Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • METHOD OF FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE FROM WHICH VARIOUS TYPES OF PATTERN DEFECTS ARE REMOVED

METHOD OF FORMING PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE FROM WHICH VARIOUS TYPES OF PATTERN DEFECTS ARE REMOVED

Номер патента: US20170148689A1
Опубликовано: 25-05-2017
Автор(ы): Heung-Kook Ko, No-Young Chung, Sang-Wook Park
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of determining galvanic corrosion and interconnect structure in a semiconductor device for prevention of galvanic corrosion

Номер патента: US09734271B2. Автор: Jian-Hong Lin,Yu Ching Lee,Te-Liang Lee,Jyh-Weei Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Leakage analysis on semiconductor device

Номер патента: US20210264093A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Yuan-Te Hou,Yun-Xiang LIN,Cheng-Hua Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

METHOD OF DETERMINING GALVANIC CORROSION AND INTERCONNECT STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE FOR PREVENTION OF GALVANIC CORROSION

Номер патента: US20170169152A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Te-Liang,LEE YU CHING,HSIA JYH-WEEI. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Resist reflow measurement key and method of forming a fine pattern of a semiconductor device using the same

Номер патента: US20050089776A1. Автор: Gi-sung Yeo,Doo-Youl Lee,Han-ku Cho,Jung-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Manufacturing method of a tray, a socket for inspection, and a semiconductor device

Номер патента: US20050202597A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US8334759B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-18.

Method of forming a mask pattern for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US7988873B2. Автор: Sang-Hyeop Lee,Hyong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-02.

Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same

Номер патента: EP1128220A3. Автор: Teruhiko Kumada,Atsuko Fujino,Atsushi Oshida,Koji Tange,Hitoshi Fukuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-19.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20140246743A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor devices, methods of manufacturing the same, and electronic systems including the semiconductor devices

Номер патента: US20230066186A1. Автор: Sangsoo Lee,Hyungjoon Kim,Sangmin Kang,WooJin Jang,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Measurement apparatus, measuring method and analysis method of contaminant particles generated during manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: KR960043067A. Автор: 박상오,김진성,문상영,강희세. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-12-23.

Method of processing service data, electronic device and storage medium

Номер патента: US11870867B2. Автор: Mingzhi Chen,Changqing Sun,Jiangtao BI. Владелец: Apollo Intelligent Connectivity Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Conductive film, display device having the same, and method of evaluating and determining wiring pattern of conductive film

Номер патента: TW201443739A. Автор: Yoshitaka Yamaguchi,Kazuchika Iwami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-11-16.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of preventing superficial electrical discharges in chips of semiconductor devices during testing

Номер патента: US4902632A. Автор: Carmelo Magro,Carmelo Oliveri. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1990-02-20.

Magnetic cell structures, and methods of fabrication

Номер патента: US09768377B2. Автор: Wei Chen,Sunil Murthy,Jonathan D. Harms. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device, a thin film transistor substrate using the same and a method of manufacturing the same

Номер патента: KR100915231B1. Автор: 정관욱,양성훈,홍완식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-09-02.

Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device, a thin film transistor substrate using the same and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20030213966A1. Автор: Sung-Hoon Yang,Kwan-Wook Jung,Wan-Shick Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Manufacturing method of printed circuit board using dry film resist

Номер патента: US20020116815A1. Автор: Jang Kim,Jun Choi,Kook Han. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2002-08-29.

Deposition method of insulating layers having low dielectric constant of semiconductor device

Номер патента: KR100878270B1. Автор: 정규하,양성훈,황병근,홍완식,글랜써니. Владелец: 다우 코닝 코포레이션. Дата публикации: 2009-01-13.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and cell array of semiconductor memory device

Номер патента: US20110157979A1. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers

Номер патента: US5036015A. Автор: Trung T. Doan,Gurtej S. Sandhu,Laurence D. Schultz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-07-30.

Method of complex context-aware for status monitoring of semiconductor equipment and system thereof

Номер патента: KR101126706B1. Автор: 전민호,정승희,강철규,유성열,오창헌. Владелец: (주)지에스테크. Дата публикации: 2012-03-29.

Method for forming pattern and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP1553617A1. Автор: Masaru Sasago,Yoshihiko Hirai,Hideo Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-13.

Method of controlling photoresist stripping process and regenerating photoresist stripper composition based on near infrared spectrometer

Номер патента: EP1285312A1. Автор: Jong-min Kim,Tae-Joon Park,Mi-Sun Park,Yoon-Gil Yim,Cheol-Woo Kang. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-26.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, signal transmission/reception method using such semiconductor device, and tester apparatus

Номер патента: US20130099340A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

A method of manufacturing a unit for a ball grid array semiconductor device and producing a ball grid array semiconductor device

Номер патента: DE19802575B4. Автор: Yong Tae Kwon,Jin Sung Kim,Kwang Sung Choi. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of and apparatus for controlling probe tip sanding in semiconductor device testing equipment

Номер патента: US20040051519A1. Автор: Kwang-Yung Cheong,Jun-Sung Kim,Byung-Wook Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-18.

Method of integrating post-etching cleaning process with deposition for semiconductor device

Номер патента: US20050158664A1. Автор: Yu-Liang Lin,Henry Lo,Mei-Sheng Zhou,Ping Chuang,Joshua Tseng,Hung-Jung Tu,Ching-Ya Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Manufacturing method of small photoresist pattern using thermal flow process for semiconductor device

Номер патента: KR100510448B1. Автор: 김창환,이중현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-21.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: KR101170284B1. Автор: 아담 엘. 올슨. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-07-31.

The manufacture method of method for regulating temperature, heat treating equipment and semiconductor devices

Номер патента: CN100576127C. Автор: 上野正昭,杉下雅士. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-12-30.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: TW200903641A. Автор: Adam L Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-16.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: WO2008150722A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-11.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20080296732A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: CN101681811A. Автор: 亚当·L·奥尔森. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-24.

Methods of isolating array features during pitch doubling processes and semiconductor device structures having isolated array features

Номер патента: US20100193917A1. Автор: Adam L. Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of and systems for extracting patterns of human extent and density from geographically anchored radio signal sources

Номер патента: US09612315B2. Автор: Russel K. Jones,Richard J. SUTTON. Владелец: Skyhook Wireless Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of polymer removal forming pattern of printing plates especially rotating ones for silk-screen printing and device for realization of this method

Номер патента: CS250295B1. Автор: Karel NOVOTNÝ,Lubos Hes,Jan Janca,Karel Dadourek,Pavel Jancik,Milan Malik,Vaclav Panoch. Владелец: Vaclav Panoch. Дата публикации: 1987-04-16.

Method of electrophotographically manufacturing a display screen of a colour television display tube

Номер патента: GB1358147A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1974-06-26.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20170129972A1. Автор: Tasuku Matsumiya,Katsumi Ohmori,Eun-Sung Kim,Shi-Yong Yi,Kyeong-Mi Lee,Seung-chul Kwon,Jeong-Ju Park,Tsuyosh KUROSAWA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming patterns with block copolymer

Номер патента: US09640399B2. Автор: Cheol Kyu Bok,Keun Do Ban,Jung Gun Heo,Hong Ik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods of forming patterns in semiconductor devices using photo resist patterns

Номер патента: US20070196769A1. Автор: Jae-ho Lee,Jin-Mo Kang,Sung-Gun Kang,Jun-Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of Forming Integrated Assemblies Having Conductive Material Along Sidewall Surfaces of Semiconductor Pillars

Номер патента: US20240365538A1. Автор: Hong Li,Sanh D. Tang,Ramaswamy Ishwar Venkatanarayanan,Erica L. Poelstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming integrated assemblies having conductive material along sidewall surfaces of semiconductor pillars

Номер патента: US12069852B2. Автор: Hong Li,Sanh D. Tang,Ramaswamy Ishwar Venkatanarayanan,Erica L. Poelstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of forming pattern and method of producing solid-state image pickup device

Номер патента: US20110300662A1. Автор: Kyouhei Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Methods of forming patterns having different shapes

Номер патента: US09721795B2. Автор: Sung Kwang Kim,Jung Hyung Lee,You Song Kim,Jong Cheon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of and device for automatically recognizing position of semiconductor device

Номер патента: JPS54139471A. Автор: Deemensu Giyuntaa. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-10-29.

Method of forming drawing pattern, method of generating drawing data, and drawing data generating device

Номер патента: US20130249918A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Masato Saito,Shigeki Nojima,Yoko Takekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming fine island patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Method of forming a groove-like area in a semiconductor device

Номер патента: US20020076898A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of forming a conductive line pattern in FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09559015B2. Автор: Koichiro Tsujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Methods of forming a non-planar ultra-thin body semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US20150228792A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Ruilong Xie,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: US6773977B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor device and method of forming protective layer around cavity of semiconductor die

Номер патента: US11804416B2. Автор: Saravuth Sirinorakul,Thanawat JAENGKRAJARNG,Preecha JOYMAK,Natawat Kasikornrungroj,Wasu Aingkaew,Kawin Saiubol. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming a wrap-around contact on a semiconductor device

Номер патента: US09704744B2. Автор: Daniel Bergstrom,Ralph T Troeger,Jeffrey S Leib. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming closely spaced metal electrodes in a semiconductor device

Номер патента: US5486483A. Автор: Michael D. Lammert. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Method of forming dense hole patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074187A1. Автор: Shing-Yih Shih,Jen-Jui HUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Inorganic substrate with a thin silica type glass layer, method of manufacturing the aforementioned substrate, coating agent, and a semiconductor device

Номер патента: WO2007046560B1. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Elias Dimitris Katsoulis. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of fabricating an electrical contact for use on a semiconductor device

Номер патента: US09934978B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Multicomponent-alloy material layer, method of manufacturing the same and capacitor structure of semiconductor device

Номер патента: US20230343848A1. Автор: Chuan-Feng Shih,Hsuan-Ta Wu,Cheng-Hsien YEH,Bernard Hao-Chih Liu,Wen-Dung Hsu,Chung-Hung Hung. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of fabricating semiconductor package, semiconductor package formed thereby, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09508704B2. Автор: Hyunsoo Chung,Inyoung LEE,Taeje Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming a protective coating for a packaged semiconductor device

Номер патента: US9561953B1. Автор: Klaus Elian,Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a raised source/drain and a semiconductor device employing the same

Номер патента: US20050247983A1. Автор: Steve Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: US7235458B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate insulating layer of a semiconductor device using deuterium gas

Номер патента: US20060134925A1. Автор: Sang-Hun Lee,Jung-Hwan Kim,Woong Lee,Hun-Hyeoung Leam,Jai-Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20140162427A1. Автор: Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of forming a porous material layer in a semiconductor device

Номер патента: US20050118782A1. Автор: Young-Nam Kim,Jin-Sung Kim,Sun-Young Lee,Hyun-dam Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-02.

Method of forming a wrap-around contact on a semiconductor device

Номер патента: US20170309516A1. Автор: Daniel Bergstrom,Jeffrey S. LEIB,Ralph T. TROEGER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Method of forming a low-ohmic contact to a semiconductor device

Номер патента: US3731372A. Автор: W Kraft. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1973-05-08.

Method of packaging multiple integrated circuit chips in a standard semiconductor device package

Номер патента: WO1997037374A3. Автор: Dennis J Herrell. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-11-20.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including the semiconductor device

Номер патента: US20220328628A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing conductive electrodes for a circuit element, and semiconductor device thus obtained

Номер патента: US4749442A. Автор: Stefan Barbu,Claude E. P. Chapron. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-06-07.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for performing double clustering to evaluate placement of semiconductor devices

Номер патента: US12008297B1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Agnostic Model of Semiconductor Devices and Related Methods

Номер патента: US20190057175A1. Автор: James Joseph Victory,Mehrdad Baghaie Yazdi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Method of optimizing layout of semiconductor device, manufacturing method of photomask, and manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: TW200727328A. Автор: Ryuji Ogawa. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2007-07-16.

Method of selective use of patterns of dangerous program behavior

Номер патента: RU2665909C1. Автор: Владислав Валерьевич Мартыненко,Алексей Владимирович Монастырский,Юрий Геннадьевич Слободянюк,Михаил Александрович Павлющик. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2018-09-04.

