Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of fabricating the copper interconnection layer in semiconductor device

Method of fabricating the copper interconnection layer in semiconductor device

Номер патента: KR100687436B1
Опубликовано: 26-02-2007
Автор(ы): 김재홍, 천재익
Принадлежит: 동부일렉트로닉스 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Homogeneous copper interconnects for beol

Номер патента: EP1800335A1. Автор: Mahadevaiyer Krishnan,Kenneth P. Rodbell,Kevin S. Petrarca,Michael Lofaro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Methods of forming a through-substrate-via (TSV) and a metallization layer after formation of a semiconductor device

Номер патента: US09917009B2. Автор: Daniel Smith,Maxwell Lippitt,Vimal Kumar Kamineni,Himani Suhag Kamineni. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for cleaning the surface of an epitaxial layer in openings of semiconductor device

Номер патента: US09711394B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Hybrid Copper Interconnect Structure and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130026635A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Method to repair edge placement errors in a semiconductor device

Номер патента: US11664274B2. Автор: Charles H. Wallace,Gopinath Bhimarasetti,Mohit K. HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Method of forming a graphene cap for copper interconnect structures

Номер патента: US8623761B2. Автор: Griselda Bonilla,Qinghuang Lin,Alfred Grill,John A. Ott,Deborah A. Neumayer,James B. Hannon,Christos D. Dimitrakopoulos,Dirk Pfeiffer,Satoshi Oida. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device with pure copper wirings and method of manufacturing a semiconductor device with pure copper wirings

Номер патента: US20010035583A1. Автор: Takeshi Kubota,Mitsutoshi Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for processing an electroplated copper film in copper interconnect process

Номер патента: US20160247717A1. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for processing an electroplated copper film in copper interconnect process

Номер патента: US09640434B2. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Reduced circuit area and improved gate length control in semiconductor device

Номер патента: WO2006060590A2. Автор: Howard Tigelaar,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-06-08.

Reduced circuit area and improved gate length control in semiconductor device

Номер патента: WO2006060590A3. Автор: Howard Tigelaar,Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Владелец: Antonio Luis Pacheco Rotondaro. Дата публикации: 2006-07-20.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of fabricating an electronic device incorporating a randomized interconnection layer

Номер патента: EP2876680B1. Автор: Viet Hoang Nguyen,Michael Antoine Armand in t' Zandt. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-08-28.

Method of making triple well isolated diode

Номер патента: US12074208B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing an integrated circuit substrate

Номер патента: US09786568B2. Автор: Martin Mischitz,Andrew Wood,Claudia Sgiarovello. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of using tantalum-aluminum-nitrogen material as diffusion barrier and adhesion layer in semiconductor devices

Номер патента: US6432818B1. Автор: Salman Akram,Scott G. Meikle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-13.

CMP Slurry Composition for Barrier Polishing for Manufacturing Copper Interconnects, Polishing Method Using the Composition, and Semiconductor Device Manufactured by the Method

Номер патента: US20100164106A1. Автор: In Kyung Lee,Tae Young Lee,Byoung Ho Choi,Yong Soon Park. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220367661A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11935934B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

A method of etching one or more layers of a mixture of metals and dielectrics in a semiconductor device.

Номер патента: JP6968194B2. Автор: ゴウピル，グレゴリー,シャラン,ブルリク，ジャン. Владелец: Tescan Brno sro. Дата публикации: 2021-11-17.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20230335584A1. Автор: Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

METHODS OF FORMING A THROUGH-SUBSTRATE-VIA (TSV) AND A METALLIZATION LAYER AFTER FORMATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180040511A1. Автор: SMITH Daniel,Kamineni Vimal Kumar,Kamineni Himani Suhag,Lippitt Maxwell. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Methods of forming transition metal niobium nitride films on substrates by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: CN114657535A. Автор: J·P·陈,F·阿洛克塞. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-24.

Method of making two component nanospheres and their use as a low dielectric constant material for semiconductor devices

Номер патента: TW385522B. Автор: Michael R Ayers. Владелец: Michael R Ayers. Дата публикации: 2000-03-21.

Memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: CN101232048A. Автор: 李昌炫,崔炳仁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-30.

Memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: TW200830539A. Автор: Chang-Hyun Lee,Byeong-In Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-16.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US09653600B2. Автор: Yang Zhou,Gangning Wang,Guangli Yang,Guohao Cao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Reverse contact and silicide process for three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20210098294A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann,Jodi Grzeskowiak,Hiroki Niimi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of forming a metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US11769722B2. Автор: Yaojian Leng. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices including finFETs and local interconnect layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09443851B2. Автор: RWIK Sengupta,RAHEEL Azmat. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Copper alloy interconnections for integrated circuits and methods of making same

Номер патента: WO2002045142A9. Автор: Valery M Dubin,Christopher D Thomas. Владелец: Christopher D Thomas. Дата публикации: 2003-02-06.

Copper interconnect structure with manganese oxide barrier layer

Номер патента: US09947579B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12087619B2. Автор: Yu-Ting Chen,Yen-De Lee,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Shun-Li Lan,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282627A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming a barrier layer in a contact structure

Номер патента: EP1010199A1. Автор: Seshadri Ramaswami,Kenny King-Tai Ngan,Barry Hogan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240276729A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hyunmin Kim,Changmin Choi,Ryoongbin LEE,Juntaek PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having interconnect layer that includes dielectric segments interleaved with metal components

Номер патента: US09520362B2. Автор: Hung-Wen Su,Syun-Ming Jang,Ming-Hsing Tsai,Chun-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Conductive connectors having a ruthenium/aluminum-containing liner and methods of fabricating the same

Номер патента: EP3420584A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,James S. Clarke,Ramanan V. Chebiam,Christopher J. Jezewski,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-02.

Multiple metal layer semiconductor device and low temperature stacking method of fabricating the same

Номер патента: US09887155B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09881809B2. Автор: Hong-Ji Lee,Xin-Guan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same

Номер патента: US20010033027A1. Автор: Salman Akram,Scott Meikle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200144129A1. Автор: Young-hun Kim,Jaeseok Yang,Haewang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4246592A1. Автор: Jaejin Lee,Youngjun Kim,Eun-Ok Lee,Taekyung Yoon,Hunyoung Bark,Dongju Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09984921B2. Автор: Myung Geun Song,Byung Hee Kim,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Sang Hoon AHN,Byung Kwon CHO,Na Ein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911644B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812353B2. Автор: Myung Geun Song,Byung Hee Kim,Woo Kyung YOU,Jong Min Baek,Sang Hoon AHN,Byung Kwon CHO,Na Ein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09685450B2. Автор: Vladimir Urazaev,Ki-yeon Park,Jae-Hyoung Choi,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09679829B2. Автор: Taeseong Kim,Sunghee Kang,Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Sukchul Bang,Yeun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607841B2. Автор: Hyojoong Kim,Songha Oh,Changgoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09520300B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of fabricating semiconductor devices having conductive pad structures with multi-barrier films

Номер патента: US20220238467A1. Автор: Po-Han Wang,Ing-Ju Lee,Cheng-Ming Wu,Chao-Lung Chen,Po-Hsun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US11107723B1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240244818A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210257249A1. Автор: Long Wang,Chin-Chun Huang,Hailong Gu,Wen Yi Tan,Penghui LU,Zijun Sun. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09768025B2. Автор: Yongkong SIEW,Sung-yup Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09698050B1. Автор: HIROSHI Ashihara,Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Toshiyuki Kikuchi. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated semiconductor device and wafer level method of fabricating the same

Номер патента: US09691725B2. Автор: Chia-Hua Chu,Alexander Kalnitsky,Chun-Wen Cheng,Kuei-Sung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091401A1. Автор: Noriaki Matsunaga,Naofumi Nakamura,Takahiko Yoshizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230157001A1. Автор: Chih-Wei Huang,Hsu-Cheng Fan,En-Jui Li,Chih-Yu YEN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Stacked die structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12068285B2. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20220359282A1. Автор: Taesung Lee,JongSeok Lee,Uihyoung LEE,Honyun Park,Sewan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09953841B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Yen-Ju Chen,Shih-Ping Hong,Yuan-Chieh Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627514B1. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20070155175A1. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Use of metal phosphorus in metallization of photovoltaic devices and method of fabricating same

Номер патента: US20160197208A1. Автор: Qiang Huang,Satyavolu S. Papa Rao,Kathryn C. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device including a porous dielectric layer, and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09997451B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo,Benjamin David Briggs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09831119B2. Автор: Dong-Kwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with a contact plug and method of fabricating the same

Номер патента: US09640482B1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Li-Han Chen,Pin-Hong Chen,Kuo-Chih Lai,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Min-Chuan Tsai,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09524937B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7279791B2. Автор: Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-10-09.

Molding technique for copper interconnecting wires by electrochemical displacement deposition on the pre-shaped metal layer

Номер патента: US20040222558A1. Автор: Wen Yang,Tsong-Jen Yang,Giin-Shan Chen,Chin-Hao Yang,Don-Gey Liu,Hong-Yuan Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US09922920B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Copper interconnect structures

Номер патента: US09806018B1. Автор: Wei Wang,Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09640429B2. Автор: Masahiro Nishi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Process integration to reduce contact resistance in semiconductor device

Номер патента: WO2022236026A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan,Sankuei Lin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12131950B2. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200127008A1. Автор: In Su Park,Dong Sun Sheen. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of improving adhesion of dielectric cap to copper

Номер патента: US8790751B2. Автор: King-Sang Lam. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-07-29.

Method for forming a capping layer on a copper interconnect

Номер патента: US20020197865A1. Автор: Koichi Ohto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of improving adhesion of dielectric cap to copper

Номер патента: US20090260759A1. Автор: King-Sang Lam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-22.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating miniaturized semiconductor or other device

Номер патента: US09443755B2. Автор: Steven Zhang,Donjiang WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09379001B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Yongchul Oh,Yonggyu Choi,Kichul NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of fabricating copper pillar bump structure with solder supporting barrier

Номер патента: US11798885B2. Автор: Ling-Yi Chuang,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US9190462B2. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230011401A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device having internal wire and method of fabricating the same

Номер патента: US5550409A. Автор: Takehisa Yamaguchi,Hidekazu Oda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US20150008560A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Methods of Forming Interconnect Structures in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20210375756A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Metal line of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080014734A1. Автор: Young Ok Hong,Dong Hwan Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-17.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US9711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20160035617A1. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297232A1. Автор: Hyun-Seung Song,Jae-Jik Baek,Tae-Yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon precursor, method of forming a layer using the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09899392B2. Автор: Younjoung CHO,Xiaobing Zhou,Michael David Telgenhoff,JunHyun Cho,Kyunghye Jung. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of adaptive patterning for panelized packaging

Номер патента: US09887103B2. Автор: Christopher M. Scanlan,Timothy L. Olson. Владелец: DECA Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09793347B2. Автор: Gil-heyun Choi,Woo-Jin Lee,Jong-Won Hong,Sang-hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating semiconductor device and computing system for implementing the method

Номер патента: US09754789B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Jong-Shik Yoon,Byung-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Overlay marks, methods of forming the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US09711395B2. Автор: Chang-hoon Lee,Tae-Hwan OH,Jong-Su Kim,Yong-Kug Bae,Dong-Woon Park,Tae-hoi Park,Boo-Hyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09508726B2. Автор: Mongsup Lee,Yoonho SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09472508B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Passivation of copper interconnect surfaces with a passivating metal layer

