Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Base film and adhesive film for semiconductor devices using the same

Base film and adhesive film for semiconductor devices using the same

Номер патента: KR101397686B1
Опубликовано: 22-05-2014
Автор(ы): 서대호, 송규석, 송기태, 어동선, 황민규
Принадлежит: 제일모직주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Sealing composition for semiconductor, semiconductor device and method of producing the same, and polymer and method of producing the same

Номер патента: US9169353B2. Автор: Tsuneji Suzuki,Hirofumi Tanaka,Shigeru Mio,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Adhesive film for underfill and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040178423A1. Автор: Yuji Hotta,Akiko Matsumura,Kazuki Uwada,Naoki Sadayori. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

SEALING COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME, AND POLYMER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20140367868A1. Автор: Mio Shigeru,Ono Shoko,Kohmura Kazuo,Tanaka Hirofumi,Kayaba Yasuhisa,Suzuki Tsuneji. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Adhesives for semiconductors, semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR102064584B1. Автор: 가즈타카 혼다,아키라 나가이,고이치 차바나,게이시 오노. Владелец: 히타치가세이가부시끼가이샤. Дата публикации: 2020-01-10.

Thermal conductive silicone composition, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12060517B2. Автор: Shota Akiba. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Phosphonium compound, preparation method thereof, epoxy resin composition including the same, and semiconductor device prepared by using the same

Номер патента: US09896465B2. Автор: Eun Jung Lee,Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Dong Hwan Lee,Joo Young Chung,Jin Min Cheon,Woo Chul NA,So Yoon KIM,Yoon Man LEE,Ji Yoon CHO,KyoungChul BAE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Temporary fixation layered film and production method therefor, temporary fixation layered body, and semiconductor device production method

Номер патента: US20230207374A1. Автор: Yasuyuki Oyama,Takashi Kawamori,Tetsuya Enomoto,Emi Miyazawa,Yuta AKASU. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Etching composition, metal-containing film etching method using the same and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240318077A1. Автор: Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443813B1. Автор: Chiu-Wen Lee,Yu-Hsiang Hsiao,Kwang-Lung Lin,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Thin film semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20020173147A1. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US20150213915A1. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US9490040B2. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Graphene for semiconductor co-doping boron and nitrogen at the same time and preparation method thereof

Номер патента: US09490040B2. Автор: Jong-Beom Baek,In-Yup Jeon,Sun-Min Jung. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189623A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277548A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, laminated group III nitride composite substrate, and group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923063B2. Автор: Keiji Ishibashi,Yoshiyuki Yamamoto,Koji Uematsu,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431435B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040070037A1. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Al alloy film for display or semiconductor device, display or semiconductor device having Al alloy film, and sputtering target

Номер патента: US09624562B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroyuki Okuno. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09355900B2. Автор: Masayuki Katagiri,Mariko Suzuki,Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Naoshi Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Film for preventing humidity from percolation and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190355934A1. Автор: Kyeong Min KIM,Sang Du Lee,Won Tae Cho,Bong Sik Kim. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110287621A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Chip scale surface mount packages for semiconductor device and process of fabricating the same

Номер патента: EP1085569A3. Автор: Felix Zandman,Yueh-Se Ho,Mohammed Y. Kasem. Владелец: Vishay Intertechnology Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Circuit board and semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010001428A1. Автор: Yuji Yagi,Takeo Yasuho. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-24.

High efficiency MOS semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20030075739A1. Автор: Antonino Schillaci,Paola Ponzio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865699B2. Автор: Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway vehicle

Номер патента: US09711600B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Norifumi Kameshiro. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of generating quality affecting factor for semiconductor manufacturing process and generating system for the same

Номер патента: US10254333B2. Автор: Sehoon Kim,Chanhun PARK,SeungLi Kim,Bokyoung KANG,Ji-Youn KWON,Gilhan KIM,Byonghun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502580B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of generating quality affecting factor for semiconductor manufacturing process and generating system for the same

Номер патента: US20160202312A1. Автор: Sehoon Kim,Chanhun PARK,SeungLi Kim,Bokyoung KANG,Ji-Youn KWON,Gilhan KIM,Byonghun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220158005A1. Автор: Takashi Ogura,Shinichi Watanuki,Shotaro Kudo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP3087606A1. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786806B2. Автор: Toshihiko Ouchi,Ryota Sekiguchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage apparatus for semiconductor devices and storage system including the same

Номер патента: US20240297060A1. Автор: Sanghyuk PARK,Jihun Kim,Youngon OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11961893B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110147947A1. Автор: Shutetsu KANAYAMA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09755055B2. Автор: Masumi SAITOH,Toshinori Numata,Yukio Nakabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021080B2. Автор: Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Suyoung BAE,Jaeyeol Song,Jonghan LEE,HyungSuk Jung,Sangjin Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200381366A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Chu LIN,Hung-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Gate-all-around semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09601488B2. Автор: Niamh Waldron,Nadine Collaert,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4276913A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080044993A1. Автор: Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4216262A1. Автор: Sung Woo Kang,Dong Kwon Kim,Hong Sik Shin,Jeong Yeon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402529A1. Автор: Sang Hoon Kim,Jeong Woo Park,Dongwoo Suh,Jinha Kim,Wangjoo Lee,Seong Hyun LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4287261A1. Автор: Kyungho Kim,Kihwan Kim,Choeun LEE,Kanghun Moon,Yonguk JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20090050871A1. Автор: Yuichi Matsui. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120058612A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Plasma etching method for semiconductor device and etching apparatus of the same