Manufacturing method of an electronic device

Номер патента: US20240202412A1. Автор: Nobuyuki Ito,Atsushi Uemura,Kazuo Otoge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190065113A1. Автор: Jin Soo Kim,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200065031A1. Автор: Jin Soo Kim,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US10754586B2. Автор: Jin Soo Kim,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Method for placing operational cells in a semiconductor device

Номер патента: US20140351781A1. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Asher BERKOVITZ. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of forming a bezel pattern of a display panel

Номер патента: EP2874137B1. Автор: Seung Heon Lee,JooYeon KIM,Jiehyun Seong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-03-03.

SYSTEMS AND METHODS OF LOCATING REDUNDANT DATA USING PATTERNS OF MATCHING FINGERPRINTS

Номер патента: US20140279956A1. Автор: Kennedy Jon Christopher,Trimble Ronald Ray,McMaster Carey Jay,King Stefan Merrill,Reiter Timmie G.,Biernacki David Michael. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

DISPLAY DEVICE INCLUDING TOUCH PANEL AND METHOD OF EVALUATING VISIBILITY OF ELECTRODE PATTERN OF TOUCH PANEL

Номер патента: US20140320438A1. Автор: KIM Hyun,YURLOV Victor,Hong Sang Su,Park June Sik,Kim Hee Soo,Kim Seung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-30.

Systems and methods of locating redundant data using patterns of matching fingerprints

Номер патента: US9766832B2. Автор: Stefan Merrill King,Timmie G. Reiter,Carey Jay McMaster,Ronald Ray Trimble,David Michael Biernacki,Jon Christopher Kennedy. Владелец: Hitachi Data System Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of generating dips in antenna patterns of active phased antenna arrays in directions of interference sources

Номер патента: RU2713715C1. Автор: Борис Дмитриевич Мануилов,Станислав Александрович Бородовский,Михаил Борисович Мануилов,Александр Юрьевич Падий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС"). Дата публикации: 2020-02-06.

Method of forming a beam pattern of a ring phased antenna array

Номер патента: RU2712987C1. Автор: Юрий Васильевич Белозерцев,Сергей Игоревич Тюленев,Владимир Владимирович Вереитин,Артем Алексеевич Борисов. Владелец: Акционерное общество "Воронежский научно-исследовательский институт "Вега" (АО "ВНИИ "Вега"). Дата публикации: 2020-02-03.

Method of forming elliptic directional pattern of active inphase antenna array on basis of set of microsatellites with application of superregenerative transceiver devices

Номер патента: RU2680850C1. Автор: Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Александр Александрович Иванченко,Альфред Акимович Акимов,Руслан Султанмурадович Темирханов. Владелец: ООО "Инжиниринговый центр микроспутниковых компетенций". Дата публикации: 2019-02-28.

Method of arranging a conductive wire pattern of a film-type saddle deflection member for a crt

Номер патента: WO1998019326A1. Автор: Baek Young Choi,Soo Ryong Byun,Don Bean Choi. Владелец: ORION ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 1998-05-07.

Semiconductor device and method of aligning semiconductor wafers for bonding

Номер патента: US09852972B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Inhibiting propagation of imperfections in semiconductor devices

Номер патента: US20140042594A1. Автор: David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor package including correcting alignment error while forming redistribution wiring struture

Номер патента: US11972966B2. Автор: Changeun JOO,Gyujin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887935B2. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4102557A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of reducing focusing error of exposure process in a semiconductor device

Номер патента: TW408366B. Автор: Ho-Young Kang,Jung-Hyeon Lee,Jin-Seog Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-11.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of measuring thermal resistance between a housing of a semiconductor device and a cooling radiator

Номер патента: RU2686859C1. Автор: Павел Владимирович Сорокин,Алексей Иванович Солдатов,Андрей Алексеевич Солдатов,Мария Алексеевна Костина,Юлия Викторовна Шульгина,Иван Михайлович Васильев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-06.

Method of and apparatus for measuring electric characteristics of semiconductor wafer

Номер патента: US5233291A. Автор: Takamasa Sakai,Ikuyoshi Nakatani,Motohiro Kouno. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-03.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: US20070200586A1. Автор: Vivien Wong,Wai Phoon,Wah Tan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-30.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: MY139152A. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-08-28.

Method of determining boundaries and dimensions of section of detection zone of passive infrared detector used to detect and identify type of intruder

Номер патента: RU2767989C1. Автор: . Владелец: Федеральное государственное казенное образовательное учреждение высшего образования "Калининградский пограничный институт Федеральной службы безопасности Российской Федерации". Дата публикации: 2022-03-22.

Thin film mask for use in an x-ray lithographic process and its method of manufacture by forming opaque pattern of ions in a diamond layer

Номер патента: US5314768A. Автор: Rakesh B. Sethi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Method of forming electrode pattern of surface acoustic wave device

Номер патента: GB2381596A. Автор: Kenji Sakaguchi,Toshiyuki Fuyutsume. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-07.

Method of manufacturing display device

Номер патента: US20240049585A1. Автор: Makoto Kitagawa,Jun Sakuma,Yasushi Asaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Electronic device supporting manufacture of semiconductor device and operating method of electronic device

Номер патента: US20240346222A1. Автор: Sunghoon Kim,Jong-Seong Kim,Hyuckjoon Kwon,Jiho Han,Sungju Jang,Raehyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of monitoring process performed by fabrication apparatus of semiconductor device and monitoring system using the same

Номер патента: KR101735158B1. Автор: 엄태용,황철성. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2017-05-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

FinFET with Embedded MOS Varactor and Method of Making Same

Номер патента: US20150270368A1. Автор: Chung-Hui Chen,Jaw-Juinn Horng,Po-Zeng Kang,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Integrated Assemblies Which Include Carbon-Doped Oxide, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190348419A1. Автор: Sanh D. Tang,Silvia Borsari,Sau Ha Cheung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Isolation structure of semiconductor device

Номер патента: US09786543B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Shu-Han Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Package structure and method of forming package structure

Номер патента: US20180286823A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Chih-Hua Chen,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20140124854A1. Автор: Jongchul Park,Ji-Young Min,Heedon Hwang,Insang JEON,Woogwan SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of forming copper indium gallium containing precursors and semiconductor compound layers

Номер патента: WO2007092293A3. Автор: Bulent M Basol. Владелец: Bulent M Basol. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming metal source/drain contact structures for semiconductor devices with gate all around channel structures

Номер патента: US09601379B1. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Dmitry Yakimets,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing source/drain regions having a deep junction

Номер патента: EP1264337A1. Автор: David Donggang Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-11.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09812390B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices including conductive features with capping layers and methods of forming the same

Номер патента: US09349689B2. Автор: Mei-Ling Chen,Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou,Hui-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Wafer-level stack chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12033910B2. Автор: Dong Jin Kim,Se Woong Cha,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Wafer-level stack chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363470A1. Автор: Dong Jin Kim,Se Woong Cha,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: US20030124874A1. Автор: Nobuo Matsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming a gate contact structure for a semiconductor device

Номер патента: US09853110B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

A method of forming shallow trench isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2004038791A1. Автор: Bradley J. Larsen,Nicolas Degors,Amit S. Kelkar,Donald A. Erickson,Timothy M. Barry. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2004-05-06.

FinFET semiconductor devices including recessed source-drain regions on a bottom semiconductor layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US09716176B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of forming tunnel oxide film in semiconductor device

Номер патента: US20040266110A1. Автор: Sang Park,Seung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of producing semiconductor devices

Номер патента: US3579816A. Автор: Robert C Ingraham,Hubert J Ramsey. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1971-05-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09431356B2. Автор: Hsi-Yu Kuo,Ko-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming metal interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US5670420A. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-23.

Method of forming a through-substrate via and a semiconductor device comprising a through-substrate via

Номер патента: WO2019193067A1. Автор: Jörg Siegert,Jochen Kraft,Franz Schrank,Georg Parteder,Stefan Jessenig. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Manufacturing method of the semiconductor package, pick and place device, and workpiece handling apparatus

Номер патента: US20240178015A1. Автор: Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Hsien-Ju Tsou,Chien-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of adhering passivation layer to gold region of semiconductor device

Номер патента: JPS56140630A. Автор: Roido Harinton Aran. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1981-11-04.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

(AI,Ga,In)N-Based compound semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1772909A3. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-06.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming silicon dioxide film on surface of silicon substrate, method of forming oxide film on surface of semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200402797A. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Japan Science & Tech Corp. Дата публикации: 2004-02-16.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170256487A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Devices, Multi-Die Packages, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20160155730A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12062602B2. Автор: Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming-Shih Yeh,Hua-Wei Tseng,Chiang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacure thereof

Номер патента: US09984969B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices, multi-die packages, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09659863B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Chi-Hsi Wu,Shih-Peng Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20170358462A1. Автор: Kazuhiko Kitano,Seita ARAKI. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Devices and Manufacturing Methods Thereof

Номер патента: US20160307928A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB)

Номер патента: US12080634B2. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-09-03.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240332375A1. Автор: Jong Ho Lee. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09941140B2. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices, transistors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09837401B2. Автор: Hung-Chih Yu,Shih-Che Lin,Ching-Kun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09704756B2. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09646994B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576874B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09484302B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Ming-Han Lee,Hsiang-Huan Lee,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09406697B1. Автор: Chih-Sheng Chang,Hung-Chih Chang,Cheng-Yi Peng,Chee-Wee Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US20080311747A1. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor device having an indium doped dielectric layer located therein and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20030100195A1. Автор: John Osenbach,Julia Duncan,William Minford. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-05-29.

Metal field plates and methods of making the same

Номер патента: US20230411463A1. Автор: Chien-Hung Lin,Tsai-Hao Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09859326B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Wet chemistry processes for fabricating a semiconductor device with increased channel mobility

Номер патента: US09396946B2. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar,Jason Gurganus,Daniel Jenner Lichtenwalner,Erik Maki. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Layer Around Cavity of Semiconductor Die

Номер патента: US20220077019A1. Автор: Sirinorakul Saravuth,JOYMAK Preecha,Kasikornrungroj Natawat,Aingkaew Wasu,Saiubol Kawin,Jaengkrajarng Thanawat. Владелец: UTAC Headquarters PTE. LTD.. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of forming a hard mask and method of forming a fine pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US20100197139A1. Автор: JOON-SOO PARK,Gi-sung Yeo,Ji-Young Lee,Cha-Won Koh,Jeong-lim Nam,Han-ku Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-05.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US11309432B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese /academy Of Sciences. Дата публикации: 2022-04-19.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US10475935B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2019-11-12.

Method For Making Semiconductor Device By Adopting Stress Memorization Technique

Номер патента: US20210335672A1. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for making semiconductor device by adopting stress memorization technique

Номер патента: US11443986B2. Автор: Wei Lu,Wei Zhou,Chao Sun,Xiaolin Xu,Weiwei Ma,Yamin CAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100223751B1. Автор: 정명준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100234416B1. Автор: 김창규,최지현,백민수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-12-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226724B1. Автор: 김홍선. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214534B1. Автор: 서재범. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100239453B1. Автор: 박진원. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100235972B1. Автор: 김천수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100200731B1. Автор: 이한신,신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100232888B1. Автор: 김시범. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226743B1. Автор: 김대일. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226728B1. Автор: 고정덕. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100869742B1. Автор: 심천만. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-11-21.

Method of forming device isolation film in semiconductor device

Номер патента: US20040266132A1. Автор: Cha Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214536B1. Автор: 김준용. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Methods of forming semiconductor device packages including a semiconductor device and a redistribution element, methods of forming redistribution elements and methods for packaging semiconductor devices

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

METHOD OF FORMING FINE LINE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190057870A1. Автор: Lin Chih-Ching,Shih Shing-Yih,TSENG Tzu-Li. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

METHOD OF FORMING FINE LINE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190057871A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

METHOD OF FORMING FINE ISLAND PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shih Shing-Yih,SHIH CHIANG-LIN. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

Method of forming dense hole patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074187A1. Автор: Shing-Yih Shih,Jen-Jui HUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: KIM Hong-Rae,LEE Jun-Soo,LEE Jeon-Il. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming diffusion preventing metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR950015651A. Автор: 선호정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

Method of forming multi-layered metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950001952A. Автор: 박상훈,박대일. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Method of forming contact in mutilayered structure of semiconductor device

Номер патента: KR100220297B1. Автор: 김재갑,손곤. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Method of forming multi-layered metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100495857B1. Автор: 이상희,장성근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-02.

