• Главная
  • 타이밍 마진을 적응적으로 보정하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 집적 회로

타이밍 마진을 적응적으로 보정하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 집적 회로

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: US7716545B2. Автор: Masaaki Shimooka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Clock Receiver in Semiconductor Integrated Circuit and Method of Controlling the Same

Номер патента: KR101033467B1. Автор: 이현우,김기한,윤원주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-09.

Memory control circuit and semiconductor integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100039870A1. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device and method

Номер патента: US20240233792A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Je-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210104267A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: EP3800641A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling the same

Номер патента: KR100940849B1. Автор: 김경남. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: CN100580635C. Автор: 下冈正明. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-01-13.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: EP4181126A1. Автор: Makoto Hirano,Min-Hwi Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device shared by two or more processors and system including the same

Номер патента: US20190333570A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Ki Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Fingerprint display device and integration integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20210406508A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Fingerprint display device and integration integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20210407453A1. Автор: Po-Sheng Shih. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20160141005A1. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-19.

Three dimensional integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: US9214926B2. Автор: Tsugio Takahashi. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20120269012A1. Автор: Ga-Young Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US11983413B2. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device for reducing data read time difference between memory banks

Номер патента: US20230266882A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods and systems for memory initialization of an integrated circuit

Номер патента: US09891683B2. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Reduction of zq calibration time

Номер патента: EP3888089A1. Автор: Yasuo Satoh,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09761299B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor integrated circuit capable of precisely adjusting delay amount of strobe signal

Номер патента: US09536579B2. Автор: Masaaki Iijima,Mitsuhiro Deguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4456069A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20180129560A1. Автор: Sang-Jin Byeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Erasing method and memory device using the same

Номер патента: US09754637B2. Автор: Hsin-Yu Chang,Yuan-Hao Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Chien-Chung Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09941304B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device with redundant memory circuit and repair method thereof

Номер патента: US11829605B2. Автор: Toshio Sunaga,Jui-Jen Wu,Tzu-Hao YANG. Владелец: Siloam Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Clock delay adjustment circuit for semiconductor integrated circuit and control method of the same

Номер патента: US20110242914A1. Автор: Yusuke Ito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Integrated circuit and method for operating the same

Номер патента: US20130335115A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: KR101957814B1. Автор: 송청기. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling the same

Номер патента: KR100930416B1. Автор: 김경남. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-12-08.

Integrated circuit chip and system having the same

Номер патента: US8786326B2. Автор: Seung-Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-22.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Integrated circuit, memory device including the integrated circuit, and method of operating the same

Номер патента: US20240310437A1. Автор: Seaeun PARK,Saeeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US20140185356A1. Автор: Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US20180188795A1. Автор: Chih-Yuan Yang,Chia-Fen Lin,Wen-Hsia Kung. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20130027095A1. Автор: Yeon-Uk Kim,Jung-Taek You. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Reprogrammable built-in-self-test integrated circuit and test method for the same

Номер патента: US7673200B2. Автор: Hsun-Yao Jan,Ting-Han Su,Cheng-Fang Yang. Владелец: Asix Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US9691969B2. Автор: Harry Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US20170092845A1. Автор: Harry Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Integrated circuit and apparatuses including the same

Номер патента: US20130322177A1. Автор: Ji-Sung Kim,Eui-Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor integrated circuit and IC card using the same

Номер патента: EP0587445B1. Автор: Atsuo C/O Mitsubishi Denki K.K. Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-19.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20220068392A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: US20210191883A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: EP3839776A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-23.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Read leveling method and memory device using the same

Номер патента: US09760478B2. Автор: Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Wei-Chieh Huang,Tzu-Hsiang Su,Tai-Chun Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory controller for RPMB-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US11914526B2. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory controller for rpmb-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US20240202138A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device performing hammer refresh operation and memory system including the same

Номер патента: US09892779B2. Автор: Hui-Kap YANG,Kyu-Chang KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210383848A1. Автор: Jangwoo Lee,KyungTae KANG,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Nonvolatile memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210223989A1. Автор: Hyun Jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory controller and storage device including the same

Номер патента: US20220005540A1. Автор: Sang Hyun Park,Hongseok Kim,EHyun NAM,Sunggil HONG,Hayoung LIM. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Page buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US12073909B2. Автор: Jinwoo Park,Yoonhee CHOI,Hyunjun Yoon,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device, memory system and electronic instrument

Номер патента: US6721231B2. Автор: Yasuhiko Tomohiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor memory device, memory system and electronic instrument

Номер патента: US20030123315A1. Автор: Yasuhiko Tomohiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140111254A1. Автор: Oh Seung-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140111255A1. Автор: Oh Seung-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20160141005A1. Автор: LEE Sang-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Multi functional integrated circuit and source driver having the same

Номер патента: KR100927790B1. Автор: 마사토 니시무라. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-11-20.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR101899084B1. Автор: 김용주,장재민,최해랑,권대한. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-09-18.

Multi-functional integrated circuit and source driver having the same

Номер патента: CN101727808B. Автор: 西村雅人. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Semiconductor integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US8542044B2. Автор: Yong-Ju Kim,Dae-Han Kwon,Hae-Rang Choi,Jae-Min Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US09502060B2. Автор: Minoru Kurosawa,Kichiya Itagaki,Hideho Koyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit and computing device having the same

Номер патента: US09983617B2. Автор: Chan Woo Park,Je Kook Kim,Min Shik SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

INTEGRATED CIRCUIT AND APPARATUSES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130322177A1. Автор: KIM Eui-Seung,KIM Ji-Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: US20150109844A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yen-Hao Shih,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: CN1467749A. Автор: 山内宽行,ɽ�ڿ���. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Integrated circuit and layout method for the same using blank area of macrocell

Номер патента: US6691292B2. Автор: Koujiro Hatanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Display driver integrated circuit and display device having the same

Номер патента: US09990248B2. Автор: Junho Park,Yanghyo Kim,Dokyung Kim,Sooyoung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20220058331A1. Автор: Sanghoon Baek,Jaewoo SEO,Seungman Lim,Jisu YU,Hyeongyu You,Hakchul JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Crypto device, integrated circuit and computing device having the same, and writing method thereof

