• Главная
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND PATTERNING METHOD

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND PATTERNING METHOD

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230187490A1. Автор: Shinichi Hoshi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9059126B1. Автор: Chien-Hsuan Liu,Chao-Chi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8294186B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240096892A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09406710B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818840B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640648B2. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160172476A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170207319A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09640655B2. Автор: Kensaku Yamamoto,Shinya Nishimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200052104A1. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10971619B2. Автор: Tomohiko Mori,Hidemoto Tomita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130292749A1. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8071448B2. Автор: Masaki Okuno. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

LDMOS power semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09954079B2. Автор: Antonello Santangelo,Salvatore Cascino,Leonardo Gervasi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230335610A1. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230378269A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11830912B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190103413A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240063266A1. Автор: Yi-Bo Liao,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230361184A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Teng Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230402511A1. Автор: Takashi Yoshimura,Shogo Yamaguchi,Motoyoshi KUBOUCHI,Yuki Sawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180069135A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09972725B2. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20230132080A1. Автор: Daehee Lee,Seungil CHAI,Kyunghee SHIN,Moonhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240063126A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Lin-Chen Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11901419B2. Автор: Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431260B2. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09412669B2. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device including semiconductor liner and method for fabricating the same

Номер патента: US11929279B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240222429A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021704A1. Автор: Dongwoo Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Hyojin Kim,Yongjun Nam,Ingeon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180301446A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240120391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120094452A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8097914B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100052045A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device using hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038534A1. Автор: Jin Hee Park,Bo Young Cho,Soo Min JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device using hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11823904B2. Автор: Jin Hee Park,Bo Young Cho,Soo Min JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with u-shaped channel and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11817480B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8227314B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240105786A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11935945B2. Автор: Takashi Yoshimura,Michio Nemoto,Hiroshi TAKISHITA,Misaki MEGURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9997621B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Satoshi Eguchi,Yuya ABIKO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220352316A1. Автор: Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP3933887A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240276724A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with programmable feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210408264A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170018637A1. Автор: Mutsumi Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11923444B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210074836A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240128361A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20200105721A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US20230238423A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Wiring layout of semiconductor device and design method of the same

Номер патента: US20050051803A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Hitomi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Stacked semiconductor device architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220230961A1. Автор: Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20200266196A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210104463A1. Автор: Sanghoon Baek,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same

Номер патента: US20220045035A1. Автор: Hyun Mog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09685445B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070166907A1. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7531435B2. Автор: Youichi Momiyama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508598B2. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240243015A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240251557A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20200365614A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20210358949A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Semiconductor device with extension structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20110248361A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401122A1. Автор: Dongwon Kim,Soojin JEONG,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Younggwon Kim,Hyumin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09466603B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050189584A1. Автор: Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11942560B2. Автор: Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240136348A1. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and a method of making the same

Номер патента: US3681668A. Автор: Isamu Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1972-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070284582A1. Автор: Shinichi Saito,Yoshinobu Kimura,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya,Digh Hisamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device with buried gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20130228859A1. Автор: Se-Aug Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7501335B2. Автор: Kazuhiro Eguchi,Akio Kaneko,Katsuyuki Sekine,Yoshitaka Tsunashima,Motoyuki Sato,Seiji Inumiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-10.

Substrate output for a semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US5121194A. Автор: Hiroki Hozumi,Kichio Aida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068259B2. Автор: Meng-Jen Wang,wei da Lin,Hung Chen KUO,Wen Jin HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09559052B2. Автор: Yukio Miura,Hideaki Tsuchiya,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7948023B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8865589B2. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130241073A1. Автор: Yasunobu Kai,Toshiya Kotani,Takaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-19.