Номер патента: US6100195A. Автор: Lap Chan,Kheng Chok Tee,Kuan Pei Yap,Flora S. Ip,Wye Boon Loh. Владелец: Institute of Microelectronics ASTAR. Дата публикации: 2000-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4372794A1. Автор: Jinkyu Kim,Kyoungwoo Lee,Yunsuk NAM,Sora YOU,Sungmoon Lee,Seungmin Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-22.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Methods of fabricating buried digit lines

Номер патента: US6555463B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Semiconductor device including process monitoring pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110187001A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device including through via, semiconductor package, and method of fabricating the same

Номер патента: US12107109B2. Автор: Taeseong Kim,Yi Koan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Source-gate region architecture in a vertical power semiconductor device

Номер патента: US09837358B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09831164B2. Автор: Gil-heyun Choi,Pil-Kyu Kang,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Deok-Young Jung,Dong-Chan Lim,Dae-Lok Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of integration process for metal CMP

Номер патента: US09805951B1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698155B2. Автор: Sunil Shim,Wonseok Cho,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09590073B2. Автор: Bo-Un Yoon,Myoung-Hwan Oh,Ho-Young Kim,Jun-Hwan YIM,Yeon-Tack RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of planarizating film

Номер патента: US09543161B1. Автор: Shih-Chi Fu,Chi-Kang Chang,Kuei-Shun Chen,Yu-Lun LIU,Ying-Hao Su,Chloe Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of fabricating the same, electronic systems including the same, and memory cards including same

Номер патента: US09536846B2. Автор: Jin Woo Park,Bae Yong Kim,Sung Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US09508551B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Jeehoon HAN,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09490214B2. Автор: Sang Choon KO,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Hokyun Ahn,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-11-08.

Copper interconnect structure with manganese oxide barrier layer

Номер патента: US10224241B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini,Hosadurga K. Shobha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Method of forming copper interconnect structure with manganese barrier layer

Номер патента: US20240006237A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of fabricating vertical semiconductor device utilizing phase changes in semiconductor materials

Номер патента: US20110217828A1. Автор: Vladimir Urazaev,Jung-Ho Kim,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang,Sung-Woo Hyun,Jin-Ha Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Method of forming copper interconnect structure with manganese barrier layer

Номер патента: US11804405B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Takeshi Nogami,Hosadurga Shobha,Son V. Nguyen,Deepika Priyadarshini. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-10-31.

Low resistance and inductance backside through vias and methods of fabricating same

Номер патента: WO2007084879A2. Автор: Anthony K. Stamper,Robert A. Groves,Mete Erturk,Jeffrey B. Johnson,Qizhi Liu,Edmund J. Sprogis,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202303A1. Автор: Dowan KIM,Doohwan Lee,Seunghwan Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11942427B2. Автор: Eun-ji Jung,Jong Jin Lee,Seung Yong Yoo,Rak Hwan Kim,Won Hyuk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210265197A1. Автор: Cheng-Che Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030169A1. Автор: Woon Chun Kim,Dae Seo Park,Jumyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11978769B2. Автор: Jin Wook Lee,Kwang-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240250000A1. Автор: Sunghwan Kim,Wandon Kim,Hyunbae Lee,Jeonghyuk Yim,Junki PARK,Hyoseok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Low resistance and inductance backside through vias and methods of fabricating same

Номер патента: EP1979932A2. Автор: Anthony K. Stamper,Robert A. Groves,Mete Erturk,Jeffrey B. Johnson,Qizhi Liu,Edmund J. Sprogis,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230253310A1. Автор: Wandon Kim,Eui Bok LEE,Donggon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Package structure, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230258881A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Tsung-Yuan Yu,Cheng-chieh Hsieh,Yu-Hao Chen,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7687910B2. Автор: Masaki Yamada,Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Semiconductor device conductive pattern structures including dummy conductive patterns, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20120193792A1. Автор: Gil-heyun Choi,Jong-Won Hong,Jong-Myeong Lee,In-sun Park,Ji-Soon Park,Hei-Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266394A1. Автор: Jin Wook Lee,Kwang-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of filling retrograde recessed features with no voids

Номер патента: US20180294181A1. Автор: Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8895391B2. Автор: Won Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-25.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20130244398A1. Автор: Won Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180308928A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-ta Wu,Wei-Kung Tsai,Ming-Che Yang,Kuo-Hwa Tzeng,Yong-En Syu,Ke-Dian WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of forming narrow thermal silicon dioxide side isolation regions in a semiconductor substrate and mos semiconductor device fabricated by this method

Номер патента: KR100521790B1. Автор: 아만드 라저 디. 세인트,닐 에프. 도이췌,로버트 피. 마. Владелец: 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-01-12.

1t dram device having two gates on recessed body and method of operating and fabricating the same

Номер патента: KR101163711B1. Автор: 박병국,김상완. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-07-09.

Profile control of isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240274662A1. Автор: Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09842841B2. Автор: Ji Hun Kim,Wonseok Yoo,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Ilgweon KIM,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240379409A1. Автор: Kyungho Kim,Jaeho JEON,Myungil KANG,Wooseok Park,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor devices including active patterns having different pitches and methods of fabricating the same

Номер патента: US09755049B2. Автор: Sung Min Kim,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices including a gate core and a fin active core and methods of fabricating the same

Номер патента: US09673300B2. Автор: Heonjong Shin,Eunsil Park,Seungseok HA,Keunhee Bai,Kyounghwan YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09613967B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang,Yi-Hao Chien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627247B2. Автор: Hong-Ji Lee,Fang-Hao Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with self-protecting fuse and method of fabricating the same

Номер патента: US20150255394A1. Автор: Kang-Min Kuo,Bor-Zen Tien,Chin-Chia Chang,Che-Chia Hsu,Ying-Chieh Liao,Gwo-Chyuan Kuoh,Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865495B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Myung-Yoon Um,Gi-gwan PARK,Hyung-Dong Kim,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating semiconductor device having a trench structure penetrating a buried layer

Номер патента: US09543190B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US20170301581A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Double gated 4f2 dram chc cell and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150093869A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of fabricating semiconductor devices including fin-shaped active regions

Номер патента: US09728535B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Myung-Geun Song,Young-Sang Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Double gated 4F2 dram CHC cell and methods of fabricating the same

Номер патента: US09472461B2. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09564368B2. Автор: Jae-Ho Park,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Seolun Yang,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240113160A1. Автор: Jeehoon HAN,Jae-Bok Baek,Kyeonghoon Park,Juseong MIN,Donghyuck Jang,Taeyoon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for regulating surface sensitivity of insulating films in semiconductor devices

Номер патента: WO2000077831A3. Автор: Giovanni Antonio Foggiato,Joseph Ellul,Sasangan Ramanathan,Dilip Vijay,Asharf R Khan,Hariram Krishnamoorthy. Владелец: Quester Technology Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of co-integration of strained silicon and strained germanium in semiconductor devices including fin structures

Номер патента: US09735160B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductive device with a single diffusion break and method of fabricating the same

Номер патента: US09660022B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520297B2. Автор: Dong-Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240250144A1. Автор: Jongho Park,Sangjin Hyun,Byounghoon Lee,Wandon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Substrate with locally integrated single crystalline silicon layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060144323A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Young-soo Park,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of planarizing a film layer

Номер патента: US09799529B2. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Hsin-Chih Chen,Yung-Sung Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240071810A1. Автор: Hoon Han,Byung Keun Hwang,Young Hun Sung,Youn Joung CHO,Eun Hyea Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory devices having reduced interference between floating gates and methods of fabricating such devices

Номер патента: EP2036122A2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210005506A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Junsoo Kim,Kyujin KIM,Hui-jung Kim,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices suitable for narrow pitch applications and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09530898B2. Автор: WEI Liu,Jing Tang,Johanes Swenberg,Tze Wing Poon,Christopher Sean Olsen,Udayan Ganguly,Yoshitaka Yokota,Sunderraj Thirupapuliyur,Jacob Newman,Shiyu Sun,Vicky U. Nguyen,Swaminathar Srinivasan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20160064234A1. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Chih-tang Peng,Shun-Hui YANG,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of forming oxide layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190279862A1. Автор: Hiroshi Morita,Youn-Joung Cho,Jin-Wook Park,Yasuhisa Furihata,Tae-Jin YIM. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Substrate output for a semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US5121194A. Автор: Hiroki Hozumi,Kichio Aida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-06-09.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09905550B2. Автор: Sang-uk Han,Un-Byoung Kang,Taeje Cho,Seungwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating multi-wafer image sensor

Номер патента: US09748308B2. Автор: Jin Li,YIN Qian,Howard E. Rhodes,Dyson H. Tai,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating multi-wafer image sensor

Номер патента: US09379159B2. Автор: Jin Li,YIN Qian,Howard E. Rhodes,Dyson H. Tai,Chen-Wei Lu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Method of increasing field inversion threshold voltage and reducing leakage current and electrical noise in semiconductor devices

Номер патента: US4154873A. Автор: Robert E. Hickox,Heber J. Bresee. Владелец: Burr Brown Research Corp. Дата публикации: 1979-05-15.

Methods of forming MIM type capacitors by forming upper and lower electrode layers in a recess that exposes a source/drain region of a transistor and MIM capacitors so formed

Номер патента: US20030129805A1. Автор: Hong-Ki Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-10.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US09437809B2. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20140264675A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Circuit board with via trace connection and method of making the same

Номер патента: US20120120615A1. Автор: Yip Seng Low,Neil McLellan,Andrew KW Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-17.

Circuit board with via trace connection and method of making the same

Номер патента: EP2513956A1. Автор: Yip Seng Low,Neil McLellan,Andrew KW Leung. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-10-24.

Circuit board with via trace connection and method of making the same

Номер патента: US09793199B2. Автор: Yip Seng Low,Neil McLellan,Andrew K W Leung. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080268601A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-30.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US12033928B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234557A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4401145A1. Автор: Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Insulation systems and methods of depositing insulation systems

Номер патента: US20200347509A1. Автор: Anil Raj Duggal,Ravisekhar Nadimpalli Raju,Weijun Yin. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-11-05.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: WO2016193909A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: The Silanna Group Pty Limited. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US20160359094A1. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Efficient dual metal contact formation for a semiconductor device

Номер патента: US09590157B2. Автор: Johnny Cai Tang,Christopher Flynn. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of fabricating a zinc oxide based nanowire using a buffer layer in a high temperature process and method of fabricating a electronic device using the same

Номер патента: KR101091598B1. Автор: 김동찬,조형균. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2011-12-13.