Номер патента: US11886624B2. Автор: Ingoo Heo,Youngwook Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor integrated circuit and control method for the same

Номер патента: US20140049316A1. Автор: Hiroshi Okano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor integrated circuits and method for designing the same

Номер патента: US6675367B1. Автор: Kensuke Torii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20010009381A1. Автор: Hiroshi Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Multi-threshold integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20240055431A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Jaehee Cho,Jisu YU,Geonwoo Nam,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240143888A1. Автор: Yu-Jung Chang,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230385518A1. Автор: John Lin,Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit and method for desigining the same

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US8508249B2. Автор: Yasuyuki Nozuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Interfaces and die packages, and apparatuses including the same

Номер патента: US09672877B2. Автор: Oh Seung Min. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170084339A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Semiconductor memory device for switching high voltage without potential drop

Номер патента: US09859009B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Page buffer circuit and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US11996154B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory device and signal processing circuit

Номер патента: US20150162054A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US12125515B2. Автор: Sang-Hoon Jung,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Voltage generation circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09996098B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Jae-Boum Park,Kyeong-tae Kim,Saeng-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Voltage generation circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09712154B1. Автор: Jung-Ung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and signal processing circuit

Номер патента: US09536574B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Voltage generator and memory device including the same

Номер патента: US20230307068A1. Автор: Yoonjae Lee,ChiWeon Yoon,Cheonan Lee,Byungjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of and apparatus for refreshing memory devices

Номер патента: US20240105249A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Stacked memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20120294059A1. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Young Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-22.

Program and sense operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100124115A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11961561B2. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160247809A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190198501A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170373068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200350316A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140328106A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240049449A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory element, memory device, and semiconductor device

Номер патента: EP1866964A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Mikio Yukawa,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230058168A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor memory integrated circuit and layout method of the same

Номер патента: TW200541051A. Автор: Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-16.

Low Leakage Capacitor for Analog Floating-Gate Integrated Circuits

Номер патента: US20120241829A1. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Low leakage capacitor for analog floating-gate integrated circuits

Номер патента: US8558296B2. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Low leakage capacitor for analog floating-gate integrated circuits

Номер патента: US20130130450A1. Автор: Allan T. Mitchell,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor Integrated Circuits and Circuit Devices Using the Same

Номер патента: KR100286859B1. Автор: 마사아키 오노. Владелец: 아끼구사 나오유끼. Дата публикации: 2001-04-16.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20170092845A1. Автор: Chiang Tien-Wei,Chuang Harry Hak-Lay. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor integrated circuit and method of controlling the same

Номер патента: US20150106635A1. Автор: Kentaro Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20140185356A1. Автор: CHA Jin-Youp. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-07-03.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURES, INTEGRATED CIRCUITS, AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190304521A1. Автор: Tahmasebi Taiebeh,SEET CHIM SENG. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor integrated circuit devices and modules with the same

Номер патента: KR100454123B1. Автор: 장성진,전영현,강창만. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Gate driving integrated circuit and display device using the same

Номер патента: KR101395997B1. Автор: 윤중선. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2014-05-28.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor system with the same

Номер патента: TW201832346A. Автор: 李太龍. Владелец: 韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2018-09-01.

Integrated circuits and methods for forming the same

Номер патента: CN102136477B. Автор: 廖忠志. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR20140085012A. Автор: 차진엽. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-07-07.

Semiconductor integrated circuit and method of operating the same

Номер патента: CN101206917A. Автор: 金真怜,宋基焕,朴德夏. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-25.

Reprogrammable built-in-self-test integrated circuit and test method for the same

Номер патента: US20090100305A1. Автор: Hsun-Yao Jan,Ting-Han Su,Cheng-Fang Yang. Владелец: Asix Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit memory device with bit line pre-charging based upon partial address decording

Номер патента: US20060039216A1. Автор: Neal Berger,George Chang,Pearl Cheng,Anne Koh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20180188795A1. Автор: YANG CHIH-YUAN,Kung Wen-Hsia,LIN Chia-Fen. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US8055965B2. Автор: Naoki Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Integrated circuit and computing device having the same

Номер патента: KR102327339B1. Автор: 박찬우,김제국,석민식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-11-16.

Display driving method, display driver integrated circuit, and electronic device comprising the same

Номер патента: US09997131B2. Автор: Dong Hui Kim,Young Hee Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20150262599A1. Автор: KUROSAWA Minoru,ITAGAKI Kichiya,KOYAMA Hideho. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor integrated circuit and operating method for the same

Номер патента: CN104916296A. Автор: 黑泽稔,小山秀穗,板垣吉弥. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US09715920B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers

Номер патента: EP1561221A4. Автор: Thomas F Rust. Владелец: Nanochip Inc. Дата публикации: 2007-09-19.

Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers

Номер патента: WO2004036622A2. Автор: Thomas F. Rust. Владелец: Nanochip, Inc.. Дата публикации: 2004-04-29.

Tamper-resistant non-volatile memory device and integrated circuit card

Номер патента: US09948471B2. Автор: Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Differential amplifier circuit and semiconductor memory device including same

Номер патента: US09543904B1. Автор: Kyoung-Han KWON,Han Qu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Redundancy memory cell access circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080316838A1. Автор: Eunsung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240347490A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12057421B2. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device having depletion-type and enhancement-type channel regions

Номер патента: US09424924B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422515A1. Автор: Min-Hung Lee,Chun-Yu Liao,Kuo-Yu HSIANG,Jen-Ho LIU. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2023-12-28.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09941014B2. Автор: Chulho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09773561B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09697903B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory device reducing test time and computing system including the same

Номер патента: US09653160B2. Автор: Yun-Kil Kim,Jeong-Yun Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Data storage device and data processing system including the same

Номер патента: US09501130B2. Автор: Seung Jin PARK,Dong Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Integrated circuit memory devices having non-volatile memory transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20020197788A1. Автор: Kazunobu Kuwazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Memory device and manufacturing thereof

Номер патента: US20220336474A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor memory device and core layout thereof

Номер патента: US7391669B2. Автор: Hye-jin Kim,Sang-beom Kang,Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-24.