Номер патента: US20020137340A1. Автор: Kye-Hyun Baek,Kil-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12142532B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090026517A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893200B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9472495B2. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Replacement channels for semiconductor devices and methods for forming the same using dopant concentration boost

Номер патента: US09627539B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472495B2. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030062563A1. Автор: Yoichi Okita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Combined SADP fins for semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: US09691775B1. Автор: Guillaume Bouche,Nicholas Vincent LICAUSI,Eric Scott Kozarsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09564298B2. Автор: Ik-Soo Kim,Myoung-woon Kim,Su-Ho Lee,Ju-Hee Lee,Jae-Beom Park,Won-hyuk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170154789A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Aluminum and aluminum alloy radiator for semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: MY117367A. Автор: Masato Sasaki,Yoshio Hirayama,Yoichi Miura,Hideo Horita. Владелец: Dainippon Printing Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

Multi-row wiring member for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190096793A1. Автор: Kaoru HISHIKI,Ichinori Iidani. Владелец: Ohkuchi Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966264B2. Автор: Kohei Nishiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09824898B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570622B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162305A1. Автор: Sho NAKANISHI,Kodai Ozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020093040A1. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09449883B2. Автор: Hisayuki Kato,Yoshihiko Kusakabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230253456A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685565B2. Автор: Masao Inoue,Hiroshi Umeda,Masaharu Mizutani,Masaru Kadoshima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660079B2. Автор: Tomotake Morita,Kenichi Yamamoto,Hiromi Sasaki,Masashige Moritoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837427B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100323488A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144129A1. Автор: Young-hun Kim,Jaeseok Yang,Haewang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194564A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190311902A1. Автор: Jongchan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Inductor for semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070152300A1. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030030095A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010020707A1. Автор: Takashi Uehara,Mizuki Segawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240306384A1. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431406B1. Автор: Yao-Fu Chan,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100123244A1. Автор: Kunihiro Takeda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160172483A1. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-16.

Substrate strip plate structure for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120187543A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010033023A1. Автор: Kyoichi Suguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301080A1. Автор: Hidekazu Hayashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09947668B2. Автор: Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Kang-Uk Kim,Sungho Jang,Chan Min Lee,Juyeon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09659940B2. Автор: JAE-HEE KIM,Bo-Un Yoon,In-seak Hwang,Myung-Jae Jang,Jong-Hyuk Park,Byoung-Ho Kwon,Hye-sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520408B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496403B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7602055B2. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090078994A1. Автор: Yoshinori Takami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080061445A1. Автор: Kenji Ishikawa,Hiroshi Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373146A1. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070134843A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060255354A1. Автор: Hiroshi Shibata,Yoshifumi Tanada,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768233B1. Автор: Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595600B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kunihiko Suzuki,Takahiro Tsuji. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030160285A1. Автор: Mika Shiiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964464B2. Автор: Takashi Sakuma. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7279791B2. Автор: Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20130115743A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303408A1. Автор: Masaru Kito,Yasuhito Yoshimizu,Yuji Setta. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266288A1. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110260255A1. Автор: Shijie Chen,Xiaolei Wang,Dapeng Chen,Kai HAN,Wenwu Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230282512A1. Автор: Kyung Wook KIM,Eun-ji Jung,Seung Yong Yoo,Eui Bok LEE,Jin Nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A2. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162080A1. Автор: Takashi Moriyama,Kiyoshi Endo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A3. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030003666A1. Автор: Tetsuo Izawa,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Reticle chuck in exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20020013069A1. Автор: Yukihiro Yokota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315024A1. Автор: Koichi Sakata,Keisuke Nakatsuka,Yefei HAN,Kazushi Hara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865495B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Myung-Yoon Um,Gi-gwan PARK,Hyung-Dong Kim,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09679815B2. Автор: Dong Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520297B2. Автор: Dong-Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Higano,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466725B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09406773B2. Автор: Masayasu Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210035978A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203794A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263760A1. Автор: Koichi Ozaki,Hirofumi Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080111201A1. Автор: Yong Ho Oh. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130200485A1. Автор: Hiroaki Naruse. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220302139A1. Автор: Tatsunori Isogai,Masaki NIGUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20170271518A1. Автор: Shinichi Ushikura,Ayumu Sato. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7759255B2. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Passivation layer for a semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230197550A1. Автор: Chih Hung Wang,Yu-Lung Yeh,Li Chun Liu,Ching Feng Lee,Chun Tang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210397079A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210333701A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277554A1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090134479A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7646072B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20080054479A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7498643B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230187344A1. Автор: Atsushi Kato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220181493A1. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20230411295A1. Автор: Atsushi Kato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070215943A1. Автор: Akihiro Nitayama,Takeshi Hamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020013046A1. Автор: Hirosada Koganei. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074861A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20050156211A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and fabricating method for the same

Номер патента: US20060138554A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20030197232A1. Автор: Satoshi Kamiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010021557A1. Автор: Masazumi Matsuura,Kinya Goto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor Devices and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200020533A1. Автор: Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Overlay measurement method, semiconductor device manufacturing method using the same, and overlay measurement apparatus

