: EP3423610A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2019-01-09.

Focus ring and plasma etching device including same

Номер патента: EP4310886A1. Автор: Yongsoo Choi,Sungsic Hwang,Kyungin Kim,Jungkun Kang,Kyungyeol Min,Su Man Chae. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Thermal spray material, thermal spray coating, method for forming thermal spray coating, and component for plasma etching device

Номер патента: US20240043982A1. Автор: Hiroaki Mizuno,Kensuke Taguchi,Takaya MASUDA,Tatsuo Suidzu,Yasuhiro Shiojiri. Владелец: Tocalo Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Plasma etching apparatus

Номер патента: US20030203640A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Plasma etching apparatus component and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130251949A1. Автор: Michio Sato,Takashi Hino,Takashi Rokutanda,Masashi Nakatani. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Plasma etching using improved electrode

Номер патента: US4297162A. Автор: Randall S. Mundt,Timothy A. Wooldridge,Thomas O. Blasingame. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1981-10-27.

Carbon doped metal oxyfluoride (c:m-0-f) layer as protection layer in fluorine plasma etch processes

Номер патента: US20230383396A1. Автор: Siegfried Krassnitzer,Julien Keraudy,Sebastien Guimond,Matthew Paul KIRK,John CONIFF. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-11-30.

Reaction chamber

Номер патента: US11773505B2. Автор: Gang Xu. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Temperature controlled reaction chamber

Номер патента: US12125684B2. Автор: Jun Yoshikawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Reaction chamber and semi-conductor processing device

Номер патента: US09978570B2. Автор: Peng Chen,qing She,Yanzhao Zhang. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20230223280A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor reaction chamber

Номер патента: US20230230803A1. Автор: Wei Wang,Guodong Chen,Gang Wei,Xingfei MAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor processing device, reaction chamber thereof, and film layer deposition method

Номер патента: EP4249633A1. Автор: Yunfeng LAN,Fang Zhang,Huanyu Wang,Wenqiang Zhang,Haifeng Qin,Shuaitao SHI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Photon induced cleaning of a reaction chamber

Номер патента: US20090173359A1. Автор: Dries Dictus. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-07-09.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

Reaction chamber for deposition of a semiconductor layer on the plurality substrates in batches

Номер патента: EP2744925A1. Автор: Peter Nemeth,Zsolt Vadadi,Tamas Strausz. Владелец: ECOSOLIFER AG. Дата публикации: 2014-06-25.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Imr-ms reaction chamber

Номер патента: EP3776629A1. Автор: Alfons Jordan. Владелец: Ionicon Analytik GmbH. Дата публикации: 2021-02-17.

Reaction chamber component, deposition apparatus provided with such component and method of protecting such component

Номер патента: US20240084446A1. Автор: Christiaan Werkhoven,Ivo Johannes Raaijmakers,Loke Yuen WONG,Iordan Iordanov,Osama Khalil. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-14.

Plasma etching device for etching optical device

Номер патента: CN110867360B. Автор: 张雷,朱巧芬,刘秀红,席思星. Владелец: Hebei University of Engineering. Дата публикации: 2022-04-05.

Plasma etching system and faraday shielding apparatus which can be used for heating

Номер патента: US20230207283A1. Автор: Jun Zhang,Haiyang Liu,Xiaobo Liu,Chengyi Wang,Song Guo,Dongdong HU,Shiran CHENG,Kaidong Xu. Владелец: Beijing Leuven Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: US12106971B2. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Vacuum loadlock ultraviolet bake for plasma etch

Номер патента: US20020046809A1. Автор: Mark Tesauro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of determining plasma etching parameters

Номер патента: RU2686579C1. Автор: Владимир Иванович АНИСИМКИН,Наталья Владимировна Воронова,Геннадий Николаевич Галанов,Нелли Владимировна Воронова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-29.

Nitrogen-containing aromatic or ring structure molecules for plasma etch and deposition

Номер патента: US20240242971A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Scott BILTEK. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Nitrogen-containing aromatic or ring structure molecules for plasma etch and deposition

Номер патента: WO2024145170A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Scott BILTEK. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma generation and pulsed plasma etching

Номер патента: US09793127B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Shunichi Mikami. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device manufactured using an improved plasma etch process for a fully silicided gate flow process

Номер патента: WO2008118837A1. Автор: Frank S. Johnson,Freidoon Mehrad,Jinhan Choi. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-02.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: US20080190892A1. Автор: Sung Tae Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-14.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Plasma etching method, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20220068652A1. Автор: Yoshimasa Inamoto. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Plasma etching method

Номер патента: US09966273B2. Автор: Yoshiki Igarashi,Wataru TAKAYAMA,Sho TOMINAGA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US09524876B2. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Plasma etching method

Номер патента: US20170372915A1. Автор: Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Quartz glass member for plasma etching

Номер патента: US20110232847A1. Автор: Tatsuhiro Sato,Kyoichi Inaki. Владелец: Shin Etsu Quartz Products Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Formation of removable shroud by anisotropic plasma etch

Номер патента: US20050287762A1. Автор: John Lee,Barbara Haselden. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Plasma etching gas

Номер патента: US20030017708A1. Автор: Ming-Chung Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Plasma etching method

Номер патента: US09680090B2. Автор: Kentaro Yamada,Naohiro Yamamoto,Masato Ishimaru,Makoto Suyama,Daisuke Fujita. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Laser and plasma etch wafer dicing with partial pre-curing of uv release dicing tape for film frame wafer application

Номер патента: WO2014062582A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: WO2001020655A1. Автор: Martin Gutsche,Satish D. Athavale. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-03-22.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20080179283A1. Автор: Hiroyuki SHIBAMURA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Method for selectivity enhancement during dry plasma etching

Номер патента: US09666447B2. Автор: Vinayak Rastogi,Alok Ranjan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Plasma etch singulated semiconductor packages and related methods

Номер патента: US09559007B1. Автор: Darrell Truhitte. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Plasma etching method

Номер патента: US09449842B2. Автор: Takahiro Abe,Takeshi Shimada,Masato Ishimaru,Makoto Suyama. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Plasma etching techniques

Номер патента: WO2022173633A1. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-18.

Plasma etching techniques

Номер патента: US20220254645A1. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for manufacturing electronic device by forming a hole in a multilayer insulator film by plasma etching

Номер патента: US09530664B2. Автор: Shingo Kitamura,Aiko Kato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Plasma etching methods

Номер патента: US6010967A. Автор: Kevin G. Donohoe,Richard L. Stocks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Sidewall passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: WO2023244214A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-12-21.

Plasma etching method

Номер патента: US20190096689A1. Автор: Go Matsuura. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: EP1729978A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for plasma etching of Ir-Ta-O electrode and for post-etch cleaning

Номер патента: US20020187645A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Jer-shen Maa. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476B1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: WO2005079476A2. Автор: Jennifer Wang. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: US20050178740A1. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Space and Mission Systems Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Plasma etching apparatus and method of etching wafer

Номер патента: WO2009008659A3. Автор: Jung Hee Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Young Ki Han,Gil Hun Lee. Владелец: Gil Hun Lee. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of anisotropic plasma etching of silicon microstructures in a cyclic two-step oxidation-etching process

Номер патента: RU2691758C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Павлович Антипов,Алексей Анатольевич Рылов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2019-06-18.

Selective silicon nitride plasma etching

Номер патента: US5188704A. Автор: Bang C. Nguyen,Kenneth L. Devries,Wayne T. Babie,Chau-Hwa J. Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

In-situ sequential silicon containing hard mask layer/silicon layer plasma etch method

Номер патента: US6069091A. Автор: Ming-Yeon Hung,Fa-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US20190013209A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US09934984B2. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-layer mask including non-photodefinable laser energy absorbing layer for substrate dicing by laser and plasma etch

Номер патента: US09620379B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Plasma passivation technique for the prevention of post etch corrosion of plasma-etched aluminum films

Номер патента: CA1151106A. Автор: Christopher H. Galfo,Ashok L. Nalamwar. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Device fabrication by plasma etching with lessened loading effect

Номер патента: CA1124207A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Plasma etching method and plasma etching system for carrying out the same

Номер патента: US6159388A. Автор: Shinya Iida,Yasuhiro Horiike,Michihiko Yanagisawa. Владелец: SpeedFam Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Plasma etching method

Номер патента: US5928963A. Автор: Akira Koshiishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 1999-07-27.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: CA1124208A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-25.

Laser and plasma etch wafer dicing with a double sided uv-curable adhesive film

Номер патента: WO2014004917A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Todd Egan,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-01-03.

Wafer dicing with wide kerf by laser scribing and plasma etching hybrid approach

Номер патента: US20140346641A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Aparna Iyer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Method for etching oxide film in plasma etching system

Номер патента: US6103137A. Автор: Jae-Hyun Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Two step plasma etching

Номер патента: CA1191479A. Автор: Steven F. Bergeron,Bernard F. Duncan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-08-06.

Plasma etching of silicon carbide

Номер патента: WO2002097852A3. Автор: Si Yi Li. Владелец: Si Yi Li. Дата публикации: 2003-04-03.

Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Номер патента: SG11201809012PA. Автор: AJAY Kumar,James S Papanu,Brad Eaton,Prabhat Kumar,Wenguang Li,Alexander N Lerner,Ramesh Krishnamurthy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

In situ declogging in plasma etching

Номер патента: WO2023239617A1. Автор: Ji Zhu,Zhongkui Tan,Xiaofeng Su,Qiang Ma,Mark Naoshi Kawaguchi,Gowri Channa KAMARTHY,Priyadarsini SUBRAMANIAN,Wenchi Liu. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of plasma etching

Номер патента: US12087593B2. Автор: Shih Pin KUO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Plasma etch process for single-crystal silicon with improved selectivity to silicon dioxide

Номер патента: WO1985002818A1. Автор: Mammen Thomas,Atiye Bayman. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1985-07-04.

Process for plasma etching of vias

Номер патента: US5514247A. Автор: Robert Wu,Hongching Shan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1996-05-07.

Method of reducing dielectric damage from plasma etch charging

Номер патента: US5843827A. Автор: Richard William Gregor,Chung Wai Leung. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-12-01.

Method of planarizing an upper surface of a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Номер патента: US20150249016A1. Автор: Yoshie Kimura,Harmeet Singh,Yifeng Zhou,Meihua Shen,Baosuo Zhou,John Hoang,Monica TITUS,Gowri Kamarthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Plasma etching method

Номер патента: US20100264116A1. Автор: Tatsuya Sugimoto,Masahiro Nakamura,Takefumi Suzuki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: CA1121305A. Автор: William R. Harshbarger,Hyman J. Levinstein,Cyril J. Mogab,Roy A. Porter. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Plasma etching techniques

Номер патента: US11538690B2. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

Method and system for reducing polymer build up during plasma etch of an intermetal dielectric

Номер патента: US20020158247A1. Автор: Mohammad Massoodi,Mehrdad Mahanpour,Jose Hulog. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Improvements relating to plasma etching

Номер патента: EP1188180A1. Автор: Srinivasan Anand,Carl-Fredrik Carlstrom,Gunnar Landgren. Владелец: Surface Technology Systems Ltd. Дата публикации: 2002-03-20.

Plasma etching method

Номер патента: US20190228983A1. Автор: Takaaki Sakurai,Hirotoshi Inui. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Hard mask for copper plasma etch

Номер патента: US20010035582A1. Автор: Peter D. Nunan,Mark Richard Tesauro. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2001-11-01.

Device fabrication by plasma etching of aluminum rich surfaces

Номер патента: CA1121306A. Автор: David N. Wang,Hyman J. Levinstein. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Two step plasma etching

Номер патента: US4457820A. Автор: Steven F. Bergeron,Bernard F. Duncan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-07-03.

Method of producing polysilicon structures in the 1 um range on substrates containing integrated semiconductor circuits by plasma etching

Номер патента: CA1165724A. Автор: Barbara Hasler,Willy Beinvogel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-04-17.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4010919A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Process for developing fine openings in a flexible electronic component with a plasma-etching technique

Номер патента: US20240071824A1. Автор: Gurinder S. Saini,David J. Crary. Владелец: Tech Etch Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Hybrid wafer dicing approach using a rectangular laser spot-based laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20240363412A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Zavier Tan,Praveen Choragudi,Ananth Jupudi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Hybrid wafer dicing approach using a split beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US09972575B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4226665A. Автор: Cyril J. Mogab. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-10-07.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4208241A. Автор: William R. Harshbarger,Hyman J. Levinstein,Cyril J. Mogab,Roy A. Porter. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-06-17.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: US20180122649A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Hydrofluorocarbon gas-assisted plasma etch for interconnect fabrication

Номер патента: WO2017044154A1. Автор: Eric A. Joseph,Takefumi Suzuki,Robert L. Bruce,Joe Lee. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2017-03-16.

Irregular-surface forming method using plasma-etching process, and electrode member

Номер патента: US20130008697A1. Автор: Takeshi Kondo,Satoshi Naganawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Anisotropic plasma etching of trenches in silicon by control of substrate temperature

Номер патента: GB2341348A. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-03-15.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment

Номер патента: WO2020055523A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-03-19.

Anisotropic polysilicon plasma etch using fluorine gases

Номер патента: US5453156A. Автор: Ming-Shry Cher,Chung-Hsing Shan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1995-09-26.

Process for the plasma etching of materials not containing silicon

Номер патента: US7071110B2. Автор: Josef Mathuni,Günther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-04.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: US4256534A. Автор: David N. Wang,Hyman J. Levinstein. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1981-03-17.

Method for fabricating micro-structures with various surface properties in multilayer body by plasma etching

Номер патента: CA2399027C. Автор: Walter Schmidt,Frederic Reymond,Joel S. Rossier. Владелец: DiagnoSwiss SA. Дата публикации: 2010-06-22.

Method of manufacturing a ferroelectric device using a plasma etching process

Номер патента: US5443688A. Автор: Steven R. Collins,Abron S. Toure,Bruce W. LeBlanc. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1995-08-22.

Enhanced plasma etching

Номер патента: US4985112A. Автор: Walter E. Mlynko,Frank D. Egitto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-15.

