Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • PATTERNED GATE DIELECTRICS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS

PATTERNED GATE DIELECTRICS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS

Номер патента: US20180308844A1
Опубликовано: 25-10-2018
Автор(ы): Ando Takashi, Frank Martin M., MO Renee T., Narayanan Vijay, Rozen John
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

PATTERNED GATE DIELECTRICS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS

Номер патента: US20200066724A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,MO Renee T.,Rozen John. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

PATTERNED GATE DIELECTRICS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS

Номер патента: US20180308845A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,MO Renee T.,Rozen John. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Patterned gate dielectrics for III-V-based CMOS circuits

Номер патента: US10553584B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Renee T. Mo,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Patterned gate dielectrics for III-V-based CMOS circuits

Номер патента: US10062693B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Renee T. Mo,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Patterned gate dielectrics for III-V-based CMOS circuits

Номер патента: US10062694B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Renee T. Mo,John Rozen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

PATTERNED GATE DIELECTRICS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS

Номер патента: US20170243867A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,MO Renee T.,Rozen John. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

PATTERNED GATE DIELECTRICS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS

Номер патента: US20170271334A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,MO Renee T.,Rozen John. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

DISTINCT GATE STACKS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS COMPRISING A CHANNEL CAP

Номер патента: US20170243789A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,MO Renee T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

DISTINCT GATE STACKS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS COMPRISING A CHANNEL CAP

Номер патента: US20170309519A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,MO Renee T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

DISTINCT GATE STACKS FOR III-V-BASED CMOS CIRCUITS COMPRISING A CHANNEL CAP

Номер патента: US20170316979A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,MO Renee T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

CMOS integrated circuit having PMOS and NMOS devices with different gate dielectric layers

Номер патента: US6048769A. Автор: Robert S. Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Stress enhanced cmos circuits and methods for their manufacture

Номер патента: US20140015060A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for growing strain-inducing materials in cmos circuits in a gate first flow

Номер патента: US20130161759A1. Автор: Abhishek Dube,Judson R. Holt,Bo Bai,Kathryn T. Schonenberg,Linda Black,Viorel C. Ontalus,Matthew W. Stoker,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices having different gate dielectrics and methods for manufacturing the same

Номер патента: CN100442517C. Автор: 李钟镐,姜虎圭,丁炯硕,都昔柱,金润奭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-10.

High quality dielectric for hi-k last replacement gate transistors

Номер патента: US20150187659A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Hiroaki Niimi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Ferroelectric gate dielectrics in integrated circuits

Номер патента: US20200235221A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Low-Cost CMOS Structure with Dual Gate Dielectrics and Method of Forming the CMOS Structure

Номер патента: US20140252485A1. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Cmos circuit

Номер патента: US20230253265A1. Автор: Kozo Takeuchi. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2023-08-10.

Low-cost CMOS structure with dual gate dielectrics and method of forming the CMOS structure

Номер патента: US09865507B2. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Low-cost CMOS structure with dual gate dielectrics and method of forming the CMOS structure

Номер патента: US09431302B2. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Low-cost cmos structure with dual gate dielectrics and method of forming the cmos structure

Номер патента: US20160322263A1. Автор: Amitava Chatterjee,Sameer Pendharkar,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

High-voltage integrated CMOS circuit

Номер патента: US7012309B2. Автор: Rosalia Germana. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2006-03-14.

High-voltage integrated cmos circuit

Номер патента: US20040183138A1. Автор: Rosalia Germana. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2004-09-23.

CMOS circuits suitable for low noise RF applications

Номер патента: US09947662B2. Автор: Paul Ronald Stribley,John Nigel Ellis. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2018-04-17.

Cmos circuits combining high voltage and rf technologies

Номер патента: US20100059851A1. Автор: Jun Fu,Paul Ronald Stribley,John Nigel Ellis. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-03-11.

Distinct gate stacks for III-V-based CMOS circuits comprising a channel cap

Номер патента: US10593600B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170053915A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170358579A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

FERROELECTRIC GATE DIELECTRICS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20200235221A1. Автор: Pillarisetty Ravi,Majhi Prashant,SHARMA Abhishek A.,Doyle Brian S.,Karpov Elijah V.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-23.

High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240297084A1. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

High-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020991B2. Автор: Chi On Chui,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Silicon Nitride Layer Deposited at Low Temperature to Prevent Gate Dielectric Regrowth High-K Metal Gate Field Effect Transistors

Номер патента: US20150084132A1. Автор: Ortolland Claude,Kumar Arvind,Narasimha Shreesh,Zhao Kai,Chou Anthony I-Chih. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-26.

Post Gate Dielectric Processing for Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20220102221A1. Автор: Yu Kuo-Feng,Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,Chen Jian-Hao,Chen Chia-Wei,CHEN Hui-Chi,Lin Shih-Hao,Hsu Chih-Yu,Liao Shan-Mei,Yang Cheng Hong. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

MULTI-THRESHOLD GATE STRUCTURE WITH DOPED GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20210098457A1. Автор: Fang Ziwei,Chang I-Ming,CHENG Chung-Liang,Chao Huang-Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-04-01.

Low-Cost CMOS Structure with Dual Gate Dielectrics and Method of Forming the CMOS Structure

Номер патента: US20140252485A1. Автор: Pendharkar Sameer,Chatterjee Amitava,HAO Pinghai. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-11.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252492A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

LOW-COST CMOS STRUCTURE WITH DUAL GATE DIELECTRICS AND METHOD OF FORMING THE CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20160322263A1. Автор: Pendharkar Sameer,Chatterjee Amitava,HAO Pinghai. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Dummy structure for multiple gate dielectric interface and methods

Номер патента: US8847319B2. Автор: Gwo-Yuh Shiau,Kong-Beng Thei,Huei-Ru Liu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US20240120334A1. Автор: Jeng-Ya Yeh,Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Higher ‘K’ gate dielectric cap for replacement metal gate (RMG) FINFET devices

Номер патента: US09741720B1. Автор: Balaji Kannan,Shahab Siddiqui,Siddarth Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of providing threshold voltage adjustment through gate dielectric stack modification

Номер патента: US8354309B2. Автор: Yue Liang,Xiaojun Yu,Brian J. Greene,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Shu-Jen Han,Edward J. Nowak,Edward P. Maciejewski,Myung-Hee Na. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-15.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

DRAM device having a gate dielectric layer with multiple thicknesses

Номер патента: US7948028B2. Автор: Shing-Hwa Renn. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

High-K gate dielectric and metal gate conductor stack for planar field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US09472553B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Iii-n transistors integrated with thin-film transistors having graded dopant concentrations and/or composite gate dielectrics

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Nidhi Nidhi,Paul B. Fischer,Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY,Johann Christian Rode,Xiaojun Weng,Samuel Jack Beach. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Process for manufacturing a CMOS circuit with all-around dielectrically insulated source-drain regions

Номер патента: US6124156A. Автор: Martin Kerber,Dietrich Widmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-09-26.

Using different gate dielectrics with NMOS and PMOS transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060022271A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Dual gate dielectric thickness devices and circuits using dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US7615827B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: WO2006028577A2. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

Method of fabricating CMOS with different gate dielectric layers

Номер патента: US20020072168A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US20060208323A1. Автор: Brent Anderson,Terence Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Dual gate dielectric thickness devices

Номер патента: US20050280097A1. Автор: Brent Anderson,Terence Hook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

CD gate bias reduction and differential N+ poly doping for CMOS circuits

Номер патента: US7718482B2. Автор: Shashank Ekbote,Borna Obradovic,Greg C. Baldwin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-18.

Method for manufacturing CMOS circuits and CMOS circuits manufactured thereof

Номер патента: US7910997B2. Автор: Holger Baur,Efstathios Persidis,Norbert Fruehauf,Patrick Schalberger. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2011-03-22.

Method of forming a high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20110006375A1. Автор: Manfred Ramin,Husam Alshareef,Michael F. Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-13.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Engineered oxygen profile in metal gate electrode and nitrided high-k gate dielectrics structure for high performance pmos devices

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Hiroaki Niimi,Huang-Chun Wen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-13.

Enhancing interface characteristics between a channel semiconductor alloy and a gate dielectric by an oxidation process

Номер патента: US20120282760A1. Автор: Carsten Reichel,Stephan Kronholz,Martin Trentzsch,Annekathrin Zeun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Enhancing interface characteristics between a channel semiconductor alloy and a gate dielectric by an oxidation process

Номер патента: US8247282B2. Автор: Carsten Reichel,Stephan Kronholz,Martin Trentzsch,Annekathrin Zeun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

Enhancing interface characteristics between a channel semiconductor alloy and a gate dielectric by an oxidation process

Номер патента: US20110129970A1. Автор: Carsten Reichel,Stephan Kronholz,Martin Trentzsch,Annekathrin Zeun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor device and process for reducing damaging breakdown in gate dielectrics

Номер патента: US20120077323A1. Автор: Taeho Kook,Tanya Nigam,Bonnie E. Weir. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Quadruple gate dielectric for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Structure having different gate dielectric widths in different regions of substrate

Номер патента: US20230326924A1. Автор: Hong Yu,Anton V. Tokranov,Edward P. Reis, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: US11742407B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Charles MATTSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Multilayer high-k gate dielectric for a high performance logic transistor

Номер патента: EP3832735A3. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH,I-Cheng Tung,Eric Mattson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US12125910B2. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US09397175B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Ultra-scaled fin pitch processes having dual gate dielectrics and the resulting structures

Номер патента: WO2018063366A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Joodong Park,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE,Everett S. CASSIDY-COMFORT. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Thermal Treatment for Gate Dielectrics

Номер патента: US20190378913A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Cheng-Po CHAU,Huicheng Chang,Che-Hao Chang,Hung-Yao Chen,Terry Huang,Yi-Yun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US9368593B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Composite gate dielectric for high-voltage device

Номер патента: US20240113187A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Ying-Chou Chen,Fei-Yun Chen,Jhu-Min Song,Chi-Te Lin,Yi-Kai Ciou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Multiple thickness gate dielectrics for replacement gate field effect transistors

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Sean M. Polvino,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Transistor structure with increased gate dielectric thickness between gate-to-drain overlap region

Номер патента: US20220393028A1. Автор: Chao-Chun Lu,Ming-Hong Kuo,Chun-Nan LU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US20150228748A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11152250B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Gate dielectric preserving gate cut process

Номер патента: US11876013B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

CMOS Circuits with High-K Gate Dielectric

Номер патента: US20080272438A1. Автор: Bruce B. Doris,Vijay Narayanan,Charlotte DeWan Adams,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Gate dielectric layer protection

Номер патента: US11769765B2. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20190027412A1. Автор: Moriwaki Yoshikazu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-24.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING COMMON METAL GATES AND HAVING GATE DIELECTRICS WITH A DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220093596A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,Lavric Dan S.. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20180174926A1. Автор: Moriwaki Yoshikazu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-21.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20170221898A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20140315362A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-23.

HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE CONDUCTOR STACK FOR FIN-TYPE FIELD EFFECT TRANSISTORS FORMED ON TYPE III-V SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SILICON GERMANIUM SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20180240799A1. Автор: Ando Takashi,Narayanan Vijay,Frank Martin M.,Kerber Pranita. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Recessed STI as the Gate Dielectric of HV Device

Номер патента: US20210280577A1. Автор: Thei Kong-Beng,Chen Yi-Sheng,Chen Yi-Huan,HUO KER-HSIAO,Fan Fu-Jier,LIU SZU-HSIEN,LIN KAU-CHU,Yeh Li-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Transistor fins with different thickness gate dielectric

Номер патента: US20190371796A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Chun Yu Wong,Shesh Mani Pandey,Jiehui SHU,Garo Jacques DERDERIAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

High-k gate dielectric and metal gate conductor stack for fin-type field effect transistors formed on type III-V semiconductor material and silicon germanium semiconductor material

Номер патента: US9859279B2. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

CMOS transistor with double high-k gate dielectric and associated manufacturing method

Номер патента: DE102005024417A1. Автор: Hong-Jyh Austin Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-09.

Strained spacer design for protecting high-K gate dielectric

Номер патента: US7763945B2. Автор: Chih-Hao Wang,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Structure and fabrication of field-effect transistor having nitrided gate dielectric layer with tailored vertical nitrogen concentration profile

Номер патента: EP2412017A4. Автор: Prasad Chaparala,D Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-02-13.

Structure and fabrication of field-effect transistor having nitrided gate dielectric layer with tailored vertical nitrogen concentration profile

Номер патента: CN102365727A. Автор: 普拉萨德·查帕腊拉,D·考特尼·帕克. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Using different gate dielectrics with nmos and pmos transistors of a complementary metal oxide semiconductor integrated circuit

Номер патента: TWI301666B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-10-01.

Concurrently Forming nFET and pFET Gate Dielectric Layers

Номер патента: US20140187028A1. Автор: Ando Takashi,Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,JR. Joseph F.,DAI Min,Wang Yanfeng,Liu Jinping,Shepard,Brodsky MaryJane. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

ANNEALING OXIDE GATE DIELECTRIC LAYERS FOR REPLACEMENT METAL GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20150279744A1. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Siddiqui Shahab,Ramachandran Ravikumar,Lai Wing L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of fabricating semiconductor device including gate dielectrics having different thicknesses

Номер патента: KR100734327B1. Автор: 이수철,유광동,이맹열,이상배,이순학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-02.

Semiconductor device having different gate dielectric layers and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100712523B1. Автор: 이종호,정형석,김윤석,임하진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-30.

Method for manufacturing semiconductor device having selectively nitrided gate dielectric layer

Номер патента: KR101929384B1. Автор: 강상범,홍석훈,현상진,홍형석,한성기,손혁준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-12-14.

Transistors including gate dielectric layers having different nitrogen concentrations and related structures

Номер патента: US20020163011A1. Автор: Tae-jung Lee. Владелец: Lee Tae-Jung. Дата публикации: 2002-11-07.

Gate dielectric and method

Номер патента: US7291890B2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-06.

Cmos device having different nitrogen amounts in nmos and pmos gate dielectric layers

Номер патента: WO2006031425A2. Автор: Rajesh Khamankar,Ajith Varghese,Husam Alshareef. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-03-23.

Reducing reactions between polysilicon gate electrodes and high dielectric constant gate dielectrics

Номер патента: US20050287748A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

LOW-COST CMOS STRUCTURE WITH DUAL GATE DIELECTRICS AND METHOD OF FORMING THE CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20150249040A1. Автор: Pendharkar Sameer,Chatterjee Amitava,HAO Pinghai. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Dual metal gate finFETs with single or dual high-K gate dielectric

Номер патента: US7659157B2. Автор: Brian J. Greene,Mahender Kumar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Composite high-k gate dielectric stack for reducing gate leakage

Номер патента: WO2014003933A1. Автор: Joseph F. Shepard,Michael P. Chudzik,Yanfeng Wang,Min Dai,Jinping Liu,Shahab Siddiqui,MaryJane Brodsky. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2014-01-03.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004084311A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12022643B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit with multiple gate dielectric structures

Номер патента: US6087236A. Автор: Robert S. Chau,Reza Arghavani,Bruce Beattie. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Method for manufacturing gate dielectric layer

Номер патента: US20060281251A1. Автор: Wen-Ji Chen,Tung-Po Chen,Kai-An Hsueh,Sheng-Hone Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Integrated circuit having thinner gate dielectric and method of making

Номер патента: US09666483B2. Автор: Chih-Hung Lu,Ching-Chen Hao,Song-Bor Lee,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Low threshold voltage transistor with non-uniform thickness gate dielectric

Номер патента: GB2451122A. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X Fab UK Ltd. Дата публикации: 2009-01-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1604405A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-14.

Devices with different electrical gate dielectric thicknesses but with substantially similar physical configurations

Номер патента: US20060006440A1. Автор: Jhon Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor structure with treated gate dielectric layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204073A1. Автор: Chih-Pin TSAO,Che-Chia Hsu,Chi Huang,Chih-Hong Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for selective removal of gate dielectric from dummy fin

Номер патента: US11837649B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Process for formation of isolation trenches with high-K gate dielectrics

Номер патента: US6008095A. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Charles E May. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-28.

Semiconductor device incorporating fluorine into gate dielectric

Номер патента: WO2007109487A2. Автор: Imran Khan,Pinghai Hao,Fan-Chi Hou. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: US20060051924A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Ramune Nagisetty,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

High-K gate dielectric with work function adjustment metal layer

Номер патента: US8860143B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-14.

Spacer-less transistor integration scheme for high-k gate dielectrics and small gate-to-gate spaces applicable to Si, SiGe strained silicon schemes

Номер патента: US20050191812A1. Автор: David Pritchard,David Price,Hemanshu Bhatt. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Metal passivating layer for III-V semiconductors, and improved gate contact for III-V-based metal-insulator-semiconductor (MIS) devices

Номер патента: US6252262B1. Автор: B. T. Jonker,O. J. Glembocki,R. T. Holm. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2001-06-26.

MULTILAYER HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR A HIGH PERFORMANCE LOGIC TRANSISTOR

Номер патента: US20210167182A1. Автор: Kavalieros Jack T.,Metz Matthew V.,SUNG Seung Hoon,HARATIPOUR Nazila,SHIVARAMAN Shriram,Avci Uygar E.,Young Ian A.,LIN Chia-Ching,Penumatcha Ashish Verma,TUNG I-Cheng,CHANG Sou-Chi,MERRILL Devin,LOH Owen,MATTSON Eric Charles. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

MULTIPLE THICKNESS GATE DIELECTRICS FOR REPLACEMENT GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20150228747A1. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Siddiqui Shahab,Ramachandran Ravikumar,Polvino Sean M.,Lai Wing L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-13.

