Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of fabricating a semiconductor package or circuit assembly using a fluxing underfill composition applied to solder contact points in a dip process

Method of fabricating a semiconductor package or circuit assembly using a fluxing underfill composition applied to solder contact points in a dip process

Номер патента: TW200949964A
Опубликовано: 01-12-2009
Автор(ы): Chew B Chan, Geraldine Kelly, Mark Currie, Neil Poole, Qing Ji
Принадлежит: Henkel Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of fabricating a semiconductor package or circuit assembly using a fluxing underfill composition applied to solder contact points in a dip process

Номер патента: EP2260512A2. Автор: Qing Ji,Mark Currie,Neil Poole,Chew B. Chan,Geraldine Kelly. Владелец: Henkel Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Method of fabricating a semiconductor package using a fluxing underfill composition applied to solder balls in a dip process

Номер патента: US20110065242A1. Автор: Qing Ji,Mark Currie,Neil Poole,Chew B. Chan,Geraldine Kelly. Владелец: Henkel Ltd. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of fabricating semiconductor chip package and semiconductor package including the same

Номер патента: KR100836769B1. Автор: 이종호,오민호,윤태성,안은철,윤철중,유철준,김영룡. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-10.

Method of fabricating a substrate-based semiconductor package without mold flash

Номер патента: US20030040143A1. Автор: Chih-Chin Liao,Hsiu-Fang Chien. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Metallic Interconnect, a Method of Manufacturing a Metallic Interconnect, a Semiconductor Arrangement and a Method of Manufacturing a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20190103378A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,Hosseini Khalil,Meyer-Berg Georg,Meyer Thorsten,Pufall Reinhard,RIEDL Edmund,ESCHER-POEPPEL Irmgard,Schmidt Klaus,LODERMEYER Johannes,Schneegans Manfred,Schwarz Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Method of bonding semiconductor chips to a substrate

Номер патента: US5249732A. Автор: Michael E. Thomas. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-10-05.

Package substrates, semiconductor packages having the same, and methods of fabricating the semiconductor packages

Номер патента: US20130288431A1. Автор: Jin-woo Park,Hwan-Sik Lim,Eunchul Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Fabricating a Wafer Level Semiconductor Package Having a Pre-formed Dielectric Layer

Номер патента: US20140087553A1. Автор: Edward Law,Kevin (Kunzhong) HU,Chonghua ZHONG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Fabricating a wafer level semiconductor package having a pre-formed dielectric layer

Номер патента: US8945991B2. Автор: Edward Law,Kevin (Kunzhong) HU,Chonghua ZHONG. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Method of manufacturing a package-on-package type semiconductor package

Номер патента: US09741701B2. Автор: Dong Jin Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Ji Hun Lee,Joon Dong Kim,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20230187432A1. Автор: Dong Jin Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Ji Hun Lee,Joon Dong Kim,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: WO2008057770A3. Автор: Guirit Lynn Simporios,Anang Subagio,Antonio Romarico Santos San,Mary Jean Ramos. Владелец: Unisem Sunnyvale Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US20050006737A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: WO2008057770A9. Автор: Guirit Lynn Simporios,Anang Subagio,Antonio Romarico Santos San,Mary Jean Ramos. Владелец: Unisem Sunnyvale Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Methods of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09786644B2. Автор: Hongbin Shi,Kang Joon LEE,Hojeong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9741668B2. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09530741B2. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09741668B2. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

A method of singulating semiconductor die from a semiconductor wafer

Номер патента: EP2701188A2. Автор: Michael Seddon,William Burghout,Dennis Conner,Jay Yoder. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-02-26.

Method of fabricating a two-sided die in a four-sided leadframe based package

Номер патента: US20100255640A1. Автор: Hem Takiar,Cheemen Yu,Vani Verma. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

METHOD OF BONDING A BUMP OF A SEMICONDUCTOR PACKAGE AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20170025378A1. Автор: YU Bong-Ken. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

Methods of optimizing clamping of a semiconductor element against a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: US11935864B2. Автор: Wei Qin,HUI XU,JeongHo Yang,Ziauddin Ahmad. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

A lead frame, a method of manufacturing the same, and a semiconductor device carrying the lead frame

Номер патента: TWI408789B. Автор: Masao Sakuma,Akihiro Kubota,Tatsuya Meguro,Tomoaki Ishigaki,Norio Ojima,Yoshihito Takamatsu,Emiko Sugimoto. Владелец: Shiima Electronics Inc. Дата публикации: 2013-09-11.

Method of making electrical contact to a semiconductor body

Номер патента: US3406050A. Автор: Samuel R Shortes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170287859A1. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor package including underfill material layer and method of forming the same

Номер патента: US20220344308A1. Автор: Taehun Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor package including underfill material layer and method of forming the same

Номер патента: US11764192B2. Автор: Taehun Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor package including underfill material layer and method of forming the same

Номер патента: US20210151410A1. Автор: Taehun Kim,Jiseok Hong,Jihwan HWANG,Hyuekjae Lee,JiHwan SUH,Soyoun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming an inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR20050009648A. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-25.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor devices in a semiconductor wafer

Номер патента: US09653540B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240136411A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: EP4362068A1. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Roesch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-01.

Transistor device and method of fabricating contacts to a semiconductor substrate

Номер патента: US20240234518A9. Автор: Seung Hwan Lee,Maximilian Rösch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US11908864B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240153953A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240186185A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09997477B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Tsung-Hsien Tsai,Chih-Hsien Chiu,Yude Chu,Hsin-Lung Chung,Heng-Cheng Chu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor package with riveting structure between two rings and method for forming the same

Номер патента: US20230326881A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chien Hung Chen,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor package structure including reinforcement component and method for manufacturing the same

Номер патента: US11798858B2. Автор: Meng-Wei Hsieh,Hsiu-Chi LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of manufacturing semiconductor device having resin sealing body

Номер патента: US6759279B2. Автор: Atsushi Fujisawa,Masahiro Ichitani,Takafumi Konno,Shingo Ohsaka,Ryo Haruta. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-07-06.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: TW200503117A. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Tech Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: HK1087838A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Unisem Mauritius Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-10-20.

Taped lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: AU2003267803A8. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio,Lenny Christina Gultom. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2004-04-19.

Method for fabricating cob type semiconductor package

Номер патента: US6124152A. Автор: Choong Bin Yim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-26.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Semiconductor package shielding structure

Номер патента: US12009313B2. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yuan Tseng,Chia-Feng Hsu,Hung Chen KUO,Ying-Hao WEI,Yuan-Long CHIAO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Fan-out semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09984979B2. Автор: Han Kim,Dae Hyun Park,Kang Heon Hur,Young Gwan Ko,Jung Ho Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor package having routing traces therein

Номер патента: US09564387B2. Автор: Rui Huang,Saravuth Sirinorakul,Antonio Bambalan Dimaano, JR.. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220020654A1. Автор: Chun Chen CHEN,Wei Chih CHO,Shao-Lun YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230238297A1. Автор: Yun hwa CHOI. Владелец: JMJ Korea Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140015148A1. Автор: Ju-hyun Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor package with stress reduction design and method for forming the same

Номер патента: US20220361338A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor package with stress reduction design and method for forming the same

Номер патента: US12035475B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901279B2. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901277B2. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242117A1. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor chip, method of fabricating the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus comprising the semiconductor chip

Номер патента: KR102465968B1. Автор: 김명수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-11-10.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US20230378058A1. Автор: Ting-Chu Ko,Han-Ping Pu,Ming-Kai Liu,Ching-Yu Huang,Yung-Ping Chiang,Yu-Sheng Hsieh,Chang-Wen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US20190131223A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo-Lung Pan,Teng-Yuan Lo,Mao-Yen Chang,Tzung-Hui Lee,Hao-Chun Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20160056079A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20210175222A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20190312021A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Method of Manufacturing a Package-on-Package Type Semiconductor Package

Номер патента: US20170373051A1. Автор: Kim Jin Han,Kim Dong Jin,KIM Joon Dong,LEE Ji Hun,Ko Yeong Beom,Cha Se Woong. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Method of manufacturing a package-on-package type semiconductor package

Номер патента: TWI578490B. Автор: 金東進,金錦漢,茶水旺,李吉弘,金俊東,高永範. Владелец: 艾馬克科技公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Redistribution circuit structures and methods of forming the same

Номер патента: US20190131200A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Sheng-Yu Wu,Ching-Hui Chen,Shang-Yun Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of ion implantation through a photoresist mask

Номер патента: CA1043667A. Автор: San-Mei Ku,Claude Johnson (Jr.),Edward S. Pan,Harold V. Lillja. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190081014A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US20170084520A1. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180182698A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20180240742A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING CANTILEVERED PROTRUSION ON A SEMICONDUCTOR DIE

Номер патента: US20190378788A1. Автор: Seddon Michael J.,Carney Francis J.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-12-12.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: CN1650410A. Автор: S·伊斯兰,R·S·圣安东尼奥. Владелец: Advanced Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US20030203539A1. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US7622332B2. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Unisem (Mauritius) Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-11-24.

Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging

Номер патента: US6812552B2. Автор: Shafidul Islam,Romarico Santos San Antonio. Владелец: Advanced Interconnect Technologies Ltd. Дата публикации: 2004-11-02.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09853010B2. Автор: Jin Ho Lee,Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong Sung Eom,Haksun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating a packaged integrated circuit with through-silicon via an inner substrate

Номер патента: US09728424B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Cha-Jea JO,Ji-Hwang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor packages having residual stress layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160005698A1. Автор: Youngbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

Method of assembling a package of a semiconductor component

Номер патента: FR2556132A1. Автор: Alain Wicker,Yvon Lazennec,Philippe Darbon,Fernand Grivon,Elisabeth Martinez,Jean-Jacques Banquet. Владелец: Ceraver SA. Дата публикации: 1985-06-07.

Method of fabricating semiconductor package and semiconductor package structure including the semiconductor package

Номер патента: US20240266307A1. Автор: Junghyun Roh,Manhee Han,Jaeyoung HONG,Wangsun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09985008B2. Автор: JunHo Lee,Hongbin Shi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20200168477A1. Автор: Jin Kuk Lee,Jae Jin KWON. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180068956A1. Автор: Jaewook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: EP4315414A2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022212492A3. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09502342B2. Автор: Ilho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing an electronic system

Номер патента: US8928140B2. Автор: Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-06.

Method of fabricating a semiconductor package having mold layer with curved corner

Номер патента: US09929131B2. Автор: Hyein YOO,Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09418943B2. Автор: Yeongseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12046526B2. Автор: Jin-woo Park,Jung-Ho Park,Jae Gwon Jang,Gwang Jae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332268A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating semiconductor package having semiconductor element

Номер патента: US09812340B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Fu-Tang HUANG,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20210091011A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US9524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Fabrication method of semiconductor package

Номер патента: US20240213177A1. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US09818699B2. Автор: Bongchan Kim,Young-ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating semiconductor package having an interposer structure

Номер патента: US09548220B2. Автор: Chun-Tang Lin,Yi-Che Lai,Yi-Chian Liao,Kuan-Wei Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09524884B2. Автор: Cheol-soo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12125741B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09589842B2. Автор: Mitsuo Umemoto,Inho Choi,Donghan Kim,Jae Choon Kim,Jikho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor package with embedded die and its methods of fabrication

Номер патента: US09780054B2. Автор: Javier Soto Gonzalez,Nicholas R. Watts,Ravi K Nalla,John S. Guzek. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343613A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor package structures and methods of manufacture

Номер патента: US20230317576A1. Автор: Dennis Lee Conner,Jay A. Yoder,Stephen St. Germain,Frank Robert CERVANTES,Andrew Celaya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12094794B2. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09905550B2. Автор: Sang-uk Han,Un-Byoung Kang,Taeje Cho,Seungwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US09824977B2. Автор: Martin Standing,Andrew Roberts. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12074101B2. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Sheng Chen,Yu-Sheng Lin,Han-Hsiang Huang,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US20240363517A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chien-Sheng Chen,Yu-Sheng Lin,Han-Hsiang Huang,Shu-Shen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of fabricating a wafer level package

Номер патента: US09704790B1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor package and a method of fabricating the same

Номер патента: US20210035913A1. Автор: Jongho Park,Seung Hwan Kim,Sangsoo Kim,Jun Young Oh,Kyong Hwan Koh,Dong-Ju Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12062639B2. Автор: JONGHO LEE,Jaekyung Yoo,Yeongkwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor package including a redistribution substrate and a method of fabricating the same

Номер патента: US20240266268A1. Автор: Sang-Uk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240304464A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20200135673A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor package with coated side walls and method of manufacture

Номер патента: US09437514B2. Автор: Werner Hunziker. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2016-09-06.

A method for fabricating a semiconductor package, and the use of a non-contact upward jetting system in the fabrication of a semiconductor package

Номер патента: WO2015103757A1. Автор: Jinsheng Jiang,Jobs JIANG. Владелец: Henkel (China) Investment Co. Ltd.. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor package having wettable lead flank and method of making the same

Номер патента: US11581195B2. Автор: FENG Ye,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Lei Fukuda,Adrian Chee Heong Koh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-02-14.

