• Главная
  • 模拟滤波器电路和采用该电路的半导体集成电路器件

模拟滤波器电路和采用该电路的半导体集成电路器件

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

High gain amplifier circuits and their applications

Номер патента: US20030174020A1. Автор: James Jaussi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Integrated circuit providing galvanic isolation and device including the same

Номер патента: EP4372814A1. Автор: Jong Tae Hwang. Владелец: Wellang Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit providing galvanic isolation and device including the same

Номер патента: US20240170476A1. Автор: Jong Tae Hwang. Владелец: Wellang Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit chip and configuration adjustment method for the same

Номер патента: US20200312809A1. Автор: Chung-Chang Lin,Ching-Kuang Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuit chip and configuration adjustment method for the same

Номер патента: US11133280B2. Автор: Chung-Chang Lin,Ching-Kuang Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20040228190A1. Автор: Andreas Wenzel,Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-18.

Integrated circuit and method for operating the integrated circuit

Номер патента: US20030132792A1. Автор: CHRISTIAN Weis,Stefan Dietrich,Peter Schrögmeier,Pramod Acharya. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-17.

Integrated circuit and standard cell for an integrated circuit

Номер патента: US20100321063A1. Автор: Tilo Ferchland,Thorsten Riedel,Matthias Vorwerk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Integrated circuit and standard cell for an integrated circuit

Номер патента: US8030963B2. Автор: Tilo Ferchland,Thorsten Riedel,Matthias Vorwerk. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Scannable flip flop circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: WO2000072444A9. Автор: Joseph A Hoffman,Joseph W Yoder. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Scannable flip flop circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: WO2000072444A3. Автор: Joseph A Hoffman,Joseph W Yoder. Владелец: Lockheed Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Input/output cell for integrated circuits

Номер патента: US10008985B2. Автор: Henricus Hubertus Van Den Berg,Michiel Alexander Hallie,Joannes Theodorus van der Heiden. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-06-26.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A4. Автор: Kenneth W Brown,Andrew K Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-08-10.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524B1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-08-26.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842231A3. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-09-15.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842231A2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: EP3842233A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-06-30.

Low-pass filtering circuit, feedback system, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP4220828B2. Автор: 志郎 道正. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-04.

High density integrated circuit MEMS device and method of making the same

Номер патента: DE102015102869B4. Автор: Jürgen Portmann,Thomas Metzger. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor integrated circuit device and system using the same

Номер патента: JPS59161127A. Автор: Akira Mizuno,Hiroshi Hososaka,明 水野,細坂 啓. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-09-11.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20040090828A1. Автор: Junichi Okamura. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor integrated circuit devices and method of manufacturing the same

Номер патента: HK69187A. Автор: Shizuo Kondo,Setsuo Ogura,Makoto Furihata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-10-02.

Semiconductor integrated circuit devices and method of manufacturing the same

Номер патента: SG40887G. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-07-17.

Clock forwarding circuit and method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: KR100255664B1. Автор: 김석진. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Circuit and method for controlling mixed mode controlled oscillator and cdr circuit using the same

Номер патента: CN101286739A. Автор: 蔡政宏,赵冠华,汪炳颖. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-10-15.

Hybrid integrated circuit device, and method for fabricating the same, and electronic device

Номер патента: US20110121365A1. Автор: Tomio Yamada,Shinji Moriyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Hybrid integrated circuit device, and method for fabricating the same, and electronic device

Номер патента: US8084852B2. Автор: Tomio Yamada,Shinji Moriyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190013314A1. Автор: Chul-Hong Park,Hae-Wang Lee,Jung-Hyuck Choi,Hyoun-Jee Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-10.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190221563A1. Автор: PARK Chul-hong,CHOI Jung-hyuck,LEE Hae-wang,HA Hyoun-jee. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200335500A1. Автор: Chul-Hong Park,Hae-Wang Lee,Jung-Hyuck Choi,Hyoun-Jee Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN109216346B. Автор: 朴哲弘,崔晸赫,李海王,河玹知. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-03.

Improvements in or relatives to monolithic integrated circuit structures and to electronic timepieces incorporating the same

Номер патента: MY7800400A. Автор: . Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1978-12-31.

Integrated circuit and method

Номер патента: US12100445B2. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit chip and configuration adjustment method for the same

Номер патента: US20200312809A1. Автор: Chung-Chang Lin,Ching-Kuang Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated circuit for tuner and television tuner employing the same

Номер патента: JP2003219291A. Автор: Masaki Yamamoto,正喜 山本. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Integrated circuit with off-state diagnosis for driver channels

Номер патента: US20230266381A1. Автор: Gaudenzia BAGNATI,Diego Alagna,Marzia Annovazzi,Lucia MAGGIO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-24.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (ic)

Номер патента: US20210270889A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Signal transmission circuit and method, and integrated circuit (IC)

Номер патента: US11994553B2. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Configurable circuit and its operating method and integrated circuit

Номер патента: CN107979360A. Автор: 卡尔·诺林,埃尔温·胡贝尔. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuit and method

Номер патента: US20230377641A1. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuit and method for testing the integrated circuit

Номер патента: WO2002101926A2. Автор: Cornelis H. Van Berkel,Adrianus M. G. Peeters. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020140048A1. Автор: Keiichi Yamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Photo mask, semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080054354A1. Автор: Jee-Eun JUNG,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20090065889A1. Автор: Yasuyo Sogawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09935194B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10217689B2. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170207140A1. Автор: Ippei YASUTAKE. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20080074913A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20040061225A1. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020030213A1. Автор: Makoto Yoshida,Toshihiko Takakura,Katsuyuki Asaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20020024045A1. Автор: Hiroshi Furuta,Yoko Hayashida,Kiminori Hayano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9831176B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

3D semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9543401B2. Автор: Young Ho Lee,Jin Ha Kim,Kang Sik Choi,Jun Kwan Kim,Su Jin Chae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200381547A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230290881A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220093786A1. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240274605A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991264B1. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899388B2. Автор: Ki-Il KIM,Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20110309515A1. Автор: Kenji Yokoyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180019336A1. Автор: Sang Yong Kim,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196603A1. Автор: Sungyeon KIM,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Younseok CHOI,Kwanghee CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210375866A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device and method of making the same

Номер патента: WO1998000872A1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory,James P. Yakura,John J. Seliskar,Dim Lee Kwong. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Integrated circuit device and electronic device including the same

Номер патента: EP4181190A1. Автор: Chanyoung Jeong,Wooseok Kim,Wonsik Yu,Dokyung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US09875938B2. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US7923283B2. Автор: Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-04-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234485A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: US20240023336A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A9. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

External short-circuit device and battery module including the same

Номер патента: US20230216159A1. Автор: Seung Ryul Choi. Владелец: SK On Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304666A1. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240324194A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Hakseon KIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899323B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224514A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243532A1. Автор: Sung-hee Han,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395436A1. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020190357A1. Автор: Hideki Kawamura,Ryuichi Kosugi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: US20240284686A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit devices and electronic systems including the same

Номер патента: US12075622B2. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US11769769B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Short-circuiting device and robot system including the same

Номер патента: US12088232B2. Автор: Haruhiko Tan,Masahiko Sumitomo. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: EP4432807A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Kyeonghoon Park,Jaebok BAEK,Janggn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240324188A1. Автор: Kyounghwan Kim,Sangbin AHN,Kangin KIM,Youngseung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321976A1. Автор: Kanguk KIM,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210296431A1. Автор: Yoonyoung CHOI,Sangjae Park,Dongkyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09972692B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09893064B2. Автор: Jae-Yup Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859392B2. Автор: Ha-Jin Lim,Weon-Hong Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09853029B2. Автор: Jung-Gun You,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09485850B2. Автор: Mitsuteru FUKUMOTO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240023306A1. Автор: Jongin KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

High-frequency circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030042144A1. Автор: Tadashi Isono,Terumi Nakazawa,Yoshiyuki Sasada,Mamoru Ohba,Shirou Oouchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-06.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274598A1. Автор: Jinwoo Lee,Hojun CHOI,Sutae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated circuit memory and the method of forming the same

Номер патента: US12033942B2. Автор: Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20230422527A1. Автор: Seokcheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11961914B2. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240015949A1. Автор: Jinwook Lee,Wonsik Choi,Yeseul LEE,Kyooho JUNG,Jongyeong MIN,Jiye BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated circuit device and method of forming the same

Номер патента: US11955486B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160071874A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Nonreciprocal circuit device and communications apparatus incorporating the same

Номер патента: US6603369B2. Автор: Takashi Hasegawa,Katsuyuki Ohira. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-05.