Plasma etching of dielectric layer with etch profile control

Номер патента: US20030045114A1. Автор: Lumin Li,Tuqiang Ni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of plasma etching

Номер патента: US20230411164A1. Автор: Shih Pin KUO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US20240079273A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Metal-based passivation-assisted plasma etching of iii-v semiconductors

Номер патента: US20180323074A1. Автор: Rebecca J. Nikolic,Qinghui Shao,Lars Voss,Sara Elizabeth Harrison,Clint Frye. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-11-08.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: US11854888B2. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US9852997B2. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Hybrid wafer dicing approach using a rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: WO2017165706A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-09-28.

Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues

Номер патента: US6103680A. Автор: Kenji Honda,Eugene F. Rothgery. Владелец: Arch Specialty Chemicals Inc. Дата публикации: 2000-08-15.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: EP4014251A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210050263A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210043515A1. Автор: James S. Papanu,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Solid polymer electrolyte composite membrane comprising plasma etched porous support

Номер патента: WO2006036957A2. Автор: HAN Liu,Anthony B. LaConti. Владелец: GINER ELECTROCHEMICAL SYSTEMS, LLC. Дата публикации: 2006-04-06.

Reaction chamber arrangement and a method for forming a reaction chamber arrangement

Номер патента: US20130164566A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-27.

Combined epitaxial growth system having multiple reaction chambers, operation method, device, and manufactured chip and application thereof

Номер патента: US20230387349A1. Автор: Bingfeng Fan,Zekai Hong. Владелец: Foshan University. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber

Номер патента: US09790595B2. Автор: Sung-hoon Jung,Petri Raisanen,Eric Jen Cheng Liu,Mike Schmotzer. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for controlling the temperature of the walls of a reaction chamber during processing

Номер патента: US6083323A. Автор: David K. Carlson,Norma Riley,Roger N. Anderson. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Reaction chamber for processing semiconductor substrates with gas flow control capability

Номер патента: US20230411176A1. Автор: Arun THOTTAPPAYIL,Dongrak Jeong. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US12094936B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-17.

An injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus

Номер патента: EP4446463A2. Автор: Lucian C. Jdira,Chris G.M. De Ridder. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-16.

System and process with assisted gas flow inside a reaction chamber

Номер патента: WO2020264464A8. Автор: Lu Yang,Yan Wang,Liang Yuh Chen. Владелец: eJoule, Inc.. Дата публикации: 2022-02-03.

System and process with assisted gas flow inside a reaction chamber

Номер патента: US20240075451A1. Автор: Lu Yang,Yan Wang,Liang-Yuh Chen. Владелец: eJoule Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus for cleaning exhaust part and vacuum pump of reaction chamber for semiconductor device and LCD manufacturing equipment

Номер патента: US20070286766A1. Автор: Byoung-Chun Choi. Владелец: Teratech Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Conditioning of a reaction chamber

Номер патента: US20060202394A1. Автор: Steven Ott,Bill Crane,William Polinsky,John Gonzales. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

System and apparatus for a reaction chamber

Номер патента: US20240076778A1. Автор: Michael Schmotzer,Jessica Akemi Cimada da Silva. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Modular reaction chamber

Номер патента: US20230108280A1. Автор: Jianqiu HUANG,Ruchik Bhatt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-04-06.

Fixtures and methods for positioning process kit components within reaction chambers

Номер патента: US20220243324A1. Автор: Kihyun Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-04.

Formation of oxynitride and polysilicon layers in a single reaction chamber

Номер патента: US5998270A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

Loading device, arrangement and method for loading a reaction chamber

Номер патента: US20240026536A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Loading device, arrangement and method for loading a reaction chamber

Номер патента: FI20215378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-05-13.

Loading device, arrangement and method for loading a reaction chamber

Номер патента: WO2022207976A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films

Номер патента: US09803277B1. Автор: Han Wang,SHANG Chen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Dai Ishikawa,Toshiharu Watarai,Delphine Longrie,Antti Juhani Niskanen,Takahiro Onuma,Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Substrate support device for a reaction chamber of an epitaxial reactor with gas flow rotation, reaction chamber and epitaxial reactor

Номер патента: EP4065747A1. Автор: Maurilio Meschia,Silvio PRETI. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2022-10-05.

Reaction chamber for the decontamination of articles of clothing and equipment

Номер патента: CA2117839C. Автор: Norbert Klein,Paul Hellmuth,Michael Theis. Владелец: Dornier GmbH. Дата публикации: 2004-05-25.

Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus

Номер патента: US11891696B2. Автор: Lucian C. Jdira,Chris G. M. de Ridder. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030296A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures

Номер патента: US11798999B2. Автор: Peng-Fu Hsu,Qi Xie,Michael Eugene Givens,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-24.

Pre-lithiation reaction chamber apparatus

Номер патента: US11967699B2. Автор: Oh-Byong CHAE,Seung-Hae HWANG,Ye-Ri Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Heating system of batch type reaction chamber and method thereof

Номер патента: US20070166656A1. Автор: Young Ho Lee,Byoung Il Lee,Taek Yong Jang. Владелец: Terasemicon Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus

Номер патента: US20240167158A1. Автор: Lucian C. Jdira,Chris G.M. De Ridder. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-23.

Pre-lithiation reaction chamber apparatus

Номер патента: US20220085349A1. Автор: Oh-Byong CHAE,Seung-Hae HWANG,Ye-Ri Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Electrostatic chuck and reaction chamber

Номер патента: US11837491B2. Автор: Qiwei Huang,Quanyu SHI. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Device for adjusting wafer, reaction chamber, and method for adjusting wafer

Номер патента: US11892778B2. Автор: Xing Zhang,Congjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Reaction chamber for epitaxial growth with a loading/unloading device and reactor

Номер патента: EP3084034A1. Автор: Franco Preti,Danilo Crippa,Vincenzo Ogliari,Carmelo VECCHIO,Francesco COREA,Marco Mauceri,Laura GOBBO,Marco Puglisi. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2016-10-26.

Methods for depositing a hafnium lanthanum oxide film on a substrate by a cyclical deposition process in a reaction chamber

Номер патента: US11769664B2. Автор: Michael Eugene Givens,Tatiana Ivanova,Perttu Sippola. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-26.

Plasma etching apparatus and etching method

Номер патента: JPS5713743A. Автор: Haruo Okano,Takashi Yamazaki,Yasuhiro Horiike. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-01-23.

Plasma Etching Apparatus and Method

Номер патента: US20220051881A1. Автор: Maxime Varvara,Codrin Prahoveanu. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Plasma etching of mask materials

Номер патента: EP4330769A1. Автор: Madhava Rao Yalamanchili,Toi Yue Becky Leung,Madhavi Rajaram Chandrachood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas

Номер патента: US09735020B2. Автор: Eric A. Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Process gas for cryogenic etching, plasma etching apparatus, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230230840A1. Автор: Hiroshi Sasaki,Dongkyu LEE,Songyun Kang,Younseon Wang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods and systems for plasma etching using bi-modal process gas composition responsive to plasma power level

Номер патента: US09691625B2. Автор: Qing Xu,Qian Fu,Ying Wu,Zhongkui Tan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Plasma etch system including tunable plasma sheath

Номер патента: US20240266179A1. Автор: Yu Jiang,Ting-Jung Chen,Ming-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US09934979B2. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Etching method for substrate to be processed and plasma-etching device

Номер патента: US09721803B2. Автор: Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Plasma etching of mask materials

Номер патента: US11915932B2. Автор: Madhava Rao Yalamanchili,Toi Yue Becky Leung,Madhavi Rajaram Chandrachood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US11637020B2. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220051902A1. Автор: Koki Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process

Номер патента: WO2012061277A2. Автор: Theo Panagopoulos. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

Low pressure plasma etch process for preferential generation of oxide residue and applications for the same

Номер патента: US20240355629A1. Автор: Jih-Jse Lin,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Power supply system, plasma etching apparatus, and plasma etching method

Номер патента: US09922802B2. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Plasma etching techniques

Номер патента: US11837467B2. Автор: Aelan Mosden,Pingshan Luan,Christopher Catano. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Continuous plasma etch process

Номер патента: US20140329391A1. Автор: Qian Fu,Wonchul Lee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Plasma processing apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20200286737A1. Автор: Toshifumi Nagaiwa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Plasma etching using multiphase multifrequency power pulses and variable duty cycling

Номер патента: US20230377895A1. Автор: Alok Ranjan,Peter Lowell George Ventzek,Shyam Sridhar,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US8425786B2. Автор: Kenji Maeda,Kenetsu Yokogawa,Tsutomu Tetsuka,Makoto Satake,Ryoji Nishio,Tatehito Usui. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Method for etching organic film and plasma etching device

Номер патента: US9293346B2. Автор: Hironori Matsuoka,Hiroyuki Takaba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING DEVICE, PLASMA PROCESSING METHOD, AND PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20170169997A1. Автор: MORIGUCHI Naoki. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Plasma etching method, plasma etching method, plasma processing method, and plasma processing device

Номер патента: WO2015129719A1. Автор: 尚樹 森口. Владелец: 株式会社 アルバック. Дата публикации: 2015-09-03.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, plasma processing method, and plasma processing apparatus

Номер патента: TW201535518A. Автор: Naoki Moriguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-09-16.

Apparatus and method for high-speed etching of substrate using plasma etching apparatus, and apparatus and method for plasma ignition and plasma power pull-up control or pulsing

Номер патента: JP2003502861A. Автор: レルマー フランツ,ベッカー フォルカー,シルプ アンドレア,ベック トーマス. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2003-01-21.

Shadow ring kit for plasma etch wafer singulation process

Номер патента: EP4226414A1. Автор: Eng Sheng Peh,Sriskantharajah Thirunavukarasu,Michael Sorensen,Karthik Elumalai,Arunkumar Tatti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-16.

Highly heat-resistant plasma etching electrode and dry etching device including the same

Номер патента: TW552638B. Автор: Akira Yamaguchi,Shuji Tomita. Владелец: Nisshin Spinning. Дата публикации: 2003-09-11.

Plasma processing method, plasma etching method and manufacturing method of solid photographic element

Номер патента: TWI245343B. Автор: Seiji Samukawa,Mitsuru Okigawa. Владелец: Seiji Samukawa. Дата публикации: 2005-12-11.

Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching

Номер патента: US09679751B2. Автор: Alex Paterson,Jon McChesney,Theo Panagopoulos,Craig Blair. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Continuous plasma etch process

Номер патента: US09530658B2. Автор: Qian Fu,Wonchul Lee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: US20120073753A1. Автор: Nobuyuki Nagayama,Naoyuki Satoh,Keiichi Nagakubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20120238040A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20140017900A1. Автор: Satoshi Yamada,Shigeki Doba. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20200006079A1. Автор: Kobayashi Hiroyuki,Izawa Masaru,SHINODA Kazunori,KAWAMURA Kohei,MIYOSHI Nobuya,KOUZUMA Yutaka,OOKUMA Kazumasa. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190006186A1. Автор: SATO Hiroki,HIROSE Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20160013065A1. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20220084835A1. Автор: KUBOI Shuichi,Fukumizu Hiroyuki,IINO Daiki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-03-17.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190088497A1. Автор: KOBAYASHI Fumiya,TOMURA Maju,KITAGAITO Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20170133234A1. Автор: Yamada Satoshi,DOBA Shigeki. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with mask plasma treatment for improved mask etch resistance

Номер патента: US20150214109A1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Jungrae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-30.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150235861A1. Автор: YAMAZAKI Kumiko,MIZUNO Hideki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-08-20.

HIGH-PURITY FLUORINATED HYDROCARBON, USE AS A PLASMA ETCHING GAS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20160251286A1. Автор: SUGIMOTO Tatsuya. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20200294812A1. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20200312622A1. Автор: Tanaka Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: KR101896491B1. Автор: 사토시 야마다,시게키 도바. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-09-07.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR20210027232A. Автор: 히로시 츠지모토,부디만 모드 페어루즈 빈. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-03-10.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: KR100924853B1. Автор: 요시미츠 곤,요시노부 하야카와. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-11-02.

Plasma etching equipment and plasma etching method

Номер патента: JP7033907B2. Автор: 潤 廣瀬,雄大 上田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-11.

Plasma etching method and plasma etching apparatus capable of detecting end point

Номер патента: JP4101280B2. Автор: 雅彦 田中,孝 山本,善幸 野沢,彰一 村上. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Method for plasma etching and plasma etching device

Номер патента: KR101913889B1. Автор: 마사노부 혼다,마사야 가와마타,가즈히로 구보타. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-10-31.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: KR102155395B1. Автор: 히로시 츠지모토,도모유키 미즈타니. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2020-09-11.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR101126741B1. Автор: 다카시 야마모토,마사히코 다나카,요시유키 노자와,쇼이치 무라카미. Владелец: 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2012-03-29.

Electrode for plasma etching device and plasma etching device

Номер патента: JP2017175138A. Автор: Takayuki Suzuki,崇之 鈴木. Владелец: A-Sat Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101772701B1. Автор: 이성태,마사히로 오가사와라,준이치 사사키,나오히토 야나기다. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-08-29.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: CN102420089A. Автор: 长山将之,佐藤直行,长久保启一. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-04-18.

Electron cyclotron resonance (ecr) plasma etching process and ecr plasma etching apparatus

Номер патента: EP0407169A3. Автор: Satoru Mihara,Takushi Motoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-09-11.

Plasma-etching method and plasma-etching apparatus

Номер патента: CN110164764A. Автор: 后平拓,箕浦佑也. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-08-23.

Plasma etching method, plasma etching device, control program and computer storage medium

Номер патента: TW200847270A. Автор: Yoshimitsu Kon,Yoshinobu Hayakawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-12-01.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: WO2014185313A1. Автор: 辻本　宏,智之 水谷. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2014-11-20.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: KR101783886B1. Автор: 노부유키 나가야마,나오유키 사토,케이이치 나가쿠보. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-10-10.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN101346807A. Автор: 山本孝,田中雅彦,野泽善幸,村上彰一. Владелец: SUMITOMO PRECISION INDUSTRY Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-14.