Method of forming silicide film

Номер патента: US5963829A. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Method of manufacturing metal-insulator-metal (mim) capacitors with noble metal electrode liners

Номер патента: US20230006031A1. Автор: Michael Givens,Alessandra Leonhardt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862587B2. Автор: Mark Gerber. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20230178465A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, semiconductor module, and power conversion device

Номер патента: US20230395382A1. Автор: Tomoyasu Furukawa,Tsubasa Moritsuka. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Stabilisation of gate dielectric layer - in metal oxide semiconductor devices to reduce fixed oxide charge in layer

Номер патента: FR2290757A1. Автор: Martin Revitz,Stanley I Raider,Robert A Goula. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-06-04.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230369161A1. Автор: Yusuke Araki,Kei Watanabe,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of manufacturing a substrate for a mask blank, a mask blank, a photomask and a semiconductor device

Номер патента: TW201044105A. Автор: Masaru Tanabe. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20130064010A1. Автор: Jun Liu,Gurtej Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Redistribution Layers And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098400A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Barrier Layers in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240297233A1. Автор: Hsin Hsiang TSENG,Ming-Nung CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of modifying capping layer in semiconductor structure

Номер патента: US09837504B2. Автор: Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Wayne Liu,Chun-Heng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Devices Having Improved Adhesion and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20110266557A1. Автор: Van Mieczkowski,Helmut Hagleitner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-03.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240332091A1. Автор: Huang-Lin Chao,Kenichi Sano,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE,Huiching Chang,Shao An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090140321A1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Chemically anchored mold compounds in semiconductor packages

Номер патента: US20230272536A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US12094951B1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240363721A1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of fabricating semiconductor device for preventing polysilicon line being damaged during removal of photoresist

Номер патента: US20020160601A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Hao Lin,Cheng-Tung Huang,Shih-Chieh Hsu,Chang-Chi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09972638B2. Автор: Seongsoo Lee,Kyunghyun Kim,Daehyun Jang,Kihyun Hwang,Sunghae Lee,JinGyun Kim,Daehong Eom,Chadong Yeo,Jun-youl Yang,Se-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Photomasks, methods of fabricating the photomasks, and method of fabricating semiconductor devices by using the photomasks

Номер патента: US09817309B2. Автор: Jung-Hwan Lee,Byung-gook Kim,Sang-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010020702A1. Автор: Kiichi Hirano,Naoya Sotani,Toshifumi Yamaji,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Multi-layer dielectric refill for profile control in semiconductor devices

Номер патента: US20240274695A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and apparatus used in fabrication thereof

Номер патента: US09735016B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device having reduced leakage current at breakdown and method of fabricating thereof

Номер патента: US20140264599A1. Автор: Chien-Chung Chen,Yin-Fu Huang,Shyi-Yuan Wu,Ming-Tung Lee,Shin-Chin Lien. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and display device including the same

Номер патента: US12087853B2. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Kiho Kong,Junghun PARK,Jinjoo Park,Joohun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Dry etching method of copper or copper alloy interconnection layer employing plasma of an iodine compound

Номер патента: US5240559A. Автор: Tomoaki Ishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20220384481A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-01.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20210288070A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device including dummy gate part and method of fabricating the same

Номер патента: US8053845B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Hong-Soo Kim,Jin-Sook Choi,Sang-youn Jo,Byoung-Ho Kwon,Se-rah Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09620518B2. Автор: Yao-Fu Chan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: US20180331206A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of fabricating semiconductor device having dual gate

Номер патента: US20150093888A1. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Hag-Ju Cho,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device with multiple channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20090275177A1. Автор: Ming Li,Sung-min Kim,Dong-won Kim,Sung-dae Suk,Kyoung-hwan Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating thereof

Номер патента: US09997628B1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ching-Hung Kao,Jheng-Hong Jiang,Fu-Cheng Chang,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09627474B2. Автор: Chien-Mao Chen,Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Gate-all-around semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09601488B2. Автор: Niamh Waldron,Nadine Collaert,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09559112B2. Автор: Youngwoo Park,Jungdal CHOI,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Integrated circuits having FinFET semiconductor devices and methods of fabricating the same to resist sub-fin current leakage

Номер патента: US09472554B2. Автор: Yanxiang Liu,Michael Hargrove,Christian Gruensfelder. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074288A1. Автор: Kenichi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Buffer structure for semiconductor device and methods of fabrication

Номер патента: US20100163848A1. Автор: Prashant Majhi,Jack Kavalieros,Wilman Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140183749A1. Автор: SANGHOON Lee,Kyong-won An,Woosung Lee,Yongseok CHO,Hyunyong Go,Sunggil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device with electrostrictive layer in semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060278903A1. Автор: Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972683B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09929239B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Ji-hyun Hur,Dong-Soo Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,David Seo,Moon-seung YANG,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09818825B2. Автор: Dong-Kwon Kim,Yong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768018B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09679815B2. Автор: Dong Hun Lee,Sunhom Steve Paak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, electronic device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09515086B2. Автор: Young-Jin Noh,Jaeyoung Ahn,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Dongchul Yoo,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of fabricating semiconductor devices including PMOS devices having embedded SiGe

Номер патента: US09449834B2. Автор: Wei Lu,Qingsong WEI,Wuping Liu,Yonggen He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09343476B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210327779A1. Автор: Shotaro SAKUMOTO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100025827A1. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Package structure, chip structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057437B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Cerium oxide nanoparticles, methods for fabricating the same and methods for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230167566A1. Автор: Sang Kyun Kim,Min Young Kim,Kyu Hyoung Lee,Hyo San LEE,Chul Oh Park,In Kwon Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods of forming spacer patterns using assist layer for high density semiconductor devices

Номер патента: WO2008089153A3. Автор: Tuan Duc Pham,James Kai,Takashi Orimoto,Masaaki Higashitani,George Metamis. Владелец: George Metamis. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and patterning method

Номер патента: US09984931B2. Автор: Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Dongwoo Han,Kwang-Yong Yang,Haegeon JUNG,KyungYub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09640444B2. Автор: Sunyoung Park,Jung-Ho Do,Kwanyoung Chun,Sanghoon Baek,Sang-Kyu Oh,Taejoong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09502406B1. Автор: HyungSuk Jung,Cheolwoo Park,Seokjun Won,Kwangyul Lee,Jeongeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of fabricating memory devices using wet etching and dry etching

Номер патента: US09484219B2. Автор: Dong-Chan Kim,Han-jin Lim,Young-Geun Park,Sang-Yeol Kang,Bong-Hyun Kim,Wook-Yeol Yi,Chang-Mu AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for fabricating P-type semiconductor substrate, solar cell and method for fabricating the same

Номер патента: US09461194B2. Автор: Chia-Gee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040180502A1. Автор: Young-ok Kim,Cha-Dong Yeo,Sun-ha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09711506B2. Автор: Junggil YANG,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Wafer and method of fabricating the same

Номер патента: US20030119295A1. Автор: Wen-Bin Yu,Hsin-Chin Wang,Fang-Chu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20170271479A1. Автор: DongHun Lee,Jinbum Kim,Jaeyoung Park,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Jeongho Yoo,Bonyoung Koo,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140124834A1. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US8987118B2. Автор: Atsushi Nakamura,Dong-jun Lee,Keita Kato,Jae-ho Kim,Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Si-Young Lee,Suk-Koo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230274948A1. Автор: Mann Ho CHO,Gi Hyeon KWON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-31.

FINFET semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US09812559B2. Автор: Kyung-In Choi,Bong-Soo Kim,Hyun-gi Hong,Hyun-seung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09431537B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jae-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11137435B2. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20200033389A1. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Wiring substrate, method of fabricating the same, and method of fabricating semiconductor package including the same

Номер патента: US20230025295A1. Автор: Sunnyeong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-26.

Packaging substrate having a holder, method of fabricating the packaging substrate, package structure having a holder, and method of fabricating the package structure

Номер патента: US09916990B2. Автор: Wen-Lung Lai,Yuan-Liang Lo. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

FinFET semiconductor devices including recessed source-drain regions on a bottom semiconductor layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US09716176B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09698244B2. Автор: DongHun Lee,Jinbum Kim,Jaeyoung Park,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Jeongho Yoo,Bonyoung Koo,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Inter-level dielectric layer in replacement metal gates and resistor fabrication

Номер патента: US09685434B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan V. V. S. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Double-sided adhesive tape, semiconductor packages, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130330881A1. Автор: Ho-geon Song,Jin-woo Park,Seok-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128836A1. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Multi-layered structure including an epitaxial layer having a low dislocation defect density, semiconductor device comprising the same, and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US6987310B2. Автор: Moon-han Park,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee,Jae-Yoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-17.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080179648A1. Автор: Dae-Won Ha,Tae-Hyun AN,Min-Young SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12080681B2. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09853160B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices including semiconductor structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09576791B2. Автор: Craig J. Atkinson,Alireza Amirrezvani,Nicole C. Skaggs. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of making RFID devices on fabrics by stitching metal wires

Номер патента: US09449942B1. Автор: Anwar Mohammed,Zhen Feng,Murad Kurwa,Weifeng Liu. Владелец: FLEXTRONICS AP LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043922A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-02.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Chuck assembly, semiconductor device fabricating apparatus including the same, and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220223452A1. Автор: Taemin EARMME,Seungchul Han,Youngjae Son,Guesuk Lee,Hyeongyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Methods of Fabricating Application Specific Integrated Circuit (ASIC) Devices that Include Both Pre-Existing and New Integrated Circuit Functionality and Related ASIC Devices

Номер патента: US20070240092A1. Автор: Jong-woo Park,Yun-Tae Lee,Seon-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device having first and second fin-type patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US20200235097A1. Автор: Sung Min Kim,Jae Myoung Lee,Yeon Hwa Lim,Myoung Ho Kang,Gyeongseop Kim,Jeong Lim Kim,Heung Suk Oh,Joong Won Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070032066A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240321884A1. Автор: Jongsu Kim,Sangmoon Lee,Junggil YANG,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

FinFET devices having fins with a tapered configuration and methods of fabricating the same

Номер патента: US09875905B2. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09875900B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09853044B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Ji-Hoon Choi,Dong-Kyum Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Single-layer wiring package substrate, single-layer wiring package structure having the package substrate, and method of fabricating the same

Номер патента: US09735080B2. Автор: Wei-Chung Hsiao,Chun-Hsien Lin,Chia-Cheng Chen,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09653572B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Il-Ryong Kim,Kwang-Yong Jang,Kwang-You Seo,Seon-ah NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating a tunnel oxide layer and a tunnel oxide layer for a semiconductor device

Номер патента: US09627213B2. Автор: Eng Gek Hee,Ka Siong Wisley Ung. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

Alignment key of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09570402B2. Автор: Woo Yung Jung,Yong Hyun Lim,Jung A Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of patterning a material layer

Номер патента: US09570302B1. Автор: Kevin Huang,Jeng-Horng Chen,Shu-Hao Chang,Kuo-Chang Kau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09515186B2. Автор: Nae-in Lee,Ha-Jin Lim,Hyeong-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282834A1. Автор: Juyoun Kim,Hyung Jong Lee,Seki HONG,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140284618A1. Автор: Makoto Mizukami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12080774B2. Автор: Ho Kyun AN,Su Min Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128363A1. Автор: Yen-Teng Ho,Nai-Jung Chen. Владелец: Raynext Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Electronic package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282674A1. Автор: Cheng-Kai Chang,Pin-Jing Su. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240282835A1. Автор: Juyoun Kim,Hyung Jong Lee,Seki HONG,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020192893A1. Автор: Takayuki Igarashi,Yoshitaka Ootsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Hybrid element and method of fabricating the same

Номер патента: US12087754B2. Автор: Hyunjoon Kim,Dongho Kim,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Joonyong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355883A1. Автор: Jongsu Kim,Dongwon Kim,Myung Gil Kang,Beomjin PARK,Hyumin Yoo,Byeonghee Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device having fin active regions and method of fabricating the same