QUADRUPLE GATE DIELECTRIC FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor chip with gate dielectrics for high-performance and low-leakage applications

Номер патента: US20040129995A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Gate dielectric of semiconductor device

Номер патента: US20130020630A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20220037196A1. Автор: Sun Chih-Ming,Cheng Chun-Fai,Ku Shu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Enhancement Mode Field-Effect Transistor with a Gate Dielectric Layer Recessed on a Composite Barrier Layer for High Static Performance

Номер патента: US20180026106A1. Автор: TSAI Chun Lin,YU Jiun-Lei Jerry,Yeh Chia-Ling,Kwan Man-Ho,Chen Kuei-Ming. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH MODIFIED SPACER AND GATE DIELECTRIC THICKNESSES

Номер патента: US20200075587A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH MODIFIED SPACER AND GATE DIELECTRIC THICKNESSES

Номер патента: US20200075589A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

III-N METAL-INSULATOR-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH MULTIPLE GATE DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: US20200091285A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,DASGUPTA Sansaptak,Hafez Walid,FISCHER Paul. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-03-19.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20200111700A1. Автор: Sun Chih-Ming,Cheng Chun-Fai,Ku Shu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20220293767A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Pao Chia-Hao,Chen Chih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20190157135A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

GATE-ALL-AROUND DEVICES HAVING GATE DIELECTRIC LAYERS OF VARYING THICKNESSES AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210202323A1. Автор: Chen Po-Nien,LIN CHIH-YUNG,Wu Pei-Hsun,Han Ming-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Recessed STI as the Gate Dielectric of HV Device

Номер патента: US20170194320A1. Автор: Thei Kong-Beng,Chen Yi-Sheng,Chen Yi-Huan,HUO KER-HSIAO,Fan Fu-Jier,LIU SZU-HSIEN,LIN KAU-CHU,Yeh Li-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210225839A1. Автор: PAN Kuo-Hua,LIAW Jhon Jhy,Wu Shien-Yang,Lin Ta-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Multi-composition gate dielectric field effect transistors

Номер патента: US20150228748A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Vijay Narayanan,Zhengwen Li,Emre Alptekin,Unoh Kwon,Reinaldo A. Vega,Wing L. Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

METHODS OF INTEGRATING MULTIPLE GATE DIELECTRIC TRANSISTORS ON A TRI-GATE (FINFET) PROCESS

Номер патента: US20140319623A1. Автор: Jan Chia-Hong,Tsai Curtis,Park Joodong,Hafez Walid M.,YEH Jeng-Ya David. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20210391439A1. Автор: Lin Yu-Kuan,Pao Chia-Hao,Chen Chih-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

Gate Dielectric Preserving Gate Cut Process

Номер патента: US20200328106A1. Автор: Sun Chih-Ming,Cheng Chun-Fai,Ku Shu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Recessed STI as the Gate Dielectric of HV Device

Номер патента: US20180350801A1. Автор: Thei Kong-Beng,Chen Yi-Sheng,Chen Yi-Huan,HUO KER-HSIAO,Fan Fu-Jier,LIU SZU-HSIEN,LIN KAU-CHU,Yeh Li-Hsuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES WITH MODIFIED SPACER AND GATE DIELECTRIC THICKNESSES

Номер патента: US20190378837A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Thermal Treatment for Gate Dielectrics

Номер патента: US20190378913A1. Автор: CHANG Huicheng,YU Xiong-Fei,Chau Cheng-Po,Chang Che-Hao,Chen Hung-Yao,LI Yi-Yun,Huang Terry. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Low damage passivation layer for III-V based devices

Номер патента: US09633920B2. Автор: Ming-Wei Tsai,Wen-Yuan HSIEH,Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

LOW DAMAGE PASSIVATION LAYER FOR III-V BASED DEVICES

Номер патента: US20160240646A1. Автор: CHANG Yao-Wen,TSAI Ming-Wei,TSAI Cheng-Yuan,Chiu Han-Chin,Hsieh Wen-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Soi cmos circuits with substrate bias

Номер патента: US20120112285A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE HAVING THIN GATE DIELECTRIC DEVICE AND THICK GATE DIELECTRIC DEVICE

Номер патента: US20170294519A1. Автор: Kwon Unoh,JR. Joseph F.,Shepard,Siddiqui Shahab,Polvino Sean M.,Khan Shahrukh A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

FINFET DEVICES HAVING GATE DIELECTRIC STRUCTURES WITH DIFFERENT THICKNESSES ON SAME SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170053834A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

FINFET DEVICES HAVING GATE DIELECTRIC STRUCTURES WITH DIFFERENT THICKNESSES ON SAME SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170053941A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device having multi-gate dielectric layers and method of fabricating the same

Номер патента: KR100350055B1. Автор: 홍창기,김경현,박규찬,김범수,정우인,신유철. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-08-24.

Method of fabricating semiconductor device having multiple gate dielectric layers and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080099856A1. Автор: Sung-Gun Kang,Kang-soo Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Multiple gate dielectric structures and methods of forming the same

Номер патента: CN102931203A. Автор: 高敏峰,杨敦年,刘人诚,曾晓晖,许文义. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Double-pattern gate formation processing with critical dimension control

Номер патента: US20140220767A1. Автор: Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20070040227A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Method of fabricating a gate dielectric layer

Номер патента: US20150140765A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Wei-Yang Lee,Xiong-Fei Yu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20050245036A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A3. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Joong S Jeon. Дата публикации: 2005-10-27.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: EP1661177A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-05-31.

Method for integrating metals having different work functions to form cmos gates having a high-k gate dielectric and related structure

Номер патента: WO2005048320A2. Автор: Qi Xiang,George Jonathan Kluth,Jung-Suk Goo,Huicai Zhong,Joong S. Jeon,Allison Kay Holbrook. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-05-26.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: SG175787A1. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

Номер патента: TW201115649A. Автор: Rohit Pal,Richard Carter,Sven Beyer,Martin Trentzsch. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-05-01.

INTEGRATION TECHNIQUE USING THERMAL OXIDE SELECT GATE DIELECTRIC FOR SELECT GATE AND APARTIAL REPLACEMENT GATE FOR LOGIC

Номер патента: US20130267074A1. Автор: Baker,Shroff Mehul D.,HALL MARK D.,JR. Frank K.. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2013-10-10.

Process for fabricating two different gate dielectric thicknesses using a polysilicon mask and chemical mechanical polishing (CMP) planarization

Номер патента: TW440938B. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Carl J Radens,Gary B Bronner. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2001-06-16.

Integration of multiple gate dielectrics by surface protection

Номер патента: WO2006044112A2. Автор: Laegu Kang,Choh-Fei Yeap,Sangwoo Lim. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-04-27.

Process for fabricating two different gate dielectric thicknesses using a polysilicon mask and chemical mechanical polishing (cmp) planarization

Номер патента: SG85714A1. Автор: Bela Bronner Gary,Peter Gambino Jeffrey,J Radens Carl. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-01-15.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric layer and a silicide gate electrode

Номер патента: TWI315093B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporatio. Дата публикации: 2009-09-21.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: TWI230434B. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Robert Chau,John Barnak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20210305258A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME INCLUDING RE-GROWTH PROCESS TO FORM NON-UNIFORM GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20210327716A1. Автор: LEE Seon-Haeng. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

III-N TRANSISTORS INTEGRATED WITH THIN-FILM TRANSISTORS HAVING GRADED DOPANT CONCENTRATIONS AND/OR COMPOSITE GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20200312961A1. Автор: Hafez Walid M.,Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak,Rode Johann Christian,Ramaswamy Rahul,Nidhi Nidhi,Beach Samuel Jack,Weng Xiaojun. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

Volatile memory cell transistor having gate dielectric with charge traps and method for fabricating the same

Номер патента: KR100540478B1. Автор: 박영준,이상돈,안진홍,김일욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-11.

Method of fabricating a dual metal gate having two different gate dielectric layers

Номер патента: US6368923B1. Автор: Kuo-Tai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-04-09.

Method for forming gate dielectrics of varying thicknesses on a wafer

Номер патента: US20030096466A1. Автор: Douglas Grider,Robert Eklund. Владелец: EKLUND Robert H.. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device having dual gate dielectric layer

Номер патента: KR101850409B1. Автор: 윤보언,한정남,송명근,전하영,고기형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-01.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

A semiconductor device having a gate dielectric of different blocking characteristics

Номер патента: WO2006118787A1. Автор: Karsten Wieczorek,Michael Raab,Karla Romero. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2006-11-09.

A transistor of a nonvolatile memory device having a gate dielectric structure capable of trapping charges and a method of manufacturing the device

Номер патента: DE102004032477A1. Автор: Sang-Don Ichon Lee,Yil-Wook Ichon Kim,Jin-Hong Ichon Ahn,Young-Jun Ichon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor

Номер патента: US20070093013A1. Автор: KHALED Ahmed,Andreas Hegedus,Cory Czarnik,Christopher Olsen,Philip Kraus,Thai Chua. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

P-type fet in a cmos with nitrogen atoms in the gate dielectric

Номер патента: US20010040256A1. Автор: Rongsheng Yang,Zhongze Wang,Jigish D. Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Process for formation of ultra-thin base oxide in high k/oxide stack gate dielectrics of mosfets

Номер патента: US6448127B1. Автор: Qi Xiang,Joong Jeon,Colman Wong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

A method of manufacturing a semiconductor device having a high-K-gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: DE112005001593B4. Автор: Justin Portland Brask,Chris Portland Barns,Mark Beaverton Doczy,Uday Portland Shah,Jack Portland Kavalieros,Matthew Hillsboro Metz,Suman Beaverton Datta,Anne Portland Miller,Robert Beaverton Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Method of forming nitrogen enriched gate dielectric with low effective oxide thickness

Номер патента: US20040126956A1. Автор: Juing-Yi Cheng,Chia Chen,T.L. Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric layer

Номер патента: US8912611B2. Автор: Hajin LIM,Jinho Do,Weonhong Kim,Moonkyun Song,Dae-Kwon Joo,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-16.

A method of reducing the generation of charge trapping sites in gate dielectrics in MOS transistors by performing a hydrogen treatment

Номер патента: DE102007063270B4. Автор: Rolf Stephan,Thorsten Kammler,Martin Trentzsch. Владелец: AMD Fab 36 LLC and Co KG. Дата публикации: 2011-06-01.

Vertical thin film transistor structures with localized gate dielectric

Номер патента: US20200388711A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Elijah Karpov,Rami HOURANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods of integrating multiple gate dielectric transistors on a tri-gate (finfet) process

Номер патента: US20230299087A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya David Yeh,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Cmos circuit

Номер патента: US20240213983A1. Автор: Kozo Takeuchi. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2024-06-27.

CMOS circuit with increased breakdown strength

Номер патента: US5530394A. Автор: Mario Motz,Lothar Blossfeld,Ulrich Theus. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1996-06-25.

Four rail circuit architecture for ultra-low power and voltage CMOS circuit design

Номер патента: US5814845A. Автор: L. Richard Carley. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 1998-09-29.

High voltage CMOS circuit

Номер патента: US4191898A. Автор: Richard W. Ulmer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1980-03-04.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US12041760B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US09412860B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Multi-layer high-k gate dielectric structure

Номер патента: US20230389256A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20210305042A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20220254627A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US11935740B2. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Multi-Layer High-K Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20220384454A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Chia-Wei Chen,Feng-Cheng Yang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Shih-Hao Lin,Yu-Chia LIANG,Kuei-Lun Lin,Shan-Mei Liao,Chih-Yu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US11777014B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Controlled doping in a gate dielectric layer

Номер патента: US20230378329A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20220359302A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US11901237B2. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Mutliple dielectrics for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258786A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device having cut gate dielectric

Номер патента: US20240213097A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Bone-Fong Wu,Ya-Hsiu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US12113115B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20240363716A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming an ultrathin gate dielectric

Номер патента: US6074919A. Автор: Mark I. Gardner,Thien T. Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Stacked transistor structures with different gate dielectric materials

Номер патента: EP4199061A1. Автор: Matthew Metz,Charles Kuo,Christopher Jezewski,Nicole K. Thomas,I-Cheng Tung,Sarah ATANASOV,Sudarat Lee,Thoe MICHAELOS,Scott Clendenning,Eric Mattson,Charles Mokhtarzadeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

High-K gate dielectric

Номер патента: US11862706B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

High-k gate dielectric

Номер патента: US20240154019A1. Автор: Yu-Kuan Lin,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Multi-Layer Gate Dielectric

Номер патента: US20100052078A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8581353B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20110089502A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20140042560A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US20160343824A1. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Multi-layer gate dielectric

Номер патента: US8193593B2. Автор: Gang Bai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-06-05.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US09793175B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrating standard-gate transistors and extended-gate transistors on the same substrate using low-temperature gate dielectric treatments

Номер патента: WO2023072792A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US20240186188A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device with non-conformal gate dielectric layers

Номер патента: US11605563B2. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Kuei-Lun Lin,Yung-Hsiang Chan,Shan-Mei Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same

Номер патента: US20230369439A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Wu-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for designing antenna cell that prevents plasma induced gate dielectric damage in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20150031194A1. Автор: Chun-Fu Chen,Hui-Zhong ZHUANG,Pin-Dai Sue,Jen-Hang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US9761500B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure including transistor using buried insulator layer as gate dielectric and trench isolations in source and drain

Номер патента: US11837605B2. Автор: Alban Zaka,Yiching Chen,Tom Herrmann,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Dual metal gate structure having portions of metal gate layers in contact with a gate dielectric

Номер патента: US11955532B2. Автор: Michael L. Hattendorf,Christopher P. Auth,Anindya Dasgupta,Jeffrey S. LEIB,Jenny Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Multi-plasma nitridation process for a gate dielectric

Номер патента: US20150179459A1. Автор: Michael P. Chudzik,Barry P. Linder,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor devices having gate dielectric layers of varying thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US12051695B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Gate Dielectric Having A Non-Uniform Thickness Profile

Номер патента: US20230102368A1. Автор: Pang-Hsuan Liu,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Gate Dielectric Having a Non-Uniform Thickness Profile

Номер патента: US20220157812A1. Автор: Pang-Hsuan Liu,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having variable thickness gate dielectric

Номер патента: US09917168B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Semiconductor Devices Having Gate Dielectric Layers of Varying Thicknesses and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387114A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Stacked transistors having multiple gate dielectrics and multiple work function metals

Номер патента: US20240145539A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

CMOS Circuit overvoltage protection

Номер патента: US4573099A. Автор: Apparajan Ganesan,Ronald A. Morrison. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

Integrated bipolar-CMOS circuit isolation for providing different backgate and substrate bias

Номер патента: US4825275A. Автор: Stephen R. Tomassetti. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-04-25.

Etching process for high-k gate dielectrics

Номер патента: US20050042859A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mo-Chiun Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconducting metal oxide transistors having a patterned gate and methods for forming the same

Номер патента: US20240363762A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconducting metal oxide transistors having a patterned gate and methods for forming the same

Номер патента: US12125921B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconducting metal oxide transistors having a patterned gate and methods for forming the same

Номер патента: US20230361221A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: US09570570B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US09627214B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Transistor device having a gate setback from a gate dielectric

Номер патента: US20240258373A1. Автор: Ruey-Hsin Liu,Ming-Ta Lei,Yu-Chang Jong,Fei-Yun Chen,Chen-Liang Chu,Ta-Yuan Kung,Chih-Wen Albert Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of fabricating epitaxial gate dielectrics and semiconductor device of the same

Номер патента: US09853150B1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160308026A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9620622B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9685530B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for processing gate dielectric layer deposited on germanium-based or group III-V compound-based substrate

Номер патента: US9312126B2. Автор: Min Li,Meng Lin,Ming Li,Xing Zhang,Zhiqiang Li,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun,Pengqiang Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-12.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160155641A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20180130662A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013061A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013082A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20170133228A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20160300722A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013083A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US20170170022A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09997695B2. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09892927B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit structure having thin gate dielectric device and thick gate dielectric device

Номер патента: US09806161B1. Автор: Shahab Siddiqui,Joseph F. Shepard, Jr.,Unoh Kwon,Shahrukh A. Khan,Sean M. Polvino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09779946B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional memory device with select transistor having charge trapping gate dielectric layer and methods of making and operating thereof

Номер патента: US09748266B1. Автор: Yanli Zhang,Yingda Dong,Liang PANG,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Matthias Baenninger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods to utilize piezoelectric materials as gate dielectric in high frequency RBTs in an IC device

Номер патента: US09673376B1. Автор: Bichoy BAHR,Zoran Krivokapic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

System and method for mitigating oxide growth in a gate dielectric

Номер патента: US09576804B2. Автор: Haowen Bu,Malcolm J. Bevan,Hiroaki Niimi,Husam N. Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US9514948B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160315166A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20150171182A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Stratified gate dielectric stack for gate dielectric leakage reduction

Номер патента: US20160314977A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3022772A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Transistor with doped gate dielectric

Номер патента: EP1711959A1. Автор: Hong-Jyh Li. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-18.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor devices comprising nitrogen-doped gate dielectric

Номер патента: US09922885B1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Non-planar III-V field effect transistors with conformal metal gate electrode and nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US09818847B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of making a shallow trench isolation with thin nitride as gate dielectric

Номер патента: US6040233A. Автор: Robert Louis Hodges. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-21.

Germanate gate dielectrics for semiconductor devices

Номер патента: US20050082624A1. Автор: Evgeni Gousev,Huiling Shang,Alessandro Callegari,Deborah Neumayer,Dianne Lacey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Method for forming variable-K gate dielectric

Номер патента: US20020100947A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Multi-layer inter-gate dielectric structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10192747B2. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-01-29.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: WO2016187387A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: US20180269302A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: WO2015050615A2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: US20160343823A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor Device having Doped Gate Dielectric Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230317790A1. Автор: Weng Chang,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Te-Yang Lai,Yao-Teng CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3826073A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-26.