Semiconductor package having wettable lead flanks and tie bars and method of making the same

Номер патента: US20230420340A1. Автор: Madhur Bobde,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Xiaoguang Zeng. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Interposer structure for semiconductor package including peripheral metal pad around alignment mark and methods of fabricating same

Номер патента: US20230395521A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor package having wettable lead flank and method of making the same

Номер патента: US20220199425A1. Автор: FENG Ye,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Long-Ching Wang,Lei Fukuda,Adrian Chee Heong Koh. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US11769755B2. Автор: Eunkyul Oh,Taeheon Kim,Seunghun HAN,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11756854B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices

Номер патента: US09984881B2. Автор: Scott T. Sheppard,Alexander V. Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20140117543A1. Автор: Chan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111760A1. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Che Huang,An-Nong Wen,Po-Ming Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor package including cap layer and dam structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11133278B2. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Che Huang,An-Nong Wen,Po-Ming Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Semiconductor package and method of forming the same

Номер патента: US20230048729A1. Автор: Yeongkwon Ko,TeakHoon Lee,Unbyoung Kang,Yoonsung Kim,Soyeon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of forming a bump of a semiconductor element

Номер патента: TW328146B. Автор: Yoshihiro Ishida,Tetsuo Sato. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Method of Forming an Interconnect in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210082752A1. Автор: Lee Pei-Hsuan,CHI Chih-Chien,Liu Yu-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Method of forming solder bumps on a semiconductor wafer

Номер патента: US6426282B1. Автор: Kenny King-Tai Ngan,Dinesh Saigal,Shankarram Athreya,Lisa L. Yang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-07-30.

Method of making multilevel metallized ceramic bodies for semiconductor packages

Номер патента: US3520054A. Автор: Gary Hillman,Harvey M Pensack. Владелец: MITRONICS Inc. Дата публикации: 1970-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220415799A1. Автор: Hsu-Nan FANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966267B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having vertical channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496336B2. Автор: Tae-Young Chung,Yong-Sung Kim,Soo-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040053482A1. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US6815318B2. Автор: Akira Matsumura,Eiji Hasunuma. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Carrier substrate, package, and method of manufacture

Номер патента: US20190103313A1. Автор: Ming-Wa TAM. Владелец: UBOTIC Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device having a passivation layer and method of making the same

Номер патента: US20180166406A1. Автор: Yi-An Lin,C. C. Chang,Yu-Lung Shih,Alan KUO,Chao-Keng Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor structures and a method of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: CA1332341C. Автор: David Martin Cooper,Andrew William Nelson,Simon Cole,Ian Francis Lealman,William John Devlin. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1994-10-11.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298992A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of forming alignment marks in a semiconductor body

Номер патента: DE3563148D1. Автор: Paul Edmand Cade. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-07.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface

Номер патента: US6058945A. Автор: Hideya Kumomi,Yasutomo Fujiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Apparatuses and methods of protecting nickel and nickel containing components with thin films

Номер патента: EP4133120A1. Автор: LEI Zhou,Avgerinos V. Gelatos,Mei Chang,Jennifer Y. Sun,Dien-Yeh Wu,Pingyan Lei,Xiao Ming He,Takashi KURATOMI,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of semiconductor device isolation

Номер патента: US20030064597A1. Автор: Jae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-03.

METHOD OF ISOLATING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED DEVICE OR CIRCUIT OBTAINED

Номер патента: FR2491679A1. Автор: Peter Denis Scovell. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1982-04-09.

Method of fabricating trenches in a semiconductor device

Номер патента: EP0666590B1. Автор: Katsumi C/O Mitsubishi Denki K.K. Nakamura,Tadaharu C/O Mitsubishi Denki K.K. Minato,Shuuichi C/O Fukuryo Semiconductor Tominaga,Katsuomi C/O Mitsubishi Denki K.K. Shiozawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-04-26.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20050199980A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-15.

Method of reducing semiconductor substrate surface unevenness

Номер патента: US11901186B2. Автор: LI ZHANG,Kwang Hong LEE,Keith Cheng Yeow NG,Kenneth Eng Kian Lee,Eugene A. Fitzgerald,Soo Jin Chua,Chuan Seng Tan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of Forming a Trench Using Epitaxial Lateral Overgrowth

Номер патента: US20160308028A1. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US7132729B2. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20200357682A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Comprising First and Second Field Stop Zone Portions

Номер патента: US20190165090A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

High Density Shield Gate Transistor Structure and Method of Making

Номер патента: US20230238440A1. Автор: Lei Zhang,Xiaobin Wang,Sik Lui,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor wafer, method of manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20030102530A1. Автор: Masahiro Inohara,Takeo Nakayama,Masahiko Matsumoto,Kunihiro Kasai,Hisato Oyamatsu,Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor Constructions Comprising Dielectric Material, and Methods of Forming Dielectric Fill Within Openings Extending into Semiconductor Constructions

Номер патента: US20190067084A1. Автор: Sony Varghese,Gurtej S. Sandhu,Scott L. Light,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180157781A1. Автор: PARK Chul-hong,YANG Jae-Seok,KUCHANURI Subhash,RASTOGI Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

METHOD OF SEPARATING SEMICONDUCTOR DIES FROM A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE ASSEMBLY AND SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLY

Номер патента: US20180247872A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Method of Separating Semiconductor Dies from a Semiconductor Substrate, Semiconductor Substrate Assembly and Semiconductor Die Assembly

Номер патента: US20170345716A1. Автор: Brunnbauer Markus,Mariani Franco. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Method of manufacturing an opening of a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device using the same method

Номер патента: KR100763514B1. Автор: 배근희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

A method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate array, and semiconductor die array

Номер патента: DE102016109693A1. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US8962486B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Auxiliary wafer, preparation method of auxiliary wafer, and semiconductor production process

Номер патента: US20210384090A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US10707213B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming opening on semiconductor substrate

Номер патента: US20140106568A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Po-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Apparatus for and method of processing substrate

Номер патента: US09812331B2. Автор: Jinho Choi,Sanghyun Lee,Donghyun Lee,Jaihyung Won,Jinhyoung Kim,Uihyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20120168940A1. Автор: Florian Bieck. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20170243938A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor Wafer and Method of Manufacturing Semiconductor Devices in a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20160329398A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Weber Hans,Jantscher Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Method of planarizing a surface of a semiconductor device and a semiconductor device manufactured according to the same

Номер патента: US20040029375A1. Автор: Chang-ki Hong,Jae-dong Lee,Yong-Pil Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

A method of forming resist patterns in a semiconductor device and a semiconductor washing liquid used in said method

Номер патента: KR100393118B1. Автор: 현만석. Владелец: 현만석. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of manufacturing an integrated capacitor and device obtained by this method

Номер патента: US4481283A. Автор: George Kerr,Yves Meheust. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-11-06.

A method of forming isolation regions of a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: DE102004032703B4. Автор: Jiang Yan,Danny Shum. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-08-22.

Apparatus and method of applying a film to a semiconductor wafer and method of processing a semiconductor wafer

Номер патента: TW201126585A. Автор: Florian Bieck. Владелец: Empire Technology Dev Llc. Дата публикации: 2011-08-01.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of transferring light-emitting diodes

Номер патента: US20170243773A1. Автор: Insun Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20130230979A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20160005624A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHOD OF FORMING A PATTERN IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING A GATE USING THE SAME

Номер патента: US20150017804A1. Автор: Kang Hee-Sung,Ryou Choong-Ryul. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170032074A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059351A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393040A1. Автор: CHEN Chun-Hung,LIAW Jhon Jhy,Hsieh Chih-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Neutral water-based cleaning agent, preparation method of neutral water-based cleaning agent and semiconductor packaging and cleaning method

Номер патента: CN106701343A. Автор: 黄霖,郭艳萍. Владелец: Heming Sci-Tech Co Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2017-05-24.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

METHOD FOR INSULATING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND INTEGRATED DEVICE OR CIRCUIT

Номер патента: FR2491679B1. Автор: Peter Denis Scovell. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1988-03-04.

Method of establishing electrical contact between a semiconductor substrate and a semiconductor device

Номер патента: US6780758B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of manufacturing conductive pattern of a semiconductor device and method of manufacturing flash memory device using the same

Номер патента: KR100483843B1. Автор: 이창엽,권철순,이돈우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method of etching a trench into a semiconductor substrate

Номер патента: US5883012A. Автор: Ping-Chang Lue,Herng-Der Chiou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Semiconductor devices and methods of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US20040135199A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device and method of manufacturing a substrate for a semiconductor device

Номер патента: DE102020131850B4. Автор: Thomas Schröder,Christiane Frank-Rotsch,Martin Zorn,Jos Boschker. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2022-12-22.

Method of selectively etching silicon

Номер патента: US5129981A. Автор: Martin A. Schmidt,Su-Chee S. Wang,Vincent M. McNeil. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1992-07-14.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: KR102339533B1. Автор: 치-훙 시에,춘-훙 첸,존 지 리아우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2021-12-17.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of producing insulation trenches in a semiconductor on insulator substrate

Номер патента: US20130189825A1. Автор: Laurent Grenouillet,Maud Vinet,Yannick Le Tiec. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2013-07-25.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

METHOD OF INTRODUCING LOCAL STRESS IN A SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150044826A1. Автор: Rideau Denis,Morin Pierre,Nier Olivier. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20210050254A1. Автор: CHANG CHIH-WEI,Chou You-Hua,Lin Yu-Hung,Lin Sheng-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

Method of Tuning Work Function for A Semiconductor Device

Номер патента: US20160049301A1. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140193931A1. Автор: Paul Scott Martin,Grigoriy Basin,John Edward Epler. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF ANALYZING A MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Wang Chih-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Apparatus and method of detecting a defect of a semiconductor device

Номер патента: US20140208850A1. Автор: Hyun Kim,Jae-Yong Park,Sang-Jun Kim,Yun-sik Yoo,Tae-Gyeong Chung,Geun-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-31.

METHODS OF FORMING LAYER PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140242800A1. Автор: KIM Tae-Sun,Yoon Kwang-sub,Oh Tae-Hwan,KIM Yu-Ra. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of Patterning a Feature of a Semiconductor Device

Номер патента: US20140273446A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

METHOD OF FORMING GATE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170186853A1. Автор: ZHU Ming,Young Bao-Ru,Chuang Harry Hak-Lay,Chen Chao-Cheng,LIN Hui-Wen,HUANG Yuan-Sheng,CHEN Ryan Chia-Jen,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,HSIEH Ting-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

METHODS OF FORMING SUBLITHOGRAPHIC FEATURES OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176255A1. Автор: Gupta Rajesh N.,Nigam Akash. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD OF FORMING FINE INTERCONNECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

METHOD OF FORMING A TRENCH IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233105A1. Автор: Li Yuzhu. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150243520A1. Автор: Park Jin,KIM Hyun-woo,Koh Cha-won. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD OF IMPROVING THE YIELD OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140357070A1. Автор: XU Ying,Zhou Fei,YU Hongjun. Владелец: SHANGHAI HUALI MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-12-04.

METHODS OF FORMING WIRING STRUCTURES IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160276267A1. Автор: Kim Byung-hee,Matsuda Tsukasa,Lee Nae-In,LEE Jong-Jin,Kim Rak-Hwan,Kim Jin-Nam,Cha Jeong-Ok,Hwang Jung-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD OF EPITAXIAL STRUCTURE FORMATION IN A SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20170271153A1. Автор: Tsai Tsung-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-21.

METHOD OF PATTERNING A FEATURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287635A1. Автор: Lai Chih-Ming,Hsieh Ken-Hsien,Liu Ru-Gun,Shieh Ming-Feng,GAU Tsai-Sheng,HUANG Yen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370713A1. Автор: HA Hyoun-jee. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD OF FORMING A STAIRCASE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE USING A LINEAR ALIGNMNENT CONTROL FEATURE

Номер патента: US20170358594A1. Автор: Alsmeier Johann,YOSHIDA Makoto,Miyata Koji,Lu Zhenyu,YU Jixin,Kinoshita Hiro,Mao Daxin. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Method of planarizing a surface on a semiconductor wafer

Номер патента: US6083838A. Автор: Yaw S. Obeng,Laurence D. Schultz,Randolph H. Burton. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: WO2001084613A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: CA2407300A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate

Номер патента: US5612254A. Автор: Xiao-Chun Mu,Srinivasan Sivaram,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Method of forming conductive lines on a semiconductor wafer

Номер патента: US5994241A. Автор: Maria Ronay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US20060094227A1. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7816259B2. Автор: Bo-Yeoun Jo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2004-12-22.