Номер патента: US09991257B2. Автор: Hyunjung Lee,Sunjung Kim,Yong-Suk Tak,Miseon PARK,Jongryeol YOO,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799704B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09754938B1. Автор: Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Tien-Chen Chan,Li-Wei Feng,Yu-Shu Lin,Tong-Jyun Huang,Jia-Rong Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748234B2. Автор: Jiwon Yun,Boun Yoon,Sangjine Park,Ki-hyung Ko,Kee Sang KWON,Myunggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of fabricating semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09659778B2. Автор: Jin-Ping Han,Knut Stahrenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09418838B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of controlling warpage in semiconductor package

Номер патента: US09406579B2. Автор: Daesik Choi,Sang Mi Park,Joungin Yang,YiSu Park,Wonil Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US09305933B2. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-05.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110306184A1. Автор: Ha-Jin Lim,Weon-Hong Kim,Dae-Kwon Joo,Hoi-sung Chung,Jin-Ho Do,Moon-Kyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor Device and Method of Forming RF FEM and RF Transceiver in Semiconductor Package

Номер патента: US20120319302A1. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200091179A1. Автор: Masaki Noguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090121311A1. Автор: Shintaro Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device including two-dimensional material and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030294A1. Автор: Minsu Seol,JunYoung KWON,Minseok YOO,Jitak NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Polycrystalline silicon thin film transistor and method of fabricating the same, and display apparatus

Номер патента: EP3488471A1. Автор: Xiaolong Li,Tao Gao,Jian Min,Zhengyin Xu,Liangjian Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103441A1. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim,Jong-Joon Park,Kwang-Yong Jang,Jun-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device including gate stack formed on inclined surface and method of fabricating the same

Номер патента: US20100112763A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Takashi Noguchi,Xiaoxin Zhang,Hans S. Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-06.

Preparation method of electroconductive copper patterning layer by laser irradiation

Номер патента: WO2009014391A3. Автор: Sang-Ho Kim,Woo-Ram Lee,Tae-Su Kim,So-Won Kim. Владелец: So-Won Kim. Дата публикации: 2009-03-19.

Methods of detecting bonding between a bonding wire and a bonding location on a wire bonding machine

Номер патента: US20200350216A1. Автор: Gary S. Gillotti. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Passivation layer for semiconductor device packaging

Номер патента: US20120208321A1. Автор: David Keating Foote,James Donald Getty. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

High voltage semiconductor device comprising a combined junction terminal protection structure with a ferroelectric material and method of making the same

Номер патента: US11862674B2. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High pressure device of resurf containing ferroelectric material and method of making the same

Номер патента: US20210399086A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Monitoring diffusion processes in the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: GB1283004A. Автор: Horst Heinz Berger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-26.

Methods of detecting bonding between a bonding wire and a bonding location on a wire bonding machine

Номер патента: US11404330B2. Автор: Gary S. Gillotti. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230246011A1. Автор: Nak Cho CHOI,Sang Woo An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of forming solder bumps

Номер патента: US5866475A. Автор: Toshiharu Yanagida. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-02-02.

Method of and apparatus for analyzing ions adsorbed on surface of mask

Номер патента: US20090101811A1. Автор: Dong-Hun Lee,Sung-Jae Han,Hae-Young Jeong,Byung-Cheol Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230292495A1. Автор: Dong Soo Kim,Tae Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Inspection method for multilayer semiconductor device

Номер патента: US20220099432A1. Автор: Tzu-Chien Wei,Mikhail Pylnev,Duc-Anh Le. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of inspecting a semiconductor processing chamber using a vision sensor, and method for manufaturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20210013074A1. Автор: Byeongsang KIM,Kyungwon Yun,Wooram KIM,Taehyoung Lee,Sung Chai KIM,Keonho Lee,Sangil Im,Namyoung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of forming a low voltage gate oxide layer and tunnel oxide layer in an EEPROM cell

Номер патента: US20050189580A1. Автор: James Shen,Alan Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

MEMORY CELL HAVING NONMAGNETIC FILAMENT CONTACT AND METHODS OF OPERATING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140264675A1. Автор: Liu Jun,Sandhu Gurtej. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Image sensor and methods of driving and fabricating the same

Номер патента: US8963067B2. Автор: Hak Soo OH. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Punched adhesive tape for semiconductor, method of manufacturing lead frame with the adhesive tape, lead frame with the adhesive tape, and semiconductor device comprising the lead frame

Номер патента: US20030021990A1. Автор: Yoshihiro Nomura,Hiroshi Kirihara,Yoshiyuki Tanabe,Youichi Hosokawa,Shinji Iioka,Satoru Yanagisawa. Владелец: Satoru Yanagisawa. Дата публикации: 2003-01-30.

Multi-level anti-fuse and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US7804352B2. Автор: Sangmoo Choi,Soojung Hwang,Junghun SUNG,Deokkee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Metal particle for adhesive paste, method of preparing the same, solder paste including the same, composite bonding structure formed therefrom, and semiconductor device including the composite bonding structure

Номер патента: US20230117153A1. Автор: Junghoon Lee,Kunmo Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Punched adhesive tape for semiconductor, method of manufacturing lead frame with the adhesive tape, lead frame with the adhesive tape, and semiconductor device comprising the lead frame

Номер патента: US6523446B1. Автор: Yoshihiro Nomura,Hiroshi Kirihara,Yoshiyuki Tanabe,Youichi Hosokawa,Shinji Iioka,Satoru Yanagisawa. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-25.

Multi-level anti-fuse and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20090251201A1. Автор: Sangmoo Choi,Soojung Hwang,Junghun SUNG,Deokkee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240304687A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Bond pad for low k dielectric materials and method for manufacture for semiconductor devices

Номер патента: US20120034771A1. Автор: Xian J. Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140220752A1. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09461148B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jae-Young Park,Bon-young Koo,Jae-Jik Baek,Ji-Hoon Cha,Kang-Hun Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Solid state imaging apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014759A1. Автор: Takumi Yamaguchi,Kazuo Fujiwara,Mitsuyoshi Mori,Mikiya Uchida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Solid state imaging apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US7800144B2. Автор: Takumi Yamaguchi,Kazuo Fujiwara,Mitsuyoshi Mori,Mikiya Uchida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20220005946A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20230268441A1. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US12094974B2. Автор: Dongwoo Kim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Jaemun Kim,Dohee Kim,Gyeom KIM,Dahye Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162293A1. Автор: Seokhoon Kim,Sangmoon Lee,Jinbum Kim,Seung Hun Lee,Jaemun Kim,Keun Hwi Cho,Kihyun Hwang,Dahye Kim,Haejun YU,Kyungin Choi,Ilgyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of fabricating array substrate for liquid crystal display

Номер патента: WO2011021860A9. Автор: Woo-Ram Lee,Suk Lee,Hyun-Kyu Lee,Yong-Suk Choi,Young-Jin Yoon,Kyung-Sub Jung. Владелец: Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-11.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Composite wafer semiconductor devices using offset via arrangements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09780136B2. Автор: Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Color filtering distributed bragg reflector for micro-light emitting diodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024155513A1. Автор: Peng Feng,XIANG Yu,Ye Tian,Nicolas Poyiatzis,Jack Haggar. Владелец: Snap Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semicondunctor device and method of fabricating the same

Номер патента: WO2012028109A1. Автор: Wei Huang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080710B2. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159989A1. Автор: Jeong Pyo Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20090035903A1. Автор: Chang-Woo Oh,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371863A1. Автор: Young-Lim Park,Kyooho JUNG,Yukyung Shin,Changmu AN,Hongseon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09653565B2. Автор: Jaeyoung Ahn,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Hunhyeong LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor optical modulator integrated resistor for impedance matching using semiconductor doped layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20060132884A1. Автор: Yong Kwon,Joong Choe. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-22.

Phase change memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20200373483A1. Автор: Ming-Feng Chang,Tzu-Hao YANG,Sheng-Hung Cheng. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Isolation layers in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230066265A1. Автор: Pinyen Lin,Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110266634A1. Автор: Hae-Jung Lee,Yong-Tae Cho,Eun-Mi Kim,Kyeong-Hyo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Isolation layers in stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240363632A1. Автор: Pinyen Lin,Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacuring Copany Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09847320B2. Автор: Jiun Yi Wu,William Wu Shen,Chien Hsun Lee,Chien Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Array substrate, method of fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US09793366B2. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Xiaolong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device, method of fabricating the semiconductor device, and method of forming epitaxial layer

Номер патента: US09653472B2. Автор: Joon Suk Lee,Woo Sung Lee,Woong Lee,Hun Hyeong LIM,Kyong Won AN,Chae Ho KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09634144B2. Автор: Gab-jin Nam,Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device having a multilayer source/drain region and methods of manufacture

Номер патента: US12132118B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Li Su,Wei-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Liquid crystal display device, thin film transistor array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09638976B2. Автор: Liang Wen. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Light emitting diode having magnetic structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09590142B2. Автор: Jae-Joon Kim,Seong-Ju Park,Youngchul Leem. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09508737B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Dongchul Yoo,Jintae Noh,Hanvit Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081043A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09659892B2. Автор: Hiroshi Yanagimoto,Takuya Kadoguchi,Motoki Hiraoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Hydrogen barriers in a copper interconnect process

Номер патента: US09624094B1. Автор: Ali Keshavarzi,Shan Sun,Thurman John Rodgers,Thomas Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09537045B2. Автор: Yeo Jin Yoon,Joon Hee Lee,Chang Yeon Kim,Joo Won Choi,Jeong Hun HEO,Su Young LEE. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, magnetic memory device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09502643B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Byoungjae Bae,Shin Kwon,Changwoo SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Epitaxial wafer, light-emitting element, method of fabricating epitaxial wafer and method of fabricating light-emitting element

Номер патента: US20110057214A1. Автор: Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US6825511B2. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-30.

Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

Номер патента: US20080160682A1. Автор: Young-hee Song,Min-Sang Park,Ill-Heung Choi,Min-Young Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20020180053A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Electronic apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20240256092A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Soyeon PARK,Jeongho Lee,Won Ho Kim,Yanghee KIM,Hyungchul Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Structure with copper bond pad and copper interconnect

Номер патента: US20240178165A1. Автор: Kai Chong Chan,Ranjan Rajoo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device including joint portion between conductive connection structures and method of fabricating the same

Номер патента: US20230260956A1. Автор: Mir IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Ceramic-copper composite, ceramic circuit board, power module, and method of producing ceramic-copper composite

Номер патента: US12109640B2. Автор: Koji Nishimura,Takahiro Nakamura,Akimasa Yuasa. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Ceramic-copper composite, method of producing ceramic-copper composite, ceramic circuit board, and power module

Номер патента: US12065385B2. Автор: Koji Nishimura,Takahiro Nakamura,Akimasa Yuasa,Shuhei Morita. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Thin film transistor, array substrate, method of fabricating same, and display device

Номер патента: US09508867B2. Автор: Wei Guo,Ning Chen,Dongsheng Li,Xingdong LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having stressor and method of fabricating the same

Номер патента: US09466721B1. Автор: Yang Xu,Sunyoung Lee,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Jaeyoung Park,Byeongchan Lee,Choeun LEE,Hanki Lee,Sujin JUNG,Hyunjae KANG,Kwanheum Lee,Kanghun Moon,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Light-emitting structure and a method for fabricating the same

Номер патента: EP2583306A1. Автор: Peiching Ling,Dezhong Liu. Владелец: ACHROLUX INC. Дата публикации: 2013-04-24.