Semiconductor device, template, and method of manufacturing template

Номер патента: US12068244B2. Автор: Yasuhito Yoshimizu,Kaori Umezawa,Kosuke TAKAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10804286B2. Автор: Takuya INATSUKA,Kazuhide Takamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor device with stacked dies and method for fabricating the same

Номер патента: US20220367415A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040183157A1. Автор: Shinichiro Wada,Hiromi Shimamoto. Владелец: Hitachi Display Devices Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210125945A1. Автор: Ting Ruei CHEN,Guo-Cheng Liao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US5866920A. Автор: Toru Tatsumi,Kazuhiko Endo,Yoshishige Matsumoto,Yoshitake Ohnishi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US12057469B2. Автор: Po-Nien Chen,Chih-Yung Lin,Chen Hua TSAI,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US09419133B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09484456B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130264576A1. Автор: Takashi Onizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09601334B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09490328B2. Автор: Koji Fujisaki,Takashi Takahama,Keisuke Kobayashi,Naoki Tega. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20140346608A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device with recess gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20100258861A1. Автор: Tae-Kyun Kim,Yun-Hyuck Ji,Seung-Mi Lee,Jin-Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12027597B2. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240321985A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09837528B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09478530B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190273156A1. Автор: Hidenori Takahashi,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282818A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with asymmetric transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170116A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113196A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device with programmable element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220045212A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11942471B2. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160197174A1. Автор: Hiroyuki Ueda,Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Makoto Kuwahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and related method of fabrication

Номер патента: US20120037995A1. Автор: Yongdon Kim,Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor chip, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240194665A1. Автор: Yoshito Tanaka,Hideaki Hashimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170288014A1. Автор: Jun Saito,Shoji Mizuno,Atsushi Onogi,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090267082A1. Автор: Takeshi Endo,Takeo Yamamoto,Masaki Konishi,Hirokazu Fujiwara,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240072055A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: WO2019146300A1. Автор: Takehiro Kato,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160087051A1. Автор: Nariaki Tanaka,Tohru Oka. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4882290A. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-11-21.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2021258293A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240038858A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220005928A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020195618A1. Автор: Mizuhisa Nihei,Yuu Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160163792A1. Автор: Nariaki Tanaka,Kazuya Hasegawa,Tohru Oka,Takahiro Sonoyama,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190288074A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197805A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US5750429A. Автор: Tomoyoshi Kushida. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor device structure with fine patterns and method for forming the same

Номер патента: US20210280425A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240088212A1. Автор: Masakazu Watanabe,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170373168A1. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818881B2. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170047409A1. Автор: Yoshitake Kato,Toshihiro Iizuka,Shin Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device with deviation compensation and method for fabricating the same

Номер патента: US20120161241A1. Автор: Masaki Tamaru. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090014812A1. Автор: Tomoyuki Hirano,Toyotaka Kataoka,Junli Wang,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110269280A1. Автор: Tomoyuki Hirano,Toyotaka Kataoka,Junli Wang,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US8367503B2. Автор: Tomoyuki Hirano,Toyotaka Kataoka,Junli Wang,Yoshiya Hagimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-02-05.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170062457A1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230058892A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

3D non-volatile semiconductor device and manufacturing method of the device

Номер патента: US11889697B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US09553193B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7750427B2. Автор: Takashi Hashimoto,Kozo Watanabe,Shoji Yoshida,Shinichi Tanabe,Masashi Sahara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor device having passing gate and method for fabricating the same

Номер патента: US09972627B2. Автор: Tae Su Jang,Jeong Seob KYE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220037326A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, and solid-state image pickup device using the same

Номер патента: US20140239360A1. Автор: Ryosuke Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210050355A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070221995A1. Автор: Takashi Ipposhi,Takaya Suzuki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09786598B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425142B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US20070158693A1. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-12.

Device of active regions and gates and method of forming gate patterns using the same

Номер патента: US7719034B2. Автор: Hyoung Soon Yune. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200227394A1. Автор: Ying-Chih Kuo,Wei-Feng Lin,Chien Chan YEH. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09553048B1. Автор: Satomi Higashibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230290772A1. Автор: Hideaki Murakami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024103247A1. Автор: Chang Chen,Xiaoming Liu,Xinyu Li. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11935895B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240203998A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with covering liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20210391212A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023312A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7932121B2. Автор: Naoyuki Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230005759A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and a method of testing the same

Номер патента: US7940071B2. Автор: Shingo Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device with buried gate and method for fabricating the same

Номер патента: US8975173B2. Автор: Jong-Han Shin,Bo-Min Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190080997A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10504839B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9859214B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9627359B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162217A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and layout method of the same

Номер патента: US20240162216A1. Автор: Tzu-Chieh WEI,Chun Ying KAN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150357313A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10157837B2. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008591A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160307877A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170207163A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180076126A1. Автор: Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and layout method of semiconductor device