Driving integrated circuit, display device including the same, and method of measuring bonding resistance

Номер патента: US9772514B2. Автор: Jong-Won Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20090164860A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20060174176A1. Автор: Sadami Takeoka,Takashi Ishimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: US20100007368A1. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US09690316B2. Автор: Gun-Hee YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09960193B2. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same for a stabilizing power supply

Номер патента: US09600005B2. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Three-dimensional integrated circuit and testing method for the same

Номер патента: US20130135004A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takashi Morimoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US7872490B2. Автор: Hideaki Konishi,Masayasu Fukunaga. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20100213970A1. Автор: Hideaki Konishi,Masayasu Fukunaga. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US20020101249A1. Автор: Hirotaka Shimoda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160315099A1. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

Waveplate for optical integrated circuits and methods for manufacturing the same

Номер патента: US6795600B1. Автор: Anthony J. Ticknor. Владелец: Lightwave Microsystems Corp. Дата публикации: 2004-09-21.

Data driving integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: US11854463B2. Автор: Jung Bae YUN,Jae Uk Jeon,Man Jeong Ko,Byung Seob Song. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatus and method for booting a computing device from a nand memory device

Номер патента: WO2007130932A2. Автор: Edward Geiger,Nicolas Dade. Владелец: Symbol Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-11-15.

Layout design method and integrated circuit device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240290770A1. Автор: Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12095464B2. Автор: Guang-Cheng Wang,Shang-Hsuan CHIU,Yueh CHIANG,Ming-Xiang LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Interconnect layer of a modularly designed analog integrated circuit

Номер патента: US20080083936A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi International Inc USA. Дата публикации: 2008-04-10.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor integrated circuit device and system using the same

Номер патента: US20150234661A1. Автор: Tsutomu Yamada,Nobuyasu Kanekawa,Hiromichi Yamada,Kesami Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS USING THE SAME, CONTROL METHOD FOR CIRCUIT

Номер патента: US20160275039A1. Автор: TOKUDA Yasunobu. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-22.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20130263077A1. Автор: BAEK Sang-hoon,SEO Jae-woo. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DESIGINING THE SAME

Номер патента: US20130305208A1. Автор: Nozuyama Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20200019671A1. Автор: LIN John,WANG Chung-Hsing,LIN CHIN-SHEN,YANG KUO-NAN. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200021292A1. Автор: Lai Chih-Ming,PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,Chuang Cheng-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20220058331A1. Автор: Baek Sanghoon,YOU HYEONGYU,YU JISU,Seo Jaewoo,Lim Seungman,Jung Hakchul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-24.

INTEGRATED CIRCUIT AND ROUTING DESIGN OF THE SAME

Номер патента: US20160055290A1. Автор: WENG Lichiu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210083668A1. Автор: Lai Chih-Ming,PENG SHIH-WEI,LIN WEI-CHENG,TZENG JIANN-TYNG,Chuang Cheng-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

INTEGRATED CIRCUIT AND SYSTEM OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200097630A1. Автор: CHANG Yu-Jung,Hsu Chin-Chang,Yang Wen-Ju,LEE Hsien-Hsin Sean. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200134123A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,CHANG Yu-Jung,CHIANG Ting-Wei,Wang Pochun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150234661A1. Автор: YAMADA Hiromichi,HAGIWARA Kesami,Kanekawa Nobuyasu,Yamada Tsutomu. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

INVERTED INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20210279397A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,CHANG Yu-Jung,CHIANG Ting-Wei,Wang Pochun. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Integrated Circuit and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20190279975A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,SUE Pin-Dai,LIN Chung-Te,CHIANG Ting-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160299188A1. Автор: Park Junho,Kim Yanghyo,WOO SOOYOUNG,KIM DOKYUNG. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Adjustable Integrated Circuits and Methods for Designing the Same

Номер патента: US20190286772A1. Автор: Singh Gajendra Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

DISPLAY DRIVING INTEGRATED CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170308226A1. Автор: KIM Tae Sung,BAE Jong Kon,HAN Dong Kyoon,YOO Dae Hyun,Jung Louis Hyunsuk. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

INTEGRATED CIRCUIT AND COMPUTING DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20160327975A1. Автор: PARK Chan Woo,KIM Je Kook,SEOK Min Shik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Integrated Circuit and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20180337167A1. Автор: Zhuang Hui-Zhong,TIEN Li-Chun,SUE Pin-Dai,LIN Chung-Te,CHIANG Ting-Wei. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20200365111A1. Автор: HAN Ho Seok,PARK Jun Yong. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20230009894A1. Автор: LIAW Jhon Jhy,Wang Xiaodong,Tung Yu-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2023-01-12.

Composable system-in-package integrated circuits and process of composing the same

Номер патента: US7491579B2. Автор: Gary S. Delp,George Wayne Nation. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2009-02-17.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US6498515B2. Автор: Nobufusa Iwanishi,Yoshiyuki Kawakami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-24.

Integrated circuit and configuration method of the same

Номер патента: TW201813037A. Автор: 陳勝雄,陳俊臣,張豐願,張鈞皓,黃博祥. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220254769A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Display driver integrated circuit and display system having the same

Номер патента: KR20200133062A. Автор: 박준용,한호석. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of designing layout of semiconductor integrated circuit and apparatus for doing the same

Номер патента: US20060236283A1. Автор: Kohei Uchida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of operating system on chip and apparatuses including the same

Номер патента: US09405506B2. Автор: Yong Jun Hong,Jeong Woo RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT (IC), METHOD OF OPERATING THE SAME, AND DEVICES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150154734A1. Автор: Kang Won Sik,Woo Jae Hyuck,BAE Jong Kon,KIM Yang Hyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME.

Номер патента: FR2874105B1. Автор: Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-11-14.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME.

Номер патента: FR2874105A1. Автор: Thomas Kunemund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-10.

PORTABLE DEVICE WITH INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: DE60017401D1. Автор: Philippe Patrice,Isabelle Limousin,Olivier Brunet,Henri Boccia. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2005-02-17.