Passivator for Gate Dielectric

Номер патента: US20200066535A1. Автор: Xiong-Fei Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Mos transistor operated as otp cell with gate dielectric operating as an e-fuse element

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of forming gate dielectric layer for MOS transistor

Номер патента: US09761687B2. Автор: Po-Lun Cheng,Chun-Liang Chen,Meng-Che Yeh,Shih-Jung Tu,Han-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

MOS transistor having a gate dielectric with multiple thicknesses

Номер патента: US09466715B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Ultra short transistor channel length formed using a gate dielectric having a relatively high dielectric constant

Номер патента: US6153477A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: US11764282B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Thin film transistors having multi-layer gate dielectric structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156303A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Charles Mokhtarzadeh,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Select gates with select gate dielectric first

Номер патента: US09443862B1. Автор: Yusuke Yoshida,Kazutaka Yoshizawa,Dai Iwata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for high-k gate dielectrics

Номер патента: US7355235B2. Автор: Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Shang-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for fabricating a gate dielectric of a field effect transistor

Номер патента: WO2007047369A3. Автор: Christopher Sean Olsen,Cory Czarnik,Philip Allan Kraus,Thai Cheng Chua,Khaled Z Ahmed. Владелец: Khaled Z Ahmed. Дата публикации: 2007-11-29.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode&nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: EP2901491A2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160293731A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor Devices Comprising Nitrogen-Doped Gate Dielectric, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20190027412A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of fabricating gate dielectric layer and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070093011A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Tung-Hsing Lee,Li-Shian Jeng,Tzermin Shen,Da-Ching Cho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing a trench FET having a merged gate dielectric

Номер патента: US09853142B2. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of removing dummy gate dielectric layer

Номер патента: US09570582B1. Автор: Bin Zhong,YU Bao,Jun Zhou,Haifeng Zhou,Xiaoqiang Zhou. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Damage free gate dielectric process during gate electrode plasma etching

Номер патента: US5843835A. Автор: Ming-Hsi Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 1998-12-01.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20200126789A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20210175076A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Gate Dielectric Having a Flat Nitrogen Profile and Method of Manufacture Therefor

Номер патента: US20080116542A1. Автор: Toan Tran,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar,Husam Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Gate dielectric having a flat nitrogen profile and method of manufacture therefor

Номер патента: US20050285211A1. Автор: Toan Tran,Hiroaki Niimi,Rajesh Khamankar,Husam Alshareef. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150287605A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for forming gate dielectric layer

Номер патента: US9312138B2. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Method for forming heavy nitrogen-doped ultra thin oxynitride gate dielectrics

Номер патента: US20030027392A1. Автор: Atul Ajmera,Evgeni Gousev,Christopher D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Manufacturing method for integrating gate dielectric layers of different thicknesses

Номер патента: US11961740B2. Автор: LIAN Lu,Yizheng Zhu,Xiangguo Meng. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: US20200273962A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: WO2019139612A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-18.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device structure having gate dielectric layer

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Thin gate dielectric for a CMOS transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: US6849512B1. Автор: Wai Lo,James P. Kimball,Verne C. Hornback. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Semiconductor Device Including a Transistor with a Gate Dielectric Having a Variable Thickness

Номер патента: US20160190256A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Mechanisms for forming gate dielectric layer

Номер патента: US20150102431A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Miin-Jang Chen,Liang-Chen Chi,Chin-Kun Wang,Jhih-Jie Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Trench-gate transistor with gate dielectric having a first thickness between the gate electrode and the channel region and a second greater thickness between the gate electrode and the source/drain regions

Номер патента: US20220238675A1. Автор: Ning Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method and apparatus for plasma nitridation of gate dielectrics using amplitude modulated radio-frequency energy

Номер патента: WO2004107420A1. Автор: Thai Cheng Chua,Philip A. Kraus. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2004-12-09.

Trench isolated IC with transistors having locos gate dielectric

Номер патента: US10014206B1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Nanosheet transistors having different gate dielectric thicknesses on the same chip

Номер патента: US09935014B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming gate dielectric films for MOSFETs without generation of natural oxide films

Номер патента: US5926741A. Автор: Hiroshi Iwata,Masayuki Nakano,Toshimasa Matsuoka,Seizo Kakimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Formation of metal oxide gate dielectric

Номер патента: US20030003702A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Thicker corner of a gate dielectric structure around a recessed gate electrode for an MV device

Номер патента: US11799007B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Thicker corner of a gate dielectric structure around a recessed gate electrode for an mv device

Номер патента: US20220367654A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Nanosheet transistors having different gate dielectric thicknesses on the same chip

Номер патента: US10249539B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Bimetallic oxide compositions for gate dielectrics

Номер патента: US7015096B1. Автор: Vladimir Zubkov,Sey-Shing Sun. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Process flow for directly contacting the metal gate on a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2010081804A1. Автор: Naim Moumen,Hongwen Yan,Huiming Bu,Ricardo Alves Donaton,Michael Chudzik. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-07-22.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Method of forming a trench transistor having a superior gate dielectric

Номер патента: US20020100932A1. Автор: Duc Chau,Brian Mo. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Thicker corner of a gate dielectric structure around a recessed gate electrode for an mv device

Номер патента: US20230361188A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Trench isolated ic with transistors having locos gate dielectric

Номер патента: US20180174887A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Sidewall spacers for cmos circuit stress relief/isolation and method for making

Номер патента: CA1245373A. Автор: Jacob Riseman,Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Anthony J. Dally. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-11-22.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09922831B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09859122B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09837319B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09768071B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09721843B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09685379B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09577061B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Asymmetric high-K dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09570354B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09559010B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09543213B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Asymmetric high-k dielectric for reducing gate induced drain leakage

Номер патента: US09412667B2. Автор: Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou,Claude Ortolland,Jonathan T. SHAW. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Plasma densification of dielectrics for improved dielectric loss tangent

Номер патента: US20150179436A1. Автор: Frank Greer,Wenxian Zhu,Andy Steinbach. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Fluorine Passivation of Dielectric for Superconducting Electronics

Номер патента: US20150179913A1. Автор: Andrew Steinbach,Dipankar Pramanik. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Integrated CMOS circuit having first and second circuit parts

Номер патента: US09601185B2. Автор: Jacques Talayssat. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuit with CMOS circuit and method for manufacturing isolated active region of CMOS circuit

Номер патента: KR100457726B1. Автор: 마르틴 케르버. Владелец: 지멘스 악티엔게젤샤프트. Дата публикации: 2005-01-31.

Germanium oxide free atomic layer deposition of silicon oxide and high-k gate dielectric on germanium containing channel for cmos devices

Номер патента: US20130126986A1. Автор: Michael P. Chudzik,Min Dai,Murshed M. Chowdhury,Shahab Siddiqui,Siddarth A. Krishnan,Shreesh Narasimha,MaryJane Brodsky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING ADDITIVE METAL GATES AND GATE DIELECTRICS WITH A DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220093648A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,Lavric Dan S.,SAADAT Omair. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHODS OF SCALING THICKNESS OF A GATE DIELECTRIC STRUCTURE, METHODS OF FORMING AN INTEGRATED CIRCUIT, AND INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150129972A1. Автор: Choi Kisik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20190378766A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Structure and manufacturing method of multi-gate dielectric thicknesses for planar double gate device having multi-threshold voltages

Номер патента: US20070023817A1. Автор: Thuy Dao. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-02-01.

Method of forming double gate transistors having varying gate dielectric thicknesses

Номер патента: US7538000B2. Автор: Thuy B. Dao. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-26.

Photodiode gate dielectric protection layer

Номер патента: US09412781B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Chih-Yu Lai,Tsun-Kai Tsao,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Photodiode gate dielectric protection layer

Номер патента: US09812477B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Jiech-Fun Lu,Chih-Yu Lai,Tsun-Kai Tsao,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Image sensing device with gate dielectric portion varying thickness that increases along migration path of photocharges

Номер патента: US12046606B2. Автор: Kyoung In LEE,Ho Ryeong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Multi-layered or graded gate dielectric in thin film transistor (tft) structures

Номер патента: US20230369444A1. Автор: Cheng Tan,Travis W. LaJoie,Mark Armstrong,Van H. Le,Abhishek Anil Sharma,Timothy JEN,Shailesh Kumar Madisetti,Albert B. CHEN,Afrin Sultana,Moshe Dolejsi,Vishak Venkatraman,Christopher Ryder,Deepyanti Taneja. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Light emitting diodes (LEDs) with integrated CMOS circuits

Номер патента: US09941329B2. Автор: Ajey P. Jacob,Srinivasa Banna,Deepak Nayak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming an improved gate dielectric for a MOSFET on an insulating substrate

Номер патента: US4758529A. Автор: Alfred C. Ipri. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-07-19.

Photo-patternable gate dielectrics for OFET

Номер патента: US09761817B2. Автор: Timothy Edward Myers,Robert Alan Bellman,David Neal Schissel,Mingqian He,Weijun Niu,Arthur Lawrence Wallace,Kristi Lynn SIMONTON. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Gate Dielectric for Bonded Stacked Transistors

Номер патента: US20240186394A1. Автор: Dechao Guo,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Rf sic mosfet with recessed gate dielectric

Номер патента: EP4378005A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-06-05.

RF SiC MOSFET WITH RECESSED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20230022394A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Field-effect transistor with a dielectric structure having a gate dielectric and a shielding dielectric

Номер патента: US20240145580A1. Автор: Andreas Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of fabricating a gate dielectric layer for a thin film transistor

Номер патента: US20020090767A1. Автор: David Jones,Richard Bullock. Владелец: ESM Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20090179284A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor transistors having high-k gate dielectric layers, metal gate electrode regions, and low fringing capacitances

Номер патента: US20100096706A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Field effect transistors having ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure

Номер патента: EP3688815A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Lattice matched and strain compensated single-crystal compound for gate dielectric

Номер патента: US09876090B1. Автор: Martin M. Frank,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US10090405B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Fine-grained analog memory device based on charge-trapping in high-k gate dielectrics of transistors

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Subramanian S. Iyer,Xuefeng Gu. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-11-16.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US12127411B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Silicon carbide (SiC) device with improved gate dielectric shielding

Номер патента: US09685550B2. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US11849582B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Metal oxide thin film transistors with multi-composition gate dielectric

Номер патента: US20220359758A1. Автор: Cheng Tan,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Shailesh Kumar Madisetti,Wen-Chiang Hong,Harish Ganapathy,Lin-Yung Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Transistor structure with hybrid gate dielectric structure and asymmetric source/drain regions

Номер патента: US20240030343A1. Автор: Jagar Singh,Man Gu,Saloni Chaurasia. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

RF SiC MOSFET with recessed gate dielectric

Номер патента: US11830943B2. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-11-28.

Uv crosslinking of pvdf-based polymers for gate dielectric insulators of organic thin-film transistors

Номер патента: US20210226142A1. Автор: Yang Li,Xin Li,Mingqian He,Hongxiang Wang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

RF SiC MOSFET WITH RECESSED GATE DIELECTRIC

Номер патента: WO2023009325A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: EP4273905A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Nonvolatile storage with gap in inter-gate dielectric

Номер патента: WO2016186910A1. Автор: Takashi Kashimura,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

Gate-all-around integrated circuit structures having strained source or drain structures on gate dielectric layer

Номер патента: EP3930004A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Anand S. Murthy,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Ryan KEECH,Koustav Ganguly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-29.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Field effect transistor with multiple gate dielectrics and dual work-functions with precisely controlled gate lengths

Номер патента: US11791396B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Technologies for transistors with a ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230352584A1. Автор: Ramamoorthy Ramesh,Uygar E. Avci,Darrell G. Schlom,Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Dmitri Evgenievich Nikonov,Tanay A. Gosavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Gate dielectric antifuse circuit to protect a high-voltage transistor

Номер патента: US20050029598A1. Автор: John Porter,Kenneth Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-02-10.

Nitride gate dielectric for graphene mosfet

Номер патента: WO2012128956A1. Автор: Phaedon Avouris,Deborah A. Neumayer,Wenjuan Zhu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-27.

SILICON CARBIDE (SiC) DEVICE WITH IMPROVED GATE DIELECTRIC SHIELDING

Номер патента: US20160190300A1. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

SILICON CARBIDE (SiC) DEVICE WITH IMPROVED GATE DIELECTRIC SHIELDING

Номер патента: US20170288048A1. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Silicon carbide (SiC) device with improved gate dielectric shielding

Номер патента: US10453950B2. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM

Номер патента: US11818896B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220254793A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20220359544A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Cocktail layer over gate dielectric layer of fet feram

Номер патента: US20230380177A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Hybrid gate dielectric access device for vertical three-dimensional memory

Номер патента: US20240206152A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Hybrid gate dielectric access device for vertical three-dimensional memory

Номер патента: WO2024129507A1. Автор: Haitao Liu,Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Trench MOS Schottky barrier rectifier with high k gate dielectric and reduced mask process for the manufacture thereof

Номер патента: US20070210347A1. Автор: Carmelo Sanfilippo,Rossano Carta,Giovanni Richieri,Paolo Mercaldi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2007-09-13.

Gate-controlled p-i-n switch with a charge trapping material in the gate dielectric and a self-depleted channel

Номер патента: US09438227B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Xianda Zhou. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2016-09-06.

Fuse trimming failure test circuit for CMOS circuit

Номер патента: US6774702B2. Автор: Ryohei Kimura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-10.

Method for producing an organic CMOS circuit and organic CMOS circuit protected against UV radiation

Номер патента: US09935282B2. Автор: Olivier Poncelet,Mohammed Benwadih,Romain Coppard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-03.

Cmos circuit

Номер патента: US20240112617A1. Автор: Kenji Harada. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

GERMANIUM OXIDE FREE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF SILICON OXIDE AND HIGH-K GATE DIELECTRIC ON GERMANIUM CONTAINING CHANNEL FOR CMOS DEVICES

Номер патента: US20140061819A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Siddarth A.,DAI Min,Chowdhury Murshed M.,Narasimha Shreesh,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Multiple patterning gate scheme for nanosheet rule scaling

Номер патента: US12087771B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Multiple patterning gate scheme for nanosheet rule scaling

Номер патента: US20220320089A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20130285154A1. Автор: Li Hong-Jyh. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

FABRICATION OF GATE-ALL-AROUND INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING MOLYBDENUM NITRIDE METAL GATES AND GATE DIELECTRICS WITH A DIPOLE LAYER

Номер патента: US20220093597A1. Автор: Ghani Tahir,Golonzka Oleg,CRUM DAX M.,Lavric Dan S.,BAUMGARTEL Lukas,"OBRIEN DANIEL B.",LEIB Jeffrey S.,OUELLETTE Daniel G.,ACTON ORB. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHODS OF INTEGRATING MULTIPLE GATE DIELECTRIC TRANSISTORS ON A TRI-GATE (FINFET) PROCESS

Номер патента: US20160111426A1. Автор: Jan Chia-Hong,Tsai Curtis,Park Joodong,Hafez Walid M.,YEH Jeng-Ya David. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

GATE STACK INCLUDING A HIGH-K GATE DIELECTRIC THAT IS OPTIMIZED FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140252493A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

GATE DIELECTRIC PROTECTION FOR TRANSISTORS

Номер патента: US20160204098A1. Автор: Jiang Hao,Kerber Andreas,Uppal Suresh,Cimino Salvatore. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2016-07-14.

LOW-COST CMOS STRUCTURE WITH DUAL GATE DIELECTRICS AND METHOD OF FORMING THE CMOS STRUCTURE

Номер патента: US20150249088A1. Автор: Pendharkar Sameer,Chatterjee Amitava,HAO Pinghai. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Methods of integrating multiple gate dielectric transistors on a tri-gate (finfet) process

Номер патента: US20200251470A1. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya David Yeh,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

VERTICAL THIN FILM TRANSISTOR STRUCTURES WITH LOCALIZED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20200388711A1. Автор: Pillarisetty Ravi,Doyle Brian,Majhi Prashant,HOURANI Rami,Sharma Abhishek,KARPOV Elijah. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Integrated circuits with reduced voltage across gate dielectric and operating methods thereof

Номер патента: US9076858B2. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Circuit for reducing the latch-up sensitivity of a cmos circuit

Номер патента: US5055903A. Автор: Bernhard Wichmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-10-08.

Structure and fabrication of like-polarity field-effect transistors having different configurations of source/drain extensions, halo pockets, and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20100244149A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20240304449A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Dipole-Engineered High-K Gate Dielectric and Method Forming Same

Номер патента: US20230360918A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US11784052B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Dipole-engineered high-k gate dielectric and method forming same

Номер патента: US12020941B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of manufacturing semiconductor devices having different gate dielectric thickness within one transistor

Номер патента: US11424165B2. Автор: Tung-Wen CHENG,Jen-Chun CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device having a high-K gate dielectric above an STI region

Номер патента: US09659928B2. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Dummy contacts to mitigate plasma charging damage to gate dielectrics

Номер патента: US20180175023A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Gregory B. Shinn,Tae S. Kim,Mark Robert Visokay,Eric D. Rullan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075589A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075587A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20190378837A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Method to improve gate dielectric quality for FinFET

Номер патента: US09911832B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

PROTECTION OF SEMICONDUCTOR-OXIDE-CONTAINING GATE DIELECTRIC DURING REPLACEMENT GATE FORMATION

Номер патента: US20160005735A1. Автор: Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar,Wise Richard S.,Costrini Gregory. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-07.

Finfet devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US20170053840A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

NANOSHEET TRANSISTORS WITH DIFFERENT GATE DIELECTRICS AND WORKFUNCTION METALS

Номер патента: US20200091009A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

NANOSHEET TRANSISTORS WITH DIFFERENT GATE DIELECTRICS AND WORKFUNCTION METALS

Номер патента: US20200098643A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Nanosheet transistors with different gate dielectrics and workfunction metals

Номер патента: US20190122937A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

GATE DIELECTRIC LAYER PROTECTION

Номер патента: US20220293582A1. Автор: Moriwaki Yoshikazu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-15.

MULTI-PLASMA NITRIDATION PROCESS FOR A GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140252503A1. Автор: Chudzik Michael P.,Siddiqui Shahab,Linder Barry P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

Multi-plasma nitridation process for a gate dielectric

Номер патента: US20150179459A1. Автор: Michael P. Chudzik,Barry P. Linder,Shahab Siddiqui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

DUMMY CONTACTS TO MITIGATE PLASMA CHARGING DAMAGE TO GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20180175023A1. Автор: Nandakumar Mahalingam,Visokay Mark Robert,KIM TAE S.,RULLAN ERIC D.,SHINN GREGORY B.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device having high-k gate dielectric above an sti region

Номер патента: US20150187765A1. Автор: Andy Wei,Roman Boschke,Markus Forsberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Dual gate dielectric layers grown with an inhibitor layer

Номер патента: US20210305042A1. Автор: Damien Thomas Gilmore,Mark Francis Arendt. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING CRYSTALLINE HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20200273700A1. Автор: Fang Ziwei,CHENG Chung-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-08-27.

PROTECTION OF SEMICONDUCTOR-OXIDE-CONTAINING GATE DIELECTRIC DURING REPLACEMENT GATE FORMATION

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar,Wise Richard S.,Costrini Gregory. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor Devices Including Gate Dielectric Structures

Номер патента: US20170358680A1. Автор: Choi Hanmei,Park Jae Young,Jeong Seong Hoon,Lim Seung Hyun,PARK Hong Bum. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Nanosheet transistor with different gate dielectrics and work function metals

Номер патента: CN111183518A. Автор: 李俊涛,许�鹏,程慷果,李忠贤. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

FinFET devices having gate dielectric structures with different thicknesses on same semiconductor structure

Номер патента: US9576980B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Organic thin film transistor with modified surface of gate-dielectric

Номер патента: EP1481428A1. Автор: Mark J. Pellerite,Dennis E. Vogel,Larry D. Boardman,Terrance P. Smith,Timothy D. Dunbar,Kim M. Vogel,Tommie W. Kelley,Dawn V. Muyres. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-12-01.