Номер патента: US20120061828A1. Автор: Junichi Konishi,Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20020008282A1. Автор: Hirotoshi Kubo,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US20120126884A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240266424A1. Автор: Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294769A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09362373B2. Автор: Koji Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240243029A1. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09515022B2. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09379004B1. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7915680B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8154074B2. Автор: Takeshi Endo,Kensaku Yamamoto,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110147841A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09711683B2. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device having field plate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140179094A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Shigeki Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200258854A1. Автор: Masao Kikuchi,Kaori Sato,Tatsunori YANAGIMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12101935B2. Автор: Seo Hyun Kim,In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09530859B2. Автор: Tsuyoshi Nishiwaki,Shuhei Oki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022051932A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11862722B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11972996B2. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021121B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11770931B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Woo Han,Hwal Pyo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210272969A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12046645B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339512A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with assistant cap and method for fabricating the same

Номер патента: US20240063285A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240120414A1. Автор: Chih-Hung Hsieh,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072166A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device with shallow contacts and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072165A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230012358A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Fully insulated semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009095835A3. Автор: Pierre Goarin. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-10-08.

A semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP2248163A2. Автор: Pierre Goarin. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor device having step gates and method for fabricating the same

Номер патента: US20060170059A1. Автор: Tae-Woo Jung,Sang-Won Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7525171B2. Автор: Kenji Kimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-04-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20050167746A1. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020105098A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240213341A1. Автор: Hitoshi Fujioka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060281285A1. Автор: Kenji Kimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11616074B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200258907A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20160093699A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Ya-Yu YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240128349A1. Автор: Kaname MITSUZUKA,Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20150311328A1. Автор: Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230024174A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080150030A1. Автор: Shigeyuki Yokoyama,Yu Kosuge. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180219089A1. Автор: Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230157025A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device, memory circuit, method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160322422A1. Автор: Takashi Yokoyama,Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices having through-electrodes and methods for fabricating the same

Номер патента: US09355961B2. Автор: Chajea JO,Hyunsoo Chung,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device package and method of making the same

Номер патента: US09564393B1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hua Chen,Chih-Yi Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device packages and method of making the same

Номер патента: US09653415B2. Автор: Sung-Mao Li,Wei-Hsuan Lee,Chien-Yeh Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082782A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304553A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09461057B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035912A1. Автор: Hsing Kuo TIEN,Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240249988A1. Автор: Yu-Chang Chen,Jen-Chieh Kao,Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09997484B2. Автор: Hideo Aoki,Masatoshi Fukuda,Takeori Maeda,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249368A1. Автор: Meng-Wei Hsieh,Kuo-Chang KANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09589969B1. Автор: Yu-Wei Chang,Chui-Ya Peng,Austin Hsu,Kung-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230154905A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12089349B2. Автор: Sheng-Yu Chen,Yung I Yeh,Chang-Lin Yeh,Ming-Hung Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09929185B2. Автор: Shinya Suzuki,Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589814B2. Автор: Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09589906B2. Автор: Daesung Lee,Chulhyun Park,Ingyu Han. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20100013076A1. Автор: Pyoung-Wan Kim,Teak-Hoon LEE,Chul-Yong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343649A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230114278A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11764178B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058579A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device with assisting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347453A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with assisting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347450A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871005B2. Автор: Chieh-Chen Fu,Cheng-Nan Lin,Kuo Hsien Liao,I-Chia Lin. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20060022257A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20110284945A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7312123B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Photomask for forming small contact hole array and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20060110684A1. Автор: In-sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190363064A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09799612B2. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09698097B2. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09514980B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210210446A1. Автор: Cheng-Lin HO,Chih-Cheng LEE. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200381348A1. Автор: Teck-Chong Lee,Yung-Shun CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device packages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210183787A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249367A1. Автор: Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041774B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09735325B2. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: US20240258243A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160276291A1. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240371738A1. Автор: Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310545A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203896A1. Автор: Cheng Kai Chang,Zheng Wei WU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180226348A1. Автор: Hao-Chih HSIEH,Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170076980A1. Автор: Takashi Ohashi,Takuya Ohtsuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12046523B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160351540A1. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893036B2. Автор: Koji Ogiso,Kazuhiro Murakami,Tatsuo Migita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09786515B1. Автор: Weng Foong Yap. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12041768B2. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20150228560A1. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20220068862A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US09455216B2. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069860B2. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373629A1. Автор: Yoo Hyun NOH,Da Yung BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US11778822B2. Автор: Jae Hyoung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: EP2680307A3. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-12-17.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12062612B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Substrate peeling apparatus and method of fabricating device using the same