Cache memory device and fpga including the same

Номер патента: US20190188145A1. Автор: Hyukjun Lee,Hyunwoo Park,Hyun SO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory control unit and data storage device including the same

Номер патента: US09652403B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Storage device operating on zone basis and data processing system including the same

Номер патента: US20240118805A1. Автор: Joo Young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Application processor and data processing system including the same

Номер патента: US09977749B2. Автор: Sik Kim,Kook Won Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Control circuit, memory device including the same, and method

Номер патента: US20240272836A1. Автор: Won Ha CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory controller for reducing the number of error bits in read data and memory system including the same

Номер патента: US12105988B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12105964B2. Автор: Gyeong Min Park,Jong Tack JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US12056356B2. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240345729A1. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Touch apparatus, capacitive touch sensing circuit thereof, and touch sensing method using the same

Номер патента: US09836172B2. Автор: Yao-Hung Lai. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Memory network and system including the same

Номер патента: US20170075578A1. Автор: Gwangsun Kim,John Dongjun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory network and system including the same

Номер патента: US10447584B2. Автор: Gwangsun Kim,John Dongjun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-10-15.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Operation management in a memory device

Номер патента: US09465539B2. Автор: Robert Melcher,Nicholas Hendrickson,Anthony R. CABRERA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Storage device and a method of operating the same

Номер патента: US20240220103A1. Автор: JinHyuk Lee,Dongeun Shin,Dohyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Ecc decoder and memory controller including the same

Номер патента: US20240143442A1. Автор: Jaehong Kim,Hongrak Son,Yongsung KIL,Soonyoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Memory controller and storage device including the same

Номер патента: US20240241669A1. Автор: Geon Woo KIM,Dae Hoon Jang,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US9218312B2. Автор: Byoung-Sul Kim,Hak-Yong Lee,Jun-Ho Jo,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

Integrated circuit chip test and assembly package

Номер патента: US3984620A. Автор: David R. Robillard,Robert L. Michals. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-10-05.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Current detection device and spectrometer using the same

Номер патента: US20210143000A1. Автор: Prakash Sreedhar Murthy,Anand Pandurangan,Siva Selvaraj,Anoop Hegde. Владелец: Atonarp Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A2. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: EP4379706A3. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Passive waveguide structures and integrated detection and/or imaging systems incorporating the same

Номер патента: US20170153339A1. Автор: Kaushik Sengupta,Lingyu Hong. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-01.

Fingerprint display apparatus and integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: CN113869095A. Автор: 施博盛. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-31.

Fingerprint pixel unit, fingerprint display apparatus, and integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: CN113869096A. Автор: 施博盛. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2021-12-31.

Source driver integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20240185814A1. Автор: Yong Min Kim,Woong Jin OH,Kwang Jun Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

DRIVING INTEGRATED CIRCUIT, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MEASURING BONDING RESISTANCE

Номер патента: US20150198641A1. Автор: Moon Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

METHOD OF FABRICATING INTEGRATED DIGITAL X-RAY IMAGE SENSOR, AND INTEGRATED DIGITAL X-RAY IMAGE SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20160363673A1. Автор: AHN Dong Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

TESTING CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND TESTING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20160282409A1. Автор: NAKAMURA Hiroyuki. Владелец: MegaChips Corporation. Дата публикации: 2016-09-29.

PASSIVE WAVEGUIDE STRUCTURES AND INTEGRATED DETECTION AND/OR IMAGING SYSTEMS INCORPORATING THE SAME

Номер патента: US20170153339A1. Автор: Sengupta Kaushik,Hong Lingyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

PASSIVE WAVEGUIDE STRUCTURES AND INTEGRATED DETECTION AND/OR IMAGING SYSTEMS INCORPORATING THE SAME

Номер патента: US20150253525A1. Автор: Sengupta Kaushik,Hong Lingyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND TESTING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20130135004A1. Автор: Hashimoto Takashi,Morimoto Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20130328583A1. Автор: Wada Hiroki,Maeda Yoichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140062583A1. Автор: LEE Hyun-Chul,WANG Jong-Hyun,JANG Chae-Kyu,NAM Jong-Ki. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

DISPLAY DRIVING METHOD, DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20160133223A1. Автор: Kim Dong Hui,HA Young Hee. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Integrated circuit and method for driving the same

Номер патента: US20170153657A1. Автор: Gun-Hee YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

MULTI-FUNCTIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND SOURCE DRIVER HAVING THE SAME

Номер патента: US20140285481A1. Автор: Nishimura Masato. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor Integrated Circuit and Method for Operating the Same

Номер патента: US20150205314A1. Автор: Hayashi Kentaro,Hayashi Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

DRIVER INTEGRATED CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150228218A1. Автор: Shim Jung-Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

DISPLAY DRIVING METHOD, DISPLAY DRIVER INTEGRATED CIRCUIT, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20180268774A1. Автор: Kim Dong Hui,HA Young Hee. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Display driver integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160315099A1. Автор: Jin-woo Park,Siwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-27.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND TESTING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20150323591A1. Автор: Hashimoto Takashi,Morimoto Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

LCOS integrated circuit and electronic device using the same

Номер патента: US20070146293A1. Автор: Cheng-Chi Yen,Yao-Jen Tsai,Hon-Yuan Leo,Wei-Hsiao Chen. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Photon integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3306802B2. Автор: コーレン ウジール. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-07-24.

Integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR20170062926A. Автор: 윤건희. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor integrated circuit and method for testing the same

Номер патента: US7349506B2. Автор: Yasushi Shizuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-25.

Semiconductor integrated circuit and method of testing the same

Номер патента: KR970010006B1. Автор: Masaharu Taniguchi,Akira Kitaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-20.

Operational amplifier, integrated circuit, and method for operating the same

Номер патента: US11353909B2. Автор: Yutaka Saeki. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Display driver integrated circuit and display device having the same

Номер патента: KR20150003026A. Автор: 우재혁,배종곤,우수영,강원식,김양효. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor integrated circuit and method for operating the same

Номер патента: EP2897273B1. Автор: Kentaro Hayashi,Yutaka Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-25.