Power supply system, plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: KR102038649B1. Автор: 타이치 히라노,후미토시 쿠마가이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-10-30.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: US9818583B2. Автор: Nobuyuki Nagayama,Naoyuki Satoh,Keiichi Nagakubo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: WO2012133585A1. Автор: 哲史 山田,重樹 土場. Владелец: 東京エレクトロン株式会社. Дата публикации: 2012-10-04.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: JP2023044517A. Автор: Hiroyuki Fukumizu,裕之 福水,宗一 久保井,Shuichi Kuboi,ディネッシュ ソテアブヒシュク,Dinesh Thote Abhishek. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

High-purity fluorinated hydrocarbon, use as a plasma etching gas, and plasma etching method

Номер патента: EP3064483A4. Автор: Tatsuya Sugimoto. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-21.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer storage medium

Номер патента: CN101241859B. Автор: 早川欣延,昆泰光. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Plasma etching method capable of detecting end point and plasma etching device therefor

Номер патента: US20090277872A1. Автор: Takashi Yamamoto,Masahiko Tanaka,Shoichi Murakami,Yoshiyuki Nozawa. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Plasma etching apparatus capable of in-situ monitoring, its in-situ monitoring method and in-situ cleaning method for removing residues in plasma etching chamber

Номер патента: KR100257903B1. Автор: 조성범,신은희,최백순,김학필. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-08-01.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20220262646A1. Автор: Fumiya Kobayashi,Maju TOMURA,Keiji Kitagaito. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Plasma etching method, plasma etching device and photonic crystal manufacturing method

Номер патента: EP2333821A4. Автор: Shigeki Takahashi,Susumu Noda. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-07-30.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method

Номер патента: TW201630033A. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: A Sat Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: CN110010439B. Автор: 广瀬润,上田雄大. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-01-25.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: CN101241859A. Автор: 早川欣延,昆泰光. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-08-13.

Methods of coating plasma etch chambers and apparatus for plasma etching workpieces

Номер патента: EP0648858A1. Автор: YAN Ye,Shamouil Shamouillian. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1995-04-19.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JP6001529B2. Автор: 哲史 山田,重樹 土場. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and storage medium

Номер патента: TW200913055A. Автор: Akihiro Kikuchi,Kenji Idehara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-03-16.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and computer-readable storage medium

Номер патента: JP2011192718A. Автор: 正宏 小笠原,Junichi Sasaki,淳一 佐々木,Masahiro Ogasawara,誠泰 李,Masayasu Ri,Naoto Yanagida,直人 柳田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: CN101523569B. Автор: 杉本胜,小林典之,舆石公,米田滋,田原慈,花轮健一. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: JP2022107943A. Автор: 淳司 片岡,Junji Kataoka,宗一 久保井,Shuichi Kuboi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-25.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and computer-readable storage medium

Номер патента: JP5192209B2. Автор: 勝 杉本,公 輿石,典之 小林,滋 米田,慈 田原,健一 花輪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method for same

Номер патента: KR101988437B1. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: 에이-삿토 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-06-12.

Power supply system, plasma etching device, and plasma etching method

Номер патента: TW201340167A. Автор: Taichi Hirano,Fumitoshi KUMAGAI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: US20020005252A1. Автор: Kazue Takahashi,Saburo Kanai,Toshio Masuda,Tetsunori Kaji,Mitsuru Suehiro. Владелец: Mitsuru Suehiro. Дата публикации: 2002-01-17.

Plasma etching method and plasma etching device

Номер патента: TWI642101B. Автор: 戶村幕樹,北垣內圭二,小林史彌. Владелец: 東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-21.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US9156307B2. Автор: Yoichi Nakahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Power supply system, plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: JPWO2013125523A1. Автор: 太一 平野,史記 熊谷. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Plasma etching method and plasma etching system

Номер патента: KR102013029B1. Автор: 하지메 우가진,히사시 마츠이,히데키 사이토. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-08-21.

Method of measuring gas introducing hole provided in electrode for plasma etching device, electrode, electrode regeneration method, regenerated electrode, plasma etching device, and gas introducing hole state distribution diagram and display method for same

Номер патента: US10679828B2. Автор: Takayuki Suzuki. Владелец: A-Sat Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and substrate mounting table

Номер патента: KR102049146B1. Автор: 요시히코 사사키,하지메 우가진,마사토 미나미,다카후미 감베,쥰 야마와쿠,모토키 후지나가. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-11-26.

Plasma etching device and plasma etching method

Номер патента: TW201250828A. Автор: Kazuhiro Kubota,Masanobu Honda,Yusuke Saitoh. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-12-16.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW201234474A. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-16.

Plasma etching device with plasma etch resistant coating

Номер патента: US20200203126A1. Автор: Sanket Sant. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Plasma etching device with plasma etch resistant coating

Номер патента: US20210110998A9. Автор: Sanket Sant. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120064726A1. Автор: Toshihisa Nozawa,Masaru Sasaki,Jun Hashimoto,Tetsuya Nishizuka,Shota Yoshimura,Toshihisa Ozu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20190198298A1. Автор: Hirose Jun,UEDA Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Plasma etching reactor components, plasma etching reactor and method for processing semiconductor substrates

Номер патента: JP5166591B2. Автор: クリストファー， シー． チャン，,ロバート， ジェイ． セガー，. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Plasma etch method for forming plasma etched silicon layer

Номер патента: SG117384A1. Автор: HO Kwok Keung Paul,Xue Chun Dai. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-12-29.

Plasma etching apparatus and plasma etching method

Номер патента: TW201935558A. Автор: 上田雄大,廣瀨潤. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-01.

End point detectable plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: EP2048703B1. Автор: Takashi Yamamoto,Masahiko Tanaka,Shoichi Murakami,Yoshiyuki Nozawa. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-04.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and storage medium

Номер патента: JP5065787B2. Автор: 秋広 菊池,乾司 出原. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-11-07.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: CN104471686A. Автор: 吉田亮一,石井孝幸,小林宪. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

Multifrequency capacitively coupled plasma etch chamber

Номер патента: SG174503A1. Автор: Andreas Fischer,Akira Koshiishi,Rajinder Dhindsa,Alexei Marakhtanov. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-11-28.

Plasma etch process using polymerizing etch gases with different etch and polymer-deposition rates in different radial gas injection zones with time modulation

Номер патента: TW200802599A. Автор: Xiaoye Zhao,Daniel Hoffman,Ezra Robert Gold,Kallol Bera,Paul Lukas Brillhart,Bruno Geoffrion,Kenny L Doan,Bryan Y Pu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

A plasma processing chamber, a plasma processing component and a method of manufacturing a plasma etch chamber processing component

Номер патента: KR101645043B1. Автор: 무쿤드 스리니바산,트래비스 알 테일러,바비 캐드코데얀,케이 와이 라마누잼,빌자나 미키젤,상화 우. Владелец: 세라딘인코포레이티드. Дата публикации: 2016-08-02.

plasma etching

Номер патента: DE102016208502A1. Автор: Hiroyuki Takahashi,Yoshio Watanabe,Takeshi Seki,Siry Milan. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

METHOD FOR ETCHING ORGANIC FILM AND PLASMA ETCHING DEVICE

Номер патента: US20150064924A1. Автор: MATSUOKA Hironori,Takaba Hiroyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-03-05.

Plasma etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US20200161138A1. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

ETCH-RESISTANT WATER SOLUBLE MASK FOR HYBRID WAFER DICING USING LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH

Номер патента: US20160365283A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,CHOWDHURY Mohammad Kamruzzaman. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

METHOD OF ETCHING AT LOW TEMPERATURE AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190385860A1. Автор: Kim Moonseok,SONG Changwoo,JEONG Seongha,LEE CHEONKYU,Byun Iksu,Han Dongseok. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Wafer dicing using femtosecond-based laser and plasma etch

Номер патента: US8642448B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh,James M. Holden. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Single-chip real-time etching rate and uniformity fallout predictor for plasma etch process

Номер патента: CN107924803A. Автор: 贾斯丁·希罗奇·萨托,B·D·亨尼斯,Y·C·基梅尔. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Laser and plasma etch wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications

Номер патента: KR102199301B1. Автор: 지브코 디네브,사라브지트 싱흐,브래드 이튼,아제이 쿠마르,웨이-셩 레이,아파르나 아이어. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2021-01-06.

Laser plasma etching wafer dicing with etching chamber shield ring for film frame wafer application

Номер патента: JP6509744B2. Автор: ブラッド イートン,サラブジート シン,ウェイシェン レイ,アパルナ アイエール,アジャイ クマー,ジブコ ディネブ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-05-08.

Laser and plasma etch wafer dicing with etch chamber shield ring for film frame wafer applications

Номер патента: TWI640037B. Автор: 雷偉生,辛沙拉傑特,迪內夫吉可,伊爾亞帕爾納,伊頓貝德,庫默亞傑. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR20230031791A. Автор: 고키 다나카. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-03-07.

Plasma etching method for selectively etching silicon oxide with respect to silicon nitride

Номер патента: US10580655B2. Автор: Akihiro Tsuji,Hikaru Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Single-wafer real-time etch rate and uniformity predictor for plasma etch processes

Номер патента: TW201714215A. Автор: 賈斯丁 希羅奇 薩托,布萊恩 迪 漢尼斯,彥尼基 卡爾 奇美. Владелец: 微晶片科技公司. Дата публикации: 2017-04-16.

Material film etching method on semiconductor wafer using surface wave plasma etching apparatus

Номер патента: JP3782647B2. Автор: 哲 圭 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-07.

Silicon dioxide-polysilicon multi-layered stack etching with plasma etch chamber employing non-corrosive etchants

Номер патента: WO2014116736A1. Автор: Daisuke Shimizu,Jong Mun Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-07-31.

Etch-resistant water soluble mask for hybrid wafer dicing using laser scribing and plasma etch

Номер патента: US9721839B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Mohammad Kamruzzaman CHOWDHURY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Plasma etching method using faraday box

Номер патента: EP3764389B1. Автор: Chung Wan Kim,Song Ho Jang,Geun Sik Jo,Soo Hee KANG. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process

Номер патента: TW201243937A. Автор: Theo Panagopoulos. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method and apparatus for plasma etching dielectric substrates

Номер патента: GB202219448D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

High-strength columnar crystal silicone and plasma etching components composed of the same

Номер патента: TW200925338A. Автор: Junichi Sasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

Plasma etching method and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: EP4207251A4. Автор: Kazuma Matsui,Yuki Oka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Shadow ring kit for plasma etch wafer singulation process

Номер патента: EP4226414A4. Автор: Eng Sheng Peh,Sriskantharajah Thirunavukarasu,Michael Sorensen,Karthik Elumalai,Arunkumar Tatti. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-13.

Plasma generating apparatus and plasma etching method using the same

Номер патента: US20120231631A1. Автор: Hongseub KIM. Владелец: JEHARA CORPARATION. Дата публикации: 2012-09-13.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE

Номер патента: US20210005427A1. Автор: Hirose Jun,SAWATAISHI Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

SUBSTRATE SUPPORT, PLASMA PROCESSING SYSTEM, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20220270862A1. Автор: TAKAHASHI Tomoyuki,KAWADA Yuki,HAYASAKA Naoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-08-25.

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20200286737A1. Автор: NAGAIWA Toshifumi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-09-10.

PLASMA ETCHING APPARATUS MEMBER HAVING IMPROVED PLASMA-RESISTANT PROPERTIES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200354827A1. Автор: KIM Suntae,KO HYUNCHUL,JEONG DONGHUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-12.

Plasma etching using polycarbonate mask and low-pressure high density plasma

Номер патента: US6582617B1. Автор: Chungdee Pong. Владелец: Candescent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Device and method for plasma treatment, and device and method for plasma etching processing

Номер патента: KR101386552B1. Автор: 나오키 마츠모토,토시히사 오즈,타카시 츠카모토,카즈토 다카이. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-04-17.

Plasma etching method and plasma processing equipment

Номер патента: JP7061918B2. Автор: 幸輔 小笠原,貴徳 伴瀬,修平 吉葉. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-02.

Chamber filler kit for plasma etch chamber useful for fast gas switching

Номер патента: WO2013138085A2. Автор: Alex Paterson,Jon McChesney,Theo Panagopoulos,Craig Blair. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

Plasma etching method, control program and computer storage medium

Номер патента: US20130029493A1. Автор: Sungtae Lee,Masahiro Ogasawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-31.

Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor

Номер патента: US20140065827A1. Автор: Alex Paterson,Michael Kang,Ian J. Kenworthy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20190027368A1. Автор: MATSUURA Go. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

PLASMA ETCHING METHOD USING FARADAY BOX

Номер патента: US20210027996A1. Автор: Jang Song Ho,Jo Geun Sik,KANG Soo Hee,KIM Chung Wan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20210050222A1. Автор: Katsunuma Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

NON-PLASMA ETCH OF TITANIUM-CONTAINING MATERIAL LAYERS WITH TUNABLE SELECTIVITY TO ALTERNATE METALS AND DIELECTRICS

Номер патента: US20210057213A1. Автор: Ito Daisuke,Kal Subhadeep,Mosden Aelan,Irie Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180053661A1. Автор: LEE Jae-hyun,PARK MIN-JOON,KIM TAE-HWA,KWON SANG-DONG. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

PLASMA ETCHING METHOD AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080923A1. Автор: HORIUCHI Mitsunari. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-14.

A PLASMA ETCH-RESISTANT FILM AND A METHOD FOR ITS FABRICATION

Номер патента: US20200080197A1. Автор: SOININEN Pekka J.,VORSA Vasil,AMEEN Mohammad. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Polarization-dependent laser-assisted plasma etching

Номер патента: US20190096684A1. Автор: David N. Ruzic,Jason A. Peck. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2019-03-28.

PLASMA ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210104382A1. Автор: LEE Minjae,SHIM SeungBo,Kim Yonghee,NA Donghyeon,Sung Dougyong,CHOI Myungsun,HUR Minyoung,Han Byunghun,KANG Hyeongmo. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Plasma etching method

Номер патента: US8293127B1. Автор: Joseph F. Rypl. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: US20170273187A1. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: WO2017160459A1. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-09-21.