Inverted variable resistance memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2009008931A2. Автор: William Stanton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and silicone-based resin composition contained therein

Номер патента: WO2024083341A1. Автор: Jungyu Lee,Taejoon KIM,Jonghak CHOI,YoungHyuk Joo. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20010035528A1. Автор: Fang-Chen Luo,Chien-Sheng Yang. Владелец: Unipac Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Contact pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20210384219A1. Автор: HAO Zhang,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yonggang YANG,Yiming AI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355780A1. Автор: Chajea JO,Juhyeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09905732B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Epitaxy in semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09698249B2. Автор: Hsiu-Ting Chen,Yi-Ming Huang,Shih-Chieh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09496455B2. Автор: Hwa Mok Kim,Ki Yon Park,Jeong Hun HEO,Gun Woo Han. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Under-spacer doping in fin-based semiconductor devices

Номер патента: US09496356B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Light-emitting structure and a method for fabricating the same

Номер патента: US09480125B2. Автор: Peiching Ling,Dezhong Liu. Владелец: ACHROLUX INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09466642B2. Автор: Dong-Seon Lee,Chang Mo KANG,Dukjo KONG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of inspecting semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09466537B2. Автор: Yusin Yang,Chungsam Jun,Minkook KIM,Sangkil Lee,Wooseok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Thin film transistor and method of fabricating the same, array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09455324B2. Автор: Qi Yao,Bing Sun,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12033895B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shih-Chiang Chen,Hsiu-Hao Tsao,Tze-Chung Lin,Chung-Shu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Resistive switching memory including resistive switching layer fabricated using sputtering and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167286A1. Автор: Jin Pyo Hong,Tae Yoon Kim,Gwang Ho BAEK,Da Seul HYEON,Gabriel JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11818879B2. Автор: Seungjin Kim,Dongkyun Lee,Cheonbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337412A1. Автор: Jin-Su Lee,Hongsik CHAE,Jihoon AN,Donguk Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240243180A1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang,Chun Liang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with reduced surface field effect and methods of fabrication the same

Номер патента: US20120273891A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115376A1. Автор: Seungjin Kim,Dongkyun Lee,Cheonbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230005917A1. Автор: Seungjin Kim,Dongkyun Lee,Cheonbae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20020008282A1. Автор: Hirotoshi Kubo,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240290790A1. Автор: SunKi Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of fabricating an apparatus including a sealed cavity and an apparatus embodying the method

Номер патента: US20050242419A1. Автор: Joel PHILLIBER. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-11-03.

Compensation semiconductor component and method of fabricating the semiconductor component

Номер патента: US20020074567A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-20.

Two-dimensional array of four-terminal thin film devices with surface-sensitive conductor layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09960345B2. Автор: Ching-Tzu Chen,Anthony J. Annunziata,Joel D. Chudow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09905659B2. Автор: Satoru Yamada,Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Light emitting diode chip having wavelength converting layer and method of fabricating the same, and package having the light emitting diode chip and method of fabricating the same

Номер патента: US09793448B2. Автор: Bang Hyun Kim,Jung Hwa Jung. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673276B2. Автор: Dongjin Lee,Dongsoo Woo,Junsoo Kim,Sang-Il Han,Jun-Bum LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09496381B2. Автор: Inseak Hwang,Mongsup Lee,Yoonho SON,Chan Min Lee,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

High purity copper and method of producing high purity copper based on electrolysis

Номер патента: US09476134B2. Автор: Atsushi Fukushima,Susumu Shimamoto,Yuichiro Shindo. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating light-scattering substrate

Номер патента: US09464351B2. Автор: Hyun Bin Kim,June Hyoung Park,Gun Sang Yoon. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Under-spacer doping in fin-based semiconductor devices

Номер патента: US09455323B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Charles W. Koburger, III,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09443930B2. Автор: Dongjin Lee,Dongsoo Woo,Junsoo Kim,Sang-Il Han,Jun-Bum LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09437697B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230343706A1. Автор: Hauk Han,Jeonggil Lee,Seonghun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Metal-insulator-metal capacitor and a method of fabricating the same

Номер патента: US20120211866A1. Автор: Chung-Wen Chao. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor device including vertical-type field effect transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US10297687B2. Автор: Sharma Deepak,YeonCheol Heo,Kwanyoung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-21.

Method of forming semiconductor structures including metal insulator metal capacitor

Номер патента: US10050103B2. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method of forming semiconductor structures

Номер патента: US20170263694A1. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12063767B2. Автор: Seunghun LEE,Keun Hwi Cho,Sung Gi Hur,Myung Gil Kang,Sangdeok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274665A1. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240274556A1. Автор: Ji-Yong Park,Won Choi,Bok Sik MYUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of fabricating semiconductor device including removing impurities from silicon nitride layer

Номер патента: US20060160358A1. Автор: Jae-Hwan Kim,Sang-Kyu Park,Kyong-Min Kim,Sang-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Structure of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070267697A1. Автор: Chen-Pang Kung,Huai-Yuan Tseng,Ming-Hsien Lee,Horng-Chih Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-11-22.

Two-dimensional vertical composite laminate including graphene and hexagonal boron nitride and method of fabricating same

Номер патента: US20240263350A1. Автор: Cheol-Joo Kim,Ju Hyun Jung,Seong-Jun YANG. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US8093592B2. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357831A1. Автор: Hyeran Lee,Hyun-mook CHOI,Jeon Il LEE,Seryeun Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Flexible organic light emitting diode display and method of fabricating the same

Номер патента: US09966572B2. Автор: Jiangjiang JIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09905681B2. Автор: Tae Young Park,Young Joon Kim,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Han Sin CHO,Tae Yeop Kim. Владелец: Hyundai Autron Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Package stucture and method of fabricating the same

Номер патента: US09905503B2. Автор: Shih-Ping Hsu,Chao-Chung TSENG. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Solar cell module and method of fabricating the same

Номер патента: US09698290B2. Автор: Bong Seok Moon. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09431478B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Plasma treatment for semiconductor devices

Номер патента: US09418955B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Fa Lu,Chung-Shi Liu,Wei-Yu Chen,Cheng-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Image sensor and a method of fabricating the same

Номер патента: US20240234472A1. Автор: Hee Geun Jeong,Byung Jun Park,Han Seok Kim,Jin Ju JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100207188A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: GB9323785D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240038708A1. Автор: Ho-Jin Lee,Seokho KIM,Kunsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Light emitting diode package and method of fabricating the same

Номер патента: US20130214315A1. Автор: Peiching Ling,Vivek B. Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080073697A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128795A1. Автор: Toshifumi Minami,Teppei Higashitsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060151831A1. Автор: Hitoshi Ninomiya,Yoshinao Miura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20030146514A1. Автор: Shinya Nakatani,Heiji Kobayashi. Владелец: MITSUBISHI DENKI AND RYODEN SEMICONDUCTOR SYSTEM ENGINEERING Corp KK. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device having ferroelectric material and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123021A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230299139A1. Автор: Dongwon Kim,Gibum Kim,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266402A1. Автор: SangHoon HAN,Taegon Kim,Jihye Yi,Yonghee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices including ferroelectric layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US10734409B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070111456A1. Автор: Hyung-Tae Ji,Seung-Rok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-17.

Inductor for semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070152300A1. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432804A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315023A1. Автор: Ahreum LEE,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Optical semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09985413B2. Автор: Toshiyuki Taguchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09917161B2. Автор: Jungwoo Song,Jaekyu Lee,Yongjun Kim,Jaerok KAHNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming a bottom electrode of a magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US09847477B2. Автор: Wei-Chieh Huang,Jieh-Jang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Thin film transistor, method of fabricating the same, array substrate and display device

Номер патента: US09812579B2. Автор: Qi Yao,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773869B2. Автор: Dong-il Bae,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09716181B2. Автор: Yong-Hoon Son,Phil Ouk NAM,Yeon-Sil Sohn,Byeongju Kim,Kyunghyun Kim,JongHeun Lim,Kwangchul PARK,Jin-l Lee,Wonbong JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Array substrate and method of fabricating the same, and display device

Номер патента: US09711539B2. Автор: Chong Liu,Haitao Ma,Zhilong PENG,Haisheng ZHAO,Hongxi XIAO,Huanping LIU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Display device integrated with touch screen panel and method of fabricating the same

Номер патента: US09710086B2. Автор: Taehwan Kim,Minjoo KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Solar cell and method of fabricating the same

Номер патента: US09640685B2. Автор: Myoung Seok Sung. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Interconnect structure configured to control solder flow and method of manufacturing of same

Номер патента: US09609752B1. Автор: Jack V. Ajoian,Daniel L. Blass. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Sputtering target, method of fabricating the same, and method of fabricating an organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09416439B2. Автор: Jin-woo Park,Dong-Jin Kim,Sun-young Jung,Sang-Wook Sin,Il-sang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240030263A1. Автор: Kook Tae Kim,JinGyun Kim,Byeongtaek Bae,Seunghwi Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of handling test pad and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230395440A1. Автор: Jun Zhou,Sheng Hu,Qiong Zhan. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150090950A1. Автор: Taejung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150228896A1. Автор: Taejung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1629533A2. Автор: Hiroyasu CASIO COMPUTER Co. LTD. JOBETTO. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160111441A1. Автор: Jang-Hyun You,Jintaek Park,Sunghoi Hur. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080251882A1. Автор: Tatsuhiko Koide. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-16.

Interconnection structure, method of fabricating the same, and semiconductor package including interconnection structure

Номер патента: US20230290718A1. Автор: Dongwoo Kim,Un-Byoung Kang,Chungsun Lee,Ji-Seok HONG,Hyunah KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080064181A1. Автор: Masatomi Okanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-13.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210280814A1. Автор: Yong Hoon Kwon,Jung Hyun Kim,Byung Hoon Kim,Tae Oh Kim,So Mi Jung,Kyung Rok Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Photo-mask having exposure blocking region and methods of designing and fabricating the same

Номер патента: US7560198B2. Автор: Sung-Hoon Jang,Jeong-Yun Lee,Il-yong Jang,Seong-Woon Choi,Seong-yong Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Photo-mask having exposure blocking region and methods of designing and fabricating the same

Номер патента: US20060051684A1. Автор: Sung-Hoon Jang,Jeong-Yun Lee,Il-yong Jang,Seong-Woon Choi,Seong-yong Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of producing anisotropic electrical steel with thermostable laser barriers

Номер патента: RU2767370C1. Автор: Олег Михайлович Губанов,Сергей Андреевич Крысанов. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Новолипецкий металлургический комбинат". Дата публикации: 2022-03-17.

Method of treating the surface of the copper foil used in printed wire boards

Номер патента: US4387006A. Автор: Toshiyuki Kajiwara,Katsuhito Fukuda,Yoshinori Tanii. Владелец: Fukuda Metal Foil and Powder Co Ltd. Дата публикации: 1983-06-07.

Method of programming a CMOS read only memory at the second metal layer in a two-metal process

Номер патента: US5494842A. Автор: Ziv Azmanov. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Nonvolatile memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: US8004906B2. Автор: Sung-Il Park,Young-Gu Jin,Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-woong Hyun,Ki-ha Hong,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Method of fabricating an electric wire having a ptfe-based sheath, said electric wire, and a corresponding lubricant evaporation and sintering line

Номер патента: US20120006579A1. Автор: Sophie Perez. Владелец: Axon Cable SA. Дата публикации: 2012-01-12.