Integrated circuit and electronic circuit comprising the same

Номер патента: US11081439B2. Автор: Kentaro Watanabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Integrated circuit and electronic circuit comprising the same

Номер патента: US20200168539A1. Автор: Kentaro Watanabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Control circuits, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same

Номер патента: US20150163869A1. Автор: Ching Sheng Yu,Chih Liang Wang,Kuang Hui Chen. Владелец: Groups Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09964979B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method with function parameter setting and integrated circuit using the same

Номер патента: US09471079B2. Автор: Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Through-silicon via detecting circuit, method and integrated circuit having the same

Номер патента: US20210215755A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Scan chain circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09897655B2. Автор: Chan-Ho Lee,In-Gyu Park,Dong-Wook Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Microwave integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240347485A1. Автор: Wei Zhao,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Zlichen WANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Programmable integrated circuits and methods of forming the same

Номер патента: US09659943B1. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190355808A1. Автор: Yoshiaki Toyoda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20240347536A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Chun-Yi Cheng,Ching-Wang YAO. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-17.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20240339530A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Chun-Yi Cheng,Ching-Wang YAO. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-10.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US09978764B2. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210273105A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor integrated circuit and activation method of the same

Номер патента: US20090027114A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200395482A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11024741B2. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050185440A1. Автор: Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Integrated circuit and method for fabricating the same having a replacement gate structure

Номер патента: US09666690B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240268107A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang,Shao-Tung PENG,Chung-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor integrated circuit and digital camera comprising the same

Номер патента: US6465817B1. Автор: Shinji Furuichi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Silicon-on-sapphire integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US4751554A. Автор: George L. Schnable,Kenneth M. Schlesier. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1988-06-14.

Semiconductor integrated circuit and system of controlling the same

Номер патента: US20120062314A1. Автор: Fumitoshi Hatori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuits and methods of forming the same with multi-level electrical connection

Номер патента: US20140232010A1. Автор: Huang Liu,San Leong Liew. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Radio frequency integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20210375946A1. Автор: Yu-an HUANG,Horng-Chih Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor integrated circuit and transmitter apparatus having the same

Номер патента: US20100245663A1. Автор: Toru Iwata,Hirokazu Sugimoto,Ryogo Yanagisawa,Manabu Kawabata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20120309186A1. Автор: Cheng Tang Huang,J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-06.

Thin film semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020079488A1. Автор: Yasuhiko Takemura,Toshimitsu Konuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Transistor, integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US09893159B2. Автор: Chia-Hao Chang,Wai-Yi Lien,Ming-Shan Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11894463B2. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230163214A1. Автор: Soojin JEONG,Seungmin Song,Junggil YANG,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated Circuit And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20200343256A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Jung-Ho Chang,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20240332034A1. Автор: Shenggao Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US7943426B2. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Integrated circuit layout, integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US11817402B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20220246548A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20240071957A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210098475A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190393230A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200083233A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Integrated-circuit devices and circuitry comprising the same

Номер патента: EP3742482A1. Автор: Prabir Kumar DATTA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: US11990473B2. Автор: Dongsoo Lee,Jaeyeol Song,Seungha Oh,Rakhwan Kim,Minjung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated-circuit devices and circuitry comprising the same

Номер патента: US20200373234A1. Автор: Prabir Kumar DATTA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210151432A1. Автор: Dongsoo Lee,Jaeyeol Song,Seungha Oh,Rakhwan Kim,Minjung PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Integrated circuit and converter having the same

Номер патента: US20240171067A1. Автор: Xueliang Chang,Zhongwang Yang,Mingjie Shan. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Three dimensional device integration method and integrated device

Номер патента: US09564414B2. Автор: Paul M. Enquist,Gaius Gillman Fountain, Jr.. Владелец: Ziptronix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Three dimensional device integration method and integrated device

Номер патента: CA2404270C. Автор: Paul M. Enquist. Владелец: Ziptronix Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor integrated circuit devices having particular terminal geometry

Номер патента: US5616962A. Автор: Atsushi Kitamura,Kenji Hirayama,Toshimitsu Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor integrated circuits and method of making the same

Номер патента: US3423255A. Автор: Benjamin D Joyce. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-01-21.

Semiconductor integrated circuit and fabricating method for the same

Номер патента: TWI524421B. Автор: 吳憲昌,李香寰,葉菁馥,彭兆賢. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US9343950B2. Автор: Masanori Kayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Resin composition and hybrid integrated circuit board making use of the same

Номер патента: EP1923426A4. Автор: Kenji Miyata,Hidenori Ishikura. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2009-07-22.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: CN103855760A. Автор: 鹿山正规. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-11.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: IT993367B. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-09-30.

Diode structure in semiconductor integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US3335341A. Автор: Lin Hung Chang. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-08-08.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: KR20140068768A. Автор: 마사노리 가야마. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-06-09.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09978883B2. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated circuits with capacitors and methods for producing the same

Номер патента: US09646963B1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09425318B1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated circuit including a combined logic cell

Номер патента: US20230061062A1. Автор: Badarish Mohan Subbannavar,Rakesh DIMRI,Mohammad Asif Farooqui,Somasekar J. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuits having an anti-fuse device and methods of forming the same

Номер патента: US20170125427A1. Автор: Danny Pak-Chum Shum. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Integrated circuits with image sensors and methods for producing the same

Номер патента: US20200161365A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same

Номер патента: US20190043992A1. Автор: Shyue Seng Tan,Yuan Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160190012A1. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Integrated circuits with inactive gates and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09640438B2. Автор: Ming Zhu,Yiang Aun Nga. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrated circuits with fets having nanowires and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160254382A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky,Gerd Zschaetzsch. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Integrated circuits with memory cells and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09537092B2. Автор: Alex See,Shyue Seng Tan,Zheng Zou. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated circuit device having through-silicon-via structure

Номер патента: US09496218B2. Автор: Gil-heyun Choi,Byung-lyul Park,Do-Sun LEE,Kun-Sang Park,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuits and methods for their fabrication

Номер патента: US09640423B2. Автор: Bharat Krishnan,Jinping Liu,Shishir Ray. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Buffer circuit, semiconductor integrated circuit, and system including the buffer circuit

Номер патента: US09831859B2. Автор: Ji Hwan Kim,Young Jun KU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Transistor cell for integrated circuits and method to form same

Номер патента: US20210159313A1. Автор: Stefan G. Block,Farid Labib,Herbert J. Preuthen. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Finfet integrated circuits and methods for their fabrication

Номер патента: US20150179644A1. Автор: Xiuyu Cai,Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: EP2867921A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-05-06.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US20140145675A1. Автор: Kazuya Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Improvements in or relating to input protection for MOS integrated circuits

Номер патента: GB2090701A. Автор: . Владелец: ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1982-07-14.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (IC) packages

Номер патента: US9633950B1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (ic) packages

Номер патента: WO2017139285A1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor integrated circuit and test system of the same

Номер патента: TW200537117A. Автор: Hideki Naganuma,Tomoo Koba. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2005-11-16.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: TW200610030A. Автор: Muhammad I Chaudhry. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Intelligent power integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: TW441110B. Автор: Chang-Sub Song,Hyeong-Woo Jang,Sin-Kook Jang. Владелец: Fairchild Kr Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-06-16.