Номер патента: US09688062B2. Автор: Yukinori Asakawa. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device with redistribution pattern and method for fabricating the same

Номер патента: US20220336388A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240021665A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11444096B2. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240304540A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047286A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11830865B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220223521A1. Автор: Tse-Yao Huang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US20230268283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with decoupling unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282593A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153878A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with adjustment layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240213162A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200211942A1. Автор: Shun-Tsat TU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210358859A1. Автор: Ming-Hung Chen,Hui-Ping JIAN,Wei-Zhen QIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251353A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Spin chuck jig and method of lifting spin chuck using the same

Номер патента: US20200030842A1. Автор: Michael D. Ybarra,Elijah L. Rhoades. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and manufacture method of the same

Номер патента: US10685917B2. Автор: Zhiqi Wang. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11296043B2. Автор: HUNG-YI LIN,Chang-Yu Lin,Cheng-Yuan KUNG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200335458A1. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901252B2. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190273057A1. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20120061817A1. Автор: Noriyuki Takahashi,Mamoru SHISHIDO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210210433A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240186201A1. Автор: Ian HU,Ming-Han WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202412A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310521A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with connecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935831B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090096097A1. Автор: Yutaka Kagaya,Hidehiro Takeshima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240087954A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210398946A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200144168A1. Автор: Wen-Long Lu,Huang-Hsien CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US11854877B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Pu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9536849B2. Автор: Akira Yajima,Katsuhiro Torii,Hideki Harano,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9425070B2. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175239A1. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210166993A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038712A1. Автор: Chieh-Chen Fu,Shih-Yuan Sun,Jung Jui KANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210134752A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027467B2. Автор: Shao-Lun YANG,Chun-Hung Yeh,Wei-Chih CHO,Tsung-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20100151632A1. Автор: Takashi Kanda,Kenji Fukuzono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160247760A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200251420A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200235056A1. Автор: Yu-Kai Lin,Hsuan-Yu Chen,Chia-Hao Sung. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device with metal spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411284A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11744024B2. Автор: Sheng-Yu Chen,Yung I Yeh,Chang-Lin Yeh,Ming-Hung Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20140357076A1. Автор: Hyung-Kyun Kim,Jae-Soo Kim,Yong-Soo JOUNG,Dong-Gun HWANG,Kyoung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11973039B2. Автор: Yu-Kai Lin,Hsuan-Yu Chen,Chia-Hao Sung. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20150371891A1. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Bump coplanarity for semiconductor device assembly and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230402418A1. Автор: Tsung Che Tsai,Ko Han Lin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with metal spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240079321A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230307422A1. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160005743A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030015802A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202406A1. Автор: Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220336317A1. Автор: Chang-Lin Yeh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210159200A1. Автор: Chih Cheng Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6469382B1. Автор: Yukio Nomura,Kouichi Hotozuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Semiconductor device with composite dielectric structure and method for forming the same

Номер патента: US20210296276A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20140338956A1. Автор: Stephen R. Hooper,Dwight L. Daniels,Alan J. Magnus,Justin E. Poarch. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor devices and a method of producing the same

Номер патента: GB1388772A. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1975-03-26.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249369A1. Автор: Chieh-Chen Fu,Meng-Wei Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170170112A1. Автор: Kouji Eguchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230335454A1. Автор: Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088111A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200350223A1. Автор: Chih Cheng Lee,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220344230A1. Автор: Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7662686B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US8466507B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021044B2. Автор: Wen Hung HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with decoupling capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088113A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20080179653A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190318938A1. Автор: Chanyuan Liu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402738A1. Автор: Yi Chuan Ding,Guo-Cheng Liao. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190333889A1. Автор: Kohei Kurogi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210280744A1. Автор: Cheng-Yuan KUNG,Meng-Wei Hsieh,Tang-Yuan CHEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US11798879B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210257292A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140353809A1. Автор: Akito Shimizu,Shirou OKADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Power semiconductor device package and method of assembling thereof