Plasma etching of solder resist openings

Номер патента: US09820386B2. Автор: SHENG Li,Rahul Jain,Robert Alan May,Sri Ranga Sai Boyapati,Kristof Darmawikarta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Ultrasonic wave-driven triboelectric generator with self-gap formed using plasma etching

Номер патента: US20230135593A1. Автор: Sangwoo Kim,Young Jun Kim,Joon Ha Hwang,Young Wook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-05-04.

Plasma Etched Catalytic Laminate with Traces and Vias

Номер патента: US20190014666A1. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Polymer Removal via Multiple Flash Steps during Plasma Etch

Номер патента: US20240234157A9. Автор: Minseok Oh,Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Polymer Removal via Multiple Flash Steps during Plasma Etch

Номер патента: US20240136195A1. Автор: Minseok Oh,Minjoon PARK,Alec Dorfner. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for improving CD micro-loading in photomask plasma etching

Номер патента: US09425062B2. Автор: AJAY Kumar,Xiaoyi Chen,Amitabh Sabharwal,Zhigang Mao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for detecting the end point of a plasma etching reaction

Номер патента: US4340456A. Автор: Clarence J. Tracy,Frederick J. Robinson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-07-20.

Method for selective plasma etch

Номер патента: EP1012877A1. Автор: Helen H. Zhu,Lumin Li,Thomas D. Nguyen,George A. Mueller. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20230187234A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240258128A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240178014A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240258127A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for plasma etching a layer based on a iii-n material

Номер патента: EP4441778A1. Автор: Nicolas Posseme,Simon Ruel,Patricia PIMENTA BARROS,Bryan Helmer,Philippe Thoueille. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Plasma etch for chromium alloys

Номер патента: US20110086488A1. Автор: ABBAS Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: WO2024091612A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-02.

Etching methods with alternating non-plasma and plasma etching processes

Номер патента: US20240162042A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask

Номер патента: WO1992022930A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-12-23.

Plasma etching indium tin oxide using a deposited oxide mask

Номер патента: WO1992000609A1. Автор: Paul L. Roselle. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 1992-01-09.

Methods for performing plasma etching operations on microelectronic structures

Номер патента: US5900163A. Автор: Gyu-Hwan Kwag,Kyung-Hoon Kim,Dai-Sik Moon,Whi-kun Yi,Sung-kyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Method of manufacturing element chip and method of manufacturing electronic component-mounted structure using plasma etch to singulate element chip

Номер патента: US09698052B2. Автор: Noriyuki Matsubara,Shogo Okita,Atsushi Harikai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for selective plasma etch

Номер патента: WO1999010923B1. Автор: Lumin Li,Helen H Zhu,George A Mueller,Thomas D Nguyen. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 1999-05-14.

Etch mask for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation process

Номер патента: US09793132B1. Автор: AJAY Kumar,James S. Papanu,Brad Eaton,Alexander N. Lerner,Prabhat Kumar,Wenguang Li,Ramesh Krishnamurthy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240203760A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics

Номер патента: US20240203759A1. Автор: YANG Pan,Jeffrey Marks,Samantha SiamHwa Tan,Keren J. KANARIK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Anodic aluminum oxide as hard mask for plasma etching

Номер патента: WO2019240909A1. Автор: Chanyuan Liu,Shih-Ked Lee. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of plasma etching and plasma chamber cleaning using f2 and cof2

Номер патента: EP2501837A1. Автор: Marcello Riva. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2012-09-26.

Post chromium alloy plasma etch ashing process

Номер патента: US20110086518A1. Автор: ABBAS Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Subtractive plasma etching of a blanket layer of metal or metal alloy

Номер патента: US8871107B2. Автор: Chun Yan,Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Nicholas C. M. Fuller,Mark Hoinkis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Semi-conductor substrate plasma etching method for e.g. micro-electro-mechanical system, involves etching substrate by injection of etching gas, performing amorphization of substrate in reactor and re-iterating above steps

Номер патента: FR2905516A1. Автор: Remi Dussart,Pierre Ranson,Philippe Lefaucheux,Maaza Nasreddine Mekkakia. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2008-03-07.

SiARC removal with plasma etch and fluorinated wet chemical solution combination

Номер патента: US09508560B1. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Shariq Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US09405089B2. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method of manufacturing a semiconductor device by plasma etching of a double layer

Номер патента: US4698126A. Автор: Anton P. M. Van Arendonk,Alfred J. Van Roosmalen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-10-06.

Plasma etching of polysilicon using fluorinated gas mixtures

Номер патента: WO2000033372A1. Автор: Taeho Shin,Nam-Hun Kim,Jeffrey Chinn. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2000-06-08.

Anisotropic etching of structures defined by etching mask in silicon substrate involves periodic deposition of fluoropolymer from exotic fluorocarbon by plasma polymerization, alternating with plasma etching

Номер патента: DE10246063A1. Автор: Franz Laermer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-22.

Solid state devices formed by differential plasma etching of resists

Номер патента: US4232110A. Автор: Gary N. Taylor. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-11-04.

Ultra narrow trench patterning with dry plasma etching

Номер патента: US11894237B2. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials

Номер патента: TW478065B. Автор: Martin Gutsche,Satish Athavale. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-03-01.

Plasma etching method for etching sample

Номер патента: TW200915423A. Автор: Hitoshi Kobayashi,Masamichi Sakaguchi,Masunori Ishihara,Koichi Nakaune. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Plasma etching method for etching an object

Номер патента: TW201042719A. Автор: Masatoshi Miyake,Masaru Izawa,Masatoshi Oyama,Tadamitsu Kanekiyo,Nobuyuki Negishi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Plasma etching and stealth dicing laser process

Номер патента: US09601437B2. Автор: Guido Albermann,Sascha Moeller,Hartmut BUENNING,Thomas Rohleder,Martin Lapke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for removing anti-reflective coating layer using plasma etch process after contact CMP

Номер патента: US6136649A. Автор: Suzette K. Pangrle,Minh Van Ngo,Kashmir Sahota,Mark T. Ramsbey,Angela T. Hui,Wenge Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-24.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140073113A1. Автор: NAKAHARA Yoichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-13.

Plasma Etch Resistant Films, Articles Bearing Plasma Etch Resistant Films and Related Methods

Номер патента: US20140099491A1. Автор: LEE Sang-Ho,MERCER Thomas,VORSA Vasil,Ameen Mohammed. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150004795A1. Автор: Ishii Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140134847A1. Автор: SEYA Yuta. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-05-15.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140134848A1. Автор: HONDA Masanobu,HISAMATSU Toru,KIHARA Yoshihide. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-05-15.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160099161A1. Автор: HONDA Masanobu,Kawamata Masaya,Kubota Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140193977A1. Автор: HONDA Masanobu,Kawamata Masaya,Kubota Kazuhiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-07-10.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20160268140A1. Автор: Mikami Shunichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2016-09-15.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20190252203A1. Автор: GOHIRA Taku,MINOURA Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20150332929A1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Plasma passivation technology to prevent erosion of plasma-etched aluminum film after etching

Номер патента: JPH0665753B2. Автор: エイチ．ガルフォ クリストファー,エル．ナラムワー アシヨク. Владелец: フェアチァイルド カメラ アンド インストルメント コ−ポレ−ション. Дата публикации: 1994-08-24.

Apparatus for plasma etching a metal layer and method of plasma-etching a metal layer

Номер патента: KR102040427B1. Автор: 김보성,홍문표,윤호원. Владелец: 고려대학교 세종산학협력단. Дата публикации: 2019-11-06.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101067222B1. Автор: 후미오 이노우에,사토시 다나카,요시노부 오오야. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-09-22.

A plasma etch method and a plasma etch apparatus and a memory medium

Номер патента: TWI496210B. Автор: Akitaka Shimizu,Yosuke Sakao,Kensuke Kamiuttanai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Selective plasma etching during formation of integrated circuitry

Номер патента: US4687543A. Автор: Christopher D. Bowker. Владелец: CollabRx Inc. Дата публикации: 1987-08-18.

Plasma etching with nitrous oxide and fluoro compound gas mixture

Номер патента: US4431477A. Автор: John Zajac. Владелец: Matheson Gas Products Inc. Дата публикации: 1984-02-14.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: TW200947548A. Автор: Yusuke Hirayama,Shuichiro Uda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer-readable storage medium

Номер патента: KR101088254B1. Автор: 슈이치로 우다,유스케 히라야마. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-11-30.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: KR102424479B1. Автор: 슌이치 미카미,šœ이치 미카미. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-22.

Plasma etching method, plasma etching apparatus, and storage medium

Номер патента: TW200947547A. Автор: Akitaka Shimizu,Yosuke Sakao,Kensuke Kamiuttanai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-16.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: EP2945188B1. Автор: Masanobu Honda,Toru Hisamatsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-12.

Plasma etching gas and method of plasma etching

Номер патента: TW201250836A. Автор: Azumi Ito,Atsuyo Yamazaki. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2012-12-16.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20150024603A1. Автор: Kitamura Akinori,Yasuda Kenta,Ishida Shunsuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-01-22.

Plasma etching method using selective polymer deposition and method for forming contact hole using the plasma etching method

Номер патента: KR100327346B1. Автор: 김지수,추창웅,안태혁,정상섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-06.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: US20060286806A1. Автор: Keiichi Matsunaga,Mitsuhiro Ohkuni. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-21.

Gate linewidth tailoring and critical dimension control for sub-100 nm devices using plasma etching

Номер патента: US20020164546A1. Автор: Ying Zhang,Chienfan Yu,Jeffrey Brown,David Horak,Maheswaran Surendra,Qingyun Yang,Sadanand Deshpande,Len Tsou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US9939710B2. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US20160313627A1. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

High-temperature isotropic plasma etching process to prevent electrical shorts

Номер патента: US20150340245A1. Автор: Neng Jiang,Joel Soman,Thomas Warren Lassiter,Mary Alyssa Drummond Roby,YungShan Chang,Nayeemuddin Mohammed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

METHOD AND DEVICE FOR PLASMA ETCHING A MATERIAL

Номер патента: FR2613168A1. Автор: Daniel Henry,Roderick Boswell. Владелец: ETAT FRANCAIS. Дата публикации: 1988-09-30.

Method for membrane protection during reactive ion/plasma etching processing for via or cavity formation in semiconductor manufacture

Номер патента: US20100112820A1. Автор: Frank Leonard Schadt, III,Stephen E. Vargo,Chester E. Balut. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-05-06.

Single-Wafer Real-Time Etch Rate and Uniformity Predictor For Plasma Etch Processes

Номер патента: US20170053841A1. Автор: Sato Justin Hiroki,Hennes Brian Dee,Kimmel Yannick Carll. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2017-02-23.

POST ETCH TREATMENT TECHNOLOGY FOR ENHANCING PLASMA-ETCHED SILICON SURFACE STABILITY IN AMBIENT

Номер патента: US20150064880A1. Автор: Zhou Yi,Lee Changhun,Kim Ho Jeong,Kim Hun Sang,KIM Jun Wan. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

LASER AND PLASMA ETCH WAFER DICING WITH ETCH CHAMBER SHIELD RING FOR FILM FRAME WAFER APPLICATIONS

Номер патента: US20140213041A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Iyer Aparna,Singh Saravjeet,Dinev Jivko. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

SILICON DIOXIDE-POLYSILICON MULTI-LAYERED STACK ETCHING WITH PLASMA ETCH CHAMBER EMPLOYING NON-CORROSIVE ETCHANTS

Номер патента: US20140213062A1. Автор: SHIMIZU Daisuke,Kim Jong Mun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Oxygen-Free Plasma Etching For Contact Etching of Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20200203607A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Miyazoe Hiroyuki,Yang Qingyun,Cartier Eduard,Koty Devi,Englemann Sebastian Ulrich. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

REMOTE PLASMA ETCH USING INKJET PRINTED ETCH MASK

Номер патента: US20200286742A1. Автор: Steinmann Vera,LASSITER Brian E.. Владелец: KATEEVA, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

PLASMA ETCHING METHOD FOR SELECTIVELY ETCHING SILICON OXIDE WITH RESPECT TO SILICON NITRIDE

Номер патента: US20180366338A1. Автор: Watanabe Hikaru,TSUJI Akihiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2018-12-20.

Laser and plasma etch wafer dicing using water-soluble die attach film

Номер патента: US8507363B2. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Plasma etching apparatus using dual-etching

Номер патента: KR101751746B1. Автор: 이강석. Владелец: 주식회사 엘지에스. Дата публикации: 2017-06-29.

Anisotropic plasma etching apparatus, mixes reactive species produced from etching and passivation gases before action on substrate

Номер патента: FR2846471A1. Автор: Franz Laermer,Klaus Breitschwerdt,Bernd Kutsch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2004-04-30.

Polycrystalline silicon layer etching process used in production of emitter self-aligned with extrinsic base of bipolar transistor involves stopping plasma-etching on or in germanium or silicon-germanium intermediate layer, to form grooves

Номер патента: FR2805924A1. Автор: Andre Schiltz,Daniel Bensahel,Mireille Mouis,Beatrice Tormen. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2001-09-07.

PS pellet circular etching process based on oxygen plasma etching

Номер патента: CN113921392B. Автор: 李泽宇,刘向,陶治,郭金宁,凡可,沈中坤,陈玄申,高涵博. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2022-09-23.

A process for adjusting the etching speed in the anisotropic plasma etching of lateral structures

Номер патента: GB9921482D0. Автор: . Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1999-11-17.

Semiconductor substrate surface cleaning - by plasma etching using fluorine-contg. gas, renewed etching using fluorine-contg. gas and UV-irradiation at reduced pressure

Номер патента: DE4122587A1. Автор: Hiroshi Morita,Kenji Kawai,Toshiaki Ogawa,Moriaki Akazawa,Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-01-23.

Oxygen-free plasma etching for contact etching of resistive random access memory

Номер патента: US11258012B2. Автор: Takashi Ando,Vijay Narayanan,Hiroyuki Miyazoe,Qingyun Yang,Eduard Cartier,Devi Koty,Sebastian Ulrich Englemann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Magnetically enhanced plasma etch process using a heavy fluorocarbon etching gas

Номер патента: KR100756704B1. Автор: 브라이언 와이. 푸,홍킹 샨,케이지 호리오카,징바오 리우,타케히코 고마쯔. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-09-07.