Non-woven fabric current collector, method of fabricating battery using the same, and system for fabricating the same

Номер патента: US09935316B2. Автор: Min Gyu Choi,Chang Hyeon Kim,Lee Hyun Shin. Владелец: Jenax Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of producing commutator and commutator

Номер патента: RU2361341C2. Автор: Людвик КУМАР. Владелец: Колектор Груп Д.О.О.. Дата публикации: 2009-07-10.

Discharge light source and method of fabricating the same

Номер патента: US20050264214A1. Автор: Tsuyoshi Haga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Thermally isolating cabling assemblies, systems using thermally isolating cabling assemblies, and methods of fabricating thermally isolating cabling assemblies

Номер патента: US20240019514A1. Автор: Richard D. Neufeld,Surjit Singh Dhesi,Oscar Yui-kit Fung. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

AC driven plasma display panel for electrical commercial boards and method of fabricating the same

Номер патента: US20030129916A1. Автор: Jun-Sei Lee. Владелец: SCIENCE ADVENTURE TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220065737A1. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-03.

Electrochemical cell and method of fabricating same

Номер патента: US20020108235A1. Автор: Eric Pasquier,Ib Olsen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-08-15.

Liquid leak sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US11747234B2. Автор: Beak Myeong SEONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Laser diode and method of fabrication the laser diode

Номер патента: EP2438663A1. Автор: Piotr Perlin,Marcin Sarzyński,Michal Leszczyński,Robert Czernecki,Tadeusz Suski,Izabella Grzegory,Boleslaw Lucznik,Michal Bockowski,Katarzyna Holc. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2012-04-11.

Laser diode and method of fabrication the laser diode

Номер патента: WO2010140909A1. Автор: Piotr Perlin,Marcin Sarzyński,Michal Leszczyński,Robert Czernecki,Tadeusz Suski,Izabella Grzegory,Boleslaw Lucznik,Michal Bockowski,Katarzyna Holc. Владелец: INSTYTUT WYSOKICH CISNIEN POLSKIEJ AKADEMII NAUK. Дата публикации: 2010-12-09.

Flexible circuit board and method of fabricating

Номер патента: US09661743B1. Автор: Mark Bergman,Joan K. Vrtis. Владелец: Multek Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Atom and ion sources and sinks, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20180098411A1. Автор: Jonathan J. Bernstein. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Secondary battery, anode can thereof, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020187392A1. Автор: Morio Ishizaki. Владелец: Ishizaki Press Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Ionic capacitive laminate and method of production

Номер патента: WO2016142857A1. Автор: Alvo Aabloo,Urmas Johanson,Indrek MUST,Friedrich Kaasik,Inna BARANOVA. Владелец: University of Tartu. Дата публикации: 2016-09-15.

Thin-film thermoelectric generators conformable to curved surfaces, and methods of using and fabricating the same

Номер патента: US20230413671A1. Автор: Kazuaki Yazawa,Na LU,Yining Feng. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor Device Having Three Dimensional Memory Cells And Methods Of Operating And Fabricating The Same

Номер патента: KR101469106B1. Автор: 심재성,최정달. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-12-05.

Nonvolatile memory device and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US7872249B2. Автор: Myoung-Jae Lee,Seung-Eon Ahn,Yoon-dong Park,Dong-chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-18.

Storage node, phase change memory device and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US8742514B2. Автор: Dong-Seok Suh,Tae-Seong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Storage node, phase change memory device and methods of operating and fabricating the same

Номер патента: US20090095952A1. Автор: Dong-Seok Suh,Tae-Sang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Copper oxide powder for use in plating of a substrate, method of plating a substrate using the copper oxide powder, and method of managing plating solution using the copper oxide powder

Номер патента: US20180105946A1. Автор: Takashi Kishi,Masashi Shimoyama,Jumpei Fujikata,Fumitoshi NISHIURA. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US20010051410A1. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device having reduced field oxide recess and method of fabrication

Номер патента: US6492229B2. Автор: Hao Fang,Toru Ishigaki,Masaaki Higashitani. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357797A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor data storage devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11690231B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306373A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Mask rom cell and method of fabricating the same

Номер патента: US20010035589A1. Автор: Jin Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-01.

Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil

Номер патента: US20070042212A1. Автор: Yuuji Suzuki,Akira Matsuda,Takami Moteki,Kazuhiro Hoshino,Kensaku Shinozaki. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of mounting led lamps

Номер патента: RU2687316C2. Автор: Игорь Борисович Барсуков,Фридрих Моисеевич Суздальницкий. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Приборный завод "Тензор". Дата публикации: 2019-05-13.

Integrated micro/nanogenerator and method of fabricating the same

Номер патента: US09762151B2. Автор: Haixia Zhang,Xiaosheng Zhang,Mengdi Han,Fuyun Zhu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of Fabricating Thin Film by Microplasma Processing and Apparatus for Same

Номер патента: US20120021132A1. Автор: Takeshi Sasaki,Yoshiki Shimizu,Naoto Koshizaki,Kazuhiro Kirihara,Davide Mariotti,Kazuo Terashima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240324184A1. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4436328A1. Автор: Jaehong Park,Yoongoo Kang,Seokjae Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US20160248977A1. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device, correction method in semiconductor device, and correction method of camera module

Номер патента: US09794484B2. Автор: Toru Kitano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Probe and method fabricating the same

Номер патента: US20110210760A1. Автор: Chih-Kun Lin,Ren-tsai Hung,Chun-Lang Chiu,Ming-Kang Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20230209984A1. Автор: HUI Li,Weili Li,Mingxing Liu,Shuaiyan GAN,Haohan ZHANG. Владелец: Hefei Visionox Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365535A1. Автор: Jongmin Kim,Bongsoo Kim,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373630A1. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Flexible interconnect circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230269870A1. Автор: Kevin Michael Coakley,Will Findlay,Mark TERLAAK,Casey Anderson,Jean-Paul Ortiz,Malcom Parker Brown. Владелец: Cellink Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Flexible interconnect circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230371174A1. Автор: Kevin Michael Coakley,Will Findlay,Mark TERLAAK,Casey Anderson,Jean-Paul Ortiz,Malcom Parker Brown. Владелец: Cellink Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Hybrid white organic light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009028832A3. Автор: Jeong Ik Lee,Sang Hee Park,Chi Sun Hwang,Hye Yong Chu,Sung Mook Chung,Lee Mi Do. Владелец: Lee Mi Do. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Flexible interconnect circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11751328B1. Автор: Kevin Michael Coakley,Will Findlay,Mark TERLAAK,Casey Anderson,Jean-Paul Ortiz,Malcom Parker Brown. Владелец: Cellink Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Flexible Interconnect Circuits And Methods Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20240292527A1. Автор: Kevin Michael Coakley,Will Findlay,Mark TERLAAK,Malcolm Parker BROWN,Casey Anderson,Jean-Paul Ortiz. Владелец: Cellink Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292597A1. Автор: Daehyun Kim,Yongjun CHOI,Yoojin JEONG,Junsik Yu,Taekyung Yoon,Junghwan HUH,Yeajin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292596A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of Manufacturing Memory Units, and Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20090162998A1. Автор: Man-Hyoung Ryoo,Takahiro YASUE,Byeong Ok Cho,Moon-Sook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Phase shifter, method of fabricating the same, and duplexer having the same

Номер патента: US7973618B2. Автор: Chul-Soo Kim,In-Sang Song,Kuang-Woo Nam,Yun-Kwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-05.

Phase shifter, method of fabricating the same, and duplexer having the same

Номер патента: US20080024242A1. Автор: Chul-Soo Kim,In-Sang Song,Kuang-Woo Nam,Yun-Kwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306377A1. Автор: Jongmin Kim,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Myeong-Dong LEE,Seung-Bo KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4429432A1. Автор: Jongmin Kim,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE,Myeong-Dong LEE,Seung-Bo KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Flexible interconnect circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: EP4442087A1. Автор: Kevin Michael Coakley,Will Findlay,Mark TERLAAK,Malcolm Parker BROWN,Casey Anderson,Jean-Paul Ortiz. Владелец: Cellink Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4460163A1. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers

Номер патента: RU2694118C1. Автор: Сергей Иванович Диденко,Денис Валерьевич Кузнецов,Дмитрий Сергеевич Муратов,Марина Николаевна Орлова,Данила Сергеевич Саранин,Павел Андреевич Гостищев,Карло Альдо Ди,Всеволод Николаевич Мазов,Лев Олегович Лучников,Дмитрий Андреевич Подгорный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-07-09.

Band filter using film bulk acoustic resonator and method of fabricating the same

Номер патента: EP1684420A3. Автор: In-Sang Song,Kyu-Sik Kim,Seog-Woo Hong,Byeoung-ju Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of removing copper ions from copper containing nickel chloride solution and method of producing electro-nickel

Номер патента: CA2796844C. Автор: Nobuhiro Matsumoto,Kazuyuki Takaishi,Minoru Kakimoto. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing heating/cooling coil with nanometer silver coating layer

Номер патента: US20060134346A1. Автор: O-Kab Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Skin-mountable electronic devices and methods of using and fabricating the same

Номер патента: US12114982B2. Автор: Chi Hwan Lee,Georgia Malandraki. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-15.

COPPER OXIDE POWDER FOR USE IN PLATING OF A SUBSTRATE, METHOD OF PLATING A SUBSTRATE USING THE COPPER OXIDE POWDER, AND METHOD OF MANAGING PLATING SOLUTION USING THE COPPER OXIDE POWDER

Номер патента: US20180105946A1. Автор: Shimoyama Masashi,FUJIKATA Jumpei,KISHI Takashi,NISHIURA FUMITOSHI. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Copper alloy composition and method of making same, method of making a part from the copper alloy composition

Номер патента: FR3126997A1. Автор: Pierre ELOI,Melek GENC. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2023-03-17.

Polyethylene compositions, method for production thereof, fibres made therefrom and method of producing fibre

Номер патента: RU2486214C2. Автор: Герт Дж. КЛААСЕН,Мридула КАПУР,Марк Б. ДЭВИС,Рэнди Е. ПЕППЕР,Эдвард Н. НИКЕРБОКЕР,Натан Дж. ВАЙКЕР,Уилльям Дж мл. МИЧИ. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of treating a wound by monitoring the swelling of a hydrocolloid layer in a wound dressing

Номер патента: US5897516A. Автор: Marjory A. Kadash,Thomas P. Marsh,Salina Smith. Владелец: Bristol Myers Squibb Co. Дата публикации: 1999-04-27.

Fringe field driven liquid crystal display panel and method of determining a direction of an optical axis of a glass layer in a fringe field driven liquid crystal display pane

Номер патента: US20210173263A1. Автор: Xinxing Wang,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of determining location of bottom boundary of toros and hummock consolidated layer in electro-thermal drilling

Номер патента: RU2630017C2. Автор: Валентин Андреевич Морев,Виктор Витальевич Харитонов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Арктический и Антарктический научно-исследовательский институт" (ФГБУ "ААНИИ"). Дата публикации: 2017-09-05.