Hydrogenated amorphous silicon dielectric for superconducting devices

Номер патента: US09593414B2. Автор: Andrew Steinbach,Dipankar Pramanik,Sergey Barabash,Chris Kirby. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Solid Dielectric for Rechargeable Energy Storage Capacitor

Номер патента: US20190066930A1. Автор: Terry D. ROLIN,Curtis W. HILL,Ian K. Small. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2019-02-28.

Preparation method of insulating dielectric for improving energy density

Номер патента: US11854718B2. Автор: Yang Feng,Shengtao Li,Liuqing Yang,Anqi Yang. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-12-26.

UNIFORM GATE DIELECTRIC FOR DRAM DEVICE

Номер патента: US20190259764A1. Автор: Zhang Qintao,Guo Baonian. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2019-08-22.

NANOSHEET TRANSISTORS HAVING DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESSES ON THE SAME CHIP

Номер патента: US20180197784A1. Автор: Cheng Kangguo,Wang Geng,Li Juntao,Zhang Qintao. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device including a gate dielectric layer

Номер патента: US9214348B2. Автор: Dong Seok Kim,Jin Yul Lee,Young Jin Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Gate Dielectric for Gate Leakage Reduction

Номер патента: US20240266415A1. Автор: Huang-Lin Chao,Pinyen Lin,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Piezo-resistive transistor based resonator with ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US20230238444A1. Автор: Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Piezo-resistive transistor based resonator with ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US12113117B2. Автор: Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Piezo-resistive transistor based resonator with anti-ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US12125893B2. Автор: Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Layout structure for integrated circuit, method and system for generating layout for CMOS circuit

Номер патента: TW476143B. Автор: Masahiro Fukui. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-11.

Power supply rejection characteristics of CMOS circuits

Номер патента: US4442529A. Автор: Mirmira R. Dwarakanath,Bhupendra K. Ahuja. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-04-10.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Lee Da-Yuan,Hsu Kuang-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-03.

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING VARIABLE THICKNESS GATE DIELECTRIC AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20150001637A1. Автор: Liu Ruey-Hsin,CHENG Chih-Chang,CHU Fu-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

MULTI-COMPOSITION GATE DIELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20160035841A1. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Li Zhengwen,Alptekin Emre,Vega Reinaldo A.,Ramachandran Ravikumar,Lai Wing L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH DUAL THICKNESS GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Ma Rui,Armstrong Mark,KAR Ayan,Thomson Nicholas A.,Kolluru Kalyan C.,AHSAN Akm A.,Jayanta Joglekar Sameer,Saha Sayan,Ryu Hyuk Ju. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-06-03.

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR PROTECTION FROM DAMAGE TO GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140264520A1. Автор: Reisiger Mark D.. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

PIEZO-RESISTIVE TRANSISTOR BASED RESONATOR WITH ANTI-FERROELECTRIC GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20200212193A1. Автор: Young Ian,Gosavi Tanay,AVCI Uygar,LIN Chia-Ching,Penumatcha Ashish Verma,KIM Raseong. Владелец: Intel Corporation Santa Clara. Дата публикации: 2020-07-02.

PIEZO-RESISTIVE TRANSISTOR BASED RESONATOR WITH FERROELECTRIC GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20200212194A1. Автор: Young Ian,Gosavi Tanay,AVCI Uygar,LIN Chia-Ching,Penumatcha Ashish Verma,KIM Raseong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-07-02.

METHOD OF FORMATION OF A SUBSTRATE OF THE SOI, IN PARTICULAR THE FDSOI, TYPE ADAPTED TO TRANSISTORS HAVING GATE DIELECTRICS OF DIFFERENT THICKNESSES, CORRESPONDING SUBSTRATE AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20160284807A1. Автор: Petit David,Federspiel Xavier,Bidal Gregory,Monsieur Frederic. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

MULTI-LAYER GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20160343824A1. Автор: Bai Gang. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Piezo-resistive transistor based resonator with ferroelectric gate dielectric

Номер патента: US11637191B2. Автор: Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Raseong Kim,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Method of patterning gate electrodes with high k gate dielectrics

Номер патента: TW533484B. Автор: Xia Li,James Yong Meng Lee,Yun-Qiang Zhang. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

Microwave Transistor with a Patterned Gate Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190140087A1. Автор: Nien-Tze Yeh,Shenghou LIU,Hou-Kuei HUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Microwave transistor with a patterned gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11088270B2. Автор: Nien-Tze Yeh,Shenghou LIU,Hou-Kuei HUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-10.

Alternative gate dielectric films for silicon germanium and germanium channel materials

Номер патента: US20150311308A1. Автор: Hoon Kim,Bhagawan Sahu,Shariq Siddiqui,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of fabricating a gate dielectric for high-k metal gate devices

Номер патента: US09711373B2. Автор: Chen-Hua Yu,Che-Hao Chang,Cheng-Hao Hou,Tai-Bor Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Organic-inorganic hybrid multilayer gate dielectrics for thin film transistors

Номер патента: US09385332B2. Автор: Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Young-geun Ha. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2016-07-05.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20040097026A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Silicon oxide based gate dielectric layer

Номер патента: US20020100946A1. Автор: David Müller,Gregory Timp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Method forming silicon oxynitride gate dielectric layer with uniform nitrogen concentration

Номер патента: US20080032512A1. Автор: Myoung-Bum Lee,Dong-Chan Kim,Sang-Bom Kang,Jin-Hwa Heo,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-07.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2003103032A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-12-11.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: EP1428252A2. Автор: Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Three-dimensional memory device with charge-trapping-free gate dielectric for top select gate electrode and method of making thereof

Номер патента: US09679907B1. Автор: Ryosuke Kaneko. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

DOUBLE-PATTERN GATE FORMATION PROCESSING WITH CRITICAL DIMENSION CONTROL

Номер патента: US20140220767A1. Автор: HU Xiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Microwave Transistor with a Patterned Gate Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190140087A1. Автор: YEH Nien-Tze,LIU Shenghou,HUANG Hou-Kuei. Владелец: XIAMEN SANAN INTEGRATED CIRCUIT CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for patterning gate of flash memory device

Номер патента: KR100731059B1. Автор: 이상범. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Semiconducting metal oxide transistors having a patterned gate and methods for forming the same

Номер патента: TW202147461A. Автор: 林仲德,游嘉榕,吳詠捷,何彥忠,魏惠嫻,許秉誠,禮修 馬. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of forming a semiconductor device with a dual gate dielectric layer having middle portion thinner than the edge portions

Номер патента: US11968828B2. Автор: Yong-Shiuan Tsair,Meng-Han LIN,Wen-Tuo Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for passivating gate dielectric films

Номер патента: US20080242071A1. Автор: Denny Tang,Wen-Chin Lee,Ching-Ya Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device with gate dielectric formed using selective deposition

Номер патента: US20230317820A1. Автор: Miin-Jang Chen,Tzu-Chung Wang,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Yu-tung Yin,Meng-Chien YANG. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-10-05.

Method to deposit a stacked high-κ gate dielectric for CMOS applications

Номер патента: TW200406883A. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,Conley, Jr. Владелец: Sharp Lab Of America Inc. Дата публикации: 2004-05-01.

Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric

Номер патента: US5946551A. Автор: Sampath Purushothaman,Deborah Ann Neumayer,Christos Dimitrios Dimitrakopoulos,Peter Richard Duncombe,Bruce K. Furman,Robert B. Laibowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-31.

Method for transistor gate dielectric layer with uniform nitrogen concentration

Номер патента: US6933248B2. Автор: Douglas T. Grider. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-08-23.

FET using trench isolation as the gate dielectric

Номер патента: US11404556B2. Автор: Yuguo Wang,Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-08-02.

Fet using trench isolation as the gate dielectric

Номер патента: US20220140105A1. Автор: Yuguo Wang,Zachary Ka Fai Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: EP1535316A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: WO2004021424A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2004-03-11.

Methods of forming gate dielectric material

Номер патента: US09893160B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric

Номер патента: US09484460B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

STRATIFIED GATE DIELECTRIC STACK FOR GATE DIELECTRIC LEAKAGE REDUCTION

Номер патента: US20160314977A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

STRATIFIED GATE DIELECTRIC STACK FOR GATE DIELECTRIC LEAKAGE REDUCTION

Номер патента: US20160315166A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device including a gate dielectric layer formed of a high dielectric alloy and method of fabricating the same

Номер патента: KR100639673B1. Автор: 이종호,정형석,김윤석,도석주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-30.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US20050087820A1. Автор: Peng Cheng,David Fraser,Brian Doyle,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Fraser David B.. Дата публикации: 2005-04-28.

In situ grown gate dielectric and field plate dielectric

Номер патента: CN103165445A. Автор: L·刘,J·P·爱德华兹. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-06-19.

Preparation method for novel hafnium-silicon-tantalum-oxygen-nitrogen high-dielectric-constant gate dielectric

Номер патента: CN105869992A. Автор: 滕昭新. Владелец: Xiajin Power Supply Company State Grid Shandong Electric Power Co. Дата публикации: 2016-08-17.

Performing a semiconductor fabrication sequence within a common chamber and without opening the chamber beginning with forming a field dielectric and concluding with a gate dielectric

Номер патента: US5904542A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer,Thomas E. Spikes. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gate stack with high dielectric constant gate dielectric and integrated diffusion barrier

Номер патента: US20020190302A1. Автор: Supratik Guha,Kevin Chan,Evgeni Gousev,Paul Jamison,Lars-Ake Ragnarsson,Christopher D'Emic,Alexander Bojarczuk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Atomic layer deposition of high dielectric constant gate dielectrics

Номер патента: US20060060930A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Markus Kuhn,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Clifford Boyd. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6689702B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) gate stack with high dielectric constant gate dielectric and integrated diffusion barrier

Номер патента: US20050156257A1. Автор: Supratik Guha,Kevin Chan,Evgeni Gousev,Paul Jamison,Lars-Ake Ragnarsson,Nestor Bojarczuk,Christopher D'Emic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

STRATIFIED GATE DIELECTRIC STACK FOR GATE DIELECTRIC LEAKAGE REDUCTION

Номер патента: US20150171182A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Jamison Paul C.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Increasing stability of a high-k gate dielectric of a high-k gate stack by an oxygen rich titanium nitride cap layer

Номер патента: US20110127590A1. Автор: Robert Binder,Klaus Hempel,Joachim Metzger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for making ultrathin high-k gate dielectric for use in a field effect transistor and ultrathin high-k gate dielectric2003

Номер патента: CN1638051A. Автор: 凯瑟琳·L·萨恩格尔,拉加拉奥·加米,维加伊·纳拉扬南. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Organic-Inorganic Hybrid Multilayer Gate Dielectrics for Thin Film Transistors

Номер патента: US20160072085A1. Автор: Marks Tobin J.,Facchetti Antonio,Ha Young-geun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

IN-SITU NITRIDATION OF GATE DIELECTRIC FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140231931A1. Автор: Chang Yu-Min,Chen Miin-Jang,Chi Liang-Chen,Tsai Chia-Ming,Wang Chin-Kun,Huang Li-Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-08-21.

REO GATE DIELECTRIC FOR III-N DEVICE ON Si SUBSTRATE

Номер патента: US20140239307A1. Автор: Clark Andrew,LEBBY MICHAEL,Arkun Erdem,Dargis Rytis,Smith Robin. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

Hybrid gate dielectrics for semiconductor power devices

Номер патента: US20180269302A1. Автор: Salman Akram,Venkat Ananthan. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

HYBRID GATE DIELECTRICS FOR SEMICONDUCTOR POWER DEVICES

Номер патента: US20160343823A1. Автор: Akram Salman,Ananthan Venkat. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Treatment of gate dielectric for making high performance metal oxide and metal oxynitride thin film transistors

Номер патента: TWI385729B. Автор: YAN Ye. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-02-11.

REO GATE DIELECTRIC FOR III-N DEVICE ON Si SUBSTRATE

Номер патента: EP2973658A4. Автор: Andrew Clark,Rytis Dargis,Michael Lebby,Robin Smith,Erdem Arkun. Владелец: Translucent Inc. Дата публикации: 2016-11-30.

A method of making high pressure silicon oxynitride (oxynitride) gate dielectrics for metal oxide semiconductor (MOS) devices with polycrystalline P + silicon (polysilicon) gate electrodes

Номер патента: DE19680529B4. Автор: Dirk J. Austin Wristers,H. Jim Austin Fulford,Dim L. Austin Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Treatment of gate dielectric for making high performance metal oxide and metal oxynitride thin film transistors

Номер патента: KR101774520B1. Автор: 얀 예. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2017-09-04.

Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate

Номер патента: EP3022772B1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Anant Kumar Agarwal,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-02-17.

Method to deposit a stacked high-kappa gate dielectric for CMOS applications

Номер патента: TWI231572B. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F Conley Jr. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-04-21.

High-K gate dielectric stack plasma treatment to adjust threshold voltage characteristics

Номер патента: SG120170A1. Автор: CHEN SHIH-CHANG,Hou Tuo-Hung,YAO Liang-Gi,Wang Ming-Fang,Mai Kai-Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-03-28.

A method of forming a gate stack containing a gate dielectric layer having reduced metal content

Номер патента: TW200721321A. Автор: Cory Wajda,Young-Jong Lee,David L O'meara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Improving the reliability of high-k gate dielectric layers

Номер патента: TW200849412A. Автор: Ashutosh Ashutosh,Adrien Lavoie,Huicheng Chang,Aaron Budrevich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor

Номер патента: TWI344193B. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Transistor element having an anisotropic high-k gate dielectric

Номер патента: AU2003270452A1. Автор: Karsten Wieczorek,Christian Radehaus. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-03-19.

Method for fabricating a nitrided silicon-oxide gate dielectric

Номер патента: TWI232522B. Автор: Toshiharu Furukawa,James S Nakos,Anthony I Chou,Jay S Burnham,Margaret L Gibson. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-05-11.

Silicate gate dielectric

Номер патента: TW484201B. Автор: Frances Mary Ross,Matthew Warren Copel,Eduard Albert Cartier. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-04-21.

ALD of Zr-substituted BaTio3 films as gate dielectrics

Номер патента: TW200816314A. Автор: Leonard Forbes,Kie Y Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

Method of predicting lifetimes of MISFET having a high-k gate dielectric and integrated circuit

Номер патента: TW200625537A. Автор: Min-Hwa Chi,Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-16.

Ultra-thin stacked gate dielectric structure

Номер патента: SG55355A1. Автор: Michael F Pas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-12-21.

Methods for the deposition of ternary oxide gate dielectrics and structures formed thereby

Номер патента: TW200939310A. Автор: Markus Kuhn,Matthew Metz,Michael Hattendorf,Mark Brazier,Michael L Mcswiney. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Method for improving a physical property defect value of a gate dielectric

Номер патента: US20050156286A1. Автор: Rajesh Khamankar,Brian Kirkpatrick,Jon Holt,Mercer Brugler,Eddie Breashears,Corbett Zabierek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for integrating a high-k gate dielectric in a transistor fabrication process

Номер патента: TW200524084A. Автор: Qi Xiang,Huicai Zhong,Boon-Yong Ang,Catherine B Labelle,Allison Kay Holbrook,Joong S Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-07-16.

(110)-oriented p-channel trench MOSFET having high-k gate dielectric

Номер патента: TW201017886A. Автор: Qi Wang,Tat Ngai. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2010-05-01.

Removing a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060003499A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Norman,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Methods for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: TW201246372A. Автор: Kuo-Hui Su,Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-16.

Method of manufacturing semiconductor device with a multi-layered gate dielectric

Номер патента: US09984884B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

High-k gate dielectric oxide

Номер патента: US20120015488A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

MOS TRANSISTORS INCLUDING SiON GATE DIELECTRIC WITH ENHANCED NITROGEN CONCENTRATION AT ITS SIDEWALLS

Номер патента: US20120032280A1. Автор: James Joseph Chambers,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Methods of forming gate dielectric material

Номер патента: US20120094504A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Manufacturing method of gate dielectric layer

Номер патента: US20120270408A1. Автор: Kuo-Hui Su,Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Manufacturing method of gate dielectric layer

Номер патента: US20120270411A1. Автор: Kuo-Hui Su,Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of depositing gate dielectric, method of preparing mis capacitor, and mis capacitor

Номер патента: US20120273861A1. Автор: Dawei He,Zhongjian Wang,Dawei Xu,Xinhong Cheng,Chao Xia,Zhaorui Song,Yuehui Yu. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-11-01.

Gate dielectric layer forming method

Номер патента: US20120329285A1. Автор: Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Bilayer gate dielectric with low equivalent oxide thickness for graphene devices

Номер патента: US20130207080A1. Автор: Alfred Grill,Deborah A. Neumayer,Yu-Ming Lin,Christos D. Dimitrakopoulos,Dirk Pfeiffer,Damon B. Farmer,Wenjuan Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide / erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20130313656A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE EMPLOYING HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE

Номер патента: US20140057426A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Rishikesh,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Breil Nicolas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING A GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140061780A1. Автор: Lee Jin Yul,Kim Dong Seok,SON Young Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

METHODS OF FORMING GATE DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20140080316A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,YAO Liang-Gi,CHEN Chia-Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-20.

GATE DIELECTRIC PROTECTION FOR TRANSISTORS

Номер патента: US20160005828A1. Автор: Jiang Hao,Kerber Andreas,Uppal Suresh,Cimino Salvatore. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013061A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013082A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160013083A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

PROTECTIVE LINER BETWEEN A GATE DIELECTRIC AND A GATE CONTACT

Номер патента: US20190013238A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Li Baozhen,Wang Junli,Peterson Kirk D.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

METHOD FOR DESIGNING ANTENNA CELL THAT PREVENTS PLASMA INDUCED GATE DIELECTRIC DAMAGE IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20150031194A1. Автор: Chen Chun-Fu,Zhuang Hui-Zhong,Yang Jen-Hang,SUE Pin-Dai. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

PRODUCTION OF A 3D CIRCUIT WITH UPPER LEVEL TRANSISTOR PROVIDED WITH A GATE DIELECTRIC DERIVED FROM A SUBSTRATE TRANSFER

Номер патента: US20200035561A1. Автор: Vinet Maud,Batude Perrine,ANDRIEU Francois. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2020-01-30.

TRANSISTOR WITH BONDED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20150041824A1. Автор: Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-12.