Remote plasma etch using inkjet printed etch mask

Номер патента: WO2020180474A1. Автор: Brian E. Lassiter,Vera STEINMANN. Владелец: KATEEVA, INC.. Дата публикации: 2020-09-10.

Controllable isotropic plasma etching technique for the suppression of stringers in memory cells

Номер патента: US5705419A. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Jeffrey Robert Perry,Kristen Ann Luttinger. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon

Номер патента: EP0101828A1. Автор: Andrew J. Purdes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-03-07.

PS (polystyrene) pellet circular etching process based on oxygen plasma etching

Номер патента: CN113921392A. Автор: 李泽宇,刘向,陶治,郭金宁,凡可,沈中坤,陈玄申,高涵博. Владелец: Nanjing University of Information Science and Technology. Дата публикации: 2022-01-11.

Plasma etching method, etching device, storage medium

Номер патента: CN101047127A. Автор: 藤永元毅. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method of forming infrared detector by hydrogen plasma etching to form refractory metal interconnects

Номер патента: US5384267A. Автор: Larry D. Hutchins,Rudy L. York. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-01-24.

Controllable isotropic plasma etching technique for the suppression of stringers in memory cells

Номер патента: US5342801A. Автор: S. M. Reza Sadjadi,Jeffrey R. Perry,Kristen A. Luttinger. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Process for plasma etching with microwave energy-fed pre-excitation of the etching gases in the production of integrated semiconductor circuits and use of the process

Номер патента: DE4132564C2. Автор: Josef Dipl Phys Dr Mathuni,Heinz Dipl Ing Steinhardt. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1994-11-03.

Etch rate and uniformity measuring method of semiconductor plasma etching process

Номер патента: KR960019637A. Автор: 정용식,맹창호,송치화. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

Fluorine based plasma etch method for anisotropic etching of high open area silicon structures

Номер патента: KR20010112277A. Автор: 쿠마어제이,칸앤설,포들레스닉드래간브이,친제프리디. Владелец: 조셉 제이. 스위니. Дата публикации: 2001-12-20.

Plasma etching apparatus and method of etching wafer

Номер патента: WO2009008659A2. Автор: Jung Hee Lee,Kwan Goo Rha,Chul Hee Jang,Young Ki Han,Gil Hun Lee. Владелец: Sosul Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-01-15.

The etching mask handled for hybrid laser scribing and plasma etch wafer singulation

Номер патента: CN109155280A. Автор: W·李,J·S·帕帕努,P·库马尔,B·伊顿,A·库马尔,A·N·雷纳,R·克里希纳穆希. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-04.

Plasma etching equipment and method of etching a wafer

Номер патента: TW200919580A. Автор: Jung-Hee Lee,Kwan-Goo Rha,Gil-Hun Lee,Young-Ki Han,Chul-Hee Jang. Владелец: Sosul Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-01.

Etching method and plasma etching material

Номер патента: SG11201912232WA. Автор: PENG Shen,Nathan Stafford,Chih-Yu Hsu,Keiichiro Urabe. Владелец: Air Liquide. Дата публикации: 2020-01-30.

Post-processing method for plasma etching

Номер патента: TW367555B. Автор: Kazue Takahashi,Tsuyoshi Yoshida,Ryoji Fukuyama,Tadamitsu Kanekiyo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-08-21.

Improved anisotropy for polysilicon and polycide plasma etch applications by use of silicon-containing compounds

Номер патента: TW316996B. Автор: A Olson Dale,Qian Xue-Yu,Hui-Ing Tsai Patty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 1997-10-01.

Plasma etching of polysilicon using fluorinated gas mixtures

Номер патента: TW464982B. Автор: Taeho Shin,Nam-Hun Kim,Jeffrey D Chinn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Plasma etching method

Номер патента: TW200411762A. Автор: Rung-De Lin,Ren-Je Lee. Владелец: Ultratera Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of plasma etching the tungsten silicide layer in the gate conductor stack formation

Номер патента: TW396426B. Автор: Pascal Costaganna. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-07-01.

Plasma etched compound semiconductor

Номер патента: GB202313278D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures

Номер патента: TW561200B. Автор: Gene Lee,Dragan Podlesnik,Nam-Hun Kim,Anisul Khan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of dry plasma etching semiconductor materials

Номер патента: EP1729978A4. Автор: Jennifer Wang. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2008-10-29.

Plasma etching gas

Номер патента: TW573031B. Автор: Ming-Jung Liang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-21.

Plasma etching method

Номер патента: TW200305944A. Автор: Noriyuki Kobayashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Plasma etching and deposition

Номер патента: ZA741303B. Автор: R Heinecke. Владелец: Int Standard Electric Corp. Дата публикации: 1975-03-26.

Plasma etching method

Номер патента: EP2495757B1. Автор: Shoichi Murakami,Akimitsu Oishi,Masayasu Hatashita. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Device fabrication by plasma etching

Номер патента: IL57889A0. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1979-11-30.

Plasma etching method for aluminumbased films

Номер патента: GB2059879A. Автор: . Владелец: Tokuda Seisakusho Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-29.

Laser scribing trench opening control in wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach

Номер патента: EP4169063A4. Автор: Karthik Balakrishnan,James S Papanu,Wei-Sheng Lei,Jungrae Park,Zavier Zai Yeong Tan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS

Номер патента: US20130267094A1. Автор: Katsunuma Takayuki,HONDA Masanobu,Ichikawa Hironobu,KUDO Jin. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-10-10.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA CLEANING METHOD

Номер патента: US20140020709A1. Автор: KIKUCHI Takamichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods and Systems for Plasma Etching Using Bi-Modal Process Gas Composition Responsive to Plasma Power Level

Номер патента: US20170125253A1. Автор: Xu Qing,Wu Ying,TAN Zhongkui,FU Qian. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

PLASMA GENERATION AND PULSED PLASMA ETCHING

Номер патента: US20150132971A1. Автор: Chen Chao-Cheng,LIN Yu Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-05-14.

PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140262025A1. Автор: Matsumoto Naoki,Tsukamoto Takashi,Ozu Toshihisa,TAKAI Kazuto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods and Systems for Plasma Etching Using Bi-Modal Process Gas Composition Responsive to Plasma Power Level

Номер патента: US20170271166A1. Автор: Xu Qing,Wu Ying,TAN Zhongkui,FU Qian. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

METHODS OF PLASMA ETCHING AND PLASMA DICING

Номер патента: US20180350615A1. Автор: Hanicinec Martin,Hopkins Janet,ANSELL Oliver J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Plasma treatment method and plasma etching method

Номер патента: KR100896549B1. Автор: 야스유끼 호시노,세이지 사무까와. Владелец: 도호쿠 다이가쿠. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of plasma processing and plasma-etching method

Номер патента: CN100573828C. Автор: 寒川诚二,星野恭之. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2009-12-23.

Removal of aluminium containing polymer from plasma etched semiconductor wafer

Номер патента: FR2772291A1. Автор: Didier Severac,Michel Derie. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1999-06-18.

Methods of plasma etching and plasma dicing

Номер патента: EP3413341A1. Автор: Janet Hopkins,Martin Hanicinec,Oliver Ansell. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-12-12.

Plasma treatment method and plasma etching method

Номер патента: WO2006004224A9. Автор: Seiji Samukawa,Yasuyuki Hoshino. Владелец: Yasuyuki Hoshino. Дата публикации: 2006-04-13.

Methods of plasma etching and plasma dicing

Номер патента: KR102364952B1. Автор: 제이 안셀 올리버,하니시넥 마틴,홉킨스 자넷. Владелец: 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of plasma etching a deeply recessed feature in a substrate using a plasma source gas modulated etchant system

Номер патента: US7074723B2. Автор: Jeffrey D. Chinn,Yanping Li,Michael Rattner,Nicholas Pornsin-Sirirak. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-07-11.

Methods of plasma etching and plasma dicing

Номер патента: TWI791531B. Автор: 奧利薇 J 安塞爾,馬汀 哈尼西尼克,珍娜 霍普金斯. Владелец: 英商Ｓｐｔｓ科技公司. Дата публикации: 2023-02-11.

Plasma etching method and plasma dicing method

Номер патента: JP7042165B2. Автор: ジェイ アンセル オリバー,ハニチネツ マルチン,ホプキンズ ジャネット. Владелец: エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド. Дата публикации: 2022-03-25.

Water soluble mask for substrate dicing by laser and plasma etch

Номер патента: US20120322233A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

In-situ deposited mask layer for device singulation by laser scribing and plasma etch

Номер патента: US20120322234A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Madhava Rao Yalamanchili,Saravjeet Singh,Banqiu Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

SUBSTRATE MOUNTING TABLE AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130220545A1. Автор: UEDA Takehiro,Koizumi Katsuyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-08-29.

PLASMA ETCHING APPARATUS COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20130251949A1. Автор: HINO Takashi,SATO Michio,NAKATANI Masashi,Rokutanda Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

WAFER DICING USING HYBRID MULTI-STEP LASER SCRIBING PROCESS WITH PLASMA ETCH

Номер патента: US20130267076A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Singh Saravjeet,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

LASER AND PLASMA ETCH WAFER DICING USING WATER-SOLUBLE DIE ATTACH FILM

Номер патента: US20130299088A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Singh Saravjeet,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

LASER AND PLASMA ETCH WAFER DICING WITH A DOUBLE SIDED UV-CURABLE ADHESIVE FILM

Номер патента: US20140004685A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Egan Todd,CHOWDHURY Mohammad Kamruzzaman,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch

Номер патента: US20140011337A1. Автор: Wei-Sheng Lei,Brad Eaton,Saravjeet Singh,James M. Holden,Todd Egan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-09.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20140045338A1. Автор: Hirayama Yusuke,Tohnoe Kazuhito,Ishiyama Yasuyoshi,Hashizume Wataru. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

MASK RESIDUE REMOVAL FOR SUBSTRATE DICING BY LASER AND PLASMA ETCH

Номер патента: US20140057414A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Iyer Aparna. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

PLASMA ETCHING CHEMISTRIES OF HIGH ASPECT RATIO FEATURES IN DIELECTRICS

Номер патента: US20210005472A1. Автор: Pan Yang,Marks Jeffrey,TAN Samantha SiamHwa,KANARIK Keren J.. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

LASER SCRIBING AND PLASMA ETCH FOR HIGH DIE BREAK STRENGTH AND SMOOTH SIDEWALL

Номер патента: US20150011073A1. Автор: Kumar Ajay,Liu Tong,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Iyer Aparna,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

METHODS FOR HIGH PRECISION PLASMA ETCHING OF SUBSTRATES

Номер патента: US20160013067A1. Автор: RANJAN ALOK,Ventzek Peter L. G.,Wang Mingmei. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

LASER AND PLASMA ETCH WAFER DICING WITH PARTIAL PRE-CURING OF UV RELEASE DICING TAPE FOR FILM FRAME WAFER APPLICATION

Номер патента: US20140106542A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Egan Todd,CHOWDHURY Mohammad Kamruzzaman,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

HYBRID WAFER DICING APPROACH USING A RECTANGULAR SHAPED TWO-DIMENSIONAL TOP HAT LASER BEAM PROFILE OR A LINEAR SHAPED ONE-DIMENSIIONAL TOP HAT LASER BEAM PROFILE LASER SCRIBING PROCESS AND PLASMA ETCH PROCESS

Номер патента: US20160027697A1. Автор: Kumar Prabhat,Kumar Ajay,Park Jungrae,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

WAFER DICING WITH WIDE KERF BY LASER SCRIBING AND PLASMA ETCHING HYBRID APPROACH

Номер патента: US20150028446A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Iyer Aparna,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20140113450A1. Автор: Maruyama Koji,Uda Shuichiro,Nezu Takaaki,Fuchigami Shinji. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

WAFER DICING USING HYBRID MULTI-STEP LASER SCRIBING PROCESS WITH PLASMA ETCH

Номер патента: US20140120698A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Singh Saravjeet,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-05-01.

Ultra Narrow Trench Patterning with Dry Plasma Etching

Номер патента: US20210035810A1. Автор: HUANG Yuan-Sheng,Chen Chao-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Hybrid wafer dicing approach using a uniform rotating beam laser scribing process and plasma etch process

Номер патента: US20210050263A1. Автор: James S. Papanu,Karthik Balakrishnan,Jungrae Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

SYSTEM, METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA ETCH HAVING INDEPENDENT CONTROL OF ION GENERATION AND DISSOCIATION OF PROCESS GAS

Номер патента: US20160049304A1. Автор: Hudson Eric A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

HIGH ASPECT RATIO PLASMA ETCH FOR 3D NAND SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20160056050A1. Автор: Yang Liming,LEE Gene,Kong Byungkook. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20140134846A1. Автор: Hirayama Yusuke,Tohnoe Kazuhito. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-15.

PLASMA ETCHING AND STEALTH DICING LASER PROCESS

Номер патента: US20160071770A1. Автор: Albermann Guido,Moeller Sascha,Rohleder Thomas,Lapke Martin,Buenning Hartmut. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Alternating masking and laser scribing approach for wafer dicing using laser scribing and plasma etch

Номер патента: US20150079760A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for Disconnecting Polysilicon Stringers During Plasma Etching

Номер патента: US20160086806A1. Автор: Lee Ching-Hsiung,Tsai Shih-Chang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20150099366A1. Автор: Tsukamoto Takashi,OHTAKE Hiroto,HIGASHITSUTSUMI Shinji,Kitamura Akinori,TAKEDA Ryohei,Tomura Mitsuhiro. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2015-04-09.