Method of forming a field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR100220236B1. Автор: 최영관. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100876860B1. Автор: 신강섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-12-31.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950034482A. Автор: 박내학. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-12-28.

Method of forming pre-metal dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: CN101202214A. Автор: 文相台. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970003840A. Автор: 오세준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A2. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A3. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20220045181A1. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of forming metal line layer in semiconductor device

Номер патента: US20050014381A1. Автор: Joon Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Tunable device, method of manufacture, and method of tuning an electrical device

Номер патента: US9153937B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-06.

Tunable device, method of manufacture, and method of tuning a laser

Номер патента: US8792523B1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: QuantTera LLC. Дата публикации: 2014-07-29.

Tunable device, method of manufacture, and method of tuning a laser

Номер патента: US8437374B1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-07.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING BODIES OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140206175A1. Автор: Wells David H.,Tang Sanh D.,Allen Tuman E.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING BODIES OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20150137214A1. Автор: Wells David H.,Tang Sanh D.,Allen Tuman E.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US8592873B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Hard Mask Removal for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110223753A1. Автор: Chi-Cheng Hung,Yuan-Ching Peng,Fu-Kai Yang,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: US20060088977A1. Автор: Young Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Methods of forming stressed fin channel structures for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150041906A1. Автор: Robert J. Miller,Abhijeet Paul,William J. Taylor, Jr.,Abner Bello,Vimal K. Kamineni,Derya Deniz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

An execution method of a diode radiation sensor

Номер патента: WO2023161803A1. Автор: Marco Ferrero,Giacomo BORGHI,Giovanni PATERNOSTER,Maurizio Boscardin,Roberta ARCIDIACONO. Владелец: Fondazione Bruno Kessler. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming a field oxide film in a semiconductor device

Номер патента: GB2326025A. Автор: Sang Hoon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-09.

Method for forming pattern and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140073141A1. Автор: Shimon Maeda,Kenji Konomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

A semiconductor device, a method of manufacturing the same, and a circuit having the semiconductor device

Номер патента: TWI532182B. Автор: Takashi Takahama,Naoki Tega,Dai Hisamoto,Hiroyuki Okino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-01.

Method of controlling wafer bow in a type III-V semiconductor device

Номер патента: US12080785B2. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of minimizing dishing during chemical mechanical polishing of semiconductor metals for making a semiconductor device

Номер патента: US6093656A. Автор: Xi-Wei Lin. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2000-07-25.

Method of forming silicide film having excellent thermal stability, semiconductor device and semiconductor memory device comprising silicide film formed by the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: KR100738066B1. Автор: 박윤창,최철종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming oxide film on surface of semiconductor substrate

Номер патента: KR100202003B1. Автор: 타카시 나무라,켄지 요네다,히카루 코바야시. Владелец: 히카루 코바야시. Дата публикации: 1999-06-15.

METHODS OF FORMING HIGH ASPECT RATIO OPENINGS, METHODS OF FORMING HIGH ASPECT RATIO FEATURES, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190206723A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tokashiki Ken,Smythe John A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Method of forming a silicon oxide layer of a semiconductor device and method of forming a wiring having the same

Номер патента: US6645879B2. Автор: Myeong-Cheol Kim,Ju-Bum Lee,Hong-Gun Kim,Ju-seon Goo,Eun-Kee Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor device including a lateral insulator

Номер патента: US20220052165A1. Автор: HONG Yang,Seetharaman Sridhar,Rui Liu,Yunlong Liu,Fei Ma,Sunglyong Kim,Ya Ping Chen,Shengpin YANG,Zhi Peng Feng,Baoqiang NIU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of isolating transistors using LOW-K dielectrics and resultant semiconductor device

Номер патента: TW395012B. Автор: Howard L Tigelaar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-06-21.

Method of etching porous insulating film, dual damascene process, and semiconductor device

Номер патента: TWI223341B. Автор: Koichiro Inazawa,Tomoki Suemasa,Li-Hung Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

MANUFACTURING METHOD OF HIGH-DIELECTRIC-CONSTANT GATE INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190326121A1. Автор: AOYAMA Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Method of chemical/mechanical polishing of the surface of semiconductor device

Номер патента: US6468911B1. Автор: Naoto Miyashita,Takeshi Nishioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Manufacturing method of slurry for chemical mechanical polishing process of semiconductor device

Номер патента: KR100324311B1. Автор: 김완식. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2002-05-13.

Method of forming a small via structure in a semiconductor device and method of fabricating phase change memory device using the same

Номер патента: KR100653701B1. Автор: 이장은,조성래,박정희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-04.

Method of fabricating via hole for copper wiring of semiconductor device

Номер патента: KR20010109958A. Автор: 김일구,황재성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-12.

Device isolation layer, nonvolatile memory device having the device isolation layer, and methods of forming the device isolation layer and the semiconductor device

Номер патента: KR20080006381A. Автор: 최종완,김성태,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-16.

Device Isolation Layer, Nonvolatile Memory Device Having The Device Isolation Layer, and Methods Of Forming The Device Isolation Layer and The Semiconductor Device

Номер патента: KR100816749B1. Автор: 최종완,김성태,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of manufacturing an ultra narrow contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100273140B1. Автор: 이화성,안병태,백종태. Владелец: 정선종. Дата публикации: 2001-01-15.

Recycle use method of printed circuit board for mold cleaning of semiconductor device and taping apparatus thereof

Номер патента: KR100633898B1. Автор: 박성민,김상구,이규봉,박형길,장창호,임현대. Владелец: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사. Дата публикации: 2006-10-13.

Method of chemical/mechanical polishing of the surface of semiconductor device

Номер патента: US6867138B2. Автор: Naoto Miyashita,Takeshi Nishioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method of forming gate patterns for peripheral circuitry and semiconductor device formed thereby

Номер патента: KR100881130B1. Автор: 강춘수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-02.

Micro led, neural implant, and method of fabricating a micro led

Номер патента: EP4328985A1. Автор: Patrick Ruther,Eric Klein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2024-02-28.

Micro led, neural implant, and method of fabricating a micro led

Номер патента: WO2024041966A1. Автор: Patrick Ruther,Eric Klein. Владелец: ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAT FREIBURG. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of forming isolated channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160013291A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-01-14.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

METHODS OF FORMING AN AIR-GAP SPACER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20180033863A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

METHOD OF FORMING A FINE PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140162427A1. Автор: GWAK Byoung-Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF CONTROL GATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150129951A1. Автор: Tsai Chia-Shiung,Chang Chin-Cheng,Yu Chung-Yi,CHEN Chih-Ming,WANG SZU-YU,Lee Ru-Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-14.

METHODS OF FORMING A NON-PLANAR ULTRA-THIN BODY SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150228792A1. Автор: Xie Ruilong,Hargrove Michael,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-08-13.

METHODS OF FORMING STRESSED CHANNEL REGIONS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150255542A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHODS OF FORMING STRESSED CHANNEL REGIONS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150255608A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHODS OF FORMING ISOLATED CHANNEL REGIONS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150270398A1. Автор: Loubet Nicolas,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Method of forming a configuration of interconnections on a semiconductor device having a high integration density

Номер патента: US4936950A. Автор: Trung T. Doan,Malcolm K. Grief,Leendert De Bruin,Harald Godon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Method of forming a barrier metal layer of a semiconductor device

Номер патента: KR970063484A. Автор: 장현진,홍택기,홍홍기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-09-12.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980012250A. Автор: 박주석. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of forming a device separation layer in the semiconductor device

Номер патента: KR100520196B1. Автор: 차재한. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-10-10.

Method of forming a device isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100408864B1. Автор: 권병호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Method of forming an insulator between features of a semiconductor device

Номер патента: US6951817B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Shuang-Neng Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-10-04.

Removing method of residues as forming pattern of al-si-cu alloy

Номер патента: KR930008010B1. Автор: 안동준,설여송. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1993-08-25.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: US7892981B2. Автор: Woo-Yung JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR970072297A. Автор: 박문한,신유균. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of forming semiconductor structure of control gate, and semiconductor device

Номер патента: US9685518B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chih-Ming Chen,Szu-Yu Wang,Chin-Cheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006078A. Автор: 박재범,최진혁,고요환. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device using a double patterning technique

Номер патента: US7977204B2. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG,Bong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: TWI345813B. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Methods of forming stressed channel regions for a FinFET semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US9214553B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR970077484A. Автор: 박종왕,김선래. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-12-12.

Method of forming a barrier metal layer of a semiconductor device

Номер патента: KR970077522A. Автор: 안희복. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130280851A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

METHOD OF FORMING A THROUGH-SUBSTRATE VIA AND A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A THROUGH-SUBSTRATE VIA

Номер патента: US20210020511A1. Автор: Schrank Franz,PARTEDER Georg,KRAFT Jochen,Jessenig Stefan,Siegert Jörg. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

METHODS OF FORMING STRESSED FIN CHANNEL STRUCTURES FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150041906A1. Автор: JR. William J.,Miller Robert J.,Taylor,Kamineni Vimal K.,Paul Abhijeet,DENIZ Derya,BELLO Abner. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD OF FORMING A PROTECTIVE COATING FOR A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170057815A1. Автор: Elian Klaus,Theuss Horst. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

METHODS OF FORMING METASTABLE REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A REPLACEMENT GROWTH PROCESS

Номер патента: US20160064250A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Fronheiser Jody,Akarvardar Murat K.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

METHODS OF PROVIDING LIQUID MATERIAL TO SELECTED REGIONS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL WITH TEXTURED SURFACES

Номер патента: US20140141561A1. Автор: Sachs Emanuel M.,Bredt James F.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2014-05-22.

METHODS OF FORMING A FERROELECTRIC MEMORY CELL AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20150076437A1. Автор: Rocklein Matthew N.,TAO Qian,Cook Beth R.,Ramaswamy D. V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of Forming a Protective Coating for a Packaged Semiconductor Device

Номер патента: US20170101308A1. Автор: Klaus Elian,Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

METHOD OF FORMING A GATE CONTACT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170125530A1. Автор: Zhang Xunyuan,Xie Ruilong,Lin Sean X.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

TRIALKYLSILANE SILICON PRECURSOR COMPOUND, METHOD OF FORMING A LAYER USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE LAYER

Номер патента: US20140273512A1. Автор: Yamada Naoki,Choi Jaehyoung,SATO Hiroki,KIM Younsoo,CHO Younjoung,Shiratori Tsubasa,Cho Chin Moo,KANG SANGYEOL,YOO Chayoung. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150255502A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD OF FORMING A WRAP-AROUND CONTACT ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254186A1. Автор: Bergstrom Daniel,LEIB JEFFREY S,TROEGER RALPH T. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD OF FORMING A WRAP-AROUND CONTACT ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170309516A1. Автор: Bergstrom Daniel,LEIB Jeffrey S.,Troeger Ralph T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Method of Forming Oxygen Inserted Si-Layers in Power Semiconductor Devices

Номер патента: US20200303498A1. Автор: Bernhard Goller,Andreas Meiser,Robert Haase,Martin Poelzl,Maximilian Roesch,Ravi Keshav Joshi,Sylvain Leomant. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170317136A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS FOR FORMING PATTERNED RADIATION BLOCKING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190355779A1. Автор: Borthakur Swarnal,Sulfridge Marc. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100192164B1. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100223911B1. Автор: 정구철,염원양. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100399913B1. Автор: 석세운. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100973130B1. Автор: 김완수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-30.

Method of forming a diffusion barrier layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100503965B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100245084B1. Автор: 김대영,정인술. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming a gate oxide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100602317B1. Автор: 이경복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-14.