Nonreciprocal circuit device and communication apparatus incorporating the same

Номер патента: US20020153963A1. Автор: Takashi Kawanami. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Integrated circuit device and electronic system comprising the same

Номер патента: EP4307858A1. Автор: Kangmin KIM,Seungje OH,Joohang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Coiled circuit device and method of making the same

Номер патента: WO2004109794A2. Автор: Robert S. Howell,Harvey Nathanson,Garrett A. Storaska. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2004-12-16.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170309568A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804549B2. Автор: Hyun-chul Lee,Yun-Seung Kang,Sang-Gyo Chung,Ji-seung LEE,Soung-hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240130115A1. Автор: Hoju Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11784122B2. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Coiled circuit device and method of making the same

Номер патента: EP1636837A2. Автор: Robert S. Howell,Harvey Nathanson,Garrett A. Storaska. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

Coiled circuit device and method of making the same

Номер патента: WO2004109794B1. Автор: Harvey Nathanson,Garrett A Storaska,Robert S Howell. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4344376A1. Автор: KiSoo Park,Daeyoung MOON,Jamin KOO,Kyuwan KIM,Hyokyoung Kim,Jonghyeok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082844A1. Автор: Dongwoo Kim,Byoungdeog Choi,Hyukwoo KWON,Seongmin CHOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210273041A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12009387B2. Автор: Hyun-Suk Lee,Jun-Goo Kang,Gi-hee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11956967B2. Автор: Sunggil Kim,Kyengmun KANG,Hyeeun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027459B2. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Electronic circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: CA2273474C. Автор: Katsumi Ebara,Mikio Okamoto. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-09.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11929393B2. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240015946A1. Автор: Wonsik Choi,Kyooho JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11888038B2. Автор: Joonyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US20230009266A1. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-01-12.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150255483A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11715786B2. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11094800B2. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-17.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230163164A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Nonreciprocal circuit device and communication apparatus including the same

Номер патента: US20020030549A1. Автор: Toshihito Umegaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4344377A1. Автор: Inseok Baek,Dongwon Lim,Sangbin AHN,Seokyeong CHOI,Seungyong HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107753A1. Автор: Inseok Baek,Dongwon Lim,Sangbin AHN,Seokyeong CHOI,Seungyong HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200303521A1. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11974434B2. Автор: Sangyong Park,Jaeduk LEE,Hyunseok Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240107779A1. Автор: Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150162281A1. Автор: Hiromitsu Mashita,Yoshiko Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210005548A1. Автор: Woojin Lee,Sanghoon Ahn,Daehan Kim,Junghoo SHIN,Junhyuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240186369A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240188281A1. Автор: Gangjun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Nonreciprocal circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080218289A1. Автор: Takaya Wada. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240128330A1. Автор: Joonyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated circuit devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20190123051A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US12002764B2. Автор: Jongsoo Kim,Sunil Shim,Wonseok Cho,Juyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343859A1. Автор: Nak-Jin Son,Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit devices and manufacturing methods for the same

Номер патента: US20210125884A1. Автор: Seungheon Lee,Jaekang Koh,Munjun KIM,Hyukwoo KWON,Taejong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240170530A1. Автор: Ingyu Baek,Taemin Kim,Kwansik Kim,Changyong Um,Jungsan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240107775A1. Автор: Jihong Kim,Hyunmook Choi,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US9978881B2. Автор: Mirco Cantoro,Maria TOLEDANO LUQUE,Yeon-Cheol Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4383979A1. Автор: Gangjun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231031A1. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Jian-Yu Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-07-20.

Integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240206159A1. Автор: Jinseong Lee,Hyunjung Lee,Junsoo Kim,Dongsik Kong,Junbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: EP4391074A1. Автор: Jinseong Lee,Hyunjung Lee,Junsoo Kim,Dongsik Kong,Junbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190122980A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190189617A1. Автор: Sung-hee Han,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12034043B2. Автор: Seunghun LEE,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Hyojin Kim,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit and cell structure in the integrated circuit

Номер патента: US20190123062A1. Автор: Cheng-Jyi Chang,Chuan-Shian FU,Shao-Hwang SHER. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09525058B2. Автор: Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US09401603B2. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Cascade circuit and corresponding control method and integrated circuit thereof

Номер патента: EP4175154A1. Автор: Yu Qi,Chen Zhao,Wei Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-05-03.

Integrated circuit and method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor chip

Номер патента: US20060105535A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-05-18.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Radio-frequency integrated circuits including inductors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09449916B2. Автор: Jung Hun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Integrated Circuit and Method for Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20100033269A1. Автор: Dirk Hesidenz,Markus Klaus Unger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-02-11.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09496228B2. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Multi-layer integrated circuit capacitor electrodes and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20040235238A1. Автор: Je-min Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Integrated circuit package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11824012B2. Автор: Kai-Ming Yang,John Hon-Shing Lau,Chia-Yu Peng. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Power management integrated circuit modeling system and method of driving the same

Номер патента: US20200183472A1. Автор: Soon Keol RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

A method of determining the location of a defect in an integrated circuit and how to use this integrated circuit

Номер патента: EP1204122A3. Автор: Tapio Kuiri. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-02-02.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US20160164277A1. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Integrated circuit and method for forming and integrated circuit

Номер патента: US5851923A. Автор: J. Brett Rolfson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20090057778A1. Автор: Stefan Slesazeck,Tobias Mono,Jessica Hartwich,Lars Dreeskornfeld,Arnd Scholz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020135028A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor integrated circuit apparatus and manufacturing method for same

Номер патента: US09935097B2. Автор: Katsuyoshi Matsuura,Junichi Ariyoshi. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW573353B. Автор: Masayuki Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-01-21.

Layout design method and integrated circuit device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240290770A1. Автор: Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020160566A1. Автор: Satoshi Yamamoto,Shinpei Iijima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Inorganic seal for encapsulation of an organic layer and method for making the same

Номер патента: MY115683A. Автор: John Edward Cronin,Barbara Jean Luther. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-08-30.

Integrated circuit devices including a conductive via and methods of forming the same

Номер патента: US20240355727A1. Автор: Se Jung Park,Jaemyung CHOI,Kang -Ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Deadtime regulation device and converter having the same

Номер патента: US20240171066A1. Автор: Xueliang Chang,Zhongwang Yang,Mingjie Shan. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Application-specific optoelectronic integrated circuit

Номер патента: US20010038100A1. Автор: Daniel Yap. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508727B2. Автор: Myeong-Cheol Kim,Ja-hum Ku,Jin-Wook Lee,Sung-Kee Han,Hong-bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120153370A1. Автор: Hiroshi Furuta,Takayuki Shirai,Shunsaku Naga. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20130105935A1. Автор: Yokoyama Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130285203A1. Автор: Hiroi Masayuki,SAKOH Takashi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180019336A1. Автор: OH Dong Yean,KIM Sang Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

3D SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160042960A1. Автор: CHOI Kang Sik,KIM Jin Ha,Lee Young Ho,CHAE Su Jin,KIM Jun Kwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20160071850A1. Автор: Kasai Hitoshi,ITOU Satoshi,YAMAMOTO Youichi,SAKAMOTO Misato,KATO Yoshitake. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

3D SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170084740A1. Автор: CHOI Kang Sik,KIM Jin Ha,Lee Young Ho,CHAE Su Jin,KIM Jun Kwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140273392A1. Автор: KIM Weon-Hong,SONG Min-Woo,PARK Jung-Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170207140A1. Автор: YASUTAKE Ippei. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor integrated-circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20140308811A1. Автор: Yasushi Sasajima,Suguru Tashiro,Jin Oonuki,Khyou Pin Khoo. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2014-10-16.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160247804A1. Автор: YOSHINO Hideo,UEMURA Keisuke,HARADA Hirofumi,Kato Shinjiro,Hasegawa Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160260668A1. Автор: HARADA Hirofumi. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2010141047A. Автор: Yoji Shimizu,洋治 清水. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3339881B2. Автор: 寛治 大塚,雅雄 水上,博 赤崎,宏 舘. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-28.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: KR100703971B1. Автор: 이수철,이태정,김성환,장동열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-06.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: CN1877834A. Автор: 金成焕,李泰政,张东烈,李受哲. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2655504B2. Автор: 知光 佐竹. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-24.

Semiconductor integrated circuit device, and method for producing the same, and method of producing masks

Номер патента: CN1191610C. Автор: 福田宏. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2513810A1. Автор: Isao Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-04-01.