A method of forming conductive lines on a semiconductor wafer

Номер патента: EP0822592A2. Автор: Maria Ronay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-02-04.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR100347544B1. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: KR100271426B1. Автор: 이희기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100539153B1. Автор: 윤준호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-26.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100444605B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of forming a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568417B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373162B1. Автор: 신동우,전승준,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671605B1. Автор: 임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming conductive pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100672823B1. Автор: 백은경,나규태,서동철,김문준,차용원,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100671663B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624903B1. Автор: 김민수,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100642420B1. Автор: 류혁현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351253B1. Автор: 이기정,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338110B1. Автор: 이기정,주광철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358066B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100380154B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Method of forming a Isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100672155B1. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436291B1. Автор: 조규석,박경욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Forming method of the polycide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100250744B1. Автор: 정성희,김정태. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100418092B1. Автор: 박동수,김정복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-11.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: CN1826210A. Автор: 克莱尔·里什塔尔奇. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-08-30.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624904B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Preventing method of gate oxide damage in a semiconductor device

Номер патента: KR100575613B1. Автор: 허은미. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361205B1. Автор: 신동우,지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100551884B1. Автор: 김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100328450B1. Автор: 유용식,홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-16.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100674901B1. Автор: 이철웅,오영묵,성석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-26.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100583157B1. Автор: 주광철,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335775B1. Автор: 이기정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980005626A. Автор: 신동원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100674715B1. Автор: 이동호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of forming a viahole in a semiconductor device

Номер патента: KR100710183B1. Автор: 정석원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

Method of forming a isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR20060123994A. Автор: 이인노. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100317484B1. Автор: 박형순,윤종윤. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20020096745A. Автор: 김동현,조용태,최봉호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351251B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376266B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

A method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010114049A. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Method of forming metal wire of a semiconductor device

Номер патента: KR0172283B1. Автор: 곽노정,김정태,김춘환. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100335773B1. Автор: 김경민,송한상,박기선,임찬,박창서,김유성. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR20070046383A. Автор: 문정훈. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100356466B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

RECOVERY METROLOGY MARK AND METHOD OF MEASURING RECOVERY ERROR IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2877767A1. Автор: Nigel Peter Smith,Yi Sha Ku,Hsiu Lan Pang. Владелец: Accent Optical Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of manufacturing a inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100577528B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of forming isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100244300B1. Автор: 박진원,김준기. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010113324A. Автор: 홍권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-28.

METHOD OF FORMING AN EVIDENCE IN A SEMICONDUCTOR BODY

Номер патента: FR2489041A1. Автор: Edward George Tefft,Bernard Robert Tuft. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1982-02-26.

Method of manufacturing via hole in a semiconductor device

Номер патента: US8455358B2. Автор: Kohei Miki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-04.

Method of manufacturing a contact of a semiconductor device using cluster apparatus having at least one plasma pretreatment module

Номер патента: US20020064944A1. Автор: Chang-Woong Chu,Kyeong-koo Chi,Seung-pil Chung,Ji-soo Kim,Sang-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-30.

A method of forming trench isolation of a semiconductor device

Номер патента: KR100245561B1. Автор: 윤보언,정인권. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR101158391B1. Автор: 원용식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-06-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100415516B1. Автор: 김경민,김동준,송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-31.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100516991B1. Автор: 조흥재,임관용,안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100436288B1. Автор: 최재성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-16.

Method of manufacturing a junction in a semiconductor device

Номер патента: KR20000056136A. Автор: 이정호,이승철,이상규,여인석,곽노열. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of preparing a surface of a semiconductor wafer to make it epiready

Номер патента: US20050020084A1. Автор: Claire Richtarch. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2005-01-27.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100538634B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-22.

a manufacturing method of a contact structure of a semiconductor device

Номер патента: KR100361572B1. Автор: 남창길. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100351252B1. Автор: 강영석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of forming a capacitor for a semiconductor memory device

Номер патента: US6316307B1. Автор: Kee Jeung Lee,Kwang Chul Joo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Method of bonding a substrate to a semiconductor light emitting device

Номер патента: US10158049B2. Автор: Paul Scott Martin,Grigoriy Basin,John Edward Epler. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2018-12-18.

Method of forming silicide layer on a semiconductor wafer

Номер патента: KR100278227B1. Автор: 한재원. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

method of forming interconnection lines in a semiconductor device

Номер патента: KR100568449B1. Автор: 이효종,박병률,이태훈,손홍성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-07.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: TW200403740A. Автор: Baek-Jae Hak. Владелец: 1St Silicon Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-03-01.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100376268B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-17.

Method of forming fine pattern in a semiconductor device fabricating

Номер патента: KR20080022611A. Автор: 강창진,이동석,민경진,정승필,임석현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-12.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094462A. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of formation of nanocrystals on a semiconductor structure

Номер патента: US6784103B1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh A. Rao,Tushar P. Merchant. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-08-31.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US20100068884A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100482745B1. Автор: 박진원,김태균,여인석,장세억,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of forming metal wirings on a semiconductor substrate by dry etching

Номер патента: GB2304457B. Автор: Kousuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-19.

Method of manufacturing copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6423637B2. Автор: Heon Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-23.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373161B1. Автор: 임찬,박창서. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of forming a gate of a semiconductor device

Номер патента: CN101211770B. Автор: 金守镇. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Method of forming a pattern for a semiconductor device

Номер патента: US20020068447A1. Автор: Hong-bae Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: HK1054465A1. Автор: J Gagliardi John. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-11-28.

Methods of forming an interconnect on a semiconductor substrate

Номер патента: GB9300393D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1993-03-03.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: US6492246B1. Автор: Kyung Wook Park,Gyu Seog Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Method of manufacturing quantum dots in a semiconductor device

Номер патента: EP1858084A3. Автор: Shiro Tsukamoto,Yasuhiko Arakawa,Denis Guimard,Hiroji Ebe,Mitsuru Fujitsu Limited Sugawara. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2010-01-06.

Method of forming a trench in a semiconductor device

Номер патента: US9583605B2. Автор: Yuzhu Li. Владелец: Changzhou Zhongmin Semi-Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020001950A1. Автор: Heon Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100580119B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010027082A. Автор: 조호진. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-04-06.

Method of forming electrical connections for a semiconductor

Номер патента: EP0833381A3. Автор: Katsuya c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Okumura,Shigeki c/o Kabushiki Kaisha Toshiba Sugimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100431085B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of planarizing the surface of a semiconductor device

Номер патента: KR0125763B1. Автор: 데 브루인 렌데르트,마르티누스 프란시스쿠스 게라르두스 반 라아르 호펜 요세푸스. Владелец: 엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄. Дата публикации: 1997-12-26.

Method of reducing leakage current of a semiconductor wafer

Номер патента: US6440818B1. Автор: Cheng-Hui Chung,Yuan-Li Tsai,Kuo-Hua Ho,Kai-Jen Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Simplified method of patterning polysilicon gate in a semiconductor device including an oxime layer as a mask

Номер патента: US6337264B2. Автор: Jayendra D. Bhakta. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-08.

Apparatus and method of forming a layer on a semiconductor substrate

Номер патента: US20060096541A1. Автор: Jin-gi Hong,Young-Wook Park,Jung-Hun Seo,Kyung-Bum Koo,Eun-Taeck Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of modifying a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1489652A3. Автор: David A. Kaisaki,Heather K. Kranz,Thomas P. Klun,Wesley J. Bruxvoort,Scott R. Culler,Kwok-Lun Ho,Robert P. Messner,Richard J. Webb,Julia P. Williams,David A. Kessel. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2009-02-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100580770B1. Автор: 백성학. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-15.

Method of etching a layer of a semiconductor device using an etchant layer

Номер патента: US8153523B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yi-Hsing Chen,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor devices

Номер патента: KR100996160B1. Автор: 신강섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-11-24.

Method of forming metal line in a semiconductor

Номер патента: KR20050056392A. Автор: 김태경,조직호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100373160B1. Автор: 김경민,김민수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method of forming a contact in a semiconductor device

Номер патента: US6905960B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Jong-Myeong Lee,In-sun Park,Jong-Sik Chun,Ju-Cheol Shin,Hong-mi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-14.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: DE112006003206T5. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of forming a gate in a semiconductor device

Номер патента: KR100593146B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method of etching a surface of a semiconductor

Номер патента: GB9217349D0. Автор: . Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-09-30.

Method of making a contact in a semiconductor device

Номер патента: US7678704B2. Автор: Roman Knoefler,Uwe Paul Schroeder,Veit Klee. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-03-16.

Recognition method of a mark provided on a semiconductor device

Номер патента: US20030224540A1. Автор: Akira Takashima,Mitsuhisa Watanabe,Yoshikazu Kumagaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100390938B1. Автор: 송한상,임찬,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-10.

A method of manufacturing a transistor for a semiconductor device

Номер патента: DE4446850C2. Автор: Sang Hoon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010065182A. Автор: 김민수. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-11.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: US20020123189A1. Автор: Tae Kim,Jin Park,Dae Park,Tae Cha,Se Jang,In Yeo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100347543B1. Автор: 서일석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of manufacturing contact studs on a semiconductor structure

Номер патента: JPH0691033B2. Автор: ドナ・リゾーネ・コート,デーヴィッド・スタナソロヴィッチ,ロナルド・アーチャー・ワレン. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-11-14.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100465055B1. Автор: 김형식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-05.

Method of manufacturing a gate in a semiconductor device

Номер патента: US20020001906A1. Автор: Dae Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR20020094461A. Автор: 김경민,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: TWI722415B. Автор: 施信益. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-21.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20090170031A1. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of chemical mechanical polishing in a semiconductor device

Номер патента: KR100723788B1. Автор: 윤일영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100604555B1. Автор: 김동현,조용태,최봉호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-28.

Method of modifying the surface of a semiconductor wafer

Номер патента: EP1281197A1. Автор: John J. Gagliardi. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-02-05.

Method of forming a recess in a semiconductor structure

Номер патента: WO2008116035A1. Автор: Manoj Mehrotra. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: TW202022987A. Автор: 施信益. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of applying a contact to a semiconductor body

Номер патента: FR1224318A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1960-06-23.

Method of forming copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100387256B1. Автор: 김헌도. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-12.

A method of forming an electrode of a semiconductor device

Номер патента: DE3279012D1. Автор: Naoki Yamamoto,Shojiro Sugaki,Masahiko Ogirima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-10-13.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A1. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Method of isolating adjacent components of a semiconductor device

Номер патента: AU2003233867A8. Автор: Anthony Gerard O'Neill. Владелец: Newcastle University of Upon Tyne. Дата публикации: 2003-11-17.

Processing method of silicon substrate and liquid ejection head manufacturing method

Номер патента: US20120028383A1. Автор: Yoshiyuki Fukumoto,Masahiko Kubota,Ryoji Kanri,Akihiko Okano,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of inspecting bonded wafers

Номер патента: US5007071A. Автор: Masami Nakano,Takao Abe. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1991-04-09.

Plasma doping using a solid dopant source

Номер патента: WO2018089104A1. Автор: Siamak Salimian,Qi Gao,Helen L. Maynard. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for creating a die shrink insensitive semiconductor package and component therefor

Номер патента: US20010046763A1. Автор: Belgacem Haba,John Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US8115323B2. Автор: Heui-Seog Kim,Jong-Keun Jeon,Wha-Su Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20080265431A1. Автор: Heui-Seog Kim,Jong-Keun Jeon,Wha-Su Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-30.

Package on active silicon semiconductor packages

Номер патента: US11978727B2. Автор: Sanka Ganesan,Mark Bohr,Debendra Mallik,Robert Sankman,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Package on active silicon semiconductor packages

Номер патента: EP3688801A1. Автор: Sanka Ganesan,Mark Bohr,Debendra Mallik,Robert Sankman,Wilfred Gomes,Doug Ingerly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US20120025377A1. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of designing a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US8269346B2. Автор: Yukihito Oowaki,Shoji Seta,Hideaki Ikuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Method of disposing conductive bumps onto a semiconductor device and semiconductor devices so formed

Номер патента: US20010002044A1. Автор: Chad Cobbley,Michael Ball. Владелец: Ball Michael B.. Дата публикации: 2001-05-31.

Method of manufacturing through holes in a semiconductor device

Номер патента: US6022797A. Автор: Shigeru Takahashi,Shigeo Ogasawara,Noriaki Oka,Tadayasu Miki,Masahito Hiroshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-02-08.