Semiconductor assemblies including vertically integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230307309A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: TWI324390B. Автор: Jack H Yuan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-05-01.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US11751401B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: TW200945526A. Автор: Lu-Chen Hwan. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-01.

Interconnection structure of semiconductor integrated circuit and method for making the same

Номер патента: TW201101448A. Автор: Kuo-Hui Su,Yu-Shan Chiu,Wen-Ping Liang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-01-01.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20240332187A1. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2495379A1. Автор: Akira Muramatsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-04.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200807573A. Автор: Yi Ding. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2008-02-01.

Access Structure Integration Assembly and Integrated Access Systems and Methods of Using the Same

Номер патента: US20170198484A1. Автор: GRUMBERG Mathieu,Scrafford Roy,Meade Frederick W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Method for forming a memory integrated circuit

Номер патента: US6617211B1. Автор: Takayuki Niuya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Silicided integrated circuit with data retaining floating-gate capacitor

Номер патента: WO2014004797A1. Автор: Amitava Chatterjee,Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-01-03.

DRIVER INTEGRATED CIRCUIT CHIP, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING A DRIVER INTEGRATED CIRCUIT CHIP

Номер патента: US20150091163A1. Автор: Kim Dong-wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-02.

CONTROL CIRCUITS, INTEGRATED CIRCUITS AND ILLUMINATING APPARATUSES HAVING THE SAME

Номер патента: US20150163869A1. Автор: Yu Ching Sheng,Wang Chih Liang,Chen Kuang Hui. Владелец: GROUPS TECH CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

Integrated Circuit Layout, Integrated Circuit, and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20200411453A1. Автор: LU Shih-Lien Linus. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

BUFFER CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND SYSTEM INCLUDING THE BUFFER CIRCUIT

Номер патента: US20170111034A1. Автор: KU Young Jun,KIM Ji Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SEALED AND INTEGRATED CLIMBING SCAFFOLD AND METHOD FOR USING THE SAME

Номер патента: US20150167326A1. Автор: SHEN Haiyan,HAN Jianen. Владелец: SHENZHEN TECHEN TECHNOLOGY CO., LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Sealed and integrated climbing scaffold and method for using the same

Номер патента: US9963889B2. Автор: Haiyan Shen,Jianen HAN. Владелец: Shenzhen Techen Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: US20130056858A1. Автор: Meng-Jia Lin,Chin-Sheng Yang,Tian-You DING. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130102146A1. Автор: BYEON Sang-Jin,CHOI Jun-Gi. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20130119452A1. Автор: Endoh Tetsuo,Moon-Sik Seo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-16.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130176053A1. Автор: Nirschl Thomas,Gammel Berndt,Dirscherl Gerd,Rueping Stefan,Schlazer Philip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-07-11.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20140049316A1. Автор: OKANO Hiroshi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor assemblies including vertically integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210005526A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049397A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lien Wai-Yi,Chen Cheng-Long,SHIEH Ming-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

TRANSISTOR, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049480A1. Автор: Chang Chia-Hao,Lien Wai-Yi,SHIEH Ming-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057426A1. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-02-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150069587A1. Автор: KAMPHUIS Tonny,van Gemert Leonardus Antonius Elisabeth,Beelen-Hendrikx Caroline Catharina Maria. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140145504A1. Автор: Kayama Masanori. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140145675A1. Автор: Shimizu Kazuya. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-29.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140152372A1. Автор: LEE HOI JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: US20160079804A1. Автор: Kazuya Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

BITLINE STRUCTURE FOR THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20220102357A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200083233A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR ASSEMBLIES INCLUDING VERTICALLY INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210090969A1. Автор: Fay Owen R.,Yoo Chan H.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150097246A1. Автор: Xie Ruilong,Balasubramanian Pranatharthi Haran. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR SYSTEM WITH THE SAME

Номер патента: US20140175667A1. Автор: LEE Tae-Yong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140176093A1. Автор: Tateno Koji,Kondo Daisuke,NOMIYAMA TAKAHIRO. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-26.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210098475A1. Автор: Liu Chien Hung,SHU Cheng-Bo,Wu Yun-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160104714A1. Автор: Endoh Tetsuo,Moon-Sik Seo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-14.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160133569A1. Автор: Kim Jung-Han,Song Tae-Joong. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF FORMING THE SAME WITH MULTI-LEVEL ELECTRICAL CONNECTION

Номер патента: US20140232010A1. Автор: Liu Huang,Liew San Leong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES, Inc.. Дата публикации: 2014-08-21.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20150171082A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF FORMING THE SAME WITH EFFECTIVE DUMMY GATE CAP REMOVAL

Номер патента: US20160172251A1. Автор: Hempel Klaus,Triyoso Dina. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20150194436A1. Автор: Endoh Tetsuo,Moon-Sik Seo. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-09.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210225855A1. Автор: LIN Yu-Chu,JEN Chi-Chung,LIU Yi-Ling,WANG Cheng-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-22.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160218171A1. Автор: CHANG Kuo-Ching,WANG Hung-Sen,LIOU Ho-Chun,Yang Shih-Chi,HUNG Wei-Sho. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Transistor-type protection device, semiconductor integrated circuit, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140332846A1. Автор: Tsutomu Imoto,Kouzou Mawatari. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Low resistivity interconnects for integrated circuit and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200235055A1. Автор: Harsono S. Simka,Ganesh Hegde. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200235063A1. Автор: CHEN Chun-Hung,Lin Ming-Tse. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-07-23.

THREE DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20150270830A1. Автор: TAKAHASHI TSUGIO. Владелец: NANYA TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-09-24.