Semiconductor integrated circuit devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070102746A1. Автор: Min-Woo Song,Seok-jun Won,Weon-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020060334A1. Автор: Kenichi Kuroda,Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor integrated circuit device and method for making the same

Номер патента: TW451460B. Автор: Masayoshi Saito,Hiroshi Kawakami,Makoto Yoshida,Tadashi Umezawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-08-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW574754B. Автор: Masayuki Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-02-01.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG96200A1. Автор: MIYAKI Yoshinori,Suzuki Hiromichi,Kaneda Tsuyoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-23.

Semiconductor integrated circuit device and the process of the same

Номер патента: US20020042172A1. Автор: Kenichi Kuroda,Kozo Watanabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: TWI302377B. Автор: Soo-Cheol Lee,Tae-jung Lee,Dong-Ryul Chang,Sung-Hoan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060138617A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Yoshinori Miyaki,Tsuyoshi Kaneda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050264965A1. Автор: Minoru Okamoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050070099A1. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Fumio Ootsuka. Дата публикации: 2005-03-31.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6661062B2. Автор: Yusuke Nonaka,Toshiro Takahashi,Yasunobu Yanagisawa,Kazuhisa Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US7170115B2. Автор: Shigeki Furuya,Yuuji Hinatsu,Shinya Tokunaga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: CN1238557A. Автор: 谷口泰弘,宿利章二,桥本孝司,池田修二,黑田谦一. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-12-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: KR101300820B1. Автор: 이동석,정승필,조홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-08-26.

Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: EP0534632A2. Автор: Shigeki 1-2-8-303 Kizu-Cho Sawada. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1993-03-31.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2684979B2. Автор: 靖 木下. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-03.

Semiconductor integrated circuit device and fabrication method for the same

Номер патента: KR20090032709A. Автор: 김용환,이맹열,강미현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3179595B2. Автор: 光雄 宇佐美,敬二郎 上原. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-06-25.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2028684A2. Автор: Hiromichi Suzuki,Yoshinori Miyaki,Tsuyoshi Kaneda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-02-25.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US7394156B2. Автор: Shigeki Furuya,Yuuji Hinatsu,Shinya Tokunaga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020045310A1. Автор: Satoshi Yamamoto,Shinpei Iijima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6593229B1. Автор: Naoki Yamamoto,Yoshikazu Tanabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3281234B2. Автор: 昇 横田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-13.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020047150A1. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Fumio Ootsuka. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor integrated circuit device and process for manufacturing the same

Номер патента: TW436958B. Автор: Osamu Tsuchiya,Isamu Asano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-05-28.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: KR100678631B1. Автор: 이수철,이태정,김현철,장동열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-05.

Semiconductor integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN1307721C. Автор: 吉田诚,梶谷一彦,成井诚司,宇田川哲. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US7872327B2. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2028684A3. Автор: Hiromichi Suzuki,Yoshinori Miyaki,Tsuyoshi Kaneda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-06-03.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN116266991A. Автор: 金南局,郑基昶. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor integrated circuit device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6218889B1. Автор: Tetsuo Iijima,Atsushi Fujiki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-04-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6538293B2. Автор: Yusuke Nonaka,Toshiro Takahashi,Yasunobu Yanagisawa,Kazuhisa Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-25.

Semiconductor integrated circuit device and IC card mounting the same

Номер патента: JPWO2010119772A1. Автор: 一希 渡邊,顕宏 鳥山,渡邊 一希. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-22.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3080035B2. Автор: 浩一 熊谷. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-21.

Semiconductor integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US4701349A. Автор: Mitsumasa Koyanagi,Hiroko Kaneko. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-10-20.

Semiconductor integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070158780A1. Автор: Dong-Ryul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Optical semiconductor integrated circuit device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20030143774A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Toshiyuki Okoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Semiconductor integrated circuit device and fabrication process for the same

Номер патента: KR100423619B1. Автор: 마츠무라아키라. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-03-22.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132465A1. Автор: Shinichiro Mitani,Tomohiro Saito,Katsuhiko Ichinose,Youhei Yanagida. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW520566B. Автор: Fumitoshi Ito. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-02-11.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: TW561573B. Автор: Katsuhiko Tsuura. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020033505A1. Автор: Masahiro Moniwa,Hiroshi Kujirai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Integrated circuit device and method of forming the same

Номер патента: TW201121021A. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Cheng-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor circuit device and simulation method of the same

Номер патента: US20070018209A1. Автор: Katsuhiro Ootani,Yasuyuki Sahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US7943426B2. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT (IC) DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150348973A1. Автор: Yamamoto Kenichi,MORITOKI Masashige. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor integrated circuit having resistors and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100630706B1. Автор: 전광열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-02.

Gate Cut Dielectric Feature and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210118875A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Integrated circuit devices including a via and methods of forming the same

Номер патента: US20230352399A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Integrated circuit devices including a via and methods of forming the same

Номер патента: US20200144103A1. Автор: Harsono Simka,Jong Hyun Lee,Yung Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit devices including a via and methods of forming the same

Номер патента: EP4270474A1. Автор: Kang-ill Seo,Jaemyung CHOI,Janggeun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Engineering multiple threshold voltages in an integrated circuit

Номер патента: US20150214323A1. Автор: Vijay Narayanan,Martin Michael Frank,Catherine Anne Dubourdieu. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method and apparatus for secure provisioning of an integrated circuit device

Номер патента: US09729518B1. Автор: Sean R. Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

BOUNDARY SCHEME FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210202528A1. Автор: Lin Meng-Han,CHEN TE-AN. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Circuit device and an object embedding the same

Номер патента: US20160206036A1. Автор: Shen-Ko Tseng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-07-21.

Companion integrated circuit having decoupling capacitor and mobile device having the same

Номер патента: US09648747B2. Автор: Jeong-Sik Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronics circuit device and method of making the same

Номер патента: US4246595A. Автор: Hiroaki Fujimoto,Masaharu Noyori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-01-20.

Semiconductor integrated injection logic circuit device

Номер патента: JPS6267855A. Автор: Toshiyuki Okoda,敏幸 大古田,Teruo Tabata,田端 輝夫. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-27.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277547A1. Автор: Myeong-Cheol Kim,Ja-hum Ku,Jin-Wook Lee,Sung-Kee Han,Hong-bae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-27.

Connector module for integrated circuit device, and integrated circuit device suitable for use with the same

Номер патента: US6592380B2. Автор: Taiji Hosaka,Masaaki Miyazawa. Владелец: JST Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-15.

NON-RECIPROCAL CIRCUIT DEVICE AND COMMUNICATION DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: FR2805086B1. Автор: Takashi Hasegawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-14.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411291A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120160545A1. Автор: Hideyuki Sakamoto. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-06-28.

WIRELESS INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130320098A1. Автор: DOKAI Yuya,MUKAI Tsuyoshi. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140085841A1. Автор: FUKUMOTO Mitsuteru. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-27.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210005548A1. Автор: AHN SANGHOON,Lee Woojin,SHIN Junghoo,LIM Junhyuk,KIM Daehan. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220045101A1. Автор: Yun Jang-Gn,LEE JAE-DUK,SONG Jai-Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Bonding interposer and integrated circuit chip, and ultrasound probe using the same

Номер патента: US20190027675A1. Автор: Kyung-moo CHOI,Dong Won Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-24.

SHORT-CIRCUITING DEVICE AND ROBOT SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210028727A1. Автор: TAN Haruhiko,SUMITOMO Masahiko. Владелец: KAWASAKI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2021-01-28.

Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20170033013A1. Автор: KIM Weon-Hong,Song Moon-Kyun,LEE MIN-JOO,YOO Dong-su,CHOI Soo-jung. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170040328A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Lee Jin-Wook,PARK Hong-Bae,Han Sung-Kee,KU Ja-Hum. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180040740A1. Автор: CANTORO Mirco,Heo Yeon-cheol,LUQUE Maria Toledano. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220068920A1. Автор: CHOI KYUNGIN,LEE Seunghun,KIM Jinbum,Kim Dahye,Kim Jaemun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210057339A1. Автор: LEE Youngju,Lee Choonghyun,Choe Joonyong. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Flexible integrated circuit devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20170053873A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220077285A1. Автор: Park Jae-Hyun,Kim Cheol,PARK Sung-il,Baek Kye-hyun,LEE Hyung-Suk,JEON YONG-HO,Lee Yun-il. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210066343A1. Автор: CHOI Eunyeoung,LEE Yohan,LEE Suhyeong,Cho Yongseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160071874A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160079270A1. Автор: Komori Yosuke,Hyodo Yasuyoshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160079354A1. Автор: CHANG Ji-Soo,PARK Yong-hee,Song Young-Seok,Hwang Young-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220093639A1. Автор: LEE Haemin,Song Hyeonjoo. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220093786A1. Автор: SONG Seungmin,Yang Junggil,Park Junbeom,SUH BONGSEOK. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210082844A1. Автор: Kim Dongwoo,Choi Byoungdeog,Kwon Hyukwoo,Choo Seongmin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20180082981A1. Автор: Gowda Arun Virupaksha. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170084711A1. Автор: KIM Weon-Hong,Lim Ha-Jin,PARK Gi-gwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220102491A1. Автор: Jun Hwi-Chan,SHIN Heon-Jong,JANG Jae-Ran,HWANG In-chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-31.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180090585A1. Автор: KIM Weon-Hong,Lim Ha-Jin,PARK Gi-gwan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200091176A1. Автор: Yun Jang-Gn,LEE JAE-DUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180102293A1. Автор: Gi-gwan PARK,Yongkuk Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170103948A1. Автор: Lee Do-Hyun,LEE Do-Sun,Kim Chul-Sung,Hyun Sang-Jin,Lee Joon-Gon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-13.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170103985A1. Автор: KIM Ki-Il,PARK Gi-gwan,YOU Jung-gun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210104520A1. Автор: HWANG Seungju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-08.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170110554A1. Автор: Koo Bon-Young,Park Ki-yeon,Lee Tae-Jong,TAK Yong-Suk,PARK Gi-gwan,Choi Sung-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210125856A1. Автор: AHN SANGHOON,Lee Woojin,HAN Kyuhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-29.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND MANUFACTURING METHODS FOR THE SAME

Номер патента: US20210125884A1. Автор: Kwon Hyukwoo,LEE Seungheon,Kim Munjun,Koh Jaekang,HAN Taejong. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210125983A1. Автор: CHOI KYUNGIN,LEE Seunghun,KIM Jinbum,Kim Dahye,Kim Jaemun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150123698A1. Автор: Shin Sang Hoon,Lee Tae Yong. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210143156A1. Автор: KIM Jaehoon,JUNG Seungjae,Park Kwangho,SON Yonghoon,SONG Hyunji,LEE Gyeonghee. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190122980A1. Автор: Park Seok-Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190123051A1. Автор: Park Seok-Han. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Park Seok-Han. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160133632A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Lee Jin-Wook,PARK Hong-Bae,Han Sung-Kee,KU Ja-Hum. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190140066A1. Автор: SONG Min-Woo,Hyun Sang-Jin,Lee Hu-Yong,Na Hoon-Joo,LEE Chan-hyeong,Suh Sung-in,Lee Byoung-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200135850A1. Автор: LEE Ho-In,PARK Je-Min,Lee Ki-Seok,YOON CHAN-SIC. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180145078A1. Автор: Chung Jae-yup. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-24.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220293632A1. Автор: Park Sangyong,LEE Jaeduk,NA Hyunseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-15.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220293730A1. Автор: KIM Hyojin,CHOI KYUNGIN,LEE Seunghun,KIM Jinbum,KIM Gyeom,YU Haejun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-15.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190148226A1. Автор: Hyun Sang-Jin,KIM Wan-don,Huang Kuo Tai,YIM Jeong-hyuk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-16.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150162281A1. Автор: Kato Yoshiko,Mashita Hiromitsu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-06-11.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180158824A1. Автор: KIM Ki-Il,PARK Gi-gwan,YOU Jung-gun. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

THIN FILM TRANSISTOR CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160190164A1. Автор: Park Sun,KIM Jeonghwan,JANG WONHO,Jo Joohyeon. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20160197071A1. Автор: LEE Ming-Cheng,Huang Yao-Tsung,YEH Chao-Yang,CHEN Yi-Feng,FANG Jia-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190189617A1. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

CIRCUIT DEVICE AND AN OBJECT EMBEDDING THE SAME

Номер патента: US20160206036A1. Автор: Tseng Shen-Ko. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210233860A1. Автор: Ahn Sang-hoon,KIM Young-bae,LEE Woo-jin,SEO Hoon-Seok,KANG Sung-Jin,OH HYEOK-SANG,BARK SU-HYUN. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20170221770A1. Автор: RHEE Hwa-Sung,Park Se-wan,Jeong Bo-Cheol,KIM Hyun-jo,Chung Jae-yup,Jeong Hee-Don,Lee Yoon-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170221893A1. Автор: Lee Tae-Jong,TAK Yong-Suk,PARK Gi-gwan,LEE Ji-Myoung. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170222014A1. Автор: Koo Bon-Young,Park Ki-yeon,Lee Tae-Jong,TAK Yong-Suk,PARK Gi-gwan,Kim Hyun-seung,Park Mi-seon. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160233164A1. Автор: LEE Sun-Jung,EOM Da-Il,Jang Sung-uk,Choi Jung-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180233567A1. Автор: LEE Sun-Jung,EOM Da-Il,Jang Sung-uk,Choi Jung-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20160247876A1. Автор: RHEE Hwa-Sung,Park Se-wan,Jeong Bo-Cheol,KIM Hyun-jo,Chung Jae-yup,Jeong Hee-Don,Lee Yoon-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150255483A1. Автор: NODA Kotaro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200235096A1. Автор: Jun Hwi-Chan,SHIN Heon-Jong,JANG Jae-Ran,HWANG In-chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-23.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150263037A1. Автор: NODA Kotaro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210296431A1. Автор: CHOI Yoonyoung,PARK SangJae,LEE Dongkyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-09-23.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200243532A1. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170256645A1. Автор: PARK Gi-gwan,YOU Jung-gun,Chung Jae-yup,Um Myung-Yoon,Cha Dong-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160268289A1. Автор: NODA Kotaro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180261546A1. Автор: Ahn Sang-hoon,KIM Young-bae,LEE Woo-jin,SEO Hoon-Seok,KANG Sung-Jin,OH HYEOK-SANG,BARK SU-HYUN. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180261596A1. Автор: Jun Hwi-Chan,SHIN Heon-Jong,JANG Jae-Ran,HWANG In-chan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

GLASS CORE SUBSTRATE FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20160284637A1. Автор: Ma Qing,Tran Quan A.,Sankman Robert L.,Swan Johanna M.,Rao Valluri R.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160284705A1. Автор: Chung Jae-yup. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190267300A1. Автор: Sakamoto Hideyuki. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200266265A1. Автор: Lee Hyun-suk,KANG Jun-goo,Cho Gi-hee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180277547A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Lee Jin-Wook,PARK Hong-Bae,Han Sung-Kee,KU Ja-Hum. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

CIRCUIT DEVICE AND AN OBJECT EMBEDDING THE SAME

Номер патента: US20150296595A1. Автор: Tseng Shen-Ko. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200273501A1. Автор: Yun Jang-Gn,LEE JAE-DUK,SONG Jai-Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190280087A1. Автор: Park Jae-Hyun,Kim Cheol,PARK Sung-il,Baek Kye-hyun,LEE Hyung-Suk,JEON YONG-HO,Lee Yun-il. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180294353A1. Автор: CANTORO Mirco,TOLEDANO LUQUE MARIA,Heo Yeon-cheol. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160315165A1. Автор: LEE Dong-soo,Hyun Sang-Jin,Lee Hu-Yong,Na Hoon-Joo,Jeon Taek-Soo,CHUNG Won-Keun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170309568A1. Автор: SIM Jae-hwang,SEONG Ho-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200303521A1. Автор: BAE DONG-IL,SON Nak-jin. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170317084A1. Автор: Lee Han-Ki,Park Jae-Young,CANTORO Mirco,KWON Tae-Yong,YOU So-Ra,Hwang Dong-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190305098A1. Автор: Lee Sang-Hyun,Kang Sung-woo,AHN Hak-Yoon,OH Young-Mook,LEE In-Keun,OH Seong-Han,Shin Hong-sik. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150327372A1. Автор: Sakamoto Hideyuki. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2015-11-12.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190311992A1. Автор: Ahn Sang-hoon,KIM Young-bae,LEE Woo-jin,SEO Hoon-Seok,KANG Sung-Jin,OH HYEOK-SANG,BARK SU-HYUN. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160351472A1. Автор: Lee Chan-Ho,Chung Hyun-Soo,PARK MYEONG-SOON. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20170345927A1. Автор: CANTORO Mirco,TOLEDANO LUQUE MARIA,Heo Yeon-cheol. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180350905A1. Автор: Ho-In Lee,Je-min Park,Chan-Sic Yoon,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200350312A1. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170365522A1. Автор: Jeong Yongkuk,PARK Gl-GWAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Integrated Circuit Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20160379982A1. Автор: PARK Gi-gwan,YOU Jung-gun. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Integrated Circuit Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20200365589A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200365617A1. Автор: HWANG Sungmin,Ahn Jaeho,Lim Joonsung,YANG WOOSUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-19.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200365706A1. Автор: SONG Min-Woo,Hyun Sang-Jin,Lee Hu-Yong,Na Hoon-Joo,LEE Chan-hyeong,Suh Sung-in,Lee Byoung-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200373331A1. Автор: SASAKI Yuichiro,Lim SungKeun,Hyun Sangjin,Kang Pilkyu,KIM WeonHong,OH Seungha,HA Yongho,KIM Kughwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200381436A1. Автор: Dongsoo Woo,Junsoo Kim,Namho Jeon,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200381547A1. Автор: SONG Seungmin,Yang Junggil,Park Junbeom,SUH BONGSEOK. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200395436A1. Автор: KIM Younsoo,SONG Jeonggyu,JUNG Kyooho,LEE Jooho. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200395438A1. Автор: LEE Hyunsuk,CHO Gihee,KANG Jungoo,AHN Sanghyuck. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Test circuit and method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR101212777B1. Автор: 신상훈,이태용. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-12-14.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102320820B1. Автор: 정재엽,이윤석,이화성,김현조,박세완,정보철,정희돈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-11-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102446862B1. Автор: 정재엽,박기관,차동호,유정균,엄명윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-23.