Номер патента: EP3944305A1. Автор: Franck ERGAS. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160079491A1. Автор: Mitsuyoshi Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20230371238A1. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US11751381B2. Автор: Seung Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Laminated semiconductor device and manufacturing method of laminated semiconductor device

Номер патента: US20170207199A1. Автор: Norio Kainuma,Hidehiko Kira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Stacked die modules for semiconductor device assemblies and methods of manufacturing stacked die modules

Номер патента: WO2023287482A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09799609B2. Автор: Toshiaki Sawada,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09536839B2. Автор: Toshiaki Sawada,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9041202B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11997888B2. Автор: Sheng-Yu Chen,Chang-Lin Yeh,Ming-Hung Chen,Yung-I Yeh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11342463B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09947708B2. Автор: Hiroaki Sekikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09508774B2. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9978783B2. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device structure and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2007072021A1. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device or electronic device

Номер патента: US09729809B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with supporting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090198A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with assistance features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240147703A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device with nanowire contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098462A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: EP1484796A3. Автор: Osamu Ikeda,Toshiyuki Ohkoda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040356A1. Автор: Koji Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190267417A1. Автор: Yu-Min Peng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130062737A1. Автор: Kenji Takahashi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method of imaging device and semiconductor device

Номер патента: US20210090964A1. Автор: Nobutaka Atago. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US20230320081A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Performance Optically Coated Semiconductor Devices and Related Methods of Manufacture

Номер патента: US20130221467A1. Автор: Jamie Knapp. Владелец: Newport Corp USA. Дата публикации: 2013-08-29.

GaN semiconductor device structure and method of fabrication by substrate replacement

Номер патента: US09818692B2. Автор: John Roberts,Greg P. KLOWAK,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same

Номер патента: US09614094B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8872261B2. Автор: Hiroshi Ohta,Kiyoshi Kimura,Junji Suzuki,Wataru Saito,Yasuto Sumi,Hiroyuki IRIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190348433A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device module and method of assembly

Номер патента: US20210183841A1. Автор: Elmar Wisotzki. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11837639B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including bonding pads and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243081A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282715A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304606A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US12061123B2. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and fabrication method of the same

Номер патента: US20070167031A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09553072B2. Автор: Kuo-Feng Huang,Tau-Jing Yang,Wei Yu Nien. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090152697A1. Автор: Kazuo Kudo,Takumi Soba,Hideaki Tamimoto,Toru Ueguri. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09960177B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US09437809B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with interface structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11751334B2. Автор: Chun-Huang Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210050649A1. Автор: Shih-Wen Lu,Huei-Shyong CHO,Shao-En HSU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09391027B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210074362A1. Автор: Minoru Oda,Yuka Itano,Masato SHINI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134696A1. Автор: Chih-Pin Hung,Ian HU,Meng-Kai Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and control method of semiconductor device

Номер патента: US9628090B2. Автор: Koichi Yoshimi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and control method of semiconductor device

Номер патента: US20170012629A1. Автор: Koichi Yoshimi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and control method of semiconductor device

Номер патента: US09628090B2. Автор: Koichi Yoshimi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09716049B2. Автор: Nobutaka Shimizu,Kazuyuki Urago. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09673143B2. Автор: Yoshihiro Kamiyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240071971A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20240357812A1. Автор: Byung Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10438933B2. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09437562B2. Автор: Atsushi Imai,Takashi Ushijima,Jiro Nohara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09576913B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240306385A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230371253A1. Автор: Jin Ho Bin,Kyung Jin Lee,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20230296669A1. Автор: Kazunori Masuda,Makoto Iwai,Takuya Kusaka,Hirosuke NARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US10170440B2. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device, systems and methods of manufacture

Номер патента: US12029040B2. Автор: TAEKYUNG KIM,Seong Soon Cho,Sunghoi Hur,Kwang Soo SEOL,JinTae KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Bonding wire for semiconductor device use and method of production of same

Номер патента: US09536854B2. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Daizo Oda,Teruo Haibara,Ryo Oishi. Владелец: Nippon Micrometal Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US12119321B2. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and design method of same