METHOD OF WEAVING TUBULAR FABRIC, THE FABRIC, AND A BELT USING THE FABRIC

Номер патента: US20190177889A1. Автор: Gao Min. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Method of detecting defects, a silicon single crystal wafer using the same, method thereof and a semiconductor device

Номер патента: KR101383949B1. Автор: 박정길,황돈하. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2014-04-10.

SKIN-MOUNTABLE ELECTRONIC DEVICES AND METHODS OF USING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180271393A1. Автор: LEE Chi Hwan,Malandraki Georgia. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, composition comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: KR20070045967A. Автор: 도시오 시오바라,히사시 시미즈,쯔또무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-05-02.

Segmented waste rods for handling nuclear waste and methods of using and fabricating the same

Номер патента: CA2673687A1. Автор: Robert Bryant James,William Earl Ii Russell. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2010-01-30.

Segmented waste rods for handling nuclear waste and methods of using and fabricating the same

Номер патента: US7781637B2. Автор: II William Earl Russell,Robert Bryant James. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2010-08-24.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, compositon comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: EP1780235A3. Автор: Hisashi Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shimizu,Toshio Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shiobara,Tsutomu Silicone Denshi Zairyo Gijut. Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Method of producing high molecular weight organopolysiloxane, compositon comprising the high molecular weight organopolysiloxane, and optical semiconductor device sealed with cured product thereof

Номер патента: EP1780235A2. Автор: Hisashi Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shimizu,Toshio Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Shiobara,Tsutomu Silicone Denshi Zairyo Gijut. Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method of producing dice check fabrics

Номер патента: RU2656955C1. Автор: Николай Анатольевич Коробов,Галина Ивановна Толубеева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2018-06-07.

Touch module and method of fabricating the same

Номер патента: US09632632B2. Автор: Wei-Ting Lin,Yung-Shin Liou. Владелец: Top Victory Investments Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Nanopore systems and methods of fabrication

Номер патента: US20240319165A1. Автор: Boyan Boyanov,Xu Liu,Arvin Emadi,Sharis Minassian,Rean Silke MUSA. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Liquid crystal materials, methods of fabricating liquid crystal display panels and liquid crystal display panels

Номер патента: US20180105750A1. Автор: Song LAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

A liner for reinforcing a pipe and method of making the same

Номер патента: EP1313982A2. Автор: Georg Adolphs,Claude M.J.G.L. Renaud. Владелец: Owens Corning Fiberglas Espana SL. Дата публикации: 2003-05-28.

Method of Fabricating a Photomask Used to Form a Lens

Номер патента: US20110170197A1. Автор: Nobuhiko Sato,Yasuhiro Sekine,Masataka Ito,Masaki Kurihara,Hitoshi Shindo,Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device and search circuit for and method of searching for erasure count in semiconductor memory

Номер патента: US20160180955A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Takuya Matsumoto,Tomoyuki Maeda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Preparation method of sm non-woven fabrics for roof anti-slip

Номер патента: US20240263371A1. Автор: Weidong Zhang,Yujia Liu,Wensheng Huang,Zhiguo Huang,Weifeng Sun,Guodong Xie,Jinjing QIU. Владелец: Dongying Jofo Filtration Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Implant for repairing spinal annular defect, method of fabricating the implant, and method of repairing the defect using the implant

Номер патента: US20230372114A1. Автор: Christian M. Puttlitz,Mitchell PAGE. Владелец: COLORADO STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating an article by fused filament fabrication

Номер патента: US12030242B2. Автор: Amir Rezai. Владелец: BAE SYSTEMS plc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of applying galvanic coatings on complex-profile parts

Номер патента: RU2709913C1. Автор: Марина Михайловна Липина,Максим Андреевич Кузнецов,Тамара Евгеньевна Скосырева,Владимир Сергеевич Холод,Ольга Дмитриевна Гришина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Калужский приборостроительный завод "Тайфун". Дата публикации: 2019-12-23.

Method of extruding inorganic forms of zinc, cadmium, lead and copper from solid specimens of natural objects

Номер патента: RU2684091C1. Автор: Виктор Анатольевич Петухов,Сергей Васильевич Темерев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2019-04-03.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Drug-transfer device, drug-delivery system incorporating the same, methods of fabricating the same, and methods of enabling administration of a drug

Номер патента: US20100326020A1. Автор: Scott Albert Uhland,Philipp Helmut Schmaelzle. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Polymer anchored microelectromechanical system (MEMS) cantilever and method of fabricating the same

Номер патента: US09731957B2. Автор: Rao Valipe Ramgopal,Patkar Rajul Sachin,Apte Prakash Ramchandra. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of fabricating shims for joining parts

Номер патента: US09429935B2. Автор: Darrell D. Jones,Theodore M. Boyl-Davis,Tracy E. Zimmerman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of producing high-strength catalyst for desulphuration of gases

Номер патента: RU2452566C2. Автор: Франк ГРОССМАНН,Оливер ВЕГНЕР,Петер РЁГЕР. Владелец: Зюд-Хеми Аг. Дата публикации: 2012-06-10.

Method of reproducing author drawings on an engraving board by the method of a recessed engraving and etching solution for its implementation

Номер патента: RU2696576C1. Автор: Сергей Геннадьевич Каплунов. Владелец: Сергей Геннадьевич Каплунов. Дата публикации: 2019-08-06.

Composition and method of control of copper loss and erosion of copper alloys in industrial systems

Номер патента: RU2520931C2. Автор: Джасбир С. ДЖИЛЛ,Майкл А. КАМРАТ,Кавех СОТОУДЕХ. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2014-06-27.

Static mixer assemblies and related methods of fabrication and use

Номер патента: US20230415107A1. Автор: James K. Steele,Aravind Mohanram. Владелец: Mott Metallurgical Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Linear guide way with assembling end-cup and the method of fabricating

Номер патента: US20050123223A1. Автор: Chi-Meng Liao. Владелец: Hiwin Mikrosystem Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Manufacturing method of copper bonded part

Номер патента: US20190054538A1. Автор: Jun Kato,Koichi Kita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Static mixer assemblies and related methods of fabrication and use

Номер патента: EP4243953A1. Автор: James K. Steele,Aravind Mohanram. Владелец: Mott Metallurgical Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Janus transition metal dichalcogenide thin film and method of fabricating the same

Номер патента: US20230151482A1. Автор: Won Jun Lee,Suk Ho Chol,Chan Wook Jang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of fabricating a spar for a blade, and a method of fabricating a blade

Номер патента: US09950478B2. Автор: Jacques Gaffiero,Andre Amari,Benedicte Rinaldi. Владелец: Airbus Helicopters SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Substrate of touch display screen and method of fabricating the same, touch screen and display device

Номер патента: US09927647B2. Автор: Lijun Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Frameless display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09772526B2. Автор: Junjie MA,Jian Sang,Chenru WANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of copper coatings electrolytic deposition

Номер патента: RU2630994C1. Автор: Владимир Александрович Колесников,Александр Федорович Губин,Сергей Сергеевич Кругликов,Наталия Евгеньевна Некрасова,Екатерина Сергеевна Кондратьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2017-09-15.

Method of producing potassium bis(dihydrodiphosphate)cuprate (ii) dihydrate and use thereof in industry

Номер патента: RU2703178C1. Автор: Евгений Геннадиевич Афонин. Владелец: Акционерное общество "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2019-10-15.

Copper electroplating solution, method of producing same, and copper electroplating method

Номер патента: US20230025950A1. Автор: Takuya Takahashi,Tomoko HATSUKADE,Shinya ISHIWATA. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of fabricating mask for forming wood grain patterns

Номер патента: US20090155482A1. Автор: Min Su Kim,Jong Seo Park. Владелец: Moltex Yangsan Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Variable stator vane and method of fabricating variable stator vane

Номер патента: US20210254493A1. Автор: Christopher D. Jones,Robert C. Backhouse,Adam J. BISHOP. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2021-08-19.

Actuatable optical device, method of fabricating the device, and use of a magnetic substance

Номер патента: US20210221059A1. Автор: Harald Giessen,Simon Thiele,Chris Jung,Alois M. Herkommer. Владелец: Baden Wuerttemberg Stiftung gGmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Optical waveguide sensor for detecting heavy metal ions and method of fabricating the same

Номер патента: WO2024117893A1. Автор: Khong Nee KOO,Mei Qun SEAH,Farah Hidayah BINTI JAMALUDIN. Владелец: Vulcan Photonics Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Rotary magnetic recording/reproducing apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: EP1037200A3. Автор: Shun Kayama,Junichi Ogasawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-04.

Thermal Interface Material Compound and Method of Fabricating the same

Номер патента: US20080061267A1. Автор: Ming-Chang Liu,Kuo-Len Lin,Wen-Jung Liu,Tien-Chih Tseng. Владелец: CpuMate Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Slant reflector with bump structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20030086035A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Cheng-Jen Chu. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-08.

Reflection-type liquid crystal display panel and method of fabricating the same

Номер патента: US20050052598A1. Автор: Koji Ichimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Magnetic recording medium and method of fabricating the same

Номер патента: US20050048322A1. Автор: Hitoshi Wako. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Test socket and method for fabricating the same

Номер патента: US20240248118A1. Автор: Jungchul Shin,Seungha BAEK,Geunsu Kim,Jaehwan Jeong. Владелец: Leeno Industiral Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor chip with embedded microfluidic channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20240208806A1. Автор: Wei-Yang WENG,Jun-Chau Chien. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-06-27.

V-mn-sb-tio2 catalyst, method of fabricating the catalyst, heat recovery steam generator comprising the catalyst, and method of eliminating yellow plume using the catalyst

Номер патента: EP4410421A1. Автор: Dongho Kim,Heon Phil Ha,Dong-Wook Kwon,Yeonjae PARK. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2024-08-07.

A thermal microactuator for a suspension arm of a hard disk drive and a method of fabricating the thermal microactuator

Номер патента: WO2012011874A1. Автор: Pantelis Alexopoulos,Jiaping YANG,Cheng Peng Tan. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2012-01-26.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: US12117630B2. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: EP4439156A2. Автор: Mauro MELLI, Christophe PEROZ, Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Preparation method of copper green rust pigment that can replace Hayeob pigment in traditional Dancheong

Номер патента: US11999859B1. Автор: Ju Hyun PARK,Sun Myung Lee,Yeong Seok Kang,Seong Woo Mun. Владелец: NATIONAL RESEARCH INSTITUTE OF CULTURAL HERITAGE. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of fabricating a foamed, injection molded component with improved ductility and toughness

Номер патента: US09555564B2. Автор: Xiaofei Sun,Lih-Sheng Turng. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-01-31.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Disposable underwear with solution of continuity and methods of production

Номер патента: RU2336064C2. Автор: Юнг Х. ХУАНГ,ГОМПЕЛЬ Пол Т. ВАН,Расселл Е. ТОРСОН,Кеннет Дж. ВАГНЕР,Джин Ф. НИМАЙЕР,Джудит А. МЬЮЗИЛ,Хайди К. ВУДИ,Бриджет А. БЭЛОГ,Синди МААС,Джером Стив ВЕЙТ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of producing wear-resistant coating on surface of titanium plate

Номер патента: RU2688791C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Виктор Георгиевич Шморгун,Роман Евгеньевич Новиков,Виталий Павлович Кулевич,Алексей Геннадьевич Серов,Олег Викторович Слаутин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method of producing fire-resistant textile materials from cellulose and synthetic fibres

Номер патента: RU2714084C1. Автор: Сергей Вениаминович Заикин,Елена Анатольевна Соловьева,Елена Владимировна Сильченко,Вадим Александрович Баранов,Арюхан Васильевна Цыбикдоржиева,Ирина Агзамовна Курмашова,Любовь Еелиевна Абросимова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты" (ЗАО ЦВМ "Армированные композиты"). Дата публикации: 2020-02-11.