GaN High Voltage HFET with Passivation Plus Gate Dielectric Multilayer Structure

Номер патента: US20140124789A1. Автор: Jamal Ramdani,John Paul Edwards,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode & nitrogen doping of gate dielectric interface

Номер патента: US20150072498A1. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Scott B. Clendenning. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Passivator for Gate Dielectric

Номер патента: US20200066535A1. Автор: YU Xiong-Fei,Lin Tsung-Da,HOU Cheng-Hao,Chang Che-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

PROTECTIVE LINER BETWEEN A GATE DIELECTRIC AND A GATE CONTACT

Номер патента: US20180076086A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Li Baozhen,Wang Junli,Peterson Kirk D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

THICKER CORNER OF A GATE DIELECTRIC STRUCTURE AROUND A RECESSED GATE ELECTRODE FOR AN MV DEVICE

Номер патента: US20220102518A1. Автор: Kalnitsky Alexander,Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,Chen Yi-Huan,LIU SZU-HSIEN,Yuan Huan-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

MANUFACTURING METHOD FOR INTEGRATING GATE DIELECTRIC LAYERS OF DIFFERENT THICKNESSES

Номер патента: US20220139711A1. Автор: Meng Xiangguo,ZHU YIZHENG,LU Lian. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

FET USING TRENCH ISOLATION AS THE GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20220140105A1. Автор: Wang Yuguo,Lee Zachary Ka Fai. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

MECHANISMS FOR FORMING GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150102431A1. Автор: Chen Miin-Jang,Chi Liang-Chen,Tsai Chia-Ming,Wang Chin-Kun,HUANG Jhih-Jie. Владелец: Taiwan Seminconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-04-16.

Methods and Systems for Controlling Gate Dielectric Interfaces of MOSFETs

Номер патента: US20140179095A1. Автор: Lang Chi-I,Barstow Sean,Niyogi Sandip. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Doped Gate Dielectric Materials

Номер патента: US20180097081A1. Автор: Chu Rongming,Cao Yu,Li Zijian Ray. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2018-04-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE DIELECTRIC FORMED USING SELECTIVE DEPOSITION

Номер патента: US20220149177A1. Автор: Wang Tzu-Chung,Chen Miin-Jang,Lee Tung-Ying,CHEN Tse-An,YIN Yu-Tung,YANG Meng-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Implementing atomic layer deposition for gate dielectrics

Номер патента: US20170110313A1. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Michael Eugene Givens,Fu Tang,Xiaoqiang Jiang,Jerry Chen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-20.

THERMAL TREATED SEMICONDUCTOR/GATE DIELECTRIC INTERFACE FOR GROUP IIIA-N DEVICES

Номер патента: US20160126330A1. Автор: Dellas Nicholas Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

Alternative gate dielectric films for silicon germanium and germanium channel materials

Номер патента: US20160133716A1. Автор: Hoon Kim,Bhagawan Sahu,Shariq Siddiqui,Rohit Galatage. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

SYSTEM AND METHOD FOR MITIGATING OXIDE GROWTH IN A GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20180130662A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Two Step Deposition of High-k Gate Dielectric Materials

Номер патента: US20150140838A1. Автор: Amol Joshi,Kevin Kashefi,Salil Mujumdar. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

SYSTEM AND METHOD FOR MITIGATING OXIDE GROWTH IN A GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20170133228A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20200126789A1. Автор: Chen Yen-Yu,CHENG Chung-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

REPLACEMENT METAL GATE DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20160149016A1. Автор: Guillorn Michael A.,Farmer Damon B.,Tulevski George S.,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20190139759A1. Автор: Chen Yen-Yu,CHENG Chung-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Integrated Circuits with Doped Gate Dielectrics

Номер патента: US20210175076A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

System and Method for Mitigating Oxide Growth in a Gate Dielectric

Номер патента: US20160155641A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Dual Gate Dielectric Transistor

Номер патента: US20190148548A1. Автор: KAO Ching-Hung. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

HIGH-K GATE DIELECTRICS ON 2D SUBSTRATES, INERT SURFACES, AND 3D MATERIALS

Номер патента: US20180158670A1. Автор: Kwak Iljo,Sardashti Kasra,Kummel Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

SYSTEM AND METHOD FOR MITIGATING OXIDE GROWTH IN A GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20170170022A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

METHOD FOR PROCESSING GATE DIELECTRIC LAYER DEPOSITED ON GERMANIUM-BASED OR GROUP III-V COMPOUND-BASED SUBSTRATE

Номер патента: US20150179439A1. Автор: Li Ming,Li Min,Huang Ru,Yun Quanxin,An Xia,Zhang Xing,Li Zhiqiang,Lin Meng,Liu Pengqiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

TRENCH ISOLATED IC WITH TRANSISTORS HAVING LOCOS GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20180174887A1. Автор: CHUANG Ming-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Multi-layer inter-gate dielectric structure

Номер патента: US20150194537A1. Автор: Chun Chen,Shenqing Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-07-09.

METHOD OF FORMING GATE DIELECTRIC LAYER FOR MOS TRANSISTOR

Номер патента: US20160196971A1. Автор: Chen Chun-Liang,Cheng Po-Lun,Tu Shih-Jung,Hsu Han-Lin,Yeh Meng-Che. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A STEP GATE DIELECTRIC STRUCTURE

Номер патента: US20150200261A1. Автор: Chen Sue-Yi,Huang Chih-Jen,Song Chien-Hsien. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2015-07-16.

THERMAL TREATED SEMICONDUCTOR/GATE DIELECTRIC INTERFACE FOR GROUP IIIA-N DEVICES

Номер патента: US20170194472A1. Автор: Dellas Nicholas Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Nanosheet transistors having different gate dielectric thicknesses on the same chip

Номер патента: US20180197785A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

METHOD TO IMPROVE GATE DIELECTRIC QUALITY FOR FINFET

Номер патента: US20170200809A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

MULTI-LAYER INTER-GATE DIELECTRIC STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20190198328A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE HAVING GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20210280432A1. Автор: Fang Ziwei,Lin Chih-Cheng,You Wei-Ming,Chang I-Ming,Chao Huang-Lin,WU Chi-Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-09-09.

Vertical Transistor Device with a Variable Gate Dielectric Thickness

Номер патента: US20180248000A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-08-30.

MULTI-LAYER INTER-GATE DIELECTRIC STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20170263459A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Chun. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-14.

Metal-insulator-semiconductor transistors with gate-dielectric/semiconductor interfacial protection layer

Номер патента: US20210351287A1. Автор: Jing Chen,Mengyuan HUA. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD FOR FORMING GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150287605A1. Автор: Chen Miin-Jang,Chi Liang-Chen,Tsai Chia-Ming,Wang Chin-Kun,HUANG Jhih-Jie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

REPLACEMENT METAL GATE DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20160293731A1. Автор: Guillorn Michael A.,Farmer Damon B.,Tulevski George S.,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method of Manufacturing a Trench FET Having a Merged Gate Dielectric

Номер патента: US20160293754A1. Автор: Ma Ling. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Antiferroelectric gate dielectric transistors and their methods of fabrication

Номер патента: US20200273962A1. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

ANTIFERROELECTRIC GATE DIELECTRIC TRANSISTORS AND THEIR METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20210399113A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Majhi Prashant,SHARMA Abhishek A.,Doyle Brian S.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-12-23.

SYSTEM AND METHOD FOR MITIGATING OXIDE GROWTH IN A GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20160300722A1. Автор: Bu Haowen,NIIMI Hiroaki,Alshareef Husam N.,Bevan Malcolm J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

REPLACEMENT METAL GATE DIELECTRIC CAP

Номер патента: US20160308026A1. Автор: Guillorn Michael A.,Farmer Damon B.,Tulevski George S.,Pranatharthiharan Balasubramanian. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

ALTERNATIVE GATE DIELECTRIC FILMS FOR SILICON GERMANIUM AND GERMANIUM CHANNEL MATERIALS

Номер патента: US20150311308A1. Автор: Kim Hoon,Siddiqui Shariq,Galatage Rohit,Sahu Bhagawan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-10-29.

TRENCH ISOLATED IC WITH TRANSISTORS HAVING LOCOS GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20180308745A1. Автор: CHUANG Ming-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-25.

Method of Forming High-K Gates Dielectrics

Номер патента: US20150332926A1. Автор: YANG Chih-Wei,Hsu Chia-Fu,Ke Jian-Cun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-11-19.

TRANSISTOR DEVICE WITH VARIOUSLY CONFORMAL GATE DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20200312976A1. Автор: Kavalieros Jack,Metz Matthew,SUNG Seung Hoon,Young Ian,AVCI Uygar,LIN Chia-Ching,Penumatcha Ashish Verma,MERRILL Devin,LOH Owen. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-01.

Nonvolatile storage with gap in inter-gate dielectric

Номер патента: US20160343722A1. Автор: Takashi Kashimura,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-24.

COMPOSITE GATE DIELECTRIC LAYER APPLIED TO GROUP III-V SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170365672A1. Автор: Sun Bing,Liu Honggang,Chang Hudong,WANG Shengkai. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Method of forming an ultrathin nitride/oxide stack as a gate dielectric

Номер патента: US20050064109A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chi-Chun Chen,Shih-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Thin-film transistor and display deivce oxide semiconductor and gate dielectric having an oxygen concentration gradient

Номер патента: KR101028722B1. Автор: 료 하야시,카츠미 아베,마사후미 사노. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2011-04-14.

Scavenging metal stack for a high-k gate dielectric

Номер патента: US7989902B2. Автор: Takashi Ando,Changhwan Choi,Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Gate Dielectric Layer Forming Method

Номер патента: KR101994480B1. Автор: 정성현,서상훈,서승훈. Владелец: 윈텔코퍼레이션 주식회사. Дата публикации: 2019-06-28.

Method for fabricating the gate dielectric of semiconductor device

Номер патента: KR100605175B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-31.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100442885B1. Автор: 김영욱,김경수,유혁주,강희성,오창봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-02.

Method for improving nitrogen profile in plasma nitrided gate dielectric layers

Номер патента: KR101118462B1. Автор: 크리스토퍼 에스. 올센. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-03-06.

Method for fabricating gate dielectric of semiconductor device

Номер патента: KR100451768B1. Автор: 조일현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-08.

Improved manufacturing method for two-step post nitridation annealing of plasma nitrided gate dielectric

Номер патента: KR100993124B1. Автор: 크리스토퍼 에스. 올센. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2010-11-08.

Gate stack engineering by electrochemical processing utilizing through-gate-dielectric current flow

Номер патента: CN101111927A. Автор: E·I·库珀,H·德利吉安尼,P·M·韦雷肯,V·巴斯克尔,C·小卡布拉尔,M·M·弗兰克,R·詹米,V·K·帕鲁丘里,K·L·森格尔,邵晓燕. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-23.

Gate dielectric layer of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: KR100850138B1. Автор: 방상철. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Composite gate dielectric layer applied to iii-v substrate and preparation method thereof

Номер патента: CN105097901B. Автор: 刘洪刚,常虎东,孙兵,王盛凯. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-05-08.

A method of it forming gate dielectric layer on the surface of graphene and prepares transistor

Номер патента: CN108369910A. Автор: 梁晨,张臣雄. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-03.

Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors

Номер патента: US7601648B2. Автор: Johanes Swenberg,Giuseppina Conti,Shreyas Kher,Thai Cheng Chua,Shankar Muthukrisnan,Chikuang Charles Wang,Yuri Uritsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-10-13.

method of forming a multi-layer in a semiconductor device and method of forming a capacitor and a gate dielectric layer using the same

Номер патента: KR100505056B1. Автор: 김경석,박영욱,최한메,임은택,강동조. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-29.

Forming Agent for Gate Dielectric of Thin Film Transistor

Номер патента: KR101702595B1. Автор: 타카히로 키시오카,시니치 마에다. Владелец: 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤. Дата публикации: 2017-02-03.

Method for fabricating gate dielectrics with lowered device leakage current

Номер патента: KR100464424B1. Автор: 홍석훈,신유균,조현덕,현상진,유재윤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-01-03.

Method of gate dielectric formation using low temperature curing and method for manufacturing organic thin film transistor using the same

Номер патента: KR100943449B1. Автор: 오정훈,이재서,김삼동,문성운. Владелец: 동국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-02-22.

Organic field-effect transistors with polymeric gate dielectric and method for making same

Номер патента: EP1936712A1. Автор: Wolfgang Kalb,Mathis Thomas. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2008-06-25.

Oxide-nitride stack gate dielectric

Номер патента: US7371637B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sundar Narayanan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-13.

Improved manufacturing method for two-step post nitridation annealing of plasma nitrided gate dielectric

Номер патента: WO2007001709A3. Автор: Christopher S Olsen. Владелец: Christopher S Olsen. Дата публикации: 2007-11-29.

MOS transistors with improved gate dielectrics

Номер патента: EP0962986A2. Автор: Robert Bruce van Dover,Glenn B. Alers,Robert Mclemore Fleming,Lynn Frances Schneemeyer. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-12-08.

Method of forming a gate dielectric film in a semiconductor device

Номер патента: KR100358056B1. Автор: 김정호,이정엽,박대규,장세억,조흥재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

A method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: CN101099241A. Автор: S·达塔,M·梅茨,J·布拉斯克,S·裴,J·卡瓦利罗斯,M·多齐,R·乔,J·麦滋. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

ZrXHfYSn1-X-YO2 FILMS AS HIGH K GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20110121378A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Doped gate dielectric materials

Номер патента: EP3520144A4. Автор: Yu Cao,Rongming Chu,Zijian "Ray" LI. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2020-05-06.

Preparation method of high-k gate dielectric layer and silicon carbide MOS power device

Номер патента: CN108257855B. Автор: 田亮,郑柳,李永平,张文婷,夏经华,杨霏,查祎英,李嘉琳,焦倩倩. Владелец: Global Energy Interconnection Research Institute. Дата публикации: 2021-09-10.

Sealing spacer to reduce or eliminate lateral oxidation of a high-k gate dielectric

Номер патента: US20070262399A1. Автор: Gilbert Dewey,Suman Datta,Jack Kavalieros,Justin Sandford,Nancy Zelick. Владелец: Kavalieros Jack T. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device structure with gate dielectric layer and method for forming the same

Номер патента: US10868171B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Method for controlling defects in gate dielectrics

Номер патента: US7351626B2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay,James J. Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

ATOMIC LAYER DEPOSITION OF CeO2/Al2O3 FILMS AS GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20080248618A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Ultrathin high-K gate dielectric with favorable interface properties for improved semiconductor device performance

Номер патента: US6911707B2. Автор: H. Jim Fulford, Jr.,Mark I. Gardner,Dim-Lee Kwong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-06-28.

A method for fabricating semiconductor device having multi gate dielectric

Номер патента: KR100358123B1. Автор: 오종혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Atomic layer deposition of CeO2/Al2O3 films as gate dielectrics

Номер патента: US7374964B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-20.

MOS transistor with high k gate dielectric

Номер патента: US20040135218A1. Автор: Zhizhang Chen,Hung Liao. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-07-15.

Gate dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: US20060226500A1. Автор: Po-Lun Cheng,Li-Wei Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Silicon oxynitride gate dielectric formation using multiple annealing steps

Номер патента: TW200802608A. Автор: Christopher S Olsen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

Atomic layer deposition of CeO2/Al2O3 films as gate dielectrics

Номер патента: US20060177975A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Fabrication method for transistor with composite gate dielectric GaN-based insulating gate and high electron mobility

Номер патента: CN106373884A. Автор: 侯斌,马晓华,郝跃,杨凌,祝杰杰. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-02-01.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: US7179750B2. Автор: Young-wug Kim,Hee-Sung Kang,Kyung-Soo Kim,Chang-Bong Oh,Hyuk-ju Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-20.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20060051882A1. Автор: Gilbert Dewey,Mark Doczy,Justin Brask,Markus Kuhn,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Adrian Sherrill,Matthew Metz,Sangwoo Pae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Preparation of stack high-K gate dielectrics with nitrided layer

Номер патента: US6790755B2. Автор: Joong Jeon. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-09-14.

Field Effect Transistor With Etched-Back Gate Dielectric

Номер патента: US20060189083A1. Автор: Vijay Narayanan,Katherine Saenger,Rajarao Jammy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure

Номер патента: CN103137476A. Автор: L·刘,J·P·爱德华兹,J·拉姆德尼. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-06-05.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US20050032318A1. Автор: Mark Doczy,Reza Arghavani,Robert Chau. Владелец: Robert Chau. Дата публикации: 2005-02-10.

Gate dielectric with self forming diffusion barrier

Номер патента: US6287897B1. Автор: Kai Chen,Evgeni Gousev,Asit Kumar Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Novel gate dielectric

Номер патента: CA2360312A1. Автор: Dolf Landheer,James A. Gupta. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2002-04-30.

DMOS transistor including a gate dielectric having a non-uniform thickness

Номер патента: US9818831B2. Автор: Gordon M. Grivna,Gary H. Loechelt. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2017-11-14.

Highly reliable amorphous high-k gate dielectric ZrOXNY

Номер патента: US6767795B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-07-27.

Tunnel field-effect transistor with asymmetric channel and gate dielectric layer and fabrication method thereof

Номер патента: KR101792615B1. Автор: 김장현,이준일,박병국,권대웅. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-11-02.

Nitrogen profile engineering in high-k nitridation of a gate dielectric layer

Номер патента: WO2007024493A1. Автор: Yi Ma,Shankar Muthukrishnan,Rahul Sharangpani,Tejal Goyani,Pravin K. Narwankar,Shreyas S. Kher,Giuseppina R. Conti. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: US6689675B1. Автор: YING Zhou,Markus Kuhn,Christopher G. Parker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

System and method for forming a gate dielectric

Номер патента: US20030232506A1. Автор: Shreyas Kher,Craig Metzner,Shixue Han. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for improving nitrogen profile in plasma nitrided gate dielectric layers

Номер патента: CN100380595C. Автор: 克里斯托弗·S·奥尔森. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for manufacturing composite gate dielectric GaN-based insulated gate high electron mobility transistor

Номер патента: CN106373884B. Автор: 侯斌,马晓华,郝跃,杨凌,祝杰杰. Владелец: Xian University of Electronic Science and Technology. Дата публикации: 2019-12-24.

Methods of forming ultra-thin buffer oxide layers for gate dielectrics

Номер патента: US6458717B1. Автор: Xia Li,James Yong Meng Lee,Yunqzang Zhang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Non-uniform gate/dielectric field effect transistor

Номер патента: US6744101B2. Автор: WEI Long,Yowjuang William Liu,Don Wollesen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-06-01.

Low-temperature grown high-quality ultra-thin praseodymium gate dielectrics

Номер патента: US6900122B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-31.

High-quality praseodymium gate dielectrics

Номер патента: US6979855B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-27.