Номер патента: US09941270B2. Автор: Daisuke Matsuoka,Kazuyuki Nakanishi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, structure of mounting the same, and method of removing foreign matter from the same

Номер патента: US20090079054A1. Автор: Nobuaki Asai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240234300A1. Автор: Sang Hyun Oh,Sang Min Kim,Sang Yong Lee,Jin Taek Park,Sae Jun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11967555B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Multiple-chip semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5313095A. Автор: Takashi Takahashi,Takayoshi Kawakami,Tomohide Tagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Semiconductor device for emitting light and method for fabricating the same

Номер патента: EP1673816A1. Автор: Kyeong-Cheol 126-601 Jukong Apt. LEE. Владелец: Luxpia Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-28.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US11825649B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20240040780A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11832439B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with programmable element and method for fabricating the same

Номер патента: US20230301073A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240040771A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US20230268284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with active interposer and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375837A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Diblock copolymer, preparation method thereof, and method of forming nano pattern using the same

Номер патента: US09493588B2. Автор: Yang-Kyoo Han,Je-Gwon LEE,Su-Hwa Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030222281A1. Автор: Hiroshi Kikuchi,Yoichi Tamaki,Fujiaki Nose,Taiga Arai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device with supporting layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090201A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202413A1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090200649A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US6433406B1. Автор: Hiroshi Kagiwata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110001228A1. Автор: Shigeki Tanaka,Kazuto Ogasawara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030011042A1. Автор: Hiroshi Kagiwata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20140264675A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US8435888B2. Автор: Takashi Kobayashi,Koji Sasaki,Kazuo Matsuzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038677A1. Автор: Ying-Chung Chen,Lu-Ming Lai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US8102050B2. Автор: Takashi Kobayashi,Koji Sasaki,Kazuo Matsuzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20120088364A1. Автор: Takashi Kobayashi,Koji Sasaki,Kazuo Matsuzaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device having a bump structure and method for manufacturing the same

Номер патента: SG10201803483RA. Автор: Lee Chun-Te,Liu Ming-Sheng. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device and trimming method of the same

Номер патента: US20230160754A1. Автор: Shinji Kawashima,Shin TAMURA,Hisao Kobashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100270687A1. Автор: Akira Fujihara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8492904B2. Автор: Akira Fujihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8564128B2. Автор: Junji Shiota. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2013-10-22.

Curable resin composition, production method of image sensor chip using the same, and image sensor chip

Номер патента: US09657182B2. Автор: Kazuto Shimada,Toshihide Ezoe,Yuki Nara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Curable resin composition, production method of image sensor chip using the same, and image sensor chip

Номер патента: US09620542B2. Автор: Kazuto Shimada,Toshihide Ezoe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device structure and method of formation thereof

Номер патента: US5554488A. Автор: Brian A. Rioux. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor device with test-only contacts and method for making the same

Номер патента: US5334857A. Автор: James W. Sloan,Timothy J. Mennitt,John P. Warren. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183885A1. Автор: Jinsoo Lim,SangJun HONG,Jisung Cheon,Seongyeon WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210398921A1. Автор: Jenchun Chen,An-Ping CHIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230387046A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230327333A1. Автор: Shih-Wen Lu,Huei-Shyong CHO,Shao-En HSU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11756904B2. Автор: Cheng-Lin HO,Yu-Lin Shih,Yuanhao Yu,Shih-Chun Li. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200403305A1. Автор: Shih-Wen Lu,Huei-Shyong CHO,Shao-En HSU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US11996373B2. Автор: Jenchun Chen,An-Ping CHIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210280968A1. Автор: Shih-Wen Lu,Huei-Shyong CHO,Shao-En HSU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190355676A1. Автор: Shun-Tsat TU,Pei-Jen LO,Yan-Si LIN,Chien-Chi KUO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device having three-dimensional construction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070066052A1. Автор: Takaaki Aoki,Eiji Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device for and method of manufacturing the same

Номер патента: US3697334A. Автор: Hisashi Toki,Masayuki Yamamoto,Hideo Shibuya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-10-10.

Improved performance optically coated semiconductor devices and related methods of manufacture

Номер патента: WO2009075880A2. Автор: Jamie Knapp. Владелец: Newport Corporation. Дата публикации: 2009-06-18.