Semiconductor memory circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2581411B2. Автор: 和弘 田坂. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-12.

Oxide film, integrated circuit device and methods of forming the same

Номер патента: KR102298603B1. Автор: 이하영,최병덕,이종명,이준원,김문준,김홍근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-09-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN106298670B. Автор: 朴起宽,刘庭均. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102481479B1. Автор: 박재영,이한기,권태용,미르코 칸토로,황동훈,유소라. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2022-12-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20160103424A. Автор: 정재엽,이윤석,이화성,김현조,박세완,정보철,정희돈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-09-01.

BiCMOS integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2950009B2. Автор: 正一 佐々木. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-20.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102376503B1. Автор: 권오성,나훈주,현상진,송재열,김완돈,손혁준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-03-18.

Monolithic microwave integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: KR101252745B1. Автор: 이종민,김성일,윤형섭,민병규. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2013-04-12.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100657117B1. Автор: 애브너 바데히. Владелец: 쉘케이스 리미티드. Дата публикации: 2006-12-12.

High frequency non-reciprocal circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3173590B2. Автор: 芳嗣 岡田,修 冥加,充 古谷. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-04.

Monolithic microwave integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: KR101275724B1. Автор: 이종민. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2013-06-17.

Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2630294B2. Автор: 秀範 江川. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-16.

Integrated circuit devices and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102403737B1. Автор: 이승훈,유정호,김석훈,조진영,정근희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-31.

Electronic circuit device and method of making the same

Номер патента: CN101404861B. Автор: 杉本圭一,中川充. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Hybrid integrated circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: CN1638104A. Автор: 金久保优. Владелец: Northeast Sanyo Semi-Conductive Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-13.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20230009266A1. Автор: CHANG Ya-Ting,Wu Chih-I,Yang Jin-Bin,HUANG JIAN-ZHI,NI I-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Integrated circuit devices and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102435522B1. Автор: 강성우,이상현,오영묵,신홍식,이인근,오성한,안학윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102246880B1. Автор: 장성욱,이선정,최정헌,엄다일. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-04-30.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100613793B1. Автор: 다까하시고우지. Владелец: 산요덴키가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-08-22.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210049604A. Автор: 이우진,안상훈,한규희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-05-06.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW202145366A. Автор: 洪正隆,蔡昕翰,吳仲強,張文,志安 徐. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-12-01.

Electronic circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100819295B1. Автор: 게이이찌 스기모또,미쯔루 나까가와. Владелец: 가부시키가이샤 덴소. Дата публикации: 2008-04-02.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102434436B1. Автор: 이호인,윤찬식,이기석,박제민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-19.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10276675B2. Автор: Sun-jung Lee,Jung-Hun Choi,Da-Il Eom,Sung-Uk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-30.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US10763256B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-01.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: US10879239B2. Автор: Heon-Jong Shin,Hwi-Chan JUN,In-chan HWANG,Jae-Ran JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-29.

Integrated circuit device and method for preparing the same

Номер патента: CN102569228A. Автор: 黄财煜. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20210017528A. Автор: 나현석,박상용,이재덕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-17.

Electronic circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: CA2273474A1. Автор: Katsumi Ebara,Mikio Okamoto. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-12.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1574319A. Автор: 坂本则明,高桥幸嗣,草野和久. Владелец: Northeast Sanyo Semi-Conductive Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-02.

Electronic circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2919465B2. Автор: マッロ レン. Владелец: AI ERU SHII DEETA DEBAISU CORP. Дата публикации: 1999-07-12.

Optical circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1324103A2. Автор: Akito C/O Fujitsu Limited Kuramata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-02.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7714232B2. Автор: Yusuke Igarashi,Sadamichi Takakusaki,Motoichi Nezu,Takaya Kusabe. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Electronic circuit device and method of making the same

Номер патента: CN101404862B. Автор: 杉本圭一,中川充. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

A flexible integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101486201B1. Автор: 김주형,임재성. Владелец: 하나 마이크론(주). Дата публикации: 2015-01-26.

Circuit device and manufacturing method for the same, plate shaped body

Номер патента: TW200539367A. Автор: Kouji Takahashi. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2005-12-01.

Electronic circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040200065A1. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Norihito Tsukahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Electronic circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20070161269A1. Автор: Mitsuru Nakagawa,Keiichi Sugimoto. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Rfid antenna circuit device and rfid card with the same

Номер патента: KR100862890B1. Автор: 최성웅. Владелец: 산양전기주식회사. Дата публикации: 2008-10-13.

Electronic circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2725637B2. Автор: 太 細谷. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

ESD/EOS protection structure for integrated circuit devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US6835650B1. Автор: Mark McQueen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-28.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW202115914A. Автор: 黃升柱. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-16.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090103276A1. Автор: Yasuhiro Koike,Hidefumi Saito,Hideyuki Sakamoto,Masao Tsukizawa. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN100429766C. Автор: 井野口浩. Владелец: Northeast Sanyo Semi-Conductive Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW202207292A. Автор: 沙哈吉 B 摩爾,張世杰. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-02-16.

Capacitor of an integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7071510B2. Автор: Kong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-04.

Integrated circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9466611B2. Автор: Yosuke Komori,Yasuyoshi Hyodo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238689A1. Автор: Changseop YOON,Jong Shik Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Circuit devices and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040136123A1. Автор: Takeshi Nakamura,Noriaki Sakamoto,Yusuke Igarashi. Владелец: Kanto Sanyo Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7232957B2. Автор: Nobuhisa Takakusaki,Masahiko Mizutani,Mitsuru Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Charge control circuit and charge controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP2214285A2. Автор: Yuji Yamanaka,Hiroki Matsuda,Junji Takeshita. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-04.

Integrated circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: TW201810659A. Автор: 鄭鏞國,朴起寬. Владелец: 三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-03-16.

Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3369751B2. Автор: 貴久雄 磯山. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-20.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN101419965A. Автор: 西塔秀史,坂本英行,小池保広,月泽正雄. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2924867B2. Автор: 好文 森山. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-26.

Circuit device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7843699B2. Автор: Tetsurou Ishii. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US7332810B2. Автор: Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102314134B1. Автор: 신헌종,전휘찬,장재란,황인찬. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2021-10-18.

Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3316449B2. Автор: 則明 坂本,俊道 成瀬,永 清水,秀史 西塔. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-19.

Integrated circuit device and method of forming the same

Номер патента: TW202114058A. Автор: 吳仲強,童宣瑜,李達元,李家慶,邱詩航. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: AU2309388A. Автор: Tatsuro Kikuchi,Yoshitsugu Uenishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-03-31.

Circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040104043A1. Автор: Noriyasu Sakai,Yusuke Igarashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Nonreciprocal circuit device and communication apparatus incorporating the same

Номер патента: GB2358738B. Автор: Takahiro Jodo. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-29.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: TW202038382A. Автор: 王菘豊,蔡邦彥,時定康. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-10-16.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11699759B2. Автор: Seungmin Song,Junggil YANG,Junbeom PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Integrated circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230197145A1. Автор: Yu-Ming Lin,Huai-Ying Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonreciprocal circuit device and communication apparatus incorporating the same

Номер патента: US20020053964A1. Автор: Toshihiro Makino,Makakatsu Moro. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-09.