Method of forming insulation layer in trench isolation type semiconductor device

Номер патента: KR100568100B1. Автор: 박문한,홍수진,구주선,허진화,김홍근,홍은기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100187678B1. Автор: 한충수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100231728B1. Автор: 전하응. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100245081B1. Автор: 이승무,고재홍. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100202196B1. Автор: 이승호. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a metal barrier film in a semiconductor device

Номер патента: KR100290467B1. Автор: 김우현,홍상기. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-08-07.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100225953B1. Автор: 이정엽,원대희. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a inter insulating layer in a semiconductor device

Номер патента: KR101021177B1. Автор: 김동준,민우식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-03-15.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100223266B1. Автор: 한상규. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100209217B1. Автор: 김윤기. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Method of forming an aluminum oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100323874B1. Автор: 김경민,김민수,김정태,임찬,곽흥식. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-16.

Method of forming a high resistive region in a semiconductor device

Номер патента: KR100506192B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-03.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR101028811B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-04-12.

Method of anti-static molding for circuit board of semiconductor package and metal mold thereof

Номер патента: KR100348136B1. Автор: 조재현. Владелец: 주식회사 지엔유텍. Дата публикации: 2002-08-13.

Method of forming a copper metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010112891A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-22.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100245090B1. Автор: 김충배,박용준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100242387B1. Автор: 이승호,정구철. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-02.

Method of forming multilayered metal wire for ic and semiconductor devices therewith

Номер патента: KR0167602B1. Автор: 황준,이원건. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming bit line contact holes in a semiconductor device with reduced photolithography process

Номер патента: KR100341663B1. Автор: 하대원. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-24.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100598345B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of forming sog layer with ion implantation in semiconductor device

Номер патента: KR100248159B1. Автор: 임재욱. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

A method of diffusing an impurity into a body of semiconductor material.

Номер патента: FR94732E. Автор: Hugh Monoham Bohne,Cecil Byron Shelton Ii. Владелец: Deutsche ITT Industries GmbH. Дата публикации: 1969-10-24.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203897B1. Автор: 김승준,박용준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a gate dielectric film in a semiconductor device

Номер патента: KR100358056B1. Автор: 김정호,이정엽,박대규,장세억,조흥재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of forming a silicide layer and manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100642386B1. Автор: 황경진. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100214068B1. Автор: 정영석,김의식,박인옥. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100518084B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-09-28.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100223825B1. Автор: 이승호. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

A method of forming laterally varying doping concentrations and a semiconductor device

Номер патента: DE102013106946A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Yvonne Gawlina. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100209372B1. Автор: 조병진. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-07-15.

Methods of forming silicide films with metal films in semiconductor devices and contacts including the same

Номер патента: US20050106859A1. Автор: Gil-heyun Choi,Eun-ji Jung,Woong-Hee Sohn,Hyun-Su Kim,Sang-Bom Kang,Jong-Ho Yun,Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100227188B1. Автор: 김현병. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming low dielectric constant insulation film for semiconductor device

Номер патента: KR100687531B1. Автор: 마츄키노부오,세이지로 우메모토,야수요시 효우도. Владелец: 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤. Дата публикации: 2007-02-27.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US10629647B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-21.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100451699B1. Автор: 최재성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-08.

Methods of forming a ferroelectric memory cell and related semiconductor device structures

Номер патента: EP3044808A4. Автор: Qian Tao,D. V. Nirmal Ramaswamy,Matthew N. Rocklein,Beth R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-19.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100227189B1. Автор: 박건식. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming dielectric film for use in a semiconductor device

Номер патента: KR100309331B1. Автор: 황철주. Владелец: 황 철 주. Дата публикации: 2001-11-07.

Method of forming a gate oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100255169B1. Автор: 고석윤. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of manufacturing a multi-layered wiring structure of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP0426151A2. Автор: Yasukazu C/O Intellectual Property Division Mase,Masahiro C/O Intellectual Property Division Abe,Toshihiko C/O Intellectual Property Div. Katsura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-08.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100225955B1. Автор: 조병진. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100390941B1. Автор: 백성학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of forming a field oxide film in a semiconductor device

Номер патента: GB9513227D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-06.

Method of forming a gate dielectric film in a semiconductor device

Номер патента: KR100604536B1. Автор: 박대규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-24.

Method of forming a field oxide firm in a semiconductor device

Номер патента: KR100274349B1. Автор: 남기원,임태정,배영헌. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-12-15.

Method of thermally transferring metal decided in solid of semiconductor materials

Номер патента: JPS5270755A. Автор: Erisu Kurain Haabei,Fuyuushingu Chiyan Maiku,Richiyaado Ansonii Toomasu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1977-06-13.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100218292B1. Автор: 전영권. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-09-01.

Method of forming a field oxide layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100702769B1. Автор: 양영호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-04-03.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100226478B1. Автор: 이상돈,허윤종. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming contact using silicon nano-wire in semiconductor device

Номер патента: KR100558037B1. Автор: 김용수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of forming a self aligned contact in a semiconductor device

Номер патента: KR100334572B1. Автор: 박영우,이원성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-03.

Method of forming an integrated silicon and iii-n semiconductor device

Номер патента: EP3008751B1. Автор: Naveen Tipirneni,Sameer Pendharkar,Rick L. Wise. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Method of forming a hard mask pattern in a semiconductor device

Номер патента: US8133818B2. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Methods of forming a ferroelectric memory cell and related semiconductor devices structures

Номер патента: TWI536625B. Автор: 謙 陶,馬修Ｎ 洛克萊,貝絲Ｒ 曲克,Ｄ Ｖ 尼爾摩 拉瑪斯瓦米. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2016-06-01.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR970067768A. Автор: 박병주. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method of forming an element isolation region in a semiconductor device

Номер патента: KR100203911B1. Автор: 김승준,박용준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming dielectric isolation for high density pedestal semiconductor devices

Номер патента: CA976666A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-10-21.

Semiconductor device, method of producing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20230343803A1. Автор: Atsushi Fujiwara,Toshiaki Iwafuchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

A method of forming separated charge-holding regions in a semiconductor device

Номер патента: TW200608528A. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020036350A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6545362B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki,Shinji Nishihara,Hiroshi Moriya,Masashi Sahara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-04-08.

C-shaped active area semiconductor device, method of manufacturing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20210175366A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-06-10.

A method of forming separated charge-holding regions in a semiconductor device

Номер патента: TWI289908B. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Hung-Cheng Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-11-11.

Semiconductor device including uniform contact plugs and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100200833A1. Автор: Jung-Hoon Park,Yoon-Jong Song,Jae-Min Shin,Kyu-Rie SIM,Shin-Hee HAN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE, APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20130256824A1. Автор: KOIKE Kaoru,Fujii Nobutoshi,Kobayashi Hideki,MIZUTA KYOHEI,OKA OSAMU,YOSHIOKA HIROTAKA. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-03.

METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057441A1. Автор: HORIGUCHI Kazunori,OHASHI Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140073141A1. Автор: KONOMI Kenji,MAEDA Shimon. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150311442A1. Автор: KIHARA Naoko,SEINO Yuriko. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: US20220399256A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed...

Номер патента: GB2605306A. Автор: Richard Stanfield James,P Mcbride James. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2022-09-28.

Method for forming pattern and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9281480B2. Автор: Naoko Kihara,Yuriko Seino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Semiconductor device containing memory cells with a fuse in static random memory cell (SRAM) device and method of manufacturing same

Номер патента: US9905512B2. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160276270A1. Автор: Yukio Maki,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170162714A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9209140B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) in a battery management system (BMS)

Номер патента: AU2023204342A1. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor Devices, Image Sensors, and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150214267A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140091366A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Woong-je SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240120263A1. Автор: Cheol Kim,Seokhyun Lee,Hwanyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170162541A1. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190334036A1. Автор: Dae Hwan Chun. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction

Номер патента: US7803703B2. Автор: Noel Russell,Douglas E. Mercer,Doufeng Yue,Peijun J. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-28.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

A semiconductor device having a silicided gate electrode and method of manufacture therefor

Номер патента: WO2005084342A2. Автор: Jiong-Ping Lu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-09-15.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of Improving Package Creepage Distance

Номер патента: US20240105447A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Tim Böttcher,Ivan Shiu. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Nanometer semiconductor devices having high-quality epitaxial layer

Номер патента: US20200027995A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-23.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130248818A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170033032A1. Автор: Park Byung-lyul,Park Ji-Soon,Lee Kyu-Ha,PARK Jum-Yong,Chun Jin-Ho,Jeon Hyung-Jun,An Jin-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160086874A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, SIGNAL TRANSMISSION/RECEPTION METHOD USING SUCH SEMICONDUCTOR DEVICE, AND TESTER APPARATUS

Номер патента: US20140246743A1. Автор: NAKASHIBA Yasutaka. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-04.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THROUGH-SILICON-VIAS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR PACKAGES INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180218966A1. Автор: Park Byung-lyul,MOON Kwang-Jin,CHOI Ju-Il,An Jin-Ho,FUJISAKI Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

METHOD OF FABRICATING NONPOLAR GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LAYER, NONPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150270435A1. Автор: Choi Seung Kyu,Kim Chae Hon,Jung Jung Whan. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: KR102303983B1. Автор: 박병률,문광진,최주일,안진호,후지사키. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-09-23.

Light emitting device having nitride based thin film, method of manufacturing the same and template for fabricating a semiconductor device

Номер патента: KR101868423B1. Автор: 최유항. Владелец: 주식회사 루미스타. Дата публикации: 2018-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: KR101749694B1. Автор: 박성수,이문상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-06-22.

Wet etching method of silicon oxide layer and method for manufacturing a semiconductor device including the wet etching method

Номер патента: KR100546358B1. Автор: 황인석,고용선,윤병문,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US8466472B2. Автор: Sung Soo Park,Moon Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor thin film, method of producing the same, apparatus for producing the same, semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: EP1049144A1. Автор: Yoshinao Taketomi,Yoshiko Mino,Mikihiko Nishitani,Keizaburo Kuramasu,Masashi Goto,Hiroshi Tsutsu,Hikaru Nishitani,Masumi Izuchi,Hiroshi Satani. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-11-02.

The manufacture method of circuit board, semiconductor-fabricating device, circuit board and semiconductor device

Номер патента: CN101611490A. Автор: 川口均,奥川良隆,作道庆一. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-23.

Semiconductor device and electrical contact

Номер патента: US11978780B2. Автор: Jan Fischer,Tim Böttcher,Olrik Schumacher. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device, printed circuit board (pcb), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (mosfet) to a printed circuit board (pcb) in a battery management system (bms)

Номер патента: EP4066317A4. Автор: James Richard Stanfield,James P. Mcbride. Владелец: Noco Co. Дата публикации: 2024-01-10.

Near-infrared photodetector semiconductor device

Номер патента: WO2019101577A1. Автор: Ingrid Jonak-Auer,Bernhard LÖFFLER,Gerald Meinhardt. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2019-05-31.

Semiconductor device with improved junction termination extension (jte)

Номер патента: EP4415050A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-14.