Fabricating a Wafer Level Semiconductor Package Having a Pre-formed Dielectric Layer

Номер патента: US20140087553A1. Автор: LAW Edward,HU Kevin (Kunzhong),Zhong Chonghua. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240203888A1. Автор: Jin Ho An,Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220037255A1. Автор: Jin Ho An,Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: US20230178484A1. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A3. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor chip and method of fabricating the same

Номер патента: EP4191334A2. Автор: Donghwa LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating

Номер патента: US09922711B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device including two-dimensional material, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887303B2. Автор: Jaeho Lee,Seongjun Park,Sangyeob LEE,Eunkyu Lee,Jinseong Heo,Kiyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Light emitting device having transparent electrode and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09825201B2. Автор: Tae Geun Kim,Hee-Dong Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory having both volatile and non-volatile functionality comprising resistive change material and method of operating

Номер патента: US09666275B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Light emitting device having transparent electrode and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09559251B2. Автор: Tae Geun Kim,Hee-Dong Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Flexible display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653652B2. Автор: Dong-Woo Shin,Naoyuki Ito,Youn-Sun Kim,Chang-Woong Chu,Seul-Ong Kim,Jung-Sub Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming resist pattern

Номер патента: US09696625B2. Автор: Tomoyuki Hirano,Takayoshi Mori,Junichi Tsuchiya,Rikita Tsunoda,Tomonari SUNAMICHI. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns

Номер патента: US5700732A. Автор: Mark E. Jost,David J. Hansen,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Semiconductor Memory Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality Comprising Resistive Change Material and Method of Operating

Номер патента: US20230360702A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Method of manufacturing a substrate for a semiconductor package

Номер патента: DE19607323A1. Автор: Jaechul Ryu,Wonsik Seo. Владелец: Samsung Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 1997-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor processing system

Номер патента: US11899368B2. Автор: Ming-Hung Lin,Yu-Kai Chen,Su-Yu Yeh,Chia-Hung Chung,Ko-Bin Kao,Li-Jen Wu,Zhi-You Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180173836A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Method of regenerating printed circuit board strip for semiconductor package having defective printed circuit board unit and method of manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: JP2860651B2. Автор: 榮 旭 許,善 鎬 河,丙 濬 韓. Владелец: ANAMU INDASUTORIARU KK. Дата публикации: 1999-02-24.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of forming nanowire and method of manufacturing semiconductor device comprising the nanowire

Номер патента: US7928017B2. Автор: Jun-Youn Kim,Eun-ju Bae,Joong S. Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A METHOD OF IMPROVING BREAKDOWN VOLTAGE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150014791A1. Автор: Lane William Allan,Coyne Edward John,Ó hAnnaidh Breandán Pol Og,Whiston Seamus P.,McAuliffe Donal P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A FIN

Номер патента: US20180174953A1. Автор: Kim Dong-hyun,PARK Chul-hong,LEE Hae-wang,NAM SEON-AH,NAKAMATSU IKUO,OH YUN-SE,CHOI HO-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES AND A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150130064A1. Автор: Cooney,III Edward C.,McDevitt Thomas L.,Murphy William J.,Anderson Felix P.,BARKYOUMB Steven P.,STRIPPE David C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

Slurry composition, method of polishing an object and method of forming a contact in a semiconductor device using the slurry composition

Номер патента: US20060189152A1. Автор: Kyung-hyun Kim,Yong-Sun Ko,Ki-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-24.

Method of forming a stacked capacitor with striated electrode

Номер патента: US5238862A. Автор: Guy Blalock,Phillip G. Wald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-08-24.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: KR20070028471A. Автор: 에크하드 란거,엘렌프리드 쩨크. Владелец: 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2007-03-12.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: US7311008B2. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

A METHOD OF ANODISING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064592A1. Автор: Wang Xi,CUI Jie. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2016-03-03.

APPARATUS AND METHOD OF GENERATING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210124863A1. Автор: CHANG FENG-MING,Chang Ruey-Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-29.

METHOD OF DESIGNING A LAYOUT FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200201954A1. Автор: Sengupta Rwik,Gerousis Vassilios. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method of Triggering Avalanche Breakdown in a Semiconductor Device

Номер патента: US20160225932A1. Автор: Stecher Matthias,Hell Magnus-Maria,Mayerhofer Michael,Willemen Joost,Meiser Andreas,Glaser Ulrich,Cao Yiqun,Lebon Julien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor

Номер патента: US5529936A. Автор: Michael D. Rostoker. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Method of forming a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101017042B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100624926B1. Автор: 홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100859254B1. Автор: 백계현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR101133523B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-04-05.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100332107B1. Автор: 이정호. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100501595B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100358063B1. Автор: 이상협,박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100824136B1. Автор: 이민용,손권,안병권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-21.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102461621B1. Автор: 토시아키 후쿠하라,켄타 요시다,하루나 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-01.

Lamination device and method of wafer and circuit tape for manufacturing semiconductor package

Номер патента: KR100370847B1. Автор: 이창복,최종근,공우현. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100616211B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100549336B1. Автор: 홍권,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100342821B1. Автор: 홍권,김정태,곽흥식. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-02.

Method of applying an electrode to a semiconductor body

Номер патента: FR1171850A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1959-01-30.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100473734B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-11.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6468874B1. Автор: Yong Sik Yu,Kweon Hong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-22.

Method of forming a capacitor in a semiconductor

Номер патента: KR100312384B1. Автор: 박병준,박창서,김유성. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-03.

A method of manufacturing a flange for a semiconductor device and a flange made by this method

Номер патента: DE102004047659A1. Автор: Stefan Paulus,Jochen Dangelmaier,Volker Dr. Guengerich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-13.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100685637B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of evaluating critical locations on a semiconductor apparatus pattern

Номер патента: US6657735B2. Автор: Tatsuo Akiyama,Tomonobu Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-02.

Method of forming quantum dots in a semiconductor device

Номер патента: GB2332564B. Автор: Jang-yeon Kwon,Ki Bum Kim,Tae Sik Yoon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-05.

Method of forming the wiring of a semiconductor circuit

Номер патента: EP0459772B1. Автор: Shigeyuki Canon Kabushiki Kaisha Matsumoto,Osamu Canon Kabushiki Kaisha Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1996-11-20.

Method of producing dopped areas in a semiconductor element, in particular a solar cell

Номер патента: PL167243B1. Автор: Yakov Safir. Владелец: Yakov Safir. Дата публикации: 1995-08-31.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100685636B1. Автор: 송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor

Номер патента: US7058470B2. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shoji Ikuhara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-06-06.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100600291B1. Автор: 홍정균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010004988A. Автор: 홍정균. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100387262B1. Автор: 하승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100491420B1. Автор: 차재한. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-05-25.

Apparatus and method of forming electromagnetic interference shield layer for semiconductor package

Номер патента: TW201803078A. Автор: 金建熙,洪承珉. Владелец: 普羅科技有限公司. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US7189618B2. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of forming a polycide in a semiconductor device

Номер патента: KR100328703B1. Автор: 박석원. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-20.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100504943B1. Автор: 홍권,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-03.

Method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100988780B1. Автор: 최호영. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-10-20.

A curable resin composition, a resin film, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR20220123540A. Автор: 켄타 야마자키,사토루 무라야마,미사키 타카시마,카즈오미 이노우에. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6759294B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-06.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100338111B1. Автор: 박정현,김공환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-24.

Method of forming ohmic contact to a semiconductor body

Номер патента: US20080230867A1. Автор: Giovanni Richieri. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-09-25.

A photosensitive resin composition, a heterocyclic-containing polymer precursor, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102380474B1. Автор: 아키노리 시부야,타케시 카와바타,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of monitoring and/or controlling a semiconductor manufacturing apparatus and a system therefor

Номер патента: US20030199108A1. Автор: Toshio Masuda,Junichi Tanaka,Hiroyuki Kitsunai,Hideyuki Yamamoto,Akira Kagoshima,Daisuke Shiraishi,Shoji Ikuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100511129B1. Автор: 최재성. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Method of producing electrical connectors for a semiconductor device

Номер патента: DE3566755D1. Автор: Jean-Louis Montanari. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-01-12.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: TW495957B. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

Molded SIP package with reinforced solder columns and method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: TW200812017A. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-03-01.

Method of polishing a substrate having deposited amorphous carbon layer

Номер патента: US20230201992A1. Автор: Jae Hyun Kim,Jong Dai Park,Jisung Lee,Sam-Jong Choi,JuYoung Yun,Heesuk KIM,Goo Hwa LEE,Jaehong YOO,Seonung CHOI,Jae-hwi LEE,Bong Soo AHN. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor packages including interconnectors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941253B1. Автор: Jin Woo Park,Yeon Seung Jung,Joo Wan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Methods of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240162128A1. Автор: Gi Jo Jung. Владелец: LB Semicon Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor chips having through silicon vias and related fabrication methods and semiconductor packages

Номер патента: US09698051B2. Автор: Gil-heyun Choi,Hyun-Soo Chung,Son-Kwan Hwang,Jin-Ho Chun,Byung-Iyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240234375A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Tzuan-Horng LIU,Tsung-Yuan Yu,Cheng-chieh Hsieh,Tsung-Hsien Chiang,Ming-Hung Tseng,Tzu-Sung Huang,Hui-Chun Chiang,Kris Lipu Chuang,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266188A1. Автор: Kiseok Kim,Jihye SHIM,Okseon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor package, package-on-package device, and method of fabricating the same

Номер патента: US20200111738A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyung Suk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A3. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: Chih Chiang Tung. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of semiconductor package singulation

Номер патента: WO2007103036A2. Автор: Hem Takiar,Chin-Tien Chiu,Chih Chiang Tung. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2007-09-13.

Composition for semiconductor processing and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110421B2. Автор: Han Teo PARK,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09899308B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09607939B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Yi-Che Lai,Mao-Hua Yeh,Wen-Tsung Tseng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Pre-package and methods of manufacturing semiconductor package and electronic device using the same

Номер патента: US09761477B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating a semiconductor integrated circuit using a directed self-assembly block copolymer

Номер патента: US09640397B2. Автор: Tien-I Bao,Chieh-Han Wu,Chung-Ju Lee,Tsung-Yu Chen,Shinn-Sheng Yu,Jeng-Horng Chen,Yu-Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Pre-package and methods of manufacturing semiconductor package and electronic device using the same

Номер патента: US09478514B2. Автор: Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Gun-ho Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: US20140170801A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device fabrication using a multiple exposure and block mask approach to reduce design rule violations

Номер патента: EP2499660A2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130280882A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583705B2. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US09508551B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jeehoon HAN,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20070210330A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12002786B2. Автор: Young Lyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230081723A1. Автор: Yong Hyun Kim,Ju Hyung Lee,Min Jae Lee,Sun Chul Kim,Dong Uk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210082783A1. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12136581B2. Автор: Youngho Kim,Hwanpil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240213199A1. Автор: Yongjae Kim,Sungwoo Park,Seung-Kwan Ryu,Heonwoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222251A1. Автор: Jiyoung LEE,Junhyeong PARK,Jihye SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor package with terminals adjacent sides and corners

Номер патента: US09542978B2. Автор: Jong-Won Lee,Jang-Mee Seo,In-won O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115281A1. Автор: Jin-woo Park,Dongho Kim,Ji Hwang Kim,JongBo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of manufacturing a semiconductor package and wire bonding apparatus for performing the same

Номер патента: US09484323B2. Автор: Seok-Won JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor package having stacked chips and a heat dissipation part and method of fabricating the same

Номер патента: US09875992B2. Автор: Chajea JO,Junyeong HEO,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor assemblies using edge stacking and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240222325A1. Автор: Thomas H. Kinsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method of attaching solder ball and method of fabricating semiconductor package including solder ball

Номер патента: US09364914B2. Автор: Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee,Jaegwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

Inspection method, inspection system, and method of fabricating semiconductor package using the same

Номер патента: US20180101940A1. Автор: Younghoon Sohn,Yusin Yang,Ilsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US09720013B2. Автор: Yi-Che Lai,Pin-Cheng Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240145417A1. Автор: Myoungchul Eum,Hyeongwoo JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor package apparatus

Номер патента: US20090032916A1. Автор: Sang-Wook Park,Dong-Kil Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor packages and fabrication method thereof

Номер патента: US09905535B2. Автор: In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210351122A1. Автор: Bong-Soo Kim,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: EP2932802A1. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Method of fabricating schottky barrier diode

Номер патента: US20090029518A1. Автор: Tadaaki Souma. Владелец: Toko Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of fabricating semiconductor light emitting device

Номер патента: US20170077346A1. Автор: Sang Jun Lee,Seung Hyun Kim,Sang Heon Han,Dong Yul Lee,Suk Ho Yoon,Jang Mi KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of fabricating back-illuminated imaging sensors

Номер патента: US20100032783A1. Автор: Pradyumna Kumar Swain,Mahalingam Bhaskaran,Peter Alan Pal Levine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of fabricating a photovoltaic module, and related system

Номер патента: US09490386B2. Автор: Bastiaan Arie Korevaar,Jinbo Cao,Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol,Adam Fraser HALVERSON,Douglas Garth Jensen. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12033895B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shih-Chiang Chen,Hsiu-Hao Tsao,Tze-Chung Lin,Chung-Shu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor light emitting element, driving method of semiconductor light emitting element, light emitting device, and optical pulse tester using light emitting device

Номер патента: US20120044481A1. Автор: Hiroshi Mori,Yasuaki Nagashima,Shintaro MORIMOTO. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of manufacturing micro-channel tubular solid oxide fuel cell using multi-pass extrusion process

Номер патента: WO2008093995A1. Автор: Jong-Hee Kim,Byong-Teak Lee,Ho-Yeon Song. Владелец: SOONCHUNHYANG UNIVERSITY INDUSTRY ACADEMY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2008-08-07.