Номер патента: US20230074537A1. Автор: Jaeil LEE,Kyoungcho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US7122877B2. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130164899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947792B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09885829B2. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793357B2. Автор: Hiroshi Kono,Yoichi Hori,Atsuko Yamashita,Tomohiro Nitta,Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728544B2. Автор: Jae Hyun Park,Yong Tae Kim,Tea Kwang YU,Kyong Sik YEOM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148840B2. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653564B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09646983B2. Автор: Jang-Gn Yun,Joon Sung Lim,Jae-ho Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640481B2. Автор: Takanori Matsumoto,Kazuhiro OOSHIMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620409B2. Автор: Ken Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620408B2. Автор: Junya Maruyama,Toru Takayama,Yuugo Goto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09614076B2. Автор: Yoshitaka Otsu,Katsumi Morii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583634B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09564368B2. Автор: Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Seolun Yang,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520503B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490337B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230292518A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11282917B2. Автор: Akira Matsumoto,Kazuhiko IWAKIRI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20070210330A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11942427B2. Автор: Eun-ji Jung,Jong Jin Lee,Seung Yong Yoo,Rak Hwan Kim,Won Hyuk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160365454A1. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100001380A1. Автор: Manabu Iguchi,Mami Miyasaka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170062574A1. Автор: Jun Zeng,Masaki Nagata,Mohamed Darwish,Peter Su,Shigenari Okada. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060186486A1. Автор: Hirotaka Mori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200091179A1. Автор: Masaki Noguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of manufacturing semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20140248721A1. Автор: Hideaki Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180204948A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140110850A1. Автор: Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180277561A1. Автор: Koichi Yamamoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7534687B2. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070069304A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090159926A1. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9373676B2. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090230469A1. Автор: Hidekazu Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070278558A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110588A1. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9306007B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11646376B2. Автор: Eiji Tsukuda,Katsumi Eikyu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7754616B2. Автор: Toshiyuki Kosaka,Masaomi Emori. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049601A1. Автор: Yasunobu Kai,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020192893A1. Автор: Takayuki Igarashi,Yoshitaka Ootsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050247988A1. Автор: Yasuyuki Tamura,Chikako Yoshida,Shinji Miyagaki,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321839A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058390A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240284678A1. Автор: Kijoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203884A1. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130122679A1. Автор: Wensheng Wang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US6881998B2. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321688A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997639B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991374B2. Автор: Sung Bock Kim,Sung-Bum BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985039B2. Автор: Satoshi Kodama,Eiji Hasegawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09972718B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960174B2. Автор: Masaaki Higuchi,Takuo Ohashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929276B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917197B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Kojiro SHIRAISHI,Takafumi Mizoguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893153B2. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853005B2. Автор: Takehiko Maeda,Akira Yajima,Satoshi Itou,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09831311B2. Автор: Tohru Oka,Tsutomu INA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818815B2. Автор: Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09805950B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09780012B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09755083B2. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728633B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685546B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685338B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653475B1. Автор: Yoshihiro Ogawa,Yoshinori Kitamura,Hiroaki Yamada,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647084B2. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640647B2. Автор: Hiroyuki Okazaki,Hidetoshi Koyama,Yoshitaka Kamo,Toshiaki Kitano,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595655B2. Автор: Yoshihito Mizuno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09590114B1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09576965B2. Автор: Woong Choi,Young Bog Kim,Jae Man Yoon,Yun Seok Chun,Woo Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09559058B2. Автор: Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka,Yoshiyuki Nakao,Masaki HANEDA,Michie SUNAYAMA,Takahiro TABIRA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09543317B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530892B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520504B2. Автор: Koichi Toba,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09502526B2. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09450102B2. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443874B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425268B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09406694B1. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09343405B2. Автор: Yuya Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230230884A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Huan-Just Lin,Che-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203532A1. Автор: Seiichi Hirabayashi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230030778A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100207188A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100006917A1. Автор: Kazunori Masuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200294985A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080217654A1. Автор: Yuuji Kitamura,Yoshikazu Ibara. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20140197495A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US8698248B2. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230011222A1. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Noriaki Fujiki,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020158246A1. Автор: Shoji Kitamura,Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080073697A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7687910B2. Автор: Masaki Yamada,Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170365571A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080251882A1. Автор: Tatsuhiko Koide. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120115252A1. Автор: Jirou Miura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8350328B2. Автор: Takashi Ishigaki,Yusuke Morita,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190043887A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090108388A1. Автор: Mari Otsuka,Hideaki Harakawa,Hiroyuki Kamijiyo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110024845A1. Автор: Tomohiro Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210020523A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180197790A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349509A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312829A1. Автор: Sung Hoon Lee,Dae Il Kim,Sang Il Hwang,Young Joon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200176571A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285563A1. Автор: Hitoshi Sumida,Kazumi Takagiwa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12125789B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka,Noriaki Fujiki,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Pattern forming method and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09941285B2. Автор: Jae-Houb CHUN,Jeong-Sub LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917092B2. Автор: Wensheng Wang,Hideki Ito,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905669B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09905480B1. Автор: Wen-Ying Wen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09837528B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779992B2. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09773804B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09653594B2. Автор: Chii-Ming Wu,Mei-Yun Wang,Ming-Ta Lei,Fang-Cheng Chen,Chia-Han Lai,Wen-Chi Tsai,Yung-Chung Chen,Huang-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09478530B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431403B2. Автор: Kenji Komeda. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9070690B2. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230178639A1. Автор: Tomohiro Imai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110037147A1. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8110923B2. Автор: Kiyonori Watanabe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070032007A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7915680B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060027863A1. Автор: Ryuu Saitou,Naoki Kumagai,Yoshihiro Ikura,Hiroshi Kanemaru,Yuuichi Harada. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080203576A1. Автор: Hideaki Kikuchi,Kouichi Nagai,Tomoyuki KIKUCHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090278210A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110147841A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311220A1. Автор: Kentaro Yamada,Michimoto Kaminaga,Shigeya Toyokawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor laminated substrate, semiconductor crystal substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020088979A1. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905462B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887202B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871059B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Insulated gate type semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09793342B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Oishi. Владелец: Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653396B2. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515082B2. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502553B2. Автор: Kenichi Ohtsuka,Shuhei Nakata,Naruhisa Miura,Naoki Yutani,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502425B2. Автор: Shigenobu Maeda,Hyun-Min Choi,Jihoon Yoon,Sungman Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Test probe for semiconductor devices, method of manufacturing of the same, and member for removing foreign matter

