Halbleitervorrichtung
Номер патента: DE112015006979T5
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): Junichi Nakashima, Ryo Tsuda, Ryutaro Date, Shigeru Hasegawa, Yukimasa Hayashida
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): Junichi Nakashima, Ryo Tsuda, Ryutaro Date, Shigeru Hasegawa, Yukimasa Hayashida
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин
Номер патента: RU0000000749U1. Автор: Жилин Л.М.,Матовников В.А.,Шеин Ю.Ф.,Бурьба В.В.. Владелец: Акционерное общество "Кремний". Дата публикации: 1995-08-16.