Nonaqueous electrolyte secondary battery, method of manufacturing the same, and nonaqueous electrolytic solution

Номер патента: US09960448B2. Автор: Hiroyuki Yamaguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of inspecting output of fuel cell

Номер патента: US20190103620A1. Автор: Takashi Kato,Hodaka Tsuge,Tadaaki Yamada,Ayumi Mizuno,You Shimomura. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US11862748B2. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Electrical energy storage device and a method of preparing the same

Номер патента: US20200328477A1. Автор: Chunyi Zhi,Hongfei Li,Zijie Tang,Zhuoxin Liu. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of synthesizing porous composite including single atom metal catalysts and nitrogen atoms in hierarchical carbon material from carbon dioxide containing gas

Номер патента: US20230055011A1. Автор: Jae W Lee,Jeong Woo YANG,Hodong KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20240113246A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods of sperm cell sensing utilizing a semiconductor detector and cytometer apparatus

Номер патента: US20230178678A1. Автор: ZHENG Xia,Frederick SAVAGE,Glenn J. Szejna. Владелец: ABS Global Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of space radar scanning (versions)

Номер патента: RU2638550C1. Автор: Евгений Александрович Нестеров,Борис Григорьевич Беляев,Владимир Прокопьевич Сырский,Павел Васильевич Заболотный,Татьяна Борисовна Филатова. Владелец: Акционерное общество "НИИ измерительных приборов - Новосибирский завод имени Коминтерна" /АО "НПО НИИИП-НЗиК"/. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of using data binning in the analysis of chromatography/spectrometry data

Номер патента: US20050127287A1. Автор: Robert Plumb,Chris Stumpf,Marc Gorenstein. Владелец: Waters Investments Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Manufacturing method of heat exchanger

Номер патента: WO2024003168A1. Автор: Akihiko Takano,Naoto Hayashi. Владелец: VALEO SYSTEMES THERMIQUES. Дата публикации: 2024-01-04.

Manufacturing method of test socket and test method for semiconductor package

Номер патента: US20170118846A1. Автор: Daisuke Yamada,Jae-Ho Song,Young-gi Min,Doug-uhn SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Methods of performing a dispatched medical logistics operation related to a diagnosis kit for treating a patient and using a modular autonomous bot apparatus assembly and a dispatch server

Номер патента: US12008853B2. Автор: Ole-Petter Skaaksrud,Daniel Gates,Frank Mayfield. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of fabrication of high-density laser diode stacks

Номер патента: EP2786459A1. Автор: Edward F. Stephens, Iv,Frank L. Struemph,Jeremy Scott Junghans. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Heterojunction semiconductor substrate with excellent dielectric properties, method of manufacturing the same and electronic device using the same

Номер патента: US20240180041A1. Автор: Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Ji-Soo Jang,Soo Young Jung,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Hyun-Cheol SONG,Sunghoon Hur. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of detecting, estimating parameters and suppressing imitation interference and navigation receiver with device for detecting, estimating parameters and suppressing interference

Номер патента: RU2737948C1. Автор: Александр Ефимович Фридман. Владелец: Александр Ефимович Фридман. Дата публикации: 2020-12-07.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

System and method of controlling several electromechanical drives

Номер патента: RU2739380C2. Автор: Джимми М. КИАМБАО,Джеффри Чарльз КОФФМАН,Джеймс Л. ПЕК ДЖР.. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-12-23.

Manufacturing method of an integrated chip

Номер патента: US20040197985A1. Автор: Fu-Tai Liou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Fabrication of conductive micro traces using a deform and selective removal process

Номер патента: WO2007136734B1. Автор: Rajiv Pethe,Neil Bergstrom,Scott C-J Tseng,Michael A Kast,Julius Kozak. Владелец: Julius Kozak. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of controlling traveling of electric vehicle

Номер патента: US20210387529A1. Автор: Ji Won Oh,Jeong Soo Eo. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of distance protection of parallel transmission line

Номер патента: US09461458B2. Автор: Przemyslaw Balcerek,Murari Saha,Eugeniusz Rosolowski,Jan Izykowski,Piotr Pierz. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of controlling a camera

Номер патента: US12038284B2. Автор: Lars Andersson,Jose Araujo,Ioannis KARAGIANNIS,Diego GONZALEZ MORIN,Amirhossein TAHER KOUHESTANI,Ananya MUDDUKRISHNA. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-07-16.

A voltage booster circuit for a semiconductor memory device and a method of boosting a voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006059817A1. Автор: Young-Sun Min,Jong-Hyun Suwon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Digital device and method of controlling therefor

Номер патента: US09756251B2. Автор: Seungjun LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of and apparatus for distributing software objects

Номер патента: US09612813B2. Автор: David Robin Tomlinson. Владелец: Deslock Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

MANUFACTURING METHOD OF TEST SOCKET AND TEST METHOD FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20170118846A1. Автор: Yamada Daisuke,SONG Jae-Ho,Min Young-gi,SHIN Doug-uhn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-27.

Encoder, decoder and corresponding methods of most probable mode list construction for blocks with multi-hypothesis prediction

Номер патента: US20240056596A1. Автор: Jianle Chen,Biao Wang,Semih Esenlik,Anand Meher Kotra,Han GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Encoder, decoder and corresponding methods of most probable mode list construction for blocks with multi-hypothesis prediction

Номер патента: US11876997B2. Автор: Jianle Chen,Biao Wang,Semih Esenlik,Anand Meher Kotra,Han GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of driving liquid crystal display element and liquid crystal display element driving device

Номер патента: US20130076608A1. Автор: Mitsuhiro Shigeta,Toshihisa Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Encoder, decoder and corresponding methods of most probable mode list construction for blocks with multi-hypothesis prediction

Номер патента: AU2023254981A1. Автор: Jianle Chen,Biao Wang,Semih Esenlik,Anand Meher Kotra,Han GAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing conductive lines of a semiconductor memory device

Номер патента: KR101056883B1. Автор: 우원식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-12.

Protection method of dynamically adjusting charging current

Номер патента: US20060108985A1. Автор: Jia-Shiung Kuo. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Apparatus and method of generating bit stream for information recording disc storage which enables seamless reproduction of a plurality of pieces of image information, and recording medium on which program applied to the generating apparatus is recorded

Номер патента: EP0877377A1. Автор: Tomoyuki Okada,Kazuhiko Yamauchi,Masayuki Kozuka,Yasushi Uesaka,Kaoru-Room 105 Prejirukurihara MURASE. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-11.

Delivery of an electronic message using a machine learning policy

Номер патента: US20240223572A1. Автор: Daniel Joseph POTKALESKY,Mark Stephen Demichele. Владелец: ZixCorp Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of power supply of traction network

Номер патента: RU2651382C2. Автор: Юрий Леонидович Беньяш. Владелец: Юрий Леонидович Беньяш. Дата публикации: 2018-04-19.

Method of transmitting auxiliary carrier pairing information, node b and system for implementing transmission

Номер патента: RU2510600C2. Автор: Сян ЧЭН,Мэйфан ХЭ,Лижун ШИ,Ли ЯН,Йинчуань ЦУЙ. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2014-03-27.

Mobile devices, network nodes and methods of operating the same

Номер патента: US11882494B2. Автор: Gunnar Mildh,Oumer Teyeb,Magnus Stattin,Mattias Bergström. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of writing information in ROM of a radio pager

Номер патента: US6057780A. Автор: Tomio Nagakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Radio pager and method of writing information in rom of the radio pager

Номер патента: CA2061139C. Автор: Tomio Nagakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-11-12.

A method of initiating a call feature request

Номер патента: CA2276845A1. Автор: Kenneth C. Glossbrenner. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 2000-01-07.

Delivery of an electronic message using a machine learning policy

Номер патента: US11930018B2. Автор: Daniel Joseph POTKALESKY,Mark Stephen Demichele. Владелец: ZixCorp Systems Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of initiating a call feature request

Номер патента: US20030068017A1. Автор: Kenneth Glossbrenner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Digital device and method of controlling therefor

Номер патента: EP3238170A1. Автор: Seungjun LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-11-01.

Transmission power managing method of heterogeneous network system

Номер патента: US10004045B2. Автор: Hyung Sub Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-06-19.

Digital device and method of controlling therefor

Номер патента: US20160191803A1. Автор: Seungjun LEE. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-06-30.

Pellicle membrane and method of forming the same

Номер патента: US20230408904A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Huan-Ling Lee,Wei-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Transmission power managing method of heterogeneous network system

Номер патента: US20160219530A1. Автор: Hyung Sub Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-07-28.

METHODS OF PERFORMING A DISPATCHED MEDICAL LOGISTICS OPERATION RELATED TO A DIAGNOSIS KIT FOR TREATING A PATIENT AND USING A MODULAR AUTONOMOUS BOT APPARATUS ASSEMBLY AND A DISPATCH SERVER

Номер патента: US20220297286A1. Автор: SKAAKSRUD Ole-Petter,Gates Daniel,Mayfield Frank. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Methods of Performing a Dispatched Medical Logistics Operation Related to a Diagnosis Kit for Treating a Patient and Using a Modular Autonomous Bot Apparatus Assembly and a Dispatch Server

Номер патента: US20190287059A1. Автор: Ole-Petter Skaaksrud,Daniel Gates,Frank Mayfield. Владелец: FedEx Corporate Services Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Industrial furnace operation method - uses a voltage inadmissible for continuous operation which is intermittently applied to the furnace

Номер патента: DE2402285A1. Автор: Hans Georg Domres,Ferdinand Kieffer,Georg Metzger. Владелец: BBC Brown Boveri France SA. Дата публикации: 1975-07-24.

Methods of using and fabricating a supporting substrate for the deposition, automated recognition, and spectroscopic identification of particles

Номер патента: US7016034B2. Автор: Markus Lankers,Oliver Valet,Lothar Holz. Владелец: rap ID Particle Systems GmbH. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of establishing communication for sub-ice submarine missions between a sub-ice vessel and a terrestrial facility using a laser-powered ice-penetrating communications delivery vehicle

Номер патента: US10780961B2. Автор: William C. Stone,John Harman. Владелец: Stone Aerospace Inc. Дата публикации: 2020-09-22.

Method of dividing and transferring the semi-solid type food in pet food cans into equal portions without using a knife or other kitchen tools

Номер патента: US20240083631A1. Автор: Anka Rao Chatragadda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-14.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Control method of the functioning mode of a hybrid drive assembly for vehicles and a hybrid drive assembly using said method

Номер патента: CA2655119C. Автор: Alessandro Caleo,Paolo Capozzella,Luca Carmignani,Maurizio Marcacci. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2014-09-23.

Method of Establishing Communication for Sub-Ice Submarine Missions between a Sub-Ice Vessel and a Terrestrial Facility using a Laser-Powered Ice-Penetrating Communications Delivery Vehicle

Номер патента: US20200140046A1. Автор: William C. Stone,John Harman. Владелец: Stone Aerospace Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of making ceramic base with thin-film microstrip elements

Номер патента: RU2732485C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (АО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of fabricating a semiconductor IC DRAM device enjoying enhanced focus margin

Номер патента: US5670409A. Автор: Atsuyoshi Koike,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Otori,Fumiyuki Kanai,Kazuhiko Kajigaya,Masaharu Kubo. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-09-23.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Reflective exposure mask, method of manufacturing reflective exposure mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110117479A1. Автор: Takashi Kamo,Osamu Suga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of constructing walls and wall partitions

Номер патента: RU2678340C1. Автор: Петр Алексеевич Ефимов,Алексей Владимирович Гагулаев,Сергей Николаевич Полещиков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью фирма "ВЕФТ". Дата публикации: 2019-01-28.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of modification of polyester fabrics

Номер патента: RU2666098C1. Автор: Екатерина Петровна Лаврентьева,Елена Владимировна Сильченко,Вадим Александрович Баранов,Арюхан Васильевна Цыбикдоржиева,Евгения Аркадьевна Захарова,Людмила Сергеевна Ковальчук,Людмила Константиновна Акулова,Нина Валентиновна Бадьина,Алексей Валентинович Назаров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Чайковская текстильная компания" (ООО "Чайковская текстильная компания"). Дата публикации: 2018-09-05.

Method of sealing sewage of water conducting hydrotechnical constructions

Номер патента: RU2644885C1. Автор: Олег Андреевич Баев. Владелец: Олег Андреевич Баев. Дата публикации: 2018-02-14.

Method of adjustment of wheels of regulated axle of railway rolling stock and its recovery

Номер патента: RU2725019C2. Автор: Роберто ТИОНЕ. Владелец: ФАИВЕЛЕЙ ТРАНСПОРТ ИТАЛИЯ С.п.А.. Дата публикации: 2020-06-29.

Method of Achieving Dense-Pitch Interconnect Patterning in Integrated Circuits

Номер патента: US20090101983A1. Автор: James Walter Blatchford,Steven Lee Prins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Fabrication method of conductive fabric, multi-pressure sensor for fiber type and measuring method of multi-pressure

Номер патента: US20210156752A1. Автор: Seong Jin Jang,Jae Hoon Ko,Jee Young Lim,Seung Ju LIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of gaming, a game controller and a gaming system

Номер патента: US09704333B2. Автор: Sek Hwan Joung. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of obtaining boride coatings of increased thickness

Номер патента: RU2710820C1. Автор: Алексей Владимирович Ишков,Виктор Васильевич Иванайский,Николай Тихонович Кривочуров,Вячеслав Федорович Аулов,Юрий Николаевич Рожков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-01-14.