Integrated circuit device and method of producing the same

Номер патента: US20020163079A1. Автор: Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Circuit Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20080106875A1. Автор: Yusuke Igarashi,Sadamichi Takakusaki,Motoichi Nezu,Takaya Kusabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: TWI734228B. Автор: 王菘豊,蔡邦彥,時定康. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-21.

Simiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090101990A1. Автор: Yong-Hoan Kim,Mi-Hyun Kang,Meung-Ryul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Integrated circuit device and electronic system having the same

Номер патента: KR20220056023A. Автор: 김지원,황성민,임준성,성석강,안재호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-04.

Driving circuit and driving method of fan motor, cooling device and electronic apparatus using the fan motor

Номер патента: US11545919B2. Автор: Mitsuho Ono,Tsubasa Sakurai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-03.

Circuit device and method of forming the same

Номер патента: TWI246191B. Автор: Gerhard Schrom,Cory E Weber,Ian R Post,Mark A Stettler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Electronic circuit device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200721423A. Автор: Yoshiharu Iwata,Manabu Bonkohara,Ryohei Satoh,Shouhei Yasuda. Владелец: ZyCube Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Glass core substrate for integrated circuit devices and methods of making the same

Номер патента: TW201138032A. Автор: Qing Ma,Robert Sankman,Valluri R Rao,Johanna M Swan,Quan A Tran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Integrated circuit substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US10672716B2. Автор: Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Martin Zgaga,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-02.

3D MMIC balun and methods of making the same

Номер патента: US20070052491A1. Автор: Xing Lan,Mark Kintis,Flavia Fong. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2007-03-08.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190006354A1. Автор: Ming-Che Ho,Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11810831B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20190198380A1. Автор: Uwe Rudolph,Marc Probst,Torsten HELM. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Touch display device, driver circuit, and driving method

Номер патента: US20210191561A1. Автор: HyongHwan KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Solder bump structure formed on integrated circuit package substrate and method for fabricating the same

Номер патента: TW200518289A. Автор: Kun-Chen Tsai. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-01.

Circuit board having an integrated circuit board connector and method of making the same

Номер патента: US20030027441A1. Автор: Vijay Patel,Hsin-Hong Huang. Владелец: Visteon Global Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09933835B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated circuit with interface circuitry, and an interface cell for such interface circuitry

Номер патента: US09800048B2. Автор: Mikael Rien,Jean-Claude Duby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Enhanced ESD protection of integrated circuit in 3DIC package

Номер патента: US09412708B2. Автор: Shyh-An Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit package assembly and method of forming the same

Номер патента: US20130187266A1. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

INTEGRATED CIRCUITS WITH NANOWIRES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160049489A1. Автор: Wei Andy,Bouche Guillaume,WAN Jing,Koh Shao Ming. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220068832A1. Автор: Lau John Hon-Shing,YANG Kai-Ming,PENG CHIA-YU. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

INTEGRATED CIRCUIT COMPONENT PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190067226A1. Автор: Yang Ching-Jung,Chiu Ming-Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

ULTRA-THIN PACKAGE STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING SENSING FUNCTION AND METHOD FORMING THE SAME

Номер патента: US20210104563A1. Автор: LIN Chi-Chou,HE Zheng Ping. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

RADIO-FREQUENCY INTEGRATED CIRCUITS INCLUDING INDUCTORS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160141245A1. Автор: Choi Jung Hun. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

INTEGRATED CIRCUITS WITH CAPACITORS AND METHODS OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160172432A1. Автор: Lee Ki Young,BAE Sanggil,Joung Tony. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

INTEGRATED CIRCUITS WITH SENSORS AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200173959A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,LIU BIN,Quek Kiok Boone Elgin. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP EXTRACTOR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160353623A1. Автор: Zhang Yu,HOU Yongkang,YANG Jianlei. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US20170358574A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-14.

INTEGRATED CIRCUITS WITH CAPACITORS AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20170358692A1. Автор: Tan Shyue Seng,Quek Kiok Boone Elgin,SUN YUAN. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

ultra high density integrated circuit semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: KR100290886B1. Автор: 최신. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-07-12.

INTEGRATED CIRCUIT MOUNTING STRUCTURE AND METHOD FOR MOUNTING THE SAME

Номер патента: FR2770686B1. Автор: Fumio Mori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

ultra high density integrated circuit BLP stack and method for fabricating the same

Номер патента: KR100331841B1. Автор: 차기본,서희중. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Structure for heat dissipation of integrated circuit chip, and display module equipped with the same

Номер патента: KR100615282B1. Автор: 김기정. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-08-25.

Radio-frequency integrated circuits including inductors and methods of fabricating the same

Номер патента: TWI666750B. Автор: 崔禎訓. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2019-07-21.

Integrated circuits with capacitors and methods of producing the same

Номер патента: US9349787B1. Автор: Ki Young Lee,Sanggil Bae,Tony Joung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Methods of forming oxide isolation regions for integrated circuits substrates using mask and spacer

Номер патента: US5940720A. Автор: Jun-Pyo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-08-17.

Radio-frequency integrated circuits including inductors and methods of fabricating the same

Номер патента: TW201620109A. Автор: 崔禎訓. Владелец: 愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2016-06-01.

Integrated circuits with capacitors and methods of producing the same

Номер патента: US9373680B1. Автор: Ki Young Lee,Sanggil Bae,Tony Joung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Integrated circuit chip carrier and method for forming the same

Номер патента: CA1026469A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-02-14.

Integrated circuit chip extractor and method for operating the same

Номер патента: US20160353623A1. Автор: Yu Zhang,Jianlei Yang,Yongkang HOU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Electroless and immersion plating of integrated circuits using an activation plate

Номер патента: WO2005006423A1. Автор: Timothy B. Dean,William H. Lytle. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-01-20.

Multi-die integrated circuit package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020109222A1. Автор: Kun-Ming Huang,Ya-Yi Lai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Integrated circuit die pad cavity

Номер патента: US20240274569A1. Автор: Hung-Yu Chou,Yuh-Harng Chien,Chung-Hao LIN,Bo-Hsun PAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Voltage-isolated integrated circuit packages

Номер патента: US20240347472A1. Автор: William P. Taylor,Vijay Mangtani,Paul A. David. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

DRIVING CIRCUIT AND DRIVING METHOD OF FAN MOTOR, COOLING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS USING THE FAN MOTOR

Номер патента: US20220173679A1. Автор: ONO Mitsuho,SAKURAI Tsubasa. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: TW200832616A. Автор: Peng-Fei Wang. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-08-01.

Integrated circuit and method of treating an integrated circuit

Номер патента: GB2221092B. Автор: Brian L Corrie,Morley M Blouke. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1992-06-03.

Integrated circuits with gaps

Номер патента: US09899527B2. Автор: Rui Tze TOH,Shaoqiang Zhang,Raj Verma Purakh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

METHOD FOR THE REPORTING OF INTEGRATED CIRCUIT MICROPLATES AND DEVICE USED

Номер патента: FR2798513A1. Автор: Philippe Patrice,Olivier Brunet,Bernard Calvas,Didier Elbaz. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2001-03-16.

Radio frequency integrated circuit tag and method of using the RFIC tag

Номер патента: CN101178783B. Автор: 坂间功,芦泽实. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-06-02.

Group iii nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating

Номер патента: CA2511005C. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Radio frequency integrated circuit tag and method of using the rfic tag

Номер патента: TWI332633B. Автор: Minoru Ashizawa,Isao Sakama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-11-01.

Voltage detection integrated circuit and battery management system including same

Номер патента: EP3560748A2. Автор: Yongchun Kim,Wonkyoung CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-30.