FABRICATION METHOD OF A MIXED ALLOY LEAD FRAME FOR PACKAGING POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130273697A1. Автор: Lu Jun,Feng Tao,Niu Zhi Qiang. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

DESCRIPTION NOVEL COMPUND, METHOD OF PRODUCING THE COMPOUND, ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140051865A1. Автор: Takimiya Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

Composition for curable resin, cured product of said composition, method of producing said composition and said cured product, and semiconductor device

Номер патента: US20200024426A1. Автор: Yoshinori Nishitani,Masaki Minami. Владелец: JXTG Nippon Oil and Energy Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of Manufacturing an Insulation Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device

Номер патента: US20200027716A1. Автор: Komatsu Yuji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Method of Fabricating an Electrical Contact for Use on a Semiconductor Device

Номер патента: US20170047228A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Methods of fluorinating filters used in the manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20190105613A1. Автор: Cesar M. Garza. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

COMPOSITION FOR ETCHING, METHOD OF ETCHING SILICON NITRIDE LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190136132A1. Автор: Han Hoon,PARK Jaewan,Lee Jinuk,Lim Junghun,Bae Sang Won,HON YOUNG TAEK. Владелец: SOULBRAIN CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

METHOD OF SELECTIVELY DEPOSITING A CAPPING LAYER STRUCTURE ON A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20190148224A1. Автор: ISHIKAWA Dai,Kobayashi Akiko,Kuroda Aurélie. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yilmaz Hamza,Xue Yan Xun,WILSON Peter,Lu Jun,Niu Zhiqiang,Lu Ming-Chen,Huo Yan. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

METHODS OF CURING A DIELECTRIC LAYER FOR MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307762A1. Автор: Hyun Sang-Jin,Na Hoon-Joo,HWANG Yoon-Tae,Park Moon-Kyu,Yoon Ki-Joong. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR PACKAGE FORMED THEREBY, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150318261A1. Автор: Cho Taeje,Chung Hyunsoo,LEE Inyoung. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20200303531A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Controlling Wafer Bow in a Type III-V Semiconductor Device

Номер патента: US20180374941A1. Автор: Kim Peter,PARK Seong-eun,Tungare Mihir,Wan Jianwei,Kannan Srinivasan. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure

Номер патента: US10910262B2. Автор: Akiko Kobayashi,Dai Ishikawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-02-02.

Method of manufacturing insulation film inter metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR0159016B1. Автор: 이승무. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of fabricating metal lines by dual damascene process and semiconductor device has the metal lines

Номер патента: KR100687434B1. Автор: 금동렬. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-26.

2-DIMENSION SEMICONDUCTOR, METHOD OF p-TYPE DOPING THE SAME, AND 2-DIMENSION SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: KR102080083B1. Автор: 조문호,서승영,허호석,성지호. Владелец: 기초과학연구원. Дата публикации: 2020-02-24.

Formation method of silicide layer using the Excimer laser for the semiconductor devices

Номер патента: KR20230016746A. Автор: 이승희,김준업. Владелец: 주식회사 지엔테크. Дата публикации: 2023-02-03.

A method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100600286B1. Автор: 조호진,임찬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-13.

Method of controlling gate dopant penetration and diffusion in a semiconductor device

Номер патента: US6174807B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Joseph Rudolph Radosevich. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-01-16.

Method of fabricating a fin field effect transistor in a semiconductor device

Номер патента: US7316945B2. Автор: Jeong-Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

A kind of method of different line width transistor gate height in improvement semiconductor devices

Номер патента: CN110444470A. Автор: 陈建勋,李昱廷,刘怡良,吴信德. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

A method of arranging a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device mountable on a substrate

Номер патента: DE10101948B4. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: US6616854B2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

The manufacture method of stacked grinding pad and manufacture method thereof and semiconductor device

Номер патента: CN103945984B. Автор: 数野淳. Владелец: Toyo Tire and Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-18.

Method of fabricating substrate having thin film of joined for semiconductor device

Номер патента: KR101230394B1. Автор: 김경준,김동운,이보현,박승용,어성우,유율리아. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-02-06.

Method of achieving higher inversion layer mobility in silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: WO2001045148A1. Автор: Dev Alok. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-06-21.

Method of bonding and transferring a material to form a semiconductor device

Номер патента: WO2003052817A2. Автор: Robert E. Jones,Sebastian Csutak. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2003-06-26.

Porous membrane shaping composition, preparation method of porous membrane, porous membrane intercalation insulating film and semiconductor device

Номер патента: CN1536023A. Автор: ,笹子胜,中川秀夫,���Ｊ¡,滨田吉隆,浅野健. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Capacitor having an electrode structure, method of manufacturing a capacitor having an electrode structure and semiconductor device having an electrode structure

Номер патента: TW201140852A. Автор: Kyung-hyun Kim,Sung-Jun Kim,Suk-Hun Choi,Jin-I LEE,Chang-Sup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

method of manufacturing a capacitor having high dielectric in a semiconductor device

Номер патента: KR100593136B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

A method of producing a zinc oxide-containing material and a semiconductor device with a zinc oxide-containing material

Номер патента: DE102008039183A1. Автор: Fritz Prof. Dr. Henneberger,Sergey Dr. Sadofev. Владелец: Humboldt Universitaet zu Berlin. Дата публикации: 2010-02-25.

Electronic Materials, Methods of Manufacturing the Same, Dielectric Capacitors, Nonvolatile Memory, and Semiconductor Devices

Номер патента: KR19980064698A. Автор: 다나까마사히로,나겔니콜라스,와따나베고지,가또리겐지. Владелец: 이데이노부유끼. Дата публикации: 1998-10-07.

The method of the method for laminate layer transfer and manufacture semiconductor devices

Номер патента: CN102867736B. Автор: 丸山纯矢,高山彻,大野由美子,后藤裕吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-11.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN1159750C. Автор: , ,Ҳ,岩佐成人,中村修二,清久裕之,小崎德也,蝶蝶一幸. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

METHOD OF MANUFACTURING InAsSb SEMICONDUCTOR ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: KR100921693B1. Автор: 장준연,최원준,송진동,임주영. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2009-10-15.

Method of controlling wafer bow in a type iii-v semiconductor device

Номер патента: EP3419046A2. Автор: Srinivasan Kannan,Seong Eun Park,Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Jianwei Wan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-26.

Method of removing sidewall spacers in the fabrication of a semiconductor device using an improved removal process

Номер патента: US20040087155A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of patterning

Номер патента: US11901190B2. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Li-Te Lin,Chin-Yuan Tseng,Yu-Tien Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20230361168A1. Автор: Minjae PARK,Sangtae Han. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Near-infrared photodetector semiconductor device

Номер патента: US20200350447A1. Автор: Ingrid Jonak-Auer,Bernhard LÖFFLER,Gerald Meinhardt. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-11-05.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20050118736A1. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US7195937B2. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, OPTICAL AMPLIFIER, AND METHOD OF DETECTING A SIGN OF SUDDEN FAILURE OF SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20170025817A1. Автор: ONAKA Miki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor laser device, optical amplifier, and method of detecting a sign of sudden failure of semiconductor laser device

Номер патента: US20150171596A1. Автор: Miki Onaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of attaching long leads to terminal pins of semiconductor modules

Номер патента: US3456339A. Автор: Richard B Small. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1969-07-22.

Method of stabilizing compound semiconductor surface, method of manufacturing semiconductor laser device using the same, and semiconductor device such as semiconductor laser device

Номер патента: JP3778769B2. Автор: 昌規 渡辺. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Treatment solution for producing an insulating coating and a method of producing a metal having an insulating coating

Номер патента: RU2689353C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Рюйти СУЭХИРО,Макото ВАТАНАБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2019-05-27.

Method of making a solid oxide fuel cell with controlled porosity

Номер патента: US6051173A. Автор: Benjamin V. Fasano,Kevin M. Prettyman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Polymer for resist, method of forming the same, resist composition and method of fabricting substrate formed pattern

Номер патента: TWI336708B. Автор: Akifumi Ueda,Hikaru Momose. Владелец: Mitsubishi Rayon Co. Дата публикации: 2011-02-01.

Methods of forming resist pattern, forming electrode pattern, and manufacturing surface acoustic wave device

Номер патента: US6821712B2. Автор: Kenji Sakaguchi,Yoshihiro Koshido,Toshiyuki Fuyutsume. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US12124088B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20240377590A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of positioning underwater equipment relative to surveyed underwater pipeline

Номер патента: RU2692829C2. Автор: Игорь Григорьевич Ткаченко,Сергей Геннадьевич Шабля,Сергей Вячеславович Твардиевич,Александр Анатольевич Шатохин,Вадим Георгиевич Гераськин,Алексей Андреевич Кислун,Сергей Николаевич Шабров,Пётр Николаевич Шабров,Виталий Леонидович Кораблёв,Дмитрий Иванович Белкин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Газпром Трансгаз Краснодар". Дата публикации: 2019-06-28.

Method of identification of linear dynamic system

Номер патента: RU2675281C1. Автор: Игорь Сергеевич Полющенков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2018-12-18.

Method of determining ligand content in sample (versions)

Номер патента: RU2517161C2. Автор: Максим Петрович Никитин. Владелец: Максим Петрович Никитин. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for forming pattern using Nano imprint and manufacturing method of mold for forming pattern

Номер патента: KR101492071B1. Автор: 조영태,심영석,김정길. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2015-02-10.

Positive resist composition of chemical amplification type, resist coated material, method of forming resist pattern, and process for producing semiconductor device

Номер патента: EP1400853A4. Автор: Kazuyuki Nitta,Takeyoshi Mimura,Satoshi Shimatani,Tatsuya Matsumi,Waki Okubo. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-12.

Optical fiber billet having a barrier for radical "oh" and method of its manufacture

Номер патента: RU2230044C2. Автор: Сунг-Коог ОХ,Ман-Сеок СЕО. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2004-06-10.

Method of forming a ROM cell array in a semiconductor device

Номер патента: KR20010094596A. Автор: 손영석. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-01.

The test method of minority carrier lifetime in a kind of semiconductor silicon material

Номер патента: CN108089109A. Автор: 周锋,闫平平. Владелец: Yutai (jiangxi) New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of outputting internal information through test pin of semiconductor memory and output circuit thereof

Номер патента: US6834366B2. Автор: Nam-Seog Kim,Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-21.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US20230400639A1. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Edge couplers and methods of making the same

Номер патента: US11796739B2. Автор: Chan-Hong Chern,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Min-Hsiang Hsu,Yung-jr Hung,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of producing polarization-maintaining single-mode optical waveguides and preforms used therein

Номер патента: US4805986A. Автор: Herbert Weissert. Владелец: Standard Elektrik Lorenz AG. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of forming both sided pattern of nanostructure using nanoimprint method

Номер патента: KR102128175B1. Автор: 김동주,장경수,하태권. Владелец: (주)서영. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for forming pattern and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100021848A1. Автор: Ikuo Yoneda,Shunko Magoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230333459A1. Автор: Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

A method of correcting a mask pattern and a mask, a method of exposure, an apparatus therefor, and a photomask and semiconductor device using the same

Номер патента: DE19628874A1. Автор: Keisuke Tsudaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-02-27.

Method of controlling technical condition of the car

Номер патента: RU2654306C1. Автор: Николай Александрович Захаров,Анатолий Анатольевич Решетов. Владелец: Анатолий Анатольевич Решетов. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of measuring clock jitter, clock jitter measurement circuit, and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190041456A1. Автор: Ji-Hyun Kim,Jung-Ho Kim,Won-Seok Kim,Kang-Yeop Choo,Hyun-ik KIM,Tae-Ik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

METHOD OF MODELING CONCENTRATION OF REDUCIBLE MOBILE IONIC DOPANT IN SEMICONDUCTOR DEVICE SIMULATOR

Номер патента: US20150192533A1. Автор: Venkataraman Karthik,Bajaj Mohit,Furkay Stephen S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-09.

METHOD OF MEASURING CLOCK JITTER, CLOCK JITTER MEASUREMENT CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190346504A1. Автор: Kim Ji-Hyun,Kim Jung-ho,CHOO Kang-yeop,KIM Hyun-ik,KIM Tae-ik,KIM Woo-seok. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Electron Beam Depicting Pattern Design, Photomask, Methods of Electron Beam Depicting and Fabricating Photomask, and Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: KR101689770B1. Автор: 이상희,최진,이래원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-12-26.

Manufacturing methods of reflection type mask blanks, reflection type mask, and semiconductor device

Номер патента: JP2006013280A. Автор: 勉 笑喜,守男 細谷,Morio Hosoya,Tsutomu Shiyouki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: TW200739099A. Автор: Vivien Wong,Waikhuin Phoon,Wahyew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-10-16.

Customized dental abutements and methods of preparing or selecting the same

Номер патента: WO1999002102A1. Автор: Andrew Ziegler,Julian Osorio. Владелец: Atlantis Components, Inc.. Дата публикации: 1999-01-21.