Номер патента: US20030090280A1. Автор: Takahiro Nagata,Yoshihiro Kashiba,Mutsumi Kano,Shigeki Maekawa,Kazunobu Miki,Megumi Takemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Thermal Structure for Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240014091A1. Автор: Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and fabrication method for the same, and light modulation device and fabrication method for the same

Номер патента: US20090294906A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145553A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tohru Kawai,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236138A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2013157619A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181147A1. Автор: Yasuo Inoue,Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita,Jiro Yugami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093618A1. Автор: Hiroaki Mizushima,Kounosuke TATEISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140299965A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070007619A1. Автор: Tomonari Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-01-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230345734A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Kazuyuki Omori. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100117234A1. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060017105A1. Автор: Yoshinobu Sato,Hisao Ichijo,Hiroyoshi Ogura,Teruhisa Ikuta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120228684A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060278937A1. Автор: Toshihide Nabatame,Akira Toriumi,Masaru Kadoshima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230069612A1. Автор: LAN Yao,Yanwei Shi,Huidan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230113513A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Katsunori TSUNETSUGU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09929160B1. Автор: Sung-dae Suk,Seungmin Song,Yong-Suk Tak,Juri LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680040B2. Автор: Takashi Ishizuka,Kaoru Shibata,Katsushi Akita,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09679829B2. Автор: Taeseong Kim,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Sukchul Bang,Yeun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570593B2. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570391B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09558990B2. Автор: KYUNG Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US09525045B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09478539B1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6127209A. Автор: Yasuo Yamaguchi,Shigenobu Maeda,Shigeto Maegawa,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Self-aligned scheme for semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11830770B2. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Self-aligned scheme for semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230411210A1. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Contact structure with air spacer for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220328622A1. Автор: Ting Fang,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chien-yuan Chen,Chen-Ming Lee,Chung-Hao CAI,Yen-Jun Huang,Chun-Po CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Self-Aligned Scheme for Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210098290A1. Автор: Chii-Ping Chen,Neng-Jye Yang,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,Ya-Ching Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230230916A1. Автор: Sung-Li Wang,Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Ken-Yu Chang,Hong-Mao Lee,Wei-Yip Loh,Hung-Yi Huang,Chun-I Tsai,Harry CHIEN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150008508A1. Автор: Min Sung KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030209742A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203831A1. Автор: Young Woo Kim,Jin Kyu Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Yun Suk NAM,Hidenobu Fukutome,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070096205A1. Автор: NAM Kim,Choul Ko. Владелец: Dougbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151627A1. Автор: Young Ok Hong,Kyoung A Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190312119A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030169A1. Автор: Woon Chun Kim,Dae Seo Park,Jumyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7592684B2. Автор: Akihiko Ebina,Masahiro Hayashi,Takafumi Noda,Masahiko Tsuyuki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220223620A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201802450PA. Автор: LEE Dongsoo,Hyun Sangjin,Na Hoonjoo,Chung Wonkeun,Bae Suyoung,Song Jaeyeol,Lee Jonghan,Jung HyungSuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-30.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080268601A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120319195A1. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069594A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160133549A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040175873A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140363974A1. Автор: Duk Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9087791B2. Автор: Duk Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor device, an electronic system including the same, and a method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11744079B2. Автор: Chang-sun Hwang,Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7091618B2. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220384431A1. Автор: An-Chi Liu,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Huixian Lai,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120313163A1. Автор: Hiroaki Katou,Yuki Fukui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8969951B2. Автор: Hiroaki Katou,Yuki Fukui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Devices And Methods For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170148639A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20100314675A1. Автор: Nam Joo Kim,Choul Joo Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12068316B2. Автор: An-Chi Liu,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Huixian Lai,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230284450A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Wide-band gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230261119A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090179246A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Noriaki Ikeda,Ryota Suewaka,Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130075816A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139912A1. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060157715A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070075383A1. Автор: Tae-Hong Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20090035903A1. Автор: Chang-Woo Oh,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110266634A1. Автор: Hae-Jung Lee,Yong-Tae Cho,Eun-Mi Kim,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274685A1. Автор: Seokhoon Kim,Heung-Soon Lee,Yonghee PARK,Seungkyu KIM,Dong-Gwan SHIN,Hongseon Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230354717A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8778793B2. Автор: Takahisa Furuhashi,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Resin-molded type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5757066A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12120866B2. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240357806A1. Автор: Youngho KWON,Jea-Yeon Lee,Seonkyung Kim,Hyunkook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240321751A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Hsien Huang,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978645B2. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09947708B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09859434B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09704862B2. Автор: Donghyun Kim,Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Ha-young Kim,Sanghoon Baek,Panjae PARK,Sutae Kim,Jaewan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09634002B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Chia-Chen Tsai,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09589969B1. Автор: Yu-Wei Chang,Chui-Ya Peng,Austin Hsu,Kung-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583621B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524975B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520499B2. Автор: Sung-min Kim,Dong-Kyu Lee,Ji-su Kang,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09515150B2. Автор: Dongho Cha,Myung Jin Kang,Junjie Xiong,Kihoon Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502560B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496335B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09496149B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490258B2. Автор: Soo-Yeon Jeong,Tae-Jong Lee,Dong-gu Yi,Jae-Po Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425104B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Socket for semiconductor chip test and method of manufacturing the same