Ceramic composition and method of making the composition

Номер патента: CA3056456A1. Автор: Tab Hunter Crooks,MaryAnn S. Muench. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-03-26.

Ceramic composition and method of making the composition

Номер патента: US20200095172A1. Автор: Tab Hunter Crooks,MaryAnn S. Muench. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-03-26.

Ceramic composition and method of making the composition

Номер патента: CA3056456C. Автор: Tab Hunter Crooks,MaryAnn S. Muench. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-08-22.

Versions of adenoassociated virus capsids and methods of use thereof

Номер патента: RU2725286C2. Автор: Мелисса КОТТЕРМАН,Дэвид Шаффер,Дэвид Х. КЕРН. Владелец: 4Д Молекьюлар Терапьютикс Инк.. Дата публикации: 2020-06-30.

Method of producing weld joint

Номер патента: CA2915026A1. Автор: Tatsuya Kumagai,Shuichi Nakamura. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Mask inspection of a semiconductor specimen

Номер патента: US20210073963A1. Автор: Boaz Cohen,Ariel SHKALIM,Vladimir OVECHKIN,Evgeny BAL,Ronen MADMON,Ori Petel,Alexander CHERESHNYA,Oren Shmuel COHEN. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of fabricating capacitor of a semiconductor device

Номер патента: KR100535093B1. Автор: 이상익,신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-07.

Device with a sensitive element and a method of monitoring the vital activity of a subject

Номер патента: RU2692213C2. Автор: Харальд ГРАЙНЕР,Томас Герхард ЭММРИХ,Хайнц Отто КУРЦЕНБЕРГЕР,Бернд Гюнтер Вернер ВИЛМ,Стефан ЦИММЕРМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2019-06-21.

Method of measuring brightness temperature of an object

Номер патента: RU2718701C1. Автор: Вячеслав Петрович Ходунков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологии им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2020-04-14.

Method of inputting printed data for sealing a sealed object using a printer and a printer for realizing said method

Номер патента: RU2694915C1. Автор: Альбрехт ШИРХОЛЬЦ,Петер ИЗААК. Владелец: ФЕНИКС КОНТАКТ ГМБХ УНД КО. КГ. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of culturing stem cells

Номер патента: RU2732238C2. Автор: Алексей ГЛАДКОВ. Владелец: Кинтароселлспауэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-09-14.

Method of extracting organic solvents from fermentation media

Номер патента: RU2405831C2. Автор: Евгений Рубенович Давидов,Петр Сергеевич Каныгин,Олег Анатольевич Фракин,Игорь Владимирович Черемнов. Владелец: ДЭВОН ИНВЕСТМЕНТ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2010-12-10.

METHOD OF PRODUCING β-CYCLODEXTRIN

Номер патента: RU2556117C2. Автор: Николай Григорьевич Гулюк,Татьяна Сергеевна Пучкова,Дания Мустафиевна Пихало,Евгения Николаевна Гулюк,Юрий Игоревич Комаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт крахмалопродуктов" (ФГБНУ ВНИИК). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and design system performing same

Номер патента: EP4220471A1. Автор: Jonghyeok Kim,Myungjin Choi,Yoongi Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of applying hot-melt compositions

Номер патента: RU2719317C1. Автор: Кирилл Николаевич Витущенко,Николай Лазаревич Быченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационная компания "ЯЛОС". Дата публикации: 2020-04-17.

Method of payment operation (options)

Номер патента: RU2656579C1. Автор: Максим Витальевич Бекенёв. Владелец: Максим Витальевич Бекенёв. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of synthesis of methanol

Номер патента: RU2189968C1. Автор: В.П. Бершанский,В.В. Ан. Владелец: Открытое акционерное общество "Акрон". Дата публикации: 2002-09-27.

Method of teaching hearing impaired children to play badminton

Номер патента: RU2639575C1. Автор: Масуд Таштариан. Владелец: Масуд Таштариан. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of forming articles from polymer materials

Номер патента: RU2719838C1. Автор: Анатолий Казимирович Хмельницкий,Вячеслав Иванович Самсонов,Олег Федорович Просовский,Андрей Николаевич Силкин,Дмитрий Николаевич Петрачков. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина" (АО "ОНПП "Технология" им. А.Г. Ромашина"). Дата публикации: 2020-04-23.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatus and method of generating context-customized digital twin

Номер патента: US20230297735A1. Автор: Hyunjin Kim,Ji Eun Kim,Mi Suk Lee,Woo-Sug Jung,Ki-Sook Chung,Seung Il MYUNG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of and scanning probe microscopy system for measuring a topography of a side wall of a structure on a surface of a substrate

Номер патента: WO2024005635A1. Автор: Jakob van de Laar,Hamed Sadeghian Marnani,Arseniy KALININ,Niranjan SAIKUMAR. Владелец: Nearfield Instruments B.V.. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of and scanning probe microscopy system for measuring a topography of a side wall of a structure on a surface of a substrate

Номер патента: NL2032315B1. Автор: Sadeghian Marnani Hamed,Van De Laar Jakob,Kalinin Arseniy,Saikumar Niranjan. Владелец: Nearfield Instr B V. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods of constraining performance of a mobile device using an application processor, and related mobile devices

Номер патента: US20180299941A1. Автор: Ki-Soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-18.

Method and apparatus for processing of audio using a neural network

Номер патента: EP4229627A1. Автор: Grant A. Davidson,Cong Zhou,Mark S. Vinton,Roy M. FEJGIN. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of improving readability in optical drives

Номер патента: US20060013084A1. Автор: Nathan Moczygemba. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2006-01-19.

Control method of work vehicle, work vehicle control program, work vehicle control system, and work system

Номер патента: EP4446200A1. Автор: Masafumi Saito,Keisuke Iwamura. Владелец: Yanmar Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

A method of operating an hvac system

Номер патента: US20240353140A1. Автор: Stefan Mischler,Ronald AEBERHARD,Volkher SCHOLZ. Владелец: Belimo Holding AG. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Method of fabricating array substrate for in-plane switching liquid crystal display device

Номер патента: US20070146605A1. Автор: Byoung-Ho Lim,Sang-Wook Park. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Defect examination on a semiconductor specimen

Номер патента: US11961221B2. Автор: Dror Shemesh,Miriam BROOK. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Layout design method for a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7979830B2. Автор: Mitsuyuki Katsuzawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of industrial production and packaging of spun sugar

Номер патента: AU2022361782A1. Автор: Ashish KOMALKUMAR NIMJE. Владелец: Ricoira Foods Pvt Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Systems and methods of improved electronic messaging

Номер патента: WO2018089200A1. Автор: Peter GROARKE,Ahmed Hosny. Владелец: MasterCard International Incorporated. Дата публикации: 2018-05-17.

A method of reading data represented by a periodic, polarising nanostructure

Номер патента: EP2946175A1. Автор: Robert Thomson,Nicholas John Weston,John DARDIS,James Reynolds Henshaw,Matthew Donald KIDD,Marcus Ardron. Владелец: RENISHAW PLC. Дата публикации: 2015-11-25.

Methods of treating cancers and enhancing efficacy of gprc5dxcd3 bispecific antibodies

Номер патента: CA3237352A1. Автор: Raluca Verona,Jenna GOLDBERG,Shun xin Wang LIN,Brendan WEISS,Thomas J. PRIOR. Владелец: Janssen Biotech Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Exercise gel ball and method of use

Номер патента: US20040193081A1. Автор: Peter Sils. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

User authentication using a browser cookie shared between a browser and an application

Номер патента: WO2017189917A1. Автор: Poornima VENKATAKRISHNAN,Teddy Vincent Toms,Jeffrey Edward HARRELL. Владелец: PayPal, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Methods of treating cancers and enhancing efficacy of gprc5dxcd3 bispecific antibodies

Номер патента: US20230295292A1. Автор: Raluca Verona,Jenna GOLDBERG,Shun xin Wang LIN,Brendan WEISS,Thomas J. PRIOR. Владелец: Janssen Biotech Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Exercise gel ball and method of use

Номер патента: WO2004087032A2. Автор: Peter Sils. Владелец: Peter Sils. Дата публикации: 2004-10-14.

User authentication using a browser cookie shared between a browser and an application

Номер патента: US12051056B2. Автор: Poornima VENKATAKRISHNAN,Teddy Vincent Toms,Jeffrey Edward HARRELL. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of sealing the orifice of a metal tube

Номер патента: US20010047676A1. Автор: Hung-En Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Computer-Implemented Method of Synaptic Consolidation and Experience Replay in a Dual Memory Architecture

Номер патента: US20230281451A1. Автор: Elahe Arani,Bahram Zonooz,Fahad Sarfraz. Владелец: Navinfo Europe BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of treating cancers and enhancing efficacy of gprc5dxcd3 bispecific antibodies

Номер патента: EP4426436A1. Автор: Raluca Verona,Jenna GOLDBERG,Shun xin Wang LIN,Brendan WEISS,Thomas J. PRIOR. Владелец: Janssen Biotech Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of performing targerted content

Номер патента: GB201209105D0. Автор: . Владелец: INTELLEX SYSTEMS Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Method of condensing of vapor-gas mixture from industrial apparatus of vacuum distillation of oil products

Номер патента: RU2678329C2. Автор: Рустем Руждиевич Везиров,Исмагил Рустемович Везиров. Владелец: Исмагил Рустемович Везиров. Дата публикации: 2019-01-28.

Improvements in methods of and apparatus for welding

Номер патента: GB669890A. Автор: Vladimir Peters. Владелец: Lincoln Electric Co Ltd. Дата публикации: 1952-04-09.

Financial transactions using a communication device

Номер патента: WO2007109559A3. Автор: Howard J Gerson. Владелец: Phone1 Inc. Дата публикации: 2007-12-21.

System and method of detainee pull and restraint

Номер патента: US20230349200A1. Автор: Ramon Rivera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of producing sugar solution including washing with aqueous alkaline and inorganic salt solutions

Номер патента: US09909158B2. Автор: Hiroyuki Kurihara,Chiaki Yamada,Katsushige Yamada. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of controlling soil pests

Номер патента: RU2636978C2. Автор: Мирием Эль-Касеми,Жером Ив Кассайре,Бенедикт КУРТЦ. Владелец: Зингента Партисипейшнс Аг. Дата публикации: 2017-11-29.

Method of manufacturing rubber cord hose type shells and device for its implementation

Номер патента: RU2660591C1. Автор: Александр Олегович Звонов,Александр Викторович Зубарев,Максим Андреевич Филатов,Сергей Владимирович Ситин. Владелец: федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный научно-производственный центр "Прогресс" (ФГУП "ФНПЦ "Прогресс"). Дата публикации: 2018-07-06.

Plastic film instrument cluster overlays and method of making

Номер патента: US20040157008A1. Автор: John Andersen,Johnny Cooper. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method of Diffusion Bonding Sheets together

Номер патента: GB1157893A. Автор: . Владелец: Hexcel Corp. Дата публикации: 1969-07-09.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

Systems and methods of translating routing constraints to a map

Номер патента: WO2021242416A1. Автор: Patrick Niklaus,Brett BAVAR. Владелец: rideOS, Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Systems and methods of wave generation for transcutaneous vibration

Номер патента: US20200215296A1. Автор: David Mayer Lowell RABIN,Raymond G. Pelletier,Kathryn FANTAUZZI. Владелец: Apollo Neuroscience Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Systems and methods of wave generation for transcutaneous vibration

Номер патента: EP3906081A1. Автор: David Mayer Lowell RABIN,Raymond G. Pelletier,Kathryn FANTAUZZI. Владелец: Apollo Neuroscience Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

Measurement deviation analysis for a semiconductor specimen

Номер патента: US20240219313A1. Автор: Elazar Lars GERLAND. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

METHOD OF SIMULATION AND DESIGN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Li Zhanming. Владелец: Crosslight Software Inc.. Дата публикации: 2014-01-16.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD OF MONITORING ENVIRONMENTAL VARIATIONS IN A SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20150192924A1. Автор: LEE Soon-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

Method of repairing a mask in a semiconductor device

Номер патента: KR100361514B1. Автор: 임문기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

Polymer for an anti-reflective coating composition for an anti-reflective coating and method of forming a pattern in a semiconductor device using the composition

Номер патента: KR101585992B1. Автор: 김영호,박지만,최재희,윤효진,김부득,류진아. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-19.

Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device

Номер патента: US7961160B2. Автор: Hajime Kimura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

A photosensitive resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102420765B1. Автор: 켄타 요시다,유 이와이. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-14.

A resin composition, a cured film, a laminated body, the manufacturing method of a cured film, and a semiconductor device

Номер патента: KR102441260B1. Автор: 유 이와이,미치히로 오가와. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of increasing seafood production in the barren ocean

Номер патента: CA2273337C. Автор: Michael Markels Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-11.