METHODS OF AND SYSTEMS FOR EXTRACTING PATTERNS OF HUMAN EXTENT AND DENSITY FROM GEOGRAPHICALLY ANCHORED RADIO SIGNAL SOURCES

Номер патента: US20140009339A1. Автор: Jones Russel K.,SUTTON Richard J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Method of producing a high density pattern of isolated clusters

Номер патента: WO2004035855A3. Автор: Edward Sacher,De-Quan Yang,Konstantinos Piyakis. Владелец: Konstantinos Piyakis. Дата публикации: 2005-01-13.

Measurement Method of Travel Time Using Sequence Pattern of Vehicles

Номер патента: KR101035122B1. Автор: 박종헌,임중선. Владелец: (주)올웨이즈네트웍스. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of forming inner spacers on a nano-sheet/wire device

Номер патента: US09799748B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation

Номер патента: US09558958B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Interconnection Wires of Semiconductor Devices

Номер патента: US20140315382A1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Huan Lee,Sunil Kumar Singh,Hsin-Chieh Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Methods of forming a plurality of semiconductor layers using trench arrays

Номер патента: WO2001063654A2. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2001-08-30.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Integrated circuits and methods of forming the same with metal layer connection to through-semiconductor via

Номер патента: US09761481B2. Автор: Chun Yu Wong,Sarasvathi Thangaraju,Percival Rayo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of encapsulating semiconductor die

Номер патента: US09679785B2. Автор: Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes In Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20110121432A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US8264059B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Holes in Substrate to Interconnect Top Shield and Ground Shield

Номер патента: US20120292751A1. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of removing sharp edges of dielectric coatings on semiconductor substrates and device produced

Номер патента: WO1996004680A1. Автор: Daniel J. Jackson. Владелец: Microchip Technology, Inc.. Дата публикации: 1996-02-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20180068976A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20210057378A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20190067241A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Insulating Layers Around Semiconductor Die

Номер патента: US20230275065A1. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: EP3913667A1. Автор: Satyamoorthi CHINNUSAMY, Kevin SIMPSON, Mark C COSTELLO. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2021-11-24.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of forming insulating layers around semiconductor die

Номер патента: US09837375B2. Автор: Kevin Simpson,Satyamoorthi Chinnusamy,Mark C. Costello. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of forming holes in substrate to interconnect top shield and ground shield

Номер патента: US09543258B2. Автор: KyungHoon Lee,Sunmi Kim,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Pillars in Recessed Region of Peripheral Area around the Device for Electrical Interconnection to Other Devices

Номер патента: US20120175770A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila,Linda Pei Ei Chua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor Device and Method of Forming Protective Coating Material Over Semiconductor Wafer to Reduce Lamination Tape Residue

Номер патента: US20110266656A1. Автор: WonJun Ko,JaEun Yun,HunTeak Lee,SeungYong Chai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Manufacturing method of microcrystalline semiconductor film and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110263080A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230146858A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Hagiwara,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming TSV semiconductor wafer with embedded semiconductor die

Номер патента: US09754858B2. Автор: Seung Uk Yoon,Yaojian Lin,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09576956B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09455331B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern

Номер патента: US20230307287A1. Автор: Toshiaki Komukai,Motofumi Komori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09972508B2. Автор: Kei Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of forming ultra high density embedded semiconductor die package

Номер патента: US09627338B2. Автор: See Chian Lim,Teck Tiong Tan,Yung Kuan Hsiao,Ching Meng Fang,Yoke Hor Phua,Bartholomew Liao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor devices and systems comprising memory cells and a source

Номер патента: US20200161187A1. Автор: Darwin A. Clampitt,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US20020127880A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20160099179A1. Автор: Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Shih-Fang Tzou,Po-Cheng Huang,Jian-Wei Chen,Shui-Yen Lu,Chun-Tsen Lu,Chih-Jung Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09842775B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US09537005B2. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09443952B2. Автор: Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Shih-Fang Tzou,Po-Cheng Huang,Jian-Wei Chen,Shui-Yen Lu,Chun-Tsen Lu,Chih-Jung Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09443762B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming semiconductor plates doped on one side, particularly solar semiconductor plates, and manipulation system for loading process tray with batches of semiconductor plates

Номер патента: RU2411608C1. Автор: Штефан ЙОНАС,Лутц РЕДМАНН. Владелец: Йонас Унд Редманн Аутомационстехник Гмбх. Дата публикации: 2011-02-10.

Manufacturing method of semiconductor device having semiconductor layers with different thicknesses

Номер патента: US8962418B2. Автор: Yutaka Hoshino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor Device and Method of Forming Bump Structure with Insulating Buffer Layer to Reduce Stress on Semiconductor Wafer

Номер патента: US20120217640A1. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Manufacturing method of semiconductor device having DRAM capacitors

Номер патента: US20020086493A1. Автор: Ken Inoue,Ryo Kubota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09960039B2. Автор: Je-min Park,Eun-Jung Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US09934986B2. Автор: Bum-seok Seo,Seok-Han Park,Jeong-seop SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of forming package-on-package structure electrically interconnected through TSV in WLCSP

Номер патента: US09922955B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of forming bump structure with insulating buffer layer to reduce stress on semiconductor wafer

Номер патента: US09780063B2. Автор: SungWon Cho,Joonyoung Choi,YoungJoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of forming alternative channel materials on a non-planar semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09627245B2. Автор: Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-18.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device having stressor and method of forming the same

Номер патента: US09577097B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Methods of forming electronic devices including filling porous features with a polymer

Номер патента: US09508549B2. Автор: Phillip D. Hustad,James W. Thackeray,Mingqi Li,Peter Trefonas, III,Cheng-Bai Xu,Emad Aqad,Jong Keun Park. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method of forming insulating layer around semiconductor die

Номер патента: US09437552B2. Автор: Xusheng Bao,Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of forming B-stage conductive polymer over contact pads of semiconductor die in Fo-WLCSP

Номер патента: US09418941B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US12087837B2. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device

Номер патента: US09997404B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09966473B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of package substrate and package manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892916B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818638B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09659811B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09659790B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Hybrid fin structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12148672B2. Автор: Shu Ling LIAO,Yu-Chang Lin,Yen-Chun Huang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of forming patterns and method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09613821B2. Автор: Dong-won Kim,Tae-hoon Kim,Ju-Young Kim,Yool Kang,Su-min Park,Hyung-Rae Lee,Hye-Ji Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09564520B1. Автор: Tzu-Ping Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming patterns of differently doped regions

Номер патента: US09496430B2. Автор: Niels Posthuma,Maria Recaman Payo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09472467B2. Автор: Shingo Masuko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method of making semiconductor pressure sensors

Номер патента: RU2702820C1. Автор: Сергей Павлович Малюков,Александр Михайлович Светличный,Юлия Владимировна Клунникова,Александр Викторович Саенко,Дина Алексеевна Бондарчук,Дмитрий Викторович Тимощенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет). Дата публикации: 2019-10-11.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

A method of forming substrates with high surface area nanocoatings and nanostructure

Номер патента: EP2997176A1. Автор: Marek Godlewski,Sylwia Gierałtowska,Łukasz Wachnicki,Krzysztof Kopalko,Bart omiej WITKOWSKI. Владелец: Instytut Fizyki Pan. Дата публикации: 2016-03-23.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device isolation structures

Номер патента: US20130154052A1. Автор: Sukesh Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US20160336192A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor Device and Method of Forming Conductive Vias with Trench in Saw Street

Номер патента: US20140217609A1. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device with backside contact and methods of forming such

Номер патента: US20240363715A1. Автор: Yen-Ting Chen,Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming patterned mask layer

Номер патента: US09779942B1. Автор: Yu-Tsung Lai,Chih-Wei Kuo,Jiunn-Hsiung Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09768032B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming conductive vias with trench in saw street

Номер патента: US09601369B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing a spacer supported lateral channel FET

Номер патента: US09525044B2. Автор: Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US09466708B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device

Номер патента: US09431297B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making metal interconnections

Номер патента: RU2767154C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2022-03-16.

Method of making metal-ceramic housings of to-220, to-247, to-254 type

Номер патента: RU2740006C1. Автор: Владимир Алексеевич Сидоров,Сергей Владимирович Катаев,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин,Кирилл Владимирович Сидоров. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-12-30.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274473A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Jung-Hung CHANG,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming package structure

Номер патента: US20240347506A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Ebin Liao,Yi-Hsiu Chen,Hong-Ye Shih,Jia-Ling Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of forming patterns, and apparatuses comprising FinFETs

Номер патента: US09853027B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of semiconductor arrangement formation

Номер патента: US09773889B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Wei-Chieh Chen,Shu-Han Chen,Hao-Hsiung Lin,You-Ru Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Manufacturing method of semiconductor structure for improving quality of epitaxial layers

Номер патента: US09741818B2. Автор: Yu-Ying Lin,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09466546B2. Автор: Koichi Hatakeyama,Mitsuhisa Watanabe,Keiyo Kusanagi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of providing a layer of solid material on a substrate in which liquid from which the solid material can be formed, is spread over the substrate surface

Номер патента: CA1078264A. Автор: Johannes Meuleman,Jean-Pierre Besselere. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-05-27.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US7629187B2. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Fabrication method of semiconductor luminescent device

Номер патента: US20070166961A1. Автор: Hiroyuki Sumitomo,Makoto Ueda,Satoshi Kajiyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2007-07-19.

Force-balanced meniscal dispensers for depositing crystalline layers, and methods of printing crystalline patterned features

Номер патента: WO2023049090A8. Автор: Randall L. Headrick,Richards Galt MILLER, III. Владелец: The University of Vermont and State Agricultural College. Дата публикации: 2024-04-18.

Force-balanced meniscal dispensers for depositing crystalline layers, and methods of printing crystalline patterned features

Номер патента: EP4406005A1. Автор: Randall L. Headrick,Richards Galt MILLER, III. Владелец: University of Vermont and State Agricultural College. Дата публикации: 2024-07-31.

Pattern of selective harq combination with forward and reverse shift for ofdma systems

Номер патента: RU2456752C2. Автор: Дзе Воо КИМ,Дзонг Хиеон ПАРК,Самир НАНАВАТИ,Сергей А. ГЛАЗКО,Бок Тай СИМ,Дзу Вон ПАРК. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-07-20.

Method of descreening screened image, method of separating screened image into regions, image processing device, and program

Номер патента: US20040114187A1. Автор: Itaru Furukawa. Владелец: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-17.

A method of performing a communication in a wireless communication system and an apparatus for the same

Номер патента: EP2553845A2. Автор: Sung Jun Park,Sung Hoon Jung,Sung Duck Chun,Seung June Yi,Young Dae Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-02-06.

A method of performing a communication in a wireless communication system and an apparatus for the same

Номер патента: WO2011118996A2. Автор: Sung Jun Park,Sung Hoon Jung,Sung Duck Chun,Seung June Yi,Young Dae Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for forming fine pattern of polymer thin film

Номер патента: US20100159139A1. Автор: Sang Chul Lim,Doo Hyeb Youn,Seong Hyun Kim,Yong Suk Yang,Zin Sig Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR101081851B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-11-09.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2780409A1. Автор: Subramanian Vaidyanathan,Nikolai Kaihovirta,Tero Mustonen,Jean-Luc Budry. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2014-09-24.

Prepreg with carrier material and method of manufacturing the same, multilayer printed circuit board, and semiconductor device

Номер патента: TW200846397A. Автор: Ryoichi Okada. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-12-01.

Method of calibrating a tomographic system for testing earthen cores

Номер патента: US4962514A. Автор: Lorne A. Davis, Jr.,Timothy J. Hart. Владелец: Texaco Inc. Дата публикации: 1990-10-09.