Integrated circuit and associated method

Номер патента: US11971445B2. Автор: Anton Salfelner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit stacking system and method

Номер патента: US20050041402A1. Автор: James Wehrly,James Cady,James Wilder,David Roper,Russell Rapport,Jeffrey Buchle. Владелец: Entorian Technologies Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Integrated circuits with electrostatic discharge protection

Номер патента: US20170194311A1. Автор: Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

Integrated circuit die pad cavity

Номер патента: US11942448B2. Автор: Hung-Yu Chou,Yuh-Harng Chien,Chung-Hao LIN,Bo-Hsun PAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Integrated circuit chip, display apparatus, and method of fabricating integrated circuit chip

Номер патента: US20210212212A1. Автор: Liqiang Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150028408A1. Автор: Zundel Markus,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200034512A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,CHIANG Ting-Wei,CHEN Shun Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20210097225A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,CHANG TING-WEI,CHEN Shun Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT EQUIPPED WITH A TEMPERATURE PROBE

Номер патента: US20140183533A1. Автор: Cheramy Séverine. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Integrated Circuit and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20150115351A1. Автор: Wutte Britta. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MAKING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170125357A1. Автор: Trester Sven. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

INTEGRATED CIRCUIT AND CELL STRUCTURE IN THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190123062A1. Автор: CHANG Cheng-Jyi,Fu Chuan-Shian,Sher Shao-Hwang. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US20160164277A1. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160211226A1. Автор: Mahler Joachim,Nikitin Ivan,Fuergut Edward. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20190198380A1. Автор: Helm Torsten,Probst Marc,Rudolph Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20170256437A1. Автор: Probst Marc,Rudolph Uwe,Helm Torstern. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

FLEXIBLE FEATURE ENABLING INTEGRATED CIRCUIT AND METHODS TO OPERATE THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20170257369A1. Автор: Ito Ken A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20200411503A1. Автор: CHEN SHENG-HSIUNG,CHANG Fong-Yuan,HUANG Po-Hsiang,CHANG Jyun-Hao,YUAN Lipen. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN103972301B. Автор: A.迈泽尔,W.施维特利克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-11.

Circuit and method for interconnecting stacked integrated circuit dies

Номер патента: KR20090131684A. Автор: 제이크 앤더슨,윌리암 존스. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2009-12-29.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN103972301A. Автор: A.迈泽尔,W.施维特利克. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-08-06.

Integrated circuit and method of making an integrated circuit

Номер патента: DE102015100868B4. Автор: Joachim Mahler,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-06-17.

Integrated circuit and method for making an integrated circuit

Номер патента: US20090159976A1. Автор: Matthias Goldbach,Tobias Mono. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Integrated circuit and method of forming an integrated circuit

Номер патента: US8009477B2. Автор: Dominik Olligs,Matthias Markert,Christoph Kleint,Nicolas Nagel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-08-30.

Circuit and method for interconnecting stacked integrated circuit dies

Номер патента: WO2008137585A3. Автор: William Jones,Jake Anderson. Владелец: Jake Anderson. Дата публикации: 2008-12-31.

Integrated circuits and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: US8617986B2. Автор: Chii-Ping Chen,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-31.

Integrated circuit and method of generating the integrated circuit

Номер патента: TWI730716B. Автор: 陳志良,莊惠中,田麗鈞,李健興,吳國暉. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-11.

Integrated circuit and the method for manufacturing integrated circuit

Номер патента: CN104347625B. Автор: M·聪德尔,T·施勒塞尔,A·梅瑟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-01.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: CN104347625A. Автор: M·聪德尔,T·施勒塞尔,A·梅瑟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-11.

A flexible feature enabling integrated circuit and method to operate the integrated circuit

Номер патента: EP3423986A1. Автор: Ken A. Ito. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2019-01-09.

Integrated circuits and methods for forming the integrated circuits

Номер патента: TWI474383B. Автор: Ming Chung Liang,Chii Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-21.

Semiconductor integrated circuit device and testing method of the same

Номер патента: US20100148816A1. Автор: Kenji Ijitsu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Design structure of an integration circuit and test method of the integrated circuit

Номер патента: US20090132973A1. Автор: Toshihiko Yokota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Integrated circuit designing support apparatus and method for the same

Номер патента: US20050120324A1. Автор: Keisuke Kanamaru. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Test device and method for circuit device and manufacturing method for the same

Номер патента: US7752517B2. Автор: Takeshi Onodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Test device and method for circuit device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20070088996A1. Автор: Takeshi Onodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Integrated circuit and method for testing the integrated circuit

Номер патента: US4975641A. Автор: Shigeki Tanaka,Koji Imura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Integrated circuit and method of operating an integrated circuit

Номер патента: US09804224B2. Автор: Ilan Cohen,Eyal Melamed-Kohen,Shlomi Sde-Paz. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Display driver integrated circuit, display module and display system including the same

Номер патента: US09805687B2. Автор: Ho-Seok Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Circuit and method for monolithic stacked integrated circuit testing

Номер патента: US09599670B2. Автор: Sandeep Kumar Goel. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit chip and multi-chip system including the same

Номер патента: US09490032B2. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US11953546B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Circuit and method for testing an integrated circuit

Номер патента: US20010042233A1. Автор: Daniel Loughmiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-15.

Temperature regulator circuit and precision voltage reference for integrated circuit

Номер патента: US6082115A. Автор: Richard J. Strnad. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150355277A1. Автор: Sandeep Kumar Goel,Ashok Mehta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Monitor, integrated circuit and method for monitoring an integrated circuit

Номер патента: US20170031795A1. Автор: Alistair Paul ROBERSTON,Andrew Edward BIRNIE,Thomas Henry Luedeke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-02.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150077147A1. Автор: Sandeep Kumar Goel. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Systems on chips, integrated circuits, and operating methods of the integrated circuits

Номер патента: US20200218604A1. Автор: Suh-Ho Lee,Myung-chul CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09455032B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor integrated circuit device and system using the same

Номер патента: US20150234661A1. Автор: Tsutomu Yamada,Nobuyasu Kanekawa,Hiromichi Yamada,Kesami Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

A drive circuit and method for screen horizontal scroll and an electronic device using the same

Номер патента: TW200731217A. Автор: Chih-Heng Chu,Tian-Hau Chen,Zc-Chen Chen. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US20160125940A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150234661A1. Автор: YAMADA Hiromichi,HAGIWARA Kesami,Kanekawa Nobuyasu,Yamada Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME, CONTROL METHOD FOR CIRCUIT

Номер патента: US20160275039A1. Автор: TOKUDA Yasunobu. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor integrated circuit device and method for testing the same

Номер патента: US20110001509A1. Автор: Toru Kidokoro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor integrated circuit device and method of testing the same

Номер патента: US5155701A. Автор: Hideaki Takahashi,Minoru Fukuda,Satoshi Meguro,Kazuhiro Komori,Yuji Hara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-10-13.

Semiconductor integrated circuit device and method of controlling the same

Номер патента: US6643210B2. Автор: Kaname Yamano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Semiconductor integrated circuit device and method for testing the same

Номер патента: JP2003262664A. Автор: Norifumi Kobayashi,憲史 小林. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-09-19.

Gas exhaust system and semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing thin film using the same

Номер патента: TW200710928A. Автор: Keun-Oh Park. Владелец: Tes Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-16.

Switch circuit and method for switching input/output port and electronic device using the same

Номер патента: US20120124253A1. Автор: Hsu-Hung Cheng. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2012-05-17.

Electronic circuit device and vehicle using the same

Номер патента: CN108506108B. Автор: 茶园史也,川尻和彦,友松允令,埜村雅彦,篠木俊雄. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Die Casting Mold and Die Casting Method using the the Same

Номер патента: KR101921508B1. Автор: 박영훈. Владелец: 박영훈. Дата публикации: 2018-11-23.

OPTICAL END-POINTING FOR INTEGRATED CIRCUIT DELAYERING; SYSTEMS AND METHODS USING THE SAME

Номер патента: US20220180505A1. Автор: SCHOLL Jonathan,Darby Nicholas,Baur Joshua. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Plasma Display Panel Operating Circuit Device and Operating Method for the Same

Номер патента: KR100600711B1. Автор: 조희진,차승진,김의혁. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2006-07-14.

Frequency measuring test circuit and having this semiconductor integrated circuit

Номер патента: DE60023961D1. Автор: Michimasa Yamaguchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-22.

Equivalent circuits and simulation method for an rf switch

Номер патента: US20060049892A1. Автор: Cheng-Hsiung Chen,Yue-Shiun Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Integrated circuit alignment device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200717694A. Автор: Michael Graf,Volker Dudek,Franz Dietz,Stefan Schwantes,Gayle W Miller Jr. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-01.

Methods and systems for verifying integrated circuits

Номер патента: US20240337687A1. Автор: Taehwan Kim,Younsik PARK,Hyungjung SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND A METHOD FOR TESTING THE SAME

Номер патента: US20170003345A1. Автор: Haller Wilhelm,Kaltenbach Markus,KRAUCH Ulrich,Zoellin Christian,Maeding Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT, DISPLAY MODULE AND DISPLAY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160063948A1. Автор: HAN Ho-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

DRIVER INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170076694A1. Автор: Shin Byung-Hyuk,LIM Myeong-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Integrated circuit for constant multiplication and device including the same

Номер патента: US20220171602A1. Автор: SangHyuck HA,Hyoungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Integrated Circuit Chip and a Method for Testing the Same

Номер патента: US20150160293A1. Автор: Haller Wilhelm,Kaltenbach Markus,KRAUCH Ulrich,Zoellin Christian,Maeding Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

POWER MANAGEMENT INTEGRATED CIRCUIT MODELING SYSTEM AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20200183472A1. Автор: RYU Soon Keol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-11.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND A METHOD FOR TESTING THE SAME

Номер патента: US20180231607A1. Автор: Haller Wilhelm,Kaltenbach Markus,KRAUCH Ulrich,Zoellin Christian,Maeding Nicolas. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND MULTI-CHIP SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140354311A1. Автор: BYEON Sang-Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-12-04.