Номер патента: US9823299B2. Автор: Jong Cheon SHIN,Dong Ho Ha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Test patterns for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20050139874A1. Автор: Sang Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110186968A1. Автор: Takeshi Kishida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20180190543A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220301939A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220068718A1. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230275133A1. Автор: Takuichiro SHITOMI,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010028088A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Toshihori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09905468B2. Автор: Sung-min Kim,Heon-Jong Shin,Dong-Ho Cha,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Layout design system, semiconductor device fabricated by using the system and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US09576953B2. Автор: Tae-Joong Song,Gi-young Yang,Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Jin-Hyun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus for testing package-on-package semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US09519024B2. Автор: Chien-Ming Chen. Владелец: Chroma ATE Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09502406B1. Автор: HyungSuk Jung,Cheolwoo Park,Seokjun Won,Kwangyul Lee,Jeongeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466600B2. Автор: Chang-Hwan Choi. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-10-11.

Isolation body for semiconductor devices and method to form the same

Номер патента: US20070132034A1. Автор: Mark Bohr,Sunit Tyagi,Giuseppe Curello,Hemant Deshpande. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-06-14.

Contacts for Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240088244A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11855162B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Interconnect structures for semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230121435A1. Автор: Yu-Lien Huang,Ching-Feng Fu,Che-Ming Hsu,Guan-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296126A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11990340B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230343706A1. Автор: Hauk Han,Jeonggil Lee,Seonghun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240234270A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Photonic semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11853870B2. Автор: Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Nanjing Guangzhiyuan Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234522A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of adjusting the same

Номер патента: US20190285708A1. Автор: Tomoki Hikichi,Takaaki Hioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8349698B2. Автор: Hironori Aoki,Eiichi Kikkawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190081047A1. Автор: Shih-Fang Tzou,Ger-Pin Lin,Chia-Wei Wu,Li-Wei Feng,Chih-Chi Cheng,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US20150028451A1. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050285217A1. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Cmos semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130034953A1. Автор: Nobuyuki Mise,Takahisa Eimori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140248729A1. Автор: Akihiro Fujiwara,Katsufumi Kondo,Kimitaka Yoshimura,Tokuhiko Matsunaga,Takashi HAKUNO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170103987A1. Автор: Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070224761A1. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7534712B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7235849B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240105467A1. Автор: Sanghyun SON,YoungUk Noh,Myungho JUNG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US20240106429A1. Автор: Koichi Nishi,Shinya SONEDA,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160308047A1. Автор: Jong Hwan Kim,Sang Kee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140374822A1. Автор: Jong Hwan Kim,Sang Kee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7446015B2. Автор: Masaru Yamada,Yasutoshi Okuno. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043445A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273698A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128836A1. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240038708A1. Автор: Ho-Jin Lee,Seokho KIM,Kunsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20050146015A1. Автор: Toshio Kobayashi,Akihiro Nakamura,Ichiro Fujiwara,Kazumasa Nomoto,Toshio Terano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240250144A1. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

High-voltage isolation semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20230085878A1. Автор: Ziquan Fang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20230317607A1. Автор: Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120228678A1. Автор: Dong Hee Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device, a method for manufacturing the same, and a system having the same

Номер патента: US20130315004A1. Автор: Yong Gyu Chu,Sang Jae Rhee,Hyo Soon Kang,Seung Bum Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022252146A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020011675A1. Автор: Kiyotaka Imai,Noriaki Oda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2020103873A1. Автор: Chih-Wei Chang,Changhao QUAN,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083226A1. Автор: Jae-Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20120294067A1. Автор: Yutaka Shionoiri,Hidetomo Kobayashi,Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100181616A1. Автор: Shinobu Takehiro. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20210389369A1. Автор: Dae Han Kim,Jeong-Goo Lee,Ji Yun Kim,Jin Yub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290677A1. Автор: Jong-Min Lee,Joongwon Shin,Jimin CHOI,Gyuseong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190164967A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020113256A1. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030034550A1. Автор: Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240290790A1. Автор: SunKi Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Resin-sealed type semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6249043B1. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-19.