Integrated Circuit And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20200343256A1. Автор: Tsai Yao-Ting,LIAO Hsiu-Han,CHUANG Che-Fu,CHANG Jung-Ho. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-10-29.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190355808A1. Автор: TOYODA Yoshiaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-11-21.

INTEGRATED-CIRCUIT DEVICES AND CIRCUITRY COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20200373234A1. Автор: DATTA Prabir Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

INTEGRATED CIRCUITS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200395482A1. Автор: SONG Seungmin,Yang Junggil,JEONG Soojin,SUH BONGSEOK. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190393230A1. Автор: Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Integrated circuit and method for producing the same

Номер патента: KR100430924B1. Автор: 만프레트 엥겔하르트. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2004-05-12.

Flat type capacitor for integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100486303B1. Автор: 원석준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-04-29.

Capacitor of semiconductor integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: KR100270964B1. Автор: 이기영,홍석우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-01.

Insulated gate type field effect semiconductor integrated circuit device and preparation of the same

Номер патента: JPS5861672A. Автор: Shigeru Takahashi,盛 高橋. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-04-12.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: CN108878471B. Автор: 陆宇,刘少鹏. Владелец: CETHIK Group Ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: CN100421241C. Автор: 上田直人,野野山茂. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-24.

Semiconductor integrated circuit device and production of the same

Номер патента: JPS5447493A. Автор: Kenji Kaneko,Kaoru Niino,Takanori Nishimura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-04-14.

Wiring structure of semiconductor integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: KR970053559A. Автор: 전영권. Владелец: Lg 반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

STRUCTURE OF TRANSISTORS IN AN INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2498812A1. Автор: Eugene Tonnel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-07-30.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR3046293A1. Автор: Simon Jeannot,Raul Andres Bianchi,Sebastien Lagrasta,Fausto Piazza. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-06-30.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102296062B1. Автор: 김정한,송태중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-08-31.

Integrated circuit and medical device using the same

Номер патента: EP2554194A4. Автор: Takashi Morita,Takeharu Iwata,Yoshihisa Sugawara. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2015-12-02.

Monolithic microwave integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1237190A2. Автор: Dong-sik Shim,Sang-Goog Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-04.

3d integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284992A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor integrated circuit and layout method for the same

Номер патента: CN101552261A. Автор: 伊藤智和. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-07.

Semiconductor integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: TWI556352B. Автор: 王永智,高祥倫,林天祿,莊正吉. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor assemblies including vertically integrated circuits and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11664291B2. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-30.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3374912B2. Автор: 泰弘 安東. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-10.

Semiconductor integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US7205191B2. Автор: Tsuguo Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-17.

Contact structure in semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20020074540A1. Автор: Hiroaki Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

Integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20200113492A. Автор: 배근희,전용호,강세구,명성우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-10-07.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2708764B2. Автор: 敏幸 大古田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-04.

Stacked structure of integrated circuits and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060175694A1. Автор: Chung Hsin,Jayvee Huang. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Delay locked loop in semiconductor integrated circuit and method of driving the same

Номер патента: KR20110119976A. Автор: 신동석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-03.

Flat-type capacitor for integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070077722A1. Автор: Seok-jun Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1815723A. Автор: 上田直人,野野山茂. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-09.

Integrated circuit and method of using the same

Номер патента: JP5565456B2. Автор: 智康 伊藤. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

High density integrated circuit packages and method for the same

Номер патента: TW561602B. Автор: Moriss Kung,Kun-Yao Ho. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

Semiconductor integrated circuit device and system using the same

Номер патента: JPS59161127A. Автор: Akira Mizuno,Hiroshi Hososaka,明 水野,細坂 啓. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-09-11.

Structure of a semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US6995055B2. Автор: Yoshifumi Yoshida,Miwa Wake. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-07.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040241915A1. Автор: Osamu Yanaga,Kimikatsu Shoji,Hirofumi Tadokoro. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: TWI364793B. Автор: Lu Chen Hwan,yu lin Ma,P C Chen. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-21.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3144967B2. Автор: 靖彦 佐々木,和男 矢野. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-03-12.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2004311595A. Автор: 雅博 瀬上,Masahiro Segami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

LIN bus network, integrated circuit, and communication method using the same

Номер патента: JP5153652B2. Автор: シカール、ティエリ. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2013-02-27.

Flat capacitor for integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP4629970B2. Автор: ▲せき▼ 俊 元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-09.

Three dimensional integrated circuit and method of making the same

Номер патента: US7385283B2. Автор: Weng-Jin Wu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-10.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: TWI716497B. Автор: 吳偉成,陳姿妤. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-01-21.

Interconnection in integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: JPS63169045A. Автор: ロバート、エドウィン、ジョーンズ、ジュニア. Владелец: Inmos Corp. Дата публикации: 1988-07-13.

Nitride semiconductor based optical integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102258441B1. Автор: 성준호. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2021-05-31.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3569112B2. Автор: 博 望月,宏行 金谷,修 日高,久美 奥和田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-22.

Integrated circuit and method for producing the same

Номер патента: US8143714B2. Автор: Ingo Wennemuth,Minka Gospodinova-Daltcheva,Hayri Burak Goekgoez. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3003632B2. Автор: 久満 鈴木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-31.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: TWI509778B. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-21.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI224854B. Автор: Ryota Yamamoto,Masayuki Furumiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-01.

Semiconductor integrated circuits and method of manufacturing the same

Номер патента: FR1472688A. Автор: . Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1967-03-10.

Hybrid integrated circuit device, method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: JP4593075B2. Автор: 富男 山田,伸治 森山. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

VERY SMALL SEMICONDUCTOR DEVICE, ESPECIALLY TRANSISTOR FOR INTEGRATED CIRCUITS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2446540A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-08-08.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: TW201715707A. Автор: 朱文定,張至揚. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-05-01.

Integrated circuit and method for fabricating the same

Номер патента: US8022552B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Memory integrated circuit and methods for manufacturing the same

Номер патента: CN1147697A. Автор: 李禹奉,具永谋,洪兴基. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-04-16.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI778594B. Автор: 林建宏,謝明宏,張新君,王明義,盧胤龍. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-21.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: TW202213666A. Автор: 林建宏,謝明宏,張新君,王明義,盧胤龍. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-04-01.