Gate dielectric layer, the manufacturing method of field-effect tube and field-effect tube device

Номер патента: CN110233095A. Автор: 许所昌. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-13.

A kind of preparation method of gate dielectric layer

Номер патента: CN105161525B. Автор: 张红伟,李润领,温振平. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Mos transistors with improved gate dielectrics

Номер патента: KR19990088522A. Автор: 앨러스글렌비,플레밍로버트맥레모어,샤크니메예르린프란시스,반도버로버브루스. Владелец: 루센트 테크놀러지스 인크. Дата публикации: 1999-12-27.

A method to improve nitrogen profile in plasma nitrided gate dielectric layers

Номер патента: JP2005530344A. Автор: クリストファー， エス． オルセン，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-10-06.

High temperature interface layer growth for high-k gate dielectric

Номер патента: US6852645B2. Автор: Luigi Colombo,Antonio L. P. Rotondaro,Mark R. Visokay,James J. Chambers. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

Novel gate dielectric

Номер патента: US20020050608A1. Автор: Dolf Landheer,James Gupta. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2002-05-02.

Transistor device with variously conformal gate dielectric layers

Номер патента: US11616130B2. Автор: Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Ian Young,Matthew Metz,Ashish Verma Penumatcha,Uygar Avci,Devin Merrill,Owen LOH. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Stabilisation of gate dielectric layer - in metal oxide semiconductor devices to reduce fixed oxide charge in layer

Номер патента: FR2290757A1. Автор: Martin Revitz,Stanley I Raider,Robert A Goula. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-06-04.

Binary non-crystalline oxide analogs of silicon dioxide for use in gate dielectrics

Номер патента: US6552403B1. Автор: Gerald Lucovsky. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2003-04-22.

Method for forming gate dielectric layers

Номер патента: CN100477167C. Автор: 尹哲镇. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Semiconductor device with a step gate dielectric structure

Номер патента: US9362372B2. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hsien Song,Sue-Yi Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for mfg. gate dielectric layer

Номер патента: CN1402307A. Автор: 刘传玺,黄国泰,林秀珊,林于尹,潘同明. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-03-12.

Method of making floating gate non-volatile memory cell with low erasing voltage having double layer gate dielectric

Номер патента: US6841445B2. Автор: Paolo Cappelletti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2005-01-11.

Low-temperature grown high quality ultra-thin CoTiO3 gate dielectrics

Номер патента: US8178413B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-15.

Nonvolatile memory device having a memory-transistor gate-electrode provided with a charge-trapping gate-dielectric layer and two sidewall select-transistor gate-electrodes

Номер патента: US11315942B2. Автор: Hua Shao,Naoki Tsuji,Xiaoliang Tang,Guanglong Chen. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Gate dielectrics and method of making with binary non-crystaline analogs of silicon dioxide

Номер патента: WO2001033619A1. Автор: Gerald Lucovsky. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2001-05-10.

Memory device having control gate dielectric structure with different dielectric materials

Номер патента: US20230397406A1. Автор: Soichi Sugiura,Jaydip Guha,Richard Beeler,Sau Ha Cheung,Anthony J. Kanago. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Improved method for simultaneously fabricating ONO-type memory cell and gate dielectrics for associated high voltage write transistors and gate dielectrics for low voltage logics transistors by using ISSG

Номер патента: TW200605333A. Автор: Zhong Dong,Chia-Shun Hsiao,Chuck Jang,Ching-Hwa Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Improved method for simultaneously fabricating ono-type memory cell and gate dielectrics for associated high voltage write transistors and gate dielectrics for low voltage logics transistors by using issg

Номер патента: TWI302379B. Автор: Zhong Dong,Chuck Jang,Ching Hwa Chen,Chia Shun Hsiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-10-21.

Multi-thickness gate dielectric

Номер патента: US20200105807A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Qin Wang,Cunyu Yang,Sing-Chung Hu,Yuanwei Zheng,Eric Webster,Lindsay Grant,Dyson Tai,Guannan Chen. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Single photon avalanche diode for cmos circuits

Номер патента: EP2614531A2. Автор: Robert Kerr Henderson,Eric Alexander Garner Webster. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2013-07-17.

PHOTODIODE GATE DIELECTRIC PROTECTION LAYER

Номер патента: US20160020243A1. Автор: Hsu Wen-I,Tu Yeur-Luen,Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,LAI Chih-Yu,Chou Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

PHOTODIODE GATE DIELECTRIC PROTECTION LAYER

Номер патента: US20150028402A1. Автор: Hsu Wen-I,Tu Yeur-Luen,Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,LAI Chih-Yu,Chou Cheng-Hsien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-01-29.

Gate dielectric repair on three-node access device formation for vertical three-dimensional (3d) memory

Номер патента: US20220068933A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills,Armin Saeedi Vahdat,Si-Woo Lee,John A. Smythe Iii. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

PHOTODIODE GATE DIELECTRIC PROTECTION LAYER

Номер патента: US20180061877A1. Автор: Hsu Wen-I,Tu Yeur-Luen,Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,LAI Chih-Yu,Chou Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

ULTRA-SCALED FIN PITCH PROCESSES HAVING DUAL GATE DIELECTRICS AND THE RESULTING STRUCTURES

Номер патента: US20200066897A1. Автор: Jan Chia-Hong,Park Joodong,Hafez Walid M.,OLAC-VAW Roman W.,LEE CHEN-GUAN,Cassidy-Comfort Everett S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

MULTI-THICKNESS GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20200105807A1. Автор: Chen Gang,Mao Duli,Hu Sing-Chung,Wang Qin,Webster Eric,Grant Lindsay,Chen Guannan,Zheng Yuanwei,Tai Dyson,Yang Cunyu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

PHOTOTDIODE GATE DIELECTRIC PROTECTION LAYER

Номер патента: US20190115382A1. Автор: Hsu Wen-I,Tu Yeur-Luen,Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,LAI Chih-Yu,Chou Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

MULTI-PLASMA NITRIDATION PROCESS FOR A GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20150187901A1. Автор: Chudzik Michael P.,Siddiqui Shahab,Linder Barry P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

PHOTODIODE GATE DIELECTRIC PROTECTION LAYER

Номер патента: US20160276384A1. Автор: Hsu Wen-I,Tu Yeur-Luen,Lu Jiech-Fun,Tsao Tsun-Kai,LAI Chih-Yu,Chou Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Methods for making electronic devices with a solution deposited gate dielectric

Номер патента: US7879688B2. Автор: Brian K. Nelson,James C. Novack,Dennis E. Vogel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2011-02-01.

Photodiode gate dielectric protection layer

Номер патента: CN104347645A. Автор: 杜友伦,卢玠甫,许文义,周正贤,曹淳凯,赖志育. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Photo-patternable gate dielectrics for ofet

Номер патента: US20180019419A1. Автор: Timothy Edward Myers,Robert Alan Bellman,David Neal Schissel,Mingqian He,Weijun Niu,Arthur Lawrence Wallace,Kristi Lynn SIMONTON. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

PHOTO-PATTERNABLE GATE DIELECTRICS FOR OFET

Номер патента: US20190115548A1. Автор: He Mingqian,Niu Weijun,Myers Timothy Edward,Bellman Robert Alan,Simonton Kristi Lynn,Schissel David Neal,Wallace Arthur Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

PHOTO-PATTERNABLE GATE DIELECTRICS FOR OFET

Номер патента: US20160268525A1. Автор: He Mingqian,Niu Weijun,Myers Timothy Edward,Bellman Robert Alan,Simonton Kristi Lynn,Schissel David Neal,Wallace Arthur Lawrence. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PATTERNED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20150102403A1. Автор: KURUC Marian,VAVRO Juraj. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device having a patterned gate dielectric

Номер патента: US9385202B2. Автор: Marian Kuruc,Juraj Vavro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of forming a semiconductor device having a patterned gate dielectric and structure therefor

Номер патента: US8946002B2. Автор: Marian Kuruc,Juraj Vavro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-02-03.

Manufacturing process of a vertical-conduction misfet device with gate dielectric structure having differentiated thickness and vertical-conduction misfet device thus manufacture

Номер патента: US20100167481A1. Автор: Giuseppe Arena,Angelo Magri',Domenico Repici,Orazio Battiato,Fabrizio Marco Di Paola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Quantum dot devices with patterned gates

Номер патента: US20190140073A1. Автор: Ravi Pillarisetty,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method

Номер патента: US20190237588A1. Автор: Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS,Ikhoon SHIN,Scott M. DONALDSON. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Compact EEPROM memory cell with a gate dielectric layer having two different thicknesses

Номер патента: US12052861B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-07-30.

IN SITU GROWN GATE DIELECTRIC AND FIELD PLATE DIELECTRIC

Номер патента: US20130330888A1. Автор: Liu LinLin,EDWARDS John P.. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

BIOSENSOR HAVING A SENSING GATE DIELECTRIC AND A BACK GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20190107506A1. Автор: Cheng Kangguo. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Transistor for non volatile memory devices having a carbon nanotube channel and electrically floating quantum dots in its gate dielectric

Номер патента: US20070114593A1. Автор: Justin Brask,Brian Doyle,Suman Datta,Marko Radosavljevic,Robert Chau,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Non-volatile memory device having an asymmetrical gate dielectric layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050205923A1. Автор: Sanghun Jeon,Jeong Han,Soodoo Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-22.

Memory device with high dielectric constant gate dielectrics and metal floating gates

Номер патента: US7550339B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-23.

Gate dielectric materials for group iii-v enhancement mode transistors

Номер патента: WO2008005378A2. Автор: Suman Datta,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Cmos circuit arrangement

Номер патента: US20070085567A1. Автор: Ralf Brederlow,Christian Pacha,Klaus Von Arnim,Jörg Berthold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

A kind of indium aluminium zinc oxide film transistor based on high dielectric constant gate dielectric layer and its full room temperature preparation method

Номер патента: CN110299415A. Автор: 冯先进,徐伟东. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of measuring stress dielectric leakage current using corona discharge and method of measuring gate dielectric integrity

Номер патента: JP2004500707A. Автор: ラゴウスキー、ヤツェク,ウィルソン、マーシャル,サフチョク、アレクサンダー. Владелец: Semiconductor Diagnostics Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Memory device with high dielectric constant gate dielectrics and metal floating gates

Номер патента: US7102191B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-05.

Compact eeprom memory cell with a gate dielectric layer having two different thicknesses

Номер патента: US20230301076A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-09-21.

INTEGRATION TECHNIQUE USING THERMAL OXIDE SELECT GATE DIELECTRIC FOR SELECT GATE AND REPLACEMENT GATE FOR LOGIC

Номер патента: US20130217197A1. Автор: Baker,Shroff Mehul D.,HALL MARK D.,JR. Frank K.. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2013-08-22.

ENHANCED GATE DIELECTRIC FOR A FIELD EFFECT DEVICE WITH A TRENCHED GATE

Номер патента: US20150021623A1. Автор: Palmour John Williams,Cheng Lin,Agarwal Anant Kumar,Lichtenwalner Daniel Jenner. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

MULTIPLE THICKNESS GATE DIELECTRICS FOR REPLACEMENT GATE FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20160027893A1. Автор: Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Siddiqui Shahab,Ramachandran Ravikumar,Polvino Sean M.,Lai Wing L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Organic-Inorganic Hybrid Multilayer Gate Dielectrics for Thin-Film Transistors

Номер патента: US20160035855A1. Автор: Marks Tobin J.,Facchetti Antonio,Ha Young-geun. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

GATE STACK OF BORON SEMICONDUCTOR ALLOY, POLYSILICON AND HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140264638A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

GATE STACK OF BORON SEMICONDUCTOR ALLOY, POLYSILICON AND HIGH-K GATE DIELECTRIC FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20140264639A1. Автор: Lauer Isaac,Frank Martin M.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

NON-UNIFORM GATE DIELECTRIC FOR U-SHAPE MOSFET

Номер патента: US20190198640A1. Автор: Kerber Pranita,Leobandung Effendi,Oldiges Philip J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

NON-UNIFORM GATE DIELECTRIC FOR U-SHAPE MOSFET

Номер патента: US20160247888A1. Автор: Kerber Pranita,Leobandung Effendi,Oldiges Philip J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

NON-UNIFORM GATE DIELECTRIC FOR U-SHAPE MOSFET

Номер патента: US20170250263A1. Автор: Kerber Pranita,Leobandung Effendi,Oldiges Philip J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Polymeric gate dielectrics for thin film transistors

Номер патента: KR20070122203A. Автор: 지하오 양,다이앤 캐롤 프리맨,에이미 엘리자베스 자섹,쉘비 포레스터 넬슨. Владелец: 이스트맨 코닥 캄파니. Дата публикации: 2007-12-28.

Polymeric gate dielectrics for thin film transistors

Номер патента: WO2006104665A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Zhihao Yang,Amy Elizabeth Jasek,Shelby Forrester Nelson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2006-10-05.

Gate dielectric for a thin film field effect transistor

Номер патента: EP0408653A4. Автор: Anthony W. Catalano,Ralph C. Kerns. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1991-10-16.

Gate dielectric for thin film oxide transistors

Номер патента: EP4152410A1. Автор: Christopher CONNOR,Shailesh Kumar Madisetti,James O`Donnell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Sic-based electronic device with improved gate dielectric and manufacturing method thereof, diode

Номер патента: US20240079455A1. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Fabrizio Roccaforte,Patrick FIORENZA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-07.

Graphene or carbon nanotube devices with localized bottom gates and gate dielectric

Номер патента: GB201322674D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Field effect transistors having ferroelectric or antiferroelectric gate dielectric structure

Номер патента: EP3688815A4. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Seiyon Kim,Joshua M. HOWARD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

V-shaped groove mos structure with hafnium oxide material as gate dielectric layer and preparation method thereof

Номер патента: ZA202301192B. Автор: Jingbo Li,Xiaozhou Wang,Jianpeng Lei. Владелец: Zhejiang Xinke Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Ferroelectric gate dielectric with scaled interfacial layer for steep sub-threshold slope field-effect transistor

Номер патента: US09793397B1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional architecture for integration of cmos circuits and nano-material in hybrid digital circuits

Номер патента: US20100133587A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2010-06-03.

NON-UNIFORM GATE DIELECTRIC CHARGE FOR PIXEL SENSOR CELLS AND METHODS OF MANUFACTURING

Номер патента: US20130119447A1. Автор: Bryant Andres,Nowak Edward J.,Clark,ANDERSON Brent A.,JR. WILLIAM F.,Ellis-Monaghan John J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

INTEGRATED CIRCUITS WITH REDUCED VOLTAGE ACROSS GATE DIELECTRIC AND OPERATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20130162332A1. Автор: CHEN Chung-Hui. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. Дата публикации: 2013-06-27.

MOS TRANSISTORS INCLUDING SiON GATE DIELECTRIC WITH ENHANCED NITROGEN CONCENTRATION AT ITS SIDEWALLS

Номер патента: US20130221451A1. Автор: KIRKPATRICK BRIAN K.,CHAMBERS James Joseph. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SION GATE DIELECTRIC WITH PORTIONS HAVING DIFFERENT NITROGEN CONCENTRATIONS

Номер патента: US20130228879A1. Автор: CHAMBERS James Joseph,NIIMI Hiroaki,KIRKPATRICK Brian Keith. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DUAL GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20130244414A1. Автор: Yoon Boun,JEON Hayoung,Han Jeongnam,SONG Myung Geun,Ko Ki-Hyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

POWER SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE WITH CHARGE TRAPPING MATERIAL IN THE GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20130256747A1. Автор: Sin Johnny Kin On,Zhou Xianda. Владелец: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-10-03.

Enhancement Mode III-Nitride Transistors with Single Gate Dielectric Structure

Номер патента: US20130292694A1. Автор: Briere Michael A.. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

MULTI-LAYER GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140042560A1. Автор: Bai Gang. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

Heterostructure Transistor with Multiple Gate Dielectric Layers

Номер патента: US20140077266A1. Автор: Ramdani Jamal,MURPHY MICHAEL,Liu LinLin. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2014-03-20.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING MULTILAYER GATE DIELECTRIC LAYERS THAT INCLUDE AN ETCH STOP/FIELD CONTROL LAYER AND METHODS OF FORMING SUCH DEVICES

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Lichtenwalner Daniel Jenner. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-13.

Lattice matched and strain compensated single-crystal compound for gate dielectric

Номер патента: US20180006131A1. Автор: Martin M. Frank,Guy M. Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR USING BURIED INSULATING LAYER AS GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20190019876A1. Автор: Smith Elliot John,Chan Nigel. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

TRANSISTOR WITH BONDED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20150041826A1. Автор: Khakifirooz Ali,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-12.

GaN Misfets with Hybrid AI203 As Gate Dielectric

Номер патента: US20150060861A1. Автор: Wong King-Yuen,Tsai Chia-Shiung,TSAI Cheng-Yuan,Chen Xiaomeng,Chiu Han-Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-03-05.