CMOS semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132506A1. Автор: Nae-in Lee,Geum-Jong Bae,Hwa-Sung Rhee,Sang-Su Kim,Tae-Hee Choe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

CMOS semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6750532B2. Автор: Nae-in Lee,Geum-Jong Bae,Hwa-Sung Rhee,Sang-Su Kim,Tae-Hee Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-06-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10438794B2. Автор: Jia-Zhe Liu,Yen-Lun Huang,Man-Hsuan Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175194A1. Автор: Young Jin Park. Владелец: PETARI Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068301B2. Автор: Jun Iijima,Yumi Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251562A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20140110756A1. Автор: Hao Wu,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Resin-encapsulation semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030015775A1. Автор: Toru Nomura,Masanori Minamio. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040180502A1. Автор: Young-ok Kim,Cha-Dong Yeo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180286819A1. Автор: Tatsuya Kobayashi,Kazuo Shimokawa,Akira Tojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190164866A1. Автор: Chee-Wee Liu,Fang-Liang LU,Jhih-Yang Yan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and wiring substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US9082672B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100244183A1. Автор: Hironori Aoki,Eiichi Kikkawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049069A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220149193A1. Автор: Lain-Jong Li,Chun-Chieh Lu,Chao-Ching Cheng,Tzu-Ang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030094705A1. Автор: Yasuhiko Tomohiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080217744A1. Автор: Yoshinori Murakami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090140321A1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20100099269A1. Автор: Sangjin Hyun,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240315016A1. Автор: Teruhisa SONOHARA,Seungkeun BAEK. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20120012942A1. Автор: Sangjin Hyun,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12087619B2. Автор: Yu-Ting Chen,Yen-De Lee,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Shun-Li Lan,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087651B2. Автор: Satoshi Kondo,Junji Fujino,Michio Ogawa,Kazuma Noda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Partially shielded semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240339394A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347583A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Hung-Yi Wu,Yi Chuen Eng,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332381A1. Автор: Ji Won Kang,Rak Hwan Kim,Chung Hwan Shin,Seong Heum CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125847B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068299B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371855A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09960177B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09941400B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09941286B2. Автор: Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911644B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899403B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887159B1. Автор: Mengkai Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859297B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Jong-hyun Park,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09831092B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09825135B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09824957B2. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09818737B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

FINFET semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US09812559B2. Автор: Kyung-In Choi,Bong-Soo Kim,Hyun-gi Hong,Hyun-seung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799741B2. Автор: Kai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09786593B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780033B2. Автор: Changseop YOON,Jongmil Youn,Hyung Jong Lee,Kwangsub Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09773790B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768018B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748141B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09685450B2. Автор: Vladimir Urazaev,Ki-yeon Park,Jae-Hyoung Choi,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09679978B2. Автор: Jin Wook Kim,Dong Suk Shin,Ki Hwan Kim,Jung Gun YOU,Gi Gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673276B2. Автор: Dongjin Lee,Dongsoo Woo,Junsoo Kim,Sang-Il Han,Jun-Bum LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US09633998B2. Автор: Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09627542B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Kwang Choi,Ho-Young Kim,Se-Jung Park,Myeong-Cheol Kim,Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Si-Young Choi,Geum-jung Seong,Hee-Don Jeong,Ji-Eun Han,Byoung-Ho Kwon,Bo-Kyeong Kang,Suk-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607841B2. Автор: Hyojoong Kim,Songha Oh,Changgoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Silicon-on-plastic semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US09583414B2. Автор: Julio C. Costa,David M. Shuttleworth,Michael J. Antonell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570409B2. Автор: Je-min Park,Dae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Trench gate type semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US09559188B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Shun-Ichi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US09543450B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530858B2. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09524937B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09520300B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09508737B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Dongchul Yoo,Jintae Noh,Hanvit Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09496396B1. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Ming Hsu,Chung-Min Tsai,Chun-Liang Kuo,Sheng-Hsu Liu,Tsang-Hsuan Wang,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09484355B2. Автор: Seungwoo Paek,Changseok Kang,Won-Seok Jung,Inseok Yang,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Shallow trench isolation structures in semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478457B2. Автор: Ming-Shing Chen,Yu-Ting Wang,Ming-Hui Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09466601B2. Автор: Junggil YANG,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09461164B2. Автор: Thorsten Meyer,Werner Schwetlick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US09455258B2. Автор: Kenji Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09443930B2. Автор: Dongjin Lee,Dongsoo Woo,Junsoo Kim,Sang-Il Han,Jun-Bum LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09418990B2. Автор: Sharma Deepak,RAHEEL Azmat,ChulHong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09379001B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Yongchul Oh,Yonggyu Choi,Kichul NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09343476B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140203441A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125571A1. Автор: Ke Wei,Xinyu Liu,Xinhua Wang,Sen Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7736990B2. Автор: Hiroshi Yamauchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021735A1. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240234468A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230087572A1. Автор: Tomonari SHIODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020090789A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Hisao Shigematsu,Kenji Imanishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210159184A1. Автор: Naganivetha Thiyagarajah,Suk Hee JANG,Hyunwoo YANG,De Wei Shawn WONG. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240213172A1. Автор: Chia-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378174A1. Автор: Ju Youn Kim,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210183820A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043634A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Spherical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020011665A1. Автор: Kenji Shimokawa,Kohei Tatsumi,Nobuo Takeda,Eiji Hashino,Atsuyuki Fukano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050082655A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Kazuo Nishi,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada,Yoshikazu Hiura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11101269B2. Автор: Ju Youn Kim,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE,Eui Chui Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080087912A1. Автор: Saichirou Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170263562A1. Автор: Akihiro Kajita,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160343658A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160013097A1. Автор: Toshiya Kotani,Takafumi Taguchi,Chikaaki Kodama,Hiromitsu Mashita,Fumiharu Nakajima,Ryota Aburada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10868011B2. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Cheng-Pu Chiu,Tien-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170243835A1. Автор: Takashi Watanabe,Takeshi Arakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140353742A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230052664A1. Автор: Naomi Fukumaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210005506A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Junsoo Kim,Kyujin KIM,Hui-jung Kim,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203970A1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240113160A1. Автор: Jeehoon HAN,Jae-Bok Baek,Kyeonghoon Park,Juseong MIN,Donghyuck Jang,Taeyoon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088193A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chun-Liang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334691A1. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240347458A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Yu-Rong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210036153A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240363666A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355821A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Wei-Hung Wang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12074021B2. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20240371709A1. Автор: Wei Wang,Wei-Jen Chang,Chia-Chi Ho,Chung-Shi Chiang,Chang-Hung Yu,Ruei-Jyun Hsu,Hsin-Shan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978864B2. Автор: Chung-Hsuan Wang,Tse-Hsiao LIU,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Yung-Lung Chou,Sing-Lin WU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Wide gap semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960228B2. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09887450B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09870987B2. Автор: Akira Nakajima,Masaaki Hatano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09853160B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09852987B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09837352B2. Автор: Chien-Hua Chen,Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09799695B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793415B2. Автор: Junghyun Kim,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779998B2. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Chia-Chen Tsai,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722097B2. Автор: Ming-Dou Ker,Geeng-Lih Lin,Federico Agustin ALTOLAGUIRRE,Karuna NIDHI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660073B1. Автор: Chih-Wei Lin,Pi-Kuang Chuang,Chao-Wei Wu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09659772B2. Автор: Jee-hoon Han,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09634095B2. Автор: Masahiro Ogino,Yutaka Tomatsu,Seigo Oosawa,Tomomi Oobayashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627470B2. Автор: In Hyuk Song,Jae Hoon Park,Kee Ju Um,Dong Soo Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607897B2. Автор: Takanori Kato,Isao Nakatsuka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601635B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09601632B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240379409A1. Автор: Kyungho Kim,Jaeho JEON,Myungil KANG,Wooseok Park,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576802B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09553167B2. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09548354B1. Автор: Jun-Wei Chen,Chih-Cherng Liao,Po-Heng Lin,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09530812B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09520475B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240363338A1. Автор: Chi-Chang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09484271B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466705B2. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09461148B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US09451131B2. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431458B2. Автор: Jin-Woo Lee,Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang,Hyun-Su Ju,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425261B2. Автор: Yutaka Fukui,Yuji Abe,Yasuhiro Kagawa,Masayuki Imaizumi,Rina Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110241107A1. Автор: Jin Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US7064081B2. Автор: Satoshi Ando. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-06-20.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US5897345A. Автор: Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Ground-connected supports with insulating spacers for semiconductor memory capacitors and method of fabricating the same