Improved performance optically coated semiconductor devices and related methods of manufacture

Номер патента: WO2009075880A3. Автор: Jamie Knapp. Владелец: Newport Corporation. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050054142A1. Автор: Hiroshi Kawano,Yoshihiko Ino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20090072416A1. Автор: Tsutomu Sano. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7078270B2. Автор: Hiroshi Kawano,Yoshihiko Ino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-18.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200140262A1. Автор: Hsun-Wei Chan,Ching-Han Huang,Yu-Hsuan Tsai. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Test method of a semiconductor device and manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US11885716B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20200227371A1. Автор: CHUN-HUNG Liu,SHIH-AN Liao,Ming-Chi Hsu,Min-Hsun Hsieh,Shau-Yi Chen. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20130064010A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device, battery pack, method of controlling semiconductor device, and control programs

Номер патента: US20240044990A1. Автор: Gen NAGASHIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Optical semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US11984699B2. Автор: Hiromitsu Kawamura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatus for wiring semiconductor device using energy beam and wiring method by using the same

Номер патента: US5149973A. Автор: Hiroaki Morimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US20160248977A1. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US09794484B2. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251548A1. Автор: Junsoo Kim,Taeyoon Lee,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4404708A1. Автор: Junsoo Kim,Taeyoon Lee,Daehyun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240251571A1. Автор: Jun Young Lim,Hyung Keun Kim,Sung Lae Cho,Jun Ku AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196608A1. Автор: Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Kyung Jin Lee,Sul Gi JUNG,Kyung Sung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12069972B2. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240257882A1. Автор: Byeong Ju JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240331738A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240373765A1. Автор: Ji Sun HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US12150307B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Pad unit having a test logic circuit and method of driving a system including the same

Номер патента: US20080133991A1. Автор: Jae-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240341105A1. Автор: Hyung Dong Lee,Yoon Mo Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with assistance features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240147704A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and test method of the same

Номер патента: US20160072511A1. Автор: Tomoyuki Maekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10693476B2. Автор: Yuichi Maruyama,Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor device and driving method of the same

Номер патента: US20070153565A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroko Abe,Ryoji Nomura,Yuji Iwaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060033526A1. Автор: Kenji Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240147685A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Wen-Li Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US11950409B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240224513A1. Автор: Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Wook Bae,Sang Hyon KWAK,Sang Hyuk NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Photomask blanks, photomasks fabricated using the same, and methods of fabricating photomask using the same

Номер патента: US20160238926A1. Автор: Eui Sang PARK,Kung Hoon NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170262393A1. Автор: Shigeaki Takaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240331779A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device(s) and method of refreshing the semiconductor device

Номер патента: US09711204B1. Автор: Youk Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having hierarchically structured bit lines and system including the same

Номер патента: US8374044B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240255714A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Jui-Jen Yueh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240312541A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and training method of the semiconductor device

Номер патента: US20240274168A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and operating method of semiconductor device

Номер патента: US20240274167A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US09576627B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with temporary memory chip and method for driving the same

Номер патента: US10394465B2. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Metal catalyst, method of c-n coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US20210129123A1. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2021-05-06.

Metal catalyst, method of c-n coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US20190039057A1. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2019-02-07.

Metal catalyst, method of C—N coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US11376576B2. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2022-07-05.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09803123B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Phase change material composition and method of fabricating and packaging the same

Номер патента: US09695349B1. Автор: Orville Thomas Neal. Владелец: Neal Energy Management LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Metal catalyst, method of C-N coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US11833493B2. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2023-12-05.

Photomask blanks, photomasks fabricated using the same, and methods of fabricating photomask using the same

Номер патента: US9664998B2. Автор: Eui Sang PARK,Kung Hoon NAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20150063000A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20160260498A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US20170337982A1. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9728270B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US9343173B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and control method of the same

Номер патента: US10074442B2. Автор: Susumu Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US8508967B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-13.

Display apparatus and method of driving display panel using the same

Номер патента: US11049432B2. Автор: Mingyu Kim,Hoisik Moon,Juneyoung Lee,Hee Joon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US10921514B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20200209075A1. Автор: Masanori Ikeda,Tadashi Kameyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.