GROUP III-NITRIDE-BASED TRANSISTOR WITH GATE DIELECTRIC INCLUDING A FLUORIDE - OR CHLORIDE- BASED COMPOUND

Номер патента: US20140145243A1. Автор: III Edward A.,Saunier Paul,Beam. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE CONFIGURED FOR GATE DIELECTRIC MONITORING

Номер патента: US20210072304A1. Автор: Coyne Edward John,Heffernan Colm Patrick,Forde Mark,Meskell John P.,Geary Shane. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Extended Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20160079368A1. Автор: Lin Shiuan-Jeng,Cheng Shyh-Wei,Chu Che-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Trench Fet Having Merged Gate Dielectric

Номер патента: US20140167153A1. Автор: Ma Ling. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

Ferroelectric gate dielectric with scaled interfacial layer for steep sub-threshold slope field-effect transistor

Номер патента: US20180090591A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

FIELD EFFECT DEVICE WITH ENHANCED GATE DIELECTRIC STRUCTURE

Номер патента: US20150097226A1. Автор: Palmour John Williams,Cheng Lin,Agarwal Anant Kumar,Pala Vipindas,Lichtenwalner Daniel Jenner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20140175569A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

NON-LINEAR GATE DIELECTRIC MATERIAL FOR THIN-FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20200091274A1. Автор: Ghani Tahir,Kavalieros Jack T.,Chu-Kung Benjamin,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Doyle Brian,Majhi Prashant,Le Van H.,Sharma Abhishek,KARPOV Elijah. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20210104544A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

MEMORY STACKS HAVING SILICON NITRIDE GATE-TO-GATE DIELECTRIC LAYERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210104545A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Natural Uranium Oxide Gate Dielectric

Номер патента: US20200105899A1. Автор: Harvin Helen Krysta. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

METHOD OF FORMING GATE DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140203337A1. Автор: Jeon Bong-Seok,JI Yun-Hyuck,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR WITH SHORTENED GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20170125583A1. Автор: Yu Kun-Huang,Hsiao Shih-Yin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD OF FABRICATING A GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150140765A1. Автор: Lee Da-Yuan,Hsu Kuang-Yuan,LEE Wei-Yang,YU Xiong-Fei. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

GATE-CONTROLLED P-I-N SWITCH WITH A CHARGE TRAPPING MATERIAL IN THE GATE DIELECTRIC AND A SELF-DEPLETED CHANNEL

Номер патента: US20150155375A1. Автор: Sin Johnny Kin On,Zhou Xianda. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

ANTI-FUSE CELL STRUCTURE INCLUDING READING AND PROGRAMMING DEVICES WITH DIFFERENT GATE DIELECTRIC THICKNESS

Номер патента: US20170154686A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Wu Shien-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Extended Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20140252499A1. Автор: Lin Shiuan-Jeng,Cheng Shyh-Wei,Chu Che-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

LDMOS Transistor with Segmented Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20190165168A1. Автор: CHUANG Ming-Yeh,Pendharkar Sameer. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

LDMOS Transistor with Segmented Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20180175191A1. Автор: CHUANG Ming-Yeh,Pendharkar Sameer. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US20160190021A1. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor Device Including a Transistor with a Gate Dielectric Having a Variable Thickness

Номер патента: US20160190256A1. Автор: Hirler Franz,Vielemeyer Martin,Poelzl Martin,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

SILICON CARBIDE (SiC) DEVICE WITH IMPROVED GATE DIELECTRIC SHIELDING

Номер патента: US20160190300A1. Автор: Domeij Martin. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor Device having Group III-V Material Active Region and Graded Gate Dielectric

Номер патента: US20160197173A1. Автор: Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Metz Matthew V.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-07.

MOS TRANSISTOR OPERATED AS OTP CELL WITH GATE DIELECTRIC OPERATING AS AN E-FUSE ELEMENT

Номер патента: US20150200251A1. Автор: Liu Yanxiang,Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Kun-Yu,YAO Liang-Gi,OKUNO Yasutoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION AND GRADED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20170194469A1. Автор: Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Metz Matthew V.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

UV CROSSLINKING OF PVDF-BASED POLYMERS FOR GATE DIELECTRIC INSULATORS OF ORGANIC THIN-FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20210226142A1. Автор: LI YANG,Li Xin,He Mingqian,Wang Hongxiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

MULTI-GATE VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH CHANNEL STRIPS LATERALLY CONFINED BY GATE DIELECTRIC LAYERS, AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180197988A1. Автор: Kumar Tanmay,Ratnam Perumal,Petti Christopher,Bandyopadhyay Abhijit,Zhou Guangle,Saenz Juan. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

METHODS TO UTILIZE PIEZOELECTRIC MATERIALS AS GATE DIELECTRIC IN HIGH FREQUENCY RBTs IN AN IC DEVICE

Номер патента: US20170222126A1. Автор: KRIVOKAPIC Zoran,BAHR BICHOY. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

NANOSHEET TRANSISTORS HAVING THIN AND THICK GATE DIELECTRIC MATERIAL

Номер патента: US20180233572A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method

Номер патента: US20190237588A1. Автор: Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS,Ikhoon SHIN,Scott M. DONALDSON. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

HIGH VOLTAGE FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH LATERALLY EXTENDED GATE DIELECTRIC AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180248013A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,Zhang Yanli,Lin Andrew,Chowdhury Murshed. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Dummy Structure for Multiple Gate Dielectric Interface and Methods

Номер патента: US20140342541A1. Автор: Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,Shiau Gwo-Yuh,Liou Huei-Ru. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

SEMICONDUCTOR POWER DEVICES HAVING GATE DIELECTRIC LAYERS WITH IMPROVED BREAKDOWN CHARACTERISTICS AND METHODS OF FORMING SUCH DEVICES

Номер патента: US20210336021A1. Автор: Hull Brett,Lichtenwalner Daniel Jenner,Van Brunt Edward Robert,Sabri Shadi,McCain Matt N.. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

SILICON CARBIDE (SiC) DEVICE WITH IMPROVED GATE DIELECTRIC SHIELDING

Номер патента: US20170288048A1. Автор: Martin Domeij. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Anti-Fuse Cell Structure Including Reading and Programming Devices with Different Gate Dielectric Thickness

Номер патента: US20170316835A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Wu Shien-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

MEMORY STACKS HAVING SILICON OXYNITRIDE GATE-TO-GATE DIELECTRIC LAYERS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Memory stacks having silicon nitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312868A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

FET Based Humidity Sensor with Barrier Layer Protecting Gate Dielectric

Номер патента: US20170328855A1. Автор: Brezeanu Mihai,Costea Stefan Dan,Serban Bogdan,STRATULAT Alisa,BUIU Octavian,Davis Richard,BOSTAN Cazimir Gabriel,Cobianu Cornel. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

FINE-GRAINED ANALOG MEMORY DEVICE BASED ON CHARGE-TRAPPING IN HIGH-K GATE DIELECTRICS OF TRANSISTORS

Номер патента: US20170329575A1. Автор: Iyer Subramanian S.,Gu Xuefeng. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2017-11-16.

FIELD EFFECT TRANSISTORS HAVING FERROELECTRIC OR ANTIFERROELECTRIC GATE DIELECTRIC STRUCTURE

Номер патента: US20200321446A1. Автор: Kim Seiyon,Morris Daniel H.,Avci Uygar E.,Young Ian A.,HOWARD Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

TRENCH SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SHAPED GATE DIELECTRIC AND GATE ELECTRODE STRUCTURES AND METHOD

Номер патента: US20190326447A1. Автор: MUDHOLKAR Mihir,QUDDUS Mohammed T.,SHIN Ikhoon,DONALDSON Scott M.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

COMPACT EEPROM MEMORY CELL WITH A GATE DIELECTRIC LAYER HAVING TWO DIFFERENT THICKNESSES

Номер патента: US20200343254A1. Автор: Tailliet François. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GROUP III-V MATERIAL ACTIVE REGION AND GRADED GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20180374940A1. Автор: Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Metz Matthew V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Fabrication Of Corrugated Gate Dielectric Structures Using Atomic Layer Etching

Номер патента: US20200381641A1. Автор: Whiting Gregory L.,Visvanathan Rayshan,Torres Sanchez Diana. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

COCKTAIL LAYER OVER GATE DIELECTRIC LAYER OF FET FERAM

Номер патента: US20220359544A1. Автор: CHEN Hai-Ching,LIN Chung-Te,Huang Rainer Yen-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-10.

Electronic devices having a solution deposited gate dielectric

Номер патента: US20090001356A1. Автор: Brian K. Nelson,James C. Novack,Dennis E. Vogel. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2009-01-01.

Enhanced GaN-based MIS-HEMT with asymmetric gate dielectric layer and preparation method thereof

Номер патента: CN112635545B. Автор: 郭志友,孙慧卿,李渊,夏凡,张淼,夏晓宇,谭秀洋,马建铖,黄志辉,王鹏霖,丁霄. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-31.

Method for realizing low-on-resistance enhanced gallium nitride transistor by using gate dielectric

Номер патента: CN110581068A. Автор: 王洋,刘雯,赵策洲,蔡宇韬. Владелец: Xian Jiaotong Liverpool University. Дата публикации: 2019-12-17.

Accelerated thermal crosslinking of PVDF-HFP through the addition of organic base and use of crosslinked PVDF-HFP as gate dielectric material for OTFT devices

Номер патента: KR20200038272A. Автор: 양 리,밍치앤 히,카렌 메로트라,홍씨앙 왕. Владелец: 코닝 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-04-10.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH MULTIPLE GATE DIELECTRICS AND DUAL WORK-FUNCTIONS WITH PRECISELY CONTROLLED GATE LENGTHS

Номер патента: US20230008763A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

NROM memory device with a high-permittivity gate dielectric formed by the low temperature oxidation of metals

Номер патента: US7256452B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-08-14.

Recessed gate dielectric antifuse

Номер патента: US20060263946A1. Автор: Dwayne Kreipl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Enhancement mode III-nitride transistors with single gate dielectric structure

Номер патента: EP2360728A2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-08-24.

Based on MoO3/Al2O3The zero grid source spacing diamond field effect transistor and production method of double layer gate dielectric

Номер патента: CN107919394A. Автор: 郝跃,张进成,张金风,任泽阳,徐佳敏,陈万娇. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-04-17.

Step gate dielectric layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113506829A. Автор: 刘�英,陈骞,丁文华,史瑞,习毓,单长玲. Владелец: Xi'an Weiguang Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-15.

A method for measuring stress induced leakage current and gate dielectric integrity using corona discharge

Номер патента: EP1145283A3. Автор: Jacek Lagowski,Alexander Savtchouk,Marshall Wilson. Владелец: Semiconductor Diagnostics Inc. Дата публикации: 2002-02-06.

Fabrication of fully depleted field effect transistor with high-K gate dielectric in SOI technology

Номер патента: US6395589B1. Автор: Bin Yu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-28.

Laminated gate enhanced GaN high electron mobility transistor containing ferroelectric gate dielectric and preparation method

Номер патента: CN107369704B. Автор: 马晓华,杨凌,祝杰杰,陈丽香,刘捷龙. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-01-01.

Storage stack with silicon nitride gate to gate dielectric layer and method of forming the same

Номер патента: CN110114880B. Автор: 肖莉红. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-30.

Method for testing trap density and position of gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: CN102353882B. Автор: 黄如,樊捷闻,王润声,王阳元,邹积彬,刘长泽. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-19.

Structure and fabrication of high transconductance MOS field effect transistor using a buffer layer/ferroelectric/buffer layer stack as the gate dielectric

Номер патента: EP0540993A1. Автор: George Argos, Jr.,Thottam S. Kalkur. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1993-05-12.

Heterostructure transistor with multiple gate dielectric layers

Номер патента: TWI525814B. Автор: 佳莫 瑞丹尼,麥克 墨菲,劉玲玲. Владелец: 電源整合公司. Дата публикации: 2016-03-11.

Semiconductor device having multi-thickness gate dielectric

Номер патента: CN102194873A. Автор: 周学良,段孝勤,柳瑞兴,姚智文. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-21.

Pmma gate dielectric based patterned bottom-gate bottom contact type organic thin film transistor

Номер патента: WO2023223337A1. Автор: Soumya Dutta,Anuj RAJPOOT. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-11-23.

Process Skew Resilient Digital CMOS Circuit

Номер патента: US20160161979A1. Автор: Tobias Gemmeke. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2016-06-09.

Mems device with integrated cmos circuit

Номер патента: EP4208346A1. Автор: Gregory John McAvoy. Владелец: 3c Project Management Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Charge pump cmos circuit

Номер патента: EP2156560A1. Автор: Johannes Gerber,Bernhard Wolfgang Ruck. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2010-02-24.

Charge pump cmos circuit

Номер патента: WO2008122632A1. Автор: Johannes Gerber,Bernhard Wolfgang Ruck. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2008-10-16.

Read-only-memory cell arrangement using vertical MOS transistors and gate dielectrics of different thicknesses and method for its production

Номер патента: US5973373A. Автор: Franz Hofmann,Wolfgang Krautschneider,Lothar Risch,Wolfgang Rosner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-10-26.

A boundary circuit for interfacing an adiabatic circuit with a cmos circuit

Номер патента: AU2021106257A4. Автор: Prasad Khandekar,Pooja Nahar,Shaila Subbaraman. Владелец: Subbaraman Shaila Dr. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device having CMOS circuit and bipolar circuit mixed

Номер патента: US5561388A. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-10-01.

Semiconductor device including cmos circuit and operation method thereof

Номер патента: US20190245532A1. Автор: Jae-Jin Lee,Sung Eun Kim,Kwang Il Oh,Kyuseung HAN,Tae Wook Kang,Sukho Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-08-08.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: AU2021339521A9. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Low power cryo-cmos circuits with non-volatile threshold voltage offset compensation

Номер патента: EP4211801A1. Автор: David J. Reilly. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-07-19.

Mems device with integrated cmos circuit

Номер патента: US20230312337A1. Автор: Gregory John McAvoy. Владелец: 3c Project Management Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Speed enhancement technique for cmos circuits

Номер патента: CA1320544C. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Method for routing printed conductors with additional dielectric for dual-redundancy circuits

Номер патента: RU2752232C2. Автор: Артём Викторович Медведев,Тальгат Рашитович Газизов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2021-07-23.

Voltage controlled oscillator (VCO) CMOS circuit

Номер патента: US5959504A. Автор: Hongmo Wang. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Tunable cmos circuit, template matching module, neural spike recording system, and fuzzy logic gate

Номер патента: WO2018215804A1. Автор: Alexantrou SERB,Themistoklis Prodromakis. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2018-11-29.

Tunable cmos circuit, template matching module, neural spike recording system, and fuzzy logic gate

Номер патента: EP3631801A1. Автор: Alexantrou SERB,Themistoklis Prodromakis. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2020-04-08.

Tunable cmos circuit, template matching module, neural spike recording system, and fuzzy logic gate

Номер патента: US20230259751A1. Автор: Alexantrou SERB,Themistoklis Prodromakis. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2023-08-17.

Tunable cmos circuit, template matching module, neural spike recording system, and fuzzy logic gate

Номер патента: US20210004669A1. Автор: Alexantrou SERB,Themistoklis Prodromakis. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2021-01-07.

Tunable CMOS circuit, template matching module, neural spike recording system, and fuzzy logic gate

Номер патента: US11966834B2. Автор: Alexantrou SERB,Themistoklis Prodromakis. Владелец: University of Edinburgh. Дата публикации: 2024-04-23.

A polyarylene ether polymer for use as a gate dielectric or passivation layer, and a use for a gate dielectric layer, a passivation layer, a thin film transistor, and a multilayer electronic device

Номер патента: KR100882996B1. Автор: 크리스틴 펙 크레츠,윌리엄 프랭클린 주니어. 버고인,토마스 존 마클레이. Владелец: 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드. Дата публикации: 2009-02-12.

Thin film transistors with poly(arylene ether) polymers as gate dielectrics and passivation layers

Номер патента: US7919825B2. Автор: William Franklin Burgoyne, Jr.,Christine Peck Kretz,Thomas John Markley. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2011-04-05.

Thin film transistors with poly(arylene ether) polymers as gate dielectrics and passivation layers

Номер патента: EP1863037A1. Автор: William Franklin Burgoyne, Jr.,Christine Peck Kretz,Thomas John Markley. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-12-05.

Method for non-contact stress evaluation of wafer gate dielectric reliability

Номер патента: US20020070675A1. Автор: Eduard Cartier,Wagdi Abadeer,James Stathis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Circuitry And Methodology To Establish Correlation Between Gate Dielectric Test Site Reliability and Product Gate Reliability

Номер патента: US20040145384A1. Автор: Kerry Bernstein,Edward Nowak,Jody Van Horn,Ernest Wu,Alvin Strong,Ronald Bolam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-29.

High-k gate dielectrics prepared by liquid phase anodic oxidation

Номер патента: US6887310B2. Автор: Jenn-Gwo Hwu,Szu-Wei Huang,Yen-Po Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2005-05-03.

Organic field-effect transistor with photo-patterned gate dielectric, its production and use in organic electronics

Номер патента: JP2004518305A. Автор: アードルフ　ベルンツ,ヴァルター　フィックス,ヘニング　ロスト. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-06-17.

Logic circuit including combined pass transistor and CMOS circuits and a method of synthesizing the logic circuit

Номер патента: US20020180486A1. Автор: Kazuo Yano,Shunzo Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

High-speed dynamic cmos circuit

Номер патента: WO1991003876A1. Автор: Marc P. Roy. Владелец: Northern Telecom Limited. Дата публикации: 1991-03-21.

Current-controlled CMOS circuits with inductive broadbanding

Номер патента: US20050258873A1. Автор: Michael Green. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-11-24.

Current-controlled cmos circuits with inductive broadbanding

Номер патента: EP1269630A2. Автор: Michael M. Green. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Current-controlled cmos circuits with inductive broadbanding

Номер патента: AU2001245332A1. Автор: Michael M. Green. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2001-09-03.

Current-controlled CMOS circuits with inductive broadbanding

Номер патента: US20080012600A1. Автор: Armond Hairapetian. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2008-01-17.

A cmos circuit with constant output swing and variable time delay for a voltage controlled oscillator

Номер патента: EP1384324A1. Автор: Barry Harvey,Xijian Lin,Alexander Fairgrieve. Владелец: Elantec Semiconductor LLC. Дата публикации: 2004-01-28.

Low-voltage CMOS circuits for analog decoders

Номер патента: US20070276895A9. Автор: Christian Schlegel,Chris Winstead. Владелец: University of Alberta. Дата публикации: 2007-11-29.

Current-controlled CMOS circuit using higher voltage supply in low voltage CMOS process

Номер патента: EP1394947A3. Автор: Ichiro Fujimori,Armond Hairapetian,Guangmin Yin. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Current-controlled CMOS circuits with inductive broadbanding

Номер патента: US20020017921A1. Автор: Michael Green. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

CMOS Circuit for converting a ternary signal into two binary signals, and use of this CMOS circuit

Номер патента: US4302690A. Автор: Joachim Grosse,Wolfgang Gollinger,Arnold Uhlenhoff. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1981-11-24.

Low-power-dissipation cmos circuits

Номер патента: CA2146274C. Автор: Thaddeus John Gabara. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Adaptive body biasing in CMOS circuits to extend the input common mode operating range

Номер патента: US10418989B2. Автор: John Tabler,Vinit Jayaraj,Pekka Ojala. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Adaptive body biasing in cmos circuits to extend the input common mode operating range

Номер патента: US20180287604A1. Автор: John Tabler,Vinit Jayaraj,Pekka Ojala. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Adaptive Body Biasing In CMOS Circuits To Extend The Input Common Mode Operating Range

Номер патента: US20190052261A1. Автор: John Tabler,Vinit Jayaraj,Pekka Ojala. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

TFT gate dielectric with crosslinked polymer

Номер патента: US20060231829A1. Автор: Ping Liu,Yiliang Wu,Beng Ong. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Gate dielectric structures, organic semiconductors, thin film transistors and related methods

Номер патента: WO2008105816A2. Автор: Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Myung-Han Yoon. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2008-09-04.