Semiconductor Integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101025761B1. Автор: 양정환,마에다시게노부. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2011-04-04.

Semiconductor integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: US20030209760A1. Автор: Shinya Maruyama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3007023B2. Автор: 俊也 石尾,宏之 中西. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-02-07.

Package structure for integrated circuit device and method of the same

Номер патента: US20100267204A1. Автор: Lu-Chen Hwan,Yu-Lin Ma,P.C. Chen. Владелец: Mutual Pak Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040089911A1. Автор: Fumihiro Kimura,Takeya Fujino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Memory integrated circuit and methods for manufacturing the same

Номер патента: TW303515B. Автор: Koo Young-Mo,LEE Woo-Bong,Hong Heung-Gee. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-21.

Structures for semiconductor integrated circuits and methods of making the same

Номер патента: CA946983A. Автор: Bernard T. Murphy,Mitchell G. Stickler. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-05-07.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US20230326856A1. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363176A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: US12009304B2. Автор: Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor integrated circuit and operation method of the same

Номер патента: TW200849555A. Автор: Atsushi Kamo,Makoto Utsuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Conductive structure for a semiconductor integrated circuit and method for forming the same

Номер патента: TW200834766A. Автор: Cheng-Tang Huang,Jung-Bang Chyi. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2008-08-16.

Integrated circuit and method of fabricating the same

Номер патента: TWI249787B. Автор: Chun-Chieh Huang,Jin-Ho Kim,Kuei-Chang Tsai,Barbara Haselden,Chia Shun Hsiao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-02-21.

Protection circuit module and aerosol generating device including the same

Номер патента: EP4243641A1. Автор: Seungwon Lee,Sungwook Yoon,Daenam HAN,Seoksu JANG,Yonghwan Kim. Владелец: KT&G Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Memory device having cell over periphery structure and memory package including the same

Номер патента: US09865541B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Chang-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Structure and Method for Single Gate Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20190088666A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Huang-Wen Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Method of assembling microelectronic package and method of operating the same

Номер патента: US20200411497A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12087619B2. Автор: Yu-Ting Chen,Yen-De Lee,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Shun-Li Lan,Chih-Jung Ni. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US09716129B1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Dae-Hwan Kang,Kyu-Rie SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20200035696A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20090159558A1. Автор: Stéphane CHOLET. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Capacitive element, designing method of the same and integrated circuit device including the same

Номер патента: US20100207242A1. Автор: Kyoko Izuha,Hiroaki Ammo,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20230301101A1. Автор: Junghwan Lee,Hyunmin Cho,Jaehong YOO,Yujin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated circuit comparison method

Номер патента: CA1309511C. Автор: Vinod Kumar Agarwal,Benoit Nadeau-Dostie,Philip Stanley Wilcox. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for forming capacitors in integrated circuit and structure formed by the same

Номер патента: TW425710B. Автор: Jen-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-03-11.

Method for physical design verification of an integrated circuit and the apparatus using the same

Номер патента: TW201122878A. Автор: Chiu-Yu Ku. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-07-01.

Al-Cu covered connect structure of integrated circuit and method for producing the same

Номер патента: TW561583B. Автор: Shang-Yung Hou,Shin-Pu Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-11-11.

Apparatus for testing integrate circuit and method for making the same

Номер патента: TW200626905A. Автор: Ga-Lane Chen. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Marking pen having fiber bundle for storing ink and integral pen tip and method of manufacturing the same

Номер патента: JPS51116730A. Автор: Noboru Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-10-14.

Integrated circuit, circuit board including the integrated circuit, and image forming apparatus

Номер патента: JP5297760B2. Автор: 陽 島田. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120051491A1. Автор: . Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SYSTEM OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120062314A1. Автор: HATORI Fumitoshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-15.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20120140870A1. Автор: LEE Ji-Wang,KANG Shin-Deok. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120194265A1. Автор: YAMAMOTO Akio,IGARASHI Yutaka,KATSUBE Yusaku,TSUIJI Kosuke. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120196555A1. Автор: IGARASHI Yutaka,KATSUBE Yusaku. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-02.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DESIGNING THE SAME

Номер патента: US20120242368A1. Автор: Nozuyama Yasuyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-27.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20120269012A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT AND IC MODULE OF THE SAME

Номер патента: US20120305659A1. Автор: Miwa Yohichi,Minami Aya. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120306532A1. Автор: Itoh Tomoyasu. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-12-06.

CONDUCTIVE STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120309186A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20130027095A1. Автор: KIM Yeon-Uk,You Jung-Taek. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

INTEGRATED CIRCUIT CHIP AND SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20130099833A1. Автор: Oh Seung-Min. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20130099838A1. Автор: KWON Dae-Han,Kim Yong-Ju,Choi Hae-Rang,JANG Jae-Min. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130292744A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME HAVING A REPLACEMENT GATE STRUCTURE

Номер патента: US20130299922A1. Автор: Kim Hoon,Choi Kisik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130321033A1. Автор: KIM Dong-kyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device using the same

Номер патента: JP3797474B2. Автор: 憲二 大空,政司 米丸. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-07-19.

Semiconductor integrated circuits and method of making the same

Номер патента: CA859947A. Автор: D. Joyce Benjamin. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1970-12-29.

Feed-in device of monopole antenna as well as relevant analog broadcast playing system and integrating system

Номер патента: CN101800355B. Автор: 徐杰圣,黄章修. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2013-08-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MODULATION PROFILE GENERATOR AND SPREAD SPECTRUM CLOCK GENERATOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001658A1. Автор: . Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE MANAGEMENT DEVICE, IMAGE MANAGEMENT METHOD, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002881A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CODING APPARATUS, IMAGE CODING METHOD, PROGRAM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002022A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PROTECTION CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002335A1. Автор: TANG XING-HUA. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimation of Traffic Information, Device of Estimation of Traffic Information and Car Navigation Device

Номер патента: US20120004836A1. Автор: . Владелец: Xanavi Informatics Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COOLING DEVICE OF TURBOCHARGER OF ENGINE FOR VEHICLE

Номер патента: US20120003082A1. Автор: Niwa Yasushi,Nishizaka Satoshi,Nishimura Kazuaki,Deguchi Hiroaki. Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.