High speed simulation method of an oxidation process in a semiconductor device

Номер патента: EP1071127A2. Автор: Yutaka Akiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-24.

Method of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: GB9515148D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-20.

Display device, a driving method of a display device, and a semiconductor integrated circuit incorporated in a display device

Номер патента: US20050024303A1. Автор: Hajime Kimura,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of processing selected surfaces in a semiconductor process chamber based on a temperature differential between surfaces

Номер патента: US6395099B1. Автор: James Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Method of joining glass bodies together to form a nominal break point involves melting the facing surfaces of the glass surfaces to be pressed together with corundum particles applied to one of the surfaces before fusion

Номер патента: DE102004009996A1. Автор: Rudolf Gantenbrink. Владелец: Rudolf Gantenbrink. Дата публикации: 2005-09-22.

Method of processing selected surfaces in a semiconductor process chamber based on a temperature differential between surfaces

Номер патента: US20050150448A1. Автор: James Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of forming resist pattern on a semiconductor substrate by light exposure

Номер патента: EP0517382B1. Автор: Makoto Tanigawa,Katsuji Iguchi,Hiroki Tabuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-08-27.

Method of manufacturing a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100607818B1. Автор: 박정구. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-08-02.

Method of removing photo resist on a semiconductor wafer

Номер патента: KR900003256B1. Автор: 수우조 후지야마,야스나리 모또끼,요시가즈 가또. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1990-05-12.

A method of handling and fabricating a neutron responsive fuel

Номер патента: GB1077384A. Автор: . Владелец: Atomic Energy of Canada Ltd AECL. Дата публикации: 1967-07-26.

Method of forming a pattern on a semiconductor wafer using an attenuated phase-shift reflective mask

Номер патента: CN1596450A. Автор: 黄荣峰,杰里米·W·伯登. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-03-16.

Method of forming a pattern on a semiconductor wafer using an attenuated phase shifting reflective mask

Номер патента: US20030039923A1. Автор: Sang-in Han,Pawitter Mangat. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20110313748A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: GB2356722B. Автор: Arshad Madni. Владелец: Mitel Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Non-Aqueous Rapid Setting Drywall Compound and Method of Use

Номер патента: US20140123591A1. Автор: Walter Trudeau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-08.

Control method of the functioning mode of a hybrid drive assembly for vehicles and a hybrid drive assembly using said method

Номер патента: CA2655119A1. Автор: Alessandro Caleo,Paolo Capozzella,Luca Carmignani,Maurizio Marcacci. Владелец: Maurizio Marcacci. Дата публикации: 2007-12-21.

Control method of the functioning mode of a hybrid drive assembly for vehicles and a hybrid drive assembly using said method

Номер патента: CN101500873B. Автор: M·马尔卡奇,L·卡尔米尼亚尼,P·卡波泽拉,A·卡莱奥. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2012-05-23.

method of joining first and second fluid flow circuits to form a fluid flow circuit assembly, and fluid flow circuit

Номер патента: BR112013027306B1. Автор: Kyungyoon Min,Mark J. Brierton,William H. Cork,James Madsen,Christopher WEGENER,Benjamin E. KUSTERS. Владелец: Fenwal, Inc.. Дата публикации: 2021-02-09.

Method of hydraulic fracturing of oil, gas or gas-condensate formation

Номер патента: RU2723817C1. Автор: Олег Вячеславович Салимов,Максим Сергеевич Антонов,Константин Витальевич Торопов,Алексей Владимирович Пестриков,Александр Валерьевич Колонских,Олег Владимирович Евсеев,Владислав Валерьевич Назаревич. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2020-06-17.

Method of controlling aircraft movement

Номер патента: RU2768079C1. Автор: Александр Николаевич Попов,Дмитрий Павлович Тетерин,Андрей Александрович Воробьев,Инна Александровна Батраева,Алексей Геннадьевич Яшин. Владелец: Акционерное общество "Авиаавтоматика" имени В.В. Тарасова". Дата публикации: 2022-03-23.

Method of making a ceramic mold for casting on molten patterns

Номер патента: RU2729229C9. Автор: Анатолий Владимирович Малеев,Александр Владимирович Шилов,Наталья Николаевна Черкашнева. Владелец: Акционерное общество «ОДК-Авиадвигатель». Дата публикации: 2022-02-08.

Method of visualization of pathological states of a mucous case of upper respiratory ways

Номер патента: RU2645929C1. Автор: Павел Вячеславович Бережанский,Юлия Сергеевна Бережанская,Инга Александровна Попова,Сергей Олегович Турчанинов. Владелец: Сергей Олегович Турчанинов. Дата публикации: 2018-02-28.

Method of detecting variant nucleic acids using extension oligonucleotides which differ from each other at both a position corresponding to the variant nucleic acids and one or more additional positions

Номер патента: US5728530A. Автор: Stephan Rust,Harald Funke,Gerd Assmann,Christoph Kessler,Rudiger Rueger. Владелец: Boehringer Mannheim GmbH. Дата публикации: 1998-03-17.

Method of detecting variant nucleic acids

Номер патента: US5605794A. Автор: Stephan Rust,Harald Funke,Gerd Assmann,Christoph Kessler,Rudiger Rueger. Владелец: Boehringer Mannheim GmbH. Дата публикации: 1997-02-25.

Method of producing and purifying fluorohydroolefins

Номер патента: RU2446140C2. Автор: Веллийур Нотт Малликарджуна РАО,Ральф Ньютон МИЛЛЕР,Аллен Капрон СИВЕРТ,Марио Джозеф НАППА. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of mastering control of manipulators of anthropomorphic robot

Номер патента: RU2724769C1. Автор: Вячеслав Иванович Петренко,Фариза Биляловна Тебуева,Николай Юрьевич Свистунов,Андрей Сергеевич Павлов,Михаил Михайлович Гурчинский,Евгения Александровна Некрасова,Артем Александрович Апурин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Кавказский федеральный университет". Дата публикации: 2020-06-25.

Method of making a ceramic mold for casting on molten patterns

Номер патента: RU2729229C1. Автор: Анатолий Владимирович Малеев,Александр Владимирович Шилов,Наталья Николаевна Черкашнева. Владелец: Акционерное общество «ОДК-Авиадвигатель». Дата публикации: 2020-08-05.

Measurement system and method using a pocket electronic device

Номер патента: RU2722057C2. Автор: Мени Менаше ИЦХАК,Михаль Мириам РАДАИ. Владелец: Май Сайз Израэл 2014 Лтд.. Дата публикации: 2020-05-26.

Method of and apparatus for document data recapture

Номер патента: US5602936A. Автор: W. Thomas Green,R. Keith Lynn. Владелец: Greenway Corp. Дата публикации: 1997-02-11.

High-speed diamond growth using a microwave plasma in pulsed mode

Номер патента: CA2512731C. Автор: Francois Silva,Khaled Hassouni,Antoine Rousseau,Alix Helene Gicquel,Xavier Duten,Guillaume Vincent Lombardi. Владелец: Universite Sorbonne Paris Nord Paris 13. Дата публикации: 2012-06-12.

Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same

Номер патента: EP1744217B1. Автор: Henricus Johannes Lambertus Megens,Everhardus Cornelis Mos,Leonardus Henricus Marie Verstappen,Hubertus Johannes Gertrudus Simons,Roy Werkman,Henricus Jacobus Maria Verhoeven. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2012-03-14.

Method of treating swimming pool water

Номер патента: US6139756A. Автор: Rainer Fuchs,Michael Huss. Владелец: Degussa Huels AG. Дата публикации: 2000-10-31.

Method of luminescent solid state dosimetry of mixed radiations

Номер патента: CA2809760C. Автор: Mark S. Akselrod,Garrett J. Sykora. Владелец: Landauer Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Device and method of lining a wellbore

Номер патента: CA2537816C. Автор: Paul George Lurie. Владелец: BP Exploration Operating Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-18.

Method of manufacturing steering wheel

Номер патента: CA2034029A1. Автор: HIROSHI Yasuda,Toru Abiko,Mitsuru Harata,Katunobu Sakane. Владелец: Katunobu Sakane. Дата публикации: 1991-07-14.

Methods of assessing protein interactions between cells

Номер патента: WO2017161030A1. Автор: Gerald J. Wallweber. Владелец: LABORATORY CORPORATION OF AMERICA HOLDINGS. Дата публикации: 2017-09-21.

A method of manufacturing a thermal bend actuator

Номер патента: EP1171378A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2002-01-16.

Methods of separating chelator

Номер патента: WO2024054992A1. Автор: QIANG LI,Jason Huang. Владелец: BRISTOL-MYERS SQUIBB COMPANY. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of producing zeolite film

Номер патента: MY190742A. Автор: Kazuya Maekawa. Владелец: Mitsui E & S Mach Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method of producing zeolite film

Номер патента: US20200392007A1. Автор: Kazuya Maekawa. Владелец: Mitsui E&S Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of producing zeolite film

Номер патента: US11034587B2. Автор: Kazuya Maekawa. Владелец: Mitsui E&S Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of manufacturing three-dimensional structure, three-dimensional structure manufacturing apparatus, and three-dimensional structure

Номер патента: WO2015146121A1. Автор: Shinichi Kato,Hiroshi Fukumoto,Chigusa Sato,Koki HIRATA. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

Green preparation methods of rice resistant starch

Номер патента: US20200332326A1. Автор: Li Guo,HUI Li,Bo Cui. Владелец: Qilu University of Technology. Дата публикации: 2020-10-22.

Method of improving image analysis

Номер патента: US20190347469A1. Автор: Samuli Siivinen,Sampo PARKKINEN. Владелец: Revieve Oy. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of producing retinal pigment epithelial cell

Номер патента: CA2926721C. Автор: Kiyotoshi Sekiguchi,Masayo Takahashi,Masanori Sawada. Владелец: Healios KK. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing an assembly having a nominal thickness skin panel

Номер патента: EP4227748A1. Автор: Hsien-Lin HUANG,Mark Abdouch,Benjamin S. Merrit,Nathan A. SECINARO,Daniel Bracy. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-08-16.

Method of industrial production and packaging of spun sugar

Номер патента: WO2023058070A1. Автор: Ashish KOMALKUMAR NIMJE. Владелец: Ricoira Foods Pvt Ltd.. Дата публикации: 2023-04-13.

Method and apparatus for processing of audio using a neural network

Номер патента: US20230395086A1. Автор: Grant A. Davidson,Cong Zhou,Mark S. Vinton,Roy M. FEJGIN. Владелец: Dolby Laboratories Licensing Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of analyzing a spectral peak

Номер патента: US20230194344A1. Автор: Ning Ning Pan. Владелец: Thermo Fisher Scientific Bremen GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of forming porous ceramic particles

Номер патента: EP3347328A1. Автор: David E. Woolley,Jonathan W. Foise,Samuel M. Koch,Michael K. Francis. Владелец: Saint Gobain Ceramics and Plastics Inc. Дата публикации: 2018-07-18.

Method of executing classification process using machine learning model, information processing device, and non-transitory computer-readable medium storing computer program

Номер патента: US20220138526A1. Автор: Hikaru KURASAWA,Ryoki Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of forming a gypusm panel, method of analysing a gypsum core, and a gypsum core analysis tool

Номер патента: US20240116214A1. Автор: Hamouda Jaffel,Remi Lespiat,Arkadiusz Niznik,Célia DECABOOTER. Владелец: Saint Gobain Placo Sas. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of forming a gypusm panel, method of analysing a gypsum core, and a gypsum core analysis tool

Номер патента: CA3215502A1. Автор: Hamouda Jaffel,Remi Lespiat,Arkadiusz Niznik,Célia DECABOOTER. Владелец: Saint Gobain Placo Sas. Дата публикации: 2024-04-05.

Method and apparatus for processing of audio using a neural network

Номер патента: WO2022081915A1. Автор: Grant A. Davidson,Cong Zhou,Mark S. Vinton,Roy M. FEJGIN. Владелец: DOLBY LABORATORIES LICENSING CORPORATION. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods of treating cancers and enhancing efficacy of gprc5dxcd3 bispecific antibodies

Номер патента: AU2022382978A1. Автор: Raluca Verona,Jenna GOLDBERG,Shun xin Wang LIN,Brendan WEISS,Thomas J. PRIOR. Владелец: Janssen Biotech Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

METHOD OF DESIGNING AND FABRICATING A MICROLENS ARRAY

Номер патента: US20180209030A1. Автор: WANG Qi,Ghosh Amalkumar P.,Ali Tariq,KHAYRULLIN Ilyas I.,TICE Kerry,WACYK IHOR,DONOGHUE Evan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

System for and method of generating steam for use in oil recovery processes

Номер патента: CA2437479C. Автор: Stephen J. Goidich,Gopal D. Gupta. Владелец: Foster Wheeler Energy Corp. Дата публикации: 2006-05-30.