INTEGRATED CIRCUIT SENSOR PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200284624A1. Автор: van Dommelen Ignatius Josephus. Владелец: Sencio B.V.. Дата публикации: 2020-09-10.

Integrated circuit for driving panel, display device including the same and interface for transmitting data

Номер патента: KR20210105125A. Автор: 안용성. Владелец: 주식회사 실리콘웍스. Дата публикации: 2021-08-26.

Integrated circuit with a localised temperature stress application system

Номер патента: GB2362718A. Автор: Vincent Gavin,Tadhg Creedon,Una Quinlan. Владелец: 3Com Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

Split circuit and split device for splitting integrated circuit device

Номер патента: KR101551201B1. Автор: 신순철,유정현. Владелец: 주식회사 에이디텍. Дата публикации: 2015-09-09.

Integrated circuit chip and multi chip system including the same

Номер патента: KR102031074B1. Автор: 변상진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-10-15.

Universal burn-in socket for testing integrated circuit chip

Номер патента: WO2002004968A3. Автор: Rafiqul Hussain,Phuc Dinh Do,Benjamin G Tubera. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-06.

ADDRESS DECODING METHOD IN INTEGRATED CIRCUIT MEMORY AND MEMORY CIRCUIT USING THE METHOD

Номер патента: FR2724483A1. Автор: Jean Devin. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1996-03-15.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US20200406609A1. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Post-package trimming of analog integrated circuits

Номер патента: US20030038649A1. Автор: Kevin D'Angelo. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Scan-mode indication technique for an integrated circuit

Номер патента: US20050050417A1. Автор: Gautham Kamath. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Monitor, integrated circuit and method for monitoring an integrated circuit

Номер патента: US20170031795A1. Автор: Alistair Paul ROBERSTON,Andrew Edward BIRNIE,Thomas Henry Luedeke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-02.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150077147A1. Автор: Goel Sandeep Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180075182A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,LU Lee-Chung,CHIANG Ting-Wei,CHEN Shun Li. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Circuit and Method for Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150082108A1. Автор: Goel Sandeep Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160084903A1. Автор: Cohen Ilan,Melamed-Kohen Eyal,Sde-Paz Shlomi. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-03-24.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150095729A1. Автор: Sandeep Kumar Goel,Ashok Mehta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Built-In-Self-Test Circuits And Methods In Sectors Of Integrated Circuits

Номер патента: US20220277799A1. Автор: Khor Kok Wah. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-01.

SYSTEMS ON CHIPS, INTEGRATED CIRCUITS, AND OPERATING METHODS OF THE INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200218604A1. Автор: CHO Myung-chul,Lee Suh-ho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-09.

Circuit And Method For Monolithic Stacked Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20150355277A1. Автор: Sandeep Kumar Goel,Ashok Mehta. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD FOR DESIGNING AN INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20180336307A1. Автор: Kim Min-Su,LEE Yong-Seok,SHIN HAN-SHIN. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Driving Integrated Circuit and Display Apparatus comprising Driving Integrated Circuit

Номер патента: KR101765656B1. Автор: 주승용. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit and method of making an integrated circuit

Номер патента: EP1221655A2. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-10.

Integrated circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: US7167388B2. Автор: Holger Sedlak,Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-23.

Integrated circuit and method for diagnosing an integrated circuit

Номер патента: US20220018899A1. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Etienne Auvray,Tommaso Melis. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrated circuit and method for operating an integrated circuit

Номер патента: US20040252550A1. Автор: Holger Sedlak,Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-16.

Operation control circuit and operation control method for integrated circuit memory device

Номер патента: JP3648070B2. Автор: 張泰星,李聖根. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-18.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120091565A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED-CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120146220A1. Автор: . Владелец: IBARAKI UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-14.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND PROCESS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120220104A1. Автор: Chakihara Hiraku,Uchiyama Hiroyuki,KAMINAGA Michimoto,Ichise Teruhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor integrated circuit device and method of forming the same

Номер патента: JP3085472B2. Автор: 和佳 志波. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-09-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3142301B2. Автор: 裕一 金子,康司 松見. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-07.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2880885B2. Автор: 義裕 北村. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-12.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3189722B2. Автор: 靖 木下. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-16.

Optical semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3426872B2. Автор: 強 高橋,益良男 吉井. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-14.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2985183B2. Автор: 義明 山田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3120462B2. Автор: 直人 松尾,義朗 中田,俊樹 薮,昌三 岡田,晋 松本. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2000-12-25.

Semiconductor integrated circuit for control and electronic controller having the same

Номер патента: JPH1056376A. Автор: Toshio Tanaka,Masao Yokoyama,正穂 横山,寿夫 田中. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 1998-02-24.

Semiconductor integrated circuit, timepiece and electronic device equipped with the same

Номер патента: JP3886716B2. Автор: 雅幸 山口,忠雄 門脇. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-02-28.

CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR SENSING ELECTRODE ARRAY AND TOUCH CONTROL SENSING SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20130033442A1. Автор: CHIU JUI-JUNG,Chu Chun-Hsueh. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

HYBRID INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120106110A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

HYBRID INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120248630A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-04.

Optical selector device and optical connector device used suitably for the same

Номер патента: JPH11344681A. Автор: Kazuhisa Hara,一寿 原. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120018906A1. Автор: . Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING, LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

Photoelectric Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming The Same

Номер патента: US20120039564A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120074552A1. Автор: . Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING, LTD.. Дата публикации: 2012-03-29.

CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120075816A1. Автор: HORIUCHI Fumio,KUDO Kiyoaki,SAKURAI Akira,INAGAKI Yuhki,MASHIMO Shigeki. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING, LTD.. Дата публикации: 2012-03-29.

DELAY CIRCUIT AND INVERTER FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED DEVICE

Номер патента: US20120081151A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120126394A1. Автор: Huang Tsai Yu. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120126412A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2012-05-24.

Gate-All-Around Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120161247A1. Автор: KIM Sung-Min,Yun Eun-Jung,Lee Sung-yung,Kim Min-sang. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120168935A1. Автор: Huang Tsai Yu. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2012-07-05.

GLASS CORE SUBSTRATE FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120192413A1. Автор: Ma Qing,Tran Quan A.,Sankman Robert L.,Swan Johanna M.,Rao Valluri R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120193809A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2012-08-02.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120267753A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-10-25.

TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120274348A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

ELECTRONIC CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120306116A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-12-06.

CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20140014401A1. Автор: Wu Tsung-Han,LIAO Pen-Yi,WU Ming-Chun,TSENG I-Lin,LIN Jung-Chi. Владелец: TAIWAN GREEN POINT ENTERPRISES CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-16.

Test circuit and method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: JP2954096B2. Автор: 剛 ▲高▼梨. Владелец: NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK. Дата публикации: 1999-09-27.

Hybrid integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2746234B2. Автор: 康治 岡田. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-06.

INTEGRATED CIRCUITS WITH RESISTORS AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120217586A1. Автор: CHERN Chan-Hong,HSUEH Fu-Lung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-30.

INTERPOSERS OF 3-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE SYSTEMS AND METHODS OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20120273782A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-01.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND TRANSMITTING /RECEIVING SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130051491A1. Автор: KWON Dae-Han,Kim Yong-Ju,Choi Hae-Rang,JANG Jae-Min. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Stack-type socket structure and circuit device assembling method using the stackable socket

Номер патента: TW454366B. Автор: Pei-Ying Shien,Yukon Chou. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2001-09-11.

Logic Circuit, Integrated Circuit Including The Logic Circuit, And Method Of Operating The Integrated Circuit

Номер патента: US20120212255A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-23.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, MEMORY CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT, AND DRIVING METHOD OF THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120262995A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-18.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20130187159A1. Автор: Helm Torsten,Probst Marc,Rudolph Uwe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-25.

Optical integrated circuit and control method of optical integrated circuit

Номер патента: JP6871560B2. Автор: 豊 賣野. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2021-05-12.

Superconducting integrated circuit and method of manufacturing superconducting integrated circuit

Номер патента: JP2994304B2. Автор: 二朗 吉田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-12-27.