Номер патента: US11910593B2. Автор: Seung Jin Kim,Byung-Hyun Lee,Sang Jae Park,Yoon Young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11830737B2. Автор: Jung-Hoon Lee,Sanghyeon Kim,Ji Young Choi,Insung Kim,Woojeong SHIN,Hanhum Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20130062695A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG10201901761VA. Автор: Shin Jongchan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120074504A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240153999A1. Автор: Yajie CHENG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20080315369A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090160056A1. Автор: Kweng-Rae Cho. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device, electric circuit using the same and method of controlling electric circuit

Номер патента: US9293570B2. Автор: Akio Iwabuchi,Hironori Aoki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20190378902A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20030013229A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190221503A1. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190097008A1. Автор: Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A3. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200135687A1. Автор: Takehiko Maeda,Hideki Ishii,Kenji IKURA,Takeumi KATO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11818879B2. Автор: Seungjin Kim,Dongkyun Lee,Cheonbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170170192A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025432A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Power Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, and Power Conversion Device

Номер патента: US20240074122A1. Автор: Masaki Goto,Hodaka Rokubuichi,Haruna Tada,Yasuyuki Sanda,Hayato TERADA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240222494A1. Автор: Chien-Hsien Song,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11189549B2. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337412A1. Автор: Jin-Su Lee,Hongsik CHAE,Jihoon AN,Donguk Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230134000A1. Автор: Hideki Sasaki,Yasutaka Nakashiba,Hajime Hayashimoto,Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018207048A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230011401A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230005939A1. Автор: Yong Kyu Lee,Jong Sung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203491A1. Автор: Kentaro Yamada,Yuji Takahashi,Masaki Watanabe,Yoshiaki Yamada,Shinichi Maeda,Masashi Sahara,Masaki Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190305075A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6661038B2. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Kouji Azuma,Yousuke Miyoshi. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12040412B2. Автор: Jian-Ting CHEN,Yu-Lung Wang,Yao-Ting Tsai,Yuan-Huang Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240243171A1. Автор: Kern Rim,Dae Won Ha,Mun Hyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060043418A1. Автор: Katsuyoshi Washio,Makoto Miura,Hiromi Shimamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240178296A1. Автор: Qifeng LV. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072097A1. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220285284A1. Автор: Toru Ozawa,Yoichi Mizuta,Yoshiaki Takahashi,Kenichi Matoba,Takahiro Tsurudo,Yoshifumi SHIMAMURA,Kouji Nakao,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7557408B2. Автор: Takamichi Fukui. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Modular semiconductor devices and electronic devices incorporating the same

Номер патента: US20230411263A1. Автор: Soohan Park,KyungEun Kim,Hyesun Kim,Youjin Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US09531388B2. Автор: Tetsuya Suzuki,Takahiko GOMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7113661B2. Автор: Yasuyuki Arai,Mai Akiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-26.