Method of manufacturing base fabric containing a waist component, and disposable panty product made thereof

Номер патента: RU2683739C1. Автор: Лукас БЕК,Карин ЛЬЮНГБЕРГ. Владелец: Эссити Хайджин энд Хелт АБ. Дата публикации: 2019-04-01.

Conduits for transporting fluids and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210270405A1. Автор: John P. Leuer,Tony DI CARLO,Brian T. Vaniman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Liquid crystal panel and method of fabricating same

Номер патента: US11988862B2. Автор: Changchih Huang,Chihyuan HOU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Adjustable Width Steam Box For Fabric Processing And Method Of Using The Same

Номер патента: US20140033560A1. Автор: Barry Defoy Miller,Mark Troy West. Владелец: Tubular Textile Machinery Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Adjustable width steam box for fabric processing and method of using the same

Номер патента: US9365965B2. Автор: Barry Defoy Miller,Mark Troy West. Владелец: Tubular Textile Machinery Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of obtaining copper from ore

Номер патента: US20090241732A1. Автор: Akira Yoshimura,Hiroshi Hosaka,Kazuaki Takebayashi,Yoshifumi Abe,Yasunari Ishiguro. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Hydrogen gas sensor and a method of fabricating thereof

Номер патента: US20190212293A1. Автор: Zain Hassan Yamani,Mohammad Kamal HOSSAIN,Qasem Ahmed DRMOSH. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2019-07-11.

Poled fiber, a method of fabricating the poled fiber, and a dispersion compensator

Номер патента: US6845201B2. Автор: Sahnggi Park,Jongbae Kim,Yonggyu Choi,Jungjin Ju. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-01-18.

Method of fabricating uniform layer of graphitic carbon nitride (g-c3n4) on conductive substrate and semiconductor device thereof

Номер патента: MY190658A. Автор: Asri Mat Teridi Mohd,Ahmad Ludin Norasikin,Fazli Ismail Aznan,Aida Mohamed Nurul,Safaei Javad,Adib Ibrahim Mohd. Владелец: Univ Kebangsaan Malaysia. Дата публикации: 2022-05-09.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Preparation method of tantalum nitride diffusion impervious layer for copper interconnection

Номер патента: CN102002666B. Автор: 朱嘉琦,王建东,张雯婷,张建隆,曹世成. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2012-06-27.

Preparation method of tantalum nitride diffusion impervious layer for copper interconnection

Номер патента: CN102002666A. Автор: 朱嘉琦,王建东,张雯婷,张建隆,曹世成. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2011-04-06.

POLYMER HAVING SILPHENYLENE AND SILOXANE STRUCTURES, A METHOD OF PREPARING THE SAME, AN ADHESIVE COMPOSITION, AN ADHESIVE SHEET, A PROTECTIVE MATERIAL FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299203A1. Автор: Kondo Kazunori,SUGO Michihiro. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

Preventive method of a fading and corrosion the metallic layer for forming a bonding pad of a semiconductor device

Номер патента: KR930010341B1. Автор: 김이주. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1993-10-16.

Method of providing surface layers side by side on a carrier, preferably for the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: CA767335A. Автор: S. Te Velde Ties,W.M.T. Van Helden Gertruda. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1967-09-12.

DIFFRACTIVE PHOTO MASKS AND METHODS OF USING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120082943A1. Автор: Gaylord Thomas K.,Burrow Guy Matthew. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-05.

STORAGE NODE, PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120127789A1. Автор: Suh Dong-Seok,Park Tae-Sang. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

PHOTONIC CRYSTAL COLOR PRINTING PAPER AND METHODS OF PRINTING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120249718A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

MEMORY CELL HAVING NONMAGNETIC FILAMENT CONTACT AND METHODS OF OPERATING AND FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130064010A1. Автор: Liu Jun,Sandhu Gurtej. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-14.

Image Sensor and Methods of Driving and Fabricating the Same

Номер патента: US20130161485A1. Автор: OH Hak Soo. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

Manufacturing method of temporary fixing resin composition, temporary fixing resin film, temporary fixing resin film sheet and semiconductor device

Номер патента: JP6859729B2. Автор: 卓二 池谷,池谷　卓二,崇 増子,増子　崇,省吾 祖父江. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Sophisticated Metallization Systems in Semiconductors Formed by Removing Damaged Dielectric Surface Layers After Forming the Metal Features

Номер патента: US20120001343A1. Автор: Feustel Frank,Huisinga Torsten,Grillberger Michael. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE ASSEMBLY, METHOD OF FABRICATING ELECTRODE ASSEMBLY, AND SECONDARY BATTERY INCLUDING ELECTRODE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003506A1. Автор: SHIN Hosik. Владелец: Samsung SDI Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabric production

Номер патента: RU2516855C2. Автор: Сергей Борисович Шилов. Владелец: Сергей Борисович Шилов. Дата публикации: 2014-05-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of manufacturing multilayer contour-profiled tissue

Номер патента: RU2466219C1. Автор: Владимир Терентьевич Сергеев,Ирина Юрьевна Павлихина,Марина Николаевна Никулина,Татьяна Леонидовна Доброва. Владелец: Закрытое акционерное общество "ТРИ-Д". Дата публикации: 2012-11-10.

Method Of Colouring Tin And Tin-Containing Articles

Номер патента: US20120000412A1. Автор: Woods Trish. Владелец: University of Plymouth. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of fabrics of comb shadow weaves

Номер патента: RU2515863C1. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Антон Евгеньевич Шопыгин,Александра Михайловна Псыркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2014-05-20.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of deposition of the copper oxide dispersion on the nitrocellulose filaments

Номер патента: RU2287511C1. Автор: Наиль Гумерович Ибрагимов,Николай Сергеевич Божья-Воля,-Вол Николай Сергеевич Божь,Лев Борисович Сироткин,Владимир Иннокентьевич Владыкин,Софья Иосифовна Трахтенберг,Мария Александровна Печенкина,Мари Александровна Печенкина,Софь Иосифовна Трахтенберг,Любовь Михайловна Мальцева,Александра Александровна Лопатенко. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2006-11-20.

Screen vacuum heat insulation of cryogenic tank of rocket space upper stage and method of fabrication thereof

Номер патента: RU2384492C2. Автор: Евгений Николаевич Туманин,Михаил Викторович Рожков. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2010-03-20.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of application of copper coating

Номер патента: RU2347850C2. Автор: Валерий Иванович Бухтияров,Никита Валентинович Волков,Евгений Владимирович Еремин,Клара Александровна Саблина,ров Валерий Иванович Бухти. Владелец: Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2009-02-27.

Method of production of decorative article

Номер патента: RU2533358C1. Автор: Николай Юрьевич Барулин. Владелец: Гудым Светлана Александровна. Дата публикации: 2014-11-20.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fire copper refinement

Номер патента: RU2391420C1. Автор: Алексей Михайлович Макаров,Сергей Михайлович Устинов,Игорь Олегович Попов,Борис Николаевич Бутырский. Владелец: Борис Николаевич Бутырский. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

An Improved Method of and Apparatus for Treating Fabrics to Render them Waterproof, applicable also to the Treatment of Fabrics to Fix the Dye thereof.

Номер патента: GB189913433A. Автор: Gestel Jean Theodore Van. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-06-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RINSE ADDED AMINOSILICONE CONTAINING COMPOSITIONS AND METHODS OF USING SAME

Номер патента: US20120004156A1. Автор: Vetter Kerry Andrew,Panandiker Rajan Keshav,"ONeil Julie Ann",VETTER Nicholas David. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing copper (+2) hydroxochromates

Номер патента: RU2504517C1. Автор: Евгений Геннадиевич Афонин. Владелец: Открытое акционерное общество "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2014-01-20.

Method of production of cupper (i) thiocyonate (i)the lump sugar massecuite out of the cane-sugar raw

Номер патента: RU2289545C2. Автор: Евгений Геннадиевич Афонин,Евгений Геннадиевич Афонин (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Калужский научно-исследовательский институт телемеханических устройств". Дата публикации: 2006-12-20.

Method of automatic control of melting process of copper-nick sulphide raw material in vanyukov's furnace during sulphide charge processing to regulus

Номер патента: RU2571968C2. Автор: Александр Васильевич Спесивцев,Владимир Ильич Лазарев,Сергей Аркадьевич Орешкин,Вениамин Геннадьевич Козловский,Александр Петрович Кащук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сумма технологий". Дата публикации: 2015-12-27.

Method of determining adhesion strength of coating with silicon substrate

Номер патента: RU2548393C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Владимир Иванович Лукин,Виталий Сергеевич Рыльников,Александр Николаевич Афанасьев-Ходыкин,Константин Николаевич Нищев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2015-04-20.

Method of obtaining antimicrobial copper-containing cellulose material

Номер патента: RU2523312C2. Автор: Наталья Сергеевна Дымникова,Валентина Николаевна Галашина,Екатерина Вячеславовна Ерохина,Павел Андреевич Морыганов. Владелец: Российская Федерация, Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2014-07-20.

Improvements relating to the Dry Scouring of Fabrics in an Extended Condition.

Номер патента: GB190700083A. Автор: Edouard Ribaucourt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-01-01.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Tight cable entry and method of its production

Номер патента: RU2336587C1. Автор: Валерий Васильевич Абрамов,Николай Сергеевич Костюков,Виктор Александрович Демчук,Борис Борисович Калиниченко,Владимир Александрович Охотников. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Амуратом". Дата публикации: 2008-10-20.

Method of production of composite products with internal cavities of explosion welding

Номер патента: RU2526357C1. Автор: Леонид Моисеевич Гуревич,Сергей Петрович Писарев,Дмитрий Владимирович Проничев,Вячеслав Фёдорович Казак,Виктор Георгиевич Шморгун,Вера Николаевна Арисова,Артём Игоревич Богданов,Юрий Павлович Трыков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградский государственный технический университет" (ВолгГТУ). Дата публикации: 2014-08-20.

Method of three-stage technological parameters optimisation of centrifugal enrichment for recovery of precious metals in mineral form from ores, tailings from processing of embedded copper-nickel ores of norilsk deposits

Номер патента: RU2530945C2. Автор: Станислав Георгиевич Чебурашкин. Владелец: Станислав Георгиевич Чебурашкин. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of fusion welding of copper and its alloys with steel

Номер патента: RU2325252C2. Автор: Александр Владимирович Баранов,Валерий Васильевич Рыбин,Абрам Ефимович Вайнерман,Сергей Александрович Пичужкин,Евгений Васильевич Андронов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Конструкционных Материалов "Прометей" (Фгуп "Цнии Км "Прометей"). Дата публикации: 2008-05-27.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of analysing feed yeast to determine content of nucleotide fraction

Номер патента: RU2413942C1. Автор: Валентина Петровна Петрова,Владимир Михайлович Востоков,Валентина Михайловна Смирнова,Галина Леонидовна Дегтяренко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ). Дата публикации: 2011-03-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.