PLASMA ETCH PROCESSES FOR OPENING MASK LAYERS

Номер патента: US20150099367A1. Автор: Kim Jong Mun,PAYYAPILLY Jairaj J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

WATER SOLUBLE MASK FOR SUBSTRATE DICING BY LASER AND PLASMA ETCH

Номер патента: US20140174659A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Singh Saravjeet,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment

Номер патента: US20200091001A1. Автор: AJAY Kumar,Wei-Sheng Lei,Brad Eaton. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20140187048A1. Автор: Shoichi Murakami,Naoya Ikemoto. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Method and apparatus for micromachining using a magnetic field and plasma etching

Номер патента: US20030040178A1. Автор: Neal Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US9290391B2. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Device for fabricating a mask by plasma etching a semiconductor substrate

Номер патента: US20060148274A1. Автор: Michel Puech,Martial Chabloz. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of recycling silicon component for plasma etching apparatus and silicon component for plasma etching apparatus

Номер патента: US20110076221A1. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Reaction chamber for a catalytic cracking process in a fluidized layer and a method of realization of the catalytic cracking process in the fluidized layer (versions)

Номер патента: RU2268912C2. Автор: Хендрикус Ариен ДИРКСЕ,Эрнст Антониус БАККЕР,Дейвид Джон БРИДЖЕР,Стивен Брайан ФАУЛЕР. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2006-01-27.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: AU2023200191A1. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Device for synthesizing a polymer with reduced formation of deposits in the reaction chamber

Номер патента: US09914805B2. Автор: Achim Stammer,Silke Biedasek,Uwe Witt,Joachim Clauss,Ning Zhu,Gad Kory. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers

Номер патента: US09447498B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-09-20.

Emergency flotation device with chemical reaction chamber

Номер патента: WO2019106677A1. Автор: Moshe Shoham,Noam Hassidov,Oriya SHOHAM,Matityahu AZRIEL. Владелец: Sea-Ark Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Bioreactor having at least two reaction chambers

Номер патента: AU2002314140A1. Автор: Udo Holker. Владелец: Hofer Bioreact GmbH. Дата публикации: 2002-12-23.

Reaction chamber for processing a substrate wafer, and method for operating the chamber

Номер патента: US20020092840A1. Автор: Alfred Kersch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-18.

Reaction chamber and semiconductor equipment

Номер патента: US20240368803A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for stabilizing reaction chamber pressure

Номер патента: US09663857B2. Автор: Wataru Adachi,Ryu Nakano. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-30.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: US20240209434A1. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Pyrolysis oil made with a microwave-transparent reaction chamber for production of fuel from an organic-carbon-containing feedstock

Номер патента: US09545609B2. Автор: Douglas M. Van Thorre,Michael L. Catto. Владелец: TEKGAR LLV. Дата публикации: 2017-01-17.

Char made with a microwave-transparent reaction chamber for production of fuel from an organic-carbon-containing feedstock

Номер патента: US09540580B2. Автор: Douglas M. Van Thorre,Michael L. Catto. Владелец: TEKGAR LLV. Дата публикации: 2017-01-10.

Plurality of reaction chambers in test cassette

Номер патента: RU2644476C2. Автор: ФАБРА Хорди КАРРЕРА,ГИБЕРТ Рафаэль БРУ,КАСАС Анна КОМЕНХЕС,САНЧЕЗ Хосе Антонио ГАРСИА. Владелец: Стат-Диагностика Энд Инновэйшн, С.Л.. Дата публикации: 2018-02-12.

Addressable micro-reaction chamber array

Номер патента: WO2020126985A1. Автор: Benjamin Jones,Peter Peumans,Nicolas Vergauwe,Ahmed TAHER. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2020-06-25.

Addressable micro-reaction chamber array

Номер патента: EP3897981A1. Автор: Benjamin Jones,Peter Peumans,Nicolas Vergauwe,Ahmed TAHER. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-10-27.

Methods for producing 2D materials by moving forming layers disposed on carriers through a reaction chamber open to the atmosphere

Номер патента: US11542632B1. Автор: James Vig Sherrill,Gregory E. Erickson. Владелец: General Graphene Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Methods for producing 2d materials by moving forming layers disposed on carriers through a reaction chamber open to the atmosphere

Номер патента: US20230093707A1. Автор: James Vig Sherrill,Gregory E. Erickson. Владелец: General Graphene Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

MITIGATING PYROPHORIC DEPOSITS DURING SiC CVI/CVD PROCESSES BY INTRODUCING A MITIGATION AGENT INTO AN EXHAUST CONDUIT DOWNSTREAM OF A REACTION CHAMBER

Номер патента: US20220112134A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Gavin Charles Richards,Naveen Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of producing dispersed aluminium nitride, installation and reaction chamber for its implementation

Номер патента: RU2638975C2. Автор: Аскольд Рафаилович Бекетов,Андрей Александрович Елагин,Михаил Владимирович Баранов,Роман Александрович Шишкин,Валерия Сергеевна Кудякова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2017-12-19.

Droplet chemical reaction chamber

Номер патента: US5773238A. Автор: Ashok K. Shukla. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-06-30.

Optical element and reaction chamber

Номер патента: EP4359583A1. Автор: Wolfgang Braun. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-05-01.

Mitigating pyrophoric deposits during SiC CVI/CVD processes by introducing a mitigation agent into an exhaust conduit downstream of a reaction chamber

Номер патента: US11713281B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Gavin Charles Richards,Naveen Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Chemical vapour deposition epitaxial reactor having two reaction chambers alternatively actuated and actuating method thereof

Номер патента: US20020112661A1. Автор: Franco Preti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Exhaust reaction chamber system of engine

Номер патента: CA1042351A. Автор: Shuichi Yamazaki,Ikuo Kajitani. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1978-11-14.

In-line, closed-system, downstream alteration of fluent substance within flexible-walled vessel using apparatus with reaction chamber

Номер патента: WO2005103225A3. Автор: Edwin D Neas,Jerald E Kuiken. Владелец: Jerald E Kuiken. Дата публикации: 2005-12-15.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: AU2023200191B2. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Stacked showerhead assembly for delivering gases and rf power to a reaction chamber

Номер патента: WO1999053116A1. Автор: Joseph T. Hillman. Владелец: Tokyo Electron Arizona, Inc.. Дата публикации: 1999-10-21.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: CA3187109A1. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Chemical vapor infiltration apparatus and assembly for gas inflow in reaction chamber

Номер патента: EP4219789A1. Автор: Sheng Ma,Edward M. Willis,Akshay Vinayak Dhamankar. Владелец: Zimmer Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Process and apparatus for removal of h2s with separate absorber and oxidizer and a reaction chamber therebetween

Номер патента: CA2065546C. Автор: Leslie C. Hardison. Владелец: Wheelabrator Clean Air Systems Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Device for the synthesis of a polymer with extraction of a gaseous substance, comprising a reaction chamber having at least one circular-cylindrical section

Номер патента: CA2913498C. Автор: Achim Stammer,Joachim Clauss,Ning Zhu,Gad Kory. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-09-07.

Single-use device with a reaction chamber and a method for controlling the temperature in the device and uses thereof

Номер патента: WO2015003722A1. Автор: Kenneth William Harlow,Morten Bech,Ivan R. PERCH-NIELSEN,Jan Harries Hansen. Владелец: Delta Dansk Elektronik, Lys & Akustik. Дата публикации: 2015-01-15.

Differential pressure, countergravity casting with alloyant reaction chamber

Номер патента: US5161604A. Автор: George D. Chandley,Bryant W. Crocker. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-11-10.

Reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: EP4375395A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of providing a reaction chamber, reaction chamber and laser evaporation system

Номер патента: EP4271850A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Johannes Arnoldus BOSCHKER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-11-08.

Method of providing a reaction chamber, reaction chamber and laser evaporation system

Номер патента: US20240110275A1. Автор: Jochen Mannhart,Wolfgang Braun,Johannes Arnoldus BOSCHKER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-04-04.

Reaction chamber for an epitaxial reactor of semiconductor material with non-uniform longitudinal section and reactor

Номер патента: EP3880863A1. Автор: Maurilio Meschia,Silvio PRETI,Francesco COREA. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2021-09-22.

Self-metering of fluid into a reaction chamber

Номер патента: US20200391214A1. Автор: William M. Nelson,Aymeric Randanne de Vazeille,Kyle Armantrout. Владелец: Tetracore Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Self-metering of fluid into a reaction chamber

Номер патента: US20170065980A1. Автор: William M. Nelson,Aymeric Randanne de Vazeille,Kyle Armantrout. Владелец: Tetracore Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Reaction chamber and reaction device

Номер патента: EP4417731A1. Автор: Xin Xu,Jiaming LIU,Guofang ZHONG,Yunzhang XIAO,Shuaishuai HUANG,Lianghui LIU,Bingan CHEN. Владелец: Shenzhen Naso Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Reaction chamber component, preparation method, and reaction chamber

Номер патента: US20240271310A1. Автор: Yulin Peng,Yicheng Li,Yongyou CAO. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Reaction chamber with covering system and epitaxial reactor

Номер патента: US20240271319A1. Автор: Srinivas Yarlagadda,Silvio PRETI,Francesco COREA,Stefano POLLI. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2024-08-15.

Self-metering of fluid into a reaction chamber

Номер патента: US12103006B2. Автор: William M. Nelson,Aymeric Randanne de Vazeille,Kyle Armantrout. Владелец: Tetracore Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for improving the reactant gas flow in a reaction chamber

Номер патента: US5096534A. Автор: Albert E. Ozias. Владелец: Epsilon Technology Inc. Дата публикации: 1992-03-17.

Biological reaction chamber apparatus

Номер патента: US3745091A. Автор: J Mccormick. Владелец: Miles Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-07-10.

Reaction chamber with a fluidized bed, comprising a tubular wall structure with water

Номер патента: RU2727947C1. Автор: Пентти ЛАНКИНЕН,Джон К. МЕРФИ. Владелец: СУМИТОМО ЭсЭйчАй ФВ ЭНЕРДЖИА ОЙ. Дата публикации: 2020-07-27.

Exhaust reaction chamber for internal combustion engine

Номер патента: US4109463A. Автор: Satoru Ohata,Masao Watanabe,Kiyoyuki Itakura,Yohji Ishii. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1978-08-29.

Procedure and device for cracking of hydrocarbons using two successive reaction chambers

Номер патента: US20020096452A1. Автор: Marcellin Espeillac,Pierre Crespin. Владелец: Total Raffinage Distribution SA. Дата публикации: 2002-07-25.

Gas distribution system for a reaction chamber

Номер патента: EP2744924A1. Автор: Peter Nemeth,Zsolt Vadadi,Tamas Strausz. Владелец: ECOSOLIFER AG. Дата публикации: 2014-06-25.

Reaction chamber for extraction of uranium dioxide powder by using method of uranium hexafluoride reductive pyrohydrolysis

Номер патента: MY196848A. Автор: Dmitry Yuryevich OSTROVSKY,Alexander Leonidovich KHLYTIN,Yury Vladimirovich OSTROVSKY,Grigory Mikhailovich ZABORTSEV,Ivan Ignatyevich ZHERIN. Владелец: Publichnoe Aktsionernoe Obshchestvo Novosibirsky Zavod Khimkontsentratov Pao Nzhk. Дата публикации: 2023-05-04.

Reaction chamber and method for preparing preforms for optical fibers

Номер патента: US20060016224A1. Автор: Gilles Fonteneau,Catherine Boussard-Pledel,David Le Coq. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2006-01-26.

Fluidics circuit of hermatology analyzer with heated reaction chamber

Номер патента: EP1515140A3. Автор: Bruce E. Behringer,Michael T. Peets,Joseph A. Raneri,Joseph J. Carlucci,Terry Goodsell. Владелец: Bayer HealthCare LLC. Дата публикации: 2007-03-14.

Method of eliminating undesirable carbon product deposited on the inside of a reaction chamber

Номер патента: US4816113A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-28.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: US11932906B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Probe system for real-time quantitative and qualitative analysis of biomaterial, reaction chamber with said probe system, and analysis method thereof

Номер патента: US20170327878A1. Автор: Sun Young PARK,Jong Pil Park,Mun Cheol Paek,Nam Joong Kim,Su Jin Ku,Jin Seok Noh,Lee Kyung Kim,Do Bu Lee. Владелец: K-Mac Bio Center Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: AU2019205383B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: AU2019205383A8. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

System and methods for electrokinetic loading of sub-micron-scale reaction chambers

Номер патента: AU2019205383B8. Автор: Jonathan M. Rothberg,Gerard Schmid,Jonathan C. Schultz,Jeremy Lackey,Guojun Chen,Ali Kabiri,Farshid Ghasemi,Keith G. Fife,Todd Rearick,Alexander Goryaynov. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Probe system for real-time quantitative and qualitative analysis of biomaterial, reaction chamber with said probe system, and analysis method thereof

Номер патента: WO2016085036A1. Автор: Sun Young PARK,Jong Pil Park,Mun Cheol Paek,Nam Joong Kim,Su Jin Ku,Jin Seok Noh,Lee Kyung Kim,Do Bu Lee. Владелец: K-MAC. Дата публикации: 2016-06-02.

Reaction chamber of an epitaxial reactor and reactor that uses said chamber

Номер патента: US9382642B2. Автор: Srinivas Yarlagadda,Natale Speciale,Franco Preti,Mario Preti. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2016-07-05.

Method and apparatus for continuously taking a hot gas sample to be analyzed from a reaction chamber

Номер патента: US4779466A. Автор: Wolfgang Ramsner,Karl Ruemer,Kurt Holzl. Владелец: Voestalpine AG. Дата публикации: 1988-10-25.

Device with several reaction chambers for implementing liquid/solid oxidation-reduction reactions in a fluidized bed

Номер патента: CA2843828C. Автор: Franck Lancon. Владелец: Cleanmetals Sa. Дата публикации: 2019-02-26.

Device with several reaction chambers for implementing liquid/solid oxidation-reduction reactions in a fluidized bed

Номер патента: CA2843828A1. Автор: Franck Lancon. Владелец: Lefort, Guillaume. Дата публикации: 2013-02-07.

Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber

Номер патента: US5451258A. Автор: Joseph T. Hillman,W. Chuck Ramsey. Владелец: Materials Research Corp. Дата публикации: 1995-09-19.

Device with several reaction chambers for implementing liquid/solid oxidation-reduction reactions in a fluidized bed

Номер патента: US9028760B2. Автор: Franck Lancon. Владелец: Cleanmetals Sa. Дата публикации: 2015-05-12.