Aluminum member for semiconductor manufacturing apparatuses, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240287700A1. Автор: Junji Nunomura. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090309091A1. Автор: Masahiko Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130075842A1. Автор: Ga Young Ha,Ki Scon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341076A1. Автор: Seung Hwan Kim,Seok Pyo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Boot-up method of E-fuse, semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09430247B2. Автор: Yun-Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060246662A1. Автор: Kenji Matsuzaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070040199A1. Автор: Naoki Kotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: US20240260280A1. Автор: Myunghun Woo,Youngji Noh,Joo-Heon Kang,Jongho Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284658A1. Автор: Yong-Suk Tak,Seohee PARK,MinKyung Kang,Joonnyung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306373A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09568615B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244834A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Mei-Yuan CHOU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices and electronic systems including the same

Номер патента: US20140348281A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240349476A1. Автор: Jae Hyun Kang,Subin LEE,Hyokyeom Kim,Jongwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357797A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365677A1. Автор: Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Yi-An Shih,I-Fan Chang,Hsiu-Hao Hu,Po Kai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282362A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282361A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324185A1. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4436330A2. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and communication system including the same

Номер патента: US09847870B2. Автор: Do-Hyung Kim,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4436330A3. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-13.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09537470B2. Автор: Min-Su Kim,Uk-Rae Cho,Gun-Ok Jung,Chung-Hee Kim,Dae-Seong LEE,Ji-Kyum Kim,Emil KAGRAMANYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Resist cover film-forming material, process for forming resist pattern, semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1821148A3. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Nonvolatile semiconductor device and fabrication process for the same

Номер патента: US20020100928A1. Автор: Akinobu Teramoto,Naoki Tsuji,Kazutoshi Wakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor Device and IC Card Having The Same

Номер патента: US20090147862A1. Автор: Shigeo Ohyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor devices and manufacturing methods for the same

Номер патента: US20240260256A1. Автор: Taeyoung EOM,Sunghoon Bae,Halim Noh,Heecheol Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and systems using the same

Номер патента: US20200133721A1. Автор: Yasuo Sasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Barrier film for wavelength conversion sheet, wavelength conversion sheet, backlight, and liquid crystal display device using barrier film, and method for selecting barrier film for wavelength conversion sheet

Номер патента: US20240255804A1. Автор: Shuichi Tamura,Takeshi Sakamoto,Ryutaro Harada,Akihito HARUKI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, container for organic processing liquid for patterning chemical amplification resist film, and pattern forming method, method of manufacturing electronic device, and electronic device using the same

Номер патента: US10705428B2. Автор: Tsukasa Yamanaka,Takashi Kawamoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Test system for semiconductor apparatus and test method using the same

Номер патента: US09671461B2. Автор: Ki Hyun Kim,Dae Hee Lee,Boung Ii Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of correcting a design layout of a semiconductor device, a computing device performing the same and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230229073A1. Автор: Jongmin Lee,Cheolhwan Kim,Jichang SIM,Sangeun GO,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024208927A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Limited. Дата публикации: 2024-10-10.

Monitoring device for a semiconductor component, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4443123A1. Автор: Geraint SEYMOUR,David Bock,Christian BURTON,Alejandro VILLARRUEL-PARRA,Phil Mawby. Владелец: Compound Semiconductor Applications Catapult Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Tester to simultaneously test different types of semiconductor devices and test system including the same

Номер патента: US09557366B2. Автор: Chang-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Isolation layer for semiconductor devices and method for forming the same

Номер патента: WO2006113806A3. Автор: Jason M Neidrich. Владелец: Jason M Neidrich. Дата публикации: 2006-12-21.

Isolation layer for semiconductor devices and method for forming the same

Номер патента: WO2006113806A2. Автор: Jason M. Neidrich. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Optical film for enlarging viewing angle and TFT-LCD device including the same

Номер патента: US09897843B2. Автор: Hu He. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and memory system including the same

Номер патента: US09496010B2. Автор: Jae Woong Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20090212811A1. Автор: Masao Iruka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20160062686A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20160172043A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09922687B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of operating the same using lastly erased memory block

Номер патента: US09691494B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US09679638B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20120026815A1. Автор: Koji Mine,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of operating the same according to degree of deterioration

Номер патента: US09569142B2. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of erasing the same

Номер патента: US09472290B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09460812B1. Автор: Seok Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory system, semiconductor device and methods of operating the same

Номер патента: US09431076B2. Автор: Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method for designing the same

Номер патента: US20060236137A1. Автор: Kenichi Ushiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated optical semiconductor device and optical gyroscope usinng the same

Номер патента: US5724462A. Автор: Ryoji Suzuki,Toshiya Yuhara,Shigehisa Tanaka,Tatemi Ido. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 1998-03-03.

Semiconductor device, semiconductor repair system including the same, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US20150310939A1. Автор: Seon-Ki CHO,Yong-Ho KONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.