A kind of method of the automatic vehicle-mounted pattern of startup mobile terminal

Номер патента: CN106303053A. Автор: 金鑫. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US20040067452A1. Автор: Yoshiki Sugeta,Toshikazu Tachikawa,Fumitake Kaneko. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Negative photosensitive polymer composition, method of forming pattern and liquid ejection head

Номер патента: RU2495468C1. Автор: Хио ТАКАХАСИ,Кен ИКЕГАМЕ,Масако СИМОМУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-10-10.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Systems and methods of characterizing semiconductor materials

Номер патента: US12085516B2. Автор: Gordon Deans,Hamidreza GHODDAMI,Johnson Kai Chi WONG. Владелец: Aurora Solar Technologies Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of producing structure containing phase-separated structure, method of forming pattern and method of forming fine pattern

Номер патента: US09442371B2. Автор: Daiju Shiono,Takahiro Dazai,Tasuku Matsumiya,Takehiro Seshimo,Ken Miyagi,Yoshiyuki Utsumi,Tsuyoshi Kurosawa,Takaya Maehashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of treatment of smoke gas saturated with carbon dioxide and boiler plant

Номер патента: RU2558585C2. Автор: Йорген П. ГРУББСТРЕМ. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2015-08-10.

A METHOD OF APPLYING A REACTIVE COMPOSITE COATING BASED ON Ni-AL

Номер патента: RU2744805C1. Автор: Александр Алексеевич Новиков,Александр Геннадьевич Попов,Игорь Александрович Кузнецов,Дмитрий Анатольевич Деморецкий,Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Николай Сергеевич Альдебенев,Андрей Тагирович Нурмухаметов,Иван Романович Тонеев,Владимир Леонидович Симогин,Мария Сергеевна Гречухина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-03-15.

Method of applying decorative enamel coating with stereoscopic effect

Номер патента: RU2717426C1. Автор: Ольга Николаевна Сырейщикова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ювелирный Дом Кабаровских". Дата публикации: 2020-03-23.

Method of nitrogen trifluoride production

Номер патента: RU2184698C1. Автор: С.М. Игумнов,В.П. Харитонов. Владелец: Закрытое акционерное общество научно-производственное объединение "ПиМ-Инвест". Дата публикации: 2002-07-10.

Method of manufacturing abrasive non-woven fabric

Номер патента: RU2347024C2. Автор: Михаэль ШВАРЦМАН,Юваль БЕРЕНСТЕЙН,Нахми СЕГАЛ. Владелец: Н.Р. Спантек Индастриес Лтд.. Дата публикации: 2009-02-20.

Method of manufacturing heterogeneous liquid bonded coating layer and coating layer and cover window produced thereby

Номер патента: US20200095161A1. Автор: Yong Cheol JEONG,Kang Han KIM. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of producing hydrocarbon product with sulfur level below 50 ppm

Номер патента: RU2292379C2. Автор: Бернар МАРТЭН,Жан-Люк Кристь н РУБИ,Жан-Люк Кристьян РУБИ,Ваутер Фредерик ТИММЕРМАНС,Фредерик ВИЕЛЬ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2007-01-27.

Disinfecting composition, method of carrying out disinfection and impregnating material

Номер патента: RU2152984C2. Автор: Марина ТРАНИ,Николетта Романо,Джованни Минервини. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2000-07-20.

Method and apparatus for forming an irregular pattern of granules on an asphalt coated sheet

Номер патента: WO1998029196A1. Автор: Frank R. Wilgus,James S. Belt,Frank A. Wilgus. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 1998-07-09.

Device and method of opening containers for nonuniform materials

Номер патента: RU2664837C1. Автор: Фабьен Мишель Ален ШАРРЕР. Владелец: Финанс Девелопман Энвиронман Шаррер - Фидек. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of and apparatus for controlling floating zone of semiconductor rod

Номер патента: EP0288605B1. Автор: Yasuhiro Ikeda,Kunio Suzuki,Masataka Watanabe,Nobuhiro Ohara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1993-04-28.

Method of imparting cloud form pattern to porous substrate

Номер патента: JPS5993384A. Автор: Hiroshi Tanaka,博 田中,Haruo Mizushima,水島　春男. Владелец: Meisei Chemical Works Ltd. Дата публикации: 1984-05-29.

Method of knitting rope-form patterns in tubular knitted fabric

Номер патента: EP1367161A4. Автор: Kazuyoshi Okamoto. Владелец: Shima Seiki Mfg Ltd. Дата публикации: 2004-04-28.

Method of float zone melting a doped rod of semiconductor material

Номер патента: US3173815A. Автор: Schmidt Otto. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1965-03-16.

Method of producing support framework for traffic equipment - which uses connecting wires and lines to join columns, traverses and other types of support

Номер патента: SE9101273L. Автор: I Persson. Владелец: Idea Consult Ab. Дата публикации: 1992-10-27.

Method of simulating objects in radar monitoring

Номер патента: RU2654847C1. Автор: Юрий Иванович Стародубцев,Сергей Георгиевич Дубинин,Василий Алексеевич Новиков,Дмитрий Николаевич Репин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ имени генерала армии А.В. Хрулева". Дата публикации: 2018-05-22.

A silicon single crystal wafer, a method of manufacturing a silicon single crystal, or a method of manufacturing a silicon single crystal wafer, and a semiconductor device

Номер патента: DE112009000569T5. Автор: Koji Annaka Ebara,Shizuo Annaka Igawa,Tetsuya Annaka Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of reusing a coated substrate having a surface coating fixed to the substrate from which deposits are readily removed

Номер патента: US6261380B1. Автор: Shoji Saibara,Kenji Kohno,Hiroyuki Mitsuhashi,Kazushi Miyata. Владелец: Hitachi Maxell Ltd. Дата публикации: 2001-07-17.

Method of producing metal part by selective melting of powder

Номер патента: RU2593312C2. Автор: Жан-Батист МОТТЕН,Бериль Кассандр Анн МЕРО,Софи Мартин ЖОБЕ,Оливье ШАНТУАЗО,РАЗЕ Брюно ЛЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2016-08-10.

Method of identification of switch points and position of rail tongue

Номер патента: RU2652673C1. Автор: Анатолий Аркадиевич Марков,Андрей Геннадиевич Антипов. Владелец: Открытое акционерное общество "Радиоавионика". Дата публикации: 2018-04-28.

Method of administration for time-varying patterns of drug delivery

Номер патента: DK0546038T3. Автор: Felix Theeuwes,Atul Devdatt Ayer,Patrick S-L Wong,Anthony L Kuczynski. Владелец: Alza Corp. Дата публикации: 1994-11-28.

Method of laser welding employing a pattern of micro welds

Номер патента: EP3256283B1. Автор: Jacek Tadeusz Gabzdyl,Malcolm Paul Varnham,Stephen Roy Norman,Daniel Anthony CAPOSTAGNO,Paul Martin HARRISON,Adam Piotr ROSOWSKI,Tara Murphy. Владелец: Trumpf Laser UK Ltd. Дата публикации: 2022-10-05.

Method of producing decorative plates having patterns of large crystals

Номер патента: JPS5278728A. Автор: Tsuneji Takasugi,Kisuke Watanabe. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1977-07-02.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of obtaining polymers, which do not contain water and solvents

Номер патента: RU2542986C2. Автор: Ханнс-Ингольф ПАУЛЬ,Йорг КИРХХОФФ,Пауль ВАГНЕР,Рольф ФЕЛЛЕР,Вернер БЭККЕР,Джон ЛАВГРОУВ. Владелец: Ланксесс Интернасьональ Са. Дата публикации: 2015-02-27.

Method of one-stage mammary gland plasty in organ-preserving surgical cancer treatment for tumor localization in internal quadrants

Номер патента: RU2649530C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Мария Владимировна Ермощенкова,Азиз Дильшодович Зикиряходжаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский радиологический центр" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИРЦ" Минздрава России). Дата публикации: 2018-04-03.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of cochlear implantation in internal ear anomalies with incomplete cochlear separation

Номер патента: RU2707864C1. Автор: Николай Аркадьевич Дайхес,Хассан Мохамед Али Диаб,Ольга Александровна Пащинина,Антон Евгеньевич Михалевич,Кямиль Дилавар оглы Юсифов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-клинический центр оториноларингологии Федерального медико-биологического агентства" (ФГБУ НКЦО ФМБА России). Дата публикации: 2019-11-29.

Method of recycling secondary water and system for recycling secondary water

Номер патента: RU2433085C2. Автор: Юити Танака,Тору ЙОСИИ,Хидекацу ХОНДА. Владелец: Ниппон Ойл Корпорейшн. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of obtaining polycrystalline silicon

Номер патента: RU2674955C1. Автор: Владимир Васильевич Митин,Александр Аркадьевич Кох,Евгений Владимирович Оствальд,Ахсарбек Борисович Пинов. Владелец: Акционерное общество "Управляющая компания "АКЦЕНТ". Дата публикации: 2018-12-13.

Method of shaping profile of specified shape for stretch ceilings

Номер патента: RU2735136C1. Автор: Руслан Тимихович Бекоев. Владелец: ПИНЧУК Алексей Геннадьевич. Дата публикации: 2020-10-28.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2593633C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of testing for power and ground continuity of a semiconductor device

Номер патента: SG135133A1. Автор: Vivien Wong,Wai Khuin Phoon,Wah Yew Tan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-09-28.

Method of measurement of azimuthal directional pattern of aerial

Номер патента: RU2298198C1. Автор: Алексей Валентинович Бакаев,Алексей Валентинович Бакаев (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Полет". Дата публикации: 2007-04-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2522182C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-07-10.

ULTRASOUND IMAGING SYSTEM AND METHODS OF IMAGING USING THE SAME

Номер патента: US20120004539A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming light emitting end face of semiconductor light emitting element, method of manufacturing semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting element, method of forming end face of nitride III-V compound semiconductor layer, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: JP3467981B2. Автор: 弘治 河合. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of variable cross-section waveguide

Номер патента: RU2395139C1. Автор: Георгий Георгиевич Гаврилов,Елена Вячеславовна Каламзина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2010-07-20.

Method of production of phosphate fertilizer

Номер патента: RU2142927C1. Автор: В.В. Коршунов,В.А. Леонтьев,П.В. Классен,В.Г. Казак,Ю.Д. Черненко,А.Р. Держинский,Ф.Г. Габдуллина,В.Н. Галина,А.И. Ангелов,И.А. Альмухаметов,Ф.А. Галиев,А.В. Пашкова,Р.Т. Усманов,Х.И. Ярмухаметов. Владелец: Ярмухаметов Хамза Ибатуллович. Дата публикации: 1999-12-20.

Method of production of chlorosilane

Номер патента: RU2214363C1. Автор: И.А. Тищенко,Г.В. Максимова,С.И. Гашенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Химпром". Дата публикации: 2003-10-20.

Method of preparing food sorbent from vegetable materials

Номер патента: RU2255803C1. Автор: Е.П. Корнена,В.Г. Щербаков,В.Г. Лобанов,А.В. Александрова,С.Ю. Ксандопуло. Владелец: Кубанский государственный технологический университет. Дата публикации: 2005-07-10.

Method of and system for automatically measuring capacitance of semiconductor structure with elimination of effects of residual capcitances

Номер патента: PL278836A1. Автор: Radoslaw Molenda,Piotr Machalica. Владелец: PRZEMYSLOWY INST ELEKTRONIKI. Дата публикации: 1989-10-16.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of cleaning and obtaining porous surface of semiconductor plates

Номер патента: RU2507630C1. Автор: Максим Александрович Зарезов,Антон Викторович Мантузов,Галина Филипповна Потапова,Вячеслав Александрович Панчугин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное предприятие "Солвэй". Дата публикации: 2014-02-20.

Method of and device for breaking scribed slices of semiconductor material

Номер патента: CA885145A. Автор: G. Pick Eric,B. Medders Jerry,Lawrence T. Loftus, Jr.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-11-02.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970053574A. Автор: 홍영기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Field-emission element with cathodes based on carbon nanotubes and method of its making

Номер патента: RU2590897C1. Автор: Сергей Петрович Тимошенков,Михаил Георгиевич Путря,Юрий Александрович Чаплыгин,Валерий Петрович Тимошенков,Александр Анатольевич Голишников,Владислав Анатольевич Жигалов,Татьяна Юрьевна Крупкина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-07-10.