Gate dielectric repair for three node access device formation for vertical 3D memory

Номер патента: CN114203639A. Автор: S·E·西里斯,李时雨,G·S·桑胡,J·A·斯迈思三世,A·赛伊迪·瓦赫达. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-18.

Pattern gate construction

Номер патента: US2061798A. Автор: Raoul J Hebert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1936-11-24.

Power Management for Buses in Cmos Circuits

Номер патента: US20080256377A1. Автор: Tim Pontius,Neal Wingen,Swati Saxena,Niranjan Ap. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-16.

Power management for buses in cmos circuits

Номер патента: WO2007031937A3. Автор: Tim Pontius,Neal Wingen,Swati Saxena,Niranjan Ap. Владелец: Niranjan Ap. Дата публикации: 2007-10-11.

Power management for buses in cmos circuits

Номер патента: WO2007031937A2. Автор: Tim Pontius,Neal Wingen,Swati Saxena,Niranjan Ap. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-03-22.

SOURCE REAGENT COMPOSITION FOR CVD FORMATION OF Zr/Hf DOPED GATE DIELECTRIC AND HIGH DIELECTRIC CONSTANT METAL OXIDE THIN FILMS AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: EP1392462A2. Автор: Witold Paw,Thomas H Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu,Jeffrey F Roeder,Brian C Hendrix. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2004-03-03.

Physics-based reliability model for large-scale cmos circuit design

Номер патента: US20140165017A1. Автор: Hugh James Barnaby,Ivan Sanchez Esqueda. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2014-06-12.

Circuit for discriminating stray pulses at the input of CMOS circuits

Номер патента: FR2642528A1. Автор: Pascal Balmey. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1990-08-03.

MULTI-LAYER HIGH QUALITY GATE DIELECTRIC FOR LOW-TEMPERATURE POLY-SILICON TFTs

Номер патента: WO2006073568A2. Автор: John White. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2006-07-13.

CMOS circuit composed of CMOS circuit blocks arranged in bit-parallel data paths

Номер патента: US6128356A. Автор: Mike Vogel,Ulrich Kleine. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-10-03.

Arrangement for transient-current testing of a digital electronic CMOS circuit

Номер патента: US6414511B1. Автор: Cornelis M. Hart,Petrus J. M. Janssen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-07-02.

METHOD FOR TESTING DENSITY AND LOCATION OF GATE DIELECTRIC LAYER TRAP OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130214810A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR EXTRACTING TRAP TIME CONSTANT OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Huang Ru,Wang Runsheng,Zhang Xing,Jiang Xiaobo,GUO Shaofeng,REN Pengpeng,LUO Mulong. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

Method for enhancing radiation resistance of cmos circuit components on soi substrate

Номер патента: RU2320049C2. Автор: Евгений Васильевич Кузнецов,Александр Николаевич Сауров,Елена Николаевна Рыбачек. Владелец: ГНЦ РФ Государственное учреждение научно-производственный комплекс "Технологический центр" при Московском государственном институте электронной техники /технический университет/. Дата публикации: 2008-03-20.

Segnetoceramic capacitor dielectric for manufacturing of ceramic capacitors of temperature stable group

Номер патента: RU2413325C1. Автор: Борис Абович Ротенберг,Олег Вениаминович Рубинштейн. Владелец: Открытое Акционерное Общество "НИИ "Гириконд". Дата публикации: 2011-02-27.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PATTERNED GATE DIELECTRIC AND STRUCTURE THEREFOR

Номер патента: US20140027813A1. Автор: KURUC Marian,Vavro Iuraj. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

Gate dielectric material based on silicon substrate high dielectric constant and preparation method for gate dielectric material

Номер патента: CN103367408A. Автор: 马飞,刘红侠,费晨曦,范小娇,樊继斌,许韩晨玺. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2013-10-23.

Manufacturing method of semiconductor device with a high dielectric constant gate dielectric layer

Номер патента: TW479321B. Автор: Mo-Chiun Yu,Yeou-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-03-11.

Fabrication method for gate dielectric layer with high dielectric constant

Номер патента: TW508731B. Автор: Mo-Chiun Yu,Shr-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2002-11-01.

IN SITU GROWN GATE DIELECTRIC AND FIELD PLATE DIELECTRIC

Номер патента: US20130146943A1. Автор: Liu LinLin,EDWARDS John P.. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

STRATIFIED GATE DIELECTRIC STACK FOR GATE DIELECTRIC LEAKAGE REDUCTION

Номер патента: US20130277743A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Jamison Paul C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-24.

STRATIFIED GATE DIELECTRIC STACK FOR GATE DIELECTRIC LEAKAGE REDUCTION

Номер патента: US20130280902A1. Автор: Jagannathan Hemanth,Jamison Paul C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-24.

FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES HAVING THICK GATE DIELECTRIC LAYERS AND THIN GATE DIELECTRIC LAYERS

Номер патента: US20140015054A1. Автор: Wang Junli,Leobandung Effendi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-16.

Preparation method for germanium substrate and La-based high-dielectric constant gate dielectric material

Номер патента: CN103367409A. Автор: 汪星,刘红侠,费晨曦,范小娇,卓青青,尹淑颖. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2013-10-23.

Gate dielectric material silicic acid lanthanum film with high dielectric coefficient as well as preparation method and use thereof

Номер патента: CN101355099A. Автор: 刘治国,夏奕东,殷江,高立刚,国洪轩. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-28.

Double-layer gate dielectric membrane with high dielectric coefficient and preparation method thereof

Номер патента: CN101510556B. Автор: 王浩,朱建华,王毅,冯洁,汪宝元,叶葱. Владелец: Hubei University. Дата публикации: 2012-02-15.

ADJUSTING THRESHOLD VOLTAGE FOR SOPHISTICATED TRANSISTORS BY DIFFUSING A GATE DIELECTRIC CAP LAYER MATERIAL PRIOR TO GATE DIELECTRIC STABILIZATION

Номер патента: US20120193727A1. Автор: Pal Rohit,Beyer Sven,Carter Richard,Trentzsch Martin. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-02.

Epitaxial thin film used for high-dielectric constant gate dielectric and preparation method thereof

Номер патента: CN101752410A. Автор: 王毅,魏峰,杜军,屠海令,岳守晶. Владелец: Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals. Дата публикации: 2010-06-23.

TREATMENT OF GATE DIELECTRIC FOR MAKING HIGH PERFORMANCE METAL OXIDE AND METAL OXYNITRIDE THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20120112186A1. Автор: Ye Yan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-05-10.

NITRIDE GATE DIELECTRIC FOR GRAPHENE MOSFET

Номер патента: US20120235118A1. Автор: Zhu Wenjuan,AVOURIS PHAEDON,Neumayer Deborah. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming ultrathin nitride/oxide stack as gate dielectric

Номер патента: TWI286363B. Автор: Chi-Chun Chen,Shih-Chang Chen,Tz-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-09-01.

Method of protecting gate dielectric layer

Номер патента: TW409303B. Автор: Jian-Ting Lin,Dung-Po Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-21.

Process for LCD TFT gate-bus line and gate dielectric

Номер патента: TW265468B. Автор: Ming-Shiann Ferng,Tzeng-Jiin Luo,Chiou-Der Li. Владелец: Nat Science Committee. Дата публикации: 1995-12-11.

Method for nitrifying gate dielectrics of mosfet

Номер патента: TWI378500B. Автор: Chung Hao Fu,Liao Kuei Shu Chang. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2012-12-01.

Low power transistor with ONO gate dielectric layer

Номер патента: TW411563B. Автор: Shie-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2000-11-11.

Method of using nitrogen plasma pulse doping to prevent boron from penetrating gate dielectric layer

Номер патента: TW471046B. Автор: Wei-Wen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-01.

Method for nitrifying gate dielectrics of MOSFET

Номер патента: TW201025427A. Автор: Kuei-Shu Changliao,Chung-Hao Fu. Владелец: Nat Univ Tsing Hua. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of fabricating a gate dielectric composed of oxide/nitride layer

Номер патента: TW533491B. Автор: Mo-Chiun Yu,Chen-Ming Hu,Jian-Hau Chen,Shr-Chang Chen,Meng-Sung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-05-21.

Methods of fabricating gate dielectric layer containing nitrogen and semiconductor device

Номер патента: TW200629415A. Автор: Michael Chan,Yu-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Manufacturing method of plasma nitrified gate dielectric layer

Номер патента: TW535225B. Автор: Mo-Chiun Yu,Jian-Hau Chen,Shr-Chang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR REDUCING DAMAGING BREAKDOWN IN GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20120077323A1. Автор: . Владелец: Agere Systems Incorporated. Дата публикации: 2012-03-29.

Ultra-Shallow Junction MOSFET Having a High-k Gate Dielectric and In-Situ Doped Selective Epitaxy Source/Drain Extensions and a Method of Making Same

Номер патента: US20120083076A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHODS FOR THE DEPOSITION OF TERNARY OXIDE GATE DIELECTRICS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20120091542A1. Автор: Kuhn Markus,Metz Matthew V.,HATTENDORF Michael L.,MCSWINEY Michael L.,BRAZIER MARK R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTMENT THROUGH GATE DIELECTRIC STACK MODIFICATION

Номер патента: US20120108017A1. Автор: Chudzik Michael P.,Nowak Edward J.,Han Shu-Jen,Yu Xiaojun,Greene Brian J.,Liang Yue,Maciejewski Edward P.,HENSON William K.,Na Myung-Hee. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

METHOD FOR REMOVING POLYMER AFTER ETCHING GATE STACK STRUCTURE OF HIGH-K GATE DIELECTRIC/METAL GATE

Номер патента: US20120115321A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

METHODS OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICES FABRICATED THEREBY

Номер патента: US20120129310A1. Автор: Joo Dae-Kwon,HONG KYUNGIL,LIM Hajin,Do Jinho,Song Moonkyun,KIM WeonHong. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

SELF-ALIGNED CONTACT COMBINED WITH A REPLACEMENT METAL GATE/HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20120139062A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-07.

FORMATION OF GATE DIELECTRICS WITH UNIFORM NITROGEN DISTRIBUTION

Номер патента: US20120149186A1. Автор: . Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-06-14.

TRANSISTOR CHANNEL MOBILITY USING ALTERNATE GATE DIELECTRIC MATERIALS

Номер патента: US20120161251A1. Автор: HAVERTY Michael G.,SHANKAR Sadasivan. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Dual Stage Voltage Ramp Stress Test for Gate Dielectrics

Номер патента: US20120187974A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD FOR TESTING TRAP DENSITY OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NO SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20120187976A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric and Method of Manufacture Thereof

Номер патента: US20120193725A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-02.

CMOS Transistor With Dual High-k Gate Dielectric

Номер патента: US20120199914A1. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-09.

ENGINEERED OXYGEN PROFILE IN METAL GATE ELECTRODE AND NITRIDED HIGH-K GATE DIELECTRICS STRUCTURE FOR HIGH PERFORMANCE PMOS DEVICES

Номер патента: US20120228715A1. Автор: Wen Huang-Chun,NIIMI Hiroaki. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

METHOD OF FABRICATING A GATE DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120261758A1. Автор: Lee Da-Yuan,Hsu Kuang-Yuan,LEE Wei-Yang,YU Xiong-Fei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-10-18.

HIGH-K GATE DIELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20120261803A1. Автор: Zhao Chao,Chen Dapeng,Wang Wenwu,Han Kai. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Structure and Fabrication of Like-polarity Field-effect Transistors Having Different Configurations of Source/Drain Extensions, Halo Pockets, and Gate Dielectric Thicknesses

Номер патента: US20120264263A1. Автор: Bahl Sandeep R.,Bulucea Constantin,Yang Jeng-Jiun,French William D.,Archer Donald M.,Parker D. Courtney. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

METHODS FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC LAYER AND FOR FABRICATING A GATE STRUCTURE

Номер патента: US20120276730A1. Автор: . Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD FOR FABRICATING A GATE DIELECTRIC LAYER AND FOR FABRICATING A GATE STRUCTURE

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Su Kuo Hui,Chen Yi Nan,Liu Hsien Wen. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-01.

ENHANCING INTERFACE CHARACTERISTICS BETWEEN A CHANNEL SEMICONDUCTOR ALLOY AND A GATE DIELECTRIC BY AN OXIDATION PROCESS

Номер патента: US20120282760A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

Reliability of high-K gate dielectric layers

Номер патента: US20120286372A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

GATE DIELECTRIC BREAKDOWN PROTECTION DURING ESD EVENTS

Номер патента: US20120300349A1. Автор: Gauthier,JR. Robert J.,Li Junjun,Abou-Khalil Michel J.,Yang Yang,Mitra Souvick,Di Sarro James P.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

Graphene or Carbon Nanotube Devices with Localized Bottom Gates and Gate Dielectric

Номер патента: US20120326126A1. Автор: Han Shu-Jen,Chen Zhihong,Franklin Aaron Daniel,Saenger Katherine L.,Hannon James Bowler,Tulevski George Stojan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-27.

MULTIPLE GATE DIELECTRIC STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130037890A1. Автор: Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Tseng Hsiao-Hui,Hsu Wen-I,Kao Min-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130043545A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Kun-Yu,YAO Liang-Gi,OKUNO Yasutoshi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

DIFFUSED CAP LAYERS FOR MODIFYING HIGH-K GATE DIELECTRICS AND INTERFACE LAYERS

Номер патента: US20130052814A1. Автор: Clark Robert D.. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE EMPLOYING HIGH-K GATE DIELECTRIC AND METAL GATE

Номер патента: US20130105879A1. Автор: Chudzik Michael P.,Krishnan Rishikesh,Krishnan Siddarth A.,Kwon Unoh,Breil Nicolas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-02.

GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure

Номер патента: US20130140605A1. Автор: Ramdani Jamal,Liu LinLin,Edwards John Paul. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

ANTENNA CELL DESIGN TO PREVENT PLASMA INDUCED GATE DIELECTRIC DAMAGE IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130146981A1. Автор: Chen Chun-Fu,Zhuang Hui-Zhong,Yang Jen-Hang,SUE Pin-Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-06-13.

INTEGRATED CIRCUIT HAVING THINNER GATE DIELECTRIC AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20130207200A1. Автор: Lu Chih-Hung,Hao Ching-Chen,LEE Song-Bor,HUANG Ching-Kun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-15.

Dummy Structure for Multiple Gate Dielectric Interface and Methods

Номер патента: US20130234244A1. Автор: Chou Chien-Chih,Thei Kong-Beng,Liu Huei-Ru,Shiau Gwo-Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-12.

METHOD OF FORMING GATE DIELECTRIC LAYER AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130240957A1. Автор: Jeon Bong-Seok,KIM Beom-Yong,LEE Seung-Mi,JI Yun Hyuck. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

PASSIVATING POINT DEFECTS IN HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYERS DURING GATE STACK FORMATION

Номер патента: US20130267086A1. Автор: Trentzsch Martin,Carter Richard J.,Erben Elke. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-10.

GATE DIELECTRIC PROTECTION

Номер патента: US20130286516A1. Автор: LAI Da-Wei,NATARAJAN Mahadeva Iyer,PRABHU Manjunatha Govinda,SHAN Ryan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2013-10-31.

Techniques for the Fabrication of Thick Gate Dielectric

Номер патента: US20130292778A1. Автор: Chudzik Michael P.,Kerber Andreas,Moumen Naim,KRISHNAN SIDDARTH,Cartier Eduard Albert. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-07.

METHODS OF FORMING FLUORINATED HAFNIUM OXIDE GATE DIELECTRICS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20130313657A1. Автор: Tong Jinhong. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

METHODS OF ATOMIC LAYER DEPOSITION OF HAFNIUM OXIDE AS GATE DIELECTRICS

Номер патента: US20130316546A1. Автор: Tong Jinhong. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

MODIFIED HIGH-K GATE DIELECTRIC STACK

Номер патента: US20130328137A1. Автор: HEGDE RAMA I.. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-12-12.

COMPOSITE HIGH-K GATE DIELECTRIC STACK FOR REDUCING GATE LEAKAGE

Номер патента: US20140001570A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Wang Yanfeng,Liu Jinping,Shepard,Brodsky MaryJane,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140001573A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

SCAVENGING METAL STACK FOR A HIGH-K GATE DIELECTRIC

Номер патента: US20140004695A1. Автор: Ando Takashi,Kwon Unoh,Narayanan Vijay,Schaeffer James K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

NON-PLANAR III-V FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH CONFORMAL METAL GATE ELECTRODE & NITROGEN DOPING OF GATE DIELECTRIC INTERFACE

Номер патента: US20140084387A1. Автор: Then Han Wui,Dewey Gilbert,Pillarisetty Ravi,Radosavljevic Marko,Chau Robert S.,Clendenning Scott B.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Method for improving performance of high-k gate dielectric on high-resistance SOI substrate

Номер патента: CN101924030B. Автор: 徐大伟,程新红,俞跃辉,何大伟,王中健,宋朝瑞. Владелец: Shanghai Simgui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Method for depositing high k gate dielectrics on atomic layer on graphene surface by adopting electric field induction

Номер патента: CN102097297B. Автор: 王鹏飞,张卫,孙清清,江婷婷. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-04.

Gate dielectric layer, its electric performace improving method and Mos crytsal

Номер патента: CN1320606C. Автор: 陈世昌,林友民,麦凯玲,姚亮吉. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-06-06.

The manufacture method of gate dielectric layer

Номер патента: CN100547738C. Автор: 詹书俨,王俞仁,颜英伟,林建良. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-10-07.

The formation method of the formation method of high-K gate dielectric layer and forming apparatus, transistor

Номер патента: CN103137461B. Автор: 三重野文健. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

A kind of enhanced power transistor of three-dimensional gate dielectric structure

Номер патента: CN207250526U. Автор: 刘胜厚,叶念慈,刘煦冉. Владелец: Integrated Circuit Co Ltd Is Pacified By Xiamen City Three. Дата публикации: 2018-04-17.

Strontium oxide strontia gate dielectric layer flexibility oxide thin film transistor and its manufacturing method

Номер патента: CN109920847A. Автор: 秦国轩,裴智慧. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-21.

Method for preparing gate dielectric material during manufacturing of organic thin film transistor (OTFT)

Номер патента: CN102237493A. Автор: 李元元. Владелец: Konka Group Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-09.

Fabricating method of gate dielectric layer

Номер патента: TWI777179B. Автор: 林怡婷,黎尹芳,李敻璘. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-11.

Preparation method of gate dielectric/ metal gate integrated structure

Номер патента: CN101728257A. Автор: 许高博,徐秋霞,柴淑敏. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2010-06-09.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.