Method of construction

Номер патента: NZ542334A. Автор: Christopher Francis Lucas,Jeffrey John Sharp. Владелец: Pallenz Plastics Ltd. Дата публикации: 2008-08-29.

Method of molding a torus shaped article

Номер патента: CA1086912A. Автор: William O. Sassaman,James M. Hogan. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1980-10-07.

Method of construction

Номер патента: EP1948525A1. Автор: Christopher Francis Lucas,Jeffrey John Sharp. Владелец: Pallenz Plastics Ltd. Дата публикации: 2008-07-30.

Method of obtaining an image of an object of study at the gas-dynamic process stage of interest using a proton accelerator

Номер патента: RU2737025C1. Автор: Михаил Анатольевич Сырунин,Игорь Николаевич Будников,Борис Михайлович Ловягин,Вячеслав Валентинович Санкин,Дмитрий Семёнович Миронов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2020-11-24.

Improved method of making compound metal bodies

Номер патента: GB753932A. Автор: . Владелец: METRO CUTANIT Ltd. Дата публикации: 1956-08-01.

Method of encapsulating materials in a zeolite in a stable manner

Номер патента: CA1175792A. Автор: Paul J. De Bievre,Etienne F. Vansant,Guido J. Peeters. Владелец: European Atomic Energy Community Euratom. Дата публикации: 1984-10-09.

Method of producing middle distillates, comprising the hydroisomerisation and hydrocracking of feedstocks resulting from the Fisher-Tropsch method, using a doped catalyst based on mesoporous alumina-silica having a controlled macropore content

Номер патента: ZA200710579B. Автор: CALEMMA Vincenzo,EUZEN Patrick,Gueret Christophe. Владелец: Eni Spa. Дата публикации: 2008-11-26.

Method of treatment for muscular dystrophy

Номер патента: EP1983975A2. Автор: Giulio Cossu,Emilio Clementi,Silvia Brunelli. Владелец: San Raffaele Centro Fond. Дата публикации: 2008-10-29.

Hydraulically operable trench shoring apparatus and its method of use

Номер патента: GB2613663A. Автор: MOLYNEUX Glenn. Владелец: Autoshore Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Manufacturing method of polyimide powder and polyimide powder manufactured by the same

Номер патента: WO2023200191A1. Автор: Hosung Lee,Minseok Yang,Iksang LEE. Владелец: PI Advanced Materials Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Computer having transformable architecture and method of transforming virtual computers

Номер патента: US20240134964A1. Автор: Deok Woo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of treatment for muscular dystrophy

Номер патента: CA2641815A1. Автор: Giulio Cossu,Emilio Clementi,Silvia Brunelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Methods of treating obesity with an mc4r agonist

Номер патента: WO2024108198A2. Автор: Bhavik P. SHAH,Patrick Willem KLEYN,David Pell MEEKER. Владелец: Rhythm Pharmaceuticals, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

User authentication using a browser cookie shared between a browser and an application

Номер патента: EP3449447A1. Автор: Poornima VENKATAKRISHNAN,Teddy Vincent Toms,Jeffrey Edward HARRELL. Владелец: PayPal Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Method of predicting functions of proteins using ligand database

Номер патента: US7286940B2. Автор: Akiko ITAI,Masazumi Imamura. Владелец: Institute of Medicinal Molecular Design Inc IMMD. Дата публикации: 2007-10-23.

Systems and methods of improved electronic messaging

Номер патента: US20180137509A1. Автор: Peter GROARKE,Ahmed Hosny. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Fluoroboron compound, aminomethylating agent for aromatic ring made of the same, and production method of compound containing aminomethyl aromatic ring using aminomethylating agent

Номер патента: US20120010403A1. Автор: Keigo Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-12.

Fluoroboron compound, aminomethylating agent for aromatic ring made of the same, and production method of compound containing aminomethyl aromatic ring using aminomethylating agent

Номер патента: US20080015351A1. Автор: Keigo Tanaka. Владелец: Eisai R&D Management Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Method of natural active ingredient extraction

Номер патента: WO2024107107A1. Автор: XIAO Hu,Yen Nan LIANG,Sze Ying Lee. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of Establishing Communication for Sub-Ice Submarine Missions between a Sub-Ice Vessel and a Terrestrial Facility using a Laser-Powered Ice-Penetrating Communications Delivery Vehicle

Номер патента: US20200140046A1. Автор: Stone William C.,Harman John. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

A method of controlling culture water temperature in a water tank for aquarium fish and a culture water thermostat using a plurality of peltier elements

Номер патента: US20170208783A1. Автор: Bongseok KIM,Minmin JUNG,Jaeu KIM,Sanggu LIM. Владелец: National Fisheries Research and Development Institute. Дата публикации: 2017-07-27.

Method of ameliorating or abrogating the effects of a neurodegenerative disorder, such as amyotrophic lateral sclerosis (ALS), by using a HDAC inhibiting agent

Номер патента: US20060135612A1. Автор: Robert Ferrante. Владелец: US Department of Veterans Affairs VA. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of applying a hair-care product to a hard-to-view portion of a person's head using a dispensing bottle having a mirror attached to the dispensing bottle

Номер патента: US8327857B2. Автор: Fereshteh Aghilabadi. Владелец: Fereshteh Aghilabadi. Дата публикации: 2012-12-11.

Method of displaying the logic status of several neighbouring modes in integrated circuits in a logic picture by using a pulsed-electron probe

Номер патента: DE3170325D1. Автор: Peter Dipl Ing Fazekas,Hans-Peter Dr Feuerbaum,Ulrich Dipl Phys Knauer,Johann Ing Grad Otto. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1985-06-05.

Cell smear microscopic evaluation - by filtration of cells from suspension using a porous plastic membrane which is rendered transparent and applied to a microscope slide

Номер патента: DE3023849A1. Автор: Dieter Dipl.-Chem. Dr. Nußbaumer,Horst Dipl.-Chem. Dr. Perl,Günter 3400 Göttingen Pradel,Bernhard Dr.med. 3004 Isernhagen Aseikens,Hans Dipl.-Chem. Dr. 3401 Nikolausberg Beer. Владелец: Sartorius AG. Дата публикации: 1982-01-21.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fire-extinguishing with sprayed fire-extinguishing liquid

Номер патента: RU2534982C2. Автор: Михаил Андреевич Мацук,Евгений Михайлович Дорофеев,Александр Михайлович Мацук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПО ЭТЕРНИС". Дата публикации: 2014-12-10.

An Improved Method of Providing Cables and other Flexible Bodies with Solid Ends.

Номер патента: GB190218493A. Автор: George Gatton Melhu Hardingham. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-07-16.

METHOD OF MONITORING SOOT MASS IN A PARTICULATE FILTER AND MONITORING SYSTEM FOR SAME

Номер патента: US20120000184A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Method of vibration diagnostics of machine resilient system with application of power impact generator included into "machine-accessory-tool-part" system

Номер патента: RU2535334C2. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Михаил Павлович Козочкин,Фан Сагирович Сабиров. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2014-12-10.

Alkali purification method of pyrolisis gases

Номер патента: RU2329090C1. Автор: Лариса Борисовна Сосновская,Азат Шаукатович Бикмурзин,Хамит Хамисович ГИЛЬМАНОВ,Ильгиз Миннесалихович Яруллин,Владимир Михайлович Шатилов,тдинов Азат Шаймуллович Зи,Азат Шаймуллович Зиятдинов,Алсу Мухаметз новна Екимова,Алсу Мухаметзяновна Екимова,Анна Николаевна Мальцева,Лариса Борисовна Сосновска,Владимир Петрович Росихин. Владелец: Открытое акционерное общество "Нижнекамскнефтехим". Дата публикации: 2008-07-20.

Method of playing virtual gorodki

Номер патента: RU2533541C1. Автор: Виктор Александрович Прохоров. Владелец: Виктор Александрович Прохоров. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of making a mount for a semiconductor

Номер патента: CA812503A. Автор: E. Dijkmeijer Henricus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-05-13.

Layout method of thin and fine ball grid array semiconductor package substrate

Номер патента: TW445619B. Автор: Jian-ping Huang,Tzung-Da He. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-11.

Standoff for and method of supporting a coil in a semiconductor fabrication system, and standoff for coupling RF current

Номер патента: TW447016B. Автор: Sergio Edelstein,Howard Grunes,Bradley O Stimson,Anantha Subramani,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Method of making a junction in a semiconductor body

Номер патента: CA852397A. Автор: R. Sivertsen David,B. Cecil Olin,R. Haberecht Rolf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-22.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric

Номер патента: GB201418427D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2014-12-03.

LEAD FRAME MANUFACTURED FROM LOW-PRICED MATERIAL AND NOT REQUIRING STRICT PROCESS CONTROL, SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE LEAD FRAME AND THE SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20120098112A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG TECHWIN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

Data media with optically variable pigment and method of producing data media with optically variable pigment

Номер патента: RU2450936C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Алексей Витальевич САЛУНИН,Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Игорь Васильевич Павлов,Галина Сергеевна Баранова,Татьяна Петровна Ипатова,Александра Алексеевна Соколова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2012-05-20.

Method of measuring air humidity

Номер патента: RU2583164C1. Автор: Александр Николаевич Волков,Геннадий Иванович Фадеев,Юлия Георгиевна Лягаева,Анатолий Константинович Демин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-05-10.

Method of actuating mechanical clocks, apparatus for automatic actuation of clock mechanism, clock mechanism having apparatus for automatic actuation of clock mechanism, mechanical clock having apparatus for automatic actuation of clock mechanism

Номер патента: RU2545467C1. Автор: Константин Юрьевич Чайкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Константин Чайкин". Дата публикации: 2015-03-27.

Method of physical-biological preventive measures of acute radiation sickness

Номер патента: RU2307398C2. Автор: Валентина Афанасьевна Сафонова,Виктория Юрьевна Сафонова,Алексей Петрович Жуков,Валентина Афанасьевна Сафонова (RU),Виктори Юрьевна Сафонова (RU),Алексей Петрович Жуков (RU). Владелец: ФГОУ ВПО "Оренбургский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2007-09-27.

METHOD OF FORMING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING A PLURALITY OF TRENCHES

Номер патента: US20120028468A1. Автор: Wu Shih-Hao,Chung Chia-Chi,Cheng Chung-Hsiu,Hsu Chih-Hsien,Tseng Wei-Yueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of Forming an Inductor on a Semiconductor Wafer

Номер патента: US20130015555A1. Автор: Zhang Qing,Lin Yaojian,Cao Haijing. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130307032A1. Автор: Xie Ruilong,Kamineni Vimal. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of interlayer insulating film in a semiconductor device

Номер патента: KR0166826B1. Автор: 김학남. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of manufacturuing Electro-Magnetic Shielding Layer for semiconductor package

Номер патента: KR101540583B1. Автор: 김종호,이상찬,배종건. Владелец: 에스피텍 주식회사. Дата публикации: 2015-07-31.

Method of forming metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW518715B. Автор: Sung-Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-21.

Method of forming a contact of a semiconductor device

Номер патента: KR980011893A. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of, and demodulator for, digitally demodulating an ssbsignal

Номер патента: CA1293027C. Автор: Christopher John Collier,Richard James Dewey. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1991-12-10.

A method of and machine for placing a semiconductor chip or an electronic component onto a bonding surface of a carrier

Номер патента: TW448515B. Автор: Eugen Mannhart,Thomas Gunther,Matthias Krieger,Alois Ulrich. Владелец: Esec Trading Sa. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of producing composite biodegradable materials based on chitosan and polylactide

Номер патента: RU2540468C2. Автор: Лариса Александровна Смирнова,Алла Евгеньевна Мочалова,Андрей Викторович Мальков,Игорь Леонидович Федюшкин,Александр Геннадьевич Морозов,Надежда Евгеньевна Цверова,Владимир Михайлович Карюк. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛОКУС" - ООО "ЛОКУС". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of manufacturing a fabric. A fabric made by the method, and an apparatus for manufacturing the fabric.

Номер патента: GB201518419D0. Автор: . Владелец: REYNOLDS SONIA M. Дата публикации: 2015-12-02.

Fabric treatment process - uses a foamed preparation contg. active component and wetting agent, applied to material surface by jet

Номер патента: IT1086293B. Автор: . Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1985-05-28.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermally Enhanced Semiconductor Package

Номер патента: US20120003794A1. Автор: Railkar Tarak A.,Cate Steven D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Formed Ceramic Receiver Element Adhered to a Semiconductor Lamina

Номер патента: US20120003775A1. Автор: Jackson Kathy J.,Agarwal Aditya. Владелец: TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH AN EMBEDDED PRINTED CIRCUIT BOARD AND STACKED DIE

Номер патента: US20120001313A1. Автор: Liu Yong,YANG Hua,Liu Yumin,Rios Margie T.,Maldo Tiburcio A.. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Soldering method of products from steel, copper and copper alloys using silver-containing solder alloys

Номер патента: RU2511722C1. Автор: Владислав Алексеевич Трегубов,Светлана Сергеевна Симунова,Елена Степановна Лопатина,Елена Ивановна Баталова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2014-04-10.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.