Control method of fuel parameters in fuel feed system of multifuel engine (versions)

Номер патента: RU2546909C2. Автор: Эдуард Александрович Улановский,Андрей Валентинович Балахнин,Роман Васильевич Гаврилей,Иван Станиславович Полищук. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КОНВЕР". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of determining ballistic characteristics of projectiles and data processing system therefor

Номер патента: RU2577077C1. Автор: Василий Васильевич Ефанов,Сергей Михайлович Мужичек,Петр Владимирович Шутов,Сергей Юрьевич Коростелев. Владелец: Сергей Юрьевич Коростелев. Дата публикации: 2016-03-10.

The method of forming the radiation pattern of the PAR in an exponential manner from the number of antenna elements

Номер патента: RU2016104934A. Автор: Сергей Владимирович Потапов. Владелец: Сергей Владимирович Потапов. Дата публикации: 2017-08-21.

Method of knitting rope-form patterns in tubular knitted fabric

Номер патента: AU2002226720A1. Автор: Kazuyoshi Okamoto. Владелец: Shima Seiki Mfg Ltd. Дата публикации: 2002-08-19.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGES INCLUDING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A REDISTRIBUTION ELEMENT, METHODS OF FORMING REDISTRIBUTION ELEMENTS AND METHODS FOR PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130059419A1. Автор: Corisis David J.,Kuan Lee Choon,Hui Chong Chin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Method of determining temperature of active region of light-emitting diode

Номер патента: RU2473149C1. Автор: Александр Николаевич Пихтин,Сергей Анатольевич Тарасов,Екатерина Андреевна Менькович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2013-01-20.

Method of forming beam pattern of double-ring digital phased antenna array

Номер патента: RU2573715C1. Автор: Юрий Васильевич Белозерцев,Андрей Анатольевич Лещинский,Александр Анатольевич Лукьяненко. Владелец: Акционерное общество "Воронежский научно-исследовательский институт "Вега" (АО "ВНИИ "Вега"). Дата публикации: 2016-01-27.

Method of production of preserved food "mixed meat okroshka" of special purpose (variants)

Номер патента: RU2332897C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-09-10.

Mold body for use in a method of forming a tread pattern on a tire

Номер патента: CA1102977A. Автор: Charles E. Grawey,John J. Groezinger,Quentin T. Woods. Владелец: Caterpillar Tractor Co. Дата публикации: 1981-06-16.

Methods of manufacturing MOS transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TW200924114A. Автор: Satoshi Shimizu,Saysamone Pittikoun,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Hisakazu Otoi. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2009-06-01.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW200729314A. Автор: Tu-Hao Yu,Te-Kan Liao,Yu-Chia Chen,Pai-Hsuan Sun. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2007-08-01.

Methods of manufacturing mos transistor and forming channel cut and semiconductor device

Номер патента: TWI349333B. Автор: SHIMIZU Satoshi,Otoi Hisakazu,Pittikoun Saysamone,Chih Ming Chao,Hann Ping Hwang. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2011-09-21.

Method of measuring junction-body heat time constant of semiconductor devices

Номер патента: SU808831A1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Алексей Анатольевич Широков,Николай Николаевич Горюнов. Владелец: Ульяновский политехнический институт. Дата публикации: 1981-02-28.

Method of applying and diffusing impurity in manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPS6373621A. Автор: Takashi Nakajima,貴志 中島. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-04-04.

Geothermal turbine and method of using same

Номер патента: CA1142369A. Автор: Clarence R. Possell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-03-08.

The method of controlling the stability of the parameters of semiconductor devices

Номер патента: SU151403A1. Автор: А.И. Ильенков,Ф.А. Журавель. Владелец: Ф.А. Журавель. Дата публикации: 1962-11-30.

RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE, A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE RADIATION-HARDENED SEMICODUCTOR STRUCTURE, AND METHODS OF FORMING THE RADIATION-HARDENED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025311A1. Автор: . Владелец: ALLIANT TECHSYSTEMS INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHODS OF FORMING ENHANCED MOBILITY CHANNEL REGIONS ON 3D SEMICONDUCTOR DEVICES, AND DEVICES COMPRISING SAME

Номер патента: US20140120677A1. Автор: Miller Robert J.,Pham Daniel T.,Maitra Kungsuk. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006069A. Автор: 전하응. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming an element isolation film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006071A. Автор: 정하풍. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of measuring the potential of planar zones of semiconductor electrode in electrolyte solution

Номер патента: SU1434355A1. Автор: Виктор Адольфович Бендерский,Сергей Дмитриевич Бабенко,Низами Искендер Оглы Гусейнов,Александр Николаевич Рукин. Владелец: Филиал Института энергетических проблем химической физики АН СССР. Дата публикации: 1988-10-30.

Method of forming an element isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100190364B1. Автор: 조승건. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of determining volumetric isothermic resilient compressibility factor of semiconductors

Номер патента: SU1230307A1. Автор: М.И. Даунов,А.Б. Магомедов,А.Э. Рамазанова. Владелец: Институт Физики Дагестанского Филиала Ан Ссср. Дата публикации: 1986-11-30.

Manufacturing method of support for forming patterned nonwoven fabric

Номер патента: JP4718672B2. Автор: 弘昭 荒薦. Владелец: Daiwabo Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Method of forming two-layered polysilicon gate electrode in semiconductor device using grain boundaries

Номер патента: CN1134602A. Автор: 金钟哲,禹相浩. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-30.

Method of manufacturing film for grinding back surface of semiconductor wafer

Номер патента: JP3372332B2. Автор: 健太郎 平井,片岡　　真,治 成松,洋子 武内. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of producing films having metal patterns of different thicknesses

Номер патента: JPS52135843A. Автор: Takaaki Sakai,Hiroshi Narui,Teruki Shinohara,Takayasu Katou,Teruo Ogurusu. Владелец: Oike and Co Ltd. Дата публикации: 1977-11-14.

Method of making magnetic body with pattern of imbedded non-magnetic material

Номер патента: CA784187A. Автор: Wentworth Chandler,A. Kuliczkowski Joseph. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1968-04-30.

METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130023118A1. Автор: KIM Myeong-cheol,Jeong Soo-yeon,KIM DONG-KWON,KIM Do-hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

The method of determining the specific and contact resistance of semiconductor materials

Номер патента: SU133117A1. Автор: М.А. Каганов,И.С. Лискер. Владелец: И.С. Лискер. Дата публикации: 1960-11-30.

The method of forming the radiation pattern of the LED

Номер патента: RU2014145494A. Автор: Владимир Викторович Черниченко,Виталий Борисович Шепеленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-06-10.

The method of forming the radiation pattern of the LED

Номер патента: RU2014145493A. Автор: Владимир Викторович Черниченко,Виталий Борисович Шепеленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-05-27.

REDUCING CONTAMINATION IN A PROCESS FLOW OF FORMING A CHANNEL SEMICONDUCTOR ALLOY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120009751A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device having memory unit, method of writing to or reading from memory unit, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120044741A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

MANUFACTURING METHODS OF THIN FILM TRANSISTOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052625A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120153296A1. Автор: LEE Moon Sang,PARK Sung Soo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120223288A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-06.

Method of Setting a Work Function of a Fully Silicided Semiconductor Device, and Related Device

Номер патента: US20120231590A1. Автор: COLOMBO Luigi,Visokay Mark R.,Chambers James J.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor Device, Method Of Manufacturing The Same, And Electronic Device Including The Semiconductor Device

Номер патента: US20120248414A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of processing information in coherent laser locator with photodetector array

Номер патента: RU2354994C1. Автор: Олег Фёдорович Меньших. Владелец: Олег Фёдорович Меньших. Дата публикации: 2009-05-10.

METHOD OF MANUFACTURING SCALED EQUIVALENT OXIDE THICKNESS GATE STACKS IN SEMICONDUCTOR DEVICES AND RELATED DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130330843A1. Автор: Chudzik Michael P.,JR. Joseph F.,DAI Min,Liu Jinping,Shepard,Ronsheim Paul A.,Siddiqui Shahab. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

Method of monitoring space radio link "earth-spacecraft" and system therefor

Номер патента: RU2578169C1. Автор: Владимир Михайлович Ватутин,Иван Вениаминович Четыркин,Александр Викторович Поляков,Юрий Иванович Полтавец. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2016-03-20.

Method of production of preserved food "mixed meat okroshka" of special purpose (versions)

Номер патента: RU2332896C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-09-10.

Preparation method of trench grid VDMOS (vertical double-diffused metal oxide semiconductor) device with ultra-thin source region

Номер патента: CN102832134B. Автор: 张波,任敏,李泽宏,张金平,张蒙,赵起越,张灵霞,邓光敏. Владелец: Institute of Electronic and Information Engineering of Dongguan UESTC. Дата публикации: 2014-12-03.

Method of manufacturing an element isolation oxide film of a semiconductor device

Номер патента: KR980006057A. Автор: 남철우. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of controlling doping concentration for semiconductor thin film and semiconductor device

Номер патента: JP2003104792A. Автор: Hajime Saito,Masashi Kawasaki,肇 齊藤,雅司 川崎. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-09.

Method of preventing dishing during chemical mechanical polishing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: TWI296829B. Автор: Yu Chia Chen,Tu Hao Yu,Pai Hsuan Sun,Te Kan Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-11.

Method of stabilizing shape of directivity pattern of aerial

Номер патента: SU1288786A1. Автор: Юрий Владимирович Кузнецов,Виталий Иванович Самойленко,Леонид Леонидович Житченко,Ирина Юрьевна Лыгина. Владелец: Московский авиационный институт им.Серго Орджоникидзе. Дата публикации: 1987-02-07.

Method of painting hand or foot pattern of a specified person on ceramic ware and transcription paper used in this method

Номер патента: JPS53123414A. Автор: Masamichi Kitakouchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-10-27.

Method of producing film forming circuit pattern of printed board

Номер патента: JPS5780794A. Автор: Katsue Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-05-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ISOLATION AND PURIFICATION OF TRYPSIN FROM PRONASE PROTEASE AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003691A1. Автор: Tauer Christa,Mitterer Artur,Reiter Manfred,Mundt Wolfgang. Владелец: Baxter Healthcare S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF OPERATING STEAM BOILER

Номер патента: US20120000434A1. Автор: Kato Junichi,NINOMIYA Takashi,NAKAJIMA Junichi,MITSUMOTO Hiroyuki,KAMINOKADO Yoshiro. Владелец: MIURA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

DTV TRANSMITTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING BROADCAST DATA THEREIN

Номер патента: US20120002730A1. Автор: Choi In Hwan,Kwak Kook Yeon,Lee Hyoung Gon,Kim Byoung Gill,Kim Jin Woo,Kim Jong Moon,Song Won Gyu,KIM Jae Hyung,HONG Sung Ryong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DESCALING METALLIC DEVICES

Номер патента: US20120000791A1. Автор: . Владелец: ABBOTT LABORATORIES. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Method of forming pattern of textile materials

Номер патента: RU2485232C1. Автор: Наталья Александровна Новикова. Владелец: Наталья Александровна Новикова. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Method of forming epitaxial copper nanostructures on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2522844C1. Автор: Людмила Алексеевна Чеботкевич,Алексей Вячеславович Огнев,Александр Сергеевич Самардак,Константин Сергеевич Ермаков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Metal pallet and method of making same

Номер патента: US20120000401A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MIST COLLECTING APPARATUS, LIQUID EJECTING APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING MIST COLLECTING APPARATUS

Номер патента: US20120001985A1. Автор: . Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method of purification of the air from aerosol particles by installations of a pressure pneumatic transportation of dispersible materials

Номер патента: RU2250798C1. Автор: В.С. Логинов,М.В. Василевский,Е.Г. Зыков. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2005-04-27.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2596861C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2016-09-10.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF IMAGE FORMING APPARATUS

Номер патента: US20120001998A1. Автор: Sasaki Hidehito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Liana-shaped method of forming vines

Номер патента: RU2535734C1. Автор: Александр Юрьевич Ваулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинская государственная агроинженерная академия" (ФГБОУ ВПО ЧГАА). Дата публикации: 2014-12-20.

Method of forming and trimming vines

Номер патента: RU2478278C1. Автор: Николай Васильевич Матузок. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming of polycrystalline silicon layers

Номер патента: RU2261937C2. Автор: Н.М. Манжа,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН"). Дата публикации: 2005-10-10.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.