Distributing light in a reaction chamber

Номер патента: WO2019056137A1. Автор: Fariborz Taghipour,Manoj Singh,Babak Adeli Koudehi,Alireza Jalali. Владелец: Acuva Technologies Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

Reaction chamber, processing system and processing method

Номер патента: CA3211291A1. Автор: Martin LIDSTRAND. Владелец: Trifilon AB. Дата публикации: 2022-09-15.

Reaction chamber, processing system and processing method

Номер патента: WO2022189409A1. Автор: Martin LIDSTRAND. Владелец: Trifilon AB. Дата публикации: 2022-09-15.

Patch for microarray reaction chamber having adhesive means support and two or more adhesive materials

Номер патента: US20050136459A1. Автор: Jeong-Gun Lee,Hun-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-23.

Reaction chamber comprising a rotating element for the deposition of a semiconductor material

Номер патента: US20210388492A1. Автор: Danilo Crippa,Maurilio Meschia,Francesco COREA,Yuichiro TOKUDA. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for measuring temperature of film in reaction chamber

Номер патента: US09696209B2. Автор: Lu Chen,Yousen Li,Yanzhong Ma,Chaoqian Zhang,Steven Tianxiao Lee,Zhehao Chen. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2017-07-04.

Micro-reaction chamber microelectrodes especially for neural and biointerfaces

Номер патента: US09592378B2. Автор: Bruce J. Gluckman,Balaji Shanmugasundaram. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-03-14.

Mixed-phase distributor for fixed-bed catalytic reaction chambers

Номер патента: US4140625A. Автор: Robert H. Jensen. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1979-02-20.

Gas injection system for reaction chambers in CVD systems

Номер патента: US5819684A. Автор: Mcdonald Robinson,Mark R. Hawkins. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 1998-10-13.

A fluidized bed reaction chamber comprising a tubular waterwall structure

Номер патента: MY194817A. Автор: Pentti Lankinen,John Q Murphy. Владелец: SUMITOMO SHI FW ENERGIA OY. Дата публикации: 2022-12-16.

Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers

Номер патента: US20040226507A1. Автор: Danny Dynka,Craig Carpenter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-18.

CVD reaction chamber

Номер патента: US4596208A. Автор: Robert G. Wolfson,Stanley M. Vernon. Владелец: Spire Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

Gas injectors for reaction chambers in CVD systems

Номер патента: US5411590A. Автор: Mcdonald Robinson,Mark R. Hawkins. Владелец: Advanced Semiconductor Materials America Inc. Дата публикации: 1995-05-02.

Alkylation reaction chamber

Номер патента: US3982903A. Автор: Robert F. Anderson. Владелец: Universal Oil Products Co. Дата публикации: 1976-09-28.

Apparatus for providing a gas mixture to a reaction chamber and method of using same

Номер патента: US20240141486A1. Автор: Eric Shero,Jereld Lee Winkler,Todd Robert Dunn,Michael Eugene Givens,Hannu Huotari,Paul Ma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Nanoscale reaction chambers and methods of using the same

Номер патента: EP4323542A1. Автор: Wei-Ying Kuo,Joseph de Rutte,Sheldon ZHU. Владелец: Partillion Bioscience Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Nanoscale reaction chambers and methods of using the same

Номер патента: CA3215070A1. Автор: Wei-Ying Kuo,Joseph de Rutte,Sheldon ZHU. Владелец: Partillion Bioscience Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Nanoscale reaction chambers and methods of using the same

Номер патента: AU2022258444A1. Автор: Wei-Ying Kuo,Joseph de Rutte,Sheldon ZHU. Владелец: Partillion Bioscience Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Reaction chamber with covering system and epitaxial reactor

Номер патента: EP4352284A1. Автор: Srinivas Yarlagadda,Silvio PRETI,Francesco COREA,Stefano POLLI. Владелец: LPE SpA. Дата публикации: 2024-04-17.

Nitric oxide water generation system having purifying part for automatically purifying water in reaction chamber

Номер патента: US20230257267A1. Автор: Kiman Hwangbo,Daehwa Hwangbo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-17.

Two-phase spraying device and reaction chamber for the preparation of a product containing ammonium orthophosphate

Номер патента: US4370304A. Автор: Petrus F. A. M. Hendriks,Arie Jansen,Willem B. van den Berg,Cornelis Hoek. Владелец: Unie Van Kunstmestfabrieken BV. Дата публикации: 1983-01-25.

Miniature reaction chamber and devices incorporating same

Номер патента: US6132580A. Автор: Richard A. Mathies,Adam T. Woolley. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-10-17.

Electrocoagulation reaction chamber and method

Номер патента: US20030070919A1. Автор: F. Gilmore. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Reaction chamber for amino-terminal sequence analysis of proteins or peptides

Номер патента: US5135720A. Автор: Toyoaki Uchida. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Dehydrogenation reactions in narrow reaction chambers and integrated reactors

Номер патента: US20040199039A1. Автор: Gary Roberts,Anna Tonkovich,Matthew Schmidt,G. Chadwell,John Brophy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Automated staining system and reaction chamber

Номер патента: CA2774503C. Автор: Xuan S. Bui,Toshiyuki Fujimaki,Shinji Tokudaiji,Yoshitake Okabe,Yoshitada Mizusawa,Anthony L. Hartman. Владелец: Sakura Finetek USA Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Alkylation reaction chamber

Номер патента: CA1051809A. Автор: Robert F. Anderson. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 1979-04-03.

Spherical reactor having a plurality of cylindrical reaction chambers and method for carrying out a reaction using said spherical reactor

Номер патента: GB2110105A. Автор: Bunji Kinno,Jun Zanma,Tomoyoshi Nakano. Владелец: Toyo Engineering Corp. Дата публикации: 1983-06-15.

Reaction chamber, processing system and processing method

Номер патента: EP4305236A1. Автор: Martin LIDSTRAND. Владелец: Trifilon AB. Дата публикации: 2024-01-17.

Microfluidic cartridge having a vent channel and method of filling a reaction chamber using same

Номер патента: WO2024036326A2. Автор: Patrick David ERB,Maxwell Pierce HENSLEY. Владелец: Canon Virginia, Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

Pin for holding and/or cooling of ceramic coatings in hot reaction chambers, and method of manufacturing the same

Номер патента: US4574713A. Автор: Norbert Ullrich,Reinhard Muller,Klaus Kohnen. Владелец: Krupp Koppers GmbH. Дата публикации: 1986-03-11.

Microfluidic cartridge having a vent channel and method of filling a reaction chamber using same

Номер патента: WO2024036326A3. Автор: Patrick David ERB,Maxwell Pierce HENSLEY. Владелец: Canon Virginia, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Plasma generation device, plasma treatment device, and plasma etching device for seamless roller mold

Номер патента: EP4351281A1. Автор: Kohei Murakami,Tsuneharu TANAKA,Akira NAGAYASU. Владелец: Shinko Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Plasma generating device, plasma processing device, and plasma etching device for seamless roller mold

Номер патента: US20240260165A1. Автор: Kohei Murakami,Tsuneharu TANAKA,Akira NAGAYASU. Владелец: Shinko Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

FOCUS RING HEATING METHOD, PLASMA ETCHING APPARATUS, AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20130299455A1. Автор: KOSHIMIZU Chishio,YAMAWAKU Jun,MATSUDO Tatsuo,Saito Masashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Plasma generation device, plasma treatment device, and plasma etching device for seamless roller mold

Номер патента: WO2022250145A1. Автор: 常治 田中,幸平 村上,明 永安. Владелец: 神港精機株式会社. Дата публикации: 2022-12-01.

TCCT MATCH CIRCUIT FOR PLASMA ETCH CHAMBERS

Номер патента: US20130135058A1. Автор: LONG Maolin,Paterson Alex,Marsh Ricky. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

Plasma Etched Catalytic Laminate with Traces and Vias

Номер патента: US20190014666A1. Автор: BAHL Kenneth S.,KARAVAKIS Konstantine. Владелец: Sierra Circuits, Inc.. Дата публикации: 2019-01-10.

A method for regenerating a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon member for a plasma etching apparatus, a silicon focusing ring, and a silicon electrode plate

Номер патента: TWI525695B. Автор: Kosuke Imafuku. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-03-11.

Fabricating a planar optical waveguide in a single plasma etching chamber

Номер патента: GB2330800A. Автор: Tae-Hyung Rhee,Byong-Gwon You,Jung-Hee Kim,Woo-Hyuk Jang,Sang-Yun Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-05-05.

Method for fabricating three-dimensional photonic crystals using a single planar etch mask and deep reactive-ion/plasma etching

Номер патента: WO2005114281A3. Автор: Sriram Venkataraman,Janusz Murakowski,Garrett Schneider,Dennis W Prather. Владелец: Dennis W Prather. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating three-dimensional photonic crystals using a single planar etch mask and deep reactive-ion/plasma etching

Номер патента: WO2005114281A2. Автор: Sriram Venkataraman,Dennis W. Prather,Janusz Murakowski,Garrett Schneider. Владелец: University of Delaware. Дата публикации: 2005-12-01.

Fabrication of slanted grating master and working stamp using grayscale lithography and plasma etching

Номер патента: US20240168207A1. Автор: WEI Jin,Lu Tian,Thomas MERCIER. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20130200042A1. Автор: Yokogawa Kenetsu,Nishio Ryoji,MAEDA Kenji,Satake Makoto,Usui Tatehito,TETSUKA Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-08.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20140076848A1. Автор: NAKAHARA Yoichi. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-03-20.

PLASMA ETCHING GAS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20140306146A1. Автор: Ito Azumi,Yamazaki Atsuyo. Владелец: ZEON CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

Highly plasma etch-resistant photoresist composition containing a photosensitive polymeric titania precursor

Номер патента: TWI263865B. Автор: Douglas J Guerrero,Tony D Flaim,Vladimir Petrovsky,William J James,Michelle R Fowler. Владелец: Univ Missouri. Дата публикации: 2006-10-11.

Method of manufacturing photomasks by plasma etching with resist stripped

Номер патента: US20020119380A1. Автор: Tiecheng Zhou,Rick Zemen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120003838A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

Device for plasma etch chemistry

Номер патента: RU2529633C1. Автор: Данил Геннадьевич Челапкин,Владимир Евгеньевич Белецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум". Дата публикации: 2014-09-27.

Method and apparatus for measuring the wafer etch rate and etch depth in a plasma etch process.

Номер патента: IES20070301A2. Автор: Stephen Daniels,Shane Glynn,Felipe Soberon,Maria Tipaka. Владелец: Lexas Res Ltd. Дата публикации: 2008-04-02.

Apparatus for ion-plasma etching and depositing thin films

Номер патента: RU2540318C2. Автор: Алексей Алексеевич Исаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-02-10.

The high-temperature reactor reaction chamber

Номер патента: RU2286206C1. Автор: Борис Николаевич Улько,Эдуард Васильевич Завьялов,Анатолий Артемович Янин,Фарит Салихович Бурганов,лов Эдуард Васильевич Завь. Владелец: Борис Николаевич Улько. Дата публикации: 2006-10-27.

Reaction chamber for producing uranium dioxide powder by pyrohydrolysis from uranium hexafluoride (versions)

Номер патента: RU2498941C2. Автор: Юрий Александрович Никонов,Игорь Витальевич Хмелевской. Владелец: Открытое акционерное общество "Машиностроительный завод". Дата публикации: 2013-11-20.

Tesner's method for creation of aerodynamic regime of flow of combustion products in thermal reactor reaction chamber of claus plant

Номер патента: RU2145257C1. Автор: П.А. Теснер,Н.Я. Зайцев,М.С. Немировский,И.С. Славкин. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий Российского акционерного общества "Газпром". Дата публикации: 2000-02-10.

Reaction chamber

Номер патента: MY158608A. Автор: Yoshihiro Nakatani. Владелец: Sumitomo Heavy Industries. Дата публикации: 2016-10-31.

Hinged suspension for mounting reaction chamber on flying vehicle

Номер патента: RU2090773C1. Автор: Игорь Алексеевич Клепиков,Аркадий Алексеевич Бахмутов. Владелец: Аркадий Алексеевич Бахмутов. Дата публикации: 1997-09-20.

Packing Material for Gas Purifiers or Washers, Condensers, Reaction Chambers, Hot-blast Stoves or the like

Номер патента: GB190721346A. Автор: Hugo Petersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-08-20.

Plasma etching reaction chamber

Номер патента: CN210349767U. Автор: 林俊成,郑耀璿,陈英信. Владелец: Xintianhong (xiamen) Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TWI274527B. Автор: Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2007-02-21.

Method for setting plasma chamber having an adaptive plasma source, plasma etching method using the same and manufacturing method for adaptive plasma source

Номер патента: TW200635444A. Автор: Do Hyung Lee,Nam-Hun Kim,Yeong-Su Song,Sang-Ryong Oh,Sheung-Ki Kim,Yung-Kun Oh. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2006-10-01.

Deposition gas for forming etching protective film, plasma etching method, and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6438511B2. Автор: 孝 山本,隆一郎 伊崎,山本　孝,尚弥 池本,洋志 ▲高▼. Владелец: SPP Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-12.

Solution for the micro-loading effect during polycide etching on high density plasma etching machine

Номер патента: TW383424B. Автор: Wen-Liang Fang,Huo-Da Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-03-01.

Method of plasma etching and plasma chamber cleaning using F2 and COF2

Номер патента: TW201129722A. Автор: Marcello Riva. Владелец: Solvay. Дата публикации: 2011-09-01.

Reaction chamber cavity of vertical plasma etching machine

Номер патента: CN211273722U. Автор: 杨志军. Владелец: Suzhou Atv Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120132617A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-31.

PULSE-PLASMA ETCHING METHOD AND PULSE-PLASMA ETCHING APPARATUS

Номер патента: US20120302065A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

PLASMA ETCHING METHOD, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PLASMA ETCHING DEVICE

Номер патента: US20130029494A1. Автор: Sasaki Masaru,Moyama Kazuki,Inoue Masaki,Noto Yoko. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-01-31.

METHOD FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20140073138A1. Автор: HUANG Ming-Yu,Hwang Min-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

Plasma etching system and plasma etching method

Номер патента: JP2851229B2. Автор: 豊 三浦,俊一 飯室,茂樹 戸澤,一石 富田,儀一 伊東,基博 平野,光 野沢,浩光 松尾. Владелец: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-27.

Plasma etching apparatus simulation apparatus and plasma etching apparatus including the simulation apparatus

Номер патента: JP3984868B2. Автор: 尚人 田中,涼子 小林. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Electrode plate for plasma etching and plasma etching apparatus

Номер патента: JP3461120B2. Автор: 和己 小鍛治,慎太郎 弘中. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-27.

Manufacture of plasma etching electrode plate and plasma etching electrode plate obtained thereby

Номер патента: JPH10107008A. Автор: Takayuki Suzuki,孝幸 鈴木,Kojiro Ota,Mitsuji Kamata,充志 鎌田,幸次郎 太田,Kazumi Kokaji,和己 小鍛冶. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-24.

Plasma-etching apparatus and plasma-etching method

Номер патента: CN100561679C. Автор: 中谷理子,丸山幸儿. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Base for plasma etching apparatus and plasma etching apparatus provided with the same

Номер патента: JP4519576B2. Автор: 哲也 森,彰一 村上. Владелец: Sumitomo Precision Products Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Plasma etching method and plasma etching apparatus

Номер патента: JP6180824B2. Автор: 学 下田,弘樹 松丸,道拓 狩野. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-16.

Plasma etching apparatus, plasma etching method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4605940B2. Автор: 正和 滝,賢治 新谷,広樹 大寺. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-05.

Focusing ring for plasma etching and plasma etching device with same

Номер патента: CN103811247A. Автор: 韩文彬,田凌,段文睿,冯涓. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-05-21.

PLASMA ETCHING APPARATUS AND PLASMA ETCHING METHOD

Номер патента: US20120012556A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-19.

PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS FOR PREPARING HIGH-ASPECT-RATIO STRUCTURES

Номер патента: US20120302031A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Plasma etching method, plasma etching apparatus and computer storage medium

Номер патента: JP4684924B2. Автор: 亮一 吉田. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-05-18.

Upper cover for plasma etching equipment and plasma etching equipment

Номер патента: CN105789009A. Автор: 李宗兴. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Substrate tray, etching apparatus and etching method used in plasma etching apparatus

Номер патента: JP5264403B2. Автор: 正幸 佐藤,光康 浅野,泰宏 森川,敏幸 中村. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2013-08-14.

Aerosol deposition coating method for plasma resistant coating capable of protecting the inside of equipment in a plasma environment during plasma etching

Номер патента: TW201900902A. Автор: 張大勳,高賢哲,金東柱,朴祥圭,朴秦秀. Владелец: Ｋｏｍｉｃｏ有限公司. Дата публикации: 2019-01-01.

Etching method in microwave plasma etching device

Номер патента: JPS6369228A. Автор: Katsuya Watanabe,克哉 渡辺,Hitoaki Sato,佐藤　仁昭. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-29.

Etching terminal checking device and method for plasma etching equipment

Номер патента: CN101221891A. Автор: 杨峰. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Modeling method of etching yield in plasma etching process

Номер патента: CN103020349B. Автор: 贾培发,宋亦旭,杨宏军,孙晓民. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-05-06.

Method for plasma etching of insulating layers

Номер патента: RU2211505C2. Автор: В.В. Ячменев,Н.В. Алексеев,А.Н. Еременко,Л.А. Колобова,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2003-08-27.

Double radio-frequency pulse plasma etching method and etching device

Номер патента: CN103915308A. Автор: 梁洁,王兆祥,杜若昕,苏兴才. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2014-07-09.

Plasma etching resist and etching method

Номер патента: JP4232297B2. Автор: 一章 西尾,山本　　茂,誠治 石川,三津志 田口. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for etching silicon oxide layer in plasma etching room

Номер патента: CN103187264A. Автор: 刘志强,刘俊良,王兆祥,杜若昕. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai. Дата публикации: 2013-07-03.

Method for adjusting etching gas in plasma etching chamber

Номер патента: TW201248716A. Автор: zhao-xiang Wang,Zhi-Qiang Liu. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

A plasma etching method for etching carbon - containing layers

Номер патента: TWI445079B. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2014-07-11.

A kind of etching terminal checkout gear and method of plasma etching equipment

Номер патента: CN100568448C. Автор: 杨峰. Владелец: Beijing North Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-09.

Chip transfer system of plasma etching machine for etching inorganic material substrate by adopting dry method

Номер патента: CN202307824U. Автор: 陈波,李超波,黄成强,饶志鹏. Владелец: JIAXING MICROELECTRONIC INSTRUMENT AND EQUIPMENT ENGINEERING CENTER CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-07-04.

Plasma etching method for etching organic layer

Номер патента: TW201227823A. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Plasma etching apparatus and etching method thereof

Номер патента: TWI553692B. Автор: Jie Liang,Zhao-Yang Xu. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-11.

Method for controlling etch bias in plasma etching

Номер патента: TW353786B. Автор: Rui-Cheng Luo. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1999-03-01.

플라즈마 에칭이 광 방사를 모니터하므로써 제어되는 디바이스 제조방법(A process for device fabrication in which the plasma etch is controlled by monitoring optical emission)

Номер патента: KR970023956A. Автор: 브이. 기인 케쓰,글래디 맥네빈 수잔. Владелец: 루센트 테크놀러지 인코포레이티드. Дата публикации: 1997-05-30.

Method of plasma etching and surface modification for boron-doped diamond electrochemical electrode

Номер патента: TW201232627A. Автор: Yon-Hua TZENG,Wai-Leong Chen,Chiuan-Yi Li. Владелец: Univ Nat Cheng Kung. Дата публикации: 2012-08-01.

Method of plasma etching molybdenum

Номер патента: JPS5325244A. Автор: Katsuzou Ukai. Владелец: NICHIDEN VARIAN KK. Дата публикации: 1978-03-08.

Grounding apparatus for realizing electrical connection between plasma etching chamber and cathode

Номер патента: TW201248681A. Автор: Fan Peng,Di Wu,Tuqiang Ni,Yitao Zhang,miao-juan Chen. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

Method of increasing corrosion resistance for reactive ion or plasma etching process

Номер патента: JPS55132041A. Автор: Ekonomii Jieemuzu,Richiyaado Riara Jieemuzu,Aarin Pedaasun Resutaa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-14.

Plasma etching of copper of integrated circuit

Номер патента: TW394996B. Автор: Jr-Gang Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-06-21.

Method for plasma etching

Номер патента: TW201248715A. Автор: zhao-xiang Wang,Zhi-Qiang Liu,jun-liang Li,ruo-xin Du. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2012-12-01.

Method for plasma etching a silicon-containing insulating layer

Номер патента: TW201128701A. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Method for preparing protective coating for plasma etching chamber of IC equipment

Номер патента: AU2019430768A1. Автор: Xinyu CUI,Tao HOU,Yanfang Shen,Tianying Xiong,Guangwen ZHENG. Владелец: Shenyang Fortune Precision Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Plasma etching apparatus and lifting pin thereof

Номер патента: TWI380365B. Автор: Chinghua Chen,Chungyau Wu,Hsinchuan Chen,Horngdyi Shyu,Chinchien Wu,Tsungsheng Yang,Chungwei Yang,Shunyen Chiang,Chiaen Sung,Shengmeau Yang,Chingyi Tseng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-12-21.

Gas plasma etching

Номер патента: GB8504009D0. Автор: . Владелец: Dobson C D. Дата публикации: 1985-03-20.

Plasma etching device

Номер патента: JPS52142637A. Автор: Seitarou Matsuo. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-11-28.

Member for plasma etching device and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200512826A. Автор: Kyoichi Inagi,Itsuo Araki. Владелец: Shinetsu Quartz Prod. Дата публикации: 2005-04-01.

Control method for plasma etching process

Номер патента: TW518689B. Автор: Shian-Guang Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-01-21.

Method and apparatus for plasma etching a substrate

Номер патента: GB202404374D0. Автор: . Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Method of gas plasma etching

Номер патента: JPS55111134A. Автор: Yukio Sonobe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1980-08-27.

Method for plasma etching a carbon-containing layer

Номер патента: TW201128699A. Автор: Zheng Tao,Seiichi Takayama,Tom Ni. Владелец: Advanced Micro Fab Equip Inc. Дата публикации: 2011-08-16.

Method of plasma etching with reducing particle production

Номер патента: TWI246726B. Автор: Chun-Hsien Chien,Chung-Ji Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-01-01.

Plasma etching device

Номер патента: JPS57120676A. Автор: Tadahiro Nakamichi. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1982-07-27.

Plasma etching apparatus and lifting pin thereof

Номер патента: TW201112327A. Автор: Ching-Hua Chen,Hsin-Chuan Chen,Chung-Wei Yang,Chung-Yau Wu,Ching-Yi Tseng,Horng-Dyi Shyu,Chin-Chien Wu,Tsung-Sheng Yang,Shun-Yen Chiang,Chia-En Sung,Sheng-Meau Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-04-01.

Fabrication of devices by plasma etching

Номер патента: IL57887A0. Автор: . Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1979-11-30.

Plasma etching method and device

Номер патента: TW577122B. Автор: Guang-Jung Peng. Владелец: Sp Probe Inc. Дата публикации: 2004-02-21.

Method of plasma etching with reducing particle production

Номер патента: TW200620453A. Автор: Chun-Hsien Chien,Chung-Ji Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-06-16.

Plasma etching method for optically transparent films of indium and tin oxides

Номер патента: UA22675U. Автор: Yurii Stepanovych Kravchenko,Maksym Mykolaiovyc Plachotniuk. Владелец: Univ Vinnytsia Nat Tech. Дата публикации: 2007-04-25.

Oxygen plasma etching process after contact hole etchback

Номер патента: TW286422B. Автор: Jia-Shong Tsay. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 1996-09-21.

Plasma etching method and device

Номер патента: TW200421479A. Автор: Guang-Jung Peng. Владелец: Conquer Tek Inc. Дата публикации: 2004-10-16.

Method of plasma etching

Номер патента: SG32354A1. Автор: Tetsunori Kaji,Yoshifumi Ogawa,Kazunori Tsujimoto,Makoto Nawata,Hisao Yasunami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-08-13.

Method of synchronous plasma etching and dielectric layer depositing

Номер патента: TW317008B. Автор: Shaw-Tzeng Shiah,Chinq-Yiing Lii,Jyh-Cherng Liaw. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1997-10-01.

Method and system for monitoring a semiconductor wafer plasma etch process

Номер патента: AU2002341995A1. Автор: John Maltabes,Karl Mautz,Joseph Petrucci. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-05-12.

Method of real-time detecting gas leakage in plasma etching chamber through monitoring base-pressure

Номер патента: TW386260B. Автор: Yung-Sung Peng,Ming-Guo You,Bo-Tau Chu,Jing-Wen Juo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-04-01.

Gas diversion apparatus in a plasma etching apparatus

Номер патента: TW448504B. Автор: Ming-Te Lin,Feng-Pin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of plasma etching and plasma chamber cleaning using F2 and COF2

Номер патента: US20120214312A1. Автор: . Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2012-08-23.

Silicon film surface treatment method after plasma etching

Номер патента: KR950027904A. Автор: 이주영,이완기. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-10-18.

Inductively coupled plasma treatment device and plasma etching method

Номер патента: TW201618180A. Автор: Di Wu,Zeng-Di Lian,Yun-Wen Huang,Tu Qiang Ni. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Shanghai Co L. Дата публикации: 2016-05-16.

Side injection gas nozzle of plasma etching chamber and plasma reactor device

Номер патента: TWI618111B. Автор: 許育銨. Владелец: 台灣美日先進光罩股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-11.

Plasma Etching Apparatus

Номер патента: US20120006490A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Precision Products Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-12.

Plasma Etching Method

Номер патента: US20120052688A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Precision Products Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-03-01.

PLASMA ETCHING METHOD AND APPARATUS THEREOF

Номер патента: US20120052689A1. Автор: Tokashiki Ken. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ETCHING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE

Номер патента: US20120129318A1. Автор: Suzawa Hideomi,OHNUMA Hideto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

PLASMA ETCHING METHOD AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120149206A1. Автор: Sasaki Hikoichiro,UEDA Kosei. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-06-14.

PLASMA ETCHING METHOD AND APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING LIQUID EJECTION HEAD

Номер патента: US20120175061A1. Автор: Takahashi Shuji. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

POLYMER LAYER REMOVAL ON PZT ARRAYS USING A PLASMA ETCH

Номер патента: US20120187076A1. Автор: ANDREWS JOHN R.,Cellura Mark A.,Dolan Bryan R.,Gerner Bradley J.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

PLASMA ETCHING METHOD AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120225502A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-09-06.

GAS DISTRIBUTION SHOWERHEAD FOR INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ETCH REACTOR

Номер патента: US20120309204A1. Автор: Paterson Alex,Kang Michael,Kenworthy Ian J.. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

WAFER DICING USING PULSE TRAIN LASER WITH MULTIPLE-PULSE BURSTS AND PLASMA ETCH

Номер патента: US20120322236A1. Автор: Kumar Ajay,Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Singh Saravjeet,Yalamanchili Madhava Rao. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

MULTI-LAYER MASK FOR SUBSTRATE DICING BY LASER AND PLASMA ETCH

Номер патента: US20120322241A1. Автор: Lei Wei-Sheng,Eaton Brad,Singh Saravjeet,Egan Todd,HOLDEN James M.. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-12-20.

Method and Apparatus for Measuring Process Parameters of a Plasma Etch Process

Номер патента: US20130016344A1. Автор: Kueny Andrew Weeks,Meloni Mark Anthony,Bullock Larry. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-17.

METHODS FOR IN-SITU CHAMBER DRY CLEAN IN PHOTOMASK PLASMA ETCHING PROCESSING CHAMBER

Номер патента: US20130048606A1. Автор: Mao Zhigang,Chen Xiaoyi,Yu Keven,Grimbergen Michael,Chandrahood Madhavi,Sabharwal Amitabh,Kumar Ajay. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.